KR20190079288A

KR20190079288A - Gas scrubber

Info

Publication number: KR20190079288A
Application number: KR1020170181382A
Authority: KR
Inventors: 전재강; 한찬희
Original assignee: 전재강; 한찬희
Priority date: 2017-12-27
Filing date: 2017-12-27
Publication date: 2019-07-05
Also published as: KR102124090B1

Abstract

An embodiment of the present invention relates to a gas scrubber. Provided is the gas scrubber, which has at least one gas diffusion unit to induce a uniform and even gas flow of harmful gas introduced into a lower end and an upper end of exhaust gas discharged therefrom, thereby removing windage in the gas flow. To this end, disclosed is the gas scrubber, comprising: a lower cover into which harmful gas is introduced; a canister extended upwards from the lower cover and filled with an adsorbent to adsorb and remove the harmful gas, and having at least one gas diffusion unit installed to remove windage of the harmful gas by inducing the uniform flow of the harmful gas; and an upper cover installed at an upper portion of the canister such that exhaust gas which remains after the harmful gas is adsorbed is discharged.

Description

Gas scrubber

본 발명의 실시예는 가스 스크러버에 관한 것이다.An embodiment of the present invention relates to a gas scrubber.

반도체 제조 공정은 화학 증기 증착 공정, 저압 증기 화학 증착 공정, 플라즈마 강화 화학 증착 공정, 플라즈마 부식 공정 등을 포함한다. 그리고 상기와 같은 반도체 제조 공정에서는 다량의 실란, 디클로로실란, 암모니아, 산화질소, 아르신, 포스핀, 디보린 등을 사용한다. 그러나 반도체 제조 공정에서 사용되는 이상의 물질 중 실제 제조 공정에서는 소량만이 소모되며, 소모되지 않는 물질은 배기 가스에 포함되어 HCl, Cl₂, HF 등과 같은 유해성 가스, 분진 및/또는 증기 형태로 외부로 배출된다.Semiconductor manufacturing processes include chemical vapor deposition processes, low pressure vapor chemical vapor deposition processes, plasma enhanced chemical vapor deposition processes, plasma etching processes, and the like. In the semiconductor manufacturing process, a large amount of silane, dichlorosilane, ammonia, nitrogen oxide, arsine, phosphine, diborin, or the like is used. However, only a small amount of the above materials used in the semiconductor manufacturing process is consumed in the actual manufacturing process, and the exhausted material is contained in the exhaust gas and is discharged to the outside in the form of harmful gas such as HCl, Cl ₂ , HF, .

소모되지 않고 배기 가스에 포함되어 배출되는 상기와 같은 물질은 작업자에게 심각한 영향을 미칠 수 있으며, 반도체 제조 공정에 사용되는 장치를 오염시키는 문제점도 발생한다.Such materials, which are not consumed and discharged in the exhaust gas, can seriously affect the operator and cause a problem that the apparatus used in the semiconductor manufacturing process is contaminated.

따라서 종래에 반도체 제조 공정에서 배출되는 상기와 같은 유해성 가스를 처리하기 위하여 여러 방법이 사용되고 있다. 대표적으로 사용되는 방법으로는, 고온의 환경에서 유해성 가스를 열분해하여 정화하는 연소식 처리법과, 흡착제를 이용하여 정화하는 방식의 건식 처리법과, 유해성 가스를 물과 접촉하도록 하여 포집한 후 오염된 물을 정화하는 방식의 습식 처리법 및 상기 방법을 혼용한 처리법 등이 있다.Accordingly, various methods have been used to treat such harmful gas discharged from a semiconductor manufacturing process. Typical methods include a combustion treatment method in which the harmful gas is pyrolyzed and purified in a high temperature environment, a dry treatment method in which the adsorbent is used for purification, a method in which harmful gas is brought into contact with water, And a treatment method in which the above methods are used in combination.

연소식 처리법은 히터를 이용한 간접 가열 방식과 LPG 등과 같은 연료 가스를 연소시켜 유해성 가스를 태우는 직접 가열 방식으로 구분되며, 고농도의 가스를 처리하는데 적합한 것으로 알려져 있으나, 고온의 환경을 조성하기 위해 히터를 사용하거나 LPG 등의 가스를 연소시킴에 따라 안전상의 문제와 더불어 경제성이 취약하다는 점이 문제점으로 지적되고 있다.The combustion method is classified into an indirect heating method using a heater and a direct heating method burning a fuel gas such as LPG by burning a harmful gas and is known to be suitable for treating a high concentration gas. However, in order to create a high temperature environment, Or burning gas such as LPG, it is pointed out that there is a problem in safety as well as economical efficiency.

건식 처리법 중에서 흡착제를 이용하는 방식은 알루미나, 소석회, 알루미나 실리케이트, 제올라이드 등의 무기 흡착제, 활성탄, 상기한 무기 흡착제를 담체로 하여 알칼리 화합물이나 산성 화합물을 처리한 첨착 무기 흡착제 또는 금속으로 코팅한 첨착 무기 흡착제, 상기한 활성탄에 화학 물질을 첨착한 첨착 활성탄을 흡착제로 사용하며, 상기한 무기 흡착제, 활성탄, 화합물이나 금속 첨착 무기 흡착제, 화학물질 첨착 활성탄을 다층 적층하여 사용하기도 한다.The method using an adsorbent in the dry treatment method includes an inorganic adsorbent such as alumina, slaked lime, alumina silicate and zeolite, activated carbon, an impregnated inorganic adsorbent obtained by treating the above inorganic adsorbent with an alkali compound or an acidic compound, Inorganic adsorbents and impregnated activated carbon impregnated with chemical substances on activated carbon are used as an adsorbent, and the inorganic adsorbents, activated carbon, compounds, metal impregnated inorganic adsorbents, and chemical impregnated activated carbon described above are laminated and used.

한편, 습식 처리법 중에는 물 또는 염기성 수용액을 분사노즐 등에 의해 하방으로 분사하고 낙하하는 영역에 유해물질이 포함된 배기가스를 통과시키는 구조로 이루어져, 기체와 액체의 접촉에 의해 유해가스를 중화하거나 흡수하여 처리하는 방식이 있다.On the other hand, in the wet treatment method, a water or basic aqueous solution is injected downward by an injection nozzle or the like to pass an exhaust gas containing a harmful substance through a falling region, and the noxious gas is neutralized or absorbed by contact between the gas and the liquid There is a way to process.

여기서, 건식 처리법에 사용되던 기존의 가스 스크러버는 유해성 가스를 유입관에서 배기관까지 대략 직선 형태로 이동시키는 구조(편류 구조)로 되어 있음으로써, 유해성 가스와 흡착제가 상호간 균일하게 반응하지 못하여 가스 스크러버의 수명이 급격하게 감소하는 문제가 있었다. Here, the conventional gas scrubber used in the dry treatment method has a structure (a drift structure) for moving the harmful gas from the inflow pipe to the exhaust pipe in a substantially linear form, so that the harmful gas and the adsorbent do not uniformly react with each other, There has been a problem that the lifetime is rapidly reduced.

