KR20190046826A - Vapor-phase growth apparatus and manufacturing method of epitaxial wafer - Google Patents

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Abstract

기상 성장 장치(1)는 반응로(2)와, 도입 통로(8)와, 복수의 유로(15a)와, 분기로(14a)와, 분할 통로(16b)를 구비한다. 반응로(2)는 원료 가스에 의해 기판(W)에 에피택셜층을 기상 성장시킨다. 도입 통로(8)는 반응로(2) 내로 통하는 입구(8a)와, 입구(8a)의 상방 또한 입구(8a)보다 반응로(2)측에 위치하여 반응로(2) 내에 이르는 출구(8b)와, 도입 통로(8) 내에 위치하는 단차부(8c)를 갖는다. 복수의 유로(15a)는 32개 이상이며, 입구(8a)로부터 입구(8a)의 외측으로 연장된다. 분기로(14a)는 복수의 유로(15a)를 입구(8a)측으로부터 원료 가스의 상류측을 향하여 토너먼트 모양으로 합류시킨다. 분할 통로(16b)는 도입 통로(8)가 복수의 유로(15a)에 대응하여 분할된 통로이며, 복수의 유로(15a)에 각각 줄지어 통한다. 이것에 의해, 기판 위에 성장시키는 에피택셜층의 막 두께의 균일성을 양호하게 하는 것이 가능하게 되는 기상 성장 장치를 제공한다.The vapor phase growth apparatus 1 includes a reaction furnace 2, an introduction passage 8, a plurality of passages 15a, a branch passage 14a and a divided passage 16b. The reaction furnace 2 vapor-grows an epitaxial layer on the substrate W by the source gas. The introduction passage 8 has an inlet 8a leading into the reaction furnace 2 and an outlet 8b located in the upper side of the inlet 8a and on the side of the reactor 2 than the inlet 8a, , And a stepped portion 8c located in the introduction passage 8. [ The plurality of flow paths 15a are 32 or more and extend from the inlet 8a to the outside of the inlet 8a. The branch passage 14a joins the plurality of flow paths 15a in the form of a tournament toward the upstream side of the material gas from the inlet 8a side. The divided passage 16b is a passage in which the introduction passage 8 is divided corresponding to the plurality of the oil passage 15a and is lined with each of the plurality of the oil passage 15a. Thereby, a vapor phase growth apparatus capable of improving the uniformity of the film thickness of the epitaxial layer to be grown on the substrate is provided.

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Description

기상 성장 장치 및 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법Vapor-phase growth apparatus and manufacturing method of epitaxial wafer

본 발명은 기상 성장 장치 및 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a vapor phase growth apparatus and a method of manufacturing an epitaxial wafer.

반도체 집적 회로의 미세화에 따라, 반도체 집적 회로의 기초가 되는 반도체 기판에 형성되는 패턴이 미세화되어, 반도체 기판에 요구되는 품질이 더한층 엄격해지고 있다. 반도체 기판에 요구되는 품질 중에서는, 특히 평탄도에 대한 요구가 대단히 고도화되고 있다. 그리고, 반도체 기판 중에서도 다양한 용도로 사용할 수 있는 에피택셜 웨이퍼에서는, 기판의 평탄도와 에피택셜층의 평탄도를 양립시키는 것이 과제이다. 그리고, 이 에피택셜층의 평탄도는 에피택셜층의 막 두께 분포에 따라 크게 좌우된다. 따라서, 요구되는 에피택셜층의 평탄도를 충족시키기 위해, 에피택셜층의 막 두께 분포의 균일성을 보다 양호하게 하는 것이 필요하다.With the miniaturization of semiconductor integrated circuits, the pattern formed on the semiconductor substrate as the basis of the semiconductor integrated circuit becomes finer, and the quality required for the semiconductor substrate becomes more severe. Among the quality required for a semiconductor substrate, particularly, the demand for flatness has been greatly improved. In an epitaxial wafer which can be used for various purposes among semiconductor substrates, it is a problem to make both the flatness of the substrate and the flatness of the epitaxial layer compatible. The flatness of this epitaxial layer depends greatly on the film thickness distribution of the epitaxial layer. Therefore, in order to satisfy the required flatness of the epitaxial layer, it is necessary to make the uniformity of the film thickness distribution of the epitaxial layer better.

현재, 직경 300mm의 에피택셜 웨이퍼를 제조하는 경우에는, 낱장식의 기상 성장 장치가 사용되고 있다. 이러한 기상 성장 장치에서는, 기판에 에피택셜층을 성장시키는 원료 가스를 공급하는 기구와, 공급되는 원료 가스에 의해 기판에 에피택셜층을 성장하는 반응로와, 반응로 내의 가스를 배출하는 기구에 의하여 대체로 구성되어 있다. 원료 가스를 공급하는 기구로서는 원료 가스의 상류측에서 차례로 인젝션 캡(이하, 「캡」이라고 한다.)과, 배플과, 인젝션 인서트(이하, 「인서트」라고 한다.)가 구비된다. 캡은 원료 가스를 반응로 내에 도입할 때 원료 가스가 통과하는 공간을 갖는다. 배플은 캡과 인서트 사이에 끼워져 위치하는 판 형상 부재이며, 캡 내의 원료 가스를 인서트에 인도하는 복수의 관통구멍을 갖는다. 이 관통구멍에 의해 인서트를 향하는 원료 가스의 흐름이 조정된다. 인서트는 배플의 관통구멍을 통과한 원료 가스를 반응로에의 입구로 인도하는 복수개의 유로를 갖는다. 이들 각 부재를 경유하여 반응로에 원료 가스가 인도된다. 원료 가스가 인도되는 반응로는 반응로 내로 통하여 상류로부터 흐르는 원료 가스가 유입되는 입구와, 입구의 상방이며 또한 입구보다 반응로측에 위치하여 반응로 내에 이르는 출구와, 입구와 출구를 접속하는 통로와, 통로 내에 위치하는 단차부를 갖는다. 인서트로부터 반응로의 입구로 인도된 원료 가스는 반응로 내에 이르는 통로 내의 단차부를 타고 넘어 반응로 내로 인도된다. 이렇게 하여 인도된 원료 가스를 기판 위에서 반응시킴으로써 기판 위에 에피택셜층을 성장한다. 반응로 내에서 원료 가스가 반응하여 생성된 가스와 미반응으로 끝난 원료 가스는 가스를 배출하는 기구에 의해 반응로 외부로 배출된다.Currently, in the case of manufacturing an epitaxial wafer having a diameter of 300 mm, a single-type vapor-phase growth apparatus is used. Such a vapor phase growth apparatus includes a mechanism for supplying a source gas for growing an epitaxial layer to a substrate, a reaction furnace for growing an epitaxial layer on the substrate by the source gas to be supplied, It is generally composed. As the mechanism for supplying the raw material gas, an injection cap (hereinafter referred to as a cap), a baffle, and an injection insert (hereinafter referred to as an " insert ") are provided in this order from the upstream side of the raw material gas. The cap has a space through which the raw material gas passes when introducing the raw material gas into the reaction furnace. The baffle is a plate-shaped member that is sandwiched between the cap and the insert, and has a plurality of through holes for guiding the raw material gas in the cap to the insert. The flow of the raw material gas toward the insert is adjusted by the through hole. The insert has a plurality of flow passages for guiding the raw material gas that has passed through the through holes of the baffle to the inlet to the reaction furnace. The raw material gas is delivered to the reactor through these members. The reactor for introducing the raw material gas includes an inlet through which the raw material gas flowing from the upstream into the reaction furnace flows, an outlet through the reactor located above the inlet and located closer to the reactor than the inlet, And a step located in the passage. The raw material gas delivered from the insert to the inlet of the reaction furnace is led into the reaction furnace over the stepped portion in the passageway leading into the reaction furnace. The epitaxial layer is grown on the substrate by reacting the thus introduced source gas on the substrate. The raw gas generated by the reaction of the raw material gas in the reaction furnace and the unreacted raw material gas are discharged to the outside of the reactor by a mechanism for discharging the gas.

