KR20190027052A - Heater for substrate processing - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a heater to process a substrate, capable of minimizing particles generated in a heat treatment space with a simple configuration. According to the present invention, the heater to process a substrate comprises: a base; a heating wire formed by screen-printing paste on the lower surface of the base; a heating wire installation unit formed in a groove shape, which communicates with an injection path to be recessed from the lower surface of the base, to secure the minimum cross section of the heating wire; a protective layer coated on the lower surface of the base to protect the heating wire; a separation protrusion protruding from the upper surface of the base to separate the lower surface of a substrate to be processed from the upper surface of the base; and a heat conductive gas supplied between the upper surface of the base and the substrate, which are separated from each other by the base separation protrusion, and conducting heat emitted from the heating wire to the substrate to be processed. Accordingly, provided are effects of reducing manufacturing costs, manufacturing a high-quality thin film, and increasing reliability in a heat treatment process.

Description

기판 처리용 히터{Heater for substrate processing}[0001] The present invention relates to a heater for substrate processing,

본 발명은 기판 처리용 히터에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 OLED(Organic Light-Emitting Diode) 제조에 사용되는 글래스 기판을 가열하는 열처리 공정에 사용하는 하는 기판 처리용 히터에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a heater for processing a substrate, and more particularly to a heater for processing a substrate used in a heat treatment process for heating a glass substrate used for manufacturing an OLED (Organic Light-Emitting Diode).

OLED(Organic Light-Emitting Diode)는 유기 발광 다이오드로서 스스로 빛을 내는 현상을 이용하여 디스플레이 및 조명에 응용 가능한 유기 반도체 소자이다. 상기 OLED는 두 개의 전극 사이에 유기반도체 층을 적층하여 투명전극은 정공 주입, 금속 전극은 전자를 주입하여 유기반도체 층에 엑시톤을 형성하고 엑시톤이 낮은 에너지 상태로 이루어지면서 에너지가 방출되어 특정한 파장의 빛이 투명전극 및 기판으로 방출되는 원리를 가진다.OLED (Organic Light-Emitting Diode) is an organic light-emitting diode (OLED), which is an organic semiconductor device that can be applied to displays and lighting by using self-emitting phenomenon. In the OLED, an organic semiconductor layer is laminated between two electrodes, a transparent electrode is injected into a hole, and a metal electrode is injected with electrons to form an exciton in the organic semiconductor layer. The excitons are made in a low energy state, And the light is emitted to the transparent electrode and the substrate.

이러한 OLED는 활성소자로서 글래스 기판의 표면에 형성되는 박막트랜지스터(Thin Film Transistor)를 포함하여 형성된다. 이러한 박막트랜지스터는 일반적으로 투명한 글래스 기판의 표면에 비정질실리콘 박막을 증착 시킨 후 이를 결정실리콘 박막으로 결정화시키고 여기에 필요한 도펀트를 주입하여 활성화시켜 형성하게 된다.Such an OLED is formed by including a thin film transistor formed on the surface of a glass substrate as an active element. Such a thin film transistor is generally formed by depositing an amorphous silicon thin film on the surface of a transparent glass substrate, crystallizing the amorphous silicon thin film into a crystalline silicon thin film, and injecting necessary dopant thereto to activate the amorphous silicon thin film.

이때, 비정질 실리콘 박막은 화학증착법(Chemical Vapor Deposition Method), 스핀코팅법(Spin Coating) 등에 의해 글래스 기판에 형성하고, 소정의 열처리 공정에 의하여 다결정실리콘 박막으로 결정화되며, 필요한 도펀트가 주입되어 활성화된다.At this time, the amorphous silicon thin film is formed on a glass substrate by a chemical vapor deposition method, a spin coating method, or the like, and is crystallized into a polycrystalline silicon thin film by a predetermined heat treatment step, and a necessary dopant is injected and activated .

이와 같이 OLED의 열처리 공정에 사용되는 열처리 장치에 대해서는 이미 '대한민국 등록특허 제1015595호;반도체 소자의 열처리 시스템'등에 의해 개시된 바 있다. The heat treatment apparatus used in the heat treatment process of the OLED has already been disclosed in Korean Patent No. 1015595, a heat treatment system for semiconductor devices, and the like.

종래의 열처리 장치는 발열체로 저항히터, 또는 램프히터를 주로 사용한다. In a conventional heat treatment apparatus, a resistance heater or a lamp heater is mainly used as a heating element.

하지만 램프히터는 구성이 매우 복잡할 뿐만 아니라, 이에 따른 열처리 장치의 제조단가가 상승하는 문제점이 있다.However, the lamp heater is not only complicated in construction but also has a problem in that the manufacturing cost of the heat treatment apparatus increases accordingly.

또한 저항히터는 열처리 공간에 노출되는 경우, 열처리 공정 중에 파티클이 발생되고 이때 발생하는 파티클은 박막의 품질을 저하시키는 문제점이 있다. In addition, when the resistance heater is exposed to the heat treatment space, particles are generated during the heat treatment process, and particles generated at this time have a problem of deteriorating the quality of the thin film.

대한민국 등록특허 제1015595호 (2011. 02. 17. 공고)Korean Patent No. 1015595 (Announced on Mar. 2011, 2011)

본 발명의 목적은 간소한 구성으로 열처리 공정 공간에 파티클을 최소화 하도록 한 기판 처리용 히터를 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a heater for processing a substrate that minimizes particles in a heat treatment process space with a simple configuration.

본 발명에 따른 기판 처리용 히터는 베이스, 상기 베이스의 하부면에 전도체 페이스트(paste)가 스크린 프린트된 열선, 상기 베이스의 하부면에 도포되어 상기 열선을 보호하는 보호층, 상기 베이스의 상부면에 안착되는 피처리 기판의 하부면과 상기 베이스의 상부면이 이격되도록 상기 베이스의 상부면으로부터 돌출되는 이격돌기 및 상기 베이스 이격돌기에 의해 서로 이격된 상기 베이스의 상부면과 상기 기판의 사이로 열전도 가스를 공급하여 상기 열선으로부터 방출되는 열이 상기 열전도 가스에 의해 상기 피처리 기판으로 전도되도록 하는 가스유로를 포함할 수 있다.A heater for processing a substrate according to the present invention includes a base, a heat ray screen-printed on a lower surface of the base, a protective layer coated on a lower surface of the base to protect the heat ray, A thermal protrusion protruding from the upper surface of the base so that the lower surface of the substrate to be mounted and the upper surface of the base are spaced apart from each other and a thermal conductive gas between the upper surface of the base and the upper surface of the base, And a gas flow path through which the heat emitted from the heat ray is conducted to the substrate to be processed by the thermally conductive gas.

