KR20190066100A - 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치 - Google Patents

백라이트 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치 Download PDF

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Abstract

백라이트 유닛 및 백라이트 유닛을 포함하는 표시 장치가 제공된다. 상기 백라이트 유닛은 도광판, 및 상기 도광판의 일면 상에 배치되고, 입사광의 색을 변환하는 파장 변환층으로서, 복수의 정상부 및 복수의 골부가 정의된 엠보 패턴을 갖는 파장 변환층을 포함하되, 상기 복수의 정상부는, 제1 정상부, 상기 제1 정상부와 제1 방향으로 인접한 제2 정상부, 및 상기 제1 정상부와 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 인접한 제3 정상부를 포함하고, 상기 복수의 골부는, 상기 제2 정상부와 상기 제3 정상부 사이에 위치하는 제1 골부를 포함한다.

Description

백라이트 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치{BACKLIGHT UNIT AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME}
본 발명은 백라이트 유닛 및 백라이트 유닛을 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 점차 커지고 있다. 이에 부응하여 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display, LCD), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting diode Display, OLED) 등과 같은 다양한 표시 장치가 개발되고 있다.
예를 들어, 액정 표시 장치는 화소 전극과 공통 전극 등의 전계 생성 전극 및 상기 전계 생성 전극에 의해 전계가 형성되는 액정층을 포함하는 액정 표시 패널, 및 액정 표시 패널에 광을 제공하는 백라이트 유닛을 포함한다. 액정 표시 장치는 전계 생성 전극을 이용하여 액정층 내 액정을 재배열하고, 이를 통해 각 화소 별로 액정층을 투과하는 광의 양을 제어함으로써 영상 표시를 구현할 수 있다.
한편, 표시 장치의 적용예들이 다양화됨에 따라, 표시 장치의 영상을 표시하는 표시면이 곡면을 이루어 시청자의 몰입감을 증대시킬 수 있는 곡면형 표시 장치의 개발이 요구된다.
외부 충격 등으로 인해 표시 장치에 뒤틀림이 발생하거나, 또는 곡면형 표시 장치를 구현하는 경우에 표시 장치 내부의 구성요소들은 압축 응력 또는 인장 응력을 받을 수 있다. 구성요소들에 가해지는 응력이 지나치게 커질 경우 내부 구성요소들에 크랙 등의 불량이 발생할 수 있고, 표시 장치의 표시 품질 저하 등을 야기할 수 있다.
이에 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 응력에 대한 저항성이 개선된 백라이트 유닛을 제공하는 것이다.
또, 본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 내구성이 향상되어 표시 품질이 개선된 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 유닛은 도광판, 및 상기 도광판의 일면 상에 배치되고, 입사광의 색을 변환하는 파장 변환층으로서, 복수의 정상부 및 복수의 골부가 정의된 엠보 패턴을 갖는 파장 변환층을 포함하되, 상기 복수의 정상부는, 제1 정상부, 상기 제1 정상부와 제1 방향으로 인접한 제2 정상부, 및 상기 제1 정상부와 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 인접한 제3 정상부를 포함하고, 상기 복수의 골부는, 상기 제2 정상부와 상기 제3 정상부 사이에 위치하는 제1 골부를 포함한다.
상기 복수의 정상부는 위로 볼록한 라운드 표면을 가질 수 있다.
또, 상기 복수의 골부는 위로 오목한 라운드 표면을 가질 수 있다.
상기 백라이트 유닛은 상기 도광판과 상기 파장 변환층 사이에 배치되고, 상기 도광판 및 상기 파장 변환층의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 저굴절층을 더 포함할 수 있다.
또, 상기 백라이트 유닛은 상기 파장 변환층 상에 직접 배치된 캡핑층을 더 포함할 수 있다.
상기 저굴절층과 상기 캡핑층은 부분적으로 맞닿을 수 있다.
상기 저굴절층과 맞닿는 상기 파장 변환층의 하면은 평평하고, 상기 캡핑층과 맞닿는 상기 파장 변환층의 상면은 상기 엠보 패턴을 가질 수 있다.
또, 상기 저굴절층과 상기 캡핑층의 두께는 균일하고, 상기 저굴절층의 두께와 상기 캡핑층의 두께는 각각 1.0㎛ 이하일 수 있다.
상기 제2 정상부와 상기 제3 정상부 사이의 수평 이격 거리는, 상기 제2 정상부와 상기 제1 골부 사이의 수직 최단 거리의 3배 이상일 수 있다.
상기 제1 정상부와 상기 제1 골부 사이의 수직 최단 거리는 1.0㎛ 이상 10.0㎛ 이하일 수 있다.
상기 복수의 정상부는 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향으로 이격되어 매트릭스 배열되고, 상기 복수의 골부는 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향으로 이격되어 매트릭스 배열될 수 있다.
또, 상기 복수의 정상부는, 상기 제2 정상부와 상기 제2 방향으로 인접하고, 상기 제3 정상부와 상기 제1 방향으로 인접한 제4 정상부를 더 포함하고, 상기 제1 정상부와 상기 제4 정상부 사이에는 상기 제1 골부가 위치할 수 있다.
상기 도광판은 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향과 교차하는 벤딩 방향을 따라 벤딩될 수 있다.
또, 상기 백라이트 유닛은 상기 도광판의 상기 벤딩 방향에 수직한 방향 일측에 배치된 광원 유닛을 더 포함할 수 있다.
상기 엠보 패턴은, 상기 제1 정상부를 형성하는 선형의 제1 엠보 패턴, 상기 제2 정상부를 형성하는 선형의 제2 엠보 패턴, 및 상기 제3 정상부를 형성하는 선형의 제3 엠보 패턴을 포함하고, 상기 제1 엠보 패턴, 상기 제2 엠보 패턴 및 상기 제3 엠보 패턴은 각각 상기 제2 방향으로 연장되고 상기 제1 방향으로 웨이브를 갖는 형상일 수 있다.
또, 상기 제2 엠보 패턴의 상기 제2 정상부와 상기 제3 엠보 패턴의 상기 제3 정상부 사이에는, 상기 제1 엠보 패턴, 상기 제1 엠보 패턴과 상기 제2 정상부 사이에 위치하는 상기 제1 골부, 및 상기 제1 엠보 패턴과 상기 제3 정상부 사이에 위치하는 제2 골부가 위치할 수 있다.