이러한 낱장식의 기상 성장 장치를 사용하여 막 두께 분포가 보다 균일화된 에피택셜층을 성장하는 경우에는, 반응로 내의 기판의 표면 위에 균일한 원료 가스의 흐름을 인도하는 것이 가장 중요하다. 현상의 낱장식의 기상 성장 장치에 있어서, 캡에 일단 도입된 원료 가스의 흐름은 배플에서 임의의 흐름으로 되어, 인서트에서의 복수 개(예를 들면, 10개)의 유로에 유입된다. 그러나, 배플을 경유하여 형성되는 원료 가스의 흐름 자체는 캡 내에서의 압력 밸런스에 지배되므로 배플의 관통구멍의 직경에 대응한 속도를 얻을 수 없다. 또한 배플을 경유하여 세분화된 원료 가스의 흐름은 인서트를 통과하여 기판 위로 인도되기 때문에, 원료 가스의 흐름이 인서트의 유로수에 의존해 버린다. 따라서, 기판의 면내 방향으로 흐르는 원료 가스에 인서트의 유로수에 대응하는, 예를 들면, 10개의 속도의 불균일이 형성되어, 기판 위에 도입되는 원료 가스의 속도 분포는 상황에 따라 결정되어 버리고 있다. 또한, 반응로의 입구에 도입된 원료 가스는 반응로 내로 통하는 통로 내의 단차부를 타고 넘어 반응로 내로 인도됨으로써 단차부의 형상의 영향을 받은 흐름으로 된다. 구체적으로는, 통로 내에 위치하는 단차부는 반응로측에서 연직 방향으로 연장되는 축선을 중심으로 하여 원호 형상으로 만곡하여 통로의 입구에 대향하는 제1면과, 그 제1면의 상단으로부터 통로의 출구로 연장되는 제2면을 갖는다. 그 때문에 이 통로에 인도된 원료 가스의 흐름은 단차부를 타고 넘으려고 할 때 제1면에 의해 통로의 폭 방향의 외측으로 밀려와 버린다. 따라서, 반응로의 밖에서 제어한 원료 가스의 속도 분포가 반응로 내에 도입되기 전에 변화되어 버려, 기판 위에 도입하는 원료 가스의 속도 분포를 미세하게 제어하는 것이 곤란하게 된다. 이러한 기상 성장 장치에서의 구조적인 제약과 원료 가스의 속도 분포를 제어하는 제어의 곤란성 때문에, 첨단 부품에 사용되는 에피택셜 웨이퍼에 요구되는 에피택셜층의 막 두께 분포의 균일성을 충족시키는 것이 곤란해져 가고 있다.In the case of growing an epitaxial layer having a more uniform film thickness distribution by using such a single vapor phase growth apparatus, it is most important to guide a uniform flow of the raw gas onto the surface of the substrate in the reaction furnace. In the development of the single-phase vapor-phase growth apparatus, the flow of the raw material gas once introduced into the cap becomes an arbitrary flow in the baffle, and flows into a plurality of (for example, ten) flow paths in the insert. However, since the flow of the raw material gas formed through the baffle itself is governed by the pressure balance in the cap, a speed corresponding to the diameter of the through hole of the baffle can not be obtained. Further, since the flow of the raw material gas, which has been subdivided via the baffle, is led to the substrate through the insert, the flow of the raw material gas depends on the number of flow paths of the insert. Accordingly, for example, ten speeds of unevenness corresponding to the number of flow paths of the insert are formed in the raw material gas flowing in the in-plane direction of the substrate, and the velocity distribution of the raw material gas introduced onto the substrate is determined depending on the situation. Further, the raw material gas introduced into the inlet of the reaction furnace flows into the reaction furnace over the stepped portion in the passageway leading into the reaction furnace, resulting in a flow influenced by the shape of the stepped portion. Specifically, the stepped portion located in the pathway has a first surface curved in an arc shape about an axis extending in the vertical direction on the reaction path side and facing the entrance of the pathway, and a first surface facing the entrance of the pathway from the top of the first surface. As shown in Fig. Therefore, the flow of the raw material gas delivered to the passage is pushed outward in the width direction of the passage by the first surface when trying to pass over the stepped portion. Therefore, the velocity distribution of the raw material gas controlled outside the reaction furnace is changed before it is introduced into the reaction furnace, making it difficult to finely control the velocity distribution of the raw material gas introduced onto the substrate. It is difficult to satisfy the uniformity of the film thickness distribution of the epitaxial layer required for epitaxial wafers used for advanced parts because of the structural constraints in the vapor phase growth apparatus and the difficulty of controlling the velocity distribution of the source gas It is going.

그래서, 이러한 막 두께 분포의 균일성을 만족시키기 위해, 반응로의 천장을 구성하는 부품인 탑 돔의 형상을 최적화하는 것이 행해져 왔다. 이 최적화에 의해 기판 위에 성장하는 에피택셜층에서의 막 두께 분포의 전체적인 개선이 보였다. 그러나, 인서트에 의해 기판의 면내 방향으로 도입되는 원료 가스의 속도에는, 인서트의 유로에 대응한 복수 개의 불균일이 여전히 형성된다. 이와 같이 속도의 불균일이 발생한 원료 가스에 의해, 예를 들면, 연직 방향으로 연장되는 축선 주위로 회전하는 기판에 에피택셜층을 성장하면, 원료 가스의 속도 불균일에 대응하여 동심원 형상으로 에피택셜층의 막 두께에 불균일이 생겨 버린다. 그리고, 이러한 불균일이 발생한 에피택셜 웨이퍼는 요구되는 평탄도를 충족시킬 수 없기 때문에, 기판 위에 공급되는 원료 가스의 속도의 기복을 균일화하는 것이 필요하게 되고 있다.Therefore, in order to satisfy the uniformity of the film thickness distribution, optimization of the shape of the top dome, which is a component constituting the ceiling of the reactor, has been performed. This optimization showed an overall improvement in the film thickness distribution in the epitaxial layer grown on the substrate. However, a plurality of unevenness corresponding to the flow path of the insert is still formed in the speed of the raw material gas introduced into the in-plane direction of the substrate by the insert. When the epitaxial layer is grown on the substrate rotating around the axis extending in the vertical direction, for example, by the source gas in which the speed variation is generated, the epitaxial layer can be formed concentrically in correspondence with the velocity unevenness of the source gas. The film thickness becomes uneven. Since the epitaxial wafer in which such unevenness occurs can not satisfy the required flatness, it is necessary to equalize undulation of the velocity of the raw material gas supplied onto the substrate.

그래서, 캡에 형성되는 유로에 개량을 시행함으로써 기판 위에 도입되는 원료 가스의 속도를 균일화시키는 것이 행해져 왔다. 예를 들면, 캡의 하류측(반응로측)에 위치하는 복수의 출구로 통하는 캡 내의 유로를 특허문헌 1과 같이 캡의 상류측을 향하여 토너먼트 모양으로 합류시킨 유로를 채용한다. 이것에 의해, 캡 내에서 원료 가스가 상류측으로부터 하류측을 향함에 따라 원료 가스가 분배되어, 캡의 각 출구로부터 공급되는 원료 가스 상호간에 있어서 속도 분포의 불균일은 개선된다. 그러나, 반응로의 입구와, 그 입구를 통하여 반응로 내에 이르는 출구를 연결하는 통로 내에는 단차부가 위치하기 때문에, 캡에 의해 조정된 원료 가스의 속도 분포는 단차부에서 흐트러져, 반응로 내까지 유지할 수 없다. 원료 가스의 속도 분포를 반응로 내까지 유지시키기 위해서는, 단차부를 없애는 것과 같은 반응로 자체의 대폭적인 개조가 필요하게 되어 버린다.Therefore, it has been attempted to make the flow rate of the source gas introduced onto the substrate equalized by performing the improvement in the flow path formed in the cap. For example, a flow path in which a plurality of outlets located on the downstream side (reaction furnace side) of the cap are joined in a tournament shape toward the upstream side of the cap as in Patent Document 1 is adopted. As a result, as the raw material gas flows from the upstream side to the downstream side in the cap, the raw material gas is distributed, and the unevenness of the velocity distribution is improved between the raw material gases supplied from the respective outlets of the cap. However, since the stepped portion is located in the passage connecting the inlet of the reaction furnace and the outlet through the inlet to the outlet of the reaction furnace, the velocity distribution of the raw material gas adjusted by the cap is disturbed in the stepped portion, I can not. In order to maintain the velocity distribution of the raw material gas in the reaction furnace, it is necessary to remarkably modify itself in the reaction such as eliminating the stepped portion.

또한, 예를 들면, 특허문헌 2에는, 인서트 내의 복수의 유로에 대응하여 원료 가스를 반응로 내에 인도하는 통로(단차부를 갖는 통로)를 분할시켜, 원료 가스의 흐름이 통로의 단차부에 의해 흐트러지는 것을 억제하는 장치가 개시되어 있다. 그리고, 특허문헌 3에는, 인서트 내의 유로를 64개 이상으로 나누어 원료 가스의 흐름의 불균일을 억제하는 장치가 개시되어 있다.For example, in Patent Document 2, a passage (a passage having a step portion) for guiding a raw material gas into a reaction furnace corresponding to a plurality of flow paths in an insert is divided so that the flow of the raw material gas is disturbed by the step portion of the passage Is suppressed. Patent Document 3 discloses an apparatus for dividing flow paths in an insert into 64 or more to suppress unevenness of the flow of the raw material gas.

일본 특개 2009-277730호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-277730 일본 특개 2007-324286호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-324286 일본 특개 2011-86887호 공보Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2011-86887

그러나, 특허문헌 2 및 3에서는, 상류측으로부터 인도되는 원료 가스의 유로는 토너먼트 모양으로 형성되어 있지 않다. 그 때문에 인서트 내의 각 유로를 통과하는 원료 가스 상호간에 있어서 원료 가스의 속도를 충분히 균일화할 수 없다. 따라서, 인서트로부터 반응로의 기판 위에 인도되는 원료 가스의 흐름에는, 인서트 내의 유로수에 대응하여 불균일이 발생하여, 기판에 성장하는 에피택셜층의 막 두께의 균일성을 양호하게 할 수 없다.However, in Patent Documents 2 and 3, the flow path of the raw material gas delivered from the upstream side is not formed in the form of a tournament. Therefore, the velocity of the raw material gas can not be sufficiently made uniform between the raw material gases passing through the respective flow paths in the insert. Therefore, unevenness occurs in the flow of the source gas delivered from the insert to the substrate of the reaction furnace in accordance with the number of flow paths in the insert, and the uniformity of the film thickness of the epitaxial layer grown on the substrate can not be improved.

본 발명의 과제는 기판 위에 성장시키는 에피택셜층의 막 두께의 균일성을 양호하게 하는 것이 가능하게 되는 기상 성장 장치 및 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.A further object of the present invention is to provide a vapor phase epitaxial wafer and a vapor phase epitaxial wafer which can make uniform the film thickness of an epitaxial layer grown on a substrate.

