KR20190029184A - Apparatus of Atomic Layer Deposition - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to an atomic layer deposition apparatus. According to an aspect of the present invention, provided is an atomic layer deposition apparatus which comprises: a chamber in which process pressure can be controlled; a gas distribution plate arranged in the chamber, and having a plurality of precursor gas supply ports arranged in order along a driving direction of a substrate and first and second gas curtain ports placed at both sides based on the driving direction of the substrate; and a substrate carrier provided with a plurality of guide rolls to transfer the substrate.

Description

원자층 증착 장치{Apparatus of Atomic Layer Deposition}[0001] Apparatus of Atomic Layer Deposition [0002]

본 발명은 원자층 증착 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an atomic layer deposition apparatus.

기재 상에 막을 형성하는 방법으로, 예를 들어 원자층 증착 방법이 있다. As a method of forming a film on a substrate, there is, for example, an atomic layer deposition method.

원자층 증착(ALD: Atomic Layer Deposition)은, 통상적으로 기상(gas phase)인 화학물질의 순차적인 공급에 기반하여 기재 상에 막을 형성하는 기술로서, 다양한 분야에 적용되고 있다.Atomic Layer Deposition (ALD) is a technique for forming a film on a substrate based on the sequential supply of a chemical substance, which is usually in the gas phase, and has been applied to various fields.

도 1은 일반적인 원자층 증착 장치(1)를 나타내는 개략도이며, 특히 공간분할 방식의 원자층 증착 장치(1)를 나타낸다. FIG. 1 is a schematic view showing a general atomic layer deposition apparatus 1, and particularly shows a atomic layer deposition apparatus 1 of a space division type.

원자층 증착장치(1)는 복수 개의 공급 포트(11, 12, 13)을 갖는 가스 분배 플레이트(10) 및 기재(20)을 이송하기 위한 이송장치를 포함한다. 상기 가스 분배 플레이트(10)는 기재(20) 상에 하나 이상의 전구체 가스(precursor A, B)를 공급하기 위한 전구체 가스 공급 포트(11, 12) 및 불활성 가스 등의 퍼지(purge) 가스를 공급하기 위한 퍼지 가스 공급 포트(13)를 갖는다. The atomic layer deposition apparatus 1 includes a gas distribution plate 10 having a plurality of supply ports 11, 12, 13 and a transfer device for transferring the substrate 20. The gas distribution plate 10 includes precursor gas supply ports 11 and 12 for supplying one or more precursor gases (precursor A, B) onto a substrate 20 and a purge gas such as an inert gas And a purge gas supply port 13 for purge gas.

본 발명은 기재의 주행성을 확보하고, 공정압력을 높일 수 있으며, 막 품질을 향상시킬 수 있는 원자층 증착 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an atomic layer deposition apparatus capable of securing the running property of a substrate, increasing a process pressure, and improving film quality.

상기한 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 일 측면에 따르면, 공정 압력이 조절 가능한 챔버; 챔버 내에 배치되고, 기재의 주행 방향을 따라 차례로 배열된 복수 개의 전구체 가스 공급 포트 및 기재의 주행 방향을 기준으로 양 측에 위치한 제1 및 제2 가스 커튼 포트를 갖는 가스 분배 플레이트; 및 가스 분배 플레이트에 대하여, 기재 이송을 위한 복수 개의 가이드 롤을 구비하는 기재 캐리어를 포함하는 원자층 증착 장치가 제공된다.According to an aspect of the present invention, there is provided a process chamber, A gas distribution plate disposed in the chamber and having a plurality of precursor gas supply ports sequentially arranged along the running direction of the substrate and first and second gas curtain ports positioned on both sides with respect to the running direction of the substrate; And a substrate carrier having a plurality of guide rolls for substrate transport, with respect to the gas distribution plate.

