KR20190079043A - Electrostatic Chuck - Google Patents

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KR20190079043A
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Abstract

According to exemplary embodiments of the present invention, an electrostatic chuck can include a lower insulation layer, an electrode layer and an upper insulation layer, which are sequentially formed on a body, wherein a substrate can be mounted on an upper portion thereof. The electrostatic chuck can include a lens unit formed to be provided on a periphery area except a mounting area on which the substrate is mounted in order to pass through the body from a lower portion of the body and penetrate light into an upper portion of the body. The lens unit has a hole structure of penetrating the body at the periphery area, and can be formed such that the same material as that of the upper insulation layer fills a hole while having the same height as the height of the upper insulation layer.

Description

정전척{Electrostatic Chuck}Electrostatic Chuck

본 발명은 정전척에 관한 것이다. 보다 상세하게 본 발명은 광을 투과하기 위한 렌즈부가 구비되는 정전척에 관한 것이다.The present invention relates to an electrostatic chuck. More particularly, the present invention relates to an electrostatic chuck having a lens unit for transmitting light.

정전척 상에 기판을 정해진 위치에 정확하게 안착시키지 못할 경우에는 공정 불량이 발생하기 때문에 정전척 상에 기판을 안착시킬 때에는 정전척과 기판 사이에서의 위치를 보정하기 위한 정렬을 수행해야 한다.When the substrate can not be accurately placed on the electrostatic chuck at a predetermined position, a process failure occurs. Therefore, in order to mount the substrate on the electrostatic chuck, alignment for correcting the position between the electrostatic chuck and the substrate must be performed.

그러나 정전척이 구비되는 공정 챔버를 외부와 차단시킬 경우에는 공정 챔버는 어두워져서 비전 카메라 등을 사용하여도 공정 챔버 내부를 볼 수 없는 상태가 되기 때문에 정렬에 지장을 끼칠 수 있다. 이에, 외부로부터 공정 챔버 내부로 광을 제공하여 공정 챔버 내부를 밝힐 필요가 있다.However, when the process chamber having the electrostatic chuck is shut off from the outside, the process chamber is darkened and the alignment can not be performed because the inside of the process chamber can not be seen even by using a vision camera or the like. Thus, it is necessary to illuminate the inside of the process chamber by providing light from the outside into the process chamber.

공정 챔버 내부로 제공되는 광은 정전척의 하부로부터 정전척을 통과하여 정전척 상부로 투과되도록 이루어지는데, 주로 기판이 안착되지 않는 정전척의 주변 영역에 구비되는 렌즈부에 의해 광의 투과가 이루어질 수 있다.The light provided to the inside of the process chamber is transmitted from the lower portion of the electrostatic chuck through the electrostatic chuck to the upper portion of the electrostatic chuck. The light can be transmitted by the lens portion provided in the peripheral region of the electrostatic chuck.

렌즈부는 정전척의 몸체를 관통하도록 구비되는 홀(hole) 및 홀에 조립 타입으로 배치되는 렌즈로 이루어질 수 있다. 렌즈가 정확한 높이에 배치되지 않을 경우에는 렌즈부로 투과되는 광의 효율이 저하되어 공정 챔버 내부를 원하는 밝기로 밝힐 수 없을 것이다.The lens unit may include a hole provided to pass through the body of the electrostatic chuck and a lens arranged in an assembly type in the hole. If the lens is not positioned at the correct height, the efficiency of light transmitted through the lens will be reduced and the interior of the process chamber will not be illuminated with the desired brightness.

렌즈는 정전척의 상부 표면과 동일한 높이에 정확하게 배치되어야 하는데, 렌즈는 조립 타입으로 배치해야 하기 때문에 정확한 높이에 배치하는 것이 용이하지 않을 것이다.The lens should be precisely positioned at the same height as the top surface of the electrostatic chuck, which would not be easy to place at the correct height because the lens would have to be arranged in an assembled type.

본 발명의 일 과제는 렌즈부를 정확한 높이를 갖도록 배치함과 아울러 일체 구조를 갖도록 구비할 수 있는 정전척을 제공하는데 있다.An object of the present invention is to provide an electrostatic chuck capable of providing a lens unit with an accurate height and having an integral structure.

상기 본 발명의 일 과제를 달성하기 위한 예시적인 실시예들에 따른 정전척은 몸체 상에 순차적으로 형성되는 하부 절연층, 전극층, 및 상부 절연층을 포함할 수 있고, 그 상부에 기판이 안착될 수 있다. 상기 정전척은 상기 몸체 하부로부터 상기 몸체를 통과하여 상기 몸체 상부로 광을 투과시키기 위하여 상기 기판이 안착되는 안착 영역을 제외하는 주변 영역에 배치되도록 형성되는 렌즈부를 포함할 수 있다. 상기 렌즈부는 상기 주변 영역에 상기 몸체를 관통하는 홀 구조를 갖고, 상기 상부 절연층과 동일한 물질이 상기 상부 절연층 높이와 동일한 높이를 가지면서 상기 홀에 채워지도록 형성될 수 있다.According to exemplary embodiments of the present invention, an electrostatic chuck may include a lower insulating layer, an electrode layer, and an upper insulating layer sequentially formed on a body, and a substrate is placed on the upper insulating layer. . The electrostatic chuck may include a lens unit disposed in a peripheral region excluding a seating region where the substrate is seated to transmit light from the lower portion of the body through the body to the upper portion of the body. The lens portion may have a hole structure passing through the body in the peripheral region, and the same material as the upper insulating layer may be formed to fill the hole with the same height as the height of the upper insulating layer.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 몸체는 세라믹 또는 알루미늄으로 이루어질 수 있고, 상기 하부 절연층은 세라믹 코팅층 또는 아노다이징 코팅층으로 이루어질 수 있다.In exemplary embodiments, the body may be formed of ceramic or aluminum, and the lower insulating layer may be formed of a ceramic coating layer or an anodizing coating layer.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 전극층은 양극 전극층 및 음극 전극층으로 이루어질 수 있고, 상기 안착 영역에 상기 양극 전극층 및 상기 음극 전극층이 서로 맞물리는 구조를 갖도록 형성될 수 있다.In exemplary embodiments, the electrode layer may include an anode electrode layer and a cathode electrode layer, and the anode electrode layer and the cathode electrode layer may have a structure in which the anode electrode layer and the cathode electrode layer are engaged with each other.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 상부 절연층 및 상기 렌즈부는 상기 안착 영역 및 상기 주변 영역 전체에 형성될 수 있다.In exemplary embodiments, the upper insulating layer and the lens portion may be formed on the entirety of the seating region and the peripheral region.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 상부 절연층 및 상기 렌즈부는 절연 기능, 쿠션 기능 및 광이 투과되는 성질 모두를 갖는 유기 화합물로 이루어질 수 있다.In exemplary embodiments, the upper insulating layer and the lens portion may be made of an organic compound having both an insulating function, a cushioning function, and a light-transmitting property.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 유기 화합물은 실리콘 또는 러버 중 어느 하나를 포함할 수 있다.In exemplary embodiments, the organic compound may comprise either silicon or rubber.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 상부 절연층 중에서 상기 전극층 상에 형성되는 상부 절연층은 100 내지 2,000㎛의 두께를 갖도록 형성될 수 있다.In exemplary embodiments, the upper insulating layer formed on the electrode layer in the upper insulating layer may have a thickness of 100 to 2,000 mu m.