상기 제1 엠보 패턴과 상기 제2 엠보 패턴은 부분적으로 상기 제2 방향으로 중첩할 수 있다.
또, 상기 도광판은 상기 제1 방향을 따라 벤딩될 수 있다.
상기 도광판은, 제1 곡률 반경을 갖는 갖는 제1 영역, 및 상기 제1 곡률 반경보다 큰 제2 곡률 반경을 갖는 제2 영역을 포함하고, 상기 제1 영역 내의 상기 엠보 패턴의 크기는 상기 제2 영역 내의 상기 엠보 패턴의 크기보다 클 수 있다.
상기 다른 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 도광판, 상기 도광판의 일면 상에 배치되고, 입사광의 색을 변환하는 파장 변환층으로서, 복수의 정상부 및 복수의 골부가 정의된 엠보 패턴을 갖는 파장 변환층, 및 상기 파장 변환층 상에 배치된 표시 패널을 포함하되, 상기 복수의 정상부는, 제1 정상부, 상기 제1 정상부와 제1 방향으로 인접한 제2 정상부, 및 상기 제1 정상부와 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 인접한 제3 정상부를 포함하고, 상기 복수의 골부는, 상기 제2 정상부와 상기 제3 정상부 사이에 위치하는 제1 골부를 포함한다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 유닛 및 표시 장치는 도광판 상에 엠보 패턴을 갖는 파장 변환층을 형성하여 압축 응력 또는 인장 응력에 대한 저항성을 개선할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다.
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ' 선을 따라 절개한 단면도이다.
도 3은 도 1의 백라이트 유닛을 확대하여 나타낸 사시도이다.
도 4는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ' 선을 따라 절개한 단면도이다.
도 5는 도 3의 Ⅴ-Ⅴ' 선을 따라 절개한 단면도이다.
도 6은 도 3의 Ⅵ-Ⅵ' 선을 따라 절개한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다.
도 9는 도 8의 Ⅸ-Ⅸ' 선을 따라 절개한 단면도이다.
도 10은 도 8의 백라이트 유닛을 확대하여 나타낸 사시도이다.
도 11은 도 10의 ⅩⅠ-ⅩⅠ' 선을 따라 절개한 단면도이다.
도 12는 도 10의 ⅩⅡ-ⅩⅡ' 선을 따라 절개한 단면도이다.
도 13은 도 10의 ⅩⅢ-ⅩⅢ' 선을 따라 절개한 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 '위(on)'로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 '직접 위(directly on)'로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. '및/또는'는 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
공간적으로 상대적인 용어인 '아래(below)', '아래(beneath)', '하부(lower)', '위(above)', '상부(upper)' 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 '아래(below 또는 beneath)'로 기술된 소자는 다른 소자의 '위(above)'에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 '아래'는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다.
본 명세서에서, 제1 방향(X)은 평면 내 임의의 일 방향을 의미하고, 제2 방향(Y)은 상기 평면 내에서 제1 방향(X)과 교차하는 방향을 의미하며, 제3 방향(Z)은 상기 평면과 수직한 방향을 의미한다. 다르게 정의되지 않는 한, '평면'은 제1 방향(X)과 제2 방향(Y)이 속하는 평면을 의미한다.
또, 제1 경사 방향(OD1)과 제2 경사 방향(OD2)은 각각 상기 평면 내에서 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)과 교차하는 방향을 의미한다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다. 도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ' 선을 따라 절개한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1)는 표시 패널(10) 및 표시 패널(10)에 광을 제공하는 백라이트 유닛(21)을 포함한다.
표시 패널(10)은 표시 장치(1)가 영상 표시를 구현하기 위한 소자들을 포함하는 패널형 부재일 수 있다. 표시 패널(10)에는 평면상 대략 매트릭스 배열된 복수의 화소들이 정의될 수 있다. 본 명세서에서, '화소(pixel)'는 평면 시점에서 색 표시를 위해 표시 영역이 구획되어 정의되는 단일 영역을 의미하며, 하나의 화소는 미리 정해진 하나의 기본색을 표현할 수 있다. 즉, 하나의 화소는 다른 화소와 서로 독립적으로 색을 표현할 수 있는 최소 단위 영역일 수 있다.
표시 패널(10)은 한 쌍의 장변과 한 쌍의 단변을 가지고 평면상 대략 직사각형 형상일 수 있다. 예를 들어, 표시 패널(10)의 상기 장변은 대략 제1 방향(X)과 평행하고 상기 단변은 대략 제2 방향(Y)과 평행할 수 있다. 도면으로 나타내지 않았으나, 표시 패널(10)의 각 꼭지점 부근은 부분적으로 비스듬한 형태, 또는 라운드 형태로 모따기될 수도 있다.
예시적인 실시예에서, 표시 패널(10)은 하부 기판(10a), 상부 기판(10b) 및 그 사이에 개재된 액정층(미도시)을 포함하는 액정 표시 패널일 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며, 영상 표시를 위해 백라이트 유닛(21)이 요구되는 다른 표시 패널에 적용될 수도 있음은 물론이다. 몇몇 실시예에서, 표시 패널(10)은 적어도 부분적으로 제1 방향(X)으로 벤딩되고 표시 장치(1)는 곡면형 표시 장치일 수 있다. 다른 실시예에서, 표시 패널(10)은 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)으로 모두 벤딩될 수도 있다. 본 명세서에서, 어느 구성요소가 '일 방향으로 벤딩' 또는 '일 방향을 따라 벤딩'된다는 의미는 상기 구성요소의 표면의 기울기가 상기 일 방향을 따라 변화하며 그 표면이 곡면을 형성함을 의미한다. 즉, 일 방향으로 벤딩된 구성요소를 상기 일 방향을 따라 절개할 경우 그 단면에서 곡선이 표현될 수 있다.
