KR100645946B1 - Gas scrubber - Google Patents

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KR100645946B1
KR100645946B1 KR1020050100898A KR20050100898A KR100645946B1 KR 100645946 B1 KR100645946 B1 KR 100645946B1 KR 1020050100898 A KR1020050100898 A KR 1020050100898A KR 20050100898 A KR20050100898 A KR 20050100898A KR 100645946 B1 KR100645946 B1 KR 100645946B1
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adsorption
gas scrubber
gas
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exhaust gas
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KR1020050100898A
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이후근
이성근
장길남
김옥기
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주식회사 카엘
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Abstract

A gas scrubber is provided to flow uniformly predetermined gas through toxic substance adsorbing portions by using a buffer portion between the toxic substance adsorbing portions and a core portion. A gas scrubber(100) includes a case, two or more protecting nets, and two or more adsorbing portions. The case(110) includes an inlet portion(111) and an exhaust portion(115). The two or more protecting nets(121) are installed on the case, wherein the protecting nets are spaced apart from each other. The two or more adsorbing portions(123) are supported by the protecting nets. The gas scrubber further includes a buffer portion(125) between the adsorbing portions.

Description

가스 스크러버{Gas Scrubber}Gas Scrubber

도1 은 종래 기술에 의한 가스 스크러버를 도시한 사시도이다.1 is a perspective view showing a gas scrubber according to the prior art.

도2 는 도1 에 도시한 종래 기술에 의한 가스 스크러버의 종단면도이다.FIG. 2 is a longitudinal sectional view of the gas scrubber according to the prior art shown in FIG.

도3 은 도2 에서 흡착부 일부분이 흡착 유해 물질로 정체된 상태를 예시적으로 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating a state in which a portion of the adsorption unit is stagnant with adsorption harmful substances in FIG. 2.

도4 는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따르는 가스 스크러버를 도시한 종단면도이다.4 is a longitudinal sectional view showing a gas scrubber according to a preferred embodiment of the present invention.

도5 는 본 발명의 바람직한 다른 실시 예에 따르는 가스 스크러버를 도시한 종단면도이다.5 is a longitudinal sectional view showing a gas scrubber according to another preferred embodiment of the present invention.

도6 은 도5 의 A-A'선에 따른 단면도이다.FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 5.

도7 은 본 발명의 바람직한 다른 실시 예에 따르는 가스 스크러버의 변형 예로서 도6 에 대응하는 단면도이다.7 is a cross-sectional view corresponding to FIG. 6 as a modification of the gas scrubber according to another preferred embodiment of the present invention.

도8 은 본 발명 가스 스크러버의 또 다른 변형 예의 종단면도이다.8 is a longitudinal sectional view of still another modification of the gas scrubber of the present invention.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Explanation of symbols for main parts of drawings *

100, 200 : 가스 스크러버 111, 211 : 유입부100, 200: gas scrubber 111, 211: inlet

113, 213 : 캐니스터(Canister) 115, 215 : 배출부113,213: Canister 115,215: discharge part

117, 217 : 상부캡 118, 218 : 하부캡117, 217: upper cap 118, 218: lower cap

121, 221 : 보호망 123, 223 : 흡착부121, 221: protection net 123, 223: adsorption part

125, 225 : 완충부 227 : 심부 125, 225: buffer part 227: deep part

229 : 격벽229: bulkhead

본 발명은 가스 스크러버에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체 제조 공정 등에서 발생하는 가스 중 유해 가스나 분진을 흡착 처리하여 정화시키기 위한 가스 스크러버에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a gas scrubber, and more particularly, to a gas scrubber for adsorbing and purifying harmful gas or dust in a gas generated in a semiconductor manufacturing process or the like.

반도체 제조 공정은 화학 증기 증착 공정, 저압 증기 화학 증착 공정, 플라즈마 강화 화학 증착 공정, 플라즈마 부식 공정 등으로 이루어진다. 그리고 상기와 같은 반도체 제조 공정에서는 다량의 실란, 디클로로실란, 암모니아, 산화질소, 아르신, 포스핀, 디보린 등을 사용한다. 그러나 반도체 공정에서 사용되는 상기 물질 중 실제 제조 공정에서는 소량만이 소모되며, 소모되지 않는 물질은 배기 가스에 포함되어 HCl, Cl2, HF 등과 같은 유해가스, 분진 및/또는 증기 형태로 배출된 다. The semiconductor manufacturing process consists of a chemical vapor deposition process, a low pressure steam chemical vapor deposition process, a plasma enhanced chemical vapor deposition process, a plasma corrosion process, and the like. In the semiconductor manufacturing process as described above, a large amount of silane, dichlorosilane, ammonia, nitrogen oxide, arsine, phosphine, diborin, and the like are used. However, only a small amount of the material used in the semiconductor process is actually used in the manufacturing process, and the non-consumable material is included in the exhaust gas and emitted in the form of harmful gases such as HCl, Cl 2 , HF, dust and / or vapor. .

소모되지 않고 배기 가스에 포함되어 배출되는 상기와 같은 물질은 작업자 에게 심각한 영향을 미칠 수 있으며, 반도체 제조 공정에 사용되는 장치를 오염시키는 문제점도 발생한다.Such materials, which are not consumed and are included in the exhaust gas and are discharged, can have a serious effect on the worker, and there is a problem of contaminating a device used in a semiconductor manufacturing process.

