KR20190090690A - 반도체 제조 장치 및 반도체 장치의 성막 방법 - Google Patents

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Abstract

기판 (100) 의 표면 외주부를 메인 클램프 (23a) 와 서브 클램프 (23b) 로 눌러 퇴적막 (101) 을 형성한 후, 서브 클램프와 스테이지 (21) 사이가 스프링 부재 (25) 로 접속된 상태에서 스테이지 (21) 가 하강했을 때에 발생하는 스프링 부재 (25) 의 수축력을 이용함으로써, 메인 클램프 (23a) 와 기판 (100) 을 떼어 놓는다.

Description

반도체 제조 장치 및 반도체 장치의 성막 방법{SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS AND FILM FORMATION METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은, 반도체 웨이퍼 등의 기판 표면에 박막을 형성하는 반도체 제조 장치에 관한 것이고, 특히, 반도체 제조 장치의 스테이지에 기판을 고정시키는 클램프의 구조에 관한 것이다.
스퍼터 장치는, 기판의 주위를 클램프로 유지하고, 타깃으로부터 날라온 스퍼터 입자를 기판 상에 피착시켜 성막을 실시한다. 이 때, 스퍼터 입자는 클램프의 상면에도 피착된다. 기판과 클램프의 경계에 피착된 박막은, 기판과 클램프의 고착의 원인이 되어, 스퍼터 성막 후에 기판을 클램프로부터 떼어낼 때의 장해가 된다. 이 문제의 해결을 위해서 제 1 클램프와 제 2 클램프를 병용하는 구조가 제안되어 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 및 특허문헌 2 참조).
특허문헌 1 및 특허문헌 2 에는, 제 1 클램프의 기판과의 맞닿음 위치보다 외측에서 기판에 맞닿도록 제 2 클램프를 형성하는 것이 기재되고, 특허문헌 1 에서는 제 2 클램프의 자중을 이용하여 제 1 클램프와 기판을 떼어 놓는 것, 특허문헌 2 에서는 제 2 클램프의 지렛대 작용을 이용하여 제 1 클램프와 기판을 떼어 놓는 것이 개시되어 있다.
일본 공개특허공보 2011-214034호 일본 공개특허공보 2005-333063호
성막된 박막의 막 두께가 두꺼워지면, 제 1 클램프와 기판의 경계에 퇴적되는 박막의 막 두께도 두꺼워져, 제 1 클램프와 기판을 떼어 놓는 것이 곤란한 경향이 있다. 특허문헌 1 에서는 제 1 클램프보다 무거운 제 2 클램프를 형성하고, 그 무게를 이용하여 떼어 놓지만, 평면에서 보았을 때 제 2 클램프는 제 1 클램프보다 작아, 선택할 수 있는 클램프 재료도 한정되기 때문에, 후막이 성막되어 고착된 기판과 제 1 클램프를 제 2 클램프의 자중만으로 떼어 놓는 것은 곤란하다. 또, 특허문헌 2 의 제 2 클램프에 형성된 지렛대를 이용해도 후막이 성막되어 고착된 기판과 제 1 클램프를 떼어 놓는 것은 곤란하다.
본 발명은, 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 퇴적막의 성막 후에, 고착된 기판과 클램프를 확실하게 떼어 놓는 것이 가능한 클램프를 갖는 반도체 제조 장치 및 반도체 장치의 성막 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명에서는 이하의 수단을 사용하였다.
기판을 이면으로부터 지지하는 스테이지와,
상기 기판의 표면 외주부의 가압면의 내측의 영역에 접하는 메인 클램프와,
상기 가압면의 외측의 영역에서 상기 기판에 접하는 서브 클램프와,
상기 서브 클램프와 상기 스테이지를 연결하는 스프링 부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치로 하였다.
