KR20190080293A - Organic light emitting display device and method of manufacturing the same - Google Patents

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KR20190080293A
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Abstract

The present invention relates to an organic light emitting display device having improved light extraction efficiency, and a method of manufacturing the same. A first insulating layer having a plurality of micro lens arrays is formed in a light emitting region of a substrate, and an active layer having a plurality of micro lens arrays with the same shape as that of the first insulating layer is formed by using the same material as an active layer forming an operation channel of a thin film transistor in a non-light emitting region on the first insulating layer of the light emitting region. The material used for the active layer may improve luminous efficiency by using a material having a larger refractive index than the first insulating layer.

Description

유기발광 표시장치 및 그 제조방법{Organic light emitting display device and method of manufacturing the same}[0001] The present invention relates to an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same,

본 발명은 유기발광 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 광추출 효율이 향상된 유기발광 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an organic light emitting display having improved light extraction efficiency and a method of manufacturing the same.

유기발광 표시장치는 자체 발광형 표시장치로서, 액정 표시장치와는 달리 별도의 광원이 필요하지 않아 경량 박형으로 제조 가능하다. 또한, 유기발광 표시장치는 저전압 구동에 의해 소비 전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 색상 구현, 응답 속도, 시야각, 명암 대비비(contrast ratio; CR)도 우수하여, 차세대 디스플레이로서 연구되고 있다.The organic light emitting display device is a self-emission type display device, unlike a liquid crystal display device, a separate light source is not required, and thus it can be manufactured in a light and thin shape. Further, the organic light emitting display device is not only advantageous from the viewpoint of power consumption by low voltage driving, but also excellent in color implementation, response speed, viewing angle, and contrast ratio (CR), and is being studied as a next generation display.

유기발광 표시장치의 유기발광층에서 발광된 광은 유기발광 표시장치의 여러 구성요소들을 통과하여 유기발광 표시장치 외부로 나오게 된다. 그러나 유기 발광층에서 발광된 광 중 유기발광 표시장치 외부로 나오지 못하고 유기발광 표시장치 내부에 갇히는 광들이 존재하게 되어, 유기발광 표시장치의 광 추출 효율이 문제가 된다.The light emitted from the organic light emitting layer of the organic light emitting display passes through the various components of the organic light emitting display and is emitted to the outside of the organic light emitting display. However, among the light emitted from the organic light emitting layer, light that is trapped inside the organic light emitting display device can not be emitted to the outside of the organic light emitting display device, so that the light extraction efficiency of the organic light emitting display device becomes a problem.

특히, 유기발광 표시장치 중 하부발광 구조의 유기발광 표시장치에서 애노드 전극에 의해 전반사 또는 광 흡수가 일어나 상기 유기발광 표시장치 내부에 갇히는 광은 유기발광층에서 발광된 광 중 약 50%이고, 기판에 의해 전반사 또는 광흡수가 일어나 유기발광 표시장치 내부에 갇히는 광은 유기발광층에서 발광된 광 중 약 30%정도이다. 이와 같이, 유기발광층에서 발광된 광 중 약 80%의 광이 유기발광 표시장치 내부에 갇히게 되고, 약 20%의 광만이 외부로 추출되므로 광 효율이 매우 낮다.Particularly, in the organic light emitting diode display of the organic light emitting diode display, total light or total light absorption by the anode electrode in the organic light emitting diode display device is confined in the organic light emitting diode display, the light emitted from the organic light emitting layer is about 50% The total reflection or light absorption occurs and the light trapped in the organic light emitting display device is about 30% of the light emitted from the organic light emitting layer. As described above, about 80% of the light emitted from the organic light emitting layer is confined in the organic light emitting display device, and only about 20% of the light is extracted to the outside, so that the light efficiency is very low.

이러한 유기발광 표시장치의 광 추출 효율을 향상시키기 위해, 유기발광 표시장치의 기판 외측에 마이크로 렌즈 어레이(micro lens array; MLA)를 부착하거나, 유기발광 표시장치의 발광 영역 부분의 오버코트층(101)와 화소전극(102)에 마이크로 렌즈를 형성하는 방법이 제안되고 있다. 그러나, 유기발광 표시장치의 기판 외측에 마이크로 렌즈 어레이를 도입하거나, 오버코트층에 마이크로 렌즈를 형성함에도 불구하고, 소자 안에 갇히는 광이 많음으로써, 외부로 추출되는 광량이 적은 문제가 있다. 또한, 상기 마이크로 렌즈 상부에 유기발광층을 형성하는 공정이 복잡하여 제조 수율이 낮은 문제점이 있다.In order to improve the light extraction efficiency of such an OLED display, a micro lens array (MLA) is attached to the outside of the substrate of the OLED display, or the overcoat layer 101 of the emission region of the OLED display And a method of forming microlenses on the pixel electrode 102 have been proposed. However, even though a microlens array is introduced outside the substrate of the organic light emitting display device or a microlens is formed in the overcoat layer, there is a problem that the amount of light extracted to the outside is small due to a lot of light trapped in the device. Further, the process of forming the organic light emitting layer on the microlenses is complicated and the manufacturing yield is low.

본 발명은 발광 효율을 향상시킬 수 있는 유기발광 표시장치 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same that can improve light emitting efficiency.

본 발명의 다른 목적은 마이크로 렌즈 어레이 기능을 가지면서 박막트랜지스터 상부의 구조물을 평탄화할 수 있는 유기발광 표시장치 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide an organic light emitting display device having a microlens array function and planarizing a structure above a thin film transistor, and a method of manufacturing the same.

이러한 목적들을 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기발광 표시장치는 발광 영역 및 비발광 영역으로 구분되는 기판; 상기 기판 상에 배치되고, 상기 발광 영역에 다수의 마이크로 렌즈 어레이를 구비하는 제1 절연층; 및 상기 제1 절연층 상에 배치되고, 상기 비발광 영역에서 박막트랜지스터의 동작 채널을 형성하고, 상기 발광 영역에서 상기 제1 절연층의 형상과 동일한 형상의 다수의 마이크로 렌즈 어레이를 구비하는 액티브층을 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an OLED display comprising: a substrate divided into a light emitting region and a non-emitting region; A first insulating layer disposed on the substrate, the first insulating layer including a plurality of microlens arrays in the light emitting region; And an active layer disposed on the first insulating layer to form an operation channel of the thin film transistor in the non-emitting region, the active layer including a plurality of microlens arrays having the same shape as the first insulating layer in the emitting region, And a control unit.

