KR20190036019A - Pixel array structure for terahertz image sensor, terahertz image sensor, method of manufacturing the same and image apparatus comprising the same - Google Patents

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Abstract

According to the present invention, disclosed are a pixel array structure for a terahertz image sensor, a terahertz image sensor, a method of manufacturing the same, and a video device including the same. The pixel array structure for a terahertz image sensor of the present invention comprises: an effective pixel array in which a plurality of antennas sensing terahertz signals, heating elements generating heat, first bolometers measuring heat, and effective unit pixels having a first signal line for transmitting a signal are arranged at regular intervals to sense a terahertz signal; and a reference pixel array which is arranged so as to be spaced apart from the effective pixel array, and in which a plurality of second bolometers for measuring heat and reference unit pixels having a second signal line for transmitting a signal are arranged at regular intervals to serve as a reference for correcting a resistance deviation of the bolometer by pixels.

Description

테라헤르츠 이미지 센서용 화소 어레이 구조, 테라헤르츠 이미지 센서, 그 제조방법 및 이를 포함하는 영상장치{Pixel array structure for terahertz image sensor, terahertz image sensor, method of manufacturing the same and image apparatus comprising the same}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a pixel array structure for a terahertz image sensor, a terahertz image sensor, a method of manufacturing the same, and a video device including the pixel array structure for a terahertz image sensor, a terahertz image sensor,

본 발명은 이미지 센서에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 안테나 결합 볼로미터 방식의 테라헤르츠 이미지 센서에서 각 화소별 볼로미터 저항값 편차를 보정하는 테라헤르츠 이미지 센서용 화소 어레이 구조, 테라헤르츠 이미지 센서, 그 제조방법 및 이를 포함하는 영상장치에 관한 것이다.The present invention relates to an image sensor, and more particularly, to a pixel array structure for a terahertz image sensor, a terahertz image sensor, a method of manufacturing the same, a terahertz image sensor, And a video apparatus including the same.

일반적으로, 안테나 결합 볼로미터 방식 테라헤르츠 이미지 센서의 단위 화소 구조와 화소 어레이 구조는 도 1 및 도 2와 같다. In general, the unit pixel structure and the pixel array structure of an antenna-coupled bolometer-type terahertz image sensor are the same as in FIGS. 1 and 2. FIG.

기본적인 단위 화소(80)의 구조는 볼로미터(bolometer)(81), 신호선(signal line)(83), 절연체(insulator)(85), 안테나(antenna)(87) 및 발열체(heater)(89)를 포함하고, 구동방식에 따라 볼로미터(81)와 발열체(89)가 일체화되거나 신호선(83)과 안테나(87)가 일체화 될 수 있다. The structure of the basic unit pixel 80 includes a bolometer 81, a signal line 83, an insulator 85, an antenna 87 and a heater 89 And the bolometer 81 and the heating body 89 may be integrated with each other or the signal line 83 and the antenna 87 may be integrated according to the driving method.

작동 원리는 광학계를 통해 입사된 테라헤르츠 신호가 안테나(87)에서 수신되고, 안테나(87)에서 여기된 전류로 안테나(87)와 임피던스(impedance) 정합된 발열체(89)가 가열되며, 발열체(89)에서 발생한 열이 볼로미터(81)로 전달되어 볼로미터(81)의 저항이 감소된다. 이 때, 볼로미터(81)의 저항 값은 신호선(83)을 통해 판독회로에서 판독되는 방식으로 구동된다. The operating principle is that the terahertz signal incident through the optical system is received by the antenna 87 and the heating element 89 impedance-matched to the antenna 87 by the current excited by the antenna 87 is heated, 89 is transmitted to the bolometer 81 so that the resistance of the bolometer 81 is reduced. At this time, the resistance value of the bolometer 81 is driven in such a manner that it is read out by the readout circuit via the signal line 83.

테라헤르츠 이미지 센서를 위한 화소 어레이(90)는 제조공정 상의 화소별 볼로미터 소자의 저항 편차 보정을 위한 기준 화소 어레이(reference pixel array)(91)와 실제 테라헤르츠 신호를 감지하는 실효 화소 어레이(active pixel array)(93)로 구성된다. 여기서, 기준 화소 어레이(91)는 실효 화소 어레이(93)와 동일한 형태의 단위 화소(unit pixel)(80)로 구성되지만 테라헤르츠 차폐(shielding) 금속막(95)으로 완전히 덥혀져 있어 항상 테라헤르츠 신호가 차단된 암(dark) 상태로 구성된다. The pixel array 90 for the terahertz image sensor includes a reference pixel array 91 for correcting the resistance variation of the pixel-by-pixel bolometer element in the manufacturing process and an active pixel array 91 for sensing the real terahertz signal. array (93). Here, the reference pixel array 91 is composed of a unit pixel 80 having the same shape as the effective pixel array 93, but is completely covered with the terahertz shielding metal film 95 so that the terahertz And a dark state in which the signal is interrupted.

즉, 볼로미터의 저항 편차 보정원리는 기준 화소 어레이(91)의 볼로미터 저항 값의 평균을 기준 값으로 하여 테라헤르츠 신호가 완전히 차단된 상태의 실효 화소 볼로미터 저항 값과의 차이에 대해 보정을 한다.That is, the principle of the resistance variation correction of the bolometer compensates for the difference between the effective pixel resistance value in which the terahertz signal is completely blocked, with the average of the bolometer resistance values of the reference pixel array 91 as a reference value.

한국등록특허공보 제10-0308638호(2001.08.30.)Korean Patent Registration No. 10-0308638 (Aug. 30, 2001)