예시적인 실시예들에 따른 정전척은 몸체를 관통하는 홀에 상부 절연층과 동일한 물질이 채워지도록 렌즈부를 형성할 수 있기 때문에 조립 타입에 비하여 보다 용이하게 상부 절연층 높이와 동일한 높이를 갖도록 형성할 수 있을 것이다.The electrostatic chuck according to the exemplary embodiments can be formed to have the height equal to the height of the upper insulating layer more easily than the assembly type because the lens portion can be formed so that the hole that passes through the body is filled with the same material as the upper insulating layer It will be possible.

이와 같이, 예시적인 실시예들에 따른 정전척은 렌즈부를 정확한 높이에 배치되도록 형성함으로써 렌즈부를 투과하는 광의 효율을 극대화할 수 있고, 그 결과 공정 챔버 내부를 원하는 밝기로 밝힐 수 있을 것이다.As such, the electrostatic chuck according to the exemplary embodiments can maximize the efficiency of light transmitted through the lens portion by forming the lens portion to be disposed at a correct height, thereby brightening the interior of the process chamber with desired brightness.

이에, 예시적인 실시예들에 따른 정전척은 공정 챔버 내부를 원하는 밝기를 갖도록 할 수 있기 때문에 비전 카메라 등을 사용하는 정전척과 기판 사이에서의 정렬을 보다 정확하게 수행할 수 있을 것이다.Accordingly, since the electrostatic chuck according to the exemplary embodiments can have desired brightness inside the process chamber, the alignment between the electrostatic chuck using the vision camera and the substrate can be performed more accurately.

따라서 예시적인 실시예들에 따른 정전척은 보다 정확한 정렬의 수행이 가능하기 때문에 반도체 소자, 디스플레이 소자 등과 같은 집적회로 소자의 제조에 따른 공정 불량의 방지를 통한 공정 신뢰도의 향상을 제공할 수 있을 것이다.Therefore, the electrostatic chuck according to the exemplary embodiments can perform more accurate alignment, and thus can provide an improvement in process reliability through prevention of process defects due to the manufacture of integrated circuit devices such as semiconductor devices, display devices and the like .

다만, 본 발명의 효과는 상기 언급한 효과에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.However, the effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and may be variously expanded without departing from the spirit and scope of the present invention.

도 1은 예시적인 실시예들에 따른 정전척을 나타내는 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1의 A-A 선을 자른 단면도이다.1 is a schematic plan view showing an electrostatic chuck according to exemplary embodiments;
2 is a cross-sectional view taken along the line AA in Fig.

본문에 개시되어 있는 본 발명의 실시예들에 대해서, 특정한 구조적 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 실시예를 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로, 본 발명의 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본문에 설명된 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 아니 된다.For the embodiments of the invention disclosed herein, specific structural and functional descriptions are set forth for the purpose of describing an embodiment of the invention only, and it is to be understood that the embodiments of the invention may be practiced in various forms, The present invention should not be construed as limited to the embodiments described in Figs.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.The present invention is capable of various modifications and various forms, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the text. It is to be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular forms disclosed, but on the contrary, is intended to cover all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다.The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms may be used for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component.

어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.It is to be understood that when an element is referred to as being "connected" or "connected" to another element, it may be directly connected or connected to the other element, . On the other hand, when an element is referred to as being "directly connected" or "directly connected" to another element, it should be understood that there are no other elements in between. Other expressions that describe the relationship between components, such as "between" and "between" or "neighboring to" and "directly adjacent to" should be interpreted as well.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 설시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, the terms "comprise", "having", and the like are intended to specify the presence of stated features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof, , Steps, operations, components, parts, or combinations thereof, as a matter of principle.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미이다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미인 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries should be construed as meaning consistent with meaning in the context of the relevant art and are not to be construed as ideal or overly formal in meaning unless expressly defined in the present application .

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면상의 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 사용하고 동일한 구성 요소에 대해서 중복된 설명은 생략한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The same reference numerals are used for the same constituent elements in the drawings and redundant explanations for the same constituent elements are omitted.

도 1은 예시적인 실시예들에 따른 정전척을 나타내는 개략적인 평면도이고, 도 2는 도 1의 A-A 선을 자른 단면도이다.FIG. 1 is a schematic plan view showing an electrostatic chuck according to exemplary embodiments, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line A-A of FIG.

먼저 도 1은 최상부에 형성되는 상부 절연층(19)이 생략되는 정전척(100)을 도시한 것이고, 도 2는 최상부에 형성되는 상부 절연층(19)을 포함한 정전척(100)을 도시한 것이다.FIG. 1 shows an electrostatic chuck 100 in which an upper insulating layer 19 formed at an uppermost portion is omitted. FIG. 2 shows an electrostatic chuck 100 including an upper insulating layer 19 formed at an uppermost portion will be.

그리고 도 1 및 도 2를 참조하면, 예시적인 실시예들에 따른 정전척(100)은 주로 플라즈마를 사용하는 증착 챔버 또는 에칭 챔버 내에서 기판을 지지 흡착하도록 구비될 수 있다.1 and 2, an electrostatic chuck 100 according to exemplary embodiments may be provided to support and hold a substrate in a deposition chamber or an etching chamber using mainly plasma.

예시적인 실시예들에 따른 정전척(100)은 그 상부에 안착되는 기판 이면으로 정전기력을 제공하여 기판을 흡착하기 위한 것으로써, 몸체(11), 하부 절연층(13), 전극층(15), 상부 절연층(19), 그리고 렌즈부(21)를 포함할 수 있다.The electrostatic chuck 100 according to the exemplary embodiments includes a body 11, a lower insulating layer 13, an electrode layer 15, and an insulating layer 15 for attracting a substrate by providing an electrostatic force to the backside of the substrate, An upper insulating layer 19, and a lens portion 21.

정전척(100)은 몸체(11), 하부 절연층(13), 전극층(15) 및 상부 절연층(19)이 순차적으로 적층되는 구조를 갖도록 형성될 수 있다. 정전척(100)은 기판이 안착되는 안착 영역 및 안착 영역을 제외한 기판이 안착되지 않는 주변 영역으로 이루어질 수 있다.The electrostatic chuck 100 may be formed to have a structure in which the body 11, the lower insulating layer 13, the electrode layer 15, and the upper insulating layer 19 are sequentially stacked. The electrostatic chuck 100 may be composed of a seating region where the substrate is seated and a peripheral region where the substrate is not seated except for the seating region.