본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 상기 제1 절연층과 액티브층의 마이크로 렌즈 어레이는 함몰부와 돌출부가 교번하여 배치되는 것이 바람직하다.The microlens array of the first insulating layer and the active layer of the organic light emitting display according to the present invention is preferably arranged such that the depressions and protrusions are alternated.

본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 상기 제1 절연층과 상기 액티브층의 마이크로 렌즈 어레이는 서로 다른 굴절율을 갖는 물질로 이루어지는 것이 바람직하다.It is preferable that the first insulating layer and the microlens array of the active layer of the organic light emitting display according to the present invention are made of materials having different refractive indices.

본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 상기 액티브층의 마이크로 렌즈 어레이의 굴절율은 상기 제1 절연층의 굴절율보다 큰 것을 특징으로 한다.The refractive index of the microlens array of the active layer of the organic light emitting display according to the present invention is larger than the refractive index of the first insulating layer.

본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 상기 액티브층은 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), 산화물반도체, 비정질 실리콘(a-Si) 및 다결정 실리콘(Poly-Si) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.The active layer of the OLED display according to the present invention may be formed of any one of IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide), oxide semiconductor, amorphous silicon (a-Si), and polycrystalline silicon (Poly-Si).

본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 상기 액티브층 상부에 제2 절연층을 사이에 두고 형성된 게이트 전극과, 층간절연층(inter layer dielectric)에 형성된 컨택홀을 통해 상기 액티브층에 접촉하는 소스 및 드레인 전극을 포함하여 형성되는 박막트랜지스터; 상기 박막트랜지스터 상부에 형성되는 보호층(passivation layer); 상기 보호층의 상부에 형성되는 상기 오버코트층(over coat layer); 상기 오버코트상에 배치되는 발광 영역 전체와 비발광 영역의 일부분에 배치되는 제1 전극; 발광층을 포함하는 복수의 유기층으로 이루어져 상기 제1 전극상에 배치되고, 발광 영역에서 평탄하게 이루어지는 유기발광층; 및 상기 유기발광층 상에서 상기 발광 영역 및 비발광 영역 전체에 배치되는 제2 전극을 더 포함한다.A gate electrode formed above the active layer of the organic light emitting diode display according to the present invention with a second insulating layer interposed therebetween, a source and a drain in contact with the active layer through contact holes formed in an interlayer dielectric, A thin film transistor including an electrode; A passivation layer formed on the thin film transistor; An overcoat layer formed on the protective layer; A first electrode disposed on a part of the entire light emitting region and the non-light emitting region disposed on the overcoat; An organic light emitting layer made of a plurality of organic layers including a light emitting layer and disposed on the first electrode, the organic light emitting layer being flat in the light emitting region; And a second electrode disposed over the light emitting region and the non-emitting region on the organic light emitting layer.

본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 상기 발광 영역에서 기판과 오버코트층 사이에 컬러필터층이 더 배치될 수 있다.A color filter layer may be further disposed between the substrate and the overcoat layer in the light emitting area of the organic light emitting diode display according to the present invention.

본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 상기 기판과 제1 절연층의 사이에 차광층(Light shield layer)을 더 포함할 수 있다.The organic light emitting diode display according to the present invention may further include a light shield layer between the substrate and the first insulating layer.

본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 제조방법은 발광 영역 및 비발광 영역으로 구분되는 기판 상에 상기 발광 영역에 다수의 마이크로 렌즈 어레이를 구비하는 제1 절연층을 형성하는 단계; 및 상기 제1 절연층 상에 배치하되, 상기 발광 영역의 제1 절연층 상부에 다수의 마이크로 렌즈 어레이를 구비하는 액티브층을 형성하는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic light emitting diode display, comprising: forming a first insulating layer on a substrate divided into a light emitting region and a non-emitting region, the first insulating layer including a plurality of microlens arrays in the light emitting region; And forming an active layer disposed on the first insulating layer, the active layer including a plurality of microlens arrays on the first insulating layer of the light emitting region.

본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 제조방법은 상기 제1 절연층과 상기 액티브층의 마이크로 렌즈 어레이는 포토 레지스트를 사용하여 건식이나 습식 식각 공정 또는 애슁(ashing) 공정으로 형성될 수 있다.In the method of manufacturing an organic light emitting diode display according to the present invention, the microlens array of the first insulating layer and the active layer may be formed by dry etching, wet etching, or ashing using photoresist.

본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 제조방법은 상기 액티브층 상의 비발광 영역에 박막트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 박막트랜지스터 상부에 발광 영역과 비발광 영역 전체에 오버코트층을 형성하는 단계; 상기 오버코트상에 배치되는 발광 영역 전체와 비발광 영역의 일부분에 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극상에 배치하되, 발광층을 포함하는 복수의 유기층으로 이루어지고, 상기 발광 영역에 유기발광층을 평탄하게 형성하는 단계; 및 상기 유기발광층 상에 상기 발광 영역 및 비발광 영역 전체에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어질 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic light emitting diode display, including: forming a thin film transistor in a non-emission region on the active layer; Forming an overcoat layer over the light emitting region and the non-light emitting region over the thin film transistor; Forming a first electrode on a part of the entire light emitting region and the non-light emitting region disposed on the overcoat; Forming an organic light emitting layer on the first electrode, the organic light emitting layer including a plurality of organic layers including a light emitting layer; And forming a second electrode over the light emitting region and the non-emitting region on the organic light emitting layer.

본 발명에 따른 유기발광 표시장치 및 그 제조방법은 다음과 같은 효과를 나타낼 수 있다.INDUSTRIAL APPLICABILITY The organic light emitting diode display and the method of manufacturing the same according to the present invention can exhibit the following effects.

첫째, 마이크로 렌즈 어레이를 이용함으로써 발광 효율을 향상시킬 수 있다.First, the luminous efficiency can be improved by using a microlens array.

둘째, 마이크로 렌즈 어레이 기능을 가지면서 박막트랜지스터 상부의 구조물을 평탄화할 수 있는 유기발광 표시장치 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.Secondly, it is an object of the present invention to provide an organic light emitting display device having a microlens array function and planarizing a structure above a thin film transistor, and a method of manufacturing the same.

