KR20190006622A - Monitoring system and monitoring method of laser polycrystallization apparatus - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a monitoring system and a monitoring method of a laser crystallization apparatus including a reflecting mirror. According to the present invention, the monitoring system of the laser crystallization apparatus comprises: the laser crystallization apparatus including a light source emitting a first laser beam, and the reflecting mirror receiving at least a part of the first laser beam to emit a second laser beam; a stage having first and second surfaces facing each other and irradiating the first surface with the first and second laser beams; an auxiliary layer arranged on any one surface of the first and second surfaces of the stage and receiving the first laser beam to reflect at least a part of the first laser beam to the reflecting mirror; and a camera overlapping the auxiliary layer, arranged to be adjacent to the second surface, and measuring the intensity of light of the first and second laser beams.

Description

레이저 결정화 장치의 모니터링 시스템 및 모니터링 방법{MONITORING SYSTEM AND MONITORING METHOD OF LASER POLYCRYSTALLIZATION APPARATUS}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a monitoring system and a monitoring method of laser crystallization apparatus,

본 발명은 레이저 결정화 장치의 모니터링 시스템 및 모니터링 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a monitoring system and a monitoring method of a laser crystallization apparatus.

일반적으로 유기 발광 표시 장치 또는 액정 표시 장치 등은 각 화소의 발광여부나 발광 정도를 박막 트랜지스터를 이용해 제어한다. 그러한 박막 트랜지스터는 반도체층, 게이트 전극 및 소스/드레인 전극 등을 포함하는데, 반도체층으로는 비정질 실리콘을 결정화한 폴리 실리콘이 주로 사용된다.Generally, an organic light emitting display, a liquid crystal display, or the like controls the light emitting state or the light emitting state of each pixel by using a thin film transistor. Such a thin film transistor includes a semiconductor layer, a gate electrode, and a source / drain electrode. As the semiconductor layer, polysilicon crystallized from amorphous silicon is mainly used.

이와 같은 박막 트랜지스터를 구비하는 박막 트랜지스터 기판이나 이를 이용한 표시 장치는 기판에 비정질 실리콘(a-Si) 박막을 형성하고 이를 폴리 실리콘(P-Si) 박막으로 결정화하는 과정을 거쳐 제조된다. 비정질 실리콘 박막을 폴리 실리콘 박막으로 결정화하는 방법으로 비정질 실리콘 박막에 레이저 빔을 조사하는 방법이 사용될 수 있다.A thin film transistor substrate having such a thin film transistor or a display using the thin film transistor is manufactured by forming an amorphous silicon (a-Si) thin film on a substrate and crystallizing the thin film into a polysilicon (P-Si) thin film. A method of irradiating a laser beam to the amorphous silicon thin film by a method of crystallizing the amorphous silicon thin film into a polysilicon thin film can be used.

이때, 비정질 실리콘 박막의 표면에서 레이저 빔의 일부가 반사되어 에너지 손실이 발생한다. 이러한 에너지 손실을 감소시키기 위하여 반사된 레이저 빔을 반사 미러를 통해 비정질 실리콘 박막의 표면에 재조사시킬 수 있다. 재조사되는 레이저 빔을 포함하는 전체 레이저 빔의 광도, 조사 각도 등에 따라 비정질 실리콘 박막의 결정화도 및 결정화 에너지의 효율이 달라질 수 있으며, 따라서, 반사 미러와 같은 구성 요소들 간의 정밀한 정렬(align)이 요구된다.At this time, a portion of the laser beam is reflected on the surface of the amorphous silicon thin film, resulting in energy loss. In order to reduce this energy loss, the reflected laser beam can be resampled to the surface of the amorphous silicon thin film through a reflection mirror. The crystallinity and the efficiency of the crystallization energy of the amorphous silicon thin film may vary depending on the luminous intensity, the irradiation angle, and the like of the entire laser beam including the laser beam to be resampled, and therefore, a precise alignment between components such as a reflection mirror is required .

본 발명은 반사 미러를 포함하는 레이저 결정화 장치의 모니터링 시스템 및 모니터링 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a monitoring system and a monitoring method of a laser crystallization apparatus including a reflection mirror.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 레이저 결정화 장치의 모니터링 시스템은, 제1 레이저 빔을 출사하는 광원, 및 제1 레이저 빔의 적어도 일부를 입사 받아 제2 레이저 빔을 출사하는 반사 미러를 포함하는 레이저 결정화 장치; 서로 대향하는 제1 면 및 제2 면을 갖고, 제1 면으로 제1 레이저빔 및 제2 레이저 빔이 조사되는 스테이지; 스테이지의 제1 면 및 제2 면 중 어느 한 면에 배치되고, 제1 레이저 빔을 입사 받아 제1 레이저 빔의 적어도 일부를 반사 미러로 반사하는 보조층; 및 보조층과 중첩하며 제2 면에 인접하여 배치되고, 제1 레이저 빔 및 제2 레이저 빔의 광도를 측정하는 카메라;를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a monitoring system for a laser crystallization apparatus, comprising: a light source for emitting a first laser beam; a reflection mirror for receiving at least a part of the first laser beam and emitting a second laser beam; A laser crystallization apparatus comprising; A stage having a first surface and a second surface opposite to each other, the first surface being irradiated with the first laser beam and the second laser beam; An auxiliary layer disposed on either one of the first surface and the second surface of the stage and adapted to receive the first laser beam and reflect at least a part of the first laser beam to a reflecting mirror; And a camera that overlaps the auxiliary layer and is disposed adjacent to the second surface and measures the luminous intensity of the first laser beam and the second laser beam.

보조층은 약 3% 내지 60%의 반사율을 갖는다.The auxiliary layer has a reflectance of about 3% to 60%.

보조층은 스테이지와 카메라 사이에 배치된다.The auxiliary layer is disposed between the stage and the camera.

보조층은 스테이지를 사이에 두고 카메라와 이격되어 배치된다.The auxiliary layer is disposed apart from the camera with the stage therebetween.

보조층은 스테이지의 전면에 배치된다.The auxiliary layer is disposed on the front surface of the stage.

보조층은 복수의 층으로 이루어진다.The auxiliary layer is composed of a plurality of layers.

보조층은 제1 레이저 빔을 투과시키는 복수의 슬릿을 갖는다.The auxiliary layer has a plurality of slits for transmitting the first laser beam.

스테이지에 조사되는 제1 레이저 빔과 스테이지의 제1 면에 수직한 법선이 이루는 각은 약 5도 내지 약 60도이다.The angle formed by the first laser beam irradiated on the stage and the normal normal to the first surface of the stage is about 5 degrees to about 60 degrees.

