KR20190092655A - 배선 기판, 이를 포함하는 표시 장치 및 배선 기판의 제조 방법 - Google Patents

배선 기판, 이를 포함하는 표시 장치 및 배선 기판의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20190092655A
KR20190092655A KR1020180011143A KR20180011143A KR20190092655A KR 20190092655 A KR20190092655 A KR 20190092655A KR 1020180011143 A KR1020180011143 A KR 1020180011143A KR 20180011143 A KR20180011143 A KR 20180011143A KR 20190092655 A KR20190092655 A KR 20190092655A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wavelength selective
selective reflector
layer
wavelength
pattern
Prior art date
Application number
KR1020180011143A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102477574B1 (ko
Inventor
박근우
손동일
윤여건
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020180011143A priority Critical patent/KR102477574B1/ko
Priority to US16/045,291 priority patent/US20190235330A1/en
Priority to CN201910052672.XA priority patent/CN110098195A/zh
Publication of KR20190092655A publication Critical patent/KR20190092655A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102477574B1 publication Critical patent/KR102477574B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/002—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of materials engineered to provide properties not available in nature, e.g. metamaterials
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514—Colour filters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133528—Polarisers
    • G02F1/133536—Reflective polarizers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553—Reflecting elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
    • H01L29/41733—Source or drain electrodes for field effect devices for thin film transistors with insulated gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
    • H01L29/78633—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device with a light shield
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514—Colour filters
    • G02F1/133519—Overcoatings
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514—Colour filters
    • G02F1/133521—Interference filters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133528—Polarisers
    • G02F1/133548—Wire-grid polarisers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133614—Illuminating devices using photoluminescence, e.g. phosphors illuminated by UV or blue light
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133617—Illumination with ultraviolet light; Luminescent elements or materials associated to the cell
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/133707—Structures for producing distorted electric fields, e.g. bumps, protrusions, recesses, slits in pixel electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136231—Active matrix addressed cells for reducing the number of lithographic steps
    • G02F1/136236—Active matrix addressed cells for reducing the number of lithographic steps using a grey or half tone lithographic process
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/48—Flattening arrangements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/50—Protective arrangements
    • G02F2201/501—Blocking layers, e.g. against migration of ions
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2203/00—Function characteristic
    • G02F2203/02—Function characteristic reflective

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

배선 기판, 표시 장치 및 배선 기판의 제조 방법이 제공된다. 표시 장치는 배선 기판, 상기 배선 기판 상에 배치되고 파장 시프터를 포함하는 색 변환 패턴을 포함하는 색 변환 기판, 및 상기 배선 기판을 사이에 두고 상기 색 변환 기판과 이격 배치되는 백라이트 유닛을 포함하되, 상기 배선 기판은, 제1 베이스, 상기 제1 베이스 상에 배치된 박막 트랜지스터로서, 게이트 전극, 상기 게이트 전극 상에 배치되는 액티브 패턴, 및 상기 액티브 패턴 상에 배치되고 상호 이격된 드레인 전극과 소오스 전극을 포함하는 박막 트랜지스터, 및 상기 제1 베이스 상에 배치되고, 상기 박막 트랜지스터와 상호 적층된 파장 선택적 반사체를 포함한다.

Description

배선 기판, 이를 포함하는 표시 장치 및 배선 기판의 제조 방법{WIRING SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE WIRING SUBSTRATE}
본 발명은 배선 기판, 이를 포함하는 표시 장치 및 배선 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
표시 장치는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 점차 커지고 있다. 이에 부응하여 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display Device, LCD), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting diode Display Device, OLED) 등과 같은 다양한 표시 장치가 개발되고 있다.
예를 들어 액정 표시 장치는 화소 전극, 공통 전극 등의 전계 생성 전극과 상기 전계 생성 전극에 의해 전계가 형성되는 액정층을 포함하는 액정 표시 패널, 및 상기 액정 표시 패널에 광을 제공하는 백라이트 유닛을 포함한다. 액정 표시 장치는 전계 생성 전극을 이용하여 액정층 내 액정을 재배열하고 이를 통해 각 화소별로 액정층을 투과하는 광의 양을 제어함으로써 영상 표시를 구현할 수 있다.
각 화소별로 액정층을 투과하는 광의 양은 액정층 내 액정이 재배열되는 정도에 따라 제어될 수 있다. 따라서 액정의 재배열이 이루어지지 않는 영역, 예컨대 배선 중첩 영역에서 광의 투과가 이루어질 경우 시청자에게 빛샘 불량으로 인식될 수 있다.
한편, 백라이트 유닛으로부터 제공된 광이 표시 패널 내에서 의도치 않게 반사될 경우 표시 장치의 휘도 저하가 발생될 뿐만 아니라 표시 패널 내 소자의 특성 저하를 야기하여 표시 장치의 내구성이 저하될 수 있다.
이에 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 빛샘 불량 및 휘도 저하 문제를 방지하여 표시 품질이 개선되고 내구성이 향상된 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 표시 장치의 표시 품질과 내구성을 개선할 수 있는 배선 기판을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 표시 장치의 표시 품질과 내구성을 개선할 수 있는 배선 기판의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 배선 기판, 상기 배선 기판 상에 배치되고 파장 시프터를 포함하는 색 변환 패턴을 포함하는 색 변환 기판, 및 상기 배선 기판을 사이에 두고 상기 색 변환 기판과 이격 배치되는 백라이트 유닛을 포함하되, 상기 배선 기판은, 제1 베이스, 상기 제1 베이스 상에 배치된 박막 트랜지스터로서, 게이트 전극, 상기 게이트 전극 상에 배치되는 액티브 패턴, 및 상기 액티브 패턴 상에 배치되고 상호 이격된 드레인 전극과 소오스 전극을 포함하는 박막 트랜지스터, 및 상기 제1 베이스 상에 배치되고, 상기 박막 트랜지스터와 상호 적층된 파장 선택적 반사체를 포함한다.
상기 파장 선택적 반사체는 비금속 무기 재료로 이루어지고, 상기 파장 선택적 반사체는 상기 게이트 전극, 상기 액티브 패턴, 상기 드레인 전극 및 상기 소오스 전극 중 하나 이상과 맞닿을 수 있다.
상기 배선 기판은, 상기 게이트 전극과 연결되고 제1 방향으로 연장된 게이트 배선, 및 상기 드레인 전극과 연결되고, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 데이터 배선을 더 포함하되, 상기 파장 선택적 반사체는, 상기 제1 방향으로 연장되고, 적어도 부분적으로 상기 게이트 배선과 중첩하는 제1 부분, 및 상기 제2 방향으로 연장되고, 적어도 부분적으로 상기 데이터 배선과 중첩하는 제2 부분을 포함할 수 있다.
또, 상기 파장 선택적 반사체의 제1 부분의 상기 제2 방향으로의 폭은, 상기 게이트 배선의 상기 제2 방향으로의 폭보다 크고, 상기 파장 선택적 반사체의 제2 부분의 상기 제1 방향으로의 폭은, 상기 데이터 배선의 상기 제1 방향으로의 폭보다 클 수 있다.
상기 파장 선택적 반사체는, 상기 제1 베이스와 상기 게이트 전극 사이에 배치되는 제1 파장 선택적 반사체를 포함하고, 상기 제1 파장 선택적 반사체는, 가시 광선 파장 대역의 일부 파장의 광을 투과시키고, 가시 광선 파장 대역의 다른 일부 파장의 광을 반사시켜 투과를 차단할 수 있다.
상기 표시 장치는 상기 배선 기판과 상기 색 변환 기판 사이에 개재되는 액정층을 더 포함할 수 있다.
또, 상기 색 변환 기판은, 제2 베이스, 상기 제2 베이스 상에 배치되는 상기 색 변환 패턴, 및 상기 색 변환 패턴과 상기 액정층 사이에 배치되는 제2 파장 선택적 반사체를 포함할 수 있다.
또한, 상기 색 변환 기판은, 상기 제2 파장 선택적 반사체와 상기 액정층 사이에 배치되는 반사형 편광층을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 파장 선택적 반사체의 반사 파장 대역은, 상기 제2 파장 선택적 반사체의 반사 파장 대역과 적어도 부분적으로 상이할 수 있다.
또, 상기 제1 파장 선택적 반사체의 반사 피크 파장은, 상기 제2 파장 선택적 반사체의 반사 피크 파장보다 짧을 수 있다.
상기 제1 파장 선택적 반사체의 투과 파장 대역은, 상기 제2 파장 선택적 반사체의 반사 파장 대역과 적어도 부분적으로 중첩하고, 상기 제1 파장 선택적 반사체의 반사 피크 파장은 430nm 내지 470nm 범위에 위치하고, 상기 백라이트 유닛은 430nm 내지 470nm 범위에 피크 파장이 위치하는 청색 광을 방출할 수 있다.
또, 상기 제1 파장 선택적 반사체는 상호 적층된 하나 이상의 제1 저굴절층 및 하나 이상의 제1 고굴절층을 포함하고, 상기 제2 파장 선택적 반사체는 상호 적층된 하나 이상의 제2 저굴절층 및 하나 이상의 제2 고굴절층을 포함하며, 상기 제2 파장 선택적 반사체의 전체 두께는 상기 제1 파장 선택적 반사체의 전체 두께보다 클 수 있다.
상기 제1 파장 선택적 반사체는 상호 적층된 하나 이상의 제1 저굴절층 및 두 개 이상의 제1 고굴절층을 포함하고, 상기 제2 파장 선택적 반사체는 상호 적층된 하나 이상의 제2 저굴절층 및 두 개 이상의 제2 고굴절층을 포함하며, 상기 제2 저굴절층의 굴절률은 상기 제1 저굴절층의 굴절률과 동일하고, 상기 제2 저굴절층의 두께는 상기 제1 저굴절층의 두께보다 클 수 있다.
또, 상기 제2 고굴절층의 굴절률은 상기 제1 고굴절층의 굴절률과 동일하고, 상기 제2 고굴절층의 두께는 상기 제1 고굴절층의 두께보다 클 수 있다.
또한, 상기 제1 파장 선택적 반사체의 제1 고굴절층은 상기 제1 베이스 및 상기 게이트 전극과 맞닿고, 상기 제2 파장 선택적 반사체의 제2 고굴절층은 상기 색 변환 패턴과 맞닿을 수 있다.
상기 제1 파장 선택적 반사체는 홀수 개의 복수 층의 적층 구조로 이루어지고, 상기 제2 파장 선택적 반사체는 홀수 개의 복수 층의 적층 구조로 이루어지며, 상기 제2 파장 선택적 반사체의 적층 수는 상기 제1 파장 선택적 반사체의 적층 수보다 클 수 있다.
상기 색 변환 기판은, 상기 제1 파장 선택적 반사체 및 상기 제2 파장 선택적 반사체와 적어도 부분적으로 중첩하는 차광 패턴을 더 포함할 수 있다.
상기 배선 기판은, 상기 박막 트랜지스터와 상기 액정층 사이에 배치된 파장 선택적 투과체를 더 포함하되, 상기 파장 선택적 투과체는, 가시 광선 파장 대역의 일부 파장의 광을 투과시키고, 가시 광선 파장 대역의 다른 일부 파장의 광을 흡수하여 투과를 차단하며, 상기 파장 선택적 투과체의 흡수 파장 대역은, 상기 제1 파장 선택적 반사체의 반사 파장 대역과 적어도 부분적으로 중첩할 수 있다.
상기 파장 선택적 반사체는, 상기 드레인 전극 및 상기 소오스 전극 상에 배치되고, 상기 소오스 전극의 일부를 노출시키는 개구를 갖는 제3 파장 선택적 반사체를 포함할 수 있다.
또, 상기 배선 기판은, 상기 제3 파장 선택적 반사체 상에 배치되고, 상기 제3 파장 선택적 반사체의 컨택홀과 연결되어 상기 소오스 전극의 일부를 노출시키는 컨택홀을 갖는 단차 보상층, 및 상기 단차 보상층 상에 배치되고, 상기 소오스 전극, 상기 제3 파장 선택적 반사체 및 상기 단차 보상층과 맞닿는 화소 전극을 더 포함할 수 있다.
상기 파장 선택적 반사체는, 상기 제1 베이스와 상기 게이트 전극 사이에 배치되는 제1 파장 선택적 반사체, 및 상기 드레인 전극 및 상기 소오스 전극 상에 배치되는 제3 파장 선택적 반사체를 포함하고, 상기 배선 기판은, 상기 게이트 전극과 상기 액티브 패턴 사이에 배치되고, 상기 제1 파장 선택적 반사체 및 상기 제3 파장 선택적 반사체와 맞닿는 게이트 절연층을 더 포함할 수 있다.
상기 다른 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 배선 기판은 베이스, 상기 베이스 상에 배치된 박막 트랜지스터로서, 게이트 전극, 상기 게이트 전극 상에 배치되는 액티브 패턴, 및 상기 액티브 패턴 상에 배치되고 상호 이격된 드레인 전극과 소오스 전극을 포함하는 박막 트랜지스터, 및 상기 베이스 상에 배치되고, 상기 박막 트랜지스터와 상호 적층된 파장 선택적 반사체를 포함한다.
