KR20190048801A - Light emitting device package - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 LED 등의 전자부품에 적용되는 발광 소자 패키지에서, 발광 소자 패키지 프레임의 캐비티에 채워지는 밀봉재는 형광체뿐만 아니라 필러도 포함하고, 발광 소자에서 출력되는 청색(Blue)광 중 캐비티의 상부 가장자리에 도달하여 형광체에 흡수되어 청색 외의 색으로 변환된 광과 결합되는 청색광을 증가시켜, 발광 소자 패키지의 측면에서 발생하는 황변(Yellowish)현상을 방지할 수 있는, 발광 소자 패키지에 관한 것이다.A sealing material filled in a cavity of a light emitting device package frame includes not only a fluorescent material but also a filler, and the blue light emitted from the light emitting device is emitted from the upper edge of the cavity And blue light that is absorbed by the phosphor and is converted into light having a color other than blue is increased to prevent yellowish phenomenon occurring on the side of the light emitting device package.
발광 소자(Light Emitting Diode, LED)는 전기에너지를 빛 에너지로 변환하는 화합물 반도체 소자로서, 화합물반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상구현이 가능하다.Light emitting diodes (LEDs) are compound semiconductor devices that convert electrical energy into light energy. By controlling the composition ratio of compound semiconductors, various colors can be realized.
질화물반도체 발광소자는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비 전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 갖고 있다. 따라서, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 소자 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 소자 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.The nitride semiconductor light emitting device has advantages of low power consumption, semi-permanent lifetime, fast response speed, safety, and environmental friendliness compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps. Accordingly, a light emitting device backlight replacing a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) constituting a backlight of an LCD (Liquid Crystal Display) display device, a white light emitting device lighting device capable of replacing a fluorescent lamp or an incandescent lamp, And traffic lights.
종래에는 패키지의 캐비티의 부피가 작아지고, 캐비티 부피 대비 형광체의 함량이 많아졌다. 그리고 발광 소자에서 출력되는 청색광은 형광체에 의해 녹색광 및 적색광으로 변환되어 캐비티 상부 가장 자리에서 황변(Yellowish)현상이 발생하였다. 황변 현상은 발광 소자에서 출력된 척생광 중 일부는 녹색광으로 변환되고 나머지는 적색광으로 변환되며, 상기 녹색광과 적색광이 결합되어 최종적으로 황색광으로 출력되는 현상이다.Conventionally, the volume of the cavity of the package is reduced, and the content of the fluorescent substance with respect to the volume of the cavity is increased. The blue light output from the light emitting device was converted into green light and red light by the phosphor, and yellowish phenomenon occurred at the upper edge of the cavity. In the yellowing phenomenon, a part of the chucked light output from the light emitting device is converted into green light and the remainder is converted into red light, and the green light and the red light are combined and finally output as yellow light.
발광 소자가 출력한 광의 경로는 발광 소자로부터 캐비티의 상부 중심까지보다는 캐비티의 상부 가장자리까지가 더 길다. 이에 따라, 캐비티의 상부 가장자리로 향하는 광은 형광체에 흡수되어 녹색광 및 적색광으로 변환될 확률이 높아진다. 상기 변환된 녹색광 및 적색광이 많아 짐에 따라 녹색광과 적색광이 결합한 황색광도 많아 진다. 이에 따라 캐비티 상부 가장 자리에서 황변 현상이 두드러 질 수 있다.The path of the light output by the light emitting element is longer to the upper edge of the cavity than from the light emitting element to the upper center of the cavity. Accordingly, the light directed toward the upper edge of the cavity is absorbed by the phosphor, and the probability of conversion into green light and red light is increased. As the converted green light and red light are increased, yellow light combined with green light and red light also increases. Thus, the yellowing phenomenon may be conspicuous at the upper edge of the cavity.
본 발명이 해결하고자 하는 하나의 과제는 캐비티 상부 가장자리에서 발생되는 황변 현상을 방지하는 것이다.One problem to be solved by the present invention is to prevent the yellowing that occurs at the upper edge of the cavity.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 폭이 좁은 발광 소자 패키지에서 발생되는 황변 현상을 방지하는 것이다.Another problem to be solved by the present invention is to prevent yellowing occurring in a narrow light emitting device package.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 캐비티에 형광체에 더불어 필러도 첨가하여 발광 소자가 출력하는 청색광이 캐비티의 상부 가장자리까지 도달될 수 있는 경로를 제공해 주는 것이다.Another problem to be solved by the present invention is to add a filler to the cavity in addition to the phosphor to provide a path through which the blue light emitted by the light emitting device can reach the upper edge of the cavity.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 원심 분리기를 사용하여, 형광체와 필러를 균일하게 분포시키는 것이다.Another problem to be solved by the present invention is to uniformly distribute the phosphor and the filler using a centrifugal separator.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 캐비티 상부에 여러 색의 광들이 서로 혼합될 수 있는 영역을 확보하는 것이다.Another problem to be solved by the present invention is to secure a region where light of various colors can be mixed with each other on the upper part of the cavity.
한편, 본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 위에서 언급한 과제들로만 제한되지는 않으며, 이하에서 설명할 내용으로부터 통상의 기술자에게 자명한 범위 내에서 다양한 기술적 과제들이 더 포함될 수 있다.It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description are exemplary and explanatory and are intended to provide further explanation of the invention as claimed.
