KR20190004504A - 노즐 가온 시스템 - Google Patents

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KR20190004504A
KR20190004504A KR1020170084802A KR20170084802A KR20190004504A KR 20190004504 A KR20190004504 A KR 20190004504A KR 1020170084802 A KR1020170084802 A KR 1020170084802A KR 20170084802 A KR20170084802 A KR 20170084802A KR 20190004504 A KR20190004504 A KR 20190004504A
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KR1020170084802A
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최대규
이대우
권상철
이진솔
홍은기
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(주) 엔피홀딩스
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Abstract

본 발명의 일 실시 예에 따른 노즐 가온 시스템은 유체를 세정하고자 하는 대상에 분사하는 노즐, 및 상기 노즐과 이격하여 위치하며, 세정이 수행되지 않을 때 상기 노즐의 온도를 상기 세정 시 노즐의 온도를 기준으로 특정 오차범위 내의 온도로, 유지시키는 가온장치를 포함한다.

Description

노즐 가온 시스템{HEAT SUPPLYING SYSTEM FOR NOZZLE}
본 발명은 노즐 가온 시스템에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 노즐의 온도를 유지시키는 노즐 가온 시스템에 관한 것이다.
반도체 장치가 고집적화 되면서 기판 상에 구현해야 하는 회로의 패턴 역시 점차 세밀화되고 있다. 이러한 기판 상의 세밀한 패턴은 아주 미세한 오염물에 의해서도 반도체 소자의 불량을 유발할 수 있다. 이에 따라, 전반적인 반도체 제조공정 중 세정공정의 중요성이 더욱 더 부각되고 있다.
일반적인 세정공정에서는, 초음파 발진기를 거친 순수가 분사되거나, 고압 노즐을 통한 순수가 분사된다. 그러나, 초음파 발진기를 거치거나 고압 노즐을 통한 순수만으로 기판을 세정하는 경우, 기판의 표면에 단순 부착되어 있는 오염물은 제거할 수 있으나, 기판의 표면에 강하게 결합되어 있거나 패턴에 강하게 부착되어 있는 포토레지스트와 같은 오염물의 경우에는, 단시간 내에 효과적으로 제거될 수 없다. 따라서 제거되지 않은 오염물에 의해서 후속 공정에서 막질의 균일도를 저하시키거나 기판의 결함을 초래할 수 있다.
이에 따라, 잘 제거되지 않는 오염물을 제거하기 위해서, 분사하는 순수의 압력을 높여왔다. 그러나 분사압력이 높아짐에 따라서 미세한 반도체 회로의 패턴들이 무너지고 이로 인해 반도체 회로가 제대로 작동하지 않는 문제가 생겼다.
또한, 분사압력을 높인다 하여도, 순수의 입자 크기 자체가 반도체 회로의 패턴간의 사이에 들어가기에 충분히 작지 않기 때문에, 세정이 불가능한 패턴간의 사이가 여전히 존재한다는 문제가 있다.
최근, 순수를 분사하는 세정방법에서의 이 두 가지 문제점들을 해결하기 위해서, 입자 크기가 충분히 작고, 세정에 충분한 열에너지를 가지고 있는 스팀을 이용한 세정방법을 실시해 왔다.
도 1은 스팀노즐을 포함하는 세정공정의 경우, 일반적인 스팀노즐의 온도의 변화를 나타내는 도면이다. (A)는 시간의 흐름에 따른 세정공정의 수행여부를 나타내고, (B)는 세정공정의 수행여부에 따른 일반적인 스팀노즐의 온도의 변화를 나타낸다.
