KR20190067435A - Gate driving circuit and display device comprising the same - Google Patents

Gate driving circuit and display device comprising the same Download PDF

Info

Publication number
KR20190067435A
KR20190067435A KR1020170167365A KR20170167365A KR20190067435A KR 20190067435 A KR20190067435 A KR 20190067435A KR 1020170167365 A KR1020170167365 A KR 1020170167365A KR 20170167365 A KR20170167365 A KR 20170167365A KR 20190067435 A KR20190067435 A KR 20190067435A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
node
clock signal
voltage
transistor
gate
Prior art date
Application number
KR1020170167365A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102430859B1 (en
Inventor
박찬수
이세응
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020170167365A priority Critical patent/KR102430859B1/en
Publication of KR20190067435A publication Critical patent/KR20190067435A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102430859B1 publication Critical patent/KR102430859B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3266Details of drivers for scan electrodes
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3674Details of drivers for scan electrodes
    • G09G3/3677Details of drivers for scan electrodes suitable for active matrices only
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2230/00Details of flat display driving waveforms
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0404Matrix technologies
    • G09G2300/0408Integration of the drivers onto the display substrate
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00Command of the display device
    • G09G2310/08Details of timing specific for flat panels, other than clock recovery

Abstract

The present invention relates to a display device and, more specifically, to a gate driving circuit mounted in a gate in panel (GIP) type and a display device comprising the same. According to one embodiment of the present invention, the gate driving circuit comprises a plurality of stages dependently connected to each other. Each of the plurality of stages comprises: an output unit configured to output a first clock signal as a gate output voltage by a voltage of a Q node and a voltage of a QB node; a first node control unit configured to charge the voltage of the Q node corresponding to an output voltage of the previous stage; and a second node control unit configured to charge the voltage of the QB node corresponding to second and third clock signals, a phase of which is different from that of the first clock signal. The second node control unit comprises: a fourth transistor configured to output high level power voltage to the QB node corresponding to the third clock signal; a fifth transistor configured to output the second clock signal to the QB node corresponding to the output voltage of the previous stage; and a sixth transistor configured to output the second clock signal to the QB node corresponding to the voltage of the Q node. Accordingly, it is possible to prevent a decrease in a discharge rate of the QB node of the gate driving circuit.

Description

게이트 구동회로 및 이를 포함하는 표시장치{GATE DRIVING CIRCUIT AND DISPLAY DEVICE COMPRISING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a gate driving circuit and a display device including the gate driving circuit.

본 발명은 표시장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 게이트 인 패널(Gate In Panel; GIP) 형태로 장착된 게이트 구동회로 및 이를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display device, and more particularly, to a gate driving circuit mounted in a gate in panel (GIP) form and a display device including the same.

정보화 시대로 접어듦에 따라 전기적 정보신호를 시각적으로 표현하는 디스플레이(display) 분야가 급속도로 발전해 왔고, 이에 부응하여 박형화, 경량화, 저소비 전력화의 우수한 성능을 지닌 여러 가지 다양한 표시 장치(Display Device)가 개발되고 있다. 이와 같은 표시 장치의 예로는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display device: LCD), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display Device: OLED) 등을 들 수 있다.In the information age, the display field for visually expressing electrical information signals has been rapidly developed. In response to this, various display devices having excellent performance such as thinning, light weight, and low power consumption have been developed Is being developed. Examples of such a display device include a liquid crystal display device (LCD), an organic light emitting display device (OLED), and the like.

이러한 표시장치는 영상을 표시하기 위한 화소 어레이들이 배치된 표시 패널 및 표시패널에 배치된 데이터 배선들에 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동회로, 게이트 펄스를 표시 영역에 배치된 게이트 배선들에 순차적으로 공급하는 게이트 구동회로 및 데이터 구동회로와 게이트 구동회로를 제어하는 타이밍 컨트롤러 등과 같은 구동회로를 포함한다.Such a display device includes a display panel on which pixel arrays for displaying an image are arranged, a data driving circuit for supplying data signals to data lines arranged on the display panel, a gate driving circuit for sequentially supplying gate pulses to the gate lines arranged in the display area And a timing controller for controlling the data driving circuit and the gate driving circuit.

이와 같은 구동회로 중 게이트 구동회로는 최근 화소 어레이들과 함께 표시패널에 내장하는 게이트 인 패널(Gate In Panel; 이하 'GIP'라 함) 형태로 표시 장치에 적용되고 있다.Among such driving circuits, a gate driving circuit is recently applied to a display device in the form of a gate-in-panel (GIP) embedded in a display panel together with pixel arrays.

GIP는 게이트 전압을 순차적으로 출력하기 위한 시프트 레지스터(Shift Register)를 포함하고, 시프트 레지스터는 종속적으로 접속된 다수의 스테이지들(stages)을 포함한다. The GIP includes a shift register for sequentially outputting a gate voltage, and the shift register includes a plurality of stages connected in a dependent manner.

그리고, 소비전력 저감하기 위하여, 스위칭 회로는 저온 폴리 실리콘(Low Temperature Poly-Silicon; 이하, LTPS라고 함)을 액티브층으로 하는 트랜지스터인 LTPS 트랜지스터를 포함하여 구성된다.In order to reduce power consumption, the switching circuit includes an LTPS transistor, which is a transistor having a low temperature poly-silicon (hereinafter referred to as LTPS) as an active layer.

다만, 스위칭 회로에 포함되는 LTPS 트랜지스터는 고정된 레벨의 전압을 계속 인가받을 경우, 99% 이상의 하이 정션 스트레스(High Junction Stress; HJS)으로 인해, LTPS 트랜지스터 액티브층의 이동도가 저하된다.However, when the LTPS transistor included in the switching circuit is continuously supplied with a fixed level voltage, the mobility of the LTPS transistor active layer is lowered due to a high junction stress (HJS) of 99% or more.

이로 인해, 스위칭 회로의 QB노드 방전속도가 저하되어, GIP가 게이트 전압을 순차적으로 출력할 수 없는 문제점이 발생한다.As a result, the QB node discharge speed of the switching circuit is lowered, and the GIP can not output the gate voltage sequentially.

본 명세서가 해결하고자 하는 과제는 소자 신뢰성이 향상된 게이트 구동회로 및 이를 포함하는 표시장치를 제공하는 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a gate driver circuit having improved device reliability and a display device including the same.

본 명세서가 해결하고자 하는 또 다른 과제는 QB 노드의 방전속도 저하현상이 개선된 게이트 구동회로 및 이를 포함하는 표시장치를 제공하는 것이다. Another object of the present invention is to provide a gate driving circuit and a display device including the gate driving circuit in which the discharge speed of the QB node is reduced.

본 명세서의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

전술한 바와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 게이트 구동회로는 종속적으로 연결되는 복수의 스테이지를 포함하고, 복수의 스테이지 각각은 Q 노드의 전압 및 QB 노드의 전압에 의해 제1 클럭신호를 게이트 출력 전압으로 출력하는 출력부, 이전 스테이지의 출력 전압에 대응하여 Q 노드의 전압을 충전하는 제1 노드 제어부, 제1 클럭신호와 위상이 다른 제2 클럭신호 및 제3 클럭신호에 대응하여 QB 노드에 전압을 충전하는 제2 노드 제어부를 포함하고, 제2 노드 제어부는 제3 클럭신호에 대응하여 QB 노드에 하이 레벨의 전원전압을 출력하는 제4 트랜지스터, 이전 스테이지의 출력 전압에 대응하여 QB 노드에 제2 클럭신호를 출력하는 제5 트랜지스터 및 Q 노드의 전압에 대응하여 QB 노드에 제2 클럭신호를 출력하는 제6 트랜지스터를 포함하여, 게이트 구동회로의 QB노드 방전속도 저하현상을 개선할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a gate driving circuit including a plurality of stages connected in a dependent manner, each of the plurality of stages including a first node and a second node, A first node controller for charging the voltage of the Q node corresponding to the output voltage of the previous stage, a second node controller for charging the voltage of the Q node corresponding to the output voltage of the previous stage, a second clock signal different in phase from the first clock signal, And the second node control unit includes a fourth transistor for outputting a high level power supply voltage to the QB node corresponding to the third clock signal, A sixth transistor for outputting a second clock signal to the QB node corresponding to the voltage of the Q node; It is possible to improve the discharge rate QB node, degradation of a gate driving circuit, including.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 복수의 화소를 포함하는 표시패널, 복수의 스테이지로 구성되어, 복수의 화소에 게이트 출력 전압을 순차적으로 출력하는 게이트 구동회로 및 게이트 구동회로의 구동을 제어하는 타이밍 컨트롤러를 포함하고, 복수의 스테이지 각각은 Q 노드의 전압 및 QB 노드의 전압에 의해 제1 클럭신호를 게이트 출력 전압으로 출력하는 출력부, 이전 스테이지의 출력 전압에 대응하여 Q 노드의 전압을 충전하는 제1 노드 제어부, 제1 클럭신호와 위상이 다른 제2 클럭신호 및 제3 클럭신호에 대응하여 QB 노드에 전압을 충전하는 제2 노드 제어부를 포함하고, 제1 클럭신호의 위상보다 제2 클럭신호 및 제3 클럭신호의 위상이 지연되어, 게이트 구동회로의 QB노드 방전속도 저하현상을 개선할 수 있다.A display device according to an embodiment of the present invention includes a display panel including a plurality of pixels, a gate driving circuit configured to sequentially output a gate output voltage to a plurality of pixels, And each of the plurality of stages includes an output section for outputting the first clock signal as a gate output voltage by the voltage of the Q node and the voltage of the QB node and the output section for outputting the voltage of the Q node corresponding to the output voltage of the previous stage And a second node controller for charging the QB node with a voltage corresponding to a second clock signal and a third clock signal having different phases from the first clock signal, The phase of the second clock signal and the phase of the third clock signal are delayed to improve the QB node discharge speed drop phenomenon of the gate drive circuit.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.The details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 발명은 QB 노드를 제어하는 트랜지스터에 클럭 신호를 인가함으로써, 트랜지스터의 스위칭 특성의 저하를 방지할 수 있다.By applying a clock signal to the transistor that controls the QB node, the present invention can prevent the switching characteristics of the transistor from deteriorating.

