KR20190057705A - Organic light emitting diode display device and method for driving the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 OLED 표시 장치에 관한 것으로, 특히 구동 트랜지스터의 네가티브 문턱 전압 시프트를 방지할 수 있는 OLED 표시 장치 및 그의 구동 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an OLED display, and more particularly, to an OLED display capable of preventing a negative threshold voltage shift of a driving transistor and a driving method thereof.
최근 디지털 데이터를 이용하여 영상을 표시하는 평판 표시 장치로는 액정을 이용한 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display; LCD), 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode; 이하 OLED)를 이용한 OLED 표시 장치 등이 대표적이다.2. Description of the Related Art Flat panel displays that display images using digital data are typically liquid crystal displays (LCDs) using liquid crystals and OLED display devices using organic light emitting diodes (OLEDs) .
이들 중 OLED 표시 장치는 전자와 정공의 재결합으로 유기 발광층을 발광시키는 자발광 소자로 휘도가 높고 구동 전압이 낮으며, 응답 시간이 수 마이크로 초(㎲) 정도로 동화상 구현이 쉽고, 시야각 제한이 없으며 저온에서도 안정적이라는 장점이 있으며, 박막화가 가능하여 차세대 표시 장치로 기대되고 있다.Of these, OLED display devices are self-luminous devices that emit the organic light-emitting layer by recombination of electrons and holes, and have high luminance, low driving voltage, easy response time of several microseconds (μs), easy visualization, And it is expected to be a next generation display device because it can be made thinner.
OLED 표시 장치를 구성하는 다수의 화소 각각은 애노드 및 캐소드 사이의 유기 발광층으로 구성된 OLED 소자와, OLED 소자를 독립적으로 구동하는 화소 회로를 구비한다. 상기 화소 회로는 데이터 전압을 스토리지 커패시터에 공급하는 스위칭 트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT)와, 스토리지 커패시터에 충전된 구동 전압에 따라 구동 전류를 제어하여 OLED 소자로 공급하는 구동 트랜지스터 등을 포함하고, OLED 소자는 구동 전류에 비례하는 광을 발생한다.Each of the plurality of pixels constituting the OLED display device includes an OLED element composed of an organic light emitting layer between the anode and the cathode, and a pixel circuit independently driving the OLED element. The pixel circuit includes a thin film transistor (TFT) for supplying a data voltage to a storage capacitor, a driving transistor for controlling a driving current according to a driving voltage charged to the storage capacitor and supplying the OLED element to the OLED, The device generates light proportional to the driving current.
이러한 구조의 OLED 표시 장치에서 특히 구동 트랜지스터는 OLED 소자에 흐르는 전류의 양을 조절하여 영상의 계조를 표시하도록 하는 것으로서 화상 품질에 중요한 역할을 한다.In the OLED display of such a structure, in particular, the driving transistor plays an important role in image quality by controlling the amount of current flowing in the OLED element to display the gradation of the image.
그러나, 하나의 표시패널 내에서도, 공정 편차와 경시 변화의 이유로, 각 화소 간 구동 트랜지스터의 전기적 특성 편차, 즉 문턱전압(Vth) 및 전자 이동도(mobility)의 편차가 발생하며, 각 OLED 소자들에 흐르는 전류가 일정하지 않아 원하는 계조를 구현하지 못하는 문제가 발생하게 된다.However, even within one display panel, there is a deviation in the electrical characteristics of the driving transistors between the pixels, that is, the threshold voltage (Vth) and the electron mobility, for reasons of process variation and aging change, The current flowing is not constant and a problem arises that the desired gradation can not be realized.
이를 해결하기 위하여, OLED 표시 장치는 각 화소의 구동 트랜지스터의 특성을 센싱하고 센싱값을 이용하여 각 화소에 공급될 데이터를 보상하는 방법을 이용하고 있다.To solve this problem, an OLED display device uses a method of sensing the characteristics of a driving transistor of each pixel and compensating data to be supplied to each pixel by using a sensing value.
도 1는 종래의 구동 트랜지스터의 문턱 전압(Vth) 변화량을 센싱하기 위한 서브-화소의 회로적 구성도이다.1 is a circuit block diagram of a sub-pixel for sensing a threshold voltage (Vth) change amount of a conventional driving transistor.
종래의 OLED 표시 장치의 각 서브-화소는, 도 1에 도시한 바와 같이, 유기 발광 다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)와, 상기 유기 발광 다이오드는 구동하는 화소 회로를 구비한다.Each sub-pixel of a conventional OLED display device includes an organic light emitting diode (OLED) and a pixel circuit for driving the organic light emitting diode, as shown in FIG.
상기 화소 회로는 제 1 및 제 2 스위칭 TFT(T1, T2), 스토리지 커패시터(Cst), 및 구동 TFT(DT)를 포함한다.The pixel circuit includes first and second switching TFTs T1 and T2, a storage capacitor Cst, and a driving TFT DT.
상기 제 1스위칭 TFT(T1)는 스캔 펄스(Scan)에 응답하여 데이터(DATA) 전압을 상기 스토리지 커패시터(Cst)에 충전한다. 상기 구동 TFT(DT)는 상기 스토리지 커패시터(Cst)에 충전된 데이터 전압에 따라 OLED로 공급되는 전류량을 제어하여 OLED의 발광량을 조절한다. 상기 제 2 스위칭 TFT(T2)는 센싱(Sense) 신호에 응답하여 상기 구동 TFT(DT)의 문턱 전압 및 이동도를 센싱한다.The first switching TFT Tl charges the storage capacitor Cst with a data voltage in response to a scan pulse Scan. The driving TFT DT controls the amount of current supplied to the OLED according to the data voltage charged in the storage capacitor Cst to control the amount of light emitted from the OLED. The second switching TFT (T2) senses the threshold voltage and the mobility of the driving TFT (DT) in response to a sensing signal.
상기 유기 발광 다이오드(OLED)는 제1전극(예: 애노드 전극 또는 캐소드 전극), 유기 발광층 및 제2전극(예: 캐소드 전극 또는 애노드 전극) 등으로 이루어질 수 있다.The organic light emitting diode OLED may include a first electrode (e.g., an anode electrode or a cathode electrode), an organic light emitting layer, and a second electrode (e.g., a cathode electrode or an anode electrode).