또한, 본 발명에 따른 레이저 결정화 장치의 모니터링 방법은, 스테이지의 서로 대향하는 제1 면 및 제2 면 중 어느 한 면에 보조층을 배치하는 단계; 보조층과 중첩하며 제2 면과 인접하게 카메라를 배치하는 단계; 스테이지의 제1 면으로 제1 레이저 빔을 출사하는 단계; 보조층에 의해 제1 레이저 빔의 적어도 일부가 반사 미러로 반사되는 단계; 반사 미러에 의해 제2 레이저 빔이 스테이지의 제1 면으로 출사되는 단계; 및 제1 레이저 빔 및 제2 레이저 빔의 광도를 카메라를 통해 측정하는 단계;를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of monitoring a laser crystallization apparatus, comprising: disposing an auxiliary layer on one of a first surface and a second surface of the stage, Disposing the camera over the auxiliary layer and adjacent the second surface; Emitting a first laser beam onto a first side of the stage; Wherein at least a portion of the first laser beam is reflected by the reflective layer to the reflective mirror; The second laser beam being emitted by the reflective mirror to the first side of the stage; And measuring light intensity of the first laser beam and the second laser beam through the camera.

보조층은 약 3% 내지 60%의 반사율을 갖는다.The auxiliary layer has a reflectance of about 3% to 60%.

보조층은 스테이지와 카메라 사이에 배치된다.The auxiliary layer is disposed between the stage and the camera.

보조층은 스테이지를 사이에 두고 카메라와 이격되어 배치된다.The auxiliary layer is disposed apart from the camera with the stage therebetween.

제1 레이저 빔과 스테이지의 제1 면에 수직한 법선이 이루는 각은 약 5도 내지 약 60도이다.The angle between the first laser beam and the normal normal to the first surface of the stage is about 5 degrees to about 60 degrees.

본 발명에 따른 레이저 결정화 장치의 모니터링 시스템 및 모니터링 방법은 스테이지 상에 배치된 보조층을 포함하여, 반사 미러를 포함하는 레이저 결정화 장치로부터 출사된 레이저 빔의 광도를 정밀하게 측정할 수 있다.The monitoring system and the monitoring method of the laser crystallization apparatus according to the present invention can precisely measure the luminous intensity of the laser beam emitted from the laser crystallization apparatus including the reflection mirror including the auxiliary layer disposed on the stage.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 결정화 장치의 개념도이다.
도 2는 비정질 실리콘 박막의 레이저 결정화를 나타낸 모식도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 결정화 장치의 모니터링 시스템을 나타낸 단면도이다.
도 4는 종래의 레이저 결정화 장치의 모니터링 시스템을 나타낸 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 레이저 결정화 장치의 모니터링 시스템을 나타낸 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 레이저 결정화 장치의 모니터링 시스템을 나타낸 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 레이저 결정화 장치의 모니터링 시스템을 나타낸 단면도이다.
도 8은 도 7의 보조층을 나타낸 평면도이다.1 is a conceptual diagram of a laser crystallization apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic diagram showing laser crystallization of an amorphous silicon thin film.
3 is a cross-sectional view illustrating a monitoring system of a laser crystallization apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view showing a monitoring system of a conventional laser crystallization apparatus.
5 is a cross-sectional view illustrating a monitoring system of a laser crystallization apparatus according to another embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view illustrating a monitoring system of a laser crystallization apparatus according to another embodiment of the present invention.
7 is a cross-sectional view illustrating a monitoring system of a laser crystallization apparatus according to another embodiment of the present invention.
8 is a plan view of the auxiliary layer of FIG.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 따라서, 몇몇 실시예에서, 잘 알려진 공정 단계들, 잘 알려진 소자 구조 및 잘 알려진 기술들은 본 발명이 모호하게 해석되는 것을 피하기 위하여 구체적으로 설명되지 않는다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention, and the manner of achieving them, will be apparent from and elucidated with reference to the embodiments described hereinafter in conjunction with the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims. Thus, in some embodiments, well known process steps, well known device structures, and well-known techniques are not specifically described to avoid an undesirable interpretation of the present invention. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "아래에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 아래에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In the drawings, the thickness is enlarged to clearly represent the layers and regions. Like parts are designated with like reference numerals throughout the specification. It will be understood that when an element such as a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "on" another portion, it includes not only the element directly over another element, Conversely, when a part is "directly over" another part, it means that there is no other part in the middle. Also, when a portion of a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "below " another portion, it includes not only a case where it is" directly underneath "another portion but also another portion in between. Conversely, when a part is "directly underneath" another part, it means that there is no other part in the middle.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.The terms spatially relative, "below", "beneath", "lower", "above", "upper" May be used to readily describe a device or a relationship of components to other devices or components. Spatially relative terms should be understood to include, in addition to the orientation shown in the drawings, terms that include different orientations of the device during use or operation. For example, when inverting an element shown in the figures, an element described as "below" or "beneath" of another element may be placed "above" another element. Thus, the exemplary term "below" can include both downward and upward directions. The elements can also be oriented in different directions, so that spatially relative terms can be interpreted according to orientation.

본 명세서에서 제1, 제2, 제3 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 이러한 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되는 것은 아니다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소들로부터 구별하는 목적으로 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 벗어나지 않고, 제1 구성 요소가 제2 또는 제3 구성 요소 등으로 명명될 수 있으며, 유사하게 제2 또는 제3 구성 요소도 교호적으로 명명될 수 있다.The terms first, second, third, etc. in this specification may be used to describe various components, but such components are not limited by these terms. The terms are used for the purpose of distinguishing one element from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second or third component, and similarly, the second or third component may be alternately named.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms (including technical and scientific terms) used herein may be used in a sense commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Also, commonly used predefined terms are not ideally or excessively interpreted unless explicitly defined otherwise.

이하, 도 1 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 일 실시예를 설명한다.Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described with reference to Figs.

도 1은 레이저 결정화 장치의 개념도이고, 도 2는 비정질 실리콘 박막의 레이저 결정화를 나타낸 모식도이다.Fig. 1 is a conceptual diagram of a laser crystallization apparatus, and Fig. 2 is a schematic diagram showing laser crystallization of an amorphous silicon thin film.