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 기준 단위 화소에서 테라헤르츠 신호 수신을 위한 안테나 및 발열체를 포함되지 않는 테라헤르츠 이미지 센서용 화소 어레이 구조, 테라헤르츠 이미지 센서, 그 제조방법 및 이를 포함하는 영상장치를 제공한다.The present invention provides a pixel array structure for a terahertz image sensor that does not include an antenna and a heating element for receiving a terahertz signal in a reference unit pixel, a terahertz image sensor, a method of manufacturing the same, and a video device including the same do.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 기준 단위 화소의 빈 공간에 기준 단위 화소와 동일한 구조의 추가 기준 단위 화소를 적어도 하나 배치하여 그룹화된 기준 단위 화소를 형성하는 테라헤르츠 이미지 센서용 화소 어레이 구조, 테라헤르츠 이미지 센서, 그 제조방법 및 이를 포함하는 영상장치를 제공한다.The present invention is directed to a pixel array structure for a terahertz image sensor in which at least one additional reference unit pixel having the same structure as a reference unit pixel is formed in a vacant space of a reference unit pixel to form a grouped reference unit pixel, An image sensor, a method of manufacturing the same, and a video apparatus including the same are provided.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 테라헤르츠 이미지 센서용 화소 어레이 구조는 테라헤르츠 신호를 감지하는 안테나, 발열하는 발열체, 열을 측정하는 제1 볼로미터 및 신호를 전송하는 제1 신호선을 가지는 실효 단위 화소가 일정 간격으로 복수개 배열되어 테라헤르츠 신호를 감지하는 실효 화소 어레이 및 상기 실효 화소 어레이와 이격되게 배치되고, 열을 측정하는 제2 볼로미터 및 신호를 전송하는 제2 신호선을 가지는 기준 단위 화소가 일정 간격으로 복수개 배열되어 화소별 볼로미터의 저항 편차를 보정하는 기준이 되는 기준 화소 어레이를 포함한다.In order to achieve the above object, a pixel array structure for a terahertz image sensor according to the present invention includes an antenna for sensing a terahertz signal, an exothermic heating element, a first bologometer for measuring heat, and a first signal line for transmitting a signal A plurality of unit pixels arranged at a predetermined interval to detect a terahertz signal and a reference unit pixel having a second signal line arranged to be spaced apart from the effective pixel array and measuring a row and a second signal line transmitting a signal And a plurality of reference pixels arrays arranged at regular intervals to serve as a reference for correcting the resistance variation of each pixel.

또한 상기 기준 단위 화소는, 안테나 및 발열체를 포함하지 않는 것을 특징으로 한다.The reference unit pixel does not include an antenna and a heating element.

또한 상기 기준 단위 화소는, 상기 제2 볼로미터의 양끝단에 상기 제2 신호선이 각각 연결되고, 서로 수평하게 배치되는 것을 특징으로 한다.In addition, the reference unit pixel is characterized in that the second signal lines are connected to both ends of the second bellows, and are arranged horizontally to each other.

또한 상기 기준 단위 화소는, 상기 실효 단위 화소와 대응되는 영역에 기준 단위 화소와 동일한 구조의 추가 기준 단위 화소를 적어도 하나 추가 배치하여 그룹화된 기준 단위 화소를 형성하는 것을 특징으로 한다.And the reference unit pixel further includes at least one additional reference unit pixel having the same structure as the reference unit pixel in a region corresponding to the effective unit pixel to form a grouped reference unit pixel.

또한 상기 그룹화된 기준 단위 화소는, 상기 기준 단위 화소 및 상기 추가 기준 단위 화소의 피치(pitch)가 상기 실효 단위 화소 간의 피치보다 짧은 것을 특징으로 한다.The grouped reference unit pixel is characterized in that pitches of the reference unit pixel and the additional reference unit pixel are shorter than the pitch between the effective unit pixels.

또한 상기 그룹화된 기준 단위 화소는, 상기 추가 기준 단위 화소를 통해 볼로미터의 저항 평균값이 상기 기준 단위 화소만 형성될 때보다 기준 저항 값에 더 가까이 수렴되는 것을 특징으로 한다.Also, the grouped reference unit pixel is characterized in that an average resistance value of the bolometer is converged closer to the reference resistance value than when the reference unit pixel is formed through the additional reference unit pixel.

본 발명에 따른 테라헤르츠 이미지 센서는 기판, 상기 기판의 상부에 형성되고, 실효 화소 어레이 및 기준 화소 어레이를 포함하는 화소 어레이 및 상기 기판 및 상기 화소 어레이 사이에 형성되어 상기 화소 어레이에서 측정된 값을 판독하는 판독집적회로를 포함하되, 상기 실효 화소 어레이는, 테라헤르츠 신호를 감지하는 안테나, 발열하는 발열체, 열을 측정하는 제1 볼로미터 및 신호를 전송하는 제1 신호선을 가지는 실효 단위 화소가 일정 간격으로 복수개 배열되어 테라헤르츠 신호를 측정하고, 상기 기준 화소 어레이는, 상기 실효 화소 어레이와 이격되게 배치되고, 열을 측정하는 제2 볼로미터 및 신호를 전송하는 제2 신호선을 가지는 기준 단위 화소가 일정 간격으로 복수개 배열되어 제조공정 상의 화소별 볼로미터의 저항 편차를 보정하는 기준이 되는 것을 특징으로 한다.A terahertz image sensor according to the present invention includes a substrate, a pixel array formed on the substrate and including an effective pixel array and a reference pixel array, and a pixel array formed between the substrate and the pixel array, Wherein the effective pixel array includes an effective unit pixel having an antenna for sensing a terahertz signal, a heating element for generating heat, a first ballometer for measuring heat, and a first signal line for transmitting a signal, Wherein the reference pixel array is arranged so as to be spaced apart from the effective pixel array, and a reference unit pixel having a second signal line for transmitting a signal and a second ballometer for measuring a column, Are arranged in a plurality of rows and columns to compensate the resistance variation of the bolometer according to the pixel in the manufacturing process .

본 발명에 따른 영상장치는 테라헤르츠 신호를 수신하는 테라헤르츠 이미지 센서 및 상기 수신된 테라헤르츠 신호에 포함된 이미지 정보를 검출하고, 상기 검출된 이미지 정보를 이용하여 이미지를 구현하는 제어부를 포함하되, 상기 테라헤르츠 이미지 센서는, 기판, 상기 기판의 상부에 형성되고, 실효 화소 어레이 및 기준 화소 어레이를 포함하는 화소 어레이 및 상기 기판 및 상기 화소 어레이 사이에 형성되어 상기 화소 어레이에서 측정된 값을 판독하는 판독집적회로를 포함하고, 상기 실효 화소 어레이는, 테라헤르츠 신호를 감지하는 안테나, 발열하는 발열체, 열을 측정하는 제1 볼로미터 및 신호를 전송하는 제1 신호선을 가지는 실효 단위 화소가 일정 간격으로 복수개 배열되어 테라헤르츠 신호를 측정하며, 상기 기준 화소 어레이는, 상기 실효 화소 어레이와 이격되게 배치되고, 열을 측정하는 제2 볼로미터 및 신호를 전송하는 제2 신호선을 가지는 기준 단위 화소가 일정 간격으로 복수개 배열되어 제조공정 상의 화소별 볼로미터의 저항 편차를 보정하는 기준이 되는 것을 특징으로 한다.The image device according to the present invention includes a terahertz image sensor for receiving a terahertz signal and a controller for detecting image information included in the received terahertz signal and implementing an image using the detected image information, Wherein the terahertz image sensor comprises a substrate, a pixel array formed on the substrate, the effective array including a pixel array and a reference pixel array, and a plurality of pixel arrays formed between the substrate and the pixel array, Wherein the effective pixel array includes a plurality of effective unit pixels each having an antenna for sensing a terahertz signal, a heating element for generating heat, a first ballometer for measuring heat, and a first signal line for transmitting a signal, Arranged to measure a terahertz signal, wherein the reference pixel array A plurality of reference unit pixels having a second signal line for measuring heat and a second signal line for transmitting a signal are arranged at a predetermined interval so that a reference for correcting the resistance variation of each pixel in the manufacturing process .

