KR20190056670A - Electroluminescence display device - Google Patents

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KR20190056670A KR1020170153863A KR20170153863A KR20190056670A KR 20190056670 A KR20190056670 A KR 20190056670A KR 1020170153863 A KR1020170153863 A KR 1020170153863A KR 20170153863 A KR20170153863 A KR 20170153863A KR 20190056670 A KR20190056670 A KR 20190056670A
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Abstract

According to an embodiment of the present invention, an electroluminescent display device can comprise: a thin film transistor on a substrate; an organic film on the thin film transistor; a first electrode disposed on the organic film, and connected to the thin film transistor through a contact hole of the organic film; a bank layer disposed on the organic film, and covering at least one side surface of the first electrode; a light emitting structure on the first electrode and the bank layer; a second electrode on the light emitting structure; and a penetration delay film located between the bank layer and the light emitting structure, and having at least one hole. Therefore, an objective of the present invention is to prevent outgas generated from an organic film from penetrating into a light emitting structure in a light emitting region by configuring at least one blocking film made of an inorganic material between the light emitting structure and the organic film of the electroluminescent display device, thereby preventing the reduction of a lifespan of the light emitting display device.

Description

전계 발광 표시 장치{ELECTROLUMINESCENCE DISPLAY DEVICE}ELECTROLUMINESCENCE DISPLAY DEVICE [0002]

본 발명은 전계 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 아웃 개싱에 의한 발광구조물의 수명 저하를 줄일 수 있는 전계 발광 표시 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electroluminescence display device, and more particularly, to an electroluminescence display device capable of reducing a lifetime of a light emitting structure by outgassing.

전계 발광 표시 장치는 자체 발광형 표시 장치로서, 전자(electron) 주입을 위한 전극(cathode)과 정공(hole) 주입을 위한 전극(anode)으로부터 각각 전자와 정공을 발광층 내부로 주입시켜, 주입된 전자와 정공이 결합한 엑시톤(exciton)이 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어질 때 발광하는 발광 소자를 이용한 표시 장치이다.An electroluminescent display device is a self-emission type display device in which electrons and holes are injected into the light-emitting layer from an electrode for injecting electrons and an anode for injecting holes, And a light emitting element that emits light when an exciton coupled with holes falls from an excited state to a ground state.

전계 발광 표시 장치는 빛이 방출되는 방향에 따라서 상부 발광(Top Emission) 방식, 하부 발광(Bottom Emission) 방식 및 양면 발광(Dual Emission) 방식 등으로 나누어지고, 구동 방식에 따라서는 수동 매트릭스형(Passive Matrix)과 능동 매트릭스형(Active Matrix) 등으로 나누어질 수 있다.The electroluminescent display device is divided into a top emission method, a bottom emission method, and a dual emission method according to a direction in which light is emitted, and the passive matrix type Matrix) and an active matrix (active matrix).

전계 발광 표시 장치는 액정 표시 장치(LCD)와는 달리 별도의 광원이 필요하지 않아 경량 박형으로 제조가 가능하다. 또한, 전계 발광 표시 장치는 저전압 구동에 의해 소비 전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 색상 구현, 응답 속도, 시야각, 명암비(contrast ratio: CR)도 우수하여, 차세대 디스플레이 장치로서 연구되고 있다.Unlike a liquid crystal display (LCD), an electroluminescent display device does not require a separate light source, and can be manufactured in a thin and lightweight form. In addition, the electroluminescent display device is not only advantageous from the viewpoint of power consumption by low voltage driving, but also has excellent hue, response speed, viewing angle, and contrast ratio (CR) and is being studied as a next generation display device.

전계 발광 표시 장치의 사용 목적에 따라 전계 발광 표시 장치가 외부에서 장시간 사용되는 경우, 외부 광에 전계 발광 표시 장치가 장시간 노출될 수 있다.When the electroluminescent display device is used from outside for a long time according to the use purpose of the electroluminescent display device, the electroluminescent display device may be exposed to external light for a long time.

전계 발광 표시 장치가 자연광에 포함된 자외선(Ultra Violet: UV)에 지속적으로 노출되는 경우, 전계 발광 표시 장치 내에서 아웃 가스(out-gas)가 발생하면서 이로 인해 전계 발광 표시 장치의 성능이 떨어질 수 있다.When the electroluminescent display device is continuously exposed to ultraviolet (UV) included in natural light, out-gas is generated in the electroluminescent display device, thereby deteriorating the performance of the electroluminescent display device have.

특히, 전계 발광 표시 장치의 발광구조물와 인접하여 위치한 복수의 유기물층에서 발생한 아웃 가스(out-gas)에 의해 전계 발광 표시 장치의 발광구조물이 손상되면서 전계 발광 표시 장치의 수명이 저하되는 문제가 발생할 수 있다.Particularly, out-of-gas generated from a plurality of organic layers disposed adjacent to the light emitting structure of the electroluminescence display device may damage the light emitting structure of the electroluminescence display device, resulting in deterioration of the lifetime of the electroluminescence display device .

이에 본 발명의 발명자는 아웃 가스에 의한 발광구조물의 수명 저하를 줄일 수 있는 전계 발광 표시 장치를 발명하였다. Accordingly, the inventor of the present invention invented an electroluminescent display device capable of reducing the lifetime of a light emitting structure due to outgas.

본 발명의 실시예에 따른 해결 과제는 전계 발광 표시 장치의 발광구조물과 유기막 사이에 무기 물질로 이루어진 적어도 하나의 차단막을 구성함으로써, 유기막에서 발생되는 아웃 가스가 발광영역의 발광구조물로 침투하는 것을 방지하여 전계 발광 표시 장치의 수명의 저하를 줄일 수 있는 것을 목적으로 한다.A problem to be solved according to an embodiment of the present invention is to provide at least one blocking layer made of an inorganic material between the light emitting structure and the organic layer of the electroluminescence display device so that the outgas generated in the organic layer penetrates into the light emitting structure And the lifetime of the electroluminescent display device can be reduced.

본 발명의 다른 실시예에 따른 해결 과제는 전계 발광 표시 장치의 발광구조물과 유기막의 사이에, 무기 물질로 이루어지며 적어도 하나의 홀을 가지는 침투 지연막을 구성함으로써, 유기막에서 발생되는 아웃 가스가 발광영역의 발광구조물로 침투하는 경로가 길어지도록 하므로 전계 발광 표시 장치의 수명 저하를 줄일 수 있는 것을 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a light-emitting device and a method of fabricating the same, which can prevent the outgas generated in the organic layer from being emitted The length of the path of penetration into the light emitting structure of the region is made long, thereby reducing the lifetime of the electroluminescence display device.

본 발명의 실시예에 따른 해결 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The solutions according to the embodiments of the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치는 기판 상의 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터 상의 유기막, 유기막 상에 배치되고 유기막의 컨택홀을 통하여 박막 트랜지스터와 연결된 제 1 전극, 유기막상에 배치되며 제 1 전극의 적어도 일측면을 덮는 뱅크층, 제 1 전극 및 뱅크층 상에 있는 발광 구조물, 발광 구조물 상에 있는 제 2 전극, 및 뱅크층과 발광 구조물 사이에 위치하며, 적어도 하나의 홀을 가지는 침투 지연막을 포함할 수 있다.An electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention includes a thin film transistor on a substrate, an organic film on the thin film transistor, a first electrode disposed on the organic film and connected to the thin film transistor through the contact hole of the organic film, A liquid crystal display comprising: a bank layer covering at least one side of an electrode; a light emitting structure on the first electrode and the bank layer; a second electrode on the light emitting structure; and a liquid crystal layer disposed between the bank layer and the light emitting structure, Film.

그리고 발명의 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치는 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 정공 수송층, 전자 수송층, 및 발광층으로 이루어진 발광 구조물을 포함하고, 발광 구조물의 하부에 배치된 유기물층에서 발생한 아웃 가스(out-gas)에 의해 발광 구조물의 수명이 저하되지 않도록 발광 구조물의 하부에 적어도 하나 이상의 홀을 구비한 차단막을 포함할 수 있다.An electroluminescent display according to an embodiment of the present invention includes a light emitting structure including a hole transporting layer, an electron transporting layer, and a light emitting layer between a first electrode and a second electrode. The outgas and a barrier film having at least one or more holes in the lower portion of the light-emitting structure so that the life of the light-emitting structure is not deteriorated by out-gas.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.The details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 발명의 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치는 발광구조물과 유기막 사이에 구성된 적어도 하나의 차단막을 구성함으로써, 유기막에서 발생하는 아웃 가스에 의한 음전하가 발광구조물로 이동하는 것을 차단할 수 있으므로, 전계 발광 표시 장치의 수명이 향상될 수 있다.The electroluminescent display device according to the embodiment of the present invention can prevent the negative charge due to outgas generated in the organic film from moving to the light emitting structure by constructing at least one blocking film formed between the light emitting structure and the organic film, The lifetime of the light emitting display device can be improved.

그리고, 본 발명의 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치는 발광구조물과 유기막 사이에 배치된 차단막을 구성함으로써, 유기막에서 발생하는 아웃 가스의 침투를 차단하여 아웃 가스의 침투에 의한 발광구조물을 보호할 수 있으므로, 전계 발광 표시 장치의 성능 및 신뢰성이 개선될 수 있다.In addition, the electroluminescent display device according to the embodiment of the present invention includes a barrier film disposed between the light emitting structure and the organic film to prevent penetration of outgas generated in the organic film, thereby protecting the light emitting structure due to penetration of outgas The performance and reliability of the electroluminescent display device can be improved.

그리고, 본 발명의 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치는 발광구조물과 유기막 사이에 배치되고 적어도 하나의 홀을 가지는 침투 지연막을 구성함으로써, 침투 지연막에 의해 유기막에서 발생하는 아웃 가스의 침투 경로를 길어지도록 하므로, 전계 발광 표시 장치의 수명이 향상 될 수 있다.An electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention includes a penetration retarding film disposed between a light emitting structure and an organic film and having at least one hole, so that the penetration path of the outgas generated in the organic film by the penetration retarding film The lifetime of the electroluminescence display device can be improved.

그리고, 본 발명의 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치는 발광구조물과 유기막 사이에 배치되고 적어도 하나의 홀을 가지는 침투 지연막을 구성함으로써, 유기막에서 발생하는 아웃 가스가 발광 구조물을 형성하기 위한 공정 시 외부로 빠져 나갈 수 있도록 할 수 있다. 따라서, 아웃 가스에 의한 침투 지연막의 들뜸을 방지할 수 있으므로, 전계 발광 표시 장치의 성능 및 신뢰성이 개선될 수 있다.An electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention includes a penetration retarding film disposed between a light emitting structure and an organic film and having at least one hole, so that outgas generated in the organic film forms a light emitting structure It is possible to get out of the city. Therefore, lifting of the penetration retardation film by outgas can be prevented, so that the performance and reliability of the electroluminescence display device can be improved.

본 발명의 효과는 이상에서 언급한 효과에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과는 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the effects mentioned above, and other effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

이상에서 해결하고자 하는 과제, 과제 해결 수단, 효과에 기재한 발명의 내용이 청구항의 필수적인 특징을 특정하는 것은 아니므로, 청구항의 권리 범위는 발명의 내용에 기재된 사항에 의하여 제한되지 않는다.The scope of the claims is not limited by the matters described in the contents of the invention, as the contents of the invention described in the problems, the solutions to the problems and the effects to be solved do not specify essential features of the claims.

도 1은 아웃 가스에 의한 전계 발광 표시 장치의 수명 저하 현상을 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 단면 구조를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 발광구조물의 단면 구조를 확대한 도면이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 단면 구조를 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 단면 구조를 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 단면 구조를 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 단면 구조를 나타내는 도면이다.1 is a schematic cross-sectional view for explaining a lifetime degradation phenomenon of an electroluminescent display device by outgas.
2 is a cross-sectional view illustrating an electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention.
3 is an enlarged view of a cross-sectional structure of a light emitting structure of an electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view illustrating an electroluminescent display device according to another embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view illustrating an electroluminescent display device according to another embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view illustrating an electroluminescent display device according to another embodiment of the present invention.
7 is a cross-sectional view illustrating an electroluminescent display device according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention and the manner of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. It should be understood, however, that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but is capable of many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, To fully disclose the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.The shapes, sizes, ratios, angles, numbers, and the like disclosed in the drawings for describing the embodiments of the present invention are illustrative, and thus the present invention is not limited thereto. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail. Where the terms "comprises", "having", "done", and the like are used in this specification, other portions may be added unless "only" is used. Unless the context clearly dictates otherwise, including the plural unless the context clearly dictates otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다. 위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In interpreting the constituent elements, it is construed to include the error range even if there is no separate description. In the case of a description of the positional relationship, for example, if the positional relationship between two parts is described as 'on', 'on top', 'under', and 'next to' Or " direct " is not used, one or more other portions may be located between the two portions.