도 1 및 도 2를 참조하면, 레이저 결정화 장치(10)는, 레이저 빔(L)을 발생시키는 광원(110), 레이저 빔(L)을 광변환하여 제1 레이저 빔(L1)을 출력하는 광학계(120), 및 변환된 제1 레이저 빔(L1)이 조사되는 챔버(150)를 포함한다. 챔버(150) 내에는 변환된 제1 레이저 빔(L1)이 조사되어 레이저 결정화되는 비정질 실리콘 박막(221)이 형성된 기판(220) 및 기판(220)이 탑재되는 기판 스테이지(210)가 위치한다.1 and 2, the laser crystallization apparatus 10 includes a light source 110 for generating a laser beam L, an optical system 110 for converting the laser beam L to output a first laser beam L1, A first laser beam L1, and a second laser beam L2. The substrate 220 on which the amorphous silicon thin film 221 is formed and the substrate stage 210 on which the substrate 220 is mounted are positioned in the chamber 150.

광원(110)에서 발생되는 레이저 빔(L)은 P편광 및 S편광을 포함할 수 있으며, 비정질 실리콘 박막(221)의 상 변이를 유도하는 엑시머 레이저 빔일 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 광원(110)은 엑시머 레이저일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 광원(110)은 YAG(Yttrium Aluminum Garnet) 레이저, 유리 레이저, YVO4(Yttrium Orthovanadate) 레이저, Ar 레이저일 수도 있다. 레이저 빔(L)은 광학계(120)에서 광변환되고, 광변환된 제1 레이저 빔(L1)은 기판(220) 상에 형성된 비정질 실리콘 박막(221)을 결정화시킨다. 레이저 빔(L) 및 제1 레이저 빔(L1)은 병렬로 배열된 형태로 나란히 진행되는 복수의 라인 빔 형태일 수 있다.The laser beam L generated from the light source 110 may include P polarized light and S polarized light and may be an excimer laser beam that induces a phase shift of the amorphous silicon thin film 221. That is, the light source 110 according to an embodiment of the present invention may be an excimer laser. However, the present invention is not limited thereto, and the light source 110 may be a YAG (Yttrium Aluminum Garnet) laser, a glass laser, a Yttrium Orthovanadate (YVO4) laser, or an Ar laser. The laser beam L is photo-converted by the optical system 120 and the photo-converted first laser beam L 1 crystallizes the amorphous silicon thin film 221 formed on the substrate 220. The laser beam L and the first laser beam L1 may be in the form of a plurality of line beams which are run side-by-side in parallel arrangement.

비정질 실리콘 박막(221)은 기판(220) 상에 저압화학 증착법, 상압화학 증착법, PECVD법(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), 스퍼터링법, 진공 증착법(vacuum evaporation) 등의 방법에 의해 25nm 내지 80nm의 두께로 형성될 수 있다. 또한 비정질 실리콘 박막(221)은 실리콘 또는 실리콘 기반 물질(예를 들어, SixGe1-x)을 사용하여 형성될 수 있다.The amorphous silicon thin film 221 is formed on the substrate 220 by a method such as a low pressure chemical vapor deposition method, an atmospheric pressure chemical vapor deposition method, a PECVD method (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), a sputtering method, a vacuum evaporation method, As shown in FIG. The amorphous silicon thin film 221 may also be formed using a silicon or silicon based material (e.g., SixGe1-x).

광학계(120)는 레이저 빔(L)의 경로를 변화시키는 복수 개의 렌즈(미도시) 및 미러(130)를 포함하고, 레이저 빔(L)을 광변환하여 제1 레이저 빔(L1)을 출사한다. 또한, 도시되지 않았으나, 광학계(120)는 광원(110)으로부터 입사된 레이저 빔(L)의 편광축 방향을 변환시키는 적어도 하나의 반파장판(Half Wave Plate; HWP)을 포함할 수 있으며, 레이저 빔(L)의 일부는 반사시키고 일부는 투과시키는 적어도 하나의 편광빔 스플리터(Polarization Beam Splitter; PBS)를 더 포함할 수도 있다.The optical system 120 includes a plurality of lenses (not shown) and a mirror 130 that change the path of the laser beam L and optically converts the laser beam L to emit the first laser beam L1 . Although not shown, the optical system 120 may include at least one half wave plate (HWP) for changing the polarization axis direction of the laser beam L incident from the light source 110, and a laser beam L may be further comprised of at least one Polarization Beam Splitter (PBS) that reflects and partially transmits.

본 발명의 일 실시예에 따른 광학계(120)는 제1 레이저 빔(L1)의 적어도 일부를 입사 받아 제2 레이저 빔(L2)을 출사하는 반사 미러(140)를 더 포함한다. 즉, 기판(220) 상의 비정질 실리콘 박막(221)의 표면에서 제1 레이저 빔(L1)의 일부가 반사되어 반사 미러(140)로 입사되고, 반사 미러(140)는 이를 재반사하여 기판(220) 상의 비정질 실리콘 박막(221)으로 제2 레이저 빔(L2)을 출사한다.The optical system 120 according to an embodiment of the present invention further includes a reflection mirror 140 that receives at least a portion of the first laser beam L1 and emits the second laser beam L2. That is, a part of the first laser beam L1 is reflected from the surface of the amorphous silicon thin film 221 on the substrate 220 and is incident on the reflection mirror 140. The reflection mirror 140 reflects the reflected light to the substrate 220 And the second laser beam L2 is emitted to the amorphous silicon thin film 221 on the first amorphous silicon thin film 221. [

이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 반사 미러(140)를 포함하는 레이저 결정화 장치(10)는, 반사 미러(140)를 포함하지 않는 레이저 결정화 장치가 기판(220) 상의 비정질 실리콘 박막(221)으로 제1 레이저 빔(L1)만 출사하는 것과 달리, 제1 레이저 빔(L1)과 함께 제2 레이저 빔(L2)을 출사한다. 즉, 비정질 실리콘 박막(221)의 표면에서 반사된 레이저 빔이 비정질 실리콘 박막(221)에 재입사됨으로써, 비정질 실리콘 박막(221)의 결정화도 및 결정화 에너지의 효율이 향상될 수 있다.The laser crystallization apparatus 10 including the reflection mirror 140 according to an embodiment of the present invention can be realized by a laser crystallization apparatus that does not include the reflection mirror 140 and the amorphous silicon thin film 221 The second laser beam L2 is emitted together with the first laser beam L1, unlike the case where only the first laser beam L1 is emitted by the first laser beam L1. That is, since the laser beam reflected from the surface of the amorphous silicon thin film 221 is re-incident on the amorphous silicon thin film 221, the crystallization degree and the efficiency of the crystallization energy of the amorphous silicon thin film 221 can be improved.

