KR20190142499A - 발광소자 패키지 및 광원 장치 - Google Patents
발광소자 패키지 및 광원 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20190142499A KR20190142499A KR1020180069454A KR20180069454A KR20190142499A KR 20190142499 A KR20190142499 A KR 20190142499A KR 1020180069454 A KR1020180069454 A KR 1020180069454A KR 20180069454 A KR20180069454 A KR 20180069454A KR 20190142499 A KR20190142499 A KR 20190142499A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting device
- disposed
- recesses
- hole
- Prior art date
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 67
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 67
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 67
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 67
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 78
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 75
- 239000000463 material Substances 0.000 description 56
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 14
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 14
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 13
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 13
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 8
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 6
- VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L iron(ii) gluconate Chemical compound [Fe+2].OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O.OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- -1 GaN Chemical class 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920006336 epoxy molding compound Polymers 0.000 description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910019897 RuOx Inorganic materials 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 4
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 4
- 238000011160 research Methods 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 3
- 230000001954 sterilising effect Effects 0.000 description 3
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 description 3
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 239000010436 fluorite Substances 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N nickel(II) oxide Inorganic materials [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 239000006089 photosensitive glass Substances 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017750 AgSn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IQFVPQOLBLOTPF-UHFFFAOYSA-L Congo Red Chemical compound [Na+].[Na+].C1=CC=CC2=C(N)C(N=NC3=CC=C(C=C3)C3=CC=C(C=C3)N=NC3=C(C4=CC=CC=C4C(=C3)S([O-])(=O)=O)N)=CC(S([O-])(=O)=O)=C21 IQFVPQOLBLOTPF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016347 CuSn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920012310 Polyamide 9T (PA9T) Polymers 0.000 description 1
- 235000002597 Solanum melongena Nutrition 0.000 description 1
- 244000061458 Solanum melongena Species 0.000 description 1
- 101001045744 Sus scrofa Hepatocyte nuclear factor 1-beta Proteins 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004887 air purification Methods 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009828 non-uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920001123 polycyclohexylenedimethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
발명의 실시 예에 개시된 발광소자 패키지는, 상면과 하면을 포함하고, 상기 상면과 상기 하면을 관통하는 제1 관통홀 및 제2 관통홀을 포함하고, 상기 제1,2관통홀 주변에 상기 하면에서 상기 상면을 향하여 오목한 제1 및 제2 리세스를 포함하는 몸체; 상기 몸체의 상면 상에 배치되고, 제1 본딩부 및 제2 본딩부를 포함하는 발광 소자; 및 상기 제1 및 제2 리세스에 각각 배치되는 제1 및 제2 금속부; 를 포함하고, 상기 제1 본딩부 및 상기 제2 본딩부는 상기 제1 관통홀 및 상기 제2 관통홀 상에 각각 배치되고, 상기 제1 및 제2 리세스는 상기 제1 및 제2 관통홀 각각의 외측에 배치되고, 상기 제1 및 제2 리세스 각각은 상기 제1 및 제2 관통홀을 향하여 연장되는 제1 및 제2 연장 리세스를 포함하고, 상기 제1 및 제2 관통홀 각각의 수평 방향의 최대 폭은 상기 제1 및 제2 리세스의 수평 방향의 최대 폭보다 작을 수 있다.
Description
발명의 실시 예는 발광소자 패키지, 발광소자 패키지 제조방법, 및 이를 갖는 광원 장치에 관한 것이다.
발명의 실시 예는 반도체 소자 패키지, 반도체 소자 패키지 제조방법, 및 이를 갖는 광원 장치에 관한 것이다.
GaN, AlGaN 등의 화합물을 포함하는 반도체 소자는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점을 가져서 발광소자, 수광 소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용될 수 있다.
특히, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 파장 대역의 빛을 구현할 수 있는 장점이 있다. 또한, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광원도 구현이 가능하다. 이러한 발광소자는, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저 소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성의 장점을 가진다.
뿐만 아니라, 광검출기나 태양 전지와 같은 수광 소자도 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용하여 제작하는 경우 소자 재료의 개발로 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 광 전류를 생성함으로써 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 이용할 수 있다. 또한, 이와 같은 수광 소자는 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성 및 소자 재료의 용이한 조절의 장점을 가져 전력 제어 또는 초고주파 회로나 통신용 모듈에도 용이하게 이용될 수 있다.
따라서, 반도체 소자는 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등 및 가스(Gas)나 화재를 감지하는 센서 등에까지 응용이 확대되고 있다. 또한, 반도체 소자는 고주파 응용 회로나 기타 전력 제어 장치, 통신용 모듈에까지 응용이 확대될 수 있다.
발광소자(Light Emitting Device)는 예로서 주기율표상에서 3족-5족 원소 또는 2족-6족 원소를 이용하여 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드로 제공될 수 있고, 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 파장 구현이 가능하다.
예를 들어, 질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭 넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 자외선(UV) 발광소자, 적색(RED) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.
예를 들어, 자외선 발광소자의 경우, 200nm~400nm의 파장대에 분포되어 있는 빛을 발생하는 발광 다이오드로서, 상기 파장대역에서, 단파장의 경우, 살균, 정화 등에 사용되며, 장파장의 경우 노광기 또는 경화기 등에 사용될 수 있다.
자외선은 파장이 긴 순서대로 UV-A(315nm~400nm), UV-B(280nm~315nm), UV-C (200nm~280nm) 세 가지로 나뉠 수 있다. UV-A(315nm~400nm) 영역은 산업용 UV 경화, 인쇄 잉크 경화, 노광기, 위폐 감별, 광촉매 살균, 특수조명(수족관/농업용 등) 등의 다양한 분야에 응용되고 있고, UV-B(280nm~315nm) 영역은 의료용으로 사용되며, UV-C(200nm~280nm) 영역은 공기 정화, 정수, 살균 제품 등에 적용되고 있다.
한편, 고 출력을 제공할 수 있는 반도체 소자가 요청됨에 따라 고 전원을 인가하여 출력을 높일 수 있는 반도체 소자에 대한 연구가 진행되고 있다.
또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 반도체 소자의 광 추출 효율을 향상시키고, 패키지 단에서의 광도를 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다. 또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 패키지 전극과 반도체 소자 간의 본딩 결합력을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.
또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 공정 효율 향상 및 구조 변경을 통하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.
발명의 실시 예는 반도체 소자 또는 발광소자의 하부에 몸체의 관통 홀이 배치된 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예는 몸체의 관통 홀들 주변에 몸체의 하면에서 상면 방향으로 오목한 리세스를 포함하는 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예는 몸체의 각 관통홀과 각 리세스를 연결하는 연장 리세스를 포함하는 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예는 몸체의 관통홀에 도전부가 배치된 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예는 몸체의 하부 리세스의 표면에 금속부를 포함하는 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예는 몸체와 소자 사이에 제1수지가 배치되어, 소자 하부를 지지 및 고정시켜 줄 수 있는 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예는 몸체 상부에 하나 또는 복수의 상부 리세스가 배치되며, 상기 상부 리세스에 제1수지가 배치된 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예는 광 추출 효율 및 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예는 공정 효율을 향상시키고 새로운 패키지 구조를 제시하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예는 반도체 소자 패키지가 기판 등에 재 본딩되는 과정에서 반도체 소자 패키지의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상면과 하면을 포함하고, 상기 상면과 상기 하면을 관통하는 제1 관통홀 및 제2 관통홀을 포함하고, 상기 제1,2관통홀 주변에 상기 하면에서 상기 상면을 향하여 오목한 제1 및 제2 리세스를 포함하는 몸체; 상기 몸체의 상면 상에 배치되고, 제1 본딩부 및 제2 본딩부를 포함하는 발광 소자; 및 상기 제1 및 제2 리세스에 각각 배치되는 제1 및 제2 금속부; 를 포함하고, 상기 제1 본딩부 및 상기 제2 본딩부는 상기 제1 관통홀 및 상기 제2 관통홀 상에 각각 배치되고, 상기 제1 및 제2 리세스는 상기 제1 및 제2 관통홀 각각의 외측에 배치되고, 상기 제1 및 제2 리세스 각각은 상기 제1 및 제2 관통홀을 향하여 연장되는 제1 및 제2 연장 리세스를 포함하고, 상기 제1 및 제2 관통홀 각각의 수평 방향의 최대 폭은 상기 제1 및 제2 리세스의 수평 방향의 최대 폭보다 작을 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2리세스의 깊이는 상기 제1 및 제2관통홀 사이에 배치된 상기 몸체의 두께의 50% 미만을 포함할 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2관통홀은 상기 제1 및 제2리세스 사이에 배치될 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 제1 리세스의 하면 면적은 상기 제1관통홀의 하면 면적보다 크며, 상기 제2 리세스의 하면 면적은 상기 제2관통홀의 하면 면적보다 클 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 제1리세스는 상기 제1관통홀을 기준으로 상기 몸체의 제1측면, 상기 제1측면에 인접한 제3,4측면에 연장되며, 상기 제2리세스는 상기 제2관통홀을 기준으로 상기 몸체의 제2측면, 상기 제2측면에 인접한 제3,4측면에 연장되며, 상기 제1리세스와 상기 제1측면 사이의 거리는, 상기 제1리세스와 상기 제3,4리세스 사이의 거리보다 좁으며, 상기 제2리세스와 상기 제2측면 사이의 거리는, 상기 제2리세스와 상기 제3,4리세스 사이의 거리보다 좁을 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 제1,2리세스는 상기 몸체 측면으로부터 이격되며, 상기 제1,2리세스의 하면 면적의 합은 상기 몸체의 하면 면적의 20% 내지 80% 범위일 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 제1,2금속부는 상기 제1,2관통홀에 각각 연장되며, 상기 제1,2금속부는 상기 제1,2리세스의 깊이보다 작은 두께를 포함할 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 제1,2금속부는 상기 몸체의 하면보다 위에 배치될 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 발광소자의 하면 및 둘레 중 적어도 하나에 수지 및 상부 리세스 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
발명의 실시 예에 따른 광원 장치는, 상부에 제1 및 제2패드를 갖는 회로 기판; 및 상기 회로 기판에 하나 또는 복수의 발광소자 패키지가 배치되며, 상기 발광소자 패키지의 제1,2관통홀 및 제1,2리세스에 배치된 제1 및 제2도전부를 포함할 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 반도체 소자 또는 발광소자의 본딩부들과 대면하는 몸체의 관통홀을 제공하여, 본딩부와의 전기적인 연결을 개선시켜 줄 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 반도체 소자 또는 발광소자의 본딩부들과 대면하는 몸체의 관통홀 주변에 배치된 리세스에 도전부가 채워지도록 함으로써, 도전부의 크랙을 억제하거나 방지할 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 몸체의 관통홀 및 하부 리세스에 금속부를 배치하여 도전부의 접착력이 개선시켜 줌으로써, 관통홀을 통해 연결되는 도전부의 전기적인 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 몸체의 관통홀을 통해 도전부와 소자의 본딩부를 연결시켜 주어, 플립 칩의 본딩부의 접착력 및 전기 전도성을 개선시켜 줄 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 소자 하부와 몸체 사이에 제1수지를 배치하여, 소자의 접착력 및 지지력을 개선시켜 줄 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 몸체의 상부에 리세스 및 소자 하부에 제1수지를 배치하여, 소자의 접착력 및 지지력을 개선시켜 줄 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 광 추출 효율 및 전기적 특성과 신뢰성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 공정 효율을 향상시키고 새로운 패키지 구조를 제시하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 반도체 소자 패키지가 기판 등에 재 본딩되는 과정에서 반도체 소자 패키지의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지, 이를 갖는 광원 장치의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
도 1은 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이다.