(과제를 해결하기 위한 수단 및 발명의 효과)(Means for Solving the Problems and Effects of the Invention)

본 발명의 기상 성장 장치는,In the vapor phase growth apparatus of the present invention,

원료 가스에 의해 기판에 에피택셜층을 기상 성장시키는 반응로와,A reaction furnace for vapor-growing an epitaxial layer on the substrate by the source gas,

반응로 내로 통하는 입구와, 입구의 상방이며 또한 입구보다 반응로측에 위치하여 반응로 내에 이르는 출구를 가지며 입구와 출구를 접속하여 반응로 내에 원료 가스를 도입하는 통로와,A passage for introducing the raw material gas into the reaction furnace by connecting the inlet and the outlet with an outlet to the inside of the reaction furnace and located above the inlet,

통로 내에 위치하여 입구에 대향하는 제1면과 제1면의 상단으로부터 출구로 연장되는 제2면을 갖는 단차부와,A stepped portion located in the passage and having a first surface facing the inlet and a second surface extending from the top of the first surface to the outlet,

입구로부터 입구의 외측으로 연장되어 입구에 원료 가스를 인도하는 32개 이상이 되는 복수의 유로와,A plurality of flow paths extending from the inlet to the outside of the inlet and having at least 32 flow paths for feeding the raw material gas to the inlet,

복수의 유로가 입구측으로부터 원료 가스의 상류측을 향하여 토너먼트 모양으로 합류하여 원료 가스의 상류측에 이어지는 합류로와,A plurality of flow paths joining from the inlet side toward the upstream side of the raw material gas in a tournament shape and leading to the upstream side of the raw material gas,

원료 가스가 흐르는 방향을 따라 통로가 복수의 유로에 대응하게 하여 분할되고, 복수의 유로에 각각 줄지어 통하는 복수의 분할 통로The passage is divided in correspondence to the plurality of flow paths along the direction in which the source gas flows, and a plurality of divided passages

를 구비하는 것을 특징으로 한다.And a control unit.

본 발명의 기상 성장 장치에 의하면, 토너먼트 모양의 합류로에 의해 상류측으로부터 하류측을 향하여 유로를 분기시켜 32개 이상의 복수의 유로로 하기 때문에, 각 유로를 흐르는 원료 가스의 상호 간에 있어서 속도를 효과적으로 균일화할 수 있다. 그리고, 이 균일화된 원료 가스의 흐름은 반응로 내로 통하는 통로로 인도된다. 여기에서, 이 통로는 32개 이상의 복수의 통로의 각각에 줄지어 통하는 분할 통로로 분할된다. 따라서, 합류로에서 균일화되어 복수의 유로를 흐르는 원료 가스의 흐름을 유지하도록 하여 원료 가스를 반응로 내에 인도할 수 있다. 그 때문에, 기판 위에 성장시키는 에피택셜층의 막 두께의 균일성을 양호하게 하는 것이 가능하게 된다. 또한, 본 명세서에 있어서, 「토너먼트 모양」이란, 예를 들면, 완전 2분지 구조의 토너먼트 표(균등한 싱글 엘리미네이션 토너먼트 표)의 최상단으로부터 최하단의 최하점에 위치하는 각각의 지점을 향하여 갈라져 나온 선의 전체 형상을 의미한다.According to the vapor phase growth apparatus of the present invention, the flow path is branched from the upstream side to the downstream side by the tournament-shaped confluence path to form a plurality of flow paths of 32 or more, so that the velocity of the source gas flowing through each flow path can be effectively It can be uniformed. Then, the flow of the homogenized raw material gas is led to the passage through the reaction furnace. Here, the passage is divided into a plurality of passage dividing into each of the plurality of passage. Therefore, the raw material gas can be delivered into the reaction furnace such that the flow of the raw material gas flowing through the plurality of flow paths is uniformed by the confluent furnace. Therefore, it becomes possible to improve the uniformity of the film thickness of the epitaxial layer to be grown on the substrate. The term " tournament shape " in this specification refers to, for example, a shape of a tournament which is divided from the uppermost end of the tournament table (equalized single elimination tournament table) Means the entire shape of the line.

본 발명의 실시 양태에서는, 분할 통로는 입구로부터 단차부를 경유하여 출구를 향하여 연장된다.In an embodiment of the present invention, the dividing passage extends from the inlet toward the outlet via the step.

이것에 의하면, 어떤 분할 통로에 도입된 원료 가스의 흐름이 분할 통로 내의 단차부에 충돌해도, 다른 분할 통로에 도입된 원료 가스의 흐름에 영향을 주는 것을 효과적으로 억제할 수 있다.According to this, even if the flow of the raw material gas introduced into a certain divided passage collides with the stepped portion in the divided passage, it is possible to effectively suppress influences on the flow of the raw material gas introduced into the other divided passage.

본 발명의 실시 양태에서는, 복수의 유로는 합계로 64개 이상이다.In the embodiment of the present invention, a total of a plurality of channels is 64 or more.

이것에 의하면, 기판 위에 성장시키는 에피택셜층의 막 두께의 균일성을 보다 양호하게 할 수 있다.This makes it possible to make the uniformity of the film thickness of the epitaxial layer to be grown on the substrate better.

본 발명의 실시 양태에서는, 복수의 유로는 수평면을 따라 각각 병렬로 배치된다.In the embodiment of the present invention, the plurality of flow paths are arranged in parallel with each other along the horizontal plane.

구체적으로는, 복수의 유로는 수평면을 따라 인접하여 위치한다.Specifically, the plurality of flow paths are located adjacent to each other along the horizontal plane.

이것에 의하면, 기판 위에 성장시키는 에피택셜층의 막 두께의 균일성을 효과적으로 양호하게 할 수 있다.This makes it possible to effectively improve the uniformity of the film thickness of the epitaxial layer grown on the substrate.

또한, 상기와는 다른 본 발명의 실시 양태에서는, 반응로로부터 한 쌍의 유로 사이를 향하여 연장되는 지주부를 구비한다.In addition, in the embodiment of the present invention, which is different from the above, there is provided a strut extending from the reaction furnace toward the space between the pair of channels.

이것에 의하면, 지주부가 존재해도 기판 위에 성장시키는 에피택셜층의 막 두께의 균일성을 양호하게 할 수 있다.This makes it possible to improve the uniformity of the film thickness of the epitaxial layer grown on the substrate even in the presence of the supporting portions.

또한, 본 발명의 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법은,Further, in the method of manufacturing an epitaxial wafer of the present invention,

원료 가스에 의해 기판에 에피택셜층을 성장시키는 반응로 내를 향하여 원료 가스의 흐름을 토너먼트 모양으로 32 이상으로 분류하는 공정과,A step of dividing the flow of the raw material gas into a tournament shape toward the interior of the reaction furnace in which the epitaxial layer is grown on the substrate by the raw material gas,

분류하는 공정에서 32 이상으로 분류된 원료 가스의 분류된 수를 유지하여 반응로 내에 원료 가스를 인도하는 공정과,A step of guiding the raw material gas in the reaction furnace by maintaining the number of the raw material gases classified into 32 or more in the classification step,

인도하는 공정에 의해 인도한 원료 가스에 의해 에피택셜층을 기판에 성장하는 공정A step of growing an epitaxial layer on a substrate by a source gas delivered by a delivery process

을 구비하는 것을 특징으로 한다.And FIG.

본 발명의 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법에서는, 분류하는 공정에 의해 토너먼트 모양으로 32 이상으로 분류시킨 원료 가스의 분류한 수를 유지시켜, 원료 가스를 반응로 내로 인도한다. 따라서, 분류하는 공정에 의해 분류시킨 원료 가스의 상호 간에 있어서 속도를 효과적으로 균일화할 수 있다. 그리고, 이 균일화된 원료 가스의 분류의 수를 유지한 채 반응로 내로 원료 가스가 인도됨으로써 기판 위에 막 두께의 균일성이 좋은 에피택셜층을 성장하는 것이 가능하게 된다. 따라서, 에피택셜층의 막 두께의 균일성이 양호하게 되는 에피택셜 웨이퍼를 제조할 수 있다.In the method for producing an epitaxial wafer of the present invention, the number of the raw material gases divided into 32 or more in the form of a tournament by the sorting step is maintained, and the raw material gas is led into the reaction furnace. Therefore, the velocity of the raw material gases classified by the sorting process can be effectively equalized. Then, the raw material gas is delivered into the reaction furnace while maintaining the number of the homogenized raw material gas streams, thereby making it possible to grow an epitaxial layer having good film thickness uniformity on the substrate. Therefore, it is possible to manufacture an epitaxial wafer in which the uniformity of the film thickness of the epitaxial layer becomes good.

본 발명의 실시 양태에서는, 분류하는 공정은 원료 가스의 흐름을 64 이상으로 분류한다.In the embodiment of the present invention, the sorting process classifies the flow of the raw material gas as 64 or more.

이것에 의하면, 에피택셜층의 막 두께의 균일성이 보다 양호하게 되는 에피택셜 웨이퍼를 제조할 수 있다.According to this, it is possible to manufacture an epitaxial wafer in which the uniformity of the film thickness of the epitaxial layer becomes better.