상기 스토리지 커패시터(Cst)는 상기 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(gate)과 소오스 전극(source) 사이에 전기적으로 연결되어, 영상 신호 전압에 해당하는 데이터 전압 또는 이에 대응되는 전압을 한 프레임 시간 동안 유지해줄 수 있다. The storage capacitor Cst is electrically connected between a gate electrode of the driving TFT DT and a source electrode so that a data voltage corresponding to a video signal voltage or a voltage corresponding thereto is applied for one frame time I can keep it.
상기 구동 TFT(DT)의 문턱 전압(Vth)을 센싱하는 방법은 구동 TFT(DT)를 소스 팔로워(Source Follower) 방식으로 동작시킨 후 구동 TFT(DT)의 소스 전압을 센싱 전압으로 입력 받고, 이 센싱 전압을 토대로 구동 TFT(DT)의 문턱 전압 변화량을 검출한다. 구동 트랜지스터의 문턱 전압 변화량은 센싱 전압의 크기에 따라 결정되며, 이를 통해 데이터 보상을 위한 옵셋값이 구해진다.A method of sensing the threshold voltage Vth of the driving TFT DT is to operate the driving TFT DT in a source follower manner and then receive the source voltage of the driving TFT DT as a sensing voltage, And detects a threshold voltage change amount of the driving TFT DT based on the sensing voltage. The amount of change in the threshold voltage of the driving transistor is determined according to the magnitude of the sensing voltage, thereby obtaining an offset value for data compensation.
보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.More specifically, it is as follows.
화소에 하이 레벨의 스캔 신호(Scan)를 인가하면, 제 1 스위칭 TFT(T1)가 턴-온되고, 데이터 라인을 통해 데이터 전압(Data)이 스토리지 커패시터(Cst) 및 구동 TFT(DT)의 게이트에 인가된다.The first switching TFT T1 is turned on and the data voltage Data is applied to the gate of the storage capacitor Cst and the driving TFT DT through the data line. .
그리고, 기준 전압 라인(Ref)에 기준 전압을 공급하고, 제 2 스위칭 TFT(T2)에 하이 레벨의 센싱 신호(Sense)를 인가하면, 상기 제 2 스위칭 TFT(T2)가 턴-온하게 된다. 이에 따라, 상기 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 데이터 전압(Vdata)과 상기 기준 전압(Vref)의 차 전압에 따라 구동 TFT(DT)가 포화영역에서 구동하게 되어 싱크 전류가 흐르게 된다. 그리고, 상기 기준 전압 라인(Ref)에 기준 전압을 공급하지 않으면, 상기 기준 전압 라인(Ref)의 전압이 포화 영역에 해당하는 전압으로 상승한다. 이후 구동 TFT(DT)의 문턱 전압(Vth)까지 도달하게 되면 상기 기준 전압 라인(Ref)은 포화상태가 된다. 그리고 포화 상태가 되는 시점에서, 센싱 신호(Sense)를 로우 레벨로 인가하고, 상기 포화 상태의 전압을 샘플링하여 문턱 전압을 센싱하게 된다.When the reference voltage is supplied to the reference voltage line Ref and a sensing signal Sense of high level is applied to the second switching TFT T2, the second switching TFT T2 is turned on. Accordingly, the driving TFT DT is driven in the saturation region according to the difference voltage between the data voltage Vdata stored in the storage capacitor Cst and the reference voltage Vref, and a sink current flows. If the reference voltage is not supplied to the reference voltage line Ref, the voltage of the reference voltage line Ref rises to a voltage corresponding to the saturation region. Then, when the threshold voltage Vth of the driving TFT DT is reached, the reference voltage line Ref becomes saturated. At the time of saturation, the sensing signal Sense is applied at a low level, and the voltage in the saturation state is sampled to sense the threshold voltage.
그러나, 이와 같이 구성되는 종래의 OLED 표시 장치에 있어서는, 상기와 같이, 센싱된 구동 TFT(DT)의 문턱 전압(Vth)에 따라 데이터 전압을 보상하게 되지만, 영상 신호로 음의 전압이 기록되거나 블랙(Black) 상태에서 인접 화소에서 발광된 빛에 의해 구동 TFT(DT)의 네가티브 문턱 전압 시프트가 발생되고, 이러한 구동 트랜지스터의 네가티브 문턱 전압 시프트에 의해 화질이 저하되는 문제점이 있었다.However, in the conventional OLED display device configured as described above, the data voltage is compensated according to the threshold voltage (Vth) of the sensed driving TFT (DT) as described above. However, A negative threshold voltage shift of the driving TFT DT is generated by the light emitted from the adjacent pixels in the black state, and the image quality is deteriorated by the negative threshold voltage shift of the driving transistor.
본 발명은 이와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, OLED 화소에 블랙(Black) 데이터를 기입할 때, 구동 트랜지스터의 소오스 노드에 블랙 데이터 전압보다 더 낮은 전압을 인가하여 구동 트랜지스터의 네가티브 문턱 전압 시프트를 방지할 수 있는 OLED 표시 장치 및 그의 구동 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve such a problem, and it is an object of the present invention to provide a driving method of a liquid crystal display device, in which when a black data is written in an OLED pixel, a voltage lower than a black data voltage is applied to a source node of the driving transistor, And a method of driving the OLED display device.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 OLED 표시 장치는, 기판상에 복수개의 화소들이 정의되도록 서로 교차 배열되는 복수의 스캔 라인들 및 데이터 라인들과, 각 화소들의 문턱 전압 및 전자 이동도를 센싱하기 위한 복수의 기준 전압 라인들을 구비한 표시 패널과, 상기 기준 전압 라인들에 블랙 데이터 전압 보다 더 낮은 전압을 공급하는 Ref 펄스 공급부와, 구동 모드에서 상기 기준 전압 라인들과 상기 Ref 펄스 구동부 간을 스위칭하는 스위칭부를 구비함에 그 특징이 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided an OLED display device including a plurality of scan lines and data lines crossing each other such that a plurality of pixels are defined on a substrate, a threshold voltage and an electron mobility A Ref pulse supply unit for supplying a voltage lower than the black data voltage to the reference voltage lines, and a Ref pulse supply unit for supplying the reference voltage lines and the Ref pulse driving unit in the driving mode, And a switching unit for switching the liver.
상기 스위칭부는, 타이밍 제어부 또는 데이터 구동부에 의해 제어되어, 상기 데이터 라인에 블랙 데이터가 공급될 때 턴-온되어 상기 Ref 펄스 공급부에서 공급되는 상기 블랙 데이터 전압 보다 더 낮은 전압을 상기 기준 전압 라인에 공급함을 특징으로 한다.The switching unit is controlled by a timing control unit or a data driving unit to supply a voltage lower than the black data voltage supplied from the Ref pulse supply unit to the reference voltage line when the black data is supplied to the data line .
