KR20190006850A - 유기발광소자를 이용한 조명장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 조명장치에서는 복수의 화소를 구획하고 제1기판에 신호를 전달하는 보조전극을 금속나노잉크로 구성되어, 제1기판과 외부 공기층의 계면에서 반사되어 입사되는 광을 다시 반사시키고 산란시킴으로써 조명장치의 발광효율을 향상시킨다.

Description

유기발광소자를 이용한 조명장치{LIGHTING APPARATUS USING ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE}
본 발명은 발광효율이 향상된 조명장치에 관한 것이다.
현재 조명장치로는 주로 형광등이나 백열등을 사용한다. 이중에서, 백열등은 연색지수가 좋으나 에너지효율이 매우 낮은 단점 있고, 형광등은 효율은 좋으나 연색지수가 낮고 수은을 함유하고 있어 환경문제가 있었다.
이러한 종래 조명장치의 문제를 해결하기 위해, 근래 발광다이오드(LED)가 조명장치로서 제안되고 있다. 발광다이오드는 무기물 발광물질로 구성되며, 청색 파장대에서 발광효율이 가장 높으며, 적색과 시감도가 가장 높은 색인 녹색 파장대역으로 갈수록 발광효율이 저하된다. 따라서, 적색발광다이오드, 녹색발광다이오드, 청색발광다이오드를 조합하는 백색광을 발광하는 경우, 발광효율이 낮아진다는 문제가 있었다. 또한, 적색발광다이오드, 녹색발광다이오드, 청색발광다이오드를 사용하는 경우 각각의 발광피크(peak)의 폭이 좁기 때문에 색연색성도 저하된다는 문제도 있었다.
이러한 문제를 해결하기 위해, 적색발광다이오드, 녹색발광다이오드, 청색발광다이오드를 조합하는 방식 대신에, 청색발광다이오드와 황색컬러의 형광체를 조합하여 백색광을 출력하는 조명장치가 제안되고 있다. 이러한 구성의 발광다이오드가 제안되는 이유는 발광효율이 낮은 녹색발광다이오드를 사용하는 것보다 효율이 높은 청색발광다이오드만을 사용하고 나머지 색은 청색광을 받아 황색광을 발산하는 형광물질을 이용하는 방법이 더 효율적이기 때문이다.
그러나, 청색 발광다이오드와 황색컬러의 형광체를 조합하여 백색광을 출력하는 조명장치의 경우에도 황색(옐로우) 광을 발광하는 형광물질 자체가 발광효율이 좋지 않기 때문에, 조명장치의 발광효율을 향상시키는데에 한계가 있었다.
상기와 같이 발광효율이 저하되는 문제를 해결하기 위해, 유기발광물질로 이루어진 유기발광소자를 이용한 조명장치가 제안되고 있다. 일반적으로 유기발광소자는 무기발광소자에 비해 녹색 및 적색의 발광효율이 상대적으로 양호하다. 또한, 유기발광소자는 무기발광소자에 비해 청색, 적색, 녹색의 발광피크(peak)의 폭이 상대적으로 넓기 때문에 색연색성이 향상되어 발광장치의 광이 좀더 태양광과 유사하게 되는 장점이 있다.
그러나, 상기와 같은 유기발광소자를 이용한 조명장치에도 다음과 같은 문제가 발생한다.
백색광을 출력하는 유기발광소자를 구비한 조명장치는 굴절률이 서로 다른 복수의 층으로 구성되므로, 발광된 광이 상기 복수의 층을 투과하여 외부 공기층으로 출력된다. 따라서, 복수의 층을 투과할 때 광이 굴절되어 광손실이 발생하게 되어 광효율이 저하되는 문제가 있었다.
본 발명은 상기한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 보조전극을 반사율이 좋고 광을 산란시키는 금속나노잉크로 구성하여 유기발광소자로부터 출력되어 기판과 외부공기층의 계면에서 반사되는 광을 다시 반사 및 산란시켜 광추출 효율을 향상시킬 수 있는 조명장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 상기한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 특히 복수의 화소를 구획하고 제1기판에 신호를 전달하는 보조전극을 금속나노잉크로 구성되어, 제1기판과 외부 공기층의 계면에서 반사되어 입사되는 광을 다시 반사시키고 산란시킴으로써 조명장치의 발광효율을 향상시킨다.
상기 제1기판의 복수의 화소는 제1전극과 접속된 보조전극에 의해 구획되는데, 상기 보조전극은 설정된 폭으로 매트릭스형상, 매쉬형상, 팔각형 형상, 육각형 형상 또는 원형상으로 배치된다.
상기 금속나노잉크는 잉크와 상기 잉크에 분포된 금속나노입자로 구성되며, 상기 금속나노입자는 금, 은, 백금, 구리, 니켈, 철, 코발트, 아연, 크롬, 망간로 이루어진 일군으로부터 선택된 적어도 하나의 금속을 포함한다.
상기 제1전극과 제1기판 사이에 배치된 광추출층을 추가로 포함할 수 있으며, 각각의 화소내에는 보조전극과 제1전극 사이에 배치되어 보조전극과 제1전극을 전기적으로 접속하고 설정된 크기의 저항값을 인가하는 연결패턴이 배치될 수 있다.
본 발명에서는 제1전극에 신호를 전달하는 보조전극을 금속나노입자를 포함하는 금속나노잉크로 구성하여 제1기판과 외부 공기층의 계면에서 반사된 광을 다시 반사 및 산란시켜 제1기판과 외부공기층 사이에서 손실되는 광을 최소화하여 조명장치의 광효율을 향상시킬 수 있게 되고 전력효율도 향상시킬 수 있게 된다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 조명장치의 구조를 나타내는 평면도.
도 2는 도 1의 I-I'선 단면도.
도 3은 보조전극에 의해 광이 반사 및 산란되는 것을 나타내는 도면.
도 4a-도 4d는 본 발명에 따른 조명장치의 제조방법을 나타내는 평면도.
도 5a-도 5d는 본 발명에 따른 조명장치의 제조방법을 나타내는 단면도.
도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 조명장치의 구조를 나타내는 단면도.
도 7a 및 도 7b는 각각 본 발명의 제3실시예에 따른 조명장치의 구조를 나타내는 평면도 및 단면도.
도 8a는 조명장치에 구비되는 유기발광소자의 회로를 간략적으로 나타내는 도면.
도 8b은 제1전극 및 제2전극에 전기적인 단락이 발생하는 경우의 유기발광소자의 회로를 나타내는 도면.
도 9a 및 도 9b는 본 발명의 제3실시예에 따른 조명장치의 유기발광소자의 회로도.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 대해 상세히 설명한다.
본 발명에서는 무기물질로 이루어진 무기발광소자를 포함하는 조명장치가 아니라 유기물질로 이루어진 유기발광소자를 포함하는 조명장치를 제공한다.
유기발광물질로 이루어진 유기발광소자는 무기발광소자에 비해 녹색 및 적색의 발광효율이 상대적으로 양호하다. 또한, 유기발광소자는 무기발광소자에 비해 청색, 적색, 녹색의 발광피크(peak)의 폭이 상대적으로 넓기 때문에 색연색성이 향상되어 조명장치의 광이 좀더 태양광과 유사하게 되는 장점도 있다.
특히, 본 발명에서는 발광효율을 향상시키고 전력효율을 향상시킬 수 있는 조명장치를 제공한다.