챔버(150)는 공정의 특성, 사용자의 용도 등에 따라, 질소(N2), 공기(air), 또는 혼합 가스 등을 포함할 수 있으며, 감압 또는 가압을 하거나 진공 상태일 수 있다. 챔버(150)는 개방형(open type)일 수 있고, 또는 외부 공기와 격리된 밀폐형(closed type)일 수도 있다.The chamber 150 may include nitrogen (N2), air, a mixed gas, or the like depending on the characteristics of the process, the user's use, etc., and may be decompressed or pressurized or in a vacuum state. The chamber 150 may be open type or may be closed type isolated from outside air.

챔버(150) 내에는 제1 레이저 빔(L1) 및 제2 레이저 빔(L2)이 조사되어 결정화되는 비정질 실리콘 박막(221)이 형성된 기판(220) 및 기판(220)이 탑재되는 기판 스테이지(210)가 배치된다. 기판 스테이지(210)는 수평 방향으로 이동하면서, 제1 레이저 빔(L1) 및 제2 레이저 빔(L2)이 기판(220)의 전체 영역에 조사될 수 있도록 한다.A substrate 220 on which an amorphous silicon thin film 221 is formed by irradiating the first laser beam L1 and a second laser beam L2 and a substrate stage 210 on which the substrate 220 is mounted, . The substrate stage 210 moves in the horizontal direction so that the first laser beam L1 and the second laser beam L2 can be irradiated to the entire area of the substrate 220. [

구체적으로, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 및 제2 레이저 빔(L1, L2)이 조사되는 동안 기판 스테이지(210)는 기판(220)을 화살표 방향으로 일정하게 이동하여 기판(220) 상의 비정질 실리콘 박막(221)에 제1 및 제2 레이저 빔(L1, L2)이 고르게 조사되도록 한다. 제1 및 제2 레이저 빔(L1, L2)이 조사된 비정질 실리콘 박막(221)은 다결정 실리콘 박막(222)으로 결정화된다. 비정질 실리콘 박막(221)의 결정화는 제1 및 제2 레이저 빔(L1, L2)이 수 나노초(nano second)동안 조사되어 비정질 실리콘의 온도를 급상승 시킨 후 냉각하는 것을 통해 비정질 실리콘을 용융 및 재결정시키는 원리이다.2, while the first and second laser beams L1 and L2 are irradiated, the substrate stage 210 moves the substrate 220 constantly in the direction of the arrow, So that the first and second laser beams L1 and L2 are uniformly irradiated to the amorphous silicon thin film 221. [ The amorphous silicon thin film 221 irradiated with the first and second laser beams L1 and L2 is crystallized into the polycrystalline silicon thin film 222. [ The amorphous silicon thin film 221 is crystallized by irradiating the first and second laser beams L1 and L2 for a few nanoseconds to melt and recrystallize the amorphous silicon by rapidly cooling the amorphous silicon and cooling the amorphous silicon thin film 221 It is a principle.

다결정 실리콘은 폴리 실리콘(Po-Si)이라고도 하며, 전계 효과 이동도가 비정질 실리콘에 비해 수백 배 높고, 고주파에서 신호처리 능력도 우수하여 유기발광 표시 장치와 같은 표시 장치에 사용될 수 있다.Polycrystalline silicon is also referred to as polysilicon (Po-Si), which has a field effect mobility several hundred times higher than that of amorphous silicon and has excellent signal processing capability at high frequencies, and thus can be used in display devices such as organic light emitting display devices.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 결정화 장치의 모니터링 시스템을 나타낸 단면도이고, 도 4는 종래의 레이저 결정화 장치의 모니터링 시스템을 나타낸 단면도이다.FIG. 3 is a sectional view showing a monitoring system of a laser crystallization apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a sectional view showing a monitoring system of a conventional laser crystallization apparatus.

도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 결정화 장치(10)의 모니터링 시스템은 레이저 결정화 장치(10), 레이저 결정화 장치(10)로부터 출사된 제1 및 제2 레이저 빔(L1, L2)이 조사되는 스테이지(310), 스테이지(310)의 하부에 배치된 보조층(330) 및 보조층(330)의 하부에 배치된 카메라(320)를 포함한다. 이때, 스테이지(310)의 상부면을 제1 면(S1), 스테이지(310)의 하부면을 제2 면(S2)이라고 정의한다.3, the monitoring system of the laser crystallization apparatus 10 according to an embodiment of the present invention includes a laser crystallization apparatus 10, first and second laser beams L1 and L2 emitted from the laser crystallization apparatus 10, A stage 310 on which a laser beam L2 is irradiated, an auxiliary layer 330 disposed on the lower side of the stage 310 and a camera 320 disposed on the lower side of the auxiliary layer 330. [ At this time, the upper surface of the stage 310 is defined as a first surface S1, and the lower surface of the stage 310 is defined as a second surface S2.

레이저 결정화 장치(10)는, 상기한 바와 같이, 반사 미러(140)를 포함하고, 스테이지(310)의 제1 면(S1)으로 제1 및 제2 레이저 빔(L1, L2)을 출사한다.The laser crystallization apparatus 10 includes the reflection mirror 140 and emits the first and second laser beams L1 and L2 to the first surface S1 of the stage 310 as described above.

스테이지(310)는 레이저 결정화 장치(10)와 소정 거리만큼 이격되어 배치되며, 레이저 결정화 장치(10)로부터 제1 및 제2 레이저 빔(L1, L2)을 입사 받는다. 스테이지(310)는 레이저 결정화 장치(10)의 모니터링을 위한 것으로, 도 1 및 도 2에 도시된 기판 스테이지(210)와는 달리, 스테이지(310) 상에 비정질 실리콘 박막(221)이 형성된 기판(220)이 배치되지 않는다.The stage 310 is spaced apart from the laser crystallization apparatus 10 by a predetermined distance and receives the first and second laser beams L1 and L2 from the laser crystallization apparatus 10. [ Unlike the substrate stage 210 shown in FIGS. 1 and 2, the stage 310 is provided for monitoring the laser crystallization apparatus 10 and includes a substrate 220 on which an amorphous silicon thin film 221 is formed on a stage 310 Is not disposed.

스테이지(310)의 제2 면(S2)에 보조층(330)이 배치된다. 이때, 보조층(330)은 비정질 실리콘 박막(221)과 유사한 반사율을 갖는다. 예를 들어, 보조층(330)은 비정질 실리콘 박막(221)과 실질적으로 동일한 반사율을 가질 수 있다. 보조층(330)은 약 3% 내지 약 60%의 반사율을 가질 수 있다. 예를 들어, 비정질 실리콘 박막(221)이 60%의 반사율을 갖는 경우, 보조층(330) 또한 60%의 반사율을 가질 수 있다.An auxiliary layer 330 is disposed on the second surface S2 of the stage 310. [ At this time, the auxiliary layer 330 has a reflectance similar to that of the amorphous silicon thin film 221. For example, the auxiliary layer 330 may have substantially the same reflectance as the amorphous silicon thin film 221. [ The auxiliary layer 330 may have a reflectance of about 3% to about 60%. For example, when the amorphous silicon thin film 221 has a reflectance of 60%, the auxiliary layer 330 may also have a reflectance of 60%.

