KR20190007942A - Method of patterning multi-layer structure - Google Patents

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김동현
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윤근상
이주영
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Abstract

The present invention provides a method for patterning a multi-layer structure, which does not accompany a surface pollution problem due to residual particles, an edge quality problem of a multi-layer structure, and the like. The method for patterning a multi-layer structure includes: a step of forming a first layer having multiple voids inside on a first surface of a substrate, of a first layer forming material; a step of forming a second layer of a second layer forming material on the first layer so that the surface of a first area of the first layer is exposed, wherein a part of the second layer forming material is attached to at least a part of the first surface of the substrate by being penetrated into the multiple voids of the first layer; and a step of removing the first area of the first layer. A method for manufacturing a light extraction substrate of an organic light emitting device includes: a step of forming a scattering layer including the multiple voids, of a scattering layer forming material on the first surface of the substrate; a step of forming a flattening layer having less surface roughness than that of the scattering layer, on the scattering layer so that the surface of the first area of the scattering layer is exposed, wherein a part of the flattening layer forming material is penetrated into the multiple voids of the scattering layer and is attached to at least a part of the first surface of the substrate; and a step of removing the first area of the scattering layer.

Description

다층 구조물 패터닝 방법{METHOD OF PATTERNING MULTI-LAYER STRUCTURE}[0001] METHOD OF PATTERNING MULTI-LAYER STRUCTURE [0002]

본 개시 내용은 다층 구조물 패터닝 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 제1층의 일부 영역이 노출되도록 제1층 상에 제2층을 형성한 후, 상기 일부 영역을 제거하는 다층 구조물 패터닝 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to a method of patterning a multi-layer structure, and more particularly to a method of patterning a multi-layer structure for forming a second layer on a first layer so that a portion of the first layer is exposed, will be.

기판 상에 다층 구조물이 형성된 구조물들은 다양한 기술 분야에서 중간 산물 또는 최종 산물로서 제조되고 있고, 사용되고 있다. 예컨대, 디스플레이 장치들, 반도체 장치들, 조명 장치들의 제조 공정에서는 상기와 같은 구조물들이 중간 산물로서 제조된다. 이러한 다층 구조물을 구성하는 각각의 층들을 정확한 위치에 정해진 크기와 형상을 가지도록 패터닝될 것이 요구된다. Structures on which a multilayer structure is formed on a substrate are being manufactured and used as intermediate products or final products in various technical fields. For example, in the manufacturing processes of display devices, semiconductor devices, and lighting devices, such structures are manufactured as an intermediate product. It is required that each of the layers constituting such a multilayer structure be patterned so as to have a predetermined size and shape at an accurate position.

이를 위해서, 먼저, 다층 구조물을 구성하는 구성 층들을 처음부터 정확한 위치에 정해진 크기와 형상으로 형성하는 것을 고려할 수 있다. 그러나, 이러한 방법들에서는 구성 층들 상호간의 정밀한 얼라이닝이 필요하게 된다. 따라서, 공정 난이도를 높이고 고가의 얼라이닝 장비가 필요하게 되어 공정 비용의 상승을 가져올 수 있다. To this end, it can be considered that the constituent layers constituting the multi-layer structure are formed in a predetermined size and shape at an accurate position from the beginning. However, these methods require precise alignment between the constituent layers. Therefore, the process difficulty is increased and expensive aligning equipment is required, which may lead to an increase in the process cost.

다음으로, 구성 층들을 형성하고 난 후, 정확한 위치에 정해진 크기와 형상을 갖도록 일부를 제거하는 것을 고려할 수 있다. 그러나, 이 방법들에서도, 최종적으로 얻어지는 다층 구조물의 에지 품질 문제, 잔류 파티클들로 인한 표면 오염 문제 등이 야기될 수 있다. 따라서, 이러한 문제들을 해소할 수 있는 새로운 방법이 요구되고 있다.Next, after forming the constituent layers, it may be considered to remove a portion to have a predetermined size and shape at the correct position. However, even in these methods, the edge quality problem of the finally obtained multi-layer structure, surface contamination problem due to residual particles, and the like may be caused. Therefore, a new method for solving these problems is required.

본 개시 내용은 구성 층들 상호간의 정밀한 얼라이닝이 필요치 않고, 다층 구조물의 에지 품질 문제, 잔류 파티클들로 인한 표면 오염 문제 등을 수반하지 않는 향상된 다층 구조물 패터닝 방법을 제공하는데 목적이 있다.It is an object of the present disclosure to provide an improved multilayer structure patterning method that does not require precise alignment between the constituent layers, and which does not involve edge quality problems of the multilayer structure, surface contamination problems due to residual particles, and the like.

상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 개시 내용은, 기판의 제1면 상에, 제1층형성물질로, 내부에 다수의 보이드들을 갖는 제1층을 형성하는 것과; 제2층형성물질로, 상기 제1층의 제1영역의 표면이 노출되도록 상기 제1층 상에 제2층을 형성하되, 상기 제2층형성물질의 일부는 상기 제1층의 상기 다수의 보이드들에 침투되어 상기 기판의 상기 제1면의 적어도 일부에 부착되는 것과; 상기 제1층의 상기 제1영역을 제거하는 것;을 포함하는 다층 구조물 패터닝 방법을 제공한다. In order to accomplish the above object, the present disclosure provides a method for forming a first layer on a first side of a substrate, the method comprising: forming a first layer having a plurality of voids therein, Forming a second layer on the first layer such that a surface of a first region of the first layer is exposed with a second layer forming material, wherein a portion of the second layer- Penetrating voids and attaching to at least a portion of said first side of said substrate; And removing the first region of the first layer.

또한, 본 개시 내용은, 기판의 제1면 상에, 산란층형성물질로, 내부에 다수의 보이드들을 갖는 산란층을 형성하는 것과; 평탄층형성물질로, 상기 산란층의 제1영역의 표면이 노출되도록 상기 산란층 상에 상기 산란층보다 표면 거칠기가 더 작은 평탄층을 형성하되, 상기 평탄층형성물질의 일부는 상기 산란층의 상기 다수의 보이드들에 침투되어 상기 기판의 상기 제1면의 적어도 일부에 부착되는 것과; 상기 산란층의 상기 제1영역을 제거하는 것;을 포함하는 유기발광장치의 광추출기판 제조방법을 제공한다. The disclosure also provides a method of forming a scattering layer on a first side of a substrate, the scattering layer having a plurality of voids therein; A flat layer having a lower surface roughness than the scattering layer is formed on the scattering layer so that a surface of the first region of the scattering layer is exposed as a flat layer forming material, The plurality of voids being attached to at least a portion of the first side of the substrate; And removing the first region of the scattering layer. The present invention also provides a method of manufacturing a light extracting substrate of an organic light emitting device.

도 1은 어떠한 실시예들에 따른 다층 구조물 패터닝 방법의 플로우차트이다.
도 2는 도 1에 도시된 실시예들 중 어떠한 실시예들에 따른 다층 구조물 패터닝 방법을 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 실시예들 중 어떠한 실시예들에 따른 다층 구조물 패터닝 방법에 따라 패터닝된 다층 구조물을 보여주는 평면도이다.
도 4는 도 1에 도시된 실시예들 중 어떠한 실시예들에 따른 다층 구조물 패터닝 방법을 보여주는 평면도이다.
도 5는 대조예에 따른 유기발광장치의 제조방법을 보여주는 단면도이다.
도 6은 도 5에 도시된 유기발광장치의 제조방법에 의하여 제조된 유기발광장치의 발광을 보여주는 사진이다.
도 7은 어떠한 실시예들에 따른 유기발광장치 제조방법을 보여주는 단면도이다.
도 8은 도 7에 도시된 유기발광장치의 제조방법에 의하여 제조된 유기발광장치의 발광을 보여주는 사진이다.
도 9는 어떠한 실시예들에 따른 광추출기판의 산란층 형성을 위한 제1분산액을 전자현미경으로 캡쳐한 이미지이다.
도 10은 어떠한 실시예들에 따른 광추출기판의 산란층 형성을 위한 제2분산액을 전자현미경으로 캡쳐한 이미지이다.
도 11은 어떠한 실시예들에 따른 광추출기판의 단면을 전자현미경으로 캡쳐한 이미지이다.
도 12 내지 도 14는 어떠한 실시예들에 따른 광추출기판에 있어서, 산란층의 제1영역을 제거한 뒤 전자 현미경으로 캡쳐한 이미지다.
도 15는 어떠한 실시예들에 따른 광추출기판에 있어서, 산란층의 제1영역을 제거한 뒤 광학 현미경으로 캡쳐한 이미지이다.
1 is a flowchart of a method of patterning a multi-layer structure according to some embodiments.
2 is a cross-sectional view illustrating a method of patterning a multi-layer structure according to any one of the embodiments shown in FIG.
3 is a plan view showing a patterned multilayer structure according to a multilayer structure patterning method according to any one of the embodiments shown in FIG.
4 is a plan view showing a method of patterning a multi-layer structure according to any one of the embodiments shown in FIG.
5 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing an organic light emitting device according to a control example.
FIG. 6 is a photograph showing light emission of the organic light emitting device manufactured by the method of manufacturing the organic light emitting device shown in FIG.
7 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing an organic light emitting device according to some embodiments.
8 is a photograph showing light emission of the organic light emitting device manufactured by the method of manufacturing the organic light emitting device shown in FIG.
9 is an image captured by an electron microscope for a first dispersion liquid for forming a scattering layer of a light extraction substrate according to some embodiments.
10 is an image captured by an electron microscope for a second dispersion liquid for forming a scattering layer of a light extraction substrate according to some embodiments.
11 is an image captured by an electron microscope of a section of a light extracting substrate according to some embodiments.
12 to 14 are images captured by an electron microscope after removing a first region of a scattering layer in a light extracting substrate according to some embodiments.
15 is an image captured by an optical microscope after removing a first region of a scattering layer in a light extracting substrate according to some embodiments.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 개시 내용의 실시예들을 상세히 설명한다. Hereinafter, embodiments of the present disclosure will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 어떠한 실시예들에 따른 다층 구조물 패터닝 방법의 플로우차트이다. 1 is a flowchart of a method of patterning a multi-layer structure according to some embodiments.

