KR20190014624A - Mold for semiconductor package - Google Patents

Mold for semiconductor package Download PDF

Info

Publication number
KR20190014624A
KR20190014624A KR1020170098311A KR20170098311A KR20190014624A KR 20190014624 A KR20190014624 A KR 20190014624A KR 1020170098311 A KR1020170098311 A KR 1020170098311A KR 20170098311 A KR20170098311 A KR 20170098311A KR 20190014624 A KR20190014624 A KR 20190014624A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mold
hole
ejecting
cavity
semiconductor package
Prior art date
Application number
KR1020170098311A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
심완보
Original Assignee
심완보
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 심완보 filed Critical 심완보
Priority to KR1020170098311A priority Critical patent/KR20190014624A/en
Publication of KR20190014624A publication Critical patent/KR20190014624A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67121—Apparatus for making assemblies not otherwise provided for, e.g. package constructions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)

Abstract

Disclosed is a mold for a semiconductor package, which is used for a molding process of a semiconductor package, and comprises: an upper mold; a lower mold; and a lower chase disposed in the lower mold and including a vacuum suction line which vacuum-sucks and fixes the semiconductor package while providing a loading surface to load the semiconductor package thereon. According to the present invention, the mold for a semiconductor package comprises: a middle mold interposed between the upper and lower molds, and forming a cavity for molding between the lower chase and the middle mold; and an upper chase disposed in the upper mold, and having an air vent to communicate with at least the cavity together with the middle mold. Accordingly, since the air vent is formed in the upper chase and communicates with an upper ejecting hole and the cavity, it is maximally prevented that a void is formed in a corner portion by incomplete charging of molding resin due to air and gas when the semiconductor package is dually molded, thereby decreasing a defect rate of a product.

Description

반도체 패키지의 몰드 금형{MOLD FOR SEMICONDUCTOR PACKAGE}[0001] MOLD FOR SEMICONDUCTOR PACKAGE [0002]

본 발명은, 금형에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 반도체 패키지를 2중 몰딩할 때 코너 부위에 공기 및 가스로 인한 몰딩 수지의 불완전 충진으로 보이드(void)가 발생하는 것을 최대한 방지하여 제품 불량율을 감소하고 이젝팅 홀을 공기 및 가스의 배기유로로 이용함으로써 공기 및 가스 배출을 위한 구성 추가를 최소로 할 수 있는 반도체 패키지의 몰드 금형에 관한 것이다.The present invention relates to a mold, and more particularly, to a mold for preventing voids from occurring due to incomplete filling of a molding resin due to air and gas at corner portions when the semiconductor package is double- And an ejecting hole is used as an exhaust passage for air and gas, thereby minimizing addition of components for air and gas discharge.

일반적으로 반도체 웨이퍼에 칩(Chip) 상태로 존재하던 반도체 집적회로는 일련의 패키징(Packaging) 공정을 거치면서 외부의 충격으로부터 칩이 보호되는 반도체 패키지(package) 형태로 재가공된다.In general, a semiconductor integrated circuit, which is present in a chip state on a semiconductor wafer, is processed into a semiconductor package in which a chip is protected from external impacts through a series of packaging processes.

이와 같이 반도체 패키지 형태로 재가공하는 공정을 반도체 패키징 공정이라고 하는데, 크게 본딩 공정, 와이어 공정, 몰딩 공정으로 분류된다. 본딩 공정에서는 탑재 영역인 리드 프레임(lead frame) 등에 트랜지스터 및 커패시터 등과 같은 고집적회로가 형성되는 반도체 칩(chip)을 실장한다. 그리고 와이어 공정에서는 반도체 칩의 본딩 패드와 부재의 본딩 영역 사이를 와이어로 결선하여 외부 접속단자가 전기적으로 통전되도록 한다. 몰딩 공정에서는 반도체 칩과 와이어 등을 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC, Epoxy Molding Compound)와 같은 몰딩수지를 이용하여 외관 몰딩한다. 몰딩 공정은 봉지 공정이라 부르기도 한다.The process of repacking in the form of a semiconductor package is referred to as a semiconductor packaging process. The process is classified into a bonding process, a wire process, and a molding process. In the bonding process, a semiconductor chip, in which a highly integrated circuit such as a transistor and a capacitor is formed, is mounted on a lead frame, which is a mounting area. In the wire process, a wire is connected between the bonding pad of the semiconductor chip and the bonding region of the member so that the external connection terminal is electrically energized. In the molding process, a semiconductor chip and a wire are externally molded using a molding resin such as an epoxy molding compound (EMC). The molding process is sometimes referred to as a sealing process.

한편, 몰딩수지를 이용하여 반도체 패키지를 몰딩하는 종래 몰딩 방식은, 몰딩 작업 대상물 즉 반도체 칩이 부착되어 있는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)이 수용되는 캐비티(cavity)를 구비하는 몰딩 금형의 내부로 몰딩수지를 일정한 압력으로 주입함으로써 진행되어 왔다.Meanwhile, a conventional molding method of molding a semiconductor package using a molding resin includes a molding die having a cavity in which an object to be molded, that is, a printed circuit board (PCB) with a semiconductor chip, And the molding resin is injected at a constant pressure into the mold.

그러나, 종래에는 열경화성 수지를 이용하여 반도체 패키지 센서에 2중 몰딩 성형할 때 반도체 패키지 코너 쪽에 가스와 공기로 인해 불완전 충진이 발생하여 몰딩수지가 채워지지 않은 공간인 소위 불완전한 보이드(Incomplete Void)가 발생되어 몰딩 불량이 초래되었다.However, in the related art, when a semiconductor package sensor is double-molded by using a thermosetting resin, incomplete filling occurs due to gas and air at the corner of the semiconductor package, so that an incomplete void occurs, which is a space in which the molding resin is not filled Resulting in poor molding.

이러한 문제점을 고려하여, 몰딩 금형의 외벽에 초음파 진동자를 부착하여 몰딩 금형의 외벽에서 몰딩 금형 자체에 초음파 진동을 부여함으로써 몰딩수지의 흐름성(flow ability)을 향상시키기 위한 방식이 소개된 바 있다.In consideration of this problem, a method for improving the flow ability of a molding resin by attaching an ultrasonic vibrator to the outer wall of the molding die and imparting ultrasonic vibration to the molding die itself at the outer wall of the molding die has been introduced.

그러나 이러한 방법은 몰딩 금형 자체에 초음파 진동을 부여하는 것이므로 몰딩수지의 흐름성을 간접적으로 향상시키고자 하는 방법에 지나지 않으므로 그 효과가 입력대비 상대적으로 미미할 수 있다. 또한, 몰딩 금형 이외에 초음파 진동 부여를 위한 별도의 구성이 추가됨으로 인해 비용이 증가하는 단점도 있다.However, since this method gives ultrasound vibration to the molding die itself, it is only a method to indirectly improve the flowability of the molding resin, so that the effect may be relatively small compared to the input. In addition, there is a disadvantage in that the cost is increased due to the addition of a separate structure for imparting ultrasonic vibration in addition to the molding die.