도 1a는 본 발명의 일례의 기상 성장 장치의 일부를 도시하는 모식 단면도.
도 1b는 도 1a의 기상 성장 장치의 기판을 향하는 가스가 통과하는 부재를 설명하는 평면적인 모식도.
도 2a는 도 1b의 인젝션 인서트를 도시하는 모식 정면도.
도 2b는 도 2a의 IIB-IIB 모식 단면도.
도 3a는 도 1b의 도입 통로에 배치되는 분할부를 도시하는 도 1a에 대응하는 모식 단면도.
도 3b는 도 3a의 분할부를 도시하는 평면적인 모식도.
도 3c는 도 3b의 분할부의 모식 우측면도.
도 4는 실시예 2에 있어서의 기상 성장 장치의 일례를 도시하는 도 1b에 대응하는 모식 단면도.
도 5는 비교예 1에 있어서의 기상 성장 장치의 일례를 도시하는 도 1b에 대응하는 모식 단면도.
도 6a는 실시예 1에서 측정한 에피택셜 웨이퍼의 막 두께 분포를 나타내는 그래프.
도 6b는 실시예 2에서 측정한 에피택셜 웨이퍼의 막 두께 분포를 나타내는 그래프.
도 6c는 비교예 1에서 측정한 에피택셜 웨이퍼의 막 두께 분포를 나타내는 그래프.
도 7a는 비교예 2에서 측정한 에피택셜 웨이퍼의 막 두께 분포를 나타내는 그래프.
도 7b는 비교예 3에서 측정한 에피택셜 웨이퍼의 막 두께 분포를 나타내는 그래프.
도 7c는 실시예 3에서 측정한 에피택셜 웨이퍼의 막 두께 분포를 나타내는 그래프.
도 7d는 실시예 1에서 측정한 에피택셜 웨이퍼의 막 두께 분포를 나타내는 그래프.
도 7e는 실시예 4에서 측정한 에피택셜 웨이퍼의 막 두께 분포를 나타내는 그래프.BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1A is a schematic cross-sectional view showing a part of a vapor phase growth apparatus as an example of the present invention. FIG.
Fig. 1B is a schematic diagram illustrating a member through which gas is directed to the substrate of the vapor phase growth apparatus of Fig. 1A. Fig.
Fig. 2a is a schematic front view showing the injection insert of Fig. 1b. Fig.
FIG. 2B is a schematic cross-sectional view taken along line IIB-IIB of FIG. 2A. FIG.
Fig. 3a is a schematic cross-sectional view corresponding to Fig. 1 (a) showing the division disposed in the introduction passage of Fig. 1 (b). Fig.
FIG. 3B is a schematic diagram showing a plan view of the divided portion of FIG. 3A. FIG.
Fig. 3c is a right side view of the schematic of the divided portion of Fig. 3b. Fig.
Fig. 4 is a schematic cross-sectional view corresponding to Fig. 1B showing an example of a vapor phase growth apparatus according to Embodiment 2. Fig.
5 is a schematic cross-sectional view corresponding to Fig. 1B showing an example of a vapor phase growth apparatus in Comparative Example 1. Fig.
6A is a graph showing a film thickness distribution of an epitaxial wafer measured in Example 1. Fig.
6B is a graph showing the film thickness distribution of the epitaxial wafer measured in Example 2. Fig.
6C is a graph showing the film thickness distribution of the epitaxial wafer measured in Comparative Example 1. Fig.
7A is a graph showing a film thickness distribution of an epitaxial wafer measured in Comparative Example 2. Fig.
7B is a graph showing the film thickness distribution of the epitaxial wafer measured in Comparative Example 3. Fig.
7C is a graph showing the film thickness distribution of the epitaxial wafer measured in Example 3. Fig.
7D is a graph showing the film thickness distribution of the epitaxial wafer measured in Example 1. Fig.
7E is a graph showing the film thickness distribution of the epitaxial wafer measured in Example 4. Fig.

(발명을 실시하기 위한 형태)(Mode for carrying out the invention)

도 1a는 본 발명의 일례인 낱장식의 기상 성장 장치(1)를 나타낸다. 기상 성장 장치(1)에 의해 기판(W)에 에피택셜층이 기상 성장되어, 에피택셜 웨이퍼가 제조된다.1A shows a sheet type vapor phase growth apparatus 1 which is an example of the present invention. An epitaxial layer is vapor-grown on the substrate W by the vapor-phase growth apparatus 1 to produce an epitaxial wafer.

기상 성장 장치(1)는 기판(W)을 수용하는 반응로(2)를 구비한다. 반응로(2)는 용기 형상으로 형성된다. 반응로(2)는 원통 또는 둥근 고리 형상의 베이스 링(3)과, 베이스 링(3)을 상측으로부터 덮개를 씌워 반응로(2)의 천장을 구성하는 어퍼 돔(4)과, 베이스 링(3)을 하측으로부터 덮개를 씌워 반응로(2)의 바닥측을 구성하는 로어 돔(5)을 구비한다.The vapor phase growth apparatus (1) has a reaction furnace (2) for accommodating a substrate (W). The reaction furnace 2 is formed in a container shape. The reaction furnace 2 comprises a base ring 3 having a cylindrical or annular ring shape, an upper dome 4 constituting the ceiling of the reaction furnace 2 by covering the base ring 3 from above with a lid, 3 is covered with a lid from the lower side to constitute the bottom side of the reaction furnace 2.

베이스 링(3)은 반응로(2)를 구성하는 베이스가 되는 부재이다. 베이스 링(3)은 베이스 링(3)의 내측에 가스를 도입하는 도입구(3a)와, 베이스 링(3)의 내측의 가스를 베이스 링(3)의 외부로 배출하는 배출구(3b)를 구비한다. 도입구(3a)와 배출구(3b)는 베이스 링(3)의 중심선이 되는, 예를 들면, 연직 방향으로 연장되는 축선(O)을 축으로 하는 원호의 곡면 형상의 개구, 소위 아치 형상으로 형성된 개구로서 형성된다. 또한, 도입구(3a) 및 후술의 도입 통로(8)의, 기판(W)의 표면에서의 가스의 흐름 방향(도 1a의 지면의 좌우 방향)과 축선(O)의 방향(도 1a의 지면의 상하 방향)의 양쪽에 직각인 방향(도 1a의 지면에 직각인 방향)에 있어서의 폭은 기판(W)의 직경 이상, 후술의 프리 히트 링(12)의 외경 이하로 되어 있다.The base ring 3 is a base member constituting the reaction furnace 2. The base ring 3 has an introduction port 3a for introducing gas into the base ring 3 and a discharge port 3b for discharging the gas inside the base ring 3 to the outside of the base ring 3 Respectively. The introduction port 3a and the discharge port 3b are curved openings of an arc having an axis O as a center line of the base ring 3 and extending in the vertical direction as an axis, Is formed as an opening. The direction of gas flow (the left-right direction of the sheet of Fig. 1A) and the direction of the axis O (the direction of the sheet surface of Fig. 1A) of the inlet port 3a and the introduction passage 8 (The direction perpendicular to the plane of Fig. 1A) is equal to or larger than the diameter of the substrate W and the outer diameter of the preheat ring 12, which will be described later.

베이스 링(3)의 내측에는, 어퍼 라이너(6)와 로어 라이너(7)가 위치한다. 어퍼 라이너(6) 및 로어 라이너(7)는 도입구(3a)로부터 도입하는 가스를 반응로(2) 내로 인도하는 도입 통로(8)와, 반응로(2) 내의 가스를 반응로(2) 외부로 배출하는 배출구(3b)로 인도하는 배출 통로(9)를 형성하기 위한 부재이다.On the inner side of the base ring 3, the upper liner 6 and the lower liner 7 are located. The upper liner 6 and the lower liner 7 have an introduction passage 8 for introducing the gas introduced from the introduction port 3a into the reaction furnace 2 and an introduction passage 8 for introducing the gas in the reaction furnace 2 into the reaction furnace 2. [ And a discharge passage 9 leading to an outlet 3b for discharging to the outside.

어퍼 라이너(6)는 베이스 링(3)의 내주에 끼어 들어가는 것이 가능한 둥근 고리 형상으로 형성된다. 어퍼 라이너(6)는 베이스 링(3)의 내측에 끼어 들어간 상태에서 어퍼 돔(4)측에 위치한다.The upper liner 6 is formed in a circular ring shape which can be inserted into the inner circumference of the base ring 3. [ The upper liner 6 is positioned on the upper dome 4 side while being interrupted inside the base ring 3.

로어 라이너(7)는 베이스 링(3)의 내측에 끼어 들어가는 것이 가능한 둥근 고리 형상으로 형성된다. 로어 라이너(7)는 베이스 링(3)의 내측에 끼어 들어간 상태에서 로어 돔(5) 위에 재치된다.The lower liner 7 is formed into a circular ring shape that can be inserted into the base ring 3. The lower liner 7 is placed on the lower dome 5 in a state where it is caught in the base ring 3.

어퍼 라이너(6)와 로어 라이너(7)에 의해 형성되는 도입 통로(8)는 반응로(2) 내로 통하는 입구(8a)와, 입구(8a)의 상방이며 또한 입구(8a)보다 반응로(2)측에 위치하여 반응로(2) 내에 이르는 출구(8b)와, 입구(8a)와 출구(8b)를 접속하는 통로 내에 위치하는 단차부(8c)를 구비한다. 입구(8a)는 베이스 링(3)의 도입구(3a)에 대응하도록 축선(O)을 축으로 하는 원호의 곡면 형상의 개구에 형성된다. 단차부(8c)는 입구(8a)에 대향하는 제1면(8c1)과, 제1면(8c1)의 상단으로부터 출구(8b)로 연장되는 제2면(8c2)을 구비한다. 제1면(8c1)은 축선(O)을 축으로 하는 원호의 곡면 형상이며, 제2면(8c2)은 수평면이 된다. 도입 통로(8)가 본 발명의 「통로」에 상당한다. 또한, 어퍼 라이너(6)와 로어 라이너(7)에 의해 형성되는 배출 통로(9)는 도입 통로(8)와 동일하기 때문에 설명을 생략한다.The introduction passage 8 formed by the upper liner 6 and the lower liner 7 has an inlet 8a leading into the reactor 2 and a lower reactor 8a above the inlet 8a, 2 and positioned in the passage for connecting the inlet 8a and the outlet 8b to the reaction chamber 2 and a stepped portion 8c located in the passage connecting the inlet 8a and the outlet 8b. The inlet 8a is formed in a curved opening of an arc whose axis is the axis O so as to correspond to the inlet 3a of the base ring 3. [ The stepped portion 8c has a first surface 8c1 opposed to the inlet 8a and a second surface 8c2 extending from the top of the first surface 8c1 to the outlet 8b. The first surface 8c1 is a curved surface shape of an arc with the axis O as an axis and the second surface 8c2 is a horizontal surface. And the introduction passage 8 corresponds to the " passage " of the present invention. Since the discharge passage 9 formed by the upper liner 6 and the lower liner 7 is the same as the introduction passage 8, the description is omitted.