본 발명은 QB노드 방전속도가 저하를 방지하여, 게이트 전압을 정상 타이밍에 맞추어 순차적으로 출력할 수 있어, 표시장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.According to the present invention, the QB node discharge rate is prevented from being lowered, and the gate voltage can be outputted sequentially in accordance with the normal timing, thereby improving the reliability of the display device.

본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 발명 내에 포함되어 있다.The effects according to the present invention are not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치를 설명하기 위한 블록도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 게이트 구동회로의 구성을 설명하기 위한 블록도이다.
도 3a 내지 3c는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 게이트 구동회로에 구비된 각 스테이지의 등가회로를 나타내는 도면이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 게이트 구동회로에 구비된 제5 트랜지스터 및 제6 트랜지스터의 회로도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 게이트 구동회로에 인가되는 내부 신호를 나타내는 타이밍도이다.
1 is a block diagram for explaining a display device according to an embodiment of the present invention.
2 is a block diagram illustrating a configuration of a gate driving circuit according to an embodiment of the present invention.
3A to 3C are diagrams showing equivalent circuits of stages of a gate driving circuit of a display device according to an embodiment of the present invention.
4A and 4B are circuit diagrams of a fifth transistor and a sixth transistor included in a gate driving circuit of a display device according to an embodiment of the present invention.
5 is a timing diagram illustrating an internal signal applied to a gate driving circuit of a display device according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 제한되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention and the manner of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. However, it is to be understood that the present invention is not limited to the embodiments disclosed herein but may be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, To fully disclose the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 제한되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 발명 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.The shapes, sizes, ratios, angles, numbers, and the like disclosed in the drawings for describing the embodiments of the present invention are illustrative, and thus the present invention is not limited thereto. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail. In the context of the present invention, the term 'includes', 'having', 'done', or the like is used. Unless the context clearly dictates otherwise, including the plural unless the context clearly dictates otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다. In interpreting the constituent elements, it is construed to include the error range even if there is no separate description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of the positional relationship, for example, if the positional relationship between two parts is described as 'on', 'on top', 'under', and 'next to' Or " direct " is not used, one or more other portions may be located between the two portions.

소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위 (on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.An element or layer is referred to as being another element or layer "on ", including both intervening layers or other elements directly on or in between.

또한 제 1, 제 2 등이 다양한 구성 요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성 요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1 구성 요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제 2 구성 요소일 수도 있다.Also, the first, second, etc. are used to describe various components, but these components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one component from another. Therefore, the first component mentioned below may be the second component within the technical spirit of the present invention.

명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.The sizes and thicknesses of the individual components shown in the figures are shown for convenience of explanation and the present invention is not necessarily limited to the size and thickness of the components shown.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.It is to be understood that each of the features of the various embodiments of the present invention may be combined or combined with each other, partially or wholly, technically various interlocking and driving, and that the embodiments may be practiced independently of each other, It is possible.

본 발명의 실시예들은 액정표시장치를 기초로 설명하였으나, 본 발명은 액정표시장치에 한정되지 않고 유기발광표시장치 등의 게이트 구동회로가 구비된 모든 표시장치에 적용 가능하다.Although the embodiments of the present invention have been described on the basis of a liquid crystal display device, the present invention is not limited to a liquid crystal display device, but can be applied to all display devices having a gate drive circuit such as an organic light emitting display device.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명에 대해 상세히 살펴보기로 한다. Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치를 설명하기 위한 블록도이다.1 is a block diagram for explaining a display device according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 표시패널(100), 게이트 구동회로(200), 데이터 구동회로(300) 및 타이밍 컨트롤러(400)를 포함한다.Referring to FIG. 1, a display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes a display panel 100, a gate driving circuit 200, a data driving circuit 300, and a timing controller 400.

표시패널(100)은 화상을 표시하는 표시영역(A/A)과 표시영역(A/A)의 외측으로 각종 신호라인들이나 구동회로가 배치된 비표시영역(N/A)을 포함한다.The display panel 100 includes a display area A / A for displaying an image and a non-display area N / A where various signal lines or drive circuits are arranged outside the display area A / A.

표시영역(A/A)은 복수 개의 화소(P)들이 배열되고, 각각의 화소(P)들이 표시하는 계조를 기반으로 화상을 표시한다. 표시영역(A/A)에는 제1 방향으로 배치된 n개의 게이트 라인(GL1, … GLn)과 제1 방향과 다른 방향으로 배치된 m개의 데이터 라인(DL1, … DLm)이 배열된다. 복수 개의 화소(P)는 n개의 게이트 라인(GL1, … GLn) 및 m개의 데이터 라인(DL1, … DLm)과 전기적으로 연결되고, 게이트 라인(GL1, … GLn)과 데이터 라인(DL1, … DLm)을 통해 인가된 구동 신호 또는 구동 전압에 의해 화상을 표시한다. A plurality of pixels P are arranged in the display area A / A, and an image is displayed based on the gradation displayed by each of the pixels P. In the display area A / A, n gate lines GL1 through GLn arranged in a first direction and m data lines DL1 through DLm arranged in a direction different from the first direction are arranged. The plurality of pixels P are electrically connected to n gate lines GL1 through GLm and m data lines DL1 through DLm and are electrically connected to gate lines GL1 through GLn and data lines DL1 through DLm The image is displayed by the driving signal or the driving voltage applied through the driving circuit.

비표시영역(N/A)에는 표시영역(A/A)에 배치된 화소(P)의 동작을 제어하는 신호를 전달하는 각종 신호배선 등, 예를 들어, 게이트 구동회로(200)가 배치된다.For example, a gate drive circuit 200 is arranged in the non-display area N / A such as various signal wirings for transmitting signals for controlling the operation of the pixels P arranged in the display area A / A .

타이밍 컨트롤러(400)는 호스트 시스템으로부터 수신된 입력 영상신호(RGB)를 데이터 구동회로(300)로 전송한다. 타이밍 컨트롤러(400)는 입력영상신호(RGB)와 함께 수신되는 클럭신호(DCLK), 수평동기신호(Hsync), 수직동기신호(Vsync) 및 데이터 인에이블 신호(DE) 등의 타이밍 신호를 이용하여 게이트 구동 회로(200) 및 데이터 구동 회로(300)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 타이밍 제어 신호를 생성한다. 이때, 수평동기신호(Hsync)는 화면의 한 수평선을 표시하는데 걸리는 시간을 나타내는 신호이고, 수직동기신호(Vsync)는 한 프레임의 화면을 표시하는데 걸리는 시간을 나타내는 신호이며, 데이터 인에이블 신호(DE)는 표시패널(100)에 정의된 화소(P)에 데이터 전압을 공급하는 기간을 나타내는 신호이다. 타이밍 컨트롤러(400)는 타이밍 신호에 동기하여 게이트 구동 회로(200)의 제어신호(GCS) 및 데이터 구동회로(300)의 제어신호(DCS)를 생성한다. The timing controller 400 transmits the input video signal RGB received from the host system to the data driving circuit 300. The timing controller 400 uses a timing signal such as a clock signal DCLK, a horizontal synchronization signal Hsync, a vertical synchronization signal Vsync, and a data enable signal DE received together with an input video signal RGB A timing control signal for controlling the operation timings of the gate driving circuit 200 and the data driving circuit 300 is generated. The horizontal synchronization signal Hsync is a signal indicating the time taken to display one horizontal line of the screen. The vertical synchronization signal Vsync is a signal indicating the time taken to display a frame of one frame. The data enable signal DE Is a signal indicating a period of supplying the data voltage to the pixel P defined in the display panel 100. [ The timing controller 400 generates the control signal GCS of the gate driving circuit 200 and the control signal DCS of the data driving circuit 300 in synchronization with the timing signal.