어떠한 실시예들에서는, 도 1에 도시한 바와 같이, 다층 구조물 패터닝 방법은, 제1층을 기판의 제1면 상에 형성하는 것과, 제1층의 제1영역의 표면 (상기 기판의 제1면과 반대되게 향하는 제1층의 제1면)이 노출되도록 제1층 상에 제2층을 형성하는 것과, 제1층의 제1영역을 제거하는 것을 포함할 수 있다. In some embodiments, as shown in Figure 1, a method of patterning a multi-layer structure includes forming a first layer on a first side of a substrate, forming a first layer of a first region of the first layer Forming a second layer on the first layer such that the first surface of the first layer facing away from the first surface is exposed, and removing the first region of the first layer.

도 2는 도 1에 도시된 실시예들 중 어떠한 실시예들에 따른 다층 구조물 패터닝 방법을 보여주는 단면도이고, 도 3은 도 1에 도시된 실시예들 중 어떠한 실시예들에 따른 다층 구조물 패터닝 방법에 따라 패터닝된 다층 구조물을 보여주는 평면도이고, 도 4는 도 1에 도시된 실시예들 중 어떠한 실시예들에 따른 다층 구조물 패터닝 방법을 보여주는 평면도이다. FIG. 2 is a cross-sectional view showing a method of patterning a multi-layer structure according to any one of the embodiments shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a method of patterning a multi-layer structure according to any one of the embodiments shown in FIG. 4 is a plan view showing a method of patterning a multi-layer structure according to any one of the embodiments shown in FIG. 1. FIG.

어떠한 실시예들에서, 기판(100)은 글라스 기판, 금속산화물 기판, 금속질화물 기판, 합성수지 기판 등을 포함할 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 글라스 기판은, 소다라임 글라스 (SiO2-CaO-Na2O) 기판, 알루미노실리케이트계 글라스(SiO2-Al2O3-Na2O) 기판 등을 포함할 수 있다. 어떠한 실시예들에서. 기판(100)은 퓨전 공법, 플로팅 공법 등에 의하여 생산된 글라스 기판일 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 기판(100)은 화학강화 유리 또는 열강화 유리를 포함할 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 기판(100)은 플렉서블 기판 또는 비플렉서블 기판을 포함할 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 플렉서블 기판은 1.5mm 이하의 두께를 가질 수 있다. In some embodiments, the substrate 100 may include a glass substrate, a metal oxide substrate, a metal nitride substrate, a synthetic resin substrate, or the like. In some embodiments, the glass substrate may include a soda lime glass (SiO2-CaO-Na2O) substrate, an aluminosilicate glass (SiO2-Al2O3-Na2O) substrate, In some embodiments. The substrate 100 may be a glass substrate produced by a fusion method, a floating method, or the like. In some embodiments, the substrate 100 may comprise chemically tempered glass or thermally tempered glass. In some embodiments, the substrate 100 may comprise a flexible substrate or a non-flexible substrate. In some embodiments, the flexible substrate may have a thickness of 1.5 mm or less.

어떠한 실시예들에서, 제1층(200)을 형성하는 제1층형성물질은 금속산화물 등을 포함할 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 제1층형성물질은 고굴절률을 갖고, 가시광선에 대하여 투명한 물질일 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 제1층(200)은, 기판(100)의 제1면 상에 제1층형성물질을 코팅함으로써 형성될 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 제1층형성물질은 슬롯 다이 코팅, 스핀 코팅, 바 코팅 등 다양한 방법에 의하여 기판(100) 상에 코팅될 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 제1층(200)은 내부에 다수의 보이드들을 포함할 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 제1층(200)은 제2층(300)보다 큰 다공성을 가질 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 보이드들은 10nm~700nm의 사이즈(직경)을 가질 수 있으나, 본 개시 내용이 이에 한정되는 것은 아니다. 어떠한 실시예들에서, 보이드들이 차지하는 체적은 제1층(200)의 체적의 20~50%일 수 있으나, 본 개시 내용이 이에 한정되는 것은 아니다. In some embodiments, the first layer-forming material forming the first layer 200 may comprise a metal oxide or the like. In some embodiments, the first layer-forming material may be a material having a high refractive index and being transparent to visible light. In some embodiments, the first layer 200 may be formed by coating the first layer forming material on the first side of the substrate 100. In some embodiments, the first layer forming material may be coated on the substrate 100 by a variety of methods such as slot die coating, spin coating, bar coating, and the like. In some embodiments, the first layer 200 may include a plurality of voids therein. In some embodiments, the first layer 200 may have greater porosity than the second layer 300. In some embodiments, the voids may have a size (diameter) of 10 nm to 700 nm, but this disclosure is not so limited. In some embodiments, the volume occupied by the voids may be 20-50% of the volume of the first layer 200, but this disclosure is not so limited.

어떠한 실시예들에서, 제2층(300)을 형성하는 제2층형성물질은 유기물질, 무기물질, 유무기 하이브리머 등을 포함할 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 제2층(300)은 제2층형성물질을 코팅함으로써 형성될 수 있다. 예컨대, 어떠한 실시예들에서, 제2층(300)은 제2층형성물질을 습식 코팅함으로서 형성될 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 제2층형성물질은 슬롯 다이 코팅, 잉크젯 프린팅, 스핀 코팅, 바 코팅 등 다양한 방법에 의하여 제1층(200) 상에 코팅될 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 제2층형성물질의 일부는 제1층(200)의 보이드들에 침투될 수 있다. 이러한 실시예들 중 어떠한 실시예들에서, 제2층형성물질의 일부는 제1층(200)의 전 두께를 지나 기판(100)의 제1면의 적어도 일부에 부착될 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 기판(100)에 대한 제2층형성물질의 부착력(adhesion)은 기판(100)에 대한 제1층형성물질의 부착력보다 클 수 있다. 제2층형성물질의 큰 부착력은 제1층(200)을 기판(100)에 대하여 더 단단히 잡아줌으로써, 제1층(200)의 제1영역(201)을 제거할 때, 제1층(200)의 나머지 영역이 제거되지 않도록 하는데 도움을 준다. 그러나, 본 개시 내용이 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 어떠한 다른 실시예들에서, 제2층형성물질의 부착력은 제1층형성물질의 부착력과 실질적으로 동일하거나 작을 수 있다. 제2층형성물질의 부착력이 작더라도, 기판(100)에 대한 제1층(200) 및 제2층형성물질의 부착 면적이 증가하여, 제1층(200)을 기판(100)에 대하여 더 단단히 잡아주는 효과를 얻을 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 제2층형성물질은 ASTM D3359에서 규정하는 Cross-Cut Test 결과 5B보다는 높은 부착력을 가질 수 있다. In some embodiments, the second layer-forming material forming the second layer 300 may comprise organic materials, inorganic materials, organic hybrids, and the like. In some embodiments, the second layer 300 may be formed by coating the second layer forming material. For example, in some embodiments, the second layer 300 may be formed by wet coating the second layer forming material. In some embodiments, the second layer forming material may be coated on the first layer 200 by a variety of methods such as slot die coating, ink jet printing, spin coating, bar coating, and the like. In some embodiments, a portion of the second layer forming material may penetrate the voids of the first layer 200. In some of these embodiments, a portion of the second layer forming material may be attached to at least a portion of the first surface of the substrate 100 past the entire thickness of the first layer 200. [ In some embodiments, the adhesion of the second layer-forming material to the substrate 100 may be greater than the adhesion of the first layer-forming material to the substrate 100. The greater the adhesion of the second layer forming material to the first layer 200 when the first region 200 of the first layer 200 is removed by holding the first layer 200 more firmly against the substrate 100 ≪ / RTI > is not removed. However, this disclosure is not necessarily so limited, and in some other embodiments, the adhesion of the second layer-forming material may be substantially equal to or less than the adhesion of the first layer-forming material. The adhesion area of the first layer 200 and the second layer forming material with respect to the substrate 100 is increased so that the first layer 200 is further bonded to the substrate 100 A firm grip effect can be obtained. In some embodiments, the second layer forming material may have a higher adhesion than the Cross-Cut Test result 5B as defined in ASTM D3359.

