KR20190010444A - Wafer processing method - Google Patents

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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

The present invention relates to a wafer processing method capable of suppressing the generation of tape residues in the form of a chip. The wafer processing method is for processing a wafer having a circular arc extending from the surface to the back surface on an outer peripheral edge of the wafer. The wafer processing method includes: a surface protective tape attaching step (ST1) for attaching a surface protective tape to a surface of a wafer; a holding step (ST2) of holding a back surface of the wafer to which the surface protective tape is bonded by a holding table; and a cutting step (ST4) of cutting an outer circumferential edge of the wafer together with the surface protective tape by using a cutting blade to form a step portion having a predetermined depth and a predetermined width after performing the holding step (ST2). In the cutting step (ST4), the step portion is formed stepwise from an outer peripheral surface of the wafer toward the center.

Description

웨이퍼의 가공 방법{WAFER PROCESSING METHOD}[0001] WAFER PROCESSING METHOD [0002]

본 발명은, 표면으로부터 이면에 이르는 원호를 외주 가장자리에 가진 웨이퍼의 가공 방법에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method of processing a wafer having a circular arc extending from the surface to the back surface on the outer peripheral edge.

웨이퍼를 얇게 연삭했을 때에, 외주 가장자리의 모따기 부분이 나이프 에지상 (차양상) 으로 형성되어, 결락이 생겨 웨이퍼가 파손되어 버린다는 문제를 해결하기 위해서, 웨이퍼의 외주 가장자리에 표면측으로부터 모따기부 (원호) 를 제거한 후, 웨이퍼의 이면을 연삭하는 웨이퍼의 가공 방법이 이용되고 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조). 특허문헌 1 에 기재된 웨이퍼의 가공 방법은, 웨이퍼의 외주 가장자리의 모따기부를 제거할 때, 웨이퍼의 표면에 이물질이 부착되는 것을 방지하기 위해서, 웨이퍼의 표면을 향해 세정액을 공급하면서 실시하고 있다.In order to solve the problem that when the wafer is thinly ground, the chamfered portion of the outer peripheral edge is formed as a knife edge (differential phase) so that the wafer is broken due to the occurrence of a missing portion, the chamfered portion (For example, see Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-3258). The method of processing a wafer described in Patent Document 1 is carried out while supplying a cleaning liquid toward the surface of the wafer in order to prevent foreign matter from adhering to the surface of the wafer when the chamfered portion of the outer peripheral edge of the wafer is removed.

일본 공개특허공보 2012-231057호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2012-231057

그러나, 특허문헌 1 에 나타낸 방법으로도, 완전하게 이물질의 부착을 방지하는 것은 어려워, 개선이 절실히 요망되고 있다. 그래서 미리 웨이퍼의 표면을 보호하는 표면 보호 테이프를 첩착 (貼着) 하는 것을 생각할 수 있다. 그러나, 표면 보호 테이프 전체를 절삭 블레이드로 웨이퍼의 외주 가장자리의 모따기부를 표면측으로부터 절삭하면, 절삭 중에 절삭된 표면 보호 테이프의 부스러기가 웨이퍼의 외주측으로 빠져나와 사상 (絲狀) 의 테이프 부스러기가 발생한다.However, even with the method shown in Patent Document 1, it is difficult to completely prevent the adhesion of foreign matter, and improvement is urgently required. Therefore, it is conceivable to adhere (adhere) the surface protection tape which protects the surface of the wafer in advance. However, if the entire surface protective tape is cut off from the front side of the chamfered portion of the outer peripheral edge of the wafer by the cutting blade, the debris of the surface protective tape cut during cutting outwardly protrudes toward the outer periphery of the wafer, and a filamentous tape debris is generated .

사상의 테이프 부스러기는, 발생하면 장치의 각 부에 얽혀 장치의 동작에 문제를 발생시키는 것 외에, 배수 배관이 막히거나 하는 문제가 발생할 우려도 있다. 또한 발생한 사상의 테이프 부스러기는, 웨이퍼의 표면 보호 테이프상에 부착되면, 이후의 연삭시에 균일한 두께로 연삭할 수 없게 된다는 문제를 발생시킨다.When the tape debris is generated, it is entangled with each part of the apparatus to cause problems in the operation of the apparatus, and there is also a possibility that the drain pipe may become clogged. Also, when the tape scraps generated on the wafer are adhered on the surface protective tape of the wafer, the tape scraps can not be grinded to a uniform thickness at the time of subsequent grinding.

본 발명은, 이러한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 사상의 테이프 부스러기의 발생을 억제할 수 있는 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a method of processing a wafer capable of suppressing occurrence of a tape debris.

상기 서술한 과제를 해결하여, 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 웨이퍼의 가공 방법은, 표면으로부터 이면에 이르는 원호를 외주 가장자리에 가진 웨이퍼의 가공 방법으로서, 웨이퍼의 표면에 표면 보호 테이프를 첩착하는 표면 보호 테이프 첩착 스텝과, 표면 보호 테이프가 첩착된 웨이퍼의 이면측을 유지 테이블로 유지하는 유지 스텝과, 그 유지 스텝을 실시한 후, 절삭 블레이드로 웨이퍼의 외주 가장자리를 그 표면 보호 테이프와 함께 절삭하여 소정의 깊이와 소정의 폭의 단차부를 형성하는 절삭 스텝을 구비하고, 그 절삭 스텝에서 그 단차부는 웨이퍼의 외주측으로부터 중심을 향해 단계적으로 형성되는 것을 특징으로 한다.In order to solve the above-described problems and to achieve the object, the present invention is a method for processing a wafer having a circular arc extending from the surface to the back surface on the outer circumferential edge, comprising the steps of: A holding step of holding the back surface side of the wafer to which the surface protective tape is adhered by the holding table, and a holding step of cutting the outer circumferential edge of the wafer with the surface protecting tape by a cutting blade And a step for forming a stepped portion having a predetermined depth and a predetermined width, wherein the stepped portion is formed stepwise from the outer peripheral side of the wafer toward the center thereof.

상기 웨이퍼의 가공 방법에 있어서, 그 유지 스텝을 실시한 후, 그 절삭 스텝을 실시하기 전에, 그 절삭 스텝에서 형성하는 그 단차부에 대응한 영역에 있어서 그 절삭 블레이드로 그 표면 보호 테이프만을 절삭하여 박화 (薄化) 하는 표면 보호 테이프 박화 스텝을 추가로 구비해도 된다.In the method for processing a wafer, after the holding step is performed, only the surface protective tape is cut by the cutting blade in a region corresponding to the step portion formed in the cutting step before the cutting step is performed, (Thinning) the surface protective tape thinning step may be further provided.

상기 웨이퍼의 가공 방법에 있어서, 그 절삭 스텝에서는, 그 유지 테이블을 회전시키면서 그 절삭 블레이드를 소정의 속도로 웨이퍼의 중심측으로 이동시켜도 된다.In the method of processing a wafer, the cutting blade may be moved toward the center of the wafer at a predetermined speed while rotating the holding table in the cutting step.

상기 웨이퍼의 가공 방법에 있어서, 그 표면 보호 테이프 박화 스텝에서는, 그 유지 테이블을 회전시키면서 그 절삭 블레이드를 소정의 속도로 하강시켜도 된다.In the method of processing a wafer, in the surface protective tape thinning step, the cutting blade may be lowered at a predetermined speed while rotating the holding table.

상기 웨이퍼의 가공 방법에 있어서, 그 절삭 블레이드의 두께의 값은, 그 절삭 스텝에서 형성되는 그 단차부의 홈 바닥의 폭의 값 이상이어도 된다.In the method of processing a wafer, the value of the thickness of the cutting blade may be equal to or greater than the value of the width of the groove bottom of the step formed in the cutting step.

본 발명은, 사상의 테이프 부스러기의 발생을 억제할 수 있다는 효과를 발휘한다.INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention exerts the effect of suppressing the occurrence of everyday tape debris.

도 1 은, 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼 가공 방법의 가공 대상인 웨이퍼의 사시도이다.
도 2 는, 도 1 에 나타낸 웨이퍼의 외주 가장자리의 단면도이다.
도 3 은, 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법에서 사용되는 절삭 장치의 구성예를 나타내는 사시도이다.
도 4 는, 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법을 나타내는 플로 차트이다.
도 5 는, 도 4 에 나타낸 웨이퍼 가공 방법의 표면 보호 테이프 첩착 스텝을 나타내는 사시도이다.
도 6 은, 도 4 에 나타낸 웨이퍼 가공 방법의 표면 보호 테이프 첩착 스텝 후의 웨이퍼의 외주 가장자리의 단면도이다.
도 7 은, 도 4 에 나타낸 웨이퍼 가공 방법의 유지 스텝을 나타내는 측면도이다.
도 8 은, 도 7 에 나타낸 웨이퍼 가공 방법의 표면 보호 테이프 박화 스텝의 개요를 나타내는 단면도이다.
도 9 는, 도 4 에 나타낸 웨이퍼 가공 방법의 절삭 스텝의 개요를 나타내는 단면도이다.
도 10 은, 실시형태 2 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법을 나타내는 플로 차트이다.
도 11 은, 도 10 에 나타낸 웨이퍼 가공 방법의 표면 보호 테이프 박화 스텝의 개요를 나타내는 주요부의 단면도이다.
도 12 는, 실시형태 3 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법을 나타내는 플로 차트이다.
도 13 은, 도 12 에 나타낸 웨이퍼 가공 방법의 절삭 스텝의 개요를 나타내는 주요부의 단면도이다.
도 14 는, 실시형태 1 및 실시형태 3 의 변형예 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법을 나타내는 플로 차트이다.1 is a perspective view of a wafer to be processed in the wafer processing method according to the first embodiment.
2 is a cross-sectional view of the outer peripheral edge of the wafer shown in Fig.
3 is a perspective view showing a configuration example of a cutting apparatus used in a method of processing a wafer according to the first embodiment.
4 is a flowchart showing a method of processing a wafer according to the first embodiment.
Fig. 5 is a perspective view showing a surface protective tape attaching step of the wafer processing method shown in Fig. 4; Fig.
6 is a cross-sectional view of the outer peripheral edge of the wafer after the surface protective tape adhering step of the wafer processing method shown in Fig.
7 is a side view showing a holding step of the wafer processing method shown in Fig.
Fig. 8 is a cross-sectional view showing the outline of the surface protective tape thinning step of the wafer processing method shown in Fig. 7;
Fig. 9 is a sectional view showing the outline of a cutting step of the wafer processing method shown in Fig. 4;
10 is a flowchart showing a method of processing a wafer according to the second embodiment.
Fig. 11 is a cross-sectional view of a main portion showing the outline of the surface protective tape thinning step of the wafer processing method shown in Fig. 10; Fig.
12 is a flow chart showing a method of processing a wafer according to the third embodiment.
13 is a cross-sectional view of a main part showing an outline of a cutting step of the wafer processing method shown in Fig.
14 is a flowchart showing a method of processing a wafer according to Modification 1 of Embodiment 1 and Embodiment 3. Fig.

본 발명을 실시하기 위한 형태 (실시형태) 에 대해, 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 이하의 실시형태에 기재한 내용에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 또, 이하에 기재한 구성 요소에는, 당업자가 용이하게 상정할 수 있는 것, 실질적으로 동일한 것이 포함된다. 또한, 이하에 기재한 구성은 적절하게 조합할 수 있다. 또, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 구성의 여러 가지의 생략, 치환 또는 변경을 실시할 수 있다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A mode (embodiment) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited to the following embodiments. Incidentally, the constituent elements described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art, and substantially the same ones. Further, the structures described below can be suitably combined. In addition, various omissions, substitutions, or alterations of the configuration can be made without departing from the gist of the present invention.

〔실시형태 1〕[Embodiment 1]

본 발명의 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법을 도면에 기초하여 설명한다. 도 1 은, 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼 가공 방법의 가공 대상인 웨이퍼의 사시도이다. 도 2 는, 도 1 에 나타낸 웨이퍼의 외주 가장자리의 단면도이다.A method of processing a wafer according to Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to the drawings. 1 is a perspective view of a wafer to be processed in the wafer processing method according to the first embodiment. 2 is a cross-sectional view of the outer peripheral edge of the wafer shown in Fig.

실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법은, 도 1 에 나타내는 웨이퍼 (200) 의 가공 방법으로서, 웨이퍼 (200) 의 외주 가장자리 (205) 의 표면 (201) 측을 제거하는 방법이다. 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼 가공 방법의 가공 대상인 웨이퍼 (200) 는, 실리콘을 기판으로 하는 원판상의 반도체 웨이퍼나 사파이어, SiC (탄화규소) 등을 기판으로 하는 광 디바이스 웨이퍼이다. 웨이퍼 (200) 는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 표면 (201) 에 형성된 격자상의 분할 예정 라인 (203) 으로 구획된 복수의 영역에 디바이스 (202) 가 형성되어 있다. 또, 웨이퍼 (200) 는, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 표면 (201) 으로부터 이면 (204) 에 이르는 원호를 외주 가장자리 (205) 에 가지고 있다. 즉, 웨이퍼 (200) 의 외주 가장자리 (205) 의 일부의 단면은, 표면 (201) 으로부터 이면 (204) 에 이르는 원호상으로 형성되어 있다.The method for processing a wafer according to Embodiment 1 is a method for processing the wafer 200 shown in Fig. 1 and a method for removing the side of the surface 201 of the outer peripheral edge 205 of the wafer 200. The wafer 200 to be processed in the wafer processing method according to Embodiment 1 is a semiconductor wafer in the form of a disk using silicon as a substrate or an optical device wafer having sapphire or SiC (silicon carbide) as a substrate. 1, the device 200 is formed in a plurality of regions partitioned by lattice-division scheduled lines 203 formed on a surface 201 of the wafer 200. [ 2, the wafer 200 has a circular arc extending from the surface 201 to the rear surface 204 on the outer circumferential edge 205. That is, a cross section of a part of the outer circumferential edge 205 of the wafer 200 is formed in a circular arc from the surface 201 to the back surface 204.

다음으로, 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법에서 사용되는 절삭 장치 (1) 의 일례를 설명한다. 도 3 은, 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법에서 사용되는 절삭 장치의 구성예를 나타내는 사시도이다.Next, an example of the cutting apparatus 1 used in the wafer processing method according to the first embodiment will be described. 3 is a perspective view showing a configuration example of a cutting apparatus used in a method of processing a wafer according to the first embodiment.

절삭 장치 (1) 는, 웨이퍼 (200) 에 절삭 블레이드 (21) 를 절입시켜 웨이퍼 (200) 를 회전시킴으로써, 웨이퍼 (200) 에 원형의 절삭 가공을 실시하여, 웨이퍼 (200) 의 외주 가장자리 (205) 의 표면 (201) 측을 전체 둘레에 걸쳐 제거하여 단차부 (300) (도 2 에 점선으로 나타낸다) 를 형성하는, 이른바 에지 트리밍 가공을 웨이퍼 (200) 에 실시하는 장치이다. 실시형태 1 에 있어서, 절삭 장치 (1) 가 웨이퍼 (200) 의 외주 가장자리 (205) 의 표면 (201) 측을 전체 둘레에 걸쳐 제거하여 형성하는 단차부 (300) 는, 표면 (201) 으로부터 홈 바닥 (301) 까지의 깊이가 소정의 깊이 (302) 에 형성되어 있다. 또, 실시형태 1 에 있어서, 웨이퍼 (200) 에 형성되는 단차부 (300) 는, 디바이스 (202) 보다 웨이퍼 (200) 의 외주 측에 위치하고, 웨이퍼 (200) 의 직경 방향의 폭이 전체 둘레에 걸쳐 소정의 폭 (303) (일정한 폭) 으로 형성되어 있다.The cutting apparatus 1 cuts a cutting blade 21 into the wafer 200 and rotates the wafer 200 so that the wafer 200 is subjected to a circular cutting process so that the outer peripheral edge 205 of the wafer 200 Called edge trimming is performed on the wafer 200 by forming the stepped portion 300 (shown by a dotted line in FIG. 2) by removing the entire surface of the wafer 201 on the surface 201 side. The step portion 300 formed by removing the cutting device 1 from the surface 201 side of the outer circumferential edge 205 of the wafer 200 over the entire periphery is formed by the surface 201, And a depth up to the bottom 301 is formed at a predetermined depth 302. In Embodiment 1, the stepped portion 300 formed on the wafer 200 is located on the outer peripheral side of the wafer 200 than the device 202, and the width of the wafer 200 in the radial direction And is formed to have a predetermined width 303 (constant width).

절삭 장치 (1) 는, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 (200) 를 유지면 (11) 에서 흡인 유지하는 유지 테이블 (10) 과, 유지 테이블 (10) 에 유지된 웨이퍼 (200) 에 에지 트리밍 가공을 실시하는 절삭 유닛 (20) 과, 유지 테이블 (10) 과 절삭 유닛 (20) 을 수평 방향과 평행한 X 축 방향으로 상대 이동시키는 X 축 이동 유닛 (30) 과, 유지 테이블 (10) 과 절삭 유닛 (20) 을 수평 방향과 평행하게 또한 X 축 방향과 직교하는 Y 축 방향으로 상대 이동시키는 Y 축 이동 유닛 (40) 과, 유지 테이블 (10) 과 절삭 유닛 (20) 을 X 축 방향과 Y 축 방향의 쌍방과 직교하는 Z 축 방향으로 상대 이동시키는 Z 축 이동 유닛 (50) 과, 촬상 유닛 (60) 과, 제어 유닛 (100) 을 구비한다.3, the cutting apparatus 1 includes a holding table 10 for holding the wafer 200 by suction on the holding surface 11, and an edge trim (not shown) on the wafer 200 held by the holding table 10, An X-axis moving unit 30 for relatively moving the holding table 10 and the cutting unit 20 in the X-axis direction parallel to the horizontal direction, a holding table 10, A Y-axis moving unit 40 that relatively moves the cutting unit 20 in the horizontal direction and in the Y-axis direction orthogonal to the X-axis direction, and a Y-axis moving unit 40 which moves the holding table 10 and the cutting unit 20 in the X- A Z-axis moving unit 50 that relatively moves in the Z-axis direction orthogonal to both Y-axis directions, an image pickup unit 60, and a control unit 100. [

유지 테이블 (10) 은, 유지면 (11) 을 구성하는 부분이 포러스 세라믹 등으로 형성된 원반 형상이며, 도시되지 않은 진공 흡인 경로를 통하여 도시되지 않은 진공 흡인원과 접속되어, 유지면 (11) 에 재치 (載置) 된 웨이퍼 (200) 를 흡인함으로써 유지한다. 또, 유지 테이블 (10) 은, 회전 구동원 (12) 에 의해 Z 축 방향과 평행한 축심 둘레로 회전된다.The holding table 11 has a disk-shaped portion formed of porous ceramic or the like and is connected to a vacuum suction source (not shown) through a vacuum suction path And holds the wafers 200 placed thereon by suction. The holding table 10 is rotated around the axis parallel to the Z-axis direction by the rotation driving source 12. [

X 축 이동 유닛 (30) 은, 유지 테이블 (10) 을 회전 구동원 (12) 과 함께 X 축 방향으로 이동시킴으로써, 유지 테이블 (10) 을 X 축 방향으로 가공 이송하는 가공 이송 수단이다. Y 축 이동 유닛 (40) 은, 절삭 유닛 (20) 을 Y 축 방향으로 이동시킴으로써, 유지 테이블 (10) 을 산출 이송하는 산출 이송 수단이다. Z 축 이동 유닛 (50) 은, 절삭 유닛 (20) 을 Z 축 방향으로 이동시킴으로써, 절삭 유닛 (20) 을 절입 이송하는 절입 이송 수단이다. X 축 이동 유닛 (30), Y 축 이동 유닛 (40) 및 Z 축 이동 유닛 (50) 은, 축심 둘레로 자유롭게 회전할 수 있도록 형성된 주지된 볼 나사 (31, 41, 51), 볼 나사 (31, 41, 51) 를 축심 둘레로 회전시키는 주지된 펄스 모터 (32, 42, 52) 및 유지 테이블 (10) 또는 절삭 유닛 (20) 을 X 축 방향, Y 축 방향 또는 Z 축 방향으로 자유롭게 이동할 수 있도록 지지하는 주지된 가이드 레일 (33, 43, 53) 을 구비한다.The X-axis moving unit 30 is a processing and feeding unit that feeds and feeds the holding table 10 in the X-axis direction by moving the holding table 10 together with the rotation driving source 12 in the X-axis direction. The Y-axis moving unit 40 is a calculating and feeding means for calculating and feeding the holding table 10 by moving the cutting unit 20 in the Y-axis direction. The Z-axis moving unit 50 is a feeding and feeding unit for feeding and feeding the cutting unit 20 by moving the cutting unit 20 in the Z-axis direction. The X-axis moving unit 30, the Y-axis moving unit 40 and the Z-axis moving unit 50 are composed of well-known ball screws 31, 41 and 51 which are freely rotatable around the axis, 42, 52 and the holding table 10 or the cutting unit 20 which freely move in the X-axis direction, the Y-axis direction, or the Z-axis direction And guide rails (33, 43, 53) for supporting the guide rails (33, 43, 53).

