KR20190072940A - Array Substrate For Touch Display Device And Method Of Fabricating The Same - Google Patents

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Abstract

The present invention provides an array substrate for a touch display device, comprising: a substrate which includes a display area including pixels and a non-display area located around the display area; a gate line, a data line, and a touch common line which are placed in the upper part of the substrate and define the pixels by crossing one another; a thin film transistor which is connected to the gate line and the data line and includes a semiconductor layer, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode; a touch common electrode which is connected to the touch common line; a pixel electrode which is connected to the thin film transistor; and a plurality of panel capacitors which are placed in the non-display area in the upper part of the substrate, and include an upper electrode and a lower electrode formed of the same layer and the same material as two among the gate electrode, the source electrode, the drain electrode, the touch common line, and the pixel electrode. Therefore, the array substrate for a touch display device and the manufacturing method thereof can improve design freedom and reduce manufacturing costs thereof.

Description

터치표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법 {Array Substrate For Touch Display Device And Method Of Fabricating The Same}[0001] The present invention relates to an array substrate for a touch display device,

본 발명은 터치표시장치용 어레이기판에 관한 것으로, 특히 터치표시패널에 터치데이터구동부에 연결되는 다수의 패널커패시터를 형성함으로써, 설계자유도가 향상되고 제조비용이 절감되는 터치표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an array substrate for a touch display device, and more particularly, to an array substrate for a touch display device in which a plurality of panel capacitors connected to a touch data driver are formed on a touch display panel, And a manufacturing method thereof.

정보화 시대에 발맞추어 디스플레이(display) 분야 또한 급속도로 발전해 왔고, 이에 부응해서 박형화, 경량화, 저소비전력화 장점을 지닌 평판표시장치(flat panel display device: FPD)로서 액정표시장치(liquid crystal display device: LCD), 플라즈마표시장치(plasma display panel device: PDP), 유기발광다이오드 표시장치(organic light emitting diode display device: OLED), 전계방출표시장치(field emission display device: FED) 등이 소개되어 기존의 브라운관(cathode ray tube: CRT)을 빠르게 대체하고 있다. In view of the information age, the display field has also been rapidly developed. As a flat panel display device (FPD) having the advantages of thinning, light weight, and low power consumption in response to the information age, ), A plasma display panel device (PDP), an organic light emitting diode (OLED) display device, and a field emission display device (FED) cathode ray tube (CRT).

최근에는, 이러한 표시패널(display panel) 상에 터치패널(touch panel)을 부착한 터치 표시장치(또는 터치스크린)가 각광받고 있다. Recently, a touch display device (or a touch screen) having a touch panel mounted on a display panel has been spotlighted.

터치표시장치는, 영상을 표시하는 출력수단으로 사용되는 동시에, 표시된 영상의 특정부위를 터치하여 사용자의 명령을 입력 받는 입력수단으로 사용되는 것으로, 터치표시장치의 터치패널은 위치정보 검출방식에 따라 감압방식, 정전방식, 적외선방식, 초음파방식 등으로 구분될 수 있다. The touch display device is used as an output means for displaying an image and is used as input means for inputting a user's command by touching a specific portion of the displayed image. The touch panel of the touch- A pressure reduction method, an electrostatic method, an infrared method, and an ultrasonic method.

즉, 사용자가 표시패널에 표시되는 영상을 보면서 터치패널을 터치하면, 터치패널은 해당 부위의 위치정보를 검출하고 검출된 위치정보를 영상의 위치정보와 비교하여 사용자의 명령을 인식할 수 있다. That is, when the user touches the touch panel while viewing the image displayed on the display panel, the touch panel can detect the position information of the corresponding part and compare the detected position information with the position information of the image to recognize the user's command.

이러한 터치표시장치는, 별도의 터치패널을 표시패널에 부착하거나, 터치패널을 표시패널의 기판에 형성하여 일체화하는 형태로 제조될 수 있는데, 최근에는 스마트폰, 태블릿 PC 등과 같은 휴대용 단말기의 슬림화를 위해 표시패널에 사용되는 전극 또는 배선을 터치패널의 전극 또는 배선으로 이용하거나 터치패널의 전극 또는 배선을 표시패널에 형성함으로써, 터치패널 및 표시패널을 일체화하는 형태의 인셀타입(in-cell type) 터치표시장치에 대한 수요가 증가하고 있다.Such a touch display device can be manufactured in such a manner that a separate touch panel is attached to a display panel or a touch panel is formed on a substrate of a display panel so as to be integrated with each other. Recently, the slimming of a portable terminal such as a smart phone, a tablet PC, An in-cell type in which the touch panel and the display panel are integrated by using an electrode or wiring used in the hazard display panel as an electrode or wiring of the touch panel or by forming an electrode or wiring of the touch panel on the display panel, The demand for touch display devices is increasing.

이러한 인셀타입 터치표시장치는, 영상을 표시하고 터치를 감지하는 터치표시패널과, 터치표시패널에 다수의 신호를 공급하는 구동부를 포함하는데, 구동부는 입력되는 전압의 안정화와 전하펌핑을 통한 전압상승을 위하여 다수의 안정화 커패시터를 포함한다. The touch panel includes a touch panel for displaying an image and sensing a touch, and a driver for supplying a plurality of signals to the touch panel. The touch panel includes a driving unit for stabilizing an input voltage, Lt; RTI ID = 0.0 > capacitors. ≪ / RTI >

구동부는, 구동집적회로(driving integrated circuit: DIC)를 포함하는 인쇄회로기판(printed circuit board: PCB) 또는 연성인쇄회로(flexible printed circuit: FPC)의 형태로 형성될 수 있는데, 다수의 안정화 커패시터는 인쇄회로기판 또는 연성인쇄회로에 장착되어 구동집적회로에 연결될 수 있다. The driving unit may be formed in the form of a printed circuit board (PCB) or a flexible printed circuit (FPC) including a driving integrated circuit (DIC), and a plurality of stabilization capacitors May be mounted on a printed circuit board or a flexible printed circuit and connected to a drive integrated circuit.

그런데, 다수의 안정화 커패시터가 인쇄회로기판 또는 연성인쇄회로에 장착됨으로써, 다수의 안정화 커패시터가 인쇄회로기판 또는 연성인쇄회로의 공간 제약의 원인으로 작용하여 구동부의 설계 자유도가 감소하고, 다수의 안정화 커패시터에 의하여 제조비용이 증가하는 문제가 있다.However, since a plurality of stabilizing capacitors are mounted on the printed circuit board or the flexible printed circuit, a large number of stabilizing capacitors act as a cause of space limitation of the printed circuit board or the flexible printed circuit, thereby reducing the design freedom of the driving portion, The manufacturing cost is increased.

또한, 다수의 안정화 커패시터에 의하여 인쇄회로기판 또는 연성인쇄회로의 크기가 증가하므로, 이러한 인쇄회로기판 또는 연성인쇄회로의 크기 증가는 터치표시장치를 휴대용 단말기에 적용할 경우 배터리용 공간의 감소 원인으로 작용하여 휴대용 단말기의 사용시간이 단축되는 문제가 있다. In addition, since the size of the printed circuit board or the flexible printed circuit is increased by a plurality of stabilizing capacitors, the increase in size of the printed circuit board or the flexible printed circuit may cause a decrease in the space for the battery when the touch display device is applied to a portable terminal There is a problem that the use time of the portable terminal is shortened.

본 발명은, 이러한 문제점을 해결하기 위하여 제시된 것으로, 터치표시패널의 비표시영역에 터치데이터구동부에 연결되는 다수의 패널커패시터를 형성함으로써, 설계자유도가 향상되고 제조비용이 절감되는 터치표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve such a problem, and it is an object of the present invention to provide an array for a touch display device in which a plurality of panel capacitors connected to a touch data driver are formed in a non-display area of a touch display panel, And a method of manufacturing the same.

그리고, 본 발명은, 터치표시패널의 표시영역과 동일층, 동일물질의 도전층 및 유전층을 이용하여 비표시영역에 다수의 패널커패시터를 형성함으로써, 터치데이터구동부의 크기가 감소되어 터치표시장치가 적용되는 휴대용 단말기의 배터리용 공간이 증가되고 휴대용 단말기의 사용시간이 증가되는 터치표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법을 제공하는 것을 다른 목적으로 한다. In the present invention, a plurality of panel capacitors are formed in a non-display region using the same layer, the same conductive layer, and the same dielectric layer as the display region of the touch display panel, thereby reducing the size of the touch data driver, Another object of the present invention is to provide an array substrate for a touch display device and a method of manufacturing the same, in which space for a battery of a portable terminal to be applied is increased and use time of the portable terminal is increased.

위와 같은 과제의 해결을 위해, 본 발명은, 화소를 포함하는 표시영역과 상기 표시영역 주변의 비표시영역을 포함하는 기판과, 상기 기판 상부에 배치되고, 서로 교차하여 상기 화소를 정의하는 게이트배선, 데이터배선 및 터치공통배선과, 상기 게이트배선 및 상기 데이터배선에 연결되고, 반도체층, 게이트전극, 소스전극 및 드레인전극을 포함하는 박막트랜지스터와, 상기 터치공통배선에 연결되는 터치공통전극과, 상기 박막트랜지스터에 연결되는 화소전극과, 상기 기판 상부의 상기 비표시영역에 배치되고, 각각이 상기 게이트전극, 상기 소스전극 및 상기 드레인전극, 상기 터치공통배선, 상기 화소전극 중 둘과 동일층, 동일물질로 이루어지는 상부전극 및 하부전극을 포함하는 다수의 패널커패시터를 포함하는 터치표시장치용 어레이기판을 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a display device including: a substrate including a display region including a pixel and a non-display region around the display region; A thin film transistor connected to the gate wiring and the data wiring and including a semiconductor layer, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode; a touch common electrode connected to the touch common wiring; A pixel electrode connected to the thin film transistor; and a plurality of pixel electrodes arranged in the non-display region above the substrate and each having the same layer as the gate electrode, the source electrode and the drain electrode, An array substrate for a touch display device including a plurality of panel capacitors including an upper electrode and a lower electrode made of the same material, The.

