KR20190017165A - Method of manufacturing transmittance electrode with high transparent and low resistance and transmittance electrode with high transparent and low resistance manufactured using the method - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 고투과도 및 저저항 특성을 갖는 투명 전극의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 고투과도 및 저저항 특성을 갖는 투명 전극에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a transparent electrode having a high transmittance and a low resistance, and a transparent electrode having a high transmittance and a low resistance characteristic.
최근 스마트 전자 디바이스의 발달로 인하여, 기존의 견고한 디스플레이 장치를 대신하는 플렉서블 디스플레이(flexible display) 디바이스 또는 스트레처블 디스플레이(stretchable display) 디바이스에 대한 연구가 진행되고 있다. 디스플레이 장치에는 투명성을 가지는 투명 전극이 요구되며, 인듐 주석 산화물(indium tin oxide, ITO)가 통상적으로 사용되어 왔다. 그러나, 이러한 ITO는 유연성이나 신축성이 낮아 플렉서블 디스플레이 장치에 적용되기 어렵다. 이러한 ITO의 한계를 극복하기 위하여, 다른 물질을 포함하는 투명 전극, 예를 들어, 투명성, 전도성, 유연성 등 여러 장점이 있는 그래핀, 은 나노 와이어, 전도성 고분자를 이용한 투명 전극이 산업계, 학계 등에서 많은 관심을 받고 있다. 그러나, 그래핀, 나노 와이어, 전도성 고분자를 이용한 투명 전극은 공정이 복잡하고, 특히, 그래핀은 1층(mono-layer)당 약 2.3 %의 투과도 감소를 유발하는 물질이므로 투명전극으로서 유효한 투과도를 얻기 위해서는 일정 층수 이상의 그래핀을 사용할 수 없게 되어 충분한 면저항값을 얻지 못하게 된다.Due to the recent development of smart electronic devices, research is being conducted on a flexible display device or a stretchable display device that replaces a conventional solid display device. A transparent electrode having transparency is required for the display device, and indium tin oxide (ITO) has been conventionally used. However, such ITO is low in flexibility and stretchability, and thus is hardly applicable to flexible display devices. In order to overcome the limitations of ITO, transparent electrodes including other materials such as graphene, silver nanowires having various advantages such as transparency, conductivity and flexibility, and transparent electrodes using conductive polymers have been widely used in industry and academia I am interested. However, since the transparent electrode using graphene, nanowire, and conductive polymer has a complicated process, and particularly, graphene causes a reduction in the transmittance of about 2.3% per one layer (mono-layer) It is impossible to use graphenes having a certain number of layers or more in order to obtain a sufficient sheet resistance value.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은, 간단한 방법으로 고투과, 저저항의 고투과도 및 저저항 특성을 갖는 투명 전극을 제조할 수 있는, 고투과도 및 저저항 특성을 갖는 투명 전극의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 고투과도 및 저저항 특성을 갖는 투명 전극을 제공하는 것에 있다.An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a transparent electrode having a high transmittance and a low resistance characteristic, which can produce a transparent electrode having high permeability, A method of manufacturing a transparent electrode, and a transparent electrode having a high transmittance and a low resistance property manufactured by using the method.
그러나, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.However, the problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other matters not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
일 실시예에 있어서, 전기방사법을 이용하여 기판 상에 고분자 물질을 방사하여, 상기 기판 상에 고분자 파이버를 형성하는 단계; 상기 고분자 파이버를 열처리하는 단계; 상기 열처리된 고분자 파이버를 자외선(UV) 처리하는 단계; 상기 자외선 처리된 고분자 파이버 상에 금속층을 형성하는 단계; 및 상기 고분자 파이버를 제거하여 나노 파이버를 포함하는 투명 전극을 형성하는 단계;를 포함하는, 고투과도 및 저저항 특성을 갖는 투명 전극의 제조방법을 제공한다.In one embodiment, there is provided a method comprising: spinning a polymeric material onto a substrate using electrospinning to form a polymeric fiber on the substrate; Heat treating the polymer fiber; Treating the thermally treated polymer fiber with ultraviolet (UV) radiation; Forming a metal layer on the ultraviolet treated polymer fiber; And removing the polymer fibers to form a transparent electrode including nanofibers. The method includes the steps of: preparing a transparent electrode having a high transmittance and a low resistance;
일 측에 있어서, 상기 고분자 파이버를 열처리하는 단계는, 유리 전이(glass transition) 온도에서 30 분 내지 3 시간 동안 수행하는 것일 수 있다.In one aspect, the step of heat-treating the polymer fiber may be performed at a glass transition temperature for 30 minutes to 3 hours.
일 측에 있어서, 상기 열처리된 고분자 파이버를 자외선(UV) 처리하는 단계는, 150 nm 내지 370 nm의 파장을 가지는 자외선을 1 kw 내지 25 kw의 강도로 10 초 내지 5 분 동안 조사하는 것일 수 있다.In one aspect, the ultraviolet (UV) treatment of the thermally treated polymer fiber may be performed by irradiating ultraviolet light having a wavelength of 150 nm to 370 nm with an intensity of 1 kW to 25 kW for 10 seconds to 5 minutes .
일 측에 있어서, 상기 열처리된 고분자 파이버를 자외선(UV) 처리하는 단계는, 오존(O3) 처리를 동시에 수행하는 것일 수 있다.In one aspect, the step of ultraviolet (UV) treatment of the thermally treated polymer fibers may be performed simultaneously with ozone (O 3 ) treatment.
일 측에 있어서, 상기 기판 상에 고분자 파이버를 형성하는 단계는, 상기 기판에 음(-)의 전압을 인가하여 수행하는 것일 수 있다.In one aspect, the step of forming the polymer fiber on the substrate may be performed by applying a negative voltage to the substrate.
일 측에 있어서, 상기 음(-)의 전압은 -1 KV 내지 -10 KV의 범위의 직류전압 또는 교류전압인 것일 수 있다.On one side, the negative voltage may be a DC voltage or an AC voltage in the range of -1 KV to -10 KV.
일 측에 있어서, 상기 투명 전극은, 투과도가 80 % 이상이고, 면저항이 100 Ω/sq 이하인 것일 수 있다.On one side, the transparent electrode may have a transmittance of 80% or more and a sheet resistance of 100 Ω / sq or less.
일 측에 있어서, 상기 고분자 파이버의 직경은 100 nm 내지 1 ㎛인 것일 수 있다.In one aspect, the diameter of the polymer fiber may be 100 nm to 1 占 퐉.
일 측에 있어서, 상기 고분자 물질은, 폴리비닐피롤리돈(PVP), 폴리비닐알콜(PVA), 폴리메틸메스아크릴레이트(PMMA), 폴리디메틸실록산(PDMS), 폴리아크릴, 폴리우레탄, 폴리에테르우레탄, 셀룰로오스 아세테이트, 셀룰로오스 아세테이트 부틸레이트, 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트, 폴리메틸아크릴레이트(PMA), 폴리비닐아세테이트 (PVAc), 폴리아크릴로니트릴(PAN), 폴리퍼퓨릴알콜(PPFA), 폴리스티렌, 폴리에틸렌 옥사이드(PEO), 폴리프로필렌옥사이드(PPO), 폴리카보네이트(PC), 폴리비닐클로라이드(PVC), 폴리카프로락톤, 폴리비닐플루오라이드 및 폴리아마이드로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.In one aspect, the polymer material is at least one selected from the group consisting of polyvinylpyrrolidone (PVP), polyvinyl alcohol (PVA), polymethyl methacrylate (PMMA), polydimethylsiloxane (PDMS), polyacrylic, polyurethane, polyether (PMA), polyvinyl acetate (PVAc), polyacrylonitrile (PAN), polypyryl alcohol (PPFA), polystyrene, polyethylene (PE), polyvinyl pyrrolidone (PEO), polypropylene oxide (PPO), polycarbonate (PC), polyvinyl chloride (PVC), polycaprolactone, polyvinyl fluoride and polyamide have.
