KR20180137643A - method for manufacturing display device - Google Patents

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KR20180137643A
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신진욱
조남성
권병화
문제현
조현수
한준한
이정익
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한국전자통신연구원
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Abstract

Disclosed is a method for manufacturing a display device capable of minimizing or eliminating residues on a flexible substrate. The method comprises the following steps: forming a separation layer having first adhesive force on a support substrate; forming a flexible substrate having second adhesive force lower than the first adhesive force on the separation layer; forming a display element layer on the flexible substrate; and removing the separation layer from the flexible substrate. The separation layer may include a graphene layer.

Description

표시장치의 제조방법{method for manufacturing display device}[0001] The present invention relates to a method for manufacturing display devices,

본 발명은 표시장치의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 유연 기판을 이용한 표시장치의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a display device, and more particularly, to a method of manufacturing a display device using a flexible substrate.

최근 표시장치는 반도체 기술 및 광학 기술의 급속한 발전에 힘입어 다양한 종류로 개발되고 있다. 표시장치는 플라즈마 표시 패널(PDP: Plasma Display Panel), 액정표시장치(LCD: Liquid Crystal Display), 유기발광전계다이오드(OLED: Organic Light-Emitting Diode), 및 양자점 디스플레이(Quantum-dot display)를 포함할 수 있다. 그 중 유기발광전계다이오드 및 양자점 디스플레이는 유연 기판 상에 제조될 수 있다. 유연 기판은 외부의 충격 및 변형에 따른 구조적인 제약을 감소시킬 수 있기 때문에 표시장치의 내구성 및 사양을 증가시킬 수 있다.Recently, display devices have been developed in various types due to the rapid development of semiconductor technology and optical technology. The display device includes a plasma display panel (PDP), a liquid crystal display (LCD), an organic light-emitting diode (OLED), and a quantum dot display can do. Among them, organic luminescence field diodes and quantum dot displays can be fabricated on flexible substrates. The flexible substrate can reduce structural constraints due to external impact and deformation, thereby increasing the durability and specification of the display device.

일반적으로 표시 소자들은 접착 층에 의해 지지 기판 상에 고정된 상기 유연 기판 상에 형성될 수 있다. 이후, 상기 접착 층은 열처리 또는 UV 광에 의해 접착력을 잃고, 상기 지지 기판은 상기 유연 기판으로부터 분리될 수 있다. 그러나, 상기 플렉스블 기판 상에 상기 접착 층의 잔류물(residue)이 잔존할 수 있다. 상기 잔류물(residue)은 표시장치의 수율을 감소시킬 수 있다.In general, the display elements may be formed on the flexible substrate fixed on the support substrate by an adhesive layer. Thereafter, the adhesive layer loses adhesive force by heat treatment or UV light, and the supporting substrate can be separated from the flexible substrate. However, residues of the adhesive layer may remain on the flexible substrate. The residue may reduce the yield of the display device.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 유연 기판 상의 잔류물들을 최소화 또는 제거할 수 있는 하는 표시장치의 제조방법을 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a display device capable of minimizing or eliminating residues on a flexible substrate.

본 발명은 표시장치의 제조방법을 개시한다. 그의 방법은, 지지 기판 상에 제 1 접착력을 갖는 분리 층을 형성하는 단계; 상기 분리 층 상에 상기 제 1 접착력보다 낮은 제 2 접착력을 갖는 유연 기판을 형성하는 단계; 상기 유연 기판 상에 표시소자 층을 형성하는 단계; 및 상기 유연 기판으로부터 상기 분리 층을 제거하는 단계를 포함한다. 여기서, 상기 분리 층은 그래핀 층을 포함할 수 있다. The present invention discloses a method of manufacturing a display device. The method comprises: forming a separation layer having a first adhesion on a support substrate; Forming a flexible substrate having a second adhesive force lower than the first adhesive force on the separation layer; Forming a display element layer on the flexible substrate; And removing the separation layer from the flexible substrate. Here, the separation layer may include a graphene layer.