그리고, 상기 반도체층과 상기 게이트전극 사이에는 게이트절연층이 배치되고, 상기 게이트전극과 상기 소스전극 및 상기 드레인전극 사이에는 층간절연층이 배치되고, 상기 소스전극 및 상기 드레인전극과 상기 터치공통배선 사이에는 평탄화층이 배치되고, 상기 터치공통배선과 상기 터치공통전극 사이에는 제1보호층이 배치되고, 상기 터치공통전극과 상기 화소전극 사이에는 제2보호층이 배치될 수 있다.A gate insulating layer is disposed between the semiconductor layer and the gate electrode. An interlayer insulating layer is disposed between the gate electrode and the source electrode and the drain electrode. The source electrode, the drain electrode, A first passivation layer may be disposed between the touch common wiring and the touch common electrode, and a second passivation layer may be disposed between the touch common electrode and the pixel electrode.

또한, 상기 다수의 패널커패시터는, 상기 게이트전극과 동일층, 동일물질로 이루어지는 제1하부전극과, 상기 층간절연층과, 상기 소스전극 및 상기 드레인전극과 동일층, 동일물질로 이루어지는 제1상부전극으로 구성되는 제1패널커패시터와, 상기 소스전극 및 상기 드레인전극과 동일층, 동일물질로 이루어지는 제2하부전극과, 상기 평탄화층과, 상기 터치공통배선과 동일층, 동일물질로 이루어지는 제2상부전극으로 구성되는 제2패널커패시터와, 상기 터치공통배선과 동일층, 동일물질로 이루어지는 제3하부전극과, 상기 제1 및 제2보호층과, 상기 화소전극과 동일층, 동일물질로 이루어지는 제3상부전극으로 구성되는 제3패널커패시터를 포함할 수 있다.The plurality of panel capacitors may include a first lower electrode formed of the same layer and the same material as the gate electrode, the interlayer insulating layer, a first upper layer made of the same material as the source electrode and the drain electrode, A second lower electrode made of the same material as the source electrode and the drain electrode and made of the same material; and a second lower electrode made of the same material as the touch common interconnection, A third lower electrode made of the same material as the touch common wiring and made of the same material; and a second lower electrode made of the same material and the same material as the first and second protective layers, And a third upper electrode.

그리고, 상기 터치표시장치용 어레이기판은, 상기 기판의 상기 비표시영역에 배치되고, 상기 게이트배선에 연결되고, 상기 게이트전극과 동일층, 동일물질로 이루어지는 게이트패드와, 상기 제2보호층 상부에 배치되고, 상기 게이트패드에 연결되고, 상기 화소전극과 동일층, 동일물질로 이루어지는 게이트패드전극과, 상기 기판의 상기 비표시영역에 배치되고, 상기 데이터배선에 연결되고, 상기 소스전극 및 상기 드레인전극과 동일층, 동일물질로 이루어지는 데이터패드와, 상기 제2보호층 상부에 배치되고, 상기 데이터패드에 연결되고, 상기 화소전극과 동일층, 동일물질로 이루어지는 데이터패드전극을 더 포함할 수 있다.The array substrate for a touch display device includes a gate pad disposed in the non-display region of the substrate and connected to the gate wiring, the gate pad being formed of the same layer and the same material as the gate electrode, A gate pad electrode connected to the gate pad and formed of the same layer and the same material as the pixel electrode; and a gate electrode disposed in the non-display region of the substrate and connected to the data line, And a data pad electrode disposed on the second passivation layer and connected to the data pad and being formed of the same layer and the same material as the pixel electrode, have.

또한, 상기 다수의 패널커패시터는 상기 데이터배선에 데이터전압을 공급하는 터치데이터구동부에 연결될 수 있다.The plurality of panel capacitors may be connected to a touch data driver for supplying a data voltage to the data lines.

그리고, 상기 터치표시장치용 어레이기판은, 상기 기판의 상기 비표시영역에 배치되고, 상기 게이트배선에 게이트전압을 공급하는 게이트구동부를 더 포함할 수 있다.The array substrate for a touch display device may further include a gate driver arranged in the non-display region of the substrate and supplying a gate voltage to the gate line.

한편, 본 발명은, 표시영역과 비표시영역을 포함하는 기판 상부에 서로 교차하여 화소를 정의하는 게이트배선, 데이터배선 및 터치공통배선을 형성하는 단계와, 상기 게이트배선 및 상기 데이터배선에 연결되고, 반도체층, 게이트전극, 소스전극 및 드레인전극을 포함하는 박막트랜지스터를 형성하는 단계와, 상기 터치공통배선에 연결되는 터치공통전극을 형성하는 단계와, 상기 박막트랜지스터에 연결되는 화소전극을 형성하는 단계와, 상기 기판 상부의 상기 비표시영역에, 각각이 상기 게이트전극, 상기 소스전극 및 상기 드레인전극, 상기 터치공통배선, 상기 화소전극 중 둘과 동일층, 동일물질로 이루어지는 상부전극 및 하부전극을 포함하는 다수의 패널커패시터를 형성하는 단계를 포함하는 터치표시장치용 어레이기판의 제조방법을 제공한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: forming a gate wiring, a data wiring, and a touch common wiring crossing each other on a substrate including a display region and a non-display region to define a pixel; Forming a thin film transistor including a semiconductor layer, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode; forming a touch common electrode connected to the touch common wiring; forming a pixel electrode connected to the thin film transistor The source electrode and the drain electrode, the touch common wiring, the same layer as two of the pixel electrodes, the upper electrode made of the same material, and the lower electrode and the lower electrode, respectively, in the non-display region on the substrate. And forming a plurality of panel capacitors including the plurality of panel capacitors, .

그리고, 상기 터치표시장치용 어레이기판의 제조방법은, 상기 반도체층과 상기 게이트전극 사이에 게이트절연층을 형성하는 단계와, 상기 게이트전극과 상기 소스전극 및 상기 드레인전극 사이에 층간절연층을 형성하는 단계와, 상기 소스전극 및 상기 드레인전극과 상기 터치공통배선 사이에 평탄화층을 형성하는 단계와, 상기 터치공통배선과 상기 터치공통전극 사이에 제1보호층을 형성하는 단계와, 상기 터치공통전극과 상기 화소전극 사이에 제2보호층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.The manufacturing method of an array substrate for a touch display device according to the present invention includes the steps of: forming a gate insulating layer between the semiconductor layer and the gate electrode; forming an interlayer insulating layer between the gate electrode and the source electrode and the drain electrode Forming a planarization layer between the source electrode and the drain electrode and the touch common wiring; forming a first passivation layer between the touch common wiring and the touch common electrode; And forming a second passivation layer between the electrode and the pixel electrode.

또한, 상기 다수의 패널커패시터를 형성하는 단계는, 상기 게이트전극과 동일층, 동일물질로 이루어지는 제1하부전극과, 상기 층간절연층과, 상기 소스전극 및 상기 드레인전극과 동일층, 동일물질로 이루어지는 제1상부전극으로 구성되는 제1패널커패시터를 형성하는 단계와, 상기 소스전극 및 상기 드레인전극과 동일층, 동일물질로 이루어지는 제2하부전극과, 상기 평탄화층과, 상기 터치공통배선과 동일층, 동일물질로 이루어지는 제2상부전극으로 구성되는 제2패널커패시터를 형성하는 단계와, 상기 터치공통배선과 동일층, 동일물질로 이루어지는 제3하부전극과, 상기 제1 및 제2보호층과, 상기 화소전극과 동일층, 동일물질로 이루어지는 제3상부전극으로 구성되는 제3패널커패시터를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.The forming of the plurality of panel capacitors may include forming a first lower electrode of the same layer and the same material as the gate electrode and a second lower electrode of the same layer and the same material as the source electrode and the drain electrode, A second lower electrode made of the same material as the source electrode and the drain electrode, the second lower electrode made of the same material, the planarization layer, and the same as the touch common wiring A third lower electrode made of the same material as the touch common wiring and made of the same material, and a second lower electrode made of the same material, And forming a third panel capacitor composed of the same layer as the pixel electrode and a third upper electrode made of the same material.