발광소자 패키지는 캐비티를 갖는 몸체부; 상기 캐비티 내부에 배치된 발광소자; 상기 캐비티에 채워지는 밀봉재; 상기 밀봉재는 상부의 제1 영역 및 하부의 제2 영역을 포함하고 상기 제2 영역은 필러 및 형광체를 포함하되, 상기 필러의 직경과 상기 형광체의 직경의 비는 1:2 내지 1:4이고, 상기 필러의 중량 퍼센트는 상기 밀봉재 대비 10 내지 30 wt% 이고, 상기 발광소자와 측벽의 최단거리는 10 내지 50um이다.The light emitting device package includes: a body portion having a cavity; A light emitting element disposed inside the cavity; A sealing material filled in the cavity; Wherein the sealing material comprises a first region of a top portion and a second region of a bottom portion and the second region comprises a filler and a phosphor, wherein the ratio of the diameter of the filler to the diameter of the phosphor is 1: 2 to 1: 4, The weight percentage of the filler is 10 to 30 wt% with respect to the sealing material, and the shortest distance between the light emitting device and the side wall is 10 to 50 mu m.
상기 제 1 영역은 투광성 수지층이다.The first region is a light-transmitting resin layer.
상기 제 2 영역은 녹색 형광체 및 적색 형광체를 포함한다.The second region includes a green phosphor and a red phosphor.
상기 제 2 영역은 녹색 형광체 및 적색 형광체를 포함하되, 상기 녹색 형광체 및 적색 형광체의 함량비는 3:1 내지 7:3이다.The second region includes a green phosphor and a red phosphor, and the content ratio of the green phosphor and the red phosphor is 3: 1 to 7: 3.
상기 발광소자의 일측에서 연장된 선으로부터 상기 패키지 몸체부까지의 제 1 방향으로의 최장 거리는 30내지 80um이다.The longest distance from the line extending from one side of the light emitting element to the package body in the first direction is 30 to 80 mu.
상기 발광소자는 하나 이상이다.The number of the light emitting elements is one or more.
상기 발광소자는 두개이고, 상기 두개의 발광소자 사이에 배치된 댐;을 더 포함한다.The light emitting device further includes a dam disposed between the two light emitting devices.
상기 댐의 높이는 발광 소자 패키지(100) 높이의 20 내지 30퍼센트이다.The height of the dam is 20 to 30 percent of the height of the light
상기 패키지 몸체부 배면에 위치한 돌출부를 포함한다.And a protrusion disposed on the back surface of the package body.
돌출부의 높이는 발광 소자 패키지 높이의 20 내지 30퍼센트이다.The height of the projection is 20 to 30 percent of the height of the light emitting device package.
본 발명은 캐비티 상부 가장자리에서 발생되는 황변 현상을 방지할 수 있다.The present invention can prevent yellowing occurring at the upper edge of the cavity.
본 발명은 폭이 좁은 발광 소자 패키지에서 발생되는 황변 현상을 방지할 수 있다.The present invention can prevent yellowing occurring in a light emitting device package having a narrow width.
본 발명은 캐비티에 형광체에 더불어 필러도 첨가하여 발광 소자가 출력하는 청색광이 캐비티의 상부 가장자리까지 도달될 수 있는 경로를 제공할 수 있다.In the present invention, a filler is added to the cavity in addition to the phosphors, thereby providing a path through which the blue light output from the light emitting device can reach the upper edge of the cavity.
본 발명은 원심 분리기를 사용하여, 형광체와 필러를 균일하게 분포시킬 수 있다.The present invention can uniformly distribute the phosphor and the filler by using a centrifugal separator.
본 발명은 캐비티 상부에 여러 색의 광들이 서로 혼합될 수 있는 영역을 확보할 수 있다.The present invention can secure an area where light of various colors can be mixed with each other on the upper part of the cavity.
본 발명의 효과는 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 이하에서 설명할 내용으로부터 통상의 기술자에게 자명한 범위 내에서 다양한 효과들이 더 포함될 수 있다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and various effects can be further included within the scope that is obvious to a person skilled in the art from the following description.
도 1은 종래 기술에 따른 발광소자 패키지 및 도광판을 도시한다.
도 2는 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 사시도를 도시한다.
도 3은 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 평면도를 도시한다.
도 4는 도 2에 따른 발광 소자 패키지의 A-A측 단면도를 도시한다.
도 5는 도 2에 따른 발광 소자 패키지의 B-B측 단면도를 도시한다.
도 6은 발광 소자 패키지의 단면 사진을 도시한다.1 shows a conventional light emitting device package and a light guide plate.
2 shows a perspective view of a light emitting device package according to one embodiment.
3 shows a top view of a light emitting device package according to one embodiment.
4 is a cross-sectional view of the light emitting device package taken along line AA in Fig.
Fig. 5 shows a cross-sectional side view of the light emitting device package taken along line BB in Fig.
6 shows a cross-sectional photograph of the light emitting device package.
본 발명에 따른 반도체 소자와 반도체 소자 제조 방법은 첨부된 도면을 참조하여 설명하는 실시예들을 통해 구체화된다. 각 실시예들의 구성 요소들은 다른 언급이나 상호간에 모순이 없는 한 실시예 내에서 다양한 조합이 가능한 것으로 이해된다. 나아가 제안된 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.The semiconductor device and the semiconductor device manufacturing method according to the present invention are embodied through the embodiments described with reference to the accompanying drawings. It is to be understood that the components of each embodiment are capable of various combinations within an embodiment as long as no other mention or mutual contradiction exists. Furthermore, the proposed invention may be embodied in many different forms and is not limited to the embodiments described herein.