또한 제 1, 제 2 등이 다양한 구성 요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성 요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1 구성 요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제 2 구성 요소일 수도 있다.Also, the first, second, etc. are used to describe various components, but these components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one component from another. Therefore, the first component mentioned below may be the second component within the technical spirit of the present invention.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.It is to be understood that each of the features of the various embodiments of the present invention may be combined or combined with each other, partially or wholly, technically various interlocking and driving, and that the embodiments may be practiced independently of each other, It is possible.

이하, 도면을 참조하여 본 발명에 대해 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1은 아웃 가스(out-gas)에 의한 전계 발광 표시 장치의 수명 저하 현상을 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view for explaining a lifetime degradation phenomenon of an electroluminescent display device by an out-gas.

도 1을 참조하면, 전계 발광 표시 장치(10)는 기판의 상부를 평탄화하는 평탄화층(34), 발광층(53)에 정공을 공급하는 애노드(40), 발광층(53)을 포함하는 발광구조물(50), 발광층(53)에 전자를 공급하는 캐소드(60)가 적층되어 있고, 인접하여 위치하는 복수의 서브 화소들을 구분하기 위한 뱅크층(45)을 포함할 수 있다. 1, an electroluminescent display 10 includes a planarization layer 34 for planarizing an upper portion of a substrate, an anode 40 for supplying holes to the light emitting layer 53, a light emitting structure A cathode layer 60 for supplying electrons to the light emitting layer 53, and a bank layer 45 for separating a plurality of adjacent sub-pixels.

도 1을 참조하면, 발광구조물(50)은 정공 주입층(51), 정공 수송층(52), 전자 수송층(54) 및 발광층(53)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the light emitting structure 50 may include a hole injection layer 51, a hole transport layer 52, an electron transport layer 54, and a light emitting layer 53.

그리고, 도 1에 도시된 바와 같이, 뱅크층(45)은 발광영역(EA) 및 비 발광영역(NEA)을 구분할 수 있다. 발광영역(EA)은 발광구조물(50)의 최하부층과 애노드(40)가 직접 접촉하고 있는 영역으로, 비 발광영역(NEA)은 발광구조물(50)의 최하부층과 애노드(40)가 직접 접촉하고 있지 않은 영역으로 정의될 수 있다. 예를 들면, 도 1을 참조하면, 발광 구조물(50)의 정공 주입층(51)과 애노드(40)가 직접 접촉하고 있는 영역은 발광영역(EA)으로 정의되고, 그 외 영역은 비 발광영역(NEA)으로 정의될 수 있다. 전계 발광 표시 장치(10)가 장시간 UV에 노출되는 경우, 발광구조물(50) 또는 애노드(40)와 인접하는 유기막층으로부터 발생한 아웃 가스(out-gas)에 의해 발광영역(EA)의 발광구조물(50)이 손상을 받을 수 있다.As shown in FIG. 1, the bank layer 45 can distinguish the light emitting region EA and the non-light emitting region NEA. The light emitting region EA is a region where the lowermost layer of the light emitting structure 50 and the anode 40 are in direct contact with each other and the non-emitting region NEA is a region where the lowermost layer of the light emitting structure 50 and the anode 40 are in direct contact And can be defined as an area that is not in the area. 1, a region in which the hole injection layer 51 of the light emitting structure 50 is in direct contact with the anode 40 is defined as a light emitting region EA, and the other region is defined as a non- (NEA). When the electroluminescent display device 10 is exposed to UV for a long time, the light emitting structure 50 of the light emitting area EA is formed by an out-gas generated from the organic film layer adjacent to the light emitting structure 50 or the anode 40 50) may be damaged.

예를 들면, 발광구조물(50)의 하부에 배치된 평탄화층(34)은 폴리이미드(Polyimide, PI) 또는 아크릴(acryl)과 같은 유기 물질로 구성된다. 이러한 폴리이미드 또는 아크릴과 같은 유기 물질은 자외선(Ultra Violet:UV) 조사에 의해 NMP(N-Methyl-2-Pyrrolidone), 헥산니트릴(Hexanitrile)과 같은 부분적으로 음전하를 띄는 가스 화합물(70)을 형성한다.For example, the planarizing layer 34 disposed under the light emitting structure 50 is composed of an organic material such as polyimide (PI) or acryl. Such an organic material such as polyimide or acrylic forms a partially negatively charged gaseous compound 70 such as N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) or hexanitrile by ultra violet (UV) do.

헥산니트릴의 나이트릴기(-CN)는 양전하가 탄소 원자들로 가로막혀 있고 음전하가 외곽으로 돌출되어 있는 전하 분포(charge distribution)를 가지고 있다. 이러한 음전하를 띄는 가스 화합물(70)은 평탄화층(34)으로부터 밖으로 배출되는데, 도 1에 도시한 것과 같이 가스 화합물(70)은 인접하여 위치하는 뱅크층(45)을 통해서 발광영역(EA)의 발광구조물(50)과 반응할 수 있다. The nitrile group (-CN) of hexanenitrile has a charge distribution where the positive charge is interrupted by carbon atoms and the negative charge protrudes to the outside. The gaseous compound 70 having a negative charge is discharged from the planarization layer 34 to the outside of the light emitting region EA through the bank layer 45 located adjacent to the gaseous compound 70 as shown in FIG. May react with the light emitting structure 50.

그리고, 가스 화합물(70)은 발광구조물(50) 중 최하단에 위치하고 뱅크층(45)과 인접하여 배치된 정공 주입층(51)을 구성하는 양전하를 띄는 화합물과 반응할 수도 있다. 이러한 가스 화합물(70)과의 반응에 의해 정공 주입층(51)을 이루는 물질들은 양전하를 잃게 되고, 발광층(53)으로 원활하게 정공을 주입할 수 없게 된다.The gaseous compound 70 may react with a positively charged compound constituting the hole injection layer 51 located at the lowermost end of the light emitting structure 50 and disposed adjacent to the bank layer 45. Due to the reaction with the gaseous compound 70, the materials forming the hole injection layer 51 lose positive charge, and holes can not be injected into the light emitting layer 53 smoothly.

이와 같이, 전계 발광 표시 장치(10)에 강한 자외선(UV)이 조사되거나 또는 전계 발광 표시 장치가 장시간 자외선(UV)에 노출되는 경우, 정공 주입층(51)에서 발광층(53)으로 정공의 주입 성능이 저하되면서 구동 전압 증가, 휘도 감소 및 수명 저하와 같은 전계 발광 표시 장치의 성능이 저하되는 문제가 발생할 수 있다.When strong ultraviolet rays are irradiated to the electroluminescence display device 10 or when the electroluminescence display device is exposed to ultraviolet rays for a long time as described above, injection of holes from the hole injection layer 51 into the light emitting layer 53 There is a possibility that the performance of the electroluminescent display device such as the driving voltage increase, the luminance decrease, and the lifetime decrease may be deteriorated.

또한, 전계 발광 표시 장치에 포함된 발광 소자의 수명의 경우, 정공과 전자가 재결합하여 엑시톤을 형성하여 발광하는 재결합 영역(recombination zone)의 위치에 따라 영향을 받을 수 있다.The lifetime of the light emitting device included in the electroluminescence display device may be influenced by the position of the recombination zone where the holes and electrons are recombined to form excitons to emit light.

전계 발광 표시 장치는 애노드(40)에서 형성된 정공과 캐소드(60)에서 형성된 전자가 발광층(53)으로 이동하고, 발광층(53)에서 정공과 전자가 재결합하여 엑시톤을 형성함으로써 빛을 발광한다. 여기서 재결합 영역은 발광층(53) 내 정공과 전자가 재결합하여 엑시톤이 형성되는 영역을 의미할 수 있다.In the electroluminescent display device, the holes formed in the anode 40 and the electrons formed in the cathode 60 move to the light emitting layer 53, and the light is emitted by recombining the holes and electrons in the light emitting layer 53 to form excitons. Here, the recombination region may refer to a region where holes and electrons in the light emitting layer 53 recombine to form excitons.

도 1을 참조하면, 외부광을 통해 전계 발광 표시 장치에 강한 자외선(UV)이 조사되거나 전계 발광 표시 장치가 장시간 자외선(UV)에 노출되는 경우, 상술한 바와 같이, 발광구조물(50) 하부에 배치된 평탄화층(34)에서 발생한 아웃 가스에 의해 정공 주입층(51)이 손상을 받아 정공 주입 성능이 저하된다.Referring to FIG. 1, when a strong ultraviolet (UV) light is applied to an electroluminescence display device through external light or an electroluminescent display device is exposed to ultraviolet rays for a long time, The hole injection layer 51 is damaged by the outgas generated in the disposed planarization layer 34, and the hole injection performance is deteriorated.

이와 같이 발광구조물에서 정공 주입 특성이 떨어지는 경우, 정공과 전자의 재결합 영역이 발광층(53) 내에서 정공 주입층(51) 쪽에 가깝게 형성된다. 이러한 경우, 재결합 영역이 발광층 내 중앙부에 형성되는 경우와 대비할 때 엑시톤들이 더 빨리 소멸되어 전계 발광 표시 장치의 수명이 저하될 수 있다.When the hole injection characteristics are deteriorated in the light emitting structure, a recombination region of holes and electrons is formed in the light emitting layer 53 close to the hole injection layer 51 side. In this case, the excitons can be extinguished more quickly compared with the case where the recombination region is formed at the center of the light emitting layer, so that the lifetime of the electroluminescence display device may be reduced.

특히 인광 재료의 발광층인 경우, 엑시톤 충돌에 의한 삼중항-삼중항 소멸(triplet-triplet annihilation, TTA)이 빠르게 진행되어 열화가 일어날 수 있다. 과도하게 빠른 엑시톤 간의 충돌로 인해, 동일한 구동 전압에서 발광 가능한 여기된 엑시톤의 수가 현저히 감소하게 되어 전계 발광 표시 장치의 수명이 저하될 수 있다.Particularly, in the case of a light-emitting layer of a phosphorescent material, triplet-triplet annihilation (TTA) due to exciton collision may rapidly proceed and deterioration may occur. Due to the collision between the excessively fast excitons, the number of the excited excitons that can emit light at the same driving voltage is considerably reduced, and the lifetime of the electroluminescent display device may be reduced.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 단면 구조를 나타내는 도면이다.2 is a cross-sectional view illustrating an electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치(200)는 기판(210), 기판(210) 상에 위치하는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, 220) 및 제 1 전극(240)과 제 2 전극(260) 사이에 위치하는 발광층(Light Emitting Layer)을 포함하는 발광구조물(250)을 포함하여 구성된다. 2, an electroluminescent display 200 according to an exemplary embodiment of the present invention includes a substrate 210, a thin film transistor 220 disposed on the substrate 210, and a first electrode 240 And a light emitting structure 250 disposed between the first electrode 260 and the second electrode 260.

전계 발광 표시 장치(200)는 복수의 서브 화소(sub pixel)를 포함한다. 서브 화소는 실제 빛이 발광되는 최소 단위의 영역을 말한다. 또한, 복수의 서브 화소가 모여 백색의 광을 표현할 수 있는 최소의 군으로 이루어질 수 있으며, 예를 들어, 세 개의 서브 화소가 하나의 군으로서, 적색 서브 화소, 녹색 서브 화소 및 청색 화소 서브가 하나의 군을 이룰 수 있다. 그러나, 이에 한정된 것은 아니며, 다양한 서브 화소 설계가 가능하다. 도 2에서는 설명의 편의를 위해 전계 발광 표시 장치(200)의 복수의 서브 화소 중 하나의 서브 화소만을 도시하였다.The electroluminescent display device 200 includes a plurality of sub pixels. The sub-pixel is a minimum unit area in which the actual light is emitted. In addition, a plurality of sub-pixels may be gathered to form a minimum group capable of expressing white light. For example, three sub-pixels may be a group, and a red sub-pixel, a green sub- Of the population. However, the present invention is not limited thereto, and various sub-pixel designs are possible. In FIG. 2, only one sub-pixel among a plurality of sub-pixels of the electroluminescent display 200 is illustrated for convenience of explanation.

기판(210)은 전계 발광 표시 장치(200)의 다양한 구성 요소들을 지지하기 위한 것으로 절연 물질로 형성된다. 예를 들어서, 기판(210)은 글래스(Glass) 뿐만 아니라, PET(Polyethylene Terephthalate), PEN(Polyethylene Naphthalate), 폴리이미드(Polyimide) 등의 플라스틱 기판 등으로 이루어질 수 있다.The substrate 210 is formed of an insulating material for supporting various elements of the EL display device 200. For example, the substrate 210 may be formed of a plastic substrate such as PET (polyethylene terephthalate), PEN (polyethylene naphthalate), polyimide, or the like as well as glass.

