KR20190030879A - 태양 전지 모듈 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 89
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 87
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 11
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 3
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 claims 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 9
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical class N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910007637 SnAg Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910007116 SnPb Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001995 intermetallic alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical class [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
- H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
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- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Abstract
본 발명은 태양 전지 모듈에 관한 것이다.
본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈은 각각이 반도체 기판, 반도체 기판의 전면에 제1 방향으로 길게 형성되는 복수의 제1 전극 및 반도체 기판의 후면에 제2 전극을 구비하는 복수의 태양 전지; 및 복수의 태양 전지 중 제1 태양 전지의 제1 전극 및 제1 태양 전지에 인접한 제2 태양 전지의 제2 전극에 접속하고, 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 배치되어 복수의 태양 전지를 전기적으로 연결하는 복수의 도전성 배선;을 포함하고, 복수의 제1 전극 중 적어도 하나의 제1 전극은 복수의 도전성 배선과 교차되는 교차점에서 끊어져 있는 제1 부분을 포함하고, 도전성 배선의 일부분이 적어도 하나의 제1 전극에 구비된 제1 부분 내에 매몰된다.
본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈은 각각이 반도체 기판, 반도체 기판의 전면에 제1 방향으로 길게 형성되는 복수의 제1 전극 및 반도체 기판의 후면에 제2 전극을 구비하는 복수의 태양 전지; 및 복수의 태양 전지 중 제1 태양 전지의 제1 전극 및 제1 태양 전지에 인접한 제2 태양 전지의 제2 전극에 접속하고, 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 배치되어 복수의 태양 전지를 전기적으로 연결하는 복수의 도전성 배선;을 포함하고, 복수의 제1 전극 중 적어도 하나의 제1 전극은 복수의 도전성 배선과 교차되는 교차점에서 끊어져 있는 제1 부분을 포함하고, 도전성 배선의 일부분이 적어도 하나의 제1 전극에 구비된 제1 부분 내에 매몰된다.
Description
본 발명은 태양 전지 모듈에 관한 것이다.
최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예측되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고, 이에 따라 태양 에너지로부터 전기 에너지를 생산하는 태양 전지가 주목 받고 있다.
일반적인 태양 전지는 p형과 n형처럼 서로 다른 도전성 타입(conductive type)에 의해 p-n 접합을 형성하는 반도체부, 그리고 서로 다른 도전성 타입의 반도체부에 각각 연결된 전극을 구비한다.
이러한 태양 전지에 빛이 입사되면 반도체부에서 복수의 전자-정공 쌍이 생성되고, 생성된 전자-정공 쌍은 전하인 전자와 정공으로 각각 분리되어, 전자는 n형의 반도체부 쪽으로 이동하고 정공은 p형의 반도체부 쪽으로 이동한다. 이동한 전자와 정공은 각각 n형의 반도체부와 p형의 반도체부에 연결된 서로 다른 전극에 의해 수집되고 이 전극들을 전선으로 연결함으로써 전력을 얻는다.
이와 같은 태양 전지는 상호간의 연결을 위해 도전성 배선에 의해 서로 연결될 수 있다.
본 발명은 태양 전지 모듈을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈은 각각이 반도체 기판, 반도체 기판의 전면에 제1 방향으로 길게 형성되는 복수의 제1 전극 및 반도체 기판의 후면에 제2 전극을 구비하는 복수의 태양 전지; 및 복수의 태양 전지 중 제1 태양 전지의 제1 전극 및 제1 태양 전지에 인접한 제2 태양 전지의 제2 전극에 접속하고, 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 배치되어 복수의 태양 전지를 전기적으로 연결하는 복수의 도전성 배선;을 포함하고, 복수의 제1 전극 중 적어도 하나의 제1 전극은 복수의 도전성 배선과 교차되는 교차점에서 끊어져 있는 제1 부분을 포함하고, 도전성 배선의 일부분이 적어도 하나의 제1 전극에 구비된 제1 부분 내에 매몰된다.
여기서, 교차점에서 도전성 배선의 일부분은 제1 부분에 노출되는 적어도 하나의 제1 전극의 양측면 사이의 공간 내에 위치할 수 있다.
보다 구체적으로, 반도체 기판의 전면 표면에는 유전체 재질의 반사 방지막이 더 형성되고, 복수의 제1 전극 각각은 반사 방지막을 뚫고 반도체 기판의 전면에 접속되며, 교차점에서 도전성 배선의 일부분과 반사 방지막 사이의 간격은 제1 전극이 반사 방지막을 뚫고 돌출된 높이보다 작을 수 있다.
아울러, 교차점에서 도전성 배선은 제1 부분에 노출되는 적어도 하나의 제1 전극의 측면 및 상부면에 도전성 접착제를 통해 접속될 수 있다.
또한, 교차점을 제외한 나머지 부분에서 도전성 배선의 일부분과 반사 방지막 사이의 간격은 제1 전극이 반사 방지막을 뚫고 돌출된 높이보다 작을 수 있다.
일례로, 복수의 제1 전극 전체는 교차점에 제1 부분을 구비할 수 있다.
또한, 교차점에서 제1 부분에 노출되는 적어도 하나의 제1 전극의 양측면 사이의 제1 간격은 도전성 배선의 선폭보다 작을 수 있다.
여기서, 제1 간격은 도전성 배선의 선폭의 5% ~ 80% 이하일 수 있다. 일례로, 도전성 배선의 선폭은 250㎛ ~ 350㎛ 사이이고, 제1 간격은 도전성 배선의 선폭보다 작은 범위에서 200㎛ ~ 280㎛ 사이일 수 있다.
이와 같은 도전성 배선은 도전성 재질의 코어와 코어의 표면을 코팅하고 주석을 포함하는 코팅층을 포함할 수 있다.
이때, 도전성 배선의 코어가 제1 부분 내에 매몰될 수 있다.
여기서, 코어의 직경은 200㎛ ~ 310㎛ 사이이고, 코팅층의 두께는 10㎛~ 20㎛ 사이일 수 있다.
아울러, 제1 전극이 반사 방지막을 뚫고 돌출된 돌출 높이는 10㎛ ~ 30㎛ 사이이고, 도전성 배선의 일부분과 반사 방지막 사이의 간격은 돌출 높이보다 작은 범위에서 20㎛ 이하일 수 있다.
