KR20190088321A - Car lamp using semiconductor light emitting device - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a lamp for vehicle and, more specifically, to a lamp for vehicle using a semiconductor light emitting device. According to the present invention, in a lamp for vehicle having a light source unit emitting light, the light source unit comprises: a base substrate transmitting rays in an ultraviolet region; a first electrode disposed on one surface of the base substrate; a semiconductor light emitting device disposed on one surface of the first electrode; an insulating member formed to surround the semiconductor light emitting device; and a second electrode disposed on one surface of the insulating member. More specifically, the insulating member includes a first insulating member formed to allow the semiconductor light emitting device to be inserted into the first insulating member and a second insulating member to be disposed between the semiconductor light emitting device and first insulating member to surround the semiconductor light emitting device.

Description

반도체 발광소자를 이용한 차량용 램프{CAR LAMP USING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a lamp for a vehicle using a semiconductor light-

본 발명은 차량용 램프에 관한 것으로 특히, 반도체 발광소자를 이용한 차량용 램프에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lamp for a vehicle, and more particularly to a lamp for a vehicle using a semiconductor light emitting element.

차량은 조명 기능이나 신호 기능을 가지는 다양한 차량용 램프를 구비하고 있다. 일반적으로, 할로겐 램프나 가스 방전식 램프가 주로 사용되어 왔으나, 최근에는 발광다이오드(LED; Light Emitting Diode)가 차량용 램프의 광원으로 주목 받고 있다. The vehicle is equipped with a variety of vehicle lamps having a lighting function or a signal function. Generally, a halogen lamp or a gas discharge lamp has been mainly used, but in recent years, a light emitting diode (LED) has attracted attention as a light source of a vehicle lamp.

발광다이오드의 경우 사이즈를 최소화함으로서 램프의 디자인 자유도를 높여줄 뿐만 아니라 반영구적인 수명으로 인해 경제성도 갖추고 있으나, 현재 대부분 패키지 형태로 생산되고 있다. 패키지가 아닌 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED) 자체는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광소자로서, 정보 통신기기를 비롯한 전자장치의 표시 화상용 광원으로 개발 중이다. Light emitting diodes (LEDs) are designed to minimize the size of LEDs and increase the design freedom of lamps. [0002] Light emitting diodes (LEDs) themselves, rather than packages, are semiconductor light emitting devices that convert current into light and are being developed as light sources for display images of electronic devices including information communication equipment.

현재까지 개발된 차량용 램프는 패키지 형태의 발광 다이오드를 이용하는 것이기에 양산 수율이 좋지 않고 비용이 많이 소요될 뿐 아니라, 플렉서블의 정도가 약하다는 약점이 존재한다. Since the vehicle lamps developed so far use light emitting diodes in the form of packages, their yields are not good and cost is high, and the degree of flexibility is weak.

따라서, 최근에는, 패키지가 아닌 반도체 발광소자의 자체를 이용하여 면광원을 제조하여 차량용 램프에 적용하는 시도가 있다.Therefore, in recent years, there has been an attempt to manufacture a surface light source using a semiconductor light emitting device itself, not a package, and to apply the surface light source to a vehicle lamp.

하지만, 반도체 발광소자를 이용하여 디스플레이 패널로 제작하기 위해서는 복잡한 후속 공정으로 인하여 높은 제조 비용이 발생하는 문제점이 있다. 또한, 디스플레이 패널이 넓을 경우에 반도체 발광소자의 조립에서 균일성 확보가 어려운 문제점이 있다. However, in order to fabricate a display panel using a semiconductor light emitting device, there is a problem that a high manufacturing cost is incurred due to complicated subsequent processes. Further, when the display panel is wide, there is a problem that it is difficult to ensure uniformity in assembly of the semiconductor light emitting device.

이에, 본 발명에서는 반도체 발광소자를 포함하는 차량용 램프에서 대면적, 고수율로 제조 가능하고, 공정 비용을 절감할 수 있는 차량용 램프 및 차량용 램프의 제조 방법을 제시한다.Accordingly, the present invention proposes a method of manufacturing a vehicle lamp and a vehicle lamp that can be manufactured in a large area and a high yield in a vehicle lamp including a semiconductor light emitting device and can reduce a process cost.

본 발명의 일 목적은 반도체 발광소자의 조립 공정에서 불량률을 감소시키고, 수율이 향상된 차량용 램프 및 차량용 램프의 제조방법을 제공하기 위한 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a vehicle lamp and a method of manufacturing a vehicle lamp in which the defect rate is reduced in the assembling process of the semiconductor light emitting device and the yield is improved.

또한, 반도체 발광소자를 배치 및 고정하기 위한 공정에서 제조 비용이 절감된 차량용 램프 및 차량용 램프의 제조방법을 제공하기 위한 것이다.It is another object of the present invention to provide a vehicle lamp and a method of manufacturing a vehicle lamp which have a reduced manufacturing cost in a process for arranging and fixing semiconductor light emitting elements.

상기와 같은 과제를 해결하기 위하여, 본 발명에 따른 빛을 발광하는 광원부를 구비하는 차량용 램프에 있어서, 상기 광원부는 자외선 영역의 광선을 투과하는 베이스 기판, 상기 베이스 기판의 일면에 배치되는 제1전극, 상기 제1전극의 일면에 배치되는 반도체 발광소자, 상기 반도체 발광소자를 감싸도록 형성되는 절연부재 및 상기 절연부재의 일면에 배치되는 제2전극을 구비하고, 상기 절연부재는, 상기 반도체 발광소자가 삽입되도록 형성되는 제1절연부재 및 상기 반도체 발광소자와 상기 제1절연부재 사이에 배치되어 상기 반도체 발광소자를 감싸도록 형성되는 제2절연부재를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a lamp for a vehicle having a light source that emits light according to the present invention, wherein the light source includes a base substrate through which light rays in an ultraviolet ray region pass, A semiconductor light emitting element disposed on one surface of the first electrode, an insulating member formed to surround the semiconductor light emitting element, and a second electrode disposed on one surface of the insulating member, And a second insulating member disposed between the semiconductor light emitting device and the first insulating member to surround the semiconductor light emitting device.

일 실시예에서, 상기 제1전극은 자외선 영역의 광선을 투과하는 것을 특징으로 한다.In one embodiment, the first electrode is characterized by transmitting light rays in the ultraviolet region.

일 실시예에서, 상기 제1절연부재와 상기 제2절연부재는 서로 상이한 소재로 형성되고, 상기 제1절연부재는 불투명한 소재이고, 상기 제2절연부재는 자외선 영역의 광선을 흡수하여 경화되는 소재로 형성되는 것을 특징으로 한다.In one embodiment, the first insulating member and the second insulating member are formed of materials different from each other, the first insulating member is an opaque material, and the second insulating member absorbs light rays in the ultraviolet region to be hardened And is formed of a material.

일 실시예에서, 상기 베이스 기판 및 상기 제1절연부재 사이에 반사층을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In one embodiment, a reflective layer is further included between the base substrate and the first insulating member.