도 2는 도 1의 발광소자 패키지에서 발광소자가 제거된 평면도이다.
도 3은 도 1의 발광소자 패키지의 저면도이다.
도 4는 도 1의 발광소자 패키지에서 몸체의 부분 측 단면을 나타낸 사시도이다.
도 5는 도 1의 발광소자 패키지의 A-A측 단면도이다.
도 6은 도 1의 발광소자 패키지의 B-B측 단면도이다.
도 7은 도 5의 발광소자 패키지에 도전부를 배치한 예이다.
도 8은 도 5의 발광소자 패키지의 제1변형 예를 나타낸 도면이다.
도 9는 도 8의 발광소자 패키지에 도전부를 배치한 예이다.
도 10은 도 8의 발광소자 패키지의 다른 예이다.
도 11은 도 8의 발광소자 패키지의 제2변형 예이다.
도 12는 도 9의 발광소자 패키지를 갖는 광원 장치의 예이다.
도 13은 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 발광소자의 예이다.
도 2는 도 1의 발광소자 패키지에서 발광소자가 제거된 평면도이다.
도 3은 도 1의 발광소자 패키지의 저면도이다.
도 4는 도 1의 발광소자 패키지에서 몸체의 부분 측 단면을 나타낸 사시도이다.
도 5는 도 1의 발광소자 패키지의 A-A측 단면도이다.
도 6은 도 1의 발광소자 패키지의 B-B측 단면도이다.
도 7은 도 5의 발광소자 패키지에 도전부를 배치한 예이다.
도 8은 도 5의 발광소자 패키지의 제1변형 예를 나타낸 도면이다.
도 9는 도 8의 발광소자 패키지에 도전부를 배치한 예이다.
도 10은 도 8의 발광소자 패키지의 다른 예이다.
도 11은 도 8의 발광소자 패키지의 제2변형 예이다.
도 12는 도 9의 발광소자 패키지를 갖는 광원 장치의 예이다.
도 13은 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 발광소자의 예이다.
이하 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명하나 실시 예가 이에 한정되는 것은 아니다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지에 대해 상세히 설명하도록 한다. 상기 소자 패키지의 반도체 소자는 자외선, 적외선 또는 가시광선의 광을 발광하는 발광소자를 포함할 수 있다. 이하에서는 반도체 소자의 예로서 발광소자가 적용된 경우를 기반으로 설명하며, 상기 발광소자가 적용된 패키지 또는 광원 장치에 비 발광소자 예컨대, 제너 다이오드와 같은 소자나 파장이나 열을 감시하는 센싱 소자를 포함할 수 있다. 이하에서는 반도체 소자의 예로서 발광소자가 적용된 경우를 기반으로 설명하며, 발광소자 패키지에 대해 상세히 설명하도록 한다.
도 1은 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이며, 도 2는 도 1의 발광소자 패키지에서 발광소자가 제거된 평면도이고, 도 3은 도 1의 발광소자 패키지의 저면도이며, 도 4는 도 1의 발광소자 패키지에서 몸체의 부분 측 단면을 나타낸 사시도이고, 도 5는 도 1의 발광소자 패키지의 A-A측 단면도이며, 도 6은 도 1의 발광소자 패키지의 B-B측 단면도이고, 도 7은 도 5의 발광소자 패키지에 도전부를 배치한 예이다.
도 1 내지 도 6을 참조하면, 발광소자 패키지(100)는, 패키지 몸체(110) 및 발광소자(120)를 포함할 수 있다.
상기 패키지 몸체(110)는 몸체(115)와 반사부(110A)를 포함할 수 있다. 상기 반사부(110A)는 몸체(115) 위에 배치될 수 있다. 반사부(110A)는 몸체(115)의 상부 둘레에 배치될 수 있다. 반사부(110A)는 몸체(115)의 상부 위에 캐비티(102)를 제공할 수 있다. 일 예로서, 몸체(115)와 반사부(110A)은 일체형으로 형성될 수 있다. 다른 예로서, 몸체(115)와 반사부(110A)은 서로 별개로 형성된 후 부착되거나 결합될 수 있다. 이러한 결합을 위해, 몸체(115)와 반사부(110A)는 걸림홈 또는/및 걸림턱과 같은 결합 구조를 가질 수 있다.
상기 몸체(115)는 발광소자를 지지하는 하부 몸체 또는 지지부일 수 있고, 상기 반사부(110A)는 상부 몸체 또는 반사 몸체일 수 있다. 또한, 실시예에 의하면, 패키지 몸체(110)는 캐비티(102)를 제공하는 반사부(110A)를 포함하지 않고, 평탄한 상부면을 제공하는 몸체(115)만을 포함할 수도 있다. 상기 반사부(110A)는 발광소자(120)의 둘레에 배치되며, 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 상부 방향으로 반사시킬 수 있다. 상기 반사부(110A)는 몸체(115)의 상면에 대하여 경사지게 배치될 수 있다.
상기 패키지 몸체(110)는 캐비티(102)를 포함할 수 있다. 상기 캐비티(102)는 바닥면과, 바닥면에서 패키지 몸체(110)의 상면에 대해 경사진 측면(132)을 포함할 수 있다. 상기 측면(132)는 스텝 구조를 포함할 수 있다. 실시예에 의하면, 패키지 몸체(110)는 캐비티(102)를 갖는 구조로 제공될 수도 있으며, 캐비티(102) 없이 상면이 평탄한 구조로 제공될 수도 있다.
예로서, 상기 패키지 몸체(110) 또는 몸체(115)는 수지 재질 또는 절연성 수지 재질일 수 있다. 상기 패키지 몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 패키지 몸체(110) 또는 몸체(115)는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 그 내부에 TiO2와 SiO2와 같은 고굴절 재질의 필러를 포함할 수 있다. 상기 패키지 몸체(110) 또는 몸체(115)는 열 가소성 수지로 형성될 수 있다. 상기 반사부(110A)는 상기 몸체(115)와 동일한 재질일 수 있다.
발광소자 패키지(100)는 제1방향(X)의 길이가 제2방향(Y)의 길이와 같거나 클 수 있다. 이하의 설명에서 제1방향은 X 방향이며, 제2방향은 X 방향과 직교하는 Y 방향이며, 제3방향은 X,Y 방향과 직교하는 Z 방향일 수 있다.
발광소자(120)가 다각형 형상인 경우, 상기 제1방향은 상기 발광소자(120)의 변들 중 길이가 더 긴 변의 방향일 수 있다. 예컨대, 제1방향은 발광소자(120)의 장변 방향이며, 제2방향은 단변 방향일 수 있다. 상기 발광소자(120)가 정사각형 형상인 경우, 상기 제1 방향과 상기 제2"?袖* 변의 길이는 서로 동일할 수 있다. 상기 제1방향에는 발광소자(120)의 양 단변이 서로 반대측에 배치되며, 제2방향에는 발광소자(120)의 양 장변이 서로 반대측에 배치될 수 있다.
상기 패키지 몸체(110)는 제1방향에 배치된 제1 및 제2측면(S1,S2)과, 제2방향에 배치된 제3 및 제4측면(S3,S4)을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2측면(S1,S2) 사이의 간격이 상기 제3 및 제4측면(S3,S4)의 제1방향 길이일 수 있다. 상기 제3 및 제4측면(S3,S4) 사이의 간격은 상기 제1 및 제2측면(S1,S2)의 제1방향의 길이일 수 있다. 도 3과 같이, 상기 몸체(115)의 하면(S5)에서 제1방향의 길이(x1)과 제2방향의 길이(y1)은 서로 동일하거나, 길이 x1≥y1의 관계를 가질 수 있다.
상기 패키지 몸체(110)는 절연성 재질로 형성될 수 있다. 이러한 패키지 몸체(110)는 상면 또는 캐비티(102)의 바닥에 금속 프레임이 제거된 구조이므로, 금속 프레임을 갖는 구조에 비해 몸체 재질의 선택의 폭이 넓을 수 있다. 상기 패키지 몸체(110)는 금속 프레임 예컨대, 리드 프레임과 일체로 사출하지 않아, 금속부의 두께를 상기 리드 프레임의 두께보다 얇게 제공될 수 있다. 상기 패키지 몸체(110)는 리드 프레임과 미리 사출하지 않게게 되므로, 패키지 몸체(110)의 관통홀의 위치 변경, 캐비티(102)의 형상, 패키지 몸체(110)의 사이즈, 또는 패키지 사이즈에 대한 설계 변경이 용이할 수 있다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 상기 패키지 몸체(110)의 두께(t1)는 100 마이크로 미터 이상 예컨대, 100 내지 800 마이크로 미터의 범위일 수 있다. 상기 패키지 몸체(110)의 두께(t1)는 몸체(115)의 두께(t2)과 상기 반사부(110A)의 두께의 합일 수 있다. 상기 반사부(110A)의 두께는 상기 발광소자(120)의 두께 이상일 수 있으며, 상기 캐비티(102)의 깊이(h1)와 동일할 수 있다. 이러한 반사부(110A)의 상면은 광의 지향각 분포를 위해 상기 발광소자(120)의 상면과 같거나 더 높은 위치에 배치될 수 있다. 다른 예는 반사부(110A)는 제거될 수 있으며, 이러한 발광소자 패키지는 130도 이상의 광 지향각 분포를 가질 수 있다.
상기 패키지 몸체(110)는 관통홀(TH1,TH2)을 구비할 수 있다. 상기 패키지 몸체(110)는 하나 또는 복수의 관통홀을 구비할 수 있다. 상기 관통홀(TH1,TH2)은 서로 이격된 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 상기 발광소자(120)의 아래에 배치된 상기 패키지 몸체(110)의 상면에서 하면을 관통할 수 있다. 상기 몸체(115)는 관통홀(TH1,TH2)를 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 상기 몸체(115)의 상면에서 하면을 관통할 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 캐비티(102)의 바닥에서 상기 몸체(115)의 하면(S5)까지 관통될 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 상기 패키지 몸체(110) 또는 몸체(115)의 상면에서 하면 방향으로 관통될 수 있다.
실시예에 의하면, 제1 관통홀(TH1)의 상부 영역의 폭 또는 면적은 제1 관통홀(TH1)의 하부 영역의 폭 또는 면적에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 상기 제2 관통홀(TH2)의 상부 영역의 폭 또는 면적은 제2 관통홀(TH2)의 하부 영역의 폭 또는 면적에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다.
상기 제1 및 제2 관통홀(TH1,TH2)의 내면은 하부 영역에서 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 작아지는 경사진 형태로 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 관통홀(TH1, TH2)의 내면은 수직한 면이거나, 경사진 면 또는 곡면 중에서 적어도 하나 또는 둘 이상을 포함할 수 있다. 도 5와 같이, 상기 제1 및 제2 관통홀(TH1,TH2)의 내면은 경사진 면을 포함할 수 있다.
