KR20190037958A - Preparation Method for Optical Device - Google Patents

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Abstract

The present application relates to a manufacturing method of an optical device and to an optical device. The present application provides the manufacturing method capable of minimizing or eliminating a doting stain which can occur when the optical device is manufactured by a doting process. Such method of the present application can provide an alignment film with improved alignment properties by improving the doting stain when specifically having a large cell gap or when a polymer substrate is applied as a substrate and a high-temperature heat treatment is impossible.

Description

광학 디바이스의 제조 방법{Preparation Method for Optical Device}[0001] The present invention relates to a manufacturing method of an optical device,

본 출원은 광학 디바이스의 제조 방법 및 광학 디바이스에 관한 것이다.The present application relates to a method of manufacturing an optical device and an optical device.

기판의 사이에 광변조층을 배치시켜서 광의 투과율 또는 색상 등을 조절할 수 있는 광학 디바이스는 공지이다. 예를 들면, 특허 문헌 1에는 액정 호스트(liqid crystal host)와 이색성 염료 게스트(dichroic dye guest)의 혼합물을 적용한 소위 GH셀(Guest host cell)이 알려져 있다.An optical device capable of adjusting the transmittance or color of light by disposing a light modulating layer between substrates is known. For example, in Patent Document 1, a so-called GH cell (guest host cell) in which a mixture of a liquid crystal host and a dichroic dye guest is applied is known.

광학 디바이스를 제조하는 방법은 다양하게 알려져 있다. 그 중 하나의 방법으로, 표면에 배향막이 형성된 기판상에 광변조 물질을 닷팅(dotting)하고, 대향 기판을 상기 닷팅된 광변조 물질상에 압착하여 광변조 물질이 기판의 사이의 간격에서 퍼지면서 상기 간격을 충전하도록 하는 방법(VALC(vacuum assembly LC) 또는 ODF(One drop filling)로도 호칭된다)(이하, 닷팅 공정이라고 호칭할 수 있다.)이 있다.Methods for manufacturing optical devices are variously known. In one of the methods, a light modulating material is dotted on a substrate having an oriented surface formed thereon, and an opposing substrate is pressed on the dotted light modulating material so that the light modulating material spreads in the space between the substrates (Also referred to as VALC (vacuum assembly LC) or ODF (one drop filling)) (hereinafter, referred to as a dotting process).

도 1은 상기와 같은 닷팅 공정이 진행되는 과정을 예시적으로 보여주는 도면이다. 도 1에서와 같이 상기 닷팅 공정은 기판(201A)상의 적정 부위에 광변조 물질(301)을 닷팅한 후에 다른 기판(201B)을 합착하여 닷팅된 광변조 물질을 고르게 기판의 사이에 퍼지도록 수행될 수 있다. 다만, 도 1에 나타난 공정은 닷팅 공정의 예시이며, 실제 닷팅 공정은 도 1에 나타난 방식에 기초하여 다양하게 변경될 수 있다.FIG. 1 is a view illustrating an exemplary process of the doting process. As shown in FIG. 1, the Dotting process is performed to dot the light modulating material 301 on the proper portion on the substrate 201A and then to adhere the other substrate 201B to spread the dotted light modulating material evenly between the substrates . However, the process shown in FIG. 1 is an example of a doting process, and the actual dotting process can be variously changed based on the scheme shown in FIG.

이러한 방법은, 다른 방식에 비해서 정확하게 필요한 양의 액정만을 사용할 수 있어서 액정의 소모량을 줄일 수 있으며, 대면적화 등의 경우에도 TAT(Turn Around Time)을 줄여서 생산성을 크게 향상시킬 수 있다. 그러나, 상기 방법은, 상기 압착시에 광변조 물질이 닷팅된 영역과 퍼져나가는 영역에서 배향 불량에 의한 닷팅 얼룩이 종종 발생한다는 것이다.This method can reduce the amount of liquid crystal consumed because only a necessary amount of liquid crystal can be accurately used as compared with other methods, and productivity can be greatly improved by reducing TAT (Turn Around Time) even in the case of large-sized and the like. However, this method often causes Dotting unevenness due to orientation defect in the dotted region and the spreading region of the light modulating material at the time of compression.

본 출원은 광학 디바이스의 제조 방법 및 광학 디바이스에 대한 것이다. 본 출원에서는 닷팅 공정을 적용하여 광학 디바이스를 제작하는 경우에도 닷팅 얼룩 없이 우수한 성능의 디바이스를 제조하는 방법과 그러한 방식으로 제조된 광학 디바이스를 제공하는 것을 하나의 목적으로 한다.The present application relates to a method of manufacturing an optical device and to an optical device. It is an object of the present application to provide a method of manufacturing a device having excellent performance without dotting even when the optical device is manufactured by applying a dotting process and an optical device manufactured in such a manner.

본 출원은 광학 디바이스의 제조 방법에 관한 것이고, 일 예시에서 닷팅 공정을 적용하여 광학 디바이스를 제조하는 방법에 대한 것이다.The present application relates to a method of manufacturing an optical device, and in one example, a method for manufacturing an optical device by applying a dotting process.

용어 광학 디바이스의 범주에는, 서로 다른 2가지 이상의 광학 상태, 예를 들면, 고투과율 및 저투과율 상태, 고투과율, 중간 투과율 및 저투과율 상태, 서로 다른 색상이 구현되는 상태 등의 사이를 스위칭할 수 있도록 형성된 모든 종류의 디바이스가 포함될 수 있다.The term optical device category includes the ability to switch between two or more different optical states, for example, high transmittance and low transmittance conditions, high transmittance, medium transmittance and low transmittance conditions, May be included.

상기 제조방법은 기재층상에 배향막을 형성하는 공정을 포함할 수 있다. 이러한 공정은, 예를 들면, 배향막 형성 물질을 포함하는 배향막 형성재를 사용하여 형성할 수 있다.The manufacturing method may include a step of forming an alignment film on the base layer. Such a process can be performed, for example, by using an alignment film forming material containing an alignment film forming material.

본 출원의 제조 방법에서 기재층으로는, 특별한 제한 없이, 예를 들면, LCD(Liquid Crystal Display)와 같은 공지의 광학 디바이스의 구성에서 기판으로 사용되는 임의의 기재층이 적용될 수 있다. 예를 들면, 기재층은 무기 기재층이거나 유기 기재층일 수 있다. 무기 기재층으로는 글라스(glass) 기재층 등이 예시될 수 있고, 유기 기재층으로는, 다양한 플라스틱 필름 등이 예시될 수 있다. 플라스틱 필름으로는 TAC(triacetyl cellulose) 필름; 노르보르넨 유도체 등의 COP(cyclo olefin copolymer) 필름; PMMA(poly(methyl methacrylate) 등의 아크릴 필름; PC(polycarbonate) 필름; PE(polyethylene) 또는 PP(polypropylene) 등의 폴리올레핀 필름; PVA(polyvinyl alcohol) 필름; DAC(diacetyl cellulose) 필름; Pac(Polyacrylate) 필름; PES(poly ether sulfone) 필름; PEEK(polyetheretherketon) 필름; PPS(polyphenylsulfone) 필름, PEI(polyetherimide) 필름; PEN(polyethylenemaphthatlate) 필름; PET(polyethyleneterephtalate) 필름; PI(polyimide) 필름; PSF(polysulfone) 필름 또는 PAR(polyarylate) 필름 등이 예시될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.As the substrate layer in the manufacturing method of the present application, any substrate layer used as a substrate in a configuration of a known optical device such as, for example, an LCD (Liquid Crystal Display) can be applied without particular limitation. For example, the substrate layer may be an inorganic substrate layer or an organic substrate layer. As the inorganic base layer, a glass base layer and the like can be exemplified. As the organic base layer, various plastic films and the like can be exemplified. Plastic films include TAC (triacetyl cellulose) film; Cycloolefin copolymer (COP) films such as norbornene derivatives; Polyacrylate films such as PMMA (poly (methyl methacrylate), polycarbonate films, polyolefin films such as PE (polyethylene) or PP (polypropylene), polyvinyl alcohol films, DAC (diacetyl cellulose) A polyether sulfone (PES) film, a polyetheretherketone (PES) film, a polyphenylsulfone (PPS) film, a polyetherimide (PEI) film, a polyethylenemaphthatate (PEN) film, a polyethyleneterephtalate (PET) Film or PAR (polyarylate) film, and the like can be exemplified, but are not limited thereto.

