KR102187980B1 - Compound and organic light emitting device comprising the same - Google Patents

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Abstract

본 명세서는 화학식 1로 표시되는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다. The present specification provides a compound represented by Chemical Formula 1 and an organic light-emitting device including the same.

Description

화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자{COMPOUND AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE COMPRISING THE SAME}Compound and organic light-emitting device comprising the same TECHNICAL FIELD

본 발명은 2018년 03월 28일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2018-0036143의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.The present invention claims the benefit of the filing date of Korean Patent Application No. 10-2018-0036143 filed with the Korean Intellectual Property Office on March 28, 2018, the entire contents of which are incorporated herein.

본 명세서는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.The present specification relates to a compound and an organic light emitting device including the same.

일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어 질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. In general, the organic light emission phenomenon refers to a phenomenon in which electrical energy is converted into light energy using an organic material. An organic light emitting device using the organic light emitting phenomenon has a structure including an anode, a cathode, and an organic material layer therebetween. Here, the organic material layer is often made of a multi-layered structure composed of different materials in order to increase the efficiency and stability of the organic light emitting device.For example, it may be formed of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like. In the structure of such an organic light-emitting device, when a voltage is applied between the two electrodes, holes are injected from the anode and electrons from the cathode are injected into the organic material layer, and excitons are formed when the injected holes and electrons meet. It glows when it falls back to the ground.

상기와 같은 유기 발광 소자를 위한 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다.Development of a new material for the organic light emitting device as described above is continuously required.

한국 공개특허공보 제10-2015-0005583호Korean Patent Application Publication No. 10-2015-0005583

본 명세서에는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자가 기재된다. In the present specification, a compound and an organic light emitting device including the same are described.

본 명세서의 일 실시상태는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다. An exemplary embodiment of the present specification provides a compound represented by Formula 1 below.

[화학식 1] [Formula 1]

Figure 112019031983895-pat00001
Figure 112019031983895-pat00001

화학식 1에 있어서,In Formula 1,

X는 직접결합; O; 또는 S이고,X is a direct bond; O; Or S,

Y는 NR; O; 또는 S이고,Y is NR; O; Or S,

R1은 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 60의 시클로알킬기이며,R1 is a substituted or unsubstituted C2 to C60 alkyl group; Or a substituted or unsubstituted C 3 to C 60 cycloalkyl group,

R 및 R2 내지 R4는 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 할로겐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,R and R2 to R4 are each independently hydrogen; heavy hydrogen; Halogen group; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted amine group; A substituted or unsubstituted arylamine group; A substituted or unsubstituted alkylamine group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,

a는 1 또는 2이고,a is 1 or 2,

b는 0 또는 1이고,b is 0 or 1,

c 및 e는 각각 독립적으로, 0 내지 4의 정수이며,c and e are each independently an integer of 0 to 4,

d는 0 내지 2의 정수이며,d is an integer from 0 to 2,

a 및 c 내지 e가 2 이상인 경우에는 괄호 안의 치환기는 서로 같거나 상이하다.When a and c to e are 2 or more, the substituents in parentheses are the same as or different from each other.

또한, 본 명세서의 일 실시상태는 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자를 제공한다.In addition, an exemplary embodiment of the present specification is an organic light emitting device including a first electrode, a second electrode, and at least one organic material layer disposed between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers is It provides an organic light-emitting device comprising the compound according to an exemplary embodiment of the specification.

본 명세서에 기재된 화합물은 유기 발광 소자의 유기물층의 재료로서 사용될 수 있다. 적어도 하나의 실시상태에 따른 화합물은 유기 발광 소자에서 효율의 향상, 낮은 구동전압 및 수명 특성을 향상시킬 수 있다. 특히, 본 명세서에 기재된 화합물은 발광층의 재료로 사용될 수 있다. The compound described herein can be used as a material for an organic material layer of an organic light emitting device. The compound according to at least one exemplary embodiment may improve efficiency, low driving voltage, and improve lifetime characteristics in an organic light emitting device. In particular, the compounds described herein can be used as a material for a light emitting layer.

보다 구체적으로, 본 발명의 일 실시상태에 따른 화합물은 전자 수용 능력이 높은 구조를 가지고 있으며, 내열성이 우수하여 유기 발광 소자 제작시 적절한 증착 온도를 유지할 수 있다. 또한, 승화 온도가 높아 승화 정제 방법으로 고순도화가 가능하며, 유기 발광 소자 제조시 증착용 성막 장치 또는 유기 발광 소자에 오염을 일으키지 않는다.More specifically, the compound according to an exemplary embodiment of the present invention has a structure having a high electron-accepting capacity and has excellent heat resistance, so that an appropriate deposition temperature can be maintained when fabricating an organic light-emitting device. In addition, the sublimation temperature is high, so it is possible to achieve high purity by a sublimation purification method, and does not cause contamination of the deposition apparatus or the organic light emitting device when manufacturing the organic light emitting device.

도 1은 기판(1), 양극(2), 발광층(3) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 2는 기판 (1), 양극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 발광층(7), 전자수송층(8) 및 음극(4)로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
1 shows an example of an organic light-emitting device comprising a substrate 1, an anode 2, a light-emitting layer 3, and a cathode 4.
FIG. 2 shows an example of an organic light-emitting device composed of a substrate 1, an anode 2, a hole injection layer 5, a hole transport layer 6, a light-emitting layer 7, an electron transport layer 8, and a cathode 4 I did it.

이하 본 명세서에 대하여 더욱 상세히 설명한다. Hereinafter, the present specification will be described in more detail.

본 명세서의 일 실시상태는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다. An exemplary embodiment of the present specification provides a compound represented by Chemical Formula 1.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 지연 형광 화합물이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the compound represented by Formula 1 is a delayed fluorescent compound.

일반적인 유기발광소자에서 일중항과 삼중항에서 생성되는 엑시톤의 수가 25:75(일중항: 삼중항)의 비율로 생성되며, 엑시톤 이동에 따른 발광 형태에 따라 형광 발광, 인광 발광 및 열활성화 지연형광 발광으로 나눌 수 있다. 상기 인광 발광의 경우 삼중항 여기 상태(excited state)의 엑시톤이 바닥 상태(ground state)로 이동하여 발광하는 것을 의미하고, 상기 형광 발광의 경우 일중항 여기 상태(excited state)의 엑시톤이 바닥 상태(ground state)로 이동하여 발광하게 되는 것을 의미하며, 상기 열활성화 지연형광 발광은 삼중항 여기 상태(excited state)로부터 일중항 여기 상태(excited state)로 역계간전이가 유도되고, 일중항 여기 상태의 엑시톤이 바닥 상태(Ground State)로 이동하여 형광 발광을 일으키는 것을 의미한다.In general organic light emitting devices, the number of excitons generated in singlet and triplet is generated at a ratio of 25:75 (singlet: triplet), and fluorescence, phosphorescence, and thermally activated delayed fluorescence according to the luminescence type according to exciton movement It can be divided into light emission. In the case of phosphorescent emission, excitons in a triplet excited state move to a ground state to emit light, and in the case of the fluorescence emission, excitons in a singlet excited state are in the ground state ( ground state) to emit light, and in the thermally activated delayed fluorescence emission, an inverse interphase transition is induced from a triplet excited state to a singlet excited state, and the singlet excited state It means that excitons move to the ground state and cause fluorescence emission.

상기 열활성화 지연형광 발광은 발광스펙트럼의 피크 위치가 형광과 같지만 감쇠시간(decay time)이 길다는 점에서 형광 발광과 구분되며, 감쇠시간은 길지만 발광스펙트럼의 피크 위치가 인광 스펙트럼과 S1-T1 에너지의 차이만큼 다르다는 점에서 인광과 구별된다. 이때, S1은 일중항(singlet) 에너지 준위이며, T1는 삼중항(triplet) 에너지 준위이다.The thermally activated delayed fluorescence emission is distinguished from fluorescence emission in that the peak position of the emission spectrum is the same as that of fluorescence, but the decay time is long.Although the attenuation time is long, the peak position of the emission spectrum is the phosphorescence spectrum and S 1 -T It differs from phosphorescence in that it differs by the difference of 1 energy. At this time, S 1 is a singlet energy level, and T 1 is a triplet energy level.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 일중항(singlet) 에너지 준위와 삼중항(triplet) 에너지 준위의 차(△EST)는 0 eV 이상 0.3 eV 이하이고, 바람직하게는 0 eV 이상 0.2 eV 이하이다. 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 일중항(singlet) 에너지 준위와 삼중항(triplet) 에너지 준위의 차가 상기 범위를 만족하는 경우, 삼중항에서 생성된 엑시톤이 역계간전이(RISC)에 의해 일중항으로 이동하는 비율 및 속도가 증가하여 삼중항에 엑시톤이 머무는 시간이 줄어들게 되므로 유기발광소자의 효율 및 수명이 증가하는 이점이 있다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the difference (ΔE ST ) between the singlet energy level and the triplet energy level of the compound represented by Chemical Formula 1 is 0 eV or more and 0.3 eV or less, preferably Is 0 eV or more and 0.2 eV or less. When the difference between the singlet energy level and the triplet energy level of the compound represented by Chemical Formula 1 satisfies the above range, the exciton generated in the triplet is converted to a singlet by inverse interphase transfer (RISC). As the moving rate and speed increase, the time for the excitons to stay in the triplet decreases, thereby increasing the efficiency and lifespan of the organic light-emitting device.

상기 치환기들의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다. Examples of the substituents are described below, but are not limited thereto.

본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 포스핀옥사이드기; 알콕시기; 아릴옥시기; 알킬티옥시기; 아릴티옥시기; 알킬술폭시기; 아릴술폭시기; 실릴기; 붕소기; 알킬기; 시클로알킬기; 알케닐기; 아릴기; 아르알킬기; 아르알케닐기; 알킬아릴기; 알킬아민기; 아랄킬아민기; 헤테로아릴아민기; 아릴아민기; 아릴포스핀기; 및 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되거나, 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환 또는 비치환된 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 바이페닐기일 수 있다. 즉, 바이페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수 있다.In the present specification, the term "substituted or unsubstituted" refers to deuterium; Halogen group; Nitrile group; Nitro group; Hydroxy group; Carbonyl group; Ester group; Imide group; Amino group; Phosphine oxide group; Alkoxy group; Aryloxy group; Alkyl thioxy group; Arylthioxy group; Alkyl sulfoxy group; Arylsulfoxy group; Silyl group; Boron group; Alkyl group; Cycloalkyl group; Alkenyl group; Aryl group; Aralkyl group; Aralkenyl group; Alkylaryl group; Alkylamine group; Aralkylamine group; Heteroarylamine group; Arylamine group; Arylphosphine group; And substituted or unsubstituted with one or more substituents selected from the group consisting of a heterocyclic group, or substituted or unsubstituted with two or more substituents connected among the aforementioned substituents. For example, "a substituent to which two or more substituents are connected" may be a biphenyl group. That is, the biphenyl group may be an aryl group or may be interpreted as a substituent to which two phenyl groups are connected.

본 명세서에 있어서, "인접한" 기는 해당 치환기가 치환된 원자와 직접 연결된 원자에 치환된 치환기, 해당 치환기와 입체구조적으로 가장 가깝게 위치한 치환기, 또는 해당 치환기가 치환된 원자에 치환된 다른 치환기를 의미할 수 있다. 예컨대, 벤젠고리에서 오쏘(ortho)위치로 치환된 2개의 치환기 및 지방족 고리에서 동일 탄소에 치환된 2개의 치환기는 서로 "인접한"기로 해석될 수 있다. 또는, 카바졸에서 N에 치환된 치환기와 카바졸의 1번 탄소 또는 8번 탄소의 치환기가 "인접한 기"로 해석될 수 있다.In this specification, "adjacent" The group may refer to a substituent substituted on an atom directly connected to the atom where the corresponding substituent is substituted, a substituent positioned three-dimensionally closest to the corresponding substituent, or another substituent substituted on an atom where the corresponding substituent is substituted. For example, two substituents substituted at an ortho position in a benzene ring and two substituents substituted at the same carbon in an aliphatic ring may be interpreted as "adjacent" to each other. Alternatively, a substituent substituted for N in carbazole and a substituent on carbon 1 or 8 of carbazole may be interpreted as "adjacent group".

본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다.In the present specification, examples of the halogen group include fluorine, chlorine, bromine or iodine.

본 명세서에서 카보닐기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the number of carbon atoms of the carbonyl group is not particularly limited, but it is preferably 1 to 40 carbon atoms. Specifically, it may be a compound having the following structure, but is not limited thereto.

Figure 112019031983895-pat00002
Figure 112019031983895-pat00002

본 명세서에 있어서, 에스테르기는 에스테르기의 산소가 탄소수 1 내지 40의 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄 알킬기 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 치환될 수 있다. 구체적으로, 하기 구조식의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the ester group oxygen may be substituted with a C 1 to C 40 linear, branched or cyclic chain alkyl group or a C 6 to C 30 aryl group. Specifically, it may be a compound of the following structural formula, but is not limited thereto.

Figure 112019031983895-pat00003
Figure 112019031983895-pat00003

본 명세서에 있어서, 이미드기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 25인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the number of carbon atoms of the imide group is not particularly limited, but it is preferably 1 to 25 carbon atoms. Specifically, it may be a compound having the following structure, but is not limited thereto.

