KR20190091493A - 임프린트 리소그래피 공정들에서 광학 층들을 구성하는 방법 - Google Patents
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Abstract
광학 층을 구성하는 임프린트 리소그래피 방법은 기판의 측면 상에 패턴화 템플릿으로 제1차 규모 크기의 제1 피처들을 임프린팅하는 단계, 동시에 기판의 측면 상에 패턴화 템플릿으로 제2차 규모 크기의 제2 피처들을 임프린팅하는 단계를 포함하며, 제2 피처들은 인접한 표면과 기판 사이에 갭을 규정하도록 크기가 정해지고 배열된다.
Description
본 출원은 2016년 12월 2일에 출원된 미국 가특허 출원 번호 제62/429,214호의 출원일의 이익을 주장한다. 미국 출원 번호 제62/429,214호의 내용들은 이들 전체가 인용에 의해 본원에 포함된다.
본 발명은 임프린트 리소그래피 공정들에서 광학 층들을 구성하는 방법에 관한 것이고, 더 구체적으로는, 하나의 처리 단계에서 기판 상에 상이한 차수들의 규모 크기의 피처들(features)을 형성하는 방법에 관한 것이다.
나노-제작(예컨대, 나노임프린트 리소그래피)은 대략 100나노미터 이하의 피처들을 가지는 매우 작은 구조물들의 제작을 포함할 수 있다. 나노제작이 상당한 영향을 가지는 하나의 적용은 집적 회로들(integrated circuits)의 처리시이다. 반도체 처리 산업은, 기판의 단위 면적 당 기판 상에 형성되는 회로들의 수를 증가시키면서, 더 큰 제조 수득율들을 위해 계속 노력하고 있다. 이를 위해, 나노제작은 반도체 처리 산업에서 요구되는 결과들을 달성하는 것이 점점 더 중요해지고 있다. 나노제작은, 기판들 상에 형성되는 구조물들의 최소 피처(feature) 치수들의 연속된 감소를 허용하면서, 더 큰 공정 제어를 제공한다. 나노제작이 채택되어 있는 개량의 다른 영역들은 생물공학, 광학 기술, 기계적 시스템들, 및 유사물을 포함한다. 일부 예들에서, 나노제작은 광학 디바이스를 형성하도록 조립되는 기판들 상에 구조물들을 제작하는 것을 포함한다.
본 발명은, 이러한 패턴들을 제조하는 것과 연관되는 비용 및 복잡성을 감소시키면서, 3차원(3D) 패턴들을 기판들 상에 임프린팅하는 것의 개선들이 정밀도 및 정확도를 증가시킬 수 있는 실현을 수반한다. 종래의 임프린트 리소그래피 공정들은 제1 단계에서 나노-스케일 패턴을 기판 상에 임프린팅하는 단계 및 후속하여, 후속하는 제2 단계에서 보다 큰 규모의 피처들을 기판 상에 임프린팅하는 단계를 포함할 수 있다. 이러한 공정들에서, 나노-스케일 패턴의 세정 및 처리가, 보다 큰 피처들을 형성하기 전에 요구될 수 있으며, 이는 추가의 비용들 및 추가의 시간과 연관된다. 더욱이, 후속하는 단계에서 더 큰 피처들을 형성하는 것의 양태들은 종종 나노-패턴화된 기판의 기계적인 무결성 및/또는 기능적인 무결성을 저해할(jeopardize) 수 있다. 이러한 점에서, 개시된 임프린트 리소그래피 방법들의 다양한 양태들은 단일의 임프린팅 단계에서 다수의 기능들(예컨대, 광학 기능들, 반사 방지, 및 간격)을 갖는 상이한 차수들의 규모를 가지는 피처들을 갖는 3D 구조물들을 임프린팅하는 단계를 허용할 수 있다. 이러한 방법들은, 대안적인 방법들과 비교하여, 감소된 비용 및 시간 기간으로 정확하고, 정밀한 구조물들을 생산한다.
본 발명의 일 양태는 광학 층을 구성하는 임프린트 리소그래피 방법을 특징으로 한다. 임프린트 리소그래피 방법은 기판의 측면 상에 패턴화 템플릿으로 제1차 규모 크기의 제1 피처들을 임프린팅하는 단계, 동시에 기판의 측면 상에 패턴화 템플릿으로 제2차 규모 크기의 제2 피처들을 임프린팅하는 단계를 포함하며, 여기서 제2 피처들은 기판과 인접한 표면 사이에 갭(gap)을 규정하도록 크기가 정해지고 배열된다.
일부 실시예들에서, 제1 피처들을 임프린팅하는 단계는, 회절 격자들(diffraction gratings) 및 반사 방지 피처들(anti-reflective features) 중 하나 또는 둘 모두를 기판의 측면 상에 형성하는 단계를 포함한다.
특정한 실시예들에서, 제2 피처들을 임프린팅하는 단계는, 스페이서들(spacers)을 기판의 측면 상에 형성하는 단계를 포함한다.
일부 실시예들에서, 본 방법은 스페이서들 및 반사 방지 피처들 중 하나 또는 둘 모두를 기판의 측면의 주변 에지를 따라 임프린팅하는 단계를 더 포함한다.
특정한 실시예들에서, 본 방법은 스페이서들 및 반사 방지 피처들 중 하나 또는 둘 모두를 기판의 측면의 내부 구역 내에 임프린팅하는 단계를 더 포함한다.
일부 실시예들에서, 기판의 측면은 기판의 제1 측면이며, 그리고 임프린트 리소그래피 방법은 제2 측면 상에 제1차 규모 크기의 제3 피처들을 기판의 임프린팅하는 단계를 더 포함한다.
특정한 실시예들에서, 제3 피처들을 임프린팅하는 단계는, 회절 격자들 또는 반사 방지 피처들을 기판의 제2 측면 상에 형성하는 단계를 포함한다.
일부 실시예들에서, 제2차 규모 크기는 제1차 규모 크기보다 더 크다.
특정한 실시예에서, 제1차 규모 크기는 나노-스케일이며, 그리고 제2차 규모 크기는 마이크로-스케일이다.
일부 실시예들에서, 본 방법은 제2 피처들을 제1 피처들의 반대편의 측면들 상에 임프린팅하는 단계를 더 포함한다.
특정한 실시예들에서, 본 방법은 이전 금형(predecessor mold)으로부터 패턴화 템플릿을 생성하는 단계를 더 포함한다.
일부 실시예들에서, 본 방법은 제2차 규모 크기의 깊은 피처들을 이전 금형에 형성하는 단계를 더 포함한다.
특정한 실시예들에서, 본 방법은 제1차 규모 크기의 얕은 피처들을 이전 금형에 형성하는 단계를 더 포함한다.