어떠한 실시예들에서, 제1층(200)의 제1영역(201)은 워터 젯 장치를 사용하여 제거될 수 있다. 이에 추가하여 또는 이를 대신하여, 어떠한 실시예들에서, 제1층(200)의 제1영역(201)은 브러쉬 세정으로 제거될 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 제1층(200)의 제1영역(201)을 제거하는데 사용되는 제거제로 세정액이 사용될 수 있다. 예컨대, 워터-젯 장치를 사용하여 세정액을 제1층(200)의 제1영역(201)에 가함으로써 제1층(200)의 제1영역(201)을 제거할 수 있다. 세정액을 사용하여 제1영역(201)을 씻어냄으로써, 파티클을 잔류시킴이 없이 제1층(200)의 제1영역(201)을 깨끗하게 제거하는데 도움을 줄 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 순수 (Deionized Water)가 세정액으로 사용될 수 있다. 그러나,, 본 개시 내용이 이에 한정되는 것은 아니고, 이에 추가하여 또는 이를 대신하여 기계적 연마제, 화학 기계적 연마제 등이 세정액에 포함될 수 있다. 어떠한 실시예들에서는, 제1영역(201)의 제거는 기계적 방법, 화학적 방법, 광학적 방법, 전기적 방법 등 다양한 방법에 의하여 수행될 수 있다. In some embodiments, the first region 201 of the first layer 200 may be removed using a water jet apparatus. Additionally or alternatively, in some embodiments, the first area 201 of the first layer 200 may be removed by brush cleaning. In some embodiments, a cleaning liquid may be used as a scavenger used to remove the first region 201 of the first layer 200. For example, the first region 201 of the first layer 200 may be removed by applying a cleaning liquid to the first region 201 of the first layer 200 using a water-jet apparatus. By rinsing the first region 201 using a rinse solution, it can help clean the first region 201 of the first layer 200 without leaving particles. In some embodiments, Deionized Water can be used as a cleaning liquid. However, the present disclosure is not limited thereto, and in addition thereto, or alternatively, a mechanical abrasive, a chemical mechanical abrasive, or the like may be included in the cleaning liquid. In some embodiments, removal of the first region 201 may be accomplished by a variety of methods, including mechanical, chemical, optical, and electrical.

어떠한 실시예들에서는, 단일 공정만으로 제1층(200)의 제1영역(201)의 제거가 완료될 수 있으나, 어떠한 다른 실시예들에서는 제1층(200)의 제1영역(201)을 제거하는데 복수의 공정이 요구될 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 제1층(200)의 제1영역(201)은 제1층(200)의 제1면으로부터 제1면과 반대되는 제2면까지 연장되게 형성되는 영역이다. 그러나, 제1층(200)의 제1영역(201)의 에지면이 정확히 제1층(200)의 두께 방향을 따라 연장될 것을 요구하지는 않는다 (도 2의 네 번째 그림에서는 제1영역(201)의 에지면이 정확히 제1층(200)의 두께 방향인 수직 방향을 따라 연장되는 것으로 도시되어 있다) 예컨대, 제1영역(201)이 제1층(200)의 제1면에서 차지하는 면적과 제2면에서 차지하는 면적이 정확히 동일할 것을 요구하지는 않는다. 예컨대, 스트라이프 형상의 제1영역(201)을 제거하고자 하더라도, 제1영역(201)이 제1면에서 형성하는 형상은 스트라이프 형상과 일치하거나 유사할 수 있으나, 제2면에서 형성하는 형상은 스트라이프 형상과 유사하지 않을 수도 있다. 어떠한 실시예들에서는, 제2면에서 형성하는 형상이 스트라이프 형상이 되도록 추가의 공정이 진행될 수도 있으나, 어떠한 다른 실시예들에서는, 상기 비유사가 허용된 채로 최종 제품화될 수도 있다. In some embodiments, removal of the first region 201 of the first layer 200 may be completed with only a single process, but in other embodiments, the first region 201 of the first layer 200 may be removed Multiple processes may be required to remove. In some embodiments, the first region 201 of the first layer 200 is an area formed to extend from the first side of the first layer 200 to the second side opposite the first side. However, it is not required that the edge surface of the first region 201 of the first layer 200 extend exactly along the thickness direction of the first layer 200 (in the fourth figure of FIG. 2, the first region 201 The edge of the first layer 200 is shown to extend along the vertical direction that is exactly the thickness direction of the first layer 200). For example, the area of the first area 201 on the first side of the first layer 200 It does not require that the area occupied by the second surface is exactly the same. For example, even if the stripe-shaped first region 201 is to be removed, the shape formed by the first region 201 on the first surface may match or be similar to the stripe shape, It may not be similar to the shape. In some embodiments, an additional process may be performed to make the shape formed on the second surface stripe shape, but in some other embodiments, the non-inlaid material may be finalized while being permitted.

어떠한 실시예들에서는, 제1층(200)의 제1영역(201)은 제1층(200)의 에지의 전체 또는 일부와 이격되게 (즉, 접하지 않도록) 위치될 수 있다. 예컨대, 어떠한 실시예들에서는, 제1층(200)의 제1영역(201)이 제1층(200)의 나머지 영역에 의하여 완전히 둘러싸이도록 제2층(300)이 형성되어, 제1층(200)의 제1영역(201)이 제1층(200)의 에지의 전체와 이격되게 (즉, 접하지 않도록) 위치될 수 있다. 그러나, 어떠한 다른 실시예에서는, 제1층(200)의 제1영역(201)이, 도 3에 도시한 바와 같이, 제1층(200)의 에지의 일부와 이격되게 (즉, 접하지 않도록) 위치될 수 있다. 또한, 어떠한 다른 실시예들에서는, 도 4에 도시한 바와 같이, 제1층(200)의 제1영역(201)이 제1층(200)의 에지의 전체를 형성하도록 (제1층(200)의 에지의 전체와 접하도록) 제2층(300)을 형성할 수 있다. In some embodiments, the first region 201 of the first layer 200 may be located away from (i.e., not abutting) all or a portion of the edge of the first layer 200. For example, in some embodiments, the second layer 300 is formed such that the first region 201 of the first layer 200 is completely surrounded by the remaining region of the first layer 200, The first region 201 of the first layer 200 may be positioned away from (i.e., not in contact with) the entirety of the edge of the first layer 200. However, in certain other embodiments, the first region 201 of the first layer 200 may be spaced apart from (i.e., not in contact with) a portion of the edge of the first layer 200, ). 4, the first region 201 of the first layer 200 is formed to form the entirety of the edge of the first layer 200 (the first layer 200 The second layer 300 can be formed.

어떠한 실시예들에서는, 제1층(200)의 제1영역(201)은 서로 이격된 복수의 세그먼트들 (예컨대, 서로 평행한 스프라이프 세그먼트들)을 포함할 수 있다. In some embodiments, the first region 201 of the first layer 200 may comprise a plurality of segments spaced from one another (e.g., parallel segment segments).

어떠한 실시예들에서는, 도 4에 도시한 바와 같이, 제2층(300)이 제1층(200)의 제1영역(201)에 의하여 분리되어 서로 이격된 복수의 세그먼트들을 포함하도록, 제2층(300)을 형성할 수 있다. In some embodiments, the second layer 300 is separated by the first region 201 of the first layer 200 to include a plurality of segments that are spaced apart from each other, as shown in FIG. 4, Layer 300 may be formed.

도 5는 대조예에 따른 유기발광장치의 제조방법을 보여주는 단면도이고, 도 6은 도 5에 도시된 유기발광장치의 제조방법에 의하여 제조된 유기발광장치의 발광을 보여주는 사진이다.FIG. 5 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing an organic light emitting device according to a control example, and FIG. 6 is a photograph showing light emission of the organic light emitting device manufactured by the method of manufacturing the organic light emitting device shown in FIG.

도 5에 도시된 유기발광장치의 제조방법에 의하여 제조된 유기발광장치에서는 외부에 노출된 광추출층을 통하여 외부의 공기 및 수분이 침투하여, 유기발광다이오드(400)의 발광 특성 및 수명에 치명적인 악영향을 미칠 수 있다. 도 6은, 도 5에 도시된 유기발광장치의 제조방법에 의하여 제조된 유기발광장치에 외부로부터 공기 및 수분이 침투되어, 유기발광장치의 발광 시 다크 스트릭 (Dark Streak)이 발생한 현상을 보여준다. 따라서, 후술하는 도 7에 도시한 바와 같이, 광추출층의 에지 익스클루션(edge exclusion)이 필요하게 된다. 도 8(발광영역의 크기는 약 12x24㎟)은, 도 7에 도시된 유기발광장치의 제조방법에 의하여 제조된 유기발광장치가 외부로부터의 공기 및 수분의 침입이 차단되어 안정적인 발광 특성 및 수명을 보임을 보여준다. In the organic light emitting device manufactured by the method of manufacturing the organic light emitting device shown in FIG. 5, external air and moisture penetrate through the light extracting layer exposed to the outside, and the organic light emitting diode 400 is fatal It can have an adverse effect. FIG. 6 shows a phenomenon in which dark streaks occur in the organic light emitting device when air and moisture permeate into the organic light emitting device manufactured by the manufacturing method of the organic light emitting device shown in FIG. Therefore, edge exclusion of the light extracting layer is required as shown in Fig. 7 to be described later. 8 (the size of the light emitting region is about 12 x 24 mm 2), the organic light emitting device manufactured by the manufacturing method of the organic light emitting device shown in FIG. 7 is prevented from intrusion of air and moisture from the outside, Show me.