또한, 차량용 램프의 제조방법에 있어서, 자외선 영역의 광선을 투과하는 베이스 기판 상에 제1전극을 배치하는 단계, 상기 제1전극 상의 적어도 일부에 형성되고, 반도체 발광소자가 삽입되도록 형성되는 제1절연부재를 배치하는 단계, 상기 제1전극과 상기 반도체 발광소자를 전기적으로 연결시키고, 상기 제1절연부재 사이에 상기 반도체 발광소자를 배치하는 단계, 상기 제1절연부재 및 상기 반도체 발광소자 사이에 자외선 영역의 광선을 흡수하여 경화가 가능한 소재로 형성되는 제2절연부재를 충전하는 단계, 상기 베이스 기판 방향에서 자외선 영역을 포함하는 광선을 조사하여 상기 제2절연부재를 경화시키는 단계 및 상기 반도체 발광소자와 전기적으로 연결되도록 형성된 제2전극을 배치하는 단계를 포함한다.In addition, in the method of manufacturing a lamp for a vehicle, the method may further include the steps of: disposing a first electrode on a base substrate through which light rays in an ultraviolet ray region pass, a first electrode formed on at least a portion of the first electrode, Disposing an insulating member, electrically connecting the first electrode and the semiconductor light emitting element, disposing the semiconductor light emitting element between the first insulating members, and disposing the semiconductor light emitting element between the first insulating member and the semiconductor light emitting element A step of filling a second insulating member formed of a material capable of curing by absorbing a light ray in an ultraviolet ray region; curing the second insulating member by irradiating light rays including an ultraviolet ray region in the direction of the base substrate; And disposing a second electrode formed to be electrically connected to the element.

일 실시예에서, 상기 제1전극 상에 제1절연부재의 타면과 오버랩되는 영역에 반사층을 배치하는 단계를 더 포함한다.In one embodiment, the method further comprises disposing a reflective layer on the first electrode in a region overlapping the other surface of the first insulating member.

일 실시예에서, 상기 반도체 발광소자를 배치하는 단계에서는, 상기 제1전극 상에 금속 페이스트 및 솔더를 배치하여, 상기 제1전극과 상기 반도체 발광소자가 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 한다.In one embodiment, in the step of arranging the semiconductor light emitting device, a metal paste and a solder are disposed on the first electrode, and the first electrode and the semiconductor light emitting device are electrically connected.

일 실시예에서, 상기 반도체 발광소자를 배치하는 단계에서는, 상기 제1전극 상에 자성체를 배치하여, 상기 제1전극과 상기 반도체 발광소자가 자기력으로 부착되어 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 한다.In one embodiment, in the step of disposing the semiconductor light emitting device, a magnetic substance is disposed on the first electrode, and the first electrode and the semiconductor light emitting device are magnetically attached and electrically connected.

일 실시예에서, 상기 반도체 발광소자를 배치하는 단계에서는, 상기 제1전극 상에 유도 자기력을 생성하도록 형성된 배선을 배치하여, 상기 제1전극과 상기 반도체 발광소자가 상기 배선에서 형성된 유도 자기력으로 부착되어 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 한다.In one embodiment, in the step of disposing the semiconductor light emitting element, a wiring formed to generate an induced magnetic force on the first electrode is disposed, and the first electrode and the semiconductor light emitting element are attached by an induction magnetic force And are electrically connected to each other.

일 실시예에서, 상기 제1전극과 상기 배선 사이의 적어도 일부에 절연층을 배치하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In one embodiment, the method further comprises disposing an insulating layer on at least a part between the first electrode and the wiring.

본 발명에 따른 차량용 램프에 의하면, 제1절연부재에 반도체 발광소자를 삽입하여 반도체 발광소자의 배치의 정밀도를 향상시켜 제조공정 상에서 불량률이 감소되어 수율이 향상된 차량용 램프 및 차량용 램프의 제조방법을 제공할 수 있다. According to the vehicle lamp of the present invention, a semiconductor light emitting element is inserted into a first insulating member to improve the accuracy of placement of a semiconductor light emitting element, thereby reducing a defect rate in a manufacturing process and improving yield, can do.

나아가, 반도체 발광소자를 배치 및 고정하기 위해서 제1절연부재와 반도체 발광소자 사이에 자외선 영역의 광선을 흡수하여 경화되는 소재로 형성되는 제2절연부재를 충전하고 자외선을 포함하는 광선을 조사하여 반도체 발광소자를 고정시키므로 반도체 발광소자의 배치에 별도의 마스크 공정이 필요로 하지 않으므로 제조원가가 절감됨 차량용 램프 및 차량용 램프의 제조방법을 제공할 수 있다.Further, in order to arrange and fix the semiconductor light emitting element, a second insulating member formed of a material to be cured by absorbing light in the ultraviolet region is filled between the first insulating member and the semiconductor light emitting element, Since the light emitting device is fixed, a separate mask process is not required for disposing the semiconductor light emitting devices, thereby reducing manufacturing cost. A vehicle lamp and a method of manufacturing a lamp for a vehicle can be provided.

도 1a는 차량용 램프의 일 실시예로서 리어 램프를 도시하는 개념도이다.
도 1b는 도 1a의 리어 램프가 발광된 상태를 나타내는 확대도이다.
도 2는 본 발명에 따른 차량용 램프의 광원부를 설명하기 위한 사시도이다.
도 3는 도 2에서 살펴본 차량용 램프의 광원부를 A-A 면에서 바라본 단면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 광원부를 구비하는 차량용 램프의 다른 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 광원부를 구비하는 차량용 램프의 또 다른 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명에 따른 광원부를 구비하는 차량용 램프의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 7 내지 도 8은 본 발명의 따른 광원부를 구비하는 차량용 램프의 다른 실시예의 제조방법을 나타내는 단면도이다.1A is a conceptual view showing a rear lamp as one embodiment of a lamp for a vehicle.
1B is an enlarged view showing a state in which the rear lamp of FIG. 1A is lighted.
2 is a perspective view illustrating a light source unit of a vehicle lamp according to the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view of the light source unit of the vehicle lamp shown in FIG. 2 as viewed from the AA side.
4 is a cross-sectional view showing another embodiment of a lamp for a vehicle having a light source unit according to the present invention.
5 is a cross-sectional view showing another embodiment of a vehicle lamp having a light source unit according to the present invention.
6 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing a lamp for a vehicle having a light source unit according to the present invention.
7 to 8 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a lamp for a vehicle having a light source unit according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 됨을 유의해야 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, wherein like reference numerals are used to designate identical or similar elements, and redundant description thereof will be omitted. The suffix "module" and " part "for the components used in the following description are given or mixed in consideration of ease of specification, and do not have their own meaning or role. In the following description of the embodiments of the present invention, a detailed description of related arts will be omitted when it is determined that the gist of the embodiments disclosed herein may be blurred. In addition, it should be noted that the attached drawings are only for easy understanding of the embodiments disclosed in the present specification, and should not be construed as limiting the technical idea disclosed in the present specification by the attached drawings.