일부 실시예에서, 기판은 제1 기판이며, 그리고 인접한 표면은 제2 기판에 의해 규정된다.
특정한 실시예들에서, 본 방법은 제1 기판 및 제2 기판을 서로 정렬시키는 단계를 더 포함한다.
일부 실시예들에서, 본 방법은 제1 기판의 측면 상에 임프린팅된 제2 피처들의 최상부에 접착제 물질을 분배하는 단계를 더 포함한다.
특정한 실시예들에서, 본 방법은, 제2 기판에 의해 규정되는 인접한 표면과 제1 기판 사이에 갭을 형성하기 위해 제1 기판의 측면 상에 임프린팅되는 제2 피처들의 최상부의 접착제 물질로 제1 기판 및 제2 기판을 서로 부착시키는 단계를 더 포함한다.
일부 실시예들에서, 본 방법은, 멀티-층 광학 디바이스를 형성하기 위해 제1 기판의 측면 상에 임프린팅되는 제2 피처들의 최상부의 접착제 물질로 제1 기판 및 제2 기판을 서로 부착시키는 단계를 더 포함한다.
특정한 실시예들에서, 본 방법은, 제2 피처들의 높이들에 의해 결정되는 두께로 제1 기판과 제2 기판 사이의 공기의 층을 규정하는 단계를 더 포함한다.
일부 실시예들에서, 갭(gap)은 낮은 지수 구역을 제공한다.
특정 실시예들에서, 낮은 지수 구역은 1의 굴절율을 갖는 공기를 포함한다.
일부 실시예들에서, 임프린트 리소그래피 방법은, 교번하는 굴절율들에 의해 특징화되는 층들을 갖는 멀티-층 광학 디바이스를 제공하는 단계를 더 포함한다.
본 발명의 다른 양태는, 기판 및 기판의 측면 상에 패턴화 템플릿으로 임프린팅된 패턴을 포함하는 광학 층을 특징으로 한다. 패턴은 제1차 규모 크기의 제1 피처들 및 제2차 규모 크기의 제2 피처들을 포함한다. 제2 피처들은 인접한 표면과 기판사이에 갭을 규정하도록 크기가 정해지고 배열된다.
본 발명의 하나 또는 그 초과의 실시예들의 상세들은 첨부 도면들 및 아래의 설명에서 제시된다. 본 발명의 다른 피처들, 양태들, 및 이점들은 설명, 도면들, 및 청구항들로부터 명백해질 것이다.
도 1은 임프린트 리소그래피 시스템의 다이어그램이다.
도 2는 도 1의 임프린트 리소그래피 시스템에 의해 형성되는 패턴화된 층의 다이어그램이다.
도 3은 광학 층의 평면도이다.
도 4는 도 3의 광학 층의 측면도이다.
도 5는 도 3에서 도시되는 광학 층의 구성과 상이한 구성을 갖는 광학 층의 평면도이다.
도 6은 도 3 및 도 5에서 도시되는 광학 층들의 구성들과 상이한 구성을 갖는 광학 층의 평면도이다.
도 7은 도 3의 광학 층을 포함하는 광학 디바이스의 일부분의 분해 사시도이다.
도 8은 도 7의 광학 디바이스의 부분의 측면도이다.
도 9는 도 3의 광학 층을 제조하는 데 사용될 수 있는 패턴화 금형을 생성하기 위한 일련의 단계들을 예시하는 다이어그램이다.
도 10은 도 9의 패턴화 금형으로 형성되는 스페이서들의 측면도이다.
도 11은 도 10의 스페이서들의 사시도이다.
도 12는 도 3 및 도 4에서 도시되는 광학 층의 구성과 상이한 구성을 갖는 광학 층의 측면도이다.
도 13은 도 3, 도 4, 및 도 12에서 도시되는 광학 층들의 구성들과 상이한 구성을 갖는 광학 층의 측면도이다.
도 14는 임프린트 리소그래피 공정에서 광학 층을 구성하기 위한 예시적인 공정의 흐름도이다.
다양한 도면들에서의 동일한 참조 번호들은 동일한 요소들을 나타낸다.
일부 예들에서, 도면들에서 도시되는 예시들은 실척대로 도시되지 않을 수 있다.
도 2는 도 1의 임프린트 리소그래피 시스템에 의해 형성되는 패턴화된 층의 다이어그램이다.
도 3은 광학 층의 평면도이다.
도 4는 도 3의 광학 층의 측면도이다.
도 5는 도 3에서 도시되는 광학 층의 구성과 상이한 구성을 갖는 광학 층의 평면도이다.
도 6은 도 3 및 도 5에서 도시되는 광학 층들의 구성들과 상이한 구성을 갖는 광학 층의 평면도이다.
도 7은 도 3의 광학 층을 포함하는 광학 디바이스의 일부분의 분해 사시도이다.
도 8은 도 7의 광학 디바이스의 부분의 측면도이다.
도 9는 도 3의 광학 층을 제조하는 데 사용될 수 있는 패턴화 금형을 생성하기 위한 일련의 단계들을 예시하는 다이어그램이다.
도 10은 도 9의 패턴화 금형으로 형성되는 스페이서들의 측면도이다.
도 11은 도 10의 스페이서들의 사시도이다.
도 12는 도 3 및 도 4에서 도시되는 광학 층의 구성과 상이한 구성을 갖는 광학 층의 측면도이다.
도 13은 도 3, 도 4, 및 도 12에서 도시되는 광학 층들의 구성들과 상이한 구성을 갖는 광학 층의 측면도이다.
도 14는 임프린트 리소그래피 공정에서 광학 층을 구성하기 위한 예시적인 공정의 흐름도이다.
다양한 도면들에서의 동일한 참조 번호들은 동일한 요소들을 나타낸다.
일부 예들에서, 도면들에서 도시되는 예시들은 실척대로 도시되지 않을 수 있다.
광학 층을 구성하기 위한 임프린트 리소그래피 공정은 아래에 설명된다. 임프린트 리소그래피 공정은 단일 템플릿으로부터 상이한 차수들의 규모의 피처들을 포함하는 멀티-기능 구조물을 임프린팅하는 것을 수반한다. 이러한 공정은 정확도 및 정밀도를 개선시킬 수 있고, 그리고 멀티-층 광학 디바이스들을 생성하기 위한 이러한 구조물들을 제조하는 것과 연관되는 비용 및 복잡성을 감소시킬 수 있다.