또한, 복수의 제1 전극 중 반도체 기판의 제2 방향 가장 자리에 위치하는 일부 가장 자리 제1 전극이 교차점에 제1 부분을 구비하고, 일부 가장 자리 제1 전극을 제외한 나머지 제1 전극들은 교차점에 제1 부분을 구비하지 않을 수 있다.
여기서, 제1 부분을 구비하는 일부 가장 자리 제1 전극의 개수는 1개 ~ 5개 사이일 수 있다.
또한, 일부 가장 자리 제1 전극 중 최외곽에 위치하는 최외곽 제1 전극의 제1 부분 양끝단은 제2 방향으로 돌출되는 가이드부를 더 구비할 수 있다.
여기서, 최외곽 제1 전극의 제1 부분 양끝단에 구비된 가이드부 사이의 간격은 도전성 배선의 선폭보다 작을 수 있다.
아울러, 나머지 제1 전극들의 교차점에 형성되고, 제2 방향으로 길게 뻗어 나머지 제1 전극들을 서로 연결하는 연결 전극을 구비할 수 있다.
또한, 나머지 제1 전극들에 위치하는 복수의 교차점 중에서 적어도 일부 교차점에는 제1 전극의 선폭이나 연결 전극의 선폭보다 큰 폭을 갖는 패드부가 더 위치할 수 있다.
본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 도전성 배선의 일부분이 전극에 매몰되어, 전극과 접속되도록 하여, 전극과 도전성 배선의 접촉력을 강화시키고, 도전성 배선과 반도체 기판 사이의 공간을 최소화하여, 도전성 배선이 부식되는 것을 방지할 수 있다.
이에 따라, 태양 전지 모듈의 신뢰성을 보다 향상시킬 수 있다
도 1은 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈을 설명하기 위한 분해 사시도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 2는 도 1에 도시되 복수의 태양 전지의 연결 구조 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 3은 각 태양 전지의 구조의 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 4는 도 3에 도시된 복수의 제1 전극(140)에 포함되는 제1 부분(P1)에 대해 설명하기 위한 도이다.
도 5는 제1 전극(140)의 제1 부분(P1)에 도전성 배선(200)이 접속되는 구조를 설명하기 위한 도이다.
도 6은 본 발명과 다른 비교예를 설명하기 위한 도이다.
도 7은 본 발명에 따른 태양 전지 모듈이 라미네이션되었을 때의 일부 모습을 도시한 것이다.
도 8은 본 발명에 따른 태양 전지 모듈에서 제1 전극(140)에 포함되는 제1 부분(P1)의 다른 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 9는 본 발명의 다른 일례에 따른 태양 전지 모듈을 설명하기 위한 도로서, 복수의 제1 전극(140) 전체 중 일부 제1 전극(140)만 제1 부분(P1)을 구비하는 경우를 설명하기 위한 도이다.
도 2는 도 1에 도시되 복수의 태양 전지의 연결 구조 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 3은 각 태양 전지의 구조의 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 4는 도 3에 도시된 복수의 제1 전극(140)에 포함되는 제1 부분(P1)에 대해 설명하기 위한 도이다.
도 5는 제1 전극(140)의 제1 부분(P1)에 도전성 배선(200)이 접속되는 구조를 설명하기 위한 도이다.
도 6은 본 발명과 다른 비교예를 설명하기 위한 도이다.
도 7은 본 발명에 따른 태양 전지 모듈이 라미네이션되었을 때의 일부 모습을 도시한 것이다.
도 8은 본 발명에 따른 태양 전지 모듈에서 제1 전극(140)에 포함되는 제1 부분(P1)의 다른 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 9는 본 발명의 다른 일례에 따른 태양 전지 모듈을 설명하기 위한 도로서, 복수의 제1 전극(140) 전체 중 일부 제1 전극(140)만 제1 부분(P1)을 구비하는 경우를 설명하기 위한 도이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한 어떤 부분이 다른 부분 위에 “전체적”으로 형성되어 있다고 할 때에는 다른 부분의 전체 면에 형성되어 있는 것뿐만 아니라 가장 자리 일부에는 형성되지 않은 것을 뜻한다.
이하에서, 전면이라 함은 직사광이 입사되는 반도체 기판의 일면일 수 있으며, 후면이라 함은 직사광이 입사되지 않거나, 직사광이 아닌 반사광이 입사될 수 있는 반도체 기판의 반대면일 수 있다.
아울러, 이하의 설명에서, 서로 다른 두 구성 요소의 길이나 폭이 동일하다는 의미는 10%의 오차 범위 이내에서 서로 동일한 것을 의미한다.
그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 한 실시예에 따른 태양 전지 모듈에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈을 설명하기 위한 분해 사시도를 개략적으로 도시한 것이다.
본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 전면 투명 기판(40), 제1 충진 시트(30a), 복수의 태양 전지, 제2 충진 시트(30b) 및 후면 시트(50)를 포함할 수 있다.
전면 투명 기판(40)은 투과율이 높고 파손 방지 기능이 우수한 강화 유리 등으로 이루어질 수 있다. 일례로, 강화 유리는 철 성분 함량이 낮은 저(low) 철분 강화 유리(low iron tempered glass)일 수 있다.
복수 개의 태양 전지 각각은 입사되는 태양 에너지를 전기에너지로 변환하는 기능을 하고, 이를 위해 불순물이 도핑된 반도체 기판(110)과 여러 기능층들 및 전극을 구비할 수 있다.
후면 기판(50)은 태양 전지들의 후면에서 습기가 침투하는 것을 방지하여 태양 전지들을 외부 환경으로부터 보호할 수 있다.
이러한 후면 기판(50)은 태양 전지를 사이에 배치한 상태에서, 전면 투명 기판(40)에 대향하여 전면 투명 기판(40)의 후면에 배치될 수 있다.
이와 같은 후면 기판(50)은 시트 형태이거나 유리 기판일 수 있으며, 수분과 산소 침투를 방지하는 층, 화학적 부식을 방지하는 층, 절연 특성을 갖는 층과 같은 다층 구조를 가질 수 있다.
충진 시트(30)는 전면 투명 기판(40)과 복수의 태양 전지 사이에 위치하는 제1 충진 시트(30a)와 복수의 태양 전지와 후면 기판 사이에 위치하는 제2 충진 시트(30b)를 포함할 수 있다.