또한, 본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 공정 압력이 조절 가능한 챔버; 챔버 내에 배치되고, 기재의 주행 방향을 따라 차례로 배열된 복수 개의 전구체 가스 공급 포트 및 기재의 주행 방향을 기준으로 양 측에 위치한 제1 및 제2 가스 커튼 포트를 갖는 복수 개의 가스 분배 플레이트; 및 적어도 2개의 방향을 따라 기재를 이송시키도록 배열된 복수 개의 가이드 롤을 구비하는 기재 캐리어를 포함하며, 적어도 2개의 가스 분배 플레이트는, 서로 다른 방향에서 기재에 전구체 가스를 분사하도록 배열된 원자층 증착 장치가 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is also provided a process chamber, A plurality of gas distribution plates disposed in the chamber and having a plurality of precursor gas supply ports arranged in order along the running direction of the substrate and first and second gas curtain ports positioned on both sides with respect to the running direction of the substrate; And a plurality of guide rolls arranged to transport the substrate along at least two directions, wherein the at least two gas distribution plates comprise atomic layers arranged to emit precursor gases to the substrate in different directions, A deposition apparatus is provided.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 적어도 일 실시예와 관련된 원자층 증착 장치는 다음과 같은 효과를 갖는다.As described above, the atomic layer deposition apparatus according to at least one embodiment of the present invention has the following effects.

롤-투-롤(roll-to roll) 공정을 통해 기재를 주행 시, 가이드 롤 표면에 증착이 이루어지는 것을 차단함으로써, 주행성을 향상시킬 수 있다.The running property can be improved by blocking deposition on the surface of the guide roll when the substrate runs through a roll-to-roll process.

또한, 시분할 원자층 증착법과 동등 수준의 막 품질을 유지하면서도, 공정 압력 및 증착 속도를 높일 수 있다.In addition, it is possible to increase the process pressure and the deposition rate while maintaining the film quality equivalent to the time-division atomic layer deposition.

도 1은 일반적인 원자층 증착 장치를 나태내는 개략도이다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 일 실시예와 관련된 원자층 증착 장치를 나타내는 개략도들이다.
도 4는 도 2에 도시된 가스 분배 플레이트의 평면도이다.
도 5는 도 2에 도시된 기재의 평면도이다.1 is a schematic view showing a general atomic layer deposition apparatus.
2 and 3 are schematic views showing an atomic layer deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 4 is a top view of the gas distribution plate shown in Figure 2;
5 is a plan view of the substrate shown in Fig.

이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착 장치를 첨부된 도면을 참고하여 상세히 설명한다.Hereinafter, an atomic layer deposition apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

또한, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응되는 구성요소는 동일 또는 유사한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복 설명은 생략하기로 하며, 설명의 편의를 위하여 도시된 각 구성 부재의 크기 및 형상은 과장되거나 축소될 수 있다.In addition, the same or corresponding reference numerals are given to the same or corresponding reference numerals regardless of the reference numerals, and redundant description thereof will be omitted. For convenience of explanation, the size and shape of each constituent member shown in the drawings are exaggerated or reduced .

도 2 및 도 3은 본 발명의 일 실시예와 관련된 원자층 증착 장치(100)를 나타내는 개략도들이고, 도 4는 도 2에 도시된 가스 분배 플레이트(200)의 평면도이며, 도 5는 도 2에 도시된 기재(300)의 평면도이다.2 and 3 are schematic views showing an atomic layer deposition apparatus 100 according to one embodiment of the present invention, FIG. 4 is a plan view of the gas distribution plate 200 shown in FIG. 2, and FIG. 5 is a cross- Is a top view of the illustrated substrate 300.

본 발명의 일 실시예와 관련된 원자층 증착장치(100)는 롤-투-롤 원자층 증착장치(100)이고, 공간분할 방식의 원자층 증착장치(100)이다. 전술한 바와 같이, 본 발명은 공간분할 방식의 원자층 증착장치(100)임에도 불구하고, 시분할 원자층 증착장치와 동등 수준의 막 품질을 유지하면서도, 공정 압력 및 증착 속도를 높일 수 있는 효과를 갖는다.An atomic layer deposition apparatus 100 according to an embodiment of the present invention is a roll-to-roll atomic layer deposition apparatus 100, and is a space division type atomic layer deposition apparatus 100. As described above, the present invention has the effect of increasing the process pressure and the deposition rate, while maintaining the film quality at the same level as that of the time division atomic layer deposition apparatus, despite the atomic layer deposition apparatus 100 of the space division type .