반응로(2)의 내부에는, 기판(W)을 재치하는 서셉터(10)와, 서셉터(10)를 지지하는 지지부(11)와, 서셉터(10)가 둘러싸는 프리 히트 링(12)이 구비된다. 지지부(11)는 도시하지 않은 구동 수단에 의해 축선(O) 둘레로 회전 가능하게 된다.A susceptor 10 for mounting the substrate W, a support 11 for supporting the susceptor 10, and a preheating ring 12 . The supporting portion 11 is rotatable about the axis O by a driving means (not shown).

도 1a의 반응로(2)의 외측의 상하에는 가열원이 되는 램프(13)가 배치되고, 반응로(2)의 외측의 좌우에는 반응로(2) 내에 가스를 공급하는 기구와, 반응로(2) 내의 가스를 배출하는 기구가 위치한다. 또한, 도 1a에서는 가스를 공급하는 기구와 가스를 배출하는 기구의 일부가 도시 생략되어 있다.A lamp 13 serving as a heating source is disposed above and below the reaction furnace 2 in FIG. 1A. A mechanism for supplying gas into the reaction furnace 2 is provided at the outer side of the reaction furnace 2, A mechanism for discharging the gas in the chamber 2 is located. In Fig. 1A, a mechanism for supplying gas and a mechanism for discharging gas are not shown.

도 1b는 기판(W)에 에피택셜층을 성장시키는 각종 가스를 공급하는 기구를 설명하는 모식도이다. 도 1b는 기판(W)을 향하는 가스가 통과하는 각 부재가 평면적인 모식도로 도시된다. 공급되는 가스는 도 1b의 하측의 인젝션 캡(14)(이하, 「캡(14)」이라고 한다.), 인젝션 인서트(15)(이하, 「인서트(15)」라고 한다.), 분할부(16), 로어 라이너(7), 프리 히트 링(12), 서셉터(10)의 순으로 각 부재를 통과하여 기판(W)에 도달한다. 또한, 도 1b에서는, 기판(W), 서셉터(10), 프리 히트 링(12) 및 로어 라이너(7)가 반원 형상의 형태로 도시되어 있다.Fig. 1B is a schematic diagram for explaining a mechanism for supplying various gases for growing an epitaxial layer to a substrate W. Fig. Fig. 1B is a schematic view showing a plan view of each member through which the gas directed toward the substrate W passes. The supplied gas is injected into the injection cap 14 (hereinafter referred to as "cap 14"), the injection insert 15 (hereinafter referred to as "insert 15"), 16, the liner liner 7, the preheat ring 12, and the susceptor 10 in this order. 1B, the substrate W, the susceptor 10, the preheat ring 12, and the lower liner 7 are shown in a semicircular shape.

캡(14)은 도시하지 않은 매스 플로우 컨트롤러를 통하여 기판(W)에 공급시키는 가스가 도입되는 부재이다. 캡(14)은 도입된 가스를 분배하는 분기로(14a)를 갖는다. 분기로(14a)는 복수의 세트(도 1b는 3개의 세트)로 갈라진 토너먼트 모양의 유로(14a1)로서 구성된다. 토너먼트 모양의 각 유로(14a1)에 있어서의 최하단의 최하점에는, 인서트(15)에 줄지어 통하는 분기 유로(B)가 위치한다. 분기 유로(B)는 분기로(14a) 전체에서 32개 이상(도 1b에서는 64개)이 된다. 또한 토너먼트 모양의 각 유로(14a1)에 있어서의 최상단에는, 도시 생략하고 있지만, 가스의 상류측에 이어지는 유로가 접속된다. 분기로(14a)가 본 발명의 「합류로」에 상당한다.The cap 14 is a member into which gas to be supplied to the substrate W is introduced through a mass flow controller (not shown). The cap 14 has a branch path 14a for distributing the introduced gas. The branch passage 14a is configured as a tournament-shaped channel 14a1 which is divided into a plurality of sets (three sets in Fig. 1B). At the lowermost end of the lowermost end of the tournament-shaped channel 14a1, the branch passage B running in line with the insert 15 is located. The branch flow path B becomes 32 or more (64 in Fig. 1B) in the entire branch path 14a. Although not shown, a channel leading to the upstream side of the gas is connected to the uppermost end of the tournament-shaped channel 14a1. The branch path 14a corresponds to " confluence path " of the present invention.

도 2a 및 도 2b는 인서트(15)의 모식도를 나타낸다. 도 2b에 도시하는 바와 같이, 인서트(15)는 원호 형상의 변(S1)과 변(S1)에 대향하는 대향변(S2)을 갖는 평판 형상으로 형성된다. 인서트(15)는 대향변(S2)로부터 변(S1)을 향하여 직선 형상으로 관통하는 복수의 유로(15a)를 구비한다. 복수의 유로(15a)는, 도 1b에 도시하는 바와 같이, 분기 유로(B)에 대응하는 수만큼 형성된다. 각 유로(15a)는 일단이 대응하는 분기 유로(B)에 줄지어 통하는 한편, 타단이 도 1a에 도시하는 바와 같이, 도입 통로(8)의 입구(8a)에 줄지어 통한다. 각 유로(15a)는 도입 통로(8)의 입구(8a)로부터 입구(8a)의 외측(반응로(2)의 외측)을 향하여 수평 방향으로 연장된다. 인서트(15)는 적어도 일부가 도입구(3a)에 삽입되어 반응로(2)에 부착된다. 또한, 도 1b에 도시하는 바와 같이, 복수의 유로(15a)는 수평면을 따라 각각 병렬로 배치되고, 복수의 유로(15a)는 수평면을 따라 인접하여 위치한다.2A and 2B show a schematic view of the insert 15. Fig. As shown in Fig. 2B, the insert 15 is formed in a flat plate shape having an arc-shaped side S1 and an opposite side S2 opposite to the side S1. The insert 15 has a plurality of flow passages 15a extending linearly from the opposite side S2 toward the side S1. As shown in Fig. 1B, the plurality of flow paths 15a are formed corresponding to the number of the branch flow paths B. One end of each channel 15a is connected to the corresponding branch passage B and the other end is connected to the inlet 8a of the introduction passage 8 as shown in Fig. Each flow path 15a extends in the horizontal direction from the inlet 8a of the introduction passage 8 to the outside of the inlet 8a (the outside of the reaction furnace 2). At least a part of the insert 15 is inserted into the inlet 3a and attached to the reaction furnace 2. Further, as shown in Fig. 1B, the plurality of flow paths 15a are arranged in parallel along the horizontal plane, and the plurality of flow paths 15a are located adjacent to each other along the horizontal plane.

도 3a에 도시하는 바와 같이, 분할부(16)는 도입 통로(8) 내에 부착되고, 도입 통로(8)를 복수의 통로로 분할하기 위한 부재이다. 도 3b 및 도 3c에 도시하는 바와 같이, 분할부(16)는 도 1a에 도시하는 도입 통로(8)의 형상에 대응하여 형성된다. 분할부(16)는, 도 1b에 도시하는 바와 같이, 도입 통로(8)(도 1a)를 분할하는 분할벽(16a)와, 분할벽(16a)에 의해 분할된 분할 통로(16b)를 구비한다. 도 3a에 도시하는 바와 같이, 분할벽(16a)은 도입 통로(8)의 입구(8a)로부터 단차부(8c)를 경유하여 출구(8b)를 향하여 연장되고, 도입 통로(8) 내를 가스가 흐르는 방향을 따라 도입 통로(8)를 복수로 분할한다. 구체적으로는, 도 1b에 도시하는 바와 같이, 분할벽(16a)은 도입 통로(8)(도 1a)를 복수의 유로(15a)에 대응하게 하여 분할한다. 분할벽(16a)에 의해 형성되는 복수의 분할 통로(16b)는 복수의 유로(15a)에 대응한 수만큼 형성된다. 그리고, 각 분할 통로(16b)는 대응하는 유로(15a)에 줄지어 통한다.As shown in Fig. 3A, the partitioning portion 16 is attached to the introduction passage 8 and is a member for dividing the introduction passage 8 into a plurality of passages. As shown in Figs. 3B and 3C, the partitioning portion 16 is formed corresponding to the shape of the introduction passage 8 shown in Fig. 1A. As shown in Fig. 1B, the dividing section 16 is provided with a dividing wall 16a for dividing the introducing passage 8 (Fig. 1A) and a dividing passage 16b divided by the dividing wall 16a do. 3A, the partition wall 16a extends from the inlet 8a of the introduction passage 8 to the outlet 8b via the stepped portion 8c, and the inside of the introduction passage 8 is filled with gas The introduction passage 8 is divided into a plurality of sections. More specifically, as shown in Fig. 1B, the partition wall 16a divides the introduction passage 8 (Fig. 1A) corresponding to the plurality of flow paths 15a. A plurality of divided passages 16b formed by the dividing wall 16a are formed in the number corresponding to the plurality of the flow paths 15a. Each of the divided passages 16b runs parallel to the corresponding passage 15a.

이상의 캡(14), 인서트(15), 분할부(16)를 경유한 후, 로어 라이너(7), 프리 히트 링(12), 서셉터(10)를 거쳐 기판(W)에 가스가 공급된다. 예를 들면, 기상 성장 시에는 반응로(2) 내에 기상 성장 가스가 공급된다. 기상 성장 가스로서는, 예를 들면, 실리콘 단결정막의 원료가 되는 원료 가스와, 원료 가스를 희석하는 캐리어 가스와, 단결정막에 도전형을 부여하는 도판트 가스를 구비한다.The gas is supplied to the substrate W via the lower liner 7, the preheat ring 12 and the susceptor 10 after passing through the cap 14, the insert 15 and the partitioning portion 16 . For example, at the time of vapor phase growth, vapor phase growth gas is supplied into the reaction furnace 2. The vapor growth gas includes, for example, a raw material gas to be a raw material for a silicon single crystal film, a carrier gas to dilute the raw material gas, and a dopant gas to impart a conductivity type to the single crystal film.

