KR20190068915A - 투명 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 표시 영상의 시인성이 저하되지 않는 투명표시장치를 제공하고자 한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 표시 장치는 서로 마주보는 제1 기판 및 제2 기판, 제1 기판의 상기 제2 기판과 마주보는 일면에 배치된 표시 구동 트랜지스터 및 반사 구동 트랜지스터, 표시 구동 트랜지스터 및 반사 구동 트랜지스터 상에 배치되어, 표시 구동 트랜지스터와 전기적으로 연결된 유기 발광 소자, 및 유기발광소자 상에 배치되어 반사 구동 트랜지스터와 전기적으로 연결되고, 콜레스테릭 액정들을 포함하는 제1 광 제어 소자를 포함한다.

Description

투명 표시 장치{TRANSPARENT DISPLAY}
본 발명은 투명 표시 장치에 관한 것이다.
최근 정보화 시대로 접어듦에 따라 대량의 정보를 처리 및 표시하는 디스플레이(display) 분야가 급속도로 발전해 왔고, 이에 부응하여 여러 가지 다양한 표시장치가 개발되어 각광받고 있다. 표시장치는 액정표시장치(Liquid Crystal Display device: LCD), 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel device: PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display device : FED), 전기발광표시장치(Electroluminescence Display device : ELD), 유기발광소자(Organic Light Emitting Diodes : OLED)
최근에는 표시장치는 박형화, 경량화, 및 저소비전력화되고 있으며, 이로 인해 표시장치의 적용 분야가 계속 증가하고 있다. 특히, 표시장치는 대부분의 전자 장치나 모바일 기기에서 사용자 인터페이스의 하나로 사용되고 있다.
또한, 최근에는 특성상 사용자가 표시장치의 배면(背面)에 위치한 사물 또는 배경을 볼 수 있는 투명표시장치에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 투명표시장치는 공간활용성, 인테리어 및 디자인의 장점을 가지며, 다양한 응용분야를 가질 수 있다. 투명표시장치는 정보인식, 정보처리 및 정보표시의 기능을 투명한 전자기기로 구현함으로써 기존 전자기기의 공간적 및 시각적 제약을 해소할 수 있다. 예를 들어, 투명표시장치는 건물이나 자동차의 창문(window)에 적용되어 배경을 보이거나 화상을 표시하는 스마트 창(smart window)으로 구현될 수 있다.
이러한 투명표시장치는 투명해야 하기 때문에 반사판을 포함하지 않는다. 영상을 표시할 때, 투명표시장치는 외부광이 차단되지 않아 시인성이 저하되는 문제점이 있다.
본 발명은 표시 영상의 시인성이 저하되지 않는 투명표시장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 투명 표시 장치는 서로 마주보는 제1 기판 및 제2 기판, 제1 기판의 상기 제2 기판과 마주보는 일면에 배치된 표시 구동 트랜지스터 및 반사 구동 트랜지스터, 표시 구동 트랜지스터 및 반사 구동 트랜지스터 상에 배치되어, 표시 구동 트랜지스터와 전기적으로 연결된 유기 발광 소자, 및 유기발광소자 상에 배치되어 반사 구동 트랜지스터와 전기적으로 연결되고, 콜레스테릭 액정들을 포함하는 제1 광 제어 소자를 포함한다.
본 발명의 실시예는 표시 구동 트랜지스터들 및 반사 구동 트랜지스터들이 동일한 층에 형성되기 때문에 표시 구동 트랜지스터들 및 반사 구동 트랜지스터들을 동시에 형성할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시예에 따른 투명 표시 장치는 표시 구동 트랜지스터들 및 반사 구동 트랜지스터들을 각각 다른 층에 형성하는 경우보다 두께가 얇아지고 투과율이 향상될 수 있다.
또한, 본 발명은 표시 구동 트랜지스터들 및 반사 구동 트랜지스터들을 동시에 형성할 수 있기 때문에 공정이 증가하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명은 표시 구동 트랜지스터들 및 반사 구동 트랜지스터들이 화소마다 배치되어 부분 제어가 가능하다.
또한, 본 발명은 유기 발광층과 액정층을 중첩되도록 배치할 수 있다. 제1 및 제2 실시예에 따른 투명 표시 장치는 유기 발광층이 발광하면 액정층을 반사 모드로 구동하고, 유기 발광층으로부터 입사되는 광 및 외부로부터 입사되는 광을 반사시킬 수 있다. 이에 따라, 투명 표시 장치는 휘도 및 CR(Contrast Ratio)을 향상시키고, 표시 영상의 시인성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명은 유기 발광층과 액정층을 중첩되도록 배치할 수 있다. 제3 실시예에 따른 투명 표시 장치는 유기 발광층이 발광하지 않으면 액정층을 반사 모드로 구동하고, 외부로부터 입사되는 광을 반사시킬 수 있다. 이에 따라, 투명 표시 장치는 영상이 표시되지 않는 부분을 활용하여 부분적으로 거울 기능을 가질 수 있다.
또한, 본 발명은 제2 광 제어층을 형성함으로써 차광 모드를 구현할 수 있다. 투명 표시 장치는 유기 발광층과 차광 모드가 가능한 제2 광 제어 소자가 중첩되어 형성될 수 있다. 이에 따라, 투명 표시 장치는 화소에서 검은색을 표시하는 경우 전기 변색층을 차광 모드로 구동하여 외부광에 의해 검은색 화면의 시인성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명에서 얻을 수 있는 효과는 이상에서 언급한 효과로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 투명 표시 장치를 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1의 제1 기판, 게이트 구동부, 소스 드라이브 IC, 연성필름, 회로보드, 및 타이밍 제어부를 보여주는 평면도이다.
도 3은 제1 기판의 화소들을 보여주는 평면도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 투명 표시 장치를 보여주는 측단면도이다.
도 5는 도 4의 A영역의 예를 보여주는 확대도이다.
도 6은 도 4의 A영역의 변형된 예를 보여주는 확대도이다.
도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 투명 표시 장치의 동작을 보여주는 측단면도이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 투명 표시 장치를 보여주는 측단면도이다.
도 9는 도 8의 A영역의 예를 보여주는 확대도이다.
도 10은 도 8의 A영역의 변형된 예를 보여주는 확대도이다.
도 11은 본 발명의 제3 실시예에 따른 투명 표시 장치를 보여주는 측단면도이다.
도 12는 도 11의 A영역의 예를 보여주는 확대도이다.
도 13a는 제2 광 제어 소자가 투명 모드일 때 본 발명의 제3 실시예에 따른 투명 표시 장치의 동작을 보여주는 측단면도이다.
도 13b는 제2 광 제어 소자가 차광 모드일 때 본 발명의 제3 실시예에 따른 투명 표시 장치의 동작을 보여주는 측단면도이다.
도 14는 본 발명의 제4 실시예에 따른 투명 표시 장치를 보여주는 측단면도이다.
도 15는 도 14의 A영역의 일 예를 보여주는 확대도이다..
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.
본 명세서에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.
"X축 방향", "Y축 방향" 및 "Z축 방향"은 서로 간의 관계가 수직으로 이루어진 기하학적인 관계만으로 해석되어서는 아니 되며, 본 발명의 구성이 기능적으로 작용할 수 있는 범위 내에서보다 넓은 방향성을 가지는 것을 의미할 수 있다.
"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제 1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미할 수 있다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 투명 표시 장치를 보여주는 사시도이다. 도 2는 도 1의 제1 기판, 게이트 구동부, 소스 드라이브 IC, 연성필름, 회로보드, 및 타이밍 제어부를 보여주는 평면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)는 표시패널(110), 게이트 구동부(120), 소스 드라이브 집적회로(integrated circuit, 이하 "IC"라 칭함)(130), 연성필름(140), 회로보드(150), 및 타이밍 제어부(160)를 포함한다.
표시패널(110)은 제1 기판(111)과 제2 기판(112)을 포함한다. 제2 기판(112)은 봉지 기판일 수 있다. 제1 기판(111)과 제2 기판(112)은 플라스틱 또는 유리(glass)일 수 있다.
제2 기판(112)과 마주보는 제1 기판(111)의 일면 상에는 게이트 라인들, 데이터 라인들, 및 화소(P)들이 형성된다. 화소(P)들은 게이트 라인들과 데이터 라인들의 교차 구조에 의해 정의되는 영역에 마련된다.
화소(P)들 각각은 제1 박막 트랜지스터와 제1 애노드 전극, 유기발광층, 및 제2 캐소드 전극을 구비하는 유기발광소자(210)를 포함할 수 있다. 또한, 화소(P)들 각각은 제2 박막 트랜지스터와 제2 애노드 전극, 액정층, 및 제2 캐소드 전극을 구비하는 제1 광 제어소자(220)를 포함할 수 있다. 화소(P)들 각각의 구조에 대한 자세한 설명은 도 3 내지 도 5을 결부하여 후술한다.
표시패널(110)은 도 2와 같이 화소들이 형성되어 화상을 표시하는 표시영역(DA)과 화상을 표시하지 않는 비 표시영역(NDA)으로 구분될 수 있다. 표시영역(DA)에는 게이트 라인들, 데이터 라인들, 및 화소들이 형성될 수 있다. 비 표시영역(NDA)에는 게이트 구동부(120)와 패드들이 형성될 수 있다.
게이트 구동부(120)는 타이밍 제어부(160)로부터 입력되는 게이트 제어신호에 따라 게이트 라인들에 게이트 신호들을 공급한다. 게이트 구동부(120)는 표시패널(110)의 표시영역(DA)의 일측 또는 양측 바깥쪽의 비 표시영역(DA)에 GIP(gate driver in panel) 방식으로 형성될 수 있다. 또는, 게이트 구동부(120)는 구동 칩으로 제작되어 연성필름에 실장되고 TAB(tape automated bonding) 방식으로 표시패널(110)의 표시영역(DA)의 일측 또는 양측 바깥쪽의 비 표시영역(DA)에 부착될 수도 있다.
소스 드라이브 IC(130)는 타이밍 제어부(160)로부터 디지털 비디오 데이터와 소스 제어신호를 입력받는다. 소스 드라이브 IC(130)는 소스 제어신호에 따라 디지털 비디오 데이터를 아날로그 데이터전압들로 변환하여 데이터 라인들에 공급한다. 소스 드라이브 IC(130)가 구동 칩으로 제작되는 경우, COF(chip on film) 또는 COP(chip on plastic) 방식으로 연성필름(140)에 실장될 수 있다.
표시패널(110)의 비 표시영역(NDA)에는 데이터 패드들과 같은 패드들이 형성될 수 있다. 연성필름(140)에는 패드들과 소스 드라이브 IC(130)를 연결하는 배선들, 패드들과 회로보드(150)의 배선들을 연결하는 배선들이 형성될 수 있다. 연성필름(140)은 이방성 도전 필름(antisotropic conducting film)을 이용하여 패드들 상에 부착되며, 이로 인해 패드들과 연성필름(140)의 배선들이 연결될 수 있다.
