KR102097811B1 - Preparation Method for Optical Device - Google Patents

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Abstract

본 출원은 광학 디바이스의 제조 방법 및 광학 디바이스에 대한 것이다. 본 출원에서는, 닷팅 공정에 의해 광학 디바이스를 제작하는 경우에 발생할 수 있는 닷팅 얼룩을 최소화하거나, 혹은 없앨 수 있는 제조 방법이 제공된다. 이러한 본 출원의 방법은, 특히 큰 셀갭을 가지거나, 기판으로서 고분자 기판이 적용되어 고온 열처리가 불가능한 경우에도 상기 닷팅 얼룩을 개선하여 배향성이 향상된 배향막을 제공할 수 있다.The present application relates to a method for manufacturing an optical device and an optical device. In the present application, a manufacturing method is provided for minimizing or eliminating dotting unevenness that may occur when an optical device is manufactured by a dotting process. Such a method of the present application may provide an alignment film with improved orientation by improving the dot staining even when a high temperature heat treatment is impossible due to a particularly large cell gap or a polymer substrate applied as a substrate.

Description

광학 디바이스의 제조 방법{Preparation Method for Optical Device}Manufacturing method for optical device {Preparation Method for Optical Device}

본 출원은 광학 디바이스의 제조 방법 및 광학 디바이스에 관한 것이다.The present application relates to a method for manufacturing an optical device and an optical device.

기판의 사이에 광변조층을 배치시켜서 광의 투과율 또는 색상 등을 조절할 수 있는 광학 디바이스는 공지이다. 예를 들면, 특허 문헌 1에는 액정 호스트(liqid crystal host)와 이색성 염료 게스트(dichroic dye guest)의 혼합물을 적용한 소위 GH셀(Guest host cell)이 알려져 있다.Optical devices capable of controlling light transmittance or color by disposing a light modulation layer between substrates are known. For example, Patent Document 1 discloses a so-called GH cell (Guest host cell) to which a mixture of a liquid crystal host and a dichroic dye guest is applied.

상기와 같은 광학 디바이스를 제조하는 방법은 다양하게 알려져 있다. 그 중 하나의 방법으로, 표면에 배향막이 형성된 기판상에 광변조 물질을 닷팅(dotting)하고, 대향 기판을 상기 닷팅된 광변조 물질상에 압착하여 상기 광변조 물질이 기판의 사이의 간격에서 퍼지면서 상기 간격을 충전하도록 하는 방법(이하, 닷팅 공정이라고 호칭할 수 있다.)이 있다.Various methods for manufacturing such an optical device are known. In one of them, the optical modulating material is doped on a substrate having an alignment layer formed on the surface, and the opposing substrate is compressed on the doped optical modulating material so that the optical modulating material is purged at intervals between the substrates. However, there is a method of filling the gap (hereinafter, referred to as a dotting process).

도 1은 상기와 같은 닷팅 공정이 진행되는 과정을 예시적으로 보여주는 도면이다. 도 1에서와 같이 상기 닷팅 공정은 기판(201A)상의 적정 부위에 광변조 물질(301)을 닷팅한 후에 다른 기판(201B)을 롤러(302) 등으로 압력을 가해 합착하여 닷팅된 광변조 물질을 고르게 기판의 사이에 퍼지도록 수행될 수 있다. 다만, 도 1에 나타난 공정은 닷팅 공정의 예시이며, 실제 닷팅 공정은 도 1에 나타난 방식에 기초하여 다양하게 변경될 수 있다.1 is a view exemplarily showing a process in which the above-described dotting process is performed. As shown in FIG. 1, the dotting process is performed by dotting the light modulating material 301 to an appropriate portion on the substrate 201A, and then applying pressure to the other substrate 201B with a roller 302 or the like to bond the dot to the light modulating material. It can be performed to spread evenly between the substrates. However, the process shown in FIG. 1 is an example of a dotting process, and the actual dotting process may be variously changed based on the method shown in FIG. 1.

이러한 방법은, 대향하는 기판을 먼저 합착한 후에 액정을 주입하는 방식에 비해서 TAT(Turn Around Time)을 줄여서 생산성을 크게 향상시킬 수 있다. 그러나, 상기 방법은, 상기 압착시에 광변조 물질이 닷팅된 영역과 퍼져나가는 영역에서 배향 불량에 의한 닷팅 얼룩이 종종 발생한다는 것이다.This method can significantly improve productivity by reducing Turn Around Time (TAT) compared to a method of injecting a liquid crystal after first bonding an opposing substrate. However, the method is that when the crimping, spotting unevenness due to misalignment often occurs in a region where the light-modulating material is spread out from the dotted region.

본 출원은 광학 디바이스의 제조 방법 및 광학 디바이스에 대한 것이다. 본 출원에서는 닷팅 공정을 적용하여 광학 디바이스를 제작하는 경우에도 닷팅 얼룩 없이 우수한 성능의 디바이스를 제조하는 방법과 그러한 방식으로 제조된 광학 디바이스를 제공하는 것을 하나의 목적으로 한다.The present application relates to a method for manufacturing an optical device and an optical device. One object of the present application is to provide a method for manufacturing a device having excellent performance without dot staining and an optical device manufactured in such a way even when an optical device is manufactured by applying a dotting process.

본 출원은 광학 디바이스의 제조 방법에 관한 것이다. 본 출원의 예시적인 광학 디바이스의 제조 방법은 기재층상에 배향막을 형성하는 공정을 포함하는 광학 디바이스의 제조 방법에 관한 것으로서, 상기 배향막은 배향막 형성 물질을 포함하는 배향막 형성재를 사용하여 형성하되, 상기 배향막 형성재 내의 배향막 형성 물질의 농도가 2.5 중량% 이상이고, 상기 형성된 배향막의 극성이 0.1 이하가 되도록 할 수 있다.The present application relates to a method for manufacturing an optical device. The manufacturing method of the exemplary optical device of the present application relates to a manufacturing method of an optical device including a process of forming an alignment film on a substrate layer, wherein the alignment film is formed using an alignment film forming material including an alignment film forming material, The concentration of the alignment layer forming material in the alignment layer forming material is 2.5% by weight or more, and the formed alignment layer may have a polarity of 0.1 or less.

본 출원은 광학 디바이스에 관한 것이다. 본 출원의 예시적인 광학 디바이스는 제 1 기판; 상기 제 1 기판과 대향 배치되어 있는 제 2 기판; 및 상기 제 1 및 제 2 기판의 사이에 존재하는 광변조 물질을 포함하는 광학 디바이스로서, 상기 제 1 기판의 상기 제 2 기판에 대향하는 면과 상기 제 2 기판의 상기 제 1 기판에 대향하는 면에는 수평 배향막이 형성되어 있고, 상기 제 1 기판상에 형성된 배향막 및 상기 제 2 기판상에 형성된 배향막 중 적어도 하나는 극성이 0.1 이하일 수 있다.This application relates to optical devices. Exemplary optical devices of the present application include a first substrate; A second substrate facing the first substrate; And a light-modulating material present between the first and second substrates, the surface facing the second substrate of the first substrate and the surface facing the first substrate of the second substrate. A horizontal alignment layer is formed on, and at least one of the alignment layer formed on the first substrate and the alignment layer formed on the second substrate may have a polarity of 0.1 or less.

본 출원에서는, 닷팅 공정에 의해 광학 디바이스를 제작하는 경우에 발생할 수 있는 닷팅 얼룩을 최소화하거나, 혹은 없앨 수 있는 제조 방법이 제공된다. 이러한 본 출원의 방법은, 특히 큰 셀갭을 가지거나, 기판으로서 고분자 기판이 적용되어 고온 열처리가 불가능한 경우에도 상기 닷팅 얼룩을 개선하여 배향성이 향상된 배향막을 제공할 수 있다.In the present application, a manufacturing method is provided for minimizing or eliminating dotting unevenness that may occur when an optical device is manufactured by a dotting process. Such a method of the present application may provide an alignment film with improved orientation by improving the dot staining even when a high temperature heat treatment is impossible due to a particularly large cell gap or a polymer substrate applied as a substrate.

도 1은, 하나의 예시적인 닷팅 공정의 진행 과정을 보여주는 도면이다.
도 2는 본 출원의 실시예 1 내지 3의 닷팅얼룩을 관찰한 이미지이다.
도 3은 본 출원의 비교예 1 내지 6의 닷팅얼룩을 관찰한 이미지이다.
1 is a diagram showing a process of an exemplary dotting process.
2 is an image observing the spotting stain of Examples 1 to 3 of the present application.
3 is an image observing the dot staining of Comparative Examples 1 to 6 of the present application.

본 출원은 광학 디바이스의 제조 방법에 관한 것이고, 일 예시에서 닷팅 공정을 적용하여 광학 디바이스를 제조하는 방법에 대한 것이다.The present application relates to a method of manufacturing an optical device, and in one example, to a method of manufacturing an optical device by applying a dotting process.

용어 광학 디바이스의 범주에는, 서로 다른 2가지 이상의 광학 상태, 예를 들면, 고투과율 및 저투과율 상태, 고투과율, 중간 투과율 및 저투과율 상태, 서로 다른 색상이 구현되는 상태 등의 사이를 스위칭할 수 있도록 형성된 모든 종류의 디바이스가 포함될 수 있다.The term optical device category can switch between two or more different optical states, for example, high transmittance and low transmittance states, high transmittance, medium transmittance and low transmittance states, and states in which different colors are implemented. All kinds of devices formed to be included may be included.

상기 제조방법은 기재층상에 배향막을 형성하는 공정을 포함할 수 있다. 이러한 공정은, 예를 들면, 배향막 형성 물질을 포함하는 배향막 형성재를 사용하여 형성할 수 있다.The manufacturing method may include a step of forming an alignment layer on the base layer. Such a process can be formed using, for example, an alignment film forming material containing an alignment film forming material.