데이터 구동회로(300)는 타이밍 컨트롤러(400)로부터 전송된 데이터 구동 제어 신호(DCS)에 의해 샘플링 신호를 생성하고, 타이밍 컨트롤러(400)로부터 입력되는 영상 데이터를 샘플링 신호에 따라 래치하여 데이터 신호로 변경한 후, 소스 출력 인에이블(Source Output Enable; SOE) 신호에 응답하여 데이터 신호를 데이터 라인(DL1, … DLm)들에 공급한다. 데이터 구동회로(300)는 칩 온 글래스(Chip On Glass; COG) 방식으로 표시패널(100)의 본딩 패드에 연결되거나, 표시패널(100)에 직접 배치될 수도 있으며, 경우에 따라 표시패널(100)에 집적화되어 배치될 수도 있다. 또한, 데이터 구동회로(300)는 칩 온 필름(Chip On Film; COF) 방식으로 배치될 수 있다.The data driving circuit 300 generates a sampling signal by the data driving control signal DCS transmitted from the timing controller 400 and latches the video data inputted from the timing controller 400 according to the sampling signal to generate a data signal And supplies a data signal to the data lines DL1, ... DLm in response to a source output enable (SOE) signal. The data driving circuit 300 may be connected to the bonding pad of the display panel 100 by a chip on glass (COG) method or may be disposed directly on the display panel 100, As shown in FIG. In addition, the data driving circuit 300 may be arranged in a chip on film (COF) manner.

게이트 구동회로(200)는 타이밍 컨트롤러(400)로부터 전송된 게이트 구동 제어 신호(GCS)에 따라 순차적으로 게이트 배선(GL1, … GLn)들에 게이트 신호를 공급한다. 게이트 구동회로(200)는 시프트 레지스터 및 레벨 시프터 등을 포함할 수 있다.The gate driving circuit 200 sequentially supplies gate signals to the gate lines GL1, ..., GLn in accordance with the gate driving control signal GCS transmitted from the timing controller 400. [ The gate drive circuit 200 may include a shift register, a level shifter, and the like.

일반적인 게이트 구동회로는 표시패널과 독립되게 형성되어 다양한 방식으로 표시패널과 전기적으로 연결되는 형태로 구성될 수 있으나, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 게이트 구동회로(200)는 표시패널(100)의 기판 제조 시 박막 패턴 형태로 비표시영역(N/A) 상에 게이트 인 패널(Gate In Panel; GIP) 방식으로 내장될 수 있다. 도 1에서는 표시패널(100)의 비표시영역(N/A)에 하나의 게이트 구동회로(200)만 구비되는 것으로 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니고, 2개의 게이트 구동회로(200)가 배치될 수 있다. The gate drive circuit 200 of the display device according to an exemplary embodiment of the present invention may include a display panel (not shown) (GIP) method on the non-display area N / A in the form of a thin film pattern during the fabrication of the substrate of the display panel 100 (FIG. 1, only one gate driving circuit 200 is shown in the non-display area N / A of the display panel 100. However, the present invention is not limited to this, and two gate driving circuits 200 may be disposed .

게이트 구동회로(200)는 시프트 레지스터를 포함하는 복수의 스테이지를 포함한다. 다음 도 2를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 게이트 구동회로의 상세 구성에 대해 살펴보기로 한다. The gate drive circuit 200 includes a plurality of stages including shift registers. 2, a detailed configuration of a gate driving circuit according to an embodiment of the present invention will be described.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 게이트 구동회로의 구성을 설명하기 위한 블록도이다.2 is a block diagram illustrating a configuration of a gate driving circuit according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 게이트 구동회로(200)는 전원전압(VDD) 및 접지전압(VSS)을 입력받고, 클럭신호(CLK)에 따라 게이트 배선(GL1, … GLn)에 게이트 출력전압(Vout1, Vout2, Vout3, … Vout(n-1), Vout(n))을 출력하는 제1 내지 제n 스테이지(S1, S2, S3, … S(n-1), Sn)를 포함하는 시프트 레지스터로 구성될 수 있다. 2, a gate driving circuit 200 according to an embodiment of the present invention receives a power supply voltage VDD and a ground voltage VSS and receives gate lines GL1 through GLn (N-1), Sn (n-1), and S (n-1) that output gate output voltages Vout1, Vout2, Vout3, And a shift register (not shown).

이때, 클럭신호(CLK)는 서로 다른 위상의 제1 클럭신호(CLK(n)), 제2 클럭신호(CLK(n+1)) 및 제3 클럭 신호(CLK(n+2))를 포함할 수 있다. 여기서, 클럭신호(CLK)는 하이 레벨과 로우 레벨의 듀티비가 1:3인 4상의 클럭신호(CLK)일 수 있다. 제1 클럭신호(CLK(n))보다 제2 클럭신호(CLK(n+1))이 지연된 위상을 갖고, 제2 클럭신호(CLK(n+1))보다 제3 클럭신호(CLK(n+2))이 지연된 위상을 갖는다. 구체적으로, 제1 클럭신호(CLK(n))는 게이트 출력전압(Vout1, Vout2, Vout3, … Vout(n-1), Vout(n))을 게이트 배선에 출력하기 위한 클럭 신호이고, 제2 클럭신호(CLK(n+1))는 QB 노드의 전압을 방전하기 위한 클럭신호이고, 제3 클럭신호(CLK(n+2))는 QB 노드의 전압을 충전하기 위한 클럭신호일 수 있다. At this time, the clock signal CLK includes the first clock signal CLK (n), the second clock signal CLK (n + 1) and the third clock signal CLK (n + 2) can do. Here, the clock signal CLK may be a four-phase clock signal CLK having a high-to-low duty ratio of 1: 3. The second clock signal CLK (n + 1) has a phase delayed from the first clock signal CLK (n + 1) and the third clock signal CLK (n + 1) +2) have a delayed phase. Specifically, the first clock signal CLK (n) is a clock signal for outputting the gate output voltages Vout1, Vout2, Vout3, ... Vout (n-1), Vout The clock signal CLK (n + 1) may be a clock signal for discharging the voltage of the QB node and the third clock signal CLK (n + 2) may be a clock signal for charging the voltage of the QB node.

제1 스테이지(S1)는 게이트 스타트 신호(VST)를 인가받아 클럭신호(CLK)를 이용하여 제1 게이트 출력전압(Vout1)을 출력하고, 제2 스테이지(S2) 내지 제n 스테이지(Sn)는 이전단 출력전압 또는 다음단 출력전압에 따라 다수의 클럭신호(CLKs)를 이용하여 제2 내지 제n 게이트 출력전압(Vout2~Vout(n))을 순차적으로 출력한다.The first stage S1 receives the gate start signal VST and outputs the first gate output voltage Vout1 using the clock signal CLK and the second stage S2 to the nth stage Sn And sequentially outputs the second to n-th gate output voltages Vout2 to Vout (n) using a plurality of clock signals CLKs according to the previous stage output voltage or the next stage output voltage.

도 3a 내지 3c는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 게이트 구동회로에 구비된 각 스테이지의 등가회로를 나타내는 도면이다. 3A to 3C are diagrams showing equivalent circuits of stages of a gate driving circuit of a display device according to an embodiment of the present invention.

이하, 각 스테이지(S1, S2, S3, … S(n-1), Sn)가 게이트 출력전압(Vout1, Vout2, Vout3, … Vout(n-1), Vout(n))을 출력하는 동작에 대해 제n 스테이지(Sn)를 예로 들어 설명하기로 한다. 게이트 구동회로를 구성하는 스위치 소자들은 n 타입 또는 p 타입 MOSFET 구조의 트랜지스터로 구현될 수 있다. 이하의 실시예에서 n 타입 트랜지스터를 예시하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.The operation of outputting the gate output voltages Vout1, Vout2, Vout3, ... Vout (n-1), Vout (n) is described below with reference to the operation of each stage S1, S2, S3, The n-th stage Sn will be described as an example. The switching elements constituting the gate driving circuit may be implemented by transistors of an n-type or p-type MOSFET structure. Although n-type transistors are exemplified in the following embodiments, the present invention is not limited thereto.