그리고, 상기 터치표시장치용 어레이기판의 제조방법은, 상기 기판의 상기 비표시영역에 배치되고, 상기 게이트배선에 연결되고, 상기 게이트전극과 동일층, 동일물질로 이루어지는 게이트패드를 형성하는 단계와, 상기 제2보호층 상부에 배치되고, 상기 게이트패드에 연결되고, 상기 화소전극과 동일층, 동일물질로 이루어지는 게이트패드전극을 형성하는 단계와, 상기 기판의 상기 비표시영역에 배치되고, 상기 데이터배선에 연결되고, 상기 소스전극 및 상기 드레인전극과 동일층, 동일물질로 이루어지는 데이터패드를 형성하는 단계와, 상기 제2보호층 상부에 배치되고, 상기 데이터패드에 연결되고, 상기 화소전극과 동일층, 동일물질로 이루어지는 데이터패드전극을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method of manufacturing an array substrate for a touch display device includes the steps of forming a gate pad which is disposed in the non-display region of the substrate and is connected to the gate wiring and is formed of the same layer and the same material as the gate electrode; Forming a gate pad electrode on the second passivation layer, the gate pad electrode being connected to the gate pad and having the same layer and the same material as the pixel electrode; Forming a data pad connected to the data line and made of the same layer and the same material as the source electrode and the drain electrode; and a data pad disposed on the second passivation layer and connected to the data pad, And forming a data pad electrode composed of the same layer and the same material.

본 발명은, 터치표시패널의 비표시영역에 터치데이터구동부에 연결되는 다수의 패널커패시터를 형성함으로써, 설계자유도가 향상되고 제조비용이 절감되는 효과를 갖는다. According to the present invention, a plurality of panel capacitors connected to the touch data driver are formed in the non-display area of the touch display panel, thereby improving the degree of design freedom and reducing the manufacturing cost.

그리고, 본 발명은, 터치표시패널의 표시영역과 동일층, 동일물질의 도전층 및 유전층을 이용하여 비표시영역에 다수의 패널커패시터를 형성함으로써, 터치데이터구동부의 크기가 감소되어 터치표시장치가 적용되는 휴대용 단말기의 배터리용 공간이 증가되고 휴대용 단말기의 사용시간이 증가되는 효과를 갖는다. In the present invention, a plurality of panel capacitors are formed in a non-display region using the same layer, the same conductive layer, and the same dielectric layer as the display region of the touch display panel, thereby reducing the size of the touch data driver, The space for the battery of the portable terminal to be applied is increased and the use time of the portable terminal is increased.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 터치표시장치를 도시한 도면.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 터치표시장치용 어레이기판을 도시한 도면.
도 3a 내지 도 3h은 본 발명의 실시예에 따른 터치표시장치용 어레이기판의 제조방법을 설명하기 위한 도면.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a diagram illustrating a touch display apparatus according to an embodiment of the present invention. Fig.
2 is a view showing an array substrate for a touch display device according to an embodiment of the present invention.
3A to 3H are views for explaining a method of manufacturing an array substrate for a touch display device according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 터치표시장치 및 그 제조방법을 설명한다. Hereinafter, a touch display device and a manufacturing method thereof according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 터치표시장치를 도시한 도면이다.1 is a view illustrating a touch display device according to an embodiment of the present invention.

도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 터치표시장치(110)는, 타이밍제어부(120), 터치데이터구동부(122), 게이트구동부(124) 및 터치표시패널(126)을 포함하는데, 터치표시장치(110)는 유기발광다이오드 표시장치(organic light emitting diode display device: OLED display device) 또는 액정표시장치(liquid crystal display device: LCD device)일 수 있다.1, the touch display apparatus 110 according to the embodiment of the present invention includes a timing controller 120, a touch data driver 122, a gate driver 124, and a touch panel 126 The touch display device 110 may be an organic light emitting diode (OLED) display device or a liquid crystal display device (LCD) device.

본 발명의 실시예에 따른 터치표시장치(110)는, 1프레임을 표시구간 및 터치구간으로 구분하여 구동되는데, 표시구간 동안 터치표시패널(126)의 데이터배선(DL), 게이트배선(GL) 및 터치공통배선(TL)에 각각 데이터전압, 게이트전압 및 공통전압을 인가하여 영상을 표시하고, 터치구간 동안 터치공통배선(TL)에 터치송신전압을 인가하고 터치공통배선(TL)의 터치수신전압을 독출하여 터치를 감지한다.The touch display device 110 according to the embodiment of the present invention is driven by dividing one frame into a display period and a touch period. During the display period, the data line DL, the gate line GL, A gate voltage, and a common voltage are applied to the touch common wiring TL to display an image, a touch transmission voltage is applied to the touch common wiring TL during the touch period, The voltage is read and the touch is detected.

타이밍제어부(120)는, 그래픽카드 또는 TV시스템과 같은 외부시스템으로부터 전달되는 영상신호(IS)와 데이터인에이블신호(DE), 수평동기신호(HSY), 수직동기신호(VSY), 클럭(CLK) 등의 다수의 타이밍신호를 이용하여 영상데이터(RGB), 데이터제어신호(DCS) 및 게이트제어신호(GCS)를 생성하고, 생성된 영상데이터(RGB) 및 데이터제어신호(DCS)는 터치데이터구동부(122)로 전달하고, 생성된 게이트제어신호(GCS)는 게이트구동부(124)로 전달한다. The timing controller 120 receives a video signal IS transmitted from an external system such as a graphic card or a TV system and a data enable signal DE, a horizontal synchronizing signal HSY, a vertical synchronizing signal VSY, a clock CLK And a gate control signal GCS are generated by using a plurality of timing signals such as a timing control signal DCS and a timing control signal DCS to generate image data RGB, a data control signal DCS and a gate control signal GCS, And transmits the generated gate control signal GCS to the gate driver 124. The gate driver 124 receives the gate control signal GCS.

터치데이터구동부(122)는, 타이밍제어부(120)로부터 전달되는 영상데이터(RGB) 및 데이터제어신호(DCS)를 이용하여 데이터전압(데이터신호)을 생성하고, 생성된 데이터전압을 터치표시패널(126)의 데이터배선(DL)에 인가한다. The touch data driver 122 generates a data voltage (data signal) by using the video data RGB and the data control signal DCS transmitted from the timing controller 120 and supplies the generated data voltage to the touch display panel 126 to the data line DL.

그리고, 터치데이터구동부(122)는, 공통전압 및 터치송신전압을 생성하여 터치표시패널(126)의 터치공통배선(TL)에 인가하고, 터치표시패널(126)의 터치공통배선(TL)으로부터 터치수신전압을 독출(read)한다.The touch data driver 122 generates a common voltage and a touch transmission voltage and applies the common voltage and the touch transmission voltage to the touch common wiring TL of the touch display panel 126 and the touch common wiring TL from the touch common wiring TL of the touch display panel 126 And reads the touch reception voltage.

게이트구동부(124)는, 타이밍제어부(120)로부터 전달되는 게이트제어신호(GCS)를 이용하여 게이트전압(게이트신호)을 생성하고, 생성된 게이트전압을 터치표시패널(126)의 게이트배선(GL)에 인가한다.The gate driver 124 generates a gate voltage (gate signal) using the gate control signal GCS transmitted from the timing controller 120 and supplies the generated gate voltage to the gate wiring GL of the touch display panel 126 .

여기서, 게이트구동부(124)는, 게이트배선(GL), 데이터배선(DL), 터치배선(TL) 및 화소(P)가 형성되는 터치표시패널(126)의 어레이기판에 함께 형성되는 게이트-인-패널(gate in panel: GIP) 타입을 예로 들어 설명한다.Here, the gate driver 124 is a gate-in which is formed together with the array substrate of the touch display panel 126 on which the gate line GL, the data line DL, the touch wiring TL and the pixel P are formed. - Explain the panel (gate in panel: GIP) as an example.

이러한 GIP 타입의 게이트구동부(124)는, 쉬프트레지스터(shift register)를 포함할 수 있는데, 쉬프트레지스터는 각각이 게이트전압을 출력하는 다수의 스테이지로 이루어지고, 다수의 스테이지는 현단 스테이지의 출력전압이 타단 스테이지에 입력되는 캐스케이드(cascade) 방식으로 연결될 수 있다.The GIP type gate driver 124 may include a shift register, each of which includes a plurality of stages for outputting a gate voltage, and a plurality of stages each having an output voltage of the present stage And can be connected in a cascade manner input to the other stage.

터치표시패널(126)은, 데이터전압, 게이트전압 및 공통전압을 이용하여 영상을 표시하고, 터치송신전압 및 터치수신전압을 이용하여 터치를 감지하는데, 서로 교차하여 화소(P)를 정의하는 게이트배선(GL), 데이터배선(DL) 및 터치공통배선(TL)을 포함하고, 각 화소(P)는 게이트배선(GL) 및 데이터배선(DL)에 연결되는 박막트랜지스터(T)와, 박막트랜지스터(T)에 연결되는 액정커패시터(Cl) 및 스토리지커패시터(Cs)를 포함한다. The touch display panel 126 displays an image using a data voltage, a gate voltage, and a common voltage, and senses a touch using a touch transmission voltage and a touch reception voltage. The touch display panel 126 includes a gate Each of the pixels P includes a thin film transistor T connected to the gate wiring GL and the data wiring DL and a thin film transistor T connected to the gate wiring GL and the data wiring DL. And a storage capacitor Cl and a storage capacitor Cs connected to the storage capacitor T. [

게이트배선(GL)은 게이트패드(138)를 통하여 게이트구동부(124)에 연결되고, 데이터배선(DL)은 데이터패드(148)를 통하여 터치데이터구동부(122)에 연결된다.The gate line GL is connected to the gate driver 124 through the gate pad 138 and the data line DL is connected to the touch data driver 122 through the data pad 148.

터치표시장치(110)가 유기발광다이오드 표시장치인 다른 실시예에서는, 터치표시패널(126)의 화소(P)가 스위칭 박막트랜지스터, 구동 박막트랜지스터, 스토리지 커패시터 및 발광다이오드를 포함할 수 있다. In another embodiment in which the touch display device 110 is an organic light emitting diode display device, the pixel P of the touch display panel 126 may include a switching thin film transistor, a driving thin film transistor, a storage capacitor, and a light emitting diode.