기판을 이면으로부터 지지하는 스테이지와, 상기 기판의 표면 외주부의 가압면의 내측의 영역에 접하는 메인 클램프 및 상기 가압면의 외측의 영역에서 상기 기판에 접하는 서브 클램프로 상기 기판을 협지하는 공정과,
상기 기판에 퇴적막을 형성하는 공정과,
상기 스테이지를 하강시킴과 함께, 상기 서브 클램프와 상기 스테이지를 연결하는 스프링 부재를 신장시켜 상기 메인 클램프와 상기 서브 클램프와 상기 기판을 하강시키는 공정과,
상기 메인 클램프를 제 1 걸림부에 있어서 하강 정지시킨 후, 상기 메인 클램프와 상기 기판을 떼어 놓는 공정과,
상기 서브 클램프를 제 2 걸림부에 있어서 하강 정지시킨 후, 상기 서브 클램프와 상기 기판을 떼어 놓는 공정을 구비하는 반도체 장치의 성막 방법을 사용하였다.
상기 수단을 사용함으로써, 퇴적막에 의해 고착된 기판과 클램프를 용이하게 떼어 놓는 것이 가능해져, 고착에서 기인한 기판의 반송 불량을 방지할 수 있다.
도 1 은 본 발명의 실시형태에 관한 반도체 제조 장치의 개략 구성을 나타내는 단면도이다.
도 2 는 본 발명의 실시형태에 관한 반도체 제조 장치의 동작을 설명하는 단면도이다.
도 3 은 도 2 에 계속되는, 본 발명의 실시형태에 관한 반도체 제조 장치의 동작을 설명하는 단면도이다.
도 4 는 본 발명의 실시형태에 관한 반도체 제조 장치 내에 있어서의 기판 및 스테이지의 승강 높이 그리고 기판의 승강 속도를 설명하는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대해 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 도 1 은 본 발명의 실시형태에 관한 반도체 제조 장치의 개략 구성을 나타내는 단면도이다. 도시하는 반도체 제조 장치는 스퍼터 장치 (10) 로서, 진공 상태로 하는 것이 가능한 챔버 (11) 중에 타깃 (13) 과 기판 홀더 (20) 에 유지된 기판 (100) 이 대향하여 놓여져 있다. 도시하지 않지만, 챔버 (11) 에는 불활성 가스의 공급 방전 기구나 챔버 내를 진공으로 하는 배기 기구가 접속되고, 나아가서는, 기판 (100) 의 반송 기구 등도 형성된다.
스퍼터 장치 (10) 는, 아르곤 등의 불활성 가스를 타깃 (13) 에 충돌시켜, 타깃을 구성하는 재료를 스퍼터 입자로서 튀어 나오게 하고, 날려온 스퍼터 입자가 기판 (100) 의 표면에 부착되어 퇴적막 (101) 을 형성한다는 성막 장치이다. 기판 (100) 의 이면에는 스테이지 (21) 가 형성되고, 이 스테이지 (21) 에 의해 기판 (100) 이 지지되어 있다. 스테이지 (21) 의 이면에는 상하 가동의 스테이지 승강 기구 (26) 가 형성되고, 스테이지 (21) 가 상방으로 이동하여, 클램프 (22) 와의 사이에 기판 (100) 을 협지할 수 있다. 또, 스테이지 (21) 는 기판 (100) 을 흡착하는 기구를 갖지 않기 때문에, 스테이지 (21) 가 하강했을 때에 기판 (100) 과 용이하게 떨어질 수 있다.
클램프 (22) 는 메인 클램프 (23a) 와 서브 클램프 (23b) 를 갖고, 메인 클램프 (23a) 는 기판 (100) 의 표면 외주부의 내측쪽의 영역을 누르고, 서브 클램프 (23b) 는 표면 외주부의 외측쪽의 영역을 누르고, 서브 클램프 (23b) 가 메인 클램프 (23a) 에 의해 덮이도록 형성되어 있다. 클램프 (22) 가 기판 (100) 을 가압하는 영역은 기판 (100) 의 외단으로부터 기판 중심을 향하여 3 ∼ 5 ㎜ 의 영역이고, 그 내측쪽의 절반의 영역에 메인 클램프 (23a) 의 선단이 접하고, 나머지의 외측쪽의 절반의 영역에 서브 클램프 (23b) 의 선단이 접한다는 구성으로 한다. 또한, 메인 클램프 (23a) 및 서브 클램프 (23b) 는 타깃 재료와 상이한 재질, 예를 들어 스테인리스로 형성되는 것이 바람직하고, 만약, 타깃 재료가 고융점 금속이 아니면, 클램프 (22) 를 티탄이나 몰리브덴 등의 고융점 금속으로 해도 된다.