트랜지스터는 게이트(gate), 소스(source) 및 드레인(drain)을 포함한 3전극 소자이다. 소스는 캐리어(carrier)를 트랜지스터에 공급하는 전극이다. 트랜지스터 내에서 캐리어는 소스로부터 흐르기 시작한다. 드레인은 트랜지스터에서 캐리어가 외부로 나가는 전극이다. 즉, MOSFET에서의 캐리어의 흐름은 소스로부터 드레인으로 흐른다. n타입 MOSFET(NMOS)의 경우, 캐리어가 전자(electron)이기 때문에 소스에서 드레인으로 전자가 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 낮은 전압을 가진다. n타입 MOSFET에서 전자가 소스로부터 드레인 쪽으로 흐르기 때문에 전류의 방향은 드레인으로부터 소스쪽으로 흐른다. p타입 MOSFET(PMOS)의 경우, 캐리어가 정공(hole)이기 때문에 소스로부터 드레인으로 정공이 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 높다. p타입 MOSFET에서 정공이 소스로부터 드레인쪽으로 흐르기 때문에 전류가 소스로부터 드레인쪽으로 흐른다. MOSFET의 소스와 드레인은 고정된 것이 아니라는 것에 주의하여야 한다. 예컨대, MOSFET의 소스와 드레인은 인가 전압에 따라 변경될 수 있다. 이하의 실시예에서 트랜지스터의 소스와 드레인으로 인하여 발명이 한정되어서는 안된다. A transistor is a three-electrode device including a gate, a source, and a drain. The source is an electrode that supplies a carrier to the transistor. Within the transistor, the carriers begin to flow from the source. The drain is an electrode from which the carrier exits from the transistor. That is, the flow of carriers in the MOSFET flows from the source to the drain. In the case of an n-type MOSFET (NMOS), since the carrier is an electron, the source voltage has a voltage lower than the drain voltage so that electrons can flow from the source to the drain. In an n-type MOSFET, the direction of current flows from drain to source because electrons flow from source to drain. In the case of a p-type MOSFET (PMOS), since the carrier is a hole, the source voltage is higher than the drain voltage so that holes can flow from the source to the drain. In a p-type MOSFET, the current flows from the source to the drain because the holes flow from the source to the drain. It should be noted that the source and drain of the MOSFET are not fixed. For example, the source and drain of the MOSFET may be changed depending on the applied voltage. In the following embodiments, the invention should not be limited to the source and the drain of the transistor.

구체적으로, 본 발명의 게이트 구동회로(200)에서는 다결정 반도체 물질을 액티브층으로 하는 트랜지스터인 저온 폴리 실리콘(Low Temperature Poly-Silicon; 이하, LTPS라고 함)을 이용한 LTPS 트랜지스터가 사용될 수 있다. 폴리 실리콘 물질은 이동도가 높아 (100㎠/Vs 이상), 에너지 소비전력이 낮고 신뢰성이 우수하므로, 표시 소자용 트랜지스터들을 구동하는 구동 소자용 트랜지스터에 적용할 수 있다.Specifically, in the gate drive circuit 200 of the present invention, an LTPS transistor using a low temperature poly-silicon (hereinafter referred to as LTPS) transistor, which is a transistor having a polycrystalline semiconductor material as an active layer, can be used. The polysilicon material has high mobility (100 cm < 2 > / Vs or more), low energy consumption power, and excellent reliability, so that it can be applied to a driving device transistor for driving display device transistors.

도 3a를 참조하면, 게이트 구동회로의 제n 스테이지는 제1 노드 제어부(T1, T3R, T3), 제2 노드 제어부(T4, T5, T5Q), 제1 보조 트랜지스터(TA1), 제1 커패시터(CQ), 제2 커패시터(CQB) 및 출력부(T6, T7)를 포함한다. 3A, the n-th stage of the gate driving circuit includes a first node controller T1, a third node controller T3, and a third node controller T3, a second node controller T4, T5, and T5Q, a first auxiliary transistor TA1, CQ, a second capacitor CQB and an output unit T6, T7.

제1 커패시터(CQ)는 제1 보조 트랜지스터(TA1)의 일 전극인 Q 노드(Q-node)와 접지전압(VSS)에 연결될 수 있고, 제2 커패시터(CQB)는 QB 노드(QB-node)와 접지전압(VSS)에 연결될 수 있다.The first capacitor CQ may be connected to a Q-node and a ground voltage VSS which are one electrode of the first auxiliary transistor TA1 and the second capacitor CQB may be connected to a QB node QB- And the ground voltage VSS.

제1 노드 제어부(T1, T3R, T3)는 P 노드(P-node) 및 이와 연결된 Q 노드(Q-node)의 충전 타이밍을 결정한다. 제1 노드 제어부(T1, T3R, T3)는 제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T3R) 및 제3 트랜지스터(T3)를 포함한다.The first node controllers T1, T3R, and T3 determine the charging timing of the P-node and the Q-node connected thereto. The first node controllers T1, T3R and T3 include a first transistor T1, a second transistor T3R and a third transistor T3.

여기서, P 노드(P-node)와 Q 노드(Q-node)는 고전위전압원입 전원전압(VDD)에 턴온되는 제1 보조 트랜지스터(TA1)에 의해 연결되어 있으므로, 동일 전위이다. Here, the P-node and the Q-node are connected to each other by the first auxiliary transistor TA1 turned on at the high potential source power supply voltage VDD, and therefore they are at the same potential.

제1 트랜지스터(T1)는 제(n-1) 스테이지의 출력 단자(Vout(n-1))에 게이트 전극 및 제1 전극이 연결되고, P 노드(P-node)에 제2 전극이 연결된다. 제1 트랜지스터(T1)는 제(n-1) 스테이지의 게이트 출력전압(Vout(n-1))에 응답하여 P 노드(P-node) 및 Q 노드(Q-node)를 충전한다.In the first transistor T1, the gate electrode and the first electrode are connected to the output terminal Vout (n-1) of the (n-1) -th stage, and the second electrode is connected to the P-node . The first transistor T1 charges the P node and the Q node in response to the gate output voltage Vout (n-1) of the (n-1) th stage.

제2 트랜지스터(T3R)는 게이트 스타트 펄스 단자(VST)에 게이트 전극이 연결되고, 저전위전원인 접지전압(VSS)에 제1 전극이 연결되며, P 노드(P-node)에 제2 전극이 연결된다. 제2 트랜지스터(T3R)는 게이트 스타트 펄스 단자(VST)를 통해 공급되는 게이트 스타트 펄스 신호에 응답하여 P 노드(P-node) 및 Q 노드(Q-node)를 접지전압(VSS)까지 방전한다. The second transistor T3R has a gate electrode connected to the gate start pulse terminal VST and a first electrode connected to a ground voltage VSS which is a low potential power source and a second electrode connected to a P- . The second transistor T3R discharges the P-node and the Q-node to the ground voltage VSS in response to the gate-start pulse signal supplied through the gate-start pulse terminal VST.

제3 트랜지스터(T3)는 QB 노드(QB-node)에 게이트 전극이 연결되고, 접지전압(VSS)에 제1 전극이 연결되며, P 노드(P-node)에 제2 전극이 연결된다. 제3 트랜지스터(T3)는 QB 노드(QB-node)가 하이 레벨일 때 P 노드(P-node) 및 Q 노드(Q-node)를 접지전압(VSS)까지 방전한다.The third transistor T3 has a gate electrode connected to a QB node, a first electrode connected to a ground voltage VSS, and a second electrode connected to a P-node. The third transistor T3 discharges the P-node and the Q-node to the ground voltage VSS when the QB node is at a high level.

제2 노드 제어부(T4, T5, T5Q)는 QB 노드(QB-node)의 충전 타이밍을 결정한다. 제2 노드 제어부(T4, T5, T5Q)는 제4 트랜지스터(T4), 제5 트랜지스터(T5) 및 제6 트랜지스터(T5Q)를 포함한다. The second node controllers T4, T5 and T5Q determine the charging timing of the QB node (QB-node). The second node controllers T4, T5 and T5Q include a fourth transistor T4, a fifth transistor T5 and a sixth transistor T5Q.

제4 트랜지스터(T4)는 제3 클럭신호 단자(CLK(n+2))에 게이트 전극이 연결되고, 전원전압(VDD)에 제1 전극이 연결되며, QB 노드(QB-node)에 제2 전극이 연결된다. 제4 트랜지스터(T4)는 하이 레벨의 전원전압(VDD)이 입력될 때, 제2 클럭신호(CLK(n+2))의 주기에 대응하여 QB 전압을 공급하여 QB 노드(QB-node)를 충전한다.The fourth transistor T4 has a gate electrode connected to the third clock signal terminal CLK (n + 2), a first electrode connected to the power supply voltage VDD and a second electrode connected to the QB node QB- Electrodes are connected. The fourth transistor T4 supplies the QB voltage corresponding to the period of the second clock signal CLK (n + 2) to the QB node (QB-node) when the high level supply voltage VDD is input Charge.