일반적인 스팀노즐의 경우, 스팀노즐의 온도는 스팀노즐이 위치하고 있는 주변환경에 따라 결정될 수 있다. 이에 따라, 스팀노즐이 위치하고 있는 주변환경의 온도가 충분히 높지 않은 경우, 세정공정이 종료될 때(t1)부터 스팀노즐의 온도가 하강할 수 있다. 이후, 중단된 스팀세정이 다시 수행되기 시작할 때(t2) 스팀노즐의 온도는 세정시 노즐의 온도(Tp)보다 낮을 수 있고, 다시 세정시 노즐의 온도(Tp)까지 가열되기 위하여 소정의 시간(Δt)이 소요될 수 있다. 이때, 소정의 시간(Δt)동안 스팀노즐로부터 응집된 스팀의 입자가 분사될 수 있다. 이 경우, 스팀의 입자가 응집되어 스팀의 평균적인 입자 크기가 증가될 수 있고, 이에 따라, 크기가 증가된 스팀의 입자가 미세한 반도체 회로의 패턴들을 무너트리거나, 미세한 반도체 회로의 패턴간의 사이를 침투 및 세정할 수 없는 문제가 다시 발생될 수 있다.
본 발명의 목적은 노즐이 위치하고 있는 주변환경의 온도에 영향을 받지 않고, 세정 시 노즐의 온도를 기준으로 특정 오차범위 내의 온도로 세정이 수행되지 않는 노즐의 온도를 유지하여, 세정 동작이 다시 수행될 때 노즐로부터 분사되는 유체(예를 들어, 스팀)의 평균적인 입자 크기의 증가를 방지하는 노즐 가온 시스템을 제공하는 데 있다.
상기와 같은 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 일 실시 예에 따른 노즐 가온 시스템은 유체를 세정하고자 하는 대상에 분사하는 노즐, 및 상기 노즐과 이격하여 위치하며, 세정이 수행되지 않을 때 상기 노즐의 온도를 상기 세정 시 노즐의 온도를 기준으로 특정 오차범위 내의 온도로, 유지시키는 가온장치를 포함한다.
실시 예에 있어서, 상기 가온장치에 구비되는 발열기의 온도를 제어하는 제어부를 더 포함할 수 있다.
실시 예에 있어서, 상기 제어부는 상기 세정 시 노즐의 온도에 기반하여, 상기 세정이 수행되지 않을 때, 상기 발열기를 상기 특정 오차범위 내의 온도로 발열시킬 수 있다.
실시 예에 있어서, 상기 노즐은 외부공간으로부터 내부공간을 분리시키는 몸체, 상기 몸체 내부로 세정유체를 들이는 세정유체유입관, 및 상기 세정유체를 포함하는 상기 유체를 세정하고자 하는 대상에 분사하는 분사부를 포함할 수 있다.
실시 예에 있어서, 상기 가온장치는 상기 분사부와 대응되는 형상을 포함하여, 상기 분사부의 전체 또는 일부를 내부에 수용할 수 있다.
실시 예에 있어서, 상기 분사부는 복수 개의 분사구를 포함하고, 상기 가온장치는 상기 복수 개의 분사구와 대응되는 형상을 포함하여, 상기 복수 개의 분사구 각각의 전체 또는 일부를 내부에 수용할 수 있다.
본 발명에 따른 노즐 가온 시스템의 효과에 대해 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 실시 예들 중 적어도 하나에 의하면, 노즐 가온 시스템은 노즐이 위치하고 있는 주변환경의 온도에 영향을 받지 않고, 세정 시 노즐의 온도를 기준으로 특정 오차범위 내의 온도로 세정이 수행되지 않는 노즐의 온도를 유지하여, 세정 동작이 다시 수행될 때 노즐로부터 분사되는 유체(예를 들어, 스팀)의 평균적인 입자 크기의 증가를 방지할 수 있다.