도 1 에서는, 메인 클램프 (23a) 의 하면과 서브 클램프 (23b) 의 상면이 직접 접하도록 도시되어 있지만, 클램프 재료의 열 팽창이나 경시적인 클램프의 변형을 고려하면, 메인 클램프 (23a) 의 하면과 서브 클램프 (23b) 의 상면 사이에는 약간의 간극을 형성한 편이 좋다. 동일하게, 메인 클램프 (23a) 나 서브 클램프 (23b) 가 기판과 접하는, 각각의 선단부 사이에도 간극을 형성하는 것이 바람직하다.
서브 클램프 (23b) 의 이면에는 코일상의 스프링 부재 (25) 의 일단이 접속되고, 스프링 부재 (25) 의 타단은 스테이지 (21) 의 측면으로부터 돌출한 스프링 접속부 (24) 에 접속되어 있다. 일반적으로, 코일상 스프링에는 압축 코일 스프링과 인장 코일 스프링이 있지만, 여기서는 인장의 하중을 받아 사용되는 인장 코일 스프링을 이용한다. 스프링 부재 (25) 는 스테이지 (21) 의 주위에 균등한 간격으로 배치되고, 적어도 3 개 지점 이상에 형성되는 것이 바람직하다. 성막 중에 스퍼터 입자는 기판 (100) 뿐만 아니라, 메인 클램프 (23a) 의 표면이나 그 주위에도 피착되어 퇴적막 (101) 을 형성하므로, 챔버 (11) 내의 퇴적막 (101) 의 제거를 용이하게 하기 위해서 스테이지 (21) 의 주위에는 방착판 (30) 이 형성된다. 본 실시형태의 방착판 (30) 에는 제 1 걸림부 (31) 및, 그 내측에 제 2 걸림부 (32) 를 구비하고, 제 1 걸림부 (31) 의 상단이 메인 클램프 (23a) 의 이면 단부에 접하고, 제 2 걸림부 (32) 의 상단이 서브 클램프 (23b) 의 이면 단부에 접할 수 있도록 형성되어 있다. 그리고, 제 2 걸림부 (32) 의 상단의 높이가 제 1 걸림부 (31) 의 상단의 높이보다 낮아지도록 형성되어 있다. 또, 제 2 걸림부 (32) 의 더욱 내측, 즉, 제 2 걸림부 (32) 보다 스테이지쪽의 위치에 기판 (100) 의 기판 걸림부 (28) 가 형성되어 있다. 기판 걸림부 (28) 는 상하 가동의 기판 걸림부 승강 기구 (27) 를 구비하고, 그 상단은 기판 (100) 의 이면 단부에 접할 수 있도록 형성되어 있다.
도 2 및 도 3 은 본 발명의 실시형태에 관한 반도체 제조 장치의 동작을 설명하는 단면도이다. 이하, 본 발명의 실시형태에 관련된 반도체 제조 장치를 사용하여, 반도체 장치의 성막 방법에 대해 설명한다.
도 2(a) 에서는 스테이지 (21) 를 상승시켜, 반도체 장치가 형성되는 기판 (100) 이 클램프 (22) 와의 사이에 협지되어 있는 상태를 나타내고 있다. 기판 (100) 의 표면 외주부의 내측쪽의 영역에는 메인 클램프 (23a) 의 선단부, 표면 외주부의 외측쪽의 영역에는 서브 클램프 (23b) 의 선단부가 접하여, 기판 (100) 을 하방향으로 가압하고 있다. 이 때, 서브 클램프 (23b) 와 스프링 접속부 (24) 사이에 형성된 스프링 부재 (25) 는 스프링 자유 길이보다 짧게 수축되어 있다. 또, 이 때의 기판 (100) 의 높이는 제 1 걸림부 (31) 의 상단보다 높고, 제 1 걸림부 (31) 의 상단과 메인 클램프 (23a) 의 이면은 접하고 있지 않다. 그리고, 이 상태에서 기판 (100) 의 표면에 퇴적막 (101) 을 형성한다. 성막된 퇴적막 (101) 은 기판 (100) 및 메인 클램프 (23a) 를 연속하여 피복하고 있다.