상기 표시 패널의 서브-화소는, 게이트 전극이 상기 스캔 라인들 중 하나에 연결되고, 드레인 전극이 상기 데이터 라인들 중 하나에 연결되며, 소오스 전극은 스토리지 커패시터의 제 1 전극 및 구동 TFT의 게이트 전극에 연결되는 제 1 스위칭 TFT와, 드레인 전극은 제 1 정전압 공급 라인에 연결되는 구동 TFT와, 제 1 전극은 상기 구동 TFT의 소오스 전극 및 상기 스토리지 커패시터의 제 2 전극에 연결되고, 제 2 전극은 제 2 정전압 공급 라인에 연결되는 유기 발광 다이오드와, 게이트 전극은 센싱 라인에 연결되고, 드레인 전극은 상기 구동 TFT의 소오스 전극에 연결되며, 소오스 전극은 상기 기준 전압 라인들 중 하나에 연결되는 제 2 스위칭 TFT와, 상기 기준 전압 라인들 중 하나와 상기 센싱 데이터 출력부 사이에 연결되는 제 1 스위치와, 상기 기준 전압 라인들 중 하나와 상기 기준전압 공급부 사이에 연결되는 제 2 스위치와, 상기 기준 전압 라인들 중 하나와 상기 Ref 펄스 공급부 사이에 연결되는 제 3 스위치를 구비함을 특징으로 한다.The sub-pixel of the display panel has a gate electrode connected to one of the scan lines, a drain electrode connected to one of the data lines, a source electrode connected to the first electrode of the storage capacitor, And a drain electrode connected to the first constant voltage supply line; a first electrode connected to a source electrode of the driving TFT and a second electrode of the storage capacitor; and a second electrode connected to the second electrode of the storage capacitor, An organic light emitting diode connected to a second constant voltage supply line, a gate electrode connected to a sensing line, a drain electrode connected to a source electrode of the driving TFT, and a source electrode connected to one of the reference voltage lines, A switching TFT, a first switch coupled between one of the reference voltage lines and the sensing data output, A second switch that is connected between the one and the reference voltage supply of, and in the characterized by comprising a third switch connected between one of said reference voltage line and the pulse supply Ref.
또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 OLED 표시 장치의 구동 방법은, 유기 발광 다이오드, 스캔 펄스에 응답하여 데이터 전압을 스토리지 커패시터에 충전하는 제 1 스위칭 TFT, 상기 스토리지 커패시터에 충전된 데이터 전압에 따라 상기 유기 발광 다이오드로 공급되는 전류량을 제어하는 구동 TFT, 및 센싱 신호(Sense)에 응답하여 상기 구동 TFT의 문턱 전압 및 이동도를 센싱하는 제 2 스위칭 TFT를 구비한 서브-화소를 갖는 OLED 표시 장치의 구동 방법에 있어서, 상기 데이터 전압으로 블랙 데이터 전압이 기입될 때, 상기 구동 TFT의 소오스 노드에 상기 블랙 데이터 전압보다 더 낮은 전압을 인가함에 그 특징이 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of driving an organic light emitting diode (OLED) display device including an organic light emitting diode, a first switching TFT for charging a data voltage into a storage capacitor in response to a scan pulse, A driving TFT for controlling an amount of current supplied to the organic light emitting diode in accordance with a data voltage and a second switching TFT for sensing a threshold voltage and a mobility of the driving TFT in response to a sensing signal Sense, Wherein a voltage lower than the black data voltage is applied to a source node of the driving TFT when the black data voltage is written into the data voltage.
상기 블랙 데이터 전압보다 더 낮은 전압은 상기 스캔 신호 및 상기 센싱 신호의 하이 레벨 기간보다 더 짧은 기간에 인가됨을 특징으로 한다.And a voltage lower than the black data voltage is applied during a period shorter than a high level period of the scan signal and the sensing signal.
상기와 같은 특징을 갖는 본 발명에 따른 OLED 표시 장치 및 그의 구동 방법에 있어서는 다음과 같은 효과가 있다.The OLED display according to the present invention having the above characteristics and the driving method thereof have the following effects.
즉, 구동 TFT의 게이트 전극에 상기 블랙(black) 데이터 전압이 인가될 때, 상기 구동 TFT의 소오스 전극에 상기 블랙(black) 데이터 전압보다 더 낮은 전압이 순간적으로 인가되므로, 상기 구동 TFT의 네가티브 문턱 전압 시프트가 방지된다.That is, when the black data voltage is applied to the gate electrode of the driving TFT, a voltage lower than the black data voltage is instantaneously applied to the source electrode of the driving TFT, so that the negative threshold of the driving TFT A voltage shift is prevented.
더불어, 상기 구동 TFT의 네가티브 문턱 전압 시프트로 인한 화질 저하를 방지할 수 있고, 고 이동도 구동 TFT를 적용할 수 있으므로, 고해상도 및 대면적의 OLED 표시 장치를 구현할 수 있다.In addition, deterioration of image quality due to a negative threshold voltage shift of the driving TFT can be prevented, and a high mobility driving TFT can be applied, thereby realizing a high resolution and large area OLED display device.
도 1은 종래의 구동 트랜지스터의 문턱 전압(Vth) 변화량을 센싱하기 위한 일 화소의 회로적 구성도
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 OLED 표시 장치의 개략적인 구조도
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 OLED 표시 장치에서, 데이터 구동부, 센싱 데이터 출력부, 기준 전압 공급부 및 Ref 펄스 공급부의 구체적인 구조도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 OLED 표시 장치의 서브-화소의 회로적 구성도
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 구동 TFT 문턱 전압 센싱 모드의 신호 파형도
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 서브-화소의 구동 모드의 신호 파형도1 is a circuit configuration diagram of one pixel for sensing a change amount of a threshold voltage (Vth) of a conventional driving transistor
2 is a schematic diagram of an OLED display according to an embodiment of the present invention.
3 is a specific structure diagram of a data driver, a sensing data output unit, a reference voltage supply unit, and a Ref pulse supply unit in an OLED display device according to an embodiment of the present invention.
4 is a circuit diagram of a sub-pixel of an OLED display according to an embodiment of the present invention
5 is a signal waveform diagram of a driving TFT threshold voltage sensing mode according to an embodiment of the present invention.
6 is a signal waveform diagram of a driving mode of a sub-pixel according to an embodiment of the present invention.