백라이트 유닛(21)은 표시 패널(10)과 제3 방향(Z)으로 중첩하도록 배치되어 특정 파장을 갖는 광을 표시 패널(10) 측으로 출사할 수 있다. 예를 들어, 백라이트 유닛(21)은 적색 파장 대역의 광, 녹색 파장 대역의 광 및 청색 파장 대역의 광을 모두 포함하는 백색 광을 방출할 수 있다. 표시 장치(1)가 곡면형 표시 장치인 경우 백라이트 유닛(21)은 표시 패널(10)의 볼록면 상에 배치될 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
예시적인 실시예에서, 백라이트 유닛(21)은 도광판(101), 도광판(101)의 입광면 측에 배치된 광원 유닛(200) 및 도광판(101)의 출광면 측에 배치된 파장 변환층(301)을 포함할 수 있다.
도광판(101)은 후술할 광원 유닛(200)으로부터 제공받은 광을 가이드하여 표시 패널(10) 측으로 출사할 수 있다. 예를 들어, 광원 유닛(200)과 대면하는 도광판(101)의 어느 측면은 입광면을 정의하고, 표시 패널(10)과 대면하는 도광판(101)의 상면은 출광면을 정의한다.
도광판(101)의 재료는 광 투과율이 높은 재료이면 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 글라스(glass) 재료, 석영(quartz) 재료 또는 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리메틸메타크릴레이트(polymethyl methacrylate), 폴리카보네이트(polycarbonate) 등의 고분자 재료를 포함할 수 있다.
도광판(101)은 적어도 부분적으로 제1 방향(X)으로 벤딩되어 도광판(101)의 상면은 오목면을 형성할 수 있다. 예를 들어, 도광판(101)을 벤딩 방향(예컨대, 제1 방향(X))으로 절개한 단면에서, 도광판(101)의 상면은 벤딩되어 원호의 일부, 또는 타원호의 일부를 형성할 수 있다. 제1 방향(X)으로 벤딩된 도광판(101)의 곡률 반경(radius of curvature)(R)은 약 1500mm 이상 5000mm 이하일 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 다른 실시예에서, 도광판(101)은 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)으로 모두 벤딩될 수도 있다.
도면으로 표현하지 않았으나, 전반사를 통해 도광판(101) 내부를 진행하는 광의 출광을 보조하기 위해 도광판(101)의 볼록한 배면(도 2 기준 하면)에는 음각 또는 양각의 출광 패턴(미도시)이 형성되거나, 또는 도광판(101)의 상기 배면 상에는 출광 패턴(미도시)이 더 배치될 수도 있다.
도광판(101)의 입광면 상에는 광원 유닛(200)이 배치될 수 있다. 도광판(101)이 적어도 부분적으로 제1 방향(X)으로 벤딩된 예시적인 실시예에서, 광원 유닛(200)은 도광판(101)의 제1 방향(X)에 수직한 제2 방향(Y) 일측에 배치되고, 백라이트 유닛(21)은 에지형 백라이트 유닛일 수 있다. 즉, 도광판(101)의 제2 방향(Y)의 어느 측면은 상기 입광면일 수 있다. 도광판(101)의 제2 방향(Y) 일측의 측면과 제2 방향(Y) 타측의 측면은 실질적으로 평행할 수 있다. 비제한적인 일례로, 도광판(101)의 제1 방향(X) 일측의 측면과 제1 방향(X) 타측의 측면은 서로 평행하지 않을 수 있다.
광원 유닛(200)은 광을 직접적으로 방출하는 광원(210) 및 광원 회로 기판(230)을 포함할 수 있다.
광원(210)은 발광 다이오드(LED), 유기 발광 다이오드(OLED) 또는 레이저 다이오드(LD) 등일 수 있다. 예를 들어, 광원(210)은 발광 다이오드 칩(미도시)을 포함하여 광을 직접적으로 방출할 수 있다. 광원(210)은 약 430nm 내지 480nm 범위에서 피크 파장을 갖는 청색 광을 방출하거나, 또는 자외선 파장 대역의 광을 방출할 수 있다. 광원(210)은 광원 회로 기판(230)의 실장면 상에 배치되고, 제1 방향(X)을 따라 이격 되어 복수개일 수 있다.
광원 회로 기판(230)은 광원(210)의 구동에 필요한 신호 및 전원을 제공하고, 광원(210)이 실장되기 위한 공간을 제공할 수 있다. 예를 들어, 광원 회로 기판(230)은 인쇄 회로 기판일 수 있다. 광원 회로 기판(230)의 어느 측면 상에는 광원(210)이 실장될 수 있다. 광원(210)이 실장된 광원 회로 기판(230)의 측면은 실장면을 정의한다. 광원 회로 기판(230)의 상기 실장면은 도광판(101)의 입광면과 대면할 수 있다.
광원 회로 기판(230)은 대략 제1 방향(X)으로 연장된 형상이되, 도광판(101)의 입광면에 상응하는 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 광원 회로 기판(230)은 적어도 부분적으로 제1 방향(X)으로 벤딩될 수 있다. 예를 들어, 광원 회로 기판(230)의 상면은 적어도 부분적으로 제1 방향(X)으로 벤딩되어 광원 회로 기판(230)의 상면은 오목면을 형성할 수 있다.
도광판(101) 상에는 파장 변환층(301)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예에서, 파장 변환층(301)은 베이스 수지(301a) 및 베이스 수지(301a) 내에 분산되거나 용해된 파장 시프터(301b, 301c)를 포함하고, 베이스 수지(301a) 내에 분산된 산란체(301d)를 더 포함할 수 있다. 파장 변환층(301)은 도광판(101)에 상응하는 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 파장 변환층(301)은 적어도 부분적으로 제1 방향(X)으로 벤딩된 형상일 수 있다.
파장 변환층(301)은 투과광의 색을 입사광과 상이한 색으로 변환할 수 있다. 즉, 파장 변환층(301)을 투과한 후의 광은 미리 정해진 특정 파장 대역의 광으로 변환될 수 있고, 이를 통해 백라이트 유닛(21)이 표시 패널(10) 측으로 제공하는 광의 색을 제어할 수 있다.
베이스 수지(301a)는 파장 변환층(301)의 형상을 이룰 수 있다. 또, 베이스 수지(301a)는 파장 시프터(301b, 301c) 및 산란체(301d)에 대한 분산 베이스를 이룰 수 있다. 베이스 수지(301a)는 광 투과율이 높고 파장 시프터(301b, 301c) 및 산란체(301d)에 대한 분산 특성이 우수한 재료이면 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 카도계 수지, 또는 이미드계 수지 등의 유기 재료로 이루어질 수 있다.