도 1은 스팀노즐을 포함하는 세정공정의 경우, 일반적인 스팀노즐의 온도의 변화를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 노즐 가온 시스템을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 다른 일 실시 예에 따른 노즐 가온 시스템의 단면을 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 일 실시 예에 따른 노즐 가온 시스템의 사시도를 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 일 실시 예에 따른 노즐 가온 시스템의 사시도를 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 일 실시 예에 따른 노즐 가온 시스템의 사시도를 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 일 실시 예에 따른 노즐 가온 시스템의 사시도를 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 일 실시 예에 따른 노즐 가온 시스템의 사시도를 나타내는 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예에 대해 상세히 설명하기로 한다. 본 발명은 본 발명의 정신 및 필수적 특징을 벗어나지 않는 범위에서 다른 특정한 형태로 구체화될 수 있음은 당업자에게 자명하다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 노즐 가온 시스템을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2를 참조하면, 노즐 가온 시스템은 노즐(201) 및 가온장치(202)를 포함할 수 있다. 먼저, 노즐(201)이 세정하고자 하는 대상(203)으로 유체(예를 들어, 스팀)를 분사할 수 있고, 해당 노즐(201)과 이격하여 가온장치(202)가 위치할 수 있다. 노즐(201)이 세정을 수행하지 않을 때, 가온장치(202)는 노즐(201)의 온도가 하강하지 않도록, 노즐에 열을 공급하여 세정 시 노즐(201)의 온도로 세정을 수행하지 않는 노즐(201)의 온도를 유지시킬 수 있다. 이때, 세정을 수행하지 않는 노즐(201)은 반드시 세정 시 노즐(201)의 온도뿐만 아니라, 그 온도의 특정 오차범위 내의 온도로 유지될 수도 있다.
가온장치(202)는 가온장치(202)가 위치한 공간의 주변온도보다 높은 온도가 되기 위해서 발열기를 포함할 수 있다. 발열기는 세정을 수행하지 않는 노즐(201)의 온도가 세정 시 노즐(201)의 온도나 또는 그 온도의 특정 오차범위 내의 온도에 맞춰지도록 발열할 수 있다.
여기서, 노즐 가온 시스템은 발열기의 온도를 제어하는 제어부(204)를 더 포함할 수 있다. 제어부(204)는 세정 시 노즐(201)의 온도에 기반하여, 세정이 수행되지 않을 때, 발열기를 발열시킬 수 있다. 여기서, 제어부(204)에 의해 제어되는 발열 온도는 반드시 세정 시 노즐(201)의 온도뿐만 아니라, 그 온도의 특정 오차범위 내의 온도일 수도 있다.
여기서, 발열기는 전기가열방식을 통하여 열을 방출할 수 있다.
전기가열방식은 도체의 용기에 직접 전류를 통하여 가열하는 직접 저항가열방식과 열의 복사, 대류 또는 전도를 통하여 가열하는 간접 저항가열방식을 포함할 수 있으며, 아크 발생을 통한 직접 또는 간접 아크가열을 포함할 수 있다.
또한, 전기가열방식은 교류자기장을 이용하여 자기장 내에 놓여진 도체의 용기에 발생하는 히스테리시스손실과 와류손실을 이용하여 도체의 용기를 직접 가열하는 고주파 가열방식인 유도가열과 고주파 교류전기장 내에 놓인 유전체(절연체) 내에 발생하는 유전체 손실을 이용하여 유전체를 가열하는 유전가열을 포함할 수 있다. 이러한 전기가열방식은 연료의 연소 등과 같은 공해 요인이 없으며, 고온을 쉽게 얻을 수 있는 특징이 있다. 또한, 전기가열방식은 온도제어가 용이하며, 절연체 내부가열이 가능하고 진공 또는 그 밖의 특정 환경에서의 가열이 가능할 뿐만 아니라 국부적인 가열을 수행할 수 있다.
발열기는 금속재질을 가열하는 유도가열 및 비금속재질을 가열하는 유전가열 중 적어도 하나 이상을 통하여 발열할 수 있다. 구체적으로, 금속재질의 가열부를 가열하는 유도가열은 가열코일이 가열부에 권선되고, 비금속재질의 가열부를 가열하는 유도가열은 내부 가열환경을 조성하기 위해 고주파 전류가 통과하는 2개의 전극 사이에 비금속재질의 가열부가 놓일 수 있다. 이때, 가열코일은 유도가열을 목적으로 하는 전류 운반의 전도체로 동이 함유된 재질로 형성될 수 있다. 동은 전도성이 높아 전위차가 있어도 전류가 연속적으로 흐르도록 허용할 수 있다. 또한, 동은 표면 가열에 유리하고, 전도나 방사에 의한 초과 가열 손실을 줄이는데 충분한 전력을 가진 발생기로 사용될 수 있다. 가열부의 모양에 따라 코일을 감아 가열부를 가열하지만, 가열을 위한 에너지는 가열부의 크기, 코일의 회전수 및 공정에 따라 필요한 전력으로 조절될 수 있다.