따라서 종래에 반도체 제조 공정에서 배출되는 상기와 같은 유해성 가스를 처리하기 위하여 여러 방법이 사용되고 있다. 대표적으로 사용되는 방법으로는, 고온의 환경에서 유해가스를 열분해 하여 정화하는 연소식 처리법과, 흡착제를 이용하여 정화하는 방식의 건식처리법과, 유해가스를 물과 접촉하도록 하여 포집한 후 오염된 물을 정화하는 방식의 습식처리법 및 상기 방법을 혼용한 처리법이 있다. Therefore, various methods have been conventionally used to treat such harmful gases emitted from semiconductor manufacturing processes. Representative methods include combustion treatment to pyrolyze and purify harmful gases in a high temperature environment, dry treatment to purify using adsorbents, and contaminated water after collecting harmful gases in contact with water. There is a wet treatment method of purification method and a treatment method using the above method.

연소식 처리법은 히터를 이용한 간접가열방식과 LPG 등과 같은 연료가스를 연소시켜 유해가스를 태우는 직접가열방식으로 구분되며, 고농도의 가스를 처리하는데 적합한 것으로 알려져 있으나, 고온의 환경을 조성하기 위해 히터를 사용하거나 LPG 등의 가스를 연소시킴에 따라 안전상의 문제와 더불어 경제성이 취약하다는 점이 문제점으로 지적되고 있다. Combustion treatment method is classified into indirect heating method using heater and direct heating method that burns harmful gas by burning fuel gas such as LPG, and is known to be suitable for treating high concentration of gas. It is pointed out that the use of or burn the gas of LPG, such as safety and economical weakness.

건식처리법 중에서 흡착제를 이용하는 방식은 알루미나, 소석회, 알루미나 실리케이트, 제올라이드 등의 무기 흡착제, 활성탄, 상기 무기 흡착제를 담체로 하여 알칼리 화합물이나 산성 화합물을 처리한 첨착 무기 흡착제 또는 금속으로 코팅한 첨착 무기 흡착제, 상기 활성탄에 화학물질을 첨착한 첨착 활성탄을 흡착제로 사용하며, 상기에 기재한 무기 흡착제, 활성탄, 화합물이나 금속 첨착 무기 흡착 제, 화학물질 첨착 활성탄을 다층 적층하여 사용하기도 한다.In the dry treatment method, an adsorbent is used as an inorganic adsorbent such as alumina, slaked lime, alumina silicate, or zeolite, activated carbon, or an impregnated inorganic adsorbent coated with metal or an impregnated inorganic adsorbent treated with an alkali or acidic compound using the inorganic adsorbent as a carrier. The adsorbent and the activated carbon impregnated with the chemical substance on the activated carbon are used as the adsorbent, and the inorganic adsorbent, the activated carbon, the compound or metal-impregnated inorganic adsorbent, and the chemically impregnated activated carbon described above may be used as a multilayer stack.

한편, 습식처리법 중에는 물 또는 염기성 수용액을 분사노즐 등에 의해 하방으로 분사하고 낙하하는 영역에 유해물질이 포함된 배기가스를 통과시키는 구조로 이루어져, 기체와 액체의 접촉에 의해 유해가스를 중화하거나 흡수하여 처리하는 방식이 있다. On the other hand, in the wet treatment method, the water or basic aqueous solution is sprayed downward by a spray nozzle or the like, and the exhaust gas containing harmful substances is passed through the dropping region. The harmful gas is neutralized or absorbed by the contact of gas and liquid. There is a way to handle it.

최근에는 반도체 고집적화와 고성능화에 따라서 고직접화 및 고성능화된 반도체를 뒷받침하기 위하여 고성능화된 반도체 장비를 요구하고 있다. 즉, 종래 반도체 제조 공정에서 허용되던 환경 조건 등이 반도체의 고직접화와 고성능화에 따라 더 엄격하게 적용되며, 따라서 새로운 환경 조건에 맞는 반도체 제조공정 장비가 요구된다.Recently, in order to support high-density and high-performance semiconductors in accordance with high integration and high-performance semiconductors, high-performance semiconductor equipment is required. In other words, the environmental conditions, which are permitted in the semiconductor manufacturing process, are more strictly applied according to the higher directivity and the higher performance of the semiconductor. Therefore, the semiconductor manufacturing process equipment that meets the new environmental conditions is required.

도1 은 반도체 공정 중에서 배출되는 유해성 가스를 흡착 제거하기 위한 종래 기술에 의한 가스 스크러버(1)를 도시한 것이며, 도2 는 도1 가스 스크러버(1)의 종단면을 도시한 것이며, 도3 은 소정 기간 사용한 가스 스크러버(1)를 도시한 종단면도의 예이다.FIG. 1 shows a gas scrubber 1 according to the prior art for adsorption and removal of harmful gases discharged in a semiconductor process, FIG. 2 shows a longitudinal section of the gas scrubber 1 of FIG. 1, and FIG. It is an example of the longitudinal cross-sectional view which shows the gas scrubber 1 used for the period.

도1 및 도2 에 도시한 바와 같이 종래 기술에 의한 가스 스크러버(1)는 캐니스터(13)와 상부캡(17) 그리고 하부캡(18)이 플랜지(13a, 17a, 18a)로 연결되어 있으며, 캐니스터(13)와 상부캡(17) 그리고 하부캡(18)으로 이루어지는 케이스(10) 내부에 형성되는 공간에 2개의 보호망(21)이 이격되어 설치되고, 상기 보호망(21) 사이에 흡착 작용을 하는 흡착제가 충진된 흡착부(23)가 형성된다.As shown in FIGS. 1 and 2, the gas scrubber 1 according to the related art has a canister 13, an upper cap 17, and a lower cap 18 connected to flanges 13a, 17a, and 18a. Two guard nets 21 are spaced apart from each other in a space formed inside the case 10 including the canister 13, the upper cap 17, and the lower cap 18, and have a suction function between the guard nets 21. An adsorption part 23 filled with an adsorbent is formed.

