KR20190015997A

KR20190015997A - Method for correcting photomask, method for manufacturing photomask, photomask, and method for manufacturing display device

Info

Publication number: KR20190015997A
Application number: KR1020180089232A
Authority: KR
Inventors: 마사유키 미요시; 타카시 이치노세
Original assignee: 호야 가부시키가이샤
Priority date: 2017-08-07
Filing date: 2018-07-31
Publication date: 2019-02-15
Also published as: KR102207837B1; JP2019032520A; CN109388018B; KR102384667B1; JP7123679B2; KR20210010610A; TWI659262B; TW201910910A; CN109388018A

Abstract

Provided are a method to efficiently correct a phase shift film in stable conditions and technology related to the same. The photomask correcting method has a transfer pattern having a light transmitting unit, a light blocking unit, and a translucent unit of the width d1(μm) on a transparent substrate, which are respectively formed by patterning a light blocking film and a translucent film. The correcting method has: a process of specifying a defect generated in the translucent unit; and a correction film forming process of forming a correction film on a position of the specified defect and forming a corrected translucent unit having the width d2(μm). The translucent film satisfies d1 < 3.0 and has a phase shift feature which shifts the phase of light of a representative wavelength at approximately 180 degrees, while having a transmittance T1 (%) for the representative wavelength included in exposure light, and the correction film has a phase shift feature which shifts the phase of light of the representative wavelength at approximately 180 degrees, while having a transmittance T2 (%) for the representative wavelength, wherein T2 > T1 and d2 < d1 or T2 < T1 and d2 > d1.

Description

BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a method of manufacturing a photomask, a method of manufacturing a photomask, a method of manufacturing a photomask, a method of manufacturing a photomask,

본 발명은 액정 디스플레이나 유기 EL(Electro Luminescence) 디스플레이로 대표되는, 표시 장치의 제조에 유리하게 사용되는 포토마스크의 수정(리페어) 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of repairing a photomask which is advantageously used in the manufacture of a display device represented by a liquid crystal display or an organic EL (Electro Luminescence) display.

특허문헌 1에는, 다계조 포토마스크의 반투광부에 결락 결함(백색 결함)이나, 잉여 결함(흑색 결함)이 발생했을 때, 이것을 수정하는 방법이 기재되어 있다. 여기에서는, 투명 기판이 노출된 투광부와, 수정막이 형성된 수정부의 i선 내지 g선의 파장광에 대한 위상차가 80도 이하로 되도록, 수정막을 형성하고 있다.Patent Document 1 describes a method of correcting a missing defect (white defect) or a redundant defect (black defect) in a semi-transparent portion of a multi-gradation photomask. In this case, a quartz film is formed so that the phase difference between the light-transmitting portion where the transparent substrate is exposed and the wavelength light of the i-line to the g-line of the correction portion where the quartz film is formed is 80 degrees or less.

또한, 특허문헌 2에는, 투명 기판 위에 성막된, 반투광막 및 차광막을 각각 패터닝함으로써 형성된 전사용 패턴을 구비하는 포토마스크이며, 상기 반투광막은, i선 내지 g선의 파장 범위에 있는 대표 파장의 광의 위상을 대략 180도 시프트함과 함께, 상기 대표 파장에 대한 투과율 T1(％)을 갖고, 상기 차광막은, 상기 대표 파장의 광에 대하여, 상기 반투광막의 투과율 T1(％)보다 낮은 투과율 T2(％)를 갖고, 상기 전사용 패턴은, 상기 투명 기판이 노출되는 투광부를 포함하는 직경 W1(㎛)의 주 패턴과, 상기 주 패턴의 근방에 배치되고, 상기 투명 기판 위에 상기 반투광막이 형성된 반투광부를 포함하는 폭 d(㎛)의 보조 패턴과, 상기 전사용 패턴 중 상기 주 패턴 및 상기 보조 패턴이 형성되는 영역 이외의 영역에 배치되고, 상기 투명 기판 위에 적어도 상기 차광막이 형성된 차광부를 갖고, W1, T1 및 d가 소정의 관계를 갖는 포토마스크가 기재되어 있다.Patent Document 2 discloses a photomask having a transfer pattern formed by patterning a semi-light-transmitting film and a light-shielding film respectively formed on a transparent substrate, wherein the semi-light-transmitting film is a photomask of a representative wavelength in the wavelength range of i- And the light shielding film has a transmittance T2 (%) lower than the transmittance T1 (%) of the semitransparent film with respect to the light of the representative wavelength, %), Wherein the transfer pattern has a main pattern of a diameter W1 (占 퐉) including a transparent portion where the transparent substrate is exposed, and a main pattern of a semi-transparent film formed on the transparent substrate, Wherein the auxiliary pattern has a width d (占 퐉) including a light-transmitting portion and an auxiliary pattern having a width d (占 퐉) A photomask having a light shielding portion in which a light film is formed and W1, T1 and d having a predetermined relationship is described.

일본 특허 공개 제2010-198006호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-198006 일본 특허 공개 제2016-024264호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2016-024264

현재, 액정 표시 장치나 EL 표시 장치 등을 포함하는 표시 장치에 있어서는, 더 밝으며, 또한 전력 절약됨과 함께, 고정밀, 고속 표시, 광시야각과 같은 표시 성능의 향상이 요망되고 있다.At present, a display device including a liquid crystal display device and an EL display device is brighter, requires less power, and is required to have improved display performance such as high-precision, high-speed display, and wide viewing angle.

예를 들어, 상기 표시 장치에 사용되는 박막 트랜지스터(Thin Film transistor : TFT)로 말하면, TFT를 구성하는 복수의 패턴 중, 층간 절연막에 형성된 콘택트 홀이, 확실하게 상층 및 하층의 패턴을 접속시키는 작용을 갖지 않으면 정확한 동작이 보증되지 않는다. 그 한편, 예를 들어 액정 표시 장치의 개구율을 최대한 크게 하여, 밝고, 전력 절약되는 표시 장치로 하기 위해서는, 콘택트 홀의 직경이 충분히 작은 것이 요구되는 등, 표시 장치의 고밀도화의 요구에 수반하여, 홀 패턴의 직경도 미세화(예를 들어 3㎛ 미만)가 요망되고 있다. 예를 들어, 직경이 0.8㎛ 이상 2.5㎛ 이하인 홀 패턴, 또한 직경이 2.0㎛ 이하인 홀 패턴이 필요한데, 구체적으로는 0.8 내지 1.8㎛의 직경을 갖는 패턴의 형성도 과제이다.For example, in the case of a thin film transistor (TFT) used in the display device, among the plurality of patterns constituting the TFT, the contact hole formed in the interlayer insulating film surely serves to connect the patterns of the upper layer and the lower layer The correct operation is not guaranteed. On the other hand, in order to increase the aperture ratio of the liquid crystal display device to the maximum, and to make the display device bright and power saving, for example, the diameter of the contact hole is required to be sufficiently small. (For example, less than 3 mu m). For example, a hole pattern having a diameter of not less than 0.8 μm and not more than 2.5 μm and a hole pattern having a diameter of not more than 2.0 μm are required. Concretely, a pattern having a diameter of 0.8 to 1.8 μm is also a problem.

그런데, 표시 장치에 비하여, 집적도가 높고, 패턴의 미세화가 현저하게 진행된 반도체 장치(LSI) 제조용 포토마스크의 분야에서는, 높은 해상성을 얻기 위하여, 노광 장치에는 높은 개구수(NA)(예를 들어 0.2 이상)의 광학계를 적용하여, 노광광의 단파장화가 진행된 경위가 있다. 그 결과, 이 분야에서는, KrF나 ArF의 엑시머 레이저(각각, 248㎚, 193㎚의 단일 파장)가 다용되게 되었다.However, in the field of a photomask for manufacturing a semiconductor device (LSI) in which the degree of integration is high and pattern miniaturization is remarkably advanced as compared with a display device, in order to obtain high resolution, an exposure apparatus is required to have a high numerical aperture NA 0.2 or more) optical system is applied, and there is a process in which the exposure light is shortened in wavelength. As a result, in this field, the excimer lasers of KrF and ArF (single wavelength of 248 nm and 193 nm, respectively) are frequently used.

그 한편, 표시 장치 제조용의 리소그래피 분야에서는, 해상성 향상을 위해 상기와 같은 방법이 적용되는 것은, 일반적이지 않았다. 예를 들어 이 분야에서 사용되는 노광 장치가 갖는 광학계의 개구수(NA)는, 0.08 내지 0.15 정도이다. 또한, 노광 광원도 i선, h선, 또는 g선이 다용되며, 주로 이들을 포함한 브로드 파장광원을 사용함으로써, 대면적(예를 들어, 1변이 300 내지 2000㎜인 사각형)을 조사하기 위한 광량을 얻고 있으며, 생산 효율이나 비용을 중시하는 경향이 강하다.On the other hand, in the field of lithography for manufacturing display devices, it is not general that the above-described method is applied to improve resolution. For example, the numerical aperture (NA) of the optical system of the exposure apparatus used in this field is about 0.08 to 0.15. In addition, by using a broad wavelength light source mainly including the i-line, h-line, or g-line as the exposure light source, the amount of light for irradiating a large area (for example, a square having one side of 300 to 2000 mm) And tends to focus on production efficiency and cost.

그런데, 표시 장치의 제조에 있어서도, 상기한 바와 같이 패턴의 미세화 요청이 높아지고 있다. 여기서, 반도체 장치 제조용의 기술을, 표시 장치의 제조에 그대로 적용하는 데에는, 몇 가지의 문제가 있다. 예를 들어, 고NA(개구수)를 갖는 고해상도의 노광 장치로의 전환에는, 큰 투자가 필요해져, 표시 장치의 가격과의 정합성을 얻지 못한다. 또한, 노광 파장의 변경(ArF 엑시머 레이저와 같은 단파장을, 단일 파장에서 사용한다)에 대해서는, 대면적을 갖는 표시 장치에 적용하면, 생산 효율이 저하되는 것 이외에도, 역시 상당한 투자를 필요로 하는 점에서 사정이 좋지 못하다. 즉, 종래에 없는 패턴의 미세화를 추구하는 한편, 기존의 장점인 비용이나 효율을 상실시킬 수는 없다는 점이, 표시 장치 제조용 포토마스크의 문제점이다.However, in the manufacture of display devices, there is an increasing demand for miniaturization of patterns as described above. Here, there are several problems in applying the technique for manufacturing semiconductor devices to the manufacture of display devices as they are. For example, a large investment is required for switching to a high-resolution exposure apparatus having a high NA (numerical aperture), and the consistency with the price of the display apparatus can not be obtained. In addition, when the exposure wavelength is changed (a short wavelength such as an ArF excimer laser is used at a single wavelength) to a display device having a large area, in addition to the lowering of the production efficiency, The situation is not good. In other words, it is a problem of a conventional photomask for manufacturing a display device, while pursuing miniaturization of a pattern that is not available in the past, and can not lose cost or efficiency, which is an existing advantage.

그런데, 특허문헌 1에 기재된 다계조 포토마스크는, 주로 표시 장치 제조의 분야에서, 생산 효율을 향상시키는 포토마스크로서, 알려져 있다. 예를 들어, 전사용 패턴으로서, 차광부와 투광부를 갖는 기존의 바이너리 마스크에 대하여, 하프톤부(반투광부)를 가한, 다계조(예를 들어 3계조)의 패턴을 사용함으로써, 표시 장치의 제조 공정에 있어서, 포토리소그래피 공정의 반복 횟수를 저감시킬 수 있다. 이 마스크를 사용하면, 1회의 노광에 의해, 피전사체 위에 레지스트 잔막 두께가 영역에 따라 상이한, 입체 구조를 갖는 레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 이 레지스트 패턴은, 하층막의 에칭 시에, 에칭 마스크로서 사용된 후, 애싱 등에 의해 막 감소되어, 새로운 형상의 에칭 마스크로서 기능하는 점에서, 1회의 노광 공정에 의해, 2층분의 패터닝을 실시할 수 있다.The multi-gradation photomask disclosed in Patent Document 1 is known as a photomask for improving production efficiency mainly in the field of manufacturing display devices. For example, by using a pattern of multi-gradation (for example, three gradations) in which a halftone portion (semi-transparent portion) is added to an existing binary mask having a light shielding portion and a light transmitting portion as a transfer pattern, In the process, the number of repetition times of the photolithography process can be reduced. By using this mask, a resist pattern having a three-dimensional structure in which the thickness of the resist film thickness varies depending on the region on the transferred body can be formed by one exposure. This resist pattern is used as an etching mask at the time of etching the lower layer film, and then the film is reduced by ashing or the like to function as a new shape etching mask. Thus, patterning for two layers is performed by one exposure step .

특허문헌 1에 기재된, 포토마스크의 결함 수정 방법은, 다계조 포토마스크의 반투광부에 발생한 결함에 적용하는 것이다. 이 특허문헌 1에서는, 투명 기판 상에 수정막이 형성된 수정부는, 투광부에 대한 위상차가 80도 이하이다. 또한, 이 수정부의, 정상적인 반투광부에 대한 위상차도 80도 이하로 하는 것이 기재되어 있다.The defect correction method of the photomask described in Patent Document 1 is applied to a defect occurring in the semi-transmissive portion of the multi-gradation photomask. In this patent document 1, the quartz portion having the quartz film formed on the transparent substrate has a phase difference of 80 degrees or less with respect to the transparent portion. Further, it is described that the phase difference of the correcting portion with respect to the normal translucent portion is 80 degrees or less.

한편, 특허문헌 2에는, 투광부를 포함하는 주 패턴과, 그 근방에 배치된, 반투광부를 포함하는 보조 패턴과, 그들 이외의 영역에 형성된 차광부를 갖는 포토마스크가 기재되어 있다. 이 포토마스크는, 주 패턴과 보조 패턴의 양쪽을 투과하는 노광광의 상호 간섭을 제어하여, 투과광의 공간상을 대폭 개선할 수 있다고 기재되어 있다. 이 포토마스크의 보조 패턴에는, 상기 특허문헌 1과 달리, 노광광의 위상을 대략 180도 시프트하는 반투광막이 사용되고 있다. 그리고, 이 포토마스크는, 표시 패널 기판 등의 피전사체 위에 안정되게 미세한 고립 홀을 형성할 때에 유리하게 사용할 수 있다.On the other hand, Patent Document 2 discloses a photomask having a main pattern including a light-projecting portion, an auxiliary pattern including a semi-light-projecting portion disposed in the vicinity thereof, and a light-shielding portion formed in an area other than the main pattern. This photomask teaches that the mutual interference of the exposure light transmitted through both the main pattern and the auxiliary pattern can be controlled to significantly improve the spatial image of the transmitted light. Unlike Patent Document 1, a semitransparent film for shifting the phase of the exposure light by approximately 180 degrees is used for the auxiliary pattern of the photomask. The photomask can be advantageously used to stably form fine isolation holes on a substrate such as a display panel substrate.

이와 같이, 주 패턴에 대하여, 피전사체 위에 직접 해상하지 않는, 적절한 설계의 보조 패턴을 배치하는 것은, 주 패턴의 전사성을 향상시킬 때 유효하다. 단, 이러한 보조 패턴은, 정교하고 치밀하게 설계된 미세 패턴이며, 그 위치에 결함이 발생한 경우의 조치가 과제이다.As described above, it is effective to arrange an auxiliary pattern of a proper design, which does not directly reside on the transferred object, with respect to the main pattern, in order to improve the transferability of the main pattern. However, such an auxiliary pattern is a fine pattern that is designed precisely and densely, and a measure in the case where a defect occurs at the position is a problem.

일반적으로, 포토마스크의 제조 과정에 있어서, 패턴 결함의 발생을 제로로 하는 것은 매우 곤란하다. 예를 들어, 막에 발생하는 핀 홀이나 이물(파티클)의 혼입 등의 이유에 의해, 막의 결락 결함(이하, 백색 결함이라고도 한다), 또는 잉여 결함(이하 흑색 결함이라고도 한다)이 발생하는 경우가 있다. 이러한 경우를 상정하여, 결함을 검사로 검출하고, 수정 장치에 의해, 결함을 수정(리페어)하는 공정이 마련된다. 수정의 방법으로서는, 백색 결함에 대해서는, 수정막을 퇴적시키고, 흑색 결함에 대해서는, 잉여 부분을 에너지선의 조사에 의해 제거하여, 필요에 따라 수정막을 퇴적시키는 것이 일반적이다. 주로, FIB(Focused Ion Beam) 장치, 또는 레이저 CVD(Chemical Vapor Deposition) 장치에 의해, 백색 결함 및 흑색 결함을 수정하는 것이 가능하다.Generally, in the process of manufacturing a photomask, it is very difficult to reduce the occurrence of pattern defects to zero. For example, a defect in a film defect (hereinafter also referred to as a white defect) or a defect in a defect (hereinafter also referred to as a black defect) occurs due to pinholes or foreign particles (particles) have. In this case, a defect is detected by inspection and a defect is corrected (corrected) by a correction device. As a modification method, it is common to deposit a quartz crystal for a white defect and to remove a surplus portion for a black defect by irradiation of an energy ray, and to deposit a quartz crystal film if necessary. Mainly, it is possible to correct white defects and black defects by a focused ion beam (FIB) device or a laser CVD (Chemical Vapor Deposition) device.

그런데, 본 발명자들의 검토에 의하면, 상기 방법을 사용했다고 해도, 반투광막의 종류에 따라서는, 수정이 곤란하다는 과제가 발생했다. 예를 들어, 노광광의 위상을 시프트하는 기능을 갖는 반투광막(즉 위상 시프트막)에 발생한 결함을 수정하기 위해서는, 마찬가지의 광학 특성을 갖는 수정막의 개발이 요망된다. 여기서, 포토마스크에 사용되는 위상 시프트막이란, 노광광의 대표 파장의 광의 위상을, 대략 180도 반전시키는 위상 시프트 작용을 갖는 것인 데다가, 해당 대표 파장의 광에 대하여, 특정한 투과율을 갖는 것이다.According to the study by the present inventors, however, even if the above method is used, there arises a problem that it is difficult to modify depending on the type of the semitransparent film. For example, in order to correct a defect occurring in a semitransparent film (that is, a phase shift film) having a function of shifting the phase of exposure light, development of a quartz film having the same optical properties is desired. Here, the phase shift film used in the photomask has a phase shift function for inverting the phase of light of the representative wavelength of the exposure light by about 180 degrees, and has a specific transmittance for the light of the representative wavelength.

따라서, 수정막에 있어서도, 상기 위상 시프트막의 광학 특성을 참조하고, 이것과 거의 동등한 것으로 하는 것이 요망된다.Therefore, it is also desired to refer to the optical characteristics of the phase shift film and to make them substantially equal to the optical characteristics of the quartz crystal film.

