KR20190069952A - Display apparatus - Google Patents
Display apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- KR20190069952A KR20190069952A KR1020170170338A KR20170170338A KR20190069952A KR 20190069952 A KR20190069952 A KR 20190069952A KR 1020170170338 A KR1020170170338 A KR 1020170170338A KR 20170170338 A KR20170170338 A KR 20170170338A KR 20190069952 A KR20190069952 A KR 20190069952A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- insulating layer
- electrode
- layer
- active layer
- region
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H01L27/3262—
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
-
- H01L27/3258—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
Abstract
Description
본 명세서는 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 복수의 박막 트랜지스터가 상이한 반도체로 형성된 표시 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display device, and more particularly to a display device in which a plurality of thin film transistors are formed of different semiconductors.
최근, 본격적인 정보화 시대로 접어듦에 따라 전기적 정보 신호를 시각적으로 표현하는 디스플레이 분야가 급속도로 발전해 왔고, 이에 부응하여 박형화, 경량화, 저 소비전력화의 우수한 성능을 지닌 여러 가지 다양한 표시 장치(Display Apparatus)가 개발되고 있다.In recent years, the display field has been rapidly developed to represent an electrical information signal visually as the information age becomes a full-fledged information age. In response to this, various display apparatuses having excellent performance such as thinning, light weight, Is being developed.
이와 같은 표시 장치의 구체적인 예로는 액정 표시 장치(LCD), 그리고 유기 발광 표시 장치(OLED) 및 퀀텀닷 발광 표시 장치 (QLED)와 같은 전계 발광 표시 장치(Electroluminescence Display)등을 들 수 있다. Specific examples of such a display device include a liquid crystal display (LCD), an electroluminescence display such as an organic light emitting display (OLED) and a quantum dot light emitting display (QLED), and the like.
표시 장치는 영상을 표시하기 위한 표시 영역을 포함한다. 표시 영역의 화소 회로 및 구동 회로에는 복수의 박막 트랜지스터가 위치하여 복수의 화소에 배치된 소자를 구동시킨다. 복수의 박막 트랜지스터를 증착하는 과정은 다수의 층을 관통하는 홀을 형성하는 과정이 포함되며, 홀을 형성하는 과정에서 반도체 소자가 손상될 수 있다. 예를 들면, 서로 다른 깊이의 홀을 통해 노출되는 반도체 소자를 생성하는 과정에서 상대적으로 얕은 홀을 통해 노출되는 반도체 소자가 손상될 수 있다. 공정 과정에서의 홀을 통해 노출되는 반도체 소자의 표면 손상은 소자의 구동성능을 감소시키고, 표시 장치의 신뢰성이 낮아지는 문제가 된다.The display device includes a display area for displaying an image. A plurality of thin film transistors are placed in the pixel circuit and the driving circuit of the display region to drive elements arranged in a plurality of pixels. The process of depositing a plurality of thin film transistors includes a process of forming holes passing through a plurality of layers, and the semiconductor device may be damaged in the process of forming the holes. For example, semiconductor devices exposed through relatively shallow holes may be damaged in the process of creating semiconductor devices exposed through holes of different depths. Damage to the surface of the semiconductor device exposed through the hole in the process decreases the driving performance of the device and lowers the reliability of the display device.
본 명세서의 발명자는 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 복수의 박막 트랜지스터를 서로 상이한 반도체로 형성함으로써 화소의 동작 특성을 개선할 수 있다는 점을 인지하였다. The inventors of the present invention have recognized that in the method of manufacturing a display device, the operational characteristics of a pixel can be improved by forming a plurality of thin film transistors from different semiconductors.
이에 본 명세서의 발명자는 복수의 박막 트랜지스터를 서로 상이한 반도체로 형성하기 위하여, 복수의 박막 트랜지스터의 반도체 각각을 서로 상이한 층에 형성하면서도, 반도체 소자들의 손상을 최소화할 수 있는 표시 장치를 발명하였다.The inventors of the present invention have invented a display device capable of minimizing damage to semiconductor elements while forming a plurality of thin film transistors in different layers from each other in order to form a plurality of thin film transistors with different semiconductors.
이에, 본 명세서가 해결하고자 하는 과제는 복수개의 박막 트랜지스터를 상이한 반도체 물질로 형성하여 표시 장치 제조 시에, 반도체 소자들의 손상이 감소된 박막 트랜지스터 및 표시 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide a thin film transistor and a display device in which a plurality of thin film transistors are formed of different semiconductor materials to reduce the damage of semiconductor devices in manufacturing a display device.
본 명세서의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
본 명세서의 실시예에 따른 표시장치는, 버퍼층 상에 배치되며 제1 반도체 물질로 이루어진 제1 액티브 층, 제1 게이트 절연층을 사이에 두고 제1 액티브 층과 중첩하는 제1 게이트 전극, 제1 게이트 전극 상의 제1 층간 절연층, 및 제1 층간 절연층상에 배치되고 제1 액티브 층과 전기적으로 연결되는 제1 소스 전극 및 제1 드레인 전극을 포함하는 제1 박막 트랜지스터, 제1 박막 트랜지스터 상의 분리 절연층, 분리 절연층 상에 배치되며 제 1 반도체 물질과는 상이한 제2 반도체 물질로 이루어진 제2 액티브층, 제2 게이트 절연층을 사이에 두고 제2 액티브층과 중첩하는 제2 게이트 전극, 및 제2 액티브층과 연결되는 제2 소스 전극 및 제2 드레인 전극을 포함하는 제2 박막 트랜지스터, 및 버퍼층, 제1 게이트 절연층, 및 제1 층간 절연층 중 적어도 하나의 층은 제2 게이트 전극과 중첩하는 영역이 제거된 오프닝부를 포함할 수 있다. A display device according to an embodiment of the present invention includes a first active layer disposed on a buffer layer and made of a first semiconductor material, a first gate electrode overlapping a first active layer with a first gate insulating layer interposed therebetween, A first thin film transistor including a first interlayer insulating layer on the gate electrode and a first source electrode and a first drain electrode disposed on the first interlayer insulating layer and electrically connected to the first active layer, A second active layer disposed on the isolation insulating layer and made of a second semiconductor material different from the first semiconductor material, a second gate electrode overlapping the second active layer with the second gate insulating layer interposed therebetween, A second thin film transistor including a second source electrode and a second drain electrode connected to the second active layer, and at least one of a buffer layer, a first gate insulating layer, and a first interlayer insulating layer, And an opening portion in which a region overlapping the two gate electrodes is removed.
본 명세서의 실시예에 따른 표시장치는, 제1 반도체 물질로 이루어진 제1 액티브 층, 제1 게이트 절연층을 사이에 두고 제1 액티브 층과 중첩하는 제1 게이트 전극, 제1 액티브 층과 전기적으로 연결되는 제1 소스 전극 및 제1 드레인 전극을 포함하는 제1 박막 트랜지스터, 제2 채널영역, 제2 소스영역, 및 제2 드레인영역을 포함하고 제 1 반도체 물질과는 상이한 제2 반도체 물질로 이루어진 제2 액티브층, 제2 게이트 절연층을 사이에 두고 제2 액티브층의 제2 채널영역과 중첩하는 제2 게이트 전극, 및 제2 액티브층의 제2 소스영역 및 제2 드레인영역과 각각 연결되는 제2 소스 전극 및 제2 드레인 전극을 포함하는 제2 박막 트랜지스터, 제1 박막 트랜지스터 및 제2 박막 트랜지스터 사이에 배치되는 분리 절연층, 및 분리 절연층 하부에 배치되며 제2 소스 영역 및 제2 드레인 영역과 각각 중첩하는 제1 돌출패턴 및 제2 돌출패턴을 포함할 수 있다. A display device according to an embodiment of the present invention includes a first active layer made of a first semiconductor material, a first gate electrode overlapping a first active layer with a first gate insulating layer therebetween, a first gate electrode electrically connected to the first active layer, A second channel region, a second source region, and a second drain region, the first thin film transistor including a first source electrode and a first drain electrode connected to the first thin film transistor, the second thin film transistor comprising a second semiconductor material A second active layer, a second gate electrode overlying the second channel region of the second active layer with a second gate insulating layer therebetween, and a second gate electrode overlying the second source region and the second drain region of the second active layer, A second insulating layer disposed between the second thin film transistor, the first thin film transistor and the second thin film transistor including the second source electrode and the second drain electrode, and a second source region The may include a first protrusion patterns and second protrusion patterns to overlap with the drain region 2, respectively.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.The details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.
본 명세서는 서로 다른 반도체 물질을 포함하는 박막 트랜지스터를 배치함으로써, 표시 장치의 신뢰성이 향상될 수 있다.By placing a thin film transistor including different semiconductor materials in this specification, the reliability of the display device can be improved.
그리고, 본 명세서는 서로 다른 반도체 물질을 포함하는 박막 트랜지스터를 형성함에 있어서, 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 중첩하며 액티브 층 하부에 배치되는 복수의 절연층 중 적어도 하나의 절연층을 제거함으로써, 박막 트랜지스터의 게이트 전극에 의한 단차를 줄여 박막 트랜지스터의 손상을 방지할 수 있다. In this specification, in forming a thin film transistor including different semiconductor materials, by removing at least one insulating layer among a plurality of insulating layers superimposed on the gate electrode of the thin film transistor and disposed under the active layer, It is possible to reduce the level difference caused by the gate electrode, thereby preventing damage to the thin film transistor.
그리고, 본 명세서는 서로 다른 반도체 물질을 포함하는 박막 트랜지스터를 형성함에 있어서, 박막 트랜지스터의 액티브층의 소스 및 드레인 영역 하부에 돌출 패턴이 중첩되도록 배치함으로써, 박막 트랜지스터의 게이트 전극에 의한 단차를 줄여 박막 트랜지스터의 손상을 방지할 수 있다.In this specification, in forming a thin film transistor including a different semiconductor material, by disposing a protruding pattern so as to overlap the source and drain regions of the active layer of the thin film transistor, the step by the gate electrode of the thin film transistor is reduced, The damage of the transistor can be prevented.
본 명세서에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.The effects according to the present specification are not limited by the contents exemplified above, and a more various effects are included in the specification.
도 1은 본 명세서의 실시예에 따른 표시장치를 도시한 단면도이다.
도 2는 본 명세서의 다른 실시예에 따른 표시장치를 도시한 단면도이다.