본 출원의 제조 방법은, 특히 상기 기재층으로서 유기 기재층, 예를 들면, 플라스틱 필름이 사용되는 경우에 유용할 수 있다. 닷팅 얼룩 등이 발생하는 경우에 상기 얼룩이 발생한 디바이스 등을 고온에서 처리하는 것에 의해 상기 얼룩을 제거하는 방법, 예를 들면, 광변조 물질의 예인 액정 화합물의 Tni 이상의 온도에서 처리하는 것에 의해 상기 얼룩을 제거하는 방법이 알려져 있다. 그렇지만, 기판으로서 유기 기재층이 적용되는 경우에는, 유기 기재층의 내열성이 떨어져서, 고온의 열처리 공정을 수행하는 것이 곤란하다. 그러나, 본 명세서에서 기술하는 방법에 의해서는 상기와 같은 고온 처리 없이도 닷팅 얼룩이 발생하지 않도록 할 수 있기 때문에 유기 기재층이 적용되는 경우에도 우수한 물성의 배향막을 형성할 수 있다.The manufacturing method of the present application may be useful particularly when an organic base layer, for example, a plastic film, is used as the base layer. A method of removing the above-mentioned unevenness by treating a device or the like with the above-mentioned unevenness occurring at high temperature, for example, by treating the unevenness at a temperature of Tni or higher of a liquid crystal compound which is an example of a light- The method of removing is known. However, when the organic base layer is used as the substrate, the heat resistance of the organic base layer is lowered, and it is difficult to carry out the heat treatment process at a high temperature. However, by the method described in this specification, it is possible to prevent the occurrence of dotting unevenness even without the high-temperature treatment as described above, so that an alignment film having excellent physical properties can be formed even when the organic base layer is applied.

본 출원에서 상기 기재층의 두께도 특별히 제한되지 않고, 용도에 따라서 적정 범위가 선택될 수 있다.The thickness of the base layer in the present application is not particularly limited, and an appropriate range may be selected depending on the application.

본 출원의 제조 방법에서는 배향막이 상기 기재층상에 직접 형성될 수도 있고, 상기 기재층상에 다른 층 내지는 구성이 존재하는 상태에서 그 다른 층 내지는 구성상에 형성될 수도 있다.In the manufacturing method of the present application, an orientation film may be formed directly on the base layer, or may be formed on the other layer or the structure in a state where another layer or structure exists on the base layer.

상기에서 다른 층 내지 구성의 예는, 특별히 제한되지 않고, 광학 디바이스의 구동 및 구성에 필요한 공지의 층 내지 구성이 모두 포함된다. 이러한 층 내지 구성의 예로는, 전극층이나 스페이서 등이 있다.Examples of other layers or configurations are not particularly limited and include all known layers and configurations necessary for driving and configuring an optical device. Examples of such a layer or constitution include an electrode layer and a spacer.

본 출원에서는 액정 화합물의 정렬 상태를 조절하기 위하여 상기 기재층상에 배향막을 형성한다. 본 출원에서 적용하는 배향막의 종류는 특별하게 제한되지 않으며, 공지의 배향막이 사용될 수 있다. 예를 들면, 적절한 코팅성, 용매에 대한 용해도, 내열성, 내화학성 및 러빙과 같은 배향 처리에 대한 내구성 등을 만족하고, 필요에 따라서 적절한 틸팅(tilting) 특성 등을 나타내며, 불순도(impurity) 관리를 통한 적절한 전압보전율(voltage holding ratio; VHR)과 고명암비 등의 물성을 만족하는 공지의 배향막을 모두 적용할 수 있다. 배향막으로는, 예를 들면, 수직 또는 수평 배향막일 수 있다. 수직 또는 수평 배향막으로는, 인접하는 액정층의 액정 화합물에 대하여 수직 또는 수평 배향능을 가지는 배향막이라면 특별한 제한없이 선택하여 사용할 수 있다. 이러한 배향막으로는, 예를 들어, 러빙 배향막과 같이 접촉식 배향막 또는 광배향막 화합물을 포함하여 직선 편광의 조사 등과 같은 비접촉식 방식에 의해 배향 특성을 나타낼 수 있는 것으로 공지된 배향막을 사용할 수 있다.In the present application, an alignment film is formed on the base layer in order to control the alignment state of the liquid crystal compound. The kind of the alignment film used in the present application is not particularly limited, and a known alignment film can be used. For example, it satisfies satisfactory coating properties, solubility in solvents, heat resistance, chemical resistance, durability against orientation treatment such as rubbing, and exhibits appropriate tilting characteristics when necessary, It is possible to apply a known alignment film that satisfies physical properties such as a proper voltage holding ratio (VHR) and a high contrast ratio through the alignment film. The alignment film may be, for example, a vertical or horizontal alignment film. As the vertical or horizontal alignment film, an alignment film having a vertical or horizontal alignment capability with respect to the liquid crystal compound of the adjacent liquid crystal layer can be used without any particular limitation. As such an orientation film, for example, an orientation film known to be capable of exhibiting orientation characteristics by a non-contact method such as irradiation of linear polarization including a contact type orientation film or a photo orientation film compound such as a rubbing orientation film can be used.

배향막은, 배향막 형성 물질을 포함하는 배향막 형성재로서, 예를 들면, 상기 배향막 형성 물질을 적절한 용매에 분산, 희석 및/또는 용해시켜서 제조한 배향막 형성재, 즉 배향막 형성 물질과 용매를 포함하는 배향막 형성재를 적용하여 제조할 수 있다.The alignment film is an alignment film forming material containing an alignment film forming material, for example, an alignment film forming material prepared by dispersing, diluting and / or dissolving the alignment film forming material in an appropriate solvent, that is, Can be manufactured by applying a forming material.

배향막 형성 물질의 종류는, 적절한 처리에 의해 액정에 대한 수직 또는 수평 배향능과 같은 배향능을 나타낼 수 있는 것으로 공지되어 있는 모든 종류의 물질을 사용할 수 있다. 이러한 물질로는, 폴리이미드(polyimide) 화합물, 폴리비닐알코올(poly(vinyl alcohol)) 화합물, 폴리아믹산(poly(amic acid)) 화합물, 폴리스티렌(polystylene) 화합물, 폴리아미드(polyamide) 화합물 및 폴리옥시에틸렌(polyoxyethylene) 화합물 등과 같이 러빙 배향에 의해 배향능을 나타내는 것으로 공지된 물질이나, 폴리이미드(polyimide) 화합물, 폴리아믹산(polyamic acid) 화합물, 폴리노르보넨(polynorbornene) 화합물, 페닐말레이미드 공중합체(phenylmaleimide copolymer) 화합물, 폴리비닐신나메이트(polyvinylcinamate) 화합물, 폴리아조벤젠(polyazobenzene) 화합물, 폴리에틸렌이민(polyethyleneimide) 화합물, 폴리비닐알콜(polyvinylalcohol) 화합물, 폴리아미드(polyimide) 화합물, 폴리에틸렌(polyethylene) 화합물, 폴리스타일렌(polystylene) 화합물, 폴리페닐렌프탈아미드(polyphenylenephthalamide) 화합물, 폴리에스테르(polyester) 화합물, CMPI(chloromethylated polyimide) 화합물, PVCI(polyvinylcinnamate) 화합물 및 폴리메틸 메타크릴레이트(polymethyl methacrylate) 화합물 등과 같이 광조사에 의해 배향능을 나타낼 수 있는 것으로 공지된 물질 등이 예시될 수 있다. 본 출원에서는 후술하는 바와 같이 배향막의 표면 에너지를 소정 범위로 조절하는 것이 요구되기 때문에, 상기 언급된 공지의 물질 중에서 후술하는 범위의 표면 에너지를 나타내기 유리한 물질이 선택되는 것이 요구될 수 있지만, 상기 표면 에너지는 주로 배향막의 두께, 용매의 비점이나 열처리 온도 등에 의해서 조절되기 때문에, 기본적으로 본 출원에서 사용되는 배향막 형성 물질은 특별히 제한되지는 않는다.The kind of the alignment film forming material may be any kind of materials known to be capable of exhibiting alignment performance such as vertical or horizontal alignment ability to the liquid crystal by appropriate treatment. Examples of such a material include a polyimide compound, a poly (vinyl alcohol) compound, a poly (amic acid) compound, a polystylene compound, a polyamide compound, A polyimide compound, a polyamic acid compound, a polynorbornene compound, a phenylmaleimide copolymer (such as a polyoxyethylene compound, a polyoxyethylene compound, or the like) phenylmaleimide copolymer compounds, polyvinylcinnamate compounds, polyazobenzene compounds, polyethyleneimide compounds, polyvinylalcohol compounds, polyimide compounds, polyethylene compounds, poly A polystyrene compound, a polyphenylenephthalamide compound, a polyester ( a substance known to be capable of aligning by light irradiation, such as a polyester compound, a chloromethylated polyimide (CMPI) compound, a polyvinylcinnamate (PVCI) compound, and a polymethyl methacrylate compound. In this application, since it is required to adjust the surface energy of the alignment film to a predetermined range as described later, among the above-mentioned known materials, it may be required to select a material that exhibits surface energy in the range described below, Since the surface energy is mainly controlled by the thickness of the alignment film, the boiling point of the solvent, the heat treatment temperature, etc., the alignment film forming material used in the present application is not particularly limited.