도 1은, 기판(101)(예컨대, 웨이퍼(wafer))의 최상부 표면(103) 상에 릴리프 패턴을 형성하도록 동작하는 임프린트 리소그래피 시스템(100)을 예시한다. 임프린트 리소그래피 시스템(100)은, 기판(101)을 지지하고 그리고 수송하는 지지 조립체(102), 기판(101)의 최상부 표면(103) 상에 릴리프 패턴을 형성하는 임프린팅 조립체(104), 기판(101)의 최상부 표면(103) 상에 중합가능한 물질을 증착시키는 유체 분배기(106), 및 기판(101)을 지지 조립체(102) 상에 배치하는 로봇(108)을 포함한다. 임프린트 리소그래피 시스템(100)은 또한, 메모리에 저장되는 컴퓨터 판독가능한 프로그램으로 작동할 수 있고 그리고 지지 조립체(102), 임프린팅 조립체(104), 유체 분배기(106) 및 로봇(108)과 통신하고 그리고 이들을 제어하도록 프로그래밍되는 하나 이상의 프로세서들(128)을 포함한다.
기판(101)은, 실리콘, 실리콘 다이옥사이드, 알루미늄 옥사이드, 사파이어, 게르마늄, GaAs(gallium arsenide), 실리콘 및 게르마늄의 합금, InP(indium phosphide), 또는 다른 예시적인 재료들을 포함하는 하나 이상의 재료들로 통상적으로 만들어지는 실질적으로 평면의 얇은 슬라이스(slice)이다. 기판(101)은 통상적으로, 실질적으로 원형 또는 직사각형 형상을 갖는다. 기판(101)은 통상적으로, 약 50mm 내지 약 200mm의 범위(예컨대, 약 65mm, 약 150mm, 또는 약 200mm)의 직경, 또는 약 50mm 내지 약 200mm의 범위(예컨대, 약 65mm, 약 150mm, 또는 약 200mm)의 길이 및 폭을 갖는다. 기판(101)은 통상적으로 약 0.2mm 내지 약 1.0mm의 범위의 두께를 갖는다. 기판(101)의 두께는 기판(101)에 걸쳐 실질적으로 균일하다(예컨대, 일정함). 릴리프 패턴은, 아래에서 더 상세히 논의되는 바와 같이, 기판(101)의 최상부 표면(103) 상의 중합가능한 물질에서 일 세트의 구조적 피처들(예컨대, 돌출부들 및 흡착(suction) 구조물들)로서 형성된다.
지지 조립체(102)는, 기판(101)을 지지하고 그리고 고정시키는 척(110), 척(110)을 지지하는 에어 베어링(112), 및 에어 베어링(112)을 지지하는 기초부(114)를 포함한다. 에어 베어링(112)이 척(110)을 로봇(108), 유체 분배기(106), 및 임프린팅 조립체(104)로부터 그리고 이들로 수송하기 위해(예컨대, 일부 예들에서, 기판(101)을 운반하는 것) 최대 3개의 방향들(예컨대, x, y, 및 z 방향들)로 이동할 수 있으면서, 기초부(114)는 고정된 포지션에 위치된다. 일부 실시예들에서, 척(110)은 진공 척(vacuum chuck), 핀-유형 척(pin-type chuck), 홈-유형 척(groove-type chuck), 전자기식 척(electromagnetic chuck), 및/또는 다른 유형의 척이다.
도 1을 또 참조하면, 임프린팅 조립체(104)는, 릴리프 패턴이 기판(101)의 최상부 표면(103) 상에 상보적으로(complementarily) 형성되는 고유 패턴을 규정하는 패턴화 표면을 갖는 가요성 템플릿(116)을 포함한다. 이에 따라, 가요성 템플릿(116)의 패턴화 표면은 돌출부들 및 오목부들과 같은 구조적 피처들을 포함한다. 임프린팅 조립체(104)는 또한, 가요성 템플릿(116)의 선택된 부분이 처리 구역(130)을 따라 기판(101)과 정렬되는 것(예컨대, 중첩되는 것)을 유발시키기 위해, 가요성 템플릿(116)의 하나 이상의 부분들이 임프린트 리소그래피 시스템(100)의 처리 구역(130) 내에 x 방향으로 이동되는 것을 허용하도록 회전하는 다양한 직경들의 다수의 롤러들(118, 120, 122)을 포함한다. 롤러들(118, 120, 122) 중 하나 이상은, 임프린팅 조립체(104)의 처리 구역(130)에서 가요성 템플릿(116)의 수직 포지션을 변경하기 위해 수직 방향(예컨대, z 방향)으로 개별적으로 또는 함께 이동가능하다. 이에 따라, 가요성 템플릿(116)은 기판(101)의 최상부에 임프린트를 형성하기 위해 처리 구역(130)에서 기판(101)을 아래로 푸시할 수 있다. 롤러들(118, 120, 122)의 배열 및 수는 임프린트 리소그래피 시스템(100)의 다양한 설계 매개변수들에 따라 변할 수 있다. 일부 실시예들에서, 가요성 템플릿(116)은 진공 척, 핀-유형 척, 홈-유형 척, 전자기식 척, 및/또는 다른 유형의 척에 커플링된다(예컨대, 이 척들에 의해 지지되거나 고정됨).
임프린트 리소그래피 시스템(100)의 작동시에, 가요성 템플릿(116) 및 기판(101)은 롤러들(118, 120, 122) 및 에어 베어링(112) 각각에 의해 요망된 수직 포지션 및 측방 포지션으로 정렬된다. 이러한 포지셔닝은 가요성 템플릿(116)과 기판(101) 사이의 처리 구역(130) 내에 체적을 규정한다. 일단 중합가능한 물질이 유체 분배기(106)에 의해 기판(101)의 최상부 표면(103) 상에 증착된다면, 체적은 중합가능한 물질에 의해 충전될 수 있으며, 그리고 척(110)은 에어 베어링(112)에 의해 처리 구역(130)으로 후속하여 이동된다(예컨대, 기판(101)을 운반함). 이에 따라, 가요성 템플릿(116) 및 기판(101)의 최상부 표면(103) 둘 모두는 임프린트 리소그래피 시스템(100)의 처리 구역(130)에서 중합가능한 물질과 접촉할 수 있다. 예시적인 중합가능한 물질들은, 이소보르닐 아크릴레이트, n-헥실 아크릴레이트, 에틸렌 글리콜 디아크릴레이트, 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-원, (2-메틸-2-에틸-1,3-디옥솔란-4-일)메틸 아크릴레이트, 헥산디올 디아크릴레이트, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-(4-모르폴린일)-1-프로파논, 디페닐 (2,4,6-트리메틸벤조일)-포스핀 옥사이드, 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐-1-프로파논, 및 다양한 계면활성제들과 같은 하나 이상의 물질들로 제형화될(formulated) 수 있다. 중합가능한 물질이 유체 분배기(106)에 의해 기판(101)의 최상부에 증착될 수 있는 예시적인 기술들은 액적 분배(drop dispense), 스핀-코팅(spin-coating), 딥 코팅(dip coating), CVD(chemical vapor deposition), PVD(physical vapor deposition), 박막 증착(thin film deposition), 후막 증착(thick film deposition), 및 다른 기술들을 포함한다. 일부 예들에서, 중합가능한 물질은 기판(101)의 최상부에 복수의 액적들로 증착된다.