도 3은 본 명세서의 다른 실시예에 따른 표시장치를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a display device according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view illustrating a display device according to another embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view showing a display device according to another embodiment of the present invention.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention and the manner of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. The shapes, sizes, ratios, angles, numbers, and the like disclosed in the drawings for describing the embodiments of the present invention are illustrative, and thus the present invention is not limited thereto. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail. Where the terms "comprises", "having", "done", and the like are used in this specification, other portions may be added unless "only" is used. Unless the context clearly dictates otherwise, including the plural unless the context clearly dictates otherwise.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the constituent elements, it is construed to include the error range even if there is no separate description.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다. In the case of a description of the positional relationship, for example, if the positional relationship between two parts is described as 'on', 'on top', 'under', and 'next to' Or " direct " is not used, one or more other portions may be located between the two portions.
소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위 (on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.An element or layer is referred to as being another element or layer "on ", including both intervening layers or other elements directly on or in between.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.Although the first, second, etc. are used to describe various components, these components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one component from another. Therefore, the first component mentioned below may be the second component within the technical spirit of the present invention.
명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.
도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.The sizes and thicknesses of the individual components shown in the figures are shown for convenience of explanation and the present invention is not necessarily limited to the size and thickness of the components shown.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하며, 당업자가 충분히 이해할 수 있듯이 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시 가능할 수도 있다.It is to be understood that each of the features of the various embodiments of the present invention may be combined or combined with each other partially or entirely and technically various interlocking and driving is possible as will be appreciated by those skilled in the art, It may be possible to cooperate with each other in association.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들을 설명한다.Various embodiments of the present invention will now be described with reference to the accompanying drawings.
본 명세서의 표시 장치는 유기 발광 표시 장치(OLED) 또는 퀀텀닷 발광 표시 장치 (QLED)와 같은 전계 발광 표시 장치(Electroluminescence Display)에 적용될 수 있으나, 이에 제한되지 않으며, 다양한 표시 장치에 적용될 수 있다. 예를 들어, 액정 표시 장치(LCD)에도 적용될 수 있다.The display device of the present invention can be applied to an electroluminescence display device such as an organic light emitting display (OLED) or a quantum dot light emitting display device (QLED), but is not limited thereto and can be applied to various display devices. For example, a liquid crystal display (LCD).
도 1은 본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치를 도시한 단면도이다. 1 is a cross-sectional view illustrating a display device according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치(100)는 기판(110), 버퍼층(111), 제1 박막 트랜지스터(120), 제2 박막 트랜지스터(130), 제1 게이트 절연층(112), 제1 층간 절연층(113), 분리 절연층(114), 제2 게이트 절연층(115), 제2 층간 절연층(116), 보호층(117), 평탄화층(118), 애노드(150), 연결전극(150) 및 뱅크(160)을 포함한다. Referring to FIG. 1, a
기판(110)은 표시 장치(100)의 다양한 구성요소들을 지지한다. 기판(110)은 유리, 또는 플렉서빌리티(flexibility)를 갖는 플라스틱 물질로 이루어질 수 있다. 기판(110)이 플라스틱 물질로 이루어지는 경우, 예를 들어, 폴리이미드(PI)로 이루어질 수도 있다. 기판(110)이 폴리이미드(PI)로 이루어지는 경우, 기판(110) 하부에 유리로 이루어지는 지지 기판이 배치된 상황에서 표시 장치 제조 공정이 진행되고, 표시 장치 제조 공정이 완료된 후 지지 기판이 릴리즈(release)될 수 있다. 또한, 지지 기판이 릴리즈된 후, 기판(110)을 지지하기 위한 백 플레이트(back plate)가 기판(110) 하부에 배치될 수도 있다.The
버퍼층(111)은 기판(110)의 전체 표면 위에 형성될 수 있다. 버퍼층(111)은 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 단일층 또는 이들의 다중층으로 이루어질 수 있다. 버퍼층(111)은 버퍼층(111) 상에 형성되는 층들과 기판(110) 간의 접착력을 향상시키고, 기판(110)으로부터 유출되는 알칼리 성분 등을 차단하는 역할 등을 수행할 수 있다. 그리고, 버퍼층(111)은 필수적인 구성요소는 아니며, 기판(110)의 종류 및 물질, 박막 트랜지스터의 구조 및 타입 등에 기초하여 생략될 수도 있다.The
제1 박막 트랜지스터(120)는 버퍼층(111) 상에 배치될 수 있다. 제1 박막 트랜지스터(120)는 제1 액티브 층(121), 제1 게이트 전극(124), 제1 소스 전극(122) 및 제1 드레인 전극(123)을 포함할 수 있다. 버퍼층(111) 상에는 제1 박막 트랜지스터(120)의 제1 액티브 층(121)이 배치될 수 있다.The first
제1 액티브층(121)은 저온 폴리 실리콘(Low Temperature Poly-Silicon; LTPS)을 포함할 수 있다. 폴리 실리콘 물질은 이동도가 높아 (100㎠/Vs 이상), 에너지 소비 전력이 낮고 신뢰성이 우수하므로, 표시 소자용 박막 트랜지스터들을 구동하는 구동 소자용 게이트 드라이버 및/또는 멀티플렉서(MUX)에 적용될 수 있으며, 본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치(100)에서 구동 박막 트랜지스터의 액티브층으로 적용될 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다. 예를 들면, 표시 장치(100)의 특성에 따라 스위칭 박막 트랜지스터의 액티브 층으로 적용될 수 도 있다. 버퍼층(111) 상에 아몰퍼스 실리콘(a-Si) 물질을 증착하고, 탈수소화 공정 및 결정화 공정을 수행하는 방식으로 폴리 실리콘이 형성되고, 폴리 실리콘을 패터닝하여 제1 액티브층(121)이 형성될 수 있다. 제1 액티브층(121)은 제1 박막 트랜지스터(120)의 구동 시 채널이 형성되는 제1 채널 영역(121a), 제1 채널 영역(121a) 양 측의 제1 소스 영역(121b) 및 제1 드레인 영역(121c)을 포함할 수 있다. 제1 소스 영역(121b)은 제1 소스 전극(122)과 연결된 제1 액티브층(121)의 부분을 의미하며, 제1 드레인 영역(121c)은 제1 드레인 전극(123)과 연결된 제1 액티브 층(121)의 부분을 의미한다. 제1 채널 영역(121a), 제1 소스 영역(121b) 및 제1 드레인 영역(121c)은 제1 액티브층(121)의 이온 도핑(불순물 도핑)에 의해 구성될 수 있다. 제1 소스 영역(121b) 및 제1 드레인 영역(121c)은 폴리 실리콘 물질을 이온 도핑하여 생성될 수 있으며, 제1 채널 영역(121a)은 이온 도핑되지 않고 폴리 실리콘 물질로 남겨진 부분을 의미할 수 있다.The first
제1 박막 트랜지스터(120)의 제1 액티브 층(121) 상에 제1 게이트 절연층(112)이 배치될 수 있다. 제1 게이트 절연층(112)은 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 단일층 또는 이들의 다중층으로 구성될 수 있다. 제1 게이트 절연층(112)에는 제1 박막 트랜지스터(120)의 제1 소스 전극(122) 및 제1 드레인 전극(133) 각각이 제1 박막 트랜지스터(120)의 제1 액티브층(121)의 제1 소스 영역(121b) 및 제1 드레인 영역(121c) 각각에 연결되기 위한 컨택홀이 형성될 수 있다.A first
제1 게이트 절연층(112) 상에 제1 박막 트랜지스터(120)의 제1 게이트 전극(124)이 배치될 수 있다. 제1 게이트 전극(124) 은 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al) 크롬(Cr), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd)중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.. 제1 게이트 전극(124)은 제1 박막 트랜지스터(120)의 제1 액티브 층(121)의 제1 채널 영역(121a)과 중첩되도록 제1 게이트 절연층(112) 상에 형성될 수 있다. The
제1 게이트 절연층(112) 및 제1 게이트 전극(124) 상에 제1 층간 절연층(113)이 배치될 수 있다. 제1 층간 절연층(113)은 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 단일층 또는 이들의 다중층으로 구성될 수 있다. 제1 층간 절연층(113)에는 제1 박막 트랜지스터(120)의 제1 액티브 층(121)의 제1 소스 영역(121b) 및 제1 드레인 영역(121c)을 노출시키기 위한 컨택홀이 형성될 수 있다.A first
제1 층간 절연층(113) 상에 제1 소스 전극(122), 제1 드레인 전극(123)이 형성될 수 있다. 제1 소스 전극(122) 및 제1 드레인 전극(123)은 제1 층간 절연층(113) 및 제1 게이트 절연층(112)에 형성된 컨택홀을 통하여 제1 액티브 층(121)과 연결될 수 있다. 예를 들면, 제1 소스 전극(122) 및 제1 드레인 전극(123)은, 제1 층간 절연층(113) 및 제1 게이트 절연층(112)에 형성된 컨택홀을 통하여, 제1 액티브 층(121)의 제1 소스 영역(121b) 및 제1 드레인 영역(121c)과 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 소스 전극(122), 및 제1 드레인 전극(123)은 도전성 금속 물질로 이루어진 티타늄(Ti)/알루미늄(Al)/티타늄(Ti)의 3층 구조로 이루어질 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다. 예를 들면, 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al) 크롬(Cr), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd)중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다. A
그리고, 제1 소스 전극(122) 및 제1 드레인 전극(123) 각각이 연결된 제1 액티브층(121)의 부분은 도체화될 수 있다. 예를 들면, 제1 게이트 절연층(112) 및 제1 층간 절연층(113)을 관통하여 제1 액티브층(121)을 노출시키는 컨택홀이 형성된 뒤, 컨택홀을 통하여 노출된 제1 액티브층(121)의 일부는 도체화될 수 있다. 그리고, 컨택홀을 통하여 노출된 제1 액티브층(121)의 일부는 열처리 공정을 통하여 도체화될 수 있다. 노출된 컨택홀을 통하여 제1 액티브층(121)을 열처리함으로써, 효과적으로 제1 액티브층(121)의 일부를 도체화할 수 있다. A portion of the first
제1 층간 절연층(113), 제1 소스 전극(122), 및 제1 드레인 전극(123) 상에 분리 절연층(114)이 배치될 수 있다. 분리 절연층(114)에는 제1 소스 전극(122) 및 제1 드레인 전극(123)의 적어도 일부를 노출시키기 위한 컨택홀이 형성될 수 있다. 분리 절연층(114)은 분리 절연층(114) 상에 배치된 제2 박막 트랜지스터(130)와 분리 절연층(114) 하부에 배치된 제1 박막 트랜지스터(120)를 분리시키는 역할을 수행할 수 있다. 예를 들면, 제1 박막 트랜지스터(120)의 제1 소스 전극(122) 및 제1 드레인 전극(123) 상에 분리 절연층(114)이 배치되고, 그 상에 제2 박막 트랜지스터(130)가 배치될 수 있다. The
분리 절연층(114)은 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 단일층 또는 이들의 다중층으로 구성될 수 있다.The
분리 절연층(114) 상에는 제2 박막 트랜지스터(130)의 제2 액티브층(131)이 배치될 수 있다. 제2 박막 트랜지스터(130)는 제2 액티브층(131), 제2 게이트 절연층(114), 제2 게이트 전극(134), 보호층(115), 제2 소스 전극(132) 및 제2 드레인 전극(133)을 포함할 수 있다. The second
제2 액티브층(131)은 산화물 반도체로 이루어질 수 있다. 산화물 반도체 물질은 실리콘 물질과 비교하여 밴드갭이 더 큰 물질이므로 오프(Off) 상태에서 전자가 밴드 갭을 넘어가지 못하며, 이에 따라 오프-전류(Off-Current)가 낮다. 따라서, 산화물 반도체로 이루어진 액티브 층을 포함하는 박막 트랜지스터는 온(On) 시간이 짧고 오프(Off) 시간을 길게 유지하는 스위칭 박막 트랜지스터에 적합할 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다. 표시장치의 특성에 따라서, 구동 박막 트랜지스터로 적용될 수도 있다. 그리고, 오프-전류가 작으므로 보조 용량의 크기가 감소될 수 있으므로, 고해상도 표시 소자에 적합하다. 예를 들면, 제2 액티브층(131)은 금속 산화물로 이루어지고, 예를 들어, IGZO(indium-gallium-zinc-oxide) 등과 같은 다양한 금속 산화물로 이루어질 수 있다. 제2 박막 트랜지스터(130)의 제2 액티브층(131)은 다양한 금속 산화물 중 IGZO로 이루어지는 것을 가정하여 IGZO층을 기초로 형성되는 것으로 설명하였으나, 이에 제한되지 않고 IGZO가 아닌 IZO(indium-zinc-oxide), IGTO(indium-gallium-tin-oxide), 또는 IGO(indium-gallium-oxide) 등과 같은 다른 금속 산화물로 형성될 수도 있다.The second
제2 액티브층(131)은, 금속 산화물을 분리 절연층(114) 상에 증착하고, 안정화를 위한 열처리 공정을 수행한 후, 금속 산화물을 패터닝하여 형성될 수 있다. The second
제2 액티브층(131)을 포함한 기판(110) 전체 면에 절연물질층 및 금속물질층을 차례로 형성하고, 금속물질층 상에 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다. An insulating material layer and a metal material layer may be sequentially formed on the entire surface of the
절연물질층은 PECVD법을 이용하여 형성하고, 금속물질층은 스퍼터링법(Sputtering)을 이용하여 형성할 수 있다. The insulating material layer may be formed by PECVD, and the metal material layer may be formed by sputtering.