기판(210) 상에는 기판(210) 및 외부로부터의 불순 원소의 침투를 차단하고 전계 발광 표시 장치(200)의 다양한 구성 요소들을 보호하기 위한 버퍼층(231)이 형성될 수 있다. 버퍼층(231)은 예를 들어 실리콘 산화막(SiOx) 또는 실리콘 질화막(SiNx)의 단일층 또는 복수층 구조로 형성될 수 있다. 버퍼층(231)은 전계 발광 표시 장치(200)의 구조나 특성에 따라 생략될 수도 있다.A buffer layer 231 may be formed on the substrate 210 to block penetration of impurities from the substrate 210 and the outside and to protect various components of the electroluminescent display device 200. The buffer layer 231 may be formed as a single layer or a multilayer structure of, for example, a silicon oxide film (SiOx) or a silicon nitride film (SiNx). The buffer layer 231 may be omitted depending on the structure and characteristics of the electroluminescence display device 200. [

버퍼층(231) 상에는 반도체층(222), 게이트 절연층(232), 게이트 전극(221), 층간 절연층(233), 소스 전극(223) 및 드레인 전극(224)을 포함하는 박막 트랜지스터(220)가 형성된다.A thin film transistor 220 including a semiconductor layer 222, a gate insulating layer 232, a gate electrode 221, an interlayer insulating layer 233, a source electrode 223, and a drain electrode 224 is formed on the buffer layer 231, .

예를 들면, 기판(210) 상에 반도체층(222)이 형성되고, 반도체층 (222) 상에 반도체층(222)과 게이트 전극(221)을 절연시키기 위한 게이트 절연층(232)이 형성된다. 게이트 전극(221) 상에는 게이트 전극(221)과 소스 전극(223) 및 드레인 전극(224)을 절연시키기 위한 층간 절연층(233)이 형성된다. 층간 절연층(233) 상에는 반도체층(222)과 각각 접하는 소스 전극(223) 및 드레인 전극(224)이 형성된다. 소스 전극(223) 및 드레인 전극(224)은 컨택홀을 통해 반도체층(222)과 전기적으로 연결된다.A semiconductor layer 222 is formed on the substrate 210 and a gate insulating layer 232 for insulating the semiconductor layer 222 and the gate electrode 221 is formed on the semiconductor layer 222 . An interlayer insulating layer 233 for insulating the gate electrode 221 from the source electrode 223 and the drain electrode 224 is formed on the gate electrode 221. A source electrode 223 and a drain electrode 224 which are in contact with the semiconductor layer 222 are formed on the interlayer insulating layer 233, respectively. The source electrode 223 and the drain electrode 224 are electrically connected to the semiconductor layer 222 through the contact hole.

반도체층(222)은 비정질 실리콘(amorphous silicon: a-Si), 다결정 실리콘(polycrystalline silicon: poly-Si), 산화물(oxide) 반도체 또는 유기물 (organic) 반도체 등으로 형성될 수 있다. 반도체층(222)이 산화물 반도체로 이루어지는 경우, IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), ZTO(Zinc Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 또는 ITZO(Indium Tin Zinc Oxide) 중 어느 하나의 물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The semiconductor layer 222 may be formed of an amorphous silicon (a-Si), a polycrystalline silicon (poly-Si), an oxide semiconductor, an organic semiconductor, or the like. When the semiconductor layer 222 is made of an oxide semiconductor, it may be made of any one of indium gallium zinc oxide (IGZO), zinc tin oxide (ZTO), indium zinc oxide (IZO), and indium tin zinc oxide But is not limited thereto.

게이트 절연층(232)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 등과 같은 무기 절연 물질 이루어진 단일층 또는 복수층 구조로 형성될 수 있다.The gate insulating layer 232 may be formed of a single layer or a multilayer structure of an inorganic insulating material such as a silicon oxide film (SiOx), a silicon nitride film (SiNx), or the like.

게이트 전극(221)은 게이트 신호를 박막 트랜지스터(220)에 전달하는 기능을 수행하고, 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 구리(Cu) 중 적어도 하나 이상의 금속 또는 합금으로 이루어질 수 있고, 상기 금속 또는 물질의 단일층 또는 복수층 구조로 형성될 수 있다. The gate electrode 221 functions to transfer a gate signal to the thin film transistor 220 and is made of at least one metal or alloy of aluminum (Al), molybdenum (Mo), titanium (Ti), and copper And may be formed of a single layer or a multi-layer structure of the metal or the material.

소스 전극(223)과 드레인 전극(224)은 외부에서 전달되는 전기적인 신호가 박막 트랜지스터(220)에서 발광구조물(250)로 전달되도록 하는 역할을 한다. 소스 전극(223)과 드레인 전극(224)은 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 구리(Cu) 중 적어도 하나 이상의 금속 또는 합금으로 이루어질 수 있고, 상기 금속 또는 물질의 단일층 또는 복수층 구조로 형성될 수 있다.The source electrode 223 and the drain electrode 224 serve to transfer an external electrical signal from the thin film transistor 220 to the light emitting structure 250. The source electrode 223 and the drain electrode 224 may be made of at least one metal or alloy of aluminum (Al), molybdenum (Mo), titanium (Ti), copper (Cu) Or a multi-layer structure.

본 명세서에서는 설명의 편의를 위해, 전계 발광 표시 장치(200)에 포함될 수 있는 다양한 박막 트랜지스터 중 제 1 전극(240)과 연결된 구동 박막 트랜지스터(220)만을 도시하였다. 각각의 서브 화소는 스위칭 박막 트랜지스터나 커패시터 등이 더 포함될 수 있다.Only the driving thin film transistor 220 connected to the first electrode 240 among various thin film transistors that may be included in the electroluminescence display device 200 is shown in this specification for convenience of explanation. Each sub-pixel may further include a switching thin-film transistor, a capacitor, and the like.

박막 트랜지스터(220) 상에는 보호층(270) 및 평탄화층(234)이 형성된다. 보호층(270)은 무기 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 보호층(270)은 실리콘 산화막(SiOx) 또는 실리콘 질화막(SiNx) 등으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 또한 평탄화층(234)은 기판(210) 상부를 평탄화하는 역할을 할 수 있다. 평탄화층(234)은 단일층 또는 복수층으로 구성될 수 있으며, 유기 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 평탄화층(234)은 폴리이미드(Polyimide) 또는 포토아크릴(Photo Acryl) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 보호층(270) 및 평탄화층(234)은 각각의 서브 화소에서 박막 트랜지스터(220)와 제 1 전극(240)을 전기적으로 연결하기 위한 컨택홀을 포함한다.A protective layer 270 and a planarization layer 234 are formed on the thin film transistor 220. The protective layer 270 may be made of an inorganic material. For example, the protective layer 270 may be formed of a silicon oxide film (SiOx), a silicon nitride film (SiNx), or the like, but is not limited thereto. The planarizing layer 234 may serve to planarize the upper surface of the substrate 210. [ The planarization layer 234 may be composed of a single layer or a plurality of layers, and may be formed of an organic material. For example, the planarization layer 234 may be formed of any one of polyimide and photoacryl. The passivation layer 270 and the planarization layer 234 include contact holes for electrically connecting the thin film transistor 220 and the first electrode 240 in each sub-pixel.

제 1 전극(240)은 평탄화층(234) 상에 형성된다. 제 1 전극(240)은 애노드(anode)일 수 있으며, 일함수 값이 비교적 큰 도전성 물질로 형성되어 발광층(253)으로 정공을 공급하는 역할을 할 수 있다. 제 1 전극(240)은 평탄화층(234)의 컨택홀을 통해 박막 트랜지스터(220)와 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어서, 제 1 전극(240)은 평탄화층(234)의 컨택홀을 통해 박막 트랜지스터(220)의 소스 전극(223)과 전기적으로 연결될 수 있다. 그리고 제 1 전극(240)은 화소 별로 이격되어 배치될 수 있다. 제 1 전극(240)은 투명 도전성 물질로 형성되고, 예를 들어, 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zinc Oxide, IZO) 등과 같은 물질로 형성될 수 있다.The first electrode 240 is formed on the planarization layer 234. The first electrode 240 may be an anode and may be formed of a conductive material having a relatively large work function to supply holes to the light emitting layer 253. The first electrode 240 may be electrically connected to the thin film transistor 220 through the contact hole of the planarization layer 234. For example, the first electrode 240 may be electrically connected to the source electrode 223 of the thin film transistor 220 through the contact hole of the planarization layer 234. The first electrodes 240 may be spaced apart from one another. The first electrode 240 is formed of a transparent conductive material and may be formed of a material such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or the like.

그리고, 본 발명의 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치(200)가 상부 발광 방식(Top Emission)인 경우, 발광층(253)로부터 발광된 광이 제 1 전극(240)에 반사되어 보다 원활하게 상부 방향으로 방출될 수 있도록, 제 1 전극(240)의 하부에 반사 효율이 우수한 금속 물질, 예를 들면, 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)과 같은 물질로 이루어진 반사층이 추가로 형성될 수 있다.When the electroluminescent display device 200 according to the embodiment of the present invention is a top emission type, light emitted from the light emitting layer 253 is reflected by the first electrode 240, A reflective layer made of a material such as aluminum (Al) or silver (Ag) may be additionally formed on the lower portion of the first electrode 240 so as to be emitted to the first electrode 240.

예를 들어, 제 1 전극(240)은 투명 도전성 물질로 형성된 투명 도전층과 반사층이 차례로 적층된 2층 구조이거나, 투명 도전층, 반사층 및 투명 도전층이 차례로 적층된 3층 구조일 수 있다. 반사층은 은(Ag) 또는 은을 포함하는 합금일 수 있으며, 예를 들어서 은(Ag) 또는 APC(Ag/Pd/Cu)일 수 있다.For example, the first electrode 240 may have a two-layer structure in which a transparent conductive layer formed of a transparent conductive material and a reflective layer are sequentially stacked, or a three-layer structure in which a transparent conductive layer, a reflective layer, and a transparent conductive layer are sequentially stacked. The reflective layer may be silver (Ag) or an alloy containing silver, for example silver (Ag) or APC (Ag / Pd / Cu).

본 발명의 실시예를 설명함에 있어서 상부 발광 방식(Top Emission)은 발광층(253)으로부터 발광되는 광이 제 2 전극(260)의 방향으로 출사되는 방식을 의미하고, 하부 발광 방식(Bottom Emission)은 상부 발광 방식과 반대의 방향인 제 1 전극(240)의 방향으로 광이 출사되는 방식을 의미한다.In the description of the embodiment of the present invention, the top emission means a method in which light emitted from the light emitting layer 253 is emitted in the direction of the second electrode 260, and the bottom emission method And the light is emitted in the direction of the first electrode 240 which is opposite to the upper light emitting mode.

본 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치(200)의 경우, 발광층(253)으로부터 발광되는 광이 제 2 전극(260)의 방향으로 출사되는 상부 발광 방식(Top Emission)의 전계 발광 표시 장치이다.The electroluminescent display device 200 according to the present embodiment is a top emission electroluminescent display device in which light emitted from the light emitting layer 253 is emitted in the direction of the second electrode 260.

제 1 전극(240) 상에 뱅크층(245)이 형성된다. 뱅크층(245)은 인접하는 서브 화소를 구분하며, 제 1 전극(240)의 일측 상에 배치되어 제 1 전극(240)의 일부를 노출시킨다. 그리고, 뱅크층(245)은 복수의 서브 화소로 구성된 화소를 구분할 수 있다. 그리고, 뱅크층(245)은 발광구조물(250)와 접촉하며, 보다 구체적으로 정공 주입층(251)에 직접 접촉할 수 있다.A bank layer 245 is formed on the first electrode 240. The bank layer 245 separates the adjacent sub-pixels and is disposed on one side of the first electrode 240 to expose a part of the first electrode 240. In addition, the bank layer 245 can distinguish pixels composed of a plurality of sub-pixels. Then, the bank layer 245 is in contact with the light emitting structure 250, and more specifically, can directly contact the hole injection layer 251.

뱅크층(245)은 유기 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어서, 뱅크층(245)은 폴리이미드(polyimide), 아크릴(acryl) 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene; BCB)계 수지로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.The bank layer 245 may be made of an organic material. For example, the bank layer 245 may be made of polyimide, acryl or benzocyclobutene (BCB) based resin, but is not limited thereto.

뱅크층이 투명한 물질로 형성되는 경우, 외부로부터 입사한 광이 투명한 뱅크층에 의해서 투과되어 뱅크층 하부에 위치하고 금속 물질로 이루어진 층을 포함하는 제 1 전극(240) 등에서 반사가 될 수 있다. 따라서 전계 발광 표시 장치의 외부 광에 의한 반사를 줄이기기 위해서, 뱅크층(245)은 외부 광의 반사를 줄일 수 있는 물질로 구성될 수 있다.In the case where the bank layer is formed of a transparent material, light incident from the outside may be reflected by the first electrode 240 including a layer made of a metallic material, which is transmitted through the transparent bank layer and is located under the bank layer. Accordingly, in order to reduce the reflection by the external light of the electroluminescence display device, the bank layer 245 may be formed of a material capable of reducing reflection of external light.