본 발명에 따른 테라헤르츠 이미지 센서의 제조방법은 기판이 준비되는 단계, 상기 기판의 상부에 화소 어레이에서 측정된 값을 판독하는 판독집적회로가 형성되는 단계 및 상기 판독집적회로의 상부에 실효 화소 어레이 및 기준 화소 어레이를 포함하는 화소 어레이가 형성되는 단계를 포함하되, 상기 실효 화소 어레이는, 테라헤르츠 신호를 감지하는 안테나, 발열하는 발열체, 열을 측정하는 제1 볼로미터 및 신호를 전송하는 제1 신호선을 가지는 실효 단위 화소가 일정 간격으로 복수개 배열되어 테라헤르츠 신호를 측정하며, 상기 기준 화소 어레이는, 상기 실효 화소 어레이와 이격되게 배치되고, 열을 측정하는 제2 볼로미터 및 신호를 전송하는 제2 신호선을 가지는 기준 단위 화소가 일정 간격으로 복수개 배열되어 제조공정 상의 화소별 볼로미터의 저항 편차를 보정하는 기준이 되는 것을 특징으로 한다.A method of manufacturing a terahertz image sensor according to the present invention includes the steps of preparing a substrate, forming a readout integrated circuit for reading a measured value in a pixel array on the substrate, And a reference pixel array, wherein the effective pixel array comprises: an antenna for sensing a terahertz signal; a heating element for generating heat; a first ballometer for measuring heat; and a first signal line for transmitting a signal, Wherein the reference pixel array is arranged to be spaced apart from the effective pixel array and includes a second bellows for measuring a column and a second signal line for transmitting a signal, A plurality of reference unit pixels are arranged at predetermined intervals, That of serving as a reference for correcting the resistance drift is characterized.

본 발명에 따른 테라헤르츠 이미지 센서용 화소 어레이 구조, 테라헤르츠 이미지 센서, 그 제조방법 및 이를 포함하는 영상장치는 일반적인 단위 화소에서 안테나 및 발열체를 제거하여 기준 단위 화소로 사용함으로써, 근본적으로 테라헤르츠 신호를 수신하지 않아 차폐 금속층이 형성되지 않을 수 있다. A pixel array structure for a terahertz image sensor, a terahertz image sensor, a method of manufacturing the same, and a video device including the same according to the present invention are used as a reference unit pixel by removing an antenna and a heating element from a general unit pixel, The shielding metal layer may not be formed.

또한 기준 단위 화소의 빈 공간에 기준 단위 화소와 동일한 구조의 추가 기준 단위 화소를 적어도 하나 배치하여 그룹화된 기준 단위 화소를 형성함으로써, 볼로미터의 저항 평균값이 기준 저항 값에 더 가까이 수렴시킬 수 있다.Further, at least one additional reference unit pixel having the same structure as the reference unit pixel is formed in the empty space of the reference unit pixel to form a grouped reference unit pixel, so that the average resistance value of the bolometer can be converged closer to the reference resistance value.

또한 추가 기준 단위 화소가 기준 단위 화소의 주변에서 더미(dummy) 화소 역할을 수행하여 기준 단위 화소에서 발생되는 공정상의 편차를 감소시킬 수 있다.Further, the additional reference unit pixel serves as a dummy pixel in the vicinity of the reference unit pixel, thereby reducing a process variation occurring in the reference unit pixel.

도 1은 일반적인 안테나 결합 볼로미터 방식의 테라헤르츠 이미지 센서용 단위 화소를 설명하기 위한 개략도이다.
도 2는 도 1의 단위 화소를 포함하는 일반적인 테라헤르츠 이미지 센서용 화소 어레이 구조를 설명하기 위한 개략도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 영상장치를 설명하기 위한 블록도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 기준 단위 화소를 설명하기 위한 개략도이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 기준 단위 화소를 설명하기 위한 개략도이다.
도 6은 도 4 또는 도 5의 기준 단위 화소를 포함하는 화소 어레이를 설명하기 위한 개략도이다.
도 7은 도 6의 화소 어레이를 포함하는 테라헤르츠 이미지 센서를 설명하기 위한 개략도이다.
도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 기준 단위 화소를 설명하기 위한 개략도이다.
도 9는 도 8의 기준 단위 화소를 포함하는 화소 어레이를 설명하기 위한 개략도이다.
도 10은 도 9의 화소 어레이를 포함하는 테라헤르츠 이미지 센서를 설명하기 위한 계략도이다.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 테라헤르츠 이미지 센서의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.1 is a schematic view for explaining a unit pixel for a terahertz image sensor of a general antenna coupled bolometer system.
2 is a schematic view for explaining a pixel array structure for a general terahertz image sensor including the unit pixel of FIG.
3 is a block diagram illustrating a video apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a schematic view for explaining a reference unit pixel according to the first embodiment of the present invention.
5 is a schematic view for explaining a reference unit pixel according to the second embodiment of the present invention.
6 is a schematic view for explaining a pixel array including reference unit pixels of FIG. 4 or FIG. 5;
FIG. 7 is a schematic diagram for explaining a terahertz image sensor including the pixel array of FIG. 6; FIG.
8 is a schematic view for explaining a reference unit pixel according to the third embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a schematic diagram for explaining a pixel array including the reference unit pixel of FIG. 8; FIG.
FIG. 10 is a schematic diagram for explaining a terahertz image sensor including the pixel array of FIG. 9; FIG.
11 is a view for explaining a method of manufacturing a terahertz image sensor according to an embodiment of the present invention.