상기와 같은 특징을 갖는 본 발명에 따른 OLED 표시 장치 및 그의 구동 방법을 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.An OLED display device and a driving method thereof according to the present invention having the above features will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 OLED 표시 장치의 개략적인 구조도이다.2 is a schematic structural view of an OLED display device according to an embodiment of the present invention.
본 발명의 실시예에 따른 OLED 표시 장치는, 도 2에 도시한 바와 같이, 복수의 화소(PX)가 정의되는 표시 패널(100)와, 상기 표시패널(100)과 연결되는 각종 제어부, 구동부 및 공급부(110 ~ 160)를 포함한다.2, the OLED display according to the exemplary embodiment of the present invention includes a
상기 표시 패널(100)은 유기기판 또는 플라스틱 기판상에 서로 교차되도록 복수의 스캔 라인(SCL) 및 데이터 라인(DL)이 배치되고, 상기 스캔 라인(SCL) 및 데이터 라인(DL)이 교차하는 지점에 각각 적, 녹 및 청에 해당하는 계조를 표시하는 서브-화소(PX)들이 정의된다. 또한, 각 서브-화소(PX)들은 문턱 전압(Vth) 및 전자 이동도(?)를 센싱하기 위한 기준 전압 라인(Ref)과 연결되어 있으며, 도시되어 있지 않지만 상기 표시 패널(100)에는 전원 전압(ELVDD) 및 접지 전압(ELVSS)을 공급하기 위한 각종 라인들이 더 형성될 수 있다.The
상기 스캔 라인(SCL)들은 상기 표시 패널(100)의 외곽에 형성되며 스캔 신호(SCAN)를 출력하는 스캔 구동부(120)와 연결되고, 상기 데이터 라인(DL)들은 데이터 전압(Vdata)을 출력하는 데이터 구동부(130)와 연결되어 있다.The scan lines SCL are connected to a
또한, 상기 표시 패널(100)에 형성되는 기준 전압 라인(Ref)은 각 서브-화소(PX)에 흐르는 싱크 전류를 통해 구동 TFT의 전기적 특성을 센싱하는 센싱 데이터 출력부(140)와 연결되어 있다. 도면에서는 센싱 데이터 출력부(140)가 데이터 구동부(130)와는 별도의 외부IC로 구성된 일 예를 나타내고 있으나, 데이터 구동부(130)내에 일체형 IC로 집적되는 형태도 적용될 수 있다.The reference voltage line Ref formed in the
상기 서브-화소(PX)들은 유기 발광 다이오드, 커패시터, 제 1 및 제 2 스위칭 TFT, 및 구동 TFT를 포함하여 구성된다. 여기서, 유기 전계 발광다이오드는 제 1 전극(정공주입 전극)과 유기 화합물층 및 제 2 전극(전자주입 전극)로 이루어질 수 있다.The sub-pixels PX include an organic light emitting diode, a capacitor, first and second switching TFTs, and a driving TFT. Here, the organic light emitting diode may include a first electrode (hole injection electrode), an organic compound layer, and a second electrode (electron injection electrode).
타이밍 제어부(110)는 외부로부터 인가되는 영상 데이터와, 클럭 신호, 수직 및 수평 동기신호 등의 타이밍 신호를 인가 받아 스캔 제어신호(GCS), 데이터 제어신호(DCS) 및 센싱 구동 제어신호(SCS) 등의 제어신호를 생성한다.The
상기 타이밍 제어부(110)는 외부 시스템과 소정의 인터페이스를 통해 연결되어 그로부터 출력되는 영상관련 신호와 타이밍신호를 잡음 없이 고속으로 수신하여 상기의 제어신호들을 생성하게 된다. 이러한 타이밍 제어부(110)는 OLED 표시 장치의 설계 의도에 따라, 데이터 구동부(130)와 일체형 IC로 집적화될 수도 있다.The
특히, 본 발명의 타이밍 제어부(110)는 작업자 또는 사용자의 보상 제어신호(CC)에 따라, 서브-화소(PX) 자체에서 특성 편차에 대한 보상을 수행하도록 제어하거나, 센싱 데이터 출력부(140)를 위한 스위칭을 제어하거나, 기준 전압 공급부(150)를 위한 스위칭을 제어하거나, Ref 펄스 공급부(160)를 위한 스위칭을 제어한다.In particular, the
상기 스캔 구동부(120)는 상기 타이밍 제어부(110)로부터 스캔 제어신호(SCS)에 대응하여 각 스캔 라인(SCL)에 스캔 신호(SCAN)을 순차적으로 인가한다. 이러한 스캔 구동부(120)는 통상의 쉬프트 레지스터로 구현될 수 있다.The
상기 데이터 구동부(130)는 상기 타이밍 제어부(110)로부터 인가되는 디지털 파형의 영상 신호(RGB)를 입력 받아, 서브-화소(PX)가 처리할 수 있는 계조값을 갖는 아날로그 전압형태의 데이터 전압(Vdata)으로 변환하고, 또한 입력되는 데이터 제어신호(DCS)에 대응하여 데이터 전압(Vdata)을 데이터 라인(DL)을 통해 각 화소(PX)에 공급한다.The
상기 센싱 데이터 출력부(140)는 상기 타이밍 제어부(110)의 제어에 따라 OLED 표시 장치의 전원 온/오프 직후 또는 기타 사용자에 의해 지정된 시점에 구동 TFT의 문턱전압(Vth) 및 이동도 특성을 외부보상 방식 및 내부보상 방식에 따라 센싱하고, 센싱된 결과를 출력한다.The sensing
상기 기준 전압 공급부(150)는 구동 TFT의 문턱 전압 및 전자 이동도 특성을 센싱하기 위한 프리차지 전압(기준 전압)을 각 화소의 기준 전압 라인(Ref)에 공급한다.The reference
상기 Ref 펄스 구동부(160)는 구동 TFT의 네가티브 문턱 전압 시프트를 방지하기 위하여 OLED 각 서브-화소에 블랙(Black) 데이터가 기입될 때, 구동 TFT의 소오스 노드에 블랙 데이터 전압보다 더 낮은 전압을 공급한다.The
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 OLED 표시 장치에서, 데이터 구동부, 센싱 데이터 출력부, 기준 전압 공급부 및 Ref 펄스 공급부의 구체적인 구조도이고, 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 OLED 표시 장치의 서브-화소의 회로적 구성도이다.FIG. 3 is a specific structural diagram of a data driver, a sensing data output unit, a reference voltage supply unit, and a Ref pulse supply unit in an OLED display according to an embodiment of the present invention. - is a circuit diagram of a pixel.