대한민국 등록특허공보 제10-0271356호(2000.08.14. 등록)Korean Registered Patent No. 10-0271356 (Registered on August 14, 2000)

본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 반도체 패키지를 2중 몰딩할 때 코너 부위에 공기 및 가스로 인한 몰딩 수지의 불완전 충진으로 보이드(void)가 발생하는 것을 최대한 방지하여 제품 불량율을 감소할 수 있는 반도체 패키지의 몰드 금형을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been conceived to solve the above-mentioned problems of the prior art, and it is an object of the present invention to provide a semiconductor device and a method of manufacturing the same, which can prevent voids from being generated due to incomplete filling of a molding resin due to air and gas, And it is an object of the present invention to provide a mold mold of a semiconductor package capable of reducing a defective rate.

본 발명은, 보이드 발생 억제를 위한 구성을 별도로 추가하지 않고 이젝팅 홀을 공기 및 가스의 배기유로로 이용함으로써 공기 및 가스 배출을 위한 구성 추가를 최소로 하여 금형 제조 비용의 증가를 최소화할 수 있는 반도체 패키지의 몰드 금형을 제공하는 것을 다른 목적으로 한다.The present invention can minimize the addition of components for air and gas discharge by minimizing an increase in mold manufacturing cost by using ejecting holes as air and gas exhaust passages without additionally providing a configuration for suppressing void generation It is another object to provide a mold die of a semiconductor package.

본 발명의 일 측면에 따르면, 반도체 패키지의 몰딩 공정에 사용되고, 상부 금형, 하부 금형, 상기 하부 금형에 마련되고 상기 반도체 패키지가 안착되도록 안착면을 제공하면서 진공 흡착하여 고정 가능하도록 진공흡착라인이 마련되는 하부 체이스를 포함하는 몰드 금형으로서, 상기 상부 금형과 상기 하부 금형 사이에 개재되며 상기 하부 체이스와의 사이에 몰딩을 위한 캐비티를 형성하는 중간 금형; 및 상기 상부 금형에 마련되고 상기 중간 금형과 더불어 상기 캐비티와 적어도 연통하도록 에어 밴트가 마련되는 상부 체이스;를 포함하는 반도체 패키지의 몰드 금형을 제공한다.According to an aspect of the present invention, a vacuum adsorption line is provided in an upper mold, a lower mold, a lower mold, and a vacuum adsorption line so as to be vacuum-adsorbed while providing a seating surface for seating the semiconductor package. An intermediate mold interposed between the upper mold and the lower mold and forming a cavity for molding between the upper mold and the lower chase; And an upper chase provided in the upper mold and provided with an air vent so as to at least communicate with the cavity together with the intermediate mold.

상기 중간 금형에는, 성형하고자 하는 반도체 패키지 몰드물의 가장자리 영역과 대응하면서 상부 이젝팅 핀의 구동 경로를 형성함과 더불어 상하 방향으로 관통하도록 복수의 상부 이젝팅 홀이 마련되고, 상기 에어 밴트는 상기 복수의 상부 이젝팅 홀 및 상기 캐비티와 적어도 연통하도록 마련될 수 있다.Wherein the intermediate mold has a plurality of upper ejecting holes extending in the vertical direction while forming a driving path of the upper ejecting pin in correspondence with an edge area of the semiconductor package mold to be molded, The upper ejection hole, and the cavity.

상기 캐비티, 상기 상부 이젝팅 홀 및 상기 에어 밴트 내부의 공기 및 가스를 외부로 배출하도록 상기 에어 밴트와 연결되어 진공압을 형성하는 진공 배기부;를 더 포함할 수 있다.And a vacuum evacuation unit connected to the cavity, the upper ejecting hole, and the air vent to discharge air and gas from the air vent to the outside.

상기 하부 체이스에는 하부 이젝팅 핀의 구동 경로를 형성함과 더불어 상기 진공흡착라인과 연통하도록 하부 이젝팅 홀이 마련되고, 상기 상부 이젝팅 홀과 상기 하부 이젝팅 홀은 각각, 상기 상부 이젝팅 핀과 상기 하부 이젝팅 핀의 슬라이드 이동을 가이드하는 핀 가이드홀; 상기 핀 가이드홀과 연통하면서 상기 캐비티를 향해 반경이 좁아지게 형성되는 경사홀; 상기 경사홀과 상기 캐비티 사이를 수직하게 연결하는 수직홀; 및 상기 수직홀의 선단에 상기 캐비티와 연결되는 개구로서의 연통구;를 포함할 수 있다.A lower ejecting hole is formed in the lower chase to form a driving path of the lower ejecting pin and to communicate with the vacuum suction line, and the upper ejecting hole and the lower ejecting hole are respectively connected to the upper ejecting pin A pin guide hole for guiding slide movement of the lower ejecting pin; An inclined hole communicating with the pin guide hole and formed to have a smaller radius toward the cavity; A vertical hole vertically connecting the inclined hole and the cavity; And a communication port as an opening connected to the cavity at the tip of the vertical hole.

상기 상부 이젝팅 핀과 상기 하부 이젝팅 핀은 각각, 일단에 상기 수직홀의 내경보다 작은 직경을 구비하는 공기가이드부; 및 상기 공기가이드부와 연결되고 상기 수직홀의 내경과 동일한 직경을 구비하는 몸통부;를 포함하고 상기 공기가이드부와 인접하는 상기 몸통부의 선단 측면이 절개되면서 함몰된 하나 이상의 공기안내홈이 마련되고, 상기 공기안내홈을 상기 공기가이드부와 함께 이동시키면서 상기 연통구의 차폐를 제어할 수 있다.Wherein each of the upper ejecting pin and the lower ejecting pin has an air guide portion having a diameter smaller than an inner diameter of the vertical hole at one end; And a body connected to the air guide portion and having a diameter equal to an inner diameter of the vertical hole, wherein at least one air guide groove is provided, the tip side surface of the body portion being adjacent to the air guide portion being incised, The shielding of the communication hole can be controlled while moving the air guide groove together with the air guide portion.

상기에서 설명한 본 발명의 반도체 패키지의 몰드 금형에 의하면, 상부 체이스에 에어 밴트를 형성하고 에어 밴트가 상부 이젝팅 홀, 캐비티와 연통하도록 함으로써, 반도체 패키지를 2중 몰딩할 때 코너 부위에 공기 및 가스로 인한 몰딩 수지의 불완전 충진으로 보이드(void)가 발생하는 것을 최대한 방지하여 제품 불량율을 감소할 수 있다.According to the above-described mold mold of the semiconductor package of the present invention, an air vent is formed in the upper chase and the air vent is communicated with the upper ejecting hole and the cavity, so that when the semiconductor package is double- It is possible to prevent the generation of voids due to incomplete filling of the molding resin due to the molding resin, thereby reducing the product defective rate.