카메라(320)는 스테이지(310)의 제2 면(S2)과 인접하여 배치되며, 레이저 결정화 장치(10)로부터 출사된 제1 및 제2 레이저 빔(L1, L2)의 광도를 측정한다. 이때, 카메라(320)는 레이저 결정화 장치(10)와의 간격을 조절하기 위하여 상하로 이동할 수 있다. 즉, 제1 및 제2 레이저 빔(L1, L2)의 광도 측정 시 초점을 맞추기 위하여, 카메라(320)와 레이저 결정화 장치(10) 사이의 간격이 조절될 수 있다.The camera 320 is disposed adjacent to the second surface S2 of the stage 310 and measures the luminous intensity of the first and second laser beams L1 and L2 emitted from the laser crystallization apparatus 10. [ At this time, the camera 320 can move up and down to adjust the distance from the laser crystallization apparatus 10. That is, the distance between the camera 320 and the laser crystallization apparatus 10 can be adjusted in order to focus the light intensity of the first and second laser beams L1 and L2.

카메라(320)로부터 측정된 광도를 통해, 사용자는 레이저 결정화 장치(10)의 구성 요소들을 정밀하게 정렬(align)하여 레이저 결정화 장치(10)에 따른 비정질 실리콘 박막(221)의 결정화도 및 결정화 에너지의 효율을 향상시킬 수 있다.Through the light intensity measured from the camera 320, the user precisely aligns the components of the laser crystallization apparatus 10 to determine the degree of crystallization and crystallization energy of the amorphous silicon thin film 221 according to the laser crystallization apparatus 10. [ The efficiency can be improved.

도 4에 도시된 바와 같이, 모니터링을 위한 스테이지(310) 상에 보조층(330)을 형성하지 않는 경우, 스테이지(310)로 입사된 제1 레이저 빔(L1)은 대부분 반사되지 않고 스테이지(310)를 통과한다. 즉, 모니터링을 위한 스테이지(310) 상에는 비정질 실리콘 박막(221)이 형성된 기판(220)이 배치되지 않으므로, 제1 레이저 빔(L1)의 반사가 거의 일어나지 않는다. 따라서, 실제 비정질 실리콘 박막(221)을 결정화하는 공정에서와 같이, 반사 미러(140)로 제1 레이저 빔(L1)의 일부가 입사되지 않고, 제2 레이저 빔(L2)이 출사되지도 않는다.4, when the auxiliary layer 330 is not formed on the stage 310 for monitoring, the first laser beam L1 incident on the stage 310 is largely not reflected and is reflected on the stage 310 ). That is, since the substrate 220 on which the amorphous silicon thin film 221 is formed is not disposed on the stage 310 for monitoring, the reflection of the first laser beam L1 hardly occurs. Therefore, as in the process of crystallizing the amorphous silicon thin film 221, part of the first laser beam L1 is not incident on the reflecting mirror 140, and the second laser beam L2 is not emitted.

다시 말하면, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 비정질 실리콘 박막(221)을 결정화하는 공정 중에 제1 및 제2 레이저 빔(L1, L2)이 모두 기판 스테이지(210)로 출사되는 것과 달리, 레이저 결정화 장치(10)의 모니터링 중에는 제1 레이저 빔(L1)만이 스테이지(310)로 출사된다. 따라서, 실제 비정질 실리콘 박막(221)을 결정화하는 공정 중에 레이저 결정화 장치(10)로부터 출사되는 제2 레이저 빔(L2)의 광도는 측정할 수 없으며, 이에 따라 반사 미러(140)를 포함하는 레이저 결정화 장치(10)의 정밀한 모니터링에 어려움이 있다.In other words, as shown in FIGS. 1 and 2, during the process of crystallizing the amorphous silicon thin film 221, the first and second laser beams L1 and L2 are all emitted to the substrate stage 210, During the monitoring of the laser crystallization apparatus 10, only the first laser beam L1 is emitted to the stage 310. Therefore, the light intensity of the second laser beam L2 emitted from the laser crystallization apparatus 10 during the process of crystallizing the actual amorphous silicon thin film 221 can not be measured, and thus the laser crystallization including the reflection mirror 140 There is a difficulty in precise monitoring of the apparatus 10. [

본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 결정화 장치(10)의 모니터링 시스템은 스테이지(310)의 제2 면(S2)에 비정질 실리콘 박막(221)과 유사한 반사율을 갖는 보조층(330)을 배치함으로써, 제1 레이저 빔(L1)뿐만 아니라 제2 레이저 빔(L2)의 광도를 측정할 수 있다. 따라서, 반사 미러(140)를 포함하는 레이저 결정화 장치(10)의 모니터링이 용이하며, 이를 통해, 사용자는 레이저 결정화 장치(10)의 구성 요소들을 정밀하게 정렬(align)하여 레이저 결정화 장치(10)에 따른 비정질 실리콘 박막(221)의 결정화도 및 결정화 에너지의 효율을 향상시킬 수 있다.The monitoring system of the laser crystallization apparatus 10 according to an embodiment of the present invention can be realized by arranging the auxiliary layer 330 having a reflectance similar to the amorphous silicon thin film 221 on the second surface S2 of the stage 310, The light intensity of the second laser beam L2 as well as the first laser beam L1 can be measured. Therefore, the monitoring of the laser crystallization apparatus 10 including the reflection mirror 140 is facilitated so that the user can precisely align the components of the laser crystallization apparatus 10, The crystallinity of the amorphous silicon thin film 221 and the efficiency of crystallization energy can be improved.

본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 결정화 장치(10)의 모니터링 방법을 순차적으로 설명하면 다음과 같다.The monitoring method of the laser crystallization apparatus 10 according to an embodiment of the present invention will be described below in order.

먼저, 스테이지(310)의 제2 면(S2)에 보조층(330)을 배치한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 보조층(330)은 스테이지(310)의 일부에만 중첩하여 배치되는 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 보조층(330)은 스테이지(310)의 제2 면(S2)의 전면에 배치될 수도 있다.First, the auxiliary layer 330 is disposed on the second surface S2 of the stage 310. [ The auxiliary layer 330 may be disposed on the second side of the stage 310 while the auxiliary layer 330 is disposed on the second side of the stage 310. In this case, (S2).