정전척(100)에서, 하부 절연층(13)은 안착 영역 및 주변 영역 중에서 렌즈부(21)가 형성되는 영역을 제외한 나머지 영역에 형성될 수 있고, 전극층(15)은 안착 영역에 형성될 수 있고, 상부 절연층(19)은 안착 영역 및 렌즈부(21)가 형성되는 주변 영역을 포함하는 전체 영역에 형성될 수 있다.In the electrostatic chuck 100, the lower insulating layer 13 may be formed in a region other than the region where the lens portion 21 is formed in the seating region and the peripheral region, and the electrode layer 15 may be formed in the seating region And the upper insulating layer 19 may be formed in the entire area including the seating area and the peripheral area where the lens part 21 is formed.

예시적인 실시예들에 있어서, 렌즈부(21)는 주변 영역에 배치될 수 있다. 렌즈부(21)는 몸체(11)를 관통하는 홀(22, 25) 구조 및 홀(22, 25)에 렌즈(23)로 형성하기 위한 물질이 채워지는 구조로 형성될 수 있다. 즉, 렌즈부(21)는 홀(22, 25) 구조 및 홀(22, 25) 구조에 렌즈(23)로 형성하기 위한 물질이 채워지는 구조를 갖도록 이루어질 수 있을 것이다.In the exemplary embodiments, the lens portion 21 may be disposed in the peripheral region. The lens portion 21 may be formed in a structure in which the holes 22 and 25 pass through the body 11 and the holes 22 and 25 are filled with a material for forming the lens 23. That is, the lens portion 21 may be configured to have a structure in which holes 22 and 25 are formed and a material for forming the lens 23 is filled in the holes 22 and 25.

렌즈부(21)로 형성하기 위한 홀(22, 25) 구조는 단차 구조를 갖도록 이루어질 수 있다. 특히, 홀(22, 25) 구조는 몸체(11)의 하부 쪽 홀(25)의 크기가 몸체(11)의 상부 쪽 홀(22) 크기보다 크도록 형성될 수 있다.The holes 22 and 25 for forming the lens portion 21 may be configured to have a stepped structure. Particularly, the holes 22 and 25 may be formed such that the size of the lower hole 25 of the body 11 is larger than the size of the hole 22 on the upper side of the body 11.

렌즈부(21)에서, 렌즈(23)로 형성하기 위한 물질은 상부 절연층(19)을 형성할 때 홀(22, 25)에 채워질 수 있다. 이에, 렌즈(23)로 형성하기 위한 물질은 상부 절연층(19)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.In the lens portion 21, the material for forming the lens 23 may be filled in the holes 22 and 25 when forming the upper insulating layer 19. [ Thus, the material for forming the lens 23 may be made of the same material as the upper insulating layer 19.

또한, 홀(22, 25) 구조가 몸체(11)의 하부 쪽 홀(25)의 크기가 몸체(11)의 상부 쪽 홀(22) 크기보다 큰 단차 구조를 가질 경우 렌즈(23)로 형성하기 위한 물질은 몸체(11)의 상부 쪽 홀(22)에만 채워질 수 있다.When the holes 22 and 25 have a stepped structure in which the size of the lower hole 25 of the body 11 is larger than that of the upper hole 22 of the body 11, The material for the upper side of the body 11 may be filled only in the upper side hole 22.

렌즈부(21)에서, 렌즈(23)로 형성하기 위한 물질이 홀(22, 25)에 채워질 때 상부 절연층(19)이 형성되는 높이와 동일한 높이를 갖도록 조정할 수 있다. 즉, 상부 절연층(19)과 렌즈부(21)의 높이가 동일한 높이를 갖도록 형성하는 것이다. 이와 같이, 상부 절연층(19)을 형성할 때 렌즈부(21)도 함께 형성하기 때문에 상부 절연층(19)과 렌즈부(21)를 동일한 높이를 갖도록 형성하는 것이 용이하다. In the lens portion 21, the material for forming the lens 23 can be adjusted to have the same height as the height at which the upper insulating layer 19 is formed when the holes 22 and 25 are filled. That is, the upper insulating layer 19 and the lens portion 21 are formed to have the same height. Since the lens portion 21 is also formed when the upper insulating layer 19 is formed, it is easy to form the upper insulating layer 19 and the lens portion 21 to have the same height.

예시적인 실시예들에 따른 정전척(100)은 상부 절연층(19)의 일부가 렌즈부(21)의 렌즈(23)로 형성되는 것이다.In the electrostatic chuck 100 according to the exemplary embodiments, a part of the upper insulating layer 19 is formed by the lens 23 of the lens portion 21. [

예시적인 실시예들에 따른 정전척(100)은 정전기력을 이용하여 기판을 안착하기 위한 것으로써, 몸체(11) 상에 순차적으로 형성되는 하부 절연층(13), 전극층(15), 및 상부 절연층(19)을 포함할 수 있다.The electrostatic chuck 100 according to the exemplary embodiments includes a lower insulating layer 13, an electrode layer 15, and an upper insulating layer 13, which are sequentially formed on a body 11 for seating a substrate using an electrostatic force. Layer 19 as shown in FIG.

그리고 예시적인 실시예들에 따른 정전척(100)은 기판이 안착되지 않는 주변 영역에 몸체(11)를 관통하는 홀(22, 25) 구조를 갖고, 상부 절연층(19)과 동일한 물질이 상부 절연층(19) 높이와 동일한 높이를 가지면서 홀(22, 25)에 채워지도록 형성되는 렌즈부(21)를 포함할 수 있다.The electrostatic chuck 100 according to the exemplary embodiments has a hole 22, 25 structure passing through the body 11 in a peripheral region where the substrate is not seated, And a lens portion 21 having the same height as the height of the insulating layer 19 and formed to be filled in the holes 22 and 25.

따라서 예시적인 실시예들에 따른 정전척(100)은 정전기력을 이용하여 안착 영역에 기판을 안착시킬 때 주변 영역에 형성되는 렌즈부(21)에 의해 몸체(11) 하부로부터 몸체(11)를 통과하여 몸체(11) 상부로 광을 투과시킴으로써 공정 챔버 내부를 원하는 밝기로 밝힐 수 있고, 그 결과 기판과 정전척(100) 사이에서의 정렬을 보다 정확하게 수행할 수 있을 것이다.Therefore, the electrostatic chuck 100 according to the exemplary embodiments is configured to pass the body 11 from the lower portion of the body 11 by the lens portion 21 formed in the peripheral region when the substrate is placed in the seating region using the electrostatic force So that the inside of the process chamber can be illuminated with a desired brightness. As a result, the alignment between the substrate and the electrostatic chuck 100 can be more accurately performed.

