KR20190040833A

KR20190040833A - Laser machining method

Info

Publication number: KR20190040833A
Application number: KR1020170131659A
Authority: KR
Inventors: 성동영; 박종갑; 김치우
Original assignee: 에이피시스템 주식회사
Priority date: 2017-10-11
Filing date: 2017-10-11
Publication date: 2019-04-19
Also published as: JP2019072763A; JP7246884B2; TW201914723A; TWI796364B; KR102130060B1; CN109652760A

Abstract

The present invention relates to a laser processing method and, more specifically, to a laser processing method capable of reducing processing errors of a workpiece to be processed. According to one embodiment of the present invention, the laser processing method can comprise: a process of setting a processing area on the workpiece; a first irradiating process of making a first processing area of the processing area of the workpiece irradiated with a laser beam; and a second irradiating process of making a second processing area of the processing area of the workpiece irradiated with the laser beam with a different irradiation condition from the first irradiation.

Description

[0001] The present invention relates to a laser machining method,

본 발명은 레이저 가공 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 피가공대상물의 가공 오류를 줄일 수 있는 레이저 가공 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser processing method, and more particularly, to a laser processing method capable of reducing processing errors of an object to be processed.

능동형 유기 발광 다이오드(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode; AMOLED) 제작 시에 진공 증착 공정을 진행하여 유기물을 여러 층 증착하게 된다. 또한, RGB(Red, Green, Blue) 픽셀(pixel)별로 다른 유기물을 증착해야 되는데, 이때 원하는 픽셀에만 원하는 유기물을 증착하고, 그 외 영역에는 유기물이 증착되지 않도록 스크린 마스크 역할을 담당하는 것이 미세 금속 마스크(Fine Metal Mask; FMM)이다.During the fabrication of the active matrix organic light emitting diode (AMOLED), a vacuum deposition process is performed to deposit multiple layers of organic materials. In addition, it is necessary to deposit different organic materials for each RGB (Red, Green, Blue) pixel. At this time, it is necessary to deposit a desired organic material only in a desired pixel, and to act as a screen mask, A fine metal mask (FMM).

일반적으로, 미세 금속 마스크의 제작 시에는 습식 식각(Wet etching) 방식을 통하여 미세 금속 마스크에 유기물을 증착하기 위한 개구부(hole)를 형성하였다. 그런데, 유기 발광 다이오드의 크기(size)가 커지고, 해상도가 높아짐에 따라 습식 식각 방식으로 미세 금속 마스크를 제작하는 경우에 미세 금속 마스크의 크기와 미세 금속 마스크에 형성된 개구부의 정밀도에 대한 한계가 발생한다.Generally, a hole for depositing an organic material on a fine metal mask is formed through a wet etching method when a fine metal mask is manufactured. However, when the size of the organic light emitting diode is increased and the resolution is increased, there is a limit to the size of the fine metal mask and the precision of the opening formed in the fine metal mask when the fine metal mask is manufactured by the wet etching method .

또한, 미세 금속 마스크는 열챙창계수가 매우 낮아 인바(INVAR) 소재를 주로 사용한다. 하지만, 500 PPI 이상의 고해상도 패널을 만들기 위해서는 20 ㎛ 이하의 두께를 갖는 미세 금속 마스크를 사용해야만 하기 때문에 압연 방식으로 인바 소재를 만들어야 하며, 인바 소재는 압연 방식으로 만들 때에 ± 5 %의 두께 산포가 발생하게 된다. 이러한 두께 산포는 다른 부분보다 상대적으로 두꺼운 부분에 개구부가 형성되지 않는 등 미세 금속 마스크에 형성된 개구부의 정밀도에 영향을 주기 때문에 인바 소재의 두께 산포에 의한 가공 오류를 줄일 수 있는 방법이 요구되고 있다.In addition, the fine metal mask has a very low thermal barrier coefficient, so INVAR material is mainly used. However, in order to make a high-resolution panel of 500 PPI or more, it is necessary to use a fine metal mask having a thickness of 20 μm or less, so it is necessary to make an invar material by a rolling method, and a thickness distribution of ± 5% . Such thickness scattering affects the precision of the openings formed in the fine metal mask, such as the absence of openings in relatively thicker portions than other portions, and therefore a method is required to reduce machining errors due to scattering of the thickness of the invar material.

종래에는 인바 소재의 두께 산포에 의한 가공 오류를 줄이기 위해 1차 식각이 이루어진 면의 반대면(또는 대향면)에 습식 식각 방식으로 2차 식각을 진행하여 상대적으로 두꺼운 두께에 의해 개구부가 형성되지 않은 부분에 개구부를 형성하였다. 하지만, 이러한 방법은 2차 식각이 이루어지는 면에 경사진 둔턱이 발생하게 되어 둔턱에 의해 유기물 증착 시 섀도우(Shadow) 발생을 유발할 수 있고, 양면 식각으로 인한 오정렬(misalign)로 개구부 형상에 편차가 발생할 수도 있다.Conventionally, in order to reduce processing errors due to the thickness distribution of the invar material, the second etching is performed on the opposite surface (or the opposite surface) of the surface subjected to the first etching by a wet etching method so that the opening is not formed by a relatively thick thickness An opening was formed in the portion. However, in this method, a slanting barrier occurs on the surface where the second etching is performed, so that shadowing may occur during deposition of the organic material due to the barrier, and misalignment due to double-sided etching may cause variations in the shape of the opening It is possible.

한국공개특허공보 제10-2011-0013244호Korean Patent Laid-Open No. 10-2011-0013244

본 발명은 상이한 조사 조건의 2 단계로 레이저 빔을 조사하여 피가공대상물의 영역별 두께 편차에 의한 가공 오류를 줄일 수 있는 레이저 가공 방법을 제공한다.The present invention provides a laser machining method capable of reducing a machining error caused by a thickness deviation of a workpiece by irradiating a laser beam in two steps of different irradiation conditions.

본 발명의 일실시예에 따른 레이저 가공 방법은 피가공대상물 상에 가공 영역을 설정하는 과정; 상기 피가공대상물의 가공 영역 중 1차 가공영역에 레이저 빔을 1차 조사하는 과정; 및 상기 피가공대상물의 가공 영역 중 2차 가공영역에 1차 조사와 상이한 조사 조건으로 상기 레이저 빔을 2차 조사하는 과정;을 포함할 수 있다.A laser machining method according to an embodiment of the present invention includes the steps of setting a machining area on a workpiece; A step of firstly irradiating a laser beam onto a first machining area of the machining area of the workpiece; And a step of secondly irradiating the laser beam onto the second machining area of the machining area of the object to be processed with a different irradiation condition from the first irradiation.

상기 2차 가공영역은 상기 1차 가공영역 내에 포함될 수 있다.The secondary machining area may be included in the primary machining area.

상기 레이저 빔을 1차 조사하는 과정과 상기 레이저 빔을 2차 조사하는 과정에서는 동일한 좌표계를 사용하여 상기 1차 가공영역과 상기 2차 가공영역에 각각 상기 레이저 빔을 조사할 수 있다.The laser beam may be irradiated to the primary machining area and the secondary machining area using the same coordinate system in the process of irradiating the laser beam first and the process of irradiating the laser beam second.

상기 레이저 빔을 1차 조사하는 과정 및 상기 레이저 빔을 2차 조사하는 과정에서는 상기 피가공대상물의 장축과 평행한 스캔라인과 상기 피가공대상물의 단축과 평행한 스텝라인을 포함하는 스캔 경로를 따라 상기 레이저 빔의 조사 위치를 이동시키면서 상기 가공 영역을 스캔할 수 있다.Wherein the step of irradiating the laser beam firstly and the step of irradiating the laser beam are performed along a scan path including a scan line parallel to the major axis of the workpiece and a step line parallel to the minor axis of the workpiece The machining area can be scanned while moving the irradiation position of the laser beam.

상기 레이저 빔을 1차 조사하는 과정과 상기 레이저 빔을 2차 조사하는 과정에서는 동일한 스캔 경로를 따라 상기 가공 영역을 스캔하며, 상기 1차 가공영역과 상기 2차 가공영역에서 각각 상기 레이저 빔을 활성화시킬 수 있다.The laser beam is scanned along the same scan path in a process of first irradiating the laser beam and a process of irradiating the laser beam in the second scan, and the laser beam is activated in the first machining area and the second machining area, .

상기 레이저 빔을 1차 조사하는 과정에서는 복수의 상기 스캔라인을 스캔하여 상기 1차 가공영역을 가공하고, 상기 레이저 빔을 2차 조사하는 과정에서는 복수의 상기 스캔라인 중 상기 1차 가공영역의 중앙부를 통과하는 상기 스캔라인만 스캔하여 상기 2차 가공영역을 가공할 수 있다.Wherein in a process of irradiating the laser beam in a first order, a plurality of the scan lines are scanned to process the first machining region, and in a process of secondly irradiating the laser beam, It is possible to scan only the scan line passing through the second machining area.

상기 레이저 빔을 2차 조사하는 과정에서는, 상기 레이저 빔의 세기가 상기 레이저 빔을 1차 조사하는 과정보다 크거나, 상기 레이저 빔의 이동 속도와 상기 스캔라인에서의 상기 레이저 빔의 스캔피치가 상기 레이저 빔을 1차 조사하는 과정보다 작을 수 있다.Wherein the intensity of the laser beam is greater than the intensity of the laser beam when the laser beam is irradiated first, or the scan rate of the laser beam and the scan pitch of the laser beam in the scan line are greater than It can be smaller than the process of irradiating the laser beam first.

상기 레이저 빔을 1차 조사하는 과정에서, 상기 1차 가공영역의 중앙부는 상기 레이저 빔에 의한 영역별 에너지 누적이 일정하고, 상기 1차 가공영역의 가장자리부는 상기 레이저 빔에 의한 영역별 에너지 누적이 상기 1차 가공영역의 중앙부에 가까울수록 클 수 있다.In the first irradiation of the laser beam, the energy accumulation by the laser beam is constant in the central part of the primary machining area, and the energy accumulation by the laser beam in the edge part of the primary machining area is And may be larger toward the center of the primary machining area.

상기 2차 가공영역은 상기 1차 가공영역의 중앙부와 중첩되며, 상기 레이저 빔을 2차 조사하는 과정에서는 상기 2차 가공영역의 상기 레이저 빔에 의한 영역별 에너지 누적이 일정할 수 있다.The secondary machining area overlaps with the central part of the primary machining area and the energy accumulation by the laser beam in the secondary machining area can be constant during the secondary irradiation of the laser beam.

상기 레이저 빔을 1차 조사하는 과정에서는 가공 깊이가 일정하게 상기 1차 가공영역의 중앙부를 가공하며, 상기 1차 가공영역의 중앙부에 가까울수록 가공 깊이가 깊어지게 상기 1차 가공영역의 가장자리부를 가공하고, 상기 레이저 빔을 2차 조사하는 과정에서는 상기 피가공대상물이 관통되도록 상기 2차 가공영역을 가공할 수 있다.The edge portion of the primary machining area is machined so as to deepen the machining depth as the center of the primary machining area is closer to the center of the primary machining area, And the secondary machining area can be machined so that the workpiece passes through in the course of secondary irradiation of the laser beam.

상기 가공 영역 중 가공홀의 형성 여부를 확인하는 과정;을 더 포함하고, 상기 레이저 빔을 2차 조사하는 과정에서는 상기 가공홀의 형성 여부를 확인하는 과정에서 상기 가공홀이 미형성된 상기 가공 영역에 상기 레이저 빔을 조사할 수 있다.And a step of confirming whether or not a machining hole is formed in the machining area. In the course of confirming whether or not the machining hole is formed in the course of secondary irradiation of the laser beam, The beam can be irradiated.

상기 가공홀의 형성 여부를 확인하는 과정에서는 높이 센서, 이미지 센서, 광 센서, 레이저 센서 중 적어도 어느 하나를 이용하여 상기 가공홀의 형성 여부를 확인할 수 있다.In the process of confirming whether the process hole is formed, whether or not the process hole is formed can be confirmed by using at least one of a height sensor, an image sensor, an optical sensor, and a laser sensor.

본 발명의 실시 형태에 따른 레이저 가공 방법은 상이한 조사 조건의 2 단계로 레이저 빔을 가공 영역에 조사하여 피가공대상물을 가공함으로써, 피가공대상물의 영역별 두께 편차에 의한 영향(또는 가공 오류)으로 피가공대상물에 대한 가공이 불완전하게 이루어지는 부분(즉, 가공홀이 형성되지 않은 부분)이 발생하는 문제를 해결할 수 있다.In the laser processing method according to the embodiment of the present invention, the laser beam is irradiated to the machining area in two steps of different irradiation conditions to process the machining object, and the influence (or machining error) due to the thickness deviation of the machining object It is possible to solve the problem that a portion where machining of the workpiece is incomplete (i.e., a portion where machining holes are not formed) occurs.

