KR20190063991A - 투명 도전막 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 상기 기재 상에 형성되는 도전층;을 포함하는 투명 도전막으로서, 상기 도전층은 금속 나노와이어, 전도성 고분자, 및 불소계 화합물을 포함하는 것인 투명 도전막 및 그 제조방법에 관한 것이다.

Description

투명 도전막 및 그 제조방법{TRANSPARENT CONDUCTIVE FILMS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 투명 도전막 및 그 제조방법에 관한 것이다.
대면적의 디스플레이에서는 빛을 투과하여 이미지를 전달하고 전류를 발생시키는 투명 도전막(즉, 투명 전극)이 핵심 부품 중 하나로, 상기 투명 도전막은 화학적으로 안정해야 하고, 평활성, 도전성이 우수하며 높은 투과도를 갖는 것이 요구된다. 이러한 투명 도전막의 재료로는 인듐주석 산화물(ITO, indium tin oxide), 불소도핑 산화주석(fluorine doped tin oxide)과 같은 산화물, 도전성 고분자, 금속 나노와이어 등이 사용되고 있다.
상기 인듐주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO)은 높은 투과도를 가지며 도전성이 우수하여 투명 도전막 제조 시 가장 널리 사용되고 있다. 그러나, 인듐주석 산화물은 제한된 매장량으로 인해 투명 도전막의 제조 비용이 상승하는 문제점이 있다.
상기 도전성 고분자는 인듐주석 산화물을 대체할 수 있는 재료이지만, 용해도가 낮아 이를 이용한 투명 도전막의 제조 공정이 까다로우며 에너지 밴드갭이 3eV 이하로 색을 띄기 때문에 투명 도전막의 투과도가 떨어지는 문제점이 있다.
상기 금속 나노와이어를 이용하여 제조된 투명 도전막은 인듐주석 산화물로 제조된 투명 도전막과 유사한 표면 저항을 나타낼 수 있지만, 자외선에 매우 취약하여 사용과정에서 표면 저항이 급격히 높아지는 문제점이 있다. 즉, 금속 나노와이어로 투명 도전막 형성 시 바인더 재료로 고분자 화합물이 사용되는데, 상기 고분자 화합물이 자외선에 의해 광 해리됨에 따라 산소를 발생하게 되고, 발생된 산소에 의해 금속 나노와이어가 산화되어 투명 도전막의 표면 저항이 급격히 높아지게 된다. 또한 상기 금속나노와이를 단독으로 사용하는 투명전극의 경우 일함수의 제어가 불가능해 사용이 제한되는 문제가 있다.
본 발명은 일함수를 향상시킬 수 있는 투명 도전막을 제공하고자 한다.
상기 과제를 해결하기 위해 본 발명은, 기재; 및 상기 기재 상에 형성되는 도전층;을 포함하는 투명 도전막으로서, 상기 도전층은 금속 나노와이어, 전도성 고분자 및 불소계 화합물을 포함하는 것인 투명 도전막을 제공한다.
또한 본 발명은 기재 상에 금속 나노와이어, 전도성 고분자 및 불소계 화합물을 포함하는 용액을 도포하여 도전층을 형성하는 단계를 포함하는 투명 도전막의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 투명 도전막은 불소계 화합물의 첨가를 통해 전하의 이동도를 증가시켜 일함수를 향상시킬 수 있는 투명 도전막을 제공할 수 있다.
이하, 본 발명을 상세히 설명한다.
1. 투명 도전막
본 발명의 일 측면은 투명 도전막을 제공한다.
본 발명의 투명 도전막은 기재, 상기 기재 상에 형성되는 도전층을 포함한다.
1) 기재
상기 기재는 도전층의 형성면과 기계적 강도를 제공하고, 도전층을 지지하기 위한 역할을 한다.
상기 기재는 유리, 투명 고분자 필름과 같이 투명성을 갖는 기재이기만 하면 되며, 그 소재나 재질이 특별히 제한되지는 않는다.
예를 들면, 본 발명의 기재로는 폴리이미드, 폴리에테르설폰, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리아크릴레이트 및 폴리우레탄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 고분자 또는 유리를 사용할 수 있다.