상기 보호망(21) 사이에 충진되는 흡착제로는 알루미나, 소석회, 알루미나 실리케이트, 제올라이트 등의 무기흡착제, 활성탄, 또는 상기 무기흡착제를 담체로 하여 알칼리 화합물, 산성화합물 등을 처리한 첨착무기흡착제 또는 금속(알칼리 금속, 전이금속 등)으로 코팅한 첨착무기흡착제, 활성탄에 화학물질을 첨착한 첨착활성탄을 흡착하려는 배출 가스의 성분에 따라 선택하여 사용하며, 상기와 같은 흡착제를 순차적으로 충진하여 사용하기도 한다.As the adsorbent filled between the protective nets 21, an inorganic adsorbent such as alumina, slaked lime, alumina silicate, zeolite, activated carbon, or an impregnated inorganic adsorbent or metal treated with an alkali adsorbent or an acidic compound using the inorganic adsorbent as a carrier, Alkali metal, transition metal, etc.) is selected according to the components of the exhaust gas to adsorb the impregnated inorganic adsorbent coated with activated chemicals impregnated with a chemical substance on the activated carbon, and may be used by sequentially filling the adsorbent as described above.

상기 보호망(21)은 흡착부(23)를 이루는 흡착제의 휘산을 방지하기 위한 것으로, 정화하는 배출 가스의 유속에 영향을 주지 않을 정도의 메쉬(mesh) 크기를 갖도록 형성되며, 보호망(21)이 케이스(10) 내에서 안정적으로 설치되도록 하기 위하여 상기 케이스(10) 내에는 보호망(21)을 지지하기 위한 지지대(14)가 형성된다.The guard net 21 is to prevent volatilization of the adsorbent constituting the adsorption part 23, and is formed to have a mesh size that does not affect the flow rate of the exhaust gas to be purified, and the guard net 21 is In order to stably install in the case 10, a support 14 for supporting the protection net 21 is formed in the case 10.

상기 케이스(10)에는 배출 가스가 유입되는 유입부(11)와, 유해 가스나 분진을 흡착한 배출 가스를 배출하는 배출부(15)가 형성된다. The case 10 is provided with an inlet 11 through which the exhaust gas flows, and a discharge unit 15 through which the exhaust gas adsorbing the noxious gas or dust is discharged.

상기 종래 기술에 의한 가스 스크러버(1)의 작용을 간단하게 살펴본다.The operation of the gas scrubber 1 according to the prior art will be briefly described.

도2 에 도시한 바와 같이 펌프(미도시) 등에 의하여 배출 가스가 유입부(11)를 통하여 가스 스크러버(1)로 유입되면, 배출 가스는 유입부(11) 전방으로 형성된 유입공간부(11a)를 지나 보호망(21)과 흡착부(23)를 통과하고, 다시 배기공간부(15a)를 지나 배출부(15)로 빠져나간다. 배기 가스가 흡착부(23)을 통과할 때 배기 가스 내에 포함되는 유해 가스나 분진이 흡착부(23)의 흡착제에 흡착된다. 도2 에서 화살표는 배기 가스의 이동 경로를 간략하게 나타낸 것이다.As shown in FIG. 2, when the exhaust gas is introduced into the gas scrubber 1 through the inlet 11 by a pump (not shown) or the like, the exhaust gas is inlet 11a formed in front of the inlet 11. After passing through the protection net 21 and the suction unit 23, and passes through the exhaust space portion 15a again to exit to the discharge portion (15). When the exhaust gas passes through the adsorption unit 23, harmful gas or dust contained in the exhaust gas is adsorbed by the adsorbent of the adsorption unit 23. The arrow in FIG. 2 briefly shows the movement path of the exhaust gas.

도1 내지 도3 에서 미설명 부호 12는 하부캡(18)에 형성되는 유입공간부(11a)의 상태 등을 관찰할 수 있도록 형성된 감시창을 도시한 것이며, 16은 잔류 분진 등을 배출하기 위한 배출밸브를 도시한 것이다.In FIG. 1 to FIG. 3, reference numeral 12 denotes a monitoring window formed to observe a state of the inflow space 11a formed in the lower cap 18, and 16 denotes a discharge window for discharging residual dust. The discharge valve is shown.

그러나 상기와 같은 가스 스크러버(1)로 배출 가스를 정화시키는 경우, 배출 가스에 포함된 분진이 유입부(11)의 유입 방향에 따라 흡착부(23)의 특정 영역(예를 들면 도3 의 'B'부)에서 집중 흡착되어 흡착부(23)에 막힘 현상이 발생하여 특정 영역 상부(도3 의 'A'부)로는 배출 가스가 유통되지 않아 흡착에 있어서 흡착부(23) 전체를 이용하지 못하고, 일부분에서 흡착이 집중적으로 발생하므로 흡착부(23) 또는 가스 스크러버(1)의 교체 주기가 빨라지며, 흡착되는 영역으로의 배출 가스 통과 속도에 변화가 발생하여 흡착 작용이 양호하게 이루어지지 않으며, 흡착부(23) 또는 가스 스크러버(1)의 교체시 흡착 작용이 일어나지 않는 특정 영역 상부의 흡착제는 사용되지 않고 교체되므로 흡착제의 낭비가 심하게 되는 문제점이 있었다. However, in the case of purifying the exhaust gas with the gas scrubber 1 as described above, the dust contained in the exhaust gas depends on a specific region of the adsorption unit 23 (for example, ' Concentrated adsorption in the B 'part) and clogging occurs in the adsorption part 23, so that the exhaust gas does not flow to the upper part of the specific region (the' A 'part in FIG. 3), so that the entire adsorption part 23 is not used for adsorption. In this case, the adsorption occurs intensively in a portion, and thus, the replacement cycle of the adsorption unit 23 or the gas scrubber 1 is faster, and a change in the rate of passage of the exhaust gas to the adsorption area occurs, so that the adsorption action is not good. When the adsorption unit 23 or the gas scrubber 1 is replaced, the adsorbent on the upper portion of the specific region in which the adsorption action does not occur is replaced without being used, which causes a problem in that the adsorbent is wasted.