제5 트랜지스터(T5)는 제(n-1) 스테이지의 출력단(Vout(n-1))에 게이트 전극이 연결되고, 제2 클럭신호 단자(CLK(n+1))에 제1 전극이 연결되고, QB 노드(QB-node)에 제2 전극이 연결된다. 제5 트랜지스터(T5)는 제(n-1) 스테이지의 출력에 응답하여 제2 클럭신호(CLK(n+1))를 QB 노드(QB-node)로 출력한다. The fifth transistor T5 has a gate electrode connected to the output terminal Vout (n-1) of the (n-1) th stage and a first electrode connected to the second clock signal terminal CLK (n + And the second electrode is connected to the QB node (QB-node). The fifth transistor T5 outputs the second clock signal CLK (n + 1) to the QB node (QB-node) in response to the output of the (n-1) th stage.

제6 트랜지스터(T5Q)는 P 노드(P-node)에 게이트 전극이 연결되고, 제2 클럭신호 단자(CLK(n+1))에 제1 전극이 연결되고, QB 노드(QB-node)에 제2 전극이 연결된다. 제6 트랜지스터(T5Q)는 P 노드(P-node)의 전압에 응답하여 제2 클럭신호(CLK(n+1))를 QB 노드(QB-node)로 출력한다. The sixth transistor T5Q has a gate electrode connected to a P-node, a first electrode connected to a second clock signal terminal CLK (n + 1), a QB node QB-node And the second electrode is connected. The sixth transistor T5Q outputs the second clock signal CLK (n + 1) to the QB node (QB-node) in response to the voltage of the P-node.

제5 트랜지스터(T5) 및 제6 트랜지스터(T5Q)의 구체적인 동작에 대해서는 도 4a 내지 도5b를 참조하여 후술한다.The specific operation of the fifth transistor T5 and the sixth transistor T5Q will be described later with reference to FIGS. 4A to 5B.

제1 보조 트랜지스터(TA1)는 P 노드(P-node)에 연결된 트랜지스터, 예를 들어, 제1 노드 제어부인 제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T3R) 및 제3 트랜지스터(T3)를 보호할 수 있다. 구체적으로, 제1 보조 트랜지스터(TA1)는 전원전압(VDD)이 게이트에 연결되고, 제1 전극은 P 노드(P-node)에 연결되며, 제2 전극은 Q 노드(Q-node)에 연결된다.The first auxiliary transistor TA1 protects the first transistor T1, the second transistor T3R and the third transistor T3, which are transistors connected to the P-node, for example, can do. Specifically, the first auxiliary transistor TA1 is connected to the gate of the power supply voltage VDD, the first electrode of the first auxiliary transistor TA1 is connected to the P-node, and the second electrode of the first auxiliary transistor TA1 is connected to the Q- do.

일반적인 제1 보조 트랜지스터(TA1)는 게이트 전압이 출력되는 시점을 제외하고는 동일한 전압, 즉 전원전압(VDD)이 인가된다. 다만, 제1 보조 트랜지스터(TA1)는 Q 노드(Q-node) 부트스트래핑(bootstrapping) 시, 턴오프(turn-off)되어 P 노드(P-node)와 연결된 제1 노드 제어부의 트랜지스터들(T1, T3R, T3)을 보호하는 역할을 한다.In the general first auxiliary transistor TA1, the same voltage, that is, the power supply voltage VDD, is applied except when the gate voltage is output. However, when the Q-node bootstrapping is performed, the first auxiliary transistor TA1 is turned off to turn off the transistors T1 of the first node controller connected to the P-node , T3R, T3).

출력부(T7, T8)는 제n 게이트 출력전압(Vout(n))을 풀업(pull-up)하는 트랜지스터인 제7 트랜지스터(T7)와 제n 게이트 출력전압(Vout(n))을 풀다운(pull-down)하는 트랜지스터인 제8 트랜지스터(T8)을 포함한다.The output sections T7 and T8 pull down the nth gate output voltage Vout (n) and the seventh transistor T7, which is a transistor for pulling up the nth gate output voltage Vout (n) and an eighth transistor T8 which is a pull-down transistor.

제7 트랜지스터(T7)는 Q 노드(Q-node)에 게이트가 연결되고, 제1클럭신호(CLK(n))이 제1 전극에 연결되며, 제n 스테이지의 출력 단자(Vout(n))에 제2 전극이 연결된다. 제7 트랜지스터(T7)은 Q 노드(Q-node)가 충전 상태일 때, 제1 클럭신호(CLK(n))를 제n 스테이지의 출력단자(Vout(n))로 출력한다. The seventh transistor T7 has a gate connected to the Q-node, a first clock signal CLK (n) connected to the first electrode, and an output terminal Vout (n) The second electrode is connected. The seventh transistor T7 outputs the first clock signal CLK (n) to the output terminal Vout (n) of the n-th stage when the Q-node is in a charged state.

제8 트랜지스터(T8)는 QB 노드(QB-node)에 게이트가 연결되고, 제n 스테이지의 출력 단자(Vout(n))에 제1 전극이 연결되며, 접지전압(VSS)에 제2 전극이 연결된다. 제8 트랜지스터(T8)은 QB 노드(QB-node)가 충전 상태일 때, 제n 스테이지의 출력단자(Vout(n))의 전위를 접지전압(VSS)으로 방전한다.The eighth transistor T8 has a gate connected to the QB node QB, a first electrode connected to the output terminal Vout (n) of the n-th stage, a second electrode connected to the ground voltage VSS . The eighth transistor T8 discharges the potential of the output terminal Vout (n) of the n-th stage to the ground voltage VSS when the QB node (QB-node) is in a charged state.

그리고, 제1 커패시터(CQ)는 접지전원(VSS) 및 Q 노드(Q-node) 사이에 연결되어, Q 노드(Q-node)를 안정화 시키고, 제2 커패시터(CQB)는 접지전원(VSS) 및 QB 노드(QB-node) 사이에 연결되어, QB 노드(QB-node)를 안정화 시킨다.The first capacitor CQ is connected between the ground power supply VSS and the Q-node to stabilize the Q-node and the second capacitor CQB is connected to the ground power supply VSS. And a QB node (QB-node) to stabilize the QB node (QB-node).

몇몇의 실시예에서는 도 3b에 도시된 바와 같이, 제1 커패시터(CQ)는 접지전원(VSS) 및 P 노드(P-node) 사이에 연결되어, P 노드(P-node)를 안정화 시키고, 도 3c에 도시된 바와 같이, 제1 커패시터(CQ)는 출력 단자(Vout(n)) 및 Q 노드(Q-node) 사이에 연결되어, Q 노드(Q-node)를 안정화 시킨다.In some embodiments, as shown in FIG. 3B, the first capacitor CQ is connected between the ground power supply VSS and the P-node to stabilize the P-node, 3C, the first capacitor CQ is connected between the output terminal Vout (n) and the Q-node to stabilize the Q-node.

이와 같은 본 발명의 일 실시예에 따른 게이트 구동회로의 제n 스테이지의 구동에 대해 살펴보면, 제1 시구간동안 제n-1 스테이지의 출력 전압에 의해 제1 트랜지스터(T1)가 턴온되어 Q 노드(Q-node)가 충전되고, 제1 트랜지스터(T5)가 턴온되어 QB 노드(QB-node)가 충전되고, 또한 Q 노드(Q-node)에 충전된 전압에 의해 제6 트랜지스터(T5Q)가 턴온되어 QB 노드(QB-node)는 방전되고, 하이 레벨의 제1 클럭신호(CLK(n))에 의해 부트스트래핑에 따라 제7 트랜지스터(T7)가 턴온되면서 제n 스테이지의 출력단자(Vout(n))에는 하이 레벨의 스캔 펄스가 출력될 수 있다. In the driving of the n-th stage of the gate driving circuit according to an embodiment of the present invention, during the first time period, the first transistor T1 is turned on by the output voltage of the (n-1) The Q-node is charged, the Q-node is charged by the first transistor T5 being turned on and the sixth transistor T5Q is turned on by the voltage charged in the Q- The QB node QB is discharged and the seventh transistor T7 is turned on in response to bootstrapping by the first clock signal CLK (n) of high level to output the output terminal Vout (n ), A high-level scan pulse can be output.

한편, 제n 스테이지는 제1 시구간 다음으로 이어지는 제2 시구간 동안 하이 레벨의 제3 클럭신호(CLK(n+2))에 의해 제2 트랜지스터(T3R)또한 턴온되어 QB 노드(QB-node)가 충전되고, QB 노드(QB-node)에 충전된 전압에 의해 제3 트랜지스터(T3)가 턴온되어 Q 노드(Q-node)는 방전된다. 이에, 제7 트랜지스터(T7)가 턴온되어 제n 스테이지의 출력단자(Vout(n))은 접지전압(VSS)에 의해 방전될 수 있다.On the other hand, the n-th stage is turned on by the third clock signal CLK (n + 2) at the high level during the second time period following the first time period to turn on the QB node The third transistor T3 is turned on by the voltage charged in the QB node and the Q node is discharged. Thus, the seventh transistor T7 is turned on so that the output terminal Vout (n) of the n-th stage can be discharged by the ground voltage VSS.