상기 또 다른 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 배선 기판의 제조 방법은 베이스 상에 복수의 층을 포함하는 무기물 적층체를 형성하는 단계, 상기 무기물 적층체 상에 도전성 금속층을 형성하는 단계, 상기 도전성 금속층 상에 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계, 상기 무기물 적층체를 패터닝하여 무기물 적층체 패턴을 형성하는 단계, 상기 무기물 적층체 패턴을 형성하는 단계 후에, 상기 도전성 금속층을 패터닝하여 게이트 배선층을 형성하는 단계, 및 상기 게이트 배선층 상에 액티브 패턴, 드레인 전극 및 소오스 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 제1 마스크 패턴은 제1 두께를 갖는 제1 부분, 및 상기 제1 두께보다 큰 제2 두께를 갖는 제2 부분을 포함할 수 있다.
또, 상기 무기물 적층체 패턴을 형성하는 단계는, 상기 제1 마스크 패턴의 상기 제1 부분 및 상기 마스크 패턴의 상기 제2 부분을 식각 마스크로 이용하여, 습식 식각을 통해 상기 도전성 금속층을 1차 식각하여 도전성 금속 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 제1 마스크 패턴의 상기 제1 부분, 상기 마스크 패턴의 상기 제2 부분 및 상기 도전성 금속 패턴을 식각 마스크로 이용하여, 건식 식각을 통해 상기 무기물 적층체를 식각하여 상기 무기물 적층체 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 건식 식각을 통해 상기 무기물 적층체 패턴을 형성하는 단계에서, 상기 제1 마스크 패턴의 상기 제1 부분은 적어도 부분적으로 제거되어 상기 도전성 금속 패턴을 부분적으로 노출시키는 제2 마스크 패턴을 형성할 수 있다.
또, 상기 도전성 금속층을 패터닝하여 게이트 배선층을 형성하는 단계는, 상기 제2 마스크 패턴을 식각 마스크로 이용하여, 습식 식각을 통해 상기 도전성 금속 패턴을 2차 식각하여 게이트 배선층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 배선 기판, 배선 기판을 포함하는 표시 장치 및 배선 기판의 제조 방법에 따르면 표시 품질과 내구성이 개선된 표시 장치를 제공할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 분해사시도이다.
도 2는 도 1의 표시 장치의 배선 기판의 임의의 화소들을 나타낸 레이아웃이다.
도 3은 도 1의 표시 장치를 도 2의 Ⅲ-Ⅲ' 선을 따라 절개하여 나타낸 단면도이다.
도 4는 도 1의 표시 장치를 도 2의 Ⅳ-Ⅳ' 선을 따라 절개하여 나타낸 단면도이다.
도 5는 도 1의 표시 장치를 도 2의 Ⅴ-Ⅴ' 선을 따라 절개하여 나타낸 단면도이다.
도 6은 도 4의 A 영역을 확대하여 나타낸 확대도이다.
도 7은 도 4의 B 영역을 확대하여 나타낸 확대도이다.
도 8은 도 2의 표시 장치의 파장 선택적 반사체의 기능을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 10은 도 9의 표시 장치의 파장 선택적 반사체의 기능을 설명하기 위한 도면이다.
도 11 및 도 12는 각각 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 13 내지 도 23은 본 발명의 일 실시예에 따른 배선 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 '위(on)'로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 '직접 위(directly on)'로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. '및/또는'는 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
공간적으로 상대적인 용어인 '아래(below)', '아래(beneath)', '하부(lower)', '위(above)', '상부(upper)' 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 '아래(below 또는 beneath)'로 기술된 소자는 다른 소자의 '위(above)'에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 '아래'는 아래와 위의 방향을 모두 포함 할 수 있다.
본 명세서에서, 제1 방향(X)은 평면 내 임의의 일 방향을 의미하고, 제2 방향(Y)은 상기 평면 내에서 제1 방향(X)과 교차하는 방향을 의미하며, 제3 방향(Z)은 상기 평면과 수직한 방향을 의미한다. 본 명세서에서, 다르게 정의되지 않는 한 '평면'은 제1 방향(X)과 제2 방향(Y)이 속하는 평면을 의미한다. 또, 다르게 정의되지 않는 한 '중첩'은 제3 방향(Z)으로 중첩하여 배치된 것을 의미한다.
본 명세서에서, 구성요소 A와 구성요소 B가 '상호 적층됨'은 구성요소 A 상에 구성요소 B가 배치되는 경우뿐만 아니라, 구성요소 B 상에 구성요소 A가 배치되는 경우를 포함하는 의미이다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 분해사시도이다.
도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1)는 표시 패널(DP) 및 백라이트 유닛(BLU)을 포함할 수 있다.
표시 패널(DP)은 표시 장치(1)가 영상 표시를 구현하기 위한 소자들을 포함하는 패널형 부재일 수 있다. 표시 패널(DP)에는 평면상 대략 매트릭스 배열된 복수의 화소들(PX1, PX2)이 정의될 수 있다. 본 명세서에서, '화소'는 평면 시점에서 영상 표시 및 색 표시를 위해 표시 영역이 구획되어 정의되는 단일 영역을 의미하며, 하나의 화소는 미리 정해진 하나의 기본색을 표현할 수 있다. 즉, 하나의 화소는 다른 화소와 서로 독립적으로 색을 표시할 수 있는 최소 단위 영역일 수 있다.
복수의 화소들(PX1, PX2)은 제1 색을 표시하는 제1 화소(PX1) 및 상기 제1 색보다 짧은 피크 파장을 갖는 제2 색을 표시하는 제2 화소(PX2)를 포함할 수 있다. 이하에서, 제1 화소(PX1)가 표시하는 제1 색은 약 610nm 내지 약 650nm 범위에서 피크 파장을 갖는 적색이고, 제2 화소(PX2)가 표시하는 제2 색은 약 430nm 내지 약 470nm 범위에서 피크 파장을 갖는 청색인 경우를 예로 하여 설명하나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며, 다른 예에서 상기 제1 색은 약 530nm 내지 약 570nm 범위에서 피크 파장을 갖는 녹색일 수도 있다.
백라이트 유닛(BLU)은 표시 패널(DP)과 제3 방향(Z)으로 중첩하도록 배치되어 특정 파장을 갖는 광을 표시 패널(DP) 측으로 출사할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 백라이트 유닛(BLU)은 광을 직접적으로 방출하는 광원 모듈(미도시) 및 상기 광원 모듈로부터 제공받은 광을 가이드하여 표시 패널(DP) 측으로 출사시키는 도광판(미도시)을 포함하는 엣지형 백라이트 유닛일 수 있다.
상기 광원 모듈(미도시)은 발광 다이오드(LED), 유기 발광 다이오드(OLED) 또는 레이저 다이오드(LD) 등일 수 있다. 예시적인 실시예에서, 상기 광원 모듈은 약 430nm 내지 약 470nm 범위에서 단일 피크 파장을 갖는 청색 파장 대역의 광을 방출하고, 백라이트 유닛(BLU)은 청색 파장 대역의 광을 표시 패널(DP)에 제공할 수 있다.
상기 도광판(미도시)은 광원 모듈로부터 제공받은 광을 가이드하여 표시 패널(DP) 측으로 출사할 수 있다. 도광판 내부에서 전반사를 유도하여 광을 가이드할 수 있으면 도광판의 재료는 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 글라스(glass) 재료, 석영(quartz) 재료 또는 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리메틸메타크릴레이트(polymethyl methacrylate), 폴리카보네이트(polycarbonate) 등의 고분자 재료를 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 도광판은 생략되고, 백라이트 유닛(BLU)은 표시 패널(DP)과 제3 방향(Z)으로 중첩하도록 배치된 광원 모듈(미도시)들을 포함하는 직하형 백라이트 유닛일 수도 있다.
도면에 도시하지 않았으나, 표시 패널(DP)과 백라이트 유닛(BLU) 사이에는 하나 이상의 광학 시트(미도시)가 더 배치될 수 있다. 상기 광학 시트는 프리즘 시트, 확산 시트, (반사형)편광 시트, 렌티큘러 렌즈 시트, 마이크로 렌즈 시트 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 상기 광학 시트는 백라이트 유닛(BLU)으로부터 제공되어 표시 패널(DP) 측으로 진행하는 광의 광학 특성, 예컨대 집광, 확산, 산란 또는 편광 특성을 변조하여 표시 장치(1)의 표시 품질을 개선할 수 있다.
이하, 도 2 내지 도 5를 더 참조하여 본 실시예에 따른 표시 장치(1)의 표시 패널(DP)에 대하여 상세하게 설명한다. 도 2는 도 1의 표시 장치의 배선 기판의 임의의 화소들을 나타낸 레이아웃이다. 도 3은 도 1의 표시 장치를 도 2의 Ⅲ-Ⅲ' 선을 따라 절개하여 나타낸 단면도이다. 도 4는 도 1의 표시 장치를 도 2의 Ⅳ-Ⅳ' 선을 따라 절개하여 나타낸 단면도이다. 도 5는 도 1의 표시 장치를 도 2의 Ⅴ-Ⅴ' 선을 따라 절개하여 나타낸 단면도이다.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 표시 패널(DP)은 상부 기판(21), 하부 기판(11) 및 그 사이에 개재된 액정층(300)을 포함하는 액정 표시 패널일 수 있다. 액정층(300)은 상부 기판(21)과 하부 기판(11) 및 이들을 합착하는 실링 부재(미도시)에 의해 밀봉 개재된 상태일 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며, 영상 표시를 위해 백라이트 유닛(BLU)이 요구되는 다른 표시 패널이 적용될 수도 있음은 물론이다.
우선, 하부 기판(11)에 대하여 설명한다. 하부 기판(11)은 하부 베이스(110), 배선들(121, 151) 및 스위칭 소자(TFT)를 포함하고, 스위칭 소자(TFT)와 상호 적층된 제1 파장 선택적 반사체(410)를 더 포함할 수 있다. 하부 기판(11)은 배선들(121, 151)과 스위칭 소자(TFT)를 포함하는 배선 기판일 수 있다.
하부 베이스(110)는 그 상부에 배선들(121, 151) 및 스위칭 소자(TFT)들이 배치될 수 있는 공간을 제공할 수 있다. 하부 베이스(110)는 투명한 절연 기판 또는 투명한 절연 필름일 수 있다. 예를 들어, 하부 베이스(110)는 글라스 재료, 석영 재료 또는 투광성 플라스틱 재료를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 하부 베이스(110)는 가요성을 가지고 표시 장치(1)는 곡면형 표시 장치일 수 있다.
하부 베이스(110)의 전면(단면도 기준 상면) 상에는 제1 파장 선택적 반사체(410)가 배치될 수 있다. 제1 파장 선택적 반사체(410)에 대해서는 도 6 등과 함께 상세하게 후술한다.
제1 파장 선택적 반사체(410) 상에는 제1 배선층(120)이 배치될 수 있다. 제1 배선층(120)은 제1 방향(X)으로 연장된 게이트 배선(121) 및 게이트 배선(121)과 연결된 게이트 전극(122)을 포함하는 게이트 배선층일 수 있다.
게이트 배선(121)은 게이트 구동부(미도시)로부터 제공된 게이트 구동 신호를 제1 방향(X)으로 전달할 수 있다. 예컨대, 제1 방향(X)을 따라 배치된 복수의 화소들은 하나의 게이트 배선(121)을 공유할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 게이트 전극(122)은 게이트 배선(121)과 연결되어 게이트 배선(121)으로부터 게이트 구동 신호를 인가받을 수 있다. 게이트 전극(122)은 후술할 스위칭 소자(TFT)의 제어 단자 역할을 수행할 수 있다. 도 2는 게이트 전극(122)이 게이트 배선(121)과 일체로 형성되고, 게이트 배선(121)으로부터 돌출된 경우를 예시하고 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며, 게이트 배선(121)의 일부가 게이트 전극(122)을 이룰 수도 있다.
제1 배선층(120) 상에는 게이트 절연층(131)이 배치될 수 있다. 게이트 절연층(131)은 복수의 화소들(PX1, PX2)에 걸쳐 배치될 수 있다. 게이트 절연층(131)은 절연성 재료를 포함하여 그 상부의 구성요소와 하부의 구성요소를 서로 절연시킬 수 있다. 게이트 절연층(131)은 질화규소, 산화규소, 질화산화규소 또는 산화질화규소를 포함할 수 있다. 게이트 절연층(131)은 후술할 스위칭 소자(TFT)의 제어 단자(즉, 게이트 전극(122))와 채널(즉, 액티브 패턴(140))을 서로 절연시킬 수 있다.
게이트 절연층(131) 상에는 액티브 패턴(140)이 배치될 수 있다. 액티브 패턴(140)은 반도체성 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 액티브 패턴(140)은 비정질 규소, 또는 다결정 규소를 포함하거나, 또는 산화물 반도체 등을 포함할 수 있다. 액티브 패턴(140)은 적어도 일부가 게이트 전극(122)과 중첩하도록 배치되어 스위칭 소자(TFT)의 채널을 형성할 수 있다.