이상, 기상 성장 장치(1)의 주요한 각 부를 설명했다. 기상 성장 장치(1)에 의해 기판(W)에 에피택셜층을 성장하여 에피택셜 웨이퍼를 제조하는 경우에는, 우선, 반응로(2)의 서셉터(10)에 기판(W)을 재치시킨다. 그리고, 도시 생략하는 매스 플로우 컨트롤러에 의해 유량이 제어된 기상 성장 가스를 반응로(2)를 향하여 공급한다. 그러면, 기상 성장 가스가 3개의 세트로 나누어진 토너먼트 모양의 각 유로(14a1)(도 1b)의 최상단으로 인도되고, 최상단으로부터 각 분기 유로(B)를 향하여 분배된다. 최종적으로는, 기상 성장 가스가 64개의 흐름(분기 유로(B))으로 나누어지고, 인서트(15)에서의 64개의 각 유로(15a)로 인도된다(분류하는 공정). 그리고, 유로(15a)를 통과한 기상 성장 가스는 도 3a에 도시하는 도입 통로(8)에 이른다. 도입 통로(8)에 이른 기상 성장 가스는 유로(15a)에 줄지어 통하는 분할 통로(16b)를 흘러, 토너먼트 모양의 각 유로(14a1)(도 1b 참조)에 의해 64개로 나누어진 기상 성장 가스의 흐름(분류된 수)을 유지하여 반응로(2) 내에 도입된다(도입하는 공정). 도입된 기상 성장 가스에 의해 실리콘 단결정 박막이 기판(W) 위에 기상 성장되고, 실리콘 에피택셜 웨이퍼가 제조된다.The main parts of the vapor growth apparatus 1 have been described above. The substrate W is first placed on the susceptor 10 of the reactor 2 when an epitaxial layer is grown on the substrate W by the vapor growth apparatus 1 to produce an epitaxial wafer. Then, a gas-phase growth gas whose flow rate is controlled by a mass flow controller (not shown) is supplied toward the reaction furnace 2. Then, the vapor growth gas is delivered to the top end of the tournament-shaped channel 14a1 (Fig. 1B) divided into three sets, and is distributed from the uppermost end toward each branch passage B. Finally, the vapor growth gas is divided into 64 flows (branch flow paths B) and delivered to the 64 respective flow paths 15a in the insert 15 (step of sorting). The vapor-phase growth gas that has passed through the flow path 15a reaches the introduction passage 8 shown in Fig. 3A. The vapor-phase growth gas that reaches the introduction passage 8 flows through the division passage 16b running in line with the passage 15a and flows into the gas-phase growth gas divided into 64 by the tournament-shaped channels 14a1 Is introduced into the reaction furnace 2 (the step of introducing) while keeping the flow (the number of particles). The silicon single crystal thin film is vapor-grown on the substrate W by the introduced vapor growth gas, and a silicon epitaxial wafer is produced.

본 발명의 실시 양태에서는, 도 1b에 도시하는 바와 같이, 기상 성장 가스의 상류측으로부터 반응로(2)(하류측)를 향하여 기상 성장 가스가 흐르는 분기로(14a)가 토너먼트 모양으로 32개 이상의 분기 유로(B)로 분기되어, 인서트(15)의 복수의 유로(15a)에 연결된다. 따라서, 복수의 유로(15a)를 흐르는 기상 성장 가스의 상호 간의 속도를 효과적으로 균일화 할 수 있다. 그리고, 이 균일화된 기상 성장 가스의 흐름은 각 유로(15a)에 줄지어 통하는 분할 통로(16b)를 거쳐, 직접, 반응로(2) 내로 인도된다. 그 때문에 분기로(14a)에서 균일화되어 복수의 유로(15a)를 흐르는 기상 성장 가스의 흐름을 유지하도록 기상 성장 가스를 반응로(2) 내로 인도할 수 있다. 따라서, 기판(W) 위에 성장시키는 에피택셜층의 막 두께의 균일성을 양호하게 하는 것이 가능하게 된다. 특히, 하기 실시예에서 나타내는 바와 같이 직경 200mm 이상의 기판(W)에 대한 기상 성장에 본 발명을 적용하면 적합하다.In the embodiment of the present invention, as shown in Fig. 1B, the branch passage 14a through which vapor-phase growth gas flows from the upstream side of the vapor-phase growth gas toward the reactor 2 (downstream side) Branching to the branch flow path B and connected to the plurality of flow paths 15a of the insert 15. Therefore, the mutual velocities of the vapor growth gases flowing through the plurality of flow paths 15a can be effectively equalized. Then, the flow of the uniformed vapor-phase growth gas is directly introduced into the reaction furnace 2 via the divided passage 16b which runs along the respective flow paths 15a. Therefore, the vapor growth gas can be introduced into the reaction furnace 2 so as to be uniformed in the branch passage 14a to maintain the flow of the vapor growth gas flowing through the plurality of channels 15a. Therefore, it becomes possible to improve the uniformity of the film thickness of the epitaxial layer to be grown on the substrate W. In particular, as shown in the following examples, it is suitable to apply the present invention to gas phase growth of a substrate W having a diameter of 200 mm or more.

실시예Example

본 발명의 효과를 확인하기 위해 이하의 실험을 행했다. 이하, 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 이것들은 본 발명을 한정하는 것이 아니다.The following experiments were conducted to confirm the effects of the present invention. Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to Examples and Comparative Examples, but they are not intended to limit the present invention.

(실시예)(Example)

실시예 1에서는, 직경 300mm, 결정면 방위(100)의 실리콘 단결정 기판을 사용하여 기상 성장 장치(1)에 의해 에피택셜 웨이퍼를 제작하고, 제작한 에피택셜 웨이퍼의 막 두께 분포를 측정했다. 막 두께 분포의 측정 시에는, 제작한 웨이퍼의 끝으로부터 5mm의 영역을 제외하고 웨이퍼의 직경 방향을 따라 33점의 측정점의 막 두께를 측정했다. 그리고, 측정한 각 막 두께로부터 이하에 나타내는 막 두께의 균일성(%)과 막 두께의 기복(%)을 산출하고, 에피택셜 웨이퍼의 막 두께 분포를 얻었다. 막 두께의 균일성(%)은 측정에서 얻어진 막 두께의 최대 막 두께와 최소 막 두께를 기초로, 최대 막 두께에서 최소 막 두께를 감산한 값을, 최대 막 두께와 최소 막 두께를 가산한 값으로 나눈 값에, 100을 곱한 값을 막 두께의 균일성(%)을 나타내는 값으로 했다. 막 두께의 기복(%)은 다음에 나타내는 값으로 했다. 구체적으로는, 측정한 1개의 측정점에서의 막 두께를 33점의 측정점에서의 막 두께의 평균값으로 나눈 값에서 1을 감산한 값에 100을 곱한 값을 산출했다. 그리고, 산출한 값에서 100을 더 감산한 값을 막 두께의 기복(%)을 나타내는 값으로 했다.In Example 1, an epitaxial wafer was fabricated by a vapor phase growth apparatus 1 using a silicon single crystal substrate having a diameter of 300 mm and a crystal plane orientation of 100, and the film thickness distribution of the produced epitaxial wafer was measured. At the time of measuring the film thickness distribution, except for the region of 5 mm from the end of the manufactured wafer, the film thickness of the measuring point of 33 points along the radial direction of the wafer was measured. Then, the film thickness uniformity (%) and the undulation (%) of the film thickness shown below were calculated from the measured film thicknesses, and the film thickness distribution of the epitaxial wafer was obtained. The uniformity (%) of the film thickness is a value obtained by subtracting the minimum film thickness from the maximum film thickness based on the maximum film thickness and the minimum film thickness obtained in the measurement, the value obtained by adding the maximum film thickness and the minimum film thickness And the value obtained by multiplying the value by 100 was defined as a value indicating the uniformity (%) of the film thickness. The undulation (%) of the film thickness was set to the following values. Specifically, a value obtained by dividing 1 by the value obtained by dividing the film thickness at the measurement point of measurement by the average value of the film thickness at the measurement point of 33 points was multiplied by 100, and the value was calculated. Further, a value obtained by further subtracting 100 from the calculated value was set as a value indicating the undulation (%) of the film thickness.

