KR20190007938A - 광추출 기판 및 이를 구비하는 유기발광다이오드 장치 - Google Patents

광추출 기판 및 이를 구비하는 유기발광다이오드 장치 Download PDF

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KR20190007938A
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Abstract

유기발광다이오드층의 광이 출사되는 측에 형성되는 광추출 기판으로서, 투명 기판과, 상기 투명 기판 상에 형성되는 광추출층을 포함하고, 상기 광추출층은, 적어도 하나의 고굴절률층과 상기 적어도 하나의 고굴절률층보다 작은 굴절률을 갖는 적어도 하나의 저굴절률층이 교번하게 형성되는 스택과, 상기 스택에 임베디드된 산란부를 포함하고, 상기 적어도 하나의 고굴절률층은 상기 투명 기판 상에 형성되는 제1 고굴절률층을 포함하고, 상기 적어도 하나의 저굴절률층은 상기 제1 고굴절률층 상에 형성되는 제1 저굴절률층을 포함하고, 상기 산란부는, 상기 광추출층의 두께 방향을 따르는 단면 상에서 상기 광추출층의 상기 두께 방향을 가로지르는 횡방향을 따라 서로 이격되게 배치되는 복수의 엘리먼트 단면부를 형성하고, 상기 광추출층의 상기 두께 방향을 따르는 단면 상에서 상기 복수의 엘리먼트 단면부 각각은, 상기 광추출층의 상기 횡방향을 따라 폭을 갖고, 상기 광추출층의 상기 두께 방향을 따라 두께를 갖고, 상기 복수의 엘리먼트 단면부 중 적어도 하나의 상기 두께는 상기 제1 고굴절률층과 반대되는 상기 제1 저굴절률층의 제1 면으로부터 상기 제1 고굴절률층의 적어도 일부 두께까지 연장되는, 광추츨 기판을 제공한다.

Description

광추출 기판 및 이를 구비하는 유기발광다이오드 장치{LIGHT EXTRACTION SUBSTRATE AND ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DEVICE HAVING THE SAME}
본 개시(present disclosure)는 광추출 기판 및 이를 구비하는 유기발광다이오드 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 유기발광다이오드 장치의 발광 효율을 높일 수 있는 광추출 기판 및 이를 구비하는 유기발광다이오드 장치에 관한 것이다.
도 1은 종래의 유기발광다이오드 장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
일반적으로 유기발광다이오드 장치는 투명 기판(100) 및 유기발광다이오드층(300)을 포함한다. 유기발광다이오드층(300)은 아노드층(310) 및 캐소드층(330)과 아노드층(310) 및 캐소드층(330) 사이에 형성되는 유기층(320)을 포함한다. 유기층(320)은 발광층을 포함한다. 아노드층(310) 및 캐소드층(330)을 통해 전류를 주입하면 유기층(320) 내 발광층에서 전자와 정공이 만나 빛을 발산하게 되며, 발산된 빛은 아노드층(310)과 투명 기판(100)을 통하여 출광하게 된다.
그런데 발광된 빛은 여러 가지 이유로 유기발광다이오드 장치 내에 갇히게 되어 유기발광다이오드 장치의 발광 효율은 대략 20% 이하에 불과한 것으로 보고 되고 있다. 첫 번째 이유는 유기층(320)/아노드층(310)의 굴절률이 약 1.8~1.9로 주변 투명 기판(100)과 공기에 비해 굴절률이 높아 빛의 일부가 유기층(320) 내에 갇히게 되고, 또한 캐소드층(330)에서 'plasmon 도파' 현상이 발생하여 빛의 손실이 발생한다. 이로 인하여, 발생된 광의 약 50%가 손실되는 것으로 보고되고 있다. 두 번째 이유는, 전반사 현상에 의하여 투명 기판(100) 내에 빛이 갇히게 된다. 이러한 '기판 모드'로 인하여, 발생된 광의 대략 30%가 손실되는 것으로 보고되고 있다.
따라서, 이러한 광의 손실 현상을 극복하고 광추출 효율을 높일 수 있는 방법이 요구되고 있다.
본 개시는 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 개시는 광추출 효율을 높일 수 있는 유기발광다이오드 장치를 제공하는데 목적이 있다.
본 개시는 상기한 목적을 달성하기 위하여, 유기발광다이오드층의 광이 출사되는 측에 형성되는 광추출 기판으로서, 투명 기판과, 상기 투명 기판 상에 형성되는 광추출층을 포함하고, 상기 광추출층은, 적어도 하나의 고굴절률층과 상기 적어도 하나의 고굴절률층보다 작은 굴절률을 갖는 적어도 하나의 저굴절률층이 교번하게 형성되는 스택과, 상기 스택에 임베디드된 산란부를 포함하고, 상기 적어도 하나의 고굴절률층은 상기 투명 기판 상에 형성되는 제1 고굴절률층을 포함하고, 상기 적어도 하나의 저굴절률층은 상기 제1 고굴절률층 상에 형성되는 제1 저굴절률층을 포함하고, 상기 산란부는, 상기 광추출층의 두께 방향을 따르는 단면 상에서 상기 광추출층의 상기 두께 방향을 가로지르는 횡방향을 따라 서로 이격되게 배치되는 복수의 엘리먼트 단면부를 형성하고, 상기 광추출층의 상기 두께 방향을 따르는 단면 상에서 상기 복수의 엘리먼트 단면부 각각은, 상기 광추출층의 상기 횡방향을 따라 폭을 갖고, 상기 광추출층의 상기 두께 방향을 따라 두께를 갖고, 상기 복수의 엘리먼트 단면부 중 적어도 하나의 상기 두께는 상기 제1 고굴절률층과 반대되는 상기 제1 저굴절률층의 제1 면으로부터 상기 제1 고굴절률층의 적어도 일부 두께까지 연장되는, 광추츨 기판을 제공한다.
또한, 유기발광다이오드층과, 상기 유기발광다이오드층의 광이 출사되는 측에 상기 광추출 기판을 포함하는 유기발광다이오드 장치를 제공한다.