파장 시프터(301b, 301c)는 입사광의 피크 파장을 다른 특정 피크 파장으로 변환 또는 시프트시켜 방출할 수 있다. 파장 시프터(301b, 301c)는 입자상을 가질 수 있다. 파장 시프터(301b, 301c)의 예로는 양자점, 양자막대 또는 형광체 등을 들 수 있다. 예를 들어 양자점은 전자가 전도대에서 가전자대로 전이하면서 특정한 색을 방출할 수 있다. 상기 양자점 물질은 코어-쉘 구조를 가질 수 있다. 상기 코어는 반도체 나노 결정 물질일 수 있다. 상기 양자점의 코어의 예로는 규소(Si)계 나노 결정, II-VI족계 화합물 나노 결정, III-V족계 화합물 나노 결정 등을 들 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 비제한적인 일례로, 파장 시프터(301b, 301c)는 카드뮴셀레나이드(CdSe), 카드뮴텔루라이드(CdTe), 황화카드뮴(CdS), 또는 인화인듐(InP) 중 어느 하나로 이루어진 코어와 황화아연(ZnS)으로 이루어진 외부 쉘을 포함하여 이루어질 수 있다.
예시적인 실시예에서, 파장 시프터(301b, 301c)는 약 600nm 내지 650nm 범위에서 단일 피크 파장을 갖는 적색 광을 방출하는 제1 파장 시프터(301b) 및 약 510nm 내지 570nm 범위에서 단일 피크 파장을 갖는 녹색 광을 방출하는 제2 파장 시프터(301c)를 포함할 수 있다. 제1 파장 시프터(301b) 및 제2 파장 시프터(301c)에 의해 파장 변환되어 방출된 광은 피크 파장을 중심으로 좁은 파장 대역을 가져 색 순도와 선명도가 우수할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 파장 시프터(301b, 301c)는 제1 파장 시프터(301b) 및 제2 파장 시프터(301c)만을 포함할 수 있다.
광원(210)이 청색 파장 대역의 광을 제공하는 예시적인 실시예에서, 도광판(101)을 통해 가이드된 청색 광은 도광판(101)의 출사면(예컨대, 상면)을 통해 파장 변환층(301)으로 입사될 수 있다. 파장 변환층(301)으로 입사된 청색 광의 적어도 일부는 제1 파장 시프터(301b)에 의해 적색 광으로 변환되고, 청색 광의 적어도 일부는 제2 파장 시프터(301c)에 의해 녹색 광으로 변환되며, 청색 광의 적어도 일부는 베이스 수지(301a)를 그대로 투과할 수 있다. 이를 통해 광원(210)으로부터 제공된 청색 광은 파장 변환층(301)을 투과한 후에 적색 파장 대역, 녹색 파장 대역 및 청색 파장 대역을 모두 포함하는 백색 광으로 변환될 수 있다. 파장 변환층(301)을 투과한 후의 백색 광은 표시 패널(10) 측으로 제공될 수 있다.
산란체(301d)는 베이스 수지(301a)와 상이한 굴절률을 가지고 베이스 수지(301a)와 광학 계면을 형성할 수 있다. 예를 들어, 산란체(301d)는 광 산란 입자일 수 있다. 산란체(301d)는 투과광의 적어도 일부를 산란시켜 광 경로를 변조할 수 있는 재료이면 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 금속 산화물 입자 또는 유기 입자일 수 있다. 상기 금속 산화물로는 산화 티타늄(TiO2), 산화 지르코늄(ZrO2), 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 인듐(In2O3), 산화 아연(ZnO) 또는 산화 주석(SnO2) 등을 예시할 수 있고, 상기 유기 재료로는 아크릴계 수지 또는 우레탄계 수지 등을 예시할 수 있다. 산란체(301d)는 파장 변환층(301)을 투과하는 광의 파장을 실질적으로 변환시키지 않으면서, 입사각과 무관하게 여러 방향으로 광을 산란시킬 수 있다. 이를 통해 파장 변환층(301)을 투과하는 광의 경로 길이를 증가시킬 수 있고 파장 시프터(301b, 301c)에 의한 색 변환 효율을 증가시킬 수 있다.
파장 변환층(301)은 엠보 패턴(301p)을 가질 수 있다. 파장 변환층(301)의 엠보 패턴(301p)에 대해서는 상세하게 후술한다.
몇몇 실시예에서, 백라이트 유닛(21)은 저굴절층(400) 및 캡핑층(501)을 더 포함할 수 있다.
저굴절층(400)은 도광판(101)과 파장 변환층(301) 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 저굴절층(400)은 도광판(101) 및 파장 변환층(301)과 맞닿을 수 있다. 파장 변환층(301)과 맞닿는 저굴절층(400)의 상면, 및 저굴절층(400)과 맞닿는 파장 변환층(301)의 하면은 실질적으로 평평할 수 있다. 저굴절층(400)의 두께는 대략 균일할 수 있다. 저굴절층(400)의 두께는 약 1.0㎛ 이하, 또는 약 0.5㎛ 이하, 또는 약 0.1㎛ 이하일 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
저굴절층(400)은 도광판(101) 및 파장 변환층(301)의 베이스 수지(301a)의 굴절률보다 작은 굴절률을 가질 수 있다. 예를 들어, 저굴절층(400)의 굴절률은 약 1.0 내지 1.4, 또는 약 1.2 내지 1.3일 수 있다. 또, 도광판(101)과 저굴절층(400)의 굴절률 차이는 약 0.2 이상일 수 있다. 상대적으로 낮은 굴절률을 갖는 저굴절층(400)을 도광판(101) 상에 직접 배치함으로써 도광판(101)과 저굴절층(400) 사이에서의 전반사를 용이하게 할 수 있고, 전반사를 통해 도광판(101) 내부를 진행하는 광의 가이드 효율을 개선할 수 있다.
저굴절층(400)은 도광판(101) 및 파장 변환층(301)보다 낮은 굴절률을 갖는 재료이면 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 무기 재료를 포함하는 무기층일 수 있다. 상기 무기 재료의 예로는 질화규소, 산화규소, 질화산화규소 등을 들 수 있다.