또한, 기존의 가스 스크러버는 하단부에 반응 부산물을 걸러주는 필터 및 트랩 등을 갖고 있지 않음으로써, 반응 부산물에 의한 부분적 막힘 현상이 발생하고, 이에 따라 흡착제의 성능이 저하되는 문제가 있었다. In addition, the conventional gas scrubber has no filter or trap for filtering the reaction by-products at the lower end thereof, so that the partial clogging due to the reaction by-products occurs, thereby deteriorating the performance of the adsorbent.

더욱이, 기존의 가스 스크러버는 유입관을 통해 유입되는 유해성 가스 및 배기관을 통해 배기되는 배기 가스의 균일하고 고른 가스 흐름을 유도하는 장치를 갖고 있지 않음으로써, 편류가 크게 발생하는 문제가 있었다. 통상적으로, 편류가 발생할 경우 흡착제가 하부 영역의 대략 50 ~ 60% 정도만 반응하고 나머지 상부 영역은 전혀 반응하지 않는 현상이 발생하는 문제가 있었다. 또한, 기존의 가스 스크러버는 하부 영역에 수분 제거 등을 위해 별도의 기능성 흡착제를 충진하여야 하는 문제도 있었다.Further, the conventional gas scrubber has no apparatus for inducing a uniform and even gas flow of the harmful gas flowing through the inlet pipe and the exhaust gas exhausted through the exhaust pipe, which causes a problem of large drift. Generally, when the drift occurs, there is a problem that the adsorbent reacts only about 50 to 60% of the lower region and the remaining upper region does not react at all. In addition, the conventional gas scrubber has a problem that a separate functional adsorbent must be filled in the lower region to remove moisture.

이러한 발명의 배경이 되는 기술에 개시된 상술한 정보는 본 발명의 배경에 대한 이해도를 향상시키기 위한 것뿐이며, 따라서 종래 기술을 구성하지 않는 정보를 포함할 수도 있다.The above-described information disclosed in the background of the present invention is only for improving the understanding of the background of the present invention, and thus may include information not constituting the prior art.

본 발명의 실시예에 따른 해결하고자 하는 과제는 유입관을 통해 유입되는 유해성 가스 및 배기관을 통해 배기되는 배기 가스의 균일하고 고른 가스 흐름을 유도하는 가스 확산부를 적어도 하나 이상 구비하여 가스 흐름상의 편류를 제거할 수 있는 가스 스크러버를 제공하는데 있다.A problem to be solved according to an embodiment of the present invention is to provide an exhaust gas purification apparatus that includes at least one gas diffusion unit for guiding uniform and even gas flow of harmful gas flowing through an inlet pipe and exhaust gas exhausted through an exhaust pipe, The gas scrubber comprising:

또한, 본 발명의 실시예에 따른 해결하고자 하는 과제는 하단에 반응 부산물을 걸러주는 필터 및 트랩 등을 더 구비하여 반응 부산물을 흡착해 줌으로써, 상부 흡착제의 막힘을 방지하고 편류를 제거하며, 흡착제의 반응 성능을 유지할 수 있는 가스 스크러버를 제공하는데 있다.In addition, a problem to be solved according to an embodiment of the present invention is to provide an adsorbent which further comprises a filter and a trap to filter reaction byproducts at the bottom, thereby adsorbing reaction byproducts, thereby preventing clogging of the upper adsorbent, And a gas scrubber capable of maintaining the reaction performance.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 해결하고자 하는 과제는 중간단에 버퍼 및 가스 확산부를 추가적으로 구비하여 편류 현상을 더욱 더 개선할 수 있는 가스 스크러버를 제공하는데 있다.It is another object of the present invention to provide a gas scrubber which further comprises a buffer and a gas diffusion portion at an intermediate stage to further improve the drift phenomenon.

본 발명의 실시예에 따른 가스 스크러버는 유해성 가스가 유입되는 하부 커버; 상기 하부 커버로부터 상부로 연장되고 흡착제가 충진되어 상기 유해성 가스를 흡착하여 제거하되, 상기 유해성 가스의 균일한 흐름을 유도하여 상기 유해성 가스의 편류를 제거하도록 설치된 적어도 하나의 가스 확산부를 갖는 캐니스터; 및 상기 캐니스터의 상부에 설치되어 상기 유해성 가스로부터 흡착되고 남은 배기 가스가 배출되는 상부 커버를 포함할 수 있다.A gas scrubber according to an embodiment of the present invention includes a lower cover into which harmful gas flows; A canister having an upper portion extending from the lower cover and having at least one gas diffusion portion filled with an adsorbent to adsorb and remove the harmful gas, the at least one gas diffusion portion being installed to induce a uniform flow of the harmful gas to remove a drift of the harmful gas; And an upper cover installed on the upper portion of the canister and exhausting the remaining exhaust gas adsorbed from the harmful gas.

상기 가스 확산부는 상기 캐니스터의 하단, 중간 및 상단에 상호간 이격되어 각각 설치될 수 있다.The gas diffusion unit may be installed at the lower end, the middle end, and the upper end of the canister, respectively.

상기 가스 확산부는 상기 유해성 가스가 유입되는 메쉬망; 상기 메쉬망 위에 제1지지대를 통해 설치된 제1확산판; 및 상기 제1확산판 위에 제2지지대를 통해 설치된 제2확산판을 포함할 수 있다.Wherein the gas diffusion portion includes a mesh net into which the harmful gas flows; A first diffusion plate installed on the mesh net via a first support; And a second diffusion plate disposed on the first diffusion plate through a second support.

상기 제1확산판은 중앙에 형성되어 상기 유해성 가스가 통과하는 관통홀을 포함하고, 상기 제2확산판의 직경이 상기 제1확산판의 직경보다 작을 수 있다.The first diffusion plate may include a through hole through which the harmful gas passes, the diameter of the second diffusion plate being smaller than the diameter of the first diffusion plate.

상기 제2확산판 위에 설치되고 상부에 상기 흡착제가 위치되는 타공판을 더 포함할 수 있다.And a pier plate disposed on the second diffusion plate and having the adsorbent disposed thereon.

상기 가스 확산부는 상기 유해성 가스가 유입되는 메쉬망; 상기 메쉬망 위에 제1지지대를 통해 설치된 제1확산판 및 상기 제1확산판 아래에 제2지지대를 통해 설치된 제2확산판을 포함할 수 있다.Wherein the gas diffusion portion includes a mesh net into which the harmful gas flows; And a second diffusion plate disposed on the mesh network through a first support plate and a second support plate below the first diffusion plate.

상기 제1확산판은 중앙에 설치되어 상기 배기 가스가 통과하는 배기관을 포함하고, 상기 제2확산판의 직경이 상기 제1확산판의 직경보다 작을 수 있다.The first diffusion plate may include an exhaust pipe provided at the center and through which the exhaust gas passes, and the diameter of the second diffusion plate may be smaller than the diameter of the first diffusion plate.