이하 본 발명의 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 우선 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의한다. 또한 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 당업자에게 자명하거나 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the drawings, the same reference numerals as used in the appended drawings denote like elements, unless indicated otherwise. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather obvious or understandable to those skilled in the art.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 영상장치를 설명하기 위한 블록도이다.3 is a block diagram illustrating a video apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 영상장치(100)는 테라헤르츠 신호에 포함된 이미지를 영상화한다. 영상장치(100)는 테라헤르츠 이미지 센서(110) 및 제어부(130)를 포함하고, 출력부(150) 및 저장부(170)를 더 포함한다. 영상장치(100)는 카메라, 캠코더 등을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3, imaging device 100 images an image contained in a terahertz signal. The imaging apparatus 100 includes a terahertz image sensor 110 and a control unit 130 and further includes an output unit 150 and a storage unit 170. The imaging apparatus 100 may include a camera, a camcorder, and the like.

테라헤르츠 이미지 센서(110)(이하, “이미지 센서”로 함)는 테라헤르츠 신호를 수신한다. 이 때, 테라헤르츠 신호는 이미지 정보를 포함한다. 이미지 센서(110)는 안테나 결합 볼로미터 방식으로 구성된다. 여기서, 이미지 센서(110)는 제조공정 상에서 발생하는 각 화소별 볼로미터 저항값 편차를 보정한다. 이를 통해, 이미지 센서(110)는 정확하게 테라헤르츠 신호를 수신함으로써 영상 구현에서 발생되는 잡음을 최소화시킬 수 있다. 이미지 센서(110)는 기준 단위 화소에 따라 제1 이미지 센서 및 제2 이미지 센서로 구분할 수 있으며, 이에 대한 자세한 설명은 도 4 내지 도 10을 통해 기술된다.A terahertz image sensor 110 (hereinafter referred to as an " image sensor ") receives a terahertz signal. At this time, the terahertz signal includes image information. The image sensor 110 is configured in an antenna-coupled bolometer manner. Here, the image sensor 110 corrects the deviation of the resistance value of the bolometer resistance of each pixel occurring in the manufacturing process. Thereby, the image sensor 110 can receive the terahertz signal accurately, thereby minimizing the noise generated in the image implementation. The image sensor 110 can be divided into a first image sensor and a second image sensor according to a reference unit pixel, and a detailed description thereof will be described with reference to FIG. 4 to FIG.

제어부(130)는 이미지 센서(110)로부터 수신된 테라헤르츠 신호에 포함된 이미지 정보를 검출한다. 제어부(130)는 검출된 이미지 정보를 이용하여 이미지를 구현한다. 여기서, 제어부(130)는 구현된 이미지를 이용하여 연속적인 이미지인 영상 이미지를 구현할 수 있다.The control unit 130 detects image information included in the terahertz signal received from the image sensor 110. The control unit 130 implements an image using the detected image information. Here, the controller 130 may implement a continuous image image using the implemented image.

출력부(150)는 제어부(130)로부터 구현된 이미지를 출력한다. 출력부(150)는 디스플레이, 프로젝터, 프린터 등을 포함할 수 있다.The output unit 150 outputs the image implemented by the control unit 130. The output unit 150 may include a display, a projector, a printer, and the like.

저장부(170)는 제어부(130)로부터 판독된 이미지 정보가 저장된다. 저장부(170)는 출력부(150)에서 출력되는 이미지가 저장된다. 저장부(170)는 플래시 메모리 타입(flash memory type), 하드디스크 타입(hard disk type), 미디어 카드 마이크로 타입(multimedia card micro type), 카드 타입의 메모리(예를 들어 SD 또는 XD 메모리 등), 램(Random Access Memory, RAM), SRAM(Static Random Access Memory), 롬(Read-Only Memory, ROM), EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory), PROM(Programmable Read-Only Memory), 자기메모리, 자기 디스크, 광디스크 중 적어도 하나의 저장매체를 포함할 수 있다. The storage unit 170 stores the image information read from the control unit 130. The storage unit 170 stores an image output from the output unit 150. The storage unit 170 may be a flash memory type, a hard disk type, a multimedia card micro type, a card type memory (for example, SD or XD memory) (Random Access Memory), a static random access memory (SRAM), a read-only memory (ROM), an electrically erasable programmable read-only memory (EEPROM), a programmable read-only memory (PROM) A magnetic disk, and / or an optical disk.

한편, 영상장치(100)는 도면에는 도시되지 않았지만 통신부를 더 포함하여 외부 장치와의 통신을 할 수 있다.On the other hand, although not shown in the drawing, the video apparatus 100 may further include a communication unit to communicate with an external apparatus.

도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 기준 단위 화소를 설명하기 위한 개략도이고, 도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 기준 단위 화소를 설명하기 위한 개략도이며, 도 6은 도 4 또는 도 5의 기준 단위 화소를 포함하는 화소 어레이를 설명하기 위한 개략도이다.4 is a schematic view for explaining a reference unit pixel according to the first embodiment of the present invention, FIG. 5 is a schematic view for explaining a reference unit pixel according to the second embodiment of the present invention, FIG. 6 is a cross- 5 is a schematic view for explaining a pixel array including the reference unit pixel of Fig. 5; Fig.

도 4 내지 도 6을 참조하면, 화소 어레이(20)는 제조공정 상의 화소별 볼로미터의 저항 편차를 보정하는 기준이 되는 기준 화소 어레이(21) 및 테라헤르츠 신호를 감지하는 실효 화소 어레이(23)를 포함한다. 4 to 6, the pixel array 20 includes a reference pixel array 21 serving as a reference for correcting a resistance variation of a pixel-by-pixel bolometer in the manufacturing process, and an effective pixel array 23 sensing a terahertz signal .

기준 화소 어레이(21)는 복수의 기준 단위 화소(10)가 일정 간격으로 배열된다. 이 때, 기준 화소 어레이(21)는 실효 화소 어레이(23)와 서로 간에 간섭이 발생되지 않는 최소의 거리만큼 이격되게 배열된다. 바람직하게는, 기준 화소 어레이(21)는 하나의 행 형태로 배열될 수 있다.In the reference pixel array 21, a plurality of reference unit pixels 10 are arranged at regular intervals. At this time, the reference pixel array 21 is arranged to be spaced apart from the effective pixel array 23 by a minimum distance at which no interference occurs between them. Preferably, the reference pixel arrays 21 may be arranged in a single row.