캡핑층(501)은 파장 변환층(301) 상에 배치될 수 있다. 캡핑층(501)은 수분 또는 공기 등의 불순물이 파장 변환층(301)으로 침투하여 파장 시프터(301b, 301c)가 손상되는 것을 방지할 수 있다. 캡핑층(501)은 질화규소, 산화규소 또는 질화산화규소 등을 포함하는 무기층일 수 있다.
캡핑층(501)은 파장 변환층(301) 상에 직접 배치될 수 있다. 또, 캡핑층(501)은 파장 변환층(301)의 측면을 커버하고, 저굴절층(400)과 부분적으로 맞닿아 파장 변환층(301)을 봉지하도록 구성될 수 있다. 파장 변환층(301)의 상면이 엠보 패턴(301p)을 갖는 경우, 캡핑층(501)은 엠보 패턴(301p)에 상응하는 형상을 가질 수 있다. 캡핑층(501)의 두께는 대략 균일할 수 있다. 캡핑층(501)의 두께는 약 1.0㎛ 이하, 또는 약 0.5㎛ 이하, 또는 약 0.1㎛ 이하일 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
이하 도 3 내지 도 6을 더욱 참조하여 본 실시예에 따른 파장 변환층(301)에 대해 상세하게 설명한다.
도 3은 도 1의 백라이트 유닛을 확대하여 나타낸 사시도이다. 도 4는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ' 선을 따라 절개한 단면도로서, 도 3의 제1 정상부(311), 제2 정상부(321) 및 제3 정상부(331)를 나타낸 단면도이다. 도 5는 도 3의 Ⅴ-Ⅴ' 선을 따라 절개한 단면도로서, 도 3의 제2 정상부(321)와 제3 정상부(331)를 나타낸 단면도이다. 구체적으로 도 5는 엠보 패턴(301p)을 제2 방향(Y)으로 절개하여 나타낸 단면도이다. 도 6은 도 3의 Ⅵ-Ⅵ' 선을 따라 절개한 단면도로서, 도 3의 제1 정상부(311)와 제4 정상부(341)를 나타낸 단면도이다. 구체적으로 도 6은 엠보 패턴(301p)을 제1 방향(X)으로 절개하여 나타낸 단면도이다.
도 1 내지 도 6을 참조하면, 파장 변환층(301)의 상면은 엠보 패턴(301p)을 가질 수 있다. 구체적으로, 복수의 정상부(311, 321, 331, 341) 및 복수의 골부(351)가 정의된 엠보 패턴(301p)을 가질 수 있다. 본 명세서에서, '정상부'는 주변에 비해 가장 돌출된 부분을 의미하고, '골부'는 주변에 비해 가장 함몰된 부분을 의미한다. 예를 들어, 복수의 정상부(311, 321, 331, 341)들은 제3 방향(Z)으로의 파장 변환층(301)의 두께가 주변에 비해 가장 큰 최고 레벨을 형성하는 부분일 수 있다. 또, 복수의 골부(351)들은 제3 방향(Z)으로의 파장 변환층(301)의 두께가 주변에 비해 가장 작은 최저 레벨을 형성하는 부분일 수 있다.
각 정상부(311, 321, 331, 341)들은 위로 볼록한 라운드 표면을 가질 수 있다. 파장 변환층(301)의 각 정상부가 라운드 표면을 갖도록 구성함으로써 파장 변환층(301)의 엠보 패턴(301p)을 갖는 상면이 형성하는 광학 계면을 최소화할 수 있고, 이를 통해 파장 변환층(301)의 각 정상부 부근에서 발생하는 광 경로 변조 특성, 예컨대 집광 또는 분산 특성을 억제할 수 있다. 나아가, 라운드 표면을 갖는 파장 변환층(301)의 엠보 패턴(301p)을 이용하여 벤딩에 의해 발생하는 압축 응력 또는 인장 응력에 대한 저항성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
각 골부(351)들은 위로 오목한 라운드 표면을 가질 수 있다. 파장 변환층(301)의 각 골부가 라운드 표면을 갖도록 구성함으로써 파장 변환층(301)의 엠보 패턴(301p)을 갖는 상면이 형성하는 광학 계면을 최소화할 수 있고, 이를 통해 파장 변환층(301)의 각 골부 부근에서 발생하는 광 경로 변조 특성을 억제할 수 있다. 나아가, 라운드 표면을 갖는 파장 변환층(301)의 엠보 패턴(301p)을 이용하여 벤딩에 의해 발생하는 압축 응력 또는 인장 응력에 대한 저항성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
예시적인 실시예에서, 복수의 정상부(311, 321, 331, 341)들은 제1 경사 방향(OD1) 및 제2 경사 방향(OD2)으로 이격되어 매트릭스 배열될 수 있다. 또, 복수의 골부(351)들은 제1 경사 방향(OD1) 및 제2 경사 방향(OD2)으로 이격되어 매트릭스 배열될 수 있다.
예를 들어, 복수의 정상부(311, 321, 331, 341)는 제1 정상부(311) 및 제1 정상부(311)와 제1 경사 방향(OD1)으로 인접한 제2 정상부(321)를 포함할 수 있다. 제1 정상부(311)와 제2 정상부(321)의 레벨은 대략 동일할 수 있다. 또, 복수의 정상부(311, 321, 331, 341)는 제1 정상부(311)와 제2 경사 방향(OD2)으로 인접한 제3 정상부(331)를 더 포함할 수 있다. 제1 경사 방향(OD1)과 제2 경사 방향(OD2)은 서로 수직할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
제2 정상부(321)와 제3 정상부(331) 사이에는 골부(351)가 위치할 수 있다. 즉, 제2 정상부(321)와 제3 정상부(331)를 포함하여 엠보 패턴(301p)을 제2 방향(Y)으로 절개한 어느 단면에서, 제2 정상부(321)와 제3 정상부(331) 사이에는 골부(351)가 위치할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제2 정상부(321)와 제3 정상부(331) 사이의 수평 이격 거리(d1)는, 어느 정상부(예컨대, 제2 정상부(321))와 골부(351) 사이의 수직 최단 거리(d2)의 3배 이상일 수 있다. 즉, 엠보 패턴(301p)의 수평 방향 피치는 엠보 패턴(301p)의 높이 방향 단차의 3배 이상일 수 있다. 또, 어느 정상부(예컨대, 제2 정상부(321))와 골부(351) 사이의 수직 최단 거리(d2)는 약 1.0㎛ 이상 10.0㎛ 이하일 수 있다.