본 발명의 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치(200)의 뱅크층(245)은 블랙 피그먼트(black pigment)를 포함할 수 있다. 예를 들면, 뱅크층(245)을 형성하기 위한 포토 레지스트는 블랙 피그먼트(black pigment)가 포함된 물질로 구성될 수 있다. 블랙 피그먼트는 유기 물질 또는 무기 물질로 구성될 수 있다.The bank layer 245 of the electroluminescent display device 200 according to the embodiment of the present invention may include a black pigment. For example, the photoresist for forming the bank layer 245 may be composed of a material containing black pigment. Black pigments may be composed of organic or inorganic materials.

블랙 피그먼트는 카본계열(carbon-based) 또는 금속 산화물(metal oxide) 등으로 구성될 수 있다. 그리고, 포토 레지스트는 폴리머(polymer), 모노머(monomer) 및 광개시제(photoinitiator) 중 적어도 하나를 포함하는 감광성 화합물(photosensitive compounds)을 포함할 수 있다. 그리고, 포토 레지스트는 감광성 화합물을 분산시키는 용매를 포함할 수 있다.The black pigments may be composed of carbon-based or metal oxide. And, the photoresist may include photosensitive compounds comprising at least one of a polymer, a monomer, and a photoinitiator. And, the photoresist may include a solvent for dispersing the photosensitive compound.

도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치(200)는 뱅크층(245) 상에 형성된 차단막(246)을 포함하여 구성된다. 차단막(246)은 뱅크층(245)을 덮도록 패터닝되어 형성될 수 있다. 예를 들면, 본 발명의 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치(200)의 차단막(246)은 발광구조물(250)의 하부에 배치되며, 구체적으로 뱅크층(245)과 발광구조물(250) 사이에 배치될 수 있다.Referring to FIG. 2, an electroluminescent display device 200 according to an embodiment of the present invention includes a blocking layer 246 formed on a bank layer 245. The blocking layer 246 may be patterned to cover the bank layer 245. For example, the blocking layer 246 of the electroluminescent display device 200 according to the exemplary embodiment of the present invention is disposed below the light emitting structure 250, and specifically, between the bank layer 245 and the light emitting structure 250 .

앞서 설명한 바와 같이 전계 발광 표시 장치가 외부 광 또는 자외선(UV)에 장시간 노출되는 경우, 발광구조물에 인접하여 위치하는 평탄화층 및 뱅크층과 같은 유기막의 아웃 가스(out-gas)에 의해 발생한 음전하를 띄는 가스 화합물이 뱅크층을 통해 발광영역(EA)의 발광구조물(250)로 이동한 후 반응하여 발광층으로 정공이 주입되는 성능이 저하될 수 있다. 그리고, 전계 발광 표시 장치의 구동 전압 증가, 휘도 감소 및 수명 저하와 같은 문제가 발생할 수 있다.As described above, when the electroluminescent display device is exposed to external light or ultraviolet rays for a long time, a negative charge generated by an out-gas of an organic film such as a planarization layer and a bank layer located adjacent to the light- The performance of injecting holes into the light emitting layer after reacting after the standing gas compound moves to the light emitting structure 250 of the light emitting region EA through the bank layer may be degraded. In addition, problems such as an increase in driving voltage, a reduction in luminance, and a reduction in lifetime may occur in an electroluminescent display device.

또한 뱅크층(245)이 블랙 피그먼트를 포함하는 물질로 구성되는 경우, 뱅크층(245)의 조성상 미반응물의 잔존 가능성이 크고, 뱅크층(245)에 포함된 조성물의 종류가 많으므로, 투명한 뱅크층과 대비할 때 아웃-가스가 상대적으로 많이 발생할 수 있다.Further, when the bank layer 245 is made of a material containing black pigments, the possibility of unreacted materials remaining in the composition of the bank layer 245 is large, and since the kinds of the composition contained in the bank layer 245 are large, When compared to the bank layer, a relatively large number of out-gases can occur.

본 발명의 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치(200)의 차단막(246)은 발광 구조물(250)의 하부에 위치하는 평탄화층(234) 및 뱅크층(245)과 같은 복수의 유기막에서 발생한 아웃 가스에 의한 음전하가 발광영역(EA)의 발광구조물(250)로 이동하는 것을 차단할 수 있다.The blocking layer 246 of the electroluminescence display device 200 according to the exemplary embodiment of the present invention may be formed in a manner such that the outline generated in the plurality of organic layers such as the planarization layer 234 and the bank layer 245, The negative charge due to the gas can be prevented from moving to the light emitting structure 250 of the light emitting area EA.

예를 들면, 차단막(246)은 전계 발광 표시 장치(200)가 외부 광 또는 자외선(UV)에 노출되어 발생한 평탄화층(234) 및 뱅크층(245)의 아웃 가스(out gas)에 의한 음전하가 뱅크층(245)을 통해서 발광영역(EA)의 정공 주입층(251)으로 이동하는 경로를 차단하여, 음전하와 정공 주입층(251)과의 반응을 최소화함으로써 발광구조물(250)의 정공 주입 특성이 향상될 수 있다. 그리고, 발광 소자의 재결합 영역이 유지되도록 함으로써 전계 발광 표시 장치(200)의 수명이 향상될 수 있다.For example, the blocking layer 246 may be formed by a negative charge caused by the outgas of the planarizing layer 234 and the bank layer 245, which is generated when the electroluminescent display device 200 is exposed to external light or ultraviolet (UV) The path of movement to the hole injection layer 251 of the light emitting region EA is blocked through the bank layer 245 to minimize the reaction between the negative charge and the hole injection layer 251, Can be improved. The lifetime of the EL display device 200 can be improved by maintaining the recombination region of the light emitting device.

차단막(246)은 음전하의 이동을 용이하게 차단할 수 있도록 무기 물질로 이루어질 수 있으며, 예를 들면, 차단막(246)은 실리콘 산화막(SiOx) 또는 실리콘 질화막(SiNx) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 그리고, 전계 발광 표시 장치에서 요구되는 전하 차단 특성에 따라서 차단막(246)은 실리콘 산화막(SiOx)과 실리콘 질화막(SiNx) 중 적어도 하나를 포함하는 복수의 무기 절연층이 적층된 구조로 이루어질 수도 있다.For example, the blocking layer 246 may be formed of any one of a silicon oxide (SiOx) layer and a silicon nitride (SiNx) layer. The blocking layer 246 may be made of an inorganic material so as to easily block the movement of negative charge. The blocking layer 246 may have a structure in which a plurality of inorganic insulating layers including at least one of a silicon oxide film (SiOx) and a silicon nitride film (SiNx) are stacked in accordance with a charge blocking property required in the electroluminescence display device.

그리고, 차단막(246)의 두께는 전계 발광 표시 장치(200)에서 요구되는 전하 차단 특성 및 공정적인 측면을 고려할 때, 100Å 내지 1000Å의 두께를 갖도록 형성될 수 있다.The thickness of the blocking layer 246 may be 100 Å to 1000 Å in consideration of the charge blocking characteristics and the process aspect required for the EL display device 200.

제 2 전극(260)은 제 1 전극(240) 상에 형성된다. 제 2 전극(260)은 캐소드(cathode)일 수 있으며, 발광층(253)으로 전자를 공급하여야 하므로 일함수가 낮은 도전성 물질로 형성된다. 예를 들면, 제 2 전극(260)은 마그네슘(Mg), 은-마그네슘(Ag:Mg) 등과 같은 금속 물질일 수 있다.A second electrode (260) is formed on the first electrode (240). The second electrode 260 may be a cathode and is formed of a conductive material having a low work function because electrons must be supplied to the light emitting layer 253. For example, the second electrode 260 may be a metal material such as magnesium (Mg), silver-magnesium (Ag: Mg), or the like.

그리고, 본 발명의 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치(200)가 상부 발광 방식인 경우, 제 2 전극(260)은 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zinc Oxide, IZO), 인듐 주석 아연 산화물(Indium Tin Zinc Oxide, ITZO), 아연 산화물(Zinc Oxide, ZnO) 및 주석 산화물(Tin Oxide, TiO) 계열의 투명 도전성 산화물로 이루어질 수 있다.When the electroluminescent display device 200 according to an embodiment of the present invention is a top emission type, the second electrode 260 may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO) ), Indium tin zinc oxide (ITZO), zinc oxide (ZnO), and tin oxide (TiO 2) based transparent conductive oxide.

제 1 전극(240)과 뱅크층(245) 상에 발광구조물(250)이 형성될 수 있다. 발광구조물(250)은 필요에 따라 다양한 층을 포함할 수 있다.A light emitting structure 250 may be formed on the first electrode 240 and the bank layer 245. The light emitting structure 250 may include various layers as needed.

그리고, 발광구조물(250)에 포함된 발광층(253)은 적색 서브 화소(R)에 대응되도록 구성된 적색 발광층, 녹색 서브 화소(G)에 대응되도록 구성된 녹색 발광층 및 청색 서브 화소(B)에 대응되도록 구성된 청색 발광층을 포함하여 이루어질 수 있다.The light emitting layer 253 included in the light emitting structure 250 corresponds to the red light emitting layer configured to correspond to the red sub pixel R and the green light emitting layer and the blue sub pixel B configured to correspond to the green sub pixel G And a blue light-emitting layer.

본 발명의 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치(200)의 경우, 발광구조물(250)과 뱅크층(245)의 사이에 구성된 차단막(246)이 발광구조물(250)의 하부에 배치된 평탄화층(234)에서 발생하는 아웃 가스(out-gas)가 발광영역(EA)의 발광구조물(250)로 이동하는 것을 차단하여 전계 발광 표시 장치의 수명이 향상될 수 있다.A light blocking structure 246 formed between the light emitting structure 250 and the bank layer 245 may be formed on the planarization layer 250 disposed below the light emitting structure 250. In this case, The lifetime of the electroluminescent display device can be improved by blocking the out-gas generated in the light emitting area EA 234 from moving to the light emitting structure 250 of the light emitting area EA.

그리고, 본 발명의 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치(200)는 뱅크층(245)과 발광구조물(250)의 사이에 구성된 차단막(246)이 발광구조물(250)의 하부 유기막에서 발생하는 아웃 가스로부터 발광 소자를 보호함으로써 전계 발광 표시 장치의 성능 및 신뢰성이 개선될 수 있다.In the EL display device 200 according to the embodiment of the present invention, a blocking film 246 formed between the bank layer 245 and the light emitting structure 250 is formed in an out- The performance and reliability of the electroluminescence display device can be improved by protecting the light emitting element from the gas.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 발광구조물의 단면 구조를 확대하여 나타내는 도면이다.3 is an enlarged view of a cross-sectional structure of a light emitting structure of an electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention.

이하 도 3을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치(200)의 발광구조물(250)에 대해서 보다 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the light emitting structure 250 of the electroluminescence display device 200 according to the embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to FIG.

도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치(200)의 발광구조물(250)는 제 1 전극(240) 상에 배치된 정공 주입층(251, Hole Injection Layer: HIL), 정공 주입층(251) 상에 배치된 제 1 정공 수송층(252a, 1st Hole Transport Layer: 1st HTL), 제 1 정공 수송층(252a) 상에 배치된 제 2 정공 수송층(252b, 2nd Hole Transport Layer: 2nd HTL) 및 제 3 정공 수송층(252c, 3rd Hole Transport Layer: 3rd HTL), 정공 수송층(252a, 252b, 252c) 상에 배치된 적색 발광층(253a), 녹색 발광층(253b) 및 청색 발광층(253c)을 포함하는 발광층(Light Emitting Layer) 및 발광층 상에 배치된 전자 수송층(254, Electron Transport Layer: ETL)을 포함할 수 있다.3, a light emitting structure 250 of an electroluminescence display 200 according to an exemplary embodiment of the present invention includes a hole injection layer 251 (HIL) disposed on a first electrode 240, the first hole transport layer disposed on the hole injection layer (251) (252a, 1 st hole transport layer: 1 st HTL), a second hole transport layer disposed on the first hole transport layer (252a) (252b, 2 nd hole transport Layer: 2 nd HTL) and the third hole transport layer (252c, 3 rd hole transport Layer : 3 rd HTL), a red light emitting layer (253a), a green light emission layer (253b disposed on the hole transport layer (252a, 252b, 252c)), and A light emitting layer including a blue light emitting layer 253c, and an electron transport layer (ETL) 254 disposed on the light emitting layer.