그리고, 어떤 구성 요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 다른 구성요소들과는 상관없이 이 구성요소를 반드시 포함한다는 의미이지 다른 구성 요소들의 포함 가능성을 배제하고자 하는 것이 아니다.When an element is referred to as " including ", it is meant to include the element regardless of other elements, and does not exclude the possibility of including other elements.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 나아가, 명세서 전체에서 신호는 전압이나 전류 등의 전기량을 의미한다.In addition, throughout the specification, when a part is referred to as being "connected" to another part, it is not limited to a case where it is "directly connected", but also an "electrically connected" . Further, in the specification, a signal means a quantity of electricity such as a voltage or a current.
도 1은 종래 기술에 따른 발광 소자 패키지(100) 및 도광판을 도시한다.1 shows a light
종래 기술에 따른 발광 소자 패키지(100)는 도광판의 측면 방향으로 광을 제공한다. 발광 소자 패키지(100)에 포함된 발광 소자(51)에서 출력된 광은 도광판 내부로 조사된다. 도광판 내부로 조사된 광은 도광판 하부면에 형성된 프리즘 패턴에 의해 전반사된후 도광판 상부면으로 조사된다. 도시되지 않았지만, 전반사된 광은 도광판 상에 위치한 디스플레이에 면광원을 발생시킨다.The light
이때, 종래 기술에 따른 발광 소자 패키지(100)의 가장자리로 조사된 광(140, 141)은 황색광인 황변(Yellowish)현상이 발생한다. 발광 소자 패키지(100)의 캐비티(120)에 채워진 형광체(93)로 인하여, 발광 소자(51)에서 출력된 척생광 중 일부는 녹색광으로 변환되고 나머지는 적색광으로 변환된다. 상기 녹색광과 적색광이 결합되어 최종적으로 황색광으로 출력된다.At this time, the
도 2는 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지(100)의 사시도를 도시한다.2 illustrates a perspective view of a light
도 3은 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지(100)의 평면도를 도시한다.FIG. 3 shows a top view of a light
도 4는 도 2에 따른 발광 소자 패키지(100)의 A-A측 단면도를 도시한다.4 is a cross-sectional view taken on the A-A side of the light
도 5는 도 2에 따른 발광 소자 패키지(100)의 B-B측 단면도를 도시한다.Fig. 5 shows a cross-sectional view taken on the B-B side of the light
도 6은 발광 소자 패키지의 단면 사진을 도시한다.6 shows a cross-sectional photograph of the light emitting device package.
본 발명에 따른 발광 소자 패키지(100)는 캐비티(120)를 갖는 몸체부(110); 상기 캐비티(120) 내부에 배치된 발광 소자(51); 상기 캐비티(120)에 채워지는 밀봉재; 상기 밀봉재는 상부의 제1 영역 및 하부의 제2 영역을 포함하고 상기 제2 영역은 필러(94) 및 형광체(93)를 포함하되, 상기 필러(94)의 직경과 상기 형광체(93)의 직경의 비는 1:2 내지 1:4이고,, 상기 필러(94)의 중량 퍼센트는 상기 밀봉재 대비 10 내지 30 wt% 이고, 상기 발광 소자(51)와 측벽의 최단거리는 10 내지 50um이다.A light
몸체부(110)는 캐비티(120)를 갖는다. 몸체부(110)는 폴리프탈아미드(PPA, Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 금속 재질, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 몸체부(110)는 또한, 반사 특성이 좋은 재료로 형성될 수 있다. 몸체부(110)는 사출 성형되거나, 별개의 구성으로 구분되어 생성된 후 적층 구조로 결합될 수 있다.The
도 2에 도시된 것처럼, 캐비티(120)는 몸체부(110)의 상부 내측에 형성될 수 있다. 도 2에 따른 실시예에서는 캐비티(120)에 채워지는 밀봉재는 도시되어 있지 않다. 캐비티(120)의 표면 형상은 원형, 다각형에 한정되지 않으며, 그 형상에는 제한이 없다. 도 2에에 도시된 형상으로 한정되는 것도 아니며, 사출 구조물에 의해 다양하게 변경될 수 있다. 캐비티(120)의 둘레면은 수직하거나 경사지게 형성될 수 있다.As shown in FIG. 2, the
발광 소자(51)는 상기 캐비티(120) 내부에 배치된다. 도 2에 도시된 것처럼 캐비티(120) 내부에 2개의 발광 소자(51)가 배치될 수 있으나, 배치되는 발광 소자(51)에는 제한이 없다. 발광 소자(51)는 청색 LED 칩, 적색 LED 칩, 녹색 LED 칩 등, 소정 컬러를 방출하는 LED 칩 일 수 있다. 이에 한정되는 것은 아니고, 상기 발광 소자(51)는 백색 LED 칩, UV LED 칩 등을 하나 또는 복수로 포함할 수 있다. The