도 1은 오버코트층에 마이크로 렌즈 어레이를 적용한 기술에 따른 유기발광 표시장치의 예시도이다.
도 2는 본 발명에 따른 유기발광 표시장치를 간략하게 나타낸 예시도이다.
도 3은 본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 구성을 나타낸 예시도이다.
도 4는 본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 제조 방법을 나타낸 흐름도이다.
도 5a 내지 도 5l은 본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 제조 과정을 나타낸 예시도이다.
도 6a와 도 6b는 산화실리콘과 인듐갈륨아연 산화물(IGZO)의 굴절율을 나타낸 실험 그래프 예시도이다.
도 7은 본 발명을 적용한 경우의 휘도 실험 그래프 예시도이다.1 is an exemplary view of an organic light emitting display according to a technique in which a microlens array is applied to an overcoat layer.
2 is a schematic view illustrating an OLED display according to an embodiment of the present invention.
3 is a diagram illustrating an exemplary configuration of an OLED display according to an embodiment of the present invention.
4 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an OLED display according to an embodiment of the present invention.
5A to 5L illustrate a process of fabricating an OLED display according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 6A and 6B are graphs showing an experimental graph showing the refractive indices of silicon oxide and indium gallium zinc oxide (IGZO). FIG.
FIG. 7 is a graph showing an example of a luminance experiment graph when the present invention is applied.

본문에 개시되어 있는 본 발명의 실시 예들에 대해서, 특정한 구조적 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 실시 예를 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로, 본 발명의 실시 예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본문에 설명된 실시 예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다.For specific embodiments of the invention disclosed herein, specific structural and functional descriptions are set forth for the purpose of describing an embodiment of the invention only, and it is to be understood that the embodiments of the invention may be embodied in various forms, And should not be construed as limited to the embodiments described.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.The present invention is capable of various modifications and various forms, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the text. It is to be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular forms disclosed, but on the contrary, is intended to cover all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components are not limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 없는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.It is to be understood that when an element is referred to as being "connected" or "connected" to another element, it may be directly connected or connected to the other element, . On the other hand, when an element is referred to as being "directly connected" or "directly connected" to another element, it should be understood that there are no other elements in between. Other expressions that describe the relationship between components, such as "between" and "between" or "neighboring to" and "directly adjacent to" should be interpreted as well.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함한다" 또는 "가진다" 등의 용어는 개시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, the terms "comprises ", or" having ", and the like, are intended to specify the presence of stated features, integers, But do not preclude the presence or addition of steps, operations, elements, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 나타낸다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 나타내는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be construed to indicate meaning consistent with the meaning of the context in the relevant art and are to be construed as either ideal or overly formal in meaning unless expressly defined in the present application Do not.

한편, 어떤 실시 예가 달리 구현 가능한 경우에 특정 블록 내에 명기된 기능 또는 동작이 흐름도에 명기된 순서와 다르게 일어날 수도 있다. 예를 들어, 연속하는 두 블록이 실제로는 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 관련된 기능 또는 동작에 따라서는 상기 블록들이 거꾸로 수행될 수도 있다.On the other hand, if an embodiment is otherwise feasible, the functions or operations specified in a particular block may occur differently than the order specified in the flowchart. For example, two consecutive blocks may actually be performed at substantially the same time, and depending on the associated function or operation, the blocks may be performed backwards.

소자(element) 또는 층이 다른 소자 또는 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않는 것을 나타낸다.It will be understood that when an element or layer is referred to as being another element or "on" or "on ", it includes both intervening layers or other elements in the middle, do. On the other hand, when a device is referred to as "directly on" or "directly above ", it does not intervene another device or layer in the middle.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below, beneath)", "하부 (lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작 시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓일 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다.The terms spatially relative, "below," "lower," "above," "upper," and the like, And may be used to easily describe the correlation with other elements or components. Spatially relative terms should be understood to include, in addition to the orientation shown in the drawings, terms that include different orientations of the device during use or operation. For example, when inverting an element shown in the figures, an element described as "below" or "beneath" of another element may be placed "above" another element. Thus, the exemplary term "below" can include both downward and upward directions.

또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다.In describing the components of the present invention, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used. These terms are intended to distinguish the components from other components, and the terms do not limit the nature, order, order, or number of the components.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예들을 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 2은 본 실시예들에 따른 표시장치의 개략적인 시스템 구성도이다. 도 2을 참조하면, 본 실시예들에 따른 표시장치(100)는 다수의 데이터 라인(DL1~DLm) 및 다수의 게이트 라인(GL1~GLn)이 배치되고, 다수의 서브픽셀(Sub Pixel)이 배치된 표시패널(110), 다수의 데이터 라인(DL1~DLm)을 구동하는 데이터 구동부(130), 다수의 게이트 라인(GL1~GLn)을 구동하는 게이트 구동부(120), 데이터 구동부(130) 및 게이트 구동부(120)를 제어하는 타이밍 컨트롤러(140) 등을 포함한다.2 is a schematic system configuration diagram of a display device according to the present embodiments. Referring to FIG. 2, the display device 100 according to the present embodiment includes a plurality of data lines DL1 to DLm and a plurality of gate lines GL1 to GLn, and a plurality of sub pixels A data driver 130 for driving the plurality of data lines DL1 to DLm, a gate driver 120 for driving the plurality of gate lines GL1 to GLn, a data driver 130, A timing controller 140 for controlling the gate driver 120, and the like.

상기 데이터 구동부(130)는 다수의 데이터 라인으로 데이터 전압을 공급함으로써 다수의 데이터 라인을 구동한다. 그리고, 상기 게이트 구동부(120)는 다수의 게이트 라인으로 스캔 신호를 순차적으로 공급함으로써, 다수의 게이트 라인을 순차적으로 구동한다.The data driver 130 drives a plurality of data lines by supplying data voltages to the plurality of data lines. The gate driver 120 sequentially supplies the scan signals to the plurality of gate lines, thereby sequentially driving the plurality of gate lines.

또한, 상기 타이밍 컨트롤러(140)는 상기 데이터 구동부(130) 및 게이트 구동부(120)로 제어신호를 공급함으로써 데이터 구동부(130) 및 게이트 구동부(120)를 제어한다. 이러한 타이밍 컨트롤러(140)는 각 프레임에서 구현하는 타이밍에 따라 스캔을 시작하고, 외부에서 입력되는 입력 영상 데이터를 데이터 구동부(130)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 전환하여 전환된 영상 데이터를 출력하고, 스캔에 맞춰 적당한 시간에 데이터 구동을 통제한다.The timing controller 140 controls the data driver 130 and the gate driver 120 by supplying a control signal to the data driver 130 and the gate driver 120. The timing controller 140 starts scanning according to the timing implemented in each frame, switches the input image data input from the outside according to the data signal format used by the data driver 130, and outputs the converted image data , And controls the data driving at a suitable time according to the scan.