이러한 고주파 유도가열을 위한 가열코일은 가열부에 따라 다양한 크기와 형태로 만들어질 수 있으며, 특히 가열부의 외형에 따라 일치되어 균일하게 가열될 수 있다.
또한, 노즐(201)이 세정을 수행하지 않을 때, 세정을 마친 노즐(201)이 조속히 보온될 수 있도록, 가온장치(202)는 세정하고자 하는 대상(203)의 세정이 수행되는 서셉터(susceptor)와 근접한 곳에 위치할 수 있다. 이로 인해, 세정이 중단된 후에 노즐(201)의 온도가 하강하는 시간 및 하강하는 온도를 감소시켜 에너지의 효율을 높일 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 일 실시 예에 따른 노즐 가온 시스템의 단면을 나타내는 도면이다.
도 3을 참조하면, 노즐은 외부공간으로부터 내부공간을 분리시키는 몸체(300), 몸체(300)와 연통되어 몸체 내부(311)로 세정유체를 들이는 세정유체유입관(324) 및 분사부(320)를 포함할 수 있다. 여기서, 분사부(320)는 몸체 내부(311)에 수용된 세정유체를 포함하는 유체를 세정하고자 하는 대상에 분사할 수 있다.
노즐과 이격하여 위치하는 가온장치(301)는 분사부(320)와 대응되는 형상을 포함할 수 있다. 이로 인하여, 가온장치(301)는 분사부(320)의 전체 또는 일부를 가온장치(301)의 내부에 수용할 수 있다. 가온장치(301)의 내부에 수용된 분사부(320)의 전체 또는 일부는 가온장치(301)로부터 열을 전달 받아 특정 온도로 보온될 수 있다.
구체적인 노즐 가온 시스템에 대한 설명은 다음과 같다.
먼저, 노즐의 몸체(300) 외부로부터 몸체 내부(311)로 세정유체가 유입될 수 있다. 유입된 세정유체를 포함하는 유체가 분사부(320)의 분사구(322)를 통하여 세정하고자 하는 대상으로 분사될 수 있다.
노즐이 세정을 수행하는 중인 때, 세정유체를 포함하는 유체를 분사하는 노즐의 온도는, 분사되는 유체의 평균적인 입자 크기가 세정에 적당한 크기로 유지될 수 있는 특정 온도로 유지될 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 일반적인 노즐의 경우(B), 노즐이 세정을 수행하지 않을 때, 노즐의 온도는 노즐이 위치하고 있는 주변환경에 따라 변화될 수 있다. 주변환경의 온도가 세정 시 노즐의 온도보다 낮은 경우, 노즐의 온도는 세정 시 노즐의 온도보다 하강될 수 있다.
그러나, 본 발명에 따른 노즐 가온 시스템에 포함된 노즐의 경우(301), 노즐이 세정을 수행하지 않을 때, 가온장치(301)는 노즐의 온도가 하강하여 식지 않도록, 세정 시 노즐의 온도로 세정을 수행하지 않는 노즐의 온도를 유지시킬 수 있다. 이때, 노즐의 온도는 반드시 세정 시 노즐의 온도뿐만 아니라, 그 온도의 특정 오차범위 내의 온도로 유지될 수도 있다.
다시 도 1을 참조하면, 일반적인 노즐의 경우(B), 중단된 스팀세정이 다시 수행되기 시작할 때(t2), 하강된 온도의 노즐에 의해, 분사되는 유체의 입자가 응집될 수 있다. 이로 인해, 초기 동작이 수행될 때(t2) 분사되는 유체의 평균적인 입자 크기가 증가될 수 있다.