본 발명에 따른 발광 소자(51)는 청색 LED 칩일 수 있다.The
발광 소자(51)는 발광 소자 패키지(100)가 포함하는 프레임(52) 위에 탑재될 수 있다. 프레임(52)은 발광 소자(51)를 아래에서 지지하며, 발광 소자(51)에 전원을 인가한다. 즉, 도 4에 기초하면, 프레임(52)은 발광 소자(51)를 Y축 방향으로 지지한다. 발광 소자(51)는 프레임(52)에 의해 지지되는 상태에서 캐비티(120) 내부에 수용된다. The
도 5를 참조하면 어느 하나의 프레임(52)은 상기 어느 하나의 프래임에 탑재된 발광 소자(51)와 와이어(53)로 연결된다. 다른 하나의 프레임(52)은 상기 다른 하나의 프래임에 탑재된 발광 소자(51)와 와이어(53)로 연결된다. 상기 어느 하나의 프레임(52)과 상기 다른 하나의 프레임(52)은 이격되어 배치된다.Referring to FIG. 5, one of the
어느 하나의 프래임에 탑재된 발광 소자(51)와 다른 하나의 프래임에 탑재된 발광 소자(51)는 와이어(53)로 연결된다.The
프레임(52)은 평평한 플레이트 형상일 수 있다. 프레임(52)은 제 1 금속을 포함할 수 있다. 즉, 프레임(52)은 예컨대 제 1 금속으로 형성되거나 제 1 금속을 갖는 합금으로 형성될 수 있다. The
상기 제 1 금속은 구리(Cu)이다. 상기 제 1 금속을 갖는 합금은 예컨대, 구리 합금으로 형성될 수 있다. 상기 구리 합금은 구리에 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 망간(Mn), 크롬(Cr), 철(Fe) 등 중 적어도 하나를 포함하거나 복수의 금속을 포함할 수 있다. 상기 제 1 금속은 아노다이징(Anodizing)이 가능한 금속 재질을 포함할 수 있다.The first metal is copper (Cu). The alloy having the first metal may be formed of, for example, a copper alloy. The copper alloy includes at least one of aluminum (Al), silicon (Si), magnesium (Mg), zinc (Zn), manganese (Mn), chromium (Cr) . ≪ / RTI > The first metal may include a metal material capable of anodizing.
밀봉재는 상기 캐비티(120)에 채워진다. 상기 밀봉재는 상부의 제1 영역 및 하부의 제2 영역을 포함하고, 상기 제2 영역은 마이크로 미터 사이즈의 필러(94)를 포함한다. 제 1 영역(92)은 도 4에 도시된 것처럼 제 2 영역(91) 상에 위치한다. 즉, 제 1 영역(92)은 제 2 영역(91)보다 Y축 방향으로 위에 위치한다.The sealing material is filled in the
필러(94)는 캐비티(120) 내부에 배치된 발광 소자(51)를 덮도록 디스펜싱된다. 필러(94)는 미세분말형태의 실리카 계열의 물질 또는 알루미나 계열의 물질 등일 수 있다. 필러(94)는 광도와 광속을 변화시키거나 형광체(93)의 산포도에 영향을 줄 수 있는 미립자 또는 초미립자 형태의 물질이다. 필러(94)의 직경과 후술할 형광체 직경의 비는 1:2 내지 1:4일 수 있다.The
상기 필러(94)의 중량 퍼센트는 상기 밀봉재 대비 10 내지 30 wt%이다. 즉, 밀봉재가 포함하는 물질 중 상기 필러(94)의 중량 퍼센트는 10 내지 30 wt%이다. 밀봉재는 형광체(93)와 필러(94)를 포함하며, 형광체(93)와 필러(94)의 중량비는 1:1 내지 1:3 이다.The weight percentage of the
도 4를 참조하면, 밀봉재의 제 2 영역(91)에는 형광체(93)와 필러(94)가 채워진다. 밀봉재는 제 1 영역(92) 및 제 2 영역(91)을 포함하고, 제 2 영역(91)에는 형광체(93)와 필러(94)가 채워진다. 그리고 제 1 영역(92)에는 실리콘이 채워진다. Referring to FIG. 4, the
상기 형광체(93)는 녹색 형광체(93)와 적색 형광체(93)를 포함한다. 종래와는 달리 제 2 영역(91)에 형광체(93) 뿐만 아니라 필러(94)가 채워지고, 형광체(93)와 필러(94)의 중량비는 1:1 내지 1:3 이다. 필러(94)가 존재함에 따라 발광 소자(51)가 출력하는 광 중에서 필러(94)에 의해 산란되어 캐비티(120)의 제 1 영역(92)의 상부 가장자리에 도달하는 광이 증가한다. The
녹색 형광체(93)의 직경은 30 내지 40 um일 수 있다. 적색 형광체(93)의 직경은 20 내지 30um일 수 있다. 녹색 형광체(93)와 적색 형광체(93)의 직경 범위는 전술한 범위로 한정되는 것은 아니다.The diameter of the
도 4에 따른 발광 소자(51)가 출력한 광 중 2번 광처럼 필러(94)만을 거쳐서 제 1 영역(92)의 상부 가장자리에 도달하는 광이 증가한다. 이에 따라 제 1 영역(92)의 상부 가장자리에 도달하 청색광량이 증가한다. 상기 청색광량이 증가함에 따라 녹색 형광체(93)에 의한 녹생광 및 적색 형광체(93)에 의한 적색광과 결합할 청색광도 증가하여 황변 현상이 개선될 수 있다.The light reaching the upper edge of the