여기서, 터치표시패널(126)은, 다수의 화소(P)가 배치되는 표시영역(DA)과, 게이트구동부(124), 게이트패드(138), 데이터패드(148) 및 다수의 링크배선이 배치되는 비표시영역(NDA)으로 구분할 수 있다. Here, the touch display panel 126 includes a display area DA in which a plurality of pixels P are arranged, a gate driver 124, a gate pad 138, a data pad 148, And a non-display area (NDA).

특히, 터치표시패널(126)의 비표시영역(NDA)에는 터치데이터구동부(122)의 안정화 커패시터로 사용되는 제1 내지 제3패널커패시터(Cp1 내지 Cp3)가 배치된다.Particularly, the first to third panel capacitors Cp1 to Cp3 used as the stabilization capacitors of the touch data driver 122 are disposed in the non-display area NDA of the touch display panel 126. [

예를 들어, 터치데이터구동부(122)는, 구동집적회로(driving integrated circuit: DIC)를 포함하는 인쇄회로기판(printed circuit board: PCB) 또는 연성인쇄회로(flexible printed circuit: FPC)의 형태로 형성될 수 있는데, 제1 내지 제3패널커패시터(Cp1 내지 Cp3)는 게이트배선(GL), 데이터배선(DL), 터치공통배선(TL), 박막트랜지스터(T) 및 스토리지커패시터(Cs)와 동일한 공정을 통하여 터치표시패널(126)의 어레이기판에 형성되어 다수의 연결배선을 통하여 인쇄회로기판 또는 연성인쇄회로의 구동집적회로에 연결될 수 있다. For example, the touch data driver 122 may be formed in the form of a printed circuit board (PCB) or a flexible printed circuit (FPC) including a driving integrated circuit (DIC) The first to third panel capacitors Cp1 to Cp3 are formed in the same process as the gate wiring GL, the data wiring DL, the touch common wiring TL, the thin film transistor T and the storage capacitor Cs And may be connected to a printed circuit board or a driving integrated circuit of a flexible printed circuit through a plurality of connection wirings.

이와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 터치표시장치(110)에서는, 터치표시패널(110)의 비표시영역(NDA)에 다수의 안정화 커패시터(Cp1 내지 Cp3)를 형성하고 다수의 안정화 커패시터(Cp1 내지 Cp3)를 인쇄회로기판 또는 연성인쇄회로의 구동집적회로에 연결함으로써, 인쇄회로기판 또는 연성인쇄회로의 여유공간을 확장하여 설계자유도를 향상시킬 수 있으며, 인쇄회로기판 또는 연성인쇄회로에 장착되는 안정화 커패시터를 생략하여 제조비용을 절감할 수 있다. As described above, in the touch display device 110 according to the embodiment of the present invention, a plurality of stabilization capacitors Cp1 to Cp3 are formed in the non-display area NDA of the touch display panel 110 and a plurality of stabilization capacitors Cp1 To Cp3) is connected to a printed circuit board or a driving integrated circuit of the flexible printed circuit, the free space of the printed circuit board or the flexible printed circuit can be expanded to improve the degree of design freedom, and the printed circuit board or the flexible printed circuit The manufacturing cost can be reduced by omitting the stabilizing capacitor.

그리고, 인쇄회로기판 또는 연성인쇄회로에 장착되는 안정화 커패시터를 생략함으로써, 터치데이터구동부(122)의 인쇄회로기판 또는 연성인쇄회로의 크기를 감소시켜 터치표시장치(110)가 적용되는 휴대용 단말기의 배터리용 공간을 확장할 수 있으며, 그 결과 휴대용 단말기의 사용시간을 증가시킬 수 있다.The size of the printed circuit board or the flexible printed circuit of the touch data driver 122 may be reduced by omitting the stabilizing capacitor mounted on the printed circuit board or the flexible printed circuit so that the battery of the portable terminal to which the touch display device 110 is applied So that the use time of the portable terminal can be increased.

이러한 터치표시장치(110)용 어레이기판의 구성을 도면을 참조하여 설명한다.The structure of the array substrate for the touch display device 110 will be described with reference to the drawings.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 터치표시장치용 어레이기판을 도시한 도면으로, 도 1을 함께 참조하여 설명한다.Fig. 2 is a view showing an array substrate for a touch display device according to an embodiment of the present invention, which will be described with reference to Fig. 1. Fig.

도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 터치표시장치용 어레이기판은, 표시영역(DA)의 박막트랜지스터(T)와, 비표시영역(NDA)의 게이트패드(138), 데이터패드(148) 및 제1 내지 제3패널커패시터(Cp1 내지 Cp3)를 포함한다.2, the array substrate for a touch display device according to the embodiment of the present invention includes a thin film transistor T in a display area DA, a gate pad 138 in a non-display area NDA, Pad 148 and first through third panel capacitors Cp1 through Cp3.

구체적으로, 기판(130) 상부의 표시영역(DA)의 화소(P)에는 반도체층(132)이 배치되고, 반도체층(132) 상부의 기판(130) 전면에는 게이트절연층(134)이 배치된다.A semiconductor layer 132 is disposed on the pixel P of the display region DA above the substrate 130 and a gate insulating layer 134 is disposed on the entire surface of the substrate 130 above the semiconductor layer 132 do.

도시하지는 않았지만, 반도체층(132) 하부에는 차광패턴이 배치될 수 있다.Although not shown, a light shielding pattern may be disposed under the semiconductor layer 132.

반도체층(132)은, 비정질실리콘(amorphous silicon) 또는 다결정실리콘(polycrystalline silicon)으로 이루어질 수 있으며, 중앙부의 순수 실리콘의 액티브영역과, 양단부의 불순물 실리콘의 소스영역 및 드레인영역을 포함할 수 있다.The semiconductor layer 132 may be formed of amorphous silicon or polycrystalline silicon and may include an active region of pure silicon at the central portion and a source region and a drain region of impurity silicon at both ends.

게이트절연층(134)은, 산화실리콘(SiO2), 질화실리콘(SiNx), 산화질화실리콘(SiON)과 같은 무기절연물질로 이루어질 수 있다.A gate insulating layer 134 may be made of an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiO 2), silicon nitride (SiNx), silicon oxynitride (SiON).

반도체층(132)에 대응되는 게이트절연층(134) 상부에는 게이트전극(136)이 배치되고 비표시영역(NDA)의 게이트절연층(134) 상부에는 게이트패드(138) 및 제1하부전극(140)이 배치된다.The gate electrode 136 is disposed on the gate insulating layer 134 corresponding to the semiconductor layer 132 and the gate pad 138 and the first lower electrode 140 are formed on the gate insulating layer 134 of the non- 140 are disposed.

게이트전극(136)은 게이트배선(GL)에 연결되고, 게이트패드(138)는 게이트배선(GL)의 일단에 연결되는데, 게이트전극(136), 게이트패드(138) 및 제1하부전극(140)은 동일층, 동일물질로 이루어질 수 있으며, 예를 들어 금속물질로 이루어질 수 있다. The gate electrode 136 is connected to the gate wiring GL and the gate pad 138 is connected to one end of the gate wiring GL. The gate electrode 136, the gate pad 138 and the first lower electrode 140 ) May be made of the same layer or the same material, and may be made of, for example, a metal material.

게이트전극(136), 게이트패드(138) 및 제1하부전극(140) 상부의 기판(130) 전면에는 층간절연층(142)이 배치되고, 층간절연층(142)은 반도체층(132)의 소스영역 및 드레인영역을 노출하는 소스콘택홀(142a) 및 드레인콘택홀(142b)을 갖는다.An interlayer insulating layer 142 is disposed on the entire surface of the substrate 130 on the gate electrode 136, the gate pad 138 and the first lower electrode 140. The interlayer insulating layer 142 is formed on the entire surface of the semiconductor layer 132 And has a source contact hole 142a and a drain contact hole 142b which expose the source region and the drain region.

층간절연층(142)은, 산화실리콘(SiO2), 질화실리콘(SiNx), 산화질화실리콘(SiON)과 같은 무기절연물질 또는 포토아크릴(photo acryl), 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene)과 같은 유기절연물질로 이루어질 수 있다.An interlayer insulating layer 142, silicon oxide (SiO 2), the organic insulation, such as silicon nitride (SiNx), oxide inorganic insulating material such as silicon nitride (SiON) or photo acryl (photo acryl), benzocyclobutene (benzocyclobutene) ≪ / RTI >

반도체층(132)에 대응되는 층간절연층(142) 상부에는 소스전극(144) 및 드레인전극(146)이 배치되고, 비표시영역(NDA)의 층간절연층(142) 상부에는 데이터패드(148), 제1상부전극(150) 및 제2하부전극(152)이 배치된다.A source electrode 144 and a drain electrode 146 are disposed on the upper part of the interlayer insulating layer 142 corresponding to the semiconductor layer 132 and a data pad 148 is formed on the upper part of the interlayer insulating layer 142 in the non- A first upper electrode 150, and a second lower electrode 152 are disposed.

