KR20190012970A - Light emitting diode display apparatus and multi screen display apparatus using the same - Google Patents
Light emitting diode display apparatus and multi screen display apparatus using the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR20190012970A KR20190012970A KR1020170096785A KR20170096785A KR20190012970A KR 20190012970 A KR20190012970 A KR 20190012970A KR 1020170096785 A KR1020170096785 A KR 1020170096785A KR 20170096785 A KR20170096785 A KR 20170096785A KR 20190012970 A KR20190012970 A KR 20190012970A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- power supply
- unit pixel
- pixel
- subpixels
- pixels
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 161
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 123
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 41
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 35
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 11
- 101100165224 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) BCH1 gene Proteins 0.000 description 10
- 101100111270 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) BCH2 gene Proteins 0.000 description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 10
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 101100537690 Arabidopsis thaliana TPC1 gene Proteins 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 101150008810 cch1 gene Proteins 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 101100278987 Arabidopsis thaliana ECH2 gene Proteins 0.000 description 2
- 102100040515 Delta(3,5)-Delta(2,4)-dienoyl-CoA isomerase, mitochondrial Human genes 0.000 description 2
- 101000966982 Homo sapiens Delta(3,5)-Delta(2,4)-dienoyl-CoA isomerase, mitochondrial Proteins 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000011664 signaling Effects 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/18—Tiled displays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
Abstract
Description
본 출원은 발광 다이오드 표시 장치 및 이를 이용한 멀티 스크린 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting diode display device and a multi-screen display device using the same.
표시 장치는 텔레비전 또는 모니터의 표시 화면 이외에도 노트북 컴퓨터, 테블릿 컴퓨터, 스마트 폰, 휴대용 표시 기기, 휴대용 정보 기기 등의 표시 화면으로 널리 사용되고 있다.In addition to the display screen of a television or a monitor, the display device is widely used as a display screen of a notebook computer, a tablet computer, a smart phone, a portable display device, or a portable information device.
액정 표시 장치와 유기 발광 표시 장치는 스위칭 소자로서 트랜지스터(Thin Film Transistor)를 이용하여 영상을 표시한다. 액정 표시 장치는 자체 발광 방식이 아니기 때문에 액정 표시 패널의 하부에 배치된 백라이트 유닛으로부터 조사되는 광을 이용하여 영상을 표시하게 된다. 이러한 액정 표시 장치는 백라이트 유닛을 가지므로 디자인에 제약이 있으며, 휘도 및 응답 속도가 저하될 수 있다. 유기 발광 표시 장치는 유기물을 포함하기 때문에 수분에 취약하여 신뢰성 및 수명이 저하될 수 있다.The liquid crystal display device and the organic light emitting display device display images using a transistor (Thin Film Transistor) as a switching element. Since the liquid crystal display device is not a self-luminous type, an image is displayed using light emitted from a backlight unit disposed under the liquid crystal display panel. Since such a liquid crystal display device has a backlight unit, there are restrictions on the design, and the luminance and response speed may be lowered. Since the organic light emitting display includes an organic material, the organic light emitting display device may be susceptible to moisture, leading to a reduction in reliability and lifetime.
최근에는, 마이크로 발광 소자를 이용한 발광 다이오드 표시 장치에 대한 연구 및 개발이 진행되고 있으며, 이러한 발광 다이오드 표시 장치는 고화질과 고신뢰성을 갖기 때문에 차세대 표시로서 각광받고 있다.In recent years, research and development of a light emitting diode display device using a micro light emitting device have been underway, and such a light emitting diode display device has been attracting attention as a next generation display because of its high image quality and high reliability.
종래의 발광 다이오드 표시 장치는 마이크로 발광 소자를 박막 트랜지스터 어레이 기판에 전사하여 제조하게 되는데, 이러한 마이크로 발광 소자의 전사 공정 시간 등으로 인하여, 현재 전사 기술로는 상대적으로 작은 크기 패널보다는 상대적으로 대형 크기의 표시 장치에 더 유리한 측면이 있다.Conventional light emitting diode display devices are manufactured by transferring a micro light emitting device to a thin film transistor array substrate. Due to the time required for transferring the micro light emitting device, current transfer technology has a relatively large size There is a more favorable aspect to the display.
그러나, 종래의 발광 다이오드 표시 장치는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 가장자리에 신호 인가를 위한 패드부가 마련되고 이러한 패드부를 은폐시키기 위한 기구물로 인하여 베젤 영역이 증가하는 문제점이 있다.However, in the conventional LED display device, a pad portion for signal application is provided on the edge of the thin film transistor array substrate, and a bezel region is increased due to a mechanism for hiding the pad portion.
또한, 종래의 발광 다이오드 표시 장치를 대형 크기로 제조하는 경우, 픽셀 개수의 증가로 인하여 마이크로 발광 소자의 전사 불량률이 증가함에 따라 생산성이 저하되는 문제점이 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위해, 최근에는 상대적으로 작은 크기를 갖는 2개 이상의 발광 다이오드 표시 장치를 연결하여 대형 크기의 화면을 구현하는 멀티 스크린 장치에 대한 연구 및 개발이 진행되고 있다. 그러나, 멀티 스크린 장치의 경우, 2개 이상의 발광 다이오드 표시 장치 각각의 베젤 영역으로 인하여 서로 연결된 표시 장치들 사이에 심(Seam)이라는 경계 부분이 존재하게 된다. 이러한 경계 부분은 전체 화면에 하나의 영상을 표시할 경우 전체 화면에 단절감을 주게 되어 영상의 몰입도를 저하시킨다.In addition, when a conventional LED display device is manufactured in a large size, productivity is deteriorated due to an increase in the defective transfer ratio of the micro light emitting device due to an increase in the number of pixels. In order to solve such a problem, research and development of a multi-screen device which realizes a large size screen by connecting two or more LED display devices having a relatively small size has been progressed. However, in the case of a multi-screen device, a bezel region of each of the two or more light-emitting diode display devices has a boundary portion called a seam between display devices connected to each other. This boundary part gives a sense of disconnection to the whole screen when one image is displayed on the whole screen, thereby lowering the degree of immersion of the image.
본 출원은 배경이 되는 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 최소화된 베젤 영역을 갖는 발광 다이오드 표시 장치 및 이를 이용한 멀티 스크린 표시 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a light emitting diode display device having a minimized bezel area and a multi-screen display device using the light emitting diode display device.
또한, 본 출원은 배경이 되는 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 인접한 표시 장치 사이의 경계 부분이 최소화된 멀티 스크린 표시 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.It is another object of the present invention to provide a multi-screen display device in which the boundary between adjacent display devices is minimized.
본 출원에 따른 발광 다이오드 표시 장치는 기판, 기판의 중앙 영역에 마련된 제1 단위 픽셀, 및 중앙 영역의 제1 측에 위치한 기판의 제1 가장자리에 마련된 제2 단위 픽셀을 포함하고, 제1 단위 픽셀 및 제2 단위 픽셀 각각은 복수의 서브 픽셀들을 가지며, 제2 단위 픽셀은 복수의 서브 픽셀들에 신호 인가를 위한 제1 패드부를 더 포함할 수 있다.A light emitting diode display device according to the present application includes a substrate, a first unit pixel provided at a central region of the substrate, and a second unit pixel provided at a first edge of the substrate located at a first side of the central region, And each of the second unit pixels has a plurality of subpixels, and the second unit pixel further includes a first pad unit for signaling the plurality of subpixels.
본 출원에 따른 멀티 스크린 표시 장치는 발광 다이오드 표시 장치를 갖는 복수의 스크린 모듈 및 복수의 스크린 모듈을 측면끼리 연결하는 복수의 모듈 연결 부재를 포함하며, 발광 다이오드 표시 장치는 기판, 기판의 중앙 영역에 마련된 제1 단위 픽셀, 및 중앙 영역의 제1 측에 위치한 기판의 제1 가장자리에 마련된 제2 단위 픽셀을 포함하고, 제1 단위 픽셀 및 제2 단위 픽셀 각각은 복수의 서브 픽셀들을 가지며, 제2 단위 픽셀은 복수의 서브 픽셀들에 신호 인가를 위한 제1 패드부를 더 포함할 수 있다.A multi-screen display device according to the present application includes a plurality of screen modules each having a light emitting diode display device and a plurality of module connecting members connecting the plurality of screen modules with each other, the light emitting diode display device including a substrate, And a second unit pixel provided at a first edge of the substrate located on a first side of the central region, wherein each of the first unit pixel and the second unit pixel has a plurality of subpixels, The unit pixel may further include a first pad portion for applying a signal to the plurality of subpixels.
기타 예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Specific details of other examples are included in the detailed description and drawings.
상기 과제의 해결 수단에 의하면, 본 출원은 멀티 스크린 장치에서 서로 연결된 표시 장치 사이의 경계부를 최소화하는데 적합한 베젤 폭을 갖는 발광 다이오드 표시 장치를 제공할 수 있으며, 마이크로 발광 소자의 실장(또는 전사) 공정시 얼라인 정밀도 및 생산성을 향상시킬 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a light emitting diode display device having a bezel width suitable for minimizing a boundary between display devices connected to each other in a multi-screen device, It is possible to improve the sharpness accuracy and productivity.
상기 과제의 해결 수단에 의하면, 본 출원은 복수의 스크린 모듈을 격자 형태로 측면끼리 연결하더라도 전체 화면에 단절감이 최소화된 하나의 영상을 표시할 수 있으며, 이를 통해 대형 크기의 화면에 표시되는 영상의 몰입도를 향상시킬 수 있다.According to the solution of the above-mentioned problem, in the present application, even if a plurality of screen modules are connected side by side in a lattice form, one image can be displayed in which the disconnection is minimized on the whole screen, The immersion degree can be improved.
위에서 언급된 본 출원의 효과 외에도, 본 출원의 다른 특징 및 이점들이 이하에서 기술되거나, 그러한 기술 및 설명으로부터 본 출원이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.In addition to the effects of the present application discussed above, other features and advantages of the present application will be set forth below, or may be apparent to those skilled in the art to which the present application belongs from such description and description.
도 1은 본 출원의 예에 따른 발광 다이오드 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 제1 단위 픽셀을 설명하는 도면이다.
도 3은 도 1에 도시된 제2 단위 픽셀을 설명하는 도면이다.
도 4는 도 1에 도시된 제3 단위 픽셀을 설명하는 도면이다.
도 5는 도 1에 도시된 제4 단위 픽셀을 설명하는 도면이다.
도 6은 도 1에 도시된 하나의 서브 픽셀을 설명하는 도면이다.
도 7은 도 6에 도시된 서브 픽셀의 단면 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 도 7에 도시된 발광 소자의 구조를 설명하기 위한 단면도이다.
도 9는 도 2에 도시된 선 I-I'의 단면도이다.
도 10은 도 2에 도시된 선 II-II'의 단면도이다.
도 11은 도 7에 도시된 단위 픽셀에 마련된 오목부를 설명하기 위한 평면도이다.
도 12는 도 11에 도시된 III-III'의 단면도이다.
도 13은 본 출원의 예에 따른 멀티 스크린 표시 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 14는 도 13에 도시된 선 IV-IV'의 단면도이다.
도 15a 및 도 15b는 종래의 멀티 스크린 표시 장치와 본 출원에 따른 멀티 스크린 표시 장치 각각에 표시되는 영상을 나타내는 도면들이다.1 is a plan view showing a light emitting diode display device according to an example of the present application.
FIG. 2 is a view for explaining the first unit pixel shown in FIG. 1. FIG.
FIG. 3 is a view for explaining a second unit pixel shown in FIG. 1. FIG.
4 is a view for explaining the third unit pixel shown in FIG.
5 is a view for explaining the fourth unit pixel shown in FIG.
FIG. 6 is a view for explaining one subpixel shown in FIG. 1. FIG.
7 is a view for explaining a cross-sectional structure of the subpixel shown in FIG.
8 is a cross-sectional view illustrating the structure of the light emitting device shown in FIG.
9 is a cross-sectional view taken along the line I-I 'shown in Fig.
10 is a cross-sectional view taken along the line II-II 'shown in FIG.
11 is a plan view for explaining a recess provided in the unit pixel shown in Fig.
12 is a sectional view of III-III 'shown in FIG.
13 is a diagram for explaining a multi-screen display device according to an example of the present application.
14 is a cross-sectional view taken along the line IV-IV 'shown in Fig.
15A and 15B are views showing images displayed on each of the conventional multi-screen display device and the multi-screen display device according to the present application.
본 출원의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Brief Description of the Drawings The advantages and features of the present application, and how to accomplish them, will become apparent upon reference to the following detailed description, taken in conjunction with the accompanying drawings. It will be understood, however, that the invention is not limited to the examples disclosed herein but may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art. Are provided to fully disclose the scope of the invention, and the invention is only defined by the scope of the claims.
본 출원의 예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 출원을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 출원의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 출원 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.The shapes, sizes, ratios, angles, numbers, and the like described in the drawings for describing the example of the present application are illustrative, and thus the present invention is not limited thereto. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. In the description of the present application, a detailed description of known related arts will be omitted if it is determined that the gist of the present application may be unnecessarily obscured. In the case where the term "including", "having", or "being done" is used in the present application, other parts may be added unless "~" is used. Unless the context clearly dictates otherwise, including the plural unless the context clearly dictates otherwise.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the constituent elements, it is construed to include the error range even if there is no separate description.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of the positional relationship, for example, if the positional relationship between two parts is described as 'on', 'on top', 'under', and 'next to' Or " direct " is not used, one or more other portions may be located between the two portions.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.The first, second, etc. are used to describe various components, but these components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one component from another. Therefore, the first component mentioned below may be the second component within the technical spirit of the present invention.
본 출원의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 "개재"되거나, 각 구성 요소가 다른 구성 요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.In describing the components of the present application, the terms first and second can be used. These terms are intended to distinguish the components from other components, and the terms do not limit the nature, order, order, or number of the components. When a component is described as being "connected", "coupled", or "connected" to another component, the component may be directly connected or connected to the other component, Quot; intervening "or that each component may be" connected, "" coupled, "or " connected" through other components.
따라서, 본 출원에서의 표시 장치는 LCM, OLED 모듈 등과 같은 협의의 디스플레이 장치 자체, 및 LCM, OLED 모듈 등을 포함하는 응용제품 또는 최종소비자용 장치인 세트 장치까지 포함할 수 있다.Accordingly, the display device of the present application may include a display device itself, such as an LCM, an OLED module or the like, and an application device including an LCM, an OLED module, or the like, or a set device which is an end consumer device.
예를 들어, 디스플레이 패널이 유기전계발광(OLED) 디스플레이 패널인 경우에는, 다수의 게이트 라인과 데이터 라인, 및 게이트 라인과 데이터 라인의 교차 영역에 형성되는 픽셀(Pixel)을 포함할 수 있다. 그리고, 각 픽셀에 선택적으로 전압을 인가하기 위한 소자인 박막 트랜지스터를 포함하는 어레이 기판과, 어레이 기판 상의 유기 발광 소자(OLED)층, 및 유기 발광 소자층을 덮도록 어레이 기판 상에 배치되는 봉지 기판 또는 인캡슐레이션(Encapsulation) 기판 등을 포함하여 구성될 수 있다. 봉지 기판은 외부의 충격으로부터 박막 트랜지스터 및 유기 발광 소자층 등을 보호하고, 유기 발광 소자층으로 수분이나 산소가 침투하는 것을 방지할 수 있다. 그리고, 어레이 기판 상에 형성되는 층은 무기발광층(inorganic light emitting layer), 예를 들어 나노사이즈의 물질층(nano-sized material layer) 또는 양자점(quantum dot) 등을 포함할 수 있다.For example, when the display panel is an organic light emitting (OLED) display panel, it may include a plurality of gate lines and data lines, and pixels formed at intersections of the gate lines and the data lines. An array substrate including a thin film transistor which is a device for selectively applying a voltage to each pixel, an organic light emitting element (OLED) layer on the array substrate, and an encapsulating substrate Or an encapsulation substrate, or the like. The sealing substrate protects the thin film transistor, the organic light emitting element layer, and the like from external impact and can prevent water or oxygen from penetrating into the organic light emitting element layer. In addition, the layer formed on the array substrate may include an inorganic light emitting layer, for example, a nano-sized material layer or a quantum dot.
그리고, 디스플레이 패널은 디스플레이 패널에 부착되는 금속판(metal plate)과 같은 후면(backing)을 더 포함할 수 있다. 금속판에 한정되지 않고 다른 구조도 포함될 수 있다.The display panel may further include a backing such as a metal plate attached to the display panel. The present invention is not limited to the metal plate but may include other structures.
본 출원의 여러 예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.Each of the features of the various embodiments of the present application may be combined or combined with each other partially or entirely, technically various interlocking and driving are possible, and the examples may be independently performed with respect to each other, .
이하, 첨부된 도면 및 예를 통해 본 출원의 예를 살펴보면 다음과 같다.Hereinafter, an example of the present application will be described with reference to the accompanying drawings and examples.
도 1은 본 출원의 예에 따른 발광 다이오드 표시 장치(10)를 나타내는 평면도이다.1 is a plan view showing a light emitting
도 1을 참조하면, 발광 다이오드 표시 장치(10)는 기판(100) 및 기판(100) 상에 배치된 복수의 단위 픽셀들을 포함한다. 기판(100)은 유리 재질 또는 플라스틱 재질을 포함한다. 플라스틱 재질의 기판(100)은 불투명 또는 유색 폴리이미드(polyimide) 재질을 포함할 수 있다. 또한, 기판(100)은 박막 트랜지스터 어레이 기판 또는 표시 패널로 표현될 수 있다.Referring to FIG. 1, a light emitting
복수의 단위 픽셀들 각각은 기판(100) 상의 게이트 라인들 및 데이터 라인들에 의해 정의되는 서브 픽셀 영역에 마련된 복수의 서브 픽셀들(SP)을 포함한다. 여기에서, 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각은 광을 방출하는 최소 단위의 영역으로 정의될 수 있다. 예를 들어, 복수의 단위 픽셀들 각각은 인접한 적어도 3개의 서브 픽셀들(SP)을 포함할 수 있다.Each of the plurality of unit pixels includes a plurality of sub-pixels (SP) provided in a sub-pixel region defined by gate lines and data lines on the substrate (100). Here, each of the plurality of sub-pixels SP may be defined as a minimum unit area for emitting light. For example, each of the plurality of unit pixels may include at least three adjacent sub-pixels SP.
복수의 단위 픽셀들은 제1 및 제2 단위 픽셀들(UP1, UP2)을 포함할 수 있다. 제1 단위 픽셀(UP1)은 기판(100)의 중앙 영역에 마련되고, 복수의 서브 픽셀들(SP)을 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 제1 단위 픽셀(UP1)은 기판(100)의 중앙 영역에서 마련된 복수의 제1 단위 픽셀들(UP1)을 포함할 수 있다. 복수의 제1 단위 픽셀들(UP1) 각각은 제1 수평 축 방향(X)을 따라 미리 설정된 제1 기준 픽셀 피치(P)를 가지면서 제2 수평 축 방향(Y)을 따라 미리 설정된 제2 기준 픽셀 피치를 가지도록 기판(100)의 중앙 영역에 마련될 수 있다. 여기에서, 제1 수평 축 방향(X)은 기판(100)의 제1 길이 방향(X), 예를 들어, 기판(100)의 장변 길이 방향과 나란할 수 있고, 제2 수평 축 방향(Y)은 기판(100)의 제2 길이 방향(Y), 예를 들어, 기판(100)의 단변 길이 방향과 나란할 수 있다. 제1 기준 픽셀 피치(P)는 제1 수평 축 방향(X)을 따라 인접한 2개의 제1 단위 픽셀들(UP1) 각각의 정중앙부 간의 거리로 정의될 수 있으며, 제2 기준 픽셀 피치는 제2 수평 축 방향(Y)을 따라 인접한 2개의 제1 단위 픽셀들(UP1) 각각의 정중앙부 간의 거리로 정의될 수 있다.The plurality of unit pixels may include first and second unit pixels UP1 and UP2. The first unit pixel UP1 is provided in the central region of the
제2 단위 픽셀(UP2)은 기판(100)의 중앙 영역의 제1 측에 위치한 기판(100)의 제1 가장자리에 마련되고, 복수의 서브 픽셀들(SP) 및 복수의 서브 픽셀들(SP)에 신호 인가를 위한 제1 패드부를 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 제2 단위 픽셀(UP2)은 기판(100)의 중앙 영역의 좌측에 위치한 기판(100)의 제1 가장자리에 마련된 복수의 제2 단위 픽셀들(UP2)을 포함할 수 있다. 복수의 제2 단위 픽셀들(UP2) 각각은 제2 수평 축 방향(Y)을 따라 미리 설정된 제2 기준 픽셀 피치를 가지도록 기판(100)의 제1 가장자리에 마련될 수 있다. 여기에서, 제2 수평 축 방향(Y)은 기판(100)의 제2 길이 방향(Y), 예를 들어, 기판(100)의 단변 길이 방향과 나란할 수 있고, 제2 기준 픽셀 피치는 제2 수평 축 방향(Y)을 따라 인접한 2개의 제2 단위 픽셀들(UP2) 각각의 정중앙부 간의 거리로 정의될 수 있다.The second unit pixel UP2 is provided at the first edge of the
제1 패드부는 제2 단위 픽셀(UP2)의 일부 영역에 마련되어 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각에 신호를 인가할 수 있다. 일 예에 따르면, 제1 패드부가 게이트 패드부로 구현되는 경우, 제1 패드부는 제2 단위 픽셀(UP2)의 좌측 영역에 마련되어 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각에 게이트 신호를 제공할 수 있다. 이하, 제1 패드부는 도 3에 개시된 제2 단위 픽셀(UP2)을 통해 상세히 설명하기로 한다.The first pad unit may be provided in a part of the second unit pixel UP2 and may apply a signal to each of the plurality of sub-pixels SP. According to an example, when the first pad portion is implemented as a gate pad portion, the first pad portion may be provided in the left region of the second unit pixel UP2 and may provide a gate signal to each of the plurality of sub-pixels SP. Hereinafter, the first pad unit will be described in detail through the second unit pixel UP2 shown in FIG.
일 예에 따르면, 제2 단위 픽셀(UP2)은 제1 단위 픽셀(UP1)보다 작은 크기를 가질 수 있다. 구체적으로, 제2 단위 픽셀(UP2)은 제1 단위 픽셀(UP1)과 동일한 크기를 갖는 단위 픽셀의 일측이 제1 폭(W1)만큼 절단(또는 커팅)되어 형성될 수 있다. 따라서, 본 예에 따른 발광 다이오드 표시 장치(10)는 기판(100) 상에 마련된 복수의 제1 단위 픽셀들(UP1) 각각을 동일한 기준 픽셀 피치와 동일한 크기로 마련하되, 기판(100)의 제1 가장자리에 마련된 제2 단위 픽셀들(UP2)의 크기를 감소시킴으로써 멀티 스크린 장치에서 서로 연결된 발광 다이오드 표시 장치(10)들 사이의 경계부를 최소화하는데 적합한 베젤 폭을 가질 수 있다. 결과적으로, 본 예에 따른 멀티 스크린 표시 장치는 측면끼리 연결된 2개의 발광 다이오드 표시 장치들(또는 복수의 스크린 모듈들) 각각의 단위 픽셀들 간의 거리를 기준 픽셀 피치와 동일하거나 작게하여, 복수의 발광 다이오드 표시 장치들(10) 사이에 마련되는 경계부에 의한 암부 발생 영역을 최소화하고, 전체 화면에 단절감이 사라진 영상을 제공할 수 있다.According to an example, the second unit pixel UP2 may have a smaller size than the first unit pixel UP1. Specifically, the second unit pixel UP2 may be formed by cutting (or cutting) one side of the unit pixel having the same size as the first unit pixel UP1 by the first width W1. Therefore, the
복수의 단위 픽셀들은 제3 단위 픽셀(UP3)을 더 포함할 수 있다. 제3 단위 픽셀(UP3)은 기판(100)의 중앙 영역의 제1 측과 다른 제2 측에 위치한 기판(100)의 제2 가장자리에 마련되고, 복수의 서브 픽셀들(SP) 및 복수의 서브 픽셀들(SP)에 신호 인가를 위한 제2 패드부를 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 제3 단위 픽셀(UP3)은 기판(100)의 중앙 영역의 상측에 위치한 기판(100)의 제2 가장자리에 마련된 복수의 제3 단위 픽셀들(UP3)을 포함할 수 있다. 복수의 제3 단위 픽셀들(UP3) 각각은 제1 수평 축 방향(X)을 따라 미리 설정된 제1 기준 픽셀 피치(P)를 가지도록 기판(100)의 제1 가장자리에 마련될 수 있다. 여기에서, 제1 수평 축 방향(X)은 기판(100)의 제1 길이 방향(X), 예를 들어, 기판(100)의 장변 길이 방향과 나란할 수 있고, 제1 기준 픽셀 피치(P)는 제1 수평 축 방향(X)을 따라 인접한 2개의 제1 단위 픽셀들(UP1) 각각의 정중앙부 간의 거리로 정의될 수 있다.The plurality of unit pixels may further include a third unit pixel UP3. The third unit pixel UP3 is provided at the second edge of the
제2 패드부는 제3 단위 픽셀(UP2)의 일부 영역에 마련되어 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각에 신호를 인가할 수 있다. 일 예에 따르면, 제2 패드부가 데이터 패드부로 구현되는 경우, 제2 패드부는 제3 단위 픽셀(UP2)의 상측 영역에 마련되어 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각에 데이터 신호를 제공할 수 있다. 이하, 제2 패드부는 도 4에 개시된 제3 단위 픽셀(UP3)을 통해 상세히 설명하기로 한다.The second pad unit may be provided in a part of the third unit pixel UP2 to apply a signal to each of the plurality of sub pixels SP. According to an example, when the second pad portion is implemented as a data pad portion, the second pad portion may be provided in the upper region of the third unit pixel UP2 to provide a data signal to each of the plurality of sub pixels SP. Hereinafter, the second pad unit will be described in detail through the third unit pixel UP3 shown in FIG.
일 예에 따르면, 제3 단위 픽셀(UP3)은 제1 단위 픽셀(UP1)보다 작은 크기를 가질 수 있다. 구체적으로, 제3 단위 픽셀(UP3)은 제1 단위 픽셀(UP1)과 동일한 크기를 갖는 단위 픽셀의 일측이 제2 폭(W2)만큼 절단(또는 커팅)되어 형성될 수 있다. 따라서, 본 예에 따른 발광 다이오드 표시 장치(10)는 기판(100) 상에 마련된 복수의 제1 단위 픽셀들(UP1) 각각을 동일한 기준 픽셀 피치와 동일한 크기로 마련하되, 기판(100)의 제2 가장자리에 마련된 제3 단위 픽셀들(UP3)의 크기를 감소시킴으로써 멀티 스크린 장치에서 서로 연결된 발광 다이오드 표시 장치들(10) 사이의 경계부를 최소화하는데 적합한 베젤 폭을 가질 수 있다. 추가적으로, 본 예에 따른 발광 다이오드 표시 장치(10)는 기판(100) 상에 마련된 복수의 제1 단위 픽셀들(UP1) 각각을 동일한 기준 픽셀 피치와 동일한 크기로 마련하되, 기판(100)의 제1 가장자리에 마련된 제2 단위 픽셀들(UP2)의 크기를 감소시키고, 기판(100)의 제2 가장자리에 마련된 제3 단위 픽셀들(UP3)의 크기를 감소시킴으로써 멀티 스크린 장치에서 서로 연결된 발광 다이오드 표시 장치들(10) 사이의 경계부를 최소화하는데 적합한 베젤 폭을 가질 수 있다.According to an example, the third unit pixel UP3 may have a smaller size than the first unit pixel UP1. Specifically, the third unit pixel UP3 may be formed by cutting (or cutting) one side of a unit pixel having the same size as the first unit pixel UP1 by a second width W2. Therefore, the
복수의 단위 픽셀들은 제4 단위 픽셀(UP4)을 더 포함할 수 있다. 제4 단위 픽셀(UP4)은 기판(100)의 제1 가장자리와 제2 가장자리의 사이에 위치한 기판(100)의 제1 모서리에 마련되고, 복수의 서브 픽셀들(SP) 및 복수의 서브 픽셀들(SP)에 신호 인가를 위한 제1 패드부 및 제2 패드부를 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 제4 단위 픽셀(UP4)은 기판(100)의 중앙 영역의 좌측 및 상측의 사이에 위치한 제1 모서리에 배치될 수 있다.The plurality of unit pixels may further include a fourth unit pixel UP4. The fourth unit pixel UP4 is provided at a first edge of the
제1 패드부는 제4 단위 픽셀(UP4)의 일부 영역에 마련되어 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각에 신호를 인가할 수 있다. 일 예에 따르면, 제1 패드부가 게이트 패드부로 구현되는 경우, 제1 패드부는 제4 단위 픽셀(UP4)의 좌측 영역에 마련되어 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각에 게이트 신호를 제공할 수 있다. 이하, 제1 패드부는 도 5에 개시된 제4 단위 픽셀(UP4)을 통해 상세히 설명하기로 한다.The first pad unit may be provided in a part of the fourth unit pixel UP4 and may apply a signal to each of the plurality of sub-pixels SP. According to an example, when the first pad portion is implemented as a gate pad portion, the first pad portion may be provided in the left region of the fourth unit pixel UP4 and may provide a gate signal to each of the plurality of sub-pixels SP. Hereinafter, the first pad unit will be described in detail through the fourth unit pixel UP4 shown in FIG.