이하에서는 도 4a 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 제5 트랜지스터 및 제6 트랜지스터의 구동에 대해서 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the driving of the fifth transistor and the sixth transistor of the display device according to the exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 4A through 5. FIG.

도 4a 및 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 게이트 구동회로에 구비된 제5 트랜지스터 및 제6 트랜지스터의 회로도이다. 4A and 4B are circuit diagrams of a fifth transistor and a sixth transistor included in a gate driving circuit of a display device according to an embodiment of the present invention.

그리고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 게이트 구동회로에 인가되는 내부 신호를 나타내는 타이밍도이다.5 is a timing chart showing an internal signal applied to a gate driving circuit of a display apparatus according to an embodiment of the present invention.

구체적으로, 제5 트랜지스터(T5)의 회로도를 도 4a에 도시하였고, 제6 트랜지스터(T5Q)의 회로도를 도 4b에 도시하였다.Specifically, a circuit diagram of the fifth transistor T5 is shown in FIG. 4A, and a circuit diagram of the sixth transistor T5Q is shown in FIG. 4B.

도 4a를 참고하면, 제5 트랜지스터(T5)는 제(n-1) 스테이지의 출력단(Vout(n-1))에 게이트 전극이 연결되고, 제2 클럭신호 단자(CLK(n+1))에 제1 전극이 연결되고, QB 노드(QB-node)에 제2 전극이 연결된다. 제5 트랜지스터(T5)는 제(n-1) 스테이지의 출력에 응답하여 제2 클럭신호(CLK(n+1))를 QB 노드(QB-node)로 출력한다. 4A, the fifth transistor T5 has the gate electrode connected to the output terminal Vout (n-1) of the (n-1) th stage and the second clock signal terminal CLK (n + And the second electrode is connected to the QB node (QB-node). The fifth transistor T5 outputs the second clock signal CLK (n + 1) to the QB node (QB-node) in response to the output of the (n-1) th stage.

다음으로 도 4b를 참조하면, 제6 트랜지스터(T5Q)는 Q 노드(Q-node)에 게이트 전극이 연결되고, 제2 클럭신호 단자(CLK(n+1))에 제1 전극이 연결되고, QB 노드(QB-node)에 제2 전극이 연결된다. 제6 트랜지스터(T5Q)는 P 노드(P-node)의 전압에 응답하여 제2 클럭신호(CLK(n+1))를 QB 노드(QB-node)로 출력한다. Referring to FIG. 4B, the sixth transistor T5Q has a gate electrode connected to a Q-node, a first electrode connected to a second clock signal terminal CLK (n + 1) And the second electrode is connected to the QB node (QB-node). The sixth transistor T5Q outputs the second clock signal CLK (n + 1) to the QB node (QB-node) in response to the voltage of the P-node.

도 5를 참고하면, GIP 출력 구간 중 제1 시점(t1)에, 제(n-1) 스테이지의 출력 전압(Vout(n-1)) 하이 레벨로 라이징되어, 제1 트랜지스터(T1) 및 제5 트랜지스터(T5)는 턴온된다. 이에 따라, 제1 트랜지스터(T1)에 인가된 하이 레벨의 제(n-1) 스테이지의 출력 전압(Vout(n-1))이 P 노드(P-node) 및 Q 노드(Q-node)에 출력되고, 제5 트랜지스터(T5)에 인가된 로우 레벨의 제2 클럭신호(CLK(n+1))가 QB 노드(QB-node)에 출력된다. 그리고, Q 노드(Q-node)에 인가된 하이 레벨의 제(n-1) 스테이지의 출력 전압(Vout(n-1))으로 인해, 제6 트랜지스터 또한 턴온된다. 이에 따라, 제5 트랜지스터(T5)에 인가된 로우 레벨의 제2 클럭신호(CLK(n+1))가 QB 노드(QB-node)에 출력된다.5, the output voltage Vout (n-1) of the (n-1) -th stage is raised to the high level at the first time point t1 of the GIP outputting period, 5 transistor T5 is turned on. Thus, the output voltage Vout (n-1) of the (n-1) -th stage of the high level applied to the first transistor T1 is applied to the P-node and the Q- And the second clock signal CLK (n + 1) of low level applied to the fifth transistor T5 is outputted to the QB node (QB-node). Then, the sixth transistor is also turned on due to the output voltage Vout (n-1) of the (n-1) -th stage at the high level applied to the Q-node. Thus, the low-level second clock signal CLK (n + 1) applied to the fifth transistor T5 is output to the QB node (QB-node).

그리고, 제2 시점(t2)에, 제(n-1) 스테이지의 출력 전압(Vout(n-1)) 로우 레벨로 폴링되어, 제1 트랜지스터(T1) 및 제5 트랜지스터(T5)는 턴오프된다. 그리고, 제1 클럭신호(CLK(n))이 하이 레벨로 라이징되어, Q 노드(Q-node)의 전압은 부트스트래핑(bootstrapping)된다. 제7 트랜지스터(T7)가 턴온되어 하이 레벨의 제1 클럭신호(CLK(n))을 제(n) 스테이지의 출력 전압(Vout(n))으로 출력한다.The output voltage Vout (n-1) of the (n-1) -th stage is polled to a low level at the second time point t2 so that the first transistor T1 and the fifth transistor T5 are turned off do. Then, the first clock signal CLK (n) is raised to a high level, and the voltage of the Q-node is bootstrapped. The seventh transistor T7 is turned on to output the high level first clock signal CLK (n) as the output voltage Vout (n) of the (n) th stage.

제3 시점(t3) 시점에서, 하이 레벨의 P 노드(P-node)전압으로 인해 턴온된 제5 트랜지스터(T5) 및 제6 트랜지스터(T5Q)을 통해, QB 노드(QB node)에 하이 레벨로 라이징된 제2 클럭신호(CLK(n+1))가 인가된다.이에, 제3 트랜지스터(T3) 및 제8 트랜지스터(T8)는 턴온되고, 제3 트랜지스터(T3)를 통해, 접지전압(VSS)이 P 노드(P-node) 및 Q 노드(Q-node)에 인가되어 방전되고, 제8 트랜지스터(T8)를 통해, 접지전압(VSS)을 제(n) 스테이지의 출력 전압(Vout(n))으로 출력한다.이렇게, 제5 트랜지스터(T5) 및 제6 트랜지스터(T5Q)에 하이 레벨과 로우 레벨의 듀티비가 1:3인 제2 클럭신호(CLK(n+1))를 입력할 수 있다. 다만, 제2 클럭신호(CLK(n+1))의 듀티비는 이에 한정되지 않고 다양하게 설정될 수 있다.At the third time point t3, the QB node QB node is driven to the high level through the fifth transistor T5 and the sixth transistor T5Q which are turned on due to the high level P node voltage The third transistor T3 and the eighth transistor T8 are turned on and the ground voltage VSS (n + 1) is applied through the third transistor T3, Is discharged to the P-node and the Q-node and discharged through the eighth transistor T8 to the ground voltage VSS to the output voltage Vout (n) of the (n) -th stage, The second clock signal CLK (n + 1) having the high-level and low-level duty ratio of 1: 3 can be input to the fifth transistor T5 and the sixth transistor T5Q. have. However, the duty ratio of the second clock signal CLK (n + 1) is not limited to this, and may be variously set.

일반적인 게이트 구동회로에서, QB 노드를 방전시키는 트랜지스터에는 고정 전위의 접지 전압이 인가되어, 99% 이상의 하이 정션 스트레스(High Junction Stress; HJS)으로 인해, LTPS 트랜지스터의 액티브층의 이동도가 저하되었다.In a general gate drive circuit, the transistor discharging the QB node is supplied with a fixed potential ground voltage and the mobility of the active layer of the LTPS transistor is lowered due to a high junction stress (HJS) of 99% or more.

이에, 본 발명에서는 QB노드(QB-node)를 방전시키는 LTPS 트랜지스터인 제5 트랜지스터(T5) 및 제6 트랜지스터(T5Q)의 입력 단자에 고정 전위가 아닌 일정 듀티비로 스윙하는 제2 클럭신호(CLK(n+1))를 인가함으로써, 하이 정션 스트레스(HJS)를 감소시킬 수 있다.Accordingly, in the present invention, the fifth transistor T5 and the sixth transistor T5Q, which are LTPS transistors for discharging the QB node, discharge a second clock signal CLK (n + 1)), it is possible to reduce the high junction stress (HJS).

