KR20180096853A - Thin film deposition apparatus - Google Patents

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장철민
김정곤
기성훈
허명수
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

A thin film deposition apparatus of an embodiment according to the present invention includes a gas jet unit including a first jet section and a second jet section arranged along a first direction to spray different deposition gases to a substrate; the first jet section includes a first jet module for spraying first gas, and a second jet module arranged, at least on one of two sides in the first direction of first jet module to spray second gas; the first jet module includes a first gas pipe for supplying the first gas and a first plasma generation electrode disposed under the first gas pipe to allow the first gas to be sprayed to the substrate by passing therethrough; and the second jet module includes a jet body arranged therein with a space for accommodating the second gas and a plurality of jet nozzles arranged under the jet body to spray the second gas located in the space. Therefore, multiple deposition processes are performed in a single chamber.

Description

박막 증착 장치{THIN FILM DEPOSITION APPARATUS}[0001] THIN FILM DEPOSITION APPARATUS [0002]

본 발명은 박막 증착 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a thin film deposition apparatus.

일반적으로, 기판 위에 소정 두께의 박막을 증착하는 방법으로는 스퍼터링(sputtering)과 같이 물리적인 충돌을 이용하는 물리 기상 증착법(physical vapor deposition, PVD)과, 화학반응을 이용하는 화학 기상 증착법(chemical vapor deposition, CVD) 등이 있다. In general, a method of depositing a thin film having a predetermined thickness on a substrate includes physical vapor deposition (PVD) using physical collision such as sputtering, chemical vapor deposition (CVD) using chemical reaction, CVD).

통상의 CVD는 복수개의 반응 가스들을 동시에 챔버 내로 주입하여 발생된 반응 생성물을 기판에 증착한다. 그러나, CVD 방식으로 반응 가스들을 동시에 챔버내로 주입하는 경우에는 기판 표면에서의 반응뿐 아니라 기판 상공에서의 반응으로 인해 파티클 발생 가능성이 높고, 성막 속도가 100nm/min이상으로 높아 치밀한 박막을 형성하기 어렵다.Conventional CVD injects a plurality of reaction gases into a chamber at the same time and deposits the generated reaction products on a substrate. However, when the reaction gases are simultaneously injected into the chamber by the CVD method, there is a high possibility of generating particles due to reactions on the substrate surface as well as reactions on the substrate surface, and the film formation rate is as high as 100 nm / min or more and it is difficult to form a dense thin film .

따라서, 파티클 발생이 적고 치밀한 박막을 형성할 수 있는 원자층 증착법(atomic layer deposition, ALD)이 개발되고 있다. 원자층 증착법은 하나의 소스 물질을 포함하는 반응 가스를 챔버 내로 주입하여 가열된 기판에 화학흡착시키고 이후 다른 소스 물질을 포함하는 반응 가스를 챔버에 주입함으로써 기판 표면에서 소스 물질 사이의 화학반응에 의한 생성물이 증착되는 방법이다. 이러한 원자층 증착법은 스텝 커버리지(step coverage)가 우수하며 불순물 함유량이 낮은 순수한 박막을 증착하는 것이 가능하다. 그러나, 원자층 증착법은 낮은 성막 속도로 인해 제조 시간 및 제조 비용이 많이 든다는 단점이 있다. Accordingly, atomic layer deposition (ALD) is being developed which can form a dense thin film with little particle generation. Atomic layer deposition is a process in which a reaction gas containing one source material is injected into a chamber, chemisorbed onto a heated substrate, and then a reactive gas containing another source material is injected into the chamber, And the product is deposited. Such an atomic layer deposition method is capable of depositing a pure thin film having excellent step coverage and a low impurity content. However, atomic layer deposition has a disadvantage in that manufacturing time and manufacturing cost are high due to a low deposition rate.

본 발명은 하나의 챔버 내에서 여러 증착 공정을 수행할 수 있는 박막 증착 장치를 제공하고자 한다.The present invention provides a thin film deposition apparatus capable of performing various deposition processes in a single chamber.

또한, 증착 공정 중에 기판이 오염되거나 기판이 파손되는 것을 방지할 수 있는 박막 증착 장치를 제공하고자 한다. Another object of the present invention is to provide a thin film deposition apparatus capable of preventing substrate contamination or breakage of a substrate during a deposition process.

본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착 장치는, 제1 방향을 따라 나란하게 배치되어 기판에 서로 다른 증착 가스를 분사하는 제1 분사부 및 제2 분사부를 포함하는 가스 분사 유닛을 포함하며, 상기 제1 분사부는, 제1 가스를 분사하는 제1 분사 모듈 및 상기 제1 방향으로의 상기 제1 분사 모듈의 양 측면 중 적어도 하나에 배치되어, 제2 가스를 분사하는 제2 분사 모듈을 포함하며, 상기 제1 분사 모듈은, 상기 제1 가스를 공급하는 제1 가스관 및 상기 제1 가스관 아래에 배치되며, 상기 제1 가스가 관통되어 상기 제1 가스가 상기 기판으로 분사되는 제1 플라즈마 생성 전극을 포함하며, 상기 제2 분사 모듈은, 상기 제2 가스를 수용하는 공간이 내부에 배치된 분사 몸체 및 상기 분사 몸체의 하측에 배치되어, 상기 공간 내에 위치한 상기 제2 가스를 분사시키는 복수의 분사 노즐을 포함할 수 있다. The thin film deposition apparatus according to an embodiment of the present invention includes a gas injection unit including a first spray part and a second spray part which are arranged side by side along a first direction to spray different deposition gases onto a substrate, The first jetting portion includes a first jetting module for jetting a first gas and a second jetting module for jetting a second gas disposed on at least one of both sides of the first jetting module in the first direction, , The first injection module includes a first gas supply pipe for supplying the first gas and a second plasma generation electrode disposed under the first gas supply pipe, through which the first gas is injected and the first gas is injected into the substrate, Wherein the second injection module includes a jet body having a space for accommodating the second gas therein and a jetting part for jetting the second gas located in the space below the jetting body, There can be included in the spray nozzle.

상기 제1 분사 모듈은, 상기 제1 플라즈마 생성 전극에 인접하여 배치되어, 상기 제1 가스를 배기하는 제1 배기부를 더 포함할 수 있다.The first injection module may further include a first exhaust unit disposed adjacent to the first plasma generation electrode and exhausting the first gas.

상기 제1 배기부는, 평면상 바라볼 때 상기 제1 플라즈마 생성 전극을 둘러쌀 수 있다. The first exhaust portion may surround the first plasma generating electrode when viewed in a plan view.

상기 제1 플라즈마 생성 전극은, 사각형의 평면을 갖는 판상 형상일 수 있다. The first plasma generating electrode may be in the form of a plate having a rectangular plane.

상기 제1 플라즈마 생성 전극은, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장될 수 있다. The first plasma generating electrode may extend in a second direction intersecting with the first direction.

상기 제1 플라즈마 생성 전극은, 상기 제1 방향 및 제2 방향과 교차하는 제3 방향으로 관통하는 복수의 제1 관통홀을 가질 수 있다. The first plasma generating electrode may have a plurality of first through holes passing in a first direction and a third direction intersecting the second direction.

상기 제1 분사부는, 상기 제1 분사 모듈을 둘러싸며, 상기 기판을 향해 커튼 가스를 분사하는 제1 커튼 가스 분사부를 더 포함할 수 있다. The first jetting unit may further include a first curtain gas jetting unit surrounding the first jetting module and jetting a curtain gas toward the substrate.

상기 제1 분사부는, 상기 제2 분사 모듈을 둘러싸며, 상기 기판을 향해 커튼 가스를 분사하는 제2 커튼 가스 분사부를 더 포함할 수 있다. The first jetting unit may further include a second curtain gas jetting unit surrounding the second jetting module and jetting a curtain gas toward the substrate.

상기 제2 분사 모듈은, 상기 분사 몸체에 인접하여 배치되어, 상기 제2 가스를 배기하는 제2 배기부를 더 포함할 수 있다. The second injection module may further include a second exhaust part disposed adjacent to the injection body and exhausting the second gas.

상기 분사 몸체는 상기 제2 배기부 내부에 배치될 수 있다. The injection body may be disposed inside the second exhaust part.

상기 분사 몸체는 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장될 수 있다. The injection body may extend in a second direction that intersects the first direction.

상기 제2 분사부는, 제3 가스를 공급하는 제2 가스관 및 상기 제2 가스관 아래에 배치되며 상기 제3 가스가 관통되어 상기 제3 가스가 상기 기판으로 분사되는 제2 플라즈마 생성 전극을 포함할 수 있다. The second jetting portion may include a second gas supply pipe for supplying a third gas and a second plasma generation electrode disposed under the second gas supply pipe and through which the third gas is injected and the third gas is injected into the substrate have.