형광체(93)에 대비하여 필러(94)의 양이 적어져서 형광체(93)와 필러(94)의 중량비가 1:1 내지 1:3의 범위에 있지 않은 경우, 청색광량이 줄어 황변 현상의 개선의 정도가 적어진다.When the amount of the
형광체(93)에 대비하여 필러(94)의 양이 많아져서 형광체(93)와 필러(94)의 중량비가 1:1 내지 1:3의 범위에 있지 않은 경우, 너무 많은 필러(94)에 의해 발광 소자(51)가 출력하는 광이 산란되어 광속이 저하될 수 있다.When the weight of the
상기 발광 소자(51)와 측벽의 최단거리는 10 내지 50um이다. 도 4를 참조하면, 발광 소자(51)와 측벽의 최단거리는 t2이다. 상기 t2는 10 내지 50um이다. 상기 발광 소자(51)를 캐비티(120) 내부에 수용하기 위해서, 발광 소자(51)와 측벽의 최단거리로 10um는 확보할 필요가 있다. 상기 발광 소자 패키지(100)가 비대해지지 않도록 발광 소자(51)와 측벽의 최단거리는 50um일 필요가 있다.The shortest distance between the light emitting
상기 제 1 영역(92)은 투광성 수지층이다. 도 4를 참조하면, 1번 광은 녹색광, 2번 광은 청색광, 3번 광은 적색광일 수 있고, 상기 제 1 영역(92)은 상기 녹색광, 청색광, 적색광이 혼합될 수 있는 공간을 제공한다. 상기 수지층은 투명재질의 수지로 실리콘을 포함할 수 있다. 상기 실리콘의 점도는 2500cps 일 수 있다. The
상기 제 2 영역(91)은 녹색 형광체(93) 및 적색 형광체(93)를 포함한다. 상기 제 2 영역(91)은 녹색 형광체(93) 및 적색 형광체(93)를 포함하되, 상기 녹색 형광체(93) 및 적색 형광체(93)의 함량비는 3:1 내지 7:3일 수 있다. 상기 함량비는 발광 소자 패키지(100)가 목표 색좌표(target CIE coordinate) 값에 대응되는 광을 조사하도록 설정된 함량비다. 상기 함량비로 한정되는 것은 아니다.The
밀봉재는 형광체(93), 필러(94), 실리콘을 포함하고, 원심분리기에 의해 회전하여 상기 제 2 영역(91)에서 형광체(93) 및 필러(94)는 균일하게 분포될 수 있다. 그리고, 상기 제 1 영역(92)에 실리콘을 포함하는 수지층이 배치될 수 있다. 밀봉재가 포함하는 실리콘과 형광체(93)의 중량비는 10:3 내지 10:9이다.The sealing material includes the
형광체(93)에 대비하여 실리콘의 양이 적어 짐에 따라 실리콘과 형광체(93)의 중량비가 10:3 내지 10:9를 벗어나는 경우, 제 2 영영(91)에서 녹색광, 청색광, 적색광이 충분히 혼합되지 않을 수 있다. 이에 따라, 발광 소자 패키지의 측면에서 발생하는 황변(Yellowish)현상 방지 효과가 떨어진다.When the weight ratio of silicon and
형광체(93)에 대비하여 실리콘의 양이 많아 짐에 따라 실리콘과 형광체(93)의 중량비가 10:3 내지 10:9를 벗어나는 경우, 발광 소자(51)가 출력하는 광이 많은 양의 실리콘에 의해 산란되어 광속이 저하될 수 있다.When the weight ratio of silicon and
도 6을 참조하면, 밀봉재가 필러(94)를 포함하지 않고 원심분리기도 사용하지 않은 경우(제 1의 경우)이다. Referring to Fig. 6, the sealing material does not include the
밀봉재가 필러(94)를 포함하지 않지만 원심분리기를 사용한 경우(제 2의 경우)이다. 제 2의 경우는 제 2 영역(91)과 제 1 영역(92)의 경계를 확인할 수 있다. 제 2의 경우는 제 1의 경우 보다 COA가 개선된다. COA는 황색광에 대한 지향각이다. The sealing material does not include the
밀봉재가 필러(94)를 포함하면서 원심 분리기를 사용하지 않은 경우(제 3의 경우)이다. 제 3의 경우는 제 1의 경우 보다 COA가 개선된다. And the sealing material includes the
밀봉재가 필러(94)를 포함하면서 원심 분리기를 사용한은 경우(제 4의 경우)이다. 제 4의 경우는 제 2 영역(91)과 제 1 영역(92)의 경계를 확인할 수 있다. 제 4의 경우는 제 1의 경우 보다 COA가 개선된다.And the case where the sealing material includes the
상기 발광 소자(51) 일측에서 연장된 선으로부터 상기 패키지 몸체부(110)까지의 제 1 방향으로의 최장 거리(t3)는 30 내지 80um이다. 발광 소자(51) 일측에서 연장된 선은 도 4에 도시된 발광 소자(51) 일측과 연결되어 y축 방향으로 연장된 점선이다. 도 4를 참조하면, 발광 소자(51)와 측벽의 최단거리는 t3이다. 상기 t3는 30 내지 80um이다. 캐비티(120)는 y축 방향으로 갈수록 폭이 넓어지는 사다리꼴 형태일 수 있다. 캐비티(120)가 y축 방향으로 갈수록 폭이 넓어지는 사다리꼴 형태인 경우, 전술한 최단 거리보다 상기 최장 거리는 더 길 수 있다. 상기 최단 거리의 범위가 10 내지 50um임에 따라 상기 최장 거리는 최단 거리보다는 길면서 30 내지 80um의 길이를 가질 수 있다.The longest distance t3 in the first direction from the line extending from one side of the
도 3 및 도 4를 참조하면 발광 소자 패키지(100)의 폭(t1)인 z축 방향으로의 길이는 0.2 내지 1mm일 수 있다.Referring to FIGS. 3 and 4, the length t1 in the z-axis direction of the light emitting