상기 원자층 증착장치(100)는 챔버(110), 가스 분배 플레이트(200), 및 기재 캐리어(400)를 포함한다.The atomic layer deposition apparatus 100 includes a chamber 110, a gas distribution plate 200, and a substrate carrier 400.

상기 챔버(110)는 기재(300) 상에 전구체 가스가 증착되어 막이 형성되는 하나 이상의 처리 영역을 제공한다. 또한, 상기 챔버(110)는 공정 온도 및 공정 압력이 조절 가능하게 마련된다.The chamber 110 provides one or more processing regions on which a precursor gas is deposited to form a film on the substrate 300. In addition, the chamber 110 is provided with adjustable process temperature and process pressure.

또한, 단일의 챔버(110)는 복수 개의 처리 영역을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기재(300)의 주행방향을 따라 복수 개의 가스 분배 플레이트(200)가 소정 간격으로 떨어져 배열됨에 따라, 복수 개의 처리 영역이 형성될 수도 있다. In addition, the single chamber 110 may include a plurality of processing regions. For example, as the plurality of gas distribution plates 200 are arranged at predetermined intervals along the traveling direction of the substrate 300, a plurality of processing regions may be formed.

이와는 다르게, 도 3을 참조하면, 기재(300)의 주행방향을 기준으로 상부, 하부에 가스 분배 플레이트(200)가 각각 배열될 수 있고, 이에 따라 상부 하부에 각각 처리 영역이 마련될 수도 있다. 3, the gas distribution plates 200 may be arranged on the upper and lower sides, respectively, with respect to the traveling direction of the substrate 300, and thus the processing areas may be provided on the lower part of the upper part.

구체적으로, 도 3을 참조하면, 원자층 증착 장치는 복수 개의 가스 분배 플레이트(200)를 포함한다. 또한, 원자층 증착 장치는 적어도 2개의 방향을 따라 기재(300)를 이송시키도록 배열된 복수 개의 가이드 롤(510, 520)을 구비하는 기재 캐리어(500)를 포함한다. 예를 들어, 복수 개의 가이드 롤은, 기재(300)의 주행방향을 전환시키기 위한 제1 가이드 롤(510) 및 소정 방향으로 기재(300)를 이송시키기 위한 제2 가이드 롤(520)을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 가이드 롤(510, 520)의 크기는 다를 수 있고, 제1 가이드 롤(510)은 제2 가이드 롤(520) 보다 크게 마련될 수 있다.Specifically, referring to FIG. 3, the atomic layer deposition apparatus includes a plurality of gas distribution plates 200. The atomic layer deposition apparatus also includes a substrate carrier 500 having a plurality of guide rolls 510, 520 arranged to transport the substrate 300 along at least two directions. For example, the plurality of guide rolls may include a first guide roll 510 for switching the traveling direction of the base material 300 and a second guide roll 520 for transporting the base material 300 in a predetermined direction . The size of the first and second guide rolls 510 and 520 may be different and the first guide roll 510 may be larger than the second guide roll 520.

이때, 적어도 2개의 가스 분배 플레이트(200)는, 서로 다른 방향(상부/하부)에서 기재(300)에 전구체 가스를 분사하도록 배열될 수 있다.At this point, at least two gas distribution plates 200 can be arranged to inject precursor gas to substrate 300 in different directions (upper / lower).

또한, 상기 가스 분배 플레이트(200)는 챔버(110) 내에 배치되고, 상기 챔버(110) 내에서 주행하는 기재(300)을 향하여 전구체 가스 등을 공급하는 기능을 수행한다.The gas distribution plate 200 is disposed in the chamber 110 and functions to supply a precursor gas or the like toward the substrate 300 running in the chamber 110.

