KR20190005804A - Novel compound and organic light emitting device comprising the same - Google Patents

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KR20190005804A
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김진주
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주식회사 엘지화학
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Abstract

The present invention relates to a novel compound capable of improving efficiency, and low driving voltage and/or lifespan characteristics in an organic light emitting device, and to an organic light emitting device including the same. The compound is represented by chemical formula 1. In the chemical formula 1, L is a direct bond, a substituted or unsubstituted alkylene group, or a substituted or unsubstituted arylene group, and a to e are each independently an integer of 0 to 3.

Description

신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자{NOVEL COMPOUND AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE COMPRISING THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a novel compound and an organic light emitting device including the compound. [0002]

본 명세서는 2017년 7월 7일에 한국 특허청에 제출된 한국 특허 출원 제 10-2017-0086611호에 기초한 우선권의 이익을 주장하며, 해당 한국 특허 출원의 문헌에 개시된 모든 내용은 본 명세서의 일부로서 포함된다.This specification claims the benefit of priority based on Korean Patent Application No. 10-2017-0086611 filed with the Korean Intellectual Property Office on July 7, 2017, and all contents disclosed in the Korean patent application are incorporated herein by reference .

본 명세서는 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다. TECHNICAL FIELD The present invention relates to a novel compound and an organic light emitting device including the same.

일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어 질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. In general, organic light emission phenomenon refers to a phenomenon in which an organic material is used to convert electric energy into light energy. An organic light emitting device using an organic light emitting phenomenon generally has a structure including an anode, a cathode, and an organic material layer therebetween. Here, in order to increase the efficiency and stability of the organic light emitting device, the organic material layer may have a multi-layer structure composed of different materials and may include a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. When a voltage is applied between the two electrodes in the structure of such an organic light emitting device, holes are injected in the anode, electrons are injected into the organic layer in the cathode, excitons are formed when injected holes and electrons meet, When it falls back to the ground state, the light comes out.

상기와 같은 유기 발광 소자를 위한 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다.Development of new materials for such organic light emitting devices has been continuously required.

본 명세서에는 화학식 1로 표시되는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자가 기재된다. In the present specification, a compound represented by the general formula (1) and an organic light emitting device containing the same are described.

본 명세서의 일 실시상태는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다. An embodiment of the present invention provides a compound represented by the following formula (1).

[화학식 1]  [Chemical Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 화학식 1에 있어서,In Formula 1,

L은 직접결합; 치환 또는 비치환된 알킬렌기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이며,L is a direct bond; A substituted or unsubstituted alkylene group; Or a substituted or unsubstituted arylene group,

R1 내지 R5는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카르복시기; 에테르기; 에스테르기; 이미드기; 아미드기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아릴포스핀기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기; 또는 NRR'이며,R 1 to R 5 are each independently hydrogen; heavy hydrogen; halogen; A nitrile group; A nitro group; A hydroxy group; A carboxy group; Ether group; An ester group; Imide; Amide group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted alkoxy group; A substituted or unsubstituted aryloxy group; A substituted or unsubstituted alkylthio group; A substituted or unsubstituted arylthio group; A substituted or unsubstituted alkylsulfoxy group; A substituted or unsubstituted arylsulfoxy group; A substituted or unsubstituted alkenyl group; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted boron group; A substituted or unsubstituted arylphosphine group; A substituted or unsubstituted phosphine oxide group; A substituted or unsubstituted aryl group; A substituted or unsubstituted heteroaryl group; Or NRR '

R1 내지 R5가 모두 수소인 경우는 제외하고,Except that R1 to R5 are all hydrogen,

R 및 R'은 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카르복시기; 에테르기; 에스테르기; 이미드기; 아미드기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아릴포스핀기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기;R and R 'are each independently selected from the group consisting of hydrogen; heavy hydrogen; halogen; A nitrile group; A nitro group; A hydroxy group; A carboxy group; Ether group; An ester group; Imide; Amide group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted alkoxy group; A substituted or unsubstituted aryloxy group; A substituted or unsubstituted alkylthio group; A substituted or unsubstituted arylthio group; A substituted or unsubstituted alkylsulfoxy group; A substituted or unsubstituted arylsulfoxy group; A substituted or unsubstituted alkenyl group; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted boron group; A substituted or unsubstituted arylphosphine group; A substituted or unsubstituted phosphine oxide group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group;

a 내지 e는 각각 독립적으로, 0 내지 3의 정수이며, a to e each independently represents an integer of 0 to 3,

b 내지 e가 1 이상인 경우, 인접한 R2 및 R3; R3 및 R4; 및 R4 및 R5는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있으며,when b to e are 1 or more, adjacent R2 and R3; R3 and R4; And R4 and R5 may be bonded to each other to form a ring,

b 내지 e가 2 이상인 경우, 각각 독립적으로 R2 내지 R5는 각각 인접한 기가 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.When b to e are 2 or more, each of R2 to R5 independently represents an adjacent group bonded to each other to form a ring.

또한, 본 명세서의 일 실시상태는 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.One embodiment of the present disclosure is an organic light emitting device comprising a first electrode, a second electrode, and at least one organic layer disposed between the first electrode and the second electrode, And a compound represented by the general formula (1).

본 명세서에 기재된 화합물은 유기 발광 소자의 유기물층의 재료로서 사용될 수 있다. 적어도 하나의 실시상태에 따른 화합물은 유기 발광 소자에서 효율의 향상, 낮은 구동전압 및/또는 수명 특성을 향상시킬 수 있다. 특히, 본 명세서에 기재된 화합물은 발광층의 재료로 사용될 수 있다. The compound described in this specification can be used as a material of an organic layer of an organic light emitting device. The compound according to at least one embodiment can improve the efficiency, lower driving voltage and / or lifetime characteristics in the organic light emitting device. In particular, the compounds described herein can be used as materials for the light emitting layer.

보다 구체적으로, 본 발명의 일 실시상태에 따른 화합물은 전자 수용 능력이 높은 구조를 가지고 있으며, 내열성이 우수하여 유기 발광 소자 제작시 적절한 증착 온도를 유지할 수 있다. 또한, 승화 온도가 높아 승화 정제 방법으로 고순도화가 가능하며, 유기 발광 소자 제조시 증착용 성막 장치 또는 유기 발광 소자에 오염을 일으키지 않는다.More specifically, the compound according to one embodiment of the present invention has a structure having a high electron accepting ability and is excellent in heat resistance, so that an appropriate deposition temperature can be maintained in the production of an organic light emitting device. In addition, since the sublimation temperature is high, it is possible to achieve high purity by the sublimation purification method, and does not cause contamination of the vapor deposition film forming apparatus or the organic light emitting device in manufacturing the organic light emitting device.

도 1은 기판(1), 양극(2), 발광층(3) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 2는 기판 (1), 양극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 발광층(3), 전자수송층(7) 및 음극(4)로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
Fig. 1 shows an example of an organic light-emitting device comprising a substrate 1, an anode 2, a light-emitting layer 3 and a cathode 4. Fig.
2 shows an example of an organic light emitting element comprising a substrate 1, an anode 2, a hole injecting layer 5, a hole transporting layer 6, a light emitting layer 3, an electron transporting layer 7 and a cathode 4 It is.

이하 본 명세서에 대하여 더욱 상세히 설명한다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

본 명세서의 일 실시상태는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다. An embodiment of the present invention provides a compound represented by the above formula (1).

상기 치환기들의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다. Illustrative examples of such substituents are set forth below, but are not limited thereto.

본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 포스핀옥사이드기; 알콕시기; 아릴옥시기; 알킬티옥시기; 아릴티옥시기; 알킬술폭시기; 아릴술폭시기; 실릴기; 붕소기; 알킬기; 시클로알킬기; 알케닐기; 아릴기; 아르알킬기; 아르알케닐기; 알킬아릴기; 알킬아민기; 아랄킬아민기; 헤테로아릴아민기; 아릴아민기; 아릴포스핀기; 및 헤테로 고리기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되거나, 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환 또는 비치환된 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 바이페닐기일 수 있다. 즉, 바이페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수 있다.As used herein, the term " substituted or unsubstituted " A halogen group; A nitrile group; A nitro group; A hydroxy group; A carbonyl group; An ester group; Imide; An amino group; Phosphine oxide groups; An alkoxy group; An aryloxy group; An alkyloxy group; Arylthioxy group; An alkylsulfoxy group; Arylsulfoxy group; Silyl group; Boron group; An alkyl group; A cycloalkyl group; An alkenyl group; An aryl group; Aralkyl groups; An aralkenyl group; An alkylaryl group; An alkylamine group; An aralkylamine group; A heteroarylamine group; An arylamine group; Arylphosphine groups; And a heterocyclic group, or a substituted or unsubstituted one in which at least two of the above-exemplified substituents are connected to each other. For example, " a substituent to which at least two substituents are connected " may be a biphenyl group. That is, the biphenyl group may be an aryl group, and may be interpreted as a substituent in which two phenyl groups are connected.

본 명세서에 있어서, "인접한" 기는 해당 치환기가 치환된 원자와 직접 연결된 원자에 치환된 치환기, 해당 치환기와 입체구조적으로 가장 가깝게 위치한 치환기, 또는 해당 치환기가 치환된 원자에 치환된 다른 치환기를 의미할 수 있다. 예컨대, 벤젠고리에서 오쏘(ortho)위치로 치환된 2개의 치환기 및 지방족 고리에서 동일 탄소에 치환된 2개의 치환기는 서로 "인접한"기로 해석될 수 있다. 또는, 카바졸에서 N에 치환된 치환기와 카바졸의 1번 탄소 또는 8번 탄소의 치환기가 "인접한 기"로 해석될 수 있다.In this specification, " adjacent " The group may mean a substituent substituted on an atom directly connected to the substituted atom, a substituent stereostructically closest to the substituent, or another substituent substituted on the substituted atom of the substituent. For example, two substituents substituted at the ortho position in the benzene ring and two substituents substituted at the same carbon in the aliphatic ring may be interpreted as " adjacent " groups to each other. Alternatively, the substituent of the carbazole substituted at N and the carbazole at the 1-carbon or 8-carbon may be interpreted as " adjacent groups ".

본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다.In the present specification, examples of the halogen group include fluorine, chlorine, bromine or iodine.

본 명세서에서 카보닐기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the carbon number of the carbonyl group is not particularly limited, but it is preferably 1 to 40 carbon atoms. Specifically, it may be a compound having the following structure, but is not limited thereto.

Figure pat00002
Figure pat00002

본 명세서에 있어서, 에스테르기는 에스테르기의 산소가 탄소수 1 내지 40의 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄 알킬기 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 치환될 수 있다. 구체적으로, 하기 구조식의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the ester group may be substituted with an ester group oxygen by a straight-chain, branched or cyclic alkyl group having 1 to 40 carbon atoms or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms. Specifically, it may be a compound of the following structural formula, but is not limited thereto.

Figure pat00003
Figure pat00003

본 명세서에 있어서, 이미드기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 25인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the number of carbon atoms of the imide group is not particularly limited, but is preferably 1 to 25 carbon atoms. Specifically, it may be a compound having the following structure, but is not limited thereto.

Figure pat00004
Figure pat00004

본 명세서에 있어서, 실릴기는 -SiRaRbRc의 화학식으로 표시될 수 있고, 상기 Ra, Rb 및 Rc는 각각 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기일 수 있다. 상기 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다. In the present specification, the silyl group may be represented by the formula of -SiR a R b R c , wherein R a , R b and R c are each hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; Or a substituted or unsubstituted aryl group. Specific examples of the silyl group include, but are not limited to, trimethylsilyl, triethylsilyl, t-butyldimethylsilyl, vinyldimethylsilyl, propyldimethylsilyl, triphenylsilyl, diphenylsilyl and phenylsilyl groups. Do not.

본 명세서에 있어서, 붕소기는 -BRaRb의 화학식으로 표시될 수 있고, 상기 Ra 및 Rb는 각각 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기일 수 있다. 상기 붕소기는 구체적으로 디메틸붕소기, 디에틸붕소기, t-부틸디메틸붕소기, 트리페닐붕소기, 페닐붕소기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.In the present specification, the boron group may be represented by the formula of -BR a R b , wherein R a and R b are each hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; Or a substituted or unsubstituted aryl group. The boron group specifically includes, but is not limited to, a dimethyl boron group, a diethyl boron group, a t-butyl dimethyl boron group, a triphenyl boron group, and a phenyl boron group.

본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 6이다. 알킬기의 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 시클로펜틸메틸, 시클로헥실메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸프로필, 1,1-디메틸프로필, 이소헥실, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkyl group may be linear or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 40. According to one embodiment, the alkyl group has 1 to 20 carbon atoms. According to another embodiment, the alkyl group has 1 to 10 carbon atoms. According to another embodiment, the alkyl group has 1 to 6 carbon atoms. Specific examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a n-butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, N-pentyl, n-hexyl, 1-methylpentyl, 2-methylpentyl, 3,3-dimethylbutyl, 2- ethylbutyl, Propylpentyl, n-nonyl, 2,2-dimethylheptyl, 1-ethylpropyl, 1-methylpropyl, 1-methylpropyl, , 1,1-dimethylpropyl, isohexyl, 4-methylhexyl, 5-methylhexyl and the like, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 상기 알콕시기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적으로, 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, i-프로필옥시, n-부톡시, 이소부톡시, tert-부톡시, sec-부톡시, n-펜틸옥시, 네오펜틸옥시, 이소펜틸옥시, n-헥실옥시, 3,3-디메틸부틸옥시, 2-에틸부틸옥시, n-옥틸옥시, n-노닐옥시, n-데실옥시, 벤질옥시, p-메틸벤질옥시 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the alkoxy group may be linear, branched or cyclic. The number of carbon atoms of the alkoxy group is not particularly limited, but is preferably 1 to 40 carbon atoms. Specific examples include methoxy, ethoxy, n-propoxy, i-propyloxy, n-butoxy, isobutoxy, tert- n-hexyloxy, 3,3-dimethylbutyloxy, 2-ethylbutyloxy, n-octyloxy, n-nonyloxy, n-decyloxy, benzyloxy, p-methylbenzyloxy, But is not limited thereto.

본 명세서에 기재된 알킬기, 알콕시기 및 그 외 알킬기 부분을 포함하는 치환체는 직쇄 또는 분쇄 형태를 모두 포함한다.Substituents comprising the alkyl groups, alkoxy groups and other alkyl moieties described herein include both straight chain and branched forms.