Figure 112019031983895-pat00004
Figure 112019031983895-pat00004

본 명세서에 있어서, 실릴기는 -SiRaRbRc의 화학식으로 표시될 수 있고, 상기 Ra, Rb 및 Rc는 각각 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기일 수 있다. 상기 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다. In the present specification, the silyl group may be represented by the formula of -SiR a R b R c , wherein R a , R b and R c are each hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; Or it may be a substituted or unsubstituted aryl group. The silyl group specifically includes a trimethylsilyl group, a triethylsilyl group, a t-butyldimethylsilyl group, a vinyldimethylsilyl group, a propyldimethylsilyl group, a triphenylsilyl group, a diphenylsilyl group, a phenylsilyl group, etc., but is not limited thereto. Does not.

본 명세서에 있어서, 붕소기는 -BRaRb의 화학식으로 표시될 수 있고, 상기 Ra 및 Rb 는 각각 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기일 수 있다. 상기 붕소기는 구체적으로 디메틸붕소기, 디에틸붕소기, t-부틸메틸붕소기, 디페닐붕소기, 페닐붕소기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.In the present specification, the boron group may be represented by the formula of -BR a R b , wherein R a and R b are each hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; Or it may be a substituted or unsubstituted aryl group. Specifically, the boron group includes a dimethyl boron group, a diethyl boron group, a t-butylmethyl boron group, a diphenyl boron group, and a phenyl boron group, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 6이다. 알킬기의 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 시클로펜틸메틸, 시클로헥실메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkyl group may be a linear or branched chain, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 40. According to an exemplary embodiment, the alkyl group has 1 to 20 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the alkyl group has 1 to 10 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the alkyl group has 1 to 6 carbon atoms. Specific examples of the alkyl group include methyl, ethyl, propyl, n-propyl, isopropyl, butyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, sec-butyl, 1-methyl-butyl, 1-ethyl-butyl, pentyl, n -Pentyl, isopentyl, neopentyl, tert-pentyl, hexyl, n-hexyl, 1-methylpentyl, 2-methylpentyl, 4-methyl-2-pentyl, 3,3-dimethylbutyl, 2-ethylbutyl, heptyl , n-heptyl, 1-methylhexyl, cyclopentylmethyl, cyclohexylmethyl, octyl, n-octyl, tert-octyl, 1-methylheptyl, 2-ethylhexyl, 2-propylpentyl, n-nonyl, 2,2 -Dimethylheptyl, 1-ethyl-propyl, 1,1-dimethyl-propyl, isohexyl, 4-methylhexyl, 5-methylhexyl, and the like, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 상기 알콕시기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적으로, 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, i-프로필옥시, n-부톡시, 이소부톡시, tert-부톡시, sec-부톡시, n-펜틸옥시, 네오펜틸옥시, 이소펜틸옥시, n-헥실옥시, 3,3-디메틸부틸옥시, 2-에틸부틸옥시, n-옥틸옥시, n-노닐옥시, n-데실옥시, 벤질옥시, p-메틸벤질옥시 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the alkoxy group may be linear, branched or cyclic. The number of carbon atoms of the alkoxy group is not particularly limited, but it is preferably 1 to 40 carbon atoms. Specifically, methoxy, ethoxy, n-propoxy, isopropoxy, i-propyloxy, n-butoxy, isobutoxy, tert-butoxy, sec-butoxy, n-pentyloxy, neopentyloxy, Isopentyloxy, n-hexyloxy, 3,3-dimethylbutyloxy, 2-ethylbutyloxy, n-octyloxy, n-nonyloxy, n-decyloxy, benzyloxy, p-methylbenzyloxy, etc. May be, but is not limited thereto.

본 명세서에 기재된 알킬기, 알콕시기 및 그 외 알킬기 부분을 포함하는 치환체는 직쇄 또는 분쇄 형태를 모두 포함한다.Substituents including an alkyl group, an alkoxy group, and other alkyl group moieties described in the present specification include all of a straight chain or a branched form.

본 명세서에 있어서, 상기 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 6이다. 구체적인 예로는 비닐, 1-프로페닐, 이소프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 1-펜테닐, 2-펜테닐, 3-펜테닐, 3-메틸-1-부테닐, 1,3-부타디에닐, 알릴, 1-페닐비닐-1-일, 2-페닐비닐-1-일, 2,2-디페닐비닐-1-일, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkenyl group may be a linear or branched chain, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 2 to 40. According to an exemplary embodiment, the alkenyl group has 2 to 20 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the alkenyl group has 2 to 10 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the alkenyl group has 2 to 6 carbon atoms. Specific examples include vinyl, 1-propenyl, isopropenyl, 1-butenyl, 2-butenyl, 3-butenyl, 1-pentenyl, 2-pentenyl, 3-pentenyl, 3-methyl-1- Butenyl, 1,3-butadienyl, allyl, 1-phenylvinyl-1-yl, 2-phenylvinyl-1-yl, 2,2-diphenylvinyl-1-yl, 2-phenyl-2-( Naphthyl-1-yl)vinyl-1-yl, 2,2-bis(diphenyl-1-yl)vinyl-1-yl, stilbenyl group, styrenyl group, and the like, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 일 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 40이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 6이다. 구체적으로 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 3-메틸시클로펜틸, 2,3-디메틸시클로펜틸, 시클로헥실, 3-메틸시클로헥실, 4-메틸시클로헥실, 2,3-디메틸시클로헥실, 3,4,5-트리메틸시클로헥실, 4-tert-부틸시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. In the present specification, the cycloalkyl group is not particularly limited, but preferably has 3 to 60 carbon atoms, and according to an exemplary embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 40 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the number of carbon atoms of the cycloalkyl group is 3 to 20. According to another exemplary embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 6 carbon atoms. Specifically, cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, 3-methylcyclopentyl, 2,3-dimethylcyclopentyl, cyclohexyl, 3-methylcyclohexyl, 4-methylcyclohexyl, 2,3-dimethylcyclohexyl, 3, 4,5-trimethylcyclohexyl, 4-tert-butylcyclohexyl, cycloheptyl, cyclooctyl, and the like, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 알킬아민기는 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 내지 40인 것이 바람직하다. 알킬아민기의 구체적인 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 에틸아민기, 디에틸아민기, 페닐아민기, 나프틸아민기, 비페닐아민기, 안트라세닐아민기, 9-메틸-안트라세닐아민기, 디페닐아민기, 페닐나프틸아민기, 디톨릴아민기, 페닐톨릴아민기, 트리페닐아민기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the number of carbon atoms in the alkylamine group is not particularly limited, but is preferably 1 to 40. Specific examples of the alkylamine group include methylamine group, dimethylamine group, ethylamine group, diethylamine group, phenylamine group, naphthylamine group, biphenylamine group, anthracenylamine group, 9-methyl-anthracenylamine Group, diphenylamine group, phenylnaphthylamine group, ditolylamine group, phenyltolylamine group, triphenylamine group, and the like, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 아릴아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노아릴아민기, 치환 또는 비치환된 디아릴아민기, 또는 치환 또는 비치환된 트리아릴아민기가 있다. 상기 아릴아민기 중의 아릴기는 단환식 아릴기일 수 있고, 다환식 아릴기일 수 있다. 상기 2 이상의 아릴기를 포함하는 아릴아민기는 단환식 아릴기, 다환식 아릴기, 또는 단환식아릴기와 다환식 아릴기를 동시에 포함할 수 있다. In the present specification, examples of the arylamine group include a substituted or unsubstituted monoarylamine group, a substituted or unsubstituted diarylamine group, or a substituted or unsubstituted triarylamine group. The aryl group in the arylamine group may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. The arylamine group including two or more aryl groups may include a monocyclic aryl group, a polycyclic aryl group, or a monocyclic aryl group and a polycyclic aryl group at the same time.

아릴 아민기의 구체적인 예로는 페닐아민기, 나프틸아민기, 바이페닐아민기, 안트라세닐아민기, 3-메틸-페닐아민기, 4-메틸-나프틸아민기, 2-메틸-비페닐아민기, 9-메틸-안트라세닐아민기, 디페닐아민기, 페닐 나프틸아민기, 디톨릴아민기, 페닐 톨릴아민기, 카바졸 및 트리페닐아민기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Specific examples of the aryl amine group include phenylamine group, naphthylamine group, biphenylamine group, anthracenylamine group, 3-methyl-phenylamine group, 4-methyl-naphthylamine group, 2-methyl-biphenylamine Group, 9-methyl-anthracenylamine group, diphenylamine group, phenyl naphthylamine group, ditolylamine group, phenyl tolylamine group, carbazole, and triphenylamine group, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 헤테로아릴아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노헤테로아릴아민기, 치환 또는 비치환된 디헤테로아릴아민기, 또는 치환 또는 비치환된 트리헤테로아릴아민기가 있다. 상기 헤테로아릴아민기 중의 헤테로아릴기는 단환식 헤테로고리기일 수 있고, 다환식 헤테로고리기일 수 있다. 상기 2 이상의 헤테로고리기를 포함하는 헤테로아릴아민기는 단환식 헤테로고리기, 다환식 헤테로고리기, 또는 단환식 헤테로고리기와 다환식 헤테로고리기를 동시에 포함할 수 있다. In the present specification, examples of the heteroarylamine group include a substituted or unsubstituted monoheteroarylamine group, a substituted or unsubstituted diheteroarylamine group, or a substituted or unsubstituted triheteroarylamine group. The heteroaryl group in the heteroarylamine group may be a monocyclic heterocyclic group or a polycyclic heterocyclic group. The heteroarylamine group including two or more heterocyclic groups may include a monocyclic heterocyclic group, a polycyclic heterocyclic group, or a monocyclic heterocyclic group and a polycyclic heterocyclic group at the same time.

본 명세서에 있어서, 아릴헤테로아릴아민기는 아릴기 및 헤테로고리기로 치환된 아민기를 의미한다.In the present specification, the arylheteroarylamine group means an amine group substituted with an aryl group and a heterocyclic group.

본 명세서에 있어서, 아릴포스핀기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노아릴포스핀기, 치환 또는 비치환된 디아릴포스핀기, 또는 치환 또는 비치환된 트리아릴포스핀기가 있다. 상기 아릴포스핀기 중의 아릴기는 단환식 아릴기일 수 있고, 다환식 아릴기일 수 있다. 상기 아릴기가 2 이상을 포함하는 아릴포스핀기는 단환식 아릴기, 다환식 아릴기, 또는 단환식 아릴기와 다환식 아릴기를 동시에 포함할 수 있다.In the present specification, examples of the arylphosphine group include a substituted or unsubstituted monoarylphosphine group, a substituted or unsubstituted diarylphosphine group, or a substituted or unsubstituted triarylphosphine group. The aryl group in the arylphosphine group may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. The arylphosphine group including two or more aryl groups may include a monocyclic aryl group, a polycyclic aryl group, or a monocyclic aryl group and a polycyclic aryl group at the same time.

본 명세서에 있어서, 아릴기는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하며, 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 30이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 20이다. 상기 아릴기가 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the aryl group is not particularly limited, but is preferably 6 to 60 carbon atoms, and may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. According to an exemplary embodiment, the aryl group has 6 to 30 carbon atoms. According to an exemplary embodiment, the aryl group has 6 to 20 carbon atoms. The aryl group may be a phenyl group, a biphenyl group, or a terphenyl group, but the monocyclic aryl group is not limited thereto. The polycyclic aryl group may be a naphthyl group, an anthracenyl group, a phenanthryl group, a pyrenyl group, a perylenyl group, a chrysenyl group, a fluorenyl group, and the like, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수 있다.In the present specification, the fluorenyl group may be substituted, and two substituents may be bonded to each other to form a spiro structure.

상기 플루오레닐기가 치환되는 경우,

Figure 112019031983895-pat00005
,
Figure 112019031983895-pat00006
등의 스피로플루오레닐기,
Figure 112019031983895-pat00007
(9,9-디메틸플루오레닐기), 및
Figure 112019031983895-pat00008
(9,9-디페닐플루오레닐기) 등의 치환된 플루오레닐기가 될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.When the fluorenyl group is substituted,
Figure 112019031983895-pat00005
,
Figure 112019031983895-pat00006
Spirofluorenyl groups such as,
Figure 112019031983895-pat00007
(9,9-dimethylfluorenyl group), and
Figure 112019031983895-pat00008
It may be a substituted fluorenyl group such as (9,9-diphenylfluorenyl group). However, it is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 헤테로고리기는 이종원자로 N, O, P, S, Si 및 Se 중 1개 이상을 포함하는 헤테로고리기로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 1 내지 60인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 헤테로고리기의 탄소수는 1 내지 30이다. 헤테로고리기의 예로는 예로는 피리딜기, 피롤기, 피리미딜기, 피리다지닐기, 퓨라닐기, 티오페닐기, 이미다졸기, 피라졸기, 옥사졸기, 이소옥사졸기, 티아졸기, 이소티아졸기, 트리아졸기, 옥사디아졸기, 티아디아졸기, 디티아졸기, 테트라졸기, 피라닐기, 티오피라닐기, 피라지닐기, 옥사지닐기, 티아지닐기, 디옥시닐기, 트리아지닐기, 테트라지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴놀릴기, 퀴나졸리닐기, 퀴녹살리닐기, 나프티리디닐기, 아크리딜기, 크산테닐기, 페난트리디닐기, 디아자나프탈레닐기, 트리아자인데닐기, 인돌기, 인돌리닐기, 인돌리지닐기, 프탈라지닐기, 피리도 피리미디닐기, 피리도 피라지닐기, 피라지노 피라지닐기, 벤조티아졸기, 벤즈옥사졸기, 벤즈이미다졸기, 벤조티오펜기, 벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 카바졸기, 벤조카바졸기, 디벤조카바졸기, 인돌로카바졸기, 인데노카바졸기, 페나지닐기, 이미다조피리딘기, 페녹사지닐기, 페난트리딘기, 페난트롤린(phenanthroline)기, 페노티아진(phenothiazine)기, 이미다조피리딘기, 이미다조페난트리딘기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the heterocyclic group is a heterocyclic group including at least one of N, O, P, S, Si, and Se as a hetero atom, and the number of carbons is not particularly limited, but is preferably 1 to 60 carbon atoms. According to an exemplary embodiment, the number of carbon atoms of the heterocyclic group is 1 to 30. Examples of the heterocyclic group include pyridyl group, pyrrole group, pyrimidyl group, pyridazinyl group, furanyl group, thiophenyl group, imidazole group, pyrazole group, oxazole group, isoxazole group, thiazole group, isothiazole group, Triazole group, oxadiazole group, thiadiazole group, dithiazole group, tetrazol group, pyranyl group, thiopyranyl group, pyrazinyl group, oxazinyl group, thiazinyl group, dioxynyl group, triazinyl group, tetrazinyl group, qui Nolinyl group, isoquinolinyl group, quinolyl group, quinazolinyl group, quinoxalinyl group, naphthyridinyl group, acridyl group, xanthenyl group, phenanthridinyl group, diazanaphthalenyl group, triazindenyl group, indole group , Indolinyl group, indolizinyl group, phthalazinyl group, pyrido pyrimidinyl group, pyrido pyrazinyl group, pyrazino pyrazinyl group, benzothiazole group, benzoxazole group, benzimidazole group, benzothiophene group , Benzofuranyl group, dibenzothiophenyl group, dibenzofuranyl group, carbazole group, benzocarbazole group, dibenzocarbazole group, indolocarbazole group, indenocarbazole group, phenazinyl group, imidazopyridine group, phenoxazinyl group , A phenanthridine group, a phenanthroline group, a phenothiazine group, an imidazopyridine group, an imidazophenanthridine group, and the like, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 헤테로고리기의 고리를 구성하는 원자수는 2 내지 25이다. 또 하나의 실시상태에 있어서, 헤테로고리기의 고리를 구성하는 원자수는 5 내지 17이다.In the present specification, the number of atoms constituting the ring of the heterocyclic group is 2 to 25. In another exemplary embodiment, the number of atoms constituting the ring of the heterocyclic group is 5 to 17.