상기 캐니스터는 하단에 설치되어 상기 유해성 가스의 반응 부산물을 필터링 및 트랩하는 필터링부를 더 포함할 수 있다.The canister may further include a filtering unit installed at a lower end of the canister for filtering and trapping reaction by-products of the harmful gas.

상기 필터링부는 상기 유해성 가스가 통과하는 타공판 및 상기 타공판 위에 설치된 부직포 필터를 포함할 수 있다.The filtering unit may include a pier plate through which the harmful gas passes and a nonwoven filter installed on the pier plate.

상기 하부 커버에 연결되어 상기 유해성 가스가 유입되는 제1유입관, 상기 제1유입관과 상기 캐니스터에 연결되어 상기 유해성 가스가 유입되는 제2유입관을 포함하고, 상기 제1유입관과 상기 제2유입관의 연결 지점에 설치되어 상기 제1유입관 또는 상기 제2유입관으로 상기 유해성 가스가 유입되도록 하는 밸브를 포함할 수 있다.A first inflow pipe connected to the lower cover to introduce the harmful gas, and a second inflow pipe connected to the first inflow pipe and the canister to introduce the harmful gas, wherein the first inflow pipe and the second inflow pipe, And a valve installed at a connection point of the second inflow pipe to allow the harmful gas to flow into the first inflow pipe or the second inflow pipe.

본 발명의 실시예는 유입관을 통해 유입되는 유해성 가스 및 배기관을 통해 배기되는 배기 가스의 균일하고 고른 가스 흐름을 유도하는 가스 확산부를 적어도 하나 이상 구비하여 가스 흐름상의 편류를 제거할 수 있는 가스 스크러버를 제공한다.Embodiments of the present invention provide a gas scrubber capable of removing a drift in a gas flow by having at least one or more gas diffusion portions for guiding uniform and even gas flow of harmful gas flowing through an inlet pipe and exhaust gas exhausted through an exhaust pipe, Lt; / RTI >

또한, 본 발명의 실시예는 하단에 반응 부산물을 걸러주는 필터 및 트랩 등을 더 구비하여 반응 부산물을 흡착해 줌으로써, 상부 흡착제의 막힘을 방지하고 편류를 제거하며, 흡착제의 반응 성능을 유지할 수 있는 가스 스크러버를 제공한다.In addition, the embodiment of the present invention further includes a filter and a trap for filtering reaction byproducts at the bottom, thereby adsorbing reaction byproducts, thereby preventing clogging of the upper adsorbent, removing drift, and maintaining the reaction performance of the adsorbent A gas scrubber is provided.

또한, 본 발명의 실시예는 중간단에 버퍼 및 가스 확산부를 추가적으로 구비하여 편류 현상을 더욱 더 개선할 수 있는 가스 스크러버를 제공한다.Further, the embodiment of the present invention provides a gas scrubber which further includes a buffer and a gas diffusion portion at the intermediate stage to further improve the drift phenomenon.

도 1a 및 도 1b는 본 발명의 실시예에 따른 가스 스크러버를 도시한 사시도 및 정면도이다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 실시예에 따른 가스 스크러버를 도시한 단면도 및 사시 단면도이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실시예에 따른 가스 스크러버 중에서 하단 및 상단에 구비된 가스 확산부를 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 스크러버를 도시한 단면도이다.1A and 1B are a perspective view and a front view showing a gas scrubber according to an embodiment of the present invention.
2A and 2B are a cross-sectional view and a perspective view showing a gas scrubber according to an embodiment of the present invention.
3A and 3B are cross-sectional views illustrating a gas diffusion unit provided at a lower end and an upper end of a gas scrubber according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view illustrating a gas scrubber according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.The embodiments of the present invention are described in order to more fully explain the present invention to those skilled in the art, and the following embodiments may be modified into various other forms, The present invention is not limited to the embodiment. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be more faithful and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art.

또한, 이하의 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이며, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다. 또한, 본 명세서에서 "연결된다"라는 의미는 A 부재와 B 부재가 직접 연결되는 경우뿐만 아니라, A 부재와 B 부재의 사이에 C 부재가 개재되어 A 부재와 B 부재가 간접 연결되는 경우도 의미한다.In the following drawings, thickness and size of each layer are exaggerated for convenience and clarity of description, and the same reference numerals denote the same elements in the drawings. As used herein, the term "and / or" includes any and all combinations of one or more of the listed items. In the present specification, the term " connected "means not only the case where the A member and the B member are directly connected but also the case where the C member is interposed between the A member and the B member and the A member and the B member are indirectly connected do.

본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise, include)" 및/또는 "포함하는(comprising, including)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및 /또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. As used herein, the singular forms "a," "an," and "the" include singular forms unless the context clearly dictates otherwise. Also, " comprise, " and / or "comprising, " when used in this specification, are intended to be interchangeable with the said forms, numbers, steps, operations, elements, elements and / And does not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, operations, elements, elements, and / or groups.

본 명세서에서 제1, 제2 등의 용어가 다양한 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들을 설명하기 위하여 사용되지만, 이들 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들은 이들 용어에 의해 한정되어서는 안 됨은 자명하다. 이들 용어는 하나의 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 다른 영역, 층 또는 부분과 구별하기 위하여만 사용된다. 따라서, 이하 상술할 제1부재, 부품, 영역, 층 또는 부분은 본 발명의 가르침으로부터 벗어나지 않고서도 제2부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 지칭할 수 있다.Although the terms first, second, etc. are used herein to describe various elements, components, regions, layers and / or portions, these members, components, regions, layers and / It is obvious that no. These terms are only used to distinguish one member, component, region, layer or section from another region, layer or section. Thus, a first member, component, region, layer or section described below may refer to a second member, component, region, layer or section without departing from the teachings of the present invention.

"하부(beneath)", "아래(below)", "낮은(lower)", "상부(above)", "위(upper)"와 같은 공간에 관련된 용어가 도면에 도시된 한 요소 또는 특징과 다른 요소 또는 특징의 용이한 이해를 위해 이용될 수 있다. 이러한 공간에 관련된 용어는 본 발명의 다양한 공정 상태 또는 사용 상태에 따라 본 발명의 용이한 이해를 위한 것이며, 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다. 예를 들어, 도면의 요소 또는 특징이 뒤집어지면, "하부" 또는 "아래"로 설명된 요소 또는 특징은 "상부" 또는 "위에"로 된다. 따라서, "아래"는 "상부" 또는 "아래"를 포괄하는 개념이다.It is to be understood that the terms related to space such as "beneath," "below," "lower," "above, But may be utilized for an easy understanding of other elements or features. Terms related to such a space are for easy understanding of the present invention depending on various process states or use conditions of the present invention, and are not intended to limit the present invention. For example, if an element or feature of the drawing is inverted, the element or feature described as "lower" or "below" will be "upper" or "above." Thus, "below" is a concept covering "upper" or "lower ".