상기 베이스는 상기 열선으로부터 방출되는 광이 상기 베이스를 투과하면서 파장대가 변경되도록 하는 광 투과성 재료로 이루어질 수 있다.The base may be made of a light-transmissive material that changes the wavelength band of light emitted from the heat ray while transmitting the base.

상기 피처리 기판은 글래스 기판이며, 상기 베이스, 상기 보호층 및 상기 이격돌기는 유전체(誘電體)로 이루어질 수 있다.The substrate to be processed is a glass substrate, and the base, the protective layer, and the spacing protrusions may be dielectric bodies.

상기 기판 처리용 히터는 상기 베이스의 상부면의 테두리부로부터 돌출되어 상기 피처리 기판이 상기 베이스의 상부면에 정렬되도록 하고, 상기 베이스의 상부면에 안착된 상기 기판이 상기 베이스의 상부면으로부터 이탈되는 것을 방지하는 정렬돌기를 더 포함할 수 있다.Wherein the substrate processing heater is protruded from a rim portion of an upper surface of the base so that the substrate to be processed is aligned with an upper surface of the base and the substrate mounted on the upper surface of the base is separated from the upper surface of the base The alignment protrusions may be formed on the substrate.

상기 정렬돌기는 유전체로 이루어질 수 있다.The alignment protrusion may be made of a dielectric material.

상기 베이스는 복수의 영역으로 구획되고 상기 열선은 상기 복수의 영역 별로 분리되며, 상기 기판 처리용 히터는 상기 복수의 영역의 온도를 각각 검출하는 복수의 온도센서, 상기 복수의 온도센서로부터 인출되는 복수의 리드선, 상기 복수의 영역의 온도를 각각 개별 제어할 수 있도록 상기 복수의 열선으로부터 각각 인출되는 복수의 전극, 상기 복수의 리드선과 상기 복수의 전극을 지지하는 지지 플레이트, 상기 복수의 리드선, 상기 복수의 전극 및 상기 지지 플레이트가 외부로 노출되지 않도록 상기 베이스의 하부면에 체결되는 커버 및 상기 커버와 상기 베이스의 접합부위에 배치되는 실링을 포함할 수 있다.Wherein the base is divided into a plurality of regions and the heating line is divided into the plurality of regions, the substrate processing heater includes a plurality of temperature sensors each detecting a temperature of the plurality of regions, a plurality A plurality of lead wires, a plurality of lead wires and a support plate for supporting the plurality of electrodes, a plurality of lead wires, a plurality of lead wires, a plurality of lead wires, a plurality of lead wires, And a seal that is disposed on a junction between the cover and the base.

상기 커버 및 상기 커버와 상기 베이스를 체결하는 체결나사는 유전체로 이루어질 수 있다.The cover and the fastening screw for fastening the cover and the base may be made of a dielectric material.

상기 기판 처리용 히터는 상기 베이스의 하부면으로터 함몰되는 홈 형상으로 이루어져 상기 열선의 최소 단면적을 확보하도록 하는 열선 설치부를 더 포함할 수 있다.The substrate processing heater may further include a heat ray attaching portion having a groove shape recessed into a lower surface of the base to secure a minimum cross-sectional area of the heat ray.

상기 열선 설치부는 상기 페이스트가 상기 베이스의 내측으로 주입될 수 있도록 상기 베이스의 하방으로 개방되는 주입로 및 상기 주입로와 연통하여 상기 주입로를 통해 주입된 상기 페이스트가 수용되는 수용로를 포함할 수 있다.The heat ray installation part may include an injection path opened to the lower side of the base so that the paste can be injected to the inside of the base and an accommodation path in which the paste injected through the injection path is communicated with the injection path have.

상기 수용로는 상기 주입로보다 큰 폭을 가질 수 있다.The receiving passage may have a greater width than the injection passage.

상기 주입로는 상기 수용로를 향해 점차 확대되도록 하는 경사면을 가질 수 있다. The injection path may have an inclined surface which gradually expands toward the receiving passage.

본 발명에 따른 기판 처리용 히터는 열원과 기판의 사이에 광 투과성 재료인 베이스를 배치하므로, 열원의 파장대 변경과 열의 확산으로 열선의 패턴 그림자가 기판으로 형성되는 것을 방지하며, 열 에너지가 기판에 깊숙이 침투하여 안쪽부터 균일하게 건조 및 열처리할 수 있는 효과가 있다. Since the base for the substrate processing according to the present invention is disposed between the heat source and the substrate, it is possible to prevent the pattern shadows of the heat ray from being formed on the substrate due to the change of the wavelength range of the heat source and the diffusion of heat, It penetrates deeply and can be uniformly dried and heat-treated from the inside.

또한 본 발명에 따른 기판 처리용 히터는 베이스에 도포되는 페이스트를 열선으로 사용하여 히터의 역할과 원도우 글라스 역할을 일체화시키므로, 제조공정의 단축과 일체화, 열처리 장비 내부 공간확보 및 제조단가를 절감할 수 있는 효과가 있다. Further, since the heater for processing a substrate according to the present invention uses the paste applied to the base as a heat ray to unite the role of the heater and the window glass, it is possible to shorten and integrate the manufacturing process, secure the inner space of the heat treatment equipment, There is an effect.

또한 본 발명에 따른 기판 처리용 히터는 열선 산화와 베이킹 아웃(baking out)에 따른 불순물을 방지하여 고품질의 박막을 제조할 수 있으며, 열처리 공정의 신뢰도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.Further, the heater for treating a substrate according to the present invention can prevent impurities due to heat ray oxidation and baking out, thereby manufacturing a high-quality thin film and improving the reliability of a heat treatment process.

도 1은 제 1실시예에 따른 기판 처리용 히터를 나타낸 단면도이다.
도 2는 제 1실시예에 따른 기판 처리용 히터를 나타낸 분해 사시도이다.
도 3은 제 1실시예에 따른 기판 처리용 히터의 열선이 설치된 베이스를 나타낸 저면 사시도이다.
도 4는 제 2실시예에 따른 기판 처리용 히터의 일부를 간략하게 나타낸 단면도이다.
도 5는 제 2실시예에 따른 기판 처리용 히터의 열선 설치부를 나타낸 확대 단면도이다.
도 6은 제 3실시예에 따른 기판 처리용 히터의 열선 설치부를 나타낸 단면도이다.
도 7는 제 4실시예에 따른 기판 처리용 히터의 일부를 간략하게 나타낸 단면도이다.
1 is a cross-sectional view showing a heater for processing a substrate according to the first embodiment.
2 is an exploded perspective view showing a heater for substrate processing according to the first embodiment.
3 is a bottom perspective view showing a base on which a hot wire of the heater for substrate processing according to the first embodiment is installed.
4 is a cross-sectional view schematically showing a part of a heater for substrate processing according to the second embodiment.
5 is an enlarged cross-sectional view showing a heat wire installing portion of the heater for substrate processing according to the second embodiment.
Fig. 6 is a cross-sectional view showing a heat wire attaching portion of the heater for substrate processing according to the third embodiment.
7 is a cross-sectional view schematically showing a part of a heater for substrate processing according to the fourth embodiment.