도 7은 어떠한 실시예들에 따른 유기발광장치의 제조방법을 보여주는 단면도이다.7 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing an organic light emitting device according to some embodiments.

유기발광장치에서는, 전반사, 광의 도파, 표면 플라즈몬 등에 의하여 발광된 광의 상당 부분이 소실되고 발광된 광의 일부만이 외부로 방출될 수 있다. 발광된 광의 약 80%가 소실된다는 연구 보고도 있다. 따라서, 이러한 광의 소실을 최소화하고 최대의 광을 외부로 추출하기 위하여 광추출층이 유기발광장치에 제공될 수 있다. In the organic light emitting device, a substantial part of light emitted by total reflection, light waveguide, surface plasmon or the like is lost and only a part of the emitted light can be emitted to the outside. It is reported that about 80% of the emitted light is lost. Therefore, a light extracting layer may be provided in the organic light emitting device in order to minimize the loss of such light and extract the maximum light to the outside.

어떠한 실시예들에서는, 도 1 내지 도 4와 관련하여 설명한, 다층 구조물, 제1층(200) 및 제2층(300)은 각각 유기발광장치의 광추출층, 산란층(200) 및 평탄층(300)를 포함할 수 있다. 기본적으로, 도 1 내지 도 4와 관련하여 기술된 설명들은, 허용되는 한, 도 7 내지 도 15와 관련하여 설명하는 실시예들에도 동일하게 적용될 수 있다. 마찬가지로, 도 7 내지 도 15와 관련하여 기술할 설명들도, 허용되는 한, 도 1 내지 도 4와 관련하여 설명한 실시예들에 동일하게 적용될 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 유기발광장치는 조명 장치일 수 있으나, 어떠한 다른 실시예들에서 유기발광장치는 디스플레이 장치일 수 있다. 그러나, 본 개시 내용이 이에 한정되는 것은 아니고, 유기발광장치는 다양한 용도로 사용될 수 있다.In some embodiments, the multilayer structures, the first layer 200 and the second layer 300, described with reference to FIGS. 1-4, may each include a light extraction layer, a scattering layer 200, (300). Basically, the explanations described with reference to Figs. 1 to 4 are equally applicable to the embodiments described with reference to Figs. 7 to 15, as far as it is permitted. Likewise, the descriptions to be described with reference to Figs. 7 to 15 can be equally applied to the embodiments described with reference to Figs. 1 to 4, if allowed. In some embodiments, the organic light emitting device may be a lighting device, but in some other embodiments the organic light emitting device may be a display device. However, the present disclosure is not limited thereto, and the organic light emitting device can be used for various purposes.

어떠한 실시예들에서, 유기발광장치의 광추출기판 제조방법은, 산란층(200)을 기판(100)의 제1면 상에 형성하는 것과, 상기 산란층(200)의 제1영역의 표면이 노출되도록 산란층(200) 상에 평탄층(300)을 형성하는 것과, 산란층(200)의 제1영역을 제거하는 것을 포함한다. In some embodiments, a method of fabricating a light extracting substrate of an organic light emitting device includes forming a scattering layer 200 on a first side of a substrate 100 and forming a first region of the scattering layer 200 Forming a planar layer (300) on the scattering layer (200) to expose and removing the first region of the scattering layer (200).

어떠한 실시예들에서 산란층(200)은 코팅에 의하여 형성될 수 있다. 이러한 실시예들 중 어떠한 실시예들에서, 산란층(200)은 습식 코팅에 의하여 형성될 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 평탄층(300)이 형성되기에 앞서 산란층(200)은 열을 가하여 소성할 수 있다. 이에 추가하여 또는 이를 대신하여, 어떠한 실시예들에서, 산란층(200)은 평탄층(300)을 형성한 후에 평탄층(300)과 함께 소성될 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 산란층(200)은 내부에 보이드들을 가질 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 보이드들은 서브-마이크로 사이즈를 가질 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 보이드들은 10nm~700nm의 사이즈(직경)을 가질 수 있으나, 본 개시 내용이 이에 한정되는 것은 아니다. 어떠한 실시예들에서, 산란층(200)은 평탄층(300)보다 큰 다공성을 가질 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 산란층(200)의 보이드들은 산란층(200)의 표면 거칠기를 야기할 수 있다. In some embodiments, the scattering layer 200 may be formed by coating. In some of these embodiments, the scattering layer 200 may be formed by wet coating. In some embodiments, the scattering layer 200 may be fired by applying heat before the planarizing layer 300 is formed. Additionally or alternatively, in some embodiments, the scattering layer 200 may be fired with the planarizing layer 300 after forming the planarizing layer 300. In some embodiments, the scattering layer 200 may have voids therein. In some embodiments, the voids may have a sub-micro size. In some embodiments, the voids may have a size (diameter) of 10 nm to 700 nm, but this disclosure is not so limited. In some embodiments, the scattering layer 200 may have greater porosity than the planar layer 300. In some embodiments, the voids in the scattering layer 200 may cause the surface roughness of the scattering layer 200.

이러한 표면 거칠기를 갖는 산란층(200) 상에 직접 유기발광다이오드(400)의 전극층을 형성한다면, 산란층(200)의 표면 거칠기는 전극층의 전기적 특성 및 수명에 치명적인 악영향을 미칠 수 있다. 따라서, 어떠한 실시예들에서, 산란층(200) 상에는 산란층(200)보다 작은 표면 거칠기를 갖는 평탄층(300)을 형성할 수 있다. 여기서, 산란층(200) 및 평탄층(300)의 표면 거칠기는 다양한 거칠기 파라미터를 사용하여 비교되어 질 수 있다. 예컨대, 어떠한 실시예들에서, 평탄층(300)의 RRMS는 산란층(200)의 RRMS보다 작다. 이에 추가하여 또는 이를 대신하여 어떠한 실시예들에서, 평탄층(300)의 Ra는 산란층(200)의 Ra보다 작다. 어떠한 실시예들에서, 평탄층(300)은 평탄층형성물질을 산란층 상에 도포함으로서 형성될 수 있다. 이때, 평탄층형성물질의 일부는 산란층(200)의 보이드들에 침투되어, 기판(100)의 제1면의 적어도 일부에 부착될 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 평탄층(300)은 코팅에 의하여 형성될 수 있다. 이러한 실시예들 중 어떠한 실시예들에서, 평탄층(300)은 습식 코팅에 의하여 형성될 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 평탄층(300)을 형성한 후, 평탄층(300)은 소성될 수 있다. If the electrode layer of the organic light emitting diode 400 is directly formed on the scattering layer 200 having such a surface roughness, the surface roughness of the scattering layer 200 may have a serious adverse effect on the electrical characteristics and lifetime of the electrode layer. Thus, in some embodiments, a flat layer 300 having a surface roughness less than that of the scattering layer 200 may be formed on the scattering layer 200. Here, the surface roughness of the scattering layer 200 and the flat layer 300 can be compared using various roughness parameters. For example, in some embodiments, R RMS of the planarizing layer 300 is smaller than the RMS R of the scattering layer 200. Additionally or alternatively, in some embodiments, the Ra of the planarization layer 300 is less than the Ra of the scattering layer 200. In some embodiments, the planarizing layer 300 may be formed by applying a planarizing layer-forming material on the scattering layer. At this time, a part of the flat layer forming material may be penetrated into the voids of the scattering layer 200 and attached to at least a part of the first surface of the substrate 100. In some embodiments, the planarizing layer 300 may be formed by coating. In some of these embodiments, the planarizing layer 300 may be formed by wet coating. In some embodiments, after forming the planarizing layer 300, the planarizing layer 300 may be fired.

어떠한 실시예들에서, 워터젯, sonification 등을 사용하여 산란층(200)의 제1영역은 제거할 수 있다. 어떠한 실시예들에서는, 산란층(200)의 제1영역을 제거하는 것에 의하여, 산란층(200)과 평탄층(300)을 포함하는 다층 구조물은 적어도 2 개의 세그먼트들로 분리될 수 있다. In some embodiments, a first region of the scattering layer 200 may be removed using a water jet, sonification, or the like. In some embodiments, by removing the first region of the scattering layer 200, the multi-layer structure including the scattering layer 200 and the planarizing layer 300 can be separated into at least two segments.