본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 방향족인 것을 제외하고는 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the description of the aforementioned heterocyclic group may be applied except that the heteroaryl group is aromatic.

본 명세서에 있어서, 아릴옥시기, 아릴티옥시기, 아릴술폭시기, 아릴포스핀기, 아르알킬기, 아랄킬아민기, 아르알케닐기, 알킬아릴기, 아릴아민기, 아릴헤테로아릴아민기 중의 아릴기는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the aryl group in the aryloxy group, arylthioxy group, arylsulfoxy group, arylphosphine group, aralkyl group, aralkylamine group, aralkenyl group, alkylaryl group, arylamine group, and arylheteroarylamine group is described above. A description of an aryl group may apply.

본 명세서에 있어서, 알킬티옥시기, 알킬술폭시기, 아르알킬기, 아랄킬아민기, 알킬아릴기, 알킬아민기 중 알킬기는 전술한 알킬기에 관한 설명이 적용될 수 있다. In the present specification, among the alkyl thioxy group, alkyl sulfoxy group, aralkyl group, aralkylamine group, alkylaryl group, and alkylamine group, the above description of the alkyl group may be applied.

본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기, 헤테로아릴아민기, 아릴헤테로아릴아민기 중 헤테로아릴기는 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다. In the present specification, the heteroaryl group among the heteroaryl group, the heteroarylamine group, and the arylheteroarylamine group may be described above with respect to the heterocyclic group.

본 명세서에 있어서, 아르알케닐기 중 알케닐기는 전술한 알케닐기에 관한 설명이 적용될 수 있다. In the present specification, the alkenyl group among the aralkenyl groups may be described above with respect to the alkenyl group.

본 명세서에 있어서, 아릴렌기는 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다. In the present specification, the description of the aryl group described above may be applied except that the arylene group is a divalent group.

본 명세서에 있어서, 헤테로아릴렌기는 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the description of the aforementioned heterocyclic group may be applied except that the heteroarylene group is a divalent group.

본 명세서에 있어서, 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성한다는 의미는 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 지방족 탄화수소 고리; 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소 고리; 치환 또는 비치환된 지방족 헤테로 고리; 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로 고리; 또는 이들의 축합고리를 형성하는 것을 의미한다.In the present specification, the meaning of forming a ring by bonding with an adjacent group to each other means a substituted or unsubstituted aliphatic hydrocarbon ring by bonding with an adjacent group; A substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring; Substituted or unsubstituted aliphatic heterocycle; A substituted or unsubstituted aromatic hetero ring; Or it means to form a condensed ring of these.

본 명세서에 있어서, 지방족 탄화수소 고리란 방향족이 아닌 고리로서 탄소와 수소 원자로만 이루어진 고리를 의미한다. 구체적으로, 지방족 탄화수소 고리의 예로는 시클로프로판, 시클로부탄, 시클로부텐, 시클로펜탄, 시클로펜텐, 시클로헥산, 시클로헥센, 1,4-시클로헥사디엔, 시클로헵탄, 시클로헵텐, 시클로옥탄, 시클로옥텐 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the aliphatic hydrocarbon ring is a ring that is not aromatic and refers to a ring consisting only of carbon and hydrogen atoms. Specifically, examples of the aliphatic hydrocarbon ring include cyclopropane, cyclobutane, cyclobutene, cyclopentane, cyclopentene, cyclohexane, cyclohexene, 1,4-cyclohexadiene, cycloheptane, cycloheptene, cyclooctane, cyclooctene, etc. However, it is not limited to these.

본 명세서에 있어서, 방향족 탄화수소 고리란 탄소와 수소 원자로만 이루어진 방향족의 고리를 의미한다. 구체적으로, 방향족 탄화수소 고리의 예로는 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 페릴렌, 플루오란텐, 트리페닐렌, 페날렌, 피렌, 테트라센, 크라이센, 펜타센, 플루오렌, 인덴, 아세나프틸렌, 벤조플루오렌, 스피로플루오렌 등이 있으나 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the aromatic hydrocarbon ring refers to an aromatic ring consisting only of carbon and hydrogen atoms. Specifically, examples of the aromatic hydrocarbon ring include benzene, naphthalene, anthracene, phenanthrene, perylene, fluoranthene, triphenylene, phenalene, pyrene, tetracene, chrysene, pentacene, fluorene, indene, acenaph Styrene, benzofluorene, spirofluorene, and the like, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 지방족 헤테로 고리란 헤테로원자 중 1개 이상을 포함하는 지방족 고리를 의미한다. 구체적으로, 지방족 헤테로 고리의 예로는 옥시레인(oxirane), 테트라하이드로퓨란, 1,4-디옥세인(1,4-dioxane), 피롤리딘, 피페리딘, 모르폴린(morpholine), 옥세판, 아조케인, 티오케인 등이 있으나 이들에만 한정되는 것은 아니다. 본 명세서에 있어서, 방향족 헤테로 고리란 헤테로원자 중 1개 이상을 포함하는 방향족 고리를 의미한다. 구체적으로, 방향족 헤테로 고리의 예로는 피리딘, 피롤, 피리미딘, 피리다진, 퓨란, 티오펜, 이미다졸, 피라졸, 옥사졸, 이소옥사졸, 티아졸, 이소티아졸, 트리아졸, 옥사디아졸, 티아디아졸, 디티아졸, 테트라졸, 피란, 티오피란, 디아진, 옥사진, 티아진, 다이옥신, 트리아진, 테트라진, 이소퀴놀린, 퀴놀린, 퀴놀, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 나프티리딘, 아크리딘, 페난트리딘, 디아자나프탈렌, 트리아자인덴, 인돌, 인돌리진, 벤조티아졸, 벤즈옥사졸, 벤즈이미다졸, 벤조티오펜, 벤조퓨란, 디벤조티오펜, 디벤조퓨란, 카바졸, 벤조카바졸, 디벤조카바졸, 페나진, 이미다조피리딘, 페녹사진, 페난트리딘, 인돌로카바졸, 인데노카바졸 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the aliphatic hetero ring means an aliphatic ring containing at least one heteroatom. Specifically, examples of the aliphatic heterocycle include oxirane, tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, pyrrolidine, piperidine, morpholine, oxephan, There are azocaine and thiocane, but are not limited to these. In the present specification, the aromatic hetero ring means an aromatic ring containing at least one hetero atom. Specifically, examples of the aromatic heterocycle include pyridine, pyrrole, pyrimidine, pyridazine, furan, thiophene, imidazole, pyrazole, oxazole, isoxazole, thiazole, isothiazole, triazole, oxadiazole , Thiadiazole, dithiazole, tetrazole, pyran, thiopyran, diazine, oxazine, thiazine, dioxin, triazine, tetrazine, isoquinoline, quinoline, quinol, quinazoline, quinoxaline, naphthyridine, a Cridine, phenanthridine, diazanaphthalene, triazainden, indole, indolizine, benzothiazole, benzoxazole, benzimidazole, benzothiophene, benzofuran, dibenzothiophene, dibenzofuran, carbazole , Benzocarbazole, dibenzocarbazole, phenazine, imidazopyridine, phenoxazine, phenanthridine, indolocarbazole, indenocarbazole, and the like, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 상기 지방족 탄화수소 고리, 방향족 탄화수소 고리, 지방족 헤테로 고리 및 방향족 헤테로 고리는 단환 또는 다환일 수 있다. In the present specification, the aliphatic hydrocarbon ring, aromatic hydrocarbon ring, aliphatic hetero ring, and aromatic hetero ring may be monocyclic or polycyclic.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1은 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 60의 시클로알킬기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, R1 is a substituted or unsubstituted alkyl group having 2 to 60 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted C3 to C60 cycloalkyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, R1 is a substituted or unsubstituted alkyl group having 2 to 30 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted C 3 to C 30 cycloalkyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 15의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 15의 시클로알킬기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, R1 is a substituted or unsubstituted alkyl group having 2 to 15 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted C 3 to C 15 cycloalkyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 15의 알킬기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, R1 is a substituted or unsubstituted alkyl group having 2 to 15 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1는 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 15의 알킬기이다. According to an exemplary embodiment of the present specification, R1 is a substituted or unsubstituted alkyl group having 3 to 15 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1는 헬로겐기로 치환 또는 비치환된 메틸기; 또는 헬로겐기로 치환 또는 비치환된 에틸기이다. According to an exemplary embodiment of the present specification, R1 is a methyl group unsubstituted or substituted with a halogen group; Or it is an ethyl group unsubstituted or substituted with a halogen group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1는 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 15의 분지쇄의 알킬기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, R1 is a substituted or unsubstituted branched alkyl group having 3 to 15 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1는 치환 또는 비치환된 이소프로필기; 또는 치환 또는 비치환된 t-부틸기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, R1 is a substituted or unsubstituted isopropyl group; Or a substituted or unsubstituted t-butyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1는 카바졸기로 치환 또는 비치환된 이소프로필기; 또는 카바졸기로 치환 또는 비치환된 t-부틸기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, R1 is an isopropyl group unsubstituted or substituted with a carbazole group; Or a t-butyl group unsubstituted or substituted with a carbazole group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1는 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 15의 시클로알킬기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, R1 is a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 15 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 15의 시클로알킬기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, R1 is a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 6 to 15 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1는 치환 또는 비치환된 시클로헥산기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, R1 is a substituted or unsubstituted cyclohexane group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R 및 R2 내지 R4는 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, R and R2 to R4 are each independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R 및 R2 내지 R4는 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 헤테로고리기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, R and R2 to R4 are each independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted C1-C60 alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted C2 to C60 heterocyclic group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R 및 R2 내지 R4는 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, R and R2 to R4 are each independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted C1-C30 alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R 및 R2 내지 R4는 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 15의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 15의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 15의 헤테로고리기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, R and R2 to R4 are each independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted C1 to C15 alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 15 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted C 2 to C 15 heterocyclic group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R은 치환 또는 비치환된 페닐기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, R is a substituted or unsubstituted phenyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R2 내지 R4는 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 15의 알킬기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, R2 to R4 are each independently hydrogen; heavy hydrogen; Or a substituted or unsubstituted C1-C15 alkyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R2 내지 R4는 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 할로겐기로 치환 또는 비치환된 메틸기; 치환 또는 비치환된 이소프로필기; 또는 치환 또는 비치환된 t-부틸기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, R2 to R4 are each independently hydrogen; heavy hydrogen; A methyl group unsubstituted or substituted with a halogen group; A substituted or unsubstituted isopropyl group; Or a substituted or unsubstituted t-butyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화학식 2로 표시된다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Formula 1 is represented by the following Formula 2.

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112019031983895-pat00009
Figure 112019031983895-pat00009

화학식 2에 있어서,In Formula 2,

X, R1 내지 R3, a, c 및 d의 정의는 상기와 같다.The definitions of X, R1 to R3, a, c and d are as described above.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화학식 3 또는 4로 표시된다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Formula 1 is represented by the following Formula 3 or 4.

[화학식 3][Formula 3]

Figure 112019031983895-pat00010
Figure 112019031983895-pat00010

[화학식 4][Formula 4]

Figure 112019031983895-pat00011
Figure 112019031983895-pat00011

화학식 3 및 4에 있어서,In Formulas 3 and 4,

X, Y, R1 내지 R4, a 및 c 내지 e의 정의는 상기와 같다.The definitions of X, Y, R1 to R4, a and c to e are as described above.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화학식 5 또는 6으로 표시된다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Formula 1 is represented by the following Formula 5 or 6.

[화학식 5][Formula 5]

Figure 112019031983895-pat00012
Figure 112019031983895-pat00012

[화학식 6][Formula 6]

Figure 112019031983895-pat00013
Figure 112019031983895-pat00013

화학식 5 및 6에 있어서,In Formulas 5 and 6,

X, Y, R1 내지 R4, a 및 c 내지 e의 정의는 상기와 같다.The definitions of X, Y, R1 to R4, a and c to e are as described above.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화학식 7 또는 8로 표시된다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Chemical Formula 1 is represented by the following Chemical Formula 7 or 8.

[화학식 7][Formula 7]

Figure 112019031983895-pat00014
Figure 112019031983895-pat00014

[화학식 8][Formula 8]

Figure 112019031983895-pat00015
Figure 112019031983895-pat00015

화학식 7 및 8에 있어서,In Formulas 7 and 8,

X, Y, R1 내지 R4, a 및 c 내지 e의 정의는 상기와 같다.The definitions of X, Y, R1 to R4, a and c to e are as described above.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물은 하기 화합물들 중에서 선택된 어느 하나일 수 있다. In an exemplary embodiment of the present invention, the compound of Formula 1 may be any one selected from the following compounds.

Figure 112019031983895-pat00016
Figure 112019031983895-pat00016

Figure 112019031983895-pat00017
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Figure 112019031983895-pat00018
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Figure 112019031983895-pat00019
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Figure 112019031983895-pat00020
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Figure 112019031983895-pat00021
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Figure 112019031983895-pat00022
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Figure 112019031983895-pat00023
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Figure 112019031983895-pat00024
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Figure 112019031983895-pat00025
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본 발명에서는 상기와 같이 코어 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 다양한 에너지 밴드갭을 갖는 화합물을 합성할 수 있다. 통상 에너지 밴드갭이 큰 코어 구조에 치환기를 도입하여 에너지 밴드갭을 조절하는 것은 용이하나, 코어 구조가 에너지 밴드갭이 작은 경우에는 치환기를 도입하여 에너지 밴드갭을 크게 조절하기 어렵다. 또한, 본 발명에서는 상기와 같은 구조의 코어 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 화합물의 HOMO 및 LUMO 에너지 준위도 조절할 수 있다.In the present invention, compounds having various energy band gaps can be synthesized by introducing various substituents into the core structure as described above. In general, it is easy to adjust the energy bandgap by introducing a substituent into a core structure having a large energy bandgap, but when the energy bandgap is small, it is difficult to greatly adjust the energy bandgap by introducing a substituent. In addition, in the present invention, the HOMO and LUMO energy levels of the compound can be adjusted by introducing various substituents to the core structure of the above structure.

또한, 상기와 같은 구조의 코어 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 도입된 치환기의 고유 특성을 갖는 화합물을 합성할 수 있다. 예컨대, 유기 발광 소자 제조시 사용되는 정공주입층 물질, 정공수송용 물질, 발광층 물질 및 전자수송층 물질에 주로 사용되는 치환기를 상기 코어 구조에 도입함으로써 각 유기물층에서 요구하는 조건들을 충족시키는 물질을 합성할 수 있다.In addition, by introducing various substituents into the core structure of the above-described structure, a compound having the inherent characteristics of the introduced substituent can be synthesized. For example, by introducing a substituent mainly used for the hole injection layer material, the hole transport material, the light emitting layer material and the electron transport layer material used in manufacturing the organic light emitting device into the core structure, it is possible to synthesize a material that satisfies the conditions required by each organic material layer. I can.

따라서, 본 발명자들은 이와 같은 특징을 갖는 화학식 1의 화합물은 유기 발광 소자용 재료, 즉 발광층, 정공주입층, 정공수송층, 전자저지층 또는 전하생성층에 적용시, 특히 발광층에 적용시, 구동 전압의 저전압화나 장수명화를 실현할 수 있다는 것을 밝혀내었다. 또한, F4TCNQ와 같이 분자량이 작고 승화성이 높은 재료에 비하여 증착이 용이하고, HAT-CN에 비하여 전극 또는 인접 유기물층과 안정적인 계면을 형성할 수 있다. Therefore, the inventors of the present invention believe that the compound of Formula 1 having such characteristics is applied to a material for an organic light emitting device, that is, a light emitting layer, a hole injection layer, a hole transport layer, an electron blocking layer or a charge generation layer, particularly when applied to a light emitting layer, It has been found that it is possible to achieve a lower voltage or longer life. In addition, compared to a material having a small molecular weight and high sublimation property, such as F4TCNQ, deposition is easier, and a stable interface with an electrode or an adjacent organic material layer can be formed compared to HAT-CN.

전술한 화학식 1의 화합물은 당기술분야에 알려져 있는 재료와 반응 조건을 이용하여 제조될 수 있다. The compound of Formula 1 described above can be prepared using materials and reaction conditions known in the art.

또한, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the organic light emitting device according to the present invention is an organic light emitting device comprising a first electrode, a second electrode, and at least one organic material layer disposed between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers It characterized in that it contains the compound.

본 발명의 유기 발광 소자는 전술한 화합물을 이용하여 한 층 이상의 유기물층을 형성하는 것을 제외하고는, 통상의 유기 발광 소자의 제조방법 및 재료에 의하여 제조될 수 있다.The organic light-emitting device of the present invention may be manufactured by a conventional method and material of an organic light-emitting device, except that one or more organic material layers are formed by using the above-described compound.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 발광층을 포함하며, 상기 발광층은 도펀트를 포함하며, 상기 도펀트는 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물을 포함한다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the organic material layer includes an emission layer, the emission layer includes a dopant, and the dopant includes the compound according to the exemplary embodiment of the present specification.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 발광층의 발광 물질은 정공 수송층과 전자수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 상기 발광층은 전술한 지연 형광 재료를 발광층의 도펀트로서 포함하고, 여기 홑겹항에너지 및 여기 삼중항 에너지의 적어도 어느 하나가 전술한 지연 형광 재료의 발광 재료보다 높은 값을 가지고, 정공 수송능, 전자 수송능을 가지며, 또한 발광의 장파장화를 방지하고, 높은 유리전이 온도를 가지는 유기 화합물을 호스트로서 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the light emitting material of the light emitting layer is a material capable of emitting light in the visible light region by transporting and combining holes and electrons from the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, wherein the light emitting layer is the aforementioned delayed fluorescent material. As a dopant of the light-emitting layer, wherein at least one of the excitation singlet energy and the excitation triplet energy has a higher value than the light emitting material of the above-described delayed fluorescent material, has a hole transporting ability, an electron transporting ability, and a long wavelength of light emission An organic compound having a high glass transition temperature and a high glass transition temperature may be included as a host.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 호스트를 포함한다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the organic material layer includes an emission layer, and the emission layer includes a host.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 호스트의 삼중항(triplet) 에너지 준위는 2.5 eV 이상이고, 바람직하게는 2.7 eV 이상 3.1 eV 이하일 수 있다. 상기 호스트의 삼중항(triplet) 에너지 준위가 상기 범위를 만족하는 경우, 호스트 엑시톤 에너지가 도펀트로 효율적으로 전달되고, 호스트 또는 도펀트의 삼중항/단일항 엑시톤과 주변의 정공(또는 전자)-폴라론의 상호작용에 의한 엑시톤 소광이 최소화된다. 이에 따라 전기-산화 및 광-산화에 의하여 발광다이오드 소자의 수명이 저하되는 방지할 수 있으므로, 장수명의 발광 소자를 구현할 수 있다.According to the exemplary embodiment of the present specification, the triplet energy level of the host may be 2.5 eV or more, and preferably 2.7 eV or more and 3.1 eV or less. When the triplet energy level of the host satisfies the above range, the host exciton energy is efficiently transferred to the dopant, and the triplet/singlet excitons of the host or dopant and the surrounding hole (or electron)-polaron Exciton quenching by the interaction of is minimized. Accordingly, it is possible to prevent the lifespan of the light-emitting diode device from being reduced by electro-oxidation and photo-oxidation, and thus, a light-emitting device having a long life can be implemented.

또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면 상기 유기물층은 호스트를 포함하며, 상기 호스트는 하기 구조들 중 적어도 하나이고, 이에 한정되지 않는다.Further, according to an exemplary embodiment of the present specification, the organic material layer includes a host, and the host is at least one of the following structures, but is not limited thereto.

Figure 112019031983895-pat00026
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Figure 112019031983895-pat00027
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본 명세서의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층으로서 발광층 외에, 정공주입층, 정공버퍼층, 정공수송층, 전자저지층, 정공저지층, 전자수송층 및 전자주입층 중 적어도 한 층을 더 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기층을 포함할 수 있다.The organic material layer of the organic light emitting device of the present specification may have a single-layer structure, but may have a multilayer structure in which two or more organic material layers are stacked. For example, the organic light-emitting device of the present specification may have a structure further including at least one of a hole injection layer, a hole buffer layer, a hole transport layer, an electron blocking layer, a hole blocking layer, an electron transport layer, and an electron injection layer in addition to the emission layer as an organic material layer. have. However, the structure of the organic light emitting device is not limited thereto and may include a smaller number of organic layers.

일 예에 따르면, 상기 유기 발광 소자는 기판 상에 양극, 1층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층된 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다. 다른 예에 따르면, 상기 유기 발광 소자는 기판 상에 음극, 1층 이상의 유기물층 및 양극이 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다.According to an example, the organic light emitting device may be a normal type organic light emitting device in which an anode, one or more organic material layers, and a cathode are sequentially stacked on a substrate. According to another example, the organic light emitting device may be an inverted type organic light emitting device in which a cathode, one or more organic material layers, and an anode are sequentially stacked on a substrate.

본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층 중 1층 이상이 상기 화학식 1의 화합물, 즉 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다. The organic light-emitting device of the present specification may be manufactured by materials and methods known in the art, except that at least one of the organic material layers includes the compound of Formula 1, that is, the compound of Formula 1.

예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극을 순차적으로 적층시킴으로써 제조할 수 있다. 이 때 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical Vapor Deposition)방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공주입층, 정공수송층, 발광층 및 전자수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. For example, the organic light emitting device of the present specification may be manufactured by sequentially laminating a first electrode, an organic material layer, and a second electrode on a substrate. At this time, using a PVD (physical vapor deposition) method such as sputtering or e-beam evaporation, a metal or conductive metal oxide or alloy thereof is deposited on the substrate to form an anode. And, after forming an organic material layer including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer and an electron transport layer thereon, it can be produced by depositing a material that can be used as a cathode thereon.

또한, 상기 화학식 1의 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.In addition, the compound of Formula 1 may be formed as an organic material layer by a solution coating method as well as a vacuum deposition method when manufacturing an organic light emitting device. Here, the solution coating method refers to spin coating, dip coating, doctor blading, inkjet printing, screen printing, spray method, roll coating, and the like, but is not limited thereto.

이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질로부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수도 있다 (국제 특허 출원 공개 제 2003/012890호). 다만, 제조 방법이 이에 한정되는 것은 아니다. In addition to this method, an organic light emitting device may be manufactured by sequentially depositing an organic material layer and an anode material from a cathode material on a substrate (International Patent Application Publication No. 2003/012890). However, the manufacturing method is not limited thereto.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 양극이고, 상기 제2 전극은 음극이다. In the exemplary embodiment of the present specification, the first electrode is an anode, and the second electrode is a cathode.

또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 음극이고, 상기 제2 전극은 양극이다. In another exemplary embodiment, the first electrode is a cathode, and the second electrode is an anode.

상기 유기 발광 소자는 예컨대 하기와 같은 적층 구조를 가질 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. The organic light-emitting device may have, for example, a stacked structure as described below, but is not limited thereto.

(1) 양극/정공수송층/발광층/음극(1) Anode/Hole Transport Layer/Light-Emitting Layer/Anode

(2) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/음극(2) Anode/Hole Injection Layer/Hole Transport Layer/Light-Emitting Layer/Anode

(3) 양극/정공주입층/정공버퍼층/정공수송층/발광층/음극(3) Anode/hole injection layer/hole buffer layer/hole transport layer/light emitting layer/cathode

(4) 양극/정공수송층/발광층/전자수송층/음극(4) Anode/hole transport layer/light-emitting layer/electron transport layer/cathode

(5) 양극/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층/음극(5) Anode/hole transport layer/light emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode

(6) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/전자수송층/음극(6) Anode/hole injection layer/hole transport layer/light emitting layer/electron transport layer/cathode

(7) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층/음극(7) Anode/hole injection layer/hole transport layer/light-emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode

(8) 양극/정공주입층/정공버퍼층/정공수송층/발광층/전자수송층//음극(8) Anode/Hole injection layer/Hole buffer layer/Hole transport layer/Light-emitting layer/Electron transport layer//Anode

(9) 양극/정공주입층/정공버퍼층/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층 /음극(9) Anode/Hole injection layer/Hole buffer layer/Hole transport layer/Light-emitting layer/Electron transport layer/Electron injection layer/Anode

(10) 양극/ 정공수송층/전자저지층/발광층/전자수송층/ 음극(10) Anode/hole transport layer/electron blocking layer/light emitting layer/electron transport layer/cathode

(11) 양극/ 정공수송층/전자저지층/발광층/전자수송층/전자주입층 /음극(11) Anode/hole transport layer/electron blocking layer/light emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode

(12) 양극/정공주입층/정공수송층/전자저지층/발광층/전자수송층/음극(12) Anode/hole injection layer/hole transport layer/electron blocking layer/light emitting layer/electron transport layer/cathode

(13) 양극/정공주입층/정공수송층/전자저지층/발광층/전자수송층/전자주입 층/음극(13) Anode/hole injection layer/hole transport layer/electron blocking layer/light emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode

(14) 양극/정공수송층/발광층/정공저지층/전자수송층/음극(14) Anode/Hole transport layer/Light-emitting layer/Hole blocking layer/Electron transport layer/Anode

(15) 양극/정공수송층/발광층/ 정공저지층/전자수송층/전자주입층/음극(15) Anode/Hole transport layer/Light emitting layer/Hole blocking layer/Electron transport layer/Electron injection layer/Anode

(16) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/ 정공저지층/전자수송층/음극(16) Anode/hole injection layer/hole transport layer/light-emitting layer/hole blocking layer/electron transport layer/cathode

(17) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/ 정공저지층/전자수송층/전자주입 층/음극(17) Anode/hole injection layer/hole transport layer/light-emitting layer/hole blocking layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode

예컨대, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 구조는 도 1 및 2에 예시되어 있다. For example, the structure of an organic light emitting device according to an exemplary embodiment of the present specification is illustrated in FIGS. 1 and 2.

