KR102171941B1 - Novel compound and organic light emitting device comprising same - Google Patents
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Abstract
본 명세서는 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다. The present specification provides a novel compound and an organic light-emitting device including the same.
Description
본 명세서는 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다. The present specification relates to a novel compound and an organic light emitting device including the same.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어 질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. In general, the organic light emission phenomenon refers to a phenomenon in which electrical energy is converted into light energy using an organic material. An organic light emitting device using the organic light emitting phenomenon has a structure including an anode, a cathode, and an organic material layer therebetween. Here, the organic material layer is often made of a multi-layered structure composed of different materials in order to increase the efficiency and stability of the organic light emitting device.For example, it may be formed of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like. In the structure of such an organic light-emitting device, when a voltage is applied between the two electrodes, holes are injected from the anode and electrons from the cathode are injected into the organic material layer, and excitons are formed when the injected holes and electrons meet. It glows when it falls back to the ground.
상기와 같은 유기 발광 소자를 위한 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다.Development of a new material for the organic light emitting device as described above is continuously required.
본 명세서에는 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자가 기재된다. In the present specification, a novel compound and an organic light emitting device including the same are described.
본 명세서의 일 실시상태는 하기 화학식 1 로 표시되는 화합물을 제공할 수 있다.An exemplary embodiment of the present specification may provide a compound represented by Formula 1 below.
[화학식 1] [Formula 1]
화학식 1에 있어서,In Formula 1,
L은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이며,L is a direct bond; Or a substituted or unsubstituted arylene group,
Ar은 하기 화학식 2로 표시되며,Ar is represented by the following formula (2),
[화학식 2] [Formula 2]
화학식 2에 있어서,In Formula 2,
X1 내지 X4 중 어느 하나는 C이며,Any one of X1 to X4 is C,
나머지는 각각 독립적으로 CR; 또는 N이며,The rest are each independently CR; Or N,
X5 내지 X8은 각각 독립적으로 CR' 또는 N이고,X5 to X8 are each independently CR' or N,
R 및 R'은 수소; 시아노기; 할로겐기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이며,R and R'are hydrogen; Cyano group; Halogen group; Or a substituted or unsubstituted aryl group,
X1 내지 X8 중 적어도 두 개 이상은 N이다.At least two or more of X1 to X8 are N.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공할 수 있다.Further, in the exemplary embodiment of the present specification, an organic light emitting device comprising a first electrode, a second electrode, and at least one organic material layer disposed between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers May provide an organic light-emitting device including the compound according to an exemplary embodiment of the present specification.
본 명세서에 기재된 화합물은 유기 발광 소자의 유기물층의 재료로서 사용될 수 있다. 적어도 하나의 실시상태에 따른 화합물은 유기 발광 소자에서 효율의 향상, 낮은 구동전압 및/또는 수명 특성을 향상시킬 수 있다. 특히, 본 명세서에 기재된 화합물은 정공주입, 정공수송, 정공주입과 정공수송, 전자억제, 발광, 정공억제, 전자수송, 또는 전자주입 재료로 사용될 수 있다. The compound described herein can be used as a material for an organic material layer of an organic light emitting device. The compound according to at least one exemplary embodiment may improve efficiency, low driving voltage, and/or improve life characteristics in an organic light emitting device. In particular, the compounds described in the present specification may be used as a hole injection, hole transport, hole injection and hole transport, electron suppression, light emission, hole suppression, electron transport, or electron injection material.
보다 구체적으로, 본 발명의 일 실시상태에 따른 화합물은 전자 수용 능력이 높은 구조를 가지고 있으며, 내열성이 우수하여 유기 발광 소자 제작시 적절한 증착 온도를 유지할 수 있다. 또한, 승화 온도가 높아 승화 정제 방법으로 고순도화가 가능하며, 유기 발광 소자 제조시 증착용 성막 장치 또는 유기 발광 소자에 오염을 일으키지 않는다.More specifically, the compound according to an exemplary embodiment of the present invention has a structure having a high electron-accepting capacity and has excellent heat resistance, so that an appropriate deposition temperature can be maintained when fabricating an organic light-emitting device. In addition, the sublimation temperature is high, so it is possible to achieve high purity by a sublimation purification method, and does not cause contamination of the deposition apparatus or the organic light emitting device when manufacturing the organic light emitting device.
도 1은 기판(1), 양극(2), 발광층(3) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 2는 기판 (1), 양극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 발광층(3), 전자수송층(7) 및 음극(4)로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.1 shows an example of an organic light-emitting device comprising a
FIG. 2 shows an example of an organic light emitting device comprising a
이하 본 명세서에 대하여 더욱 상세히 설명한다. Hereinafter, the present specification will be described in more detail.
본 명세서의 일 실시상태는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다. An exemplary embodiment of the present specification provides a compound represented by Chemical Formula 1.
상기 치환기들의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다. Examples of the substituents are described below, but are not limited thereto.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 포스핀옥사이드기; 알콕시기; 아릴옥시기; 알킬티옥시기; 아릴티옥시기; 알킬술폭시기; 아릴술폭시기; 실릴기; 붕소기; 알킬기; 시클로알킬기; 알케닐기; 아릴기; 아르알킬기; 아르알케닐기; 알킬아릴기; 알킬아민기; 아랄킬아민기; 헤테로아릴아민기; 아릴아민기; 아릴포스핀기; 및 헤테로 고리기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되거나, 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환 또는 비치환된 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 바이페닐기일 수 있다. 즉, 바이페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수 있다.In the present specification, the term "substituted or unsubstituted" refers to deuterium; Halogen group; Nitrile group; Nitro group; Hydroxy group; Carbonyl group; Ester group; Imide group; Amino group; Phosphine oxide group; Alkoxy group; Aryloxy group; Alkyl thioxy group; Arylthioxy group; Alkyl sulfoxy group; Arylsulfoxy group; Silyl group; Boron group; Alkyl group; Cycloalkyl group; Alkenyl group; Aryl group; Aralkyl group; Aralkenyl group; Alkylaryl group; Alkylamine group; Aralkylamine group; Heteroarylamine group; Arylamine group; Arylphosphine group; And substituted or unsubstituted with one or more substituents selected from the group consisting of a heterocyclic group, or substituted or unsubstituted with two or more substituents connected among the aforementioned substituents. For example, "a substituent to which two or more substituents are connected" may be a biphenyl group. That is, the biphenyl group may be an aryl group or may be interpreted as a substituent to which two phenyl groups are connected.
본 명세서에 있어서, "인접한" 기는 해당 치환기가 치환된 원자와 직접 연결된 원자에 치환된 치환기, 해당 치환기와 입체구조적으로 가장 가깝게 위치한 치환기, 또는 해당 치환기가 치환된 원자에 치환된 다른 치환기를 의미할 수 있다. 예컨대, 벤젠고리에서 오쏘(ortho)위치로 치환된 2개의 치환기 및 지방족 고리에서 동일 탄소에 치환된 2개의 치환기는 서로 "인접한"기로 해석될 수 있다. 또는, 카바졸에서 N에 치환된 치환기와 카바졸의 1번 탄소 또는 8번 탄소의 치환기가 "인접한 기"로 해석될 수 있다.In this specification, "adjacent" The group may refer to a substituent substituted on an atom directly connected to the atom where the corresponding substituent is substituted, a substituent positioned three-dimensionally closest to the corresponding substituent, or another substituent substituted on an atom where the corresponding substituent is substituted. For example, two substituents substituted with an ortho position in a benzene ring and two substituents substituted with the same carbon in an aliphatic ring may be interpreted as "adjacent" to each other. Alternatively, a substituent substituted for N in carbazole and a substituent on
본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다.In the present specification, examples of the halogen group include fluorine, chlorine, bromine or iodine.
본 명세서에서 카보닐기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the number of carbon atoms of the carbonyl group is not particularly limited, but it is preferably 1 to 40 carbon atoms. Specifically, it may be a compound having the following structure, but is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 에스테르기는 에스테르기의 산소가 탄소수 1 내지 40의 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄 알킬기 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 치환될 수 있다. 구체적으로, 하기 구조식의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the ester group oxygen may be substituted with a
본 명세서에 있어서, 이미드기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 25인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the number of carbon atoms of the imide group is not particularly limited, but it is preferably 1 to 25 carbon atoms. Specifically, it may be a compound having the following structure, but is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 실릴기는 -SiRaRbRc의 화학식으로 표시될 수 있고, 상기 Ra, Rb 및 Rc는 각각 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기일 수 있다. 상기 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다. In the present specification, the silyl group may be represented by the formula of -SiR a R b R c , wherein R a , R b and R c are each hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; Or it may be a substituted or unsubstituted aryl group. The silyl group specifically includes a trimethylsilyl group, a triethylsilyl group, a t-butyldimethylsilyl group, a vinyldimethylsilyl group, a propyldimethylsilyl group, a triphenylsilyl group, a diphenylsilyl group, a phenylsilyl group, etc., but is not limited thereto. Does not.
본 명세서에 있어서, 붕소기는 -BRaRbRc의 화학식으로 표시될 수 있고, 상기 Ra, Rb 및 Rc는 각각 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기일 수 있다. 상기 붕소기는 구체적으로 트리메틸붕소기, 트리에틸붕소기, t-부틸디메틸붕소기, 트리페닐붕소기, 페닐붕소기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.In the present specification, the boron group may be represented by the formula of -BR a R b R c , wherein R a , R b and R c are each hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; Or it may be a substituted or unsubstituted aryl group. The boron group specifically includes a trimethyl boron group, a triethyl boron group, a t-butyldimethyl boron group, a triphenyl boron group, and a phenyl boron group, but is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 6이다. 알킬기의 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 시클로펜틸메틸, 시클로헥실메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkyl group may be a linear or branched chain, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 40. According to an exemplary embodiment, the alkyl group has 1 to 20 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the alkyl group has 1 to 10 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the alkyl group has 1 to 6 carbon atoms. Specific examples of the alkyl group include methyl, ethyl, propyl, n-propyl, isopropyl, butyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, sec-butyl, 1-methyl-butyl, 1-ethyl-butyl, pentyl, n -Pentyl, isopentyl, neopentyl, tert-pentyl, hexyl, n-hexyl, 1-methylpentyl, 2-methylpentyl, 4-methyl-2-pentyl, 3,3-dimethylbutyl, 2-ethylbutyl, heptyl , n-heptyl, 1-methylhexyl, cyclopentylmethyl, cyclohexylmethyl, octyl, n-octyl, tert-octyl, 1-methylheptyl, 2-ethylhexyl, 2-propylpentyl, n-nonyl, 2,2 -Dimethylheptyl, 1-ethyl-propyl, 1,1-dimethyl-propyl, isohexyl, 4-methylhexyl, 5-methylhexyl, and the like, but are not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 상기 알콕시기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적으로, 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, i-프로필옥시, n-부톡시, 이소부톡시, tert-부톡시, sec-부톡시, n-펜틸옥시, 네오펜틸옥시, 이소펜틸옥시, n-헥실옥시, 3,3-디메틸부틸옥시, 2-에틸부틸옥시, n-옥틸옥시, n-노닐옥시, n-데실옥시, 벤질옥시, p-메틸벤질옥시 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the alkoxy group may be linear, branched or cyclic. The number of carbon atoms of the alkoxy group is not particularly limited, but it is preferably 1 to 40 carbon atoms. Specifically, methoxy, ethoxy, n-propoxy, isopropoxy, i-propyloxy, n-butoxy, isobutoxy, tert-butoxy, sec-butoxy, n-pentyloxy, neopentyloxy, Isopentyloxy, n-hexyloxy, 3,3-dimethylbutyloxy, 2-ethylbutyloxy, n-octyloxy, n-nonyloxy, n-decyloxy, benzyloxy, p-methylbenzyloxy, etc. May be, but is not limited thereto.
본 명세서에 기재된 알킬기, 알콕시기 및 그 외 알킬기 부분을 포함하는 치환체는 직쇄 또는 분쇄 형태를 모두 포함한다.Substituents including an alkyl group, an alkoxy group and other alkyl group moieties described in the present specification include all of the straight chain or branched form.