프린팅 시스템(104)은, 처리 구역(130) 내에 기판(101)의 최상부에 중합가능한 물질을 향해 에너지(예컨대, 광대역 자외선(broadband ultraviolet radiation))를 지향시키는 에너지 소스(energy source)(126)를 포함한다. 에너지 소스(126)로부터 방출되는 에너지는, 중합가능한 물질이 고형화하고 그리고/또는 크로스-링킹하는(cross-link) 것을 허용하며, 이에 의해 처리 구역(130)에서 중합가능한 물질과 접촉하는 가요성 템플릿(116)의 부분의 형상에 순응하는 패턴화된 층을 초래한다.
도 2는 임프린트 리소그래피 시스템(100)에 의해 기판(101) 상에 형성되는 예시적인 패턴화된 층(105)을 예시한다. 패턴화된 층(105)은 잔류 층(107) 및, 잔류 층(107)으로부터 연장하는 돌출부들(109) 및 인접한 돌출부들(109) 및 잔류 층(107)에 의해 형성되는 오목부들(111)을 포함하는 다수의 피처들을 포함한다.
임프린트 리소그래피 시스템(100)이 설명되고 롤-투-플레이트(roll-to-plate) 또는 플레이트-투-롤(plate-to-roll) 시스템으로서 예시되지만, 상이한 구성들의 임프린트 리소그래피 시스템들은 또한, 예시적인 패턴화된 층(105) 및 아래에서 논의되는 예시적인 패턴들을 제조하는 데 사용될 수 있다. 이러한 임프린트 리소그래피 시스템들은 롤-투-롤 또는 플레이트-투-플레이트 구성을 가질 수 있다.
일부 실시예들에서, 기판(예컨대, 임프린트 리소그래피 시스템(100)의 기판(101))은, 멀티-층 광학 디바이스(예컨대, 착용가능한 안경, 광학 센서, 또는 광학 필름(예컨대, 디스플레이에서 사용됨))의 광학 층을 형성하기 위해 처리된다(예컨대, 하나의 측면 또는 둘 모두의 측면들 상에 임프린팅되고 성형하도록 절취됨). 예를 들어, 도 3 및 도 4는, 기판(202), 기판(202) 상에 임프린팅된 기능적 패턴(204), 및 기판(202) 상에 임프린팅된 보조 패턴(206)을 포함하는 광학 층(200)의 평면도 및 측면도 각각을 예시한다. 기판(202)은 보다 큰 기판(예컨대, 기판(101))으로부터 레이저 커팅될(laser cut) 수 있고, 기판(101)에 대해 전술된 다양한 재료 제형화들(formulations)에 따라, 투명한 또는 반투명한(예컨대, 가요성) 플라스틱 또는 하나 이상의 유기 또는 무기 재료들로 만들어진 (예컨대, 강성) 유리의 층으로서 제공된다. 기판(202)은 약 10mm 내지 약 500mm의 최대 길이 및 약 10mm 내지 약 500mm의 최대 폭을 갖는다. 기판(202)은 약 1.6 내지 약 1.9의 범위의 상대적으로 높은 굴절율 및 약 80% 내지 약 95%의 범위의 투과율(transmissivity)을 갖는다.
기능적 패턴(204)은 기판(202)의 상부 측면(208)의 최상부에 임프린팅되고, 기판(202)의 주변 에지(216)에 대해 내부 구역(218)을 따라 위치된다. 기능적 패턴(204)은 광학 층(200)의 기본 작동 기능성을 제공하는 다수의 회절 격자들로 형성되는 도파관 패턴이다. 회절 격자들은 약 10nm 내지 약 500nm의 범위의 치수들을 갖는다. 회절 격자들은 특정한 범위 내의 파장들의 광을 투사하도록(project) 그리고 특정 깊이 평면에 가상 이미지를 포커싱하도록(focus) 구성된다. 근위 광학 층들을 통해 투사된 포커싱된 광과 함께, 포커싱된 광은 하나 이상의 깊이 평면들에 걸쳐 멀티-색상 가상 이미지를 형성한다. 투과된(transmitted) 광은 약 560nm 내지 약 640nm의 범위의 적색 광, 약 490nm 내지 약 570nm의 범위의 파장들을 갖는 녹색 광, 또는 약 390nm 내지 약 470nm의 범위의 파장들을 갖는 청색 광일 수 있다. 회절 격자들은, 요망되는 광학적 효과들을 함께 제공하는 (예컨대, 돌출부들(109) 및 오목부들(111)과 같은) 돌출부들 및 오목부들의 다수의 조합들 및 배열들을 포함할 수 있다. 회절 격자들은 인-커플링 격자들(in-coupling gratings)(220)을 포함하고, 수직형 동공 확장기 구역(orthogonal pupil expander region)(222) 및 사출 동공 익스팬더 구역(exit pupil expander region)(224)을 형성한다. 기능적 패턴(204)은 약 10mm 내지 약 500mm의 총 길이 및 약 10mm 내지 약 500mm의 총 폭을 갖는다.
보조 패턴(206)은 기판(202)의 상부 측면(208)의 최상부에 임프린팅되고 기능적 패턴(204)을 둘러싼다. 보조 패턴(206)은 또한 기판(202)의 내부 구역(218)과 함께 위치된다(co-located). 보조 패턴(206)은, 보조 패턴(206)에 걸쳐 다양한 양들 및 배열들로 분포될 수 있는 나노-스케일(nano-scale)의 반사 방지 피처들(210) 및 마이크로-스케일(micro-scale)의 스페이서들(212) 둘 모두를 포함한다. 보조 패턴(206)은 기판(202)의 내부 구역(218)과 일치하고, 약 10mm 내지 약 500mm의 총 길이 및 약 10mm 내지 약 500mm의 총 폭을 갖는다.