구체적으로, 도 4a 및 도4b에 도시된 바와 같이, 제2 클럭신호(CLK(n+1))의 하이 레벨과 로우 레벨의 듀티비가 1:3일 경우, 하이 정션 스트레스(HJS)는 74.99%로 감소될 수 있다. 이에, 제5 트랜지스터(T5) 및 제6 트랜지스터(T5Q)의 액티브층의 이동도가 저하되는 현상이 개선되어, 제5 트랜지스터(T5) 및 제6 트랜지스터(T5Q)의 스위칭 특성의 저하를 방지할 수 있다.Specifically, as shown in Figs. 4A and 4B, when the duty ratio of the high level and the low level of the second clock signal CLK (n + 1) is 1: 3, the high junction stress (HJS) Lt; / RTI > Thus, the phenomenon that the mobility of the active layer of the fifth transistor T5 and the sixth transistor T5Q is lowered is prevented, and the deterioration of the switching characteristics of the fifth transistor T5 and the sixth transistor T5Q is prevented .

이에, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100)의 게이트 구동회로(200)는 QB노드(QB-node) 방전속도가 저하되지 않아, 게이트 전압을 정상 타이밍에 맞추어 순차적으로 출력할 수 있게 되어 표시장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.Accordingly, the gate driving circuit 200 of the display device 100 according to an embodiment of the present invention can reduce the discharge speed of the QB node (QB node) so that the gate voltage can be sequentially output to the normal timing So that the reliability of the display device can be improved.

본 발명의 다양한 실시예들에 따른 게이트 구동회로 및 이를 포함하는 표시 장치는 다음과 같이 설명될 수 있다.A gate driving circuit and a display device including the same according to various embodiments of the present invention can be described as follows.

전술한 바와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 게이트 구동회로는 종속적으로 연결되는 복수의 스테이지를 포함하고, 복수의 스테이지 각각은 Q 노드의 전압 및 QB 노드의 전압에 의해 제1 클럭신호를 게이트 출력 전압으로 출력하는 출력부, 이전 스테이지의 출력 전압에 대응하여 Q 노드의 전압을 충전하는 제1 노드 제어부, 제1 클럭신호와 위상이 다른 제2 클럭신호 및 제3 클럭신호에 대응하여 QB 노드에 전압을 충전하는 제2 노드 제어부를 포함하고, 제2 노드 제어부는 제3 클럭신호에 대응하여 QB 노드에 하이 레벨의 전원전압을 출력하는 제4 트랜지스터, 이전 스테이지의 출력 전압에 대응하여 QB 노드에 제2 클럭신호를 출력하는 제5 트랜지스터 및 Q 노드의 전압에 대응하여 QB 노드에 제2 클럭신호를 출력하는 제6 트랜지스터를 포함하여, 게이트 구동회로의 QB노드 방전속도 저하현상을 개선할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a gate driving circuit including a plurality of stages connected in a dependent manner, each of the plurality of stages including a first node and a second node, A first node controller for charging the voltage of the Q node corresponding to the output voltage of the previous stage, a second node controller for charging the voltage of the Q node corresponding to the output voltage of the previous stage, a second clock signal different in phase from the first clock signal, And the second node control unit includes a fourth transistor for outputting a high level power supply voltage to the QB node corresponding to the third clock signal, A sixth transistor for outputting a second clock signal to the QB node corresponding to the voltage of the Q node; It is possible to improve the discharge rate QB node, degradation of a gate driving circuit, including.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 제5 트랜지스터 및 제6 트랜지스터는 LTPS(Low Temperature Poly Silicon)트랜지스터이다.According to another aspect of the present invention, the fifth transistor and the sixth transistor are LTPS (Low Temperature Poly Silicon) transistors.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제2 클럭신호의 하이 레벨과 로우 레벨의 듀티비는 1:3이다.According to another aspect of the present invention, the duty ratio of the high level and the low level of the second clock signal is 1: 3.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 하이 레벨의 전원전압에 게이트 전극이 연결되어, Q 노드를 안정화시키는 제1 보조 트랜지스터를 더 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is further provided a first auxiliary transistor connected to a gate electrode of the high level power supply voltage to stabilize the Q node.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 보조 트랜지스터의 일 전극에 연결되는 제1 커패시터를 더 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is further provided a first capacitor connected to one electrode of the first auxiliary transistor.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 커패시터는 접지전압에 연결된다.According to another aspect of the present invention, the first capacitor is coupled to a ground voltage.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 커패시터는 출력 단자에 연결된다.According to another aspect of the present invention, the first capacitor is connected to the output terminal.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 복수의 화소를 포함하는 표시패널, 복수의 스테이지로 구성되어, 복수의 화소에 게이트 출력 전압을 순차적으로 출력하는 게이트 구동회로 및 게이트 구동회로의 구동을 제어하는 타이밍 컨트롤러를 포함하고, 복수의 스테이지 각각은 Q 노드의 전압 및 QB 노드의 전압에 의해 제1 클럭신호를 게이트 출력 전압으로 출력하는 출력부, 이전 스테이지의 출력 전압에 대응하여 Q 노드의 전압을 충전하는 제1 노드 제어부, 제1 클럭신호와 위상이 다른 제2 클럭신호 및 제3 클럭신호에 대응하여 QB 노드에 전압을 충전하는 제2 노드 제어부를 포함하고, 제1 클럭신호의 위상보다 제2 클럭신호 및 제3 클럭신호의 위상이 지연되어, 게이트 구동회로의 QB노드 방전속도 저하현상을 개선할 수 있다.A display device according to an embodiment of the present invention includes a display panel including a plurality of pixels, a gate driving circuit configured to sequentially output a gate output voltage to a plurality of pixels, And each of the plurality of stages includes an output section for outputting the first clock signal as a gate output voltage by the voltage of the Q node and the voltage of the QB node and the output section for outputting the voltage of the Q node corresponding to the output voltage of the previous stage And a second node controller for charging the QB node with a voltage corresponding to a second clock signal and a third clock signal having different phases from the first clock signal, The phase of the second clock signal and the phase of the third clock signal are delayed to improve the QB node discharge speed drop phenomenon of the gate drive circuit.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 제2 노드 제어부는,According to another aspect of the present invention,

제3 클럭신호에 대응하여, QB 노드에 하이 레벨의 전원전압을 출력하는 제4 트랜지스터,A fourth transistor for outputting a high level power supply voltage to the QB node in response to the third clock signal,

이전 스테이지의 출력 전압에 대응하여 QB 노드에 제2 클럭신호를 출력하는 제5 트랜지스터 및A fifth transistor for outputting a second clock signal to the QB node corresponding to the output voltage of the previous stage and

Q 노드의 전압에 대응하여 QB 노드에 제2 클럭신호를 출력하는 제6 트랜지스터를 포함한다.And a sixth transistor for outputting a second clock signal to the QB node corresponding to the voltage of the Q node.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제2 클럭신호의 위상보다 제3 클럭신호의 위상이 지연된다.According to another aspect of the present invention, the phase of the third clock signal is delayed relative to the phase of the second clock signal.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail with reference to the accompanying drawings, it is to be understood that the present invention is not limited to those embodiments and various changes and modifications may be made without departing from the scope of the present invention. . Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, it should be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

100: 표시패널
200: 게이트 구동회로
300: 데이터 구동회로
400: 타이밍 컨트롤러
P: 화소
T1: 제1 트랜지스터
T3R: 제2 트랜지스터
T3: 제3 트랜지스터
T4: 제4 트랜지스터
T5: 제5 트랜지스터
T5Q: 제6 트랜지스터
T7: 제7 트랜지스터
T8: 제8 트랜지스터
100: display panel
200: Gate drive circuit
300: Data driving circuit
400: timing controller
P: pixel
T1: first transistor
T3R: the second transistor
T3: Third transistor
T4: fourth transistor
T5: fifth transistor
T5Q: sixth transistor
T7: seventh transistor
T8: the eighth transistor

Claims (12)