도 1은 기판(1), 양극(2), 정공수송층(6), 발광층(3), 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화합물은 상기 발광층에 포함될 수 있다. 1 shows an example of an organic light-emitting device comprising a substrate 1, an anode 2, a hole transport layer 6, a light-emitting layer 3, and a cathode 4. In such a structure, the compound may be included in the emission layer.

도 2는 기판 (1), 양극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 발광층(7), 전자수송층(8) 및 음극(4)로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화합물은 상기 발광층에 포함될 수 있다. FIG. 2 shows an example of an organic light-emitting device composed of a substrate 1, an anode 2, a hole injection layer 5, a hole transport layer 6, a light-emitting layer 7, an electron transport layer 8, and a cathode 4 I did it. In such a structure, the compound may be included in the emission layer.

양극(2)은 정공을 주입하는 전극으로 일함수가 높은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 또는 ZnO(Zinc Oxide) 중 어느 하나일 수 있다. 또한, 상기 양극(2)이 반사 전극일 경우에 양극(2)은 ITO, IZO 또는 ZnO 중 어느 하나로 이루어진 층 하부에 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 니켈(Ni) 중 어느 하나로 이루어 진 반사층을 더 포함할 수 있다. The anode 2 is an electrode for injecting holes, and may be any one of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or zinc oxide (ZnO) having a high work function. In addition, when the anode 2 is a reflective electrode, the anode 2 is a reflective layer made of any one of aluminum (Al), silver (Ag), or nickel (Ni) under a layer made of any one of ITO, IZO, or ZnO. It may further include.

정공주입층(5)은 양극(2)으로부터 발광층(7)으로 정공의 주입을 원활하게 하는 역할을 할 수 있다. 정공주입층(5)의 두께는 1 내지 150nm일 수 있다. 여기서, 상기 정공주입층(5)의 두께가 1nm 이상이면, 정공주입 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있고, 150nm 이하이면, 정공주입층(5)의 두께가 너무 두꺼워 정공의 이동을 향상시키기 위해 구동전압이 상승되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다. 그외 정공주입층 재료로는 당기술분야에 알려져 있는 정공주입 재료를 사용할 수 있다. 예컨대, 정공주입층 재료로서 CuPc(cupper phthalocyanine), PEDOT(poly(3,4)-ethylenedioxythiophene), PANI(polyaniline) 및 NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상이 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The hole injection layer 5 may play a role of smoothly injecting holes from the anode 2 to the light emitting layer 7. The thickness of the hole injection layer 5 may be 1 to 150 nm. Here, when the thickness of the hole injection layer 5 is 1 nm or more, there is an advantage of preventing deterioration of the hole injection characteristics, and when the thickness of the hole injection layer 5 is 150 nm or less, the thickness of the hole injection layer 5 is too thick to prevent the movement of holes. There is an advantage of preventing an increase in the driving voltage to improve. In addition, as the material for the hole injection layer, a hole injection material known in the art may be used. For example, in the group consisting of cupper phthalocyanine (CuPc), poly(3,4)-ethylenedioxythiophene (PEDOT), polyaniline (PANI) and NPD (N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine) as a hole injection layer material Any one or more selected may be used, but the present invention is not limited thereto.

정공수송층(6)은 정공의 수송을 원활하게 하는 역할을 할 수 있다. 정공수송층 재료로는 당기술분야에 알려져 있는 정공수송 재료를 사용할 수 있다. 예컨대, 정공수송층(6)은 NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenylbenzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD 및 MTDATA(4,4',4"- Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루 어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 예컨대 정공수송층 재료로서 트라이아졸 유도체, 옥사다이아졸 유도체, 이미다졸 유도체, 폴리아릴알케인 유도체, 피라졸린 유도체 및 피라졸론 유도체, 페닐렌다이아민 유도체, 아릴아민 유도체, 아미노 치환 칼콘 유도체, 옥사졸 유도체, 스타이릴안트라센 유도체, 플루오렌온 유도체, 하이드라존 유도체, 스틸벤 유도체, 실라제인 유도체, 폴리실레인계, 아닐린계 공중합체, 도전성 고분자 올리고머(특히 싸이오펜 올리고머) 등을 들 수 있다.The hole transport layer 6 may serve to facilitate transport of holes. As the material for the hole transport layer, a hole transport material known in the art may be used. For example, the hole transport layer 6 is NPD (N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenylbenzidine), TPD (N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)- benzidine), s-TAD, and MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine), but not limited thereto. For example, as the material for the hole transport layer, triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino substituted chalcone derivatives, oxa And sol derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silasein derivatives, polysilane-based, aniline-based copolymers, and conductive polymer oligomers (especially thiophene oligomers).

정공주입층과 정공수송층 사이에 추가로 정공버퍼층이 구비될 수 있다. 정공버퍼층는 당 기술분야에 알려져 있는 정공주입 또는 수송 재료를 포함될 수 있다. A hole buffer layer may be additionally provided between the hole injection layer and the hole transport layer. The hole buffer layer may include a hole injection or transport material known in the art.

정공수송층과 발광층 사이에 전자저지층이 구비될 수 있으며, 상기 화학식 1의 화합물 또는 당기술분야에 알려져 있는 재료가 사용될 수 있다. An electron blocking layer may be provided between the hole transport layer and the light emitting layer, and the compound of Formula 1 or a material known in the art may be used.

전자수송층과 발광층 사이에 정공저지층이 구비될 수 있으며, 당기술분야에 알려져 있는 재료가 사용될 수 있다. A hole blocking layer may be provided between the electron transport layer and the light emitting layer, and materials known in the art may be used.

전자수송층(8)은 전자의 수송을 원활하게 하는 역할을 할 수 있다. Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq, SAlq와 같은 당기술분야에 알려진 재료가 사용될 수 있다. 상기 전자수송층(8)의 두께는 1 내지 50nm일 수 있다. 여기서, 상기 전자수송층(8)의 두께가 1nm 이상이면, 전자수송 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있고, 50nm 이하이면, 전자수송층(8)의 두께가 너무 두꺼워 전자의 이동을 향상시키기 위해 구동전압이 상승되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.The electron transport layer 8 may play a role of smoothly transporting electrons. Materials known in the art such as Alq 3 (tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq, SAlq may be used. The thickness of the electron transport layer 8 may be 1 to 50 nm. Here, if the thickness of the electron transport layer 8 is 1 nm or more, there is an advantage of preventing deterioration of the electron transport characteristics, and if it is 50 nm or less, the thickness of the electron transport layer 8 is too thick to improve the movement of electrons. There is an advantage in that it is possible to prevent an increase in the dangerous driving voltage.

상기 전자주입층은 전자의 주입을 원활하게 하는 역할을 할 수 있다. Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 또는 SAlq과 같은 당기술분야에 알려져 있는 유기물이나 착체 또는 금속화합물로 이루어질 수 있다. 금속화합물로는 금속 할로겐화물이 사용될 수 있으며, 예컨대 LiQ, LiF, NaF, KF, RbF, CsF, FrF, BeF2, MgF2, CaF2, SrF2, BaF2 및 RaF2 등이 사용될 수 있다. 상기 전자주입층의 두께는 1 내지 50nm일 수 있다. 여기서, 상기 전자주입층의 두께가 1nm 이상이면, 전자주입 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있고, 50nm 이하이면, 전자주입층의 두께가 너무 두꺼워 전자의 이동을 향상시키기 위해 구동전압이 상승되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.The electron injection layer may serve to facilitate injection of electrons. Alq 3 (tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq or SAlq known in the art, such as organic substances or complexes or metal compounds. Metal compounds include metal halides, and storage can be used, for example, can be used LiQ, LiF, NaF, KF, RbF, CsF, FrF, BeF 2, MgF 2, CaF 2, SrF 2, BaF 2 and RaF 2 and the like. The thickness of the electron injection layer may be 1 to 50 nm. Here, when the thickness of the electron injection layer is 1 nm or more, there is an advantage of preventing deterioration of the electron injection characteristics, and when the thickness of the electron injection layer is 50 nm or less, the thickness of the electron injection layer is too thick to increase the driving voltage to improve the movement of electrons. There is an advantage that can prevent it from rising.

상기 음극(4)은 전자주입 전극으로, 일함수가 낮은 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 여기서, 음극(4)은 유기전계발광소자가 전면 또는 양면발광구조일 경우, 빛을 투과할 수 있을 정도로 얇은 두께로 형성할 수 있으며, 유기전계발광소자가 배면발광구조일 경우, 빛을 반사시킬 수 있을 정도로 두껍게 형성할 수 있다.The cathode 4 is an electron injection electrode, and may be made of magnesium (Mg), calcium (Ca), aluminum (Al), silver (Ag), or an alloy thereof having a low work function. Here, the cathode 4 may be formed to have a thickness thin enough to transmit light when the organic electroluminescent device has a front or double-sided light emitting structure, and when the organic electroluminescent device has a rear light emitting structure, it may reflect light. It can be formed as thick as possible.

본 명세서의 일 실시상태에 따른 발광층(3, 7)은 상기 화학식 1의 화합물을 포함할 수 있다. 이 경우, 발광층(3, 7)은 상기 화학식 1의 화합물만으로 이루어질 수도 있으나, 상기 화학식 1의 화합물은 당기술분야에 알려져 있는 다른 발광층 재료에 혼합 또는 도핑된 상태로 존재할 수 있다. 상기 화학식 1의 화합물은 발광층의 0.1 내지 50 중량%로 도핑될 수 있다. The light-emitting layers 3 and 7 according to the exemplary embodiment of the present specification may include the compound of Formula 1 above. In this case, the light emitting layers 3 and 7 may be formed of only the compound of Formula 1, but the compound of Formula 1 may exist in a mixed or doped state with other light emitting layer materials known in the art. The compound of Formula 1 may be doped with 0.1 to 50% by weight of the emission layer.

또 하나의 실시상태에 따르면 상기 유기물층은 2층 이상의 발광층을 포함하고, 상기 2층의 발광층 사이에 구비된 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 전하생성층(charge generation layer)을 포함할 수 있다. 이 때, 상기 발광층 중 하나는 청색을 발광하고, 다른 하나는 노란색 발광을 하도록 함으로써 백색 발광을 하는 유기 발광 소자를 제작할 수 있다. 상기 발광층과 양극 또는 음극 사이, 상기 발광층과 전하생성층 사이에는 전술한 정공주입층, 정공버퍼층, 정공수송층, 전자저지층, 정공저지층, 전자수송층, 전자주입층과 같은 1층 이상의 유기물층이 더 포함될 수 있다. According to another exemplary embodiment, the organic material layer may include two or more emission layers, and may include a charge generation layer including the compound of Formula 1 provided between the emission layers of the two layers. In this case, one of the emission layers emits blue light and the other emits yellow light, thereby manufacturing an organic light emitting device that emits white light. One or more organic material layers such as the above-described hole injection layer, hole buffer layer, hole transport layer, electron blocking layer, hole blocking layer, electron transport layer, and electron injection layer are further formed between the emission layer and the anode or the cathode, and between the emission layer and the charge generation layer. Can be included.

상기 발광 물질로는 정공수송층과 전자수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.As the light-emitting material, a material capable of emitting light in a visible region by transporting and combining holes and electrons from the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, and a material having good quantum efficiency against fluorescence or phosphorescence is preferable. Specific examples include 8-hydroxy-quinoline aluminum complex (Alq 3 ); Carbazole-based compounds; Dimerized styryl compounds; BAlq; 10-hydroxybenzo quinoline-metal compound; Benzoxazole, benzthiazole, and benzimidazole-based compounds; Poly(p-phenylenevinylene) (PPV)-based polymer; Spiro compounds; Polyfluorene, rubrene, and the like, but are not limited thereto.

본 발명에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic light emitting device according to the present invention may be a top emission type, a bottom emission type, or a double-sided emission type depending on the material used.

본 발명에 따른 화합물은 유기 태양 전지, 유기 감광체, 유기 트랜지스터 등을 비롯한 유기 전자 소자에서도 유기 발광 소자에 적용되는 것과 유사한 원리로 작용할 수 있다.The compound according to the present invention can act on a principle similar to that applied to an organic light-emitting device in organic electronic devices, including organic solar cells, organic photoreceptors, and organic transistors.

<제조예><Production Example>

상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기와 같이 시아노기가 치환된 플루오로벤젠에 함질소 화합물을 SnAr 반응으로 도입하여 제조할 수 있다. 하기 과정을 통하여 구체예 상의 화합물들을 합성하였다.The compound represented by Formula 1 can be prepared by introducing a nitrogen-containing compound into fluorobenzene substituted with a cyano group through SnAr reaction as follows. The compounds of the specific examples were synthesized through the following procedure.

