KR20190047249A - Light emitting device package equipped with light output compensateing function - Google Patents

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KR20190047249A
KR20190047249A KR1020170140901A KR20170140901A KR20190047249A KR 20190047249 A KR20190047249 A KR 20190047249A KR 1020170140901 A KR1020170140901 A KR 1020170140901A KR 20170140901 A KR20170140901 A KR 20170140901A KR 20190047249 A KR20190047249 A KR 20190047249A
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유태경
김민표
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Abstract

The present invention relates to a light emitting device package including a light output amount compensating function. According to an embodiment of the present invention, the light emitting device package comprises: a substrate; an electrode unit formed on the substrate; a light emitting device located on the electrode unit and outputting light in accordance with a control signal to be inputted; and a light detection unit measuring a light output amount of the light outputted by the light emitting element.

Description

광 출력량 보정 기능을 포함하는 발광 소자 패키지 {LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE EQUIPPED WITH LIGHT OUTPUT COMPENSATEING FUNCTION}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a light emitting device package including a light output amount correction function,

본 출원은 발광 소자 패키지에 관한 것으로서, 발광 소자의 광 출력량을 측정하고, 측정결과에 따라 발광 소자의 광 출력량을 보정할 수 있는 발광 소자 패키지에 관한 것이다. The present invention relates to a light emitting device package, and more particularly, to a light emitting device package capable of measuring the light output amount of a light emitting element and correcting the light output amount of the light emitting element according to a measurement result.

발광소자(Light Emitting Diode; LED)는 화합물 반도체(compound semiconductor)의 PN 다이오드 형성을 통해 발광원을 구성함으로써, 다양한 색의 광을 구현할 수 있는 일종의 반도체 소자를 말한다. 이러한 발광 소자는 수명이 길고, 소형화 및 경량화가 가능하며, 저전압 구동이 가능하다는 장점이 있다.A light emitting diode (LED) is a kind of semiconductor device that can emit light of various colors by forming a light emitting source by forming a PN diode of a compound semiconductor. Such a light emitting device has a long lifetime, can be reduced in size and weight, and can be driven at a low voltage.

또한, 발광소자는 충격 및 진동에 강하고, 예열시간과 복잡한 구동이 불필요하며, 다양한 형태로 기판이나 리드프레임에 실장된 후, 패키징될 수 있어서 여러 가지 용도로 모듈화하여 백라이트 유닛(backlight unit)이나 각종 조명 장치 등에 적용할 수 있다. In addition, the light emitting device is resistant to impact and vibration, does not require preheating time and complicated driving, can be packaged after being mounted on a substrate or a lead frame in various forms, so that it can be modularized for various purposes and used as a backlight unit A lighting device, and the like.

발광소자의 종류로는, 청색 광을 방출하는 블루 LED, 적색 광을 방출하는 레드 LED, 녹색 광을 방출하는 그린 LED, 자외선을 방출하는 자외선 LED 등이 존재하며, 자외선 LED의 자외선은 살균기능이 있으므로, 널리 활용되고 있다. As a kind of light emitting device, there are a blue LED emitting blue light, a red LED emitting red light, a green LED emitting green light, an ultraviolet LED emitting ultraviolet ray, and the ultraviolet ray of ultraviolet LED has a sterilizing function Therefore, it is widely utilized.

다만, 자외선 LED의 살균작용은 눈으로 직접 확인하기 어려우며, 조도계를 이용하여 확인하는 경우에도 측정시마다 측정거리 변화하는 등 측정오차가 발생할 수 있다. 따라서, 자외선 LED의 실제 살균력을 파악하기 어려우며, 자외선 LED가 일정한 살균력을 유지하도록 제어하기 어려운 문제가 있었다. However, it is difficult to directly confirm the sterilizing action of the ultraviolet LED, and even when confirming using an illuminometer, a measurement error may occur, such as a change in measurement distance at each measurement. Therefore, it is difficult to grasp the actual sterilizing power of the ultraviolet LED and it is difficult to control the ultraviolet LED so as to maintain the sterilizing power.

본 출원은, 발광 소자의 광 출력량을 측정하고, 측정결과에 따라 광 출력량을 제어할 수 있는 발광 소자 패키지를 제공하고자 한다. The present application aims at providing a light emitting device package capable of measuring the light output amount of the light emitting element and controlling the light output amount according to the measurement result.

본 출원은, 발광 소자의 측면광을 이용하여 광 출력량을 측정하고, 광 출력량 보정 기능을 수행할 수 있는 발광 소자 패키지를 제공하고자 한다. The present application aims at providing a light emitting device package capable of measuring the light output amount using the side light of the light emitting element and performing the light output amount correcting function.

본 출원은, 투광부에서 반사되는 빛을 이용하여 광 출력량을 측정하고, 광 출력량 보정 기능을 수행하는 발광 소자 패키지를 제공하고자 한다. The present application proposes a light emitting device package that measures light output amount using light reflected from a transparent portion and performs an optical output amount correction function.

본 출원은, 광 출력량을 일정하게 제어하여, 일정한 살균력을 제공할 수 있는 자외선 발광 소자 패키지를 제공하고자 한다. The present application aims to provide an ultraviolet light emitting device package capable of constantly controlling the light output amount to provide a constant germicidal force.

본 발명의 일 실시예에 의한 발광 소자 패키지는, 기판; 상기 기판 상에 형성되는 전극부; 상기 전극부 상에 위치하며, 입력되는 제어신호에 따라 빛을 출력하는 발광소자; 상기 발광소자의 주위를 경사진 제1 반사벽으로 둘러싸는 반사부; 및 상기 발광소자가 출력하는 상기 빛의 광출력량을 측정하는 광검출부를 포함하며, 상기 광검출부는 결합블록에 형성될 수 있다. A light emitting device package according to an embodiment of the present invention includes a substrate; An electrode unit formed on the substrate; A light emitting element located on the electrode unit and outputting light according to an input control signal; A reflective portion surrounding a periphery of the light emitting element with a first reflective wall inclined; And a photodetector for measuring a light output of the light output from the light emitting element, and the photodetector may be formed in a coupling block.

여기서 상기 결합블록은, 상기 경사진 제1 반사벽과 동일한 기울기로 경사진 제2 반사벽을 포함하며, 상기 반사부의 일부일 수 있다. The coupling block includes a second reflecting wall inclined at the same slope as the inclined first reflecting wall, and may be part of the reflecting portion.

여기서 상기 광검출부는, 상기 발광소자의 빛이 인가되는 상기 제2 반사벽에 포토다이오드가 위치하고, 상기 결합블록의 내부에 제어부가 위치하도록 형성될 수 있다. Here, the photodetector may be formed such that the photodiode is positioned in the second reflective wall to which the light of the light emitting device is applied, and the control unit is positioned inside the coupling block.

여기서, 상기 포토다이오드는 상기 발광소자로부터 상기 빛을 수신하여, 전기신호로 변환하며, 상기 제어부는 상기 전기신호를 이용하여 상기 광출력량을 산출하고, 상기 산출된 광출력량과 기 설정된 목표광출력량을 비교하여, 상기 제어신호를 생성할 수 있다. The photodiode receives the light from the light emitting device and converts the light into an electric signal. The control unit calculates the light output amount using the electric signal, and outputs the calculated light output amount and the predetermined target light output amount The control signal can be generated.

여기서, 상기 제2 반사벽을 상기 제1 반사벽과 동일한 반사도를 가지는 제1 금속으로 도금할 수 있다. Here, the second reflective wall may be plated with a first metal having the same reflectivity as the first reflective wall.

여기서 상기 결합블록은, 상기 반사부에 통공을 형성하여, 상기 통공을 통해 상기 반사부의 외측에 별도로 형성될 수 있다. The coupling block may be formed separately on the outer side of the reflection portion through the through hole by forming a through hole in the reflection portion.