상기에서 기재층으로는, 특별한 제한 없이, 예를 들면, LCD(Liquid Crystal Display)와 같은 공지의 광학 디바이스의 구성에서 기판으로 사용되는 임의의 기재층이 적용될 수 있다. 예를 들면, 기재층은 무기 기재층이거나 유기 기재층일 수 있다. 무기 기재층으로는 글라스(glass) 기재층 등이 예시될 수 있고, 유기 기재층으로는, 다양한 플라스틱 필름 등이 예시될 수 있다. 플라스틱 필름으로는 TAC(triacetyl cellulose) 필름; 노르보르넨 유도체 등의 COP(cyclo olefin copolymer) 필름; PMMA(poly(methyl methacrylate) 등의 아크릴 필름; PC(polycarbonate) 필름; PE(polyethylene) 또는 PP(polypropylene) 등의 폴리올레핀 필름; PVA(polyvinyl alcohol) 필름; DAC(diacetyl cellulose) 필름; Pac(Polyacrylate) 필름; PES(poly ether sulfone) 필름; PEEK(polyetheretherketon) 필름; PPS(polyphenylsulfone) 필름, PEI(polyetherimide) 필름; PEN(polyethylenemaphthatlate) 필름; PET(polyethyleneterephtalate) 필름; PI(polyimide) 필름; PSF(polysulfone) 필름 또는 PAR(polyarylate) 필름 등이 예시될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.In the above, as the substrate layer, any substrate layer used as a substrate in the configuration of a known optical device, such as a liquid crystal display (LCD), for example, may be applied without particular limitation. For example, the base layer may be an inorganic base layer or an organic base layer. As the inorganic base layer, a glass base layer or the like can be exemplified, and as the organic base layer, various plastic films or the like can be exemplified. As a plastic film, a triacetyl cellulose (TAC) film; COP (cyclo olefin copolymer) films such as norbornene derivatives; Acrylic films such as PMMA (poly (methyl methacrylate); PC (polycarbonate) films; Polyolefin films such as PE (polyethylene) or PP (polypropylene); PVA (polyvinyl alcohol) films; DAC (diacetyl cellulose) films; Pac (Polyacrylate) Film; PES (poly ether sulfone) film; PEEK (polyetheretherketon) film; PPS (polyphenylsulfone) film, PEI (polyetherimide) film; PEN (polyethylenemaphthatlate) film; PET (polyethyleneterephtalate) film; PI (polyimide) film; PSF (polysulfone) Films or polyarylate (PAR) films may be exemplified, but are not limited thereto.

본 출원의 제조 방법은, 특히 상기 기재층으로서 유기 기재층, 예를 들면, 플라스틱 필름이 사용되는 경우에 유용할 수 있다. 닷팅 얼룩 등이 발생하는 경우에 상기 얼룩이 발생한 디바이스 등을 고온에서 처리하는 것에 의해 상기 얼룩을 제거하는 방법, 예를 들면, 광변조 물질의 예인 액정 화합물의 Tni 이상의 온도에서 처리하는 것에 의해 상기 얼룩을 제거하는 방법이 알려져 있다. 그렇지만, 기판으로서 유기 기재층이 적용되는 경우에는, 유기 기재층의 내열성이 떨어져서, 고온의 열처리 공정을 수행하는 것이 곤란하다. 그러나, 본 명세서에서 기술하는 방법에 의해서는 상기와 같은 고온 처리 없이도 닷팅 얼룩이 발생하지 않도록 할 수 있기 때문에 유기 기재층이 적용되는 경우에도 우수한 물성의 배향막을 형성할 수 있다.The manufacturing method of the present application can be particularly useful when an organic substrate layer, such as a plastic film, is used as the substrate layer. When a spotting stain or the like occurs, the stain is removed by treating the stained device or the like at a high temperature, for example, by treating the stain at a temperature higher than Tni of the liquid crystal compound, which is an example of a light-modulating material. Methods of removal are known. However, when the organic base layer is applied as a substrate, the heat resistance of the organic base layer is poor, and it is difficult to perform a high-temperature heat treatment process. However, by the method described in the present specification, since it is possible to prevent the spotting stain from occurring without the high temperature treatment as described above, it is possible to form an alignment film having excellent physical properties even when an organic base layer is applied.

본 출원에서 상기 기재층의 두께도 특별히 제한되지 않고, 용도에 따라서 적정 범위가 선택될 수 있다.In the present application, the thickness of the base layer is also not particularly limited, and an appropriate range may be selected according to the application.

본 출원의 제조 방법에서는 배향막이 상기 기재층상에 직접 형성될 수도 있고, 상기 기재층상에 다른 층 내지는 구성이 존재하는 상태에서 그 다른 층 내지는 구성상에 형성될 수도 있다.In the manufacturing method of the present application, an alignment film may be directly formed on the base layer, or may be formed on the other layer or component in a state where other layers or components are present on the base layer.

상기에서 다른 층 내지 구성의 예는, 특별히 제한되지 않고, 광학 디바이스의 구동 및 구성에 필요한 공지의 층 내지 구성이 모두 포함된다. 이러한 층 내지 구성의 예로는, 전극층이나 스페이서 등이 있다.Examples of the other layers to configurations in the above are not particularly limited, and all known layers and configurations required for driving and configuring optical devices are all included. Examples of such a layer to structure include an electrode layer or a spacer.

본 출원에서는 액정 화합물의 정렬 상태를 조절하기 위하여 상기 기재층상에 배향막을 형성한다. 본 출원에서 적용하는 배향막의 종류는 특별하게 제한되지 않으며, 공지의 배향막이 사용될 수 있다. 예를 들면, 적절한 코팅성, 용매에 대한 용해도, 내열성, 내화학성 및 러빙과 같은 배향 처리에 대한 내구성 등을 만족하고, 필요에 따라서 적절한 틸팅(tilting) 특성 등을 나타내며, 불순도(impurity) 관리를 통한 적절한 전압보전율(voltage holding ratio; VHR)과 고명암비 등의 물성을 만족하는 공지의 배향막을 모두 적용할 수 있다. 배향막으로는, 예를 들면, 수직 또는 수평 배향막일 수 있다. 수직 또는 수평 배향막으로는, 인접하는 액정층의 액정 화합물에 대하여 수직 또는 수평 배향능을 가지는 배향막이라면 특별한 제한없이 선택하여 사용할 수 있다. 이러한 배향막으로는, 예를 들어, 러빙 배향막과 같이 접촉식 배향막 또는 광배향막 화합물을 포함하여 직선 편광의 조사 등과 같은 비접촉식 방식에 의해 배향 특성을 나타낼 수 있는 것으로 공지된 배향막을 사용할 수 있다.In this application, an alignment layer is formed on the substrate layer in order to control the alignment of the liquid crystal compound. The type of the alignment film applied in the present application is not particularly limited, and a known alignment film can be used. For example, it satisfies suitable coating properties, solubility in solvents, heat resistance, chemical resistance, durability against orientation treatment such as rubbing, etc., and displays appropriate tilting properties, etc. as necessary, and manages impurity It is possible to apply all known alignment films satisfying physical properties such as an appropriate voltage holding ratio (VHR) and high contrast ratio. The alignment film may be, for example, a vertical or horizontal alignment film. As a vertical or horizontal alignment film, an alignment film having a vertical or horizontal alignment capability with respect to the liquid crystal compound of an adjacent liquid crystal layer can be selected and used without particular limitation. As such an alignment layer, for example, an alignment layer known to exhibit alignment characteristics by a non-contact method such as irradiation of linearly polarized light, including a contact alignment layer or a photo-alignment layer compound, such as a rubbing alignment layer, can be used.

배향막은, 배향막 형성 물질을 포함하는 배향막 형성재로서, 예를 들면, 상기 배향막 형성 물질을 적절한 용매에 분산, 희석 및/또는 용해시켜서 제조한 배향막 형성재를 적용하여 제조할 수 있다.The alignment film may be produced by applying an alignment film forming material prepared by dispersing, diluting, and / or dissolving the alignment film forming material in an appropriate solvent as an alignment film forming material including an alignment film forming material.

상기에서 배향막 형성 물질의 종류는, 적절한 처리에 의해 액정에 대한 수직 또는 수평 배향능과 같은 배향능을 나타낼 수 있는 것으로 공지되어 있는 모든 종류의 물질을 사용할 수 있다. 배향막 형성 물질은 폴리이미드(polyimide) 화합물, 폴리비닐알코올(poly(vinyl alcohol)) 화합물, 폴리아믹산(poly(amic acid)) 화합물, 폴리스티렌(polystylene) 화합물, 폴리아미드(polyamide) 화합물, 폴리옥시에틸렌(polyoxyethylene) 화합물, 폴리노르보넨(polynorbornene) 화합물, 페닐말레이미드 공중합체(phenylmaleimide copolymer) 화합물, 폴리비닐신나메이트(polyvinylcinamate) 화합물, 폴리아조벤젠(polyazobenzene) 화합물, 폴리에틸렌이미드(polyethyleneimide) 화합물, 폴리에틸렌(polyethylene) 화합물, 폴리스타일렌(polystylene) 화합물, 폴리페닐렌프탈아미드(polyphenylenephthalamide) 화합물, 폴리에스테르(polyester) 화합물, CMPI(chloromethylated polyimide) 화합물, PVCI(polyvinylcinnamate) 화합물 및 폴리메틸 메타크릴레이트(polymethyl methacrylate) 화합물로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상일 수 있다. 본 출원에서는 후술하는 바와 같이 배향막의 극성을 소정 범위로 조절하는 것이 요구되기 때문에, 상기 언급된 공지의 물질 중에서 후술하는 범위의 극성을 나타내기 유리한 물질이 선택되는 것이 요구될 수 있지만, 상기 극성은 후술하는 배향막 형성 물질의 농도 등에 의해서도 조절이 가능하기 때문에, 기본적으로 본 출원에서 사용되는 배향막 형성 물질은 특별히 제한되지는 않는다.As the type of the alignment layer forming material, any kind of material known to be capable of exhibiting an alignment capability such as a vertical or horizontal alignment capability to a liquid crystal can be used by appropriate treatment. Alignment film forming materials include polyimide compounds, poly (vinyl alcohol) compounds, poly (amic acid) compounds, polystyrene compounds, polyamide compounds, and polyoxyethylene (polyoxyethylene) compound, polynorbornene compound, phenylmaleimide copolymer compound, polyvinylcinamate compound, polyazobenzene compound, polyethyleneimide compound, polyethylene ( polyethylene) compounds, polystylene compounds, polyphenylenephthalamide compounds, polyester compounds, chloromethylated polyimide (CMPI) compounds, polyvinylcinnamate (PVCI) compounds and polymethyl methacrylate It may be one or more selected from the group consisting of compounds. In the present application, since it is required to adjust the polarity of the alignment layer to a predetermined range, as described later, it may be required to select a material that is advantageous for exhibiting the polarity of the range described below among the aforementioned known materials, but the polarity is Since it is also possible to control the concentration of the alignment layer forming material to be described later, basically, the alignment layer forming material used in the present application is not particularly limited.

배향막 형성재는 상기와 같은 배향막 형성 물질을 용매에 희석, 분산 및/또는 용해시켜 제조할 수 있다. 이 때 적용될 수 있는 용매는 기본적으로 특별하게 제한되지는 않는다. 예를 들면, 용매로는, 사이클로헥산(cyclohexane) 등의 탄소수 3 내지 12 또는 탄소수 3 내지 8의 사이클로알칸, DMSO(dimethyl sulfoxide), THF(tetrahydrofuran), DMF(dimethylformamide), NMP(NMethyl-pyrrolidone), 클로로포름(CHCl3), 감마-부티로락톤이나 사이클로펜타논 등의 케톤 용매, 2-부톡시에탄올 등의 알코올 또는 에틸렌글리콜 등의 글리콜 중에서 선택된 어느 하나나 또는 상기 중에서 선택된 2종 이상의 혼합 용매를 적용할 수 있다. The alignment layer forming material may be prepared by diluting, dispersing, and / or dissolving the alignment layer-forming material as described above in a solvent. The solvent that can be applied at this time is basically not particularly limited. For example, as a solvent, cycloalkanes such as cyclohexane or cycloalkanes having 3 to 12 carbon atoms or 3 to 8 carbon atoms, dimethyl sulfoxide (DMSO), tetrahydrofuran (THF), dimethylformamide (DMF), and NMethyl-pyrrolidone (NMP) , Chloroform (CHCl 3 ), gamma-butyrolactone or ketone solvents such as cyclopentanone, alcohols such as 2-butoxyethanol or glycols such as ethylene glycol, or a mixture of two or more selected solvents Can be applied.