본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해소하기 위한 것으로서, 흡착부 전체에 걸쳐 고르게 배출 가스가 유통되게 하며, 특정 부분에 분진 등이 다량 흡착되는 것을 방지하여 불균일한 흡착에 의한 흡착부의 교체 주기가 단축되는 것을 방지하며, 흡착부를 별도로 관리하여 손상이 발생하거나 흡착 효율이 감소한 흡착부만을 교체할 수 있는 가스 스크러버를 제공하는데 목적이 있는 것이다.The present invention is to solve the problems of the prior art as described above, to ensure that the exhaust gas is evenly distributed throughout the adsorption unit, and to prevent the adsorption of a large amount of dust, etc. in a particular portion replacement cycle of the adsorption unit by non-uniform adsorption The purpose of the present invention is to provide a gas scrubber that can be replaced with only the adsorption unit, in which damage is generated or the adsorption efficiency is reduced by separately managing the adsorption unit.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따르는 가스 스크러버는 유입부와 배출부가 형성되는 케이스와, 상기 케이스에 소정 간격 이격하여 설치되는 두 개 이상의 보호망과, 상기 보호망에 의하여 지지되는 두 개 이상의 흡착부를 포함하여 구성되며, 상기 흡착부 사이에 완충부가 형성되는 것을 특징으로 하며, The gas scrubber according to the present invention for achieving the above object includes a case in which the inlet and the outlet are formed, two or more protection nets installed at a predetermined interval apart from the case, and two or more adsorption parts supported by the protection net. It is configured to, characterized in that the buffer unit is formed between the adsorption unit,

상기 흡착부와 완충부는 교대로 형성되는 것을 특징으로 한다.The adsorption portion and the buffer portion is characterized in that formed alternately.

한편, 본 발명에 따르는 가스 스크러버는 유입부와 배출부가 형성되는 케이스와, 상기 케이스에 소정 간격 이격하여 설치되는 두 개 이상의 보호망과, 상기 보호망에 의하여 지지되는 하나 이상의 흡착부로 이루어지며, 상기 보호망에 의하여 지지되는 흡착부에 하나 이상의 심부가 형성되는 것을 특징으로 한다.On the other hand, the gas scrubber according to the present invention is composed of a case in which the inlet and the outlet are formed, two or more protection nets installed at a predetermined interval apart from the case, and one or more adsorption parts supported by the protection net, At least one core is formed in the adsorption portion supported by the.

상기 흡착부는 두 개 이상이며, 상기 흡착부 사이에 형성된 완충부를 구비하는 것이 바람직하며,At least two adsorption parts, preferably provided with a buffer formed between the adsorption parts,

상기 심부는 유입부에 가까울수록 단면적이 감소하는 것을 특징을 한다.The core is characterized in that the cross-sectional area decreases closer to the inlet.

그리고 상기 심부에서 연장 형성되는 두 개 이상의 격벽을 구비하고, 상기 흡착부는 분할되어 격벽과 케이스에 의하여 형성되는 공간에 분할 설치되는 것도 가능하다.In addition, two or more partitions extending from the core portion may be provided, and the adsorption portion may be divided and installed in a space formed by the partition wall and the case.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따르는 가스 스크러버를 상세히 설명한다. 상세한 설명에 있어서 종래 기술과 동일한 내용에 대해서는 그 기재를 생략하며, 동일한 작용을 하는 구성에 대해서는 동일한 명칭을 사용한다. Hereinafter, a gas scrubber according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the detailed description, the same description as in the prior art is omitted, and the same name is used for the configuration having the same function.

도4 는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따르는 가스 스크러버(100)를 도시한 종단면도로서, 도4 에 도시한 바와 같이 본 발명의 바람직한 실시 예에 따르는 가스 스크러버(100)는 반도체 공정 등에서 배출되는 유해 가스 및/또는 분진(이하 '유해 물질'이라고 한다)을 포함하는 배출 가스가 유입되는 유입부(111)와, 유해 물질이 흡착된 배출 가스가 배출되는 배출부(115)가 형성된다. 상기 유입부(111) 및/또는 배출부(115)에는 또 다른 정화 공정인 연소식 정화 장치나 습식 정화 장치가 연결될 수 있다. 도4 에는 측방향으로 형성된 유입부(111)를 도시하고 있으나 상기 유입부(111)는 상방향으로 형성하는 등 다양한 방향으로 형성하는 것이 가능하다.Figure 4 is a longitudinal cross-sectional view showing a gas scrubber 100 according to a preferred embodiment of the present invention, as shown in Figure 4 gas scrubber 100 according to a preferred embodiment of the present invention is harmful to discharge in a semiconductor process, etc. An inlet 111 through which exhaust gas containing gas and / or dust (hereinafter referred to as a “hazardous substance”) is introduced, and an outlet 115 through which the exhaust gas adsorbed with the hazardous substance is discharged is formed. The inlet 111 and / or the outlet 115 may be connected to a combustion purification apparatus or a wet purification apparatus, which is another purification process. Although FIG. 4 illustrates the inflow portion 111 formed in the lateral direction, the inflow portion 111 may be formed in various directions such as an upward direction.