또한, 유기발광다이오드층의 광이 출사되는 측에 형성되는 광추출 기판을 제조하는 방법으로서, 투명 기판 상에, 에어 홀이 임베디드되도록 스택을 형성하는 것을 포함하고, 상기 스택은 적어도 하나의 고굴절률층과 상기 적어도 하나의 고굴절률층보다 작은 굴절률을 갖는 적어도 하나의 저굴절률층이 교번하게 형성되고, 상기 적어도 하나의 고굴절률층은 상기 투명 기판 상에 형성되는 제1 고굴절률층을 포함하고, 상기 적어도 하나의 저굴절률층은 상기 제1 고굴절률층 상에 형성되는 제1 저굴절률층을 포함하고, 상기 에어 홀은, 상기 스택의 두께 방향을 따르는 단면 상에서 상기 스택의 상기 두께 방향을 가로지르는 횡방향을 따라 서로 이격되게 배치되는 복수의 엘리먼트 단면부를 형성하고, 상기 스택의 상기 두께 방향을 따르는 단면 상에서 상기 복수의 엘리먼트 단면부 각각은, 상기 스택의 상기 횡방향을 따라 폭을 갖고, 상기 스택의 상기 두께 방향을 따라 두께를 갖고, 상기 복수의 엘리먼트 단면부 중 적어도 하나의 상기 두께는 상기 제1 고굴절률층과 반대되는 상기 제1 저굴절률층의 제1 면으로부터 상기 제1 고굴절률층의 적어도 일부 두께까지 연장되는, 광추츨 기판 제조방법을 제공한다.
도 1은 종래의 유기발광다이오드 장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 개시의 비교 실시예에 따른 유기발광다이오드 장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 3은, 도 1에 도시한 바와 같은 구조를 갖는 유기발광다이오드 장치와, 도 2에 도시한 바와 같은 구조를 갖는 유기발광다이오드 장치의 시뮬레이션 결과를 보여주는 그래프이다.
도 4는 본 개시의 실시예들에 따른 예시적인 유기발광다이오드 장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 5는 본 개시의 실시예들에 따른 예시적인 유기발광다이오드 장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 6은, 도 2에 도시한 바와 같은 구조를 갖는 유기발광다이오드 장치와, 도 4 및 도 5에 도시한 바와 같은 구조를 갖는 유기발광다이오드 장치의 시뮬레이션 결과를 보여주는 그래프이다.
도 7은 본 개시의 실시예들에 따른 예시적인 유기발광다이오드 장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 8은 본 개시의 실시예들에 따른 예시적인 유기발광다이오드 장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 9는 본 개시의 실시예들에 따른 예시적인 유기발광다이오드 장치의 산란부를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 10은 본 개시의 실시예들에 따른 예시적인 유기발광다이오드 장치의 산란부를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 11은 본 개시의 실시예들에 따른 예시적인 유기발광다이오드 장치의 산란부를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 12는 본 개시의 실시예들에 따른 예시적인 유기발광다이오드 장치의 유기발광다이오드층(300)을 개략적으로 보여주는 단면도이다.
이하 첨부 도면을 참조하여 본 개시의 실시예들을 상세히 설명한다.
도 2는 본 개시의 비교실시예에 따른 유기발광다이오드 장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
비교실시예의 유기발광다이오드 장치는 광추출 기판 및 유기발광다이오드층(300)을 포함한다. 광추출 기판은 투명 기판(100)과 광추출층(200)을 포함한다. 광추출층(200)은 투명 기판(100) 상에 형성된 제1 고굴절률층(210)과 제1 고굴절률층(210) 상에 형성되는 제1 저굴절률층(220)을 포함한다. 유기발광다이오드층(300)은 아노드층(310)과 캐소드층(330)과 아노드층(310)과 캐소드층(330) 사이에 형성되는 유기층(320)을 포함한다.
도 3은, 도 1에 도시한 바와 같은 구조를 갖는 유기발광다이오드 장치와 도 2에 도시한 바와 같은 구조를 갖는 유기발광다이오드 장치의 시뮬레이션 결과를 보여주는 그래프이다. 시뮬레이션 결과는 박막층의 두께와 광학특성 (굴절률, 흡수율)을 입력하여 계산하는 Transfer Matrix Method (TMM) 기법을 이용하여 도출하였다.
유기발광다이오드 장치들은 백색 광을 방출하는 탠덤 구조의 백색 유기발광다이오드층을 갖고, 아노드층으로부터 엘로우 광을 방출하는 엘로우 서브-유기층(미도시), 블루 광을 방출하는 블루 서브-유기층(미도시) 및 레드 광을 방출하는 레드 서브-유기층(미도시)이 순차적으로 적층되도록 유기층을 가졌다. 유기층의 두께(즉, 3 개의 서브-유기층의 총 두께)가 약 300~400nm이고, 캐소드층의 두께가 약 150nm이었다.
도 2에 도시한 바와 같은 구조를 갖는 유기발광다이오드 장치의 제1 고굴절률층은 TiO2(굴절률 = 약 2.4)를 포함하고 그 두께가 약 60nm이었고, 제1 저굴절률층은 SiO2 (굴절률 = 약 1.5)를 포함하고 그 두께가 약 60nm이었다.
도 3에 도시한 바와 같이, 도 2에 도시한 바와 같은 구조를 갖는 유기발광다이오드 장치의 아노드층의 두께를 약 100nm로 최적화하면, 광추출 효율을 향상시킬 수 있음을 확인할 수 있었다. 이와 함께, 도 2에 도시한 바와 같은 구조를 갖는 유기발광다이오드 장치의 유기층(320)의 구성층들의 두께들, 특히 캐소드층(330)에 가장 가까운 서브-유기층(미도시)의 홀 차단층(미도시)의 두께를 약 50nm로 최적화하면 광추출 효과를 더욱 증가시킬 수 있음을 확인할 수 있었다. 아노드층(310)의 두께가 약 100nm 이고, 캐소드층(330)에 가장 가까운 서브-유기층(미도시)의 홀 차단층(미도시)의 두께가 약 50nm인, 도 2의 구조를 갖는 유기발광다이오드 장치는, 아노드층(310)의 두께가 약 145nm이고, 캐소드층(330)에 가장 가까운 서브-유기층(미도시)의 홀 차단층(미도시)의 두께가 약 50nm인, 도 1의 구조를 갖는 유기발광다이오드 장치 대비, 최대 약 130% 광추출 효율 증가를 가져옴을 시뮬레이션 결과를 통해 확인할 수 있었다.