상기 배향막 형성재에서 상기 배향막 형성 물질의 농도는 약 2.5 중량% 이상일 수 있다. 이와 같은 농도의 적용을 통해 닷팅 공정 후에 닷팅 얼룩의 발생 없이 우수한 배향능을 가지는 배향막을 형성할 수 있다. 후술하는 배향막의 극성은 주로 배향막 형성 물질의 종류와 상기 배향막 형성 물질의 농도에 의존하여 변화하는 것으로 여겨진다. 예를 들어, 후술하는 실시예에 기재된 폴리이미드 계열의 배향막 형성 물질의 경우, 상기 농도가 증가하는 것에 따라서 상기 극성이 감소하는 경향을 나타낸다. 따라서, 선택되는 배향막 형성 물질의 종류에 따라서 상기 물질의 농도가 조절될 수 있으나, 그 경우에도 제한 조건은 그 농도가 2.5 중량% 이상이 되어야 한다는 것이다. 상기 농도의 상한은 특별히 제한되지 않고, 공정성 등을 고려하여 선택될 수 있다. 예를 들면, 상기 배향막 형성 물질의 농도는, 약 20 중량% 이하, 약 18 중량% 이하, 약 16 중량% 이하, 약 14 중량% 이하, 약 12 중량% 이하, 약 10 중량% 이하, 약 8 중량% 이하 또는 약 6 중량% 이하 정도일 수 있다.The concentration of the alignment layer forming material in the alignment layer forming material may be about 2.5% by weight or more. Through the application of such concentration, an alignment layer having excellent alignment ability can be formed without the occurrence of dotting stains after the dotting process. It is considered that the polarity of the alignment film to be described later changes mainly depending on the type of the alignment film forming material and the concentration of the alignment film forming material. For example, in the case of the polyimide-based alignment film-forming material described in Examples described later, the polarity tends to decrease as the concentration increases. Therefore, the concentration of the material may be adjusted according to the type of the alignment layer forming material selected, but even in this case, the limiting condition is that the concentration should be 2.5% by weight or more. The upper limit of the concentration is not particularly limited, and may be selected in consideration of fairness and the like. For example, the concentration of the alignment layer forming material is about 20 wt% or less, about 18 wt% or less, about 16 wt% or less, about 14 wt% or less, about 12 wt% or less, about 10 wt% or less, about 8 It may be less than or equal to about 6% by weight or less.

본 출원에서는 상기와 같은 배향막 형성재를 사용하여 배향막을 형성하고, 이 경우 그 형성 방법은 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 배향막 형성 공정은, 기재층 상에 배향막 형성재의 층을 형성하고, 상기 형성된 층에 상기 배 및 배향 처리 등의 공지의 처리를 수행하는 공정을 포함할 수 있다. 또한, 상기 배향막 형성재의 층을 도포 등에 의해 형성하고, 소성까지의 시간이 기판마다 일정하지 않은 경우나, 도포 후 즉시 소성되지 않은 경우에는 건조 공정 등과 같은 전처리 공정이 수행될 수도 있다. 예를 들면, 상기 건조 및/또는 열처리 등의 공정은, 적절한 건조기, 오븐 또는 핫플레이트 등을 사용하여 수행할 수 있다.In the present application, an alignment film is formed using the alignment film forming material as described above, and in this case, a method of forming the alignment film is not particularly limited. For example, the alignment film forming process may include a process of forming a layer of an alignment film forming material on a substrate layer, and performing a known treatment such as the ship and alignment treatment on the formed layer. In addition, a pretreatment process such as a drying process may be performed when the layer of the alignment film forming material is formed by application or the like, and when the time to firing is not constant for each substrate or is not fired immediately after application. For example, the drying and / or heat treatment process may be performed using an appropriate dryer, oven, or hot plate.

상기에서 열처리 및/또는 건조 공정 등이 수행되는 경우에는 그 처리 온도나 시간은 특별히 제한되지 않고, 적절하게 조절될 수 있다. 예를 들면, 상기 공정은, 약 50℃ 이상, 약 60℃ 이상, 약 70℃ 이상, 약 80℃ 이상, 약 90℃ 이상, 약 100℃ 이상, 약 110℃ 이상 또는 약 120℃ 이상의 온도에서 수행될 수 있다. 또한, 상기 온도는 약 300℃ 이하, 약 280℃ 이하, 약 260℃ 이하, 약 240℃ 이하, 약 230℃ 이하, 약 220℃ 이하, 약 210℃ 이하, 약 200℃ 이하, 약 180℃ 이하 또는 약 160℃ 이하 정도일 수 있다. In the case where the heat treatment and / or drying process is performed in the above, the treatment temperature or time is not particularly limited and may be appropriately adjusted. For example, the process is performed at a temperature of about 50 ° C or higher, about 60 ° C or higher, about 70 ° C or higher, about 80 ° C or higher, about 90 ° C or higher, about 100 ° C or higher, about 110 ° C or higher, or about 120 ° C or higher Can be. In addition, the temperature is about 300 ° C or less, about 280 ° C or less, about 260 ° C or less, about 240 ° C or less, about 230 ° C or less, about 220 ° C or less, about 210 ° C or less, about 200 ° C or less, about 180 ° C or less, or It may be less than about 160 ℃.

상기 공정의 처리 온도도 배향막 형성재의 상태나 상기 온도 등을 고려하여 선택될 수 있으며, 예를 들면, 약 1분 내지 2 시간의 범위 내에서 적정 시간이 선택될 수 있다.The processing temperature of the process may also be selected in consideration of the state of the alignment layer forming material, the temperature, and the like, for example, an appropriate time may be selected within a range of about 1 minute to 2 hours.

본 출원의 제조 방법에서는 상기 형성된 배향막(배향막 형성재의 층)에 배향 처리를 수행하는 단계를 추가로 수행할 수 있다. 이러한 경우에 배향 처리는 공지의 방식으로 수행할 수 있다. 예를 들면, 러빙 배향막인 경우에 적절한 러빙 처리를 하거나, 광배향막인 경우에 적절한 광 조사 처리를 통해 상기 배향 처리를 수행할 수 있다. 상기 각 처리를 수행하는 구체적인 방식은 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 러빙 공정은, 코튼, 레이온 또는 나일론 형성 같은 러빙 천을 사용한 방식을 적용할 수 있으며, 광조사 공정은 적절한 직선 편광을 조사하는 방식 등을 적용할 수 있다.In the manufacturing method of the present application, a step of performing an alignment treatment on the formed alignment layer (a layer of an alignment layer forming material) may be further performed. In this case, the orientation treatment can be performed in a known manner. For example, in the case of a rubbing alignment layer, an appropriate rubbing treatment may be performed, or in the case of a light alignment layer, the alignment treatment may be performed through an appropriate light irradiation treatment. The specific method of performing each treatment is not particularly limited, for example, the rubbing process, a method using a rubbing cloth such as cotton, rayon, or nylon can be applied, and the light irradiation process is a method of irradiating an appropriate linear polarization. Etc. can be applied.

본 출원에서는 상기와 같은 방식으로 형성되는 배향막이 극성이 0.1 이하가 되도록 할 수 있다. 배향막의 극성을 0.1 이하로 제어하는 것에 의해서 닷팅 얼룩 등의 발생이 없이 우수한 배향능을 가지는 배향막을 형성할 수 있다. 상기에서 배향막의 극성은, 배향막의 표면 에너지(γsurface)의 측정에 의해 구해질 수 있고, 이 경우 표면 에너지는 무극성 분자간의 분산힘(γdispersion)과 극성 분자간의 상호 작용힘(γpolar)의 합계(γsurface = fdispersion + ppolar)이며, 상기 표면 에너지에서 극성 분자간의 상호 작용힘의 비율(γpolarsurface)이 상기 극성(polarity)으로 규정될 수 있다. 이러한 극성은 공지의 방식으로 측정할 수 있다. 일 예시에서 상기의 극성은, 상기 언급된 표면 에너지를 먼저 구한 후에 그를 통해 구해질 수 있는데, 표면 에너지는 물방울형 분석기(Drop Shape Analyzer, KRUSS社, DSA100 제품)를 사용하여 측정할 수 있다. 예를 들어, 배향막에 표면 장력(surface tension)이 알려져 있는 액, 예를 들면, 탈이온화수를 적하한 후에 그 접촉각을 구하는 과정을 5회 반복하고, 얻어진 5개의 접촉각 수치의 평균치를 구한다. 또한, 동일하게, 표면 장력이 공지되어 있는 다른 액, 예를 들면, 디요오드메탄(diiodomethane)을 배향막에 적하하여 접촉각을 구하는 과정을 5회 반복한 후에 얻어진 5개의 접촉각의 평균치를 구한다. 그 후, 구해진 탈이온화수와 디요오드메탄에 대한 접촉각의 평균치를 이용하여 Owens-Wendt theory 방법에 의해 용매의 표면 장력에 관한 수치(Strom 값)를 대입하여 표면 에너지를 구할 수 있다. In the present application, the alignment layer formed in the above manner may have a polarity of 0.1 or less. By controlling the polarity of the alignment film to 0.1 or less, it is possible to form an alignment film having excellent alignment ability without generating spotting stains or the like. In the above, the polarity of the alignment layer may be obtained by measuring the surface energy (γ surface ) of the alignment layer, in which case the surface energy is the dispersion force between the non-polar molecules (γ dispersion ) and the interaction force between the polar molecules (γ polar ). It is the sum (γ surface = f dispersion + p polar ), and the ratio of the interaction force between polar molecules in the surface energy (γ polar / γ surface ) may be defined as the polarity. This polarity can be measured in a known manner. In one example, the polarity may be obtained by first obtaining the above-mentioned surface energy, and the surface energy may be measured using a droplet shape analyzer (product made by KRUSS, DSA100). For example, after dropping a liquid having a known surface tension on the alignment film, for example, deionized water, the process of obtaining the contact angle is repeated 5 times, and the average value of the obtained 5 contact angle values is obtained. In addition, similarly, another liquid having a known surface tension, for example, diiodomethane is added dropwise to the alignment layer, and the process of obtaining the contact angle is repeated 5 times to obtain an average value of 5 contact angles. Subsequently, the surface energy can be obtained by substituting a numerical value (Strom value) for the surface tension of the solvent by the Owens-Wendt theory method using the obtained average value of the contact angle for deionized water and diiodmethane.