제2 패드부는 제4 단위 픽셀(UP4)의 일부 영역에 마련되어 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각에 신호를 인가할 수 있다. 일 예에 따르면, 제2 패드부가 데이터 패드부로 구현되는 경우, 제2 패드부는 제4 단위 픽셀(UP4)의 상측 영역에 마련되어 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각에 데이터 신호를 제공할 수 있다. 이하, 제2 패드부는 도 5에 개시된 제4 단위 픽셀(UP4)을 통해 상세히 설명하기로 한다.The second pad unit may be provided in a part of the fourth unit pixel UP4 to apply a signal to each of the plurality of sub-pixels SP. According to an example, when the second pad portion is implemented as a data pad portion, the second pad portion may be provided in an upper region of the fourth unit pixel UP4 to provide a data signal to each of the plurality of sub-pixels SP. Hereinafter, the second pad unit will be described in detail through the fourth unit pixel UP4 shown in FIG.
일 예에 따르면, 제4 단위 픽셀(UP4)은 제1, 제2 및 제3 단위 픽셀들(UP1, UP2, UP3)보다 작은 크기를 가질 수 있다. 구체적으로, 제4 단위 픽셀(UP4)은 제1 단위 픽셀(UP1)과 동일한 크기를 갖는 단위 픽셀의 일측이 제1 폭(W1)만큼 절단(또는 커팅)되고, 단위 픽셀의 일측과 다른 타측이 제2 폭(W2)만큼 절단(또는 커팅)되어 형성될 수 있다. 따라서, 본 예에 따른 발광 다이오드 표시 장치(10)는 기판(100) 상에 마련된 복수의 제1 단위 픽셀들(UP1) 각각을 동일한 기준 픽셀 피치와 동일한 크기로 마련하되, 기판(100)의 제1 모서리에 마련된 제4 단위 픽셀(UP4)의 크기를 감소시킴으로써 멀티 스크린 장치에서 서로 연결된 발광 다이오드 표시 장치들(10) 사이의 경계부를 최소화하는데 적합한 베젤 폭을 가질 수 있다. 추가적으로, 본 예에 따른 발광 다이오드 표시 장치(10)는 기판(100) 상에 마련된 복수의 제1 단위 픽셀들(UP1) 각각을 동일한 기준 픽셀 피치와 동일한 크기로 마련하되, 기판(100)의 제1 가장자리에 마련된 제2 단위 픽셀들(UP2)의 크기를 감소시키고, 기판(100)의 제2 가장자리에 마련된 제3 단위 픽셀들(UP3)의 크기를 감소시키며, 기판(100)의 제1 모서리에 마련된 제4 단위 픽셀(UP4)의 크기를 감소시킴으로써 멀티 스크린 장치에서 서로 연결된 발광 다이오드 표시 장치들(10) 사이의 경계부를 최소화하는데 적합한 베젤 폭을 가질 수 있다.According to one example, the fourth unit pixel UP4 may have a smaller size than the first, second, and third unit pixels UP1, UP2, and UP3. Specifically, the fourth unit pixel UP4 is formed such that one side of the unit pixel having the same size as the first unit pixel UP1 is cut (or cut) by the first width W1, and the other side of the unit pixel (Or cut) by the second width W2. Therefore, the
복수의 단위 픽셀들은 제5 단위 픽셀(UP5)을 더 포함할 수 있다. 제5 단위 픽셀(UP5)은 기판(100)의 중앙 영역의 제1 측과 반대되는 제3 측에 위치한 기판(100)의 제3 가장자리에 마련되고, 복수의 서브 픽셀들(SP)을 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 제5 단위 픽셀(UP5)은 기판(100)의 중앙 영역의 우측에 위치한 기판(100)의 제3 가장자리에 마련된 복수의 제5 단위 픽셀들(UP5)을 포함할 수 있다. 복수의 제5 단위 픽셀들(UP5) 각각은 제2 수평 축 방향(Y)을 따라 미리 설정된 제2 기준 픽셀 피치를 가지도록 기판(100)의 제3 가장자리에 마련될 수 있다. 여기에서, 제2 수평 축 방향(Y)은 기판(100)의 제2 길이 방향(Y), 예를 들어, 기판(100)의 단변 길이 방향과 나란할 수 있고, 제2 기준 픽셀 피치는 제2 수평 축 방향(Y)을 따라 인접한 2개의 제5 단위 픽셀들(UP5) 각각의 정중앙부 간의 거리로 정의될 수 있다.The plurality of unit pixels may further include a fifth unit pixel UP5. The fifth unit pixel UP5 is provided on the third edge of the
다른 예에 따르면, 제5 단위 픽셀(UP5)은 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각에 신호 인가를 위한 제1 패드부를 더 포함할 수 있다. 제1 패드부는 제5 단위 픽셀(UP5)의 일부 영역에 마련되어 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각에 신호를 인가할 수 있다. 예를 들어, 제1 패드부가 게이트 패드부로 구현되는 경우, 제1 패드부는 제5 단위 픽셀(UP5)의 우측 영역에 마련되어 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각에 게이트 신호를 제공할 수 있다. 결과적으로, 제5 단위 픽셀(UP5)은 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각에 신호 인가를 위한 제1 패드부를 포함할 수도 있고, 포함하지 않을 수도 있다. 예를 들어, 발광 다이오드 표시 장치(10)가 대형 크기로 제조되는 경우, 제5 단위 픽셀(UP5)은 제1 패드부를 더 포함할 수 있다.According to another example, the fifth unit pixel UP5 may further include a first pad portion for applying a signal to each of the plurality of sub-pixels SP. The first pad unit may be provided in a part of the fifth unit pixel UP5 and may apply a signal to each of the plurality of sub-pixels SP. For example, when the first pad portion is implemented as a gate pad portion, the first pad portion may be provided in the right region of the fifth unit pixel UP5 and may provide a gate signal to each of the plurality of sub-pixels SP. As a result, the fifth unit pixel UP5 may or may not include the first pad portion for signal application to each of the plurality of sub-pixels SP. For example, when the light emitting
일 예에 따르면, 제5 단위 픽셀(UP5)은 제1 단위 픽셀(UP1)보다 작은 크기를 가질 수 있다. 구체적으로, 제5 단위 픽셀(UP5)은 제1 단위 픽셀(UP1)과 동일한 크기를 갖는 단위 픽셀의 일측이 제4 폭(W4)만큼 절단(또는 커팅)되어 형성될 수 있다. 따라서, 본 예에 따른 발광 다이오드 표시 장치(10)는 기판(100) 상에 마련된 복수의 제1 단위 픽셀들(UP1) 각각을 동일한 기준 픽셀 피치와 동일한 크기로 마련하되, 기판(100)의 제3 가장자리에 마련된 제5 단위 픽셀들(UP5)의 크기를 감소시킴으로써 멀티 스크린 장치에서 서로 연결된 발광 다이오드 표시 장치들(10) 사이의 경계부를 최소화하는데 적합한 베젤 폭을 가질 수 있다. 결과적으로, 본 예에 따른 멀티 스크린 표시 장치는 측면끼리 연결된 2개의 발광 다이오드 표시 장치들(또는 복수의 스크린 모듈들) 각각의 단위 픽셀들 간의 거리를 기준 픽셀 피치와 동일하거나 작게하여, 복수의 발광 다이오드 표시 장치들(10) 사이에 마련되는 경계부에 의한 암부 발생 영역을 최소화하고, 전체 화면에 단절감이 사라진 영상을 제공할 수 있다.According to an example, the fifth unit pixel UP5 may have a smaller size than the first unit pixel UP1. Specifically, the fifth unit pixel UP5 may be formed by cutting (or cutting) one side of the unit pixel having the same size as the first unit pixel UP1 by the fourth width W4. Therefore, the
제5 단위 픽셀(UP5)은 제1 전원 공급 라인, 제1 및 제2 전원 브리지 라인들을 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 제1 전원 공급 라인은 제1 방향(X)을 따라 복수의 서브 픽셀들(SP)의 일측에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 전원 공급 라인은 복수의 서브 픽셀들(SP)의 좌측에 배치될 수 있다.The fifth unit pixel UP5 may include a first power supply line, first and second power supply lines. According to one example, the first power supply line may be disposed on one side of the plurality of sub-pixels SP along the first direction X. [ For example, the first power supply line may be disposed on the left side of the plurality of sub-pixels SP.
일 예에 따르면, 제1 및 제2 전원 브리지 라인들은 제1 방향(X)과 직교하는 제2 방향(Y)을 따라 복수의 서브 픽셀들(SP)의 양측에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 전원 브리지 라인은 복수의 서브 픽셀들(SP)의 상측에 배치되고, 제2 전원 브리지 라인은 복수의 서브 픽셀들(SP)의 하측에 배치될 수 있다. 제1 전원 브리지 라인은 제1 전원 공급 라인과 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각을 연결할 수 있다.According to one example, the first and second power supply bridge lines may be disposed on both sides of the plurality of subpixels SP along a second direction Y that is orthogonal to the first direction X. For example, the first power supply bridge line may be disposed above the plurality of subpixels SP, and the second power supply bridge line may be disposed below the plurality of subpixels SP. The first power supply bridge line may connect the first power supply line and each of the plurality of subpixels (SP).
복수의 단위 픽셀들은 제6 단위 픽셀(UP6)을 더 포함할 수 있다. 제6 단위 픽셀(UP6)은 기판(100)의 제2 가장자리와 제3 가장자리의 사이에 위치한 기판(100)의 제2 모서리에 마련되고, 복수의 서브 픽셀들(SP) 및 복수의 서브 픽셀들(SP)에 신호 인가를 위한 제2 패드부를 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 제6 단위 픽셀(UP6)은 기판(100)의 중앙 영역의 우측 및 상측의 사이에 위치한 제2 모서리에 배치될 수 있다.The plurality of unit pixels may further include a sixth unit pixel UP6. The sixth unit pixel UP6 is provided at the second edge of the
제2 패드부는 제6 단위 픽셀(UP6)의 일부 영역에 마련되어 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각에 신호를 인가할 수 있다. 일 예에 따르면, 제2 패드부가 데이터 패드부로 구현되는 경우, 제2 패드부는 제6 단위 픽셀(UP6)의 상측 영역에 마련되어 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각에 데이터 신호를 제공할 수 있다.The second pad unit may be provided in a part of the sixth unit pixel UP6 to apply a signal to each of the plurality of sub-pixels SP. According to an example, when the second pad portion is implemented as a data pad portion, the second pad portion may be provided in an upper region of the sixth unit pixel UP6 to provide a data signal to each of the plurality of sub-pixels SP.
다른 예에 따르면, 제6 단위 픽셀(UP6)은 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각에 신호 인가를 위한 제1 패드부를 더 포함할 수 있다. 제1 패드부는 제6 단위 픽셀(UP6)의 일부 영역에 마련되어 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각에 신호를 인가할 수 있다. 예를 들어, 제1 패드부가 게이트 패드부로 구현되는 경우, 제1 패드부는 제6 단위 픽셀(UP6)의 우측 영역에 마련되어 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각에 게이트 신호를 제공할 수 있다. 결과적으로, 제6 단위 픽셀(UP6)은 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각에 신호 인가를 위한 제1 패드부를 포함할 수도 있고, 포함하지 않을 수도 있다. 예를 들어, 발광 다이오드 표시 장치(10)가 대형 크기로 제조되는 경우, 제6 단위 픽셀(UP6)은 제1 패드부를 더 포함할 수 있다.According to another example, the sixth unit pixel UP6 may further include a first pad portion for applying a signal to each of the plurality of sub-pixels SP. The first pad unit may be provided in a part of the sixth unit pixel UP6 to apply a signal to each of the plurality of sub-pixels SP. For example, when the first pad portion is implemented as a gate pad portion, the first pad portion may be provided in the right region of the sixth unit pixel UP6 and may provide a gate signal to each of the plurality of sub-pixels SP. As a result, the sixth unit pixel UP6 may or may not include the first pad portion for signal application to each of the plurality of sub-pixels SP. For example, when the light emitting
일 예에 따르면, 제6 단위 픽셀(UP6)은 제1, 제2, 제3 및 제5 단위 픽셀들(UP1, UP2, UP3, UP5)보다 작은 크기를 가질 수 있다. 구체적으로, 제6 단위 픽셀(UP6)은 제1 단위 픽셀(UP1)과 동일한 크기를 갖는 단위 픽셀의 일측이 제2 폭(W2)만큼 절단(또는 커팅)되고, 단위 픽셀의 일측과 다른 타측이 제4 폭(W4)만큼 절단(또는 커팅)되어 형성될 수 있다. 따라서, 본 예에 따른 발광 다이오드 표시 장치(10)는 기판(100) 상에 마련된 복수의 제1 단위 픽셀들(UP1) 각각을 동일한 기준 픽셀 피치와 동일한 크기로 마련하되, 기판(100)의 제2 모서리에 마련된 제6 단위 픽셀(UP6)의 크기를 감소시킴으로써 멀티 스크린 장치에서 서로 연결된 발광 다이오드 표시 장치들(10) 사이의 경계부를 최소화하는데 적합한 베젤 폭을 가질 수 있다. 추가적으로, 본 예에 따른 발광 다이오드 표시 장치(10)는 기판(100) 상에 마련된 복수의 제1 단위 픽셀들(UP1) 각각을 동일한 기준 픽셀 피치와 동일한 크기로 마련하되, 기판(100)의 제2 가장자리에 마련된 제3 단위 픽셀들(UP3)의 크기를 감소시키고, 기판(100)의 제3 가장자리에 마련된 제5 단위 픽셀들(UP5)의 크기를 감소시키며, 기판(100)의 제2 모서리에 마련된 제6 단위 픽셀(UP6)의 크기를 감소시킴으로써 멀티 스크린 장치에서 서로 연결된 발광 다이오드 표시 장치들(10) 사이의 경계부를 최소화하는데 적합한 베젤 폭을 가질 수 있다.According to an example, the sixth unit pixel UP6 may have a smaller size than the first, second, third, and fifth unit pixels UP1, UP2, UP3, and UP5. Specifically, the sixth unit pixel UP6 is formed such that one side of the unit pixel having the same size as the first unit pixel UP1 is cut (or cut) by the second width W2, and the other side of the unit pixel And cut (or cut) by the fourth width W4. Therefore, the
제6 단위 픽셀(UP6)은 제1 전원 공급 라인, 제1 및 제2 전원 브리지 라인들을 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 제1 전원 공급 라인은 제1 방향(X)을 따라 복수의 서브 픽셀들(SP)의 일측에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 전원 공급 라인은 복수의 서브 픽셀들(SP)의 좌측에 배치될 수 있다.The sixth unit pixel UP6 may include a first power supply line, first and second power supply bridge lines. According to one example, the first power supply line may be disposed on one side of the plurality of sub-pixels SP along the first direction X. [ For example, the first power supply line may be disposed on the left side of the plurality of sub-pixels SP.
일 예에 따르면, 제1 및 제2 전원 브리지 라인들은 제1 방향(X)과 직교하는 제2 방향(Y)을 따라 복수의 서브 픽셀들(SP)의 일측에 배치될 수 있다. 제1 및 제2 전원 브리지 라인들은 제1 방향(X)과 직교하는 제2 방향(Y)을 따라 제2 패드부의 반대측에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 전원 브리지 라인들은 복수의 서브 픽셀들(SP)의 하측에 배치될 수 있다. 제1 전원 브리지 라인은 제1 전원 공급 라인과 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각을 연결할 수 있다.According to one example, the first and second power supply bridge lines may be disposed on one side of the plurality of subpixels SP along a second direction Y orthogonal to the first direction X. [ The first and second power supply bridge lines may be disposed on the opposite side of the second pad portion along a second direction Y perpendicular to the first direction X. [ For example, the first and second power supply bridge lines may be disposed below the plurality of sub-pixels SP. The first power supply bridge line may connect the first power supply line and each of the plurality of subpixels (SP).
복수의 단위 픽셀들은 제7 단위 픽셀(UP7)을 더 포함할 수 있다. 제7 단위 픽셀(UP7)은 기판(100)의 중앙 영역의 제2 측과 반대되는 제4 측에 위치한 기판(100)의 제4 가장자리에 마련되고, 복수의 서브 픽셀들(SP)을 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 제7 단위 픽셀(UP7)은 기판(100)의 중앙 영역의 하측에 위치한 기판(100)의 제4 가장자리에 마련된 복수의 제7 단위 픽셀들(UP7)을 포함할 수 있다. 복수의 제7 단위 픽셀들(UP7) 각각은 제1 수평 축 방향(X)을 따라 미리 설정된 제1 기준 픽셀 피치(P)를 가지도록 기판(100)의 제4 가장자리에 마련될 수 있다. 여기에서, 제1 수평 축 방향(X)은 기판(100)의 제1 길이 방향(X), 예를 들어, 기판(100)의 장변 길이 방향과 나란할 수 있고, 제1 기준 픽셀 피치(P)는 제1 수평 축 방향(X)을 따라 인접한 2개의 제1 단위 픽셀들(UP1) 각각의 정중앙부 간의 거리로 정의될 수 있다.The plurality of unit pixels may further include a seventh unit pixel UP7. The seventh unit pixel UP7 is provided on the fourth edge of the
다른 예에 따르면, 제7 단위 픽셀(UP7)은 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각에 신호 인가를 위한 제2 패드부를 더 포함할 수 있다. 제2 패드부는 제7 단위 픽셀(UP7)의 일부 영역에 마련되어 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각에 신호를 인가할 수 있다. 예를 들어, 제2 패드부가 데이터 패드부로 구현되는 경우, 제2 패드부는 제7 단위 픽셀(UP5)의 하측 영역에 마련되어 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각에 데이터 신호를 제공할 수 있다. 결과적으로, 제7 단위 픽셀(UP7)은 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각에 신호 인가를 위한 제2 패드부를 포함할 수도 있고, 포함하지 않을 수도 있다. 예를 들어, 발광 다이오드 표시 장치(10)가 대형 크기로 제조되는 경우, 제7 단위 픽셀(UP7)은 제2 패드부를 더 포함할 수 있다.According to another example, the seventh unit pixel UP7 may further include a second pad portion for applying a signal to each of the plurality of sub-pixels SP. The second pad unit may be provided in a part of the seventh unit pixel UP7 to apply a signal to each of the plurality of sub-pixels SP. For example, when the second pad portion is implemented as a data pad portion, the second pad portion may be provided in a lower region of the seventh unit pixel UP5 to provide a data signal to each of the plurality of sub-pixels SP. As a result, the seventh unit pixel UP7 may or may not include the second pad portion for signal application to each of the plurality of sub-pixels SP. For example, when the light emitting
일 예에 따르면, 제7 단위 픽셀(UP5)은 제1 단위 픽셀(UP1)보다 작은 크기를 가질 수 있다. 구체적으로, 제7 단위 픽셀(UP7)은 제1 단위 픽셀(UP1)과 동일한 크기를 갖는 단위 픽셀의 일측이 제3 폭(W3)만큼 절단(또는 커팅)되어 형성될 수 있다. 따라서, 본 예에 따른 발광 다이오드 표시 장치(10)는 기판(100) 상에 마련된 복수의 제1 단위 픽셀들(UP1) 각각을 동일한 기준 픽셀 피치와 동일한 크기로 마련하되, 기판(100)의 제4 가장자리에 마련된 제7 단위 픽셀들(UP7)의 크기를 감소시킴으로써 멀티 스크린 장치에서 서로 연결된 발광 다이오드 표시 장치들(10) 사이의 경계부를 최소화하는데 적합한 베젤 폭을 가질 수 있다. 결과적으로, 본 예에 따른 멀티 스크린 표시 장치는 측면끼리 연결된 2개의 발광 다이오드 표시 장치들(또는 복수의 스크린 모듈들) 각각의 단위 픽셀들 간의 거리를 기준 픽셀 피치와 동일하거나 작게하여, 복수의 발광 다이오드 표시 장치들(10) 사이에 마련되는 경계부에 의한 암부 발생 영역을 최소화하고, 전체 화면에 단절감이 사라진 영상을 제공할 수 있다.According to an example, the seventh unit pixel UP5 may have a smaller size than the first unit pixel UP1. Specifically, the seventh unit pixel UP7 may be formed by cutting (or cutting) one side of a unit pixel having the same size as the first unit pixel UP1 by a third width W3. Therefore, the
제7 단위 픽셀(UP7)은 제1 및 제2 전원 공급 라인들, 제1 및 제2 전원 브리지 라인들을 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 제1 및 제2 전원 공급 라인들은 제1 방향(X)을 따라 복수의 서브 픽셀들(SP)의 양측에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 전원 공급 라인은 복수의 서브 픽셀들(SP)의 좌측에 배치되고, 제2 전원 공급 라인은 복수의 서브 픽셀들(SP)의 우측에 배치될 수 있다. 즉, 제1 및 제2 전원 공급 라인들은 제1 방향(X)을 따라 복수의 서브 픽셀들(SP)을 사이에 두고 이격되게 배치될 수 있다.The seventh unit pixel UP7 may include first and second power supply lines, first and second power supply bridge lines. According to one example, the first and second power supply lines may be disposed on both sides of the plurality of sub-pixels SP along the first direction X. [ For example, the first power supply line may be disposed on the left side of the plurality of subpixels SP, and the second power supply line may be disposed on the right side of the plurality of subpixels SP. That is, the first and second power supply lines may be spaced apart from each other with a plurality of sub-pixels SP in the first direction X. [
일 예에 따르면, 제1 및 제2 전원 브리지 라인들은 제1 방향(X)과 직교하는 제2 방향(Y)을 따라 복수의 서브 픽셀들(SP)의 일측에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 전원 브리지 라인들은 복수의 서브 픽셀들(SP)의 상측에 배치될 수 있다. 제1 전원 브리지 라인은 제1 전원 공급 라인과 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각을 연결하고, 제2 전원 브리지 라인은 제2 전원 공급 라인과 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각을 연결할 수 있다.According to one example, the first and second power supply bridge lines may be disposed on one side of the plurality of subpixels SP along a second direction Y orthogonal to the first direction X. [ For example, the first and second power supply bridge lines may be disposed above the plurality of sub-pixels SP. The first power supply bridge line connects the first power supply line and each of the plurality of subpixels SP and the second power supply line connects the second power supply line and each of the plurality of subpixels SP .
복수의 단위 픽셀들은 제8 단위 픽셀(UP8)을 더 포함할 수 있다. 제8 단위 픽셀(UP8)은 기판(100)의 제1 가장자리와 제4 가장자리의 사이에 위치한 기판(100)의 제3 모서리에 마련되고, 복수의 서브 픽셀들(SP) 및 복수의 서브 픽셀들(SP)에 신호 인가를 위한 제1 패드부를 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 제8 단위 픽셀(UP8)은 기판(100)의 중앙 영역의 좌측 및 하측의 사이에 위치한 제3 모서리에 배치될 수 있다.The plurality of unit pixels may further include an eighth unit pixel UP8. The eighth unit pixel UP8 is provided at the third edge of the
제1 패드부는 제8 단위 픽셀(UP8)의 일부 영역에 마련되어 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각에 신호를 인가할 수 있다. 일 예에 따르면, 제1 패드부가 게이트 패드부로 구현되는 경우, 제1 패드부는 제8 단위 픽셀(UP6)의 좌측 영역에 마련되어 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각에 데이터 신호를 제공할 수 있다.The first pad unit may be provided in a part of the eighth unit pixel UP8 to apply a signal to each of the plurality of sub-pixels SP. According to an example, when the first pad portion is implemented as a gate pad portion, the first pad portion may be provided in the left region of the eighth unit pixel UP6 to provide a data signal to each of the plurality of sub-pixels SP.
다른 예에 따르면, 제8 단위 픽셀(UP8)은 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각에 신호 인가를 위한 제2 패드부를 더 포함할 수 있다. 제2 패드부는 제8 단위 픽셀(UP8)의 일부 영역에 마련되어 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각에 신호를 인가할 수 있다. 예를 들어, 제2 패드부가 데이터 패드부로 구현되는 경우, 제2 패드부는 제8 단위 픽셀(UP8)의 하측 영역에 마련되어 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각에 데이터 신호를 제공할 수 있다. 결과적으로, 제8 단위 픽셀(UP8)은 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각에 신호 인가를 위한 제2 패드부를 포함할 수도 있고, 포함하지 않을 수도 있다. 예를 들어, 발광 다이오드 표시 장치(10)가 대형 크기로 제조되는 경우, 제8 단위 픽셀(UP8)은 제2 패드부를 더 포함할 수 있다.According to another example, the eighth unit pixel UP8 may further include a second pad portion for applying a signal to each of the plurality of sub-pixels SP. The second pad unit may be provided in a part of the eighth unit pixel UP8 to apply a signal to each of the plurality of sub-pixels SP. For example, when the second pad portion is implemented as a data pad portion, the second pad portion may be provided in a lower region of the eighth unit pixel UP8 to provide a data signal to each of the plurality of sub-pixels SP. As a result, the eighth unit pixel UP8 may or may not include the second pad portion for signal application to each of the plurality of sub-pixels SP. For example, when the light emitting
일 예에 따르면, 제8 단위 픽셀(UP8)은 제1, 제2, 제3, 제5 및 제7 단위 픽셀들(UP1, UP2, UP3, UP5, UP7)보다 작은 크기를 가질 수 있다. 구체적으로, 제8 단위 픽셀(UP8)은 제1 단위 픽셀(UP1)과 동일한 크기를 갖는 단위 픽셀의 일측이 제1 폭(W1)만큼 절단(또는 커팅)되고, 단위 픽셀의 일측과 다른 타측이 제3 폭(W3)만큼 절단(또는 커팅)되어 형성될 수 있다. 따라서, 본 예에 따른 발광 다이오드 표시 장치(10)는 기판(100) 상에 마련된 복수의 제1 단위 픽셀들(UP1) 각각을 동일한 기준 픽셀 피치와 동일한 크기로 마련하되, 기판(100)의 제3 모서리에 마련된 제8 단위 픽셀(UP8)의 크기를 감소시킴으로써 멀티 스크린 장치에서 서로 연결된 발광 다이오드 표시 장치들(10) 사이의 경계부를 최소화하는데 적합한 베젤 폭을 가질 수 있다. 추가적으로, 본 예에 따른 발광 다이오드 표시 장치(10)는 기판(100) 상에 마련된 복수의 제1 단위 픽셀들(UP1) 각각을 동일한 기준 픽셀 피치와 동일한 크기로 마련하되, 기판(100)의 제1 가장자리에 마련된 제2 단위 픽셀들(UP2)의 크기를 감소시키고, 기판(100)의 제4 가장자리에 마련된 제7 단위 픽셀들(UP7)의 크기를 감소시키며, 기판(100)의 제3 모서리에 마련된 제8 단위 픽셀(UP8)의 크기를 감소시킴으로써 멀티 스크린 장치에서 서로 연결된 발광 다이오드 표시 장치들(10) 사이의 경계부를 최소화하는데 적합한 베젤 폭을 가질 수 있다.According to an example, the eighth unit pixel UP8 may have a smaller size than the first, second, third, fifth, and seventh unit pixels UP1, UP2, UP3, UP5, and UP7. Specifically, the eighth unit pixel UP8 is formed such that one side of the unit pixel having the same size as the first unit pixel UP1 is cut (or cut) by the first width W1, and the other side of the unit pixel (Or cut) by a third width W3. Therefore, the
제8 단위 픽셀(UP8)은 제2 전원 공급 라인, 제1 및 제2 전원 브리지 라인들을 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 제2 전원 공급 라인은 제1 방향(X)을 따라 복수의 서브 픽셀들(SP)의 일측에 배치될 수 있다. 제2 전원 공급 라인은 제1 방향(X)을 따라 제1 패드부의 반대측에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 전원 공급 라인은 복수의 서브 픽셀들(SP)의 우측에 배치될 수 있다.The eighth unit pixel UP8 may include a second power supply line, first and second power supply lines. According to one example, the second power supply line may be disposed on one side of the plurality of sub-pixels SP along the first direction X. [ The second power supply line may be disposed on the opposite side of the first pad portion along the first direction (X). For example, the second power supply line may be disposed on the right side of the plurality of sub-pixels SP.
일 예에 따르면, 제1 및 제2 전원 브리지 라인들은 제1 방향(X)과 직교하는 제2 방향(Y)을 따라 복수의 서브 픽셀들(SP)의 일측에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 전원 브리지 라인들은 복수의 서브 픽셀들(SP)의 상측에 배치될 수 있다. 제2 전원 브리지 라인은 제2 전원 공급 라인과 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각을 연결할 수 있다.According to one example, the first and second power supply bridge lines may be disposed on one side of the plurality of subpixels SP along a second direction Y orthogonal to the first direction X. [ For example, the first and second power supply bridge lines may be disposed above the plurality of sub-pixels SP. The second power supply bridge line may connect each of the plurality of subpixels (SP) with the second power supply line.