또한, 2차 가공영역의 면적을 1차 가공영역의 면적보다 작게 함으로써, 2 단계의 가공에도 가공홀의 주위에 영향이 없을 수 있으며, 레이저 빔을 2차 조사할 때에 레이저 빔의 세기, 레이저 빔의 이동 속도, 레이저 빔의 스캔피치 등을 레이저 빔을 1차 조사할 때와 상이하게 설정하여 가공홀 중 상대적으로 두꺼운 두께에 의한 둔턱부의 내측면을 수직하게 만들 수 있어 내측면이 경사진 둔턱보다 섀도우(Shadow) 발생을 줄일 수 있다.Further, by making the area of the secondary machining area smaller than the area of the primary machining area, there is no influence on the periphery of the machining hole even in two-step machining. When the laser beam is irradiated twice, The moving speed and the scan pitch of the laser beam can be set differently from that when the laser beam is first irradiated so that the inner surface of the barrel can be made vertical by the relatively thick thickness of the processing holes, The occurrence of shadow can be reduced.

그리고 본 발명에서는 피가공대상물의 한 면에 대해 2 단계의 가공이 이루어지기 때문에 양면 가공에 의한 오정렬(misalign)을 방지할 수도 있다.According to the present invention, misalignment due to two-sided machining can be prevented since two-step machining is performed on one surface of the workpiece.

이에 본 발명의 레이저 가공 방법은 피가공대상물의 영역별 두께 편차에 의한 가공 오류를 줄일 수 있고, 피가공대상물에 대한 가공 정밀도를 종래보다 향상시킬 수 있다.Therefore, the laser machining method of the present invention can reduce the machining error due to the thickness variation of the workpiece in each region, and improve the machining accuracy for the workpiece.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 레이저 가공 방법을 나타낸 순서도.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 레이저 가공 방법으로 가공된 피가공대상물을 나타낸 사시도.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 레이저 가공 방법으로 가공된 피가공대상물의 단면도.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 2 단계의 레이저 빔 조사를 설명하기 위한 개략 단면도.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 레이저 빔의 스캔을 설명하기 위한 개념도.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 가공 영역의 영역별 에너지 누적을 설명하기 위한 개념도.1 is a flowchart showing a laser processing method according to an embodiment of the present invention.
2 is a perspective view showing an object to be processed which is processed by a laser processing method according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of an object to be processed, which is processed by a laser processing method according to an embodiment of the present invention.
4 is a schematic cross-sectional view for explaining laser beam irradiation in two stages according to an embodiment of the present invention;
5 is a conceptual diagram illustrating scan of a laser beam according to an embodiment of the present invention.
6 is a conceptual diagram for explaining energy accumulation for each region of a machining region according to an embodiment of the present invention;

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 설명 중, 동일 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하도록 하고, 도면은 본 발명의 실시예를 정확히 설명하기 위하여 크기가 부분적으로 과장될 수 있으며, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, It is provided to let you know. In the description, the same components are denoted by the same reference numerals, and the drawings are partially exaggerated in size to accurately describe the embodiments of the present invention, and the same reference numerals denote the same elements in the drawings.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 레이저 가공 방법을 나타낸 순서도이고, 도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 레이저 가공 방법으로 가공된 피가공대상물을 나타낸 사시도이다.FIG. 1 is a flowchart showing a laser processing method according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a perspective view showing an object to be processed processed by the laser processing method according to an embodiment of the present invention.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 레이저 가공 방법은 피가공대상물(100) 상에 가공 영역(110)을 설정하는 과정(S100); 상기 피가공대상물(100)의 가공 영역(110) 중 1차 가공영역에 레이저 빔(10)을 1차 조사하는 과정(S200); 및 상기 피가공대상물(100)의 가공 영역(110) 중 2차 가공영역에 1차 조사와 상이한 조건으로 상기 레이저 빔(10)을 2차 조사하는 과정(S300);을 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 1 and 2, a laser machining method according to an embodiment of the present invention includes a step S100 of setting a machining area 110 on an object to be machined 100; A step (S200) of first irradiating the laser beam 10 to the primary machining area of the machining area 110 of the workpiece 100; And a step S300 of irradiating the laser beam 10 with the second machining area of the machining area 110 of the workpiece 100 under a different condition from the first machining step S300.

본 발명에서의 피가공대상물(100)은 일반적으로 유기 EL(Electro Luminescence)이나 유기 반도체 소자 등의 제조 시에 진공 증착 공정에서 사용되는 미세 금속 마스크(Fine Metal Mask; FMM)일 수 있으나, 레이저로 가공할 수 있는 어떠한 대상물이든 상관없다. 특히, 반도체 소자의 패키징에 있어서, 인쇄 회로 기판(Printed Circuit Board; PCB)에 형성되는 비아홀(via hole)이나 반도체 기판 상의 특정 영역에 가공 패턴(pattern)을 형성하고자 하는 경우 등 다양하게 활용될 수 있다.The object to be processed 100 in the present invention may be a fine metal mask (FMM) used in a vacuum deposition process in manufacturing an organic EL (Electro Luminescence) or an organic semiconductor device, Any object that can be machined does not matter. Particularly, in the packaging of a semiconductor device, it is possible to use various methods such as a via hole formed in a printed circuit board (PCB) or a case where a processing pattern is formed in a specific area on a semiconductor substrate have.

먼저, 피가공대상물(100) 상에 가공 영역(110)을 설정한다(S100). 가공 영역(110)은 단일 또는 복수로 구성될 수 있으며, 피가공대상물(100) 상에서의 가상의 영역으로 설정될 수 있다. 이때, 가공 영역(110)은 1차 가공영역과 2차 가공영역을 포함할 수 있다.First, the machining area 110 is set on the workpiece 100 (S100). The machining area 110 may be configured singly or plurally and may be set as a virtual area on the workpiece 100. [ At this time, the machining area 110 may include a primary machining area and a secondary machining area.

다음으로, 상기 피가공대상물(100)의 가공 영역(110) 중 1차 가공영역에 레이저 빔(10)을 1차 조사한다(S200). 여기서, 피가공대상물(100)의 일면에 레이저 빔(10)을 조사할 수 있다. 피가공대상물(100)의 가공 영역(110) 중 1차 가공영역에 레이저 빔(10)을 조사하여 피가공대상물(100)을 가공할 수 있으며, 예를 들어 피가공대상물(100)에 가공홀(11)을 형성할 수 있고, 가공홀(11)은 가공 영역(110)과 동일하거나 가공 영역(110)보다 작은 크기를 가질 수 있다. 이때, 레이저 빔(10)에 의한 가공 깊이를 피가공대상물(100)의 기준 두께로 설정할 수 있으며, 피가공대상물(100)의 가공 영역(110) 중 1차 가공영역에 1차적으로 레이저 빔(10)을 조사하여 피가공대상물(100)의 기준 두께(예를 들어, 20 ㎛)에 해당하는(또는 대응되는) 깊이까지 1차적으로 가공할 수 있다. 여기서, 상기 1차 가공영역의 면적은 가공 영역(110)의 면적과 동일할 수 있다.Next, the laser beam 10 is first irradiated onto the primary machining area of the machining area 110 of the workpiece 100 (S200). Here, the laser beam 10 can be irradiated to one surface of the object to be processed 100. It is possible to process the workpiece 100 by irradiating the laser beam 10 to the primary machining area of the machining area 110 of the workpiece 100. For example, The machining hole 11 may have the same size as the machining area 110 or a size smaller than the machining area 110. [ At this time, the processing depth by the laser beam 10 can be set to the reference thickness of the workpiece 100, and the laser beam 10 can be primarily irradiated to the primary machining area of the machining area 110 of the workpiece 100 10) to the depth corresponding to (or corresponding to) the reference thickness (for example, 20 탆) of the workpiece 100. Here, the area of the primary machining area may be the same as the area of the machining area 110.

그 다음 상기 피가공대상물(100)의 가공 영역(110) 중 2차 가공영역에 1차 조사와 상이한 조건으로 상기 레이저 빔(10)을 2차 조사한다(S300). 레이저 빔(10)을 상기 레이저 빔(10)을 1차 조사하는 과정(S200)과 상이한 조건으로 가공 영역(110) 중 2차 가공영역에 조사할 수 있으며, 상기 2차 가공영역의 면적은 가공 영역(110)의 면적과 동일할 수도 있고, 가공 영역(110)의 면적보다 작을 수도 있다. 1차적으로 가공된 가공 영역(110)에 레이저 빔(10)을 다시 조사하여 피가공대상물(100)에 두께 편차가 있는 경우에 상대적으로 두꺼운 두께에 의해 가공홀(11)이 형성되지 않은(즉, 상기 피가공대상물의 기준 두께보다 두꺼운) 가공 영역(110)을 2차적으로 가공함으로써, 상기 레이저 빔(10)을 1차 조사하는 과정(S200)으로 가공홀(11)이 형성되지 않은 가공 영역(110)에도 가공홀(11)이 형성되도록 할 수 있고, 가공홀(11)이 형성되지 않는 가공 영역(110)이 없이 모든 가공 영역(110)에 가공홀(11)을 형성할 수 있다.Then, the laser beam 10 is irradiated to the secondary machining area of the machining area 110 of the workpiece 100 at a different condition from the primary irradiation (S300). The laser beam 10 can be irradiated onto the secondary machining area in the machining area 110 under a different condition from the step S200 of irradiating the laser beam 10 first, May be equal to or smaller than the area of the region 110. [ The laser beam 10 is irradiated again to the machining area 110 which has been primarily machined so that the machining hole 11 is not formed by a relatively thick thickness when the workpiece 100 has a thickness variation (Step S200) in which the laser beam 10 is first irradiated by processing the machining area 110 of the laser beam 10 which is thicker than the reference thickness of the workpiece, The machining holes 11 can be formed in all the machining regions 110 without the machining regions 110 in which the machining holes 11 are not formed.

한편, 피가공대상물(100)은 인바(INVAR)라는 금속 재질로 형성될 수 있으며, 인바는 철(Fe) 64%에 니켈(Ni) 36%를 첨가하여 열팽창계수가 매우 작은 합금으로서, 정밀기계 또는 광학기계의 부품, 시계의 부품과 같이 온도 변화에 의해서 치수가 변하면 오차의 원인이 되는 기계에 사용된다. 인바 재질의 피가공대상물(100)은 약 50 피코초(ps) 정도의 열확산시간을 가질 수 있고, 압연 가공 시에 ± 5 %의 영역별 두께 편차(또는 두께 산포)가 발생될 수 있다. 즉, 피가공대상물(100)은 상황에 따라 영역별 두께 편차를 가질 수도 있다.Meanwhile, the workpiece 100 may be formed of a metal material called INVAR, and Invar is an alloy having a very small thermal expansion coefficient by adding 36% of nickel (Ni) to 64% of iron (Fe) It is used in machines that cause errors if dimensions are changed by temperature changes, such as parts of optical machines or parts of watches. The processing object 100 of the invar material may have a thermal diffusion time of about 50 picoseconds (ps), and a thickness variation (or thickness dispersion) may be generated in each region by ± 5% during the rolling process. That is, the workpiece 100 may have a thickness variation in each region depending on the situation.

상기 2차 가공영역은 상기 1차 가공영역 내에 포함될 수 있으며, 상기 1차 가공영역의 전체와 중첩될 수도 있고, 상기 1차 가공영역의 일부와 중첩될 수도 있다.The secondary machining area may be included in the primary machining area, overlapping with the entire primary machining area, or overlapping with a part of the primary machining area.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 레이저 가공 방법으로 가공된 피가공대상물의 단면도이고, 도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 2 단계의 레이저 빔 조사를 설명하기 위한 개략 단면도로, 도 4(a)는 기준 두께 이하의 두께를 갖는 가공 영역을 나타내는 그림이며, 도 4(b)는 기준 두께보다 두꺼운 가공 영역을 나타내는 그림이다.FIG. 3 is a cross-sectional view of an object to be processed, which is processed by a laser machining method according to an embodiment of the present invention. FIG. 4 is a schematic sectional view for explaining laser beam irradiation in two steps according to an embodiment of the present invention. 4 (a) is a drawing showing a machining area having a thickness equal to or less than a reference thickness, and Fig. 4 (b) is a drawing showing a machining area thicker than the reference thickness.