이어서, 보조층(330)과 중첩하도록 카메라(320)를 배치한다. 이때, 카메라(320)는 스테이지(310)를 사이에 두고 레이저 결정화 장치(10)와 이격되어 배치된다.Then, the camera 320 is placed so as to overlap with the auxiliary layer 330. At this time, the camera 320 is disposed apart from the laser crystallization apparatus 10 with the stage 310 interposed therebetween.

이어서, 스테이지(310)의 제1 면(S1)과 인접하여 배치된 레이저 결정화 장치(10)가 스테이지(310)의 제1 면(S1)으로 제1 레이저 빔(L1)을 출사한다. 스테이지(310)의 제1 면(S1)으로 입사된 제1 레이저 빔(L1)의 일부가 보조층(330)에 의해 반사되어, 레이저 결정화 장치(10)의 반사 미러(140)로 입사된다. 이때, 보조층(330)에 의해 반사된 제1 레이저 빔(L1)의 일부가 반사 미러(140)로 입사되기 위하여, 제1 레이저 빔(L1)은 소정의 각도를 가지고 스테이지(310)로 입사된다. 예를 들어, 제1 레이저 빔(L1)이 스테이지(310)의 제1 면(S1)에 수직한 법선(VL)과 이루는 각(α)은 약 5도 내지 약 60도일 수 있다. 이에 따라, 반사된 제1 레이저 빔(L1)의 일부가 반사 미러(140)로 입사될 수 있다.The laser crystallization apparatus 10 disposed adjacent to the first surface S1 of the stage 310 emits the first laser beam L1 onto the first surface S1 of the stage 310. Then, A part of the first laser beam L1 incident on the first surface S1 of the stage 310 is reflected by the auxiliary layer 330 and is incident on the reflection mirror 140 of the laser crystallization apparatus 10. [ The first laser beam L1 is incident on the stage 310 at a predetermined angle so that a part of the first laser beam L1 reflected by the auxiliary layer 330 is incident on the reflection mirror 140. At this time, do. For example, the angle? Formed by the first laser beam L1 with the normal VL perpendicular to the first surface S1 of the stage 310 may be about 5 degrees to about 60 degrees. Accordingly, a part of the reflected first laser beam L1 may be incident on the reflection mirror 140. [

이어서, 반사 미러(140)는 제1 레이저 빔(L1)의 일부를 입사 받아, 스테이지(310)의 제1 면(S1)으로 제2 레이저 빔(L2)을 출사한다. 즉, 반사 미러(140)를 포함하는 레이저 결정화 장치(10)는 제1 레이저 빔(L1)뿐만 아니라 제2 레이저 빔(L2)을 스테이지(310)로 출사한다.The reflective mirror 140 receives a portion of the first laser beam L1 and emits the second laser beam L2 onto the first surface S1 of the stage 310. [ That is, the laser crystallization apparatus 10 including the reflection mirror 140 outputs the second laser beam L2 as well as the first laser beam L1 to the stage 310. [

이어서, 스테이지(310)에 입사되는 제1 및 제2 레이저 빔(L1, L2)의 광도를 카메라(320)를 통해 측정한다. 카메라(320)로부터 측정된 광도를 통해, 사용자는 레이저 결정화 장치(10)의 구성 요소들을 정밀하게 정렬(align)하여 레이저 결정화 장치(10)에 따른 비정질 실리콘 박막(221)의 결정화도 및 결정화 에너지의 효율을 향상시킬 수 있다.Then, the luminances of the first and second laser beams L1 and L2 incident on the stage 310 are measured through the camera 320. Then, Through the light intensity measured from the camera 320, the user precisely aligns the components of the laser crystallization apparatus 10 to determine the degree of crystallization and crystallization energy of the amorphous silicon thin film 221 according to the laser crystallization apparatus 10. [ The efficiency can be improved.

이하, 도 5를 참조하여, 본 발명의 다른 일 실시예를 설명한다. 본 발명의 일 실시예와 동일한 구성에 대한 설명은 설명의 편의를 위해 생략한다.Hereinafter, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The description of the same configuration as that of the embodiment of the present invention will be omitted for the convenience of explanation.

도 5는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 레이저 결정화 장치의 모니터링 시스템을 나타낸 단면도이다.5 is a cross-sectional view illustrating a monitoring system of a laser crystallization apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 레이저 결정화 장치(10)의 모니터링 시스템은 스테이지(310)의 상부면, 즉 제1 면(S1)에 배치된 보조층(331)을 포함한다.5, the monitoring system of the laser crystallization apparatus 10 according to another embodiment of the present invention includes an upper surface of the stage 310, that is, an auxiliary layer 331 disposed on the first surface S1 do.

보조층(331)은 비정질 실리콘 박막(221)과 유사한 반사율을 갖는다. 예를 들어, 보조층(331)은 비정질 실리콘 박막(221)과 실질적으로 동일한 반사율을 가질 수 있다. 보조층(331)은 약 3% 내지 약 60%의 반사율을 가질 수 있다. 예를 들어, 비정질 실리콘 박막(221)이 60%의 반사율을 갖는 경우, 보조층(331) 또한 60%의 반사율을 가질 수 있다.The auxiliary layer 331 has a reflectance similar to that of the amorphous silicon thin film 221. [ For example, the auxiliary layer 331 may have substantially the same reflectance as the amorphous silicon thin film 221. [ The auxiliary layer 331 may have a reflectance of about 3% to about 60%. For example, when the amorphous silicon thin film 221 has a reflectance of 60%, the auxiliary layer 331 may also have a reflectance of 60%.

또한, 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 보조층(331)은 스테이지(310)의 전면에 배치될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 보조층(331)은 스테이지(310)의 제1 면(S1)의 일부에만 배치될 수도 있다. In addition, the auxiliary layer 331 according to another embodiment of the present invention may be disposed on the front surface of the stage 310. However, the present invention is not limited thereto, and the auxiliary layer 331 may be disposed only on a part of the first surface S1 of the stage 310. [

본 발명의 다른 일 실시예에 따른 레이저 결정화 장치(10)의 모니터링 시스템은 스테이지(310)의 제1 면(S1)에 비정질 실리콘 박막(221)과 유사한 반사율을 갖는 보조층(331)을 배치함으로써, 제1 레이저 빔(L1)뿐만 아니라 제2 레이저 빔(L2)의 광도를 측정할 수 있다. 따라서, 반사 미러(140)를 포함하는 레이저 결정화 장치(10)의 모니터링이 용이하며, 이를 통해, 사용자는 레이저 결정화 장치(10)의 구성 요소들을 정밀하게 정렬(align)하여 레이저 결정화 장치(10)에 따른 비정질 실리콘 박막(221)의 결정화도 및 결정화 에너지의 효율을 향상시킬 수 있다.The monitoring system of the laser crystallization apparatus 10 according to another embodiment of the present invention can be realized by arranging an auxiliary layer 331 having a reflectance similar to that of the amorphous silicon thin film 221 on the first surface S1 of the stage 310 , It is possible to measure the intensity of the second laser beam L2 as well as the first laser beam L1. Therefore, the monitoring of the laser crystallization apparatus 10 including the reflection mirror 140 is facilitated so that the user can precisely align the components of the laser crystallization apparatus 10, The crystallinity of the amorphous silicon thin film 221 and the efficiency of crystallization energy can be improved.