절삭 유닛 (20) 은, Y 축 방향과 평행한 축심 둘레로 회전하는 스핀들 (22) 과, 스핀들 (22) 을 수용하고 또한 Y 축 이동 유닛 (40) 및 Z 축 이동 유닛 (50) 에 의해 Y 축 방향과 Z 축 방향으로 이동되는 스핀들 하우징 (23) 과, 스핀들 (22) 에 장착된 절삭 블레이드 (21) 를 구비한다. 절삭 블레이드 (21) 는, 극박의 링 형상으로 형성된 절삭 지석이고, 절삭수가 공급되면서 Y 축 방향과 평행한 축심 둘레로 스핀들 (22) 에 의해 회전됨으로써, 유지 테이블 (10) 에 유지된 웨이퍼 (200) 를 절삭 가공하는 것이다. 절삭 유닛 (20) 의 절삭 블레이드 (21) 의 절삭날의 두께의 값은, 단차부 (300) 의 홈 바닥 (301) 의 소정의 폭 (303) 의 값 이상이며, 실시형태 1 에 있어서, 예를 들어 1 ㎜ 이상의 두께를 갖고, 에지 트리밍 가공시에 잘 구부러지지 않는 것이 바람직하다.The cutting unit 20 includes a spindle 22 that rotates around an axis parallel to the Y axis direction and a Y axis driving unit 40 that receives the spindle 22 and is rotated by Y A spindle housing 23 which is moved in the axial direction and the Z-axis direction, and a cutting blade 21 mounted on the spindle 22. The cutting blade 21 is a cutting grindstone formed in the shape of an extremely thin ring and is rotated by the spindle 22 around the axis parallel to the Y axis direction while the cutting water is being supplied so that the wafer 200 held on the holding table 10 ). The value of the thickness of the cutting edge of the cutting blade 21 of the cutting unit 20 is equal to or larger than the value of the predetermined width 303 of the groove bottom 301 of the stepped portion 300. In Embodiment 1, It is preferable that it has a thickness of 1 mm or more and does not bend well at edge trimming processing.

촬상 유닛 (60) 은, 유지 테이블 (10) 에 유지된 웨이퍼 (200) 를 촬상하는 것으로, 절삭 유닛 (20) 과 X 축 방향으로 병렬하는 위치에 배치 형성되어 있다. 실시형태 1 에서는, 촬상 유닛 (60) 은, 스핀들 하우징 (23) 에 장착되어 있다. 촬상 유닛 (60) 은, 유지 테이블 (10) 에 유지된 웨이퍼 (200) 를 촬상하는 CCD 카메라에 의해 구성된다.The image pickup unit 60 picks up the wafer 200 held on the holding table 10 and is disposed at a position in parallel with the cutting unit 20 in the X-axis direction. In the first embodiment, the image pickup unit 60 is mounted on the spindle housing 23. [ The image pickup unit 60 is constituted by a CCD camera for picking up an image of the wafer 200 held on the holding table 10.

제어 유닛 (100) 은, 절삭 장치 (1) 의 상기 서술한 각 구성 요소를 각각 제어하여, 웨이퍼 (200) 에 대한 가공 동작을 절삭 장치 (1) 에 실시시키는 것이다. 제어 유닛 (100) 은, CPU (central processing unit) 와 같은 마이크로 프로세서를 갖는 연산 처리 장치와, ROM (read only memory) 또는 RAM (random access memory) 과 같은 메모리를 갖는 기억 장치와, 입출력 인터페이스 장치를 갖고, 컴퓨터 프로그램을 실행 가능한 컴퓨터이다. 제어 유닛 (100) 의 연산 처리 장치는, ROM 에 기억되어 있는 컴퓨터 프로그램을 RAM 상에서 실행하여, 절삭 장치 (1) 를 제어하기 위한 제어 신호를 생성한다. 제어 유닛 (100) 의 연산 처리 장치는, 생성한 제어 신호를 입출력 인터페이스 장치를 개재하여 절삭 장치 (1) 의 각 구성 요소에 출력한다. 또, 제어 유닛 (100) 은, 가공 동작 상태나 화상 등을 표시하는 액정 표시 장치 등에 의해 구성되는 도시되지 않은 표시 유닛이나, 오퍼레이터가 가공 내용 정보 등을 등록할 때에 사용하는 입력 유닛과 접속되어 있다. 입력 유닛은, 표시 유닛에 형성된 터치 패널과 키보드 등 중 적어도 하나에 의해 구성된다.The control unit 100 controls each of the components described above of the cutting apparatus 1 to perform a machining operation on the wafer 200 to the cutting apparatus 1. [ The control unit 100 includes an arithmetic processing unit having a microprocessor such as a central processing unit (CPU), a storage unit having a memory such as a ROM (read only memory) or a RAM (random access memory) And is a computer capable of executing a computer program. The arithmetic processing unit of the control unit 100 executes a computer program stored in the ROM on the RAM to generate a control signal for controlling the cutting apparatus 1. [ The arithmetic processing unit of the control unit 100 outputs the generated control signal to each component of the cutting device 1 via the input / output interface device. The control unit 100 is connected to an unillustrated display unit constituted by a liquid crystal display or the like for displaying a machining operation state or an image or the like and an input unit used when the operator registers the machining content information or the like . The input unit is constituted by at least one of a touch panel and a keyboard or the like formed on the display unit.

다음으로, 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법을 설명한다. 도 4 는, 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법을 나타내는 플로 차트이다. 도 5 는, 도 4 에 나타낸 웨이퍼 가공 방법의 표면 보호 테이프 첩착 스텝을 나타내는 사시도이다. 도 6 은, 도 4 에 나타낸 웨이퍼 가공 방법의 표면 보호 테이프 첩착 스텝 후의 웨이퍼의 외주 가장자리의 단면도이다. 도 7 은, 도 4 에 나타낸 웨이퍼 가공 방법의 유지 스텝을 나타내는 측면도이다. 도 8 은, 도 7 에 나타낸 웨이퍼 가공 방법의 표면 보호 테이프 박화 스텝의 개요를 나타내는 단면도이다. 도 9 는, 도 4 에 나타낸 웨이퍼 가공 방법의 절삭 스텝의 개요를 나타내는 단면도이다.Next, a processing method of the wafer according to the first embodiment will be described. 4 is a flowchart showing a method of processing a wafer according to the first embodiment. Fig. 5 is a perspective view showing a surface protective tape attaching step of the wafer processing method shown in Fig. 4; Fig. 6 is a cross-sectional view of the outer peripheral edge of the wafer after the surface protective tape adhering step of the wafer processing method shown in Fig. 7 is a side view showing a holding step of the wafer processing method shown in Fig. Fig. 8 is a cross-sectional view showing the outline of the surface protective tape thinning step of the wafer processing method shown in Fig. 7; Fig. 9 is a sectional view showing the outline of a cutting step of the wafer processing method shown in Fig. 4;

웨이퍼의 가공 방법 (이하, 간단히 가공 방법이라고 기재한다) 은, 웨이퍼 (200) 에 절삭 블레이드 (21) 를 절입시켜, 웨이퍼 (200) 를 Z 축 방향과 평행한 축심 둘레로 회전시킴으로써, 웨이퍼 (200) 에 원형의 절삭 가공을 실시하여, 단차부 (300) 를 형성하는 가공 방법이다. 가공 방법은, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 표면 보호 테이프 첩착 스텝 (ST1) 과, 유지 스텝 (ST2) 과, 표면 보호 테이프 박화 스텝 (ST3) 과, 절삭 스텝 (ST4) 을 구비한다.A method of processing a wafer (hereinafter simply referred to as a processing method) is a method of cutting a wafer 200 by cutting a cutting blade 21 into the wafer 200 and rotating the wafer 200 around an axis parallel to the Z- To form the stepped portion 300. In this way, as shown in Fig. As shown in Fig. 4, the processing method includes a surface protective tape attaching step ST1, a holding step ST2, a surface protecting tape thinning step ST3, and a cutting step ST4.

표면 보호 테이프 첩착 스텝 (ST1) 은, 웨이퍼 (200) 의 표면 (201) 에 도 5 에 나타내는 표면 보호 테이프 (210) 를 첩착하는 스텝이다. 실시형태 1 에 있어서, 표면 보호 테이프 (210) 는, 웨이퍼 (200) 와 동일한 크기의 원형으로 형성되어 있다. 표면 보호 테이프 (210) 는, 합성 수지에 의해 구성된 기재층과, 기재층 상에 배치 형성되어 웨이퍼 (200) 의 표면 (201) 에 첩착하는 풀층을 구비하고, 웨이퍼 (200) 와 동등한 크기의 원판상으로 형성되어 있다. 실시형태 1 에 있어서, 표면 보호 테이프 (210) 는, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 표면 보호 테이프 (210) 의 풀층과 웨이퍼 (200) 와 대향시킨 후, 도 6 에 나타내는 바와 같이, 표면 보호 테이프 (210) 의 풀층을 웨이퍼 (200) 의 표면 (201) 에 첩착한다. 가공 방법은, 표면 보호 테이프 첩착 스텝 (ST1) 후, 유지 스텝 (ST2) 으로 진행된다.The surface protective tape attaching step ST1 is a step of attaching the surface protective tape 210 shown in Fig. 5 to the surface 201 of the wafer 200. Fig. In the first embodiment, the surface protection tape 210 is formed in a circular shape having the same size as the wafer 200. The surface protection tape 210 has a base layer made of a synthetic resin and a full layer formed on the base layer and attached to the surface 201 of the wafer 200, And is formed in a disc shape. As shown in Fig. 5, the surface protection tape 210 in Embodiment 1 is formed by facing the wafer 200 with the full layer of the surface protection tape 210, 210 are attached to the surface 201 of the wafer 200. The processing method proceeds to the holding step ST2 after the surface protective tape attaching step ST1.

유지 스텝 (ST2) 은, 표면 보호 테이프 (210) 가 첩착된 웨이퍼 (200) 의 이면 (204) 측을 유지 테이블 (10) 로 유지하는 스텝이다. 유지 스텝 (ST2) 에서는, 오퍼레이터가 입력 유닛을 조작하여 가공 내용 정보를 제어 유닛 (100) 에 등록하고, 오퍼레이터가 도 7 에 나타내는 바와 같이 표면 보호 테이프 (210) 를 상면으로 하여 웨이퍼 (200) 의 이면 (204) 을 유지면 (11) 에 재치하고, 오퍼레이터로부터 가공 동작의 개시 지시가 있었던 경우에, 제어 유닛 (100) 이 진공 흡인원을 구동시켜 유지 테이블 (10) 에 웨이퍼 (200) 를 흡인 유지한다. 이와 같이, 유지 스텝 (ST2) 에 있어서, 유지 테이블 (10) 은, 표면 보호 테이프 (210) 가 첩착된 웨이퍼 (200) 를 표면 보호 테이프 (210) 를 상면으로 하여 유지한다. 가공 방법은, 유지 스텝 (ST2) 후, 표면 보호 테이프 박화 스텝 (ST3) 으로 진행된다.The holding step ST2 is a step of holding the back surface 204 side of the wafer 200 to which the surface protection tape 210 is adhered by the holding table 10. In the maintenance step ST2, the operator operates the input unit to register the processing content information in the control unit 100, and the operator moves the wafer 200 with the surface protection tape 210 as an upper surface as shown in Fig. The control unit 100 drives the vacuum suction source to suck the wafer 200 to the holding table 10 when the back surface 204 is placed on the holding surface 11 and there is an instruction to start the machining operation from the operator . Thus, in the holding step ST2, the holding table 10 holds the wafer 200 to which the surface protection tape 210 is adhered, with the surface protection tape 210 as an upper surface. The processing method proceeds to the surface protective tape thinning step ST3 after the holding step ST2.

표면 보호 테이프 박화 스텝 (ST3) 은, 유지 스텝 (ST2) 을 실시한 후, 절삭 스텝 (ST4) 을 실시하기 전에, 표면 보호 테이프 (210) 의 절삭 스텝 (ST4) 에서 형성하는 단차부 (300) 에 대응하는 영역 (211) 에 있어서, 절삭 블레이드 (21) 로 표면 보호 테이프 (210) 만을 절삭하여, 표면 보호 테이프 (210) 의 영역 (211) 을 박화하는 스텝이다. 또한, 표면 보호 테이프 (210) 의 단차부 (300) 에 대응하는 영역 (211) 은, 표면 보호 테이프 (210) 의 단차부 (300) 에 Z 축 방향과 겹치는 영역이다. 표면 보호 테이프 박화 스텝 (ST3) 에서는, 제어 유닛 (100) 은, X 축 이동 유닛 (30) 에 의해 유지 테이블 (10) 을 촬상 유닛 (60) 의 하방을 향해 이동하여, 촬상 유닛 (60) 에 웨이퍼 (200) 를 촬상시켜, 얼라이먼트를 수행한다.The surface protective tape thinning step ST3 is carried out after the holding step ST2 is performed and before the cutting step ST4 is carried out, the surface protective tape thinning step ST3 is carried out to the stepped portion 300 formed in the cutting step ST4 of the surface protective tape 210 Only the surface protection tape 210 is cut with the cutting blade 21 in the corresponding area 211 to thin the area 211 of the surface protection tape 210. [ The area 211 corresponding to the stepped portion 300 of the surface protection tape 210 is an area overlapping the stepped portion 300 of the surface protection tape 210 in the Z axis direction. In the surface protective tape thinning step ST3, the control unit 100 moves the holding table 10 toward the lower side of the image pickup unit 60 by the X-axis moving unit 30, The wafer 200 is picked up and alignment is performed.

그리고, 제어 유닛 (100) 은, 가공 내용 정보와 얼라이먼트 결과 등에 기초하여, X 축 이동 유닛 (30) 과 Y 축 이동 유닛 (40) 과 Z 축 이동 유닛 (50) 과 회전 구동원 (12) 에 의해 유지 테이블 (10) 을 축심 둘레로 회전시키면서, 스핀들 (22) 에 의해 회전된 절삭 블레이드 (21) 를 유지 테이블 (10) 에 유지된 웨이퍼 (200) 에 첩착된 표면 보호 테이프 (210) 의 영역 (211) 상에 위치 결정한다. 제어 유닛 (100) 은, 유지 테이블 (10) 을 회전시키면서, Z 축 이동 유닛 (50) 에 의해 절삭 유닛 (20) 을 소정의 절입 이송 속도로 절입 이송 (하강) 시켜, 절삭 블레이드 (21) 를 웨이퍼 (200) 의 외주 가장자리 (205) 상의 표면 보호 테이프 (210) 에 절입시켜, 도 8 에 나타내는 바와 같이, 표면 보호 테이프 (210) 의 외주부의 영역 (211) 을 박화한다.The control unit 100 controls the X-axis moving unit 30, the Y-axis moving unit 40, the Z-axis moving unit 50, and the rotation driving source 12 based on the processing content information, The cutting blade 21 rotated by the spindle 22 is pressed against the area of the surface protective tape 210 adhered to the wafer 200 held on the holding table 10 while rotating the holding table 10 around the axis 211). The control unit 100 causes the cutting unit 20 to feed (lower) the cutting unit 20 at a predetermined infeed feed rate by the Z-axis moving unit 50 while rotating the holding table 10, The surface protective tape 210 on the outer circumferential edge 205 of the wafer 200 is cut into the region 211 of the outer circumferential portion of the surface protective tape 210 as shown in Fig.

제어 유닛 (100) 은, 표면 보호 테이프 (210) 의 외주부의 영역 (211) 을 소정의 두께까지 박화하면, 표면 보호 테이프 박화 스텝 (ST3) 을 종료한다. 또한, 실시형태 1 에 있어서, 표면 보호 테이프 (210) 의 두께는 100 ㎛ 이고, 표면 보호 테이프 박화 스텝 (ST3) 에서는, 표면 보호 테이프 (210) 의 영역 (211) 을 20 ㎛ 까지 박화한다. 가공 방법은, 표면 보호 테이프 박화 스텝 (ST3) 후, 절삭 스텝 (ST4) 으로 진행된다.The control unit 100 ends the surface protective tape thinning step ST3 when the area 211 of the outer peripheral portion of the surface protective tape 210 is thinned to a predetermined thickness. In Embodiment 1, the thickness of the surface protection tape 210 is 100 占 퐉. In the surface protection tape thinning step ST3, the area 211 of the surface protection tape 210 is thinned to 20 占 퐉. The processing method proceeds to the cutting step ST4 after the surface protective tape thinning step ST3.

절삭 스텝 (ST4) 은, 유지 스텝 (ST2) 및 표면 보호 테이프 박화 스텝 (ST3) 을 실시한 후, 절삭 블레이드 (21) 로 웨이퍼 (200) 의 외주 가장자리 (205) 를 표면 보호 테이프 (210) 와 함께 절삭하고, 외주 가장자리 (205) 에 단차부 (300) 를 형성하여, 웨이퍼 (200) 에 에지 트리밍 가공을 실시하는 스텝이다. 절삭 스텝 (ST4) 에서는, 제어 유닛 (100) 은, 가공 내용 정보와 얼라이먼트 결과 등에 기초하여, X 축 이동 유닛 (30) 과 Y 축 이동 유닛 (40) 과 Z 축 이동 유닛 (50) 과 회전 구동원 (12) 에 의해 유지 테이블 (10) 을 축심 둘레로 회전시키면서, 회전된 절삭 블레이드 (21) 의 날끝의 하단을 단차부 (300) 의 홈 바닥 (301) 과 Z 축 방향의 동일한 높이에 위치 결정함과 함께, 절삭 블레이드 (21) 의 날끝을 유지 테이블 (10) 에 유지된 웨이퍼 (200) 의 외주 가장자리 (205) 보다 외주측에 위치 결정한다.The cutting step ST4 is a step of cutting the outer peripheral edge 205 of the wafer 200 with the surface protection tape 210 with the cutting blade 21 after performing the holding step ST2 and the surface protective tape thinning step ST3 And a step 300 is formed on the outer peripheral edge 205 to perform edge trimming processing on the wafer 200. [ In the cutting step ST4, the control unit 100 controls the X-axis moving unit 30, the Y-axis moving unit 40, the Z-axis moving unit 50, and the rotation driving unit 30 based on the processing content information, The lower end of the blade edge of the rotating cutting blade 21 is positioned at the same height as the groove bottom 301 of the stepped portion 300 in the Z axis direction while rotating the holding table 10 around the axis by the rotating shaft 12 And the cutting edge of the cutting blade 21 is positioned on the outer peripheral side of the outer peripheral edge 205 of the wafer 200 held on the holding table 10.

제어 유닛 (100) 은, 유지 테이블 (10) 을 회전시키면서 Y 축 이동 유닛 (40) 에 의해 절삭 유닛 (20) 을 소정의 산출 이송 속도로 웨이퍼 (200) 의 중심측으로 이동시켜, 도 9 에 나타내는 바와 같이, 절삭 블레이드 (21) 를 웨이퍼 (200) 의 외주 가장자리 (205) 와 표면 보호 테이프 (210) 에 절입시킨다. 절삭 스텝 (ST4) 에서는, 절삭 유닛 (20) 은, 절삭 블레이드 (21) 로 웨이퍼 (200) 의 외주 가장자리 (205) 를 표면 보호 테이프 (210) 와 함께 절삭하여 단차부 (300) 를 형성한다. 이와 같이, 실시형태 1 에 관련된 가공 방법에서는, 절삭 스텝 (ST4) 에 있어서, 소정의 산출 이송 속도로 절삭 블레이드 (21) 를 웨이퍼 (200) 의 중심 방향으로 이동시킴으로써, 절삭 블레이드 (21) 가 에지 트리밍 가공을 실시하여, 단차부 (300) 는, 웨이퍼 (200) 의 외주측으로부터 중심을 향해 단계적으로 형성된다. 즉, 제어 유닛 (100) 은, 절삭 유닛 (20) 에 웨이퍼 (200) 의 외주측으로부터 중심을 향해 단계적으로 단차부 (300) 를 형성시킨다.The control unit 100 moves the cutting unit 20 to the center side of the wafer 200 at a predetermined calculated feed rate by the Y-axis moving unit 40 while rotating the holding table 10, The cutting blade 21 is inserted into the outer peripheral edge 205 of the wafer 200 and the surface protective tape 210 as shown in FIG. In the cutting step ST4, the cutting unit 20 cuts the outer circumferential edge 205 of the wafer 200 together with the surface protection tape 210 with the cutting blade 21 to form the stepped portion 300. As described above, in the machining method according to the first embodiment, the cutting blade 21 is moved toward the center of the wafer 200 at the predetermined calculation feed rate in the cutting step ST4, The step 300 is formed stepwise from the outer circumferential side of the wafer 200 toward the center. That is, the control unit 100 forms the stepped portion 300 in the cutting unit 20 stepwise from the outer circumferential side of the wafer 200 toward the center.

제어 유닛 (100) 은, 단차부 (300) 의 폭을 소정의 폭 (303) 까지 형성하면, 절삭 스텝 (ST4) 을 종료한다. 또한, 실시형태 1 에 있어서, 단차부 (300) 의 소정의 깊이 (302) 는 400 ㎛ 이고, 단차부 (300) 의 소정의 폭 (303) 은 800 ㎛ 이다. 가공 방법은, 절삭 스텝 (ST4) 후, 종료한다. 웨이퍼 (200) 는, 가공 방법 후, 이면 (204) 측에 연삭 가공 등이 실시되어, 소정의 마무리 두께까지 박화된 후, 다른 절삭 장치 등을 사용하여 개개의 디바이스 (202) 로 분할된다.The control unit 100 ends the cutting step ST4 if the width of the stepped portion 300 is formed up to the predetermined width 303. [ In Embodiment 1, the predetermined depth 302 of the stepped portion 300 is 400 占 퐉 and the predetermined width 303 of the stepped portion 300 is 800 占 퐉. The machining method is finished after the cutting step ST4. After the processing method, the wafer 200 is subjected to grinding or the like on the side of the back surface 204, is thinned to a predetermined finishing thickness, and is then divided into individual devices 202 using another cutting device or the like.

실시형태 1 에 관련된 가공 방법은, 절삭 스텝 (ST4) 에 있어서, 웨이퍼 (200) 의 외주측으로부터 웨이퍼 (200) 의 중심을 향해 절삭 블레이드 (21) 를 이동시켜 에지 트리밍 가공을 실시하여 단차부 (300) 를 단계적으로 형성한다. 이 때문에, 가공 방법은, 절삭 블레이드 (21) 가 절삭 중에 외주 방향으로 빠져나가려고 하는 절삭된 표면 보호 테이프 (210) 의 부스러기를 억제하게 되어, 절삭된 표면 보호 테이프 (210) 의 부스러기가 웨이퍼 (200) 의 외주측으로 빠져나가는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 가공 방법은, 표면 보호 테이프 (210) 의 영역 (211) 을 절삭 제거할 수 있음과 함께, 영역 (211) 으로부터 제거된 표면 보호 테이프 (210) 로 이루어지는 사상의 테이프 부스러기의 발생을 억제할 수 있다.The cutting method according to Embodiment 1 is characterized in that the cutting blade 21 is moved from the outer circumferential side of the wafer 200 toward the center of the wafer 200 in the cutting step ST4 to perform edge trimming, 300 are formed stepwise. Therefore, the machining method suppresses the debris of the cut surface protective tape 210 that the cutting blade 21 is going to run out in the circumferential direction during cutting, and the debris of the cut surface protective tape 210 is transferred to the wafer 200 can be restrained from escaping to the outer circumferential side. As a result, in the processing method, the area 211 of the surface protection tape 210 can be cut off, and the generation of the filamentous tape debris composed of the surface protection tape 210 removed from the area 211 can be suppressed can do.

또, 실시형태 1 에 관련된 가공 방법은, 절삭 스텝 (ST4) 의 실시 전의 표면 보호 테이프 박화 스텝 (ST3) 에 있어서, 표면 보호 테이프 (210) 의 영역 (211) 을 박화하므로, 단차부 (300) 를 형성할 때에, 표면 보호 테이프 (210) 와 웨이퍼 (200) 의 표면 (201) 의 계면에 크랙이 발생하는 것을 억제할 수 있다.Since the area 211 of the surface protection tape 210 is thinned in the surface protective tape thinning step ST3 before the cutting step ST4 is carried out in the processing method according to the first embodiment, It is possible to prevent cracks from being generated in the interface between the surface protective tape 210 and the surface 201 of the wafer 200. [

또, 실시형태 1 에 관련된 가공 방법은, 표면 보호 테이프 박화 스텝 (ST3) 에 있어서 표면 보호 테이프 (210) 의 영역 (211) 을 박화한 후, 절삭 스텝 (ST4) 에 있어서 웨이퍼 (200) 의 외주측으로부터 웨이퍼 (200) 의 중심을 향해 절삭 블레이드 (21) 를 이동시켜 에지 트리밍 가공을 실시함과 함께, 영역 (211) 을 절삭 제거한다. 이 때문에, 실시형태 1 에 관련된 가공 방법은, 표면 보호 테이프 (210) 의 영역 (211) 의 절삭 제거를 절삭 스텝 (ST4) 에서 실시하고, 표면 보호 테이프 박화 스텝 (ST3) 에서는 실시하지 않기 때문에, 영역 (211) 의 특히 외주측의 부분이 사상의 테이프 부스러기가 되는 것을 억제할 수 있다.The processing method according to the first embodiment is a method in which the area 211 of the surface protection tape 210 is thinned in the surface protective tape thinning step ST3 and then the outer periphery of the wafer 200 in the cutting step ST4 The cutting blade 21 is moved toward the center of the wafer 200 to perform edge trimming, and the region 211 is cut off. Therefore, in the machining method according to the first embodiment, the cutting off of the area 211 of the surface protective tape 210 is performed in the cutting step ST4 and not in the surface protective tape thinning step ST3, It is possible to prevent the portion of the region 211 on the outer circumferential side from becoming a filamentary tape debris.

또, 실시형태 1 에 관련된 가공 방법은, 표면 보호 테이프 박화 스텝 (ST3) 에 있어서, 유지 테이블 (10) 을 회전시키면서 절삭 유닛 (20) 을 소정의 절입 이송 속도로 절입 이송하여, 표면 보호 테이프 (210) 의 영역 (211) 을 박화하므로, 표면 보호 테이프 (210) 를 박화할 때에, 표면 보호 테이프 (210) 의 기재층을 구성하는 합성 수지로 이루어지는 수염상의 버가 발생하는 것을 억제할 수 있다.The processing method related to the first embodiment is such that the cutting unit 20 is fed and fed at a predetermined infeed feed rate while rotating the holding table 10 in the surface protective tape thinning step ST3, It is possible to suppress occurrence of burrs formed of a synthetic resin constituting the base layer of the surface protective tape 210 when the surface protective tape 210 is thinned because the area 211 of the surface protective tape 210 is thinned.

〔실시형태 2〕[Embodiment 2]

본 발명의 실시형태 2 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법을 도면에 기초하여 설명한다. 도 10 은, 실시형태 2 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법을 나타내는 플로 차트이다. 도 11 은, 도 10 에 나타낸 웨이퍼 가공 방법의 표면 보호 테이프 박화 스텝의 개요를 나타내는 주요부의 단면도이다. 도 10 및 도 11 은, 실시형태 1 과 동일 부분에 동일 부호를 부여하여 설명을 생략한다.A method of processing a wafer according to Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to the drawings. 10 is a flowchart showing a method of processing a wafer according to the second embodiment. Fig. 11 is a cross-sectional view of a main portion showing the outline of the surface protective tape thinning step of the wafer processing method shown in Fig. 10; Fig. 10 and 11 are denoted by the same reference numerals as in Embodiment 1, and a description thereof will be omitted.

실시형태 2 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법 (이하, 간단히 가공 방법이라고 기재한다) 은, 도 10 에 나타내는 바와 같이, 표면 보호 테이프 박화 스텝 (ST3-2) 이 실시형태 1 과 상이한 것 이외에, 실시형태 1 의 가공 방법과 동일하다. 구체적으로는, 실시형태 2 에 관련된 가공 방법의 표면 보호 테이프 박화 스텝 (ST3-2) 에서는, 제어 유닛 (100) 은, 가공 내용 정보와 얼라이먼트 결과 등에 기초하여, X 축 이동 유닛 (30) 과 Y 축 이동 유닛 (40) 과 Z 축 이동 유닛 (50) 에 의해 회전된 절삭 블레이드 (21) 의 날끝의 하단을, 영역 (211) 을 소정의 두께까지 박화하는 절입 깊이보다 얕은 절입 깊이가 되는 소정 높이 (도 11 에 나타내는 영역 (211) 중의 최상방의 점선 (212) 으로 나타낸다) 에 위치 결정한 상태에서, 절삭 블레이드 (21) 를 표면 보호 테이프 (210) 의 영역 (211) 에 절입시켜, 회전 구동원 (12) 에 유지 테이블 (10) 을 축심 둘레로 1 회전시킨다. 실시형태 2 에 관련된 가공 방법의 표면 보호 테이프 박화 스텝 (ST3-2) 에서는, 제어 유닛 (100) 은, 영역 (211) 의 최상방의 점선 (212) 보다 상방을 절삭 제거한다.The method of processing a wafer according to Embodiment 2 (hereinafter simply referred to as a processing method) is the same as Embodiment 1 except that the surface protective tape thinning step ST3-2 is different from Embodiment 1, . Specifically, in the surface protective tape thinning step ST3-2 of the processing method according to the second embodiment, the control unit 100 controls the X-axis moving unit 30 and the Y-axis moving unit 30 based on the processing content information, The lower end of the cutting edge of the cutting blade 21 rotated by the axis moving unit 40 and the Z axis moving unit 50 is positioned at a predetermined height which is a depth of cut less than the cutting depth for thinning the area 211 to a predetermined thickness The cutting blade 21 is inserted into the area 211 of the surface protection tape 210 in a state where the cutting blade 21 is positioned at the top of the area 211 shown by the dotted line 212 on the top of the area 211 shown in Fig. , The holding table 10 is rotated around the axis. In the surface protective tape thinning step (ST3-2) of the processing method according to the second embodiment, the control unit 100 cuts off above the dotted line 212 at the uppermost portion of the area 211. [

표면 보호 테이프 박화 스텝 (ST3-2) 에서는, 제어 유닛 (100) 은, 절삭 블레이드 (21) 의 날끝의 하단을, 영역 (211) 의 최상방의 점선 (212) 보다 다음으로 높은 점선 (212) 으로 나타내는 위치에 절입 이송시킨 후에 회전 구동원 (12) 에 유지 테이블 (10) 을 축심 둘레로 1 회전시켜, 영역 (211) 의 다음으로 높은 점선 (212) 보다 상방을 절삭 제거한다. 표면 보호 테이프 박화 스텝 (ST3-2) 에서는, 제어 유닛 (100) 은, 영역 (211) 이 소정의 두께가 될 때까지, 절삭 블레이드 (21) 의 절입 이송과 유지 테이블 (10) 의 1 회전을 복수 회 반복한다. 실시형태 2 의 표면 보호 테이프 박화 스텝 (ST3-2) 에서는, 제어 유닛 (100) 은, 절삭 블레이드 (21) 의 절입 이송과 유지 테이블 (10) 의 1 회전을 4 회 반복하여, 표면 보호 테이프 (210) 의 영역 (211) 을 소정의 두께까지 단계적으로 박화한다. 실시형태 2 의 표면 보호 테이프 박화 스텝 (ST3-2) 에서는, 제어 유닛 (100) 은, 1 회의 절삭 블레이드 (21) 의 절입 이송과 유지 테이블 (10) 의 1 회전에 의해, 영역 (211) 을 20 ㎛ 까지 박화한다.In the surface protective tape thinning step ST3-2, the control unit 100 sets the lower end of the cutting edge of the cutting blade 21 to the next higher dotted line 212 than the uppermost dotted line 212 of the area 211 The holding table 10 is rotated around the axis to rotate the rotary driving source 12 so that the upper portion of the area 211 is cut away above the dotted line 212. In the surface protective tape thinning step ST3-2, the control unit 100 controls the feeding of the cutting blade 21 and the rotation of the holding table 10 by one rotation until the area 211 becomes a predetermined thickness Repeat multiple times. In the surface protective tape thinning step (ST3-2) of Embodiment 2, the control unit 100 repeats the infeed of the cutting blade 21 and the rotation of the holding table 10 four times to form the surface protective tape 210 are gradually thinned to a predetermined thickness. In the surface protective tape thinning step ST3-2 of the second embodiment, the control unit 100 moves the cutting blade 21 by one revolution of the holding table 10, Thin to 20 탆.

실시형태 2 에 관련된 가공 방법은, 실시형태 1 과 마찬가지로, 절삭 스텝 (ST4) 에 있어서, 웨이퍼 (200) 의 외주측으로부터 웨이퍼 (200) 의 중심을 향해 절삭 블레이드 (21) 를 이동시켜 단차부 (300) 를 단계적으로 형성한다. 그 결과, 가공 방법은, 실시형태 1 과 마찬가지로, 절삭 블레이드 (21) 가 절삭 중에 외주 방향으로 빠져나가려고 하는 절삭된 표면 보호 테이프 (210) 의 부스러기를 억제하게 되어, 표면 보호 테이프 (210) 의 영역 (211) 을 절삭 제거할 수 있음과 함께, 영역 (211) 으로부터 제거된 표면 보호 테이프 (210) 로 이루어지는 사상의 테이프 부스러기의 발생을 억제할 수 있다.The cutting method according to the second embodiment is similar to the first embodiment in that the cutting blade 21 is moved from the outer circumferential side of the wafer 200 toward the center of the wafer 200 at the cutting step ST4, 300 are formed stepwise. As a result, in the machining method, as in the first embodiment, the cutting blade 21 suppresses the debris of the cut surface protective tape 210 that is going to escape in the outer circumferential direction during cutting, It is possible to cut off the area 211 and to prevent the occurrence of muddy tape debris formed of the surface protective tape 210 removed from the area 211. [

또, 실시형태 2 에 관련된 가공 방법은, 표면 보호 테이프 박화 스텝 (ST3-2) 에 있어서, 표면 보호 테이프 (210) 의 영역 (211) 을 단계적으로 박화하므로, 표면 보호 테이프 (210) 를 박화할 때에, 표면 보호 테이프 (210) 의 기재층을 구성하는 합성 수지로 이루어지는 수염상의 버가 발생하는 것을 억제할 수 있다.In the processing method according to the second embodiment, since the area 211 of the surface protection tape 210 is gradually thinned in the surface protection tape thinning step (ST3-2), the surface protection tape 210 is thinned It is possible to suppress the occurrence of burrs formed of a synthetic resin constituting the base layer of the surface protective tape 210.

〔실시형태 3〕[Embodiment 3]

본 발명의 실시형태 3 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법을 도면에 기초하여 설명한다. 도 12 는, 실시형태 3 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법을 나타내는 플로 차트이다. 도 13 은, 도 12 에 나타낸 웨이퍼 가공 방법의 절삭 스텝의 개요를 나타내는 주요부의 단면도이다. 도 12 및 도 13 은, 실시형태 1 및 실시형태 2 와 동일 부분에 동일 부호를 부여하여 설명을 생략한다.A method of processing a wafer according to Embodiment 3 of the present invention will be described with reference to the drawings. 12 is a flow chart showing a method of processing a wafer according to the third embodiment. 13 is a cross-sectional view of a main part showing an outline of a cutting step of the wafer processing method shown in Fig. 12 and 13, the same reference numerals are given to the same parts as in the first and second embodiments, and a description thereof is omitted.

실시형태 3 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법 (이하, 간단히 가공 방법이라고 기재한다) 은, 도 12 에 나타내는 바와 같이, 절삭 스텝 (ST4-3) 이 실시형태 1 및 실시형태 2 와 상이한 것 이외에, 실시형태 1 및 실시형태 2 의 가공 방법과 동일하다. 가공 방법은, 절삭 스텝 (ST4-3) 에 있어서, 절삭 블레이드 (21) 를 외주측으로부터 중심측을 향해 복수 회 단계적으로 산출 이송하여, 절삭 블레이드 (21) 로 웨이퍼 (200) 의 외주 가장자리 (205) 를 표면 보호 테이프 (210) 와 함께 절삭시켜 단차부 (300) 를 외주측으로부터 웨이퍼 (200) 의 중심을 향해 단계적으로 형성한다.As shown in Fig. 12, the cutting method (ST4-3) of the wafer processing method according to the third embodiment (hereinafter simply referred to as a machining method) is different from the first and second embodiments, 1 and the working method of the second embodiment. The cutting method is such that the cutting blade 21 is calculated and transferred stepwise from the outer peripheral side toward the center side a plurality of times in the cutting step ST4-3 so that the outer peripheral edge 205 of the wafer 200 Is cut together with the surface protection tape 210 so that the stepped portion 300 is formed stepwise from the outer circumferential side toward the center of the wafer 200.

구체적으로는, 실시형태 3 에 관련된 가공 방법의 절삭 스텝 (ST4-3) 에서는, 제어 유닛 (100) 은, 가공 내용 정보와 얼라이먼트 결과 등에 기초하여, X 축 이동 유닛 (30) 과 Y 축 이동 유닛 (40) 과 Z 축 이동 유닛 (50) 에 의해, 회전된 절삭 블레이드 (21) 의 날끝의 하단을 단차부 (300) 의 홈 바닥 (301) 과 동일한 높이에 위치 결정하고, 또한 절삭 블레이드 (21) 를 웨이퍼 (200) 의 외주 가장자리 (205) 로부터 X 축 방향으로 퇴피한 위치에 위치 결정한다. 또한, 절삭 스텝 (ST4-3) 에서는, 제어 유닛 (100) 은, 절삭 블레이드 (21) 의 Y 축 방향의 위치를, 단차부 (300) 의 소정의 폭 (303) 보다 좁은 제거 폭이 되는 Y 축 방향의 소정 위치 (도 13 에 나타내는 단차부 (300) 및 영역 (211) 중의 최외주의 점선 (312) 으로 나타낸다) 에 위치 결정한다.Specifically, in the cutting step ST4-3 of the processing method according to the third embodiment, the control unit 100 controls the X-axis moving unit 30 and the Y-axis moving unit 30 based on the processing content information, The lower end of the blade edge of the rotated cutting blade 21 is positioned at the same height as the groove bottom 301 of the stepped portion 300 by the cutting blade 40 and the Z axis moving unit 50, Is retreated from the outer circumferential edge 205 of the wafer 200 in the X-axis direction. In addition, in the cutting step ST4-3, the control unit 100 controls the position of the cutting blade 21 in the Y-axis direction so that the Y-axis direction of the cutting blade 21 becomes smaller than the predetermined width 303 of the stepped portion 300 And is positioned at a predetermined position in the axial direction (indicated by the outermost dotted line 312 in the stepped portion 300 and the region 211 shown in Fig. 13).

실시형태 3 에 관련된 가공 방법의 절삭 스텝 (ST4-3) 에서는, 제어 유닛 (100) 은, X 축 이동 유닛 (30) 에 유지 테이블 (10) 을 절삭 블레이드 (21) 를 향하여 이동시키고, 절삭 블레이드 (21) 를 표면 보호 테이프 (210) 와 함께 웨이퍼 (200) 의 외주 가장자리 (205) 에 절입시켜, 회전 구동원 (12) 에 유지 테이블 (10) 을 축심 둘레로 1 회전시킨다. 실시형태 3 에 관련된 가공 방법의 절삭 스텝 (ST4-3) 에서는, 제어 유닛 (100) 은, 단차부 (300) 및 영역 (211) 의 최외주의 점선 (312) 보다 외측을 절삭 제거하고, 절삭 블레이드 (21) 를 웨이퍼 (200) 의 외주 가장자리 (205) 로부터 X 축 방향으로 퇴피한 위치에 위치 결정한다.The control unit 100 causes the X-axis moving unit 30 to move the holding table 10 toward the cutting blade 21 in the cutting step ST4-3 of the processing method related to the third embodiment, The holding table 10 is rotated around the axis by one rotation of the rotation driving source 12 by inserting the surface protective tape 210 into the outer peripheral edge 205 of the wafer 200. [ In the cutting step ST4-3 of the processing method related to the third embodiment, the control unit 100 cuts off the outer side of the outermost dashed line 312 of the stepped portion 300 and the region 211, The blade 21 is positioned at a position retracted from the outer circumferential edge 205 of the wafer 200 in the X axis direction.

절삭 스텝 (ST4-3) 에서는, 제어 유닛 (100) 은, Y 축 이동 유닛 (40) 에 절삭 유닛 (20) 을 산출 이송시켜, 절삭 블레이드 (21) 의 Y 축 방향의 위치를, 단차부 (300) 및 영역 (211) 중의 최외주의 점선 (312) 보다 다음에 외주측의 점선 (312) 으로 나타내는 위치에 위치 결정한다. 절삭 스텝 (ST4-3) 에서는, 제어 유닛 (100) 은, X 축 이동 유닛 (30) 에 유지 테이블 (10) 을 절삭 블레이드 (21) 를 향하여 이동시키고, 절삭 블레이드 (21) 를 표면 보호 테이프 (210) 와 함께 웨이퍼 (200) 의 외주 가장자리 (205) 에 절입시키고, 회전 구동원 (12) 에 유지 테이블 (10) 을 축심 둘레로 1 회전시켜, 단차부 (300) 및 영역 (211) 의 다음에 외주측의 점선 (312) 보다 외주측을 절삭 제거한다.In the cutting step ST4-3, the control unit 100 calculates and transfers the cutting unit 20 to the Y-axis moving unit 40 so that the position of the cutting blade 21 in the Y- 300 and the dotted line 312 on the outer circumferential side than the outermost dotted line 312 in the area 211. [ In the cutting step ST4-3, the control unit 100 causes the X-axis moving unit 30 to move the holding table 10 toward the cutting blade 21 and move the cutting blade 21 to the surface protective tape 210 to the outer circumferential edge 205 of the wafer 200 and the holding table 10 is rotated around the axis by one rotation drive source 12 so as to be positioned next to the stepped portion 300 and the region 211 The outer peripheral side is cut away from the outer peripheral side dotted line 312.

절삭 스텝 (ST4-3) 에서는, 제어 유닛 (100) 은, 단차부 (300) 의 폭이 소정의 폭 (303) 이 될 때까지, 절삭 블레이드 (21) 의 산출 이송과 절삭 블레이드 (21) 의 외주 가장자리 (205) 로의 절입과 유지 테이블 (10) 의 1 회전을 복수 회 반복한다. 실시형태 3 의 가공 방법에서는, 절삭 스텝 (ST4-3) 에서는, 제어 유닛 (100) 은, 절삭 블레이드 (21) 의 산출 이송과 절삭 블레이드 (21) 의 외주 가장자리 (205) 로의 절입과 유지 테이블 (10) 의 1 회전을 16 회 반복하여, 단차부 (300) 를 형성한다. 실시형태 3 에서는, 절삭 스텝 (ST4-3) 에서는, 제어 유닛 (100) 은, 1 회의 절삭 블레이드 (21) 의 산출 이송과 절삭 블레이드 (21) 의 외주 가장자리 (205) 로의 절입과 유지 테이블 (10) 의 1 회전에 의해 외주 가장자리 (205) 를 50 ㎛ 절삭 제거한다.In the cutting step ST4-3, the control unit 100 controls the feeding of the cutting blade 21 and the feeding of the cutting blade 21 until the width of the stepped portion 300 becomes the predetermined width 303 The infeed into the outer peripheral edge 205 and the rotation of the holding table 10 are repeated a plurality of times. In the processing method of the third embodiment, in the cutting step ST4-3, the control unit 100 calculates the feed amount of the cutting blade 21, the infeed of the cutting blade 21 to the outer peripheral edge 205, 10) is repeated 16 times to form the stepped portion 300. As shown in Fig. In the third embodiment, in the cutting step ST4-3, the control unit 100 calculates and feeds the cutting blades 21 one time, calculates the feed amount of the cutting blades 21, and feeds the cutting blades 21 to the outer peripheral edge 205, The outer peripheral edge 205 is cut and removed by 50 占 퐉.

실시형태 3 에 관련된 가공 방법은, 실시형태 1 및 실시형태 2 와 마찬가지로, 절삭 스텝 (ST4-3) 에 있어서, 웨이퍼 (200) 의 외주측으로부터 웨이퍼 (200) 의 중심을 향해 절삭 블레이드 (21) 를 이동시켜 단차부 (300) 를 단계적으로 형성한다. 그 결과, 실시형태 3 에 관련된 가공 방법은, 실시형태 1 및 실시형태 2 와 마찬가지로, 절삭 블레이드 (21) 가 절삭 중에 외주 방향으로 빠져나가려고 하는 절삭된 표면 보호 테이프 (210) 의 부스러기를 억제하게 되어, 표면 보호 테이프 (210) 의 영역 (211) 을 절삭 제거할 수 있음과 함께, 영역 (211) 으로부터 제거된 표면 보호 테이프 (210) 로 이루어지는 사상의 테이프 부스러기의 발생을 억제할 수 있다.The cutting method according to the third embodiment is similar to the first and second embodiments in that the cutting blade 21 is moved from the outer circumferential side of the wafer 200 toward the center of the wafer 200 in the cutting step ST4-3, The stepped portion 300 is formed stepwise. As a result, the machining method according to the third embodiment can suppress the debris of the cut surface protection tape 210 that the cutting blade 21 intends to escape in the outer circumferential direction during cutting, similarly to the first and second embodiments This makes it possible to cut off the area 211 of the surface protective tape 210 and to prevent the occurrence of the filamentous tape debris composed of the surface protective tape 210 removed from the area 211.

〔변형예 1〕[Modified Example 1]

본 발명의 실시형태 1 및 실시형태 3 의 변형예 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법을 도면에 기초하여 설명한다. 도 14 는, 실시형태 1 및 실시형태 3 의 변형예 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법을 나타내는 플로 차트이다. 도 14 는, 실시형태 1 및 실시형태 3 과 동일 부분에 동일 부호를 부여하여 설명을 생략한다.A method of processing a wafer according to the first embodiment of the present invention and the first modification of the third embodiment will be described with reference to the drawings. 14 is a flowchart showing a method of processing a wafer according to Modification 1 of Embodiment 1 and Embodiment 3. Fig. In Fig. 14, the same reference numerals are given to the same parts as in the first and third embodiments, and the description is omitted.

실시형태 1 및 실시형태 3 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법 (이하, 간단히 가공 방법이라고 기재한다) 은, 도 14 에 나타내는 바와 같이, 표면 보호 테이프 박화 스텝 (ST3) 을 실시하지 않는 것, 즉 표면 보호 테이프 첩착 스텝 (ST1) 과 유지 스텝 (ST2) 과 절삭 스텝 (ST4, ST4-3) 을 구비하는 것이 실시형태 1 및 실시형태 3 과 상이한 것 이외에, 실시형태 1 및 실시형태 3 의 가공 방법과 동일하다.As shown in Fig. 14, the method of processing wafers according to Embodiments 1 and 3 (hereinafter simply referred to as a processing method) is a method in which the surface protective tape thinning step ST3 is not performed, The machining method of Embodiment 1 and Embodiment 3 is the same as that of Embodiment 1 and Embodiment 3 except that the attaching step ST1, the holding step ST2 and the cutting steps ST4 and ST4-3 are different from Embodiment 1 and Embodiment 3 .

변형예 1 에 관련된 가공 방법은, 실시형태 1 및 실시형태 3 과 마찬가지로, 절삭 스텝 (ST4, ST4-3) 에 있어서, 웨이퍼 (200) 의 외주측으로부터 웨이퍼 (200) 의 중심을 향해 절삭 블레이드 (21) 를 이동시켜 단차부 (300) 를 단계적으로 형성한다. 그 결과, 변형예 1 에 관련된 가공 방법은, 실시형태 1 및 실시형태 3 과 마찬가지로, 절삭 블레이드 (21) 가 절삭 중에 외주 방향으로 빠져나가려고 하는 절삭된 표면 보호 테이프 (210) 의 부스러기를 억제하게 되어, 표면 보호 테이프 (210) 의 영역 (211) 을 절삭 제거할 수 있음과 함께, 영역 (211) 으로부터 제거된 표면 보호 테이프 (210) 로 이루어지는 사상의 테이프 부스러기의 발생을 억제할 수 있다.The machining method according to Modification 1 is similar to the first and third embodiments in that cutting is performed from the outer circumferential side of the wafer 200 toward the center of the wafer 200 in the cutting steps ST4 and ST4-3 21 are moved to form the stepped portion 300 stepwise. As a result, the machining method according to Modification Example 1 can suppress the debris of the cut surface protective tape 210 that the cutting blade 21 is going to extend in the outer circumferential direction during cutting, similarly to the first and third embodiments This makes it possible to cut off the area 211 of the surface protective tape 210 and to prevent the occurrence of the filamentous tape debris composed of the surface protective tape 210 removed from the area 211.

〔변형예 2〕[Modified Example 2]

본 발명의 실시형태 1 내지 실시형태 3 의 변형예 2 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법을 설명한다. 실시형태 1 내지 실시형태 3 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법 (이하, 간단히 가공 방법이라고 기재한다) 은, 표면 보호 테이프 박화 스텝 (ST3, ST3-2) 과 절삭 스텝 (ST4, ST4-3) 을 서로 상이한 절삭 블레이드 (21) 를 사용하여 실시하는 것이 실시형태 1 내지 실시형태 3 과 상이한 것 이외에, 실시형태 1 내지 실시형태 3 의 가공 방법과 동일하다.A method of processing a wafer according to Modification 2 of Embodiments 1 to 3 of the present invention will be described. (Hereinafter simply referred to as a working method) relating to Embodiments 1 to 3 is characterized in that the surface protective tape thinning steps ST3 and ST3-2 and the cutting steps ST4 and ST4-3 are different from each other Is the same as the working method of the first to third embodiments, except that it is different from the first to third embodiments to be carried out by using the cutting blades 21.

변형예 2 에 관련된 가공 방법은, 도 3 에 나타낸 절삭 장치 (1) 의 절삭 블레이드 (21) 를 교환하여, 표면 보호 테이프 박화 스텝 (ST3, ST3-2) 과 절삭 스텝 (ST4, ST4-3) 을 실시해도 된다. 또, 변형예 2 에 관련된 가공 방법은, 일방의 절삭 유닛에 표면 보호 테이프 박화 스텝 (ST3, ST3-2) 용의 절삭 블레이드 (21) 를 장착하고, 타방의 절삭 유닛에 절삭 스텝 (ST4, ST4-3) 용의 절삭 블레이드 (21) 를 장착한 절삭 유닛을 2 개 구비하는 절삭 장치를 사용하여, 표면 보호 테이프 박화 스텝 (ST3, ST3-2) 과 절삭 스텝 (ST4, ST4-3) 을 실시해도 된다.The processing method related to Modification 2 is the same as that of Embodiment 2 except that the cutting blades 21 of the cutting apparatus 1 shown in Fig. 3 are exchanged and the surface protective tape thinning steps ST3 and ST3-2 and the cutting steps ST4 and ST4-3 are performed. . The cutting method according to the second modification is such that the cutting blades 21 for the surface protective tape thinning steps ST3 and ST3-2 are mounted on one cutting unit and the cutting steps ST4 and ST4 The surface protective tape thinning steps ST3 and ST3-2 and the cutting steps ST4 and ST4-3 are performed by using a cutting device provided with two cutting units equipped with the cutting blades 21 for cutting .

변형예 2 에 관련된 가공 방법은, 실시형태 1 등과 마찬가지로, 절삭 스텝 (ST4, ST4-3) 에 있어서, 웨이퍼 (200) 의 외주측으로부터 웨이퍼 (200) 의 중심을 향해 절삭 블레이드 (21) 를 이동시켜 단차부 (300) 를 단계적으로 형성한다. 그 결과, 변형예 2 에 관련된 가공 방법은, 실시형태 1 등과 마찬가지로, 절삭 블레이드 (21) 가 절삭 중에 외주 방향으로 빠져나가려고 하는 절삭된 표면 보호 테이프 (210) 의 부스러기를 억제하게 되어, 표면 보호 테이프 (210) 의 영역 (211) 을 절삭 제거할 수 있음과 함께, 영역 (211) 으로부터 제거된 표면 보호 테이프 (210) 로 이루어지는 사상의 테이프 부스러기의 발생을 억제할 수 있다.The cutting method according to Modification 2 moves the cutting blade 21 toward the center of the wafer 200 from the outer circumferential side of the wafer 200 in the cutting steps ST4 and ST4-3, The stepped portion 300 is formed stepwise. As a result, the machining method according to the second modified example suppresses the debris of the cut surface protective tape 210 that the cutting blade 21 intends to escape in the outer circumferential direction during cutting, as in the first embodiment, It is possible to cut off the area 211 of the tape 210 and to suppress the occurrence of the muddy tape debris composed of the surface protective tape 210 removed from the area 211. [

다음으로, 본 발명의 발명자들은, 실시형태 1, 실시형태 2, 실시형태 3 및 변형예 1 의 가공 방법의 효과와, 이들의 가공 방법 내의 우위성을 확인하였다. 결과를 이하의 표 1 내지 표 3 에 나타낸다.Next, the inventors of the present invention confirmed the effects of the processing methods of Embodiment 1, Embodiment 2, Embodiment 3, and Modification 1, and their superiority in these processing methods. The results are shown in Tables 1 to 3 below.

Figure pat00002
Figure pat00002

Figure pat00003
Figure pat00003

표 1 은, 단차부 (300) 를 외주측으로부터 중심을 향해 단계적으로 형성하지 않고 한 번의 절삭으로 표면 보호 테이프의 영역마다 절삭 제거하여, 단차부 (300) 를 형성한 비교예와, 실시형태 1 의 가공 방법으로 단차부 (300) 를 형성한 본 발명품 1 과, 실시형태 2 의 가공 방법으로 단차부 (300) 를 형성한 본 발명품 2 와, 실시형태 3 의 가공 방법으로 단차부 (300) 를 형성한 본 발명품 3 과, 변형예 1 의 가공 방법으로 단차부 (300) 를 형성한 본 발명품 4 의 각각의 사상의 테이프 부스러기의 발생 상황을 확인한 결과이다.Table 1 shows a comparative example in which the stepped portion 300 is formed by cutting off the surface protective tape every area by one cutting without forming the stepped portion 300 stepwise from the outer peripheral side toward the center, The present invention product 1 in which the step 300 is formed by the processing method of the second embodiment and the step of forming the step 300 by the processing method of the second embodiment, The inventive product 3 formed, and the inventive product 4 in which the step 300 was formed by the processing method of the first modified example.

표 2 는, 본 발명품 1 과 본 발명품 2 와 본 발명품 3 과 본 발명품 4 의 각각의 표면 보호 테이프 (210) 와 웨이퍼 (200) 의 표면 (201) 의 계면의 크랙의 발생 상황을 확인한 결과이다.Table 2 shows the results of checking the occurrence of cracks at the interface between the surface protective tape 210 of the present invention product 1, the present invention product 2, the present invention product 3 and the present invention product 4, and the surface 201 of the wafer 200.

표 3 은, 유지 테이블 (10) 을 1 회전시키는 동안에 표면 보호 테이프 (210) 의 영역 (211) 을 80 ㎛ 박화한 비교예 2 와, 본 발명품 1 과, 본 발명품 2 의 각각의 표면 보호 테이프 (210) 의 기재층을 구성하는 합성 수지로 이루어지는 수염상의 버의 발생 상황을 확인한 결과이다.Table 3 shows a comparison example 2 in which the area 211 of the surface protective tape 210 is made 80 μm thinner during one rotation of the holding table 10 and the surface protective tape of each of the present invention product 1 and the present invention product 2 210, which is made of a synthetic resin constituting the substrate layer.