도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 2차 가공영역의 면적은 상기 1차 가공영역의 면적보다 작을 수 있다. 이때, 상기 1차 가공영역의 면적은 가공 영역(110)의 면적과 동일할 수 있고, 상기 2차 가공영역은 가공 영역(110)의 중앙부(111)에 위치할 수 있다. 즉, 가공 영역(110)은 중앙부(111)와 가장자리부(112)를 포함할 수 있으며, 상기 레이저 빔(10)을 1차 조사하는 과정(S200)에서는 중앙부(111)와 가장자리부(112)를 포함하는 상기 1차 가공영역에 레이저 빔(10)을 조사할 수 있고, 상기 레이저 빔(10)을 2차 조사하는 과정(S300)에서는 중앙부(111)에만(즉, 상기 2차 가공영역에만) 레이저 빔(10)을 조사할 수 있다. 다시 말하면, 상기 레이저 빔(10)을 2차 조사하는 과정(S300)에서는(또는 두 번째 레이저 빔을 조사할 때는) 상기 레이저 빔(10)을 1차 조사하는 과정(S200)보다(또는 첫 번째 레이저 빔을 조사할 때보다) 피가공대상물(100)의 가공 영역(110)에서 레이저 빔(10)이 조사되는 면적을 작게 할 수 있다. 이러한 경우, 상기 레이저 빔(10)을 2차 조사하는 과정(S300)에서는 가장자리부(112)에 레이저 빔(10)을 조사하지 않으므로, 2 단계의 레이저 가공에도 가공홀(11)의 주위에 영향이 없을 수 있고, 가공홀(11)의 크기(size)가 기준 크기보다 상대적으로 커지는 과다 식각(over etching)을 방지할 수 있다. 즉, 상기 레이저 빔(10)을 2차 조사하는 과정(S300)에서 상기 레이저 빔(10)을 1차 조사하는 과정(S200)을 통한 가공 영역(110)의 1차 가공에 영향을 주지 않을 수 있다.3 and 4, the area of the secondary machining area may be smaller than the area of the primary machining area. At this time, the area of the primary machining area may be the same as the area of the machining area 110, and the secondary machining area may be located at the center part 111 of the machining area 110. That is, the machining area 110 may include the center part 111 and the edge part 112. In the step of irradiating the laser beam 10 at the first step S200, the center part 111 and the edge part 112, The laser beam 10 can be irradiated to the primary machining region including the center portion 111 only in the secondary irradiation step S300 of irradiating the laser beam 10 The laser beam 10 can be irradiated. In other words, in the second irradiation step S300 of the laser beam 10 (or when the second laser beam is irradiated), the laser beam 10 is irradiated first (S200) The area irradiated with the laser beam 10 in the processing region 110 of the workpiece 100 can be made smaller than in the case of irradiating the laser beam. In this case, since the laser beam 10 is not irradiated to the edge portion 112 in the second irradiation step S300 of the laser beam 10, And it is possible to prevent over-etching in which the size (size) of the processing hole 11 becomes relatively larger than the reference size. That is, in the second irradiation (S300) of the laser beam 10, the first irradiation of the laser beam 10 (S200) may not affect the primary processing of the processing region 110 have.

상기 레이저 빔(10)을 1차 조사하는 과정(S200)에서는 가공 깊이가 일정하게 상기 1차 가공영역의 중앙부(111)를 가공할 수 있고, 상기 1차 가공영역의 중앙부(111)에 가까울수록 가공 깊이가 깊어지게 상기 1차 가공영역의 가장자리부(112)를 가공할 수 있다. 상기 1차 가공영역의 중앙부(111)는 가공 깊이를 일정하게 가공할 수 있으며, 상기 1차 가공영역의 중앙부(111)에서는 레이저 빔(10)의 조사 조건(예를 들어, 레이저 빔의 세기, 이동 속도 등)을 동일하게 가공할 수 있다.The center portion 111 of the primary machining region can be machined with a constant machining depth in the first irradiation step S200 of the laser beam 10 and the closer to the center portion 111 of the primary machining region The edge portion 112 of the primary machining area can be machined so as to deepen the machining depth. The center part 111 of the primary machining area can process the machining depth uniformly and the center part 111 of the primary machining area can control the irradiation conditions of the laser beam 10 Moving speed, etc.) can be processed equally.

상기 1차 가공영역의 가장자리부(112)는 상기 1차 가공영역의 중앙부(111)에 가까울수록 가공 깊이가 깊어지게(또는 깊어지도록) 가공할 수 있고, 피가공대상물(100)의 일면으로부터 멀어질수록(또는 깊어질수록) 가공 영역(110)의 테두리에서 중앙부(111)로 모아지는 형태(즉, 테이퍼 형태)로 경사질 수 있다. 이러한 테이퍼 형태는 가공홀(11)의 치수(size) 및 형상 안정성을 확보할 수 있도록 할 수 있으며, 증착 공정에서 유기물 등의 증착 입자가 용이하게 가공홀(11)을 통과할 수 있고, 이에 따라 증착 공정에서의 마스크(mask)에 의한 섀도우(Shadow) 발생을 감소시킬 수 있다. 즉, 상기 테이퍼 형태에 의해 상기 증착 입자가 가공홀(11)을 중심으로 모아질 수 있어 상기 증착 입자가 가공홀(11)의 주변으로 번지는(또는 퍼지는) 섀도우 발생을 감소시킬 수 있다.The edge portion 112 of the primary machining region can be processed to be deeper (or deeper) as the machining depth becomes closer to the central portion 111 of the primary machining region, (Or in a tapered form) gathered from the rim of the machining area 110 to the central part 111 as the quality (or deeperness) of the machining area 110 increases. Such a tapered shape can ensure the size and shape stability of the machining hole 11, and the deposited particles such as organic matter can easily pass through the machining hole 11 in the deposition process, The occurrence of a shadow due to a mask in a deposition process can be reduced. That is, the tapered shape allows the deposited particles to be gathered around the processing hole 11, thereby reducing the occurrence of the shadow (or spreading) of the deposited particles to the periphery of the processing hole 11.

또한, 상기 레이저 빔(10)을 1차 조사하는 과정(S200)과 상기 레이저 빔(10)을 2차 조사하는 과정(S300)은 모두 피가공대상물(100)의 일면에 레이저 빔(10)을 조사할 수 있으며, 이러한 경우에 피가공대상물(100)의 한 면(즉, 일면)에 대해 2 단계(또는 2차)의 레이저 가공이 이루어지므로, 양면 가공에 의한 오정렬(misalign)을 방지할 수 있다.The process of irradiating the laser beam 10 in the first irradiation step S200 and the process of irradiating the laser beam 10 in the second irradiation step S300 both include the step of irradiating the laser beam 10 on one surface of the object 100 In this case, two-step (or second-order) laser machining is performed on one surface (that is, one surface) of the object to be processed 100, so that misalignment due to the two- have.

상기 2차 가공영역은 상기 1차 가공 영역(110)의 중앙부(111)와 중첩될 수 있다. 여기서, 가공 영역(110)의 중앙부(111)에 가공홀(11)이 형성될 수 있으며, 상기 레이저 빔(10)을 1차 조사하는 과정(S200) 및/또는 상기 레이저 빔(10)을 2차 조사하는 과정(S300)에서 피가공대상물(100)에 가공홀(11)을 형성할 수 있다. 즉, 상기 레이저 빔(10)을 1차 조사하는 과정(S200)으로 가공홀(11)이 형성되지 않은 가공 영역(110)에 가공홀(11)을 형성할 수 있다.The secondary machining area may overlap the central part 111 of the primary machining area 110. A machining hole 11 may be formed in a central portion 111 of the machining region 110 and a process of irradiating the laser beam 10 at a first step S200 and / The machining hole 11 can be formed in the workpiece 100 in the step S300. That is, the machining hole 11 can be formed in the machining area 110 where the machining hole 11 is not formed in the step (S200) of irradiating the laser beam 10 for the first time.

예를 들어, 기준 두께 이하의 두께를 갖는 가공 영역(110)에는 상기 레이저 빔(10)을 1차 조사하는 과정(S200)에서 도 4(a)와 같이 가공홀(11)이 형성될 수 있고, 상기 기준 두께보다 두꺼운 가공 영역(110)에는 상기 레이저 빔(10)을 2차 조사하는 과정(S300)에서 도 4(b)와 같이 가공홀(11)이 형성될 수 있다. 즉, 상기 레이저 빔(10)을 1차 조사하는 과정(S200)에서 피가공대상물(100)의 가공 영역(110) 중 상기 1차 가공영역에 1차적으로 레이저 빔(10)을 조사하여 피가공대상물(100)의 기준 두께의 깊이까지 1차적으로 가공함으로써, 기준 두께 이하의 두께를 갖는 가공 영역(110)에 가공홀(11)을 형성할 수 있고, 상기 레이저 빔(10)을 2차 조사하는 과정(S300)에서 1차적으로 상기 1차 가공영역이 가공된 가공 영역(110)에 레이저 빔(10)을 다시(또는 2차적으로) 조사하여 상기 1차적으로 상기 1차 가공영역이 가공된 가공 영역(110) 중 상기 2차 가공영역(예를 들어, 상기 기준 두께보다 두꺼운 부분 또는 가공 영역)을 피가공대상물(100)의 최대 두께 편차의 깊이만큼 2차적으로 가공함으로써, 상기 기준 두께보다 두꺼운 가공 영역(110)에 가공홀(11)을 형성할 수 있다. 이에 따라 가공홀(11)이 형성되지 않는 가공 영역(110)이 없이 모든 가공 영역(110)에 가공홀(11)을 형성할 수 있다.For example, in the processing region 110 having a thickness equal to or less than the reference thickness, the processing hole 11 may be formed as shown in FIG. 4 (a) in the first irradiation step (S200) of the laser beam 10 The machining hole 11 may be formed in the machining area 110 thicker than the reference thickness as shown in Fig. 4 (b) in the step of irradiating the laser beam 10 in the second step S300. That is, in the first irradiation step (S200) of irradiating the laser beam 10, the laser beam 10 is first irradiated to the primary machining area of the machining area 110 of the workpiece 100, The machining hole 11 can be formed in the machining area 110 having a thickness equal to or less than the reference thickness by primarily processing the workpiece 100 up to the depth of the reference thickness of the object 100, The laser beam 10 is irradiated again (or secondarily) to the machining area 110 in which the primary machining area has been machined so that the primary machining area is primarily machined By processing the secondary machining area (for example, a part that is thicker than the reference thickness or machining area) of the machining area 110 by the depth of the maximum thickness deviation of the workpiece 100, The machining hole 11 can be formed in the thick machining area 110. [ Thus, the machining holes 11 can be formed in all of the machining regions 110 without the machining regions 110 where the machining holes 11 are not formed.

상기 레이저 빔(10)을 2차 조사하는 과정(S300)에서는 피가공대상물(100)이 관통되도록 상기 2차 가공영역을 가공할 수 있다. 이때, 가공 영역(110)의 중앙부(111)와 같이, 가공 깊이가 일정하게 상기 2차 가공영역을 가공할 수 있다. 즉, 상기 레이저 빔(10)을 2차 조사하는 과정(S300)에서는 수직 방향으로(또는 수직하게) 가공홀(11)을 형성할 수 있다.In the second irradiation step S300 of the laser beam 10, the secondary machining area can be machined so that the workpiece 100 passes through. At this time, the secondary machining area can be machined such that the machining depth is constant, like the central part 111 of the machining area 110. [ That is, in the step of irradiating the laser beam 10 (S300), the machining hole 11 may be formed in the vertical direction (or vertically).

다시 말하면, 상기 레이저 빔(10)을 2차 조사하는 과정(S300)에서는 상기 기준 두께보다 두꺼운 가공 영역(110)에 형성되는 가공홀(11) 중 상대적으로 두꺼운 두께에 의한 둔턱부의 내측면이 거의 수직이 되도록 가공홀(11)을 형성할 수 있다. 이러한 경우, 상기 기준 두께보다 두꺼운 가공 영역(110)에 형성되는 가공홀(11)의 크기가 상기 기준 두께 이하의 두께를 갖는 가공 영역(110)에 형성되는 가공홀(11)의 크기와 거의 유사할 수 있어 정확한 치수의 영역에 증착 물질(예를 들어, 유기물)을 증착(또는 정확한 치수의 막을 형성)할 수 있고, 증착 물질이 가공홀(11)을 통과하면서 퍼지는 것을 막아주어 내측면이 경사진 둔턱보다 섀도우 발생을 줄일 수 있다.In other words, in the step of irradiating the laser beam 10 (S300), the inner surface of the barrel portion formed by the relatively thick thickness of the machining holes 11 formed in the machining region 110 thicker than the reference thickness is almost The processing hole 11 can be formed to be vertical. In this case, the size of the machining hole 11 formed in the machining area 110 which is thicker than the reference thickness is substantially the same as the size of the machining hole 11 formed in the machining area 110 having the thickness equal to or smaller than the reference thickness (Or an organic material) can be deposited (or a film of a precise dimension) can be formed in a precise dimension area, and the deposition material can be prevented from spreading while passing through the processing hole 11, It is possible to reduce the occurrence of shadow more than the photo barrier.