상기 제2 분사부는, 상기 제2 플라즈마 생성 전극에 인접하여 배치되며, 상기 제3 가스를 배기하는 제3 배기부를 더 포함할 수 있다. The second injecting unit may further include a third exhaust unit disposed adjacent to the second plasma generating electrode and exhausting the third gas.

제2 플라즈마 생성 전극은, 사각형의 평면을 갖는 판상 형상일 수 있다. The second plasma generating electrode may be in the form of a plate having a rectangular plane.

상기 제2 플라즈마 생성 전극은, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장될 수 있다. The second plasma generating electrode may extend in a second direction intersecting with the first direction.

상기 제2 플라즈마 생성 전극은, 상기 제1 방향 및 제2 방향과 교차하는 제3 방향으로 관통하는 복수의 제2 관통홀을 가질 수 있다. The second plasma generating electrode may have a plurality of second through holes passing in a third direction intersecting the first direction and the second direction.

상기 제2 분사부는, 상기 제2 플라즈마 생성 전극을 둘러싸며, 상기 기판을 향해 커튼 가스를 분사하는 제3 커튼 가스 분사부를 더 포함할 수 있다. The second jetting unit may further include a third curtain gas jetting unit surrounding the second plasma generating electrode and jetting a curtain gas toward the substrate.

상기 제1 가스는, 원자층 증착(Atomic Layer Deposition) 공정에 적용되는 소스 가스이며, 상기 제2 가스는, 원자층 증착(Atomic Layer Deposition) 공정에 적용되는 반응 가스일 수 있다. The first gas may be a source gas applied to an Atomic Layer Deposition process, and the second gas may be a reactive gas applied to an Atomic Layer Deposition process.

상기 제3 가스는, 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition) 공정에 적용되는 가스일 수 있다. The third gas may be a gas applied to a chemical vapor deposition process.

상기 기판을 지지하며, 상기 기판을 상기 제1 방향을 따라 이송시키는 기판 이송 유닛을 더 포함할 수 있다. And a substrate transfer unit for supporting the substrate and transferring the substrate along the first direction.

상기한 바와 같은 박막 증착 장치에 의하면, 하나의 챔버 내에서 여러 증착 공정을 수행할 수 있다.According to the above-described thin film deposition apparatus, various deposition processes can be performed in one chamber.

또한, 증착 공정 중에 기판이 오염되거나 기판이 파손되는 것을 방지할 수 있다. In addition, it is possible to prevent the substrate from being contaminated or the substrate from being damaged during the deposition process.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착 장치의 개략적인 사시도이다.
도 2 및 도 3은 도 1의 가스 분사 유닛을 II-II'를 따라 자른 개략적인 단면도이다.
도 4는 도 1의 제1 플라즈마 생성 전극의 개략적인 사시도이다.
도 5는 도 4의 V-V'를 따라 자른 개략적인 단면도이다.
도 6은 도 1의 분사 몸체의 개략적인 사시도이다.
도 7은 도 1의 분사 몸체의 저면도이다.1 is a schematic perspective view of a thin film deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
Fig. 2 and Fig. 3 are schematic cross-sectional views of the gas injection unit of Fig. 1 cut along II-II '.
4 is a schematic perspective view of the first plasma generating electrode of FIG.
5 is a schematic cross-sectional view taken along line V-V 'of FIG.
Figure 6 is a schematic perspective view of the injection body of Figure 1;
7 is a bottom view of the injection body of Fig.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 붙였다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, which will be readily apparent to those skilled in the art to which the present invention pertains. The present invention may be embodied in many different forms and is not limited to the embodiments described herein. In order to clearly illustrate the present invention, parts not related to the description are omitted, and the same or similar components are denoted by the same reference numerals throughout the specification.

또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.In addition, since the sizes and thicknesses of the respective components shown in the drawings are arbitrarily shown for convenience of explanation, the present invention is not necessarily limited to those shown in the drawings.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.In the drawings, the thicknesses are enlarged to clearly indicate layers and regions. In the drawings, for the convenience of explanation, the thicknesses of some layers and regions are exaggerated. Whenever a portion such as a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "on" or "on" another portion, it includes not only the case where it is "directly on" another portion but also the case where there is another portion in between.

또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 명세서 전체에서, "~상에"라 함은 대상 부분의 위 또는 아래에 위치함을 의미하는 것이며, 반드시 중력 방향을 기준으로 상 측에 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.Also, throughout the specification, when an element is referred to as "including" an element, it is understood that the element may include other elements as well, without departing from the other elements unless specifically stated otherwise. Also, throughout the specification, the term "on " means to be located above or below a target portion, and does not necessarily mean that the target portion is located on the image side with respect to the gravitational direction.

이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착에 대해 설명한다. Hereinafter, thin film deposition according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착 장치의 개략적인 사시도이며, 도 2 및 도 3은 도 1의 가스 분사 유닛을 II-II'를 따라 자른 개략적인 단면도이다. FIG. 1 is a schematic perspective view of a thin film deposition apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 2 and 3 are schematic cross-sectional views taken along II-II 'of the gas injection unit of FIG.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 실시예의 박막 증착 장치는, 서로 다른 증착 가스를 선택적으로 분사하는 가스 분사 유닛(10)과 기판(30)을 이송시키는 기판 이송 유닛(50)을 포함할 수 있다. 본 실시예에서는, 기판 이송 유닛(50)이 기판(30)을 제1 방향(X축 방향)을 따라 왕복 이송시키고, 가스 분사 유닛(10)은 이송하는 기판(30)에 증착 가스를 선택적으로 분사하여 기판(30)에 박막을 형성할 수 있다. 1 to 3, the thin film deposition apparatus of the present embodiment may include a gas injection unit 10 for selectively injecting different deposition gases and a substrate transfer unit 50 for transferring the substrate 30 have. In the present embodiment, the substrate transfer unit 50 reciprocally transfers the substrate 30 in the first direction (X-axis direction), and the gas injection unit 10 selectively transfers the deposition gas to the transferring substrate 30 And a thin film can be formed on the substrate 30 by spraying.

본 실시예의 가스 분사 유닛(10)은 제1 분사부(100) 및 제2 분사부(300)를 포함할 수 있다. 제1 분사부(100)는 원자층 증착(Atomic Layer Deposition) 공정에 사용될 수 있고, 제2 분사부(300)는 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition) 공정에 사용될 수 있다. The gas injection unit 10 of the present embodiment may include a first injection part 100 and a second injection part 300. The first jet unit 100 may be used in an atomic layer deposition process and the second jet unit 300 may be used in a chemical vapor deposition process.

보다 구체적으로, 제1 분사부(100)는 원자층 증착 공정으로 기판(30)에 박막을 형성하는데, 제1 분사부(100)는 원자층 증착 공정에 사용되는 소스 가스 및 반응 가스를 분사할 수 있다. 즉, 제1 분사부(100)는 기판(30) 위에 소스 가스 및 반응 가스를 분사하여 기판(30)에 박막을 형성할 수 있다. More specifically, the first jet unit 100 forms a thin film on the substrate 30 by an atomic layer deposition process. The first jet unit 100 ejects the source gas and the reactive gas used in the atomic layer deposition process . That is, the first injector 100 may form a thin film on the substrate 30 by spraying a source gas and a reactive gas onto the substrate 30. [

제1 분사부(100)가 분사하는 소스 가스는, 금속 전구체(metal precursor)를 포함하는 가스일 수 있다. 예를 들어, 소스 가스는 Zr을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로 설명하면, 소스 가스는, TEMAZ[tetra-ethyl-methyl amino zirconium; Zr(N(CH3)(C2H5))4], TDEAZ[tetrakis - diethylamino - zirconium; Zr(N(C2H5)2)4] 또는 TEMAZ[tetrakis - methylethylamino - zirconium; Zr(N(CH3)(C2H5))4] 등일 수 있다.The source gas injected by the first injector 100 may be a gas including a metal precursor. For example, the source gas may include Zr. More specifically, the source gas is TEMAZ [tetra-ethyl-methyl amino zirconium; Zr (N (CH 3) ( C 2 H 5)) 4], TDEAZ [tetrakis - diethylamino - zirconium; Zr (N (C 2 H 5 ) 2 ) 4 ] or TEMAZ [tetrakis-methylethylamino-zirconium; Zr (N (CH 3) ( C 2 H 5)) 4] , and the like.