여기서 상기 광검출부는, 상기 통공이 형성된 반사부의 제 1 반사벽에 포토다이오드가 위치하고, 상기 결합블록의 내부에 제어부가 위치하도록 형성될 수 있다. Here, the photodetector may be formed such that the photodiode is positioned on the first reflective wall of the reflective portion where the aperture is formed, and the control portion is located inside the coupling block.

여기서 상기 포토다이오드는 상기 발광소자로부터 상기 빛을 수신하여, 전기신호로 변환하며, 상기 제어부는 상기 전기신호를 이용하여 상기 광출력량을 산출하고, 상기 산출된 광출력량과 기 설정된 목표광출력량을 비교하여, 상기 제어신호를 생성할 수 있다. The photodiode receives the light from the light emitting device and converts the light into an electric signal. The control unit calculates the light output amount using the electric signal, compares the calculated light output amount with a predetermined target light output amount So that the control signal can be generated.

여기서, 상기 반사부의 통공 내에 절연체를 충진할 수 있으며, 상기 발광소자는 자외선 영역의 빛을 출력하는 자외선 발광소자일 수 있다. Here, an insulator may be filled in the through hole of the reflective portion, and the light emitting device may be an ultraviolet light emitting device that outputs light in an ultraviolet region.

본 발명의 다른 실시예에 의한 광 출력량 보정 기능을 포함하는 발광 소자 패키지는, 기판; 상기 기판 상에 형성되는 전극부; 상기 전극부 상에 위치하며, 입력되는 제어신호에 따라 빛을 출력하는 발광소자; 상기 발광소자의 상부에 위치하는 투광부; 상기 투광부의 기 설정된 설치위치에 형성되는 반사체; 및 상기 전극부 상에 위치하며, 상기 발광소자가 출력한 빛 중에서 상기 반사체에서 반사되어 인가되는 빛의 광출력량을 측정하는 광검출부를 포함할 수 있다. A light emitting device package including a light output amount correction function according to another embodiment of the present invention includes a substrate; An electrode unit formed on the substrate; A light emitting element located on the electrode unit and outputting light according to an input control signal; A light-transmitting portion located on the light-emitting device; A reflector formed at a predetermined mounting position of the transparent portion; And an optical detector positioned on the electrode unit and measuring an amount of light output of the light reflected by the reflector among the light output from the light emitting device.

여기서 상기 반사체는, 상기 발광소자로부터 상기 투광부에 이르는 법선과 상기 발광소자로부터 상기 반사체를 연결한 선이 이루는 각도가, 적어도 45도 이상 되는 위치를 상기 설치위치로 설정할 수 있다. Here, the reflector may be set at a position where an angle formed by a normal line extending from the light emitting element to the transparent portion and a line connecting the reflector to the light emitting element is at least 45 degrees.

여기서 상기 반사체는, 기 설정된 목표반사도를 가지는 제1 금속을 이용하여, 상기 설치위치에 돌출된 형태로 형성할 수 있다. Here, the reflector may be formed to protrude from the mounting position using a first metal having a predetermined target reflectivity.

여기서 상기 반사체는, 상기 설치위치에서 상기 투광부를 기 설정된 형상에 따라 오목하게 파내고, 기 설정된 목표반사도를 가지는 제1 금속으로 도금하여 형성할 수 있다. Here, the reflector may be formed by dugging the transparent portion of the light-projecting portion in the predetermined position in the installation position and plating the first metal having a predetermined target reflectivity.

여기서, 상기 투광부는 표면에 코팅층을 포함하고, 상기 반사체는 상기 설치위치에서 상기 코팅층을 기 설정된 형상으로 오목하게 제거하여 생성하는 것일 수 있다. Here, the light transmitting portion may include a coating layer on the surface thereof, and the reflector may be formed by concavely removing the coating layer in the predetermined position at the mounting position.

본 발명의 또 다른 실시예에 의한 광 출력량 보정 기능을 포함하는 발광 소자 패키지는, 기판; 상기 기판 상에 형성되는 전극부; 상기 전극부 상에 위치하며, 입력되는 제어신호에 따라 빛을 출력하는 발광소자; 및 상기 발광소자가 출력한 빛 중에서, 상기 반사체에서 반사되어 인가되는 빛의 광출력량을 측정하는 광검출부를 포함하는 것으로, 상기 광검출부는 상기 전극부가 융기한 업셋부 또는 상기 전극부가 침강한 리세스부 상에 위치할 수 있다. A light emitting device package including a light output amount correction function according to another embodiment of the present invention includes: a substrate; An electrode unit formed on the substrate; A light emitting element located on the electrode unit and outputting light according to an input control signal; And a photodetector for measuring an amount of light output of light reflected from the reflector among the light output from the light emitting device, wherein the photodetector includes an upset portion in which the electrode portion rises, Can be placed on the surface.

덧붙여 상기한 과제의 해결수단은, 본 발명의 특징을 모두 열거한 것이 아니다. 본 발명의 다양한 특징과 그에 따른 장점과 효과는 아래의 구체적인 실시형태를 참조하여 보다 상세하게 이해될 수 있을 것이다.In addition, the means for solving the above-mentioned problems are not all enumerating the features of the present invention. The various features of the present invention and the advantages and effects thereof will be more fully understood by reference to the following specific embodiments.

본 발명의 일 실시예에 의한 광 출력량 보정 기능을 포함하는 발광 소자 패키지에 의하면, 발광 소자의 광 출력량을 측정하고, 측정결과에 따라 광 출력량을 제어할 수 있다.According to the light emitting device package including the light output amount correction function according to the embodiment of the present invention, the light output amount of the light emitting device can be measured and the light output amount can be controlled according to the measurement result.

본 발명의 일 실시예에 의한 광 출력량 보정 기능을 포함하는 발광 소자 패키지에 의하면, 광검출부가 전극부 또는 반사부와 결합하여 일체로 형성되므로, 광검출부 추가에 부피 증가를 최소화할 수 있다. According to the light emitting device package including the light output amount correction function according to an embodiment of the present invention, since the light detecting part is integrally formed with the electrode part or the reflecting part, the increase in the volume of the light detecting part can be minimized.

본 발명의 일 실시예에 의한 광 출력량 보정 기능을 포함하는 발광 소자 패키지에 의하면, 일정한 살균력을 제공하는 자외선 발광 소자 패키지를 제공할 수 있다. The light emitting device package including the light output amount correction function according to an embodiment of the present invention can provide an ultraviolet light emitting device package that provides a certain sterilizing power.

도1은 본 발명의 일 실시예에 의한 광 출력량 보정 기능을 포함하는 발광 소자 패키지를 나타내는 사시도이다.
도2 내지 도4는 본 발명의 일 실시예에 의한 광 출력량 보정 기능을 포함하는 발광 소자 패키지를 나타내는 단면도이다.
도5는 본 발명의 다른 실시예에 의한 광 출력량 보정 기능을 포함하는 발광 소자 패키지를 나타내는 사시도이다.
도6은 본 발명의 다른 실시예에 의한 광 출력량 보정 기능을 포함하는 발광 소자 패키지를 나타내는 단면도이다.
도7은 본 발명의 다른 실시예에 의한 광 출력량 보정 기능을 포함하는 발광 소자 패키지의 반사체 위치설정을 나타내는 개략도이다.
도8은 본 발명의 다른 실시예에 의한 광 출력량 보정 기능을 포함하는 발광 소자 패키지의 반사체를 나타내는 개략도이다.
도9는 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 광 출력량 보정 기능을 포함하는 발광 소자 패키지를 나타내는 단면도이다. 1 is a perspective view illustrating a light emitting device package including a light output amount correction function according to an embodiment of the present invention.
2 to 4 are cross-sectional views illustrating a light emitting device package including an optical power correction function according to an embodiment of the present invention.
5 is a perspective view illustrating a light emitting device package including a light output amount correction function according to another embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package including a light output amount correction function according to another embodiment of the present invention.
7 is a schematic view illustrating reflector position setting of a light emitting device package including a light output amount correction function according to another embodiment of the present invention.
8 is a schematic view showing a reflector of a light emitting device package including a light output amount correction function according to another embodiment of the present invention.
9 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package including a light output amount correction function according to another embodiment of the present invention.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고, 이를 상세한 설명을 통해 상세히 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명은 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. It is to be understood, however, that the intention is not to limit the invention to the specific embodiments, but on the contrary, the intention is to cover all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention.