본 명세서에 있어서, 상기 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 6이다. 구체적인 예로는 비닐, 1-프로페닐, 이소프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 1-펜테닐, 2-펜테닐, 3-펜테닐, 3-메틸-1-부테닐, 1,3-부타디에닐, 알릴, 1-페닐비닐-1-일, 2-페닐비닐-1-일, 2,2-디페닐비닐-1-일, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkenyl group may be a linear or branched chain, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 2 to 40. According to an exemplary embodiment, the alkenyl group has 2 to 20 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the alkenyl group has 2 to 10 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the alkenyl group has 2 to 6 carbon atoms. Specific examples include vinyl, 1-propenyl, isopropenyl, 1-butenyl, 2-butenyl, 3-butenyl, 1-pentenyl, 2-pentenyl, 3-pentenyl, 3-methyl-1- Butenyl, 1,3-butadienyl, allyl, 1-phenylvinyl-1-yl, 2-phenylvinyl-1-yl, 2,2-diphenylvinyl-1-yl, 2-phenyl-2-( Naphthyl-1-yl)vinyl-1-yl, 2,2-bis(diphenyl-1-yl)vinyl-1-yl, stilbenyl group, styrenyl group, and the like, but are not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 일 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 40이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 6이다. 구체적으로 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 3-메틸시클로펜틸, 2,3-디메틸시클로펜틸, 시클로헥실, 3-메틸시클로헥실, 4-메틸시클로헥실, 2,3-디메틸시클로헥실, 3,4,5-트리메틸시클로헥실, 4-tert-부틸시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. In the present specification, the cycloalkyl group is not particularly limited, but preferably has 3 to 60 carbon atoms, and according to an exemplary embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 40 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the number of carbon atoms of the cycloalkyl group is 3 to 20. According to another exemplary embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 6 carbon atoms. Specifically, cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, 3-methylcyclopentyl, 2,3-dimethylcyclopentyl, cyclohexyl, 3-methylcyclohexyl, 4-methylcyclohexyl, 2,3-dimethylcyclohexyl, 3, 4,5-trimethylcyclohexyl, 4-tert-butylcyclohexyl, cycloheptyl, cyclooctyl, and the like, but are not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 알킬아민기는 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 내지 40인 것이 바람직하다. 알킬아민기의 구체적인 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 에틸아민기, 디에틸아민기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the number of carbon atoms in the alkylamine group is not particularly limited, but is preferably 1 to 40. Specific examples of the alkylamine group include a methylamine group, a dimethylamine group, an ethylamine group, and a diethylamine group, but are not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 아릴아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노아릴아민기, 치환 또는 비치환된 디아릴아민기, 또는 치환 또는 비치환된 트리아릴아민기가 있다. 상기 아릴아민기 중의 아릴기는 단환식 아릴기일 수 있고, 다환식 아릴기일 수 있다. 상기 2 이상의 아릴기를 포함하는 아릴아민기는 단환식 아릴기, 다환식 아릴기, 또는 단환식아릴기와 다환식 아릴기를 동시에 포함할 수 있다. In the present specification, examples of the arylamine group include a substituted or unsubstituted monoarylamine group, a substituted or unsubstituted diarylamine group, or a substituted or unsubstituted triarylamine group. The aryl group in the arylamine group may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. The arylamine group including two or more aryl groups may include a monocyclic aryl group, a polycyclic aryl group, or a monocyclic aryl group and a polycyclic aryl group at the same time.
아릴 아민기의 구체적인 예로는 페닐아민기, 나프틸아민기, 바이페닐아민기, 안트라세닐아민기, 3-메틸-페닐아민기, 4-메틸-나프틸아민기, 2-메틸-비페닐아민기, 9-메틸-안트라세닐아민기, 디페닐아민기, 페닐 나프틸아민기, 디톨릴아민기, 페닐 톨릴아민기, 카바졸 및 트리페닐아민기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Specific examples of the aryl amine group include phenylamine group, naphthylamine group, biphenylamine group, anthracenylamine group, 3-methyl-phenylamine group, 4-methyl-naphthylamine group, 2-methyl-biphenylamine Group, 9-methyl-anthracenylamine group, diphenylamine group, phenyl naphthylamine group, ditolylamine group, phenyl tolylamine group, carbazole, and triphenylamine group, but are not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노헤테로아릴아민기, 치환 또는 비치환된 디헤테로아릴아민기, 또는 치환 또는 비치환된 트리헤테로아릴아민기가 있다. 상기 헤테로아릴아민기 중의 헤테로아릴기는 단환식 헤테로 고리기일 수 있고, 다환식 헤테로 고리기일 수 있다. 상기 2 이상의 헤테로 고리기를 포함하는 헤테로아릴아민기는 단환식 헤테로 고리기, 다환식 헤테로 고리기, 또는 단환식 헤테로 고리기와 다환식 헤테로 고리기를 동시에 포함할 수 있다. In the present specification, examples of the heteroarylamine group include a substituted or unsubstituted monoheteroarylamine group, a substituted or unsubstituted diheteroarylamine group, or a substituted or unsubstituted triheteroarylamine group. The heteroaryl group in the heteroarylamine group may be a monocyclic heterocyclic group or a polycyclic heterocyclic group. The heteroarylamine group including two or more heterocyclic groups may include a monocyclic heterocyclic group, a polycyclic heterocyclic group, or a monocyclic heterocyclic group and a polycyclic heterocyclic group at the same time.
본 명세서에 있어서, 아릴헤테로아릴아민기는 아릴기 및 헤테로 고리기로 치환된 아민기를 의미한다.In the present specification, an arylheteroarylamine group means an amine group substituted with an aryl group and a heterocyclic group.
본 명세서에 있어서, 아릴포스핀기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노아릴포스핀기, 치환 또는 비치환된 디아릴포스핀기, 또는 치환 또는 비치환된 트리아릴포스핀기가 있다. 상기 아릴포스핀기 중의 아릴기는 단환식 아릴기일 수 있고, 다환식 아릴기일 수 있다. 상기 아릴기가 2 이상을 포함하는 아릴포스핀기는 단환식 아릴기, 다환식 아릴기, 또는 단환식 아릴기와 다환식 아릴기를 동시에 포함할 수 있다.In the present specification, examples of the arylphosphine group include a substituted or unsubstituted monoarylphosphine group, a substituted or unsubstituted diarylphosphine group, or a substituted or unsubstituted triarylphosphine group. The aryl group in the arylphosphine group may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. The arylphosphine group including two or more aryl groups may include a monocyclic aryl group, a polycyclic aryl group, or a monocyclic aryl group and a polycyclic aryl group at the same time.
본 명세서에 있어서, 아릴기는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하며, 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 30이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 20이다. 상기 아릴기가 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the aryl group is not particularly limited, but is preferably 6 to 60 carbon atoms, and may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. According to an exemplary embodiment, the aryl group has 6 to 30 carbon atoms. According to an exemplary embodiment, the aryl group has 6 to 20 carbon atoms. The aryl group may be a phenyl group, a biphenyl group, or a terphenyl group, but the monocyclic aryl group is not limited thereto. The polycyclic aryl group may be a naphthyl group, an anthracenyl group, a phenanthryl group, a pyrenyl group, a perylenyl group, a chrysenyl group, a fluorenyl group, and the like, but is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수 있다.In the present specification, the fluorenyl group may be substituted, and two substituents may be bonded to each other to form a spiro structure.
상기 플루오레닐기가 치환되는 경우, , 등의 스피로플루오레닐기, (9,9-디메틸플루오레닐기), 및 (9,9-디페닐플루오레닐기) 등의 치환된 플루오레닐기가 될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.When the fluorenyl group is substituted, , Spirofluorenyl groups such as, (9,9-dimethylfluorenyl group), and It may be a substituted fluorenyl group such as (9,9-diphenylfluorenyl group). However, it is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 헤테로 고리기는 이종원자로 N, O, P, S, Si 및 Se 중 1개 이상을 포함하는 헤테로 고리기로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 1 내지 60인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 헤테로 고리기의 탄소수는 1 내지 30이다. 헤테로 고리기의 예로는 예로는 피리딜기, 피롤기, 피리미딜기, 피리다지닐기, 퓨라닐기, 티오페닐기, 이미다졸기, 피라졸기, 옥사졸기, 이소옥사졸기, 티아졸기, 이소티아졸기, 트리아졸기, 옥사디아졸기, 티아디아졸기, 디티아졸기, 테트라졸기, 피라닐기, 티오피라닐기, 피라지닐기, 옥사지닐기, 티아지닐기, 디옥시닐기, 트리아지닐기, 테트라지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴놀릴기, 퀴나졸리닐기, 퀴녹살리닐기, 나프티리디닐기, 아크리딜기, 크산테닐기, 페난트리디닐기, 디아자나프탈레닐기, 트리아자인데닐기, 인돌기, 인돌리닐기, 인돌리지닐기, 프탈라지닐기, 피리도 피리미디닐기, 피리도 피라지닐기, 피라지노 피라지닐기, 벤조티아졸기, 벤즈옥사졸기, 벤즈이미다졸기, 벤조티오펜기, 벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 카바졸기, 벤조카바졸기, 디벤조카바졸기, 인돌로카바졸기, 인데노카바졸기, 페나지닐기, 이미다조피리딘기, 페녹사지닐기, 페난트리딘기, 페난트롤린(phenanthroline)기, 페노티아진(phenothiazine)기, 이미다조피리딘기, 이미다조페난트리딘기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the heterocyclic group is a heterocyclic group including at least one of N, O, P, S, Si and Se as a hetero atom, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 60 carbon atoms. According to an exemplary embodiment, the number of carbon atoms of the heterocyclic group is 1 to 30. Examples of heterocyclic groups include pyridyl group, pyrrole group, pyrimidyl group, pyridazinyl group, furanyl group, thiophenyl group, imidazole group, pyrazole group, oxazole group, isoxazole group, thiazole group, isothiazole group, Triazole group, oxadiazole group, thiadiazole group, dithiazole group, tetrazol group, pyranyl group, thiopyranyl group, pyrazinyl group, oxazinyl group, thiazinyl group, dioxynyl group, triazinyl group, tetrazinyl group, qui Nolinyl group, isoquinolinyl group, quinolyl group, quinazolinyl group, quinoxalinyl group, naphthyridinyl group, acridyl group, xanthenyl group, phenanthridinyl group, diazanaphthalenyl group, triazindenyl group, indole group , Indolinyl group, indolizinyl group, phthalazinyl group, pyrido pyrimidinyl group, pyrido pyrazinyl group, pyrazino pyrazinyl group, benzothiazole group, benzoxazole group, benzimidazole group, benzothiophene group , Benzofuranyl group, dibenzothiophenyl group, dibenzofuranyl group, carbazole group, benzocarbazole group, dibenzocarbazole group, indolocarbazole group, indenocarbazole group, phenazinyl group, imidazopyridine group, phenoxazinyl group , A phenanthridine group, a phenanthroline group, a phenothiazine group, an imidazopyridine group, an imidazophenanthridine group, and the like, but are not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 헤테로 고리기의 고리를 구성하는 원자수는 3 내지 25이다. 또 하나의 실시상태에 있어서, 헤테로 고리기의 고리를 구성하는 원자수는 5 내지 17이다.In the present specification, the number of atoms constituting the ring of the heterocyclic group is 3 to 25. In another embodiment, the number of atoms constituting the ring of the heterocyclic group is 5 to 17.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 방향족인 것을 제외하고는 전술한 헤테로 고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the description of the aforementioned heterocyclic group may be applied except that the heteroaryl group is aromatic.
본 명세서에 있어서, 아릴옥시기, 아릴티옥시기, 아릴술폭시기, 아릴포스핀기, 아르알킬기, 아랄킬아민기, 아르알케닐기, 알킬아릴기, 아릴아민기, 아릴헤테로아릴아민기 중의 아릴기는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the aryl group in the aryloxy group, arylthioxy group, arylsulfoxy group, arylphosphine group, aralkyl group, aralkylamine group, aralkenyl group, alkylaryl group, arylamine group, and arylheteroarylamine group is described above. A description of an aryl group may apply.
본 명세서에 있어서, 알킬티옥시기, 알킬술폭시기, 아르알킬기, 아랄킬아민기, 알킬아릴기, 알킬아민기 중 알킬기는 전술한 알킬기에 관한 설명이 적용될 수 있다. In the present specification, among the alkyl thioxy group, alkyl sulfoxy group, aralkyl group, aralkylamine group, alkylaryl group, and alkylamine group, the above description of the alkyl group may be applied.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기, 헤테로아릴아민기, 아릴헤테로아릴아민기 중 헤테로아릴기는 전술한 헤테로 고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다. In the present specification, the heteroaryl group among the heteroaryl group, the heteroarylamine group, and the arylheteroarylamine group may be described above with respect to the heterocyclic group.
본 명세서에 있어서, 아르알케닐기 중 알케닐기는 전술한 알케닐기에 관한 설명이 적용될 수 있다. In the present specification, the alkenyl group among the aralkenyl groups may be described above with respect to the alkenyl group.