제1 분사부(100)가 분사하는 반응 가스는, 전술한 소스 가스와 반응할 수 있다. 예를 들어, 반응 가스는 전술한 금속 전구체와 반응하는 비금속 반응 가스일 수 있다. 예를 들어, 반응가스는 O3, O2 및 H2O 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 그러나, 제1 분사부(100)가 분사하는 소스 가스 및 반응 가스는 전술한 가스의 종류에 한정되지 않고, 원자층 증착 공정에 사용되는 다양한 소스 가스 및 반응 가스가 사용될 수 있다. The reaction gas injected by the first injector 100 can react with the above-described source gas. For example, the reaction gas may be a non-metallic reaction gas that reacts with the metal precursor described above. For example, the reaction gas may include at least one of O 3 , O 2, and H 2 O. However, the source gas and the reactive gas injected by the first jetting section 100 are not limited to the types of the above-mentioned gases, and various source gases and reaction gases used in the atomic layer deposition process can be used.

제2 분사부(300)는 화학 기상 증착 공정으로 기판(30)에 박막을 형성하는데, 제2 분사부(300)는 SiH4 ＋ NH3 ＋ N2, SiH4 ＋ N2O, SiH4 ＋O2 등을 분사할 수 있다. 제2 분사부(300)는 상기 가스들을 플라즈마 상태로 만들어 기판(30)으로 분사할 수 있다. 예를 들어, 제2 분사부(300)는, SiH4, NH3 및 N2가 혼합된 가스를 플라즈마 상태로 만들어 기판(30)에 분사하여 박막을 형성할 수 있다. The second injector 300 forms a thin film on the substrate 30 by a chemical vapor deposition process and the second injector 300 is formed of SiH 4 + NH 3 + N 2 , SiH 4 + N 2 O, SiH 4 + O 2 , and so on. The second jetting section 300 may bring the gases into a plasma state and inject them into the substrate 30. For example, the second jetting unit 300 may form a thin film by injecting a gas mixed with SiH 4 , NH 3, and N 2 into a plasma state and spraying the gas on the substrate 30.

본 실시예에서는, 가스 분사 유닛(10)의 제1 분사부(100) 및 제2 분사부(300)는 각각 해당 가스를 선택적으로 분사할 수 있다. 보다 구체적으로 설명하면, 원자층 증착 공정에 의해 기판(30) 상에 박막을 형성하는 경우, 가스 분사 유닛(10)의 제1 분사부(100)만 작동할 수 있다. 이 경우에는, 가스 분사 유닛(10)의 제2 분사부(300)는 작동하지 않을 수 있다. 도 3을 참조하면, 기판 이송 유닛(50)에 의해 기판(30)이 가스 분사 유닛(10)의 하부를 제1 방향(X축 방향)을 따라 지나갈 때, 제1 분사부(100)만 작동하여 기판(30)에 가스를 분사할 수 있다. In the present embodiment, the first jetting section 100 and the second jetting section 300 of the gas jetting unit 10 can selectively jet the corresponding gas. More specifically, when the thin film is formed on the substrate 30 by the atomic layer deposition process, only the first jet part 100 of the gas jet unit 10 can be operated. In this case, the second jetting section 300 of the gas injection unit 10 may not operate. 3, when the substrate 30 passes the lower portion of the gas injection unit 10 along the first direction (X-axis direction) by the substrate transfer unit 50, only the first injection part 100 is operated So that gas can be injected to the substrate 30. [

또는, 화학 기상 증착에 의해 기판(30) 상에 박막을 형성하는 경우, 가스 분사 유닛(10)의 제2 분사부(300)만 작동할 수 있다. 이 경우에는, 가스 분사 유닛(10)의 제1 분사부(100)는 작동하지 않을 수 있다. 기판(30)이 가스 분사 유닛(10)의 하부를 제1 방향(X축 방향)을 따라 지나갈 때, 제2 분사부(300)만 작동하여 기판(30)에 가스를 분사할 수 있다. Alternatively, when a thin film is formed on the substrate 30 by chemical vapor deposition, only the second jetting section 300 of the gas jetting unit 10 can be operated. In this case, the first jetting section 100 of the gas injection unit 10 may not operate. When the substrate 30 passes the lower portion of the gas injection unit 10 along the first direction (X-axis direction), only the second jetting unit 300 operates to jet the gas onto the substrate 30. [

또는, 가스 분사 유닛(10)의 제1 분사부(100) 및 제2 분사부(300)는 동시에 작동할 수 있다. 예를 들어, 기판(30)이 가스 분사 유닛(10)의 하부를 제1 방향(X축 방향)을 따라 지나갈 때, 제1 분사부(100) 및 제2 분사부(300)가 작동하여 기판(30)에 가스를 분사할 수 있다. Alternatively, the first jetting section 100 and the second jetting section 300 of the gas jetting unit 10 can be operated simultaneously. For example, when the substrate 30 passes the lower portion of the gas injection unit 10 along the first direction (X-axis direction), the first jetting section 100 and the second jetting section 300 operate, The gas can be injected into the chamber 30.

도 3에서, 기판(30)이 좌측에서 우측으로 이동하게 되면, 기판(30)의 특정 영역에는 먼저 제1 분사부(100)에서 분사된 증착 가스가 적층되고, 다음으로 제2 분사부(300)에서 분사된 증착 가스가 그 위에 적층될 수 있다. 결국, 기판(30) 위에 2개의 박막을 형성한다고 가정할 때, 하나의 박막(Layer)은 제1 분사부(100)에 의해 적층되고, 그 위의 다른 하나의 박막은 제2 분사부(300)에 의해 적층될 수 있다. 즉, 하나의 박막은 제1 분사부(100)에 의해 원자층 증착 공정에 의해 형성되고, 다른 하나의 박막은 제2 분사부(300)에 의해 화학 기상 증착 공정에 의해 형성될 수 있다. 3, when the substrate 30 is moved from the left to the right, the deposition gas injected from the first jetting unit 100 is first deposited on a specific region of the substrate 30, and then the second jetting unit 300 ) May be deposited thereon. Assuming that two thin films are formed on the substrate 30, one layer is stacked by the first splitter 100 and the other thin film is stacked on the second splitter 300 ). ≪ / RTI > That is, one thin film can be formed by the atomic layer deposition process by the first jet part 100, and the other thin film can be formed by the chemical vapor deposition process by the second jet part 300.

본 실시예의 박막 증착 장치는, 기판에 박막을 형성할 때, 하나의 챔버에 내에서 원자층 증착 공정 또는 화학 기상 증착 공정을 수행할 수 있다. 서로 다른 증착 공정에 의해 기판에 박막을 형성하기 위해, 서로 다른 챔버 내부로 기판을 이송할 필요가 없게 된다. 이에 의해, 서로 다른 챔버로 기판을 이송시키는 과정에서, 기판이 오염되거나, 기판이 파손되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 하나의 챔버 내에서 여러 증착 공정을 수행할 수 있어, 기판 상에 여러 박막을 형성하는 시간을 줄일 수 있다. The thin film deposition apparatus of this embodiment can perform an atomic layer deposition process or a chemical vapor deposition process in one chamber when a thin film is formed on a substrate. In order to form a thin film on the substrate by different deposition processes, it is not necessary to transfer the substrate into different chambers. Thereby, it is possible to prevent the substrate from being contaminated or the substrate from being damaged in the process of transferring the substrates to different chambers. In addition, since various deposition processes can be performed in one chamber, it is possible to reduce the time required for forming various thin films on the substrate.

하기에서는, 도 2 및 도 3을 참조하여, 본 실시예의 가스 분사 유닛(10)의 구조에 대해 구체적으로 설명하기로 한다. Hereinafter, the structure of the gas injection unit 10 of the present embodiment will be described in detail with reference to Figs. 2 and 3. Fig.

도 2 및 도 3을 참조하면, 가스 분사 유닛(10)의 제1 분사부(100) 및 제2 분사부(300)는 제1 방향(X축 방향)을 따라 나란하게 배열될 수 있다. 2 and 3, the first injecting unit 100 and the second injecting unit 300 of the gas injecting unit 10 may be arranged in parallel along the first direction (X-axis direction).

제1 분사부(100)는 제1 분사 모듈(110) 및 제2 분사 모듈(130)을 포함하는데, 한 쌍의 제2 분사 모듈(130)이 제1 분사 모듈(110)의 양측면에 각각 배치될 수 있다. 도 2 및 도 3에서는 제2 분사 모듈(130)이 한 쌍으로 배치되는 것으로 도시되나, 제2 분사 모듈(130)은 하나만 배치될 수도 있다. 전술한 바와 같이, 제1 분사부(100)는 원자층 층착 공정에 사용되는데, 소스 가스와 반응 가스를 분사할 수 있다. The first injection unit 100 includes a first injection module 110 and a second injection module 130. A pair of second injection modules 130 are disposed on both sides of the first injection module 110 . Although the second injection modules 130 are shown as being arranged in pairs in FIGS. 2 and 3, only one second injection module 130 may be arranged. As described above, the first injector 100 is used in the atomic layer deposition process, and can inject the source gas and the reactive gas.