본 명세서에서 언급하는 물성 중에서 측정 온도가 그 결과에 영향을 미치는 경우에, 특별히 달리 언급하지 않는 한 그 물성은 상온에서 측정한 물성이다. 용어 상온은, 가온 및 감온되지 않는 자연 그대로의 온도이고, 예를 들면, 약 10℃ 내지 30℃의 범위 내의 어느 한 온도이거나, 약 23℃ 또는 약 25℃ 정도의 온도일 수 있다. 본 명세서에서 언급하는 물성 중에서 측정 압력이 그 결과에 영향을 미치는 경우에, 특별히 달리 언급하지 않는 한 그 물성은 상압에서 측정한 물성이다. 용어 상압은 특별하게 압력을 올리거나 내리지 않은 자연 그대로의 압력이고, 일반적으로 대기압과 같은 약 1기압 정도의 압력을 의미한다. 상기에서 극성은, 러빙 처리를 수행하기 전의 극성이거나 수행한 후의 극성일 수 있다.When the measured temperature among the properties mentioned in this specification affects the result, unless otherwise specified, the properties are measured at room temperature. The term room temperature is the temperature at which it is naturally heated and not reduced, and may be, for example, any temperature in the range of about 10 ° C to 30 ° C, or about 23 ° C or about 25 ° C. In the case where the measured pressure among the properties mentioned in this specification affects the result, unless otherwise specified, the properties are those measured at normal pressure. The term atmospheric pressure is a natural pressure that does not specifically raise or lower pressure, and generally means a pressure of about 1 atmosphere, such as atmospheric pressure. In the above, the polarity may be a polarity before performing a rubbing treatment or a polarity after being performed.

상기 극성은 다른 예시에서 약 0.095 이하 정도, 약 0.09 이하 정도, 약 0.085 이하 정도, 약 0.08 이하 정도, 약 0.075 이하 정도 또는 약 0.07 이하 정도일 수 있다. 또한, 상기 극성은 다른 예시에서 약 0.001 이상 정도, 약 0.005 이상 정도, 약 0.01 이상 정도, 약 0.015 이상 정도, 약 0.02 이상 정도, 약 0.025 이상 정도, 약 0.03 이상 정도, 약 0.035 이상 정도, 약 0.04 이상 정도, 약 0.045 이상 정도, 약 0.05 이상 정도 또는 약 0.055 이상 정도일 수 있다.In other examples, the polarity may be about 0.095 or less, about 0.09 or less, about 0.085 or less, about 0.08 or less, about 0.075 or less, or about 0.07 or less. In addition, the polarity is about 0.001 or more, about 0.005 or more, about 0.01 or more, about 0.015 or more, about 0.02 or more, about 0.025 or more, about 0.03 or more, about 0.035 or more, or about 0.04 in other examples. The degree of abnormality may be about 0.045 or more, about 0.05 or more, or about 0.055 or more.

상기 극성은 배향막 형성 물질의 종류 및 그 농도를 제어함으로써 조절할 수 있다. 예를 들면, 전술한 것과 같이 일반적으로 배향막 형성 물질의 농도가 증가하면, 극성이 낮아지는 경향을 보이기 때문에, 배향막 형성 물질이 나타내는 극성을 고려하여, 상기 언급한 범위에서 농도를 제어함으로써 극성을 조절할 수 있다.The polarity can be controlled by controlling the type and concentration of the alignment layer forming material. For example, as described above, in general, when the concentration of the alignment layer-forming material increases, the polarity tends to be lowered. Therefore, in consideration of the polarity of the alignment layer-forming material, the polarity is controlled by controlling the concentration in the above-mentioned range. You can.

본 출원의 제조방법은, 상기와 같이 형성된 배향막 상에 액정 화합물을 포함하는 광변조 물질을 닷팅하는 단계와 대향 기판을 상기 광변조 물질이 닷팅된 배향막을 가지는 기재층과 대향 배치한 상태로 압력을 가하여 상기 닷팅된 광변조 물질이 상기 기재층과 대향 기판의 사이의 간격을 충전하도록 하는 단계를 추가로 포함할 수 있다. The manufacturing method of the present application, the step of dotting a light modulating material containing a liquid crystal compound on the alignment layer formed as described above and the pressure in the state in which the opposing substrate is disposed opposite to the base layer having the alignment layer doped with the light modulating material The method may further include the step of allowing the dotted light modulating material to fill the gap between the base layer and the opposing substrate.

상기 과정은 예를 들면, 일반적인 닷팅 공정의 진행 방식에 따라 수행될 수 있으며, 그 구체적인 진행 방식은 특별히 제한되지 않는다.The above process may be performed according to a general dotting process, for example, and the specific process is not particularly limited.

또한, 적용되는 액정 화합물 등의 재료도 특별한 제한 없이 필요에 따라서 공지의 적정 재료가 선택된다.In addition, a material suitable for a liquid crystal compound to be applied is also selected and a suitable material is known as necessary without particular limitation.

또한, 상기에서 기재층과 대향 배치되는 대향 기판의 종류도 특별히 제한되지 않고, 공지의 기판이 적용될 수 있다. 예를 들면, 상기 기판도 기재층과 그 일면에 형성된 배향막을 포함할 수 있으며, 필요한 경우에 전극층과 같은 기타 다른 구성도 포함할 수 있다. 상기 대향 기판의 기재층상에 형성되는 배향막의 형성 방식도 특별히 제한되지 않고, 공지의 방식을 따를 수 있다. 일 예시에서 상기 대향 기판의 기재층상에 배향막을 형성하는 방식은 전술한 배향막 형성 방식을 따를 수 있다.In addition, the type of the counter substrate disposed opposite to the base layer is not particularly limited, and a known substrate can be applied. For example, the substrate may also include a base layer and an alignment film formed on one surface thereof, and may also include other structures such as an electrode layer if necessary. The method of forming the alignment film formed on the base layer of the counter substrate is not particularly limited, and a known method can be followed. In one example, the method of forming the alignment layer on the base layer of the counter substrate may follow the above-described alignment layer formation method.

이러한 경우에 전술한 배향막 형성재 내의 상기 배향막 형성 물질의 농도는 대향 기판의 경우는 특별한 제한은 없으나, 예를 들면, 약 1.5 중량% 이상일 수 있다. 상기 농도는 다른 예시에서 약 2 중량% 이상일 수 있다. 예를 들면, 상기 배향막 형성 물질의 농도는, 약 20 중량% 이하, 약 18 중량% 이하, 약 16 중량% 이하, 약 14 중량% 이하, 약 12 중량% 이하, 약 10 중량% 이하, 약 8 중량% 이하 또는 약 6 중량% 이하 정도일 수 있다.In this case, the concentration of the alignment layer forming material in the alignment layer forming material described above is not particularly limited in the case of the counter substrate, but may be, for example, about 1.5% by weight or more. The concentration may be at least about 2% by weight in other examples. For example, the concentration of the alignment layer forming material is about 20 wt% or less, about 18 wt% or less, about 16 wt% or less, about 14 wt% or less, about 12 wt% or less, about 10 wt% or less, about 8 It may be less than or equal to about 6% by weight or less.

또한, 이와 같이 형성된 대향 기판의 배향막의 극성도 대향 기판의 경우는 특별한 제한은 없으나, 일 예시에서는 약 0.1 이하가 되도록 할 수 있다.In addition, the polarity of the alignment layer of the opposing substrate formed as described above is not particularly limited in the case of the opposing substrate, but may be set to be about 0.1 or less in one example.

상기 극성은 다른 예시에서 약 0.095 이하 정도, 약 0.09 이하 정도, 약 0.085 이하 정도, 약 0.08 이하 정도 또는 약 0.075 이하 정도일 수 있다. 또한, 상기 극성은 다른 예시에서 약 0.001 이상 정도, 약 0.005 이상 정도, 약 0.01 이상 정도, 약 0.015 이상 정도, 약 0.02 이상 정도, 약 0.025 이상 정도, 약 0.03 이상 정도, 약 0.035 이상 정도, 약 0.04 이상 정도, 약 0.045 이상 정도 또는 약 0.05 이상 정도일 수 있다.In other examples, the polarity may be about 0.095 or less, about 0.09 or less, about 0.085 or less, about 0.08 or less, or about 0.075 or less. In addition, the polarity is about 0.001 or more, about 0.005 or more, about 0.01 or more, about 0.015 or more, about 0.02 or more, about 0.025 or more, about 0.03 or more, about 0.035 or more, or about 0.04 in other examples. The degree of abnormality may be about 0.045 or more, or about 0.05 or more.

상기 과정에서 상기 기재층과 대향 기판의 사이의 간격, 즉 소위 셀갭도 특별한 제한은 없다. 다만, 일 예시에서 상기 간격은, 약 4㎛ 이상이 될 수 있다. 상기 간격은, 다른 예시에서 약 5㎛ 이상, 약 6㎛ 이상, 약 7㎛ 이상 또는 약 8㎛ 이상이 될 수 있고, 그 상한은 약 20㎛, 약 18㎛, 약 16㎛, 약 14㎛, 약 12㎛ 또는 약 10㎛ 정도일 수 있다. 통상적으로 셀갭이 작은 경우, 예를 들면, 약 4㎛ 미만인 경우에는 닷팅 공정이 적용되는 경우에도 닷팅 얼룩 문제가 크게 부각되지는 않지만, 셀갭이 커지는 경우에 상기 문제점이 부각된다. 그렇지만, 필요에 따라서 광학 디바이스에 높은 셀갭이 요구되는 경우가 있는데, 본 출원의 방식을 적용하게 되면, 높은 셀갭의 디바이스의 제조에 있어서도 닷팅 얼룩을 최소화하거나 억제할 수 있다.In the above process, the gap between the base layer and the counter substrate, that is, the so-called cell gap is also not particularly limited. However, in one example, the gap may be about 4 μm or more. In another example, the interval may be about 5 μm or more, about 6 μm or more, about 7 μm or more, or about 8 μm or more, and the upper limit thereof is about 20 μm, about 18 μm, about 16 μm, about 14 μm, It may be about 12㎛ or about 10㎛. Typically, when the cell gap is small, for example, when it is less than about 4 μm, even when a dotting process is applied, the problem of dot staining is not significantly highlighted, but the problem is highlighted when the cell gap is large. However, there is a case where a high cell gap is required for the optical device as necessary, and when the method of the present application is applied, even in the manufacture of a device having a high cell gap, spotting unevenness can be minimized or suppressed.