한편, 피가공대상물(100)의 영역별 두께 편차가 ± 5 %인 경우, 상기 레이저 빔(10)을 1차 조사하는 과정(S200)에서 피가공대상물(100)의 가공 영역(110)에 1차적으로 레이저 빔(10)을 조사하여 상기 1차 가공영역을 피가공대상물(100)의 기준 두께의 - 5 % 깊이(즉, 상기 피가공대상물의 최소 두께의 깊이)까지 1차적으로 가공하고, 상기 레이저 빔(10)을 2차 조사하는 과정(S300)에서 2차적으로 피가공대상물(100)의 기준 두께의 - 5 % ~ 피가공대상물(100)의 기준 두께의 + 5 % 깊이(즉, 상기 피가공대상물의 최소 두께의 깊이에서 상기 피가공대상물의 최대 두께의 깊이)까지 상기 2차 가공영역을 수직 방향으로 가공하여 가공홀(11)을 형성할 수도 있다. 피가공대상물(100)의 기준 두께의 깊이까지 1차적으로 가공하게 되면, 피가공대상물(100)의 기준 두께보다 얇은 가공 영역(110)의 가공홀(11)과 피가공대상물(100)의 기준 두께 이상인 가공 영역(110)의 가공홀(11) 간에 크기 차이가 발생할 수 있으므로, 가장 얇을 수 있는 두께(예를 들어, 상기 피가공대상물의 기준 두께의 - 5 %)에서 가공홀(11)이 원하는 크기가 되도록 맞춘 후에 2차적으로 나머지 두께(예를 들어, 상기 피가공대상물의 기준 두께의 - 5 % ~ 상기 피가공대상물의 기준 두께의 + 5 %)에(또는 나머지 두께만큼) 수직 방향으로 가공홀(11)을 형성하여 모든 가공홀(11)의 크기가 거의 유사하도록 할 수 있다.On the other hand, in the case where the thickness deviation of the object to be processed 100 is ± 5%, in the process of irradiating the laser beam 10 in the first step (S200), the processing region 110 of the object 100 The laser beam 10 is radially irradiated to primarily process the primary machining area to a depth of -5% of the reference thickness of the workpiece 100 (that is, the depth of the minimum thickness of the workpiece) 5% of the reference thickness of the object to be processed 100 to the depth of + 5% of the reference thickness of the object to be processed 100 in the second irradiation (S300) of the laser beam 10, The machining hole 11 may be formed by vertically machining the secondary machining area from the depth of the minimum thickness of the workpiece to the depth of the maximum thickness of the workpiece. The processing hole 11 of the machining area 110 which is thinner than the reference thickness of the workpiece 100 and the reference of the workpiece 100 A machining hole 11 is formed at the thinnest thickness (for example, -5% of the reference thickness of the workpiece) since a size difference may occur between the machining holes 11 of the machining area 110 having a thickness greater than the thickness (Or the remaining thickness) of the remaining thickness (for example, from -5% of the reference thickness of the workpiece to + 5% of the reference thickness of the workpiece) The machining holes 11 may be formed so that all of the machining holes 11 have substantially the same size.

또한, 피가공대상물(100)의 영역별 두께 편차가 ± 5 %인 경우, 가공홀(11) 중 상대적으로 두꺼운 두께에 의한 둔턱부의 수직 방향의 길이(H)는 피가공대상물(100)의 기준 두께의 5 % ~ 피가공대상물(100)의 기준 두께의 10 %일 수 있다.When the thickness deviation of the workpiece 100 is ± 5%, the length H in the vertical direction of the barrel portion due to the relatively thick thickness in the machining hole 11 is smaller than the standard length H of the workpiece 100 May be 5% of the thickness to 10% of the reference thickness of the workpiece 100.

그리고 상기 레이저 빔(10)을 1차 조사하는 과정(S200) 및 상기 레이저 빔(10)을 2차 조사하는 과정(S300)에서는 동일한 좌표계를 사용하여 상기 1차 가공영역과 상기 2차 가공영역에 각각 레이저 빔(10)을 조사할 수 있다.In the first irradiation step S200 of the laser beam 10 and the second irradiation step S300 of the laser beam 10, the same coordinate system is used in the primary processing area and the secondary processing area The laser beam 10 can be irradiated.

상기 가공 영역을 설정하는 과정(S100)에서는 피가공대상물(100) 상에 설정된 좌표계에서 상기 1차 가공영역과 상기 2차 가공영역을 설정할 수 있으며, 상기 레이저 빔(10)을 1차 조사하는 과정(S200)에서는 상기 좌표계에서 상기 1차 가공영역에 대응되는 좌표에 레이저 빔(10)을 조사할 수 있고, 상기 레이저 빔(10)을 2차 조사하는 과정(S300)에서는 상기 좌표계에서 상기 2차 가공영역에 대응되는 좌표에 레이저 빔(10)을 조사할 수 있다. 이러한 경우, 상기 1차 가공영역에 대응되는 좌표(또는 좌표 구간) 및/또는 상기 2차 가공영역에 대응되는 좌표(또는 좌표 구간)에서 레이저 빔(10)을 활성화시킬 수 있고, 상기 1차 가공영역 및/또는 상기 2차 가공영역에(만) 레이저 빔(10)을 조사하여 가공하는 데에 용이할 수 있다. 또한, 레이저 빔(10)의 조사 위치를 상기 1차 가공영역(즉, 상기 1차 가공영역에 대응되는 좌표) 및/또는 상기 2차 가공영역(즉, 상기 2차 가공영역에 대응되는 좌표)으로 이동시키는 데에도 용이할 수 있다.In the process of setting the machining area (S100), the primary machining area and the secondary machining area can be set in a coordinate system set on the workpiece 100. In the first step of irradiating the laser beam 10 (S200), the laser beam 10 can be irradiated onto the coordinate corresponding to the primary machining area in the coordinate system. In the step S300 of irradiating the laser beam 10 with the laser beam 10, The laser beam 10 can be irradiated onto the coordinate corresponding to the machining area. In this case, the laser beam 10 can be activated at the coordinates corresponding to the primary machining area (or the coordinate area) and / or the coordinates corresponding to the secondary machining area (or the coordinate area) It may be easy to irradiate and process the laser beam 10 only in the area and / or the secondary machining area (only). The irradiation position of the laser beam 10 is set to the primary machining area (i.e., the coordinates corresponding to the primary machining area) and / or the secondary machining area (i.e., the coordinates corresponding to the secondary machining area) It is also possible to easily move it to the "

도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 레이저 빔의 스캔을 설명하기 위한 개념도이다.5 is a conceptual diagram for explaining scanning of a laser beam according to an embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 상기 레이저 빔(10)을 1차 조사하는 과정(S200) 및 상기 레이저 빔(10)을 2차 조사하는 과정(S300)에서는 피가공대상물(100)의 장축과 평행한 스캔라인(21, scan line)과 피가공대상물(100)의 단축과 평행한 스텝라인(22, step line)을 포함하는 스캔 경로(20, scan path)를 따라 레이저 빔(10)의 조사 위치를 이동시키면서 가공 영역(110)을 스캔할 수 있다. 스캔 경로(20)는 피가공대상물(100)의 장축과 평행한 스캔라인(21, scan line)과 피가공대상물(100)의 단축과 평행한 스텝라인(22, step line)을 포함할 수 있고, 어느 하나의 스캔라인(21)을 스캔한 후에 스텝라인(22)을 균일하게 분할한 스텝피치(step pitch)만큼 스텝라인(22)을 따라 레이저 빔(10)의 조사 위치가 이동되어 다른 스캔라인(21)을 스캔할 수 있다. 스캔라인(21)은 피가공대상물(100)의 장축과 평행할 수 있고, 스캔라인(21)의 일측에서 타측(또는 타측에서 일측)으로 스캔할 수 있다. 스텝라인(22)은 피가공대상물(100)의 단축과 평행할 수 있고, 어느 하나의 스캔라인(21)을 스캔한 후에 스텝라인(22)의 일측부터 타측을 균일하게 분할한 스텝피치만큼 스텝라인(22)을 따라 스텝라인(22)의 타측(또는 일측) 방향으로 레이저 빔(10)의 조사 위치를 이동시켜 다른 스캔라인(21)을 스캔할 수 있다.5, in the step of irradiating the laser beam 10 in the first step (S200) and the step of irradiating the laser beam 10 in the second step (S300), a scan (scan) parallel to the long axis of the object to be processed 100 The irradiation position of the laser beam 10 is moved along a scan path 20 including a step line 22 parallel to the short axis of the scan line 21 and the object to be processed 100, The processing area 110 can be scanned. The scan path 20 may include a scan line 21 parallel to the major axis of the workpiece 100 and a step line 22 parallel to the minor axis of the workpiece 100 The scanning position of the laser beam 10 is moved along the step line 22 by a step pitch obtained by uniformly dividing the step line 22 after scanning any one of the scan lines 21, The line 21 can be scanned. The scan line 21 can be parallel to the long axis of the workpiece 100 and can scan from one side of the scan line 21 to the other side (or one side from the other side). The step line 22 may be parallel to the minor axis of the workpiece 100 and may scan one scan line 21 and then move the step line 22 from one side to the other by a step pitch It is possible to scan another scan line 21 by moving the irradiation position of the laser beam 10 in the other direction (or one side) of the step line 22 along the line 22.

여기서, 1번째 스캔라인(21)과 2번째 스캔라인(22)을 동일한 방향으로 스캔할 수도 있으며, 반대 방향으로 스캔할 수도 있다. 즉, 레이저 빔(10)의 조사 위치의 이동방향이 반대로 설정될 수 있으며, n-1번째(또는 홀수번째) 스캔라인(10)과 n번째(또는 짝수번째) 스캔라인(10)은 같은 방향 또는 반대 방향으로 레이저 빔(10)의 조사 위치가 이동하도록 설정할 수 있으며, 이에 한정하지 않고, 복수개의 스캔라인(10)은 특정 방향으로, 또는 그 반대 방향으로 설정되거나, 이들의 조합으로 설정될 수 있다. 한편, 어느 하나의 스캔라인(21)에서 다른 스캔라인(21)으로의 방향 전환시 스텝피치는 어느 하나의 스캔라인(21)의 레이저 빔(10)의 크기보다 같거나 작게 형성될 수 있고, 균일한 패턴의 가공이 이루어지도록 할 수 있다. 즉, 어느 하나의 스캔라인(21)에서 다른 스캔라인(21)으로의 방향 전환시 스텝피치는 어느 하나의 스캔라인(21)의 레이저 빔(10)의 크기보다 같거나 작은 것을 특징으로 할 수 있다.Here, the first scan line 21 and the second scan line 22 may be scanned in the same direction or in the opposite direction. That is, the moving direction of the irradiated position of the laser beam 10 may be reversed, and the (n-1) th (or odd) scan line 10 and the nth (or even) Alternatively, the present invention is not limited to this, and the plurality of scan lines 10 may be set in a specific direction or in the opposite direction, or may be set to be a combination thereof . The step pitch can be set to be equal to or smaller than the size of the laser beam 10 of any one of the scan lines 21 when the direction is switched from one scan line 21 to another scan line 21, So that a uniform pattern can be formed. That is, the step pitch may be equal to or smaller than the size of the laser beam 10 of any one of the scan lines 21 when the direction is switched from one scan line 21 to another scan line 21 have.