포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 금속물질층을 습식 식각하여 제2 게이트 전극(134)을 형성할 수 있다. 금속물질층을 식각하기 위한 습식 식각 액은 금속물질층을 구성하는 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al) 크롬(Cr), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 또는 그들의 합금을 선택적으로 식각하고, 절연물질층을 식각하지 않는 물질이 이용될 수 있다.The
포토레지스트 패턴 및 제2 게이트 전극(134)을 마스크로 하여 절연 물질층을 건식 식각하여 제2 게이트 절연층(115)을 형성할 수 있다. The second
건식 식각 공정을 통하여, 절연 물질층이 식각되어 제2 액티브층(131) 상에 제2 게이트 절연층(115) 패턴이 형성될 수 있다. 그리고, 패터닝된 제2 게이트 절연층(115)에 의해 노출된 제2 액티브층(131)은 건식 식각 공정에 의해 도체화가 될 수 있다. Through the dry etching process, the insulating material layer may be etched to form the second
제2 게이트 전극(134)이 형성된 영역에 대응하여 도체화가 되지 않은 제2 채널 영역(131a)과 제2 액티브층(131)의 양단에서 각각 도체화 처리된 제2 소스 영역(131b) 및 제2 드레인 영역(131c)을 포함하는 제2 액티브층(131)이 형성될 수 있다. The
도체화된 제2 액티브층(131)의 제2 소스 영역(131b) 및 제2 드레인 영역(131c)은 저항이 낮아짐으로써, 제2 박막 트랜지스터(130)의 소자 성능이 향상될 수 있으며, 이에 따라 본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치(100)의 신뢰성이 향상될 수 있는 효과를 얻을 수 있다.The resistance of the
제2 액티브층(131)의 제2 채널 영역(131a)은 제2 게이트 전극(134)과 중첩하여 배치될 수 있다. 그리고, 제2 액티브층(131)의 제2 소스 영역(131b) 및 제2 드레인 영역(131c)은 제2 채널 영역(131a)의 양측에 배치될 수 있다. 그리고, 제2 게이트 절연층(115)은 제2 게이트 전극(134)과 제2 액티브층(131) 사이에 배치될 수 있다. 그리고, 제2 게이트 절연층(115)은 제2 게이트 전극(134) 및 제2 액티브층(131)의 제2 채널 영역(131a)과 중첩하도록 배치될 수 있다. The
포토레지스트 패턴(PR)을 마스크로 절연 물질층 및 금속 물질층을 식각함에 따라 제2 게이트 절연층(115)과 제2 게이트 전극(134)은 동일한 패턴으로 형성될 수 있다. 제2 게이트 절연층(115)은 제2 액티브 층(131) 상에 배치될 수 있다. 제2 게이트 절연층(115)은 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 단일층 또는 이들의 다중층으로 구성될 수 있다. 제2 게이트 절연층(115)은 제2 액티브층(131)과 중첩되도록 패터닝될 수 있다. The second
제2 게이트 전극(134)은 제2 게이트 절연층(114) 상에 배치될 수 있다. 제2 게이트 전극(134)은 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al) 크롬(Cr), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다. 제2 게이트 전극(134)은 제2 액티브 층(131) 및 제2 게이트 절연층(115)과 중첩되도록 패터닝될 수 있다. 제2 게이트 전극(134)은 제2 액티브층(131)의 제2 채널 영역(131a)과 중첩되도록 패터닝될 수 있다. 그리고, 제2 게이트 절연층(115)은 제2 액티브층(131)의 제2 채널 영역(131a)과 중첩되도록 패터닝될 수 있다. 따라서, 제2 게이트 전극(134) 및 제2 게이트 절연층(115)은 제2 액티브층(131)의 제2 채널 영역(131a)과 중첩할 수 있다. The
제2 층간 절연층(116)은 분리 절연층(114), 제2 액티브층(131), 및 제2 게이트 전극(134) 상에 배치될 수 있다. 제2 층간 절연층(116)에는 제1 박막 트랜지스터(120)의 제1 드레인 전극(123) 및 제2 박막 트랜지스터(130)의 제2 액티브층(131)을 노출시키기 위한 컨택홀이 형성될 수 있다. 예를 들면, 제2 층간 절연층(116)에는 제1 박막 트랜지스터(120)의 제1 드레인 전극(123)을 노출하기 위한 컨택홀을 형성할 수 있으며, 제2 박막 트랜지스터(130)에서 제2 액티브층(131)의 제2 소스 영역(131b) 및 제2 드레인 영역(131c)을 노출하기 위한 컨택홀이 형성될 수 있다. 제2 층간 절연층(116)에는 제1 박막 트랜지스터(120)의 제1 소스 전극(122)을 노출하기 위한 컨택홀이 더 형성될 수 있다.The second
제2 층간 절연층(116)은 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 단일층 또는 이들의 다중층으로 구성될 수 있다.The second
제2 층간 절연층(116)상에는 연결전극(140), 제2 소스 전극(132), 및 제2 드레인 전극(133)이 배치될 수 있다. A
연결 전극(140)은 분리 절연층(114) 및 제2 층간 절연층(116)에 형성된 컨택홀을 통하여 제1 드레인 전극(123)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다. 예를 들면, 연결 전극(140)은 분리 절연층(114) 및 제2 층간 절연층(116)에 형성된 컨택홀을 통하여 제1 소스 전극(122)과 전기적으로 연결될 수 있다. 그리고, 분리 절연층(114) 및 제2 층간 절연층(116)에 형성된 컨택홀을 통하여 제1 드레인 전극(123)과 전기적으로 연결되는 연결 전극(140)을 형성하는 경우, 분리 절연층(114) 및 제2 층간 절연층(116)에 형성된 컨택홀을 통하여 제1 소스 전극(122)과 전기적으로 연결되는 제1 보조 소스 전극을 더 형성할 수 있다. The
그리고, 제2 박막 트랜지스터(130)의 제2 소스 전극(132) 및 제2 드레인 전극(133)은 제2 층간 절연층(116)에 형성된 컨택홀을 통해 제2 액티브층(131)과 연결될 수 있다. 따라서, 제2 박막 트랜지스터(130)의 제2 소스 전극(132)은 제2 층간 절연층(116)에 형성된 컨택홀을 통해 제2 액티브층(131)의 제2 소스 영역(131b)과 연결될 수 있으며, 제2 박막 트랜지스터(130)의 제2 드레인 전극(133)은 제2 층간 절연층(116)에 형성된 컨택홀을 통해 제2 액티브층(131)의 제2 드레인 영역(131c)과 연결될 수 있다.The
연결 전극(140), 제2 소스 전극(132), 및 제2 드레인 전극(133)은 동일한 공정에 의해 형성될 수 있다. 그리고, 연결 전극(140), 제2 소스 전극(132), 및 제2 드레인 전극(133)은 동일한 물질로 형성될 수 있다. 연결 전극(140), 제2 소스 전극(132), 및 제2 드레인 전극(133)은 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al) 크롬(Cr), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd)중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.The
제1 박막 트랜지스터(120)는 분리 절연층(114) 하부에 배치될 수 있으며, 제2 박막 트랜지스터(130)는 분리 절연층(114) 상에 배치될 수 있다. 그리고, 분리 절연층(114)에 의하여 제1 박막 트랜지스터(120) 및 제2 박막 트랜지스터(130)는 분리되어 배치될 수 있다. 연결 전극(140)은 제1 박막 트랜지스터(120)의 제1 드레인 전극(123)과 전기적으로 연결되며, 제2 박막 트랜지스터(130)의 제2 소스 전극(132)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 박막 트랜지스터(120)의 제1 드레인 전극(123)은 연결전극(140)을 통하여 제2 박막 트랜지스터(130)의 제2 소스 전극(132)과 전기적으로 연결될 수 있다. The first
본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치(100)는, 제1 박막 트랜지스터(120)가 형성된 후에 제1 박막 트랜지스터(120) 상에 분리 절연층(114)이 형성되고, 분리 절연층(114) 상에 제2 박막 트랜지스터(130)가 형성된다. 이에 따라, 제2 소스 전극(132) 및 제2 드레인 전극(133)과 연결된 제2 액티브층(131)의 부분에 대한 손상이 최소화될 수 있다. The
제1 드레인 전극(123) 및 연결 전극(140)은, 제1 게이트 절연층(112), 제1 층간 절연층(113), 분리 절연층(114) 및 제2 층간 절연층(116)을 모두 관통하는 컨택홀을 통하여 하나의 소스 전극 또는 드레인 전극으로 형성되어 제1 액티브층과 연결되도록 구성될 수도 있다. 이 경우, 제1 게이트 절연층(112), 제1 층간 절연층(113), 분리 절연층(114) 및 제2 층간 절연층(116)을 모두 관통하여 제1 액티브층(121)을 노출시키는 컨택홀과 제2 층간 절연층(116)을 관통하여 제2 액티브층(131)을 노출시키는 컨택홀은 동일 공정에 의해 형성될 수 있다. 이와 같이, 제1 소스 전극(122), 제1 드레인 전극(123), 제2 소스 전극(132) 및 제2 드레인 전극(133)은 동일 공정에 의해 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1 박막 트랜지스터(120) 및 제2 박막 트랜지스터(130)의 소스 전극 및 드레인 전극은 제2 층간 절연층(116)을 형성한 다음 동일공정에 의해 함께 형성될 수 있다. The