반사 방지 피처들(210)은 보조 패턴(206) 내에 어느 곳이나 배열될 수 있다. 반사 방지 피처들(210)은, 반사 방지 피처들(210)이 임프린팅되는 기판(202)의 측면(예컨대, 상부 측면(208))에서 표면 반사를 감소시키도록, 크기가 정해지고(예컨대, 약 300nm 이하의 높이 및 약 50nm 내지 약 150nm의 피치를 가짐), 성형된다. 예를 들어, 반사 방지 피처들(210)은 약 1.0% 내지 약 4.5%에 의해 기판(202)의 표면 반사를 감소시킬 수 있다. 반사 방지 피처들(210)은, 기판(202)의 투과율을 (예컨대, 플라스틱 기판(202)에 대해) 약 98.5% 초과로 그리고 (예컨대, 유리 기판(202)에 대해) 최대 약 99.5%로 증가시키도록 추가적으로 크기가 정해지고 성형될 수 있다. 반사 방지 피처들(210)은 또한 약 1.2 내지 약 1.4의 범위의 신규의 유효 굴절율(new effective refractive index)을 기판(202)에 제공하도록 크기가 정해지고 성형된다. 또한, 반사 방지 피처들(210)은 기판(202)을 통해 투과되는 특정 광 파장들의 굴절을 약화시키거나 강화시키기 위해 복굴절(birefringence)을 도입할 수 있다.
스페이서들(212)은, 도 7 및 도 8에 대해 아래에서 더 상세히 논의되는 바와 같이, 2개의 광학 층들이 서로 부착될 때, 멀티-층 적층된 광학 디바이스의 부품을 함께 형성하는 광학 층(200)과 인접한 광학 층 사이에 갭(gap)(예컨대, 공기 층)을 발생시키도록 크기가 정해진다. 스페이서들(212)은 기판(202)을 위한 그리고 스페이서들(212)과 접촉하는 인접한 광학 층을 위한 적합한 구조적 지지를 제공하기 위해, 필요하다면 보조 패턴(206) 내의 어느 곳이나 배열될 수 있다. 일부 실시예들에서, 스페이서들(212)(예컨대, 경화된 상태임)은 1GPa 초과의 탄성 계수를 갖는다. 스페이서들(212)은 미리 규정된 기하학적 형상(예컨대, 사면체형, 원통형, 원뿔형 등)으로 임프린팅될 수 있고, 그리고 이에 따라 원형, 직사각형 등인 단면 형상을 가질 수 있다. 스페이서들(212)은 약 1㎛ 내지 약 100㎛의 범위의 횡방향 치수(예컨대, 폭 또는 직경) 및 약 1㎛ 내지 약 50㎛의 범위의 수직 치수(예컨대, 높이)를 가질 수 있다. 각각의 스페이서(212)는 다른 인접한 스페이서(212)로부터, 반사 방지 피처(210)로부터 또는 기능적 패턴(204)의 회절 격자로부터 약 5㎛ 내지 약 100㎛ 만큼 위치될 수 있다.
기능적 패턴들 및 보조 패턴들의 다른 배열들이 가능하다. 예를 들어, 도 5는 보조 패턴(306)뿐만 아니라 광학 층(200)의 기판(202) 및 기능적 패턴(204)을 포함하는 광학 층(300)의 평면도를 예시한다. 기능적 패턴(204)은 광학 층(200)에서와 같이, 기판(202)의 상부 층(208)의 최상부에 임프린팅된다. 보조 패턴(306)은 또한, 기판(202)의 상부 층(208)의 최상부에 임프린팅되고, 보조 패턴(306)이 내부 구역(218)을 횡단하여 기판(202)의 주변 에지(216)로 연장하는 것을 제외하고, 구조 및 기능에서 보조 패턴(206)과 실질적으로 유사하다.
다른 예시적인 실시예에서, 도 6은 보조 패턴(406)뿐만 아니라 광학 층(200)의 기판(202) 및 기능적 패턴(204)을 포함하는 광학 층(400)의 평면도를 예시한다. 기능적 패턴(204)은 광학 층(200)에서와 같이, 기판(202)의 상부 층(208)의 최상부에 임프린팅된다. 보조 패턴(406)은 또한 기판(202)의 상부 층(208)의 최상부에 임프린팅되고, 보조 패턴(406)이 기판(202)의 주변 에지(216)를 따라 임프린팅되어, 기판(202)의 내부 구역(218)이 패턴화되지 않은 상태를 유지하고 기능적 패턴(204)을 둘러싸는 것을 제외하고, 구조 및 기능에서 보조 패턴(206)과 실질적으로 유사하다. 다른 실시예들에서, 광학 층들은, 예시적인 광학 층들(200, 300, 400)에서 도시되지 않은 상이한 형상들 및/또는 배열들을 갖는 기능적 패턴들 및 보조 패턴들을 포함할 수 있다.
도 7은, 예시적인 광학 층들(200) 중 3개를 포함하는, 다수의 광학 층들을 포함하는 광학 디바이스(500)(예컨대, 착용가능한 안경)의 일부분의 분해 사시도를 예시한다. 도 8은 광학 디바이스(500)의 동일한 부분의 (분해되지 않은) 측면도를 예시한다. 광학 디바이스(500)는 도시되지 않은 추가의 광학 층들을 포함한다. 도 7 및 도 8을 참조하면, 광학 디바이스(500)는, 광학 층들(200)을 서로 정렬하고 그리고 스페이서들(212)의 최상부에 분배된 접착제(adhesive) 액적들로 광학 층들(200)을 서로 부착함으로써 형성된다. 후속하여, 광학 층들(200)은 추가적으로, 광학 층들(200)의 모든 주변 에지들(216)이 결합되는 부착 기구의 역할을 하는 밀봉재(seal)로 서로 부착된다. 광학 디바이스(500)는 다수의 임의의 광학 층들(200, 300, 400) 및 다른 광학 층들을 포함하고, 그리고 전체적으로, 3개 내지 20개의 광학 층들을 포함할 수 있다.
광학 디바이스(500)에서의 각각의 광학 층(200)을 위해, 스페이서들(212)은, 도 8에서 도시되는 바와 같이, 인접한 광학 층들(200) 사이의 공기 층을 규정하는 갭(530)을 생성하는 스페이서 층을 함께 형성한다. 스페이서들(212)에 의해 규정되는 공기 층들은 약 1.0 내지 약 1.2의 범위의 낮은 굴절율(index of refraction)을 갖는다. 높은 지수의 광학 층들(200)과 교번하는 낮을 지수의 공기 층들은 3D 가시화를 강화시키고 인접한 광학 층들(200) 사이의 광의 커플링을 감소시키거나 제거한다. 스페이서들(212)의 배열에 의해 형성되는 지지 구조물은, 스페이서들(212)이 임프린팅되는 기판(202) 및 인접한 기판(202)을, 광학 층들(200)이 상이한 기술(예컨대, 아교(glue)의 분배 액적들)을 통해 내부 부분들 내에 또는 기판들(202)의 주변 에지들(216)을 따라 부착될 수 있었다면, 다르게 발생할 수 있는 기판들(202)의 뒤틀림(warping)을 방지하거나 감소시키는 방식으로 지지한다.