상기 레이저 빔(10)을 1차 조사하는 과정(S200)과 상기 레이저 빔(10)을 2차 조사하는 과정(S300)에서는 동일한 스캔 경로(20)를 따라 가공 영역(110)을 스캔할 수 있고, 상기 1차 가공영역과 상기 2차 가공영역에서 각각 레이저 빔(10)을 조사할 수 있다. 예를 들어, 레이저 빔(10)이 출사되는 레이저 헤드(미도시)의 조사 방향을 스캔 경로(20)를 따라 이동시켜 가공 영역(110)을 스캔할 수 있다. 스캔 영역 내에 모든(또는 전체) 가공 영역(110)이 포함되도록 스캔 경로(20)를 설정함으로써, 가공 영역(110)을 여러 번에 걸쳐 나누지 않고도 스캔 경로(20)에 따른 1회 스캔시에 전체 가공 영역(110)의 가공이 완료되도록 할 수 있고, 이에 따라 종래의 스캐너 장치를 이용하여 전체 가공 영역을 여러 개의 분할 영역으로 나누어 가공함으로 인해 발생하는 스티칭(stitching) 발생 문제를 제거할 수 있다. 한편, 경우에 따라서는 동일한 스캔 경로(20)의 n회 스캔으로 전체 가공 영역(110)의 가공이 완료되도록 할 수도 있다. 그리고 구동부(미도시)를 이용하여 레이저 빔(10)의 조사 위치를 이동시킬 수 있으며, 가공홀(11)의 형성을 위해 피가공대상물(100)의 표면 상에서 레이저 빔(10)의 조사 위치를 피가공대상물(100) 표면의 특정 위치로 상대 이동시킬 수 있고, 피가공대상물(100) 또는 레이저 빔(10)의 조사 위치(예를 들어, 상기 레이저 헤드의 위치)를 이동시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 구동부(미도시)는 1개 이상의 갈바노 미러를 포함하는 스캐너를 포함하여 정지된 피가공대상물(100) 상에 레이저 빔(10)의 절대 위치를 변경시킬 수 있도록 할 수도 있고, 1축 이상의 직선운동을 하는 피가공대상물 스테이지 이송장치(미도시) 또는 롤투롤(Roll-to-Roll) 이송장치(미도시)로 형성되어 정지된 레이저 빔(10)에 대해 피가공대상물(100)의 절대 위치를 변경시키거나 레이저 빔(10)의 절대 위치 변경과 피가공대상물(100)의 위치 변경 둘 다를 연동하여 동작시킬 수 있도록 할 수도 있다. 즉, 상기 갈바노 미러와 상기 피가공대상물 스테이지 이송장치 및/또는 상기 롤투롤 이송장치는 필요에 의해 서로 조합하여 사용할 수도 있다.The processing region 110 can be scanned along the same scan path 20 in the first irradiation step S200 of the laser beam 10 and the second irradiation step S300 of the laser beam 10 , The laser beam 10 can be irradiated in the primary machining area and the secondary machining area, respectively. For example, the irradiation direction of the laser head (not shown) from which the laser beam 10 is emitted can be moved along the scan path 20 to scan the processing region 110. By setting the scan path 20 such that all (or all) of the machining areas 110 are included in the scan area, the machining area 110 can be divided into a plurality of It is possible to complete the machining of the machining area 110 and thus to eliminate the stitching problem caused by dividing the entire machining area into several divided areas using the conventional scanner device. In some cases, machining of the entire machining area 110 may be completed by n scans of the same scan path 20. The irradiation position of the laser beam 10 can be moved by using a driving unit (not shown) and the irradiation position of the laser beam 10 on the surface of the workpiece 100 for forming the machining hole 11 It is possible to relatively move the workpiece 100 to a specific position on the surface of the workpiece 100 and move the irradiation position of the workpiece 100 or the laser beam 10 (for example, the position of the laser head). For example, the driving unit (not shown) may include a scanner including one or more galvanometer mirrors to change the absolute position of the laser beam 10 on the stationary workpiece 100 , A laser beam 10 formed by a workpiece stage transfer device (not shown) or a roll-to-roll transfer device (not shown) that performs linear motion in more than one axis and stopped, 100 or both the absolute positional change of the laser beam 10 and the positional change of the workpiece 100 can be performed in an interlocked manner. That is, the galvanometer mirror and the workpiece stage transfer device and / or the roll-to-roll transfer device may be used in combination with each other as required.

여기서, 동일한 스캔 경로(20)는 가공 영역(110)을 스캔하는 시작점과 끝점이 동일하고 시작점에서 끝점까지 진행하는 경로가 동일한 것을 의미할 수 있다. 이러한 경우, 레이저 가공의 모든 과정(즉, 상기 레이저 빔을 1차 조사하는 과정과 상기 레이저 빔을 2차 조사하는 과정)에서 하나의 스캔 경로(20)로 레이저 빔(10)의 조사 위치를 이동되므로, 상기 레이저 빔(10)을 1차 조사하는 과정(S200)과 상기 레이저 빔(10)을 2차 조사하는 과정(S300) 간 또는 어느 하나의 피가공대상물(100)의 레이저 가공과 다른 피가공대상물(100)의 레이저 가공 간에 레이저 빔(10)의 조사 위치의 오차를 줄일 수 있고, 레이저 가공(예를 들어, 가공홀의 형성)의 정밀도를 향상시킬 수 있다.Here, the same scan path 20 may mean that the starting point and the ending point for scanning the machining area 110 are the same, and the paths from the starting point to the end point are the same. In this case, the irradiating position of the laser beam 10 is shifted to one scan path 20 in all processes of laser machining (i.e., the first laser irradiation process and the second laser irradiation process) The laser beam 10 is irradiated in the first irradiation (S200) and the laser beam 10 is irradiated in the second irradiation (S300), or between any one of the laser beams of the object to be processed 100 The error of the irradiation position of the laser beam 10 can be reduced between the laser machining of the object 100 and the accuracy of laser machining (for example, formation of the machining hole) can be improved.

이때, 상기 레이저 빔(10)을 1차 조사하는 과정(S200)과 상기 레이저 빔(10)을 2차 조사하는 과정(S300)은 레이저 빔(10)을 활성화시키는 구간이 상이할 수 있으며, 상기 레이저 빔(10)을 2차 조사하는 과정(S300)에서는 상기 레이저 빔(10)을 1차 조사하는 과정(S200)에서의 레이저 빔(10)의 활성화 구간 중 일부 구간에서 레이저 빔(10)을 활성화시킬 수 있다. 즉, 상기 레이저 빔(10)을 1차 조사하는 과정(S200)에서는 가공 영역(110)의 어느 한 경계(즉, 상기 1차 가공영역의 한 경계)에서 가공 영역(110)의 다른 경계(즉, 상기 1차 가공영역의 다른 경계)에 도달할 때까지 레이저 빔(10)을 활성화시킬 수 있고, 상기 레이저 빔(10)을 2차 조사하는 과정(S300)에서는 가공 영역(110)의 중앙부(111)의 어느 한 경계(즉, 상기 2차 가공영역의 한 경계)에서 가공 영역(110)의 중앙부(111)의 다른 경계(즉, 상기 2차 가공영역의 다른 경계)에 도달할 때까지 레이저 빔(10)을 활성화시킬 수 있다. 다시 말하면, 스캔 경로(20)를 따라 모든 가공 영역(110)이 포함되는 스캔 영역(예를 들어, 상기 피가공대상물의 일면 전체)을 스캔하면서 레이저 빔(10)에 의한 가공이 필요한 가공 영역(110) 또는 가공 영역(110) 중 일부 영역(예를 들어, 중앙부)에만 레이저 빔(10)을 온(on)시킬 수 있고, 레이저 빔(10)에 의한 가공이 필요하지 않은 그 외 영역에는 레이저 빔(10)을 오프(off)시킬 수 있다. 이에 따라 피가공대상물(100) 중에 레이저 가공이 요구되는 부분에만 레이저 빔(10)을 조사할 수 있으므로, 레이저 빔(10)을 조사하는 작업시간이 단축되어 레이저 가공에 소요되는 시간 및 비용을 절감할 수 있고, 정확한 위치에 가공홀(11)을 형성할 수 있는 이점이 있다.At this time, the section for activating the laser beam 10 may be different from the section for activating the laser beam 10 (S200) and the process for irradiating the laser beam 10 (S300) In the step of irradiating the laser beam 10 in the second irradiation step S300, the laser beam 10 is irradiated in a part of the activation period of the laser beam 10 in the first irradiation step S200 of the laser beam 10 Can be activated. That is, in the step of irradiating the laser beam 10 in the first step (S200), the other boundary of the machining area 110 (that is, a boundary of the machining area 110) The laser beam 10 can be activated until the laser beam 10 reaches the other boundary of the primary processing region and the laser beam 10 is irradiated in the second irradiation step S300, (I.e., another boundary of the secondary machining area) of the central portion 111 of the machining area 110 at any one of the boundaries of the machining area 110 The beam 10 can be activated. In other words, a scanning area (for example, the entire surface of the workpiece) including all the machining areas 110 along the scan path 20 is scanned while the machining area The laser beam 10 can be turned on only in some areas (for example, the center part) of the machining area 110 or the machining area 110. In other areas where machining with the laser beam 10 is not required, The beam 10 can be turned off. As a result, the laser beam 10 can be irradiated only on the portion of the object to be processed 100 requiring laser machining, thereby shortening the time required for irradiating the laser beam 10, thereby reducing the time and cost required for laser machining There is an advantage that the machining hole 11 can be formed at an accurate position.

예를 들어, 상기 레이저 빔(10)을 1차 조사하는 과정(S200)에서 가공 영역(110)의 어느 한 경계에 도달하면, 가공 영역(110)의 다른 경계에 도달할 때까지 레이저 빔(10)을 온(on)시킬 수 있고, 가공 영역(110)의 다른 경계에 도달하게 되면, 레이저 빔(10)을 오프(off)시킬 수 있으며, 상기 레이저 빔(10)을 2차 조사하는 과정(S300)에서 가공 영역(110)의 중앙부(111)의 어느 한 경계에 도달하면, 가공 영역(110)의 중앙부(111)의 다른 경계에 도달할 때까지 레이저 빔(10)을 온(on)시킬 수 있고, 가공 영역(110)의 중앙부(111)의 다른 경계에 도달하게 되면, 레이저 빔(10)을 오프(off)시킬 수 있다. 이를 통해 상기 레이저 빔(10)을 1차 조사하는 과정(S200)에서 가공 영역(110)의 어느 한 경계에서 가공 영역(110)의 다른 경계에 도달할 때까지 레이저 빔(10)을 활성화시키는 것이 용이해질 수 있고, 상기 레이저 빔(10)을 2차 조사하는 과정(S300)에서 가공 영역(110)의 중앙부(111)의 어느 한 경계에서 가공 영역(110)의 중앙부(111)의 다른 경계에 도달할 때까지 레이저 빔(10)을 활성화시키는 것이 용이해질 수 있다.For example, when the laser beam 10 reaches one of the boundaries of the processing region 110 in the first irradiation step (S200), the laser beam 10 The laser beam 10 can be turned off when it reaches another boundary of the machining area 110 and the second irradiation of the laser beam 10 The laser beam 10 is turned on until it reaches another boundary of the central portion 111 of the machining region 110 when the laser beam 10 reaches one of the boundaries of the central portion 111 of the machining region 110 And reaches the other boundary of the central portion 111 of the processing region 110, the laser beam 10 can be turned off. It is possible to activate the laser beam 10 until reaching another boundary of the machining area 110 at a boundary of the machining area 110 in the first irradiation step S200 of the laser beam 10 The laser beam 10 may be irradiated to the other boundary of the central portion 111 of the processing region 110 at a boundary of the central portion 111 of the processing region 110 in the second irradiation step S300 It may be easier to activate the laser beam 10 until it reaches.

상기 레이저 빔(10)을 1차 조사하는 과정(S200)에서는 복수의 스캔라인(21)을 스캔하여 상기 1차 가공영역을 가공할 수 있고, 상기 레이저 빔(10)을 2차 조사하는 과정(S300)에서는 복수의 스캔라인(21) 중 상기 1차 가공영역의 중앙부(111)를 통과하는 스캔라인(21)만 스캔하여 상기 2차 가공영역을 가공할 수 있다. 상기 1차 가공영역은 가공 영역(110)과 거의 동일하므로, 복수의 스캔라인(21)을 스캔하여 피가공대상물(100)의 일면 전체를 스캔할 수 있고, 상기 2차 가공영역은 가공 영역(110) 중 일부에 해당하므로, 일부의 스캔라인(21)만을 스캔할 수 있다. 이러한 경우, 상기 레이저 빔(10)을 2차 조사하는 과정(S300)에서 가공이 필요한 부분만 스캔할 수 있어 스캔 시간이 단축될 수 있고, 이에 따라 레이저 가공에 소요되는 전체적인 시간을 절감할 수 있을 뿐만 아니라 스캔을 위해 사용되는 상기 구동부(미도시) 등의 구동 비용을 절감할 수도 있다.In the step of irradiating the laser beam 10 in the first irradiation step S200, a plurality of scan lines 21 may be scanned to process the primary machining area. In the second irradiation step of the laser beam 10 S300), only the scan line 21 passing through the central portion 111 of the primary machining region among the plurality of scan lines 21 can be scanned to process the secondary machining region. Since the primary machining area is almost the same as the machining area 110, it is possible to scan one surface of the workpiece 100 by scanning a plurality of scan lines 21, 110, only a part of the scan lines 21 can be scanned. In this case, only the portion required for machining can be scanned in the second irradiation step (S300) of the laser beam 10, so that the scanning time can be shortened and the overall time required for laser processing can be reduced In addition, the driving cost of the driving unit (not shown) used for scanning can be reduced.