여기서, 분사된 유체 중 증가된 입자 크기의 유체가 세정하고자 하는 대상의 미세한 반도체 회로의 패턴을 무너트리는 문제가 발생될 수 있다.
또한, 분사된 유체 중 증가된 입자 크기의 유체는 세정하고자 하는 대상의 미세한 반도체 회로의 패턴간의 사이를 침투 및 세정할 수 없다는 문제를 발생시킬 수 있다.
그러나, 본 발명에 따른 노즐 가온 시스템에 포함된 노즐의 경우, 가온장치는 노즐이 세정을 수행하지 않을 때에도, 노즐의 온도가 하강하지 않도록, 세정 시 노즐의 온도로 세정을 수행하지 않는 노즐의 온도를 유지시킬 수 있다. 이때, 노즐은 반드시 세정 시 노즐의 온도뿐만 아니라, 그 온도의 특정 오차범위 내의 온도로 유지될 수도 있다. 이로 인해, 노즐이 세정이 수행되는 것에 알맞은 정상상태로 준비되는 시간을 단축시킬 수 있다.
한편, 노즐은 세정을 수행하기 전에, 노즐을 정상상태로 준비시키기 위하여, 가온장치(301)의 내부에 수용된 채로, 유체를 일시적으로 분사할 수 있다. 여기서, 정상상태로 준비시키는 것은 노즐로 유체를 공급하는 배관의 내부를 세정을 수행하는 것에 알맞게 준비시키는 것 및 노즐의 온도를 세정을 수행하는 것에 알맞게 준비시키는 것을 포함할 수 있다.
또한, 가온장치(301)는 가온장치(301)내부에 고여있는 액체를 배출하기 위한 배출구(331)을 더 포함할 수 있다. 가온장치(301)에 포함된 배출구(331)는 노즐의 분사구(322)의 형태에 대응하는 형태일 수 있다.
결과적으로, 본 발명에 따른 노즐 가온 시스템은 세정이 중단된 후 다시 동작하는 노즐의 온도 하강을 방지하고, 노즐로부터 분사되는 유체의 입자가 응집되는 것을 방지할 수 있다.
이에 따라, 분사된 유체입자가 응집되고, 응집된 유체입자 중 증가된 입자 크기의 유체가 세정하고자 하는 대상의 미세한 반도체 회로의 패턴을 무너트리는 문제가 방지될 수 있다.
또한, 분사된 유체입자가 응집되고, 응집된 유체입자 중 증가된 입자 크기의 유체가 세정하고자 하는 대상의 미세한 반도체 회로의 패턴간의 사이를 침투 및 세정할 수 없다는 문제가 방지될 수 있다.
한편, 일반적으로 노즐을 통한 세정은 특정한 분위기의 챔버 내부에서 수행될 수 있는데, 챔버 내부에서 소정의 부피를 띄는 물체가 이동하는 경우, 기류가 형성되어 특정한 분위기가 저해될 수 있다. 이러한 특정한 분위기의 저해는 챔버 내부에서 이동하는 물체의 부피가 클수록 증대될 수 있다. 이에 따라, 챔버 내부에서 이동하는 노즐 가온장치는 노즐에 결합되지 않고, 노즐과 이격하여 위치할 수 있다.
도 4는 본 발명의 또 다른 일 실시 예에 따른 노즐 가온 시스템의 사시도를 나타내는 도면이다.
도 4를 참조하면, 노즐 가온 시스템에 포함된 노즐은 스팟형태의 분사구(422)를 구비하는 분사부(420)를 포함할 수 있다. 이 경우, 가온장치(402) 또한 스팟형태의 분사구(422)를 구비하는 분사부(420)에 대응하는 형태를 포함할 수 있다. 분사부(420)에 포함된 스팟형태의 분사구(422)는 유체를 세정하고자 하는 대상에 소정의 면적을 포함하는 점의 형태로 분사할 수 있다.