일 측에 있어서, 상기 기판은, 프리 스탠딩(free standing) 기판인 것일 수 있다.On one side, the substrate may be a free standing substrate.
일 측에 있어서, 상기 금속층은, 은(Ag), 구리(Cu), 백금(Pt), 금(Au), 코발트(Co), 스칸듐(Sc), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 알루미늄(Al), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 테크네늄(Tc), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), 카드뮴(Cd), 하프늄(Hf), 탄탈(Ta), 텅스텐(W), 레늄(Re), 오스뮴(Os) 및 이리듐(Ir)으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.The metal layer may be formed of a metal such as Ag, Cu, Pt, Au, Co, Sc, Ti, Cr, (Mn), Fe (Fe), Ni, Cu, Zn, Y, Zr, Al, Tantalum (Ta), tungsten (W), rhenium (Re), osmium (Os), and tantalum (Ti), ruthenium (Ru), rhodium (Rh), palladium (Pd), cadmium (Cd), hafnium Iridium (Ir), or the like.
일 측에 있어서, 상기 금속층의 두께는 50 nm 내지 1 ㎛인 것일 수 있다.On one side, the thickness of the metal layer may be 50 nm to 1 占 퐉.
다른 실시예에 있어서, 일 실시예에 따른 고투과도 및 저저항 특성을 갖는 투명 전극의 제조방법으로 제조되고, 중공 구조의 나노 파이버가 메쉬 형상 또는 웹 형상을 가지도록 배열된 것인, 고투과도 및 저저항 특성을 갖는 투명 전극을 제공한다.In another embodiment, a method of fabricating a transparent electrode having a high transmittance and a low resistance characteristic according to an embodiment, wherein the hollow nanofibers are arranged to have a mesh shape or a web shape, A transparent electrode having low resistance characteristics is provided.
일 측에 있어서, 상기 투명 전극은 투과도가 80 % 이상인 것일 수 있다.On one side, the transparent electrode may have a transmittance of 80% or more.
일 측에 있어서, 상기 투명 전극은 면저항이 100 Ω/sq 이하인 것일 수 있다.On one side, the transparent electrode may have a sheet resistance of 100? / Sq or less.
본 발명의 일 실시예에 따른 고투과도 및 저저항 특성을 갖는 투명 전극의 제조방법은, 열처리 및 자외선 처리를 통하여 고투과도 (고 광투과도)를 가짐과 동시에 저저항 (높은 전기전도도)을 갖는 투명 전극을 제조할 수 있다.A method of manufacturing a transparent electrode having a high transmittance and a low resistance characteristic according to an embodiment of the present invention is a method of manufacturing a transparent electrode having a high transparency (high light transmittance) through heat treatment and ultraviolet ray treatment, An electrode can be manufactured.
본 발명의 일 실시예에 따른 고투과도 및 저저항 특성을 갖는 투명 전극은 80% 이상의 고투과도 및 100 Ω/sq 이하의 저저항 (높은 전기전도도) 특성을 가질 수 있다.The transparent electrode having high transmittance and low resistance characteristics according to an embodiment of the present invention may have a high transmittance of 80% or more and a low resistance (high electrical conductivity) of 100 Ω / sq or less.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른, 고투과도 및 저저항 특성을 갖는 투명 전극의 제조방법을 나타내는 순서도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 사각형 프리 스탠딩 기판 상에 고분자 파이버를 형성하는 단계를 도시한 개략도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 고분자 물질, 고분자 물질 상에 형성된 금속층 및 중공 구조의 나노 파이버의 모식도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 투명 전극의 제조 과정을 나타낸 사진이다.
도 5는 본 발명의 비교예에 따른 열처리를 하지 않은 나노 파이버의 주사전자현미경(SEM) 이미지이다 ((a) 저배율, (b) 고배율).
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 열처리한 나노 파이버의 주사전자현미경(SEM) 이미지이다 ((a) 저배율, (b) 고배율).
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 나노 파이버를 금속 증착 직전에 (a) 자외선 처리 전 및 (b) 자외선 처리 후의 주사전자현미경(SEM) 이미지이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 투명 전극의 사진이다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 투명 전극의 파장대에 따른 투과도를 나타낸 그래프이다.
도 10은 본 발명의 비교예 및 실시예에 따라 제조된 투명 전극의 면저항을 나타낸 그래프이다.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 투명 전극의 금속층 두께에 따른 투과도를 나타낸 그래프이다.1 is a flowchart showing a method for manufacturing a transparent electrode having high transmittance and low resistance characteristics according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic view showing a step of forming a polymer fiber on a rectangular freestanding substrate according to an embodiment of the present invention. FIG.
3 is a schematic view of a polymer material according to an embodiment of the present invention, a metal layer formed on the polymer material, and a nanofiber having a hollow structure.
4 is a photograph showing a manufacturing process of a transparent electrode according to an embodiment of the present invention.
5 is a scanning electron microscope (SEM) image of a nanofiber without heat treatment according to a comparative example of the present invention ((a) low magnification and (b) high magnification).
6 is a scanning electron microscope (SEM) image of the heat-treated nanofibers according to the embodiment of the present invention ((a) low magnification and (b) high magnification).
7 is a scanning electron microscope (SEM) image of a nanofiber according to an embodiment of the present invention before (a) ultraviolet treatment and (b) ultraviolet treatment immediately before metal deposition.
8 is a photograph of a transparent electrode manufactured according to an embodiment of the present invention.
9 is a graph illustrating transmittance of a transparent electrode according to an embodiment of the present invention.
10 is a graph showing the sheet resistance of a transparent electrode manufactured according to Comparative Examples and Examples of the present invention.
11 is a graph illustrating transmittance according to the thickness of a metal layer of a transparent electrode according to an embodiment of the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 용어들은 본 발명의 바람직한 실시예를 적절히 표현하기 위해 사용된 용어들로서, 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 본 발명이 속하는 분야의 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서, 본 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다. 각 도면에 제시된 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타낸다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description of the present invention, detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear. In addition, terms used in this specification are terms used to appropriately express the preferred embodiments of the present invention, which may vary depending on the user, the intention of the operator, or the practice of the field to which the present invention belongs. Therefore, the definitions of these terms should be based on the contents throughout this specification. Like reference symbols in the drawings denote like elements.
명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.Throughout the specification, when a member is located on another member, it includes not only when a member is in contact with another member but also when another member exists between the two members.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Throughout the specification, when an element is referred to as "comprising ", it means that it can include other elements as well, without excluding other elements unless specifically stated otherwise.
이하, 본 발명의 고투과도 및 저저항 특성을 갖는 투명 전극의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 고투과도 및 저저항 특성을 갖는 투명 전극에 대하여 실시예 및 도면을 참조하여 구체적으로 설명하도록 한다. 그러나, 본 발명이 이러한 실시예 및 도면에 제한되는 것은 아니다.Hereinafter, a method of manufacturing a transparent electrode having a high transmittance and a low resistance characteristic according to the present invention and a transparent electrode having a high transmittance and a low resistance characteristic manufactured using the method will be described in detail with reference to embodiments and drawings. However, the present invention is not limited to these embodiments and drawings.