도 4는 본 개시의 실시예들에 따른 예시적인 유기발광다이오드 장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
본 개시의 유기발광다이오드 장치는, 유기발광다이오드층(300) 및 유기발광다이오드층(300)의 광이 출사되는 측에 형성되는 광추출 기판을 포함한다. 유기발광다이오드층(300)은, 광추출 기판 상에 순차적으로 형성되는 아노드층(310), 유기층(320) 및 캐소드층(330)을 포함할 수 있다. 어떠한 실시예들에서는, 광추출 기판은 투명 기판(100)과 유기발광다이오드층(300)을 대향하는 투명 기판(100)의 제1 면 상에 형성되는 광추출층(200)을 포함할 수 있다.
어떠한 실시예들에서는, 아노드층(310)은 예컨대, ITO, Al-doped ZnO, In-doped ZnO와 같은 투명 금속산화물, Silver nanowire 등을 포함할 수 있다. 어떠한 실시예들에서는, 캐소드층(330)은 예컨대, 알루미늄, 은과 같은 금속을 포함할 수 있다. 어떠한 실시예들에서는, 투명 기판(100)은 글라스 기판, Polymer 기판 (예. PET, PI) 일 수 있다.
어떠한 실시예들에서는, 상기 제1 면과는 반대되는 투명 기판(100)의 제2 면에 외부 광추출층(200)을 포함할 수 있다. 어떠한 실시예들에서는, 외부 광추출층(200)은 마이크로 렌즈 어레이를 포함할 수 있다. 외부 광추출층(200)과 대비할 때, 제1 면에 형성되는 광추출층(200)은 내부 광추출층(200)으로 불리울 수 있다. (이하, 특별한 언급이 없으면, 광추출층(200)은 내부 광추출층(200)을 의미한다.)
어떠한 실시예들에서는, 광추출층(200)은 고굴절률층과 상기 고굴절률층보다 굴절률이 작은 저굴절률층의 쌍이 복수 개가 적층되는 스택 (예컨대, 고굴절률층-저굴절률층-고굴절률층-저굴절률층과 같은 스택)과, 상기 스택에 임베디드된 산란부(410)를 포함할 수 있다.
어떠한 실시예들에서는, 상기 적어도 하나의 고굴절률층은 TiO2, ZnO, ZrO2 및 HfO2 (n=2.0~2.6) 중 어느 하나를 포함할 수 있고, 특히, 가시광에 투명한 물질 가운데 가장 높은 굴절률 (약 2.6)을 갖는 TiO2가 사용될 수 있다. 어떠한 실시예들에서는, 상기 적어도 하나의 저굴절률층 (n=1.3~1.6)은 SiO2 및 폴리머 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 스택은 유전체 미러로 기능하는데, 본 개시에서는 금속 미러 대신 유전체 미러(dielectric mirror) 기능을 수행하는 복층 박막을 도입하여, 광 반사도를 높임과 아울러, 금속 미러로 인하여 초래될 수 있는 광손실을 최소화함으로써, 유기발광다이오드 장치의 성능을 개선할 수 있다.
어떠한 실시예들에서는, 상기 적어도 하나의 고굴절률층 및/또는 상기 적어도 하나의 저굴절률층은 i) 기재와 ii) 상기 기재 내에 분산되고 상기 기재와 굴절률이 다른 복수의 산랍입자 및 복수의 기공 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 적어도 하나의 고굴절률층과 상기 적어도 하나의 저굴절률층은 종래의 다양한 박막 형성 방법을 통하여 형성될 수 있다. 어떠한 실시예들에서는, 예컨대, sputtering, PECVD 등의 dry-coating법과 spin-coating, slot-die 등의 wet-coating법 중 적어도 어느 하나를 사용하여 상기 적어도 하나의 고굴절률층과 상기 적어도 하나의 저굴절률층은을 형성할 수 있다. 어떠한 실시예들에서는, 상기 적어도 하나의 고굴절률층과 상기 적어도 하나의 저굴절률층은 서로 동일한 방법에 의하여 형성될 수도 있으나, 어떠한 다른 실시예들에서는 상기 적어도 하나의 고굴절률층과 상기 적어도 하나의 저굴절률층은 서로 다른 방법에 의하여 형성될 수 있다.
첨부 도면에서 도시된 실시예들의 유기발광다이오드 장치에서는, 상기 적어도 하나의 고굴절률층이 오직 하나의 고굴절률층, 즉 투명 기판(100) 상에 형성되는 제1 고굴절률층(210)을 포함하고, 상기 적어도 하나의 저굴절률층이 오직 하나의 저굴절률층, 즉 제1 고굴절률층(210) 상에 형성되는 제1 저굴절률층(220)만을 포함하는 것으로 도시하고 있으나, 본 개시가 이에 한정되지는 않는다. 어떠한 실시예들에서는, 서로 교번하여 형성되는 하나를 초과하는 수의 고굴절률층과 하나를 초과하는 수의 저굴절률층을 포함할 수 있다.
어떠한 실시예들에서, 제1 고굴절률층(210) 및 제1 저굴절률층(220)은 약 50~70nm의 두께를 가질 수 있다. 어떠한 실시들에서, 제1 고굴절률층(210) 및 제1 저굴절률층(220)은 약 60nm의 두께를 가질 수 있다.
어떠한 실시예들에서는, 산란부(410)는 광추출층(200)의 두께 방향(Dth)을 따르는 임의의 단면 상에서 광추출층(200)의 두께 방향(Dth)을 가로지는 횡방향(Dtr)을 따라 서로 이격되게 배치되는 복수의 엘리먼트 단면부(410e)를 형성할 수 있다. 광추출층(200)의 두께 방향(Dth)을 따르는 상기 단면 상에서 복수의 엘리먼트 단면부(410e) 각각은, 광추출층(200)의 상기 횡방향(Dtr)을 따라 폭을 갖고, 광추출층(200)의 상기 두께 방향(Dth)을 따라 두께를 가질 수 있다.