이로 인하여, 가온장치(402)는 스팟형태의 분사구(402)를 구비하는 분사부(420)의 전체 또는 일부를 가온장치(402)의 내부에 수용할 수 있다. 가온장치(402)의 내부에 수용된 분사부(420)의 전체 또는 일부는 가온장치(402)로부터 열을 전달 받아 특정 온도로 보온될 수 있다.
또한, 가온장치(402)는 가온장치(402)내부에 고여있는 액체를 배출하기 위한 배출구(431)을 더 포함할 수 있다. 가온장치(402)에 포함된 배출구(431)는 노즐의 분사구(422)의 형태에 대응하는 형태일 수 있다. 노즐에 포함된 분사구(422)가 스팟형태인 경우, 가온장치에 포함된 배출구(431) 또한 노즐에 포함된 분사구(422)에 대응되는 스팟형태일 수 있다.
한편, 스팟형태의 분사구(422)를 구비하는 분사부(420)를 포함하는 노즐은 세정하고자 하는 대상이 웨이퍼(wafer)인 경우에 활용될 수 있다.
도 5는 본 발명의 또 다른 일 실시 예에 따른 노즐 가온 시스템의 사시도를 나타내는 도면이다. 분사부(520)에 포함된 슬릿형태의 분사구(522)는 유체를 세정하고자 하는 대상에 선형으로 분사할 수 있다.
도 5를 참조하면, 노즐 가온 시스템에 포함된 노즐은 슬릿형태의 분사구(522)를 구비하는 분사부(520)를 포함할 수 있다. 이 경우, 가온장치(502)는 슬릿형태의 장축과 나란하게 분사부(520)를 수용할 수 있는 공간을 형성할 수 있다.
이로 인하여, 가온장치(502)는 슬릿형태의 분사구(502)를 구비하는 분사부(520)의 전체 또는 일부를 가온장치(502)의 내부에 수용할 수 있다. 가온장치(502)의 내부에 수용된 분사부(520)의 전체 또는 일부는 가온장치(502)로부터 열을 전달 받아 특정 온도로 보온될 수 있다.
또한, 가온장치(502)는 가온장치(502)내부에 고여있는 액체를 배출하기 위한 배출구(531)을 더 포함할 수 있다. 가온장치(502)에 포함된 배출구(531)는 노즐의 분사구(522)의 형태에 대응하는 형태일 수 있다. 노즐에 포함된 분사구(522)가 슬릿형태인 경우, 가온장치에 포함된 배출구(531) 또한 노즐에 포함된 분사구(522)에 대응되는 슬릿형태일 수 있다. 대응되는 슬릿형태의 배출구(531)는 가온장치(502)의 바닥면 중, 노즐이 가온장치(502)에 수용되었을 때 가장 인접한 곳에 위치할 수 있다.
한편, 슬릿형태의 분사구(522)를 구비하는 분사부(520)를 포함하는 노즐은 세정하고자 하는 대상이 반도체 제작에 쓰이는 웨이퍼인 경우에 활용될 수 있다.
도 6은 본 발명의 또 다른 일 실시 예에 따른 노즐 가온 시스템의 사시도를 나타내는 도면이다.
도 6을 참조하면, 노즐 가온 시스템에 포함된 노즐은 슬릿형태의 분사구(622)를 구비하는 분사부(620)를 포함할 수 있다. 이 경우, 가온장치(602)는 슬릿형태의 분사구(622)를 구비하는 분사부(620)에 대응하는 형태를 포함할 수 있다. 이로 인하여, 가온장치(602)는 슬릿형태의 분사구(602)를 구비하는 분사부(620)의 전체 또는 일부를 가온장치(602)의 내부에 수용할 수 있다. 가온장치(602)의 내부에 수용된 분사부(620)의 전체 또는 일부는 가온장치(602)로부터 열을 전달 받아 특정 온도로 보온될 수 있다.