이와 같은 충진 시트(30)은 습기 침투로 인한 부식을 방지하고 태양 전지를 충격으로부터 보호할 수 있다. 이러한 충진 시트(30)은 에틸렌 비닐 아세테이트(EVA, ethylene vinyl acetate)와 같은 물질로 이루어질 수 있다.
더불어, 이와 같은 충진 시트(30)는 태양 전지들의 상부 및 하부에 각각 배치된 상태에서 라미네이션 공정에 의해 태양 전지들과 일체화되어, 태양 전지들의 사이 공간에 채워지게 되며, 열처리를 통해 경화될 수 있다.
이와 같은 태양 전지 모듈에서 복수의 태양 전지 각각의 구조와 복수의 태양 전지가 연결되는 연결 구조에 대해 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
도 2는 도 1에 도시되 복수의 태양 전지의 연결 구조 일례를 설명하기 위한 도이고, 도 3은 각 태양 전지의 구조의 일례를 설명하기 위한 도이다.
여기서, 도 2의 (a)는 복수의 태양 전지가 복수의 도전성 배선(200)에 의해 연결된 평면 구조를 도시한 것이고, 도 2의 (b)는 도 2의 (a)에서 CS1-CS1 라인에 따른 단면을 도시한 것이고, 도 2의 (c)는 도 2의 (a)에서 CS2-CS2 라인에 따른 단면을 도시한 것이다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 복수의 태양 전지 각각은 반도체 기판(110)과 반도체 기판(110)의 전면에 제1 방향(x)으로 길게 복수의 제1 전극(140)을 구비하고, 반도체 기판(110)의 후면에 제2 전극(150)을 구비할 수 있다.
이와 같은 복수의 태양 전지(C1, C2)는 제1 방향(x)과 교차하는 제2 방향(y)으로 이격되어 배열되고, 도 2에 도시된 바와 같이, 제2 방향(y)으로 서로 인접한 제1, 2 태양 전지(C1, C2)를 포함할 수 있다.
복수의 도전성 배선(200)은 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 배치되어, 제1 태양 전지(C1)의 제1 전극(140)과 제2 태양 전지(C2)의 제2 전극(150)에 접속하고, 제2 방향(y)으로 서로 인접한 제1, 2 태양 전지(C1, C2)는 스트링(string)을 형성할 수 있다.
이와 같은 도전성 배선(200)은 단면이 원형 또는 타원형 형상을 가지며, 길이가 긴 형태의 와이어일 수 있다.
이때, 복수의 도전성 배선(200)의 개수(N200)는 태양 전지의 일면을 기준으로 6개 내지 33개일 수 있다. 아울러, 복수의 도전성 배선(200) 각각의 폭(W200)은 250um 내지 500um 사이일 수 있다.
일례로, 도전성 배선(200)의 선폭(W200)이 250um 이상, 300um 미만일 때, 도전성 배선(200)의 개수(N200)가 15개 내지 33개일 수 있다.
아울러, 도전성 배선(200)의 선폭(W200)이 300um 이상, 350um 미만일 때, 도전성 배선(200)의 개수(N200)가 10개 내지 15개일 수 있고, 도전성 배선(200)의 선폭(W200)이 350um 이상, 400um 미만일 때, 도전성 배선(200)의 개수(N200)가 8개 내지 10개일 수 있고, 도전성 배선(200)의 선폭(W200)이 400um 내지 500um일 때, 도전성 배선(200)의 개수(N200)가 6개 내지 8개일 수 있다.
아와 같이, 도전성 배선(200)의 선폭(W200)에 따라 도전성 배선(200)의 개수(N200)를 다르게 배치함으로써, 태양 전지의 수광면에서 도전성 배선(200)에 의해 가려지는 총 쉐이딩(shading) 면적이 증가하지 않도록 하면서, 도전성 배선(200)의 자체 저항을 적절하게 조절할 수 있고, 이로 인하여, 도전성 배선(200)에 의해 감소되는 출력을 최소화할 수 있고, 태양 전지 모듈의 출력을 보다 향상시킬 수 있다.
앞에서 설명한 도전성 배선(200)의 선폭(W200)에 따른 개수의 관계는 최적화된 하나의 일례이고, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
아울러, 이와 같은 서로 인접한 두 개의 도전성 배선(200) 사이의 피치는 도전성 배선(200)의 선폭(W200)과 개수를 고려하여 4.75mm ~ 25.13mm 사이로 형성될 수 있다.
이와 같은 복수의 태양 전지 각각은 도 3에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110), 에미터부(120), 반사 방지막(130), 제1 전극(140), 후면 전계부(172, back surface field, BSF), 후면 보호막(180) 및 제2 전극(150)을 구비할 수 있다.
반도체 기판(110)은 제1 도전성 타입, 예를 들어 p형 또는 n 형 도전성 타입을 가질 수 있으며, 이와 같은 반도체 기판(110)은 단결정 실리콘, 다결정 실리콘 또는 비정질 실리콘 중 어느 하나의 형태로 이루어질 수 있다. 일례로, 반도체 기판(110)은 결정질 실리콘 웨이퍼로 형성될 수 있다.
구체적으로, 반도체 기판(110)이 p형의 도전성 타입을 가질 경우, 붕소도 2, 갈륨, 인듐 등과 같은 3가 원소의 불순물이 반도체 기판(110)에 도핑(doping)될 수 있다.
그러나 이와 다르게, 반도체 기판(110)은 n형 도전성 타입을 가질 경우, 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등과 같이 5가 원소의 불순물이 반도체 기판(110)에 도핑될 수 있다.
이러한 반도체 기판(110)의 전면은 복수의 요철면을 갖는다. 편의상 도 3에서, 반도체 기판(110)의 가장자리 부분만 요철면으로 도시하였으나, 실질적으로 반도체 기판(110)의 전면 전체가 요철면을 갖고 있으며, 이로 인해 반도체 기판(110)의 전면 위에 위치한 에미터부(120) 및 반사 방지막(130) 역시 요철면을 가질 수 있다.