본 명세서에 있어서, 상기 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 6이다. 구체적인 예로는 비닐, 1-프로페닐, 이소프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 1-펜테닐, 2-펜테닐, 3-펜테닐, 3-메틸-1-부테닐, 1,3-부타디에닐, 알릴, 1-페닐비닐-1-일, 2-페닐비닐-1-일, 2,2-디페닐비닐-1-일, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkenyl group may be straight-chain or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 2 to 40. According to one embodiment, the alkenyl group has 2 to 20 carbon atoms. According to another embodiment, the alkenyl group has 2 to 10 carbon atoms. According to another embodiment, the alkenyl group has 2 to 6 carbon atoms. Specific examples include vinyl, 1-propenyl, isopropenyl, 1-butenyl, 2-butenyl, 3-butenyl, 1-pentenyl, Butenyl, allyl, 1-phenylvinyl-1-yl, 2-phenylvinyl-1-yl, (Diphenyl-1-yl) vinyl-1-yl, stilbenyl, stilenyl, and the like.

본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 일 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 40이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 6이다. 구체적으로 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 3-메틸시클로펜틸, 2,3-디메틸시클로펜틸, 시클로헥실, 3-메틸시클로헥실, 4-메틸시클로헥실, 2,3-디메틸시클로헥실, 3,4,5-트리메틸시클로헥실, 4-tert-부틸시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. In the present specification, the cycloalkyl group is not particularly limited, but preferably has 3 to 60 carbon atoms. According to one embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 40 carbon atoms. According to another embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 20 carbon atoms. According to another embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 6 carbon atoms. Specific examples include cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, 3-methylcyclopentyl, 2,3-dimethylcyclopentyl, cyclohexyl, 3-methylcyclohexyl, 4-methylcyclohexyl, 2,3-dimethylcyclohexyl, 4,5-trimethylcyclohexyl, 4-tert-butylcyclohexyl, cycloheptyl, cyclooctyl, and the like, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 알킬아민기는 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 내지 40인 것이 바람직하다. 알킬아민기의 구체적인 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 에틸아민기, 디에틸아민기, 페닐아민기, 나프틸아민기, 비페닐아민기, 안트라세닐아민기, 9-메틸-안트라세닐아민기, 디페닐아민기, 페닐나프틸아민기, 디톨릴아민기, 페닐톨릴아민기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the number of carbon atoms of the alkylamine group is not particularly limited, but is preferably 1 to 40. Specific examples of the alkylamine group include a methylamine group, a dimethylamine group, an ethylamine group, a diethylamine group, a phenylamine group, a naphthylamine group, a biphenylamine group, an anthracenylamine group, Group, a diphenylamine group, a phenylnaphthylamine group, a ditolylamine group, a phenyltolylamine group, and the like, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 아릴아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노아릴아민기 또는 치환 또는 비치환된 디아릴아민기가 있다. 상기 아릴아민기 중의 아릴기는 단환식 아릴기일 수 있고, 다환식 아릴기일 수 있다. 상기 2 이상의 아릴기를 포함하는 아릴아민기는 단환식 아릴기, 다환식 아릴기, 또는 단환식아릴기와 다환식 아릴기를 동시에 포함할 수 있다. In the present specification, examples of the arylamine group include a substituted or unsubstituted monoarylamine group or a substituted or unsubstituted diarylamine group. The aryl group in the arylamine group may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. The arylamine group containing two or more aryl groups may contain a monocyclic aryl group, a polycyclic aryl group, or a monocyclic aryl group and a polycyclic aryl group at the same time.

아릴 아민기의 구체적인 예로는 페닐아민기, 나프틸아민기, 바이페닐아민기, 안트라세닐아민기, 3-메틸-페닐아민기, 4-메틸-나프틸아민기, 2-메틸-비페닐아민기, 9-메틸-안트라세닐아민기, 디페닐아민기, 페닐 나프틸아민기, 디톨릴아민기, 페닐 톨릴아민기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Specific examples of the arylamine group include a phenylamine group, a naphthylamine group, a biphenylamine group, an anthracenylamine group, a 3-methylphenylamine group, a 4-methylnaphthylamine group, Group, a 9-methyl-anthracenylamine group, a diphenylamine group, a phenylnaphthylamine group, a ditolylamine group, a phenyltolylamine group, and the like.

본 명세서에 있어서, 헤테로아릴아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노헤테로아릴아민기 또는 치환 또는 비치환된 디헤테로아릴아민기가 있다. 상기 헤테로아릴아민기 중의 헤테로아릴기는 단환식 헤테로 고리기일 수 있고, 다환식 헤테로 고리기일 수 있다. 상기 2 이상의 헤테로 고리기를 포함하는 헤테로아릴아민기는 단환식 헤테로 고리기, 다환식 헤테로 고리기, 또는 단환식 헤테로 고리기와 다환식 헤테로 고리기를 동시에 포함할 수 있다. In the present specification, examples of the heteroarylamine group include a substituted or unsubstituted monoheteroarylamine group or a substituted or unsubstituted diheteroarylamine group. The heteroaryl group in the heteroarylamine group may be a monocyclic heterocyclic group or a polycyclic heterocyclic group. The heteroarylamine group containing at least two heterocyclic groups may contain a monocyclic heterocyclic group, a polycyclic heterocyclic group, or a monocyclic heterocyclic group and a polycyclic heterocyclic group at the same time.

본 명세서에 있어서, 아릴헤테로아릴아민기는 아릴기 및 헤테로 고리기로 치환된 아민기를 의미한다.In the present specification, the arylheteroarylamine group means an aryl group and an amine group substituted with a heterocyclic group.

본 명세서에 있어서, 아릴포스핀기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노아릴포스핀기, 치환 또는 비치환된 디아릴포스핀기, 또는 치환 또는 비치환된 트리아릴포스핀기가 있다. 상기 아릴포스핀기 중의 아릴기는 단환식 아릴기일 수 있고, 다환식 아릴기일 수 있다. 상기 아릴기가 2 이상을 포함하는 아릴포스핀기는 단환식 아릴기, 다환식 아릴기, 또는 단환식 아릴기와 다환식 아릴기를 동시에 포함할 수 있다.In the present specification, examples of the arylphosphine group include a substituted or unsubstituted monoarylphosphine group, a substituted or unsubstituted diarylphosphine group, or a substituted or unsubstituted triarylphosphine group. The aryl group in the arylphosphine group may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. The arylphosphine group having at least two aryl groups may contain a monocyclic aryl group, a polycyclic aryl group, or a monocyclic aryl group and a polycyclic aryl group at the same time.

본 명세서에 있어서, 아릴기는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하며, 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 30이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 20이다. 상기 아릴기가 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the aryl group is not particularly limited, but preferably has 6 to 60 carbon atoms, and may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. According to one embodiment, the aryl group has 6 to 30 carbon atoms. According to one embodiment, the aryl group has 6 to 20 carbon atoms. The aryl group may be a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group or the like as the monocyclic aryl group, but is not limited thereto. Examples of the polycyclic aryl group include, but are not limited to, a naphthyl group, an anthracenyl group, a phenanthryl group, a pyrenyl group, a perylenyl group, a klycenyl group and a fluorenyl group.

본 명세서에 있어서, 플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수 있다.In the present specification, a fluorenyl group may be substituted, and two substituents may be bonded to each other to form a spiro structure.

상기 플루오레닐기가 치환되는 경우,

Figure pat00005
,
Figure pat00006
등의 스피로플루오레닐기,
Figure pat00007
(9,9-디메틸플루오레닐기), 및
Figure pat00008
(9,9-디페닐플루오레닐기) 등의 치환된 플루오레닐기가 될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.When the fluorenyl group is substituted,
Figure pat00005
,
Figure pat00006
, A spirofluorenyl group
Figure pat00007
(9,9-dimethylfluorenyl group), and
Figure pat00008
(9,9-diphenylfluorenyl group), and the like. However, the present invention is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 헤테로 고리기는 이종원자로 N, O, P, S, Si 및 Se 중 1개 이상을 포함하는 헤테로 고리기로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 1 내지 60인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 헤테로 고리기의 탄소수는 1 내지 30이다. 헤테로 고리기의 예로는 예로는 피리딜기, 피롤기, 피리미딜기, 피리다지닐기, 퓨라닐기, 티오페닐기, 이미다졸기, 피라졸기, 옥사졸기, 이소옥사졸기, 티아졸기, 이소티아졸기, 트리아졸기, 옥사디아졸기, 티아디아졸기, 디티아졸기, 테트라졸기, 피라닐기, 티오피라닐기, 피라지닐기, 옥사지닐기, 티아지닐기, 디옥시닐기, 트리아지닐기, 테트라지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴놀릴기, 퀴나졸리닐기, 퀴녹살리닐기, 나프티리디닐기, 아크리딜기, 크산테닐기, 페난트리디닐기, 디아자나프탈레닐기, 트리아자인데닐기, 인돌기, 인돌리닐기, 인돌리지닐기, 프탈라지닐기, 피리도 피리미디닐기, 피리도 피라지닐기, 피라지노 피라지닐기, 벤조티아졸기, 벤즈옥사졸기, 벤즈이미다졸기, 벤조티오펜기, 벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 카바졸기, 벤조카바졸기, 디벤조카바졸기, 인돌로카바졸기, 인데노카바졸기, 페나지닐기, 이미다조피리딘기, 페녹사지닐기, 페난트리딘기, 페난트롤린(phenanthroline)기, 페노티아진(phenothiazine)기, 이미다조피리딘기, 이미다조페난트리딘기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the heterocyclic group is a heterocyclic group and is a heterocyclic group containing at least one of N, O, P, S, Si and Se, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 60 carbon atoms. According to one embodiment, the number of carbon atoms of the heterocyclic group is from 1 to 30. [ Examples of the heterocyclic group include a pyridyl group, a pyrrolyl group, a pyrimidyl group, a pyridazinyl group, a furanyl group, a thiophenyl group, an imidazole group, a pyrazole group, an oxazole group, an isoxazole group, a thiazole group, A thiadiazole group, a thiadiazole group, a tetrazolyl group, a pyranyl group, a thiopyranyl group, a pyrazinyl group, an oxazinyl group, a thiazinyl group, a dioxinyl group, a triazinyl group, a tetrazinyl group, A phenanthridinyl group, a diazanaphthalenyl group, a triazinylidene group, an indole group, a thiazolidinyl group, a thiomorpholinyl group, a thiomorpholinyl group, a thiomorpholinyl group, an isothiazolyl group, , Indolinyl group, indolizinyl group, phthalazinyl group, pyridopyrimidinyl group, pyridopyrazinyl group, pyrazinopyrazinyl group, benzothiazole group, benzoxazole group, benzimidazole group, benzothiophene group , Benzofuranyl group, dibenzothiophenyl group, dibenzofuranyl , A carbazole group, a benzocarbazole group, a dibenzocarbazole group, an indolocarbazole group, an indenocarbazole group, a phenazinyl group, an imidazopyridine group, a phenoxazinyl group, a phenanthroline group, a phenanthroline group, Phenothiazine group, imidazopyridine group, imidazophenanthridine group, and the like, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 헤테로 고리기의 고리를 구성하는 원자수는 3 내지 25이다. 또 하나의 실시상태에 있어서, 헤테로 고리기의 고리를 구성하는 원자수는 5 내지 17이다.In the present specification, the number of atoms constituting the ring of the heterocyclic group is 3 to 25. [ In another embodiment, the number of atoms constituting the ring of the heterocyclic group is from 5 to 17. [

본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 방향족인 것을 제외하고는 전술한 헤테로 고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the description of the aforementioned heterocyclic group can be applied, except that the heteroaryl group is aromatic.

본 명세서에 있어서, 아릴옥시기, 아릴티옥시기, 아릴술폭시기, 아릴포스핀기, 아르알킬기, 아랄킬아민기, 아르알케닐기, 알킬아릴기, 아릴아민기, 아릴헤테로아릴아민기 중의 아릴기는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the aryl group in the aryloxy group, the arylthioxy group, the arylsulfoxy group, the arylphosphine group, the aralkyl group, the aralkylamine group, the aralkenyl group, the alkylaryl group, the arylamine group and the arylheteroarylamine group, The description of one aryl group may be applied.

본 명세서에 있어서, 알킬티옥시기, 알킬술폭시기, 아르알킬기, 아랄킬아민기, 알킬아릴기, 알킬아민기 중 알킬기는 전술한 알킬기에 관한 설명이 적용될 수 있다. In the present specification, the alkyl group in the alkylthio group, the alkylsulfoxy group, the aralkyl group, the aralkylamine group, the alkylaryl group and the alkylamine group can be applied to the alkyl group described above.

본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기, 헤테로아릴아민기, 아릴헤테로아릴아민기 중 헤테로아릴기는 전술한 헤테로 고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다. In the present specification, the heteroaryl group in the heteroaryl group, the heteroarylamine group and the arylheteroarylamine group can be applied to the description of the above-mentioned heterocyclic group.

본 명세서에 있어서, 아르알케닐기 중 알케닐기는 전술한 알케닐기에 관한 설명이 적용될 수 있다. In the present specification, the alkenyl group in the aralkenyl group can be applied to the description of the alkenyl group described above.

본 명세서에 있어서, 아릴렌기는 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다. In the present specification, the description of the aryl group described above can be applied, except that the arylene group is a divalent group.

본 명세서에 있어서, 헤테로아릴렌기는 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로 고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the explanation on the above-mentioned heterocyclic group can be applied except that the heteroarylene group is divalent.

본 명세서에 있어서, 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성한다는 의미는 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 지방족 탄화수소 고리; 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소 고리; 치환 또는 비치환된 지방족 헤테로 고리; 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로 고리; 또는 이들의 축합고리를 형성하는 것을 의미한다.In the present specification, the term " forming a ring by bonding to adjacent groups " means forming a ring by bonding to adjacent groups to form a substituted or unsubstituted aliphatic hydrocarbon ring; A substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring; A substituted or unsubstituted aliphatic heterocycle; A substituted or unsubstituted aromatic heterocycle; Or a condensed ring thereof.