도 3 및 도 5를 참조하면, 발명의 실시 예는 상기 제1관통홀(TH1)의 하면 중심이 상면 중심에 비해 제1측면(S1) 방향에 더 가깝게 배치되며, 상기 제2관통홀(TH2)의 하면 중심이 상면 중심에 비해 제2측면(S2) 방향에 더 가깝게 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 내에서 서로 대향되는 두 내측면(Sa,Sb)의 경사 각도를 다르게 제공될 수 있다. 여기서, 내측면(Sa,Sb)는 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에서 패키지 몸체(110)의 양측면에 가까운 측면은 제1내측면(Sa)로 설명하며, 상기 제1내측면(Sa)와 대응되거나 대향되는 면은 제2내측면(Sb)로 설명하기로 한다. 상기 제1내측면(Sa)은 몸체(115)의 중심으로부터 제1측면(S1) 또는 제3측면(S2)에 더 인접하게 배치될 수 있다. 상기 제2내측면(Sb)은 제1내측면(Sa)보다 상기 몸체(115)의 센터에 더 인접하게 배치될 수 있다. 상기 제1관통홀(TH1) 및 제2관통홀(TH2) 각각은 제1,2내측면(Sa, Sb)를 포함할 수 있다.
예컨대, 상기 제1관통홀(TH1)에서 제1관통홀(TH1)의 하면을 기준으로 제1내측면(Sa)의 경사 각도는 제2내측면(Sb)의 경사 각도보다 크게 제공할 수 있다. 예컨대, 제1관통홀(TH2)에서 제2관통홀(TH2)의 수평한 하면을 기준으로 제1내측면(Sa)의 경사 각도는 제2내측면(Sb)의 경사 각도보다 크게 제공할 수 있다. 상기 제1 및 제2내측면(Sa,Sb)의 경사 각도는 각 관통홀의 상단과 하면을 연결한 직선의 각도일 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에서 제1내측면(Sa)은 경사진 면, 또는 수직한 면과 경사진 면이 연결된 면이거나, 오목한 곡면을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에서 제2내측면(Sb)은 경사진 면, 또는 수직한 면과 경사진 면이 연결된 면이거나, 오목한 곡면을 포함할 수 있다. 다른 예로서, 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에서 제2내측면(Sb)은 상부가 수직한 면이고 하부가 경사진 면인 경우, 관통홀(TH1,TH2)에서 경사진 면을 갖는 하부의 높이가 수직한 면을 갖는 상부의 높이보다 클 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에서 제1내측면(Sa)의 상단과 상기 제2내측면(Sb)의 상단은 곡면이거나, 각진 면일 수 있다. 이러한 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에서 제1내측면(Sa)이 제2내측면(Sb)보다 더 넓은 면적을 갖고 경사진 면으로 제공되므로, 액상으로 제공되는 도전부(도 7의 221,223)의 주입이 용이하고, 도전부(221,223)와의 접촉 면적이 증가될 수 있다. 또한 주입 효율이 증가되므로, 도전부(도 7의 221,223)와 본딩부(121,122) 사이의 영역에서의 보이드 발생을 억제할 수 있다. 즉, 도 7과 같이, 관통홀(TH1,TH2)에 도전부(221,223)이 배치될 수 있고, 또는 도 12와 같이 회로 기판(201) 상에서 상기 도전부(221,223)가 관통홀(TH1,TH2) 내에 배치될 수 있다.
상기 몸체(115)의 하면 영역에서 제1 관통홀(TH1)와 제2 관통홀(TH2) 사이의 간격은 100 마이크로 미터 내지 600 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 몸체(115)의 하면 영역에서 제1 관통홀(TH1)과 제2 관통홀(TH2) 사이의 간격은, 상기 발광소자 패키지(100)가 회로기판, 또는 서브 마운트에 실장되는 경우에, 전기적인 간섭을 방지하기 위하여 상기의 범위로 이격될 수 있다. 상기 제1 및 관통홀(TH1,TH2)의 최대 깊이는 몸체(115)의 두께(t2)와 동일할 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 깊이는 몸체(115)의 안정적인 강도를 유지할 수 있는 두께로 제공될 수 있다. 상기 패키지 몸체(110)의 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 깊이는 400 마이크로 미터 이하 예컨대, 80 내지 400 마이크로 미터의 범위 또는 100 내지 300 마이크로 미터의 범위로 제공될 수 있다. 여기서, 상기 몸체(115)의 두께(t2)는 400 마이크로 미터 이하 예컨대, 80 내지 400 마이크로 미터의 범위 또는 100 내지 300 마이크로 미터의 범위로 제공될 수 있다. 상기 몸체(115)의 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 깊이는 상기 몸체(115)의 두께와 같거나 두꺼울 수 있다. 상기 제 1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 상기 발광소자(120)의 영역과 수직 방향으로 중첩된 영역에 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 탑뷰 형상이 원 형상, 타원 형상, 다각형 형상, 직선과 곡선을 갖는 비정형 형상 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제 1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 상부 길이는, 제1방향과 제2방향이 동일한 길이로 제공되거나, 어느 한 방향의 길이가 더 길게 제공될 수 있다. 상기 제 1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 하부 길이는, 제1방향과 제2방향이 동일한 길이로 제공되거나, 어느 한 방향의 길이가 더 길게 제공될 수 있다.
상기 제1관통홀(TH1)은 상기 발광소자(120)의 제1본딩부(121) 아래에서 하나 또는 복수로 배치될 수 있다. 상기 제2관통홀(TH2)은 상기 발광소자(120)의 제2본딩부(122)의 아래에서 하나 또는 복수로 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 상부 형상과 하부 형상이 동일할 수 있다. 다른 예로서, 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 상부 형상과 하부 형상이 다를 수 있다. 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)는 상부 형상과 하부 형상이 대칭적일 수 있다. 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)는 상부 형상과 하부 형상이 비 대칭적일 수 있다. 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)는 제1방향과 제2방향 중 적어도 하나로 상부 형상의 중심과 하부 형상의 중심이 동일한 수직 직선 상에 배치되거나, 서로 다른 수직한 직선 상에 배치될 수 있다. 예컨대, 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 상부 형상과 하부 형상은 서로 다른 형상이거나, 제1방향으로 상부 및 하부 중심은 서로 다를 위치에 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 상부 형상과 하부 형상은 서로 다른 형상이거나, 제2방향으로 상부 및 하부 중심은 서로 다를 위치에 배치될 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 도 1 및 도 4와 같이, 상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 및 발광 구조물(123)을 포함할 수 있다. 상기 발광소자(120)는 기판(124)을 포함할 수 있다. 상기 발광소자(120)는 제1방향의 길이가 제2방향의 길이와 같거나 제1방향의 길이가 제2방향의 길이보다 더 길 수 있다.
상기 발광 구조물(123)은 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 배치된 활성층을 포함할 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 기판(124)은 투광 층으로서, 절연성 재질 또는 반도체 재질로 형성될 수 있다. 상기 기판(124)은 예컨대, 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge을 포함하는 그룹 중에서 선택될 수 있다. 예로서, 상기 기판(124)은 표면에 요철 패턴이 형성될 수 있다. 상기 기판(124)는 제거될 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 발광 구조물(123)은 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 상기 발광 구조물(123)은 예로서 2족-6족 또는 3족-5족 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 발광 구조물(123)은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 인(P), 비소(As), 질소(N)로부터 선택된 적어도 두 개 이상의 원소를 포함하여 제공될 수 있다.
상기 발광 구조물(123)은 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 예컨대 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층은 Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑된 n형 반도체층일 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층은 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑된 p형 반도체층일 수 있다.
상기 활성층은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 활성층은 예로서 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 활성층이 다중 우물 구조로 구현된 경우, 상기 활성층은 교대로 배치된 복수의 우물층과 복수의 장벽층을 포함할 수 있고, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 배치될 수 있다. 예컨대, 상기 활성층은 InGaN/GaN, GaN/AlGaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, AlGaAs/GaAs, InGaAs/GaAs, InGaP/GaP, AlInGaP/InGaP, InP/GaAs을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 발광소자(120)는 패키지 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 몸체(115) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 패키지 몸체(110)에 의해 제공되는 상기 캐비티(102) 내에 배치될 수 있다. 상기 캐비티(102)의 외측 둘레에 배치된 내측면(132)은 경사지거나 수직할 수 있으며, 예컨대 경사진 면은 1단 이상 또는 2단 이상으로 경사지게 배치될 수 있다.
상기 제1 본딩부(121)와 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)는 상기 패키지 몸체(110) 또는 몸체(115) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 패키지 몸체(110) 또는 몸체(115) 위에 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)는 상기 몸체(111) 또는 몸체(115)와 대면할 수 있다. 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)는 제1방향으로 이격될 수 있다. 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)는 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)와 동일한 방향으로 이격될 수 있다.
상기 제1 및 제2본딩부(121,122)는 전극 또는 패드일 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)을 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 패키지 몸체(110)의 상부 또는 반사부(110A)의 상부 방향으로 추출될 수 있게 된다.
상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 패키지 몸체(110) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 패키지 몸체(110) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)과 상기 제2 본딩부(122)는 금속 재질 및 비금속 재질 중 적어도 하나 또는 모두를 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)는 Ti, Al, In, Ir, Ta, Pd, Co, Cr, Mg, Zn, Ni, Si, Ge, Ag, Ag alloy, Au, Hf, Pt, Ru, Rh, ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, Ni/IrOx/Au/ITO를 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나 이상의 물질 또는 합금을 이용하여 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
상기 발광소자(120)는 내부에 하나 또는 복수의 발광 셀을 포함할 수 있다. 상기 발광 셀은 n-p 접합, p-n 접합, n-p-n 접합, p-n-p 접합 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 복수의 발광 셀은 하나의 발광소자 내에서 서로 직렬로 연결될 수 있다. 이에 따라 상기 발광소자(120)는 하나 또는 복수의 발광 셀을 가질 수 있으며, 하나의 발광소자에 n개의 발광 셀이 배치된 경우 n배의 구동 전압으로 구동될 수 있다. 예컨대, 하나의 발광 셀의 구동 전압이 3V이고, 2개의 발광 셀이 하나의 발광소자에 배치된 경우, 각 발광소자는 6V의 구동 전압으로 구동될 수 있다. 또는 하나의 발광 셀의 구동 전압이 3V이고, 3개의 발광 셀이 하나의 발광소자에 배치된 경우, 각 발광소자는 9V의 구동 전압으로 구동될 수 있다. 상기 발광소자(120)에 배치된 발광 셀의 개수는 1개 또는 2개 내지 5개일 수 있다.