실시예 2에서는, 도 4에 도시하는 기상 성장 장치(101)를 사용하는 이외는, 실시예 1과 동일하게 에피택셜 웨이퍼를 제작하고, 에피택셜 웨이퍼의 막 두께 분포를 측정했다. 다음에 기상 성장 장치(101)에 대하여 구체적으로 설명한다. 기상 성장 장치(1)와 동일한 구성에 대하여 동일한 부호를 붙이고 설명을 생략한다. 기상 성장 장치(101)는 반응로(2)의 강도를 향상시키기 위한 지주부(P)를 구비하고, 지주부(P)에 대응한 인젝션 캡(114)(이하, 「캡(114)」이라고 한다.), 인젝션 인서트(115)(이하, 「인서트(115)」이라고 한다.) 및 분할부(116)가 구비된다. 설명의 편의상, 인서트(115)부터 설명한다. 인서트(115)는 원호 형상의 변(S1)과 변(S1)에 대향하는 대향변(S2)을 갖는 2개의 평판(P1, P2)으로서 형성된다. 인서트(115)는 대향변(S2)으로부터 변(S1)을 향하여 직선 형상으로 관통하는 복수의 유로(115a)를 구비한다. 각 평판(P1, P2)에 각각 32개의 유로(115a)가 형성된다. 각 평판(P1, P2)은 서로 간극을 두고 배치되고, 지주부(P)는 반응로(2)로부터 평판의 간극을 향하여 연장되어 한 쌍의 유로(115a)의 사이에 끼워지도록 위치한다. 캡(114) 및 분할부(116)는 유로(115a)에 대응하는 분기로(114a), 분할벽(116a), 분할 통로(116b)를 구비한다. 실시예 2에서는, 이상의 구성 이외는 기상 성장 장치(1)와 동일한 기상 성장 장치(101)를 사용했다.In Example 2, an epitaxial wafer was fabricated in the same manner as in Example 1 except that the vapor phase growth apparatus 101 shown in Fig. 4 was used, and the film thickness distribution of the epitaxial wafer was measured. Next, the vapor-phase growth apparatus 101 will be described in detail. The same components as those of the vapor-phase growth apparatus 1 are denoted by the same reference numerals, and a description thereof will be omitted. The vapor phase growth apparatus 101 includes a support portion P for improving the strength of the reaction furnace 2 and includes an injection cap 114 (hereinafter referred to as " cap 114 " An injection insert 115 (hereinafter referred to as "insert 115"), and a dividing section 116 are provided. For convenience of explanation, the insert 115 will be described first. The insert 115 is formed as two flat plates P1 and P2 having an arc-shaped side S1 and an opposite side S2 opposite to the side S1. The insert 115 has a plurality of flow passages 115a extending linearly from the opposite side S2 toward the side S1. 32 flow paths 115a are formed in each of the flat plates P1 and P2. Each of the flat plates P1 and P2 is disposed with a gap therebetween and the supporting portion P is positioned so as to extend from the reaction furnace 2 toward the gap of the flat plate and sandwiched between the pair of flow paths 115a. The cap 114 and the partitioning section 116 are provided with a branch passage 114a, a partition wall 116a and a partition passage 116b corresponding to the passage 115a. In the second embodiment, the same vapor phase growth apparatus 101 as that of the vapor phase growth apparatus 1 was used except for the configuration described above.

실시예 3에서는, 기상 성장 장치(1)의 분기 유로(B), 유로(15a) 및 분할 통로(16b)의 수를 64개에서 32개로 하고 실시예 1과 동일하게 에피택셜 웨이퍼를 제작하여, 에피택셜 웨이퍼의 막 두께 분포를 측정했다. 또한, 분기 유로(B)의 수를 변경하는데 대응시켜 토너먼트 모양의 분기로(14a)의 분기를 변경시켰다.In Example 3, an epitaxial wafer was produced in the same manner as in Example 1, in which the number of the branching flow path B, the flow path 15a, and the number of the partitioning passages 16b in the vapor phase growing apparatus 1 was changed from 64 to 32, And the film thickness distribution of the epitaxial wafer was measured. Further, the branch of the tournament-shaped branch passage 14a was changed in correspondence with the change of the number of the branch passage B.

실시예 4에서는, 기상 성장 장치(1)의 분기 유로(B), 유로(15a) 및 분할 통로(16b)의 수를 96개로 하는 이외는, 실시예 3과 동일하게 에피택셜 웨이퍼를 제작하고, 에피택셜 웨이퍼의 막 두께 분포를 측정했다.In Example 4, an epitaxial wafer was produced in the same manner as in Example 3, except that the number of the branch flow path B, the flow path 15a, and the division passages 16b in the vapor phase growing apparatus 1 was 96, And the film thickness distribution of the epitaxial wafer was measured.

(비교예)(Comparative Example)

비교예 1에서는, 도 5에 도시하는 종래의 기상 성장 장치(201)를 사용하는 이외는, 실시예 1과 동일하게 에피택셜 웨이퍼를 제작하고, 에피택셜 웨이퍼의 막 두께 분포를 측정했다. 다음에 기상 성장 장치(201)에 대하여 구체적으로 설명한다. 기상 성장 장치(1)와 동일한 구성에 대하여 동일한 부호를 붙이고 설명을 생략한다. 기상 성장 장치(201)는 캡(14), 인서트(15) 및 분할부(16) 대신에 인젝션 캡(214)(이하, 「캡(214)」이라고 한다.), 배플(BA), 인젝션 인서트(215)(이하, 「인서트(215)」라고 한다.) 및 칸막이판(216)을 구비한다. 또한 기상 성장 장치(201)는 지주부(P)를 구비한다. 캡(214)은 기상 성장 가스를 반응로(2)에 도입시킬 때에 기상 성장 가스가 통과하는 도시하지 않은 공간을 갖는다. 배플(BA)은 캡(214)과 인서트(215) 사이에 끼워져 위치하는 판 형상 부재이며, 캡(214) 내의 기상 성장 가스를 인서트(215)에 인도하는 복수의 관통구멍(H)을 갖는다. 관통구멍(H)에 의해 인서트(215)를 향하는 기상 성장 가스의 흐름이 조정된다. 인서트(215)는 원호 형상의 변(S1)과 변(S1)에 대향하는 대향변(S2)을 갖는 2개의 평판(P11, P12)으로서 형성된다. 인서트(215)는 대향변(S2)으로부터 변(S1)을 향하여 관통하는 복수의 유로(215a)를 구비한다. 각 평판(P11, P12)에 각각 5개의 유로(215a)가 형성된다. 각 평판(P11, P12)은 서로 간극을 두고 배치된다. 지주부(P)가 반응로(2)로부터 평판(P11, P12) 사이의 간극을 향하여 연장되어 한 쌍의 유로(215a)의 사이에 끼워지도록 위치한다. 칸막이판(216)은 인서트(215)로부터 반응로(2)를 향하는 가스의 흐름을 분류하는 판 형상 부재이며, 4개 배치된다. 비교예 1에서는, 이상의 구성 이외는 기상 성장 장치(1)와 동일한 기상 성장 장치(201)를 사용했다.In Comparative Example 1, an epitaxial wafer was produced in the same manner as in Example 1 except that the conventional vapor phase growth apparatus 201 shown in Fig. 5 was used, and the film thickness distribution of the epitaxial wafer was measured. Next, the vapor-phase growth apparatus 201 will be described in detail. The same components as those of the vapor-phase growth apparatus 1 are denoted by the same reference numerals, and a description thereof will be omitted. The vapor phase growth apparatus 201 is provided with an injection cap 214 (hereinafter referred to as "cap 214"), a baffle BA, an injection insert (not shown) in place of the cap 14, the insert 15, (Hereinafter referred to as " insert 215 ") and a partition plate 216. [ The vapor phase growth apparatus 201 also has a support portion P. [ The cap 214 has an unillustrated space through which the vapor growth gas passes when the vapor growth gas is introduced into the reaction furnace 2. The baffle BA is a plate-like member that is sandwiched between the cap 214 and the insert 215 and has a plurality of through holes H for guiding the vapor growth gas in the cap 214 to the insert 215. And the flow of the vapor growth gas toward the insert 215 is adjusted by the through hole H. The insert 215 is formed as two flat plates P11 and P12 having an arc-shaped side S1 and an opposite side S2 opposite to the side S1. The insert 215 has a plurality of flow passages 215a extending from the opposite side S2 toward the side S1. Five flow paths 215a are formed in each of the flat plates P11 and P12. The flat plates P11 and P12 are disposed with a gap therebetween. The supporting portion P is positioned so as to extend from the reaction furnace 2 toward the gap between the flat plates P11 and P12 and to be sandwiched between the pair of flow paths 215a. The partition plate 216 is a plate-like member for sorting the flow of gas from the insert 215 toward the reaction furnace 2, and four are disposed. In Comparative Example 1, the same vapor phase growth apparatus 201 as that of the vapor phase growth apparatus 1 was used except for the above configuration.

비교예 2에서는, 기상 성장 장치(1)의 분기 유로(B), 유로(15a) 및 분할 통로(16b)의 수를 8개로 하는 이외는, 실시예 3과 마찬가지로 에피택셜 웨이퍼를 제작하고, 에피택셜 웨이퍼의 막 두께 분포를 측정했다.In Comparative Example 2, an epitaxial wafer was produced in the same manner as in Example 3, except that the number of the branch flow path B, the flow path 15a, and the division passages 16b of the vapor phase growth apparatus 1 was eight, And the film thickness distribution of the individual wafers was measured.

비교예 3에서는, 기상 성장 장치(1)의 분기 유로(B), 유로(15a) 및 분할 통로(16b)의 수를 16개로 하는 이외는, 실시예 3과 마찬가지로 에피택셜 웨이퍼를 제작하고, 에피택셜 웨이퍼의 막 두께 분포를 측정했다.In Comparative Example 3, an epitaxial wafer was produced in the same manner as in Example 3 except that the number of the branch flow path B, the flow path 15a, and the number of the split passages 16b of the vapor phase growth apparatus 1 was changed to 16, And the film thickness distribution of the individual wafers was measured.

실시예 1 및 2와 같이 기판(W)에 공급하는 기상 성장 가스를 토너먼트 모양으로 64개로 분기시켜 기판(W)까지 인도한 경우에는, 도 6a 및 도 6b에 도시하는 바와 같이, 막 두께의 균일성 및 막 두께의 기복이 양호하게 되었다. 구체적으로는, 막 두께의 균일성(%)은 실시예 1에서는 0.29, 실시예 2에서는 0.39가 되었다. 또한 막 두께의 기복(%)은 실시예 1 및 2의 양쪽에서 평활하게 되었다. 그것에 대하여, 비교예 1과 같이 기판(W)에 공급하는 기상 성장 가스를 토너먼트 모양으로 분기시켜 기판(W)으로 인도하지 않는 종래의 기상 성장 장치(201)를 사용한 경우에는, 도 6c에 도시하는 바와 같이, 막 두께의 균일성 및 막 두께의 기복이 양호하게 되지 않았다. 구체적으로는, 막 두께의 균일성(%)은 1.21이 되어, 막 두께의 기복(%)은 충분히 평활화되지 않았다.6A and 6B, in the case where the vapor growth gas to be supplied to the substrate W is divided into 64 tournament shapes and delivered to the substrate W as in the case of Embodiments 1 and 2, The lowering of the film thickness and the film thickness became better. Specifically, the uniformity (%) of the film thickness was 0.29 in Example 1 and 0.39 in Example 2. In addition, the undulation (%) of the film thickness was smoothed in both of Examples 1 and 2. On the contrary, in the case of using the conventional vapor phase growth apparatus 201 in which the vapor growth gas to be supplied to the substrate W is not distributed to the substrate W in the form of a tournament as in Comparative Example 1, As a result, the uniformity of the film thickness and the undulation of the film thickness were not improved. Specifically, the uniformity (%) of the film thickness was 1.21, and the undulation (%) of the film thickness was not sufficiently smoothed.