필요한 경우에 상기 광변조 물질은 이색성 염료(dkchroic dye)를 추가로 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 이색성 염료는 두 가지로 구분할 수 있는데, 특정한 방향으로 다른 방향보다 더 많은 빛을 흡수하는 분자로 분자의 장축 방향의 편광을 흡수하는 색소를 양(positive) 이색성 염료 또는 p형 염료, 수직인 방향의 빛을 흡수하는 것을 음(negative) 이색성 염료 또는 n형 염료를 의미할 수 있다. 일반적으로 상기와 같은 염료는 최대의 흡수를 일으키는 파장을 중심으로 좁은 영역의 흡수 스펙트럼을 가질 수 있다. 또한, 게스트 호스트 액정디스플레이(Guest Host LCD)에 쓰이는 염료는 화학적광학적 안정성, 색상과 흡수 스펙트럼의 폭, 이색성 비율, 색소의 질서도, 호스트(Host)에 대한 용해도, 비이온화 정도, 소광(extinction) 계수 및 순도와 높은 비저항과 같은 특성으로 평가할 수 있다. 이하 특별한 언급이 없는 한 이색성 염료는 양의 염료인 것으로 가정한다.If necessary, the light-modulating material may further include a dichroic dye. For example, the dichroic dye may be divided into two types, a molecule that absorbs more light in a specific direction than other directions, and a positive dichroic dye or p that is a dye that absorbs polarization in the long axis direction of the molecule. Type dye, absorbing light in a vertical direction may mean a negative dichroic dye or an n-type dye. In general, such a dye may have an absorption spectrum in a narrow region centering on a wavelength causing maximum absorption. In addition, dyes used in guest host LCDs include chemical and optical stability, color and absorption spectrum width, dichroic ratio, color order, solubility in host, degree of non-ionization, and extinction. ) It can be evaluated by characteristics such as coefficient and purity and high specific resistance. It is assumed that the dichroic dye is a positive dye unless otherwise specified.

본 명세서에서 용어 「염료」는, 가시광 영역, 예를 들면, 400 nm 내지 700 nm 파장 범위 내에서 적어도 일부 또는 전체 범위 내의 광을 집중적으로 흡수 및/또는 변형시킬 수 있는 물질을 의미할 수 있고, 용어 「이색성 염료」는 상기 가시광 영역의 적어도 일부 또는 전체 범위에서 광의 이색성 흡수가 가능한 물질을 의미할 수 있다.In the present specification, the term "dye" may mean a material capable of intensively absorbing and / or modifying light in at least a part or the entire range of a visible light region, for example, within a wavelength range of 400 nm to 700 nm, The term "dichroic dye" may mean a substance capable of dichroic absorption of light in at least a part or the entire range of the visible region.

이색성 염료로는, 예를 들면, 액정의 정렬 상태에 따라 정렬될 수 있는 특성을 가지는 것으로 알려진 공지의 염료를 선택하여 사용할 수 있다. 이색성 염료로는, 예를 들면, 흑색 염료(black dye)를 사용할 수 있다. 이러한 염료로는, 예를 들면, 아조 염료 또는 안트라퀴논 염료 등으로 공지되어 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. As the dichroic dye, for example, a known dye known to have properties that can be aligned according to the alignment state of the liquid crystal can be selected and used. As a dichroic dye, a black dye can be used, for example. Such dyes are known as, for example, azo dyes or anthraquinone dyes, but are not limited thereto.

이색성 염료의 이색비(dichroic ratio)는 본 출원의 목적을 고려하여 적절히 선택될 수 있다. 예를 들어, 상기 이색성 염료는 이색비가 5 이상 내지 20 이하일 수 있다. 본 명세서에서 용어「이색비」는, 예를 들어, p형 염료인 경우, 염료의 장축 방향에 평행한 편광의 흡수를 상기 장축 방향에 수직하는 방향에 평행한 편광의 흡수로 나눈 값을 의미할 수 있다. 이방성 염료는 가시광 영역의 파장 범위 내, 예를 들면, 약 380 nm 내지 700 nm 또는 약 400 nm 내지 700 nm의 파장 범위 내에서 적어도 일부의 파장 또는 어느 한 파장에서 상기 이색비를 가질 수 있다.The dichroic ratio of the dichroic dye can be appropriately selected in consideration of the purpose of the present application. For example, the dichroic dye may have a dichroic ratio of 5 or more to 20 or less. The term "dichroic ratio" in the present specification means, for example, in the case of a p-type dye, a value obtained by dividing the absorption of polarized light parallel to the long axis direction of the dye by the absorption of polarized light parallel to the direction perpendicular to the long axis direction. Can be. Anisotropic dyes may have the dichroic ratio at least in part or at any wavelength within the wavelength range of the visible region, for example within the wavelength range of about 380 nm to 700 nm or about 400 nm to 700 nm.

본 출원은 또한 광학 디바이스, 예를 들면, 상기 제조 방법에 의해 제조된 광학 디바이스에 대한 것이다. 이러한 광학 디바이스는 제 1 기판; 상기 제 1 기판과 대향 배치되어 있는 제 2 기판; 및 상기 제 1 및 제 2 기판의 사이에 존재하는 광변조 물질을 포함할 수 있다. 상기에서 제 1 및 제 2 기판 중에 적어도 하나의 기판이 전술한 방식으로 형성된 것일 수 있다. 예를 들면, 상기 제 1 기판의 상기 제 2 기판에 대향하는 면과 상기 제 2 기판의 상기 제 1 기판에 대향하는 면에는 수평 배향막이 형성되어 있고, 상기 제 1 기판상에 형성된 배향막 및 상기 제 2 기판상에 형성된 배향막 중 적어도 하나는 극성이 0.1 이하일 수 있다.The present application also relates to an optical device, for example an optical device manufactured by the above manufacturing method. Such an optical device includes a first substrate; A second substrate facing the first substrate; And a light modulating material present between the first and second substrates. At least one of the first and second substrates may be formed in the above-described manner. For example, a horizontal alignment film is formed on a surface of the first substrate opposite to the second substrate and a surface of the second substrate opposite to the first substrate, and an alignment film formed on the first substrate and the agent 2 At least one of the alignment layers formed on the substrate may have a polarity of 0.1 or less.

즉, 상기 경우 제 1 기판이 전술한 방식으로 제조된 기판이다. 이러한 경우에 상기 기판에 포함되는 기재층의 구체적인 종류와 배향막의 종류 및 극성의 구체적인 범위는 상기 기술한 범위에 따를 수 있다.That is, in this case, the first substrate is a substrate manufactured in the above-described manner. In this case, the specific type of the substrate layer included in the substrate, and the specific range of the type and polarity of the alignment layer may be in accordance with the above-described range.

상기 광변조 물질은, 액정 화합물 및 이색성 염료를 포함할 수 있다. 상기 광변조 물질이 액정 화합물 및 이색성 염료를 모두 포함하는 경우에 상기 광변조 물질은 게스트-호스트형 광변조 물질로 작용할 수 있다. 즉, 상기 게스트-호스트형 광변조 물질은 액정 화합물의 배열에 따라 이색성 염료가 함께 배열되어 염료의 정렬 방향에 평행한 광은 흡수하고 수직한 광은 투과시킴으로써 비등방성 광흡수 효과를 나타낼 수 있다. 또한, 상기 광변조 물질의 이방성 염료의 함량은 본 출원의 목적을 고려하여 적절히 선택될 수 있다. 예를 들어, 상기 광변조 물질의 이방성 염료의 함량은 0.1 중량% 이상 내지 10 중량% 이하일 수 있다.The light modulating material may include a liquid crystal compound and a dichroic dye. When the light modulating material includes both a liquid crystal compound and a dichroic dye, the light modulating material may act as a guest-host type light modulating material. That is, in the guest-host type light modulating material, dichroic dyes are arranged together according to the arrangement of the liquid crystal compound to absorb the light parallel to the alignment direction of the dye and transmit the vertical light to exhibit anisotropic light absorption effect. . In addition, the content of the anisotropic dye in the light modulating material may be appropriately selected in consideration of the purpose of the present application. For example, the content of the anisotropic dye in the light modulating material may be 0.1 wt% or more to 10 wt% or less.

또한, 광학 디바이스의 셀갭, 즉 상기 제 1 및 제 2 기판간의 간격은 특별한 제한은 없다. 다만, 일 예시에서 상기 간격은, 약 4㎛ 이상이 될 수 있다. 상기 간격은, 다른 예시에서 약 5㎛ 이상, 약 6㎛ 이상, 약 7㎛ 이상 또는 약 8㎛ 이상이 될 수 있고, 그 상한은 약 20㎛, 약 18㎛, 약 16㎛, 약 14㎛, 약 12㎛ 또는 약 10㎛ 정도일 수 있다.Further, the cell gap of the optical device, that is, the gap between the first and second substrates is not particularly limited. However, in one example, the gap may be about 4 μm or more. In another example, the interval may be about 5 μm or more, about 6 μm or more, about 7 μm or more, or about 8 μm or more, and the upper limit thereof is about 20 μm, about 18 μm, about 16 μm, about 14 μm, It may be about 12㎛ or about 10㎛.

이하, 본 출원에 따른 실시예 및 본 출원에 따르지 않는 비교예를 통하여 본 출원을 구체적으로 설명하지만, 본 출원의 범위가 하기 제시된 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다. Hereinafter, the present application will be described in detail through examples according to the present application and comparative examples not according to the present application, but the scope of the present application is not limited by the examples presented below.

1. 극성(polarity)의 측정1. Measurement of polarity

배향막의 극성은 우선 상온 상압에서 무극성 분자간의 분산힘(γdispersion)과 극성 분자간의 상호 작용힘(γpolar)의 합계(γsurface = γdispersion + γpolar)인 표면 에너지(γsurface)를 구한 후에 상기 표면 에너지에서 극성 분자간의 상호 작용힘의 비율(γpolarsurface)로부터 구하였다. The polarity of the alignment layer is first obtained by obtaining the surface energy (γ surface ), which is the sum (γ surface = γ dispersion + γ polar ), which is the sum of the dispersion forces (γ dispersion ) between non-polar molecules and the interaction forces (γ polar ) between polar molecules at normal temperature and pressure. The surface energy was obtained from the ratio of the interaction force between polar molecules (γ polar / γ surface ).

상기 표면 에너지는, 물방울형 분석기(Drop Shape Analyzer, KRUSS社, DSA100 제품)를 사용하여 측정하였다. 배향막에 표면 장력(surface tension)이 알려져 있는 탈이온수를 적하한 후에 그 접촉각을 구하는 과정을 5회 반복하고, 얻어진 5개의 접촉각 수치의 평균치를 구하였다. 또한, 동일하게, 표면 장력이 공지되어 있는 디요오드메탄(diiodomethane)을 배향막에 적하하여 접촉각을 구하는 과정을 5회 반복한 후에 얻어진 5개의 접촉각의 평균치를 구하였다. 이어서 구해진 탈이온화수와 디요오드메탄에 대한 접촉각의 평균치를 이용하여 Owens-Wendt theory 방법에 의해 용매의 표면 장력에 관한 수치(Strom 값)를 대입하여 상기 표면 에너지를 구하고, 그에 따라 극성을 측정하였다.The surface energy was measured using a droplet shape analyzer (Drop Shape Analyzer, manufactured by KRUSS, DSA100). After adding deionized water having a known surface tension to the alignment film, the process of obtaining the contact angle was repeated 5 times, and the average value of the obtained 5 contact angle values was obtained. Further, similarly, the average value of the five contact angles obtained after repeating the process of obtaining the contact angle 5 times by dropping diiodomethane having a known surface tension into the alignment layer was obtained. Subsequently, the surface energy was obtained by substituting a numerical value (Strom value) for the surface tension of the solvent by the Owens-Wendt theory method using the obtained average value of the contact angle for deionized water and diiodine methane, and the polarity was measured accordingly. .

실시예 1.Example 1.