도 1a 및 도 1b는 본 발명의 실시예에 따른 가스 스크러버(100)를 도시한 사시도 및 정면도이다.1A and 1B are a perspective view and a front view showing a gas scrubber 100 according to an embodiment of the present invention.

도 1a 및 도 1b에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 가스 스크러버(100)는 유해성 가스 유입관(111)을 갖는 하부 커버(110)와, 하부 커버(110)로부터 상부로 일정 높이 연장된 캐니스터(120)와, 캐니스터(120)의 상부에 설치되고 배출 가스 배기관(125d)을 갖는 상부 커버(130)를 포함할 수 있다.1A and 1B, a gas scrubber 100 according to an embodiment of the present invention includes a lower cover 110 having a harmful gas inflow pipe 111, An extended canister 120 and an upper cover 130 installed at the top of the canister 120 and having an exhaust gas exhaust pipe 125d.

여기서, 하부 커버(110), 캐니스터(120) 및 상부 커버(130)는, 예를 들면, 한정하는 것은 아니지만, 모두 원형 또는 원통 형태로 형성될 수 있다. 더불어, 하부 커버(110)의 하단에는 가스 스크러버(100)의 자유로운 이동을 위해 다수의 바퀴(112)가 더 설치될 수 있다. 또한, 하부 커버(110), 캐니스터(120) 및 상부 커버(130)는, 예를 들면, 한정하는 것은 아니지만, 유해성 가스 등과 반응하지 않는 스텐레스 스틸, 알루미늄, 니켈, 구리, 몰리브데늄, 하스텔로이 및 이들의 합금 중에서 선택된 어느 하나로 형성될 수 있다.Here, the lower cover 110, the canister 120, and the upper cover 130 may be formed in a circular or cylindrical shape, for example, but not limited thereto. In addition, a plurality of wheels 112 may be installed at the lower end of the lower cover 110 to allow the gas scrubber 100 to move freely. The lower cover 110, the canister 120 and the upper cover 130 may be made of any material such as, but not limited to, stainless steel, aluminum, nickel, copper, molybdenum, Hastelloy, And an alloy thereof.

이와 같이 하여, 하부 커버(110)의 유입관(111)이 반도체 제조 공정 라인 또는 디스플레이 제조 공정 라인의 유해성 가스관(폐가스관)에 연결됨으로써, 캐니스터(120)의 내측에서 유해성 가스의 유해성 성분이 흡착되어 제거되고, 최종적으로 상부 커버(130)의 배기관(125d)을 통해 유해성 성분이 제거된 배출 가스가 외부로 배기된다.In this manner, since the inflow pipe 111 of the lower cover 110 is connected to the harmful gas pipe (waste gas pipe) of the semiconductor manufacturing process line or the display manufacturing process line, harmful components of the harmful gas are adsorbed inside the canister 120 And finally the exhaust gas from which harmful components have been removed through the exhaust pipe 125d of the upper cover 130 is exhausted to the outside.

도 2a 및 도 2b는 본 발명의 실시예에 따른 가스 스크러버(100)를 도시한 단면도 및 사시 단면도이다.2A and 2B are a cross-sectional view and a perspective sectional view showing a gas scrubber 100 according to an embodiment of the present invention.

도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 가스 스크러버(100)는 유해성 가스가 유입되는 하부 커버(110)와, 하부 커버(110)로부터 상부로 일정 높이 연장되고 내부에 흡착제(미도시)가 충진되어 유해성 가스를 흡착하여 제거하는 캐니스터(120)와, 캐니스터(120)의 상부에 설치되어 유해성 가스로부터 흡착되고 남은 배기 가스가 배출되는 상부 커버(130)를 포함할 수 있다.As shown in FIGS. 2A and 2B, the gas scrubber 100 according to the embodiment of the present invention includes a lower cover 110 into which harmful gas is introduced, a lower cover 110 extending upward from the lower cover 110 to a predetermined height, A canister 120 that is filled with an adsorbent (not shown) to adsorb and remove harmful gas, and an upper cover 130 installed on the upper portion of the canister 120 to exhaust the remaining exhaust gas adsorbed from the harmful gas have.

여기서, 하부 커버(110), 캐니스터(120) 및 상부 커버(130)는 상호간 플랜지 방식으로 결합되거나, 상호간 중첩 방식으로 결합되나, 또는 상호간 용접 방식으로 결합될 수 있으며, 이밖에도 다양한 방식으로 상호간 결합될 수 있다. 더욱이, 캐니스터(120)는 낱개의 긴 원통 형태로 형성되거나, 또는 다수의 짧은 원통이 플랜지 방식, 중첩 방식 또는 용접 방식 등으로 결합되어 미리 정해진 높이를 이룰 수 있다.Here, the lower cover 110, the canister 120, and the upper cover 130 may be coupled to each other in a flanged manner, in a mutually overlapping manner, or in a welded manner, . Moreover, the canisters 120 may be formed in a single long cylindrical shape, or a plurality of short cylinders may be combined in a flanged, overlapped or welded manner to achieve a predetermined height.

구체적으로, 캐니스터(120)는 하단에 설치되어 유해성 가스의 반응 부산물을 필터링 및 트랩하는 필터링부(121)를 포함할 수 있다. 이러한 필터링부(121)는 유해성 가스가 통과하는 타공판(121a) 및 타공판(121a) 위에 설치된 부직포 필터(121b)를 포함할 수 있다. 여기서, 타공판(121a)의 둘레는 하부 커버(110)의 내벽 또는 캐니스터(120)의 내벽에 결합되어 고정될 수 있다. 더욱이, 타공판(121a)에는 다수의 타공홀이 균일하게 또는 비균일하게 배열되어 형성될 수 있다.Specifically, the canister 120 may include a filtering unit 121 installed at the lower end of the canister 120 for filtering and trapping reaction by-products of the harmful gas. The filtering unit 121 may include a pier plate 121a through which harmful gas passes and a nonwoven filter 121b provided on the pier plate 121a. Here, the perimeter of the perforated plate 121a may be fixedly coupled to the inner wall of the lower cover 110 or the inner wall of the canister 120. Furthermore, a plurality of perforated holes may be uniformly or non-uniformly arranged on the perforated plate 121a.

따라서, 하부 커버(110)에 설치된 유입관(111)을 통해 유입된 유해성 가스가 타공판(121a)을 통해 부직포 필터(121b)를 통과하게 되는데, 이때 다양한 부산물이 부직포 필터(121b)에 의해 필터링될 수 있다. 물론, 타공판(121a) 및 부직포 필터(121b)의 구조적 특성에 의해 필터링부(121)의 전체를 통해 균일하게 유해성 가스가 상부로 흐르게 된다.Accordingly, the harmful gas introduced through the inflow pipe 111 installed in the lower cover 110 passes through the nonwoven filter 121b through the piercing plate 121a. At this time, various by-products are filtered by the nonwoven filter 121b . Of course, due to the structural characteristics of the perforated plate 121a and the nonwoven filter 121b, the harmful gas flows uniformly through the entire filtering unit 121. [

이와 같이 하여, 가스 스크러버(100)는 하단부에 반응 부산물을 걸러주는 필터링부(121)를 더 포함함으로써, 반응 부산물에 의한 부분적 막힘 현상을 방지하고, 또한 흡착제의 흡착 성능이 저하되지 않도록 한다.Thus, the gas scrubber 100 further includes the filtering unit 121 for filtering the reaction by-products at the lower end thereof, thereby preventing the partial clogging due to reaction by-products and preventing the adsorption performance of the adsorbent from being deteriorated.