액티브 패턴(140) 상에는 제2 배선층(150)이 배치될 수 있다. 제2 배선층(150)은 제2 방향(Y)으로 연장되어 데이터 구동 신호를 전달하는 데이터 배선(151), 데이터 배선(151)과 연결되어 데이터 구동 신호가 인가되는 드레인 전극(152) 및 드레인 전극(152)과 이격된 소오스 전극(153)을 포함하는 소오스/드레인 배선층일 수 있다.
데이터 배선(151)은 데이터 구동부(미도시)로부터 제공된 데이터 구동 신호를 제2 방향(Y)으로 전달할 수 있다. 예컨대, 제2 방향(Y)을 따라 배치된 복수의 화소들은 하나의 데이터 배선(151)을 공유할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
드레인 전극(152)은 데이터 배선(151)과 연결되어 데이터 배선(151)으로부터 데이터 구동 신호를 인가받을 수 있다. 드레인 전극(152)은 후술할 스위칭 소자(TFT)의 입력 단자 역할을 수행할 수 있다. 도 2 등은 드레인 전극(152)이 데이터 배선(151)과 일체로 형성되고, 데이터 배선(151)으로부터 돌출된 경우를 예시하고 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며, 데이터 배선(151)의 일부가 드레인 전극(152)을 이룰 수도 있다. 소오스 전극(153)은 액티브 패턴(140) 상에서 드레인 전극(152)과 이격 배치될 수 있다. 소오스 전극(153)은 후술할 스위칭 소자(TFT)의 출력 단자 역할을 수행할 수 있다. 소오스 전극(153)은 화소 전극(190)과 전기적으로 연결될 수 있다.
앞서 설명한 게이트 전극(122), 액티브 패턴(140), 드레인 전극(152) 및 소오스 전극(153)은 스위칭 소자(TFT)를 이룰 수 있다. 예를 들어, 스위칭 소자(TFT)는 박막 트랜지스터일 수 있다. 스위칭 소자(TFT)는 각 화소들(PX1, PX2) 마다 배치되어 배선들(121, 151)로부터 제공된 구동 신호를 후술할 화소 전극(190)에 전달하거나 차단할 수 있다. 도 4 등은 바텀 게이트 타입의 스위칭 소자(TFT)를 예시하고 있으나, 다른 실시예에서 스위칭 소자(TFT)는 탑 게이트 타입일 수도 있다.
몇몇 실시예에서, 스위칭 소자(TFT) 상에는 제1 보호층(132)이 배치될 수 있다. 제1 보호층(132)은 무기 재료를 포함할 수 있다. 제1 보호층(132)은 스위칭 소자(TFT)와 유기 재료의 직접적인 접촉을 방지하여 유기 재료에 의한 스위칭 소자(TFT)의 특성 저하를 방지할 수 있다. 제1 보호층(132)은 질화규소, 산화규소, 질화산화규소 또는 산화질화규소를 포함할 수 있다.
제1 보호층(132) 상에는 단차 보상층(160)이 배치될 수 있다. 단차 보상층(160)은 복수의 화소들(PX1, PX2)에 걸쳐 배치될 수 있다. 단차 보상층(160)은 하부 베이스(110) 상에 배치된 구성요소들, 예컨대 배선들(121, 151) 및 스위칭 소자(TFT)가 형성되는 단차를 최소화하며, 화소 전극(190)이 배치되는 공간을 제공할 수 있다. 또, 단차 보상층(160)은 그 하부의 구성요소와 상부의 구성요소를 서로 절연시킬 수 있다. 즉, 단차 보상층(160)은 평탄화 기능과 함께 절연 기능을 가질 수 있다. 단차 보상 기능을 가질 수 있으면 단차 보상층(160)의 재료는 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 이미드계 수지, 카도계 수지 등의 유기 재료를 포함할 수 있다.
단차 보상층(160) 상에는 화소 전극(190)이 배치될 수 있다. 화소 전극(190)은 공통 전극(290)과 함께 액정층(300)에 전계를 형성하는 전계 생성 전극일 수 있다. 화소 전극(190)은 각 화소들(PX1, PX2) 마다 배치되어 서로 독립적으로 제어되며 서로 다른 구동 신호가 인가될 수 있다. 예를 들어, 화소 전극(190)은 단차 보상층(160)에 형성된 컨택홀을 통해 스위칭 소자(TFT)의 출력 단자, 즉 소오스 전극(153)과 전기적으로 연결될 수 있다. 화소 전극(190)은 투명한 도전성 재료를 포함할 수 있다. 상기 투명한 도전성 재료의 예로는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(Zinc Oxide), In2O3(Indium(Ⅲ) Oxide), IGO(Indium Gallium Oxide) 또는 AZO(Aluminum Zinc Oxide) 등을 들 수 있다. 도 2에 도시된 것과 달리, 화소 전극(190)은 액정들(305)의 재배열 방향을 제어하기 위한 슬릿을 가질 수도 있다.
이어서 상부 기판(21)에 대하여 설명한다. 상부 기판(21)은 상부 베이스(210) 및 색 변환 패턴(230)을 포함하고, 제2 파장 선택적 반사체(520)를 더 포함할 수 있다. 상부 기판(21)은 색 변환 패턴(230)을 포함하는 색 변환 기판일 수 있다.
상부 베이스(210)는 하부 베이스(110)와 마찬가지로 투명한 절연 기판 또는 투명한 절연 필름일 수 있다. 예를 들어, 상부 베이스(210)는 글라스 재료, 석영 재료 또는 투광성 플라스틱 재료를 포함할 수 있다.
상부 베이스(210)의 배면(단면도 기준 하면) 상에는 차광 패턴(220)이 배치될 수 있다. 차광 패턴(220)은 광을 흡수하거나 반사하여 광의 투과를 차단할 수 있다. 차광 패턴(220)은 인접한 화소들(PX1, PX2) 간의 평면상 경계에 위치하며 이웃한 화소들 간의 혼색 불량을 방지할 수 있다. 또, 차광 패턴(220)은 스위칭 소자(TFT) 등과 중첩하도록 배치되어 빛샘 불량을 방지할 수 있다. 예를 들어, 차광 패턴(220)은 적어도 부분적으로 제1 파장 선택적 반사체(410) 및 제2 파장 선택적 반사체(520)와 중첩하도록 배치되고, 각 화소들(PX1, PX2)에 대응하는 개구를 갖는 평면상 대략 격자 형상일 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 차광 패턴(220)은 블랙 안료 또는 블랙 염료 등의 차광성 색제를 포함하는 유기 재료를 포함하거나, 또는 크롬 등의 불투광성 금속 재료를 포함할 수 있다.
차광 패턴(220) 상에는 색 변환 패턴(230)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 화소(PX1) 내에는 입사광을 제1 색으로 변환하는 색 변환 패턴(230)이 배치될 수 있다. 즉, 색 변환 패턴(230)을 투과한 후의 광은 미리 정해진 특정 파장 대역의 광으로 변환될 수 있다.
색 변환 패턴(230)은 제1 베이스 수지(231) 및 제1 베이스 수지(231) 내에 분산된 파장 시프터(232)를 포함하고, 제1 베이스 수지(231) 내에 분산된 제1 산란체(233)를 더 포함할 수 있다.
제1 베이스 수지(231)는 광 투과율이 높고 파장 시프터(232) 및 제1 산란체(233)에 대한 분산 특성이 우수한 재료이면 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 카도계 수지 또는 이미드계 수지 등의 유기 재료를 포함할 수 있다.
파장 시프터(232)는 입사광의 피크 파장을 다른 특정 피크 파장으로 변환 또는 시프트시킬 수 있다. 파장 시프터(232)의 예로는 양자점, 양자 막대 또는 형광체 등을 들 수 있다. 예를 들어, 양자점은 전자가 전도대에서 가전자대로 전이하면서 특정한 색을 방출하는 입자상 반도체 나노 결정 물질일 수 있다. 상기 양자점은 그 조성 및 크기에 따라 특정 밴드갭을 가져 빛을 흡수한 후 고유의 파장을 갖는 광을 방출할 수 있다. 상기 양자점의 반도체 나노 결정의 예로는 IV족계 나노 결정, II-VI족계 화합물 나노 결정, III-V족계 화합물 나노 결정, IV-VI족계 나노 결정 또는 이들의 조합 등을 들 수 있다. 몇몇 실시예에서, 양자점은 전술한 나노 결정을 포함하는 코어 및 상기 코어를 둘러싸는 쉘을 포함하는 코어-쉘 구조를 가질 수 있다. 상기 양자점의 쉘은 상기 코어의 화학적 변성을 방지하여 반도체 특성을 유지하기 위한 보호층 역할 및/또는 양자점에 전기 영동 특성을 부여하기 위한 챠징층(charging layer)의 역할을 수행할 수 있다. 상기 쉘은 단층 또는 다중층일 수 있다. 상기 양자점의 쉘의 예로는 금속 또는 비금속의 산화물, 반도체 화합물 또는 이들의 조합 등을 들 수 있다.
예를 들어, 제1 화소(PX1) 내에 배치된 색 변환 패턴(230)의 파장 시프터(232)는 백라이트 유닛(BLU)으로부터 제공되는 청색 광의 적어도 일부를 흡수하여 약 610nm 내지 약 650nm 범위에서 단일 피크 파장을 갖는 적색 파장 대역의 광을 방출할 수 있다. 이를 통해 표시 장치(1)의 색 변환 패턴(230)이 배치된 제1 화소(PX1)는 제1 색, 즉 적색을 표현할 수 있다. 도면으로 표현하지 않았으나, 표시 장치(1)의 녹색 화소(미도시)에는 투과광을 녹색으로 변환하는 색 변환 패턴(미도시)이 더 배치될 수 있다. 이를 통해 표시 장치(1)의 녹색 화소는 녹색을 표현할 수 있다. 파장 시프터(232)가 방출하는 광은 약 45nm 이하, 또는 약 40nm 이하, 또는 약 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼 반치폭을 가질 수 있으며 이를 통해 표시 장치(1)가 표시하는 색의 색 순도와 색 재현성을 더욱 개선할 수 있다. 또, 파장 시프터(232)가 방출하는 광은 입사광의 입사 방향과 무관하게 여러 방향을 향하여 방출될 수 있다. 이를 통해 표시 장치(1)의 제1 화소(PX1)가 표현하는 제1 색의 측면 시인성을 향상시킬 수 있다.
제1 산란체(233)는 제1 베이스 수지(231)와 상이한 굴절률을 가지고 제1 베이스 수지(231)와 광학 계면을 형성할 수 있다. 제1 산란체(233)는 광 산란 입자일 수 있다. 제1 산란체(233)는 투과광의 적어도 일부를 산란시킬 수 있으면 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 금속 산화물 입자 또는 유기 입자일 수 있다. 상기 금속 산화물로는 산화 티타늄(TiO2), 산화 지르코늄(ZrO2), 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 인듐(In2O3), 산화 아연(ZnO) 또는 산화 주석(SnO2) 등을 예시할 수 있고, 상기 유기 재료로는 아크릴계 수지 또는 우레탄계 수지 등을 예시할 수 있다. 제1 산란체(233)는 색 변환 패턴(230)을 투과하는 광의 파장을 실질적으로 변환시키지 않으면서, 입사광의 입사 방향과 무관하게 여러 방향으로 광을 산란시킬 수 있다. 이를 통해 색 변환 패턴(230)을 투과하는 광의 경로 길이를 증가시킬 수 있고, 파장 시프터(232)에 의한 색 변환 효율을 증가시킬 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제1 화소(PX1) 내의 차광 패턴(220)과 색 변환 패턴(230) 사이에는 제1 파장 선택적 투과체(250)가 배치될 수 있다. 제1 파장 선택적 투과체(250)는 특정 파장 대역의 광은 투과시키고, 다른 특정 파장 대역의 광은 흡수하거나 반사하여 투과를 차단하는 파장 선택적 광학 필터일 수 있다. 예를 들어, 제1 파장 선택적 투과체(250)는 청색 파장 대역의 광은 흡수하고, 녹색 파장 대역의 광 및/또는 적색 파장 대역의 광은 투과시키는 컬러 필터일 수 있다. 예컨대, 제1 파장 선택적 투과체(250)의 흡수 피크 파장은 약 430nm 내지 약 470nm 범위 내에 위치할 수 있다. 또, 제1 파장 선택적 투과체(250)의 투과 파장 대역은 약 540nm 내지 약 550nm 파장 대역 및/또는 약 610nm 내지 640nm 파장 대역을 포함할 수 있다. 색 변환 패턴(230)과 시청자(미도시) 사이에 청색 파장 대역의 광의 투과를 차단하는 제1 파장 선택적 투과체(250)를 배치함으로써 제1 화소(PX1)가 표현하는 적색의 스펙트럼을 더욱 샤프하게 할 수 있고, 표시 장치(1)의 색 순도와 표시 품질을 개선할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제2 화소(PX2) 내의 차광 패턴(220) 상에는 산란 패턴(240)이 배치될 수 있다. 산란 패턴(240)은 투과광의 적어도 일부를 산란시킬 수 있다. 산란 패턴(240)은 제2 베이스 수지(241) 및 제2 베이스 수지(241) 내에 분산된 제2 산란체(243)를 포함할 수 있다. 제2 베이스 수지(241)는 제1 베이스 수지(231)와 마찬가지로 광 투과율이 우수하고 분산 특성이 우수한 유기 재료를 포함할 수 있다. 산란 패턴(240)이 배치된 제2 화소(PX2)는 백라이트 유닛(BLU)이 제공한 광의 색과 실질적으로 동일한 제2 색, 즉 청색을 표현할 수 있다. 또, 제2 산란체(243)는 제1 산란체(233)와 마찬가지로 투과광을 산란시킬 수 있으면 특별히 제한되지 않으며, 금속 산화물 입자 또는 유기 입자를 포함할 수 있다. 제2 산란체(243)는 산란 패턴(240)을 투과하는 광의 파장을 실질적으로 변환시키지 않으면서, 입사광의 입사 방향과 무관하게 여러 방향으로 광을 산란시킬 수 있다. 이를 통해 표시 장치(1)의 제2 화소(PX2)가 표현하는 제2 색의 측면 시인성을 향상시킬 수 있다. 몇몇 실시예에서, 산란 패턴(240)은 제2 베이스 수지(241) 내에 분산되거나 용해된 청색 안료 또는 청색 염료 등의 청색 색제(미도시)를 더 포함할 수 있다. 이를 통해 제2 화소(PX2)가 표현하는 청색의 스펙트럼을 더욱 샤프하게 할 수 있고, 표시 장치(1)의 색 순도와 표시 품질을 개선할 수 있다.