배향막 형성재는 상기와 같은 배향막 형성 물질을 용매에 희석, 분산 및/또는 용해시켜 제조할 수 있다. 이 때 용매로는 비점(boiling point)이 160℃ 이하인 용매를 적용하는 것이 유리하다. 용매로서 비점이 160℃를 초과하는 용매가 사용되는 경우에는 닷팅 얼룩이 발생할 가능성이 높다는 점을 확인하였다. 상기 비점은 다른 예시에서 약 100℃ 이상, 110℃ 이상, 120℃ 이상 또는 125℃ 이상일 수 있다. The alignment film forming material can be prepared by diluting, dispersing and / or dissolving the alignment film forming material as described above in a solvent. As the solvent, it is advantageous to apply a solvent having a boiling point of 160 ° C or lower. It was confirmed that when a solvent having a boiling point exceeding 160 캜 is used as a solvent, there is a high possibility that Dotting stain occurs. In another example, the boiling point may be at least about 100 占 폚, at least 110 占 폚, at least 120 占 폚, or at least 125 占 폚.

예를 들면, 용매로는, 사이클로헥산(cyclohexane) 등의 탄소수 3 내지 12 또는 탄소수 3 내지 8의 사이클로알칸, DMF(dimethylformamide), 클로로포름(CHCl3), 사이클로헥사논(cyclohexanon) 또는 사이클로펜타논 등의 탄소수 1 내지 12 또는 탄소수 3 내지 8의 케톤, 2-부톡시에탄올 또는 부탄올 등의 탄소수 1 내지 12 또는 탄소수 1 내지 8의 알코올 또는 에틸렌글리콜이나 부틸렌글리콜 등의 탄소수 1 내지 12 또는 탄소수 1 내지 8의 글리콜 중에서 선택된 어느 하나 또는 상기 중에서 선택된 용매 중에서 전술한 비점을 만족하는 용매를 적용할 수 있다. 전체적으로 전술한 비점을 만족한다면, 상기 언급된 용매 중에서 2종 이상의 혼합을 사용할 수도 있고, 어느 하나의 용매를 단독으로 사용할 수도 있다. Examples of the solvent include a cycloalkane having 3 to 12 carbon atoms such as cyclohexane or a cycloalkane having 3 to 8 carbon atoms such as dimethylformamide (DMF), chloroform (CHCl3), cyclohexanone or cyclopentanone An alcohol having 1 to 12 carbon atoms or 1 to 8 carbon atoms such as a ketone having 1 to 12 carbon atoms or 3 to 8 carbon atoms, 2-butoxyethanol or butanol, or an alcohol having 1 to 12 carbon atoms or 1 to 8 carbon atoms such as ethylene glycol or butylene glycol And a solvent that satisfies the above-mentioned boiling point in the solvent selected from the above can be applied. If the above-mentioned boiling point is satisfied as a whole, a mixture of two or more of the above-mentioned solvents may be used, or any one of the solvents may be used alone.

상기 배향막 형성재에서 상기 배향막 형성 물질의 농도는 약 0.1 중량% 내지 10 중량%의 범위 내일 수 있다. 이와 같은 농도의 적용을 통해 닷팅 공정 후에 닷팅 얼룩의 발생 없이 우수한 배향능을 가지는 배향막을 형성할 수 있다.In the alignment film forming material, the concentration of the alignment film forming material may be in the range of about 0.1 wt% to 10 wt%. Through the application of such a concentration, an alignment film having excellent alignment ability can be formed without occurrence of doting stain after the doting process.

본 출원에서는 상기와 같은 배향막 형성재를 사용하여 배향막을 형성하고, 이 경우 그 형성 방법은 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 배향막 형성 공정은, 기재층 상에 배향막 형성재의 층을 형성하고, 상기 형성된 층에 배향 처리 등의 공지의 처리를 수행하는 공정을 포함할 수 있다. 또한, 상기 배향막 형성재의 층을 도포 등에 의해 형성하고, 소성까지의 시간이 기판마다 일정하지 않은 경우나, 도포 후 즉시 소성되지 않은 경우에는 건조 공정 등과 같은 전처리 공정이 수행될 수도 있다. 예를 들면, 상기 건조 및/또는 열처리 등의 공정은, 적절한 건조기, 오븐 또는 핫플레이트 등을 사용하여 수행할 수 있다.In the present application, an alignment film is formed using the alignment film forming material as described above. In this case, the forming method is not particularly limited. For example, the alignment film formation step may include a step of forming a layer of an alignment film forming material on the base layer and performing a known process such as alignment treatment on the formed layer. A pre-treatment step such as a drying step or the like may be performed when the layer of the alignment film forming material is formed by coating or the like and the time until the firing is not constant for each substrate or when the firing is not immediately fired. For example, the drying and / or heat treatment may be carried out using an appropriate drier, oven or hot plate.

본 출원의 배향막 형성 공정은 상기 코팅된 배향막 형성재를 열처리하는 공정을 추가로 포함할 수 있고, 이 때 열처리는 약 115℃ 이하의 온도에서 수행될 수 있다. 본 발명자들은, 상기 열처리 온도가 115℃를 초과하면, 닷팅 얼룩이 쉽게 유발되는 점을 확인하였다. 상기 열처리 공정은, 약 50℃ 이상, 약 60℃ 이상, 약 70℃ 이상, 약 80℃ 이상, 약 90℃ 이상 또는 약 95℃ 이상의 온도에서 수행될 수 있다. The alignment film formation process of the present application may further include a step of heat-treating the coated alignment film forming material, wherein the heat treatment may be performed at a temperature of about 115 캜 or less. The inventors of the present invention have found that if the heat treatment temperature exceeds 115 캜, dethatching easily occurs. The heat treatment process may be performed at a temperature of about 50 캜 or more, about 60 캜 or more, about 70 캜 or more, about 80 캜 or more, about 90 캜 or more, or about 95 캜 or more.

상기 열처리 공정은, 예를 들면, 약 1분 내지 2 시간의 범위 내에서 수행될 수 있다. 상기 열처리 시간은, 다른 예시에서 약 110분 이하, 약 100 분 이하, 약 90 분 이하, 약 80 분 이하, 약 70 분 이하, 약 60 분 이하, 약 50 분 이하, 약 40 분 이하, 약 30 분 이하, 약 20 분 이하 또는 약 15분 이하 동안 수행되거나, 다른 예시에서 약 2분 이상, 약 3분 이상, 약 4분 이상, 약 5분 이상, 약 6분 이상, 약 7분 이상, 약 8분 이상 또는 약 9분 이상 동안 수행될 수 있다.The heat treatment process may be performed within a range of, for example, about 1 minute to 2 hours. The heat treatment time may be, in another example, about 110 minutes or less, about 100 minutes or less, about 90 minutes or less, about 80 minutes or less, about 70 minutes or less, about 60 minutes or less, about 50 minutes or less, About 3 minutes or more, about 4 minutes or more, about 5 minutes or more, about 6 minutes or more, about 7 minutes or more, about 5 minutes or less, about 10 minutes or less, about 20 minutes or less, about 15 minutes or less, 8 minutes or about 9 minutes or more.

상기와 같은 배향막 형성 공정에서 배향막은 적어도 약 50 nm 이상의 두께로 형성될 수 있다. 배향막의 두께가 50 nm 미만이면, 닷팅 얼룩이 쉽게 유발될 수 있다. 배향막의 두께는 상기 범위 이상인 한 특별히 제한되는 것은 아니나, 다른 예시에서 약 1,000 nm 이하, 900 nm 이하, 800 nm 이하, 700 nm 이하, 600 nm 이하, 500 nm 이하, 400 nm 이하, 300 nm 이하 또는 200 nm 이하일 수 있다. In the above-described alignment film formation step, the alignment film may be formed to a thickness of at least about 50 nm. If the thickness of the orientation film is less than 50 nm, the dots are easily caused. The thickness of the alignment layer is not particularly limited as long as the thickness is not less than the above range, but in other examples, it is about 1,000 nm or less, 900 nm or less, 800 nm or less, 700 nm or less, 600 nm or less, 500 nm or less, 400 nm or less, And may be 200 nm or less.