복수의 단위 픽셀들은 제9 단위 픽셀(UP9)을 더 포함할 수 있다. 제9 단위 픽셀(UP9)은 기판(100)의 제3 가장자리와 제4 가장자리의 사이에 위치한 기판(100)의 제4 모서리에 마련되고, 복수의 서브 픽셀들(SP)을 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 제9 단위 픽셀(UP9)은 기판(100)의 중앙 영역의 우측 및 하측의 사이에 위치한 제4 모서리에 배치될 수 있다.The plurality of unit pixels may further include a ninth unit pixel UP9. The ninth unit pixel UP9 is provided at the fourth edge of the
다른 예에 따르면, 제9 단위 픽셀(UP9)은 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각에 신호 인가를 위한 제1 패드부를 더 포함할 수 있다. 제1 패드부는 제9 단위 픽셀(UP9)의 일부 영역에 마련되어 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각에 신호를 인가할 수 있다. 예를 들어, 제1 패드부가 게이트 패드부로 구현되는 경우, 제1 패드부는 제9 단위 픽셀(UP9)의 우측 영역에 마련되어 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각에 게이트 신호를 제공할 수 있다. 결과적으로, 제9 단위 픽셀(UP9)은 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각에 신호 인가를 위한 제1 패드부를 포함할 수도 있고, 포함하지 않을 수도 있다. 예를 들어, 발광 다이오드 표시 장치(10)가 대형 크기로 제조되는 경우, 제9 단위 픽셀(UP9)은 제1 패드부를 더 포함할 수 있다.According to another example, the ninth unit pixel UP9 may further include a first pad portion for applying a signal to each of the plurality of sub-pixels SP. The first pad unit may be provided in a part of the ninth unit pixel UP9 and may apply a signal to each of the plurality of sub-pixels SP. For example, when the first pad portion is implemented as a gate pad portion, the first pad portion may be provided in the right region of the ninth unit pixel UP9 to provide a gate signal to each of the plurality of sub-pixels SP. As a result, the ninth unit pixel UP9 may or may not include the first pad portion for signal application to each of the plurality of sub-pixels SP. For example, when the light emitting
다른 예에 따르면, 제9 단위 픽셀(UP9)은 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각에 신호 인가를 위한 제2 패드부를 더 포함할 수 있다. 제2 패드부는 제9 단위 픽셀(UP9)의 일부 영역에 마련되어 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각에 신호를 인가할 수 있다. 예를 들어, 제2 패드부가 데이터 패드부로 구현되는 경우, 제2 패드부는 제9 단위 픽셀(UP9)의 하측 영역에 마련되어 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각에 데이터 신호를 제공할 수 있다. 결과적으로, 제9 단위 픽셀(UP9)은 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각에 신호 인가를 위한 제2 패드부를 포함할 수도 있고, 포함하지 않을 수도 있다. 예를 들어, 발광 다이오드 표시 장치(10)가 대형 크기로 제조되는 경우, 제9 단위 픽셀(UP9)은 제2 패드부를 더 포함할 수 있다.According to another example, the ninth unit pixel UP9 may further include a second pad portion for signal application to each of the plurality of sub-pixels SP. The second pad unit may be provided in a part of the ninth unit pixel UP9 to apply a signal to each of the plurality of sub-pixels SP. For example, when the second pad portion is implemented as a data pad portion, the second pad portion may be provided in a lower region of the ninth unit pixel UP9 to provide a data signal to each of the plurality of sub-pixels SP. As a result, the ninth unit pixel UP9 may or may not include a second pad portion for signal application to each of the plurality of sub-pixels SP. For example, when the light emitting
일 예에 따르면, 제9 단위 픽셀(UP9)은 제1, 제2, 제3, 제5 및 제7 단위 픽셀들(UP1, UP2, UP3, UP5, UP7)보다 작은 크기를 가질 수 있다. 구체적으로, 제9 단위 픽셀(UP9)은 제1 단위 픽셀(UP1)과 동일한 크기를 갖는 단위 픽셀의 일측이 제3 폭(W3)만큼 절단(또는 커팅)되고, 단위 픽셀의 일측과 다른 타측이 제4 폭(W4)만큼 절단(또는 커팅)되어 형성될 수 있다. 따라서, 본 예에 따른 발광 다이오드 표시 장치(10)는 기판(100) 상에 마련된 복수의 제1 단위 픽셀들(UP1) 각각을 동일한 기준 픽셀 피치와 동일한 크기로 마련하되, 기판(100)의 제4 모서리에 마련된 제9 단위 픽셀(UP9)의 크기를 감소시킴으로써 멀티 스크린 장치에서 서로 연결된 발광 다이오드 표시 장치들(10) 사이의 경계부를 최소화하는데 적합한 베젤 폭을 가질 수 있다. 추가적으로, 본 예에 따른 발광 다이오드 표시 장치(10)는 기판(100) 상에 마련된 복수의 제1 단위 픽셀들(UP1) 각각을 동일한 기준 픽셀 피치와 동일한 크기로 마련하되, 기판(100)의 제3 가장자리에 마련된 제5 단위 픽셀들(UP5)의 크기를 감소시키고, 기판(100)의 제4 가장자리에 마련된 제7 단위 픽셀들(UP7)의 크기를 감소시키며, 기판(100)의 제4 모서리에 마련된 제9 단위 픽셀(UP9)의 크기를 감소시킴으로써 멀티 스크린 장치에서 서로 연결된 발광 다이오드 표시 장치들(10) 사이의 경계부를 최소화하는데 적합한 베젤 폭을 가질 수 있다.According to an example, the ninth unit pixel UP9 may have a smaller size than the first, second, third, fifth, and seventh unit pixels UP1, UP2, UP3, UP5, and UP7. Specifically, the ninth unit pixel UP9 is formed such that one side of the unit pixel having the same size as the first unit pixel UP1 is cut (or cut) by the third width W3, and the other side of the unit pixel UP9 is cut And cut (or cut) by the fourth width W4. Therefore, the
제9 단위 픽셀(UP9)은 제1 전원 공급 라인, 제1 및 제2 전원 브리지 라인들을 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 제1 전원 공급 라인은 제1 방향(X)을 따라 복수의 서브 픽셀들(SP)의 일측에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 전원 공급 라인은 복수의 서브 픽셀들(SP)의 좌측에 배치될 수 있다.The ninth unit pixel UP9 may include a first power supply line, first and second power supply lines. According to one example, the first power supply line may be disposed on one side of the plurality of sub-pixels SP along the first direction X. [ For example, the first power supply line may be disposed on the left side of the plurality of sub-pixels SP.
일 예에 따르면, 제1 및 제2 전원 브리지 라인들은 제1 방향(X)과 직교하는 제2 방향(Y)을 따라 복수의 서브 픽셀들(SP)의 일측에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 전원 브리지 라인들은 복수의 서브 픽셀들(SP)의 상측에 배치될 수 있다. 제1 전원 브리지 라인은 제1 전원 공급 라인과 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각을 연결할 수 있다.According to one example, the first and second power supply bridge lines may be disposed on one side of the plurality of subpixels SP along a second direction Y orthogonal to the first direction X. [ For example, the first and second power supply bridge lines may be disposed above the plurality of sub-pixels SP. The first power supply bridge line may connect the first power supply line and each of the plurality of subpixels (SP).
도 2는 도 1에 도시된 제1 단위 픽셀을 설명하는 도면이다.FIG. 2 is a view for explaining the first unit pixel shown in FIG. 1. FIG.
도 2를 참조하면, 제1 단위 픽셀(UP1)은 복수의 서브 픽셀들(SP), 제1 및 제2 메쉬 전원 라인들(PL1, PL2), 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL)을 포함한다.2, the first unit pixel UP1 includes a plurality of subpixels SP, first and second mesh power lines PL1 and PL2, a gate line GL, and a data line DL. .
복수의 서브 픽셀들(SP) 각각은 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL)의 교차에 의해 정의되는 서브 픽셀 영역에 마련된다. 여기에서, 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각은 광을 방출하는 최소 단위의 영역으로 정의될 수 있다. 일 예에 따른 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각은 제1 서브 픽셀(SPa) 및 제2 서브 픽셀(SPb)을 포함할 수 있다. 여기에서, 제1 서브 픽셀(SPa) 및 제2 서브 픽셀(SPb) 중 어느 하나는 발광 소자(ED)를 기판(100)에 실장하는 공정에서 발생되는 미스 얼라인 또는 전기적 게이트 절연층 상에 형성된 제1 전원 공급 라인(PL1a)과 복수의 충격에 의해 동작 불량일 경우를 대비하여 미리 마련된 리던던시(redundancy) 서브 픽셀로 사용될 수 있다.Each of the plurality of sub pixels SP is provided in a sub pixel area defined by the intersection of the gate line GL and the data line DL. Here, each of the plurality of sub-pixels SP may be defined as a minimum unit area for emitting light. Each of the plurality of subpixels SP according to an example may include a first subpixel SPa and a second subpixel SPb. Here, any one of the first subpixel SPa and the second subpixel SPb is formed on the misaligned or electric gate insulating layer generated in the process of mounting the light emitting device ED on the
제1 단위 픽셀(UP1)은 기판(100)의 제1 방향(X)으로 인접한 적어도 3개의 서브 픽셀(SP)을 포함한다. 여기에서, 하나의 서브 픽셀(SP)은 컬러 영상을 표시하는 최소 단위로 정의될 수 있다. 예를 들어, 제1 단위 픽셀(UP1)은 적색 서브 픽셀, 녹색 서브 픽셀, 및 청색 서브 픽셀을 포함할 수 있다. 나아가, 제1 단위 픽셀(UP1)은 백색 서브 픽셀을 더 포함할 수 있다.The first unit pixel UP1 includes at least three sub-pixels SP adjacent in the first direction X of the
제1 단위 픽셀(UP1)을 구성하는 적어도 3개의 서브 픽셀(SP)은 발광 다이오드 표시 장치(10)의 해상도에 따라 설정된 크기에 따라 서브 픽셀 영역 내에 배치되고, 서브 픽셀 영역의 정중앙부에 집중적으로 모여 배치될 수 있다. 이에 따라, 서브 픽셀 영역은 서브 픽셀 배치 영역을 제외한 나머지 여유 공간을 가질 수 있다.At least three subpixels SP constituting the first unit pixel UP1 are arranged in the subpixel region according to the size set according to the resolution of the
게이트 라인(GL)은 기판(100)의 전면(Front Surface) 상에 마련되는 것으로, 제1 방향(X)을 따라 길게 연장되면서 제1 방향(X)과 교차하는 제2 방향(Y)을 따라 일정한 간격으로 이격된다. 여기에서, 제1 방향(X)은 기판(100)의 가로 방향과 나란한 방향으로 정의될 수 있고, 제2 방향(Y)은 기판(100)의 세로 방향과 나란한 방향으로 정의될 수 있지만, 이에 한정되지 않고 그 반대 방향으로 정의될 수도 있다.The gate line GL is provided on the front surface of the
데이터 라인(DL)은 게이트 라인(GL)과 교차하도록 기판(100)의 전면(Front Surface) 상에 마련되는 것으로, 제2 방향(Y)을 따라 길게 연장되면서 제1 방향(X)을 따라 일정한 간격으로 이격된다.The data lines DL are provided on the front surface of the
제1 단위 픽셀(UP1)은 제1 및 제2 전원 공급 라인들(PL1a, PL2a), 제1 및 제2 전원 브리지 라인들(PL1c, PL2c)을 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 제1 및 제2 전원 공급 라인들(PL1a, PL2a)은 제1 방향(X)을 따라 복수의 서브 픽셀들(SP)의 양측에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 전원 공급 라인(PL1a)은 복수의 서브 픽셀들(SP)의 좌측에 배치되고, 제2 전원 공급 라인(PL2a)은 복수의 서브 픽셀들(SP)의 우측에 배치될 수 있다. 즉, 제1 및 제2 전원 공급 라인들(PL1a, PL2a)은 제1 방향(X)을 따라 복수의 서브 픽셀들(SP)을 사이에 두고 이격되게 배치될 수 있다.The first unit pixel UP1 may include first and second power supply lines PL1a and PL2a, and first and second power supply lines PL1c and PL2c. According to one example, the first and second power supply lines PL1a and PL2a may be disposed on both sides of the plurality of sub-pixels SP along the first direction X. [ For example, the first power supply line PL1a may be disposed on the left side of the plurality of subpixels SP, and the second power supply line PL2a may be disposed on the right side of the plurality of subpixels SP. have. That is, the first and second power supply lines PL1a and PL2a may be spaced apart from each other by a plurality of sub-pixels SP along the first direction X. [
일 예에 따르면, 제1 및 제2 전원 브리지 라인들(PL1c, PL2c)은 제1 방향(X)과 직교하는 제2 방향(Y)을 따라 복수의 서브 픽셀들(SP)의 양측에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 전원 브리지 라인(PL1c)은 복수의 서브 픽셀들(SP)의 상측에 배치되고, 제2 전원 브리지 라인(PL2c)은 복수의 서브 픽셀들(SP)의 하측에 배치될 수 있다. 즉, 제1 및 제2 전원 브리지 라인들(PL1c, PL2c)은 제2 방향(Y)을 따라 복수의 서브 픽셀들(SP)을 사이에 두고 이격되게 배치될 수 있다. 제1 전원 브리지 라인(PL1c)은 제1 전원 공급 라인(PL1a)과 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각을 연결하고, 제2 전원 브리지 라인(PL2c)은 제2 전원 공급 라인(PL2a)과 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각을 연결할 수 있다.According to one example, the first and second power supply bridge lines PL1c and PL2c are disposed on both sides of the plurality of subpixels SP along a second direction Y orthogonal to the first direction X . For example, the first power supply bridge line PL1c may be disposed above the plurality of subpixels SP, and the second power bridge line PL2c may be disposed below the plurality of subpixels SP. have. That is, the first and second power supply bridge lines PL1c and PL2c may be spaced apart from each other with a plurality of sub-pixels SP therebetween along the second direction Y. [ The first power supply line PL1c connects the first power supply line PL1a and each of the plurality of sub pixels SP and the second power supply line PL2c connects the second power supply line PL2a and a plurality of (SP) of each sub-pixel.
보다 구체적으로, 제1 메쉬 전원 라인(PL1)은 제1 전원 공급 라인(PL1a), 복수의 제1 화소 전원 라인들(PL1b), 및 제1 전원 브리지 라인(PL1c)을 포함한다. 제1 전원 공급 라인(PL1a)은 제2 방향(Y)과 나란하도록 제1 단위 픽셀(UP1)의 일측에 마련된 제1 여유 공간에 배치될 수 있다.More specifically, the first mesh power line PL1 includes a first power supply line PL1a, a plurality of first pixel power lines PL1b, and a first power supply line PL1c. The first power supply line PL1a may be disposed in a first space provided on one side of the first unit pixel UP1 so as to be parallel to the second direction Y. [
복수의 제1 화소 전원 라인들(PL1b) 각각은 제1 전원 공급 라인(PL1a)과 나란하도록 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각의 일측에 배치된다. 이때, 복수의 제1 화소 전원 라인들(PL1b) 각각은 제1 전원 공급 라인(PL1a)과 전기적으로 분리될 수 있다.Each of the plurality of first pixel power supply lines PL1b is disposed on one side of each of the plurality of subpixels SP so as to be parallel with the first power supply line PL1a. At this time, each of the plurality of first pixel power supply lines PL1b may be electrically separated from the first power supply line PL1a.
제1 전원 브리지 라인(PL1c)은 제1 방향(X)과 나란하게 배치되고, 제1 전원 공급 라인(PL1a) 및 복수의 제1 화소 전원 라인들(PL1b) 각각과 교차할 수 있다. 제1 전원 브리지 라인(PL1c)은 복수의 제1 브리지 컨택홀들(BCH1)을 통해서 제1 전원 공급 라인(PL1a) 및 복수의 제1 화소 전원 라인들(PL1b) 각각에 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 복수의 제1 브리지 컨택홀들(BCH1) 각각은 제1 전원 브리지 라인(PL1c) 및 제1 전원 공급 라인(PL1a)의 교차부에 형성되고, 제1 전원 브리지 라인(PL1c)은 복수의 제1 브리지 컨택홀들(BCH1) 각각을 통해 제1 전원 공급 라인(PL1a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 복수의 제1 브리지 컨택홀들(BCH1) 각각은 제1 전원 브리지 라인(PL1c) 및 제1 화소 전원 라인(PL1b)의 교차부에 형성되고, 제1 전원 브리지 라인(PL1c)은 복수의 제1 브리지 컨택홀들(BCH1) 각각을 통해 복수의 제1 화소 전원 라인들(PL1b) 각각과 전기적으로 연결될 수 있다.The first power supply bridge line PL1c is disposed in parallel with the first direction X and may intersect each of the first power supply line PL1a and each of the plurality of first pixel power supply lines PL1b. The first power supply bridge line PL1c may be electrically connected to the first power supply line PL1a and the plurality of first pixel power supply lines PL1b through the plurality of first bridge contact holes BCH1. That is, each of the plurality of first bridge contact holes BCH1 is formed at an intersection of the first power supply line PL1c and the first power supply line PL1a, and the first power supply bridge line PL1c is formed of a plurality of And may be electrically connected to the first power supply line PL1a through each of the first bridge contact holes BCH1. Each of the plurality of first bridge contact holes BCH1 is formed at an intersection of the first power supply bridge line PL1c and the first pixel power line PL1b and the first power bridge line PL1c is formed at a plurality of And may be electrically connected to each of the plurality of first pixel power supply lines PL1b through each of the first bridge contact holes BCH1.
따라서, 제1 메쉬 전원 라인(PL1)은 제1 전원 공급 라인(PL1a), 복수의 제1 화소 전원 라인들(PL1b) 및 제1 전원 브리지 라인(PL1c)이 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각의 주변에서 서로 연결되어 메쉬 형태를 가짐으로써 패널 로드를 감소시킬 수 있고, 제1 구동 전원의 전압 강하를 최소화할 수 있다. 이때, 제1 전원 브리지 라인(PL1c)이 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 또는 금(Au) 등의 저항이 낮은 금속 물질로 이루어질 경우, 패널 로드를 더욱 감소시킬 수 있고, 제 1구동 전원의 전압 강하를 더욱 감소시킬 수 있다.Accordingly, the first mesh power line PL1 is connected to the first power supply line PL1a, the plurality of first pixel power lines PL1b, and the first power supply line PL1c via the plurality of subpixels SP The panel load can be reduced and the voltage drop of the first driving power source can be minimized. At this time, if the first power supply line PL1c is made of a metal material having low resistance such as copper (Cu), silver (Ag), aluminum (Al), or gold (Au) , The voltage drop of the first driving power supply can be further reduced.
제2 메쉬 전원 라인(PL2)은 제2 전원 공급 라인(PL2a), 복수의 제2 화소 전원 라인들(PL2b), 및 제2 전원 브리지 라인(PL2c)을 포함한다. 제2 전원 공급 라인(PL2a)은 제2 방향(Y)과 나란하도록 제1 단위 픽셀(UP1)의 타측에 마련된 제2 여유 공간에 배치될 수 있다.The second mesh power line PL2 includes a second power supply line PL2a, a plurality of second pixel power lines PL2b, and a second power supply line PL2c. The second power supply line PL2a may be disposed in the second clearance space provided on the other side of the first unit pixel UP1 so as to be parallel to the second direction Y. [
복수의 제2 화소 전원 라인들(PL2b) 각각은 제2 전원 공급 라인(PL2a)과 나란하도록 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각의 일측에 배치된다. 이때, 복수의 제2 화소 전원 라인들(PL2b) 각각은 제2 전원 공급 라인(PL2a)과 전기적으로 분리될 수 있다.Each of the plurality of second pixel power supply lines PL2b is disposed on one side of each of the plurality of subpixels SP so as to be parallel with the second power supply line PL2a. At this time, each of the plurality of second pixel power supply lines PL2b may be electrically separated from the second power supply line PL2a.
제2 전원 브리지 라인(PL2c)은 제1 방향(X)과 나란하게 배치되고, 제2 전원 공급 라인(PL2a) 및 복수의 제2 화소 전원 라인들(PL2b) 각각과 교차할 수 있다. 제2 전원 브리지 라인(PL2c)은 복수의 제2 브리지 컨택홀들(BCH2)을 통해서 제2 전원 공급 라인(PL2a) 및 복수의 제2 화소 전원 라인들(PL2b) 각각에 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 복수의 제2 브리지 컨택홀들(BCH2) 각각은 제2 전원 브리지 라인(PL2c) 및 제2 전원 공급 라인(PL2a)의 교차부에 형성되고, 제2 전원 브리지 라인(PL2c)은 복수의 제2 브리지 컨택홀들(BCH2) 각각을 통해 제2 전원 공급 라인(PL2a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 복수의 제2 브리지 컨택홀들(BCH2) 각각은 제2 전원 브리지 라인(PL2c) 및 제2 화소 전원 라인(PL2b)의 교차부에 형성되고, 제2 전원 브리지 라인(PL2c)은 복수의 제2 브리지 컨택홀들(BCH2) 각각을 통해 복수의 제2 화소 전원 라인들(PL2b) 각각과 전기적으로 연결될 수 있다.The second power supply line PL2c is disposed in parallel with the first direction X and may intersect each of the second power supply line PL2a and each of the plurality of second pixel power supply lines PL2b. The second power supply bridge line PL2c may be electrically connected to the second power supply line PL2a and the plurality of second pixel power supply lines PL2b through the plurality of second bridge contact holes BCH2. That is, each of the plurality of second bridge contact holes BCH2 is formed at the intersection of the second power supply line PL2c and the second power supply line PL2a, and the second power supply line PL2c is formed at the intersection of the plurality And may be electrically connected to the second power supply line PL2a through each of the second bridge contact holes BCH2. Each of the second bridge contact holes BCH2 is formed at the intersection of the second power supply line PL2c and the second pixel power line PL2b and the second power supply line PL2c is formed at the intersection of the plurality And may be electrically connected to each of the plurality of second pixel power supply lines PL2b through each of the second bridge contact holes BCH2.
따라서, 제2 메쉬 전원 라인(PL2)은 제2 전원 공급 라인(PL2a), 복수의 제2 화소 전원 라인들(PL2b) 및 제2 전원 브리지 라인(PL2c)이 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각의 주변에서 서로 연결되어 메쉬 형태를 가짐으로써 패널 로드를 감소시킬 수 있고, 제2 구동 전원의 전압 상승을 최소화할 수 있다. 이때, 제2 전원 브리지 라인(PL2c)이 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 또는 금(Au) 등의 저항이 낮은 금속 물질로 이루어질 경우, 패널 로드를 더욱 감소시킬 수 있고, 제2 구동 전원의 전압 상승을 더욱 감소시킬 수 있다.Accordingly, the second mesh power line PL2 is connected to the second power supply line PL2a, the plurality of second pixel power lines PL2b, and the second power supply line PL2c through the plurality of subpixels SP The panel load can be reduced and the voltage increase of the second driving power source can be minimized. At this time, when the second power supply line PL2c is made of a metal material having low resistance such as copper (Cu), silver (Ag), aluminum (Al), or gold (Au) , The voltage rise of the second driving power supply can be further reduced.
이와 같이, 본 출원의 일 예에 따른 발광 다이오드 표시 장치(10)는 제1 메쉬 전원 라인(PL1) 및 제2 메쉬 전원 라인(PL2)을 포함함으로써 패널의 로드가 감소되어 저전력 구동이 가능해 소비 전력이 감소될 수 있으며, 제1 구동 전원의 전압 강하와 제2 구동 전원의 상승이 감소함에 따라 화질 균일도가 향상될 수 있다.As described above, the
도 3은 도 1에 도시된 제2 단위 픽셀을 설명하는 도면이다.FIG. 3 is a view for explaining a second unit pixel shown in FIG. 1. FIG.
도 3을 참조하면, 제2 단위 픽셀(UP2)은 복수의 서브 픽셀들(SP), 제1 및 제2 메쉬 전원 라인들(PL1, PL2), 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL), 정전 방전(ESD) 보호 회로, 및 제1 패드부(GP)를 포함한다. 여기에서, 복수의 서브 픽셀들(SP), 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL), 제1 및 제2 메쉬 전원 라인들(PL1, PL2)에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다.Referring to FIG. 3, the second unit pixel UP2 includes a plurality of subpixels SP, first and second mesh power supply lines PL1 and PL2, a gate line GL, a data line DL, An electrostatic discharge (ESD) protection circuit, and a first pad portion GP. Here, a redundant description of the plurality of sub-pixels SP, the gate line GL, the data line DL, and the first and second mesh power supply lines PL1 and PL2 will be omitted.
제2 단위 픽셀(UP2)은 제2 전원 공급 라인(PL2a), 제1 및 제2 전원 브리지 라인들(PL1c, PL2c)을 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 제2 전원 공급 라인(PL2a)은 제1 방향(X)을 따라 복수의 서브 픽셀들(SP)의 일측에 배치될 수 있다. 제2 전원 공급 라인(PL2a)은 제1 방향(X)을 따라 제1 패드부(GP)의 반대측에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 전원 공급 라인(PL2a)은 복수의 서브 픽셀들(SP)의 우측에 배치될 수 있다.The second unit pixel UP2 may include a second power supply line PL2a, first and second power supply lines PL1c and PL2c. According to an example, the second power supply line PL2a may be disposed on one side of the plurality of sub-pixels SP along the first direction X. [ The second power supply line PL2a may be disposed on the opposite side of the first pad portion GP along the first direction X. [ For example, the second power supply line PL2a may be disposed on the right side of the plurality of subpixels SP.
일 예에 따르면, 제1 및 제2 전원 브리지 라인들(PL1c, PL2c)은 제1 방향(X)과 직교하는 제2 방향(Y)을 따라 복수의 서브 픽셀들(SP)의 양측에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 전원 브리지 라인(PL1c)은 복수의 서브 픽셀들(SP)의 상측에 배치되고, 제2 전원 브리지 라인(PL2c)은 복수의 서브 픽셀들(SP)의 하측에 배치될 수 있다. 즉, 제1 및 제2 전원 브리지 라인들(PL1c, PL2c)은 제2 방향(Y)을 따라 복수의 서브 픽셀들(SP)을 사이에 두고 이격되게 배치될 수 있다. 제2 전원 브리지 라인(PL2c)은 제2 전원 공급 라인(PL2a)과 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각을 연결할 수 있다.According to one example, the first and second power supply bridge lines PL1c and PL2c are disposed on both sides of the plurality of subpixels SP along a second direction Y orthogonal to the first direction X . For example, the first power supply bridge line PL1c may be disposed above the plurality of subpixels SP, and the second power bridge line PL2c may be disposed below the plurality of subpixels SP. have. That is, the first and second power supply bridge lines PL1c and PL2c may be spaced apart from each other with a plurality of sub-pixels SP therebetween along the second direction Y. [ The second power supply line PL2c may couple each of the plurality of subpixels SP with the second power supply line PL2a.
제1 패드부(GP)는 제2 단위 픽셀(UP2)의 일부 영역에 마련되어 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각에 신호를 인가할 수 있다. 일 예에 따르면, 제1 패드부(GP)가 게이트 패드부(GP)로 구현되는 경우, 제1 패드부(GP)는 제2 단위 픽셀(UP2)의 좌측 영역에 마련되어 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각에 게이트 신호를 제공할 수 있다. 또한, 제2 단위 픽셀(UP2)은 제1 패드부(GP)의 일측과 연결된 정전 방전 보호 회로(ESD)를 더 포함할 수 있다. 제1 패드부(GP)는 링크(Link)를 통해 게이트 라인(GL)과 연결될 수 있다. 즉, 제1 패드부(GP)는 게이트 라인(GL)을 통해 복수의 서브 픽셀들(SP)에 게이트 신호를 제공할 수 있다.The first pad unit GP may be provided in a part of the second unit pixel UP2 and may apply a signal to each of the plurality of sub-pixels SP. According to an example, when the first pad portion GP is implemented as a gate pad portion GP, the first pad portion GP is provided in the left region of the second unit pixel UP2, 0.0 > SP, < / RTI > In addition, the second unit pixel UP2 may further include an electrostatic discharge protection circuit (ESD) connected to one side of the first pad portion GP. The first pad unit GP may be connected to the gate line GL through a link. That is, the first pad unit GP may provide a gate signal to the plurality of sub-pixels SP through the gate line GL.