본 명세서에 있어서, 아릴렌기는 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다. In the present specification, the description of the aryl group described above may be applied except that the arylene group is a divalent group.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴렌기는 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로 고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the description of the aforementioned heterocyclic group may be applied except that the heteroarylene group is a divalent group.
본 명세서에 있어서, 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성한다는 의미는 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 지방족 탄화수소 고리; 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소 고리; 치환 또는 비치환된 지방족 헤테로 고리; 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로 고리; 또는 이들의 축합고리를 형성하는 것을 의미한다.In the present specification, the meaning of forming a ring by bonding with an adjacent group to each other means a substituted or unsubstituted aliphatic hydrocarbon ring by bonding with an adjacent group; A substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring; Substituted or unsubstituted aliphatic heterocycle; A substituted or unsubstituted aromatic hetero ring; Or it means to form a condensed ring of these.
본 명세서에 있어서, 지방족 탄화수소 고리란 방향족이 아닌 고리로서 탄소와 수소 원자로만 이루어진 고리를 의미한다. 구체적으로, 지방족 탄화수소 고리의 예로는 시클로프로판, 시클로부탄, 시클로부텐, 시클로펜탄, 시클로펜텐, 시클로헥산, 시클로헥센, 1,4-시클로헥사디엔, 시클로헵탄, 시클로헵텐, 시클로옥탄, 시클로옥텐 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the aliphatic hydrocarbon ring is a ring that is not aromatic and refers to a ring consisting only of carbon and hydrogen atoms. Specifically, examples of the aliphatic hydrocarbon ring include cyclopropane, cyclobutane, cyclobutene, cyclopentane, cyclopentene, cyclohexane, cyclohexene, 1,4-cyclohexadiene, cycloheptane, cycloheptene, cyclooctane, cyclooctene, etc. However, it is not limited to these.
본 명세서에 있어서, 방향족 탄화수소 고리란 탄소와 수소 원자로만 이루어진 방향족의 고리를 의미한다. 구체적으로, 방향족 탄화수소 고리의 예로는 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 페릴렌, 플루오란텐, 트리페닐렌, 페날렌, 피렌, 테트라센, 크라이센, 펜타센, 플루오렌, 인덴, 아세나프틸렌, 벤조플루오렌, 스피로플루오렌 등이 있으나 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the aromatic hydrocarbon ring refers to an aromatic ring consisting only of carbon and hydrogen atoms. Specifically, examples of the aromatic hydrocarbon ring include benzene, naphthalene, anthracene, phenanthrene, perylene, fluoranthene, triphenylene, phenalene, pyrene, tetracene, chrysene, pentacene, fluorene, indene, acenaph Styrene, benzofluorene, spirofluorene, and the like, but are not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 지방족 헤테로 고리란 헤테로원자 중 1개 이상을 포함하는 지방족 고리를 의미한다. 구체적으로, 지방족 헤테로 고리의 예로는 옥시레인(oxirane), 테트라하이드로퓨란, 1,4-디옥세인(1,4-dioxane), 피롤리딘, 피페리딘, 모르폴린(morpholine), 옥세판, 아조케인, 티오케인 등이 있으나 이들에만 한정되는 것은 아니다. 본 명세서에 있어서, 방향족 헤테로 고리란 헤테로원자 중 1개 이상을 포함하는 방향족 고리를 의미한다. 구체적으로, 방향족 헤테로 고리의 예로는 피리딘, 피롤, 피리미딘, 피리다진, 퓨란, 티오펜, 이미다졸, 피라졸, 옥사졸, 이소옥사졸, 티아졸, 이소티아졸, 트리아졸, 옥사디아졸, 티아디아졸, 디티아졸, 테트라졸, 피란, 티오피란, 디아진, 옥사진, 티아진, 다이옥신, 트리아진, 테트라진, 이소퀴놀린, 퀴놀린, 퀴놀, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 나프티리딘, 아크리딘, 페난트리딘, 디아자나프탈렌, 트리아자인덴, 인돌, 인돌리진, 벤조티아졸, 벤즈옥사졸, 벤즈이미다졸, 벤조티오펜, 벤조퓨란, 디벤조티오펜, 디벤조퓨란, 카바졸, 벤조카바졸, 디벤조카바졸, 페나진, 이미다조피리딘, 페녹사진, 페난트리딘, 인돌로카바졸, 인데노카바졸 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the aliphatic hetero ring means an aliphatic ring containing at least one heteroatom. Specifically, examples of the aliphatic heterocycle include oxirane, tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, pyrrolidine, piperidine, morpholine, oxephan, There are azocaine and thiocane, but are not limited to these. In the present specification, the aromatic hetero ring means an aromatic ring containing at least one hetero atom. Specifically, examples of the aromatic heterocycle include pyridine, pyrrole, pyrimidine, pyridazine, furan, thiophene, imidazole, pyrazole, oxazole, isoxazole, thiazole, isothiazole, triazole, oxadiazole , Thiadiazole, dithiazole, tetrazole, pyran, thiopyran, diazine, oxazine, thiazine, dioxin, triazine, tetrazine, isoquinoline, quinoline, quinol, quinazoline, quinoxaline, naphthyridine, a Cridine, phenanthridine, diazanaphthalene, triazainden, indole, indolizine, benzothiazole, benzoxazole, benzimidazole, benzothiophene, benzofuran, dibenzothiophene, dibenzofuran, carbazole , Benzocarbazole, dibenzocarbazole, phenazine, imidazopyridine, phenoxazine, phenanthridine, indolocarbazole, indenocarbazole, and the like, but are not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 상기 지방족 탄화수소 고리, 방향족 탄화수소 고리, 지방족 헤테로 고리 및 방향족 헤테로 고리는 단환 또는 다환일 수 있다. In the present specification, the aliphatic hydrocarbon ring, aromatic hydrocarbon ring, aliphatic hetero ring, and aromatic hetero ring may be monocyclic or polycyclic.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, L은 직접결합 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴렌기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, L is a direct bond or a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 60 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, L은 직접결합 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, L is a direct bond or a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, L은 직접결합 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 15의 아릴렌기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, L is a direct bond or a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 15 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, L은 직접결합 또는 페닐렌기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, L is a direct bond or a phenylene group.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, X1 내지 X4 중 어느 하나는 C이며, 이는 상기 화학식 1과의 연결부위를 의미한다.In addition, according to an exemplary embodiment of the present specification, any one of X1 to X4 is C, which means a connection site with
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, X2 또는 X3는 C이다.In addition, according to an exemplary embodiment of the present specification, X2 or X3 is C.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, X1 내지 X4 중 어느 하나는 C이며, 나머지는 각각 독립적으로 CR 또는 N이고, X5 내지 X8은 각각 독립적으로 CR' 또는 N이며, X1 내지 X8 중 적어도 두 개는 N이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, any one of X1 to X4 is C, the rest are each independently CR or N, X5 to X8 are each independently CR' or N, and at least two of X1 to X8 are N.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, X1 및 X4는 N이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, X1 and X4 are N.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, X1 및 X2는 N이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, X1 and X2 are N.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, X1 및 X3은 N이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, X1 and X3 are N.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, X2 및 X3은 N이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, X2 and X3 are N.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, X2 및 X4는 N이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, X2 and X4 are N.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, X3 및 X4는 N이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, X3 and X4 are N.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 X1 내지 X4와 독립적으로, X5 및 X6은 N이다.In addition, according to an exemplary embodiment of the present specification, independently of X1 to X4, X5 and X6 are N.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, X5 및 X7은 N이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, X5 and X7 are N.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, X5 및 X8은 N이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, X5 and X8 are N.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, X6 및 X7은 N이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, X6 and X7 are N.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, X6 및 X8은 N이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, X6 and X8 are N.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, X7 및 X8은 N이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, X7 and X8 are N.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 X1 내지 X4와 독립적으로, X5는 N이다.In addition, according to an exemplary embodiment of the present specification, independently of X1 to X4, X5 is N.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, X6은 N이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, X6 is N.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, X7은 N이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, X7 is N.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, X8은 N이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, X8 is N.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, R 및 R'은 각각 독립적으로, 수소; 시아노기; 할로겐기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기이다.In addition, according to an exemplary embodiment of the present specification, R and R'are each independently hydrogen; Cyano group; Halogen group; Or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 carbon atoms.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, R 및 R'은 각각 독립적으로, 수소; 시아노기; 할로겐기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.In addition, according to an exemplary embodiment of the present specification, R and R'are each independently hydrogen; Cyano group; Halogen group; Or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, R 및 R'은 각각 독립적으로, 수소; 시아노기; 할로겐기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 15의 아릴기이다.In addition, according to an exemplary embodiment of the present specification, R and R'are each independently hydrogen; Cyano group; Halogen group; Or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 15 carbon atoms.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 할로겐기는 불소이다.Further, according to an exemplary embodiment of the present specification, the halogen group is fluorine.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 3으로 표시될 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present specification, the compound represented by
[화학식 3][Formula 3]
화학식 3에 있어서, L 및 X5 내지 X8은 상기 정의된 것과 같다.In
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물은 하기 화합물들 중에서 선택된 어느 하나일 수 있다.In an exemplary embodiment of the present invention, the compound of
본 발명에서는 상기와 같이 코어 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 다양한 에너지 밴드갭을 갖는 화합물을 합성할 수 있다. 통상 에너지 밴드갭이 큰 코어 구조에 치환기를 도입하여 에너지 밴드갭을 조절하는 것은 용이하나, 코어 구조가 에너지 밴드갭이 작은 경우에는 치환기를 도입하여 에너지 밴드갭을 크게 조절하기 어렵다. 또한, 본 발명에서는 상기와 같은 구조의 코어 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 화합물의 HOMO 및 LUMO 에너지 준위도 조절할 수 있다.In the present invention, compounds having various energy band gaps can be synthesized by introducing various substituents into the core structure as described above. In general, it is easy to adjust the energy bandgap by introducing a substituent into a core structure having a large energy bandgap, but when the energy bandgap is small, it is difficult to greatly adjust the energy bandgap by introducing a substituent. In addition, in the present invention, the HOMO and LUMO energy levels of the compound can be adjusted by introducing various substituents to the core structure of the above structure.
또한, 상기와 같은 구조의 코어 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 도입된 치환기의 고유 특성을 갖는 화합물을 합성할 수 있다. 예컨대, 유기 발광 소자 제조시 사용되는 정공주입층 물질, 정공수송용 물질, 발광층 물질 및 전자수송층 물질에 주로 사용되는 치환기를 상기 코어 구조에 도입함으로써 각 유기물층에서 요구하는 조건들을 충족시키는 물질을 합성할 수 있다.In addition, by introducing various substituents into the core structure of the above-described structure, a compound having the inherent characteristics of the introduced substituent can be synthesized. For example, by introducing a substituent mainly used for the hole injection layer material, the hole transport material, the light emitting layer material and the electron transport layer material used in manufacturing the organic light emitting device into the core structure, it is possible to synthesize a material that satisfies the conditions required by each organic material layer. I can.
따라서, 본 발명자들은 이와 같은특징을 갖는 화학식 1의 화합물은 유기 발광 소자용 재료, 특히 발광층에 적용시, 구동 전압의 저전압화나 장수명화를 실현할 수 있다는 것을 밝혀내었다. 또한, F4TCNQ와 같이 분자량이 작고 승화성이 높은 재료에 비하여 증착이 용이하고, 전극 또는 인접 유기물층과 안정적인 계면을 형성할 수 있다. Accordingly, the present inventors have found that when the compound of
전술한 화학식 1의 화합물은 당기술분야에 알려져 있는 재료와 반응 조건을 이용하여 제조될 수 있다. The compound of
또한, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the organic light emitting device according to the present invention is an organic light emitting device comprising a first electrode, a second electrode, and at least one organic material layer disposed between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers It characterized in that it contains the compound.
본 발명의 유기 발광 소자는 전술한 화합물을 이용하여 한 층 이상의 유기물층을 형성하는 것을 제외하고는, 통상의 유기 발광 소자의 제조방법 및 재료에 의하여 제조될 수 있다.The organic light-emitting device of the present invention may be manufactured by a conventional method and material of an organic light-emitting device, except that one or more organic material layers are formed by using the above-described compound.