본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 본 명세서의 설명 과정에서 이용되는 숫자(예를 들어, 제 1, 제 2 등)는 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구분하기 위한 식별기호에 불과하다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In addition, numerals (e.g., first, second, etc.) used in the description of the present invention are merely an identifier for distinguishing one component from another.

또한, 본 명세서에서, 일 구성요소가 다른 구성요소와 "연결된다" 거나 "접속된다" 등으로 언급된 때에는, 상기 일 구성요소가 상기 다른 구성요소와 직접 연결되거나 또는 직접 접속될 수도 있지만, 특별히 반대되는 기재가 존재하지 않는 이상, 중간에 또 다른 구성요소를 매개하여 연결되거나 또는 접속될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.Also, in this specification, when an element is referred to as being " connected " or " connected " with another element, the element may be directly connected or directly connected to the other element, It should be understood that, unless an opposite description is present, it may be connected or connected via another element in the middle.

또한, 본 명세서에서 '~부(유닛)', '모듈' 등으로 표현되는 구성요소는 2개 이상의 구성요소가 하나의 구성요소로 합쳐지거나 또는 하나의 구성요소가 보다 세분화된 기능별로 2개 이상으로 분화될 수도 있다. 또한, 이하에서 설명할 구성요소 각각은 자신이 담당하는 주기능 이외에도 다른 구성요소가 담당하는 기능 중 일부 또는 전부의 기능을 추가적으로 수행할 수도 있으며, 구성요소 각각이 담당하는 주기능 중 일부 기능이 다른 구성요소에 의해 전담되어 수행될 수도 있음은 물론이다.In the present specification, a component represented by 'unit', 'module', or the like refers to a case where two or more components are combined into one component, or one component is divided into two or more ≪ / RTI > In addition, each of the components to be described below may additionally perform some or all of the functions of the other components in addition to the main functions of the component itself, and some of the main functions And may be performed entirely by components.

이하의 설명에서는 '발광 소자 패키지'를 중심으로 하여 본 발명의 실시예들에 대해 설명하지만, 이하의 '발광 소자 패키지'는 디스플레이를 위한 백라이트로 활용될 수 있으며, 디스플레이 자체로도 활용될 수 있다. LED 소자들이 배치된 '발광 소자 패키지'를 이용하여 백라이트, 디스플레이 등으로 활용하는 것은 당업계에 자명한 사항인바, 이하에서 '발광 소자 패키지'를 중심으로 설명하더라도, 이러한 내용들이 백라이트 및 디스플레이에도 적용될 수 있음을 알 수 있을 것이다.In the following description, the embodiments of the present invention will be described with reference to a 'light emitting device package'. However, the following 'light emitting device package' can be utilized as a backlight for a display and also as a display itself . The use of the 'light emitting device package' in which the LED elements are disposed as a backlight, a display, or the like is a matter that is obvious to those skilled in the art. Hereinafter, even if the 'light emitting device package' is mainly described, these contents are also applied to a backlight and a display It can be seen that

도1은 본 발명의 일 실시예에 의한 광 출력량 보정 기능을 포함하는 발광 소자 패키지를 나타내는 사시도이다. 1 is a perspective view illustrating a light emitting device package including a light output amount correction function according to an embodiment of the present invention.

도1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 광 출력량 보정 기능을 포함하는 발광 소자 패키지는, 기판(1), 전극부(10), 발광소자(20), 광검출부(30), 반사부(40) 및 투광부(50)를 포함할 수 있다. 1, a light emitting device package including an optical power correction function according to an exemplary embodiment of the present invention includes a substrate 1, an electrode unit 10, a light emitting device 20, a light detecting unit 30, (40) and a transparent portion (50).

이하, 도1을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 의한 광 출력량 보정 기능을 포함하는 발광 소자 패키지를 설명한다. Hereinafter, a light emitting device package including an optical power correction function according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

기판(1)은 외부 전원을 전극부(10)에 공급할 수 있으며, 전극부(10)는 발광소자(20)에 외부 전원을 공급하여 발광소자(20)가 빛을 출력하도록 할 수 있다. 기판(1)은 외부 전원과의 연결을 위한 배선층을 포함할 수 있으며, 이때 기판(1)은 에폭시계 수지 시트를 다층형성시킨 인쇄 회로 기판(PCB: Printed Circuit Board)이나, 연성 재질의 플렉서블 인쇄 회로 기판(FPCB: Flexible Printed Circuit Board) 등일 수 있다. 또한, 실시예에 따라서는, 레진, 글래스 에폭시 등의 합성 수지 기판, 열전도율을 고려한 세라믹 기판(ceramic) 등을 기판(1)으로 활용할 수 있으며, 절연처리된 알루미늄, 구리, 아연, 주석, 납, 금, 은 등의 금속 기판이나, 플레이트 형태 또는 리드 프레임 형태의 기판 등을 적용하는 것도 가능하다. The substrate 1 can supply an external power source to the electrode unit 10 and the electrode unit 10 can supply external power to the light emitting device 20 so that the light emitting device 20 outputs light. The substrate 1 may include a wiring layer for connection to an external power source. The substrate 1 may be a printed circuit board (PCB) in which an epoxy resin sheet is formed in multiple layers, a flexible printed circuit board A flexible printed circuit board (FPCB), or the like. According to the embodiment, a synthetic resin substrate such as resin or glass epoxy, a ceramic substrate considering thermal conductivity, etc. may be used as the substrate 1, and aluminum, copper, zinc, tin, lead, A metal substrate such as gold or silver, a substrate in the form of a plate or a lead frame, or the like.

전극부(10)는 기판(1) 상에 형성될 수 있으며, 전극부(10)에는 제1 전극(10a), 제2 전극(10b) 및 절연부(10c)가 포함될 수 있다. 도1에 도시한 바와 같이, 절연부(10c)를 기준으로 일측에 제1 전극(10a)이 형성되고, 타측에 제2 전극(10b)이 형성될 수 있으며, 전극부(10) 상에는 적어도 하나 이상의 발광소자(20)가 수용될 수 있다. 발광소자(20)는 제1 전극(10a) 및 제2 전극(10b)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있으며, 전극부(10)를 통하여 전력을 공급받아 빛을 방출할 수 있다. 전극부(10)는 발광소자(20)를 지지할 수 있도록 적당한 기계적 강도를 갖는 재료로 제작될 수 있다. The electrode unit 10 may be formed on the substrate 1 and the electrode unit 10 may include a first electrode 10a, a second electrode 10b and an insulating unit 10c. The first electrode 10a may be formed on one side of the insulating portion 10c and the second electrode 10b may be formed on the other side of the insulating portion 10c as shown in FIG. The above-described light emitting element 20 can be accommodated. The light emitting device 20 may be electrically connected to the first electrode 10a and the second electrode 10b and may receive power through the electrode unit 10 to emit light. The electrode portion 10 may be made of a material having suitable mechanical strength so as to support the light emitting element 20.

발광소자(20)는 전극부(10) 상에 위치할 수 있으며, 입력되는 제어신호에 따라 빛을 출력할 수 있다. 발광소자(20)는 전극부(10)로부터 제공받는 전력을 이용하여 빛을 방출할 수 있으며, 이때 입력되는 제어신호에 따라 방출하는 빛의 광출력량을 조절할 수 있다. The light emitting device 20 may be positioned on the electrode unit 10 and may output light according to an input control signal. The light emitting device 20 can emit light using the electric power supplied from the electrode unit 10, and the light output amount of the light emitted according to the control signal inputted thereto can be adjusted.