또한, 층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 "상(on)"에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 중간 요소가 존재할 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.It is also to be understood that when an element such as a layer, region or substrate is referred to as being present on another element "on," it is understood that it may be directly on the other element or there may be an intermediate element in between There will be.

본 명세서에서 설명되는 차량용 램프에는 전조등(헤드 램프), 미등, 차폭등, 안개등, 방향지시등, 제동등(브레이크 램프), 비상등, 후진등(테일 램프) 등이 포함될 수 있다. 그러나, 본 명세서에 기재된 실시예에 따른 구성은 발광이 가능한 장치이기만 하면 추후 개발되는 새로운 제품형태에도 적용될 수도 있음은 본 기술분야의 당업자라면 쉽게 알 수 있을 것이다.The vehicle lamp described in this specification may include a head lamp, a tail lamp, a car light, a fog lamp, a turn signal lamp, a brake lamp, an emergency lamp, a tail lamp, and the like. However, it will be readily apparent to those skilled in the art that the configuration according to the embodiments described herein may be applied to a new product type that will be developed later if the device is a light emitting device.

도 1a는 차량용 램프의 일 실시예로서 리어 램프를 도시하는 개념도이고, 도 1b는 도 1a의 리어 램프가 발광된 상태를 나타내는 확대도이다.FIG. 1A is a conceptual view showing a rear lamp as an embodiment of a vehicle lamp, and FIG. 1B is an enlarged view showing a state in which the rear lamp of FIG. 1A is lighted.

도 1a를 참조하면, 차량의 리어 램프(100)는 차량의 후면의 양측에 배치되며, 이를 통하여 차량의 후면 외관을 형성한다. Referring to FIG. 1A, a rear lamp 100 of a vehicle is disposed on both sides of a rear surface of the vehicle, thereby forming a rear surface appearance of the vehicle.

상기 리어 램프(100)는 미등, 방향지시등, 브레이크 램프, 비상등 및 테일 램프 등이 패키지 형태로 조합된 램프가 될 수 있다. 즉, 상기 리어 램프(100)는 차량의 제어에 따라 선택적으로 발광하는 복수의 램프들을 구비하게 된다.The rear lamp 100 may be a lamp in which a tail lamp, a turn signal lamp, a brake lamp, an emergency lamp, and a tail lamp are combined in a package form. That is, the rear lamp 100 includes a plurality of lamps selectively emitting light according to the control of the vehicle.

이 경우에, 상기 복수의 램프들 중 적어도 하나는 기 설정된 모양(shape)을 발광하도록 형성될 수 있다. 이러한 예로서, 일 예로서, 브레이크 램프(100a)는 수평방향으로 길게 형성되며, 적어도 일부분에서 상하방향으로 커브드(curved)되도록 형성되어, 브레이크 램프(100a)의 형상에 대응되는 모양을 발광하도록 형성될 수 있다. 나아가, 상기 브레이크 램프는 상기 차량의 전방을 향하여 굽어질 수 있다. 이와 같은 3차원 형태의 복잡한 형상은 복수의 발광영역에 의하여 구현될 수 있다. In this case, at least one of the plurality of lamps may be formed to emit a predetermined shape. As one example, the brake lamp 100a may be formed to be long in the horizontal direction and curved at least in a vertical direction so as to emit a shape corresponding to the shape of the brake lamp 100a . Furthermore, the brake lamp can be bent toward the front of the vehicle. Such a complex shape in a three-dimensional shape can be realized by a plurality of light emitting regions.

도 1b를 참조하면, 형상이 서로 다른 발광영역이 서로 조합되어, 상기 기설정된 모양을 구현하게 된다. Referring to FIG. 1B, the light emitting regions having different shapes are combined with each other to realize the predetermined shape.

상기 발광영역에는 반도체 발광소자에 의하여 구현되는 광원부(1000)가 배치될 수 있다. 상기 광원부(1000)는 프레임을 통하여 차체에 고정될 수 있으며, 상기 프레임에는 광원부(1000)를 배치하기 위한 베이스 기판일 수 있다.A light source unit 1000 implemented by a semiconductor light emitting device may be disposed in the light emitting region. The light source unit 1000 may be fixed to the vehicle body through a frame, and may be a base substrate for disposing the light source unit 1000 in the frame.

상기 광원부는 외력에 의하여 휘어질 수 있는, 구부러질 수 있는, 비틀어질 수 있는, 접힐 수 있는, 말려질 수 있는 플렉서블 광원부가 될 수 있다. 또한, 상기 광원부는 상기 발광영역에 해당하는 발광면을 가지는 면광원으로 구현될 수 있다.The light source unit may be a flexible light source unit that can be bent by an external force, bent, twistable, foldable, or curled. The light source unit may be a planar light source having a light emitting surface corresponding to the light emitting region.

이 경우에, 상기 광원부(1000)는 복수로 구비되어 상기 발광영역의 각각에 배치되거나, 하나의 광원부가 상기 모양 전체를 구현하도록 형성될 수 있다.In this case, the light source unit 1000 may include a plurality of light emitting units and may be disposed in each of the light emitting regions, or one light source unit may be formed to implement the entire shape.

상기 광원부(1000)의 화소는 반도체 발광소자에 의하여 구현될 수 있다. 본 발명에서는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광소자의 일 종류로서 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)를 예시한다. 상기 발광 다이오드는 수 내지 수십 마이크로미터 크기로 구성되는 발광소자가 될 수 있으며, 이를 통하여 상기 3차원의 공간상에서도 화소의 역할을 할 수 있게 된다.The pixel of the light source 1000 may be implemented by a semiconductor light emitting device. In the present invention, a light emitting diode (LED) is exemplified as one type of semiconductor light emitting device for converting a current into light. The light emitting diode may be a light emitting device having a size ranging from several to several tens of micrometers, so that the light emitting diode can function as a pixel in the three-dimensional space.

보다 구체적으로, 본 발명에 따른 광원부에 대하여 살펴보면, 본 발명에 따른 광원부는 기판, 기판의 일면에 배치되는 복수의 반도체 발광소자들, 상기 반도체 발광소자를 감싸도록 형성되는 절연부재, 상기 반도체 발광소자들의 어느 일부와 전기적으로 연결되며 상기 절연부재의 일면에 배치되는 제1전극 및 제2전극을 포함하도록 구성될 수 있다.More specifically, the light source unit according to the present invention includes a substrate, a plurality of semiconductor light emitting devices disposed on one surface of the substrate, an insulating member formed to surround the semiconductor light emitting device, And a first electrode and a second electrode that are electrically connected to a part of the insulating member and disposed on one surface of the insulating member.

본 발명은, 차량용 램프에 있어서 반도체 발광소자의 조립 공정에서 불량률을 감소시키고, 반도체 발광소자를 배치 및 고정하기 위한 공정에서 제조 비용이 절감된 차량용 램프 및 차량용 램프의 제조방법을 제공하기 위한 것으로서, 이하, 첨부된 도면과 함께, 보다 구체적으로 살펴본다.The present invention provides a method for manufacturing a vehicle lamp and a vehicle lamp in which the manufacturing cost is reduced in a process for reducing the defect rate in the process of assembling the semiconductor light emitting device in the vehicle lamp and arranging and fixing the semiconductor light emitting device, Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명에 따른 차량용 램프의 광원부를 설명하기 위한 사시도이고, 도 3은 도 2에서 살펴본 차량용 램프의 광원부를 A-A 면에서 바라본 단면도이다.FIG. 2 is a perspective view illustrating a light source unit of a vehicle lamp according to the present invention, and FIG. 3 is a cross-sectional view of the light source unit of the vehicle lamp shown in FIG.