회로보드(150)는 연성필름(140)들에 부착될 수 있다. 회로보드(150)는 구동 칩들로 구현된 다수의 회로들이 실장될 수 있다. 예를 들어, 회로보드(150)에는 타이밍 제어부(160)가 실장될 수 있다. 회로보드(150)는 인쇄회로보드(printed circuit board) 또는 연성 인쇄회로보드(flexible printed circuit board)일 수 있다.
타이밍 제어부(160)는 회로보드(150)의 케이블을 통해 외부의 시스템 보드로부터 디지털 비디오 데이터와 타이밍 신호를 입력 받는다. 타이밍 제어부(160)는 타이밍 신호에 기초하여 게이트 구동부(120)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 제어신호와 소스 드라이브 IC(130)들을 제어하기 위한 소스 제어신호를 발생한다. 타이밍 제어부(160)는 게이트 제어신호를 게이트 구동부(120)에 공급하고, 소스 제어신호를 소스 드라이브 IC(130)들에 공급한다.
도 3은 제1 기판의 화소들을 보여주는 평면도이다.
도 3을 참조하면, 표시 게이트 라인(GD)들과 반사 게이트 라인(GR)들은 제1 방향(X축 방향)으로 배치되고, 데이터 라인(D)들과 고전위 전압 라인(VDDL)들은 제1 방향과 교차하는 제2 방향(Y축 방향)으로 배치될 수 있다.
표시 게이트 라인(GD)들과 반사 게이트 라인(GR)들은 제2 방향(Y축 방향)으로 서로 인접한 화소(P)들 사이에 배치될 수 있다. 이때, 표시 게이트 라인(GD)들은 표시 구동부(DAD)에 인접하게 배치되고, 반사 게이트 라인(GR)들은 반사 구동부(RAD)에 인접하게 배치될 수 있다. 데이터 라인(D)들과 고전위 전압 라인(VDDL)들은 제1 방향(X축 방향)으로 서로 인접한 화소(P)들 사이에 배치될 수 있다.
화소(P)들 각각은 표시부(DA)와 표시 구동부(DAD)를 포함할 수 있다. 표시부(DA)는 제1 애노드 전극, 유기발광층, 및 제1 캐소드 전극를 포함하는 유기발광소자(210)를 포함할 수 있다. 표시 구동부(DAD)는 표시 게이트 라인(GD), 데이터 라인(D), 및 고전위 전압 라인(VDDL)에 접속될 수 있다.
표시 구동부(DAD)는 표시 게이트 라인(GD)에 게이트 신호가 인가되는 경우 데이터 라인(D)의 표시 데이터 전압을 인가받으며, 표시 데이터 전압에 따라 유기발광소자(210)의 제1 애노드 전극에 소정의 고전위 전압을 인가한다. 제1 애노드 전극에 고전위 전압이 인가되고 제1 캐소드 전극에 저전위 전압이 인가되면 정공과 전자가 각각 유기발광층으로 이동하게 되며, 유기발광층에서 서로 결합하여 발광하게 된다.
또한, 화소(P)들 각각은 반사부(RA)와 반사 구동부(RAD)를 포함할 수 있다. 반사부(RA)는 제2 애노드 전극, 액정층, 및 제2 캐소드 전극을 포함하는 제1 광 제어소자(220)를 포함할 수 있다. 반사 구동부(RAD)는 반사 게이트 라인(GR)과 데이터 라인(D)에 접속될 수 있다.
반사 구동부(RAD)는 반사 게이트 라인(GR)에 게이트 신호가 인가되는 경우 데이터 라인(D)의 반사 데이터 전압을 광 제어 소자의 제2 애노드 전극에 공급한다. 이 경우, 제2 애노드 전극과 제2 캐소드 전극에 전압이 인가되면 액정의 상이 변하게 된다.
예를 들어, 제2 애노드 전극과 제2 캐소드 전극에 전압이 인가되지 않으면, 액정층에 포함된 콜레스테릭 액정(cholesteric liquid crystal)들은 플래너 상(planar state)을 가진다. 플래너 상은 입사되는 빛 중에서 특정 파장의 빛을 반사할 수 있다.
또한, 제2 애노드 전극과 제2 캐소드 전극에 전압이 인가되면, 액정층에 포함된 콜레스테릭 액정들은 플래너 상에서 호메오트로픽 상(homeotropic state)으로 변할 수 있다. 호메오트로픽 상은 입사되는 빛을 투과시킬 수 있다.
제1 실시예
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 투명 표시 장치를 보여주는 측단면도이다.
도 4에서는 설명의 편의를 위하여 화소(P) 각각의 표시 구동 트랜지스터(DT), 표시부(DA), 반사 구동 트랜지스터(RT) 및 반사부(RA)만을 예시하였다.
도 4를 참조하면, 제1 기판(111) 상에는 박막 트랜지스터층(10)이 형성된다. 박막 트랜지스터층(10)은 표시 구동부(DAD)) 및 반사 구동부(RAD)를 포함할 수 있다. 표시 구동부(DAD)는 화소(P)들의 표시 구동 트랜지스터(DT)들을 포함하고, 반사 구동부(RAD)는 반사 구동 트랜지스터(RT)들을 포함할 수 있다. 표시 구동 트랜지스터(DT)들 및 반사 구동 트랜지스터(RT)들은 동일한 층에 형성될 수 있으며, 화소(P) 마다 배치될 수 있다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)는 표시 구동 트랜지스터(DT)들 및 반사 구동 트랜지스터(RT)들이 동일한 층에 형성되기 때문에 표시 구동 트랜지스터(DT)들 및 반사 구동 트랜지스터(RT)들을 동시에 형성할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 제1 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)는 표시 구동 트랜지스터(DT)들 및 반사 구동 트랜지스터(RT)들을 각각 다른 층에 형성하는 경우보다 두께가 얇아지고 투과율이 향상될 수 있다.
박막 트랜지스터층(10) 상에는 유기발광소자층(20)이 형성된다. 유기발광소자층(20)에는 유기발광소자(210)를 포함하는 표시부(DA)가 형성된다. 유기발광소자(210)는 제1 애노드 전극, 유기발광층, 및 제1 캐소드 전극을 포함할 수 있다. 유기발광층이 형성된 영역은 발광부(EA)로 정의될 수 있으며, 유기발광층은 화소(P)마다 배치된다.
유기발광소자층(20) 상에는 제1 광 제어층(30)이 형성된다. 제1 광 제어층(30)에는 제1 광 제어소자(220)를 포함하는 반사부(RA)가 형성된다. 제1 광 제어소자(220)는 제2 애노드 전극, 액정층, 및 제2 캐소드 전극을 포함할 수 있다. 제1 광 제어층(30) 상에는 제2 기판(112)이 형성된다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)의 자세한 구조에 대해서는 도 5를 참조하여 구체적으로 설명하도록 한다.
도 5는 도 4의 A영역의 예를 보여주는 확대도이고, 도 6은 도 4의 A영역의 변형된 예를 보여주는 확대도이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)는 제1 기판(111), 박막 트랜지스터층(10), 유기발광소자층(20), 제1 광 제어층(30), 및 제2 기판(112)을 포함할 수 있다.
제1 기판(111)은 제2 기판(112)과 마주보도록 배치된다. 제1 기판(111) 및 제2 기판(112)은 투명한 유리기판(glass substrate) 또는 플라스틱 필름(plastic film)일 수 있다. 예를 들어, 제1 기판(111) 및 제2 기판(112)은 TAC(triacetyl cellulose) 또는 DAC(diacetyl cellulose) 등과 같은 셀룰로오스 수지, 노르보르넨 유도체(norbornene derivatives) 등의 COP(cyclo olefin polymer), COC(cyclo olefin copolymer), PMMA(poly(methylmethacrylate)) 등의 아크릴 수지, PC(polycarbonate), PE(polyethylene) 또는 PP(polypropylene) 등의 폴리올레핀(polyolefin), PVA(polyvinyl alcohol), PES(poly ether sulfone), PEEK(polyetheretherketone), PEI(polyetherimide), PEN(polyethylenenaphthalate), PET(polyethyleneterephthalate) 등의 폴리에스테르(polyester), PI(polyimide), PSF(polysulfone), 또는 불소 수지(fluoride resin) 등을 포함하는 시트 또는 필름일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
제1 기판(111) 상에는 박막 트랜지스터층(10)이 형성된다. 박막 트랜지스터층(10)은 라이트 실드(LS), 버퍼막(BF), 표시 구동 트랜지스터(DT)들, 반사 구동 트랜지스터(RT)들, 제1 절연막(ILD1), 제2 절연막(ILD2), 및 보호막(PAS)를 포함할 수 있다.
제1 기판(111) 상에는 라이트 실드(LS)가 표시 구동 트랜지스터(DT)들 및 반사 구동 트랜지스터(RT)들와 중첩되도록 배치될 수 있다. 라이트 실드(LS)는 액티브층(ACT1, ACT2)으로 입사되는 외부광을 차단하며, 저반사 물질로 이루어져 외부로부터 유입되는 광이 외부로 다시 반사되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 본 발명의 제1 실시예에 따른 투명 표시 장치는 라이트 실드(LS)에 의해서 외부 광이 다시 반사되지 않기 때문에 야외에서 시인성이 떨어지는 것을 방지하여 화상 품위가 저하되는 것을 방지할 수 있다.
제1 기판(111) 상에는 버퍼막(BF)이 형성될 수 있다. 버퍼막(BF)은 투습에 취약한 제1 기판(111)을 통해 침투하는 수분으로부터 표시 구동 트랜지스터(DT)들 및 반사 구동 트랜지스터(RT)들과 발광 소자들을 보호하기 위해 제1 기판(111) 상에 형성될 수 있다. 버퍼막(BF)은 교번하여 적층된 복수의 무기막들로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 버퍼막(BF)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), SiON 중 하나 이상의 무기막이 교번하여 적층된 다중막으로 형성될 수 있다. 버퍼막(BF)은 생략될 수 있다.
버퍼막(BF) 상에는 표시 구동 트랜지스터(DT)들 및 반사 구동 트랜지스터(RT)들이 형성된다. 표시 구동 트랜지스터(DT)들 및 반사 구동 트랜지스터(RT)들은 동일한 층에 이격되어 배치된다.