일 예에 따르면, 제2 단위 픽셀(UP2)은 제1 방향(X) 따라 복수의 서브 픽셀들(SP)의 양측에 마련된 제1 및 제2 여유 공간들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 여유 공간은 복수의 서브 픽셀들(SP)의 좌측 영역에 해당하고, 제2 여유 공간은 복수의 서브 픽셀들(SP)의 우측 영역에 해당할 수 있다. 제1 여유 공간은 제1 패드부(GP) 및 정전 방전 보호 회로(ESD)를 수용할 수 있고, 제2 여유 공간은 제2 전원 공급 라인(PL2a)을 수용할 수 있다. 따라서, 제2 단위 픽셀(UP2)은 제1 여유 공간에 배치된 제1 패드부(GP) 및 제2 여유 공간에 배치된 제2 전원 공급 라인(PL2a)을 포함함으로써, 발광 다이오드 표시 장치(10)는 단위 픽셀들의 크기를 감소시킬 수 있고, 제1 패드부(GP)를 은폐하기 위한 별도의 공간을 필요로 하지 않게 됨으로써, 베젤 영역을 최소화할 수 있다. 또한, 복수의 발광 다이오드 표시 장치들(10)을 포함한 멀티 스크린 표시 장치는 서로 연결된 발광 다이오드 표시 장치들(10) 사이의 경계부를 최소화하여 전체 화면에 단절감이 최소화된 하나의 영상을 표시할 수 있다.According to one example, the second unit pixel UP2 may include first and second free spaces provided on both sides of the plurality of sub-pixels SP along the first direction X. [ For example, the first free space corresponds to the left region of the plurality of sub-pixels SP, and the second free space corresponds to the right region of the plurality of sub-pixels SP. The first clearance space can accommodate the first pad portion GP and the electrostatic discharge protection circuit (ESD), and the second clearance space can accommodate the second power supply line PL2a. Accordingly, the second unit pixel UP2 includes the first pad portion GP disposed in the first clearance space and the second power supply line PL2a disposed in the second clearance space, so that the light emitting
일 예에 따르면, 제2 단위 픽셀(UP2)은 제1 단위 픽셀(UP1)보다 작은 크기를 가질 수 있다. 구체적으로, 제2 단위 픽셀(UP2)은 제1 단위 픽셀(UP1)과 동일한 크기를 갖는 단위 픽셀의 일측이 커팅 라인(CPS Line)을 따라 커팅되어 형성될 수 있다. 즉, 제2 단위 픽셀(UP2)은 제1 단위 픽셀(UP1)과 동일한 크기를 갖는 단위 픽셀의 좌측이 제1 폭(W1)만큼 절단(또는 커팅)되어 형성될 수 있다. 따라서, 본 예에 따른 발광 다이오드 표시 장치(10)는 기판(100) 상에 마련된 복수의 제1 단위 픽셀들(UP1) 각각을 동일한 기준 픽셀 피치와 동일한 크기로 마련하되, 기판(100)의 제1 가장자리에 마련된 제2 단위 픽셀들(UP2)의 크기를 감소시킴으로써 멀티 스크린 장치에서 서로 연결된 발광 다이오드 표시 장치(10)들 사이의 경계부를 최소화하는데 적합한 베젤 폭을 가질 수 있다. 결과적으로, 본 예에 따른 멀티 스크린 표시 장치는 측면끼리 연결된 2개의 발광 다이오드 표시 장치들(또는 복수의 스크린 모듈들) 각각의 단위 픽셀들 간의 거리를 기준 픽셀 피치와 동일하거나 작게하여, 복수의 발광 다이오드 표시 장치들(10) 사이에 마련되는 경계부에 의한 암부 발생 영역을 최소화하고, 전체 화면에 단절감이 사라진 영상을 제공할 수 있다.According to an example, the second unit pixel UP2 may have a smaller size than the first unit pixel UP1. Specifically, the second unit pixel UP2 may be formed by cutting one side of a unit pixel having the same size as the first unit pixel UP1 along a cutting line CPS Line. That is, the second unit pixel UP2 may be formed by cutting (or cutting) the left side of the unit pixel having the same size as the first unit pixel UP1 by the first width W1. Therefore, the
도 4는 도 1에 도시된 제3 단위 픽셀을 설명하는 도면이다.4 is a view for explaining the third unit pixel shown in FIG.
도 4를 참조하면, 제3 단위 픽셀(UP3)은 복수의 서브 픽셀들(SP), 제1 및 제2 메쉬 전원 라인들(PL1, PL2), 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL), 정전 방전(ESD) 보호 회로, 및 제1 패드부(GP)를 포함한다. 여기에서, 복수의 서브 픽셀들(SP), 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL), 제1 및 제2 메쉬 전원 라인들(PL1, PL2)에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다.4, the third unit pixel UP3 includes a plurality of subpixels SP, first and second mesh power supply lines PL1 and PL2, a gate line GL, a data line DL, An electrostatic discharge (ESD) protection circuit, and a first pad portion GP. Here, a redundant description of the plurality of sub-pixels SP, the gate line GL, the data line DL, and the first and second mesh power supply lines PL1 and PL2 will be omitted.
제3 단위 픽셀(UP3)은 제1 및 제2 전원 공급 라인들(PL1a, PL2a), 제1 및 제2 전원 브리지 라인들(PL1c, PL2c)을 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 제1 및 제2 전원 공급 라인들(PL1a, PL2a)은 제1 방향(X)을 따라 복수의 서브 픽셀들(SP)의 양측에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 전원 공급 라인(PL1a)은 복수의 서브 픽셀들(SP)의 좌측에 배치되고, 제2 전원 공급 라인(PL2a)은 복수의 서브 픽셀들(SP)의 우측에 배치될 수 있다. 즉, 제1 및 제2 전원 공급 라인들(PL1a, PL2a)은 제1 방향(X)을 따라 복수의 서브 픽셀들(SP)을 사이에 두고 이격되게 배치될 수 있다.The third unit pixel UP3 may include first and second power supply lines PL1a and PL2a, and first and second power supply lines PL1c and PL2c. According to one example, the first and second power supply lines PL1a and PL2a may be disposed on both sides of the plurality of sub-pixels SP along the first direction X. [ For example, the first power supply line PL1a may be disposed on the left side of the plurality of subpixels SP, and the second power supply line PL2a may be disposed on the right side of the plurality of subpixels SP. have. That is, the first and second power supply lines PL1a and PL2a may be spaced apart from each other by a plurality of sub-pixels SP along the first direction X. [
일 예에 따르면, 제1 및 제2 전원 브리지 라인들(PL1c, PL2c)은 제1 방향(X)과 직교하는 제2 방향(Y)을 따라 복수의 서브 픽셀들(SP)의 일측에 배치될 수 있다. 제1 및 제2 전원 브리지 라인들(PL1c, PL2c)은 제1 방향(X)과 직교하는 제2 방향(Y)을 따라 제2 패드부(DP)의 반대측에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 전원 브리지 라인들(PL1c, PL2c)은 복수의 서브 픽셀들(SP)의 하측에 배치될 수 있다. 제1 전원 브리지 라인(PL1c)은 제1 전원 공급 라인(PL1a)과 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각을 연결하고, 제2 전원 브리지 라인(PL2c)은 제2 전원 공급 라인(PL2a)과 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각을 연결할 수 있다.According to one example, the first and second power supply bridge lines PL1c and PL2c are disposed on one side of the plurality of subpixels SP along a second direction Y orthogonal to the first direction X . The first and second power supply bridge lines PL1c and PL2c may be disposed on the opposite side of the second pad portion DP along the second direction Y orthogonal to the first direction X. [ For example, the first and second power supply bridge lines PL1c and PL2c may be disposed below the plurality of subpixels SP. The first power supply line PL1c connects the first power supply line PL1a and each of the plurality of sub pixels SP and the second power supply line PL2c connects the second power supply line PL2a and a plurality of (SP) of each sub-pixel.
제2 패드부(DP)는 제3 단위 픽셀(UP3)의 일부 영역에 마련되어 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각에 신호를 인가할 수 있다. 일 예에 따르면, 제2 패드부(DP)가 데이터 패드부(DP)로 구현되는 경우, 제2 패드부(DP)는 제3 단위 픽셀(UP3)의 상측 영역에 마련되어 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각에 데이터 신호를 제공할 수 있다. 또한, 제3 단위 픽셀(UP3)은 제2 패드부(DP)의 일측과 연결된 정전 방전 보호 회로(ESD)를 더 포함할 수 있다. 제2 패드부(DP)는 링크(Link)를 통해 데이터 라인(DL)과 연결될 수 있다. 즉, 제2 패드부(DP)는 데이터 라인(DL)을 통해 복수의 서브 픽셀들(SP)에 데이터 신호를 제공할 수 있다.The second pad unit DP may be provided in a part of the third unit pixel UP3 and may apply a signal to each of the plurality of sub-pixels SP. According to an example, when the second pad portion DP is implemented as a data pad portion DP, the second pad portion DP is provided in the upper region of the third unit pixel UP3, Lt; RTI ID = 0.0 > SP. ≪ / RTI > In addition, the third unit pixel UP3 may further include an electrostatic discharge protection circuit (ESD) connected to one side of the second pad portion DP. The second pad portion DP may be connected to the data line DL through a link. That is, the second pad unit DP may provide a data signal to the plurality of sub-pixels SP through the data line DL.
일 예에 따르면, 제3 단위 픽셀(UP3)은 제2 방향(Y) 따라 복수의 서브 픽셀들(SP)의 양측에 마련된 제3 및 제4 여유 공간들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제3 여유 공간은 복수의 서브 픽셀들(SP)의 상측 영역에 해당하고, 제4 여유 공간은 복수의 서브 픽셀들(SP)의 하측 영역에 해당할 수 있다. 제3 여유 공간은 제2 패드부(DP) 및 정전 방전 보호 회로(ESD)를 수용할 수 있고, 제4 여유 공간은 제1 및 제2 전원 브리지 라인들(PL1c, PL2c)을 수용할 수 있다. 따라서, 제3 단위 픽셀(UP3)은 제3 여유 공간에 배치된 제2 패드부(DP) 및 제4 여유 공간에 배치된 제1 및 제2 전원 브리지 라인들(PL1c, PL2c)을 포함함으로써, 발광 다이오드 표시 장치(10)는 단위 픽셀들의 크기를 감소시킬 수 있고, 제2 패드부(DP)를 은폐하기 위한 별도의 공간을 필요로 하지 않게 됨으로써, 베젤 영역을 최소화할 수 있다. 또한, 복수의 발광 다이오드 표시 장치들(10)을 포함한 멀티 스크린 표시 장치는 서로 연결된 발광 다이오드 표시 장치들(10) 사이의 경계부를 최소화하여 전체 화면에 단절감이 최소화된 하나의 영상을 표시할 수 있다.According to one example, the third unit pixel UP3 may include third and fourth free spaces provided on both sides of the plurality of sub-pixels SP along the second direction Y. [ For example, the third spare area corresponds to the upper area of the plurality of subpixels SP, and the fourth spare area corresponds to the lower area of the plurality of subpixels SP. The third clearance space can accommodate the second pad portion DP and the electrostatic discharge protection circuit (ESD), and the fourth clearance space can accommodate the first and second power supply bridge lines PL1c and PL2c . Therefore, the third unit pixel UP3 includes the second pad portion DP arranged in the third free space and the first and second power supply bridge lines PL1c and PL2c arranged in the fourth free space, The light emitting
일 예에 따르면, 제3 단위 픽셀(UP3)은 제1 단위 픽셀(UP1)보다 작은 크기를 가질 수 있다. 구체적으로, 제3 단위 픽셀(UP3)은 제1 단위 픽셀(UP1)과 동일한 크기를 갖는 단위 픽셀의 일측이 커팅 라인(CPS Line)을 따라 커팅되어 형성될 수 있다. 즉, 제3 단위 픽셀(UP3)은 제1 단위 픽셀(UP1)과 동일한 크기를 갖는 단위 픽셀의 상측이 제2 폭(W2)만큼 절단(또는 커팅)되어 형성될 수 있다. 따라서, 본 예에 따른 발광 다이오드 표시 장치(10)는 기판(100) 상에 마련된 복수의 제1 단위 픽셀들(UP1) 각각을 동일한 기준 픽셀 피치와 동일한 크기로 마련하되, 기판(100)의 제2 가장자리에 마련된 제3 단위 픽셀들(UP3)의 크기를 감소시킴으로써 멀티 스크린 장치에서 서로 연결된 발광 다이오드 표시 장치(10)들 사이의 경계부를 최소화하는데 적합한 베젤 폭을 가질 수 있다. 결과적으로, 본 예에 따른 멀티 스크린 표시 장치는 측면끼리 연결된 2개의 발광 다이오드 표시 장치들(또는 복수의 스크린 모듈들) 각각의 단위 픽셀들 간의 거리를 기준 픽셀 피치와 동일하거나 작게하여, 복수의 발광 다이오드 표시 장치들(10) 사이에 마련되는 경계부에 의한 암부 발생 영역을 최소화하고, 전체 화면에 단절감이 사라진 영상을 제공할 수 있다.According to an example, the third unit pixel UP3 may have a smaller size than the first unit pixel UP1. Specifically, the third unit pixel UP3 may be formed by cutting one side of a unit pixel having the same size as the first unit pixel UP1 along a cutting line CPS Line. That is, the third unit pixel UP3 may be formed by cutting (or cutting) the upper side of the unit pixel having the same size as the first unit pixel UP1 by the second width W2. Therefore, the
도 5는 도 1에 도시된 제4 단위 픽셀을 설명하는 도면이다.5 is a view for explaining the fourth unit pixel shown in FIG.
도 5를 참조하면, 제4 단위 픽셀(UP4)은 복수의 서브 픽셀들(SP), 제1 및 제2 메쉬 전원 라인들(PL1, PL2), 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL), 정전 방전(ESD) 보호 회로, 제1 패드부(GP) 및 제2 패드부(DP)를 포함한다. 여기에서, 복수의 서브 픽셀들(SP), 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL), 제1 및 제2 메쉬 전원 라인들(PL1, PL2)에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다.5, the fourth unit pixel UP4 includes a plurality of subpixels SP, first and second mesh power supply lines PL1 and PL2, a gate line GL, a data line DL, An electrostatic discharge (ESD) protection circuit, a first pad portion GP, and a second pad portion DP. Here, a redundant description of the plurality of sub-pixels SP, the gate line GL, the data line DL, and the first and second mesh power supply lines PL1 and PL2 will be omitted.
제4 단위 픽셀(UP4)은 제2 전원 공급 라인(PL2a), 제1 및 제2 전원 브리지 라인들(PL1c, PL2c)을 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 제2 전원 공급 라인(PL2a)은 제1 방향(X)을 따라 복수의 서브 픽셀들(SP)의 일측에 배치될 수 있다. 제2 전원 공급 라인(PL2a)은 제1 방향(X)을 따라 제1 패드부(GP)의 반대측에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 전원 공급 라인(PL2a)은 복수의 서브 픽셀들(SP)의 우측에 배치될 수 있다.The fourth unit pixel UP4 may include a second power supply line PL2a, first and second power supply lines PL1c and PL2c. According to an example, the second power supply line PL2a may be disposed on one side of the plurality of sub-pixels SP along the first direction X. [ The second power supply line PL2a may be disposed on the opposite side of the first pad portion GP along the first direction X. [ For example, the second power supply line PL2a may be disposed on the right side of the plurality of subpixels SP.
일 예에 따르면, 제1 및 제2 전원 브리지 라인들(PL1c, PL2c)은 제1 방향(X)과 직교하는 제2 방향(Y)을 따라 복수의 서브 픽셀들(SP)의 일측에 배치될 수 있다. 제1 및 제2 전원 브리지 라인들(PL1c, PL2c)은 제1 방향(X)과 직교하는 제2 방향(Y)을 따라 제2 패드부(DP)의 반대측에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 전원 브리지 라인들(PL1c, PL2c)은 복수의 서브 픽셀들(SP)의 하측에 배치될 수 있다. 제2 전원 브리지 라인(PL2c)은 제2 전원 공급 라인(PL2a)과 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각을 연결할 수 있다.According to one example, the first and second power supply bridge lines PL1c and PL2c are disposed on one side of the plurality of subpixels SP along a second direction Y orthogonal to the first direction X . The first and second power supply bridge lines PL1c and PL2c may be disposed on the opposite side of the second pad portion DP along the second direction Y orthogonal to the first direction X. [ For example, the first and second power supply bridge lines PL1c and PL2c may be disposed below the plurality of subpixels SP. The second power supply line PL2c may couple each of the plurality of subpixels SP with the second power supply line PL2a.
제1 패드부(GP)는 제4 단위 픽셀(UP4)의 일부 영역에 마련되어 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각에 신호를 인가할 수 있다. 일 예에 따르면, 제1 패드부(GP)가 게이트 패드부(GP)로 구현되는 경우, 제1 패드부(GP)는 제4 단위 픽셀(UP4)의 좌측 영역에 마련되어 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각에 게이트 신호를 제공할 수 있다. 또한, 제4 단위 픽셀(UP4)은 제1 패드부(GP)의 일측과 연결된 정전 방전 보호 회로(ESD)를 더 포함할 수 있다. 제1 패드부(GP)는 링크(Link)를 통해 게이트 라인(GL)과 연결될 수 있다. 즉, 제1 패드부(GP)는 게이트 라인(GL)을 통해 복수의 서브 픽셀들(SP)에 게이트 신호를 제공할 수 있다.The first pad unit GP may be provided in a part of the fourth unit pixel UP4 and may apply a signal to each of the plurality of sub-pixels SP. According to an example, when the first pad unit GP is implemented as the gate pad unit GP, the first pad unit GP is provided in the left region of the fourth unit pixel UP4, 0.0 > SP, < / RTI > In addition, the fourth unit pixel UP4 may further include an electrostatic discharge protection circuit (ESD) connected to one side of the first pad portion GP. The first pad unit GP may be connected to the gate line GL through a link. That is, the first pad unit GP may provide a gate signal to the plurality of sub-pixels SP through the gate line GL.
제2 패드부(DP)는 제4 단위 픽셀(UP4)의 일부 영역에 마련되어 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각에 신호를 인가할 수 있다. 일 예에 따르면, 제2 패드부(DP)가 데이터 패드부(DP)로 구현되는 경우, 제2 패드부(DP)는 제4 단위 픽셀(UP4)의 상측 영역에 마련되어 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각에 데이터 신호를 제공할 수 있다. 또한, 제4 단위 픽셀(UP4)은 제2 패드부(DP)의 일측과 연결된 정전 방전 보호 회로(ESD)를 더 포함할 수 있다. 제2 패드부(DP)는 링크(Link)를 통해 데이터 라인(DL)과 연결될 수 있다. 즉, 제2 패드부(DP)는 데이터 라인(DL)을 통해 복수의 서브 픽셀들(SP)에 데이터 신호를 제공할 수 있다.The second pad unit DP may be provided in a part of the fourth unit pixel UP4 and may apply a signal to each of the plurality of sub-pixels SP. According to an example, when the second pad portion DP is implemented as a data pad portion DP, the second pad portion DP is provided in an upper region of the fourth unit pixel UP4, Lt; RTI ID = 0.0 > SP. ≪ / RTI > In addition, the fourth unit pixel UP4 may further include an electrostatic discharge protection circuit (ESD) connected to one side of the second pad portion DP. The second pad portion DP may be connected to the data line DL through a link. That is, the second pad unit DP may provide a data signal to the plurality of sub-pixels SP through the data line DL.
일 예에 따르면, 제4 단위 픽셀(UP4)은 제1 방향(X) 따라 복수의 서브 픽셀들(SP)의 양측에 마련된 제1 및 제2 여유 공간들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 여유 공간은 복수의 서브 픽셀들(SP)의 좌측 영역에 해당하고, 제2 여유 공간은 복수의 서브 픽셀들(SP)의 우측 영역에 해당할 수 있다. 제1 여유 공간은 제1 패드부(GP) 및 정전 방전 보호 회로(ESD)를 수용할 수 있고, 제2 여유 공간은 제2 전원 공급 라인(PL2a)을 수용할 수 있다. 따라서, 제4 단위 픽셀(UP4)은 제1 여유 공간에 배치된 제1 패드부(GP) 및 제2 여유 공간에 배치된 제2 전원 공급 라인(PL2a)을 포함함으로써, 발광 다이오드 표시 장치(10)는 단위 픽셀들의 크기를 감소시킬 수 있고, 제1 패드부(GP)를 은폐하기 위한 별도의 공간을 필요로 하지 않게 됨으로써, 베젤 영역을 최소화할 수 있다. 또한, 복수의 발광 다이오드 표시 장치들(10)을 포함한 멀티 스크린 표시 장치는 서로 연결된 발광 다이오드 표시 장치들(10) 사이의 경계부를 최소화하여 전체 화면에 단절감이 최소화된 하나의 영상을 표시할 수 있다.According to an example, the fourth unit pixel UP4 may include first and second free spaces provided on both sides of the plurality of sub-pixels SP along the first direction X. [ For example, the first free space corresponds to the left region of the plurality of sub-pixels SP, and the second free space corresponds to the right region of the plurality of sub-pixels SP. The first clearance space can accommodate the first pad portion GP and the electrostatic discharge protection circuit (ESD), and the second clearance space can accommodate the second power supply line PL2a. Accordingly, the fourth unit pixel UP4 includes the first pad portion GP disposed in the first clearance space and the second power supply line PL2a disposed in the second clearance space, so that the light emitting
일 예에 따르면, 제4 단위 픽셀(UP4)은 제2 방향(Y) 따라 복수의 서브 픽셀들(SP)의 양측에 마련된 제3 및 제4 여유 공간들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제3 여유 공간은 복수의 서브 픽셀들(SP)의 상측 영역에 해당하고, 제4 여유 공간은 복수의 서브 픽셀들(SP)의 하측 영역에 해당할 수 있다. 제3 여유 공간은 제2 패드부(DP) 및 정전 방전 보호 회로(ESD)를 수용할 수 있고, 제4 여유 공간은 제1 및 제2 전원 브리지 라인들(PL1c, PL2c)을 수용할 수 있다. 따라서, 제4 단위 픽셀(UP4)은 제3 여유 공간에 배치된 제2 패드부(DP) 및 제4 여유 공간에 배치된 제1 및 제2 전원 브리지 라인들(PL1c, PL2c)을 포함함으로써, 발광 다이오드 표시 장치(10)는 단위 픽셀들의 크기를 감소시킬 수 있고, 제2 패드부(DP)를 은폐하기 위한 별도의 공간을 필요로 하지 않게 됨으로써, 베젤 영역을 최소화할 수 있다. 또한, 복수의 발광 다이오드 표시 장치들(10)을 포함한 멀티 스크린 표시 장치는 서로 연결된 발광 다이오드 표시 장치들(10) 사이의 경계부를 최소화하여 전체 화면에 단절감이 최소화된 하나의 영상을 표시할 수 있다.According to one example, the fourth unit pixel UP4 may include third and fourth free spaces provided on both sides of the plurality of sub-pixels SP along the second direction Y. [ For example, the third spare area corresponds to the upper area of the plurality of subpixels SP, and the fourth spare area corresponds to the lower area of the plurality of subpixels SP. The third clearance space can accommodate the second pad portion DP and the electrostatic discharge protection circuit (ESD), and the fourth clearance space can accommodate the first and second power supply bridge lines PL1c and PL2c . Accordingly, the fourth unit pixel UP4 includes the second pad portion DP disposed in the third clearance space and the first and second power supply bridge lines PL1c and PL2c disposed in the fourth clearance space, The light emitting
일 예에 따르면, 제4 단위 픽셀(UP4)은 제1, 제2 및 제3 단위 픽셀들(UP1, UP2, UP3)보다 작은 크기를 가질 수 있다. 구체적으로, 제4 단위 픽셀(UP4)은 제1 단위 픽셀(UP1)과 동일한 크기를 갖는 단위 픽셀의 일측과 타측이 각각의 커팅 라인(CPS Line)을 따라 커팅되어 형성될 수 있다. 즉, 제4 단위 픽셀(UP4)은 제1 단위 픽셀(UP1)과 동일한 크기를 갖는 단위 픽셀의 좌측이 제1 폭(W1)만큼 절단(또는 커팅)되고, 단위 픽셀의 상측이 제2 폭(W2)만큼 절단(또는 커팅)되어 형성될 수 있다. 따라서, 본 예에 따른 발광 다이오드 표시 장치(10)는 기판(100) 상에 마련된 복수의 제1 단위 픽셀들(UP1) 각각을 동일한 기준 픽셀 피치와 동일한 크기로 마련하되, 기판(100)의 제1 가장자리에 마련된 제2 단위 픽셀들(UP2)의 크기를 감소시킴으로써 멀티 스크린 장치에서 서로 연결된 발광 다이오드 표시 장치(10)들 사이의 경계부를 최소화하는데 적합한 베젤 폭을 가질 수 있다. 추가적으로, 본 예에 따른 발광 다이오드 표시 장치(10)는 기판(100) 상에 마련된 복수의 제1 단위 픽셀들(UP1) 각각을 동일한 기준 픽셀 피치와 동일한 크기로 마련하되, 기판(100)의 제1 가장자리에 마련된 제2 단위 픽셀들(UP2)의 크기를 감소시키고, 기판(100)의 제2 가장자리에 마련된 제3 단위 픽셀들(UP3)의 크기를 감소시키며, 기판(100)의 제1 모서리에 마련된 제4 단위 픽셀(UP4)의 크기를 감소시킴으로써 멀티 스크린 장치에서 서로 연결된 발광 다이오드 표시 장치들(10) 사이의 경계부를 최소화하는데 적합한 베젤 폭을 가질 수 있다.According to one example, the fourth unit pixel UP4 may have a smaller size than the first, second, and third unit pixels UP1, UP2, and UP3. Specifically, the fourth unit pixel UP4 may be formed by cutting one side and the other side of the unit pixel having the same size as the first unit pixel UP1 along each of the cutting lines (CPS Line). That is, the fourth unit pixel UP4 is formed such that the left side of the unit pixel having the same size as the first unit pixel UP1 is cut (or cut) by the first width W1, and the upper side of the unit pixel is the second width W2) by cutting (or cutting). Therefore, the
도 6은 도 1에 도시된 하나의 서브 픽셀을 설명하는 도면이다.FIG. 6 is a view for explaining one subpixel shown in FIG. 1. FIG.
도 6을 참조하면, 복수의 서브 픽셀(SP) 각각은 게이트 라인들(GL)과 데이터 라인들(DL)의 교차에 의해 정의되는 서브 픽셀 영역에 마련된다. 여기서, 복수의 서브 픽셀(SP) 각각은 광을 방출하는 최소 단위의 영역으로 정의될 수 있다.Referring to FIG. 6, each of a plurality of subpixels SP is provided in a subpixel region defined by the intersection of gate lines GL and data lines DL. Here, each of the plurality of sub-pixels SP may be defined as a minimum unit area for emitting light.
복수의 서브 픽셀들(SP) 각각은 제1 서브 픽셀(SPa) 및 제2 서브 픽셀(SPb)을 포함할 수 있다. 여기서, 제1 서브 픽셀(SPa) 및 제2 서브 픽셀(SPb) 중 어느 하나는 발광 소자(ED)를 기판(100)에 실장하는 공정에서 발생되는 미스 얼라인 또는 전기적 충격에 의해 동작 불량일 경우를 대비하여 미리 마련된 리던던시(redundancy) 서브 픽셀로 사용될 수 있다.Each of the plurality of subpixels SP may include a first subpixel SPa and a second subpixel SPb. Here, if any one of the first sub-pixel SPa and the second sub-pixel SPb is defective due to misalignment or electric shock generated in the process of mounting the light-emitting device ED on the
제1 서브 픽셀(SPa) 및 제2 서브 픽셀(SPb) 각각은 화로 회로(PC) 및 발광 소자(ED)를 포함할 수 있다. 화소 회로(PC)는 각 서브 픽셀(SP)에 정의된 회로 영역에 마련되고 인접한 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL) 및 제1 메쉬 전원 라인(PL1)에 연결된다. 이러한 화소 회로(PC)는 제1 메쉬 전원 라인(PL1)으로부터 공급되는 제1 구동 전원을 기반으로, 게이트 라인(GL)으로부터의 스캔 펄스에 응답하여 데이터 라인(DL)으로부터의 데이터 신호에 따라 발광 소자(EP)의 발광을 제어할 수 있다. 일 예에 따르면, 화소 회로(PC)는 스위칭 박막 트랜지스터(T1), 구동 박막 트랜지스터(T2), 및 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다.Each of the first sub-pixel SPa and the second sub-pixel SPb may include a light-emitting circuit PC and a light-emitting element ED. The pixel circuit PC is provided in a circuit region defined in each subpixel SP and connected to the adjacent gate line GL and the data line DL and the first mesh power supply line PL1. The pixel circuit PC is driven based on the first driving power source supplied from the first mesh power line PL1 in response to the data signal from the data line DL in response to the scan pulse from the gate line GL The light emission of the element EP can be controlled. According to one example, the pixel circuit PC may include a switching thin film transistor T1, a driving thin film transistor T2, and a capacitor Cst.
스위칭 박막 트랜지스터(T1)는 인접한 게이트 라인(GL)에 연결된 게이트 전극, 데이터 라인(DL)에 연결된 제1 소스/드레인 전극, 및 구동 박막 트랜지스터(T2)의 게이트 전극과 연결되는 제1 노드(N1)에 연결된 제2 소스/드레인 전극을 포함할 수 있다. 여기에서, 스위칭 박막 트랜지스터(T1)의 제1 및 제2 소스/드레인 전극은 전류의 방향에 따라 소스 전극 또는 드레인 전극이 될 수 있다. 이러한 스위칭 박막 트랜지스터(T1)는 게이트 라인(GL)에 공급되는 스캔 펄스에 따라 스위칭되어 데이터 라인(DL)에 공급되는 데이터 신호를 구동 박막 트랜지스터(T2)의 게이트 전극에 공급한다.The switching thin film transistor T1 includes a gate electrode connected to the adjacent gate line GL, a first source / drain electrode connected to the data line DL, and a first node N1 connected to the gate electrode of the driving TFT T2. And a second source / drain electrode connected to the second source / drain electrode. Here, the first and second source / drain electrodes of the switching thin film transistor T1 may be a source electrode or a drain electrode depending on the direction of current. The switching thin film transistor T1 is switched according to a scan pulse supplied to the gate line GL to supply a data signal supplied to the data line DL to the gate electrode of the driving thin film transistor T2.
구동 박막 트랜지스터(T2)는 스위칭 박막 트랜지스터(T1)로부터 공급되는 전압 및/또는 커패시터(Cst)의 전압에 의해 턴-온됨으로써 제1 메쉬 전원 라인(PL1)으로부터 발광 소자(ED)로 흐르는 전류량을 제어한다. 이를 위해, 구동 박막 트랜지스터(T2)는 스위칭 박막 트랜지스터(T1)의 제2 소스/드레인 전극(또는 제1 노드(N1))에 연결된 게이트 전극, 제1 메쉬 전원 라인(PL1)에 연결된 드레인 전극, 및 발광 소자(ED)에 연결되는 소스 전극을 포함할 수 있다. 구동 박막 트랜지스터(T2)는 스위칭 박막 트랜지스터(T1)로부터 공급되는 데이터 신호를 기반으로 제1 메쉬 전원 라인(PL1)으로부터 발광 소자(ED)로 흐르는 데이터 전류를 제어함으로써 발광 소자(ED)의 발광 휘도를 데이터 신호에 해당되는 휘도로 제어할 수 있다.The driving thin film transistor T2 is turned on by the voltage supplied from the switching thin film transistor T1 and / or the voltage of the capacitor Cst to thereby reduce the amount of current flowing from the first mesh power supply line PL1 to the light emitting element ED . To this end, the driving thin film transistor T2 includes a gate electrode connected to the second source / drain electrode (or the first node N1) of the switching thin film transistor T1, a drain electrode connected to the first mesh power line PL1, And a source electrode connected to the light emitting device ED. The driving thin film transistor T2 controls the data current flowing from the first mesh power supply line PL1 to the light emitting element ED based on the data signal supplied from the switching thin film transistor T1, Can be controlled to the luminance corresponding to the data signal.