본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 일실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.The terms and words used in the present specification and claims should not be construed as limited to ordinary or dictionary terms and the inventor may appropriately define the concept of the term in order to best describe its invention It should be construed as meaning and concept consistent with the technical idea of the present invention. Therefore, the embodiments described in the present specification and the configurations shown in the drawings are only examples of the present invention, and are not intended to represent all of the technical ideas of the present invention, so that various equivalents and modifications may be made thereto .

이하, 본 발명에 따른 기판 처리용 히터에 대해 첨부된 도면을 참조하여 설명하도록 한다.Hereinafter, a heater for processing a substrate according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 제 1실시예에 따른 기판 처리용 히터를 나타낸 단면도이며, 도 2는 제 1실시예에 따른 기판 처리용 히터를 나타낸 분해 사시도이며, 도 3은 제 1실시예에 따른 기판 처리용 히터의 열선이 설치된 베이스를 나타낸 저면 사시도이다. 2 is an exploded perspective view showing a heater for processing a substrate according to the first embodiment. FIG. 3 is an exploded perspective view of the substrate processing heater according to the first embodiment. FIG. And FIG. 5 is a bottom perspective view showing a base provided with a hot wire of FIG.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 제 1실시예에 따른 기판 처리용 히터(100)는 OLED 제조에 사용되는 글래스 기판(10)을 열처리하는 데 사용할 수 있다. 1 to 3, the heater 100 for processing a substrate according to the first embodiment can be used for heat-treating a glass substrate 10 used for manufacturing an OLED.

이러한 제 1실시예에 따른 기판 처리용 히터(100)는 베이스(110)를 포함할 수 있다. 베이스(110)는 전기 저항 발열체인 열선(111)을 설치하기 위한 기반이 된다. The heater 100 for processing a substrate according to the first embodiment may include a base 110. The base 110 serves as a base for installing the hot wire 111, which is an electric resistance heating body.

여기서, 베이스(110)가 글래스 기판(10)과 동일한 재질로 이루어지는 것이 바람직하다. 베이스(110)가 글래스 기판(10)과 동일한 재질로 이루어짐에 따라, 열선(111)과의 견고한 접합 상태를 유지할 수 있으며, 열선(111)으로부터 방출되는 광의 파장대 변경, 적외선과 열의 균일한 분산 및 열선(111)의 패턴에 따라 기판(10)에 그림자가 발생되는 것을 방지할 수 있다. Here, it is preferable that the base 110 is made of the same material as the glass substrate 10. Since the base 110 is made of the same material as the glass substrate 10, it can maintain a firm bonding state with the heat ray 111 and can change the wavelength range of the light emitted from the heat ray 111, It is possible to prevent shadows from being generated on the substrate 10 in accordance with the pattern of the heat ray 111.

또한, 베이스(110)가 글래스 기판(10)과 다른 재질로 이루어진다면, 글래스 기판(10)을 처리하는 과정에서 열선(111)의 발열에 의해 베이스(110)로부터 파티클이 발생될 수 있으며, 이때 발생되는 파티클은 글래스 기판(10)에 증착되거나 글래스 기판(10)을 처리하는 챔버(미도시)의 내벽에 증착되어 글래스 기판(10)의 열처리 공정 중에 글래스 기판(10)의 박막(예를 들어 유기 박막, 실리콘 박막 등)의 품질을 저하시키는 문제점으로 작용할 수 있다. If the base 110 is made of a material different from that of the glass substrate 10, particles may be generated from the base 110 due to the heat of the heat ray 111 during processing of the glass substrate 10, The generated particles are deposited on the glass substrate 10 or deposited on the inner wall of a chamber (not shown) for processing the glass substrate 10 to form a thin film of the glass substrate 10 during the heat treatment process of the glass substrate 10 Organic thin film, silicon thin film, and the like).

따라서 글래스 기판(10)의 열처리 공정 중에 파티클이 발생되는 것을 방지하기 위하여, 베이스(110)는 글래스(Glass), 세라믹(Ceramic), 세라 글래스(Cera Glass) 등과 같이 글래스 기판(10)과 동일하거나 유사한 재료인 유전체로 이루어지는 것이 바람직하다. Therefore, in order to prevent particles from being generated during the heat treatment process of the glass substrate 10, the base 110 may be made of the same material as the glass substrate 10 such as glass, ceramic, Cera Glass, It is preferable that it is made of a dielectric material of a similar material.

이와 같이 제 1실시예에 따른 기판 처리용 히터(100)는 글래스 기판(10)의 열처리 공정 중에 파티클이 발생되는 것을 방지하여 글래스 기판(10)의 열처리 공정의 신뢰성을 확보할 수 있다.As described above, the substrate processing heater 100 according to the first embodiment can prevent the generation of particles during the heat treatment process of the glass substrate 10, and can secure the reliability of the heat treatment process of the glass substrate 10.

한편, 열선(111)은 히터의 설계시 설정된 용량 계산에 따라 저항을 가지고 있는 페이스트(Paste)를 스크린 프린트 기법을 이용하여 베이스(110)의 하부면에 형성할 수 있다. 이와 같이 페이스트를 이용하여 스크린 프린트 기법으로 열선(111)을 베이스(110)에 형성하면, 열선(111)의 두께, 폭, 간격 등을 자유롭게 설계할 수 있는 장점이 있다. 페이스트의 재료로는 금, 은, 백금, 텅스텐 등과 같은 전도체를 이용할 수 있다. On the other hand, the heat ray 111 can be formed on the lower surface of the base 110 by using a screen printing technique, a paste having resistance according to the capacity calculation set at the time of designing the heater. When the heat ray 111 is formed on the base 110 by the screen printing technique using the paste, the thickness, width, and spacing of the heat ray 111 can be freely designed. As the material of the paste, conductors such as gold, silver, platinum, tungsten and the like can be used.