본 출원에서는 상기와 같은 방식으로 형성되는 배향막이 표면 에너지가 약 41 mN/m 이하가 되도록 할 수 있다. 상기 표면 에너지는 다른 예시에서 약 30mN/m 이상, 31 mN/m 이상, 32 mN/m 이상, 33 mN/m 이상, 34 mN/m 이상, 35 mN/m 이상, 36 mN/m 이상, 37 mN/m 이상, 38 mN/m 이상 또는 39 mN/m 이상일 수 있다. 이러한 표면 에너지 범위 내에서 닷팅 얼룩 등이 없이 우수한 광학 디바이스의 제조가 가능하고, 상기 표면 에너지는 전술한 용매의 비점이나, 배향막의 두께, 열처리 온도 등을 통해 조절할 수 있다. In the present application, the alignment film formed in the above-described manner can have a surface energy of about 41 mN / m or less. The surface energy may be at least about 30 mN / m, at least 31 mN / m, at least 32 mN / m, at least 33 mN / m, at least 34 mN / m, at least 35 mN / m, at least 36 mN / mN / m or more, 38 mN / m or more, or 39 mN / m or more. It is possible to manufacture an excellent optical device without any dotting or the like within the range of the surface energy, and the surface energy can be controlled through the boiling point of the solvent, the thickness of the orientation film, and the heat treatment temperature.

본 명세서에서 언급하는 물성 중에서 측정 온도가 그 결과에 영향을 미치는 경우에, 특별히 달리 언급하지 않는 한 그 물성은 상온에서 측정한 물성이다. 용어 상온은, 가온 및 감온되지 않는 자연 그대로의 온도이고, 예를 들면, 약 10℃ 내지 30℃의 범위 내의 어느 한 온도이거나, 약 23℃ 또는 약 25℃ 정도의 온도일 수 있다. 본 명세서에서 언급하는 물성 중에서 측정 압력이 그 결과에 영향을 미치는 경우에, 특별히 달리 언급하지 않는 한 그 물성은 상압에서 측정한 물성이다. 용어 상압은 특별하게 압력을 올리거나 내리지 않은 자연 그대로의 압력이고, 일반적으로 대기압과 같은 약 1기압 정도의 압력을 의미한다. Unless specifically mentioned otherwise, the physical properties of the physical properties referred to in this specification are physical properties measured at room temperature when the measured temperature affects the result. The term ambient temperature is a natural temperature that is neither warmed nor warmed, and may be, for example, any temperature within the range of about 10 ° C to 30 ° C, or about 23 ° C or about 25 ° C. Unless specifically mentioned otherwise, the physical properties of the physical properties referred to herein are those measured at normal pressure when the measured pressure affects the result. The term atmospheric pressure is a natural pressure not specifically raised or lowered, and generally refers to a pressure of about one atmosphere, such as atmospheric pressure.

상기에서 표면 에너지는, 러빙 처리를 수행하기 전의 표면 에너지거나 수행한 후의 표면 에너지일 수 있다.The surface energy may be the surface energy before the rubbing treatment or the surface energy after the rubbing treatment.

본 출원의 제조 방법에서는 상기 형성된 배향막(배향막 형성재의 층)에 배향 처리를 수행하는 단계를 추가로 수행할 수 있다. 이러한 경우에 배향 처리는 공지의 방식으로 수행할 수 있다. 예를 들면, 러빙 배향막인 경우에 적절한 러빙 처리를 하거나, 광배향막인 경우에 적절한 광 조사 처리를 통해 상기 배향 처리를 수행할 수 있다. 상기 각 처리를 수행하는 구체적인 방식은 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 러빙 공정은, 코튼, 레이온 또는 나일론 등으로 된 러빙 천을 사용한 방식을 적용할 수 있으며, 광조사 공정은 적절한 직선 편광을 조사하는 방식 등을 적용할 수 있다.In the manufacturing method of the present application, a step of performing alignment treatment on the formed alignment film (layer of the alignment film forming material) may be further performed. In this case, the alignment treatment can be carried out in a known manner. For example, an appropriate rubbing treatment may be performed in the case of a rubbing alignment film, or the alignment treatment may be performed through a suitable light irradiation treatment in the case of a photo alignment film. For example, a rubbing process using a rubbing cloth made of cotton, rayon, nylon or the like can be applied, and the light irradiation process can be performed by irradiating a suitable linearly polarized light Method or the like can be applied.

본 출원의 제조방법은, 상기와 같이 형성된 배향막상에 액정 화합물을 포함하는 광변조 물질을 닷팅하는 단계와 대향 기판을 상기 광변조 물질이 닷팅된 배향막을 가지는 기재층과 대향 배치한 상태로 압력을 가하여 상기 닷팅된 광변조 물질이 상기 기재층과 대향 기판의 사이의 간격을 충전하도록 하는 단계를 추가로 포함할 수 있다. In the manufacturing method of the present application, a step of dotting a light modulating material containing a liquid crystal compound on the alignment film formed as described above, and a step of pressing the opposing substrate in a state in which the light modulating material is disposed opposite to the substrate layer having the doted alignment film So that the dotted light modulating material fills the gap between the substrate layer and the opposing substrate.

상기 과정은 예를 들면, 일반적인 닷팅 공정의 진행 방식에 따라 수행될 수 있으며, 그 구체적인 진행 방식은 특별히 제한되지 않는다.The above process can be performed, for example, according to a general method of a dotting process, and the specific process is not particularly limited.

또한, 적용되는 액정 화합물 등의 재료도 특별한 제한 없이 필요에 따라서 공지의 적정 재료가 선택된다.The material of the liquid crystal compound or the like to be applied is not particularly limited, and a well-known suitable material is selected as necessary.

또한, 상기에서 기재층과 대향 배치되는 대향 기판의 종류도 특별히 제한되지 않고, 공지의 기판이 적용될 수 있다. 예를 들면, 상기 기판도 기재층과 그 일면에 형성된 배향막을 포함할 수 있으며, 필요한 경우에 전극층과 같은 기타 다른 구성도 포함할 수 있다. 상기 대향 기판의 기재층상에 형성되는 배향막의 형성 방식도 특별히 제한되지 않고, 공지의 방식을 따를 수 있다. 일 예시에서 상기 대향 기판의 기재층상에 배향막을 형성하는 방식은 전술한 배향막 형성 방식을 따를 수 있다.In addition, the kind of the opposing substrate which is opposed to the substrate layer is not particularly limited, and a known substrate can be used. For example, the substrate may also include a substrate layer and an orientation film formed on one side thereof, and may include other structures such as an electrode layer, if necessary. The method of forming the alignment film formed on the substrate layer of the counter substrate is not particularly limited, and a known method can be used. In one example, the method of forming the alignment film on the substrate layer of the counter substrate may be the alignment film formation method described above.

상기 과정에서 상기 기재층과 대향 기판의 사이의 간격, 즉 소위 셀갭도 특별한 제한은 없다. 다만, 일 예시에서 상기 간격은, 약 4㎛ 이상이 될 수 있다. 상기 간격은, 다른 예시에서 약 5㎛ 이상, 약 6㎛ 이상, 약 7㎛ 이상 또는 약 8㎛ 이상이 될 수 있고, 그 상한은 약 20㎛, 약 18㎛, 약 16㎛, 약 14㎛, 약 12㎛ 또는 약 10㎛ 정도일 수 있다. 통상적으로 셀갭이 작은 경우, 예를 들면, 약 4㎛ 미만인 경우에는 닷팅 공정이 적용되는 경우에도 닷팅 얼룩 문제가 크게 부각되지는 않지만, 셀갭이 커지는 경우에 상기 문제점이 부각된다. 그렇지만, 필요에 따라서 광학 디바이스에 높은 셀갭이 요구되는 경우가 있는데, 본 출원의 방식을 적용하게 되면, 높은 셀갭의 디바이스의 제조에 있어서도 닷팅 얼룩을 최소화하거나 억제할 수 있다.There is no particular limitation on the interval between the base layer and the counter substrate, that is, the so-called cell gap. However, in one example, the gap may be about 4 탆 or more. In another example, the spacing may be at least about 5 microns, at least about 6 microns, at least about 7 microns, or at least about 8 microns, with the upper limit being about 20 microns, about 18 microns, about 16 microns, about 14 microns, About 12 microns or about 10 microns. Generally, in the case where the cell gap is small, for example, when the cell gap is less than about 4 탆, the problem of the doting stain does not become significant even when the doting process is applied. However, there is a case where a high cell gap is required for the optical device as required. By applying the method of the present application, it is possible to minimize or suppress the doting stain even in the manufacture of a device having a high cell gap.