발광소자(20)는 공급받은 전압 또는 전류의 크기에 따라 광출력량을 조절할 수 있으며, 제어신호는 발광소자(20)에 공급하는 전압 또는 전류의 크기를 제어하는 것일 수 있다. 즉, 발광소자(20)에 인가하는 전압 또는 전류의 크기가 높아질수록 발광소자(20)의 광출력량이 증가할 수 있으며, 인가하는 전압 또는 전류의 크기가 낮아질수록 발광소자(20)의 광출력량이 감소할 수 있다. 실시예에 따라서는, 발광소자(20)에 공급하는 전압 또는 전류의 크기가 제어신호일 수 있다. The light emitting device 20 may control the amount of light output according to the magnitude of the supplied voltage or current and the control signal may control the magnitude of voltage or current supplied to the light emitting device 20. [ That is, as the voltage or current applied to the light emitting device 20 increases, the light output of the light emitting device 20 may increase, and as the applied voltage or current decreases, the light output of the light emitting device 20 Can be reduced. Depending on the embodiment, the magnitude of the voltage or current supplied to the light emitting element 20 may be a control signal.

한편, 발광소자(20)는 반도체로 구현되는 것으로, 예를들어, 질화물 반도체로 이루어지는 청색, 녹색, 적색, 황색 발광의 LED(Light emitting Diode)나, 자외선 발광의 LED 등이 발광소자(20)에 해당할 수 있다. 질화물 반도체는, 일반식이 AlxGayInzN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1, x+y+z=1)으로 나타낼 수 있다. 발광소자(20)는 MOCVD법 등의 기상성장법에 의해, 성장용 사파이어 기판이나 실리콘 카바이드 기판 상에 InN, AIN, InGaN, AlGaN, InGaAIN 등의 질화물 반도체를 에피택셜 성장시켜 구성하는 것일 수 있다. 이외에도, 발광소자(20)는 ZnO, ZnS, ZnSe, SiC, GaP, GaAlAs, AlInGaP 등의 반도체를 이용해서 형성하는 것도 가능하다. 여기서, 이들 반도체를 n형 반도체층, 발광층, p형 반도체층의 순으로 형성한 적층체를 이용하여 발광소자(20)를 구현할 수 있으며, 발광층(활성층)은 다중 양자웰 구조나 단일 양자웰 구조를 포함한 적층 반도체 또는 더블 헤테로 구조의 적층 반도체를 이용하여 구현할 수 있다. For example, a light emitting diode (LED) of a blue, green, red, or yellow light emitting diode and a LED of ultraviolet light emitting from the nitride semiconductor are provided in the light emitting device 20, . The nitride semiconductor can be represented by the general formula AlxGayInzN (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? Z? 1, x + y + z = 1). The light emitting device 20 may be formed by epitaxially growing a nitride semiconductor such as InN, AIN, InGaN, AlGaN, or InGaAIN on a sapphire substrate for growth or a silicon carbide substrate by a vapor growth method such as MOCVD. In addition, the light emitting device 20 can be formed using semiconductors such as ZnO, ZnS, ZnSe, SiC, GaP, GaAlAs, and AlInGaP. Here, the light emitting device 20 can be realized by using a stacked body in which these semiconductors are formed in the order of an n-type semiconductor layer, a light emitting layer, and a p-type semiconductor layer. The light emitting layer (active layer) may have a multiple quantum well structure or a single quantum well structure Or a stacked semiconductor of a double hetero structure.

발광소자(20)는 디스플레이 용도나 조명용도 등 용도에 따라 임의의 파장을 선택하여 사용할 수 있으며, 여기서는 특히 자외선의 빛을 방출하는 자외선 발광소자를 활용할 수 있다. The light emitting device 20 may be selected from any wavelength according to the application such as display or illumination. In this case, an ultraviolet light emitting device that emits ultraviolet light may be used.

추가적으로, 발광소자(20)는, 도1에 도시한 바와 같이, 하부에 제1 전극(10a) 및 제2 전극(10b)과 전기적으로 연결되도록 돌출된 플립칩(flip chip) 형태의 LED일 수 있다. 또한, 여기서는 전극부(10) 상에 하나의 발광 소자(20)가 안착되는 경우를 예시하였으나, 실시예에 따라서는 복수의 발광소자(20)를 안착시키는 것도 가능하다.1, the light emitting device 20 may be a flip chip type LED protruding to be electrically connected to the first electrode 10a and the second electrode 10b at a lower portion thereof, have. In this embodiment, a single light emitting device 20 is mounted on the electrode unit 10, but it is also possible to mount a plurality of light emitting devices 20 according to the embodiment.

광검출부(30)는 발광소자(20)가 출력하는 빛의 광출력량을 측정할 수 있다. 광검출부(30)는 발광소자 패키지(100) 내의 고정된 위치에 구비될 수 있으며, 발광소자(20)가 출력하는 광출력량을 지속적으로 모니터링할 수 있다. 따라서, 광검출부(30)를 이용하면 발광소자(20)가 미리 설정한 목표광출력량으로 발광하는지 여부를 확인할 수 있으며, 만약 추출한 광출력량이 기 설정된 목표광출력량 미만인 경우에는, 발광소자(20)의 광출력량을 높이기 위한 제어신호를 생성할 수 있다. 구체적으로, 광검출부(30)는 포토다이오드(31) 및 제어부(32)를 포함할 수 있다. The light detecting unit 30 can measure the light output amount of the light output by the light emitting device 20. [ The light detecting unit 30 may be provided at a fixed position within the light emitting device package 100 and may continuously monitor the light output amount of the light emitting device 20. [ Therefore, if the light detecting unit 30 is used, it can be confirmed whether the light emitting device 20 emits light with the target light output amount set in advance. If the extracted light output amount is less than the predetermined target light emitting amount, It is possible to generate a control signal for increasing the light output amount of the light source. Specifically, the photodetector 30 may include a photodiode 31 and a controller 32.

포토다이오드(31)는 발광소자(20)가 출력하는 빛을 수신하여 전기신호로 변환할 수 있다. 포토다이오드(31)는 광기전력 효과를 이용하여, 입력되는 빛의 세기에 비례하는 전기신호를 생성하므로, 포토다이오드(31)가 생성하는 전기신호로부터 발광소자(20)의 광출력량을 측정할 수 있다. 다만, 동일한 발광소자(20)라도, 포토다이오드(31)의 위치에 따라 수신하는 빛의 양이나 세기 등이 달라질 수 있다. 즉, 포토다이오드(31)의 설치위치가 측정결과에 영향을 미칠 수 있으므로, 도1 내지 도3 등에 도시한 바와 같이, 포토다이오드(31)를 발광 소자 패키지(100) 내의 기 설정된 위치에 고정시킬 수 있다. 따라서, 이후 포토다이오드(31)에서 측정한 발광소자(20)의 광출력량이 감소하는 등 변화가 있는 경우, 발광소자(20)의 경년열화 등 발광소자(20)에 문제가 있는 것으로 판단할 수 있다. 한편, 포토다이오드(31)는 발광소자(20)의 측면에 위치하므로, 발광소자(20)의 측면광을 입력받을 수 있다. The photodiode 31 can receive the light output from the light emitting element 20 and convert it into an electrical signal. Since the photodiode 31 generates an electric signal proportional to the intensity of the input light by using the photovoltaic effect, the photodiode 31 can measure the light output amount of the light emitting element 20 from the electric signal generated by the photodiode 31 have. However, even in the same light emitting device 20, the amount and intensity of light received may vary depending on the position of the photodiode 31. That is, since the mounting position of the photodiode 31 may affect the measurement result, the photodiode 31 may be fixed at a predetermined position in the light emitting device package 100, as shown in Figs. . Therefore, when there is a change such as a decrease in the light output amount of the light emitting element 20 measured by the photodiode 31, it can be judged that there is a problem in the light emitting element 20, such as aged deterioration of the light emitting element 20 have. Since the photodiode 31 is located on the side surface of the light emitting device 20, the side light of the light emitting device 20 can be received.