상기 데이터 구동부(130)는, 상술한 바와 같이, 상기 타이밍 제어부(110)로부터 인가되는 디지털 파형의 영상 신호(RGB)를 입력 받아, 서브-화소(PX)가 처리할 수 있는 계조값을 갖는 아날로그 전압형태의 데이터 전압(Vdata)으로 변환하고, 또한 입력되는 데이터 제어신호(DCS)에 대응하여 데이터 전압(Vdata)을 각 데이터 라인(DL)을 통해 각 화소(PX)에 공급한다.As described above, the
상기 센싱 데이터 출력부(140)는 상기 타이밍 제어부(110)의 제어에 따라 OLED 표시 장치의 전원 온/오프 직후 또는 기타 사용자에 의해 지정된 시점에 구동 TFT의 문턱전압(Vth) 및 이동도 특성을 외부보상 방식 및 내부보상 방식에 따라 센싱하고, 센싱된 결과를 출력한다.The sensing
이 때, 기준 전압 라인(Ref)를 통해 구동 TFT의 문턱전압(Vth) 및 이동도 특성을 센싱하므로, 센싱 모드에서 각 기준 전압 라인(Ref)과 상기 센싱 데이터 출력부(140) 간을 스위칭하는 복수개의 스위칭 소자(SW1)로 구성되는 제 1 스위칭부(111)를 구비한다.At this time, since the threshold voltage (Vth) and the mobility characteristic of the driving TFT are sensed through the reference voltage line Ref, the switching between the reference voltage lines Ref and the sensing
상기 기준 전압 공급부(150)는 구동 TFT의 문턱 전압 및 전자 이동도 특성을 센싱하는 센싱 모드에서 각 기준 전압 라인(Ref)에 프리차지 전압(기준 전압)을 공급하므로, 센싱 모드에서 각 기준 전압 라인(Ref)과 상기 기준 전압 공급부(150) 간을 스위칭하는 복수개의 스위칭 소자(SW2)로 구성되는 제 2 스위칭부(112)를 구비한다.The
상기 Ref 펄스 구동부(160)는 구동 TFT의 네가티브 문턱 전압 시프트를 방지하기 위하여 OLED 각 서브-화소에 블랙(Black) 데이터가 기입될 때, 구동 TFT의 소오스 노드에 블랙 데이터 전압보다 더 낮은 전압을 공급하기 위한 것으로, 구동 모드에서 각 기준 전압 라인(Ref)과 상기 Ref 펄스 구동부(160) 간을 스위칭하는 복수개의 스위칭 소자(SW3)로 구성되는 제 3 스위칭부(113)를 구비한다.The
여기서, 상기 제 1 내지 제 3 스위칭부(111, 112, 113)는 상기 타이밍 제어부(110) 또는 데이터 구동부(130)에 의해 제어될 수 있다.Here, the first to
이와 같이 구성되는 본 발명의 실시예에 따른 OLED 표시 장치의 서브-화소의 회로적 구성은, 도 4에 도시한 바와 같다.The circuit configuration of the sub-pixel of the OLED display according to the embodiment of the present invention is as shown in FIG.
즉, 본 발명의 실시예에 따른 OLED 표시 장치의 각 서브-화소는, 도 4에 도시한 바와 같이, 유기 발광 다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)와, 상기 유기 발광 다이오드는 구동하는 화소 회로를 구비한다.In other words, each sub-pixel of the OLED display according to the embodiment of the present invention includes an organic light emitting diode (OLED) and a pixel circuit for driving the organic light emitting diode Respectively.
상기 화소 회로는 제 1 및 제 2 스위칭 TFT(T1, T2), 스토리지 커패시터(Cst), 및 구동 TFT(DT)를 포함한다.The pixel circuit includes first and second switching TFTs T1 and T2, a storage capacitor Cst, and a driving TFT DT.
상기 제 1 스위칭 TFT(T1)는 스캔 펄스(Scan)에 응답하여 데이터(DATA) 전압을 상기 스토리지 커패시터(Cst)에 충전한다. 상기 구동 TFT(DT)는 상기 스토리지 커패시터(Cst)에 충전된 데이터 전압에 따라 OLED로 공급되는 전류량을 제어하여 OLED의 발광량을 조절한다. 상기 제 2 스위칭 TFT(T2)는 센싱 신호(Sense)에 응답하여 상기 구동 TFT(DT)의 문턱 전압 및 이동도를 센싱한다.The first switching TFT Tl charges the storage capacitor Cst with a data voltage in response to a scan pulse Scan. The driving TFT DT controls the amount of current supplied to the OLED according to the data voltage charged in the storage capacitor Cst to control the amount of light emitted from the OLED. The second switching TFT T2 senses the threshold voltage and the mobility of the driving TFT DT in response to the sensing signal Sense.
상기 유기 발광 다이오드(OLED)는 제1전극(예: 애노드 전극 또는 캐소드 전극), 유기 발광층 및 제2전극(예: 캐소드 전극 또는 애노드 전극) 등으로 이루어질 수 있다.The organic light emitting diode OLED may include a first electrode (e.g., an anode electrode or a cathode electrode), an organic light emitting layer, and a second electrode (e.g., a cathode electrode or an anode electrode).
상기 스토리지 커패시터(Cst)는 상기 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(gate)과 소오스 전극(source) 사이에 전기적으로 연결되어, 영상 신호 전압에 해당하는 데이터 전압 또는 이에 대응되는 전압을 한 프레임 시간 동안 유지해줄 수 있다. The storage capacitor Cst is electrically connected between a gate electrode of the driving TFT DT and a source electrode so that a data voltage corresponding to a video signal voltage or a voltage corresponding thereto is applied for one frame time I can keep it.
따라서, 상기 제 1 스위칭 TFT(T1)의 게이트 전극은 스캔 펄스(Scan)를 공급하는 스캔 라인(SCL)이 연결되고, 상기 제 1 스위칭 TFT(T1)의 드레인 전극은 데이터 전압(Data)을 공급하는 데이터 라인(DL)이 연결되며, 상기 제 1 스위칭 TFT(T1)의 소오스 전극은 상기 스토리지 커패시터(Cst)의 제 1 전극 및 상기 구동 TFT(DT)의 게이트 전극에 연결된다.The gate electrode of the first switching TFT Tl is connected to a scan line SCL for supplying a scan pulse Scan and the drain electrode of the first switching TFT Tl supplies a data voltage Data And a source electrode of the first switching TFT Tl is connected to a first electrode of the storage capacitor Cst and a gate electrode of the driving TFT DT.