어떠한 실시예들에서, 산란층(200)의 상기 제1영역에 대응되는 기판(100)의 제1영역을 다이싱하여 복수 개의 광추출기판을 얻은 후, 각각의 광추출기판 상에 유기발광다이오드를 형성할 수 있다. 어떠한 다른 실시예들에서는, 상기 적어도 2 개의 세그먼트들 상에 유기발광다이오드(400)들을 각각 형성한 후, 산란층(200)의 상기 제1영역에 대응되는 기판(100)의 제1영역을 다이싱할 수 있다. 어떠한 다른 실시예들에서는, 도 7에 도시한 바와 같이, 적어도 2 개의 세그먼트들 상에 유기발광다이오드(400)들을 각각 형성한 후, 상기 적어도 2 개의 세그먼트들을 인캡슐레이팅하는 인캡슐레이션층(500)을 형성한 후, 산란층(200)의 상기 제1영역에 대응되는 기판(100)의 제1영역을 다이싱할 수 있다. 어떠한 실시예들에서는, 도 7에 도시한 바와 같이, 단일 인캡슐레이션층(500)이 적어도 2개의 세그먼트들을 공통되게 인캡슐레이팅할 수 있으나, 본 개시 내용이 이에 한정되는 것은 아니다. 어떠한 다른 실시예들에서는, 인캡슐레이션층(500)들과 세그먼트들이 각각 대응되게 형성될 수 있다. 어떠한 다른 실시예들에서는, 인캡슐레이션층(500)들의 일부는 세그먼트들과 각각 대응되게 형성되고, 나머지들은 적어도 2개의 세그먼트들을 공통되게 인캡슐레이팅하도록 형성될 수 있다. In some embodiments, a first region of the substrate 100 corresponding to the first region of the scattering layer 200 is diced to obtain a plurality of light extraction substrates, and then an organic light emitting diode Can be formed. In some other embodiments, after forming the organic light emitting diodes 400 on the at least two segments, the first region of the substrate 100, corresponding to the first region of the scattering layer 200, Can be singed. In some other embodiments, as shown in FIG. 7, an encapsulation layer 500, which encapsulates the at least two segments after each of the organic light emitting diodes 400 are formed on at least two segments, The first region of the substrate 100 corresponding to the first region of the scattering layer 200 may be diced. In some embodiments, as shown in FIG. 7, a single encapsulation layer 500 may encapsulate at least two segments in common, but this disclosure is not so limited. In some other embodiments, encapsulation layers 500 and segments may be formed to correspond to each other. In some other embodiments, a portion of the encapsulation layer 500 is formed to correspond to each of the segments, and the remainder may be formed to encapsulate at least two segments in common.

유기발광다이오드(400)는 평탄층(300)에 순차적으로 적층되는, 애노드 전극층, 유기층 및 캐소드 전극층을 포함한다. 유기층은 발광층을 포함한다.The organic light emitting diode 400 includes an anode electrode layer, an organic layer, and a cathode electrode layer sequentially stacked on the flattening layer 300. The organic layer includes a light emitting layer.

도 9는 어떠한 실시예들에 따른 광추출기판의 산란층 형성을 위한 제1분산액을 전자현미경으로 캡쳐한 이미지고, 도 10은 어떠한 실시예들에 따른 광추출기판의 산란층 형성을 위한 제2분산액을 전자현미경으로 캡쳐한 이미지고, 도 11은 어떠한 실시예들에 따른 광추출기판의 단면을 전자현미경으로 캡쳐한 이미지다. FIG. 9 is an image of an electron microscope for capturing a first dispersion liquid for forming a scattering layer of a light extraction substrate according to certain embodiments. FIG. 11 is an image captured by an electron microscope of a section of a light extracting substrate according to some embodiments.

어떠한 실시예들에서, 산란층형성물질은 금속산화물의 제1응집체들(first aggregates)과 금속산화물의 제2응집체들(second aggregates)을 포함할 수 있다. In some embodiments, the scattering layering material may comprise first aggregates of metal oxides and second aggregates of metal oxides.

어떠한 실시예들에서, 제1응집체들은 30~50nm 크기의 TiO2 나노 입자들이 응집되어 형성될 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 제2 응집체들은 30~50nm 크기의 TiO2 나노 입자들이 응집되어 형성될 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 제1응집체의 크기는 0.04~2.7㎛의 크기를 가질 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 제2 응집체의 크기는 0.035~2.7㎛의 크기를 가질 수 있다. 여기서, 응집체의 크기는 Malvern 사의 PSA(Particle Size Analyzer, 모델명: Mastersizer 2000)을 사용하여 측정하였다. In some embodiments, the first aggregates may be formed by aggregation of TiO 2 nanoparticles of 30-50 nm size. In some embodiments, the second aggregates may be formed by aggregation of TiO 2 nanoparticles of 30-50 nm size. In some embodiments, the size of the first aggregate may have a size of 0.04 to 2.7 mu m. In some embodiments, the size of the second aggregate may have a size of 0.035 to 2.7 mu m. Here, the aggregate size was measured using a Partan Size Analyzer (Model: Mastersizer 2000) manufactured by Malvern Corporation.

어떠한 실시예들에서, 제1응집체들은 제2응집체들보다 작은 비표면적을 가질 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 제1응집체들과 제2 응집체들은, 동일한 화학적 조성 및 동일한 결정상을 가지나, 서로 다른 결정 습성(crystal habit)을 가질 수 있다. 이러한 실시예들 중 어떠한 실시예들에서, 제1응집체들과 제2 응집체들은 TiO2의 화학적 조성을 가질 수 있다. 이러한 실시예들 중 어떠한 실시예들에서, 제1응집체들과 제2 응집체들은 루틸 결정상 또는 아나타제 결정상을 가질 수 있다. 이러한 실시예들 중 어떠한 실시예들에서, 제1응집체들은 덴트라이트 결정 습성을 갖고, 제2응집체들은 로드 형상의 결정 습성을 가질 수 있다. In some embodiments, the first aggregates may have a smaller specific surface area than the second aggregates. In some embodiments, the first agglomerates and the second agglomerates have the same chemical composition and the same crystal phase, but may have different crystal habit. In some of these embodiments, the first agglomerates and the second agglomerates may have a chemical composition of TiO 2 . In some of these embodiments, the first agglomerates and the second agglomerates may have a rutile or anatase crystalline phase. In some of these embodiments, the first aggregates may have a dentrite crystallization habit and the second aggregates may have rod-shaped crystallization habits.

제1응집체 및 제2응집체가 동일한 화학적 조성 및 동일한 결정상을 갖더라도, 결정 습성이 다르면 비표면적은 다를 수 있다. 예컨대, 어떠한 실시예들에서, 루틸 결정상의 TiO2 제1응집체는 덴드라이트 결정 습성을 갖고, 약 30.4㎡/g의 비표면적을 가질 수 있다. 또한, 어떠한 실시예들에서, 루틸 결정상의 TiO2 제2응집체는 로드 형상의 결정 습성을 갖고, 약 92.8㎡/g의 비표면적을 가질 수 있다. 이에 따라, 동일한 루틸 결정상의 TiO2로 이루어진 상기 제1응집체 및 상기 제2응집체의 혼합물을 포함하는 산란층형성물질은 제1응집체와 제2응집체의 비율에 따라 30.4m2/g보다는 크고 92.8m2/g보다는 작은 비표면적을 가질 수 있다. 예컨대, 어떠한 실시예들에서, 산란층형성물질은 대략 50㎡/g의 비표면적을 가질 수 있다. 비표면적은 Gas Adsorption Analyzer (Macsorb HM Model-1208)을 이용하여 측정하였다.Although the first agglomerate and the second agglomerate have the same chemical composition and the same crystal phase, the specific surface area may be different if the crystal habit is different. For example, in some embodiments, the first aggregate of TiO 2 on rutile crystals has dendrite crystal wetting and may have a specific surface area of about 30.4 m 2 / g. Also, in some embodiments, the TiO 2 second aggregate on the rutile crystal has rod-shaped crystallinity and can have a specific surface area of about 92.8 m 2 / g. Thus, the scattering layer forming material comprising the mixture of the first agglomerate and the first aggregate of TiO 2 on the same rutile crystal phase is greater than 30.4 m 2 / g and greater than 92.8 m 2 / g, depending on the ratio of the first agglomerate and the second agglomerate Lt ; RTI ID = 0.0 > 2 / g. ≪ / RTI > For example, in some embodiments, the scattering layering material may have a specific surface area of about 50 m 2 / g. The specific surface area was measured using a Gas Adsorption Analyzer (Macsorb HM Model-1208).

전술한 바와 같이 제1 응집체들과 제2 응집체들은 응집 프로세스가 서로 달라, 그들의 형상이 서로 다를 수 있다. 이와 같이, TiO2의 제1응집체들 및 TiO2의 제2응집체들, 즉, 산란층을 이루는 TiO2의 응집체들이 다양한 형태로 형성되면, 광 산란 효과를 극대화시킬 수 있게 된다. 산란층 형성 시, TiO2가 소성되는 과정에서, 산란층의 내부에는 빛의 산란을 발생시킬 수 있는 정도의 크기를 갖는 다수의 보이드들, 다시 말해, 굴절률이 1인 다수의 기공이 자연 발생적으로 형성될 수 있다. TiO2의 응집체들이 덴드라이트 형상, 그리고 로드 형상으로 이루어짐에 따라, 이들 응집체들의 사이 공간으로 정의되는 기공 또한 광 산란 효과를 극대화시킬 수 있는 다양한 형태로 형성될 수 있다.As described above, the first agglomerates and the second agglomerates have different agglomeration processes, and their shapes may be different from each other. As such, when the second aggregates of the first aggregates of TiO 2 and TiO 2, that is, aggregates of TiO 2 constituting the scattering layer were formed in various forms, it is possible to maximize the light-scattering effect. In the process of when forming the scattering layer, TiO 2 is fired, a number of voids in, that is to say, a large number of pores refractive index is 1, the naturally occurring with a degree of size that may have caused a scattering of light inside the scattering layer . Since the agglomerates of TiO 2 are formed in a dendrite shape and a rod shape, pores defined as a space between these agglomerates can be formed into various shapes capable of maximizing the light scattering effect.