본 명세서에 있어서, 지방족 탄화수소 고리란 방향족이 아닌 고리로서 탄소와 수소 원자로만 이루어진 고리를 의미한다. 구체적으로, 지방족 탄화수소 고리의 예로는 시클로프로판, 시클로부탄, 시클로부텐, 시클로펜탄, 시클로펜텐, 시클로헥산, 시클로헥센, 1,4-시클로헥사디엔, 시클로헵탄, 시클로헵텐, 시클로옥탄, 시클로옥텐 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, an aliphatic hydrocarbon ring means a ring which is a non-aromatic ring and consists only of carbon and hydrogen atoms. Specific examples of the aliphatic hydrocarbon ring include cyclopropane, cyclobutane, cyclobutene, cyclopentane, cyclopentene, cyclohexane, cyclohexene, 1,4-cyclohexadiene, cycloheptane, cycloheptene, cyclooctane, cyclooctene, etc. But are not limited to these.

본 명세서에 있어서, 방향족 탄화수소 고리란 탄소와 수소 원자로만 이루어진 방향족의 고리를 의미한다. 구체적으로, 방향족 탄화수소 고리의 예로는 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 페릴렌, 플루오란텐, 트리페닐렌, 페날렌, 피렌, 테트라센, 크라이센, 펜타센, 플루오렌, 인덴, 아세나프틸렌, 벤조플루오렌, 스피로플루오렌 등이 있으나 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, an aromatic hydrocarbon ring means an aromatic ring composed only of carbon and hydrogen atoms. Specific examples of the aromatic hydrocarbon ring include benzene, naphthalene, anthracene, phenanthrene, perylene, fluoranthene, triphenylene, phenalene, pyrene, tetracene, klysene, pentacene, fluorene, indene, Thienyl, benzofluorene, spirofluorene, etc., but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 지방족 헤테로 고리란 헤테로원자 중 1개 이상을 포함하는 지방족 고리를 의미한다. 구체적으로, 지방족 헤테로 고리의 예로는 옥시레인(oxirane), 테트라하이드로퓨란, 1,4-디옥세인(1,4-dioxane), 피롤리딘, 피페리딘, 모르폴린(morpholine), 옥세판, 아조케인, 티오케인 등이 있으나 이들에만 한정되는 것은 아니다.본 명세서에 있어서, 방향족 헤테로 고리란 헤테로원자 중 1개 이상을 포함하는 방향족 고리를 의미한다. 구체적으로, 방향족 헤테로 고리의 예로는 피리딘, 피롤, 피리미딘, 피리다진, 퓨란, 티오펜, 이미다졸, 피라졸, 옥사졸, 이소옥사졸, 티아졸, 이소티아졸, 트리아졸, 옥사디아졸, 티아디아졸, 디티아졸, 테트라졸, 피란, 티오피란, 디아진, 옥사진, 티아진, 다이옥신, 트리아진, 테트라진, 이소퀴놀린, 퀴놀린, 퀴놀, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 나프티리딘, 아크리딘, 페난트리딘, 디아자나프탈렌, 트리아자인덴, 인돌, 인돌리진, 벤조티아졸, 벤즈옥사졸, 벤즈이미다졸, 벤조티오펜, 벤조퓨란, 디벤조티오펜, 디벤조퓨란, 카바졸, 벤조카바졸, 디벤조카바졸, 페나진, 이미다조피리딘, 페녹사진, 페난트리딘, 인돌로카바졸, 인데노카바졸 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, an aliphatic heterocyclic ring means an aliphatic ring containing at least one hetero atom. Specific examples of the aliphatic heterocycle include oxirane, tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, pyrrolidine, piperidine, morpholine, oxepane, Azocane, thiocaine, and the like, but are not limited thereto. In this specification, aromatic heterocyclic ring means an aromatic ring containing at least one hetero atom. Specifically, examples of the aromatic heterocycle include pyridine, pyrrole, pyrimidine, pyridazine, furan, thiophene, imidazole, pyrazole, oxazole, isoxazole, thiazole, isothiazole, triazole, oxadiazole , Thiadiazole, dithiazole, tetrazole, pyran, thiopyran, diazine, oxazine, thiazine, dioxin, triazine, tetrazine, isoquinoline, quinoline, quinoline, quinazoline, quinoxaline, naphthyridine Examples of the organic peroxide include at least one selected from the group consisting of at least one selected from the group consisting of pyridine, pyridine, pyridine, pyridine, pyridine, pyridine, pyrazine, pyridine, , Benzocarbazole, dibenzocarbazole, phenazine, imidazopyridine, phenoxazine, phenanthridine, indolocarbazole, indenocarbazole, and the like, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 상기 지방족 탄화수소 고리, 방향족 탄화수소 고리, 지방족 헤테로 고리 및 방향족 헤테로 고리는 단환 또는 다환일 수 있다. In the present specification, the aliphatic hydrocarbon ring, the aromatic hydrocarbon ring, the aliphatic heterocyclic ring and the aromatic heterocyclic ring may be monocyclic or polycyclic.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시될 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the compound represented by Formula 1 may be represented by Formula 2 or Formula 3 below.

[화학식 2](2)

Figure pat00009
Figure pat00009

[화학식 3](3)

Figure pat00010
Figure pat00010

상기 화학식 2 및 3에 있어서,In the general formulas (2) and (3)

R1a 및 R1b는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 또는 NRR'이며,R1a and R1b are each independently selected from the group consisting of hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted silyl group; Or NRR '

f는 0 내지 6이며,f is 0 to 6,

g는 0 내지 3이고,g is 0 to 3,

R2 내지 R5 및 b 내지 e는 화학식 1에서 정의된 것과 같다.R2 to R5 and b to e are as defined in formula (1).

본 발명의 일 실시상태에 있어서, L은 직접결합; 탄소수 1 내지 60의 알킬렌기; 또는 탄소수 6 내지 60의 치환 또는 비치환된 아릴렌기이다.In one embodiment of the present invention, L is a direct bond; An alkylene group having 1 to 60 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 60 carbon atoms.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, L은 직접결합; 탄소수 1 내지 30의 알킬렌기; 또는 탄소수 6 내지 30의 단환식 또는 다환식의 치환 또는 비치환된 아릴렌기이다.In one embodiment of the present invention, L is a direct bond; An alkylene group having 1 to 30 carbon atoms; Or a monocyclic or polycyclic substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, L은 직접결합; 또는 탄소수 6 내지 30의 단환식 또는 다환식의 치환 또는 비치환된 아릴렌기이다. In one embodiment of the present invention, L is a direct bond; Or a monocyclic or polycyclic substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, L은 직접결합; 치환 또는 비치환된 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 치환 또는 비치환된 바이페닐릴렌기; 치환 또는 비치환된 터페닐렌기; 치환 또는 비치환된 쿼터페닐렌기; 치환 또는 비치환된 나프틸렌기; 치환 또는 비치환된 안트라세닐렌기; 치환 또는 비치환된 페난트레닐렌기; 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐렌기; 치환 또는 비치환된 파이레닐렌기; 또는 치환 또는 비치환된 플루오레닐렌기이다.In one embodiment of the present invention, L is a direct bond; A substituted or unsubstituted substituted or unsubstituted phenylene group; A substituted or unsubstituted biphenylene group; A substituted or unsubstituted terphenylene group; A substituted or unsubstituted quaterphenylene group; A substituted or unsubstituted naphthylene group; A substituted or unsubstituted anthracenylene group; A substituted or unsubstituted phenanthrenylene group; A substituted or unsubstituted triphenylene group; A substituted or unsubstituted pyrenylene group; Or a substituted or unsubstituted fluorenylene group.

또한, 본 명세서에서 L은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합 또는 아래의 군으로부터 선택되는 어느 하나의 치환기인 것이 바람직하나, 이에 한정되지 않으며, 아래의 구조들은 추가로 치환될 수 있다.In the present specification, L is the same as or different from each other, and each independently is a direct bond or any substituent selected from the following group, but is not limited thereto and the following structures may be further substituted.

Figure pat00011
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또 하나의 실시상태에 있어서, R1 내지 R5는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카르복시기; 에테르기; 에스테르기; 이미드기; 아미드기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아릴포스핀기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기; 또는 NRR'이다.In another embodiment, R 1 to R 5 are each independently selected from the group consisting of hydrogen; heavy hydrogen; halogen; A nitrile group; A nitro group; A hydroxy group; A carboxy group; Ether group; An ester group; Imide; Amide group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted alkoxy group; A substituted or unsubstituted aryloxy group; A substituted or unsubstituted alkylthio group; A substituted or unsubstituted arylthio group; A substituted or unsubstituted alkylsulfoxy group; A substituted or unsubstituted arylsulfoxy group; A substituted or unsubstituted alkenyl group; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted boron group; A substituted or unsubstituted arylphosphine group; A substituted or unsubstituted phosphine oxide group; A substituted or unsubstituted aryl group; A substituted or unsubstituted heteroaryl group; Or NRR '.

또 하나의 실시상태에 있어서, R1은 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기; 또는 NRR'이다.In another embodiment, R < 1 > is hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; A substituted or unsubstituted heteroaryl group; Or NRR '.

또 하나의 실시상태에 있어서, R1은 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 헤테로아릴기; 또는 NRR'이다.In another embodiment, R < 1 > is hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 60 carbon atoms; A substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 carbon atoms; A substituted or unsubstituted C2-C60 heteroaryl group; Or NRR '.

또 하나의 실시상태에 있어서, R1은 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기; 또는 NRR'이다.In another embodiment, R < 1 > is hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 30 carbon atoms; A substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl; A substituted or unsubstituted C2-C30 heteroaryl group; Or NRR '.

또 하나의 실시상태에 있어서, R1은 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 15의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기; 또는 NRR'이다.In another embodiment, R < 1 > is hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 15 carbon atoms; A substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl; A substituted or unsubstituted C2 to C20 heteroaryl group; Or NRR '.

또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, R2 내지 R5는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기; 또는 NRR'이다.Also according to one embodiment of the present disclosure, R 2 to R 5 are each independently selected from the group consisting of hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; A substituted or unsubstituted heteroaryl group; Or NRR '.

또 하나의 실시상태에 있어서, R2 내지 R5는 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 헤테로아릴기; 또는 NRR'이다.In another embodiment, R 2 to R 5 are independently selected from the group consisting of hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 60 carbon atoms; A substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 carbon atoms; A substituted or unsubstituted C2-C60 heteroaryl group; Or NRR '.

또 하나의 실시상태에 있어서, R2 내지 R5는 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기; 또는 NRR'이다.In another embodiment, R 2 to R 5 are independently selected from the group consisting of hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 30 carbon atoms; A substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl; A substituted or unsubstituted C2-C30 heteroaryl group; Or NRR '.

또 하나의 실시상태에 있어서, R2 내지 R5는 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 15의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기; 또는 NRR'이다.In another embodiment, R 2 to R 5 are independently selected from the group consisting of hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 15 carbon atoms; A substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl; A substituted or unsubstituted C2 to C20 heteroaryl group; Or NRR '.

또한, 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, b 내지 e가 1 이상인 경우, 인접한 R2 및 R3; R3 및 R4 및 R4 및 R5는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있으며, b 내지 e가 2 이상인 경우 R2 내지 R5는 각각 인접한 기가 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.Further, in an embodiment of the present specification, when b to e are 1 or more, adjacent R2 and R3; R3 and R4 and R4 and R5 may combine with each other to form a ring, and when b to e are 2 or more, R2 to R5 may bond to each other to form a ring.

또한, 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, b 내지 e가 1 이상인 경우, 인접한 R2 및 R3; R3 및 R4 및 R4 및 R5는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 60의 고리를 형성할 수 있으며, b 내지 e가 2 이상인 경우 R2 내지 R5는 각각 인접한 기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 60의 고리를 형성할 수 있다.Further, in an embodiment of the present specification, when b to e are 1 or more, adjacent R2 and R3; R3 and R4 and R4 and R5 may be bonded to each other to form a substituted or unsubstituted C3 to C60 ring; when b to e are 2 or more, R2 to R5 may be bonded to each other to form a substituted or unsubstituted A ring having 3 to 60 carbon atoms can be formed.

또한, 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, b 내지 e가 1 이상인 경우, 인접한 R2 및 R3; R3 및 R4 및 R4 및 R5는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 고리를 형성할 수 있으며, b 내지 e가 2 이상인 경우 R2 내지 R5는 각각 인접한 기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 고리를 형성할 수 있다.Further, in an embodiment of the present specification, when b to e are 1 or more, adjacent R2 and R3; R3 and R4 and R4 and R5 may bond to each other to form a substituted or unsubstituted C3-C30 ring, and when b to e are 2 or more, R2 to R5 may be bonded to each other to form a substituted or unsubstituted A ring having 3 to 30 carbon atoms may be formed.

또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, R1 내지 R5가 모두 수소인 경우는 제외한다. R1 내지 R5 중 적어도 하나는 상기 기재한 치환기 중 수소를 제외한 치환기를 반드시 포함한다.Also, according to one embodiment of the present disclosure, it is excluded that R1 to R5 are all hydrogen. At least one of R 1 to R 5 necessarily includes a substituent other than hydrogen in the substituent described above.

또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, R 및 R'은 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.Also according to one embodiment of the present disclosure, R and R 'are each independently selected from the group consisting of hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group.

또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, R 및 R'은 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 헤테로아릴기이다.Also according to one embodiment of the present disclosure, R and R 'are each independently selected from the group consisting of hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 60 carbon atoms; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 60 carbon atoms; A substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 to 60 carbon atoms.

또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, R 및 R'은 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기이다.Also according to one embodiment of the present disclosure, R and R 'are each independently selected from the group consisting of hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 30 carbon atoms; A substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl; Or a substituted or unsubstituted C2-C30 heteroaryl group.

또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, R 및 R'은 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 15의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 15의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기이다.Also according to one embodiment of the present disclosure, R and R 'are each independently selected from the group consisting of hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 15 carbon atoms; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 15 carbon atoms; A substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl; Or a substituted or unsubstituted C2-C20 heteroaryl group.

또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, R 및 R'은 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 15의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기이다.Also according to one embodiment of the present disclosure, R and R 'are each independently selected from the group consisting of hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 15 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group.

또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, R 및 R'은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 15의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기이다.According to an embodiment of the present invention, R and R 'are each independently a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 15 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물은 하기 화합물들 중에서 선택된 어느 하나일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the compound of Formula 1 may be any one selected from the following compounds.