더불어, 상부 커버(130)와 하부 커버(110)의 사이에 설치된 캐니스터(120)의 내측에는 유해성 가스 및 배출 가스의 균일한 흐름을 유도하여 유해성 가스 및 배출 가스의 편류를 제거하도록 다수의 가스 확산부(122,124,125)가 더 설치될 수 있다. In addition, a plurality of gas diffusers (not shown) are disposed inside the canister 120 between the upper cover 130 and the lower cover 110 to induce a uniform flow of the harmful gas and the exhaust gas, Further, portions 122, 124, and 125 may be installed.

여기서, 각각의 가스 확산부(122,124,125)는 상호간 일정 거리 이격되어 설치되고, 또한 각각의 가스 확산부(122,124,125) 위에 유해성 가스를 흡착하는 흡착제(미도시)가 수용될 수 있다.Here, the gas diffusion portions 122, 124, and 125 are spaced apart from each other by a predetermined distance, and an adsorbent (not shown) for adsorbing harmful gas on the respective gas diffusion portions 122, 124, and 125 may be accommodated.

일례로, 한정하는 것은 아니지만, 가스 확산부(122,124,125)는 캐니스터(120)의 대략 하단, 중간 및 상단에 상호간 이격되어 각각 설치될 수 있다. By way of example, and not limitation, the gas diffusion portions 122, 124, and 125 may be spaced apart from each other at approximately the lower, middle, and upper ends of the canister 120, respectively.

여기서, 하단, 중간 및 상단에 설치된 가스 확산부(122,124,125)의 구조는 상호간 동일하거나 또는 약간씩 상이할 수 있다.Here, the structures of the gas diffusion parts 122, 124, and 125 provided at the lower, middle, and upper ends may be the same or slightly different from each other.

우선 캐니스터(120)의 하단에 설치된 가스 확산부(122)는 하부에 설치되어 필터링부(121)로부터 유해성 가스가 유입되는 메쉬망(122a)과, 메쉬망(122a) 위에 이격되어 설치된 제1확산판(122b)과, 제1확산판(122b) 위에 이격되어 설치된 제2확산판(122c)을 포함할 수 있다. The gas diffusion part 122 provided at the lower end of the canister 120 includes a mesh network 122a installed at the lower part and through which the harmful gas flows from the filtering part 121 and a first diffusion A plate 122b, and a second diffusion plate 122c spaced apart from the first diffusion plate 122b.

여기서, 메쉬망(122a) 및 제1확산판(122b)은 그 둘레가 캐니스터(120)의 내벽에 고정될 수 있다. 또한, 제1확산판(122b)은 중앙에 형성되어 상기 유해성 가스가 통과하는 관통홀(122d)을 더 포함할 수 있다. 더불어, 상기 제2확산판(122c)의 직경이 상기 제1확산판(122b)의 직경보다 작을 수 있다. 즉, 제2확산판(122c)의 둘레가 캐니스터(120)의 내벽에 접촉하지 않고 이격될 수 있다. 또한, 제2확산판(122c)의 위에 타공판(123)이 이격되어 설치됨으로써, 타공판(123) 위에 흡착제가 위치될 수 있다. 이러한 타공판(123) 역시 그 둘레가 캐니스터(120)의 내벽에 고정될 수 있고, 또한 다수의 균일한 또는 비균일한 타공홀(미도시)을 갖는다.Here, the mesh network 122a and the first diffusion plate 122b may be fixed to the inner wall of the canister 120 around the mesh network 122a and the first diffusion plate 122b. The first diffusion plate 122b may further include a through hole 122d formed at the center thereof through which the harmful gas passes. In addition, the diameter of the second diffusion plate 122c may be smaller than the diameter of the first diffusion plate 122b. That is, the circumference of the second diffusion plate 122c can be spaced apart from the inner wall of the canister 120 without contacting the inner wall. The adsorbent may be positioned on the perforated plate 123 by installing the perforated plate 123 apart from the second diffusion plate 122c. The perforated plate 123 can also be secured to the inner wall of the canister 120 and has a plurality of uniform or non-uniform perforation holes (not shown).

이와 같이 하여, 하단 가스 확산부(122)는 필터링부(121)로부터 유입된 유해성 가스가 일부 영역으로만 흐르게 하는 게 아니라, 전체 영역을 통해 균일하게 흐르게 하여(편류 발생 억제), 유해성 가스가 상부의 흡착제에 균일하게 접촉하도록 함으로써, 흡착제의 흡착 효율이 향상되도록 한다.Thus, the lower gas diffusion portion 122 allows the harmful gas flowing from the filtering portion 121 not to flow only to a partial region but flows uniformly through the entire region (suppressing the occurrence of drift) The adsorption efficiency of the adsorbent is improved.

다음으로 캐니스터(120)의 중간에 설치된 가스 확산부(124)는 하부에 설치되어 유해성 가스가 유입되는 메쉬망(124a)과, 메쉬망(124a) 위에 이격되어 설치된 제1확산판(124b)과, 제1확산판(1224)과 메쉬망(124a) 사이에 이격되어 설치된 제2확산판(124c)을 포함할 수 있다.The gas diffusion unit 124 installed in the middle of the canister 120 includes a mesh network 124a installed at a lower portion to which a harmful gas flows, a first diffusion plate 124b installed apart from the mesh network 124a, And a second diffusion plate 124c spaced apart from the first diffusion plate 1224 and the mesh network 124a.

여기서, 메쉬망(124a) 및 제1확산판(124b)은 캐니스터(120)의 내벽에 고정될 수 있다. 따라서, 제1확산판(124b) 위에 흡착제가 직접 위치될 수 있다. 더불어, 제2확산판(124c)은 그 직경이 제1확산판(124b)보다 작음으로써, 캐니스터(120)의 내벽으로부터 일정 거리 이격된다.Here, the mesh network 124a and the first diffusion plate 124b may be fixed to the inner wall of the canister 120. Therefore, the adsorbent can be directly placed on the first diffusion plate 124b. In addition, the diameter of the second diffusion plate 124c is smaller than the diameter of the first diffusion plate 124b, so that the second diffusion plate 124c is spaced from the inner wall of the canister 120 by a certain distance.