색 변환 패턴(230) 및 산란 패턴(240) 상에는 제2 파장 선택적 반사체(520)가 배치될 수 있다. 제2 파장 선택적 반사체(520)에 대해서는 도 7 등과 함께 상세하게 후술한다.
제2 파장 선택적 반사체(520) 상에는 오버코팅층(270)이 배치될 수 있다. 오버코팅층(270)은 복수의 화소들(PX1, PX2)에 걸쳐서 배치될 수 있다. 오버코팅층(270)은 상부 베이스(210) 상에 배치된 구성요소들, 예컨대 색 변환 패턴(230)과 산란 패턴(240)이 형성하는 단차를 최소화할 수 있다. 즉, 오버코팅층(270)은 평탄화 기능을 가질 수 있다. 단차 보상 기능을 가질 수 있으면 오버코팅층(270)의 재료는 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 이미드계 수지, 카도계 수지 등의 유기 재료를 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 오버코팅층(270) 상에는 제2 보호층(271)이 배치될 수 있다. 제2 보호층(271)은 비금속 무기 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 보호층(271)은 질화규소, 산화규소, 질화산화규소 또는 산화질화규소를 포함할 수 있다. 제2 보호층(271)은 후술할 편광층(280)을 형성하는 과정에서 오버코팅층(270)이 손상되는 것을 보호할 수 있다. 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니나, 예를 들어, 편광층(280)의 선형 패턴을 건식 식각 공정을 통해 형성하는 경우, 제2 보호층(271)은 에치 스토퍼 기능을 수행함으로써 오버코팅층(270)이 의도치 않게 식각되는 것을 방지할 수 있다. 또, 유기 재료를 포함하는 오버코팅층(270)에 대한 편광층(280)의 부착성을 향상시키고, 공기 또는 수분 등의 불순물 침투에 의한 편광층(280)의 손상 또는 부식을 방지함으로써 표시 장치(1)의 신뢰성과 내구성을 향상시킬 수 있다. 다른 실시예에서, 제2 보호층(271)은 생략되고 오버코팅층(270) 상에 편광층(280)이 직접 배치될 수도 있다.
제2 보호층(271) 상에는 편광층(280)이 배치될 수 있다. 평면도로 표현하지 않았으나, 편광층(280)은 평면상 일 방향(예컨대, 제2 방향(Y))으로 연장된 복수의 선형 패턴들을 포함하여 선 격자 패턴을 형성할 수 있다. 편광층(280)은 액정층(300)과 함께 광 셔터 기능을 수행하는 편광 소자, 예컨대 상부 편광 소자 기능을 수행할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 편광층(280)은 선형 패턴의 연장 방향(예컨대, 제2 방향(Y))과 대략 평행한 방향으로 진동하는 편광 성분은 반사하고, 선형 패턴의 이격 방향(예컨대, 제1 방향(X))과 대략 평행한 방향으로 진동하는 편광 성분은 투과시키는 반사 편광 특성을 가질 수 있다. 즉, 편광층(280)은 반사형 편광층일 수 있다. 편광층(280)의 선형 패턴은 가공이 용이하고 반사 특성이 우수한 재료이면 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni) 또는 이들의 합금 등의 금속 재료를 포함할 수 있다.
편광층(280) 상에는 제3 보호층(272)이 배치될 수 있다. 제3 보호층(272)은 편광층(280) 상에 직접 배치되어 편광층(280)의 선형 패턴을 커버 및 보호하고 후술할 공통 전극(290)과 편광층(280)을 서로 절연시킬 수 있다. 또, 제3 보호층(272)은 편광층(280)의 인접한 선형 패턴들 사이의 보이드(V)를 정의할 수 있다. 보이드(V)의 내부는 비어있거나 소정의 기체가 충진된 상태일 수 있다. 제3 보호층(272)은 유기 재료를 포함하거나, 무기 재료를 포함하거나, 또는 유기 재료와 무기 재료의 적층 구조를 가질 수 있다.
제3 보호층(272) 상에는 공통 전극(290)이 배치될 수 있다. 공통 전극(290)은 화소 전극(190)과 함께 액정층(300)에 전계를 형성하는 전계 생성 전극일 수 있다. 공통 전극(290)은 복수의 화소들(PX1, PX2)에 걸쳐 배치되어 공통 전압이 인가될 수 있다. 공통 전극(290)은 화소 전극(190)과 마찬가지로 투명한 도전성 재료를 포함할 수 있다.
이어서 액정층(300)에 대하여 설명한다. 액정층(300)은 하부 기판(11)과 상부 기판(21) 사이에 개재될 수 있다. 액정층(300)은 초기 배향된 복수의 액정들(305)을 포함할 수 있다. 본 명세서에서, '액정(liquid crystal)'은 액정 특성을 갖는 단분자 또는 그 단분자들의 집합체를 포함하는 의미이다. 예시적인 실시예에서, 액정들(305)은 음의 유전율 이방성을 가지고 초기 배향 상태에서 그 장축이 평면에 대해 대략 수직하게 배향될 수 있다. 예를 들어, 액정들(305)은 소정의 프리 틸트를 가지고 대략 수직 배향될 수 있다.
이하, 도 6 및 도 7을 더 참조하여 본 실시예에 따른 표시 장치(1)의 제1 파장 선택적 반사체(410) 및 제2 파장 선택적 반사체(520)에 대하여 상세하게 설명한다. 도 6은 도 4의 A 영역을 확대하여 나타낸 확대도로서, 제1 파장 선택적 반사체(410)를 나타낸 도면이다. 도 7은 도 4의 B 영역을 확대하여 나타낸 확대도로서, 제2 파장 선택적 반사체(520)를 나타낸 도면이다.
우선, 제1 파장 선택적 반사체(410)에 대하여 설명한다. 도 1 내지 도 6을 참조하면, 하부 기판(11)은 하부 베이스(110)와 스위칭 소자(TFT) 사이에 배치된 제1 파장 선택적 반사체(410)를 포함할 수 있다. 제1 파장 선택적 반사체(410)는 하부 베이스(110) 및 제1 배선층(120)과 맞닿을 수 있다.
제1 파장 선택적 반사체(410)는 특정 파장 대역의 광은 투과시키고, 다른 특정 파장 대역의 광은 반사시켜 투과를 차단하는 파장 선택적 광학 필터일 수 있다. 예를 들어, 제1 파장 선택적 반사체(410)는 가시 광선 파장 대역의 광 중에서, 일부 파장의 광은 90% 이상 투과시키고 다른 일부 파장의 광은 90% 이상 반사할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제1 파장 선택적 반사체(410)는 대략 청색 파장 대역의 광은 반사하고, 그 외 파장 대역의 광은 투과시킬 수 있다. 예컨대, 제1 파장 선택적 반사체(410)의 반사 피크 파장은 약 430nm 내지 약 470nm 범위 내에 위치할 수 있다. 또, 제1 파장 선택적 반사체(410)의 투과 파장 대역은 약 540nm 내지 약 550nm 파장 대역 및 약 610nm 내지 약 640nm 파장 대역을 포함할 수 있다.
제1 파장 선택적 반사체(410)는 복수의 화소들(PX1, PX2)에 걸쳐 배치될 수 있다. 또, 제1 파장 선택적 반사체(410)는 제1 방향(X)으로 연장된 제1 부분 및 제2 방향(Y)으로 연장된 제2 부분을 포함하여 평면 시점에서 대략 격자 형상일 수 있다. 제1 파장 선택적 반사체(410)의 제1 방향(X)으로 연장된 부분은 적어도 부분적으로 게이트 배선(121) 및 스위칭 소자(TFT)와 중첩할 수 있다. 또, 제1 파장 선택적 반사체(410)의 제2 방향(Y)으로 연장된 부분은 적어도 부분적으로 데이터 배선(151)과 중첩할 수 있다.
비제한적인 일례에서, 제1 파장 선택적 반사체(410)는 게이트 배선(121), 데이터 배선(151) 등의 배선들, 및 게이트 전극(122), 액티브 패턴(140), 드레인 전극(152) 및 소오스 전극(153)을 포함하는 스위칭 소자(TFT)를 완전히 커버할 수 있다. 즉, 제1 파장 선택적 반사체(410)가 차지하는 평면상 면적은 게이트 배선(121), 데이터 배선(151) 및 스위칭 소자(TFT)가 차지하는 평면상 면적보다 클 수 있다. 예를 들어, 제1 파장 선택적 반사체(410)의 제1 방향(X)으로 연장된 부분의 제2 방향(Y)으로의 폭(W1)은, 게이트 배선(121)의 제2 방향(Y)으로의 폭(W121) 보다 클 수 있다. 또, 제1 파장 선택적 반사체(410)의 제2 방향(Y)으로 연장된 부분의 제1 방향(X)으로의 폭(W2)은 데이터 배선(151)의 제1 방향(X)으로의 폭(W151) 보다 클 수 있다.
제1 파장 선택적 반사체(410)는 복수의 층들의 적층 구조를 가질 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제1 파장 선택적 반사체(410)는 상호 교번적으로 적층된 하나 이상의 제1 저굴절층(411) 및 하나 이상의 제1 고굴절층(412)을 포함하는 적층체일 수 있다. 즉, 제1 파장 선택적 반사체(410)는 하나 이상의 제1 저굴절층(411) 및 하나 이상의 제1 고굴절층(412) 만으로 이루어진 광학 적층체일 수 있다. 제1 저굴절층(411)은 제1 고굴절층(412)에 비해 상대적으로 낮은 굴절률을 가지고, 제1 고굴절층(412)은 제1 저굴절층(411)에 비해 상대적으로 높은 굴절률을 가질 수 있다.
제1 저굴절층(411)과 제1 고굴절층(412)의 굴절률 차이는 약 0.4 이상, 또는 약 0.5 이상일 수 있다. 예를 들어, 제1 저굴절층(411)은 약 1.20 내지 1.60 범위의 굴절률을 가지고, 제1 고굴절층(412)은 약 1.70 내지 약 2.10 범위의 굴절률을 가질 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 또, 제1 저굴절층(411)과 제1 고굴절층(412)은 각각 비금속 무기 재료를 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 파장 선택적 반사체(410)는 비금속 무기 재료 만으로 이루어진 무기물 적층체일 수 있다. 상기 비금속 무기 재료의 예로는 질화규소, 산화규소, 질화산화규소 또는 산화질화규소 등을 들 수 있다. 스위칭 소자(TFT)와 인접하여, 구체적으로 게이트 전극(122)과 맞닿는 제1 파장 선택적 반사체(410)를 비금속 무기물로 구성함으로써 게이트 전극(122)과 제1 파장 선택적 반사체(410)를 서로 절연시킴과 동시에 하부 기판(11) 내의 임의의 배선들(121, 151) 및/또는 스위칭 소자(TFT)와 제1 파장 선택적 반사체(410) 사이에 기생 용량이 형성되는 것을 방지할 수 있다. 또한 제1 저굴절층(411)의 두께(t411)는 제1 고굴절층(412)의 두께(t412) 보다 작을 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제1 파장 선택적 반사체(410)는 홀수 개의 복수 층의 적층 구조로 이루어질 수 있다. 제1 저굴절층(411)과 제1 고굴절층(412)이 상호 교번적으로 적층될 경우, 제1 파장 선택적 반사체(410)의 하부 베이스(110)와 맞닿는 최하층과 게이트 전극(122)과 맞닿는 최상층은 서로 동일한 굴절률을 갖는 층일 수 있다. 제1 파장 선택적 반사체(410)의 최하층과 최상층이 동일한 굴절률을 갖도록 구성함으로써, 즉 입사면과 투과면의 굴절률을 매칭시킴으로써 특정 파장 대역에 대한 효율적인 반사 특성 및 투과 특성을 부여할 수 있다. 특히, 제1 파장 선택적 반사체(410)의 하부 베이스(110)와 맞닿는 최하층과 게이트 전극(122)과 맞닿는 최상층을 모두 상대적으로 큰 굴절률을 갖는 제1 고굴절층(412)으로 형성함으로써 제1 파장 선택적 반사체(410)의 반사 특성 및 투과 특성을 동시에 극대화할 수 있다.