스캔라인(21)은 단위 시간당 레이저 빔(10)의 이동 거리인 스캔피치(scan pitch)를 가질 수 있고, 스텝라인(22)은 스캔라인(21) 간의 간격인 스텝피치를 가질 수 있다. 여기서, 상기 스캔피치와 상기 스텝피치는 레이저 빔(10)의 크기(size) 이하일 수 있으며, 상기 스캔피치와 상기 스텝피치가 레이저 빔(10)의 크기보다 크게 되면, 가공 영역(110) 중 가공되지 않는 부분이 발생하게 된다. 예를 들어, 레이저 빔(10)의 크기(size)가 1 ㎛인 경우, 상기 스캔피치와 상기 스텝피치는 0 ~ 1 ㎛의 범위에서 조절될 수 있고, 바람직하게는 상기 스캔피치와 상기 스텝피치는 0.1 ~ 1 ㎛의 범위에서 조절될 수 있으며, 상기 스캔피치 및/또는 상기 스텝피치를 조절하여 가공되는 면(또는 가공홈 또는 가공홀의 내측면)의 경사도(또는 기울기)를 조절할 수 있고, 상기 스캔피치 및/또는 상기 스텝피치가 작아질수록 상기 가공되는 면의 경사도는 증가할 수 있다. 이때, 상기 스캔피치는 레이저 빔(10)의 이동 속도와 레이저 소스의 펄스 진동수(예를 들어, 펄스 간의 간격)를 이용하여 조절할 수 있고, 상기 스텝피치는 스캔라인(21) 간의 간격으로 조절할 수 있다.The scan line 21 may have a scan pitch which is a moving distance of the laser beam 10 per unit time and the step line 22 may have a step pitch which is an interval between the scan lines 21. [ Here, the scan pitch and the step pitch may be equal to or less than the size of the laser beam 10, and when the scan pitch and the step pitch are larger than the size of the laser beam 10, A part that does not exist is generated. For example, when the size of the laser beam 10 is 1 占 퐉, the scan pitch and the step pitch may be adjusted in a range of 0 to 1 占 퐉, and preferably, the scan pitch and the step pitch (Or inclination) of the surface to be processed (or the inner surface of the processing groove or the processing hole) can be adjusted by adjusting the scan pitch and / or the step pitch, As the scan pitch and / or the step pitch become smaller, the inclination of the processed surface may increase. At this time, the scan pitch can be adjusted by using the moving speed of the laser beam 10 and the pulse frequency (for example, pulse interval) of the laser source, and the step pitch can be adjusted by the interval between the scan lines 21 have.

한편, 상기 스캔피치는 모든 스캔라인(21)에서 동일할 수도 있고, 스캔라인(21)의 위치에 따라 상이할 수도 있다. 이때, 상기 스텝피치는 일정할 수 있고, 스캔라인(21) 간의 간격에 따라 결정될 수 있다. 예를 들어, 레이저 빔(10)의 크기(size)가 1 ㎛인 경우, 상기 스텝피치가 1 ㎛로 고정될 수도 있고, 상기 스텝피치가 1 ㎛로 고정되어 일정하게 되면, 상기 스캔피치는 스캔라인(21)의 위치에 따라 상이할 수 있으며, 이를 통해 스텝방향으로 중첩되지 않아도 상기 스텝방향으로 경사지게 만들 수 있다. 또한, 상기 스캔피치는 상기 스텝피치보다 작을 수 있으며, 상기 스캔피치를 작게 하여 스캔방향으로 가공되는 면에 스텝방향으로 가공되는 면보다 평면에 가까운 경사면을 형성할 수 있다.Meanwhile, the scan pitch may be the same in all the scan lines 21 or may be different depending on the positions of the scan lines 21. At this time, the step pitch may be constant and may be determined according to the interval between the scan lines 21. For example, when the size of the laser beam 10 is 1 占 퐉, the step pitch may be fixed to 1 占 퐉, and when the step pitch is fixed to 1 占 퐉, May be different depending on the position of the line 21, and may be inclined in the step direction without overlapping in the step direction. In addition, the scan pitch may be smaller than the step pitch, and the scan pitch may be made smaller to form a slope closer to a plane than a face processed in the step direction on the face processed in the scan direction.

그리고 피가공대상물(100)은 증착 공정에 이용되는 마스크일 수 있고, 스캔라인(21)을 따르는 스캔방향은 선형 증착원(미도시)의 스캔방향일 수 있으며, 상기 가공되는 면을 상기 스캔방향과 상기 스텝방향 중 적어도 상기 스캔방향으로 경사지게 가공할 수 있다. 선형 증착원(미도시)은 상기 스텝방향으로 연장되어 형성될 수 있고, 상기 스캔방향으로 피가공대상물(100) 또는 기판(미도시)을 스캔할 수 있다. 이때, 상기 선형 증착원(미도시) 또는 상기 기판(미도시)을 이동시켜 스캔할 수 있으며, 피가공대상물(100)은 상기 선형 증착원(미도시) 또는 상기 기판(미도시)과 함께 이동하거나 상기 선형 증착원(미도시) 또는 상기 기판(미도시)과 함께 고정될 수 있다. 상기 선형 증착원(미도시) 또는 상기 기판(미도시)은 상기 스캔방향으로 이동하여 상기 기판(미도시)의 전체면에 증착 물질(또는 증착 입자)이 증착되도록 하므로, 상기 스텝방향보다는 상기 스캔방향으로 섀도우가 발생하게 되고, 이에 따라 상기 스캔방향 위주로 경사지게(또는 테이퍼지게) 가공할 수 있다.The scan direction along the scan line 21 may be a scan direction of a linear deposition source (not shown), and the processed surface may be a scan direction along the scan direction And at least the scanning direction of the step direction. The linear deposition source (not shown) may extend in the step direction and scan the workpiece 100 or the substrate (not shown) in the scan direction. In this case, the linear deposition source (not shown) or the substrate (not shown) may be moved for scanning, and the workpiece 100 may be moved along with the linear deposition source (not shown) Or may be fixed together with the linear deposition source (not shown) or the substrate (not shown). Since the linear deposition source (not shown) or the substrate (not shown) moves in the scanning direction to deposit the deposition material (or deposition particles) on the entire surface of the substrate (not shown) (Or tapering) in the main scan direction.

상기 레이저 빔(10)을 2차 조사하는 과정(S300)에서는 레이저 빔(10)의 세기가 상기 레이저 빔(10)을 1차 조사하는 과정(S200)보다 클 수도 있고, 레이저 빔(10)의 이동 속도와 스캔라인(21)에서의 레이저 빔(10)의 스캔피치가 상기 레이저 빔(10)을 1차 조사하는 과정(S200)보다 작을 수도 있다.The intensity of the laser beam 10 may be greater than the intensity of the laser beam 10 during the first irradiation of the laser beam 10 in step S300 of irradiating the laser beam 10, The moving speed and the scan pitch of the laser beam 10 in the scan line 21 may be smaller than the step S200 of irradiating the laser beam 10 first.

상기 레이저 빔(10)을 2차 조사하는 과정(S300)에서는 레이저 빔(10)의 세기가 상기 레이저 빔(10)을 1차 조사하는 과정(S200)보다 클 수 있다. 레이저 빔(10)에 의한 가공 깊이의 설정은 레이저 빔(10)의 세기를 조절하여 설정할 수도 있다. 이때, 스캔라인(21)별로 에너지 강도를 설정하거나 하나의 스캔라인(21) 내에서도 레이저 소스의 펄스별로 에너지 강도를 설정할 수 있고, 이 둘의 조합에 의해 레이저 빔(10)의 세기가 결정될 수도 있다. 즉, 동일한 스캔라인(21) 상에서 레이저 빔(10)의 에너지 세기를 조절하여 에너지 누적 분포를 제어함으로써, 가공 깊이를 설정할 수 있다. 구체적으로는, 각 스캔라인(21)에 대해 레이저 빔(10)의 이동 속도와 펄스 진동수 값을 모두 고정한 채(즉, 스캔피치는 일정), 각 스캔라인(21)을 따라 레이저 빔(10)의 조사 위치가 상대적으로 위치 이동하는 도중에 레이저 소스의 펄스별로 에너지 강도를 다르게 설정하거나, 각 스캔라인(21)별로 에너지 강도를 다르게 설정할 수 있다.The intensity of the laser beam 10 may be greater than the intensity of the laser beam 10 during the first irradiation (S200) in the step of irradiating the laser beam 10 (S300). The setting of the processing depth by the laser beam 10 may be set by adjusting the intensity of the laser beam 10. At this time, the energy intensity may be set for each scan line 21 or the energy intensity may be set for each pulse of the laser source in one scan line 21. The intensity of the laser beam 10 may be determined by a combination of the two . That is, the depth of processing can be set by controlling the energy accumulation distribution by adjusting the energy intensity of the laser beam 10 on the same scan line 21. Specifically, the laser beam 10 is scanned along each scan line 21 while the moving speed and the pulse frequency value of the laser beam 10 are fixed to each scan line 21 (i.e., the scan pitch is constant) The energy intensity may be set differently for each pulse of the laser source or the energy intensity may be set differently for each scan line 21. [

상기 레이저 빔(10)을 2차 조사하는 과정(S300)에서는 가공되는 면(또는 내측면)이 거의 수직이 되도록(즉, 상기 기준 두께보다 두꺼운 가공 영역에 형성되는 가공홀 중 상대적으로 두꺼운 두께에 의한 둔턱부의 내측면이 거의 수직이 되도록) 가공하기 위해 가공되는 면이 경사지도록 가공하는 상기 레이저 빔(10)을 1차 조사하는 과정(S200)보다 레이저 빔(10)의 세기가 클 수 있다. 즉, 상기 가공되는 면이 거의 수직이 되도록 형성하기 위해서는 레이저 빔(10)이 온(on)되기 시작하였을 때부터 가공 가능한 깊이가 깊어 레이저 빔(10)이 조사된 위치가 한 번에 개방(open)되어야 하므로, 레이저 빔(10)의 세기를 크게 하여 레이저 빔(10)이 조사된 위치가 한 번에 개방되도록 할 수 있고, 상기 레이저 빔(10)을 1차 조사하는 과정(S200)보다 레이저 빔(10)의 세기가 클 수 있다.In the second irradiation step S300 of irradiating the laser beam 10, the surface to be processed (or the inner surface) is substantially vertical (that is, the relatively thick thickness of the processing holes formed in the processing area thicker than the reference thickness The intensity of the laser beam 10 may be greater than the step S200 of irradiating the laser beam 10 to be processed so that the surface to be processed is inclined so as to process the laser beam 10 so that the inner surface of the barrier is substantially perpendicular. That is, in order to form the processed surface so as to be substantially vertical, the depth to which the laser beam 10 is irradiated from the start of turning on the laser beam 10, It is possible to increase the intensity of the laser beam 10 so that the irradiated position of the laser beam 10 can be opened at a time and the laser beam 10 can be irradiated with a laser beam The intensity of the beam 10 may be large.