그리고, 도 2(b) 에 나타내는 바와 같이, 기판 걸림부 (28) 를 상승시키고, 그 상부를 기판 (100) 의 이면 단부에 접촉시킨다. 이 기판 걸림부 (28) 는 이후의 공정에서의 기판 (100) 에 대한 충격을 완화시키기 위해서 필요해진다. 다음으로, 스테이지 승강 기구 (26) 에 의해 스테이지 (21) 를 하강시키고, 스프링 부재 (25) 를 스프링 자유 길이보다 신장시키면, 그것이 수축하려고 하는 힘이 작용하여 메인 클램프 (23a) 및 서브 클램프 (23b) 가 기판 (100) 에 접한 상태에서 하강한다. 이 때의 하강 속도는 기판 걸림부 승강 기구 (27) 에 의해 제어된다. 만일 기판 걸림부 승강 기구 (27) 를 부속하는 기판 걸림부 (28) 가 없으면, 기판 (100) 의 하강 속도는 스프링 부재 (25) 의 수축력에 의해 정해져, 하강 속도의 제어는 곤란하다. 제 1 걸림부 (31) 의 상단이 메인 클램프 (23a) 의 이면 단부에 접하면 메인 클램프 (23a) 의 하강이 정지된다. 하강 속도는 일정한 속도여도 되지만, 제 1 걸림부 (31) 와 메인 클램프 (23a) 가 접하기 직전에 하강 속도를 감속함으로써 기판 (100) 에 대한 충격을 완화시킬 수 있다.
더욱 기판 걸림부 (28) 를 하강시키면, 메인 클램프 (23a) 의 선단에 퇴적된 퇴적막 (101) 이 절단되어, 기판 (100) 과 메인 클램프 (23a) 가 떼어 놓아진다. 떼어 놓을 때에, 기판 (100) 표면의 퇴적막 (101) 의 단부가 박리되거나, 말려 올라거나 하는 것을 억제하기 위해서, 제 1 걸림부 (31) 와 메인 클램프 (23a) 가 접한 직후의 하강 속도는 더욱 감속한 편이 좋다. 메인 클램프 (23a) 와 기판 (100) 이 떼어 놓아지면, 도 3(a) 에 나타내는 바와 같이, 기판 (100) 과 접한 상태에서 서브 클램프 (23b) 를 더욱 하강시킨다. 그리고, 제 2 걸림부 (32) 의 상단이 서브 클램프 (23b) 의 이면 단부에 접하면 서브 클램프 (23b) 의 하강이 정지된다. 하강 속도는 일정한 속도여도 되지만, 제 2 걸림부 (32) 와 서브 클램프 (23b) 가 접하기 직전에 하강 속도를 감속시킴으로써 기판 (100) 에 대한 충격을 완화시킬 수 있다.
다음으로, 도 3(b) 에 나타내는 바와 같이, 기판 걸림부 (28) 를 더욱 하강시키면, 기판 (100) 과 서브 클램프 (23b) 가 떼어 놓아진다. 서브 클램프 (23b) 의 선단부와 기판 (100) 의 표면 외주부에는 연속하는 퇴적막이 없기 때문에, 용이하게 떼어 놓을 수 있다. 이 때, 기판 (100) 의 이면은 스테이지 (21) 에 의해 지지되어 있지 않고, 표면은 클램프 (22) 가 접하고 있지 않고, 기판 걸림부 (28) 에 재치 (載置) 된 상태이다.
다음으로, 기판 (100) 을, (도시되어 있지 않은) 로봇 아암 등의 반송 기구를 사용하여 스테이지 (21) 의 상방의 위치로부터 기판 (100) 을 반출하여 캐리어에 수납하고, 다음으로 성막하는 기판 (100) 을 캐리어로부터 취출하여 스테이지 (21) 에 두고, 그 표면 외주부를 클램프 (22) 로 눌러 상기 공정을 반복한다. 이상의 공정을 거쳐, 반도체 장치의 성막이 실시된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 스퍼터 장치 (10) 에서는, 스테이지 (21) 와 서브 클램프 (23b) 사이에 형성한 스프링의 수축력을 작용시킴으로써, 클램프 (22) 와 기판 (100) 사이에 퇴적막 (101) 을 통한 고착이 발생한 경우에도, 확실하게 클램프 (22) 와 기판 (100) 을 떼어 놓을 수 있어, 고착에서 기인한 기판의 반송 불량을 방지할 수 있다.