기준 단위 화소(10)는 볼로미터(11) 및 신호선(13)을 포함한다. 기준 단위 화소(10)는 실효 단위 화소와 달리 안테나 및 발열체를 포함하지 않는다. 이를 통해, 기준 단위 화소(10)는 테라헤르츠 신호를 근본적으로 수신할 수 없어 차폐 금속막 없이 암 상태를 구현한다. 따라서, 기준 단위 화소(10)는 차폐 금속막을 형성하는 공정을 줄일 수 있으며 이로 인해 비용 및 시간을 절약할 수 있다. 한편, 기준 단위 화소(10)는 상대적으로 부피가 큰 안테나 및 발열체의 제거로 빈 공간을 확보할 수 있다.The reference unit pixel 10 includes a bolometer 11 and a signal line 13. Unlike the effective unit pixel, the reference unit pixel 10 does not include an antenna and a heating element. In this way, the reference unit pixel 10 can not fundamentally receive the terahertz signal and implements a dark state without a shielding metal film. Therefore, the reference unit pixel 10 can reduce the process of forming the shielding metal film, which can save cost and time. On the other hand, the reference unit pixel 10 can secure an empty space by removing the relatively bulky antenna and the heating element.

기본 단위 화소(10)는 볼로미터(11)의 양끝단에 신호선(13)이 각각 연결된다. 이 때, 기본 단위 화소(10)는 볼로미터(11) 및 신호선(13)이 서로 수평이 되도록 배치한다. 예를 들면, 기본 단위 화소(10)는 볼로미터(11) 및 신호선(13)이 연결된 형상이 일자 형상, 계단 형상, ㄷ자 형상 등 다양한 형상으로 형성될 수 있다. Signal lines 13 are connected to both ends of the bolometer 11 in the basic unit pixel 10. At this time, the basic unit pixel 10 is arranged such that the bolometer 11 and the signal line 13 are horizontal to each other. For example, the basic unit pixel 10 may be formed in various shapes such as a linear shape, a step shape, and a C shape in which the bolometer 11 and the signal line 13 are connected.

실효 화소 어레이(23)는 복수의 실효 단위 화소(80)가 일정 간격으로 배열된다. 이 때, 실효 화소 어레이(23)는 기준 화소 어레이(21)와 서로 간에 간섭이 발생되지 않는 최소의 거리만큼 이격되게 배열된다. 바람직하게는, 실효 화소 어레이(23)는 바둑판 형태로 복수의 행과 복수의 열이 정렬되어 배열될 수 있다.In the effective pixel array 23, a plurality of effective unit pixels 80 are arranged at regular intervals. At this time, the effective pixel array 23 is arranged so as to be spaced apart from the reference pixel array 21 by a minimum distance at which no interference occurs. Preferably, the effective pixel array 23 may be arranged in a plurality of rows and a plurality of columns arranged in a grid pattern.

실효 단위 화소는 도 2에 도시된 단위 화소(80)와 동일한 구조를 가질 수 있다. 따라서, 실효 단위 화소(80)는 볼로미터, 신호선, 절연체, 안테나 및 발열체를 포함한다. 즉, 실효 단위 화소는 외부의 테라헤르츠 신호가 안테나를 통해 수신되고, 이로 인해 여기되는 전류로 발열체를 가열하며, 발열체에서 발생된 열이 볼로미터로 전달되어 볼로미터의 저항을 감소하도록 구현된다.The effective unit pixel may have the same structure as the unit pixel 80 shown in Fig. Therefore, the effective unit pixel 80 includes a bolometer, a signal line, an insulator, an antenna, and a heating element. That is, the effective unit pixel is implemented such that an external terahertz signal is received through the antenna, thereby heating the heating element with the excited current, and the heat generated in the heating element is transmitted to the bolometer to reduce the resistance of the bolometer.

실효 단위 화소는 볼로미터의 양끝단에 신호선이 각각 연결된다. 이 때, 실효 단위 화소는 볼로미터 및 신호선이 서로 수평이 되도록 배치한다. 실효 단위 화소는 볼로미터의 상부에 절연체를 형성하고, 절연체의 상부에 발열체를 형성한다. 실효 단위 화소는 발열체의 양끝단에 안테나가 각각 연결된다. In the effective unit pixel, signal lines are connected to both ends of the bolometer. At this time, the effective unit pixel is arranged such that the bolometer and the signal line are horizontal to each other. The effective unit pixel forms an insulator on the upper part of the bolometer and forms a heating element on the insulator. The pixels of the effective unit are connected to the antennas at both ends of the heating element.

도 7은 도 6의 화소 어레이를 포함하는 테라헤르츠 이미지 센서를 설명하기 위한 개략도이다.FIG. 7 is a schematic diagram for explaining a terahertz image sensor including the pixel array of FIG. 6; FIG.

도 6 및 도 7을 참조하면, 제1 이미지 센서(111)는 화소 어레이(20), 기판(25) 및 판독집적회로(reaout integrated circuit, ROIC)(27)를 포함한다. 6 and 7, the first image sensor 111 includes a pixel array 20, a substrate 25, and a readout integrated circuit (ROIC) 27.

기판(25)은 실리콘(Si) 기판일 수 있다.The substrate 25 may be a silicon (Si) substrate.

판독집적회로(27)는 기판(25)의 상부에 형성되고, CMOS(complementary metal-oxide semiconductor) 공정을 이용하여 형성된다. 판독집적회로(27)는 화소 어레이(20)에서 측정된 값을 판독한다. 즉, 판독집적회로(27)는 볼로미터의 저항 값을 읽기 위한 단위 화소 회로를 포함한다. 이를 통해, 판독집적회로(27)는 제조공정 상에서 발생하는 각 화소별 볼로미터의 저항값 편차가 보정되도록 한다. The readout integrated circuit 27 is formed on the substrate 25 and is formed using a complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) process. The readout integrated circuit 27 reads the measured value from the pixel array 20. That is, the readout integrated circuit 27 includes a unit pixel circuit for reading the resistance value of the bolometer. Thus, the readout integrated circuit 27 corrects the resistance value deviation of the bolometer of each pixel occurring in the manufacturing process.

화소 어레이(20)는 판독집적회로(27)의 상부에 형성되고, MEMS(micro electro-mechanic system) 공정을 이용하여 형성된다. 화소 어레이(20)는 기준 화소 어레이(21) 및 실효 화소 어레이(23)를 포함하며, 이에 대한 설명은 전술된 바, 생략하기로 한다.The pixel array 20 is formed on the top of the readout integrated circuit 27 and is formed using a micro electro-mechanic system (MEMS) process. The pixel array 20 includes a reference pixel array 21 and an effective pixel array 23, and a description thereof will be omitted.