에미터부(120)는 도 3에 도시된 바와 같이, 제 1 도전성 타입의 반도체 기판(110)의 입사면인 전면에 형성되며, 제 1 도전성 타입과 반대인 제 2 도전성 타입, 예를 들어, n형의 도전성 타입의 불순물이 반도체 기판(110)에 도핑된 영역으로, 빛이 입사되는 면, 즉, 반도체 기판(110)의 전면 내부에 위치할 수 있다.
따라서 제2 도전성 타입의 에미터부(120)는 반도체 기판(110) 중 제1 도전성 타입 부분과 p-n 접합을 이룬다.
이와 같은 반도체 기판(110)에 입사된 빛은 전자와 정공으로 분리되어 전자는 n형 쪽으로 이동하고 정공은 p형 쪽으로 이동할 수 있다. 따라서, 반도체 기판(110)이 p형이고 에미터부(120)가 n형일 경우, 분리된 정공은 반도체 기판(110) 후면 쪽으로 이동하고 분리된 전자는 에미터부(120) 쪽으로 이동할 수 있다.
에미터부(120)는 반도체 기판(110), 즉, 반도체 기판(110)의 제1 도전성 부분과 p-n접합을 형성하므로, 본 실시예와 달리, 반도체 기판(110)이 n형의 도전성 타입을 가질 경우, 에미터부(120)는 p형의 도전성 타입을 가질 수 있다. 이 경우, 분리된 전자는 반도체 기판(110) 후면 쪽으로 이동하고 분리된 정공은 에미터부(120)쪽으로 이동할 수 있다.
에미터부(120)가 n형의 도전성 타입을 가질 경우, 에미터부(120)는 5가 원소의 불순물을 반도체 기판(110)에 도핑하여 형성될 수 있고, 반대로 p형의 도전성 타입을 가질 경우, 3가 원소의 불순물을 반도체 기판(110)에 도핑하여 형성될 수 있다.
반사 방지막(130)은 반도체 기판(110)의 입사면에 상부에 위치하며, 도 3 및 도 5에 도시된 바와 같이, 에미터부(120)가 반도체 기판(110)의 입사면에 위치하는 경우, 반사 방지막(130)은 에미터부(120) 상부에 위치할 수 있다.
이와 같은 반사 방지막(130)은 유전체 재질로 형성될 수 있으며, 일례로 수소화된 실리콘 질화막(SiNx:H), 수소화된 실리콘 산화막(SiOx:H) 및 수소화된 실리콘 질화산화막(SiNxOy:H) 중 적어도 어느 하나가 복수의 층으로 형성될 수도 있다.
이와 같이 함으로써, 반사 방지막(130)의 패시베이션 기능을 보다 강화할 수 있어 태양 전지의 광전 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
복수의 제1 전극(140)은 도 3에 도시된 바와 같이 반도체 기판(110)의 전면에 위치하며, 반도체 기판(110)의 전면 위에 서로 이격되어 위치하며, 각각이 제1 방향(x)으로 길게 뻗어 위치할 수 있다.
이때, 복수의 제1 전극(140)은 반사 방지막(130)을 뚫고 에미터부(120)에 전기적으로 연결될 수 있다.
이에 따라, 복수의 제1 전극(140)은 은(Ag)과 같은 적어도 하나의 도전성 물질로 이루어져, 에미터부(120) 쪽으로 이동한 전하, 예를 들면, 전자를 수집할 수 있다.
아울러, 이와 같은 복수의 제1 전극(140) 각각은 도 3에 도시된 바와 같이, 복수의 도전성 배선(200)과 중첩되어 교차되는 교차점에서 끊어져 있는 제1 부분(P1)을 포함할 수 있다.
즉, 제1 방향(x)으로 길게 뻗은 복수의 제1 전극(140) 각각은 도 3과 같이, 복수의 도전성 배선(200)과 교차하는 교차점에서 제1 전극(140)이 형성되지 않고, 에미터부(120)가 반사 방지막(130)으로 덮여 있는 제1 부분(P1)을 포함할 수 있다.
아울러, 복수의 도전성 배선(200)은 이와 같은 복수의 제1 전극(140) 각각의 제1 부분(P1)에 중첩하여 교차될 수 있다.
후면 전계부(172)는 반도체 기판(110)의 전면의 반대면인 후면에 위치할 수 있으며, 반도체 기판(110)과 동일한 제1 도전성 타입의 불순물이 반도체 기판(110)보다 고농도로 도핑된 영역, 예를 들면, P+ 영역일 수 있다.
이와 같은 후면 전계부(172)는 후술할 제2 전극(150) 패턴과 중첩 접속되어 제1 방향(x)으로 길게 형성되되, 제2 방향(y)으로 이격된 복수의 라인 형태로 형성될 수 있다. 따라서, 후면 전계부(172)는 복수의 후면 전계부 라인(172)으로 구성될 수 있다.
이러한 반도체 기판(110)의 제1 도전성 영역과 후면 전계부(172)간의 불순물 농도 차이로 인해 전위 장벽이 형성되고, 이로 인해, 정공의 이동 방향인 후면 전계부(172) 쪽으로 전자 이동을 방해하는 반면, 후면 전계부(172) 쪽으로의 정공 이동을 용이하게 할 수 있다.
따라서, 반도체 기판(110)의 후면 및 그 부근에서 전자와 정공의 재결합으로 손실되는 전하의 양을 감소시키고 원하는 전하(예, 정공)의 이동을 가속화시켜 제2 전극(150)으로의 전하 이동량을 증가시킬 수 있다.
후면 보호막(180)은 제2 전극(150)이 형성된 부분을 제외한 반도체 기판(110) 후면 전체를 덮도록 형성될 수 있고, 반도체 기판(110)의 후면에 대한 패시베이션 기능과 절연 기능을 수행할 수 있다. 이와 같은 후면 보호막(180)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 산화질화물(SiNxOy) 중 적어도 하나가 적어도 하나의 층으로 형성될 수 있다.
제2 전극(150)은 반도체 기판(110)의 일면과 반대면인 후면에 제1 방향(x)으로 길게 서로 나란하게 형성되고, 제1 방향(x)과 교차하는 제2 방향(y)으로 이격되어 형성될 수 있다. 그러나, 이와 같은 제2 전극(150)의 패턴은 일례이고, 이에 반드시 한정되는 것은 아니다.
이와 같은 제2 전극(150)은 전술한 후면 전계부(172)와 중첩되어 전기적으로 연결되어, 후면 전계부(172)쪽으로부터 이동하는 전하, 예를 들어 정공을 수집할 수 있다.