이와 같이 하여, 중간 가스 확산부(124)는 하단 가스 확산부(122) 및 하부 흡착제로부터 유입된 유해성 가스가 일부 영역으로만 흐르게 하는 게 아니라, 전체 영역을 통해 균일하게 흐르게 하여(편류 발생 억제), 유해성 가스가 상부의 흡착제에 균일하게 접촉하도록 함으로써, 흡착제의 흡착 효율이 향상되도록 한다. 더욱이, 이러한 중간 가스 확산부(124)는 버퍼 역할을 함으로써, 유해성 가스가 캐니스터(120)의 내부에 오래 머무르도록 하여 흡착제의 흡착 효율이 더욱 향상되도록 한다.In this way, the intermediate gas diffusion portion 124 does not flow the harmful gas introduced from the lower gas diffusion portion 122 and the lower adsorbent into only a part of the area, but flows uniformly (drift prevention) , So that the harmful gas is uniformly brought into contact with the adsorbent on the upper side, thereby improving the adsorption efficiency of the adsorbent. Further, the intermediate gas diffusion part 124 serves as a buffer, so that the harmful gas stays in the canister 120 for a long time, thereby further improving the adsorption efficiency of the adsorbent.

다음으로 캐니스터(120)의 상단에 설치된 가스 확산부(125) 역시 유해성 가스가 유입되는 메쉬망(125a)과, 메쉬망(125a) 위에 이격되어 설치된 제1확산판(125b)과, 제1확산판(125b) 아래에 이격되어 설치된 제2확산판(125c)을 포함할 수 있다. 즉, 제2확산판(125c)은 메쉬망(125a)과 제1확산판(125b) 사이에 설치된다.The gas diffusion part 125 provided at the upper end of the canister 120 also has a mesh network 125a into which harmful gas flows, a first diffusion plate 125b provided on the mesh network 125a, And a second diffusion plate 125c spaced below the plate 125b. That is, the second diffusion plate 125c is provided between the mesh net 125a and the first diffusion plate 125b.

여기서, 제1확산판(125b)은 중앙에 설치되어 배기 가스가 통과하는 배기관(125d)을 더 포함하고, 제2확산판(125c)의 직경이 상기 제1확산판(125b)의 직경보다 작을 수 있다. 즉, 제1확산판(125b)은 가스 스크러버(100)의 상부 영역을 정의하고, 이러한 제1확산판(125b)은 실질적으로 상부 커버(130)의 내벽에 결합될 수 있다. 더불어, 메쉬망(125a)은 캐니스터(120)의 내벽에 고정되고, 제2확산판(125c)은 캐니스터(120)로부터 이격되어 설치될 수 있다.The first diffusion plate 125b further includes an exhaust pipe 125d provided at the center and through which the exhaust gas passes and the diameter of the second diffusion plate 125c is smaller than the diameter of the first diffusion plate 125b . That is, the first diffusion plate 125b defines an upper region of the gas scrubber 100, and this first diffusion plate 125b can be substantially coupled to the inner wall of the upper cover 130. [ In addition, the mesh net 125a may be fixed to the inner wall of the canister 120 and the second diffusion plate 125c may be spaced apart from the canister 120.

한편, 상술한 캐니스터(120)의 내부에 장착된 각종 구조물 즉, 타공판(121a, 123) 및 확산부(122,124,125)는, 예를 들면, 한정하는 것은 아니지만, 유해성 가스 등과 반응하지 않는 스텐레스 스틸, 알루미늄, 니켈, 구리, 몰리브데늄, 하스텔로이 및 이들의 합금 중에서 선택된 어느 하나로 형성될 수 있다.The various structures, that is, the perforated plates 121a and 123 and the diffusion portions 122, 124, and 125 installed in the canister 120 may be made of, for example, stainless steel, aluminum , Nickel, copper, molybdenum, Hastelloy, and alloys thereof.

이와 같이 하여, 본 발명의 실시예에 따른 가스 스크러버(100)는 유해성 가스를 유입관(111)에서 배기관(125d)까지 대략 직선 형태로 이동시키게 아니라, 다수회 방향 전환을 시키며 편류가 발생하지 않도록 하여 이동시킴으로써, 유해성 가스와 흡착제가 상호간 균일하게 반응하여 가스 스크러버(100)의 수명이 증가되도록 한다. 즉, 본 발명의 실시예에 따른 가스 스크러버(100)는 유입관(111)을 통해 유입되는 유해성 가스 및 배기관(125d)을 통해 배기되는 배기 가스의 균일하고 고른 가스 흐름을 유도하는 다수의 가스 확산부(122,124,125)를 더 포함함으로써, 가스 흐름상에 편류가 발생하지 않도록 한다. 구체적으로, 캐니스터(120)의 하부 영역, 중간 영역 및 상부 영역에 각각 충진된 흡착제가 유해성 가스와 대략 90~100%의 영역에서 반응함으로써, 흡착제의 흡착 효율이 상당히 향상된다. 물론, 이에 따라 별도의 수분 제거를 위한 기능성 흡착제도 필요로 하지 않는다. 또한, 본 발명의 실시예에 따른 가스 스크러버(100)는 중간단에 버퍼 역할을 하는 가스 확산부(124)를 더 포함함으로써, 편류 현상을 더욱 더 개선할 수 있도록 한다.In this manner, the gas scrubber 100 according to the embodiment of the present invention does not move the harmful gas from the inflow pipe 111 to the exhaust pipe 125d in a substantially straight line shape, The harmful gas and the adsorbent react with each other uniformly to increase the service life of the gas scrubber 100. [ That is, the gas scrubber 100 according to the embodiment of the present invention includes a plurality of gas diffusers (not shown) for guiding a uniform and even gas flow of the harmful gas flowing through the inlet pipe 111 and the exhaust gas exhausted through the exhaust pipe 125d By further including the portions 122, 124, and 125, drift does not occur on the gas flow. Specifically, the adsorbent filled in the lower region, the middle region, and the upper region of the canister 120 respectively react with the harmful gas in a region of about 90 to 100%, whereby the adsorption efficiency of the adsorbent is significantly improved. Of course, there is no need for a separate adsorbent for moisture removal. Further, the gas scrubber 100 according to the embodiment of the present invention further includes the gas diffusion portion 124 serving as a buffer at the intermediate stage, thereby further improving the drift phenomenon.

도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실시예에 따른 가스 스크러버(100) 중에서 하단 및 상단에 구비된 가스 확산부(122,125)를 도시한 단면도이다.3A and 3B are cross-sectional views illustrating gas diffusion portions 122 and 125 provided at the lower and upper ends of the gas scrubber 100 according to the embodiment of the present invention.

도 3a에 도시된 바와 같이, 하단에 구비된 가스 확산부(122)는 유해성 가스가 유입되는 메쉬망(122a)과, 메쉬망(122a) 위에 제1지지대(122e)를 통해 이격되어 설치되고 지지되는 제1확산판(122b)과, 제1확산판(122b) 위에 제2지지대(122f)를 통해 이격되어 설치되고 지지되는 제2확산판(122c)을 포함할 수 있다. As shown in FIG. 3A, the gas diffusion part 122 provided at the lower end includes a mesh network 122a into which harmful gas flows, a second support part 122e disposed on the mesh network 122a, And a second diffusion plate 122c spaced apart from the first diffusion plate 122b through a second support table 122f. The first diffusion plate 122b and the second diffusion plate 122c are spaced apart from each other.