소스전극(144) 및 드레인전극(146)은 각각 소스콘택홀(142a) 및 드레인콘택홀(142b)을 통하여 반도체층(132)의 소스영역 및 드레인영역에 연결되고, 제1상부전극(150)은 제1하부전극(140)에 대응되도록 배치되는데, 소스전극(144), 드레인전극(146), 데이터패드(148), 제1상부전극(150) 및 제2하부전극(152)은 동일층, 동일물질로 이루어질 수 있으며, 예를 들어 금속물질로 이루어질 수 있다.The source electrode 144 and the drain electrode 146 are connected to the source region and the drain region of the semiconductor layer 132 through the source contact hole 142a and the drain contact hole 142b respectively and the first upper electrode 150, The source electrode 144, the drain electrode 146, the data pad 148, the first upper electrode 150, and the second lower electrode 152 are disposed to correspond to the first lower electrode 140, , The same material, for example, a metal material.

제1하부전극(140), 층간절연층(142) 및 제1상부전극(150)은 제1패널커패시터(Cp1)를 구성한다.The first lower electrode 140, the interlayer insulating layer 142, and the first upper electrode 150 constitute a first panel capacitor Cp1.

도시하지는 않았지만, 소스전극(144)은 데이터배선(DL)에 연결되고, 제1하부전극(140) 및 제1상부전극(150)은 연결배선을 통하여 터치데이터구동부(122)에 연결될 수 있다.Although not shown, the source electrode 144 may be connected to the data line DL, and the first lower electrode 140 and the first upper electrode 150 may be connected to the touch data driver 122 through connection wirings.

소스전극(144), 드레인전극(146), 데이터패드(148), 제1상부전극(150) 및 제2하부전극(152) 상부의 기판(130) 전면에는 평탄화층(154)이 배치된다.A planarization layer 154 is disposed on the entire surface of the substrate 130 above the source electrode 144, the drain electrode 146, the data pad 148, the first upper electrode 150 and the second lower electrode 152.

평탄화층(154)은, 산화실리콘(SiO2), 질화실리콘(SiNx), 산화질화실리콘(SiON)과 같은 무기절연물질 또는 포토아크릴(photo acryl), 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene)과 같은 유기절연물질로 이루어질 수 있다.Organic insulating material, such as a planarization layer 154, a silicon oxide (SiO 2), silicon nitride (SiNx), an inorganic insulating material such as silicon oxynitride (SiON) or photo acryl (photo acryl), benzocyclobutene (benzocyclobutene) ≪ / RTI >

평탄화층(154) 상부의 표시영역(DA)의 화소(P)에는 터치공통배선(TL)이 배치되고, 제2하부전극(152)에 대응되는 평탄화층(154) 상부에는 제2상부전극(156)이 배치되고, 평탄화층(154) 상부의 비표시영역(NDA)에는 제3하부전극(158)이 배치된다.The touch common wiring TL is disposed on the pixel P in the display area DA on the planarization layer 154 and the second upper electrode 154 is formed on the planarization layer 154 corresponding to the second lower electrode 152. [ And the third lower electrode 158 is disposed in the non-display area NDA above the planarization layer 154. [

터치공통배선(TL), 제2상부전극(156) 및 제3하부전극(158)은 동일층, 동일물질로 이루어질 수 있으며, 예를 들어 금속물질로 이루어질 수 있다. The touch common wiring TL, the second upper electrode 156, and the third lower electrode 158 may be formed of the same material and the same material, for example, a metal material.

제2하부전극(152), 평탄화층(154) 및 제2상부전극(156)은 제2패널커패시터(Cp2)를 구성한다.The second lower electrode 152, the planarization layer 154, and the second upper electrode 156 constitute a second panel capacitor Cp2.

터치공통배선(TL), 제2상부전극(156) 및 제3하부전극(158) 상부의 기판(130) 전면에는 제1보호층(160)이 배치되는데, 제1보호층(160)은 터치공통배선(TL)을 노출하는 터치공통 콘택홀(160a)을 갖는다.The first passivation layer 160 is disposed on the entire surface of the substrate 130 above the touch common line TL, the second upper electrode 156 and the third lower electrode 158. The first passivation layer 160 is formed by a touch And a touch common contact hole 160a exposing the common wiring TL.

표시영역(DA)의 화소(P)의 제1보호층(160) 상부에는 판(plate) 형상의 터치공통전극(162)이 배치되는데, 터치공통전극(162)은, 터치공통 콘택홀(160a)을 통하여 터치공통배선(TL)에 연결되고, 금속물질 또는 투명도전물질로 이루어질 수 있다.A plate-shaped touch common electrode 162 is disposed on the first passivation layer 160 of the pixel P of the display area DA. The touch common electrode 162 is connected to the touch common contact hole 160a To the touch common wiring TL, and may be formed of a metal material or a transparent conductive material.

터치공통전극(162) 상부의 기판(130) 전면에는 제2보호층(164)이 배치된다.A second protective layer 164 is disposed on the entire surface of the substrate 130 above the touch common electrode 162.

제1 및 제2보호층(160, 164)은 산화실리콘(SiO2), 질화실리콘(SiNx), 산화질화실리콘(SiON)과 같은 무기절연물질 또는 포토아크릴(photo acryl), 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene)과 같은 유기절연물질로 이루어질 수 있다.The first and second passivation layers 160 and 164 may be formed of an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiN x), silicon oxynitride (SiON), or a photoacid such as photo acryl, benzocyclobutene ). ≪ / RTI >

제2보호층(164), 제1보호층(160) 및 평탄화층(154)은 드레인전극(146)을 노출하는 드레인전극 콘택홀(164a)과 데이터패드(148)를 노출하는 데이터패드 콘택홀(164c)을 갖고, 제2보호층(164), 제1보호층(160), 평탄화층(154) 및 층간절연층(142)은 게이트패드(138)를 노출하는 게이트패드 콘택홀(164b)을 갖는다.The second passivation layer 164, the first passivation layer 160 and the planarization layer 154 are formed on the drain electrode contact hole 164a exposing the drain electrode 146 and the data pad contact hole 164a exposing the data pad 148. [ The first passivation layer 160, the planarization layer 154 and the interlayer insulating layer 142 have a gate pad contact hole 164b exposing the gate pad 138. The second passivation layer 164, the first passivation layer 160, Respectively.

표시영역(DA)의 화소(P)의 제2보호층(164) 상부에는 화소전극(166)이 배치되고, 게이트패드(138), 데이터패드(148) 및 제3하부전극(158)에 대응되는 제2보호층(164) 상부에는 각각 게이트패드전극(168), 데이터패드전극(170) 및 제3상부전극(172)이 배치된다.The pixel electrode 166 is disposed above the second passivation layer 164 of the pixel P of the display area DA and corresponds to the gate pad 138, the data pad 148 and the third lower electrode 158 A gate pad electrode 168, a data pad electrode 170, and a third upper electrode 172 are disposed on the second passivation layer 164, respectively.

화소전극(166)은 하부의 터치공통전극(1620을 노출하는 다수의 개구를 포함하는 다수의 바(bar) 형상을 갖는다.The pixel electrode 166 has a plurality of bar shapes including a plurality of openings exposing the lower touch common electrode 1620.

화소전극(166), 게이트패드전극(168), 데이터패드전극(170) 및 제3상부전극(172)은 동일층, 동일물질로 이루어질 수 있으며, 예를 들어 금속물질 또는 투명도전물질로 이루어질 수 있다.The pixel electrode 166, the gate pad electrode 168, the data pad electrode 170 and the third upper electrode 172 may be formed of the same material or the same material and may be formed of a metal material or a transparent conductive material have.

화소전극(166)은 드레인전극 콘택홀(146)을 통하여 드레인전극(146)에 연결되고, 게이트패드전극(168)은 게이트패드 콘택홀(164b)을 통하여 게이트패드(138)에 연결되고, 데이터패드전극(170)은 데이터패드 콘택홀(164c)을 통하여 데이터패드(148)에 연결된다.The pixel electrode 166 is connected to the drain electrode 146 through the drain electrode contact hole 146 and the gate pad electrode 168 is connected to the gate pad 138 through the gate pad contact hole 164b, The pad electrode 170 is connected to the data pad 148 through the data pad contact hole 164c.

제3하부전극(158), 제1 및 제2보호층(160, 164) 및 제3상부전극(172)은 제3패널커패시터(Cp3)를 구성한다.The third lower electrode 158, the first and second passivation layers 160 and 164 and the third upper electrode 172 constitute a third panel capacitor Cp3.

이상과 같이, 본 발명의 실시예에 따른 터치표시장치(110)에서는, 터치표시패널(110)의 표시영역(DA)의 게이트전극(136), 소스전극(144) 및 드레인전극(146), 터치공통배선(TL), 화소전극(166) 중 적어도 둘과 동일층, 동일물질로 이루어지는 하부전극 및 상부전극과 그 사이의 유전체층을 이용하여 터치표시패널(110)의 비표시영역(NDA)에 다수의 안정화 커패시터(Cp1 내지 Cp3)를 형성하고 다수의 안정화 커패시터(Cp1 내지 Cp3)를 인쇄회로기판 또는 연성인쇄회로의 구동집적회로에 연결함으로써, 인쇄회로기판 또는 연성인쇄회로의 여유공간을 확장하여 설계자유도를 향상시킬 수 있으며, 인쇄회로기판 또는 연성인쇄회로에 장착되는 안정화 커패시터(예를 들어 약 1μF, 약 6.3V 내지 약 10V, 약 0.33mm 내지 약 0.35mm의 안정화 커패시터)를 생략하여 제조비용을 절감할 수 있다. As described above, in the touch display device 110 according to the embodiment of the present invention, the gate electrode 136, the source electrode 144 and the drain electrode 146 of the display area DA of the touch display panel 110, Display area NDA of the touch display panel 110 by using the same layer as at least two of the touch common wiring TL and the pixel electrode 166, the lower electrode and the upper electrode made of the same material, and the dielectric layer therebetween. A plurality of stabilization capacitors Cp1 to Cp3 are formed and a plurality of stabilization capacitors Cp1 to Cp3 are connected to a printed circuit board or a driving integrated circuit of the flexible printed circuit to enlarge the free space of the printed circuit board or the flexible printed circuit (For example, a stabilizing capacitor of about 1 μF, about 6.3 V to about 10 V, a stabilizing capacitor of about 0.33 mm to about 0.35 mm) mounted on a printed circuit board or a flexible printed circuit can be omitted, To save The.