상기 레이저 빔(10)을 2차 조사하는 과정(S300)에서는 레이저 빔(10)의 이동 속도와 스캔라인(21)에서의 레이저 빔(10)의 스캔피치가 상기 레이저 빔(10)을 1차 조사하는 과정(S200)보다 작을 수 있다. 레이저 빔(10)에 의한 가공 깊이를 설정하는 다른 방법으로는 스캔라인(21)을 이동하는 레이저 빔(10)의 오버랩률(overlap rate)[오버랩률={(레이저 빔의 크기 - 스캔피치)/레이저 빔의 크기} x 100, 스캔피치 = v / f, v : 레이저 빔의 이동 속도, f : 레이저 소스의 펄스 진동수]을 제어하여 설정할 수 있다. 레이저 빔(10)의 오버랩률에 따른 가공 깊이의 설정은 레이저 소스의 펄스 진동수(pulse frequency)값을 고정한 채, 레이저 빔(10)의 이동 속도(또는 상기 피가공대상물과 상기 레이저 빔의 상대 속도)를 스캔라인(21)별로 다르게 설정하는 방법과 레이저 빔(10)의 상대 속도 값을 고정한 채, 펄스 진동수 값을 스캔라인(21)별로 다르게 설정하는 방법이 있다. 즉, 레이저 빔(10)의 오버랩률은 레이저 빔(10)의 크기에 따른 스캔피치의 제어에 의해 설정될 수 있으며, 스캔피치 = v / f에서 레이저 빔(10)의 이동 속도 및 펄스 진동수 값을 조절하여 각 스캔라인(21)별로 레이저 빔(10)의 오버랩되는 정도를 제어함으로써, 가공 깊이를 설정할 수 있고, 레이저 빔(10)의 오버랩률이 커질수록 레이저 빔(10)에 의한 가공깊이가 깊어질 수 있다.The moving speed of the laser beam 10 and the scan pitch of the laser beam 10 in the scan line 21 are set so that the laser beam 10 is moved in the first direction (S200). Another method of setting the processing depth by the laser beam 10 is to set the overlap rate (overlap ratio = {(laser beam size - scan pitch) of the laser beam 10 moving in the scan line 21, / Size of laser beam} x 100, scan pitch = v / f, v: moving speed of laser beam, f: pulse frequency of laser source). The setting of the processing depth according to the overlap ratio of the laser beam 10 is performed by setting the moving speed of the laser beam 10 (or the relative speed of the laser beam 10 to the object to be processed and the laser beam 10) while fixing the pulse frequency value of the laser source, Is set differently for each scan line 21 and a method of setting the pulse frequency value differently for each scan line 21 while fixing the relative speed value of the laser beam 10 is fixed. That is, the overlap ratio of the laser beam 10 can be set by controlling the scan pitch according to the size of the laser beam 10, and the moving speed and the pulse frequency value of the laser beam 10 at the scan pitch = v / The processing depth can be set by controlling the degree of overlap of the laser beam 10 for each of the scan lines 21 and the depth of processing by the laser beam 10 as the overlap ratio of the laser beam 10 becomes larger, Can be deepened.

상기 레이저 빔(10)을 2차 조사하는 과정(S300)에서는 상기 가공되는 면이 거의 수직이 되도록 가공하기 위해 상기 가공되는 면이 경사지도록 가공하는 상기 레이저 빔(10)을 1차 조사하는 과정(S200)보다 레이저 빔(10)의 이동 속도와 스캔라인(21)에서의 레이저 빔(10)의 스캔피치가 작을 수 있다. 즉, 상기 가공되는 면이 거의 수직이 되도록 형성하기 위해서는 레이저 빔(10)이 온(on)되기 시작하였을 때부터 가공 가능한 깊이가 깊어 레이저 빔(10)이 조사된 위치가 모두 개방되어야 하므로, 레이저 빔(10)의 이동 속도와 스캔라인(21)에서의 레이저 빔(10)의 스캔피치를 작게 하여 레이저 빔(10)의 오버랩률을 증가시킴으로써, 레이저 빔(10)이 조사된 위치가 모두 개방되도록 할 수 있고, 상기 레이저 빔(10)을 1차 조사하는 과정(S200)보다 레이저 빔(10)의 이동 속도와 스캔라인(21)에서의 레이저 빔(10)의 스캔피치가 작을 수 있다.In the step of irradiating the laser beam 10 (S300), the laser beam 10 is processed so that the surface to be processed is substantially vertical so that the surface to be processed is inclined The scanning speed of the laser beam 10 and the scanning pitch of the laser beam 10 in the scanning line 21 may be smaller than the scanning speed of the laser beam 10 (S200). That is, in order to form the processed surface so as to be substantially vertical, since the processing depth is deep and all the positions irradiated with the laser beam 10 are opened from when the laser beam 10 starts to be turned on, The moving speed of the beam 10 and the scan pitch of the laser beam 10 in the scan line 21 are reduced to increase the overlap ratio of the laser beam 10 so that the positions irradiated with the laser beam 10 are all opened And the moving speed of the laser beam 10 and the scan pitch of the laser beam 10 in the scan line 21 can be smaller than in the step S200 of irradiating the laser beam 10 for the first time.

한편, 상기 레이저 빔(10)을 2차 조사하는 과정(S300)에서는 상기 레이저 빔(10)을 1차 조사하는 과정(S200)보다 레이저 빔(10) 또는 스캔 경로(20)의 중첩횟수가 많을 수도 있다. 레이저 빔(10)에 의한 가공 깊이를 설정하는 또 다른 방법으로는 레이저 빔(10) 또는 스캔 경로(20)의 중첩횟수를 제어하여 설정할 수 있다. 즉, 동일한 스캔 경로(20) 상에서 레이저 빔(10)을 몇 번 이동시키느냐에 따른 에너지 누적 분포를 제어하여 레이저 빔(10)에 의한 가공 깊이를 설정할 수 있다. 구체적으로는, 각 스캔 경로(20)에 대해서(즉, 각 스캔라인 및/또는 각 스텝라인에 대해서) 레이저 빔(10)의 이동 속도와 펄스 진동수 값을 모두 고정한 채(즉, 스캔피치는 일정), 가공 영역(110) 내의 스캔 경로(20)에 선택적으로 스캔 경로(20)의 중첩횟수를 제어할 수 있다.In the second irradiation step S300 of the laser beam 10, the number of overlaps of the laser beam 10 or the scan path 20 is larger than the first irradiation step S200 of the laser beam 10 It is possible. As another method for setting the depth of processing by the laser beam 10, it is possible to set the number of times of superimposition of the laser beam 10 or the scan path 20 by controlling them. That is, the energy accumulation distribution according to how many times the laser beam 10 is moved on the same scan path 20 can be controlled to set the processing depth by the laser beam 10. More specifically, while the moving speed and the pulse frequency value of the laser beam 10 are fixed for each scan path 20 (i.e., for each scan line and / or each step line) (i.e., the scan pitch is constant , The number of overlapping of the scan path 20 can be selectively controlled in the scan path 20 in the machining area 110.

도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 가공 영역의 영역별 에너지 누적을 설명하기 위한 개념도이다.6 is a conceptual diagram for explaining energy accumulation for each region of a machining region according to an embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 상기 레이저 빔(10)을 1차 조사하는 과정(S200)에서, 상기 1차 가공영역의 중앙부(111)는 레이저 빔(10)에 의한 영역별 에너지 누적이 일정할 수 있고, 상기 1차 가공영역의 가장자리부(112)는 레이저 빔(10)에 의한 영역별 에너지 누적이 상기 1차 가공영역의 중앙부(111)에 가까울수록 클 수 있다. 이러한 경우, 상기 1차 가공영역의 가장자리부(112)에는 상기 1차 가공영역의 중앙부(111)에 가까울수록 가공 깊이가 깊어져 상기 1차 가공영역의 가장자리부(112)가 가공 영역(110)의 테두리에서 중앙부(111)로 모아지는 형태로 경사질 수 있으며, 상기 1차 가공영역의 중앙부(111)에는 가공 깊이가 일정하여 가공홀(11) 또는 평평한 바닥면을 형성할 수 있다. 즉, 상기 1차 가공영역의 중앙부(111)에서는 가공홀(11)을 형성하거나 평평한 바닥면을 형성하기 위해 레이저 빔(10)에 의한 영역별 에너지 누적이 일정할 수 있고, 상기 1차 가공영역의 가장자리부(112)에서는 테이퍼 형태로 경사지도록 레이저 빔(10)에 의한 영역별 에너지 누적이 상기 1차 가공영역의 중앙부(111)에 가까울수록 클 수 있다.Referring to FIG. 6, in the first irradiation step (S200) of the laser beam 10, the center part 111 of the primary machining area can have constant energy accumulation by the laser beam 10 , The edge portion 112 of the primary machining region may be larger as the energy accumulation by the laser beam 10 is closer to the central portion 111 of the primary machining region. In this case, the edge portion 112 of the primary machining region is deeper as the machining depth becomes closer to the central portion 111 of the primary machining region, so that the edge portion 112 of the primary machining region becomes the machining region 110, And the machining hole 11 or the flat bottom surface can be formed at the central portion 111 of the primary machining region by a constant machining depth. That is, in the central portion 111 of the primary machining region, energy accumulation by the laser beam 10 can be constant to form the machining hole 11 or to form a flat bottom surface, The energy accumulation by the laser beam 10 by the laser beam 10 may be increased toward the central portion 111 of the primary machining region so that the laser beam 10 is tilted at the edge portion 112 of the primary machining region.

상기 레이저 빔(10)을 2차 조사하는 과정(S300)에서는 상기 2차 가공영역의 레이저 빔(10)에 의한 영역별 에너지 누적이 일정할 수 있다. 즉, 가공 영역(110)의 중앙부(111)에 상기 가공되는 면이 거의 수직이 되도록 가공홀(11)을 형성할 수 있다. 다시 말하면, 가공 영역(110)의 중앙부(111)에 상기 가공되는 면이 거의 수직인 가공홀(11)을 형성하기 위해 상기 2차 가공영역의 레이저 빔(10)에 의한 영역별 에너지 누적이 일정할 수 있다.In the second irradiation step S300 of the laser beam 10, energy accumulation by the laser beam 10 in the secondary machining area can be constant. That is, the machining hole 11 can be formed in the central portion 111 of the machining area 110 such that the machined surface is almost perpendicular. In other words, energy accumulation by the laser beam 10 of the secondary machining area in order to form the machining hole 11 whose machined surface is almost perpendicular to the central part 111 of the machining area 110 is constant can do.

그리고 레이저 에너지제어부(미도시)를 통해 레이저 빔(10)과 피가공대상물(100)의(즉, 상기 피가공대상물 표면의) 상대적 위치를 제어할 수 있고, 특정 가공 영역(110)에서 레이저 빔(10)의 펄스 에너지의 세기, 펄스의 온/오프 유무, 레이저 빔(10)의 오버랩을 제어하여 총 에너지 누적 분포를 결정할 수 있다.The relative position of the laser beam 10 and the workpiece 100 (that is, the surface of the workpiece) can be controlled through a laser energy control unit (not shown) The pulse energy of the laser beam 10, the on / off state of the pulse, and the overlap of the laser beam 10 can be controlled to determine the total energy accumulation distribution.

한편, 레이저 분기 수단(미도시)을 통해 레이저 빔(10)을 복수(개)로 분기하여 분기된 복수의 레이저 빔(10)에 의한 복수의 가공 영역(110)의 동시 가공을 수행할 수도 있다. 즉, 동시에 복수의 스캔 경로(20)에서의 가공 공정이 가능하도록 하여 생산성을 향상시킬 수 있다. 여기서, 상기 레이저 분기 수단(미도시)으로는 회절광학계(Diffractive Optical Element; DOE) 또는 빔 스플릿(beam split) 광학계를 사용할 수 있다. 또한, 상기 레이저 헤드(미도시)를 멀티 헤더(multi header)로 구성할 수도 있으며, 복수의 가공 영역(110)을 해당 헤더의 개수만큼 분할되도록 하여 동시에 복수의 가공 영역(110)의 가공이 이루어지도록 하여 생산성을 더욱 높일 수 있도록 할 수 있다.On the other hand, it is also possible to perform simultaneous machining of a plurality of machining regions 110 by a plurality of laser beams 10 branched by dividing the laser beam 10 into a plurality of (branches) through a laser branching means (not shown) . That is, it is possible to perform the machining process in the plurality of scan paths 20 at the same time, thereby improving the productivity. Here, as the laser beam splitting means (not shown), a diffractive optical element (DOE) or a beam split optical system may be used. In addition, the laser head (not shown) may be configured as a multi header, and a plurality of the machining areas 110 may be divided by the number of the corresponding headers, So that the productivity can be further increased.

본 발명에 따른 레이저 가공 방법은 가공 영역(110) 중 가공홀(11)의 형성 여부를 확인하는 과정(S250);을 더 포함할 수 있다.The laser machining method according to the present invention may further include a step (S250) of confirming whether or not the machining hole 11 is formed in the machining area 110.