제어부(32)는 포토다이오드(31)로부터 수신한 전기신호를 이용하여 광출력량을 산출할 수 있으며, 산출한 광출력량과 기 설정된 목표광출력량을 비교하여, 제어신호를 생성할 수 있다. 전기신호는 포토다이오드(31)로 인가되는 발광소자(20)의 빛의 세기 또는 빛의 양에 비례하여 생성되므로, 포토다이오드(31)가 생성한 전기신호를 이용하면 발광소자(20)의 광출력량을 확인할 수 있다. 예를들어, 제어부(32)에는 각각의 전기신호값에 대응하는 광출력량이 표시된 테이블표나 실험식 등이 구비될 수 있으며, 이를 통하여 광출력량을 산출할 수 있다. 여기서 각각의 테이블표나 실험식 등은 발광소자(20)와 광검출부(30)의 위치나 거리, 기하학적 구조, 기타 주변환경 등에 따라 상이하게 설정될 수 있다. The control unit 32 can calculate the light output amount using the electric signal received from the photodiode 31 and can compare the calculated light output amount with the predetermined target light output amount to generate the control signal. The electric signal is generated in proportion to the light intensity or the amount of light of the light emitting device 20 applied to the photodiode 31. Therefore, by using the electric signal generated by the photodiode 31, You can check the amount of output. For example, the controller 32 may be provided with a table or an empirical formula indicating the amount of light output corresponding to each electric signal value, and the light output amount can be calculated through the table. Here, each table or empirical formula may be set differently depending on the position, distance, geometrical structure, and other surrounding environment of the light emitting device 20 and the light detecting unit 30.

이후, 제어부(32)는 산출한 광출력량과 목표광출력량을 비교할 수 있으며, 산출한 광출력량이 목표광출력량보다 작은 경우에는 발광소자(20)의 광출력량을 증가하도록 제어신호를 생성하고, 산출한 광출력량이 목표광출력량보다 큰 경우에는 발광소자(20)의 광출력량을 감소시키도록 제어신호를 생성할 수 있다. 여기서, 제어신호는 산출한 광출력량과 목표광출력량의 차이값에 대응하도록 생성할 수 있으며. 실시예에 따라서는 상기 차이값에 대응하는 제어신호가 설정된 테이블표 등을 활용하여 제어신호를 생성하는 것도 가능하다. Thereafter, the control unit 32 can compare the calculated light output amount with the target light output amount. When the calculated light output amount is smaller than the target light output amount, the control unit 32 generates a control signal to increase the light output amount of the light emitting element 20, When the light output amount is larger than the target light output amount, the control signal can be generated so as to reduce the light output amount of the light emitting element 20. [ Here, the control signal can be generated so as to correspond to the difference between the calculated light output amount and the target light output amount. According to an embodiment, it is also possible to generate a control signal using a table table or the like on which a control signal corresponding to the difference value is set.

반사부(40)는 발광소자(20)에서 출력된 빛들이 투광부(50)를 통하여 외부로 발산되도록 빛을 반사시킬 수 있다. 반사부(40)는 발광소자(20)의 주위를 경사진 제1 반사벽으로 둘러싸는 형태로 형성될 수 있으며, 전극부(10)와 결합하여 상부가 개방된 오목한 형상의 개구를 형성할 수 있다. 여기서 반사부(40)는 다양한 방식으로 형성될 수 있으며, 이에 따라 개구는 원형, 타원형, 다각형, 사다리꼴형, 복합형 등 다양한 형상을 가질 수 있다. 반사부(40)는 알루미늄 등의 금속으로 구현될 수 있으며, 실시예에 따라서는 에폭시 수지 조성물, 실리콘 수지 조성물, 실리콘 변성 에폭시 수지 등의 변성 에폭시 수지 조성물, 에폭시 변성 실리콘 수지 등의 변성 실리콘 수지 조성물, 폴리이미드 수지 조성물, 변성 폴리이미드 수지 조성물, 폴리프탈아미드(PPA), 폴리카보네이트 수지, 폴리페닐렌 설파이드(PPS), 액정 폴리머(LCP), ABS 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, PBT 수지 등 다양한 재질로 구현될 수 있다. 또한, 이들 수지 중에, 산화 티타늄, 이산화 규소, 이산화 티탄, 이산화 지르코늄, 티타늄 산 칼륨, 알루미나, 질화 알루미늄, 질화 붕소, 멀라이트, 크롬, 화이트 계열이나 금속 계열의 성분 등 광 반사성 반사 물질을 함유시킬 수 있다. The reflection unit 40 may reflect light so that the light output from the light emitting device 20 is emitted to the outside through the light projecting unit 50. The reflective portion 40 may be formed to surround the light emitting element 20 with a first reflective wall inclined around the light emitting element 20 and may be formed with a concave opening have. Here, the reflective portion 40 may be formed in various ways, and thus the opening may have various shapes such as a circle, an ellipse, a polygon, a trapezoid, and a composite. The reflective portion 40 may be formed of a metal such as aluminum. Depending on the embodiment, the reflective portion 40 may be formed of an epoxy resin composition, a silicone resin composition, a modified epoxy resin composition such as a silicone-modified epoxy resin, or a modified silicone resin composition such as an epoxy- (PPA), polycarbonate resin, polyphenylene sulfide (PPS), liquid crystal polymer (LCP), ABS resin, phenol resin, acrylic resin, PBT resin, and the like And can be implemented as a material. It is also possible to add a light reflective reflecting material such as titanium oxide, silicon dioxide, titanium dioxide, zirconium dioxide, potassium titanate, alumina, aluminum nitride, boron nitride, mullite, chromium, .

한편, 도1 및 도2에 도시한 바와 같이, 반사부(40)에 포함된 제1 반사벽의 기 설정된 영역을 광검출부(30)를 포함하는 결합블록(A)으로 대체할 수 있다. 즉, 제1 반사벽과 결합블록(A)을 결합하여 반사부(40)를 형성할 수 있으며, 이때 결합블록(A)은 제1 반사벽과 동일한 기울기로 경사진 제2 경사벽을 포함할 수 있다. 이를 통하여, 제1 반사벽이 위치하는 영역에서는 빛을 반사시켜 외부로 빛을 발산시키고, 결합블록(A)이 위치하는 제2 반사벽에서는 결합블록(A) 내에 위치한 광검출부(30)를 통하여 발광소자(20)의 광출력량을 산출할 수 있다. 이와 같이, 결합블록(A)을 반사부(40) 내에 결합하는 경우, 광검출부(30)의 위치가 고정되므로 안정적으로 발광소자(20)의 광출력량을 측정할 수 있으며, 광검출부(30)의 추가에 불구하고 발광소자 패키지(100)의 크기가 증가하는 것을 최소화할 수 있다. 1 and 2, a predetermined area of the first reflecting wall included in the reflecting part 40 can be replaced with a coupling block A including the optical detecting part 30. [ That is, the reflection block 40 can be formed by combining the first reflection wall and the coupling block A, wherein the coupling block A includes a second inclined wall inclined at the same slope as the first reflection wall . In this case, light is reflected to the outside in a region where the first reflection wall is located, and light is emitted from the second reflection wall in which the combining block (A) is located through the optical detecting portion (30) The light output amount of the light emitting element 20 can be calculated. When the coupling block A is coupled into the reflection portion 40, the light output amount of the light emitting device 20 can be stably measured because the position of the light detection portion 30 is fixed. The increase of the size of the light emitting device package 100 can be minimized.