본 명세서의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층으로서 발광층 외에, 정공주입층, 정공버퍼층, 정공수송층, 전자억제층, 정공억제층, 전자수송층 및 전자주입층 중 적어도 한 층을 더 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기층을 포함할 수 있다.The organic material layer of the organic light emitting device of the present specification may have a single-layer structure, but may have a multilayer structure in which two or more organic material layers are stacked. For example, the organic light emitting device of the present specification may further include at least one of a hole injection layer, a hole buffer layer, a hole transport layer, an electron suppression layer, a hole suppression layer, an electron transport layer, and an electron injection layer in addition to the emission layer as an organic material layer. have. However, the structure of the organic light emitting device is not limited thereto and may include a smaller number of organic layers.
일 예에 따르면, 상기 유기 발광 소자는 기판 상에 양극, 1층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층된 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다. 다른 예에 따르면, 상기 유기 발광 소자는 기판 상에 음극, 1층 이상의 유기물층 및 양극이 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다.According to an example, the organic light emitting device may be a normal type organic light emitting device in which an anode, one or more organic material layers, and a cathode are sequentially stacked on a substrate. According to another example, the organic light-emitting device may be an organic light-emitting device of an inverted type in which a cathode, one or more organic material layers, and an anode are sequentially stacked on a substrate.
본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층 중 1층 이상이 상기 화학식 1의 화합물, 즉 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다. The organic light-emitting device of the present specification may be manufactured by materials and methods known in the art, except that at least one of the organic material layers includes the compound of
예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극을 순차적으로 적층시킴으로써 제조할 수 있다. 이 때 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical Vapor Deposition)방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공주입층, 정공수송층, 발광층 및 전자수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수 있다. For example, the organic light emitting device of the present specification may be manufactured by sequentially laminating a first electrode, an organic material layer, and a second electrode on a substrate. At this time, using a PVD (physical vapor deposition) method such as sputtering or e-beam evaporation, a metal or conductive metal oxide or alloy thereof is deposited on the substrate to form an anode. And, after forming an organic material layer including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer and an electron transport layer thereon, it can be produced by depositing a material that can be used as a cathode thereon. In addition to this method, an organic light-emitting device may be manufactured by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer, and an anode material on a substrate.
또한, 상기 화학식 1의 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.In addition, the compound of
이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질로부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수도 있다 (국제 특허 출원 공개 제 2003/012890호). 다만, 제조 방법이 이에 한정되는 것은 아니다. In addition to this method, an organic light emitting device may be manufactured by sequentially depositing an organic material layer and an anode material from a cathode material on a substrate (International Patent Application Publication No. 2003/012890). However, the manufacturing method is not limited thereto.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 양극이고, 상기 제2 전극은 음극이다. In the exemplary embodiment of the present specification, the first electrode is an anode, and the second electrode is a cathode.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 음극이고, 상기 제2 전극은 양극이다. In another exemplary embodiment, the first electrode is a cathode, and the second electrode is an anode.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 발광층을 포함하며, 상기 발광층은 호스트 및 도판트를 포함하며, 상기 도판트는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물일 수 있다.Further, according to the exemplary embodiment of the present specification, the organic material layer includes an emission layer, the emission layer includes a host and a dopant, and the dopant may be a compound represented by
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 상기 유기물층은 발광층을 포함하며, 상기 발광층은 호스트, 증감제(sensitizer) 및 형광 이미터를 포함하고, 상기 증감제는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물이며, 상기 증감제는 △Est 0.2eV 미만의 지연형광 특성을 갖는 것일 수 있다. △Est 는 일중항과 삼중항의 에너지를 각각 측정한 뒤 그 차이를 구한 값이다. 일중항과 삼중항은 형광 기기를 이용하여 측정할 수 있다.In the exemplary embodiment of the present specification, the organic material layer includes an emission layer, the emission layer includes a host, a sensitizer, and a fluorescent emitter, and the sensitizer is a compound represented by
상기 발광층에 형광 이미터를 더 포함하는 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 엑시톤 에너지를 형광 이미터로 전달하여 형광 이미터에서 발광 현상이 일어나게 되므로, 고휘도 발광이 가능하고, 구동 전압이 낮으며, 장수명 특성을 갖는 유기 발광 소자를 제조할 수 있다. 또한, 형광 이미터의 함량은 호스트 100 중량부 대비 0 내지 10 중량부일 수 있다.When a fluorescent emitter is further included in the emission layer, since the compound represented by
상기 형광 이미터로는 안트라센계 화합물, 파이렌계 화합물, 보론계 화합물과 같은 형광 물질이 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.As the fluorescent emitter, a fluorescent material such as an anthracene compound, a pyrene compound, and a boron compound may be used, but is not limited thereto.
발광층의 호스트 재료로는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 파이렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.Examples of the host material for the light emitting layer include condensed aromatic ring derivatives or heterocyclic compounds. Specifically, condensed aromatic ring derivatives include anthracene derivatives, pyrene derivatives, naphthalene derivatives, pentacene derivatives, phenanthrene compounds, and fluoranthene compounds, and heterocycle-containing compounds include carbazole derivatives, dibenzofuran derivatives, and ladders. It may be a furan compound, a pyrimidine derivative, or the like, but is not limited thereto.
상기 발광층의 호스트 재료는 보다 구체적으로 하기 화학식 F-1 내지 F-4 중 어느 하나 일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.The host material of the light emitting layer may be more specifically one of Formulas F-1 to F-4, but is not limited thereto.
[화학식 F-1][Formula F-1]
상기 화학식 F-1에 있어서,In the formula F-1,
Q1 내지 Q3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,Q1 to Q3 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,
p1은 0 내지 8의 정수이며, p1이 2 이상인 경우 Q1은 서로 같거나 상이하고,p1 is an integer from 0 to 8, and when p1 is 2 or more, Q1 is the same as or different from each other,
[화학식 F-2][Formula F-2]
상기 화학식 F-2에 있어서,In Formula F-2,
W1은 O 또는 S이며,W1 is O or S,
Q4는 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고, Q4 is hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,
p2는 0 내지 4의 정수이며, p2가 2 이상인 경우 Q4는 서로 같거나 상이하고,p2 is an integer from 0 to 4, and when p2 is 2 or more, Q4 is the same as or different from each other,
Q5 내지 Q8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 인접한 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하며, Q5 내지 Q8 중 2 이상은 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하고,Q5 to Q8 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted aryl group or a substituted or unsubstituted heterocyclic group, or adjacent groups are bonded to each other to form a substituted or unsubstituted ring, and two or more of Q5 to Q8 are bonded to each other to form a substituted or unsubstituted ring. To form,
[화학식 F-3][Formula F-3]
상기 화학식 F-3에 있어서, In Formula F-3,
W2는 O, S 또는 NA'이고,W2 is O, S or NA',
A', Q9 및 Q10은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,A', Q9 and Q10 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,
p3 및 p4는 각각 0 내지 4의 정수이고, p3 및 p4가 각각 2 이상인 경우 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하며,p3 and p4 are each an integer of 0 to 4, and when p3 and p4 are each 2 or more, the substituents in parentheses are the same as or different from each other,
[화학식 F-4][Formula F-4]
상기 화학식 F-4에 있어서,In the formula F-4,
W3은 O 또는 S이고,W3 is O or S,
Q11 내지 Q13은 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,Q11 to Q13 are hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,
p5는 0 내지 4의 정수이고, p5가 2 이상인 경우 Q11은 서로 같거나 상이하다.p5 is an integer of 0 to 4, and when p5 is 2 or more, Q11 is the same as or different from each other.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Q1은 수소이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Q1 is hydrogen.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Q2 및 Q3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Q2 and Q3 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted aryl group.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Q2 및 Q3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기이다.According to another exemplary embodiment, Q2 and Q3 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 carbon atoms.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Q2 및 Q3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.In another exemplary embodiment, Q2 and Q3 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Q2 및 Q3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.According to another exemplary embodiment, Q2 and Q3 are the same as or different from each other, and are each independently an aryl group having 6 to 30 carbon atoms substituted or unsubstituted with a substituted or unsubstituted heteroaryl group.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Q2 및 Q3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 아릴기로 치환된 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.According to another exemplary embodiment, Q2 and Q3 are the same as or different from each other, and each independently an aryl group having 6 to 30 carbon atoms substituted or unsubstituted with a heteroaryl group substituted with an aryl group.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Q2 및 Q3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 아릴기로 치환된 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 페닐기이다.In another exemplary embodiment, Q2 and Q3 are the same as or different from each other, and each independently a phenyl group unsubstituted or substituted with a heteroaryl group substituted with an aryl group.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Q2 및 Q3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 아릴기로 치환된 트리아지닐기로 치환 또는 비치환된 페닐기이다.According to another exemplary embodiment, Q2 and Q3 are the same as or different from each other, and each independently a phenyl group unsubstituted or substituted with a triazinyl group substituted with an aryl group.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Q2 및 Q3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 디페닐트리아지닐기로 치환 또는 비치환된 페닐기이다.In another exemplary embodiment, Q2 and Q3 are the same as or different from each other, and are each independently a phenyl group unsubstituted or substituted with a diphenyltriazinyl group.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Q2 및 Q3 중 어느 하나는 페닐기이고, 나머지 하나는 디페닐트리아지닐기로 치환된 페닐기이다.In another exemplary embodiment, any one of Q2 and Q3 is a phenyl group, and the other is a phenyl group substituted with a diphenyltriazinyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 p1은 0 또는 1이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, p1 is 0 or 1.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 p2는 0 또는 1이다. In the exemplary embodiment of the present specification, p2 is 0 or 1.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Q4는 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 헤테로고리기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Q4 is hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted C2 to C60 heterocyclic group.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Q4는 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이다.In another exemplary embodiment, Q4 is hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Q4는 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 치환 또는 비치환된 터페닐기; 또는 치환 또는 비치환된 카바졸기이다.According to another exemplary embodiment, the Q4 is hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted phenyl group; A substituted or unsubstituted biphenyl group; A substituted or unsubstituted terphenyl group; Or a substituted or unsubstituted carbazole group.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Q4는 수소; 중수소; 2-메틸프로페닐기로 치환된 페닐기; 바이페닐기; 터페닐기; 또는 카바졸기이다.In another exemplary embodiment, Q4 is hydrogen; heavy hydrogen; A phenyl group substituted with a 2-methylpropenyl group; Biphenyl group; Terphenyl group; Or carbazole group.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Q5 내지 Q8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이거나, 인접한 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하며, Q5 내지 Q8 중 2 이상은 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다. According to an exemplary embodiment of the present specification, Q5 to Q8 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Or a substituted or unsubstituted aryl group, or adjacent groups are bonded to each other to form a substituted or unsubstituted ring, and two or more of Q5 to Q8 are bonded to each other to form a substituted or unsubstituted ring.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Q5 내지 Q8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기이거나, 인접한 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하며, Q5 내지 Q8 중 2 이상은 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다. In another exemplary embodiment, Q5 to Q8 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 carbon atoms, or adjacent groups are bonded to each other to form a substituted or unsubstituted ring, and two or more of Q5 to Q8 are bonded to each other to form a substituted or unsubstituted ring.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Q5 내지 Q8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 치환 또는 비치환된 페닐기이거나, 인접한 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하며, Q5 내지 Q8 중 2 이상은 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다. According to another exemplary embodiment, the Q5 to Q8 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; Or a substituted or unsubstituted phenyl group, or adjacent groups are bonded to each other to form a substituted or unsubstituted ring, and two or more of Q5 to Q8 are bonded to each other to form a substituted or unsubstituted ring.