도 2와 도 3의 도시에 의하면, 차량용 램프의 광원부(1000)는 베이스 기판(1010), 베이스 기판(1010)의 일면에 배치되는 제1전극(1020), 제1전극(1020)의 일면에 배치되는 복수의 반도체 발광소자(1050), 반도체 발광소자(1050)를 감싸도록 형성되는 절연부재(1030), 절연부재(1030)의 일면에 형성된 제2전극(1040)을 포함할 수 있다.2 and 3, the light source unit 1000 of the lamp for a vehicle includes a base substrate 1010, a first electrode 1020 disposed on one side of the base substrate 1010, a first electrode 1020 disposed on one side of the first electrode 1020, An insulating member 1030 formed to surround the semiconductor light emitting device 1050 and a second electrode 1040 formed on one surface of the insulating member 1030. The semiconductor light emitting device 1050 includes a plurality of semiconductor light emitting devices 1050,

베이스 기판(1010)은 다양한 재질로 이루어질 수 있으며, 플렉서블(flexible)하거나 또는 인플렉서블(inflexible)하게 이루어질 수 있다.The base substrate 1010 may be made of various materials and may be flexible or inflexible.

베이스 기판(1010)이 플렉서블하게 이루어지는 경우, 베이스 기판(1010)은 유리나 폴리이미드(PI, Polyimide)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면, 예를 들어 PEN(Polyethylene Naphthalate), PET(Polyethylene Terephthalate) 등 어느 것이라도 사용될 수 있다. 또한, 베이스 기판(1010)은 투명한 재질로 자외선 영역의 광선을 투과하는 것을 특징으로 한다. When the base substrate 1010 is made flexible, the base substrate 1010 may include glass or polyimide (PI). In addition, any insulating material such as PEN (polyethylene naphthalate) and PET (polyethylene terephthalate) may be used as long as it is insulating and flexible. Further, the base substrate 1010 is characterized in that it transmits a light ray in an ultraviolet ray region with a transparent material.

베이스 기판(1010)의 일면에는 제1전극(1020)이 배치될 수 있다. 제1전극(1020)은 자외선 영역의 광선을 투과하는 것을 특징으로 한다. 이에, 제1전극(1020)은 투명 전극으로 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 제1전극(1020)은 ITO(Indium Tin Oxide 화합물), IZO(Indium Zinc Oxide 화합물) 및 AZO(Aluminum Zinc Oxide 화합물)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수도 있다. A first electrode 1020 may be disposed on one side of the base substrate 1010. The first electrode 1020 is characterized by transmitting light rays in the ultraviolet region. Accordingly, the first electrode 1020 may be formed as a transparent electrode. In one embodiment, the first electrode 1020 may be formed of at least one selected from the group consisting of Indium Tin Oxide (ITO), IZO (Indium Zinc Oxide), and AZO (Aluminum Zinc Oxide).

또한, 제1전극(1020)과 반도체 발광소자(1050)의 제1도전형 전극(1056)은 서로 전기적인 결합을 가지도록 형성될 수 있다. 이에, 전도성 접착제(1060)를 사이에 두고 직접적으로 전기적으로 결합을 형성할 수 있다. 구체적으로, 전도성 접착제(1060)는 제1전극(1020) 상에 적층되어 반도체 발광소자(1050)와 제1전극(1020)을 물리적으로 접촉시킴으로써 전기적 연결을 형성할 수 있다. 전도성 접착제(1060)는배선 금속 페이스트(실버 페이스트, 주석 페이스트) 및 솔더로 형성할 수 있다. 전도성 접착제(1060)에 대한 열거 사항은 예시적일 뿐 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.In addition, the first electrode 1020 and the first conductive type electrode 1056 of the semiconductor light emitting device 1050 may be formed to have electrical coupling with each other. Thus, it is possible to form the electrical connection directly with the conductive adhesive 1060 therebetween. Specifically, the conductive adhesive 1060 may be stacked on the first electrode 1020 to form an electrical connection by physically contacting the semiconductor light emitting device 1050 and the first electrode 1020. The conductive adhesive 1060 can be formed of wiring metal paste (silver paste, tin paste) and solder. The description of the conductive adhesive 1060 is merely exemplary and the present invention is not limited thereto.

일 실시예에서, 제1전극(1020) 상에는 반도체 발광소자(1050)를 감싸도록 형성되는 절연성을 가지는 절연부재(1030)가 배치될 수 있다. 절연부재(1030)는 반도체 발광소자(1050)가 삽입되도록 형성되는 제1절연부재(1031) 및 반도체 발광소자(1050)와 제1절연부재(1031) 사이에 배치되어 상기 반도체 발광소자를 감싸도록 형성되는 제2절연부재(1032)를 포함한다. 제1절연부재(1031)와 제2절연부재(1032)는 서로 상이한 소재로 형성된다. In one embodiment, an insulating member 1030 having an insulating property, which is formed to surround the semiconductor light emitting device 1050, may be disposed on the first electrode 1020. The insulating member 1030 includes a first insulating member 1031 formed to insert the semiconductor light emitting device 1050 and a second insulating member 1033 disposed between the semiconductor light emitting device 1050 and the first insulating member 1031 so as to surround the semiconductor light emitting device. And a second insulating member 1032 which is formed. The first insulating member 1031 and the second insulating member 1032 are formed of materials different from each other.

상세하게, 제1절연부재(1031)는 불투명한 소재로 특히 자외선 영역의 광선을 흡수 또는 차단하여 자외선 영역의 광선이 제1절연부재(1031)를 통과하지 않는 소재로 형성될 수 있다. 나아가 제1절연부재(1031)는 반사도가 높은 소재로 형성되어 반도체 발광소자(1050) 사이에서 격벽 역할을 수행하면서 광원부(1000)의 발광 효율을 개선할 수도 있다.Specifically, the first insulating member 1031 may be formed of an opaque material, particularly, a material that absorbs or blocks light in the ultraviolet region so that light rays in the ultraviolet region do not pass through the first insulating member 1031. Further, the first insulating member 1031 may be formed of a material having high reflectivity to improve the luminous efficiency of the light source unit 1000 while acting as a barrier between the semiconductor light emitting devices 1050.

일 실시예에서, 제1절연부재(1031)는 광원부(1000)의 발광 효율을 개선하게 위하여 백색의 소재로 형성될 수도 있다. 제1절연부재(1031)가 백색의 소재로 형성되는 경우에는 반도체 발광소자(1050)에서 방출되는 빛을 발광면으로 효율적으로 방출될 수 있도록 할 수 있다.In one embodiment, the first insulating member 1031 may be formed of a white material to improve the luminous efficiency of the light source unit 1000. When the first insulating member 1031 is formed of a white material, light emitted from the semiconductor light emitting device 1050 can be efficiently emitted to the light emitting surface.