상기 구동 TFT(DT)의 드레인 전극은 제 1 정전압 공급 라인(EVDD)에 연결되고, 상기 구동 TFT(DT)의 소오스 전극은 상기 스토리지 커패시터(Cst)의 제 2 전극 및 상기 유기 발광 다이오드(OLED)의 제 1 전극(애노드)에 연결된다. 상기 유기 발광 다이오드(OLED)의 제 2 전극(캐소드)은 제 2 정전압 공급 라인(EVSS)에 연결된다.A drain electrode of the driving TFT DT is connected to a first constant voltage supply line EVDD and a source electrode of the driving TFT DT is connected to the second electrode of the storage capacitor Cst and the organic light emitting diode OLED. To the first electrode (anode). A second electrode (cathode) of the organic light emitting diode (OLED) is connected to a second constant voltage supply line (EVSS).
상기 제 2 스위칭 TFT(T2)의 게이트 전극은 상기 센싱 신호(Sense)를 공급하는 센싱 라인에 연결되고, 상기 제 2 스위칭 TFT(T2)의 드레인 전극은 상기 구동 TFT(DT)의 소오스 전극에 연결되며, 상기 제 2 스위칭 TFT(T2)의 소오스 전극은 상기 기준 전압 라인(Ref)에 연결된다.A gate electrode of the second switching TFT T2 is connected to a sensing line for supplying the sensing signal Sense and a drain electrode of the second switching TFT T2 is connected to a source electrode of the driving TFT DT. And the source electrode of the second switching TFT T2 is connected to the reference voltage line Ref.
상기 기준 전압 라인(Ref)과 상기 센싱 데이터 출력부(140)는 제 1 스위칭부(111)의 스위치(SW1)를 통해 연결되고, 상기 기준 전압 라인(Ref)과 상기 기준전압 공급부(150)는 제 2 스위칭부(112)의 스위치(SW2)를 통해 연결되며, 상기 기준 전압 라인(Ref)과 상기 Ref 펄스 공급부(160)는 제 3 스위칭부(113)의 스위치(SW3)를 통해 연결된다.The reference voltage line Ref and the sensing
상기 구동 TFT(DT)의 문턱 전압(Vth)을 센싱하는 방법은 구동 TFT(DT)를 소스 팔로워(Source Follower) 방식으로 동작시킨 후 구동 TFT(DT)의 소스 전압을 센싱 전압으로 입력 받고, 이 센싱 전압을 토대로 구동 TFT(DT)의 문턱 전압 변화량을 검출한다. 구동 트랜지스터의 문턱 전압 변화량은 센싱 전압의 크기에 따라 결정되며, 이를 통해 데이터 보상을 위한 옵셋값이 구해진다.A method of sensing the threshold voltage Vth of the driving TFT DT is to operate the driving TFT DT in a source follower manner and then receive the source voltage of the driving TFT DT as a sensing voltage, And detects a threshold voltage change amount of the driving TFT DT based on the sensing voltage. The amount of change in the threshold voltage of the driving transistor is determined according to the magnitude of the sensing voltage, thereby obtaining an offset value for data compensation.
그리고, 각 서브-화소에 블랙(Black) 데이터를 기입할 때, 구동 트랜지스터의 소오스 노드(source)에 블랙 데이터 전압보다 더 낮은 전압을 인가하여 구동 TFT의 네가티브 문턱 전압 시프트를 방지한다.Then, when writing black data to each sub-pixel, a voltage lower than the black data voltage is applied to the source node of the driving transistor to prevent the negative threshold voltage shift of the driving TFT.
이와 같이 구성되는 본 발명의 실시예에 따른 구동 TFT의 문턱 전압 센싱 동작 및 화소의 구동 방법을 설명하면 다음과 같다.The threshold voltage sensing operation and the pixel driving method of the driving TFT according to the embodiment of the present invention will now be described.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 구동 TFT 문턱 전압 센싱 모드의 신호 파형도이다.5 is a signal waveform diagram of a driving TFT threshold voltage sensing mode according to an embodiment of the present invention.
먼저, 본 발명의 실시예에 따른 구동 TFT의 문턱 전압 센싱 동작을 설명하면 다음과 같다.First, the threshold voltage sensing operation of the driving TFT according to the embodiment of the present invention will be described.
서브-화소에 하이 레벨의 스캔 신호(Scan)를 인가하면, 제 1 스위칭 TFT(T1)가 턴-온되고, 데이터 라인(DL)을 통해 데이터 구동부(130)로부터 데이터 전압(Data)이 스토리지 커패시터(Cst) 및 구동 TFT(DT)의 게이트에 인가된다.The first switching TFT T1 is turned on and the data voltage Data is supplied from the
제 2 스위칭 TFT(T2)에 하이 레벨의 센싱 신호(Sense)를 인가하여 상기 제 2 스위칭 TFT(T2)를 턴-온시키고, 상기 제 2 스위칭부(112)의 스위치(SW2)를 턴 온 시키면, 상기 기준 전압 공급부(150)로부터 기준 전압(프리차지 전압)이 상기 기준 전압 라인(Ref)에 공급된다. 이에 따라, 상기 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 데이터 전압(Vdata)과 상기 기준 전압(Vref)의 차 전압에 따라 구동 TFT(DT)가 포화영역에서 구동하게 되어 싱크 전류가 흐르게 된다.A sensing signal Sense of a high level is applied to the second switching TFT T2 to turn on the second switching TFT T2 and turn on the switch SW2 of the
그리고, 상기 제 2 스위칭부(112)의 스위치(SW2)를 턴 오프 시키면, 상기 기준 전압 라인(Ref)의 전압이 포화 영역에 해당하는 전압으로 상승한다. 이후 구동 TFT(DT)의 문턱 전압(Vth)까지 도달하게 되면 상기 기준 전압 라인(Ref)은 포화상태가 된다. 그리고 포화 상태가 되는 시점에서, 센싱 신호(Sense)를 로우 레벨로 인가하고, 상기 제 1 스위칭부(111)의 스위치(SW1)를 턴-온 시키면, 포화 상태의 전압(Vsam)을 샘플링하여 문턱 전압을 센싱하게 된다.When the switch SW2 of the
한편, 본 발명의 실시예에 따라 각 서브-화소에 블랙(Black) 데이터를 기입할 때, 구동 트랜지스터의 소오스 노드(source)에 블랙 데이터 전압보다 더 낮은 전압을 인가하여 구동 TFT의 네가티브 문턱 전압 시프트를 방지하는 동작을 설명하면 다음과 같다.According to an embodiment of the present invention, when black data is written to each sub-pixel, a voltage lower than the black data voltage is applied to the source node of the driving transistor to shift the negative threshold voltage of the driving TFT Will be described below.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 서브-화소의 구동 모드의 신호 파형도이다.6 is a signal waveform diagram of a driving mode of a sub-pixel according to an embodiment of the present invention.