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Q5 내지 Q8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 치환 또는 비치환된 페닐기이거나, 인접한 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 헤테로고리를 형성하며, Q5 내지 Q8 중 2 이상은 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 헤테로고리를 형성한다. In another exemplary embodiment, Q5 to Q8 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; Or a substituted or unsubstituted phenyl group, or adjacent groups are bonded to each other to form a substituted or unsubstituted heterocycle, and two or more of Q5 to Q8 are bonded to each other to form a substituted or unsubstituted heterocycle.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Q5 및 Q6; Q6 및 Q7; 또는 Q7 및 Q8은 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로고리를 형성하고, 나머지 치환기는 수소; 또는 치환 또는 비치환된 페닐기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the Q5 and Q6; Q6 and Q7; Or Q7 and Q8 are bonded to each other to form a substituted or unsubstituted aromatic heterocycle, and the remaining substituents are hydrogen; Or a substituted or unsubstituted phenyl group.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Q5 및 Q6; Q6 및 Q7; 또는 Q7 및 Q8은 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 벤조퓨란; 또는 치환 또는 비치환된 벤조티오펜을 형성하고, 나머지 치환기는 수소; 또는 치환 또는 비치환된 페닐기이다.According to another exemplary embodiment, the Q5 and Q6; Q6 and Q7; Or Q7 and Q8 are bonded to each other to form a substituted or unsubstituted benzofuran; Or a substituted or unsubstituted benzothiophene is formed, and the remaining substituents are hydrogen; Or a substituted or unsubstituted phenyl group.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Q5 및 Q6; Q6 및 Q7; 또는 Q7 및 Q8은 서로 결합하여 아릴기; 또는 헤테로고리기로 치환 또는 비치환된 벤조퓨란; 또는 아릴기; 또는 헤테로고리기로 치환 또는 비치환된 벤조티오펜을 형성하고, 나머지 치환기는 수소; 또는 치환 또는 비치환된 페닐기이다.In another exemplary embodiment, the Q5 and Q6; Q6 and Q7; Or Q7 and Q8 are bonded to each other to form an aryl group; Or benzofuran unsubstituted or substituted with a heterocyclic group; Or an aryl group; Or a heterocyclic group substituted or unsubstituted benzothiophene is formed, and the remaining substituents are hydrogen; Or a substituted or unsubstituted phenyl group.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Q5 및 Q6; Q6 및 Q7; 또는 Q7 및 Q8은 서로 결합하여 2-메틸프로페닐기로 치환된 페닐기; 바이페닐기; 터페닐기; 또는 카바졸기로 치환 또는 비치환된 벤조퓨란; 또는 2-메틸프로페닐기로 치환된 페닐기; 바이페닐기; 터페닐기; 또는 카바졸기로 치환 또는 비치환된 벤조티오펜을 형성하고, 나머지 치환기는 수소; 또는 치환 또는 비치환된 페닐기이다.According to another exemplary embodiment, the Q5 and Q6; Q6 and Q7; Or Q7 and Q8 are bonded to each other to form a phenyl group substituted with a 2-methylpropenyl group; Biphenyl group; Terphenyl group; Or benzofuran unsubstituted or substituted with a carbazole group; Or a phenyl group substituted with a 2-methylpropenyl group; Biphenyl group; Terphenyl group; Or a carbazole group substituted or unsubstituted benzothiophene is formed, and the remaining substituents are hydrogen; Or a substituted or unsubstituted phenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A'는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 헤테로고리기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, A'is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted C2 to C60 heterocyclic group.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 A'는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이다.In another exemplary embodiment, A'is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 A'는 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 치환 또는 비치환된 터페닐기; 치환 또는 비치환된 피리미딘기; 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, A'is a substituted or unsubstituted biphenyl group; A substituted or unsubstituted terphenyl group; A substituted or unsubstituted pyrimidine group; A substituted or unsubstituted dibenzofuran group; Or a substituted or unsubstituted dibenzothiophene group.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 A'는 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 터페닐기; 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 피리미딘기; 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 또는 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기이다.In another exemplary embodiment, A'is a biphenyl group unsubstituted or substituted with an aryl group or a heteroaryl group; Terphenyl group unsubstituted or substituted with an aryl group or a heteroaryl group; A pyrimidine group unsubstituted or substituted with an aryl group or a heteroaryl group; A dibenzofuran group unsubstituted or substituted with an aryl group or a heteroaryl group; Or a dibenzothiophene group unsubstituted or substituted with an aryl group or a heteroaryl group.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 A'는 디벤조퓨란기, 디벤조티오펜기, 카바졸기 및 디벤조이미다조티아졸기 중 1 이상으로 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 카바졸기, 디벤조티오펜기 및 디벤조퓨란기 중 1 이상으로 치환 또는 비치환된 터페닐기; 카바졸기로 치환 또는 비치환된 피리미딘기; 디벤조퓨란기로 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 또는 디벤조티오펜기로 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기이다.According to another exemplary embodiment, A'is a biphenyl group unsubstituted or substituted with at least one of a dibenzofuran group, a dibenzothiophene group, a carbazole group, and a dibenzoimidazothiazole group; A terphenyl group unsubstituted or substituted with at least one of carbazole group, dibenzothiophene group and dibenzofuran group; A pyrimidine group unsubstituted or substituted with a carbazole group; A dibenzofuran group unsubstituted or substituted with a dibenzofuran group; Or a dibenzothiophene group unsubstituted or substituted with a dibenzothiophene group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 p3 및 p4는 0 또는 1이다.In the exemplary embodiment of the present specification, p3 and p4 are 0 or 1.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Q9 및 Q10은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Q9 and Q10 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Q9 및 Q10은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 헤테로고리기이다.In another exemplary embodiment, Q9 and Q10 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; A substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted C2 to C60 heterocyclic group.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Q9 및 Q10은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이다.According to another exemplary embodiment, the Q9 and Q10 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; A substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Q9 및 Q10은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기; 또는 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 헤테로고리기이다.In another exemplary embodiment, Q9 and Q10 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; An aryl group having 6 to 60 carbon atoms unsubstituted or substituted with an aryl group or a heteroaryl group; Or a C2 to C60 heterocyclic group unsubstituted or substituted with an aryl group or a heteroaryl group.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Q9 및 Q10은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 터페닐기; 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 카바졸기; 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기; 또는 하기 구조이다.According to another exemplary embodiment, the Q9 and Q10 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; A phenyl group unsubstituted or substituted with an aryl group or a heteroaryl group; A biphenyl group unsubstituted or substituted with an aryl group or a heteroaryl group; Terphenyl group unsubstituted or substituted with an aryl group or a heteroaryl group; A carbazole group unsubstituted or substituted with an aryl group or a heteroaryl group; A dibenzofuran group unsubstituted or substituted with an aryl group or a heteroaryl group; Dibenzothiophene group unsubstituted or substituted with an aryl group or a heteroaryl group; Or the following structure.
상기 구조에 있어서, ""는 결합부를 의미한다.In the above structure, " "Means a coupling part.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Q9 및 Q10은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 카바졸기, 트리페닐레닐기, 디벤조티오펜기 및 디벤조퓨란기 중 1 이상으로 치환 또는 비치환된 페닐기; 디벤조퓨란기 및 디벤조티오펜기 중 1 이상으로 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 카바졸기; 디벤조퓨란기; 디벤조티오펜기; 또는 하기 구조이다.In another exemplary embodiment, Q9 and Q10 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; A phenyl group unsubstituted or substituted with one or more of carbazole group, triphenylenyl group, dibenzothiophene group and dibenzofuran group; A biphenyl group unsubstituted or substituted with one or more of dibenzofuran group and dibenzothiophene group; Carbazole; Dibenzofuran group; Dibenzothiophene group; Or the following structure.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 p5는 0 또는 1이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, p5 is 0 or 1.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Q11은 수소이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Q11 is hydrogen.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Q12는 치환 또는 비치환된 아릴기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Q12 is a substituted or unsubstituted aryl group.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Q12는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기이다.According to another exemplary embodiment, Q12 is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 carbon atoms.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Q12는 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐기이다.In another exemplary embodiment, Q12 is a substituted or unsubstituted triphenylenyl group.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Q12는 트리페닐레닐기이다.According to another exemplary embodiment, Q12 is a triphenylenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Q13은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 헤테로고리기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Q13 is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted C2 to C60 heterocyclic group.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Q13은 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기; 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 헤테로고리기이다.In another exemplary embodiment, Q13 is an aryl group having 6 to 60 carbon atoms substituted or unsubstituted with a heteroaryl group; Or a C2-C60 heterocyclic group substituted or unsubstituted with an aryl group.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Q13은 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 아릴기로 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기이다.According to another exemplary embodiment, Q13 is a phenyl group unsubstituted or substituted with a heteroaryl group; A dibenzofuran group unsubstituted or substituted with an aryl group; Or a dibenzothiophene group unsubstituted or substituted with an aryl group.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Q13은 디벤조퓨란기 또는 디벤조티오펜기로 치환된 페닐기; 디벤조퓨란기; 또는 디벤조티오펜기이다.In another exemplary embodiment, Q13 is a phenyl group substituted with a dibenzofuran group or a dibenzothiophene group; Dibenzofuran group; Or a dibenzothiophene group.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 F-1 내지 F-4는 하기 구조들 중 어느 하나로 표시될 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Formulas F-1 to F-4 may be represented by any one of the following structures.
상기 유기 발광 소자는 예컨대 하기와 같은 적층 구조를 가질 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. The organic light-emitting device may have, for example, a stacked structure as described below, but is not limited thereto.
(1) 양극/정공수송층/발광층/음극(1) Anode/Hole Transport Layer/Light-Emitting Layer/Anode
(2) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/음극(2) Anode/Hole injection layer/Hole transport layer/Light emitting layer/Anode
(3) 양극/정공주입층/정공버퍼층/정공수송층/발광층/음극(3) Anode/hole injection layer/hole buffer layer/hole transport layer/light emitting layer/cathode
(4) 양극/정공수송층/발광층/전자수송층/음극(4) Anode/hole transport layer/light-emitting layer/electron transport layer/cathode
(5) 양극/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층/음극(5) Anode/hole transport layer/light-emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode
(6) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/전자수송층/음극(6) Anode/hole injection layer/hole transport layer/light-emitting layer/electron transport layer/cathode
(7) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층/음극(7) Anode/hole injection layer/hole transport layer/light-emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode
(8) 양극/정공주입층/정공버퍼층/정공수송층/발광층/전자수송층//음극(8) Anode/Hole injection layer/Hole buffer layer/Hole transport layer/Light-emitting layer/Electron transport layer//Anode
(9) 양극/정공주입층/정공버퍼층/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층 /음극(9) Anode/Hole injection layer/Hole buffer layer/Hole transport layer/Light emitting layer/Electron transport layer/Electron injection layer/Anode
(10) 양극/ 정공수송층/전자억제층/발광층/전자수송층/ 음극(10) Anode/hole transport layer/electron suppression layer/light-emitting layer/electron transport layer/cathode
(11) 양극/ 정공수송층/전자억제층/발광층/전자수송층/전자주입층 /음극(11) Anode/hole transport layer/electron suppression layer/light emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode
(12) 양극/정공주입층/정공수송층/전자억제층/발광층/전자수송층/음극(12) Anode/Hole injection layer/Hole transport layer/Electron suppression layer/Light-emitting layer/Electron transport layer/Anode
(13) 양극/정공주입층/정공수송층/전자억제층/발광층/전자수송층/전자주입 층/음극(13) Anode/hole injection layer/hole transport layer/electron suppression layer/light-emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode
(14) 양극/정공수송층/발광층/정공억제층/전자수송층/음극(14) Anode/Hole Transport Layer/Light-Emitting Layer/Hole Suppression Layer/Electron Transport Layer/Anode
(15) 양극/정공수송층/발광층/ 정공억제층/전자수송층/전자주입층/음극(15) Anode/Hole Transport Layer/Light-Emitting Layer/Hole Suppression Layer/Electron Transport Layer/Electron Injection Layer/Anode
(16) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/ 정공억제층/전자수송층/음극(16) Anode/Hole injection layer/Hole transport layer/Light-emitting layer/Hole suppression layer/Electron transport layer/Anode
(17) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/ 정공억제층/전자수송층/전자주입 층/음극(17) Anode/Hole injection layer/Hole transport layer/Light emitting layer/Hole suppression layer/Electron transport layer/Electron injection layer/Anode
예컨대, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 구조는 도 1 및 2에 예시되어 있다. For example, the structure of an organic light emitting device according to an exemplary embodiment of the present specification is illustrated in FIGS. 1 and 2.
도 1은 기판(1), 양극(2), 발광층(3), 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화합물은 상기 발광층에 포함될 수 있다. 1 shows an example of an organic light emitting device comprising a
도 2는 기판 (1), 양극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 발광층(3), 전자수송층(7) 및 음극(4)로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화합물은 상기 발광층에 포함될 수 있다. FIG. 2 shows an example of an organic light emitting device comprising a
양극(2)은 정공을 주입하는 전극으로 일함수가 높은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 또는 ZnO(Zinc Oxide) 중 어느 하나일 수 있다. 또한, 상기 양극(2)이 반사 전극일 경우에 양극(2)은 ITO, IZO 또는 ZnO 중 어느 하나로 이루어진 층 하부에 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 니켈(Ni) 중 어느 하나로 이루어 진 반사층을 더 포함할 수 있다. The
정공주입층(5)은 양극(2)으로부터 발광층(3)으로 정공의 주입을 원활하게 하는 역할을 할 수 있다. 정공주입층(5)은 본 기술분야에 알려져 있는 정공주입층 재료에 단독, 혼합 또는 도핑된 상태로 존재할 수 있다. 정공주입층(5)의 두께는 1 내지 150nm일 수 있다. 여기서, 상기 정공주입층(5)의 두께가 1nm 이상이면, 정공주입 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있고, 150nm 이하이면, 정공주입층(5)의 두께가 너무 두꺼워 정공의 이동을 향상시키기 위해 구동전압이 상승되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다. 그외 정공주입층 재료로는 당기술분야에 알려져 있는 정공주입 재료를 사용할 수 있다. 예컨대, 정공주입층 재료로서 CuPc(cupper phthalocyanine), PEDOT(poly(3,4)-ethylenedioxythiophene), PANI(polyaniline) 및 NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상이 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The
정공수송층(6)은 정공의 수송을 원활하게 하는 역할을 할 수 있다. 정공수송층(6)은 본 기술분야에 알려져 있는 정공수송층 재료에 단독, 혼합 또는 도핑된 상태로 존재할 수 있다. 그 외 정공수송층 재료로는 당기술분야에 알려져 있는 정공수송 재료를 사용할 수 있다. 예컨대, 정공수송층(6)은 NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenylbenzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD 및 MTDATA(4,4',4"- Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루 어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 예컨대 정공수송층 재료로서 트라이아졸 유도체, 옥사다이아졸 유도체, 이미다졸 유도체, 폴리아릴알케인 유도체, 피라졸린 유도체 및 피라졸론 유도체, 페닐렌다이아민 유도체, 아릴아민 유도체, 아미노 치환 칼콘 유도체, 옥사졸 유도체, 스타이릴안트라센 유도체, 플루오렌온 유도체, 하이드라존 유도체, 스틸벤 유도체, 실라제인 유도체, 폴리실레인계, 아닐린계 공중합체, 도전성 고분자 올리고머(특히 싸이오펜 올리고머) 등을 들 수 있다.The
정공주입층과 정공수송층 사이에 추가로 정공버퍼층이 구비될 수 있다. 정공버퍼층는 본 기술분야에 알려져 있는 정공주입 또는 수송 재료를 포함될 수 있다. 정공버퍼층이 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 경우에도 역시, 상기 화학식 1의 화합물만으로 이루어질 수도 있으나, 다른 호스트 물질에 상기 화학식 1의 화합물이 혼합 또는 도핑된 상태로 이루어질 수도 있다. A hole buffer layer may be additionally provided between the hole injection layer and the hole transport layer. The hole buffer layer may include a hole injection or transport material known in the art. Even when the hole buffer layer includes the compound of
정공수송층과 발광층 사이에 전자억제층이 구비될 수 있으며, 상기 화학식 1의 화합물 또는 당기술분야에 알려져 있는 재료가 사용될 수 있다. An electron suppressing layer may be provided between the hole transport layer and the light emitting layer, and the compound of
전자수송층과 발광층 사이에 정공억제층이 구비될 수 있으며, 당기술분야에 알려져 있는 재료가 사용될 수 있다. A hole inhibiting layer may be provided between the electron transport layer and the light emitting layer, and materials known in the art may be used.
전자수송층(7)은 전자의 수송을 원활하게 하는 역할을 할 수 있다. Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq, SAlq와 같은 당기술분야에 알려진 재료가 사용될 수 있다. 상기 전자수송층(7)의 두께는 1 내지 50nm일 수 있다. 여기서, 상기 전자수송층(7)의 두께가 1nm 이상이면, 전자수송 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있고, 50nm 이하이면, 전자수송층(7)의 두께가 너무 두꺼워 전자의 이동을 향상시키기 위해 구동전압이 상승되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.The
상기 전자주입층은 전자의 주입을 원활하게 하는 역할을 할 수 있다. Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 또는 SAlq과 같은 당기술분야에 알려져 있는 유기물이나 착체 또는 금속화합물로 이루어질 수 있다. 금속화합물로는 금속 할로겐화물이 사용될 수 있으며, 예컨대 LiQ, LiF, NaF, KF, RbF, CsF, FrF, BeF2, MgF2, CaF2, SrF2, BaF2 및 RaF2 등이 사용될 수 있다. 상기 전자주입층의 두께는 1 내지 50nm일 수 있다. 여기서, 상기 전자주입층의 두께가 1nm 이상이면, 전자주입 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있고, 50nm 이하이면, 전자주입층의 두께가 너무 두꺼워 전자의 이동을 향상시키기 위해 구동전압이 상승되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.The electron injection layer may play a role of smoothly injecting electrons. Alq 3 (tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq or SAlq known in the art, such as organic substances or complexes or metal compounds. Metal compounds include metal halides, and storage can be used, for example, can be used LiQ, LiF, NaF, KF, RbF, CsF, FrF, BeF 2, MgF 2, CaF 2, SrF 2, BaF 2 and RaF 2 and the like. The thickness of the electron injection layer may be 1 to 50 nm. Here, when the thickness of the electron injection layer is 1 nm or more, there is an advantage of preventing deterioration of the electron injection characteristics, and when the thickness of the electron injection layer is 50 nm or less, the thickness of the electron injection layer is too thick to increase the driving voltage to improve the movement of electrons. There is an advantage that can prevent it from rising.
상기 음극(4)은 전자주입 전극으로, 일함수가 낮은 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 여기서, 음극(4)은 유기전계발광소자가 전면 또는 양면발광구조일 경우, 빛을 투과할 수 있을 정도로 얇은 두께로 형성할 수 있으며, 유기전계발광소자가 배면발광구조일 경우, 빛을 반사시킬 수 있을 정도로 두껍게 형성할 수 있다. The
또 하나의 실시상태에 따르면 상기 유기물층은 2층 이상의 발광층을 포함하고, 상기 2층의 발광층 사이에 구비된 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 전하생성층(charge generation layer)을 포함할 수 있다. 이 때, 상기 발광층 중 하나는 청색을 발광하고, 다른 하나는 노란색 발광을 하도록 함으로써 백색 발광을 하는 유기 발광 소자를 제작할 수 있다. 상기 발광층과 양극 또는 음극 사이, 상기 발광층과 전하생성층 사이에는 전술한 정공주입층, 정공버퍼층, 정공수송층, 전자억제층, 정공억제층, 전자수송층, 전자주입층과 같은 1층 이상의 유기물층이 더 포함될 수 있다. 도 3은 기판(1), 양극(2) 및 음극(4)를 포함하고, 양극과 음극 사이에, 정공주입층(5a, 5b), 정공수송층(6a, 6b), 발광층(3a, 3b) 및 전자수송층(8a, 8b)를 포함하는 유닛을 2개 포함하고, 상기 유닛들 사이에 전하생성층(9)이 구비된 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. According to another exemplary embodiment, the organic material layer may include two or more emission layers, and may include a charge generation layer including the compound of
상기 발광 물질로는 정공수송층과 전자수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.As the light-emitting material, a material capable of emitting light in a visible region by transporting and combining holes and electrons from the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, and a material having good quantum efficiency against fluorescence or phosphorescence is preferable. Specific examples include 8-hydroxy-quinoline aluminum complex (Alq 3 ); Carbazole-based compounds; Dimerized styryl compounds; BAlq; 10-hydroxybenzo quinoline-metal compound; Benzoxazole, benzthiazole, and benzimidazole-based compounds; Poly(p-phenylenevinylene) (PPV)-based polymer; Spiro compounds; Polyfluorene, rubrene, and the like, but are not limited thereto.
본 발명에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic light emitting device according to the present invention may be a top emission type, a bottom emission type, or a double-sided emission type depending on the material used.
상기 화학식 1의 화합물의 제조방법 및 이들을 이용한 유기 발광 소자의 제조는 이하의 실시예에서 구체적으로 설명한다. 그러나, 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 범위가 이들에 의하여 한정되는 것은 아니다.The manufacturing method of the compound of
<< 제조예Manufacturing example >>
본 발명의 물질을 제조하는 방법은 하기와 같이 염소가 2개 치환된 헤테로아릴기로부터 다양한 종류의 아릴기를 도입하는 반응으로부터 시작된다. 헤테로아릴기의 염소 2개 중 한쪽에 선택적으로 아릴보로닉액시드를 도입하고, 나머지 염소에 아릴기를 링커로 치환하고 비스카바졸을 도입하거나 염소에 비스카바졸을 직접 도입하여 최종적으로 구체예의 화합물들을 합성하였다.The method of preparing the material of the present invention starts from a reaction of introducing various types of aryl groups from a heteroaryl group substituted with two chlorine as follows. Selectively introducing arylboronic acid to one of the two chlorines of the heteroaryl group, replacing the aryl group with a linker and introducing biscarbazole to the remaining chlorine, or directly introducing biscarbazole to the chlorine, and finally the compound of the specific example Were synthesized.
제조예Manufacturing example 1-1: 화합물 1-A의 합성 1-1: Synthesis of compound 1-A
[반응식 1-1][Reaction Scheme 1-1]
2,3-다이클로로퀴녹살린을 30 g (150.7 mmol), 페닐보로닉액시드를 150.7 mmol, 테트라하이드로퓨란 450 mL, 물 150 mL 혼합하고 60 ℃로 가열한다. 포타슘카보네이트 452.1 mmol, 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 1.5 mmol 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 교반하였다. 반응 후, 실온으로 되돌린 반응액을 추출하여 유기층에 에탄올을 첨가하고, 석출물을 순수, 에탄올로 순차 세정하였다. 이 고체를 톨루엔/헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 1-A를 32.6 g 얻었다(수율 90%).30 g (150.7 mmol) of 2,3-dichloroquinoxaline, 150.7 mmol of phenylboronic acid, 450 mL of tetrahydrofuran, and 150 mL of water were mixed and heated to 60°C. 452.1 mmol of potassium carbonate and 1.5 mmol of tetrakistriphenylphosphine palladium were added, followed by stirring in a reflux state for 3 hours. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was extracted, ethanol was added to the organic layer, and the precipitate was washed sequentially with pure water and ethanol. This solid was recrystallized twice with toluene/hexane to obtain 32.6 g of compound 1-A (yield 90%).
MS[M+H]+ = 241MS[M+H]+ = 241
제조예Manufacturing example 1-2: 화합물 1-B의 합성 1-2: synthesis of compound 1-B
[반응식 1-2][Scheme 1-2]
2,3-다이클로로퀴녹살린을 30 g (150.7 mmol), (2-시아노페닐)보로닉액시드를 150.7 mmol, 테트라하이드로퓨란 450 mL, 물 150 mL 혼합하고 60 ℃로 가열한다. 포타슘카보네이트 452.1 mmol, 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 1.5 mmol 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 교반하였다. 반응 후, 실온으로 되돌린 반응액을 추출하여 유기층에 에탄올을 첨가하고, 석출물을 순수, 에탄올로 순차 세정하였다. 이 고체를 톨루엔/헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 1-B를 36.8 g 얻었다(수율 92%).30 g (150.7 mmol) of 2,3-dichloroquinoxaline, 150.7 mmol of (2-cyanophenyl) boronic acid, 450 mL of tetrahydrofuran, 150 mL of water were mixed, and heated to 60°C. 452.1 mmol of potassium carbonate and 1.5 mmol of tetrakistriphenylphosphine palladium were added, followed by stirring in a reflux state for 3 hours. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was extracted, ethanol was added to the organic layer, and the precipitate was washed sequentially with pure water and ethanol. This solid was recrystallized twice from toluene/hexane to obtain 36.8 g of compound 1-B (yield 92%).
MS[M+H]+ = 266MS[M+H]+ = 266
제조예Manufacturing example 1-3: 화합물 1-C의 합성 1-3: Synthesis of Compound 1-C
[반응식 1-3][Scheme 1-3]
2,3-다이클로로퀴녹살린을 30 g (150.7 mmol), (4-시아노페닐)보로닉액시드를 150.7 mmol, 테트라하이드로퓨란 450 mL, 물 150 mL 혼합하고 60 ℃로 가열한다. 포타슘카보네이트 452.1 mmol, 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 1.5 mmol 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 교반하였다. 반응 후, 실온으로 되돌린 반응액을 추출하여 유기층에 에탄올을 첨가하고, 석출물을 순수, 에탄올로 순차 세정하였다. 이 고체를 톨루엔/헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 1-C를 37.2 g 얻었다(수율 93%).30 g (150.7 mmol) of 2,3-dichloroquinoxaline, 150.7 mmol of (4-cyanophenyl) boronic acid, 450 mL of tetrahydrofuran, 150 mL of water were mixed, and heated to 60°C. 452.1 mmol of potassium carbonate and 1.5 mmol of tetrakistriphenylphosphine palladium were added, followed by stirring in a reflux state for 3 hours. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was extracted, ethanol was added to the organic layer, and the precipitate was washed sequentially with pure water and ethanol. This solid was recrystallized twice with toluene/hexane to obtain 37.2 g of compound 1-C (yield 93%).
MS[M+H]+ = 266MS[M+H]+ = 266
제조예Manufacturing example 1-4: 화합물 1-D의 합성 1-4: Synthesis of compound 1-D
[반응식 1-4][Scheme 1-4]
2,3-다이클로로퀴녹살린-6-카보나이트릴을 33.7 g (150.7 mmol), (2-시아노페닐)보로닉액시드를 150.7 mmol, 테트라하이드로퓨란 450 mL, 물 150 mL 혼합하고 60 ℃로 가열한다. 포타슘카보네이트 452.1 mmol, 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 1.5 mmol 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 교반하였다. 반응 후, 실온으로 되돌린 반응액을 추출하여 유기층에 에탄올을 첨가하고, 석출물을 순수, 에탄올로 순차 세정하였다. 이 고체를 톨루엔/헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 1-D를 38.5 g 얻었다(수율 88%).33.7 g (150.7 mmol) of 2,3-dichloroquinoxaline-6-carbonitrile, 150.7 mmol of (2-cyanophenyl) boronic acid, 450 mL of tetrahydrofuran, 150 mL of water were mixed and heated to 60 °C do. 452.1 mmol of potassium carbonate and 1.5 mmol of tetrakistriphenylphosphine palladium were added, followed by stirring in a reflux state for 3 hours. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was extracted, ethanol was added to the organic layer, and the precipitate was washed sequentially with pure water and ethanol. This solid was recrystallized twice with toluene/hexane to obtain 38.5 g of compound 1-D (yield 88%).
MS[M+H]+ = 291MS[M+H]+ = 291
제조예Manufacturing example 1-5: 화합물 1-E의 합성 1-5: Synthesis of compound 1-E
[반응식 1-5][Scheme 1-5]
2,3-다이클로로피리도[2,3-b]피라진을 30.1 g (150.7 mmol), 페닐보로닉액시드를 150.7 mmol, 테트라하이드로퓨란 450 mL, 물 150 mL 혼합하고 60 ℃로 가열한다. 포타슘카보네이트 452.1 mmol, 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 1.5 mmol 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 교반하였다. 반응 후, 실온으로 되돌린 반응액을 추출하여 유기층에 에탄올을 첨가하고, 석출물을 순수, 에탄올로 순차 세정하였다. 이 고체를 톨루엔/헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 1-E를 31.7 g 얻었다(수율 87%).30.1 g (150.7 mmol) of 2,3-dichloropyrido[2,3-b]pyrazine, 150.7 mmol of phenylboronic acid, 450 mL of tetrahydrofuran, 150 mL of water were mixed, and heated to 60°C. 452.1 mmol of potassium carbonate and 1.5 mmol of tetrakistriphenylphosphine palladium were added, followed by stirring in a reflux state for 3 hours. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was extracted, ethanol was added to the organic layer, and the precipitate was washed sequentially with pure water and ethanol. This solid was recrystallized twice from toluene/hexane to obtain 31.7 g of compound 1-E (yield 87%).
MS[M+H]+ = 242MS[M+H]+ = 242
제조예Manufacturing example 2-1: 화합물 2-A의 합성 2-1: Synthesis of compound 2-A
[반응식 2-1][Scheme 2-1]
1-A 16 g (66.5 mmol), 4-플루오로페닐보로닉액시드를 66.5 mmol, 테트라하이드로퓨란 210 mL, 물 70 mL 혼합하고 60 ℃로 가열한다. 포타슘카보네이트 199.5 mmol, 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 0.6 mmol 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 교반하였다. 반응 후, 실온으로 되돌린 반응액을 추출하여 유기층에 에탄올을 첨가하고, 석출물을 순수, 에탄올로 순차 세정하였다. 이 고체를 톨루엔/헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 2-A를 18.2 g 얻었다(수율 91%).1-A 16 g (66.5 mmol), 4-fluorophenylboronic acid 66.5 mmol, tetrahydrofuran 210 mL, and water 70 mL were mixed and heated to 60°C. 199.5 mmol of potassium carbonate and 0.6 mmol of tetrakistriphenylphosphine palladium were added, followed by stirring in a reflux state for 3 hours. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was extracted, ethanol was added to the organic layer, and the precipitate was washed sequentially with pure water and ethanol. This solid was recrystallized twice with toluene/hexane to obtain 18.2 g of compound 2-A (yield 91%).
MS[M+H]+ = 301MS[M+H]+ = 301
제조예Manufacturing example 2-2: 화합물 2-B의 합성 2-2: Synthesis of compound 2-B
[반응식 2-2][Reaction Scheme 2-2]
1-A 16 g (66.5 mmol), (3-시아노-4-플루오로페닐)보로닉 액시드를 66.5 mmol, 테트라하이드로퓨란 210 mL, 물 70 mL 혼합하고 60 ℃로 가열한다. 포타슘카보네이트 199.5 mmol, 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 0.6 mmol 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 교반하였다. 반응 후, 실온으로 되돌린 반응액을 추출하여 유기층에 에탄올을 첨가하고, 석출물을 순수, 에탄올로 순차 세정하였다. 이 고체를 톨루엔/헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 2-B를 19.4 g 얻었다(수율 90%).1-A 16 g (66.5 mmol), (3-cyano-4-fluorophenyl) boronic acid was mixed with 66.5 mmol, 210 mL of tetrahydrofuran, and 70 mL of water, and heated to 60°C. 199.5 mmol of potassium carbonate and 0.6 mmol of tetrakistriphenylphosphine palladium were added, followed by stirring in a reflux state for 3 hours. After the reaction, the reaction solution returned to room temperature was extracted, ethanol was added to the organic layer, and the precipitate was washed sequentially with pure water and ethanol. This solid was recrystallized twice with toluene/hexane to obtain 19.4 g of compound 2-B (yield 90%).
MS[M+H]+ = 326MS[M+H]+ = 326
제조예Manufacturing example 3-1: 화합물 9의 합성 3-1: Synthesis of compound 9
[반응식 3-1][Reaction Scheme 3-1]
1-A 10 g (41.5 mmol), 9-페닐-9H,9'H-3,3'-바이카바졸 41.5 mmol 을 톨루엔 100 mL에 완전히 녹인 후 소듐-tert-부톡사이드 49.8 mmol 를 첨가하고, 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 0.41 mmol 을 넣은 후 6시간 동안 80℃로 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염을 제거한 후에 감압 농축 시키고 테트라하이드로퓨란:헥산 = 1:5로 컬럼하여 톨루엔/에탄올(1:1)로 재결정을 실시함으로써 정제하여, 9를 21.6 g 얻었다(수율 85%).1-A 10 g (41.5 mmol), 9-phenyl-9H,9'H-3,3'-bicarbazole 41.5 mmol was completely dissolved in 100 mL of toluene, and sodium-tert-butoxide 49.8 mmol was added, After adding 0.41 mmol of tetrakistriphenylphosphine palladium, the mixture was heated and stirred at 80°C for 6 hours. The temperature was lowered to room temperature, filtered to remove salt, concentrated under reduced pressure, and purified by recrystallization with toluene/ethanol (1:1) by column with tetrahydrofuran:hexane = 1:5, and 21.6 g of 9 was obtained (yield 85 %).
MS[M+H]+ = 613MS[M+H]+ = 613
제조예Manufacturing example
3-2: 화합물 1의 합성 3-2: Synthesis of
[반응식 3-2][Reaction Scheme 3-2]
1-B 11 g (41.5 mmol), 9-페닐-9H,9'H-3,3'-바이카바졸 41.5 mmol 을 톨루엔 100 mL에 완전히 녹인 후 소듐-tert-부톡사이드 49.8 mmol 를 첨가하고, 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 0.41 mmol 을 넣은 후 6시간 동안 80℃로 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염을 제거한 후에 감압 농축 시키고 테트라하이드로퓨란:헥산 = 1:5(중량비)로 컬럼하여 톨루엔/에탄올(중량비, 1:1)로 재결정을 실시함으로써 정제하여, 1을 21.4 g 얻었다(수율 81%).1-B 11 g (41.5 mmol), 9-phenyl-9H,9'H-3,3'-bicarbazole 41.5 mmol was completely dissolved in toluene 100 mL, and sodium-tert-butoxide 49.8 mmol was added, After adding 0.41 mmol of tetrakistriphenylphosphine palladium, the mixture was heated and stirred at 80°C for 6 hours. After lowering the temperature to room temperature and filtering to remove salt, it was concentrated under reduced pressure and purified by recrystallization with toluene/ethanol (weight ratio, 1:1) by column with tetrahydrofuran:hexane = 1:5 (weight ratio), and 1 to 21.4 g (yield 81%) was obtained.
MS[M+H]+ = 638MS[M+H]+ = 638
제조예Manufacturing example
3-3: 화합물 3의 합성 3-3: Synthesis of
[반응식 3-3][Reaction Scheme 3-3]
1-C 11 g (41.5 mmol), 9-페닐-9H,9'H-3,3'-바이카바졸 41.5 mmol 을 톨루엔 100 mL에 완전히 녹인 후 소듐-tert-부톡사이드 49.8 mmol 를 첨가하고, 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 0.41 mmol 을 넣은 후 6시간 동안 80℃로 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염을 제거한 후에 감압 농축 시키고 테트라하이드로퓨란:헥산 = 1:5로 컬럼하여 톨루엔/에탄올(1:1)로 재결정을 실시함으로써 정제하여, 3를 23.0 g 얻었다(수율 87%).1-C 11 g (41.5 mmol), 9-phenyl-9H,9'H-3,3'-bicarbazole 41.5 mmol was completely dissolved in 100 mL of toluene, and sodium-tert-butoxide 49.8 mmol was added, After adding 0.41 mmol of tetrakistriphenylphosphine palladium, the mixture was heated and stirred at 80°C for 6 hours. The temperature was lowered to room temperature, filtered to remove salt, concentrated under reduced pressure, and purified by recrystallization with toluene/ethanol (1:1) by column with tetrahydrofuran:hexane = 1:5, and 23.0 g of 3 was obtained (yield 87 %).
MS[M+H]+ = 638MS[M+H]+ = 638
제조예Manufacturing example
3-4: 화합물 2의 합성 3-4: Synthesis of
[반응식 3-4][Scheme 3-4]
1-D 12 g (41.5 mmol), 9-페닐-9H,9'H-3,3'-바이카바졸 41.5 mmol 을 톨루엔 100 mL에 완전히 녹인 후 소듐-tert-부톡사이드 49.8 mmol 를 첨가하고, 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 0.41 mmol 을 넣은 후 6시간 동안 80℃로 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염을 제거한 후에 감압 농축 시키고 테트라하이드로퓨란:헥산 = 1:5로 컬럼하여 톨루엔/에탄올(1:1)로 재결정을 실시함으로써 정제하여, 2를 22.5 g 얻었다(수율 82%).1-D 12 g (41.5 mmol), 9-phenyl-9H,9'H-3,3'-bicarbazole 41.5 mmol was completely dissolved in 100 mL of toluene, and sodium-tert-butoxide 49.8 mmol was added, After adding 0.41 mmol of tetrakistriphenylphosphine palladium, the mixture was heated and stirred at 80°C for 6 hours. The temperature was lowered to room temperature, filtered to remove salt, concentrated under reduced pressure, and purified by recrystallization with toluene/ethanol (1:1) by column with tetrahydrofuran:hexane = 1:5, and 22.5 g of 2 was obtained (yield 82 %).
MS[M+H]+ = 663MS[M+H]+ = 663
제조예Manufacturing example 3-5: 화합물 10의 합성 3-5: Synthesis of compound 10
[반응식 3-5][Scheme 3-5]
1-E 10 g (41.5 mmol), 9-페닐-9H,9'H-3,3'-바이카바졸 41.5 mmol 을 톨루엔 100 mL에 완전히 녹인 후 소듐-tert-부톡사이드 49.8 mmol 를 첨가하고, 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 0.41 mmol 을 넣은 후 6시간 동안 80℃로 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염을 제거한 후에 감압 농축 시키고 테트라하이드로퓨란:헥산 = 1:5로 컬럼하여 톨루엔/에탄올(1:1)로 재결정을 실시함으로써 정제하여, 10를 20.3 g 얻었다(수율 80%).1-E 10 g (41.5 mmol), 9-phenyl-9H,9'H-3,3'-bicarbazole 41.5 mmol was completely dissolved in 100 mL of toluene, and sodium-tert-butoxide 49.8 mmol was added, After adding 0.41 mmol of tetrakistriphenylphosphine palladium, the mixture was heated and stirred at 80°C for 6 hours. The temperature was lowered to room temperature, filtered to remove salt, concentrated under reduced pressure, and purified by recrystallization with toluene/ethanol (1:1) by column with tetrahydrofuran:hexane = 1:5, and 20.3 g of 10 was obtained (yield 80 %).