상부 기판의 제작Fabrication of the upper substrate

상부 기판은, 일면에 ITO(Indium Tin Oxide) 전극층이 형성되어 있는 COP(cycloolefin polymer) 필름상에 배향막을 형성하여 제작하였다. 배향막은 폴리이미드 계열의 배향막 형성 물질(Nissan社, SE-7492)을 사이클로펜탄온(cyclopentanone) 및 에틸렌 글라이콜(Ethylene glycol) 내에 약 2 중량%의 농도로 분산시킨 배향막 형성재를 사용하여 형성하였다. 상기 배향막 형성재를 바코팅 방식으로 최종 배향막 두께가 약 200 nm 정도가 되도록 코팅하였다. 이어서, 약 130℃의 오븐에서 약 20분 동안 유지하여 베이킹 및 이미드화(imidizing) 공정을 진행하였다. 이어서, 상기 베이킹 및 이미드화된 층을 결정된 방향으로 러빙하여 배향막을 형성하였다. 상기와 같은 방식으로 형성된 배향막의 극성은 약 0.072 정도였다.The upper substrate was produced by forming an alignment layer on a COP (cycloolefin polymer) film having an indium tin oxide (ITO) electrode layer formed on one surface. The alignment layer is formed using an alignment layer forming material in which polyimide-based alignment layer forming material (Nissan, SE-7492) is dispersed in cyclopentanone and ethylene glycol at a concentration of about 2% by weight. Did. The alignment layer forming material was coated so that the final alignment layer thickness was about 200 nm by a bar coating method. Subsequently, a baking and imidizing process was performed in an oven at about 130 ° C. for about 20 minutes. Then, the baking and imidized layers were rubbed in a determined direction to form an alignment layer. The polarity of the alignment layer formed in the above manner was about 0.072.

하부 기판의 제작Fabrication of the lower substrate

하부 기판은, 상기 상부 기판과 동일한 방식으로 제작하였다. 다만, 하부 기판의 경우, 공지의 방식에 따라 크기가 6 내지 8㎛의 범위 내인 볼 스페이서를 적용하였다. 상기 배향막은, 폴리이미드 계열의 배향막 형성 물질(Nissan社, SE-7492)을 용매로서 사이클로펜탄온 및 에틸렌 글라이콜(Ethylene glycol) 내에 약 2.5 중량%의 농도로 분산시킨 배향막 형성재를 사용하여 형성하였으며, 최종 배향막 두께가 약 250 nm 정도가 되도록 하였다. 이와 같이 형성된 배향막의 극성은 약 0.064 정도였다.The lower substrate was produced in the same manner as the upper substrate. However, in the case of the lower substrate, a ball spacer having a size in the range of 6 to 8 μm was applied according to a known method. The alignment layer is a polyimide-based alignment layer-forming material (Nissan, SE-7492) as a solvent, using an alignment layer-forming material dispersed in cyclopentanone and ethylene glycol (Ethylene glycol) at a concentration of about 2.5% by weight. It was formed, and the final alignment layer thickness was about 250 nm. The polarity of the alignment film thus formed was about 0.064.

광학 디바이스의 제작Fabrication of optical devices

상기와 같이 제조된 상부 기판의 단부에는 통상 액정셀의 제조에 적용되는 접착제를 코팅하고, 하부 기판의 적절한 위치에 광변조 물질(Merck社의 MAT-16-969(ne: 1.5463, no: 1.4757, ε∥: 7.4, ε⊥: 3.2, TNI: 85℃, △n: 0.0706, △ ε: 4.2) 액정)을 닷팅(dotting)한 후에 상기 상부 및 하부 기판을 합착함으로써, 닷팅(dotting)된 광변조 물질이 2개의 기판의 사이에 고르게 퍼지게 하여 광학 디바이스를 제조하였다. 상기 과정에서 상부 및 하부 기판의 간격(cell gap)은, 약 8 ㎛ 정도로 유지하였다.An adhesive applied to the production of a liquid crystal cell is coated on an end of the upper substrate manufactured as described above, and a light modulating material (Merck's MAT-16-969 (ne: 1.5463, no: 1.4757, in an appropriate position on the lower substrate) ε∥: 7.4, ε⊥: 3.2, TNI: 85 ° C, Δn: 0.0706, Δ ε: 4.2) Dotting the light by dotting the upper and lower substrates, followed by bonding the upper and lower substrates. An optical device was prepared by spreading the material evenly between the two substrates. In the process, the cell gap between the upper and lower substrates was maintained at about 8 μm.

실시예 2Example 2

실시예 1과 동일한 방식으로 상부 및 하부 기판을 각각 제작하되, 상부 기판의 배향막은, 배향막 형성재로는, 폴리이미드 계열의 배향막 형성 물질(Nissan社, SE-7492)을 용매로서 사이클로펜탄온(cyclopentanone) 및 에틸렌 글라이콜(Ethylene glycol) 내에 약 2 중량%의 농도로 분산시킨 배향막 형성재를 사용하여 최종 배향막 두께가 약 200 nm 정도가 되도록 형성하였으며, 하부 기판의 배향막은, 배향막 형성재로는, 폴리이미드 계열의 배향막 형성 물질(Nissan社, SE-7492)을 용매로서 사이클로펜탄온(cyclopentanone) 및 에틸렌 글라이콜(Ethylene glycol) 내에 약 4 중량%의 농도로 분산시킨 배향막 형성재를 사용하여 최종 배향막 두께가 약 400 nm 정도가 되도록 형성하였다. 형성된 상부 기판상의 배향막의 극성은 약 0.072였고, 하부 기판상의 배향막의 극성은 약 0.065 정도였다.Each of the upper and lower substrates was prepared in the same manner as in Example 1, but the alignment layer of the upper substrate was formed of a polyimide-based alignment layer-forming material (Nissan, SE-7492) as a solvent, and cyclopentanone ( Cyclopentanone) and ethylene glycol (Ethylene glycol) were used to form an alignment film-forming material dispersed at a concentration of about 2% by weight to form a final alignment film having a thickness of about 200 nm, and the alignment film of the lower substrate was used as an alignment film forming material. Is, a polyimide-based alignment film forming material (Nissan, SE-7492) as a solvent, cyclopentanone (cyclopentanone) and ethylene glycol (Ethylene glycol) is used in an alignment film forming material dispersed in a concentration of about 4% by weight Thus, the final alignment layer was formed to have a thickness of about 400 nm. The polarity of the alignment film on the formed upper substrate was about 0.072, and the polarity of the alignment film on the lower substrate was about 0.065.

상기와 같이 제작된 상부 및 하부 기판을 사용하여 실시예 1과 동일하게 광학 디바이스를 제작하였다.Optical devices were manufactured in the same manner as in Example 1 using the upper and lower substrates manufactured as described above.

실시예 3Example 3

실시예 1과 동일한 방식으로 상부 및 하부 기판을 각각 제작하되, 상부 기판의 배향막은, 배향막 형성재로는, 폴리이미드 계열의 배향막 형성 물질(Nissan社, SE-7492)을 용매로서 사이클로펜탄온(cyclopentanone) 및 에틸렌 글라이콜(Ethylene glycol) 내에 약 6 중량%의 농도로 분산시킨 배향막 형성재를 사용하여 최종 배향막 두께가 약 600 nm 정도가 되도록 형성하였으며, 하부 기판의 배향막은, 배향막 형성재로는, 폴리이미드 계열의 배향막 형성 물질(Nissan社, SE-7492)을 용매로서 사이클로펜탄온(cyclopentanone) 및 에틸렌 글라이콜(Ethylene glycol) 내에 약 4 중량%의 농도로 분산시킨 배향막 형성재를 사용하여 최종 배향막 두께가 약 400 nm 정도가 되도록 형성하였다. 형성된 상부 기판상의 배향막의 극성은 약 0.056이였고, 하부 기판상의 배향막의 극성은 약 0.065 정도였다.Each of the upper and lower substrates was prepared in the same manner as in Example 1, but the alignment layer of the upper substrate was formed of a polyimide-based alignment layer-forming material (Nissan, SE-7492) as a solvent, and cyclopentanone ( Cyclopentanone) and ethylene glycol (Ethylene glycol) were used to form an alignment film-forming material dispersed at a concentration of about 6% by weight to form a final alignment film having a thickness of about 600 nm, and the alignment film of the lower substrate was an alignment film-forming material. Is, a polyimide-based alignment film forming material (Nissan, SE-7492) as a solvent, cyclopentanone (cyclopentanone) and ethylene glycol (Ethylene glycol) is used in an alignment film forming material dispersed in a concentration of about 4% by weight Thus, the final alignment layer was formed to have a thickness of about 400 nm. The polarity of the alignment film on the formed upper substrate was about 0.056, and the polarity of the alignment film on the lower substrate was about 0.065.

상기와 같이 제작된 상부 및 하부 기판을 사용하여 실시예 1과 동일하게 광학 디바이스를 제작하였다.Optical devices were manufactured in the same manner as in Example 1 using the upper and lower substrates manufactured as described above.

비교예 1Comparative Example 1

실시예 1과 동일한 방식으로 상부 및 하부 기판을 각각 제작하되, 상부 기판의 배향막은, 배향막 형성재로는, 폴리이미드 계열의 배향막 형성 물질(Nissan社, SE-7492)을 용매로서 사이클로펜탄온(cyclopentanone) 및 에틸렌 글라이콜(Ethylene glycol) 내에 약 2 중량%의 농도로 분산시킨 배향막 형성재를 사용하여 최종 배향막 두께가 약 200 nm 정도가 되도록 형성하였으며, 하부 기판의 배향막은, 배향막 형성재로는, 폴리이미드 계열의 배향막 형성 물질(Nissan社, SE-7492)을 용매로서 사이클로펜탄온(cyclopentanone) 및 에틸렌 글라이콜(Ethylene glycol) 내에 약 0.5 중량%의 농도로 분산시킨 배향막 형성재를 사용하여 최종 배향막 두께가 약 50 nm 정도가 되도록 형성하였다. 형성된 상부 기판상의 배향막의 극성은 약 0.072였고, 하부 기판상의 배향막의 극성은 약 0.186 정도였다.Each of the upper and lower substrates was prepared in the same manner as in Example 1, but the alignment layer of the upper substrate was formed of a polyimide-based alignment layer-forming material (Nissan, SE-7492) as a solvent, and cyclopentanone ( Cyclopentanone) and ethylene glycol (Ethylene glycol) were used to form an alignment film-forming material dispersed at a concentration of about 2% by weight to form a final alignment film having a thickness of about 200 nm, and the alignment film of the lower substrate was used as an alignment film forming material. The polyimide-based alignment film-forming material (Nissan, SE-7492) is used as an alignment film-forming material in a concentration of about 0.5% by weight in cyclopentanone and ethylene glycol. Thus, the final alignment layer was formed to have a thickness of about 50 nm. The polarity of the alignment film on the formed upper substrate was about 0.072, and the polarity of the alignment film on the lower substrate was about 0.186.

상기와 같이 제작된 상부 및 하부 기판을 사용하여 실시예 1과 동일하게 광학 디바이스를 제작하였다.Optical devices were manufactured in the same manner as in Example 1 using the upper and lower substrates manufactured as described above.