엠보 패턴(301p)의 제2 정상부(321)와 제3 정상부(331) 사이의 수평 이격 거리(d1)를 제2 정상부(321)와 골부(351) 사이의 수직 최단 거리(d2)의 3배 이상으로 구성함으로써 엠보 패턴(301p)의 경사면의 경사각을 충분히 낮게 형성할 수 있고, 이를 통해 파장 변환층(301)의 엠보 패턴(301p)에 의해 발생하는 광 경로 변조 특성을 억제할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 복수의 정상부(311, 321, 331, 341)는 제2 정상부(321)와 제2 경사 방향(OD2)으로 인접하고, 제3 정상부(331)와 제1 경사 방향(OD1)으로 인접한 제4 정상부(341)를 더 포함할 수 있다. 또, 제1 정상부(311)와 제4 정상부(341) 사이에는 골부(351)가 위치할 수 있다. 즉, 제1 정상부(311)와 제4 정상부(341)를 포함하여 엠보 패턴(301p)을 제1 방향(X)으로 절개한 어느 단면에서, 제1 정상부(311)와 제4 정상부(341) 사이에는 골부(351)가 위치할 수 있다. 제1 정상부(311)와 제4 정상부(341) 사이에 위치하는 골부(351)는 제2 정상부(321)와 제3 정상부(331) 사이에 위치하는 골부(351)와 동일한 지점일 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제1 정상부(311)와 제4 정상부(341) 사이의 수평 이격 거리는 제2 정상부(321)와 제3 정상부(331) 사이의 수평 이격 거리(d1)과 실질적으로 동일할 수 있다. 예를 들어, 평면 시점에서 제1 정상부(311), 제2 정상부(321), 제3 정상부(331) 및 제4 정상부(341)는 사각형의 각 꼭지점 부근에 위치하고, 골부(351)는 상기 사각형의 중심 부근에 위치할 수 있다.
본 발명이 이에 제한되는 것은 아니나, 외부 충격 등으로 인해 표시 장치(1)에 뒤틀림이 발생하거나, 곡면형 표시 장치(1)를 구현하거나, 또는 저굴절층(400)과 파장 변환층(301) 간의 열 압축 또는 열 팽창 특성의 차이로 인해 파장 변환층(301) 및/또는 캡핑층(501)에 압축 응력 또는 인장 응력이 가해질 수 있다.
본 실시예에 따른 파장 변환층(301)은 엠보 패턴(301p)을 가짐으로써 파장 변환층(301) 및/또는 캡핑층(501)의 응력 저항성을 개선할 수 있다. 예를 들어, 파장 변환층(301)의 상면 및 캡핑층(501)에 압축 응력이 가해질 경우, 엠보 패턴(301p)에 의해 파장 변환층(301)의 상면은 압축 공간을 확보할 수 있고 캡핑층(501)이 파장 변환층(301)으로부터 들뜨거나, 캡핑층(501)에 크랙이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 또, 파장 변환층(301)의 상면 및 캡핑층(501)에 인장 응력이 가해질 경우, 엠보 패턴(301p)에 의해 파장 변환층(301)의 상면은 인장 마진을 확보할 수 있고, 파장 변환층(301) 및 캡핑층(501)에 크랙이 발생하는 것을 억제할 수 있다.
뿐만 아니라, 엠보 패턴(301p)이 제1 경사 방향(OD1) 및 제2 경사 방향(OD2)으로 이격된 복수의 정상부(311, 321, 331, 341) 및 복수의 골부(351)를 포함하여 굴곡진 표면을 형성함으로써, 도광판(101)의 벤딩 방향(예컨대, 제1 방향(X))으로의 벤딩 응력 뿐만 아니라 제2 방향(Y)으로의 압축 응력 또는 인장 응력에 대한 저항성을 향상시킬 수 있다.
또한, 도광판(101)의 벤딩 방향(예컨대, 제1 방향(X))으로 인접한 제1 정상부(311)와 제2 정상부(321) 사이에 어느 골부(351)를 형성함으로써, 엠보 패턴(301p)의 최대 높이 방향 단차를 도광판(101)의 벤딩 방향으로 형성할 수 있다. 이를 통해 파장 변환층(301)의 벤딩 방향으로의 벤딩 응력에 대한 저항성을 극대화할 수 있는 효과가 있다. 다시 말해서, 복수의 정상부(311, 321, 331, 341)들과 골부(351)들의 배열 방향을 도광판(101)의 벤딩 방향과 교차하도록 형성함으로써 벤딩에 보다 강건한 구조를 형성할 수 있다.
이하, 본 발명의 다른 실시예들에 대하여 설명한다. 다만, 전술한 일 실시예에 따른 표시 장치(1)와 동일한 구성에 대한 설명은 생략하며, 이는 첨부된 도면으로부터 본 기술분야에 속하는 통상의 기술자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 7을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(2)는 표시 패널(10) 및 백라이트 유닛(22)을 포함하되, 백라이트 유닛(22)의 도광판(102)이 부분적으로 상이한 곡률 반경을 갖는 점이 도 2 등의 실시예에 따른 표시 장치(1)와 상이한 점이다.
도광판(102)은 적어도 부분적으로 제1 방향(X)으로 벤딩되어 도광판(102)의 상면은 오목면을 형성할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 도광판(102)을 벤딩 방향(예컨대, 제1 방향(X))으로 절개한 단면에서, 도광판(102)의 중앙부에 위치한 제1 영역(A1)의 상면은 제1 곡률 반경(R1)으로 벤딩되어 원호의 일부, 또는 타원호의 일부를 형성할 수 있다. 또, 제1 영역(A1)의 일측에 위치하는 제2 영역(A2)의 상면은 제1 곡률 반경(R1)보다 더 큰 제2 곡률 반경(예컨대, 무한대)을 가질 수 있다. 즉, 본 실시예에 따른 도광판(102)을 포함하는 표시 장치(2)는 중앙부에서 소정의 곡률을 가지고 벤딩되되, 가장자리부는 곡률을 갖지 않고 실질적으로 평평할 수 있다. 도 7에 도시된 것과 달리, 다른 실시예에서 도광판(102)을 포함하는 표시 장치(2)는 중앙부에서 소정의 곡률을 가지고 벤딩되되, 가장자리부는 중앙부에 비해 더 작은 곡률(즉, 더 큰 곡률 반경)로 벤딩될 수도 있다.