또한, 상기 가스 분배 플레이트(200)는 기재(300)의 주행 방향을 따라 차례로 배열된 복수 개의 전구체 가스 공급 포트(213, 214) 및 기재(300)의 주행 방향을 기준으로 양 측에 위치한 제1 및 제2 가스 커튼 포트(220, 230)를 갖는다. 또한, 전구체 가스 공급 포트(214) 및 제1 및 제2 가스 커튼 포트(220, 230)는 기재(300)과 마주하는 가스 분배 플레이트(200)의 전면(201)에 마련된다. 복수 개의 전구체 가스 공급 포트(213, 214)는 서로 다른 전구체를 각각 공급하도록 마련될 수 있다. 전구체 공급 포트(213, 214)의 개수는 증착 물질의 종류와 증착 두께에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 제1 전구체 공급 포트(213)는 H2O 공급포트일 수 있고, 제2 전구체 공급 포트(214)는 TMA 공급포트일 수 있다.The gas distribution plate 200 includes a plurality of precursor gas supply ports 213 and 214 arranged in order along the running direction of the substrate 300 and a plurality of precursor gas supply ports 213 and 214 disposed on both sides of the substrate 300, And second gas curtain ports (220, 230). The precursor gas supply port 214 and the first and second gas curtain ports 220 and 230 are provided on the front surface 201 of the gas distribution plate 200 facing the substrate 300. The plurality of precursor gas supply ports 213 and 214 may be provided to supply different precursors, respectively. The number of the precursor supply ports 213 and 214 may vary depending on the kind of the deposition material and the deposition thickness. For example, the first precursor delivery port 213 may be an H 2 O supply port and the second precursor delivery port 214 may be a TMA supply port.

각각의 전구체 가스 공급 포트(213, 214)는 해당 전구체 가스 공급원과 연결되어, 기재(300)을 향하여 전구체 가스를 분사하도록 마련되며, 이에 따라 기재(300) 상에 막이 형성된다. 이때, 설명의 편의 상, 본 문서에서 전구체 가스 공급 포트(213, 214)를 통해 기재(300) 상에 전구체 가스가 도포되는 영역을 '가스 공급 영역'이라 지칭할 수 있다. Each precursor gas supply port 213, 214 is connected to a corresponding precursor gas source and is arranged to inject a precursor gas toward the substrate 300, thereby forming a film on the substrate 300. Here, for convenience of explanation, the region where the precursor gas is applied on the substrate 300 through the precursor gas supply ports 213 and 214 in this document may be referred to as a 'gas supply region'.

도 3 및 도 5를 참조하면, 본 문서에서, 기재(300)의 주행방향(x축 방향)을 가스 분배 플레이트(200) 및 기재(300)의 길이방향이라고 지칭하고, 기재(300)의 주행방향에 직교하는 방향(y축 방향)을 가스 분배 플레이트(200) 및 기재(300)의 폭 방향이라 지칭한다.3 and 5, in this document, the running direction (x-axis direction) of the base material 300 is referred to as the longitudinal direction of the gas distribution plate 200 and the base material 300, Direction (y-axis direction) is referred to as the width direction of the gas distribution plate 200 and the base material 300. [

복수 개의 전구체 가스 공급 포트(213, 214)는 가스 분배 플레이트(200)의 길이방향(x축 방향)을 따라 차례로 배열될 수 있고, 각각의 전구체 가스 공급 포트(213, 214)는 가스 분배 플레이트(200)의 폭 방향(y축 방향)을 따라 연장된 채널 형태를 가질 수 있다. The plurality of precursor gas supply ports 213 and 214 may be arranged in order along the longitudinal direction (x axis direction) of the gas distribution plate 200 and each of the precursor gas supply ports 213 and 214 may be connected to the gas distribution plate 200) along the width direction (y-axis direction).

또한, 인접하는 전구체 가스 공급 포트(213, 214) 사이에는 진공 포트(212)가 마련될 수 있고, 인접하는 전구체 가스 공급 포트(213, 214) 사이에는 퍼지 가스 공급 포트(211)가 마련될 수 있다. A vacuum port 212 may be provided between adjacent precursor gas supply ports 213 and 214 and a purge gas supply port 211 may be provided between adjacent precursor gas supply ports 213 and 214 have.