비교예 2Comparative Example 2

실시예 1과 동일한 방식으로 상부 및 하부 기판을 각각 제작하되, 상부 기판의 배향막은, 배향막 형성재로는, 폴리이미드 계열의 배향막 형성 물질(Nissan社, SE-7492)을 용매로서 사이클로펜탄온(cyclopentanone) 및 에틸렌 글라이콜(Ethylene glycol) 내에 약 2 중량%의 농도로 분산시킨 배향막 형성재를 사용하여 최종 배향막 두께가 약 200 nm 정도가 되도록 형성하였으며, 하부 기판의 배향막은, 배향막 형성재로는, 폴리이미드 계열의 배향막 형성 물질(Nissan社, SE-7492)을 용매로서 사이클로펜탄온(cyclopentanone) 및 에틸렌 글라이콜(Ethylene glycol) 내에 약 1.5 중량%의 농도로 분산시킨 배향막 형성재를 사용하여 최종 배향막 두께가 약 150 nm 정도가 되도록 형성하였다. 형성된 상부 기판상의 배향막의 극성은 약 0.072이였고, 하부 기판상의 배향막의 극성은 약 0.160 정도였다.Each of the upper and lower substrates was prepared in the same manner as in Example 1, but the alignment layer of the upper substrate was formed of a polyimide-based alignment layer-forming material (Nissan, SE-7492) as a solvent, and cyclopentanone ( Cyclopentanone) and ethylene glycol (Ethylene glycol) were used to form an alignment film-forming material dispersed at a concentration of about 2% by weight to form a final alignment film having a thickness of about 200 nm, and the alignment film of the lower substrate was used as an alignment film forming material. For the polyimide-based alignment film-forming material (Nissan, SE-7492) as a solvent, cyclopentanone and ethylene glycol (Ethylene glycol) are used in an alignment film-forming material dispersed in a concentration of about 1.5% by weight. Thus, the final alignment layer was formed to have a thickness of about 150 nm. The polarity of the alignment film on the formed upper substrate was about 0.072, and the polarity of the alignment film on the lower substrate was about 0.160.

상기와 같이 제작된 상부 및 하부 기판을 사용하여 실시예 1과 동일하게 광학 디바이스를 제작하였다.Optical devices were manufactured in the same manner as in Example 1 using the upper and lower substrates manufactured as described above.

비교예 3Comparative Example 3

실시예 1과 동일한 방식으로 상부 및 하부 기판을 각각 제작하되, 상부 기판의 배향막은, 배향막 형성재로는, 폴리이미드 계열의 배향막 형성 물질(Nissan社, SE-7492)을 용매로서 사이클로펜탄온(cyclopentanone) 및 에틸렌 글라이콜(Ethylene glycol) 내에 약 2 중량%의 농도로 분산시킨 배향막 형성재를 사용하여 최종 배향막 두께가 약 200 nm 정도가 되도록 형성하였으며, 하부 기판의 배향막은, 배향막 형성재로는, 폴리이미드 계열의 배향막 형성 물질(Nissan社, SE-7492)을 용매로서 사이클로펜탄온(cyclopentanone) 및 에틸렌 글라이콜(Ethylene glycol) 내에 약 2 중량%의 농도로 분산시킨 배향막 형성재를 사용하여 최종 배향막 두께가 약 200 nm 정도가 되도록 형성하였다. 형성된 상부 기판상의 배향막의 극성은 약 0.072 정도였고, 하부 기판상의 배향막의 극성은 약 0.128 정도였다.Each of the upper and lower substrates was prepared in the same manner as in Example 1, but the alignment layer of the upper substrate was formed of a polyimide-based alignment layer-forming material (Nissan, SE-7492) as a solvent, and cyclopentanone ( Cyclopentanone) and ethylene glycol (Ethylene glycol) were used to form an alignment film-forming material dispersed at a concentration of about 2% by weight to form a final alignment film having a thickness of about 200 nm, and the alignment film of the lower substrate was used as an alignment film forming material. For the polyimide-based alignment film-forming material (Nissan, SE-7492) as a solvent, an alignment film-forming material dispersed in a concentration of about 2% by weight in cyclopentanone and ethylene glycol (Ethylene glycol) is used. Thus, the final alignment layer was formed to have a thickness of about 200 nm. The polarity of the alignment film on the formed upper substrate was about 0.072, and the polarity of the alignment film on the lower substrate was about 0.128.

상기와 같이 제작된 상부 및 하부 기판을 사용하여 실시예 1과 동일하게 광학 디바이스를 제작하였다.Optical devices were manufactured in the same manner as in Example 1 using the upper and lower substrates manufactured as described above.

비교예 4Comparative Example 4

실시예 1과 동일한 방식으로 상부 및 하부 기판을 각각 제작하되, 상부 기판의 배향막은, 배향막 형성재로는, 폴리이미드 계열의 배향막 형성 물질(Nissan社, SE-7492)을 용매로서 사이클로펜탄온(cyclopentanone) 및 에틸렌 글라이콜(Ethylene glycol) 내에 약 6 중량%의 농도로 분산시킨 배향막 형성재를 사용하여 최종 배향막 두께가 약 600 nm 정도가 되도록 형성하였으며, 하부 기판의 배향막은, 배향막 형성재로는, 폴리이미드 계열의 배향막 형성 물질(Nissan社, SE-7492)을 용매로서 사이클로펜탄온(cyclopentanone) 및 에틸렌 글라이콜(Ethylene glycol) 내에 약 0.5 중량%의 농도로 분산시킨 배향막 형성재를 사용하여 최종 배향막 두께가 약 50 nm 정도가 되도록 형성하였다. 형성된 상부 기판상의 배향막의 극성은 약 0.056 정도였고, 하부 기판상의 배향막의 극성은 약 0.186 정도였다.Each of the upper and lower substrates was prepared in the same manner as in Example 1, but the alignment layer of the upper substrate was formed of a polyimide-based alignment layer-forming material (Nissan, SE-7492) as a solvent, and cyclopentanone ( Cyclopentanone) and ethylene glycol (Ethylene glycol) were used to form an alignment film-forming material dispersed at a concentration of about 6% by weight to form a final alignment film having a thickness of about 600 nm, and the alignment film of the lower substrate was an alignment film-forming material. The polyimide-based alignment film-forming material (Nissan, SE-7492) is used as an alignment film-forming material in a concentration of about 0.5% by weight in cyclopentanone and ethylene glycol. Thus, the final alignment layer was formed to have a thickness of about 50 nm. The polarity of the alignment film on the formed upper substrate was about 0.056, and the polarity of the alignment film on the lower substrate was about 0.186.

상기와 같이 제작된 상부 및 하부 기판을 사용하여 실시예 1과 동일하게 광학 디바이스를 제작하였다.Optical devices were manufactured in the same manner as in Example 1 using the upper and lower substrates manufactured as described above.

비교예 5Comparative Example 5

실시예 1과 동일한 방식으로 상부 및 하부 기판을 각각 제작하되, 상부 기판의 배향막은, 배향막 형성재로는, 폴리이미드 계열의 배향막 형성 물질(Nissan社, SE-7492)을 용매로서 사이클로펜탄온(cyclopentanone) 및 에틸렌 글라이콜(Ethylene glycol) 내에 약 6 중량%의 농도로 분산시킨 배향막 형성재를 사용하여 최종 배향막 두께가 약 600 nm 정도가 되도록 형성하였으며, 하부 기판의 배향막은, 배향막 형성재로는, 폴리이미드 계열의 배향막 형성 물질(Nissan社, SE-7492)을 용매로서 사이클로펜탄온(cyclopentanone) 및 에틸렌 글라이콜(Ethylene glycol) 내에 약 1 중량%의 농도로 분산시킨 배향막 형성재를 사용하여 최종 배향막 두께가 약 100 nm 정도가 되도록 형성하였다. 형성된 상부 기판상의 배향막의 극성은 약 0.056 정도였고, 하부 기판상의 배향막의 극성은 약 0.166 정도였다.Each of the upper and lower substrates was prepared in the same manner as in Example 1, but the alignment layer of the upper substrate was formed of a polyimide-based alignment layer-forming material (Nissan, SE-7492) as a solvent, and cyclopentanone ( Cyclopentanone) and ethylene glycol (Ethylene glycol) were used to form an alignment film-forming material dispersed at a concentration of about 6% by weight to form a final alignment film having a thickness of about 600 nm, and the alignment film of the lower substrate was an alignment film-forming material. Is, a polyimide-based alignment film-forming material (Nissan, SE-7492) as a solvent in cyclopentanone (cyclopentanone) and ethylene glycol (Ethylene glycol) in an concentration of about 1% by weight of the alignment film forming material is used Thus, the final alignment layer was formed to have a thickness of about 100 nm. The polarity of the alignment film on the formed upper substrate was about 0.056, and the polarity of the alignment film on the lower substrate was about 0.166.

상기와 같이 제작된 상부 및 하부 기판을 사용하여 실시예 1과 동일하게 광학 디바이스를 제작하였다.Optical devices were manufactured in the same manner as in Example 1 using the upper and lower substrates manufactured as described above.

비교예 6Comparative Example 6

실시예 1과 동일한 방식으로 상부 및 하부 기판을 각각 제작하되, 상부 기판의 배향막은, 배향막 형성재로는, 폴리이미드 계열의 배향막 형성 물질(Nissan社, SE-7492)을 용매로서 사이클로펜탄온(cyclopentanone) 및 에틸렌 글라이콜(Ethylene glycol) 내에 약 6 중량%의 농도로 분산시킨 배향막 형성재를 사용하여 최종 배향막 두께가 약 600 nm 정도가 되도록 형성하였으며, 하부 기판의 배향막은, 배향막 형성재로는, 폴리이미드 계열의 배향막 형성 물질(Nissan社, SE-7492)을 용매로서 사이클로펜탄온(cyclopentanone) 및 에틸렌 글라이콜(Ethylene glycol) 내에 약 2 중량%의 농도로 분산시킨 배향막 형성재를 사용하여 최종 배향막 두께가 약 200 nm 정도가 되도록 형성하였다. 형성된 상부 기판상의 배향막의 극성은 약 0.056 정도였고, 하부 기판상의 배향막의 극성은 약 0.128 정도였다.Each of the upper and lower substrates was prepared in the same manner as in Example 1, but the alignment layer of the upper substrate was formed of a polyimide-based alignment layer-forming material (Nissan, SE-7492) as a solvent, and cyclopentanone ( Cyclopentanone) and ethylene glycol (Ethylene glycol) were used to form an alignment film-forming material dispersed at a concentration of about 6% by weight to form a final alignment film having a thickness of about 600 nm, and the alignment film of the lower substrate was an alignment film-forming material. For the polyimide-based alignment film-forming material (Nissan, SE-7492) as a solvent, an alignment film-forming material dispersed in a concentration of about 2% by weight in cyclopentanone and ethylene glycol (Ethylene glycol) is used. Thus, the final alignment layer was formed to have a thickness of about 200 nm. The polarity of the alignment film on the formed upper substrate was about 0.056, and the polarity of the alignment film on the lower substrate was about 0.128.