도광판(102) 상에는 파장 변환층(302)이 배치될 수 있다. 파장 변환층(302)의 상면은 엠보 패턴(302p)을 가질 수 있다. 구체적으로, 복수의 정상부(352, 362) 및 복수의 골부가 정의된 엠보 패턴(302p)을 가질 수 있다.
예시적인 실시예에서, 도광판(102)의 제1 영역(A1) 내의 엠보 패턴(302p)의 크기는 도광판(102)의 제2 영역(A2) 내의 엠보 패턴(302p)의 크기보다 클 수 있다. 예를 들어, 엠보 패턴(302p)은 제1 영역(A1) 내에 위치하는 제5 정상부(352) 및 제2 영역(A2) 내에 위치하는 제6 정상부(362)를 포함하되, 제5 정상부(352)에서의 파장 변환층(302)의 두께(T5)는 제6 정상부(362)에서의 파장 변환층(302)의 두께(T6)보다 클 수 있다.
앞서 설명한 것과 같이, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니나, 곡면형 표시 장치(2)를 구현할 경우 파장 변환층(302) 및 캡핑층(502)에 압축 응력 또는 인장 응력이 가해질 수 있다. 이 경우 상대적으로 큰 곡률을 가지고 벤딩되는 제1 영역(A1) 내의 제5 정상부(352)는 충분한 높이 방향 크기를 갖도록 형성하여 압축 응력 또는 인장 응력에 대한 저항성을 향상시킬 수 있다. 반면, 실질적으로 평평하거나, 또는 상대적으로 작은 곡률을 가지고 벤딩되는 제2 영역(A2) 내의 제6 정상부(362)는 상대적으로 작은 높이 방향 크기를 갖도록 형성하여 파장 변환층(302)에 의한 광 경로 변조 특성을 더욱 억제할 수 있는 효과가 있다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다. 도 9는 도 8의 Ⅸ-Ⅸ' 선을 따라 절개한 단면도이다. 도 10은 도 8의 백라이트 유닛을 확대하여 나타낸 사시도이다. 도 11은 도 10의 ⅩⅠ-ⅩⅠ' 선을 따라 절개한 단면도로서, 도 10의 제1 정상부(313)와 제2 정상부(323)를 나타낸 단면도이다. 구체적으로 도 11은 엠보 패턴(303p)을 제1 방향(X)으로 절개하여 나타낸 단면도이다. 도 12는 도 10의 ⅩⅡ-ⅩⅡ' 선을 따라 절개한 단면도로서, 도 10의 제1 정상부(313)와 제3 정상부(333)를 나타낸 단면도이다. 구체적으로 도 12는 엠보 패턴(303p)을 제2 방향(Y)으로 절개하여 나타낸 단면도이다. 도 13은 도 10의 ⅩⅢ-ⅩⅢ' 선을 따라 절개한 단면도로서, 도 10의 제2 정상부(323)와 제3 정상부(333)를 나타낸 단면도이다.
도 8 내지 도 13을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(3)는 표시 패널(10) 및 백라이트 유닛(23)을 포함하되, 백라이트 유닛(23)의 파장 변환층(303)의 엠보 패턴(303p)은 선형 패턴인 점이 도 1 등의 실시예에 따른 표시 장치(1)와 상이한 점이다.
예시적인 실시예에서, 파장 변환층(303)의 상면은 복수의 정상부(313, 323, 333) 및 복수의 골부(353, 363)가 정의된 엠보 패턴(303p)을 가지되, 엠보 패턴(303p)은 제1 정상부(313)를 형성하는 선형의 제1 엠보 패턴(313p), 제2 정상부(323)를 형성하는 선형의 제2 엠보 패턴(323p) 및 제3 정상부(333)를 형성하는 선형의 제3 엠보 패턴(333p)을 포함할 수 있다.
제1 엠보 패턴(313p), 제2 엠보 패턴(323p) 및 제3 엠보 패턴(333p)은 각각 대략 제2 방향(Y)으로 연장되고, 제1 엠보 패턴(313p), 제2 엠보 패턴(323p) 및 제3 엠보 패턴(333p)은 서로 제1 방향(X)으로 이격 배치될 수 있다. 제1 엠보 패턴(313p), 제2 엠보 패턴(323p) 및 제3 엠보 패턴(333p)은 각각 높이 방향으로 가장 돌출된 제1 정상부(313), 제2 정상부(323) 및 제3 정상부(333)를 형성할 수 있다. 복수의 정상부(313, 323, 333)들은 위로 볼록한 라운드 표면을 가질 수 있다.
제1 엠보 패턴(313p), 제2 엠보 패턴(323p) 및 제3 엠보 패턴(333p)은 각각 제1 방향(X)으로 웨이브를 갖는 곡선 형상일 수 있다. 또, 제1 엠보 패턴(313p)과 제2 엠보 패턴(323p)은 제2 방향(Y)으로 부분적으로 중첩하고, 제1 엠보 패턴(313p)과 제3 엠보 패턴(333p)은 제2 방향(Y)으로 부분적으로 중첩할 수 있다.
도광판(103)의 벤딩 방향(예컨대, 제1 방향(X))으로의 웨이브를 갖는 곡선 형상의 제1 엠보 패턴(313p), 제2 엠보 패턴(323p) 및 제3 엠보 패턴(333p)을 서로 연장 방향(예컨대, 제2 방향(Y))으로 부분적으로 중첩하도록 배치함으로써 벤딩에 의해 발생하는 압축 응력 또는 인장 응력에 대한 저항성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
제1 엠보 패턴(313p)과 제2 엠보 패턴(323p) 사이 및 제1 엠보 패턴(313p)과 제3 엠보 패턴(333p) 사이에는 복수의 골부(353, 363)들이 형성될 수 있다. 복수의 골부(353, 363)들은 위로 오목한 라운드 표면을 가질 수 있다.