제1 분사부(100) 중 제1 분사 모듈(110)은 소스 가스인 제1 가스(G1)를 분사할 수 있다. 제1 분사 모듈(110)은 제1 가스관(111), 제1 플라즈마 생성 전극(113) 및 제1 배기부(115)를 포함할 수 있다. The first injection module 110 of the first injection part 100 may inject a first gas G1 as a source gas. The first injection module 110 may include a first gas pipe 111, a first plasma generating electrode 113, and a first exhaust unit 115.

제1 가스관(111)은 외부에서 공급받은 제1 가스(G1)를 제1 플라즈마 생성 전극(113) 측으로 전달할 수 있다. 제1 가스관(111)은 도 3에 도시된 바와 같이 관통홀 형태로 형성될 수도 있고, 파이프 형태일 수도 있다. The first gas pipe 111 can transfer the first gas G1 supplied from the outside to the first plasma generating electrode 113 side. The first gas pipe 111 may be formed in the form of a through-hole as shown in FIG. 3, or may be in the form of a pipe.

제1 플라즈마 생성 전극(113)은 제1 가스관(111) 하부에 배치되어, 제1 가스관(111)이 전달한 제1 가스(G1)를 기판(30) 위로 분사할 수 있다. 제1 플라즈마 생성 전극(113)은 공급된 제1 가스(G1)를 관통시켜 기판(30) 위로 분사할 수 있다. The first plasma generating electrode 113 may be disposed under the first gas pipe 111 and may inject the first gas G1 transferred by the first gas pipe 111 onto the substrate 30. [ The first plasma generating electrode 113 may be sprayed onto the substrate 30 through the supplied first gas G1.

도 4 및 도 5를 참조하면, 제1 플라즈마 생성 전극(113)은 제1 전극 몸체(113a) 및 복수의 제1 관통홀(113b)을 포함할 수 있다. 제1 전극 몸체(113a)는 사각형의 평면을 갖는 판상 형상일 수 있다. 제1 전극 몸체(113a)는 제2 방향(Y축 방향)을 따라 연장될 수 있다. 4 and 5, the first plasma generating electrode 113 may include a first electrode body 113a and a plurality of first through holes 113b. The first electrode body 113a may be in the form of a plate having a rectangular plane. The first electrode body 113a may extend along the second direction (Y-axis direction).

그리고, 복수의 제1 관통홀(113b)은 제1 전극 몸체(113a)를 관통하여 형성될 수 있다. 복수의 제1 관통홀(113b)은 제3 방향(Z축 방향)을 따라 형성될 수 있다. 즉, 복수의 제1 관통홀(113b)은 기판(30)에 대해 수직한 방향으로 형성되어, 제1 가스(G1)가 제1 관통홀(113b)을 관통하여 기판(30) 위로 분사될 수 있다. The plurality of first through holes 113b may be formed through the first electrode body 113a. The plurality of first through holes 113b may be formed along the third direction (Z-axis direction). That is, the plurality of first through holes 113b are formed in a direction perpendicular to the substrate 30, so that the first gas G1 can be injected onto the substrate 30 through the first through holes 113b have.

제1 플라즈마 생성 전극(113)은 관통하는 제1 가스(G1)를 선택적으로 플라즈마 상태로 만들 수 있다. 예를 들어, 제1 가스(G1)를 플라즈마 상태로 기판(30)으로 분사시킬 경우, 제1 플라즈마 생성 전극(113)이 작동하여 관통하는 제1 가스(G1)를 플라즈마 상태로 만들 수 있다. 또는, 제1 가스(G1)를 플라즈마 상태로 만들 필요가 없는 경우에는, 제1 플라즈마 생성 전극(113)은 작동하지 않고, 제1 가스(G1)가 제1 플라즈마 생성 전극(113)을 단순히 관통하기만 한다. 제1 플라즈마 생성 전극(113)은 화학 증착 공정에 사용되는 공지의 플라즈마 생성 전극이 적용될 수 있다. The first plasma generating electrode 113 can selectively bring the first gas G1 passing therethrough into a plasma state. For example, when the first gas G1 is sprayed onto the substrate 30 in a plasma state, the first plasma generating electrode 113 may operate to cause the first gas G1 to penetrate into a plasma state. Alternatively, when it is not necessary to turn the first gas G1 into a plasma state, the first plasma generating electrode 113 does not operate, and the first gas G1 simply passes through the first plasma generating electrode 113 Only. The first plasma generating electrode 113 may be a known plasma generating electrode used in a chemical vapor deposition process.

다시 도 2 및 도 3을 참조하면, 제1 배기부(115)가 제1 플라즈마 생성 전극(113) 주위에 배치될 수 있다. 제1 배기부(115)는 제1 플라즈마 생성 전극(113)을 관통한 제1 가스(G1)를 외부로 배기시킬 수 있다. 제1 배기부(115)는 제1 가스(G1)가 인접한 제2 분사 모듈(130) 측으로 이동하는 것을 방지할 수 있다. 즉, 제1 배기부(115)는 기판(30) 상에 적층되지 않은 나머지 제1 가스(G1)를 배기시킬 수 있다. Referring again to FIGS. 2 and 3, the first exhaust portion 115 may be disposed around the first plasma generating electrode 113. The first exhaust part 115 can exhaust the first gas G1 passing through the first plasma generating electrode 113 to the outside. The first exhaust part 115 can prevent the first gas G1 from moving to the adjacent second injection module 130 side. That is, the first exhaust portion 115 can exhaust the remaining first gas G1 that is not stacked on the substrate 30. [

본 실시예에서는, 제1 배기부(115)는 제1 플라즈마 생성 전극(113)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 도 3에서 제3 방향(Z축 방향)을 따라 위에서 아래로 바라볼 때, 제1 배기부(115)가 제1 플라즈마 생성 전극(113)을 둘러쌀 수 있다. 이는, 제1 플라즈마 생성 전극(113)을 관통한 제1 가스(G1)가 제1 분사 모듈(110) 외부로 이동하는 것을 효과적으로 차단할 수 있다. 제1 배기부(115)를 통해 배기된 제1 가스(G1)는 제1 배기관(115a)을 통해 외부 저장 탱크로 이동할 수 있다. In this embodiment, the first exhaust portion 115 may be disposed so as to surround the first plasma generating electrode 113. In FIG. 3, the first exhaust portion 115 may surround the first plasma generating electrode 113 when viewed from top to bottom along the third direction (Z-axis direction). This can effectively prevent the first gas G1 passing through the first plasma generating electrode 113 from moving to the outside of the first injection module 110. [ The first gas G1 exhausted through the first exhaust unit 115 can be moved to the external storage tank through the first exhaust pipe 115a.

제1 분사부(100) 중 제2 분사 모듈(130)은 반응 가스인 제2 가스(G2)를 분사할 수 있다. 제2 분사 모듈(130)은 분사 몸체(131), 복수의 분사 노즐(135) 및 제2 배기부(139)를 포함할 수 있다. The second injection module 130 of the first injector 100 may inject a second gas G2 as a reaction gas. The second injection module 130 may include an injection body 131, a plurality of injection nozzles 135, and a second exhaust part 139.

도 6 및 도 7을 참조하면, 분사 몸체(131) 내부에는 외부에서 공급된 제2 가스(G2)가 수용되는 공간(133)이 형성되는데, 공간(133) 내부에 위치하는 제2 가스(G2)는 복수의 분사 노즐(135)을 통해 기판(30) 위로 분사될 수 있다. 6 and 7, a space 133 for receiving a second gas G2 supplied from the outside is formed in the injection body 131. A second gas G2 May be sprayed onto the substrate 30 through the plurality of spray nozzles 135. [

분사 몸체(131)는 제2 방향(Y축 방향)을 따라 연장되는데, 바(bar) 형상으로 이루어질 수 있다. 제2 방향(Y축 방향)을 따라 연장된 분사 몸체(131)의 길이는, 기판(30)의 폭 보다 크게 형성될 수 있다. 이에 의해, 기판(30)이 제2 분사 모듈(130) 하부를 지나갈 때, 분사 노즐(135)을 통해 분사된 제2 가스(G2)가 기판(30) 위에 고루 증착될 수 있다. 여기에서, 기판(30)의 폭은, 도 1에서 제2 방향(Y축 방향)을 따른 기판(30)의 길이를 의미한다. The injection body 131 extends in the second direction (Y-axis direction) and may be formed in a bar shape. The length of the jetting body 131 extending along the second direction (Y-axis direction) may be larger than the width of the substrate 30. [ As a result, when the substrate 30 passes under the second injection module 130, the second gas G2 injected through the injection nozzle 135 can be uniformly deposited on the substrate 30. [ Here, the width of the substrate 30 means the length of the substrate 30 along the second direction (Y-axis direction) in Fig.