표시 구동 트랜지스터(DT)들 및 반사 구동 트랜지스터(RT)들 각각은 액티브층(ACT1, ACT2), 게이트 전극(GE1, GE2), 소스 전극(SE1, SE2), 및 드레인 전극(DE1, DE2)을 포함한다. 도 5에 도시된 표시 구동 트랜지스터(DT)들 및 반사 구동 트랜지스터(RT)들은 게이트 전극(GE1, GE2)이 액티브층(ACT1, ACT2)의 상부에 위치하는 상부 게이트(탑 게이트, top gate) 방식으로 형성된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않음에 주의하여야 한다. 즉, 표시 구동 트랜지스터(DT)들 및 반사 구동 트랜지스터(RT)들은 게이트 전극(GE1, GE2)이 액티브층(ACT1, ACT2)의 하부에 위치하는 하부 게이트(보텀 게이트, bottom gate) 방식 또는 게이트 전극(GE1, GE2)이 액티브층(ACT1, ACT2)의 상부와 하부에 모두 위치하는 더블 게이트(double gate) 방식으로 형성될 수 있다.
버퍼막(BF) 상에는 액티브층(ACT1, ACT2)이 형성된다. 액티브층(ACT1, ACT2)은 실리콘계 반도체 물질 또는 산화물계 반도체 물질로 형성될 수 있다. 버퍼막(BF)과 액티브층(ACT1, ACT2) 사이에는 액티브층(ACT1, ACT2)으로 입사되는 외부광을 차단하기 위한 차광층이 형성될 수 있다.
액티브층(ACT1, ACT2) 상에는 제1 절연막(ILD1)이 형성될 수 있다. 제1 절연막(ILD1)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.
제1 절연막(ILD1) 상에는 게이트 전극(GE1, GE2)과 표시 게이트 라인(GD), 반사 게이트 라인(GR)이 형성될 수 있다. 게이트 전극(GE1, GE2)과 표시 게이트 라인(GD), 반사 게이트 라인(GR)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.
게이트 전극(GE1, GE2)과 표시 게이트 라인(GD), 반사 게이트 라인(GR) 상에는 제2 절연막(ILD2)이 형성될 수 있다. 제2 절연막(ILD2)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.
제2 절연막(ILD2) 상에는 소스 전극(SE1, SE2), 드레인 전극(DE1, DE2) 및 데이터 라인(D)이 형성될 수 있다. 소스 전극(SE1, SE2) 및 드레인 전극(DE1, DE2) 각각은 제1 절연막(ILD1)과 제2 절연막(ILD2)을 관통하는 콘택홀을 통해 액티브층(ACT1, ACT2)에 접속될 수 있다. 소스 전극(SE1, SE2), 드레인 전극(DE1, DE2), 및 데이터 라인(D)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.
소스 전극(SE1, SE2), 드레인 전극(DE1, DE2), 및 데이터 라인(D) 상에는 표시 구동 트랜지스터(DT)들 및 반사 구동 트랜지스터(RT)들을 절연하기 위한 보호막(PAS)이 형성될 수 있다. 보호막(PAS)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.
박막 트랜지스터층(10) 상에는 유기발광소자층(20)이 형성된다. 유기발광소자층(20)은 제1 애노드 전극(ALD1), 유기 발광층(EL), 제1 캐소드 전극(CAT1)를 포함하는 유기발광소자(210), 뱅크(BK) 및 제1 오버코트층(OC1)을 포함할 수 있다.
제1 애노드 전극(AND1)은 보호막(PAS) 상에 형성될 수 있다. 제1 애노드 전극(AND1)은 보호막(PAS)을 관통하는 콘택홀을 통해 표시 구동 트랜지스터(DT)의 제1 드레인 전극(DE1)에 접속된다.
뱅크(BK)는 화소(P)들을 구획하기 위해 보호막(PAS) 상에서 제1 애노드 전극(AND1)의 가장자리를 덮도록 형성될 수 있다. 즉, 뱅크(BK)는 화소(P)들을 정의하는 화소 정의막으로서 역할을 한다. 뱅크(BK)는 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.
제1 애노드 전극(AND1) 상에는 유기 발광층(EL)이 형성된다. 유기 발광층(EL)은 표시 구동 트랜지스터(DT)와 반사 구동 트랜지스터(RT) 사이에 배치된다. 유기 발광층(EL)은 정공 수송층(hole transporting layer), 발광층(light emitting layer), 및 전자 수송층(electron transporting layer)을 포함할 수 있다. 제1 애노드 전극(AND1)으로부터의 정공은 정공 수송층을 통해 발광층으로 이동하고, 제1 캐소드 전극(CAT1)으로부터의 전자는 전자 수송층을 통해 발광층으로 이동하며, 발광층에서 서로 결합하여 발광하게 된다.
유기 발광층(EL) 상에는 제1 캐소드 전극(CAT1)이 형성된다. 제1 캐소드 전극(CAT1)은 반사 구동 트랜지스터(RT)와 중첩되는 뱅크(BK) 상에서 끊어지도록 형성될 수 있다. 제1 애노드 전극(AND1) 및 제1 캐소드 전극(CAT1)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material)로 형성될 수 있다.
제1 캐소드 전극(CAT1) 및 뱅크(BK) 상에는 제1 오버코트층(OC1)이 형성된다. 제1 오버코트층(OC1)은 유기발광소자층(20) 상부를 평탄화한다. 제1 오버코트층(OC1)은 아크릴계 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides resin)등으로 이루어질 수 있다. 또한, 제1 오버코트층(OC1)은 적어도 하나 이상의 유기막과 무기막을 포함하여 유기발광소자층(20)을 수분 침투 등으로부터 보호할 수도 있다.
유기발광소자층(20) 상에는 제1 광 제어층(30)이 형성된다. 제1 광 제어층(30)은 제2 애노드 전극(AND2), 액정층(LC), 제2 캐소드 전극(CAT2)을 포함하는 제1 광 제어소자(220), 제1 배향막(ALD1), 제2 배향막(ALD2), 격벽(CS) 및 제2 오버코트층(OC2)을 포함할 수 있다.
제2 애노드 전극(AND2)은 제1 오버코트층(OC1) 상에 형성될 수 있다. 제2 애노드 전극(AND2)은 보호막(PAS), 뱅크(BK), 및 제1 오버코트층(OC1)을 관통하는 콘택홀을 통해 반사 구동 트랜지스터(RT)의 제 2 드레인 전극(DE2) 또는 제2 소스 전극(SE2)에 접속된다. 이러한 제2 애노드 전극(AND2)은 유기 발광층(EL)과 중첩되도록 형성될 수 있다.
제2 애노드 전극(AND2) 및 제1 오버코트층(OC1) 상에는 제1 배향막(AL1)이 형성된다. 제1 배향막(AL1) 상에는 격벽(CS)들이 형성된다. 격벽(CS)들은 액정층(LC)의 셀갭(cell gap)을 유지하기 위한 것이다. 또한, 격벽(CS)들은 외부로부터 힘이 가해지는 경우, 액정층(LC)의 내부를 보호함과 동시에 제2 애노드 전극(AND2)과 제2 캐소드 전극(CAT2)이 맞닿아 단선(short)되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 격벽(CS)들은 액정층(LC)을 구획하는 기능을 할 수 있으며, 구획된 공간마다 동일한 양의 콜레스테릭 액정(CH)들이 포함되거나 구획된 공간마다 카이럴 도펀트의 양을 조정하여 카이럴 도펀트에 의해 나선 구조로 배열되는 콜레스테릭 액정(CH)들의 피치(P)를 다르게 할 수 있다. 카이럴 도펀트에 의해 나선 구조로 배열된 콜레스테릭 액정(CH)들의 피치(P)를 다르게 하는 경우, 카이럴 도펀트에 의해 나선 구조로 배열된 콜레스테릭 액정(CH)들에 의해 반사되는 빛의 파장대를 조정할 수 있다. 격벽(CS)들은 빛을 통과시킬 수 있는 투명한 재질의 포토 레지스트(photo resist), 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane), 폴리머(polymer), 광경화성 폴리머(uv curable polymer) 중 어느 하나로 이루어질 수 있으며, 이들에 한정되지 않는다.
또는, 격벽(CS)들이 유기 발광층(EL)과 중첩되지 않는 경우, 격벽(CS)들은 빛을 흡수할 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 격벽(CS)들은 각각은 블랙 격벽으로 구현될 수 있다. 또는, 격벽(CS)들은 빛을 산란할 수 있는 산란 입자들을 포함할 수 있다. 산란 입자는 비즈(bids) 또는 실리카 볼(silica ball)일 수 있다. 한편, 격벽(CS)들 없이도 액정층(LC)의 셀갭을 유지할 수 있는 경우, 격벽(CS)들은 생략될 수 있다.
제1 배향막(AL1) 상에는 액정층(LC)이 형성된다. 액정층(LC)은 콜레스테릭 액정(cholesteric liquid crystal, CH)들과 콜레스테릭 액정(CH)들을 나선 구조로 배열하기 위한 카이럴 도펀트(chiral dopant) 또는 감광성 카이럴 도펀트(photo-sensitive chiral dopant)를 포함할 수 있다. 또한, 액정층(LC)은 광개시제와 같은 첨가제를 더 포함할 수도 있다.
콜레스테릭 액정(LC)들은 두 개의 안정한 상태인 플래너 상(planar state)과 포컬 코닉 상(focal conic state), 그리고 호메오트로픽 상(homeotropic state)으로 이루어지는 세 가지 상(state)으로 상 변화(state transition or phase transition)할 수 있다. 플래너 상은 입사되는 빛 중에서 특정 파장의 빛을 반사하고, 포컬 코닉 상(focal conic state)은 입사되는 빛을 산란(light scattering)시키며, 호메오트로픽 상(homeotropic state)은 입사되는 빛을 투과시킬 수 있다. 즉, 콜레스테릭 액정(CH)들은 상 변화를 통해 빛을 반사, 산란 또는 투과시킬 수 있다.
제1 광 제어소자(220)는 제2 애노드 전극(AND2) 및 제2 캐소드 전극(CAT2)에 인가되는 전압에 따라 반사 모드 및 투명 모드 중 어느 하나를 구현할 수 있다. 보다 구체적으로, 제2 애노드 전극(AND2) 및 제2 캐소드 전극(CAT2)에 전압이 인가되지 않으면, 액정층(LC)의 콜레스테릭 액정(CH)들은 플래너 상을 가질 수 있다. 이에 따라, 제1 광 제어소자(220)는 반사 모드를 구현할 수 있다. 이때, 전압이 인가되지 않는 경우는 제2 애노드 전극(AND2) 및 제2 캐소드 전극(CAT2)에 전압이 인가되지 않거나 제2 애노드 전극(AND2)에 인가된 전압과 제2 캐소드 전극(CAT2)에 인가된 전압 간의 전압 차가 기준 전압보다 작은 경우를 포함할 수 있다.
그리고 제2 애노드 전극(AND2) 및 제2 캐소드 전극(CAT2)에 전압이 인가되면, 액정층(LC)의 콜레스테릭 액정(CH)들은 플래너 상에서 호메오트로픽 상으로 변화한다. 이에 따라, 제1 광 제어소자(220)는 투명 모드를 구현할 수 있다.