제2절연부재(1032)는 자외선 영역의 광선을 흡수하여 경화되는 소재로 형성될 수 있다. 상세하게, 제2절연부재(1032)는 베이스 기판(1010)과 결합된 반도체 발광소자(1050)와 제1절연부재(1031) 사이에 채워질 수 있다.The second insulating member 1032 may be formed of a material that is cured by absorbing light rays in the ultraviolet ray region. The second insulating member 1032 may be filled between the semiconductor light emitting element 1050 coupled to the base substrate 1010 and the first insulating member 1031. [

한편, 제1전극(1020) 상에 제1전극(1020)의 일부와 오버랩되는 영역에 복수의 레이어(미도시)를 더 구비할 수도 있다. 제1전극(1020) 상에서 제2절연부재(1032)와 오버랩 되는 영역은 자외선 영역의 광선을 통과하는 소재로 복수의 레이어를 더 포함할 수 있다. In addition, a plurality of layers (not shown) may be further formed on the first electrode 1020 in a region overlapping with a part of the first electrode 1020. The region overlapping the second insulating member 1032 on the first electrode 1020 may further include a plurality of layers as a material through which light rays in the ultraviolet ray region pass.

제1절연부재(1031)와 오버랩되는 영역은 자외선 영역의 광선이 통과되지 않는 소재가 더 적층될 수 있다. 상기 복수의 레이어는 반도체 발광소자(1050)와 제1전극(1020) 사이에 전기적 결합이 형성될 수 있다면 그 형태에 제한이 있는 것은 아니다.A region where light rays in the ultraviolet ray region can not pass can be further stacked in the region overlapping with the first insulating member 1031. [ The plurality of layers are not limited in their form as long as electrical coupling can be formed between the semiconductor light emitting device 1050 and the first electrode 1020.

일 실시예에서, 제1전극(1020) 상의 적어도 일부에 절연성을 가지는 레이어가 적층되어도 관통홀과 같은 구조를 통하여 제1전극(1020)과 반도체 발광소자(1050)의 제1도전형 전극(1056)과 전기적 결합을 형성할 수도 있다.The first electrode 1020 and the first conductive electrode 1056 of the semiconductor light emitting device 1050 may be formed through a structure similar to a through hole even if an insulating layer is stacked on at least a portion of the first electrode 1020. [ ) May be formed.

반도체 발광소자(1050)는 제1도전형 전극(1056), 제1도전형 전극(1056)이 형성되는 제1도전형 반도체층(1055), 제1도전형 반도체층(1055) 상에 형성된 활성층(1054), 활성층(1054) 상에 형성된 제2도전형 반도체층(1053) 및 제2도전형 반도체층(1053) 상에 형성된 제2도전형 전극(1052)를 포함한다.The semiconductor light emitting element 1050 includes a first conductive type semiconductor layer 1055 in which a first conductive type electrode 1056, a first conductive type electrode 1056 are formed, an active layer 1053 formed on the first conductive type semiconductor layer 1055, A second conductive type semiconductor layer 1053 formed on the active layer 1054 and a second conductive type electrode 1052 formed on the second conductive type semiconductor layer 1053.

제1도전형 전극(1056) 및 제1도전형 반도체층(1055)은 각각 p형 전극 및 p형 반도체층이 될 수 있으며, 상기 제2도전형 전극(1052) 및 제2도전형 반도체층(1053)은 각각 n형 전극 및 n형 반도체층이 될 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 제1도전형이 n형이 되고 제2도전형이 p형이 되는 예시도 가능하다.The first conductive type electrode 1056 and the first conductive type semiconductor layer 1055 may be a p-type electrode and a p-type semiconductor layer, respectively, and the second conductive type electrode 1052 and the second conductive type semiconductor layer 1053 may be an n-type electrode and an n-type semiconductor layer, respectively. However, the present invention is not limited thereto, and the first conductivity type may be n-type and the second conductivity type may be p-type.

일 실시예에서, 반도체 발광소자(1050)는 제1도전형 반도체층(1055)과 제2도전형 반도체층(1053)의 외면들을 덮도록 형성되는 패시베이션층(1057)을 포함한다. 예를 들어, 패시베이션층(1057)은 제1도전형 반도체층(1055)과 제2도전형 반도체층(1053)의 측면들과 하면들을 감싸도록 형성될 수 있다.The semiconductor light emitting device 1050 includes a first conductivity type semiconductor layer 1055 and a passivation layer 1057 formed to cover the outer surfaces of the second conductivity type semiconductor layer 1053. [ For example, the passivation layer 1057 may be formed to surround the side surfaces and the bottom surfaces of the first conductivity type semiconductor layer 1055 and the second conductivity type semiconductor layer 1053.

상세하게, 패시베이션층(1057)은 상기 반도체 발광소자의 측면을 감싸서, 반도체 발광소자(1050) 특성의 안정화를 기하도록 이루어지며, 절연 재질로 형성된다. 이러한 예로서, 패시베이션층(1057)은 실리콘 합성물 또는 산화물로 이루어지는 절연 박막이 될 수 있다.In detail, the passivation layer 1057 is formed to cover the side surface of the semiconductor light emitting device to stabilize the characteristics of the semiconductor light emitting device 1050, and is formed of an insulating material. As an example, the passivation layer 1057 may be an insulating thin film made of a silicon compound or oxide.

일 실시예에서, 제2도전형 전극(1052)는 제2도전형 반도체층(1053)의 일부와 오버랩되도록 형성될 수 있다. 나아가, 제2도전형 전극(1052)은 제2전극(1040)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이에, 제2전극(1040)은 반도체 발광소자(1050)의 제2도전형 전극(1056)과 전기적으로 연결되어 광원부(1000)가 작동하도록 형성될 수 있다.In one embodiment, the second conductive type electrode 1052 may be formed to overlap with a part of the second conductive type semiconductor layer 1053. Further, the second conductive electrode 1052 may be electrically connected to the second electrode 1040. The second electrode 1040 may be electrically connected to the second conductive electrode 1056 of the semiconductor light emitting device 1050 to operate the light source unit 1000.

일 실시예에서, 제1전극(1020)과 제2전극(1040)은 사이에 절연부재(1030)을 구비하여 서로 전기적으로 단락될 수 있으며, 이에, 광원부(1000)가 작동하도록 형성될 수 있다.In one embodiment, the first electrode 1020 and the second electrode 1040 may be electrically shorted to each other with an insulating member 1030 between them, and the light source unit 1000 may be formed to operate .