상기 기재의 두께는 기계적 강도 등을 고려할 때 20 ~ 1000 ㎛ 정도인 것이 바람직하다. 이때, 기재의 두께가 20㎛ 미만이면 기계적 강도가 부족하고, 도전층 형성 등의 공정 작업시 다루기 어려울 수 있다. 기재의 두께가 1000 ㎛를 초과하면 터치 패널 등에 적용되었을 때, 타점 특성 등이 나쁘고 두께가 너무 두꺼워져 투과율을 저하시키는 문제점이 발생될 수 있다.
2) 도전층
상기 기재 상에 형성되는 도전층은 금속 나노와이어, 전도성 고분자 및 불소계 화합물을 포함한다.
상기 도전층에 포함되는 금속 나노와이어는 도전성을 부여하는 역할을 한다.
상기 금속 나노와이어는 특별히 한정되지 않으나, 도전성이 우수하고 전기적 안정성이 높은 금, 백금, 은, 팔라듐, 로듐, 리튬, 루테늄, 오스뮴, 철, 코발트, 구리 및 주석으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 금속으로 이루어진 나노와이어를 사용하는 것이 바람직하다.
상기 금속 나노와이어의 직경은 특별히 한정되지 않으나, 평균 길이가 10~50 μm이고, 길이 방향에서의 단면의 평균 직경이 10~40 nm인 것을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 금속 나노와이어가 상기 범위일 때 투명 도전막은 적절한 광학특성, 표면저항, 내후성 등의 물성을 얻을 수 있다.
상기 도전층에 포함되는 전도성 고분자는 자외선에 대한 안정성을 향상시키는 역할을 한다.
상기 전도성 고분자는 폴리아세틸렌, 폴리피롤, 폴리아닐린, 폴리티오펜 및 이들의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상이 포함될 수 있다.
구체적으로, 상기 전도성 고분자는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜):폴리스티렌설포네이트, 폴리피롤:폴리스티렌설포네이트, 폴리티오펜:폴리스티렌설포네이트 및 폴리아닐린:폴리스티렌설포네이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함할 수 있으며, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜):폴리스티렌설포네이트인 것이 바람직하다.
본 발명의 도전층은 이와 같은 전도성 고분자를 포함하여 금속 나노와이어가 자외선에 의해 산화되는 것을 지연시킬 수 있다.
구체적으로 설명하면 반응식 1 및 반응식 2와 같다.
[반응식 1]
Figure pat00001
[반응식 2]
Figure pat00002
상기 반응식 1에서와 같이, 도전층에 포함된 금속 나노와이어(예컨대, 은 나노와이어)는 자외선(UV)에 의해 지속적으로 산화되어 라디칼을 만들고, 이러한 라디칼에 의해 은 나노와이어가 빠르게 산화된다. 이때, 반응식 2에서와 같이, 전도성 고분자(예컨대, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜):폴리스티렌설포네이트)가 포함되면, 자외선에 의해 산회되어 생성된 라디칼이 설포네이트와 먼저 반응하여 금속 나노와이어의 산화 속도를 지연시킬 수 있다.
이러한 전도성 고분자의 함량은 특별히 한정되지 않으나, 상기 금속 나노와이어 100 중량부를 기준으로 10 내지 100 중량부인 것이 바람직하며, 30 내지 50 중량부인 것이 더 바람직하다. 상기 전도성 고분자의 함량이 10 중량부 미만일 경우에는 충분한 일함수를 제어할 수 없으며, 100 중량부를 초과할 경우에는 투과가 나빠지는 문제가 있기 때문이다.
상기 도전층에 포함되는 불소계 화합물은 투명 도전막의 일함수를 제어하는 역할을 한다.
상기 불소계 화합물은 과불소계 술폰화 이오노머(Perfluorinated Sulfonic acid ionomer)를 포함할 수 있다. 이러한 불소계 화합물의 첨가를 통해 전하의 이동도를 증가시켜 일함수를 제어할 수 있다.
이러한 불소계 화합물의 함량은 특별히 한정되지 않으나, 상기 금속 나노와이어 100 중량부를 기준으로 10 내지 100 중량부인 것이 바람직하며, 30 내지 60 중량부인 것이 더 바람직하다. 상기 불소계 화합물의 함량이 10 중량부 미만일 경우에는 조성물의 표면장력이 높아 기재에 충분히 도포되지 않을 수 있으며, 100 중량부를 초과할 경우에는 금속 나노와이어간의 네트워크 형성을 방해하여 면저항이 상승하는 문제가 있기 때문이다.