이때, 제2 전극(150)은 반도체 기판(110)보다 높은 불순물 농도로 유지하는 후면 전계부(172)와 접촉하고 있으므로, 즉 후면 전계부(172)와 제2 전극(150) 사이의 접촉 저항이 감소하여 반도체 기판(110)으로부터 제2 전극(150)으로의 전하 전송 효율이 향상될 수 있다.
이와 같은 제2 전극(150)에는 도전성 배선(200)가 접속되어, 제2 전극(150)에 수집된 전하(예, 정공)가 도전성 배선(200)를 통하여 인접한 다른 태양 전지로 전달될 수 있다.
이와 같은 제2 전극(150)은 양호한 전도도를 갖는 금속 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어, 은(Ag)과 같은 적어도 하나의 도전성 물질을 함유할 수 있다.
이와 같은 구조를 갖는 본 실시예에 따른 태양 전지의 동작은 다음과 같다.
태양 전지로 빛이 조사되어 에미터부(120)를 통해 반도체부인 에미터부(120)와 반도체 기판(110)으로 입사되면 빛 에너지에 의해 반도체부에서 전자-정공 쌍이 발생한다. 이와 같은 전자-정공 쌍은 반도체 기판(110)과 에미터부(120)의 p-n 접합에 의해 서로 분리되어 전자와 정공은, 예를 들어, n형의 도전성 타입을 갖는 에미터부(120)와 후면 전계부(172) 쪽으로 각각 이동한다. 이처럼, 에미터부(120) 쪽으로 이동한 전자는 제1 전극(140)에 의해 수집되어 도전성 배선(200)로 전달되고, 후면 전계부(172) 쪽으로 이동한 정공은 제2 전극(150)에 의해 수집되어 도전성 배선(200)로 전달될 수 있다.
지금까지는 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈의 전체적인 구성과, 복수의 태양 전지의 연결 관계 및 각 태양 전지의 구조에 대해 설명하였다.
이하에서는 전술한 제1 전극(140)의 제1 부분(P1)과 도전성 배선(200)의 연결 관계에 대해 보다 구체적으로 설명한다.
도 4는 도 3에 도시된 복수의 제1 전극(140)에 포함되는 제1 부분(P1)에 대해 설명하기 위한 도이고, 도 5는 제1 전극(140)의 제1 부분(P1)에 도전성 배선(200)이 접속되는 구조를 설명하기 위한 도이다.
여기서, 도 4의 (a)는 반도체 기판(110)의 전면에 구비된 복수의 제1 전극(140)의 패턴을 도시한 평면도이고, 도 4의 (b)는 도 4의 (a)에서 CS3-CS3 라인에 따른 단면을 도시한 것이고, 도 5의 (a)는 반도체 기판(110)의 전면에 복수의 도전성 배선(200)이 접속된 구조를 도시한 평면도이고, 도 5의 (b)는 도 5의 (a)에서 CS4-CS4 라인에 따른 단면을 도시한 것이고, 도 5의 (c)는 도 5의 (a)에서 CS5-CS5 라인에 따른 단면을 도시한 것이다.
본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 일례는 복수의 제1 전극(140) 중 적어도 하나의 제1 전극(140)이 복수의 도전성 배선(200)과 교차되는 교차점에서 끊어져 있는 제1 부분(P1)을 포함할 수 있다.
즉, 복수의 제1 전극(140) 전체 중 일부 제1 전극(140)만 교차점에서 제1 부분(P1)을 구비하거나, 도 4에 도시된 바와 같이, 전체 제1 전극(140)이 교차점에서 제1 부분(P1)을 구비할 수 있다.
여기서, 제1 부분(P1)에서는 도 4의 (a)와 같이 제1 전극(140)이 끊어져 있고, 도 4의 (b)와 같이 제1 전극(140)이 형성되지 않아, 에미터부(120) 위를 반사 방지막(130)이 덮고 있을 수 있다.
아울러, 도 5에 도시된 바와 같이, 복수의 도전성 배선(200)이 제1 전극(140)의 제1 부분(P1)에 교차하여 접속될 수 있다.
이때, 도전성 배선(200)의 일부분이 적어도 하나의 제1 전극(140)에 구비된 제1 부분(P1) 내에 매몰될 수 있다.
즉, 도 5의 (b)에 도시된 바와 같이, 교차점에서 도전성 배선(200)의 일부분은 제1 부분(P1)에 노출되는 적어도 하나의 제1 전극(140)의 양측면 사이의 공간 내에 위치할 수 있다.
이때, 교차점에서 도전성 배선(200)은 도 5의 (b)에 도시된 바와 같이, 제1 부분(P1)에 노출되는 적어도 하나의 제1 전극(140)의 양측면 및 상부면에 주석을 포함하는 도전성 접착제(251)를 통해 접속될 수 있다.
일례로, 도전성 접착제(251)는 SnPb, SnPbAc, SnAgCu 또는 SnAg 중 적어도 하나의 성분으로 구성될 수 있다.
이에 따라, 도전성 배선(200)의 양측면이 제1 부분(P1)에 노출되는 제1 전극(140)의 양측면 및 상부면에 접속할 수 있어, 접촉 면적 증가로 도전성 배선(200)의 물리적 접착력을 보다 더 향상시킬 수 있다.
이때, 도전성 배선(200)은 제1 부분(P1)에 노출되는 제1 전극(140)의 양측면에 접속될 때, 상호 금속 합금(inter-metallic alloy)을 형성하여, 도전성 배선(200)의 물리적 접착력을 더욱 더 향상시킬 수 있다.
아울러, 제1 부분(P1)에는 제1 전극(140)이 형성되지 않으므로, 제1 전극(140) 형성을 위한 재료비를 저감할 수 있으며, 전체적인 제1 전극(140)의 형성 영역이 상대적으로 감소하여, 개방 전압(Voc)이 증가할 수 있다.
이때, 도 5의 (b)에 도시된 바와 같이, 교차점에서 도전성 배선(200)의 일부분과 반사 방지막(130) 사이의 간격(H200)은 제1 전극(140)이 반사 방지막(130)을 뚫고 돌출된 높이(H140)보다 작을 수 있다.