발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 패키지 몸체(110)과 상기 발광소자(120) 사이의 영역에는 소정의 갭(Gap)이 배치될 수 있다. 상기 갭의 높이는 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)의 두께와 같거나 클 수 있다. 상기 갭에는 제1수지(160)가 배치될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 제1 및 제2본딩부(121,122) 사이의 영역과 상기 발광소자(120)의 하면과 상기 패키지 몸체(110)의 상면 사이의 영역에 배치될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 제1 및 제2본딩부(121,122) 사이의 영역과 상기 발광소자(120)의 하면과 상기 몸체(115)의 상면 또는 캐비티 바닥 사이의 영역에 배치될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)를 상기 패키지 몸체(110)에 부착시켜 줄 수 있다. 상기 제1수지(160)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질을 포함할 수 있다. 상기 제1수지(160)는 내부에 금속 산화물 또는 필러를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1수지(160)는 TiO2, SiO2, Al2O3와 같은 금속 산화물 또는 불순물을 포함하는 물질로 구성될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 도 7에 도시된 도전부(221,223)가 형성되기 전에 상기 발광소자(120)의 하부에 디스펜싱되어, 상기 발광소자(120)를 상기 몸체(115) 상에 부착 및 고정시켜 줄 수 있다. 이에 따라 상기 발광소자(120)의 유동이나 틸트를 방지할 수 있다. 또한 상기 제1수지(160)는 상기 도전부(도 7의 221,223)가 리멜팅되더라도, 상기 몸체(115)에 상기 발광소자(120)를 고정시켜 줄 수 있다.
상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출되는 경우, 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 사이에서 광 확산 기능을 제공할 수 있다. 상기 발광소자(120)로부터 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출될 때 상기 제1수지(160)는 광 확산 기능을 제공함으로써 상기 발광소자 패키지의 광 추출 효율을 개선할 수 있다. 또한, 상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다.
상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)의 하면과 상기 패키지 몸체(110)에 접촉될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)에 접촉될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)를 상기 패키지 몸체(110)에 접착시켜 주어, 상기 발광소자(120)의 지지력을 증가시켜 줄 수 있고 상기 발광소자(120)의 틸트를 방지할 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 접촉되어, 도 12와 같은 회로 기판(201) 상에서 상기 발광소자(120)와 본딩되는 도전부(221,223)가 리멜팅될 경우, 상기 발광소자(120)의 유동을 방지하고 상기 발광소자(120)를 지지할 수 있다.
발명에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 상기 제1 및 제2 관통홀(TH1,TH2)은 상기 패키지 몸체(110)의 상면과 하면을 Z 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 상기 발광소자(120)와 수직 방향(Z)으로 중첩될 수 있다. 상기 제1 관통홀(TH1)은 상기 발광소자(120)의 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 관통홀(TH1)은 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 수직 방향으로 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제1 관통홀(TH1)은 상기 패키지 몸체(110)의 상면에서 하면으로 향하는 Z 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. 이러한 제1 관통홀(TH1)을 통해 상기 제1 본딩부(121)를 노출시켜 줌으로써, 상기 제1 관통홀(TH1)에 채워지거나 배치되는 한 종류 또는 두 종류 이상의 도전성 물질을 통해 전기적인 경로 및 방열 경로로 제공할 수 있다.
상기 제2 관통홀(TH2)은 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 관통홀(TH2)은 상기 발광소자(120)와 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제2 관통홀(TH2)은 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 수직 방향으로 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 관통홀(TH2)은 상기 패키지 몸체(110)의 상면에서 하면으로 향하는 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다. 이러한 제2 관통홀(TH2)을 통해 상기 제2 본딩부(122)를 노출시켜 줌으로써, 상기 제2 관통홀(TH2)에 채워지거나 배치되는 한 종류 또는 두 종류 이상의 도전성 물질을 통해 전기적인 경로 및 방열 경로로 제공할 수 있다.
상기 제1 관통홀(TH1)과 상기 제2 관통홀(TH2)은 제1방향으로 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 관통홀(TH1)과 상기 제2 관통홀(TH2)은 상기 발광소자(120)의 하부 면 아래에서 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 관통홀(TH1)과 상기 제2 관통홀(TH2)은 상기 발광소자(120)와 Z축 방향으로 중첩될 수 있다.
도 3을 참조하면, 상기 제1,2관통홀(TH1,TH2)은 제1 방향의 상부 폭(b)은 하부 폭(b1)보다 작을 수 있다. 상기 제1,2관통홀(TH1,TH2)은 제2 방향의 상부 길이(a)은 하부 길이(a1)보다 작을 수 있다. 상기 b1/b의 비율은 a1/a의 비율보다 클 수 있다. 이에 따라 상기 제1,2관통홀(TH1,TH2)은 제1방향에서 제2방향보다는 도전부와의 접촉 효율이 증가될 수 있고, 제1방향으로의 도전부 확산을 유도하고 제2방향으로의 도전부 확산을 억제할 수 있다. 상기 제1관통홀(TH1)의 상면 중심과 하면 중심은 같은 중심에 배치되거나, 서로 어긋나게 배치될 수 있다. 상기 제2관통홀(TH2)의 상면 중심과 하면 중심은 같은 중심에 배치되거나, 서로 어긋나게 배치될 수 있다.
상기 제1,2관통홀(TH1,TH2)의 하부 중심 간의 간격은 상부 중심 간의 간격보다 클 수 있다. 상기 제1,2관통홀(TH1,TH2)의 하부 중심 간의 간격을 상부 중심 간의 간격보다 더 이격시켜 줌으로써, 상기 제1,2관통홀(TH1,TH2)에 채워지는 도전부가 몸체 하면에서 더 이격되는 방향으로 확산되도록 가이드할 수 있다.
상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 제1,2방향의 상부 폭(b,a) 및 상부 길이(b1,a1)는 제1 및 제2본딩부(121,122)의 제1,2방향의 하면 폭 및 하면 길이보다는 작을 수 있다. 제1 방향으로 상기 제1 관통홀(TH1)의 상부 영역의 폭(b)은 상기 제1 본딩부(121)의 너비에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 또한, X 방향으로 상기 제2 관통홀(TH2)의 상부 영역의 폭(b)이 상기 제2 본딩부(122)의 너비에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)의 X 방향의 폭은 서로 동일하거나 다를 수 있다. 제2 방향으로 상기 제1 관통홀(TH1)의 상부 영역의 길이(a1)가 상기 제1 본딩부(121)의 길이에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 또한, Y 방향으로 상기 제2 관통홀(TH2)의 상부 영역의 길이(a1)가 상기 제2 본딩부(122)의 길이에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 상부에서 Y 방향의 길이(a1)는 서로 동일하거나 다를 수 있다. 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)의 Y 방향의 길이는 서로 동일하거나 다를 수 있다. 예컨대, 상기 제1본딩부(121)의 하면 면적은 상기 제1관통홀(TH1)의 상면 면적보다 클 수 있다. 상기 제2본딩부(122)의 하면 면적은 상기 제2관통홀(TH2)의 상면 면적보다 클 수 있다.
발명의 실시 예는 상기 몸체(115)의 하면(S5)에 리세스(R11,R12)를 포함할 수 있다. 상기 리세스(R11,R12)는 상기 관통홀(TH1,TH2)의 주변에 배치될 수 있다. 상기 리세스(R11,R12)는 서로 이격된 영역에 배치될 수 있다. 상기 리세스(R11,R12)는 상기 몸체(115)의 하면에서 상기 몸체(110)의 상면 방향으로 오목하게 배치될 수 있다. 상기 리세스(R11,R12)는 상기 제1관통홀(TH1)의 주변에 배치된 제1리세스(R11)와, 상기 제2관통홀(TH2)의 주변에 배치된 제2리세스(R12)를 포함할 수 있다. 상기 제1리세스(R11)는 상기 제1관통홀(TH1)과 상기 몸체(115)의 제1측면(S1) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2리세스(R12)는 상기 제2관통홀(TH2)과 상기 몸체(115)의 제2측면(S2) 사이에 배치될 수 있다.
상기 제1리세스(R11)의 하면 면적은 상기 제1관통홀(TH1)의 하면 면적보다 크게 배치될 수 있다. 상기 제2리세스(R12)의 하면 면적은 상기 제2관통홀(TH2)의 하면 면적보다 크게 배치될 수 있다. 이러한 제1,2리세스(R11,R12)는 상기 제1,2관통홀(TH1,TH2)에 주입되는 도전부가 확산되는 공간을 제공할 수 있고, 상기 도전부의 두께 확보를 위한 공간으로 제공될 수 있다. 상기 제1리세스(R11)는 상기 제1관통홀(TH1)에 연결되며, 상기 제2리세스(R12)는 상기 제2관통홀(TH2)에 연결될 수 있다. 상기 제1리세스(R11)와 상기 제2리세스(R12)가 없는 경우, 상기 몸체 하면에 존재하는 도전부(도 7의 221,223)의 두께가 얇아질 수 있고, 이로 인해 상기 도전부의 크랙이 발생되거나 전기적인 전도 효율이 저하될 수 있다. 따라서, 발명의 실시 예는 몸체에 관통홀 각각에 연결되는 리세스를 배치하여, 도전부의 충진 면적을 증가시키고 몸체 하면에서의 도전부 두께를 증가시켜 줄 수 있다. 이로 인해 관통홀 내에서의 협소한 도전부의 면적이 증가될 수 있어, 안정적으로 발광소자 패키지를 회로 기판 상에 탑재할 수 있다.
도 5와 같이, 상기 리세스(R11,R12)의 깊이(t3)는 상기 몸체 하면(S5)에서 상기 리세스(R11,R12)의 상면까지의 거리로서, 120 마이크로 미터 이하 예컨대, 80 내지 120 마이크로 미터의 범위일 수 있다. 상기 리세스(R11,R12)의 깊이(t3)는 최대 몸체 두께의 50% 미만일 수 있다. 상기 리세스(R11,R12)의 깊이(t3)가 상기 범위보다 작은 경우 도전부에 크랙이 발생될 수 있고 상기 범위보다 큰 경우 상기 리세스(R11,R12) 상에서의 상기 몸체(115)의 강성이 저하될 수 있다. 여기서, 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 사이에 배치된 상기 몸체(115)의 두께(t2)는 상기 리세스(R11,R12)의 상면에서 상기 몸체 상면까지의 두께보다 클 수 있다.
상기 리세스(R11,R12)의 상면과 상기 몸체 상면 사이의 두께(t4)는 상기 몸체(115)의 두께(t2)의 3/5 이상일 수 있다. 상기 리세스(R11,R12) 상에서의 상기 몸체(115)의 상부 두께(t4)는 130 마이크로 미터 이상 예컨대, 130 내지 200 마이크로 미터의 범위일 수 있다. 상기 몸체(115)의 상부 두께(t4)가 상기 범위보다 작은 경우 강성이 저하될 수 있고 상기 범위보다 큰 경우 패키지 두께가 증가되는 문제가 있다. 상기 리세스(R11,R12)의 깊이(t3)는 상기 몸체(115)의 상부 두께(t4)보다 작을 수 있다. 상기 리세스(R11,R12)의 깊이(t3)는 상기 몸체(115)의 상부 두께(t4)의 30% 내지 35%의 범위일 수 있다.
상기 제1리세스(R11)는 상기 제1관통홀(TH1)로부터 상기 제1측면 방향으로 연장되거나 연결되는 제1연장 리세스(Re)를 포함할 수 있다. 상기 제2리세스(R12)는 상기 제2관통홀(TH2)로부터 상기 제2측면 방향으로 연장되거나 연결되는 제2연장 리세스(Rf)를 포함할 있다. 상기 제1연장 리세스(Re)는 제1방향으로 상기 제1관통홀(TH1)의 하부 영역과 중첩될 수 있다. 상기 제2연장 리세스(Rf)는 제1방향으로 상기 제2관통홀(TH2)의 하부 영역과 중첩될 수 있다. 상기 제1연장 리세스(Re)는 상기 제1관통홀(TH1)의 하부 둘레에 하나 또는 복수의 영역에서 상기 제1관통홀(TH1)의 하부와 연결될 수 있다. 상기 제2연장 리세스(Rf)는 상기 제2관통홀(TH2)의 하부 둘레에서 하나 또는 복수의 영역에서 상기 제2관통홀(TH2)의 하부와 연결될 수 있다.