커패시터(Cst)는 구동 박막 트랜지스터(T2)의 게이트 전극과 소스 전극 사이의 중첩 영역에 마련되어 구동 박막 트랜지스터(T2)의 게이트 전극에 공급되는 데이터 신호에 대응되는 전압을 저장하고, 저장된 전압으로 구동 박막 트랜지스터(T2)를 턴-온시킬 수 있다.The capacitor Cst is provided in an overlapping region between the gate electrode and the source electrode of the driving thin film transistor T2 and stores a voltage corresponding to a data signal supplied to the gate electrode of the driving thin film transistor T2, The transistor T2 can be turned on.
선택적으로, 화소 회로(PC)은 구동 박막 트랜지스터(T2)의 문턱 전압 변화를 보상하기 위한 적어도 하나의 보상 박막 트랜지스터를 더 포함할 수 있고, 나아가 적어도 하나의 보조 커패시터를 더 포함할 수 있다. 이러한 화소 회로(PC)는 박막 트랜지스터와 보조 커패시터의 개수에 따라 초기화 전압 등의 보상 전원을 추가로 공급받을 수도 있다. 따라서, 본 출원의 예에 따른 화소 회로(PC)는 유기 발광 표시 장치의 각 서브 픽셀과 동일하게 전류 구동 방식을 통해 발광 소자(ED)를 구동하기 때문에 공지된 유기 발광 표시 장치의 화소 회로로 변경 가능하다.Alternatively, the pixel circuit PC may further include at least one compensating thin film transistor for compensating for a change in threshold voltage of the driving thin film transistor T2, and further may include at least one auxiliary capacitor. The pixel circuit PC may be further supplied with a compensating power such as an initializing voltage depending on the number of the thin film transistors and the auxiliary capacitors. Therefore, since the pixel circuit PC according to the example of the present application drives the light emitting device ED through the current driving method in the same manner as each sub pixel of the organic light emitting display device, it changes to the pixel circuit of the known organic light emitting display device. It is possible.
발광 소자(ED)는 화소 회로(PC)와 제2 메쉬 전원 라인(PL2) 사이에 전기적으로 연결되고, 화소 회로(PC), 즉 구동 박막 트랜지스터(T2)로부터 제2 메쉬 전원 라인(PL2)으로 흐르는 전류에 의해 발광한다. 일 예에 따르면, 발광 소자(ED)는 적색 광, 녹색 광, 청색 광, 및 백색 광 중 어느 하나의 광을 방출하는 마이크로 발광 소자 또는 마이크로 발광 다이오드 칩일 수 있다. 여기에서, 마이크로 발광 다이오드 칩은 1 내지 100 마이크로미터의 스케일을 가질 수 있으나, 이에 한정되지 않고, 서브 픽셀 영역 중 화소 회로(PC)가 차지하는 회로 영역을 제외한 나머지 발광 영역의 크기보다 작은 크기를 가질 수 있다.The light emitting device ED is electrically connected between the pixel circuit PC and the second mesh power supply line PL2 and is connected to the second mesh power supply line PL2 from the pixel circuit PC, And emits light by a flowing current. According to an example, the light emitting device ED may be a micro light emitting device or a micro light emitting diode chip that emits one of red light, green light, blue light, and white light. Here, the micro-light-emitting diode chip may have a scale of 1 to 100 micrometers, but the present invention is not limited thereto. The micro-light-emitting diode chip may have a size smaller than the size of the light-emitting area excluding the circuit area occupied by the pixel circuit (PC) .
선택적으로, 제2 서브 픽셀(SPb)의 화소 회로(PC)는 생략될 수 있으며, 이 경우, 제2 서브 픽셀(SPb)의 발광 소자(ED)는 제1 서브 픽셀(SPa)의 화소 회로(PC)에 구성된 구동 박막 트랜지스터(T2)로부터 제2 메쉬 전원 라인(PL2)으로 흐르는 전류에 의해 발광할 수 있다. 또한, 제2 서브 픽셀(SPb)의 화소 회로(PC)에 구성된 스위칭 박막 트랜지스터(T1)는 생략될 수 있으며, 이 경우, 제2 서브 픽셀(SPb)의 화소 회로(PC)에 구성된 구동 박막 트랜지스터(T2)는 제1 서브 픽셀(SPa)의 화소 회로(PC)에 구성된 스위칭 박막 트랜지스터(T1)로부터 공급되는 전압 및/또는 커패시터(Cst)의 전압에 의해 턴-온될 수 있다.Alternatively, the pixel circuit PC of the second sub-pixel SPb may be omitted. In this case, the light-emitting element ED of the second sub-pixel SPb is connected to the pixel circuit of the first sub- The driving current flows from the driving thin film transistor T2 constituted in the first mesh power supply line PL2 to the second mesh power supply line PL2. The switching thin film transistor T1 formed in the pixel circuit PC of the second subpixel SPb may be omitted and the driving thin film transistor T1 formed in the pixel circuit PC of the second subpixel SPb may be omitted. The second transistor T2 may be turned on by the voltage supplied from the switching thin film transistor T1 configured in the pixel circuit PC of the first subpixel SPa and / or the voltage of the capacitor Cst.
복수의 단위 픽셀들(UP) 각각은 기판(100)의 제1 방향(X)으로 인접한 적어도 3개의 서브 픽셀(SP)을 포함할 수 있다. 여기에서, 하나의 단위 픽셀(UP)은 컬러 영상을 표시하는 최소 단위로 정의될 수 있다. 예를 들어, 하나의 단위 픽셀(UP)은 적색 서브 픽셀, 녹색 서브 픽셀, 및 청색 서브 픽셀을 포함할 수 있다.Each of the plurality of unit pixels UP may include at least three sub-pixels SP adjacent in the first direction X of the
하나의 단위 픽셀(UP)을 구성하는 적어도 3개의 서브 픽셀(SP)은 발광 다이오드 표시 장치의 해상도에 따라 설정된 크기에 따라 단위 픽셀 영역 내에 배치되는데, 단위 픽셀 영역의 정중앙부에 집중적으로 모여 배치될 수 있다. 이에 따라, 단위 픽셀 영역은 서브 픽셀 배치 영역을 제외한 나머지 여유 공간을 가질 수 있다.At least three sub-pixels SP constituting one unit pixel UP are arranged in the unit pixel region according to the size set according to the resolution of the LED display device, and they are concentratedly arranged at the central portion of the unit pixel region . Accordingly, the unit pixel region may have remaining free space excluding the sub pixel allocation region.
제1 메쉬 전원 라인(PL1)은 기판(100) 상에 메쉬 형태로 형성되어 복수의 서브 픽셀(SP) 각각에 제1 구동 전원을 공급할 수 있다. 일 예에 따르면, 제1 메쉬 전원 라인(PL1)은 제1 전원 공급 라인(PL1a), 복수의 제1 화소 전원 라인들(PL1b), 및 제1 전원 브리지 라인(PL1c)을 포함한다.The first mesh power line PL1 may be formed in a mesh shape on the
제1 전원 공급 라인(PL1a)은 제1 방향(X)을 따라 복수의 단위 픽셀(UP)의 일측에 배치될 수 있다. 제1 전원 공급 라인(PL1a)은 데이터 라인(DL)과 나란하게 배치되고 복수의 단위 픽셀들(UP) 각각의 첫번째 서브 픽셀(SP) 또는 마지막 서브 픽셀(SP)에 인접하게 배치될 수 있다. 이러한 제1 전원 공급 라인(PL1a)은 외부로부터 직접적으로 공급되는 제1 구동 전원을 해당 단위 픽셀(UP)에 마련된 복수의 제1 화소 전원 라인(PL1b) 각각에 공급하기 위한 제1 메인 전원 라인의 역할을 하기 때문에 상대적으로 두꺼운 선 폭을 가질 수 있다. 즉, 제1 전원 공급 라인(PL1a)은 제1 화소 전원 라인(PL1b) 보다 상대적으로 넓은 선 폭을 가질 수 있다.The first power supply line PL1a may be disposed on one side of the plurality of unit pixels UP along the first direction X. [ The first power supply line PL1a may be disposed in parallel with the data line DL and adjacent to the first subpixel SP or the last subpixel SP of each of the plurality of unit pixels UP. The first power supply line PL1a is connected to the first main power supply line PL1b for supplying the first driving power directly supplied from the outside to each of the plurality of first pixel power lines PL1b provided in the unit pixel UP It can have a relatively thick line width. That is, the first power supply line PL1a may have a relatively larger line width than the first pixel power line PL1b.
복수의 제1 화소 전원 라인들(PL1b) 각각은 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각에 배치될 수 있다. 복수의 제1 화소 전원 라인들(PL1b) 각각은 데이터 라인(DL)과 나란하게 배치되고 복수의 서브 픽셀(SP) 각각에 인접하게 배치된다. 이때, 복수의 제1 화소 전원 라인들(PL1b) 각각은 제1 방향(X)을 따라 배치된 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각의 화소 회로(PC)에 개별적으로 연결되고, 제2 방향(Y)을 따라 배치된 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각의 화소 회로(PC)에 공통적으로 연결된다. 이러한 복수의 제1 화소 전원 라인들(PL1b) 각각은 제1 전원 공급 라인(PL1a)으로부터 공급되는 제1 구동 전원을 해당하는 서브 픽셀(SP)의 화소 회로(PC)에 공급하는 역할을 하기 때문에 제1 전원 공급 라인(PL1a) 보다 상대적으로 얇은 선 폭을 가질 수 있다.Each of the plurality of first pixel power supply lines PL1b may be disposed in each of the plurality of sub-pixels SP. Each of the plurality of first pixel power supply lines PL1b is disposed in parallel with the data line DL and disposed adjacent to each of the plurality of subpixels SP. At this time, each of the plurality of first pixel power supply lines PL1b is individually connected to a pixel circuit PC of each of a plurality of sub-pixels SP arranged along a first direction X, And the pixel circuits PC of the plurality of sub-pixels SP arranged along the Y direction. Each of the plurality of first pixel power supply lines PL1b supplies the first driving power supplied from the first power supply line PL1a to the pixel circuits PC of the corresponding subpixel SP And may have a line width that is relatively thinner than the first power supply line PL1a.
제1 전원 브리지 라인(PL1c)은 제1 전원 공급 라인(PL1a)과 복수의 제1 화소 전원 라인들(PL1b) 각각을 서로 연결함으로써 제1 메쉬 전원 라인(PL1)이 메쉬 형태를 갖도록 할 수 있다. 제1 전원 브리지 라인(PL1c)은 제1 방향(X)과 나란하게 배치되어 제1 전원 공급 라인(PL1a) 및 복수의 제1 화소 전원 라인들(PL1b) 각각과 교차할 수 있다. 제1 전원 브리지 라인(PL1c)은 제1 전원 공급 라인(PL1a)과 복수의 제1 화소 전원 라인들(PL1b) 각각과 다른 층에 형성되고, 제1 브리지 컨택홀을 통해서 교차하는 제1 전원 공급 라인(PL1a) 및 복수의 제1 화소 전원 라인들(PL1b) 각각에 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전원 브리지 라인(PL1c)은 제2 방향(Y)을 기준으로, 복수의 단위 픽셀들(UP) 각각의 상측 및 하측 중 적어도 하나에 배치될 수 있다.The first power supply bridge line PL1c may connect the first power supply line PL1a and the plurality of first pixel power supply lines PL1b to each other so that the first mesh power supply line PL1 has a mesh shape . The first power supply bridge line PL1c may be disposed in parallel with the first direction X and may intersect each of the first power supply line PL1a and each of the plurality of first pixel power lines PL1b. The first power supply bridge line PL1c is formed on a different layer from the first power supply line PL1a and the plurality of first pixel power lines PL1b and is connected to the first power supply line PL1b crossing the first bridge contact hole, And may be electrically connected to the line PL1a and the plurality of first pixel power lines PL1b, respectively. The first power supply bridge line PL1c may be disposed on at least one of the upper side and the lower side of each of the plurality of unit pixels UP on the basis of the second direction Y. [
제2 메쉬 전원 라인(PL2)은 기판(100) 상에 메쉬 형태로 형성되어 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각에 제2 구동 전원을 공급할 수 있다. 일 예에 따르면, 제2 메쉬 전원 라인(PL2)은 제2 전원 공급 라인(PL2a), 복수의 제2 화소 전원 라인들(PL2b), 및 제2 전원 브리지 라인(PL2c)을 포함한다.The second mesh power line PL2 may be formed in a mesh shape on the
제2 전원 공급 라인(PL2a)은 제1 방향(X)을 따라 복수의 단위 픽셀(UP)의 일측과 다른 타측에 배치될 수 있다. 제2 전원 공급 라인(PL2a)은 하나의 단위 픽셀(UP)을 사이에 두고 제1 전원 공급 라인(PL1a)과 나란하게 배치되고, 복수의 단위 픽셀들(UP) 각각의 첫번째 서브 픽셀(SP) 또는 마지막 서브 픽셀(SP)에 인접하게 배치될 수 있다. 제2 전원 공급 라인(PL2a)은 외부로부터 직접적으로 공급되는 제2 구동 전원을 해당 단위 픽셀(UP)에 마련된 복수의 제2 화소 전원 라인들(PL2b) 각각에 공급하기 위한 제2 메인 전원 라인의 역할을 하기 때문에 상대적으로 두꺼운 선 폭을 가질 수 있다. 즉, 제2 전원 공급 라인(PL2a)은 제2 화소 전원 라인(PL2b) 보다 상대적으로 넓은 선 폭을 가질 수 있다.The second power supply line PL2a may be disposed on the other side of the plurality of unit pixels UP along the first direction X. [ The second power supply line PL2a is disposed in parallel with the first power supply line PL1a with one unit pixel UP therebetween and is connected to the first subpixel SP of each of the plurality of unit pixels UP, Or adjacent to the last sub-pixel SP. The second power supply line PL2a includes a second main power supply line for supplying a second driving power supplied directly from the outside to each of the plurality of second pixel power lines PL2b provided in the unit pixel UP It can have a relatively thick line width. That is, the second power supply line PL2a may have a relatively larger line width than the second pixel power line PL2b.
복수의 제2 화소 전원 라인들(PL2b) 각각은 복수의 서브 픽셀(SP) 각각에 배치될 수 있다. 복수의 제2 화소 전원 라인들(PL2b) 각각은 해당하는 서브 픽셀(SP)을 사이에 두고 제1 화소 전원 라인(PL2b)과 나란하도록 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각에 인접하게 배치될 수 있다. 이때, 복수의 제2 화소 전원 라인들(PL2b) 각각은 제1 방향(X)을 따라 배치된 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각의 발광 소자(ED)에 개별적으로 연결되고, 제2 방향(Y)을 따라 배치된 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각의 발광 소자(ED)에 공통적으로 연결될 수 있다. 이러한 복수의 제2 화소 전원 라인들(PL2b) 각각은 제2 전원 공급 라인(PL2a)으로부터 공급되는 제2 구동 전원을 해당하는 서브 픽셀(SP)의 발광 소자(ED)에 공급하는 역할을 하기 때문에 제2 전원 공급 라인(PL2a) 보다 상대적으로 얇은 선 폭을 가질 수 있다.Each of the plurality of second pixel power supply lines PL2b may be disposed in each of the plurality of subpixels SP. Each of the plurality of second pixel power supply lines PL2b may be disposed adjacent to each of the plurality of subpixels SP so as to be parallel to the first pixel power supply line PL2b with the corresponding subpixel SP therebetween have. At this time, each of the plurality of second pixel power supply lines PL2b is individually connected to the light emitting device ED of each of the plurality of sub-pixels SP arranged along the first direction X, Y) of the plurality of subpixels (SP) disposed along the common electrode (Y). Each of the plurality of second pixel power supply lines PL2b supplies the second driving power supplied from the second power supply line PL2a to the light emitting element ED of the corresponding subpixel SP And can have a line width that is relatively thinner than the second power supply line PL2a.
복수의 제2 전원 브리지 라인들(PL2c) 각각은 제2 전원 공급 라인(PL2a)과 복수의 제2 화소 전원 라인들(PL2b) 각각을 서로 연결함으로써 제2 메쉬 전원 라인(PL2)이 메쉬 형태를 갖도록 할 수 있다. 제2 전원 브리지 라인(PL2c)은 제1 방향(X)과 나란하게 배치되어 제2 전원 공급 라인(PL2a) 및 복수의 제2 화소 전원 라인들(PL2b) 각각과 교차할 수 있다. 이러한 제2 전원 브리지 라인(PL2c)은 제2 전원 공급 라인(PL2a)과 복수의 제2 화소 전원 라인들(PL2b) 각각과 다른 층에 형성되고, 제2 브리지 컨택홀을 통해서 교차하는 제2 전원 공급 라인(PL2a) 및 복수의 제2 화소 전원 라인들(PL2b) 각각에 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 전원 브리지 라인(PL2c)은 제2 방향(Y)을 기준으로, 복수의 단위 픽셀들(UP) 각각의 상측과 하측 중 적어도 하나에 배치될 수 있다.Each of the plurality of second power supply bridge lines PL2c connects the second power supply line PL2a and the plurality of second pixel power supply lines PL2b to each other so that the second mesh power supply line PL2 forms a mesh Respectively. The second power source bridge line PL2c may be disposed in parallel with the first direction X and may intersect each of the second power source line PL2a and each of the plurality of second pixel power source lines PL2b. The second power source bridge line PL2c is formed in a different layer from the second power source line PL2a and the plurality of second pixel power source lines PL2b, And may be electrically connected to each of the supply line PL2a and each of the plurality of second pixel power supply lines PL2b. The second power supply bridge line PL2c may be disposed on at least one of the upper side and the lower side of each of the plurality of unit pixels UP with reference to the second direction Y. [
도 7은 도 6에 도시된 서브 픽셀의 단면 구조를 설명하기 위한 도면이고, 도 8은 도 7에 도시된 발광 소자의 구조를 설명하기 위한 단면도이다.FIG. 7 is a view for explaining a cross-sectional structure of the subpixel shown in FIG. 6, and FIG. 8 is a cross-sectional view for explaining the structure of the light emitting device shown in FIG.
도 7 및 도 8을 참조하면, 서브 픽셀(SP)은 화소 회로(PC), 제1 평탄화층(110), 오목부(120), 반사 패턴(130), 발광 소자(ED), 평탄화층(150), 제1 전극 연결 패턴(ECP1), 제2 전극 연결 패턴(ECP2), 및 화소 분리층(160)을 포함한다.7 and 8, the subpixel SP includes a pixel circuit PC, a
화소 회로(PC)는 스위칭 박막 트랜지스터(T1), 구동 박막 트랜지스터(T2), 및 커패시터(C)를 포함한다. 이러한 화소 회로(PC)는 전술한 바와 동일하므로, 이에 대한 구체적인 설명은 생략하기로 하고, 이하 구동 박막 트랜지스터(T2)의 구조를 예를 들어 설명하기로 한다.The pixel circuit PC includes a switching thin film transistor T1, a driving thin film transistor T2, and a capacitor C. Since the pixel circuit PC is the same as that described above, a detailed description thereof will be omitted. Hereinafter, the structure of the driving thin film transistor T2 will be described by way of example.
구동 박막 트랜지스터(T2)는 게이트 전극(GE), 반도체층(SCL), 오믹 컨택층(OCL), 소스 전극(SE), 및 드레인 전극(DE)을 포함한다.The driving thin film transistor T2 includes a gate electrode GE, a semiconductor layer SCL, an ohmic contact layer OCL, a source electrode SE, and a drain electrode DE.
게이트 전극(GE)은 기판(100) 상에 게이트 라인(GL)과 함께 형성된다. 이러한 게이트 전극(GE)은 게이트 절연층(101)에 의해 덮일 수 있다. 게이트 절연층(101)은 무기 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 층으로 구성될 수 있으며, 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx) 등으로 이루어질 수 있다.The gate electrode GE is formed on the
반도체층(SCL)은 게이트 전극(GE)과 중첩되도록 게이트 절연층(101) 상에 미리 설정된 패턴(또는 섬) 형태로 마련될 수 있다. 이러한 반도체층(SCL)은 비정질 실리콘(amorphous silicon), 다결정 실리콘(polycrystalline silicon), 산화물(oxide) 및 유기물(organic material) 중 어느 하나로 이루어진 반도체 물질로 구성될 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.The semiconductor layer SCL may be provided in a pattern (or island) pattern previously formed on the
오믹 컨택층(OCL)은 반도체층(SCL) 상에 미리 설정된 패턴(또는 섬) 형태로 마련될 수 있다. 여기에서, 오믹 컨택층(PCL)은 반도체층(SCL)과 소스/드레인 전극(SE, DE) 간의 오믹 컨택을 위한 것으로, 생략 가능하다.The ohmic contact layer OCL may be provided on the semiconductor layer SCL in a predetermined pattern or island shape. Here, the ohmic contact layer PCL is for ohmic contact between the semiconductor layer SCL and the source / drain electrodes SE, DE and can be omitted.
소스 전극(SE)은 반도체층(SCL)의 일측과 중첩되도록 오믹 컨택층(OCL)의 일측 상에 형성될 수 있다.The source electrode SE may be formed on one side of the ohmic contact layer OCL so as to overlap with one side of the semiconductor layer SCL.
드레인 전극(DE)은 반도체층(SCL)의 타측과 중첩되면서 소스 전극(SE)과 이격되도록 오믹 컨택층(OCL)의 타측 상에 형성될 수 있다. 드레인 전극(DE)은 소스 전극(SE)과 함께 형성되는 것으로, 인접한 제1 화소 전원 라인(PL1b)으로부터 분기되거나 돌출될 수 있다.The drain electrode DE may be formed on the other side of the ohmic contact layer OCL so as to be spaced apart from the source electrode SE while overlapping with the other side of the semiconductor layer SCL. The drain electrode DE is formed together with the source electrode SE and can be branched or protruded from the adjacent first pixel power line PL1b.
게이트 절연층(101) 상에는 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)들과 함께 데이터 라인(DL), 제1 메쉬 전원 라인(PL1)의 제1 전원 공급 라인(PL1a)과 제1 화소 전원 라인(PL1b), 및 제2 메쉬 전원 라인(PL2)의 제2 전원 공급 라인(PL2a)과 제2 화소 전원 라인(PL2b)이 형성될 수 있다.The data line DL and the first power supply line PL1a of the first mesh power supply line PL1 and the first pixel power supply line PL1a of the first mesh power supply line PL1, together with the source electrode SE and the drain electrodes DE, The second power supply line PL2a and the second pixel power line PL2b of the second mesh power line PL2 may be formed.
부가적으로, 화소 회로(PC)를 구성하는 스위칭 박막 트랜지스터(T1)는 구동 박막 트랜지스터(T2)와 동일한 구조로 형성될 수 있다. 이때, 스위칭 박막 트랜지스터(T1)에서, 게이트 전극은 게이트 라인(GL)으로부터 분기되거나 돌출되고, 제1 소스/드레인 전극은 데이터 라인(DL)으로부터 분기되거나 돌출되며, 제2 소스/드레인 전극은 게이트 절연층(101)에 마련된 비아홀을 통해서 구동 박막 트랜지스터(T2)의 게이트 전극(GE)과 연결될 수 있다.In addition, the switching thin film transistor T1 constituting the pixel circuit PC may be formed in the same structure as the driving thin film transistor T2. At this time, in the switching thin film transistor T1, the gate electrode branches or protrudes from the gate line GL, the first source / drain electrode branches or protrudes from the data line DL, and the second source / And may be connected to the gate electrode GE of the driving thin film transistor T2 through a via hole provided in the insulating
화소 회로(PC)는 층간 절연층(103)에 의해 덮일 수 있다. 층간 절연층(103)은 구동 박막 트랜지스터(T2)를 포함하는 화소 회로(PC)를 덮도록 기판(100)의 전면(Front Surface) 전체에 마련될 수 있다. 일 예에 따르면, 층간 절연층(103)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)과 같은 무기 물질로 이루어지거나 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene) 또는 포토 아크릴(photo acryl)과 같은 유기 물질로 이루어질 수 있다. 층간 절연층(103)은 생략될 수 있다.The pixel circuit PC may be covered with the interlayer insulating
제1 평탄화층(110)은 화소 회로(PC)를 덮도록 기판(100)의 전면(Front Surface) 전체에 마련되거나 층간 절연층(103)을 덮도록 기판(100)의 전면(全面) 전체에 마련될 수 있다. 제1 평탄화층(110)은 화소 회로(PC)를 보호하면서 층간 절연층(103) 상에 평탄면을 제공할 수 있다. 일 예에 따르면, 제1 평탄화층(110)은 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene) 또는 포토 아크릴(photo acryl)과 같은 유기 물질로 이루어질 수 있으나, 공정의 편의를 위해 포토 아크릴 물질로 이루어지는 것이 바람직하다.The
오목부(120)는 서브 픽셀(SP)에 정의된 서브 픽셀 영역의 발광 영역에 마련되어 발광 소자(ED)를 수납할 수 있다. 일 예에 따르면, 오목부(120)는 제1 평탄화층(110)으로부터 일정한 깊이를 가지도록 오목하게 마련될 수 있다. 이때, 오목부(120)는 발광 소자(ED)의 두께(또는 전체 높이)에 대응되는 깊이를 가지도록 제1 평탄화층(110)의 상면(110a)으로부터 오목하게 마련된 수납 공간을 포함할 수 있다. 여기에서, 오목부(120)의 바닥면은 발광 소자(ED)의 두께에 기초하여 제1 평탄화층(110)의 일부, 제1 평탄화층(110)의 전체, 제1 평탄화층(110)의 전체와 층간 절연층(103)의 일부, 또는 제1 평탄화층(110)과 층간 절연층(103) 및 게이트 절연층(101)의 전체가 제거되어 형성될 수도 있다. 예를 들어, 오목부(120)는 제1 평탄화층(110)의 상면으로부터 2~6 마이크로미터의 깊이를 가지도록 마련될 수 있다. 이러한 오목부(120)는 발광 소자(ED)의 후면(또는 하면)보다 넓은 크기를 갖는 홈(groove) 또는 컵(cup) 형태를 가질 수 있다.The
일 예에 따르면, 오목부(120)는 바닥면과 제1 평탄화층(110)의 상면(110a) 사이에 마련된 경사면을 포함할 수 있으며, 이러한 경사면은 발광 소자(ED)로부터 방출되는 광을 오목부(120)의 전방 쪽으로 진행시키는 역할을 할 수 있다.According to an example, the
오목부(120)는 서브 픽셀(SP)에 정의된 서브 픽셀 영역의 발광 영역과 중첩되는 제1 평탄화층(110)에 오목하게 형성되어 정렬 마크의 역할을 함으로써 발광 소자(ED)를 기판(100) 상에 실장하는 전사(transfer) 공정시 발생되는 기판(100)과 발광 소자(ED) 간의 오정렬을 최소화할 수 있다. 또한, 오목부(120)는 발광 소자(ED)로부터 입사되는 광을 반사시키는 경사면을 포함함으로써 발광 소자(ED)에서 방출되는 광의 외부 추출 효율을 증가시키는 역할을 할 수 있다.The
반사 패턴(130)은 오목부(120)에 형성되어 발광 소자(ED)를 지지할 수 있다. 반사 패턴(130)은 오목부(120)의 경사면과 바닥면에 일정한 두께를 가지도록 형성되며, 오목부(120)의 상부를 둘러싸는 제1 평탄화층(110)의 상면(110a)에 추가로 형성될 수 있다. 반사 패턴(130)은 반사율이 높은 금속 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 반사 패턴(130)은 알루미늄(Al)과 티타늄(Ti)의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄(Al)과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), APC(Ag/Pd/Cu) 합금, 및 APC 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/APC/ITO)과 같은 다층 구조로 형성되거나, 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 금(Au), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 또는 바륨(Ba) 중에서 선택된 어느 하나의 물질 또는 2 이상의 합금 물질로 이루어진 단층 구조를 포함할 수 있다. 경우에 따라서, 반사 패턴(130)은 ITO 등과 같은 투명 전극 물질로 형성될 수도 있다. 반사 패턴(130)은 오목부(120)에 배치되는 발광 소자(ED)의 후면과 측면들을 둘러싸도록 형성됨으로써 발광 소자(ED)에서 방출되는 광의 외부 추출 효율을 더욱 증가시키는 역할을 할 수 있다.The
발광 소자(ED)는 오목부(120)에 실장되어 화소 회로(PC)와 제2 화소 전원 라인(PL2b)에 전기적으로 연결됨으로써 화소 회로(PC), 즉 구동 박막 트랜지스터(T2)로부터 제2 화소 전원 라인(PL2b)으로 흐르는 전류에 의해 발광할 수 있다. 일 예에 따르면, 발광 소자(ED)는 발광층(EL), 제1 전극(또는 애노드 단자)(E1), 및 제2 전극(또는 캐소드 단자) (E2)을 포함할 수 있다.The light emitting device ED is mounted on the
발광층(EL)은 제1 전극(E1)과 제2 전극(E2) 사이에 흐르는 전류에 따른 전자와 정공의 재결합에 따라 발광할 수 있다. 일 예에 따르면, 발광층(EL)은 제 1 반도체층(SL1), 활성층(ACL), 및 제 2 반도체층(SL2)을 포함할 수 있다.The light emitting layer EL can emit light according to the recombination of electrons and holes according to the current flowing between the first electrode E1 and the second electrode E2. According to one example, the light emitting layer EL may include a first semiconductor layer SL1, an active layer ACL, and a second semiconductor layer SL2.