상기 도전층은 금속 나노와이어를 분산시키고, 상호 연결된 상태로 고정시키기 위해 바인더를 더 포함할 수 있다.
이러한 바인더는 특별히 한정되지 않으나, 셀룰로오스계 고분자인 것이 바람직하다. 상기 셀룰로오스계 고분자를 바인더로 사용할 경우, 도전막이 고투과도를 유지하는 범위 내에서 일정 점도 유지 및 고정 매트릭스 역할을 할 수 있다.
상기 셀룰로오스계 고분자는 특별히 한정되지 않으나, 메틸셀룰로오스, 에틸셀룰로오스, 히드록시에틸셀룰로오스, 히드록시메틸셀룰로오스, 히드록시프로필메틸셀룰로오스, 니트로셀룰로오스 및 카르복시메틸셀룰로오스로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 것이 바람직하다.
이러한 바인더의 함량은 특별히 한정되지 않으나, 상기 금속 나노와이어 100 중량부를 기준으로 10 내지 100 중량부인 것이 바람직하며, 30 내지 60 중량부인 것이 더 바람직하다. 상기 바인더의 함량이 10 중량부 미만일 경우에는 금속 나노와이어의 분산 및 상호 연결성이 저하될 수 있으며, 100 중량부를 초과할 경우에는 도전막의 황색도(Yellow index) 값이 상승하여 도전막이 적용된 디스플레이의 시인성을 저하시킬 수 있다.
상기 도전층은 도전층의 이온 전도도를 증가시키기 위하여 무기 산화물을 더 포함할 수 있다.
이러한 무기 산화물은 특별히 한정되지 않으나, 이산화티타늄, 산화아연, 산화지르코늄, 산화세륨, 산화마그네슘등 일 수 있으며, 이산화티타늄인 것이 바람직하다.
상기 무기 산화물의 함량은 특별히 한정되지 않으나, 상기 금속 나노와이어 100 중량부를 기준으로 10 내지 100 중량부인 것이 바람직하며, 10 내지 60 중량부인 것이 더 바람직하다. 상기 무기 산화물의 함량이 10 중량부 미만일 경우에는 일함수를 증가시키는 부분이 미흡할 수 있으며, 100 중량부를 초과할 경우에는 도전층의 투과도 및 헤이즈(Haze)와 같은 광학적 특성이 나빠질 수 있다.
이외에도 보호층은 그 물성에 영향을 미치지 않는 범위 내에서 당 업계에 공지된 코팅 첨가제를 더 포함할 수 있다.
상기 코팅 첨가제는 습윤제, 레벨링제, 슬립제, 열안정제, 용매 등일 수 있다. 상기 코팅 첨가제의 구체적인 종류로는 다음과 같이 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 습윤제(wetting agent)는 실리콘계, 불소계 등을 사용할 수 있다.
상기 레벨링제(leveling agent)는 설폰산계, 실리콘계 등을 사용할 수 있다.
상기 슬립제(slip agent)는 실리콘계 등을 사용할 수 있다.
상기 열안정제(Heat stabilizer)는 Cd/Ba/Zn계, Cd/Ba계, Ba/Zn계, Ca/Zn계, Na/Za계, Sn계, Pb계, Cd계, Zn계 등을 사용할 수 있다.
상기 용매는 물 또는 알콜 뿐만 아니라 디메틸포름아미드 및 N-메틸-2-피롤리돈과 같은 극성 유기용매일 수 있으며 이에 한하지 않는다.
2. 투명 도전막의 제조방법
본 발명의 다른 측면은 투명 도전막의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 투명 도전막의 제조방법은 특별히 한정되지 않으나, 기재 상에 금속 나노와이어, 전도성 고분자 및 불소계 화합물을 포함하는 용액을 도포하여 도전층을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 용액이 코팅되는 기재는 특별히 한정되지 않으나, 폴리이미드, 폴리에테르설폰, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리아크릴레이트 및 폴리우레탄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 고분자 또는 유리를 사용할 수 있다.