상기와 같이 제작된 상부 및 하부 기판을 사용하여 실시예 1과 동일하게 광학 디바이스를 제작하였다.Optical devices were manufactured in the same manner as in Example 1 using the upper and lower substrates manufactured as described above.

시험예Test example

실시예 및 비교예에서 각각 제조된 기판/광학 디바이스에서의 닷팅 얼룩을 확인하였다. 해당 닷팅 얼룩은 제작된 광학 디바이스를 흡수축이 약 60도를 이루도록 배치된 상부 및 하부 편광판의 사이에 배치한 후에 광학 디바이스를 360도 회전시키면서 가장 얼룩이 많이 관찰되는 경우를 촬영하여 확인하였다.In the examples and comparative examples, dot staining on the substrate / optical device prepared respectively was confirmed. This dot staining was confirmed by placing the manufactured optical device between the upper and lower polarizing plates arranged so that the absorption axis forms about 60 degrees and then photographing the case where the most stain is observed while rotating the optical device 360 degrees.

첨부된 도 1은 실시예 1 내지 3에 대한 닷팅 얼룩 유무의 확인 결과이고, 도 2는 비교예 1 내지 6에 대한 닷팅 얼룩 유무의 확인 결과이다.Attached FIG. 1 is a result of confirming the presence or absence of dot staining for Examples 1 to 3, and FIG. 2 is a result of confirming the presence or absence of dot staining for Comparative Examples 1 to 6.

도 1과 2로부터 비교예의 경우 닷팅 얼룩이 확인되지만, 실시예에서는 해당 얼룩이 확인되지 않은 것을 확인할 수 있다.1 and 2, in the case of the comparative example, the dot staining was confirmed, but in the example, it was confirmed that the stain was not confirmed.

본 출원의 실시예 및 비교예에서는 하부 기판에만 광변조 물질을 닷팅하여 광학디바이스를 제작한 결과를 도시하였으나, 상부 기판 및 하부 기판 모두 광변조 물질을 닷팅하여 광학디바이스를 제작하였을 때, 본 출원의 실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 6과 동일한 결과를 확인하였다.In the Examples and Comparative Examples of the present application, the results of fabricating the optical device by dotting the light modulating material only on the lower substrate are shown, but when the optical device was fabricated by dotting the light modulating material on both the upper substrate and the lower substrate, The same results as in Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 6 were confirmed.

201A, 201B: 기판
301: 광변조 물질
302: 롤러
201A, 201B: Substrate
301: light modulating material
302: roller

Claims (16)

기재층상에 배향막을 형성하는 공정을 포함하는 광학 디바이스의 제조 방법으로서,
상기 배향막은 수평 배향막이고, 상기 배향막은 배향막 형성 물질을 포함하는 배향막 형성재를 사용하여 형성하되, 상기 배향막 형성재 내의 배향막 형성 물질의 농도가 2.5 중량% 이상 내지 20 중량% 이하이고, 상기 형성된 배향막의 극성이 0.1 이하가 되도록 하며,
상기 배향막의 극성은 배향막의 표면 에너지(γsurface)의 측정에 의해 구해지고, 상기 표면 에너지(γsurface )는 무극성 분자간의 분산힘(γdispersion)과 극성 분자간의 상호 작용힘(γpolar)의 합계이며, 상기 배향막의 극성은 상기 배향막의 표면 에너지에서 극성 분자간의 상호 작용힘의 비율(γpolarsurface)로 규정되는 제조 방법.
A method for manufacturing an optical device comprising a step of forming an alignment film on a base layer,
The alignment layer is a horizontal alignment layer, the alignment layer is formed using an alignment layer forming material containing an alignment layer forming material, the concentration of the alignment layer forming material in the alignment layer forming material is 2.5% by weight to 20% by weight or less, and the formed alignment layer Polarity of 0.1 or less,
The polarity of the alignment layer is obtained by measuring the surface energy (γ surface ) of the alignment layer, and the surface energy (γ surface ) is the sum of the dispersion force between non-polar molecules (γ dispersion ) and the interaction force between polar molecules (γ polar ). And the polarity of the alignment layer is defined as a ratio of the interaction force between polar molecules in the surface energy of the alignment layer (γ polar / γ surface ).
제 1 항에 있어서, 기재층은 플라스틱 필름인 제조 방법.The method of claim 1, wherein the base layer is a plastic film. 제 1 항에 있어서, 기재층상에는 전극층이 존재하고, 배향막이 상기 전극층상에 형성되는 제조 방법.The method according to claim 1, wherein an electrode layer is present on the substrate layer, and an alignment film is formed on the electrode layer. 제 1 항에 있어서, 기재층상에는 스페이서가 존재하고, 배향막이 상기 스페이서상에 형성되는 제조 방법.The method according to claim 1, wherein a spacer is present on the substrate layer, and an alignment film is formed on the spacer. 삭제delete 제 1 항에 있어서, 배향막 형성 물질이 러빙 배향막 형성 물질을 포함하는 제조 방법.The method of claim 1, wherein the alignment layer-forming material comprises a rubbing alignment layer-forming material. 제 1 항에 있어서, 배향막 형성 물질은 폴리이미드(polyimide) 화합물, 폴리비닐알코올(poly(vinyl alcohol)) 화합물, 폴리아믹산(poly(amic acid)) 화합물, 폴리스티렌(polystylene) 화합물, 폴리아미드(polyamide) 화합물, 폴리옥시에틸렌(polyoxyethylene) 화합물, 폴리노르보넨(polynorbornene) 화합물, 페닐말레이미드 공중합체(phenylmaleimide copolymer) 화합물, 폴리비닐신나메이트(polyvinylcinamate) 화합물, 폴리아조벤젠(polyazobenzene) 화합물, 폴리에틸렌이미드(polyethyleneimide) 화합물, 폴리에틸렌(polyethylene) 화합물, 폴리스타일렌(polystylene) 화합물, 폴리페닐렌프탈아미드(polyphenylenephthalamide) 화합물, 폴리에스테르(polyester) 화합물, CMPI(chloromethylated polyimide) 화합물, PVCI(polyvinylcinnamate) 화합물 및 폴리메틸 메타크릴레이트(polymethyl methacrylate) 화합물로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 제조 방법.The method of claim 1, wherein the alignment layer-forming material is a polyimide compound, a poly (vinyl alcohol) compound, a poly (amic acid) compound, a polystyrene compound, a polyamide ) Compound, polyoxyethylene compound, polynorbornene compound, phenylmaleimide copolymer compound, polyvinylcinamate compound, polyazobenzene compound, polyethyleneimide ( polyethyleneimide) compounds, polyethylene compounds, polystylene compounds, polyphenylenephthalamide compounds, polyester compounds, chloromethylated polyimide (CMPI) compounds, polyvinylcinnamate (PVCI) compounds and polymethyl meta Preparation of at least one selected from the group consisting of polymethyl methacrylate compounds Law. 제 1 항에 있어서, 배향막 형성재는, 용매를 추가로 포함하는 제조 방법.The method according to claim 1, wherein the alignment film forming material further comprises a solvent. 제 1 항에 있어서, 배향막 형성 공정은, 기재층상에 배향막 형성재의 층을 형성하고, 상기 층을 열처리하는 공정을 포함하는 제조 방법.The manufacturing method according to claim 1, wherein the alignment film forming step includes a step of forming a layer of an alignment film forming material on the substrate layer and heat-treating the layer. 제 1 항에 있어서, 형성된 배향막을 러빙하는 공정을 추가로 포함하는 제조 방법.The manufacturing method according to claim 1, further comprising a step of rubbing the formed alignment layer. 제 1 항에 있어서, 형성된 배향막상에 액정 화합물을 포함하는 광변조 물질을 닷팅하는 단계; 및 대향 기판을 상기 광변조 물질이 닷팅된 배향막을 가지는 기재층과 대향 배치한 상태로 압착하여 상기 닷팅된 광변조 물질이 상기 기재층과 대향 기판의 사이의 간격을 충전하도록 하는 단계를 추가로 포함하는 제조 방법.The method of claim 1, further comprising: dotting a light modulating material comprising a liquid crystal compound on the formed alignment layer; And compressing the opposing substrate in a state in which the light modulating material is disposed opposite to the base layer having a dot-oriented alignment layer so that the dot-moded light modulating material fills the gap between the base layer and the opposing substrate. Manufacturing method. 제 11 항에 있어서, 기재층과 대향 기판의 사이의 간격이 4㎛ 이상 내지 20㎛ 이하가 되도록 하는 제조 방법.The manufacturing method according to claim 11, wherein a gap between the base layer and the counter substrate is 4 µm or more to 20 µm or less. 제 1 기판; 상기 제 1 기판과 대향 배치되어 있는 제 2 기판; 및 상기 제 1 및 제 2 기판의 사이에 존재하는 광변조 물질을 포함하는 광학 디바이스로서,
상기 제 1 기판의 상기 제 2 기판에 대향하는 면과 상기 제 2 기판의 상기 제 1 기판에 대향하는 면에는 수평 배향막이 형성되어 있고,
상기 제 1 기판상에 형성된 배향막 및 상기 제 2 기판상에 형성된 배향막 중 적어도 하나는 극성이 0.1 이하이며,
상기 배향막의 극성은 배향막의 표면 에너지(γsurface)의 측정에 의해 구해지고, 상기 표면 에너지(γsurface )는 무극성 분자간의 분산힘(γdispersion)과 극성 분자간의 상호 작용힘(γpolar)의 합계이며, 상기 배향막의 극성은 상기 배향막의 표면 에너지에서 극성 분자간의 상호 작용힘의 비율(γpolarsurface)로 규정되는 광학 디바이스.
A first substrate; A second substrate facing the first substrate; And a light modulating material present between the first and second substrates,
A horizontal alignment layer is formed on a surface of the first substrate facing the second substrate and a surface of the second substrate facing the first substrate,
At least one of the alignment layer formed on the first substrate and the alignment layer formed on the second substrate has a polarity of 0.1 or less,
The polarity of the alignment layer is obtained by measuring the surface energy (γ surface ) of the alignment layer, and the surface energy (γ surface ) is the sum of the dispersion force between non-polar molecules (γ dispersion ) and the interaction force between polar molecules (γ polar ). And the polarity of the alignment layer is defined as a ratio of the interaction force between polar molecules in the surface energy of the alignment layer (γ polar / γ surface ).
제 13 항에 있어서, 제 1 및 제 2 기판은 플라스틱 필름인 광학 디바이스.14. The optical device of claim 13, wherein the first and second substrates are plastic films. 제 13 항에 있어서, 광변조 물질은, 액정 화합물을 포함하는 광학 디바이스.The optical device according to claim 13, wherein the light modulating material comprises a liquid crystal compound. 제 13 항에 있어서, 제 1 및 제 2 기판의 간격이 4㎛ 이상 내지 20㎛ 이하인 광학 디바이스.14. The optical device according to claim 13, wherein a space between the first and second substrates is 4 m to 20 m.
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