종속적으로 연결되는 복수의 스테이지를 포함하고,
상기 복수의 스테이지 각각은,
Q 노드의 전압 및 QB 노드의 전압에 의해 제1 클럭신호를 게이트 출력 전압으로 출력하는 출력부;
이전 스테이지의 출력 전압에 대응하여 상기 Q 노드의 전압을 충전하는 제1 노드 제어부;
상기 제1 클럭신호와 위상이 다른 제2 클럭신호 및 제3 클럭신호에 대응하여 상기 QB 노드에 전압을 충전하는 제2 노드 제어부를 포함하고,
상기 제2 노드 제어부는,
상기 제3 클럭신호에 대응하여, 상기 QB 노드에 하이 레벨의 전원전압을 출력하는 제4 트랜지스터,
상기 이전 스테이지의 출력 전압에 대응하여 상기 QB 노드에 상기 제2 클럭신호를 출력하는 제5 트랜지스터 및
상기 Q 노드의 전압에 대응하여 상기 QB 노드에 상기 제2 클럭신호를 출력하는 제6 트랜지스터를 포함하는, 게이트 구동회로.
Comprising a plurality of stages connected in a dependent manner,
Wherein each of the plurality of stages includes:
An output unit for outputting the first clock signal as a gate output voltage by the voltage of the Q node and the voltage of the QB node;
A first node controller for charging a voltage of the Q node corresponding to an output voltage of a previous stage;
And a second node controller for charging a voltage to the QB node corresponding to a second clock signal and a third clock signal having different phases from the first clock signal,
The second node control unit,
A fourth transistor for outputting a high level power supply voltage to the QB node in response to the third clock signal,
A fifth transistor for outputting the second clock signal to the QB node corresponding to an output voltage of the previous stage,
And a sixth transistor for outputting the second clock signal to the QB node corresponding to the voltage of the Q node.
제1항에 있어서,
상기 제5 트랜지스터 및 상기 제6 트랜지스터는 LTPS(Low Temperature Poly Silicon)트랜지스터인, 게이트 구동 회로.
The method according to claim 1,
And the fifth transistor and the sixth transistor are LTPS (Low Temperature Poly Silicon) transistors.
제1항에 있어서,
상기 제2 클럭신호의 하이 레벨과 로우 레벨의 듀티비는 1:3인, 게이트 구동 회로.
The method according to claim 1,
And the duty ratio of the high level and the low level of the second clock signal is 1: 3.
제1항에 있어서,
상기 하이 레벨의 전원전압에 게이트 전극이 연결되어, 상기 Q 노드를 안정화시키는 제1 보조 트랜지스터를 더 포함하는, 게이트 구동회로.
The method according to claim 1,
And a gate electrode connected to the high level power supply voltage to stabilize the Q node.
제4항에 있어서,
상기 제1 보조 트랜지스터의 일 전극에 연결되는 제1 커패시터를 더 포함하는, 게이트 구동회로.
5. The method of claim 4,
Further comprising a first capacitor coupled to one electrode of the first auxiliary transistor.
제5항에 있어서,
상기 제1 커패시터는 접지전압에 연결되는, 게이트 구동 회로.
6. The method of claim 5,
And the first capacitor is coupled to a ground voltage.
제5항에 있어서,
상기 제1 커패시터는 출력 단자에 연결되는, 게이트 구동 회로.
6. The method of claim 5,
And the first capacitor is connected to the output terminal.
복수의 화소를 포함하는 표시패널;
복수의 스테이지로 구성되어, 상기 복수의 화소에 게이트 출력 전압을 순차적으로 출력하는 게이트 구동회로 및
상기 게이트 구동회로의 구동을 제어하는 타이밍 컨트롤러를 포함하고,
상기 복수의 스테이지 각각은,
Q 노드의 전압 및 QB 노드의 전압에 의해 제1 클럭신호를 게이트 출력 전압으로 출력하는 출력부;
이전 스테이지의 출력 전압에 대응하여 상기 Q 노드의 전압을 충전하는 제1 노드 제어부;
상기 제1 클럭신호와 위상이 다른 제2 클럭신호 및 제3 클럭신호에 대응하여 상기 QB 노드에 전압을 충전하는 제2 노드 제어부를 포함하고,
상기 제1 클럭신호의 위상보다 상기 제2 클럭신호 및 상기 제3 클럭신호의 위상이 지연된, 표시장치.
A display panel including a plurality of pixels;
A gate driving circuit which is composed of a plurality of stages and sequentially outputs a gate output voltage to the plurality of pixels;
And a timing controller for controlling driving of the gate driving circuit,
Wherein each of the plurality of stages includes:
An output unit for outputting the first clock signal as a gate output voltage by the voltage of the Q node and the voltage of the QB node;
A first node controller for charging a voltage of the Q node corresponding to an output voltage of a previous stage;
And a second node controller for charging a voltage to the QB node corresponding to a second clock signal and a third clock signal having different phases from the first clock signal,
Wherein the phase of the second clock signal and the phase of the third clock signal are delayed relative to the phase of the first clock signal.
제8 항에 있어서,
상기 제2 노드 제어부는,
상기 제3 클럭신호에 대응하여, 상기 QB 노드에 하이 레벨의 전원전압을 출력하는 제4 트랜지스터,
상기 이전 스테이지의 출력 전압에 대응하여 상기 QB 노드에 상기 제2 클럭신호를 출력하는 제5 트랜지스터 및
상기 Q 노드의 전압에 대응하여 상기 QB 노드에 상기 제2 클럭신호를 출력하는 제6 트랜지스터를 포함하는, 표시장치.
9. The method of claim 8,
The second node control unit,
A fourth transistor for outputting a high level power supply voltage to the QB node in response to the third clock signal,
A fifth transistor for outputting the second clock signal to the QB node corresponding to an output voltage of the previous stage,
And a sixth transistor for outputting the second clock signal to the QB node corresponding to the voltage of the Q node.
제9항에 있어서,
상기 제2 클럭신호의 위상보다 상기 제3 클럭신호의 위상이 지연된, 표시장치.
10. The method of claim 9,
And the phase of the third clock signal is delayed relative to the phase of the second clock signal.
제9항에 있어서,
상기 제5 트랜지스터 및 상기 제6 트랜지스터는 LTPS(Low Temperature Poly Silicon)트랜지스터인, 표시장치.
10. The method of claim 9,
And the fifth transistor and the sixth transistor are LTPS (Low Temperature Poly Silicon) transistors.
제8항에 있어서,
상기 제2 클럭신호의 하이 레벨과 로우 레벨의 듀티비는 1:3인, 표시장치.
9. The method of claim 8,
And the duty ratio of the high level and the low level of the second clock signal is 1: 3.
KR1020170167365A 2017-12-07 2017-12-07 Gate driving circuit and display device comprising the same KR102430859B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170167365A KR102430859B1 (en) 2017-12-07 2017-12-07 Gate driving circuit and display device comprising the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170167365A KR102430859B1 (en) 2017-12-07 2017-12-07 Gate driving circuit and display device comprising the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190067435A true KR20190067435A (en) 2019-06-17
KR102430859B1 KR102430859B1 (en) 2022-08-08

Family

ID=67064533

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170167365A KR102430859B1 (en) 2017-12-07 2017-12-07 Gate driving circuit and display device comprising the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102430859B1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100055343A (en) * 2008-11-17 2010-05-26 소니 주식회사 Display device
KR101678214B1 (en) * 2010-03-11 2016-11-29 엘지디스플레이 주식회사 Shift register and display device using the same
KR101710661B1 (en) * 2010-04-29 2017-02-28 삼성디스플레이 주식회사 Gate driving circuit and display apparatus having the same
KR20170079521A (en) * 2015-12-30 2017-07-10 엘지디스플레이 주식회사 Gate driver and liquid crystal display device comprising the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100055343A (en) * 2008-11-17 2010-05-26 소니 주식회사 Display device
KR101678214B1 (en) * 2010-03-11 2016-11-29 엘지디스플레이 주식회사 Shift register and display device using the same
KR101710661B1 (en) * 2010-04-29 2017-02-28 삼성디스플레이 주식회사 Gate driving circuit and display apparatus having the same
KR20170079521A (en) * 2015-12-30 2017-07-10 엘지디스플레이 주식회사 Gate driver and liquid crystal display device comprising the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR102430859B1 (en) 2022-08-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10490133B2 (en) Shift register module and display driving circuit thereof
US11227524B2 (en) Shift register unit and driving method thereof, gate driving circuit and driving method thereof, and display device
US10782810B2 (en) Gate driving circuit and display device comprising the same
US9412306B2 (en) Driving apparatus and display device including the same
EP3657480A1 (en) Pixel unit circuit, pixel circuit, drive method and display apparatus
US10424266B2 (en) Gate driving circuit and display device using the same
US8995606B2 (en) Scanning signal line drive circuit and display device provided with same
CN108022562B (en) Gate driver and display device using the same
US10319284B2 (en) Display device including a shift register including a plurarality of stages connected as a cascade and method of operating the same
US11074842B2 (en) Gate driving circuit and display device including the same
KR101889951B1 (en) Emission control signal generator for organic light emitting display
US8451260B2 (en) Driver circuit controlling threshold voltage shift of transistor
CN114220401B (en) Display device with gate driver
CN114220400B (en) Display device with gate driver
US10650768B2 (en) Shift register unit and driving method thereof, gate driving circuit and display panel
KR20140127378A (en) Shift register and display device using the same
KR20180072041A (en) Gate driving circuit and display device using the same
US20190108810A1 (en) Shift register and display device provided with same
US20200394976A1 (en) Scanning signal line drive circuit and display device provided with same
KR20190036137A (en) Shift register and display apparatus comprising the same
KR102637600B1 (en) Gate driving circuit and display device comprising the same
KR20170038304A (en) Gate driver and display apparatus using the same
KR102430859B1 (en) Gate driving circuit and display device comprising the same
KR20150002250A (en) Gate driver and flat panel display device inculding the same
KR20220095652A (en) Gate driving circuit and display device comprising the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant