KR20190011481A - Method for forming a layer and Apparatus for forming a layer - Google Patents

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박거성
박배완
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세메스 주식회사
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Abstract

According to an exemplary embodiment, a method for forming a thin film and a device for forming the thin film provide a chemical for forming the thin film through a nozzle. A moving part is used to move a substrate and/or the nozzle, and the nozzle is maintained in a positive pressure state when the chemical is supplied using a pressure adjusting part. The pressure of the nozzle is maintained at 0 when the supply of the chemical at an end of the substrate is finished, and the pressure of the nozzle is maintained at a negative pressure state when the nozzle is positioned inside the substrate after the chemical is supplied to the end of the substrate.

Description

박막 형성 방법 및 박막 형성 장치{Method for forming a layer and Apparatus for forming a layer}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a method for forming a thin film,

본 발명은 박막 형성 방법 및 박막 형성 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는 기판 전체에 걸쳐 균일한 두께를 갖는 박막을 형성하기 위한 박막 형성 방법 및 박막 형성 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a thin film forming method and a thin film forming apparatus. And more particularly, to a thin film forming method and a thin film forming apparatus for forming a thin film having a uniform thickness over the entire substrate.

유기발광 다이오드 디스플레이(OLED) 등과 같은 디스플레이 장치의 제조에서는 기판 상에 포토레지스트 박막 등을 형성하는 공정을 수행한다.In the manufacture of a display device such as an organic light emitting diode display (OLED), a process of forming a photoresist thin film or the like on a substrate is performed.

여기서, 박막이 균일한 두께를 갖지 않을 경우 불량 요인으로 작용할 수 있다. 이에, 균일한 두께를 갖도록 박막을 형성하는 것이 중요한 스펙이다.Here, if the thin film does not have a uniform thickness, it may act as a failure factor. Therefore, it is an important specification to form a thin film so as to have a uniform thickness.

그러나 약 3㎛ 이상의 두꺼운 두께를 갖는 포토레지스트 박막의 형성에서는 커피링(coffee ring) 현상으로 인하여 기판 단부에 제공되는 케미컬에 유동이 빈번하게 발생하고, 그 결과 균일한 두께의 박막 형성에 어려움이 있다.However, in the formation of the photoresist thin film having a thick thickness of about 3 탆 or more, frequent flow occurs in the chemical provided at the substrate end due to the coffee ring phenomenon, and as a result, it is difficult to form a thin film having a uniform thickness .

본 발명의 일 과제는 균일한 두께를 갖는 박막을 형성하기 위한 박막 형성 방법을 제공하는데 있다.An object of the present invention is to provide a thin film forming method for forming a thin film having a uniform thickness.

본 발명의 다른 과제는 균일한 두께를 갖는 박막을 형성하기 위한 박막 형성 장치를 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a thin film forming apparatus for forming a thin film having a uniform thickness.

상기 본 발명의 일 과제를 달성하기 위한 예시적인 실시예들에 따른 박막 형성 방법은 노즐을 통하여 상기 박막을 형성하기 위한 케미컬을 상기 기판의 단부까지 제공하고, 상기 노즐이 상기 기판의 단부에 위치할 때 상기 케미컬의 제공을 종료한다. 그리고 상기 케미컬을 종료한 이후에 상기 노즐을 통하여 상기 기판 안쪽에 제공된 상기 케미컬에 음압을 제공한다.In accordance with exemplary embodiments of the present invention, a thin film forming method includes providing a chemical for forming the thin film through a nozzle to an end of the substrate, the nozzle being located at an end of the substrate The supply of the chemical is terminated. And provides a negative pressure to the chemical provided inside the substrate through the nozzle after the chemical is terminated.

상기 본 발명의 일 과제를 달성하기 위한 예시적인 실시예들에 따른 박막 형성 장치는 노즐, 이동부, 및 압력 조정부를 포함할 수 있다. 상기 노즐은 상기 박막을 형성하기 위한 케미컬을 제공할 수 있고, 상기 이동부는 상기 기판 또는/및 상기 노즐을 이동시킬 수 있다. 그리고 상기 압력 조정부는 상기 케미컬을 제공할 때에는 상기 노즐을 양압 상태로 유지시키고, 상기 기판의 단부에서 상기 케미컬의 제공을 종료할 때에는 상기 노즐의 압력을 '0'인 상태로 유지시키고, 상기 기판의 단부까지 케미컬을 제공한 후 상기 노즐을 상기 기판 안쪽에 위치시킬 때에는 상기 노즐의 압력을 음압 상태로 유지시킨다.The thin film forming apparatus according to exemplary embodiments of the present invention may include a nozzle, a moving unit, and a pressure adjusting unit. The nozzle may provide a chemical for forming the thin film, and the moving part may move the substrate and / or the nozzle. The pressure adjusting unit maintains the nozzle in a positive pressure state when the chemical is supplied and maintains the pressure of the nozzle at '0' when the supply of the chemical is terminated at the end of the substrate, And the pressure of the nozzle is maintained at a negative pressure when the nozzle is positioned inside the substrate after the chemical is supplied to the end.

예시적인 실시예들에 따른 박막 형성 방법 및 박막 형성 장치는 박막으로 형성하기 위한 케미컬의 제공을 종료한 이후 기판 단부로부터 기판 안쪽에 제공된 케미컬에 음압을 제공함에 의해 균일한 두께를 갖는 박막을 형성할 수 있다.The thin film forming method and the thin film forming apparatus according to the exemplary embodiments form a thin film having a uniform thickness by providing a negative pressure to the chemical provided inside the substrate from the substrate end after completing the provision of the chemical for forming the thin film .

이에, 예시적인 실시예들에 따른 박막 형성 방법 및 박막 형성 장치는 균일한 두께를 갖는 박막을 형성함으로써 후속 공정에서 발생할 수 있는 불량을 최소할 수 있다.Thus, the thin film forming method and the thin film forming apparatus according to the exemplary embodiments can form a thin film having a uniform thickness, thereby minimizing defects that may occur in a subsequent process.

다만, 본 발명의 효과는 상기 언급한 효과에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.However, the effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and may be variously expanded without departing from the spirit and scope of the present invention.

도 1은 예시적인 실시예들에 따른 박막 형성 장치를 나타내는 개략적인 도면이다.
도 2는 도 1의 박막 형성 장치를 사용하여 박막을 형성할 때 발생하는 커피링 현상을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 도 1의 박막 형성 장치를 사용하여 박막을 형성할 때 기판 안쪽에 제공된 케미컬에 음압을 제공하는 상황을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 도 1의 박막 형성 장치를 사용하여 기판 안쪽에 제공된 케미컬에 음압을 제공한 이후의 상황을 설명하기 위한 도면이다.1 is a schematic view showing a thin film forming apparatus according to exemplary embodiments.
2 is a view for explaining a coffee ring phenomenon occurring when a thin film is formed using the thin film forming apparatus of FIG.
FIG. 3 is a view for explaining a situation in which a negative pressure is applied to a chemical provided inside the substrate when the thin film is formed using the thin film forming apparatus of FIG. 1;
FIG. 4 is a view for explaining a state after a negative pressure is applied to a chemical provided inside the substrate using the thin film forming apparatus of FIG. 1; FIG.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 실시예를 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조 부호를 유사한 구성 요소에 대해 사용하였다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "이루어진다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.While the present invention has been described in connection with certain exemplary embodiments, it is obvious to those skilled in the art that various changes and modifications may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention. It is to be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular forms disclosed, but on the contrary, is intended to cover all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. Like reference numerals are used for like elements in describing each drawing. The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, the term "comprises" or "comprising ", etc. is intended to specify that there is a stated feature, figure, step, operation, component, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the contextual meaning of the related art and are to be interpreted as either ideal or overly formal in the sense of the present application Do not.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면상의 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 사용하고 동일한 구성 요소에 대해서 중복된 설명은 생략한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The same reference numerals are used for the same constituent elements in the drawings and redundant explanations for the same constituent elements are omitted.

도 1은 예시적인 실시예들에 따른 박막 형성 장치를 나타내는 개략적인 도면이다.1 is a schematic view showing a thin film forming apparatus according to exemplary embodiments.