도 4 는 본 발명의 실시형태에 관한 반도체 제조 장치 내에 있어서의 기판 및 스테이지의 승강 높이 그리고 기판의 승강 속도를 설명하는 도면이다. 본 도면은 가로축에 기판 반입으로부터 기판 반출에 이르는 공정을 나타내고, 세로축은 기판 승강 속도, 기판 및 스테이지 높이를 나타내었다. 또한, 이하에서는 이해가 깊게 하기 위해서 도 2 및 도 3 도 참조하면서 설명을 실시한다.
· 기판 반입 ∼ 퇴적막 형성 개시 (도 3(b) 참조)
스테이지 (21) 와 이간하여, 스테이지 (21) 보다 약간 높은 위치에 있는 기판 걸림부 (28) 상에 기판 (100) 을 두고, 스테이지 (21) 를 제 1 상승 속도 (U1) 로 상승시킨다. 스테이지 (21) 의 상면이 기판 (100) 의 이면에 접촉하면, 스테이지 (21) 상에 기판 (100) 을 재치한 상태에서 상승시킨다. 다음으로, 상승 속도를 제 1 상승 속도 (U1) 로부터 0 ㎜/sec 까지 점차 줄이는 제 2 상승 속도 (U2) 로 기판 (100) 을 상승시킨다.
· 퇴적막 형성 개시 ∼ 퇴적막 형성 종료 (도 2(a) 참조)
기판 (100) 이 성막 높이에 도달하면, 기판 (100) 의 상승을 멈추고, 챔버 (11) 내에 아르곤 가스를 도입하고, 방전시켜 타깃 (13) 에 활성화된 아르곤 원자를 충돌시켜, 타깃 (13) 으로부터 튀어 나온 스퍼터 입자를 기판 (100) 상에 날려오게 하여 성막한다. 이 때, 기판은 정지한 상태이고, 그 기판 승강 속도는 0 ㎜/sec 이다.
· 퇴적막 형성 종료 ∼ 제 1 걸림부에서 정지 직후 (도 2(b) 참조)
기판 걸림부 (28) 를 상승시켜, 기판 (100) 의 이면 단부에 접촉시킨다. 이어서, 스테이지 (21) 를, 기판 반입시와 동일한 최하위까지 하강시키고 스프링 부재 (25) 를 신장시킨다. 이어서, 기판 걸림부 (28) 에 유지된 기판 (100) 을 제 1 하강 속도 (D1) 로 하강시키고, 메인 클램프 (23a) 가 제 1 걸림부 (31) 의 근방까지 가까워지면, 감속시켜 제 2 하강 속도 (D2) 로 하여 제 1 걸림부 (31) 와 메인 클램프 (23a) 를 접촉시킨다. 이 시점에서, 메인 클램프 (23a) 와 기판 (100) 은 퇴적막 (101) 을 통하여 고착되어 있고, 고속으로 강하하면, 접촉시의 충격이 메인 클램프 (23a) 를 통하여 기판 (100) 에 전해지게 되지만, 이와 같이 감속시킴으로써 기판 (100) 에 전파되는 충격을 완화시킬 수 있다. 접촉하면, 더욱 감속시켜 제 ３ 하강 속도 (D3) 으로 하강시켜, 메인 클램프 (23a) 와 기판 (100) 을 떼어 놓는다. 이것은 떼어 놓을 때에, 기판 (100) 표면의 퇴적막 (101) 의 단부가 박리되거나, 말려 올라가거나 하는 것을 억제하기 위해서이다. 퇴적막 (101) 이 고융점 금속막이면, 내부 응력이 높아 퇴적막 (101) 의 단부의 데미지가 기점이 되어 막 박리가 되는 경우가 있다. 이 감속은 그와 같은 문제를 회피하기 위해서 유효한 방책이다.