어떠한 실시예들에서는, 복수의 엘리먼트 단면부(410e) 중 적어도 하나의 두께는 제1 고굴절률층(210)과 반대되는 제1 저굴절률층(220)의 제1 면으로부터 제1 고굴절률층(210)의 적어도 일부 두께까지 연장될 수 있다. 산란부(410)가 실질적으로 3차원 형상을 갖도록 함으로써 실질적인 광추출 효율의 증가를 가져올 수 있다. 첨부 도면에서는, 복수의 엘리먼트 단면부(410e)가 제1 저굴절률층(220)과 제1 고굴절률층(210)의 전 두께에 걸쳐 형성되는 것으로 도시하고 있으나, 본 개시가 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 복수의 엘리먼트 단면부(410e)의 두께는 제1 저굴절률층(220)의 두께와 제1 고굴절률층(210)의 두께의 합과 동일할 수도 있으나, 작을 수도 있다. 그러나, 제1 저굴절률층(220)의 두께보다는 커야 한다.
어떠한 실시예들에서, 두께 방향(Dth)을 따르는 상기 임의의 단면은, 예컨대 직사각형의 평면을 갖는 제1 저굴절률층(220)의 제1 면의 장변과 평행한 방향을 따라 절단된 단면들 및/또는 제1 저굴절률층(220)의 제1 면의 단변과 평행한 방향을 따라 절단된 단면들일 수 있다. 그러나, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 어떠한 다른 실시예들에서는, 상기 두께 방향(Dth) 임의의 단면은 상기 방향들과 소정의 경사를 갖는 방향을 따르는 단면들일 수 있다.
어떠한 실시예들에서는, 복수의 엘리먼트 단면부(410e) 각각은 서로 동일한 굴절률을 가질 수 있다. 그러나, 어떠한 다른 실시예들에서는, 복수의 엘리먼트 단면부(410e) 각각은 서로 다른 제1 내지 제n 굴절률 중 어느 하나를 가질 수 있다. 여기서 상기 n은 1 이상의 자연수이다. 어떠한 실시예들에서는, 상기 제1 내지 제n 굴절률은 상기 제1 고굴절률층(210)의 굴절률 및 상기 제1 저굴절률층(220)의 굴절률과 다를 수 있다.
도 4에 도시한 바와 같이, 어떠한 실시예들에서는, 복수의 엘리먼트 단면부(410e) 중 적어도 하나는 에어 홀(410)일 수 있다. 에어 홀(410)인 복수의 엘리먼트 단면부(410e)는 공기의 굴절률 (대략 1)을 가질 수 있다.
어떠한 실시예들에서는, 복수의 엘리먼트 단면부(410e) 중 적어도 하나는 도 4에 도시한 바와 같은 대략적으로 사각형 형상일 수 있다. 어떠한 다른 실시예들에서는, 복수의 엘리먼트 단면부(410e) 중 적어도 하나는, 대략적으로 쐐기형 형상, 대략적으로 사다리꼴형 형상, 대략적으로 반원형 형상, 대략적으로 반 오벌형 형상, 기타 형상 등을 가질 수 있다. 여기서, 반 오벌형 형상은 반 원형을 제외한 곡선형의 형상을 의미하고, 반 타원형 형상을 포함한다. 또한, "대략적으로"가 의미하는 바는, 수학적 또는 기하학적으로 이들 형상을 가진다는 것을 의미하는 것은 아니고, 설계자가 그러한 형상으로 제조 프로세스를 의도하는 경우를 가리킨다. 실제로, 설계자가 복수의 엘리먼트 단면부(410e)를 사각형으로 설계하고 그 설계에 기초하여 광추출층(200)을 제조하고자 하여도, 실제 최종 복수의 엘리먼트 단면부(410e)는 대부분 수학적으로 또는 기하학적으로 사각형 형상을 가지지 않음을 당업자라면 이해할 수 있을 것이다.
첨부한 도면에서는 각각의 엘리먼트 단면부(410e)가 두께 방향(Dth) 중심축을 중심으로 좌우 대칭인 실시예를 도시하고 있으나, 본 개시가 이에 한정되는 것은 아니다. 어떠한 다른 실시예들에서는, 적어도 하나의 엘리먼트 단면부(410e)의 중심축은 두께 방향(Dth)을 향하지 않고, 두께 방향(Dth)에 대하여 경사를 가질 수 있다.
어떠한 실시예들에서는, 복수의 엘리먼트 단면부(410e)들은 서로 동일한 형상을 가질 수도 있으나, 어떠한 다른 실시예들에서는, 복수의 엘리먼트 단면부(410e)들은 적어도 2 개의 서로 다른 형상을 가질 수 있다. 어떠한 실시예들에서는, 복수의 엘리먼트 단면부(410e)들은 서로 동일한 폭을 가질 수도 있으나, 어떠한 다른 실시예들에서는, 복수의 엘리먼트 단면부(410e)들은 적어도 2개의 서로 다른 폭을 가질 수 있다. 어떠한 실시예들에서는, 복수의 엘리먼트 단면부(410e)들의 두께는 동일할 수도 있으나, 어떠한 다른 실시예들에서는 복수의 엘리먼트 단면부(410e)들의 두께는 적어도 2개의 서로 다른 크기를 가질 수 있다. 어떠한 실시예들에서는, 인접 엘리먼트 단면부(410e)들 사이의 간격들은 서로 동일할 수도 있으나, 어떠한 다른 실시예들에서는 인접 엘리먼트 단면부(410e)들 사이의 간격들, 즉, 횡방향(Dtr)을 따라 i 번째 엘리먼트 단면부(410e)들와 i-1 번째 엘리먼트 단면부(410e)들의 사이의 거리들은 적어도 2개의 서로 다른 크기를 가질 수 있다. (i = 2~n, n은 복수의 엘리먼트 단면부(410e)의 수) 어떠한 실시예들에서는, 복수의 엘리먼트 단면부(410e)들의 피치들, 즉, 횡방향(Dtr)을 따라 i 번째 엘리먼트 단면부(410e)들와 i-1 번째 엘리먼트 단면부(410e)들의 대응 지점들 사이의 거리들은 서로 동일할 수도 있으나, 어떠한 다른 실시예들에서는 복수의 엘리먼트 단면부(410e)들의 피치들은 적어도 2개의 서로 다른 크기를 가질 수 있다.