아울러, 교차점에서 도전성 배선(200)의 일부분과 반사 방지막(130) 사이의 간격(H200)과 교차점을 제외한 나머지 부분에서 도전성 배선(200)의 일부분과 반사 방지막(130) 사이의 간격은 서로 동일할 수 있다.
따라서, 도 5의 (c)에 도시된 바와 같이, 교차점을 제외한 나머지 부분에서 도전성 배선(200)의 일부분과 반사 방지막(130) 사이의 간격(H200) 역시 제1 전극(140)이 반사 방지막(130)을 뚫고 돌출된 높이(H140)보다 작을 수 있다.
일례로, 제1 전극(140)이 반사 방지막(130)을 뚫고 돌출된 돌출 높이(H140)는 10㎛ ~ 30㎛ 사이이고, 도전성 배선(200)의 일부분과 반사 방지막(130) 사이의 간격(H200)은 제1 전극(140)의 돌출 높이(H140)보다 작은 범위에서 20㎛ 이하일 수 있다.
아울러, 도 5의 (b)에 도시된 바와 같이, 교차점에서 제1 부분(P1)에 노출되는 적어도 하나의 제1 전극(140)의 양측면 사이의 제1 간격(D140)은 도전성 배선(200)의 선폭(W200)보다 작을 수 있다.
일례로, 도전성 배선(200)의 선폭(W200)은 250㎛ ~ 350㎛ 사이이고, 제1 간격(D140)은 도전성 배선(200)의 선폭(W200)보다 작은 범위에서 200㎛ ~ 280㎛ 사이로 형성될 수 있다.
여기서, 도전성 배선(200)은 은, 구리와 같은 도전성 재질의 코어(201)와 코어(201)의 표면을 코팅하고 주석을 포함하는 코팅층(202)을 포함할 수 있다.
여기서, 코팅층(202)은 일례로, SnPb, SnPbAc, SnAgCu 또는 SnAg 중 적어도 하나의 성분으로 구성될 수 있다.
이와 같은 코팅층(202)은 제1 부분(P1)에 노출되는 제1 전극(140)의 양측면과 상호 금속 합금(inter-metallic alloy)을 형성하여, 도전성 배선(200)의 물리적 접착력을 더욱 더 향상시킬 수 있다.
여기서, 코어(201)의 직경은 200㎛ ~ 310㎛ 사이이고, 코팅층(202)의 두께는 10㎛ ~ 20㎛ 사이로 형성될 수 있다.
이때, 도 5의 (b)에 도시된 바와 같이, 도전성 배선(200)의 코어(201)가 제1 전극(140)의 제1 부분(P1) 내에 매몰될 수 있다.
이와 같이, 도전성 배선(200)이 제1 전극(140)의 단선된 제1 부분(P1) 내에 매몰되어 구비되는 경우, 도전성 배선(200)의 접촉력이 강화될 뿐만 아니라, 도전성 배선(200)의 부식도 상대적으로 저감시켜, 태양 전지 모듈의 신뢰성도 보다 향상시킬 수 있다.
도 6은 본 발명과 다른 비교예를 설명하기 위한 도이고, 도 7은 본 발명에 따른 태양 전지 모듈이 라미네이션되었을 때의 일부 모습을 도시한 것이다.
도 6의 비교예에 도시된 바와 같이, 제1 전극(140)에 끊어진 부분이 없어, 도전성 배선(200)과 교차하는 제1 전극(140)의 교차점에서, 도 6의 (b)와 같이, 제1 전극(140)과 도전성 배선(200)이 서로 접속하는 경우, 도전성 배선(200)과 제1 전극(140)의 교차점을 제외한 나머지 부분에서는 도전성 배선(200)과 반도체 기판(110) 사이의 이격 간격(H200’)이 상대적으로 커질 수 있다.
즉, 도전성 배선(200)과 반사 방지막(130) 사이의 간격(H200’)이 제1 전극(140)이 반사 방지막(130)을 뚫고 돌출된 높이(H140’)와 동일하거나 더 클 수 있다.
이와 같은 경우, 라미네이션 공정에서 제1 충진 시트(30a)가 도전성 배선(200)과 반사 방지막(130) 사이의 이격된 공간을 충분히 채우지 못할 수 있고, 이때, 도전성 배선(200)과 반사 방지막(130) 사이에는 공기로 채워지는 빈 공간(ES)이 형성될 수 있다.
이와 같은 빈 공간(ES)에는 태양 전지 모듈이 필드(field)에서 동작 중에 수분이 응축되어 채워질 수 있고, 이와 같은 응축된 수분이 도전성 배선(200)을 부식시켜, 태양 전지 모듈의 신뢰성이 저하될 수 있다.
그러나, 본 발명과 같은 경우, 제1 전극(140)이 교차점에서 끊어진 제1 부분(P1)을 구비하고, 도전성 배선(200)이 제1 전극(140)의 제1 부분(P1)에 매몰되어 접속되는 경우, 교차점을 제외한 나머지 부분에서 도전성 배선(200)의 일부분과 반도체 기판(110)(또는 반사 방지막(130)) 사이의 이격 간격(H200)은 상대적으로 작을 수 있다.
따라서, 태양 전지 모듈 제조 공정에서 라미네이션 공정이 수행된 이후에는 도 7에 도시된 바와 같이, 제1 충진 시트(30a)는 교차점을 제외한 나머지 부분에서 도전성 배선(200)의 일부분과 반도체 기판(110)(또는 반사 방지막(130)) 사이의 이격된 공간(H200)을 충분히 채울 수 있다.
이에 따라, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 태양 전지 모듈의 신뢰성을 더욱 향상시킬 수 있다.
도 8은 본 발명에 따른 태양 전지 모듈에서 제1 전극(140)에 포함되는 제1 부분(P1)의 다른 일례를 설명하기 위한 도이다.
앞선 실시예에서는 제1 전극(140)의 교차점에서 제1 부분(P1)이 형성되되, 제1 부분(P1)에 노출되는 제1 전극(140)의 양측면의 경사각이 거의 수직인 경우를 일례로 도시하였다.
그러나, 제1 부분(P1)에 노출되는 제1 전극(140)의 양측면의 경사각은 도 8에 도시된 바와 같이, 비스듬한 것도 가능하다.