도 5의 가온장치(502)의 경우, 분사부(520)가 가온장치(502)에 수용되어 열을 공급받을 때, 가온장치(502)와 분사부(520)사이의 빈공간에 열이 체류될 수 있다. 그러나, 도 6의 가온장치(602)의 경우, 분사부(620)가 가온장치(602)에 수용되어 열을 공급받을 때, 가온장치(602)로부터 방출되는 열이 가온장치(602)와 분사부(620)사이의 빈공간에 체류하는 시간이 단축될 수 있다. 이에 따라, 도 6에 따른 가온장치(602)로부터 분사부(620)로의 열공급이 도 5의 경우보다 효과적일 수 있다.
또한, 가온장치(602)는 가온장치(602)내부에 고여있는 액체를 배출하기 위한 배출구(631)을 더 포함할 수 있다. 가온장치(602)에 포함된 배출구(631)는 노즐의 분사구(622)의 형태에 대응하는 형태일 수 있다. 노즐에 포함된 분사구(622)가 슬릿형태인 경우, 가온장치에 포함된 배출구(631) 또한 노즐에 포함된 분사구(622)에 대응되는 슬릿형태일 수 있다.
도 7은 본 발명의 또 다른 일 실시 예에 따른 노즐 가온 시스템의 사시도를 나타내는 도면이다.
도 7을 참조하면, 분사부(720)는 복수 개의 분사구(722 내지 724)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 7와 같이 하나의 몸체로부터 복수 개의 분사구(722 내지 724)를 포함할 수 있다.
이에 따라, 하나의 가온장치(702) 또한 복수 개의 분사구(722 내지 724)와 대응되는 형상을 포함할 수 있다. 복수 개의 분사구(722 내지 724)와 대응되는 형상은 복수 개의 분사구(722 내지 724) 각각의 전체 또는 일부를 가온장치(702)의 내부에 수용할 수 있다. 가온장치(702)의 내부에 수용된 분사구(722 내지 724) 각각의 전체 또는 일부는 가온장치(702)로부터 열을 전달 받아 특정 온도로 보온될 수 있다.
한편, 분사부(720)가 복수 개의 분사구(722 내지 724)를 포함하더라도 가온장치(702)는 복수 개의 분사구(722 내지 724) 각각과 대응되는 형상이 아닌 분사부(720) 전체와 대응되는 형상을 포함할 수도 있다.
또한, 가온장치(702)는 가온장치(702)내부에 고여있는 액체를 배출하기 위한 배출구(631)을 더 포함할 수 있다. 가온장치(702)에 포함된 배출구(731)는 노즐의 분사구(722 내지 724)의 형태에 대응하는 형태일 수 있다. 노즐에 포함된 분사구(722 내지 724)가 복수 개인 경우, 가온장치에 포함된 배출구(731) 또한 노즐에 포함된 분사구(722 내지 724)에 대응되어 복수 개일 수 있다. 또한, 배출구(예를 들어, 731) 각각은 대응되는 분사구(예를 들어, 722)에 적합한 형태일 수 있다.
도 8은 본 발명의 또 다른 일 실시 예에 따른 노즐 가온 시스템의 사시도를 나타내는 도면이다.
도 8을 참조하면, 본 발명에 따른 노즐 가온 시스템은 노즐과 동일한 다른 복수 개의 노즐을 더 포함할 수 있다. 이 경우, 노즐의 분사부(820)는 유체를 대상에 선형으로 분사하는 슬릿형태의 분사구(822)를 포함할 수 있고, 대상은 대면적의 글라스(glass)를 포함할 수 있다. 해당 노즐 및 복수 개의 노즐은 가상의 선상에 길이방향으로 연속적으로 배열되어 글라스의 폭에 대응하여 유체를 선형으로 분사할 수 있다.