도 5는 본 개시의 실시예들에 따른 예시적인 유기발광다이오드 장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 5에 도시한 바와 같이, 복수의 엘리먼트 단면부(410e) 중 적어도 하나는 굴절률이 1보다는 큰 물질 (420) (기재) 로 이루어질 수 있다. 어떠한 실시예들에서는, 복수의 엘리먼트 단면부(410e)는 제1 저굴절률층(220)의 제1 면과 평면을 이룰 수도 있으나, 어떠한 다른 실시예들에서는 적어도 하나의 엘리먼트 단면부(410e)가 제1 저굴절률층(220)의 제1 면보다 낮은 높이를 가져 그 엘리먼트 단면부(410e)에서 요홈을 형성할 수 있다. 어떠한 실시예들에서는, 각각의 엘리먼트 단면부(410e)는 동일한 굴절률의 물질 (420) (기재)로 이루어질 수도 있으나, 어떠한 다른 실시예들에서는 적어도 두 종의 물질 (기재)의 다층으로 이루어질 수도 있다 (즉, 어느 한 엘리먼트 단면부가 두께 방향을 따라 굴절률이 달라지는 실시예).
도 6은 도 2에 도시한 바와 같은 구조를 갖는 유기발광다이오드 장치와, 도 4 및 도 5에 도시한 바와 같은 구조를 갖는 유기발광다이오드 장치의 시뮬레이션 결과를 보여주는 그래프이다.
유기발광다이오드 장치들은 조명용 화이트 유기발광다이오드층을 가지고, OLED 유기층의 두께(즉, 3 개의 서브-유기층(320)의 총 두께)가 약 300~400nm이고, 캐소드층의 두께가 약 150nm이었다. 아노드층으로부터 유기층은 엘로우 서브-유기층(320), 블루 서브-유기층(320) 및 레드 서브-유기층(320)이 순차적으로 가졌다 제1 고굴절률층(210)은 TiO2(굴절률 = 약 2.4)를 포함하고, 그 두께가 약 60nm이었고, 제1 저굴절률층(220)은 SiO2 (굴절률 = 약 1.5)를 포함하고 그 두께가 약 60nm이었다.
도 4 및 도 5에 도시한 바와 같은 구조를 갖는 유기발광다이오드 장치들에 있어서, 산란부(410)는 도 9를 참조하여 후술하는 바와 같이 제1 저굴절률층(220)의 제1 면에서 닷트 패턴을 형성하였다. 각각의 닷트의 직경은 약 2㎛ 이었고, 복수의 닷트가 점유하는 면적은 제1 저굴절률층(220)의 제1 면의 총 면적 대비 약 30% 이었다.
도 6에 도시한 바와 같이, 산란부(410)의 굴절률이 공기의 굴절률인 1에 가까워질수록 광추출 효율이 증가함을 확인할 수 있었다. 이는 도 5의 구조를 갖는 유기발광다이오드 장치에 비하여, 도 4의 구조를 갖는 유기발광다이오드 장치의 광추출 효율 향상이 우수할 수 있음을 의미한다.
도 7은 본 개시의 실시예들에 따른 예시적인 유기발광다이오드 장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
어떠한 실시예들에서는, 복수의 엘리먼트 단면부(400e) 중 적어도 하나는 i) 기재(431) (예. 유기투명폴리머; SiO2, ZrO2, ZnO, TiO2 등의 금속산화물) 와 ii) 기재(431)의 내부에 분산되고 기재(431)와 다른 굴절률을 갖는 복수의 산란입자 (예. SiO2, TiO2, ZrO2, ZnO 등의 금속산화물) 및 복수의 기공 중 적어도 하나(433)를 포함할 수 있다.
어떠한 실시예들에서는, 복수의 엘리먼트 단면부(400e)는 도 4에 도시한 바와 같은 에어 홀(410)로 이루어지는 엘리먼트 단면부(400e), 도 5에 도시한 바와 같은 기재로 이루어지는 엘리먼트 단면부(400e) 및 도 7에 도시한 바와 같은 기재(431)와 복수의 산란입자 및 복수의 기공 중 적어도 하나(433)로 이루어지는 엘리먼트 단면부 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
도 8은 본 개시의 실시예들에 따른 예시적인 유기발광다이오드 장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
어떠한 실시예들에서는, 광추출층(200)은, 스택과 투명 기판(100)의 사이에 산란층(520)을 추가적으로 포함할 수 있다. 어떠한 실시예들에서는, 산란층(520)은 기재층(531) (예. 유기투명폴리머, SiO2, ZrO2, ZnO, TiO2 등의 금속산화물)과 기재층(531)의 내부에 분산되고, 기재층(531)과 다른 굴절률을 갖는 복수의 산란입자(예. SiO2, ZrO2, ZnO, TiO2 등의 금속산화물). 및 복수의 기공 중 적어도 하나(533)를 포함할 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 산란층의 굴절률은 1.5~2.6일 수 있다. 어떠한 실시예들에서는, 제1 고굴절률층(210) 내에 복수의 산란입자 및 복수의 기공 중 적어도 하나를 포함되어, 제1 고굴절률층(210)이 산란층(520)의 기능을 동시에 수행하도록 할 수도 있다.
어떠한 실시예들에서는, 복수의 엘리먼트 단면부(400e)는 도 4에 도시한 바와 같은 에어 홀(410)으로 이루어지는 엘리먼트 단면부(400e), 도 5에 도시한 바와 같은 기재로 이루어지는 엘리먼트 단면부(400e) 및 도 7에 도시한 바와 같은 기재(431)와 복수의 산란입자 및 복수의 기공 중 적어도 하나(433)로 이루어지는 엘리먼트 단면부 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
도 9 내지 도 11은 본 개시의 실시예들에 따른 예시적인 유기발광다이오드 장치들의 산란부(410)들을 개략적으로 보여주는 평면도들이다.