일반적으로, 조명장치에서 발광효율이 저하되는 것은 조명장치에 서로 다른 굴절률을 가진 복수의 층이 구비되고, 발광층으로부터 발광된 광이 복수의 층을 투과하면서 굴절되고 반사됨으로써 광손실이 발생하기 때문이다. 이러한 광손실은 주로 실제 광을 발광하는 유기발광층과 전극 사이의 굴절 및 반사, 전극과 기판 사이의 굴절 및 반사, 기판과 외부 공기층 사이의 굴절 및 반사 등에 의해 이루어진다.
따라서, 조명장치의 광효율을 향상시키기 위한 가장 좋은 방법은 별도의 광추출층을 유기발광층과 전극의 계면, 전극과 기판의 계면 및/또는 기판과 외부 공기층의 계면에 배치하여 유기발광층과 기판 사이의 굴절률 및 기판과 외부 공기층 사이의 굴절율을 변경하여, 유기발광층과 기판 사이 및 기판과 외부 공기층 사이의 광의 반사를 최소화하고 이들 사이의 굴절을 변경하는 것이다.
그러나, 상기와 같은 광추출층을 전극과 기판 사이에 구비되는 경우(통상적으로 이러한 광추출층을 내부 광추출층이라 한다), 별도의 층을 형성하기 위한 공정이 추가되므로, 조명장치 제조공정이 복잡해지고 제조비용이 증가하게 될 뿐만 아니라 조명장치의 두께가 두꺼워지는 문제가 발생한다.
또한, 상기 내부 광추출층에는 나노입자 등이 분포되어 입력되는 광을 산란함으로써 광추출효율을 향상시키는데, 이러한 나노입자는 내부 광추출층 형성 이후의 공정인 습식식각공정에 발생하는 수분을 흡수하게 되며, 그 결과 수분이 유기발광층에 침투하게 되어 내부 광추출층을 구비한 조명장치가 불량으로 되지만, 본 발명에서는 이러한 별도의 내부 광추출층을 구비하지 않으므로, 수분침투에 의한 불량을 방지할 수 있게 된다.
본 발명에서는 별도의 광추출층을 형성하지 않고도 조명장치의 광효율을 향상시킨다. 별도의 광추출층이 필요 없으므로, 본 발명의 조명장치에서는 제조공정의 추가에 의한 제조비용의 증가나 두께 증가, 수분침투에 의한 유기발광층의 불량을 방지할 수 있게 된다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광소자를 이용한 조명장치의 구조를 나타내는 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 조명장치(100)는 면발광 조명장치로서, 제1기판(110)의 전면에 걸쳐 제1전극(124) 및 제2전극(126)이 배치되고, 상기 제1전극(124)과 제2전극(126) 사이에는 유기발광층(130)이 배치되어 유기발광소자를 형성한다. 이러한 구조의 조명장치(100)에서는 유기발광소자의 제1전극(124)과 제2전극(126)에 신호가 인가됨에 따라 유기발광층(130)이 발광함으로써 기판(110) 전체에 걸쳐 광을 출력하게 된다.
상기 제1기판(110)에는 보조전극(122)이 매트릭스형상으로 배치된다. 상기 보조전극(122)은 도전성이 좋은 금속으로 구성되어 제1기판(110)의 전체 영역에 배치되는 제1전극(124)에 균일한 전압이 인가되도록 하여 대면적 조명장치(100)에서 균일한 휘도의 발광이 가능하게 한다.
상기 유기발광층(130)은 백색광을 출력하는 유기발광물질로 구성된다. 예를 들어, 상기 유기발광층(130)은 청색 유기발광층, 적색 유기발광층, 녹색 유기발광층으로 구성될 수도 있으며, 청색발광층과 황색-녹색발광층을 포함하는 탠덤(tandem)구조로 구성될 수도 있다. 그러나, 본 발명의 유기발광층(130)이 상기 구조에 한정되는 것이 아니라 다양한 구조가 적용될 수 있을 것이다.
또한, 본 발명의 유기발광층(130)에 전자 및 정공을 각각 주입하는 전자주입층 및 정공주입층과, 주입된 전자 및 정공을 유기발광층으로 각각 수송하는 전자수송층 및 정공수송층과, 전자 및 정공과 같은 전하를 생성하는 전하생성층을 포함할 수 있다.
도면에는 도시하지 않았지만, 제1기판(110)에는 각각 제1전극(124) 및 제2전극(126)과 접속되어 외부로부터 전압이 인가되는 제1패드 및 제2패드가 배치된다. 이때, 상기 제1패드 및 제2패드는 제1기판(110)의 일변 가장자리영역에 형성될 수 있고 양변 가장자리영역에 각각 형성될 수 있다. 또한, 상기 제1패드 및 제2패드는 복수개 구비되어 제1기판(110)의 4변 가장자리영역에 배치될 수도 있다.
도 2는 도 1의 I-I'선 단면도로서, 이를 참조하여 본 발명의 제1실시예에 따른 조명장치(100)에 대해 좀더 상세히 설명한다.
도 2에 도시된 바와 같이, 플라스틱과 같이 휘어질 수 있는 연성의 투명한 물질 또는 유리와 같은 단단한 투명물질로 이루어진 제1기판(110) 위에는 제1전극(124)이 배치된다. 상기 제1전극(124)은 ITO(Indium Tin Oxide)나 Zinc)나 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명한 금속산화물로 구성될 수 있다.
도면에는 도시하지 않았지만, 제1기판(110)의 가장자리 영역에는 제1패드 및 제2패드가 배치될 수 있다. 이때, 상기 제1패드 및 제2패드는 제1전극(124)과 동일한 공정에 의해 동일한 물질로 형성될 있다.
상기 제1기판(110)에는 보조전극(122)이 배치되어 상기 제1전극(124)과 전기적으로 접속된다. 제1전극(124)은 투명한 도전물질로 형성하여 발광되는 광을 투과한다는 장점을 가지지만, 금속에 비해 전기저항이 매우 높다는 단점이 있다. 따라서, 대면적의 조명장치(100)를 제작하는 경우, 투명 도전물질의 큰 저항으로 인해 넓은 조명영역으로 인가되는 전류의 분포가 고르지 않게 되며, 이러한 불균일한 전류분포는 대면적 조명장치(100)의 균일한 휘도의 발광을 불가능하게 한다.
상기 보조전극(122)은 제1기판(110) 전체에 걸쳐 얇은 폭의 매트릭스형상, 매쉬형상, 육각형 형상, 팔각형 형상, 원형상 등으로 배치되어 제1기판(110) 전체의 제1전극(124)에 균일한 전압이 인가되도록 하여 대면적 조명장치(100)에서 균일한 휘도의 발광이 가능하게 한다. 도면에서는 상기 보조전극(122)의 제1전극(124)의 하부에 배치되지만, 상기 보조전극(122)이 제1전극(124)의 상부에 배치될 수도 있다.
상기 보조전극(122)은 매트릭스형상으로 배치됨으로써 제1기판(110)을 복수의 화소 단위로 구획할 수 있다. 즉, 상기 보조전극(122)은 제1전극(124)에 비해 저항이 매우 낮으므로, 실질적으로 제1전극(124)의 전압은 제1패드를 통해 제1전극(124)로 직접 인가되는 것이 아니라 보조전극(122)을 통해 인가된다. 따라서, 비록 제1전극(124)이 제1기판(110) 전체에 걸쳐 형성되지만, 상기 보조전극(122)에 의해 제1전극(124)이 복수의 화소로 구획된다.