도 1을 참조하면, 예시적인 실시예들에 따른 박막 형성 장치(100)는 반도체 소자, 평판 디스플레이 소자 등과 같은 집적회로 소자로 제조하기 위한 기판(11) 상에 박막을 형성하기 위한 것이다. 즉, 예시적인 실시예들에 따른 박막 형성 장치(100)는 기판(11) 상에 케미컬(13)을 제공하여 박막으로 형성하기 위한 것이다. 특히, 예시적인 실시예들에 따른 박막 형성 장치(100)는 유기발광 다이오드 디스플레이(이하, 'OLED'라 한다) 등과 같은 디스플레이 소자의 제조에서 기판(11) 상에 포토레지스트 용액 등과 같은 케미컬(13)을 제공하여 포토레지스트 박막을 형성하기 위한 것일 수 있다.Referring to FIG. 1, a thin film forming apparatus 100 according to exemplary embodiments is for forming a thin film on a substrate 11 for manufacturing with integrated circuit elements such as semiconductor devices, flat panel display devices, and the like. That is, the thin film forming apparatus 100 according to exemplary embodiments is for forming a thin film by providing a chemical 13 on a substrate 11. [ Particularly, the thin film forming apparatus 100 according to the exemplary embodiments may include a chemical (such as a photoresist solution or the like) 13 on a substrate 11 in the manufacture of a display device such as an organic light emitting diode display ) May be provided to form a photoresist thin film.

그리고 예시적인 실시예들에 따른 박막 형성 장치(100)는 노즐(15), 이동부(17), 압력 조정부(19) 등을 포함할 수 있다.The thin film forming apparatus 100 according to the exemplary embodiments may include a nozzle 15, a moving unit 17, a pressure adjusting unit 19, and the like.

노즐(15)은 기판(11) 상에 박막으로 형성하기 위한 케미컬(13)을 제공하기 위한 것으로써, 기판(11)의 폭에 대응하는 길이를 갖는 슬릿 구조를 갖도록 구비될 수 있다.The nozzle 15 may be provided with a slit structure having a length corresponding to the width of the substrate 11 in order to provide a chemical 13 for forming a thin film on the substrate 11. [

이에, 노즐(15)은 기판(11)의 일측 단부로부터 기판(11)의 타측 단부까지 스캔 방식으로 기판(11) 상에 케미컬(13)을 제공할 수 있을 것이다.The nozzle 15 may provide the chemical 13 on the substrate 11 in a scanning manner from one end of the substrate 11 to the other end of the substrate 11. [

이동부(17)는 기판(11)을 이동시키거나, 노즐(15)을 이동시키거나, 또는 기판(11) 및 노즐(15)을 함께 이동시키도록 구비될 수 있다.The moving part 17 may be provided to move the substrate 11, move the nozzle 15, or move the substrate 11 and the nozzle 15 together.

기판(11)을 이동시키도록 구비되는 이동부(17)는 기판(11)을 파지하는 파지 부재 및 파지 부재를 구동시킬 수 있는 구동부로 이루어질 수 있다. 언급한 파지 부재는 기판(11) 일측을 파지할 수 있는 구조를 갖도록 이루어질 수 있고, 구동부는 선형 모터 등으로 이루어질 수 있다. 노즐(15)을 이동시키도록 구비되는 이동부(17)는 노즐(15)을 기판(11)을 향하도록 거치한 상태에서 이동할 수 있는 갠트리(gantry) 구조를 갖도록 이루어질 수 있다. 기판(11) 및 노즐(15)은 동시에 이동시킬 수도 있지만, 시차를 두고 이동시킬 수도 있을 것이다.The moving part 17 provided to move the substrate 11 may be composed of a gripping member for gripping the substrate 11 and a driving unit for driving the gripping member. The gripping member may be configured to have a structure capable of gripping one side of the substrate 11, and the driving unit may be formed of a linear motor or the like. The moving part 17 provided to move the nozzle 15 may be configured to have a gantry structure capable of moving while the nozzle 15 is mounted so as to face the substrate 11. [ The substrate 11 and the nozzle 15 may be moved at the same time, but may be moved with a time lag.

따라서 이동부(17)를 사용하여 기판(11) 및/또는 노즐(15)을 이동시키면서 노즐(15)을 통하여 기판(11) 상에 케미컬(13)을 제공함에 의해 기판(11) 상에 박막을 형성할 수 있다.Therefore, by providing the chemical 13 on the substrate 11 through the nozzle 15 while moving the substrate 11 and / or the nozzle 15 using the moving part 17, Can be formed.

특히, 예시적인 실시예들에서는 노즐(15)을 통하여 기판(11)의 단부까지 케미컬(13)을 제공함에 의해 기판(11) 전체에 박막을 형성할 수 있다. 즉, 노즐(15)을 통하여 기판(11)의 단부까지 포토레지스트 용액을 제공함에 의해 기판(11) 전체에 포토레지스트 박막을 형성할 수 있는 것이다.In particular, in exemplary embodiments, a thin film may be formed over the entire substrate 11 by providing the chemical 13 through the nozzle 15 to the end of the substrate 11. [ That is, by providing the photoresist solution to the end of the substrate 11 through the nozzle 15, a photoresist thin film can be formed on the entire substrate 11.

여기서, 예시적인 실시예들에 따른 박막 형성 장치(100)는 OLED 공정에 적용하는 것이 바람직하기 때문에 기판(11) 상에 형성되는 포토레지스트 박막은 약 3 내지 7㎛의 두께를 가질 수 있다.Here, since the thin film forming apparatus 100 according to the exemplary embodiments is preferably applied to the OLED process, the photoresist thin film formed on the substrate 11 may have a thickness of about 3 to 7 占 퐉.

압력 조정부(19)는 노즐(15)에 제공되는 압력을 조정하기 위한 것으로써, 케미컬(13)을 제공할 때에는 노즐(15)을 양압 상태로 유지시키고, 케미컬(13)의 제공을 종료할 때에는 노즐(15)의 압력을 '0'인 상태로 유지시킬 수 있도록 구비될 수 있다.The pressure adjusting unit 19 adjusts the pressure supplied to the nozzle 15 so that the nozzle 15 is maintained in the positive pressure state when the chemical 13 is supplied and when the chemical 13 is supplied May be provided to maintain the pressure of the nozzle 15 at '0'.

이에, 압력 조정부(19)에 의해 노즐(15)이 양압 상태를 유지할 때에는 노즐(15)을 통하여 기판(11) 상에 케미컬(13)이 제공되고, 노즐(15)이 기판(11) 단부에 위치함에 의해 노즐(15)의 압력이 '0'인 상태를 유지할 때에는 기판(11) 상에 케미컬(13)의 제공을 종료할 수 있을 것이다.When the nozzle 15 is maintained in the positive pressure state by the pressure adjusting unit 19, the chemical 13 is provided on the substrate 11 through the nozzle 15, and the nozzle 15 is provided on the end of the substrate 11 The supply of the chemical 13 on the substrate 11 may be terminated when the pressure of the nozzle 15 is maintained at '0' by the positioning.

그리고 압력 조정부(19)는 노즐(15)의 압력을 음압 상태로 유지시킬 수도 있다. 즉 압력 조정부(19)는 노즐(15)을 통하여 흡입력을 제공하도록 구비될 수 있는 것이다.The pressure adjusting unit 19 may maintain the pressure of the nozzle 15 at a negative pressure. That is, the pressure adjusting unit 19 may be provided to provide a suction force through the nozzle 15.

이에, 예시적인 실시예들에 따른 압력 조정부(19)는 케미컬(13)을 제공할 때에는 노즐(15)을 양압 상태로 유지시키고, 기판(11)의 단부에서 케미컬(13)의 제공을 종료할 때에는 노즐(15)의 압력을 '0'인 상태로 유지시키고, 기판(11)의 단부까지 케미컬(13)을 제공한 후 노즐(15)을 기판(11) 안쪽에 위치시킬 때에는 노즐(15)의 압력을 음압 상태로 유지시킬 수 있다.Thus, the pressure regulator 19 according to the exemplary embodiments maintains the nozzle 15 in a positive pressure state when providing the chemical 13 and terminates the supply of the chemical 13 at the end of the substrate 11 The nozzle 15 is maintained at the zero pressure and the chemical 13 is supplied to the end of the substrate 11. When the nozzle 15 is positioned inside the substrate 11, It is possible to maintain the pressure of the pressure-reducing device in a negative pressure state.