이러한 액정층(LC)은 제2 애노드 전극(AND2) 및 제2 캐소드 전극(CAT2)이 중첩되는 영역에서 플래너 상에서 호메오트로픽 상 또는 호메오트로픽 상에서 플래너 상으로 상변환이 발생한다. 즉, 액정층(LC)이 도 5에 도시된 바와 같이 표시 구동 트랜지스터(DT)들 및 반사 구동 트랜지스터(RT)들 상에 형성되더라도, 제2 애노드 전극(AND2)과 중첩되지 않는 표시 구동 트랜지스터(DT)들 및 반사 구동 트랜지스터(RT)들 상에 형성된 액정층(LC)은 호메오트로픽 상으로 상변환이 나타나지 않는다.
한편, 도 5에서는 액정층(LC)이 유기 발광층(EL)은 물론 표시 구동 트랜지스터(DT)들 및 반사 구동 트랜지스터(RT)들 상에도 형성되는 것으로 도시하고 있으나, 이에 한정되지 않는다. 본 발명에 따른 액정층(LC)은 유기 발광층(EL)과 중첩되도록 형성되어야 하면, 표시 구동 트랜지스터(DT)들 및 반사 구동 트랜지스터(RT)들과는 중첩될 수도 있고, 중첩되지 않을 수도 있다. 다른 일 실시예에 있어서, 액정층(LC)은 도 6에 도시된 바와 같이 표시 구동 트랜지스터(DT)들 및 반사 구동 트랜지스터(RT)들과 중첩되지 않을 수도 있다. 도 6에 도시된 격벽(CS)들은 표시 구동 트랜지스터(DT)들 및 반사 구동 트랜지스터(RT)들과 중첩되기 위하여, 도 5에 도시된 격벽(CS)보다 넓은 폭을 가지도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 제조 공정에서 액체 상태의 콜레스테릭 액정(CH)을 유기발광소자(210) 상에 도포함에 있어 제어가 용이하며, 비교적 적은 양의 콜레스테릭 액정(CH)들로도 제조가 가능할 수 있다.
액정층(LC) 상에는 제2 배향막(AL2)이 형성된다. 제2 배향막(AL2) 상에는 제2 캐소드 전극(CAT2)이 형성된다. 제2 애노드 전극(AND2) 및 제2 캐소드 전극(CAT2)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material)로 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 제1 광 제어소자(220)는 유기발광소자(210)가 발광하는 경우 반사 모드로 구동하여 외부 광을 반사시킨다. 이에 따라, 표시 영상의 시인성이 저하되지 않을 수 있다.
제2 캐소드 전극(CAT2) 상에는 제2 오버코트층(OC2)이 형성된다. 제2 오버코트층(OC2)은 제1 광 제어층(30) 상부를 평탄화한다. 제2 오버코트층(OC2)은 아크릴계 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides resin)등으로 이루어질 수 있다.
또한, 제2 오버코트층(OC2)은 투명 표시 장치(100) 내부에 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다. 이를 위해, 제2 오버코트층(OC2)은 적어도 하나의 무기막을 포함할 수 있다. 무기막은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 또는 티타늄 산화물로 형성될 수 있다. 또한, 제2 오버코트층(OC2)은 적어도 하나의 유기막을 더 포함할 수 있다. 유기막은 이물들(particles)이 제2 오버코트층(OC2)을 뚫고 캐소드 전극(CAT1, CAT2), 액정층(LC), 및 유기 발광층(EL)에 투입되는 것을 방지하기 위해 충분한 두께로 형성될 수 있다.
제2 기판(112)은 제1 기판(111)과 마주보도록 제2 오버코트층(OC2) 상에 배치된다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)는 표시 구동 트랜지스터(DT)들 및 반사 구동 트랜지스터(RT)들이 동일한 층에 형성되기 때문에 표시 구동 트랜지스터(DT)들 및 반사 구동 트랜지스터(RT)들을 동시에 형성할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)는 표시 구동 트랜지스터(DT)들 및 반사 구동 트랜지스터(RT)들을 각각 다른 층에 형성하는 경우보다 두께가 얇아지고 투과율이 향상될 수 있다.
또한, 본 발명의 제1 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)는 표시 구동 트랜지스터(DT)들 및 반사 구동 트랜지스터(RT)들을 동시에 형성할 수 있기 때문에 공정이 증가하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 제1 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)는 표시 구동 트랜지스터(DT)들 및 반사 구동 트랜지스터(RT)들이 화소마다 배치되어 부분 제어가 가능하다.
또한, 본 발명의 제1 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)는 유기 발광층(EL)과 액정층(LC)을 중첩되도록 배치한다. 이러한 투명 표시 장치(100)는 유기 발광층(EL)이 발광하면 액정층(LC)을 반사 모드로 구동하고, 유기 발광층(EL)으로부터 입사되는 광 및 외부로부터 입사되는 광을 반사시킬 수 있다. 이에 따라, 투명 표시 장치(100)는 휘도 및 CR(Contrast Ratio)을 향상시키고, 표시 영상의 시인성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 투명 표시 장치의 동작을 보여주는 측단면도이다.
도 7을 참조하면, 표시부(DA)는 발광 모드 및 비발광 모드 중 어느 하나로 구동한다. 발광 모드에서는 유기 발광층(EL)이 발광하며, 비발광 모드에서는 유기 발광층(EL)이 발광하지 않는다. 반사부(RA)는 반사 모드 및 투명 모드 중 어느 하나로 구동한다. 반사 모드에서는 입사되는 광을 반사시키며, 투명 모드에서는 입사되는 광을 투과시킨다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)는 복수의 화소(P)들을 포함하고, 각각의 화소(P)에 표시부(DA) 및 반사부(RA)를 포함한다. 이때, 투명 표시 장치(100)는 화소(P)의 표시부(DA)가 발광 모드이면, 해당 화소(P)의 반사부(RA)를 반사 모드로 구동한다. 반대로, 투명 표시 장치(100)는 화소(P)의 표시부(DA)가 비발광 모드이면, 해당 화소(P)의 반사부(RA)를 투명 모드로 구동한다.
도 7에서는 제1 화소(P1) 및 제3 화소(P3)의 표시부(DA)가 발광 모드이고, 제1 화소(P1) 및 제3 화소(P3)의 반사부(RA)가 반사 모드인 것을 도시한다. 또한, 도 7에서는 제2 화소(P2)의 표시부(DA)가 비발광 모드이고, 제2 화소(P2)의 반사부(RA)가 투명 모드인 것을 도시한다.
제1 화소(P1) 및 제3 화소(P3)는 유기 발광층(EL)을 발광시킴으로써 표시부(DA)에 영상을 표시한다. 제1 화소(P1) 및 제3 화소(P3)는 유기 발광층(EL)으로부터 출력된 광(L3)을 제1 기판(111)으로 출력시킨다. 보다 구체적으로, 유기 발광층(EL)으로부터 출력된 광(L3) 중 제1 기판(111)을 향하여 출력된 광(L3)은 제1 기판(111)을 그대로 투과한다. 유기 발광층(EL)으로부터 출력된 광(L3) 중 반사부(RA)를 향하여 출력된 광(L3)은 반사부(RA)에 의하여 반사되어 제1 기판(111)을 향하게 되고, 제1 기판(111)을 그대로 투과한다. 투명 표시 장치(100)는 반사부(RA)를 반사 모드로 구동함으로써 유기 발광층(EL)으로부터 출력된 광이 손실되는 것을 줄일 수 있다. 이에 따라, 투명 표시 장치(100)는 휘도 및 CR이 개선될 수 있다.
제1 화소(P1) 및 제3 화소(P3)는 제1 기판(111)으로 입사된 광(L1) 및 제2 기판(112)으로 입사된 광(L2)을 반사부(RA)에 의하여 반사시킨다. 이를 통해, 투명 표시 장치(100)는 표시 영상의 시인성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
제2 화소(P2)는 표시부(DA)에 영상이 표시되지 않으며, 반사부(RA)가 투명한 상태를 가진다. 제1 애노드 전극(AND1), 제1 캐소드 전극(CAT1), 제2 애노드 전극(AND2) 및 제2 캐소드 전극(CAT2)이 투명한 금속 물질로 형성되므로, 제2 화소(P2)는 제1 기판(111)으로 입사된 광(L1) 및 제2 기판(112)으로 입사된 광(L2)을 투과시킨다.
제2 실시예
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 투명 표시 장치를 보여주는 측단면도이다.
도 8에서는 설명의 편의를 위하여 화소(P) 각각의 표시 구동 트랜지스터(DT), 표시부(DA), 반사 구동 트랜지스터(RT) 및 반사부(RA)만을 예시하였다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 투명 표시 장치는 제1 기판(111), 제2 기판(112), 박막 트랜지스터층(10), 유기발광소자층(20), 제1 광 제어층(30) 및 제2 광 제어층(40)을 포함한다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)는 제2 광 제어층(40)을 더 포함한다는 점에서만 차이가 있고, 나머지 구성들은 본 발명의 제1 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)와 실질적으로 동일하다. 이에 따라, 이하에서는 제1 기판(111), 제2 기판(112), 박막 트랜지스터층(10), 유기발광소자층(20) 및 제1 광 제어층(30)에 대한 구체적인 설명을 생략하도록 한다.
도 8을 참조하면, 제1 광 제어층(30) 상에는 제2 광 제어층(40)이 형성된다. 제2 광 제어층(40)은 제3 애노드 전극, 전기 변색층 및 제3 캐소드 전극을 포함하는 제2 광 제어 소자(230)가 형성된다. 제2 광 제어층(40) 상에는 제2 기판(112)이 형성된다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)의 자세한 구조에 대해서는 도 9를 참조하여 구체적으로 설명하도록 한다.
도 9는 도 8의 A영역의 예를 보여주는 확대도이고, 도 10은 도 8의 A영역의 변형된 예를 보여주는 확대도이다.
도 9를 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)는 제1 기판(111), 박막 트랜지스터층(10), 유기발광소자층(20), 제1 광 제어층(30), 제2 광 제어층(40) 및 제2 기판(112)을 포함할 수 있다.
제1 광 제어층(30) 상에는 제2 광 제어층(40)이 형성된다. 제2 광 제어층(40)은 제3 애노드 전극(AND3), 전기 변색층(EC) 및 제3 캐소드 전극(CAT3)을 포함하는 제2 광 제어 소자(230), 제3 절연막(ILD3) 및 제2 오버코트층(OC2)을 포함할 수 있다.
제1 광 제어층(30)의 제2 캐소드 전극(CAT2) 상에는 제3 절연막(ILD3)이 형성된다. 제3 절연막(ILD3)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.
제3 절연막(ILD3) 상에는 제2 광 제어 소자(230)가 형성된다. 제2 광 제어 소자(230)는 제3 애노드 전극(AND3), 전기 변색층(EC) 및 제3 캐소드 전극(CAT3)를 포함할 수 있다.