그리고, 제1 게이트 절연층(112), 제1 층간 절연층(113), 분리 절연층(114) 및 제2 층간 절연층(116)을 모두 관통하여 제1 액티브층(121)을 노출시키는 컨택홀과 제2 층간 절연층(116)을 관통하여 제2 액티브층(131)을 노출시키는 컨택홀은 건식 식각(dry etching)하여 형성될 수 있다. A contact hole is formed through the first
제1 게이트 절연층(112), 제1 층간 절연층(113), 분리 절연층(114) 및 제2 층간 절연층(116)을 모두 관통하여 제1 액티브층(121)을 노출시키는 컨택홀을 형성하기 위해서 제1 게이트 절연층(112), 제1 층간 절연층(113), 분리 절연층(114) 및 제2 층간 절연층(116)이 모두 식각되어야 한다. 그리고, 제2 층간 절연층(116)을 관통하여 제2 액티브층(131)을 노출시키는 컨택홀을 형성하기 위해서 층간 절연층(116)이 식각되어야 한다. 따라서, 제1 게이트 절연층(112), 제1 층간 절연층(113), 분리 절연층(114) 및 제2 층간 절연층(116)을 모두 관통하여 제1 액티브층(121)을 노출시키는 컨택홀과 제2 층간 절연층(116)만을 관통하여 제2 액티브층(131)을 노출시키는 컨택홀을 함께 형성하기 위해서는 다수의 층을 식각해야 한다. 다수의 층은 습식 식각(wet etching) 방식을 이용하여 식각하기에는 식각의 완성도가 충분하지 않으므로 건식 식각을 통해 식각될 수 있다. A contact hole is formed through the first
그리고, 제1 게이트 절연층(112), 제1 층간 절연층(113), 분리 절연층(114) 및 제2 층간 절연층(116)을 모두 관통하여 제1 액티브층(121)을 노출시키는 컨택홀은 제2 층간 절연층(116)을 관통하여 제2 액티브층(131)을 노출시키는 컨택홀보다 분리 절연층(114), 제1 층간 절연층(113) 및 제1 게이트 절연층(112)을 더 관통하게 된다.A contact hole is formed through the first
따라서, 제1 게이트 절연층(112), 제1 층간 절연층(113), 분리 절연층(114) 및 제2 층간 절연층(116)을 모두 관통하여 제1 액티브층(121)을 노출시키는 컨택홀과 제2 층간 절연층(115)을 관통하여 제2 액티브층(131)을 노출시키는 컨택홀을 건식식각을 통하여 동시에 형성하는 경우, 제2 소스 전극(132) 및 제2 드레인 전극(133)과 연결되는 제2 액티브층(131)의 제2 소스 영역(131b) 및 제2 드레인 영역(131c)이 손상될 수 있다. 예를 들어, 제2 액티브층(131)의 제2 소스 영역(131b) 및 제2 드레인 영역(131c) 일부가 건식 식각 시 제거될 수도 있고, 제2 액티브층(131)의 제2 소스 영역(131b) 및 제2 드레인 영역(131c) 표면에 물리적인 결함(defect)이 생길 수도 있다. 이에 따라, 소자의 특성이 악화되고, 제2 박막 트랜지스터(130)의 신뢰성이 저하될 수 있다.Therefore, the contact hole exposing the first
따라서, 본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치(100)는, 제1 소스 전극(122) 및 연결 전극(140)을 하나의 소스 전극으로 생성하거나, 제1 드레인 전극(123) 및 연결 전극(140)을 하나의 드레인 전극으로 생성하지 않고, 제1 소스 전극(122) 및 제1 드레인 전극(123)과 연결 전극(140)을 분리하여 생성할 수 있다. 예를 들면, 제1 박막 트랜지스터(120) 및 제2 박막 트랜지스터(130)는 분리된 층으로 형성될 수 있다. 제1 박막 트랜지스터(120)의 제1 소스 전극(122) 및 제1 드레인 전극(123)이 형성된 뒤에, 분리 절연층(114) 및 제2 층간 절연층(116)을 관통하여 제1 액티브층(121)을 노출하는 컨택홀을 형성하고, 제2 층간 절연층(116)을 관통하여 제2 액티브층(131)을 노출하는 컨택홀을 형성할 수 있다. 제1 소스 전극(122) 및 제1 드레인 전극(123)과 연결 전극(140)을 분리하여 생성함에 따라, 제2 소스 전극(132) 및 제2 드레인 전극(133)과 연결되는 제2 액티브층(131)의 제2 소스 영역(131b) 및 제2 드레인 영역(131c)의 손상이 최소화될 수 있다. 제2 소스 전극(132) 및 제2 드레인 전극(133)과 연결되는 제2 액티브층(131)의 제2 소스 영역(131b) 및 제2 드레인 영역(131c)의 손상이 최소화됨으로써, 제2 박막 트랜지스터(130)의 소자 성능이 향상될 수 있으며, 이에 따라 본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치(100)의 신뢰성이 향상될 수 있는 효과를 얻을 수 있다.Accordingly, the
보호층(117)은 제2 소스 전극(132), 제2 드레인 전극(133), 연결 전극(140), 및 제2 층간 절연층(116) 상에 배치될 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 보호층(117)에는 제2 드레인 전극(133)을 노출시키기 위한 컨택홀이 형성될 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다. 예를 들면, 보호층(117)에는 제2 박막 트랜지스터(130)의 제2 소스 전극(132)을 노출시키기 위한 컨택홀이 형성될 수 있다. 또는, 보호층(117)에는 제1 박막 트랜지스터(120)의 제1 드레인 전극(123)과 전기적으로 연결된 연결 전극(140)을 노출시키기 위한 컨택홀이 형성될 수 있다. 보호층(117)은 제1 박막 트랜지스터(120), 제2 박막 트랜지스터(130)의 상부를 보호하기 위한 무기물질층일 수 있다. 예를 들면, 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 단일층 또는 이들의 다중층으로 구성될 수 있다. 보호층(117)은 제1 박막 트랜지스터(120) 및 제2 박막 트랜지스터(130) 상부로부터 확산되는 수소를 억제시킬 수 있다. 보호층(117)은 본 명세서의 실시예에 따른 표시장치(100)의 특성 또는 박막 트랜지스터의 구조 및 특성에 따라서 생략될 수 있다. The
평탄화층(118)은 보호층(117)상에 배치될 수 있다. 그리고, 도 1에 도시된 바와 같이, 평탄화층(118)에는 제2 박막 트랜지스터(130)의 제2 드레인 전극(133)을 노출시키기 위한 컨택홀이 형성될 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다. 예를 들면, 평탄화층(118)에는 제2 박막 트랜지스터(130)의 제2 소스 전극(132)을 노출시키기 위한 컨택홀이 형성될 수 있다. 또는, 평탄화층(118)에는 제1 박막 트랜지스터(120)의 제1 드레인 전극(123)과 전기적으로 연결된 연결 전극(140)을 노출시키기 위한 컨택홀이 형성될 수 있다. 평탄화층(118)은 제1 박막 트랜지스터(120) 및 제2 박막 트랜지스터(130)의 상부를 평탄화하기 위한 유기물질층일 수 있다. 예를 들면, 평탄화층(118)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 및 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기물질로 형성될 수 있다.The
제1 전극(150)은 평탄화층(118) 상에 배치될 수 있다. 제1 전극(150)은 보호층(117) 및 평탄화층(118)에 형성된 컨택홀을 통하여 제2 박막 트랜지스터(130)의 제2 드레인 전극(133)과 전기적으로 연결될 수 있다. 따라서, 제1 전극(150)은 보호층(117) 및 평탄화층(118)에 형성된 컨택홀을 통하여 제2 박막 트랜지스터(130)와 전기적으로 연결될 수 있다. The
본 명세서의 실시예에 따른 표시장치(100)는 상부 발광(Top Emission)표시장치이므로, 제1 전극(150)은 애노드 전극일 수 있다. 표시 장치(100)가 하부 발광(Bottom Emission)인 경우에는 평탄화층(118) 상에 배치된 제1 전극(150)은 캐소드 전극일 수 있다. Since the
제1 전극(150) 및 평탄화층(118) 상에는 뱅크(160)가 배치될 수 있다. 뱅크(160)는 제1 전극(150)을 노출하기 위한 개구부가 형성될 수 있다. 뱅크(160)는 표시장치(100)의 발광 영역을 정의할 수 있으므로 화소 정의막이라고 할 수도 있다.A
제1 전극(150) 및 뱅크(160) 상에는 발광층을 포함하는 발광 구조물이 더 배치될 수 있다. 발광 구조물 상에는 제2 전극이 더 배치될 수 있다. 본 명세서의 실시예에 따른 표시장치(100)에서 제2 전극은 캐소드 전극일 수 있다. 제2 전극 상에는 수분 침투를 억제하는 봉지부가 더 배치될 수 있다.A light emitting structure including a light emitting layer may further be disposed on the