이와 같은 경우, 도전성 배선(200)과 반도체 기판(110) 사이의 간격 또는 도전성 배선(200)과 반사 방지막(130) 사이의 간격(H200)을 더욱 줄일 수 있고, 실질적으로 도전성 배선(200)이 반사 방지막(130)이 형성된 반도체 기판(110)의 표면에 거의 붙어 있도록 할 수 있다.
지금까지는 복수의 제1 전극(140) 전체가 교차점에서 끊어진 제1 부분(P1)을 구비하는 경우를 일례로 설명하였으나, 반드시 복수의 제1 전극(140) 전체가 교차점에서 끊어진 제1 부분(P1)을 구비하는 것에 본 발명이 한정되는 것은 아니고, 복수의 제1 전극(140) 전체 중 일부 부분만 제1 부분(P1)을 구비하는 것도 가능하다. 이에 대해 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
도 9는 본 발명의 다른 일례에 따른 태양 전지 모듈을 설명하기 위한 도로서, 복수의 제1 전극(140) 전체 중 일부 제1 전극(140)만 제1 부분(P1)을 구비하는 경우를 설명하기 위한 도이다.
여기서, 도 9의 (a)는 도전성 배선(200)이 접속된 반도체 기판(110)의 전면 모습을 간략히 도시한 것이고, 도 9의 (b)는 도 9의 (a)에 도시된 반도체 기판(110) 중 도전성 배선(200)의 끝단과 인접한 반도체 기판(110)의 일부 가장 자리 부분을 확대 도시한 것이고, 도 9의 (c)는 도 9의 (a)에 도시된 반도체 기판(110)의 중앙 부분을 확대 도시한 것이다.
본 발명의 다른 일례에 따른 태양 전지 모듈은 도 9의 (b) 및 (c)에 도시된 바와 같이, 전면 전극은 복수의 제1 전극들(140), 연결 전극들(142), 패드부(144) 및 가이드부(143)를 포함할 수 있다.
여기서, 복수의 제1 전극(140)은 반도체 기판(110)의 전면에 제1 방향(x)으로 길게 뻗어 형성되고, 연결 전극(142)은 반도체 기판(110)의 전면에 제2 방향(y)으로 길게 형성되고, 복수의 제1 전극(140) 전체 중 일부 제1 전극(140)에 교차하여 연결될 수 있다.
아울러, 패드부(144)는 도전성 배선(200)과 제1 전극(140)이 교차하는 교차점 중 적어도 일부에 형성될 수 있으며, 연결 전극(142)의 선폭(W142)보다 큰 폭(W144)으로 형성될 수 있다.
아울러, 가이드부(143)는 복수의 제1 전극(140) 중 최외곽에 위치하는 제1 전극(140)의 교차점에서 제2 방향(y)으로 길게 돌출될 수 있다.
이와 같은 복수의 제1 전극(140) 중 반도체 기판(110)의 제2 방향(y) 가장 자리에 위치하는 일부 가장 자리 제1 전극(140)은 교차점에 제1 부분(P1)을 구비할 수 있다.
일례로, 도 9의 (a)에 도시된 반도체 기판(110) 중에서 도전성 배선(200)의 끝단이 위치하는 가장 자리에 위치하는 일부 제1 전극(140)[즉, 도전성 배선(200)과 교차하는 최외곽 두 개의 제1 전극(140)]은 교차점에서 제1 전극(140)이 형성되지 않은 제1 부분(P1)을 구비할 수 있다.
도 9에서는 제1 부분(P1)을 구비하는 제1 전극(140)이 2개인 경우를 일례로 도시하였으나, 제1 부분(P1)을 구비하는 일부 가장 자리 제1 전극(140)의 개수는 1개 ~ 5개 사이일 수 있다.
아울러, 일부 가장 자리 제1 전극(140)을 제외한 나머지 제1 전극들(140)은 교차점에 제1 부분(P1)을 구비하지 않을 수 있다.
즉, 반도체 기판(110)의 가장 자리 부분에서 제1 부분(P1)을 구비한 제1 전극(140)을 제외한 나머지 제1 전극들(140)은 제1 부분(P1)을 구비하지 않고, 교차점에 연결 전극(142)이 형성될 수 있다.
이에 따라, 연결 전극들(142)은 교차점에 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 형성됨으로써, 나머지 제1 전극들(140)은 연결 전극들(142)에 의해 서로 연결될 수 있다.
이와 같은 연결 전극들(142)은 도전성 배선(200)들과 중첩되는 부분에 위치하므로, 도 6에서 설명한 바와 다르게, 제1 전극들(140)과 도전성 배선(200)들의 교차점 이외의 부분에서 도전성 배선(200)의 하부에 빈 공간(ES)이 형성되지 않을 수 있다.
아울러, 가이드부(143)는 도 9의 (b)에 도시된 바와 같이, 일부 가장 자리 제1 전극(140) 중 최외곽에 위치하는 최외곽 제1 전극(140)의 제1 부분(P1) 양끝단에서 제2 방향(y)으로 길게 돌출될 수 있다.
여기서, 최외곽 제1 전극(140)은 제2 방향(y)으로 길게 배치되는 도전성 배선(200)과 마지막으로 교차하는 제1 전극(140)을 의미할 수 있다.
이와 같이, 최외곽 제1 전극(140)의 제1 부분(P1) 양끝단에 구비된 가이드부(143) 사이의 간격(D143)은 도전성 배선(200)의 선폭(W200)보다 작을 수 있다.
이에 따라, 도전성 배선(200)의 끝단이 반도체 기판(110)의 전면에 위치하는 경우, 도전성 배선(200)의 끝단이 휘어지지 않도록 하여, 모듈의 외관이 보다 수려하게 보이도록 할 수 있다.