이때, 제1 및 제2 가스 커튼 포트(220, 230)는 기재(300)의 주행 방향(x축 방향)을 기준으로 양 측, 즉 가스 분배 플레이트(200의 폭 방향의 양 가장자리에 각각 위치한다. 각각의 가스 커튼 포트(220, 230)는 불활성 가스(예를 들어, N2) 공급원과 연결되며, 가스 커튼 포트(220, 230)를 통해 불활성 가스가 기재(300) 측으로 분사된다. 이때, 각각의 가스 커튼 포트(220, 230)는 가스 분배 플레이트(200)의 길이 방향(y축 방향)을 따라 연장된 채널 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 각각의 가스 커튼 포트(220, 230)는 전구체 가스 공급 포트(214)와 직교한 상태로 배열될 수 있다.At this time, the first and second gas curtain ports 220 and 230 are located on both sides, that is, on both edges in the width direction of the gas distribution plate 200, with respect to the running direction (x-axis direction) Each of the gas curtain ports 220 and 230 is connected to an inert gas supply source such as N 2 and an inert gas is injected toward the substrate 300 through the gas curtain ports 220 and 230. At this time, Each of the gas curtain ports 220 and 230 may have a channel shape extending along the longitudinal direction (y-axis direction) of the gas distribution plate 200. For example, May be arranged orthogonal to the precursor gas supply port 214.

또한, 기재 캐리어(400, 500)는 가스 분배 플레이트(200)에 대하여 기재(300)를 주행시키기 위한 복수 개의 가이드 롤(410, 510, 520)을 구비한다. 즉, 기재 캐리어(400, 500)는 롤-투-롤 방식으로 구성된다. 또한, 상기 기재 캐리어(400, 500)는 기재(300)를 적어도 하나의 방향을 따라 이송시키도록 마련될 수 있다. The substrate carriers 400 and 500 also have a plurality of guide rolls 410, 510 and 520 for driving the substrate 300 relative to the gas distribution plate 200. That is, the substrate carrier 400, 500 is configured in a roll-to-roll fashion. In addition, the substrate carrier 400, 500 may be provided to transport the substrate 300 along at least one direction.

한편, 본 발명에서와 같이, 챔버(110) 내에서 가이드 롤(410)을 통해 기재(300)을 이송하는 경우, 기재(300)의 폭 방향 가장자리(320) 측에도 전구체 가스가 증착되면, 가이드 롤(410) 표면에도 증착이 이루어질 수 있다. 그러나 가이드 롤(410) 표면에 증착이 이루어지는 경우, 이물 생성으로 인해 표면 손상이 발생하고, 주행성이 떨어지는 문제가 발생한다. When the precursor gas is deposited on the widthwise edge 320 side of the substrate 300 when the substrate 300 is transferred through the guide roll 410 in the chamber 110 as in the present invention, The deposition can also be performed on the surface of the substrate 410. However, when deposition is performed on the surface of the guide roll 410, surface damage occurs due to the generation of foreign matter, and the problem of poor running performance occurs.

이와 같은 문제를 개선하고자 본 발명에서, 제1 및 제2 가스 커튼 포트(220, 230)는 기재(300)의 주행방향을 기준으로 양 측(폭 방향 양 가장자리)에 각각 주행방향을 따라 전구체 가스 미증착 영역(320)이 발생하도록 가스 공급 영역의 경계를 형성한다. 즉, 제1 및 제2 가스 커튼 포트(220, 230)는 기재(300)의 폭 방향 양 측 가장자리로 불활성 가스를 분사하도록 마련된다.In order to solve such a problem, in the present invention, the first and second gas curtain ports 220 and 230 are formed on both sides (both widthwise edges) of the substrate 300 with reference to the traveling direction, The boundary of the gas supply region is formed so that the non-deposition region 320 is generated. That is, the first and second gas curtain ports 220 and 230 are provided so as to inject the inert gas to both side edges of the substrate 300 in the width direction.

구체적으로, 전구체 가스 공급 포트(214)를 통해 전구체 가스가 분사될 때, 제1 및 제2 가스 커튼 포트(220, 230)을 통해 불활성 가스가 분사된다. 이때, 전구체 가스 공급 포트(214)를 통해 기재(300) 상으로 분사된 전구체 가스는 1 및 제2 가스 커튼 포트(220, 230)에서 분사된 불활성 가스에 의해, 기재(300)의 폭 방향 양 측 가장자리에 도포되지 않는다. 따라서, 기재(300)의 증착면(301)은 중앙부의 증착 영역(310)과 폭 방향 양 측 가장자리의 미증착 영역(320)으로 구분된다(도 4 참조). Specifically, when the precursor gas is injected through the precursor gas supply port 214, the inert gas is injected through the first and second gas curtain ports 220 and 230. At this time, the precursor gas injected onto the substrate 300 through the precursor gas supply port 214 is injected into the substrate 300 by the inert gas injected from the first gas curtain port 220 and the second gas curtain port 230, Side edge. Thus, the deposition surface 301 of the substrate 300 is divided into a deposition region 310 at the center and a non-deposition region 320 at both side edges in the width direction (see FIG. 4).