상기 발광 소자(51)는 하나 이상이다. 도 2, 3 및 5를 참조하면, 상기 발광 소자(51)는 두개 일 수 있다. 상기 두개의 발광 소자(51)는 동일한 색을 가지는 광을 방출할 수 있다. 상기 두개의 발광 소자(51)는 동일한 색을 가지는 광을 방출하되, 서로 다른 피크 파장의 광을 방출할 수 있다. 이에 한정되는 것은 아니고 상기 두개의 발광 소자(51)는 상이한 색을 가지는 광을 방출 할 수 있다.The number of the
상기 발광 소자(51)는 두개이고, 발광 소자 패키지(100)는 상기 두개의 발광 소자(51) 사이에 배치된 댐(71);을 더 포함한다. 발광 소자 패키지(100)의 중심부에 댐(71)이 위치함에 따라 발광 소자 패키지(100)의 강도가 개선된다. 발광 소자 패키지(100)의 강도가 개선됨에 따라 신뢰성 불량이 개선될 수 있다. 상기 댐(71)은 몸체부(110)와 동일한 재질이거나 다른 수지 재질일 수 있다. 상기 댐(71)은 몸체부(110)의 상면과 동일한 높이로 배치되거나 낮게 배치될 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.The light emitting
도 5를 참조하면, 댐(71)의 높이(t9)는 발광 소자 패키지(100) 높이(t7)의 20 내지 30퍼센트일 수 있다. 댐(71)의 높이(t9)가 발광 소자 패키지(100) 높이(t7)의 20퍼센트 보다 작아지면 발광 소자 패키지(100)의 절단 강도가 기준치 이하일 수 있다. 상기 기준치는 0.286 내지 0.352 kf/g일 수 있다.Referring to FIG. 5, the height t9 of the
절단 강도는 시험편이 인장시험에서 파단될 때까지 시험편에 가해진 최대 힘이다. 여기서, 시험편은 발광 소자 패키지(100)이고, 상기 절단 강도는 전단 응력을 받는 상기 발광 소자 패키지(100)가 파단될 때까지 가해진 힘이다. 전단 응력은 발광 소자 패키지(100) 표면에 평행한 방향으로 작용하는 응력으로 도 5에 따르면 y축방향으로 가해진 힘이다.Cutting strength is the maximum force exerted on the specimen until the specimen fractures in the tensile test. Here, the test piece is the light emitting
또한, 상기 댐(71)의 높이가 발광 소자 패키지(100) 높이(t7)의 20퍼센트 보다 작아지면, 댐(71)을 사이에 두고 격리된 두개의 발광소자(51) 각각이 출력한 광이 서로 간섭될 수 있다. 이에 따라 발광 소자 패키지(100)에서 최종적으로 출력되는 광의 색좌표가 달라질 수 있다.When the height of the
댐(71)의 높이가 발광 소자 패키지(100) 높이(t7)의 30퍼센트 보다 커지면 발광 소자 패키지(100)의 두 발광 소자(51)를 연결하는 와이어(53)의 본딩 작업이 용이하지 않을 수 있다.If the height of the
도2를 참조하면, 댐(71)의 폭(t6)은 발광 소자 패키지(100)의 폭(t1)의 80 내지 95퍼센트일 수 있다. 댐(71)의 폭(t6)이 발광 소자 패키지(100) 폭(t1)의 80퍼센트 보다 작아지면 발광 소자 패키지(100)의 절단 강도가 기준치 이하일 수 있다. 상기 기준치는 0.286 내지 0.352 kf/g일 수 있다.Referring to Fig. 2, the width t6 of the
댐(71)의 폭(t6)은 발광 소자 패키지(100) 폭(t1)의 95퍼센트보다 커지면 캐비티 내벽과 물리적으로 맞닿을 수 있다.The width t6 of the
도 3을 참조하면 댐(71)의 너비(t13)은 발광 소자 패키지(100)의 너비(t12)의 15 내지 20퍼센트일 수 있다. 댐(71)의 너비(t13)이 발광 소자 패키지(100) 너비(t12)의 15퍼센트 보다 작아지면 발광 소자 패키지(100)의 절단 강도가 기준치 이하일 수 있다. 상기 기준치는 0.286 내지 0.352 kf/g일 수 있다.Referring to FIG. 3, the width t13 of the
댐(71)의 너비(t13)이 발광 소자 패키지(100) 너비(t12)의 20퍼센트 보다 커지면 발광 소자 패키지(100) 내에 발광 소자(51)를 배치할 수 있는 공간의 확보가 어려울 수 있다.If the width t13 of the
발광 소자 패키지(100)는 상기 패키지 몸체부(110) 배면에 위치한 돌출부(81)를 포함한다. 발광 소자 패키지(100)의 중심부에 돌출부(81)가 위치함에 따라 발광 소자 패키지(100)의 강도가 개선된다. 발광 소자 패키지(100)의 강도가 개선됨에 따라 신뢰성 불량이 개선될 수 있다. 상기 돌출부(81)는 몸체부(110)와 동일한 재질이거나 다른 수지 재질일 수 있다. 돌출부(81)의 크기에는 제한이 없다.The light emitting
도 5를 참조하면, 돌출부(81)의 높이(t10)는 발광 소자 패키지(100) 높이(t7)의 20 내지 30퍼센트일 수 있다. 돌출부(81)의 높이(t10)가 발광 소자 패키지(100) 높이(t7)의 30퍼센트 보다 커지면 발광 소자 패키지(100)의 절단 강도가 기준치 이하일 수 있다. 상기 기준치는 0.286 내지 0.352 kf/g일 수 있다.Referring to FIG. 5, the height t10 of the