이와 같이 베이스 기판(1010) 상에 배치된 제1절연부재(1031) 사이에 반도체 발광소자(1050)를 삽입하여 배치하므로 반도체 발광소자(1050)의 위치 정밀도가 향상될 수 있다. 나아가, 반도체 발광소자(1050)의 위치 정밀도가 향상되므로 제조공정 상에서 불량률이 감소되어 수율이 향상된 차량용 램프의 광원부(1000)를 제조할 수 있다.Since the semiconductor light emitting element 1050 is inserted and disposed between the first insulating members 1031 disposed on the base substrate 1010, the positional accuracy of the semiconductor light emitting element 1050 can be improved. Further, since the positional accuracy of the semiconductor light emitting device 1050 is improved, the light source portion 1000 of the vehicle lamp can be manufactured with a reduced defect rate in the manufacturing process and improved yield.

이하 설명되는 다른 실시예에서는 앞선 예와 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일, 유사한 참조번호가 부여되고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음된다.In other embodiments described below, the same or similar reference numerals are given to the same or similar components as those of the preceding example, and the description is replaced with the first explanation.

도 4는 본 발명에 따른 광원부를 구비하는 차량용 램프의 다른 실시예를 나타내는 단면도이다.4 is a cross-sectional view showing another embodiment of a lamp for a vehicle having a light source unit according to the present invention.

도 4를 참조하면, 차량용 램프의 광원부는 제1전극(1020)의 일면의 반도체 발광소자(1050)가 배치되는 영역에 자성체(1061)가 형성될 수 있다. 자성체(1061)는 박막자석으로 형성될 수 있으며, 시마늄 코발트(SmCo) 또는 코발트 백금(CoPt)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수도 있다.Referring to FIG. 4, a light emitting portion of a vehicle lamp may have a magnetic body 1061 in a region where the semiconductor light emitting element 1050 on one side of the first electrode 1020 is disposed. The magnetic body 1061 may be formed of a thin film magnet, and may be formed of at least one selected from the group consisting of cobalt platinum (CoCt) and cobalt platinum (CoCt).

일 실시예에서, 자성체(1061)와 반도체 발광소자(1050)가 결합되기 위해서, 반도체 발광소자(1050)의 제1도전형 전극(1056)은 강자성(ferromagneism)을 가지는 물질로 철(Fe), 코발트(Co) 및 니켈(Ni)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수도 있다.The first conductive electrode 1056 of the semiconductor light emitting device 1050 may be formed of a material having ferromagnetism such as Fe, And may be formed of at least one selected from the group consisting of cobalt (Co) and nickel (Ni).

도 5는 본 발명에 따른 광원부를 구비하는 차량용 램프의 또 다른 실시예를 나타내는 단면도이다.5 is a cross-sectional view showing another embodiment of a vehicle lamp having a light source unit according to the present invention.

도 5를 참조하면, 차량용 램프의 광원부는 베이스 기판(1010)과 제1절연부재(1031) 사이에 반사층(1021)을 더 포함할 수 있다. 반사층(1021)은 반사도가 높은 알루미늄(Al), 은(Ag) 및 금(Au) 중 어느 하나 이상을 포함하는 층을 더 포함할 수 있다. 나아가, 반사도가 높은 무기 절연층 또는 유기층을 복수의 레이어로 형성할 수도 있다. 이에, 반사층(1021)에 의하여 반도체 발광소자(1050)에서 방출되는 광을 반사시켜 발광면으로 광을 방출할 수 있으므로 발광효율이 향상될 수도 있다.Referring to FIG. 5, the light source unit of the vehicle lamp may further include a reflection layer 1021 between the base substrate 1010 and the first insulating member 1031. The reflective layer 1021 may further include a layer containing at least one of aluminum (Al), silver (Ag), and gold (Au) having high reflectivity. Furthermore, an inorganic insulating layer or an organic layer having high reflectivity may be formed of a plurality of layers. Therefore, the light emitted from the semiconductor light emitting device 1050 can be reflected by the reflection layer 1021 to emit light to the light emitting surface, thereby improving the light emitting efficiency.

도 6은 본 발명에 따른 광원부를 구비하는 차량용 램프의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.6 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing a lamp for a vehicle having a light source unit according to the present invention.

도 6을 참조하면, 도 6의 (a) 내지 (h)의 단계를 따른다. Referring to FIG. 6, steps (a) to (h) of FIG. 6 are followed.

일 실시예에서, (a)단계에서 자외선 영역의 광선을 투과하는 베이스 기판(1010)에 자와선 영역의 광선을 투과할 수 있는 제1전극(1020)을 배치시킨다.In one embodiment, in step (a), a first electrode 1020 capable of transmitting light rays in a sub-wavenumber region is disposed on a base substrate 1010 through which light rays in the ultraviolet region are transmitted.

(b)단계에서는 절연성을 가지는 제1절연부재(1031)를 배치한다. 상세하게, 제1절연부재(1031)는 반도체 발광소자(1050)가 삽입되도록 제1전극(1020) 상의 적어도 일부에 배치될 수 있다. 나아가, (b)단계에서는 제1전극(1020) 상에 제1절연부재(1031)의 타면과 오버랩되는 영역에 반사층을 배치하는 단계를 더 포함할 수 있다.(b), a first insulating member 1031 having an insulating property is disposed. In detail, the first insulating member 1031 may be disposed on at least a portion of the first electrode 1020 so that the semiconductor light emitting device 1050 is inserted. In addition, in the step (b), a step of disposing a reflective layer on the first electrode 1020 in a region overlapping the other surface of the first insulating member 1031 may be further included.

(c)단계에서는 제1전극(1020) 상의 제1절연부재(1031)가 배치되지 않은 영역에 전도성 접착제(1060) 배치하고, (d)단계에서는 반도체 발광소자(1050)를 물리적 및 전기적으로 제1전극(1020)과 연결되도록 배치할 수 있다.the conductive adhesive 1060 is disposed in a region where the first insulating member 1031 is not disposed on the first electrode 1020 in step (c), and the semiconductor light emitting device 1050 is physically and electrically 1 electrode 1020 of the first embodiment.

(e)단계에서는 제1절연부재(1031) 및 반도체 발광소자(1050) 사이에 자외선 영역의 파장을 흡수하여 경화가 가능한 소재로 형성되는 미경화 제2절연부재(1032a)를 충전할 수 있다.In the step (e), the uncured second insulating member 1032a formed of a material capable of curing by absorbing the wavelength of the ultraviolet region may be filled between the first insulating member 1031 and the semiconductor light emitting device 1050.

(f)단계에서는 베이스 기판(1010)의 타면에서 자외선 영역을 포함하는 광선을 조사하여 미경화 제2절연부재(1032a)를 경화시킬 수 있다. 상세하게, 자외선 영역의 광선을 통과시키지 못하는 제1절연부재(1031) 및 반도체 발광소자(1050) 상에 도포된 미경화 제2절연부재(1032a)는 경화되지 않고, 제1절연부재(1031) 및 반도체 발광소자(1050) 사이에 자외선 영역의 파장을 흡수한 미경화 제2절연부재(1032a)는 경화될 수 있다. 이에, 미경화 제2절연부재(1032a)는 경화되어 반도체 발광소자(1050)를 감싸도록 형성되는 제2절연부재(1032)로 변환될 수 있다.In the step (f), the uncured second insulating member 1032a may be cured by irradiating a light beam including an ultraviolet region on the other surface of the base substrate 1010. [ In detail, the first insulating member 1031 which can not pass the rays in the ultraviolet ray region and the uncured second insulating member 1032a coated on the semiconductor light emitting element 1050 are not cured, and the first insulating member 1031, Curing second insulating member 1032a absorbing the wavelength of the ultraviolet ray region between the semiconductor light emitting element 1050 and the semiconductor light emitting element 1050 can be cured. Thus, the uncured second insulating member 1032a may be converted into a second insulating member 1032 which is cured and formed to surround the semiconductor light emitting device 1050.