제 1 전극(240)은 기판 상에 정의된 적색 서브 화소(R), 녹색 서브 화소(G) 및 청색 서브 화소(B) 각각에 대응되도록 기판(210) 상에 배치될 수 있다.The first electrode 240 may be disposed on the substrate 210 so as to correspond to each of the red sub-pixel R, the green sub-pixel G and the blue sub-pixel B defined on the substrate.

정공 주입층(251)은 적색 서브 화소(R), 녹색 서브 화소(G) 및 청색 서브 화소(B) 모두에 대응되도록 공통층으로 제 1 전극(240) 상에 배치될 수 있다.The hole injection layer 251 May be disposed on the first electrode 240 as a common layer so as to correspond to both the red subpixel R, the green subpixel G and the blue subpixel B. [

정공 주입층(251)은 정공의 주입을 원활하게 하는 역할을 할 수 있으며, HATCN(1,4,5,8,9,11-hexaazatriphenylene-hexanitrile), CuPc(cupper phthalocyanine), PEDOT(poly(3,4)-ethylenedioxythiophene), PANI(polyaniline), NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenylbenzidine), TPD(N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N′'-bis(phenyl)-benzidine), α-NPB(Bis[N-(1-naphthyl)-N-phenyl]benzidine), TDAPB(1,3,5-tris(4-diphenylaminophenyl)benzene), TCTA(Tris(4-carbazoyl-9-yl)triphenylamine), spiro-TAD(2,2',7,7′'-Tetrakis(N,N-diphenylamino)-9,9-spirobifluorene) 및 CBP(4,4’-bis(carbazol-9-yl)biphenyl) 중 적어도 하나 이상의 물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The hole injection layer 251 may function to smooth the injection of holes and may be formed of HATCN (1,4,5,8,9,11-hexaazatriphenylene-hexanitrile), CuPc (cupper phthalocyanine), PEDOT (poly , 4) -ethylenedioxythiophene, PANI (polyaniline), NPD (N, N-diphenylbenzidine), TPD (N, N'- phenyl-benzidine), α-NPB (Bis [N- (1-naphthyl) -N-phenyl] benzidine), TDAPB (1,3,5- carbazoyl-9- yl) triphenylamine), spiro-TAD (2,2 ', 7,7' '- Tetrakis (N, N-diphenylamino) -9,9-spirobifluorene) and CBP -9-yl) biphenyl), but the present invention is not limited thereto.

정공 주입층(251)은 제 1 정공 수송층(252a)을 구성하는 물질에 p형 도펀트(p-dopant)를 도핑하여 형성될 수도 있다. 이러한 경우 하나의 공정 장비에서 연속 공정으로 정공 주입층(251)과 제 2 정공 수송층(252a)을 형성할 수 있다. 상기 p형 도펀트는 F4-TCNQ(2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanl-quinidimethane)로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The hole injection layer 251 may be formed by doping a p-type dopant into the material of the first hole transport layer 252a. In this case, the hole injection layer 251 and the second hole transport layer 252a can be formed in a continuous process in one process equipment. The p-type dopant may include, but is not limited to, F 4 -TCNQ (2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanl-quinidimethane).

제 1 정공 수송층(252a)은 적색 서브 화소(R), 녹색 서브 화소(G) 및 청색 서브 화소(B) 모두에 대응되도록 공통층으로 정공 주입층(251) 상에 배치된다. 제 1 정공 수송층(252a)은 발광층으로 정공의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenylbenzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), spiro-TAD(2,2',7,7′'-Tetrakis(N,N-diphenylamino)-9,9-spirobifluorene) 및 MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine) 중 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The first hole transport layer 252a is disposed on the hole injection layer 251 as a common layer so as to correspond to both the red subpixel R, the green subpixel G and the blue subpixel B. The first hole transporting layer 252a serves to facilitate the transport of holes to the light emitting layer, and NPD (N, N-diphenylbenzidine), TPD (N, N'-bis- (N, N-diphenylamino) -9,9-spirobifluorene) and MTDATA (4, 5'- , 4 ', 4 "-tris (N-3-methylphenyl-N-phenylamino) -triphenylamine).

제 2 정공 수송층(252b)은 적색 서브 화소(R)의 제 1 정공 수송층(252a) 상에 배치된다. 또한 제 3 정공 수송층(252c)은 녹색 서브 화소(G)의 제 1 정공 수송층(252a) 상에 배치된다.The second hole transporting layer 252b is disposed on the first hole transporting layer 252a of the red subpixel R. The third hole transporting layer 252c is disposed on the first hole transporting layer 252a of the green sub-pixel G. [

제 2 정공 수송층(252b) 및 제 3 정공 수송층(252c)은 정공 주입층(251)으로부터 적색 발광층(253a)과 녹색 발광층(253b) 각각에 정공을 원활하게 전달하는 역할을 한다.The second hole transport layer 252b and the third hole transport layer 252c function to smoothly transfer holes from the hole injection layer 251 to the red light emitting layer 253a and the green light emitting layer 253b, respectively.

그리고, 제 2 정공 수송층(252b) 및 제 3 정공 수송층(252c)의 각각의 두께는 마이크로 캐비티(micro cavity)의 광학적 거리를 형성할 수 있다. 예를 들면, 제 2 정공 수송층(252b) 및 제 3 정공 수송층(252c) 각각의 두께는 적색 발광층(253a)이 제 1 전극(240)와 제 2 전극(260) 사이에서 마이크로 캐비티 구조를 형성하도록, 그리고 녹색 발광층(253b)이 제 1 전극(240)과 제 2 전극(260) 사이에서 마이크로 캐비티 구조를 형성하도록 결정될 수 있으며, 적색 서브 화소(R)와 녹색 서브 화소(G)에서 마이크로 캐비티의 광학적 거리를 형성하여 전계 발광 표시 장치(200)의 효율을 향상시킬 수 있다.The thickness of each of the second hole transporting layer 252b and the third hole transporting layer 252c may form an optical distance of a microcavity. The thickness of each of the second hole transporting layer 252b and the third hole transporting layer 252c may be set such that the red light emitting layer 253a forms a micro cavity structure between the first electrode 240 and the second electrode 260 And the green light emitting layer 253b may be determined to form a micro cavity structure between the first electrode 240 and the second electrode 260. The green subpixel R and the green subpixel G may have a micro cavity structure, The efficiency of the electroluminescence display device 200 can be improved by forming an optical distance.

적색 발광층(253a)은 적색 서브 화소(R)의 제 2 정공 수송층(252b) 상에 배치된다. 적색 발광층(253a)은 적색을 발광하는 발광 물질을 포함할 수 있으며, 발광 물질은 인광 물질 또는 형광 물질을 이용하여 형성될 수 있다.And the red light emitting layer 253a is disposed on the second hole transporting layer 252b of the red sub-pixel R. The red light emitting layer 253a may include a light emitting material that emits red light, and the light emitting material may be formed using a phosphor or a fluorescent material.

예를 들면, 적색 발광층(253a)은 CBP(carbazole biphenyl) 또는 mCP(1,3-bis(carbazol-9-yl)benzene)를 포함하는 호스트 물질을 포함할 수 있으며, Ir(btp)2(acac)(bis(2-benzo[b]thiophen-2-yl-pyridine)(acetylacetonate)iridium(III)), Ir(piq)2(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)(acetylacetonate)iridium(III)), Ir(piq)3(tris(1-phenylquinoline)iridium(III)) 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum) 중 어느 하나 이상을 포함하는 도펀트를 포함하는 인광 물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리 PBD:Eu(DBM)3(Phen) 또는 Perylene을 포함하는 형광 물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. For example, the red light emitting layer 253a may comprise a host material comprising CBP (carbazole biphenyl) or mCP (1,3-bis (carbazol-9-yl) benzene), and Ir (btp) 2 bis (1-phenylisoquinoline) (acetylacetonate) iridium (III)), bis (2-benzo [b] thiophen- (DBM), Ir (piq) 3 (tris (1-phenylquinoline) iridium (III)) and PtOEP (octaethylporphyrin platinum) 3 (Phen) or Perylene. However, the present invention is not limited thereto.

녹색 발광층(253b)은 녹색 서브 화소(G)의 제 3 정공 수송층(252c) 상에 배치된다. 녹색 발광층(253b)은 녹색을 발광하는 발광 물질을 포함할 수 있으며, 발광 물질은 인광 물질 또는 형광 물질을 이용하여 형성될 수 있다.The green light emitting layer 253b is disposed on the third hole transporting layer 252c of the green subpixel G. [ The green light emitting layer 253b may include a light emitting material that emits green light, and the light emitting material may be formed using a phosphor or a fluorescent material.

예를 들면, 녹색 발광층(253b)은 CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함할 수 있으며, Ir(ppy)3(tris(2-phenylpyridine)iridium(III)) 또는 Ir(ppy)2(acaa)(bis(2-phenylpyridine)(acetylacetonate)iridium(III)를 포함하는 이리듐 착물(Ir complex)과 같은 도펀트 물질을 포함하는 인광 물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리 Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)을 포함하는 형광 물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.For example, the green light emitting layer 253b may comprise a host material comprising CBP or mCP, and may be Ir (ppy) 3 (tris (2-phenylpyridine) iridium (III)) or Ir (ppy) or an iridium complex including an iridium complex containing bis (2-phenylpyridine) (acetylacetonate) iridium (III). Alternatively, Alq 3 (tris (8-hydroxyquinolino) aluminum) But it is not limited thereto.

청색 발광층(253c)은 청색 서브 화소(B)의 제 1 정공 수송층(252a) 상에 배치된다. 청색 발광층(253c)은 청색을 발광하는 발광 물질을 포함할 수 있으며, 발광 물질은 인광 물질 또는 형광 물질을 이용하여 형성될 수 있다.The blue light emitting layer 253c is disposed on the first hole transporting layer 252a of the blue sub-pixel B. The blue light emitting layer 253c may include a light emitting material that emits blue light, and the light emitting material may be formed using a phosphor or a fluorescent material.

예를 들면, 청색 발광층(253c)은 CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함할 수 있으며, FIrPic(bis(3,5,-difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl-(2-carboxypyridyl)iridium(III))을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광 물질로 이루어질 수 있다. 또한, DPVBi(4,4'-bis[4-di-p-tolylamino)stryl)biphenyl), DSA(1-4-di-[4-(N,N-di-phenyl)amino]styryl-benzene), PFO(polyfluorene)계 고분자 및 PPV(polyphenylenevinylene)계 고분자 중 어느 하나를 포함하는 형광 물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.For example, the blue light-emitting layer 253c may comprise a host material comprising CBP or mCP and may be selected from the group consisting of bis (3,5-difluoro-2- (2-pyridyl) phenyl- (4,4'-bis [4-di-p-tolylamino) stryl) biphenyl), DSA (1-4-di But is not limited to, a fluorescent material containing any one of [4- (N, N-di-phenyl) amino] styryl-benzene, PFO (polyfluorene) polymer and PPV (polyphenylenevinylene) polymer.

전자 수송층(254)은 적색 서브 화소(R), 녹색 서브 화소(G) 및 청색 서브 화소(B) 모두에 대응되도록 적색 발광층(253a), 녹색 발광층(253b) 및 청색 발광층(253c) 상에 배치된다.The electron transporting layer 254 is arranged on the red light emitting layer 253a, the green light emitting layer 253b and the blue light emitting layer 253c so as to correspond to both of the red subpixel R, the green subpixel G and the blue subpixel B do.

전자 수송층(254)은 발광층으로 전자의 수송 및 주입의 역할을 할 수 있으며, 전자 수송층(254)의 두께는 전자 수송 특성을 고려하여 조절될 수 있다.The electron transporting layer 254 can serve as a transporting and injecting electron to the light emitting layer and the thickness of the electron transporting layer 254 can be adjusted in consideration of the electron transporting property.

전자 수송층(254)은 전자의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, Liq(8-hydroxyquinolinolato-lithium), Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD(2-(4-biphenylyl)-5-(4-tert-butylpheny)-1,3,4oxadiazole), TAZ(3-(4-biphenyl)4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), spiro-PBD 및 BAlq(bis(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolato)aluminium) 중 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The electron transporting layer 254 functions to facilitate the electron transport, Liq (8-hydroxyquinolinolato-lithium ), Alq 3 (tris (8-hydroxyquinolino) aluminum), PBD (2- (4-biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole, TAZ (3- (4-biphenyl) (2-methyl-8-quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminum).

그리고, 전자 주입층(electron injection layer: EIL)을 전자 수송층(254) 상에 추가로 구성하는 것도 가능하다.Further, an electron injection layer (EIL) may be additionally formed on the electron transport layer 254.

전자 주입층(EIL)은 BaF2, LiF, NaCl, CsF, Li2O 및 BaO와 같은 금속 무기 화합물로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The electron injection layer (EIL) may be made of metal inorganic compounds such as BaF 2 , LiF, NaCl, CsF, Li 2 O, and BaO, but is not limited thereto.