도 3 내지 도 5는 제1 파장 선택적 반사체(410)가 두 개의 제1 고굴절층(412)과 하나의 제1 저굴절층(411)을 포함하여 세 개의 층으로 이루어진 경우를 예시하고 있으나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며 제1 파장 선택적 반사체(410)는 아홉 개 이상의 층, 또는 열한 개 이상의 층, 또는 열세 개 이상의 층으로 이루어질 수도 있다.
다음으로, 제2 파장 선택적 반사체(520)에 대하여 설명한다. 도 1 내지 도 7을 참조하면, 상부 기판(21)은 색 변환 패턴(230)과 오버코팅층(270) 사이에 배치된 제2 파장 선택적 반사체(520)를 포함할 수 있다. 제2 파장 선택적 반사체(520)는 색 변환 패턴(230) 및 산란 패턴(240)과 맞닿을 수 있다.
제2 파장 선택적 반사체(520)는 특정 파장 대역의 광은 투과시키고, 다른 특정 파장 대역의 광은 반사시켜 투과를 차단하는 파장 선택적 광학 필터일 수 있다. 예를 들어, 제2 파장 선택적 반사체(520)는 가시 광선 파장 대역의 광 중에서, 일부 파장의 광은 90% 이상 투과시키고 다른 일부 파장의 광은 90% 이상 반사할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제2 파장 선택적 반사체(520)의 반사 파장 대역은 제1 파장 선택적 반사체(410)의 반사 파장 대역과 적어도 부분적으로 상이할 수 있다. 구체적으로, 제2 파장 선택적 반사체(520)의 반사 피크 파장은 제1 파장 선택적 반사체(410)의 반사 피크 파장보다 길 수 있다. 또, 제1 파장 선택적 반사체(410)의 투과 파장 대역은 제2 파장 선택적 반사체(520)의 반사 파장 대역과 적어도 부분적으로 중첩할 수 있다.
예를 들어, 제2 파장 선택적 반사체(520)는 대략 녹색 파장 대역의 광 및/또는 적색 파장 대역의 광은 반사하고, 청색 파장 대역의 광은 투과시킬 수 있다. 제2 파장 선택적 반사체(520)의 반사 피크 파장은 약 540nm 내지 약 550nm 범위 및/또는 약 610nm 내지 약 640nm 범위에 위치할 수 있다.
제2 파장 선택적 반사체(520)는 복수의 화소들(PX1, PX2)에 걸쳐 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 화소(PX1) 및 제2 화소(PX2)에 걸쳐 배치될 수 있다. 제2 파장 선택적 반사체(520)는 색 변환 패턴(230) 내의 파장 시프터(232)가 여러 방향으로 방출하는 적색(또는 녹색)의 광 중에서, 제2 파장 선택적 반사체(520) 측으로 방출된 광을 상부 베이스(210) 측으로 반사하여 색 표시에 기여하도록 할 수 있다. 즉, 표시 패널(DP)의 배면 측으로 방출되어 영상 표시 및 색 표시에 기여할 수 없는 광을 시청자(미도시) 측으로 반사함으로써 광의 이용 효율을 증가시키고 표시 장치(1)의 휘도와 색 순도 등의 표시 품질을 향상시킬 수 있다.
제2 파장 선택적 반사체(520)는 복수의 층들의 적층 구조를 가질 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제2 파장 선택적 반사체(520)는 상호 교번적으로 적층된 하나 이상의 제2 저굴절층(521) 및 하나 이상의 제2 고굴절층(522)을 포함하는 적층체일 수 있다. 즉, 제2 파장 선택적 반사체(520)는 하나 이상의 제2 저굴절층(521) 및 하나 이상의 제2 고굴절층(522)만으로 이루어진 광학 적층체일 수 있다. 제2 저굴절층(521)은 제2 고굴절층(522)에 비해 상대적으로 낮은 굴절률을 가지고, 제2 고굴절층(522)은 제2 저굴절층(521)에 비해 상대적으로 높은 굴절률을 가질 수 있다.
비제한적인 일례로서, 제2 저굴절층(521)은 제1 저굴절층(411)과 실질적으로 동일한 굴절률을 가지고, 제2 고굴절층(522)은 제1 고굴절층(412)과 실질적으로 동일한 굴절률을 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 저굴절층(521)과 제2 고굴절층(522)은 각각 비금속 무기 재료를 포함하며, 제2 저굴절층(521)은 약 1.20 내지 1.60 범위의 굴절률을 가지고, 제2 고굴절층(522)은 약 1.70 내지 약 2.10 범위의 굴절률을 가질 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 또한 제2 저굴절층(521)의 두께(t521)는 제2 고굴절층(522)의 두께(t522) 보다 작을 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제2 파장 선택적 반사체(520)는 홀수 개의 복수 층의 적층 구조로 이루어질 수 있다. 제2 저굴절층(521)과 제2 고굴절층(522)이 상호 교번적으로 적층될 경우, 제2 파장 선택적 반사체(520)의 오버코팅층(270)과 맞닿는 최하층과 색 변환 패턴(230)과 맞닿는 최상층은 서로 동일한 굴절률을 갖는 층일 수 있다. 제2 파장 선택적 반사체(520)의 최하층과 최상층이 동일한 굴절률을 갖도록 구성함으로써 효율적인 반사 특성 및 투과 특성을 부여할 수 있다. 특히, 제2 파장 선택적 반사체(520)의 오버코팅층(270)과 맞닿는 최하층과 색 변환 패턴(230)과 맞닿는 최상층을 모두 상대적으로 큰 굴절률을 갖는 제2 고굴절층(522)으로 형성함으로써 제2 파장 선택적 반사체(520)의 반사 특성 및 투과 특성을 동시에 극대화할 수 있다.
예시적인 실시예에서, 제2 파장 선택적 반사체(520)의 전체 두께(t520)는 제1 파장 선택적 반사체(410)의 전체 두께(t410) 보다 클 수 있다. 또, 제2 파장 선택적 반사체(520)의 제2 저굴절층(521)의 두께(t521)는 제1 파장 선택적 반사체(410)의 제1 저굴절층(411)의 두께(t411) 보다 크고, 제2 파장 선택적 반사체(520)의 제2 고굴절층(522)의 두께(t522)는 제1 파장 선택적 반사체(410)의 제1 고굴절층(412)의 두께(t412) 보다 클 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제2 파장 선택적 반사체(520)의 적층 수는 제1 파장 선택적 반사체(410)의 적층 수보다 클 수 있다. 제1 파장 선택적 반사체(410)와 제2 파장 선택적 반사체(520) 및 이들을 구성하는 층들(411, 412, 521, 522)의 두께와 개수를 상기와 같이 구성함으로써 제1 파장 선택적 반사체(410)와 제2 파장 선택적 반사체(520)의 반사 파장 대역 및 투과 파장 대역을 제어할 수 있다.
도 3 내지 도 5는 제2 파장 선택적 반사체(520)가 세 개의 제2 고굴절층(522)과 두 개의 제2 저굴절층(521)을 포함하여 다섯 개의 층으로 이루어진 경우를 예시하고 있으나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며 제2 파장 선택적 반사체(520)는 열한 개 이상의 층, 또는 열세 개 이상의 층, 또는 열다섯 개 이상의 층으로 이루어질 수도 있다.
이하, 도 8을 더 참조하여 본 실시예에 따른 표시 장치(1)의 제1 파장 선택적 반사체(410)의 기능에 대하여 더욱 상세하게 설명한다. 도 8은 도 2의 표시 장치의 파장 선택적 반사체의 기능을 설명하기 위한 도면이다.
도 1 내지 도 8을 참조하면, 백라이트 유닛(BLU)은 표시 패널(DP) 측으로 청색 파장 대역의 광(L1, L2)을 제공할 수 있다. 백라이트 유닛(BLU)으로부터 제공된 광(L1, L2) 중에서, 적어도 일부(L1)는 유효 투과 영역(ER)으로 입사하고, 나머지 일부(L2)는 비유효 투과 영역(NR)으로 입사할 수 있다. 유효 투과 영역(ER)은 화소 전극(190)과 대략 중첩하는 영역으로서, 화소 전극(190)과 공통 전극(290)이 형성하는 전계를 통해 액정들(305)의 재배열이 가능한 영역이고, 비유효 투과 영역(NR)은 배선들(121, 151) 및 스위칭 소자(TFT)와 대략 대응되는 영역으로서, 액정들(305)의 재배열 제어가 불가능한 영역이다.
우선 유효 투과 영역(ER)으로 입사된 청색 파장 대역의 광(L1)은 적어도 부분적으로 액정층(300)을 투과하여 색 변환 패턴(230) 측으로 진행할 수 있으며, 유효 투과 영역(ER)으로 입사된 광(L1)은 제1 화소(PX1) 내의 영상 표시 및 색 표시에 기여할 수 있다.
반면 비유효 투과 영역(NR)으로 입사된 청색 파장 대역의 광(L2)은 제1 파장 선택적 반사체(410)에 의해 반사되어 투과가 차단될 수 있다. 이를 통해 표시 장치(1)의 비유효 투과 영역(NR)을 통해 광이 투과되어 빛샘 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 제1 파장 선택적 반사체(410)에 의해 반사된 청색 광은 리사이클되어 다시 표시 패널(DP) 측으로 진행할 수 있으며, 이를 통해 광의 이용 효율을 개선할 수 있다.
한편, 색 변환 패턴(230)의 파장 시프터(232)가 방출한 적색 광 중에서 적어도 일부의 광(L3)은 제2 파장 선택적 반사체(520)에 의해 온전히 차단되지 못하고, 액정층(300)을 투과하여 하부 기판(11) 측으로 진행할 수 있다. 만일 하부 기판(11) 측으로 진행하는 적색 광(L3)이 의도치 않게 다시 반사되어 상부 기판(21) 측으로 진행할 경우, 그 적색 광(L3)이 다른 화소에서 시인되는 혼색 불량이 발생할 수 있다. 그러나 본 실시예에 따른 표시 장치(1)의 제1 파장 선택적 반사체(410)는 파장 시프터(232)가 방출한 적색 광(L3)을 투과시킬 수 있으며, 이를 통해 혼색 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
즉, 본 실시예에 따른 표시 장치(1)의 하부 기판(11)은 청색 파장 대역의 광은 반사하고, 그 외 파장 대역의 광은 투과시키는 제1 파장 선택적 반사체(410)를 포함함으로써 빛샘 불량을 방지하고 광의 이용 효율을 증가시킴과 동시에, 혼색 불량을 최소화할 수 있는 효과가 있다.
이하, 본 발명의 다른 실시예들에 대하여 설명한다. 다만 전술한 일 실시예에 따른 표시 장치(1)와 동일한 구성에 대한 설명은 생략하며, 이는 첨부된 도면으로부터 본 기술분야에 속하는 통상의 기술자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도로서, 도 4에 대응되는 단면도이다.
우선 도 9를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(2)의 하부 기판(12)은 하부 베이스(110)와 스위칭 소자(TFT) 사이에 배치된 파장 선택적 반사체를 포함하지 않고, 스위칭 소자(TFT) 상에 배치된 제3 파장 선택적 반사체(630)를 더 포함하는 점이 도 4의 실시예에 따른 표시 장치(1)와 상이한 점이다.
예시적인 실시예에서, 제3 파장 선택적 반사체(630)는 제2 배선층(152, 153) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제3 파장 선택적 반사체(630)는 드레인 전극(152) 및 소오스 전극(153) 상에 배치되고, 드레인 전극(152), 소오스 전극(153) 및 액티브 패턴(140) 중 하나 이상과 맞닿을 수 있다. 제3 파장 선택적 반사체(630)가 비금속 무기 재료만으로 이루어진 무기물 적층체인 경우, 스위칭 소자(TFT)를 보호하는 보호층(예컨대, 도 4의 제1 보호층(132))는 생략될 수 있다.
제3 파장 선택적 반사체(630)는 특정 파장 대역의 광은 투과시키고, 다른 특정 파장 대역의 광은 반사시켜 투과를 차단하는 파장 선택적 광학 필터일 수 있다. 예를 들어, 제3 파장 선택적 반사체(630)는 가시 광선 파장 대역의 광 중에서, 일부 파장의 광은 90% 이상 투과시키고 다른 일부 파장의 광은 90% 이상 반사할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제3 파장 선택적 반사체(630)는 대략 청색 파장 대역의 광은 반사하고, 그 외 파장 대역의 광은 투과시킬 수 있다. 예컨대, 제3 파장 선택적 반사체(630)의 반사 피크 파장은 약 430nm 내지 약 470nm 범위 내에 위치할 수 있다. 또, 제3 파장 선택적 반사체(630)의 투과 파장 대역은 약 540nm 내지 약 550nm 파장 대역 및 약 610nm 내지 약 640nm 파장 대역을 포함할 수 있다.