어떠한 실시예들에서, 산란층은 다수의 광산란입자들을 더 포함할 수 있다. 다수의 광산란입자들의 primary 파티클들의 사이즈는 10~500nm일 수 있다. 이때, 다수의 광산란입자는 산란층 내부를 기준으로, 기판에 인접한 하측에 배열될 수 있다. 이러한 다수의 광산란입자들은 상기 기공들과 함께 복잡한 광 산란 구조를 이루게 된다. 어떠한 실시예들에서, 다수의 광산란입자들은 예컨대, 루틸 결정상의 TiO2에 혼합된 후, 기판 상에 도포됨으로써, 기판 상에 배열 혹은 형성될 수 있다. 이에 추가하여 또는 이를 대신하여, 어떠한 실시예들에서, 다수의 광산란입자들은 산란층 형성과는 별개의 공정을 통해, 산란층보다 먼저, 기판 상에 형성된 후, 산란층에 의해 커버될 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 광산란입자는 SiO2, TiO2, ZnO 및 SnO2를 포함하는 금속산화물 후보군 중 어느 하나 또는 둘 이상의 조합으로 이루어질 수 있다. In some embodiments, the scattering layer may further comprise a plurality of light scattering particles. The size of primary particles of a plurality of light scattering particles may be between 10 and 500 nm. At this time, the plurality of light scattering particles may be arranged on the lower side adjacent to the substrate with reference to the scattering layer inside. These multiple light scattering particles form complex light scattering structures together with the pores. In some embodiments, a plurality of light scattering particles can be arranged or formed on the substrate, for example, by being mixed with TiO 2 on rutile crystal and then applied onto the substrate. Additionally or alternatively, in some embodiments, the plurality of light scattering particles may be formed on the substrate, prior to the scattering layer, and then covered by the scattering layer, via a separate process from the scattering layer formation. In some embodiments, the light scattering particles may be formed of any one or a combination of two or more of the candidate metal oxide containing SiO 2, TiO 2, ZnO and SnO 2.

루틸 결정상의 TiO2는, 굴절률이 2.5~2.7인 고굴절(high-refractive index; HRI) 금속산화물이므로, 내부에 굴절률이 1인 기공들이 다수 개 형성되고, 또 다른 굴절률을 갖는 광산란입자가 다수 개 형성되면, 서로 굴절률이 상이한 혹은 굴절률 차이가 극대화된 고굴절/저굴절 또는 고굴절/저굴절/고굴절과 같은 복잡한 다 굴절률 구조를 이루게 된다. 이러한 복잡한 다 굴절률 구조가 유기발광다이오드로부터 발광된 빛이 방출되는 경로 상에 배치되면, 유기발광다이오드로부터 발광된 빛의 방출 경로가 다변화되어, 유기발광장치의 광추출 효율 증가는 극대화될 수 있다.Since TiO 2 on the rutile crystal phase is a high-refractive index (HRI) metal oxide having a refractive index of 2.5 to 2.7, many pores having a refractive index of 1 are formed therein, and light scattering particles having another refractive index are formed A complex multi-refractive index structure such as a high refractive index / low refractive index or a high refractive index / low refractive index / high refractive index having different refractive indices or maximizing a refractive index difference is formed. When such a complex multi-refractive index structure is disposed on a path through which light emitted from the organic light emitting diode is emitted, the emission path of the light emitted from the organic light emitting diode is diversified, so that the increase in the light extraction efficiency of the organic light emitting device can be maximized.

산란층의 두께가 너무 두꺼우면 평탄층형성물질이 기판에 도달하기까지 침투되기 어려우므로, 산란층의 두께는 적절하게 선택될 것이 요구될 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 산란층의 두께는 0.5~3.0um 이고, 광추출층의 두께는 1.0~4.0um 일 수 있으나, 본 개시 내용이 이에 한정되는 것은 아니다. If the thickness of the scattering layer is too large, it is difficult for the flat layer forming material to penetrate until reaching the substrate, so that the thickness of the scattering layer may be required to be appropriately selected. In some embodiments, the thickness of the scattering layer may be between 0.5 and 3.0 um, and the thickness of the light extracting layer may be between 1.0 and 4.0 um, but this disclosure is not so limited.

어떠한 실시예들에서, 유기발광장치의 광추출 효율을 극대화시키기 위해, 평탄층은 산란층과 굴절률 차이를 가질 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 평탄층은 유기물질 또는 무기물질로 이루어지거나 유,무기 하이브리머로 이루어질 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 평탄층을 이루는 유기물질로 1.3~1.5의 굴절률을 나타내는 PDMS(polydimethylsiloxane)가 사용될 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 평탄층은 1.7~2.7의 굴절률을 나타내는 무기물질인 MgO, Al2O3, ZrO2, SnO2, ZnO, SiO2, TiO2와 같은 금속 산화물이나 고굴절 폴리머 중 선택되는 물질로 이루어질 수 있는데, 산란층이 고굴절률의 TiO2로 이루어지므로, 이때의 선택 기준은 TiO2보다 낮은 굴절률을 갖는 물질로 한정될 수 있다. 이와 같이, 유기발광다이오드로부터 발광된 빛이 방출되는 경로에 서로 굴절률이 상이한 적층 구조의 광추출층을 구비하면, 굴절률 차이를 통해 유기발광장치의 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.In some embodiments, to maximize the light extraction efficiency of the organic light emitting device, the planarizing layer may have a refractive index difference from the scattering layer. In some embodiments, the planarizing layer may be comprised of an organic or inorganic material, or may comprise an organic or inorganic hybrid. In some embodiments, PDMS (polydimethylsiloxane), which exhibits a refractive index of 1.3 to 1.5 with an organic material forming a flat layer, may be used. Material selected from In some embodiments, the planarizing layer is an inorganic material exhibiting a refractive index of 1.7 ~ 2.7 MgO, Al 2 O 3, ZrO 2, SnO 2, ZnO, SiO 2, metal oxides, high refractive index polymers, such as TiO 2 Since the scattering layer is made of TiO 2 having a high refractive index, the selection criterion can be limited to a material having a lower refractive index than TiO 2 . The light extraction efficiency of the organic light emitting device can be improved through the refractive index difference by providing the light extraction layer having a laminated structure in which the refractive indexes of the light emitting layers are different from each other in the path along which the light emitted from the organic light emitting diode is emitted.

어떠한 실시예들에서, 산란층의 다수의 보이드들이 점유하는 총 체적의 일부만이 평탄층형성물질에 의하여 채워질 수 있다. 어떠한 실시예들에서 산란층의 보이드들은 균일하게 분포하여, 산란층이 산란층의 기재의 굴절률과 기공의 굴절률 사이의 어느 크기의 단일 굴절률을 갖는 것처럼 기능할 수 있고, 이러한 산란층의 광 산란 효과는 크기 않을 수 있다. 이를 보완하여, 어떠한 실시예들에서는, 평탄층형성물질이 산란층의 보이드들에 불규칙적으로 채워져 광 산란 효과를 극대화시킬 수 있게 된다. In some embodiments, only a portion of the total volume occupied by the plurality of voids of the scattering layer may be filled by the planarizing material. In some embodiments, the voids in the scattering layer may be uniformly distributed such that the scattering layer may function as if it had a single refractive index of any magnitude between the refractive index of the substrate of the scattering layer and the refractive index of the pores, May be small. In order to compensate for this, in some embodiments, the flat layer forming material is irregularly filled in the voids of the scattering layer, thereby maximizing the light scattering effect.