여기서, 기판(11) 안쪽은 케미컬(13)의 제공함에 의해 형성되는 박막의 두께 균일도가 가장 나쁜 지점에 해당하는 것으로써, 실제 공정에서 측정해 본 결과 기판(11) 단부로부터 약 0.1 내지 15.0㎜ 안쪽인 것으로 확인되고 있다. 즉, 약 3 내지 7㎛의 두께를 갖는 포토레지스트 박막의 형성시 기판(11) 단부로부터 약 0.1 내지 15.0mm 안쪽에서 커피링 현상이 가장 많이 발생하는 것이 확인되고 있다.Here, the inside of the substrate 11 corresponds to the position where the uniformity of the thickness of the thin film formed by providing the chemical 13 is the worst, and as a result of measurement in the actual process, it is found that the thickness of about 0.1 to 15.0 mm It is confirmed to be inside. That is, it has been confirmed that the coffee ring phenomenon occurs most within about 0.1 to 15.0 mm from the end of the substrate 11 when the photoresist thin film having a thickness of about 3 to 7 탆 is formed.

특히, 약 4㎛의 두께를 갖는 포토레지스트 박막의 형성시 기판(11) 단부로부터 약 10mm 안쪽에서 커피링 현상이 가장 많이 발생하는 것이 확인되고 있다.Particularly, it has been confirmed that the coffee ring phenomenon occurs most within about 10 mm from the end of the substrate 11 when the photoresist thin film having a thickness of about 4 탆 is formed.

이에, 예시적인 실시예들에 따른 박막 형성 장치(100)는 기판(11)의 단부까지 케미컬(13)을 제공한 후 커피링 현상이 발생한 부분에 노즐(15)을 위치시켜 노즐(15)을 통하여 기판(11) 상에 제공한 케미컬(13)을 향해 음압을 제공함으로써 커피링 현상을 어느 정도 완화시킬 수 있고, 그 결과 균일한 두께를 갖는 박막을 형성할 수 있다.Accordingly, the thin film forming apparatus 100 according to the exemplary embodiments provides the chemical 13 up to the end portion of the substrate 11, and then places the nozzle 15 in the portion where the coffee ring phenomenon occurs, A coffee ring phenomenon can be alleviated to some extent by providing a negative pressure toward the chemical 13 provided on the substrate 11, and as a result, a thin film having a uniform thickness can be formed.

이하, 예시적인 실시예들에 따른 박막 형성 방법에 대하여 설명하기로 한다. 그리고 예시적인 실시예들에 따른 박막 형성 방법 또한 도 1의 박막 형성 장치를 사용함에 의해 달성될 수 있다. 따라서 예시적인 실시예들에 따른 박막 형성 방법은 도 1을 참조하여 설명하기로 하고, 중복되는 부재는 동일 부호를 사용하고, 그 상세한 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, a thin film forming method according to exemplary embodiments will be described. And a method of forming a thin film according to exemplary embodiments can also be achieved by using the thin film forming apparatus of FIG. Therefore, the thin film forming method according to the exemplary embodiments will be described with reference to FIG. 1, and the same reference numerals are used for the overlapping members, and a detailed description thereof will be omitted.

다시 도 1을 참조하면, 노즐(15)을 통하여 기판(11) 상에 케미컬(13)을 제공한다. 이때, 압력 조정부(19)에 의해 노즐(15)은 양압 상태를 유지할 수 있다.Referring again to FIG. 1, a chemical 13 is provided on the substrate 11 through a nozzle 15. At this time, the pressure adjusting unit 19 can keep the nozzle 15 in the positive pressure state.

언급한 케미컬(13)의 제공시 노즐(15)을 고정시킨 상태에서 기판(11)을 이동시키거나, 기판(11)을 고정시킨 상태에서 노즐(15)을 이동시키거나, 또는 기판(11) 및 노즐(15)을 함께 이동시킬 수 있다.It is possible to move the substrate 11 in a state in which the nozzle 15 is fixed while the chemical 13 is supplied or to move the nozzle 15 in a state where the substrate 11 is fixed, And the nozzle 15 together.