분사 노즐(135)은 분사 몸체(131) 하부에 기판(30)에 수직하게 형성될 수 있다. 즉, 분사 노즐(135)은 분사 몸체(131) 하부에 제3 방향(Z축 방향)을 따라 형성될 수 있다. 이때, 복수의 분사 노즐(135)은 제2 방향(Y축 방향)을 따라 나란하게 배열될 수 있다. The injection nozzle 135 may be formed perpendicular to the substrate 30 below the injection body 131. That is, the injection nozzle 135 may be formed along the third direction (Z-axis direction) below the injection body 131. At this time, the plurality of injection nozzles 135 may be arranged in parallel along the second direction (Y-axis direction).

분사 노즐(135)은 분사 몸체(131) 내부의 공간(133)과 연통되어, 공간(133) 내에 위치한 제2 가스(G2)가 분사 노즐(135)을 통해 기판(30)으로 분사될 수 있다. The injection nozzle 135 communicates with the space 133 inside the injection body 131 so that the second gas G2 located in the space 133 can be injected into the substrate 30 through the injection nozzle 135 .

다시 도 2 및 도 3을 참조하면, 제2 배기부(139)는 분사 몸체(131) 주위에 배치될 수 있다. 제2 배기부(139)는 분사 노즐(135)을 통해 분사된 제2 가스(G2)를 외부로 배기시킬 수 있다. 제1 배기부(115)와 마찬가지로, 제2 배기부(139)는 제2 가스(G2)가 인접한 제1 분사 모듈(110) 측으로 이동하는 것을 방지할 수 있다. 즉, 제2 배기부(139)는 기판(30)상에 적층되지 않은 나머지 제2 가스(G2)를 외부로 배기시킬 수 있다. Referring again to FIGS. 2 and 3, the second exhaust portion 139 may be disposed around the injection body 131. The second exhaust portion 139 can exhaust the second gas G2 injected through the injection nozzle 135 to the outside. The second exhaust part 139 can prevent the second gas G2 from moving toward the adjacent first injection module 110, like the first exhaust part 115. [ That is, the second exhaust portion 139 can exhaust the remaining second gas G2 that is not stacked on the substrate 30 to the outside.

본 실시예에서는, 분사 몸체(131)가 제2 배기부(139) 내부에 배치될 수 있다. 결국, 제1 배기부(115)와 마찬가지로, 제2 배기부(139)도 제2 가스(G2)를 분사하는 분사 몸체(131)를 둘러쌀 수 있다. 이는, 복수의 분사 노즐(135)을 통해 분사된 제2 가스(G2)가 제2 분사 모듈(130) 외부로 이동하는 것을 효과적으로 차단할 수 있다. 제2 배기부(139)를 통해 배기된 제2 가스(G2)는 제2 배기관(137)을 통해 외부 저장 탱크로 이동할 수 있다. In this embodiment, the injection body 131 may be disposed inside the second exhaust portion 139. [ As a result, like the first exhaust part 115, the second exhaust part 139 can surround the injection body 131 that injects the second gas G2. This can effectively prevent the second gas (G2) injected through the plurality of injection nozzles (135) from moving out of the second injection module (130). The second gas (G2) exhausted through the second exhaust part (139) can be moved to the external storage tank through the second exhaust pipe (137).

한편, 본 실시예에서는, 제1 분사부(100)에는 제1 가스(G1)와 제2 가스(G2)가 서로 혼합되는 것을 방지하기 위해, 제1 커튼 가스 분사부(150) 및 제2 커튼 가스 분사부(170)가 배치될 수 있다. 제1 분사 모듈(110) 및 제2 분사 모듈(130) 각각에 제1 배기부(115) 및 제2 배기부(139)가 배치되어, 제1 가스(G1) 및 제2 가스(G2)가 다른 영역으로 이동하는 것을 차단하나, 제1 커튼 가스 분사부(150) 및 제2 커튼 가스 분사부(170)는 제1 배기부(115) 및 제2 배기부(139)에 의해 배기되지 않은 제1 가스(G1) 및 제2 가스(G2)가 다른 곳으로 이동하는 것을 차단할 수 있다. 도 3에서, 제1 분사 모듈(110)과 제2 분사 모듈(130)의 경계에 위치한 커튼 가스 분사부는, 제1 커튼 가스 분사부(150) 및 제2 커튼 가스 분사부(170)에 해당될 수 있다. In the present embodiment, in order to prevent the first gas G1 and the second gas G2 from being mixed with each other in the first jetting section 100, the first curtain gas spraying section 150 and the second curtain A gas jetting unit 170 may be disposed. The first exhaust part 115 and the second exhaust part 139 are disposed in each of the first injection module 110 and the second injection module 130 so that the first gas G1 and the second gas G2 The first curtain gas spraying part 150 and the second curtain gas spraying part 170 are prevented from moving to the other area by the first exhaust part 115 and the second exhaust part 139, 1 gas (G1) and the second gas (G2) can be prevented from moving to other places. 3, the curtain gas injection part located at the boundary between the first injection module 110 and the second injection module 130 corresponds to the first curtain gas injection part 150 and the second curtain gas injection part 170 .

제1 커튼 가스 분사부(150)는 제1 분사 모듈(110)을 둘러싸도록 배치되어 커튼 가스(N1)를 기판(30)을 향해 분사할 수 있다. 커튼 가스는 아르곤 가스 또는 질소 가스 등과 같은 불활성 가스로서, 소스 가스인 제1 가스(G1)나 반응 가스인 제2 가스(G2)와 서로 반응하지 않은 가스일 수 있다. The first curtain gas injector 150 may be disposed to surround the first injection module 110 to inject the curtain gas N1 toward the substrate 30. [ The curtain gas may be an inert gas such as argon gas or nitrogen gas, and may be a gas that does not react with the first gas (G1) as the source gas or the second gas (G2) as the reactive gas.

제1 분사 모듈(110)을 둘러싸는 제1 커튼 가스 분사부(150)가 커튼 가스(N1)를 분사하면, 커튼 가스(N1)가 제1 분사 모듈(110)을 둘러싸는 커튼(curtain) 역할을 수행하게 된다. 커튼 가스(N1)에 의해, 제1 가스(G1)가 제1 분사 모듈(110) 외부로 이동하는 것을 차단할 수 있다. When the curtain gas N1 is injected by the first curtain gas injection part 150 surrounding the first injection module 110, the curtain gas N1 acts as a curtain for surrounding the first injection module 110 . The first gas G1 can be prevented from moving outside the first injection module 110 by the curtain gas N1.

제2 커튼 가스 분사부(170)는 제2 분사 모듈(130)을 둘러싸도록 배치되어 커튼 가스(N2)를 기판(30)을 향해 분사할 수 있다. 커튼 가스는 아르곤 가스 또는 질소 가스 등과 같은 불활성 가스로서, 소스 가스인 제1 가스(G1)나 반응 가스인 제2 가스(G2)와 서로 반응하지 않은 가스일 수 있다. The second curtain gas jetting portion 170 may be disposed to surround the second jetting module 130 to jet the curtain gas N2 toward the substrate 30. [ The curtain gas may be an inert gas such as argon gas or nitrogen gas, and may be a gas that does not react with the first gas (G1) as the source gas or the second gas (G2) as the reactive gas.

제2 분사 모듈(130)을 둘러싸는 제2 커튼 가스 분사부(170)가 커튼 가스(N2)를 분사하면, 커튼 가스(N2)가 제2 분사 모듈(130)을 둘러싸는 커튼(curtain) 역할을 수행하게 된다. 커튼 가스(N2)에 의해, 제2 가스(G2)가 제2 분사 모듈(130) 외부로 이동하는 것을 차단할 수 있다. When the curtain gas N2 is injected by the second curtain gas injection part 170 surrounding the second injection module 130, the curtain gas N2 serves as a curtain for surrounding the second injection module 130 . The curtain gas N2 can block the second gas G2 from moving out of the second injection module 130. [

본 실시예에서는, 제2 분사부(300)는 제2 가스관(311), 제2 플라즈마 생성 전극(313) 및 제3 배기부(315)를 포함할 수 있다. 전술한 바와 같이, 제2 분사부(300)는 화학 기상 증착 공정에 사용될 수 있다. 즉, 제2 분사부(300)는 SiH4 ＋ NH3 ＋ N2, SiH4 ＋ N2O, SiH4 ＋O2 등을 플라즈마 상태로 만들어 기판(30)으로 분사할 수 있다. 이때, 본 실시예의 제2 분사부(300)는 제1 분사부(100)의 제1 분사 모듈(110)과 동일하게 형성될 수 있다. In this embodiment, the second jetting section 300 may include a second gas pipe 311, a second plasma generating electrode 313, and a third exhaust section 315. As described above, the second jetting section 300 can be used in a chemical vapor deposition process. In other words, the second injector 300 can inject SiH 4 + NH 3 + N 2 , SiH 4 + N 2 O, SiH 4 + O 2, etc. into the plasma state and inject it into the substrate 30. At this time, the second injection part 300 of the present embodiment may be formed in the same manner as the first injection module 110 of the first injection part 100.