예시적인 실시예들에 따른 정전척(100)은 기판 모양에 대응하는 형상을 갖도록 구비될 수 있다. 예를 들면, 기판이 반도체 소자로 제조하기 위한 웨이퍼 등과 같이 원형일 경우 정전척(100)은 원형을 갖도록 구비될 수 있다. 이와 달리, 기판이 평판 디스플레이 소자로 제조하기 위한 유리 기판 등과 같이 사각형일 경우 정전척(100)은 사각형을 갖도록 구비될 수 있다.The electrostatic chuck 100 according to the exemplary embodiments may be provided to have a shape corresponding to the shape of the substrate. For example, when the substrate is circular, such as a wafer for manufacturing a semiconductor device, the electrostatic chuck 100 may be provided with a circular shape. Alternatively, when the substrate is rectangular, such as a glass substrate for manufacturing a flat panel display device, the electrostatic chuck 100 may be provided with a rectangular shape.

예시적인 실시예들에 따른 정전척(100)에 있어서, 안착 영역에 기판이 흡착해야 하기 때문에 안착 영역은 기판보다 다소 큰 크기를 갖도록 구비될 수 있다.In the electrostatic chuck 100 according to the exemplary embodiments, since the substrate must be adsorbed to the deposition region, the deposition region may be provided to have a size slightly larger than the substrate.

정전척(100)에 있어서, 몸체(11)는 세라믹 또는 알루미늄으로 이루어질 수 있고, 하부 절연층(13)은 세라믹 코팅층 또는 아노다이징 코팅층으로 이루어질 수 있다. 즉, 정전척(100)은 세라믹 또는 알루미늄으로 이루어지는 몸체(11) 상에 절연층으로써 세라믹 코팅층 또는 아노다이징 코팅층으로 이루어지는 하부 절연층(13)이 형성되는 구조를 가질 수 있는 것이다.In the electrostatic chuck 100, the body 11 may be made of ceramic or aluminum, and the lower insulating layer 13 may be made of a ceramic coating layer or an anodizing coating layer. That is, the electrostatic chuck 100 may have a structure in which a ceramic coating layer or a lower insulating layer 13 composed of an anodizing coating layer is formed as an insulating layer on a body 11 made of ceramic or aluminum.

만약 몸체(11)가 질화 알루미늄(AlN), 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 이트륨(Y2O3) 등과 같은 벌크 구조의 세라믹 재질로 이루어질 경우에는 몸체(11) 상부 일부가 하부 절연층(13)으로 기능할 수 있을 것이다.If the body 11 is aluminum nitride (AlN), aluminum oxide (Al 2 O 3), yttrium oxide (Y 2 O 3) insulating case made of a ceramic material of a bulk structure in some upper body 11 is lower, such as layer (13). ≪ / RTI >

그리고 몸체(11)가 알루미늄 재질로 이루어질 경우에는 몸체(11) 상에 하부 절연층(13)으로 기능할 수 있는 세라막 코팅층 또는 아노다이징 코팅층을 형성해야 한다.When the body 11 is made of aluminum, a ceram coating layer or an anodizing coating layer, which can function as a lower insulating layer 13, should be formed on the body 11.

세라믹 코팅층은 주로 대기 플라즈마 용사(Air Plasma Spray : APS) 코팅 공정을 수행함에 의해 형성할 수 있다. 세라믹 코팅층으로 형성할 수 있는 재질은 질화 알루미늄(AlN), 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 이트륨(Y2O3) 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 사용하거나 또는 둘 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.The ceramic coating layer can be formed mainly by performing an air plasma spray (APS) coating process. Examples of the material that can be formed from the ceramic coating layer include aluminum nitride (AlN), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), yttrium oxide (Y 2 O 3 ), etc. These materials may be used alone, .

하부 절연층(13)으로 기능할 수 있는 세라믹 코팅층은 약 100㎛ 이상의 두께를 갖도록 형성할 수 있다. 몸체(11)가 알루미늄 재질로 이루어질 경우에는 세라믹 코팅층이 아닌 아노다이징 코팅층을 하부 절연층(13)으로 형성할 수 있다. 특히, 하부 절연층(13)으로 기능할 수 있는 아노다이징 코팅층은 약 5㎛ 이상의 두께를 갖도록 형성할 수 있다.The ceramic coating layer that can function as the lower insulating layer 13 may be formed to have a thickness of about 100 mu m or more. When the body 11 is made of aluminum, the anodizing coating layer rather than the ceramic coating layer may be formed as the lower insulating layer 13. [ Particularly, the anodizing coating layer which can function as the lower insulating layer 13 can be formed to have a thickness of about 5 탆 or more.

정전척(100)에 있어서, 전극층(15)은 하부 절연층(13) 상에 형성될 수 있다. 특히, 전극층(15)은 몸체(11) 전체 영역에 형성하여도 무방하지만 정전척(100)의 안정적인 운용, 경제적인 측면 등을 고려할 경우 안착 영역에만 형성될 수 있다.In the electrostatic chuck 100, the electrode layer 15 may be formed on the lower insulating layer 13. Particularly, the electrode layer 15 may be formed in the entire region of the body 11, but may be formed only in the seating region in consideration of stable operation and economical aspects of the electrostatic chuck 100.

전극층(15)은 양극 전극층(16) 및 음극 전극층(17)을 포함할 수 있다. 특히, 전극층(15)은 동일 평면에 양극 전극층(16) 및 음극 전극층(17)이 배치되도록 형성될 수 있다. 이에, 전극층(15)은 양극 전극층(16) 및 음극 전극층(17)이 동일 평면에 서로 맞물리는 구조를 갖도록 형성될 수 있다. 특히, 양극 전극층(16) 및 음극 전극층(17) 각각이 서로 맞물릴 수 있는 다수개의 가지 구조를 갖도록 형성되는 것이다.The electrode layer 15 may include an anode electrode layer 16 and a cathode electrode layer 17. In particular, the electrode layer 15 may be formed so that the anode electrode layer 16 and the cathode electrode layer 17 are disposed on the same plane. Thus, the electrode layer 15 can be formed to have a structure in which the anode electrode layer 16 and the cathode electrode layer 17 mesh with each other on the same plane. In particular, the anode electrode layer 16 and the cathode electrode layer 17 are formed to have a plurality of branch structures that can be engaged with each other.

도시하지는 않았지만, 정전척(100)은 양극 전극층(16) 및 음극 전극층(17) 각각으로 전원을 인가할 수 있는 전원 인가부를 포함할 수 있을 것이다.Although not shown, the electrostatic chuck 100 may include a power applying unit capable of applying power to the anode electrode layer 16 and the cathode electrode layer 17, respectively.

정전척(100)에 있어서, 상부 절연층(19)은 전극층(15)을 포함하는 몸체(11) 상에 형성될 수 있다. 즉, 상부 절연층(19)은 안착 영역 및 렌즈부(21)가 형성되는 주변 영역을 포함하는 몸체(11)의 전체 영역에 형성될 수 있다.In the electrostatic chuck 100, the upper insulating layer 19 may be formed on the body 11 including the electrode layer 15. That is, the upper insulating layer 19 may be formed on the whole area of the body 11 including the seating area and the peripheral area where the lens part 21 is formed.