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본 발명에서는 상기와 같이 코어 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 다양한 에너지 밴드갭을 갖는 화합물을 합성할 수 있다. 통상 에너지 밴드갭이 큰 코어 구조에 치환기를 도입하여 에너지 밴드갭을 조절하는 것은 용이하나, 코어 구조가 에너지 밴드갭이 작은 경우에는 치환기를 도입하여 에너지 밴드갭을 크게 조절하기 어렵다. 또한, 본 발명에서는 상기와 같은 구조의 코어 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 화합물의 HOMO 및 LUMO 에너지 준위도 조절할 수 있다.In the present invention, compounds having various energy bandgaps can be synthesized by introducing various substituents into the core structure as described above. Usually, it is easy to control the energy band gap by introducing a substituent to a core structure having a large energy band gap. However, when the core structure has a small energy band gap, it is difficult to control the energy band gap by introducing a substituent. Further, in the present invention, the HOMO and LUMO energy levels of the compound can be controlled by introducing various substituents to the core structure having the above structure.

또한, 상기와 같은 구조의 코어 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 도입된 치환기의 고유 특성을 갖는 화합물을 합성할 수 있다. 예컨대, 유기 발광 소자 제조시 사용되는 정공주입층 물질, 정공수송용 물질, 발광층 물질 및 전자수송층 물질에 주로 사용되는 치환기를 상기 코어 구조에 도입함으로써 각 유기물층에서 요구하는 조건들을 충족시키는 물질을 합성할 수 있다.Further, by introducing various substituents into the core structure having the above structure, it is possible to synthesize a compound having the intrinsic characteristics of the substituent introduced. For example, by introducing a substituent mainly used in a hole injecting layer material, a hole transporting material, a light emitting layer material, and an electron transporting layer material used in manufacturing an organic light emitting device into the core structure, a material meeting the requirements of each organic layer is synthesized .

따라서, 본 발명자들은 이와 같은특징을 갖는 화학식 1의 화합물은 유기 발광 소자용 재료, 특히 발광층에 적용시, 구동 전압의 저전압화나 장수명화를 실현할 수 있다는 것을 밝혀내었다. 또한, F4TCNQ와 같이 분자량이 작고 승화성이 높은 재료에 비하여 증착이 용이하고, 전극 또는 인접 유기물층과 안정적인 계면을 형성할 수 있다. Therefore, the inventors of the present invention have found that the compound of Chemical Formula 1 having such characteristics can realize lowering of the driving voltage and longevity when applied to a material for an organic light emitting diode, particularly, a light emitting layer. In addition, deposition is easy compared to a material having a low molecular weight and a high sublimation property such as F4TCNQ, and a stable interface can be formed with an electrode or an adjacent organic material layer.

전술한 화학식 1의 화합물은 당기술분야에 알려져 있는 재료와 반응 조건을 이용하여 제조될 수 있다. The compounds of formula (I) described above can be prepared using materials and reaction conditions known in the art.

또한, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다.Also, the organic light emitting device according to the present invention is an organic light emitting device comprising a first electrode, a second electrode, and at least one organic material layer disposed between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers Which comprises the above compound.

본 발명의 유기 발광 소자는 전술한 화합물을 이용하여 한 층 이상의 유기물층을 형성하는 것을 제외하고는, 통상의 유기 발광 소자의 제조방법 및 재료에 의하여 제조될 수 있다.The organic light emitting device of the present invention can be manufactured by a conventional method and material for manufacturing an organic light emitting device, except that one or more organic compound layers are formed using the above-described compounds.

본 명세서의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층으로서 발광층 외에, 정공주입층, 정공버퍼층, 정공수송층, 전자억제층, 정공억제층, 전자수송층 및 전자주입층 중 적어도 한 층을 더 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기층을 포함할 수 있다.The organic material layer of the organic light emitting device of the present invention may have a single layer structure, but may have a multilayer structure in which two or more organic material layers are stacked. For example, the organic luminescent device of the present invention may have a structure including at least one of a hole injection layer, a hole buffer layer, a hole transport layer, an electron restraining layer, a hole blocking layer, an electron transporting layer, have. However, the structure of the organic light emitting device is not limited thereto and may include a smaller number of organic layers.

일 예에 따르면, 상기 유기 발광 소자는 기판 상에 양극, 1층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층된 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다. 다른 예에 따르면, 상기 유기 발광 소자는 기판 상에 음극, 1층 이상의 유기물층 및 양극이 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다.According to an example, the organic light emitting device may be a normal type organic light emitting device in which an anode, at least one organic material layer, and a cathode are sequentially stacked on a substrate. According to another example, the organic light emitting device may be an inverted type organic light emitting device in which a cathode, at least one organic layer, and an anode are sequentially stacked on a substrate.

본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층 중 1층 이상이 상기 화학식 1의 화합물, 즉 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다. The organic light emitting device of the present invention can be manufactured by materials and methods known in the art, except that at least one layer of the organic material layer includes the compound of Formula 1, that is, the compound represented by Formula 1.

예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극을 순차적으로 적층시킴으로써 제조할 수 있다. 이 때 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical Vapor Deposition)방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공주입층, 정공수송층, 발광층 및 전자수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수 있다. For example, the organic light emitting device of the present invention can be manufactured by sequentially laminating a first electrode, an organic material layer, and a second electrode on a substrate. At this time, by using a PVD (physical vapor deposition) method such as a sputtering method or an e-beam evaporation method, a metal or a metal oxide having conductivity or an alloy thereof is deposited on the substrate to form a positive electrode Forming an organic material layer including a hole injecting layer, a hole transporting layer, a light emitting layer and an electron transporting layer thereon, and depositing a material usable as a cathode thereon. In addition to such a method, an organic light emitting device can be formed by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer, and a cathode material on a substrate.

또한, 상기 화학식 1의 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.In addition, the compound of Formula 1 may be formed into an organic material layer by a solution coating method as well as a vacuum evaporation method in the production of an organic light emitting device. Here, the solution coating method refers to spin coating, dip coating, doctor blading, inkjet printing, screen printing, spraying, roll coating and the like, but is not limited thereto.

이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질로부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수도 있다 (국제 특허 출원 공개 제 2003/012890호). 다만, 제조 방법이 이에 한정되는 것은 아니다. In addition to such a method, an organic light emitting device may be fabricated by sequentially depositing an organic material layer and a cathode material on a substrate from a cathode material (International Patent Application Publication No. 2003/012890). However, the manufacturing method is not limited thereto.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 양극이고, 상기 제2 전극은 음극이다. In one embodiment of the present invention, the first electrode is an anode and the second electrode is a cathode.

또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 음극이고, 상기 제2 전극은 양극이다. In another embodiment, the first electrode is a cathode and the second electrode is a cathode.

상기 유기 발광 소자는 예컨대 하기와 같은 적층 구조를 가질 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. The organic light emitting device may have a lamination structure as described below, but the present invention is not limited thereto.

(1) 양극/정공수송층/발광층/음극(1) anode / hole transporting layer / light emitting layer / cathode

(2) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/음극(2) anode / hole injecting layer / hole transporting layer / light emitting layer / cathode

(3) 양극/정공주입층/정공버퍼층/정공수송층/발광층/음극(3) anode / hole injection layer / hole buffer layer / hole transport layer / light emitting layer / cathode

(4) 양극/정공수송층/발광층/전자수송층/음극(4) anode / hole transporting layer / light emitting layer / electron transporting layer / cathode

(5) 양극/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층/음극(5) anode / hole transporting layer / light emitting layer / electron transporting layer / electron injecting layer / cathode

(6) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/전자수송층/음극(6) anode / hole injecting layer / hole transporting layer / light emitting layer / electron transporting layer / cathode

(7) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층/음극(7) anode / hole injecting layer / hole transporting layer / light emitting layer / electron transporting layer / electron injecting layer / cathode

(8) 양극/정공주입층/정공버퍼층/정공수송층/발광층/전자수송층/음극(8) anode / hole injecting layer / hole buffer layer / hole transporting layer / light emitting layer / electron transporting layer / cathode

(9) 양극/정공주입층/정공버퍼층/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층 /음극(9) anode / hole injecting layer / hole buffer layer / hole transporting layer / light emitting layer / electron transporting layer / electron injecting layer / cathode

(10) 양극/ 정공수송층/전자억제층/발광층/전자수송층/ 음극(10) anode / hole transporting layer / electron blocking layer / light emitting layer / electron transporting layer / cathode

(11) 양극/ 정공수송층/전자억제층/발광층/전자수송층/전자주입층 /음극(11) anode / hole transporting layer / electron blocking layer / light emitting layer / electron transporting layer / electron injecting layer / cathode

(12) 양극/정공주입층/정공수송층/전자억제층/발광층/전자수송층/음극(12) anode / hole injecting layer / hole transporting layer / electron blocking layer / light emitting layer / electron transporting layer / cathode

(13) 양극/정공주입층/정공수송층/전자억제층/발광층/전자수송층/전자주입 층/음극(13) anode / hole injecting layer / hole transporting layer / electron blocking layer / light emitting layer / electron transporting layer / electron injecting layer / cathode

(14) 양극/정공수송층/발광층/정공억제층/전자수송층/음극(14) anode / hole transporting layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transporting layer / cathode

(15) 양극/정공수송층/발광층/ 정공억제층/전자수송층/전자주입층/음극(15) anode / hole transporting layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transporting layer / electron injecting layer / cathode

(16) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/정공억제층/전자수송층/음극(16) anode / hole injecting layer / hole transporting layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transporting layer / cathode

(17) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/정공억제층/전자수송층/전자주입 층/음극(17) anode / hole injecting layer / hole transporting layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transporting layer / electron injecting layer / cathode

예컨대, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 구조는 도 1 및 2에 예시되어 있다. For example, the structure of the organic light emitting device according to one embodiment of the present disclosure is illustrated in FIGS.

도 1은 기판(1), 양극(2), 정공수송층(6), 발광층(3) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화합물은 상기 발광층에 포함될 수 있다. 1 shows an example of an organic light emitting element comprising a substrate 1, an anode 2, a hole transport layer 6, a light emitting layer 3 and a cathode 4. In such a structure, the compound may be included in the light emitting layer.

도 2는 기판 (1), 양극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 발광층(3), 전자수송층(7) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화합물은 상기 발광층에 포함될 수 있다. 2 shows an example of an organic light emitting element comprising a substrate 1, an anode 2, a hole injecting layer 5, a hole transporting layer 6, a light emitting layer 3, an electron transporting layer 7 and a cathode 4 It is. In such a structure, the compound may be included in the light emitting layer.

양극(2)은 정공을 주입하는 전극으로 일함수가 높은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 또는 ZnO(Zinc Oxide) 중 어느 하나일 수 있다. 또한, 상기 양극(2)이 반사 전극일 경우에 양극(2)은 ITO, IZO 또는 ZnO 중 어느 하나로 이루어진 층 하부에 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 니켈(Ni) 중 어느 하나로 이루어 진 반사층을 더 포함할 수 있다. The anode 2 may be any one of ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), and ZnO (Zinc Oxide) having high work function as an electrode for injecting holes. When the anode 2 is a reflective electrode, the anode 2 is formed of a reflective layer made of any one of aluminum (Al), silver (Ag), and nickel (Ni) under the layer made of any one of ITO, IZO, As shown in FIG.

정공주입층(5)은 양극(2)으로부터 발광층(3)으로 정공의 주입을 원활하게 하는 역할을 할 수 있다. 정공주입층(5)은 상기 화학식 1의 화합물을 포함할 수 있다. 이 경우, 정공주입층(5)은 상기 화학식 1의 화합물만으로 이루어질 수도 있으나, 상기 화학식 1의 화합물은 당기술분야에 알려져 있는 다른 정공주입층 재료에 혼합 또는 도핑된 상태로 존재할 수 있다. 상기 화학식 1의 화합물은 정공주입층의 100%를 차지할 수도 있으나, 0.1 내지 50 중량%로 도핑될 수도 있다. 상기 화학식 1의 화합물은 전자 수용 능력이 뛰어나, 소비전력을 개선하고 구동 전압을 낮출 수 있다. 정공주입층(5)의 두께는 1nm 내지 150nm일 수 있다. 여기서, 상기 정공주입층(5)의 두께가 1nm 이상이면, 정공주입 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있고, 150nm 이하이면, 정공주입층(5)의 두께가 너무 두꺼워 정공의 이동을 향상시키기 위해 구동전압이 상승되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다. 그외 정공주입층 재료로는 당기술분야에 알려져 있는 정공주입 재료를 사용할 수 있다. 예컨대, 정공주입층 재료로서 CuPc(cupper phthalocyanine), PEDOT(poly(3,4)-ethylenedioxythiophene), PANI(polyaniline) 및 NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상이 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The hole injection layer 5 can serve to smoothly inject holes from the anode 2 into the light emitting layer 3. [ The hole injecting layer 5 may include the compound of the above formula (1). In this case, the hole injecting layer 5 may be composed only of the compound of Formula 1, but the compound of Formula 1 may be mixed or doped with other hole injecting layer materials known in the art. The compound of Formula 1 may account for 100% of the hole injection layer, but it may be doped at 0.1 to 50% by weight. The compound of formula (1) is excellent in electron acceptance, so that power consumption can be improved and driving voltage can be lowered. The thickness of the hole injection layer 5 may be 1 nm to 150 nm. Here, when the thickness of the hole injection layer 5 is 1 nm or more, there is an advantage that the hole injection property can be prevented from being lowered. When the thickness is 150 nm or less, the hole injection layer 5 is too thick, There is an advantage that it is possible to prevent the drive voltage from rising. As the hole injection layer material, a hole injection material known in the art can be used. For example, in the group consisting of CuPc (cupper phthalocyanine), PEDOT (poly (3,4) -ethylenedioxythiophene), PANI (polyaniline) and NPD (N, N-dinaphthyl- Any one or more selected may be used, but the present invention is not limited thereto.