그리고 열선(111)이 형성된 베이스(110)의 하부면에는 열선(111)을 보호하기 위한 보호층(130)이 형성될 수 있다. 열선(111)을 설치하기 위한 베이스(110)로 글래스 기판(10)과 동일하거나 유사한 재료인 유전체를 사용하는 것과 마찬가지로, 보호층(130)은 글래스, 세라믹, 세라 글래스 등과 같은 유전체로 이루어지는 것이 바람직하다. A protective layer 130 for protecting the heat ray 111 may be formed on the lower surface of the base 110 on which the heat ray 111 is formed. The protective layer 130 is preferably made of a dielectric material such as glass, ceramics, ceramics or the like as well as a dielectric material which is the same or similar material to the glass substrate 10 as the base 110 for installing the heat ray 111 Do.

이러한 제 1실시예에 따른 기판 처리용 히터(100)는 베이스(110)의 상부면, 즉 열선(111)이 설치된 베이스(110)의 하부면의 반대면에 글래스 기판(10)을 지지하고 글래스 기판(10)을 열처리할 수 있다. The heater 100 for processing a substrate according to the first embodiment supports the glass substrate 10 on the upper surface of the base 110, that is, the opposite surface of the lower surface of the base 110 on which the heat ray 111 is installed, The substrate 10 can be heat-treated.

열선(111)에 전원이 공급되면, 열선(111)은 발열됨과 동시에 발열에 의한 광을 방출할 수 있다. 제 1실시예에 따른 기판 처리용 히터(100)는 열선(111)이 설치된 베이스(110)의 하부면에 글래스 기판(10)을 지지하는 것이 아니라, 베이스(110)의 상부면에 글래스 기판(10)을 지지하므로, 열선(111)이 발열되면서 열선(111)으로부터 방출되는 광이 베이스(110)를 투과하면서 균일하게 확장되어 글래스 기판(10)에 도달할 수 있다. 또한, 열선(111)이 발열하면서 열선(111)으로부터 방출되는 광은 베이스(110)를 투과하면서 원적외선, 또는 근적외선으로 그 파장대가 변경되므로, 베이스(110)를 원활하게 투과하여 글래스 기판(10)의 내부로부터 열처리가 가능하다.When electric power is supplied to the heat ray 111, the heat ray 111 can generate heat and emit heat due to heat generation. The heater 100 for processing a substrate according to the first embodiment does not support the glass substrate 10 on the lower surface of the base 110 on which the heat ray 111 is mounted but also on the upper surface of the glass substrate 10 The light emitted from the heat ray 111 can be uniformly expanded while reaching the glass substrate 10 while being transmitted through the base 110 while the heat ray 111 is heated. Since the light emitted from the heat ray 111 while the heat ray 111 generates heat is transmitted through the base 110 and its wavelength band is changed to far infrared rays or near infrared rays, the light is transmitted through the base 110 smoothly, It is possible to perform heat treatment from the inside of the substrate.

이때, 베이스(110)의 상부면에 글래스 기판(10)을 지지하면, 베이스(110)의 상부면과 베이스(110)를 향하는 글래스 기판(10)의 하부면의 사이에 대전(帶電)이 발생되어 글래스 기판(10)을 베이스(110)로부터 분리하기가 곤란할 수 있다. At this time, when the glass substrate 10 is supported on the upper surface of the base 110, electrification occurs between the upper surface of the base 110 and the lower surface of the glass substrate 10 facing the base 110 And it may be difficult to separate the glass substrate 10 from the base 110.

따라서 제 1실시예에 따른 기판 처리용 히터(100)는 베이스(110)의 상부면으로부터 돌출되어 글래스 기판(10)을 베이스(110)의 상부면으로부터 이격시키는 이격돌기(113)를 더 포함할 수 있다. 물론, 이격돌기(113)의 재질 또한 베이스(110), 보호층(130)과 마찬가지로 글래스 기판(10)과 동일하거나 유사한 재료인 유전체로 이루어지는 것이 바람직하다. The heater 100 for processing a substrate according to the first embodiment further includes a protrusion 113 protruding from the upper surface of the base 110 to separate the glass substrate 10 from the upper surface of the base 110 . Of course, the material of the spacing protrusion 113 is also preferably made of a dielectric material which is the same or similar to the material of the glass substrate 10, like the base 110 and the protective layer 130.

이와 같이 베이스(110)의 상부면으로부터 글래스 기판(10)이 이격돌기(113)에 의해 이격됨에 따라 열선(111)으로부터 방출되는 열이 글래스 기판(10)으로 원활하게 전도될 수 있도록, 제 1실시예에 따른 기판 처리용 히터(100)는 베이스(110)와 글래스 기판(10)의 이격된 공간으로 열전도 가스(G)를 공급할 수 있다. 즉, 제 1실시예에 따른 기판 처리용 히터(100)는 베이스(110)를 관통하고 베이스(110)의 상부면으로 개방되는 가스유로(150)를 포함할 수 있다. 열전도 가스(G)로는 헬륨, 질소 등과 같은 불활성 가스를 사용할 수 있다. The glass substrate 10 is separated from the upper surface of the base 110 by the spacing protrusions 113 so that the heat emitted from the heat ray 111 can be smoothly conducted to the glass substrate 10, The heater 100 for processing a substrate according to the embodiment can supply the thermally conductive gas G to a space where the base 110 and the glass substrate 10 are spaced apart. That is, the heater 100 for processing a substrate according to the first embodiment may include a gas flow path 150 that penetrates the base 110 and opens to the upper surface of the base 110. As the thermal conduction gas (G), an inert gas such as helium, nitrogen or the like can be used.

또한, 베이스(110)의 상부면에는 정렬돌기(115)가 형성될 수 있다. 정렬돌기(115)는 베이스(110)의 테두리부로부터 돌출될 수 있다. 정렬돌기(115)는 베이스(110)의 상부면으로 로딩되는 글래스 기판(10)이 베이스(110)의 상부면 상에 간편하게 정렬될 수 있도록 글래스 기판(10)을 안내한다. 또한 정렬돌기(115)는 베이스(110)의 상부면 상에 정렬된 글래스 기판(10)이 열처리 공정 중에 베이스(110)의 상부면으로부터 이탈되는 것을 방지한다. 물론, 정렬돌기(115)의 재질 또한 베이스(110), 보호층(130), 이격돌기(113)와 마찬가지로 글래스 기판(10)과 동일하거나 유사한 재료인 유전체로 이루어지는 것이 바람직하다. In addition, alignment protrusions 115 may be formed on the upper surface of the base 110. The alignment protrusions 115 may protrude from the rim of the base 110. The alignment protrusion 115 guides the glass substrate 10 so that the glass substrate 10 loaded on the upper surface of the base 110 can be easily aligned on the upper surface of the base 110. The alignment protrusion 115 also prevents the glass substrate 10, which is aligned on the upper surface of the base 110, from being detached from the upper surface of the base 110 during the heat treatment process. Of course, it is preferable that the material of the alignment protrusion 115 is also made of a dielectric material which is the same or similar material as the glass substrate 10, like the base 110, the protection layer 130, and the separation protrusion 113.

한편, 글래스 기판(10)의 전면적에 대하여 균일한 가열 온도를 형성하기 위하여, 베이스(110)에는 복수의 영역, 예를 들어 베이스(110)의 중앙부와 베이스(110)의 테두리부를 별도의 영역으로 구획하고, 각 영역 별로 열선(111)을 개별 제어할 수 있다. 이에 따라 열선(111)은 각 영역 별로 분리될 수 있으며, 분리된 열선(111)에 각각 개별 전원을 인가하기 위한 복수의 전극(170)이 연결될 수 있다. 이러한 복수의 전극(170)은 베이스(110)의 하부면으로 노출될 수 있다.A plurality of regions, for example, a central portion of the base 110 and a peripheral portion of the base 110 may be formed as separate regions in the base 110 in order to uniformly heat the entire surface of the glass substrate 10 And the heating lines 111 can be separately controlled for each area. Accordingly, the heat lines 111 can be separated for each region, and a plurality of electrodes 170 for applying a separate power source to the separated heat lines 111 can be connected. The plurality of electrodes 170 may be exposed to the lower surface of the base 110.

또한 복수로 구획된 각 영역 별로 온도를 측정하고, 측정된 각 영역의 온도에 따라 열선(111)으로 인가되는 전원을 개별 제어하기 위하여 각 영역에는 온도센서(미도시)가 연결될 수 있으며, 온도센서(미도시)에 연결된 복수의 리드선(190)은 베이스(110)의 하부면으로 노출될 수 있다.In addition, a temperature sensor (not shown) may be connected to each region for measuring the temperature of each of the plurality of divided regions and separately controlling the power applied to the heating line 111 according to the temperature of each region. A plurality of lead wires 190 connected to the base 110 may be exposed to the lower surface of the base 110.

이와 같이 베이스(110)의 하부면에는 복수의 전극(170)과 복수의 리드선(190)이 노출되므로, 제 1실시예에 따른 기판 처리용 히터(100)는 복수의 전극(170)과 복수의 리드선(190)을 안정적으로 지지하기 위한 지지 플레이트(210)를 더 포함할 수 있다. 물론, 지지 플레이트(210)에는 베이스(110)와 지지 플레이트(210)의 간격을 유지하기 위한 간격유지부재(211)가 마련될 수 있다. Since the plurality of electrodes 170 and the plurality of lead wires 190 are exposed on the lower surface of the base 110 as described above, the heater 100 for processing a substrate according to the first embodiment includes a plurality of electrodes 170, And may further include a support plate 210 for stably supporting the lead wire 190. Of course, the support plate 210 may be provided with a spacing member 211 for maintaining a gap between the base 110 and the support plate 210.

그리고 복수의 전극(170), 복수의 리드선(170) 및 지지 플레이트(210)가 챔버(미도시) 내부의 공정 공간으로 노출되는 것을 방지하기 위하여 베이스(110)의 하측에는 커버(230)가 결합될 수 있다. 물론, 커버(230)의 재질 또한 베이스(110), 보호층(130), 이격돌기(113), 정렬돌기(115)와 마찬가지로 글래스 기판(10)과 동일하거나 유사한 재료인 유전체로 이루어지는 것이 바람직하다. In order to prevent the plurality of electrodes 170, the plurality of lead wires 170 and the support plate 210 from being exposed to the process space inside the chamber (not shown), a cover 230 is coupled . Of course, it is preferable that the material of the cover 230 is also made of a dielectric material which is the same or similar to the material of the glass substrate 10 as the base 110, the protective layer 130, the spacing protrusions 113, and the alignment protrusions 115 .

그리고 커버(230)를 베이스(110)에 체결하기 위한 체결나사(250) 또한 글래스 기판(10)과 동일하거나 유사한 재료인 유전체로 이루어질 수 있으며, 커버(230)와 베이스(110)의 내측에는 커버(230)와 베이스(110)의 접합 부위에는 커버(230)와 베이스(110)의 내부 기밀을 유지하기 위한 실링(270)이 배치될 수 있다.The fastening screw 250 for fastening the cover 230 to the base 110 may also be made of a dielectric material which is the same or similar material as the glass substrate 10. The inside of the cover 230 and the base 110 A seal 270 may be disposed at a junction between the cover 230 and the base 110 to maintain the airtightness of the cover 230 and the base 110.

이하, 제 1실시예에 따른 기판 처리용 히터의 작용에 대해 설명하도록 한다.Hereinafter, the operation of the heater for substrate processing according to the first embodiment will be described.

먼저, 제 1실시예에 따른 기판 처리용 히터(100)는 글래스 기판(10)을 열처리 하기 위해 진공 분위기가 형성되는 챔버(미도시)의 내부에 배치될 수 있다. 물론, 챔버(미도시)의 일측벽에는 글래스 기판(10)의 로딩/언로딩을 위한 게이트 밸브(미도시)가 설치될 수 있다. First, the heater 100 for processing a substrate according to the first embodiment may be disposed inside a chamber (not shown) in which a vacuum atmosphere is formed to heat the glass substrate 10. Of course, a gate valve (not shown) for loading / unloading the glass substrate 10 may be installed on one side wall of the chamber (not shown).

제 1실시예에 따른 기판 처리용 히터(100)는 열선(111)이 설치된 베이스(110)의 하부면이 하측을 향하고, 글래스 기판(10)을 지지하기 위한 베이스(110)의 상부면이 상측을 향하도록 배치될 수 있다. The heater 100 for processing a substrate according to the first embodiment is configured such that the lower surface of the base 110 provided with the heat ray 111 faces downward and the upper surface of the base 110 for supporting the glass substrate 10 faces upward As shown in FIG.

이와 같이 챔버(미도시)의 내부에 제 1실시예에 따른 기판 처리용 히터(100)가 배치된 상태에서, 챔버(미도시)의 내부로 글래스 기판(10)이 로딩된다. 글래스 기판(10)은 베이스(110)의 상부면에 안착될 수 있다.In this state, the glass substrate 10 is loaded into the chamber (not shown) in a state where the heater 100 for processing a substrate according to the first embodiment is disposed inside the chamber (not shown). The glass substrate 10 may be seated on the upper surface of the base 110.

이때, 정렬돌기(115)는 글래스 기판(10)이 베이스(110)의 상부면 상에 정렬되도록 글래스 기판(10)을 안내한다. 그리고 이격돌기(113)는 베이스(110)의 상부면으로부터 글래스 기판(10)이 이격된 상태를 유지시켜, 베이스(110)의 상부면과 글래스 기판(10)이 면 접촉되어 대전되는 것을 방지한다. At this time, the alignment protrusions 115 guide the glass substrate 10 so that the glass substrate 10 is aligned on the upper surface of the base 110. The spacing protrusion 113 maintains the state that the glass substrate 10 is spaced apart from the upper surface of the base 110 so that the upper surface of the base 110 and the glass substrate 10 are in surface contact with each other to prevent electrification .

이와 같이 글래스 기판(10)이 베이스(110)의 상부면에 안착된 상태에서, 열선(111)에 전원이 인가되면, 열선(111)은 전기 저항에 의하여 발열되고, 열선(111)에서는 광이 방출된다. When power is applied to the heating wire 111 in a state where the glass substrate 10 is mounted on the upper surface of the base 110 as described above, the heating wire 111 generates heat by electric resistance, .

열선(111)으로부터 방출되는 광은 베이스(110)를 투과하여 글래스 기판(10)에 도달하는데, 광은 베이스(110)를 투과하면서 그 파장대가 변화하면서 원적외선 또는 근적외선으로 변경되어 글래스 기판(10)의 안쪽부터 건조 및 열처리가 가능하도록 하다. 원적외선은 베이스(110)를 투과하여 글래스 기판(10)에 열 에너지를 전달한다. 이때, 원적외선은 베이스(110)를 투과하면서 균일하게 분산되므로, 베이스(110) 상에 균일한 온도가 분포되도로 하고, 열선(111)의 패턴에 따른 그림자가 발생되지 않도록 한다.The light emitted from the heating line 111 passes through the base 110 and reaches the glass substrate 10. The light is changed into far infrared rays or near infrared rays while changing its wavelength band while passing through the base 110, So that drying and heat treatment can be performed from the inside. The far-infrared rays transmit thermal energy to the glass substrate 10 through the base 110. At this time, since the far-infrared rays are uniformly dispersed while being transmitted through the base 110, a uniform temperature is distributed on the base 110, and a shadow according to the pattern of the heat rays 111 is not generated.

이와 함께, 글래스 기판(10)과 베이스(110)의 상부면의 사이로 열전도 가스(G)가 공급될 수 있다. 열전도 가스(G)는 베이스(110)의 상부면으로부터 이격된 글래스 기판(10)으로 열을 전달한다. 이와 같이 열전도 가스(G)는 글래스 기판(10)이 베이스(110)의 상부면으로부터 이격됨에 따라 손실될 수 있는 열 에너지의 손실을 방지한다.At the same time, a thermally conductive gas G can be supplied between the glass substrate 10 and the upper surface of the base 110. The thermal conduction gas G transfers heat from the upper surface of the base 110 to the glass substrate 10. Thus, the thermal conduction gas G prevents the loss of thermal energy that can be lost as the glass substrate 10 is spaced from the upper surface of the base 110.

한편, 각 영역별 개별 온도 제어를 위한 온도센서(미도시)는 각 영역의 온도를 검출한다. 도시되지 않은 제어부(미도시)는 온도센서(미도시)에 의해 검출되는 베이스(110)의 온도에 따라 열선(111)으로 인가되는 전원을 제어한다. On the other hand, a temperature sensor (not shown) for individual temperature control for each region detects the temperature of each region. A control unit (not shown) controls a power supplied to the heating wire 111 according to the temperature of the base 110 detected by a temperature sensor (not shown).

따라서 복수로 분리된 열선(111)은 그 온도가 각각 개별 제어되고, 글래스 기판(10)의 전면적에 대하여 균일한 온도로 가열할 수 있다.Therefore, the temperature of the plurality of heat lines 111 can be individually controlled and heated to a uniform temperature with respect to the entire surface of the glass substrate 10.

이와 같이 제 1실시예에 따른 히터(100)는 베이스(110)에 페이스트로 형성된 열선(111)의 발열에 의해 글래스 기판(10)을 가열할 수 있으므로, 장비의 규모를 간소화할 수 있다. 또한 제 1실시예에 따른 히터(100)는 열선(111)으로부터 방출되는 광이 베이스(110)를 투과하면서 파장대가 변경되고, 글래스 기판(10)과 베이스(110)의 상부면의 사이에 열전도 가스(G)를 공급하여 글래스 기판(10)으로 열 에너지를 원활하게 전달할 수 있다. 또한 제 1실시예에 따른 기판 처리용 히터(100)는 베이스(110) 및 베이스(110)에 부착되는 구성요소들이 글래스 기판(10)과 동일하거나, 또는 유사한 재료인 유전체로 이루어지기 때문에, 글래스 기판(10)의 열처리 공정 중에 파티클이 발생되는 것을 방지하여 열처리 공정의 신뢰성을 확보할 수 있다.As described above, the heater 100 according to the first embodiment can heat the glass substrate 10 by the heat generated from the heat ray 111 formed in paste on the base 110, so that the scale of the equipment can be simplified. In the heater 100 according to the first embodiment of the present invention, the light emitted from the heat ray 111 is transmitted through the base 110, the wavelength band thereof is changed, and the heat transfer is performed between the glass substrate 10 and the upper surface of the base 110. [ It is possible to smoothly transfer heat energy to the glass substrate 10 by supplying the gas G. In the heater 100 for processing a substrate according to the first embodiment, since the components attached to the base 110 and the base 110 are made of a dielectric material which is the same or similar material as the glass substrate 10, It is possible to prevent particles from being generated during the heat treatment process of the substrate 10, thereby securing the reliability of the heat treatment process.

이하, 다른 실시예에 따른 기판 처리용 히터에 대해 설명하도록 한다. 이하의 설명에서는 상술된 제 1실시예에 따른 기판 처리용 히터와 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하고 상세한 설명은 생략하도록 한다. 따라서 이하의 설명에서 상세한 설명이 생략된 구성요소에 대해서는 상술된 설명을 참조하여 이해해야 할 것이다.Hereinafter, a heater for processing a substrate according to another embodiment will be described. In the following description, components similar to those of the substrate processing heater according to the first embodiment described above are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted. Therefore, elements omitted from the detailed description in the following description should be understood with reference to the above description.