이하, 도 6을 참조하여, 본 발명의 또 다른 일 실시예를 설명한다. 본 발명의 일 실시예와 동일한 구성에 대한 설명은 설명의 편의를 위해 생략한다.Hereinafter, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The description of the same configuration as that of the embodiment of the present invention will be omitted for the convenience of explanation.

도 6은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 레이저 결정화 장치의 모니터링 시스템을 나타낸 단면도이다.6 is a cross-sectional view illustrating a monitoring system of a laser crystallization apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 레이저 결정화 장치(10)의 모니터링 시스템은 복수의 층(332a, 332b, 332c)으로 이루어진 보조층(332)을 포함한다.Referring to FIG. 6, the monitoring system of the laser crystallization apparatus 10 according to another embodiment of the present invention includes an auxiliary layer 332 composed of a plurality of layers 332a, 332b, and 332c.

복수의 층(332a, 332b, 332c)으로 이루어진 보조층(332)은 비정질 실리콘 박막(221)과 유사한 반사율을 갖는다. 이때, 보조층(332)을 다층 구조로 형성함으로써, 보조층(332)의 반사율 및 투과율을 용이하게 조절할 수 있다. 보조층(332)은 약 3% 내지 약 60%의 반사율을 가질 수 있다. 예를 들어, 비정질 실리콘 박막(221)이 60%의 반사율을 갖는 경우, 복수의 층(332a, 332b, 332c)으로 이루어진 보조층(332) 또한 60%의 반사율을 가질 수 있다. 즉, 서로 다른 복수의 층(332a, 332b, 332c)을 적층하여 보조층(332)이 60%의 반사율을 갖도록 형성할 수 있다.An auxiliary layer 332 composed of a plurality of layers 332a, 332b, and 332c has a reflectance similar to that of the amorphous silicon thin film 221. [ At this time, the reflectance and transmittance of the auxiliary layer 332 can be easily adjusted by forming the auxiliary layer 332 in a multi-layer structure. The auxiliary layer 332 may have a reflectance of about 3% to about 60%. For example, when the amorphous silicon thin film 221 has a reflectance of 60%, the auxiliary layer 332 composed of the plurality of layers 332a, 332b, and 332c may also have a reflectance of 60%. That is, a plurality of different layers 332a, 332b and 332c may be laminated so that the auxiliary layer 332 has a reflectance of 60%.

이하, 도 7 및 도 8을 참조하여, 본 발명의 또 다른 일 실시예를 설명한다. 본 발명의 일 실시예와 동일한 구성에 대한 설명은 설명의 편의를 위해 생략한다.Hereinafter, another embodiment of the present invention will be described with reference to Figs. 7 and 8. Fig. The description of the same configuration as that of the embodiment of the present invention will be omitted for the convenience of explanation.

도 7은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 레이저 결정화 장치의 모니터링 시스템을 나타낸 단면도이고, 도 8은 도 7의 보조층을 나타낸 평면도이다.FIG. 7 is a cross-sectional view showing a monitoring system of a laser crystallization apparatus according to another embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a plan view showing the auxiliary layer of FIG.

도 7 및 도 8을 참조하면, 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 레이저 결정화 장치(10)의 모니터링 시스템은 복수의 슬릿(333a)을 갖는 보조층(333)을 포함한다. 즉, 보조층(333)은 복수의 슬릿(333a) 및 복수의 슬릿(333a)을 정의하는 패턴부(333b)로 이루어질 수 있다.Referring to FIGS. 7 and 8, the monitoring system of the laser crystallization apparatus 10 according to another embodiment of the present invention includes an auxiliary layer 333 having a plurality of slits 333a. That is, the auxiliary layer 333 may include a plurality of slits 333a and a pattern portion 333b defining a plurality of slits 333a.

복수의 슬릿(333a)은 제1 레이저 빔(L1)을 투과시킨다. 즉, 제1 레이저 빔(L1)이 복수의 슬릿(333a) 중 어느 하나에 조사되는 경우, 제1 레이저 빔(L1)은 반사되지 않고 슬릿(333a)을 투과할 수 있다. 반면, 제1 레이저 빔(L1)이 패턴부(333b)로 조사되는 경우, 제1 레이저 빔(L1)의 일부는 패턴부(333b)의 표면에서 반사되고, 다른 일부는 패턴부(333b)를 투과할 수 있다. 마찬가지로, 반사 미러(140)를 통해 입사되는 제2 레이저 빔(L2)이 복수의 슬릿(333a) 중 어느 하나에 조사되는 경우, 제2 레이저 빔(L2)은 반사되지 않고 슬릿(333a)을 투과할 수 있다.The plurality of slits 333a transmit the first laser beam L1. That is, when the first laser beam L1 is irradiated to one of the plurality of slits 333a, the first laser beam L1 can transmit the slit 333a without being reflected. On the other hand, when the first laser beam L1 is irradiated to the pattern portion 333b, a part of the first laser beam L1 is reflected by the surface of the pattern portion 333b, and the other portion is reflected by the pattern portion 333b Can be transmitted. Similarly, when the second laser beam L2 incident through the reflection mirror 140 is irradiated to one of the plurality of slits 333a, the second laser beam L2 is not reflected but transmitted through the slit 333a can do.

본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 레이저 결정화 장치(10)의 모니터링 시스템은 복수의 슬릿(333a)을 갖는 보조층(333)을 포함함으로써, 스테이지(310)의 위치에 따른 제1 및 제2 레이저 빔(L1, L2)의 광도를 정밀하게 측정할 수 있다.The monitoring system of the laser crystallization apparatus 10 according to another embodiment of the present invention includes the auxiliary layer 333 having a plurality of slits 333a so that the first and second The luminous intensity of the laser beams L1 and L2 can be precisely measured.

이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 일 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, You can understand that you can. It is therefore to be understood that the embodiments described above are illustrative in all aspects and not restrictive.