제 1 반도체층(SL1)은 활성층(ACL)에 전자를 제공할 수 있다. 일 예에 따르면, 제1 반도체층(SL1)은 n-GaN계 반도체 물질로 이루어질 수 있으며, n-GaN계 반도체 물질로는 GaN, AlGaN, InGaN, 또는 AlInGaN 등이 될 수 있다. 여기에서, 제1 반도체층(SL1)의 도핑에 사용되는 불순물로는 Si, Ge, Se, Te, 또는 C 등이 사용될 수 있다.The first semiconductor layer SL1 may provide electrons to the active layer ACL. According to an example, the first semiconductor layer SL1 may be made of an n-GaN-based semiconductor material, and the n-GaN-based semiconductor material may be GaN, AlGaN, InGaN, or AlInGaN. Here, Si, Ge, Se, Te, C, or the like may be used as an impurity used for doping the first semiconductor layer SL1.
활성층(ACL)은 제1 반도체층(SL1)의 일측 상에 마련될 수 있다. 이러한 활성층(ACL)은 우물층과 우물층보다 밴드 갭이 높은 장벽층을 갖는 다중 양자 우물(MQW; Multi Quantum Well) 구조를 갖는다. 일 예에 따른 활성층(ACL)은 InGaN/GaN 등의 다중 양자 우물 구조를 가질 수 있다.The active layer ACL may be provided on one side of the first semiconductor layer SL1. The active layer (ACL) has a multi quantum well (MQW) structure having a barrier layer having a higher bandgap than that of the well layer and the well layer. The active layer (ACL) according to an example may have a multiple quantum well structure such as InGaN / GaN.
제2 반도체층(SL2)은 활성층(ACL) 상에 마련되어, 활성층(ACL)에 정공을 제공할 수 있다. 일 예에 따르면, 제2 반도체층(SL2)은 p-GaN계 반도체 물질로 이루어질 수 있으며, p-GaN계 반도체 물질로는 GaN, AlGaN, InGaN, 또는 AlInGaN 등이 될 수 있다. 여기에서, 제2 반도체층(SL2)의 도핑에 사용되는 불순물로는 Mg, Zn, 또는 Be 등이 이용될 수 있다.The second semiconductor layer SL2 may be provided on the active layer ACL to provide holes in the active layer ACL. According to an example, the second semiconductor layer SL2 may be made of a p-GaN semiconductor material, and the p-GaN semiconductor material may be GaN, AlGaN, InGaN, or AlInGaN. As the impurity used for doping the second semiconductor layer SL2, Mg, Zn, Be, or the like may be used.
제1 전극(E1)은 제2 반도체층(SL2) 상에 마련될 수 있다. 이러한 제1 전극(E1)은 구동 박막 트랜지스터(T2)의 소스 전극(SE)과 연결될 수 있다.The first electrode E1 may be provided on the second semiconductor layer SL2. The first electrode E1 may be connected to the source electrode SE of the driving TFT T2.
제2 전극(E2)은 활성층(ACL)과 제2 반도체층(SL2)으로부터 전기적으로 분리되도록 제1 반도체층(SL1)의 타측 상에 마련될 수 있다. 제2 전극(E2)은 제2 화소 전원 라인(PL2b)과 연결될 수 있다.The second electrode E2 may be provided on the other side of the first semiconductor layer SL1 so as to be electrically separated from the active layer ACL and the second semiconductor layer SL2. And the second electrode E2 may be connected to the second pixel power line PL2b.
일 예에 따르면, 제1 및 제2 전극들(E1, E2) 각각은 Au, W, Pt, Si, Ir, Ag, Cu, Ni, Ti, 또는 Cr 등의 금속 물질 및 그 합금 중 하나 이상을 포함한 물질로 이루어질 수 있다. 다른 예에 따르면, 제1 및 제2 전극들(E1, E2) 각각은 투명 도전성 재질로 이루어질 수 있으며, 투명 도전성 재질은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등이 될 수 있지만, 이에 한정되지 않는다.Each of the first and second electrodes E1 and E2 may include at least one of a metal material such as Au, W, Pt, Si, Ir, Ag, Cu, Ni, Ti, And the like. According to another example, each of the first and second electrodes E1 and E2 may be made of a transparent conductive material, and the transparent conductive material may be indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO) But is not limited thereto.
부가적으로, 제1 반도체층(SL1)과 활성층(ACL) 및 제2 반도체층(SL2) 각각은 반도체 기판 상에 순차적으로 적층되는 구조로 마련될 수 있다. 여기에서, 반도체 기판은 사파이어 기판(sapphire substrate) 또는 실리콘 기판 등의 반도체 물질을 포함할 수 있다. 이러한 반도체 기판은 제1 반도체층(SL1)과 활성층(ACL) 및 제2 반도체층(SL2) 각각을 성장시키기 위한 성장용 기판으로 사용된 후, 기판 분리 공정에 의해 제1 반도체층(SL1)으로부터 분리될 수 있다. 여기에서, 기판 분리 공정은 레이저 리프트 오프(Laser Lift Off) 또는 케미컬 리프트 오프(Chemical Lift Off) 등이 될 수 있다. 이에 따라, 발광 소자(ED)에서 성장용 반도체 기판이 제거됨에 따라 발광 소자(ED)는 상대적으로 얇은 두께를 가질 수 있으며, 이로 인하여 각 서브 픽셀(SP)에 마련된 오목부(120)에 수납될 수 있다.In addition, the first semiconductor layer SL1, the active layer ACL, and the second semiconductor layer SL2 may be sequentially stacked on the semiconductor substrate. Here, the semiconductor substrate may include a semiconductor material such as a sapphire substrate or a silicon substrate. This semiconductor substrate is used as a growth substrate for growing each of the first semiconductor layer SL1, the active layer ACL and the second semiconductor layer SL2, and thereafter, is removed from the first semiconductor layer SL1 Can be separated. Here, the substrate separation process may be a laser lift off, a chemical lift off, or the like. Accordingly, as the semiconductor substrate for growth is removed from the light emitting device ED, the light emitting device ED can have a relatively thin thickness, and thus the light emitting device ED can be housed in the
발광 소자(ED)는 제1 전극(E1)과 제2 전극(E2) 사이에 흐르는 전류에 따른 전자와 정공의 재결합에 따라 발광할 수 있다. 발광 소자(ED)에서 방출되는 광은 제 1 및 제2 전극(E1, E2) 각각을 투과하여 외부로 방출될 수 있다. 다시 말하여, 발광 소자(ED)에서 방출되는 광은 제1 및 제2 전극(E1, E2) 각각을 투과하여 오목부(120)의 바닥면을 향하는 제1 방향과 반대되는 제2 방향으로 방출되어 영상을 표시한다.The light emitting device ED can emit light according to the recombination of electrons and holes according to the current flowing between the first electrode E1 and the second electrode E2. Light emitted from the light emitting device ED may be transmitted through the first and second electrodes E1 and E2 and may be emitted to the outside. In other words, the light emitted from the light emitting device ED passes through each of the first and second electrodes E1 and E2 and is emitted in a second direction opposite to the first direction toward the bottom surface of the
발광 소자(ED)는 화소 회로(PC)와 연결되는 제1 및 제2 전극(E1, E2)을 갖는 제1 부분(또는 전면부)(FP), 및 제1 부분(FP)과 반대되는 제2 부분(또는 후면부)(RP)을 포함할 수 있다. 이때, 제1 부분(FP)은 제2 부분(RP)보다 오목부(120)의 바닥면으로부터 상대적으로 멀리 이격될 수 있다. 여기에서, 제1 부분(FP)은 제2 부분(RP)보다 작은 크기를 가질 수 있으며, 이 경우, 발광 소자(ED)는 제1 부분(FP)과 대응되는 윗변과 제2 부분(RP)과 대응되는 밑변을 갖는 사다리꼴 형태의 단면을 가질 수 있다. 이와 같은, 발광 소자(ED)는 접착 부재(140)를 매개로 하여 오목부(120)의 바닥면에 접착될 수 있다.The light emitting device ED includes a first portion FP or a front portion FP having first and second electrodes E1 and E2 connected to the pixel circuit PC, And two portions (or rear portions) RP. At this time, the first portion FP may be spaced relatively far from the bottom surface of the
접착 부재(140)는 오목부(120)와 발광 소자(ED) 사이에 개재되어 발광 소자(ED)를 오목부(120)의 바닥면에 접착시킴으로써 발광 소자(ED)를 1차적으로 고정할 수 있다. 일 예에 따르면, 접착 부재(140)는 발광 소자(ED)의 제2 부분(RP), 즉 제 1 반도체층(SL1)의 이면에 부착(또는 코팅)되어 발광 소자의 실장 공정시 오목부(120)에 접착될 수 있다.The
제2 평탄화층(150)은 발광 소자(ED)를 덮도록 제1 평탄화층(110) 상에 마련될 수 있다. 즉, 제2 평탄화층(150)은 제1 평탄화층(110)의 상면, 발광 소자(ED)가 수납된 오목부(120)의 나머지 수납 공간의 전면(前面)을 모두 덮을 수 있을 정도의 두께를 가지도록 제1 평탄화층(110) 상에 마련될 수 있다.The
제2 평탄화층(150)은 제1 평탄화층(110) 상에 평탄면을 제공할 수 있다. 또한, 제2 평탄화층(150)은 발광 소자(ED)가 수납된 오목부(120)의 나머지 수납 공간에 매립됨으로써 발광 소자(ED)의 위치를 고정하는 역할을 한다.The
제1 전극 연결 패턴(ECP1)은 발광 소자(ED)의 제1 전극(E1)을 구동 박막 트랜지스터(T2)의 소스 전극(SE)에 연결하는 것으로, 애노드 전극으로 정의될 수 있다. 일 예에 따른 제1 전극 연결 패턴(ECP1)은 발광 소자(ED)의 제1 전극(E1)과 구동 박막 트랜지스터(T2)에 중첩되는 제2 평탄화층(150)의 상면(150a)에 마련될 수 있다.The first electrode connection pattern ECP1 connects the first electrode E1 of the light emitting element ED to the source electrode SE of the driving thin film transistor T2 and can be defined as an anode electrode. The first electrode connection pattern ECP1 may be formed on the
일 예에 따르면, 제1 전극 연결 패턴(ECP1)의 일측은 층간 절연층(103)과 제1 평탄화층(110) 및 제2 평탄화층(150)을 관통하여 마련된 제1 회로 컨택홀(CCH1)을 통해서 구동 박막 트랜지스터(T2)의 소스 전극(SE)에 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 제2 평탄화층(150)의 타측은 발광 소자(ED)의 제1 전극(E1)과 중첩되도록 제2 평탄화층(150)에 마련된 제1 전극 컨택홀(ECH1)을 통해서 발광 소자(ED)의 제1 전극(E1)에 전기적으로 연결될 수 있다. 발광 소자(ED)의 제1 전극(E1)은 제1 전극 연결 패턴(ECP1)을 통해서 구동 박막 트랜지스터(T2)의 소스 전극(SE)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 제1 전극 연결 패턴(ECP1)은 발광 다이오드 표시 장치가 전면 발광(top emission) 방식일 경우, 투명 도전 물질로 이루어지고, 발광 다이오드 표시 장치가 후면 발광(bottom emission) 방식일 경우, 광 반사 도전 물질로 이루어질 수 있다. 여기에서, 투명 도전 물질은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등이 될 수 있지만, 이에 한정되지 않는다. 광 반사 도전 물질은 상기 반사 패턴(130)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.One side of the first electrode connection pattern ECP1 may include a first circuit contact hole CCH1 provided through the interlayer insulating
추가적으로, 제1 전극 연결 패턴(ECP1)의 일측은 제1 금속 패턴(121)을 통해서 구동 박막 트랜지스터(T2)의 소스 전극(SE)과 전기적으로 연결된다. 제1 금속 패턴(121)은 제 1 회로 컨택홀(CCH1)을 통해서 구동 박막 트랜지스터(T2)의 소스 전극(SE)과 전기적으로 연결되도록 반사 패턴(120)과 함께 형성되는 것으로, 반사 패턴(120)과 동일한 물질로 이루어진다. 이러한 제1 금속 패턴(121)은 제1 전극 연결 패턴(ECP1)의 일측과 구동 박막 트랜지스터(T2)의 소스 전극(SE) 사이의 중간 연결층의 역할을 하며, 제1 회로 컨택홀(CCH1)의 깊이로 인하여 제1 전극 연결 패턴(ECP1)의 일측이 구동 박막 트랜지스터(T2)의 소스 전극(SE)과 전기적으로 연결되지 않는 컨택 불량을 방지하는 역할을 한다.In addition, one side of the first electrode connection pattern ECP1 is electrically connected to the source electrode SE of the driving thin film transistor T2 through the first metal pattern 121. The first metal pattern 121 is formed together with the
제2 전극 연결 패턴(ECP2)은 발광 소자(ED)의 제2 전극(E2)과 제2 화소 전원 라인(PL2b)을 전기적으로 연결하는 것으로, 캐소드 전극으로 정의될 수 있다. 제2 전극 연결 패턴(ECP2)은 발광 소자(ED)의 제2 전극(E2)과 중첩되면서 제2 화소 전원 라인(PL2b)과 중첩되는 제2 평탄화층(150)의 상면(150a)에 마련된다. 여기에서, 제2 전극 연결 패턴(ECP2)은 제1 전극 연결 패턴(ECP1)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.The second electrode connection pattern ECP2 electrically connects the second electrode E2 of the light emitting device ED and the second pixel power line PL2b and may be defined as a cathode electrode. The second electrode connection pattern ECP2 is provided on the
일 예에 따르면, 제2 전극 연결 패턴(ECP2)의 일측은 제2 화소 전원 라인(PL2b)과 중첩되는 게이트 절연층(101)과 층간 절연층(103)과 제1 평탄화층(110) 및 제2 평탄화층(150)을 관통하여 마련된 제2 회로 컨택홀(CCH2)을 통해서 제2 화소 전원 라인(PL2b)에 전기적으로 연결될 수 있다. 일 예에 따르면, 제2 전극 연결 패턴(ECP2)의 타측은 발광 소자(ED)의 제2 전극(E2)과 중첩되도록 제2 평탄화층(150)에 마련된 제2 전극 컨택홀(ECH2)을 통해서 발광 소자(ED)의 제2 전극(E2)에 전기적으로 연결된다. 이에 따라, 발광 소자(ED)의 제2 전극(E2)은 제2 전극 연결 패턴(ECP2)을 통해서 제2 화소 전원 라인(PL2b)과 전기적으로 연결된다.One side of the second electrode connection pattern ECP2 may include a
추가적으로, 제2 전극 연결 패턴(ECP2)의 일측은 제2 금속 패턴(123)을 통해서 제2 화소 전원 라인(PL2b)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 금속 패턴(123)은 제2 회로 컨택홀(CCH2)을 통해서 제2 화소 전원 라인(PL2b)과 전기적으로 연결되도록 반사 패턴(120)과 함께 형성되는 것으로, 반사 패턴(120)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 이러한 제2 금속 패턴(123)은 제2 전극 연결 패턴(ECP2)의 일측과 제2 화소 전원 라인(PL2b) 사이의 중간 연결층의 역할을 하며, 제2 회로 컨택홀(CCH2)의 깊이로 인하여 제2 전극 연결 패턴(ECP2)의 일측이 제2 화소 전원 라인(PL2b)과 전기적으로 연결되지 않는 컨택 불량을 방지하는 역할을 한다.In addition, one side of the second electrode connection pattern ECP2 may be electrically connected to the second pixel power line PL2b through the
일 예에 따르면, 제1 전극 연결 패턴(ECP1)과 제2 전극 연결 패턴(ECP2)은 제1 및 제2 회로 컨택홀(CCH1, CCH2), 및 제1 및 제2 전극 컨택홀(ECH1, ECH2)을 포함하는 제2 평탄화층(150) 상에 전극 물질을 증착하는 증착 공정과 포토리소그라피 공정 및 식각 공정을 이용한 전극 패터닝 공정에 의해 동시에 마련될 수 있다. 이에 따라, 본 출원은 발광 소자(ED)를 화소 회로(PC)에 연결하는 제1 전극 연결 패턴(ECP1)과 제2 전극 연결 패턴(ECP2)을 동시에 형성할 수 있으므로, 전극 연결 공정을 단순화할 수 있으며, 발광 소자(ED)와 화소 회로(PC)를 연결하는 공정 시간을 크게 단축시키고, 이를 통해서 발광 다이오드 표시 장치의 생산성을 향상시킬 수 있다.The first electrode connection pattern ECP1 and the second electrode connection pattern ECP2 are electrically connected to the first and second circuit contact holes CCH1 and CCH2 and the first and second electrode contact holes ECH1 and ECH2 The
화소 분리층(160)은 발광 소자(ED)의 발광에 따른 개구 영역을 정의한다. 즉, 화소 분리층(160)은 서브 픽셀(SP)의 개구 영역을 제외한 나머지 제2 평탄화층(150)과 제1 전극 연결 패턴(ECP1) 및 제2 전극 연결 패턴(ECP1)을 덮도록 형성될 수 있다. 이러한 화소 분리층(160)은 서브 픽셀(SP)의 개구 영역을 정의하기 위한 개구부(161)를 포함할 수 있다.The
화소 분리층(160)은 인접한 서브 픽셀들(SP) 간의 혼색으로 원천적으로 차단하여 디스플레이 장치의 블랙 휘도를 감소시켜 디스플레이 장치가 리얼 블랙(real black)을 구현할 수 있도록 한다. 이를 위해, 화소 분리층(160)은 광차단 물질 또는 광흡수 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 화소 분리층(160)은 블랙 매트릭스일 수 있다.The
추가적으로, 발광 소자(ED)가 백색 광을 방출하도록 구성된 경우, 서브 픽셀(SP)는 화소 분리층(160)의 개구부(161)에 형성된 컬러필터를 더 포함할 수 있다. 컬러필터는 발광 소자(ED)에서 방출되는 백색 광 중에서 해당 서브 픽셀에 해당되는 색상의 파장을 갖는 광만을 투과시킬 수 있다. 예를 들어, 컬러필터는 적색 컬러필터, 녹색 컬러필터, 또는 청색 컬러필터를 포함할 수 있다. 추가적으로, 컬러필터는 색재현율을 증가시키기 위한 형광체 또는 양자점 입자를 포함할 수도 있다.In addition, when the light emitting device ED is configured to emit white light, the sub-pixel SP may further include a color filter formed in the
한편, 본 출원에 따른 디스플레이 장치에서, 제1 평탄화층(110)에 형성되는 오목부(120)는 전술한 바와 같이 발광 소자(ED)의 전사(transfer) 공정시 발생되는 오정렬을 최소화하고 발광 소자(ED)에서 방출되는 광의 외부 추출 효율을 향상시킬 수 있는 효과를 제공하기 위해 형성되는 것이 바람직하지만, 반드시 이에 제한되지 않고 생략될 수도 있다. 오목부(120)가 생략되는 경우, 제1 평탄화층(110)의 상면(110a)은 기판(100)의 표시 영역(AA) 전체에 실질적으로 평면 형태로 이루어질 수 있으며, 발광 소자(ED)는, 전술한 접착 부재(140)를 매개로 하여, 서브 픽셀(SP)에 정의된 서브 픽셀 영역의 발광 영역과 중첩되는 제1 평탄층(110)의 상면(110a)에 부착될 수 있다.In the display device according to the present application, the
추가적으로, 오목부(120)가 생략되는 경우, 발광 소자(ED)와 제1 평탄화층(110) 사이에는 평판 형태의 반사 패턴(130)이 마련될 수 있으며, 이 경우 발광 소자(ED)는 접착 부재(140)를 매개로 하여 반사 패턴(130)에 부착될 수 있다. 이러한 반사 패턴(130)은 기판(100) 상에 실장하는 전사(transfer) 공정시 기판(100)과 발광 소자(ED) 간의 정렬을 위한 정렬 마크(또는 정렬 패턴)의 역할을 함으로써 발광 소자(ED)의 전사(transfer) 공정시 발생되는 오정렬을 최소화할 수 있다. 선택적으로, 반사 패턴(130)의 상면은 발광 소자(ED)로부터 입사되는 광을 발광 소자(ED)의 제1 부분(FP) 쪽으로 반사시켜 최소화하고 발광 소자(ED)에서 방출되는 광의 외부 추출 효율을 향상시키기 위한 비평탄 구조물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 비평탄 구조물은 요철 패턴 또는 마이크로 렌즈 패턴을 포함할 수 있다.In addition, if the
도 9는 도 2에 도시된 선 I-I'의 단면도이고, 도 10은 도 2에 도시된 선 II-II'의 단면도이다.FIG. 9 is a cross-sectional view taken along the line I-I 'shown in FIG. 2, and FIG. 10 is a cross-sectional view taken along the line II-II' shown in FIG.
도 9 및 도 10을 참조하면, 제1 메쉬 전원 라인(PL1)은 제1 전원 공급 라인(PL1a), 복수의 제1 화소 전원 라인들(PL1b), 및 제1 전원 브리지 라인(PL1c)을 포함한다. 제1 전원 공급 라인(PL1a)은 제2 방향(Y)과 나란하도록 단위 픽셀(UP)의 일측에 마련된 제1 여유 공간(SA1)에 배치될 수 있다.9 and 10, the first mesh power line PL1 includes a first power supply line PL1a, a plurality of first pixel power lines PL1b, and a first power bridge line PL1c do. The first power supply line PL1a may be disposed in the first clearance space SA1 provided at one side of the unit pixel UP so as to be parallel to the second direction Y. [
복수의 제1 화소 전원 라인들(PL1b) 각각은 제1 전원 공급 라인(PL1a)과 나란하도록 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각의 일측에 배치된다. 이때, 복수의 제1 화소 전원 라인들(PL1b) 각각은 제1 전원 공급 라인(PL1a)과 전기적으로 분리될 수 있다.Each of the plurality of first pixel power supply lines PL1b is disposed on one side of each of the plurality of subpixels SP so as to be parallel with the first power supply line PL1a. At this time, each of the plurality of first pixel power supply lines PL1b may be electrically separated from the first power supply line PL1a.
제1 전원 브리지 라인(PL1c)은 제1 방향(X)과 나란하게 배치되고, 제1 전원 공급 라인(PL1a) 및 복수의 제1 화소 전원 라인들(PL1b) 각각과 교차할 수 있다. 제1 전원 브리지 라인(PL1c)은 복수의 제1 브리지 컨택홀들(BCH1)을 통해서 제1 전원 공급 라인(PL1a) 및 복수의 제1 화소 전원 라인들(PL1b) 각각에 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 복수의 제1 브리지 컨택홀들(BCH1) 각각은 제1 전원 브리지 라인(PL1c) 및 제1 전원 공급 라인(PL1a)의 교차부에 형성되고, 제1 전원 브리지 라인(PL1c)은 복수의 제1 브리지 컨택홀들(BCH1) 각각을 통해 제1 전원 공급 라인(PL1a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 복수의 제1 브리지 컨택홀들(BCH1) 각각은 제1 전원 브리지 라인(PL1c) 및 제1 화소 전원 라인(PL1b)의 교차부에 형성되고, 제1 전원 브리지 라인(PL1c)은 복수의 제1 브리지 컨택홀들(BCH1) 각각을 통해 복수의 제1 화소 전원 라인들(PL1b) 각각과 전기적으로 연결될 수 있다.The first power supply bridge line PL1c is disposed in parallel with the first direction X and may intersect each of the first power supply line PL1a and each of the plurality of first pixel power supply lines PL1b. The first power supply bridge line PL1c may be electrically connected to the first power supply line PL1a and the plurality of first pixel power supply lines PL1b through the plurality of first bridge contact holes BCH1. That is, each of the plurality of first bridge contact holes BCH1 is formed at an intersection of the first power supply line PL1c and the first power supply line PL1a, and the first power supply bridge line PL1c is formed of a plurality of And may be electrically connected to the first power supply line PL1a through each of the first bridge contact holes BCH1. Each of the plurality of first bridge contact holes BCH1 is formed at an intersection of the first power supply bridge line PL1c and the first pixel power line PL1b and the first power bridge line PL1c is formed at a plurality of And may be electrically connected to each of the plurality of first pixel power supply lines PL1b through each of the first bridge contact holes BCH1.
따라서, 제1 메쉬 전원 라인(PL1)은 제1 전원 공급 라인(PL1a), 복수의 제1 화소 전원 라인들(PL1b) 및 제1 전원 브리지 라인(PL1c)이 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각의 주변에서 서로 연결되어 메쉬 형태를 가짐으로써 패널 로드를 감소시킬 수 있고, 제1 구동 전원의 전압 강하를 최소화할 수 있다. 이때, 제1 전원 브리지 라인(PL1c)이 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 또는 금(Au) 등의 저항이 낮은 금속 물질로 이루어질 경우, 패널 로드를 더욱 감소시킬 수 있고, 제 1구동 전원의 전압 강하를 더욱 감소시킬 수 있다.Accordingly, the first mesh power line PL1 is connected to the first power supply line PL1a, the plurality of first pixel power lines PL1b, and the first power supply line PL1c via the plurality of subpixels SP The panel load can be reduced and the voltage drop of the first driving power source can be minimized. At this time, if the first power supply line PL1c is made of a metal material having low resistance such as copper (Cu), silver (Ag), aluminum (Al), or gold (Au) , The voltage drop of the first driving power supply can be further reduced.
제2 메쉬 전원 라인(PL2)은 제2 전원 공급 라인(PL2a), 복수의 제2 화소 전원 라인들(PL2b), 및 제2 전원 브리지 라인(PL2c)을 포함한다. 제2 전원 공급 라인(PL2a)은 제2 방향(Y)과 나란하도록 단위 픽셀(UP)의 타측에 마련된 제2 여유 공간(SA2)에 배치될 수 있다.The second mesh power line PL2 includes a second power supply line PL2a, a plurality of second pixel power lines PL2b, and a second power supply line PL2c. The second power supply line PL2a may be arranged in the second clearance space SA2 provided on the other side of the unit pixel UP so as to be parallel to the second direction Y. [
복수의 제2 화소 전원 라인들(PL2b) 각각은 제2 전원 공급 라인(PL2a)과 나란하도록 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각의 일측에 배치된다. 이때, 복수의 제2 화소 전원 라인들(PL2b) 각각은 제2 전원 공급 라인(PL2a)과 전기적으로 분리될 수 있다.Each of the plurality of second pixel power supply lines PL2b is disposed on one side of each of the plurality of subpixels SP so as to be parallel with the second power supply line PL2a. At this time, each of the plurality of second pixel power supply lines PL2b may be electrically separated from the second power supply line PL2a.
제2 전원 브리지 라인(PL2c)은 제1 방향(X)과 나란하게 배치되고, 제2 전원 공급 라인(PL2a) 및 복수의 제2 화소 전원 라인들(PL2b) 각각과 교차할 수 있다. 제2 전원 브리지 라인(PL2c)은 복수의 제2 브리지 컨택홀들(BCH2)을 통해서 제2 전원 공급 라인(PL2a) 및 복수의 제2 화소 전원 라인들(PL2b) 각각에 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 복수의 제2 브리지 컨택홀들(BCH2) 각각은 제2 전원 브리지 라인(PL2c) 및 제2 전원 공급 라인(PL2a)의 교차부에 형성되고, 제2 전원 브리지 라인(PL2c)은 복수의 제2 브리지 컨택홀들(BCH2) 각각을 통해 제2 전원 공급 라인(PL2a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 복수의 제2 브리지 컨택홀들(BCH2) 각각은 제2 전원 브리지 라인(PL2c) 및 제2 화소 전원 라인(PL2b)의 교차부에 형성되고, 제2 전원 브리지 라인(PL2c)은 복수의 제2 브리지 컨택홀들(BCH2) 각각을 통해 복수의 제2 화소 전원 라인들(PL2b) 각각과 전기적으로 연결될 수 있다.The second power supply line PL2c is disposed in parallel with the first direction X and may intersect each of the second power supply line PL2a and each of the plurality of second pixel power supply lines PL2b. The second power supply bridge line PL2c may be electrically connected to the second power supply line PL2a and the plurality of second pixel power supply lines PL2b through the plurality of second bridge contact holes BCH2. That is, each of the plurality of second bridge contact holes BCH2 is formed at the intersection of the second power supply line PL2c and the second power supply line PL2a, and the second power supply line PL2c is formed at the intersection of the plurality And may be electrically connected to the second power supply line PL2a through each of the second bridge contact holes BCH2. Each of the second bridge contact holes BCH2 is formed at the intersection of the second power supply line PL2c and the second pixel power line PL2b and the second power supply line PL2c is formed at the intersection of the plurality And may be electrically connected to each of the plurality of second pixel power supply lines PL2b through each of the second bridge contact holes BCH2.
따라서, 제2 메쉬 전원 라인(PL2)은 제2 전원 공급 라인(PL2a), 복수의 제2 화소 전원 라인들(PL2b) 및 제2 전원 브리지 라인(PL2c)이 복수의 서브 픽셀들(SP) 각각의 주변에서 서로 연결되어 메쉬 형태를 가짐으로써 패널 로드를 감소시킬 수 있고, 제2 구동 전원의 전압 상승을 최소화할 수 있다. 이때, 제2 전원 브리지 라인(PL2c)이 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 또는 금(Au) 등의 저항이 낮은 금속 물질로 이루어질 경우, 패널 로드를 더욱 감소시킬 수 있고, 제2 구동 전원의 전압 상승을 더욱 감소시킬 수 있다.Accordingly, the second mesh power line PL2 is connected to the second power supply line PL2a, the plurality of second pixel power lines PL2b, and the second power supply line PL2c through the plurality of subpixels SP The panel load can be reduced and the voltage increase of the second driving power source can be minimized. At this time, when the second power supply line PL2c is made of a metal material having low resistance such as copper (Cu), silver (Ag), aluminum (Al), or gold (Au) , The voltage rise of the second driving power supply can be further reduced.
도 11은 도 7에 도시된 단위 픽셀에 마련된 오목부를 설명하기 위한 평면도이고, 도 12는 도 11에 도시된 III-III'의 단면도이다.FIG. 11 is a plan view for explaining a recess provided in the unit pixel shown in FIG. 7, and FIG. 12 is a sectional view of III-III 'shown in FIG.
도 11 및 도 12를 참조하면, 제1 단위 픽셀(UP1)을 구성하는 제1 내지 제3 서브 픽셀들(SP1, SP2, SP3) 각각은 제1 평탄화층(110)의 상면으로부터 오목하게 마련된 오목부(130)를 포함한다.11 and 12, each of the first through third sub-pixels SP1, SP2, and SP3 constituting the first unit pixel UP1 includes a concave portion provided concave from the top surface of the
먼저, 각 제1 단위 픽셀(UP1)에서, 제2 서브 픽셀(SP2)은 단위 픽셀 영역의 가운데에 마련되고, 제1 서브 픽셀(SP1)은 제2 서브 픽셀(SP2)의 일측에 마련되며, 제3 서브 픽셀(SP3)은 제2 서브 픽셀(SP2)의 타측에 마련될 수 있다.First, in each first unit pixel UP1, the second subpixel SP2 is provided at the center of the unit pixel region, the first subpixel SP1 is provided at one side of the second subpixel SP2, And the third sub-pixel SP3 may be provided on the other side of the second sub-pixel SP2.
제2 서브 픽셀(SP2)에 마련되는 오목부(130)는 평면적으로 사각 형태를 가지며, 제1 수평 축 방향(X)을 기준으로 오목부(130)의 중심 라인(CLg2)은 제2 서브 픽셀(SP2)의 제2 중심 라인(CL2)과 매칭된다. 예를 들어, 제2 서브 픽셀(SP2)의 오목부(130)는 제1 단위 픽셀(UP1)의 정중앙부에 마련될 수 있다. 이에 따라, 제2 서브 픽셀(SP2)에 마련된 오목부(130)의 중심부(또는 정중앙부)와 기판(100)의 외측면 사이의 거리(L)는 기준 픽셀 피치(P)의 절반 이하(P/2)로 설정될 수 있다.The
제1 서브 픽셀(SP1)에 마련되는 오목부(130)는 평면적으로 사각 형태를 가지면서 제2 서브 픽셀(SP2)에 마련되는 오목부(130)에 근접하도록 마련된다. 즉, 제1 수평 축 방향(X)을 기준으로 제1 서브 픽셀(SP1)에 마련되는 오목부(130)의 중심 라인(CLg1)은 제1 서브 픽셀(SP1)의 중심 라인(CL1)으로부터 제1 거리(d1)만큼 제2 서브 픽셀(SP2) 쪽으로 이격된 위치에 마련될 수 있다.The
제3 서브 픽셀(SP3)에 마련되는 오목부(130)는 평면적으로 사각 형태를 가지면서 제2 서브 픽셀(SP2)에 마련되는 오목부(130)에 근접하도록 마련될 수 있다. 즉, 제1 수평 축 방향(X)을 기준으로 제3 서브 픽셀(SP3)에 마련되는 오목부(130)의 중심 라인(CLg3)은 제3 서브 픽셀(SP3)의 중심 라인(CL3)으로부터 제2 거리(d2)만큼 제2 서브 픽셀(SP2) 쪽으로 이격된 위치에 마련된다.The
각 제1 단위 픽셀(UP1)의 제1 내지 제3 서브 픽셀들(SP1, SP2, SP3) 각각은 제1 수평 축 방향(X)을 기준으로 서로 동일한 폭(Wa)을 가질 수 있다.Each of the first to third sub pixels SP1, SP2 and SP3 of each first unit pixel UP1 may have the same width Wa on the basis of the first horizontal axis direction X. [
각 제1 단위 픽셀(UP1)에서, 제 1 내지 제 3 서브 픽셀(SP1, SP2, SP3) 각각에 마련된 오목부(130)는 제1 단위 픽셀(UP1)의 정중앙부에 집중되도록 마련될 수 있다. 각 제1 단위 픽셀(UP1)은 설정된 해상도에 대응되는 제1 폭을 가지며, 복수의 제1 단위 픽셀(UP1)은 기준 픽셀 피치(P)를 가지도록 마련된다. 여기에서, 기준 픽셀 피치(P)는 제1 수평 축 방향(X)을 기준으로, 인접한 2개의 제1 단위 픽셀(UP1)의 중심부(또는 정중앙부) 사이의 거리로 정의될 수 있다. 다시 말하여, 기준 픽셀 피치(P)는 제1 수평 축 방향(X)을 기준으로 인접한 2개의 제1 단위 픽셀(UP1)에 마련된 동일한 서브 픽셀 사이의 거리로 정의될 수 있다. 즉, 기준 픽셀 피치(P)는 인접한 2개의 제1 단위 픽셀(UP1) 각각의 제2 서브 픽셀(SP2)에 배치된 발광 소자(ED) 사이의 거리로 정의될 수 있다. 예를 들어, 제1 단위 픽셀(UP1)이 적색 서브 픽셀(SP1), 녹색 서브 픽셀(SP2), 및 청색 서브 픽셀(SP3)로 구성될 수 있는데, 이 경우, 기준 픽셀 피치(P)는 제1 수평 축 방향(X)을 기준으로, 적색 서브 픽셀(SP1) 각각에 마련된 오목부(130)(또는 발광 소자(ED))들 간의 거리, 녹색 서브 픽셀(SP2) 각각에 마련된 오목부(130)들 간의 거리, 또는 녹색 서브 픽셀(SP2) 각각에 마련된 오목부(130)들 간의 거리일 수 있다.In each first unit pixel UP1, the
제2 단위 픽셀(UP2)에서, 제2 서브 픽셀(SP2)은 단위 픽셀 영역의 가운데에 마련되고, 제1 서브 픽셀(SP1)은 제2 서브 픽셀(SP2)의 일측에 마련되며, 제3 서브 픽셀(SP3)은 제2 서브 픽셀(SP2)의 타측에 마련되면서 기판(100)의 외측면에 인접하게 마련될 수 있다. 여기에서, 기판(100)의 외측면은 기판(100)의 전면(Front Surface)(100a) 끝단과 수직을 이루는 측벽으로 정의되거나 외부로 노출되는 기판(100)의 최외곽 측면으로 정의될 수 있다. 즉, 기판(100)의 측벽은 외부로 직접 노출될 수 있고, 라우팅 라인과 보호층 등의 구조물에 의해 은폐되어 외부로 직접 노출되지 않을 수 있다. 따라서, 기판(100)의 외측면은 외부로 노출되는 기판(100)의 최외곽 측면으로 정의될 수 있다.In the second unit pixel UP2, the second sub-pixel SP2 is provided in the center of the unit pixel region, the first sub-pixel SP1 is provided at one side of the second sub-pixel SP2, The pixel SP3 may be provided on the other side of the second sub-pixel SP2 and adjacent to the outer side of the
각 제2 단위 픽셀(UP2)에서 제1 내지 제3 서브 픽셀들(SP1, SP2, SP3) 각각에 마련되는 오목부(130)는 제1 단위 픽셀(UP1)의 오목부와 동일하므로 이에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다.The
각 제2 단위 픽셀(UP2)에서, 제1 및 제2 서브 픽셀들(SP1, SP2) 각각은 제1 단위 픽셀(UP1)과 이웃하기 때문에 제1 단위 픽셀(UP1)의 서브 픽셀들의 폭과 동일한 폭(Wa)을 갖도록 마련될 수 있다.In each second unit pixel UP2, each of the first and second subpixels SP1 and SP2 is adjacent to the first unit pixel UP1, and therefore, the widths of the subpixels of the first unit pixel UP1 are the same And may have a width Wa.
반면에, 각 제2 단위 픽셀(UP2)의 제3 서브 픽셀(SP3)은 제1 및 제2 서브 픽셀(SP1, SP2)의 폭(Wa)은 좁은 폭(Wb)을 갖도록 마련된다. 구체적으로, 각 제2 단위 픽셀(UP2)에서 오목부(130)가 단위 픽셀에 정중앙부에 집중적으로 모여 마련되기 때문에 제3 서브 픽셀(SP3)의 영역 중 기판(100)의 비표시 영역에 인접한 영역 일부가 제거되더라도 해당 단위 픽셀(UP2)에 표시되는 영상의 화질에 아무런 영향을 미치지 않는다. 이에 따라, 제1 수평 축 방향(X)을 기준으로 제3 서브 픽셀(SP3)의 폭(Wb)은 제3 서브 픽셀(SP3)에 실장되는 발광 소자(ED)가 제3 서브 픽셀(SP3)의 중심 라인(CL3)을 기준으로 제2 서브 픽셀(SP2) 쪽으로 치우치는 거리(d2)만큼 감소될 수 있다. 이때, 제2 단위 픽셀(UP2)과 기판(100)의 외측면 사이의 최대 거리(L)는 복수의 제1 단위 픽셀들(UP1)이 갖는 기준 픽셀 피치(P)의 절반(P/2) 이하, 즉 기준 픽셀 피치(P)의 절반과 동일하거나 작도록 설정될 수 있다. 따라서, 본 예에 따른 발광 다이오드 표시 장치는 기판(100)의 베젤 영역에 인접한 제2 단위 픽셀(UP2) 중 제3 서브 픽셀(SP3)의 크기가 감소됨에 따라 멀티 스크린 장치에서 서로 연결된 표시 장치 사이의 경계부를 최소화하는데 적합한 베젤 폭을 갖는다.On the other hand, the third subpixel SP3 of each second unit pixel UP2 is provided such that the width Wa of the first and second subpixels SP1 and SP2 has a narrow width Wb. Specifically, since the
도 13은 본 출원의 예에 따른 멀티 스크린 표시 장치를 설명하기 위한 도면이고, 도 14는 도 13에 도시된 선 IV-IV'의 단면도이다.FIG. 13 is a view for explaining a multi-screen display device according to the example of the present application, and FIG. 14 is a cross-sectional view taken along the line IV-IV 'shown in FIG.
도 13 및 도 14를 참조하면, 멀티 스크린 표시 장치는 복수의 스크린 모듈들(300-1, 300-2, 300-3, 300-4) 및 하우징(400)을 포함한다.13 and 14, the multi-screen display device includes a plurality of screen modules 300-1, 300-2, 300-3, and 300-4, and a
복수의 스크린 모듈들(300-1, 300-2, 300-3, 300-4) 각각은 N(N은 2 이상의 양의 정수)*M(M은 2 이상의 양의 정수) 형태로 배치됨으로써 개별 영상을 표시하거나 하나의 영상을 분할하여 표시할 할 수 있다. 여기에서, 복수의 스크린 모듈들(300-1, 300-2, 300-3, 300-4) 각각은 도 1 내지 도 12에 도시된 본 출원에 따른 발광 다이오드 표시 장치를 포함하는 것으로, 이에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다.Each of the plurality of screen modules 300-1, 300-2, 300-3 and 300-4 is arranged in the form of N (N is a positive integer of 2 or more) * M (M is a positive integer of 2 or more) An image can be displayed or a single image can be divided and displayed. Here, each of the plurality of screen modules 300-1, 300-2, 300-3, and 300-4 includes a light emitting diode display device according to the present application shown in Figs. 1 to 12, Duplicate description will be omitted.
일 예에 따르면, 복수의 스크린 모듈(300-1, 300-2, 300-3, 300-4) 각각은 기판(100)의 외측벽의 외측면에 마련된 모듈 연결 부재(500)를 매개로 하여 측면끼리 서로 부착될 수 있다. 모듈 연결 부재(500)는 격자 형태로 배열된 인접한 2개의 스크린 모듈들(300-1, 300-2, 300-3, 300-4)을 측면끼리 연결함으로써 멀티 스크린 표시 장치를 구현할 수 있다. 예를 들어, 모듈 연결 부재(500)는 인접한 2개의 스크린 모듈들(300-1, 300-2, 300-3, 300-4) 사이의 공간을 최소화하기 위하여, 상대적으로 얇은 두께로 형성할 수 있는 접착제 또는 양면 테이프로 이루어지는 것이 바람직하다.Each of the plurality of screen modules 300-1, 300-2, 300-3, and 300-4 includes a
일 예에 따르면, 복수의 스크린 모듈들(300-1, 300-2, 300-3, 300-4) 각각에서, 제2 단위 픽셀(UP2)과 기판(100)의 외측벽의 외측면 사이의 최대 거리(L)는 복수의 제1 단위 픽셀들(UP1)이 갖는 기준 픽셀 피치(P)의 절반(P/2) 이하로 구현될 수 있다. 이에 따라, 모듈 연결 부재(500)를 사이에 두고 측면끼리 결합된 인접한 2개의 스크린 모듈들 각각의 제2 단위 픽셀(UP2) 간의 최대 거리는 기준 픽셀 피치(P) 이하를 가질 수 있다. 다시 말하여, 인접한 2개의 스크린 모듈들 각각의 제2 단위 픽셀(UP2) 간의 픽셀 피치는 스크린 모듈들 각각에 마련된 제1 단위 픽셀(UP1)의 기준 픽셀 피치(P)와 동일하거나 작을 수 있다. 따라서, 멀티 스크린 표시 장치는 복수의 스크린 모듈들(300-1, 300-2, 300-3, 300-4) 사이에 마련되는 경계부에 의한 암부 발생 영역이 최소화되거나 제거될 수 있고, 이로 인하여 전체 화면에 단절감이 최소화된 영상을 표시할 수 있다.According to one example, in each of the plurality of screen modules 300-1, 300-2, 300-3, and 300-4, a maximum value between the second unit pixel UP2 and the outer surface of the outer wall of the
하우징(400)은 복수의 스크린 모듈(300-1, 300-2, 300-3, 300-4) 각각의 후면 가장자리를 지지하면서 복수의 스크린 모듈(300-1, 300-2, 300-3, 300-4)의 후면을 덮을 수 있다. 일 예에 따르면, 하우징(400)은 복수의 스크린 모듈들(300-1, 300-2, 300-3, 300-4)의 후면을 덮는 하우징 플레이트(410), 하우징 플레이트(410)에 수직하게 마련되어 복수의 스크린 모듈(300-1, 300-2, 300-3, 300-4) 각각의 후면 가장자리를 지지하는 하우징 측벽(430)을 포함할 수 있다.The
일 예에 따르면, 하우징 플레이트(410)는 복수의 스크린 모듈(300-1, 300-2, 300-3, 300-4) 각각의 후면 전체를 덮는 단일 몸체로 이루어질 수 있다. 다른 예에 따르면, 하우징 플레이트(410)는 복수의 스크린 모듈(300-1, 300-2, 300-3, 300-4) 각각의 후면과 중첩되도록 복수의 분할 플레이트로 이루어질 수 있다.According to an example, the
하우징 측벽(430)은 복수의 스크린 모듈(300-1, 300-2, 300-3, 300-4) 각각의 후면 가장자리와 중첩되는 하우징 플레이트(410)의 상면으로부터 수직하게 설치되어 복수의 스크린 모듈들(300-1, 300-2, 300-3, 300-4) 각각의 후면 가장자리를 개별적으로 지지할 수 있다. 이때, 하우징 측벽은 모듈 지지 부재(450)를 통해 복수의 스크린 모듈들(300-1, 300-2, 300-3, 300-4) 각각의 후면 가장자리를 지지할 수 있다. 여기에서, 모듈 지지 부재(450)는 탄성 부재, 폼 패드, 양면 테이프 등으로 구현될 수 있다.The
추가적으로, 하우징(400)은 하우징 플레이트(410)와 하우징 측벽(430)을 포함하는 복수의 모듈 하우징들을 포함할 수 있다. 복수의 모듈 하우징들 각각은 개별적으로 복수의 스크린 모듈들(300-1, 300-2, 300-3, 300-4)의 후면 가장자리를 지지하면서 복수의 스크린 모듈들(300-1, 300-2, 300-3, 300-4)의 후면을 덮을 수 있다. 이 경우, 하우징(400)은 복수의 모듈 하우징들 사이에 마련된 하우징 결합 부재(600)를 포함할 수 있다. 하우징 결합 부재(600)는 인접한 모듈 하우징 사이의 갭 공간에 삽입되고, 볼트 또는 스크류 등의 체결 부재에 의해 인접한 모듈 하우징 각각의 하우징 플레이트(410)에 고정될 수 있다.Additionally, the
이와 같은, 본 예에 따른 멀티 스크린 장치는 본 출원에 따른 발광 다이오드 표시 장치로 구성된 복수의 스크린 모듈(300-1, 300-2, 300-3, 300-4)를 포함함으로써 스크린 모듈(300-1, 300-2, 300-3, 300-4) 사이에 마련되는 경계부에 의한 암부 발생 영역이 최소화되거나 제거됨에 따라 전체 화면에 단절감이 최소화된 영상을 표시할 수 있다.The multi-screen device according to the present exemplary embodiment includes a plurality of screen modules 300-1, 300-2, 300-3, and 300-4 including the light emitting diode display device according to the present application, 1, 300 - 2, 300 - 3, and 300 - 4 is minimized or eliminated, the image with the minimum discontinuity can be displayed on the entire screen.
도 15a 및 도 15b는 종래의 멀티 스크린 표시 장치와 본 출원에 따른 멀티 스크린 표시 장치 각각에 표시되는 영상을 나타내는 도면들이다.15A and 15B are views showing images displayed on each of the conventional multi-screen display device and the multi-screen display device according to the present application.
먼저, 도 15a를 참조하면, 종래의 멀티 스크린 표시 장치는 복수의 발광 다이오드 표시 장치들 각각의 표시 영역(AA)에만 영상이 표시됨으로써 복수의 발광 다이오드 표시 장치들 각각의 전면 케이스에 따른 베젤 영역(BA)으로 인하여 서로 연결된 표시 장치들 사이의 경계 부분에서 암부가 발생하게 되고, 이러한 경계 부분의 암부로 인하여 전체 화면에 단절된 영상이 표시되는 것을 알 수 있다.15A, a conventional multi-screen display device displays an image only in a display area AA of each of a plurality of light emitting diode display devices, so that a bezel area corresponding to a front case of each of the plurality of light emitting diode display devices BA, the dark portions are generated at the boundary portion between the display devices connected to each other, and it is seen that the disconnected image is displayed on the entire screen due to the dark portion of the boundary portion.
반면에, 도 15b를 참조하면, 본 출원에 따른 멀티 스크린 표시 장치는 측면끼리 연결된 인접한 2개의 스크린 모듈들 각각의 제2 단위 픽셀 간의 픽셀 피치가 제1 단위 픽셀의 기준 픽셀 피치와 동일하거나 작음으로써 복수의 스크린 모듈 사이에 마련되는 경계부에 의한 암부 발생 영역이 최소화되거나 제거됨에 따라 전체 화면에 단절감이 최소화된 영상이 표시되는 것을 알 수 있다.On the other hand, referring to FIG. 15B, the multi-screen display device according to the present application has a structure in which the pixel pitch between the second unit pixels of each of two adjacent screen modules connected to each other is equal to or smaller than the reference pixel pitch of the first unit pixel It can be seen that an image in which the sense of disconnection is minimized is displayed on the entire screen as the dark area generated by the boundary between the plurality of screen modules is minimized or eliminated.
결과적으로, 본 출원에 따른 멀티 스크린 표시 장치는 복수의 스크린 모듈들이 격자 형태를 가지도록 측면끼리 연결되더라도 전체 화면에 단절감이 최소화된 하나의 영상을 표시할 수 있으며, 이를 통해 대형 크기의 화면에 표시되는 영상의 몰입도를 향상시킬 수 있다.As a result, in the multi-screen display apparatus according to the present invention, even if the plurality of screen modules are connected to each other so as to have a lattice form, one image can be displayed on the entire screen with minimal discontinuity, It is possible to improve the degree of immersion of the image.
본 출원의 실시예에 따른 표시장치는 아래와 같이 설명될 수 있다.The display device according to the embodiment of the present application can be described as follows.
본 출원에 따른 발광 다이오드 표시 장치는 기판, 기판의 중앙 영역에 마련된 제1 단위 픽셀, 및 중앙 영역의 제1 측에 위치한 기판의 제1 가장자리에 마련된 제2 단위 픽셀을 포함하고, 제1 단위 픽셀 및 제2 단위 픽셀 각각은 복수의 서브 픽셀들을 가지며, 제2 단위 픽셀은 상기 복수의 서브 픽셀들에 신호 인가를 위한 제1 패드부를 더 포함할 수 있다.A light emitting diode display device according to the present application includes a substrate, a first unit pixel provided at a central region of the substrate, and a second unit pixel provided at a first edge of the substrate located at a first side of the central region, And each of the second unit pixels has a plurality of subpixels, and the second unit pixel further includes a first pad unit for applying a signal to the plurality of subpixels.
본 출원의 몇몇 실시예에 따르면, 제2 단위 픽셀은 상기 제1 단위 픽셀보다 작은 크기를 가질 수 있다.According to some embodiments of the present application, the second unit pixel may have a smaller size than the first unit pixel.
본 출원의 몇몇 실시예에 따르면, 제1 단위 픽셀은 제1 방향을 따라 복수의 서브 픽셀들의 양측에 배치된 제1 및 제2 전원 공급 라인들 및 제1 방향과 직교하는 제2 방향을 따라 복수의 서브 픽셀들의 양측에 배치된 제1 및 제2 전원 브리지 라인들을 더 포함하고, 제1 전원 브리지 라인은 제1 전원 공급 라인과 복수의 서브 픽셀들 각각을 연결하고, 제2 전원 브리지 라인은 제2 전원 공급 라인과 복수의 서브 픽셀들 각각을 연결할 수 있다.According to some embodiments of the present application, a first unit pixel includes first and second power supply lines disposed on both sides of a plurality of sub-pixels along a first direction, and a plurality of second power supply lines arranged along a second direction orthogonal to the first direction. The first power supply line connects the first power supply line and each of the plurality of subpixels, and the second power supply line connects the first power supply line and the second power supply line, 2 power supply lines and a plurality of sub-pixels, respectively.
본 출원의 몇몇 실시예에 따르면, 제2 단위 픽셀은 제1 방향을 따라 제1 패드부의 반대측에 배치된 제2 전원 공급 라인 및 제1 방향과 직교하는 제2 방향을 따라 복수의 서브 픽셀들의 양측에 배치된 제1 및 제2 전원 브리지 라인들을 더 포함하고, 제2 전원 브리지 라인은 제2 전원 공급 라인과 복수의 서브 픽셀들 각각을 연결할 수 있다.According to some embodiments of the present application, the second unit pixel includes a second power supply line disposed on the opposite side of the first pad portion along the first direction and a second power supply line disposed on both sides of the plurality of subpixels along the second direction orthogonal to the first direction And the second power supply line may connect each of the plurality of subpixels with the second power supply line.
본 출원의 몇몇 실시예에 따르면, 발광 다이오드 표시 장치는 중앙 영역의 제1 측과 다른 제2 측에 위치한 기판의 제2 가장자리에 마련되고, 복수의 서브 픽셀들 및 복수의 서브 픽셀들에 신호 인가를 위한 제2 패드부를 갖는 제3 단위 픽셀을 더 포함할 수 있다.According to some embodiments of the present application, a light emitting diode display is provided at a second edge of a substrate located on a second side different from the first side of the central region, and a plurality of sub-pixels and a plurality of sub- And a third unit pixel having a second pad portion for the second unit pixel.
본 출원의 몇몇 실시예에 따르면, 제3 단위 픽셀은 제1 단위 픽셀보다 작은 크기를 가질 수 있다.According to some embodiments of the present application, the third unit pixel may have a smaller size than the first unit pixel.
본 출원의 몇몇 실시예에 따르면, 제3 단위 픽셀은 제1 방향을 따라 복수의 서브 픽셀들의 양측에 배치된 제1 및 제2 전원 공급 라인들 및 제1 방향과 직교하는 제2 방향을 따라 제2 패드부의 반대측에 배치된 제1 및 제2 전원 브리지 라인들을 더 포함하고, 제1 전원 브리지 라인은 제1 전원 공급 라인과 복수의 서브 픽셀들 각각을 연결하고, 제2 전원 브리지 라인은 제2 전원 공급 라인과 복수의 서브 픽셀들 각각을 연결할 수 있다.According to some embodiments of the present application, the third unit pixel includes first and second power supply lines disposed on both sides of the plurality of subpixels along a first direction, and first and second power supply lines disposed on both sides of the plurality of subpixels along a second direction orthogonal to the first direction. The first power supply line connects the first power supply line and each of the plurality of subpixels and the second power supply line connects the second power supply line to the second power supply line, The power supply line and each of the plurality of sub-pixels may be connected.
본 출원의 몇몇 실시예에 따르면, 발광 다이오드 표시 장치는 기판의 제1 가장자리와 제2 가장자리의 사이에 위치한 제1 모서리에 마련되고, 복수의 서브 픽셀들 및 복수의 서브 픽셀들에 신호 인가를 위한 제1 패드부 및 제2 패드부를 갖는 제4 단위 픽셀을 더 포함할 수 있다.According to some embodiments of the present application, a light emitting diode display is provided at a first edge located between a first edge and a second edge of a substrate, and is provided with a plurality of sub-pixels and a plurality of sub- And a fourth unit pixel having a first pad portion and a second pad portion.
본 출원의 몇몇 실시예에 따르면, 제4 단위 픽셀은 제1, 제2 및 제3 단위 픽셀들보다 작은 크기를 가질 수 있다.According to some embodiments of the present application, the fourth unit pixel may have a smaller size than the first, second, and third unit pixels.
본 출원의 몇몇 실시예에 따르면, 제4 단위 픽셀은 제1 방향을 따라 제1 패드부의 반대측에 배치된 제2 전원 공급 라인 및 제1 방향과 직교하는 제2 방향을 따라 복수의 서브 픽셀들의 일측에 배치된 제1 및 제2 전원 브리지 라인들을 더 포함하고, 제2 전원 브리지 라인은 제2 전원 공급 라인과 복수의 서브 픽셀들 각각을 연결할 수 있다.According to some embodiments of the present application, the fourth unit pixel includes a second power supply line disposed on the opposite side of the first pad portion along the first direction and a second power supply line disposed on one side of the plurality of subpixels along the second direction orthogonal to the first direction And the second power supply line may connect each of the plurality of subpixels with the second power supply line.
본 출원의 몇몇 실시예에 따르면, 발광 다이오드 표시 장치는 중앙 영역의 제1 측과 반대되는 제3 측에 위치한 기판의 제3 가장자리에 마련되고, 복수의 서브 픽셀들을 갖는 제5 단위 픽셀을 더 포함할 수 있다.According to some embodiments of the present application, the light emitting diode display further comprises a fifth unit pixel, provided on a third edge of the substrate located on a third side opposite the first side of the central region, and having a plurality of subpixels can do.
본 출원의 몇몇 실시예에 따르면, 제5 단위 픽셀은 제1 단위 픽셀보다 작은 크기를 가질 수 있다.According to some embodiments of the present application, the fifth unit pixel may have a size smaller than the first unit pixel.
본 출원의 몇몇 실시예에 따르면, 제5 단위 픽셀은 제1 방향을 따라 복수의 서브 픽셀들의 일측에 배치된 제1 전원 공급 라인 및 제1 방향과 직교하는 제2 방향을 따라 복수의 서브 픽셀들의 양측에 배치된 제1 및 제2 전원 브리지 라인들을 더 포함하고, 제1 전원 브리지 라인은 제1 전원 공급 라인과 복수의 서브 픽셀들 각각을 연결할 수 있다.According to some embodiments of the present application, the fifth unit pixel includes a first power supply line disposed on one side of a plurality of subpixels along a first direction, and a plurality of subpixels along a second direction orthogonal to the first direction, The first power supply line may further include first and second power supply lines disposed on both sides, and the first power supply line may connect each of the plurality of subpixels with the first power supply line.
본 출원의 몇몇 실시예에 따르면, 발광 다이오드 표시 장치는 기판의 제2 가장자리와 제3 가장자리의 사이에 위치한 제2 모서리에 마련되어, 복수의 서브 픽셀들 및 복수의 서브 픽셀들에 신호 인가를 위한 제2 패드부를 갖는 제6 단위 픽셀을 더 포함할 수 있다.According to some embodiments of the present application, a light emitting diode display is provided at a second corner located between a second edge and a third edge of the substrate, and includes a plurality of sub-pixels and a plurality of sub- And a sixth unit pixel having two pad portions.
본 출원의 몇몇 실시예에 따르면, 제6 단위 픽셀은 제1, 제2, 제3 및 제5 단위 픽셀들보다 작은 크기를 가질 수 있다.According to some embodiments of the present application, the sixth unit pixel may have a smaller size than the first, second, third, and fifth unit pixels.