여기서, 제1확산판(122b)의 대략 중앙에는 유해성 가스가 통과하는 관통홀(122d)이 형성되고, 제2확산판(122c)의 직경이 제1확산판(122b)의 직경보다 작을 수 있다. 더불어, 제2확산판(122c) 위에 흡착제가 위치되는 타공판(123)이 이격되어 설치될 수 있다.A through hole 122d through which the harmful gas passes may be formed in the substantially center of the first diffusion plate 122b and the diameter of the second diffusion plate 122c may be smaller than the diameter of the first diffusion plate 122b . In addition, the perforated plate 123 on which the adsorbent is disposed may be spaced apart from the second diffusion plate 122c.

또한, 메쉬망(122a), 제1확산판(122b) 및 타공판(123)은 그 둘레가 캐니스터(120)의 내벽에 결합되어 고정 및 지지된다.The perimeter of the mesh net 122a, the first diffusion plate 122b and the perforated plate 123 is fixedly supported by the inner wall of the canister 120.

이러한 구조에 의해 유해성 가스는 메쉬망(122a)의 전체 영역을 통해 상부로 이동하고, 상부로 이동된 유해성 가스는 제1확산판(122b)에 의해 수평 방향으로 이동한 후 중앙에 설치된 관통홀(122d)을 통해 상부로 이동하며, 이어서 제2확산판(122c)의 둘레쪽으로 수평 방향으로 확산된다. 물론, 확산된 유해성 가스는 다시 타공판(123)의 전체 영역을 통해 상부의 흡착제 쪽으로 이동하게 된다. 따라서, 캐니스터(120)의 하단에 유입되는 유해성 가스는 하단에 설치된 가스 확산부(122)에 의해 균일하고 고른 가스 흐름을 나타내고, 이에 따라 유해성 가스 흐름상의 편류가 제거된다.According to this structure, the harmful gas moves upward through the entire area of the mesh net 122a, and the harmful gas moved upward is moved in the horizontal direction by the first diffusion plate 122b, 122d, and then horizontally diffused toward the periphery of the second diffusion plate 122c. Of course, the diffused harmful gas again moves to the upper adsorbent through the entire area of the perforated plate 123. [ Accordingly, the harmful gas flowing into the lower end of the canister 120 shows a uniform and even gas flow by the gas diffusion part 122 installed at the lower end, thereby eliminating the drift on the harmful gas flow.

도 3b에 도시된 바와 같이, 상단에 구비된 가스 확산부(125)는 유해성 가스가 유입되는 메쉬망(125a)과, 메쉬망(125a) 위에 제1지지대(125e)를 통해 이격되어 설치되고 지지되는 제1확산판(125b)과, 제1확산판(125b) 아래에 제2지지대(125f)를 통해 이격되어 설치되고 지지되는 제2확산판(125c)을 포함할 수 있다.3B, the gas diffusion part 125 provided at the upper end is provided with a mesh net 125a into which harmful gas flows, a mesh net 125b installed apart from the mesh net 125a through a first support 125e, And a second diffusion plate 125c spaced apart from the first diffusion plate 125b through a second support 125f and supported by the first diffusion plate 125b.

여기서, 제2확산판(125c)은 메쉬망(125a)과 제1확산판(125b)의 사이에 이격되어 위치되며, 제2확산판(125c)의 직경이 제1확산판(125b)의 직경보다 작다. 더불어, 제1확산판(125b)의 중앙에 배기 가스가 통과하는 배기관(125d)이 형성된다. 여기서, 메쉬망(125a) 및 제1확산판(125b)은 그 둘레가 상부 커버(130)의 내벽 또는 캐니스터(120)의 내벽에 결합되어 지지되어 지지될 수 있다. 물론, 제2확산판(125c)은 그 둘레가 캐니스터(120)의 내벽으로 이격된 형태 또는 상부 커버(130)의 내벽으로부터 이격된 형태를 한다.The second diffusion plate 125c is spaced apart from the mesh network 125a and the first diffusion plate 125b and the diameter of the second diffusion plate 125c is smaller than the diameter of the first diffusion plate 125b Lt; / RTI > In addition, an exhaust pipe 125d through which the exhaust gas passes is formed at the center of the first diffusion plate 125b. Here, the mesh net 125a and the first diffusion plate 125b may be supported by being coupled to the inner wall of the upper cover 130 or the inner wall of the canister 120. Of course, the second diffusion plate 125c is spaced apart from the inner wall of the canister 120 or spaced from the inner wall of the upper cover 130. [

이러한 구조에 의해 유해성 가스는 메쉬망(125a)의 전체 영역을 통해 상부로 이동하고, 상부로 이동된 유해성 가스는 제2확산판(125c)의 둘레를 통해 상부로 이동하며, 또한 제1확산판(125b)과 제2확산판(125c) 사이의 틈으로 유해성 가스가 수평 방향으로 이동한 후, 제1확산판(125b)의 중앙에 구비된 배기관(125d)을 통해 외부로 배출된다. 따라서, 캐니스터(120)의 상단에 유입되는 배출 가스는 상단에 설치된 가스 확산부(125)에 의해 균일하고 고른 가스 흐름을 나타내고, 이에 따라 배출 가스 흐름상의 편류가 제거된다.With this structure, the harmful gas moves upward through the entire area of the mesh net 125a, and the harmful gas moved upward moves upward through the periphery of the second diffusion plate 125c, The harmful gas moves in the gap between the first diffusion plate 125b and the second diffusion plate 125c in the horizontal direction and then is discharged to the outside through the exhaust pipe 125d provided at the center of the first diffusion plate 125b. Accordingly, the exhaust gas flowing into the upper end of the canister 120 exhibits a uniform and even gas flow by the gas diffusion portion 125 disposed at the upper end, thereby eliminating the drift on the exhaust gas flow.

이와 같이 하여, 본 발명의 실시예에 따른 가스 스크러버(100)는 하단 및 상단에 유입되는 유해성 가스 및 배출되는 배기 가스의 균일하고 고른 가스 흐름을 유도하는 가스 확산부를 적어도 하나 이상 포함함으로써, 캐니스터(120)의 내부에서 가스 흐름상의 편류를 제거할 수 있도록 한다. Thus, the gas scrubber 100 according to the embodiment of the present invention includes at least one or more gas diffusion portions for guiding a uniform and even gas flow of the harmful gas flowing into the lower end and the upper end and the exhaust gas being discharged, 120 to remove drift in the gas flow.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 스크러버(200)를 도시한 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating a gas scrubber 200 according to another embodiment of the present invention.