MS[M+H]+ = 614MS[M+H]+ = 614
제조예Manufacturing example 3-6: 화합물 13의 합성 3-6: Synthesis of compound 13
[반응식 3-6][Scheme 3-6]
2-A 12.5 g (41.5 mmol), 9-페닐-9H,9'H-3,3'-바이카바졸 41.5 mmol 을 톨루엔 100 mL에 완전히 녹인 후 소듐-tert-부톡사이드 49.8 mmol 를 첨가하고, 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 0.41 mmol 을 넣은 후 6시간 동안 80℃로 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염을 제거한 후에 감압 농축 시키고 테트라하이드로퓨란:헥산 = 1:5로 컬럼하여 톨루엔/에탄올(1:1)로 재결정을 실시함으로써 정제하여, 13을 26.3 g 얻었다(수율 92%).2-A 12.5 g (41.5 mmol), 9-phenyl-9H,9'H-3,3'-bicarbazole 41.5 mmol was completely dissolved in 100 mL of toluene, and sodium-tert-butoxide 49.8 mmol was added, After adding 0.41 mmol of tetrakistriphenylphosphine palladium, the mixture was heated and stirred at 80°C for 6 hours. The temperature was lowered to room temperature, filtered to remove salt, concentrated under reduced pressure, and purified by recrystallization from toluene/ethanol (1:1) by column with tetrahydrofuran:hexane = 1:5, and 26.3 g of 13 was obtained (yield 92 %).
MS[M+H]+ = 689MS[M+H]+ = 689
제조예Manufacturing example 3-7: 화합물 20의 합성 3-7: Synthesis of compound 20
[반응식 3-7][Scheme 3-7]
2-B 13.5 g (41.5 mmol), 9-페닐-9H,9'H-3,3'-바이카바졸 41.5 mmol 을 톨루엔 100 mL에 완전히 녹인 후 소듐-tert-부톡사이드 49.8 mmol 를 첨가하고, 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐 0.41 mmol 을 넣은 후 6시간 동안 80℃로 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염을 제거한 후에 감압 농축 시키고 테트라하이드로퓨란:헥산 = 1:5로 컬럼하여 톨루엔/에탄올(1:1)로 재결정을 실시함으로써 정제하여, 20을 26.9 g 얻었다(수율 91%).2-B 13.5 g (41.5 mmol), 9-phenyl-9H,9'H-3,3'-bicarbazole 41.5 mmol was completely dissolved in 100 mL of toluene, and sodium-tert-butoxide 49.8 mmol was added, After adding 0.41 mmol of tetrakistriphenylphosphine palladium, the mixture was heated and stirred at 80°C for 6 hours. The temperature was lowered to room temperature, filtered to remove salt, concentrated under reduced pressure, and purified by recrystallization with toluene/ethanol (1:1) by column with tetrahydrofuran:hexane = 1:5, and 26.9 g of 20 was obtained (yield 91 %).
MS[M+H]+ = 714MS[M+H]+ = 714
상기 반응식에서 9-페닐-9H,9'H-3,3'-바이카바졸을 제외한 나머지 부분에 다양한 치환기를 도입하여 구체예 상의 물질들을 합성하였다.In the above reaction scheme, various substituents were introduced in the remaining portions except for 9-phenyl-9H,9'H-3,3'-bicarbazole to synthesize the materials of the specific embodiments.
<< 실험예Experimental example 1> 1>
본 실험예에 있어서, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화학식 1을 삼중항 값이 2.5eV 이상인 호스트 재료(m-CBP)와 함께 발광층에 포함하여 유기 발광 소자를 제조하고, 특성을 평가하였다. In this experimental example, an organic light-emitting device was manufactured by including
ITO(indium tin oxide)가 1,000Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이 때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀러포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다. 이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 각 박막을 진공 증착법 으로 진공도 5.0 Х 10-4㎩ 로 적층하였다. 먼저, ITO 상에 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌 (hexaazatriphenylene; HAT)를 500Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공 주입층을 형성하였다.A glass substrate coated with a thin film of ITO (indium tin oxide) having a thickness of 1,000Å was put in distilled water dissolved in a detergent and washed with ultrasonic waves. In this case, Fischer Co. product was used as a detergent, and distilled water secondarily filtered with a filter made by Millipore Co. was used as distilled water. After washing the ITO for 30 minutes, it was repeated twice with distilled water to perform ultrasonic cleaning for 10 minutes. After washing with distilled water, ultrasonic washing was performed with a solvent of isopropyl alcohol, acetone, and methanol, dried, and then transported to a plasma cleaner. In addition, after cleaning the substrate for 5 minutes using oxygen plasma, the substrate was transported to a vacuum evaporator. Each thin film was stacked on the prepared ITO transparent electrode with a vacuum degree of 5.0 占10-4 Pa by vacuum evaporation. First, hexaazatriphenylene (HAT) was thermally vacuum deposited to a thickness of 500Å on ITO to form a hole injection layer.
상기 정공 주입층 위에 정공을 수송하는 물질인 하기 화합물 4-4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(NPB)(300Å)를 진공 증착하여 정공 수송층을 형성하였다.A hole transport layer was formed by vacuum deposition of the following compound 4-4'-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl (NPB) (300Å), which is a material that transports holes on the hole injection layer. I did.
상기 정공 수송층 위에 막 두께 100Å으로 하기 화합물 N-([1,1'-비스페닐]-4-yl)-N-(4-(11-([1,1'-비페닐]-4-yl)-11H-벤조[a]카바졸-5-yl)페닐)-[1,1'-비페닐]-4-아민(EB1)(100Å)를 진공 증착하여 전자 저지층을 형성하였다.Compound N-([1,1'-bisphenyl]-4-yl)-N-(4-(11-([1,1'-biphenyl]-4-yl) with a film thickness of 100Å on the hole transport layer )-11H-benzo[a]carbazole-5-yl)phenyl)-[1,1'-biphenyl]-4-amine (EB1) (100Å) was vacuum deposited to form an electron blocking layer.
이어서, 상기 전자 저지층 위에 막 두께 300Å으로 아래와 같은 m-CBP와 4CzIPN을 70:30의 중량비로 진공증착하여 발광층을 형성하였다.Subsequently, m-CBP and 4CzIPN were vacuum-deposited on the electron blocking layer at a weight ratio of 70:30 with a thickness of 300Å as shown below to form a light emitting layer.
상기 발광층 위에 막 두께 100Å으로 화합물 HB1을 진공 증착하여 정공 저지층을 형성하였다.A hole blocking layer was formed by vacuum depositing compound HB1 on the emission layer with a thickness of 100 Å.
상기 정공 저지층 위에 화합물 ET1과 화합물 LiQ(Lithium Quinolate)를 1:1의 중량비로 진공증착하여 300Å의 두께로 전자 주입 및 수송층을 형성하였다. 상기 전자 주입 및 수송층 위에 순차적으로 12Å두께로 리튬플로라이드(LiF)와 2,000Å 두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다.Compound ET1 and compound LiQ (Lithium Quinolate) were vacuum-deposited at a weight ratio of 1:1 on the hole blocking layer to form an electron injection and transport layer with a thickness of 300Å. Lithium fluoride (LiF) in a thickness of 12 Å and aluminum in a thickness of 2,000 Å were sequentially deposited on the electron injection and transport layer to form a negative electrode.
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4~ 0.7Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬플로라이드는 0.3Å/sec, 알루미늄은 2Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2 ⅹ10-7 ~ 5 ⅹ10-6 torr를 유지하여, 유기 발광소자를 제작하였다. Was maintained at the deposition rate was 0.4 ~ 0.7Å / sec for organic material in the above process, the lithium fluoride of the cathode was 0.3Å / sec, aluminum is deposited at a rate of 2Å / sec, the degree of vacuum upon
실험예Experimental example 1-1 내지 1-7 1-1 to 1-7
상기 실험예 1에서 화합물 4CzIPN 대신 하기 표 1의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Experimental Example 1, except that the compound of Table 1 was used instead of the compound 4CzIPN in Experimental Example 1.
비교예Comparative example 1-1 내지 1-2 1-1 to 1-2
상기 실험예 1에서 화합물 4CzIPN 대신 하기 T1 내지 T2의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Experimental Example 1, except that compounds of the following T1 to T2 were used instead of the compound 4CzIPN in Experimental Example 1.
실험예 1-1 내지 1-7 및 비교예 1-1 내지 1-2에 의해 제작된 유기 발광 소자에 전류를 인가하였을 때, 하기 [표 1]의 결과를 얻었다.When a current was applied to the organic light-emitting devices manufactured according to Experimental Examples 1-1 to 1-7 and Comparative Examples 1-1 to 1-2, the results shown in Table 1 were obtained.
(발광층)compound
(Luminescent layer)
(V@10mA/cm2)Voltage
(V@10mA/cm 2 )
(cd/A@10mA/cm2)efficiency
(cd/A@10mA/cm 2 )
(x,y)Color coordinates
(x,y)
상기 표 1에서 보는 바와 같이, 화학식 1의 구조를 코어로 하는 화합물을 사용한 실험예 1-1 내지 1-7 의 소자 모두 실험예 1에서 화합물 4CzIPN의 물질을 사용한 소자보다 전압이 낮고, 효율이 올라가는 결과를 얻었다.As shown in Table 1, the devices of Experimental Examples 1-1 to 1-7 using the compound having the structure of
또한, 비교예 1-1 내지 1-2 소자와 비교를 해보면 코어에 치환 또는 비치환된 카바졸인 경우보다 본 화학식 1의 비스카바졸 구조가 전압, 효율 면에서 특성이 모두 향상됨을 알 수 있었다.In addition, when comparing the devices of Comparative Examples 1-1 to 1-2, it can be seen that the biscarbazole structure of
상기 표 1의 결과와 같이, 본 발명에 따른 화합물은 발광 능력이 우수하고 색순도가 높아 지연형광 유기 발광 소자에 적용 가능함을 확인할 수 있었다. As shown in the results of Table 1, it was confirmed that the compound according to the present invention has excellent light-emitting ability and high color purity, so that it can be applied to a delayed fluorescent organic light-emitting device.
이상을 통해 본 발명의 바람직한 실험예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 발명의 범주에 속한다.Although the preferred experimental examples of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto, and it is possible to perform various modifications within the scope of the claims and the detailed description of the invention, and this also belongs to the scope of the invention. .
1: 기판
2: 양극
3: 발광층
4: 음극
5: 정공주입층
6: 정공수송층
7: 전자수송층1: substrate
2: anode
3: light emitting layer
4: cathode
5: hole injection layer
6: hole transport layer
7: electron transport layer
Claims (7)
[화학식 3]
화학식 3에 있어서,
L은 시아노기로 치환된 페닐렌기이며,
X5 내지 X8은 각각 독립적으로 CR'이고,
R은 치환 또는 비치환된 아릴기이고,
R'은 수소이다.Compound represented by the following formula 3:
[Formula 3]
In Formula 3,
L is a phenylene group substituted with a cyano group,
X5 to X8 are each independently CR',
R is a substituted or unsubstituted aryl group,
R'is hydrogen.
상기 화학식 3으로 표시되는 화합물은 하기 구조로 선택되는 것인 화합물:
.The method according to claim 1,
The compound represented by Formula 3 is a compound selected from the following structure:
.
상기 유기물층은 발광층을 포함하며,
상기 발광층은 호스트 및 도판트를 포함하며,
상기 도판트는 청구항 1 및 4 중 어느 하나의 항에 따른 화합물인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.The method of claim 5,
The organic material layer includes an emission layer,
The emission layer includes a host and a dopant,
The dopant is an organic light-emitting device, characterized in that the compound according to any one of claims 1 and 4.
상기 유기물층은 발광층을 포함하며,
상기 발광층은 호스트, 증감제(sensitizer) 및 형광 이미터를 포함하고,
상기 증감제는 청구항 1 및 4 중 어느 하나의 항에 따른 화합물이며,
상기 증감제는 △Est 0.2eV 미만의 지연형광 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.The method of claim 5,
The organic material layer includes an emission layer,
The emission layer includes a host, a sensitizer, and a fluorescent emitter,
The sensitizer is a compound according to any one of claims 1 and 4,
The organic light-emitting device, characterized in that the sensitizer has a delayed fluorescence characteristic of less than ΔE st 0.2eV.
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