본 출원의 몇몇 실시예에 따르면, 제6 단위 픽셀은 제1 방향을 따라 복수의 서브 픽셀들의 일측에 배치된 제1 전원 공급 라인 및 제1 방향과 직교하는 제2 방향을 따라 제2 패드부의 반대측에 배치된 제1 및 제2 전원 브리지 라인들을 더 포함하고, 제1 전원 브리지 라인은 제1 전원 공급 라인과 복수의 서브 픽셀들 각각을 연결할 수 있다.According to some embodiments of the present application, the sixth unit pixel includes a first power supply line disposed on one side of the plurality of subpixels along a first direction, and a second power supply line disposed on the opposite side of the second pad unit along a second direction orthogonal to the first direction And the first power supply bridge line may connect each of the plurality of subpixels with the first power supply line.
본 출원의 몇몇 실시예에 따르면, 발광 다이오드 표시 장치는 중앙 영역의 제2 측과 반대되는 제4 측에 위치한 기판의 제4 가장자리에 마련되고, 복수의 서브 픽셀들을 갖는 제7 단위 픽셀을 더 포함할 수 있다.According to some embodiments of the present application, the light emitting diode display further comprises a seventh unit pixel provided at the fourth edge of the substrate located on the fourth side opposite the second side of the central region and having a plurality of subpixels can do.
본 출원의 몇몇 실시예에 따르면, 제7 단위 픽셀은 제1 단위 픽셀보다 작은 크기를 가질 수 있다.According to some embodiments of the present application, the seventh unit pixel may have a size smaller than the first unit pixel.
본 출원의 몇몇 실시예에 따르면, 제7 단위 픽셀은 제1 방향을 따라 복수의 서브 픽셀들의 양측에 배치된 제1 및 제2 전원 공급 라인들 및 제1 방향과 직교하는 제2 방향을 따라 복수의 서브 픽셀들의 일측에 배치된 제1 및 제2 전원 브리지 라인들을 더 포함하고, 제1 전원 브리지 라인은 제1 전원 공급 라인과 복수의 서브 픽셀들 각각을 연결하고, 제2 전원 브리지 라인은 제2 전원 공급 라인과 복수의 서브 픽셀들 각각을 연결할 수 있다.According to some embodiments of the present application, the seventh unit pixel includes first and second power supply lines disposed on both sides of a plurality of sub-pixels along a first direction, and a plurality of second power supply lines arranged along a second direction orthogonal to the first direction. Wherein the first power supply bridge line connects the first power supply line and each of the plurality of subpixels and the second power supply bridge line connects the first power supply line and the second power supply line, 2 power supply lines and a plurality of sub-pixels, respectively.
본 출원의 몇몇 실시예에 따르면, 발광 다이오드 표시 장치는 기판의 제1 가장자리와 제4 가장자리의 사이에 위치한 제3 모서리에 마련되어, 복수의 서브 픽셀들 및 복수의 서브 픽셀들에 신호 인가를 위한 제1 패드부를 갖는 제8 단위 픽셀을 더 포함할 수 있다.According to some embodiments of the present application, a light emitting diode display is provided at a third corner located between a first edge and a fourth edge of the substrate and includes a plurality of sub-pixels and a plurality of sub- And an eighth unit pixel having one pad portion.
본 출원의 몇몇 실시예에 따르면, 제8 단위 픽셀은 제1, 제2, 제3, 제5 및 제7 단위 픽셀들보다 작은 크기를 가질 수 있다.According to some embodiments of the present application, the eighth unit pixel may have a size smaller than the first, second, third, fifth, and seventh unit pixels.
본 출원의 몇몇 실시예에 따르면, 제8 단위 픽셀은 제1 방향을 따라 제1 패드부의 반대측에 배치된 제2 전원 공급 라인 및 제1 방향과 직교하는 제2 방향을 따라 복수의 서브 픽셀들의 일측에 배치된 제1 및 제2 전원 브리지 라인들을 더 포함하고, 제2 전원 브리지 라인은 제2 전원 공급 라인과 복수의 서브 픽셀들 각각을 연결할 수 있다.According to some embodiments of the present application, the eighth unit pixel includes a second power supply line disposed on the opposite side of the first pad portion along the first direction and a second power supply line disposed on one side of the plurality of subpixels along the second direction orthogonal to the first direction And the second power supply line may connect each of the plurality of subpixels with the second power supply line.
본 출원의 몇몇 실시예에 따르면, 발광 다이오드 표시 장치는 기판의 제3 가장자리와 제4 가장자리의 사이에 위치한 제4 모서리에 마련되어, 복수의 서브 픽셀들을 갖는 제9 단위 픽셀을 더 포함할 수 있다.According to some embodiments of the present application, the light emitting diode display may further include a ninth unit pixel provided at a fourth corner located between the third edge and the fourth edge of the substrate, the ninth unit pixel having a plurality of subpixels.
본 출원의 몇몇 실시예에 따르면, 제9 단위 픽셀은 제1, 제2, 제3, 제5 및 제7 단위 픽셀들보다 작은 크기를 가질 수 있다.According to some embodiments of the present application, the ninth unit pixel may have a size smaller than the first, second, third, fifth, and seventh unit pixels.
본 출원의 몇몇 실시예에 따르면, 제9 단위 픽셀은 제1 방향을 따라 복수의 서브 픽셀들의 일측에 배치된 제1 전원 공급 라인 및 제1 방향과 직교하는 제2 방향을 따라 복수의 서브 픽셀들의 일측에 배치된 제1 및 제2 전원 브리지 라인들을 더 포함하고, 제1 전원 브리지 라인은 제1 전원 공급 라인과 복수의 서브 픽셀들 각각을 연결할 수 있다.According to some embodiments of the present application, the ninth unit pixel includes a first power supply line disposed on one side of a plurality of subpixels along a first direction and a plurality of subpixels along a second direction orthogonal to the first direction, The first power supply bridge line may connect the first power supply line and each of the plurality of subpixels.
본 출원에 따른 멀티 스크린 표시 장치는 발광 다이오드 표시 장치를 갖는 복수의 스크린 모듈 및 복수의 스크린 모듈을 측면끼리 연결하는 복수의 모듈 연결 부재를 포함하며, 발광 다이오드 표시 장치는 기판, 기판의 중앙 영역에 마련된 제1 단위 픽셀, 및 중앙 영역의 제1 측에 위치한 기판의 제1 가장자리에 마련된 제2 단위 픽셀을 포함하고, 제1 단위 픽셀 및 제2 단위 픽셀 각각은 복수의 서브 픽셀들을 가지며, 제2 단위 픽셀은 복수의 서브 픽셀들에 신호 인가를 위한 제1 패드부를 더 포함할 수 있다.A multi-screen display device according to the present application includes a plurality of screen modules each having a light emitting diode display device and a plurality of module connecting members connecting the plurality of screen modules with each other, the light emitting diode display device including a substrate, And a second unit pixel provided at a first edge of the substrate located on a first side of the central region, wherein each of the first unit pixel and the second unit pixel has a plurality of subpixels, The unit pixel may further include a first pad portion for applying a signal to the plurality of subpixels.
본 출원의 몇몇 실시예에 따르면, 모듈 연결 부재를 사이에 두고 인접한 2개의 스크린 모듈 각각의 단위 픽셀 간의 최대 거리는 제1 단위 픽셀의 기준 픽셀 피치 이하이며, 기준 픽셀 피치는 인접한 2개의 제1 단위 픽셀의 중심부 간의 거리일 수 있다.According to some embodiments of the present application, the maximum distance between the unit pixels of each of the two screen modules adjacent to each other with the module connecting member therebetween is less than the reference pixel pitch of the first unit pixel, and the reference pixel pitch is the distance between the adjacent two first unit pixels As shown in FIG.
이상에서 설명한 본 출원은 전술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 출원의 기술적 사항을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 출원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 그러므로, 본 출원의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 출원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Will be clear to those who have knowledge of. Therefore, the scope of the present application is to be defined by the appended claims, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included within the scope of the present application.
10: 발광 다이오드 표시 장치
100: 기판
300: 스크린 모듈
400: 하우징
500: 모듈 연결 부재
600: 하우징 결합 부재10: Light emitting diode display device 100: substrate
300: Screen module 400: Housing
500: module connecting member 600: housing connecting member
Claims (27)
상기 기판의 중앙 영역에 마련된 제1 단위 픽셀; 및
상기 중앙 영역의 제1 측에 위치한 상기 기판의 제1 가장자리에 마련된 제2 단위 픽셀을 포함하고,
상기 제1 단위 픽셀 및 상기 제2 단위 픽셀 각각은 복수의 서브 픽셀들을 가지며,
상기 제2 단위 픽셀은 상기 복수의 서브 픽셀들에 신호 인가를 위한 제1 패드부를 더 포함하는, 발광 다이오드 표시 장치.Board;
A first unit pixel arranged in a central region of the substrate; And
And a second unit pixel provided at a first edge of the substrate, the second unit pixel being located at a first side of the central region,
Wherein each of the first unit pixel and the second unit pixel has a plurality of subpixels,
Wherein the second unit pixel further comprises a first pad portion for applying a signal to the plurality of subpixels.
상기 제2 단위 픽셀은 상기 제1 단위 픽셀보다 작은 크기를 갖는, 발광 다이오드 표시 장치.The method according to claim 1,
Wherein the second unit pixel has a smaller size than the first unit pixel.
상기 제1 단위 픽셀은,
제1 방향을 따라 상기 복수의 서브 픽셀들의 양측에 배치된 제1 및 제2 전원 공급 라인들; 및
상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향을 따라 상기 복수의 서브 픽셀들의 양측에 배치된 제1 및 제2 전원 브리지 라인들을 더 포함하고,
상기 제1 전원 브리지 라인은 상기 제1 전원 공급 라인과 상기 복수의 서브 픽셀들 각각을 연결하고, 상기 제2 전원 브리지 라인은 상기 제2 전원 공급 라인과 상기 복수의 서브 픽셀들 각각을 연결하는, 발광 다이오드 표시 장치.The method according to claim 1,
The first unit pixel includes:
First and second power supply lines disposed on both sides of the plurality of sub-pixels along a first direction; And
Further comprising first and second power supply bridge lines disposed on both sides of the plurality of sub-pixels along a second direction orthogonal to the first direction,
Wherein the first power supply bridge line couples the first power supply line and each of the plurality of subpixels and the second power supply bridge line connects each of the plurality of subpixels with the second power supply line, Light emitting diode display.
상기 제2 단위 픽셀은,
상기 제1 방향을 따라 상기 제1 패드부의 반대측에 배치된 제2 전원 공급 라인; 및
상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향을 따라 상기 복수의 서브 픽셀들의 양측에 배치된 제1 및 제2 전원 브리지 라인들을 더 포함하고,
상기 제2 전원 브리지 라인은 상기 제2 전원 공급 라인과 상기 복수의 서브 픽셀들 각각을 연결하는, 발광 다이오드 표시 장치.The method according to claim 1,
Wherein the second unit pixel comprises:
A second power supply line disposed on the opposite side of the first pad portion along the first direction; And
Further comprising first and second power supply bridge lines disposed on both sides of the plurality of sub-pixels along a second direction orthogonal to the first direction,
And the second power supply bridge line connects the second power supply line and each of the plurality of subpixels.
상기 중앙 영역의 제1 측과 다른 제2 측에 위치한 상기 기판의 제2 가장자리에 마련되고, 상기 복수의 서브 픽셀들 및 상기 복수의 서브 픽셀들에 신호 인가를 위한 제2 패드부를 갖는 제3 단위 픽셀을 더 포함하는, 발광 다이오드 표시 장치.The method according to claim 1,
A third unit having a plurality of subpixels and a second pad portion for signal application to the plurality of subpixels, the third unit being provided at a second edge of the substrate located on a second side different from the first side of the central region, And further comprising a pixel.
상기 제3 단위 픽셀은 상기 제1 단위 픽셀보다 작은 크기를 갖는, 발광 다이오드 표시 장치.6. The method of claim 5,
Wherein the third unit pixel has a smaller size than the first unit pixel.
상기 제3 단위 픽셀은,
제1 방향을 따라 상기 복수의 서브 픽셀들의 양측에 배치된 제1 및 제2 전원 공급 라인들; 및
상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향을 따라 상기 제2 패드부의 반대측에 배치된 제1 및 제2 전원 브리지 라인들을 더 포함하고,
상기 제1 전원 브리지 라인은 상기 제1 전원 공급 라인과 상기 복수의 서브 픽셀들 각각을 연결하고, 상기 제2 전원 브리지 라인은 상기 제2 전원 공급 라인과 상기 복수의 서브 픽셀들 각각을 연결하는, 발광 다이오드 표시 장치.6. The method of claim 5,
Wherein the third unit pixel comprises:
First and second power supply lines disposed on both sides of the plurality of sub-pixels along a first direction; And
Further comprising first and second power supply bridge lines disposed on opposite sides of the second pad portion along a second direction orthogonal to the first direction,
Wherein the first power supply bridge line couples the first power supply line and each of the plurality of subpixels and the second power supply bridge line connects each of the plurality of subpixels with the second power supply line, Light emitting diode display.
상기 기판의 제1 가장자리와 제2 가장자리의 사이에 위치한 제1 모서리에 마련되고, 상기 복수의 서브 픽셀들 및 상기 복수의 서브 픽셀들에 신호 인가를 위한 제1 패드부 및 제2 패드부를 갖는 제4 단위 픽셀을 더 포함하는, 발광 다이오드 표시 장치.6. The method of claim 5,
And a second pad portion provided at a first edge located between the first edge and the second edge of the substrate and having a first pad portion and a second pad portion for signal application to the plurality of sub pixels and the plurality of sub pixels, And further comprising four unit pixels.
상기 제4 단위 픽셀은 상기 제1, 제2 및 제3 단위 픽셀들보다 작은 크기를 갖는, 발광 다이오드 표시 장치.9. The method of claim 8,
Wherein the fourth unit pixel has a smaller size than the first unit pixel, the second unit pixel and the third unit pixel.
상기 제4 단위 픽셀은,
제1 방향을 따라 상기 제1 패드부의 반대측에 배치된 제2 전원 공급 라인; 및
상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향을 따라 상기 복수의 서브 픽셀들의 일측에 배치된 제1 및 제2 전원 브리지 라인들을 더 포함하고,
상기 제2 전원 브리지 라인은 상기 제2 전원 공급 라인과 상기 복수의 서브 픽셀들 각각을 연결하는, 발광 다이오드 표시 장치.9. The method of claim 8,
The fourth unit pixel includes:
A second power supply line disposed on the opposite side of the first pad portion along the first direction; And
Further comprising first and second power supply bridge lines disposed on one side of the plurality of sub pixels along a second direction orthogonal to the first direction,
And the second power supply bridge line connects the second power supply line and each of the plurality of subpixels.
상기 중앙 영역의 제1 측과 반대되는 제3 측에 위치한 상기 기판의 제3 가장자리에 마련되고, 상기 복수의 서브 픽셀들을 갖는 제5 단위 픽셀을 더 포함하는, 발광 다이오드 표시 장치.6. The method of claim 5,
And a fifth unit pixel provided at a third edge of the substrate located on a third side opposite to the first side of the central region and having the plurality of subpixels.
상기 제5 단위 픽셀은 상기 제1 단위 픽셀보다 작은 크기를 갖는, 발광 다이오드 표시 장치.12. The method of claim 11,
And the fifth unit pixel has a smaller size than the first unit pixel.
상기 제5 단위 픽셀은,
제1 방향을 따라 상기 복수의 서브 픽셀들의 일측에 배치된 제1 전원 공급 라인; 및
상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향을 따라 상기 복수의 서브 픽셀들의 양측에 배치된 제1 및 제2 전원 브리지 라인들을 더 포함하고,
상기 제1 전원 브리지 라인은 상기 제1 전원 공급 라인과 상기 복수의 서브 픽셀들 각각을 연결하는, 발광 다이오드 표시 장치.12. The method of claim 11,
The fifth unit pixel includes:
A first power supply line disposed on one side of the plurality of sub pixels along a first direction; And
Further comprising first and second power supply bridge lines disposed on both sides of the plurality of sub-pixels along a second direction orthogonal to the first direction,
Wherein the first power supply bridge line connects the first power supply line and each of the plurality of subpixels.
상기 기판의 제2 가장자리와 제3 가장자리의 사이에 위치한 제2 모서리에 마련되어, 상기 복수의 서브 픽셀들 및 상기 복수의 서브 픽셀들에 신호 인가를 위한 제2 패드부를 갖는 제6 단위 픽셀을 더 포함하는, 발광 다이오드 표시 장치.12. The method of claim 11,
And a sixth unit pixel provided at a second corner located between the second edge and the third edge of the substrate and having a second pad portion for signal application to the plurality of subpixels and the plurality of subpixels The light emitting diode display device.
상기 제6 단위 픽셀은 상기 제1, 제2, 제3 및 제5 단위 픽셀들보다 작은 크기를 갖는, 발광 다이오드 표시 장치.15. The method of claim 14,
Wherein the sixth unit pixel has a smaller size than the first, second, third, and fifth unit pixels.
상기 제6 단위 픽셀은,
제1 방향을 따라 상기 복수의 서브 픽셀들의 일측에 배치된 제1 전원 공급 라인; 및
상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향을 따라 상기 제2 패드부의 반대측에 배치된 제1 및 제2 전원 브리지 라인들을 더 포함하고,
상기 제1 전원 브리지 라인은 상기 제1 전원 공급 라인과 상기 복수의 서브 픽셀들 각각을 연결하는, 발광 다이오드 표시 장치.15. The method of claim 14,
The sixth unit pixel includes:
A first power supply line disposed on one side of the plurality of sub pixels along a first direction; And
Further comprising first and second power supply bridge lines disposed on opposite sides of the second pad portion along a second direction orthogonal to the first direction,
Wherein the first power supply bridge line connects the first power supply line and each of the plurality of subpixels.
상기 중앙 영역의 제2 측과 반대되는 제4 측에 위치한 상기 기판의 제4 가장자리에 마련되고, 상기 복수의 서브 픽셀들을 갖는 제7 단위 픽셀을 더 포함하는, 발광 다이오드 표시 장치.12. The method of claim 11,
And a seventh unit pixel provided at a fourth edge of the substrate located on a fourth side opposite to the second side of the central region and having the plurality of subpixels.
상기 제7 단위 픽셀은 상기 제1 단위 픽셀보다 작은 크기를 갖는, 발광 다이오드 표시 장치.18. The method of claim 17,
Wherein the seventh unit pixel has a smaller size than the first unit pixel.
상기 제7 단위 픽셀은,
제1 방향을 따라 상기 복수의 서브 픽셀들의 양측에 배치된 제1 및 제2 전원 공급 라인들; 및
상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향을 따라 상기 복수의 서브 픽셀들의 일측에 배치된 제1 및 제2 전원 브리지 라인들을 더 포함하고,
상기 제1 전원 브리지 라인은 상기 제1 전원 공급 라인과 상기 복수의 서브 픽셀들 각각을 연결하고, 상기 제2 전원 브리지 라인은 상기 제2 전원 공급 라인과 상기 복수의 서브 픽셀들 각각을 연결하는, 발광 다이오드 표시 장치.18. The method of claim 17,
The seventh unit pixel includes:
First and second power supply lines disposed on both sides of the plurality of sub-pixels along a first direction; And
Further comprising first and second power supply bridge lines disposed on one side of the plurality of sub pixels along a second direction orthogonal to the first direction,
Wherein the first power supply bridge line couples the first power supply line and each of the plurality of subpixels and the second power supply bridge line connects each of the plurality of subpixels with the second power supply line, Light emitting diode display.
상기 기판의 제1 가장자리와 제4 가장자리의 사이에 위치한 제3 모서리에 마련되어, 상기 복수의 서브 픽셀들 및 상기 복수의 서브 픽셀들에 신호 인가를 위한 제1 패드부를 갖는 제8 단위 픽셀을 더 포함하는, 발광 다이오드 표시 장치.18. The method of claim 17,
And an eighth unit pixel provided at a third corner located between the first edge and the fourth edge of the substrate and having a first pad portion for signal application to the plurality of subpixels and the plurality of subpixels The light emitting diode display device.
상기 제8 단위 픽셀은 상기 제1, 제2, 제3, 제5 및 제7 단위 픽셀들보다 작은 크기를 갖는, 발광 다이오드 표시 장치.21. The method of claim 20,
Wherein the eighth unit pixel has a smaller size than the first, second, third, fifth, and seventh unit pixels.
상기 제8 단위 픽셀은,
제1 방향을 따라 상기 제1 패드부의 반대측에 배치된 제2 전원 공급 라인; 및
상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향을 따라 상기 복수의 서브 픽셀들의 일측에 배치된 제1 및 제2 전원 브리지 라인들을 더 포함하고,
상기 제2 전원 브리지 라인은 상기 제2 전원 공급 라인과 상기 복수의 서브 픽셀들 각각을 연결하는, 발광 다이오드 표시 장치.21. The method of claim 20,
The eighth unit pixel includes:
A second power supply line disposed on the opposite side of the first pad portion along the first direction; And
Further comprising first and second power supply bridge lines disposed on one side of the plurality of sub pixels along a second direction orthogonal to the first direction,
And the second power supply bridge line connects the second power supply line and each of the plurality of subpixels.
상기 기판의 제3 가장자리와 제4 가장자리의 사이에 위치한 제4 모서리에 마련되어, 상기 복수의 서브 픽셀들을 갖는 제9 단위 픽셀을 더 포함하는, 발광 다이오드 표시 장치.18. The method of claim 17,
And a ninth unit pixel provided at a fourth corner located between the third edge and the fourth edge of the substrate, the ninth unit pixel having the plurality of subpixels.
상기 제9 단위 픽셀은 상기 제1, 제2, 제3, 제5 및 제7 단위 픽셀들보다 작은 크기를 갖는, 발광 다이오드 표시 장치.24. The method of claim 23,
Wherein the ninth unit pixel has a smaller size than the first, second, third, fifth, and seventh unit pixels.
상기 제9 단위 픽셀은,
제1 방향을 따라 상기 복수의 서브 픽셀들의 일측에 배치된 제1 전원 공급 라인; 및
상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향을 따라 상기 복수의 서브 픽셀들의 일측에 배치된 제1 및 제2 전원 브리지 라인들을 더 포함하고,
상기 제1 전원 브리지 라인은 상기 제1 전원 공급 라인과 상기 복수의 서브 픽셀들 각각을 연결하는, 발광 다이오드 표시 장치.24. The method of claim 23,
The ninth unit pixel includes:
A first power supply line disposed on one side of the plurality of sub pixels along a first direction; And
Further comprising first and second power supply bridge lines disposed on one side of the plurality of sub pixels along a second direction orthogonal to the first direction,
Wherein the first power supply bridge line connects the first power supply line and each of the plurality of subpixels.
상기 복수의 스크린 모듈을 측면끼리 연결하는 복수의 모듈 연결 부재를 포함하며,
상기 복수의 스크린 모듈 각각은 제 1 항 내지 제25 항 중 어느 한 항에 따른 발광 다이오드 표시 장치를 갖는, 멀티 스크린 표시 장치.A plurality of screen modules; And
And a plurality of module connecting members for connecting the plurality of screen modules to each other,
Wherein each of the plurality of screen modules has the light emitting diode display device according to any one of claims 1 to 25.
상기 모듈 연결 부재를 사이에 두고 인접한 2개의 스크린 모듈 각각의 단위 픽셀 간의 최대 거리는 제1 단위 픽셀의 기준 픽셀 피치 이하이며,
상기 기준 픽셀 피치는 인접한 2개의 제1 단위 픽셀의 중심부 간의 거리인, 멀티 스크린 표시 장치.27. The method of claim 26,
The maximum distance between the unit pixels of each of the two screen modules adjacent to each other with the module connecting member therebetween is less than the reference pixel pitch of the first unit pixel,
Wherein the reference pixel pitch is a distance between center portions of two adjacent first unit pixels.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170096785A KR102454998B1 (en) | 2017-07-31 | 2017-07-31 | Light emitting diode display apparatus and multi screen display apparatus using the same |
KR1020220129863A KR102595735B1 (en) | 2017-07-31 | 2022-10-11 | Light emitting diode display apparatus and multi screen display apparatus using the same |
KR1020230143802A KR20230150939A (en) | 2017-07-31 | 2023-10-25 | Light emitting diode display apparatus and multi screen display apparatus using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170096785A KR102454998B1 (en) | 2017-07-31 | 2017-07-31 | Light emitting diode display apparatus and multi screen display apparatus using the same |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020220129863A Division KR102595735B1 (en) | 2017-07-31 | 2022-10-11 | Light emitting diode display apparatus and multi screen display apparatus using the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20190012970A true KR20190012970A (en) | 2019-02-11 |
KR102454998B1 KR102454998B1 (en) | 2022-10-13 |
Family
ID=65369950
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020170096785A KR102454998B1 (en) | 2017-07-31 | 2017-07-31 | Light emitting diode display apparatus and multi screen display apparatus using the same |
KR1020220129863A KR102595735B1 (en) | 2017-07-31 | 2022-10-11 | Light emitting diode display apparatus and multi screen display apparatus using the same |
KR1020230143802A KR20230150939A (en) | 2017-07-31 | 2023-10-25 | Light emitting diode display apparatus and multi screen display apparatus using the same |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020220129863A KR102595735B1 (en) | 2017-07-31 | 2022-10-11 | Light emitting diode display apparatus and multi screen display apparatus using the same |
KR1020230143802A KR20230150939A (en) | 2017-07-31 | 2023-10-25 | Light emitting diode display apparatus and multi screen display apparatus using the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (3) | KR102454998B1 (en) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102211928B1 (en) * | 2019-12-31 | 2021-02-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | Light emitting display apparatus |
WO2021118268A1 (en) * | 2019-12-13 | 2021-06-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display apparatus having display module and method of manufacturing the same |
CN113126379A (en) * | 2019-12-31 | 2021-07-16 | 乐金显示有限公司 | Display apparatus and multi-screen display apparatus including the same |
CN114764996A (en) * | 2020-12-31 | 2022-07-19 | 乐金显示有限公司 | Display device and multi-screen display device including the same |
US11476397B2 (en) | 2019-12-30 | 2022-10-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
EP4276908A4 (en) * | 2021-08-30 | 2024-03-27 | Boe Technology Group Co Ltd | Light-emitting substrate and display apparatus |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19990039460A (en) * | 1997-11-12 | 1999-06-05 | 구자홍 | Large Area Liquid Crystal Display Structure and Manufacturing Method |
WO2009089105A1 (en) * | 2008-01-04 | 2009-07-16 | Nanolumens | Flexible display |
KR20170073483A (en) * | 2015-12-18 | 2017-06-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | Display device |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101839334B1 (en) * | 2011-12-07 | 2018-03-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | Liquid crystal display device and method of fabricating the same |
-
2017
- 2017-07-31 KR KR1020170096785A patent/KR102454998B1/en active IP Right Grant
-
2022
- 2022-10-11 KR KR1020220129863A patent/KR102595735B1/en active IP Right Grant
-
2023
- 2023-10-25 KR KR1020230143802A patent/KR20230150939A/en active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19990039460A (en) * | 1997-11-12 | 1999-06-05 | 구자홍 | Large Area Liquid Crystal Display Structure and Manufacturing Method |
WO2009089105A1 (en) * | 2008-01-04 | 2009-07-16 | Nanolumens | Flexible display |
KR20170073483A (en) * | 2015-12-18 | 2017-06-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | Display device |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021118268A1 (en) * | 2019-12-13 | 2021-06-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display apparatus having display module and method of manufacturing the same |
US11476397B2 (en) | 2019-12-30 | 2022-10-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
KR102211928B1 (en) * | 2019-12-31 | 2021-02-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | Light emitting display apparatus |
CN113126379A (en) * | 2019-12-31 | 2021-07-16 | 乐金显示有限公司 | Display apparatus and multi-screen display apparatus including the same |
US11957010B2 (en) | 2019-12-31 | 2024-04-09 | Lg Display Co., Ltd. | Display apparatus and multi display apparatus including the same |
CN114764996A (en) * | 2020-12-31 | 2022-07-19 | 乐金显示有限公司 | Display device and multi-screen display device including the same |
EP4276908A4 (en) * | 2021-08-30 | 2024-03-27 | Boe Technology Group Co Ltd | Light-emitting substrate and display apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20220140687A (en) | 2022-10-18 |
KR20230150939A (en) | 2023-10-31 |
KR102454998B1 (en) | 2022-10-13 |
KR102595735B1 (en) | 2023-10-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102582059B1 (en) | Display apparatus and multi screen display apparatus using the same | |
US11100861B2 (en) | Light emitting diode display device | |
KR102612998B1 (en) | Display apparatus and multi screen display apparatus using the same | |
EP3576148B1 (en) | Light emitting diode display device | |
EP3343551B1 (en) | Light emitting diode display device and multi-screen display device using the same | |
KR102633079B1 (en) | Light emitting diode display apparatus | |
KR102595735B1 (en) | Light emitting diode display apparatus and multi screen display apparatus using the same | |
KR20180071743A (en) | Light emitting diode chip and light emitting diode display apparatus comprising the same | |
CN111402745B (en) | Light emitting diode display device | |
KR102495537B1 (en) | Light emitting diode display apparatus | |
KR20190048988A (en) | Light emitting diode display | |
KR20220145304A (en) | Light emitting diode display apparatus and multi screen display apparatus using the same | |
KR102541880B1 (en) | Display panel | |
KR102646212B1 (en) | Organic light emitting display device | |
KR20230153785A (en) | Both side emission type transparent display device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
A107 | Divisional application of patent | ||
GRNT | Written decision to grant |