제2 가스관(311)은 외부에서 공급받은 제3 가스(P1)를 제2 플라즈마 생성 전극(313) 측으로 전달할 수 있다. 제2 가스관(311)은 도 3에 도시된 바와 같이 관통홀 형태로 형성될 수도 있고, 파이프 형태일 수도 있다. 여기에서, 제3 가스(P1)는 전술한 SiH4 ＋ NH3 ＋ N2, SiH4 ＋ N2O, SiH4 ＋O2 등일 수 있다. The second gas pipe 311 can transfer the third gas P1 supplied from the outside to the second plasma generating electrode 313 side. The second gas pipe 311 may be formed in the form of a through-hole as shown in FIG. 3, or may be in the form of a pipe. Here, the third gas (P1) is above a SiH 4 + NH 3 + N 2 , SiH 4 + N 2 O, SiH 4 + O 2 or the like.

제2 플라즈마 생성 전극(313)은 제2 가스관(311) 하부에 배치되어, 제2 가스관(311)이 전달한 제3 가스(P1)를 기판(30) 위로 분사할 수 있다. 제2 플라즈마 생성 전극(313)은 공급된 제3 가스(P1)를 관통시켜 기판(30) 위로 분사할 수 있다. The second plasma generating electrode 313 may be disposed below the second gas pipe 311 and may inject the third gas P1 delivered by the second gas pipe 311 onto the substrate 30. [ The second plasma generating electrode 313 may be sprayed onto the substrate 30 through the supplied third gas P1.

제2 플라즈마 생성 전극(313)은 전술한 제1 플라즈마 생성 전극(113)과 동일한 구조를 가질 수 있다. 제2 플라즈마 생성 전극(313)은 제2 전극 몸체(미도시) 및 복수의 제2 관통홀(미도시)을 포함할 수 있다. 제2 전극 몸체(미도시)는 사각형의 평면을 갖는 판상 형상일 수 있다. 제2 전극 몸체(미도시)는 제2 방향(Y축 방향)을 따라 연장될 수 있다. The second plasma generating electrode 313 may have the same structure as the first plasma generating electrode 113 described above. The second plasma generating electrode 313 may include a second electrode body (not shown) and a plurality of second through holes (not shown). The second electrode body (not shown) may be in the form of a plate having a rectangular plane. The second electrode body (not shown) may extend along the second direction (Y-axis direction).

그리고, 복수의 제2 관통홀(미도시)은 제2 전극 몸체(미도시)를 관통하여 형성될 수 있다. 복수의 제2 관통홀(미도시)은 제3 방향(Z축 방향)을 따라 형성될 수 있다. 즉, 복수의 제2 관통홀(미도시)은 기판(30)에 대해 수직한 방향으로 형성되어, 제3 가스(P1)가 제2 관통홀(미도시)을 관통하여 기판(30) 위로 분사될 수 있다. A plurality of second through holes (not shown) may be formed through the second electrode body (not shown). A plurality of second through holes (not shown) may be formed along the third direction (Z-axis direction). That is, a plurality of second through-holes (not shown) are formed in a direction perpendicular to the substrate 30 so that the third gas P1 passes through the second through-hole (not shown) .

제2 플라즈마 생성 전극(313)은 관통하는 제3 가스(P1)를 플라즈마 상태로 만들 수 있다. 예를 들어, 제3 가스(P1)를 플라즈마 상태로 기판(30)으로 분사시킬 경우, 제2 플라즈마 생성 전극(313)이 작동하여 관통하는 제3 가스(P1)를 플라즈마 상태로 만들 수 있다. 제2 플라즈마 생성 전극(313)은 화학 증착 공정에 사용되는 공지의 플라즈마 생성 전극이 적용될 수 있다. The second plasma generating electrode 313 may make the third gas Pl passing therethrough into a plasma state. For example, when the third gas P1 is jetted to the substrate 30 in a plasma state, the second plasma generating electrode 313 is operated to turn the third gas P1 passing therethrough into a plasma state. The second plasma generating electrode 313 may be a known plasma generating electrode used in a chemical vapor deposition process.

다시 도 2 및 도 3을 참조하면, 제3 배기부(315)가 제2 플라즈마 생성 전극(313) 주위에 배치될 수 있다. 제3 배기부(315)는 제2 플라즈마 생성 전극(313)을 관통한 제3 가스(P1)를 외부로 배기시킬 수 있다. 제3 배기부(315)는 제3 가스(P1)가 인접한 제1 분사부(100) 측으로 이동하는 것을 방지할 수 있다. 즉, 제3 배기부(315)는 기판(30) 상에 적층되지 않은 나머지 제3 가스(P1)를 배기시킬 수 있다. Referring again to FIGS. 2 and 3, a third exhaust 315 may be disposed around the second plasma generating electrode 313. The third evacuating section 315 can exhaust the third gas P1 that has passed through the second plasma generating electrode 313 to the outside. The third evacuating section 315 can prevent the third gas P1 from moving to the adjacent first ejecting section 100 side. That is, the third exhaust part 315 can exhaust the remaining third gas P1 that is not stacked on the substrate 30.

본 실시예에서는, 제3 배기부(315)는 제2 플라즈마 생성 전극(313)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 도 3에서 제3 방향(Z축 방향)을 따라 위에서 아래로 바라볼 때, 제3 배기부(315)가 제2 플라즈마 생성 전극(313)을 둘러쌀 수 있다. 이는, 제2 플라즈마 생성 전극(313)을 관통한 제3 가스(P1)가 제2 분사부(300) 외부로 이동하는 것을 효과적으로 차단할 수 있다. 제3 배기부(315)를 통해 배기된 제3 가스(P1)는 제3 배기관(315a)을 통해 외부 저장 탱크로 이동할 수 있다. In this embodiment, the third exhaust portion 315 may be disposed so as to surround the second plasma generating electrode 313. [ 3, the third exhaust portion 315 can surround the second plasma generating electrode 313 when viewed from top to bottom along the third direction (Z-axis direction). This can effectively prevent the third gas P1 passing through the second plasma generating electrode 313 from moving to the outside of the second jetting unit 300. [ The third gas P1 exhausted through the third exhaust unit 315 can be moved to the external storage tank through the third exhaust pipe 315a.

한편, 본 실시예에서는, 제2 분사부(300)에는 제2 가스(G2)와 제3 가스(P1)가 서로 혼합되는 것을 방지하기 위해, 제3 커튼 가스 분사부(317)가 배치될 수 있다. 제2 분사부(300)에 제3 배기부(315)가 배치되어, 제3 가스(P1)가 다른 영역으로 이동하는 것을 차단하나, 제3 커튼 가스 분사부(317)는 제3 배기부(315)에 의해 배기되지 않은 제3 가스(P1)가 다른 곳으로 이동하는 것을 차단할 수 있다. In this embodiment, in order to prevent the second gas G2 and the third gas P1 from being mixed with each other, the second jetting unit 300 may be provided with a third curtain gas jetting unit 317 have. The third exhaust part 315 is disposed in the second spray part 300 so as to prevent the third gas P1 from moving to another area while the third curtain gas spray part 317 is disposed in the third exhaust part The third gas P1 that has not been evacuated by the first gas supply pipe 315 can be prevented from moving to another place.

제3 커튼 가스 분사부(317)는 제2 분사부(300)를 둘러싸도록 배치되어 커튼 가스(M2)를 기판(30)을 향해 분사할 수 있다. 커튼 가스는 아르곤 가스 또는 질소 가스 등과 같은 불활성 가스일 수 있다. The third curtain gas jetting portion 317 is arranged to surround the second jetting portion 300 so as to jet the curtain gas M2 toward the substrate 30. [ The curtain gas may be an inert gas such as argon gas or nitrogen gas.

제2 분사부(300)를 둘러싸는 제3 커튼 가스 분사부(317)가 커튼 가스(M2)를 분사하면, 커튼 가스(M2)가 제2 분사부(300)를 둘러싸는 커튼(curtain) 역할을 수행하게 된다. 커튼 가스(M2)에 의해, 제3 가스(P1)가 제2 분사부(300) 외부로 이동하는 것을 차단할 수 있다. When the third curtain gas spraying unit 317 surrounding the second spraying unit 300 injects the curtain gas M2, the curtain gas M2 acts as a curtain for surrounding the second spraying unit 300 . The third gas P1 can be prevented from moving to the outside of the second jetting unit 300 by the curtain gas M2.