여기서, 본 발명의 실시예에 따라 그 구조가 한정되는 것은 아니며, 정공 주입층(251), 제 1 정공 수송층(252a), 제 2 정공 수송층(252b), 제 3 정공 수송층(253c), 전자 수송층(254) 중에서 적어도 어느 하나가 생략될 수도 있다. 그리고, 정공 주입층(251), 제 1 정공 수송층(252a), 제 2 정공 수송층(252b), 제 3 정공 수송층(253c), 전자 수송층(254) 중 어느 하나를 두 개 이상의 층으로 형성하는 것도 가능하다.Here, the structure is not limited according to the embodiment of the present invention, and the structure of the hole injection layer 251, the first hole transporting layer 252a, the second hole transporting layer 252b, the third hole transporting layer 253c, (254) may be omitted. The formation of any one of the hole injection layer 251, the first hole transporting layer 252a, the second hole transporting layer 252b, the third hole transporting layer 253c and the electron transporting layer 254 in two or more layers It is possible.

제 2 전극(260)은 적색 서브 화소(R), 녹색 서브 화소(G) 및 청색 서브 화소(B) 모두에 대응되도록 전자 수송층(254) 상에 배치될 수 있다.The second electrode 260 may be disposed on the electron transport layer 254 to correspond to both the red subpixel R, the green subpixel G and the blue subpixel B. [

캡핑층(Capping layer)은 제 2 전극(260) 상에 배치될 수 있다. 캡핑층은 전계 발광 표시 장치의 광 추출 효과를 향상시키기 위한 것으로, 제 1 정공 수송층(252a), 전자 수송층(254), 적색 발광층(253a), 녹색 발광층(253b), 청색 발광층(253c)의 호스트 물질 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 그리고, 상기 캡핑층은 전계 발광 표시 장치(200)의 구조나 특성에 따라 생략하는 것이 가능하다.The capping layer may be disposed on the second electrode 260. The capping layer is formed to improve the light extracting effect of the electroluminescence display device and includes a first hole transporting layer 252a, an electron transporting layer 254, a red light emitting layer 253a, a green light emitting layer 253b, and a blue light emitting layer 253c Or < / RTI > The capping layer may be omitted depending on the structure or characteristics of the electroluminescence display device 200. [

그리고, 본 발명의 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치는 텔레비전(Television:TV), 모바일(Mobile), 테블릿 PC(Tablet PC), 모니터(Monitor), 노트북 컴퓨터(Laptop Computer), 차량용 표시 장치, 및 차량용 조명 장치 등을 포함한 표시 장치 등에 적용될 수 있다. 또는 웨어러블(wearable) 표시 장치, 폴더블(foldable) 표시 장치 및 롤러블(rollable) 표시 장치 등에도 적용될 수 있다.The electroluminescent display device according to the embodiment of the present invention may be applied to various devices such as a television (TV), a mobile, a tablet PC, a monitor, a laptop computer, And a display device including a vehicle lighting device and the like. Or a wearable display device, a foldable display device, and a rollable display device.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 단면 구조를 나타내는 도면이다.4 is a cross-sectional view illustrating an electroluminescent display device according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치(400)를 설명함에 있어서, 이전 설명한 실시예와 동일 또는 대응되는 구성 요소에 대한 중복되는 상세한 설명은 생략하거나 간단히 설명하기로 한다.In the following description of the electroluminescent display device 400 according to another embodiment of the present invention, the same or corresponding elements that are the same as or similar to the previously described embodiments will be omitted or simply described.

도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치(400)는 평탄화층(234) 상에 형성된 차단막(435)을 포함하여 구성될 수 있다. 예를 들면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치(400)의 차단막(435)은 평탄화층(234)과 뱅크층(245)의 사이에 배치될 수 있다.Referring to FIG. 4, an electroluminescent display device 400 according to another embodiment of the present invention may include a blocking layer 435 formed on a planarization layer 234. For example, the blocking layer 435 of the electroluminescent display device 400 according to another embodiment of the present invention may be disposed between the planarization layer 234 and the bank layer 245.

본 발명의 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치(400)의 차단막(435)은 발광 구조물(250)의 하부에 위치하며 유기물질로 이루어진 평탄화층(234)에서 발생한 아웃 가스가발광구조물(250)로 이동하는 것을 차단할 수 있다.The blocking layer 435 of the electroluminescence display device 400 according to another embodiment of the present invention is formed in the lower part of the light emitting structure 250 and the outgas generated in the planarization layer 234 made of the organic material is formed in the light emitting structure 250, As shown in FIG.

예를 들면, 차단막(435)은 전계 발광 표시 장치(400)가 외부 광 또는 자외선(UV)에 노출되어 발생한 평탄화층(234)의 아웃 가스가 뱅크층(245)을 통해서 발광영역(EA)에 위치하는 정공 주입층(251)으로 이동하는 경로를 차단하여, 전계 발광 표시 장치(400)의 수명이 향상될 수 있다.For example, the shielding film 435 may be formed on the light emitting region EA through the bank layer 245, such that the outgas of the planarization layer 234, which is generated when the electroluminescent display device 400 is exposed to external light or ultraviolet rays, The lifetime of the electroluminescence display device 400 can be improved by cutting off the path for moving to the hole injection layer 251 positioned.

차단막(435)은 아웃 가스를 차단할 수 있도록 무기 물질로 이루어질 수 있으며, 예를 들면, 차단막(435)은 실리콘 산화막(SiOx) 또는 실리콘 질화막(SiNx) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 그리고, 전계 발광 표시 장치에서 요구되는 전하 차단 특성에 따라서 차단막(435)은 실리콘 산화막(SiOx)과 실리콘 질화막(SiNx) 중 적어도 하나를 포함하는 복수의 무기 절연층이 적층된 구조로 이루어질 수도 있다.For example, the blocking layer 435 may be formed of any one of a silicon oxide (SiOx) layer and a silicon nitride (SiNx) layer. The blocking layer 435 may have a structure in which a plurality of inorganic insulating layers including at least one of a silicon oxide film (SiOx) and a silicon nitride film (SiNx) are stacked in accordance with a charge blocking property required in an electroluminescent display device.

본 발명의 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치(400)의 경우, 평탄화층(234)과 뱅크층(245) 사이에 구성된 차단막(435)이 평탄화층(234)에서 발생하는 아웃 가스에 의한 음전하가 발광영역(EA)의 발광구조물(250)로 이동하는 것을 차단하고 발광 소자의 재결합 영역이 유지되도록 함으로써 전계 발광 표시 장치의 수명이 향상될 수 있다.The shielding layer 435 formed between the planarization layer 234 and the bank layer 245 may have a negative charge due to the outgassing occurring in the planarization layer 234. In the case of the electroluminescence display device 400 according to another embodiment of the present invention, Is prevented from moving to the light emitting structure 250 of the light emitting area EA and the recombination area of the light emitting device is maintained, so that the lifetime of the electroluminescence display device can be improved.

도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 단면 구조를 나타내는 도면이다.5 is a cross-sectional view illustrating an electroluminescent display device according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치(500)를 설명함에 있어서, 이전 설명한 실시예에서와 동일 또는 대응되는 구성 요소에 대한 중복되는 상세한 설명은 생략하거나 간단히 설명하기로 한다.In the following description of the electroluminescent display device 500 according to another embodiment of the present invention, the detailed description of the same or corresponding elements in the previous embodiments will be omitted or briefly described.

도 5를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치(500)는 뱅크층(245) 상에 형성된 제 1 차단막(546) 및 평탄화층(234) 상에 형성된 제 2 차단막(535)을 포함하여 구성될 수 있다.5, the electroluminescent display device 500 according to another embodiment of the present invention includes a first blocking layer 546 formed on the bank layer 245 and a second blocking layer 544 formed on the planarization layer 234 535).

제 1 차단막(546)은 뱅크층(245)과 발광구조물(250) 사이에 형성되고, 제 2 차단막(535)은 평탄화층(234)과 뱅크층(245) 사이에 형성될 수 있다.A first blocking layer 546 may be formed between the bank layer 245 and the light emitting structure 250 and a second blocking layer 535 may be formed between the planarization layer 234 and the bank layer 245.

제 1 차단막(546)과 제 2 차단막(535)은 전계 발광 표시 장치(500)가 외부 광 또는 자외선(UV)에 노출되어 발생한 평탄화층(234) 및 뱅크층(245)의 아웃 가스가 뱅크층(245)을 통해서 발광영역(EA)에 위치하는 정공 주입층(251)으로 이동하는 경로를 차단하여, 발광구조물(250)의 정공 주입 특성 저하를 줄일 수 있다. 따라서, 전계 발광 표시 장치(500)의 수명 저하를 줄일 수 있다.The first blocking layer 546 and the second blocking layer 535 are formed on the planarizing layer 234 and the bank layer 245 which are generated when the electroluminescent display device 500 is exposed to external light or ultraviolet rays, It is possible to cut off the path for moving the light emitting structure 250 to the hole injection layer 251 located in the light emitting area EA through the light emitting layer 245, Therefore, the lifetime of the electroluminescent display device 500 can be reduced.

제 1 차단막(546)과 제 2 차단막(535)은 아웃 가스를 용이하게 차단할 수 있도록 무기 물질로 이루어질 수 있으며, 예를 들면, 실리콘 산화막(SiOx) 또는 실리콘 질화막(SiNx) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 그리고, 전계 발광 표시 장치에서 요구되는 전하 차단 특성에 따라서 제 1 차단막(546)과 제 2 차단막(535)은 실리콘 산화막(SiOx)과 실리콘 질화막(SiNx) 중 적어도 하나를 포함하는 복수의 무기 절연층이 적층된 구조로 이루어질 수도 있다.The first and second barrier layers 546 and 535 may be formed of an inorganic material to easily block the outgas and may be formed of any one of a silicon oxide film (SiOx) and a silicon nitride film (SiNx), for example. . The first and second blocking films 546 and 535 may be formed of a plurality of inorganic insulating films including at least one of a silicon oxide film (SiOx) and a silicon nitride film (SiNx) May have a laminated structure.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치(500)의 경우, 뱅크층(245)과 발광 구조물(250) 사이에 구성된 제 1 차단막(546)과 평탄화층(234)과 뱅크층(245) 사이에 구성된 제 2 차단막(535)이 발광구조물(250)의 하부에 배치된 평탄화층(234)에서 발생하는 아웃 가스가 발광영역(EA)의 발광구조물(250)로 이동하는 것을 차단하여 전계 발광 표시 장치의 수명 저하를 줄일 수 있다.The first barrier layer 546 formed between the bank layer 245 and the light emitting structure 250 and the planarization layer 234 and the bank layer 245 are formed between the bank layer 245 and the light emitting structure 250. In the case of the electroluminescent display device 500 according to another embodiment of the present invention, The second shielding film 535 formed between the light emitting structure 250 and the light emitting structure 250 prevents the outgas generated in the planarization layer 234 disposed below the light emitting structure 250 from moving to the light emitting structure 250 of the light emitting region EA, And the lifetime of the light emitting display device can be reduced.

도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 단면 구조를 나타내는 도면이다.6 is a cross-sectional view illustrating an electroluminescent display device according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치(600)를 설명함에 있어서, 이전 설명한 실시예에서와 동일 또는 대응되는 구성 요소에 대한 중복되는 상세한 설명은 생략하거나 간단히 설명하기로 한다.In the description of the electroluminescent display device 600 according to yet another embodiment of the present invention, the same or corresponding elements in the previous embodiments will be omitted or will be described in detail.

도 6을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치(600)는 발광 영역(EA)에 대응하여 위치하는 컬러 필터(675)를 더 포함할 수 있다. 예를 들면, 애노드 (240) 하부에 형성될 수 있다. 도 6을 참조하면, 애노드(240) 하부영역 중 컬러 필터(675)는 보호층(270)과 평탄화층(234) 사이에 형성될 수 있다. 컬러 필터(675)는 복수의 서브 화소에 각각 대응되어 위치하는 서로 다른 색을 가지는 복수의 컬러 필터들을 포함하여 이루어질 수 있다.Referring to FIG. 6, an electroluminescent display device 600 according to another embodiment of the present invention may further include a color filter 675 positioned corresponding to the light emitting area EA. For example, it may be formed under the anode 240. Referring to FIG. 6, a color filter 675 may be formed between the passivation layer 270 and the planarization layer 234 in the lower region of the anode 240. The color filter 675 may include a plurality of color filters having different colors located corresponding to the plurality of sub-pixels, respectively.