가스 스크러버(100)를 이루며 흡착부(123a, 123b 및/또는 123c)가 수용되는 공간을 형성하는 케이스(110)는 캐니스터(113)와 상부캡(117) 및 하부캡(18)으로 이루어지며, 도4 에는 하나의 캐니스터(113)와 상부캡(117) 및 하부캡(18)으로 이루어지는 케이스(110)를 도시하고 있으나 상기 캐니스터(113)와 상부캡(117) 및 하부캡(118)은 각각 하나 이상으로 분할되어 형성될 수도 있으며, 통합된 형태로 형성되는 것도 가능하다.The case 110, which forms a gas scrubber 100 and forms a space in which the adsorption parts 123a, 123b, and / or 123c is accommodated, includes a canister 113, an upper cap 117, and a lower cap 18. 4 illustrates a case 110 including one canister 113, an upper cap 117, and a lower cap 18, but the canister 113, the upper cap 117, and the lower cap 118 are respectively shown. It may be formed divided into one or more, it may be formed in an integrated form.

상기 케이스(110)에 의하여 형성된 공간에는 두 개 이상의 보호망(121a, 121b, 121c, 121d, 121e 및/또는 121f)이 소정의 간격 이격하여 설치되며, 상기 케이스(110) 내에는 상기 보호망(121a, 121b, 121c, 121d, 121e 및/또는 121f)을 지지하기 위한 지지부(114)가 형성된다.Two or more protection nets 121a, 121b, 121c, 121d, 121e and / or 121f are installed in the space formed by the case 110 at predetermined intervals, and the protection net 121a, Support portions 114 for supporting 121b, 121c, 121d, 121e and / or 121f are formed.

상기 보호망(121a, 121b, 121c, 121d, 121e 및/또는 121f) 사이에는 흡착제로 이루어지는 흡착부(123a, 123b 및/또는 123c)가 형성되어 유입부(111)를 통하여 유입되는 반도체 공정 등의 배출 가스로부터 유해 물질을 흡착한다. 도4 에는 흡착부(123a, 123b 및/또는 123c) 상하로 보호망(121a, 121b, 121c, 121d, 121e 및/또는 121f)이 설치되어 있으나, 흡착부(123a, 123b 및/또는 123c)가 고형체인 등인 경우에는 상기 흡착부(123a, 123b 및/또는 123c) 하부에만 보호망(121a, 121c 및/또는 121e)을 설치하는 것도 가능하다.Adsorbents 123a, 123b and / or 123c made of an adsorbent are formed between the protection nets 121a, 121b, 121c, 121d, 121e and / or 121f to discharge the semiconductor process and the like introduced through the inlet 111. Adsorb harmful substances from gas. In FIG. 4, protection nets 121a, 121b, 121c, 121d, 121e and / or 121f are provided above and below the adsorption parts 123a, 123b and / or 123c, but the adsorption parts 123a, 123b and / or 123c are solid. In the case of a chain or the like, the protection nets 121a, 121c and / or 121e may be provided only under the adsorption parts 123a, 123b and / or 123c.

상기 흡착부(123a, 123b 및/또는 123c) 사이에는 흡착제가 충진되지 않는 완충부(125a 및/또는 125b)가 형성된다. 상기 흡착부(123a, 123b 및/또는 123c)와 완충부(125a 및/또는 125b)는 도4 에 도시한 바와 같이 교대로 형성하는 것이 바람직하다.Between the adsorption part 123a, 123b and / or 123c, a buffer part 125a and / or 125b in which the adsorbent is not filled is formed. The adsorption parts 123a, 123b and / or 123c and the buffer parts 125a and / or 125b are preferably formed alternately as shown in FIG.

도4 를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따르는 가스 스크러버(100)의 흡착 과정을 설명한다. 도4 에 도시한 바와 같이 유입부(111)로 유해 물질을 포함하는 배출가스가 유입되면, 배출 가스는 유입공간부(111a)를 거쳐 제1 흡착부(123a)를 통과하여 제1 완충부(125a)를 지나게 되며, 다시 제2 흡착부(123b)를 통과하고 제2 완충부(125b)를 지나고 제3 흡착부(123c)를 통과하여 배출공간부(115a)를 거쳐 배출부(115)를 통하여 배출된다.Referring to Figure 4 describes the adsorption process of the gas scrubber 100 in accordance with a preferred embodiment of the present invention. As shown in FIG. 4, when the exhaust gas containing the harmful substance flows into the inlet 111, the exhaust gas passes through the first adsorption section 123a through the inlet space 111a and thus the first buffer unit ( 125a), passing through the second adsorption part 123b, passing through the second buffer part 125b, passing through the third adsorption part 123c, and passing through the discharge space part 115a to the discharge part 115; Is discharged through.

상기에 있어서 배출공간부(115a)를 형성하지 않는 것도 가능하다.In the above, it is also possible not to form the discharge space 115a.

소정의 시간 배출 가스를 정화한 가스 스크러버(100)에 있어서, 유입부(111)에서 유입된 배출 가스에 포함된 유해 물질은 유입부(111)의 유입 방향에 따라 제1 흡착부(123a)의 특정 부분(도4 의 'B'부분)에 다량 흡착되어, 상기 특정 부분으로의 배출 가스의 유통을 방해하게 된다. 따라서 도4 의 'A'부분 흡착부는 흡착 작용을 할 수 없게 된다. In the gas scrubber 100 in which the exhaust gas is purified for a predetermined time, harmful substances included in the exhaust gas introduced from the inlet portion 111 may be disposed in the first adsorption portion 123a according to the inflow direction of the inlet portion 111. It is adsorbed in a certain part ('B' part of FIG. 4) in a large amount, thereby preventing the flow of exhaust gas to the specific part. Therefore, the portion 'A' portion of the adsorption of Figure 4 is not able to perform the adsorption action.