서브-화소에 하이 레벨의 스캔 신호(Scan) 및 하이 레벨의 센싱 신호(Sense)를 인가하면, 상기 제 1 스위칭 TFT(T1) 및 상기 제 2 스위칭 TFT(T2)가 턴-온 된다. 이 때 상기 데이터 구동부(130)로부터 데이터 전압(Data)이 데이터 라인(DL)을 통해 상기 스토리지 커패시터(Cst) 및 상기 구동 TFT(DT)의 게이트에 인가된다.When the high-level scan signal (Scan) and the high-level sensing signal (Sense) are applied to the sub-pixels, the first switching TFT (T1) and the second switching TFT (T2) are turned on. At this time, the data voltage Data is applied from the
그리고, 상기 스캔 신호(Scan) 및 센싱 신호(Sense)를 로우 레벨로 인가하면, 상기 구동 TFT(DT)는 상기 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 데이터 전압(Data)에 따라 OLED로 공급되는 전류량을 제어하여 OLED의 발광량을 조절한다.When the scan signal Scan and the sense signal Sense are applied at a low level, the driving TFT DT controls the amount of current supplied to the OLED according to the data voltage Data stored in the storage capacitor Cst Thereby controlling the amount of emitted light of the OLED.
이 때, 상기 데이터 구동부(130)로부터 상기 데이터 라인(DL)에 공급되는 데이터 전압(Data)이 블랙(black) 데이터 전압일 경우, 상기 제 3 스위칭부(113)의 스위치(SW3)가 턴-온 되어, 상기 구동 TFT(DT)의 소오스 노드(Source)에 상기 블랙(black) 데이터 전압보다 더 낮은 전압을 인가한다. 상기 블랙(black) 데이터 전압보다 더 낮은 전압을 인가하는 기간은 상기 스캔 신호(Scan) 및 센싱 신호(Sense)의 하이 레벨의 시작점에 동기되어 상기 스캔 신호(Scan) 및 센싱 신호(Sense)의 하이 레벨 기간보다 짧다.When the data voltage Data supplied from the
여기서, 상기 블랙(black) 데이터 전압이 "0V"일 경우, 상기 블랙(black) 데이터 전압보다 더 낮은 전압은 약 "-10V" 정도이다.Here, when the black data voltage is " 0 V, " the voltage lower than the black data voltage is about " -10 V ".
이와 같이, 상기 구동 TFT(DT)의 게이트 전극에 상기 블랙(black) 데이터 전압(0V)이 인가될 때, 상기 구동 TFT(DT)의 소오스 전극에 상기 블랙(black) 데이터 전압보다 더 낮은 전압(-10V)이 순간적으로 인가되므로, 상기 구동 TFT의 네가티브 문턱 전압 시프트가 방지된다.As described above, when the black data voltage (0V) is applied to the gate electrode of the driving TFT DT, a voltage lower than the black data voltage is applied to the source electrode of the driving TFT DT -10 V) is momentarily applied, a negative threshold voltage shift of the driving TFT is prevented.
또한, 상기 구동 TFT의 게이트 전극에 블랙(black) 데이터 전압이 기입될 때, 상기 OLED의 제 1 전극(애노드)에 상기 블랙(black) 데이터 전압보다 더 낮은 전압이 인가되므로, 상기 OLED는 구동되지 않는다.Further, when a black data voltage is written to the gate electrode of the driving TFT, a voltage lower than the black data voltage is applied to the first electrode (anode) of the OLED, so that the OLED is not driven Do not.
상기에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 OLED 표시 장치 및 그의 구동 방법에 있어서는, 상기 구동 TFT(DT)의 게이트 전극에 상기 블랙(black) 데이터 전압(0V)이 인가될 때, 상기 구동 TFT(DT)의 소오스 전극에 상기 블랙(black) 데이터 전압보다 더 낮은 전압(-10V)이 순간적으로 인가되므로, 상기 구동 TFT의 네가티브 문턱 전압 시프트가 방지된다.As described above, in the OLED display device and the driving method thereof according to the present invention, when the black data voltage (0V) is applied to the gate electrode of the driving TFT DT, the driving TFT DT (-10 V) lower than the black data voltage is instantaneously applied to the source electrode of the driving TFT, so that the negative threshold voltage shift of the driving TFT is prevented.
더불어, 상기 구동 TFT의 네가티브 문턱 전압 시프트로 인한 화질 저하를 방지할 수 있고, 고 이동도 구동 TFT를 적용할 수 있으므로, 고해상도 및 대면적의 OLED 표시 장치를 구현할 수 있다.In addition, deterioration of image quality due to a negative threshold voltage shift of the driving TFT can be prevented, and a high mobility driving TFT can be applied, thereby realizing a high resolution and large area OLED display device.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the general inventive concept as defined by the appended claims and their equivalents. Will be clear to those who have knowledge of.
100: 표시 패널
110: 타이밍 제어부
120: 스캔 구동부
130: 데이터 구동부
140: 센싱 데이터 출력부
150: 기준 전압 공급부
160: Ref 펄스 공급부
111, 112, 113: 스위칭부100: display panel 110: timing controller
120: scan driver 130:
140: sensing data output unit 150: reference voltage supply unit
160 Ref
Claims (7)
외부로부터 인가되는 영상 데이터와, 클럭 신호, 수직 및 수평 동기신호 등의 타이밍 신호를 인가 받아 스캔 제어신호 및 데이터 제어신호를 생성 출력하는 타이밍 제어부;
상기 타이밍 제어부의 스캔 제어신호에 대응하여 상기 각 스캔 라인들에 스캔 신호를 순차적으로 인가하는 스캔 구동부;
상기 타이밍 제어부의 영상 신호를 입력 받아 아날로그 데이터 전압으로 변환하고, 상기 아날로그 데이터 전압을 각 데이터 라인에 공급하는 데이터 구동부;
상기 기준 전압 라인들에 블랙 데이터 전압 보다 더 낮은 전압을 공급하는 Ref 펄스 공급부; 및
구동 모드에서 상기 기준 전압 라인들과 상기 Ref 펄스 구동부 간을 스위칭하는 제 3 스위칭부를 구비하는 OLED 표시 장치.A display panel having a plurality of scan lines and data lines crossing each other such that a plurality of pixels are defined on a substrate, and a plurality of reference voltage lines for sensing a threshold voltage and an electron mobility of each pixel;
A timing controller for receiving image data and a timing signal such as a clock signal, a vertical and horizontal sync signal, and generating and outputting a scan control signal and a data control signal;
A scan driver sequentially applying a scan signal to the scan lines in response to a scan control signal of the timing controller;
A data driver for receiving a video signal of the timing controller and converting the analog video data into an analog data voltage and supplying the analog data voltage to each data line;
A Ref pulse supply unit supplying a voltage lower than the black data voltage to the reference voltage lines; And
And a third switching unit for switching between the reference voltage lines and the Ref pulse driving unit in a driving mode.