구체적으로, 포토다이오드(31)는 결합블록(A) 중에서 발광소자(20)의 빛이 인가되는 제2 반사벽 상에 위치할 수 있으며, 제어부(32)는 결합블록(A) 내부에 위치할 수 있다. 여기서, 제어부(32)는 구동 회로(drive circuit) 등 전자회로로 구현될 수 있으며, 결합블록(A)은 다양한 종류의 수지 등으로 형성될 수 있다. 반사부(40)의 제1 반사벽 등이 알루미늄 등 금속으로 형성되는 경우, 수지로 형성되는 결합블록(A)의 반사도는 상대적으로 낮을 수 있으며, 이로 인하여 발광소자 패키지(100)의 전체 광 추출 효율이 낮아질 수 있다. 따라서, 적어도 결합블록(A)의 제2 반사벽에 대하여는 알루미늄 등 기 설정된 목표 반사도 이상의 반사도를 가지는 제1 금속으로 도금할 수 있다. 이때, 제1 금속은 제1 반사벽과 동일한 반사도를 가지는 것일 수 있다. Specifically, the photodiode 31 may be positioned on a second reflective wall of the coupling block A to which the light of the light emitting device 20 is applied, and the control unit 32 may be located inside the coupling block A. . Here, the control unit 32 may be implemented as an electronic circuit such as a drive circuit, and the coupling block A may be formed of various kinds of resin or the like. When the first reflective wall or the like of the reflective portion 40 is formed of a metal such as aluminum, the reflectivity of the bonding block A formed of resin may be relatively low, The efficiency can be lowered. Therefore, at least the second reflecting wall of the coupling block (A) can be plated with a first metal having reflectivity higher than the predetermined target reflectivity such as aluminum. At this time, the first metal may have the same reflectivity as the first reflecting wall.

투광부(50)는 석영유리(quartz glass)일 수 있으며, 발광소자(20)가 출력하는 빛은 투광부(50)를 통하여 외부로 발산될 수 있다. 투광부(50)는 발광소자(20) 등 발광소자 패키지 내부를 보호하는 동시에, 발광소자(20)의 빛을 외부로 발산시키는 기능을 수행할 수 있다. 실시예에 따라서는 투광부(50)를 폴리카보네이트 계열, 폴리술폰계열, 폴리아크릴레이트 계열, 폴리스틸렌계, 폴리비닐클로라이드계, 폴리비닐알코올계, 폴리노르보넨 계열, 폴리에스테르 등의 재질로 제조하거나, 각종 투광성 수지 계열의 재질을 적용하여 제조할 수 있다. 또한, 투광부(50)는 표면에 미세패턴, 미세돌기나 확산막 등을 형성할 수 있으며, 내부에 미세 기포를 형성하는 등 다양한 방법으로 제조될 수 있다. 실시예에 따라서는 투광부(50)의 상면에 복수의 볼록부를 포함할 수 있으며, 볼록부를 통하여 투광부(50)를 투과하는 광들이 집적될 수 있으므로, 발광소자 패키지의 광 추출 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.The light projecting unit 50 may be a quartz glass and the light emitted by the light emitting device 20 may be emitted to the outside through the light projecting unit 50. The transparent portion 50 protects the inside of the light emitting device package such as the light emitting device 20 and can also function to divert the light of the light emitting device 20 to the outside. The transparent portion 50 may be made of a material such as a polycarbonate series, a polysulfone series, a polyacrylate series, a polystyrene series, a polyvinyl chloride series, a polyvinyl alcohol series, a polynorbornene series, a polyester or the like , And various translucent resin-based materials. In addition, the transparent portion 50 can be formed by various methods such as forming fine patterns, fine protrusions, diffusion films, and the like on the surface and forming fine bubbles therein. According to the embodiment, a plurality of convex portions may be formed on the upper surface of the transparent portion 50. Since the light transmitted through the transparent portion 50 can be integrated through the convex portion, the light extraction efficiency of the light emitting device package can be further improved .

한편, 실시예에 따라서는 도3에 도시한 바와 같이, 전극부(10)와 반사부(40)가 일체형으로 구현될 수 있다. 예를들어, 전극부(10)와 반사부(40)가 모두 알루미늄 재질인 경우에는, 전극부(10)와 반사부(40)를 구분하지 않고 일체로 형성할 수 있다. 이 경우, 결합블록(A)은 전극부(10)와 반사부(40)의 기 설정된 영역을 대체하여 삽입될 수 있으며, 결합블록(A)의 형태를 보다 다양하게 구현할 수 있다. 3, the electrode unit 10 and the reflection unit 40 may be integrally formed. For example, when the electrode unit 10 and the reflection unit 40 are both made of aluminum, the electrode unit 10 and the reflection unit 40 can be formed integrally without being distinguished from each other. In this case, the coupling block A can be inserted in place of the predetermined area of the electrode unit 10 and the reflecting unit 40, and the shape of the coupling block A can be further diversified.

추가적으로, 도4에 도시한 바와 같이, 결합블록(A)을 반사부(40) 내에 결합하는 대신에, 반사부(40)에 통공(h)을 형성하여 포토다이오드(31)를 내부에 삽입하는 실시예도 가능하다. 즉, 반사부(40)에 통공(h)을 형성한 후, 통공(h)을 통하여 반사벽의 기 설정된 위치에 포토다이오드(31)를 설치할 수 있다. 따라서, 포토다이오드(31)는 발광소자(20)가 출력하는 빛을 인가받을 수 있으며, 이를 통하여 발광소자(20)의 광출력량을 추출할 수 있다. 이때, 제어부(32)는 결합블록 내에 위치하며, 결합블록은 발광 소자 패키지의 외부에 실리콘 등을 통하여 부착될 수 있다. 통공(h)의 내부에는 절연체 등이 충진될 수 있다. In addition, as shown in Fig. 4, instead of coupling the coupling block A in the reflecting portion 40, a through hole h is formed in the reflecting portion 40 to insert the photodiode 31 therein Embodiments are also possible. That is, after the through hole h is formed in the reflecting portion 40, the photodiode 31 can be provided at a predetermined position of the reflecting wall through the through hole h. Therefore, the photodiode 31 can receive the light output from the light emitting device 20, and can extract the light output amount of the light emitting device 20 through it. At this time, the control unit 32 is located in the coupling block, and the coupling block can be attached to the outside of the light emitting device package through the silicon or the like. An insulator or the like may be filled in the through hole h.

도5는 본 발명의 다른 실시예에 의한 광 출력량 보정 기능을 포함하는 발광 소자 패키지를 나타내는 사시도이다.5 is a perspective view illustrating a light emitting device package including a light output amount correction function according to another embodiment of the present invention.

도5를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 의한 광 출력량 보정 기능을 포함하는 발광 소자 패키지는 기판(1), 전극부(10), 발광소자(20), 투광부(50), 반사체(60) 및 광검출부(30)를 포함할 수 있다. 5, a light emitting device package including an optical power correction function according to another embodiment of the present invention includes a substrate 1, an electrode unit 10, a light emitting device 20, a light projecting unit 50, 60 and a light detecting unit 30. [

이하, 도5를 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 의한 광 출력량 보정 기능을 포함하는 발광 소자 패키지를 설명한다. Hereinafter, a light emitting device package including a light output amount correction function according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

도5에 도시한 바와 같이, 광검출부(30)는 전극부(10) 상에 위치할 수 있다. 광검출부(30)에는 포토다이오드 및 제어부가 포함될 수 있으며, 제어부는 IC(Integrated Circuit) 칩의 형태로 구현될 수 있다. 이 경우, 제어부는 발광소자(20)와 같이 플립칩의 형태로 구현되어 전극부(10)로부터 전원을 공급받을 수 있으며, 포토다이오드는 IC칩 형태의 제어부 상에 적층되는 구조로 형성될 수 있다. As shown in FIG. 5, the photodetector 30 may be positioned on the electrode unit 10. The photodetector 30 may include a photodiode and a controller, and the controller may be implemented in the form of an IC (Integrated Circuit) chip. In this case, the control unit may be implemented in the form of a flip chip like the light emitting device 20 to receive power from the electrode unit 10, and the photodiodes may be stacked on the control unit of the IC chip type .