정공수송층(6)은 정공의 수송을 원활하게 하는 역할을 할 수 있다. 정공수송층(6)은 본 기술분야에 알려져 있는 다른 정공수송층 재료들이 단독, 혼합 또는 도핑된 상태로 존재할 수 있다. 상기 화학식 1의 화합물은 정공수송층의 100%를 차지할 수도 있으나, 0.1 내지 50 중량%로 도핑될 수도 있다. 그외 정공수송층 재료로는 당기술분야에 알려져 있는 정공수송 재료를 사용할 수 있다. 예컨대, 정공수송층(6)은 NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenylbenzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD 및 MTDATA(4,4',4"- Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루 어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 예컨대 정공수송층 재료로서 트라이아졸 유도체, 옥사다이아졸 유도체, 이미다졸 유도체, 폴리아릴알케인 유도체, 피라졸린 유도체 및 피라졸론 유도체, 페닐렌다이아민 유도체, 아릴아민 유도체, 아미노 치환 칼콘 유도체, 옥사졸 유도체, 스타이릴안트라센 유도체, 플루오렌온 유도체, 하이드라존 유도체, 스틸벤 유도체, 실라제인 유도체, 폴리실레인계, 아닐린계 공중합체, 도전성 고분자 올리고머(특히 싸이오펜 올리고머) 등을 들 수 있다.The hole transport layer 6 can play a role of facilitating the transport of holes. The hole transport layer 6 may be present in a state where other hole transport layer materials known in the art are singly, mixed, or doped. The compound of Formula 1 may account for 100% of the hole transporting layer, but it may be doped at 0.1 to 50% by weight. As the hole transport layer material, a hole transport material known in the art can be used. For example, the hole transport layer 6 may be formed by using NPD (N-dinaphthyl-N, N'-diphenylbenzidine), TPD (N, N'- benzidine, s-TAD, and MTDATA (4,4 ', 4 "-tris (N-3-methylphenyl-N-phenylamino) -triphenylamine). For example, as the hole transporting layer material, a triazole derivative, an oxadiazole derivative, an imidazole derivative, a polyarylalkane derivative, a pyrazoline derivative and a pyrazolone derivative, a phenylenediamine derivative, an arylamine derivative, A silane coupling agent, a polysilane-based compound, an aniline-based copolymer, and a conductive polymer oligomer (particularly, a thiophenol oligomer).

정공주입층과 정공수송층 사이에 추가로 정공버퍼층이 구비될 수 있다. 정공버퍼층는 상기 화학식 1의 화합물을 포함할 수 있고, 그외 당기술분야에 알려져 있는 정공주입 또는 수송 재료를 포함될 수 있다. 정공버퍼층이 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 경우에도 역시, 상기 화학식 1의 화합물만으로 이루어질 수도 있으나, 다른 호스트 물질에 상기 화학식 1의 화합물이 혼합 또는 도핑된 상태로 이루어질 수도 있다. A hole buffer layer may be additionally provided between the hole injection layer and the hole transport layer. The hole buffer layer may include the compound of Formula 1, and may include a hole injecting or transporting material known in the art. In the case where the hole buffer layer includes the compound of Formula 1, the hole blocking layer may be composed of only the compound of Formula 1, but the compound of Formula 1 may be mixed or doped with other host materials.

정공수송층과 발광층 사이에 전자억제층이 구비될 수 있으며, 상기 화학식 1의 화합물 또는 당기술분야에 알려져 있는 재료가 사용될 수 있다. An electron blocking layer may be provided between the hole transporting layer and the light emitting layer, and the compound of Formula 1 or a material known in the art may be used.

상기 발광층(3)은 적색, 녹색 및/또는 청색을 발광할 수 있으며, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화학식 1을 포함할 수 있다. 또한, 삼중항 값이 2.5eV 이상인 재료가 함께 사용될 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물과 함께 ΔEST(일중항 에너지와 삼중항 에너지의 차이)가 0.2eV 미만인 TADF(지연형광) 특성을 갖는 Sensitizer(삼중항 에너지 2.6 eV이상을 갖는 물질로 한정)가 포함될 수 있으며, 지연형광 특성을 갖는 물질의 예는 하기와 같으나, 이에 한정된 것은 아니다. The light emitting layer 3 may emit red, green, and / or blue light, and may include a compound represented by Formula 1 according to one embodiment of the present invention. Further, a material having a triplet value of 2.5 eV or more may be used together. In particular, (difference in the singlet energy and triplet energy) ΔE ST with a compound according to an exemplary embodiment of the present disclosure are materials having less than 0.2eV TADF (delayed fluorescence) Sensitizer having a characteristic (a triplet energy at least 2.6 eV ). Examples of materials having retardation fluorescence properties include, but are not limited to, the following.

Figure pat00025
Figure pat00025

전자수송층과 발광층 사이에 정공억제층이 구비될 수 있으며, 당기술분야에 알려져 있는 재료가 사용될 수 있다. A hole blocking layer may be provided between the electron transporting layer and the light emitting layer, and materials known in the art may be used.

전자수송층(7)은 전자의 수송을 원활하게 하는 역할을 할 수 있다. Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq, SAlq와 같은 당기술분야에 알려진 재료가 사용될 수 있다. 상기 전자수송층(7)의 두께는 1nm 내지 50nm일 수 있다. 여기서, 상기 전자수송층(7)의 두께가 1nm 이상이면, 전자수송 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있고, 50nm 이하이면, 전자수송층(7)의 두께가 너무 두꺼워 전자의 이동을 향상시키기 위해 구동전압이 상승되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.The electron transport layer 7 can play a role of facilitating transport of electrons. Materials known in the art such as Alq 3 (tris (8-hydroxyquinolino) aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq, SAlq can be used. The thickness of the electron transport layer 7 may be 1 nm to 50 nm. Here, when the thickness of the electron transport layer 7 is 1 nm or more, there is an advantage that the electron transporting property can be prevented from being lowered. When the thickness is 50 nm or less, the thickness of the electron transport layer 7 is too thick, There is an advantage that the driving voltage can be prevented from rising.

상기 전자주입층은 전자의 주입을 원활하게 하는 역할을 할 수 있다. Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 또는 SAlq과 같은 당기술분야에 알려져 있는 유기물이나 착체 또는 금속화합물로 이루어질 수 있다. 금속화합물로는 금속 할로겐화물이 사용될 수 있으며, 예컨대 LiQ, LiF, NaF, KF, RbF, CsF, FrF, BeF2, MgF2, CaF2, SrF2, BaF2 및 RaF2 등이 사용될 수 있다. 상기 전자주입층의 두께는 1nm 내지 50nm일 수 있다. 여기서, 상기 전자주입층의 두께가 1nm 이상이면, 전자주입 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있고, 50nm 이하이면, 전자주입층의 두께가 너무 두꺼워 전자의 이동을 향상시키기 위해 구동전압이 상승되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.The electron injection layer may serve to smoothly inject electrons. May be made of Alq 3 (tris (8-hydroxyquinolino ) aluminum), organic materials or complexes or metal compound known in the art, such as PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq or SAlq. Metal compounds include metal halides, and storage can be used, for example, can be used LiQ, LiF, NaF, KF, RbF, CsF, FrF, BeF 2, MgF 2, CaF 2, SrF 2, BaF 2 and RaF 2 and the like. The thickness of the electron injection layer may be 1 nm to 50 nm. If the thickness of the electron injection layer is 1 nm or more, there is an advantage that the electron injection characteristics can be prevented from being degraded. If the thickness is 50 nm or less, the thickness of the electron injection layer is too thick, There is an advantage that it can be prevented from being raised.

상기 음극(4)은 전자주입 전극으로, 일함수가 낮은 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 여기서, 음극(4)은 유기전계발광소자가 전면 또는 양면발광구조일 경우, 빛을 투과할 수 있을 정도로 얇은 두께로 형성할 수 있으며, 유기전계발광소자가 배면발광구조일 경우, 빛을 반사시킬 수 있을 정도로 두껍게 형성할 수 있다. The cathode 4 is an electron injection electrode and may be made of magnesium (Mg), calcium (Ca), aluminum (Al), silver (Ag), or an alloy thereof having a low work function. Here, the cathode 4 may be formed to have a thickness thin enough to transmit light when the organic electroluminescent device is a front or both-side light emitting structure, and when the organic electroluminescent device is a back light emitting structure, It can be formed thick enough.

또 하나의 실시상태에 따르면 상기 발광층과 양극 또는 음극 사이, 상기 발광층과 전하생성층 사이에는 전술한 정공주입층, 정공버퍼층, 정공수송층, 전자억제층, 정공억제층, 전자수송층, 전자주입층과 같은 1층 이상의 유기물층이 더 포함될 수 있다. According to another embodiment of the present invention, the hole injection layer, the hole buffer layer, the hole transport layer, the electron inhibition layer, the hole blocking layer, the electron transport layer, the electron injection layer, and the hole injection layer may be interposed between the light emitting layer and the anode or the cathode, And one or more organic layers such as the same layer may be further included.

본 발명에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic light emitting device according to the present invention may be a front emission type, a back emission type, or a both-sided emission type, depending on the material used.

본 발명에 따른 화합물은 유기 태양 전지, 유기 감광체, 유기 트랜지스터 등을 비롯한 유기 전자 소자에서도 유기 발광 소자에 적용되는 것과 유사한 원리로 작용할 수 있다.The compound according to the present invention may act on a principle similar to that applied to organic light emitting devices in organic electronic devices including organic solar cells, organic photoconductors, organic transistors and the like.

상기 화학식 1의 화합물의 제조방법 및 이들을 이용한 유기 발광 소자의 제조는 이하의 실시예에서 구체적으로 설명한다. 그러나, 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 범위가 이들에 의하여 한정되는 것은 아니다.The method for preparing the compound of Formula 1 and the preparation of the organic light emitting device using the same will be described in detail in the following Examples. However, the following examples are intended to illustrate the present invention and the scope of the present invention is not limited thereto.

<제조예><Production Example>

본 발명의 물질을 제조하는 방법은 하기와 같이 치환 또는 비치환된 아닐린을 이용하여 할라이드를 도입한 중간체 합성부터 시작된다. 할라이드에 스즈키 반응을 통해 아릴기를 도입하고, 아미노기(-NH2)를 샌드마이어 반응을 통해 브로마이드(-Br)로 치환한다. 그 후 뷰틸리튬과 트라이브로모보레인을 이용하면 최종적으로 보론을 도입할 수 있다. 제조예 1-1에 나와있는 아닐린 종류 외에도 다양한 치환기가 도입된 아닐린을 이용하여 하기와 같은 반응을 통해 구체예의 화합물들을 합성하였다.The method for producing the substance of the present invention starts with the synthesis of an intermediate by introducing halide using substituted or unsubstituted aniline as described below. The aryl group is introduced into the halide through the Suzuki reaction and the amino group (-NH 2 ) is replaced with the bromide (-Br) through the Sandmeyer reaction. Boron can then be introduced eventually using butyllithium and tribromoboranes. Compounds of the specific examples were synthesized through the following reaction using aniline having various substituents in addition to the aniline species shown in Production Example 1-1.

제조예 1-1: 화합물 1-A의 합성Production Example 1-1: Synthesis of Compound 1-A

[반응식 1-1][Reaction Scheme 1-1]

Figure pat00026
Figure pat00026

질소 분위기에서 상기 화합물 3,5-다이메틸아닐린 (30g, 0.25mol)을 클로로포름 300mL에 완전히 녹인 후 0℃에서 브롬 (79.2g, 0.50mol)을 첨가하고 2시간 동안 교반하였다. 소듐사이오설페이트 1몰 솔루션 300mL로 유기층을 추출한 후 유기층을 완전히 증류하여 컬럼 크로마토크래피(클로로포름/헥산)으로 정제하여 상기 화합물 1-A (65.6g, 수율: 95%)를 제조하였다.The compound 3,5-dimethylaniline (30 g, 0.25 mol) was completely dissolved in 300 mL of chloroform in a nitrogen atmosphere, bromine (79.2 g, 0.50 mol) was added at 0 ° C, and the mixture was stirred for 2 hours. After the organic layer was extracted with 300 mL of 1 molar solution of sodium cyan sulfate, the organic layer was completely distilled and purified by column chromatography (chloroform / hexane) to obtain 65.6 g of the compound 1-A (yield: 95%).

MS[M+H]+ = 277MS [M + H] &lt; + &gt; = 277

제조예 1-2: 화합물 1-B의 합성Production Example 1-2: Synthesis of Compound 1-B

[반응식 1-2][Reaction Scheme 1-2]

Figure pat00027
Figure pat00027

질소 분위기에서 상기 화합물 4-터트뷰틸-아닐린 (37.3g, 0.25mol)을 클로로포름 300mL에 완전히 녹인 후 0도에서 브롬 (79.2g, 0.50mol)을 첨가하고 2시간 동안 교반하였다. 소듐사이오설페이트 1몰 솔루션 300mL로 유기층을 추출한 후 유기층을 완전히 증류하여 컬럼 크로마토크래피(클로로포름/헥산)으로 정제하여 상기 화합물 1-B (70.6g, 수율: 92%)를 제조하였다.The compound 4-tert-butyl-aniline (37.3 g, 0.25 mol) was completely dissolved in 300 mL of chloroform in a nitrogen atmosphere, and bromine (79.2 g, 0.50 mol) was added at 0 ° C. and stirred for 2 hours. After the organic layer was extracted with 300 mL of 1 molar solution of sodium cyan sulfate, the organic layer was completely distilled and purified by column chromatography (chloroform / hexane) to prepare Compound 1-B (70.6 g, yield: 92%).

MS[M+H]+ = 305MS [M + H] &lt; + &gt; = 305

제조예 1-3: 화합물 1-C의 합성Production Example 1-3: Synthesis of Compound 1-C

[반응식 1-3][Reaction 1 - 3]

Figure pat00028
Figure pat00028

질소 분위기에서 상기 화합물 아닐린 (23.3g, 0.25mol)을 클로로포름 300mL에 완전히 녹인 후 0도에서 브롬 (79.2g, 0.50mol)을 첨가하고 2시간 동안 교반하였다. 소듐사이오설페이트 1몰 솔루션 300mL로 유기층을 추출한 후 유기층을 완전히 증류하여 컬럼 크로마토크래피(클로로포름/헥산)으로 정제하여 상기 화합물 1-C (59.6g, 수율: 95%)를 제조하였다.The compound aniline (23.3 g, 0.25 mol) was completely dissolved in 300 mL of chloroform in a nitrogen atmosphere, bromine (79.2 g, 0.50 mol) was added at 0 ° C. and the mixture was stirred for 2 hours. After the organic layer was extracted with 300 mL of 1 molar solution of sodium cyan sulfate, the organic layer was completely distilled and purified by column chromatography (chloroform / hexane) to prepare the compound 1-C (59.6 g, yield: 95%).