상기 기준 전압 라인들을 통해 구동 TFT의 문턱전압 및 이동도 특성을 센싱하여 출력하는 센싱 데이터 출력부;
상기 기준 전압 라인들에 기준 전압을 공급하는 기준 전압 공급부;
센싱 모드에서 상기 기준 전압 라인들과 상기 센싱 데이터 출력부 간을 스위칭하는 제 1 스위칭부;
센싱 모드에서 상기 기준 전압 라인들과 상기 기준 전압 공급부 간을 스위칭하는 제 2 스위칭부를 더 구비한 OLED 표시 장치.The method according to claim 1,
A sensing data output unit for sensing and outputting a threshold voltage and a mobility characteristic of the driving TFT through the reference voltage lines;
A reference voltage supply unit for supplying a reference voltage to the reference voltage lines;
A first switching unit for switching between the reference voltage lines and the sensing data output unit in a sensing mode;
And a second switching unit for switching between the reference voltage lines and the reference voltage supply unit in a sensing mode.
상기 제 3 스위칭부는, 상기 타이밍 제어부 또는 데이터 구동부에 의해 제어되어, 상기 데이터 라인에 블랙 데이터가 공급될 때 턴-온되어 상기 Ref 펄스 공급부에서 공급되는 상기 블랙 데이터 전압 보다 더 낮은 전압을 상기 기준 전압 라인에 공급하는 OLED 표시 장치.The method according to claim 1,
Wherein the third switching unit is controlled by the timing control unit or the data driving unit to turn on when the black data is supplied to the data line and output a voltage lower than the black data voltage supplied from the Ref pulse supply unit to the reference voltage OLED display to supply to the line.
상기 표시 패널의 서브-화소는,
게이트 전극이 상기 스캔 라인들 중 하나에 연결되고, 드레인 전극이 상기 데이터 라인들 중 하나에 연결되며, 소오스 전극은 스토리지 커패시터의 제 1 전극 및 구동 TFT의 게이트 전극에 연결되는 제 1 스위칭 TFT와,
드레인 전극은 제 1 정전압 공급 라인에 연결되는 구동 TFT와,
제 1 전극은 상기 구동 TFT의 소오스 전극 및 상기 스토리지 커패시터의 제 2 전극에 연결되고, 제 2 전극은 제 2 정전압 공급 라인에 연결되는 유기 발광 다이오드와,
게이트 전극은 센싱 라인에 연결되고, 드레인 전극은 상기 구동 TFT의 소오스 전극에 연결되며, 소오스 전극은 상기 기준 전압 라인들 중 하나에 연결되는 제 2 스위칭 TFT와,
상기 기준 전압 라인들 중 하나와 상기 센싱 데이터 출력부 사이에 연결되는 제 1 스위치와,
상기 기준 전압 라인들 중 하나와 상기 기준전압 공급부 사이에 연결되는 제 2 스위치와,
상기 기준 전압 라인들 중 하나와 상기 Ref 펄스 공급부 사이에 연결되는 제 3 스위치를 구비한 OLED 표시 장치.The method according to claim 1,
The sub-pixel of the display panel includes:
A first switching TFT having a gate electrode connected to one of the scan lines, a drain electrode connected to one of the data lines, a source electrode connected to a first electrode of the storage capacitor and a gate electrode of the driving TFT,
The drain electrode includes a driving TFT connected to the first constant voltage supply line,
An organic light emitting diode having a first electrode connected to a source electrode of the driving TFT and a second electrode of the storage capacitor, and a second electrode connected to a second constant voltage supply line;
A second switching TFT having a gate electrode connected to a sensing line, a drain electrode connected to a source electrode of the driving TFT, and a source electrode connected to one of the reference voltage lines,
A first switch coupled between one of the reference voltage lines and the sensing data output;
A second switch connected between one of the reference voltage lines and the reference voltage supply,
And a third switch connected between one of the reference voltage lines and the Ref pulse supply unit.
상기 제 3 스위치는, 상기 타이밍 제어부 또는 상기 데이터 구동부에 의해 제어되어, 상기 데이터 라인에 블랙 데이터가 공급될 때 턴 온되어 상기 Ref 펄스 공급부에서 공급되는 상기 블랙 데이터 전압 보다 더 낮은 전압을 상기 기준 전압 라인들 중 하나에 공급하는 OLED 표시 장치.5. The method of claim 4,
Wherein the third switch is turned on when black data is supplied to the data line and is controlled by the timing control unit or the data driver so that a voltage lower than the black data voltage supplied from the Ref pulse supply unit is supplied to the reference voltage Lt; RTI ID = 0.0 > OLED < / RTI > display.
상기 데이터 전압으로 블랙 데이터 전압이 기입될 때, 상기 구동 TFT의 소오스 노드에 상기 블랙 데이터 전압보다 더 낮은 전압을 인가하는 OLED 표시 장치의 구동 방법.An organic light emitting diode, a first switching TFT for charging a data voltage into a storage capacitor in response to a scan pulse, a driving TFT for controlling an amount of current supplied to the organic light emitting diode in accordance with a data voltage charged in the storage capacitor, And a second switching TFT for sensing a threshold voltage and a mobility of the driving TFT in response to a scan signal (Sense), the method comprising:
Wherein a voltage lower than the black data voltage is applied to a source node of the driving TFT when a black data voltage is written into the data voltage.
상기 블랙 데이터 전압보다 더 낮은 전압은 상기 스캔 신호 및 상기 센싱 신호의 하이 레벨 기간보다 더 짧은 기간에 인가되는 OLED 표시 장치의 구동 방법.The method according to claim 6,
Wherein a voltage lower than the black data voltage is applied for a period shorter than a high level period of the scan signal and the sensing signal.
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