그리고, 도 6을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치(600)의 발광구조물(650)의 발광층(653)은 복수개의 서브 화소에 공통층으로 형성될 수 있다. 발광층(653)은 서로 다른 색을 발광하는 복수의 발광층이 적층된 구조로 이루어질 수 있으며, 적층된 복수의 발광층을 통해 백색광이 방출될 수 있다.6, the light emitting layer 653 of the light emitting structure 650 of the electroluminescence display 600 according to another embodiment of the present invention may be formed as a common layer to a plurality of sub-pixels. The light emitting layer 653 may have a structure in which a plurality of light emitting layers that emit different colors are stacked, and white light may be emitted through the plurality of light emitting layers stacked.

본 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치(600)의 경우, 발광층(653)으로부터 발광되는 광이 제 1 전극(240)의 방향으로 출사되는 하부 발광 방식(Bottom Emission)의 전계 발광 표시 장치이다.The electroluminescent display device 600 according to the present embodiment is a bottom emission type electroluminescent display device in which light emitted from the light emitting layer 653 is emitted in the direction of the first electrode 240.

그리고, 도 6을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치(600)는 발광구조물(650)의 하부에 배치된 적어도 하나의 차단막(barrier layer)을 포함할 수 있다.6, the electroluminescent display 600 according to another embodiment of the present invention may include at least one barrier layer disposed under the light emitting structure 650. Referring to FIG.

예를 들면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치(600)의 차단막(barrier layer)은 제 1 차단막(546)과 제 2 차단막(535)을 포함하여 이루어지고, 제 1 차단막(546)은 뱅크층(245)과 발광구조물(650) 사이에 형성되고, 제 2 차단막(535)은 평탄화층(234)과 뱅크층(245) 사이에 형성될 수 있다.For example, the barrier layer of the electroluminescent display device 600 according to another embodiment of the present invention includes a first blocking layer 546 and a second blocking layer 535, 546 may be formed between the bank layer 245 and the light emitting structure 650 and a second blocking layer 535 may be formed between the planarization layer 234 and the bank layer 245. [

그리고, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치(600)는 뱅크층(245)과 발광구조물(650) 사이에 형성된 제 1 차단막(546)만을 포함하여 구성되거나, 평탄화층(234)과 뱅크층(245) 사이에 형성된 제 2 차단막(535)만을 포함하여 구성될 수도 있다.The electroluminescent display device 600 according to another embodiment of the present invention may include only the first blocking layer 546 formed between the bank layer 245 and the light emitting structure 650 or may include the planarization layer 234, And the second barrier layer 535 formed between the first electrode layer and the bank layer 245.

제 1 차단막(546)과 제 2 차단막(535)은 전계 발광 표시 장치(600)가 외부 광 또는 자외선(UV)에 노출되어 발생한 컬러 필터(675), 평탄화층(234) 및 뱅크층(245)의 아웃 가스(out gas)가 뱅크층(245)을 통해서 발광영역(EA)의 정공 주입층(251)으로 이동하는 경로를 차단하여, 발광구조물(650)내의의 정공 주입 특성이 저하되는 것을 줄일 수 있다. 따라서, 전계 발광 표시 장치(600)의 수명저하를 줄일 수 있다. 제 1 차단막(546) 또는 제 2 차단막(535)은 무기 물질로 이루어질 수 있으며, 예를 들면 실리콘 산화막(SiOx) 또는 실리콘 질화막(SiNx) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 그리고, 전계 발광 표시 장치에서 요구되는 전하 차단 특성에 따라서 제 1 차단막(546)과 제 2 차단막(535)은 실리콘 산화막(SiOx)과 실리콘 질화막(SiNx) 중 적어도 하나를 포함하는 복수의 무기 절연층이 적층된 구조로 이루어질 수도 있다.The first blocking layer 546 and the second blocking layer 535 are formed on the color filter 675, the planarization layer 234, and the bank layer 245, which are generated when the electroluminescent display device 600 is exposed to external light or ultraviolet The outflow gas of the light emitting structure 650 is blocked from moving through the bank layer 245 to the hole injection layer 251 of the light emitting region EA to reduce the decrease in the hole injection characteristics in the light emitting structure 650 . Therefore, it is possible to reduce the lifetime of the electroluminescence display device 600. The first blocking layer 546 or the second blocking layer 535 may be formed of an inorganic material such as a silicon oxide (SiOx) or a silicon nitride (SiNx). The first and second blocking films 546 and 535 may be formed of a plurality of inorganic insulating films including at least one of a silicon oxide film (SiOx) and a silicon nitride film (SiNx) May have a laminated structure.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치(500)의 경우, 뱅크층(245)과 발광구조물(250) 사이에 구성된 제 1 차단막(546)과 평탄화층(234)과 뱅크층(245) 사이에 구성된 제 2 차단막(535)이 발광구조물(650)의 하부에 배치된 평탄화층(234)에서 발생하는 아웃 가스가 발광영역(EA)의 발광구조물(250)로 이동하는 것을 차단하여 전계 발광 표시 장치의 수명 저하를 줄일 수 있다.The first barrier layer 546 formed between the bank layer 245 and the light emitting structure 250 and the planarization layer 234 and the bank layer 245 are formed between the bank layer 245 and the light emitting structure 250. In the case of the electroluminescent display device 500 according to another embodiment of the present invention, The second shielding film 535 formed between the light emitting structure 650 and the light emitting structure 650 prevents the outgas generated in the planarization layer 234 disposed below the light emitting structure 650 from moving to the light emitting structure 250 of the light emitting region EA, And the lifetime of the light emitting display device can be reduced.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 단면 구조를 나타내는 도면이다.7 is a cross-sectional view illustrating an electroluminescent display device according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치(600)를 설명함에 있어서, 이전 설명한 실시예와 동일 또는 대응되는 구성 요소에 대한 중복되는 상세한 설명은 생략하거나 간단히 설명하기로 한다.In the following description of the electroluminescent display device 600 according to another embodiment of the present invention, the detailed description of the same or corresponding elements that are the same as or similar to the previously described embodiment will be omitted or briefly described.

도 7을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 다른 전계 발광 장치(600)는 뱅크층(245)상에 형성된 침투 지연막(746)을 포함하여 구성될 수 있다. 예를 들면, 침투 지연막(746)은 뱅크층(245)과 발광구조물(250)사이에 형성될 수 있다.Referring to FIG. 7, an electroluminescent device 600 according to another embodiment of the present invention may include a penetration retardation film 746 formed on the bank layer 245. For example, a penetration retardation film 746 may be formed between the bank layer 245 and the light emitting structure 250.

침투 지연막(746)은 발광구조물(250) 하부에 위치하는 유기물질로 이루어진 평탄화층(234)에서 발생한 아웃 가스(out-gas)가 발광 영역(EA)의 발광 구조물로 이동하는 침투 경로가 길어지도록 하여 전계 발광 표시 장치의 수명 저하를 줄일 수 있다. 그리고, 침투 지연막(746)은 적어도 하나의 홀(H)을 구비하여 발광구조물(250)을 형성하기 위한 공정 시, 아웃가스(out-gas)가 외부로 빠져 나갈 수 있는 경로 C가 될 수 있다. 따라서, 아웃 가스(out-gas)에 의해서 침투 지연막의 들뜸을 방지함으로써 전계 발광 표시 장치의 수명 저하를 줄일 수 있다. 그리고, 전계 발광 표시 장치의 신뢰성을 개선할 수 있다.The penetration retarding film 746 has a long infiltration path in which an out-gas generated in the planarization layer 234 made of an organic material located under the light emitting structure 250 moves to the light emitting structure of the light emitting area EA Thereby reducing the lifetime of the electroluminescent display device. The penetration retarding film 746 may include at least one hole H and may be a path C through which the out-gas can escape to the outside during the process for forming the light emitting structure 250. [ have. Therefore, lifetime of the electroluminescence display device can be reduced by preventing lifting of the penetration retardation film by out-gas. In addition, reliability of the electroluminescence display device can be improved.

도 7에 도시된 바와 같이, 유기물질로 이루어진 평탄화층(234)에서 발생한 아웃 가스(out-gas)가 뱅크층(245)을 통하여 발광영역(EA)의 정공 주입층(251)으로 유입되는 경로는 경로 A와 경로 B가 있을 수 있다. 여기에서, 침투 지연막(746)은 상대적으로 침투 경로가 짧은 경로 A를 통하여 발광영역(EA)의 정공 주입층(251)으로 아웃가스(out-gas)가 침투하는 것을 차단할 수 있다. 침투 지연막(746)의 홀(H)을 통하여 배출된 아웃가스(Out-gas)가 발광영역(EA)의 정공 주입층(251)으로 침투되는 경로는, 경로 B와 같이, 길게 하여 전계 발광 표시 장치의 수명 저하를 줄일 수 있다.7, out-gas generated in the planarization layer 234 made of an organic material flows into the hole injection layer 251 of the light emitting region EA through the bank layer 245, There can be path A and path B. Here, the penetration retardation film 746 can prevent out-gas from penetrating into the hole injection layer 251 of the light emitting region EA through the path A having a relatively short penetration path. The path through which the out-gas discharged through the hole H of the penetration retardation film 746 into the hole injection layer 251 of the light emitting region EA is extended as shown by the path B, And a reduction in the lifetime of the display device can be reduced.

침투 지연막(746)이 유기물질로 이루어진 평탄화층(234)에서 발생한 아웃 가스(out-gas)가 뱅크층(245)을 통하여 발광구조물(250)로 침투하는 것을 차단하게 되면, 아웃 가스(out-gas)는 뱅크층(245)에 머물러 있을 수 있다. 이러한 경우 뱅크층(245)에는 아웃 가스(out-gas)가 계속하여 축적되고, 축적된 아웃 가스(out-gas)에 의하여 뱅크층(245) 상에 형성된 침투 지연막(746)의 들뜸 현상이 발생할 수 있다. 따라서, 들뜸 현상을 방지하기 위하여 침투 지연막(746)은 아웃 가스(out-gas)의 배출을 위한 적어도 하나 이상의 홀(H)을 형성할 수 있다. 그리고, 침투 지연막(746)의 적어도 하나 이상의 홀(H)은 아웃가스(out-gas)가 발광영역(EA)의 정공 주입층(251)으로 침투할 수 있는 경로를 길게 하여 전계 발광 표시 장치의 수명 저하를 줄일 수 있는 위치에 형성될 수 있다.When the penetration retardation film 746 blocks out-gas generated in the planarization layer 234 made of an organic material from penetrating the light emitting structure 250 through the bank layer 245, outgas out -gas) may remain in the bank layer 245. < RTI ID = 0.0 > In this case, out-gas is continuously accumulated in the bank layer 245, and the lifting phenomenon of the penetration retardation film 746 formed on the bank layer 245 by the accumulated out-gas Lt; / RTI > Accordingly, the penetration retarding film 746 may form at least one hole H for discharging out-gas to prevent lifting. At least one or more holes H of the penetration retardation film 746 may extend the path through which the out-gas can penetrate into the hole injection layer 251 of the light emitting region EA, Can be formed at a position where the lifetime reduction of the battery can be reduced.

도 7을 참조하면, 뱅크층(245)상에 형성된 침투 지연막(746)은 적어도 하나의 홀(H)을 포함할 수 있다. 그리고, 침투 지연막(746)은 뱅크층(245)의 상부면 및 적어도 일측면을 덮을 수 있다. 그리고, 침투 지연막(746)의 적어도 하나 이상의 홀(H)은 뱅크층(245)의 상부면을 노출하도록 형성될 수 있다. 침투 지연막(746)의 홀(H)에 의해 노출된 뱅크층(245)의 상부면은 발광 구조물(250)에 의해 덮여지도록 형성될 수 있다.Referring to FIG. 7, the penetration retardation film 746 formed on the bank layer 245 may include at least one hole H. FIG. The penetration retardation film 746 may cover the upper surface and at least one side surface of the bank layer 245. At least one hole (H) of the penetration retardation film 746 may be formed to expose the upper surface of the bank layer 245. The upper surface of the bank layer 245 exposed by the hole H of the penetration retardation film 746 may be formed to be covered by the light emitting structure 250. [

본 발명의 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치(700)의 경우, 도 7에 도시된 바와 같이, 경로 A를 통하여 침투하는 아웃 가스(out-gas)는 침투 지연막(746)에 의해 차단되고, 일부 아웃가스(out-gas)는 침투 지연막(746)의 홀(H)을 빠져나와 경로 C를 통하여 뱅크층(746) 외부로 빠져 나갈 수 있다. 그리고, 홀(H)에서 빠져나온 일부 아웃 가스(out-gas)가 발광영역(EA)의 발광구조물(250)로 유입되는 경우에는, 경로 B와 같이 아웃 가스(out-gas)가 발광영역(EA)의 발광구조물(250)로 침투되는 경로가 경로 A에 비해서 상대적으로 길어지므로 전계 발광 표시 장치의 수명 저하를 줄일 수 있다.In the case of the electroluminescent display device 700 according to another embodiment of the present invention, as shown in FIG. 7, the out-gas penetrating through the path A is blocked by the penetration retarding film 746 , Some out-gas may escape through the hole H of the permeation delay film 746 and out of the bank layer 746 through path C. When some out-gas exiting from the hole H flows into the light emitting structure 250 of the light emitting area EA, an out-gas is emitted from the light emitting area 250 EA) is relatively longer than that of the path A, thereby reducing the lifetime of the electroluminescent display device.