그리고, 인쇄회로기판 또는 연성인쇄회로에 장착되는 안정화 커패시터를 생략함으로써, 터치데이터구동부(122)의 인쇄회로기판 또는 연성인쇄회로의 크기를 감소시켜 터치표시장치(110)가 적용되는 휴대용 단말기의 배터리용 공간을 확장할 수 있으며, 그 결과 휴대용 단말기의 사용시간을 증가시킬 수 있다.The size of the printed circuit board or the flexible printed circuit of the touch data driver 122 may be reduced by omitting the stabilizing capacitor mounted on the printed circuit board or the flexible printed circuit so that the battery of the portable terminal to which the touch display device 110 is applied So that the use time of the portable terminal can be increased.

도 2의 실시예에서는 제1패널커패시터(Cp1)를 제1하부전극(140), 층간절연층(142) 및 제1상부전극(150)으로 구성하고, 제2패널커패시터(Cp2)는 제2하부전극(152), 평탄화층(154) 및 제2상부전극(156)으로 구성하고, 제3패널커패시터(Cp3)를 제3하부전극(158), 제1 및 제2보호층(160, 164) 및 제3상부전극(172)으로 구성하는 것을 예로 들었으나, 다른 실시예에서는 제1하부전극(140), 층간절연층(142) 및 평탄화층(154) 및 제1하부전극(140)에 중첩되는 제2상부전극(156)으로 별도의 패널커패시터를 구성하거나, 제1하부전극(140), 층간절연층(142), 평탄화층(154) 및 제1 및 제2보호층(160, 164) 및 제1하부전극(140)에 중첩되는 제3상부전극(172)으로 별도의 패널커패시터를 구성하거나, 제2하부전극(152), 평탄화층(154) 및 제1 및 제2보호층(160, 164) 및 제2하부전극(152)에 중첩되는 제3상부전극(172)으로 별도의 패널커패시터를 구성할 수도 있다. 2, the first panel capacitor Cp1 is composed of the first lower electrode 140, the interlayer insulating layer 142, and the first upper electrode 150, and the second panel capacitor Cp2 is formed of the second The third panel capacitor Cp3 is composed of the third lower electrode 158 and the first and second passivation layers 160 and 164 And the third upper electrode 172. In another embodiment, the first lower electrode 140, the interlayer insulating layer 142, the planarization layer 154, and the first lower electrode 140 The second upper electrode 156 may be formed as a separate panel capacitor or the first lower electrode 140, the interlayer insulating layer 142, the planarization layer 154 and the first and second passivation layers 160 and 164 And the third upper electrode 172 overlapped with the first lower electrode 140 or the second lower electrode 152 and the planarization layer 154 and the first and second protection layers 160 and 164 and a third upper electrode 172 overlapping the second lower electrode 152, As it may be formed separately of the panel capacitor.

이러한 터치표시장치(110)용 어레이기판의 제조방법을 도면을 참조하여 설명한다.A manufacturing method of the array substrate for the touch display device 110 will be described with reference to the drawings.

도 3a 내지 도 3h은 본 발명의 실시예에 따른 터치표시장치용 어레이기판의 제조방법을 설명하기 위한 도면으로, 도 1 및 도 2를 함께 참조하여 설명한다. 3A to 3H are views for explaining a method of manufacturing an array substrate for a touch display device according to an embodiment of the present invention, and will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG.

도 3a에 도시한 바와 같이, 반도체물질의 증착공정 및 노광식각공정(photolithographic process)을 통하여, 기판(130) 상부의 표시영역(DA)의 화소(P)에 반도체층(132)을 형성하고, 반도체층(132) 상부의 기판(130) 전면에 게이트절연층(134)을 형성한다.3A, a semiconductor layer 132 is formed on a pixel P in a display area DA above a substrate 130 through a deposition process of a semiconductor material and a photolithographic process, A gate insulating layer 134 is formed on the entire surface of the substrate 130 above the semiconductor layer 132.

이후, 금속물질의 증착공정 및 노광식각공정을 통하여, 반도체층(132)에 대응되는 게이트절연층(134) 상부에 게이트전극(136)을 형성하고, 비표시영역(DA)의 게이트절연층(134) 상부에 게이트패드(138) 및 제1하부전극(140)을 형성한다.A gate electrode 136 is formed on the gate insulating layer 134 corresponding to the semiconductor layer 132 through a process of depositing a metal material and a process of etching and exposing the gate insulating layer 134 A gate pad 138 and a first lower electrode 140 are formed.

도 3b에 도시한 바와 같이, 무기절연물질 또는 유기절연물질의 증착공정 및 노광식각공정을 통하여, 게이트전극(136), 게이트패드(138) 및 제1하부전극(140) 상부의 기판(130) 전면에 반도체층(132)의 소스영역 및 드레인영역을 노출하는 소스콘택홀(142a) 및 드레인콘택홀(142b)을 갖는 층간절연층(142)을 형성한다.The gate pad 136, the gate pad 138, and the substrate 130 on the first lower electrode 140 are formed through a process of depositing an inorganic insulating material or an organic insulating material and an exposure and etching process, An interlayer insulating layer 142 having a source contact hole 142a and a drain contact hole 142b exposing the source region and the drain region of the semiconductor layer 132 is formed on the entire surface.

도 3c에 도시한 바와 같이, 금속물질의 증착공정 및 노광식각공정을 통하여, 표시영역(DA)의 화소(P)의 층간절연층(142) 상부에 소스콘택홀(142a) 및 드레인콘택홀(142b)을 통하여 반도체층(132)의 소스영역 및 드레인영역에 각각 연결되는 소스전극(144) 및 드레인전극(146)을 형성하고, 비표시영역(NDA)의 층간절연층(142) 상부에 데이터패드(148) 및 제2하부전극(152)을 형성하고, 제1하부전극(140)에 대응되는 층간절연층(142) 상부에 제1상부전극(150)을 형성한다.A source contact hole 142a and a drain contact hole 142b are formed on the interlayer insulating layer 142 of the pixel P of the display area DA through a metal material deposition process and an exposure and etching process, A source electrode 144 and a drain electrode 146 which are respectively connected to the source region and the drain region of the semiconductor layer 132 are formed through the insulating layers 142a and 142b, The pad 148 and the second lower electrode 152 are formed and the first upper electrode 150 is formed on the interlayer insulating layer 142 corresponding to the first lower electrode 140.

제1하부전극(140), 층간절연층(142) 및 제1상부전극(150)은 제1패널커패시터(Cp1)를 구성한다.The first lower electrode 140, the interlayer insulating layer 142, and the first upper electrode 150 constitute a first panel capacitor Cp1.

도 3d에 도시한 바와 같이, 무기절연물질 또는 유기절연물질의 증착공정을 통하여, 소스전극(144), 드레인전극(146), 데이터패드(148), 제1상부전극(150) 및 제2하부전극(152) 상부의 기판(130) 전면에 평탄화층(154)을 형성한다.The source electrode 144, the drain electrode 146, the data pad 148, the first upper electrode 150, and the second lower electrode 150 are formed through a process of depositing an inorganic insulating material or an organic insulating material, A planarization layer 154 is formed on the entire surface of the substrate 130 above the electrode 152.

이후, 금속물질의 증착공정 및 노광식각공정을 통하여, 평탄화층(154) 상부의 표시영역(DA)의 화소(P)에 터치공통배선(TL)을 형성하고, 제2하부전극(152)에 대응되는 평탄화층(154) 상부에 제2상부전극(156)을 형성하고, 평탄화층(154) 상부의 비표시영역(NDA)에 제3하부전극(158)을 형성한다.A touch common wiring TL is formed on the pixel P in the display area DA above the planarization layer 154 through a metal material deposition process and an exposure etching process and is formed on the second lower electrode 152 A second upper electrode 156 is formed on the corresponding planarization layer 154 and a third lower electrode 158 is formed on the non-display area NDA above the planarization layer 154.

제2하부전극(152), 평탄화층(154) 및 제2상부전극(156)은 제2패널커패시터(Cp2)를 구성한다.The second lower electrode 152, the planarization layer 154, and the second upper electrode 156 constitute a second panel capacitor Cp2.

도 3e에 도시한 바와 같이, 무기절연물질 또는 유기절연물질의 증착공정 및 노광식각공정을 통하여, 터치공통배선(TL), 제2상부전극(156) 및 제3하부전극(158) 상부의 기판(130) 전면에 터치공통배선(TL)을 노출하는 터치공통 콘택홀(160a)을 갖는 제1보호층(160)을 형성한다. The second upper electrode 156 and the third lower electrode 158 are formed through a process of depositing an inorganic insulating material or an organic insulating material and an exposure and etching process as shown in FIG. The first passivation layer 160 having the touch common contact hole 160a exposing the touch common line TL is formed on the entire surface of the first insulating layer 130.