또한, 별도의 진동발생장치와 같은 보이드 발생 억제를 위한 구성을 별도로 추가하지 않고 이젝팅 홀을 공기 및 가스 배기유로로 이용함으로써 공기 및 가스 배출을 위한 구성 추가를 최소로 하여 금형 제조 비용의 증가를 최소화할 수 있다.Further, by using ejecting holes as the air and gas exhaust passages without additionally forming a structure for suppressing the occurrence of voids such as a separate vibration generating device, it is possible to minimize the addition of components for air and gas exhaust, Can be minimized.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지의 몰드 금형을 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 A 부분의 확대도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지의 몰드 금형의 하부 체이스를 나타내는 평면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지의 몰드 금형에서 상부 이젝팅 핀과 상부 이젝팅 홀과 공기의 흐름을 상세하게 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지의 몰드 금형에서 하부 이젝팅 핀과 하부 이젝팅 홀과 공기의 흐름을 상세하게 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지의 몰드 금형에서 이젝팅 핀의 동작 상태를 나타내는 도면이다.1 is a cross-sectional view showing a mold die of a semiconductor package according to an embodiment of the present invention.
2 is an enlarged view of a portion A in Fig.
3 is a plan view showing a lower chase of a mold die of a semiconductor package according to an embodiment of the present invention.
4 is a view showing in detail the upper ejecting pin, the upper ejecting hole and the air flow in the mold of the semiconductor package according to the embodiment of the present invention.
5 is a view illustrating in detail a lower ejecting pin, a lower ejecting hole and an air flow in a mold of a semiconductor package according to an embodiment of the present invention.
6 is a view showing an operating state of an ejecting pin in a mold die of a semiconductor package according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, It is provided to let you know. Wherein like reference numerals refer to like elements throughout.

본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 패키지의 몰드 금형(이하, '금형'이라 한다)은, 트랜스퍼 몰딩(Transfer molding) 방식을 이용하여 지문인식 센서, 키보드 자판, 렌즈 등과 같은 다양한 부품을 제작하기 위한 것으로서, 1차 몰딩 완료된 반도체 패키지 몰드물에 EMC나 실리콘 등을 이용하여 2차 몰딩 작업을 실시한다. 본 발명은, 2차 몰딩 공정시 캐비티 내의 공기 및 가스를 외부로 원활하게 배출하는 구조를 마련함으로써, 2차 몰딩 공정시 캐비티에 있는 공기 및 가스가 외부로 제대로 배출되지 못하여 2차 몰딩 완료된 반도체 패키지 몰드물의 표면에 배출되지 못한 공기 및 가스로 인해 움푹 패여지는 보이드 마크(void mark) 등이 발생하는 것을 방지하도록 이루어진다.A mold (hereinafter, referred to as a "mold") of a semiconductor package according to a preferred embodiment of the present invention is a mold for transferring a semiconductor memory device to a semiconductor memory device for manufacturing various parts such as a fingerprint sensor, Secondary molding works are performed on the molds of the semiconductor package, which have been subjected to the first molding, by using EMC or silicone. The present invention provides a structure for smoothly discharging the air and gas in the cavity to the outside during the secondary molding process so that air and gas in the cavity can not be properly discharged to the outside during the secondary molding process, A void mark or the like which is dented due to air and gas which can not be discharged onto the surface of the mold material is prevented.

이하, 본 발명을 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 금형은, 반도체 패키지(10)의 몰딩 공정에 사용되고, 상부 금형(100), 하부 금형(110), 하부 금형(110)에 마련되고 반도체 패키지(10)가 안착되도록 안착면을 제공하면서 진공 흡착하여 고정 가능하도록 진공흡착라인(210)이 마련되는 하부 체이스(200)를 포함하는 몰드 금형으로서, 상부 금형(100)과 하부 금형(110) 사이에 개재되며 하부 체이스(200)와의 사이에 몰딩을 위한 캐비티(310)를 형성하는 중간 금형(300)과, 상부 금형(100)에 마련되고 중간 금형(300)과 더불어 캐비티(310)와 적어도 연통하도록 에어 밴트(410)가 마련되는 상부 체이스(400)를 포함한다.1 and 2, the mold according to the embodiment of the present invention is used in the molding process of the semiconductor package 10, and the upper mold 100, the lower mold 110, the lower mold 110, And a lower chase (200) provided with a vacuum suction line (210) so as to allow vacuum suction and fixation while providing a seating surface so that the semiconductor package (10) is seated. The upper mold (100) The intermediate mold 300 provided in the upper mold 100 and the cavity 310 provided between the upper mold 100 and the lower mold 300 and forming a cavity 310 for molding between the upper mold 100 and the lower chase 200, And an upper chase 400 provided with an air vent 410 so as to at least communicate with the air vent 410.

또한, 본 발명은, 후술하는 이젝팅 핀(800,810)의 하단이 고정되는 상부 및 하부 이젝터 핀 플레이트(500,510, ejector pin plate)와, 상부 및 하부 이젝터 핀 플레이트(500,510)에 각각 인접하게 마련되고 이젝팅 핀(800,810)이 후술하는 상부 이젝팅 홀(600)과 하부 이젝팅 홀(610)의 개구된 부분을 선택적으로 차폐하도록 이젝팅 핀(800,810)을 움직여 주는 상부 및 하부 드라이브 플레이트(700,710, drive plate)와, 상부 이젝팅 홀(600)과 하부 이젝팅 홀(610)을 따라 각각 상방 또는 하방으로 이동하면서 상부 이젝팅 홀(600)과 하부 이젝팅 홀(610)의 외부와 연통되게 개구된 부분의 차폐를 제어하거나 2차 몰딩 완료된 반도체 패키지 몰드물을 상부 체이스(400) 및 하부 체이스(200)로부터 분리시키는 상부 이젝팅 핀(800)과 하부 이젝팅 핀(810)을 포함한다. 또한, 본 발명은 하부 체이스(200)의 하방에 반도체 패키지(10)의 진공 흡입 고정시 공기가 외부로 배출되는 것을 방지하는 진공 플레이트(900)가 마련된다.The upper and lower ejector pin plates 500 and 510 and the upper and lower ejector pin plates 500 and 510 are provided adjacent to the lower ends of the ejecting pins 800 and 810, The upper and lower drive plates 700 and 710, which move the ejecting pins 800 and 810 to selectively block the ejecting holes 600 and the opening portions of the lower ejecting hole 610, and the upper ejecting hole 600 and the lower ejecting hole 610 so as to communicate with the upper ejecting hole 600 and the lower ejecting hole 610 while being moved upward or downward along the upper ejecting hole 600 and the lower ejecting hole 610, And an upper ejecting pin 800 and a lower ejecting pin 810 for controlling the shielding of the semiconductor package and separating the semiconductor package mold material from the upper chase 400 and the lower chase 200. In addition, the present invention is provided with a vacuum plate 900 below the lower chase 200 to prevent air from being exhausted to the outside when the semiconductor package 10 is vacuum-sucked.

하부 금형(110)은 상부 금형(100) 아래에 위치하며, 몰딩 대상 반도체 패키지를 고정시킨다. 여기서 몰딩 대상 반도체 패키지는 반도체 소자를 통칭하며, 바람직하게는 반도체(또는 반도체 칩(CHIP))이 실장 된 인쇄회로기판 프레임이다. 복수의 상부 체이스(400) 및 하부 체이스(200) 사이에는 열경화성 수지(EMC) 공급을 위해 다수의 수지공급홀(미도시) 및 플런저(미도시) 등이 마련되며, 캐비티로 수지를 공급하여 몰딩하는 일련의 과정은 당업자에게 자명한 사실이므로 몰딩 과정에 대한 더 자세한 설명은 생략하기로 한다.The lower mold 110 is located below the upper mold 100 and fixes the semiconductor package to be molded. Here, the semiconductor package to be molded refers to a semiconductor device, preferably a printed circuit board frame on which a semiconductor (or a semiconductor chip (CHIP)) is mounted. A plurality of resin supply holes (not shown) and a plunger (not shown) are provided between the upper chase 400 and the lower chase 200 to supply thermosetting resin (EMC) A detailed description of the molding process will be omitted since it is obvious to a person skilled in the art.

먼저, 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명은 트랜스퍼 몰딩 방식을 이용하여 반도체 패키지(10)를 2차 몰딩하도록 상부 금형(100)과 하부 금형(110) 사이, 구체적으로 상부 체이스(400)와 하부 체이스(200) 사이에 중간 금형(300)이 마련되고, 중간 금형(300)은 하부 체이스(200)와의 사이에 실질적인 몰딩 공간으로서의 캐비티(310)를 형성한다.1 and 2, the present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor package 10 using a transfer molding method in which an upper mold 100 and a lower mold 110 are formed to secondarily mold the semiconductor package 10, An intermediate mold 300 is provided between the upper chase 400 and the lower chase 200 and the intermediate mold 300 forms a cavity 310 as a substantial molding space between the lower chase 200 and the lower chase 200.

본 발명은, 2차 몰딩 작업시 캐비티(310) 내부의 공기 및 가스를 외부로 효율적으로 배출하도록 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 상부 체이스(400)에 공기 및 가스 배기 경로로서의 에어 밴트(410)가 마련된다.As shown in FIGS. 1 and 2, the upper chase 400 is provided with an air vent as an air and gas exhaust path, so that air and gas inside the cavity 310 can be efficiently discharged to the outside during the secondary molding operation. (Not shown).

도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 중간 금형(300)에는, 성형하고자 하는 반도체 패키지 몰드물의 가장자리 영역과 대응하면서 상부 이젝팅 핀(800)의 구동 경로를 형성함과 더불어 상하 방향으로 관통하도록 복수의 상부 이젝팅 홀(600)이 마련된다. 관련 도면에는 4개의 상부 이젝팅 홀(600)이 도시되어 있지만 2차 몰딩된 패키지 몰드물의 형상에 따라 변동 가능하다. 본 발명에서, 에어 밴트(410)는 복수의 상부 이젝팅 홀(600) 및 캐비티(310)와 적어도 연통하도록 마련되며, 캐비티(310) 내의 공기 및 가스는 상부 이젝팅 핀(800)의 상하 이동 동작을 통해 상부 이젝팅 홀(600) 및 에어 밴트(410)를 경유하여 외부로 배출 가능하다. 이에 따라 2차 몰딩된 반도체 패키지 몰드물의 표면(상면)에 배기되지 못한 공기 및 가스에 의해 보이드(void) 마크가 발생하는 것을 방지함으로써 제품 불량률을 한층 감소할 수 있다. As shown in FIGS. 2 and 3, the intermediate mold 300 is provided with a drive path of the upper ejecting pin 800 in correspondence with the edge region of the semiconductor package mold to be formed, A plurality of upper ejecting holes 600 are provided. Although four upper ejecting holes 600 are shown in the figures, the secondary molded mold can vary in shape depending on the shape of the mold. The air vent 410 is provided so as to at least communicate with the plurality of upper ejection holes 600 and the cavity 310 and air and gas in the cavity 310 are moved up and down And can be discharged to the outside via the upper ejecting hole 600 and the air vent 410 through the operation. Accordingly, it is possible to prevent void marks from being generated due to air and gas that have not been exhausted to the surface (upper surface) of the molded article of the secondarily molded semiconductor package, thereby further reducing the product defect rate.

본 발명은, 캐비티(310), 상부 이젝팅 홀(600) 및 에어 밴트(410) 내부의 공기 및 가스를 외부로 배출하도록 에어 밴트(410)와 연결되어 진공압을 형성하는 진공 배기부(950)를 포함한다. 진공 배기부(950)는 에어 밴트(410)와 연통하는 연결관(951)과 연결관(951)에 연결되는 진공압 발생원으로서의 진공 펌프(952) 등을 포함할 수 있다. 에어 밴트(410)를 통한 공기 및 가스 배기에 대한 좀 더 구체적인 설명은 후술한다.The present invention includes a vacuum evacuation unit 950 which is connected to an air vent 410 to exhaust air and gas inside the cavity 310, the upper ejecting hole 600 and the air vents 410, ). The vacuum exhaust unit 950 may include a connection pipe 951 communicating with the air vent 410 and a vacuum pump 952 connected to the connection pipe 951 as a vacuum pressure generating source. A more detailed description of the air and gas exhaust through the air vents 410 will be described later.

도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 하부 체이스(200)는 실질적으로 반도체 패키지(10)가 안착되는 부분으로, 하부 이젝팅 홀(610)의 내벽과 하부 이젝팅 핀(810)과의 간극에 대한 틈을 통해 진공을 위한 공기의 흐름이 형성되게 할 수 있다. 진공흡착라인(210)에는 별도의 진공펌프(미도시), 진공라인(미도시) 등이 연결되며 반도체 패키지(10)의 하부를 진공 흡입하여 안정적으로 고정하게 된다. 한편, 상부 이젝팅 홀(600)의 내벽과 상부 이젝팅 핀(800)과의 사이에도 마찬가지로 간극이 형성되며 이러한 간극을 통해 EMC 등이 캐비티(310) 내부로 주입될 시 캐비티(310) 내부에 잔재하는 공기 및 가스는 이러한 간극과 에어 밴트(410)를 통해 외부로 배출될 수 있다. 더 자세한 설명은 후술한다.1 and 2, the lower chase 200 is a portion where the semiconductor package 10 is seated, and a gap between the inner wall of the lower ejecting hole 610 and the lower ejecting pin 810 To form a flow of air for the vacuum. A separate vacuum pump (not shown) and a vacuum line (not shown) are connected to the vacuum absorption line 210, and the lower portion of the semiconductor package 10 is vacuum-sucked and stably fixed. A gap is similarly formed between the inner wall of the upper ejecting hole 600 and the ejecting pin 800. When an EMC or the like is injected into the cavity 310 through the gap, Residual air and gas can be discharged to the outside through this gap and the air vent 410. A more detailed description will be given later.

본 발명의 실시예에서, 중간 금형(300)에는 상부 이젝팅 핀(800)의 구동 경로와 더불어 캐비티(310) 내의 공기 및 가스를 외부를 배출하기 위한 배출 경로로서 동시에 기능하는 상부 이젝팅 홀(600)이 마련되고, 하부 체이스(200)에는 하부 이젝팅 핀(810)의 구동 경로와 더불어 반도체 패키지(10)를 진공 흡착하여 고정하기 위한 진공 흡착 경로로 기능하는 하부 이젝팅 홀(610)이 마련된다.In the embodiment of the present invention, the intermediate mold 300 is provided with an upper ejection hole (not shown) functioning simultaneously as a discharge path for discharging the air and gas in the cavity 310 together with the driving path of the upper ejecting pin 800, The lower chase 200 is provided with a lower ejecting hole 610 functioning as a vacuum suction path for vacuum-chucking and fixing the semiconductor package 10 together with the driving path of the lower ejecting pin 810 .

도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 상부 이젝팅 홀(600)과 하부 이젝팅 홀(610)은 각각, 상부 이젝팅 핀(800)과 하부 이젝팅 핀(810)의 슬라이드 이동을 가이드하는 핀 가이드홀(601,611)과, 핀 가이드홀(601,611)과 연통하면서 캐비티(310)를 향해 반경이 좁아지게 형성되는 경사홀(602,612)과, 경사홀(602,612)과 캐비티(310) 사이를 수직하게 연결하는 수직홀(603,613)과, 수직홀(603,613)의 선단에 캐비티(310)와 연결되는 개구로서의 연통구(604,614)를 포함한다.4 and 5, the upper ejecting hole 600 and the lower ejecting hole 610 guide the slide movement of the upper ejecting pin 800 and the lower ejecting pin 810, respectively, 610 are formed so as to be narrower in radius toward the cavity 310 while communicating with the pin guide holes 601 and 611 and the inclined holes 602 and 612 formed between the inclined holes 602 and 612 and the cavity 310 vertically And communicating openings 604 and 614 as openings which are connected to the cavity 310 at the ends of the vertical holes 603 and 613, respectively.

먼저, 하부 이젝팅 홀(610)을 설명한다. 연통구(614)는 안착되는 반도체 패키지(10)를 하방에서 진공 흡착이 가능하도록 하여 반도체 패키지(10)를 하부 체이스(200)의 상면에 밀착되도록 한다. 경사홀(612)은 하부 이젝팅 핀(810)의 상승시 하부 이젝팅 핀(810)이 수직홀(613)로의 안정된 유입을 가이드하는 역할을 하여, 하부 이젝팅 핀(810)의 선단이 손상되는 것을 최소화할 수 있는 장점이 있다. 핀 가이드홀(611)의 일측은 진공흡착라인(210)과 연통된다. 즉, 연통구(614), 수직홀(613), 핀 가이드홀(611) 및 진공흡착라인(210) 사이에 공기가 유동될 수 있게 된다. 즉, 반도체 패키지(10)가 하부 체이스(200) 상면에 안착될 때 진공흡착라인(210)과 연결되는 진공흡입원에서 공기를 흡입하게 되는데, 진공흡입원에 의해 연통구(614)로부터 진공흡착라인(210)을 통하여 공기가 진공흡입원 방향으로 흡입되어 하부 이젝팅 홀(610) 내부를 통해 진공흡착라인(210)으로 공기가 유입된다. 따라서, 진공흡착라인(210)을 통해서 반도체 패키지(10)의 하면이 진공 흡착되어 지지된다. First, the lower ejection hole 610 will be described. The communication hole 614 allows the semiconductor package 10 to be vacuum-adsorbed from below so that the semiconductor package 10 is brought into close contact with the upper surface of the lower chase 200. The inclined hole 612 serves to guide the lower ejecting pin 810 into the vertical hole 613 when the lower ejecting pin 810 rises and to prevent the tip of the lower ejecting pin 810 from being damaged There is an advantage that it can be minimized. One side of the pin guide hole 611 communicates with the vacuum suction line 210. That is, air can flow between the communication hole 614, the vertical hole 613, the pin guide hole 611, and the vacuum suction line 210. That is, when the semiconductor package 10 is seated on the upper surface of the lower chase 200, air is sucked in from a vacuum suction source connected to the vacuum suction line 210. Vacuum suction is performed from the communication port 614 by a vacuum suction source, Air is sucked through the line 210 in the direction of the vacuum suction source and air is introduced into the vacuum suction line 210 through the inside of the lower ejection hole 610. Therefore, the lower surface of the semiconductor package 10 is vacuum-absorbed and supported via the vacuum suction line 210.

상부 이젝팅 홀(600)과 전술한 하부 이젝팅 홀(610)과 동일한 구조로 이루어지며, 캐비티(310) 내부로 레진이 공급될 때 상부 이젝팅 핀(800)과 상부 이젝팅 홀(600) 내벽의 간극, 즉 연통구(604), 수직홀(603), 경사홀(602), 핀 가이드홀(601)을 통해 캐비티(310) 내의 공기 및 가스는 에어 밴트(410) 측으로 배출될 수 있다. 에어 밴트(410)는 전술한 바와 같이 진공펌프 등과 같은 진공 배기부(950)와 연결되어 있으며 진공 배기부(950)의 흡입압을 통해 공기 및 가스의 진공 흡입 배출이 이루어진다.When the resin is supplied into the cavity 310, the upper ejecting pin 800 and the upper ejecting hole 600 are formed to have the same structure as the upper ejecting hole 600 and the lower ejecting hole 610, The air and gas in the cavity 310 can be discharged to the air vane 410 side through the gap of the inner wall, that is, the communication hole 604, the vertical hole 603, the inclined hole 602 and the pin guide hole 601 . The air vent 410 is connected to a vacuum exhaust unit 950 such as a vacuum pump as described above, and vacuum suction and discharge of air and gas are performed through the suction pressure of the vacuum exhaust unit 950.

도 4에 도시한 바와 같이, 상부 이젝팅 핀(800)과 하부 이젝팅 핀(810)은 각각, 일단에 수직홀(603,613)의 내경보다 작은 직경을 구비하는 공기가이드부(801,811)와, 공기가이드부(801,811)와 연결되고 수직홀(603,613)의 내경과 동일한 직경을 구비하는 몸통부(802,812)를 포함한다. 또한 공기가이드부(801,811)와 인접하는 몸통부(802,812)의 선단 측면이 절개되면서 함몰된 하나 이상의 공기안내홈(803,813)이 마련되고, 공기안내홈(803,813)을 공기가이드부(801,811)와 함께 이동시키면서 연통구(604,614)의 차폐를 제어하게 된다. 공기가이드부(801,811)를 상승 또는 하강시키면서 연통구(604,614)의 차폐를 제어할 수 있다.4, the upper ejecting pin 800 and the lower ejecting pin 810 have air guide portions 801 and 811 each having a diameter smaller than the inner diameter of the vertical holes 603 and 633 at one end, And body portions 802 and 812 connected to the guide portions 801 and 811 and having the same diameter as the inner diameters of the vertical holes 603 and 613. In addition, one or more air guide grooves 803 and 813 are formed by cutting the tip side surfaces of the body portions 802 and 812 adjacent to the air guide portions 801 and 811, and the air guide grooves 803 and 813 are inserted into the air guide portions 801 and 811 The shielding of the communication holes 604 and 614 is controlled. It is possible to control the shielding of the communication ports 604 and 614 while raising or lowering the air guide portions 801 and 811.

본 발명의 실시예에서, 상부 이젝팅 핀(800)과 하부 이젝팅 핀(810)의 몸통부(802,812)는 수직홀(603,613)의 내경과 동일하게 기둥형상으로 형성된다. 이는 상부 이젝팅 핀(800)과 하부 이젝팅 핀(810)이 연통구(604,614)를 선택적으로 차폐하여, 연통구(604,614)를 통하여 공기가 유동되는 것을 제어하도록 하기 위함이다. 구체적으로, 상부 및 하부 드라이브 플레이트(700,710)를 구동하여 상부 금형(100)과 하부 금형(110)을 접근 또는 이격시킴으로써 연통구(604,614)를 상부 이젝팅 핀(800)과 하부 이젝팅 핀(810)에 의해 선택적으로 차폐할 수 있다.In the embodiment of the present invention, the upper ejecting pins 800 and the lower ejecting pins 810 have body portions 802 and 812 formed in a columnar shape like the inner diameters of the vertical holes 603 and 613. This is to allow the upper ejecting pin 800 and the lower ejecting pin 810 to selectively block the communication holes 604 and 614 to control air flow through the communication holes 604 and 614. Specifically, the upper and lower drive plates 700 and 710 are driven to move the upper and lower molds 100 and 110 closer to each other to move the communication ports 604 and 614 toward the upper ejecting pin 800 and the lower ejecting pin 810 ). ≪ / RTI >

상부 이젝팅 핀(800)과 하부 이젝팅 핀(810)의 공기가이드부(801,811)는 수직홀(603,613)의 내경 보다 작은 직경으로 형성되어, 상부 이젝팅 핀(800)과 하부 이젝팅 핀(810)이 각각 상승하고 하강할 때 공기가이드부(801,811)의 측부위에 수직홀(603,613)의 하단 끝이 위치하면, 연통구(604,614)의 차폐가 해제된다.The upper ejecting pin 800 and the air ejecting portions 801 and 811 of the lower ejecting pin 810 are formed to have diameters smaller than the inner diameters of the vertical holes 603 and 613, When the lower ends of the vertical holes 603 and 613 are positioned on the side portions of the air guide portions 801 and 811, the shielding of the communication holes 604 and 614 is released.

물론, 상부 이젝팅 핀(800)의 공기가이드부(801)의 하단이 중간 금형(300)의 하면에 위치하고 하부 이젝팅 핀(810)의 공기가이드부(811)의 상단이 하부 체이스(200)의 상면에 위치하는 경우, 상부 이젝팅 핀(800)의 공기가이드부(801)의 상단 끝이 수직홀(603)의 상단 끝보다 하부에 위치하여 연통구(604)의 완전한 차폐가 이루어지도록 하는 것이 바람직하고, 마찬가지로 하부 이젝팅 핀(810)의 공기가이드부(811)의 하단 끝이 수직홀(613)의 하단 끝보다 상부에 위치하여 연통구(614)의 완전한 차폐가 이루어지도록 하는 것이 바람직하다.The lower end of the air guide portion 801 of the upper ejecting pin 800 is located on the lower surface of the intermediate mold 300 and the upper end of the air guide portion 811 of the lower ejecting pin 810 is positioned on the lower chase 200, The upper end of the air guide portion 801 of the upper ejecting pin 800 is located below the upper end of the vertical hole 603 so that the communication hole 604 is completely shielded It is preferable that the lower end of the air guide portion 811 of the lower ejecting pin 810 is located above the lower end of the vertical hole 613 so that the communication hole 614 is completely shielded Do.

공기가이드부(801,811)는 수직홀(603,613)과 미리 정해진 간격의 틈을 형성하여 공기가이드부(801,811)가 각각 상승 및 하강하게 되면 수직홀(603,613)과 핀 가이드홀(601,611)은 공기가 서로 유동 가능하게 된다.When the air guide portions 801 and 811 are lifted and lowered respectively, the air guide portions 801 and 811 form a gap with a predetermined gap from the vertical holes 603 and 613, and the vertical holes 603 and 613 and the pin guide holes 601 and 611, Flowable.

상부 이젝팅 핀(800)과 하부 이젝팅 핀(810)은 공기가이드부(801,811)와 인접하는 몸통부(802,812)의 선단 측면이 절개되면서 함몰된 하나 이상의 공기안내홈(803,813)을 더 구비하고, 공기안내홈(803,813)를 공기가이드부(801,811)와 함께 상승 또는 하강시키면서 연통구(604,614)의 차폐를 제어할 수 있다.The upper ejecting pin 800 and the lower ejecting pin 810 further include one or more air guide grooves 803 and 813 which are formed by cutting the tip side surfaces of the body portions 802 and 812 adjacent to the air guide portions 801 and 811, , The air guiding grooves 803 and 813 can be raised or lowered together with the air guiding parts 801 and 811 to control the shielding of the communication holes 604 and 614.

상부 이젝팅 핀(800)의 공기안내홈(803)은 상부 이젝팅 핀(800)이 상부 이젝팅 홀(600)을 따라 이동하면서 상부 이젝팅 홀(600)과 에어 밴트(410)를 통해 공기 및 가스가 유동될 수 있도록 공기가이드부(801)와 함께 안내하는 역할을 한다. 또한 하부 이젝팅 핀(810)의 공기안내홈(811)은 하부 이젝팅 핀(810)이 하부 이젝팅 홀(610)을 따라 이동하면서 하부 이젝팅 홀(610)과 진공흡착라인(210)을 통해 진공 분위기 형성을 위한 공기가 유동될 수 있도록 공기가이드부(811)와 함께 안내하는 역할을 한다. The air guide groove 803 of the upper ejecting pin 800 is positioned in the air ejection hole 600 through the upper ejecting hole 600 and the air vent 410 while the upper ejecting pin 800 moves along the upper ejecting hole 600. [ And serves to guide the air guide portion 801 together with the gas to flow. The lower ejecting pin 810 moves along the lower ejecting hole 610 while the lower ejecting hole 610 and the vacuum suction line 210 are moved in the air guide groove 811 of the lower ejecting pin 810 And guiding the air guide part 811 together with the air guide part 811 so that the air for forming the vacuum atmosphere can flow.

상부 이젝팅 핀(800)의 선단 측면에서 구비되는 공기안내홈(803)의 상단 끝이 수직홀(603)의 상단 끝보다 상방에 위치하게 되면 연통구(604)의 차폐가 해제되게 되므로, 공기가이드부(801)의 하단 끝이 중간 금형(300)의 하면에 위치하는 경우에 공기안내홈(803)의 상단 끝이 수직홀(603)의 상단 끝보다 상부에 위치하도록 공기안내홈(803)의 높이를 적절하게 형성하는 것이 바람직하다. 마찬가지로 하부 이젝팅 핀(810)의 선단 측면에서 구비되는 공기안내홈(803)의 하단 끝이 수직홀(603)의 하단 끝보다 하방에 위치하게 되면 연통구(604)의 차폐가 해제되게 되므로, 공기가이드부(801)의 상단 끝이 하부 체이스(200)의 상면에 위치하는 경우에 공기안내홈(803)의 하단 끝이 수직홀(603)의 하단 끝보다 하부에 위치하도록 공기안내홈(803)의 높이를 적절하게 형성하는 것이 바람직하다.When the upper end of the air guide groove 803 provided at the front end side of the upper ejecting pin 800 is positioned above the upper end of the vertical hole 603, the shielding of the communication hole 604 is released, When the lower end of the guide portion 801 is positioned on the lower surface of the intermediate mold 300, the air guide groove 803 is formed so that the upper end of the air guide groove 803 is located above the upper end of the vertical hole 603. [ It is preferable to appropriately form the height. Likewise, when the lower end of the air guide groove 803 provided at the front end side of the lower ejecting pin 810 is positioned below the lower end of the vertical hole 603, the shielding of the communication hole 604 is released, When the upper end of the air guide portion 801 is positioned on the upper surface of the lower chase 200, the lower end of the air guide groove 803 is positioned below the lower end of the vertical hole 603, It is preferable that the height of the light guide plate is appropriately formed.

본 발명은, 상부 이젝팅 홀(600)과 상부 이젝팅 핀(800)과의 간극을 통해 캐비티(310) 내의 공기 및 가스를 에어 밴트(410)로 효율적으로 배출 가능함으로써 2차 몰딩된 몰드물 표면에 보이드 마크가 발생하는 것을 한층 방지하여 제품 불량율을 저감할 수 있다.The present invention can efficiently discharge the air and gas in the cavity 310 to the air vents 410 through the gap between the upper ejecting hole 600 and the upper ejecting pin 800, Occurrence of a void mark on the surface is further prevented, and the product defect rate can be reduced.

한편, 상부 이젝팅 홀(600)과 상부 이젝팅 핀(800)과의 간극에 의해 상부 이젝팅 홀(600)의 하부측 내벽에는 몰딩 공정시 사용된 EMC가 일부 부착될 수도 있는데, 도 6에 도시한 바와 같이, 내벽에 부착된 수지는 상부 이젝팅 핀(800)의 몸통부(802)를 하측으로 이동시킴으로써 상부 이젝팅 홀(600)의 내벽 클리닝 작업을 수행할 수 있다. 즉, 본 발명은 상부 이젝팅 홀(600)을 통해 캐비티 내부의 공기 및 가스를 배출하여 2중 몰드 성형물 코너 부분에 보이드가 발생하는 것을 방지할 수 있고 상부 이젝팅 홀(600)의 하부 측에 몰딩 수지가 부착되어 막히는 것을 방지하도록 상부 이젝팅 핀(800)을 통해 클리닝 작업을 수행할 수 있게 된다. 상부 이젝팅 핀(800)의 몸통부(802)에 의해 푸시되어 클리닝된 몰딩 수지(홀 내벽에 부착된)는 폐기 처리된다.An EMC used in the molding process may be partially adhered to the lower side inner wall of the upper ejecting hole 600 by the gap between the upper ejecting hole 600 and the upper ejecting pin 800. FIG. As shown in the figure, the resin attached to the inner wall can perform the inner wall cleaning operation of the upper ejecting hole 600 by moving the body 802 of the upper ejecting pin 800 downward. That is, according to the present invention, air and gas inside the cavity are discharged through the upper ejecting hole 600, voids can be prevented from being generated in the corner portion of the double mold, The cleaning operation can be performed through the upper ejecting pin 800 to prevent the molding resin from adhering and clogging. The molding resin (attached to the inner wall of the hole) that has been pushed by the body portion 802 of the upper ejecting pin 800 is discarded.

본 발명은 반도체 패키지를 2중 몰딩할 때 코너 부위에 공기 및 가스로 인한 몰딩 수지의 불완전 충진으로 보이드(void)가 발생하는 것을 최대한 방지하여 제품 불량율을 감소할 수 있고, 보이드 발생 억제를 위한 구성을 별도로 추가하지 않고 이젝팅 홀을 공기 및 가스의 배기유로로 이용함으로써 공기 및 가스 배출을 위한 구성 추가를 최소로 하여 금형 제조 비용의 증가를 최소화할 수 있다.Disclosure of Invention Technical Problem [8] The present invention provides a method for preventing void formation due to incomplete filling of a molding resin due to air and gas at corner portions when a semiconductor package is double-molded, It is possible to minimize the increase in the manufacturing cost of the mold by minimizing the addition of the air and gas exhausting configuration by using the ejecting holes as the air and gas exhausting passages.

본 발명을 첨부 도면과 전술된 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였으나, 본 발명은 그에 한정되지 않으며, 후술되는 특허청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 후술되는 특허청구범위의 기술적 사상에서 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 변형 및 수정할 수 있다.Although the present invention has been described with reference to the accompanying drawings and the preferred embodiments described above, the present invention is not limited thereto but is limited by the following claims. Accordingly, those skilled in the art will appreciate that various modifications and changes may be made thereto without departing from the spirit of the following claims.

10: 반도체 패키지 100: 상부 금형
110: 하부 금형 200: 하부 체이스
210: 진공흡착라인 300: 중간 금형
310: 캐비티 400: 상부 체이스
410: 에어 밴트 600: 상부 이젝팅 홀
610: 하부 이젝팅 홀 601,611: 핀 가이드 홀
602,612: 경사홀 603,613: 수직홀
800: 상부 이젝팅 핀 810: 하부 이젝팅 핀
801,811: 공기가이드부 802,812: 몸통부
803,813: 공기안내홈 900: 진공 플레이트
950: 진공 배기부 952: 진공 펌프10: semiconductor package 100: upper mold
110: lower mold 200: lower chase
210: vacuum suction line 300: intermediate mold
310: cavity 400: upper chase
410: Air vent 600: Upper ejecting hole
610: Lower ejecting hole 601, 611: Pin guide hole
602, 612: inclined holes 603, 613: vertical holes
800: upper ejecting pin 810: lower ejecting pin
801, 811: air guide portion 802, 812:
803,813: Air guide groove 900: Vacuum plate
950: Vacuum exhaust part 952: Vacuum pump

Claims (5)

반도체 패키지의 몰딩 공정에 사용되고, 상부 금형, 하부 금형, 상기 하부 금형에 마련되고 상기 반도체 패키지가 안착되도록 안착면을 제공하면서 진공 흡착하여 고정 가능하도록 진공흡착라인이 마련되는 하부 체이스를 포함하는 몰드 금형으로서,
상기 상부 금형과 상기 하부 금형 사이에 개재되며 상기 하부 체이스와의 사이에 몰딩을 위한 캐비티를 형성하는 중간 금형; 및
상기 상부 금형에 마련되고 상기 중간 금형과 더불어 상기 캐비티와 적어도 연통하도록 에어 밴트가 마련되는 상부 체이스;를 포함하는 반도체 패키지의 몰드 금형.And a lower chase which is used in a molding process of the semiconductor package and includes a lower mold, a lower mold, and a lower chase provided on the lower mold so that the vacuum suction line can be fixed by vacuum suction while providing a seating surface for seating the semiconductor package. As a result,
An intermediate mold interposed between the upper mold and the lower mold and forming a cavity for molding between the upper mold and the lower mold; And
And an upper chase provided in the upper mold and provided with an air vent so as to communicate with at least the cavity with the intermediate mold. 제1항에 있어서,
상기 중간 금형에는, 성형하고자 하는 반도체 패키지 몰드물의 가장자리 영역과 대응하면서 상부 이젝팅 핀의 구동 경로를 형성함과 더불어 상하 방향으로 관통하도록 복수의 상부 이젝팅 홀이 마련되고, 상기 에어 밴트는 상기 복수의 상부 이젝팅 홀 및 상기 캐비티와 적어도 연통하도록 마련되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 몰드 금형.The method according to claim 1,
Wherein the intermediate mold has a plurality of upper ejecting holes extending in the vertical direction while forming a driving path of the upper ejecting pin in correspondence with an edge area of the semiconductor package mold to be molded, And at least the upper ejection hole of the cavity and the cavity. 제2항에 있어서,
상기 캐비티, 상기 상부 이젝팅 홀 및 상기 에어 밴트 내부의 공기 및 가스를 외부로 배출하도록 상기 에어 밴트와 연결되어 진공압을 형성하는 진공 배기부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 몰드 금형.3. The method of claim 2,
And a vacuum evacuating unit connected to the air vent to discharge air and gas inside the cavity, the upper ejecting hole, and the air vent, . 제2항에 있어서,
상기 하부 체이스에는 하부 이젝팅 핀의 구동 경로를 형성함과 더불어 상기 진공흡착라인과 연통하도록 하부 이젝팅 홀이 마련되고,
상기 상부 이젝팅 홀과 상기 하부 이젝팅 홀은 각각,
상기 상부 이젝팅 핀과 상기 하부 이젝팅 핀의 슬라이드 이동을 가이드하는 핀 가이드홀;
상기 핀 가이드홀과 연통하면서 상기 캐비티를 향해 반경이 좁아지게 형성되는 경사홀;
상기 경사홀과 상기 캐비티 사이를 수직하게 연결하는 수직홀; 및
상기 수직홀의 선단에 상기 캐비티와 연결되는 개구로서의 연통구;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 몰드 금형.3. The method of claim 2,
A lower ejecting hole is formed in the lower chase to form a driving path of a lower ejecting pin and to communicate with the vacuum suction line,
Wherein the upper ejecting hole and the lower ejecting hole are formed in a substantially rectangular shape,
A pin guide hole for guiding the slide movement of the upper ejecting pin and the lower ejecting pin;
An inclined hole communicating with the pin guide hole and formed to have a smaller radius toward the cavity;
A vertical hole vertically connecting the inclined hole and the cavity; And
And a communication hole as an opening connected to the cavity at the tip of the vertical hole. 제4항에 있어서,
상기 상부 이젝팅 핀과 상기 하부 이젝팅 핀은 각각,
일단에 상기 수직홀의 내경보다 작은 직경을 구비하는 공기가이드부; 및
상기 공기가이드부와 연결되고 상기 수직홀의 내경과 동일한 직경을 구비하는 몸통부;를 포함하고
상기 공기가이드부와 인접하는 상기 몸통부의 선단 측면이 절개되면서 함몰된 하나 이상의 공기안내홈이 마련되고,
상기 공기안내홈을 상기 공기가이드부와 함께 이동시키면서 상기 연통구의 차폐를 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 몰드 금형.


5. The method of claim 4,
Wherein the upper ejecting pin and the lower ejecting pin are each formed of a metal material,
An air guide portion having a diameter smaller than an inner diameter of the vertical hole at one end; And
And a body connected to the air guide portion and having a diameter equal to an inner diameter of the vertical hole
Wherein at least one air guide groove is formed by cutting the tip side of the body adjacent to the air guide,
Wherein the shielding of the communication hole is controlled while moving the air guide groove together with the air guide portion.


KR1020170098311A 2017-08-03 2017-08-03 Mold for semiconductor package KR20190014624A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170098311A KR20190014624A (en) 2017-08-03 2017-08-03 Mold for semiconductor package

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170098311A KR20190014624A (en) 2017-08-03 2017-08-03 Mold for semiconductor package

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20190014624A true KR20190014624A (en) 2019-02-13

Family

ID=65366366

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170098311A KR20190014624A (en) 2017-08-03 2017-08-03 Mold for semiconductor package

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20190014624A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101832597B1 (en) Resin Sealing Apparatus and Resin Sealing Method
KR102455987B1 (en) Molding die, molding device, method for manufacturing molded article and resin molding method
WO2010038660A1 (en) Resin sealing compression molding method for electronic component and device therefor
JP2008508116A (en) Mold part and method for encapsulating electronic components
JPH11233541A (en) Gate remainder cutting device
JP6176416B1 (en) Semiconductor package resin sealing apparatus and semiconductor package resin sealing method
KR20190014624A (en) Mold for semiconductor package
KR102019005B1 (en) Double mold mold for semiconductor package
JP2003174052A (en) Mold for manufacturing semiconductor device
JPH1058250A (en) Conductive ball mounting method
KR20100001690A (en) Molding apparatus for manufacturing semi-conductor package
KR20060070141A (en) Semiconductor chip package molding apparatus having cleaning pin
TWI642131B (en) Method and apparatus for cleaning a substrate
CN114506006A (en) Resin supply device, resin sealing device, and method for manufacturing resin-sealed product
KR100940094B1 (en) Apparatus for molding semiconductor package
US11833722B2 (en) Resin molding apparatus and method of manufacturing resin molded product
JP6202292B1 (en) Semiconductor package resin sealing apparatus and semiconductor package resin sealing method
JP4226023B2 (en) Resin sealing mold and resin sealing method
KR102158825B1 (en) Apparatus for picking up semiconductor packages
KR101089801B1 (en) Molding apparatus for manufacturing semi-conductor package
JP4587881B2 (en) Resin sealing device
KR101653573B1 (en) Flux tool and ball tool improving process accuracy against material deformation
JP3298475B2 (en) Chip mounting method
KR0122280Y1 (en) Component absorbing apparatus of semiconductor tester
KR20090019249A (en) Method and apparatus of cleaning a tray

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application