그리고 상부 절연층(19)의 두께가 약 100㎛ 미만일 경우에는 상부 절연층(19) 자체의 절연 기능을 다하지 못하기 때문에 바람직하지 않고, 상부 절연층(19)의 두께가 약 2,000㎛를 초과할 경우에는 그 하부에 형성되는 전극층(15)이 전극 기능을 다하지 못하기 때문에 바람직하지 않다. 이에, 상부 절연층(19)은 약 100 내지 2,000㎛의 두께를 갖도록 형성할 수 있을 것이다.If the thickness of the upper insulating layer 19 is less than about 100 占 퐉, the insulating function of the upper insulating layer 19 itself is not sufficient, and if the thickness of the upper insulating layer 19 exceeds about 2,000 占 퐉 The electrode layer 15 formed at the lower portion is not preferable because it can not function as an electrode. Thus, the upper insulating layer 19 may be formed to have a thickness of about 100 to 2,000 mu m.

특히, 주변 영역에 배치되도록 형성되는 상부 절연층(19)의 일부는 렌즈부(21)로 형성될 수 있다. 렌즈부(21)는 몸체(11)를 관통하도록 형성되는 홀(22, 25) 구조 및 홀(22, 25) 구조에 렌즈(23)로 형성하기 위한 물질이 채워지는 구조를 갖도록 이루어질 수 있을 것이다. 렌즈(23)로 형성하기 위한 물질은 상부 절연층(19)과 동일한 물질로써 상부 절연층(19)을 형성할 때 홀(22, 25)에 채워질 수 있다. 또한, 렌즈(23)로 형성하기 위한 물질이 홀(22, 25)에 채워질 때 상부 절연층(19)이 형성되는 높이와 동일한 높이를 갖도록 조정할 수 있다.Particularly, a part of the upper insulating layer 19, which is formed to be disposed in the peripheral region, may be formed of the lens portion 21. The lens portion 21 may be configured to have a structure in which holes 22 and 25 are formed so as to penetrate through the body 11 and a structure in which materials for forming the lens 23 are filled in the holes 22 and 25 . The material for forming the lens 23 may be filled in the holes 22 and 25 when forming the upper insulating layer 19 with the same material as the upper insulating layer 19. [ Further, when the material for forming the lens 23 is filled in the holes 22 and 25, it can be adjusted to have the same height as the height at which the upper insulating layer 19 is formed.

렌즈부(21)를 포함하는 상부 절연층(19)으로 형성하기 위한 재질로는 절연 기능, 쿠션 기능 및 광이 투과하는 성질 모두를 갖는 유기 화합물로 이루어질 수 있다. 언급한 유기 화합물의 예로서는 러버, 실리콘 등을 들 수 있다. 여기서, 절연 기능은 정전기력을 생성하기 위한 것이고, 쿠션 기능은 그 상부에 기판이 안착될 때 기판에 가해지는 데미지를 상쇄하기 위한 것이고, 광 투과 가능은 렌즈부(21) 자체를 위한 것일 수 있다.The material for forming the upper insulating layer 19 including the lens portion 21 may be an organic compound having both an insulating function, a cushioning function, and a property of transmitting light. Examples of the organic compound include rubber and silicone. Here, the insulating function is for generating an electrostatic force, and the cushion function is for canceling the damage to the substrate when the substrate is placed thereon, and the light transmitting property may be for the lens unit 21 itself.

이와 같이, 예시적인 실시예들에 따른 정전척(100)은 몸체(11)를 관통하는 홀(22, 25)에 상부 절연층(19)과 동일한 물질이 채워지도록 렌즈부(21)를 형성할 수 있기 때문에 조립 타입에 비하여 보다 용이하게 상부 절연층(19) 높이와 동일한 높이를 갖도록 형성할 수 있을 것이다.As described above, the electrostatic chuck 100 according to the exemplary embodiments forms the lens portion 21 such that the same material as that of the upper insulating layer 19 is filled in the holes 22 and 25 passing through the body 11 It can be formed to have the same height as the height of the upper insulating layer 19 more easily than the assembly type.

따라서 예시적인 실시예들에 따른 정전척(100)은 렌즈부(21)를 정확한 높이에 배치되도록 형성함으로써 렌즈부(21)를 투과하는 광의 효율을 극대화하여 공정 챔버 내부를 원하는 밝기를 갖도록 할 수 있기 때문에 비전 카메라 등을 사용하는 정전척(100)과 기판 사이에서의 정렬을 보다 정확하게 수행할 수 있을 것이다.Therefore, the electrostatic chuck 100 according to the exemplary embodiments can maximize the efficiency of light transmitted through the lens unit 21 by forming the lens unit 21 to be disposed at an accurate height, thereby achieving a desired brightness in the process chamber The alignment between the electrostatic chuck 100 using a vision camera and the substrate can be performed more accurately.

이하, 예시적인 실시예들에 따른 정전척(100)을 제조하기 위한 제조 방법들에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, manufacturing methods for manufacturing the electrostatic chuck 100 according to the exemplary embodiments will be described.

언급한 예시적인 실시예들에 따른 정전척(100)은 렌즈부(21)의 홀(22, 25) 구조를 언제 형성하느냐에 따라 제조 방법들이 다양할 수 있을 것이다.The electrostatic chuck 100 according to the exemplary embodiments mentioned may be manufactured in various ways depending on when the holes 22 and 25 of the lens portion 21 are formed.

이에, 이하에서는 몸체(11)에 렌즈부(21)로 형성하기 위한 홀(22, 25)을 먼저 형성한 후 후속 공정을 수행하는 것을 제1 제조 방법으로 설명하고, 몸체(11)에 하부 절연층(13)을 먼저 형성한 후 홀(22, 25) 가공 및 후속 공정을 수행하는 것을 제2 제조 방법으로 설명하기로 한다.Hereinafter, it will be described as a first manufacturing method that the holes 11 and 22 to be formed with the lens portion 21 are formed first and then the subsequent process is performed. The second manufacturing method will be described in which the layer 13 is first formed and then the holes 22 and 25 are processed and a subsequent process is performed.

제1 제조 방법은 먼저 몸체(11)를 준비한다. 그리고 기판이 안착되지 않는 영역인 주변 영역에 홀(22, 25)을 형성한다. 언급한 홀(22, 25)은 주변 영역 일부에 배치되도록 형성하는 것으로써, 예를 들면 도 1에서와 같이 4 군데에 배치되도록 형성할 수도 있을 것이다. 특히, 홀(22, 25)은 단차 구조를 갖도록 형성할 수 있는데, 몸체(11)의 하부 쪽 홀(25)의 크기가 몸체(11)의 상부 쪽 홀(22) 크기보다 크도록 형성할 수 있을 것이다.In the first manufacturing method, the body 11 is prepared first. And holes 22 and 25 are formed in a peripheral region that is a region where the substrate is not seated. Mentioned holes 22 and 25 may be formed to be disposed in a part of the peripheral region and may be formed to be arranged in four places as shown in Fig. Particularly, the holes 22 and 25 can be formed to have a stepped structure. The holes 22 and 25 can be formed so that the size of the lower hole 25 of the body 11 is larger than that of the upper hole 22 of the body 11 There will be.