어떠한 실시예들에서, 제1응집체들을 제1용매에 분산시켜 제1분산액을 제조하고 제1응집체들과 비표면적이 다른 제2응집체들을 제2용매에 분산시켜 제2분산액을 제조한 뒤, 제1분산액과 제2분산액을 혼합하고 그 혼합액을 기판의 제1면 상에 코팅하여 산란층을 형성할 수 있다. 예컨대, 제1 용매에 루틸 결정상 또는 아나타제 결정상, 특히 루틸 결정상의 덴드라이트 결정 습성을 갖는 TiO2 제1응집체들을 분산시켜 제1 분산액을 제조한다. 이때, 어떠한 실시예들에서, 제1 분산액을 제조하는 과정에서는 제1 용매에 TiO2를 5~60wt% 분산시킬 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 제1 용매는 유기용매 및 H2O를 포함할 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 제2 용매에 루틸 결정상을 갖되, 상기 제1응집체보다 큰 비표면적을 갖는 로드 형상의 TiO2 제2응집체들을 분산시켜 제2 분산액을 제조한다. 어떠한 실시예들에서, 제2 분산액을 제조하는 과정에서는 제2 용매에 TiO2를 5~60wt% 분산시킬 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 제2 용매는 EtOH과 같은 유기용매를 포함할 수 있다. 그리고 나서, 제1 분산액과 제2 분산액을 혼합하여 기판 상에 도포될 분산액을 제조한다. 이때, 어떠한 실시예들에서는, 분산액에 다수의 광산란입자들을 혼합할 수 있다.In some embodiments, a first dispersion is prepared by dispersing first aggregates in a first solvent, and second aggregates having a different specific surface area from the first aggregates are dispersed in a second solvent to prepare a second dispersion, 1 dispersion and a second dispersion may be mixed and the mixed solution may be coated on the first side of the substrate to form a scattering layer. For example, a first dispersion is prepared by dispersing TiO 2 first aggregates having a rutile crystal phase or an anatase crystal phase, particularly a rutile crystal dendritic crystal habit, in a first solvent. At this time, in some embodiments, TiO 2 may be dispersed in the first solvent by 5 to 60 wt% in the process of preparing the first dispersion. In some embodiments, the first solvent may comprise an organic solvent and H 2 O. In some embodiments, a second dispersion is prepared by dispersing rod-shaped TiO 2 second aggregates having a rutile crystal phase in the second solvent, wherein the rod-shaped TiO 2 second aggregates have a specific surface area greater than that of the first aggregate. In some embodiments, TiO 2 may be dispersed in the second solvent in an amount of 5 to 60 wt% in the process of preparing the second dispersion. In some embodiments, the second solvent may comprise an organic solvent such as EtOH. The first dispersion and the second dispersion are then mixed to produce a dispersion to be applied onto the substrate. At this time, in some embodiments, a plurality of light scattering particles can be mixed into the dispersion.

다음으로, 기판 상에 분산액을 코팅하여 산란층을 형성한다. 이와 같이 형성된 산란층은, 내부에는 다수의 기공들이 자연 발생적으로 형성되고, 분산액 제조단계에서 분산액에 혼합된 광산란입자가 하측으로 배열될 수 있다. Next, a dispersion liquid is coated on the substrate to form a scattering layer. In the scattering layer thus formed, a large number of pores are formed spontaneously in the interior, and light scattering particles mixed in the dispersion in the dispersion preparation step may be arranged downward.

다음으로, 산란층 상에 평탄층을 형성한다. Next, a flat layer is formed on the scattering layer.

실험예Experimental Example

도 12 내지 도 14는 어떠한 실시예들에 따른 광추출기판에 있어서, 산란층의 제1영역을 제거한 뒤 전자 현미경으로 캡쳐한 이미지다. 12 to 14 are images captured by an electron microscope after removing a first region of a scattering layer in a light extracting substrate according to some embodiments.

다공성 TiO2 산란층을 형성하고, 그 위에 Toray 사의 유무기 하이브리머로 평탄층을 바 코팅 하였다. 그 뒤, 에탄올이 묻은 Ultima 사의 와이퍼를 사용하여 평탄층이 코팅되지 않은 산란층의 제1영역만을 선택적으로 닦아 내었다. 그 후, 전자현미경으로 이미지를 캡쳐하였다. 도 12는 광추출기판의 두께 면과 상면이 동시에 캡쳐되도록 경사 방향에서 광추출기판을 캡쳐하여 얻은 이미지고, 도 11은 도 10의 사각 박스를 확대한 이미지고, 12는 상부에서 광추출기판을 캡쳐하여 얻은 이미지다. 도 10 및 도 12에서 좌측 부분은 기판, 산란층 및 평탄층의 적층을 보여주고, 우측 부분은 산란층 및 평탄층의 제거된 기판만을 보여준다. 실험 결과, 제2층의 코팅에 손상을 주지 않고, 제2층이 코팅되지 않은 제1층의 제1영역만을 비교적 쉽게 제거할 수 있음을 확인할 수 있었다. A porous TiO 2 scattering layer was formed, and a flat layer was bar-coated thereon with an organic hybrimer of Toray. Thereafter, only the first region of the scattering layer not coated with the flat layer was selectively wiped using an Ultima wiper with ethanol. The image was then captured with an electron microscope. FIG. 12 is an image obtained by capturing the light extraction substrate in an oblique direction so that the thickness and the top surface of the light extraction substrate are captured at the same time. FIG. 11 is an enlarged image of the rectangular box of FIG. It is an image obtained by capturing. The left part in FIGS. 10 and 12 shows the lamination of the substrate, the scattering layer and the flat layer, and the right part shows only the removed substrate of the scattering layer and the flat layer. As a result of the experiment, it was confirmed that only the first region of the first layer not coated with the second layer can be relatively easily removed without damaging the coating of the second layer.

도 15는 어떠한 실시예들에 따른 광추출기판에 있어서, 산란층의 제1영역을 제거한 뒤 광학 현미경으로 캡쳐한 이미지다.15 is an image captured by an optical microscope after removing a first region of a scattering layer in a light extracting substrate according to some embodiments.

다공성 TiO2 산란층을 형성하고, 슬롯 다이 코터를 이용하여 그 위에 Toray 사의 유무기 하이브리머로 평탄층을 selective 코팅하였다. 그 뒤, 200 bar의 워터젯을 사용하여 평탄층이 코팅되지 않은 산란층의 제1영역만을 선택적으로 제거하였다. 그 후, 광학 현미경으로 이미지를 캡쳐하였다. 배율은 x10이었다. 도 15의 상부 오른쪽 4분면은 광추출기판의 상부에서 촬영한 사진이고, 나머지 세 개의 4분면은 모두 광추출기판의 상부에서 광학 현미경을 이용하여 캡쳐한 이미지다. 네 개의 4분면 중 상부 우측 4분면을 확대한 이미지를 나머지 3 개의 사분면에 나타내었다. 실험 결과, 제2층의 코팅에 손상을 주지 않고, 제2층이 코팅되지 않은 제1층의 제1영역만을 비교적 쉽게 제거할 수 있음을 확인할 수 있었다. Porous TiO2 scattering layer was formed, and a flat layer was selectively coated thereon using a slot die coater and an organic hygrometer of Toray Company. Thereafter, a 200-bar water jet was used to selectively remove only the first region of the scattered layer not coated with the flat layer. The image was then captured with an optical microscope. The magnification was x10. The upper right quadrant of FIG. 15 is photographed from the top of the light extraction substrate, and the remaining three quadrants are images captured using an optical microscope at the top of the light extraction substrate. Among the four quadrants, the image of the upper right quadrant is shown in the remaining three quadrants. As a result of the experiment, it was confirmed that only the first region of the first layer not coated with the second layer can be relatively easily removed without damaging the coating of the second layer.

Claims (23)