그러나 상기 제1 흡착부(123a)를 통과한 배출 가스는 공기에 대한 흐름 저항이 유사한 제1 흡착부(123a)와 제2 흡착부(123b) 사이 즉, 제1 완충부(125a)에서 압력이 거의 균일하게 형성되어 제2 흡착부(123b) 전체에 걸쳐 고르게 통과하게 된다. 그리고 제2 흡착부(123b)를 통과한 배출 가스는 제2 완충부(125b)에서 다시 한번 압력이 조정되어 제3 흡착부(123c) 전체에 걸쳐 고르게 통과하게 되는 것이다. 배출 가스는 제1 완충부(125a) 즉, 제1 흡착부(123a)와 제2 흡착부(123b) 사이에서 압력이 조정되므로 제1 완충부(125a)를 지나는 배출 가스의 압력은 거의 균일하게 조정되며, 제2 완충부(125b)에서도 마찬가지이다.However, the exhaust gas having passed through the first adsorption part 123a may have a pressure between the first adsorption part 123a and the second adsorption part 123b, that is, similar in flow resistance to air. It is formed almost uniformly and evenly passes through the entire second adsorption portion 123b. In addition, the exhaust gas passing through the second adsorption part 123b is adjusted in the second buffer part 125b so that the exhaust gas passes evenly through the third adsorption part 123c. Since the pressure of the exhaust gas is adjusted between the first buffer unit 125a, that is, the first adsorption unit 123a and the second adsorption unit 123b, the pressure of the exhaust gas passing through the first buffer unit 125a is almost uniform. The same applies to the second shock absorbing portion 125b.

따라서 제2 흡착부(123b)나 제3 흡착부(123c)에는 유해 물질의 불균일한 흡착 현상은 발생하지 않게 되어, 불균일한 흡착 현상에 의한 제2 흡착부(123b)나 제3 흡착부(123c)의 흡착 성능 저하, 수명 단축 문제가 해결되며 흡착 작용을 하지 못하는 흡착부도 발생하지 않게 된다. 그리고 불균일한 흡착 현상이 발생하는 제1 흡착부(123a)만 교체할 수 있으므로 가스 스크러버(100)의 유지 보수 비용이 절감된다.Therefore, nonuniform adsorption of harmful substances does not occur in the second adsorption unit 123b or the third adsorption unit 123c, and the second adsorption unit 123b or the third adsorption unit 123c due to the nonuniform adsorption phenomenon does not occur. The problem of lowering the adsorption performance and shortening the lifespan is solved. In addition, since only the first adsorption part 123a having a nonuniform adsorption phenomenon may be replaced, the maintenance cost of the gas scrubber 100 may be reduced.

도4 에는 3개의 흡착부(123a, 123b, 123c)와 상기 흡착부(123a, 123b, 123c) 사이에 형성된 2개의 완충부(125a 및/또는 125b)를 도시하고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 개수 조합의 흡착부와 완충부를 형성하는 것이 가능 하다. 4 shows three adsorption parts 123a, 123b, and 123c and two buffer parts 125a and / or 125b formed between the adsorption parts 123a, 123b and 123c, but is not limited thereto. It is possible to form the adsorption portion and the buffer portion of the number combination.

도4 에서 미설명 부호 113a와 117a 및 118a는 상기 캐니스터(113)와 상부캡(117) 그리고 하부캡(118)을 일체로 형성하기 위한 플랜지를 도시한 것이다.In FIG. 4, reference numerals 113a, 117a, and 118a illustrate flanges for integrally forming the canister 113, the upper cap 117, and the lower cap 118.

도5 는 본 발명의 바람직한 다른 실시 예에 따르는 가스 스크러버(200)의 종단면도이며, 도6 은 도5 의 A-A'선에 따른 단면도이며, 도7 은 본 발명의 바람직한 다른 실시 예에 따르는 가스 스크러버(200)의 변형 예를 도시한 도6 에 대응하는 단면도이다.5 is a longitudinal cross-sectional view of a gas scrubber 200 according to another preferred embodiment of the present invention, FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 5, and FIG. 7 is according to another preferred embodiment of the present invention. It is sectional drawing corresponding to FIG. 6 which shows the modification of the gas scrubber 200. As shown in FIG.

도5 및 도6 에 도시한 바와 같이 본 발명의 바람직한 다른 실시 예에 따르는 가스 스크러버(200)는 유입부(211)와 배출부(215)가 형성되며 캐니스터(213)와 상부캡(217) 그리고 하부캡(218)으로 이루어지는 케이스(210)와, 상기 케이스(210)에 소정 간격 이격하여 설치되는 두 개 이상의 보호망(221)과, 상기 보호망(221) 사이에 형성되는 하나 이상의 흡착부(223)로 이루어지며, 상기 보호망(221) 사이에 형성되는 흡착부(223)에 하나 이상의 심부(227)가 형성된다. 상기 심부(227)에는 흡착제가 사용되지 않는다.5 and 6, the gas scrubber 200 according to another exemplary embodiment of the present invention has an inlet 211 and an outlet 215, and a canister 213 and an upper cap 217 and A case 210 including a lower cap 218, two or more protection nets 221 installed at predetermined intervals from the case 210, and one or more adsorption parts 223 formed between the protection nets 221. One or more core parts 227 are formed in the adsorption part 223 formed between the protection nets 221. No adsorbent is used in the core portion 227.

도5 에 도시한 바와 같이 반도체 공정 등에서 발생하며 유해 물질을 포함하는 배출 가스가 유입부(211)를 통하여 유입되면, 배출 가스는 유입공간부(211a)를 지나 흡착부(223)를 통과하고, 배출공간부(215a)를 지나 배출부(215)를 통하여 배출된다.As shown in FIG. 5, when a discharge gas generated in a semiconductor process or the like and containing harmful substances is introduced through the inlet 211, the exhaust gas passes through the inlet space 211a and passes through the adsorption unit 223. Passed through the discharge space 215a and is discharged through the discharge unit 215.