본 발명은 상기 보조전극(122)이 약 2-60㎛의 폭으로 형성되지만, 상기 보조전극(122)은 사용되는 금속의 종류, 조명장치(100)의 면적, 화소의 크기 등과 같은 다양한 요인에 의해 결정될 수 있을 것이다.
보조전극(122)은 화소내의 제1전극(124)에 신호를 전달하므로, 상기 보조전극(122)으로는 제1전극(124)을 형성하는 ITO나 IZO 보다는 저항이 낮은 도전물질을 사용해야만 한다. 예를 들어, 상기 보조전극(122)은 금속이 사용될 수 있지만, 본 발명에서는 금속 대신에 금속나노잉크를 사용한다.
도 3은 본 발명의 보조전극(122)을 나타내는 도면이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 보조전극(122)은 금속나노잉크로 구성되며, 상기 금속나노잉크는 잉크(122a)와 상기 잉크(122a) 내에 분포된 금속나노입자(122b)로 구성된다.
상기 잉크(122a)로는 테르피네올(terpineol), 에틸알콜(ethyl alcohol), 메틸알콜(methyl alcohol), 이소프로필알콜(isopropyl alcohol), 2-메톡시에탄올(2-methoxy ethanol), 프로필알콜(propyl alcohol), 펜틸알콜(pentyl alcohol), 헥실알콜(hexyl alcohol), 부틸알콜(butyl alcohol), 옥틸알콜(octyl alcohol) 등과 같은 알콜계와, 에틸렌글리콜(ethylene glycol), 디에틸렌글리콜(diethylene glycol), 트리에틸렌글리콜(triethylene glycol), 폴리에틸렌글리콜(poly-ethylene glycol), 프로필렌 글리콜(propylene glycol), 디프로필렌글리콜(dipropylene glycol), 헥실렌글리콜(hexylene glycol), 트라이 글리콜모노메틸 에테르(TGME: Triethylene Glycol Monomethyl Ether), 프로필렌글리콜 메틸에테르 아세테이트(Propylene Glycol Methyl Ether Acetate) 등과 같은 글리콜계와, 글리세린(glycerine), 아세톤(acetone), 포름아미드(formamide), 메틸에틸케톤(methyl ethyl ketone), 메탄(Methane), 에탄(Ethane), 프로판(Propane), 부탄(Butane), 펜탄(Pentane), 헥산(Hexane), 헵탄(Heptane), 옥탄(Octane), 노난(Nonan), 데칸(Decane), 언데칸(Undecane), 도데칸(Dodecane) 등과 같은 알킬계와, 싸이클로헥사논(Cyclohexanone) 등이 사용될 수 있다.
또한, 상기 금속나노입자(122b)로는 금, 은, 백금, 구리, 니켈, 철, 코발트, 아연, 크롬, 망간 등이 사용될 수 있다.
상기와 같이 금속나노입자(122b)가 분산된 잉크(122a)로 구성된 금속나노잉크는 금속에 비해 반사율이 좋다. 따라서, 도면에 도시된 바와 같이, 유기발광층(130)에서 발광되어 제1기판(110)과 외부공기층의 계면에서 반사되어 상기 보조전극(122)의 하면으로 입사되는 광이 상기 보조전극(122)에 의해 다시 제1기판(110)으로 반사된다.
상기 보조전극(122)의 내부에는 금속나노입자(122b)가 분포되어 있으므로, 상기 보조전극(122)의 하부에는 금속나노입자(122b)에 의해 일정한 정도의 조도를 가지게 되며, 이 조도에 의해 상기 보조전극(122)으로 입사된 광이 산란되어 반산된다.
상기 제1기판(110)의 제1전극(124) 상부에는 보호층(112)이 적층된다. 상기 보호층(112)은 보조전극(122) 및 그 상부의 제1전극(124)을 덮도록 구성된다. 상기 보조전극(122)은 불투명한 금속으로 구성되므로, 보조전극(124)이 형성되는 영역으로는 광이 출력되지 않는다. 따라서, 보조전극(122) 상부에만 보호층(112)을 구비하고 실제 발광영역(즉, 화소)에는 상기 보호층(112)이 배치되지 않도록 하여, 화소의 발광영역에서만 광이 발광하여 출력되도록 한다.
또한, 상기 보호층(112)은 보조전극(122)을 둘러싸도록 형성되어 상기 보조전극(122)에 의한 단차를 감소시킴으로써, 이후 형성되는 각종 층이 단선되지 않고 안정적으로 형성되도록 한다.
상기 보호층(112)은 SiOx나 SiNx 등과 같은 무기층으로 구성된다. 그러나, 상기 보호층(112)은 포토아크릴과 같은 유기층으로 구성될 수도 있고, 무기층 및 유기층의 복수의 층으로 구성될 수도 있다.
상기 제1전극(124) 및 보호층(112)의 상부에는 유기발광층(130)과 제2전극(126)이 배치된다.
상기 유기발광층(130)은 백색 유기발광층으로서, 적색발광층, 청색발광층, 녹색발광층으로 구성되거나 청색발광층과 황색-녹색발광층을 포함하는 탠덤(tandem)구조로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 유기발광층(130)은 유기발광층에 전자 및 정공을 각각 주입하는 전자주입층 및 정공주입층과, 주입된 전자 및 정공을 유기발광층으로 각각 수송하는 전자수송층 및 정공수송층과, 전자 및 정공과 같은 전하를 생성하는 전하생성층을 포함할 수 있다.
상기 유기발광층(130)은 정공수송층과 전자수송층으로부터 각각 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 광을 발광하는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자효율이 좋은 물질이 바람직하다. 이러한 유기물질로는 예를 들어, 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물 (Alq3), 카르바졸 계열 화합물, 이량체화 스티릴(dimer ized styryl) 화합물, BAlq, 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물, 벤족사졸과 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물, 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 등이 사용될 수 있지며, 이들에 한정되는 것은 아니다.
또한, 상기 제2전극(126)은 Ca, Ba, Mg, Al, Ag과 같은 금속 또는 이들의 합금 등으로 구성될 수 있다. 도면에는 도시하지 않았지만, 제1기판(110)의 외곽영역의 상부에는 상기 제2전극(126)과 접속되어 제2전극(126)에 전압을 인가하는 제2패드가 구비된다.
상기 제1전극(124)과 유기발광층(130) 및 제2전극(126)은 유기발광소자를 구성한다. 이때, 제1전극(124)이 유기발광소자의 애노드(anode)이고 제2전극(126)이 캐소드(cathode)로서, 제1전극(124)과 제2전극(126)에 전압이 인가되면, 제2전극(126)으로부터 전자가 유기발광층(130)로 주입되고 제1전극(124)으로부터 정공이 유기발광층(130)로 주입되어, 유기발광층(130)내에는 여기자(exciton)가 생성되며, 이 여기자가 소멸(decay)함에 따라 발광층의 LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)와 HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital)의 에너지 차이에 해당하는 광이 발생하게 되어 하부방향(도면에서 기판(110)측으로)로 발산하게 된다.