기판의 제1면 상에, 제1층형성물질로, 내부에 다수의 보이드들을 갖는 제1층을 형성하는 것과;
제2층형성물질로, 상기 제1층의 제1영역의 표면이 노출되도록 상기 제1층 상에 제2층을 형성하되, 상기 제2층형성물질의 일부는 상기 제1층의 상기 다수의 보이드들에 침투되어 상기 기판의 상기 제1면의 적어도 일부에 부착되는 것과;
상기 제1층의 상기 제1영역을 제거하는 것;
을 포함하는 다층 구조물 패터닝 방법.
Forming on the first side of the substrate a first layer having a plurality of voids therein as a first layer forming material;
Forming a second layer on the first layer such that a surface of a first region of the first layer is exposed with a second layer forming material, wherein a portion of the second layer- Penetrating voids and attaching to at least a portion of said first side of said substrate;
Removing the first region of the first layer;
≪ / RTI >
제1항에 있어서,
상기 기판에 대한 상기 제2층형성물질의 부착력은 상기 기판에 대한 상기 제1층형성물질의 부착력보다 큰,
다층 구조물 패터닝 방법.
The method according to claim 1,
The adhesion of the second layer forming material to the substrate is greater than the adhesion of the first layer forming material to the substrate,
Method for patterning multilayer structures.
제1항에 있어서,
상기 제1층은 상기 제2층보다 큰 다공성을 갖는,
다층 구조물 패터닝 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the first layer has a porosity greater than the second layer,
Method for patterning multilayer structures.
제1항에 있어서,
상기 제2층을 형성하는 것은, 상기 제1층 상에 상기 제2층형성물질을 습식 코팅하는 것을 포함하는,
다층 구조물 패터닝 방법.
The method according to claim 1,
Wherein forming the second layer comprises wet coating the second layer forming material on the first layer.
Method for patterning multilayer structures.
제1항에 있어서,
상기 제2층을 형성하는 것은, 잉크젯 프린터를 사용하여 상기 제2층형성물질을 코팅하는 것을 포함하는,
다층 구조물 패터닝 방법.
The method according to claim 1,
Forming the second layer comprises coating the second layer forming material using an ink jet printer,
Method for patterning multilayer structures.
제1항에 있어서,
상기 제거하는 것은, 세정액을 사용하여 상기 제1층의 상기 제1영역을 세정하여 제거하는 것을 포함하는,
다층 구조물 패터닝 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the removing comprises cleaning and removing the first region of the first layer using a rinse solution.
Method for patterning multilayer structures.
제6항에 있어서,
상기 세정액은 순수를 포함하는,
다층 구조물 패터닝 방법.
The method according to claim 6,
Wherein the cleaning liquid comprises pure water.
Method for patterning multilayer structures.
제6항에 있어서,
상기 제거하는 것은, 워터-젯 장치를 사용하여 상기 세정액을 상기 제1층의 상기 제1영역에 가함으로써 수행되는,
다층 구조물 패터닝 방법.
The method according to claim 6,
Wherein the removing is performed by applying the cleaning liquid to the first region of the first layer using a water-
Method for patterning multilayer structures.
기판의 제1면 상에, 산란층형성물질로, 내부에 다수의 보이드들을 갖는 산란층을 형성하는 것과;
평탄층형성물질로, 상기 산란층의 제1영역의 표면이 노출되도록 상기 산란층 상에 상기 산란층보다 표면 거칠기가 더 작은 평탄층을 형성하되, 상기 평탄층형성물질의 일부는 상기 산란층의 상기 다수의 보이드들에 침투되어 상기 기판의 상기 제1면의 적어도 일부에 부착되는 것과;
상기 산란층의 상기 제1영역을 제거하는 것;
을 포함하는 유기발광장치의 광추출기판 제조방법.
Forming a scattering layer on the first side of the substrate, the scattering layer forming material having a plurality of voids therein;
A flat layer having a lower surface roughness than the scattering layer is formed on the scattering layer so that a surface of the first region of the scattering layer is exposed as a flat layer forming material, The plurality of voids being attached to at least a portion of the first side of the substrate;
Removing the first region of the scattering layer;
Wherein the organic light-emitting device is a light-extraction substrate.
제9항에 있어서,
상기 기판에 대한 상기 평탄층형성물질의 부착력은 상기 기판에 대한 상기 산란층형성물질의 부착력보다 큰,
다층 구조물 패터닝 방법.
10. The method of claim 9,
Wherein the adhesion of the flat layer forming material to the substrate is greater than the adhesion of the scattering layer forming material to the substrate,
Method for patterning multilayer structures.
제9항에 있어서,
상기 산란층은 상기 평탄층보다 큰 다공성을 갖는,
다층 구조물 패터닝 방법.
10. The method of claim 9,
Wherein the scattering layer has a porosity greater than that of the planar layer,
Method for patterning multilayer structures.
제9항에 있어서, 상기 다수의 보이드들은 10~70nm의 사이즈를 갖는,
다층 구조물 패터닝 방법.
The method of claim 9, wherein the plurality of voids have a size of 10 to 70 nm,
Method for patterning multilayer structures.
제9항에 있어서,
상기 다수의 보이들들은 상기 산란층의 체적의 20~50%의 체적을 차지하는,
다층 구조물 패터닝 방법.
10. The method of claim 9,
Wherein the plurality of boys occupy a volume of 20-50% of the volume of the scattering layer,
Method for patterning multilayer structures.
제9항에 있어서,
상기 평탄층을 형성하는 것은, 상기 산란층 상에 상기 평탄층형성물질을 습식 코팅하는 것을 포함하는,
다층 구조물 패터닝 방법.
10. The method of claim 9,
Wherein forming the planarizing layer comprises wet coating the planarizing layer forming material on the scattering layer.
Method for patterning multilayer structures.
제9항에 있어서,
상기 산란층형성물질은 금속산화물의 제1응집체들과 금속산화물의 제2응집체들을 포함하고, 상기 제1응집체들은 상기 제2응집체들보다 작은 비표면적을 갖는,
유기발광장치의 광추출기판 제조방법.

10. The method of claim 9,
Wherein the scattering layering material comprises first agglomerates of a metal oxide and second agglomerates of a metal oxide and wherein the first agglomerates have a smaller specific surface area than the second agglomerates,
A method of manufacturing a light extraction substrate of an organic light emitting device.

제9항에 있어서,
상기 산란층형성물질은 금속산화물의 제1응집체들과 금속산화물의 제2응집체들을 포함하고,
상기 제1응집체들과 상기 제2 응집체들은, 동일한 화학적 조성 및 동일한 결정상을 가지고, 서로 다른 결정 습성을 갖는,
유기발광장치의 광추출기판 제조방법.
10. The method of claim 9,
Wherein the scattering layering material comprises first agglomerates of a metal oxide and second agglomerates of a metal oxide,
Wherein the first aggregates and the second aggregates have the same chemical composition and the same crystal phase and have different crystal habits,
A method of manufacturing a light extraction substrate of an organic light emitting device.
제16항에 있어서,
상기 동일한 화학적 조성은 TiO2를 포함하고, 상기 동일한 결정상은 루틸 결정상 또는 아나타제 결정상을 포함하고, 상기 제1응집체들은 덴트라이트 결정 습성을 갖고 상기 제2응집체들은 로드 형상의 결정 습성을 갖는,
유기발광장치의 광추출기판 제조방법.
17. The method of claim 16,
The same chemical composition the same crystalline phase, and containing the TiO 2 is included in the crystalline phase of rutile or anatase crystalline phase of the first light aggregates may have a dent crystal habit said second aggregates are having a crystal habit of the rod-like,
A method of manufacturing a light extraction substrate of an organic light emitting device.
제9항에 있어서,
상기 산란층을 형성하는 것은,
제1응집체들을 제1용매에 분산시켜 제1분산액을 제조하고 제2응집체들을 제2용매에 분산시켜 제2분산액을 제조하는 것과,
상기 제1분산액과 상기 제2분산액을 혼합하고 그 혼합액을 상기 기판의 상기 제1면 상에 코팅하는 것을 포함하고,
상기 제1용매는 H20 및 유기용매를 포함하고, 상기 제2용매는 유기용매를 포함하는,
유기발광장치의 광추출기판 제조방법.
10. The method of claim 9,
To form the scattering layer,
Dispersing the first aggregates in a first solvent to produce a first dispersion and dispersing the second aggregates in a second solvent to produce a second dispersion,
Mixing the first dispersion and the second dispersion and coating the mixture on the first side of the substrate,
Wherein the first solvent comprises an organic solvent and H 2 0, and the second solvent comprises an organic solvent,
A method of manufacturing a light extraction substrate of an organic light emitting device.
제9항에 있어서,
상기 다수의 보이드들이 점유하는 총 체적의 일부만이 상기 평탄층형성물질에 의하여 채워지는,
유기발광장치의 광추출기판 제조방법.
10. The method of claim 9,
Wherein only a part of the total volume occupied by the plurality of voids is filled by the flat layer forming material,
A method of manufacturing a light extraction substrate of an organic light emitting device.
제9항에 있어서,
상기 평탄층형성물질은 유무기 하이브리머를 포함하는,
유기발광장치의 광추출기판 제조방법.
10. The method of claim 9,
Wherein the flat layer forming material comprises an organic hy- drobimer,
A method of manufacturing a light extraction substrate of an organic light emitting device.
기판의 제1면 상에, 산란층형성물질로, 내부에 다수의 보이드들을 갖는 산란층을 상기 형성하는 것과;
평탄층형성물질로, 상기 산란층의 제1영역의 표면이 노출되도록 상기 산란층 상에 평탄층을 형성하되, 상기 평탄층형성물질의 일부는 상기 산란층의 상기 다수의 보이드들에 침투되어 상기 기판의 상기 제1면의 적어도 일부에 부착되는 것과;
상기 산란층의 상기 제1영역을 제거하는 것을 포함하는,
유기발광장치의 제조방법.
Forming on the first side of the substrate a scattering layer having a plurality of voids therein as a scattering layer forming material;
Forming a flat layer on the scattering layer such that the surface of the first region of the scattering layer is exposed with a flat layer forming material, wherein a part of the flat layer forming material is infiltrated into the plurality of voids of the scattering layer, Attached to at least a portion of the first side of the substrate;
And removing the first region of the scattering layer.
A method of manufacturing an organic light emitting device.
제21항에 있어서,
상기 산란층의 상기 제1영역에 대응되는 상기 기판의 제1영역을 다이싱하는 것을 추가로 포함하는,
유기발광장치의 제조방법.
22. The method of claim 21,
Further comprising dicing a first region of the substrate corresponding to the first region of the scattering layer,
A method of manufacturing an organic light emitting device.
제21항에 있어서,
상기 산란층의 상기 제1영역을 제거하는 것에 의하여, 상기 산란층과 상기 평탄층을 포함하는 다층 구조물은 적어도 2 개의 세그먼트들로 분리되고,
상기 적어도 2 개의 세그먼트들 상에 유기발광다이오드들을 각각 형성하는 것과,
상기 유기발광다이오드들과 상기 적어도 2 개의 세그먼트들을 인캡슐레이팅하는 인캡슐레이션층을 형성하는 것과;
상기 산란층의 상기 제1영역에 대응되는 상기 기판의 제1영역을 다이싱하는 것을 추가로 포함하는,
유기발광장치의 제조방법.
22. The method of claim 21,
By removing the first region of the scattering layer, the multi-layer structure including the scattering layer and the planarizing layer is separated into at least two segments,
Forming organic light emitting diodes on the at least two segments,
Forming an encapsulation layer encapsulating the organic light emitting diodes and the at least two segments;
Further comprising dicing a first region of the substrate corresponding to the first region of the scattering layer,
A method of manufacturing an organic light emitting device.
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