어떠한 실시예들에서는, 산란부(410)는, 제1 고굴절률층(210)과 반대되는 제1 저굴절률층(220)의 제1 면 상에서 패턴을 형성할 수 있다. 어떠한 실시예들에서는, 상기 패턴은 복수의 닷트 패턴, 복수의 스트라이프 패턴, 복수의 웨이브 패턴, 복수의 동심원 패턴, 격자 패턴 및 기타 패턴 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
도 9에서는, 산란부(410)가 복수의 닷트 패턴을 형성하는 예시적인 실시예를 보여준다. 복수의 닷트는 어떠한 실시예들에서는 제1 저굴절률층(220)의 제1 면 상에서 규칙적으로 분포될 수 있으나, 어떠한 다른 실시예들에서는 불규칙적으로 분포될 수도 있다.
도 10에서는, 산란부(410)가 복수의 스트라이프 패턴을 형성하는 예시적인 실시예를 보여준다. 어떠한 실시예들에서는, 복수의 스트라이프 패턴은 규칙적으로 상호 이격된 복수의 스트라이프를 포함할 수 있으나, 어떠한 다른 실시예들에서는, 복수의 스트라이프 패턴은 불규칙적으로 상호 이격된 복수의 스트라이프를 포함할 수 있다. 어떠한 실시예들에서는, 복수의 스트라이프 패턴은 서로 평행한 복수의 스트라이프만를 포함할 수도 있지만, 어떠한 다른 실시예들에서는 인접 스트라이프에 대하여 평행하지 않은 적어도 하나의 스트라이프를 포함할 수도 있다.
어떠한 실시예들에서는, 복수의 웨이프 패턴은 규칙적으로 상호 이격된 복수의 웨이브를 포함할 수 있으나, 어떠한 다른 실시예들에서는, 복수의 웨이브 패턴은 불규칙적으로 상호 이격된 복수의 웨이브를 포함할 수 있다. 어떠한 실시예들에서는, 복수의 웨이브 패턴은 서로 평행한 복수의 웨이브만을 포함할 수도 있지만, 어떠한 다른 실시예들에서는 인접 웨이브에 대하여 평행하지 않은 적어도 하나의 웨이브를 포함할 수도 있다.
어떠한 실시예들에서는 복수의 동심원 패턴은 동심원의 반경 방향으로 규칙적으로 이격된 복수의 동심원을 포함할 수도 있으나, 어떠한 다른 실시예들에서는 복수의 동심원 패턴은 불규칙적으로 이격된 복수의 동심원을 포함할 수도 있다.
도 11에서는 산란부(410)가 메쉬 패턴을 형성하는 예시적인 실시예를 보여준다. 어떠한 실시예들에서는, 메쉬 패턴은 다각형 메쉬 패턴(예컨대, 사각 메쉬 패턴, 허니콤 메쉬 패턴)을 포함할 수 있다. 어떠한 실시예들에서는, 메쉬 패턴의 다각형 개구는 규칙적으로 또는 불규칙칙적으로 배열될 수 있다. 어떠한 실시예들에서는, 다각형 개구의 형상은 상호 동일할 수도 있으나, 다를 수도 있다. 어떠한 실시예들에서는, 다각형 개구의 사이즈는 상호 동일할 수도 있으나, 다를 수도 있다.
도 12는 본 개시의 실시예들에 따른 예시적인 유기발광다이오드 장치의 유기발광다이오드층(300)을 개략적으로 보여주는 단면도이다.
어떠한 실시예들에서는, 유기발광다이오드층(300)은 백색광을 발광하는 백색 유기발광다이오드층일 수 있다. 백색 유기발광다이오드층(300)은, 다양한 파장의 광을 발광하는 물질을 혼합하여 백색광을 구현한다. 발광층의 구조에 따라 단일 발광층(Single-EML), 다중 발광층(Multiple-EML), 탠덤(Tandem)의 세 가지 구조로 구분할 수 있다. 단일 발광층 구조는 단일층의 호스트 물질에 적색, 녹색, 청색의 도펀트(Dopant) 물질을 도핑하여 백색을 구현하는 방식으로 가장 단순한 방법이다.　다중 발광층 구조는 각각 다른 색을 방출하는 발광층을 여러 층으로 쌓는 구조이다.　 탠덤 구조는 두 개 이상의 독립된 서브-유기층(320)을 직렬로 연결한 구조이다. 서브-유기층(320)을 잇는 접합 부분에는 전하생성층(CGL, Charge Generation Layer)이 형성될 수 있다. 　
도 12는 예시적인 실시예로서, 탠덤 구조의 유기발광다이오드층을 보여준다. 광추출층(200) 상에 순차적으로 아노드층(310), 3개의 서브-유기층(321, 323, 325) 및 캐소드층(330)이 적층된다. 어떠한 실시예들에서는, 상기 3개의 서브-유기층(321, 323, 325)은, 아노드층(310) 상에 형성되는 엘로우 광을 발광하는 서브-유기층(321), 엘로우 서브-유기층(321) 상에 형성되는 블루 광을 발광하는 서브-유기층(323) 및 블루 서브-유기층(323) 상에 형성되는 레드 광을 발광하는 서브-유기층(325)을 포함할 수 있다.
어떠한 실시예들에서는, 상기 유기발광다이오드층(300)의 아노드층(310)은 투명 전도성 금속 산화물을 포함하고, 아노드층(310)의 두께는 약 30~150nm일 수 있다. 어떠한 실시예들에서는 유기층(320)의 두께, 즉 3 개의 서브-유기층(320)의 총 두께는 약 300~400nm일 수 있다. 어떠한 실시예들에서는, 3 개의 서브-유기층(321, 323, 325)의 각각은 홀 차단층을 포함할 수 있다. 어떠한 실시예들에서는, 3 개의 서브-유기층(321, 323, 325) 중 캐소드층(330)에 가장 가까운 서브-유기층(325)의 홀 차단층(325a)의 두께는 50~100nm일 수 있다.
본 개시 내용은 전술한 바와 같은 광추출 기판을 제조하기 위한 제조방법을 제공할 수 있다. 제조방법은, 투명 기판 상에, 에어 홀이 임베디드되도록 스택을 형성하는 것을 포함할 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 상기 스택은 적어도 하나의 고굴절률층과 상기 적어도 하나의 고굴절률층보다 작은 굴절률을 갖는 적어도 하나의 저굴절률층이 교번하게 형성되고, 상기 적어도 하나의 고굴절률층은 상기 투명 기판 상에 형성되는 제1 고굴절률층을 포함하고, 상기 적어도 하나의 저굴절률층은 상기 제1 고굴절률층 상에 형성되는 제1 저굴절률층을 포함할 수 있다. 어떠한 실시에들에서, 상기 에어 홀은, 상기 스택의 두께 방향을 따르는 단면 상에서 상기 스택의 상기 두께 방향을 가로지르는 횡방향을 따라 서로 이격되게 배치되는 복수의 엘리먼트 단면부를 형성하고, 상기 스택의 상기 두께 방향을 따르는 단면 상에서 상기 복수의 엘리먼트 단면부 각각은, 상기 스택의 상기 횡방향을 따라 폭을 갖고, 상기 스택의 상기 두께 방향을 따라 두께를 갖고, 상기 복수의 엘리먼트 단면부 중 적어도 하나의 상기 두께는 상기 제1 고굴절률층과 반대되는 상기 제1 저굴절률층의 제1 면으로부터 상기 제1 고굴절률층의 적어도 일부 두께까지 연장될 수 있다. 어떠한 실시예들에서, 에어 홀은 스택을 형성하는 것과 함게 형성될 수도 있고, 어떠한 다른 실시예들에서, 에어홀은 스택을 형성한 후에 형성될 수 있다.
어떠한 실시예에서, 상기 복수의 엘리먼트 단면부 중 적어도 하나에 굴절률이 1보다 큰 물질을 충진할 수 있다. 어떠한 실시예들에서는, 고굴절률층의 물질 또는 고굴절률층의 물질의 굴절률과 동일 또는 유사한 물질을 상기 복수의 엘리먼트 단면부들에 충진할 수 있고, 이러한 실시예들에서는 저굴절률층에만 엘리먼트 단면부들이 형성된 광추출층을 얻을 수 있다. 반대로 어떠한 다른 실시예들에서는, 저굴절률층의 물질을 충진하거나, 저굴절률층의 물질의 굴절률과 동일 또는 유사한 물질을 상기 복수의 엘리먼트 단면부들에 충진할 수 있고, 이러한 실시예들에서는 고굴절률층에만 엘리먼트 단면부들이 형성된 광추출층을 얻을 수 있다.
어떠한 실시예들에서, 상기 물질은 기재만을 포함할 수 있고, 이에 추가적으로 또는 이를 대체하여 어떠한 실시예들에서 상기 물질은 기재와 상기 기재의 내부에 분산되고, 상기 기재와는 다른 굴절률을 갖는 복수의 산란입자 및 복수의 기공 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
이에 추가적으로 또는 이를 대체하여, 어떠한 실시예들에서, 상기 스택을 형성하는 것에 앞서, 상기 투명 기판 상에 산란층을 형성하는 것을 추가적으로 포함할 수 있고, 상기 산란층은 기재층와 상기 기재층의 내부에 분산되고, 상기 기재층과는 다른 굴절률을 갖는 복수의 산란입자 및 복수의 기공 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
어떠한 실시예들에서, 본 개시의 유기발광다이오드 장치는 조명 장치일 수 있다. 그러나, 본 개시가 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 기타 디스플레이 장치, 등 다른 용도의 장치로 사용될 수 있다. 첨부 도면 및/또는 발명의 상세할 설명에서 예시한 본 개시의 특징들은 상호 조합되거나, 추가되거나 대체될 수 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 각 특징들의 조합, 추가 및/또는 대체에 의하여 이 밖에도 다양한 실시예가 제공될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (18)

  1. 유기발광다이오드층의 광이 출사되는 측에 형성되는 광추출 기판으로서,
    투명 기판과,
    상기 투명 기판 상에 형성되는 광추출층을 포함하고,
    상기 광추출층은,
    적어도 하나의 고굴절률층과 상기 적어도 하나의 고굴절률층보다 작은 굴절률을 갖는 적어도 하나의 저굴절률층이 교번하게 형성되는 스택과,
    상기 스택에 임베디드된 산란부를 포함하고,
    상기 적어도 하나의 고굴절률층은 상기 투명 기판 상에 형성되는 제1 고굴절률층을 포함하고, 상기 적어도 하나의 저굴절률층은 상기 제1 고굴절률층 상에 형성되는 제1 저굴절률층을 포함하고,
    상기 산란부는, 상기 광추출층의 두께 방향을 따르는 단면 상에서 상기 광추출층의 상기 두께 방향을 가로지르는 횡방향을 따라 서로 이격되게 배치되는 복수의 엘리먼트 단면부를 형성하고, 상기 광추출층의 상기 두께 방향을 따르는 단면 상에서 상기 복수의 엘리먼트 단면부 각각은, 상기 광추출층의 상기 횡방향을 따라 폭을 갖고, 상기 광추출층의 상기 두께 방향을 따라 두께를 갖고, 상기 복수의 엘리먼트 단면부 중 적어도 하나의 상기 두께는 상기 제1 고굴절률층과 반대되는 상기 제1 저굴절률층의 제1 면으로부터 상기 제1 고굴절률층의 적어도 일부 두께까지 연장되는,
    광추츨 기판.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 산란부는, 상기 제1 저굴절률층의 상기 제1 면 상에서 규칙적 또는 불규칙적 패턴을 형성하는,
    광추출 기판.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 엘리먼트 단면부 중 상기 적어도 하나의 상기 두께는, 상기 제1 저굴절률층 및 상기 제1 고굴절률층의 전 두께에 걸쳐 연장되는,
    광추출 기판.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 엘리먼트 단면부 각각은 제1 내지 제n 굴절률 중 어느 하나를 갖고, 상기 n은 1 이상의 자연수이고, 상기 제1 내지 제n 굴절률은 상기 제1 고굴절률층의 굴절률 및 상기 제1 저굴절률층의 굴절률과 다른,
    광추출 기판.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 엘리먼트 단면부 중 적어도 하나는 에어 홀인,
    광추출 기판.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 엘리먼트 단면부 중 적어도 하나는,
    기재와
    상기 기재의 내부에 분산되고, 상기 기재와는 다른 굴절률을 갖는 복수의 산란입자 및 복수의 기공 중 적어도 하나를 포함하는,
    광추출 기판.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 광추출층은, 상기 스택과 상기 투명 기판의 사이에 산란층을 추가적으로 포함하고,
    상기 산란층은
    기재층과
    상기 기재층의 내부에 분산되고, 상기 기재층과는 다른 굴절률을 갖는 복수의 산란입자 및 복수의 기공 중 적어도 하나를 포함하는,
    광추출 기판.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 고굴절률층의 굴절률은 2.0~2.6이고, 상기 적어도 하나의 저굴절률층의 굴절률은 1.3~1.6인,
    광추출 기판.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 고굴절률층은 TiO2, ZrO2 및 HfO2 중 어느 하나를 포함하고, 상기 적어도 하나의 저굴절률층은 SiO2 및 폴리머 중 어느 하나를 포함하는,
    광추출 기판.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 투명 기판은 글라스 기판인,
    광추출 기판.
  11. 유기발광다이오드층과, 상기 유기발광다이오드층의 광이 출사되는 측에 형성되는 광추출 기판을 포함하고,
    상기 광추출 기판은,
    투명 기판과,
    상기 투명 기판 상에 형성되는 광추출층을 포함하고,
    상기 광추출층은,
    적어도 하나의 고굴절률층과 상기 적어도 하나의 고굴절률층보다 작은 굴절률을 갖는 적어도 하나의 저굴절률층이 교번하게 형성되는 스택과,
    상기 스택에 임베디드된 산란부를 포함하고,
    상기 적어도 하나의 고굴절률층은 상기 투명 기판 상에 형성되는 제1 고굴절률층을 포함하고, 상기 적어도 하나의 저굴절률층은 상기 제1 고굴절률층 상에 형성되는 제1 저굴절률층을 포함하고,
    상기 산란부는, 상기 광추출층의 두께 방향을 따르는 단면 상에서 상기 광추출층의 상기 두께 방향을 가로지르는 횡방향을 따라 서로 이격되게 배치되는 복수의 엘리먼트 단면부를 형성하고, 상기 광추출층의 상기 두께 방향을 따르는 단면 상에서 상기 복수의 엘리먼트 단면부 각각은, 상기 광추출층의 상기 횡방향을 따라 폭을 갖고, 상기 광추출층의 상기 두께 방향을 따라 두께를 갖고, 상기 복수의 엘리먼트 단면부 중 적어도 하나의 상기 두께는 상기 제1 고굴절률층과 반대되는 상기 제1 저굴절률층의 제1 면으로부터 상기 제1 고굴절률층의 적어도 일부 두께까지 연장되는,
    유기발광다이오드 장치.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 유기발광다이오드층은 상기 광추출층을 대향하는 측에 아노드층을 포함하고, 상기 아노드층은 투명 전도성 금속 산화물을 포함하고, 상기 아노드층의 두께는 30~150nm인,
    유기발광다이오드 장치.
  13. 제11 항에 있어서,
    상기 유기발광다이오드층은 상기 광추출층 상에 순차적으로 형성되는 아노드층, 3개의 유기층 및 캐소드층을 포함하는 탠덤 유기발광다이오드층이고, 상기 3개의 유기층의 각각은 홀 차단층을 포함하고, 상기 3개의 유기층 중 상기 캐소드층에 가장 가까운 상기 유기층의 상기 홀 차단층의 두께는 50~100nm인,
    유기발광다이오드 장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 3개의 유기층은, 상기 아노드층 상에 순차적으로 형성되는 엘로우 광을 발광하는 유기층, 블루 광을 발광하는 유기층 및 레드 광을 발광하는 유기층을 포함하는,
    유기발광다이오드 장치.
  15. 유기발광다이오드층의 광이 출사되는 측에 형성되는 광추출 기판을 제조하는 방법으로서,
    투명 기판 상에, 에어 홀이 임베디드되도록 스택을 형성하는 것을 포함하고,
    상기 스택은 적어도 하나의 고굴절률층과 상기 적어도 하나의 고굴절률층보다 작은 굴절률을 갖는 적어도 하나의 저굴절률층이 교번하게 형성되고, 상기 적어도 하나의 고굴절률층은 상기 투명 기판 상에 형성되는 제1 고굴절률층을 포함하고, 상기 적어도 하나의 저굴절률층은 상기 제1 고굴절률층 상에 형성되는 제1 저굴절률층을 포함하고,
    상기 에어 홀은, 상기 스택의 두께 방향을 따르는 단면 상에서 상기 스택의 상기 두께 방향을 가로지르는 횡방향을 따라 서로 이격되게 배치되는 복수의 엘리먼트 단면부를 형성하고, 상기 스택의 상기 두께 방향을 따르는 단면 상에서 상기 복수의 엘리먼트 단면부 각각은, 상기 스택의 상기 횡방향을 따라 폭을 갖고, 상기 스택의 상기 두께 방향을 따라 두께를 갖고, 상기 복수의 엘리먼트 단면부 중 적어도 하나의 상기 두께는 상기 제1 고굴절률층과 반대되는 상기 제1 저굴절률층의 제1 면으로부터 상기 제1 고굴절률층의 적어도 일부 두께까지 연장되는,
    광추츨 기판 제조방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 복수의 엘리먼트 단면부 중 적어도 하나에 굴절률이 1보다 큰 물질을 충진하는,
    광추출 기판 제조방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 물질은, 기재와 상기 기재의 내부에 분산되고, 상기 기재와는 다른 굴절률을 갖는 복수의 산란입자 및 복수의 기공 중 적어도 하나를 포함하는,
    광추출 기판 제조방법.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 스택을 형성하는 것에 앞서, 상기 투명 기판 상에 산란층을 형성하는 것을 추가적으로 포함하고,
    상기 산란층은
    기재층와
    상기 기재층의 내부에 분산되고, 상기 기재층과는 다른 굴절률을 갖는 복수의 산란입자 및 복수의 기공 중 적어도 하나를 포함하는,
    광추출 기판 제조방법.




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