L1: 제1 레이저 빔 L2: 제2 레이저 빔
10: 레이저 결정화 장치 110: 광원
120: 광학계 130: 미러
140: 반사 미러 150: 챔버
210: 기판 스테이지 220: 기판
221: 비정질 실리콘 박막 222: 다결정 실리콘 박막
310: 스테이지 320: 카메라
330, 331, 332, 333: 보조층L1: first laser beam L2: second laser beam
10: laser crystallization apparatus 110: light source
120: optical system 130: mirror
140: reflection mirror 150: chamber
210: substrate stage 220: substrate
221: amorphous silicon thin film 222: polycrystalline silicon thin film
310: Stage 320: Camera
330, 331, 332, 333: auxiliary layer

Claims (13)

제1 레이저 빔을 출사하는 광원, 및 상기 제1 레이저 빔의 적어도 일부를 입사 받아 제2 레이저 빔을 출사하는 반사 미러를 포함하는 레이저 결정화 장치;
서로 대향하는 제1 면 및 제2 면을 갖고, 상기 제1 면으로 상기 제1 레이저빔 및 상기 제2 레이저 빔이 조사되는 스테이지;
상기 스테이지의 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 어느 한 면에 배치되고, 상기 제1 레이저 빔을 입사 받아 상기 제1 레이저 빔의 적어도 일부를 상기 반사 미러로 반사하는 보조층; 및
상기 보조층과 중첩하며 상기 제2 면에 인접하여 배치되고, 상기 제1 레이저 빔 및 상기 제2 레이저 빔의 광도를 측정하는 카메라;를 포함하는 레이저 결정화 장치의 모니터링 시스템.A laser crystallization apparatus comprising a light source for emitting a first laser beam and a reflection mirror for receiving at least a part of the first laser beam and emitting a second laser beam;
A stage having a first surface and a second surface opposite to each other, the first surface being irradiated with the first laser beam and the second laser beam;
An auxiliary layer disposed on either one of the first surface and the second surface of the stage and adapted to receive the first laser beam and reflect at least a portion of the first laser beam to the reflective mirror; And
And a camera that overlaps the auxiliary layer and is disposed adjacent to the second surface, and measures a luminous intensity of the first laser beam and the second laser beam. 제1 항에 있어서,
상기 보조층은 약 3% 내지 60%의 반사율을 갖는 레이저 결정화 장치의 모니터링 시스템.The method according to claim 1,
Wherein the auxiliary layer has a reflectance of about 3% to 60%. 제1 항에 있어서,
상기 보조층은 상기 스테이지와 상기 카메라 사이에 배치된 레이저 결정화 장치의 모니터링 시스템.The method according to claim 1,
Wherein the auxiliary layer is disposed between the stage and the camera. 제1 항에 있어서,
상기 보조층은 상기 스테이지를 사이에 두고 상기 카메라와 이격되어 배치된 레이저 결정화 장치의 모니터링 시스템.The method according to claim 1,
Wherein the auxiliary layer is disposed apart from the camera with the stage interposed therebetween. 제1 항에 있어서,
상기 보조층은 상기 스테이지의 전면에 배치된 레이저 결정화 장치의 모니터링 시스템.The method according to claim 1,
Wherein the auxiliary layer is disposed on a front surface of the stage. 제1 항에 있어서,
상기 보조층은 복수의 층으로 이루어진 레이저 결정화 장치의 모니터링 시스템.The method according to claim 1,
Wherein the auxiliary layer comprises a plurality of layers. 제1 항에 있어서,
상기 보조층은 상기 제1 레이저 빔을 투과시키는 복수의 슬릿을 갖는 레이저 결정화 장치의 모니터링 시스템.The method according to claim 1,
Wherein the auxiliary layer has a plurality of slits that transmit the first laser beam. 제1 항에 있어서,
상기 스테이지에 조사되는 상기 제1 레이저 빔과 상기 스테이지의 상기 제1 면에 수직한 법선이 이루는 각은 약 5도 내지 약 60도인 레이저 결정화 장치의 모니터링 시스템.The method according to claim 1,
Wherein an angle between the first laser beam irradiated on the stage and a normal normal to the first surface of the stage is about 5 degrees to about 60 degrees. 스테이지의 서로 대향하는 제1 면 및 제2 면 중 어느 한 면에 보조층을 배치하는 단계;
상기 보조층과 중첩하며 상기 제2 면과 인접하게 카메라를 배치하는 단계;
상기 스테이지의 상기 제1 면으로 제1 레이저 빔을 출사하는 단계;
상기 보조층에 의해 상기 제1 레이저 빔의 적어도 일부가 반사 미러로 반사되는 단계;
상기 반사 미러에 의해 제2 레이저 빔이 상기 스테이지의 상기 제1 면으로 출사되는 단계; 및
상기 제1 레이저 빔 및 상기 제2 레이저 빔의 광도를 카메라를 통해 측정하는 단계;를 포함하는 레이저 결정화 장치의 모니터링 방법.Disposing an auxiliary layer on either one of a first surface and a second surface of the stage opposite to each other;
Disposing the camera over the auxiliary layer and adjacent the second surface;
Emitting a first laser beam onto the first surface of the stage;
Wherein at least a portion of the first laser beam is reflected by the reflective layer to the reflective mirror;
The second laser beam being emitted by the reflective mirror to the first side of the stage; And
And measuring the brightness of the first laser beam and the second laser beam through a camera. 제9 항에 있어서,
상기 보조층은 약 3% 내지 60%의 반사율을 갖는 레이저 결정화 장치의 모니터링 방법.10. The method of claim 9,
Wherein the auxiliary layer has a reflectivity of about 3% to 60%. 제9 항에 있어서,
상기 보조층은 상기 스테이지와 상기 카메라 사이에 배치되는 레이저 결정화 장치의 모니터링 방법.10. The method of claim 9,
Wherein the auxiliary layer is disposed between the stage and the camera. 제9 항에 있어서,
상기 보조층은 상기 스테이지를 사이에 두고 상기 카메라와 이격되어 배치되는 레이저 결정화 장치의 모니터링 방법.10. The method of claim 9,
Wherein the auxiliary layer is disposed apart from the camera with the stage interposed therebetween. 제9 항에 있어서,
상기 제1 레이저 빔과 상기 스테이지의 상기 제1 면에 수직한 법선이 이루는 각은 약 5도 내지 약 60도인 레이저 결정화 장치의 모니터링 방법.
10. The method of claim 9,
Wherein an angle between the first laser beam and a normal normal to the first surface of the stage is about 5 degrees to about 60 degrees.
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