따라서, 제1 이미지 센서(111)는 기판(25), 판독집적회로(27) 및 화소 어레이(20) 순서대로 적층되며 형성된다. Therefore, the first image sensor 111 is stacked and formed in the order of the substrate 25, the readout integrated circuit 27, and the pixel array 20.

도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 기준 단위 화소를 설명하기 위한 개략도이고, 도 9는 도 8의 기준 단위 화소를 포함하는 화소 어레이를 설명하기 위한 개략도이며, 도 10은 도 9의 화소 어레이를 포함하는 테라헤르츠 이미지 센서를 설명하기 위한 계략도이다.FIG. 8 is a schematic view for explaining a reference unit pixel according to the third embodiment of the present invention, FIG. 9 is a schematic view for explaining a pixel array including the reference unit pixel of FIG. 8, FIG. 2 is a schematic diagram for explaining a terahertz image sensor including an array; FIG.

도 4 내지 도 10을 참조하면, 제2 이미지 센서(113)는 화소 어레이(40), 기판(45) 및 판독집적회로(47)를 포함한다. 여기서, 제2 이미지 센서(113)는 제1 이미지 센서(111)와 화소 어레이(40) 중 기준 화소 어레이(41)만 구조적인 차이가 있을 뿐 나머지 구성에 대해서는 동일한 구조를 가진다. 따라서, 실효 화소 어레이(43), 기판(45) 및 판독집적회로(47)에 대한 설명은 생략하기로 한다.4 to 10, the second image sensor 113 includes a pixel array 40, a substrate 45, and a readout integrated circuit 47. [ Here, the second image sensor 113 is structurally different from the first image sensor 111 and the reference pixel array 41 of the pixel array 40, but has the same structure for the remaining components. Therefore, the description of the effective pixel array 43, the substrate 45, and the readout integrated circuit 47 will be omitted.

기준 화소 어레이(41)는 도 6 및 도 7에 도시된 기준 화소 어레이(21)와 달리 그룹화된 기준 단위 화소(30)를 포함한다. 여기서, 그룹화된 기준 단위 화소(30)는 실효 단위 화소와 대응되는 영역에 기준 단위 화소(31)와 동일한 구조의 추가 기준 단위 화소(33, 35)를 적어도 하나 추가 배치하여 그룹화한 기준 단위 화소이다. 즉, 그룹화된 기준 단위 화소(30)는 기준 단위 화소(31)에서 안테나와 볼로미터가 제거된 빈 공간에 추가 기준 단위 화소(33, 35)를 추가하여 그룹화한 것이다. 이 때, 그룹화된 기준 단위 화소(30)는 기준 단위 화소(31) 및 추가 기준 단위 화소(33, 35) 간에 간섭이 발생되지 않도록 일정 간격 이격되게 배치한다. 또한 그룹화된 기준 단위 화소(30)는 기준 단위 화소(31) 및 추가 기준 단위 화소(33, 35)의 피치(P1)(pitch)가 실효 단위 화소 간의 피치(P2)보다 짧게 형성되어 보다 촘촘한 간격으로 배치될 수 있다.The reference pixel array 41 includes a reference unit pixel 30 which is different from the reference pixel array 21 shown in Figs. 6 and 7. Here, the grouped reference unit pixel 30 is a reference unit pixel grouped by adding at least one additional reference unit pixel 33, 35 having the same structure as the reference unit pixel 31 to an area corresponding to the effective unit pixel . That is, the grouped reference unit pixels 30 are grouped by adding the additional reference unit pixels 33 and 35 to the empty space in which the antenna and the bolometer are removed from the reference unit pixel 31. In this case, the grouped reference unit pixels 30 are arranged to be spaced apart from each other by a predetermined distance so as to prevent interference between the reference unit pixels 31 and the additional reference unit pixels 33 and 35. The grouped reference unit pixel 30 is formed such that the pitch P 1 of the reference unit pixel 31 and the additional reference unit pixels 33 and 35 is shorter than the pitch P 2 between the effective unit pixels They can be arranged at closely spaced intervals.

예를 들면, 그룹화된 기준 단위 화소(30)는 기준 단위 화소(31)를 기준으로 양단에 일정 간격 이격되게 제1 추가 기준 단위 화소(33) 및 제2 추가 기준 단위 화소(35)를 배치하여 형성할 수 있다. 여기서, 추가 기준 단위 화소를 2개로 한정하였으나, 빈 공간이 확보된 경우 더 많은 추가 기준 단위 화소를 추가 배치할 수 있다.For example, the grouped reference unit pixel 30 includes a first additional reference unit pixel 33 and a second additional reference unit pixel 35 spaced apart from each other by a predetermined distance on both sides of the reference unit pixel 31 . Here, although the number of additional reference unit pixels is limited to two, the number of additional reference unit pixels can be additionally arranged when the empty space is secured.

그룹화된 기준 단위 화소(30)는 추가 기준 단위 화소(33, 35)를 통해 볼로미터의 저항 평균값이 기준 단위 화소(31)만 형성될 때보다 기준 저항 값에 더 가까이 수렴된다. 이를 통해, 그룹화된 기준 단위 화소(30)는 보다 효과적인 공정편차 보정이 가능해지도록 한다. The grouped reference unit pixel 30 is converged closer to the reference resistance value than when the reference unit pixel 31 is formed only through the additional reference unit pixel 33 or 35 and the average resistance value of the bolometer. Thus, the grouped reference unit pixel 30 enables more effective process variation correction.

한편, 추가 기준 단위 화소(33, 35)는 기준 단위 화소(31)의 주변에서 더미(dummy) 화소 역할을 수행함으로써, 기준 단위 화소(31)에서 발생되는 공정상의 편차가 감소되도록 기준 저항 값의 오차를 줄일 수 있다.On the other hand, the additional reference unit pixels 33 and 35 serve as dummy pixels around the reference unit pixel 31, so that the deviation in the process generated in the reference unit pixel 31 is reduced, Error can be reduced.

도 11은 본 발명의 실시예에 따른 테라헤르츠 이미지 센서의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.11 is a view for explaining a method of manufacturing a terahertz image sensor according to an embodiment of the present invention.