상기 기재 상에 상기 금속 나노와이어, 전도성 고분자 및 불소계 화합물을 포함하는 용액을 기재에 도포하는 공정은 스프레이코팅, 바코팅, 딥코팅, 스핀코팅, 슬릿다이 코팅, 커튼 코팅, 그라비아코팅, 리버스 그라비아코팅, 롤코팅 및 함침법 중에서 선택된 방법을 이용할 수 있다. 이 중에서도 특히, 상기 금속 나노와이어의 형성속도나 생산성 등을 고려할 때, 바코팅법을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 기재상에 코팅된 금속 나노와이어, 전도성 고분자 및 불소계 화합물을 포함하는 용액은 건조 단계를 거쳐 박막으로 형성된다. 이때, 상기 건조 단계는 100℃ 내지 160℃의 온도에서 5 ~ 40초간 건조하는 하는 것이 바람직하다.
이때 상기 금속 나노와이어는 특별히 한정되지 않으나, 도전성이 우수하고 전기적 안정성이 높은 금, 백금, 은, 팔라듐, 로듐, 리튬, 루테늄, 오스뮴, 철, 코발트, 구리 및 주석으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 금속으로 이루어진 나노와이어를 사용하는 것이 바람직하다.
상기 금속 나노와이어의 직경은 특별히 한정되지 않으나, 평균 길이가 10~50 μm이고, 길이 방향에서의 단면의 평균 직경이 10~40 nm인 것을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 전도성 고분자는 폴리아세틸렌, 폴리피롤, 폴리아닐린, 폴리티오펜 및 이들의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함할 수 있다.
구체적으로, 상기 전도성 고분자는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜):폴리스티렌설포네이트, 폴리피롤:폴리스티렌설포네이트, 폴리티오펜:폴리스티렌설포네이트 및 폴리아닐린:폴리스티렌설포네이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 전도성 고분자는 금속 나노와이어 100 중량부를 기준으로 10 내지 100 중량부인 것이 바람직하며, 30 내지 50 중량부인 것이 더 바람직하다. 상기 전도성 고분자의 함량이 10 중량부 미만일 충분한 일함수를 제어할 수 없으며, 100 중량부를 초과할 경우에는 투과가 나빠지는 문제가 있기 때문이다.
상기 불소계 화합물은 과불소계 술폰화 이오노머(Perfluorinated Sulfonic acid ionomer)를 포함할 수 있다.
상기 불소계 화합물은 금속 나노와이어 100 중량부를 기준으로 10 내지 100 중량부인 것이 바람직하며, 30 내지 60 중량부인 것이 더 바람직하다. 상기 불소계 화합물의 함량이 10 중량부 미만일 경우에는 충분한 일함수의 제어가 불가하게 될 수 있으며, 100 중량부를 초과할 경우에는 금속와이어 간의 접촉면에 불순물로 작용하여 면저항이 상승하는 문제가 있기 때문이다.
상기 금속 나노와이어, 전도성 고분자 및 불소계 화합물을 포함하는 용액은 금속 나노와이어를 분산시키고, 상호 연결된 상태로 고정시키기 위해 바인더를 더 포함할 수 있다.
이러한 바인더는 특별히 한정되지 않으나, 셀룰로오스계 고분자인 것이 바람직하다. 상기 셀룰로오스계 고분자를 바인더로 사용할 경우, 도전막이 고투과도를 유지하는 범위 내에서 일정 점도 유지 및 고정 매트릭스 역할을 할 수 있다.
상기 셀룰로오스계 고분자는 특별히 한정되지 않으나, 메틸셀룰로오스, 에틸셀룰로오스, 히드록시에틸셀룰로오스, 히드록시메틸셀룰로오스, 히드록시프로필메틸셀룰로오스, 니트로셀룰로오스 및 카르복시메틸셀룰로오스로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 것이 바람직하다.
이러한 바인더의 함량은 특별히 한정되지 않으나, 금속 나노와이어 100 중량부를 기준으로 10 내지 100 중량부인 것이 바람직하며, 30 내지 60 중량부인 것이 더 바람직하다. 상기 바인더의 함량이 10 중량부 미만일 경우에는 금속 나노와이어의 분산 및 상호 연결성이 저하될 수 있으며, 100 중량부를 초과할 경우에는 도전막의 황색도(Yellow index) 값이 상승하여 도전막이 적용된 디스플레이의 시인성을 저하시킬 수 있다.
또한, 상기 금속 나노와이어, 전도성 고분자 및 불소계 화합물을 포함하는 용액은 이온전도도를 증가시키기 위하여 무기 산화물을 더 포함할 수 있다.