아울러, 패드부(144)는 나머지 제1 전극들(140)에 위치하는 복수의 교차점 중에서 적어도 일부 교차점에 위치하여, 도전성 배선(200)과의 접속 면적을 증가시킬 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
Claims (19)
- 각각이 반도체 기판, 상기 반도체 기판의 전면에 제1 방향으로 길게 형성되는 복수의 제1 전극 및 상기 반도체 기판의 후면에 제2 전극을 구비하는 복수의 태양 전지; 및
상기 복수의 태양 전지 중 제1 태양 전지의 제1 전극 및 상기 제1 태양 전지에 인접한 제2 태양 전지의 제2 전극에 접속하고, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 배치되어 상기 복수의 태양 전지를 전기적으로 연결하는 복수의 도전성 배선;을 포함하고,
상기 복수의 제1 전극 중 적어도 하나의 제1 전극은 상기 복수의 도전성 배선과 교차되는 교차점에서 끊어져 있는 제1 부분을 포함하고,
상기 도전성 배선의 일부분이 상기 적어도 하나의 제1 전극에 구비된 상기 제1 부분 내에 매몰되는 태양 전지 모듈. - 제1 항에 있어서,
상기 교차점에서 상기 도전성 배선의 일부분은 상기 제1 부분에 노출되는 상기 적어도 하나의 제1 전극의 양측면 사이의 공간 내에 위치하는 태양 전지 모듈. - 제1 항에 있어서,
상기 반도체 기판의 전면 표면에는 유전체 재질의 반사 방지막이 더 형성되고,
상기 복수의 제1 전극 각각은 상기 반사 방지막을 뚫고 상기 반도체 기판의 전면에 접속되며,
상기 교차점에서 상기 도전성 배선의 일부분과 상기 반사 방지막 사이의 간격은 상기 제1 전극이 상기 반사 방지막을 뚫고 돌출된 높이보다 작은 태양 전지 모듈. - 제3 항에 있어서,
상기 교차점에서 상기 도전성 배선은 상기 제1 부분에 노출되는 상기 적어도 하나의 제1 전극의 측면 및 상부면에 도전성 접착제를 통해 접속되는 태양 전지 모듈. - 제3 항에 있어서,
상기 교차점을 제외한 나머지 부분에서 상기 도전성 배선의 일부분과 상기 반사 방지막 사이의 간격은 상기 제1 전극이 상기 반사 방지막을 뚫고 돌출된 높이보다 작은 태양 전지 모듈. - 제1 항에 있어서,
상기 복수의 제1 전극 전체는 상기 교차점에 상기 제1 부분을 구비하는 태양 전지 모듈. - 제1 항에 있어서,
상기 교차점에서 상기 제1 부분에 노출되는 상기 적어도 하나의 제1 전극의 양측면 사이의 제1 간격은 상기 도전성 배선의 선폭보다 작은 태양 전지 모듈. - 제7 항에 있어서,
상기 제1 간격은 상기 도전성 배선의 선폭의 5% ~ 80% 이하인 태양 전지 모듈. - 제7 항에 있어서,
상기 도전성 배선의 선폭은 250㎛ ~ 350㎛ 사이이고, 상기 제1 간격은 상기 도전성 배선의 선폭보다 작은 범위에서 200㎛ ~ 280㎛ 사이인 태양 전지 모듈. - 제1 항에 있어서,
상기 도전성 배선은 도전성 재질의 코어와 상기 코어의 표면을 코팅하고 주석을 포함하는 코팅층을 포함하는 태양 전지 모듈. - 제1 항에 있어서,
상기 도전성 배선의 상기 코어가 상기 제1 부분 내에 매몰되는 태양 전지 모듈. - 제11 항에 있어서,
상기 코어의 직경은 200㎛ ~ 310㎛ 사이이고, 상기 코팅층의 두께는 10㎛~ 20㎛ 사이인 태양 전지 모듈. - 제3 항에 있어서,
상기 제1 전극이 상기 반사 방지막을 뚫고 돌출된 돌출 높이는 10㎛ ~ 30㎛ 사이이고,
상기 도전성 배선의 일부분과 상기 반사 방지막 사이의 간격은 상기 돌출 높이보다 작은 범위에서 20㎛ 이하인 태양 전지 모듈. - 제1 항에 있어서,
상기 복수의 제1 전극 중 상기 반도체 기판의 제2 방향 가장 자리에 위치하는 일부 가장 자리 제1 전극이 상기 교차점에 상기 제1 부분을 구비하고,
상기 일부 가장 자리 제1 전극을 제외한 나머지 제1 전극들은 상기 교차점에 상기 제1 부분을 구비하지 않는 태양 전지 모듈. - 제14 항에 있어서,
상기 제1 부분을 구비하는 상기 일부 가장 자리 제1 전극의 개수는 1개 ~ 5개 사이인 태양 전지 모듈. - 제14 항에 있어서,
상기 일부 가장 자리 제1 전극 중 최외곽에 위치하는 최외곽 제1 전극의 제1 부분 양끝단은 상기 제2 방향으로 돌출되는 가이드부를 더 구비하는 태양 전지 모듈. - 제16 항에 있어서,
상기 최외곽 제1 전극의 제1 부분 양끝단에 구비된 상기 가이드부 사이의 간격은 상기 도전성 배선의 선폭보다 작은 태양 전지 모듈. - 제14 항에 있어서,
상기 나머지 제1 전극들의 상기 교차점에 형성되고, 상기 제2 방향으로 길게 뻗어 상기 나머지 제1 전극들을 서로 연결하는 연결 전극을 구비하는 태양 전지 모듈. - 제18 항에 있어서,
상기 나머지 제1 전극들에 위치하는 복수의 교차점 중에서 적어도 일부 교차점에는 제1 전극의 선폭이나 상기 연결 전극의 선폭보다 큰 폭을 갖는 패드부가 위치하는 태양 전지 모듈.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020170118434A KR102394105B1 (ko) | 2017-09-15 | 2017-09-15 | 태양 전지 모듈 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020170118434A KR102394105B1 (ko) | 2017-09-15 | 2017-09-15 | 태양 전지 모듈 |
Publications (2)
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| KR20190030879A true KR20190030879A (ko) | 2019-03-25 |
| KR102394105B1 KR102394105B1 (ko) | 2022-05-04 |
Family
ID=65907867
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1020170118434A KR102394105B1 (ko) | 2017-09-15 | 2017-09-15 | 태양 전지 모듈 |
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| KR (1) | KR102394105B1 (ko) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160019317A (ko) * | 2014-08-11 | 2016-02-19 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 모듈 |
| KR20160149067A (ko) * | 2015-06-17 | 2016-12-27 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 모듈 |
| JP2017076794A (ja) * | 2015-10-12 | 2017-04-20 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池パネルの配線材付着装置及び方法 |
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2017
- 2017-09-15 KR KR1020170118434A patent/KR102394105B1/ko active IP Right Grant
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