제3 애노드 전극(AND3)은 제3 절연막(ILD3) 상에 형성된다. 제3 애노드 전극(AND3)은 도 9에 도시된 바와 같이 유기발광소자(210)를 포함하는 표시부(DA)는 물론 표시 구동 트랜지스(DT)들을 포함하는 표시 구동부(DAD) 및 반사 구동 트랜지스터(RT)들을 포함하는 반사 구동부(RAD)과 중첩되도록 형성될 수 있다. 그러나 이에 한정되지는 않는다. 제3 애노드 전극(AND3)은 도 10에 도시된 바와 같이 유기발광소자(210)를 포함하는 표시부(DA)와만 중첩되도록 형성될 수 있다. 이와 같은 경우, 제2광 제어 소자는 제3 애노드 전극(AND3)이 배치된 표시부(DA)와 중첩되는 영역에서만 전기 변색층(EC)의 색이 변하게 된다. 이에 따라, 도 10에 도시된 제2 광 제어 소자(230)는 도 9에 도시된 제2 광 제어 소자(230)보다 응답 속도가 빨라질 수 있다.
제3 애노드 전극(AND3) 상에는 전기 변색층(EC)가 형성된다. 전기 변색층(EC)은 변색층, 전해질층 및 카운터층을 포함할 수 있다. 전기 변색층(EC)은 제3 애노드 전극(AND3) 및 제3 캐소드 전극(CAT3)에 전압이 인가되면 전기 변색층(EC)에서 전기화학적 산화환원 반응이 일어나며, 이로 인해 전기 변색층(EC)의 색이 변하게 된다.
예를 들어, 제3 애노드 전극(AND3)에 정극성의 데이터 전압이 인가되고 제3 캐소드 전극(CAT3)에 공통 전압이 인가되면, 제3 캐소드 전극(CAT3)에 인접한 변색층에서는 환원 반응이 일어나고, 제3 애노드 전극(AND3)에 인접한 카운터층에서는 산화 반응이 일어난다. 이 경우, 변색층은 환원 반응에 의해 검은색과 같은 소정의 색으로 변하게 되므로, 입사되는 빛을 차광할 수 있다. 또한, 제3 애노드 전극(AND3)에 부극성의 데이터 전압이 인가되고 제3 캐소드 전극(CAT3)에 공통 전압이 인가되면, 제3 캐소드 전극(CAT3)에 인접한 변색층에서는 산화 반응이 일어나고, 제3 애노드 전극(AND3)에 인접한 카운터층에서는 환원 반응이 일어난다. 이 경우, 변색층은 산화 반응에 의해 투명하게 변하게 되므로, 입사되는 빛을 그대로 통과시킬 수 있다.
전기 변색층(EC) 상에는 제3 캐소드 전극(CAT3)이 형성된다. 제3 애노드 전극(AND3) 및 제3 캐소드 전극(CAT3)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material)로 형성될 수 있다.
제3 캐소드 전극(CAT3) 상에는 제2 오버코트층(OC2)이 형성된다. 제2 오버코트층(OC2)은 제2 광 제어층(40) 상부를 평탄화한다. 제2 오버코트층(OC2)은 아크릴계 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides resin)등으로 이루어질 수 있다.
또한, 제2 오버코트층(OC2)은 투명 표시 장치(100) 내부에 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다. 이를 위해, 제2 오버코트층(OC2)은 적어도 하나의 무기막을 포함할 수 있다. 무기막은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 또는 티타늄 산화물로 형성될 수 있다. 또한, 제2 오버코트층(OC2)은 적어도 하나의 유기막을 더 포함할 수 있다. 유기막은 이물들(particles)이 제2 오버코트층(OC2)을 뚫고 캐소드 전극(CAT1, CAT2, CAT3), 전기 변색층(EC), 액정층(LC), 및 유기 발광층(EL)에 투입되는 것을 방지하기 위해 충분한 두께로 형성될 수 있다.
제2 기판(112)은 제1 기판(111)과 마주보도록 제2 오버코트층(OC2) 상에 배치된다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)는 제2 광 제어층(40)을 형성함으로써 차광 모드를 구현할 수 있다. 본 발명의 제2 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)는 유기 발광층(EL)과 차광 모드가 가능한 제2 광 제어 소자(230)가 중첩되어 형성될 수 있다. 이에 따라, 투명 표시 장치(100)는 화소(P)에서 검은색을 표시하는 경우 전기 변색층(EC)을 차광 모드로 구동하여 외부광에 의해 검은색 화면의 시인성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 제2 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)는 표시 구동 트랜지스터(DT)들 및 반사 구동 트랜지스터(RT)들이 동일한 층에 형성되기 때문에 표시 구동 트랜지스터(DT)들 및 반사 구동 트랜지스터(RT)들을 동시에 형성할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)는 표시 구동 트랜지스터(DT)들 및 반사 구동 트랜지스터(RT)들을 각각 다른 층에 형성하는 경우보다 두께가 얇아지고 투과율이 향상될 수 있다.
또한, 본 발명의 제2 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)는 표시 구동 트랜지스터(DT)들 및 반사 구동 트랜지스터(RT)들을 동시에 형성할 수 있기 때문에 공정이 증가하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 제2 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)는 표시 구동 트랜지스터(DT)들 및 반사 구동 트랜지스터(RT)들이 화소마다 배치되어 부분 제어가 가능하다.
또한, 본 발명의 제2 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)는 유기 발광층(EL)과 액정층(LC)을 중첩되도록 배치한다. 이러한 투명 표시 장치(100)는 유기 발광층(EL)이 발광하면 액정층(LC)을 반사 모드로 구동하고, 유기 발광층(EL)으로부터 입사되는 광 및 외부로부터 입사되는 광을 반사시킬 수 있다. 이에 따라, 투명 표시 장치(100)는 휘도 및 CR(Contrast Ratio)을 향상시키고, 표시 영상의 시인성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
제3 실시예
도 11은 본 발명의 제3 실시예에 따른 투명 표시 장치를 보여주는 측단면도이다.
도 11에서는 설명의 편의를 위하여 화소(P) 각각의 표시 구동 트랜지스터(DT), 표시부(DA), 반사 구동 트랜지스터(RT) 및 반사부(RA)만을 예시하였다.
본 발명의 제3 실시예에 따른 투명 표시 장치는 제1 기판(111), 제2 기판(112), 박막 트랜지스터층(10), 유기발광소자층(20), 제1 광 제어층(30) 및 제2 광 제어층(40)을 포함한다.
본 발명의 제3 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)는 제2 광 제어층(40)을 더 포함한다는 점에서만 차이가 있고, 나머지 구성들은 본 발명의 제1 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)와 실질적으로 동일하다. 이에 따라, 이하에서는 제1 기판(111), 제2 기판(112), 박막 트랜지스터층(10), 유기발광소자층(20) 및 제1 광 제어층(30)에 대한 구체적인 설명을 생략하도록 한다.
도 11을 참조하면, 제1 기판(111) 하에는 제2 광 제어층(40)이 형성된다. 제2 광 제어층(40)은 제3 애노드 전극, 전기 변색층 및 제3 캐소드 전극을 포함하는 제2 광 제어 소자(230)가 형성된다. 제2 광 제어층(40) 하에는 제3 기판(113)이 형성된다.
본 발명의 제3 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)의 자세한 구조에 대해서는 도 12를 참조하여 구체적으로 설명하도록 한다.
도 12는 도 11의 A영역의 예를 보여주는 확대도이다.
도 12를 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)는 제1 기판(111), 박막 트랜지스터층(10), 유기발광소자층(20), 제1 광 제어층(30), 제2 광 제어층(40), 제2 기판(112) 및 제3 기판(113)을 포함할 수 있다.
제1 기판(111) 및 제2 기판(112)은 서로 마주보도록 배치된다. 제1 기판(111) 및 제2 기판(112) 사이에는 박막 트랜지스터층(10), 유기발광소자층(20), 제1 광 제어층(30)이 형성된다.
제3 기판(113)은 제1 기판(111)의 제2 기판(112)과 마주보는 면과 반대면을 마주보도록 배치된다. 제1 기판(111) 및 제3 기판(113) 사이에는 제2 광 제어층(40)이 형성된다.
제3 기판(113) 상에는 제2 광 제어층(40)이 형성된다. 제2 광 제어층(40)은 제3 애노드 전극(AND3), 전기 변색층(EC) 및 제3 캐소드 전극(CAT3)을 포함하는 제2 광 제어 소자(230)를 포함할 수 있다.
제3 기판(113) 상에는 제2 광 제어 소자(230)가 형성된다. 제2 광 제어 소자(230)는 제3 애노드 전극(AND3), 전기 변색층(EC) 및 제3 캐소드 전극(CAT3)를 포함할 수 있다.
제3 애노드 전극(AND3)은 제3 기판(113) 상에 형성된다. 제3 애노드 전극(AND3)은 유기발광소자(210)를 포함하는 표시부(DA)는 물론 표시 구동 트랜지스(DT)들을 포함하는 표시 구동부(DAD) 및 반사 구동 트랜지스터(RT)들을 포함하는 반사 구동부(RAD)과 중첩되도록 형성될 수 있다. 그러나 이에 한정되지는 않는다. 다른 일 실시예에 있어서, 제3 애노드 전극(AND3)은 유기발광소자(210)를 포함하는 표시부(DA)와만 중첩되도록 형성될 수 있다. 이와 같은 경우, 제2광 제어 소자는 제3 애노드 전극(AND3)이 배치된 표시부(DA)와 중첩되는 영역에서만 전기 변색층(EC)의 색이 변하게 된다. 이에 따라, 제2 광 제어 소자(230)는 보다 빠른 응답 속도를 가질 수 있다.
제3 애노드 전극(AND3) 상에는 전기 변색층(EC)가 형성된다. 전기 변색층(EC)은 변색층, 전해질층 및 카운터층을 포함할 수 있다. 전기 변색층(EC)은 제3 애노드 전극(AND3) 및 제3 캐소드 전극(CAT3)에 전압이 인가되면 전기 변색층(EC)에서 전기화학적 산화환원 반응이 일어나며, 이로 인해 전기 변색층(EC)의 색이 변하게 된다.
예를 들어, 제3 애노드 전극(AND3)에 정극성의 데이터 전압이 인가되고 제3 캐소드 전극(CAT3)에 공통 전압이 인가되면, 제3 캐소드 전극(CAT3)에 인접한 변색층에서는 환원 반응이 일어나고, 제3 애노드 전극(AND3)에 인접한 카운터층에서는 산화 반응이 일어난다. 이 경우, 변색층은 환원 반응에 의해 검은색과 같은 소정의 색으로 변하게 되므로, 입사되는 빛을 차광할 수 있다. 또한, 제3 애노드 전극(AND3)에 부극성의 데이터 전압이 인가되고 제3 캐소드 전극(CAT3)에 공통 전압이 인가되면, 제3 캐소드 전극(CAT3)에 인접한 변색층에서는 산화 반응이 일어나고, 제3 애노드 전극(AND3)에 인접한 카운터층에서는 환원 반응이 일어난다. 이 경우, 변색층은 산화 반응에 의해 투명하게 변하게 되므로, 입사되는 빛을 그대로 통과시킬 수 있다.