비교예 2 및 3과 같이 기판(W)에 공급하는 기상 성장 가스를 토너먼트 모양으로 8개, 16개로 분기시킨 기판(W)까지 인도한 경우에는, 도 7a 및 도 7b에 도시하는 바와 같이, 막 두께의 균일성 및 막 두께의 기복이 양호하게 되지 않았다. 구체적으로는, 막 두께의 균일성(%)은 비교예 2에서는 1.26, 비교예 3에서는 1.13이 되었다. 또한, 막 두께의 기복(%)은 비교예 2 및 3의 양쪽에서 충분하게 평활화되지 않았다. 그것에 대하여, 실시예 3, 1, 4와 같이 기판(W)에 공급하는 기상 성장 가스를 토너먼트 모양으로 32개, 64개, 96개로 분기시킨 기판(W)까지 인도한 경우에는, 도 7c∼도 7e에 도시하는 바와 같이, 막 두께의 균일성 및 막 두께의 기복이 양호하게 되었다. 구체적으로는, 막 두께의 균일성(%)은 실시예 3에서는 0.41, 실시예 1에서는 0.29, 실시예 4에서는 0.41이 되었다. 또한 막 두께의 기복(%)은 실시예 3, 1, 4의 어디에서도 충분하게 평활화되었다.7A and 7B, when vapor-phase growth gas supplied to the substrate W is delivered to the substrate W branched into eight and sixteen in the form of a tournament as in Comparative Examples 2 and 3, The uniformity of the thickness and the undulation of the film thickness were not improved. Specifically, the uniformity (%) of the film thickness was 1.26 in Comparative Example 2 and 1.13 in Comparative Example 3. In addition, the undulation (%) of the film thickness was not sufficiently smoothed in both Comparative Examples 2 and 3. On the other hand, when the vapor growth gas to be supplied to the substrate W is delivered to the substrate W branched into 32, 64 and 96 tournament shapes as in the case of the third, fourth and fifth embodiments, The uniformity of the film thickness and the undulation of the film thickness were improved as shown in Fig. 7E. Specifically, the uniformity (%) of the film thickness was 0.41 in Example 3, 0.29 in Example 1, and 0.41 in Example 4. In addition, the undulations (%) of the film thickness were sufficiently smoothed in all of Examples 3, 1 and 4.

따라서, 기판(W)에 공급하는 기상 성장 가스를 토너먼트 모양으로 32개 이상으로 분기시켜 기판(W)까지 인도한 경우에는, 에피택셜 웨이퍼의 막 두께 분포를 양호하게 할 수 있었다. 특히, 기상 성장 가스를 토너먼트 모양으로 64개로 분기시켜 기판(W)까지 인도하고, 또한, 지주부(P)를 배제한 경우(실시예 1의 경우)에 가장 효과적으로 에피택셜층의 막 두께 분포를 평활화 할 수 있었다.Therefore, when the vapor growth gas to be supplied to the substrate W is branched into 32 or more tournament shapes and delivered to the substrate W, the film thickness distribution of the epitaxial wafer can be improved. Particularly, the film thickness distribution of the epitaxial layer is most effectively smoothed in the case where the vapor growth gas is divided into 64 pieces in the form of a tournament to lead to the substrate W, and the pouring portion P is excluded (in the case of Embodiment 1) Could.

이상, 본 발명의 실시예를 설명했지만, 본 발명은 그 구체적인 기재에 한정되지 않고, 예시한 구성 등을 기술적으로 모순이 없는 범위에서 적당하게 조합하여 실시하는 것도 가능하고, 또한 어떤 요소, 처리를 주지의 형태로 치환하여 실시할 수도 있다.Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the detailed description thereof, and it is also possible to carry out the appropriate combinations of the exemplified configurations and the like within a range without technically contradiction, It may be carried out by replacing it with a known form.

1 기상 성장 장치
2 반응로
3 베이스 링
6 어퍼 라이너
7 로어 라이너
8 도입 통로(통로)
8a 입구
8b 출구
8c 단차부
8c1 제1면
8c2 제2면
10 서셉터
14 인젝션 캡
14a 분기로(합류로)
15 인젝션 인서트
15a 유로
16 분할부
16a 분할벽
16b 분할 통로
W 기판1 vapor growth device
2 reaction furnace
3 base ring
6 Upper Liner
7 Lower Liner
8 introduction passage (passage)
8a entrance
Exit 8b
Step 8c
8c1 first side
8c2 second side
10 Susceptor
14 Injection cap
14a branch (by joining)
15 Injection insert
15a euro
16-minute installment
16a split wall
16b division passage
W substrate

Claims (8)

원료 가스에 의해 기판에 에피택셜층을 기상 성장시키는 반응로;
상기 반응로 내로 통하는 입구와, 상기 입구의 상방 또한 상기 입구보다 상기 반응로측에 위치하여 상기 반응로 내에 이르는 출구를 가지고 상기 입구와 상기 출구를 접속하여 상기 반응로 내에 상기 원료 가스를 도입하는 통로;
상기 통로 내에 위치하여 상기 입구에 대향하는 제1면과 상기 제1면의 상단으로부터 상기 출구로 연장되는 제2면을 갖는 단차부;
상기 입구로부터 상기 입구의 외측으로 연장되어 상기 입구에 상기 원료 가스를 인도하는 32개 이상이 되는 복수의 유로;
상기 복수의 유로가 상기 입구측으로부터 상기 원료 가스의 상류측을 향하여 토너먼트 모양으로 합류하여 상기 원료 가스의 상류측에 이어지는 합류로; 및
상기 원료 가스가 흐르는 방향을 따라 상기 통로가 상기 복수의 유로에 대응하게 하여 분할되고, 상기 복수의 유로에 각각 줄지어 통하는 복수의 분할 통로;
를 구비하는 것을 특징으로 하는 기상 성장 장치.A reaction furnace for vapor-growing an epitaxial layer on a substrate by a source gas;
A passage for introducing the raw material gas into the reaction furnace by connecting the inlet and the outlet with an outlet through the reaction furnace, the inlet being located above the inlet, ;
A step located in said passage and having a first surface facing said inlet and a second surface extending from an upper end of said first surface to said outlet;
A plurality of flow paths extending from the inlet to the outside of the inlet and leading to the inlet of the raw material gas,
A plurality of flow paths joining in the form of a tournament from the inlet side toward the upstream side of the raw material gas and leading to the upstream side of the raw material gas; And
A plurality of partitioning passages each of which is divided along the direction of the flow of the raw material gas so as to correspond to the plurality of passages and which are respectively connected to the plurality of passages;
And the vapor phase growth device. 제1 항에 있어서,
상기 분할 통로는 상기 입구로부터 상기 단차부를 경유하여 상기 출구를 향하여 연장되는 것을 특징으로 하는 기상 성장 장치.The method according to claim 1,
And the partitioning passage extends from the inlet toward the outlet via the stepped portion. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 복수의 유로는 합계로 64개 이상인 것을 특징으로 하는 기상 성장 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the total number of the plurality of flow paths is 64 or more. 제1 항에 있어서,
상기 복수의 유로는 수평면을 따라 각각 병렬로 배치되는 것을 특징으로 하는 기상 성장 장치.The method according to claim 1,
Wherein the plurality of flow paths are arranged in parallel along a horizontal plane. 제4 항에 있어서,
상기 복수의 유로는 상기 수평면을 따라 인접하여 위치하는 것을 특징으로 하는 기상 성장 장치.5. The method of claim 4,
And the plurality of flow paths are located adjacent to each other along the horizontal plane. 제4 항에 있어서,
상기 반응로로부터 한 쌍의 상기 유로 사이를 향하여 연장되는 지주부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기상 성장 장치.5. The method of claim 4,
And a strut extending from the reactor to the pair of the flow paths. 원료 가스에 의해 기판에 에피택셜층을 성장시키는 반응로 내를 향하여 상기 원료 가스의 흐름을 토너먼트 모양으로 32 이상으로 분류하는 공정;
상기 분류하는 공정에서 32 이상으로 분류된 상기 원료 가스의 분류된 수를 유지하고 상기 반응로 내로 상기 원료 가스를 인도하는 공정; 및
상기 인도하는 공정에 의해 인도한 상기 원료 가스에 의해 상기 에피택셜층을 상기 기판에 성장하는 공정;
을 구비하는 것을 특징 하는 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법.Classifying the flow of the raw material gas into a tournament shape to 32 or more toward the inside of the reaction furnace for growing the epitaxial layer on the substrate by the raw material gas;
Maintaining the number of the raw material gases classified into 32 or more in the sorting step and delivering the raw material gas into the reaction furnace; And
Growing the epitaxial layer on the substrate by the source gas delivered by the delivering step;
Wherein the epitaxial wafer is a silicon wafer. 제7 항에 있어서,
상기 분류하는 공정은 상기 원료 가스의 흐름을 64 이상으로 분류하는 것을 특징으로 하는 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법.

8. The method of claim 7,
Wherein the step of classifying comprises classifying the flow of the raw material gas to 64 or more.

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