일 실시예에 있어서, 전기방사법을 이용하여 기판 상에 고분자 물질을 방사하여, 상기 기판 상에 고분자 파이버를 형성하는 단계; 상기 고분자 파이버를 열처리하는 단계; 상기 열처리된 고분자 파이버를 자외선(UV) 처리하는 단계; 상기 자외선 처리된 고분자 파이버 상에 금속층을 형성하는 단계; 및 상기 고분자 파이버를 제거하여 나노 파이버를 포함하는 투명 전극을 형성하는 단계;를 포함하는, 고투과도 및 저저항 특성을 갖는 투명 전극의 제조방법을 제공한다.In one embodiment, there is provided a method comprising: spinning a polymeric material onto a substrate using electrospinning to form a polymeric fiber on the substrate; Heat treating the polymer fiber; Treating the thermally treated polymer fiber with ultraviolet (UV) radiation; Forming a metal layer on the ultraviolet treated polymer fiber; And removing the polymer fibers to form a transparent electrode including nanofibers. The method includes the steps of: preparing a transparent electrode having a high transmittance and a low resistance;
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른, 고투과도 및 저저항 특성을 갖는 투명 전극의 제조방법을 나타내는 순서도이다. 도 1을 참조하면, 고투과도 및 저저항 특성을 갖는 투명 전극의 제조방법은, 고분자 파이버 형성 단계(110); 고분자 파이버 열처리 단계(120); 고분자 파이버 자외선 처리 단계(130); 고분자 파이버 상에 금속층 형성 단계(140); 고분자 파이버 제거하여 나노 파이버를 포함하는 투명 전극 형성 단계(150);를 포함한다.1 is a flowchart showing a method for manufacturing a transparent electrode having high transmittance and low resistance characteristics according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, a method of fabricating a transparent electrode having high transmittance and low resistance characteristics includes a polymer
일 측에 있어서, 고분자 파이버 형성 단계(110)는, 전기방사법을 이용하여 기판 상에 고분자 물질을 방사하여, 기판 상에 고분자 파이버를 형성하는 것일 수 있다.On one side, the polymer
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 사각형 프리 스탠딩 기판 상에 고분자 파이버를 형성하는 단계를 도시한 개략도이다. 도 2를 참조하면, 전기방사법을 이용하여 기판(210) 상에 고분자 물질(220)을 방사하여 고분자 파이버(230)를 형성하는 것일 수 있다.FIG. 2 is a schematic view showing a step of forming a polymer fiber on a rectangular freestanding substrate according to an embodiment of the present invention. FIG. Referring to FIG. 2, the
일 측에 있어서, 본 발명의 일 실시예에 따른, 고투과도 및 저저항 특성을 갖는 투명 전극은 방사 용액 탱크, 방사 노즐, 방사 노즐팁, 외부 전원 및 컬렉터 기판을 포함하는, 전기 방사 장치(미도시)를 이용하여 제조될 수 있다. 컬렉터 기판은, 본 발명에서 기판과 동일한 것일 수 있다. 방사 용액 탱크는 방사 용액을 저장할 수 있다. 방사 용액은 방사(Spinning)를 원하는 물질에 따라 변경할 수 있다.In one aspect, a transparent electrode having a high transmittance and a low resistance characteristic according to an embodiment of the present invention includes an electrospinning device (not shown) including a spinning solution tank, a spinning nozzle, a spinning nozzle tip, Hour). ≪ / RTI > The collector substrate may be the same as the substrate in the present invention. The spinning solution tank can store the spinning solution. The spinning solution can be changed depending on the substance to be spinned.
일 측에 있어서, 상기 기판(210)은, 프리 스탠딩(free standing) 기판인 것일 수 있다. 상기 프리 스탠딩 기판은, 중앙 부분이 관통되고, 외각 테두리로 구성된 형상으로 하측을 지지하지 않는 기판일 수 있다. 구체적으로, 기판(210)은 프리스탠딩 구조의 대상체를 형성할 수 있는 모든 종류의 기판을 포함할 수 있다. 상기 기판(210)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 중앙 부분이 뚫려있고, 외각 테두리가 연결된 사각형 형상을 가질 수 있다. 또한, 기판은 사각형뿐만 아니라 삼각형, 오각형과 같은 다각형 형상을 가질 수 있으며, 중앙 부분이 뚫려있고, 외각 테두리가 연결되지 않은 다각형 형상을 가질 수 있다. 또한, 기판(210)은, 중앙 부분이 뚫려있고 외각 테두리가 연결된 환형 형상을 가질 수 있다. 또한, 기판은 중앙 부분이 뚫려있고 외각 테두리가 연결되지 않은 편자(horseshoe) 형상을 가질 수 있다. 또한, 격자 구조로 중앙 부분이 뚫려있고 외각 테두리가 연결된 다각형 형상을 가질 수도 있다.On one side, the
일 측에 있어서, 방사 장치의 방사 용액 탱크는 내장된 펌프를 이용하여 방사 용액을 가압하여 방사 노즐에 방사 용액을 제공할 수 있다. 방사 노즐은 방사 용액 탱크로부터 방사 용액을 제공받아 일단부에 위치한 방사 노즐팁을 통하여 방사 용액을 방사할 수 있다. 방사 노즐팁은 펌프에 의하여 방사 용액이 가압되어 내부의 노즐관을 채운 후에, 외부 전원에 의하여 인가된 전압에 의하여 방사 용액을 방사할 수 있다.On one side, the spinning solution tank of the spinning device can pressurize the spinning solution using a built-in pump to provide a spinning solution to the spinning nozzle. The spinning nozzle can receive the spinning solution from the spinning solution tank and spin the spinning solution through the tip of the spinning nozzle located at one end. The spinning nozzle tip can spin the spinning solution by the voltage applied by the external power source after the spinning solution is pressurized by the pump and the inner nozzle tube is filled.
일 측에 있어서, 상기 방사 용액은 상기 전기방사가 가능한 고분자 물질 및 용매를 포함할 수 있다.On one side, the spinning solution may comprise the electrospunable polymer material and a solvent.
일 측에 있어서, 상기 고분자 물질은, 폴리비닐피롤리돈(PVP), 폴리비닐알콜(PVA), 폴리메틸메스아크릴레이트(PMMA), 폴리디메틸실록산(PDMS), 폴리아크릴, 폴리우레탄, 폴리에테르우레탄, 셀룰로오스 아세테이트, 셀룰로오스 아세테이트 부틸레이트, 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트, 폴리메틸아크릴레이트(PMA), 폴리비닐아세테이트 (PVAc), 폴리아크릴로니트릴(PAN), 폴리퍼퓨릴알콜(PPFA), 폴리스티렌, 폴리에틸렌 옥사이드(PEO), 폴리프로필렌옥사이드(PPO), 폴리카보네이트(PC), 폴리비닐클로라이드(PVC), 폴리카프로락톤, 폴리비닐플루오라이드 및 폴리아마이드로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.In one aspect, the polymer material is at least one selected from the group consisting of polyvinylpyrrolidone (PVP), polyvinyl alcohol (PVA), polymethyl methacrylate (PMMA), polydimethylsiloxane (PDMS), polyacrylic, polyurethane, polyether (PMA), polyvinyl acetate (PVAc), polyacrylonitrile (PAN), polypyryl alcohol (PPFA), polystyrene, polyethylene (PE), polyvinyl pyrrolidone (PEO), polypropylene oxide (PPO), polycarbonate (PC), polyvinyl chloride (PVC), polycaprolactone, polyvinyl fluoride and polyamide have.
일 측에 있어서, 상기 용매는, 물, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 아세톤, 트리플루오르에틸렌(TFE), 트리플루오르아세트산(TFA), 디메틸포름아마이드(DMF), 디메틸아세트아마이드(DMA), 디메틸설폭시드, 헥사플루오르이소프로판올(HFIP), 헥세인, 벤젠, 아세트산, 포름산, 클로로포름, 테트라하이드로퓨란(THF) 및 디클로로메탄(DCM)으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.In one aspect, the solvent is selected from the group consisting of water, methanol, ethanol, propanol, butanol, acetone, trifluoroethylene (TFE), trifluoroacetic acid (TFA), dimethylformamide (DMF), dimethylacetamide At least one selected from the group consisting of sulfoxides, sulfoxides, hexafluoroisopropanol (HFIP), hexane, benzene, acetic acid, formic acid, chloroform, tetrahydrofuran (THF) and dichloromethane (DCM).
일 측에 있어서, 상기 방사 용액의 농도는 전기방사 시 고분자 파이버 형태를 유지할 수 있는 농도가 적당하며, 용매에 대해 고분자 물질 기준으로 5 중량% 내지 90 중량%의 범위가 적당하다. 고분자 물질의 비율이 5 중량% 미만인 경우 전기방사 시 고분자 파이버를 형성하기 보다는 낮은 농도에 기인한 드롭이 형성되어 고분자 파이버를 형성하지 못할 경우가 많으며, 90 중량% 초과인 경우에는 고분자 물질의 함량이 많아 고분자 파이버를 형성하지 못하는 경우가 발생할 수 있다. 따라서, 사용하는 고분자 물질에 따라 고분자 파이버가 형성될 수 있는 적당한 농도 범위에서 방사용액을 제조할 필요가 있다. 특히, 하나 이상의 고분자 물질을 블렌드하여 방사할 경우, 고분자와 용매는 상용성이 있어야 하며, 상분리 등이 발생하지 않는 조건에서 수행해야 한다. 또한, 용매는 1 종 내지 2 종 혼합하여 용매의 휘발에 대해서도 고려하면서 방사 용액을 제조하는 것이 바람직하다.In one side, the concentration of the spinning solution is suitable to maintain the shape of the polymer fiber upon electrospinning, and is suitably in the range of 5 wt% to 90 wt% based on the polymeric material with respect to the solvent. When the proportion of the polymer material is less than 5% by weight, dropping due to low concentration is formed rather than forming the polymer fiber during electrospinning, so that the polymer fiber can not be formed in many cases. When the content of the polymer material is more than 90% There is a possibility that a polymer fiber can not be formed. Therefore, it is necessary to prepare a spinning solution in a suitable concentration range in which the polymer fiber can be formed according to the polymer material to be used. In particular, when one or more polymeric materials are blended and spun, the polymer and solvent should be compatible and should be performed under conditions that do not cause phase separation. In addition, it is preferable that one or two kinds of solvents are mixed to prepare a spinning solution while considering the volatilization of the solvent.
일 측에 있어서, 상기 기판 상에 고분자 파이버를 형성하는 단계(110)는, 상기 기판에 음(-)의 전압을 인가하여 수행하는 것일 수 있다.In one embodiment, the
일 측에 있어서, 상기 음(-)의 전압은 -1 KV 내지 -10 KV의 범위의 직류전압 또는 교류전압인 것일 수 있다. 상기 전압은 방사 용액의 종류 및 방사 양에 따라 변화될 수 있다.On one side, the negative voltage may be a DC voltage or an AC voltage in the range of -1 KV to -10 KV. The voltage may vary depending on the type of spinning solution and the amount of spinning.
일 측에 있어서, 방사 용액의 토출 속도는 0.1 ml/h 내지 10 ml/h, 방사 거리는 3 cm 내지 30 cm 및 상대습도 1 % 내지 50 %의 전기방사 조건으로 3 분 내지 10 분 동안 기판 상에 고분자 물질을 방사할 수 있다. 상기 범위의 전기방사 조건으로 수득한 고분자 파이버의 경우 인장강도, 파단신율 등의 기계적 물성이 우수하고, 유연성이 증대되며, 비표면적이 높다.On one side, the spinning rate of the spinning solution is set on the substrate for 3 minutes to 10 minutes under electrospinning conditions of 0.1 ml / h to 10 ml / h, spinning distance of 3 cm to 30 cm and relative humidity of 1% to 50% Polymeric materials can be emitted. The polymer fibers obtained under the above-mentioned range of electrospinning conditions have excellent mechanical properties such as tensile strength and elongation at break, have increased flexibility, and have a high specific surface area.
일 측에 있어서, 상기 고분자 파이버의 직경은 100 nm 내지 1 ㎛인 것일 수 있다. 상기 고분자 파이버의 직경이 100 nm 미만인 경우, 추후에 고분자 파이버가 제거된 후에 제조되는 중공 구조의 나노 파이버를 포함하는 투명 전극의 광투과도가 낮아지게 될 우려가 있고, 1 ㎛인 경우 투명 전극의 저항이 높아질 수 있다.In one aspect, the diameter of the polymer fiber may be 100 nm to 1 占 퐉. When the diameter of the polymer fiber is less than 100 nm, there is a possibility that the light transmittance of the transparent electrode including the nanofibers having a hollow structure produced after the polymer fiber is removed in the future is lowered. In the case of 1 m, Can be increased.
이처럼, 초기 방사 시에 얻어진 고분자 파이버의 직경 범위에 따라 중공 구조의 나노 파이버의 내경과 외경의 크기를 조절할 수 있다.Thus, the inner diameter and outer diameter of the hollow nanofibers can be adjusted according to the diameter range of the polymer fibers obtained at the initial spinning.
일 측에 있어서, 상기 고분자 파이버 열처리 단계(120)는, 유리 전이(glass transition) 온도에서 30 분 내지 3 시간 동안 수행하는 것일 수 있다. 상기 열처리는 고분자 파이버들 사이의 결합력을 증가시킬 수 있다. 상기 열처리는 공기 분위기, 아르곤 가스나 질소 가스를 포함하는 불활성 분위기 또는 수소 가스를 포함하는 환원성 분위기에서 수행될 수 있다.On one side, the polymer fiber
일 측에 있어서, 상기 고분자 파이버 자외선(UV) 처리 단계(130)는, 고분자 파이버에 금속층을 형성하기 직전에 수행하는 것일 수 있다. 상기 자외선(UV) 처리에 의해 고분자 파이버의 표면을 활성화하여 고분자 파이버와 금속층 간의 접합력을 향상시킬 수 있다.In one aspect, the polymer fiber ultraviolet (UV)
일 측에 있어서, 상기 열처리된 고분자 파이버를 자외선(UV) 처리하는 단계는, 150 nm 내지 370 nm의 파장을 가지는 자외선을 1 kw 내지 25 kw의 강도로 10 초 내지 5 분 동안 조사하는 것일 수 있다. 상기 자외선의 파장 범위보다 낮은 파장의 경우 고분자 파이버와 금속층 간의 접합력이 증가하는 본 발명의 효과가 발생하지 않을 수 있고, 상기 범위보다 높은 파장의 경우 UV 파장대를 넘어서 본 발명의 효과를 얻을 수 없다. 상기 자외선 조사 강도가 1 kw 미만이거나 조사 시간이 10 초 미만인 경우 고분자 파이버와 금속층 간의 접합력이 증가하는 본 발명의 효과를 얻을 수 없고, 조사 강도가 25 kw를 초과하거나 5분을 초과하는 경우 본 발명의 효과가 미미하다. In one aspect, the ultraviolet (UV) treatment of the thermally treated polymer fiber may be performed by irradiating ultraviolet light having a wavelength of 150 nm to 370 nm with an intensity of 1 kW to 25 kW for 10 seconds to 5 minutes . In the case of a wavelength lower than the wavelength range of the ultraviolet ray, the effect of the present invention in which the bonding strength between the polymer fiber and the metal layer is increased may not occur, and when the wavelength is higher than the above range, the effect of the present invention can not be obtained beyond the UV wavelength range. If the ultraviolet ray irradiation intensity is less than 1 kW or the irradiation time is less than 10 seconds, the effect of the present invention in which the bonding strength between the polymer fiber and the metal layer is increased can not be obtained. When the irradiation intensity exceeds 25 kW or exceeds 5 minutes, .
일 측에 있어서, 상기 열처리된 고분자 파이버를 자외선(UV) 처리하는 단계는, 예를 들어, 열처리 1 시간 후 자외선(UV) 처리를 수행하는 것일 수 있다.On one side, the ultraviolet (UV) treatment of the thermally treated polymer fiber can be performed, for example, by ultraviolet (UV)
일 측에 있어서, 상기 열처리된 고분자 파이버를 자외선(UV) 처리하는 단계는, 오존(O3) 처리를 동시에 수행하는 것일 수 있다.In one aspect, the step of ultraviolet (UV) treatment of the thermally treated polymer fibers may be performed simultaneously with ozone (O 3 ) treatment.
일 측에 있어서, 본 발명에 따른 열처리 및 자외선(UV) 처리 단계는, 저비용으로 고분자 파이버와 금속층의 접합력을 향상시킬 수 있다.In one aspect, the heat treatment and ultraviolet (UV) treatment step according to the present invention can improve the bonding strength between the polymer fiber and the metal layer at low cost.
일 측에 있어서, 상기 전처리된 고분자 파이버 상에 금속층 형성 단계(140)는, 상기 전처리된 고분자 파이버 상에 금속층을 형성하는 것으로서, 고분자 파이버의 외측의 적어도 일부를 둘러싸서 금속층이 형성되는 것일 수 있다.On one side, the metal layer forming step (140) on the preprocessed polymer fiber may be to form a metal layer on the pretreated polymer fiber, and a metal layer may be formed by surrounding at least a part of the outer side of the polymer fiber .
일 측에 있어서, 상기 금속층의 형성은 스퍼터링, 증착법, 이온플레이팅, 무전해 도금 및 전해도금으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 방법이 사용될 수 있다.On one side, the metal layer may be formed by a method including at least one selected from the group consisting of sputtering, vapor deposition, ion plating, electroless plating and electrolytic plating.
일 측에 있어서, 상기 금속층은, 은(Ag), 구리(Cu), 백금(Pt), 금(Au), 코발트(Co), 스칸듐(Sc), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 알루미늄(Al), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 테크네늄(Tc), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), 카드뮴(Cd), 하프늄(Hf), 탄탈(Ta), 텅스텐(W), 레늄(Re), 오스뮴(Os) 및 이리듐(Ir)으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.The metal layer may be formed of a metal such as Ag, Cu, Pt, Au, Co, Sc, Ti, Cr, (Mn), Fe (Fe), Ni, Cu, Zn, Y, Zr, Al, Tantalum (Ta), tungsten (W), rhenium (Re), osmium (Os), and tantalum (Ti), ruthenium (Ru), rhodium (Rh), palladium (Pd), cadmium (Cd), hafnium Iridium (Ir), or the like.
일 측에 있어서, 상기 금속층의 두께는 50 nm 내지 1 ㎛인 것일 수 있다. 바람직하게는, 상기 금속층의 두께는 50 nm 내지 500 nm인 것일 수 있다. 상기 금속층의 두께 50 nm 미만인 경우 균일한 두께로 형성하기 어렵고, 전극으로서 전도도가 너무 낮아서 전기저항이 커지게 될 수 있고, 1 ㎛ 초과인 경우 템플릿으로 사용되는 고분자 파이버들이 끊어지는 현상이 발생할 수 있다.On one side, the thickness of the metal layer may be 50 nm to 1 占 퐉. Preferably, the thickness of the metal layer is 50 nm to 500 nm. If the thickness of the metal layer is less than 50 nm, it is difficult to form a uniform thickness, and the electrical conductivity of the electrode is too low to increase the electrical resistance. If the thickness exceeds 1 탆, polymer fibers used in the template may be broken .
일 측에 있어서, 상기 고분자 파이버 제거하여 투명 전극 형성 단계(150)는, 상기 고분자 파이버를 제거하여 나노 파이버를 포함하는 투명 전극을 형성하는 것으로서, 상기 고분자 파이버를 열처리하거나 유기 용매로 처리하여 고분자 파이버를 제거하는 것일 수 있다. The transparent
일 측에 있어서, 상기 유기 용매는 고분자 파이버를 용해할 수 있는 모든 종류의 용매를 포함할 수 있다. 상기 용매는 헥산(hexane)과 같은 알칸족(Alkanes), 톨루엔(toluene)과 같은 방향족(Aromatics), 디에틸 에테르(diethyl ether)와 같은 에테르족(Ethers), 클로로포름(chloroform)과 같은 알킬 할라이드족(Alkyl halides), 에스테르족(Esters), 알데히드족(Aldehydes), 케톤족(Ketones), 아민족(Amines), 알코올족(Alcohols), 아미드족(Amide), 카르복실산족(Carboxylic acids), 및 물 등 다양한 물질을 포함할 수 있다. 또한, 아세톤(Acetone), 플로로알칸(Fluoroalkanes), 펜탄(Pentanes), 헥산(Hexane), 2,2,4-트리케틸펜탄(2,2,4-Trimethylpentane), 데칸(Decane), 시클로헥산(Cyclohexane), 시클로펜탄(Cyclopentane), 디이소부틸렌(Diisobutylene), 1-펜텐(1-Pentene), 카본디설파이드(Carbon dissulfide), 카본테트라클로라이드(Carbon tetrachloride), 1-클로로부탄(1-Chlorobutane), 1-클로로펜탄(1-Chloropentane), 실렌(Xylene), 디이소프로필 에테르(Diisopropyl ether), 1-클로로프로판(1-Chloropropane), 2-클로로프로판(2-Chloropropane), 톨루엔(Toluene), 틀로로벤젠(Chlorobenzene), 벤젠(Benzene), 브로모에탄(Bromoethane),디에틸 에테르(Diethyl ether), 디에틸 설파이드(Diethyl sulfide), 클로로포름(Chloroform), 디클로로메탄(Dichloromethane), 4-메틸-2-프로파논(4-Methyl-2-propanone), 테트라하이드로퓨란(Tetrahydrofuran), 1,2-디클로로에탄(1,2-Dichloroethane), 2-부타논(2-Butanone), 1-니트로프로판(1-Nitropropane), 1,4-디옥산(1,4-Dioxane), 에틸 아세테이트(Ethyl actate), 메틸 아세테이트(Methyl acetate), 1-펜타놀(1-Pentanol), 디메틸 설폭사이드(Dimethyl sulfoxide), 아닐린(Aniline), 디에틸아민(Diethylamine), 니트로메탄(Nitromethane), 아세토니트릴(Acetonitrile), 피리딘(Pyridine), 2-부톡시에탄올(2-Butoxyethanol), 1-프로판올(1-Propanol), 2-프로판올 2-Propanol), 에탄올(Ethanol), 메탄올(Methanol), 에틸렌 글리콜(Ethylene glycol) 및 아세트 산(Acetic Acid)으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.On one side, the organic solvent may include any kind of solvent capable of dissolving the polymer fiber. The solvent may be selected from the group consisting of Alkanes such as hexane, Aromatics such as toluene, ethers such as diethyl ether, alkyl halides such as chloroform, Alkyl halides, Esters, Aldehydes, Ketones, Amines, Alcohols, Amides, Carboxylic acids, and the like. Water, and the like. In addition, it is also possible to use acetone, fluoroalkanes, pentanes, hexane, 2,2,4-trimethylpentane, decane, cyclohexane, Cyclopentane, Diisobutylene, 1-Pentene, Carbon dissulfide, Carbon tetrachloride, 1-Chlorobutane, 1-Chlorobutane, 1-Chloropentane, Xylene, Diisopropyl ether, 1-Chloropropane, 2-Chloropropane, Toluene, , Dichlorobenzene, benzene, bromoethane, diethyl ether, diethyl sulfide, chloroform, dichloromethane, 4-methyl Methyl-2-propanone, tetrahydrofuran, 1,2-dichloroethane, 2-butanone, 1- 1-Nitropropane, 1,4-dioxane, ethyl acetate, methyl acetate, 1-pentanol, dimethylsulfoxide, sulfoxide, aniline, diethylamine, nitromethane, acetonitrile, pyridine, 2-butoxyethanol, 1-propanol, , 2-propanol, 2-propanol, ethanol, methanol, ethylene glycol, and acetic acid.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 고분자 물질, 고분자 물질 상에 형성된 금속층 및 중공 구조의 나노 파이버의 모식도이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 고분자 파이버(230)의 외측의 적어도 일부를 둘러싸서 금속층(240)이 형성되므로, 고분자 파이버(230)를 제거하면, 금속층(240)은 내부가 빈 중공(hollow) 구조를 가지게 되고, 이에 따라 중공 구조의 나노 파이버(250)가 형성된다. 나노 파이버(250)는 다양한 나노 형상을 가지는 물질로 구성될 수 있고, 예를 들어 나노 와이어(nanowire), 나노 튜브(nanotube) 및 나노 로드(nanorod)로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.3 is a schematic view of a polymer material according to an embodiment of the present invention, a metal layer formed on the polymer material, and a nanofiber having a hollow structure. 3, the
일 측에 있어서, 본 발명의 일 실시예에 따른 고투과도 및 저저항 특성을 갖는 투명 전극은, 중공 구조의 나노 파이버(250)가 서로 겹쳐져 연결되어 형성된 1차원, 2차원 또는 3차원 도전성 네트워크 구조체를 구성하도록 배열될 수 있다. 이러한, 네트워크 구조에 의하여 고투과도 및 저저항 특성을 갖는 투명 전극은 일정 수준 이상의 전도도를 확보할 수 있다. 또한, 고투과도 및 저저항 특성을 갖는 투명 전극은 소정의 패턴을 가지는 형상으로 배열될 수 있고, 예를 들어, 메쉬(mesh) 형상을 가지거나, 웹(web) 형상을 가지도록 배열될 수 있다.In one side, the transparent electrode having high transmittance and low resistance characteristics according to an embodiment of the present invention includes a one-dimensional, two-dimensional or three-dimensional conductive network structure formed by overlapping nanofibers of
일 측에 있어서, 본 발명의 일 실시예에 따른 고투과도 및 저저항 특성을 갖는 투명 전극은, 프리 스탠딩 기판 하측에 제2 기판(미도시)을 배치시키고, 제2 기판을 들어올려, 프리 스탠딩 기판으로부터 제2 기판 상에 나노 파이버가 메쉬 또는 웹 형상으로 배열된 고투과도 및 저저항 특성을 갖는 투명 전극을 안착하여 사용할 수 있다. 제2 기판은 광을 통과시키는 투명한 물질 또는 원하는 파장의 광을 선별적으로 통과시키는 물질을 포함할 수 있다. 제2 기판은, 예를 들어 유리, 석영, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물 또는 폴리머를 포함할 수 있고, 예를 들어, 폴리이미드(polyimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylenenaphthalate, PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate, PET), 폴리메틸메스아크릴레이트(PMMA) 및 폴리디메틸실록산(PDMS)로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 제2 기판은 플렉서블 물질을 포함할 수 있고, 이에 따라 제조된 고투과도 및 저저항 특성을 갖는 투명 전극이 플렉서블한 특성을 가질 수 있다.A transparent electrode having a high transmittance and a low resistance characteristic according to an embodiment of the present invention includes a second substrate (not shown) disposed below the free standing substrate, lifting the second substrate, A transparent electrode having high transmittance and low resistance characteristics in which nanofibers are arranged in mesh or web form on a second substrate from a substrate can be used. The second substrate may comprise a transparent material that transmits light or a material that selectively passes light of a desired wavelength. The second substrate may comprise, for example, glass, quartz, silicon oxide, aluminum oxide or a polymer, and may be formed of, for example, polyimide, polyethylene naphthalate (PEN), polyethyleneterephthalate (PET), polymethyl methacrylate (PMMA), and polydimethylsiloxane (PDMS). The second substrate may include a flexible material, and thus the transparent electrode having the high transmittance and low resistance characteristics manufactured may have a flexible characteristic.
본 발명의 일 실시예에 따른 고투과도 및 저저항 특성을 갖는 투명 전극의 제조방법은, 열처리 및 자외선 처리를 통하여 고투과도 (고 광투과도)를 가짐과 동시에 저저항 (높은 전기전도도)을 갖는 투명 전극을 제조할 수 있다.A method of manufacturing a transparent electrode having a high transmittance and a low resistance characteristic according to an embodiment of the present invention is a method of manufacturing a transparent electrode having a high transparency (high light transmittance) through heat treatment and ultraviolet ray treatment, An electrode can be manufactured.
다른 실시예에 있어서, 일 실시예에 따른 고투과도 및 저저항 특성을 갖는 투명 전극의 제조방법으로 제조되고, 중공 구조의 나노 파이버가 메쉬 형상 또는 웹 형상을 가지도록 배열된 것인, 고투과도 및 저저항 특성을 갖는 투명 전극을 제공한다.In another embodiment, a method of fabricating a transparent electrode having a high transmittance and a low resistance characteristic according to an embodiment, wherein the hollow nanofibers are arranged to have a mesh shape or a web shape, A transparent electrode having low resistance characteristics is provided.
일 측에 있어서, 상기 투명 전극은, 25 cm2 이상의 대면적인 것일 수 있다. 고투과도 및 저저항 특성을 갖는 투명 전극의 면적은 특별히 한정하지 않으며, 장비에 따라 얼마든지 제어가 가능하다. 본 발명에서 사용한 장비를 통해 수행한 경우 그래핀 투명전극의 면적은 25 cm2 이었으며, 이러한 면적은 제한이 없다.On one side, the transparent electrode may be a surface of 25 cm 2 or more. The area of the transparent electrode having high transmittance and low resistance characteristics is not particularly limited and can be controlled as much as necessary depending on the equipment. When performed through the equipment used in the present invention, the area of the graphene transparent electrode was 25 cm 2 , and such an area is not limited.
일 측에 있어서, 상기 투명 전극은 투과도가 80 % 이상, 바람직하게는 85 % 이상인 것일 수 있다.On one side, the transparent electrode may have a transmittance of 80% or more, preferably 85% or more.
일 측에 있어서, 상기 투명 전극은 면저항이 100 Ω/sq 이하인 것일 수 있다.On one side, the transparent electrode may have a sheet resistance of 100? / Sq or less.
일 측에 있어서, 상기 투과도와 면저항은 제조 공정에서 금속층의 함량을 조절하여 얼마든지 제어할 수 있으며, 적용하고자 하는 제품 스펙 범위에 맞도록 생산이 가능하다. 예를 들어, 터치패널로 사용되는 투명전극, 스마트폰 등에 본 발명에 따른 중공 구조의 나노 파이버로 이루어진 고투과도 및 저저항 특성을 갖는 투명 전극을 대체하여 사용할 수 있다.In one side, the permeability and sheet resistance can be controlled by adjusting the metal layer content in the manufacturing process and can be produced to meet the product specification range to be applied. For example, a transparent electrode having a high transmittance and a low resistance, which is made of nanofibers having a hollow structure according to the present invention, can be used instead of the transparent electrode used for a touch panel or a smart phone.
이하, 하기 실시예 및 비교예를 참조하여 본 발명을 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명의 기술적 사상이 그에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the following examples and comparative examples. However, the technical idea of the present invention is not limited or limited thereto.
[실시예][Example]
폴리비닐피롤리돈(PVP) 1.6 g 및 에탄올 20 ml을 혼합하여 40 ℃에서, 750 ppm으로 10 분 내지 15 분 동안 혼합하여 방사 용액을 제조하였다. 방사 용액을 방사 장치의 방사 용액에 넣고, 상대습도 50 %인 환경에서 방사 거리 20 cm에서 방출 속도 1.0 ml/h로, 전압 9.0 kV, 3 분 내지 10 분 동안 금속 템플릿 위에 전기방사하였다. 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 투명 전극의 제조 과정을 나타낸 사진이다. 도 4의 (a)에 도시된 바와 같이, 전기방사되어 서로 겹쳐져 연결된 웹 형태의 고분자 파이버를 제조하였다. 제조된 웹 형태의 고분자 파이버를 150 ℃에서 1 시간 반 동안 열처리 하였다. 열처리 후 금속 증착 직전에 열처리된 고분자 파이버에 자외선(UV)을 60 초 동안 조사하였다. 이어서, 전극으로 쓰일 금속재료로서, 고분자 파이버 상에 100 nm 두께의 은(Ag)을 증착시켰다. 도 4의 (b)는 고분자 파이버 상에 은(Ag)을 증착시킨 후의 사진이다. 이어서, 도 4의 (c)에 도시된 바와 같이, 아세톤을 이용하여 PVP 구조물을 녹여 제거하여 중공 구조의 나노 파이버가 웹 형태로 있는 투명 전극을 제조하였다.1.6 g of polyvinylpyrrolidone (PVP) and 20 ml of ethanol were mixed and mixed at 40 DEG C and 750 ppm for 10 minutes to 15 minutes to prepare a spinning solution. The spinning solution was placed in the spinning solution of the spinning device and electrospun on a metal template at a spinning speed of 20 cm at a relative humidity of 50% at a release rate of 1.0 ml / h and a voltage of 9.0 kV for 3 minutes to 10 minutes. 4 is a photograph showing a manufacturing process of a transparent electrode according to an embodiment of the present invention. As shown in Fig. 4 (a), a web-shaped polymer fiber was prepared by electrospinning and superimposed on each other. The prepared polymer fiber of web type was heat treated at 150 ° C for 1.5 hours. Immediately after the heat treatment, the thermally treated polymer fiber immediately before the metal deposition was irradiated with ultraviolet rays (UV) for 60 seconds. Then, silver (Ag) having a thickness of 100 nm was deposited on the polymer fiber as a metal material to be used as an electrode. 4 (b) is a photograph of silver (Ag) deposited on the polymer fiber. Next, as shown in FIG. 4 (c), the PVP structure was dissolved and removed using acetone to prepare a transparent electrode having nanofibers of a hollow structure in the form of a web.
[비교예][Comparative Example]
열처리하지 않은 것을 제외하고 실시예와 동일한 방법으로 투명전극을 제조하였다.A transparent electrode was prepared in the same manner as in Example except that the substrate was not heat-treated.
도 5는 본 발명의 비교예에 따른 열처리를 하지 않은 나노 파이버의 주사전자현미경(SEM) 이미지이고 ((a) 저배율, (b) 고배율), 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 열처리한 나노 파이버의 주사전자현미경(SEM) 이미지이다 ((a) 저배율, (b) 고배율). 도 5 및 도 6을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따라 제조된 나노 파이버는 나노 파이버끼리 떨어져 있지 않고 서로 부착이 된 것을 확인할 수 있다.5 is a scanning electron microscope (SEM) image ((a) low magnification and (b) high magnification) of a nanofiber without heat treatment according to a comparative example of the present invention, (SEM) image of the fiber ((a) low magnification, and (b) high magnification). Referring to FIGS. 5 and 6, it can be seen that the nanofibers manufactured according to the embodiment of the present invention are not separated from each other but attached to each other.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 나노 파이버를 금속 증착 직전에 (a) 자외선 처리 전 및 (b) 자외선 처리 후의 주사전자현미경(SEM) 이미지이다. 도 7의 (a) 및 (b)를 참조하면, 금속 증착 직전에 자외선 처리를 하면 금속이 고르게 나노 파이버에 증착되는 것을 확인 할 수 있다.7 is a scanning electron microscope (SEM) image of a nanofiber according to an embodiment of the present invention before (a) ultraviolet treatment and (b) ultraviolet treatment immediately before metal deposition. 7 (a) and 7 (b), it can be confirmed that the metal is uniformly deposited on the nanofibers by ultraviolet treatment immediately before the metal deposition.
도 8은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 투명 전극의 사진이고, 도 9는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 투명 전극의 파장대에 따른 투과도를 나타낸 그래프이다. 도 8 및 도 9를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따라 제조된 투명 전극은 90 %에 가까운 투명도를 전체 파장대에서 균일하게 보이는 것을 확인할 수 있다.FIG. 8 is a photograph of a transparent electrode manufactured according to an embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a graph illustrating transmittance according to a wavelength band of a transparent electrode manufactured according to an embodiment of the present invention. Referring to FIGS. 8 and 9, it can be seen that the transparent electrode manufactured according to the embodiment of the present invention exhibits a transparency close to 90% uniformly in the entire wavelength range.
도 10은 본 발명의 비교예 및 실시예에 따라 제조된 투명 전극의 면저항을 나타낸 그래프이고, 도 11은 본 발명의 실시예에 따른 투명 전극의 금속층 두께에 따른 투과도를 나타낸 그래프이다. 도 10 및 도 11을 참조하면, 증착된 금속층의 두께가 높아져서 면저항이 낮아짐에도 불구하고, 투과도에는 큰 차이가 없는 것을 알 수 있다.FIG. 10 is a graph showing the sheet resistance of the transparent electrode manufactured according to the comparative example and the example of the present invention, and FIG. 11 is a graph showing transmittance according to the thickness of the metal layer of the transparent electrode according to the embodiment of the present invention. Referring to FIGS. 10 and 11, although the thickness of the deposited metal layer is increased and the sheet resistance is lowered, there is no significant difference in the transmittance.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 제한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.While the invention has been shown and described with reference to certain preferred embodiments thereof, it will be understood by those of ordinary skill in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. This is possible. Therefore, the scope of the present invention should not be limited by the described embodiments, but should be determined by the equivalents of the appended claims, as well as the appended claims.
210: 기판
220: 고분자 물질
230: 고분자 파이버
240: 금속층
250: 나노 파이버210: substrate
220: Polymeric material
230: polymer fiber
240: metal layer
250: nanofiber
Claims (15)
상기 고분자 파이버를 열처리하는 단계;
상기 열처리된 고분자 파이버를 자외선(UV) 처리하는 단계;
상기 자외선 처리된 고분자 파이버 상에 금속층을 형성하는 단계; 및
상기 고분자 파이버를 제거하여 나노 파이버를 포함하는 투명 전극을 형성하는 단계;
를 포함하는, 고투과도 및 저저항 특성을 갖는 투명 전극의 제조방법.
Spinning a polymeric material onto a substrate using electrospinning to form a polymeric fiber on the substrate;
Heat treating the polymer fiber;
Treating the thermally treated polymer fiber with ultraviolet (UV) radiation;
Forming a metal layer on the ultraviolet treated polymer fiber; And
Removing the polymer fibers to form a transparent electrode including nanofibers;
Wherein the transparent electrode has a high transmittance and a low resistance.
상기 고분자 파이버를 열처리하는 단계는, 유리 전이(glass transition) 온도에서 30 분 내지 3 시간 동안 수행하는 것인, 고투과도 및 저저항 특성을 갖는 투명 전극의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the step of heat-treating the polymer fiber is performed at a glass transition temperature for 30 minutes to 3 hours, wherein the polymer fiber has a high transmittance and a low resistance.
상기 열처리된 고분자 파이버를 자외선(UV) 처리하는 단계는, 150 nm 내지 370 nm의 파장을 가지는 자외선을 1 kw 내지 25 kw의 강도로 10 초 내지 5 분 동안 조사하는 것인, 고투과도 및 저저항 특성을 갖는 투명 전극의 제조방법.
The method according to claim 1,
Treating the heat-treated polymer fiber with ultraviolet (UV) radiation comprises irradiating ultraviolet rays having a wavelength of 150 nm to 370 nm with an intensity of 1 kW to 25 kW for 10 seconds to 5 minutes, Wherein the transparent electrode is a transparent electrode.
상기 열처리된 고분자 파이버를 자외선(UV) 처리하는 단계는, 오존(O3) 처리를 동시에 수행하는 것인, 고투과도 및 저저항 특성을 갖는 투명 전극의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the ultraviolet (UV) treatment of the heat-treated polymer fibers is performed simultaneously with ozone (O 3 ) treatment.
상기 기판 상에 고분자 파이버를 형성하는 단계는,
상기 기판에 음(-)의 전압을 인가하여 수행하는 것인, 고투과도 및 저저항 특성을 갖는 투명 전극의 제조방법.
The method according to claim 1,
The step of forming the polymer fiber on the substrate may include:
Wherein a negative voltage is applied to the substrate to perform a high transparency and a low resistance.
상기 음(-)의 전압은 -1 KV 내지 -10 KV의 범위의 직류전압 또는 교류전압인 것인, 고투과도 및 저저항 특성을 갖는 투명 전극의 제조방법.
6. The method of claim 5,
Wherein the negative (-) voltage is a DC voltage or an AC voltage in the range of -1 KV to -10 KV, and has a high transmittance and a low resistance.
상기 투명 전극은, 투과도가 80 % 이상이고, 면저항이 100 Ω/sq 이하인 것인, 고투과도 및 저저항 특성을 갖는 투명 전극의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the transparent electrode has a transparency of 80% or more and a sheet resistance of 100? / Sq or less.
상기 고분자 파이버의 직경은 100 nm 내지 1 ㎛인 것인, 고투과도 및 저저항 특성을 갖는 투명 전극의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the polymer fiber has a diameter of 100 nm to 1 占 퐉, wherein the polymer fiber has a high transmittance and a low resistance.
상기 고분자 물질은, 폴리비닐피롤리돈(PVP), 폴리비닐알콜(PVA), 폴리메틸메스아크릴레이트(PMMA), 폴리디메틸실록산(PDMS), 폴리아크릴, 폴리우레탄, 폴리에테르우레탄, 셀룰로오스 아세테이트, 셀룰로오스 아세테이트 부틸레이트, 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트, 폴리메틸아크릴레이트(PMA), 폴리비닐아세테이트 (PVAc), 폴리아크릴로니트릴(PAN), 폴리퍼퓨릴알콜(PPFA), 폴리스티렌, 폴리에틸렌 옥사이드(PEO), 폴리프로필렌옥사이드(PPO), 폴리카보네이트(PC), 폴리비닐클로라이드(PVC), 폴리카프로락톤, 폴리비닐플루오라이드 및 폴리아마이드로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 고투과도 및 저저항 특성을 갖는 투명 전극의 제조방법.
The method according to claim 1,
The polymer material may be at least one selected from the group consisting of polyvinylpyrrolidone (PVP), polyvinyl alcohol (PVA), polymethyl methacrylate (PMMA), polydimethylsiloxane (PDMS), polyacryl, polyurethane, polyether urethane, Cellulose acetate butyrate, cellulose acetate propionate, polymethyl acrylate (PMA), polyvinyl acetate (PVAc), polyacrylonitrile (PAN), polyperfuryl alcohol (PPFA), polystyrene, polyethylene oxide (PEO) Wherein the film comprises at least one selected from the group consisting of polypropylene oxide (PPO), polycarbonate (PC), polyvinyl chloride (PVC), polycaprolactone, polyvinyl fluoride and polyamide. A method of manufacturing a transparent electrode having resistance characteristics.
상기 기판은, 프리 스탠딩(free standing) 기판인 것인, 고투과도 및 저저항 특성을 갖는 투명 전극의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the substrate is a free standing substrate. 2. The method of claim 1, wherein the substrate is a free standing substrate.
상기 금속층은, 은(Ag), 구리(Cu), 백금(Pt), 금(Au), 코발트(Co), 스칸듐(Sc), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 알루미늄(Al), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 테크네늄(Tc), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), 카드뮴(Cd), 하프늄(Hf), 탄탈(Ta), 텅스텐(W), 레늄(Re), 오스뮴(Os) 및 이리듐(Ir)으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 고투과도 및 저저항 특성을 갖는 투명 전극의 제조방법.
The method according to claim 1,
The metal layer may be at least one selected from the group consisting of Ag, Cu, Pt, Au, Co, Sc, Ti, Cr, (Fe), Ni, Cu, Zn, Y, Zr, Al, Nb, Mo, (Ru), Rh (Rh), Pd, Cd, hafnium (Hf), tantalum (Ta), tungsten (W), rhenium (Re), osmium Wherein the transparent electrode has a high transmittance and a low resistance.
상기 금속층의 두께는 50 nm 내지 1 ㎛인 것인, 고투과도 및 저저항 특성을 갖는 투명 전극의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the thickness of the metal layer is 50 nm to 1 占 퐉.
중공 구조의 나노 파이버가 메쉬 형상 또는 웹 형상을 가지도록 배열된 것인, 고투과도 및 저저항 특성을 갖는 투명 전극.
A method of manufacturing a transparent electrode having high transmittance and low resistance characteristics according to any one of claims 1 to 12,
Wherein the hollow nanofibers are arranged so as to have a mesh shape or a web shape.
상기 투명 전극은 투과도가 80 % 이상인 것인, 고투과도 및 저저항 특성을 갖는 투명 전극.
14. The method of claim 13,
Wherein the transparent electrode has a transmittance of 80% or more.
상기 투명 전극은 면저항이 100 Ω/sq 이하인 것인, 고투과도 및 저저항 특성을 갖는 투명 전극.14. The method of claim 13,
Wherein the transparent electrode has a sheet resistance of 100? / Sq or less.
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