(g)단계에서는 미경화된 제1절연부재(1031) 및 반도체 발광소자(1050) 상에 도포된 제2절연부재(1032a)를 제거할 수 있다.In the step (g), the uncured first insulating member 1031 and the second insulating member 1032a coated on the semiconductor light emitting element 1050 can be removed.

(h)단계에서는 반도체 발광소자(1050)와 전기적으로 연결되도록 형성된 제2도전형 전극(1052)을 배치하는 단계를 포함하여 광원부를 구비하는 차량용 램프를 제조할 수 있다.(h), a step of disposing a second conductive electrode 1052 formed to be electrically connected to the semiconductor light emitting device 1050 may be performed to manufacture a vehicle lamp having the light source unit.

전술된 제조방법을 따르면, 반도체 발광소자(1050)를 베이스 기판(1010) 및 제1전극(1020) 상에 배치 및 고정하기 위해서 제1절연부재(1031)와 반도체 발광소자(1050) 사이에 자외선 영역의 광선을 흡수하여 경화될 수 있는 미경화 제2절연부재(1032a)를 충전한다. 이어서, 미경화 제2절연부재(1032a)에 자외선 영역의 광선을 조사하여 제2절연부재(1032)를 형성하여 반도체 발광소자를 고정시키므로 반도체 발광소자의 배치에 별도의 마스크 공정이 필요로 하지 않으므로 제조원가가 절감됨 차량용 램프 및 차량용 램프의 제조방법을 제공할 수 있다.According to the manufacturing method described above, ultraviolet light (ultraviolet light) is injected between the first insulating member 1031 and the semiconductor light emitting element 1050 in order to arrange and fix the semiconductor light emitting element 1050 on the base substrate 1010 and the first electrode 1020. [ Curing second insulating member 1032a that can be cured by absorbing the light of the region. Next, since the second insulating member 1032 is formed by irradiating the uncured second insulating member 1032a with light rays in the ultraviolet ray region, the semiconductor light emitting element is fixed, so that no separate mask process is required for disposing the semiconductor light emitting elements The manufacturing cost can be reduced. A method of manufacturing a vehicle lamp and a vehicle lamp can be provided.

이하 설명되는 다른 실시예의 제조방법에서는 앞선 예와 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일, 유사한 참조번호가 부여되고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음된다.In the manufacturing method of another embodiment described below, the same or similar reference numerals are given to the same or similar components as those of the preceding example, and the description thereof is replaced with the first explanation.

도 7 내지 도 8은 본 발명의 따른 광원부를 구비하는 차량용 램프의 다른 실시예의 제조방법을 나타내는 단면도이다.7 to 8 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a lamp for a vehicle having a light source unit according to another embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, (c)단계에서 제1전극(1020)의 일면의 반도체 발광소자(1050)가 배치되는 영역에 자성체(1061)가 패턴을 이루며 형성될 수 있다. 자성체(1061)는 박막자석으로 형성될 수 있으며, 시마늄 코발트(SmCo) 또는 코발트 백금(CoPt)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수도 있다.Referring to FIG. 7, in step (c), a magnetic substance 1061 may be patterned in a region where the semiconductor light emitting device 1050 is disposed on one side of the first electrode 1020. The magnetic body 1061 may be formed of a thin film magnet, and may be formed of at least one selected from the group consisting of cobalt platinum (CoCt) and cobalt platinum (CoCt).

(d)단계에서, 자성체(1061)와 반도체 발광소자(1050)가 결합되기 위해서, 반도체 발광소자(1050)의 제1도전형 전극(1056)은 강자성(ferromagneism)을 가지는 물질로 철(Fe), 코발트(Co) 및 니켈(Ni)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수도 있다. 이에, 제1전극(1020)과 반도체 발광소자(1050)가 자기력으로 부착되어 전기적으로 연결될 수 있다.the first conductive type electrode 1056 of the semiconductor light emitting element 1050 is made of a material having ferromagnetism and is made of iron (Fe), for example, in order to couple the magnetic substance 1061 and the semiconductor light emitting device 1050 in step (d) , Cobalt (Co), and nickel (Ni). Accordingly, the first electrode 1020 and the semiconductor light emitting device 1050 can be magnetically attached and electrically connected.

후속되는 제2절연부재(1032)를 형성하기 위한 (e)단계 내지 (g)단계를 통하여 반도체 발광소자(1050)는 영구적으로 제1전극(1020)에 결합될 수 있다. 이에, 광원부를 구비하는 차량용 램프를 제조할 수 있다.The semiconductor light emitting device 1050 may be permanently coupled to the first electrode 1020 through steps (e) to (g) for forming the subsequent second insulating member 1032. Thus, a lamp for a vehicle having a light source portion can be manufactured.

한편, 도 8을 참조하면, (b)단계에서 절연층(1070)이 더 배치된다. 절연층(1070)은 자외선 영역을 광선을 투과할 수 있는 소재로 이루어 질 수 있다. Referring to FIG. 8, an insulating layer 1070 is further disposed in step (b). The insulating layer 1070 may be made of a material capable of transmitting light rays in an ultraviolet ray region.

(c)단계에서는 절연층(1070) 상에 배선(1062)을 형성할 수 있다. 제1전극(1020)과 배선(1062)에 교류 또는 직류 전압이 인가되어 국부적으로 형성되는 전기장이 형성될 수 있다. In the step (c), the wiring 1062 may be formed on the insulating layer 1070. An electric field may be formed in which an AC or DC voltage is applied to the first electrode 1020 and the wiring 1062 to locally form the electrode.

(d)단계에서는 상기 전기장에 의하여 유도 자기력이 형성되면서, 유도 자기력에 의해 부착될 수 있는 소재로 이루어지는 제1도전형 전극(1056)과 배선(1062)이 물리적 및 전기적으로 연결될 수 있다. 나아가, 반도체 발광소자(1050)가 배선(1062)에 배치된 다음 제1전극(1020)과 배선(1062)이 서로 전기적으로 연결될 수 있도록 비아 홀을 형성할 수 있다. 상세하게, 상기 비아 홀에 도전물질을 채움으로써 제1전극(1020)과 배선(1062)의 전기적인 결합이 형성될 수 있다.In step (d), the induction magnetic force is generated by the electric field, and the first conductive type electrode 1056 made of a material attachable by the induction magnetic force and the wiring 1062 can be physically and electrically connected. Further, a via hole may be formed so that the semiconductor light emitting element 1050 is disposed on the wiring 1062, and then the first electrode 1020 and the wiring 1062 are electrically connected to each other. In detail, electrical connection between the first electrode 1020 and the wiring 1062 can be formed by filling the via hole with a conductive material.