도 2는 본 명세서의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 도시한 단면도이다. 도 1을 참조하여 설명하며, 중복된 설명은 생략하거나 간략히 설명한다. 예를 들면, 도 1의 제1 박막 트랜지스터(120)와 도 2의 제1 박막 트랜지스터(220)는 실질적으로 동일하다. 따라서, 도 1과 실질적으로 동일한 도 2의 구성에 대한 중복된 설명은 생략하거나 간략히 설명한다. 2 is a cross-sectional view illustrating a display device according to another embodiment of the present invention. Will be described with reference to Fig. 1, and redundant description will be omitted or briefly explained. For example, the first
도 2를 참조하면, 본 명세서의 다른 실시예에 따른 표시 장치(200)는 기판(210), 버퍼층(211), 제1 박막 트랜지스터(220), 제2 박막 트랜지스터(230), 제1 게이트 절연층(212), 제1 층간 절연층(213), 분리 절연층(214), 제2 게이트 절연층(215), 제2 층간 절연층(216), 보호층(217), 평탄화층(218), 연결 전극(240), 뱅크(260) 및 제1 전극(250)을 포함할 수 있다. 그리고, 제1 박막 트랜지스터(220)의 제1 액티브층(221)은 LTPS로 이루어질 수 있으며, 제2 박막 트랜지스터(230)의 제2 액티브층(231)은 산화물 반도체로 이루어질 수 있다.Referring to FIG. 2, a
그리고, 제1 박막 트랜지스터(220)는 제1 채널 영역(221a), 제1 소스 영역(221b), 및 제1 드레인 영역(221c)을 포함하는 제1 액티브층(221), 제1 소스 전극(222), 제1 드레인 전극(223), 및 제1 게이트 전극(224)을 포함할 수 있다. The first
그리고, 제2 박막 트랜지스터(230)는 제2 채널영역(231a), 제2 소스 영역(231b), 및 제2 드레인 영역(231c)을 포함하는 제2 액티브층(231), 제2 소스 전극(232), 제1 드레인 전극(233), 및 제2 게이트 전극(234)을 포함할 수 있다. The second
도 2를 참조하면, 본 명세서의 다른 실시예에 따른 표시 장치(200)는 제2 박막 트랜지스터(230)의 제2 게이트 전극(234)과 제2 게이트 절연층(215)을 사이에 두고 중첩하는 제2 액티브층(231)의 제2 채널 영역(231a)을 포함할 수 있다. 그리고, 제2 게이트 절연층(215)은 제2 게이트 전극(234) 및 제2 채널 영역(231a)과 중첩할 수 있다. 제2 액티브층(231)의 하부에 배치되는 복수의 절연층 중 적어도 하나의 층의 일부 영역이 제거될 수 있다. 예를 들면, 제2 액티브층(231)의 하부에 배치되는 복수의 절연층인 버퍼층(211), 제1 게이트 절연층(212), 제1 층간 절연층(213), 분리 절연층(214)중 적어도 하나의 절연층의 일부 영역이 제거될 수 있다. 그리고, 제2 액티브층(231)의 하부에 배치되는 복수의 절연층인 버퍼층(211), 제1 게이트 절연층(212), 제1 층간 절연층(213), 분리 절연층(214) 중 제1 게이트 절연층(212)의 일부 영역이 제거될 수 있다. Referring to FIG. 2, the
제1 게이트 절연층(212) 및 제1 층간 절연층(213)의 일부 영역을 제거하는 경우에는, 제1 액티브층(221)과 제1 소스 전극(222) 및 제1 드레인 전극(223)을 연결하기 위하여 제1 게이트 절연층(212) 및 제1 층간 절연층(213)에 컨택홀을 형성하는 공정 시 함께 제거될 수 있으므로 별도의 공정 추가가 필요하지 않을 수 있다.The first
제2 액티브층(231)의 제2 채널 영역(231a)과 대응하는 제1 게이트 절연층(212)의 영역이 제거될 수 있다. The area of the first
제2 액티브층(231)의 하부에 위치하며, 제2 액티브층(231)의 제2 채널 영역(231a)과 중첩하는 영역에 위치하는 제1 게이트 절연층(212)을 제거함으로써, 제2 채널 영역(231a)상에 배치된 제2 게이트 전극(234)의 상부면과 제2 소스 영역(231b) 및 제2 드레인 영역(231c)의 상부면 간의 단차를 줄일 수 있다. 그리고, 제2 게이트 전극과 제2 소스 영역(231b)간의 단차 및 제2 게이트 전극과 제2 드레인 영역(231c)간의 단차를 줄임으로써, 제2 층간 절연층(216)이 두께의 편차 없이 제2 게이트 전극(234), 제2 소스 영역(231b), 및 제2 드레인 영역(231c) 상에 형성될 수 있다. 그리고, 제1 게이트 전극(234)과 제2 층간 절연층(216) 상에 형성된 제2 소스 전극(232) 및 제2 드레인 전극(233)간의 단락이 되는 불량 발생을 방지할 수 있다. By removing the first
본 명세서의 다른 실시예에 따른 표시장치(200)는, 제2 게이트 전극(234) 및 제2 게이트 절연층(215)과 중첩하는 제2 액티브층(231)의 영역에 대응하는 복수의 절연층 중 적어도 하나의 절연층을 제거함으로써, 제2 게이트 전극(234)과 중첩하지 않는 제2 액티브층(231)의 영역과 제2 게이트 전극(234)간의 단차를 줄일 수 있다. 예를 들면, 제2 게이트 전극(234) 및 제2 게이트 절연층(215)과 중첩하는 제2 액티브층(231)의 제2 채널 영역(231a)에 대응하며 하부에 위치하는 복수의 절연층 중에서 제1 게이트 절연층(212)을 제거하여 오프닝부(OP)를 형성할 수 있다. 제2 액티브층(231)의 제2 채널 영역(231a)과 대응하는 제1 게이트 절연층(212)의 영역을 제거함으로써, 제2 게이트 전극(234)과 중첩하지 않는 제2 액티브층(231)의 제2 소스 영역(231b) 및 제2 드레인 영역(231c)은 제2 게이트 전극(234)과의 단차를 줄일 수 있다. The
제2 액티브층(231)의 제2 채널영역(231a) 아래에 위치하는 복수의 절연층 중에서 제거되는 절연층의 개수는 제2 게이트 전극(234) 및 제2 게이트 절연층(215)의 두께에 의해 결정될 수 있다. 예를 들면, 제2 액티브층(231)의 제2 채널 영역(231a) 아래에 위치하는 복수의 절연층 중에서 제거되는 절연층의 총 두께는 제2 게이트 전극(234)과 제2 게이트 절연층(215)의 두께의 합보다 작거나 동일할 수 있다. 제2 액티브층(231)의 제2 채널 영역(231a) 아래에 위치하는 절연층의 개수는 제2 액티브층(231)의 제2 소스 영역(231b) 및 제2 드레인 영역(231c)의 개수보다 적을 수 있다. The number of insulating layers to be removed from among the plurality of insulating layers located under the
도 2에 도시된 바와 같이, 제1 게이트 절연층(212)은 제2 박막 트랜지스터(230)가 배치되는 위치에 대응하여 형성된 오프닝부(OP)를 포함할 수 있다. 예를 들면, 제2 박막 트랜지스터(230)의 제2 게이트 전극(234)이 배치될 위치에 대응하는 제1 게이트 절연층(212)을 제거하여 버퍼층(211)을 노출하는 오프닝부(OP)를 형성할 수 있다. 제2 액티브층(231)의 제2 채널 영역(231a)은 제1 게이트 절연층(212)의 오프닝부(OP)에 대응하여 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 액티브층(231)의 제2 채널 영역(231a)은 오프닝부(OP)에 위치한 분리 절연층(214) 상에 배치될 수 있다. As shown in FIG. 2, the first
본 명세서의 다른 실시예에 따른 표시장치(200)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 제2 게이트 전극(234)과 제2 액티브층(231)의 제2 채널 영역(231a)은 제2 게이트 절연층(215)을 사이에 두고 중첩할 수 있다. 그리고, 제2 게이트 전극(235) 및 제2 액티브층(231)의 제2 채널 영역(231a)에 중첩하도록 배치되며, 제2 액티브층(231) 하부에 위치하는 오프닝부(OP)를 포함할 수 있다. 오프닝부(OP)는 제2 액티브층(231)의 제2 채널 영역(231a) 하부에 위치하는 복수의 절연층 중 적어도 하나의 절연층을 제거하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 버퍼층(211), 제1 게이트 절연층(212), 제1 층간 절연층(213), 및 분리 절연층(214) 중 적어도 하나의 층은 제2 게이트 전극(234)과 중첩하는 영역이 제거된 오프닝부(OP)를 포함할 수 있다. 그리고, 오프닝부(OP)의 높이는 제2 게이트 전극(234) 및 제2 게이트 절연층(215)의 두께의 합보다 작거나 동일할 수 있다. 2, the
오프닝부(OP)의 높이가 제2 게이트 전극(234) 및 제2 게이트 절연층(215)의 두께의 합보다 큰 경우, 오프닝부(OP)의 단차가 커지게 되어 오프닝부(OP)에 배치되는 제2 액티브층(231)의 단락이 발생할 수 있다. 그러므로, 오프닝부(OP)의 높이는 제2 액티브층(231)의 단락을 방지할 수 있도록, 높이는 제2 게이트 전극(234) 및 제2 게이트 절연층(215)의 두께의 합보다 작거나 동일하게 설계하는 것이 바람직할 수 있다.When the height of the opening part OP is larger than the sum of the thicknesses of the
도 3은 본 명세서의 다른 실시예에 따른 표시장치를 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing a display device according to another embodiment of the present invention.