도 3, 도 7 및 도 11을 참조하면, 이미지 센서(110)는 일반적인 단위 화소에서 안테나 및 발열체를 제거하여 기준 단위 화소로 사용함으로써, 근본적으로 테라헤르츠 신호를 수신하지 않아 차폐 금속층을 형성하는 공정을 수행하지 않을 수 있다. 3, 7 and 11, the image sensor 110 removes an antenna and a heating element from a general unit pixel and uses it as a reference unit pixel, thereby forming a shielding metal layer without fundamentally receiving a terahertz signal . ≪ / RTI >

S51단계에서, 기판(25)이 준비된다. 기판(25)은 실리콘 기판이 준비될 수 있다. In step S51, the substrate 25 is prepared. The substrate 25 may be a silicon substrate.

S53단계에서, 판독집적회로(27)를 기판(25)의 상부에 형성한다. 판독집적회로(27)는 CMOS 공정을 이용하여 형성한다. 판독집적회로(27)는 볼로미터의 저항 값을 읽기 위한 단위 화소 회로를 포함한다.In step S53, the readout integrated circuit 27 is formed on the substrate 25. The readout integrated circuit 27 is formed using a CMOS process. The readout integrated circuit 27 includes a unit pixel circuit for reading the resistance value of the bolometer.

S55단계에서, 화소 어레이(20)를 판독집적회로(27)의 상부에 형성한다. 화소 어레이(20)는 MEMS 공정을 이용하여 형성한다. 화소 어레이(20)는 기준 화소 어레이(21) 및 실효 화소 어레이(23)를 포함한다. In step S55, the pixel array 20 is formed on the top of the readout integrated circuit 27. [ The pixel array 20 is formed using a MEMS process. The pixel array 20 includes a reference pixel array 21 and an effective pixel array 23.

기준 화소 어레이(21)는 볼로미터 및 신호선을 가지는 기준 단위 화소가 일정 간격으로 복수개 배열되도록 형성된다. 실효 화소 어레이(21)는 볼로미터, 신호선, 절연체, 안테나 및 발열체를 가지는 실효 단위 화소가 일정 간격으로 복수개 배열되도록 형성된다. 이 때, 기준 화소 어레이(21) 및 실효 화소 어레이(21)는 일정 간격 이격되게 배치되어 서로 간의 간섭이 발생되지 않도록 한다. The reference pixel array 21 is formed such that a plurality of reference unit pixels having a bolometer and signal lines are arranged at regular intervals. The effective pixel array 21 is formed such that a plurality of effective unit pixels each having a bolometer, a signal line, an insulator, an antenna, and a heating element are arranged at predetermined intervals. At this time, the reference pixel array 21 and the effective pixel array 21 are arranged at a predetermined interval so as to prevent interference therebetween.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of limitation in the embodiment in which said invention is directed. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and detail may be made therein without departing from the scope of the appended claims.

10, 31: 기준 단위 화소
11, 81: 볼로미터
13, 83: 신호선
20, 40, 90: 화소 어레이
21, 41, 91: 기준 화소 어레이
23, 43, 93: 실효 화소 어레이
25, 45: 기판
27, 47: 판독집적회로
33: 제1 추가 기준 단위 화소
35: 제2 추가 기준 단위 화소
80: 단위 화소
85: 절연체
87: 안테나
89: 발열체
95: 차폐 금속막
100: 영상장치
110: 테라헤르츠 이미지 센서
111: 제1 이미지 센서
113: 제2 이미지 센서
130: 제어부
150: 출력부
170: 저장부10, 31: Reference unit pixel
11, 81: Bolometer
13, 83: Signal lines
20, 40, 90: pixel array
21, 41, 91: reference pixel array
23, 43, 93: Effective pixel array
25, 45: substrate
27, 47: a reading integrated circuit
33: first additional reference unit pixel
35: second additional reference unit pixel
80: unit pixel
85: Insulator
87: Antenna
89: Heating element
95: Shielded metal film
100: Imaging device
110: terahertz image sensor
111: first image sensor
113: Second image sensor
130:
150:
170:

Claims (9)