평면도로 표현하지 않았으나, 제3 파장 선택적 반사체(630)는 도 4의 제1 파장 선택적 반사체(410)와 실질적으로 동일한 평면 형상을 가질 수 있다. 즉, 제3 파장 선택적 반사체(630)는 복수의 화소들에 걸쳐서 배치되고, 제1 방향(X)으로 연장된 제1 부분 및 제2 방향(Y)으로 연장된 제2 부분을 포함하여 평면 시점에서 대략 격자 형상일 수 있다. 제3 파장 선택적 반사체(630)는 배선들(게이트 배선 및 데이터 배선) 및 스위칭 소자(TFT)와 중첩할 수 있다. 또, 제3 파장 선택적 반사체(630)는 배선들(게이트 배선 및 데이터 배선) 및 스위칭 소자(TFT)를 완전히 커버할 수 있다. 예컨대, 제3 파장 선택적 반사체(630)는 게이트 전극(122)의 측벽, 액티브 패턴(140)의 측벽, 드레인 전극(152)의 측벽 및 소오스 전극(153)의 측벽을 커버할 수 있다.
제3 파장 선택적 반사체(630)는 도 4의 제1 파장 선택적 반사체(410)와 마찬가지로 복수의 층들의 적층 구조를 가질 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제3 파장 선택적 반사체(630)는 상호 교번적으로 적층된 하나 이상의 제3 저굴절층(631) 및 하나 이상의 제3 고굴절층(632)을 포함하는 적층체일 수 있다. 즉, 제3 파장 선택적 반사체(630)는 하나 이상의 제3 저굴절층(631) 및 하나 이상의 제3 고굴절층(632) 만으로 이루어진 광학 적층체일 수 있다. 제3 저굴절층(631)은 제3 고굴절층(632)에 비해 상대적으로 낮은 굴절률을 가지고, 제3 고굴절층(632)은 제3 저굴절층(631)에 비해 상대적으로 높은 굴절률을 가질 수 있다. 또, 제3 저굴절층(631)과 제3 고굴절층(632)은 각각 비금속 무기 재료를 포함할 수 있다. 제3 저굴절층(631)의 두께는 제3 고굴절층(632)의 두께보다 작을 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제3 파장 선택적 반사체(630)는 홀수 개의 복수 층의 적층 구조로 이루어질 수 있다. 제3 저굴절층(631)과 제3 고굴절층(632)이 상호 교번적으로 적층될 경우, 제3 파장 선택적 반사체(630)의 드레인 전극(152), 소오스 전극(153) 및 액티브 패턴(140)과 맞닿는 최하층과 단차 보상층(160)과 맞닿는 최상층은 서로 동일한 굴절률을 갖는 층일 수 있다. 예를 들어, 제3 파장 선택적 반사체(630)의 최하층과 최상층은 모두 상대적으로 큰 굴절률을 갖는 제3 고굴절층(632)으로 형성될 수 있다.
도 9 등은 제3 파장 선택적 반사체(630)가 두 개의 제3 고굴절층(632)과 하나의 제3 저굴절층(631)을 포함하여 세 개의 층으로 이루어진 경우를 예시하고 있으나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
제3 파장 선택적 반사체(630)는 화소 전극(190)이 삽입되는 컨택홀을 가질 수 있다. 제3 파장 선택적 반사체(630)에 형성된 컨택홀은 단차 보상층(160)에 형성된 컨택홀과 연결될 수 있다. 화소 전극(190)은 단차 보상층(160)에 형성된 컨택홀 및 제3 파장 선택적 반사체(630)에 형성된 컨택홀을 통해 스위칭 소자(TFT)의 소오스 전극(153)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 화소 전극(190)은 단차 보상층(160), 제3 파장 선택적 반사체(630) 및 소오스 전극(153)과 접촉할 수 있다.
그 외 제3 파장 선택적 반사체(630)의 구성은 도 4의 제1 파장 선택적 반사체(410)의 구성과 실질적으로 동일할 수 있는 바 중복되는 설명은 생략한다. 또, 제3 파장 선택적 반사체(630)와 제2 파장 선택적 반사체(520) 간의 관계는 도 4의 제1 파장 선택적 반사체(410)와 제2 파장 선택적 반사체(520) 간의 관계와 실질적으로 동일할 수 있는 바 중복되는 설명은 생략한다.
이하, 도 10을 더 참조하여 본 실시예에 따른 표시 장치(2)의 제3 파장 선택적 반사체(630)의 기능에 대하여 더욱 상세하게 설명한다. 도 10은 도 9의 표시 장치의 파장 선택적 반사체의 기능을 설명하기 위한 도면이다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 백라이트 유닛(BLU)은 표시 패널 측으로 청색 파장 대역의 광(L4)을 제공할 수 있다. 백라이트 유닛(BLU)으로부터 제공된 광 중에서 적어도 일부(L4)는 평면에 대해 경사 방향으로 진행하고 표시 패널 내 구성요소, 예컨대 반사형 편광층(280)에 의해 의도치 않게 반사되어 하부 기판(12) 측으로 진행할 수 있다. 이 경우 편광층(280)에 의해 반사된 청색 광(L4)은 표시 패널 내 구성요소, 예컨대 스위칭 소자(TFT)의 액티브 패턴(140) 측으로 진행하여 액티브 패턴(140)의 열화를 야기할 수 있다. 반도체성 재료를 포함하는 액티브 패턴(140)이 청색 광(L4)에 장시간 노출될 경우 스위칭 소자(TFT)의 오프 전압(Voff) 및/또는 문턱 전압(Vth) 특성의 저하를 야기할 수 있다. 그러나 본 실시예에 따른 표시 장치(2)의 제3 파장 선택적 반사체(630)는 편광층(280)에 의해 반사된 청색 광(L4)의 투과를 차단할 수 있으며, 스위칭 소자(TFT)의 내구성 및 신뢰성을 개선할 수 있다. 또한, 제3 파장 선택적 반사체(630)에 의해 반사된 청색 광(L4)은 다시 상부 기판의 색 변환 패턴(230) 측으로 진행하여 색 표시에 기여할 수 있고, 이를 통해 광의 이용 효율을 향상시킬 수 있다. 또한 도면으로 표현하지 않았으나, 제3 파장 선택적 반사체(630)는 비유효 투과 영역으로 입사된 청색 광의 투과를 차단하여 빛샘 불량을 방지할 수 있다.
한편, 색 변환 패턴(230)의 파장 시프터(232)가 방출한 적색 광 중에서 적어도 일부의 광(L5)은 제2 파장 선택적 반사체(520)에 의해 온전히 차단되지 못하고, 액정층(300)을 투과하여 하부 기판(12) 측으로 진행할 수 있다. 본 실시예에 따른 표시 장치(2)의 제3 파장 선택적 반사체(630)는 파장 시프터(232)가 방출한 적색 광(L5)을 투과시킬 수 있으며, 이를 통해 반사된 적색 광에 의해 혼색 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
즉, 본 실시예에 따른 표시 장치(2)의 하부 기판(12)은 청색 파장 대역의 광은 반사하고, 그 외 파장 대역의 광은 투과시키는 제3 파장 선택적 반사체(630)를 포함함으로써 빛샘 불량을 방지하고 광의 이용 효율을 증가시킬 수 있다. 또한 액티브 패턴(140)의 열화를 방지하고 혼색 불량을 최소화할 수 있는 효과가 있다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도로서, 도 4에 대응되는 단면도이다.
도 11을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(3)의 하부 기판(13)은 하부 베이스(110)와 스위칭 소자(TFT) 사이에 배치된 제1 파장 선택적 반사체(410) 뿐만 아니라 스위칭 소자(TFT) 상에 배치된 제3 파장 선택적 반사체(630)를 더 포함하는 점이 도 4의 실시예에 따른 표시 장치(1)와 상이한 점이다.
제1 파장 선택적 반사체(410) 및 제3 파장 선택적 반사체(630)는 배선들(게이트 배선 및 데이터 배선) 및 스위칭 소자(TFT)와 중첩할 수 있다. 또, 제1 파장 선택적 반사체(410) 및 제3 파장 선택적 반사체(630)는 배선들(게이트 배선 및 데이터 배선) 및 스위칭 소자(TFT)를 완전히 커버할 수 있다.
스위칭 소자(TFT)를 보호하는 보호층(예컨대, 도 4의 제1 보호층(132))이 생략된 예시적인 실시예에서, 게이트 절연층(131)은 제1 파장 선택적 반사체(410) 및 제3 파장 선택적 반사체(630)와 맞닿을 수 있다. 구체적으로, 게이트 절연층(131)은 제1 파장 선택적 반사체(410)의 제1 고굴절층 및 제3 파장 선택적 반사체(630)의 제3 고굴절층과 맞닿을 수 있다.
그 외 제3 파장 선택적 반사체(630)에 대해서는 도 9 등과 함께 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
본 실시예에 따른 표시 장치(3)는 스위칭 소자(TFT)를 하부에서 커버하는 제1 파장 선택적 반사체(410) 및 스위칭 소자(TFT)의 상부에서 커버하는 제3 파장 선택적 반사체(630)를 모두 포함하여 빛샘 불량과 혼색 불량을 방지하고 스위칭 소자(TFT)의 특성 저하를 방지할 수 있다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도로서, 도 4에 대응되는 단면도이다.
도 12를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(4)의 하부 기판(14)은 스위칭 소자(TFT) 상에 배치된 제2 파장 선택적 투과체(740)를 더 포함하는 점이 도 4의 실시예에 따른 표시 장치(1)와 상이한 점이다.
제2 파장 선택적 투과체(740)는 특정 파장 대역의 광은 투과시키고, 다른 특정 파장 대역의 광은 흡수하여 투과를 차단하는 파장 선택적 광학 필터일 수 있다. 예를 들어, 제2 파장 선택적 투과체(740)는 청색 파장 대역의 광은 흡수하고, 녹색 파장 대역의 광 또는 적색 파장 대역의 광은 투과시키는 컬러 필터일 수 있다. 예컨대, 제2 파장 선택적 투과체(740)의 흡수 피크 파장은 약 430nm 내지 약 470nm 범위 내에 위치할 수 있다. 또, 제2 파장 선택적 투과체(740)의 투과 피크 파장은 약 540nm 내지 약 550nm 범위 또는 약 610nm 내지 640nm 범위에 위치할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제2 파장 선택적 투과체(740)의 흡수 파장 대역은 제1 파장 선택적 반사체(410)의 반사 파장 대역과 부분적으로 중첩할 수 있다.
제2 파장 선택적 투과체(740)는 스위칭 소자(TFT), 구체적으로 스위칭 소자(TFT)의 액티브 패턴(140)이 형성하는 채널 영역과 중첩하도록 배치될 수 있다. 즉, 제2 파장 선택적 투과체(740)는 드레인 전극(152)과 소오스 전극(153)의 이격 공간 사이를 충진할 수 있다. 백라이트 유닛(BLU)이 청색 파장 대역의 광을 제공하는 예시적인 실시예에서, 청색 파장 대역의 광 중에서 적어도 일부는 표시 패널 내 구성요소, 예컨대 반사형 편광층(280)에 의해 반사되어 액티브 패턴(140)의 열화를 야기할 수 있다. 본 실시예에 따른 표시 장치(4)의 제2 파장 선택적 투과체(740)는 편광층(280)에 의해 반사된 청색 광의 투과를 차단할 수 있으며, 스위칭 소자(TFT)의 내구성 및 신뢰성을 개선할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제2 파장 선택적 투과체(740)는 화소 전극(190)이 삽입되는 컨택홀을 가질 수 있다. 제2 파장 선택적 투과체(740)에 형성된 컨택홀은 단차 보상층(160)에 형성된 컨택홀 및 제1 보호층(131)에 형성된 컨택홀과 연결될 수 있다. 화소 전극(190)은 단차 보상층(160)에 형성된 컨택홀, 제2 파장 선택적 투과체(740)에 형성된 컨택홀 및 제1 보호층(131)에 형성된 컨택홀을 통해 스위칭 소자(TFT)의 소오스 전극(153)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 화소 전극(190)은 단차 보상층(160), 제2 파장 선택적 투과체(740), 제1 보호층(131) 및 소오스 전극(153)과 접촉할 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 배선 기판의 제조 방법에 대하여 설명한다.
도 13 내지 도 23은 본 발명의 일 실시예에 따른 배선 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들로서, 도 4에 대응되는 단면도들이다.
우선 도 13을 참조하면, 하부 베이스(110) 상에 파장 선택적 반사층(410a)을 형성하고, 파장 선택적 반사층(410a) 상에 도전성 금속층(120a)을 형성하고, 도전성 금속층(120a) 상에 제1 마스크 패턴(MP1)을 형성한다.
파장 선택적 반사층(410a)은 특정 파장 대역의 광은 투과시키고, 다른 특정 파장 대역의 광은 반사시켜 투과를 차단할 수 있도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 파장 선택적 반사층(410a)은 대략 청색 파장 대역의 광은 반사하고, 그 외 파장 대역의 광은 투과시킬 수 있다.