예컨대, 상기 제1 및 제2 관통홀(TH1,TH2) 각각의 수평 방향의 최대 폭(a1,b1)은 상기 제1 및 제2 리세스(R11,R12)의 수평 방향의 최대 폭(c,c1)보다 작을 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)는 상기 제1,2리세스(R11,R12) 사이에 배치될 수 있다.
도 3과 같이, 제1방향으로 상기 제1,2리세스(R11,R12)의 폭(c1)은 상기 제1,2관통홀(TH1,TH2)의 상부 폭(b)보다는 크고 하부 폭(b1)과 같거나 상기 하부 폭(b1)보다는 클 수 있다. 상기 제2방향으로 상기 제1리세스(R11)의 길이(c)는 상기 제1관통홀(TH1)의 하부 길이(a1)와 같거나 길게 배치될 수 있다. 상기 제2방향으로 상기 제2리세스(R12)의 길이(c)는 상기 제2관통홀(TH2)의 하부 길이와 같거나 길게 배치될 수 있다. 상기 제2방향으로 상기 제1,2리세스(R11,R12)의 길이(c)는 상기 제1,2관통홀(TH1,TH2)의 길이(a1)보다 1배 이상 예컨대 1배 내지 4배 이하일 수 있다. 상기 제1,2리세스(R11,R12)는 제1방향의 폭(c1)보다는 제2방향의 길이(c>c1)가 더 크게 배치될 수 있다. 상기 제1,2리세스(R11,R12)의 제1,2방향의 중심은 상기 제1,2관통홀(TH1,TH2)의 하면 중심과 같은 직선 상에 배치될 수 있다.
상기 제1리세스(R11)는 상기 몸체(115)의 제1측면(S1), 제3 및 제4측면(S3,S4)으로부터 이격될 수 있다. 상기 제1리세스(R11)와 상기 몸체(115)의 제1측면(S1) 사이의 거리(d2)는 상기 제1리세스(R11)와 상기 제3측면(S3) 또는 제4측면(S4) 사이의 거리(d1)보다 작을 수 있다. 상기 제2리세스(R12)는 상기 몸체(115)의 제2측면(S2), 제3 및 제4측면(S3,S4)으로부터 이격될 수 있다. 상기 제2리세스(R12)와 상기 몸체(115)의 제2측면(S2) 사이의 거리(d2)는 상기 제2리세스(R12)와 상기 제3측면(S3) 또는 제4측면(S4) 사이의 거리(d1)보다 작을 수 있다.
상기 제1,2리세스(R11,R12)의 하면 면적 각각은 상기 제1,2관통홀(TH1,TH2) 각각의 하면 면적보다 클 수 있다. 상기 제1,2리세스(R11,R12)의 하면 면적의 합은 상기 몸체(115)의 하면 면적의 45% 이하 예컨대, 20% 내지 80% 범위로 배치될 수 있다. 이에 따라 몸체(115)의 하부에 대한 강성 저하를 방지할 수 있고 상기 도전부의 두께 확보를 제공할 수 있다. 상기 제1,2리세스(R11,R12)의 둘레 면은 단차진 면으로 제공될 수 있으며, 상기 단차진 면은 수직한 면이거나 경사진 면일 수 있다. 상기 제1,2리세스(R11,R12)의 둘레 면이 경사진 면인 경우, 후술된 금속부가 배치될 수 있다.
상기 제1,2리세스(R11,R12)는 수직 방향으로 상기 발광 소자(120)와 중첩될 수 있다. 상기 제1,2리세스(R11,R12)는 상기 몸체(115)의 캐비티(102)의 측면(132)과 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제1,2리세스(R11,R12)가 상기 몸체(115)의 캐비티 측면(132)과 수직 방향으로 중첩되므로, 상기 캐비티 측면과 중첩된 제1,2리세스(R11,R12)의 영역에서의 몸체(115)의 강성 저하를 방지할 수 있다. 이에 따라 상기 캐비티(102)의 바닥과 수직 방향으로 중첩되는 상기 제1,2리세스(R11,R12)의 깊이(t3)와 상기 캐비티 측면(132)과 수직 방향으로 중첩되는 상기 제1,2리세스(R11,R12)의 깊이는 서로 동일하거나, 상기 캐비티 측면과 중첩되는 제1,2리세스(R11,R12)의 깊이가 더 깊게 배치될 수 있다.
도 1,2와 도 5, 6을 참조하면, 발광소자 패키지(100)는 패키지 몸체(110) 상에는 오목한 상부 리세스(Recess)가 배치될 수 있다. 상기 상부 리세스는 하나 또는 복수로 배치될 수 있으며, 상기 상부 리세스 각각은 패키지 몸체(110)의 상면 중에서 상기 발광소자(120)과 적어도 일부 또는 모두가 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 상부 리세스가 복수인 경우, 적어도 하나의 상부 리세스는 상기 발광소자(120)과 적어도 일부 또는 모두가 중첩될 수 있다. 상기 복수의 상부 리세스는 발광소자(120)의 영역 아래에서 제2방향으로 배열될 수 있다.
상기 상부 리세스(R1,R2)는 서로 이격된 제1 및 제2상부 리세스(R1,R2)를 포함할 수 있다. 제1상부 리세스(R1)는 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 사이의 영역에서 제3측면(S3) 방향으로 배치되며, 상기 제2상부 리세스(R2)는 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 사이의 영역에서 제4측면(S4) 방향으로 배치될 수 있다. 상기 패키지 몸체(110)는 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 사이의 영역에 오목한 제3상부 리세스(R3)를 포함할 수 있다. 상기 제3상부 리세스(R3)는 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 사이에 배치될 수 있다. 상기 상부 리세스(R1,R2,R3) 각각은 상기 캐비티 바닥 또는 몸체(115)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 함몰될 수 있다. 상기 상부 리세스(R1,R2,R3)의 개수는 하나 또는 복수로 배치될 수 있으나, 이하 설명의 편의를 위해 3개가 배치된 예로 설명하기로 한다.
상기 상부 리세스(R1,R2,R3)에는 제1수지(160)의 일부가 배치될 수 있다. 상기 상부 리세스(R1,R2,R3)에 배치된 상기 제1수지(160)는 발광소자(120)의 하면과 접착되어, 상기 발광소자(120)가 틸트되거나 유동하는 것을 방지할 수 있다. 상기 상부 리세스(R1,R2,R3)는 몸체(115) 상에 하나 또는 복수로 배치되어, 상기 제1수지(160)의 일부와 결합될 수 있다. 상기 제1,2상부 리세스(R1,R2)는 적어도 일부가 발광소자(120)과 수직 방향으로 중첩되는 내측부와, 적어도 일부가 발광소자(120)의 측면 외측으로 돌출된 외측부를 포함할 수 있다. 이러한 제1,2상부 리세스(R1,R2)은 일부가 발광소자(120)의 내측에서 외측으로 돌출되므로, 발광소자(120)의 가압에 따라 확산되는 제1수지(160)를 담을 수 있다. 상기 몸체(115)와 발광소자(120) 사이에는 제1수지(160)가 접착될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)의 측면에 접촉될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 제1 및 제2본딩부(121,122)에 접촉될 수 있고 제1,2관통홀(TH1,TH2)를 통해 상기 관통홀(TH1,TH2)내에 배치된 도전부(도 7의 221,223)의 외측면에 접촉될 수 있다.
상기 제3리세스(R3)는 상기 발광소자(120)과 수직 방향으로 중첩되며, 상기 제1,2본딩부(121,122) 사이의 영역 아래에 배치될 수 있다. 이러한 제3리세스(R3)는 상기 제1수지(160)를 지지할 수 있다. 상기 제1,2리세스(R1,R2)는 상기 발광소자(120)의 하부 둘레에 배치된 제2수지(162)와 연결되거나 제2수지(162)를 지지할 수 있다.
상기 상부 리세스(R1,R2,R3)의 깊이는 상기 패키지 몸체(110)의 상면으로부터 소정 깊이로 형성될 수 있으며, 예컨대 20 마이크로 미터 이상 또는 20 내지 60 마이크로 미터의 범위일 수 있다. 상기 상부 리세스(R1,R2,R3)의 깊이가 상기 범위보다 크면 몸체(115)의 강성이 저하될 수 있고 상기 범위보다 작으면 지지력이 미미할 수 있다. 이러한 상부 리세스(R1,R2,R3)의 깊이는 상기 몸체(115)의 두께보다 작을 수 있다.
상기 제3상부 리세스(R3)는 제1 및 제2상부 리세스(R1,R2)와 동일한 형상이거나 다른 형상일 수 있다. 상기 제3상부 리세스(R3)는 제1 및 제2상부 리세스(R1,R2) 사이에 배치될 수 있다. 제1 내지 제3상부 리세스(R1,R2,R3)에는 상기에 개시된 제1수지가 배치되고 발광소자(120)의 하면과 접착될 수 있다.
발명의 다른 예로서 상기 발광소자(120)의 하부 둘레를 따라 다른 리세스가 하나 이상이 배치될 수 있으며, 이러한 다른 리세스에는 상기 제1,2수지(160,162) 중 어느 하나가 배치될 수 있다.
상기 제2수지(162)는 반사성 수지재질을 포함할 수 있다. 상기 제2수지(162)는 상기 발광소자(120)의 하부 둘레를 따라 배치될 수 있다. 상기 제2수지(162)는 상기 발광소자(120)를 상기 몸체(115)에 부착시켜 줄 수 있다. 상기 제2수지(162)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질을 포함할 수 있다. 상기 제2수지(162)는 내부에 금속 산화물 또는 필러를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2수지(162)는 TiO2, SiO2, Al2O3와 같은 금속 산화물 또는 불순물을 포함하는 물질로 구성될 수 있다. 상기 제2수지(162)는 상기 제1수지(160)과 동일한 재질이거나 다른 재질일 수 있다. 상기 제2수지(162)는 상기 제1수지(160)에 첨가된 불순물 함량보다 더 높은 불순물 함량을 가질 수 있다. 상기 제2수지(162)는 상기 캐비티(102)의 측면(132)에 접촉되거나 이격될 수 있다.