전기 변색층(EC) 상에는 제3 캐소드 전극(CAT3)이 형성된다. 제3 애노드 전극(AND3) 및 제3 캐소드 전극(CAT3)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material)로 형성될 수 있다.
제1 기판(111)은 제3 기판(113)과 마주보도록 제3 캐소드 전극(CAT3) 상에 배치된다.
도 12에서는 제1 기판(111) 아래에 제3 캐소드 전극(CAT3)이 직접 형성되는 것으로 도시하고 있으나, 이에 한정되지 않는다. 제1 기판(111) 및 제3 캐소드 전극(CAT3) 사이에는 별도의 절연막이 형성될 수 있다. 또한, 도 12에서는 제3 기판(113) 상에 제3 애노드 전극(AND3)이 직접 형성되는 것으로 도시하고 있으나, 이에 한정되지 않는다. 제3 기판(113) 및 제3 애노드 전극(AND3)사이에는 별도의 절연막이 형성될 수 있다.
도 13a는 제2 광 제어 소자(230)가 투명 모드일 때 본 발명의 제3 실시예에 따른 투명 표시 장치의 동작을 보여주는 측단면도이고, 도 13b는 제2 광 제어 소자(230)가 차광 모드일 때 본 발명의 제3 실시예에 따른 투명 표시 장치의 동작을 보여주는 측단면도이다.
도 13a 및 도 13b를 참조하면, 표시부(DA)는 발광 모드 및 비발광 모드 중 어느 하나로 구동한다. 발광 모드에서는 유기 발광층(EL)이 발광하며, 비발광 모드에서는 유기 발광층(EL)이 발광하지 않는다. 반사부(RA)는 반사 모드 및 투명 모드 중 어느 하나로 구동한다. 반사 모드에서는 입사되는 광을 반사시키며, 투명 모드에서는 입사되는 광을 투과시킨다. 제2 광 제어 소자(230)는 투명 모드 및 차광 모드 중 어느 하나로 구동한다. 투명 모드에서는 입사되는 광을 투과시키고, 차광 모드에서는 입사되는 광을 차단시킨다.
본 발명의 제3 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)는 복수의 화소(P)들을 포함하고, 각각의 화소(P)에 표시부(DA) 및 반사부(RA)를 포함한다. 이때, 투명 표시 장치(100)는 화소(P)의 표시부(DA)가 발광 모드이면, 해당 화소(P)의 반사부(RA)를 투명 모드로 구동한다. 반대로, 투명 표시 장치(100)는 화소(P)의 표시부(DA)가 비발광 모드이면, 해당 화소(P)의 반사부(RA)를 반사 모드로 구동한다.
도 13a에서는 제1 화소(P1) 및 제3 화소(P3)의 표시부(DA)가 발광 모드이고, 제1 화소(P1) 및 제3 화소(P3)의 반사부(RA)가 투명 모드인 것을 도시한다. 도 13a에서는 제2 화소(P2)의 표시부(DA)가 비발광 모드이고, 제2 화소(P2)의 반사부(RA)가 반사 모드인 것을 도시한다. 또한, 도 13a에서는 제2 광 제어 소자(230)가 투명 모드인 것을 도시한다.
제1 화소(P1) 및 제3 화소(P3)는 유기 발광층(EL)을 발광시킴으로써 표시부(DA)에 영상을 표시한다. 제1 화소(P1) 및 제3 화소(P3)는 유기 발광층(EL)으로부터 출력된 광(L3)을 반사부(RA)를 통해 제2 기판(112)으로 출력시킨다. 제1 화소(P1) 및 제3 화소(P3)는 제1 기판(111)으로 입사된 광(L1)을 제2 광 제어 소자(230), 반사부(RA)를 통해 제2 기판(112)으로 투과시킨다.
제2 화소(P2)는 표시부(DA)에 영상이 표시되지 않으며, 반사부(RA)가 반사 모드로 구동한다. 제1 기판(111)으로 입사된 광(L1)은 반사부(RA)에 의하여 제1 기판(111)을 향하여 반사되며, 제2 기판(112)으로 입사된 광(L2)은 반사부(RA)에 의하여 제2 기판(112)을 향하여 반사된다.
도 13b에서는 제1 화소(P1) 및 제3 화소(P3)의 표시부(DA)가 발광 모드이고, 제1 화소(P1) 및 제3 화소(P3)의 반사부(RA)가 투명 모드인 것을 도시한다. 도 13b에서는 제2 화소(P2)의 표시부(DA)가 비발광 모드이고, 제2 화소(P2)의 반사부(RA)가 반사 모드인 것을 도시한다. 또한, 도 13b에서는 제2 광 제어 소자(230)가 차광 모드인 것을 도시한다.
제1 화소(P1) 및 제3 화소(P3)는 유기 발광층(EL)을 발광시킴으로써 표시부(DA)에 영상을 표시한다. 제1 화소(P1) 및 제3 화소(P3)는 유기 발광층(EL)으로부터 출력된 광(L3)을 반사부(RA)를 통해 제2 기판(112)으로 출력시킨다. 한편, 제1 화소(P1) 및 제3 화소(P3)는 제1 기판(111)으로 입사된 광(L1)을 제2 광 제어 소자(230)에 의하여 차단시킨다.
제2 화소(P2)는 표시부(DA)에 영상이 표시되지 않으며, 반사부(RA)가 반사 모드로 구동한다. 제1 기판(111)으로 입사된 광(L1)은 제2 광 제어 소자(230)에 의하여 차단되고, 제2 기판(112)으로 입사된 광(L2)은 반사부(RA)에 의하여 제2 기판(112)을 향하여 반사된다.
본 발명의 제3 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)는 사용자가 영상을 시청하는 위치가 본 발명의 제1 및 제2 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)와 상이하다.
본 발명의 제1 및 제2 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)는 사용자가 제1 기판(111)을 바라보는 위치에서 영상을 시청할 수 있다. 보다 구체적으로, 본 발명의 제1 및 제2 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)는 유기발광소자층(20)에서 발광하는 광이 직접 또는 제1 광 제어층(30)에 반사되어 제1 기판(111)으로 출력됨으로써, 사용자가 제1 기판(111)을 바라보는 위치에서 영상을 시청할 수 있다. 또한, 사용자는 제2 기판(112)을 바라보는 위치에서 반전된 영상을 보거나 투명 표시 장치(100)를 사이에 두고 반대에 배치된 사물이나 풍경을 볼 수 있다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)는 제2 광 제어 소자(230)가 차광 모드로 구동하는 경우 제2 기판(112)으로 향하는 광이 제2 광 제어 소자(230)에 의하여 차단될 수 있다. 사용자는 제2 기판(112)을 바라보는 위치에서 영상은 물론 투명 표시 장치(100)를 사이에 두고 반대에 배치된 사물이나 풍경을 볼 수 없다.
반면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)는 사용자가 제2 기판(112)을 바라보는 위치에서 영상을 시청할 수 있다. 보다 구체적으로, 본 발명의 제3 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)는 유기발광소자층(20)에서 발광하는 광이 직접 제2 기판(112)으로 출력됨으로써, 사용자가 제2 기판(112)을 바라보는 위치에서 영상을 시청할 수 있다. 본 발명의 제3 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)는 제2 광 제어 소자(230)가 차광 모드로 구동하는 경우 제1 기판(111)을 투과한 광이 제1 기판(111) 아래에 배치된 제2 광 제어 소자(230)에 의하여 차단될 수 있다. 사용자는 제1 기판(111)을 바라보는 위치에서 영상은 물론 투명 표시 장치(100)를 사이에 두고 반대에 배치된 사물이나 풍경을 볼 수 없다.
본 발명의 제3 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)는 표시부(DA)가 비발광 모드이고, 반사부(RA)가 반사 모드인 화소(P)들에 의하여 미러(mirror) 표시 장치를 구현할 수 있다.
또한, 본 발명의 제3 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)는 제2 광 제어 소자(230)에 의하여 차광 모드가 가능한 투명 표시 장치를 구현할 수 있다.
또한, 본 발명의 제3 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)는 표시 구동 트랜지스터(DT)들 및 반사 구동 트랜지스터(RT)들이 동일한 층에 형성되기 때문에 표시 구동 트랜지스터(DT)들 및 반사 구동 트랜지스터(RT)들을 동시에 형성할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)는 표시 구동 트랜지스터(DT)들 및 반사 구동 트랜지스터(RT)들을 각각 다른 층에 형성하는 경우보다 두께가 얇아지고 투과율이 향상될 수 있다.
또한, 본 발명의 제3 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)는 표시 구동 트랜지스터(DT)들 및 반사 구동 트랜지스터(RT)들을 동시에 형성할 수 있기 때문에 공정이 증가하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 제3 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)는 표시 구동 트랜지스터(DT)들 및 반사 구동 트랜지스터(RT)들이 화소마다 배치되어 부분 제어가 가능하다.
또한, 본 발명의 제3 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)는 유기 발광층(EL)과 액정층(LC)을 중첩되도록 배치한다. 이러한 투명 표시 장치(100)는 유기 발광층(EL)이 발광하지 않으면 액정층(LC)을 반사 모드로 구동하고, 외부로부터 입사되는 광을 반사시킬 수 있다. 이에 따라, 투명 표시 장치(100)는 영상이 표시되지 않는 부분을 활용하여 부분적으로 거울 기능을 가질 수 있다.
제4 실시예
도 14는 본 발명의 제4 실시예에 따른 투명 표시 장치를 보여주는 측단면도이다.
도 14에서는 설명의 편의를 위하여 화소(P) 각각의 표시 구동 트랜지스터(DT), 표시부(DA), 반사 구동 트랜지스터(RT) 및 반사부(RA)만을 예시하였다.
본 발명의 제4 실시예에 따른 투명 표시 장치는 제1 기판(111), 제2 기판(112), 박막 트랜지스터층(10), 유기발광소자층(20), 제1 광 제어층(30) 및 제2 광 제어층(40)을 포함한다.
본 발명의 제4 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)는 제2 광 제어층(40)을 더 포함하고, 제1 광 제어층(30)의 제2 애노드 전극(AND2)의 형성 위치에서 차이가 있고, 나머지 구성들은 본 발명의 제1 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)와 실질적으로 동일하다. 이에 따라, 이하에서는 제1 기판(111), 제2 기판(112), 박막 트랜지스터층(10), 및 유기발광소자층(20)에 대한 구체적인 설명을 생략하도록 한다.