도 2를 참조하여 함께 설명하며, 중복된 설명은 생략하거나 간략히 설명한다. 예를 들면, 도 2의 제1 박막 트랜지스터(120) 및 제2 박막 트랜지스터(130)와 도 3의 제1 박막 트랜지스터(220) 및 제2 박막 트랜지스터(230)는 실질적으로 동일하다. 따라서, 도 2와 실질적으로 동일한 도 3의 구성에 대한 중복된 설명은 생략하거나 간략히 설명한다. Will be described together with reference to FIG. 2, and redundant description will be omitted or briefly explained. For example, the first
도 3을 참조하면, 본 명세서의 다른 실시예에 따른 표시 장치(200)는 기판(210), 버퍼층(211), 제1 박막 트랜지스터(220), 제2 박막 트랜지스터(230), 제1 게이트 절연층(212), 제1 층간 절연층(213), 분리 절연층(214), 제2 게이트 절연층(215), 제2 층간 절연층(216), 보호층(217), 평탄화층(218), 뱅크(260), 연결 전극(240), 돌출패턴(270) 및 제1 전극(250)을 포함할 수 있다. 그리고, 제1 박막 트랜지스터(220)의 제1 액티브층(221)은 LTPS로 이루어질 수 있으며, 제2 박막 트랜지스터(230)의 제2 액티브층(231)은 산화물 반도체로 이루어질 수 있다.Referring to FIG. 3, a
그리고, 제1 게이트 절연층(212) 상에 제2 게이트 전극(234)과 제2 액티브층(231)의 제2 소스 영역(231b) 및 제2 드레인 영역(231c)의 단차를 줄일 수 있는 돌출패턴(270)을 형성할 수 있다. 제2 박막 트랜지스터(230)에서 제2 액티브층(231)의 제2 채널 영역(231a) 상에 제2 게이트 절연층(215)을 형성하고, 제2 게이트 절연층(215)상에 제2 채널 영역(231a)과 중첩하도록 제2 게이트 전극(234)을 형성하는 경우, 제2 게이트 전극(234)과 제2 액티브층(231)의 제2 소스 영역(231b) 및 제2 드레인 영역(231c) 사이에는 높은 단차가 발생할 수 있다. 그리고, 제2 게이트 전극(234)과 제2 액티브층(231)의 제2 소스 영역(231b) 및 제2 드레인 영역(231c)간의 높은 단차에 의하여, 제2 게이트 전극(234)과 제2 액티브층(231)의 제2 소스 영역(231b) 및 제2 드레인 영역(231c) 상에 배치되는 제2 층간 절연층(216)은 제2 게이트 전극(234)에 의해 발생된 단차부에서 얇은 두께로 형성될 수 있다. 그리고, 제2 층간 절연층(216)을 사이에 두고 배치되는 제2 소스 전극(232) 및 제2 드레인 전극(233)은 얇은 두께로 형성된 제2 층간 절연막(216)을 뚫고서 제2 게이트 전극(234)과 단락이 되어 불량이 발생할 수 있다. The
돌출패턴(270)은 제2 박막 트랜지스터(230)의 제2 액티브층(231) 하부에 배치되고 제2 액티브층(231)의 제2 소스 영역(231b) 및 제2 드레인 영역(231c)과 중첩하도록 위치함으로써, 제2 게이트 절연층(215)을 사이에 두고 제2 액티브층(231)과 중첩하는 제2 게이트 전극(234)에 의해 발생되는 단차를 줄일 수 있다. 그리고, 돌출패턴(270)은 제2 게이트 전극(234)과 제2 액티브층(231)의 제2 소스 영역(231b) 및 제2 드레인 영역(231c)간의 단차를 줄일 수 있다. The protrusion pattern 270 is disposed under the second
그리고, 돌출패턴(270)은 제2 액티브층(231)의 제2 소스 영역(231b)과 중첩하는 제1 돌출패턴(271) 및 제2 액티브층(231)의 제2 드레인 영역(231c)와 중첩하는 제2 돌출패턴(272)을 포함할 수 있다. The protruding pattern 270 is formed by the first
제1 돌출패턴(271)은 분리 절연층(214) 또는 제2 박막 트랜지스터(230)의 제2 액티브층(231) 하부에 배치되고 제2 액티브층(231)의 제2 소스 영역(231b)과 중첩할 수 있다. 그리고, 제2 돌출패턴(272)은 분리 절연층(214) 또는 제2 박막 트랜지스터(230)의 제2 액티브층(231) 하부에 배치되고 제2 액티브층(231)의 제2 드레인 영역(231c)과 중첩할 수 있다.The first
본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치(200)에서 제1 돌출패턴(271) 및 제2 돌출패턴(272)은 제1 게이트 절연층(212) 상에 배치될 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다. 예를 들면, 제1 돌출패턴(271) 및 제2 돌출패턴(272)은 버퍼층(211) 상에 배치되거나, 제1 층간 절연층(213) 상에 배치될 수도 있다.In the
제1 게이트 절연층(212) 상에 제1 돌출패턴(271) 및 제2 돌출패턴(272)이 배치되는 경우에는, 제1 돌출패턴(271) 및 제2 돌출패턴(272)은 제1 박막 트랜지스터(220)의 제1 게이트 전극(224)과 동일한 물질로 형성될 수 있으며, 동일한 층에 형성될 수 있다. 그리고, 제1 돌출패턴(271) 및 제2 돌출패턴(272)은 제1 게이트 전극(224)과 동일한 두께로 형성될 수 있다. When the
그리고, 제1 돌출패턴(271) 및 제2 돌출패턴(272) 상에는 제1 층간 절연층(213) 및 분리 절연층(214)이 배치될 수 있다. 그리고, 분리 절연층(214) 상에 제2 박막 트랜지스터(230)의 제2 액티브층(231)이 형성될 수 있다. 그리고, 도 3을 참조하면, 제2 액티브층(231)상에 제2 게이트 절연층(215) 및 제2 게이트 전극(234)이 배치될 수 있으며, 제2 게이트 절연층(215) 및 제2 게이트 전극(234)은 제1 돌출패턴(271) 및 제2 돌출패턴(272) 사이에 위치할 수 있다. 그리고, 제2 액티브층(231)의 제2 채널 영역(231a)은 제1 돌출패턴(271) 및 제2 돌출패턴(272) 사이에 위치하고, 제2 게이트 절연층(215) 및 제2 게이트 전극(234)과 중첩할 수 있다. 제2 액티브층(231)의 제2 소스 영역(231b)은 제1 돌출패턴(271)과 중첩할 수 있으며, 제2 액티브층(231)의 제2 드레인 영역(231c)은 제2 돌출패턴(272)과 중첩할 수 있다. 제2 액티브층(231)의 제2 소스 영역(231b) 및 제2 드레인 영역(231c)과 각각 중첩하는 제1 돌출패턴(271)과 제2 돌출패턴(272)을 통하여, 제2 소스 영역(231b)및 제2 드레인 영역(231c)의 상부 면과 제2 채널 영역(231a) 상에 배치된 제2 게이트 전극(234)의 상부 면과의 높이 차이를 줄일 수 있다. 따라서, 제2 층간 절연층(216) 상에 배치된 제2 소스 전극(232) 또는 제2 드레인 전극(233)과 제2 게이트 전극(234)간의 단락을 방지할 수 있다. The first
제1 돌출패턴(271) 및 제2 돌출패턴(272)이 제1 층간 절연층(213)상에 배치되는 경우에는, 제1 돌출패턴(271) 및 제2 돌출패턴(272)은 제1 박막 트랜지스터(220)의 제1 소스 전극(222) 및 제1 드레인 전극(223)과 동일한 물질로 형성될 수 있으며, 동일한 층에 형성될 수 있다. 그리고, 제1 돌출패턴(271) 및 제2 돌출패턴(272)은 제1 소스 전극(222) 및 제1 드레인 전극(223)과 동일한 두께로 형성될 수 있다. The first
그리고, 제1 돌출패턴(271) 및 제2 돌출패턴(272) 상에는 분리 절연층(214)이 배치될 수 있다. 그리고, 분리 절연층(214) 상에 제2 박막 트랜지스터(230)의 제2 액티브층(231)이 형성될 수 있다. 그리고, 제2 액티브층(231) 상에 제2 게이트 절연층(215) 및 제2 게이트 전극(234)이 배치될 수 있으며, 제2 게이트 절연층(215) 및 제2 게이트 전극(234)은 제1 돌출패턴(271) 및 제2 돌출패턴(272) 사이에 위치할 수 있다. 그리고, 제2 액티브층(231)의 제2 채널 영역(231a)은 제1 돌출패턴(271) 및 제2 돌출패턴(272) 사이에 위치하고, 제 제2 게이트 절연층(215) 및 제2 게이트 전극(234)과 중첩할 수 있다. 제2 액티브층(231)의 제2 소스 영역(231b)은 제1 돌출패턴(271)과 중첩할 수 있으며, 제2 액티브층(231)의 제2 드레인 영역(231c)은 제2 돌출패턴(272)과 중첩할 수 있다. 제2 액티브층(231)의 제2 소스 영역(231b)및 제2 드레인 영역(231c)과 각각 중첩하는 제1 돌출패턴(271)과 제2 돌출패턴(272)을 통하여, 제2 소스 영역(231b)및 제2 드레인 영역(231c)의 상부면과 제2 채널 영역(231a) 상에 배치된 제2 게이트 전극(234)의 상부면과의 높이 차이를 줄일 수 있다. 따라서, 제2 층간 절연층(216)상에 배치된 제2 소스전극(232) 또는 제2 드레인 전극(233)과 제2 게이트 전극(234) 간의 단락을 방지할 수 있다. A
제1 돌출패턴(271) 및 제2 돌출패턴(272)이 버퍼층(211) 상에 배치되는 경우에는, 제1 돌출패턴(271) 및 제2 돌출패턴(272)은 제1 박막 트랜지스터(220)의 제1 액티브층(221)과 동일한 물질로 형성될 수 있으며, 동일한 층에 형성될 수 있다. 그리고, 제1 돌출패턴(271) 및 제2 돌출패턴(272)은 제1 액티브층(221)과 동일한 두께로 형성될 수 있다. 그리고, 제1 돌출패턴(271) 및 제2 돌출패턴(272) 상에는 제1 게이트 절연층(212), 제1 층간 절연층(213), 및 분리 절연층(214)이 배치될 수 있다. 그리고, 분리 절연층(214)상에 제2 박막 트랜지스터(230)의 제2 액티브층(231)이 형성될 수 있다. 제2 액티브층(231)은 제1 돌출패턴(271)과 제2 돌출패턴(272)사이에 위치하는 제2 채널영역(231a), 제1 돌출패턴(271)과 중첩하는 제2 소스영역(231b), 제2 돌출패턴(272)과 중첩하는 제2 드레인 영역(231c)를 포함할 수 있다. 그리고, 제2 액티브층(231) 상에 배치되며, 제2 액티브층(231)의 제2 채널 영역(231a)와 중첩하는 제2 게이트 절연층(215)이 형성될 수 있다. 그리고, 제2 게이트 절연층(215)상에 배치되며, 제2 액티브층(231)의 제2 채널영역(231a)과 중첩하는 제2 게이트 전극(234)이 형성될 수 있다. The first
그리고, 제2 게이트 절연층(215) 및 제2 게이트 전극(234)은 제1 돌출패턴(271)과 제2 돌출패턴(272) 사이에 배치될 수 있다. The second
제2 게이트 절연층(215) 및 제2 게이트 전극(234)의 총 두께에 따라서, 제1 돌출패턴(271) 및 제2 돌출패턴(272)은 제1 게이트 절연층(212)상에 형성할 뿐만 아니라, 제1 층간 절연층(213) 상 또는 버퍼층(211) 상에도 형성할 수 있다.The
제1 돌출패턴(271) 및 제2 돌출패턴(272)의 두께는 제2 게이트 절연층(215) 및 제2 게이트 전극(234)의 총 두께보다 작거나 동일할 수 있다. The thickness of the
본 명세서의 실시예에 따른 표시장치는 버퍼층 상에 배치되며 제1 반도체 물질로 이루어진 제1 액티브 층, 제1 게이트 절연층을 사이에 두고 제1 액티브 층과 중첩하는 제1 게이트 전극, 제1 게이트 전극 상의 제1 층간 절연층, 및 제1 층간 절연층상에 배치되고 제1 액티브 층과 전기적으로 연결되는 제1 소스 전극 및 제1 드레인 전극을 포함하는 제1 박막 트랜지스터, 제1 박막 트랜지스터 상의 분리 절연층, 분리 절연층 상에 배치되며 제 1 반도체 물질과는 상이한 제2 반도체 물질로 이루어진 제2 액티브층, 제2 게이트 절연층을 사이에 두고 제2 액티브층과 중첩하는 제2 게이트 전극, 및 제2 액티브층과 연결되는 제2 소스 전극 및 제2 드레인 전극을 포함하는 제2 박막 트랜지스터, 및 버퍼층, 제1 게이트 절연층, 및 제1 층간 절연층 중 적어도 하나의 층은 제2 게이트 전극과 중첩하는 영역이 제거된 오프닝부를 포함할 수 있다. A display device according to an embodiment of the present invention includes a first active layer disposed on a buffer layer and made of a first semiconductor material, a first gate electrode overlapping a first active layer with a first gate insulating layer therebetween, A first thin film transistor on the first thin film transistor, the first thin film transistor including a first interlayer insulating layer on the electrode and a first source electrode and a first drain electrode disposed on the first interlayer insulating layer and electrically connected to the first active layer, A second active layer disposed on the isolation insulating layer and made of a second semiconductor material different from the first semiconductor material, a second gate electrode overlapping the second active layer with a second gate insulating layer interposed therebetween, At least one of the buffer layer, the first gate insulating layer, and the first interlayer insulating layer includes a second source electrode and a second drain electrode connected to the second active layer, And an opening portion in which a region overlapping with the gate electrode is removed.