필요한 경우에 상기 광변조 물질은 이색성 염료(dkchroic dye)를 추가로 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 이색성 염료는 두 가지로 구분할 수 있는데, 특정한 방향으로 다른 방향보다 더 많은 빛을 흡수하는 분자로 분자의 장축 방향의 편광을 흡수하는 색소를 양(positive) 이색성 염료 또는 p형 염료, 수직인 방향의 빛을 흡수하는 것을 음(negative) 이색성 염료 또는 n형 염료를 의미할 수 있다. 일반적으로 상기와 같은 염료는 최대의 흡수를 일으키는 파장을 중심으로 좁은 영역의 흡수 스펙트럼을 가질 수 있다. 또한, 게스트 호스트 액정디스플레이(Guest Host LCD)에 쓰이는 염료는 화학적?광학적 안정성, 색상과 흡수 스펙트럼의 폭, 이색성 비율, 색소의 질서도, 호스트(Host)에 대한 용해도, 비이온화 정도, 소광(extinction) 계수 및 순도와 높은 비저항과 같은 특성으로 평가할 수 있다. 이하 특별한 언급이 없는 한 이색성 염료는 양의 염료인 것으로 가정한다.If desired, the light modulating material may further comprise a dichroic dye. For example, the dichroic dye can be divided into two types. A dye that absorbs more light in the specific direction than the other direction and absorbs the polarized light in the long axis direction of the molecule is called a positive dichroic dye or p Type dyes, and negative dichroic dyes or n-type dyes that absorb light in the vertical direction. In general, such a dye may have an absorption spectrum in a narrow region around a wavelength causing maximum absorption. In addition, the dyes used in the guest host LCD are characterized by chemical and optical stability, color and absorption spectrum width, dichroism ratio, color order, solubility in hosts, degree of deionization, extinction coefficients and purity and high resistivity. Unless otherwise stated, dichroic dyes are assumed to be positive dyes.

본 명세서에서 용어 「염료」는, 가시광 영역, 예를 들면, 400 nm 내지 700 nm 파장 범위 내에서 적어도 일부 또는 전체 범위 내의 광을 집중적으로 흡수 및/또는 변형시킬 수 있는 물질을 의미할 수 있고, 용어 「이색성 염료」는 상기 가시광 영역의 적어도 일부 또는 전체 범위에서 광의 이색성 흡수가 가능한 물질을 의미할 수 있다.As used herein, the term " dye " may refer to a material that is capable of intensively absorbing and / or deforming light within a visible light region, for example, within a wavelength range of 400 nm to 700 nm, The term " dichroic dye " may mean a material capable of dichroic absorption of light in at least a part or the entire range of the visible light region.

이색성 염료로는, 예를 들면, 액정의 정렬 상태에 따라 정렬될 수 있는 특성을 가지는 것으로 알려진 공지의 염료를 선택하여 사용할 수 있다. 이색성 염료로는, 예를 들면, 흑색 염료(black dye)를 사용할 수 있다. 이러한 염료로는, 예를 들면, 아조 염료 또는 안트라퀴논 염료 등으로 공지되어 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. As the dichroic dye, for example, a known dye known to have properties that can be aligned according to the alignment state of the liquid crystal can be selected and used. As the dichroic dye, for example, a black dye can be used. Such dyes are known, for example, as azo dyes or anthraquinone dyes, but are not limited thereto.

이색성 염료의 이색비(dichroic ratio)는 본 출원의 목적을 고려하여 적절히 선택될 수 있다. 예를 들어, 상기 이색성 염료는 이색비가 5 이상 내지 20 이하일 수 있다. 본 명세서에서 용어「이색비」는, 예를 들어, p형 염료인 경우, 염료의 장축 방향에 평행한 편광의 흡수를 상기 장축 방향에 수직하는 방향에 평행한 편광의 흡수로 나눈 값을 의미할 수 있다. 이방성 염료는 가시광 영역의 파장 범위 내, 예를 들면, 약 380 nm 내지 700 nm 또는 약 400 nm 내지 700 nm의 파장 범위 내에서 적어도 일부의 파장 또는 어느 한 파장에서 상기 이색비를 가질 수 있다.The dichroic ratio of dichroic dyes can be appropriately selected in light of the purpose of the present application. For example, the dichroic dye may have a dichroic ratio of 5 or more to 20 or less. In the present specification, the term " dichroic ratio " means, for example, a value obtained by dividing the absorption of polarized light parallel to the long axis direction of the dye by the absorption of polarized light parallel to the direction perpendicular to the long axis direction . The anisotropic dye may have the dichroic ratio at least at some wavelength or at any wavelength within the wavelength range of the visible light region, for example, within the wavelength range of about 380 nm to 700 nm or about 400 nm to 700 nm.

본 출원은 또한 광학 디바이스, 예를 들면, 상기 제조 방법에 의해 제조된 광학 디바이스에 대한 것이다. 이러한 광학 디바이스는 제 1 기판; 상기 제 1 기판과 대향 배치되어 있는 제 2 기판; 및 상기 제 1 및 제 2 기판의 사이에 존재하는 광변조 물질을 포함할 수 있다. 상기에서 제 1 및 제 2 기판 중에 적어도 하나의 기판이 전술한 방식으로 형성된 것일 수 있다. 예를 들면, 상기 제 1 기판의 상기 제 2 기판에 대향하는 면과 상기 제 2 기판의 상기 제 1 기판에 대향하는 면에는 수평 배향막이 형성되어 있고, 상기 제 1 기판상에 형성된 배향막 및 상기 제 2 기판상에 형성된 배향막 중 적어도 하나는 표면 에너지가 41 mN/m 이하일 수 있다.The present application is also directed to an optical device, for example, an optical device manufactured by the method. Such an optical device includes a first substrate; A second substrate facing the first substrate; And a light modulating material present between the first and second substrates. In the above, at least one substrate among the first and second substrates may be formed in the above-described manner. For example, a horizontal alignment film is formed on a surface of the first substrate facing the second substrate and a surface of the second substrate facing the first substrate, and the alignment film formed on the first substrate and the alignment film 2 substrate, at least one of the alignment films formed on the substrate may have a surface energy of 41 mN / m or less.

즉, 상기 경우 제 1 기판이 전술한 방식으로 제조된 기판이다. 이러한 경우에 상기 기판에 포함되는 기재층의 구체적인 종류와 배향막의 종류 및 표면 에너지의 구체적인 범위는 상기 기술한 범위에 따를 수 있다.That is, in this case, the first substrate is a substrate manufactured in the above-described manner. In this case, the specific kind of the substrate layer included in the substrate, the kind of the orientation film, and the specific range of the surface energy may be in the range described above.

상기 광변조 물질은, 액정 화합물 및 이색성 염료를 포함할 수 있다. 상기 광변조 물질이 액정 화합물 및 이색성 염료를 모두 포함하는 경우에 상기 광변조 물질은 게스트-호스트형 광변조 물질로 작용할 수 있다. 즉, 상기 게스트-호스트형 광변조 물질은 액정 화합물의 배열에 따라 이색성 염료가 함께 배열되어 염료의 정렬 방향에 평행한 광은 흡수하고 수직한 광은 투과시킴으로써 비등방성 광흡수 효과를 나타낼 수 있다. 또한, 상기 광변조 물질의 이방성 염료의 함량은 본 출원의 목적을 고려하여 적절히 선택될 수 있다. 예를 들어, 상기 광변조 물질의 이방성 염료의 함량은 0.1 중량% 이상 내지 10 중량% 이하일 수 있다.The light modulating material may include a liquid crystal compound and a dichroic dye. When the light modulating material includes both a liquid crystal compound and a dichroic dye, the light modulating material may act as a guest-host type light modulating material. That is, the guest-host type optical modulating material may exhibit an anisotropic light absorption effect by arranging dichroic dyes together according to the arrangement of liquid crystal compounds, absorbing light parallel to the alignment direction of the dyes and transmitting perpendicular light . The content of the anisotropic dye in the light modulating material may be suitably selected in consideration of the object of the present application. For example, the content of the anisotropic dye in the light modulating material may be 0.1 wt% or more and 10 wt% or less.

또한, 광학 디바이스의 셀갭, 즉 상기 제 1 및 제 2 기판간의 간격은 특별한 제한은 없다. 다만, 일 예시에서 상기 간격은, 약 4㎛ 이상이 될 수 있다. 상기 간격은, 다른 예시에서 약 5㎛ 이상, 약 6㎛ 이상, 약 7㎛ 이상 또는 약 8㎛ 이상이 될 수 있고, 그 상한은 약 20㎛, 약 18㎛, 약 16㎛, 약 14㎛, 약 12㎛ 또는 약 10㎛ 정도일 수 있다.Further, the cell gap of the optical device, that is, the gap between the first and second substrates is not particularly limited. However, in one example, the gap may be about 4 탆 or more. In another example, the spacing may be at least about 5 microns, at least about 6 microns, at least about 7 microns, or at least about 8 microns, with the upper limit being about 20 microns, about 18 microns, about 16 microns, about 14 microns, About 12 microns or about 10 microns.

본 출원에서는, 닷팅 공정에 의해 광학 디바이스를 제작하는 경우에 발생할 수 있는 닷팅 얼룩을 최소화하거나, 혹은 없앨 수 있는 제조 방법이 제공된다. 이러한 본 출원의 방법은, 특히 큰 셀갭을 가지거나, 기판으로서 고분자 기판이 적용되어 고온 열처리가 불가능한 경우에도 상기 닷팅 얼룩을 개선하여 배향성이 향상된 배향막을 제공할 수 있다.The present application provides a manufacturing method capable of minimizing or eliminating the doting stain that may occur when an optical device is manufactured by a doting process. Such a method of the present application can provide an alignment film having an improved alignment property by improving the doting unevenness even when a high molecular weight substrate is applied as a substrate and a high temperature heat treatment is impossible.

도 1은, 하나의 예시적인 닷팅 공정의 진행 과정을 보여주는 도면이다.
도 2 내지 11은 실시예 또는 비교예에 대해서 닷팅 얼룩의 발생 여부를 평가한 결과이다.
Figure 1 is a diagram illustrating the progress of one exemplary dotting process.
Figs. 2 to 11 are the results of evaluating whether or not the Dotting stain occurred in the examples or the comparative examples.

이하, 본 출원에 따른 실시예 및 본 출원에 따르지 않는 비교예를 통하여 본 출원을 구체적으로 설명하지만, 본 출원의 범위가 하기 제시된 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다. Hereinafter, the present application will be described in detail by way of examples according to the present application and comparative examples not complying with the present application, but the scope of the present application is not limited by the following examples.

1. 표면 에너지의 측정1. Measurement of surface energy

배향막의 표면 에너지는, 물방울형 분석기(Drop Shape Analyzer, KRUSS社, DSA100 제품)를 사용하여 측정하였다. 배향막에 표면 장력(surface tension)이 알려져 있는 탈이온수를 적하한 후에 그 접촉각을 구하는 과정을 5회 반복하고, 얻어진 5개의 접촉각 수치의 평균치를 구하였다. 또한, 동일하게, 표면 장력이 공지되어 있는 MI(Diiodomethane)을 배향막에 적하하여 접촉각을 구하는 과정을 5회 반복한 후에 얻어진 5개의 접촉각의 평균치를 구하였다. 이어서 구해진 탈이온화수와 디요오드메탄에 대한 접촉각의 평균치를 이용하여 Owens-Wendt-Rabel-Kaelble 방법에 의해 용매의 표면 장력에 관한 수치(Strom 값)를 대입하여 상기 표면 에너지를 구하였다.The surface energy of the alignment film was measured using a Drop Shape Analyzer (product of KRUSS, DSA100). After the deionized water having surface tension known to the orientation film was dripped, the contact angle was determined five times, and the average value of the five contact angle values obtained was obtained. Similarly, an average value of the five contact angles obtained after repeating the process of dropping MI (Diiodomethane) having surface tension known in the art onto the alignment film and repeating this process five times. Then, the surface energy was obtained by substituting the value (Strom value) of the surface tension of the solvent by the Owens-Wendt-Rabel-Kaelble method using the average value of the contact angle with the deionized water and diiodo methane obtained.

2. 닷팅 얼룩의 확인2. Identification of Dotting Stains

닷팅 얼룩은 다음의 방식으로 확인하였다. 실시예 또는 비교예에서 제조된 광학 디바이스에 전압을 인가하여 광변조 물질의 액정을 수평 배향시킨 후에 선형 편광자를 상기 수평 배향된 액정의 광축과 수직하도록 위치시킨 후에 닷팅 얼룩의 유무를 확인하였다.Dotting stains were identified in the following manner. After the liquid crystal of the optical modulator was horizontally aligned by applying a voltage to the optical device manufactured in the example or the comparative example, the linear polarizer was positioned so as to be perpendicular to the optical axis of the horizontally aligned liquid crystal, and then the presence or absence of the dotted stain was confirmed.

실시예 1.Example 1.

일면에 ITO(Indium Tin Oxide) 전극층이 형성되어 있는 PC 필름(polycarbonate polymer) 필름상에 배향막을 형성하여 제 1 기판을 제작하였다. 상기 PC 필름상에는 ITO 전극과 약 12μm 정도의 셀갭(cell gap)이 유지될 수 있도록 볼 스페이서가 존재하였다. 배향막은 폴리이미드 계열의 배향막 형성 물질(Nissan社, SE-5661) 및 사이클로펜타논(cyclopentanone)(비점: 약 131℃)을 혼합하여 제조하였고, 상기에서 배향막 형성 물질의 비율은 약 0.7 중량% 정도로 하였다.An orientation film was formed on a polycarbonate polymer film on which an ITO (Indium Tin Oxide) electrode layer was formed on one side to prepare a first substrate. On the PC film, there was a ball spacer so that a cell gap of about 12 mu m could be maintained with the ITO electrode. The orientation film was prepared by mixing a polyimide alignment film forming material (Nissan, SE-5661) and cyclopentanone (boiling point: about 131 ° C), and the ratio of the alignment film forming material was about 0.7 wt% Respectively.

상기 배향막 형성재를 바코팅 방식으로 최종 배향막 두께가 약 50 nm 정도가 되도록 코팅하였다. 이어서, 약 100℃의 오븐에서 약 10분 동안 유지하여 베이킹 및 이미드화(imidizing) 공정을 진행함으로써 두께가 약 50 nm 정도인 배향막을 형성하고, 러빙하여 배향막을 형성하였다. 상기와 같은 방식으로 형성된 배향막의 표면 에너지는 러빙한 후에 약 40.6 mN/m 정도였다.The alignment film forming material was coated by a bar coating method so that the thickness of the final alignment film was about 50 nm. Subsequently, baking and imidizing processes were carried out in an oven at about 100 캜 for about 10 minutes to form an alignment film having a thickness of about 50 nm, and rubbed to form an alignment film. The surface energy of the alignment layer formed in the above manner was about 40.6 mN / m after rubbing.

상기와 동일한 방식으로 제 2 기판을 제작하되, 제 2 기판의 제작 시에는 스페이서가 존재하지 않는 PC 필름을 적용하였다.A second substrate was fabricated in the same manner as described above, and a PC film free of spacers was used for fabricating the second substrate.

상기와 같이 제조된 제 1 기판의 단부에는 통상 액정셀의 제조에 적용되는 접착제를 코팅하고, 적절한 위치에 광변조 물질(HCCH社의 HNG730200(ne: 1.551, no: 1.476, ε∥: 9.6, ε⊥: 9.6, TNI: 100℃, △n: 0.075, △ ε: -5.7) 액정과 이방성 염료(BASF社, X12)의 혼합물 )을 닷팅(dotting) 한 후에 상기 제 2 기판을 합착함으로써, 닷팅(dotting)된 광변조 물질이 2개의 기판의 사이에 고르게 퍼지게 하여 광학 디바이스를 제조하였다.An adhesive applied to the manufacture of a liquid crystal cell was coated on an end of the first substrate thus manufactured and a light modulating material (HNG730200 (ne: 1.551, no: 1.476, ε∥: 9.6, ε (A mixture of a liquid crystal and an anisotropic dye (BASF, X12)) was dotted on the first substrate and then the second substrate was adhered to the first substrate, dotted < / RTI > light modulating material spread evenly between the two substrates to produce an optical device.

도 2는 상기와 같은 방식으로 형성된 광학 디바이스에 대해서 닷팅 얼룩의 존재를 관찰한 결과이고, 도 2와 같이 닷팅 얼룩이 관찰되지 않았다.FIG. 2 shows the result of observing the presence of Dotting stain on the optical device formed in the above-described manner, and no Dotting stain was observed as shown in FIG.

실시예 2Example 2

실시예 1과 동일한 방식으로 제 1 및 제 2 기판을 각각 제작하되, 배향막의 두께가 약 100 nm가 되도록 하고, 동일하게 상기 제작된 기판을 사용하여 광학 디바이스를 제조하였다. 상기 제조된 기판의 배향막의 표면 에너지는 실시예 1과 동일하게 평가하였을 때에 약 39.5 mN/m 정도였다.The first and second substrates were respectively fabricated in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the alignment film was about 100 nm, and an optical device was manufactured using the above-prepared substrates in the same manner. The surface energy of the alignment layer of the substrate thus prepared was about 39.5 mN / m when evaluated in the same manner as in Example 1.

도 3은 상기와 같은 방식으로 형성된 광학 디바이스에 대해서 닷팅 얼룩의 존재를 관찰한 결과이고, 도 3과 같이 닷팅 얼룩이 관찰되지 않았다.FIG. 3 shows the result of observing the presence of Dotting stain on the optical device formed in the above-described manner, and no Dotting stain was observed as in FIG.

실시예 3Example 3

실시예 1과 동일한 방식으로 제 1 및 제 2 기판을 각각 제작하되, 용매로서, 비점이 약 155.6℃ 정도인 사이클로헥사논을 사용하고, 배향막의 두께가 약 100 nm가 되도록 하여 기판을 제작하고, 상기 제작된 기판을 사용하여 광학 디바이스를 제조하였다. 상기 제조된 기판의 배향막의 표면 에너지는 실시예 1과 동일하게 평가하였을 때에 약 40.4 mN/m 정도였다.Substrates were prepared in the same manner as in Example 1 except that cyclohexanone having a boiling point of about 155.6 ° C was used as a solvent and the thickness of the alignment film was about 100 nm, An optical device was manufactured using the substrate thus fabricated. The surface energy of the alignment film of the substrate prepared was about 40.4 mN / m when evaluated in the same manner as in Example 1. [

도 4는 상기와 같은 방식으로 형성된 광학 디바이스에 대해서 닷팅 얼룩의 존재를 관찰한 결과이고, 도 4와 같이 닷팅 얼룩이 관찰되지 않았다.FIG. 4 shows the result of observing the presence of Dotting stain on the optical device formed in the above manner, and no Dotting stain was observed as shown in FIG.

실시예 4Example 4

실시예 1과 동일한 방식으로 제 1 및 제 2 기판을 각각 제작하되, 배향막의 두께가 약 100 nm가 되도록 하고, 열처리 온도를 약 110℃ 정도로 변경하여 기판을 제작하고, 상기 제작된 기판을 사용하여 광학 디바이스를 제조하였다. 상기 제조된 기판의 배향막의 표면 에너지는 실시예 1과 동일하게 평가하였을 때에 약 40.6 mN/m 정도였다.A substrate was fabricated by preparing the first and second substrates respectively in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the alignment film was about 100 nm and the heat treatment temperature was about 110 ° C. Optical devices were manufactured. The surface energy of the orientation film of the substrate thus prepared was about 40.6 mN / m when evaluated in the same manner as in Example 1.

도 5는 상기와 같은 방식으로 형성된 광학 디바이스에 대해서 닷팅 얼룩의 존재를 관찰한 결과이고, 도 5와 같이 닷팅 얼룩이 관찰되지 않았다.FIG. 5 shows the result of observing the presence of Dotting stain on the optical device formed in the above-described manner, and no Dotting stain was observed as shown in FIG.

비교예 1Comparative Example 1

실시예 1과 동일한 방식으로 제 1 및 제 2 기판을 각각 제작하되, 배향막의 두께가 약 30 nm가 되도록 하여 기판을 제작하고, 상기 제작된 기판을 사용하여 광학 디바이스를 제조하였다. 상기 제조된 기판의 배향막의 표면 에너지는 실시예 1과 동일하게 평가하였을 때에 약 42.8 mN/m 정도였다.A first substrate and a second substrate were fabricated in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the alignment film was about 30 nm, and an optical device was manufactured using the substrate. The surface energy of the alignment film of the substrate prepared was about 42.8 mN / m when evaluated in the same manner as in Example 1. [

도 6은 상기와 같은 방식으로 형성된 광학 디바이스에 대해서 닷팅 얼룩의 존재를 관찰한 결과이고, 도 6과 같이 닷팅 얼룩이 심하게 관찰되었다.FIG. 6 shows the result of observing the presence of Dotting stain on the optical device formed in the above-described manner, and the Doting stain was severely observed as shown in FIG.

비교예 2Comparative Example 2

실시예 1과 동일한 방식으로 제 1 및 제 2 기판을 각각 제작하되, 배향막의 두께가 약 40 nm가 되도록 하여 기판을 제작하고, 상기 제작된 기판을 사용하여 광학 디바이스를 제조하였다. 상기 제조된 기판의 배향막의 표면 에너지는 실시예 1과 동일하게 평가하였을 때에 약 41.9 mN/m 정도였다.Substrates were fabricated in the same manner as in Example 1 so that the first and second substrates were each made to have a thickness of about 40 nm, and an optical device was manufactured using the substrate. The surface energy of the alignment film of the substrate thus prepared was about 41.9 mN / m when evaluated in the same manner as in Example 1. [

도 7은 상기와 같은 방식으로 형성된 광학 디바이스에 대해서 닷팅 얼룩의 존재를 관찰한 결과이고, 도 7과 같이 닷팅 얼룩이 심하게 관찰되었다.FIG. 7 shows the result of observing the presence of Dotting stain on the optical device formed in the above-described manner, and the Doting stain was severely observed as shown in FIG.

비교예 3Comparative Example 3

실시예 1과 동일한 방식으로 제 1 및 제 2 기판을 각각 제작하되, 배향막 형성재의 제조 시에 용매로서 비점이 약 204℃ 정도인 감마부티로락톤을 사용하고, 배향막의 두께가 약 100 nm가 되도록 하여 기판을 제작하고, 상기 제작된 기판을 사용하여 광학 디바이스를 제조하였다. 상기 제조된 기판의 배향막의 표면 에너지는 실시예 1과 동일하게 평가하였을 때에 약 41.9 mN/m 정도였다.The first and second substrates were produced in the same manner as in Example 1 except that gamma-butyrolactone having a boiling point of about 204 ° C was used as a solvent in the production of the alignment film forming material and the thickness of the alignment film was about 100 nm To prepare a substrate, and an optical device was manufactured using the substrate thus produced. The surface energy of the alignment film of the substrate thus prepared was about 41.9 mN / m when evaluated in the same manner as in Example 1. [

도 8은 상기와 같은 방식으로 형성된 광학 디바이스에 대해서 닷팅 얼룩의 존재를 관찰한 결과이고, 도 8과 같이 닷팅 얼룩이 심하게 관찰되었다.FIG. 8 shows the result of observing the presence of Dotting stain on the optical device formed in the above-described manner, and the Doting stain was severely observed as shown in FIG.

비교예 4Comparative Example 4

실시예 1과 동일한 방식으로 제 1 및 제 2 기판을 각각 제작하되, 비점이 약 165℃ 정도인 용매(DMAc(Dimethylacetamide))를 사용하고, 배향막의 두께가 약 100 nm가 되도록 하여 기판을 제작하고, 상기 제작된 기판을 사용하여 광학 디바이스를 제조하였다. 상기 제조된 기판의 배향막의 표면 에너지는 실시예 1과 동일하게 평가하였을 때에 약 41.2 mN/m 정도였다.Substrates were prepared by using a solvent (DMAc (Dimethylacetamide)) having a boiling point of about 165 캜 and a thickness of the alignment film of about 100 nm, respectively, in the same manner as in Example 1 , And an optical device was manufactured using the substrate thus prepared. The surface energy of the alignment layer of the substrate thus prepared was about 41.2 mN / m when evaluated in the same manner as in Example 1.

도 9는 상기와 같은 방식으로 형성된 광학 디바이스에 대해서 닷팅 얼룩의 존재를 관찰한 결과이고, 도 9와 같이 닷팅 얼룩이 심하게 관찰되었다.FIG. 9 shows the result of observing the presence of Dotting stain on the optical device formed in the above-described manner, and the Doting stain was severely observed as shown in FIG.

비교예 5Comparative Example 5

실시예 1과 동일한 방식으로 제 1 및 제 2 기판을 각각 제작하되, 열처리 온도를 약 130℃ 정도로 하고, 배향막의 두께가 약 100 nm가 되도록 하여 기판을 제작하고, 상기 제작된 기판을 사용하여 광학 디바이스를 제조하였다. 상기 제조된 기판의 배향막의 표면 에너지는 실시예 1과 동일하게 평가하였을 때에 약 41.9 mN/m 정도였다.A substrate was fabricated by fabricating first and second substrates respectively in the same manner as in Example 1 except that the heat treatment temperature was about 130 ° C and the thickness of the alignment film was about 100 nm. Device. The surface energy of the alignment film of the substrate thus prepared was about 41.9 mN / m when evaluated in the same manner as in Example 1. [

도 10은 상기와 같은 방식으로 형성된 광학 디바이스에 대해서 닷팅 얼룩의 존재를 관찰한 결과이고, 도 10과 같이 닷팅 얼룩이 심하게 관찰되었다.FIG. 10 shows the result of observing the presence of Dotting stain on the optical device formed in the above manner, and the Doting stain was severely observed as shown in FIG.

비교예 6Comparative Example 6

실시예 1과 동일한 방식으로 제 1 및 제 2 기판을 각각 제작하되, 열처리 온도를 약 120℃ 정도로 하고, 배향막의 두께가 약 100 nm가 되도록 하여 기판을 제작하고, 상기 제작된 기판을 사용하여 광학 디바이스를 제조하였다. 상기 제조된 기판의 배향막의 표면 에너지는 실시예 1과 동일하게 평가하였을 때에 약 41.4 mN/m 정도였다.Substrates were fabricated by fabricating first and second substrates respectively in the same manner as in Example 1 except that the heat treatment temperature was about 120 ° C and the thickness of the alignment film was about 100 nm. Device. The surface energy of the alignment layer of the substrate thus prepared was about 41.4 mN / m when evaluated in the same manner as in Example 1.

도 11은 상기와 같은 방식으로 형성된 광학 디바이스에 대해서 닷팅 얼룩의 존재를 관찰한 결과이고, 도 11과 같이 닷팅 얼룩이 심하게 관찰되었다.FIG. 11 shows the result of observing the presence of Dotting stain on the optical device formed in the above manner, and the Doting stain was severely observed as shown in FIG.

Claims (14)

기재층상에 배향막을 형성하는 공정을 포함하는 광학 디바이스의 제조 방법으로서,
상기 배향막 형성 공정은, 배향막 형성 물질 및 비점이 160℃ 이하인 용매를 포함하는 배향막 형성재를 상기 기재층상에 두께가 50 nm 이상인 배향막이 형성되도록 코팅하고, 115℃ 이하의 온도에서 상기 코팅된 배향막 형성재를 처리하는 공정을 포함하는 제조 방법.
A method of manufacturing an optical device including a step of forming an alignment film on a base layer,
The alignment film forming step may include coating an alignment film forming material including an alignment film forming material and a solvent having a boiling point of 160 캜 or less on the substrate layer so as to form an alignment film having a thickness of 50 nm or more, And processing the ash.
제 1 항에 있어서, 기재층은 플라스틱 필름인 제조 방법.The method according to claim 1, wherein the substrate layer is a plastic film. 제 1 항에 있어서, 기재층상에는 전극층이 존재하고, 배향막이 상기 전극층상에 형성되는 제조 방법.The manufacturing method according to claim 1, wherein an electrode layer is present on the base layer, and an orientation film is formed on the electrode layer. 제 1 항에 있어서, 기재층상에는 스페이서가 존재하고, 배향막이 상기 스페이서상에 형성되는 제조 방법.The method according to claim 1, wherein a spacer is present on the substrate layer, and an alignment film is formed on the spacer. 제 1 항에 있어서, 배향막 형성재 내의 배향막 형성 물질의 비율은 0.1 내지 10 중량%인 제조 방법.The method according to claim 1, wherein the proportion of the alignment film forming material in the alignment film forming material is 0.1 to 10% by weight. 제 1 항에 있어서, 배향막은 수직 배향막인 제조 방법.The manufacturing method according to claim 1, wherein the alignment film is a vertical alignment film. 제 1 항에 있어서, 배향막 형성 물질이 러빙 배향막 형성 물질을 포함하는 제조 방법.The method according to claim 1, wherein the alignment film forming material comprises a rubbing alignment film forming material. 제 1 항에 있어서, 배향막 형성 물질은 폴리이미드(polyimide) 화합물, 폴리비닐알코올(poly(vinyl alcohol)) 화합물, 폴리아믹산(poly(amic acid)) 화합물, 폴리스티렌(polystylene) 화합물, 폴리아미드(polyamide) 화합물, 폴리옥시에틸렌(polyoxyethylene) 화합물, 폴리노르보넨(polynorbornene) 화합물, 페닐말레이미드 공중합체(phenylmaleimide copolymer) 화합물, 폴리비닐신나메이트(polyvinylcinamate) 화합물, 폴리아조벤젠(polyazobenzene) 화합물, 폴리에틸렌이민(polyethyleneimide) 화합물, 폴리에틸렌(polyethylene) 화합물, 폴리페닐렌프탈아미드(polyphenylenephthalamide) 화합물, 폴리에스테르(polyester) 화합물, CMPI(chloromethylated polyimide) 화합물, PVCI(polyvinylcinnamate) 화합물 및 폴리메틸 메타크릴레이트(polymethyl methacrylate) 화합물로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 제조 방법.The method according to claim 1, wherein the alignment film forming material is selected from the group consisting of a polyimide compound, a poly (vinyl alcohol) compound, a poly (amic acid) compound, a polystyrene compound, a polyamide ) Compound, a polyoxyethylene compound, a polynorbornene compound, a phenylmaleimide copolymer compound, a polyvinylcinnamate compound, a polyazobenzene compound, a polyethyleneimide compound, ) Compound, a polyethylene compound, a polyphenylenephthalamide compound, a polyester compound, a chloromethylated polyimide (CMPI) compound, a polyvinylcinnamate (PVCI) compound, and a polymethyl methacrylate compound At least one selected from the group consisting of. 제 1 항에 있어서, 용매는, 사이클로알칸, THF(tetrahydrofuran), DMF(dimethylformamide), 클로로포름(CHCl3), 케톤, 알코올 및 글리콜로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 제조 방법.The process according to claim 1, wherein the solvent is at least one selected from the group consisting of cycloalkane, tetrahydrofuran, dimethylformamide, chloroform (CHCl 3 ), ketone, alcohol and glycol. 제 1 항에 있어서, 코팅된 배향막 형성재를 러빙하는 공정을 추가로 포함하는 제조 방법.The manufacturing method according to claim 1, further comprising a step of rubbing the coated alignment film forming material. 제 1 항에 있어서, 표면 에너지가 41 mN/m 이하인 배향막을 형성하는 제조 방법.The manufacturing method according to claim 1, wherein an alignment film having a surface energy of 41 mN / m or less is formed. 제 1 항에 있어서, 형성된 배향막상에 액정 화합물을 포함하는 광변조 물질을 닷팅하는 단계; 및 대향 기판을 상기 광변조 물질이 닷팅된 배향막을 가지는 기재층과 대향 배치한 상태로 압착하여 상기 닷팅된 광변조 물질이 상기 기재층과 대향 기판의 사이의 간격을 충전하도록 하는 단계를 추가로 포함하는 제조 방법.The method of claim 1, further comprising: doting a light modulating material containing a liquid crystal compound on the formed alignment film; And pressing the opposing substrate in a state in which the light modulating material is opposed to the substrate layer having the doted alignment film so that the dotted light modulating material fills the gap between the substrate layer and the opposing substrate . 제 12 항에 있어서, 광변조 물질은, 이색성 염료를 추가로 포함하는 제조 방법.13. The method according to claim 12, wherein the light modulating material further comprises a dichroic dye. 제 12 항에 있어서, 기재층과 대향 기판의 사이의 간격이 4㎛ 이상이 되도록 하는 제조 방법.The manufacturing method according to claim 12, wherein a distance between the substrate layer and the counter substrate is 4 占 퐉 or more.
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