도 7, 도 9 및 도 12를 참조하면, 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 또는 광원 장치는 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 내에 도전부(221,223)를 포함할 수 있다. 상기 발광소자 패키지는 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 내에 도전부(221,223) 예컨대, 솔더 페이스트, 실버 페이스트와 같은 도전성 페이스트를 포함할 수 있다. 제1도전부(221)는 제1관통홀(TH1)과 상기 제1리세스(R11) 내에 배치될 수 있다. 제2도전부(223)는 제2관통홀(TH2)과 상기 제2리세스(R12) 내에 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2도전부(221,223)는 서로 이격될 수 있다. 상기 제1관통홀(TH1)에 배치된 제1도전부(221)의 두께는 상기 제1리세스(R11)에 배치된 제1도전부(221)의 두께보다 두껍게 배치될 수 있다. 상기 제2관통홀(TH2)에 배치된 제2도전부(223)의 두께는 상기 제2리세스(R12)에 배치된 제2도전부(223)의 두께보다 두껍게 배치될 수 있다. 이러한 제1,2리세스(R11,R12)에 연장되어 배치되는 제1,2도전부(221,223)의 면적은 증가될 수 있고, 상기 몸체 하부에서의 상기 제1,2도전부(221,223)가 확산되는 것을 억제할 수 있어, 리세스(R11,R12)내에서의 제1,2도전부(221,223)의 두께를 확보할 수 있다.
상기 도전부(221,223)는 본딩부(121,122) 각각에 연결될 수 있다. 상기 도전부(221,223)는 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 상기 도전부(221,223)는 CuxSny계, AgxSny계, AuxSny계, SAC계 페이스트 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 상기 x는 0<x<1, y=1-x, x>y의 조건을 만족할 수 있다. 상기 도전전 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다.
도 12을 참조하면, 상기 발광소자 패키지(100)의 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 및상기 제1,2리세스(R11,R12)에는 회로 기판(201) 상에 배치되는 도전부(221,223)가 배치될 수 있다. 상기 제1관통홀(TH1) 및 제1리세스(R11)에는 제1도전부(221)가 배치되고, 상기 제2관통홀(TH2) 및 제2리세스(R12)에는 제2도전부(223)가 배치될 수 있다. 상기 제1도전부(221)는 발광소자(120)의 제1본딩부(121)과 회로기판(201)의 제1패드(211)를 연결시켜 줄 수 있다. 상기 제2도전부(223)는 발광소자(120)의 제2본딩부(122)와 회로기판(201)의 제2패드(213)를 연결시켜 줄 수 있다.
상기 제1도전부(221)는 상기 제1리세스부(R11)의 표면과 상기 제1관통홀(TH1)의 표면에 접촉될 수 있다. 상기 제2도전부(223)는 상기 제2리세스(R12)의 표면과 상기 제2관통홀(TH2)의 표면에 접촉될 수 있다.
상기 제1도전부(221)는 상기 발광소자(120)의 제1본딩부(121)와 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제2도전부(223)는 상기 발광소자(120)의 제2본딩부(122)와 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 이에 따라 상기 제1 및 제2도전부(221,223)에 의한 전기적인 및 열적인 경로를 최소화할 수 있다.
상기 회로 기판(201)은 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 상기 회로 기판(201)은 수지 재질의 PCB, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB), 리지드 PCB(rigid PCB) 중 적어도 하나를 포함할 수도 있다. 상기 회로 기판(201)은 수지 또는 금속 재질의 베이스층 상에 절연층 또는 보호층이 배치되며, 상기 절연층 또는 보호층으로부터 노출된 패드(211,213)가 배치된다. 상기 패드(211,213)는 하나 또는 복수의 발광소자 패키지를 전기적으로 연결시켜 줄 수 있다. 상기 절연층 또는 보호층은 솔더 레지스트 재질이거나, 수지 재질일 수 있다.
상기 회로 기판(201)의 각 패드(211,213)는 예컨대, Ti, Cu, Ni, Au, Cr, Ta, Pt, Sn, Ag, P, Fe, Sn, Zn, Al를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다.
여기서, 도전부(221,223)의 접합 공정을 보면, 상기 제1 및 제2도전부(221,223)는 액상의 재질로 제공되며, 회로기판(201)의 제1 및 제2패드(211,213) 상에 위치시킨 후, 회로 기판(201) 상에 정렬된 발광소자(120)를 결합하게 된다. 이때 상기 제1패드(211) 상에 배치된 제1도전부(221)는 제1관통홀(TH1)에 주입되고, 상기 제2패드(213) 상에 배치된 제2도전부(223)는 제2관통홀(TH2)에 주입될 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 사이에 배치된 몸체(115) 또는 패키지 몸체(110)의 상면 및 하면은 수지 재질로 형성되어 있어, 상기 제1 및 제2도전부(221,223)의 확산을 방지할 수 있다. 이에 따라 제1 및 제2도전부(221,223) 사이에 배치된 몸체(115)는 액상의 도전성 페이스트가 확산되는 것을 방지할 수 있고 상기 제1 및 제2도전부(221,223) 간의 전기적인 간섭을 차단할 수 있다.
발명의 실시 예는 제1 및 제2리세스(R11,R12)는 도전부(221,223)의 유동 또는 확산을 가이드하고, 몸체 하면이 턱으로 제공될 수 있어, 도전부(221,223)의 접합성을 개선시켜 줄 수 있다. 이러한 도전부(221,223)의 확산을 억제할 수 있어, 상기 도전부(221,223)가 일정한 분포나 형상을 갖게 되므로, 도전부(221,223)의 불균일한 분포로 인한 전기적 오픈 문제나 열 전달 효율의 저하 문제를 방지할 수 있다. 상기 각 관통홀(TH1,TH2)의 일부 표면에 수지가 노출되고 다른 표면에 금속부(M1,M2)가 배치되므로, 도전부(221,223)가 배치되는 관통홀(TH1,TH2) 내에 보이드(void)가 형성되는 것을 억제하거나 보이드 양을 줄여줄 수 있다. 또는 상기 관통홀(TH1,TH2) 내에는 상기 도전부(221,223) 또는 본딩부(121,122) 사이에 보이드를 포함할 수 있다.
상기 도전부(221,223)는 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 상기 본딩부(121,122) 또는 패드(211,213)를 구성하는 물질과 상기 도전부(221,222)의 물질이 화합되어 금속간 화합물층에 의해 결합될 수 있다. 상기 금속간 화합물은 CuxSny, AgxSny, AuxSny 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 상기 x는 0<x<1, y=1-x, x>y의 조건을 만족할 수 있다.
상기 발광소자(120)의 본딩부(121,122)는 상기 도전부(221,223)를 구성하는 물질과 상기 도전부(221,223)를 형성되는 과정 또는 상기 도전부(221,223)이 제공된 후 열처리 과정에서, 상기 도전부(221,223)과 상기 본딩부(121,122) 사이 또는 상기 도전부(221,223)과 상기 패드(211,213) 사이, 또는 도전부(221,223) 사이에 금속간 화합물(IMC; intermetallic compound)층이 형성될 수 있다. 예 로서, 상기 도전부(221,223)는 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다. 예로서, 상기 도전부(221,223)는 SAC(Sn-Ag-Cu) 물질을 포함할 수 있다.
예로서, 상기 도전부(221,223)를 이루는 물질과 상기 본딩부(121,122) 또는 패드(211,213)의 금속 간의 결합에 의해 합금층이 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 도전부(221,223)과 상기 본딩부(121,122) 또는 패드(211,213)가 물리적으로 또한 전기적으로 안정하게 결합될 수 있게 된다. 상기 도전부(221,223) 및 합금층이 물리적으로 또한 전기적으로 안정하게 결합될 수 있게 된다. 상기 합금층이 AgSn, CuSn, AuSn 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 금속간 화합물층을 포함할 수 있다. 상기 금속간 화합물층은 제1 물질과 제2 물질의 결합으로 형성될 수 있으며, 제1 물질은 도전부(221,223)으로부터 제공될 수 있고, 제2 물질은 상기 본딩부(121,122) 또는 패드(211,213)로부터 제공될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 상부 몸체를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(115)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.
발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 5 내지 도 7과 같이 몰딩부(190)를 포함할 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 상기 패키지 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 상기 반사부(110A)에 의하여 제공된 캐비티(102)에 배치될 수 있다.
상기 몰딩부(190)는 절연물질을 포함할 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 투명한 절연물질을 포함할 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 몰딩부(190)는 형광체, 양자점 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 할 수 있다. 상기 발광소자(120)는 청색, 녹색, 적색, 백색, 적외선 또는 자외선의 광을 발광할 수 있다. 상기 형광체, 또는 양자점은 청색, 녹색, 적색의 광을 발광할 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 형성하지 않을 수 있다.
상기 몰딩부(190) 내부 또는 하부에 배치되는 형광체는, 불화물(fluoride) 화합물의 형광체를 포함할 수 있으며, 예컨대 MGF계 형광체, KSF계 형광체 또는 KTF계 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 형광체는 서로 다른 피크 파장을 발광할 수 있으며, 상기 발광소자로부터 방출된 광을 서로 다른 황색과 적색 또는 서로 다른 적색 피크 파장으로 발광할 수 있다. 상기 형광체 중 한 종류는 적색 형광체를 포함할 수 있다. 상기 적색 형광체는 610 nm에서 650 nm까지의 파장범위를 가질 수 있으며, 상기 파장은 10 nm 미만의 반치폭을 가질 수 있다. 상기 적색 형광체는 플루오라이트(fluoride)계 형광체를 포함할 수 있다. 상기 플루오라이트계 형광체는, KSF계 적색 K2SiF6:Mn4 +, K2TiF6:Mn4 +, NaYF4:Mn4 +, NaGdF4:Mn4 +, K3SiF7:Mn4+ 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 KSF계 형광체 예컨대, KaSi1-cFb:Mn4+ c의 조성식을 가질 수 있으며, 상기 a는 1 ≤ a ≤ 2.5, 상기 b는 5 ≤ b ≤ 6.5, 상기 c는 0.001 ≤ c ≤ 0.1를 만족할 수 있다. 또한 상기 플루오라이트계 적색 형광체는 고온/고습에서의 신뢰성 향상을 위하여 각각 Mn을 함유하지 않는 불화물로 코팅되거나 형광체 표면 또는 Mn을 함유하지 않는 불화물 코팅 표면에 유기물 코팅을 더 포함할 수 있다. 상기와 같은 플루어라이트계 적색 형광체의 경우 기타 형광체와 달리 10nm 이하의 협반치폭을 구현할 수 있기 때문에, 고해상도 장치에 활용될 수 있다.
실시 예에 따른 형광체 조성은 기본적으로 화학양론(Stoichiometry)에 부합하여야 하며, 각 원소들은 주기율표상 각 족들내 다른 원소로 치환이 가능하다. 예를 들어 Sr은 알카리토류(II)족의 Ba, Ca, Mg 등으로, Y는 란탄계열의 Tb, Lu, Sc, Gd 등으로 치환이 가능하다. 또한, 활성제인 Eu 등은 원하는 에너지 준위에 따라 Ce, Tb, Pr, Er, Yb 등으로 치환이 가능하며, 활성제 단독 또는 특성 변형을 위해 부활성제 등이 추가로 적용될 수 있다.
상기 양자점 형광체는, II-VI 화합물, 또는 III-V족 화합물 반도체를 포함할 수 있으며, 적색 광을 발광할 수 있다. 상기 양자점은 예컨대, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, In,Sb, AlS, AlP, AlAs, PbS, PbSe, Ge, Si, CuInS2, CuInSe2 등과 같은 것들 및 이들의 조합이 될 수 있다.