본 명세서의 실시예에 따르면, 제1 박막 트랜지스터의 제1 액티브층은 제1 게이트 전극과 중첩하는 제1 채널영역, 제1 소스전극과 연결되는 제1 소스영역, 및 제1 드레인 전극과 연결되는 제1 드레인 영역을 포함할 수 있다. 그리고, 제2 박막 트랜지스터의 제2 액티브층은 제2 게이트 전극 및 오프닝부와 중첩하는 제2 채널영역, 제2 소스전극과 연결되는 제2 소스영역, 및 제2 드레인 전극과 연결되는 제2 드레인 영역을 포함할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the first active layer of the first thin film transistor has a first channel region overlapping the first gate electrode, a first source region connected to the first source electrode, and a second source region connected to the first drain electrode And may include a first drain region. The second active layer of the second thin film transistor has a second channel region overlapping the second gate electrode and the opening, a second source region connected to the second source electrode, and a second drain connected to the second drain electrode. Region. ≪ / RTI >
본 명세서의 실시예에 따르면, 제2 게이트 절연층은 오프닝부 및 제2 액티브층의 제2 채널영역과 중첩할 수 있다.According to embodiments of the present disclosure, the second gate insulating layer may overlap the opening portion and the second channel region of the second active layer.
본 명세서의 실시예에 따르면, 제2 소스영역 및 제2 드레인 영역은 제2 채널영역의 양측에 배치되며, 오프닝부, 제2 게이트 전극, 및 제2 게이트 절연층은 제2 소스영역 및 제2 드레인 영역 사이에 위치할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the second source region and the second drain region are disposed on both sides of the second channel region, and the opening portion, the second gate electrode, and the second gate insulating layer are formed on the second source region and the second Drain regions.
본 명세서의 실시예에 따르면, 오프닝부의 높이는 제2 게이트 전극 및 제2 게이트 절연층의 두께의 합보다 작거나 동일할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the height of the opening portion may be smaller than or equal to the sum of the thicknesses of the second gate electrode and the second gate insulating layer.
본 명세서의 실시예에 따르면, 오프닝부는 제2 게이트 전극, 제2 게이트 절연층, 및 제2 채널영역과 중첩하는 영역의 제1 게이트 절연층이 제거된 영역일 수 있다.According to the embodiment of the present disclosure, the opening portion may be a region where the first gate insulating layer in the region overlapping the second gate electrode, the second gate insulating layer, and the second channel region is removed.
본 명세서의 실시예에 따르면, 오프닝부는 제2 게이트 전극, 제2 게이트 절연층, 및 제2 채널영역과 중첩하는 영역의 제1 게이트 절연층 및 제1 층간 절연층이 제거된 영역일 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the opening portion may be a region where the first gate insulating layer and the first interlayer insulating layer in the region overlapping the second gate electrode, the second gate insulating layer, and the second channel region are removed.
본 명세서의 실시예에 따른 표시장치는, 제1 반도체 물질로 이루어진 제1 액티브 층, 제1 게이트 절연층을 사이에 두고 제1 액티브 층과 중첩하는 제1 게이트 전극, 제1 액티브 층과 전기적으로 연결되는 제1 소스 전극 및 제1 드레인 전극을 포함하는 제1 박막 트랜지스터, 제2 채널영역, 제2 소스영역, 및 제2 드레인영역을 포함하고 제 1 반도체 물질과는 상이한 제2 반도체 물질로 이루어진 제2 액티브층, 제2 게이트 절연층을 사이에 두고 제2 액티브층의 제2 채널영역과 중첩하는 제2 게이트 전극, 및 제2 액티브층의 제2 소스영역 및 제2 드레인영역과 각각 연결되는 제2 소스 전극 및 제2 드레인 전극을 포함하는 제2 박막 트랜지스터, 제1 박막 트랜지스터 및 제2 박막 트랜지스터 사이에 배치되는 분리 절연층, 및 분리 절연층 하부에 배치되며 제2 소스 영역 및 제2 드레인 영역과 각각 중첩하는 제1 돌출패턴 및 제2 돌출패턴을 포함할 수 있다. A display device according to an embodiment of the present invention includes a first active layer made of a first semiconductor material, a first gate electrode overlapping a first active layer with a first gate insulating layer therebetween, a first gate electrode electrically connected to the first active layer, A second channel region, a second source region, and a second drain region, the first thin film transistor comprising a first source electrode and a first drain electrode connected to the first thin film transistor, the second thin film transistor comprising a second semiconductor material A second active layer, a second gate electrode overlying the second channel region of the second active layer with a second gate insulating layer therebetween, and a second gate electrode overlying the second source region and the second drain region of the second active layer, A second insulating layer disposed between the second thin film transistor, the first thin film transistor and the second thin film transistor including the second source electrode and the second drain electrode, and a second source region The may include a first protrusion patterns and second protrusion patterns to overlap with the drain region 2, respectively.
본 명세서의 실시예에 따르면, 제1 돌출패턴 및 제2 돌출패턴은 제1 액티브층과 동일한 층에 배치되고, 제1 액티브층과 동일한 물질일 수 있다.According to an embodiment of the present disclosure, the first projecting pattern and the second projecting pattern are disposed in the same layer as the first active layer, and may be the same material as the first active layer.
본 명세서의 실시예에 따르면, 제1 돌출패턴 및 제2 돌출패턴은 제1 게이트 전극과 동일한 층에 배치되고, 제1 게이트 전극과 동일한 물질일 수 있다.본 명세서의 실시예에 따르면, 제1 돌출패턴 및 제2 돌출패턴은 제1 소스 전극 및 제1 드레인 전극과 동일한 층에 배치되고, 제1 소스 전극 및 제1 드레인 전극과 동일한 물질일 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the first protrusion pattern and the second protrusion pattern are disposed in the same layer as the first gate electrode, and may be the same material as the first gate electrode. According to the embodiment of the present invention, The protruding pattern and the second protruding pattern may be disposed on the same layer as the first source electrode and the first drain electrode, and may be the same material as the first source electrode and the first drain electrode.
본 명세서의 실시예에 따르면, 제2 소스영역 및 제2 드레인 영역은 제2 채널영역의 양측에 배치되며 제2 채널영역, 제2 게이트 절연층, 및 제2 게이트 전극은 제1 돌출패턴과 제2 돌출패턴 사이에 위치할 수 있다. 이상 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 명세서는 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형실시될 수 있다. 따라서, 본 명세서에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.According to the embodiment of the present invention, the second source region and the second drain region are disposed on both sides of the second channel region, and the second channel region, the second gate insulating layer, 2 protruding patterns. While the embodiments of the present invention have been described in detail with reference to the accompanying drawings, it is to be understood that the present invention is not limited to these embodiments, and various modifications may be made without departing from the scope of the present invention . Therefore, the embodiments disclosed herein are for the purpose of describing rather than limiting the technical spirit of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, it should be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.