도 4에 도시된 바와 같이, 하부 커버(110)에는 유해성 가스가 유입되는 제1유입관(201)이 연결되어 있는데, 추가적으로 캐니스터(120)에도 유해성 가스가 유입되는 제2유입관(202)이 연결될 수 있다. 일례로, 제2유입관(202)은 일단이 제1유입관(201)에 연결되고 타단이 캐니스터(120)에 연결되어 중간 확산부(124)에 연결될 수 있다. 더불어, 제1유입관(201)과 제2유입관(202)의 연결 지점에는 밸브(204), 예를 들면, 3-웨이 밸브(204)가 연결될 수 있다. 4, a first inflow pipe 201 through which a harmful gas flows is connected to the lower cover 110, and a second inflow pipe 202 into which the harmful gas flows further into the canister 120 Can be connected. For example, the second inflow pipe 202 may be connected to the first inflow pipe 201 at one end thereof and to the intermediate diffusion unit 124 at the other end thereof to the canister 120. In addition, a valve 204, for example, a three-way valve 204 may be connected to a connection point between the first inlet pipe 201 and the second inlet pipe 202.

따라서, 밸브(204)의 조작에 의해 유해성 가스를 제1유입관(201)을 통해 스크러버(100)의 하부 커버(110)에 공급하거나, 또는 유해성 가스를 제2유입관(202)을 통해 스크러버(100)의 캐니스터(120), 즉, 중간 확산부(124)에 직접 공급할 수 있다. 또한, 중간 확산부(124)와 상부 확산부(124)의 사이에도 제2유입관(202)이 직접 연결됨으로써, 하부 확산부(122)을 통한 유해성 가스가 제3유입관(203)을 통해 상부 확산부(125)로 직접 전달될 수 있다.Accordingly, by operating the valve 204, the harmful gas is supplied to the lower cover 110 of the scrubber 100 through the first inflow pipe 201, or the harmful gas is supplied to the scrubber 100 through the second inflow pipe 202, To the canister 120 of the fuel cell 100, that is, the intermediate diffusion portion 124. [ The second inflow pipe 202 is also directly connected between the intermediate diffusion portion 124 and the upper diffusion portion 124 so that harmful gas through the lower diffusion portion 122 flows through the third inflow pipe 203 And may be directly transmitted to the upper diffusion portion 125.

이와 같이 하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 스크러버(200)는 밸브(204)를 조정하여 유해성 가스가 제1유입관(201)으로 흐르도록 하거나 또는 제2유입관(202)으로 흐르도록 도록 함으로써, 반도체 및/또는 디스플레이 제조 공정의 특성에 맞게 가스 스크러버(200)를 운영할 수 있다. 더불어, 제3유입관(203)이 중간 확산부(124)와 상부 확산부(125)를 직접 연결함으로써, 유해성 가스가 신속하게 하부 확산부(122)로부터 상부 확산부(125)로 전달된다.In this way, the gas scrubber 200 according to another embodiment of the present invention adjusts the valve 204 so that the harmful gas flows to the first inflow pipe 201 or flows to the second inflow pipe 202 The gas scrubber 200 can be operated in accordance with the characteristics of the semiconductor and / or display manufacturing process. In addition, the third inflow pipe 203 directly connects the intermediate diffusion portion 124 and the upper diffusion portion 125, so that the harmful gas is quickly transferred from the lower diffusion portion 122 to the upper diffusion portion 125.

이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 가스 스크러버를 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.It is to be understood that the present invention is not limited to the above-described embodiment, but may be modified in various ways within the spirit and scope of the present invention as set forth in the following claims It will be understood by those of ordinary skill in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention.

100; 가스 스크러버
110; 하부 커버 111; 유입관
112; 바퀴 120; 캐니스터
121; 필터링부 121a; 타공판
121b; 부직포 필터 122; 하단 확산부
122a; 메쉬망 122b; 제1확산판
122c; 제2확산판 122d; 관통홀
122e; 제1지지대 122f; 제2지지대
123; 타공판 124; 중간 확산부
124a; 메쉬망 124b; 타공판
124c; 확산판 124d; 제1지지대
124e; 제2지지대 125; 상부 확산부
125a; 메쉬망 125b; 제1확산판
125c; 제2확산판 125d; 배기관
125e; 제1지지대 125f; 제2지지대
130; 상부 커버 200; 가스 스크러버
201; 제1유입관 202; 제2유입관
203; 제3유입관 204; 밸브100; Gas scrubber
110; A lower cover 111; Inlet pipe
112; Wheels 120; Canister
121; A filtering unit 121a; Perforated plate
121b; Nonwoven filter 122; The bottom diffusion portion
122a; Mesh network 122b; The first diffusion plate
122c; A second diffusion plate 122d; Through hole
122e; A first support 122f; The second support
123; A perforated plate 124; The intermediate diffusion portion
124a; Mesh network 124b; Perforated plate
124c; Diffusion plate 124d; The first support
124e; A second support 125; The upper diffusion portion
125a; Mesh network 125b; The first diffusion plate
125c; A second diffusion plate 125d; vent pipe
125e; A first support 125f; The second support
130; An upper cover 200; Gas scrubber
201; A first inlet pipe 202; The second inlet pipe
203; A third inlet pipe 204; valve

Claims

A bottom cover into which harmful gas flows;
A canister having an upper portion extending from the lower cover and having at least one gas diffusion portion filled with an adsorbent to adsorb and remove the harmful gas, the at least one gas diffusion portion being installed to induce a uniform flow of the harmful gas to remove a drift of the harmful gas; And
And an upper cover installed at an upper portion of the canister to exhaust the exhaust gas adsorbed from the harmful gas.

The method according to claim 1,
Wherein the gas diffusion portions are spaced apart from each other at a lower end, a middle end, and an upper end of the canister.

The method according to claim 1,
The gas diffusion portion
A mesh network into which the harmful gas flows;
A first diffusion plate installed on the mesh net via a first support; And
And a second diffusion plate disposed on the first diffusion plate through a second support member.

The method of claim 3,
Wherein the first diffusion plate is formed at the center and includes a through hole through which the harmful gas passes, and the diameter of the second diffusion plate is smaller than the diameter of the first diffusion plate.

The method of claim 3,
Further comprising a pier plate disposed on the second diffusion plate and having the adsorbent disposed thereon.

The method according to claim 1,
The gas diffusion portion
A mesh network into which the harmful gas flows;
A first diffusion plate installed on the mesh net via a first support; And
And a second diffusion plate disposed under the first diffusion plate through a second support.

The method according to claim 6,
Wherein the first diffusion plate includes an exhaust pipe provided at the center and through which the exhaust gas passes, wherein a diameter of the second diffusion plate is smaller than a diameter of the first diffusion plate.

The method according to claim 1,
Wherein the canister further comprises a filtering unit installed at a lower end of the canister for filtering and trapping reaction by-products of the harmful gas.

The method according to claim 1,
Wherein the filtering unit includes a piercing plate through which the harmful gas passes and a nonwoven filter installed on the piercing plate.

The method according to claim 1,
A first inflow pipe connected to the lower cover to introduce the harmful gas, and a second inflow pipe connected to the first inflow pipe and the canister to introduce the harmful gas, wherein the first inflow pipe and the second inflow pipe, And a valve installed at a connection point of the second inlet pipe to allow the harmful gas to flow into the first inlet pipe or the second inlet pipe.