이러한 무기 산화물은 특별히 한정되지 않으나, 이산화티타늄, 산화아연, 산화지르코늄, 산화세륨, 산화마그네슘등 일 수 있으며, 이산화티타늄인 것이 바람직하다.
상기 무기 산화물의 함량은 특별히 한정되지 않으나, 금속 나노와이어 100 중량부를 기준으로 10 내지 100 중량부인 것이 바람직하며, 30 내지 60 중량부인 것이 더 바람직하다. 상기 무기 산화물의 함량이 10 중량부 미만일 경우에는 일함수를 증가시키는 부분이 미흡할 수 있으며, 100 중량부를 초과할 경우에는 도전층의 투과도 및 헤이즈(Haze)와 같은 광학적 특성이 나빠질 수 있다.
이하 본 발명을 실시예를 통하여 상세히 설명하면 다음과 같다. 단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
[ 실시예 1]
두께 188㎛인 한성 산업사 PET 필름(제품명: HA450-188-0-188A-H)의 어느 한 면에 은 나노와이어 0.3 중량부, PEDOT-PSS(중량비 1:1) 0.1 중량부, 바인더(Methyl cellulose) 0.1 중량부, 과불소계 술폰화 이오노머(Perfluorinated Sulfonic acid ionomer) 0.1 중량부, 이산화티탄(10 nm) 0.1 중량부, 레벨링제(BYK-381) 0.1 중량부, 습윤제(DISPERBYK-182) 0.05 중량부 및 99.15 중량부의 이소프로필 알코올(isopropyl alcohol)를 포함하는 수분산액을 제조한 후, 바(bar) 코팅하고 IR 오븐을 이용하여 120℃에서 5분 동안 가 건조하여 도전층을 형성하였다.
[ 실시예 2]
하기 표 1의 조성 및 함량으로 도전층을 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 투명 도전막을 제조하였다.
[ 실시예 3]
하기 표 1의 조성 및 함량으로 보호층을 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 투명 도전막을 제조하였다.
[ 실시예 4]
하기 표 1의 조성 및 함량으로 보호층을 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 투명 도전막을 제조하였다.
[ 비교예 1]
하기 표 1의 조성 및 함량으로 보호층을 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 투명 도전막을 제조하였다.
[ 비교예 2]
하기 표 1의 조성 및 함량으로 보호층을 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 투명 도전막을 제조하였다.
AgNWs PEDOT:PSS PFI TiO2 바인더 습윤제 레벨링제 IPA
실시예1 0.3 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.05 99.15
실시예2 0.3 0.15 0.1 0.1 0.1 0.1 0.05 99.10
실시예3 0.3 0.1 0.2 0.2 0.1 0.1 0.05 98.95
실시예4 0.3 0.1 0.1 0.2 0.2 0.1 0.05 98.95
비교예1 0.3 0.1 - - 0.1 0.1 0.05 99.35
비교예2 0.3 0.1 - 0.1 0.1 0.1 0.1 99.2
[ 실험예 ]
제조된 투명 도전막의 물성을 다음과 같은 방법으로 평가하였으며, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
(1) 코팅성: 코팅 후 표면상태 분석을 통해 다음과 같이 평가하였다.
◎: 코팅 후 핀홀 및 레인보우 현상이 발생하지 않고 면저항의 표준편차가 3 이하 발생
○: 코팅 후 핀홀 및 레인보우 현상은 없으나, 면저항의 표준편차가 3 이상 발생
△: 코팅 후 핀홀 및 레인보우 현상이 발생
(2) 면저항(R) 평가: Electronic Design To Market, Inc. (Toledo, OH)사의 R-CHEK 모델 RC2175 표면 저항률 미터를 사용하여 측정하였다. 측정 결과는 표 2에 나타내었다.
(3) 일함수(Work Function): KP Technology(U.K)사의 스캐닝 켈빈 프로브(Scanning Kelvin Probe) 5050을 사용하여 측정하였다. 측정 결과는 표 2에 나타내었다.
코팅성 면저항(Ω/□) W/F(eV)
실시예1 18 5.2
실시예2 40 5.2
실시예3 50 5.5
실시예4 25 5.3
비교예1 18 4.8
비교예2 18 4.2
상기 표 2를 참조하면, 본 발명의 투명 도전막의 경우는 불소계 화합물을 포함하는 도전층을 포함함으로써, 일함수가 우수한 것을 알 수 있다. 반면, 비교예의 경우 불소계 화합물을 포함하고 있지 않기 때문에 일함수가 저하되는 것을 알 수 있다.