한편, 본 실시예에서는, 기판 이송 유닛(50)은 기판(30)이 가스 분사 유닛(10) 하부를 지나가도록 기판(30)을 이송시킬 수 있다. 이때, 기판 이송 유닛(50)은 기판(30)과 가스 분사 유닛(10) 사이의 간격(H)을 일정한 범위 내로 유지시킬 수 있다. 간격(H)는 1.5 mm ∼ 4 mm일 수 있다. On the other hand, in the present embodiment, the substrate transfer unit 50 can transfer the substrate 30 so that the substrate 30 passes under the gas injection unit 10. At this time, the substrate transfer unit 50 can maintain the interval H between the substrate 30 and the gas injection unit 10 within a predetermined range. The distance H may be between 1.5 mm and 4 mm.

전술한 바와 같이, 본 실시예의 박막 증착 장치에서는, 제1 분사부(100)는 원자층 증착(Atomic Layer Deposition) 공정에 사용될 수 있고, 제2 분사부(300)는 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition) 공정에 사용될 수 있다. 즉, 제1 분사부(100)는 원자층 증착 공정에 사용되는 반응 가스 및 소스 가스를 분사하고, 제2 분사부(300)는 화학 기상 증착 공정에 사용되는 가스를 플라즈마 상태로 분사시킬 수 있다. As described above, in the thin film deposition apparatus of this embodiment, the first jet unit 100 can be used in an atomic layer deposition process and the second jet unit 300 can be used in a chemical vapor deposition ) Process. That is, the first injector 100 injects the reactive gas and the source gas used in the atomic layer deposition process, and the second injector 300 injects the gas used in the chemical vapor deposition process into the plasma state .

그러나, 본 실시예의 박막 증착 장치는, 제1 분사부(100) 및 제2 분사부(300)가 각각 원자층 증착 공정 및 화학 기상 증착 공정에만 사용되는 것으로 한정되지 않는다. However, the thin film deposition apparatus of this embodiment is not limited to the use of the first jetting section 100 and the second jetting section 300 only in the atomic layer deposition process and the chemical vapor deposition process, respectively.

제1 분사부(100)를 화학 기상 증착 공정에 사용할 수도 있다. 즉, 제1 분사부(100) 및 제2 분사부(300)를 모두 화학 기상 증착 공정에 사용할 수 있다. 보다 구체적으로, 제1 분사부(100)의 제1 분사 모듈(110)에는 제1 플라즈마 생성 전극(113)이 배치되는데, 제1 플라즈마 생성 전극(113)을 작동시키면 제2 분사부(300)와 동일하게 화학 기상 증착 공정에 사용될 수 있다. 이때, 제1 분사부(100)의 제2 분사 모듈(130)은 사용하지 않는다. The first jetting section 100 may be used in the chemical vapor deposition process. That is, both the first jetting section 100 and the second jetting section 300 can be used in chemical vapor deposition processes. More specifically, the first plasma generating electrode 113 is disposed in the first jetting module 110 of the first jetting unit 100. When the first plasma generating electrode 113 is operated, the second jetting unit 300, Can be used for the chemical vapor deposition process. At this time, the second injection module 130 of the first injection unit 100 is not used.

따라서, 제1 분사부(100)의 제1 분사 모듈(110)과 제2 분사부(300)를 이용하면, 화학 기상 증착 공정으로 기판(30)에 박막을 형성할 수 있다. 이때, 제1 분사 모듈(110)과 제2 분사부(300)가 서로 다른 가스를 사용하면, 기판(30)에 서로 다른 박막을 순차적으로 형성할 수 있다. 예를 들어, 제1 분사 모듈(110)에서 질화 규소(SiNx, 여기에서 x는 임의의 정수를 나타냄)를 분사하고, 제2 분사부(300)에서 산화 규소(SiOx, 여기에서 x는 임의의 정수를 나타냄)를 분사할 수 있다. 결국, 기판(30)이 가스 분사 유닛(10) 하부를 지나갈 때, 제1 분사 모듈(110)은 기판(30)에 질화 규소막을 형성하고, 제2 분사부(300)는 질화 규소막 위에 산화 규소막을 형성할 수 있다. Therefore, by using the first injection module 110 and the second injection part 300 of the first spray part 100, a thin film can be formed on the substrate 30 by the chemical vapor deposition process. At this time, when the first injection module 110 and the second injection part 300 use different gases, different thin films can be sequentially formed on the substrate 30. [ For example, silicon nitride (SiN x , where x represents an arbitrary integer) is sprayed from the first injection module 110 and silicon oxide (SiO x , where x is Which represents an arbitrary integer). As a result, when the substrate 30 passes under the gas injection unit 10, the first injection module 110 forms a silicon nitride film on the substrate 30, and the second spray part 300 forms a silicon nitride film on the silicon nitride film A silicon film can be formed.

한편, 제1 분사부(100) 및 제2 분사부(300)를 모두 원자층 증착 공정에 사용할 수도 있다. 제1 분사부(100)의 제1 분사 모듈(110)에서 반응 가스를 분사하고, 제2 분사부(300)에서 소스 가스를 분사하여, 원자층 증착 공정을 수행할 수도 있다. Meanwhile, the first splitter 100 and the second splitter 300 may all be used in the atomic layer deposition process. The reactive gas may be injected from the first injection module 110 of the first injector 100 and the source gas may be injected from the second injector 300 to perform the atomic layer deposition process.

또한, 제1 분사부(100)를 화학 기상 증착 공정에 사용하고, 제2 분사부(300)를 플라즈마 처리하는데 사용할 수 있다. 예를 들어, 제1 분사부(100)의 제1 분사 모듈(110)에서, 제1 플라즈마 생성 전극(113)을 작동시켜 질화 규소(SiNx, 여기에서 x는 임의의 정수를 나타냄)를 플라즈마 상태로 기판(30) 상에 분사시킬 수 있다. 그리고, 제2 분사부(300)에서는 가스는 분사시키지 않고, 제2 플라즈마 생성 전극(313)을 작동시켜, 제1 분사 모듈(110)에 의해 기판(30) 상에 형성된 질화 규소막을 플라즈마 처리할 수 있다. 플라즈마 처리는, 박막의 표면 처리 방법 중 하나로서, 표면 개질에 의해 박막의 품질을 향상시키는 공정에 해당될 수 있다. Further, the first jetting section 100 may be used in the chemical vapor deposition process, and the second jetting section 300 may be used in plasma processing. For example, in the first injection module 110 of the first jetting unit 100, the first plasma generating electrode 113 is operated to convert silicon nitride (SiN x , where x represents an arbitrary integer) (Not shown). The second spraying unit 300 operates the second plasma generating electrode 313 without spraying the gas so that the silicon nitride film formed on the substrate 30 is plasma-treated by the first spraying module 110 . The plasma treatment is one of the surface treatment methods of the thin film, and can be applied to a step of improving the quality of the thin film by surface modification.

본 실시예의 박막 증착 장치는, 기판에 박막을 형성할 때, 하나의 챔버에 내에서 원자층 증착 공정 또는 화학 기상 증착 공정을 동시 또는 선택적으로 수행할 수 있다. The thin film deposition apparatus of the present embodiment can simultaneously or selectively perform an atomic layer deposition process or a chemical vapor deposition process in one chamber when forming a thin film on a substrate.

이상과 같이, 본 발명은 한정된 실시예와 도면을 통하여 설명되었으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술 사상과 아래에 기재된 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. Various modifications and variations are possible within the scope of the appended claims.