MS[M+H]+ = 249MS [M + H] &lt; + &gt; = 249

제조예 1-4: 화합물 1-D의 합성Production Example 1-4: Synthesis of Compound 1-D

[반응식 1-4][Reaction Scheme 1-4]

Figure pat00029
Figure pat00029

질소 분위기에서 상기 화합물 4-클로로아닐린 (31.9g, 0.25mol)을 클로로포름 300mL에 완전히 녹인 후 0도에서 브롬 (79.2g, 0.50mol)을 첨가하고 2시간 동안 교반하였다. 소듐사이오설페이트 1몰 솔루션 300mL로 유기층을 추출한 후 유기층을 완전히 증류하여 컬럼 크로마토크래피(클로로포름/헥산)으로 정제하여 상기 화합물 1-D (67g, 수율: 94%)를 제조하였다.The compound 4-chloroaniline (31.9 g, 0.25 mol) was completely dissolved in 300 mL of chloroform in a nitrogen atmosphere, bromine (79.2 g, 0.50 mol) was added at 0 deg. C, and the mixture was stirred for 2 hours. After the organic layer was extracted with 300 mL of 1 molar solution of sodium cyan sulfate, the organic layer was completely distilled and purified by column chromatography (chloroform / hexane) to obtain 67 g (yield: 94%) of the compound 1-D.

MS[M+H]+ = 283MS [M + H] &lt; + &gt; = 283

제조예 2-1: 화합물 2-A의 합성Production Example 2-1: Synthesis of Compound 2-A

[반응식 2-1][Reaction Scheme 2-1]

Figure pat00030
Figure pat00030

질소 분위기에서 상기 화합물 1-A (61.4g, 0.22mol)을 티에치에프(THF) 440mL에 완전히 녹인 후 탄산칼륨 수용액(10M) 130mL을 첨가하고 1-나프틸보로닉액시드 (75.7g, 0.44mol)을 첨가한다. 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 (2.5g, 2.2mmol)을 첨가하고 3시간 동안 리플럭스하여 교반하였다. 반응이 종료된 후 물층을 제거한 후 유기층을 완전히 증류하여 컬럼 크로마토크래피(클로로포름/헥산)으로 정제하여 상기 화합물 2-A (74g, 수율: 90%)를 제조하였다.The compound 1-A (61.4 g, 0.22 mol) was completely dissolved in 440 mL of THF (THF) in a nitrogen atmosphere, and 130 mL of an aqueous potassium carbonate solution (10 M) was added. 75.7 g (0.44 mol) of 1-naphthylboronic acid ) Is added. Tetrakis triphenylphosphine palladium (2.5 g, 2.2 mmol) was added and refluxed and stirred for 3 h. After the reaction was completed, the water layer was removed, and the organic layer was completely distilled and purified by column chromatography (chloroform / hexane) to obtain Compound 2-A (74 g, yield: 90%).

MS[M+H]+ = 374MS [M + H] &lt; + &gt; = 374

제조예 2-2: 화합물 2-B의 합성Production Example 2-2: Synthesis of Compound 2-B

[반응식 2-2][Reaction Scheme 2-2]

Figure pat00031
Figure pat00031

질소 분위기에서 상기 화합물 1-B (67.5g, 0.22mol)을 티에치에프 440mL에 완전히 녹인 후 탄산칼륨 수용액(10M) 130mL을 첨가하고 1-나프틸보로닉액시드 (75.7g, 0.44mol)을 첨가한다. 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 (2.5g, 2.2mmol)을 첨가하고 3시간 동안 리플럭스하여 교반하였다. 반응이 종료된 후 물층을 제거한 후 유기층을 완전히 증류하여 컬럼 크로마토크래피(클로로포름/헥산)으로 정제하여 상기 화합물 2-B (77.7g, 수율: 88%)를 제조하였다.The compound 1-B (67.5 g, 0.22 mol) was completely dissolved in 440 mL of thiethiophene in a nitrogen atmosphere, 130 mL of an aqueous potassium carbonate solution (10 M) was added, and 1-naphthylboronic acid seed (75.7 g, 0.44 mol) do. Tetrakis triphenylphosphine palladium (2.5 g, 2.2 mmol) was added and refluxed and stirred for 3 h. After the completion of the reaction, the water layer was removed, and the organic layer was completely distilled and purified by column chromatography (chloroform / hexane) to obtain Compound 2-B (77.7 g, yield: 88%).

MS[M+H]+ = 402MS [M + H] &lt; + &gt; = 402

제조예 2-3: 화합물 2-C의 합성Production Example 2-3: Synthesis of Compound 2-C

[반응식 2-3][Reaction Scheme 2-3]

Figure pat00032
Figure pat00032

질소 분위기에서 상기 화합물 1-C (55.2g, 0.22mol)을 티에치에프 440mL에 완전히 녹인 후 탄산칼륨 수용액(10M) 130mL을 첨가하고 플로란텐-3-일 보로닉액시드 (108.3g, 0.44mol)을 첨가한다. 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 (2.5g, 2.2mmol)을 첨가하고 3시간 동안 리플럭스하여 교반하였다. 반응이 종료된 후 물층을 제거한 후 유기층을 완전히 증류하여 컬럼 크로마토크래피(클로로포름/헥산)으로 정제하여 상기 화합물 2-C (92.3g, 수율: 85%)를 제조하였다.The compound 1-C (55.2 g, 0.22 mol) was completely dissolved in 440 mL of thiethiophene in a nitrogen atmosphere, 130 mL of an aqueous potassium carbonate solution (10M) was added, 108.3 g of a fluoranthene-3-ylboronic acid solution ) Is added. Tetrakis triphenylphosphine palladium (2.5 g, 2.2 mmol) was added and refluxed and stirred for 3 h. After the reaction was completed, the water layer was removed, and the organic layer was completely distilled and purified by column chromatography (chloroform / hexane) to obtain the compound 2-C (92.3 g, yield: 85%).

MS[M+H]+ = 494MS [M + H] &lt; + &gt; = 494

제조예 2-4: 화합물 2-D의 합성Production Example 2-4: Synthesis of Compound 2-D

[반응식 2-4][Reaction Scheme 2-4]

Figure pat00033
Figure pat00033

질소 분위기에서 상기 화합물 1-D (62.7g, 0.22mol)을 티에치에프 440mL에 완전히 녹인 후 탄산칼륨 수용액(10M) 130mL을 첨가하고 1-나프틸보로닉액시드 (75.7g, 0.44mol)을 첨가한다. 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 (2.5g, 2.2mmol)을 첨가하고 3시간 동안 리플럭스하여 교반하였다. 반응이 종료된 후 물층을 제거한 후 유기층을 완전히 증류하여 컬럼 크로마토크래피(클로로포름/헥산)으로 정제하여 상기 화합물 2-D (72.7g, 수율: 87%)를 제조하였다.The compound 1-D (62.7 g, 0.22 mol) was completely dissolved in 440 mL of thiethiophene in a nitrogen atmosphere, 130 mL of an aqueous potassium carbonate solution (10 M) was added, and 1-naphthylboronic acid seed (75.7 g, 0.44 mol) do. Tetrakis triphenylphosphine palladium (2.5 g, 2.2 mmol) was added and refluxed and stirred for 3 h. After the reaction was completed, the water layer was removed, and the organic layer was completely distilled and purified by column chromatography (chloroform / hexane) to obtain the compound 2-D (72.7 g, yield: 87%).

MS[M+H]+ = 380MS [M + H] &lt; + &gt; = 380

제조예 3-1: 화합물 3-A의 합성Production Example 3-1: Synthesis of Compound 3-A

[반응식 3-1][Reaction Scheme 3-1]

Figure pat00034
Figure pat00034

질소 분위기에서 상기 화합물 2-A (67.2g, 0.18mol)에 아세토나이트릴 1.8L를 첨가하고 0도에서 12M 염산 45mL를 첨가한다. 소듐나이트라이트 (18.6g, 0.27mol)을 0도에서 첨가한 후 10분동안 교반하고 커퍼브로마이드(II) (60.3g, 0.27mol)을 첨가하여 50도로 가열한다. 1시간동안 가열한 후 증류수 2L에 역침전하여 고체를 획득한다. 획득한 고체를 컬럼 크로마토크래피(클로로포름/헥산)으로 정제하여 상기 화합물 3-A (59g, 수율: 75%)를 제조하였다.1.8 L of acetonitrile is added to the above compound 2-A (67.2 g, 0.18 mol) in a nitrogen atmosphere, and 45 mL of 12M hydrochloric acid is added at 0 deg. Sodium nitrite (18.6 g, 0.27 mol) is added at 0, stirred for 10 minutes, and cupperbromide (II) (60.3 g, 0.27 mol) is added and heated to 50 ° C. After heating for 1 hour, the precipitate is precipitated in 2 L of distilled water to obtain a solid. The obtained solid was purified by column chromatography (chloroform / hexane) to obtain Compound 3-A (59 g, yield: 75%).

MS[M+H]+ = 437MS [M + H] &lt; + &gt; = 437

제조예 3-2: 화합물 3-B의 합성Production example 3-2: Synthesis of compound 3-B

[반응식 3-2][Reaction Scheme 3-2]

Figure pat00035
Figure pat00035

질소 분위기에서 상기 화합물 2-B (72.3g, 0.18mol)에 아세토나이트릴 1.8L를 첨가하고 0도에서 12M 염산 45mL를 첨가한다. 소듐나이트라이트 (18.6g, 0.27mol)을 0도에서 첨가한 후 10분동안 교반하고 커퍼브로마이드(II) (60.3g, 0.27mol)을 첨가하여 50도로 가열한다. 1시간동안 가열한 후 증류수 2L에 역침전하여 고체를 획득한다. 획득한 고체를 컬럼 크로마토크래피(클로로포름/헥산)으로 정제하여 상기 화합물 3-B (64.5g, 수율: 77%)를 제조하였다.1.8 L of acetonitrile is added to the above compound 2-B (72.3 g, 0.18 mol) in a nitrogen atmosphere, and 45 mL of 12M hydrochloric acid is added at 0 deg. Sodium nitrite (18.6 g, 0.27 mol) is added at 0, stirred for 10 minutes, and cupperbromide (II) (60.3 g, 0.27 mol) is added and heated to 50 ° C. After heating for 1 hour, the precipitate is precipitated in 2 L of distilled water to obtain a solid. The obtained solid was purified by column chromatography (chloroform / hexane) to obtain the above compound 3-B (64.5 g, yield: 77%).

MS[M+H]+ = 465MS [M + H] &lt; + &gt; = 465

제조예 3-3: 화합물 3-C의 합성Production Example 3-3: Synthesis of Compound 3-C

[반응식 3-3][Reaction Scheme 3-3]

Figure pat00036
Figure pat00036

질소 분위기에서 상기 화합물 2-C (88.8g, 0.18mol)에 아세토나이트릴 1.8L를 첨가하고 0도에서 12M 염산 45mL를 첨가한다. 소듐나이트라이트 (18.6g, 0.27mol)을 0도에서 첨가한 후 10분동안 교반하고 커퍼브로마이드(II) (60.3g, 0.27mol)을 첨가하여 50도로 가열한다. 1시간동안 가열한 후 증류수 2L에 역침전하여 고체를 획득한다. 획득한 고체를 컬럼 크로마토크래피(클로로포름/헥산)으로 정제하여 상기 화합물 3-C (76.3g, 수율: 76%)를 제조하였다.To a solution of the compound 2-C (88.8 g, 0.18 mol) in a nitrogen atmosphere, 1.8 L of acetonitrile was added and 45 mL of 12 M hydrochloric acid was added at 0 deg. Sodium nitrite (18.6 g, 0.27 mol) is added at 0, stirred for 10 minutes, and cupperbromide (II) (60.3 g, 0.27 mol) is added and heated to 50 ° C. After heating for 1 hour, the precipitate is precipitated in 2 L of distilled water to obtain a solid. The obtained solid was purified by column chromatography (chloroform / hexane) to obtain the above compound 3-C (76.3 g, yield: 76%).

MS[M+H]+ = 557MS [M + H] &lt; + &gt; = 557

제조예 3-4: 화합물 3-D의 합성Production Example 3-4: Synthesis of Compound 3-D

[반응식 3-4][Reaction Scheme 3-4]

Figure pat00037
Figure pat00037

질소 분위기에서 상기 화합물 2-D (68.4g, 0.18mol)에 아세토나이트릴 1.8L를 첨가하고 0도에서 12M 염산 45mL를 첨가한다. 소듐나이트라이트 (18.6g, 0.27mol)을 0도에서 첨가한 후 10분동안 교반하고 커퍼브로마이드(II) (60.3g, 0.27mol)을 첨가하여 50도로 가열한다. 1시간동안 가열한 후 증류수 2L에 역침전하여 고체를 획득한다. 획득한 고체를 컬럼 크로마토크래피(클로로포름/헥산)으로 정제하여 상기 화합물 3-D (59.9g, 수율: 75%)를 제조하였다.1.8 L of acetonitrile is added to the above compound 2-D (68.4 g, 0.18 mol) in a nitrogen atmosphere, and 45 mL of 12M hydrochloric acid is added at 0 deg. Sodium nitrite (18.6 g, 0.27 mol) is added at 0, stirred for 10 minutes, and cupperbromide (II) (60.3 g, 0.27 mol) is added and heated to 50 ° C. After heating for 1 hour, the precipitate is precipitated in 2 L of distilled water to obtain a solid. The obtained solid was purified by column chromatography (chloroform / hexane) to give the above compound 3-D (59.9 g, yield: 75%).

MS[M+H]+ = 443MS [M + H] &lt; + &gt; = 443

제조예 4-1: 화합물 3의 합성Production Example 4-1: Synthesis of Compound 3

[반응식 4-1][Reaction Scheme 4-1]

Figure pat00038
Figure pat00038

질소 분위기에서 상기 화합물 3-A (21.8g, 0.05mol)에 톨루엔 200ml를 첨가하고 -78도에서 2.5M n-뷰틸리튬 20mL를 첨가한다. -78도에서 2시간 교반한 후 트라이브로모보레인 (25g, 0.1mol)을 -78도에서 첨가하여 30분 교반한다. 온도를 상온으로 올려 30분 교반한 후 50도에서 한시간 교반한다. 0도로 냉각한 후 다이아이소프로필에틸아민 (12.9g, 0.1mol)을 첨가한 후 20시간 reflux(환류)한다. 상온에서 다이아이소프로필에틸아민 (6.5g, 0.05ml)를 추가로 첨가한 후 용매를 완전히 증류하여 컬럼 크로마토크래피(클로로포름/헥산)으로 정제하여 상기 화합물 3 (11.5g, 수율: 63%)를 제조하였다.200 ml of toluene was added to the compound 3-A (21.8 g, 0.05 mol) in a nitrogen atmosphere, and 20 ml of 2.5 M n-butyllithium was added at -78 deg. After stirring at -78 ° C for 2 hours, tribromoborane (25g, 0.1mol) was added at -78 ° C and stirred for 30 minutes. The temperature is raised to room temperature and stirred for 30 minutes and then stirred at 50 ° C for one hour. After cooling to 0 ° C., diisopropylethylamine (12.9 g, 0.1 mol) was added and refluxed (refluxed) for 20 hours. Diisopropylethylamine (6.5 g, 0.05 ml) was further added at room temperature, and then the solvent was completely distilled and purified by column chromatography (chloroform / hexane) to obtain Compound 3 (11.5 g, yield: 63%) .