본 발명의 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치(700)는, 뱅크층(245)을 형성하고, 뱅크층(245)상에 적어도 하나의 홀(H)을 가진 침투 지연막(746)을 형성할 수 있다. 적어도 하나의 홀(H)을 가진 침투 지연막(746)을 형성한 후, 발광 구조물(250)을 형성하기 이전에 평탄화층(234) 및 뱅크층(245)등의 수분 및 잔존 가스를 제거하기 위하여 베이킹(baking) 공정을 진행할 수 있다. 베이킹(baking)공정은 200 ~ 300℃ 사이에서 30 분 이상 진행할 수 있다. 베이킹(baking)공정 시, 유기물층에서 많은 양의 아웃가스(out-gas)가 배출될 수 있다. 침투 지연막(746)에 형성된 적어도 하나의 홀(H)은 베이킹(baking)공정에서 발생된 아웃가스(out-gas)을 배출하는 경로가 될 수 있다.The electroluminescent display device 700 according to another embodiment of the present invention includes a bank layer 245 and a penetration retardation film 746 having at least one hole H on the bank layer 245 can do. After forming the penetration retardation film 746 having at least one hole H, moisture and remaining gas such as the planarization layer 234 and the bank layer 245 are removed before the light emitting structure 250 is formed A baking process can be performed. The baking process can be performed at a temperature of 200 to 300 ° C. for 30 minutes or more. During the baking process, a large amount of out-gas may be discharged from the organic material layer. At least one hole H formed in the penetration retarding film 746 may be a path for discharging out-gas generated in the baking process.

본 발명의 실시예들에 따른 전계 발광 표시 장치는 다음과 같이 설명될 수 있다.An electroluminescent display device according to embodiments of the present invention can be described as follows.

본 발명의 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치는 기판 상의 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터 상의 유기막, 유기막 상에 배치되고 유기막의 컨택홀을 통하여 박막 트랜지스터와 연결된 제 1 전극, 유기막상에 배치되며 제 1 전극의 적어도 일측면을 덮는 뱅크층, 제 1 전극 및 뱅크층 상에 있는 발광 구조물, 발광 구조물 상에 있는 제 2 전극, 및 뱅크층과 발광 구조물 사이에 위치하며, 적어도 하나의 홀을 가지는 침투 지연막을 포함한다.An electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention includes a thin film transistor on a substrate, an organic film on the thin film transistor, a first electrode disposed on the organic film and connected to the thin film transistor through the contact hole of the organic film, A liquid crystal display comprising: a bank layer covering at least one side of an electrode; a light emitting structure on the first electrode and the bank layer; a second electrode on the light emitting structure; and a second electrode located between the bank layer and the light emitting structure, Film.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 침투 지연막은 무기 물질로 이루어질 수 있다.According to another aspect of the present invention, the penetration retarding film may be made of an inorganic material.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 침투 지연막은 실리콘 산화막(SiOx) 또는 실리콘 질화막(SiNx) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.According to another aspect of the present invention, the penetration retardation film may be formed of any one of a silicon oxide film (SiOx) and a silicon nitride film (SiNx).

본 발명의 다른 특징에 따르면, 침투 지연막은 뱅크층의 상부면 및 적어도 일측면을 덮을 수 있다.본 발명의 다른 특징에 따르면, 적어도 하나의 홀은 뱅크층의 상부면과 대응하는 영역에 형성될 수 있다.According to another feature of the present invention, the penetration retarding film may cover the upper surface and at least one side surface of the bank layer. According to another aspect of the present invention, at least one hole is formed in the region corresponding to the upper surface of the bank layer .

본 발명의 다른 특징에 따르면, 발광 구조물은 발광층, 정공 수송층 및 전자 수송층을 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, the light emitting structure may include a light emitting layer, a hole transporting layer, and an electron transporting layer.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 발광층은 적색 서브 화소의 적색 발광층, 녹색 서브 화소의 녹색 발광층 및 청색 서브 화소의 청색 발광층을 포함하여 이루어질 수 있다.According to another aspect of the present invention, the light emitting layer may include a red light emitting layer of a red sub-pixel, a green light emitting layer of a green sub-pixel, and a blue light emitting layer of a blue sub-pixel.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 유기막은 폴리이미드(Polyimide) 또는 포토아크릴(Photo Acryl) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.According to another aspect of the present invention, the organic film may be formed of any one of polyimide and photoacryl.

그리고, 본 발명의 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치는 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 정공 수송층, 전자 수송층, 및 발광층으로 이루어진 발광 구조물을 포함하고, 발광 구조물의 하부에 배치된 유기물층에서 발생한 아웃 가스(out-gas)에 의해 발광 구조물의 수명이 저하되지 않도록 발광 구조물의 하부에 적어도 하나 이상의 홀을 구비한 차단막을 포함한다.An electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention includes a light emitting structure including a hole transporting layer, an electron transporting layer, and a light emitting layer between a first electrode and a second electrode, And a barrier film having at least one hole in a lower portion of the light-emitting structure so as not to deteriorate the lifetime of the light-emitting structure by out-gas.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 발광 구조물의 하부에 배치되며 제 1 전극의 적어도 일측면을 덮는 뱅크층을 더 포함하고, 차단막은 뱅크층과 발광 구조물 사이에 배치될 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a light emitting device, including a bank layer disposed under the light emitting structure and covering at least one side of the first electrode, wherein a blocking layer may be disposed between the bank layer and the light emitting structure.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 차단막은 뱅크층의 상부면과 적어도 일측면을 덮을 수 있다.According to another aspect of the present invention, the blocking layer may cover at least one side of the top surface of the bank layer.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 적어도 하나 이상의 홀은 뱅크층의 상부면을 노출하도록 형성될 수 있다.According to another aspect of the present invention, at least one or more holes may be formed to expose the upper surface of the bank layer.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 차단막은 실리콘 산화막(SiOx) 또는 실리콘 질화막(SiNx) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.According to another aspect of the present invention, the shielding film may be formed of any one of a silicon oxide film (SiOx) and a silicon nitride film (SiNx).

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형되어 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, have. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, it should be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of protection of the present invention should be construed according to the claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

200: 전계 발광 표시 장치 210: 기판
220: 박막 트랜지스터 221: 게이트 전극
222: 반도체층 223: 소스 전극
224: 드레인 전극 231: 버퍼층
232: 게이트 절연층 233: 층간 절연층
234: 평탄화층 235: 제 2 차단막
240: 제 1 전극 245: 뱅크층
246: 제 1 차단막 250: 발광 구조물
251: 정공 주입층 252a: 제 1 정공 수송층
252b: 제 2 정공 수송층 252c: 제 3 정공 수송층
253: 발광층 254: 전자 수송층
260: 제 2 전극 270: 보호층
R: 적색 서브 화소 G: 녹색 서브 화소
B: 청색 서브 화소200: electroluminescence display device 210: substrate
220: Thin film transistor 221: Gate electrode
222: semiconductor layer 223: source electrode
224: drain electrode 231: buffer layer
232: gate insulating layer 233: interlayer insulating layer
234: planarization layer 235: second shielding film
240: first electrode 245: bank layer
246: first blocking layer 250: light emitting structure
251: Hole injection layer 252a: First hole transport layer
252b: second hole transporting layer 252c: third hole transporting layer
253: light emitting layer 254: electron transporting layer
260: second electrode 270: protective layer
R: red sub-pixel G: green sub-pixel
B: blue sub-pixel

Claims (13)

기판 상에 있는 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터 상에 있는 유기막;
상기 유기막 상에 배치되며, 상기 유기막의 컨택홀을 통하여 상기 박막 트랜지스터와 연결된 제 1 전극;
상기 유기막 상에 배치되며, 상기 제 1 전극의 적어도 일측면을 덮는 뱅크층;
상기 제 1 전극 및 상기 뱅크층 상에 있는 발광 구조물;
상기 발광 구조물 상에 있는 제 2 전극; 및
상기 뱅크층과 상기 발광 구조물 사이에 위치하며, 적어도 하나의 홀을 가지는 침투 지연막을 포함한 것을 특징으로 하는 전계 발광 표시 장치.
A thin film transistor on a substrate;
An organic film on the thin film transistor;
A first electrode disposed on the organic layer and connected to the thin film transistor through a contact hole of the organic layer;
A bank layer disposed on the organic layer, the bank layer covering at least one side of the first electrode;
A light emitting structure on the first electrode and the bank layer;
A second electrode on the light emitting structure; And
And a penetration retardation film disposed between the bank layer and the light emitting structure and having at least one hole.
제 1 항에 있어서,
상기 침투 지연막은 무기 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계 발광 표시 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the penetration retarding film is made of an inorganic material.
제 2 항에 있어서,
상기 침투 지연막은 실리콘 산화막(SiOx) 또는 실리콘 질화막(SiNx) 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계 발광 표시 장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the penetration retardation film is formed of one of a silicon oxide film (SiOx) and a silicon nitride film (SiNx).
제 1 항에 있어서,
상기 침투 지연막은 상기 뱅크층의 상부면 및 적어도 일측면을 덮는 것을 특징으로 하는 전계 발광 표시 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the penetration retardation film covers an upper surface and at least one side surface of the bank layer.
제 1 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 홀은 상기 뱅크층의 상부면과 대응하는 영역에 배치된 것을 특징으로 하는 전계 발광 표시 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the at least one hole is disposed in a region corresponding to an upper surface of the bank layer.
제 1 항에 있어서,
상기 발광 구조물은 발광층, 정공 수송층 및 전자 수송층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 발광 표시 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the light emitting structure includes a light emitting layer, a hole transporting layer, and an electron transporting layer.
제 6 항에 있어서,
상기 발광층은 적색 서브 화소의 적색 발광층, 녹색 서브 화소의 녹색 발광층 및 청색 서브 화소의 청색 발광층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 발광 표시 장치.
The method according to claim 6,
Wherein the light emitting layer includes a red light emitting layer of a red sub-pixel, a green light emitting layer of a green sub-pixel, and a blue light emitting layer of a blue sub-pixel.
제 1 항에 있어서,
상기 유기막은 폴리이미드(Polyimide) 또는 포토아크릴(Photo Acryl) 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계 발광 표시 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the organic layer is formed of one of polyimide and photoacid.
제 1 전극과 제 2 전극 사이에 정공 수송층, 전자 수송층, 및 발광층으로 이루어진 발광 구조물을 포함하는 전계 발광 표시 장치에 있어서,
상기 발광 구조물의 하부에 배치된 유기물층에서 발생한 아웃 가스(out-gas)에 의해 상기 발광 구조물의 수명이 저하되지 않도록 상기 발광 구조물의 하부에 적어도 하나 이상의 홀을 구비한 차단막을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 발광 표시 장치.
An electroluminescent display device including a light emitting structure including a hole transporting layer, an electron transporting layer, and a light emitting layer between a first electrode and a second electrode,
And a barrier layer having at least one hole in a lower portion of the light emitting structure so that the life of the light emitting structure is not deteriorated by an out-gas generated in an organic material layer disposed under the light emitting structure. An electroluminescent display device.
제 9 항에 있어서,
상기 발광 구조물의 하부에 배치되며, 상기 제 1 전극의 적어도 일측면을 덮는 뱅크층을 더 포함하고,
상기 차단막은 상기 뱅크층과 상기 발광 구조물 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 전계 발광 표시 장치.
10. The method of claim 9,
Further comprising a bank layer disposed below the light emitting structure and covering at least one side of the first electrode,
And the blocking layer is disposed between the bank layer and the light emitting structure.
제 10 항에 있어서,
상기 차단막은 상기 뱅크층의 상부면 및 적어도 일측면을 덮고 있는 것을 특징으로 하는 전계 발광 표시 장치.
11. The method of claim 10,
Wherein the blocking layer covers an upper surface and at least one side surface of the bank layer.
제 11 항에 있어서,
상기 적어도 하나 이상의 홀은 상기 뱅크층의 상기 상부면을 노출하도록 형성된 것을 특징으로 하는 전계 발광 표시 장치.
12. The method of claim 11,
Wherein the at least one hole is formed to expose the upper surface of the bank layer.
제 12 항에 있어서,
상기 차단막은 실리콘 산화막(SiOx) 또는 실리콘 질화막(SiNx) 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계 발광 표시 장치.13. The method of claim 12,
Wherein the blocking layer is made of one of a silicon oxide (SiOx) layer and a silicon nitride (SiNx) layer.
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