도 3f에 도시한 바와 같이, 금속물질 또는 투명도전물질의 증착공정 및 노광식각공정을 통하여, 표시영역(DA)의 화소(P)의 제1보호층(160) 상부에 터치공통 콘택홀(160a)을 통하여 터치공통배선(TL)에 연결되는 터치공통전극(162)을 형성한다.A touch common contact hole 160a is formed on the first passivation layer 160 of the pixel P of the display area DA through a process of depositing a metal material or a transparent conductive material and an exposure etch process, To form a touch common electrode 162 connected to the touch common wiring TL.

도 3g에 도시한 바와 같이, 무기절연물질 또는 유기절연물질의 증착공정 및 노광식각공정을 통하여, 터치공통전극(162) 상부의 기판(130) 전면에 제2보호층(164)을 형성하는데, 제2보호층(164), 제1보호층(160) 및 평탄화층(154)은 드레인전극(146)을 노출하는 드레인전극 콘택홀(164a)과 데이터패드(148)를 노출하는 데이터패드 콘택홀(164c)을 갖고, 제2보호층(164), 제1보호층(160), 평탄화층(154) 및 층간절연층(142)은 게이트패드(138)를 노출하는 게이트패드 콘택홀(164b)을 갖는다.3G, the second passivation layer 164 is formed on the entire surface of the substrate 130 above the touch common electrode 162 through a process of depositing an inorganic insulating material or an organic insulating material and an exposure etch process. In this case, The second passivation layer 164, the first passivation layer 160 and the planarization layer 154 are formed on the drain electrode contact hole 164a exposing the drain electrode 146 and the data pad contact hole 164a exposing the data pad 148. [ The first passivation layer 160, the planarization layer 154 and the interlayer insulating layer 142 have a gate pad contact hole 164b exposing the gate pad 138. The second passivation layer 164, the first passivation layer 160, Respectively.

도 3h에 도시한 바와 같이, 금속물질 또는 투명도전물질의 증착공정 및 노광식각공정을 통하여, 표시영역(DA)의 화소(P)의 제2보호층(164) 상부에 화소전극(166)을 형성하고, 게이트패드(138), 데이터패드(148) 및 제3하부전극(158)에 대응되는 제2보호층(164) 상부에 각각 게이트패드전극(168), 데이터패드전극(170) 및 제3상부전극(172)을 형성한다.A pixel electrode 166 is formed on the second protective layer 164 of the pixel P of the display area DA through a deposition process and an exposure and etching process of a metal material or a transparent conductive material, And a gate pad electrode 168, a data pad electrode 170, and a gate electrode 168 are formed on the second passivation layer 164 corresponding to the gate pad 138, the data pad 148 and the third lower electrode 158, respectively. 3 upper electrode 172 are formed.

화소전극(166)은 드레인전극 콘택홀(146)을 통하여 드레인전극(146)에 연결되고, 게이트패드전극(168)은 게이트패드 콘택홀(164b)을 통하여 게이트패드(138)에 연결되고, 데이터패드전극(170)은 데이터패드 콘택홀(164c)을 통하여 데이터패드(148)에 연결된다.The pixel electrode 166 is connected to the drain electrode 146 through the drain electrode contact hole 146 and the gate pad electrode 168 is connected to the gate pad 138 through the gate pad contact hole 164b, The pad electrode 170 is connected to the data pad 148 through the data pad contact hole 164c.

제3하부전극(158), 제1 및 제2보호층(160, 164) 및 제3상부전극(172)은 제3패널커패시터(Cp3)를 구성한다.The third lower electrode 158, the first and second passivation layers 160 and 164 and the third upper electrode 172 constitute a third panel capacitor Cp3.

이상과 같이, 본 발명의 실시예에 따른 터치표시장치(110)에서는, 터치표시패널(110)의 표시영역(DA)의 게이트전극(136), 소스전극(144) 및 드레인전극(146), 터치공통배선(TL), 화소전극(166) 중 적어도 둘과 동일공정을 통하여 동일층, 동일물질로 이루어지는 하부전극 및 상부전극과 그 사이의 유전체층을 이용하여 터치표시패널(110)의 비표시영역(NDA)에 다수의 안정화 커패시터(Cp1 내지 Cp3)를 형성하고 다수의 안정화 커패시터(Cp1 내지 Cp3)를 인쇄회로기판 또는 연성인쇄회로의 구동집적회로에 연결함으로써, 인쇄회로기판 또는 연성인쇄회로의 여유공간을 확장하여 설계자유도를 향상시킬 수 있으며, 인쇄회로기판 또는 연성인쇄회로에 장착되는 안정화 커패시터(예를 들어 약 1μF, 약 6.3V 내지 약 10V, 약 0.33mm 내지 약 0.35mm의 안정화 커패시터)를 생략하여 제조비용을 절감할 수 있다. As described above, in the touch display device 110 according to the embodiment of the present invention, the gate electrode 136, the source electrode 144 and the drain electrode 146 of the display area DA of the touch display panel 110, Display area 110 of the touch display panel 110 by using the same layer, lower electrode and upper electrode made of the same material and a dielectric layer therebetween through the same process as at least two of the touch common line TL and the pixel electrode 166. [ By forming a plurality of stabilization capacitors Cp1 to Cp3 in the NDA and connecting the plurality of stabilization capacitors Cp1 to Cp3 to the printed circuit board or the driving integrated circuit of the flexible printed circuit, (For example, stabilizing capacitors of about 1 μF, about 6.3 V to about 10 V, about 0.33 mm to about 0.35 mm) mounted on a printed circuit board or a flexible printed circuit Manufacture by omission The cost can be reduced.

그리고, 인쇄회로기판 또는 연성인쇄회로에 장착되는 안정화 커패시터를 생략함으로써, 터치데이터구동부(122)의 인쇄회로기판 또는 연성인쇄회로의 크기를 감소시켜 터치표시장치(110)가 적용되는 휴대용 단말기의 배터리용 공간을 확장할 수 있으며, 그 결과 휴대용 단말기의 사용시간을 증가시킬 수 있다.The size of the printed circuit board or the flexible printed circuit of the touch data driver 122 may be reduced by omitting the stabilizing capacitor mounted on the printed circuit board or the flexible printed circuit so that the battery of the portable terminal to which the touch display device 110 is applied So that the use time of the portable terminal can be increased.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. It can be understood that

110: 터치표시장치 120: 타이밍제어부
122: 터치데이터구동부 124: 게이트구동부
126: 터치표시패널 138: 게이트패드
148: 데이터패드
Cp1, Cp2, Cp3: 제1, 제2 및 제3패널커패시터
110: touch display device 120: timing control unit
122: touch data driver 124: gate driver
126: touch display panel 138: gate pad
148: Data Pad
Cp1, Cp2, Cp3: first, second and third panel capacitors

Claims (10)