상기 레이저 빔(10)을 1차 조사하는 과정(S200) 이후에 가공 영역(110) 중 가공홀(11)의 형성 여부를 확인할 수 있다(S250). 가공 영역(110) 중 가공홀(11)의 형성 여부가 확인되면, 상기 레이저 빔(10)을 2차 조사하는 과정(S300)에서는 상기 가공홀(11)의 형성 여부를 확인하는 과정(S250)에서 가공홀(11)이 미형성된 가공 영역(110)에 레이저 빔(10)을 조사할 수 있다. 이에 따라 상기 레이저 빔(10)을 2차 조사하는 과정(S300)에서 가공 영역(110) 중에 레이저 가공이 반드시 요구되는 부분에만 레이저 빔(10)을 조사할 수 있으며, 이로 인해 레이저 빔(10)을 조사하는 작업시간이 단축되어 레이저 가공에 소요되는 시간 및 비용을 절감할 수 있고, 이미 형성된 가공홀(11)을 통과하는 레이저 빔(10)에 의한 피가공대상물 지지부(미도시) 등 레이저 가공 장치 중 다른 구성 요소의 손상을 보다 감소시킬 수 있다.It is possible to confirm whether the machining hole 11 is formed in the machining area 110 after the step of irradiating the laser beam 10 for the first time (S200) (S250). If it is confirmed that the machining hole 11 is formed in the machining area 110, a step S250 of confirming whether or not the machining hole 11 is formed in the step of irradiating the laser beam 10 in a second step S300, The laser beam 10 can be irradiated to the machining area 110 where the machining holes 11 are not formed. The laser beam 10 can be irradiated only to a portion of the machining region 110 where laser machining is necessarily required in the step of irradiating the laser beam 10 in the second step S300, (Not shown) such as a workpiece support portion (not shown) by the laser beam 10 passing through the already formed hole 11 can be shortened, It is possible to further reduce the damage of other components of the apparatus.

상기 가공홀(11)의 형성 여부를 확인하는 과정(S250)에서는 높이 센서, 이미지 센서, 광 센서, 레이저 센서 중 적어도 어느 하나를 이용하여 가공홀(11)의 형성 여부를 확인할 수 있다. 상기 높이(high) 센서(또는 z축 측정센서)는 피가공대상물(100)에 형성된 홈 또는 홀의 깊이를 측정할 수 있으며, 레이저 가공되는 피가공대상물(100)의 일면 상에 위치할 수 있고, 빛을 조사한 후에 반사되는 빛을 수광하여 피가공대상물(100)에 형성된 홈 또는 홀의 깊이를 측정할 수 있다.In step S250, it is determined whether the processing hole 11 is formed by using at least one of a height sensor, an image sensor, an optical sensor, and a laser sensor. The high sensor (or z axis sensor) can measure the depth of the groove or hole formed in the workpiece 100 and can be located on one side of the workpiece 100 to be laser processed, After the light is irradiated, the reflected light is received, and the depth of the groove or hole formed in the workpiece 100 can be measured.

상기 이미지 센서는 피가공대상물(100)의 상부 또는 하부에서 가공 영역(110)의 이미지를 획득한 후에 분석하여 가공홀(11)의 형성 여부를 확인할 수 있으며, 가공홀(11)이 형성된 가공 영역(110)과 가공홀(11)이 미형성된 가공 영역(110)의 이미지 차이를 구별하여 가공홀(11)의 형성 여부를 확인할 수 있다.The image sensor analyzes an image of the machining area 110 after the image of the machining area 110 is obtained from the upper or lower part of the workpiece 100 and confirms whether the machining hole 11 is formed. It is possible to distinguish the difference in the image of the machining area 110 where the machining hole 110 and the machining hole 11 are not formed, thereby confirming whether or not the machining hole 11 is formed.

상기 광 센서는 수발광 센서일 수 있고, 가공 영역(110)에 빛을 조사한 후에 반사되는 빛을 수광하여 가공홀(11)의 형성 여부를 확인할 수 있으며, 빛이 수광되는 가공 영역(110)은 가공홀(11)이 미형성된 가공 영역(110)으로 판단할 수 있고, 빛이 수광되지 않는 가공 영역(110)은 가공홀(11)이 형성된 가공 영역(110)으로 판단할 수 있다. 이때, 피가공대상물(100)은 금속(metal) 등 빛이 반사될 수 있는 소재로 이루어질 수 있고, 상기 광 센서는 레이저 빔(10) 조사되는 면과 대향하는 피가공대상물(100)의 타면 상에 위치할 수 있다.The light sensor may be a water light emission sensor, and it is possible to confirm whether or not the processing hole 11 is formed by receiving light reflected after the light is irradiated to the processing region 110, and the processing region 110 where light is received The processing region 110 in which the processing hole 11 is not formed can be determined as the processing region 110 where the processing hole 11 is not formed and the processing region 110 in which the light is not received can be determined as the processing region 110 in which the processing hole 11 is formed. In this case, the object to be processed 100 may be made of a material such as metal that can reflect light, and the light sensor may be disposed on the other surface of the object to be processed 100 facing the surface to be irradiated with the laser beam 10 Lt; / RTI >

상기 레이저 센서는 입사되는 레이저 빔(10)을 감지할 수 있고, 가공홀(11)이 형성되어 가공홀(11)을 통과한 레이저 빔(10)을 감지하여 가공홀(11)의 형성 여부를 확인할 수 있으며, 레이저 빔(10)이 감지된 가공 영역(110)은 가공홀(11)이 형성된 가공 영역(110)으로 판단할 수 있고, 레이저 빔(10)이 미감지된 가공 영역(110)은 가공홀(11)이 미형성된 가공 영역(110)으로 판단할 수 있다. 이때, 상기 레이저 센서는 피가공대상물(100)이 지지되는 피가공대상물 지지부(미도시) 상에 제공될 수 있다.The laser sensor is capable of detecting an incident laser beam 10 and detects a laser beam 10 having a machining hole 11 formed therein and passing through the machining hole 11 to determine whether the machining hole 11 is formed The machining area 110 in which the laser beam 10 is detected can be determined as the machining area 110 in which the machining hole 11 is formed and the machining area 110 in which the laser beam 10 is not detected, Can be determined as the machining area 110 where the machining holes 11 are not formed. At this time, the laser sensor may be provided on a workpiece support (not shown) on which the workpiece 100 is supported.

이처럼, 본 발명에서는 상이한 조사 조건의 2 단계로 레이저 빔을 가공 영역에 조사하여 피가공대상물을 가공함으로써, 피가공대상물의 영역별 두께 편차에 의한 영향(또는 가공 오류)으로 피가공대상물에 대한 가공이 불완전하게 이루어지는 부분(즉, 가공홀이 형성되지 않은 부분)이 발생하는 문제를 해결할 수 있다. 또한, 2차 가공영역의 면적을 1차 가공영역의 면적보다 작게(즉, 두 번째 레이저 빔을 조사할 때에 첫 번째 레이저 빔을 조사할 때보다 피가공대상물의 가공 영역에서 레이저 빔이 조사되는 면적을 작게) 함으로써, 2 단계의 가공에도 가공홀의 주위에 영향이 없을 수 있으며, 레이저 빔을 2차 조사할 때(즉, 레이저 빔의 2차 조사 시)에 레이저 빔의 세기, 레이저 빔의 이동 속도, 레이저 빔의 스캔피치 등을 레이저 빔을 1차 조사할 때(즉, 레이저 빔의 1차 조사 시)와 상이하게 설정하여 가공홀 중 상대적으로 두꺼운 두께에 의한 둔턱부의 내측면을 수직하게 만들 수 있어 내측면이 경사진 둔턱보다 섀도우(Shadow) 발생을 줄일 수 있다. 그리고 피가공대상물의 한 면에 대해 2 단계의 가공이 이루어지기 때문에 양면 가공에 의한 오정렬을 방지할 수도 있다. 이에 본 발명에서는 피가공대상물의 영역별 두께 편차에 의한 가공 오류를 줄일 수 있고, 피가공대상물에 대한 가공 정밀도를 종래보다 향상시킬 수 있다.As described above, in the present invention, the laser beam is irradiated to the machining area in two steps with different irradiation conditions to process the machining object, so that the machining of the workpiece due to the influence (or machining error) The problem that the incompletely formed portion (that is, the portion where the machining hole is not formed) can be solved. In addition, the area of the secondary machining area is smaller than the area of the primary machining area (i.e., the area where the laser beam is irradiated in the machining area of the work to be processed than when the first laser beam is irradiated when the second laser beam is irradiated It is possible to reduce the influence of the intensity of the laser beam, the moving speed of the laser beam (i.e., the speed of movement of the laser beam) during the second irradiation (i.e., the second irradiation of the laser beam) , The scan pitch of the laser beam, and the like can be set to be different from that when the laser beam is first irradiated (that is, when the laser beam is irradiated first), thereby making the inner surface of the barrel portion perpendicular to the processing hole relatively thick There is less chance of shadowing on the inside than the slanted barrier. Since the two-step machining is performed on one surface of the workpiece, misalignment due to the two-surface machining can be prevented. Therefore, according to the present invention, it is possible to reduce the machining error due to the thickness variation of the workpiece by the area, and improve the machining accuracy for the workpiece.

상기 설명에서 사용한 “~ 상에”라는 의미는 직접 접촉하는 경우와 직접 접촉하지는 않지만 상부 또는 하부에 대향하여 위치하는 경우를 포함하고, 상부면 또는 하부면 전체에 대향하여 위치하는 것뿐만 아니라 부분적으로 대향하여 위치하는 것도 가능하며, 위치상 떨어져 대향하거나 상부면 또는 하부면에 직접 접촉한다는 의미로 사용하였다. 따라서, “피가공대상물 상에”는 피가공대상물의 표면(상부면 또는 하부면)이 될 수도 있고, 피가공대상물의 표면에 증착된 막의 표면이 될 수도 있다.As used in the above description, the term " on " means not only a direct contact but also a case of being opposed to the upper or lower surface, It is also possible to position them facing each other, and they are used to mean facing away from each other or coming into direct contact with the upper or lower surface. Therefore, " on the workpiece " may be the surface (upper surface or lower surface) of the workpiece, or may be the surface of the film deposited on the surface of the workpiece.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 보호범위는 아래의 특허청구범위에 의해서 정하여져야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed as limited to the embodiments set forth herein. Those skilled in the art will appreciate that various modifications and equivalent embodiments may be possible. Accordingly, the technical scope of the present invention should be defined by the following claims.

10 : 레이저 빔 11 : 가공홀
20 : 스캔 경로 21 : 스캔라인
22 : 스텝라인 100 : 피가공대상물
110 : 가공 영역 111 : 중앙부
112 : 가장자리부10: laser beam 11: machining hole
20: scan path 21: scan line
22: Step line 100: Workpiece
110: machining area 111:
112:

Claims

Setting a machining area on the workpiece;
A step of firstly irradiating a laser beam onto a first machining area of the machining area of the workpiece; And
And irradiating the secondary machining area of the machining area of the workpiece with the laser beam under a different irradiation condition than the primary irradiation.

The method according to claim 1,
Wherein the secondary machining area is included in the primary machining area.

The method according to claim 1,
And the laser beam is irradiated to the primary machining area and the secondary machining area using the same coordinate system in the process of irradiating the laser beam first and the process of secondly irradiating the laser beam.

The method according to claim 1,
Wherein the step of irradiating the laser beam firstly and the step of irradiating the laser beam are performed along a scan path including a scan line parallel to the major axis of the workpiece and a step line parallel to the minor axis of the workpiece And scanning the machining area while moving the irradiation position of the laser beam.

The method of claim 4,
The laser beam is scanned along the same scan path in a process of first irradiating the laser beam and a process of irradiating the laser beam in the second scan, and the laser beam is activated in the first machining area and the second machining area, .

The method of claim 4,
Wherein, in the first irradiation of the laser beam, a plurality of the scan lines are scanned to process the primary machining area,
Wherein in the second irradiation of the laser beam, only the scan line passing through the center of the first machining area among a plurality of the scan lines is scanned to process the second machining area.

The method of claim 4,
In the second irradiation of the laser beam,
Wherein the intensity of the laser beam is greater than the intensity of the laser beam,
Wherein the moving speed of the laser beam and the scan pitch of the laser beam in the scan line are smaller than the first irradiation of the laser beam.

The method according to claim 1,
During the first irradiation of the laser beam,
Wherein a center portion of the primary machining region is constant in energy accumulation by the laser beam,
Wherein the edge portion of the primary machining region is larger as the energy accumulation by the laser beam is closer to the center of the primary machining region.

The method according to claim 1,
Wherein the secondary machining area overlaps with a central part of the primary machining area,
Wherein the energy accumulation by the laser beam in the secondary machining area is constant in the secondary irradiation of the laser beam.

The method according to claim 1,
The edge portion of the primary machining area is machined so as to deepen the machining depth as the center of the primary machining area is closer to the center of the primary machining area, and,
And the second machining area is machined so that the workpiece passes through the second laser beam irradiation step.

The method according to claim 1,
And confirming whether or not a machining hole is formed in the machining area,
Wherein the step of irradiating the laser beam with the laser beam irradiates the machining area where the machining hole is not formed in the process of confirming whether the machining hole is formed.

The method of claim 11,
Wherein the step of confirming whether or not the processing hole is formed is confirmed by using at least one of a height sensor, an image sensor, an optical sensor, and a laser sensor.