돌출부(81)의 높이(t10)가 발광 소자 패키지(100) 높이(t7)의 20퍼센트 보다 작아지면, 돌출부(81)의 부피가 커짐에 따라 발광 소자 패키지(100)의 제작 단가가 상승할 수 있다.If the height t10 of the
도 5를 참조하면, 돌출부(81)의 하단 너비(t11)는 발광 소자 패키지(100)의 너비(t12)의 20 내지 30퍼센트일 수 있다. 돌출부(81)의 하단 너비(t11)가 발광 소자 패키지(100)의 너비(t12)의 20퍼센트 보다 작아지면 발광 소자 패키지(100)의 절단 강도가 기준치 이하일 수 있다. 상기 기준치는 0.286 내지 0.352 kf/g일 수 있다.5, the lower end width t11 of the
돌출부(81)의 하단 너비(t11)가 발광 소자 패키지(100)의 너비(t12)의 30퍼센트 보다 커지면 돌출부(81)의 부피가 커짐에 따라 발광 소자 패키지(100)의 제작 단가가 상승할 수 있다.If the lower end width t11 of the
도 5를 참조하면, 돌출부(81)의 상단 너비(t8)는 발광 소자 패키지(100)의 너비(t12)의 25 내지 35퍼센트일 수 있다. 돌출부(81)의 상단 너비(t8)가 발광 소자 패키지(100)의 너비(t12)의 25퍼센트 보다 작아지면 발광 소자 패키지(100)의 절단 강도가 기준치 이하일 수 있다. 상기 기준치는 0.286 내지 0.352 kf/g일 수 있다.5, the upper width t8 of the
돌출부(81)의 상단 너비(t8)가 발광 소자 패키지(100)의 너비(t12)의 35퍼센트 보다 커지면 돌출부(81)의 부피가 커짐에 따라 발광 소자 패키지(100)의 제작 단가가 상승할 수 있다.If the upper width t8 of the
한편, 이상에서 설명된 본 발명에 따른 발광 소자 패키지(100)는 복수 개가 기판 상에 어레이될 수 있고, 발광 소자 패키지(100)의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. A plurality of light emitting device packages 100 according to the present invention may be arrayed on a substrate, and a light guide plate, a prism sheet, a diffusion sheet, or the like, which is an optical member, may be disposed on the light path of the light emitting
또한, 본 발명에 따른 발광 소자 패키지(100)를 포함하는 광원 장치로 구현될 수 있다.Further, the light emitting
또한, 광원 장치는 기판과 본 발명에 따른 발광 소자 패키지(100)를 포함하는 광원 모듈, 광원 모듈의 열을 발산시키는 방열체, 및 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 광원 모듈로 제공하는 전원 제공부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 광원 장치는, 램프, 헤드 램프, 또는 가로등을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 광원 장치는 출력되는 광이 필요한 제품에 다양하게 적용될 수 있다.The light source device may include a light source module including the substrate and the light emitting
또한, 광원 장치는 바텀 커버와, 바텀 커버 위에 배치되는 반사판과, 광을 방출하며 반도체 소자를 포함하는 발광 모듈과, 반사판의 전방에 배치되며 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하는 도광판과, 도광판의 전방에 배치되는 프리즘 시트들을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널과 연결되고 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로와, 디스플레이 패널의 전방에 배치되는 컬러 필터를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다.The light source device includes a bottom cover, a reflector disposed on the bottom cover, a light emitting module that emits light and includes a semiconductor device, a light guide plate disposed forward of the reflector and guiding light emitted from the light emitting module forward, An image signal output circuit which is connected to the display panel and supplies an image signal to the display panel; and an image signal output circuit arranged in front of the display panel, Gt; color filter < / RTI > Here, the bottom cover, the reflection plate, the light emitting module, the light guide plate, and the optical sheet may form a backlight unit.