도 9는, 이전(predecessor) 금형(642)(예컨대, 피처형성되지 않은(non-featured) 금형)으로부터 (예컨대, 가요성 템플릿(116)에 의해 제공되는 패턴화 표면과 같은) 패턴화 금형(600)을 생성하기 위한 일련의 단계들을 예시한다. 패턴화 금형(600)은 나노-스케일의 얕은(shallow) 피처들(644) 및 마이크로-스케일의 깊은(deep) 피처들(646) 둘 모두를 규정한다. 이에 따라, 도 14에 대해 아래에서 더 상세히 논의되는 바와 같이, 깊은 피처들(646)이 단일 임프린팅 단계에서 기판(202) 상의 스페이서들(212)을 형성하는 데 사용될 수 있는 반면, 얕은 피처들(644)은 기능적 패턴(204)의 회절 격자들 및 기판(202) 상의 보조 패턴(206)의 반사 방지 피처들(210)을 형성하는 데 사용될 수 있다.
패턴화 금형(600)을 생성하기 위한 제1 단계(a)에서, 깊은 피처들(646)은, 마이크로-피처형성된 금형(648)을 생성하기 위해 과정 방법(course method)을 통해 이전 금형(642)에서 형성된다. 예시적인 과정 방법들은 리소그래피 및 반응성 이온 식각(reactive ion etching)을 포함한다. 다음의 단계(b)에서, 중합가능한 물질(650)은 마이크로-피처형성된 금형(648)의 최상부에 증착되고, 도 1 및 도 2에 대해 전술된 바와 같은 방식으로 잔류 층(654)으로부터 돌출하는 나노-스케일의 미세 피처들(652)로 패턴화된다. 다음의 단계(c)에서, 잔류 층(654)이 제거되며, 그리고 미세 피처들(652)은, 패턴화 금형(600)을 형성하기 위해 실리콘의 플라즈마-기반 건식 식각, 반응성 이온 식각, 또는 습식 KOH 식각을 통해 마이크로-피처형성된 금형(648)에서 얕은 피처들(644)을 형성하도록 처리된다. 패턴화 금형(600)의 깊은 피처들(646)은, 인접한 광학 층들을 부착하기 위한 스페이서 피처들을 형성하기 위해 물질들을 분배하는 것을 수반하는 다른 기술들로 제조될 수 있는 스페이서 피처들과 비교하여 개선된 정밀도 및 정확도로 제조된다. 이러한 점에서, 깊은 피처들(646)로부터 제조되는 스페이서들(212)의 높이들은 양호한 동일평면성(co-planarity)(예컨대, 약 50mm의 구간(span)에 걸친 +/- 100nm의 공차 내에서)을 나타내며, 그리고 스페이서들(212)의 폭들 또는 직경들은 +/- 100nm의 공차 내에서 일정하다. 그 결과, 패턴화 금형(600)의 깊은 피처들(646)에 의해 기판들(202) 상에 형성되는 스페이서들(212)은, 인접한 기판들(202)이 정확하게 그리고 뒤틀림이 감소되거나 제거되어 정렬되고 배향될 수 있도록, 스페이서 층들에 단일의 스페이서 층들에 걸친 두께의 개선된 균일성을 제공한다. 또한, 깊은 피처들(646)의 폭들의 정확도는 유리하게는, 기판들의 뒤틀림을 유발하는 경향이 있고, 종종 충분한 부착을 부족하게 하고, 그리고 기판들 상에 임프린팅된 기능적 패턴들로 펼쳐지는 경향이 있는 아교의 분배된 액적들의 사용과 비교하여, 스페이서들(212)의 사용에 따라서 기판들(202)의 내부 구역들(218)을 따라 개선된 구조적 무결성 및 기능적인 무결성을 허용한다.
더욱이, 분배된 아교 액적들은 약 25㎛의 스페이서 높이를 갖는 기판에 걸친 상대적으로 큰 영역(예컨대, 직경이 약 500㎛)에 펼쳐질 수 있는 반면, 스페이서들(212)은 약 25㎛의 스페이서 높이를 갖는 기판에 걸친 제한된 영역(예컨대, 직경이 약 10㎛ 내지 약 20㎛)에 펼쳐질 수 있다.
도 10 및 도 11은, 패턴화 금형(600)의 깊은 피처들(646)에 의해 형성되는 보조 패턴(206)의 스페이서들(212)의 측면도 및 사시도를 각각 예시한다. 도 10 및 도 11의 예들에서, 스페이서들(212)은 일반적으로 원통 형상을 가지고, 약 5㎛ 내지 약 100㎛의 범위의 피처들(예컨대, 높이들 및 유효 직경들)을 갖는다.
광학 층(200)이 기판(202)의 단일 측면(예컨대, 상부 측면(208)) 상에 임프린팅된 기능적 패턴(204) 및 보조 패턴(206)을 가지는 것으로 설명되었고 예시되었지만, 다른 구성들이 가능하다. 예를 들어, 도 12는, 기판(202) 및 기판(202)의 하부 측면(214) 상에 임프린팅된 보조 패턴(706)뿐만 아니라, 기판(202)의 상부 측면(208)의 최상부에 임프린팅되는 광학 층(200)의 기능적 패턴(204)을 포함하는 광학 층(700)의 측면도를 예시한다. 보조 패턴(706)은, 보조 패턴(706)이 보조 패턴(206)의 크기 및 형상과 상이한 크기 및 형상을 가지는 것을 제외하고, 보조 패턴(206)과 구조 및 기능에서 실질적으로 유사하다. 예를 들어, 보조 패턴(706)은, 기능적 패턴(204) 반대편에 위치되고 그리고 보조 패턴(206)의 반사 방지 피처들(210)의 구간의 총 폭보다 더 큰 폭으로 펼쳐지는 반사 방지 피처들(710)을 포함한다. 보조 패턴(706)은 반사 방지 피처들(710)의 반대편 측면들 상에 위치되는 스페이서들(712)을 더 포함한다. 기판(202)의 반대편 측면들 상에 위치되는 기능적 패턴(204) 및 보조 패턴(706)으로 인해, 기능적 패턴(204) 및 보조 패턴(706)은, 광학 층(200)에 대한 경우와 같이, 단일 임프린팅 단계에서 패턴화되는 것과는 대조적으로, 별도의 임프린팅 단계들에서 기판(202) 상에 패턴화된다. 이에 따라, 보조 패턴(706)의 구성에 대응하는 미세 피처들 및 깊은 피처들을 갖는 패턴화 금형은 패턴화 금형(600)에 대해 전술된 것과 유사한 방식으로 보조 패턴(706)을 형성하기 위해 생성될 수 있다. 기능적 패턴(204)의 구성에 대응하는 미세 피처들을 갖는 별도의 패턴화 금형은 기능적 패턴(204)을 형성하기 위해 생성될 수 있다.