또한, 제1 및 제2 가스 커튼 포트(220, 230)는 가이드 롤(410) 표면으로 전구체 가스가 공급되는 것을 차단하도록 마련된다.In addition, the first and second gas curtain ports 220 and 230 are provided to block the supply of the precursor gas to the surface of the guide roll 410.

또한, 제1 및 제2 가스 커튼 포트(220, 230)는 복수 개의 전구체 가스 공급 포트(214)에 대하여 가스 공급 영역의 경계를 형성하도록 마련될 수 있다. 이와는 다르게, 제1 및 제2 가스 커튼 포트(220, 230)는 복수 개의 전구체 가스 공급 포트(214) 중 일부에 대하여 가스 공급 영역의 경계를 형성하도록 마련될 수도 있다. Further, the first and second gas curtain ports 220 and 230 may be provided to form a boundary of the gas supply region with respect to the plurality of precursor gas supply ports 214. Alternatively, the first and second gas curtain ports 220 and 230 may be provided to form a boundary of the gas supply region with respect to a part of the plurality of precursor gas supply ports 214.

한편, 기재(300)의 미증착 영역(320)의 폭(w2)은 0.5mm 내지 30mm 일 수 있다. Meanwhile, the width w2 of the non-deposited region 320 of the base material 300 may be 0.5 mm to 30 mm.

또한, 높은 공정 압력에서 막 형성이 가능하고, 이에 따라 넓은 공정 압력 범위에서 막 형성이 가능하고, 예를 들어, 공정 압력은 0.5 내지 7 Torr일 수도 있고 또는 상압 영역으로 공정 압력이 유지될 수 있다.In addition, it is possible to form the film at a high process pressure, thus enabling film formation at a wide process pressure range, for example, the process pressure can be from 0.5 to 7 Torr or the process pressure can be maintained at atmospheric pressure region .

또한, 공정 온도는 증착 물질에 따라 다양하게 결정될 수 있고, 예를 들어, 약 80 내지 120℃일 수 있다.Further, the process temperature may be variously determined depending on the deposition material, and may be, for example, about 80 to 120 캜.

또한, 기재의 주행속도는 0.5 내지 50m/min일 수 있고, 예를 들어, 주행속도 12m/min에서 증착속도는 5.3nm/min일 수 있다.The running speed of the base material may be 0.5 to 50 m / min. For example, at a running speed of 12 m / min, the deposition rate may be 5.3 nm / min.

위에서 설명된 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이고, 본 발명에 대한 통상의 지식을 가지는 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정, 변경 및 부가는 하기의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.The foregoing description of the preferred embodiments of the present invention has been presented for purposes of illustration and various modifications, additions and substitutions are possible, without departing from the scope and spirit of the invention, And additions should be considered as falling within the scope of the following claims.

100: 원자층 증착 장치
200: 가스 분배 플레이트
300: 기재
400, 500: 기재 캐리어
410, 510, 520: 가이드 롤100: atomic layer deposition apparatus
200: gas distribution plate
300: substrate
400, 500: substrate carrier
410, 510, 520: guide roll

Claims (10)