여기서, 몸체(11)가 질화 알루미늄(AlN), 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 이트륨(Y2O3) 등과 같은 벌크 구조의 세라믹 재질로 이루어질 경우에는 몸체(11)가 하부 절연층(13)으로도 기능할 수 있기 때문에 하부 절연층(13)의 형성을 생략할 수도 있을 것이다.Here, the body 11 is aluminum nitride (AlN), aluminum oxide (Al 2 O 3), yttrium oxide (Y 2 O 3) insulating case made of a ceramic material of the bulk structure, the body 11 is lower, such as layer ( 13, the formation of the lower insulating layer 13 may be omitted.

그리고 몸체(11)가 알루미늄 재질로 이루어질 경우에는 몸체(11) 상에 하부 절연층(13)을 형성한다. 하부 절연층(13)은 질화 알루미늄, 산화 알루미늄, 산화 이트륨 등과 같은 세라믹 코팅층을 약 100㎛ 이상의 두께를 갖도록 형성할 수 있거나, 또는 아노다이징 코팅층을 약 5㎛ 이상의 두께를 갖도록 형성할 수 있다. 세라믹 코팅층은 대기 플라즈마 용사 코팅 공정을 수행함에 의해 형성할 수 있고, 아노다이징 코팅층은 알루미늄 재질로 이루어지는 몸체(11)를 표면 처리를 수행함에 의해 형성할 수 있을 것이다.When the body 11 is made of aluminum, the lower insulating layer 13 is formed on the body 11. The lower insulating layer 13 can be formed to have a thickness of about 100 탆 or more, or an anodizing coating layer having a thickness of about 5 탆 or more, such as a ceramic coating layer such as aluminum nitride, aluminum oxide, yttrium oxide and the like. The ceramic coating layer may be formed by performing an atmospheric plasma spray coating process, and the anodizing coating layer may be formed by performing a surface treatment on a body 11 made of an aluminum material.

특히, 렌즈부(21)로 형성하기 위한 홀(22, 25)을 먼저 가공하는 경우에는 몸체(11)가 알루미늄 재질로 이루어지는 것에 비해 몸체(11)가 벌크 구조의 세라믹 재질로 이루어지는 것이 더 적합할 것이다. 이는, 하부 절연층(13)이 홀(22, 25) 내부에도 형성될 수 있기 때문이다. 즉, 하부 절연층(13)이 형성을 생략할 경우 하부 절연층(13)이 홀(22, 25) 내부에도 형성될 수 있는 상황을 사전에 차단할 수 있기 때문인 것이다.Particularly, when the holes 22 and 25 for forming the lens portion 21 are first processed, the body 11 is made of an aluminum material, while the body 11 is more preferably made of a ceramic material having a bulk structure will be. This is because the lower insulating layer 13 can also be formed in the holes 22 and 25. That is, when the lower insulating layer 13 is omitted, the lower insulating layer 13 can be formed in the holes 22 and 25 in advance.

홀(22, 25) 및 하부 절연층(13)이 형성되는 몸체(11) 상에 전극층(15)을 형성한다. 전극층(15)은 기판이 안착되는 안착 영역에만 형성할 수 있다. 특히, 전극층(15)은 동일 평면에 양극 전극층(16) 및 음극 전극층(17)이 배치되도록 형성할 수 있은 것으로써, 양극 전극층(16) 및 음극 전극층(17)이 동일 평면에 서로 맞물리는 구조를 갖도록 형성할 수 있다.The electrode layer 15 is formed on the body 11 on which the holes 22 and 25 and the lower insulating layer 13 are formed. The electrode layer 15 can be formed only in the seating region where the substrate is seated. Particularly, the electrode layer 15 can be formed so that the anode electrode layer 16 and the cathode electrode layer 17 are disposed on the same plane, so that the anode electrode layer 16 and the cathode electrode layer 17 engage with each other on the same plane As shown in Fig.

언급한 양극 전극층(16) 및 음극 전극층(17)으로 이루어지는 전극층(15)은 주로 스크린 인쇄 공정, 사진 식각 공정 등과 같은 패턴을 형성할 수 있는 공정을 수행함에 의해 수득할 수 있다.The electrode layer 15 composed of the above-mentioned anode electrode layer 16 and cathode electrode layer 17 can be obtained mainly by performing a process capable of forming a pattern such as a screen printing process, a photolithography process and the like.

전극층(15)이 형성되는 몸체(11) 상에 상부 절연층(19)을 형성한다. 특히, 상부 절연층(19)의 형성에서는 몸체(11)에 가공된 홀(22, 25) 내에도 상부 절연층(19)으로 형성하기 위한 물질이 채워질 수 있다. 즉, 전극층(15)이 형성되는 몸체(11) 상에 상부 절연층(19)을 형성할 때 몸체(11)에 가공된 홀(22, 25) 내에도 상부 절연층(19)과 동일한 물질이 채워지는 것이다.An upper insulating layer 19 is formed on the body 11 on which the electrode layer 15 is formed. Particularly, in the formation of the upper insulating layer 19, the material for forming the upper insulating layer 19 may be filled in the holes 22 and 25 processed in the body 11. [ That is, when the upper insulating layer 19 is formed on the body 11 on which the electrode layer 15 is formed, the same material as the upper insulating layer 19 is formed in the holes 22 and 25 processed in the body 11 It is filled.

이와 같이, 상부 절연층(19)을 형성할 때 렌즈부(21)의 렌즈(23)로 형성하기 위한 물질이 몸체(11)에 가공된 홀(22, 25) 내 채워지는 것이다. 즉, 상부 절연층(19)의 일부가 렌즈부(21)의 렌즈(23)로 형성되는 것이다.As described above, when the upper insulating layer 19 is formed, a material for forming the lens 23 of the lens portion 21 is filled in the holes 22 and 25 processed in the body 11. [ That is, a part of the upper insulating layer 19 is formed of the lens 23 of the lens portion 21. [

특히, 상부 절연층(19)의 형성에서 상부 절연층(19)과 함께 렌즈부(21)의 렌즈(23)로 형성하기 위한 물질이 몸체(11)에 가공된 홀(22, 25) 내 채워지기 때문에 렌즈부(21)로 이루어지는 렌즈(23)와 상부 절연층(19)이 동일한 높이를 갖도록 용이하게 형성할 수 있을 것이다.Particularly, in the formation of the upper insulating layer 19, a material for forming the lens 23 of the lens portion 21 together with the upper insulating layer 19 is filled in the holes 22 and 25 processed in the body 11 The lens 23 made of the lens portion 21 and the upper insulating layer 19 can be easily formed to have the same height.