상기 보조전극(122) 상부에는 보호층(112)이 배치되므로, 보조전극(122) 상부의 유기발광층(130)은 제1전극(124)과는 직접 접촉하지 않게 되어 보조전극(122) 상부에는 유기발광소자가 형성되지 않는다. 다시 말해서, 조명부(EA) 내의 유기발광소자는 예를 들어 매트릭스형상으로 이루어진 보조전극(122) 사이의 화소에만 형성된다.
상기 유기발광소자가 구비된 제1기판(110) 위에는 접착제(118)가 도포되고 그 위에 제2기판(170)이 배치되어, 상기 제2기판(170)이 접착제(118)에 의해 부착됨으로써 조명장치(100)를 밀봉한다. 상기 접착제(118)는 광경화성 접착제 또는 열경화성 접착제를 사용할 수 있다. 상기 제2기판(170)은 다양한 물질로 구성될 수 있다. 도면에 도시된 바와 같이, 이때 상기 접착제(118)는 유기발광소자의 측면에도 구비되어 유기발광소자를 완전히 밀봉할 수 있게 된다.
상기 제2기판(170)은 외부로부터 수분이나 공기가 침투하는 것을 방지하기 위한 것으로서, 이러한 기능을 수행할 수만 있다면 어떠한 물질도 가능하다. 예를 들어, 제2기판(170)은 PET(Polyethyleneterephtalate)와 같은 폴리머로 구성될 수도 있고 알루미늄과 같은 얇은 금속 포일(metal foil)로 구성될 수도 있다.
또한, 도면에는 도시하지 않았지만, 제2전극(126) 상부 및 유기발광소자의 측면에는 유기층 및/또는 무기층으로 구성된 보호층 및 에폭시계(epoxy) 화합물, 아크릴레이트계(acrylate) 화합물 또는 아크릴계 화합물 등으로 구성된 봉지제가 구비될 수 있다.
상기와 같은 구조의 조명장치에서는 신호가 입력되면, 상기 보조전극(122)을 통해 각 화소의 제1전극(124)에 전달되어 제1전극(124)과 제2전극(126) 사이에 전류가 인가되어 유기발광층(130)이 발광하게 된다. 상기 유기발광층(130)에서 발광된 광은 제1전극(124) 및 제1기판(110)을 거쳐 하부방향으로 출력된다. 상기 제1전극(124)에는 광산란입자(125)가 산포되어 상기 유기발광층(130)에서 발광되어 투과되는 광을 산란시킨다.
일반적으로 유기발광층(130)에서 발광된 광은 제1전극과 제1기판의 계면 및/또는 제1기판과 외부 공기층의 계면에서 인접하는 층의 굴절율 차이에 의해 광이 계면을 통과하지 못하고 반사되며, 반사된 광이 제1전극(124) 및 제1기판(110) 내부에서 도파되어 제1전극(124) 및 제1기판(110)의 측단면으로 전파된다. 통상적으로, 유기발광층(130)에서 발광된 광의 약 80%가 각 층의 계면에서 반사되고 단지 20%만이 외부로 출력된다.
이러한 계면에서의 반사에 의한 발광효율 저하를 방지하기 위해, 조명장치(100)에는 광추출층을 포함시킬 수 있다. 이러한 광추출층은 계면에서 인접하는 층의 굴절률 차이를 감소시켜 계면에서 전반사되는 입사각의 각도를 감소시킴으로써 계면에서의 반사를 감소시킨다.
조명장치(100) 내부의 제1전극과 제1기판의 계면 및/또는 제1기판과 외부 공기층의 계면에서 광반사가 주로 발생하므로, 광추출층은 주로 제1전극과 제1기판의 계면(내부 광추출층) 또는 제1기판(110)과 외부 공기층의 계면, 즉 제1기판(110)의 외측 표면(외부 광추출층)에 형성된다.
그러나, 조명장치(100) 내부에 광추출층을 구비한 경우, 광추출층을 형성하기 위한 공정이 추가되므로, 제조공정이 복잡해지고 제조비용이 증가하며, 조명장치의 두께가 증가한다는 문제가 있었다.
그러나, 본 발명에서는 별도의 광추출층을 형성하는 대신에, 보조전극(122)을 반사율이 좋고 반사면에서의 산란특성이 좋은 물질로 형성함으로써, 조명장치(100)의 발광효율을 향상시킬 수 있게 된다.
도 3에 도시된 바와 같이, 상기 보조전극(122)은 제1기판(110)과 외부 공기층의 계면에서 반사되는 광을 반사시킴과 동시에 산란시켜 반사된 광을 다시 외부로 출력되도록 하여 조명장치(100)의 광추출효율을 향상시킨다. 이러한 면에서 상기 보조전극(122)은 제1기판(110)과 외부 공기층의 계면의 반사에 의한 발광효율저하를 방지하므로 제1기판(110)의 외곽표면에 형성되는 외부 광추출층의 역할을 한다.
물론, 본 발명에 따른 보조전극(122)에 의해 제1기판(110)과 외부 공기층의 계면에서 반사되는 모든 광이 다시 반사되어 조명장치(100)로부터 출력되는 것이 아니라 일부 광(보조전극(122)의 하면으로 입사되는 광)만이 반사되지만, 본 발명에서는 별도의 광추출층 없이 제1기판(110)과 외부 공기층의 계면에서 반사되는 광의 일부를 반사하므로, 조명장치(100)의 구조적인 변경없이 조명장치(100)의 발광효율을 향상시킬 수 있게 된다.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 제1실시예에 따른 조명장치(100)의 제조방법을 구체적으로 설명한다.
도 4a-도 4d 및 도 5a-도 5d는 본 발명에 따른 조명장치(100)의 제조방법을 나타내는 도면으로, 도 4a-도 4d는 평면도이고 도 5a-도 5d는 단면도이다.
우선, 도 4a 및 도 5a에 도시된 바와 같이, 플라스틱과 같은 연성을 가진 물질 또는 유리와 같이 단단한 물질로 이루어진 투명한 제1기판(110)을 준비한다.
이어서, 잉크내에 금속나노입자를 혼합하여 금속나노잉크를 형성한다. 이때, 상기 잉크로는 테르피네올(terpineol), 에틸알콜(ethyl alcohol), 메틸알콜(methyl alcohol), 이소프로필알콜(isopropyl alcohol), 2-메톡시에탄올(2-methoxy ethanol), 프로필알콜(propyl alcohol), 펜틸알콜(pentyl alcohol), 헥실알콜(hexyl alcohol), 부틸알콜(butyl alcohol), 옥틸알콜(octyl alcohol) 등과 같은 알콜계와, 에틸렌글리콜(ethylene glycol), 디에틸렌글리콜(diethylene glycol), 트리에틸렌글리콜(triethylene glycol), 폴리에틸렌글리콜(poly-ethylene glycol), 프로필렌 글리콜(propylene glycol), 디프로필렌글리콜(dipropylene glycol), 헥실렌글리콜(hexylene glycol), 트라이 글리콜모노메틸 에테르(TGME: Triethylene Glycol Monomethyl Ether), 프로필렌글리콜 메틸에테르 아세테이트(Propylene Glycol Methyl Ether Acetate) 등과 같은 글리콜계와, 글리세린(glycerine), 아세톤(acetone), 포름아미드(formamide), 메틸에틸케톤(methyl ethyl ketone), 메탄(Methane), 에탄(Ethane), 프로판(Propane), 부탄(Butane), 펜탄(Pentane), 헥산(Hexane), 헵탄(Heptane), 옥탄(Octane), 노난(Nonan), 데칸(Decane), 언데칸(Undecane), 도데칸(Dodecane) 등과 같은 알킬계와, 싸이클로헥사논(Cyclohexanone) 등이 사용될 수 있다. 또한, 금속나노입자로는 금, 은, 백금, 구리, 니켈, 철, 코발트, 아연, 크롬, 망간 등이 사용될 수 있다.
그 후, 상기 잉크젯(ink jet)법 또는 스크린 프린팅법에 상기 금속나노잉크를 도포한 후, 도포된 금속나노잉크를 가열하여 상기 금속나노잉크를 소성함으로써 상기 제1기판(110) 상에 보조전극(122)을 형성한다.
상기 보조전극(122)은 제1기판(110) 전체에 걸쳐 설정된 띠형상으로 가로방향 및 세로방향의 매트릭스형상으로 배치되지만, 상기 보조전극(122)이 매쉬형상, 육각형 형상, 팔각형 형상, 원형상으로 배치될 수도 있다. 상기 보조전극(122)은 약 45-55㎛의 폭으로 형성될 수 있지만, 상기 보조전극(122)의 특정 수치의 폭에 한정되는 것이 아니라 조명장치의 면적, 화소의 크기, 보조전극(122)의 재질 등에 따라 다양한 폭으로 형성될 수 있다.
또한, 보조전극(122)에 포함되는 금속나노입자(122b)는 보조전극(122) 전체에 걸쳐 균일하게 분포되며, 금속나노입자(122b)의 밀도는 보조전극(122)의 두께 및 폭 등에 따라 결정된다.
이어서, ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명한 금속산화물을 제1기판(110)에 적층하고 식각하여 제1전극(124)을 형성한다.
한편, 상술한 설명에서는 보조전극(122)을 형성한 후 제1전극(124)을 상기 보조전극(122)의 상면을 포함하는 제1기판(110) 전체에 걸쳐 형성할 수 있고, 제1전극(124)을 먼저 형성한 후 상기 제1전극(124) 위에 보조전극(122)을 형성할 수도 있다.
그 후, 제1전극(124) 위에 무기절연물질 또는 유기절연물질을 적층하고 식각하여 보조전극(122) 상부의 제1전극(124) 위에 보호층(112)을 형성한다. 이때, 상기 보호층(112)은 무기절연층 또는 유기절연층의 단일층으로 구성될 수도 있지만, 무기절연층 및 유기절연층의 복수의 층으로 구성될 수도 있다.
이어서, 도 4b 및 도 5b에 도시된 바와 같이, 제1기판(110) 상부에 유기발광물질을 증착하여 유기발광층(130)을 형성한다. 이때, 상기 유기발광층(130)의 형성은 복수의 조명장치가 형성되는 모기판상에 마스크를 배치한 후 유기발광물질을 증착함으로써 형성할 수 있다.
이어서, 도 4c 및 도 5c에 도시된 바와 같이, 상기 유기발광층(130) 상부에 Ca, Ba, Mg, Al, Ag과 같은 금속을 증착하고 식각하여 제2전극(126)을 형성한다.
그 후, 도 4d 및 도 5d에 도시된 바와 같이, 상기 제1기판(110) 상에 광경화성 접착물질 또는 열경화성 접착물질로 이루어진 접착제(118)를 도포하고 그 위에 제2기판(170)을 위치시킨 후, 접착제(118)를 경화함으로써 상기 제2기판(170)을 부착한 후, 합착된 제1기판(110) 및 제2기판(170)을 절단하여 완성된 조명장치(100)를 분리함으로써 각각의 조명장치(100)를 완성한다. 상기 제2기판(170)으로는 PET와 같은 폴리머필름이나 얇은 금속포일, 유리 등이 사용될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에서는 보조전극(122)을 광을 반사하고 산란시키는 금속나노잉크로 구성함으로써 별도의 구조 변경없이 조명장치(100)의 발광효율을 향상시킬 수 있게 된다.
도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 조명장치(200)의 구조를 나타내는 도면이다.
이 실시예의 조명장치(200)는 도 2에 도시된 제1실시예의 조명장치(100)와는 그 구조가 유사하므로, 동일한 구조에 대해서는 설명을 생략하거나 간략하게 하고 다른 구조에 대해서만 상세히 설명한다.
도 6에 도시된 바와 같이, 이 구조의 조명장치(200)에서는 제1기판(210) 상에 보조전극(222)이 형성된다. 이때, 상기 보조전극(222)은 반사율이 좋고 반사된 광을 산란시키는 금속나노잉크로 구성되므로, 제1기판(210)과 외부 공기층 사이의 계면에서 반사되는 광을 반사하여 조명장치(200)의 발광효율을 향상시킨다. 즉, 상기 보조전극(222)은 신호를 제1전극(224)에 인가하는 역할을 할 뿐만 아니라 외부 광추출층의 역할을 하여 조명장치(200)의 발광효율을 향상시킨다.
상기 제1전극(224)과 제1기판(210) 사이에는 광추출층(225)이 배치된다. 상기 광추출층(225)은 제1전극(224)과 제1기판(210) 사이의 굴절율을 감소하여 제1전극(224)과 제1기판(210) 사이의 계면에서 광반사를 감소시킴으로써 유기발광층(230)에서 발광하는 광을 효율적으로 외부로 추출할 수 있게 된다.
제1전극(224)을 형성하는 ITO나 IZO의 굴절률은 약 1.8이고 제1기판(210)을 형성하는 유리의 굴절률은 약 1.5이다. 따라서, 제1전극(224)과 제1기판(210)은 굴절률의 차이가 있으며, 이 굴절률 차이로 인해 제1전극(224)과 제1기판(210)의 계면으로 입사되는 광의 일부가 전반사된다.
상기 광추출층(225)은 다양한 형태로 구성될 수 있다. 예를 들어, 상기 광추출층(225)은 나노구조의 주기적인 오목부와 돌출부를 가진 폴리카보네이트(Polycarbonate)로 구성될 수 있으며, 유리보다 낮은 굴절률을 가진 물질로 구성되어 제1전극(224)과 제1기판(210) 사이의 굴절률 차이를 감소시킬 수도 있다. 또한, 상기 광추출층(225)은 금속나노입자가 분산된 수지계 층으로 구성되어, 입력되는 광을 산란시킴으로써 제1전극(224)과 제1기판(210)의 계면에서의 광반사를 최소화함으로써 광추출효율을 향상시킬 수도 있다.
물론, 본 발명의 광추출층(225)이 상기 구조에 한정되는 것이 아니라 2층 사이의 굴절률 차이에 의한 광반사를 최소화할 있는 물질이라면 어떠한 물질이라도 광추출층(225)으로 사용할 수 있을 것이다. 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 광추출층(225)의 상면 또는/및 하면에는 적어도 일층으로 구성된 버퍼층이 구비될 수 있다.
상술한 바와 같이, 이 실시예에서는 보조전극(222)을 광반사률이 좋고 산란성이 좋은 금속나노잉크로 형성할 뿐만 아니라 별도의 광추출층(225)을 구비하므로, 제1기판(210)과 외부 공기층의 계면 및 제1전극(224)과 제1기판(210)의 계면에서의 광반사를 최소화함으로써 광추출효율을 최대화할 수 있게 된다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 제3실시예에 따른 조명장치(300)의 구조를 나타내는 도면이다. 이때, 이 실시예의 조명장치(300)는 제1실시예의 조명장치(100)와 그 구조가 유사하므로, 동일한 구조에 대해서는 설명을 생략하거나 간략하게 하고 다 구조에 대해서만 상세히 설명한다.
도 7a 및 도 7b에 도시된 바와 같이, 제1기판(300)에는 보조전극(322)이 형성된다. 이때, 상기 보조전극(322)은 잉크내에 금속나노입자를 혼합하여 금속나노잉크로 구성되므로, 제1기판(310)과 외부공기층의 계면에서 반사된 광을 다시 반사함과 아울러 산란시켜 외부로 출력되는 광추출효율을 향상시킨다.
상기 보조전극(322)에 의해 구획되는 화소(P) 내에는 상기 보조전극(322)과 일정 거리 이격되어 제1전극(324)이 형성되어 있으며, 상기 보조전극(322)과 제1전극(324)은 상대적으로 고저항의 도전패턴(324a)에 의해 전기적으로 접속된다.
이러한 구조의 조명장치(300)에서는 보조전극(322)과 제1전극(324) 사이에 도전패턴(324a)이 형성되므로, 보조전극(322)으로 인가된 신호가 상기 도전패턴(324a)을 거쳐 제1전극(324)에 인가된다. 이때, 상기 도전패턴(324a)을 충분히 길게 형성함으로써(즉, 신호가 흐르는 경로를 충분히 길게 함으로써) 별도의 단락방지저항(RSR1,RSR2...RSRn)을 형성하는데, 상기 단락방지저항(RSR1,RSR2...RSRn)을 형성하는 이유는 다음과 같다.
도 8a는 조명장치에 구비되는 유기발광소자의 회로를 간략적으로 나타내는 도면이다. 도 8a에 도시된 바와 같이, 제1전극(324) 및 제2전극(326)에는 각각 V1,V2의 전압이 인가되며, 상기 제1전극(324)과 제2전극(326) 사이에는 유기발광층(330)의 저항(RE1,RE2...REn), 제1전극(324)의 저항(R11,R12...R1n), 제2전극(326)의 저항(R21,R22...R2n)이 직렬로 연결된다.
조명장치에 구비되는 유기발광소자는 복수의 화소(P1,P2...Pn)를 구비하며, 이들 화소는 다른 화소와 병렬로 연결된다.
이러한 구조의 유기발광소자에서는 복수의 화소가 병렬 연결되어, 제1전극(324)과 제2전극(326)에 각각 전압(V1,V2)이 인가됨에 따라 각각의 화소(P1,P2...Pn)의 유기발광층(LED1,LED2...LEDn)에 전류(I1,I2...In)가 인가되어 상기 유기발광층(LED1,LED2...LEDn)이 발광하게 된다. 이때, 제1전극(324)에는 설정 크기의 전압(V1)이 인가되고 제2전극(326)은 접지될 수도 있다.
복수의 화소에는 대략 동일한 저항이 형성되므로(각각의 화소(P1,P2...Pn)에 형성된 전극(324,326)과 유기발광층(330)의 두께 오차에 따라 저항이 다를 수는 있지만, 차이는 미미함), 복수의 화소에는 대략 동일한 휘도의 광이 발광되어 조명장치 전체적으로 균일한 광이 출력된다.
한편, 유기발광소자의 유기발광층(330)은 수백Å의 얇은 두께로 형성된다. 따라서, 공정불량에 의해 유기발광층(330)에 이물질 등이 침투하는 경우, 상기 유기발광층(330)에 핀홀이나 균열이 발생하게 되어 상기 유기발광층(330)을 통해 제1전극(324) 및 제2전극(326)이 서로 접촉되어 단락되는 문제가 발생한다. 또한, 조명장치의 경우, 유기발광층(330) 하부에는 각종 금속층과 절연층이 형성되는데, 이러한 금속층 및 절연층의 단차에 의해 유기발광층(330)에 크랙 등이 발생하여 제1전극(324) 및 제2전극(326)이 접촉할 수도 있다. 그리고, 유기발광층(330)의 적층공정시 공정불량이나 공정오차로 인해, 유기발광물질이 불균일하게 도포되어 제1전극(324) 및 제2전극(326)이 전기적으로 도통될 수도 있다.
도 8b은 제1전극(324) 및 제2전극(326)에 전기적인 단락이 발생하는 경우의 유기발광소자의 회로를 나타내는 도면이다.
도 8b에 도시된 바와 같이, 유기발광소자의 복수의 화소(P1,P2...Pn)중 하나의 화소(P2)의 제1전극(324) 및 제2전극(326)이 접촉하거나 전기적으로 도통하는 경우, 해당 화소에는 유기발광층(130)에 의한 저항(RE2)이 제거되어 제1전극(324) 및 제2전극(326)의 도전물질에 의한 저항(R12,R22)만이 남게 된다.
상기 제1전극(324)을 ITO(Indium Tin Oixde)나 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같이 상대적으로 전도성이 좋은 투명한 금속성 산화물질로 형성하는 경우, 제1전극(324)의 저항(R11,R12...R1n)은 약 20Ω이다. 또한, 금속으로 이루어진 제2전극(326)의 저항(R21,R22...R2n)은 약 0.1Ω이다. 반면에, 상기 유기발광층(330)의 저항(RE1,RE2...REn)은 약1MΩ이다. 따라서, 유기발광층(330)의 저항(RE1,RE2...REn)이 제1전극(324)의 저항(R11,R12...R1n) 및 제2전극(326)의 저항(R21,R22...R2n)에 비해 훨씬 크므로, 각각의 화소(P1,P2...Pn)의 총 저항(Rt1,Rt2...Rn)은 유기발광층(330)의 저항(RE1,RE2...REn)과 실질적으로 동일하게 된다(Rt≒RE).
따라서, 제2화소(P2)의 제1전극(324) 및 제2전극(326)이 접촉하여 제2화소(P2)가 단락되는 경우, 해당 화소(P2)의 유기발광소자의 저항(RE2)은 제거되어 0이 되므로, 제2화소(P2)의 총저항(Rt2)이 다른 화소(P1...Pn)의 총저항(Rt1...Rtn)에 비해 훨씬 작게 된다(Rt2<<Rt1...Rtn).
그 결과, 제1전극(324)과 제2전극(326) 사이의 전류(Ie)가 대부분 단락된 화소(P2)를 통해 흐르게 되고 다른 화소(P1...Pn)로는 전류가 거의 흐르지 않게 되어, 이들 화소(P1...Pn)의 유기발광층의 휘도가 급격히 저하되거나 심지어 발광하지 않게 된다. 물론, 조명장치에는 전도성이 좋은 보조전극(322)이 구비되고 각각의 화소(P1,P2...Pn)의 제1전극(324)에는 실질적으로 상기 보조전극(322)을 통해 신호가 인가되어 특정 화소(P2)가 단락되는 경우에도 상기 보조전극(322)에 의해 다른 화소(P1...Pn)에서의 전류 감소를 최소화할 수 있지만, 이 경우에도 단락된 화소(P2)에 의해 다른 화소(P1...Pn)가 영향을 받게 되어 발광장치 전체에 걸쳐 휘도가 저하된다.
더욱이, 단락된 화소(P2)에는 과전류(Ie)가 흐르게 되어, 단락된 영역의 온도가 상승하여 유기발광층(330)의 유기발광물질이 열화되는 문제도 발생하게 된다.
이러한 불량을 방지하기 위해, 본 실시예에서는 제1전극(324)과 보조전극(322) 사이에 연결패턴(324)을 구비함으로써, 유기발광소자의 화소(P1,P2...Pn)에 단락방지저항을 구비한다.
도 9a 및 도 49는 별도의 단락방지저항을 구비한 본 발명의 제3실시예에 따른 유기발광소자의 회로도이다.
도 9a에 도시된 바와 같이, 병렬로 연결된 복수의 화소(P1,P2...Pn)에는 각각 유기발광층(330)의 저항(RE1,RE2...REn), 제1전극(324)의 저항(R11,R12...R1n), 제2전극(326)의 저항(R21,R22...R2n) 뿐만 아니라 단락방지저항(RSR1,RSR2...RSRn)이 직렬로 연결된다. 이때, 상기 단락방지저항(RSR1,RSR2...RSRn)은 연결패턴(324a)에 의해 형성된다.
이러한 구조의 유기발광소자에서는, 제1전극(324)과 제2전극(326)에 각각 전압(V1,V2)이 인가됨에 따라 각각의 화소(P1,P2...Pn)의 유기발광층(LED1,LED2...LEDn)에 전류가 인가되어 상기 유기발광층(LED1,LED2...LEDn)이 발광하게 된다.
복수의 화소(P1,P2...Pn)에는 대략 동일한 저항이 형성되므로, 복수의 화소에는 대략 동일한 휘도의 광이 발광되어 조명장치 전체적으로 균일한 광이 출력된다.
도 9b에 도시된 바와 같이, 유기발광소자의 복수의 화소(P1,P2...Pn)중 하나의 화소(P2)의 제1전극(324) 및 제2전극(326)이 접촉하는 경우, 유기발광층(330)에 의한 저항(RE2)이 제거되어 유기발광소자의 해당 화소에는 제1전극(324) 및 제2전극(326)의 도전물질에 의한 저항(R12,R22) 및 연결패턴(324a)에 의한 단락방지저항(RSR2)만이 남게 된다.
상기 제1전극(324)을 ITO(Indium Tin Oixde)나 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같이 상대적으로 전도성이 좋은 투명한 금속산화물질로 형성하는 경우, 제1전극(324)의 저항(R11,R12...R1n)은 약 20Ω이다. 또한, 금속으로 이루어진 제2전극(326)의 저항(R21,R22...R2n)은 약 0.1Ω이다. 반면에, 상기 유기발광층(130)의 저항(RE1,RE2...REn)은 약1MΩ이다. 따라서, 단락방지저항(RSR1,RSR2...RSRn)이 구비되지 않는 경우, 유기발광층(130)의 저항(RE1,RE2...REn)이 제1전극(324)의 저항(R11,R12...R1n) 및 제2전극(326)의 저항(R21,R22...R2n)에 비해 훨씬 크므로, 각각의 화소(P1,P2...Pn)의 총 저항(Rt1,Rt2...Rn)은 유기발광층(130)의 저항(RE1,RE2...REn)과 거의 동일하게 된다(Rt≒RE).
그러나, 도면에 도시된 바와 같이 각각의 화소에 별도의 단락방지저항(RSR1,RSR2...RSRn)이 구비되는 경우, 각각의 화소(P1,P2...Pn)의 총 저항(Rt1,Rt2...Rn)은 유기발광층(130)의 저항(RE1,RE2...REn)과 거의 동일하게 않게 된다.
상기 단락방지저항(RSR1,RSR2...RSRn)이 제1전극(324)의 저항(R11,R12...R1n) 및 제2전극(326)의 저항(R21,R22...R2n)과 마찬가지로 수십Ω 이하의 크기로 형성되어 단락방지저항(RSR1,RSR2...RSRn)이 상기 유기발광층(330)의 저항(RE1,RE2...REn)에 비해 훨씬 적다면, 본 발명의 각 화소(P1,P2...Pn)의 총저항(Rt1,Rt2...Rn)도 유기발광층(130)의 저항(RE1,RE2...REn)과 거의 동일하게 된다.
그러나, 단락방지저항(RSR1,RSR2...RSRn)의 크기가 유기발광층(130)의 저항(RE1,RE2...REn)과 비교하여 의미가 있을 정도로 크다면, 본 발명의 각 화소(P1,P2...Pn)의 총저항(Rt1,Rt2...Rn)은 유기발광층(330)의 저항(RE1,RE2...REn)과 단락방지저항(RSR1,RSR2...RSRn)의 합과 거의 동일하게 된다(Rt1,Rt2...Rn≒RE1,RE2...REn+RSR1,RSR2...RSRn).
이와 같이, 설정된 크기 이상의 단락방지저항(RSR1,RSR2...RSRn)이 각 화소(P1,P2...Pn)에 구비되는 경우에는, 제2화소(P2)의 제1전극(324) 및 제2전극(326)이 접촉하였을 때, 해당 화소(P2)의 유기발광소자의 저항(RE2)은 제거되어 0이 되므로, 제2화소(P2)의 총저항(Rt2)이 실질적으로 단락방지저항(RSR2)과 동일하게 된다(Rt2≒RSR2).
그런데, 상기 단락방지저항(RSR2)은 유기발광층(130)의 저항(RE2)에 비해 아주 작은 크기가 아니라 의미 있을 정도의 크기이므로, 제1전극(324)과 제2전극(326) 사이의 전류가 대부분 단락된 화소(P2)를 통해 흐르는 것이 아니라, 일정량의 전류(I2')가 화소(P2)를 통해 흐르게 된다. 이때, 제2화소(P2)와 다른 화소(P1...Pn)의 총저항의 차이에 의해 제2화소(P2)와 다른 화소(P1...Pn)에 흐르는 전류의 양은 다르지만(I2'≠I1'...In'), 전체 화소(P1,P2...Pn)를 통해 전류가 흐르게 되므로, 복수의 화소(P1,P2...Pn)의 유기발광층의 휘도가 급격히 저하되거나 심지어 발광하지 않게 되는 현상을 방지할 수 있게 된다.
본 실시예에서는 단락방지저항(RSR1,RSR2...RSRn)의 크기를 적절하게 설정함으로써 복수의 화소(P1,P2...Pn)중 하나의 화소의 제1전극(324) 및 제2전극(326)이 접촉하는 경우에도, 단란된 화소를 통해 과전류가 흐르지 않고 설정된 전류가 흐르도록 하여 유기발광소자의 휘도 저하를 방지할 수 있게 된다.
이 실시예에서는 복수의 화소(P1,P2...Pn)로 이루어진 유기발광소자의 단락방지저항(RSR1,RSR2...RSRn)의 크기가 약 2800-5500Ω이면 특정 화소의 제1전극(320) 및 제2전극(340)이 접촉되었을 때에도 해당 화소로 과전류가 흐르지 않고 설정된 전류가 흐르게 되어 유기발광소자 전체의 화소(P1,P2...Pn)가 광을 발광할 수 있게 된다.
이를 위해, 본 실시예에서는 연결패턴(324a)을 설정된 폭 및 길이로 형성하여 약 2800-5500Ω의 크기를 갖는 단락방지저항(RSR1,RSR2...RSRn)을 형성함으로써 화소(P1,P2...Pn)의 단락에 의한 불량을 방지한다.
이때, 상기 연결패턴(324a)은 ITO나 IZO로 이루어진 제1전극(324)이 보조전극(322) 상부를 포함하여 조명장치 전체에 걸쳐 형성하고 상기 제1전극(324)의 일부를 제거하는 오픈영역(325)을 형성함으로써 형성될 수 있다. 그러나, 상기 연결패턴(324a)은 상기 제1전극(324) 및 보조전극(322)을 서로 분리시켜 형성한 후, 제1전극(324)과 동일한 물질 또는 다른 물질로 상기 제1전극(324)과는 다른 공정에 의해 상기 연결패턴(324a)을 형성할 수도 있다.
상기 연결패턴(324a)의 폭과 길이는 화소의 저항값이 약 2800-5500Ω의 크기를 갖도록 설정된다. 그러나, 연결패턴(324a)의 폭이 너무 넓은 경우, 각 화소(P1,P2...Pn)의 해상도가 저하되므로, 이러한 점을 감안하여 연결패턴(324a)의 폭과 길이를 설정하는 것이 바람직하다.
상술한 바와 같이, 본 발명에서는 제1전극에 신호를 전달하는 보조전극을 금속나노입자를 포함하는 금속나노잉크로 구성하여 제1기판과 외부 공기층의 계면에서 반사된 광을 다시 반사 및 산란시켜 제1기판과 외부공기층 사이에서 손실되는 광을 최소화하여 조명장치의 광효율을 향상시킬 수 있게 되고 전력효율도 향상시킬 수 있게 된다.
더욱이, 본 발명에서는 별도의 광추출층을 구비하여 제1기판과 제1전극의 계면에서의 광반사를 최소화함으로써 조명장치의 광효율을 더욱 향상시킬 수 있게 된다.
한편, 상술한 상세한 설명에서는 특정 구조의 조명장치가 개시되어 있지만, 이는 설명의 편의를 위한 것이지 본 발명을 특정 구조로 한정하기 위한 것이 아니다.
예를 들어, 상술한 설명에서는 광이 하부로 출력되는 하부발광형 조명장치에 대해 설명하고 있지만, 본 발명이 이러한 하부발광형 조명장치에만 한정되는 것이 아니라 상부로 광이 출력되는 하부발광형 조명장치에도 적용될 수 있을 것이다.
본 발명의 다양한 변형예나 본 발명을 기초로 용이하게 창안할 수 있는 구조 등도 본 발명의 범위에 포함되어야만 할 것이다. 따라서, 본 발명의 권리범위는 상술한 상세한 설명에 의해 결정되는 것이 아니라 첨부한 특허청구범위에 의해 결정되어야만 할 것이다.
100 : 조명장치 110,170 : 기판
112 : 보호층 122 : 보조전극
124 : 제1전극 126 : 제2전극
130 : 유기발광층

Claims (9)

  1. 복수의 화소를 포함하는 제1기판;
    상기 제1기판에 배치되어 복수의 화소를 정의하고 각각의 화소에 신호를 인가하는 보조전극; 및
    상기 제1기판의 각각의 화소에 배치되고 제1전극, 유기발광층, 제2전극으로 구성된 유기발광소자로 구성되며,
    상기 보조전극은 금속나노잉크로 구성되어, 제1기판과 외부 공기층의 계면에서 반사되어 입사되는 광을 다시 반사시키고 산란시키는 조명장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1전극은 투명한 금속산화물로 구성된 조명장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 금속나노잉크는,
    잉크; 및
    상기 잉크에 분포된 금속나노입자로 구성된 조명장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 금속나노입자는 금, 은, 백금, 구리, 니켈, 철, 코발트, 아연, 크롬, 망간로 이루어진 일군으로부터 선택된 적어도 하나의 금속인 조명장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1전극은 상기 제1기판의 상면에 배치되는 조명장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1전극과 제1기판 사이에 배치된 광추출층을 추가로 포함하는 조명장치.
  7. 제1항에 있어서, 각각의 화소내에 보조전극과 제1전극 사이에 배치되어 보조전극과 제1전극을 전기적으로 접속하며, 설정된 크기의 저항값을 인가하는 연결패턴을 추가로 포함하는 조명장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제1기판은 연성 필름 또는 유리로 구성된 조명장치.
  9. 제1항에 있어서, 접착제에 의해 상기 제1기판에 부착된 제2기판을 추가로 포함하는 조명장치.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109904342B (zh) * 2019-02-19 2021-04-09 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140039606A (ko) * 2012-09-24 2014-04-02 삼성디스플레이 주식회사 백색 발광 소자, 이를 포함하는 백색 발광 패널, 백색 발광 패널의 제조 방법, 및 백색 발광 소자를 포함하는 표시 장치
KR20150010665A (ko) * 2013-07-19 2015-01-28 주식회사 엘지화학 전극 적층체 및 유기 발광 소자
JP2015158981A (ja) * 2014-02-21 2015-09-03 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置
KR20150129565A (ko) * 2014-05-12 2015-11-20 주식회사 엘지화학 유기발광소자 및 이의 제조방법
JP2016091667A (ja) * 2014-10-31 2016-05-23 国立大学法人山形大学 有機エレクトロルミネッセンス照明装置
KR20170007699A (ko) * 2014-05-16 2017-01-19 파이오니아 가부시키가이샤 발광 장치
KR20170049691A (ko) * 2015-10-27 2017-05-11 한국생산기술연구원 투명 전자 디바이스 및 그 제조 방법

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6812637B2 (en) * 2003-03-13 2004-11-02 Eastman Kodak Company OLED display with auxiliary electrode
US20090081356A1 (en) * 2007-09-26 2009-03-26 Fedorovskaya Elena A Process for forming thin film encapsulation layers
KR20130100629A (ko) * 2012-03-02 2013-09-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
US8883531B2 (en) * 2012-08-28 2014-11-11 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display device and method of manufacturing the same
CN106463644B (zh) * 2014-05-15 2019-10-18 乐金显示有限公司 有机发光元件及包括有机发光元件的显示装置和照明装置
CN105702875B (zh) * 2014-12-11 2018-04-27 财团法人工业技术研究院 发光元件、电极结构与其制作方法
JP2016207452A (ja) * 2015-04-22 2016-12-08 ソニー株式会社 表示装置の製造方法、表示装置、及び、電子機器

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140039606A (ko) * 2012-09-24 2014-04-02 삼성디스플레이 주식회사 백색 발광 소자, 이를 포함하는 백색 발광 패널, 백색 발광 패널의 제조 방법, 및 백색 발광 소자를 포함하는 표시 장치
KR20150010665A (ko) * 2013-07-19 2015-01-28 주식회사 엘지화학 전극 적층체 및 유기 발광 소자
JP2015158981A (ja) * 2014-02-21 2015-09-03 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置
KR20150129565A (ko) * 2014-05-12 2015-11-20 주식회사 엘지화학 유기발광소자 및 이의 제조방법
KR20170007699A (ko) * 2014-05-16 2017-01-19 파이오니아 가부시키가이샤 발광 장치
JP2016091667A (ja) * 2014-10-31 2016-05-23 国立大学法人山形大学 有機エレクトロルミネッセンス照明装置
KR20170049691A (ko) * 2015-10-27 2017-05-11 한국생산기술연구원 투명 전자 디바이스 및 그 제조 방법

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