10 가스 분사 유닛
30 기판
50 기판 이송 유닛
100 제1 분사부
110 제1 분사 모듈
111 제1 가스관
113 제1 플라즈마 생성 전극
115 제1 배기부
130 제2 분사 모듈
131 분사 몸체
133 공간
135 복수의 분사 노즐
139 제2 배기부
300 제2 분사부
311 제2 가스관
313 제2 플라즈마 생성 전극
315 제3 배기부
317 제3 커튼 가스 분사부10 Gas injection unit
30 substrate
50 substrate transfer unit
100 first division
110 First injection module
111 first gas pipe
113 first plasma generating electrode
115 1st time base
130 2nd injection module
131 injection body
133 spaces
135 Multiple injection nozzles
139 2nd Extension
300 Second Division
311 Second gas pipe
313 Second Plasma Generating Electrode
315 Third time donation
317 Third Curtain Gas Dispensing Unit

Claims (20)

제1 방향을 따라 나란하게 배치되어 기판에 서로 다른 증착 가스를 분사하는 제1 분사부 및 제2 분사부를 포함하는 가스 분사 유닛을 포함하며,
상기 제1 분사부는,
제1 가스를 분사하는 제1 분사 모듈 및
상기 제1 방향으로의 상기 제1 분사 모듈의 양 측면 중 적어도 하나에 배치되어, 제2 가스를 분사하는 제2 분사 모듈을 포함하며,
상기 제1 분사 모듈은,
상기 제1 가스를 공급하는 제1 가스관 및
상기 제1 가스관 아래에 배치되며, 상기 제1 가스가 관통되어 상기 제1 가스가 상기 기판으로 분사되는 제1 플라즈마 생성 전극을 포함하며,
상기 제2 분사 모듈은,
상기 제2 가스를 수용하는 공간이 내부에 배치된 분사 몸체 및
상기 분사 몸체의 하측에 배치되어, 상기 공간 내에 위치한 상기 제2 가스를 분사시키는 복수의 분사 노즐을 포함하는, 박막 증착 장치.And a gas injection unit including a first jetting part and a second jetting part which are arranged side by side along the first direction to jet different deposition gases onto the substrate,
The first injector
A first injection module for injecting a first gas;
And a second injection module disposed on at least one of both sides of the first injection module in the first direction for injecting a second gas,
The first injection module includes:
A first gas pipe for supplying the first gas and
And a first plasma generating electrode disposed below the first gas pipe, the first gas passing through and the first gas being injected into the substrate,
The second injection module includes:
A spray body in which a space for accommodating the second gas is disposed;
And a plurality of injection nozzles disposed below the ejection body for ejecting the second gas located in the space. 제 1 항에 있어서,
상기 제1 분사 모듈은,
상기 제1 플라즈마 생성 전극에 인접하여 배치되어, 상기 제1 가스를 배기하는 제1 배기부를 더 포함하는, 박막 증착 장치.The method according to claim 1,
The first injection module includes:
Further comprising a first exhaust portion disposed adjacent to the first plasma generation electrode for exhausting the first gas. 제 2 항에 있어서,
상기 제1 배기부는, 평면상 바라볼 때 상기 제1 플라즈마 생성 전극을 둘러싸는, 박막 증착 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the first exhaust part surrounds the first plasma generating electrode when viewed in a plan view. 제 2 항에 있어서,
상기 제1 플라즈마 생성 전극은, 사각형의 평면을 갖는 판상 형상인, 박막 증착 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the first plasma generating electrode is a plate-like shape having a rectangular plane. 제 4 항에 있어서,
상기 제1 플라즈마 생성 전극은, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된, 박막 증착 장치.5. The method of claim 4,
Wherein the first plasma generating electrode extends in a second direction intersecting with the first direction. 제 5 항에 있어서,
상기 제1 플라즈마 생성 전극은, 상기 제1 방향 및 제2 방향과 교차하는 제3 방향으로 관통하는 복수의 제1 관통홀을 갖는, 박막 증착 장치.6. The method of claim 5,
Wherein the first plasma generating electrode has a plurality of first through holes penetrating in a first direction and a third direction intersecting the second direction. 제 1 항에 있어서,
상기 제1 분사부는, 상기 제1 분사 모듈을 둘러싸며, 상기 기판을 향해 커튼 가스를 분사하는 제1 커튼 가스 분사부를 더 포함하는, 박막 증착 장치.The method according to claim 1,
Wherein the first jetting portion further includes a first curtain gas jetting portion surrounding the first jetting module and jetting a curtain gas toward the substrate. 제 7 항에 있어서,
상기 제1 분사부는, 상기 제2 분사 모듈을 둘러싸며, 상기 기판을 향해 커튼 가스를 분사하는 제2 커튼 가스 분사부를 더 포함하는, 박막 증착 장치.8. The method of claim 7,
Wherein the first jetting portion further comprises a second curtain gas jetting portion surrounding the second jetting module and jetting a curtain gas toward the substrate. 제 1 항에 있어서,
상기 제2 분사 모듈은, 상기 분사 몸체에 인접하여 배치되어, 상기 제2 가스를 배기하는 제2 배기부를 더 포함하는, 박막 증착 장치.The method according to claim 1,
Wherein the second injection module further comprises a second exhaust portion disposed adjacent to the injection body for exhausting the second gas. 제 9 항에 있어서,
상기 분사 몸체는 상기 제2 배기부 내부에 배치되는, 박막 증착 장치.10. The method of claim 9,
Wherein the injection body is disposed inside the second exhaust part. 제 10 항에 있어서,
상기 분사 몸체는 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된, 박막 증착 장치.11. The method of claim 10,
Wherein the spray body extends in a second direction intersecting with the first direction. 제 1 항에 있어서,
상기 제2 분사부는,
제3 가스를 공급하는 제2 가스관 및
상기 제2 가스관 아래에 배치되며 상기 제3 가스가 관통되어 상기 제3 가스가 상기 기판으로 분사되는 제2 플라즈마 생성 전극을 포함하는, 박막 증착 장치.The method according to claim 1,
Wherein the second jetting portion includes:
A second gas pipe for supplying a third gas and
And a second plasma generating electrode disposed under the second gas pipe, the third gas passing through and the third gas being injected into the substrate. 제 12 항에 있어서,
상기 제2 분사부는,
상기 제2 플라즈마 생성 전극에 인접하여 배치되며, 상기 제3 가스를 배기하는 제3 배기부를 더 포함하는, 박막 증착 장치.13. The method of claim 12,
Wherein the second jetting portion includes:
And a third exhaust portion disposed adjacent to the second plasma generation electrode and exhausting the third gas. 제 12 항에 있어서,
제2 플라즈마 생성 전극은, 사각형의 평면을 갖는 판상 형상인, 박막 증착 장치.13. The method of claim 12,
Wherein the second plasma generating electrode is a plate-like shape having a rectangular plane. 제 14 항에 있어서,
상기 제2 플라즈마 생성 전극은, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된, 박막 증착 장치.15. The method of claim 14,
And the second plasma generating electrode extends in a second direction intersecting with the first direction. 제 15 항에 있어서,
상기 제2 플라즈마 생성 전극은, 상기 제1 방향 및 제2 방향과 교차하는 제3 방향으로 관통하는 복수의 제2 관통홀을 갖는, 박막 증착 장치.16. The method of claim 15,
Wherein the second plasma generating electrode has a plurality of second through holes passing in a third direction intersecting the first direction and the second direction. 제 12 항에 있어서,
상기 제2 분사부는, 상기 제2 플라즈마 생성 전극을 둘러싸며, 상기 기판을 향해 커튼 가스를 분사하는 제3 커튼 가스 분사부를 더 포함하는, 박막 증착 장치.13. The method of claim 12,
Wherein the second jetting portion further includes a third curtain gas jetting portion surrounding the second plasma generating electrode and jetting a curtain gas toward the substrate. 제 1 항에 있어서,
상기 제1 가스는, 원자층 증착(Atomic Layer Deposition) 공정에 적용되는 소스 가스이며,
상기 제2 가스는, 원자층 증착(Atomic Layer Deposition) 공정에 적용되는 반응 가스인, 박막 증착 장치.The method according to claim 1,
The first gas is a source gas applied to an Atomic Layer Deposition process,
Wherein the second gas is a reactive gas applied to an atomic layer deposition process. 제 18 항에 있어서,
상기 제3 가스는, 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition) 공정에 적용되는 가스인, 박막 증착 장치.19. The method of claim 18,
Wherein the third gas is a gas applied to a chemical vapor deposition (CVD) process. 제 1 항에 있어서,
상기 기판을 지지하며, 상기 기판을 상기 제1 방향을 따라 이송시키는 기판 이송 유닛을 더 포함하는, 박막 증착 장치.The method according to claim 1,
Further comprising: a substrate transfer unit for supporting the substrate and transferring the substrate along the first direction.
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11515506B2 (en) 2019-10-29 2022-11-29 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus including encapsulation layer with alternately arranged inorganic and organic thin layers
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100541179B1 (en) * 2003-02-03 2006-01-11 삼성전자주식회사 Apparatus and method for forming dielectric layers
US20090304924A1 (en) * 2006-03-03 2009-12-10 Prasad Gadgil Apparatus and method for large area multi-layer atomic layer chemical vapor processing of thin films
JP5006938B2 (en) * 2007-11-02 2012-08-22 キヤノンアネルバ株式会社 Surface treatment apparatus and substrate treatment method thereof
KR101579527B1 (en) * 2013-09-16 2015-12-22 코닉이앤씨 주식회사 Atomic layer deposition apparatus with scan-type reactor and method thereof

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11515506B2 (en) 2019-10-29 2022-11-29 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus including encapsulation layer with alternately arranged inorganic and organic thin layers
US11903242B2 (en) 2019-10-29 2024-02-13 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus including multi-layered upper encapsulation layer
US11653546B2 (en) 2020-03-05 2023-05-16 Samsung Display Co., Ltd. Display device having a bent portion

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