또한, 홀(22, 25) 구조가 몸체(11)의 하부 쪽 홀(25)의 크기가 몸체(11)의 상부 쪽 홀(22) 크기보다 크도록 단차 구조를 가질 경우 몸체(11)의 상부 쪽 홀(22) 내에만 렌즈부(21)로 형성하기 위한 물질이 채워지게 할 수 있다.When the structure of the holes 22 and 25 has a step structure such that the size of the lower hole 25 of the body 11 is larger than that of the upper hole 22 of the body 11, It is possible to fill the material for forming the lens portion 21 only in the side hole 22.

따라서 언급한 공정을 수행함에 의해 몸체(11) 상에 하부 절연층(13), 전극층(15), 및 상부 절연층(19)을 순차적으로 형성할 있고, 특히 몸체(11)를 관통하는 홀(22, 25) 구조를 가지면서 상부 절연층(19)과 동일한 물질이 상부 절연층(19) 높이와 동일한 높이를 가지면서 홀(22, 25)에 채워지도록 렌즈부(21)를 형성할 수 있는 것이다.The lower insulating layer 13, the electrode layer 15 and the upper insulating layer 19 are sequentially formed on the body 11 by performing the above-mentioned process, and in particular, the holes 11 The lens portion 21 can be formed such that the same material as the upper insulating layer 19 has the same height as the height of the upper insulating layer 19 while being filled in the holes 22 and 25, will be.

이에, 언급한 제1 제조 방법에 의해 수득할 수 있는 정전척(100)은 몸체(11)를 관통하는 홀(22, 25)에 상부 절연층(19)과 동일한 물질이 채워지도록 렌즈부(21)를 형성할 수 있기 때문에 조립 타입에 비하여 보다 용이하게 상부 절연층(19) 높이와 동일한 높이를 갖도록 형성할 수 있을 것이다.The electrostatic chuck 100 which can be obtained by the first manufacturing method mentioned above is so constructed that the holes 22 and 25 passing through the body 11 are filled with the same material as the upper insulating layer 19, It can be formed to have a height equal to the height of the upper insulating layer 19 more easily than the assembly type.

제2 제조 방법은 홀(22, 25) 가공의 순서를 달리하는 것을 제외하고는 제1 제조 방법과 동일한 공정 조건으로 이루어지기 때문에 이하에서는 중복되는 부분에 대해서는 상세한 설명을 생략하기로 한다.Since the second manufacturing method is the same as the first manufacturing method except that the holes 22 and 25 are formed in a different order, a detailed description of the overlapping portions will be omitted.

제2 제조 방법에서는 먼저 몸체(11) 상에 하부 절연층(13)을 형성한다. 몸체(11)가 벌크 구조의 세라믹 재질로 이루어질 경우에는 하부 절연층(13)의 형성을 생략할 수 있다. 몸체(11)가 알루미늄 재질로 이루어질 경우에는 세라믹 코팅층 또는 아노다이징 코팅층과 같은 하부 절연층(13)을 형성할 수 있다.In the second manufacturing method, the lower insulating layer 13 is formed on the body 11 first. When the body 11 is made of a ceramic material having a bulk structure, formation of the lower insulating layer 13 can be omitted. When the body 11 is made of aluminum, a lower insulating layer 13 such as a ceramic coating layer or an anodizing coating layer can be formed.

몸체(11)에 하부 절연층(13)을 형성한 후 몸체(11)의 주변 영역에 렌즈부(21)로 형성하기 위한 홀(22, 25)을 가공한다. 그리고 하부 절연층(13) 및 홀(22, 25)이 형성된 몸체(11) 상에 전극층(15)을 형성한다. 전극층(15)은 안착 영역에 형성할 수 있다.The lower insulating layer 13 is formed on the body 11 and the holes 22 and 25 for forming the lens portion 21 are formed in the peripheral region of the body 11. [ The electrode layer 15 is formed on the body 11 on which the lower insulating layer 13 and the holes 22 and 25 are formed. The electrode layer 15 can be formed in the seating region.

이어서, 전극층(15)이 형성되는 몸체(11) 상에 상부 절연층(19)을 형성한다. 상부 절연층(19)의 형성에서는 몸체(11)에 가공된 홀(22, 25) 내에도 상부 절연층(19)으로 형성하기 위한 물질이 채워질 수 있다. 이에, 상부 절연층(19)의 형성과 함께 상부 절연층(19)의 일부가 렌즈부(21)의 렌즈(23)로 형성될 수 있다.Then, the upper insulating layer 19 is formed on the body 11 on which the electrode layer 15 is formed. In the formation of the upper insulating layer 19, materials for forming the upper insulating layer 19 may be filled in the holes 22 and 25 processed in the body 11 as well. A part of the upper insulating layer 19 may be formed of the lens 23 of the lens portion 21 together with the formation of the upper insulating layer 19.

상부 절연층(19)의 형성에서 상부 절연층(19)과 함께 렌즈부(21)의 렌즈(23)로 형성하기 위한 물질이 몸체(11)에 가공된 홀(22, 25) 내 채워지기 때문에 렌즈부(21)로 이루어지는 렌즈(23)와 상부 절연층(19)이 동일한 높이를 갖도록 용이하게 형성할 수 있을 것이다.Since the material for forming the lens 23 of the lens portion 21 together with the upper insulating layer 19 in the formation of the upper insulating layer 19 is filled in the holes 22 and 25 processed in the body 11 The lens 23 made of the lens portion 21 and the upper insulating layer 19 can be easily formed to have the same height.

따라서 언급한 공정을 수행함에 의해 몸체(11) 상에 하부 절연층(13), 전극층(15), 및 상부 절연층(19)을 순차적으로 형성할 있고, 특히 몸체(11)를 관통하는 홀(22, 25) 구조를 가지면서 상부 절연층(19)과 동일한 물질이 상부 절연층(19) 높이와 동일한 높이를 가지면서 홀(22, 25)에 채워지도록 렌즈부(21)를 형성할 수 있는 것이다.The lower insulating layer 13, the electrode layer 15 and the upper insulating layer 19 are sequentially formed on the body 11 by performing the above-mentioned process, and in particular, the holes 11 The lens portion 21 can be formed such that the same material as the upper insulating layer 19 has the same height as the height of the upper insulating layer 19 while being filled in the holes 22 and 25, will be.

이에, 언급한 제2 제조 방법에 의해 수득할 수 있는 정전척(100)은 몸체(11)를 관통하는 홀(22, 25)에 상부 절연층(19)과 동일한 물질이 채워지도록 렌즈부(21)를 형성할 수 있기 때문에 조립 타입에 비하여 보다 용이하게 상부 절연층(19) 높이와 동일한 높이를 갖도록 형성할 수 있을 것이다.The electrostatic chuck 100 which can be obtained by the second manufacturing method mentioned above is so arranged that the holes 22 and 25 passing through the body 11 are filled with the same material as that of the upper insulating layer 19, It can be formed to have a height equal to the height of the upper insulating layer 19 more easily than the assembly type.