특히, 일부 실시예들에서는 노즐(15)을 고정시킨 상태에서 기판(11)을 단독으로 이동시킬 수 있다. 이는, 노즐(15)을 이동시킬 경우 노즐(15)을 통하여 제공되는 케미컬(13)이 다소 요동칠 수도 있기 때문이다.In particular, in some embodiments, the substrate 11 can be moved alone while the nozzle 15 is fixed. This is because, when the nozzle 15 is moved, the chemical 13 supplied through the nozzle 15 may slightly fluctuate.

이와 같이, 예시적인 실시예들에 따른 박막 형성 방법에서는 노즐(15)을 통하여 기판(11)의 단부까지 케미컬(13)을 제공함으로써 기판(11) 전체에 박막을 형성할 수 있는 것이다.As described above, in the thin film forming method according to the exemplary embodiments, the thin film can be formed over the entire substrate 11 by providing the chemical 13 to the end of the substrate 11 through the nozzle 15.

그리고 노즐(15)이 기판(11) 단부에 위치할 경우 압력 조정부(19)에 의해 노즐(15)의 압력은 '0' 상태를 유지시킨다. 이에, 케미컬(13)의 제공이 종료될 수 있다.When the nozzle 15 is positioned at the end of the substrate 11, the pressure of the nozzle 15 is maintained at '0' by the pressure adjusting unit 19. Thus, the provision of the chemical 13 can be terminated.

도 2는 도 1의 박막 형성 장치를 사용하여 박막을 형성할 때 발생하는 커피링 현상을 설명하기 위한 도면이고, 도 3은 도 1의 박막 형성 장치를 사용하여 박막을 형성할 때 기판 안쪽에 제공된 케미컬에 음압을 제공하는 상황을 설명하기 위한 도면이고, 도 4는 도 1의 박막 형성 장치를 사용하여 기판 안쪽에 제공된 케미컬에 음압을 제공한 이후의 상황을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 2 is a view for explaining a coffee ring phenomenon occurring when a thin film is formed by using the thin film forming apparatus of FIG. 1, and FIG. 3 is a view for explaining a coffee ring phenomenon occurring when a thin film is formed using the thin film forming apparatus of FIG. FIG. 4 is a view for explaining a situation after a negative pressure is applied to a chemical provided inside the substrate using the thin film forming apparatus of FIG. 1; FIG.

먼저 도 2를 참조하면, 기판(11)의 단부까지 케미컬(13)을 제공함으로써 기판(11) 전체에 박막을 형성할 때 기판(11) 안쪽(A 부분)에서는 커피링 현상이 발생할 수 있다. 이에, 기판(11) 상에 형성하는 박막은 두께 균일도가 나빠질 수 있다.Referring to FIG. 2, when the thin film is formed on the entire substrate 11 by providing the chemical 13 to the end of the substrate 11, a coffee ring phenomenon may occur inside the substrate 11 (portion A). Thus, the thin film formed on the substrate 11 may have a poor uniformity of thickness.

그리고 도 3을 참조하면, 예시적인 실시예들에 따른 박막 형성 방법은 노즐(15)을 통하여 기판(11) 안쪽에 제공된 케미컬(13)에 음압을 제공할 수 있다. 즉, 커피링 현상이 발생한 부분에서의 케미컬(13)을 향하여 노즐(15)을 통하여 흡입력을 제공할 수 있는 것이다. 다시 말해, 볼록하게 제공된 부분의 케미컬 쪽에 음압을 제공하는 것이다. 3, the thin film forming method according to the exemplary embodiments can provide negative pressure to the chemical 13 provided inside the substrate 11 through the nozzle 15. [ That is, the suction force can be provided through the nozzle 15 toward the chemical 13 in the portion where the coffee ring phenomenon occurs. In other words, it provides the negative pressure on the chemical side of the convexly provided part.

이에 도 4를 참조하면, 노즐(15)을 통하여 기판(11) 안쪽에 제공된 케미컬(13)에 음압을 제공함으로써 커피링 현상을 완화시킴에 따라 케미컬(13)의 유동을 최소화할 수 있고, 그 결과 기판(11) 상에 형성하는 박막의 두께 균일도를 안정적으로 확보할 수 있을 것이다.Referring to FIG. 4, the flow of the chemical 13 can be minimized by mitigating the coffee ring phenomenon by providing a negative pressure to the chemical 13 provided inside the substrate 11 through the nozzle 15, As a result, the thickness uniformity of the thin film formed on the substrate 11 can be stably secured.