화소를 포함하는 표시영역과 상기 표시영역 주변의 비표시영역을 포함하는 기판과;
상기 기판 상부에 배치되고, 서로 교차하여 상기 화소를 정의하는 게이트배선, 데이터배선 및 터치공통배선과;
상기 게이트배선 및 상기 데이터배선에 연결되고, 반도체층, 게이트전극, 소스전극 및 드레인전극을 포함하는 박막트랜지스터와;
상기 터치공통배선에 연결되는 터치공통전극과;
상기 박막트랜지스터에 연결되는 화소전극과;
상기 기판 상부의 상기 비표시영역에 배치되고, 각각이 상기 게이트전극, 상기 소스전극 및 상기 드레인전극, 상기 터치공통배선, 상기 화소전극 중 둘과 동일층, 동일물질로 이루어지는 상부전극 및 하부전극을 포함하는 다수의 패널커패시터
를 포함하는 터치표시장치용 어레이기판.
A substrate including a display region including pixels and a non-display region around the display region;
A gate wiring, a data wiring, and a touch common wiring which are disposed on the substrate and define the pixel intersecting with each other;
A thin film transistor connected to the gate wiring and the data wiring, the thin film transistor including a semiconductor layer, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode;
A touch common electrode connected to the touch common wiring;
A pixel electrode connected to the thin film transistor;
A source electrode and a drain electrode, a touch common wiring, the same layer as two of the pixel electrodes, an upper electrode made of the same material, and a lower electrode arranged in the non-display region above the substrate, Including a plurality of panel capacitors
And an array substrate for a touch display device.
제 1 항에 있어서,
상기 반도체층과 상기 게이트전극 사이에는 게이트절연층이 배치되고,
상기 게이트전극과 상기 소스전극 및 상기 드레인전극 사이에는 층간절연층이 배치되고,
상기 소스전극 및 상기 드레인전극과 상기 터치공통배선 사이에는 평탄화층이 배치되고,
상기 터치공통배선과 상기 터치공통전극 사이에는 제1보호층이 배치되고,
상기 터치공통전극과 상기 화소전극 사이에는 제2보호층이 배치되는 터치표시장치용 어레이기판.
The method according to claim 1,
A gate insulating layer is disposed between the semiconductor layer and the gate electrode,
An interlayer insulating layer is disposed between the gate electrode and the source electrode and the drain electrode,
A planarization layer is disposed between the source electrode and the drain electrode and the touch common wiring,
A first protective layer is disposed between the touch common wiring and the touch common electrode,
And a second protective layer is disposed between the touch common electrode and the pixel electrode.
제 2 항에 있어서,
상기 다수의 패널커패시터는,
상기 게이트전극과 동일층, 동일물질로 이루어지는 제1하부전극과, 상기 층간절연층과, 상기 소스전극 및 상기 드레인전극과 동일층, 동일물질로 이루어지는 제1상부전극으로 구성되는 제1패널커패시터와;
상기 소스전극 및 상기 드레인전극과 동일층, 동일물질로 이루어지는 제2하부전극과, 상기 평탄화층과, 상기 터치공통배선과 동일층, 동일물질로 이루어지는 제2상부전극으로 구성되는 제2패널커패시터와;
상기 터치공통배선과 동일층, 동일물질로 이루어지는 제3하부전극과, 상기 제1 및 제2보호층과, 상기 화소전극과 동일층, 동일물질로 이루어지는 제3상부전극으로 구성되는 제3패널커패시터
를 포함하는 터치표시장치용 어레이기판.
3. The method of claim 2,
The plurality of panel capacitors include:
A first lower electrode formed of the same layer and the same material as the gate electrode, the first lower electrode formed of the same layer as the source electrode and the drain electrode and the first upper electrode made of the same material, ;
A second lower electrode formed of the same material as the source electrode and the drain electrode and made of the same material; a second panel capacitor composed of the planarization layer and a second upper electrode formed of the same layer and the same material as the touch common wiring; ;
A third lower electrode formed of the same layer and the same material as the touch common interconnection, and a third upper electrode composed of the first and second passivation layers and a third upper electrode made of the same layer and the same material as the pixel electrode,
And an array substrate for a touch display device.
제 3 항에 있어서,
상기 기판의 상기 비표시영역에 배치되고, 상기 게이트배선에 연결되고, 상기 게이트전극과 동일층, 동일물질로 이루어지는 게이트패드와;
상기 제2보호층 상부에 배치되고, 상기 게이트패드에 연결되고, 상기 화소전극과 동일층, 동일물질로 이루어지는 게이트패드전극과;
상기 기판의 상기 비표시영역에 배치되고, 상기 데이터배선에 연결되고, 상기 소스전극 및 상기 드레인전극과 동일층, 동일물질로 이루어지는 데이터패드와;
상기 제2보호층 상부에 배치되고, 상기 데이터패드에 연결되고, 상기 화소전극과 동일층, 동일물질로 이루어지는 데이터패드전극
을 더 포함하는 터치표시장치용 어레이기판.
The method of claim 3,
A gate pad disposed in the non-display region of the substrate and connected to the gate wiring, the gate pad being formed of the same layer and the same material as the gate electrode;
A gate pad electrode disposed on the second passivation layer and connected to the gate pad, the gate pad electrode being formed of the same layer and the same material as the pixel electrode;
A data pad disposed in the non-display region of the substrate and connected to the data line, the data pad being formed of the same layer and the same material as the source electrode and the drain electrode;
And a data pad electrode disposed on the second passivation layer and connected to the data pad,
Further comprising: an array substrate for a touch display device;
제 1 항에 있어서,
상기 다수의 패널커패시터는 상기 데이터배선에 데이터전압을 공급하는 터치데이터구동부에 연결되는 터치표시장치용 어레이기판.
The method according to claim 1,
Wherein the plurality of panel capacitors are connected to a touch data driver for supplying a data voltage to the data lines.
제 1 항에 있어서,
상기 기판의 상기 비표시영역에 배치되고, 상기 게이트배선에 게이트전압을 공급하는 게이트구동부를 더 포함하는 터치표시장치용 어레이기판.
The method according to claim 1,
And a gate driver arranged in the non-display region of the substrate and supplying a gate voltage to the gate wiring.
표시영역과 비표시영역을 포함하는 기판 상부에 서로 교차하여 화소를 정의하는 게이트배선, 데이터배선 및 터치공통배선을 형성하는 단계와;
상기 게이트배선 및 상기 데이터배선에 연결되고, 반도체층, 게이트전극, 소스전극 및 드레인전극을 포함하는 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;
상기 터치공통배선에 연결되는 터치공통전극을 형성하는 단계와;
상기 박막트랜지스터에 연결되는 화소전극을 형성하는 단계와;
상기 기판 상부의 상기 비표시영역에, 각각이 상기 게이트전극, 상기 소스전극 및 상기 드레인전극, 상기 터치공통배선, 상기 화소전극 중 둘과 동일층, 동일물질로 이루어지는 상부전극 및 하부전극을 포함하는 다수의 패널커패시터를 형성하는 단계
를 포함하는 터치표시장치용 어레이기판의 제조방법.
Forming gate wirings, data wirings, and touch common wirings that intersect with each other and define pixels on a substrate including a display region and a non-display region;
Forming a thin film transistor connected to the gate wiring and the data wiring, the thin film transistor including a semiconductor layer, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode;
Forming a touch common electrode connected to the touch common wiring;
Forming a pixel electrode connected to the thin film transistor;
The source electrode and the drain electrode, the touch common wiring, the same layer as the two of the pixel electrode, the upper electrode made of the same material, and the lower electrode, in the non-display region above the substrate Forming a plurality of panel capacitors
And forming a pattern on the substrate.
제 7 항에 있어서,
상기 반도체층과 상기 게이트전극 사이에 게이트절연층을 형성하는 단계와;
상기 게이트전극과 상기 소스전극 및 상기 드레인전극 사이에 층간절연층을 형성하는 단계와;
상기 소스전극 및 상기 드레인전극과 상기 터치공통배선 사이에 평탄화층을 형성하는 단계와;
상기 터치공통배선과 상기 터치공통전극 사이에 제1보호층을 형성하는 단계와;
상기 터치공통전극과 상기 화소전극 사이에 제2보호층을 형성하는 단계
를 더 포함하는 터치표시장치용 어레이기판의 제조방법.
8. The method of claim 7,
Forming a gate insulating layer between the semiconductor layer and the gate electrode;
Forming an interlayer insulating layer between the gate electrode, the source electrode, and the drain electrode;
Forming a planarization layer between the source electrode and the drain electrode and the touch common wiring;
Forming a first protective layer between the touch common wiring and the touch common electrode;
Forming a second passivation layer between the touch common electrode and the pixel electrode
The method comprising the steps of:
제 8 항에 있어서,
상기 다수의 패널커패시터를 형성하는 단계는,
상기 게이트전극과 동일층, 동일물질로 이루어지는 제1하부전극과, 상기 층간절연층과, 상기 소스전극 및 상기 드레인전극과 동일층, 동일물질로 이루어지는 제1상부전극으로 구성되는 제1패널커패시터를 형성하는 단계와;
상기 소스전극 및 상기 드레인전극과 동일층, 동일물질로 이루어지는 제2하부전극과, 상기 평탄화층과, 상기 터치공통배선과 동일층, 동일물질로 이루어지는 제2상부전극으로 구성되는 제2패널커패시터를 형성하는 단계와;
상기 터치공통배선과 동일층, 동일물질로 이루어지는 제3하부전극과, 상기 제1 및 제2보호층과, 상기 화소전극과 동일층, 동일물질로 이루어지는 제3상부전극으로 구성되는 제3패널커패시터를 형성하는 단계
를 포함하는 터치표시장치용 어레이기판의 제조방법.
9. The method of claim 8,
Wherein forming the plurality of panel capacitors comprises:
A first lower electrode formed of the same layer and the same material as the gate electrode, the first interlayer insulating layer, and a first upper electrode composed of the same layer as the source electrode and the drain electrode and made of the same material ; ≪ / RTI >
A second lower electrode made of the same material as the source electrode and the drain electrode and made of the same material; and a second panel capacitor composed of the planarization layer and a second upper electrode formed of the same layer and the same material as the touch common wiring, ; ≪ / RTI >
A third lower electrode formed of the same layer and the same material as the touch common interconnection, and a third upper electrode composed of the first and second passivation layers and a third upper electrode made of the same layer and the same material as the pixel electrode, forming
And forming a pattern on the substrate.
제 9 항에 있어서,
상기 기판의 상기 비표시영역에 배치되고, 상기 게이트배선에 연결되고, 상기 게이트전극과 동일층, 동일물질로 이루어지는 게이트패드를 형성하는 단계와;
상기 제2보호층 상부에 배치되고, 상기 게이트패드에 연결되고, 상기 화소전극과 동일층, 동일물질로 이루어지는 게이트패드전극을 형성하는 단계와;
상기 기판의 상기 비표시영역에 배치되고, 상기 데이터배선에 연결되고, 상기 소스전극 및 상기 드레인전극과 동일층, 동일물질로 이루어지는 데이터패드를 형성하는 단계와;
상기 제2보호층 상부에 배치되고, 상기 데이터패드에 연결되고, 상기 화소전극과 동일층, 동일물질로 이루어지는 데이터패드전극을 형성하는 단계
를 더 포함하는 터치표시장치용 어레이기판의 제조방법.
10. The method of claim 9,
Forming a gate pad, which is disposed in the non-display area of the substrate and is connected to the gate wiring, and which is formed of the same layer and the same material as the gate electrode;
Forming a gate pad electrode disposed on the second passivation layer and connected to the gate pad, the gate pad electrode being formed of the same layer and the same material as the pixel electrode;
Forming a data pad disposed in the non-display area of the substrate and connected to the data line, the data pad being formed of the same layer and the same material as the source electrode and the drain electrode;
Forming a data pad electrode disposed on the second passivation layer and connected to the data pad, the data pad electrode being the same layer and the same material as the pixel electrode;
The method comprising the steps of:
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