언급한 바에 따르면, 홀(22, 25)을 형성한 후 홀(22, 25)에 상부 절연층(19)과 동일한 물질이 채워지는 렌즈부(21)를 상부 절연층(19)과 함께 형성할 경우에는 제1 제조 방법 및 제2 제조 방법 이외에도 다양한 제조 방법을 적용할 수 있을 것이다.A lens portion 21 filled with the same material as the upper insulating layer 19 is formed in the holes 22 and 25 together with the upper insulating layer 19 after the holes 22 and 25 are formed Various manufacturing methods other than the first manufacturing method and the second manufacturing method may be applied.

예시적인 실시예들에 따른 정전척은 반도체 소자로 제조하기 위한 웨이퍼 또는 디스플레이 소자로 제조하기 위한 유리 기판 등을 취급하는 제조 장치에 보다 적극적으로 적용할 수 있을 것이다.The electrostatic chuck according to the exemplary embodiments may be more positively applied to a manufacturing apparatus that handles wafers for manufacturing semiconductor devices or glass substrates for manufacturing display devices.

이상에서는 본 발명의 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the following claims. It can be understood that it is possible.

11 : 몸체 13 : 하부 절연층
15 : 전극층 16 : 양극 전극층
17 : 음극 전극층 19 : 상부 절연층
21 : 렌즈부 22 : 상부 홀
23 : 렌즈 25 : 하부 홀
100 : 정전척11: Body 13: Lower insulating layer
15: electrode layer 16: anode electrode layer
17: cathode electrode layer 19: upper insulating layer
21: lens part 22: upper hole
23: Lens 25: Lower hole
100: electrostatic chuck

Claims (7)

몸체 상에 순차적으로 형성되는 하부 절연층, 전극층, 및 상부 절연층을 포함하고, 기판이 안착되는 정전척에 있어서,
상기 몸체 하부로부터 상기 몸체를 통과하여 상기 몸체 상부로 광을 투과시키기 위하여 상기 기판이 안착되는 안착 영역을 제외하는 주변 영역에 배치되도록 형성되는 렌즈부를 포함하고,
상기 렌즈부는 상기 주변 영역에 상기 몸체를 관통하는 홀 구조를 갖고, 상기 상부 절연층과 동일한 물질이 상기 상부 절연층 높이와 동일한 높이를 가지면서 상기 홀에 채워지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 정전척.An electrostatic chuck comprising a lower insulating layer, an electrode layer, and an upper insulating layer sequentially formed on a body, wherein the substrate is seated,
And a lens unit that is disposed in a peripheral area excluding a seating area where the substrate is seated to transmit light from the lower part of the body through the body to the upper part of the body,
Wherein the lens portion has a hole structure penetrating the body in the peripheral region, and the same material as the upper insulating layer is formed to fill the hole with the same height as the height of the upper insulating layer. 제1 항에 있어서,
상기 몸체는 세라믹 또는 알루미늄으로 이루어지고, 상기 하부 절연층은 세라믹 코팅층 또는 아노다이징 코팅층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 정전척.The method according to claim 1,
Wherein the body is made of ceramic or aluminum, and the lower insulating layer is made of a ceramic coating layer or an anodizing coating layer. 제1 항에 있어서,
상기 전극층은 양극 전극층 및 음극 전극층으로 이루어지고, 상기 안착 영역에 상기 양극 전극층 및 상기 음극 전극층이 서로 맞물리는 구조를 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 정전척.The method according to claim 1,
Wherein the electrode layer is composed of a positive electrode layer and a negative electrode layer and is formed to have a structure in which the positive electrode layer and the negative electrode layer are engaged with each other in the seating region. 제1 항에 있어서,
상기 상부 절연층 및 상기 렌즈부는 상기 안착 영역 및 상기 주변 영역 전체에 형성되는 것을 특징으로 하는 정전척.The method according to claim 1,
Wherein the upper insulating layer and the lens portion are formed on the entirety of the seating region and the peripheral region. 제1 항에 있어서,
상기 상부 절연층 및 상기 렌즈부는 절연 기능, 쿠션 기능 및 광이 투과되는 성질 모두를 갖는 유기 화합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 정전척.The method according to claim 1,
Wherein the upper insulating layer and the lens portion are made of an organic compound having both an insulating function, a cushion function, and a property of transmitting light. 제5 항에 있어서,
상기 유기 화합물은 실리콘 또는 러버 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척.6. The method of claim 5,
Wherein the organic compound comprises either silicon or rubber. 제1 항에 있어서,
상기 상부 절연층 중에서 상기 전극층 상에 형성되는 상부 절연층은 100 내지 2,000㎛의 두께를 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 정전척.The method according to claim 1,
Wherein an upper insulating layer formed on the electrode layer in the upper insulating layer is formed to have a thickness of 100 to 2,000 mu m.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210044074A (en) 2019-10-14 2021-04-22 세메스 주식회사 Electro-static chuck and system for treating substrate with the electro-static chuck, and method for manufacturing electro-static chuck
KR20210051166A (en) 2019-10-30 2021-05-10 주식회사 명인 Electrostatic Chuck

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070111218A (en) * 2006-05-17 2007-11-21 삼성전자주식회사 Wafer chuck assembly
KR20160139459A (en) * 2015-05-27 2016-12-07 인베니아 주식회사 Electrostatic chuck and manufacturing method for the same
JP2017108055A (en) * 2015-12-11 2017-06-15 東京エレクトロン株式会社 Inspection apparatus, joining device, joining system, and inspection method

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070111218A (en) * 2006-05-17 2007-11-21 삼성전자주식회사 Wafer chuck assembly
KR20160139459A (en) * 2015-05-27 2016-12-07 인베니아 주식회사 Electrostatic chuck and manufacturing method for the same
JP2017108055A (en) * 2015-12-11 2017-06-15 東京エレクトロン株式会社 Inspection apparatus, joining device, joining system, and inspection method

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210044074A (en) 2019-10-14 2021-04-22 세메스 주식회사 Electro-static chuck and system for treating substrate with the electro-static chuck, and method for manufacturing electro-static chuck
KR20220017961A (en) 2019-10-14 2022-02-14 세메스 주식회사 System for treating substrate with the electro-static chuck
KR20230015490A (en) 2019-10-14 2023-01-31 세메스 주식회사 System for treating substrate with the electro-static chuck
US11705357B2 (en) 2019-10-14 2023-07-18 Semes Co., Ltd. Substrate processing system including electrostatic chuck and method for manufacturing electrostatic chuck
KR20210051166A (en) 2019-10-30 2021-05-10 주식회사 명인 Electrostatic Chuck

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