· 제 1 걸림부에서 정지 직후 ∼ 제 2 걸림부에서 서브 클램프 정지 (도 3(a) 참조)
메인 클램프 (23a) 와 기판 (100) 이 떨어지면, 하강 속도를 높여 제 ４ 하강 속도 (D4) 로 하고, 기판 (100) 과 서브 클램프 (23b) 가 접한 상태에서 하강시켜, 제 2 걸림부 (32) 에 서브 클램프가 접촉하면, 서브 클램프 (23b) 가 기판 (100) 과 떨어져 하강 동작을 정지한다.
· 제 2 걸림부에서 서브 클램프 정지 ∼ 기판 반출 (도 3(b) 참조)
기판 걸림부 (28) 에 유지된 기판 (100) 만을 제 ４ 하강 속도 (D4) 로 하강시키고, 서브 클램프 (23b) 와 기판 (100) 사이에 간극을 형성하여 기판 (100) 의 하강을 정지시킨다. 이 때, 기판 (100) 과 하방의 스테이지 (21) 사이에도 간극을 형성하여 서로 이간된 상태이다. 이어서, 퇴적막 (101) 을 형성한 기판 (100) 을 반송 장치를 사용하여 반출하지만, 기판 (100) 의 상하의 간극은 반송 장치의 반송 아암 및 기판 (100) 의 가동 영역으로서 필요해진다.
이상의 성막 방법에 의해, 기판의 하강 속도를 조절함으로써 기판에 대한 충격이 회피됨과 함께, 고착에서 기인한 기판의 반송 불량을 방지할 수 있다.
10 : 스퍼터 장치
11 : 챔버
13 : 타깃
20 : 기판 홀더
21 : 스테이지
22 : 클램프
23a : 메인 클램프
23b : 서브 클램프
24 : 스프링 접속부
25 : 스프링 부재
26 : 스테이지 승강 기구
27 : 기판 걸림부 승강 기구
28 : 기판 걸림부
30 : 방착판
31 : 제 1 걸림부
32 : 제 2 걸림부
100 : 기판
101 : 퇴적막
U1 : 제 1 상승 속도
U2 : 제 2 상승 속도
D1 : 제 1 하강 속도
D2 : 제 2 하강 속도
D3 : 제 ３ 하강 속도
D4 : 제 ４ 하강 속도

Claims (6)

  1. 기판을 이면으로부터 지지하는 스테이지와,
    상기 기판의 표면 외주부의 가압면의 내측의 영역에 접하는 메인 클램프와,
    상기 가압면의 외측의 영역에서 상기 기판에 접하는 서브 클램프와,
    상기 서브 클램프와 상기 스테이지를 연결하는 스프링 부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 메인 클램프 아래에는, 제 1 걸림부가 형성되고,
    상기 서브 클램프 아래에는, 상기 제 1 걸림부보다 낮은 제 2 걸림부가 형성되고,
    상기 기판 아래에는, 기판 걸림부가 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 스프링 부재는 인장 코일 스프링인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  4. 기판을 이면으로부터 지지하는 스테이지와, 상기 기판의 표면 외주부의 가압면의 내측의 영역에 접하는 메인 클램프 및 상기 가압면의 외측의 영역에서 상기 기판에 접하는 서브 클램프로 상기 기판을 협지하는 공정과,
    상기 기판에 퇴적막을 형성하는 공정과,
    상기 스테이지를 하강시킴과 함께, 상기 서브 클램프와 상기 스테이지를 연결하는 스프링 부재를 신장시켜 상기 메인 클램프와 상기 서브 클램프와 상기 기판을 하강시키는 공정과,
    상기 메인 클램프를 제 1 걸림부에 있어서 하강 정지시킨 후, 상기 메인 클램프와 상기 기판을 떼어 놓는 공정과,
    상기 서브 클램프를 제 2 걸림부에 있어서 하강 정지시킨 후, 상기 서브 클램프와 상기 기판을 떼어 놓는 공정을 구비하는, 반도체 장치의 성막 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 메인 클램프와 상기 서브 클램프와 상기 기판을 하강시키는 공정 전에, 상기 기판을 기판 걸림부로 지지하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 성막 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 메인 클램프와 상기 서브 클램프와 상기 기판을 하강시키는 공정의 가공 속도에 비해, 상기 메인 클램프와 상기 기판을 떼어 놓는 공정의 하강 속도를 줄이는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 성막 방법.
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