다른 예에서, 도 13은 기판(202) 및 기판(202)의 상부 측면(208)의 최상부에 임프린팅된 광학 층(200)의 기능적 패턴(204)뿐만 아니라, 기판(202)의 상부 측면(208)의 최상부에 임프린팅된 제1 보조 패턴(806) 및 기판(202)의 하부 측면(214) 상에 임프린팅된 제2 보조 패턴(860)을 포함하는 광학 층(800)의 측면도를 도시한다. 예를 들어, 제1 보조 패턴(806)은 기능적 패턴(204)의 반대편 측면들 상에 위치되는 스페이서들(812)을 포함한다. 제2 보조 패턴(860)은 기능적 패턴(204)의 반대편에 위치되는 반사 방지 피처들(810)을 포함한다. 이에 따라, 기능적 패턴(204) 및 제1 보조 패턴(806)의 구성에 대응하는 미세 피처들 및 깊은 피처들을 갖는 패턴화 금형은, 단일 임프린팅 단계에서 패턴화 금형(600)에 대해 전술된 것과 유사한 방식으로 기능적 패턴(204) 및 제1 보조 패턴(806)을 형성하기 위해 생성될 수 있다. 제2 보조 패턴(860)의 구성에 대응하는 미세 피처들을 갖는 별도의 패턴화 금형은 제2 보조 패턴(860)을 형성하기 위해 생성될 수 있다. 제2 보조 패턴(860)이 위치되는 기판(202)의 측면의 반대편에 있는 기판의 측면 상에 위치되는 기능적 패턴(204) 및 제1 보조 패턴(706)으로 인해, 기능적 패턴(204) 및 제1 보조 패턴(806)은 하나의 임프린팅 단계에서 기판(202) 상에 함께 패턴화되며, 그리고 제2 보조 패턴(860)은 다른 임프린팅 단계에서 기판(202)에 패턴화된다.
도 14는 임프린트 리소그래피 공정에서 광학 층(예컨대, 광학 층(200, 300, 400))을 구성하기 위한 예시적인 공정(900)의 흐름도를 나타낸다. 제1차 규모 크기의 제1 피처들은 기판(예컨대, 기판(202))의 제1 측면(예컨대, 상부 측면(208) 또는 하부 측면(214)) 상에 패턴화 템플릿(예컨대, 패턴화 금형(600))으로 임프린팅된다(902). 제1 피처들은 회절 격자들(예컨대, 기능적 패턴(204)에 의해 제공되는 회절 격자들) 및 반사 방지 피처들(예컨대, 보조 패턴들(206, 306, 406)에 의해 제공되는 반사 방지 피처들) 중 하나 또는 둘 모두를 포함할 수 있다. 제1 피처들은 기판의 제1 측면 상에 패턴화 템플릿으로 임프린팅되는 반면, 제2차 규모 크기의 제2 피처들은 기판의 제1 측면 상에 패턴화 템플릿을 임프린팅되며, 여기서 제2 피처들은 기판과 인접한 표면(예컨대, 인접한 기판의 측면) 사이에 갭(예컨대, 갭(530))을 규정하도록 크기가 정해지고 배열된다(904). 제2 피처들은 스페이서들(예컨대, 보조 패턴들(206, 306, 406)에 의해 제공되는 스페이서들)을 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 스페이서들 및 반사 방지 피처들 중 하나 또는 둘 모두는 기판의 제1 측면의 주변 에지(예컨대, 주변 에지(216))를 따라 임프린팅된다. 일부 예들에서, 스페이서들 및 반사 방지 피처들 중 하나 또는 둘 모두는 기판의 제1 측의 내부 구역(예컨대, 내부 구역(218))을 따라 임프린팅된다. 일부 예들에서, 제2 피처들은 제1 피처들의 반대편 측면들 상에(예컨대, 제1 피처들 주위에) 임프린팅된다.
제2차 규모 크기는 제1차 규모 크기보다 더 크다. 일부 예들에서, 제1차 규모 크기는 나노-스케일이며, 그리고 제2차 규모 크기는 마이크로-스케일이다. 일부 실시예들에서, 공정은 기판의 제2 측면(예컨대, 상부 측면(208) 또는 하부 측면(214)) 상에 제1차 규모 크기의 제3 피처들을 임프린팅하는 단계를 더 포함한다. 제3 피처들은 회절 격자들 또는 반사 방지 피처들을 포함할 수 있다.
일부 실시예들에서, 공정은 이전 금형(예컨대, 이전 금형(642))으로부터 패턴화 템플릿을 생성하는 단계를 더 포함한다. 일부 실시예들에서, 공정은, 이전 금형에서 제2차 규모 크기의 깊은 피처들(예컨대, 깊은 피처들(646))을 형성하는 단계를 더 포함한다. 일부 실시예들에서, 공정은, 이전 금형에서 제1차 규모 크기의 얕은 피처들(예컨대, 얕은 피처들(644))을 형성하는 단계를 더 포함한다.
일부 예들에서, 기판은 제1 기판이며, 그리고 인접한 표면은 제2 기판에 의해 규정된다. 일부 실시예들에서, 공정은 제1 기판 및 제2 기판을 서로 정렬시키는 단계를 더 포함한다. 일부 실시예들에서, 공정은 제1 기판의 제1 측면 상에 임프린팅된 제2 피처들의 최상부에 접착제 물질(예컨대, 아교의 액적)을 분배하는 단계를 더 포함한다. 일부 실시예들에서, 공정은, 멀티-층 광학 디바이스(예컨대, 광학 디바이스(500))를 형성하기 위해 제1 기판의 제1 측면 상에 임프린팅되는 제2 피처들의 최상부의 접착제 물질로 제1 기판 및 제2 기판을 서로 부착시키는 단계를 더 포함한다. 일부 실시예들에서, 공정은, 제1 기판과 제2 기판에 의해 규정되는 인접한 표면 사이에 갭을 형성하기 위해 제1 기판의 제1 측면 상에 임프린팅되는 제2 피처들의 최상부의 접착제 물질로 제1 기판 및 제2 기판을 서로 부착시키는 단계를 더 포함한다. 일부 실시예들에서, 공정은, 멀티-층 광학 디바이스가 교번하는 굴절율들을 가지도록 제2 피처들의 높이들에 의해 결정되는 두께로 제1 기판과 제2 기판 사이의 공기의 층을 규정하는 단계를 더 포함한다.