테라헤르츠 신호를 감지하는 안테나, 발열하는 발열체, 열을 측정하는 제1 볼로미터 및 신호를 전송하는 제1 신호선을 가지는 실효 단위 화소가 일정 간격으로 복수개 배열되어 테라헤르츠 신호를 감지하는 실효 화소 어레이; 및
상기 실효 화소 어레이와 이격되게 배치되고, 열을 측정하는 제2 볼로미터 및 신호를 전송하는 제2 신호선을 가지는 기준 단위 화소가 일정 간격으로 복수개 배열되어 화소별 볼로미터의 저항 편차를 보정하는 기준이 되는 기준 화소 어레이;
를 포함하는 테라헤르츠 이미지 센서용 화소 어레이 구조. An effective pixel array in which a plurality of effective unit pixels having an antenna for sensing a terahertz signal, an exothermic heating element, a first borehole for measuring heat, and a first signal line for transmitting a signal are arranged at predetermined intervals to sense a terahertz signal; And
A plurality of reference unit pixels having a second signal line for measuring a row and a second signal line for transmitting a signal are arranged at predetermined intervals so as to be spaced apart from the effective pixel array, A pixel array;
A pixel array structure for a terahertz image sensor. 제 1항에 있어서,
상기 기준 단위 화소는,
안테나 및 발열체를 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 이미지 센서용 화소 어레이 구조.The method according to claim 1,
The reference unit pixel includes:
And a pixel array structure for a terahertz image sensor. 제 1항에 있어서,
상기 기준 단위 화소는,
상기 제2 볼로미터의 양끝단에 상기 제2 신호선이 각각 연결되고, 서로 수평하게 배치되는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 이미지 센서용 화소 어레이 구조. The method according to claim 1,
The reference unit pixel includes:
And the second signal lines are connected to both ends of the second bloomometer and are arranged horizontally with respect to each other. 제 1항에 있어서,
상기 기준 단위 화소는,
상기 실효 단위 화소와 대응되는 영역에 기준 단위 화소와 동일한 구조의 추가 기준 단위 화소를 적어도 하나 추가 배치하여 그룹화된 기준 단위 화소를 형성하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 이미지 센서용 화소 어레이 구조. The method according to claim 1,
The reference unit pixel includes:
Wherein at least one additional reference unit pixel having the same structure as the reference unit pixel is additionally disposed in the region corresponding to the effective unit pixel to form a grouped reference unit pixel. 제 4항에 있어서,
상기 그룹화된 기준 단위 화소는,
상기 기준 단위 화소 및 상기 추가 기준 단위 화소의 피치(pitch)가 상기 실효 단위 화소 간의 피치보다 짧은 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 이미지 센서용 화소 어레이 구조. 5. The method of claim 4,
Wherein the grouped reference unit pixel includes:
Wherein a pitch of the reference unit pixel and a pitch of the additional reference unit pixel are shorter than a pitch between the effective unit pixels. 제 4항에 있어서,
상기 그룹화된 기준 단위 화소는,
상기 추가 기준 단위 화소를 통해 볼로미터의 저항 평균값이 상기 기준 단위 화소만 형성될 때보다 기준 저항 값에 더 가까이 수렴되는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 이미지 센서용 화소 어레이 구조. 5. The method of claim 4,
Wherein the grouped reference unit pixel includes:
Wherein the average resistance value of the bolometer is converged closer to the reference resistance value than when the reference unit pixel is formed through the additional reference unit pixel. 기판;
상기 기판의 상부에 형성되고, 실효 화소 어레이 및 기준 화소 어레이를 포함하는 화소 어레이; 및
상기 기판 및 상기 화소 어레이 사이에 형성되어 상기 화소 어레이에서 측정된 값을 판독하는 판독집적회로;를 포함하되,
상기 실효 화소 어레이는,
테라헤르츠 신호를 감지하는 안테나, 발열하는 발열체, 열을 측정하는 제1 볼로미터 및 신호를 전송하는 제1 신호선을 가지는 실효 단위 화소가 일정 간격으로 복수개 배열되어 테라헤르츠 신호를 측정하고,
상기 기준 화소 어레이는,
상기 실효 화소 어레이와 이격되게 배치되고, 열을 측정하는 제2 볼로미터 및 신호를 전송하는 제2 신호선을 가지는 기준 단위 화소가 일정 간격으로 복수개 배열되어 제조공정 상의 화소별 볼로미터의 저항 편차를 보정하는 기준이 되는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 이미지 센서.Board;
A pixel array formed on the substrate, the pixel array including an effective pixel array and a reference pixel array; And
And a readout integrated circuit formed between the substrate and the pixel array for reading a value measured in the pixel array,
The effective pixel array includes:
A plurality of effective unit pixels having an antenna for sensing a terahertz signal, a heating element for generating heat, a first borehole for measuring heat, and a first signal line for transmitting a signal are arranged at predetermined intervals to measure a terahertz signal,
The reference pixel array includes:
A plurality of reference unit pixels having a second signal line for measuring a row and a second signal line for transmitting a signal are arranged at a predetermined interval so as to be spaced apart from the effective pixel array and a reference for correcting a resistance variation of a per- Wherein the first and second image sensors are arranged in parallel. 테라헤르츠 신호를 수신하는 테라헤르츠 이미지 센서; 및
상기 수신된 테라헤르츠 신호에 포함된 이미지 정보를 검출하고, 상기 검출된 이미지 정보를 이용하여 이미지를 구현하는 제어부;를 포함하되,
상기 테라헤르츠 이미지 센서는,
기판;
상기 기판의 상부에 형성되고, 실효 화소 어레이 및 기준 화소 어레이를 포함하는 화소 어레이; 및
상기 기판 및 상기 화소 어레이 사이에 형성되어 상기 화소 어레이에서 측정된 값을 판독하는 판독집적회로;를 포함하고,
상기 실효 화소 어레이는,
테라헤르츠 신호를 감지하는 안테나, 발열하는 발열체, 열을 측정하는 제1 볼로미터 및 신호를 전송하는 제1 신호선을 가지는 실효 단위 화소가 일정 간격으로 복수개 배열되어 테라헤르츠 신호를 측정하며,
상기 기준 화소 어레이는,
상기 실효 화소 어레이와 이격되게 배치되고, 열을 측정하는 제2 볼로미터 및 신호를 전송하는 제2 신호선을 가지는 기준 단위 화소가 일정 간격으로 복수개 배열되어 제조공정 상의 화소별 볼로미터의 저항 편차를 보정하는 기준이 되는 것을 특징으로 하는 영상장치.A terahertz image sensor receiving a terahertz signal; And
And a control unit for detecting image information included in the received terahertz signal and implementing an image using the detected image information,
Wherein the terahertz image sensor comprises:
Board;
A pixel array formed on the substrate, the pixel array including an effective pixel array and a reference pixel array; And
And a readout integrated circuit formed between the substrate and the pixel array for reading the measured value in the pixel array,
The effective pixel array includes:
A plurality of effective unit pixels having an antenna for sensing a terahertz signal, a heating element for generating heat, a first ballometer for measuring heat, and a first signal line for transmitting a signal are arranged at predetermined intervals to measure a terahertz signal,
The reference pixel array includes:
A plurality of reference unit pixels having a second signal line for measuring a row and a second signal line for transmitting a signal are arranged at a predetermined interval so as to be spaced apart from the effective pixel array and a reference for correcting a resistance variation of a per- . ≪ / RTI > 기판이 준비되는 단계;
상기 기판의 상부에 화소 어레이에서 측정된 값을 판독하는 판독집적회로가 형성되는 단계; 및
상기 판독집적회로의 상부에 실효 화소 어레이 및 기준 화소 어레이를 포함하는 화소 어레이가 형성되는 단계;를 포함하되,
상기 실효 화소 어레이는,
테라헤르츠 신호를 감지하는 안테나, 발열하는 발열체, 열을 측정하는 제1 볼로미터 및 신호를 전송하는 제1 신호선을 가지는 실효 단위 화소가 일정 간격으로 복수개 배열되어 테라헤르츠 신호를 측정하며,
상기 기준 화소 어레이는,
상기 실효 화소 어레이와 이격되게 배치되고, 열을 측정하는 제2 볼로미터 및 신호를 전송하는 제2 신호선을 가지는 기준 단위 화소가 일정 간격으로 복수개 배열되어 제조공정 상의 화소별 볼로미터의 저항 편차를 보정하는 기준이 되는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 이미지 센서의 제조방법.Preparing a substrate;
Forming a readout integrated circuit on a top of the substrate to read a measured value in a pixel array; And
And forming a pixel array including an effective pixel array and a reference pixel array on top of the readout integrated circuit,
The effective pixel array includes:
A plurality of effective unit pixels having an antenna for sensing a terahertz signal, a heating element for generating heat, a first ballometer for measuring heat, and a first signal line for transmitting a signal are arranged at predetermined intervals to measure a terahertz signal,
The reference pixel array includes:
A plurality of reference unit pixels having a second signal line for measuring a row and a second signal line for transmitting a signal are arranged at a predetermined interval so as to be spaced apart from the effective pixel array and a reference for correcting a resistance variation of a per- Wherein the first and second electrodes are electrically connected to each other.
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