배출 가스에 포함되는 분진 등이 불균일하게 다량 흡착되는 부분에 미리 배 출가스가 유통되지 않는 심부(227) 형성함으로써, 불균일한 흡착이 특정 부분에서 발생하는 것을 방지할 수 있게 된다. 따라서 도3 에 도시한 바와 같이 불균일한 특정 부분의 흡착에 의하여, 흡착 작용을 하지 않는 흡착부 부분은 발생하지 않게 되며, 흡착부 전 부분에 걸쳐 거의 균일하게 흡착 작용을 하는 것이 가능하게 된다.By forming the core portion 227 in which the exhaust gas is not circulated in advance in a portion where the dust or the like contained in the exhaust gas is unevenly adsorbed in a large amount, it is possible to prevent the non-uniform adsorption from occurring in a specific portion. Therefore, as shown in FIG. 3, the adsorption part portion that does not perform the adsorption action is not generated by the adsorption of the non-uniform specific part, and it becomes possible to perform the adsorption action almost uniformly over the entire adsorption part.

상기 심부(227) 단면적의 프로파일은 다양하게 형성하는 것이 가능하나, 흡착부 전 부분에 걸쳐 흡착 작용이 가능하도록 하기 위하여, 유입부(211)에 가까울수록 단면적을 작게 형성하는 것이 바람직하다.The profile of the cross-sectional area of the core portion 227 may be variously formed, but in order to enable the adsorption function to be carried out over the entire portion of the adsorption portion, the closer to the inlet portion 211, the smaller the cross-sectional area is preferable.

상기에 있어서 도5 및 도6 에는 흡착부(223) 중앙에 형성된 심부(227)를 도시하고 있으나 이에 한정하는 것은 아니며, 상기 심부(227)는 불균일한 다량의 분진 흡착이 발생하는 곳에 형성하는 것으로 상기 흡입부(211)의 형성 위치나, 흡입부(211)의 흡입 방향 등에 따라 다양한 위치에 하나 이상의 심부(227)를 형성하는 것이 가능하다. 5 and 6 illustrate the core portion 227 formed at the center of the adsorption portion 223, but the core portion 227 is not limited thereto. The core portion 227 is formed at a location where a large amount of non-uniform dust adsorption occurs. It is possible to form one or more core parts 227 at various positions according to the position at which the suction part 211 is formed, the suction direction of the suction part 211, and the like.

상기 흡착부(223)을 형성함에 있어서, 도7 에 도시한 바와 같이 상기 심부(227)로부터 2개 이상의 격벽(229)을 연장 형성하고, 상기 격벽(229)과 케이스(210) 및 심부(227)에 의하여 형성되는 공간에 상기 흡착부(223)를 분할 형성하는 것이 가능하다. 상기와 같이 흡착부(223)를 분할 형성함으로써 흡착부(223) 각각의 수명을 개별적으로 관리하는 것이 가능하여 가스 스크러버(200)의 유지 보수 비용이 절감되는 효과가 있다. In forming the adsorption part 223, as shown in FIG. 7, two or more partitions 229 are extended from the core part 227, and the partition wall 229, the case 210, and the core part 227 are formed. It is possible to divide and form the adsorption unit 223 in the space formed by the (). By separating the adsorption unit 223 as described above, it is possible to individually manage the life of each of the adsorption unit 223, thereby reducing the maintenance cost of the gas scrubber 200.

도5 에서 미설명 부호 214 는 상기 보호망(221)을 지지하기 위하여 케이스 (210) 내에 형성되는 지지부를 도시한 것이다. In FIG. 5, reference numeral 214 illustrates a support part formed in the case 210 to support the protection net 221.

도8 은 본 발명 가스 스크러버의 또 다른 변형 예의 종단면도로서, 도8 에 도시한 바와 같이, 유입부(211)를 통하여 유입되는 유해 물질을 포함하는 배출 가스로부터 유해 물질을 효과적으로 흡착하기 위하여, 2개 이상의 흡착부(223a, 223b 및/또는 223c)를 구비하고, 상기 흡착부(223a, 223b 및/또는 223c) 사이에는 완충부(225a 및/또는 225b)가 형성되며, 상기 흡착부(223a, 223b 및/또는 223c)에는 심부(227)가 형성된다. FIG. 8 is a longitudinal sectional view of yet another modified example of the gas scrubber of the present invention. As shown in FIG. 8, in order to effectively adsorb harmful substances from the exhaust gas containing harmful substances introduced through the inlet 211, FIG. At least two adsorption parts 223a, 223b and / or 223c, buffer parts 225a and / or 225b are formed between the adsorption parts 223a, 223b and / or 223c, and the adsorption parts 223a, Core portions 227 are formed in 223b and / or 223c.

상기에 있어서 도8 에 도시한 바와 같이 제1 흡착부(223a)에만 심부(227)를 형성하는 것이 바람직하다.As shown in Fig. 8, the core portion 227 is preferably formed only in the first adsorption portion 223a.

도4, 도5 및 도8 에서 미설명 부호 112, 212는 하부캡(118, 218)에 형성되는 유입공간부(111a, 211a)의 상태 등을 관찰할 수 있도록 형성된 감시창을 도시한 것이며, 116, 216은 잔류 분진 등을 배출하기 위한 배출밸브를 도시한 것이다.In FIGS. 4, 5 and 8, reference numerals 112 and 212 show monitoring windows formed so that the state of the inflow spaces 111a and 211a formed in the lower caps 118 and 218 can be observed. 116 and 216 show discharge valves for discharging residual dust and the like.