MS[M+H]+ = 367MS [M + H] &lt; + &gt; = 367

제조예 4-2: 화합물 2의 합성Production Example 4-2: Synthesis of Compound 2

[반응식 4-2][Reaction Scheme 4-2]

Figure pat00039
Figure pat00039

질소 분위기에서 상기 화합물 3-B (23.3g, 0.05mol)에 톨루엔 200ml를 첨가하고 -78도에서 2.5M n-뷰틸리튬 20mL를 첨가한다. -78도에서 2시간 교반한 후 트라이브로모보레인 (25g, 0.1mol)을 -78도에서 첨가하여 30분 교반한다. 온도를 상온으로 올려 30분 교반한 후 50도에서 한시간 교반한다. 0도로 냉각한 후 다이아이소프로필에틸아민 (12.9g, 0.1mol)을 첨가한 후 20시간 reflux한다. 상온에서 다이아이소프로필에틸아민 (6.5g, 0.05ml)를 추가로 첨가한 후 용매를 완전히 증류하여 컬럼 크로마토크래피(클로로포름/헥산)으로 정제하여 상기 화합물 2 (12.8g, 수율: 65%)를 제조하였다.200 ml of toluene was added to the above compound 3-B (23.3 g, 0.05 mol) in a nitrogen atmosphere, and 20 ml of 2.5 M n-butyllithium was added at -78 deg. After stirring at -78 ° C for 2 hours, tribromoborane (25g, 0.1mol) was added at -78 ° C and stirred for 30 minutes. The temperature is raised to room temperature and stirred for 30 minutes and then stirred at 50 ° C for one hour. After cooling to 0 ° C., diisopropylethylamine (12.9 g, 0.1 mol) was added and refluxed for 20 hours. Diisopropylethylamine (6.5 g, 0.05 ml) was further added at room temperature, and then the solvent was completely distilled and purified by column chromatography (chloroform / hexane) to obtain Compound 2 (12.8 g, yield 65%) .

MS[M+H]+ = 395MS [M + H] &lt; + &gt; = 395

제조예 4-3: 화합물 214의 합성Production example 4-3: Synthesis of compound 214

[반응식 4-3][Reaction Scheme 4-3]

Figure pat00040
Figure pat00040

질소 분위기에서 상기 화합물 3-C (27.8g, 0.05mol)에 톨루엔 200ml를 첨가하고 -78도에서 2.5M n-뷰틸리튬 20mL를 첨가한다. -78도에서 2시간 교반한 후 트라이브로모보레인 (25g, 0.1mol)을 -78도에서 첨가하여 30분 교반한다. 온도를 상온으로 올려 30분 교반한 후 50도에서 한시간 교반한다. 0도로 냉각한 후 다이아이소프로필에틸아민 (12.9g, 0.1mol)을 첨가한 후 20시간 reflux한다. 상온에서 다이아이소프로필에틸아민 (6.5g, 0.05ml)를 추가로 첨가한 후 용매를 완전히 증류하여 컬럼 크로마토크래피(클로로포름/헥산)으로 정제하여 상기 화합물 214 (15.1g, 수율: 62%)를 제조하였다.To a solution of the above compound 3-C (27.8 g, 0.05 mol) in a nitrogen atmosphere, 200 ml of toluene was added, and 20 ml of 2.5 M n-butyllithium was added at -78 deg. After stirring at -78 ° C for 2 hours, tribromoborane (25g, 0.1mol) was added at -78 ° C and stirred for 30 minutes. The temperature is raised to room temperature and stirred for 30 minutes and then stirred at 50 ° C for one hour. After cooling to 0 ° C., diisopropylethylamine (12.9 g, 0.1 mol) was added and refluxed for 20 hours. After further addition of diisopropylethylamine (6.5 g, 0.05 ml) at room temperature, the solvent was completely distilled and purified by column chromatography (chloroform / hexane) to obtain the compound 214 (15.1 g, yield: 62%) .

MS[M+H]+ = 487MS [M + H] &lt; + &gt; = 487

제조예 4-4: 화합물 4-D의 합성Production Example 4-4: Synthesis of Compound 4-D

[반응식 4-4][Reaction Scheme 4-4]

Figure pat00041
Figure pat00041

질소 분위기에서 상기 화합물 3-D (22.2g, 0.05mol)에 톨루엔 200ml를 첨가하고 -78도에서 2.5M n-뷰틸리튬 20mL를 첨가한다. -78도에서 2시간 교반한 후 트라이브로모보레인 (25g, 0.1mol)을 -78도에서 첨가하여 30분 교반한다. 온도를 상온으로 올려 30분 교반한 후 50도에서 한시간 교반한다. 0도로 냉각한 후 다이아이소프로필에틸아민 (12.9g, 0.1mol)을 첨가한 후 20시간 reflux한다. 상온에서 다이아이소프로필에틸아민 (6.5g, 0.05ml)를 추가로 첨가한 후 용매를 완전히 증류하여 컬럼 크로마토크래피(클로로포름/헥산)으로 정제하여 상기 화합물 4-D (18.6g, 수율: 66%)를 제조하였다.200 ml of toluene was added to the compound 3-D (22.2 g, 0.05 mol) in a nitrogen atmosphere, and 20 ml of 2.5 M n-butyllithium was added at -78 deg. After stirring at -78 ° C for 2 hours, tribromoborane (25g, 0.1mol) was added at -78 ° C and stirred for 30 minutes. The temperature is raised to room temperature and stirred for 30 minutes and then stirred at 50 ° C for one hour. After cooling to 0 ° C., diisopropylethylamine (12.9 g, 0.1 mol) was added and refluxed for 20 hours. Diisopropylethylamine (6.5 g, 0.05 ml) was further added at room temperature, and the solvent was completely distilled and purified by column chromatography (chloroform / hexane) to obtain 18.6 g (yield: 66% ).

MS[M+H]+ = 373MS [M + H] &lt; + &gt; = 373

제조예 5-1: 화합물 191의 합성Production Example 5-1: Synthesis of Compound 191

[반응식 5-1][Reaction Scheme 5-1]

Figure pat00042
Figure pat00042

질소 분위기에서 상기 화합물 4-D (3.7g, 0.01mol)에 톨루엔 30ml를 첨가하고 다이페닐아민 (1.7g, 0.01mol)과 소듐터트뷰톡사이드 (1.9g, 0.02mol)을 첨가한다. 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 (58mg, 0.05mmol)을 첨가하여 2시간동안 reflux하여 교반한다. 유기층을 물로 추출한 후 용매를 완전히 증류하여 컬럼 크로마토크래피(클로로포름/헥산)으로 정제하여 상기 화합물 191 (4.7g, 수율: 93%)를 제조하였다.30 ml of toluene was added to the compound 4-D (3.7 g, 0.01 mol) in a nitrogen atmosphere, and diphenylamine (1.7 g, 0.01 mol) and sodium tertbutoxide (1.9 g, 0.02 mol) were added. Tetrakis triphenylphosphine palladium (58 mg, 0.05 mmol) was added and the mixture was refluxed for 2 hours and stirred. The organic layer was extracted with water, and the solvent was completely distilled and purified by column chromatography (chloroform / hexane) to obtain the above compound 191 (4.7 g, yield: 93%).

MS[M+H]+ = 506MS [M + H] &lt; + &gt; = 506

제조예 5-2: 화합물 5-D의 합성Production Example 5-2: Synthesis of Compound 5-D

[반응식 5-2][Reaction Scheme 5-2]

Figure pat00043
Figure pat00043

질소 분위기에서 상기 화합물 4-D (14.9g, 0.04mol)에 1,4-다이옥산 140ml를 첨가하고 포타슘아세테이트 (7.9g, 0.08mol)와 비스-피나코락토다이보론(10.2g, 0.04mol)을 첨가한다. 추가로 팔라듐아세테이트 (90mg, 0.4mmol)을 넣고 12시간 reflux한다. 반응이 종결된 후 유기층을 물로 추출한 후 용매를 완전히 증류하여 컬럼 크로마토크래피(클로로포름/헥산)으로 정제하여 상기 화합물 5-D (17.3g, 수율: 93%)를 제조하였다.140 ml of 1,4-dioxane was added to the compound 4-D (14.9 g, 0.04 mol) in a nitrogen atmosphere, and potassium acetate (7.9 g, 0.08 mol) and bis-pinacolactodiboron (10.2 g, 0.04 mol) . Additional palladium acetate (90 mg, 0.4 mmol) is added and refluxed for 12 hours. After the reaction was completed, the organic layer was extracted with water, and the solvent was completely distilled and purified by column chromatography (chloroform / hexane) to prepare the compound 5-D (17.3 g, yield: 93%).

MS[M+H]+ = 465MS [M + H] &lt; + &gt; = 465

제조예 5-3: 화합물 31의 합성Production Example 5-3: Synthesis of Compound 31

[반응식 5-3][Reaction Scheme 5-3]

Figure pat00044
Figure pat00044

질소 분위기에서 상기 화합물 5-D (13.9g, 0.03mol)에 티에치에프 30mL에 완전히 녹인 후 탄산칼륨 수용액(10M) 10mL을 첨가하고 브로모벤젠 (4.8g, 0.03mol)을 첨가한다. 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 (0.35g, 0.3mmol)을 첨가하고 3시간 동안 리플럭스하여 교반하였다. 반응이 종료된 후 물층을 제거한 후 유기층을 완전히 증류하여 컬럼 크로마토크래피(클로로포름/헥산)으로 정제하여 상기 화합물 31 (11.8g, 수율: 95%)를 제조하였다.The compound 5-D (13.9 g, 0.03 mol) was completely dissolved in 30 mL of thiethiophene in a nitrogen atmosphere, 10 mL of an aqueous potassium carbonate solution (10 M) was added, and bromobenzene (4.8 g, 0.03 mol) was added. Tetrakis triphenylphosphine palladium (0.35 g, 0.3 mmol) was added and refluxed and stirred for 3 hours. After the reaction was completed, the water layer was removed, and the organic layer was completely distilled and purified by column chromatography (chloroform / hexane) to obtain the compound 31 (11.8 g, yield: 95%).

MS[M+H]+ = 415MS [M + H] &lt; + &gt; = 415

<실시예><Examples>

본 실시예에 있어서, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화학식 1과 함께 삼중항 값이 2.5eV 이상인 호스트 재료(m-CBP), ΔEST(일중항 에너지와 삼중항 에너지의 차이)가 0.2eV 미만인 TADF(지연형광) 특성을 갖는 Sensitizer(4CzIPN)를 발광층에 포함하여 유기 포토 루미네선스 소자를 제조하고, 특성을 평가하였다. In this embodiment, a host material (m-CBP) having a triplet value of 2.5 eV or more, ΔE ST (difference between singlet energy and triplet energy) of less than 0.2 eV An organic photoluminescence device was fabricated by incorporating a sensitizer (4CzIPN) with TADF (Delayed Fluorescence) characteristics into the luminescent layer, and the characteristics were evaluated.

(실험예1)(Experimental Example 1)

본 실시예에 있어서, GD1과 m-CBP, 4CzIPN으로 이루어진 발광층을 갖는 유기 일렉트로루미네선스 소자를 제조하여,특성을 평가하였다. ITO(indium tin oxide)가 1,000Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이 때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀러포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다. 이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 각 박막을 진공 증착법으로 진공도 5.0 Х 10- 4㎩ 로 적층하였다. 먼저, ITO 상에 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌 (hexaazatriphenylene; HAT)를 500Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공 주입층을 형성하였다.In this example, an organic electroluminescence device having a light emitting layer composed of GD1, m-CBP, and 4CzIPN was prepared and evaluated for its characteristics. The glass substrate coated with ITO (indium tin oxide) thin film with a thickness of 1,000 Å was immersed in distilled water containing detergent and washed with ultrasonic waves. In this case, Fischer Co. was used as a detergent, and distilled water filtered by a filter of Millipore Co. was used as distilled water. The ITO was washed for 30 minutes and then washed twice with distilled water and ultrasonically cleaned for 10 minutes. After the distilled water was washed, it was ultrasonically washed with a solvent of isopropyl alcohol, acetone, and methanol, dried, and then transported to a plasma cleaner. Further, the substrate was cleaned using oxygen plasma for 5 minutes, and then the substrate was transported by a vacuum evaporator. Each thin film was laminated on the prepared ITO transparent electrode by a vacuum deposition method with a degree of vacuum of 5.0 Х 10 - 4 ㎫. First, hexanitrile hexaazatriphenylene (HAT) was thermally vacuum deposited on ITO to a thickness of 500 Å to form a hole injection layer.

상기 정공 주입층 위에 정공을 수송하는 물질인 하기 화합물 4-4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(NPB)(300Å)를 진공 증착하여 정공 수송층을 형성하였다.N-phenylamino] biphenyl (NPB) (300 Å) was vacuum-deposited on the hole injection layer to form a hole transport layer, which is a material for transporting holes, and the following compound 4-4'-bis [N- (1-naphthyl) Respectively.

상기 정공 수송층 위에 막 두께 100Å으로 하기 화합물 N-([1,1'-비스페닐]-4-yl)-N-(4-(11-([1,1'-비페닐]-4-yl)-11H-벤조[a]카바졸-5-yl)페닐)-[1,1'-비페닐]-4-아민(EB1)(100Å)를 진공 증착하여 전자 억제층을 형성하였다.([1,1'-biphenyl] -4-yl) -N- (4- (11 - ([1,1'-biphenyl] -4-yl ) -11H-benzo [a] carbazole-5-yl) phenyl) - [1,1'-biphenyl] -4-amine (EB1) (100 Å) was vacuum deposited to form an electron inhibition layer.

이어서, 상기 전자 억제층 위에 막 두께 300Å으로 아래와 같은 m-CBP와 4CzIPN, GD1을 68:30:2의 중량비로 진공증착하여 발광층을 형성하였다.Subsequently, m-CBP, 4CzIPN and GD1 shown below were vapor-deposited at a weight ratio of 68: 30: 2 at a thickness of 300 Å on the electron suppressing layer to form a light emitting layer.