유리하게는, 공정(600)은, 다른 공정들에 따라 3D 구조물들을 제조하는 것과 비교하여 이러한 3D 구조물들을 임프린팅하는 것과 연관된 복잡성, 시간 기간 및 비용을 감소시키는 주변 조건들로(예컨대, 주변 온도로 그리고 주변 압력으로) 단일의 단계에서 (예컨대, 단일의 패턴화 금형을 통해) 멀티-기능적(예컨대, 기능적, 반사 방지, 및 공간(spacing) 중 임의의) 3D 구조물을 임프린팅하는 데 사용될 수 있다. 예를 들어, 통상적으로 형성되는 반사 방지 패턴들은, 큰 스페이서 구조물들을 임프린팅하는 단계, 미소구체들(microspheres)을 분배하는 단계, 또는 경화가능한 저항 재료를 분배하는 단계를 포함할 수 있는 별도의 후속 공정들에서 추가되는 스페이서 컴포넌트들과 함께, 진공 하에서 증착되고 상대적으로 값비쌀 수 있다. 추가의 시간 및 복잡성은 이러한 제2 공정 단계를 수행하기 전에 반사 방지 패턴을 세정하고 처리하는 것과 연관된다.
다수의 실시예들이 예시 목적들을 위해 설명되었지만, 이전 설명은 본 발명의 범주를 제한하는 것으로 의도되지 않으며, 이는 첨부된 청구항들의 범주에 의해 규정된다. 다른 예들, 수정예들, 및 조합들이 다음의 청구항들의 범주 내에 존재하고 존재할 것이다.
Claims (20)
- 광학 층을 구성하는 임프린트 리소그래피 방법(imprint lithography method)으로서,
상기 임프린트 리소그래피 방법은,
기판의 일측면 상에 패턴화 템플릿(patterning template)으로 제1차 규모 크기의 제1 피처들(features)을 임프린팅하는 단계; 동시에
상기 기판의 측면 상에 상기 패턴화 탬플릿으로 제2차 규모 크기의 제2 피처들을 임프린팅하는 단계를 포함하며, 상기 제2 피처들은 상기 기판과 인접한 표면 사이에 갭(gap)을 규정하도록 크기가 정해지고 배열되는,
광학 층을 구성하는 임프린트 리소그래피 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 피처들을 임프린팅하는 단계는, 회절 격자들(diffraction gratings) 및 반사 방지 피처들(anti-reflective features) 중 하나 또는 둘 모두를 상기 기판의 측면 상에 형성하는 단계를 포함하는,
광학 층을 구성하는 임프린트 리소그래피 방법. - 제2 항에 있어서,
상기 제2 피처들을 임프린팅하는 단계는 스페이서들(spacers)을 상기 기판의 측면 상에 형성하는 단계를 포함하는,
광학 층을 구성하는 임프린트 리소그래피 방법. - 제3 항에 있어서,
상기 스페이서들 및 상기 반사 방지 피처들 중 하나 또는 둘 모두를 상기 기판의 측면의 주변 에지를 따라 임프린팅하는 단계를 더 포함하는,
광학 층을 구성하는 임프린트 리소그래피 방법. - 제3 항에 있어서,
상기 스페이서들 및 상기 반사 방지 피처들 중 하나 또는 둘 모두를 상기 기판의 측면의 내부 구역 내에 임프린팅하는 단계를 더 포함하는,
광학 층을 구성하는 임프린트 리소그래피 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 기판의 측면은 상기 기판의 제1 측면이며, 상기 임프린트 리소그래피 방법은 상기 기판의 제2 측면 상에 제1차 규모 크기의 제3 피처들을 임프린팅하는 단계를 더 포함하는,
광학 층을 구성하는 임프린트 리소그래피 방법. - 제6 항에 있어서,
상기 제3 피처들을 임프린팅하는 단계는, 회절 격자들 또는 반사 방지 피처들을 상기 기판의 제2 측면 상에 형성하는 단계를 포함하는,
광학 층을 구성하는 임프린트 리소그래피 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 제2차 규모 크기는 상기 제1차 규모 크기보다 더 큰,
광학 층을 구성하는 임프린트 리소그래피 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 제1차 규모 크기는 나노-스케일이며(nano-scale), 그리고 상기 제2차 규모 크기는 마이크로-스케일인(micro-scale),
광학 층을 구성하는 임프린트 리소그래피 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 제2 피처들을 상기 제1 피처들의 반대편의 측면들 상에 임프린팅하는 단계를 더 포함하는,
광학 층을 구성하는 임프린트 리소그래피 방법. - 제1 항에 있어서,
이전 금형(predecessor mold)으로부터 상기 패턴화 템플릿을 생성하는 단계를 더 포함하는,
광학 층을 구성하는 임프린트 리소그래피 방법. - 제11 항에 있어서,
상기 제2차 규모 크기의 깊은(deep) 피처들을 상기 이전 금형에 형성하는 단계를 더 포함하는,
광학 층을 구성하는 임프린트 리소그래피 방법. - 제11 항에 있어서,
상기 제1차 규모 크기의 얕은(shallow) 피처들을 상기 이전 금형에 형성하는 단계를 더 포함하는,
광학 층을 구성하는 임프린트 리소그래피 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 기판은 제1 기판이며, 그리고 상기 인접한 표면은 제2 기판에 의해 규정되는,
광학 층을 구성하는 임프린트 리소그래피 방법. - 제14 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 기판들을 서로 정렬시키는 단계를 더 포함하는,
광학 층을 구성하는 임프린트 리소그래피 방법. - 제14 항에 있어서,
접착제 물질을 상기 제1 기판의 측면 상에 임프린팅된 상기 제2 피처들의 최상부에 분배하는 단계를 더 포함하는,
광학 층을 구성하는 임프린트 리소그래피 방법. - 제16 항에 있어서,
상기 제2 기판에 의해 규정되는 인접한 표면과 상기 제1 기판 사이에 갭을 형성하기 위해 상기 제1 기판의 측면 상에 임프린팅되는 상기 제2 피처들의 최상부의 상기 접착제 물질로 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판을 서로 부착시키는 단계를 더 포함하는,
광학 층을 구성하는 임프린트 리소그래피 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 갭은 낮은 지수 구역(low index region)을 제공하는,
광학 층을 구성하는 임프린트 리소그래피 방법. - 제18 항에 있어서,
상기 낮은 지수 구역은 1의 굴절율(index of refraction)을 갖는 공기를 포함하는,
광학 층을 구성하는 임프린트 리소그래피 방법. - 기판; 및
상기 기판의 측면 상에 패턴화 템플릿으로 임프린팅된 패턴을 포함하며, 상기 패턴은 제1차 규모 크기의 제1 피처들 및 제2차 규모 크기의 제2 피처들을 포함하며,
상기 제2 피처들은 인접한 표면과 상기 기판 사이에 갭을 규정하도록 크기가 정해지고 배열되는,
광학 층.
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