또한, 가온장치(802)는 가온장치(802)내부에 고여있는 액체를 배출하기 위한 배출구(831)을 더 포함할 수 있다. 가온장치(802)에 포함된 배출구(831)는 노즐의 분사구(822)의 형태에 대응하는 형태일 수 있다. 노즐에 포함된 분사구(822)가 길이방향으로 연속적으로 배열된 경우, 가온장치에 포함된 배출구(831) 또한 길이방향으로 연속적으로 배열된 노즐에 포함된 분사구(822)에 대응하는 형태일 수 있다.
이 경우, 본 발명에 따른 노즐 가온 시스템은 세정하고자 하는 대상의 폭이 하나의 노즐의 장축보다 긴 글라스(glass)에 활용될 수 있다. 즉, 슬릿형태의 분사구(822)를 구비하는 분사부(820)를 포함하는 복수의 노즐을 활용하여 세정면적이 넓은 대상(예를 들어, 글라스)의 세정을 수행할 수 있다.
이 경우, 가온장치(802)는 연속적으로 복수 개가 구비된 노즐의 분사부에 적합한 형태를 포함할 수 있다. 예를 들어, 복수 개의 연속적인 분사부 전부의 전체 또는 일부를 수용하는 형태를 포함할 수 있다.
이상의 상세한 설명은 모든 면에서 제한적으로 해석되어서는 아니되고 예시적인 것으로 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 첨부된 청구항의 합리적 해석에 의해 결정되어야 하고, 본 발명의 등가적 범위 내에서의 모든 변경은 본 발명의 범위에 포함된다.

Claims (9)

  1. 유체를 세정하고자 하는 대상에 분사하는 노즐; 및
    상기 노즐과 이격하여 위치하며, 세정이 수행되지 않을 때 상기 노즐의 온도를 상기 세정 시 노즐의 온도를 기준으로 특정 오차범위 내의 온도로, 유지시키는 가온장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 노즐 가온 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 가온장치에 구비되는 발열기의 온도를 제어하는 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 노즐 가온 시스템.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 세정 시 노즐의 온도에 기반하여, 상기 세정이 수행되지 않을 때, 상기 발열기를 상기 특정 오차범위 내의 온도로 발열시키는 것을 특징으로 하는 노즐 가온 시스템.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 노즐은,
    외부공간으로부터 내부공간을 분리시키는 몸체;
    상기 몸체 내부로 세정유체를 들이는 세정유체유입관; 및
    상기 세정유체를 포함하는 상기 유체를 세정하고자 하는 대상에 분사하는 분사부를 포함하는 것을 특징으로 하는 노즐 가온 시스템.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 가온장치는,
    상기 분사부와 대응되는 형상을 포함하여, 상기 분사부의 전체 또는 일부를 내부에 수용하는 것을 특징으로 하는 노즐 가온 시스템.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 분사부는,
    복수 개의 분사구를 포함하고,
    상기 가온장치는,
    상기 복수 개의 분사구와 대응되는 형상을 포함하여, 상기 복수 개의 분사구 각각의 전체 또는 일부를 내부에 수용하는 것을 특징으로 하는 노즐 가온 시스템.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 분사부는,
    스팟형태의 분사구를 포함하고, 상기 유체를 상기 대상에 소정의 면적을 포함하는 점의 형태로 분사하는 것을 특징으로 하는 노즐 가온 시스템.
  8. 제 4 항에 있어서,
    상기 분사부는,
    슬릿형태의 분사구를 포함하고, 상기 유체를 상기 대상에 선형으로 분사하는 것을 특징으로 하는 노즐 가온 시스템.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 노즐과 동일한 다른 복수 개의 노즐을 더 포함하고,
    상기 노즐은,
    상기 유체를 상기 대상에 선형으로 분사하는 슬릿형태의 분사구를 포함하고,
    상기 대상은,
    대면적의 글라스(glass)를 포함하고,
    상기 노즐 및 상기 복수 개의 노즐은,
    가상의 선상에 길이방향으로 연속적으로 배열되어
    상기 글라스의 폭에 대응하여 상기 유체를 선형으로 분사하는 것을 특징으로 하는 노즐 가온 시스템.
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