도 10과 같이, 상기 몰딩부(190) 위에 파장 변환층(195)가 배치될 수 있다. 상기 파장 변환층(195)는 형광체를 포함할 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 형광체가 없는 수지 층일 수 있다. 상기 파장 변환층(195)은 상기 패키지 몸체(110)의 상면에 연장될 수 있다. 상기 파장 변환층(195)의 측면은 상기 몸체(115)의 측면 또는 패키지 몸체(110)의 측면과 같은 수직 평면에 배치될 수 있다. 상기 파장 변환층(195)의 상면 면적은 상기 몸체(115)의 하면 면적과 동일할 수 있다. 상기 파장 변환층(195)에 첨가된 형광체는, 청색, 녹색, 적색 또는 황색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 금속부(M1,M2)를 포함할 수 있다. 상기 금속부(M1,M2)는 서로 이격된 제1 및 제2금속부(M1,M2)를 포함할 수 있다. 상기 제1금속부(M1)와 상기 제2금속부(M2)는 물리적으로 분리될 수 있다. 상기 제1금속부(M1)와 상기 제2금속부(M2)는 수직 방향 또는 Z 방향으로 중첩되지 않게 배치될 수 있다.
상기 제1금속부(M1)는 상기 제1관통홀(TH1)의 표면과 상기 제1리세스(R11)의 표면 중 적어도 하나 또는 모두에 배치될 수 있다. 상기 제2금속부(M2)는 상기 제2관통홀(TH2)의 표면과 상기 제2리세스(R12)의 표면 중 적어도 하나 또는 모두에 배치될 수 있다. 상기 제1금속부(M1)는 상기 제1관통홀(TH1)의 표면 전체에 배치될 수 있으며 상기 제1리세스(R11)의 상면으로 연장될 수 있다. 상기 제2금속부(M2)는 상기 제2관통홀(TH2)의 표면 전체에 배치될 수 있고 상기 제리세스(R12)의 상면으로 연장될 수 있다.
상기 제1금속부(M1)는 상기 제1관통홀(TH1)의 상면에 노출될 수 있다. 상기 제2금속부(M2)는 상기 제2관통홀(TH2)의 상면에 노출될 수 있다. 상기 제1금속부(M1)의 상면은 상기 제1관통홀(TH1)의 상면에서 상기 발광소자(120)의 하부에 배치된 패키지 몸체(110)의 상면과 같은 평면 상에 배치될 수 있다. 상기 제2금속부(M2)의 상면은 상기 제2관통홀(TH2)의 상면에서 상기 발광소자(120)의 하부에 배치된 패키지 몸체(110)의 상면과 같은 평면 상에 배치될 수 있다. 상기 제1,2금속부(M1,M2)는 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제1,2금속부(M1,M2)의 내부 홀은 수직 방향으로 관통되는 제1,2관통홀(TH1,TH2)의 센터 홀 또는 내부 홀일 수 있다. 상기 제1,2금속부(M1,M2)의 두께는 상기 리세스(R11,R12)의 깊이보다 작을 수 있다. 이러한 상기 제1,2금속부(M1,M2)의 하면은 상기 몸체(115)의 하면보다 위에 배치될 수 있다.
상기 제1금속부(M1)의 두께가 상기 제1관통홀(TH1)의 상부 폭 또는 제1,2방향의 폭 중 작은 폭의 1/5 미만으로 배치될 수 있으며, 이 경우 제1금속부(M1)의 내부에는 제1관통홀(TH1)의 센터에 홀이 배치된 구조로 제공될 수 있다. 상기 제2금속부(M2)의 두께가 상기 제2관통홀(TH2)의 상부 폭 또는 제1,2방향의 폭 중 작은 폭의 1/5 미만으로 배치될 수 있으며, 이 경우 제2금속부(M2)의 내부에는 제2관통홀(TH2)의 센터에 홀이 배치된 구조로 제공될 수 있다. 상기 제1금속부(M1)와 상기 제2금속부(M2)의 합 두께는 상기 제 1 또는 제2관통홀(TH1)의 제1,2방향의 상부 폭보다 작을 수 있다. 이 경우, 제1 및 제2금속부(M1,M2)이 동일한 두께인 경우이다.
상기 제1금속부(M1) 및 상기 제2금속부(M2)는 금속으로 제공될 수도 있다. 상기 제1 및 제2금속부(M1,M2)은 예컨대, 구리(Cu), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag) 중에서 선택될 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 제1금속부(M1) 및 상기 제2금속부(M2)는 다층으로서, 상기 패키지 몸체(110)에 접촉된 제1층 및 상기 제1층 아래의 제2층을 포함할 수 있으며, 상기 제1층은 Ti, Cr, Ta, Pt 중 적어도 하나를 포함하며, 상기 제2층은 Au, Ag, Cu 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1,2금속부(M1,M2)의 두께는 1 마이크로 미터 이하일 수 있다. 상기 제1,2금속부(M1,M2)는 상기 도전부(321,323)가 접착되는 씨드 층으로 기능할 수 있다. 상기 제1 및 제2금속부(M1,M2)는 상기 패키지 몸체(110)의 표면에 증착 공정, 또는 도금 공정을 통해 형성될 수 있다.
상기 제1,2금속부(M1,M2)는 상기 몸체(115)의 하면(S5)로부터 이격되거나 하면(S5)에 형성되지 않을 수 있다. 상기 리세스(R11,R12)에 배치된 상기 제1,2금속부(M1,M2)는 상기 리세스(R11,R12)의 상면과 상기 도전부(221,223) 사이에 배치될 수 있다. 상기 관통홀(TH1,TH2)에 배치된 상기 제1,2금속부(M1,M2)는 상기 관통홀(TH1,TH2)의 표면과 상기 도전부(221,223) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1,2금속부(M1,M2)는 상기 도전부(22,1223)가 수지 재질의 몸체(115)에 직접 접촉되는 면적을 줄이거나 방지할 수 있어, 상기 도전부(221,223)의 확산을 억제할 수 있고 균일한 분포의 두께로 지지할 수 있다.
발명의 실시 예에 따른 발광소자(120)의 제1 본딩부(121)와 제2 본딩부(122)는 제1 및 제2금속부(M1,M2) 및 도전부(221,223)를 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 상기 도전부(221,223)의 용융점이 다른 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. 상기 발광소자 패키지(100)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다. 그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 도전부와 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있다. 따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(100)는 회로 기판이나 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다. 또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
이에 따라, 상기 패키지 몸체(110)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 패키지 몸체(110)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다. 예를 들어, 상기 패키지 몸체(110)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.
도 11를 참조하면, 발광소자 패키지는 복수의 캐비티(102,102A)를 갖는 패키지 몸체(110)를 포함할 수 있다. 상기 각 캐비티(102,102A) 내에 배치된 발광 소자(120,120A)는 서로 직렬로 연결되거나 병렬로 연결될 수 있다. 상기 각 발광소자(120,120A)의 하부에는 관통홀(TH1,TH2)에 배치될 수 있다.
몸체(115)의 하면에는 복수의 리세스(R11,R12,R13)를 포함하며, 제1리세스(R11)는 제1발광소자(120)의 제1본딩부(121)과 대면되는 제1관통홀(TH1)의 주변에 배치되고, 제2리세스(R12)는 제2발광소자(120A)의 제2본딩부(122)와 대면하는 제2관통홀(TH2)의 주변에 배치될 수 있다. 제3리세스(R13)는 제1,2리세스(R11,R12) 사이에 배치될 수 있으며, 제1캐비티(102)에 배치된 제2관통홀(TH2)와 제2캐비티(102A)에 배치된 제1관통홀(TH1)을 서로 연결시켜 줄 수 있다. 상기 제3리세스(R13)는 상기 제1,2캐비티(102,102A) 사이에 배치된 중간 몸체(113)의 하부에 배치될 수 있다.
상기 각 리세스(R11,R12,R13)에는 상기에 개시된 금속부(M1,M2,M3)가 각각 배치될 수 있다. 상기 각 금속부(M1,M2,M3) 중에서 제3금속부(M3)는 제3리세스(R12)의 표면과 제1캐비티(102)에 배치된 제2관통홀(TH2)와 제2캐비티(102A)에 배치된 제1관통홀(TH1)의 표면에 각각 배치될 수 있다. 이러한 구조를 통해, 복수의 발광소자를 서로 다른 캐비티에 배치하고, 각 캐비티 바닥의 관통홀에 채워지는 도전부를 통해 서로 연결시켜 줄 수 있다.
도 12를 참조하면, 상기에 개시된 발광소자 패키지는 회로 기판(201) 상에 하나 또는 복수로 배치될 수 있다. 상기 발광소자 패키지는 회로 기판(201)의 패드(211,213) 상에 배치된 도전부(221,223)을 통해 발광소자(120)와 전기적으로 연결될 수 있다.
도 13은 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자의 예를 나타낸 단면도이다.
도 13을 참조하면, 발광소자는 제1 전극(627)과 제2 전극(628)의 상대적인 배치 관계 만을 개념적으로 도시하였다. 상기 제1 전극(627)은 제1 본딩부(621)와 제1 가지전극(625)을 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(628)은 제2 본딩부(622)와 제2 가지전극(626)을 포함할 수 있다.
발광소자는 기판(624) 위에 배치된 발광 구조물(623)을 포함할 수 있다. 상기 기판(624)은 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge을 포함하는 그룹 중에서 선택될 수 있다. 예로서, 상기 기판(624)은 상부 면에 요철 패턴이 형성된 PSS(Patterned Sapphire Substrate)로 제공될 수 있다.
상기 발광 구조물(623)은 제1 도전형 반도체층(623a), 활성층(623b), 제2 도전형 반도체층(623c)을 포함할 수 있다. 상기 활성층(623b)은 상기 제1 도전형 반도체층(623a)과 상기 제2 도전형 반도체층(623c) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 도전형 반도체층(623a) 위에 상기 활성층(623b)이 배치되고, 상기 활성층(623b) 위에 상기 제2 도전형 반도체층(623c)이 배치될 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제1 도전형 반도체층(623a)은 n형 반도체층으로 제공되고, 상기 제2 도전형 반도체층(623c)은 p형 반도체층으로 제공될 수 있다. 물론, 다른 실시 예에 의하면, 상기 제1 도전형 반도체층(623a)이 p형 반도체층으로 제공되고, 상기 제2 도전형 반도체층(623c)이 n형 반도체층으로 제공될 수도 있다.
발광소자는 제1 전극(627)과 제2 전극(628)을 포함할 수 있다. 상기 제1 전극(627)은 제1 본딩부(621)와 제1 가지전극(625)을 포함할 수 있다. 상기 제1 전극(627)은 상기 제2 도전형 반도체층(623c)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 가지전극(625)은 상기 제1 본딩부(621)로부터 분기되어 배치될 수 있다. 상기 제1 가지전극(625)은 상기 제1 본딩부(621)로부터 분기된 복수의 가지전극을 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(628)은 제2 본딩부(622)와 제2 가지전극(626)을 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(628)은 상기 제1 도전형 반도체층(623a)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 가지전극(626)은 상기 제2 본딩부(622)로부터 분기되어 배치될 수 있다. 상기 제2 가지전극(626)은 상기 제2 본딩부(622)로부터 분기된 복수의 가지전극을 포함할 수 있다.