상기 게이트 구동부(120)는 상기 타이밍 컨트롤러(140)의 제어에 따라 온(On) 전압 또는 오프(Off) 전압의 스캔 신호를 다수의 게이트 라인으로 순차적으로 공급하여 다수의 게이트 라인을 순차적으로 구동한다. 또한, 상기 게이트 구동부(120)는 구동 방식이나 표시패널 설계 방식 등에 따라서, 도 2에 나타낸 바와 같이, 표시패널(110)의 일 측에만 위치할 수도 있고, 경우에 따라서는 양측에 위치할 수도 있다.The gate driver 120 sequentially applies a scan signal of an On voltage or an Off voltage to a plurality of gate lines and sequentially drives a plurality of gate lines under the control of the timing controller 140 . 2, the gate driver 120 may be located only on one side of the display panel 110 or on both sides depending on the driving method, the display panel designing method, and the like .

또한, 상기 게이트 구동부(120)는 하나 이상의 게이트 구동부 집적회로(Gate Driver Integrated Circuit)를 포함할 수 있다. 각 게이트 구동부 집적회로는 테이프 오토메티드 본딩(TAB: Tape Automated Bonding) 방식 또는 칩 온 글래스(COG) 방식으로 표시패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, GIP(Gate In Panel) 타입으로 구현되어 표시패널(110)에 직접 배치될 수도 있으며, 경우에 따라서 표시패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있다.In addition, the gate driver 120 may include one or more gate driver integrated circuits. Each gate driver integrated circuit may be connected to a bonding pad of the display panel 110 by a tape automated bonding (TAB) method or a chip on glass (COG) And may be directly disposed on the display panel 110, or may be integrated and disposed on the display panel 110 as occasion demands.

또한, 각 게이트 구동부 집적회로는, 칩 온 필름(COF: Chip On Film) 방식으로 구현될 수 있다. 이 경우, 각 게이트 구동부 집적회로에 해당하는 게이트 구동 칩은 연성 필름에 실장되고, 연성 필름의 일 단이 표시패널(110)에 본딩될 수 있다.Also, each gate driver integrated circuit may be implemented by a chip on film (COF) method. In this case, the gate driving chip corresponding to each gate driving unit integrated circuit is mounted on the flexible film, and one end of the flexible film may be bonded to the display panel 110.

상기 데이터 구동부(130)는 특정 게이트 라인이 열리면 상기 타이밍 컨트롤러(140)로부터 수신한 영상 데이터를 아날로그 형태의 데이터 전압으로 변환하여 다수의 데이터 라인으로 공급함으로써, 다수의 데이터 라인을 구동한다. 그리고, 상기 데이터 구동부(130)는 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(Source Driver Integrated Circuit)를 포함하여 다수의 데이터 라인을 구동할 수 있다.When the specific gate line is opened, the data driver 130 converts the image data received from the timing controller 140 into an analog data voltage and supplies the data voltage to a plurality of data lines to drive the plurality of data lines. The data driver 130 may include at least one source driver integrated circuit to drive a plurality of data lines.

각 소스 드라이버 집적회로는 테이프 오토메티드 본딩(TAB: Tape Automated Bonding) 방식 또는 칩 온 글래스(COG) 방식으로 표시패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, 표시패널(110)에 직접 배치될 수도 있으며, 경우에 따라서, 표시패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있다.Each source driver integrated circuit may be connected to a bonding pad of the display panel 110 by a tape automated bonding (TAB) method or a chip on glass (COG) method, or may be connected directly to the display panel 110 And may be integrated and disposed on the display panel 110 as occasion demands.

또한, 각 소스 드라이버 집적회로는 칩 온 필름(COF: Chip On Film) 방식으로 구현될 수 있다. 이 경우, 각 소스 드라이버 집적회로에 해당하는 소스 구동 칩은 연성 필름에 실장되고, 연성 필름의 일 단은 적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(Source Printed Circuit Board)에 본딩되고, 타 단은 표시패널(110)에 본딩된다.In addition, each source driver integrated circuit can be implemented by a chip on film (COF) method. In this case, the source driver chip corresponding to each source driver integrated circuit is mounted on the flexible film, one end of the flexible film is bonded to at least one source printed circuit board, and the other end is connected to the display panel 110).

소스 인쇄회로기판은 연성 플랫 케이블(FFC: Flexible Flat Cable) 또는 연성 인쇄 회로(FPC: Flexible Printed Circuit) 등의 연결 매체를 통해 컨트롤 인쇄회로기판(Control Printed Circuit Board)과 연결된다. 컨트롤 인쇄회로기판에는 타이밍 컨트롤러(140)가 배치된다.The source printed circuit board is connected to a control printed circuit board through a connection medium such as a flexible flat cable (FFC) or a flexible printed circuit (FPC). A timing controller 140 is disposed on the control printed circuit board.

또한, 컨트롤 인쇄회로기판에는 표시패널(110), 데이터 구동부(130) 및 게이트 구동부(120) 등으로 전압 또는 전류를 공급해주거나 공급할 전압 또는 전류를 제어하는 전원 컨트롤러(미도시)가 더 배치될 수 있다. 위에서 언급한 소스 인쇄회로기판과 컨트롤 인쇄회로기판은 하나의 인쇄회로기판으로 되어 있을 수도 있다.Further, a power controller (not shown) may be further disposed on the control PCB to control voltage or current to supply or supply voltage or current to the display panel 110, the data driver 130, the gate driver 120, have. The source printed circuit board and the control printed circuit board mentioned above may be a single printed circuit board.

한편, 본 발명의 화소(pixel)는 하나 이상의 서브화소(subpixel)를 포함한다. 상기 서브화소는 특정한 한 종류의 컬러필터가 형성되거나, 또는 컬러필터가 형성되지 않고 유기발광소자가 특별한 색상을 발광할 수 있는 단위를 의미한다. 서브화소에서 정의하는 색상으로 적색(R), 녹색(G), 청색(B)과 선택적으로 백색(W)를 포함할 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.Meanwhile, the pixel of the present invention includes one or more subpixels. The sub-pixel means a unit in which a specific kind of color filter is formed, or a color filter is not formed and the organic light emitting element can emit a specific color. (R), green (G), blue (B), and optionally white (W) as the color defined by the sub-pixel, but the present invention is not limited thereto.

또한, 표시패널의 각 서브화소 영역의 발광을 제어하는 박막 트랜지스터에 연결된 전극을 제 1 전극이라 하며, 표시패널 전면에 배치되거나, 또는 둘 이상의 화소 영역을 포함하도록 배치된 전극을 제 2 전극이라 한다. 상기 제 1 전극이 애노드 전극인 경우 제 2 전극이 캐소드 전극이 되며, 그 역의 경우도 가능하다. 이하, 제 1 전극의 일 실시예로 애노드 전극을, 제 2전극의 일 실시예로 캐소드 전극을 중심으로 설명하지만 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.An electrode connected to the thin film transistor for controlling the light emission of each sub pixel region of the display panel is referred to as a first electrode and an electrode disposed on the entire surface of the display panel or arranged to include two or more pixel regions is referred to as a second electrode . When the first electrode is an anode electrode, the second electrode is a cathode electrode, and vice versa. Hereinafter, the anode electrode will be described as an embodiment of the first electrode, and the cathode electrode will be described as an example of the second electrode, but the present invention is not limited thereto.

본 발명의 화소(pixel)는 하나 이상의 서브화소(subpixel)를 포함한다. 예를 들면, 1개의 화소는 2개 내지 4개의 서브화소를 포함할 수 있다. 상기 서브화소는 특정한 한 종류의 컬러필터층이 형성되거나, 또는 컬러필터층이 형성되지 않고 유기발광소자가 특별한 색상을 발광할 수 있는 단위를 의미한다. 서브화소에서 정의하는 색상으로 적색(R), 녹색(G), 청색(B)과 선택적으로 백색(W)를 포함할 수 있으나, 본 발명이 이에 국한되는 것은 아니다.A pixel of the present invention includes one or more subpixels. For example, one pixel may include two to four sub-pixels. The sub-pixel means a unit in which a specific type of color filter layer is formed, or a color filter layer is not formed and the organic light emitting element can emit a specific color. (R), green (G), blue (B), and optionally white (W) as colors defined by the sub-pixels, but the present invention is not limited thereto.

하부발광(bottom-emission) 방식의 유기발광 표시장치를 개시하였으나, 본 발명의 실시예들은 필요에 따라서 상부발광(top-emission) 또는 양면발광(dual-emission) 방식의 유기발광 표시장치에도 적용될 수 있다.Although the bottom-emission type organic light emitting display device has been disclosed, the embodiments of the present invention can be applied to organic light emitting display devices of top emission or dual-emission type have.

도 3은 본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 구성을 나타낸 예시도이다. 이하의 설명에서 유기발광 표시장치의 발광 영역과 비발광 영역을 각각 도시하였으며, 비발광 영역에는 유기발광 표시장치의 화소를 동작시키기 위한 다수의 구성 소자가 구비될 수 있다. 본 발명에서 절연층과 액티브층이 발광 영역과 비발광 영역에서 그 형상을 달리하므로 발광영역의 일부와 비발광 영역의 일부가 접하는 부분을 중심으로 설명하지만 본 발명이 이를 한정하는 것을 의미하는 것은 아니다.3 is a diagram illustrating an exemplary configuration of an OLED display according to an embodiment of the present invention. In the following description, a light emitting region and a non-light emitting region of the organic light emitting display are respectively illustrated. In the non-emitting region, a plurality of components for operating the pixels of the organic light emitting display may be provided. Since the insulating layer and the active layer have different shapes in the light emitting region and the non-emitting region in the present invention, a portion of the light emitting region and a portion of the non-emitting region are in contact with each other. However, the present invention is not limited thereto .

도시한 바와 같이, 기판(201)은 발광 영역과 비발광 영역으로 구분할 수 있다. 비발광 영역의 상기 기판(201) 상부에는 차광층(Light shield layer)(202)이 배치된다.As shown, the substrate 201 can be divided into a light emitting region and a non-light emitting region. A light shield layer 202 is disposed on the substrate 201 in the non-light emitting region.

상기 기판(201) 상에 제1 절연층(203)이 배치된다. 이때, 비발광 영역의 제1 절연층(203a)과 달리 발광 영역의 제1 절연층(203b)은 다수의 마이크로 렌즈 어레이(Micro lense Array: MLA)의 형상으로 형성된다.A first insulating layer 203 is disposed on the substrate 201. In this case, unlike the first insulating layer 203a in the non-emitting region, the first insulating layer 203b in the light emitting region is formed in the form of a plurality of micro lens arrays (MLA).

상기 제1 절연층(203) 위에는 액티브 층이 배치된다. 이때, 비발광 영역의 액티브층(204a)와 달리 발광 영역의 액티비층(204b)은 상기 제1 절연층(203b)의 형상과 동일한 형상의 다수의 마이크로 렌즈 어레이로 형성된다.An active layer is disposed on the first insulating layer 203. Unlike the active layer 204a in the non-emission region, the active layer 204b of the emission region is formed of a plurality of microlens arrays having the same shape as that of the first insulation layer 203b.

비발광 영역의 액티브층(204a)의 상부에는 제2 절연층(206)을 사이에 두고 게이트 전극(206)이 형성된다. 층간절연층(inter layer dielectric)(207)에 형성된 컨택홀에는 박막트랜지스터의 소스 전극(208a)과 드레인 전극(208b)이 형성된다.A gate electrode 206 is formed on the active layer 204a in the non-emission region with the second insulating layer 206 therebetween. A source electrode 208a and a drain electrode 208b of the thin film transistor are formed in the contact hole formed in the interlayer dielectric layer 207. [

상기 액티브층(204a)의 양측 부분은 소스 영역 및/또는 드레인 영역으로 사용될 수 있다. 즉, 액티브층(204a)의 특성에 따라 해당 구성이 소스로 이용되거나 혹은 드레인으로 이용될 수 있으므로, "소스/드레인 전극"이라고 표현하는 경우도 있으나, 이하의 설명에서는 208a를 소스 전극으로 208b를 드레인 전극으로 명명하지만, 액티브층의 특성에 따라 각각 소스 전극으로 이용되거나 드레인 전극으로 이용될 수 있다. 따라서, 해당 전극의 명명이 본 발명의 구성의 용도를 한정하지 않는다.Both side portions of the active layer 204a may be used as a source region and / or a drain region. In other words, in some cases, the source / drain electrode may be referred to as a "source / drain electrode" because the structure may be used as a source or a drain depending on the characteristics of the active layer 204a. In the following description, Drain electrodes, but they may be used as a source electrode or a drain electrode, respectively, depending on the characteristics of the active layer. Therefore, the naming of the electrode does not limit the use of the constitution of the present invention.

비발광 영역의 박막트랜지스터의 상부 및 발광 영역의 상부에 보호층(passivation layer)(209)이 형성된다.A passivation layer 209 is formed on the upper portion of the thin film transistor and the light emitting region of the non-light emitting region.

상기 보호층(209)의 상부에는 오버코트층(over coat layer)(211)이 형성된다. 이때, 상기 보호층(209)과 오버코트층(211)의 사이에는 컬러필터층(210)이 형성될 수 있다.An overcoat layer 211 is formed on the protective layer 209. At this time, a color filter layer 210 may be formed between the protective layer 209 and the overcoat layer 211.

상기 오버코트층상의 발광 영역 전체와 비발광 영역의 일부분에는 제1 전극(212)이 배치된다. 이후, 발광 영역과 비발광 영역을 구획하는 뱅크층(213)이 형성되고, 발광층을 포함하는 복수의 유기층으로 이루어진 유기발광층(214)이 형성된다. 이때, 상기 유기발광층(214)은 발광 영역에서 평탄하게 이루어진다.A first electrode 212 is disposed on a part of the entire light-emitting region and the non-light-emitting region on the overcoat layer. Thereafter, a bank layer 213 for partitioning a light emitting region and a non-light emitting region is formed, and an organic light emitting layer 214 composed of a plurality of organic layers including a light emitting layer is formed. At this time, the organic light emitting layer 214 is flat in the light emitting region.

상기 유기발광층(214) 위에는 제2 전극(215)이 상기 발광 영역 및 비발광 영역 전체에 배치된다.On the organic light emitting layer 214, a second electrode 215 is disposed over the light emitting region and the non-emitting region.

도 4는 본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 제조 방법을 나타낸 흐름도이고, 도 5a 내지 도 5l은 본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 제조 과정을 나타낸 예시도이다.FIG. 4 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention. FIGS. 5A to 5L illustrate a method of manufacturing an OLED display according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG.

먼저, 도 5a에 도시한 바와 같이, 비발광 영역의 기판(201) 상부에 차광층(inter layer dielectric)(202)을 형성한다. 이어, 도 5b에 도시한 바와 같이 비발광 영역의 차광층(202) 및 발광 영역의 기판(201) 상부에 제1 절연층을 형성한다. 이때, 비발광 영역의 제1 절연층(203a)과 달리, 발광 영역의 제1 절연층(203b)은 함몰부("A")와 돌출부("B")가 교번하여 배치되는 마이크로 렌즈 어레이(Micro Layer)의 형상으로 이루어진다 (S401 단계).First, as shown in FIG. 5A, an interlayer dielectric 202 is formed on the substrate 201 in the non-light emitting region. Next, as shown in FIG. 5B, a first insulating layer is formed on the light-shielding layer 202 in the non-light-emitting region and the substrate 201 in the light-emitting region. Unlike the first insulating layer 203a of the non-emission region, the first insulation layer 203b of the emission region is formed in a microlens array (not shown) in which a recessed portion (A) and a projected portion (B) Micro Layer) (Step S401).

도 5c에서 나타낸 바와 같이 상기 제1 절연층(203) 위에는 액티브 층이 배치된다. 이때, 비발광 영역의 액티브층(204a)와 달리 발광 영역의 액티비층(204b)은 상기 제1 절연층(203b)의 형상과 동일한 형상의 다수의 마이크로 렌즈 어레이로 형성된다.As shown in FIG. 5C, an active layer is disposed on the first insulating layer 203. Unlike the active layer 204a in the non-emission region, the active layer 204b of the emission region is formed of a plurality of microlens arrays having the same shape as that of the first insulation layer 203b.

상기 제1 절연층의 마이크로 렌즈 어레이(203b)와 상기 액티브층의 마이크로 렌즈 어레이(204b)는 서로 다른 굴절율을 갖는다. 이때, 상기 액티브층의 마이크로 렌즈 어레이(204b)의 굴절율이 상기 제1 절연층(203b)의 굴절율보다 큰 것이 바람직하다.The microlens array 203b of the first insulating layer and the microlens array 204b of the active layer have different refractive indices. At this time, it is preferable that the refractive index of the microlens array 204b of the active layer is larger than the refractive index of the first insulating layer 203b.

상기 제1 절연층의 마이크로 렌즈 어레이(203b)의 재료로는 산화실리콘(SiOx ) 이나 질화실리콘(SiNx)을 포함하여 유전체로 활용 가능한 모든 재료가 사용될 수 있다.As the material of the microlens array 203b of the first insulating layer, any material that can be used as a dielectric including silicon oxide (SiO x ) or silicon nitride (SiN x ) can be used.

상기 액티브층의 마이크로 렌즈 어레이(204b)은 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), 산화물반도체, 비정질 실리콘(a-Si) 및 다결정 실리콘(Poly-Si) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.The microlens array 204b of the active layer may be formed of any one of IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide), an oxide semiconductor, amorphous silicon (a-Si), and polycrystalline silicon (Poly-Si).

도 6a와 도 6b는 산화실리콘과 인듐갈륨아연 산화물(IGZO)의 굴절율을 나타낸 실험 그래프 예시도이다. 도시한 그래프에서 볼 수 있듯이 산화실리콘(SiO2)의 굴절율은 550㎚ 기준으로 "1.46"의 수치를 나타내며, 인듐갈륨아연 산화물(Indium Gallium Zinc Oxide: IGZO)의 굴절율은 550㎚ 기준으로 "2.0"의 수치를 나타낸다 (S402 단계).FIGS. 6A and 6B are graphs showing an experimental graph showing the refractive indices of silicon oxide and indium gallium zinc oxide (IGZO). FIG. As shown in the graph, the index of refraction of the silicon oxide (SiO 2 ) is "1.46" on the basis of 550 nm, and the index of refraction of the indium gallium zinc oxide (IGZO) (Step S402).

도 5d에서 나타낸 바와 같이, 비발광 영역의 액티브층(204a)의 상부에는 마스크를 이용하여 제2 절연층(206)을 사이에 두고 게이트 전극(206)을 형성한다.As shown in FIG. 5D, a gate electrode 206 is formed on the active layer 204a in the non-emission region using a mask with the second insulating layer 206 therebetween.

이어 도 5e와 같이 층간 절연층(inter layer dielectric)(207)을 도포하고, 포토 공정을 이용하여 컨택홀(CH1, CH2)을 형성한다.5E, an interlayer dielectric layer 207 is applied, and contact holes CH1 and CH2 are formed using a photo process.

이후, 도 5f에서와 같이 상기 컨택홀(CH1, CH2)에 도전성 물질이 도포되어 식각되어 박막트랜지스터의 소스 전극(208a)과 드레인 전극(208b)이 형성된다. 상기 액티브층(204a)의 양측 부분은 소스 영역 및/또는 드레인 영역으로 사용될 수 있다. 208c은 비발광 영역의 다른 소자와 전기적 연결을 위한 브릿지 패턴으로 사용될 수 있다 (S403 단계).5F, a conductive material is applied to the contact holes CH1 and CH2 to be etched to form a source electrode 208a and a drain electrode 208b of the thin film transistor. Both side portions of the active layer 204a may be used as a source region and / or a drain region. 208c may be used as a bridge pattern for electrical connection with other elements in the non-emission region (step S403).

도 5g에 도시한 바와 같이, 비발광 영역의 박막트랜지스터의 상부 및 발광 영역의 상부에는 보호층(passivation layer)(209)이 형성된다. 도 5h에 도시한 바와 같이 발광 영역의 보호층(209)의 상부에는 컬러 필터층(210)이 형성된다. 이어, 도 5i와 같이 상기 보호층(209)의 상부 및 컬러 필터층(210)의 상부에는 오버코트층(over coat layer)(211)이 형성된다 (S404 단계).As shown in FIG. 5G, a passivation layer 209 is formed on the upper portion of the thin film transistor in the non-emission region and the emission region. As shown in FIG. 5H, a color filter layer 210 is formed on the protective layer 209 of the light emitting region. 5I, an overcoat layer 211 is formed on the protective layer 209 and the color filter layer 210 in operation S404.

5j에 도시한 바와 같이, 상기 오버코트층상의 발광 영역 전체와 비발광 영역의 일부분에는 제1 전극(212)이 배치되고(S405 단계), 이후, 도 5k에 도시한 바와 같이 발광 영역과 비발광 영역을 구획하는 뱅크층(213)을 형성한다.As shown in FIG. 5J, the first electrode 212 is disposed in a part of the entire light emitting region on the overcoat layer and a part of the non-light emitting region (Step S405). Thereafter, The bank layer 213 is formed.

도 5l에 도시한 바와 같이 발광층을 포함하는 복수의 유기층으로 이루어진 유기발광층(214)이 발광 영역의 제1 전극(212) 및 비발광 영역의 뱅크(213) 상부를 덮도록 형성된다. 이때, 상기 유기발광층(214)은 발광 영역에서 평탄하게 이루어진다 (S406 단계). 상기 유기발광층(214) 위에는 제2 전극(215)이 상기 발광 영역 및 비발광 영역 전체에 배치된다 (S407 단계).An organic light emitting layer 214 composed of a plurality of organic layers including a light emitting layer is formed to cover the first electrode 212 of the light emitting region and the upper portion of the bank 213 of the non-light emitting region. At this time, the organic light emitting layer 214 is flat in the light emitting region (step S406). The second electrode 215 is disposed on the organic light emitting layer 214 in the entire light emitting region and the non-emitting region (S407).

도 7은 본 발명을 적용한 경우의 휘도 실험 그래프 예시도이다. 위의 도 6a 및 도 6b를 통해 나타낸 바와 같이, 본 발명의 제1 절연층(203b)의 재료로 사용되는 산화실리콘(SiO2)과 액티브층(204b)의 재료로 사용되는 인듐갈륨아연 산화물(IGZO)의 굴절율 차이는 약 "0.54"의 차이를 나타낸다. 이러한 굴절율 차이를 갖는 마이크로 렌즈 어레이를 사용하는 경우(b)는 마이크로 렌즈 어레이를 사용하지 않은 경우(a)에 비하여 약 1.3배의 휘도 상승 효과를 나타내는 것을 알 수 있다.FIG. 7 is a graph showing an example of a luminance experiment graph when the present invention is applied. 6A and 6B, the indium gallium zinc oxide (IGZO) used as the material of the silicon oxide (SiO2) and the active layer 204b used as the material of the first insulating layer 203b of the present invention ) Represents a difference of about "0.54 ". In the case of using a microlens array having such a refractive index difference, it can be seen that (b) shows a luminance increasing effect of about 1.3 times as compared with (a) in the case of not using a microlens array.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기발광 표시장치 및 그 제조방법은 기판 위의 포토 공정 또는 애쉬(ashing) 공정을 통해 마이크로 렌즈 어레이 형상을 갖는 절연층을 형성하고, 그 위에 절연층보다 큰 굴절율을 갖는 액티브층을 동일한 형상의 마이크로 렌즈 어레이를 형성함으로써, 발광 효율을 향상시킬 수 있으며, 박막트랜지스터 상부의 구조물을 평탄화할 수 있다.As described above, the organic light emitting diode display and the method of manufacturing the same according to the present invention are characterized by forming an insulating layer having a microlens array shape through a photolithography process or an ashing process on a substrate, By forming the microlens array having the same shape as the active layer having the refractive index, the luminous efficiency can be improved and the structure above the thin film transistor can be planarized.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the present invention as defined by the following claims It can be understood that

100: 유기발광 표시장치 101: 오버코트층
102: 화소전극 110: 표시패널
120: 게이트 드라이버 130: 데이터 드라이버
140: 타이밍 제어부 201: 기판
202: 차광층 203a, 203b: 제1 절연층
204a, 204b: 액티브층 205: 제2 절연층
206: 게이트 전극 207: 층간절연층
208a: 소스 전극 208b: 드레인 전극
209: 보호층 210: 컬러필터층
211: 오버코트층 212: 제1 전극
213: 뱅크 214: 유기발광층
215: 제2 전극100: organic light emitting diode display 101: overcoat layer
102: pixel electrode 110: display panel
120: gate driver 130: data driver
140: timing control unit 201: substrate
202: Shading layer 203a, 203b: First insulating layer
204a, 204b: active layer 205: second insulating layer
206: gate electrode 207: interlayer insulating layer
208a: source electrode 208b: drain electrode
209: protection layer 210: color filter layer
211: overcoat layer 212: first electrode
213: bank 214: organic light emitting layer
215: second electrode

Claims (13)

발광 영역 및 비발광 영역으로 구분되는 기판;
상기 기판 상에 배치되고, 상기 발광 영역에 다수의 마이크로 렌즈 어레이를 구비하는 제1 절연층; 및
상기 제1 절연층 상에 배치되고, 상기 비발광 영역에서 박막트랜지스터의 동작 채널을 형성하고, 상기 발광 영역에서 상기 제1 절연층의 형상과 동일한 형상의 다수의 마이크로 렌즈 어레이를 구비하는 액티브층을 포함하는 유기발광 표시장치.A substrate divided into a light emitting region and a non-emitting region;
A first insulating layer disposed on the substrate, the first insulating layer including a plurality of microlens arrays in the light emitting region; And
An active layer disposed on the first insulating layer and forming an operation channel of the thin film transistor in the non-emitting region, the active layer including a plurality of microlens arrays having the same shape as that of the first insulating layer in the emitting region, And the organic light emitting display device. 제1항에 있어서, 상기 제1 절연층의 마이크로 렌즈 어레이는 함몰부와 돌출부가 교번하여 배치되는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.The organic light emitting diode display according to claim 1, wherein the microlens array of the first insulating layer has a depression and a protrusion alternately arranged. 제1항에 있어서,
상기 제1 절연층과 상기 액티브층의 마이크로 렌즈 어레이는 서로 다른 굴절율을 갖는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.The method according to claim 1,
Wherein the microlens array of the first insulating layer and the active layer is made of a material having a different refractive index. 제3항에 있어서,
상기 액티브층의 마이크로 렌즈 어레이의 굴절율은 상기 제1 절연층의 굴절율보다 큰 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.The method of claim 3,
Wherein the refractive index of the microlens array of the active layer is greater than the refractive index of the first insulating layer. 제4항에 있어서,
상기 액티브층은 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), 산화물반도체, 비정질 실리콘(a-Si) 및 다결정 실리콘(Poly-Si) 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.5. The method of claim 4,
Wherein the active layer is made of any one of IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide), an oxide semiconductor, amorphous silicon (a-Si), and polycrystalline silicon (Poly-Si). 제1항에 있어서,
상기 액티브층 상부에 제2 절연층을 사이에 두고 형성된 게이트 전극과, 층간절연층(inter layer dielectric)에 형성된 컨택홀을 통해 상기 액티브층에 접촉하는 소스 및 드레인 전극을 포함하여 형성되는 박막트랜지스터;
상기 박막트랜지스터 상부에 형성되는 보호층(passivation layer);
상기 보호층의 상부에 형성되는 오버코트층(over coat layer);
상기 오버코트상에 배치되는 발광 영역 전체와 비발광 영역의 일부분에 배치되는 제1 전극;
발광층을 포함하는 복수의 유기층으로 이루어져 상기 제1 전극상에 배치되고, 발광 영역에서 평탄하게 이루어지는 유기발광층; 및
상기 유기발광층 상에서 상기 발광 영역 및 비발광 영역 전체에 배치되는 제2 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.The method according to claim 1,
A gate electrode formed on the active layer above the second insulating layer, and source and drain electrodes contacting the active layer through contact holes formed in an interlayer dielectric layer;
A passivation layer formed on the thin film transistor;
An overcoat layer formed on the protective layer;
A first electrode disposed on a part of the entire light emitting region and the non-light emitting region disposed on the overcoat;
An organic light emitting layer made of a plurality of organic layers including a light emitting layer and disposed on the first electrode, the organic light emitting layer being flat in the light emitting region; And
And a second electrode disposed on the organic light emitting layer and disposed over the light emitting region and the non-emitting region. 제6항에 있어서, 상기 발광 영역에서 보호층과 오버코트층 사이에 컬러필터층이 더 배치되는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.The organic light emitting diode display according to claim 6, wherein a color filter layer is further disposed between the protective layer and the overcoat layer in the light emitting region. 제1항에 있어서, 상기 기판과 제1 절연층의 사이에 차광층(Light shield layer)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.The OLED display according to claim 1, further comprising a light shield layer between the substrate and the first insulation layer. 발광 영역 및 비발광 영역으로 구분되는 기판 상에 상기 발광 영역에 다수의 마이크로 렌즈 어레이를 구비하는 제1 절연층을 형성하는 단계; 및
상기 제1 절연층 상에 배치하되, 상기 발광 영역의 제1 절연층 상부에 다수의 마이크로 렌즈 어레이를 구비하는 액티브층을 형성하는 단계를 포함하는 유기발광 표시장치의 제조방법.Forming a first insulating layer having a plurality of microlens arrays in the light emitting region on a substrate divided into a light emitting region and a non-light emitting region; And
And forming an active layer disposed on the first insulating layer and including a plurality of microlens arrays on the first insulating layer of the light emitting region. 제9항에 있어서, 상기 제1 절연층과 상기 액티브층의 마이크로 렌즈 어레이는 애슁(ashing) 공정으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 제조방법.10. The method according to claim 9, wherein the microlens array of the first insulating layer and the active layer is formed by an ashing process. 제9항에 있어서,
상기 제1 절연층과 상기 액티브층의 마이크로 렌즈 어레이는 서로 다른 굴절율을 갖는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 제조방법.10. The method of claim 9,
Wherein the microlens array of the first insulating layer and the active layer is made of a material having a different refractive index. 제11항에 있어서,
상기 액티브층의 마이크로 렌즈 어레이의 굴절율은 상기 제1 절연층의 굴절율보다 큰 것을 특징으로 유기발광 표시장치의 제조방법.12. The method of claim 11,
Wherein the refractive index of the microlens array of the active layer is larger than the refractive index of the first insulating layer. 제9항에 있어서,
상기 액티브층 상의 비발광 영역에 박막트랜지스터를 형성하는 단계;
상기 박막트랜지스터 상부에 발광 영역과 비발광 영역 전체에 오버코트층을 형성하는 단계;
상기 오버코트상에 배치되는 발광 영역 전체와 비발광 영역의 일부분에 제1 전극을 형성하는 단계;
상기 제1 전극상에 배치하되, 발광층을 포함하는 복수의 유기층으로 이루어지고, 상기 발광 영역에 유기발광층을 평탄하게 형성하는 단계; 및
상기 유기발광층 상에 상기 발광 영역 및 비발광 영역 전체에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 유기발광 표시장치의 제조방법.10. The method of claim 9,
Forming a thin film transistor in the non-emission region on the active layer;
Forming an overcoat layer over the light emitting region and the non-light emitting region over the thin film transistor;
Forming a first electrode on a part of the entire light emitting region and the non-light emitting region disposed on the overcoat;
Forming an organic light emitting layer on the first electrode, the organic light emitting layer including a plurality of organic layers including a light emitting layer; And
And forming a second electrode over the light emitting region and the non-light emitting region on the organic light emitting layer.
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