상기 발광층 위에 화합물 ET1과 화합물 LiQ(Lithium Quinolate)를 1:1의 중량비로 진공증착하여 300Å의 두께로 전자 주입 및 수송층을 형성하였다. 상기 전자 주입 및 수송층 위에 순차적으로 12Å두께로 리튬플로라이드(LiF)와 2,000Å 두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다.Compound ET1 and compound LiQ (Lithium Quinolate) were vacuum deposited on the light emitting layer at a weight ratio of 1: 1 to form an electron injecting and transporting layer having a thickness of 300 Å. Lithium fluoride (LiF) and aluminum were deposited to a thickness of 2000 Å on the electron injecting and transporting layer sequentially to form a cathode.

상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4~ 0.7Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬플로라이드는 0.3Å/sec, 알루미늄은 2Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2 ⅹ10-7 ~ 5 ⅹ10-6 torr를 유지하여, 유기 발광소자를 제작하였다. Was maintained at the deposition rate was 0.4 ~ 0.7Å / sec for organic material in the above process, the lithium fluoride of the cathode was 0.3Å / sec, aluminum is deposited at a rate of 2Å / sec, the degree of vacuum upon deposition ⅹ10 2 -7 To 5 x 10 &lt; -6 &gt; torr, thereby fabricating an organic light emitting device.

Figure pat00045
Figure pat00045

Figure pat00046
Figure pat00046

실험예 1-1 내지 1-48Experimental Examples 1-1 to 1-48

상기 실험예 1에서 화합물 GD1 대신 하기 표 1의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.An organic light emitting device was prepared in the same manner as in Experimental Example 1, except that the compound shown in Table 1 was used instead of the compound GD1 in Experimental Example 1.

Figure pat00047
Figure pat00047

비교 실험예 1-1 Comparative Experimental Example 1-1

상기 실험예 1에서 화합물 GD1 대신 하기 GD2의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.An organic light emitting device was fabricated in the same manner as in Experimental Example 1, except that the following GD2 compound was used instead of the compound GD1 in Experimental Example 1. [

Figure pat00048
Figure pat00048

실험예 1-1 내지 1-48 및 비교예 1-1에 의해 제작된 유기 발광 소자에 전류를 인가하였을 때, 전압, 효율, 발광파장을 측정한 결과를 하기 표 1에 나타내었다.Table 1 shows the results of measurement of voltage, efficiency, and emission wavelength when current was applied to the organic light emitting device fabricated according to Experimental Examples 1-1 to 1-48 and Comparative Example 1-1.

구분division 화합물
(전자억제층)
compound
(Electron inhibiting layer)
전압
(V@10mA/cm2)
Voltage
(V @ 10 mA / cm 2 )
효율
(cd/A@10mA/cm2)
efficiency
(cd / A @ 10mA / cm 2)
발광파장
(nm)
Emission wavelength
(nm)
실험예 1Experimental Example 1 화합물 GD1Compound GD1 4.864.86 4.734.73 524524 실험예 1-1Experimental Example 1-1 화합물 2Compound 2 3.903.90 17.517.5 517517 실험예 1-2Experimental Example 1-2 화합물 3Compound 3 3.913.91 17.717.7 514514 실험예 1-3Experimental Example 1-3 화합물 4Compound 4 3.953.95 17.317.3 517517 실험예 1-4Experimental Examples 1-4 화합물 5Compound 5 3.903.90 17.717.7 515515 실험예 1-5Experimental Examples 1-5 화합물 7Compound 7 3.903.90 17.317.3 516516 실험예 1-6Experimental Example 1-6 화합물 12Compound 12 3.943.94 16.916.9 514514 실험예 1-7Experimental Example 1-7 화합물 15Compound 15 3.973.97 17.217.2 511511 실험예 1-8Experimental Examples 1-8 화합물 22Compound 22 3.983.98 17.517.5 514514 실험예 1-9Experimental Examples 1-9 화합물 31Compound 31 3.973.97 17.617.6 513513 실험예 1-10Experimental Example 1-10 화합물 32Compound 32 3.903.90 16.916.9 517517 실험예 1-11Experimental Example 1-11 화합물 34Compound 34 3.913.91 17.817.8 516516 실험예 1-12Experimental Example 1-12 화합물 43Compound 43 3.913.91 17.717.7 515515 실험예 1-13Experimental Example 1-13 화합물 44Compound 44 3.923.92 17.317.3 515515 실험예 1-14Experimental Example 1-14 화합물 45Compound 45 3.903.90 17.717.7 514514 실험예 1-15Experimental Example 1-15 화합물 55Compound 55 3.943.94 16.816.8 512512 실험예 1-16Experimental Example 1-16 화합물 57Compound 57 3.983.98 17.317.3 517517 실험예 1-17Experimental Example 1-17 화합물 69Compound 69 3.963.96 17.117.1 515515 실험예 1-18Experimental Example 1-18 화합물 73Compound 73 3.953.95 17.517.5 517517 실험예 1-19Experimental Example 1-19 화합물 87Compound 87 3.943.94 17.717.7 517517 실험예 1-20Experimental Example 1-20 화합물 139Compound 139 3.963.96 17.317.3 516516 실험예 1-21Experimental Example 1-21 화합물 156Compound 156 3.973.97 17.717.7 515515 실험예 1-22Experimental Example 1-22 화합물 191Compound 191 3.973.97 17.217.2 539539 실험예 1-23Experimental Example 1-23 화합물 192Compound 192 3.983.98 17.117.1 538538 실험예 1-24Experimental Example 1-24 화합물 193Compound 193 3.943.94 17.017.0 538538 실험예 1-25Experimental Example 1-25 화합물 194Compound 194 3.973.97 17.417.4 538538 실험예 1-26Experimental Example 1-26 화합물 195Compound 195 3.943.94 17.117.1 537537 실험예 1-27Experimental Example 1-27 화합물 197Compound 197 3.983.98 17.417.4 539539 실험예 1-28Experimental Example 1-28 화합물 201Compound 201 3.993.99 17.317.3 531531 실험예 1-29Experimental Example 1-29 화합물 202Compound 202 3.993.99 17.117.1 532532 실험예 1-30Experimental Example 1-30 화합물 204Compound 204 3.973.97 17.417.4 531531 실험예 1-31Experimental Examples 1-31 화합물 212Compound 212 3.983.98 17.317.3 532532 실험예 1-32Experimental Example 1-32 화합물 213Compound 213 3.953.95 17.517.5 531531 실험예 1-33Experimental Example 1-33 화합물 214Compound 214 3.943.94 17.417.4 518518 실험예 1-34Experimental Example 1-34 화합물 220Compound 220 3.953.95 17.517.5 532532 실험예 1-35Experimental Example 1-35 화합물 234Compound 234 3.973.97 17.317.3 510510 실험예 1-36Experimental Example 1-36 화합물 235Compound 235 3.953.95 17.117.1 517517 실험예 1-37Experimental Example 1-37 화합물 236Compound 236 3.943.94 17.117.1 531531 실험예 1-38Experimental Examples 1-38 화합물 237Compound 237 3.943.94 17.217.2 532532 실험예 1-39Experimental Example 1-39 화합물 238Compound 238 3.913.91 17.817.8 543543 실험예 1-40Experimental Example 1-40 화합물 239Compound 239 3.913.91 17.717.7 541541 실험예 1-41Experimental Example 1-41 화합물 240Compound 240 3.943.94 17.917.9 533533 실험예 1-42Experimental Examples 1-42 화합물 241Compound 241 3.923.92 17.817.8 545545 실험예 1-43Experimental Example 1-43 화합물 242Compound 242 3.903.90 17.617.6 536536 실험예 1-44Experimental Examples 1-44 화합물 243Compound 243 3.923.92 17.917.9 544544 실험예 1-45Experimental Example 1-45 화합물 244Compound 244 3.943.94 17.317.3 541541 실험예 1-46Experimental Example 1-46 화합물 245Compound 245 3.913.91 17.217.2 544544 실험예 1-47Experimental Examples 1-47 화합물 246Compound 246 3.933.93 17.417.4 539539 실험예 1-48Experimental Examples 1-48 화합물 247Compound 247 3.903.90 17.717.7 541541 비교 실험예 1-1Comparative Experimental Example 1-1 화합물 GD2Compound GD2 4.414.41 13.513.5 501501

상기 표 1에서 보는 바와 같이, 화학식 1의 구조를 코어로 하는 화합물을 사용한 실험예 1-1 내지 1-48의 소자 모두 실험예 1에서 화합물 GD1의 물질을 사용한 소자보다 전압이 낮고, 효율이 올라가는 결과를 얻었다. 또한, 비교예 1-1 소자와 비교를 해보면 치환기가 없는 경우보다 치환기가 있는 본 화학식 1의 구조가 전압, 효율 및 발광 파장 면에서 특성이 모두 향상됨을 알 수 있었다.As shown in Table 1, in all of the devices of Experimental Examples 1-1 to 1-48 using the compound having the structure of Formula 1 as a core, the voltage was lower than that of the device using the compound GD1 in Experimental Example 1, Results were obtained. Comparing with the comparative example 1-1, it was found that the structure of the formula 1 having a substituent group was improved in terms of voltage, efficiency, and emission wavelength.

상기 표 1의 결과와 같이, 본 발명에 따른 화합물은 발광 능력이 우수하고 색순도가 높아 유기 발광 소자에 적용 가능함을 확인할 수 있었다.As shown in Table 1, it was confirmed that the compound of the present invention has excellent light emitting ability and high color purity, so that it is applicable to organic light emitting devices.

1: 기판
2: 양극
3: 발광층
4: 음극
5: 정공주입층
6: 정공수송층
7: 전자수송층
1: substrate
2: anode
3: light emitting layer
4: cathode
5: Hole injection layer
6: hole transport layer
7: Electron transport layer

Claims (4)

하기 화학식 1 로 표시되는 화합물:
[화학식 1]
Figure pat00049

상기 화학식 1에 있어서,
L은 직접결합; 치환 또는 비치환된 알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이며,
R1 내지 R5는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카르복시기; 에테르기; 에스테르기; 이미드기; 아미드기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아릴포스핀기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기; 또는 NRR'이며,
R1 내지 R5가 모두 수소인 경우는 제외하고,
R 및 R'은 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카르복시기; 에테르기; 에스테르기; 이미드기; 아미드기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아릴포스핀기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,
a 내지 e는 각각 독립적으로, 0 내지 3의 정수이며,
b 내지 e가 1 이상인 경우, 인접한 R2 및 R3; R3 및 R4; 및 R4 및 R5는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있으며,
b 내지 e가 2 이상인 경우, 각각 독립적으로 R2 내지 R5는 각각 인접한 기가 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
A compound represented by the following formula (1):
[Chemical Formula 1]
Figure pat00049

In Formula 1,
L is a direct bond; A substituted or unsubstituted alkylene group or a substituted or unsubstituted arylene group,
R 1 to R 5 are each independently hydrogen; heavy hydrogen; halogen; A nitrile group; A nitro group; A hydroxy group; A carboxy group; Ether group; An ester group; Imide; Amide group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted alkoxy group; A substituted or unsubstituted aryloxy group; A substituted or unsubstituted alkylthio group; A substituted or unsubstituted arylthio group; A substituted or unsubstituted alkylsulfoxy group; A substituted or unsubstituted arylsulfoxy group; A substituted or unsubstituted alkenyl group; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted boron group; A substituted or unsubstituted arylphosphine group; A substituted or unsubstituted phosphine oxide group; A substituted or unsubstituted aryl group; A substituted or unsubstituted heteroaryl group; Or NRR '
Except that R1 to R5 are all hydrogen,
R and R 'are each independently selected from the group consisting of hydrogen; heavy hydrogen; halogen; A nitrile group; A nitro group; A hydroxy group; A carboxy group; Ether group; An ester group; Imide; Amide group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted alkoxy group; A substituted or unsubstituted aryloxy group; A substituted or unsubstituted alkylthio group; A substituted or unsubstituted arylthio group; A substituted or unsubstituted alkylsulfoxy group; A substituted or unsubstituted arylsulfoxy group; A substituted or unsubstituted alkenyl group; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted boron group; A substituted or unsubstituted arylphosphine group; A substituted or unsubstituted phosphine oxide group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,
a to e each independently represents an integer of 0 to 3,
when b to e are 1 or more, adjacent R2 and R3; R3 and R4; And R4 and R5 may be bonded to each other to form a ring,
When b to e are 2 or more, each of R2 to R5 independently represents an adjacent group bonded to each other to form a ring.
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 2 또는 3으로 표시되는 것인 화합물:
[화학식 2]
Figure pat00050

[화학식 3]
Figure pat00051

상기 화학식 2 및 3에 있어서,
R1a 및 R1b는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 또는 NRR'이며,
f는 0 내지 5이며,
g는 0 내지 3이고,
R2 내지 R5, R, R' 및 b 내지 e는 화학식 1에서 정의된 것과 같다.
The compound according to claim 1, wherein the compound represented by Formula 1 is represented by Formula 2 or 3:
(2)
Figure pat00050

(3)
Figure pat00051

In the general formulas (2) and (3)
R1a and R1b are each independently selected from the group consisting of hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted silyl group; Or NRR '
f is from 0 to 5,
g is 0 to 3,
R2 to R5, R, R 'and b to e are the same as defined in formula (1).
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 구조들 중에서 선택되는 어느 하나인 것인 화합물:
Figure pat00052

Figure pat00053

Figure pat00054

Figure pat00055

Figure pat00056

Figure pat00057

Figure pat00058

Figure pat00059

Figure pat00060

Figure pat00061

Figure pat00062

Figure pat00063

Figure pat00064
.
The compound according to claim 1, wherein the compound represented by Formula 1 is any one selected from the following structures:
Figure pat00052

Figure pat00053

Figure pat00054

Figure pat00055

Figure pat00056

Figure pat00057

Figure pat00058

Figure pat00059

Figure pat00060

Figure pat00061

Figure pat00062

Figure pat00063

Figure pat00064
.
제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 청구항 1 내지 3 중 어느 하나의 항에 따른 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.1. An organic light emitting device comprising a first electrode, a second electrode, and at least one organic material layer disposed between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers is provided in any one of claims 1 to 3 &Lt; RTI ID = 0.0 &gt; 1, &lt; / RTI &gt;
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