예를 들어 레이저 CVD 장치에 있어서 수정막의 형성을 행하는 경우를 예로서 설명한다. 먼저, 검출된 결함에 대하여, 수정을 행하는 수정 대상 영역을 결정한다. 수정 대상 영역은, 반투광막(이하, 정상막이라고도 한다)에 발생한 백색 결함, 또는 흑색 결함을 제거함으로써 형성된 백색 결함으로 할 수 있다. 이 수정 대상 영역에 대하여, 레이저 CVD법에 의해, 국소적인 수정막(CVD막이라고도 한다)을 형성한다.For example, a case of forming a quartz film in a laser CVD apparatus will be described as an example. First, a correction target area to be corrected is determined for a detected defect. The region to be corrected may be a white defect produced in a semitransparent film (hereinafter also referred to as a normal film), or a white defect formed by removing black defects. A local correction film (also referred to as a CVD film) is formed on the region to be modified by laser CVD.

이때, 포토마스크 표면에는, 수정막의 원료가 되는 원료 가스를 공급하여, 원료 가스 분위기를 형성한다. 수정막의 원료로서는, 금속 카르보닐이 바람직하게 사용된다. 구체적으로는, 크롬카르보닐(Cr(CO)6), 몰리브덴카르보닐(Mo(CO)6), 텅스텐카르보닐(W(CO)6) 등이 예시된다. 포토마스크의 수정막으로서는, 내약성이 높은 크롬카르보닐이 바람직하게 사용된다.At this time, a raw material gas serving as a raw material of the quartz film is supplied to the surface of the photomask to form a raw material gas atmosphere. As the raw material of the quartz film, metal carbonyl is preferably used. Specific examples thereof include chromium carbonyl (Cr (CO) 6), molybdenum carbonyl (Mo (CO) 6), tungsten carbonyl (W (CO) 6) and the like. As the quartz film of the photomask, chromium carbonyl having high tolerance is preferably used.

예를 들어, 수정막의 원료에 크롬카르보닐을 사용한 경우는, 크롬헥사카르보닐(Cr(CO)6)을 가열하여 승화시켜, 이것을 캐리어 가스(Ar 가스 등)와 함께 포토마스크의 수정 대상 부분으로 유도한다. 이 원료 가스 분위기 중에 레이저 광을 조사하면, 레이저의 열/광 에너지 반응에 의해, 원료 가스가 분해되어, 기판 위에 생성물이 퇴적되는 점에서, 크롬을 주재료로 하는 수정막이 형성된다.For example, when chromium carbonyl is used as the raw material of the quartz crystal, chromium hexacarbonyl (Cr (CO) 6) is heated to sublimate it and is mixed with a carrier gas . When a laser beam is irradiated to the atmosphere of the raw material gas, the raw material gas is decomposed by the heat / light energy reaction of the laser, and a product is deposited on the substrate, so that a quartz film containing chromium as a main material is formed.

단, 위상 시프트막의 수정에 있어서는, 수정 대상 영역에 퇴적되는 수정막의 투과율을 원하는 범위 내로 할 뿐만 아니라, 위상 시프트 특성(대략 180도)을, 동시에 충족시킬 필요가 있어, 조건이 좁다.However, in the modification of the phase shift film, it is necessary to simultaneously satisfy not only the transmittance of the quartz film deposited on the region to be corrected but also the phase shift characteristic (approximately 180 degrees).

또한, 투과율이 비교적 높은(예를 들어 20％ 이상) 위상 시프트막의 수정은, 보다 곤란하다. 그 이유는, 투과율이 높아짐과 함께, 수정막의 막 두께가 작아져, 약간의 두께 변동에 의해, 투과율의 변동 비율이 커져, 소정의 사양을 만족시키는 것이 어려워지기 때문이다.Further, it is more difficult to modify the phase shift film having a relatively high transmittance (for example, 20% or more). The reason is that the transmittance increases and the film thickness of the quartz film becomes smaller, and the fluctuation ratio of the transmittance increases due to slight thickness fluctuation, making it difficult to satisfy the predetermined specifications.

이상과 같이, 위상 시프트막의 수정에 있어서는, 과제가 많아，안정된 조건에서, 효율적으로 수정이 행하여지는 방법을 제안할 필요가 있다고 본 발명자들은 생각했다.As described above, the inventors of the present invention thought that it is necessary to propose a method for efficiently correcting the phase shift film in a stable condition because there are many problems in the modification of the phase shift film.

그래서 본 발명은 안정된 조건에서, 효율적으로 위상 시프트막을 수정하는 방법 및 그 관련 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide a method and a related art for correcting a phase shift film efficiently under stable conditions.

(제1 양태)(First aspect)

본 발명의 제1 양태는,According to a first aspect of the present invention,

투명 기판 위에, 차광막 및 반투광막이 각각 패터닝되어 형성된, 투광부, 차광부 및 폭 d1(㎛)의 반투광부를 갖는 전사용 패턴을 구비한 포토마스크의 수정 방법이며,A method for correcting a photomask comprising a transferring portion, a light-shielding portion and a transfer pattern having a translucent portion with a width d1 (占 퐉) formed by patterning a light-shielding film and a semitransparent film on a transparent substrate,

상기 반투광부에 발생한 결함을 특정하는 공정과,A step of specifying a defect occurring in the translucent portion,

특정된 상기 결함의 위치에 수정막을 형성하고, 폭 d2(㎛)를 갖는 수정 반투광부를 형성하는, 수정막 형성 공정을 갖는 수정 방법에 있어서,Forming a quartz film at a position of the identified defect, and forming a quartz translucent portion having a width d2 (mu m)

d1<3.0이며,d1 < 3.0,

상기 반투광막은, 노광광에 포함되는 대표 파장에 대하여 투과율 T1(％)을 가짐과 함께, 상기 대표 파장의 광의 위상을, 대략 180도 시프트하는 위상 시프트 특성을 갖고,The semi-light-transmitting film has a transmittance T1 (%) with respect to a representative wavelength included in the exposure light, and has a phase shift characteristic for shifting the phase of light of the representative wavelength by approximately 180 degrees,

상기 수정막은, 상기 대표 파장에 대하여, 투과율 T2(％)를 가짐과 함께, 상기 대표 파장의 광의 위상을 대략 180도 시프트하는 위상 시프트 특성을 갖고,The quartz film has a phase shift characteristic that has a transmittance T2 (%) with respect to the representative wavelength and shifts the phase of light of the representative wavelength by approximately 180 degrees,

T2>T1 또한 d2<d1이거나, 또는T2 > T1 and d2 < d1, or

T2<T1 또한 d2>d1인 것을 특징으로 하는, 포토마스크의 수정 방법이다.T2 < T1 and d2 > d1.

(제2 양태)(Second aspect)

본 발명의 제2 양태는,According to a second aspect of the present invention,

폭 d1 및 d2는, 상기 포토마스크를 노광하는 노광 장치가 해상하지 않는 치수인 것을 특징으로 하는, 상기 제1 양태에 기재된 포토마스크의 수정 방법이다.The widths d1 and d2 are the dimensions of the photomask according to the first aspect, wherein the widths d1 and d2 are such dimensions that the exposure apparatus for exposing the photomask does not resolve.

(제3 양태)(Third aspect)

본 발명의 제3 양태는,In a third aspect of the present invention,

상기 반투광부는, 상기 투광부의 근방에, 상기 차광부를 개재시켜 배치된 것인 것을 특징으로 하는, 상기 제1 또는 제2 양태에 기재된 포토마스크의 수정 방법이다.And the semi-light-transmitting portion is disposed in the vicinity of the light-transmitting portion with the light-shielding portion interposed therebetween.

(제4 양태)(Fourth aspect)

본 발명의 제4 양태는,In a fourth aspect of the present invention,

T2>T1이며, T1과 T2의 차는, 2 내지 45의 범위인 것을 특징으로 하는, 상기 제1 내지 제3 양태 중 어느 하나에 기재된 포토마스크의 수정 방법이다.T2 > T1, and the difference between T1 and T2 is in the range of 2 to 45. The method according to any one of claims 1 to 3,

(제5 양태)(Fifth Aspect)

본 발명의 제5 양태는,In a fifth aspect of the present invention,

d2<d1이며, d1과 d2의 차는, 0.05 내지 2.0인 것을 특징으로 하는, 상기 제1 내지 제4 양태 중 어느 하나에 기재된 포토마스크의 수정 방법이다.d2 < d1, and the difference between d1 and d2 is 0.05 to 2.0. The method for correcting a photomask according to any one of the first to fourth aspects.

(제6 양태)(Sixth aspect)

본 발명의 제6 양태는,In a sixth aspect of the present invention,

상기 수정막 형성 공정 전 또는 후에, 상기 수정 반투광부에 인접하는 위치에, 차광성의 보충막을 형성하는 것을 특징으로 하는, 상기 제1 내지 제5 양태 중 어느 하나에 기재된 포토마스크의 수정 방법이다.Wherein a light shielding supplementary film is formed at a position adjacent to the modified translucent portion before or after the modified film formation process.

(제7 양태)(Seventh Embodiment)

본 발명의 제7 양태는,According to a seventh aspect of the present invention,

상기 반투광부는, 상기 투광부의 근방에 상기 차광부를 개재시켜 배치되고, 상기 투광부를 투과하는 상기 노광광이 피전사체 위에 형성하는 광 강도 분포를 변화시킴으로써, 초점 심도를 증가시키기 위한 보조 패턴을 구성하는 것을 특징으로 하는, 상기 제1 내지 제6 양태 중 어느 하나에 기재된 포토마스크의 수정 방법이다.Wherein the translucent portion is arranged in the vicinity of the translucent portion with the shielding portion interposed therebetween and constitutes an auxiliary pattern for increasing the depth of focus by changing the light intensity distribution formed by the exposure light transmitted through the translucent portion on the body The photomask of the present invention is a method of correcting the photomask according to any one of the first to sixth aspects.

(제8 양태)(Eighth aspect)

본 발명의 제8 양태는,According to an eighth aspect of the present invention,

상기 수정 방법을 적용하는 상기 전사용 패턴은, 피전사체 위에 홀 패턴을 형성하기 위한 것이고,The transfer pattern to which the above correction method is applied is for forming a hole pattern on a transferred body,

상기 투광부를 포함하는, 직경 W1(㎛)의 주 패턴과,A main pattern having a diameter of W1 (占 퐉)

상기 주 패턴의 근방에, 상기 차광부를 개재시켜 배치된, 상기 반투광부를 포함하는, 폭 d1(㎛)의 보조 패턴과,An auxiliary pattern having a width d1 (占 퐉) including the semi-light-projecting portion and arranged in the vicinity of the main pattern via the light-shielding portion;

상기 주 패턴 및 상기 보조 패턴을 제외한 영역에 있고, 상기 주 패턴 및 상기 보조 패턴을 둘러싸는 차광부를 포함하는 것을 특징으로 하는, 상기 제1 내지 제7 양태 중 어느 하나에 기재된 포토마스크의 수정 방법이다.And a shielding portion which is in an area excluding the main pattern and the auxiliary pattern and surrounds the main pattern and the auxiliary pattern is a modification method of the photomask according to any one of the first to seventh aspects .

(제9 양태)(Ninth aspect)

본 발명의 제9 양태는,According to a ninth aspect of the present invention,

상기 보조 패턴은, 상기 차광부를 개재시켜 상기 주 패턴의 주위를 둘러싸는, 다각형대 또는 원형대의 영역인 것을 특징으로 하는, 상기 제8 양태에 기재된 포토마스크의 수정 방법이다.The auxiliary pattern is a polygonal band or a circular band region surrounding the main pattern via the light shielding portion.

(제10 양태)(10th aspect)

본 발명의 제10 양태는,According to a tenth aspect of the present invention,

상기 주 패턴의 폭 중심과 상기 보조 패턴의 폭 중심의 거리를 거리 P1로 하고, 상기 주 패턴의 폭 중심과, 상기 수정 반투광부를 포함하는 수정 보조 패턴의 폭 중심의 거리를 P2로 할 때, P1=P2인 것을 특징으로 하는, 상기 제8 또는 제9 양태에 기재된 포토마스크의 수정 방법이다.When the distance between the center of the width of the main pattern and the center of the width of the auxiliary pattern is a distance P1 and the distance between the center of width of the main pattern and the center of the width of the correction assistant pattern including the quadrant- The method for correcting a photomask according to the eighth or ninth aspect is characterized in that P1 = P2.

(제11 양태)(11th aspect)

본 발명의 제11 양태는,According to an eleventh aspect of the present invention,

상기 전사용 패턴은, 표시 장치 제조용의 패턴인, 상기 제1 내지 제10 양태 중 어느 하나에 기재된 포토마스크의 수정 방법이다.The transfer pattern is a modification method of the photomask according to any one of the first to tenth aspects, which is a pattern for manufacturing a display device.

(제12 양태)(Twelfth aspect)

본 발명의 제12 양태는,In a twelfth aspect of the present invention,

상기 제1 내지 제11 양태 중 어느 하나에 기재된 포토마스크의 수정 방법을 포함하는, 포토마스크의 제조 방법이다.A method for manufacturing a photomask, comprising the method for correcting a photomask according to any one of the first to eleventh aspects.

(제13 양태)(Thirteenth aspect)

본 발명의 제13 양태는,According to a thirteenth aspect of the present invention,

투명 기판 위에 투광부, 차광부 및 반투광부를 포함하는 전사용 패턴을 갖는 포토마스크에 있어서,A photomask having a transfer pattern including a transparent portion, a light-shielding portion, and a semi-transparent portion on a transparent substrate,

상기 전사용 패턴은,Wherein the transfer pattern

상기 투명 기판이 노출되는 상기 투광부와,A transparent portion to which the transparent substrate is exposed,

상기 투명 기판 위에, 폭 d1(㎛)의 반투광막이 형성되어 이루어지는 상기 반투광부와,A translucent portion formed by forming a translucent film having a width d1 (占 퐉) on the transparent substrate;

상기 투광부와 상기 반투광부를 제외한 영역에 있는 상기 차광부를 포함함과 함께,And the light shielding portion in a region excluding the transparent portion and the semi-transparent portion,

상기 투명 기판 위에, 상기 반투광막과 상이한 재료를 포함하는, 폭 d2(㎛)의 수정막이 형성되어 이루어지는, 수정 반투광부를 포함하고,And a quartz translucent portion formed on the transparent substrate with a quartz film having a width d2 (mu m) including a material different from the semitransparent film,

d1<3.0이며,d1 < 3.0,

상기 수정막은, 상기 대표 파장에 대하여, 투과율 T2(％)를 가짐과 함께, 상기 대표 파장의 광의 위상을 대략 180도 시프트하는 위상 시프트 특성을 갖고, The quartz film has a phase shift characteristic that has a transmittance T2 (%) with respect to the representative wavelength and shifts the phase of light of the representative wavelength by approximately 180 degrees,

T2>T1 또한 d2<d1이거나, 또는T2 > T1 and d2 < d1, or

T2<T1 또한 d2>d1인 것을 특징으로 하는, 포토마스크이다.T2 < T1 and d2 > d1.

(제14 양태)(Fourteenth Aspect)

본 발명의 제14 양태는,In a fourteenth aspect of the present invention,

투명 기판 위에 투광부, 차광부 및 반투광부를 포함하는 전사용 패턴을 갖는 포토마스크이며,A photomask having a transfer pattern including a transparent portion, a light-shielding portion, and a translucent portion on a transparent substrate,

상기 전사용 패턴은, 정상적인 전사용 패턴과, 수정된 전사용 패턴을 갖고,Wherein the transfer pattern has a normal transfer pattern and a modified transfer pattern,

상기 정상적인 전사용 패턴은,In the normal transfer pattern,

상기 투명 기판 위에 반투광막이 형성되어 이루어지고, 상기 투광부의 근방에, 상기 차광부를 개재시켜 배치된, 폭 d1(㎛)을 갖는 상기 반투광부와,A translucent portion formed on the transparent substrate and having a width d1 (占 퐉) disposed in the vicinity of the transparent portion with the light-shielding portion interposed therebetween;

상기 투광부와 상기 반투광부를 제외한 영역에 있는 상기 차광부를 포함하고,And the light blocking portion in a region excluding the transparent portion and the translucent portion,

상기 수정된 전사용 패턴은,Wherein the modified transfer pattern comprises:

상기 투명 기판 위에, 상기 반투광막과 상이한 재료를 포함하는 수정막이 형성되어 이루어지고, 상기 투광부의 근방에, 상기 차광부 또는 보충 차광부를 개재시켜 배치된, 폭 d2(㎛)를 갖는 수정 반투광부와,And a correction film including a material different from that of the semitransparent film is formed on the transparent substrate, and a correction translucent portion having a width d2 (占 퐉), which is disposed in the vicinity of the translucent portion via the light-shielding portion or the supplemental light- Wow,

상기 투광부와 상기 수정 반투광부를 제외한 영역에 있는 상기 차광부를 포함하고,And the light shielding portion in a region excluding the transparent portion and the quartz translucent portion,

d1<3.0이며,d1 < 3.0,

상기 수정막은, 상기 대표 파장에 대하여, 투과율 T2(％)를 가짐과 함께, 상기 대표 파장의 광의 위상을, 대략 180도 시프트하는 위상 시프트 특성을 갖고,Wherein the quartz film has a transmittance T2 (%) with respect to the representative wavelength and a phase shift characteristic that shifts the phase of light of the representative wavelength by approximately 180 degrees,

T2>T1 또한 d2<d1이거나, 또는T2 > T1 and d2 < d1, or

(제15 양태)(Fifteenth Aspect)

본 발명의 제15 양태는,In a fifteenth aspect of the present invention,

상기 전사용 패턴은,Wherein the transfer pattern

상기 투명 기판 위에 반투광막이 형성되어 이루어지고, 상기 주 패턴의 근방에, 상기 차광부를 개재시켜 배치된, 상기 반투광부를 포함하는, 폭 d1(㎛)의 보조 패턴과,An auxiliary pattern having a width d1 (占 퐉) including the semitransparent portion and arranged with the light shielding portion interposed therebetween in the vicinity of the main pattern;

상기 주 패턴과 보조 패턴을 제외한 영역에 있는, 상기 차광부를 포함함과 함께,And the light shielding portion in an area excluding the main pattern and the auxiliary pattern,

상기 투명 기판 위에, 상기 반투광막과 상이한 재료를 포함하는 수정막이 형성되어 이루어지고, 상기 주 패턴의 근방에, 상기 차광부를 개재시켜 배치된, 수정 반투광부를 포함하는 폭 d2(㎛)의 수정 보조 패턴을 포함하고,A correction film having a material different from that of the semitransparent film is formed on the transparent substrate, and a correction of a width d2 (mu m) including a quasi-transparent portion disposed through the light shielding portion in the vicinity of the main pattern, Comprising an auxiliary pattern,

d1<3.0이며,d1 < 3.0,

T2>T1 또한 d2<d1이거나, 또는 T2 > T1 and d2 < d1, or

(제16 양태)(Sixteenth Aspect)

본 발명의 제16 양태는,According to a sixteenth aspect of the present invention,

상기 정상적인 전사용 패턴은,In the normal transfer pattern,

상기 주 패턴과 보조 패턴을 제외한 영역에 있는, 상기 차광부를 포함하고,And the light shielding portion in an area excluding the main pattern and the auxiliary pattern,

상기 투명 기판 위에, 상기 반투광막과 상이한 재료를 포함하는 수정막이 형성되어 이루어지고, 상기 주 패턴의 근방에, 상기 차광부 또는 보충 차광부를 개재시켜 배치된, 수정 반투광부를 포함하는, 폭 d2(㎛)의 수정 보조 패턴과,And a quadruple light transmitting portion disposed on the transparent substrate with a quartz film containing a material different from that of the semitransparent film and arranged in the vicinity of the main pattern with the light shielding portion or the supplementary light shielding portion interposed therebetween, (占 퐉) correction assist pattern,

상기 주 패턴과 상기 수정 보조 패턴을 제외한 영역에 있는, 상기 차광부를 포함하고,And the light shielding portion in an area excluding the main pattern and the correction assistant pattern,

d1<3.0이며,d1 < 3.0,

T2>T1 또한 d2<d1이거나, 또는 T2 > T1 and d2 < d1, or

(제17 양태)(17th aspect)

본 발명의 제17 양태는,According to a seventeenth aspect of the present invention,

상기 주 패턴의 폭 중심과 상기 보조 패턴의 폭 중심의 거리를 거리 P1로 하고, 상기 주 패턴의 폭 중심과, 상기 수정 보조 패턴의 폭 중심의 거리를 P2로 할 때, P1=P2인 것을 특징으로 하는, 상기 제15 또는 제16 양태에 기재된 포토마스크이다.P1 is P2 when the distance between the center of the width of the main pattern and the center of the width of the auxiliary pattern is a distance P1 and the distance between the center of width of the main pattern and the center of the width of the correction assist pattern is P2. Is the photomask according to the fifteenth or sixteenth aspect.

(제18 양태)(18th aspect)

본 발명의 제18 양태는,According to an eighteenth aspect of the present invention,

상기 보조 패턴은, 상기 차광부를 개재시켜 주 패턴의 주위를 둘러싸는, 다각형대 또는 원형대의 영역에 포함되는 형상을 갖는 것을 특징으로 하는, 상기 제1 5 내지 제17 양태 중 어느 하나에 기재된 포토마스크이다.The photomask according to any one of the above-mentioned fifth to seventeenth aspects, wherein the auxiliary pattern has a shape enclosed by a polygonal band or a circular band surrounding the periphery of the main pattern through the shielding part to be.

(제19 양태)(Nineteenth aspect)

본 발명의 제19 양태는, A nineteenth aspect of the present invention is a compound

상기 폭 d1(㎛)의 보조 패턴은, 상기 차광부를 개재시켜 주 패턴의 주위를 둘러싸는, 팔각형대의 영역의 일부를 구성하고, 상기 수정 보조 패턴은, 상기 팔각형대의 영역에 포함되는 형상을 갖는, 상기 제15 양태에 기재된 포토마스크이다.The auxiliary pattern having the width d1 (占 퐉) constitutes a part of an area of the octagonal band surrounding the periphery of the main pattern via the shielding part, and the correction assistant pattern has a shape included in the area of the octagonal band, Is the photomask described in the fifteenth aspect.

(제20 양태)(Twentieth aspect)

본 발명의 제20 양태는,According to a twentieth aspect of the present invention,

상기 반투광부는, 상기 투광부의 근방에, 상기 차광부를 개재시켜 배치되고, 상기 투광부를 투과하는 상기 노광광이 피전사체 위에 형성하는 전사상에 대하여, 초점 심도를 증가시키기 위한 보조 패턴인 것을 특징으로 하는, 상기 제13 내지 제19 양태 중 어느 하나에 기재된 포토마스크이다.Wherein the translucent portion is an auxiliary pattern for increasing the depth of focus with respect to a transfer image formed on the transferred body by the exposure light transmitted through the transparent portion and disposed near the transparent portion with the shielding portion interposed therebetween, Is the photomask according to any one of the thirteenth to nineteenth aspects.

(제21 양태)(Twenty-first aspect)

본 발명의 제21 양태는,According to a twenty-first aspect of the present invention,

폭 d1 및 d2는, 상기 포토마스크를 노광하는 노광 장치가 해상하지 않는 치수인 것을 특징으로 하는, 상기 제13 내지 제20 양태 중 어느 하나에 기재된 포토마스크이다.The width d1 and the width d2 are the dimensions of the photomask according to any one of the thirteenth to twentieth aspects, characterized in that the exposure apparatus for exposing the photomask does not resolve.

(제22 양태)(22)

본 발명의 제22 양태는,According to a twenty-second aspect of the present invention,

상기 전사용 패턴은, 상기 수정 반투광부에 인접하는 위치에, 차광성의 보충막을 포함하는 보충 차광부를 갖는 것을 특징으로 하는, 상기 제13 내지 제21 양태 중 어느 하나에 기재된 포토마스크이다.The transfer pattern is the photomask according to any one of the above-mentioned thirteenth to twenty-first aspects, characterized in that a complementary shielding portion including a light-shielding supplementary film is provided at a position adjacent to the modified translucent portion.

(제23 양태)(Item 23)

본 발명의 제23 양태는, According to a twenty-third aspect of the present invention,

T2>T1이며, T1과 T2의 차는, 2 내지 45의 범위인 것을 특징으로 하는, 상기 제13 내지 제22 양태 중 어느 하나에 기재된 포토마스크이다.T2> T1, and the difference between T1 and T2 is in the range of 2 to 45. The photomask according to any one of the thirteenth to twenty-second aspects.

(제24 양태)(24th aspect)

본 발명의 제24 양태는,In a twenty-fourth aspect of the present invention,

d2<d1이며, d1과 d2의 차는, 0.05 내지 2.0인 것을 특징으로 하는, 상기 제13 내지 제23 양태 중 어느 하나에 기재된 포토마스크이다.d2 < d1, and the difference between d1 and d2 is 0.05 to 2.0. The photomask according to any one of the thirteenth to twenty-third aspects.

(제25 양태)(Twenty-fifth aspect)

본 발명의 제25 양태는,According to a twenty-fifth aspect of the present invention,

상기 전사용 패턴은, 피전사체 위에 홀 패턴을 형성하기 위한 것인, 상기 제13 내지 제24 양태 중 어느 하나에 기재된 포토마스크이다.The transfer pattern is the photomask according to any one of the thirteenth to twenty-fourth aspects, wherein the transfer pattern is for forming a hole pattern on the transferred body.

(제26 양태)(26th aspect)

본 발명의 제26 양태는,According to a twenty-sixth aspect of the present invention,

상기 제13 내지 제25 양태 중 어느 하나에 기재된 포토마스크를 사용하여, i선, h선, g선의 어느 것을 포함하는 노광광을 상기 전사 패턴에 조사하여, 피전사체 위에 패턴 전사를 행하는 것을 포함하는, 표시 장치의 제조 방법이다.Irradiating the transfer pattern with exposure light including any one of i-line, h-line and g-line using the photomask of any one of the thirteenth to twenty-fifth aspects to perform pattern transfer on the transferred body , And a manufacturing method of a display device.

본 발명에 따르면, 안정된 조건에서, 효율적으로 위상 시프트막을 수정하는 방법 및 그 관련 기술을 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide a method and an associated technique for correcting a phase shift film efficiently under stable conditions.

도 1의 (a)는 본 발명의 수정 방법을 적용하는 일 형태로서의 포토마스크(참고예 1)이며, 주 패턴과, 주 패턴의 근방에 배치된 보조 패턴을 포함하는 포토마스크(포토마스크 I)의 평면 모식도이며, (b)는 (a)의 A-A 위치의 단면 모식도이다.
도 2는 참고예 2의 포토마스크의 패턴을 도시하는 평면 모식도이다.
도 3은 참고예 1 및 2에 관한 각 전사용 패턴의 성능 평가를 도시하는 도면이다.
도 4는 포토마스크 I의 반투광부에 사용하는 반투광막의 투과율과, 포토마스크 I이 나타내는 전사 성능(DOF, EL) 사이의 관계를 시뮬레이션한 결과를 도시하는 도면이다.
도 5a는 포토마스크 I의 반투광부의 투과율을 50％로 했을 때, 반투광부의 폭 d1의 변화에 의해, DOF나 EL이 어떻게 변화할지를 도시하는 도면이다.
도 5b는 포토마스크 I의 반투광부의 투과율을 60％로 했을 때, 반투광부의 폭 d1의 변화에 의해, DOF나 EL이 어떻게 변화할지를 도시하는 도면이다.
도 5c는 포토마스크 I의 반투광부의 투과율을 70％로 했을 때, 반투광부의 폭 d1의 변화에 의해, DOF나 EL이 어떻게 변화할지를 도시하는 도면이다.
도 5d는 반투광부의 투과율과 폭의 조합의 예를 나타내는 도면이다.
도 6은 포토마스크 I이 갖는 팔각형대의 반투광부를 구획 A 내지 H로 구분한 모습을 도시하는 평면 모식도이다.
도 7은 본 발명의 실시예 1에 관한 흑색 결함의 수정 방법의 예를 도시하는 평면 모식도이다.
도 8은 본 발명의 실시예 2에 관한 백색 결함의 수정 방법의 예를 도시하는 평면 모식도이다.
도 9는 본 발명의 실시예 3에 관한 하나의 주 패턴에 대한 보조 패턴이 완전히 결락된 흑색 결함의 수정 방법의 예를 도시하는 평면 모식도이다.
도 10은 보조 패턴과 주 패턴의 조합을 예시하는 평면 모식도이다.
도 11은 포토마스크 I의 제조 방법의 일례를 도시하는 단면 모식도이다.1 (a) is a photomask (Reference Example 1) as one embodiment to which the correction method of the present invention is applied. The photomask (photomask I) including a main pattern and an auxiliary pattern disposed in the vicinity of the main pattern, (B) is a schematic cross-sectional view at the AA position of (a).
Fig. 2 is a schematic plan view showing a pattern of a photomask of Reference Example 2. Fig.
Fig. 3 is a diagram showing the performance evaluation of each transfer pattern in Reference Examples 1 and 2. Fig.
4 is a graph showing the result of simulating the relationship between the transmittance of the translucent film used for the translucent portion of the photomask I and the transfer performance (DOF, EL) indicated by the photomask I. Fig.
5A is a diagram showing how DOF and EL change due to a change in the width d1 of the translucent portion when the transmittance of the translucent portion of the photomask I is 50%.
5B is a diagram showing how DOF and EL change due to a change in the width d1 of the translucent portion when the transmittance of the translucent portion of the photomask I is 60%.
5C is a diagram showing how the DOF and the EL change due to the change of the width d1 of the translucent portion when the transmittance of the translucent portion of the photomask I is 70%.
5D is a view showing an example of a combination of the transmittance and the width of the translucent portion.
6 is a plan view schematically showing a state in which the octagonal translucent portion of the photomask I is divided into the sections A to H. FIG.
7 is a schematic plan view showing an example of a black defect correction method according to Embodiment 1 of the present invention.
8 is a schematic plan view showing an example of a method for correcting white defects according to the second embodiment of the present invention.
9 is a plan schematic diagram showing an example of a method of correcting black defects in which auxiliary patterns for one main pattern according to the third embodiment of the present invention are completely missing.
10 is a plan schematic diagram illustrating a combination of an auxiliary pattern and a main pattern.
Fig. 11 is a schematic cross-sectional view showing an example of a manufacturing method of the photomask I. Fig.

[수정을 실시하는 포토마스크][Photomask to be modified]

도 1의 (a), (b)에는, 본 발명의 수정 방법을 적용하는 일 형태로서의 포토마스크(이하, 포토마스크 I)를 예시한다. 또한, 부호는 처음 나오는 것에만 부여하고, 이후는 생략한다.1 (a) and 1 (b) illustrate a photomask (hereinafter referred to as a photomask I) as one embodiment of applying the correction method of the present invention. In addition, the sign is given only to the first occurrence, and is omitted thereafter.

이 포토마스크는, 투명 기판(10) 위에 차광막(12) 및 반투광막(11)이 각각 패터닝되어 형성된, 투광부(4), 차광부(3), 반투광부(5)를 갖는 전사용 패턴을 구비하고 있다.This photomask has a transfer pattern 4 having a light-shielding film 12 and a semitransparent film 11 patterned on a transparent substrate 10, a transferring pattern 4 having a light-shielding portion 3 and a translucent portion 5, .

또한, 본원에 말하는 「전사용 패턴」이란, 포토마스크를 사용하여 얻고자 하는 디바이스에 기초하여 설계된 패턴이며, 후술하는 수정을 실시하는 대상으로 하는 것, 혹은, 수정을 실시한 수정 완료 전사용 패턴을, 모두, 그 문맥에 따라 칭하는 것으로 한다.The term " transfer pattern " used herein means a pattern designed based on a device to be obtained by using a photomask, and may be a pattern to be subjected to a correction described later, or a pattern to be corrected , All referring to the context.

도 1의 (a)에 도시하는 포토마스크 I는, 주 패턴(1)과, 주 패턴의 근방에 배치된 보조 패턴(2)을 포함한다.The photomask I shown in Fig. 1 (a) includes a main pattern 1 and an auxiliary pattern 2 disposed in the vicinity of the main pattern.

포토마스크 I에 있어서, 주 패턴은, 투명 기판이 노출된 투광부를 포함하고, 보조 패턴은, 투명 기판 위에 반투광막이 형성된, 폭 d1을 갖는 반투광부를 포함한다. 또한, 주 패턴 및 보조 패턴 이외의 영역이며, 주 패턴 및 보조 패턴을 둘러싸는 영역은, 투명 기판 위에, 적어도 차광막이 형성된, 차광부로 되어 있다.In the photomask I, the main pattern includes a transparent portion with the transparent substrate exposed, and the auxiliary pattern includes a translucent portion having a width d1, on which a translucent film is formed. The region other than the main pattern and the auxiliary pattern, and the region surrounding the main pattern and the auxiliary pattern are light shielding portions on the transparent substrate, at least the light shielding film being formed.

여기서, 상기 주 패턴 및 보조 패턴을 둘러싸는 차광부란, 도 1에 도시하는 바와 같이, 상기 주 패턴에 인접하여 그것을 둘러싸는 영역 및 상기 보조 패턴에 인접하여 그것을 둘러싸는 영역을 포함하는 차광부이다. 즉, 포토마스크Ⅰ에서는, 주 패턴 및 보조 패턴이 형성된 영역 이외의 영역을 포함하는 차광부가 형성되어 있다.Here, as shown in Fig. 1, the light shielding portion surrounding the main pattern and the auxiliary pattern is a light shielding portion adjacent to the main pattern and including an area surrounding it and an area surrounding and adjoining the auxiliary pattern. That is, in the photomask I, a light shielding portion including an area other than the area where the main pattern and the auxiliary pattern are formed is formed.

또한, 여기서 말하는, 전사용 패턴은, 설계 상 상기 형상을 갖는 전사용 패턴을 의미하고, 결함이 발생함으로써, 상기 형상이 일부 변화된 것(예를 들어, 주 패턴을 둘러싸는 차광부가 일부 도중에 끊어진 경우 등)을 제외하는 것은 아니다.Here, the transfer pattern refers to a transfer pattern having the above-mentioned shape in design, and when a defect is generated, the shape is partially changed (for example, when the light-shielding portion surrounding the main pattern is partially broken Etc.).

도 1의 (b)에 도시하는 바와 같이, 포토마스크 I에서는, 차광부는, 반투광막과 차광막이, 투명 기판 위에 적층되어 있지만, 차광막뿐인 차광부여도 상관없다. 반투광막은, 해당 포토마스크를 노광할 때에 사용하는 노광광, 바람직하게는 i선 내지 g선의 파장 범위에 있는 대표 파장의 광의 위상을 대략 180도 시프트하는 위상 시프트 특성을 갖고, 상기 대표 파장에 대한 투과율 T1(％)을 갖는다.As shown in Fig. 1 (b), in the photomask I, the semitransparent film and the light shielding film are laminated on the transparent substrate in the light shielding portion, but shielding may be applied only to the light shielding film. The semi-light-transmitting film has a phase shift characteristic for shifting the phase of light of a representative wavelength in the wavelength range of i-line to g-line, which is used when the photomask is exposed, preferably approximately 180 degrees. And has a transmittance T1 (%).

포토마스크 I의 차광막은, 상기 대표 파장에 대하여, 그 광학 농도 OD(Optical Density)는 OD≥2이며, 바람직하게는 OD≥3이다.The optical density OD of the light shielding film of the photomask I is OD? 2, preferably OD? 3, with respect to the representative wavelength.

포토마스크 I의 주 패턴은, 피전사체(표시 장치의 패널 등)에 홀 패턴을 형성하는 것일 수 있고, 그 직경 W1은, 4㎛ 이하인 것이 바람직하다. 고화질의 표시 장치를 실현하기 위하여 필요한, 이러한 사이즈의 미세한 홀 패턴의 전사는, 기존의 바이너리 마스크로는 곤란했다. 그러나, 포토마스크 I는, 광의 간섭 작용을 제어하여, 이용하는 설계에 의해, 우수한 전사 성능을 실현하는 것이다.The main pattern of the photomask I may be a pattern for forming a hole pattern in a transferred body (a panel of a display device or the like), and the diameter W1 thereof is preferably 4 mu m or less. Transfer of fine hole patterns of such a size, which is necessary for realizing a high-quality display device, has been difficult with conventional binary masks. However, the photomask I realizes excellent transfer performance by controlling the interference action of light and using it.

여기서, 반투광부를 포함하는 보조 패턴은, 투광부의 근방이며, 투광부와의 사이에 차광부를 개재한 위치에 배치됨으로써, 상기 투광부를 투과하는 상기 노광광이 피전사체 위에 형성하는 광 강도 분포를, 전사에 유리한 방향으로 변화시키는 것이다. 이 광 강도 분포의 변화는, 예를 들어 투광부를 투과하는 광에 의해 피전사체 위에 형성되는 광 강도 분포의 피크를 보다 높여, 전사상의 초점 심도DOF(Depth of Focus)를 증가시키는 효용이 있다. 또한, 노광 여유도 EL(Exposure Latitude)에 있어서도 유리하고, 또한, 마스크 오차 증대 계수 MEEF(Mask Error Enhancement Factor)를 증가시킨다는 효과를 초래할 수 있다.Here, the auxiliary pattern including the semi-light-projecting portion is disposed in the vicinity of the light-projecting portion and between the light-projecting portion and the light-shielding portion so that the light intensity distribution formed on the body by the exposure light transmitted through the light- It is to change in a favorable direction for the warrior. This change in the light intensity distribution has a utility to increase the peak of the light intensity distribution formed on the transferred body by the light transmitted through the transparent portion, for example, and to increase the depth of focus (DOF) of the transferred image. Further, the exposure margin is also advantageous in EL (Exposure Latitude), and the effect of increasing the mask error enhancement factor MEEF (Mask Error Enhancement Factor) can be obtained.

많은 위상 시프트 마스크에 있어서는, 반투광부와 투광부가 인접하는 경계에 있어서, 역위상의 투과광을 간섭시켜 콘트라스트의 향상 등의 효과를 얻는다. 이에 반하여, 포토마스크 I는, 반투광부와 투광부 사이에 차광부를 개재시켜 이격시키고, 양쪽의 투과광의 광 강도 분포에 있어서의 외연측(진폭의 정부가 반전한다)의 간섭을 사용하여, 상기한 장점을 얻는 것이다.In many phase shift masks, the effect of improving the contrast or the like is obtained by interfering the transmitted light of the opposite phase at the boundary between the translucent portion and the transparent portion. On the other hand, in the photomask I, the light-shielding portion is interposed between the translucent portion and the transparent portion, and the interference of the outward edge (reversal of the amplitude) in the light intensity distribution of both the transmitted light is used, It is to gain advantage.

포토마스크 I를 노광함으로써, 상기 주 패턴에 대응하여, 피전사체 위에 직경 W2(㎛)(단 W1≥W2)를 갖는 미세한 주 패턴(홀 패턴)을 형성할 수 있다.By exposing the photomask I, a fine main pattern (hole pattern) having a diameter W2 (占 퐉) (W1? W2) can be formed on the transferred body in correspondence with the main pattern.

구체적으로는, 포토마스크 I의 주 패턴(홀 패턴)의 직경 W1(㎛)을, 하기 식 (1) Specifically, the diameter W1 (mu m) of the main pattern (hole pattern) of the photomask I is calculated by the following equation (1)

의 관계가 되도록 하면, 본 발명의 효과가 보다 유리하게 얻어진다. 이것은, 직경 W1이 0.8㎛ 미만이 되면, 피전사체 위에서의 해상이 곤란해지는 것 및 직경 W1이 4.0㎛를 초과하면, 기존의 포토마스크에 의해 비교적 해상성이 얻기 쉬운 것에 관계한다., The effect of the present invention is more advantageously obtained. This is because, when the diameter W1 is less than 0.8 mu m, the resolution on the transferred body becomes difficult, and when the diameter W1 exceeds 4.0 mu m, comparative resolution is easily obtained by the conventional photomask.

이때 피전사체 위에 형성되는 주 패턴(홀 패턴)의 직경 W2(㎛)는, 바람직하게는 At this time, the diameter W2 (mu m) of the main pattern (hole pattern) formed on the transferred body is preferably

0.6≤W2≤3.00.6? W2? 3.0

으로 할 수 있다..

또한, 포토마스크 I의 주 패턴의 직경 W1이, 3.0(㎛) 이하일 때, 본 발명의 효과가 보다 현저하게 얻어진다. 바람직하게는, 주 패턴의 직경 W1(㎛)을, When the diameter W1 of the main pattern of the photomask I is 3.0 mu m or less, the effect of the present invention is more remarkably obtained. Preferably, the diameter of the main pattern W1 (mu m)

1.0≤W1≤3.01.0? W1? 3.0

으로 할 수 있고, 또한,In addition,

1.0≤W1<2.51.0? W1 <2.5

로 할 수 있다..

그리고, 보다 미세한 표시 장치용 전사용 패턴을 얻기 위하여, 피전사체 위에 형성되는 주 패턴의 직경 W2(㎛)는,In order to obtain a finer transfer pattern for a display device, the diameter W2 (mu m) of the main pattern formed on the to-be-

0.6≤W2<2.50.6? W2 < 2.5

나아가, 0.6≤W2<2.0Further, 0.6? W2 < 2.0

으로 하는 것도, 가능하다.It is also possible.

또한, 직경 W1과 직경 W2의 관계를, W1=W2로 할 수도 있지만, 바람직하게는W1>W2로 한다. 즉, β(㎛)를 바이어스값으로 하면, The relationship between the diameter W1 and the diameter W2 may be W1 = W2, but preferably W1 > W2. That is, when? (占 퐉) is a bias value,

β=W1-W2>0(㎛)beta = W1-W2 > 0 (mu m)

일 때, 0.2≤β≤1.00.2??? 1.0

보다 바람직하게는,More preferably,

0.2≤β≤0.80.2??? 0.8

로 할 수 있다. 포토마스크 I를 이렇게 설계할 때, 피전사체 위에 있어서의, 레지스트 패턴 잔막 두께의 손실을 저감시키거나 하는, 유리한 효과가 얻어진다.. When the photomask I is designed in this way, an advantageous effect of reducing loss of the resist film thickness on the transferred body is obtained.

상기에 있어서, 포토마스크 I의 주 패턴의 직경 W1은, 원의 직경, 또는 그것에 근사되는 수치를 의미한다. 예를 들어, 주 패턴의 형상이 정다각형일 때는, 주 패턴의 직경 W1은, 정다각형의 내접원의 직경으로 한다. 주 패턴의 형상이, 도 1의 (a)에 도시하는 바와 같이 정사각형이면, 주 패턴의 직경 W1은 정사각형의 1변의 길이이다. 전사된 주 패턴의 직경 W2에 있어서도, 원의 직경 또는 거기에 근사되는 수치로 하는 점에서 마찬가지이다.In the above, the diameter W1 of the main pattern of the photomask I means the diameter of the circle or a numerical value approximate thereto. For example, when the shape of the main pattern is a regular polygon, the diameter W1 of the main pattern is a diameter of a regular polygonal inscribed circle. If the shape of the main pattern is a square as shown in Fig. 1 (a), the diameter W1 of the main pattern is the length of one side of the square. The diameter W2 of the transferred main pattern is also the same as the diameter of the circle or a numerical value approximate thereto.

물론, 보다 미세화한 패턴을 형성하고자 할 때, 직경 W1이 2.5(㎛) 이하, 또는 2.0(㎛) 이하로 하는 것도 가능하고, 또한 직경 W1을 1.5(㎛) 이하로 하여 본 발명을 적용할 수도 있다.Of course, when forming a finer pattern, it is also possible to set the diameter W1 to be not more than 2.5 (占 퐉) or not more than 2.0 (占 퐉), and the diameter W1 to be not more than 1.5 have.

이러한 전사용 패턴을 갖는 포토마스크의 노광에 사용하는 노광광의 대표 파장에 대하여, 주 패턴과 보조 패턴의 위상차 φ1이, 대략 180도이다. 이로 인해, 보조 패턴에 사용하는 반투광막은, 상기 광의 위상을 φ1도 시프트하는 위상 시프트 특성을 갖고, φ1은 대략 180도로 한다.The phase difference? 1 between the main pattern and the auxiliary pattern is approximately 180 degrees with respect to the representative wavelength of the exposure light used for exposure of the photomask having such a transfer pattern. Therefore, the semitransparent film used for the auxiliary pattern has a phase shift characteristic that shifts the phase of the light by? 1, and? 1 is approximately 180 degrees.

여기서, 대략 180도란, 180도±15도의 범위 내를 의미한다. 반투광막의 위상 시프트 특성으로서는, 바람직하게는 180±10도의 범위 내이며, 보다 바람직하게는 180±5도의 범위 내이다.Here, it means that the range of about 180 degrees and 180 degrees +/- 15 degrees. The phase shift property of the semitransparent film is preferably within a range of 180 占 10 占 and more preferably within a range of 180 占占.

또한, 포토마스크 I의 노광에는, i선, h선, 또는 g선을 포함하는 노광광을 사용할 때에 효과가 현저하고, 특히 i선, h선 및 g선을 포함하는 브로드 파장광을 노광광으로서 적용하는 것이 바람직하다. 이 경우, 대표 파장으로서는, i선, h선, g선의 어느 것으로 할 수 있다. 예를 들어 g선을 대표 파장으로 하여, 본 형태의 포토마스크를 구성할 수 있다.In exposure of the photomask I, the effect is remarkable when exposure light including i-line, h-line, or g-line is used. Particularly, broad wavelength light including i-line, h- . In this case, representative wavelengths may be any of i-line, h-line, and g-line. For example, the photomask of this embodiment can be constructed with the g-line as the representative wavelength.

반투광부가 갖는 광 투과율 T1은, 이하와 같이 할 수 있다. 즉, 반투광부에 형성된 반투광막의, 상기 대표 파장에 대한 투과율이 T1(％)일 때,The light transmittance T1 of the translucent portion can be obtained as follows. That is, when the transmittance of the translucent film formed on the semitransparent portion with respect to the representative wavelength is T1 (%),

2≤T1≤952? T1? 95

이러한 반투광부 투과율은, 후술하는, 전사용 패턴의 광학상의 제어를 가능하게 한다.This transmittance of the translucent portion enables control of the optical pattern of the transfer pattern, which will be described later.

바람직하게는, 투과율 T1은,Preferably, the transmittance T1 is a transmittance

20≤T1≤8020? T1? 80

으로 한다. 보다 바람직하게는, 투과율 T1은,. More preferably, the transmittance T1 is expressed by

30≤T1≤7030? T1? 70

이며, 더욱 바람직하게는,And more preferably,

35≤T1≤6535? T1? 65

이다. 또한, 투과율 T1(％)은, 투명 기판의 투과율을 기준으로 했을 때의, 반투광막에 있어서의 상기 대표 파장의 투과율로 한다. 이 투과율은, 후술하는 보조 패턴의 폭 d1(㎛)의 설정과 협조하여, 보조 패턴을 투과한, 주 패턴의 투과광과는 반전 위상의 광의 광량을 제어하여, 주 패턴의 투과광과의 간섭에 의해, 전사성을 향상시키는(예를 들어 DOF를 높이는) 작용에 기여하기 때문에, 양호한 범위이다.to be. The transmittance T1 (%) is defined as the transmittance of the representative wavelength in the semi-light-transmitting film with reference to the transmittance of the transparent substrate. This transmittance can be controlled by controlling the light quantity of the light transmitted through the auxiliary pattern and in the phase opposite to the phase of the transmitted light in cooperation with the setting of the width d1 (mu m) of the auxiliary pattern described below , And contributes to the action of improving the transferability (for example, increasing the DOF).

본 형태의 포토마스크에 있어서, 주 패턴 및 보조 패턴이 형성된 영역 이외의 영역에 배치되고, 주 패턴 및 보조 패턴을 둘러싸도록 형성된 차광부는, 이하와 같은 구성으로 할 수 있다.In the photomask of this embodiment, the light shielding portion disposed in an area other than the area where the main pattern and the auxiliary pattern are formed and formed so as to surround the main pattern and the auxiliary pattern can be configured as follows.

차광부는, 노광광(i선 내지 g선의 파장 범위에 있는 대표 파장의 광)을 실질적으로 투과하지 않는 것이며, 광학 농도 OD≥2(바람직하게는 OD≥3)의 차광막을, 투명 기판 위에 형성하여 이루어지는 것으로 할 수 있다.The light shielding portion does not substantially transmit the exposure light (light of the representative wavelength in the i-line to g-line wavelength range), and a light shielding film with optical density OD? 2 (preferably OD? 3) .

상기 전사용 패턴에 있어서, 보조 패턴의 폭을 d1(㎛)로 할 때,In the transfer pattern, when the width of the auxiliary pattern is d1 (mu m)

가 성립될 때에, 포토마스크 I의 전사성이 우수한 효과가 얻어진다. 이때, 주 패턴의 폭의 중심과, 보조 패턴의 폭 방향의 중심의 거리를 P1(㎛)로 하면, 거리 P1은,An excellent effect of transferring the photomask I is obtained. At this time, if the distance between the center of the width of the main pattern and the center of the auxiliary pattern in the width direction is P1 (占 퐉)

1.0<P1≤5.01.0 <P1? 5.0

의 관계가 성립되는 것이 바람직하다.Is satisfied.

보다 바람직하게는, 거리 P1은,More preferably, the distance < RTI ID = 0.0 >

1.5<P1≤4.51.5 <

더욱 바람직하게는,More preferably,

2.5<P1≤4.52.5 <P1? 4.5

로 할 수 있다. 이러한 거리 P1을 선택함으로써, 보조 패턴의 투과광과, 주 패턴의 투과광의 간섭이 양호하게 상호 작용을 미치고, 이에 의해 DOF 등의 우수한 작용이 얻어진다.. By selecting such a distance P1, the interference between the transmitted light of the auxiliary pattern and the transmitted light of the main pattern has an excellent interaction with each other, whereby an excellent action such as DOF is obtained.

보조 패턴의 폭 d1(㎛)은, 포토마스크에 적용하는 노광 조건(사용하는 노광 장치)에 있어서, 해상 한계 이하의 치수이다. 일반적으로, 표시 장치 제조용의 노광 장치에 있어서의 해상 한계는, 3.0㎛ 내지 2.5㎛ 정도(i선 내지 g선)임을 고려하여, 폭 d1(㎛)은, 포토마스크를 노광하는 노광 장치가 해상하지 않는 치수로 한다. 구체적으로는,The width d1 (占 퐉) of the auxiliary pattern is a dimension below the resolution limit in the exposure conditions (the exposure apparatus to be used) to be applied to the photomask. Considering that the resolution limit in an exposure apparatus for manufacturing a display device is about 3.0 占 퐉 to 2.5 占 퐉 (i line to g line), the width d1 (占 퐉) is set such that the exposure apparatus for exposing the photomask does not Do not dimension. Specifically,

d1<3.0d1 < 3.0

인데, 바람직하게는, Preferably

d1<2.5d1 < 2.5

보다 바람직하게는,More preferably,

d1<2.0d1 < 2.0

더욱 바람직하게는More preferably,

d1<1.5d1 < 1.5

이다.to be.

또한, 보조 패턴의 투과광을 양호하게 주 패턴의 투과광과 간섭시키기 위하여, Further, in order to interfere the transmitted light of the auxiliary pattern well with the transmitted light of the main pattern,

d1≥0.7d1? 0.7

보다 바람직하게는,More preferably,

d1≥0.8d1? 0.8

로 하는 것이 바람직하다..

또한, d1<W1인 것이 바람직하고, d1<W2인 것이 보다 바람직하다.Further, d1 < W1 is preferable, and d1 < W2 is more preferable.

그리고, 이러한 경우에, 포토마스크 I의 전사성이 양호함과 함께, 후술하는 수정 공정이 적합하게 사용된다.In this case, the transfer property of the photomask I is satisfactory, and a correction step to be described later is suitably used.

또한, 상기 관계식 (2)는, 보다 바람직하게는, 하기의 식 (2)-1이며, 더욱 바람직하게는, 하기의 식 (2)-2이다.Further, the above relational expression (2) is more preferably the following expression (2) -1, and more preferably, the following expression (2) -2.

즉, 보조 패턴을 투과하는 반전 위상의 광량은, 투과율 T1(％)과 폭 d1(㎛)의 밸런스가 상기를 충족할 때에, 우수한 효과를 발휘한다.That is, the amount of light in the inverted phase passing through the auxiliary pattern exerts an excellent effect when the balance between the transmittance T1 (%) and the width d1 (mu m) satisfies the above.

상술한 바와 같이, 도 1의 (a)에 도시하는 포토마스크 I의 주 패턴은 정사각형이지만, 본 발명을 적용하는 포토마스크는 이것에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 도 10에 예시되는 바와 같이, 포토마스크의 주 패턴은, 팔각형이나 원을 포함하는, 회전 대칭인 형상일 수 있다. 그리고 회전 대칭의 중심을, 상기 거리 P1의 기준이 되는 중심으로 할 수 있다.As described above, the main pattern of the photomask I shown in Fig. 1 (a) is square, but the photomask to which the present invention is applied is not limited to this. For example, as illustrated in Fig. 10, the main pattern of the photomask may be a rotationally symmetric shape including an octagon or a circle. The center of the rotational symmetry can be set as the center of the distance P1.

또한, 도 1에 도시하는 포토마스크의 보조 패턴의 형상은, 팔각형대이며, 이 형상은, 주 패턴(홀 패턴)을 형성하기 위한 보조 패턴으로서, 안정되게 제조 가능한 데다가 광학적 효과도 높다. 그러나, 본 발명을 적용하는 포토마스크는 이것에 한정되지는 않는다. 예를 들어 보조 패턴의 형상은, 주 패턴의 중심에 대하여, 3회 대칭 이상의 회전 대칭의 형상에 일정한 폭을 부여한 형상인 것이 바람직하고, 도 10의 (a) 내지 (f)에 몇 가지의 예를 도시한다. 주 패턴의 디자인과 보조 패턴의 디자인으로서는, 서로 도 10의 (a) 내지 (f)의 상이한 것을 조합해도 된다.The auxiliary pattern of the photomask shown in Fig. 1 has an octagonal shape. This shape is an auxiliary pattern for forming a main pattern (hole pattern), which can be stably manufactured, and also has a high optical effect. However, the photomask to which the present invention is applied is not limited to this. For example, the shape of the auxiliary pattern is preferably a shape obtained by imparting a constant width to a rotationally symmetrical shape of three or more times symmetry with respect to the center of the main pattern, and examples of several patterns (a) to / RTI > The design of the main pattern and the design of the auxiliary pattern may be different from each other as shown in Figs. 10 (a) to 10 (f).

예를 들어, 보조 패턴의 외주가, 정사각형, 정육각형, 정팔각형, 정십각형, 정십이각형, 정십육각형 등의 정다각형(바람직하게는 정 2ⁿ각형, 여기에서 n은 2 이상의 정수) 또는 원형인 경우가 예시된다. 그리고, 보조 패턴의 형상으로서는, 보조 패턴의 외주와 내주가 거의 평행한 형상, 즉, 거의 일정폭을 갖는 정다각형 또는 원형의 띠와 같은 형상인 것이 바람직하다. 이 띠 형상의 형상을, 다각형대 또는 원형대라고도 부른다. 보조 패턴의 형상으로서는, 이러한 정다각형대 또는 원형대가, 주 패턴의 주위를 둘러싸는 형상인 것이 바람직하다. 이때, 주 패턴의 투과광과, 보조 패턴의 투과광의 광량의 밸런스를 양호하게 할 수 있다.For example, when the outer periphery of the auxiliary pattern is a regular polygon (preferably a square ^n- prism, where n is an integer of 2 or more) or a circle such as a square, a regular hexagon, a regular octagon, a regular hexagonal, . As the shape of the auxiliary pattern, it is preferable that the outer and inner peripheries of the auxiliary pattern are substantially parallel, that is, a shape such as a regular polygonal or circular band having a substantially constant width. This strip-like shape is also referred to as a polygonal band or a circular band. As the shape of the auxiliary pattern, it is preferable that the regular polygonal band or circular band surrounds the periphery of the main pattern. At this time, the light amount of the transmitted light of the main pattern and the light amount of the transmitted light of the auxiliary pattern can be well balanced.

혹은, 보조 패턴의 형상은, 차광부를 개재시켜 주 패턴의 주위를 완전히 둘러싸는 것이 바람직하지만, 상기 다각형대 또는 원형대의 일부가 결락된 형상이어도 된다. 보조 패턴의 형상은, 예를 들어 도 10의 (f)와 같이, 사각형대의 코너부가 결락된 형상이어도 된다. Alternatively, it is preferable that the shape of the auxiliary pattern completely surrounds the periphery of the main pattern through the light shielding portion, but the polygonal band or a part of the circular band may be missing. The shape of the auxiliary pattern may be, for example, a shape in which the corner portion of the quadrangle is missing, as shown in Fig. 10 (f).

또한, 본 발명의 효과를 방해하지 않는 한, 주 패턴, 보조 패턴 외에도, 부가적으로 다른 패턴을 사용해도 상관없다.In addition to the main pattern and the auxiliary pattern, other patterns may be used as long as the effects of the present invention are not hindered.

다음에 포토마스크 I의 제조 방법의 일례에 대하여, 도 11을 참조하여 이하에 설명한다. 도 1과 마찬가지로, 부호는 처음 나오는 것에만 부여하고, 이후는 생략한다.Next, an example of a manufacturing method of the photomask I will be described below with reference to Fig. As in Fig. 1, the sign is given only to the first occurrence, and the following description is omitted.

도 11의 (a)에 도시하는 바와 같이, 포토마스크 블랭크를 준비한다.As shown in Fig. 11 (a), a photomask blank is prepared.

이 포토마스크 블랭크는, 유리 등을 포함하는 투명 기판(10) 위에 반투광막(11)과 차광막(12)이 이 순서대로 형성되어 있고, 또한 제1 포토레지스트막(13)이 도포되어 있다.In this photomask blank, a translucent film 11 and a light-shielding film 12 are formed in this order on a transparent substrate 10 including glass or the like, and a first photoresist film 13 is applied.

반투광막은, 상기한 투과율 T1과 위상차 φ1을 충족하며, 또한, 습식 에칭 가능한 재료를 포함하는 것이 바람직하다. 단, 습식 에칭 시에 발생하는, 사이드 에칭의 양이 너무 커지면, CD 정밀도의 열화나, 언더컷에 의한 상층막의 파괴 등의 문제가 발생하기 때문에, 막 두께의 범위는, 2000Å 이하인 것이 바람직하다. 예를 들어, 300 내지 2000Å의 범위, 보다 바람직하게는, 300 내지 1800Å이다. 여기서 CD란, Critical Dimension이며, 본 명세서에서는 패턴 폭의 의미로 사용한다.It is preferable that the semitransparent film satisfies the above-mentioned transmittance T1 and the phase difference? 1, and further includes a material that can be wet-etched. However, if the amount of the side etching generated during the wet etching becomes too large, problems such as deterioration of the CD precision and destruction of the upper layer film due to undercut occur. Therefore, the film thickness is preferably 2000 angstroms or less. For example, in the range of 300 to 2000 angstroms, and more preferably in the range of 300 to 1800 angstroms. Here, CD is a critical dimension, and is used in this specification as a meaning of a pattern width.

또한, 이들 조건을 충족시키기 위해서는, 반투광막 재료는, 노광광에 포함되는 대표 파장(예를 들어 h선)의 굴절률이 1.5 내지 2.9인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는, 1.8 내지 2.4이다.In order to satisfy these conditions, the semi-light-transmitting film material preferably has a refractive index of 1.5 to 2.9, and more preferably 1.8 to 2.4, at a typical wavelength (for example, h line) included in the exposure light.

또한, 반투광막은, 습식 에칭에 의해 형성되는 패턴 단면(피에칭면)이, 투명 기판의 주표면에 대하여 수직에 가까운 것이 바람직하다.The semi-light-transmitting film preferably has a pattern end face (etched face) formed by wet etching close to a perpendicular to the main surface of the transparent substrate.

상기 성질을 고려할 때, 반투광막의 막 재료로서는, 금속과 Si를 포함하는 재료, 보다 구체적으로는, Zr, Nb, Hf, Ta, Mo, Ti의 어느 것과 Si를 포함하는 재료, 또는 이들 재료의 산화물, 질화물, 산화질화물, 탄화물, 또는 산화질화탄화물을 포함하는 재료를 포함할 수 있다. 반투광막의 성막 방법으로서는, 스퍼터법 등의 공지된 방법을 적용할 수 있다.In consideration of the above-mentioned properties, as the film material of the semitransparent film, a material containing a metal and Si, more specifically, a material containing any of Zr, Nb, Hf, Ta, Mo and Ti and Si, An oxide, a nitride, an oxynitride, a carbide, or a oxynitride carbide. As a method of forming the semitransparent film, a known method such as a sputtering method can be applied.

포토마스크 블랭크의 반투광막 위에는, 차광막이 형성된다. 차광막의 성막 방법으로서는, 반투광막의 경우와 마찬가지로, 스퍼터법 등의 공지된 수단을 적용할 수 있다.On the semitransparent film of the photomask blank, a light shielding film is formed. As a film forming method of the light-shielding film, known means such as a sputtering method can be applied as in the case of the semitransparent film.

차광막의 재료는, Cr 또는 그 화합물(산화물, 질화물, 탄화물, 산화질화물, 또는 산화질화탄화물)이어도 되고, 또는 Mo, W, Ta, Ti를 포함하는 금속의 실리사이드, 또는 해당 실리사이드의 상기 화합물이어도 된다. 단, 포토마스크 블랭크의 차광막의 재료는, 반투광막과 마찬가지로 습식 에칭이 가능하며, 또한, 반투광막의 재료에 대하여 에칭 선택성을 갖는 재료가 바람직하다. 즉, 차광막은 반투광막의 에칭제에 대하여 내성을 갖고, 또한, 반투광막은 차광막의 에칭제에 대하여 내성을 갖는 것이 바람직하다.The material of the light-shielding film may be Cr or a compound thereof (oxide, nitride, carbide, oxynitride, or oxynitride carbide), or a silicide of a metal including Mo, W, Ta, Ti, . However, the material of the light-shielding film of the photomask blank is preferably a material which can be wet-etched like the semitransparent film and has etching selectivity to the material of the semitransparent film. That is, it is preferable that the light-shielding film has resistance to the etching agent of the semitransparent film and the semitransparent film has resistance to the etching agent of the light-shielding film.

포토마스크 블랭크의 차광막 위에는, 또한 제1 포토레지스트막이 도포된다. 본 형태의 포토마스크는, 바람직하게는 레이저 묘화 장치에 의해 묘화되므로, 거기에 적합한 포토레지스트로 한다. 제1 포토레지스트막은 포지티브형이어도 네거티브형이어도 되지만, 이하에서는 포지티브형으로서 설명한다.A first photoresist film is further coated on the light-shielding film of the photomask blank. Since the photomask of this embodiment is preferably drawn by a laser beam drawing apparatus, a photoresist suitable therefor is used. The first photoresist film may be either a positive type or a negative type, but will be described as a positive type hereinafter.

이어서, 도 11의 (b)에 도시하는 바와 같이, 제1 포토레지스트막에 대하여, 묘화 장치를 사용하여, 전사용 패턴에 기초한 묘화 데이터에 의한 묘화를 행한다(제1 묘화). 그리고, 현상에 의해 얻어진 제1 레지스트 패턴(13p)을 마스크로 하여, 차광막을 습식 에칭한다. 이에 의해, 차광부가 되는 영역이 획정되고, 또한 차광부(차광막 패턴(12p))에 의해 둘러싸인 보조 패턴의 영역이 획정된다.Then, as shown in Fig. 11 (b), the first photoresist film is drawn by drawing data based on the transfer pattern using the drawing apparatus (first drawing). Then, using the first resist pattern 13p obtained by the development as a mask, the light-shielding film is wet-etched. Thereby, the area for the shielding part is defined and the area for the auxiliary pattern surrounded by the shielding part (shielding film pattern 12p) is defined.

이어서, 도 11의 (c)에 도시하는 바와 같이, 제1 레지스트 패턴을 박리한다.Then, as shown in Fig. 11 (c), the first resist pattern is peeled off.

이어서, 도 11의 (d)에 도시하는 바와 같이, 형성된 차광막 패턴을 포함하는 전체면에, 제2 포토레지스트막(14)을 도포한다.11 (d), the second photoresist film 14 is applied to the entire surface including the formed light-shielding film pattern.

이어서, 도 11의 (e)에 도시하는 바와 같이, 제2 포토레지스트막에 대하여, 제2 묘화를 행하여, 현상에 의해 형성된 제2 레지스트 패턴(14p)을 형성한다. 이 제2 레지스트 패턴과, 상기 차광막 패턴을 마스크로 하여, 반투광막의 습식 에칭을 행한다. 이 에칭(현상)이 의해, 투명 기판이 노출되는 투광부를 포함하는, 주 패턴의 영역이 형성된다. 또한, 제2 레지스트 패턴은, 보조 패턴이 되는 영역을 덮고, 투광부를 포함하는 주 패턴이 되는 영역에 개구를 갖는 것임과 함께, 해당 개구로부터, 차광막의 에지가 노출되도록, 제2 묘화의 묘화 데이터에 대하여 사이징을 행해 두는 것이 바람직하다. 이렇게 함으로써, 제1 묘화와 제2 묘화 사이에 서로 발생하는 얼라인먼트 어긋남을 흡수하여, 전사용 패턴의 CD 정밀도의 열화를 방지할 수 있기 때문에, 주 패턴 및 보조 패턴의 무게 중심을 정교하고 치밀하게 일치시킬 수 있다.Then, as shown in Fig. 11E, second imaging is performed on the second photoresist film to form a second resist pattern 14p formed by development. Using the second resist pattern and the light-shielding film pattern as masks, wet etching of the semitransparent film is performed. By this etching (development), a region of the main pattern including the transparent portion where the transparent substrate is exposed is formed. The second resist pattern covers an area to be an auxiliary pattern and has an opening in a region to be a main pattern including a transparent portion and is provided with an opening in which the edge of the light shielding film is exposed from the opening, It is preferable to carry out sizing with respect to the above. By doing so, it is possible to prevent the deterioration of the CD accuracy of the transfer pattern by absorbing the alignment deviation occurring between the first drawing and the second drawing, so that the center of gravity of the main pattern and the auxiliary pattern can be precisely and closely matched .

이어서, 도 11의 (f)에 도시하는 바와 같이, 제2 레지스트 패턴을 박리하여, 도 1에 도시하는 본 형태의 포토마스크 I이 완성된다.Then, as shown in Fig. 11F, the second resist pattern is peeled off to complete the photomask I of this embodiment shown in Fig.

단, 이러한 포토마스크의 제조 시에 습식 에칭을 적용할 수 있다. 습식 에칭은 등방 에칭의 성질을 갖기 때문에, 반투광막의 막 두께를 고려하면, 가공의 용이성의 관점에서는, 보조 패턴의 폭 d1은 1㎛ 이상, 바람직하게는 1.2㎛ 이상으로 하는 것이 유용하다.However, wet etching can be applied in manufacturing such a photomask. Since the wet etching has the property of isotropic etching, in consideration of the film thickness of the semitransparent film, it is useful that the width d1 of the auxiliary pattern is not less than 1 mu m, preferably not less than 1.2 mu m from the viewpoint of ease of processing.

도 1에 도시하는, 본 형태의 포토마스크 I에 대하여, 광학 시뮬레이션에 의해, 그 전사 성능을 비교하여, 평가했다.The transfer performance of the photomask I of this embodiment shown in Fig. 1 was evaluated by optical simulation and evaluated.

여기에서는, 피전사체 위에 홀 패턴을 형성하기 위한 전사용 패턴으로서, 참고예 1 및 참고예 2를 준비하고, 노광 조건을 공통으로 설정했을 때에, 어느 전사 성능을 나타낼지에 대하여, 광학 시뮬레이션을 행했다.Here, optical simulation was carried out as to which transfer performance to show when the reference patterns 1 and 2 were prepared as the transfer pattern for forming the hole pattern on the transferred body and the exposure conditions were set in common.

(참고예 1)(Reference Example 1)

참고예 1의 포토마스크는, 상기 포토마스크 I과 마찬가지의 구성을 갖는 포토마스크이다. 여기서 투광부를 포함하는 주 패턴은, 1변(직경)(즉 W1)이 2.0(㎛)인 정사각형으로 하고, 반투광부를 포함하는 보조 패턴의 폭 d1이 1.3(㎛)인 팔각형대로 하고, 주 패턴 중심과, 보조 패턴의 폭 중심의 거리인 거리 P1은, 3.25(㎛)로 했다.The photomask of Reference Example 1 is a photomask having the same configuration as the photomask I described above. Here, the main pattern including the light transmitting portion is a square having one side (diameter) (i.e., W1) of 2.0 (占 퐉), and the auxiliary pattern including the semi-light transmitting portion has an octagonal shape having a width d1 of 1.3 The distance P1 between the center and the center of the width of the auxiliary pattern was 3.25 (mu m).

보조 패턴은, 투명 기판 위에 반투광막이 형성되어 이루어진다. 이 반투광막에 대한 g선 투과율 T1은, 45(％), 위상 시프트양은 180도이다. 또한, 주 패턴 및 보조 패턴을 둘러싸는 차광부는, 실질적으로 노광광을 투과하지 않는 차광막(OD>2)을 포함한다.The auxiliary pattern is formed by forming a translucent film on a transparent substrate. The g-line transmittance T1 for this semi-light-transmitting film is 45 (%) and the phase shift amount is 180 degrees. Further, the shielding portion surrounding the main pattern and the auxiliary pattern includes a light shielding film (OD > 2) that does not substantially transmit the exposure light.

(참고예 2)(Reference Example 2)

도 2에 도시하는 바와 같이, 참고예 2의 포토마스크는, 투명 기판 위에 형성한 차광막 패턴을 포함하는, 소위 바이너리 마스크의 패턴을 갖는다. 이 포토마스크는, 투명 기판이 노출되는 투광부를 포함하는 정사각형의 주 패턴이, 차광부에 둘러싸여 있다. 주 패턴의 직경 W1(정사각형의 1변)은 2.0(㎛)이다.As shown in Fig. 2, the photomask of Reference Example 2 has a so-called binary mask pattern including a light-shielding film pattern formed on a transparent substrate. In this photomask, a square main pattern including a transparent portion through which a transparent substrate is exposed is surrounded by the light shielding portion. The diameter W1 (one side of the square) of the main pattern is 2.0 (占 퐉).

참고예 1 및 2의 포토마스크의 어느 것에 대해서도, 피전사체 위에 직경 W2가 1.5㎛인 홀 패턴을 형성하는 것으로 하고, 시뮬레이션에서 적용한 노광 조건은, 이하와 같다. 즉, 노광광은 i선, h선, g선을 포함하는 브로드 파장으로 하고, 강도비는, g:h:i=1:1:1로 했다.For each of the photomasks of Reference Examples 1 and 2, a hole pattern having a diameter W2 of 1.5 mu m is formed on the transferred body, and the exposure conditions applied in the simulation are as follows. That is, the exposure light was a broad wavelength including i-line, h-line, and g-line, and the intensity ratio was g: h: i = 1: 1: 1.

노광 장치의 광학계는, 개구수 NA가 0.1이며, 코히런스 팩터 σ가 0.5이다. 피전사체 위에 형성되는, 레지스트 패턴의 단면 형상을 파악하기 위한, 포지티브형 포토레지스트의 막 두께는 1.5㎛로 했다.The optical system of the exposure apparatus has a numerical aperture NA of 0.1 and a coherence factor sigma of 0.5. The film thickness of the positive photoresist for grasping the cross-sectional shape of the resist pattern formed on the transfer target body was set to 1.5 mu m.

상기 조건 하, 각 전사용 패턴의 성능 평가를 도 3에 도시한다.The performance evaluation of each transfer pattern under the above conditions is shown in Fig.

[전사성의 광학적 평가] [Optical evaluation of transfer property]

예를 들어, 직경이 작은 미세한 투광 패턴을 전사하기 위해서는, 포토마스크 투과 후의 노광광이 피전사체 위에 형성하는 공간상에 의한, 투과광 강도 곡선의 프로파일이 좋아야 한다. 구체적으로는, 투과광 강도의 피크를 형성하는 경사가 예리하여, 수직에 가까운 입상 형태를 하고 있는 것 및 피크의 투과광 강도의 절댓값이 높은 것(주위에 서브 피크가 형성되는 경우에는, 그 강도에 대하여 상대적으로, 충분히 높은 것) 등이 중요하다.For example, in order to transfer a minute light transmitting pattern with a small diameter, the profile of the transmitted light intensity curve due to the space formed on the body to be exposed after the exposure of the photomask should be good. Specifically, it is preferable that the inclination forming the peak of the transmitted light intensity is sharp and that it is in the form of a granule close to the perpendicular and that the absolute value of the transmitted light intensity of the peak is high (when the sub peak is formed around the peak, Relatively high, and sufficiently high).

보다 정량적으로, 포토마스크를, 광학적인 성능으로부터 평가할 때, 이하와 같은 지표를 사용할 수 있다.More quantitatively, when the photomask is evaluated from the optical performance, the following indexes can be used.

(1) 초점 심도(Depth of Focus: DOF) (1) Depth of Focus (DOF)

목표 CD에 대하여, 변동폭이 소정 범위 내(여기서는±15％의 범위 내)가 되기 위한 초점 심도의 크기. DOF의 수치가 높으면, 피전사체(예를 들어 표시 장치용의 패널 기판)의 평탄도의 영향을 받기 어려워, 확실하게 미세한 패턴을 형성할 수 있어, 그 CD 변동이 억제된다.The magnitude of the depth of focus for the fluctuation of the target CD to fall within a predetermined range (within the range of ± 15%). If the numerical value of the DOF is high, it is difficult to be influenced by the flatness of the transferred body (for example, a panel substrate for a display device), and a fine pattern can surely be formed.

(2) 노광 여유도(EL: Exposure Latitude) (2) Exposure Latitude (EL)

목표 CD에 대하여, 변동폭이 소정 범위 내(여기서는 ±15％의 범위 내)가 되기 위한, 노광광 강도의 여유도.The allowance of the exposure light intensity for the target CD to be within the predetermined range (in this example, within the range of 15%).

이상을 근거로 하여, 시뮬레이션 대상의 각 샘플의 성능을 평가하면, 도 3에 도시하는 바와 같이, 참고예 1의 포토마스크는, 초점 심도(DOF)가, 참고예 2에 비하여 매우 우수한 점에서, 패턴의 안정된 전사성을 나타낸다.3, the photomask of Reference Example 1 is superior in the depth of focus (DOF) to that of Reference Example 2, as shown in Fig. 3, Indicating stable transfer of the pattern.

또한, 참고예 1의 포토마스크는, EL에 있어서도 10.0(％) 이상의 우수한 수치를 나타내는데, 즉, 노광광량의 변동에 대하여, 안정된 전사 조건을 가능하게 한다.In addition, the photomask of Reference Example 1 exhibits an excellent numerical value of 10.0 (%) or more even in the EL, that is, enables stable transfer conditions for fluctuation of the exposure light quantity.

또한, 참고예 1의 포토마스크 Dose값(노광량)이 참고예 2에 대하여 상당히 작다. 이것은, 실시예 1의 포토마스크의 경우에는, 대면적의 표시 장치 제조에 있어서도, 노광 시간이 증대되지 않거나, 또는 노광 시간을 단축할 수 있는 장점을 나타내고 있다.In addition, the photomask Dose value (exposure amount) of Reference Example 1 is considerably smaller than that of Reference Example 2. This shows that, in the case of the photomask of Example 1, the exposure time does not increase or the exposure time can be shortened even in the manufacture of a large-area display device.

[결함 수정 방법] [Method for correcting defects]

이하, 본 발명의 수정 방법에 대하여, 상기 포토마스크 I의 보조 패턴(반투광부)에 발생한 결함이 검출된 경우에, 이것을 수정(리페어)하는 공정을 예로서 설명한다.Hereinafter, a correction method of the present invention will be described as an example of a step of repairing (repairing) a defect occurring in an auxiliary pattern (semi-transparent portion) of the photomask I.

또한, 반투광부의 수정 시에는, 정상막과 동등한 광학 특성을 가진 수정막을 사용하면 된다. 단, 정상막이 스퍼터법 등을 적용하여 성막되는 것에 대하여, 국소적인 막재의 퇴적을 필요로 하는 수정막의 성막은, 상이한 방법을 사용함으로써, 정상막과 상이한 재료를 포함하는 막이다. 국소적인 막재의 퇴적은, 안정된 성막 조건 범위가 좁기 때문에, 투과율, 위상 특성을 동시에 만족시키는 성막을 행하는 것은 현실적으로는 상당히 곤란하다. 그래서, 정상막에 의한 반투광부와, 그 형상이나 물성이 동일하지 않아도, 포토마스크 I이 갖는 상기한 광학적인 작용을, 거의 마찬가지로 발휘할 수 있는 수정을 검토했다.When correcting the translucent portion, a correction film having optical characteristics equivalent to that of the normal film may be used. However, the film of the quartz film requiring deposition of a local film material is a film containing a material different from that of the normal film by using a different method, while the normal film is formed by sputtering or the like. Since deposition of a local film material is narrow in a range of stable film formation conditions, it is practically difficult to perform film formation that simultaneously satisfies the transmittance and the phase characteristics. Thus, the present inventors have studied modifications that can substantially exert the above-described optical action of the photomask I even if the shape and physical properties thereof are not the same as those of the translucent portion by the normal film.

도 4에는 포토마스크 I의 팔각형대의 반투광부에 사용하는 반투광막의 투과율이 변동된 경우에, 이 포토마스크가 나타내는 거동의 변화를 시뮬레이션한 결과를 나타낸다. 도 1에서 도시한 포토마스크 I(참고예 1)의 기본 설계에서는, 반투광부의 투과율 T1은 상기한 바와 같이 45％이며, 이때의 DOF는 33.5(㎛), EL은 10.4(％)를 나타낸다(도 3, 도 4).Fig. 4 shows a simulation result of a change in the behavior of the photomask when the transmittance of the semitransparent film used in the octagonal portion of the photomask I varies. In the basic design of the photomask I (Reference Example 1) shown in Fig. 1, the transmittance T1 of the translucent portion is 45% as described above, and the DOF is 33.5 (탆) and the EL is 10.4 (%) 3 and 4).

여기서, 반투광부의 폭을 상기한 값으로 고정하고, 위상 시프트양을 180도로 한 채, 반투광부의 투과율이 증가되면, DOF의 수치는 증가하는 한편, EL은 증가로부터 감소로 바뀌어, 투과율 60％에 도달한 시점에서, 거의 제로가 된다.When the transmittance of the semi-transparent portion is increased while the width of the translucent portion is fixed to the above value and the amount of phase shift is 180 degrees, the numerical value of the DOF is increased while the EL is changed from increasing to decreasing, , It becomes almost zero.

이어서, 도 5a 내지 도 5c에는, 반투광부를 포함하는 보조 패턴의 투과율을 50 내지 70％의 범위의 값으로 각각 설정했을 때, 반투광부의 폭(CD)의 변화에 의해, DOF나 EL이 어떻게 변화할지를 시뮬레이션에 의해 검증한 결과를 나타낸다. 이 검증에 의하면, 어느 투과율의 경우에 있어서든, EL은, 그 피크 부근에서 10％를 초과하는 부분이 존재하고, 그 영역에서 DOF를 허용 범위(예를 들어, 25㎛ 이상, 바람직하게는 30㎛ 이상)로 하는 것이 가능함을 알 수 있다. 또한, DOF, EL 모두 적합한 조건은, 도 5a 내지 도 5c에 있어서의 점선으로 둘러싼 영역에서 얻어진다. 이들 결과로부터, 바람직한 반투광부의 투과율과 폭의 조합의 예를 도 5d에 도시한다.Next, Figs. 5A to 5C show how the DOF and the EL are affected by the change in the width CD of the translucent portion when the transmittance of the auxiliary pattern including the translucent portion is set to a value in the range of 50 to 70% The results are verified by simulation. According to this test, in any transmittance, the EL has a portion exceeding 10% in the vicinity of the peak, and the DOF is allowed to be within the allowable range (for example, 25 占 퐉 or more, preferably 30 Mu m or more). In addition, suitable conditions for both DOF and EL are obtained in the area surrounded by the dotted line in Figs. 5A to 5C. From these results, an example of a combination of the transmittance and the width of the preferable translucent portion is shown in Fig. 5D.

즉, 도 4에는 반투광부를 포함하는 보조 패턴의 투과율의 변동이 EL을 열화시키는 것이 도시되었지만, 이 EL의 열화 경향은, 보조 패턴의 폭의 변화에 의해, 거의 회복되는 것이 도 5a 내지 도 5c에 의해 밝혀졌다. 또한, 상기한 예에서는, 반투광부의 투과율보다 높은 투과율을 갖는 수정막에 의해 수정한 경우에 대하여 설명했지만, 반투광부의 투과율보다 낮은 투과율을 갖는 수정막에 의해 수정하는 경우에는, 보조 패턴의 폭을, 보다 넓게 하는 수정을 적용하면 된다.That is, although FIG. 4 shows that the variation of the transmittance of the auxiliary pattern including the semi-transparent portion deteriorates the EL, the deterioration tendency of the EL is substantially restored by the change of the width of the auxiliary pattern. . In the above example, the correction is made by a quartz film having a transmittance higher than the transmittance of the semitransparent portion. However, when the quartz crystal is modified by a quartz film having a transmittance lower than that of the semitransparent portion, , A wider modification may be applied.

따라서, 반투광부(투과율 T1)를 포함하는 보조 패턴(폭 d1)에 결함이 발생하고, 이것을 수정막에 의해 수정하고자 할 때, 정상막과 상이한 투과율(T2)을 갖는 수정막을 사용했다고 해도, 정상막과 상이한 보조 패턴의 폭(d2)을 적절하게 사용함으로써, 정상적인 보조 패턴을 대체할 수 있다. 그리고, 이 수정막에 의해 형성되는 수정 반투광부를 포함하는 수정 보조 패턴은, 정상적인 보조 패턴과 거의 마찬가지로, 투광부와는 반전 위상의 투과광을, 적절한 광량으로 조정하여, 주 패턴에 의한 투과광과 간섭시킬 수 있음을 이해할 수 있다.Therefore, even if a defect is generated in the auxiliary pattern (width d1) including the translucent portion (transmittance T1) and a correction film having a transmittance T2 different from that of the normal film is used, By appropriately using the width d2 of the auxiliary pattern different from the film, it is possible to replace the normal auxiliary pattern. The correction assistant pattern including the quasi-transparent portion formed by the quartz film adjusts the transmitted light in the reverse phase to that of the transparent portion with an appropriate amount of light so that interference with transmitted light by the main pattern It can be understood that

환언하면, 위상 시프트 특성을 갖는 소정폭의 반투광부에 있어서는, 투과율 T1의 값과 폭 d1의 값의 조합에 의해, 반전 위상의 투과광에 의한 광학상을 형성하는바, 한쪽의 과부족을 다른 쪽에 의해 보충하는 것이 가능하다. 반투광막의 투과율이 T1, 수정막의 투과율이 T2이며, 반투광부의 폭(즉 보조 패턴의 폭, 이후, 「정상적인 보조 패턴의 폭」이라고도 칭한다)이 d1, 수정 반투광부의 폭(즉 수정 보조 패턴의 폭)이 d2이면, In other words, in a semi-transmissive portion of a predetermined width having a phase shift characteristic, an optical image is formed by transmitted light in an inverted phase by combining a value of the transmittance T1 and a value of the width d1, It is possible to supplement. (The width of the auxiliary pattern, hereinafter also referred to as " width of the normal auxiliary pattern ") is d1, the width of the quasi light transmitting portion (i.e., the width of the quartz- Is equal to d2,

T2>T1 또한 d2<d1T2 > T1 and d2 < d1

또는 or

T2<T1 또한 d2>d1T2 < T1 and d2 > d1

로 할 수 있다..

단, d2>d1의 경우에 있어서도, 폭 d2는 폭 d1과 마찬가지로, 포토마스크를 노광하는 노광 장치의 해상 한계보다 작은 치수인 것이 바람직하다. 구체적인 치수는, 상기 폭 d1에 대하여 설명한 것과 마찬가지이다.However, also in the case of d2 > d1, the width d2 is preferably smaller than the resolution limit of the exposure apparatus for exposing the photomask, like the width d1. The specific dimensions are the same as those described for the width d1.

상기한 바와 같이, 포토마스크의 결함 수정에 있어서는, 수정막의 안정된 퇴적 조건이 얻어지는 조건 범위가 좁아, 정상막과 동일한 광학 특성(투과율, 위상 시프트양)을 얻는 것이 곤란한 경우에 있어서도, 정상적인 보조 패턴과 마찬가지의 기능을 발휘하는, 수정 보조 패턴을 얻어지는 것은, 매우 의미가 있다.As described above, in the defect correction of the photomask, even when it is difficult to obtain the same optical characteristics (transmittance and phase shift amount) as the normal film because the condition range in which the stable deposition condition of the quartz film is obtained is narrow, It is very meaningful to obtain a correction assist pattern that performs the same function.

[결함 수정예][Defect correction example]

이상의 검증 결과를 바탕으로, 포토마스크의 수정 방법을 행하는 공정의 구체예를 설명한다.Based on the above verification results, a specific example of the step of performing the photomask correction method will be described.

<실시예 1(흑색 결함의 경우 그 1)>&Lt; Example 1 (1 in case of black defect) >

상기 참고예 1의 포토마스크 반투광부를 포함하는 보조 패턴에 흑색 결함이 발생한 경우에 대하여 설명한다. 예를 들어, 포토마스크 I이 갖는 팔각형대의 반투광부를, 도 6에 도시하는 바와 같이 구획 A 내지 H로 구분했을 때, 구획 A에 흑색 결함이 발생한 것을 검출한 경우를 상정한다. 즉, 결함의 종류와 위치를 여기에서 특정한다.A description will be given of a case where a black defect occurs in the auxiliary pattern including the photomask semitranslucent portion of Reference Example 1. [ For example, it is assumed that a black defect is detected in the segment A when the octagonal halftone portion of the photomask I is divided into segments A to H as shown in Fig. That is, the type and position of the defect are specified here.

이 경우, 필요에 따라, 수정 장치를 사용하여, 차광막과 동등한 광학 농도(OD≥2)를 갖는 차광성의 수정막(이하, 보충막이라고 칭하는 경우가 있다)을, 결함 위치를 포함하는 원하는 영역에 형성하고, 흑색 결함의 형상을 조정하는 전처리를 행해도 된다(도 7의 (a)). 흑색 결함의 형상을 보충막으로 조정한 부분, 즉 보충막의 영역의 부호는 17로 한다. 보충막의 영역(17)은, 사각형(정사각형 또는 직사각형)으로 하는 것이 바람직하다. 도 7의 (a)에 도시하는 보충막의 영역(17)은, 정상적인 보조 패턴과 동일한 폭을 갖고 있지만, 정상적인 보조 패턴보다 큰 폭으로 해도, 또는 작은 폭으로 해도 상관없다. 발생된 흑색 결함의 형상이, 상기 사각형으로 조정하면 된다.In this case, a light-shielding quartz film (hereinafter sometimes referred to as a supplemental film) having an optical density (OD? 2) equivalent to that of the light-shielding film can be formed on a desired region And the pretreatment for adjusting the shape of the black defect may be performed (Fig. 7 (a)). The portion of the area of the supplemental film where the shape of the black defect is adjusted by the supplemental film is denoted by 17. The region 17 of the supplementary film is preferably a square (square or rectangular). The region 17 of the supplementary film shown in Fig. 7A has the same width as the normal auxiliary pattern, but it may be larger or smaller than the normal auxiliary pattern. The shape of the generated black defect may be adjusted by the above square.

계속하여, 상기 검증 결과에 기초하여, 정상적인 보조 패턴과 거의 동등한 광학 작용을, 수정막에 의해 얻을 수 있도록, 수정 반투광부의 폭(CD)과 투과율을 선택한다. 예를 들어, 수정막의 투과율 T2가 투과율 T1(여기에서는 45％)보다 큰 경우에, 수정 보조 패턴의 폭 d2를 정상적인 보조 패턴의 폭 d1보다 작게 하는 것으로 하고, 적절한 투과율 T2 및 폭 d2의 조합을 선택한다. 미리 도 5d에 예시된 상관을 참조하여, 양자의 적절한 조합을 파악해 두는 것이 바람직하다. 예를 들어, 투과율 T2를 50％로 하고, 폭 d2를 1.20㎛로 할 수 있다. 또한, 수정막의 위상 시프트양은, 정상막과 마찬가지로, 대략 180도로 한다.Subsequently, the width (CD) of the quartz semitranslucent portion and the transmittance are selected based on the result of the verification, so that an optical action almost equivalent to a normal auxiliary pattern can be obtained by the quartz film. For example, when the transmittance T2 of the quartz film is larger than the transmittance T1 (45% in this case), the width d2 of the quartz crystal auxiliary pattern is made smaller than the width d1 of the normal auxiliary pattern and the combination of the appropriate transmittance T2 and width d2 Select. With reference to the correlations illustrated in Fig. 5D in advance, it is desirable to grasp an appropriate combination of both. For example, the transmittance T2 may be 50%, and the width d2 may be 1.20 mu m. Further, the amount of phase shift of the quartz film is approximately 180 degrees, like the normal film.

이렇게 하여 결정한 폭의 보충막 부분을 제거하여, 투명 기판을 노출시켜, 수정막의 형성 영역을 획정한다(도 7의 (b)). 보충막의 제거 수단으로서, 레이저·재핑 또는 FIB(집속 이온 빔)법 등을 적용할 수 있다. 보충막 제거를 행한 부분, 즉 수정막의 형성 영역의 부호는 18로 한다. 그리고, 이 수정막의 형성 영역 즉 수정 대상 영역에, 수정막(15)을 형성하는 수정막 형성 공정을 행한다(도 7의 (c)). 수정막의 형성 영역(18)도 또한, 사각형(직사각형 또는 정사각형)이면, 수정막의 균일한 퇴적을 행하기 쉬워, 적합하다.The supplementary film portion thus determined is removed, and the transparent substrate is exposed to define the formation region of the quartz film (Fig. 7 (b)). Laser-jumping or FIB (focused ion beam) method or the like can be applied as a means for removing the supplementary film. The portion where the supplementary film is removed, that is, the area where the correction film is formed, is set to 18. Then, a quartz film forming step for forming a quartz film 15 is performed on the region where the quartz crystal film is to be formed, that is, the region to be quartz (Fig. 7C). The formation region 18 of the quaternary film is also preferable because it is easy to uniformly deposit the quartz crystal film if it is rectangular (rectangular or square).

또한, 보충막 및 수정막의 형성에는, 예를 들어 레이저 CVD 장치를 적합하게 이용할 수 있다. 또한, 막 소재에 대해서도, 수정막과 마찬가지의 것을 사용할 수 있다. 보충막의 형성 시에는 수정막과 상이한 성막 조건(레이저 파워, 가스 유량 또는 성막 시간)을 적용하여, 막 물성(막 밀도 등)이 상이한, 높은 차광성을 갖는 막으로 할 수 있다.For example, a laser CVD apparatus can be suitably used for forming the replenishment film and the quartz film. The same material as the crystal film can be used for the film material. At the time of forming the supplemental film, films having high light shielding properties can be obtained by applying film forming conditions (laser power, gas flow rate, or film forming time) different from those of the quartz film, with different film properties (film density, etc.).

결과적으로, 결함을 포함하는 반투광부가 수정되어, 보다 폭이 좁은, 수정막을 포함하는 수정 반투광부가 형성되고, 이 수정 반투광부가, 차광막을 포함하는 차광부 또는 차광성의 보충막에 의해 형성된 차광부(보충 차광부라고도 한다)에 둘러싸인 형상으로 된다.As a result, the semi-transmissive portion including the defect is modified so that a quartz translucent portion including the quartz film having a narrower width is formed and the quartz semitranslucent portion is formed by the light-shielding portion including the light-shielding film or the light- Shielding portion (also referred to as a supplementary light-shielding portion).

또한, 흑색 결함의 형상 조정이나, 막 제거, 수정막의 형성에 있어서는, 반드시 상기 순서로 행할 필요는 없어, 최종적으로, 선택한 투과율 및 위상 특성을 갖는 수정막이, 결정된 바와 같은 폭으로 형성되고, 그 주위를, 차광성의 막에 의해 둘러싸여 있는 상태(본 형태에서는 도 7의 (c)의 상태)로 하면 된다. 예를 들어, 발생한 흑색 결함을 포함하는 소정의 영역으로부터, 반투광막(정상막)을 제거하여 막 제거를 행한 부분(18)으로 하고(도 7의 (d)), 막 제거를 행한 부분에 수정막(15)을 소정의 폭으로 형성한 후에(도 7의 (e)), 그 양 외측에 보충막(16)을 형성해도 된다(도 7의 (f)).In order to adjust the shape of the black defect, remove the film, and form the quartz film, it is not necessarily required to perform the above procedure. Finally, the quartz film having the selected transmittance and phase characteristics is formed with the determined width, (The state shown in Fig. 7 (c) in this embodiment) surrounded by the light shielding film. For example, a semi-light-transmitting film (normal film) is removed from a predetermined area including a black defect that has occurred to form a film-removed portion 18 (FIG. 7 (d) 7 (e)), the supplementary films 16 may be formed on both sides of the quartz film 15 (Fig. 7 (f)).

이 결과, 수정이 실시된 전사용 패턴은, 투명 기판이 노출되는 투광부(주 패턴)와, 반투광막과 상이한 재료를 포함하는 수정막에 의한 수정 반투광부를 갖는 것이 되고, 이 수정 반투광부는, 투광부의 근방에, 차광부 또는 보충 차광부를 개재시켜 배치된, 폭 d2(㎛)를 갖는 것이다. 그리고, 투광부와 수정 반투광부를 제외한 영역이, 차광부에 의해, 혹은 차광부와 보충 차광부에 의해 구성된다.As a result, the transferred pattern in which the modification is made has a transparent portion (main pattern) in which the transparent substrate is exposed and a quasi-transparent portion made of a quartz film containing a different material from the translucent film, The portion has a width d2 (占 퐉), which is disposed in the vicinity of the light transmitting portion via the light-shielding portion or the supplemental light-shielding portion. The region excluding the transmissive portion and the quasi-transmissive portion is composed of the light shielding portion or the light shielding portion and the supplementary light shielding portion.

잔존하는 정상적인 반투광부가 있으면, 이것이 팔각형대의 일부를 구성하고 있다. 또한, 여기서는 d2<d1이므로, 수정 반투광부는, 상기 팔각형대의 영역 내에 포함되어 배치된다. 예를 들어, 도 7의 (c)에 도시된 바와 같이, 수정 반투광부의 에지를 이루는 2변이, 정상적인 반투광부의 에지를 이루고 있던 2변과 평행하게 배치되는 것이 바람직하다.If there is a remaining normal translucent portion, this constitutes a part of the octagonal band. Here, since d2 < d1, the corrected translucent portion is included in the octagonal region. For example, as shown in Fig. 7 (c), it is preferable that the two edges constituting the edge of the quartz crystal translucent portion are arranged parallel to the two edges which form the edge of the normal translucent portion.

단, 수정막의 형성 위치에 대해서는, 상기 팔각형대(즉, 정상적인 반투광부의 영역)의 폭 방향의 중앙에 있는 것이 보다 바람직하다. 바꾸어 말하면, 수정 후에 주 패턴의 중심과 수정 보조 패턴의 폭 중심의 거리(거리 P2)의 값이 수정 전의 수치(P1)와 비교하여 변화하지 않도록(즉 P1=P2가 되도록), 수정막의 형성 위치를 설정하는 것이 바람직하다(도 7의 (c) 참조). 즉, 여기에서는, 수정막의 폭 d2는, 수정 전의 정상막의 폭 d1에 대하여, d2<d1이지만, 수정막의 폭 중심 위치는, 결함이 발생하지 않는 경우의(즉, 설계값대로의) 보조 패턴의 폭 중심 위치와 변함없는 것으로 한다. 이것은, 수정 보조 패턴이 형성하는, 투과광의 광 강도 분포의 피크 위치가, 정상막에 의한 그것과 변함없도록 하기 위해서이다.However, it is more preferable that the position where the quartz film is formed is located at the center in the width direction of the octagonal band (that is, the region of the normal semi-transparent portion). In other words, after the correction, the value of the distance (distance P2) between the center of the main pattern and the center of the width of the correction assist pattern does not change in comparison with the value P1 before correction (that is, P1 = P2) (See Fig. 7 (c)). That is, in this case, the width d2 of the quartz film is d2 < d1 with respect to the width d1 of the normal film before quartz but the width center position of the quartz film is the width of the auxiliary pattern The width center position is assumed to be unchanged. This is to ensure that the peak position of the light intensity distribution of the transmitted light formed by the quartz crystal support does not change from that of the normal film.

이에 의해, 수정 후의 포토마스크를 전사할 때, 결함 수정 부분을 포함하는 보조 패턴을 투과하는 노광광이 형성하는 광학상은, 결함이 없는 경우의 그것과 거의 동등해져, 이 광학상이, 주 패턴을 투과하는 광의 광학상과 간섭하여, 우수한 전사 특성(예를 들어 DOF, EL)을 나타낸다.Thereby, when transferring the photomask after the modification, the optical image formed by the exposure light transmitting through the auxiliary pattern including the defect correction portion becomes almost equivalent to that in the case where there is no defect, and this optical image is transmitted through the main pattern (For example, DOF, EL).

<실시예 2(백색 결함의 경우)>&Lt; Example 2 (in the case of white defect) >

포토마스크 I의 보조 패턴에, 백색 결함이 발생한 경우를, 도 8의 (a)에 예시한다. 예를 들어, 포토마스크 I이 갖는 팔각형대의 반투광부를, 도 6에 도시하는 바와 같이 구획 A 내지 H로 구분했을 때, 구획 A에 백색 결함이 발생한 것을 검출한 경우를 상정한다. 즉, 결함의 위치와 종류가 여기에서 특정된다.A case where a white defect occurs in the auxiliary pattern of the photomask I is illustrated in Fig. 8 (a). For example, it is assumed that a half-transparent portion of the octagonal band of the photomask I is divided into the sections A to H as shown in Fig. 6, and the occurrence of white defects in the section A is detected. That is, the location and type of defects are specified here.

처음에, 도 8의 (a)에 도시하는 바와 같이, 필요에 따라, 백색 결함의 근방의 막을 제거함으로써 백색 결함의 형상을 조정해도 된다. 백색 결함의 근방의 막 제거를 행한 부분의 부호는 19로 한다. 또한, 발생한 흑색 결함의 잉여물을 제거하여 형성된 백색 결함을, 본 형태의 수정 대상으로 할 수도 있다.At first, as shown in Fig. 8 (a), the shape of the white defect may be adjusted by removing the film in the vicinity of the white defect, if necessary. The sign of the portion where the film removal is performed in the vicinity of the white defect is 19. In addition, the white defect formed by removing the excess of the generated black defect may be an object to be corrected in this embodiment.

그리고, 결함을 포함하는 영역에, 보충막(16)을 형성하여, 인공적으로 흑색 결함을 형성한다(도 8의 (b)). 이 후는 상기 흑색 결함의 수정 방법(도 7의 (a), (b), (c))과 마찬가지로 수정을 행한다.Then, a supplementary film 16 is formed in a region containing defects to form artificially black defects (Fig. 8 (b)). Thereafter, correction is performed in the same manner as the method of correcting the black defect (Figs. 7A, 7B, and 7C).

<실시예 3(흑색 결함의 경우 그 2)>&Lt; Example 3 (Case 2 for black defect) >

도 9의 (a)에는, 도 1의 (a)의 패턴이 동일 면 형상으로 복수 배치된 전사용 패턴에 있어서, 하나의 주 패턴에 대한 보조 패턴이 완전히 결락된 흑색 결함을 나타낸다. 또한, 이 흑색 결함은, 발생한 흑색 결함의 형상을 조정하여 보충막에 의해 형성한 흑색 결함이어도 되고, 또한, 발생한 백색 결함을 포함하는 영역에 보충막을 형성하여 얻은 흑색 결함이어도 된다.Fig. 9A shows a black defect in which the auxiliary pattern for one main pattern is completely missing in the transfer pattern in which a plurality of the patterns shown in Fig. 1A are arranged in the same plane shape. The black defect may be a black defect formed by the complementary film by adjusting the shape of the generated black defect, or a black defect obtained by forming a supplementary film in a region containing the generated white defect.

이 경우, 구획 A 내지 H(도 6) 모두에 대응하는 보조 패턴을 형성하는 것이 유효하다. 단, 수정 공정에 대해서는, 실시예 1과 마찬가지이다. 즉, 수정막의 형성에 앞서, 여기에서도, 실시예 1에서 행한 것과 마찬가지로, 형성하는 수정막의 투과율 T2와 폭 d2의 조합을 선택한다. 즉, 수정막의 투과율 T2를 반투광막(정상막)의 투과율 T1(예를 들어 45％)보다 크게 하고, 수정 보조 패턴 폭 d2를 정상적인 보조 패턴 폭 d1보다 작게 하는 것으로 한다. 예를 들어, 투과율 T2를 50％, 폭 d2를 1.20㎛로 할 수 있다. 또한, 수정막의 위상 시프트양은, 여기에서도 대략 180도로 한다.In this case, it is effective to form auxiliary patterns corresponding to all of the sections A to H (FIG. 6). However, the correction process is the same as that of the first embodiment. That is, before the formation of the quartz film, a combination of the transmittance T2 and the width d2 of the quartz film to be formed is selected here as in Example 1. That is, the transmittance T 2 of the quartz film is made larger than the transmittance T 1 (for example, 45%) of the semitransparent film (normal film) and the correction assistant pattern width d 2 is made smaller than the normal auxiliary pattern width d 1. For example, the transmittance T2 may be 50% and the width d2 may be 1.20 mu m. The amount of phase shift of the quartz crystal film is also about 180 degrees here.

이어서, 도 7의 (b)와 마찬가지로, 결정된 폭에 기초하여 막 제거를 행하여, 수정막을 형성하는 영역의 투명 기판을 노출시킨다. 그리고, 이 영역에, 결정된 투과율을 갖는 수정막(15)을 형성한다(도 9의 (b)). 물론, 도 7의 (d)(e)(f)의 순서에 따라도 된다.Subsequently, as in Fig. 7 (b), film removal is performed based on the determined width to expose the transparent substrate in the region where the correction film is to be formed. Then, a quartz film 15 having a determined transmittance is formed in this region (Fig. 9 (b)). 7 (d), (e), and (f).

또한, 본 형태에 있어서는 d2<d1의 경우에 대하여 설명했다. 그 한편, d2>d1의 경우는, 결함 수정 시에, 정상막인 반투광막 및 그것에 인접하는 차광막을 필요한 폭으로 제거하여 투명 기판을 노출시켜, 이 영역에 수정막을 형성한다. 이 경우, 수정막의 투과율 T2는, 정상막의 투과율 T1보다도 작다. 또한, 폭 d2는, 포토마스크를 노광하는 노광 장치가 해상하지 않는 치수(예를 들어 d2<3.0㎛)로 한다.In this embodiment, the case of d2 < d1 has been described. On the other hand, in the case of d2 > d1, when the defect is corrected, the translucent film which is a normal film and the light-shielding film adjacent thereto are removed with a required width to expose the transparent substrate and form a quartz film in this region. In this case, the transmissivity T2 of the quartz film is smaller than the transmissivity T1 of the normal film. The width d2 is a dimension (for example, d2 < 3.0 mu m) in which the exposure apparatus for exposing the photomask does not resolve.

또한, 본 발명의 수정 방법은, 포토마스크 I의 디자인의 포토마스크에 한정되지는 않는다. 본 발명의 수정 방법에 의해, 소정폭의 위상 시프트 특성을 갖는 반투광부에 발생한 결함이 수정이 실시되어, 그 투과광이 형성하는 광학상이, 정상적인 반투광부와 거의 마찬가지의 기능을 발휘하는 작용 효과가 발생하는 데 있어서, 다른 디자인의 포토마스크에 있어서도 마찬가지로 적용 가능한 것은 물론이다. 전사용 패턴의 디자인에 따라, 최적의 투과율이나 CD의 수치는, 광학 시뮬레이션에 의해 얻을 수 있다.Further, the correction method of the present invention is not limited to the photomask of the design of the photomask I. According to the correction method of the present invention, defects occurring in the semi-transmissive portion having a phase shift characteristic of a predetermined width are corrected, and an optical image formed by the transmitted light exhibits an action effect that exhibits almost the same function as a normal semi-transmissive portion It goes without saying that the present invention is equally applicable to photomasks of other designs. Depending on the design of the transfer pattern, the optimum transmittance and CD value can be obtained by optical simulation.

[본 발명의 포토마스크][Photomask of the present invention]

본 발명은 상기한 수정을 실시한 포토마스크(포토마스크 Ⅱ로 한다)를 포함한다.The present invention includes a photomask (referred to as a photomask II) modified as described above.

본 발명의 포토마스크는, 도 7의 (c), 도 9의 (b)에 예시한 바와 같이, 투명 기판 위에 전사용 패턴이 형성되어 있다.In the photomask of the present invention, as shown in Figs. 7C and 9B, a transfer pattern is formed on a transparent substrate.

이 전사용 패턴은,In this transfer pattern,

투명 기판이 노출된 투광부와,A transparent portion in which the transparent substrate is exposed,

투명 기판 위에 반투광막이 형성되어 이루어지고, 폭 d1(㎛)을 갖는 반투광부와,A translucent portion having a translucent film formed on a transparent substrate and having a width d1 (mu m)

투광부와 반투광부를 제외한 영역에 있는 차광부를 포함한다.And a light shielding portion in an area excluding the transparent portion and the semi-transparent portion.

반투광부는, 투광부의 근방에, 차광부를 개재시켜 배치되어 있다. 즉, 반투광부와 투광부 사이에는, 차광부가 끼워져 있다. 여기서, 근방이란, 반투광부와 투광부가, 그들 투과광이 서로 상호 작용을 발생시켜, 광학상의 프로파일을 변화시킬 수 있는 거리에 있음을 의미한다.The semi-light-transmitting portion is disposed in the vicinity of the light-transmitting portion via a light-shielding portion. That is, a light shielding portion is sandwiched between the translucent portion and the transparent portion. Here, the proximity means that the translucent portion and the translucent portion are at a distance capable of changing the profile of the optical image by causing the transmitted light to mutually interact with each other.

도 7의 (c), 도 9의 (b)에 도시하는 전사용 패턴에서는, 투광부가 주 패턴, 반투광부가 보조 패턴을 구성하고 있다.In the transfer patterns shown in Figs. 7C and 9B, the light-transmitting portion constitutes the main pattern and the semi-light-transmitting portion constitutes the auxiliary pattern.

또한, 본 발명의 포토마스크(포토마스크 Ⅱ)는, 상기 포토마스크 I의 반투광부에 발생한 결함을 수정한 것이다. 구체적으로는, 포토마스크 Ⅱ는, 투명 기판 상에 수정막이 형성되어 이루어지는, 폭 d2(㎛)의 수정 반투광부를 포함하고, 이것은, 정상적인 반투광부의 영역(여기서는, 정팔각형대의 영역)에 배치되어 있다. 즉, 수정 반투광부는, 정상적인 반투광부의 영역에 포함되는 형상을 갖는다.Further, the photomask (photomask II) of the present invention is a modification of a defect occurring in the semi-transmissive portion of the photomask I. Specifically, the photomask II includes a quartic translucent portion having a width d2 (占 퐉) formed by forming a quartz film on a transparent substrate, and this is arranged in a region of a normal translucent portion (here, a regular octagonal region) have. That is, the corrected translucent portion has a shape included in the region of the normal translucent portion.

또한, 포토마스크 Ⅱ에 포함되는 정상적인 반투광부는, 상기 정팔각형대의 영역의 일부를 형성하고 있다(도 7의 (c) 참조).In addition, the normal translucent portion included in the photomask II forms a part of the regular octagonal region (see Fig. 7 (c)).

정상적인 반투광부의 형상은, 동일한 전사용 패턴에 포함된, 다른 패턴을 참조하여 파악할 수 있다(도 9의 (b) 참조).The shape of the normal translucent portion can be grasped with reference to another pattern included in the same transfer pattern (see Fig. 9 (b)).

주 패턴의 직경 W1, 반투광부의 투과율 T1 및 보조 패턴의 폭 d1의 범위는, 상기에서 설명한 바와 같다.The range of the diameter W1 of the main pattern, the transmittance T1 of the semitranslucent portion, and the width d1 of the auxiliary pattern is as described above.

또한, 반투광막은, 노광광에 포함되는 대표 파장에 대하여 투과율 T1(％)을 가짐과 함께, 상기 대표 파장의 광의 위상을, φ1(도) 시프트하는 위상 시프트 특성을 갖고, 수정막은, 상기 대표 파장에 대하여 투과율 T2(％)를 가짐과 함께, 상기 대표 파장의 광의 위상을 φ2(도) 시프트하는 위상 시프트 특성을 갖는다.The semi-light-transmitting film has a transmittance T1 (%) with respect to the representative wavelength included in the exposure light, and has a phase shift characteristic that shifts the phase of light of the representative wavelength by? 1 (degrees) Has a transmittance T2 (%) with respect to a wavelength, and has a phase shift characteristic that shifts the phase of light of the representative wavelength by? 2 (degrees).

위상 φ1 및 φ2는, 대략 180도이다. 상기한 바와 같이, 대략 180도란, 180±15도의 범위이다.The phases phi 1 and phi 2 are approximately 180 degrees. As described above, the range is approximately 180 degrees, 180 degrees and 15 degrees.

바람직하게는, 위상 φ2는, φ1±10, 보다 바람직하게는 φ1±5의 범위 내로 할 수 있다.Preferably, the phase? 2 can be set within a range of? 1? 10, more preferably? 1? 5.

또한, Also,

T2>T1 또한 d2<d1이거나, 또는 T2 > T1 and d2 < d1, or

T2<T1 또한 d2>d1T2 < T1 and d2 > d1

이지만, T2>T1 또한 d2<d1이 바람직하다. 이 경우에, 막 두께가 안정된 CVD막이 얻어지기 쉽다.However, T2> T1 and d2 <d1 are preferable. In this case, a CVD film having a stable film thickness is easily obtained.

투과율 T2의 범위는, 40≤T2≤80인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 40 내지 75이다.The range of the transmittance T2 is preferably 40? T2? 80, more preferably 40 to 75.

또한, 투과율 T1과 T2의 차는, 2 내지 45인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는, 2 내지 35이다. 이 경우에, 수정 반투광부의 폭의 조정에 의해, 정상적인 반투광부와 거의 마찬가지의 광학 작용을 발생시킬 수 있다.Further, the difference between the transmittances T1 and T2 is preferably 2 to 45, and more preferably 2 to 35. In this case, almost the same optical action as the normal translucent portion can be generated by adjusting the width of the corrected translucent portion.

또한, 폭 d1과 d2의 관계는 d2<d1이 바람직하고, 폭 d1과 d2의 차는 0.05 내지 2.0이다.The relationship between the widths d1 and d2 is preferably d2 < d1, and the difference between the widths d1 and d2 is 0.05 to 2.0.

또한, 폭 d1이 2㎛ 이하인 경우는, 폭 d1과 d2의 차는, 0.05 내지 1.5의 범위로 하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.05 내지 1.0, 더욱 바람직하게는 0.05 내지 0.5이다.When the width d1 is 2 mu m or less, the difference between the widths d1 and d2 is preferably in the range of 0.05 to 1.5, more preferably 0.05 to 1.0, and still more preferably 0.05 to 0.5.

이러한 범위일 때에, 수정 보조 패턴의 투과율 T2는, 그 폭 d2와의 협동에 의해, 정상 패턴의 기능과 거의 동등한 광학상의 형성에 기여할 수 있고, 또한 CVD 레이저막으로서, 안정된 성막 조건을 선택할 수 있다. 그리고, 포토마스크 Ⅱ의 전사성(DOF, EL)이 양호한 범위를 채택할 수 있다.In this range, the transmittance T2 of the quartz crystal auxiliary pattern can contribute to the formation of an optical image almost equivalent to the function of the normal pattern by cooperating with the width d2, and stable film forming conditions can be selected as the CVD laser film. A good range of the transferability (DOF, EL) of the photomask II can be adopted.

또한, 앞서 설명한 실시예 3(흑색 결함의 경우 그 2)에서, 도 1의 (a)의 패턴이 동일 면 형상으로 복수 배치된 전사용 패턴에 있어서, 하나의 주 패턴에 대한 보조 패턴이 완전히 결락된 흑색 결함을 수정하는 예를 나타냈다. 이렇게 수정된 후의 포토마스크 Ⅱ의 전사용 패턴은, 정상적인 전사용 패턴과, 수정된 전사용 패턴을 갖도록 해도 된다.In the above-described embodiment 3 (black defect 2), in the transfer pattern in which a plurality of the patterns of FIG. 1 (a) are arranged in the same plane shape, the auxiliary pattern for one main pattern is completely missing An example of correcting the black defect is shown. The transferred pattern of the photomask II after such modification may have a normal transfer pattern and a modified transfer pattern.

여기에서 말하는 「정상적인 전사용 패턴」이란, 하나의 포토마스크 내에 있어서 복수 존재하는 도 1의 (a)의 패턴 중 흑색 결함이나 백색 결함이 존재하지 않아 수정이 행하여지지 않은 것(예를 들어 도 9의 (b) 하측 도면)을 가리킨다. 그리고 「수정된 전사용 패턴」이란, 예를 들어 도 9의 (b) 상측 도면과 같이 하나의 주 패턴에 대한 보조 패턴이 완전히 결락된 상태인 것에 대한 수정이 행하여진 패턴을 가리킨다.The " normal transfer pattern " as used herein refers to a pattern in which there is no black defect or white defect among a plurality of patterns in FIG. 1 (a) existing in one photomask and no correction is made (B) lower side of Fig. As used herein, the term " modified transfer pattern " refers to a pattern in which an auxiliary pattern for one main pattern is completely missing, for example, as shown in the upper diagram of FIG. 9B.

즉, 포토마스크 Ⅱ에는, 정상적인 전사용 패턴과, 상기한 바와 같이 보조 패턴이 완전히 결락된 상태의 것이 수정된 전사용 패턴이 공존하도록 해도 된다.That is, in the photomask II, a normal transfer pattern may coexist with a transfer pattern in which the auxiliary pattern is completely missing, as described above.

또한, 본 발명은 상술한 수정 방법을 포함하는, 포토마스크의 제조 방법을 포함한다. 본 발명은 예를 들어 포토마스크 Ⅱ의 제조 방법으로 할 수 있다.Further, the present invention includes a method of manufacturing a photomask including the above-described correction method. The present invention can be applied to, for example, a manufacturing method of a photomask II.

상술한 포토마스크 I의 제조 방법에 있어서, 형성된 반투광부에 결함이 발생했을 때에, 본 발명의 수정 방법을 적용할 수 있다. 그 경우, 예를 들어 도 11의 (f)에 도시하는, 제2 레지스트 박리 공정 후, 결함 검사 공정 및 수정 공정을 마련하고, 해당 수정 공정에 있어서, 본 발명의 수정 방법을 적용하면 된다.In the above-described manufacturing method of the photomask I, the correction method of the present invention can be applied when a defect occurs in the formed translucent portion. In this case, for example, a defect inspection step and a correction step are provided after the second resist stripping step shown in FIG. 11 (f), and the correction method of the present invention may be applied in the corresponding correction step.

본 발명은 상기한 본 발명의 포토마스크에, 노광 장치에 의해 노광하여, 피전사체 위에 상기 전사용 패턴을 전사하는 공정을 포함하는, 표시 장치의 제조 방법을 포함한다. 여기서 표시 장치란, 표시 장치를 구성하기 위한 디바이스를 포함한다.The present invention includes a manufacturing method of a display device including a step of transferring the transfer pattern onto a transfer body by exposing the photomask of the present invention by the exposure apparatus. Here, the display device includes a device for constituting a display device.

본 발명의 표시 장치 제조 방법은, 먼저, 상술한 본 형태의 포토마스크를 준비한다. 이어서, 상기 전사용 패턴을 노광하여, 피전사체 위에 직경 W2가 0.6 내지 3.0㎛인 홀 패턴을 형성한다.In the display device manufacturing method of the present invention, first, the above-described photomask of this embodiment is prepared. Subsequently, the transfer pattern is exposed to form a hole pattern having a diameter W2 of 0.6 to 3.0 mu m on the body.

사용하는 노광 장치로서는, 등배의 프로젝션 노광을 행하는 방식이며, 이하의 것이 바람직하다. 즉, FPD(Flat Panel Display)용으로서 사용되는 노광 장치이며, 그 구성은, 광학계의 개구수(NA)가 0.08 내지 0.15(코히런스 팩터(σ)가 0.4 내지 0.9)이며, i선, h선 및 g선의 적어도 하나를 노광광에 포함하는 광원을 갖는 것이다. 단, 개구수 NA가 0.10 내지 0.20이 되는 노광 장치에 있어서도, 본 발명을 적용하여 발명의 효과를 얻는 것이 물론 가능하다.As an exposure apparatus to be used, the following method is preferably used in which the projection exposure is performed in the same manner. That is, it is an exposure apparatus used for an FPD (Flat Panel Display). The exposure apparatus is configured such that the numerical aperture (NA) of the optical system is 0.08 to 0.15 (coherence factor (?) Is 0.4 to 0.9) And at least one of the g lines is included in the exposure light. However, it is of course possible to obtain the effect of the invention by applying the present invention to an exposure apparatus having a numerical aperture NA of 0.10 to 0.20.

또한, 사용하는 노광 장치의 광원은, 변형 조명(윤대 조명 등의 사광 조명)을 사용해도 되지만, 비변형 조명에서도, 본 발명의 우수한 효과가 얻어진다.The light source of the exposure apparatus to be used may be a modified illumination (a quadrature illumination such as annular illumination), but an excellent effect of the present invention is also obtained in non-modified illumination.

본 발명을 적용하는 포토마스크의 용도에 특별히 제한은 없다. 본 발명의 포토마스크는, 액정 표시 장치나 EL 표시 장치 등을 포함하는 표시 장치의 제조 시에, 바람직하게 사용할 수 있는, 투과형의 포토마스크로 할 수 있다.The use of the photomask to which the present invention is applied is not particularly limited. The photomask of the present invention can be a transmissive type photomask which can be preferably used at the time of manufacturing a display device including a liquid crystal display device and an EL display device.

투과광의 위상이 반전하는 반투광부를 사용한 본 발명의 포토마스크에 의하면, 주 패턴과 보조 패턴 양쪽을 투과하는 노광광의 상호 간섭을 제어하여, 노광 시에 제로차 광을 저감시켜, ±1차 광의 비율을 상대적으로 증대시킬 수 있다. 이로 인해, 투과광의 공간상을 대폭 개선할 수 있다.According to the photomask of the present invention using the semitransparent portion whose phase of transmitted light is inverted, the mutual interference of the exposure light transmitted through both the main pattern and the auxiliary pattern is controlled to reduce the zero-order light at the time of exposure, Can be relatively increased. As a result, the spatial image of the transmitted light can be significantly improved.

이러한 작용 효과가 유리하게 얻어지는 용도로서, 액정 표시 장치나 EL 표시 장치에 다용되는 콘택트 홀 등, 고립된 홀 패턴의 형성을 위하여 본 발명의 포토마스크를 사용하는 것이 유리하다. 패턴의 종류로서는, 일정한 규칙성을 갖고 다수의 패턴이 배열됨으로써, 이들이 서로 광학적인 영향을 서로 미치는 밀집(Dense) 패턴과, 이러한 규칙적 배열의 패턴이 주위에 존재하지 않는 고립 패턴을 구별하여 호칭하는 경우가 많다. 본 발명의 포토마스크는, 피전사체 위에 고립 패턴을 형성하고자 할 때 특히 적합하게 적용된다.As an application in which such an action effect is advantageously obtained, it is advantageous to use the photomask of the present invention for forming an isolated hole pattern such as a contact hole commonly used in a liquid crystal display device or an EL display device. As a kind of the pattern, a plurality of patterns having a regular regularity are arranged so that a dense pattern in which the mutual optical effects are mutually different from each other and an isolated pattern in which the pattern of such regular arrangement does not exist around are distinguished There are many cases. The photomask of the present invention is particularly suitably applied when an isolated pattern is to be formed on a transferred body.

본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 본 발명을 적용하는 포토마스크에는 부가적인 광학막이나 기능막을 사용해도 된다. 예를 들어, 차광막이 갖는 광 투과율이, 검사나 포토마스크의 위치 검지에 지장을 주는 문제를 방지하기 위하여, 전사용 패턴 이외의 영역에 차광막이 형성되는 구성으로 해도 된다. 또한, 반투광막이나, 차광막의 표면에 묘화광이나 노광광의 반사를 저감시키기 위한 반사 방지층을 형성해도 된다. 또한, 반투광막의 이면에 반사 방지층을 형성해도 된다.To the extent that the effect of the present invention is not impaired, an additional optical film or functional film may be used for the photomask to which the present invention is applied. For example, in order to prevent the problem that the light transmittance of the light shielding film hinders the inspection or the positional detection of the photomask, the light shielding film may be formed in an area other than the transfer pattern. Further, an antireflection layer for reducing the reflection of imaging light or exposure light may be formed on the surface of the semitransparent film or the light-shielding film. Further, an antireflection layer may be formed on the back surface of the semitransparent film.

1: 주 패턴
2: 보조 패턴
3: 차광부
4: 투광부
5: 반투광부
10: 투명 기판
11: 반투광막
12: 차광막
12p: 차광막 패턴
13: 제1 포토레지스트막
13p: 제1 레지스트 패턴
14: 제2 포토레지스트막
14p: 제2 레지스트 패턴
15: 수정막
16: 보충막
17: 흑색 결함의 형상을 보충막으로 조정한 부분
18: 막 제거를 행한 부분
19: 백색 결함의 근방의 막 제거를 행한 부분1: main pattern
2: auxiliary pattern
3:
4:
5: Translucent part
10: transparent substrate
11: Semitransparent film
12:
12p: light-shielding film pattern
13: First photoresist film
13p: first resist pattern
14: Second photoresist film
14p: second resist pattern
15:
16: Replacement membrane
17: A portion where the shape of the black defect is adjusted by the supplementary film
18: Portion where film was removed
19: a portion where film removal was performed in the vicinity of the white defect

Claims

A method for correcting a photomask comprising a transferring portion, a light-shielding portion and a transfer pattern having a translucent portion with a width d1 (占 퐉) formed by patterning a light-shielding film and a semitransparent film on a transparent substrate,
A step of specifying a defect occurring in the translucent portion,
Forming a quartz film at a position of the identified defect, and forming a quartz translucent portion having a width d2 (mu m)
d1 < 3.0,
The semi-light-transmitting film has a transmittance T1 (%) with respect to a representative wavelength included in the exposure light, and has a phase shift characteristic for shifting the phase of light of the representative wavelength by approximately 180 degrees,
The quartz film has a phase shift characteristic that has a transmittance T2 (%) with respect to the representative wavelength and shifts the phase of light of the representative wavelength by approximately 180 degrees,
T2 > T1 and d2 < d1, or
T2 < T1 and d2 > d1.

2. The method according to claim 1, wherein the widths d1 and d2 are dimensions in which the exposure apparatus for exposing the photomask does not resolve.

The method for correcting a photomask according to claim 1 or 2, wherein the translucent portion is disposed in the vicinity of the translucent portion with the shielding portion interposed therebetween.

The method of claim 1 or 2, wherein T2 > T1, and the difference between T1 and T2 is in the range of 2 to 45.

5. The method of claim 4, wherein d2 < d1, and the difference between d1 and d2 is 0.05 to 2.0.

A method for correcting a photomask according to any one of Claims 1 to 4, wherein a light-shielding supplementary film is formed at a position adjacent to the modified translucent portion before or after the modified film formation process.

3. The projection optical system according to claim 1 or 2, wherein the translucent portion is disposed in the vicinity of the transparent portion with the shielding portion interposed therebetween, and by changing the light intensity distribution formed by the exposure light transmitted through the transparent portion on the body, And the auxiliary pattern is formed to increase the depth of the photomask.

The transfer pattern according to claim 1 or 2, wherein the transfer pattern to which the correction method is applied is for forming a hole pattern on a transferred body,
A main pattern having a diameter of W1 (占 퐉)
An auxiliary pattern having a width d1 (占 퐉) including the semi-light-projecting portion and arranged in the vicinity of the main pattern via the light-shielding portion;
And a shielding portion in an area excluding the main pattern and the auxiliary pattern and surrounding the main pattern and the auxiliary pattern.

The method of claim 8, wherein the auxiliary pattern is a region of a polygonal band or a circular band surrounding the main pattern through the shielding portion.

The distance between the center of the width of the main pattern and the center of the width of the auxiliary pattern is defined as distance P1 and the distance between the center of width of the main pattern and the center of the width of the correction assistant pattern including the quadrant- Is P2, P2 = P2. &Lt; / RTI >

The method of claim 1 or 2, wherein the transfer pattern is a pattern for manufacturing a display device.

A manufacturing method of a photomask, comprising the method for correcting a photomask according to any one of claims 1 to 3.

A photomask having a transfer pattern including a transparent portion, a light-shielding portion, and a semi-transparent portion on a transparent substrate,
Wherein the transfer pattern
A transparent portion to which the transparent substrate is exposed,
A translucent portion formed by forming a translucent film having a width d1 (占 퐉) on the transparent substrate;
And the light shielding portion in a region excluding the transparent portion and the semi-transparent portion,
And a quartz translucent portion formed on the transparent substrate with a quartz film having a width d2 (mu m) including a material different from the semitransparent film,
d1 < 3.0,
Wherein the translucent film has a transmittance T1 (%) with respect to a representative wavelength included in the exposure light and has a phase shift characteristic that shifts the phase of light of the representative wavelength by approximately 180 degrees,
Wherein the quartz film has a phase shift characteristic that has transmittance T2 (%) with respect to the representative wavelength and shifts the phase of light of the representative wavelength by approximately 180 degrees,
T2 > T1 and d2 < d1, or
T2 < T1 and d2 > d1.

A photomask having a transfer pattern including a transparent portion, a light-shielding portion, and a translucent portion on a transparent substrate,
Wherein the transfer pattern has a normal transfer pattern and a modified transfer pattern,
In the normal transfer pattern,
A transparent portion to which the transparent substrate is exposed,
A translucent portion formed on the transparent substrate and having a width d1 (占 퐉) disposed in the vicinity of the transparent portion with the light-shielding portion interposed therebetween;
And the light blocking portion in a region excluding the transparent portion and the translucent portion,
Wherein the modified transfer pattern comprises:
A transparent portion to which the transparent substrate is exposed,
And a correction film including a material different from that of the semitransparent film is formed on the transparent substrate, and a correction translucent portion having a width d2 (占 퐉), which is disposed in the vicinity of the translucent portion via the light-shielding portion or the supplemental light- Wow,
And the light shielding portion in a region excluding the transparent portion and the quartz translucent portion,
d1 < 3.0,
The semi-light-transmitting film has a transmittance T1 (%) with respect to a representative wavelength included in the exposure light, and has a phase shift characteristic for shifting the phase of light of the representative wavelength by approximately 180 degrees,
Wherein the quartz film has a transmittance T2 (%) with respect to the representative wavelength and a phase shift characteristic that shifts the phase of light of the representative wavelength by approximately 180 degrees,
T2 > T1 and d2 < d1, or
T2 < T1 and d2 > d1.

A photomask having a transfer pattern including a transparent portion, a light-shielding portion, and a translucent portion on a transparent substrate,
Wherein the transfer pattern
A main pattern having a diameter of W1 (占 퐉)
An auxiliary pattern having a width d1 (占 퐉) including the semitransparent portion and arranged with the light shielding portion interposed therebetween in the vicinity of the main pattern;
And the light shielding portion in an area excluding the main pattern and the auxiliary pattern,
A correction film having a material different from that of the semitransparent film is formed on the transparent substrate, and a correction of a width d2 (mu m) including a quasi-transparent portion disposed through the light shielding portion in the vicinity of the main pattern, Comprising an auxiliary pattern,
d1 < 3.0,
The semi-light-transmitting film has a transmittance T1 (%) with respect to a representative wavelength included in the exposure light, and has a phase shift characteristic for shifting the phase of light of the representative wavelength by approximately 180 degrees,
Wherein the quartz film has a transmittance T2 (%) with respect to the representative wavelength and a phase shift characteristic that shifts the phase of light of the representative wavelength by approximately 180 degrees,
T2 > T1 and d2 < d1, or
T2 < T1 and d2 > d1.

A photomask having a transfer pattern including a transparent portion, a light-shielding portion, and a translucent portion on a transparent substrate,
Wherein the transfer pattern has a normal transfer pattern and a modified transfer pattern,
In the normal transfer pattern,
A main pattern having a diameter of W1 (占 퐉)
An auxiliary pattern having a width d1 (占 퐉) including the semitransparent portion and arranged with the light shielding portion interposed therebetween in the vicinity of the main pattern;
And the light shielding portion in an area excluding the main pattern and the auxiliary pattern,
Wherein the modified transfer pattern comprises:
A main pattern having a diameter of W1 (占 퐉)
And a quadruple light transmitting portion disposed on the transparent substrate with a quartz film containing a material different from that of the semitransparent film and arranged in the vicinity of the main pattern with the light shielding portion or the supplementary light shielding portion interposed therebetween, (占 퐉) correction assist pattern,
And the light shielding portion in an area excluding the main pattern and the correction assistant pattern,
d1 < 3.0,
The semi-light-transmitting film has a transmittance T1 (%) with respect to a representative wavelength included in the exposure light, and has a phase shift characteristic for shifting the phase of light of the representative wavelength by approximately 180 degrees,
Wherein the quartz film has a transmittance T2 (%) with respect to the representative wavelength and a phase shift characteristic that shifts the phase of light of the representative wavelength by approximately 180 degrees,
T2 > T1 and d2 < d1, or
T2 < T1 and d2 > d1.

The distance between the center of width of the main pattern and the center of the width of the auxiliary pattern is a distance P1 and the distance between the center of width of the main pattern and the center of the width of the correction assist pattern is P2 , P1 = P2. &Lt; / RTI >

The photomask according to claim 15 or 16, wherein the auxiliary pattern has a shape enclosed in a region of a polygonal band or a circular band surrounding the main pattern through the shielding portion.

16. The illumination device according to claim 15, wherein the auxiliary pattern having the width d1 (占 퐉) constitutes a part of an area of the octagonal band surrounding the main pattern through the shielding part, A photomask having a shape to be included.

The liquid crystal display device according to any one of claims 13 to 16, wherein the translucent portion is disposed in the vicinity of the transparent portion with the shielding portion interposed therebetween, and wherein the exposure light transmitted through the transparent portion is formed on a transfer Is an auxiliary pattern for increasing the depth of focus of the photomask.

17. A photomask according to any one of claims 13 to 16, wherein the widths d1 and d2 are dimensions in which the exposure apparatus for exposing the photomask does not resolve.

17. The photomask of any one of claims 13 to 16, wherein the transfer pattern has a complementary shielding portion including a light-shielding supplementary film at a position adjacent to the modified translucent portion.

17. The photomask of any one of claims 13 to 16, wherein T2 > T1 and the difference between T1 and T2 is in the range of 2 to 45.

24. The photomask of claim 23, wherein d2 < d1 and the difference between d1 and d2 is 0.05 to 2.0.

17. The photomask of any one of claims 13 to 16, wherein the transfer pattern is for forming a hole pattern on a transferred body.

A manufacturing method of a display device, which uses the photomask of any one of claims 13 to 16 to irradiate the transfer pattern with exposure light including i line, h line and g line, And performing pattern transfer on the patterned surface.