제조예 1-1: 화합물 1 의 합성Preparation Example 1-1: Synthesis of Compound 1

Figure 112019031983895-pat00029
Figure 112019031983895-pat00029

2,5-다이-터트-뷰틸-4,6-다이플루오로아이소프탈로나이트릴 15 g(54.3 mmol), 9H-카바졸 109 mmol 및 디메틸포름아미드(DMF) 150mL를 혼합하고 60℃로 가열하였다. 포타슘카보네이트(271.5 mmol)를 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 동안 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액을 물에 역침전하여 고체를 얻은 후, 클로로포름과 헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 1 (24.8 g)을 얻었다(수율 80%).2,5-di-tert-butyl-4,6-difluoroisophthalonitrile 15 g (54.3 mmol), 9H-carbazole 109 mmol and dimethylformamide (DMF) 150 mL were mixed and heated to 60°C. I did. Potassium carbonate (271.5 mmol) was added and stirred for 3 hours in a reflux state. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was reverse-precipitated in water to obtain a solid, and then recrystallized twice with chloroform and hexane to obtain Compound 1 (24.8 g) (yield 80%).

MS[M+H]+ = 571MS[M+H] + = 571

제조예 1-2: 화합물 2 의 합성Preparation Example 1-2: Synthesis of Compound 2

Figure 112019031983895-pat00030
Figure 112019031983895-pat00030

2,5-다이사이클로헥실-4,6-다이플루오로아이소프탈로나이트릴 17.8 g(54.3 mmol), 9H-카바졸 109 mmol 및 디엠에프 150mL를 혼합하고 60℃로 가열하였다. 포타슘카보네이트(271.5 mmol)를 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 동안 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액을 물에 역침전하여 고체를 얻은 후, 클로로포름과 헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 2 (27.7 g)을 얻었다(수율 82%).2,5-dicyclohexyl-4,6-difluoroisophthalonitrile 17.8 g (54.3 mmol), 9H-carbazole 109 mmol, and DMF 150 mL were mixed and heated to 60°C. Potassium carbonate (271.5 mmol) was added and stirred for 3 hours in a reflux state. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was reverse-precipitated in water to obtain a solid, and then recrystallized twice with chloroform and hexane to obtain compound 2 (27.7 g) (yield 82%).

MS[M+H]+ = 623MS[M+H] + = 623

제조예 1-3: 화합물 3 의 합성Preparation Example 1-3: Synthesis of Compound 3

Figure 112019031983895-pat00031
Figure 112019031983895-pat00031

2-사이클로헥실-4,6-다이플루오로아이소프탈로나이트릴 13.4 g(54.3 mmol), 9H-카바졸 109 mmol 및 디엠에프 150mL를 혼합하고 60℃로 가열하였다. 포타슘카보네이트(271.5 mmol)를 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 동안 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액을 물에 역침전하여 고체를 얻은 후, 클로로포름과 헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 3 (23.8 g)을 얻었다(수율 81%).2-cyclohexyl-4,6-difluoroisophthalonitrile 13.4 g (54.3 mmol), 9H-carbazole 109 mmol, and DMF 150 mL were mixed and heated to 60°C. Potassium carbonate (271.5 mmol) was added and stirred for 3 hours in a reflux state. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was reverse-precipitated in water to obtain a solid, and then recrystallized twice with chloroform and hexane to obtain compound 3 (23.8 g) (yield 81%).

MS[M+H]+ = 541MS[M+H] + = 541

제조예 1-4: 화합물 4 의 합성Preparation Example 1-4: Synthesis of Compound 4

Figure 112019031983895-pat00032
Figure 112019031983895-pat00032

2,5-다이사이클로헥실-4,6-다이플루오로아이소프탈로나이트릴 17.8 g(54.3 mmol), 3,6-다이-터트-뷰틸-9H-카바졸 109 mmol 및 디엠에프 150mL를 혼합하고 60℃로 가열하였다. 포타슘카보네이트(271.5 mmol)을 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 동안 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액을 물에 역침전하여 고체를 얻은 후, 클로로포름과 헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 4 (35.9 g)을 얻었다(수율 78%).2,5-dicyclohexyl-4,6-difluoroisophthalonitrile 17.8 g (54.3 mmol), 3,6-di-tert-butyl-9H-carbazole 109 mmol, and DMF 150 mL were mixed. Heated to 60°C. Potassium carbonate (271.5 mmol) was added and stirred for 3 hours in a reflux state. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was reverse-precipitated in water to obtain a solid, and then recrystallized twice with chloroform and hexane to obtain compound 4 (35.9 g) (yield 78%).

MS[M+H]+ = 847MS[M+H] + = 847

제조예 1-5: 화합물 5 의 합성Preparation Example 1-5: Synthesis of Compound 5

Figure 112019031983895-pat00033
Figure 112019031983895-pat00033

4,6-다이플루오로-2,5-다이아이소프로필아이소프탈로나이트릴 13.5 g(54.3 mmol), 3,6-다이-터트-뷰틸-9H-카바졸 109 mmol 및 디엠에프 150mL를 혼합하고 60℃로 가열하였다. 포타슘카보네이트(271.5 mmol)를 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 동안 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액을 물에 역침전하여 고체를 얻은 후, 클로로포름과 헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 5 (33.3 g)을 얻었다(수율 80%).4,6-difluoro-2,5-diisopropylisophthalonitrile 13.5 g (54.3 mmol), 3,6-di-tert-butyl-9H-carbazole 109 mmol, and DMF 150 mL were mixed. Heated to 60°C. Potassium carbonate (271.5 mmol) was added and stirred for 3 hours in a reflux state. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was reverse-precipitated in water to obtain a solid, and then recrystallized twice with chloroform and hexane to obtain compound 5 (33.3 g) (yield 80%).

MS[M+H]+ = 767MS[M+H] + = 767

제조예 1-6: 화합물 6 의 합성Preparation Example 1-6: Synthesis of Compound 6

Figure 112019031983895-pat00034
Figure 112019031983895-pat00034

4,6-다이플루오로-2,5-다이아이소프로필아이소프탈로나이트릴 13.5 g(54.3 mmol), 5H-벤조퓨로[3,2-c]카바졸 109 mmol 및 디엠에프 150mL를 혼합하고 60℃로 가열하였다. 포타슘카보네이트(271.5 mmol)를 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 동안 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액을 물에 역침전하여 고체를 얻은 후, 클로로포름과 헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 6 (30.2 g)을 얻었다(수율 77%).13.5 g (54.3 mmol) of 4,6-difluoro-2,5-diisopropylisophthalonitrile, 109 mmol of 5H-benzofuro[3,2-c]carbazole, and 150 mL of DMF were mixed. Heated to 60°C. Potassium carbonate (271.5 mmol) was added and stirred for 3 hours in a reflux state. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was reverse-precipitated in water to obtain a solid, and then recrystallized twice with chloroform and hexane to obtain compound 6 (30.2 g) (yield 77%).

MS[M+H]+ = 723MS[M+H] + = 723

제조예 1-7: 화합물 7 의 합성Preparation Example 1-7: Synthesis of Compound 7

Figure 112019031983895-pat00035
Figure 112019031983895-pat00035

4,6-다이플루오로-2,5-다이아이소프로필아이소프탈로나이트릴 13.5 g(54.3 mmol), 5-페닐-5,12-다이하이드로인돌로[3,2-a]카바졸 109 mmol 및 디엠에프 150mL를 혼합하고 60℃로 가열하였다. 포타슘카보네이트(271.5 mmol)를 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 동안 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액을 물에 역침전하여 고체를 얻은 후, 클로로포름과 헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 7 (35.5 g)을 얻었다(수율 75%).4,6-difluoro-2,5-diisopropylisophthalonitrile 13.5 g (54.3 mmol), 5-phenyl-5,12-dihydroindolo[3,2-a]carbazole 109 mmol And 150 mL of DMF were mixed and heated to 60°C. Potassium carbonate (271.5 mmol) was added and stirred for 3 hours in a reflux state. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was reverse-precipitated in water to obtain a solid, and then recrystallized twice with chloroform and hexane to obtain compound 7 (35.5 g) (yield 75%).

MS[M+H]+ = 873MS[M+H] + = 873

제조예 1-8: 화합물 8 의 합성Preparation Example 1-8: Synthesis of Compound 8

Figure 112019031983895-pat00036
Figure 112019031983895-pat00036

2,5-다이-터트-뷰틸-4,6-다이플루오로아이소프탈로나이트릴 15 g(54.3 mmol), 10H-페노사이아진 109 mmol 및 디엠에프 150mL를 혼합하고 60℃로 가열하였다. 포타슘카보네이트(271.5 mmol)를 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 동안 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액을 물에 역침전하여 고체를 얻은 후, 클로로포름과 헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 8 (26.5 g)을 얻었다(수율 77%).15 g (54.3 mmol) of 2,5-di-tert-butyl-4,6-difluoroisophthalonitrile, 109 mmol of 10H-phenocyazine, and 150 mL of DMF were mixed and heated to 60°C. Potassium carbonate (271.5 mmol) was added and stirred for 3 hours in a reflux state. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was reverse-precipitated in water to obtain a solid, and then recrystallized twice with chloroform and hexane to obtain compound 8 (26.5 g) (yield 77%).

MS[M+H]+ = 635MS[M+H] + = 635

제조예 1-9: 화합물 9 의 합성Preparation Example 1-9: Synthesis of Compound 9

Figure 112019031983895-pat00037
Figure 112019031983895-pat00037

2,5-다이플루오로-4,6-다이아이소프로필아이소프탈로나이트릴 13.5 g(54.3 mmol), 9H-카바졸 109 mmol 및 디엠에프 150mL를 혼합하고 60℃로 가열하였다. 포타슘카보네이트(271.5 mmol)를 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 동안 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액을 물에 역침전하여 고체를 얻은 후, 클로로포름과 헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 9 (24.2 g)을 얻었다(수율 82%).2,5-difluoro-4,6-diisopropylisophthalonitrile 13.5 g (54.3 mmol), 9H-carbazole 109 mmol, and DMF 150 mL were mixed and heated to 60°C. Potassium carbonate (271.5 mmol) was added and stirred for 3 hours in a reflux state. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was reverse-precipitated in water to obtain a solid, and then recrystallized twice with chloroform and hexane to obtain compound 9 (24.2 g) (yield 82%).

MS[M+H]+ = 543MS[M+H] + = 543

상기 화합물 1 내지 9 이외에도, 상기 제조예와 동일한 반응을 이용하여 치환기 종류를 다양하게 도입하여 기타 화학식 1로 표시되는 화합물을 합성할 수 있다.In addition to the compounds 1 to 9, other compounds represented by Chemical Formula 1 may be synthesized by introducing various types of substituents using the same reaction as in Preparation Example.

<비교예 1><Comparative Example 1>

본 실시예에 있어서, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물을 삼중항 에너지 값이 2.9eV인 호스트 재료(m-CBP)와 함께 발광층에 포함하여 유기 발광 소자를 제조하고, 특성을 평가하였다. In the present embodiment, an organic light emitting device was manufactured by including the compound represented by Formula 1 according to an exemplary embodiment of the present specification together with a host material (m-CBP) having a triplet energy value of 2.9 eV in the emission layer, and characteristics Was evaluated.

ITO(indium tin oxide)가 1,000Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이 때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀러포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다. 이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 각 박막을 진공 증착법으로 진공도 5Х10-4 ㎩로 적층하였다. 먼저, ITO 상에 하기 화합물 HAT-CN을 500Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공 주입층을 형성하였다.A glass substrate coated with a thin film of ITO (indium tin oxide) to a thickness of 1,000Å was put in distilled water dissolved in a detergent and washed with ultrasonic waves. In this case, Fischer Co. product was used as a detergent, and distilled water secondarily filtered with a filter made by Millipore Co. was used as distilled water. After washing the ITO for 30 minutes, it was repeated twice with distilled water to perform ultrasonic cleaning for 10 minutes. After washing with distilled water, ultrasonic cleaning was performed with a solvent of isopropyl alcohol, acetone, and methanol, dried, and then transported to a plasma cleaner. In addition, after cleaning the substrate for 5 minutes using oxygen plasma, the substrate was transported to a vacuum evaporator. Each thin film was stacked on the thus prepared ITO transparent electrode by vacuum evaporation at a vacuum degree of 5Х10 -4 Pa. First, the following compound HAT-CN was thermally vacuum deposited on ITO to a thickness of 500 Å to form a hole injection layer.

상기 정공 주입층 위에 정공을 수송하는 물질인 하기 화합물 4-4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(NPB)(300Å)를 진공 증착하여 정공 수송층을 형성하였다.A hole transport layer was formed by vacuum deposition of the following compound 4-4'-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl (NPB) (300Å), which is a material that transports holes on the hole injection layer. I did.

상기 정공 수송층 위에 막 두께 100Å으로 하기 화합물 N-([1,1'-비스페닐]-4-yl)-N-(4-(11-([1,1'-비페닐]-4-yl)-11H-벤조[a]카바졸-5-yl)페닐)-[1,1'-비페닐]-4-아민(EB1)(100Å)를 진공 증착하여 전자 저지층을 형성하였다.Compound N-([1,1'-bisphenyl]-4-yl)-N-(4-(11-([1,1'-biphenyl]-4-yl) with a film thickness of 100Å on the hole transport layer )-11H-benzo[a]carbazole-5-yl)phenyl)-[1,1'-biphenyl]-4-amine (EB1) (100Å) was vacuum deposited to form an electron blocking layer.