표 1 에 의하면, 비교예에서는, 사상의 테이프 부스러기가 발생했지만, 본 발명품 1, 본 발명품 2, 본 발명품 3 및 본 발명품 4 에서는, 사상의 테이프 부스러기가 발생하지 않았다. 따라서, 표 1 에 의하면, 절삭 스텝 (ST4) 에 있어서, 단차부 (300) 를 웨이퍼 (200) 의 외주측으로부터 중심을 향해 단계적으로 형성함으로써, 사상의 테이프 부스러기의 발생을 억제할 수 있는 것이 분명해졌다.According to Table 1, in the comparative example, a mishandling tape debris was generated. However, in the inventive product 1, the present invention product 2, the present invention product 3 and the present invention product 4, Therefore, according to Table 1, it is clear that the stepped portion 300 is formed stepwise from the outer peripheral side of the wafer 200 to the center in the cutting step ST4, whereby the occurrence of the filamentous tape debris can be suppressed It has become.

표 2 에 의하면, 본 발명품 4 에서는, 크랙이 발생했지만, 본 발명품 1, 본 발명품 2 및 본 발명품 3 에서는, 크랙이 발생하지 않았다. 따라서, 표 2 에 의하면, 절삭 스텝 (ST4) 을 실시하기 전에 표면 보호 테이프 박화 스텝 (ST3) 을 실시함으로써, 표면 보호 테이프 (210) 와 웨이퍼 (200) 의 표면 (201) 의 계면의 크랙의 발생을 억제할 수 있는 것이 분명해졌다.According to Table 2, cracks occurred in Inventive Example 4, but cracks did not occur in Inventive Example 1, Inventive Material 2, and Inventive Material 3. Therefore, according to Table 2, the surface protective tape thinning step ST3 is performed before the cutting step ST4 is performed, so that cracks are generated in the interface between the surface protective tape 210 and the surface 201 of the wafer 200 Can be suppressed.

표 3 에 의하면, 비교예 2 에서는, 표면 보호 테이프 (210) 의 기재층을 구성하는 합성 수지로 이루어지는 수염상의 버가 발생했지만, 본 발명품 1 및 본 발명품 2 에서는, 수염상의 버가 발생하지 않았다. 따라서, 표 3 에 의하면, 표면 보호 테이프 박화 스텝 (ST3) 에 있어서, 유지 테이블 (10) 을 회전시키면서 절삭 유닛 (20) 을 소정의 절입 이송 속도로 절입 이송하여, 표면 보호 테이프 (210) 의 영역 (211) 을 박화함으로써, 표면 보호 테이프 (210) 의 기재층을 구성하는 합성 수지로 이루어지는 수염상의 버의 발생을 억제할 수 있는 것이 분명해졌다. 또, 표 3 에 의하면, 표면 보호 테이프 박화 스텝 (ST3-2) 에 있어서, 복수 회의 절삭에 의해 단계적으로 표면 보호 테이프 (210) 의 영역 (211) 을 박화함으로써, 표면 보호 테이프 (210) 의 기재층을 구성하는 합성 수지로 이루어지는 수염상의 버의 발생을 억제할 수 있는 것이 분명해졌다.According to Table 3, in Comparative Example 2, burrs formed of a synthetic resin constituting the base layer of the surface protective tape 210 were generated. In Inventive Example 1 and Inventive Example 2, however, burrs were not formed. Thus, according to Table 3, in the surface protective tape thinning step ST3, the cutting unit 20 is fed and fed at a predetermined infeed feed rate while rotating the holding table 10, so that the area of the surface protective tape 210 It is possible to suppress generation of burrs formed of synthetic resin constituting the base layer of the surface protective tape 210 by thinning the surface protective tape 211. [ According to Table 3, in the surface protective tape thinning step (ST3-2), the area 211 of the surface protection tape 210 is thinned gradually by cutting a plurality of times, It is possible to suppress occurrence of burrs formed of a synthetic resin constituting the layer.

또한, 전술한 실시형태 1 내지 실시형태 3, 변형예 1 및 변형예 2 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법에 의하면, 이하의 절삭 장치가 얻어진다.Further, according to the processing method of the wafers relating to the above-described Embodiments 1 to 3, Modification 1 and Modification 2, the following cutting apparatus is obtained.

(부기 1)(Annex 1)

웨이퍼에 절삭 가공을 실시하는 절삭 장치로서,1. A cutting apparatus for performing a cutting process on a wafer,

표면에 표면 보호 테이프가 첩착된 웨이퍼를, 그 표면 보호 테이프를 상면으로 하여 유지하는 유지 테이블과,A holding table for holding a wafer to which a surface protective tape is adhered on a surface thereof with the surface protective tape as an upper surface,

절삭 블레이드로 그 웨이퍼의 외주 가장자리를 그 표면 보호 테이프와 함께 절삭하여 소정의 깊이와 소정의 폭의 단차부를 형성하는 절삭 유닛과,A cutting unit that cuts the outer circumferential edge of the wafer with the surface protective tape with a cutting blade to form a step portion having a predetermined depth and a predetermined width,

각 구성 요소를 제어하는 제어 유닛을 구비하고,And a control unit for controlling each component,

그 제어 유닛은, 그 절삭 유닛에 그 웨이퍼의 외주측으로부터 중심을 향해 단계적으로 그 단차부를 형성시키는 것을 특징으로 하는 절삭 장치.Wherein the control unit causes the cutting unit to form stepwise stepwise from the outer circumferential side of the wafer toward the center thereof.

상기 절삭 장치는, 실시형태 1 등에 관련된 가공 방법과 마찬가지로, 절삭 스텝에 있어서, 웨이퍼의 외주측으로부터 웨이퍼의 중심을 향해 절삭 블레이드를 이동시켜 에지 트리밍 가공을 실시하여 단차부를 단계적으로 형성한다. 이 때문에, 절삭 장치는, 절삭 블레이드가 절삭 중에 외주 방향으로 빠져나가려고 하는 절삭된 표면 보호 테이프의 부스러기를 억제하게 되어, 절삭된 표면 보호 테이프의 부스러기가 웨이퍼의 외주측으로 빠져나가는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 절삭 장치는, 표면 보호 테이프의 영역을 절삭 제거할 수 있음과 함께, 영역으로부터 제거된 표면 보호 테이프로 이루어지는 사상의 테이프 부스러기의 발생을 억제할 수 있다.In the cutting step, the cutting blade is moved from the outer circumferential side of the wafer toward the center of the wafer in the cutting step to perform the edge trimming processing so as to form the step portion stepwise, similarly to the processing method related to the first embodiment or the like. Therefore, the cutting apparatus can suppress the debris of the cut surface protective tape that the cutting blade is going to slip out in the circumferential direction during cutting, so that the debris of the cut surface protective tape can be prevented from escaping to the outer circumferential side of the wafer . As a result, the cutting apparatus can cut and remove the area of the surface protective tape, and can suppress the occurrence of the filamentous tape debris composed of the surface protective tape removed from the area.

또한, 본 발명은, 상기 실시형태 및 변형예에 한정되는 것은 아니다. 즉, 본 발명의 골자를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변형하여 실시할 수 있다.The present invention is not limited to the above-described embodiments and modifications. In other words, various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

10 : 유지 테이블
21 : 절삭 블레이드
200 : 웨이퍼
201 : 표면
204 : 이면
205 : 외주 가장자리
210 : 표면 보호 테이프
211 : 영역
300 : 단차부
301 : 홈 바닥
302 : 소정의 깊이
303 : 소정의 폭
ST1 : 표면 보호 테이프 첩착 스텝
ST2 : 유지 스텝
ST3 : 표면 보호 테이프 박화 스텝
ST4 : 절삭 스텝10: maintenance table
21: cutting blade
200: wafer
201: Surface
204:
205: Outer edge
210: Surface protective tape
211: area
300: stepped portion
301: Home floor
302:
303: a predetermined width
ST1: Surface protective tape adhesion step
ST2: Maintenance step
ST3: Surface protective tape thinning step
ST4: Cutting step

Claims (5)

표면으로부터 이면에 이르는 원호를 외주 가장자리에 가진 웨이퍼의 가공 방법으로서,
웨이퍼의 표면에 표면 보호 테이프를 첩착하는 표면 보호 테이프 첩착 스텝과, 그 표면 보호 테이프가 첩착된 웨이퍼의 이면측을 유지 테이블로 유지하는 유지 스텝과,
그 유지 스텝을 실시한 후, 절삭 블레이드로 웨이퍼의 외주 가장자리를 그 표면 보호 테이프와 함께 절삭하여 소정의 깊이와 소정의 폭의 단차부를 형성하는 절삭 스텝을 구비하고,
그 절삭 스텝에서 그 단차부는 웨이퍼의 외주측으로부터 중심을 향해 단계적으로 형성되는, 웨이퍼의 가공 방법.A method of processing a wafer having a circular arc extending from a surface to a back surface on an outer peripheral edge,
A holding step of holding the back surface side of the wafer to which the surface protective tape is adhered by the holding table,
And a cutting step of cutting the outer peripheral edge of the wafer with the surface protection tape with a cutting blade to form a step portion having a predetermined depth and a predetermined width after the holding step,
And the stepped portion is formed stepwise from the outer peripheral side of the wafer toward the center in the cutting step. 제 1 항에 있어서,
그 유지 스텝을 실시한 후, 그 절삭 스텝을 실시하기 전에,
그 절삭 스텝에서 형성하는 그 단차부에 대응한 영역에 있어서 그 절삭 블레이드로 그 표면 보호 테이프만을 절삭하여 박화하는 표면 보호 테이프 박화 스텝을 추가로 구비한, 웨이퍼의 가공 방법.The method according to claim 1,
After performing the holding step, before performing the cutting step,
And a surface protective tape thinning step of thinning only the surface protective tape with the cutting blade in an area corresponding to the step portion formed in the cutting step so as to be thinned. 제 1 항에 있어서,
그 절삭 스텝에서는, 그 유지 테이블을 회전시키면서 그 절삭 블레이드를 소정의 속도로 웨이퍼의 중심측으로 이동시키는, 웨이퍼의 가공 방법.The method according to claim 1,
And in the cutting step, the cutting blade is moved to the center side of the wafer at a predetermined speed while rotating the holding table. 제 2 항에 있어서,
그 표면 보호 테이프 박화 스텝에서는, 그 유지 테이블을 회전시키면서 그 절삭 블레이드를 소정의 속도로 하강시키는, 웨이퍼의 가공 방법.3. The method of claim 2,
And in the surface protective tape thinning step, the cutting blade is lowered at a predetermined speed while rotating the holding table. 제 1 항에 있어서,
그 절삭 블레이드의 두께의 값은, 그 절삭 스텝에서 형성되는 그 단차부의 홈 바닥의 폭의 값 이상인, 웨이퍼의 가공 방법.The method according to claim 1,
Wherein the value of the thickness of the cutting blade is equal to or larger than the value of the width of the groove bottom of the step formed in the cutting step.
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