Claims (20)

  1. 기재; 및
    상기 기재 상에 형성되는 도전층;을 포함하는 투명 도전막으로서,
    상기 도전층은 금속 나노와이어, 전도성 고분자, 및 불소계 화합물을 포함하는 것인 투명 도전막.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 기재는 폴리이미드, 폴리에테르설폰, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리아크릴레이트 및 폴리우레탄으로 이루어진 군으로 선택되는 하나 이상의 고분자를 포함하는 것인 투명 도전막.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 금속 나노와이어는 금, 백금, 은, 팔라듐, 로듐, 리튬, 루테늄, 오스뮴, 철, 코발트, 구리 및 주석으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인 투명 도전막.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 금속 나노와이어는 평균 길이가 10~50 μm이고, 길이 방향에서의 단면의 평균 직경이 10~40 nm인 것인 투명 도전막.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 전도성 고분자는 폴리아세틸렌, 폴리피롤, 폴리아닐린, 폴리티오펜 및 이들의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인 투명 도전막.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 전도성 고분자는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜):폴리스티렌설포네이트, 폴리피롤:폴리스티렌설포네이트, 폴리티오펜:폴리스티렌설포네이트 및 폴리아닐린:폴리스티렌설포네이트으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인 투명 도전막.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 불소계 화합물은 과불소계 술폰화 이오노머(Perfluorinated Sulfonic acid ionomer)를 포함하는 것인 투명 전도막.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 도전층은 금속 나노와이어 100 중량부를 기준으로, 10 내지 100 중량부의 전도성 고분자 및 10 내지 100 중량부의 불소계 화합물을 포함하는 것인 투명 도전막.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 도전층은 바인더를 더 포함하는 것인 투명 도전막.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 바인더는 메틸셀룰로오스, 에틸셀룰로오스, 히드록시에틸셀룰로오스, 히드록시메틸셀룰로오스, 히드록시프로필메틸셀룰로오스, 니트로셀룰로오스 및 카르복시메틸셀룰로오스로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것인 투명 도전막.
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 도전층은 무기 산화물을 더 포함하는 것인 투명 도전막.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 무기 산화물은 이산화티타늄, 산화아연, 산화지르코늄, 산화세륨, 산화마그네슘으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것인 투명 도전막.
  13. 청구항 1에 있어서,
    상기 도전층은 코팅 첨가제를 더 포함하는 것인 투명 도전막.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 코팅 첨가제는 습윤제, 레벨링제 및 용매를 포함하는 것인 투명 도전막.
  15. 기재 상에 금속 나노와이어, 전도성 고분자 및 불소계 화합물을 포함하는 용액을 도포하여 도전층을 형성하는 단계를 포함하는 투명 도전막의 제조방법.
  16. 청구항 15에 있어서,
    금속 나노와이어는 금, 백금, 은, 팔라듐, 로듐, 리튬, 루테늄, 오스뮴, 철, 코발트, 구리 및 주석으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 금속으로 이루어진 나노와이어를 포함하는 용액을 도포하는 것을 포함하는 것인 투명 도전막의 제조방법의 제조방법.
  17. 청구항 15에 있어서,
    상기 금속 나노와이어는 평균 길이가 10~50 μm이고, 길이 방향에서의 단면의 평균 직경이 10~40 nm인 것인 투명 도전막의 제조방법.
  18. 청구항 15에 있어서,
    상기 전도성 고분자는 폴리아세틸렌, 폴리피롤, 폴리아닐린, 폴리티오펜 및 이들의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인 투명 도전막의 제조방법.
  19. 청구항 18에 있어서,
    상기 전도성 고분자는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜):폴리스티렌설포네이트, 폴리피롤:폴리스티렌설포네이트, 폴리티오펜:폴리스티렌설포네이트 및 폴리아닐린:폴리스티렌설포네이트으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인 투명 도전막의 제조방법.
  20. 청구항 15에 있어서,
    상기 불소계 화합물은 과불소계 술폰화 이오노머(Perfluorinated Sulfonic acid ionomer)를 포함하는 것인 투명 전도막의 제조방법.
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