예를 들어, 제2 엠보 패턴(323p)의 제2 정상부(323)와 제3 엠보 패턴(333p)의 제3 정상부(333)를 나타낸 단면도에서, 제2 엠보 패턴(323p)의 제2 정상부(323)와 제3 엠보 패턴(333p)의 제3 정상부(333) 사이에는 제1 엠보 패턴(313p), 제1 골부(353) 및 제2 골부(363)가 위치할 수 있다. 제1 골부(353)는 제1 엠보 패턴(313p)과 제2 정상부(323) 사이에 위치하고, 제2 골부(363)는 제1 엠보 패턴(313p)과 제3 정상부(333) 사이에 위치할 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
1: 표시 장치
10: 표시 패널
21: 백라이트 유닛
101: 도광판
200: 광원 유닛
301: 파장 변환층

Claims (20)

  1. 도광판; 및
    상기 도광판의 일면 상에 배치되고, 입사광의 색을 변환하는 파장 변환층으로서, 복수의 정상부 및 복수의 골부가 정의된 엠보 패턴을 갖는 파장 변환층을 포함하되,
    상기 복수의 정상부는,
    제1 정상부,
    상기 제1 정상부와 제1 방향으로 인접한 제2 정상부, 및
    상기 제1 정상부와 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 인접한 제3 정상부를 포함하고,
    상기 복수의 골부는, 상기 제2 정상부와 상기 제3 정상부 사이에 위치하는 제1 골부를 포함하는 백라이트 유닛.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 정상부는 위로 볼록한 라운드 표면을 갖는 백라이트 유닛.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 복수의 골부는 위로 오목한 라운드 표면을 갖는 백라이트 유닛.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 도광판과 상기 파장 변환층 사이에 배치되고, 상기 도광판 및 상기 파장 변환층의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 저굴절층을 더 포함하는 백라이트 유닛.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 파장 변환층 상에 직접 배치된 캡핑층을 더 포함하는 백라이트 유닛.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 저굴절층과 상기 캡핑층은 부분적으로 맞닿는 백라이트 유닛.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 저굴절층과 맞닿는 상기 파장 변환층의 하면은 평평하고,
    상기 캡핑층과 맞닿는 상기 파장 변환층의 상면은 상기 엠보 패턴을 갖는 백라이트 유닛.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 저굴절층과 상기 캡핑층의 두께는 균일하고,
    상기 저굴절층의 두께와 상기 캡핑층의 두께는 각각 1.0㎛ 이하인 백라이트 유닛.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제2 정상부와 상기 제3 정상부 사이의 수평 이격 거리는, 상기 제2 정상부와 상기 제1 골부 사이의 수직 최단 거리의 3배 이상인 백라이트 유닛.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제1 정상부와 상기 제1 골부 사이의 수직 최단 거리는 1.0㎛ 이상 10.0㎛ 이하인 백라이트 유닛.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 정상부는 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향으로 이격되어 매트릭스 배열되고,
    상기 복수의 골부는 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향으로 이격되어 매트릭스 배열되는 백라이트 유닛.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 복수의 정상부는, 상기 제2 정상부와 상기 제2 방향으로 인접하고, 상기 제3 정상부와 상기 제1 방향으로 인접한 제4 정상부를 더 포함하고,
    상기 제1 정상부와 상기 제4 정상부 사이에는 상기 제1 골부가 위치하는 백라이트 유닛.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 도광판은 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향과 교차하는 벤딩 방향을 따라 벤딩된 백라이트 유닛.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 도광판의 상기 벤딩 방향에 수직한 방향 일측에 배치된 광원 유닛을 더 포함하는 백라이트 유닛.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 엠보 패턴은,
    상기 제1 정상부를 형성하는 선형의 제1 엠보 패턴,
    상기 제2 정상부를 형성하는 선형의 제2 엠보 패턴, 및
    상기 제3 정상부를 형성하는 선형의 제3 엠보 패턴을 포함하고,
    상기 제1 엠보 패턴, 상기 제2 엠보 패턴 및 상기 제3 엠보 패턴은 각각 상기 제2 방향으로 연장되고 상기 제1 방향으로 웨이브를 갖는 형상인 백라이트 유닛.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제2 엠보 패턴의 상기 제2 정상부와 상기 제3 엠보 패턴의 상기 제3 정상부 사이에는,
    상기 제1 엠보 패턴,
    상기 제1 엠보 패턴과 상기 제2 정상부 사이에 위치하는 상기 제1 골부, 및
    상기 제1 엠보 패턴과 상기 제3 정상부 사이에 위치하는 제2 골부가 위치하는 백라이트 유닛.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 제1 엠보 패턴과 상기 제2 엠보 패턴은 부분적으로 상기 제2 방향으로 중첩하는 백라이트 유닛.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 도광판은 상기 제1 방향을 따라 벤딩된 백라이트 유닛.
  19. 제1항에 있어서,
    상기 도광판은,
    제1 곡률 반경을 갖는 갖는 제1 영역, 및
    상기 제1 곡률 반경보다 큰 제2 곡률 반경을 갖는 제2 영역을 포함하고,
    상기 제1 영역 내의 상기 엠보 패턴의 크기는 상기 제2 영역 내의 상기 엠보 패턴의 크기보다 큰 백라이트 유닛.
  20. 도광판;
    상기 도광판의 일면 상에 배치되고, 입사광의 색을 변환하는 파장 변환층으로서, 복수의 정상부 및 복수의 골부가 정의된 엠보 패턴을 갖는 파장 변환층; 및
    상기 파장 변환층 상에 배치된 표시 패널을 포함하되,
    상기 복수의 정상부는,
    제1 정상부,
    상기 제1 정상부와 제1 방향으로 인접한 제2 정상부, 및
    상기 제1 정상부와 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 인접한 제3 정상부를 포함하고,
    상기 복수의 골부는, 상기 제2 정상부와 상기 제3 정상부 사이에 위치하는 제1 골부를 포함하는 표시 장치.
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