여기서, 광검출부(30)로 빛을 인가하기 위하여, 투광부(50) 상에 반사체(60)가 설치될 수 있으며, 반사체(60)는 도6에 도시한 바와 같이, 발광소자(20)가 출력하는 빛의 일부를 반사하여 광검출부(30)로 입력할 수 있다. 따라서, 광검출부(30)는 반사체(60)에서 반사되어 입력되는 빛을 이용하여 발광소자(20)의 광출력량을 추출할 수 있다. In order to apply light to the light detecting unit 30, a reflector 60 may be provided on the light-transmitting unit 50. The reflector 60 may include a light emitting device 20, A part of the output light can be reflected and input to the optical detector 30. [ Accordingly, the light detecting unit 30 can extract the light output amount of the light emitting device 20 using the light reflected from the reflector 60.

구체적으로, 반사체(60)는 투광부(50)의 기 설정된 설정위치에 형성될 수 있다. 반사체(60)는 투광부(50)에 위치하여 발광소자(20)가 외부로 방출하는 빛을 다시 반사시키는 것으로, 반사체(60)에 의해 발광 소자 패키지의 광 추출 효율이 저감될 수 있다. 따라서, 반사체(60)의 크기는 최소화하고 반사체(60)의 위치를 투광부(50)의 가장자리로 설정하여 반사체(60)에 의한 광 추출 효율 저감을 최소화하도록 할 수 있다. 구체적으로, 도7에 도시한 바와 같이, 반사체(60)의 설정위치는 발광소자(20)로부터 투광부(50)에 이르는 법선과 발광소자(20)로부터 반사체를 연결한 선이 이루는 각도가 기 설정된 각도(θ)이상이 되는 위치를 반사체(60)의 설정위치(P, P')로 설정할 수 있다. 여기서 기 설정된 각도(θ)는 40~45도 사이에서 설정될 수 있다. Specifically, the reflector 60 may be formed at a predetermined set position of the transparent portion 50. [ The reflector 60 is positioned in the transparent portion 50 and reflects light emitted from the light emitting device 20 to the outside. The light extracting efficiency of the light emitting device package can be reduced by the reflector 60. Therefore, the size of the reflector 60 can be minimized, and the position of the reflector 60 can be set at the edge of the transparent portion 50 to minimize the reduction in light extraction efficiency by the reflector 60. 7, the set position of the reflector 60 is set such that the angle formed by the normal line from the light emitting element 20 to the transparent portion 50 and the line connecting the reflector to the light emitting element 20 is It is possible to set the position at which the angle exceeds the set angle? To the set positions P and P 'of the reflector 60. [ The predetermined angle? May be set between 40 and 45 degrees.

한편, 반사체(60)는 도8에 도시한 바와 같이, 설정위치 상에 돌출되는 형태로 생성하거나, 설정위치에서 오목하게 함몰되는 형태로 형성하거나, 또는 투광부(60) 내에 포함되도록 형성할 수 있다. 8, the reflector 60 may be formed so as to protrude on the set position or be recessed at the set position, or may be formed to be included in the transparent portion 60 have.

도8(a)와 같이, 반사체(60)가 돌출하는 경우에는, 설정위치 상에 기 설정된 목표반사도를 가지는 제1 금속을 이용하여 돌출된 형태로 형성할 수 있다. 이때 반사체(60)의 형상은 다각기둥, 원기둥, 다각뿔, 원뿔 등 다양한 형태로 구현할 수 있으며, 반사체(60)의 두께는 투광부(50) 두께의 5% 내외, 지름은 대략 30~50 μm 정도의 크기로 형성할 수 있다. As shown in Fig. 8 (a), when the reflector 60 protrudes, it can be formed in a protruding shape using a first metal having a predetermined target reflectivity on the set position. The thickness of the reflector 60 may be about 5% of the thickness of the transparent portion 50, the diameter of the reflector 60 may be about 30 to 50 μm, As shown in Fig.

한편, 도8(b)와 같이, 반사체(60)가 오목하게 함몰되는 형태의 경우, 투광부(50)를 기 설정된 형상으로 오목하게 파낸 후 제1 금속으로 도금하는 형태로 형성할 수 있다. 여기서, 오목하게 파내는 형태는 다각기둥, 원기둥 등 다양하게 설정할 수 있으며, 도금하는 경우에도, 오목한 형태를 유지하거나, 오목한 형태를 모두 채우는 등 다양하게 형성할 수 있다. 실시예에 따라서는, 투광부(50)에 무반사코팅(AR: Anti-Refection) 등 코팅층이 형성되는 경우가 있을 수 있으며, 이때 설정위치의 코팅층을 제거하는 방식으로 반사체(60)를 형성하는 것도 가능하다. On the other hand, in the case where the reflector 60 is recessed concavedly as shown in FIG. 8 (b), the transparent portion 50 may be formed by dugging in a predetermined shape and then plating with the first metal. Here, the concave shape can be variously set in a variety of shapes such as a prismatic shape, a cylindrical shape and the like, and it can be formed in various ways such as maintaining a concave shape or filling concave shapes even when plating. Depending on the embodiment, there may be a case where a coating layer such as anti-reflection (AR) is formed on the transparent portion 50. In this case, the reflector 60 may be formed by removing the coating layer at the set position It is possible.

이외에도, 도8(c)에 도시한 바와 같이, 투광부(50) 내부의 기 설정된 설치위치에 제1 금속 등의 반사물질을 포함시키는 방식으로 반사체(60)를 형성하는 것도 가능하다. In addition, as shown in Fig. 8 (c), it is also possible to form the reflector 60 in such a manner that a reflective material such as a first metal is included in a predetermined installation position in the transparent portion 50. [

추가적으로, 본 발명의 또다른 실시예에 의한 광 출력량 보정 기능을 포함하는 발광 소자 패키지는, 도9에 도시한 바와 같은 형태로 구현할 수 있다. In addition, the light emitting device package including the light output amount correction function according to another embodiment of the present invention can be implemented as shown in FIG.

즉, 도9(a)에 도시한 바와 같이, 전극부(10)에 침강한 리세스부를 구비하고, 리세스부에 광검출부(30)를 포함하여, 발광소자(20)의 광출력량을 측정하도록 할 수 있다. 또한, 도9(b)에 도시한 바와 같이, 전극부(10)에 융기한 업셋부를 구비하고, 업셋부에 광검출부(30)를 포함하여, 발광소자(20)의 광출력량을 측정하도록 하는 것도 가능하다. That is, as shown in Fig. 9 (a), a recess portion is formed in the electrode portion 10, and the light detecting portion 30 is included in the recess portion to measure the light output amount of the light emitting element 20 . As shown in Fig. 9 (b), an upset portion protruding from the electrode portion 10 is provided, and the photodetector portion 30 is included in the upset portion to measure the light output amount of the light emitting element 20 It is also possible.

이 경우, 투광부(50)에 별도의 반사체 등의 구성을 포함시킬 필요가 없으며, 광검출부(30)는 IC칩 형태로 구현하여 활용할 수 있다. 즉, 전극부(10)의 형상을 변형하여 발광소자(20)의 빛이 광검출부(30)로 용이하게 인가되도록 할 수 있으며, 이 경우 광검출부(30)로 빛이 용이하게 인가되도록 광검출부(30)의 설치위치나 설치방법 등을 조절할 수 있다. In this case, there is no need to include a separate reflector or the like in the transparent portion 50, and the optical detector 30 can be implemented in the form of an IC chip and utilized. That is, the shape of the electrode unit 10 may be modified so that the light from the light emitting device 20 is easily applied to the light detecting unit 30. In this case, It is possible to adjust the installation position and installation method of the battery 30.