이어서, 상기 전자 저지층 위에 막 두께 300Å으로 아래와 같은 m-CBP와 화합물 4CzIPN을 70:30의 중량비로 진공 증착하여 발광층을 형성하였다.Subsequently, m-CBP and compound 4CzIPN were vacuum-deposited on the electron blocking layer at a weight ratio of 70:30 with a thickness of 300 Å as follows to form a light emitting layer.

상기 발광층 위에 막 두께 100Å으로 화합물 HB1을 진공 증착하여 정공 저지층을 형성하였다.A hole blocking layer was formed by vacuum depositing compound HB1 on the emission layer with a thickness of 100 Å.

상기 정공 저지층 위에 하기 화합물 ET1과 화합물 LiQ(Lithium Quinolate)를 1:1의 중량비로 진공 증착하여 300Å의 두께로 전자 주입 및 수송층을 형성하였다. 상기 전자 주입 및 수송층 위에 12Å두께로 리튬플로라이드(LiF)와 2,000Å 두께로 알루미늄을 순차적으로 증착하여 음극을 형성하였다.On the hole blocking layer, the following compound ET1 and the compound LiQ (Lithium Quinolate) were vacuum-deposited at a weight ratio of 1:1 to form an electron injection and transport layer with a thickness of 300Å. Lithium fluoride (LiF) at a thickness of 12 Å and aluminum at a thickness of 2,000 Å were sequentially deposited on the electron injection and transport layer to form a negative electrode.

상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4 Å/sec 내지 0.7 Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬플로라이드는 0.3Å/sec, 알루미늄은 2Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2×10-7 torr 내지 5×10-6 torr를 유지하여, 유기 발광 소자를 제작하였다. In the above process, the deposition rate of organic material was maintained at 0.4 Å/sec to 0.7 Å/sec, lithium fluoride at the cathode was maintained at 0.3 Å/sec, and the deposition rate for aluminum was 2 Å/sec. An organic light emitting device was manufactured by maintaining ×10 -7 torr to 5 × 10 -6 torr.

Figure 112019031983895-pat00038
Figure 112019031983895-pat00038

<실험예 1 내지 9><Experimental Examples 1 to 9>

상기 비교예 1에서 화합물 4CzIPN 대신 하기 표 1의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 비교예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Comparative Example 1, except that the compound of Table 1 below was used instead of the compound 4CzIPN in Comparative Example 1.

<비교예 2 내지 7><Comparative Examples 2 to 7>

상기 비교예 1에서 화합물 4CzIPN 대신 하기 T1 내지 T6의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 비교예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Comparative Example 1, except that compounds of the following T1 to T6 were used instead of the compound 4CzIPN in Comparative Example 1.

Figure 112019031983895-pat00039
Figure 112019031983895-pat00039

실험예 1 내지 9, 비교예 1 내지 7에 의해 제작된 유기 발광 소자에 전류를 인가하였을 때, 하기 [표 1]의 결과를 얻었다.When a current was applied to the organic light-emitting devices manufactured according to Experimental Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 to 7, the results of Table 1 were obtained.

구분division 화합물
(발광층)
compound
(Luminescent layer)
전압
(V@10mA/cm2)
Voltage
(V@10mA/cm 2 )
효율
(cd/A@10mA/cm2)
efficiency
(cd/A@10mA/cm 2 )
색좌표
(x,y)
Color coordinates
(x,y)
비교예 1Comparative Example 1 4CzIPN4CzIPN 4.54.5 1313 (0.32, 0.62)(0.32, 0.62) 실험예 1Experimental Example 1 1One 4.14.1 1919 (0.22, 0.63)(0.22, 0.63) 실험예 2Experimental Example 2 22 4.04.0 1919 (0.23, 0.62)(0.23, 0.62) 실험예 3Experimental Example 3 33 4.14.1 2020 (0.23, 0.62)(0.23, 0.62) 실험예 4Experimental Example 4 44 4.14.1 2121 (0.22, 0.66)(0.22, 0.66) 실험예 5Experimental Example 5 55 4.04.0 2020 (0.23, 0.67)(0.23, 0.67) 실험예 6Experimental Example 6 66 4.04.0 1919 (0.22, 0.68)(0.22, 0.68) 실험예 7Experimental Example 7 77 3.93.9 2020 (0.23, 0.67)(0.23, 0.67) 실험예 8Experimental Example 8 88 4.04.0 2121 (0.24, 0.68)(0.24, 0.68) 실험예 9Experimental Example 9 99 3.93.9 1919 (0.22, 0.66)(0.22, 0.66) 비교예 2Comparative Example 2 T1T1 4.24.2 1212 (0.31, 0.63)(0.31, 0.63) 비교예 3Comparative Example 3 T2T2 4.44.4 44 (0.15, 0.38)(0.15, 0.38) 비교예 4Comparative Example 4 T3T3 4.54.5 33 (0.17, 0.39)(0.17, 0.39) 비교예 5Comparative Example 5 T4T4 4.34.3 1111 (0.25, 0.60)(0.25, 0.60) 비교예 6Comparative Example 6 T5T5 4.34.3 1212 (0.27, 0.61)(0.27, 0.61) 비교예 7Comparative Example 7 T6T6 4.24.2 1111 (0.28, 0.60)(0.28, 0.60)

상기 표 1에서 보는 바와 같이, 상기 화학식 1의 구조를 코어로 하는 화합물을 사용한 실험예 1 내지 9의 소자는 모두 4CzIPN을 사용한 소자보다 전압이 낮고, 효율이 올라가는 결과를 얻었다.As shown in Table 1, the devices of Experimental Examples 1 to 9 using the compound having the structure of Formula 1 as a core had a lower voltage and increased efficiency than those using 4CzIPN.

또한, 비교예 2 내지 비교예 7의 소자와 본원 실험예를 비교해보면 본원 실험예들의 구조가 전압, 효율 면에서 특성이 모두 향상됨을 알 수 있었다.In addition, when comparing the devices of Comparative Examples 2 to 7 with the experimental examples of the present application, it can be seen that the structures of the experimental examples of the present application have both improved characteristics in terms of voltage and efficiency.

상기 표 1의 결과와 같이, 본 발명에 따른 화합물은 발광 능력이 우수하고 색순도가 높아 지연형광 유기 발광 소자에 적용 가능함을 확인할 수 있었다.As shown in the results of Table 1, it was confirmed that the compound according to the present invention has excellent light-emitting ability and high color purity, so that it can be applied to a delayed fluorescent organic light-emitting device.

<실시예 2><Example 2>

HOMO 및 LUMO 에너지 준위는 측정 화합물을 5mM, 전해질을 0.1M 농도로 다이메틸폼아마이드(dimethylformamide, DMF)에 용해시키고 CV기기 측정을 통해 산화, 환원 전위를 확인하여 페로센 화합물을 기준으로 비교하여 확인하였다.The HOMO and LUMO energy levels were confirmed by dissolving the measured compound in dimethylformamide (DMF) at a concentration of 5 mM and the electrolyte at 0.1 M, and comparing the oxidation and reduction potentials through CV instrument measurement and comparing the ferrocene compound as a reference. .

HOMO 에너지 준위의 측정Measurement of HOMO energy level

화합물의 HOMO 에너지 준위와 상기 LUMO 에너지 준위는 측정 화합물이 5mM 농도, 전해질이 0.1M 농도로 용해된 다이메틸폼아마이드(dimethylformamide, DMF) 용액의 산화, 환원 전위를 페로센 화합물을 기준으로 비교하는 순환 전압 전류법(cyclic voltammetry; CV)으로 측정하였다. 구체적인 측정 조건은 다음과 같다.The HOMO energy level of the compound and the LUMO energy level are the circulating voltage comparing the oxidation and reduction potentials of a dimethylformamide (DMF) solution in which the measured compound is dissolved at a concentration of 5 mM and the electrolyte is dissolved at a concentration of 0.1 M based on a ferrocene compound. It was measured by cyclic voltammetry (CV). Specific measurement conditions are as follows.

CV 기기: Ivium Tech사의 IviumstatCV device: Iviumstat from Ivium Tech

측정 용액: 측정 화합물이 5mM의 농도 및 전해질(KNO3, Aldrich 사)이 0.1M의 농도로 용해된 다이메틸폼아마이드(DMF) 용액Measurement solution: A dimethylformamide (DMF) solution in which the measurement compound is dissolved in a concentration of 5 mM and an electrolyte (KNO 3 , Aldrich) is dissolved in a concentration of 0.1 M.

작업 전극(Working Electrode): 카본 전극Working Electrode: Carbon electrode

기준 전극(Reference Electorde): Al/AgCl 전극Reference Electorde: Al/AgCl electrode

상대 전극(Counter Electrode): 백금 전극Counter Electrode: Platinum electrode

측정 온도: 25℃Measurement temperature: 25℃

Scan rate: 50mV/SScan rate: 50mV/S

HOMO 에너지 준위(E(HOMO)) 및 LUMO 에너지 준위(E(LUMO))는 하기의 식을 통하여 계산하였다.The HOMO energy level (E(HOMO)) and the LUMO energy level (E(LUMO)) were calculated through the following equation.

E(HOMO)=[Vsolvent-(Eonset ox-E1/2(solvent))eVE(HOMO)=[V solvent -(E onset ox -E 1/2 (solvent)) eV

E(LUMO)=[Vsolvent-(Eonset red-E1/2(solvent))eVE(LUMO)=[V solvent -(E onset red -E 1/2 (solvent))eV

상기 식에 있어서, Vsolvent는 용매의 에너지 준위이고, E1/2(solvent)는 용매의 반파 준위이고, Eonset ex는 산화가 시작되는 지점이고, Eonset red는 환원이 시작되는 지점이다.In the above formula, V solvent is the energy level of the solvent, E 1/2 (solvent) is the half-wave level of the solvent, E onset ex is the starting point of oxidation, and E onset red is the starting point of reduction.

삼중항 에너지의 측정Measurement of triplet energy

삼중항 에너지(T1)는 수명이 긴 삼중항 엑시톤의 특성을 이용해 극저온 상태에서 측정하였다. 구체적으로, 화합물을 톨루엔 용매에 용해하여 10-5M의 농도의 시료를 제조한 후, 상기 시료를 석영 키트에 담아 77K로 냉각시키고, 300nm 광원을 인광 측정용 시료에 조사하여 파장을 변경하면서 인광 스펙트럼을 측정한다. 스펙트럼의 측정에는 분광광도계(FP-8600 spectrophotometer, JASCO사)를 이용하였다.Triplet energy (T 1 ) was measured in a cryogenic state using the characteristics of triplet excitons with a long life. Specifically, after dissolving the compound in a toluene solvent to prepare a sample having a concentration of 10 -5 M, the sample was put in a quartz kit and cooled to 77 K, and a 300 nm light source was irradiated to the sample for phosphorescence measurement, and phosphorescence while changing the wavelength. Measure the spectrum. For the measurement of the spectrum, a spectrophotometer (FP-8600 spectrophotometer, JASCO) was used.

인광 스펙트럼의 세로축은 인광 강도로, 가로축은 파장으로 하였다. 인광 스펙트럼의 단파장측의 상승에 대해 접선을 긋고, 그 접선과 가로축의 교점의 파장값(λedge1(nm))을 구한 후, 이 파장값을 하기 환산식 1에 대입하여 삼중항 에너지를 산출하였다.The vertical axis of the phosphorescence spectrum was made into phosphorescence intensity, and the horizontal axis was made into wavelength. A tangent line was drawn with respect to the rise of the short wavelength side of the phosphorescent spectrum, the wavelength value (λ edge1 (nm)) of the intersection of the tangent line and the horizontal axis was calculated, and then this wavelength value was substituted into the following conversion equation 1 to calculate triplet energy. .

환산식 (F1):T1(eV) = 1239.85/λedge1 Conversion formula (F1): T 1 (eV) = 1239.85/λ edge1

인광 스펙트럼의 단파장측의 상승에 대한 접선은 이하와 같이 긋는다. 우선, 스펙트럼의 극대값 중 가장 단파장측의 극대값을 확인한다. 이 때, 스펙트럼의 극대 피크 강도의 15% 이하의 피크 강도를 갖는 극대점은, 상기 서술한 가장 단파장측의 극대값에는 포함시키지 않는다. 인광 스펙트럼의 단파장측으로부터 상기 극대값까지의 스펙트럼 곡선 상의 각 점에 있어서의 접선을 생각한다. 이 접선 중 기울기 값이 제일 큰 접선(즉, 변곡점에 있어서의 접선)을 당해 인광 스펙트럼의 단파장측의 상승에 대한 접선으로 한다. The tangent to the rise on the short wavelength side of the phosphorescence spectrum is drawn as follows. First, the maximum value of the shortest wavelength side among the maximum values of the spectrum is checked. At this time, the maximum point having a peak intensity of 15% or less of the maximum peak intensity of the spectrum is not included in the maximum value of the shortest wavelength side described above. The tangent line at each point on the spectrum curve from the short wavelength side of the phosphorescence spectrum to the maximum value is considered. Among these tangents, the tangent with the largest inclination value (that is, the tangent to the inflection point) is taken as the tangent to the rise of the short wavelength side of the phosphorescent spectrum.

일중항 에너지의 측정Measurement of singlet energy

일중항 에너지(S1)는 다음의 방법으로 측정하였다.Singlet energy (S 1 ) was measured by the following method.