파장 선택적 반사층(410a)은 복수의 층들의 적층 구조를 가질 수 있다. 예시적인 실시예에서, 파장 선택적 반사층(410a)은 상호 교번적으로 적층된 하나 이상의 저굴절층(411a) 및 하나 이상의 고굴절층(412a)을 포함하는 적층체일 수 있다. 즉, 파장 선택적 반사층(410a)은 하나 이상의 저굴절층(411a) 및 하나 이상의 고굴절층(412a) 만으로 이루어진 적층체일 수 있다. 저굴절층(411a) 및 고굴절층(412a)은 각각 비금속 무기 재료를 포함할 수 있다. 이 경우, 파장 선택적 반사층(410a)은 비금속 무기 재료 만으로 이루어진 무기물 적층체일 수 있다. 상기 비금속 무기 재료의 예로는 질화규소, 산화규소, 질화산화규소 또는 산화질화규소 등을 들 수 있다.
또, 저굴절층(411a)의 두께는 고굴절층(412a)의 두께보다 작을 수 있다. 몇몇 실시예에서, 파장 선택적 반사층(410a)은 홀수 개의 복수 층의 적층 구조로 이루어질 수 있다. 저굴절층(411a)과 고굴절층(412a)이 상호 교번적으로 적층될 경우, 파장 선택적 반사층(410a)의 최하층과 최상층은 서로 동일한 굴절률을 갖는 층일 수 있다. 도 13 등은 파장 선택적 반사층(410a)이 두 개의 고굴절층(412a)과 하나의 저굴절층(411a)을 포함하여 세 개의 층으로 이루어진 경우를 예시하고 있으나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
도전성 금속층(120a)은 파장 선택적 반사층(410a) 상에 직접 형성될 수 있다. 도면으로 표현하지 않았으나, 도전성 금속층(120a)은 두 개 이상의 층을 포함하여 적층 구조로 이루어질 수 있다. 도전성 금속층(120a)을 형성하는 금속 재료의 예로는 티타늄, 몰리브덴, 알루미늄, 구리, 은 또는 금 등을 들 수 있다.
제1 마스크 패턴(MP1)은 도전성 금속층(120a)의 적어도 일부를 노출하도록 배치될 수 있다. 또, 제1 마스크 패턴(MP1)은 부분적으로 상이한 두께를 가질 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제1 마스크 패턴(MP1)은 제1 두께(t1)를 갖는 제1 부분(MP1a) 및 제1 두께(t1) 보다 큰 제2 두께(t2)를 갖는 제2 부분(MP1b)을 포함할 수 있다. 제1 마스크 패턴(MP1)은 유기 재료를 포함할 수 있다. 제1 부분(MP1a) 및 제2 부분(MP1b)을 갖는 제1 마스크 패턴(MP1)을 형성하는 방법은 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어, 제1 마스크 패턴(MP1)은 포지티브 감광성 재료 또는 네거티브 감광성 재료를 포함하고, 슬릿 마스크 또는 하프톤 마스크 노광 공정을 통해 부분적으로만 경화하는 방법을 통해 제1 마스크 패턴(MP1)을 형성할 수 있다.
본 발명이 이에 제한되는 것은 아니나, 제1 마스크 패턴(MP1)의 제2 부분(MP1b)의 평면상 형상은 후술할 게이트 배선(121) 및 게이트 전극(122)을 포함하는 제1 배선층(120)의 평면상 형상과 대략 대응하는 형상이고, 제1 부분(MP1a)과 제2 부분(MP1b)을 포함하는 제1 마스크 패턴(MP1) 전체의 평면상 형상은 후술할 파장 선택적 반사체(410)의 평면상 형상과 대략 대응하는 형상일 수 있다.
이어서 도 13 및 도 14를 참조하면, 제1 마스크 패턴(MP1)의 제1 부분(MP1a) 및 제2 부분(MP1b)을 식각 마스크로 이용하여, 도전성 금속층(120a)을 패터닝함으로써 도전성 금속 패턴(120b)을 형성한다.
예시적인 실시예에서, 도전성 금속 패턴(120b)을 형성하는 단계는 습식 식각 공정을 통해 수행될 수 있다. 제1 마스크 패턴(MP1)에 의해 커버되지 않고 노출된 도전성 금속층(120a)은 식각액에 의해 1차 식각되어 제거되고, 제1 마스크 패턴(MP1)에 대략 대응되는 형상의 도전성 금속 패턴(120b)이 형성될 수 있다. 또, 도전성 금속층(120a)이 부분적으로 제거됨에 따라 그 하부의 파장 선택적 반사층(410a)이 적어도 부분적으로 노출될 수 있다. 도전성 금속층(120a) 및 도전성 금속 패턴(120b)이 복수의 층으로 이루어진 경우, 각 층은 본 단계에서 일괄 식각될 수 있다.
이어서 도 13 내지 도 15를 참조하면, 제1 마스크 패턴(MP1) 및 도전성 금속 패턴(120b)을 식각 마스크로 이용하여, 파장 선택적 반사층(410a)을 패터닝함으로써 파장 선택적 반사체(410)를 형성한다. 파장 선택적 반사체(410)는 복수의 층들의 적층 구조를 가지고, 비금속 무기 재료만으로 이루어진 무기물 적층체 패턴일 수 있다. 본 단계에서 형성된 파장 선택적 반사체(410)에 대해서는 도 4 등과 함께 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
예시적인 실시예에서, 파장 선택적 반사체(410)를 형성하는 단계는 건식 식각 공정을 통해 수행될 수 있다. 제1 마스크 패턴(MP1) 및 도전성 금속 패턴(120b)에 의해 커버되지 않고 노출된 파장 선택적 반사층(410a)은 제거되고, 도전성 금속 패턴(120b)에 대략 대응되는 형상의 파장 선택적 반사체(410)가 형성될 수 있다. 또, 파장 선택적 반사층(410a)이 부분적으로 제거됨에 따라 그 하부의 하부 베이스(110)가 적어도 부분적으로 노출될 수 있다.
건식 식각을 통해 파장 선택적 반사체(410)를 형성하는 단계에서 파장 선택적 반사층(410a) 뿐만 아니라 제1 마스크 패턴(MP1) 또한 식각되어 제2 마스크 패턴(MP2)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 상대적으로 얇은 두께를 갖는 제1 마스크 패턴(MP1)의 제1 부분(MP1a)은 적어도 부분적으로 제거될 수 있다. 이를 통해 제1 부분(MP1a)과 중첩하는 도전성 금속 패턴(120b)이 노출될 수 있다. 또, 상대적으로 두꺼운 두께를 갖는 제1 마스크 패턴(MP1)의 제2 부분(MP1b)의 두께는 감소되어 제2 마스크 패턴(MP2)을 형성하며 도전성 금속 패턴(120b) 상에 잔존할 수 있다.
이어서 도 13 내지 도 16을 참조하면, 제2 마스크 패턴(MP2)을 식각 마스크로 이용하여, 도전성 금속 패턴(120b)을 패터닝함으로써 제1 배선층(120)을 형성한다. 제1 배선층(120)은 게이트 배선(121) 및 게이트 전극(122)을 포함하는 게이트 배선층일 수 있다. 제1 배선층(120)에 대해서는 도 4 등과 함께 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
예시적인 실시예에서, 제1 배선층(120)을 형성하는 단계는 습식 식각 공정을 통해 수행될 수 있다. 제2 마스크 패턴(MP2)에 의해 커버되지 않고 노출된 도전성 금속 패턴(120b)은 식각액에 의해 2차 식각되어 제거되고, 제2 마스크 패턴(MP2)에 대략 대응되는 형상의 제1 배선층(120)이 형성될 수 있다. 또, 도전성 금속 패턴(120b)이 부분적으로 제거됨에 따라 그 하부의 파장 선택적 반사체(410)가 적어도 부분적으로 노출될 수 있다. 이를 통해 제1 배선층(120)이 차지하는 평면상 면적보다 파장 선택적 반사체(410)가 차지하는 평면상 면적을 더 크게 할 수 있고, 파장 선택적 반사체(410)가 제1 배선층(120)을 완전히 커버할 수 있도록 할 수 있다.
이어서 도 13 내지 도 17을 참조하면, 제1 배선층(120) 상에 잔존하는 제2 마스크 패턴(MP2)을 제거한다. 제2 마스크 패턴(MP2)을 제거하는 단계는 건식 식각 공정 또는 애싱 공정을 통해 수행될 수 있으나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
이어서 도 13 내지 도 18을 참조하면, 제1 배선층(120) 상에 절연층(131)을 형성한다. 절연층(131)은 제1 배선층(120)의 게이트 전극과 후술할 액티브 패턴(140)을 서로 절연시키는 게이트 절연층일 수 있다.
이어서 도 13 내지 도 19를 참조하면, 절연층(131) 상에 액티브 패턴(140), 드레인 전극(152) 및 소오스 전극(153)을 형성한다. 예시적인 실시예에서, 액티브 패턴(140), 드레인 전극(152) 및 소오스 전극(153)은 부분적으로 상이한 두께를 갖는 마스크 패턴(미도시)을 이용하여 식각될 수 있다. 앞서 설명한 것과 같이, 제1 배선층(120)의 게이트 전극, 액티브 패턴(140), 드레인 전극(152) 및 소오스 전극(153)은 함께 스위칭 소자(TFT)를 형성할 수 있다. 도면으로 표현하지 않았으나, 드레인 전극(152) 및 소오스 전극(153)은 데이터 배선(미도시)과 함께 형성될 수 있다.
이어서 도 13 내지 도 20을 참조하면, 드레인 전극(152) 및 소오스 전극(153) 상에 보호층(132)을 형성한다. 보호층(132)은 무기 재료를 포함할 수 있다. 보호층(132)은 질화규소, 산화규소, 질화산화규소 또는 산화질화규소를 포함할 수 있다.
이어서 도 13 내지 도 21을 참조하면, 보호층(132) 상에 컨택홀을 갖는 유기층(160)을 형성한다. 유기층(160)은 단차 보상 기능 및 절연 특성을 갖는 단차 보상층일 수 있다. 유기층(160)의 재료는 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 이미드계 수지, 카도계 수지 등의 유기 재료를 포함할 수 있다. 유기층(160)의 컨택홀은 보호층(132)의 일부를 노출시킬 수 있다.
이어서 도 13 내지 도 22를 참조하면, 유기층(160)을 식각 마스크로 이용하여 노출된 보호층(132)에 컨택홀을 형성한다. 예시적인 실시예에서, 보호층(132)에 컨택홀을 형성하는 단계는 건식 식각 공정을 통해 수행될 수 있다. 또, 유기층(160)을 식각 마스크로 이용하여 보호층(132)을 부분적으로 제거 및 컨택홀을 형성함으로써 유기층(160)의 컨택홀의 내측벽과 보호층(132)의 컨택홀의 내측벽은 정렬될 수 있다. 유기층(160)의 컨택홀과 보호층(132)의 컨택홀은 서로 연결되며 소오스 전극(153)을 부분적으로 노출시킬 수 있다.
이어서 도 13 내지 도 23을 참조하면, 유기층(160) 상에 화소 전극(190)을 형성한다. 화소 전극(190)은 유기층(160) 및 보호층(132)에 형성된 컨택홀에 삽입되어 소오스 전극(153)과 접촉할 수 있다.
본 실시예에 따른 배선 기판의 제조 방법은 부분적으로 상이한 두께를 갖는 제1 마스크 패턴(MP1)을 이용하여 하부의 파장 선택적 반사체(410)를 먼저 패터닝하고, 그 다음 상부의 제1 배선층(120)을 패터닝함으로써 제조 비용을 절감할 수 있다. 즉, 하나의 마스크 패턴만으로 평면상 차지하는 면적이 큰 하부 패턴(즉, 파장 선택적 반사체(410))과 평면상 차지하는 면적이 작은 상부 패턴(즉, 제1 배선층(120))을 형성할 수 있는 효과가 있다.