상술한 바와 같은 기판 처리용 히터(100)는 한정된 베이스(110)의 면적 내에서 발열 효율을 최대로 발휘하기 위하여, 열선(111)의 간격을 최대한 조밀하게 형성할 필요가 있다. 하지만, 전기저항에 의해 발열하는 열선(111)의 최소한의 단면적 또한 한정되어 있다.The heater 100 for processing a substrate as described above needs to form the heat lines 111 with a minimum distance in order to maximize the heat generating efficiency within the limited area of the base 110. [ However, the minimum cross-sectional area of the heat ray 111 that generates heat by the electric resistance is also limited.

따라서 제 2실시예에 따른 기판 처리용 히터(100)는 열선(111)의 최소한의 단면적을 확보하기 위하여, 베이스(110)의 하부면에 형성되는 열선 설치부를 더 포함할 수 있다. Therefore, the heater 100 for processing a substrate according to the second embodiment may further include a hot wire attaching portion formed on a lower surface of the base 110 to secure a minimum cross-sectional area of the hot wire 111. [

도 4는 제 2실시예에 따른 기판 처리용 히터의 일부를 간략하게 나타낸 단면도이며, 도 5는 제 2실시예에 따른 기판 처리용 히터의 열선 설치부를 나타낸 확대 단면도이다. FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing a part of the heater for substrate processing according to the second embodiment, and FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view showing a heat line attachment part of the heater for substrate processing according to the second embodiment.

도 4 및 도 5를 참조하면, 열선 설치부는 베이스(110)의 하부면으로부터 함몰되는 홈 형상으로 마련될 수 있다. 열선 설치부는 페이스트가 주입되는 주입로(111a)와, 주입로(111a)에 연통되어 주입로(111a)를 통해 주입된 페이스트가 수용되는 수용로(111b)를 포함할 수 있다. 수용로(111b)는 주입로(111a) 보다 큰 폭을 가질 수 있다. Referring to FIGS. 4 and 5, the heat-radiating portion may be formed in a groove shape that is recessed from the lower surface of the base 110. The hot wire installation part may include an injection path 111a through which the paste is injected and a receiving path 111b through which the paste injected through the injection path 111a is communicated with the injection path 111a. The accommodation passage 111b may have a width larger than the injection passage 111a.

이러한 열선 설치부는 베이스(110)의 하부면의 외부로 노출되는 열선(111)의 한정된 설치면적을 극복하고 베이스(110)의 내부에 전기 저항을 위한 열선(111)의 최소 단면적을 확보할 수 있도록 한다. 따라서 한정된 베이스(110)의 면적 내에서 열선(111)을 최대한 조밀하게 설치할 수 있다.The heat-radiating part is provided to overcome a limited installation area of the heat ray 111 exposed to the outside of the lower surface of the base 110 and to secure a minimum cross-sectional area of the heat ray 111 for electric resistance inside the base 110 do. Therefore, the heat ray 111 can be densely installed within the limited area of the base 110.

이때, 열선(111)의 단면적은 베이스(110)의 테두리부에 대응되는 영역과, 베이스(110)의 중앙부에 대응되는 영역을 다르게 설계할 수 있다. At this time, the cross-sectional area of the heat ray 111 can be designed differently from the area corresponding to the rim of the base 110 and the area corresponding to the center of the base 110. [

즉, 도 4에서는 베이스(110)의 중앙부에 대응되는 영역의 열선(111)의 단면적이 베이스(110)의 테두리부에 대응되는 영역의 열선(111)의 단면적보다 더 큰 단면적을 가지는 것으로 도시하고 있지만, 베이스(110)의 전면적에 대한 온도 분포의 시험 결과에 따라, 베이스(110)의 중앙부에 대응되는 영역의 열선(111)의 단면적보다 베이스(110)의 테두리부에 대응되는 영역의 열선(111)의 단면적이 더 크게 설계될 수 있다.That is, in FIG. 4, the cross-sectional area of the heat ray 111 in the region corresponding to the central portion of the base 110 is larger than the cross-sectional area of the heat ray 111 in the region corresponding to the rim of the base 110 However, according to the result of the temperature distribution test for the entire surface of the base 110, the heat ray 111 in the region corresponding to the rim of the base 110, rather than the cross-sectional area of the heat ray 111 in the region corresponding to the central portion of the base 110 111 can be designed to be larger.

도 6은 제 3실시예에 따른 기판 처리용 히터의 열선 설치부를 나타낸 단면도이다.Fig. 6 is a cross-sectional view showing a heat wire attaching portion of the heater for substrate processing according to the third embodiment.

도 6을 참조하면, 경사로(111c)는 수용로(111d)를 향해 점차 확대되는 경사면(111e)을 가질 수 있다. 이러한 경사면(111e)은 경사로(111c)보다 큰 폭을 가지는 수용로(111d)의 내부로 페이스트가 원활하게 유입될 수 있도록 하며, 열선(111)의 보다 큰 단면적을 확보할 수 있도록 한다.Referring to Fig. 6, the ramp 111c may have an inclined surface 111e that gradually expands toward the receiving passage 111d. This inclined surface 111e allows the paste to flow smoothly into the receiving space 111d having a larger width than the inclined path 111c and ensures a larger cross sectional area of the heat ray 111. [

도 7는 제 4실시예에 따른 기판 처리용 히터의 일부를 간략하게 나타낸 단면도이다.7 is a cross-sectional view schematically showing a part of a heater for substrate processing according to the fourth embodiment.

도 7을 참조하면, 열선(111)은 단면적의 확보를 위해 열선 설치부에 설치되며, 더 많은 열량을 확보하기 위하여, 열선 설치부에 설치된 열선(111)의 사이에 베이스(110)의 하부면에 페이스트를 추가로 도포하여 열선(111a)을 추가할 수 있다.Referring to FIG. 7, the heat ray 111 is installed in the heat ray installation portion to secure a cross-sectional area. In order to secure a larger amount of heat, the heat ray 111 is installed between the heat rays 111 installed in the heat ray installation portion, The heat ray 111a can be added by applying an additional paste to the paste.

따라서 제 4실시예에 따른 기판 처리용 히터는 베이스(110)의 한정된 면적 내에서 최대 용량의 열선(111, 111a)을 확보하여 기판(10)의 처리를 위한 최대 열량을 확보할 수 있다. Therefore, the heater for treating a substrate according to the fourth embodiment can secure a maximum amount of heat for processing the substrate 10 by securing the heat ray 111, 111a having the maximum capacity within a limited area of the base 110. [

앞에서 설명되고, 도면에 도시된 본 발명의 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 한정하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 보호범위는 청구범위에 기재된 사항에 의하여만 제한되고, 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상을 다양한 형태로 개량 변경하는 것이 가능하다. 따라서 이러한 개량 및 변경은 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것인 한 본 발명의 보호 범위에 속하게 될 것이다.The embodiments of the present invention described above and shown in the drawings should not be construed as limiting the technical idea of the present invention. The scope of protection of the present invention is limited only by the matters described in the claims, and those skilled in the art will be able to modify the technical idea of the present invention in various forms. Accordingly, such improvements and modifications will fall within the scope of the present invention as long as they are obvious to those skilled in the art.

10 : 글래스 기판
100 : 기판 처리용 히터
110 : 베이스
111 : 열선
113 : 이격돌기
115 : 가이드돌기
130 : 보호층
150 : 가스유로
170 : 전극
190 : 리드선
210 : 지지 플레이트
211 : 간격유재부재
230 : 커버
250 : 체결나사
270 : 실링
10: glass substrate
100: Heater for substrate processing
110: Base
111: Heat line
113:
115: guide projection
130: Protective layer
150: gas channel
170: electrode
190: Lead wire
210: Support plate
211:
230: cover
250: Tightening screw
270: sealing

Claims (11)

베이스;
상기 베이스의 하부면에 전도체 페이스트(paste)가 스크린 프린트된 열선;
상기 베이스의 하부면에 도포되어 상기 열선을 보호하는 보호층;
상기 베이스의 상부면에 안착되는 피처리 기판의 하부면과 상기 베이스의 상부면이 이격되도록 상기 베이스의 상부면으로부터 돌출되는 이격돌기;및
상기 베이스 이격돌기에 의해 서로 이격된 상기 베이스의 상부면과 상기 기판의 사이로 열전도 가스를 공급하여 상기 열선으로부터 방출되는 열이 상기 열전도 가스에 의해 상기 피처리 기판으로 전도되도록 하는 가스유로;를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 히터.
Base;
A hot wire on which a conductive paste is screen printed on the lower surface of the base;
A protective layer applied to the lower surface of the base to protect the heat rays;
A protrusion protruding from the upper surface of the base so that the lower surface of the substrate to be processed, which is seated on the upper surface of the base, is spaced from the upper surface of the base;
And a gas flow passage for supplying a heat conduction gas between the upper surface of the base and the substrate spaced apart from each other by the base spaced projection to conduct heat emitted from the heat conduction to the substrate to be processed by the heat conduction gas And a heater for heating the substrate.
제 1항에 있어서,
상기 베이스는 상기 열선으로부터 방출되는 광이 상기 베이스를 투과하면서 파장대가 변경되도록 하는 광 투과성 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 히터.
The method according to claim 1,
Wherein the base is made of a light-transmissive material that changes the wavelength band while the light emitted from the heat ray is transmitted through the base.
제 1항에 있어서,
상기 피처리 기판은 글래스 기판이며,
상기 베이스, 상기 보호층 및 상기 이격돌기는 유전체(誘電體)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 히터.
The method according to claim 1,
Wherein the substrate to be processed is a glass substrate,
Wherein the base, the protective layer, and the spacing protrusions are made of a dielectric material.
제 3항에 있어서,
상기 베이스의 상부면의 테두리부로부터 돌출되어 상기 피처리 기판이 상기 베이스의 상부면에 정렬되도록 하고, 상기 베이스의 상부면에 안착된 상기 기판이 상기 베이스의 상부면으로부터 이탈되는 것을 방지하는 정렬돌기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 히터.
The method of claim 3,
An alignment protrusion protruding from a rim of the upper surface of the base to align the substrate to be processed on the upper surface of the base and prevent the substrate mounted on the upper surface of the base from being detached from the upper surface of the base, And a heater for heating the substrate.
제 4항에 있어서,
상기 정렬돌기는 유전체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 히터.
5. The method of claim 4,
Wherein the alignment protrusions are made of a dielectric material.
제 1항에 있어서,
상기 베이스는 복수의 영역으로 구획되고 상기 열선은 상기 복수의 영역 별로 분리되며,
상기 복수의 영역의 온도를 각각 검출하는 복수의 온도센서;
상기 복수의 온도센서로부터 인출되는 복수의 리드선;
상기 복수의 영역의 온도를 각각 개별 제어할 수 있도록 상기 복수의 열선으로부터 각각 인출되는 복수의 전극;
상기 복수의 리드선과 상기 복수의 전극을 지지하는 지지 플레이트;
상기 복수의 리드선, 상기 복수의 전극 및 상기 지지 플레이트가 외부로 노출되지 않도록 상기 베이스의 하부면에 체결되는 커버;및
상기 커버와 상기 베이스의 접합부위에 배치되는 실링;을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 히터.
The method according to claim 1,
Wherein the base is divided into a plurality of regions, the heat lines are divided into the plurality of regions,
A plurality of temperature sensors each detecting a temperature of the plurality of regions;
A plurality of lead wires drawn out from the plurality of temperature sensors;
A plurality of electrodes respectively drawn out from the plurality of heat lines so as to individually control the temperatures of the plurality of regions;
A supporting plate for supporting the plurality of lead wires and the plurality of electrodes;
A cover fastened to a lower surface of the base so that the plurality of lead wires, the plurality of electrodes, and the support plate are not exposed to the outside;
And a seal disposed on a junction of the cover and the base.
제 6항에 있어서,
상기 커버 및 상기 커버와 상기 베이스를 체결하는 체결나사는 유전체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 히터.
The method according to claim 6,
Wherein the cover and the fastening screw for fastening the cover and the base are made of a dielectric material.
제 1항에 있어서,
상기 베이스의 하부면으로터 함몰되는 홈 형상으로 이루어져 상기 열선의 최소 단면적을 확보하도록 하는 열선 설치부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 히터.
The method according to claim 1,
Further comprising a heat-radiating portion for forming a recess in the lower surface of the base to secure a minimum cross-sectional area of the heat ray.
제 8항에 있어서,
상기 열선 설치부는
상기 페이스트가 상기 베이스의 내측으로 주입될 수 있도록 상기 베이스의 하방으로 개방되는 주입로;및
상기 주입로와 연통하여 상기 주입로를 통해 주입된 상기 페이스트가 수용되는 수용로;를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 히터.
9. The method of claim 8,
The heat-
An injection path opened to the lower side of the base so that the paste can be injected into the base;
And a receiving space for receiving the paste injected through the injection path in communication with the injection path.
제 9항에 있어서,
상기 수용로는 상기 주입로보다 큰 폭을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 히터.
10. The method of claim 9,
Wherein the receiving passage has a larger width than the injection path.
제 9항에 있어서,
상기 주입로는 상기 수용로를 향해 점차 확대되도록 하는 경사면을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 히터.
10. The method of claim 9,
Wherein the injection path has an inclined surface that gradually expands toward the receiving passage.
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