여기서, 음압은 기판(11) 안쪽으로 노즐(15)을 위치시킨 이후에 제공할 수 있다. 기판(11) 안쪽으로의 노즐(15)을 위치시키는 것은 기판(11)을 이동시키거나, 노즐(15)을 이동시키거나, 또는 기판(11) 및 노즐(15)을 함께 이동시킴에 의해 달성할 수 있을 것이다.Here, the negative pressure can be provided after positioning the nozzle 15 in the inside of the substrate 11. Positioning the nozzle 15 inside the substrate 11 is accomplished by moving the substrate 11, moving the nozzle 15, or moving the substrate 11 and the nozzle 15 together You can do it.

그리고 일부 실시예들에서는 기판(11) 안쪽으로 노즐(15)을 위치시킨 후 기판(11) 안쪽으로부터 기판(11) 단부까지 음압을 제공할 수 있다. 이 경우에도 기판(11)을 이동시키거나, 노즐(15)을 이동시키거나, 또는 기판(11) 및 노즐(15)을 함께 이동시킴에 의해 달성할 수 있을 것이다.And in some embodiments may provide negative pressure from the inside of the substrate 11 to the end of the substrate 11 after positioning the nozzle 15 inside the substrate 11. [ In this case as well, it may be achieved by moving the substrate 11, moving the nozzle 15, or moving the substrate 11 and the nozzle 15 together.

또한, 기판(11) 단부로부터 기판(11) 안쪽으로 기판(11)을 이동시키거나, 노즐(15)을 이동시키거나, 또는 기판(11) 및 노즐(15)을 함께 이동시키면서도 음압을 제공할 수도 있을 것이다.It is also possible to move the substrate 11 from the end of the substrate 11 to the inside of the substrate 11 or move the nozzle 15 or move the substrate 11 and the nozzle 15 together, It might be.

이와 같이, 예시적인 실시예들에 따른 박막 형성 방법은 기판(11)의 단부까지 케미컬(13)을 제공한 후 커피링 현상이 발생한 부분인 기판(11) 안쪽에 노즐(15)을 위치시켜 노즐(15)을 통하여 기판(11) 상에 제공한 케미컬(13)을 향해 음압을 제공함으로써 커피링 현상을 어느 정도 완화시킬 수 있고, 그 결과 균일한 두께를 갖는 박막을 형성할 수 있다.As described above, in the thin film forming method according to the exemplary embodiments, after the chemical 13 is supplied to the end portion of the substrate 11, the nozzle 15 is positioned inside the substrate 11, The coffee ring phenomenon can be alleviated to some extent by providing a negative pressure toward the chemical 13 provided on the substrate 11 through the substrate 15, and as a result, a thin film having a uniform thickness can be formed.

예시적인 실시예들에 따른 박막 형성 방법 및 박막 형성 장치는 평판 디스플레이 장치, 예를 들면 액정 디스플레이 장치, 유기발광 다이오드 디스플레이 장치 등의 제조에 적용할 수 있을 것이다. 특히, 약 3 내지 7㎛의 두께를 갖는 포토레지스트 박막의 형성에 보다 적극적으로 적용할 수 있을 것이다.The thin film forming method and the thin film forming apparatus according to the exemplary embodiments may be applied to the manufacture of a flat panel display device, for example, a liquid crystal display device, an organic light emitting diode display device, and the like. In particular, it can be more positively applied to the formation of the photoresist thin film having a thickness of about 3 to 7 mu m.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the present invention as defined by the following claims. It can be understood that it is possible.

11 : 기판 13 : 케미컬
15 : 노즐 17 : 이동부
19 : 압력 조정부 100 : 박막 형성 장치11: substrate 13: chemical
15: nozzle 17: moving part
19: pressure adjusting unit 100: thin film forming apparatus

Claims (10)