이상에서 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
110: 하부 베이스
151: 데이터 배선
190: 화소 전극
210: 상부 베이스
230: 색 변환 패턴
280: 편광층
290: 공통 전극
300: 액정층
410: 제1 파장 선택적 반사체
520: 제2 파장 선택적 반사체

Claims (20)

  1. 배선 기판;
    상기 배선 기판 상에 배치되고, 파장 시프터를 포함하는 색 변환 패턴을 포함하는 색 변환 기판; 및
    상기 배선 기판을 사이에 두고 상기 색 변환 기판과 이격 배치되는 백라이트 유닛을 포함하되,
    상기 배선 기판은,
    제1 베이스,
    상기 제1 베이스 상에 배치된 박막 트랜지스터로서, 게이트 전극, 상기 게이트 전극 상에 배치되는 액티브 패턴, 및 상기 액티브 패턴 상에 배치되고 상호 이격된 드레인 전극과 소오스 전극을 포함하는 박막 트랜지스터, 및
    상기 제1 베이스 상에 배치되고, 상기 박막 트랜지스터와 상호 적층된 파장 선택적 반사체를 포함하는, 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 파장 선택적 반사체는 비금속 무기 재료로 이루어지고,
    상기 파장 선택적 반사체는 상기 게이트 전극, 상기 액티브 패턴, 상기 드레인 전극 및 상기 소오스 전극 중 하나 이상과 맞닿는 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 배선 기판은,
    상기 게이트 전극과 연결되고 제1 방향으로 연장된 게이트 배선, 및
    상기 드레인 전극과 연결되고, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 데이터 배선을 더 포함하되,
    상기 파장 선택적 반사체는,
    상기 제1 방향으로 연장되고, 적어도 부분적으로 상기 게이트 배선과 중첩하는 제1 부분, 및
    상기 제2 방향으로 연장되고, 적어도 부분적으로 상기 데이터 배선과 중첩하는 제2 부분을 포함하고,
    상기 파장 선택적 반사체의 제1 부분의 상기 제2 방향으로의 폭은, 상기 게이트 배선의 상기 제2 방향으로의 폭보다 크고,
    상기 파장 선택적 반사체의 제2 부분의 상기 제1 방향으로의 폭은, 상기 데이터 배선의 상기 제1 방향으로의 폭보다 큰 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 파장 선택적 반사체는, 상기 제1 베이스와 상기 게이트 전극 사이에 배치되는 제1 파장 선택적 반사체를 포함하고,
    상기 제1 파장 선택적 반사체는, 가시 광선 파장 대역의 일부 파장의 광을 투과시키고, 가시 광선 파장 대역의 다른 일부 파장의 광을 반사시켜 투과를 차단하는 표시 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 배선 기판과 상기 색 변환 기판 사이에 개재되는 액정층을 더 포함하되,
    상기 색 변환 기판은,
    제2 베이스,
    상기 제2 베이스 상에 배치되는 상기 색 변환 패턴, 및
    상기 색 변환 패턴과 상기 액정층 사이에 배치되는 제2 파장 선택적 반사체를 포함하는 표시 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 색 변환 기판은, 상기 제2 파장 선택적 반사체와 상기 액정층 사이에 배치되는 반사형 편광층을 더 포함하는 표시 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 제1 파장 선택적 반사체의 반사 파장 대역은,
    상기 제2 파장 선택적 반사체의 반사 파장 대역과 적어도 부분적으로 상이한 표시 장치.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 제1 파장 선택적 반사체의 반사 피크 파장은,
    상기 제2 파장 선택적 반사체의 반사 피크 파장보다 짧은 표시 장치.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 제1 파장 선택적 반사체의 투과 파장 대역은,
    상기 제2 파장 선택적 반사체의 반사 파장 대역과 적어도 부분적으로 중첩하고,
    상기 제1 파장 선택적 반사체의 반사 피크 파장은 430nm 내지 470nm 범위에 위치하고,
    상기 백라이트 유닛은 430nm 내지 470nm 범위에 피크 파장이 위치하는 청색 광을 방출하는 표시 장치.
  10. 제5항에 있어서,
    상기 제1 파장 선택적 반사체는 상호 적층된 하나 이상의 제1 저굴절층 및 하나 이상의 제1 고굴절층을 포함하고,
    상기 제2 파장 선택적 반사체는 상호 적층된 하나 이상의 제2 저굴절층 및 하나 이상의 제2 고굴절층을 포함하며,
    상기 제2 파장 선택적 반사체의 전체 두께는 상기 제1 파장 선택적 반사체의 전체 두께보다 큰 표시 장치.
  11. 제5항에 있어서,
    상기 제1 파장 선택적 반사체는 상호 적층된 하나 이상의 제1 저굴절층 및 두 개 이상의 제1 고굴절층을 포함하고,
    상기 제2 파장 선택적 반사체는 상호 적층된 하나 이상의 제2 저굴절층 및 두 개 이상의 제2 고굴절층을 포함하며,
    상기 제2 저굴절층의 굴절률은 상기 제1 저굴절층의 굴절률과 동일하고,
    상기 제2 저굴절층의 두께는 상기 제1 저굴절층의 두께보다 크며,
    상기 제2 고굴절층의 굴절률은 상기 제1 고굴절층의 굴절률과 동일하고,
    상기 제2 고굴절층의 두께는 상기 제1 고굴절층의 두께보다 크며,
    상기 제1 파장 선택적 반사체의 제1 고굴절층은 상기 제1 베이스 및 상기 게이트 전극과 맞닿고,
    상기 제2 파장 선택적 반사체의 제2 고굴절층은 상기 색 변환 패턴과 맞닿는 표시 장치.
  12. 제5항에 있어서,
    상기 제1 파장 선택적 반사체는 홀수 개의 복수 층의 적층 구조로 이루어지고,
    상기 제2 파장 선택적 반사체는 홀수 개의 복수 층의 적층 구조로 이루어지며,
    상기 제2 파장 선택적 반사체의 적층 수는 상기 제1 파장 선택적 반사체의 적층 수보다 큰 표시 장치.
  13. 제5항에 있어서,
    상기 색 변환 기판은, 상기 제1 파장 선택적 반사체 및 상기 제2 파장 선택적 반사체와 적어도 부분적으로 중첩하는 차광 패턴을 더 포함하는 표시 장치.
  14. 제5항에 있어서,
    상기 배선 기판은, 상기 박막 트랜지스터와 상기 액정층 사이에 배치된 파장 선택적 투과체를 더 포함하되,
    상기 파장 선택적 투과체는, 가시 광선 파장 대역의 일부 파장의 광을 투과시키고, 가시 광선 파장 대역의 다른 일부 파장의 광을 흡수하여 투과를 차단하며,
    상기 파장 선택적 투과체의 흡수 파장 대역은, 상기 제1 파장 선택적 반사체의 반사 파장 대역과 적어도 부분적으로 중첩하는 표시 장치.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 파장 선택적 반사체는, 상기 드레인 전극 및 상기 소오스 전극 상에 배치되고, 상기 소오스 전극의 일부를 노출시키는 개구를 갖는 제3 파장 선택적 반사체를 포함하고,
    상기 배선 기판은,
    상기 제3 파장 선택적 반사체 상에 배치되고, 상기 제3 파장 선택적 반사체의 컨택홀과 연결되어 상기 소오스 전극의 일부를 노출시키는 컨택홀을 갖는 단차 보상층, 및
    상기 단차 보상층 상에 배치되고, 상기 소오스 전극, 상기 제3 파장 선택적 반사체 및 상기 단차 보상층과 맞닿는 화소 전극을 더 포함하는 표시 장치.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 파장 선택적 반사체는,
    상기 제1 베이스와 상기 게이트 전극 사이에 배치되는 제1 파장 선택적 반사체, 및
    상기 드레인 전극 및 상기 소오스 전극 상에 배치되는 제3 파장 선택적 반사체를 포함하고,
    상기 배선 기판은, 상기 게이트 전극과 상기 액티브 패턴 사이에 배치되고, 상기 제1 파장 선택적 반사체 및 상기 제3 파장 선택적 반사체와 맞닿는 게이트 절연층을 더 포함하는 표시 장치.
  17. 베이스;
    상기 베이스 상에 배치된 박막 트랜지스터로서, 게이트 전극, 상기 게이트 전극 상에 배치되는 액티브 패턴, 및 상기 액티브 패턴 상에 배치되고 상호 이격된 드레인 전극과 소오스 전극을 포함하는 박막 트랜지스터; 및
    상기 베이스 상에 배치되고, 상기 박막 트랜지스터와 상호 적층된 파장 선택적 반사체를 포함하는, 배선 기판.
  18. 베이스 상에 복수의 층을 포함하는 무기물 적층체를 형성하는 단계;
    상기 무기물 적층체 상에 도전성 금속층을 형성하는 단계;
    상기 도전성 금속층 상에 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계;
    상기 무기물 적층체를 패터닝하여 무기물 적층체 패턴을 형성하는 단계;
    상기 무기물 적층체 패턴을 형성하는 단계 후에, 상기 도전성 금속층을 패터닝하여 게이트 배선층을 형성하는 단계; 및
    상기 게이트 배선층 상에 액티브 패턴, 드레인 전극 및 소오스 전극을 형성하는 단계를 포함하는 배선 기판의 제조 방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 제1 마스크 패턴은 제1 두께를 갖는 제1 부분, 및 상기 제1 두께보다 큰 제2 두께를 갖는 제2 부분을 포함하고,
    상기 무기물 적층체 패턴을 형성하는 단계는,
    상기 제1 마스크 패턴의 상기 제1 부분 및 상기 마스크 패턴의 상기 제2 부분을 식각 마스크로 이용하여, 습식 식각을 통해 상기 도전성 금속층을 1차 식각하여 도전성 금속 패턴을 형성하는 단계, 및
    상기 제1 마스크 패턴의 상기 제1 부분, 상기 마스크 패턴의 상기 제2 부분 및 상기 도전성 금속 패턴을 식각 마스크로 이용하여, 건식 식각을 통해 상기 무기물 적층체를 식각하여 상기 무기물 적층체 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 배선 기판의 제조 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 건식 식각을 통해 상기 무기물 적층체 패턴을 형성하는 단계에서, 상기 제1 마스크 패턴의 상기 제1 부분은 적어도 부분적으로 제거되어 상기 도전성 금속 패턴을 부분적으로 노출시키는 제2 마스크 패턴이 형성되고,
    상기 도전성 금속층을 패터닝하여 게이트 배선층을 형성하는 단계는,
    상기 제2 마스크 패턴을 식각 마스크로 이용하여, 습식 식각을 통해 상기 도전성 금속 패턴을 2차 식각하여 게이트 배선층을 형성하는 단계를 포함하는 배선 기판의 제조 방법.
KR1020180011143A 2018-01-30 2018-01-30 배선 기판, 이를 포함하는 표시 장치 및 배선 기판의 제조 방법 KR102477574B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180011143A KR102477574B1 (ko) 2018-01-30 2018-01-30 배선 기판, 이를 포함하는 표시 장치 및 배선 기판의 제조 방법
US16/045,291 US20190235330A1 (en) 2018-01-30 2018-07-25 Wiring substrate, display device including the same, and method of manufacturing the wiring substrate
CN201910052672.XA CN110098195A (zh) 2018-01-30 2019-01-21 布线基板、包括其的显示设备以及制造该布线基板的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180011143A KR102477574B1 (ko) 2018-01-30 2018-01-30 배선 기판, 이를 포함하는 표시 장치 및 배선 기판의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190092655A true KR20190092655A (ko) 2019-08-08
KR102477574B1 KR102477574B1 (ko) 2022-12-14

Family

ID=67393361

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180011143A KR102477574B1 (ko) 2018-01-30 2018-01-30 배선 기판, 이를 포함하는 표시 장치 및 배선 기판의 제조 방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20190235330A1 (ko)
KR (1) KR102477574B1 (ko)
CN (1) CN110098195A (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109613747B (zh) * 2019-02-15 2022-04-29 合肥京东方光电科技有限公司 用于反射式显示面板的阵列基板及其制备方法和显示面板
CN110265441B (zh) * 2019-06-10 2021-09-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其显示装置
KR20220027605A (ko) * 2020-08-27 2022-03-08 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001083895A (ja) * 1999-09-17 2001-03-30 Sanyo Electric Co Ltd 表示パネルおよび表示装置
KR20100111103A (ko) * 2009-04-06 2010-10-14 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
KR20140041109A (ko) * 2012-09-27 2014-04-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8294848B2 (en) * 2008-10-01 2012-10-23 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display having light diffusion layer
KR101960796B1 (ko) * 2012-03-08 2019-07-16 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터의 제조 방법, 표시 기판의 제조 방법 및 표시 기판
KR20150076005A (ko) * 2013-12-26 2015-07-06 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR102244758B1 (ko) * 2014-10-27 2021-04-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이의 제조 방법
KR102494859B1 (ko) * 2016-05-26 2023-02-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001083895A (ja) * 1999-09-17 2001-03-30 Sanyo Electric Co Ltd 表示パネルおよび表示装置
KR20100111103A (ko) * 2009-04-06 2010-10-14 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
KR20140041109A (ko) * 2012-09-27 2014-04-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR102477574B1 (ko) 2022-12-14
CN110098195A (zh) 2019-08-06
US20190235330A1 (en) 2019-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102455695B1 (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102427416B1 (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
US10054819B2 (en) Display device
US11302222B2 (en) Display device
US10168464B2 (en) Lighting device, display device, and television device
TWI605288B (zh) 畫素結構與具有此畫素結構的顯示面板
KR102282060B1 (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102469945B1 (ko) 표시 장치 및 그 제조방법
US20130250380A1 (en) Virtual image display apparatus
US9583738B2 (en) Display device including reflecting layer
US10222543B2 (en) Lighting device, display device, and television device
KR102485301B1 (ko) 액정 표시 장치
JP2017015973A (ja) 波長変換装置およびそれを用いた表示装置
KR102477574B1 (ko) 배선 기판, 이를 포함하는 표시 장치 및 배선 기판의 제조 방법
TW201837558A (zh) 反射偏光層、波長轉換層及液晶顯示裝置
KR20130047199A (ko) 퀀텀 로드 발광 표시장치
KR20190062647A (ko) 색 변환 기판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
US10261359B1 (en) Polarizer and display device including the same
KR20210003330A (ko) 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102601483B1 (ko) 표시 장치
US11231617B2 (en) Backlight unit and display device including the same
KR20200040980A (ko) 표시 장치
KR20220019198A (ko) 표시 장치
US11778857B2 (en) Organic electroluminescent device and display panel
KR20230133998A (ko) 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant