KR102448067B1

KR102448067B1 - Organic light emitting display device and method of manufacturing the same

Info

Publication number: KR102448067B1
Application number: KR1020170182664A
Authority: KR
Inventors: 김봉준; 양희정; 김영준
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2017-12-28
Filing date: 2017-12-28
Publication date: 2022-09-28
Also published as: KR20190080293A

Abstract

본 발명은 광추출 효율이 향상된 유기발광 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 기판의 발광 영역에 다수의 마이크로 렌즈 어레이를 구비하는 제1 절연층을 형성하고, 발광 영역의 제1 절연층 상에 비발광 영역에서 박막트랜지스터의 동작 채널을 형성하는 액티브층과 동일한 물질을 사용하여 상기 제1 절연층의 형상과 동일한 형상의 다수의 마이크로 렌즈 어레이를 구비하는 액티브층을 형성하되 상기 액티브층에 사용되는 물질은 상기 제1 절연층의 굴절율보다 큰 물질을 사용하여 발광효율을 향상시킬 수 있다.The present invention relates to an organic light emitting display device with improved light extraction efficiency and a method for manufacturing the same, wherein a first insulating layer including a plurality of microlens arrays is formed in a light emitting area of a substrate, and on the first insulating layer of the light emitting area An active layer including a plurality of microlens arrays having the same shape as that of the first insulating layer is formed using the same material as the active layer forming the operation channel of the thin film transistor in the non-light emitting region, but used for the active layer The luminous efficiency may be improved by using a material having a refractive index greater than that of the first insulating layer.

Description

Organic light emitting display device and method of manufacturing the same

본 발명은 유기발광 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 광추출 효율이 향상된 유기발광 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device and a manufacturing method thereof, and more particularly, to an organic light emitting display device having improved light extraction efficiency and a manufacturing method thereof.

유기발광 표시장치는 자체 발광형 표시장치로서, 액정 표시장치와는 달리 별도의 광원이 필요하지 않아 경량 박형으로 제조 가능하다. 또한, 유기발광 표시장치는 저전압 구동에 의해 소비 전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 색상 구현, 응답 속도, 시야각, 명암 대비비(contrast ratio; CR)도 우수하여, 차세대 디스플레이로서 연구되고 있다.The organic light emitting display device is a self-luminous display device, and unlike a liquid crystal display device, it does not require a separate light source, so it can be manufactured in a lightweight and thin form. In addition, the organic light emitting display device is not only advantageous in terms of power consumption due to low voltage driving, but also has excellent color realization, response speed, viewing angle, and contrast ratio (CR), and is being studied as a next-generation display.

유기발광 표시장치의 유기발광층에서 발광된 광은 유기발광 표시장치의 여러 구성요소들을 통과하여 유기발광 표시장치 외부로 나오게 된다. 그러나 유기 발광층에서 발광된 광 중 유기발광 표시장치 외부로 나오지 못하고 유기발광 표시장치 내부에 갇히는 광들이 존재하게 되어, 유기발광 표시장치의 광 추출 효율이 문제가 된다.Light emitted from the organic light emitting layer of the organic light emitting display device passes through various components of the organic light emitting display device and comes out of the organic light emitting display device. However, among the light emitted from the organic light emitting layer, the light does not come out of the organic light emitting display device and is trapped inside the organic light emitting display device, so that the light extraction efficiency of the organic light emitting display device becomes a problem.

특히, 유기발광 표시장치 중 하부발광 구조의 유기발광 표시장치에서 애노드 전극에 의해 전반사 또는 광 흡수가 일어나 상기 유기발광 표시장치 내부에 갇히는 광은 유기발광층에서 발광된 광 중 약 50%이고, 기판에 의해 전반사 또는 광흡수가 일어나 유기발광 표시장치 내부에 갇히는 광은 유기발광층에서 발광된 광 중 약 30%정도이다. 이와 같이, 유기발광층에서 발광된 광 중 약 80%의 광이 유기발광 표시장치 내부에 갇히게 되고, 약 20%의 광만이 외부로 추출되므로 광 효율이 매우 낮다.In particular, in an organic light emitting diode display having a lower light emitting structure among organic light emitting display devices, total reflection or light absorption occurs by the anode electrode, so that the light trapped inside the organic light emitting display is about 50% of the light emitted from the organic light emitting layer, and the substrate The amount of light trapped inside the organic light emitting display device due to total reflection or light absorption is about 30% of the light emitted from the organic light emitting layer. As described above, about 80% of the light emitted from the organic light emitting layer is trapped inside the organic light emitting display device, and only about 20% of the light is extracted to the outside, so the light efficiency is very low.

이러한 유기발광 표시장치의 광 추출 효율을 향상시키기 위해, 유기발광 표시장치의 기판 외측에 마이크로 렌즈 어레이(micro lens array; MLA)를 부착하거나, 유기발광 표시장치의 발광 영역 부분의 오버코트층(101)와 화소전극(102)에 마이크로 렌즈를 형성하는 방법이 제안되고 있다. 그러나, 유기발광 표시장치의 기판 외측에 마이크로 렌즈 어레이를 도입하거나, 오버코트층에 마이크로 렌즈를 형성함에도 불구하고, 소자 안에 갇히는 광이 많음으로써, 외부로 추출되는 광량이 적은 문제가 있다. 또한, 상기 마이크로 렌즈 상부에 유기발광층을 형성하는 공정이 복잡하여 제조 수율이 낮은 문제점이 있다.In order to improve the light extraction efficiency of the organic light emitting display device, a micro lens array (MLA) is attached to the outside of the substrate of the organic light emitting display device, or an overcoat layer 101 of the light emitting area portion of the organic light emitting display device. and a method of forming a microlens on the pixel electrode 102 has been proposed. However, despite the introduction of the microlens array on the outside of the substrate of the organic light emitting diode display or the formation of the microlenses on the overcoat layer, there is a problem in that the amount of light extracted to the outside is small because a lot of light is trapped in the device. In addition, there is a problem in that the manufacturing yield is low because the process of forming the organic light emitting layer on the micro lens is complicated.

본 발명은 발광 효율을 향상시킬 수 있는 유기발광 표시장치 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide an organic light emitting display device capable of improving luminous efficiency and a method for manufacturing the same.

본 발명의 다른 목적은 마이크로 렌즈 어레이 기능을 가지면서 박막트랜지스터 상부의 구조물을 평탄화할 수 있는 유기발광 표시장치 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide an organic light emitting display device capable of flattening a structure on a thin film transistor while having a microlens array function and a method for manufacturing the same.

이러한 목적들을 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기발광 표시장치는 발광 영역 및 비발광 영역으로 구분되는 기판; 상기 기판 상에 배치되고, 상기 발광 영역에 다수의 마이크로 렌즈 어레이를 구비하는 제1 절연층; 및 상기 제1 절연층 상에 배치되고, 상기 비발광 영역에서 박막트랜지스터의 동작 채널을 형성하고, 상기 발광 영역에서 상기 제1 절연층의 형상과 동일한 형상의 다수의 마이크로 렌즈 어레이를 구비하는 액티브층을 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an exemplary embodiment of the present invention, an organic light emitting display device includes: a substrate divided into a light emitting area and a non light emitting area; a first insulating layer disposed on the substrate and having a plurality of micro lens arrays in the light emitting area; and an active layer disposed on the first insulating layer, forming an operation channel of the thin film transistor in the non-emission region, and including a plurality of microlens arrays having the same shape as that of the first insulating layer in the light emitting region It is characterized in that it includes.

본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 상기 제1 절연층과 액티브층의 마이크로 렌즈 어레이는 함몰부와 돌출부가 교번하여 배치되는 것이 바람직하다.Preferably, in the microlens array of the first insulating layer and the active layer of the organic light emitting diode display according to the present invention, recessed portions and protruding portions are alternately disposed.

본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 상기 제1 절연층과 상기 액티브층의 마이크로 렌즈 어레이는 서로 다른 굴절율을 갖는 물질로 이루어지는 것이 바람직하다.The microlens array of the first insulating layer and the active layer of the organic light emitting display device according to the present invention is preferably made of a material having different refractive indices.

본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 상기 액티브층의 마이크로 렌즈 어레이의 굴절율은 상기 제1 절연층의 굴절율보다 큰 것을 특징으로 한다.The refractive index of the micro lens array of the active layer of the organic light emitting diode display according to the present invention is greater than that of the first insulating layer.

본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 상기 액티브층은 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), 산화물반도체, 비정질 실리콘(a-Si) 및 다결정 실리콘(Poly-Si) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.The active layer of the organic light emitting diode display according to the present invention may be formed of any one of indium gallium zinc oxide (IGZO), an oxide semiconductor, amorphous silicon (a-Si), and polycrystalline silicon (Poly-Si).

본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 상기 액티브층 상부에 제2 절연층을 사이에 두고 형성된 게이트 전극과, 층간절연층(inter layer dielectric)에 형성된 컨택홀을 통해 상기 액티브층에 접촉하는 소스 및 드레인 전극을 포함하여 형성되는 박막트랜지스터; 상기 박막트랜지스터 상부에 형성되는 보호층(passivation layer); 상기 보호층의 상부에 형성되는 상기 오버코트층(over coat layer); 상기 오버코트상에 배치되는 발광 영역 전체와 비발광 영역의 일부분에 배치되는 제1 전극; 발광층을 포함하는 복수의 유기층으로 이루어져 상기 제1 전극상에 배치되고, 발광 영역에서 평탄하게 이루어지는 유기발광층; 및 상기 유기발광층 상에서 상기 발광 영역 및 비발광 영역 전체에 배치되는 제2 전극을 더 포함한다.A source and drain contacting the active layer through a gate electrode formed on an upper portion of the active layer of the organic light emitting diode display according to the present invention with a second insulating layer interposed therebetween, and a contact hole formed in an inter layer dielectric. a thin film transistor formed including an electrode; a passivation layer formed on the thin film transistor; the overcoat layer formed on the protective layer; a first electrode disposed on the entire light-emitting region and a portion of the non-light-emitting region disposed on the overcoat; an organic light emitting layer formed of a plurality of organic layers including a light emitting layer and disposed on the first electrode, the organic light emitting layer being flat in the light emitting region; and a second electrode disposed over the light emitting area and the non-emission area on the organic light emitting layer.

본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 상기 발광 영역에서 기판과 오버코트층 사이에 컬러필터층이 더 배치될 수 있다.A color filter layer may be further disposed between the substrate and the overcoat layer in the light emitting region of the organic light emitting display device according to the present invention.

본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 상기 기판과 제1 절연층의 사이에 차광층(Light shield layer)을 더 포함할 수 있다.A light shield layer may be further included between the substrate and the first insulating layer of the organic light emitting diode display according to the present invention.

본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 제조방법은 발광 영역 및 비발광 영역으로 구분되는 기판 상에 상기 발광 영역에 다수의 마이크로 렌즈 어레이를 구비하는 제1 절연층을 형성하는 단계; 및 상기 제1 절연층 상에 배치하되, 상기 발광 영역의 제1 절연층 상부에 다수의 마이크로 렌즈 어레이를 구비하는 액티브층을 형성하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing an organic light emitting display device according to the present invention comprises: forming a first insulating layer including a plurality of microlens arrays in the light emitting area on a substrate divided into a light emitting area and a non light emitting area; and forming an active layer disposed on the first insulating layer, the active layer having a plurality of micro lens arrays on the first insulating layer of the light emitting region.

본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 제조방법은 상기 제1 절연층과 상기 액티브층의 마이크로 렌즈 어레이는 포토 레지스트를 사용하여 건식이나 습식 식각 공정 또는 애슁(ashing) 공정으로 형성될 수 있다.In the method of manufacturing an organic light emitting display device according to the present invention, the microlens array of the first insulating layer and the active layer may be formed using a photoresist by a dry or wet etching process or an ashing process.

본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 제조방법은 상기 액티브층 상의 비발광 영역에 박막트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 박막트랜지스터 상부에 발광 영역과 비발광 영역 전체에 오버코트층을 형성하는 단계; 상기 오버코트상에 배치되는 발광 영역 전체와 비발광 영역의 일부분에 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극상에 배치하되, 발광층을 포함하는 복수의 유기층으로 이루어지고, 상기 발광 영역에 유기발광층을 평탄하게 형성하는 단계; 및 상기 유기발광층 상에 상기 발광 영역 및 비발광 영역 전체에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어질 수 있다.A method of manufacturing an organic light emitting display device according to the present invention comprises: forming a thin film transistor in a non-emission region on the active layer; forming an overcoat layer over the entire light emitting area and non-emission area on the thin film transistor; forming a first electrode on the entire light emitting region and a portion of the non-light emitting region disposed on the overcoat; disposing on the first electrode, comprising a plurality of organic layers including a light emitting layer, and flatly forming an organic light emitting layer in the light emitting region; and forming a second electrode on the organic light emitting layer in the entire light emitting region and the non-emissive region.

본 발명에 따른 유기발광 표시장치 및 그 제조방법은 다음과 같은 효과를 나타낼 수 있다.The organic light emitting display device and the method for manufacturing the same according to the present invention can exhibit the following effects.

첫째, 마이크로 렌즈 어레이를 이용함으로써 발광 효율을 향상시킬 수 있다.First, luminous efficiency can be improved by using a micro lens array.

둘째, 마이크로 렌즈 어레이 기능을 가지면서 박막트랜지스터 상부의 구조물을 평탄화할 수 있는 유기발광 표시장치 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.Second, to provide an organic light emitting display device capable of flattening a structure on a thin film transistor while having a microlens array function and a method for manufacturing the same.

도 1은 오버코트층에 마이크로 렌즈 어레이를 적용한 기술에 따른 유기발광 표시장치의 예시도이다.
도 2는 본 발명에 따른 유기발광 표시장치를 간략하게 나타낸 예시도이다.
도 3은 본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 구성을 나타낸 예시도이다.
도 4는 본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 제조 방법을 나타낸 흐름도이다.
도 5a 내지 도 5l은 본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 제조 과정을 나타낸 예시도이다.
도 6a와 도 6b는 산화실리콘과 인듐갈륨아연 산화물(IGZO)의 굴절율을 나타낸 실험 그래프 예시도이다.
도 7은 본 발명을 적용한 경우의 휘도 실험 그래프 예시도이다.1 is an exemplary diagram of an organic light emitting display device according to a technology in which a micro lens array is applied to an overcoat layer.
2 is an exemplary view briefly illustrating an organic light emitting display device according to the present invention.
3 is an exemplary view showing the configuration of an organic light emitting display device according to the present invention.
4 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to the present invention.
5A to 5L are exemplary views illustrating a manufacturing process of an organic light emitting diode display according to the present invention.
6A and 6B are exemplary experimental graphs showing the refractive indices of silicon oxide and indium gallium zinc oxide (IGZO).
7 is an exemplary diagram of a luminance experiment graph when the present invention is applied.

본문에 개시되어 있는 본 발명의 실시 예들에 대해서, 특정한 구조적 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 실시 예를 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로, 본 발명의 실시 예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본문에 설명된 실시 예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다.With respect to the embodiments of the present invention disclosed in the text, specific structural or functional descriptions are only exemplified for the purpose of describing the embodiments of the present invention, the embodiments of the present invention may be implemented in various forms and It should not be construed as being limited to the described embodiments.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Since the present invention can have various changes and can have various forms, specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to the specific disclosed form, it should be understood to include all modifications, equivalents and substitutes included in the spirit and scope of the present invention.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.Terms such as first, second, etc. may be used to describe various elements, but the elements are not limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, a first component may be referred to as a second component, and similarly, a second component may also be referred to as a first component.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 없는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.When a component is referred to as being “connected” or “connected” to another component, it may be directly connected or connected to the other component, but it is understood that other components may exist in between. it should be On the other hand, when it is said that a certain element is "directly connected" or "directly connected" to another element, it should be understood that there is no other element in the middle. Other expressions describing the relationship between elements, such as "between" and "immediately between" or "neighboring to" and "directly adjacent to", etc., should be interpreted similarly.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함한다" 또는 "가진다" 등의 용어는 개시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used in the present application are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In this application, terms such as "comprises" or "having" are intended to designate that the disclosed feature, number, step, action, component, part, or combination thereof is present, but includes one or more other features or numbers, It should be understood that the possibility of the presence or addition of steps, operations, components, parts or combinations thereof is not precluded in advance.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 나타낸다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 나타내는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries should be interpreted as indicating meanings consistent with the meanings in the context of the related art, and should not be interpreted in an ideal or excessively formal meaning unless explicitly defined in the present application. does not

한편, 어떤 실시 예가 달리 구현 가능한 경우에 특정 블록 내에 명기된 기능 또는 동작이 흐름도에 명기된 순서와 다르게 일어날 수도 있다. 예를 들어, 연속하는 두 블록이 실제로는 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 관련된 기능 또는 동작에 따라서는 상기 블록들이 거꾸로 수행될 수도 있다.On the other hand, when an embodiment can be implemented differently, functions or operations specified in a specific block may occur differently from the order specified in the flowchart. For example, two consecutive blocks may be performed substantially simultaneously, or the blocks may be performed in reverse according to a related function or operation.

소자(element) 또는 층이 다른 소자 또는 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않는 것을 나타낸다.Reference to an element or layer to another element or “on” or “on” includes not only directly on the other element or layer, but also with other layers or other elements interposed therebetween. do. On the other hand, reference to an element "directly on" or "directly on" indicates that there are no intervening elements or layers.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below, beneath)", "하부 (lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작 시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓일 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다.The spatially relative terms "below, beneath", "lower", "above", "upper", etc. are one element or component as shown in the drawings. and can be used to easily describe the correlation with other devices or components. Spatially relative terms should be understood as terms including different orientations of the device during use or operation in addition to the orientation shown in the drawings. For example, if an element shown in the figures is turned over, an element described as "beneath" or "beneath" another element may be placed "above" the other element. Accordingly, the exemplary term “below” may include both directions below and above.

또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다.In addition, in describing the components of the present invention, terms such as first, second, A, B, (a), (b), etc. may be used. These terms are only for distinguishing the elements from other elements, and the essence, order, order, or number of the elements are not limited by the terms.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예들을 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 2은 본 실시예들에 따른 표시장치의 개략적인 시스템 구성도이다. 도 2을 참조하면, 본 실시예들에 따른 표시장치(100)는 다수의 데이터 라인(DL1~DLm) 및 다수의 게이트 라인(GL1~GLn)이 배치되고, 다수의 서브픽셀(Sub Pixel)이 배치된 표시패널(110), 다수의 데이터 라인(DL1~DLm)을 구동하는 데이터 구동부(130), 다수의 게이트 라인(GL1~GLn)을 구동하는 게이트 구동부(120), 데이터 구동부(130) 및 게이트 구동부(120)를 제어하는 타이밍 컨트롤러(140) 등을 포함한다.2 is a schematic system configuration diagram of a display device according to the present exemplary embodiment. Referring to FIG. 2 , in the display device 100 according to the present exemplary embodiments, a plurality of data lines DL1 to DLm and a plurality of gate lines GL1 to GLn are disposed, and a plurality of sub-pixels are provided. The display panel 110, the data driver 130 driving the plurality of data lines DL1 to DLm, the gate driver 120 driving the plurality of gate lines GL1 to GLn, the data driver 130, and and a timing controller 140 that controls the gate driver 120 .

상기 데이터 구동부(130)는 다수의 데이터 라인으로 데이터 전압을 공급함으로써 다수의 데이터 라인을 구동한다. 그리고, 상기 게이트 구동부(120)는 다수의 게이트 라인으로 스캔 신호를 순차적으로 공급함으로써, 다수의 게이트 라인을 순차적으로 구동한다.The data driver 130 drives a plurality of data lines by supplying data voltages to the plurality of data lines. In addition, the gate driver 120 sequentially drives the plurality of gate lines by sequentially supplying scan signals to the plurality of gate lines.

또한, 상기 타이밍 컨트롤러(140)는 상기 데이터 구동부(130) 및 게이트 구동부(120)로 제어신호를 공급함으로써 데이터 구동부(130) 및 게이트 구동부(120)를 제어한다. 이러한 타이밍 컨트롤러(140)는 각 프레임에서 구현하는 타이밍에 따라 스캔을 시작하고, 외부에서 입력되는 입력 영상 데이터를 데이터 구동부(130)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 전환하여 전환된 영상 데이터를 출력하고, 스캔에 맞춰 적당한 시간에 데이터 구동을 통제한다.Also, the timing controller 140 controls the data driver 130 and the gate driver 120 by supplying control signals to the data driver 130 and the gate driver 120 . The timing controller 140 starts scanning according to the timing implemented in each frame, converts the input image data input from the outside to match the data signal format used by the data driver 130, and outputs the converted image data. , control the data drive at an appropriate time according to the scan.

상기 게이트 구동부(120)는 상기 타이밍 컨트롤러(140)의 제어에 따라 온(On) 전압 또는 오프(Off) 전압의 스캔 신호를 다수의 게이트 라인으로 순차적으로 공급하여 다수의 게이트 라인을 순차적으로 구동한다. 또한, 상기 게이트 구동부(120)는 구동 방식이나 표시패널 설계 방식 등에 따라서, 도 2에 나타낸 바와 같이, 표시패널(110)의 일 측에만 위치할 수도 있고, 경우에 따라서는 양측에 위치할 수도 있다.The gate driver 120 sequentially drives the plurality of gate lines by sequentially supplying a scan signal of an on voltage or an off voltage to the plurality of gate lines under the control of the timing controller 140 . . In addition, the gate driver 120 may be positioned on only one side of the display panel 110 as shown in FIG. 2 or on both sides in some cases, depending on a driving method or a display panel design method. .

또한, 상기 게이트 구동부(120)는 하나 이상의 게이트 구동부 집적회로(Gate Driver Integrated Circuit)를 포함할 수 있다. 각 게이트 구동부 집적회로는 테이프 오토메티드 본딩(TAB: Tape Automated Bonding) 방식 또는 칩 온 글래스(COG) 방식으로 표시패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, GIP(Gate In Panel) 타입으로 구현되어 표시패널(110)에 직접 배치될 수도 있으며, 경우에 따라서 표시패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있다.Also, the gate driver 120 may include one or more gate driver integrated circuits. Each gate driver integrated circuit is connected to a bonding pad of the display panel 110 by a tape automated bonding (TAB) method or a chip-on-glass (COG) method, or a gate in panel (GIP) type. may be implemented and directly disposed on the display panel 110 , or may be integrated and disposed on the display panel 110 in some cases.

또한, 각 게이트 구동부 집적회로는, 칩 온 필름(COF: Chip On Film) 방식으로 구현될 수 있다. 이 경우, 각 게이트 구동부 집적회로에 해당하는 게이트 구동 칩은 연성 필름에 실장되고, 연성 필름의 일 단이 표시패널(110)에 본딩될 수 있다.In addition, each gate driver integrated circuit may be implemented in a Chip On Film (COF) method. In this case, the gate driving chip corresponding to each gate driver integrated circuit may be mounted on a flexible film, and one end of the flexible film may be bonded to the display panel 110 .

상기 데이터 구동부(130)는 특정 게이트 라인이 열리면 상기 타이밍 컨트롤러(140)로부터 수신한 영상 데이터를 아날로그 형태의 데이터 전압으로 변환하여 다수의 데이터 라인으로 공급함으로써, 다수의 데이터 라인을 구동한다. 그리고, 상기 데이터 구동부(130)는 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(Source Driver Integrated Circuit)를 포함하여 다수의 데이터 라인을 구동할 수 있다.When a specific gate line is opened, the data driver 130 converts the image data received from the timing controller 140 into analog data voltage and supplies it to the plurality of data lines, thereby driving the plurality of data lines. In addition, the data driver 130 may drive a plurality of data lines including at least one source driver integrated circuit.

각 소스 드라이버 집적회로는 테이프 오토메티드 본딩(TAB: Tape Automated Bonding) 방식 또는 칩 온 글래스(COG) 방식으로 표시패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, 표시패널(110)에 직접 배치될 수도 있으며, 경우에 따라서, 표시패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있다.Each source driver integrated circuit is connected to a bonding pad of the display panel 110 by a tape automated bonding (TAB) method or a chip-on-glass (COG) method, or directly to the display panel 110 . It may be disposed or, in some cases, may be integrated and disposed on the display panel 110 .

또한, 각 소스 드라이버 집적회로는 칩 온 필름(COF: Chip On Film) 방식으로 구현될 수 있다. 이 경우, 각 소스 드라이버 집적회로에 해당하는 소스 구동 칩은 연성 필름에 실장되고, 연성 필름의 일 단은 적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(Source Printed Circuit Board)에 본딩되고, 타 단은 표시패널(110)에 본딩된다.In addition, each source driver integrated circuit may be implemented in a chip on film (COF) method. In this case, the source driving chip corresponding to each source driver integrated circuit is mounted on a flexible film, one end of the flexible film is bonded to at least one source printed circuit board (Source Printed Circuit Board), and the other end is the display panel ( 110) is bonded.

소스 인쇄회로기판은 연성 플랫 케이블(FFC: Flexible Flat Cable) 또는 연성 인쇄 회로(FPC: Flexible Printed Circuit) 등의 연결 매체를 통해 컨트롤 인쇄회로기판(Control Printed Circuit Board)과 연결된다. 컨트롤 인쇄회로기판에는 타이밍 컨트롤러(140)가 배치된다.The source printed circuit board is connected to the control printed circuit board through a connection medium such as a flexible flat cable (FFC) or a flexible printed circuit (FPC). A timing controller 140 is disposed on the control printed circuit board.

또한, 컨트롤 인쇄회로기판에는 표시패널(110), 데이터 구동부(130) 및 게이트 구동부(120) 등으로 전압 또는 전류를 공급해주거나 공급할 전압 또는 전류를 제어하는 전원 컨트롤러(미도시)가 더 배치될 수 있다. 위에서 언급한 소스 인쇄회로기판과 컨트롤 인쇄회로기판은 하나의 인쇄회로기판으로 되어 있을 수도 있다.In addition, a power controller (not shown) for supplying voltage or current to the display panel 110 , the data driver 130 , the gate driver 120 , or controlling the voltage or current to be supplied may be further disposed on the control printed circuit board. have. The above-mentioned source printed circuit board and control printed circuit board may be a single printed circuit board.

한편, 본 발명의 화소(pixel)는 하나 이상의 서브화소(subpixel)를 포함한다. 상기 서브화소는 특정한 한 종류의 컬러필터가 형성되거나, 또는 컬러필터가 형성되지 않고 유기발광소자가 특별한 색상을 발광할 수 있는 단위를 의미한다. 서브화소에서 정의하는 색상으로 적색(R), 녹색(G), 청색(B)과 선택적으로 백색(W)를 포함할 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.Meanwhile, a pixel of the present invention includes one or more subpixels. The sub-pixel means a unit in which a specific color filter is formed or a color filter is not formed and the organic light emitting device can emit a special color. The colors defined in the sub-pixel may include red (R), green (G), blue (B), and optionally white (W), but the present invention is not limited thereto.

또한, 표시패널의 각 서브화소 영역의 발광을 제어하는 박막 트랜지스터에 연결된 전극을 제 1 전극이라 하며, 표시패널 전면에 배치되거나, 또는 둘 이상의 화소 영역을 포함하도록 배치된 전극을 제 2 전극이라 한다. 상기 제 1 전극이 애노드 전극인 경우 제 2 전극이 캐소드 전극이 되며, 그 역의 경우도 가능하다. 이하, 제 1 전극의 일 실시예로 애노드 전극을, 제 2전극의 일 실시예로 캐소드 전극을 중심으로 설명하지만 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.In addition, an electrode connected to the thin film transistor for controlling light emission of each sub-pixel area of the display panel is referred to as a first electrode, and an electrode disposed on the front surface of the display panel or disposed to include two or more pixel areas is referred to as a second electrode. . When the first electrode is an anode electrode, the second electrode is a cathode electrode, and vice versa. Hereinafter, an anode electrode as an embodiment of the first electrode and a cathode electrode as an embodiment of the second electrode will be mainly described, but the present invention is not limited thereto.

본 발명의 화소(pixel)는 하나 이상의 서브화소(subpixel)를 포함한다. 예를 들면, 1개의 화소는 2개 내지 4개의 서브화소를 포함할 수 있다. 상기 서브화소는 특정한 한 종류의 컬러필터층이 형성되거나, 또는 컬러필터층이 형성되지 않고 유기발광소자가 특별한 색상을 발광할 수 있는 단위를 의미한다. 서브화소에서 정의하는 색상으로 적색(R), 녹색(G), 청색(B)과 선택적으로 백색(W)를 포함할 수 있으나, 본 발명이 이에 국한되는 것은 아니다.A pixel of the present invention includes one or more subpixels. For example, one pixel may include 2 to 4 sub-pixels. The sub-pixel means a unit in which a specific color filter layer is formed or a color filter layer is not formed and the organic light emitting device can emit a specific color. The colors defined in the sub-pixel may include red (R), green (G), blue (B), and optionally white (W), but the present invention is not limited thereto.

하부발광(bottom-emission) 방식의 유기발광 표시장치를 개시하였으나, 본 발명의 실시예들은 필요에 따라서 상부발광(top-emission) 또는 양면발광(dual-emission) 방식의 유기발광 표시장치에도 적용될 수 있다.Although a bottom-emission type organic light emitting display device has been disclosed, embodiments of the present invention may be applied to a top-emission or dual-emission type organic light emitting display device as needed. have.

도 3은 본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 구성을 나타낸 예시도이다. 이하의 설명에서 유기발광 표시장치의 발광 영역과 비발광 영역을 각각 도시하였으며, 비발광 영역에는 유기발광 표시장치의 화소를 동작시키기 위한 다수의 구성 소자가 구비될 수 있다. 본 발명에서 절연층과 액티브층이 발광 영역과 비발광 영역에서 그 형상을 달리하므로 발광영역의 일부와 비발광 영역의 일부가 접하는 부분을 중심으로 설명하지만 본 발명이 이를 한정하는 것을 의미하는 것은 아니다.3 is an exemplary view showing the configuration of an organic light emitting display device according to the present invention. In the following description, a light emitting region and a non-emission region of the organic light emitting display are respectively illustrated, and a plurality of elements for operating pixels of the organic light emitting display may be provided in the non-emissive region. In the present invention, since the shape of the insulating layer and the active layer is different in the light emitting area and the non-emission area, the portion where a part of the light-emitting area and a part of the non-emission area are in contact with each other will be mainly described, but the present invention does not mean that the present invention is limited thereto. .

도시한 바와 같이, 기판(201)은 발광 영역과 비발광 영역으로 구분할 수 있다. 비발광 영역의 상기 기판(201) 상부에는 차광층(Light shield layer)(202)이 배치된다.As shown, the substrate 201 can be divided into a light-emitting area and a non-emission area. A light shield layer 202 is disposed on the substrate 201 in the non-emission area.

상기 기판(201) 상에 제1 절연층(203)이 배치된다. 이때, 비발광 영역의 제1 절연층(203a)과 달리 발광 영역의 제1 절연층(203b)은 다수의 마이크로 렌즈 어레이(Micro lense Array: MLA)의 형상으로 형성된다.A first insulating layer 203 is disposed on the substrate 201 . In this case, unlike the first insulating layer 203a of the non-emission area, the first insulating layer 203b of the light emitting area is formed in the shape of a plurality of micro lens arrays (MLA).

상기 제1 절연층(203) 위에는 액티브 층이 배치된다. 이때, 비발광 영역의 액티브층(204a)와 달리 발광 영역의 액티비층(204b)은 상기 제1 절연층(203b)의 형상과 동일한 형상의 다수의 마이크로 렌즈 어레이로 형성된다.An active layer is disposed on the first insulating layer 203 . In this case, unlike the active layer 204a of the non-emission area, the activator layer 204b of the light-emitting area is formed of a plurality of microlens arrays having the same shape as that of the first insulating layer 203b.

비발광 영역의 액티브층(204a)의 상부에는 제2 절연층(206)을 사이에 두고 게이트 전극(206)이 형성된다. 층간절연층(inter layer dielectric)(207)에 형성된 컨택홀에는 박막트랜지스터의 소스 전극(208a)과 드레인 전극(208b)이 형성된다.A gate electrode 206 is formed on the active layer 204a of the non-emission region with the second insulating layer 206 interposed therebetween. A source electrode 208a and a drain electrode 208b of the thin film transistor are formed in the contact hole formed in the inter layer dielectric 207 .

상기 액티브층(204a)의 양측 부분은 소스 영역 및/또는 드레인 영역으로 사용될 수 있다. 즉, 액티브층(204a)의 특성에 따라 해당 구성이 소스로 이용되거나 혹은 드레인으로 이용될 수 있으므로, "소스/드레인 전극"이라고 표현하는 경우도 있으나, 이하의 설명에서는 208a를 소스 전극으로 208b를 드레인 전극으로 명명하지만, 액티브층의 특성에 따라 각각 소스 전극으로 이용되거나 드레인 전극으로 이용될 수 있다. 따라서, 해당 전극의 명명이 본 발명의 구성의 용도를 한정하지 않는다.Both sides of the active layer 204a may be used as a source region and/or a drain region. That is, according to the characteristics of the active layer 204a, the corresponding configuration may be used as a source or a drain, so it is sometimes referred to as a "source/drain electrode". Although it is called a drain electrode, it may be used as a source electrode or a drain electrode, respectively, depending on the characteristics of the active layer. Accordingly, the nomenclature of the electrode does not limit the use of the construction of the present invention.

비발광 영역의 박막트랜지스터의 상부 및 발광 영역의 상부에 보호층(passivation layer)(209)이 형성된다.A passivation layer 209 is formed on the thin film transistor in the non-emission region and on the light emitting region.

상기 보호층(209)의 상부에는 오버코트층(over coat layer)(211)이 형성된다. 이때, 상기 보호층(209)과 오버코트층(211)의 사이에는 컬러필터층(210)이 형성될 수 있다.An overcoat layer 211 is formed on the protective layer 209 . In this case, a color filter layer 210 may be formed between the protective layer 209 and the overcoat layer 211 .

상기 오버코트층상의 발광 영역 전체와 비발광 영역의 일부분에는 제1 전극(212)이 배치된다. 이후, 발광 영역과 비발광 영역을 구획하는 뱅크층(213)이 형성되고, 발광층을 포함하는 복수의 유기층으로 이루어진 유기발광층(214)이 형성된다. 이때, 상기 유기발광층(214)은 발광 영역에서 평탄하게 이루어진다.A first electrode 212 is disposed on the entire light-emitting region and a portion of the non-emission region on the overcoat layer. Thereafter, a bank layer 213 that partitions the light emitting region and the non-emission region is formed, and the organic light emitting layer 214 including a plurality of organic layers including the light emitting layer is formed. In this case, the organic light emitting layer 214 is formed to be flat in the light emitting area.

상기 유기발광층(214) 위에는 제2 전극(215)이 상기 발광 영역 및 비발광 영역 전체에 배치된다.A second electrode 215 is disposed on the organic light emitting layer 214 over the entire light emitting area and the non-emissive area.

도 4는 본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 제조 방법을 나타낸 흐름도이고, 도 5a 내지 도 5l은 본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 제조 과정을 나타낸 예시도이다.4 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to the present invention, and FIGS. 5A to 5L are exemplary views illustrating a manufacturing process of the organic light emitting display device according to the present invention.

먼저, 도 5a에 도시한 바와 같이, 비발광 영역의 기판(201) 상부에 차광층(inter layer dielectric)(202)을 형성한다. 이어, 도 5b에 도시한 바와 같이 비발광 영역의 차광층(202) 및 발광 영역의 기판(201) 상부에 제1 절연층을 형성한다. 이때, 비발광 영역의 제1 절연층(203a)과 달리, 발광 영역의 제1 절연층(203b)은 함몰부("A")와 돌출부("B")가 교번하여 배치되는 마이크로 렌즈 어레이(Micro Layer)의 형상으로 이루어진다 (S401 단계).First, as shown in FIG. 5A , an inter layer dielectric 202 is formed on the substrate 201 in the non-emission area. Next, as shown in FIG. 5B , a first insulating layer is formed on the light blocking layer 202 in the non-emission region and the substrate 201 in the light emitting region. At this time, unlike the first insulating layer 203a of the non-emissive region, the first insulating layer 203b of the light emitting region has a micro lens array ( Micro Layer) (step S401).

도 5c에서 나타낸 바와 같이 상기 제1 절연층(203) 위에는 액티브 층이 배치된다. 이때, 비발광 영역의 액티브층(204a)와 달리 발광 영역의 액티비층(204b)은 상기 제1 절연층(203b)의 형상과 동일한 형상의 다수의 마이크로 렌즈 어레이로 형성된다.As shown in FIG. 5C , an active layer is disposed on the first insulating layer 203 . In this case, unlike the active layer 204a of the non-emission area, the activator layer 204b of the light-emitting area is formed of a plurality of microlens arrays having the same shape as that of the first insulating layer 203b.

상기 제1 절연층의 마이크로 렌즈 어레이(203b)와 상기 액티브층의 마이크로 렌즈 어레이(204b)는 서로 다른 굴절율을 갖는다. 이때, 상기 액티브층의 마이크로 렌즈 어레이(204b)의 굴절율이 상기 제1 절연층(203b)의 굴절율보다 큰 것이 바람직하다.The micro lens array 203b of the first insulating layer and the micro lens array 204b of the active layer have different refractive indices. In this case, it is preferable that the refractive index of the microlens array 204b of the active layer is greater than the refractive index of the first insulating layer 203b.

상기 제1 절연층의 마이크로 렌즈 어레이(203b)의 재료로는 산화실리콘(SiO_x) 이나 질화실리콘(SiN_x)을 포함하여 유전체로 활용 가능한 모든 재료가 사용될 수 있다.As a material of the microlens array 203b of the first insulating layer, any material usable as a dielectric including silicon oxide (SiO _x ) or silicon nitride (SiN _x ) may be used.

상기 액티브층의 마이크로 렌즈 어레이(204b)은 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), 산화물반도체, 비정질 실리콘(a-Si) 및 다결정 실리콘(Poly-Si) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.The micro lens array 204b of the active layer may be formed of any one of indium gallium zinc oxide (IGZO), an oxide semiconductor, amorphous silicon (a-Si), and polycrystalline silicon (Poly-Si).

도 6a와 도 6b는 산화실리콘과 인듐갈륨아연 산화물(IGZO)의 굴절율을 나타낸 실험 그래프 예시도이다. 도시한 그래프에서 볼 수 있듯이 산화실리콘(SiO₂)의 굴절율은 550㎚ 기준으로 "1.46"의 수치를 나타내며, 인듐갈륨아연 산화물(Indium Gallium Zinc Oxide: IGZO)의 굴절율은 550㎚ 기준으로 "2.0"의 수치를 나타낸다 (S402 단계).6A and 6B are exemplary experimental graphs showing the refractive indices of silicon oxide and indium gallium zinc oxide (IGZO). As can be seen from the graph shown, the refractive index of silicon oxide (SiO ₂ ) represents a value of "1.46" based on 550 nm, and the refractive index of indium gallium zinc oxide (IGZO) is "2.0" based on 550 nm represents the numerical value of (step S402).

도 5d에서 나타낸 바와 같이, 비발광 영역의 액티브층(204a)의 상부에는 마스크를 이용하여 제2 절연층(206)을 사이에 두고 게이트 전극(206)을 형성한다.As shown in FIG. 5D , the gate electrode 206 is formed on the active layer 204a in the non-emission region with the second insulating layer 206 interposed therebetween using a mask.

이어 도 5e와 같이 층간 절연층(inter layer dielectric)(207)을 도포하고, 포토 공정을 이용하여 컨택홀(CH1, CH2)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 5E , an inter layer dielectric 207 is applied, and contact holes CH1 and CH2 are formed using a photo process.

이후, 도 5f에서와 같이 상기 컨택홀(CH1, CH2)에 도전성 물질이 도포되어 식각되어 박막트랜지스터의 소스 전극(208a)과 드레인 전극(208b)이 형성된다. 상기 액티브층(204a)의 양측 부분은 소스 영역 및/또는 드레인 영역으로 사용될 수 있다. 208c은 비발광 영역의 다른 소자와 전기적 연결을 위한 브릿지 패턴으로 사용될 수 있다 (S403 단계).Thereafter, as shown in FIG. 5F , a conductive material is applied to the contact holes CH1 and CH2 and etched to form a source electrode 208a and a drain electrode 208b of the thin film transistor. Both sides of the active layer 204a may be used as a source region and/or a drain region. 208c may be used as a bridge pattern for electrical connection with other devices in the non-light emitting region (step S403).

도 5g에 도시한 바와 같이, 비발광 영역의 박막트랜지스터의 상부 및 발광 영역의 상부에는 보호층(passivation layer)(209)이 형성된다. 도 5h에 도시한 바와 같이 발광 영역의 보호층(209)의 상부에는 컬러 필터층(210)이 형성된다. 이어, 도 5i와 같이 상기 보호층(209)의 상부 및 컬러 필터층(210)의 상부에는 오버코트층(over coat layer)(211)이 형성된다 (S404 단계).As shown in FIG. 5G , a passivation layer 209 is formed on the upper portion of the thin film transistor in the non-emissive region and on the upper portion of the light emitting region. As shown in FIG. 5H , a color filter layer 210 is formed on the passivation layer 209 of the light emitting region. Next, an overcoat layer 211 is formed on the protective layer 209 and on the color filter layer 210 as shown in FIG. 5I (step S404).

5j에 도시한 바와 같이, 상기 오버코트층상의 발광 영역 전체와 비발광 영역의 일부분에는 제1 전극(212)이 배치되고(S405 단계), 이후, 도 5k에 도시한 바와 같이 발광 영역과 비발광 영역을 구획하는 뱅크층(213)을 형성한다.As shown in Fig. 5j, the first electrode 212 is disposed on the entire light-emitting region and a part of the non-emissive region on the overcoat layer (step S405). A bank layer 213 partitioning the

도 5l에 도시한 바와 같이 발광층을 포함하는 복수의 유기층으로 이루어진 유기발광층(214)이 발광 영역의 제1 전극(212) 및 비발광 영역의 뱅크(213) 상부를 덮도록 형성된다. 이때, 상기 유기발광층(214)은 발광 영역에서 평탄하게 이루어진다 (S406 단계). 상기 유기발광층(214) 위에는 제2 전극(215)이 상기 발광 영역 및 비발광 영역 전체에 배치된다 (S407 단계).As shown in FIG. 5L , an organic light emitting layer 214 including a plurality of organic layers including a light emitting layer is formed to cover the upper portions of the first electrode 212 in the light emitting area and the bank 213 in the non light emitting area. At this time, the organic light emitting layer 214 is made to be flat in the light emitting area (step S406). A second electrode 215 is disposed on the organic light emitting layer 214 over the light emitting area and the non-emissive area (step S407).

도 7은 본 발명을 적용한 경우의 휘도 실험 그래프 예시도이다. 위의 도 6a 및 도 6b를 통해 나타낸 바와 같이, 본 발명의 제1 절연층(203b)의 재료로 사용되는 산화실리콘(SiO2)과 액티브층(204b)의 재료로 사용되는 인듐갈륨아연 산화물(IGZO)의 굴절율 차이는 약 "0.54"의 차이를 나타낸다. 이러한 굴절율 차이를 갖는 마이크로 렌즈 어레이를 사용하는 경우(b)는 마이크로 렌즈 어레이를 사용하지 않은 경우(a)에 비하여 약 1.3배의 휘도 상승 효과를 나타내는 것을 알 수 있다.7 is an exemplary diagram of a luminance experiment graph when the present invention is applied. 6A and 6B above, silicon oxide (SiO2) used as a material of the first insulating layer 203b of the present invention and indium gallium zinc oxide (IGZO) used as a material of the active layer 204b of the present invention ) represents a difference of about "0.54". It can be seen that when a micro lens array having such a refractive index difference is used (b), the luminance increase effect is about 1.3 times greater than that of the case (a) not using the micro lens array.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기발광 표시장치 및 그 제조방법은 기판 위의 포토 공정 또는 애쉬(ashing) 공정을 통해 마이크로 렌즈 어레이 형상을 갖는 절연층을 형성하고, 그 위에 절연층보다 큰 굴절율을 갖는 액티브층을 동일한 형상의 마이크로 렌즈 어레이를 형성함으로써, 발광 효율을 향상시킬 수 있으며, 박막트랜지스터 상부의 구조물을 평탄화할 수 있다.As described above, in the organic light emitting display device and the method for manufacturing the same according to the present invention, an insulating layer having a microlens array shape is formed on a substrate through a photo process or an ashing process, and a larger size than the insulating layer is formed thereon. By forming the microlens array having the same shape as the active layer having the refractive index, luminous efficiency can be improved and the structure on the thin film transistor can be planarized.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to the preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art can variously modify and change the present invention within the scope without departing from the spirit and scope of the present invention described in the claims below. You will understand that it can be done.

100: 유기발광 표시장치 101: 오버코트층
102: 화소전극 110: 표시패널
120: 게이트 드라이버 130: 데이터 드라이버
140: 타이밍 제어부 201: 기판
202: 차광층 203a, 203b: 제1 절연층
204a, 204b: 액티브층 205: 제2 절연층
206: 게이트 전극 207: 층간절연층
208a: 소스 전극 208b: 드레인 전극
209: 보호층 210: 컬러필터층
211: 오버코트층 212: 제1 전극
213: 뱅크 214: 유기발광층
215: 제2 전극100: organic light emitting display device 101: overcoat layer
102: pixel electrode 110: display panel
120: gate driver 130: data driver
140: timing controller 201: substrate
202: light blocking layer 203a, 203b: first insulating layer
204a, 204b: active layer 205: second insulating layer
206: gate electrode 207: interlayer insulating layer
208a: source electrode 208b: drain electrode
209: protective layer 210: color filter layer
211: overcoat layer 212: first electrode
213: bank 214: organic light emitting layer
215: second electrode

Claims

a substrate divided into a light-emitting area and a non-light-emitting area;
a first insulating layer disposed on the substrate and having a plurality of micro lens arrays in the light emitting area; and
an active layer disposed on the first insulating layer, forming an operation channel of the thin film transistor in the non-emission region, and having a plurality of micro lens arrays having the same shape as that of the first insulating layer in the light emitting region; includes,
The organic light emitting display device according to claim 1, wherein in the micro lens array of the first insulating layer, recessed portions and protruding portions are alternately disposed.

delete

According to claim 1,
The organic light emitting display device, characterized in that the microlens array of the first insulating layer and the active layer are made of materials having different refractive indices.

4. The method of claim 3,
The organic light emitting display device, characterized in that the refractive index of the micro lens array of the active layer is greater than the refractive index of the first insulating layer.

5. The method of claim 4,
The active layer is an organic light emitting display device, characterized in that made of any one of IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide), an oxide semiconductor, amorphous silicon (a-Si), and polycrystalline silicon (Poly-Si).

According to claim 1,
a thin film transistor formed including a gate electrode formed on the active layer with a second insulating layer interposed therebetween, and source and drain electrodes contacting the active layer through a contact hole formed in an inter layer dielectric;
a passivation layer formed on the thin film transistor;
an overcoat layer formed on the protective layer;
a first electrode disposed on the entire light-emitting region and a portion of the non-emission region disposed on the overcoat layer;
an organic light emitting layer formed of a plurality of organic layers including a light emitting layer and disposed on the first electrode, the organic light emitting layer being flat in the light emitting region; and
The organic light emitting display device of claim 1, further comprising a second electrode disposed on the entire light emitting area and the non-emissive area on the organic light emitting layer.

The organic light emitting display device of claim 6 , wherein a color filter layer is further disposed between the passivation layer and the overcoat layer in the light emitting region.

The organic light emitting diode display of claim 1 , further comprising a light shield layer between the substrate and the first insulating layer.

forming a first insulating layer having a plurality of microlens arrays in the light emitting area on a substrate divided into a light emitting area and a non light emitting area; and
It is disposed on the first insulating layer, comprising the step of forming an active layer having a plurality of micro lens arrays on the first insulating layer of the light emitting region,
In the microlens array of the first insulating layer and the active layer, depressions and protrusions are alternately disposed.

The method of claim 9 , wherein the microlens array of the first insulating layer and the active layer is formed by an ashing process.

10. The method of claim 9,
The method of claim 1, wherein the microlens array of the first insulating layer and the active layer are made of materials having different refractive indices.

12. The method of claim 11,
The method of manufacturing an organic light emitting display device, characterized in that the refractive index of the micro lens array of the active layer is greater than the refractive index of the first insulating layer.

10. The method of claim 9,
forming a thin film transistor in a non-emission region on the active layer;
forming an overcoat layer over the entire light emitting area and non-emission area on the thin film transistor;
forming a first electrode on the entire light emitting region and a portion of the non-light emitting region disposed on the overcoat layer;
disposing on the first electrode, comprising a plurality of organic layers including a light emitting layer, and flatly forming an organic light emitting layer in the light emitting region; and
and forming a second electrode on the organic light emitting layer in the entire light emitting area and the non light emitting area.