광원 장치의 또 다른 예로, 헤드 램프는 기판 상에 배치되는 발광 소자 패키지(100)를 포함하는 발광 모듈, 발광 모듈로부터 조사되는 빛을 일정 방향, 예컨대, 전방으로 반사시키는 리플렉터(reflector), 리플렉터에 의하여 반사되는 빛을 전방으로 굴절시키는 렌즈, 및 리플렉터에 의하여 반사되어 렌즈로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 쉐이드(shade)를 포함할 수 있다.As another example of the light source device, the head lamp includes a light emitting module including a light emitting
이상과 같이 본 발명을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는, 본 발명의 기술적 사상과 필수적 특징을 유지한 채로 다른 형태로도 실시될 수 있음을 인지할 수 있을 것이다. 따라서 이상에서 기술한 실시 예들은 단지 예시적인 것일 뿐이며, 본 발명의 범위를 앞의 실시예들로만 제한하고자 하는 것이 아니다. 또한, 도면에 도시된 순서도들은 본 발명을 실시함에 있어서 가장 바람직한 결과를 얻기 위해 예시적으로 도시한 순서에 불과하며, 다른 단계들이 더 추가되거나 일부 단계들이 삭제될 수 있음은 물론이다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be the most practical and preferred embodiment, it is to be evident that many alternatives, modifications and variations will be apparent to those skilled in the art. Therefore, the embodiments described above are merely illustrative and are not intended to limit the scope of the present invention to the foregoing embodiments. It is to be understood that the flowcharts shown in the drawings are merely illustrative examples for achieving the most desirable results in the practice of the present invention, and that other steps may be added or some steps may be deleted.
본 발명의 범위는 청구범위에 의하여 규정될 것이지만, 청구범위 기재사항으로부터 직접적으로 도출되는 구성은 물론 그와 등가인 구성으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태 또한 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims and their equivalents. .
51: 발광 소자
52: 프레임
53: 와이어
71: 댐
81: 돌출부
91: 제 2 영역
92: 제 1 영역
93: 형광체
94: 필러
100: 발광 소자 패키지
110: 몸체부
120: 캐비티51: Light emitting element
52: frame
53: wire
71: Dam
81:
91: second region
92: first region
93: Phosphor
94: filler
100: Light emitting device package
110:
120: cavity
Claims (10)
상기 캐비티 내부에 배치된 발광소자;
상기 캐비티에 채워지는 밀봉재;
상기 밀봉재는 상부의 제1 영역 및 하부의 제2 영역을 포함하고
상기 제2 영역은 필러 및 형광체를 포함하되, 상기 필러의 직경과 상기 형광체의 직경의 비는 1:2 내지 1:4이고,
상기 필러의 중량 퍼센트는 상기 밀봉재 대비 10 내지 30 wt% 이고,
상기 발광소자와 측벽의 최단거리는 10 내지 50um인
발광소자 패키지.
A body portion having a cavity;
A light emitting element disposed inside the cavity;
A sealing material filled in the cavity;
Wherein the sealing material includes a first region of an upper portion and a second region of a lower portion
Wherein the second region comprises a filler and a phosphor, wherein a ratio of a diameter of the filler to a diameter of the phosphor is 1: 2 to 1: 4,
The weight percentage of the filler is 10 to 30 wt% of the sealing material,
The shortest distance between the light emitting element and the side wall is 10 to 50 mu m
A light emitting device package.
상기 제 1 영역은 투광성 수지층인
발광 소자 패키지.
The method according to claim 1,
The first region is a translucent resin layer
A light emitting device package.
상기 제 2 영역은 녹색 형광체 및 적색 형광체를 포함하는
발광 소자 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the second region comprises a green phosphor and a red phosphor
A light emitting device package.
상기 제 2 영역은 녹색 형광체 및 적색 형광체를 포함하되,
상기 녹색 형광체 및 적색 형광체의 함량비는 3:1 내지 7:3인,
발광 소자 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the second region includes a green phosphor and a red phosphor,
Wherein the content ratio of the green phosphor and the red phosphor is 3: 1 to 7: 3,
A light emitting device package.
상기 발광소자의 일측에서 연장된 선으로부터 상기 패키지 몸체부까지의 제 1 방향으로의 최장 거리는 30내지 80um인, 발광 소자 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the longest distance from a line extending from one side of the light emitting element to the package body in the first direction is 30 to 80 um.
상기 발광소자는 하나 이상인,
발광 소자 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the light emitting element comprises at least one light emitting element,
A light emitting device package.
상기 발광소자는 두개이고, 상기 두개의 발광소자 사이에 배치된 댐;을 더 포함하는,
발광 소자 패키지.
The method according to claim 1,
Further comprising: a dam disposed between the two light emitting devices,
A light emitting device package.
상기 댐의 높이는 발광 소자 패키지(100) 높이의 20 내지 30퍼센트인,
발광 소자 패키지.
8. The method of claim 7,
The height of the dam is 20 to 30 percent of the height of the light emitting device package 100,
A light emitting device package.
상기 패키지 몸체부 배면에 위치한 돌출부를 포함하는,
발광 소자 패키지.
The method according to claim 1,
And a protrusion located on a back surface of the package body portion,
A light emitting device package.
돌출부의 높이는 발광 소자 패키지 높이의 20 내지 30퍼센트인,
발광 소자 패키지.10. The method of claim 9,
The height of the protrusions is 20 to 30 percent of the height of the light emitting device package.
A light emitting device package.
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KR20110125070A (en) * | 2010-05-12 | 2011-11-18 | 엘지이노텍 주식회사 | Light-emitting element package |
JP2015128092A (en) * | 2013-12-27 | 2015-07-09 | 日亜化学工業株式会社 | Light-emitting device |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20110125070A (en) * | 2010-05-12 | 2011-11-18 | 엘지이노텍 주식회사 | Light-emitting element package |
JP2015128092A (en) * | 2013-12-27 | 2015-07-09 | 日亜化学工業株式会社 | Light-emitting device |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
AMND | Amendment | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
X091 | Application refused [patent] | ||
AMND | Amendment | ||
X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
GRNT | Written decision to grant |