기판 상에 박막을 형성하기 위한 박막 형성 방법에 있어서,
노즐을 통하여 상기 박막을 형성하기 위한 케미컬을 상기 기판의 단부까지 제공하는 단계;
상기 노즐이 상기 기판의 단부에 위치할 때 상기 케미컬의 제공을 종료하는 단계; 및
상기 노즐을 통하여 상기 기판 안쪽에 제공된 상기 케미컬에 음압을 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 형성 방법.A thin film forming method for forming a thin film on a substrate,
Providing a chemical for forming the thin film through a nozzle to an end of the substrate;
Terminating provision of the chemical when the nozzle is located at an end of the substrate; And
And providing a negative pressure to the chemical provided inside the substrate through the nozzle. 제1 항에 있어서,
상기 케미컬에 음압을 제공하는 단계는,
상기 기판 안쪽으로 상기 노즐을 위치시킨 이후에 음압을 제공하는 것을 특징으로 하는 박막 형성 방법.The method according to claim 1,
The step of providing negative pressure to the chemical comprises:
Wherein a negative pressure is provided after positioning the nozzle in the substrate. 제2 항에 있어서,
상기 기판 또는/및 상기 노즐을 이동시켜 상기 기판 안쪽으로부터 상기 기판 단부까지 음압을 제공하는 것을 특징으로 하는 박막 형성 방법.3. The method of claim 2,
And moving the substrate and / or the nozzle to provide a negative pressure from the inside of the substrate to the end of the substrate. 제1 항에 있어서,
상기 케미컬에 음압을 제공하는 단계는,
상기 기판 단부로부터 상기 기판 안쪽으로 상기 기판 또는/및 상기 노즐을 이동시킴에 의해 달성하는 것을 특징으로 하는 박막 형성 방법.The method according to claim 1,
The step of providing negative pressure to the chemical comprises:
And moving the substrate and / or the nozzle from the substrate end into the substrate. 제1 항에 있어서,
상기 박막은 3 내지 7㎛의 두께를 갖는 포토레지스트 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 형성 방법.The method according to claim 1,
Wherein the thin film comprises a photoresist thin film having a thickness of 3 to 7 占 퐉. 제1 항에 있어서,
상기 기판 안쪽은 상기 기판의 단부로부터 0.1 내지 15.0㎜인 것을 특징으로 하는 박막 형성 방법.The method according to claim 1,
Wherein the inside of the substrate is 0.1 to 15.0 mm from the end of the substrate. 제1 항에 있어서,
상기 케미컬의 제공시에는 상기 노즐은 양압 상태이고, 상기 케미컬의 제공을 종료시에는 상기 노즐은 압력이 '0'인 상태인 것을 특징으로 하는 박막 형성 방법.The method according to claim 1,
Wherein the nozzle is in a positive pressure state when the chemical is provided and the pressure is zero when the chemical is supplied. 기판 상에 박막을 형성하기 위한 박막 형성 장치에 있어서,
상기 박막을 형성하기 위한 케미컬을 제공하는 노즐;
상기 기판 또는/및 상기 노즐을 이동시킬 수 있는 이동부; 및
상기 케미컬을 제공할 때에는 상기 노즐을 양압 상태로 유지시키고, 상기 기판의 단부에서 상기 케미컬의 제공을 종료할 때에는 상기 노즐의 압력을 '0'인 상태로 유지시키고, 상기 기판의 단부까지 케미컬을 제공한 후 상기 노즐을 상기 기판 안쪽에 위치시킬 때에는 상기 노즐의 압력을 음압 상태로 유지시키는 압력 조정부를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.A thin film forming apparatus for forming a thin film on a substrate,
A nozzle for providing a chemical for forming the thin film;
A moving part capable of moving the substrate and / or the nozzle; And
When the chemical is to be supplied, the nozzle is held in a positive pressure state, and when the supply of the chemical is terminated at the end of the substrate, the pressure of the nozzle is maintained at '0' And a pressure regulator for maintaining the pressure of the nozzle at a negative pressure when the nozzle is positioned inside the substrate. 제8 항에 있어서,
3 내지 7㎛의 두께를 갖는 포토레지스트 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.9. The method of claim 8,
Forming a photoresist thin film having a thickness of 3 to 7 占 퐉. 제8 항에 있어서,
상기 이동부는 상기 기판의 단부로부터 0.1 내지 15.0㎜의 기판 안쪽으로 상기 노즐이 위치하도록 조정할 수 있는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.9. The method of claim 8,
Wherein the moving part is adjustable so that the nozzle is positioned inside the substrate of 0.1 to 15.0 mm from the end of the substrate.
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