본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니다. 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명에 따른 구성요소를 치환, 변형 및 변경할 수 있다는 것이 명백할 것이다.The present invention is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings. It will be apparent to those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.

1: 기판 10: 전극부
20: 발광소자 30: 광검출부
31: 포토다이오드 32: 제어부
40: 반사부 50: 투광부
60: 반사체1: substrate 10: electrode portion
20: light emitting element 30:
31: photodiode 32:
40: reflective part 50: transparent part
60: reflector

Claims (16)

기판;
상기 기판 상에 형성되는 전극부;
상기 전극부 상에 위치하며, 입력되는 제어신호에 따라 빛을 출력하는 발광소자;
상기 발광소자의 주위를 경사진 제1 반사벽으로 둘러싸는 반사부; 및
상기 발광소자가 출력하는 상기 빛의 광출력량을 측정하는 광검출부를 포함하며,
상기 광검출부는 결합블록에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
Board;
An electrode unit formed on the substrate;
A light emitting element located on the electrode unit and outputting light according to an input control signal;
A reflective portion surrounding a periphery of the light emitting element with a first reflective wall inclined; And
And a photodetector for measuring a light output of the light output by the light emitting element,
Wherein the light detecting portion is formed in a coupling block.
제1항에 있어서, 상기 결합블록은
상기 경사진 제1 반사벽과 동일한 기울기로 경사진 제2 반사벽을 포함하며,
상기 반사부의 일부인 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
2. The apparatus of claim 1,
And a second reflecting wall inclined at the same slope as the inclined first reflecting wall,
And the light emitting device package is a part of the reflective portion.
제2항에 있어서, 상기 광검출부는
상기 발광소자의 빛이 인가되는 상기 제2 반사벽에 포토다이오드가 위치하고,
상기 결합블록의 내부에 제어부가 위치하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
3. The optical pickup apparatus according to claim 2,
A photodiode is disposed on the second reflective wall to which the light of the light emitting device is applied,
And the control block is formed inside the coupling block.
제3항에 있어서,
상기 포토다이오드는 상기 발광소자로부터 상기 빛을 수신하여, 전기신호로 변환하며,
상기 제어부는 상기 전기신호를 이용하여 상기 광출력량을 산출하고, 상기 산출된 광출력량과 기 설정된 목표광출력량을 비교하여, 상기 제어신호를 생성하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
The method of claim 3,
The photodiode receives the light from the light emitting device and converts the light into an electrical signal,
Wherein the control unit calculates the light output amount using the electric signal and compares the calculated light output amount with a predetermined target light output amount to generate the control signal.
제2항에 있어서,
상기 제2 반사벽을 상기 제1 반사벽과 동일한 반사도를 가지는 제1 금속으로 도금하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
3. The method of claim 2,
And the second reflective wall is plated with a first metal having the same reflectivity as that of the first reflective wall.
제1항에 있어서, 상기 결합블록은
상기 반사부에 통공을 형성하여,
상기 통공을 통해 상기 반사부의 외측에 별도로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
2. The apparatus of claim 1,
A through hole is formed in the reflecting portion,
And the light emitting device package is separately formed on the outer side of the reflective portion through the through hole.
제6항에 있어서, 상기 광검출부는
상기 통공이 형성된 반사부의 제 1 반사벽에 포토다이오드가 위치하고,
상기 결합블록의 내부에 제어부가 위치하도록 형성된 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
The optical pickup apparatus according to claim 6,
A photodiode is positioned on the first reflecting wall of the reflecting portion where the aperture is formed,
And the control block is disposed inside the coupling block.
제7항에 있어서,
상기 포토다이오드는 상기 발광소자로부터 상기 빛을 수신하여, 전기신호로 변환하며,
상기 제어부는 상기 전기신호를 이용하여 상기 광출력량을 산출하고, 상기 산출된 광출력량과 기 설정된 목표광출력량을 비교하여, 상기 제어신호를 생성하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
8. The method of claim 7,
The photodiode receives the light from the light emitting device and converts the light into an electrical signal,
Wherein the control unit calculates the light output amount using the electric signal and compares the calculated light output amount with a predetermined target light output amount to generate the control signal.
제6항에 있어서,
상기 반사부의 통공 내에 절연체를 충진하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
The method according to claim 6,
And an insulator is filled in the through hole of the reflecting portion.
제1항에 있어서, 상기 발광소자는
자외선 영역의 빛을 출력하는 자외선 발광소자인 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
The light emitting device according to claim 1,
Wherein the light emitting element package is an ultraviolet light emitting element that outputs light in an ultraviolet region.
기판;
상기 기판 상에 형성되는 전극부;
상기 전극부 상에 위치하며, 입력되는 제어신호에 따라 빛을 출력하는 발광소자;
상기 발광소자의 상부에 위치하는 투광부;
상기 투광부의 기 설정된 설치위치에 형성되는 반사체; 및
상기 전극부 상에 위치하며, 상기 발광소자가 출력한 빛 중에서 상기 반사체에서 반사되어 인가되는 빛의 광출력량을 측정하는 광검출부를 포함하는 발광소자 패키지.
Board;
An electrode unit formed on the substrate;
A light emitting element located on the electrode unit and outputting light according to an input control signal;
A light-transmitting portion located on the light-emitting device;
A reflector formed at a predetermined mounting position of the transparent portion; And
And a photodetector part located on the electrode part and measuring an amount of light output of the light reflected from the reflector among the light output from the light emitting element.
제11항에 있어서, 상기 반사체는
상기 발광소자로부터 상기 투광부에 이르는 법선과 상기 발광소자로부터 상기 반사체를 연결한 선이 이루는 각도가, 적어도 45도 이상 되는 위치를 상기 설치위치로 설정하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
12. The system of claim 11, wherein the reflector
Wherein a position where an angle formed by a normal line from the light emitting element to the transparent portion and a line connecting the reflector to the light emitting element is at least 45 degrees is set to the mounting position.
제11항에 있어서, 상기 반사체는
기 설정된 목표반사도를 가지는 제1 금속을 이용하여, 상기 설치위치에 돌출된 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
12. The system of claim 11, wherein the reflector
Wherein said first metal is formed to protrude from said mounting position using a first metal having a predetermined target reflectivity.
제11항에 있어서, 상기 반사체는
상기 설치위치에서 상기 투광부를 기 설정된 형상에 따라 오목하게 파내고, 기 설정된 목표반사도를 가지는 제1 금속으로 도금하여 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
12. The system of claim 11, wherein the reflector
Wherein the light emitting portion is formed by dugging the light transmitting portion concave according to a predetermined shape at the mounting position and plated with a first metal having a predetermined target reflectivity.
제11항에 있어서,
상기 투광부는 표면에 코팅층을 포함하고,
상기 반사체는 상기 설치위치에서 상기 코팅층을 기 설정된 형상으로 오목하게 제거하여 생성하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
12. The method of claim 11,
Wherein the light transmitting portion includes a coating layer on a surface thereof,
Wherein the reflector is formed by recessing the coating layer in a predetermined shape at the mounting position.
기판;
상기 기판 상에 형성되는 전극부;
상기 전극부 상에 위치하며, 입력되는 제어신호에 따라 빛을 출력하는 발광소자; 및
상기 발광소자가 출력한 빛 중에서, 상기 반사체에서 반사되어 인가되는 빛의 광출력량을 측정하는 광검출부를 포함하는 것으로,
상기 광검출부는 상기 전극부가 융기한 업셋부 또는 상기 전극부가 침강한 리세스부 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지. Board;
An electrode unit formed on the substrate;
A light emitting element located on the electrode unit and outputting light according to an input control signal; And
And a photodetector for measuring the light output of the light reflected by the reflector among the light output from the light emitting device,
Wherein the light detecting portion is located on the recessed portion where the electrode portion is raised or the electrode portion is settled.
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