후속되는 제2절연부재(1032)를 형성하기 위한 (e)단계 내지 (g)단계를 통하여 반도체 발광소자(1050)는 영구적으로 고정될 수 있다. 이에, 광원부를 구비하는 차량용 램프를 제조할 수 있다.The semiconductor light emitting device 1050 may be permanently fixed through steps (e) to (g) for forming the subsequent second insulating member 1032. [ Thus, a lamp for a vehicle having a light source portion can be manufactured.

이상에서 설명한 반도체 발광소자를 이용한 차량용 램프는 위에서 설명된 실시예들의 구성과 방법에 한정되는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.The above-described vehicle lamp using the semiconductor light emitting device is not limited to the configuration and method of the embodiments described above, but the embodiments may be configured such that all or a part of the embodiments are selectively combined so that various modifications can be made It is possible.

Claims (10)

빛을 발광하는 광원부를 구비하는 차량용 램프에 있어서,
상기 광원부는
자외선 영역의 광선을 투과하는 베이스 기판;
상기 베이스 기판의 일면에 배치되는 제1전극;
상기 제1전극의 일면에 배치되는 반도체 발광소자;
상기 반도체 발광소자를 감싸도록 형성되는 절연부재; 및
상기 절연부재의 일면에 배치되는 제2전극을 구비하고,
상기 절연부재는,
상기 반도체 발광소자가 삽입되도록 형성되는 제1절연부재 및 상기 반도체 발광소자와 상기 제1절연부재 사이에 배치되어 상기 반도체 발광소자를 감싸도록 형성되는 제2절연부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 차량용 램프.1. A vehicle lamp having a light source portion for emitting light,
The light source unit
A base substrate through which light rays in an ultraviolet ray region pass;
A first electrode disposed on one surface of the base substrate;
A semiconductor light emitting element disposed on one surface of the first electrode;
An insulating member formed to surround the semiconductor light emitting device; And
And a second electrode disposed on one surface of the insulating member,
Wherein the insulating member
And a second insulating member disposed between the semiconductor light emitting device and the first insulating member so as to surround the semiconductor light emitting device, wherein the first insulating member is formed to be inserted into the semiconductor light emitting device, . 제1항에 있어서,
상기 제1전극은 자외선 영역의 광선을 투과하는 것을 특징으로 하는 차량용 램프.The method according to claim 1,
Wherein the first electrode transmits light rays in an ultraviolet ray region. 제1항에 있어서,
상기 제1절연부재와 상기 제2절연부재는 서로 상이한 소재로 형성되고,
상기 제1절연부재는 불투명한 소재이고, 상기 제2절연부재는 자외선 영역의 광선을 흡수하여 경화되는 소재로 형성되는 것을 특징으로 하는 차량용 램프.The method according to claim 1,
Wherein the first insulating member and the second insulating member are formed of materials different from each other,
Wherein the first insulating member is an opaque material and the second insulating member is formed of a material that absorbs light rays in an ultraviolet ray region and hardens. 제1항에 있어서,
상기 베이스 기판 및 상기 제1절연부재 사이에 반사층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 차량용 램프.The method according to claim 1,
Further comprising a reflective layer between the base substrate and the first insulating member. 자외선 영역의 광선을 투과하는 베이스 기판 상에 제1전극을 배치하는 단계;
상기 제1전극 상의 적어도 일부에 형성되고, 반도체 발광소자가 삽입되도록 형성되는 제1절연부재를 배치하는 단계;
상기 제1전극과 상기 반도체 발광소자를 전기적으로 연결시키고, 상기 제1절연부재 사이에 상기 반도체 발광소자를 배치하는 단계;
상기 제1절연부재 및 상기 반도체 발광소자 사이에 자외선 영역의 광선을 흡수하여 경화가 가능한 소재로 형성되는 제2절연부재를 충전하는 단계;
상기 베이스 기판 방향에서 자외선 영역을 포함하는 광선을 조사하여 상기 제2절연부재를 경화시키는 단계; 및
상기 반도체 발광소자와 전기적으로 연결되도록 형성된 제2전극을 배치하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 차량용 램프의 제조방법.Disposing a first electrode on a base substrate that transmits light rays in an ultraviolet region;
Disposing a first insulating member formed on at least a portion of the first electrode, the first insulating member being formed to be inserted into the semiconductor light emitting device;
Electrically connecting the first electrode and the semiconductor light emitting device, and disposing the semiconductor light emitting device between the first insulating members;
Filling a second insulating member formed of a material capable of being cured by absorbing a light ray in an ultraviolet ray region between the first insulating member and the semiconductor light emitting device;
Irradiating a light beam including an ultraviolet ray region in the direction of the base substrate to cure the second insulating member; And
And disposing a second electrode formed to be electrically connected to the semiconductor light emitting device. 제5항에 있어서,
상기 제1전극 상에 제1절연부재의 타면과 오버랩되는 영역에 반사층을 배치하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 차량용 램프의 제조방법.6. The method of claim 5,
Further comprising the step of disposing a reflective layer on the first electrode in a region overlapping the other surface of the first insulating member. 제5항에 있어서,
상기 반도체 발광소자를 배치하는 단계에서는,
상기 제1전극 상에 금속 페이스트 및 솔더를 배치하여, 상기 제1전극과 상기 반도체 발광소자가 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 차량용 램프의 제조방법.6. The method of claim 5,
In the step of disposing the semiconductor light emitting element,
Wherein a metal paste and a solder are disposed on the first electrode so that the first electrode and the semiconductor light emitting device are electrically connected to each other. 제5항에 있어서,
상기 반도체 발광소자를 배치하는 단계에서는,
상기 제1전극 상에 자성체를 배치하여, 상기 제1전극과 상기 반도체 발광소자가 자기력으로 부착되어 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 차량용 램프의 제조방법.6. The method of claim 5,
In the step of disposing the semiconductor light emitting element,
Wherein a magnetic substance is disposed on the first electrode so that the first electrode and the semiconductor light emitting device are magnetically attached and electrically connected to each other. 제5항에 있어서,
상기 반도체 발광소자를 배치하는 단계에서는,
상기 제1전극 상에 유도 자기력을 생성하도록 형성된 배선을 배치하여, 상기 제1전극과 상기 반도체 발광소자가 상기 배선에서 형성된 유도 자기력으로 부착되어 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 차량용 램프의 제조방법.6. The method of claim 5,
In the step of disposing the semiconductor light emitting element,
Wherein the first electrode and the semiconductor light emitting element are electrically connected to each other by an induction magnetic force formed in the wiring, the first electrode and the semiconductor light emitting element being arranged to generate an induced magnetic force on the first electrode. 제9항에 있어서,
상기 제1전극과 상기 배선 사이의 적어도 일부에 절연층을 배치하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 차량용 램프의 제조방법.10. The method of claim 9,
Further comprising disposing an insulating layer on at least a part between the first electrode and the wiring.
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