도 14를 참조하면, 유기발광층(20) 상에는 제1 광 제어층(30)이 형성된다. 제1 광 제어층(30)에는 제1 광 제어소자(220)를 포함하는 반사부(RA)가 형성된다. 제1 광 제어소자(220)는 제2 애노드 전극, 액정층, 및 제2 캐소드 전극을 포함할 수 있다. 제1 광 제어층(30) 상에는 제2 기판(112)이 형성된다.
제1 기판(111) 하에는 제2 광 제어층(40)이 형성된다. 제2 광 제어층(40)은 제3 애노드 전극, 전기 변색층 및 제3 캐소드 전극을 포함하는 제2 광 제어 소자(230)가 형성된다. 제2 광 제어층(40) 하에는 제3 기판(113)이 형성된다.
본 발명의 제4 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)의 자세한 구조에 대해서는 도 15를 참조하여 구체적으로 설명하도록 한다.
도 15는 도 14의 A영역의 일 예를 보여주는 확대도이다.
도 15를 참조하면, 본 발명의 제4 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)는 제1 기판(111), 박막 트랜지스터층(10), 유기발광소자층(20), 제1 광 제어층(30), 제2 광 제어층(40), 제2 기판(112) 및 제3 기판(113)을 포함할 수 있다.
제1 기판(111) 및 제2 기판(112)은 서로 마주보도록 배치된다. 제1 기판(111) 및 제2 기판(112) 사이에는 박막 트랜지스터층(10), 유기발광소자층(20), 제1 광 제어층(30)이 형성된다.
제3 기판(113)은 제1 기판(111)의 제2 기판(112)과 마주보는 면과 반대면을 마주보도록 배치된다. 제1 기판(111) 및 제3 기판(113) 사이에는 제2 광 제어층(40)이 형성된다.
제3 기판(113) 상에는 제2 광 제어층(40)이 형성된다. 제2 광 제어층(40)은 제3 애노드 전극(AND3), 전기 변색층(EC) 및 제3 캐소드 전극(CAT3)을 포함하는 제2 광 제어 소자(230)를 포함할 수 있다.
제3 기판(113) 상에는 제2 광 제어 소자(230)가 형성된다. 제2 광 제어 소자(230)는 제3 애노드 전극(AND3), 전기 변색층(EC) 및 제3 캐소드 전극(CAT3)를 포함할 수 있다.
제1 기판(111) 상에는 박막 트랜지스터층(10)이 형성된다. 박막 트랜지스터층(10) 상에는 유기발광소자층(20)이 형성된다.
유기발광소자층(20) 상에는 제1 광 제어층(30)이 형성된다. 제1 광 제어층(30)은 제2 애노드 전극(AND2), 액정층(LC), 제2 캐소드 전극(CAT2)을 포함하는 제1 광 제어소자(220), 제1 배향막(ALD1), 제2 배향막(ALD2), 격벽(CS) 및 제2 오버코트층(OC2)을 포함할 수 있다.
제2 애노드 전극(AND2)은 제1 오버코트층(OC1) 상에 형성될 수 있다. 제2 애노드 전극(AND2)은 보호막(PAS), 뱅크(BK), 및 제1 오버코트층(OC1)을 관통하는 콘택홀을 통해 반사 구동 트랜지스터(RT)의 제 2 드레인 전극(DE2) 또는 제2 소스 전극(SE2)에 접속된다. 이러한 제2 애노드 전극(AND2)은 표시 구동 트랜지스터(DT) 및 반사 구동 트랜지스터(RT)와 중첩되도록 형성될 수 있다.
제2 애노드 전극(AND2) 및 제1 오버코트층(OC1) 상에는 제1 배향막(AL1)이 형성된다. 제1 배향막(AL1) 상에는 격벽(CS)들이 형성된다. 격벽(CS)들은 액정층(LC)의 셀갭(cell gap)을 유지하기 위한 것이다. 또한, 격벽(CS)들은 외부로부터 힘이 가해지는 경우, 액정층(LC)의 내부를 보호함과 동시에 제2 애노드 전극(AND2)과 제2 캐소드 전극(CAT2)이 맞닿아 단선(short)되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 격벽(CS)들은 액정층(LC)을 구획하는 기능을 할 수 있으며, 구획된 공간마다 동일한 양의 콜레스테릭 액정(CH)들이 포함되거나 구획된 공간마다 카이럴 도펀트의 양을 조정하여 카이럴 도펀트에 의해 나선 구조로 배열되는 콜레스테릭 액정(CH)들의 피치(P)를 다르게 할 수 있다. 또한, 액정층(LC)이 유기 발광층(EL)과 중첩되는 영역으로 흘러들어가는 것을 차단할 수 있다.
이러한 격벽(CS)들은 빛을 통과시킬 수 있는 투명한 재질의 포토 레지스트(photo resist), 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane), 폴리머(polymer), 광경화성 폴리머(uv curable polymer) 중 어느 하나로 이루어질 수 있으며, 이들에 한정되지 않는다. 또는, 격벽(CS)들이 유기 발광층(EL)과 중첩되지 않는 경우, 격벽(CS)들은 빛을 흡수할 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 격벽(CS)들은 각각은 블랙 격벽으로 구현될 수 있다. 또는, 격벽(CS)들은 빛을 산란할 수 있는 산란 입자들을 포함할 수 있다. 산란 입자는 비즈(bids) 또는 실리카 볼(silica ball)일 수 있다. 한편, 격벽(CS)들 없이도 액정층(LC)의 셀갭을 유지할 수 있는 경우, 격벽(CS)들은 생략될 수 있다.
제1 배향막(AL1) 상에는 액정층(LC)이 형성된다. 액정층(LC)은 표시 구동 트랜지스터(DT) 및 반사 구동 트랜지시트(RT)와 중첩되도록 형성되며, 유기 발광층(EL)과 중첩되지 않도록 형성한다. 액정층(LC)은 콜레스테릭 액정(cholesteric liquid crystal, CH)들과 콜레스테릭 액정(CH)들을 나선 구조로 배열하기 위한 카이럴 도펀트(chiral dopant) 또는 감광성 카이럴 도펀트(photo-sensitive chiral dopant)를 포함할 수 있다. 또한, 액정층(LC)은 광개시제와 같은 첨가제를 더 포함할 수도 있다.
콜레스테릭 액정(LC)들은 두 개의 안정한 상태인 플래너 상(planar state)과 포컬 코닉 상(focal conic state), 그리고 호메오트로픽 상(homeotropic state)으로 이루어지는 세 가지 상(state)으로 상 변화(state transition or phase transition)할 수 있다. 플래너 상은 입사되는 빛 중에서 특정 파장의 빛을 반사하고, 포컬 코닉 상(focal conic state)은 입사되는 빛을 산란(light scattering)시키며, 호메오트로픽 상(homeotropic state)은 입사되는 빛을 투과시킬 수 있다. 즉, 콜레스테릭 액정(CH)들은 상 변화를 통해 빛을 반사, 산란 또는 투과시킬 수 있다.
제1 광 제어소자(220)는 제2 애노드 전극(AND2) 및 제2 캐소드 전극(CAT2)에 인가되는 전압에 따라 반사 모드 및 투명 모드 중 어느 하나를 구현할 수 있다. 보다 구체적으로, 제2 애노드 전극(AND2) 및 제2 캐소드 전극(CAT2)에 전압이 인가되지 않으면, 액정층(LC)의 콜레스테릭 액정(CH)들은 플래너 상을 가질 수 있다. 이에 따라, 제1 광 제어소자(220)는 반사 모드를 구현할 수 있다. 이때, 전압이 인가되지 않는 경우는 제2 애노드 전극(AND2) 및 제2 캐소드 전극(CAT2)에 전압이 인가되지 않거나 제2 애노드 전극(AND2)에 인가된 전압과 제2 캐소드 전극(CAT2)에 인가된 전압 간의 전압 차가 기준 전압보다 작은 경우를 포함할 수 있다.
그리고 제2 애노드 전극(AND2) 및 제2 캐소드 전극(CAT2)에 전압이 인가되면, 액정층(LC)의 콜레스테릭 액정(CH)들은 플래너 상에서 호메오트로픽 상으로 변화한다. 이에 따라, 제1 광 제어소자(220)는 투명 모드를 구현할 수 있다.
이러한 액정층(LC)은 제2 애노드 전극(AND2) 및 제2 캐소드 전극(CAT2)이 중첩되는 영역, 즉, 표시 구동 트랜지스터(DT) 및 반사 구동 트랜지스터(RT)가 형성된 영역에서 플래너 상에서 호메오트로픽 상 또는 호메오트로픽 상에서 플래너 상으로 상변환이 발생한다.
반면, 액정층(LC)은 유기 발광층(EL)이 형성된 영역과 중첩되도록 형성되지 않는다. 앞서 설명한 바와 같이, 콜레스테릭 액정(CH)들은 제2 애노드 전극(AND2) 및 제2 캐소드 전극(CAT2)에 전압이 인가되면 투명 모드가 되고, 제2 애노드 전극(AND2) 및 제2 캐소드 전극(CAT2)에 전압이 인가되지 않으면, 반사 모드가 된다. 그러나 본 발명의 제4 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)는 제2 애노드 전극(AND2)이 유기 발광층(EL)과 중첩되지 않는다. 액정층(LC)을 유기 발광층(EL)과 중첩되도록 형성하면, 애노드 전극(AND2)이 유기 발광층(EL)과 중첩되지 않고 있으므로 유기 발광층(EL) 상에 배치된 액정층(LC)에 전압을 인가할 수 없다. 유기 발광층(EL) 상에 배치된 액정층(LC)은 반사 모드를 유지하게 된다. 이로 인하여, 유기 발광층(EL)으로부터 출력된 광은 액정층(LC)에 의하여 반사되고, 제2 기판(112)으로 출력되지 못하고, 사용자는 제2 기판(112)을 바라보는 위치에서 영상을 시청할 수 없다. 이를 방지하기 위하여, 본 발명의 제4 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)는 유기 발광층(EL) 상에 액정층(LC)을 형성하지 않는다.
유기 발광층(EL) 상에 배치된 격벽(CS)들에 의하여 구획된 공간은 공기 또는 투명한 유기물질로 채울 수 있다.
액정층(LC) 상에는 제2 배향막(AL2)이 형성된다. 제2 배향막(AL2) 상에는 제2 캐소드 전극(CAT2)이 형성된다. 제2 애노드 전극(AND2) 및 제2 캐소드 전극(CAT2)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material)로 형성될 수 있다.
본 발명의 제4 실시예에 따른 제1 광 제어소자(220)는 유기발광소자(210)와 중첩되도록 형성되지 않기 때문에 유기발광소자(210)의 발광여부와 상관없이 반사 모드 및 투명 모드 중 어느 하나로 구동할 수 있다.