이상에서 본 발명은 특정의 실시 예와 관련하여 도시 및 설명하였지만, 첨부된 특허청구범위에 의해 나타난 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 변경, 개조 및 변화가 가능하다는 것을 당업계에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구나 쉽게 알 수 있을 것이다.While the invention has been shown and described with respect to specific embodiments thereof, it is conventional in the art that various changes, modifications and variations are possible without departing from the spirit and scope of the invention as indicated by the appended claims. Anyone who knows the knowledge of is easy to know.

이상에서 설명한 바와 같은 본 발명에 따르는 가스 스크러버는 유해 물질을 흡착하는 흡착부(123, 223) 사이에 완충부(125, 225)를 구비함으로써 흡착부(123, 223)의 일부가 흡착된 유해 물질로 가스의 유통이 안 되는 경우에도 완충부(125, 225)를 통과하면서 스크러버 단면적 전체에 걸쳐 다음 흡착부(123, 223)로 흐르게 되는 효과가 있으며; 미리 유해 물질이 다량 흡착되는 부분에 심부(227)를 형성함으로써 특정 부분에 유해 물질이 다량 흡착되는 것을 방지하고 흡착부(223) 전체에 걸쳐 가스가 거의 균일하게 유통되도록 하며, 불균일한 흡착에 의한 흡착부(223)의 교체 주기가 단축되는 것을 방지하며, 흡착부(223)의 흡착 효율을 증가시키는 효과가 있으며; 격벽(229)을 구비하고 흡착부(223)를 분할하여 각 흡착부(223)를 별도로 관리하므로 어느 일부분의 손상이나 흡착 효율 감소 등이 발생하는 경우 일부분만을 교체하므로, 전체적인 흡착 효율을 균일하게 하면서 가스 스크러버의 관리 비용을 감소시킬 수 있는 효과가 있다. As described above, the gas scrubber according to the present invention includes a buffer unit 125 and 225 between the adsorption units 123 and 223 for adsorbing the hazardous substances, so that a part of the adsorption units 123 and 223 is adsorbed. Even when the furnace gas is not distributed, there is an effect that it flows to the next adsorption parts 123 and 223 through the entire scrubber cross-sectional area while passing through the buffer parts 125 and 225; The core portion 227 is formed in a portion where a large amount of harmful substances are adsorbed in advance, thereby preventing a large amount of harmful substances from being adsorbed in a specific portion, and allowing gas to be almost evenly distributed throughout the adsorption portion 223. It is possible to prevent the replacement cycle of the adsorption part 223 from being shortened and to increase the adsorption efficiency of the adsorption part 223; The partition 229 is provided and the adsorption part 223 is divided to manage each adsorption part 223 separately, so that only a part is replaced when a part of damage or a decrease in adsorption efficiency occurs, thereby making the overall adsorption efficiency uniform. There is an effect that can reduce the management cost of the gas scrubber.

Claims (6)

유입부(111)와 배출부(115)가 형성되는 케이스(110)와, 상기 케이스(110)에 소정 간격 이격하여 설치되는 두 개 이상의 보호망(121)과, 상기 보호망(121)에 의하여 지지되는 두 개 이상의 흡착부(123)를 포함하여 구성되는 가스 스크러버(100)에 있어서, 상기 흡착부(123) 사이에 완충부(125)가 형성되는 것을 특징으로 하는 가스 스크러버(100).A case 110 having an inlet 111 and an outlet 115 formed thereon, two or more protection nets 121 installed at a predetermined interval apart from the case 110, and supported by the protection net 121. Gas scrubber (100) comprising two or more adsorption portion (123), the gas scrubber (100), characterized in that the buffer portion (125) is formed between the adsorption portion (123). 제1 항에 있어서, 상기 흡착부(123)와 완충부(125)는 교대로 형성되는 것을 특징으로 하는 가스 스크러버(100). The gas scrubber (100) according to claim 1, wherein the adsorption part (123) and the buffer part (125) are alternately formed. 유입부(211)와 배출부(215)가 형성되는 케이스(210)와, 상기 케이스(210)에 소정 간격 이격하여 설치되는 두 개 이상의 보호망(221)과, 상기 보호망(221)에 의하여 지지되는 하나 이상의 흡착부(223)로 이루어지는 가스 스크러버(200)에 있어서,A case 210 formed with an inlet portion 211 and an outlet portion 215, two or more protection nets 221 installed on the case 210 at predetermined intervals, and supported by the protection nets 221. In the gas scrubber 200 composed of one or more adsorption portions 223, 상기 보호망(221)에 의하여 지지되는 흡착부(223)에 하나 이상의 심부(227)가 형성되는 것을 특징으로 하는 가스 스크러버(200).Gas scrubber (200), characterized in that at least one core portion (227) is formed in the adsorption portion (223) supported by the protection net (221). 제3 항에 있어서, 상기 흡착부(223)는 두 개 이상이며, 상기 흡착부(223) 사이에 완충부(225)가 형성되는 것을 특징으로 하는 가스 스크러버(200). 4. The gas scrubber (200) according to claim 3, wherein the adsorption part (223) is two or more, and a buffer part (225) is formed between the adsorption parts (223). 제3 항 또는 제4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 심부(227)는 유입부(211)에 가까울수록 단면적이 감소하는 것을 특징을 하는 가스 스크러버(200).The gas scrubber (200) according to any one of claims 3 to 4, wherein the core portion (227) decreases in cross-sectional area closer to the inlet portion (211). 제3 항 또는 제4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 심부(227)에서 연장 형성되는 두 개 이상의 격벽(229)을 구비하고, 상기 흡착부(223)는 분할되어 격벽(229)과 케이스(210)에 의하여 형성되는 공간에 설치되는 것을 특징으로 하는 가스 스크러버(200).5. The apparatus of claim 3, wherein at least two partitions 229 extend from the core part 227, and the adsorption part 223 is divided into partitions 229 and a case. Gas scrubber 200, characterized in that installed in the space formed by the 210.
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