측정 대상이 되는 화합물의 10-5M 톨루엔 용액을 조제하여 석영 셀에 넣고, 상온(300K)에서 시료의 300nm 광원의 발광 스펙트럼(세로축:발광 강도, 가로축:파장)을 측정하였다. 이 발광 스펙트럼의 단파장측의 상승에 대해 접선을 긋고, 그 접선과 가로축의 교점의 파장값(λedge2(㎚))을 하기 환산식 2에 대입하여 일중항 에너지를 산출하였다. 상기 발광 스펙트럼은 JASCO사의 분광 광도계(FP-8600 spectrophotometer)를 이용하여 측정하였다.A 10 -5 M toluene solution of the compound to be measured was prepared and placed in a quartz cell, and the emission spectrum (vertical axis: luminescence intensity, horizontal axis: wavelength) of the 300 nm light source of the sample was measured at room temperature (300 K). A tangent line was drawn with respect to the rise on the short wavelength side of the emission spectrum, and the wavelength value (λ edge2 (nm)) of the intersection of the tangent line and the horizontal axis was substituted into the following conversion equation 2 to calculate singlet energy. The emission spectrum was measured using a JASCO spectrophotometer (FP-8600 spectrophotometer).

환산식 2:S1(eV) = 1239.85/λedge2 Conversion formula 2: S 1 (eV) = 1239.85/λ edge2

발광 스펙트럼의 단파장측의 상승에 대한 접선은 이하와 같이 긋는다. 우선, 스펙트럼의 극대값 중 가장 단파장측의 극대값을 확인한다. 발광 스펙트럼의 단파장측으로부터 상기 극대값까지의 스펙트럼 곡선 상의 각 점에 있어서의 접선을 생각한다. 이 접선 중 기울기 값이 제일 큰 접선(즉, 변곡점에 있어서의 접선)을 당해 발광 스펙트럼의 단파장측의 상승에 대한 접선으로 한다. 스펙트럼의 극대 피크 강도의 15% 이하의 피크 강도를 갖는 극대점은, 상기 서술한 가장 단파장측의 극대값에는 포함시키지 않는다.The tangent to the rise on the short wavelength side of the emission spectrum is drawn as follows. First, the maximum value of the shortest wavelength side among the maximum values of the spectrum is checked. The tangent line at each point on the spectrum curve from the short wavelength side of the emission spectrum to the maximum value is considered. Among these tangents, the tangent with the largest inclination value (that is, the tangent to the inflection point) is taken as the tangent to the rise of the short wavelength side of the emission spectrum. The maximum point having a peak intensity of 15% or less of the maximum peak intensity of the spectrum is not included in the maximum value on the shortest wavelength side described above.

화합물compound S1(eV)S 1 (eV) T1(eV)T 1 (eV) HOMO(eV)HOMO(eV) LUMO(eV)LUMO(eV) △EST(eV)△E ST (eV) 1One 2.442.44 2.382.38 5.715.71 3.033.03 0.060.06 22 2.432.43 2.372.37 5.775.77 3.053.05 0.060.06 33 2.432.43 2.382.38 5.785.78 3.013.01 0.050.05 44 2.422.42 2.402.40 5.735.73 3.003.00 0.020.02 55 2.422.42 2.392.39 5.765.76 3.083.08 0.030.03 66 2.432.43 2.382.38 5.715.71 3.013.01 0.050.05 77 2.432.43 2.402.40 5.725.72 3.063.06 0.030.03 88 2.442.44 2.412.41 5.765.76 3.093.09 0.030.03 99 2.432.43 2.392.39 5.755.75 3.073.07 0.040.04 T1T1 2.542.54 2.472.47 5.885.88 3.053.05 0.070.07 T2T2 2.732.73 2.402.40 6.076.07 2.942.94 0.330.33 T3T3 2.732.73 2.392.39 6.066.06 2.972.97 0.340.34 T4T4 2.542.54 2.412.41 5.895.89 3.093.09 0.130.13 T5T5 2.532.53 2.402.40 5.885.88 3.083.08 0.130.13 T6T6 2.542.54 2.412.41 5.875.87 3.113.11 0.130.13 4CzIPN4CzIPN 2.442.44 2.392.39 5.555.55 3.153.15 0.050.05

본원 실시예들에 사용된 화합물 1 내지 9는 모두 △EST가 0.3eV 이하로 지연 형광 물질로 적합한 것을 알 수 있다.It can be seen that all of the compounds 1 to 9 used in the present examples have a ΔE ST of 0.3 eV or less, which is suitable as a delayed fluorescent material.

비교예로 사용된 화합물 T2 및 T3의 경우 지연 형광 물질로 적합하지 않은 것을 확인할 수 있었고, 4CzIPN, T1, T4 내지 T6는 △EST가 0.3eV 이하로 지연 형광 물질에 해당하나, 표 1 에서 살펴본 바와 같이 화합물 1 내지 9가 전압, 효율 면에서 특성이 모두 향상됨을 알 수 있었다.In the case of compounds T2 and T3 used as comparative examples, it could be confirmed that they are not suitable as delayed fluorescent materials, and 4CzIPN, T1, T4 to T6 correspond to delayed fluorescent materials with ΔE ST of 0.3 eV or less, but as shown in Table 1. As shown, it was found that the characteristics of Compounds 1 to 9 were all improved in terms of voltage and efficiency.

이상을 통해 본 발명의 바람직한 실험예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 발명의 범주에 속한다.Although the preferred experimental examples of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto, and it is possible to perform various modifications within the scope of the claims and the detailed description of the invention, and this also belongs to the scope of the invention. .

1: 기판
2: 양극
3: 발광층
4: 음극
5: 정공주입층
6: 정공수송층
7: 발광층
8: 전자수송층
1: substrate
2: anode
3: light emitting layer
4: cathode
5: hole injection layer
6: hole transport layer
7: light emitting layer
8: electron transport layer

Claims (9)

하기 화학식 1 로 표시되는 화합물:
[화학식 1]
Figure 112020089790616-pat00040

화학식 1에 있어서,
X는 직접결합; O; 또는 S이고,
Y는 NR; O; 또는 S이며,
R1은 카바졸로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 15의 알킬기; 또는 탄소수 3 내지 15의 시클로알킬기이고,
R은 아릴기이며,
R2 및 R3는 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 15의 알킬기이며,
R4는 수소이고,
a는 1 또는 2이고,
b는 0 또는 1이고,
c 및 e는 각각 독립적으로, 0 내지 4의 정수이며,
d는 0 내지 2의 정수이며,
a 및 c 내지 e가 2 이상인 경우에는 괄호 안의 치환기는 서로 같거나 상이하다.
Compound represented by the following formula (1):
[Formula 1]
Figure 112020089790616-pat00040

In Formula 1,
X is a direct bond; O; Or S,
Y is NR; O; Or S,
R1 is an alkyl group having 2 to 15 carbon atoms unsubstituted or substituted with carbazole; Or a cycloalkyl group having 3 to 15 carbon atoms,
R is an aryl group,
R2 and R3 are each independently hydrogen; heavy hydrogen; Or a substituted or unsubstituted C 1 to C 15 alkyl group,
R4 is hydrogen,
a is 1 or 2,
b is 0 or 1,
c and e are each independently an integer of 0 to 4,
d is an integer from 0 to 2,
When a and c to e are 2 or more, the substituents in parentheses are the same as or different from each other.
청구항 1에 있어서,
상기 화학식 1은 하기 화학식 2로 표시되는 것인 화합물:
[화학식 2]
Figure 112019031983895-pat00041

화학식 2에 있어서,
X, R1 내지 R3, a, c 및 d의 정의는 상기 화학식 1과 같다.
The method according to claim 1,
Formula 1 is a compound represented by the following Formula 2:
[Formula 2]
Figure 112019031983895-pat00041

In Formula 2,
The definitions of X, R1 to R3, a, c and d are the same as in Formula 1.
청구항 1에 있어서,
상기 화학식 1은 하기 화학식 3 또는 4로 표시되는 것인 화합물:
[화학식 3]
Figure 112019031983895-pat00042

[화학식 4]
Figure 112019031983895-pat00043

화학식 3 및 4에 있어서,
X, Y, R1 내지 R4, a 및 c 내지 e의 정의는 상기 화학식 1과 같다.
The method according to claim 1,
Formula 1 is a compound represented by the following formula 3 or 4:
[Formula 3]
Figure 112019031983895-pat00042

[Formula 4]
Figure 112019031983895-pat00043

In Formulas 3 and 4,
The definitions of X, Y, R1 to R4, a and c to e are the same as in Formula 1.
청구항 1에 있어서,
상기 화학식 1은 하기 화학식 5 또는 6으로 표시되는 것인 화합물:
[화학식 5]
Figure 112019031983895-pat00044

[화학식 6]
Figure 112019031983895-pat00045

화학식 5 및 6에 있어서,
X, Y, R1 내지 R4, a 및 c 내지 e의 정의는 상기 화학식 1과 같다.
The method according to claim 1,
Formula 1 is a compound represented by the following formula 5 or 6:
[Formula 5]
Figure 112019031983895-pat00044

[Formula 6]
Figure 112019031983895-pat00045

In Formulas 5 and 6,
The definitions of X, Y, R1 to R4, a and c to e are the same as in Formula 1.
청구항 1에 있어서,
상기 화학식 1은 하기 화학식 7 또는 8로 표시되는 것인 화합물:
[화학식 7]
Figure 112019031983895-pat00046

[화학식 8]
Figure 112019031983895-pat00047

화학식 7 및 8에 있어서,
X, Y, R1 내지 R4, a 및 c 내지 e의 정의는 상기 화학식 1과 같다.
The method according to claim 1,
Formula 1 is a compound represented by the following formula 7 or 8:
[Formula 7]
Figure 112019031983895-pat00046

[Formula 8]
Figure 112019031983895-pat00047

In Formulas 7 and 8,
The definitions of X, Y, R1 to R4, a and c to e are the same as in Formula 1.
청구항 1에 있어서,
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 구조들 중에서 선택되는 어느 하나인 것인 화합물:
Figure 112019031983895-pat00048

Figure 112019031983895-pat00049

Figure 112019031983895-pat00050

Figure 112019031983895-pat00051

Figure 112019031983895-pat00052

Figure 112019031983895-pat00053

Figure 112019031983895-pat00054

Figure 112019031983895-pat00055

Figure 112019031983895-pat00056

Figure 112019031983895-pat00057
.
The method according to claim 1,
The compound represented by Formula 1 is any one selected from the following structures:
Figure 112019031983895-pat00048

Figure 112019031983895-pat00049

Figure 112019031983895-pat00050

Figure 112019031983895-pat00051

Figure 112019031983895-pat00052

Figure 112019031983895-pat00053

Figure 112019031983895-pat00054

Figure 112019031983895-pat00055

Figure 112019031983895-pat00056

Figure 112019031983895-pat00057
.
제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 청구항 1 내지 6 중 어느 하나의 항에 따른 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.An organic light-emitting device comprising a first electrode, a second electrode, and one or more organic material layers disposed between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers is defined in any one of claims 1 to 6 Organic light-emitting device comprising the compound according to. 청구항 7에 있어서,
상기 유기물층은 도펀트를 갖는 발광층을 포함하며,
상기 도펀트는 상기 화합물인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
The method of claim 7,
The organic material layer includes a light emitting layer having a dopant,
The dopant is an organic light-emitting device, characterized in that the compound.
청구항 8에 있어서,
상기 발광층은 호스트를 더 포함하며,
상기 호스트는 하기 구조들 중 적어도 하나인 것인 유기 발광 소자:
Figure 112019031983895-pat00058

Figure 112019031983895-pat00059

Figure 112019031983895-pat00060
..
The method of claim 8,
The emission layer further comprises a host,
The organic light emitting device of the host is at least one of the following structures:
Figure 112019031983895-pat00058

Figure 112019031983895-pat00059

Figure 112019031983895-pat00060
..
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20230011206A1 (en) * 2018-10-25 2023-01-12 Idemitsu Kosan Co.,Ltd. Compound, material for organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, and electronic appliance
US20220388991A1 (en) * 2019-10-01 2022-12-08 Idemitsu Kosan Co.,Ltd. Compound, material for organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, and electronic device
CN111440159B (en) * 2020-04-16 2023-12-15 烟台显华化工科技有限公司 Compound, light extraction material and organic electroluminescent device
EP4155309A4 (en) * 2020-05-22 2023-10-25 Kyulux, Inc. Compound, light-emitting material, and light-emitting element
WO2022025248A1 (en) * 2020-07-31 2022-02-03 株式会社Kyulux Compound, light-emitting material, and light-emitting element
KR20220042624A (en) * 2020-09-28 2022-04-05 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting diode and organic light emitting device including the same
CN112885967B (en) * 2021-01-28 2022-12-02 电子科技大学 Double-layer organic solar cell based on delayed fluorescent material and preparation method
KR20240021221A (en) 2021-06-10 2024-02-16 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 Compounds, materials for organic electroluminescent devices, organic electroluminescent devices and electronic devices
WO2023140706A1 (en) * 2022-01-21 2023-07-27 Samsung Display Co., Ltd. Organic molecules for optoelectronic devices
WO2023171688A1 (en) * 2022-03-08 2023-09-14 出光興産株式会社 Compound, organic electroluminescent element material, organic electroluminescent element, and electronic device

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014135466A (en) * 2012-04-09 2014-07-24 Kyushu Univ Organic light emitting element, and light emitting material and compound used in the same
CN107739352A (en) * 2013-03-22 2018-02-27 默克专利有限公司 material for electronic device
CN108822137A (en) * 2013-06-26 2018-11-16 出光兴产株式会社 Compound, material for organic electroluminescent element, and electronic device
CN105706260B (en) * 2013-11-15 2019-08-13 默克专利有限公司 For the compound with novel six-membered ring structure in organic electronic device
KR102572294B1 (en) * 2015-09-25 2023-08-30 덕산네오룩스 주식회사 Compound for organic electronic element, organic electronic element using the same, and an electronic device thereof

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