제2 캐소드 전극(CAT2) 상에는 제2 오버코트층(OC2)이 형성된다. 제2 오버코트층(OC2)은 제1 광 제어층(30) 상부를 평탄화한다. 제2 오버코트층(OC2)은 아크릴계 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides resin)등으로 이루어질 수 있다.
또한, 제2 오버코트층(OC2)은 투명 표시 장치(100) 내부에 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다. 이를 위해, 제2 오버코트층(OC2)은 적어도 하나의 무기막을 포함할 수 있다. 무기막은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 또는 티타늄 산화물로 형성될 수 있다. 또한, 제2 오버코트층(OC2)은 적어도 하나의 유기막을 더 포함할 수 있다. 유기막은 이물들(particles)이 제2 오버코트층(OC2)을 뚫고 캐소드 전극(CAT1, CAT2), 액정층(LC), 및 유기 발광층(EL)에 투입되는 것을 방지하기 위해 충분한 두께로 형성될 수 있다.
제2 기판(112)은 제1 기판(111)과 마주보도록 제2 오버코트층(OC2) 상에 배치된다.
제3 기판(113) 상에는 제2 광 제어층(40)이 형성된다. 제2 광 제어층(40)은 제3 애노드 전극(AND3), 전기 변색층(EC) 및 제3 캐소드 전극(CAT3)을 포함하는 제2 광 제어 소자(230)를 포함할 수 있다.
제3 기판(113) 상에는 제2 광 제어 소자(230)가 형성된다. 제2 광 제어 소자(230)는 제3 애노드 전극(AND3), 전기 변색층(EC) 및 제3 캐소드 전극(CAT3)를 포함할 수 있다.
제3 애노드 전극(AND3)은 제3 기판(113) 상에 형성된다. 제3 애노드 전극(AND3)은 유기발광소자(210)를 포함하는 표시부(DA)는 물론 표시 구동 트랜지스(DT)들을 포함하는 표시 구동부(DAD) 및 반사 구동 트랜지스터(RT)들을 포함하는 반사 구동부(RAD)과 중첩되도록 형성될 수 있다. 그러나 이에 한정되지는 않는다. 다른 일 실시예에 있어서, 제3 애노드 전극(AND3)은 유기발광소자(210)를 포함하는 표시부(DA)와만 중첩되도록 형성될 수 있다. 이와 같은 경우, 제2광 제어 소자는 제3 애노드 전극(AND3)이 배치된 표시부(DA)와 중첩되는 영역에서만 전기 변색층(EC)의 색이 변하게 된다. 이에 따라, 제2 광 제어 소자(230)는 보다 빠른 응답 속도를 가질 수 있다.
제3 애노드 전극(AND3) 상에는 전기 변색층(EC)가 형성된다. 전기 변색층(EC)은 변색층, 전해질층 및 카운터층을 포함할 수 있다. 전기 변색층(EC)은 제3 애노드 전극(AND3) 및 제3 캐소드 전극(CAT3)에 전압이 인가되면 전기 변색층(EC)에서 전기화학적 산화환원 반응이 일어나며, 이로 인해 전기 변색층(EC)의 색이 변하게 된다.
예를 들어, 제3 애노드 전극(AND3)에 정극성의 데이터 전압이 인가되고 제3 캐소드 전극(CAT3)에 공통 전압이 인가되면, 제3 캐소드 전극(CAT3)에 인접한 변색층에서는 환원 반응이 일어나고, 제3 애노드 전극(AND3)에 인접한 카운터층에서는 산화 반응이 일어난다. 이 경우, 변색층은 환원 반응에 의해 검은색과 같은 소정의 색으로 변하게 되므로, 입사되는 빛을 차광할 수 있다. 또한, 제3 애노드 전극(AND3)에 부극성의 데이터 전압이 인가되고 제3 캐소드 전극(CAT3)에 공통 전압이 인가되면, 제3 캐소드 전극(CAT3)에 인접한 변색층에서는 산화 반응이 일어나고, 제3 애노드 전극(AND3)에 인접한 카운터층에서는 환원 반응이 일어난다. 이 경우, 변색층은 산화 반응에 의해 투명하게 변하게 되므로, 입사되는 빛을 그대로 통과시킬 수 있다.
전기 변색층(EC) 상에는 제3 캐소드 전극(CAT3)이 형성된다. 제3 애노드 전극(AND3) 및 제3 캐소드 전극(CAT3)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material)로 형성될 수 있다.
제1 기판(111)은 제3 기판(113)과 마주보도록 제3 캐소드 전극(CAT3) 상에 배치된다.
도 15에서는 제1 기판(111) 아래에 제3 캐소드 전극(CAT3)이 직접 형성되는 것으로 도시하고 있으나, 이에 한정되지 않는다. 제1 기판(111) 및 제3 캐소드 전극(CAT3) 사이에는 별도의 절연막이 형성될 수 있다. 또한, 도 15에서는 제3 기판(113) 상에 제3 애노드 전극(AND3)이 직접 형성되는 것으로 도시하고 있으나, 이에 한정되지 않는다. 제3 기판(113) 및 제3 애노드 전극(AND3)사이에는 별도의 절연막이 형성될 수 있다.
본 발명의 제4 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)는 유기발광소자(210)의 발광여부와 상관없이 제1 광 제어소자(220)의 모드를 반사 모드 및 투명 모드 중 어느 하나로 제어할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 제4 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)는 본 발명의 제3 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)보다 간단하게 미러(mirror) 표시 장치를 구현할 수 있다.
또한, 본 발명의 제4 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)는 제2 광 제어 소자(230)에 의하여 차광 모드가 가능한 투명 표시 장치를 구현할 수 있다.
또한, 본 발명의 제4 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)는 표시 구동 트랜지스터(DT)들 및 반사 구동 트랜지스터(RT)들이 동일한 층에 형성되기 때문에 표시 구동 트랜지스터(DT)들 및 반사 구동 트랜지스터(RT)들을 동시에 형성할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)는 표시 구동 트랜지스터(DT)들 및 반사 구동 트랜지스터(RT)들을 각각 다른 층에 형성하는 경우보다 두께가 얇아지고 투과율이 향상될 수 있다.
또한, 본 발명의 제4 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)는 표시 구동 트랜지스터(DT)들 및 반사 구동 트랜지스터(RT)들을 동시에 형성할 수 있기 때문에 공정이 증가하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 제4 실시예에 따른 투명 표시 장치(100)는 반사 구동 트랜지스터(RT)들이 화소마다 배치되어 부분 제어가 가능하다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
111: 제1 기판 10: 트랜지스터층
DT: 표시 구동 트랜지스터 RT: 반사 구동 트랜지스터
20: 유기발광소자층 AND1: 제1 애노드 전극
EL: 유기 발광층 CAT1: 제1 캐소드 전극
30: 제1 광 제어층 AND2: 제2 애노드 전극
LC: 액정층 CAT2: 제2 캐소드 전극
40: 제2 광 제어층 AND3: 제3 애노드 전극
EC: 전기 변색층 CAT3: 제3 캐소드 전극
112: 제2 기판 113: 제3 기판

Claims (15)

  1. 서로 마주보는 제1 기판 및 제2 기판;
    상기 제1 기판의 상기 제2 기판과 마주보는 일면에 배치된 표시 구동 트랜지스터 및 반사 구동 트랜지스터;
    상기 표시 구동 트랜지스터 및 상기 반사 구동 트랜지스터 상에 배치되어, 상기 표시 구동 트랜지스터와 전기적으로 연결된 유기 발광 소자; 및
    상기 유기발광소자 상에 배치되어 상기 반사 구동 트랜지스터와 전기적으로 연결되고, 콜레스테릭 액정들을 포함하는 제1 광 제어 소자를 포함하는 투명 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 표시 구동 트랜지스터와 상기 반사 구동 트랜지스터는 동일한 층에 이격 배치되는 투명 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 유기 발광 소자와 상기 제1 광 제어 소자는 중첩되는 투명 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 유기 발광 소자는,
    상기 표시 구동 트랜지스터 상에 배치된 제1 애노드 전극;
    상기 제1 애노드 전극 상에 배치된 유기 발광층; 및
    상기 유기 발광층 상에 배치된 제1 캐소드 전극을 포함하고,
    상기 제1 애노드 전극은 상기 표시 구동 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 투명 표시 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1 광 제어 소자는,
    상기 제1 캐소드 전극 상에 배치된 제2 애노드 전극;
    상기 제2 애노드 전극 상에 배치되고 상기 콜레스테릭 액정들을 포함하는 액정층; 및
    상기 액정층 상에 배치된 제2 캐소드 전극을 포함하고,
    상기 제2 애노드 전극은 상기 반사 구동 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 투명 표시 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1 광 제어 소자는,
    상기 제2 애노드 전극 및 상기 제2 캐소드 전극 사이에 상기 액정층의 셀갭을 유지하기 위한 격벽들을 더 포함하는 투명 표시 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 격벽들은 상기 표시 구동 트랜지스터 및 상기 반사 구동 트랜지스터와 중첩되는 투명 표시 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 콜레스테릭 액정들은 반사 모드에서 플래너 상(planar state)을 가지고, 투명 모드에서 호메오트로픽 상(homeotropic state)을 갖는 투명 표시 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1 광 제어 소자 상에 배치된 제2 광 제어 소자를 더 포함하는 투명 표시 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 유기발광소자는 발광 모드 및 비발광 모드 중 어느 하나로 구동하고, 상기 제1 광 제어 소자는 반사 모드 및 투명 모드 중 어느 하나로 구동하며,
    상기 유기발광소자가 발광 모드이면, 상기 제1 광 제어 소자는 반사 모드로 구동하고, 상기 유기발광소자가 비발광 모드이면, 상기 제1 광 제어 소자는 투명 모드로 구동하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  11. 제9항에 있어서, 상기 제2 광 제어 소자는,
    상기 제2 캐소드 전극 상에 배치된 제3 애노드 전극;
    상기 제3 애노드 전극 상에 배치된 전기 변색층; 및
    상기 전기 변색층 상에 배치된 제3 캐소드 전극을 포함하는 투명 표시 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 3 애노드 전극은 상기 제1 광 제어 소자와 중첩되는 영역에 패턴 형성되는 투명 표시 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 제1 기판의 상기 제2 기판과 마주보는 일면의 반대면에 배치된 제2 광 제어 소자를 더 포함하는 투명 표시 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 유기발광소자는 발광 모드 및 비발광 모드 중 어느 하나로 구동하고, 상기 제1 광 제어 소자는 반사 모드 및 투명 모드 중 어느 하나로 구동하며,
    상기 유기발광소자가 발광 모드이면, 상기 제1 광 제어 소자는 투명 모드로 구동하고, 상기 유기발광소자가 비발광 모드이면, 상기 제1 광 제어 소자는 반사 모드로 구동하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 제1 광 제어 소자는 상기 유기발광소자와 중첩되지 않는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
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