100: 표시 장치
110, 210: 기판
111, 211: 버퍼층
112, 212: 제 1 게이트 절연층
113, 213: 제 1 층간 절연층
114, 214: 분리 절연층
115, 215: 제 2 게이트 절연층
116, 216: 제 2 층간 절연층
117, 217: 보호층
118, 218: 평탄화층
120, 220: 제1 박막 트랜지스터
121, 221: 제1 액티브층
121a, 221a: 제1 채널 영역
121b, 221b: 제1 소스영역
121c, 221c: 제1 드레인 영역
122, 222: 제 1 소스전극
123, 223: 제 1 드레인 전극
124, 224: 제 1 게이트 전극
130, 230: 제2 박막 트랜지스터
131, 231: 제 2 액티브 층
132, 232: 제 2 소스전극
133 233: 제 2 드레인 전극
134, 234: 제 2 게이트 전극
140, 240: 연결전극
150, 250: 애노드 전극
160, 260: 뱅크
270: 돌출 패턴
271: 제 1 돌출패턴
272: 제 2 돌출패턴
OP: 오프닝부100: display device
110, 210: substrate
111, 211: buffer layer
112, 212: first gate insulating layer
113, 213: a first interlayer insulating layer
114, 214: separating insulating layer
115, 215: second gate insulating layer
116, 216: a second interlayer insulating layer
117, 217: protective layer
118, 218: planarization layer
120, 220: first thin film transistor
121, 221: a first active layer
121a, 221a: a first channel region
121b, 221b: a first source region
121c and 221c: first drain regions
122, 222: first source electrode
123 and 223: first drain electrode
124, 224: first gate electrode
130 and 230: a second thin film transistor
131, 231: a second active layer
132, 232: a second source electrode
133 233: second drain electrode
134, 234: second gate electrode
140, 240: connecting electrode
150, 250: anode electrode
160, 260: bank
270: protrusion pattern
271: First protrusion pattern
272: Second protrusion pattern
OP: Opening section
Claims (12)
상기 제1 박막 트랜지스터 상의 분리 절연층; 및
상기 분리 절연층 상에 배치되며 상기 제 1 반도체 물질과는 상이한 제2 반도체 물질로 이루어진 제2 액티브층, 제2 게이트 절연층을 사이에 두고 상기 제2 액티브층과 중첩하는 제2 게이트 전극, 및 상기 제2 액티브층과 연결되는 제2 소스 전극 및 제2 드레인 전극을 포함하는 제2 박막 트랜지스터를 포함하고,
상기 버퍼층, 상기 제1 게이트 절연층, 및 상기 제1 층간 절연층 중 적어도 하나의 층은 상기 제2 게이트 전극과 중첩하는 영역이 제거된 오프닝부를 포함하는, 표시 장치.A first gate electrode overlying the first active layer with an insulating layer interposed therebetween, a first interlayer insulating layer on the first gate electrode, and a second interlayer insulating layer disposed on the first interlayer insulating layer and electrically connected to the first active layer A first thin film transistor including a first source electrode and a first drain electrode;
A separation insulating layer on the first thin film transistor; And
A second active layer disposed on the isolation insulating layer and made of a second semiconductor material different from the first semiconductor material, a second gate electrode overlapping the second active layer with a second gate insulating layer interposed therebetween, And a second thin film transistor including a second source electrode and a second drain electrode connected to the second active layer,
Wherein at least one of the buffer layer, the first gate insulating layer, and the first interlayer insulating layer includes an opening portion in which a region overlapping with the second gate electrode is removed.
상기 제1 박막 트랜지스터의 상기 제1 액티브층은 상기 제1 게이트 전극과 중첩하는 제1 채널영역, 상기 제1 소스전극과 연결되는 제1 소스영역, 및 상기 제1 드레인 전극과 연결되는 제1 드레인 영역을 포함하고,
상기 제2 박막 트랜지스터의 상기 제2 액티브층은 상기 제2 게이트 전극 및 상기 오프닝부와 중첩하는 제2 채널영역, 상기 제2 소스전극과 연결되는 제2 소스영역, 및 상기 제2 드레인 전극과 연결되는 제2 드레인 영역을 포함하는, 표시 장치.The method according to claim 1,
Wherein the first active layer of the first thin film transistor has a first channel region overlapping the first gate electrode, a first source region connected to the first source electrode, and a first drain region connected to the first drain electrode, Area,
The second active layer of the second thin film transistor has a second channel region overlapping the second gate electrode and the opening portion, a second source region connected to the second source electrode, and a second source region connected to the second drain electrode And a second drain region formed on the substrate.
상기 제2 게이트 절연층은 상기 오프닝부 및 상기 제2 액티브층의 상기 제2 채널영역과 중첩하는, 표시 장치.3. The method of claim 2,
And the second gate insulating layer overlaps the second channel region of the opening and the second active layer.
상기 제2 소스영역 및 상기 제2 드레인 영역은 상기 제2 채널영역의 양측에 배치되며,
상기 오프닝부, 상기 제2 게이트 전극, 및 상기 제2 게이트 절연층은 상기 제2 소스영역 및 상기 제2 드레인 영역 사이에 위치하는, 표시 장치.3. The method of claim 2,
The second source region and the second drain region are disposed on both sides of the second channel region,
Wherein the opening portion, the second gate electrode, and the second gate insulating layer are located between the second source region and the second drain region.
상기 오프닝부의 높이는 상기 제2 게이트 전극 및 상기 제2 게이트 절연층의 두께의 합보다 작거나 동일한, 표시 장치.3. The method of claim 2,
And the height of the opening portion is smaller than or equal to the sum of the thicknesses of the second gate electrode and the second gate insulating layer.
상기 오프닝부는 상기 제2 게이트 전극, 상기 제2 게이트 절연층, 및 상기 제2 채널영역과 중첩하는 영역의 상기 제1 게이트 절연층이 제거된 영역인, 표시 장치. 3. The method of claim 2,
Wherein the opening portion is an area where the first gate insulating layer in the region overlapping the second gate electrode, the second gate insulating layer, and the second channel region is removed.
상기 오프닝부는 상기 제2 게이트 전극, 상기 제2 게이트 절연층, 및 상기 제2 채널영역과 중첩하는 영역의 상기 제1 게이트 절연층 및 상기 제1 층간 절연층이 제거된 영역인, 표시 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the opening portion is a region where the first gate insulating layer and the first interlayer insulating layer in the region overlapping the second gate electrode, the second gate insulating layer, and the second channel region are removed.
제2 채널영역, 제2 소스영역, 및 제2 드레인영역을 포함하고 상기 제 1 반도체 물질과는 상이한 제2 반도체 물질로 이루어진 제2 액티브층, 제2 게이트 절연층을 사이에 두고 상기 제2 액티브층의 상기 제2 채널영역과 중첩하는 제2 게이트 전극, 및 상기 제2 액티브층의 상기 제2 소스영역 및 상기 제2 드레인영역과 각각 연결되는 제2 소스 전극 및 제2 드레인 전극을 포함하는 제2 박막 트랜지스터;
상기 제1 박막 트랜지스터 및 상기 제2 박막 트랜지스터 사이에 배치되는 분리 절연층; 및
상기 분리 절연층 하부에 배치되며 상기 제2 소스 영역 및 상기 제2 드레인 영역과 각각 중첩하는 제1 돌출패턴 및 제2 돌출패턴을 포함하는, 표시 장치.A first active layer made of a first semiconductor material, a first gate electrode overlapping the first active layer with a first gate insulating layer therebetween, a first source electrode electrically connected to the first active layer, A first thin film transistor including a drain electrode;
A second active layer comprising a second channel region, a second source region, and a second drain region and made of a second semiconductor material different from the first semiconductor material; a second active layer comprising a second active region, A second gate electrode overlapping the second channel region of the first active layer and a second source electrode and a second drain electrode connected to the second source region and the second drain region of the second active layer, 2 thin film transistor;
A separation insulating layer disposed between the first thin film transistor and the second thin film transistor; And
And a first protrusion pattern and a second protrusion pattern which are disposed under the isolation insulating layer and overlap the second source region and the second drain region, respectively.
상기 제1 돌출패턴 및 상기 제2 돌출패턴은 상기 제1 액티브층과 동일한 층에 배치되고, 상기 제1 액티브층과 동일한 물질인, 표시 장치.9. The method of claim 8,
Wherein the first protruding pattern and the second protruding pattern are disposed in the same layer as the first active layer and are the same material as the first active layer.
상기 제1 돌출패턴 및 상기 제2 돌출패턴은 상기 제1 게이트 전극과 동일한 층에 배치되고, 상기 제1 게이트 전극과 동일한 물질인, 표시 장치.9. The method of claim 8,
Wherein the first protrusion pattern and the second protrusion pattern are disposed in the same layer as the first gate electrode and are the same material as the first gate electrode.
상기 제1 돌출패턴 및 상기 제2 돌출패턴은 상기 제1 소스 전극 및 상기 제1 드레인 전극과 동일한 층에 배치되고, 상기 제1 소스 전극 및 상기 제1 드레인 전극과 동일한 물질인, 표시 장치.9. The method of claim 8,
Wherein the first protrusion pattern and the second protrusion pattern are disposed in the same layer as the first source electrode and the first drain electrode and are the same material as the first source electrode and the first drain electrode.
상기 제2 소스영역 및 상기 제2 드레인 영역은 상기 제2 채널영역의 양측에 배치되며,
상기 제2 채널영역, 상기 제2 게이트 절연층, 및 상기 제2 게이트 전극은 상기 제1 돌출패턴과 상기 제2 돌출패턴 사이에 위치하는, 표시 장치.9. The method of claim 8,
The second source region and the second drain region are disposed on both sides of the second channel region,
Wherein the second channel region, the second gate insulating layer, and the second gate electrode are positioned between the first protrusion pattern and the second protrusion pattern.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170170338A KR102536563B1 (en) | 2017-12-12 | 2017-12-12 | Display apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170170338A KR102536563B1 (en) | 2017-12-12 | 2017-12-12 | Display apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20190069952A true KR20190069952A (en) | 2019-06-20 |
KR102536563B1 KR102536563B1 (en) | 2023-05-24 |
Family
ID=67103624
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020170170338A KR102536563B1 (en) | 2017-12-12 | 2017-12-12 | Display apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102536563B1 (en) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150101418A (en) * | 2014-02-24 | 2015-09-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | Display device |
KR20170122358A (en) * | 2016-04-26 | 2017-11-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | Thin film transistor substrate and display apparatus comprising the same |
-
2017
- 2017-12-12 KR KR1020170170338A patent/KR102536563B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150101418A (en) * | 2014-02-24 | 2015-09-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | Display device |
KR20170122358A (en) * | 2016-04-26 | 2017-11-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | Thin film transistor substrate and display apparatus comprising the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102536563B1 (en) | 2023-05-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102649752B1 (en) | Display apparatus | |
CN109216374B (en) | Display device and method for manufacturing the same | |
US11063068B2 (en) | Display apparatus | |
US11056509B2 (en) | Display device having a plurality of thin-film transistors with different semiconductors | |
KR101841770B1 (en) | Oxide Thin Film Transistor Flat Display Device and Method for fabricating thereof | |
CN103872061A (en) | Array substrate and method of fabricating the same | |
EP2800142B1 (en) | Thin film transistor substrate and organic light emitting device using the same | |
US7268405B2 (en) | Flat panel display and method of fabricating the same | |
US8900914B2 (en) | TFT substrate and method for manufacturing same | |
US9461066B2 (en) | Thin film transistor and method of manufacturing the same, array substrate and display device | |
US8735890B2 (en) | Display substrate and method of manufacturing the display substrate | |
KR102596361B1 (en) | Thin film transistor and display apparatus comprising the same | |
KR20190030840A (en) | Thin film transistor and display device | |
KR20190065679A (en) | Thin film transistor and display apparatus | |
KR102536563B1 (en) | Display apparatus | |
US10396213B2 (en) | Active device array substrate and manufacturing method thereof | |
KR20110058355A (en) | Array substrate and method of fabricating the same | |
KR100601372B1 (en) | Method for fabricating of organic emitting light device | |
KR20110053018A (en) | Array substrate and method of fabricating the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
GRNT | Written decision to grant |