공정 압력이 조절 가능한 챔버;
챔버 내에 배치되고, 기재의 주행 방향을 따라 차례로 배열된 복수 개의 전구체 가스 공급 포트 및 기재의 주행 방향을 기준으로 양 측에 위치한 제1 및 제2 가스 커튼 포트를 갖는 가스 분배 플레이트; 및
가스 분배 플레이트에 대하여, 기재 이송을 위한 복수 개의 가이드 롤을 구비하는 기재 캐리어를 포함하는 원자층 증착 장치.A process pressure adjustable chamber;
A gas distribution plate disposed in the chamber and having a plurality of precursor gas supply ports sequentially arranged along the running direction of the substrate and first and second gas curtain ports positioned on both sides with respect to the running direction of the substrate; And
An atomic layer deposition apparatus comprising a substrate carrier having a plurality of guide rolls for substrate transport, with respect to a gas distribution plate. 제 1 항에 있어서,
제1 및 제2 가스 커튼 포트는 기재의 주행방향을 기준으로 양 측에 각각 주행방향을 따라 전구체 가스 미증착 영역이 발생하도록 가스 공급 영역의 경계를 형성하는 원자층 증착 장치.The method according to claim 1,
Wherein the first and second gas curtain ports form a boundary of the gas supply region such that a precursor gas non-deposition region occurs along the running direction on both sides with respect to the running direction of the substrate. 제 2 항에 있어서,
제1 및 제2 가스 커튼 포트는 가이드 롤 표면으로 전구체 가스가 공급되는 것을 차단하도록 마련된 원자층 증착 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the first and second gas curtain ports are configured to block supply of precursor gas to the guide roll surface. 제 2 항에 있어서,
제1 및 제2 가스 커튼 포트는 복수 개의 전구체 가스 공급 포트에 대하여 공급 영역의 경계를 형성하도록 마련된 원자층 증착 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the first and second gas curtain ports are provided to form a boundary of the supply region with respect to the plurality of precursor gas supply ports. 제 2 항에 있어서,
제1 및 제2 가스 커튼 포트는 복수 개의 전구체 가스 공급 포트 중 일부에 대하여 공급 영역의 경계를 형성하도록 마련된 원자층 증착 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the first and second gas curtain ports are configured to form a boundary of the supply region with respect to a part of the plurality of precursor gas supply ports. 제 2 항에 있어서,
미증착 영역의 폭은 0.5mm 내지 30mm 인 원자층 증착 장치.3. The method of claim 2,
And the width of the non-deposited region is 0.5 mm to 30 mm. 제 1 항에 있어서,
기재의 주행속도는 0.5 내지 50m/min인 원자층 증착 장치.The method according to claim 1,
Wherein the running speed of the substrate is 0.5 to 50 m / min. 제 1 항에 있어서,
인접하는 전구체 가스 공급 포트 사이에는 진공 포트가 마련된 원자층 증착 장치.The method according to claim 1,
And a vacuum port is provided between adjacent precursor gas supply ports. 제 1 항에 있어서,
인접하는 전구체 가스 공급 포트 사이에는 퍼지 가스 공급 포트가 마련된 원자층 증착 장치.The method according to claim 1,
And a purge gas supply port is provided between adjacent precursor gas supply ports. 공정 압력이 조절 가능한 챔버;
챔버 내에 배치되고, 기재의 주행 방향을 따라 차례로 배열된 복수 개의 전구체 가스 공급 포트 및 기재의 주행 방향을 기준으로 양 측에 위치한 제1 및 제2 가스 커튼 포트를 갖는 복수 개의 가스 분배 플레이트; 및
적어도 2개의 방향을 따라 기재를 이송시키도록 배열된 복수 개의 가이드 롤을 구비하는 기재 캐리어를 포함하며,
적어도 2개의 가스 분배 플레이트는, 서로 다른 방향에서 기재에 전구체 가스를 분사하도록 배열된 원자층 증착 장치.A process pressure adjustable chamber;
A plurality of gas distribution plates disposed in the chamber and having a plurality of precursor gas supply ports arranged in order along the running direction of the substrate and first and second gas curtain ports positioned on both sides with respect to the running direction of the substrate; And
A substrate carrier having a plurality of guide rolls arranged to transport a substrate along at least two directions,
The at least two gas distribution plates are arranged to inject precursor gases into the substrate in different directions.
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KR102409153B1 (en) * 2021-12-03 2022-06-15 (주)대백인터내쇼날 3D Spiral Arrangement Tessellation Atomic Layer Deposition Apparatus

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KR20150119005A (en) * 2013-02-18 2015-10-23 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Apparatus and process containment for spatially separated atomic layer deposition

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