상기 제1 가지전극(625)와 상기 제2 가지전극(626)은 핑거(finger) 형상으로 서로 엇갈리게 배치될 수 있다. 상기 제1 가지전극(625)과 상기 제2 가지전극(626)에 의하여 상기 제1 본딩부(621)와 상기 제2 본딩부(622)를 통하여 공급되는 전원이 상기 발광 구조물(623) 전체로 확산되어 제공될 수 있게 된다.
상기 제1 전극(627)과 상기 제2 전극(628)은 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(627)과 상기 제2 전극(628)은 오믹 전극일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(627)과 상기 제2 전극(628)은 ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나 또는 이들 중 2개 이상의 물질의 합금일 수 있다.
한편, 상기 발광 구조물(623)에 보호층이 더 제공될 수도 있다. 상기 보호층은 상기 발광 구조물(623)의 상면에 제공될 수 있다. 또한, 상기 보호층은 상기 발광 구조물(623)의 측면에 제공될 수도 있다. 상기 보호층은 상기 제1 본딩부(621)와 상기 제2 본딩부(622)가 노출되도록 제공될 수 있다. 또한, 상기 보호층은 상기 기판(624)의 둘레 및 하면에도 선택적으로 제공될 수 있다.
예로서, 상기 보호층은 절연물질로 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 보호층은 SixOy, SiOxNy, SixNy, AlxOy 를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자는, 상기 활성층(623b)에서 생성된 빛이 발광소자의 6면 방향으로 발광될 수 있다. 상기 활성층(623b)에서 생성된 빛이 발광소자의 상면, 하면, 4개의 측면을 통하여 6면 방향으로 방출될 수 있다.
발광소자의 다른 예로서, 제1전극과 제2전극 중 적어도 하나는 패턴 형태로 구현될 수 있고, 상기 패턴 형태의 전극에 관통홀에 삽입될 수 있는 도전 돌기가 배치될 수 있다. 상기 패턴은 하나 또는 복수의 암 형상 또는 가지 형상을 갖는 패턴을 포함할 수 있다. 또는 상기 발광소자의 각 본딩부에는 도전 돌기가 배치될 수 있다. 상기 발광소자는 하나의 발광 셀을 갖는 구조로 설명되었다. 이는 발광 셀이 상기의 발광 구조물을 포함하는 경우, 발광소자의 구동 전압은 하나의 발광 셀에 걸리는 전압일 수 있다. 실시 예에 개시된 발광소자의 예로서, 2개의 발광 셀을 갖는 발광소자가 개시될 수 있다.
이상에서 설명된 바와 같이, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 발광소자의 본딩부는 관통홀에 배치된 금속부 및 도전부를 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 관통홀에 배치된 도전부의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. 따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 몸체를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.
또한 프레임의 관통 홀의 하부 형상을 대칭적 또는 비 대칭적으로 형성하여, 도전부과 도전돌기의 결합 면적을 증가시켜 주어, 크랙 발생을 억제하고, 패키지의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 광원 장치에 적용될 수 있다. 또한, 광원 장치는 산업 분야에 따라 표시 장치, 조명 장치, 헤드 램프 등을 포함할 수 있다.
광원 장치의 예로, 표시 장치는 바텀 커버와, 바텀 커버 위에 배치되는 반사판과, 광을 방출하며 발광소자를 포함하는 발광 모듈과, 반사판의 전방에 배치되며 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하는 도광판과, 도광판의 전방에 배치되는 프리즘 시트들을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널과 연결되고 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로와, 디스플레이 패널의 전방에 배치되는 컬러 필터를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다. 또한, 표시 장치는 컬러 필터를 포함하지 않고, 적색(Red), 녹색(Gren), 청색(Blue) 광을 방출하는 발광소자가 각각 배치되는 구조를 이룰 수도 있다.
광원 장치의 또 다른 예로, 헤드 램프는 기판 상에 배치되는 발광소자 패키지를 포함하는 발광 모듈, 또는 조명 모듈로 구현될 수 있으며, 상기 발광 모듈 또는 조명 모듈로부터 조사되는 빛을 일정 방향, 예컨대, 전방으로 반사시키는 리플렉터(reflector), 리플렉터에 의하여 반사되는 빛을 전방으로 굴절시키는 렌즈, 및 리플렉터에 의하여 반사되어 렌즈로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 쉐이드(shade)를 포함할 수 있다.
광원 장치의 다른 예인 조명 장치는 커버, 광원 모듈, 방열체, 전원 제공부, 내부 케이스, 소켓을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 광원 장치는 부재와 홀더 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.
이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시 예를 한정하는 것이 아니며, 실시 예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 특허청구범위에서 설정하는 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
110: 몸체
110A: 반사부
M1,M2: 금속부 111B,113B: 연장부
115: 몸체 120: 발광소자
121,122: 본딩부 TH1,TH2: 관통홀
160: 제1수지 162: 제2수지
201: 회로 기판 211,213: 패드
221,223: 도전부
M1,M2: 금속부 111B,113B: 연장부
115: 몸체 120: 발광소자
121,122: 본딩부 TH1,TH2: 관통홀
160: 제1수지 162: 제2수지
201: 회로 기판 211,213: 패드
221,223: 도전부
Claims (10)
- 상면과 하면을 포함하고, 상기 상면과 상기 하면을 관통하는 제1 관통홀 및 제2 관통홀을 포함하고, 상기 제1,2관통홀 주변에 상기 하면에서 상기 상면을 향하여 오목한 제1 및 제2 리세스를 포함하는 몸체;
상기 몸체의 상면 상에 배치되고, 제1 본딩부 및 제2 본딩부를 포함하는 발광 소자; 및
상기 제1 및 제2 리세스에 각각 배치되는 제1 및 제2 금속부; 를 포함하고,
상기 제1 본딩부 및 상기 제2 본딩부는 상기 제1 관통홀 및 상기 제2 관통홀 상에 각각 배치되고,
상기 제1 및 제2 리세스는 상기 제1 및 제2 관통홀 각각의 외측에 배치되고,
상기 제1 및 제2 리세스 각각은 상기 제1 및 제2 관통홀을 향하여 연장되는 제1 및 제2 연장 리세스를 포함하고,
상기 제1 및 제2 관통홀 각각의 수평 방향의 최대 폭은 상기 제1 및 제2 리세스의 수평 방향의 최대 폭보다 작은 발광소자 패키지. - 제1항에 있어서,
상기 제1 및 제2리세스의 깊이는 상기 제1 및 제2관통홀 사이에 배치된 상기 몸체의 두께의 50% 미만을 포함하는 발광소자 패키지. - 제2항에 있어서,
상기 제1 및 제2관통홀은 상기 제1 및 제2리세스 사이에 배치되는 발광소자 패키지. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 리세스의 하면 면적은 상기 제1관통홀의 하면 면적보다 크며,
상기 제2 리세스의 하면 면적은 상기 제2관통홀의 하면 면적보다 큰 발광소자 패키지. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1리세스는 상기 제1관통홀을 기준으로 상기 몸체의 제1측면, 상기 제1측면에 인접한 제3,4측면에 연장되며,
상기 제2리세스는 상기 제2관통홀을 기준으로 상기 몸체의 제2측면, 상기 제2측면에 인접한 제3,4측면에 연장되며,
상기 제1리세스와 상기 제1측면 사이의 거리는, 상기 제1리세스와 상기 제3,4리세스 사이의 거리보다 좁으며,
상기 제2리세스와 상기 제2측면 사이의 거리는, 상기 제2리세스와 상기 제3,4리세스 사이의 거리보다 좁은 발광소자 패키지. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1,2리세스는 상기 몸체 측면으로부터 이격되며,
상기 제1,2리세스의 하면 면적의 합은 상기 몸체의 하면 면적의 20% 내지 80% 범위인 발광소자 패키지. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1,2금속부는 상기 제1,2관통홀에 각각 연장되며,
상기 제1,2금속부는 상기 제1,2리세스의 깊이보다 작은 두께를 포함하는 발광소자 패키지. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1,2금속부는 상기 몸체의 하면보다 위에 배치되며,
상기 제1,2금속부는 상기 제1,2리세스의 상면과 상기 몸체 하면 사이의 거리보다 작은 두께를 포함하는 발광소자 패키지. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 발광소자의 하면 및 둘레 중 적어도 하나에 수지 및 상부 리세스 중 적어도 하나를 포함하는 발광소자 패키지. - 상부에 제1 및 제2패드를 갖는 회로 기판; 및
상기 회로 기판에 하나 또는 복수의 발광소자 패키지가 배치되며,
상기 발광소자 패키지는, 청구항 1 내지 3 중 어느 하나의 발광소자 패키지이며,
상기 발광소자 패키지의 제1,2관통홀 및 제1,2리세스에 배치된 제1 및 제2도전부를 포함하는 광원 장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180069454A KR20190142499A (ko) | 2018-06-18 | 2018-06-18 | 발광소자 패키지 및 광원 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180069454A KR20190142499A (ko) | 2018-06-18 | 2018-06-18 | 발광소자 패키지 및 광원 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20190142499A true KR20190142499A (ko) | 2019-12-27 |
Family
ID=69062614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020180069454A KR20190142499A (ko) | 2018-06-18 | 2018-06-18 | 발광소자 패키지 및 광원 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20190142499A (ko) |
-
2018
- 2018-06-18 KR KR1020180069454A patent/KR20190142499A/ko not_active IP Right Cessation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10297725B2 (en) | Light emitting package having phosphor layer over a transparent resin layer | |
| US10672959B2 (en) | Light emitting device package and light source apparatus | |
| KR102592720B1 (ko) | 발광소자 패키지 및 광원 장치 | |
| US11302846B2 (en) | Light emitting device package and light source unit | |
| KR20190006889A (ko) | 발광소자 패키지 | |
| US10937934B2 (en) | Light emitting device package and lighting source device | |
| US11404618B2 (en) | Light-emitting device package and light source module | |
| KR102453886B1 (ko) | 발광소자 패키지 및 광원 장치 | |
| US20200335675A1 (en) | Light-emitting device package and lighting source device | |
| KR102514176B1 (ko) | 발광소자 패키지 및 광원 장치 | |
| KR102595927B1 (ko) | 발광소자 패키지, 발광소자 패키지 제조방법 및 광원 장치 | |
| KR102459103B1 (ko) | 발광소자 패키지 및 광원 장치 | |
| KR102486040B1 (ko) | 발광소자 패키지 및 광원 장치 | |
| KR20190142499A (ko) | 발광소자 패키지 및 광원 장치 | |
| KR102550291B1 (ko) | 발광소자 패키지 및 광원 장치 | |
| KR20190123461A (ko) | 발광소자 패키지 및 광원 장치 | |
| KR102559569B1 (ko) | 발광소자 패키지 및 광원 장치 | |
| KR102644793B1 (ko) | 발광소자 패키지 | |
| KR102526252B1 (ko) | 발광소자 패키지 및 광원 모듈 | |
| KR102523782B1 (ko) | 발광소자 패키지 및 광원 장치 | |
| KR20190118081A (ko) | 발광소자 패키지 및 광원 장치 | |
| KR20190105339A (ko) | 발광소자 패키지 | |
| KR20190120540A (ko) | 발광소자 패키지 및 광원 장치 | |
| KR20190093282A (ko) | 발광소자 패키지 | |
| KR20190105341A (ko) | 발광소자 패키지 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| X601 | Decision of rejection after re-examination |