일 예에 따르면, 상기 분리 층을 형성하는 단계는: 상기 그래핀 층을 상기 지지 기판 상에 제공하는 단계; 상기 그래핀 층 상에 제 1 유체를 제공하여 상기 분리 층과 상기 지지 기판 사이에 상기 제 1 유체를 침투시키는 단계; 및 상기 제 1 유체를 건조하여 상기 지지 기판에 상기 그래핀 층을 접합하는 단계를 포함할 수 있다. According to one example, the step of forming the separation layer comprises: providing the graphene layer on the support substrate; Providing a first fluid on the graphene layer to penetrate the first fluid between the separation layer and the support substrate; And drying the first fluid to bond the graphene layer to the support substrate.

일 예에 따르면, 상기 유연 기판은 플라스틱 기판을 포함할 수 있다. 상기 유연 기판을 형성하는 단계는: 상기 그래핀 층 상에 제 2 유체를 제공하는 단계; 상기 제 2 유체 상에 상기 플라스틱 기판을 제공하는 단계; 및 상기 제 2 유체를 건조하여 상기 제 2 접착력으로 상기 그래핀 층 상에 상기 플라스틱 기판을 접합하는 단계를 포함할 수 있다.According to one example, the flexible substrate may comprise a plastic substrate. Wherein forming the flexible substrate comprises: providing a second fluid on the graphene layer; Providing the plastic substrate on the second fluid; And drying the second fluid to bond the plastic substrate on the graphene layer with the second adhesive force.

일 예에 따르면, 상기 제 1 및 상기 제 2 유체들은 탈이온 수를 포함할 수 있다.According to one example, the first and second fluids may comprise deionized water.

일 예에 따르면, 상기 제 2 유체는 상기 제 1 유체의 건조 온도 보다 낮은 온도로 건조될 수 있다.According to one example, the second fluid may be dried at a temperature lower than the drying temperature of the first fluid.

일 예에 따르면, 상기 제 1 유체를 건조하는 단계는 상기 지지 기판을 1200℃ 내지 1400℃로 가열하는 단계를 포함할 수 있다.According to one example, drying the first fluid may include heating the support substrate to 1200 ° C to 1400 ° C.

상기 제 2 유체를 건조하는 단계는 상기 지지 기판을 165도이하로 가열하는 단계를 포함할 수 있다. The drying of the second fluid may include heating the support substrate to below 165 degrees.

일 예에 따르면, 상기 유연 기판을 형성하는 단계는: 상기 그래핀 층 상에 고분자 층을 코팅하는 단계; 및 상기 고분자 층을 경화하여 상기 그래핀 층 상에 상기 유연 기판을 접합하는 단계를 포함할 수 있다. According to one example, the step of forming the flexible substrate includes: coating a polymer layer on the graphene layer; And curing the polymer layer to bond the flexible substrate to the graphene layer.

일 예에 따르면, 상기 고분자 층은 폴리 이미드, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리에테르설폰, 또는 폴리에틸렌에테르프탈레이트를 포함할 수 있다.According to one example, the polymer layer may comprise polyimide, polyethylene naphthalate, polycarbonate, polyethersulfone, or polyethylene ether phthalate.

일 예에 따르면, 상기 그래핀 층과 상기 유연 기판 사이에 접착 층을 형성하는 단계; 및 상기 표시 소자 층의 형성 후, 상기 접착 층을 자외선으로 노광하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 접착 층은 상기 자외선과 반응하는 광 개시제를 포함할 수 있다.According to an embodiment, there is provided a method of manufacturing a flexible printed circuit board, comprising: forming an adhesive layer between the graphene layer and the flexible substrate; And exposing the adhesive layer to ultraviolet light after formation of the display element layer. The adhesive layer may include a photoinitiator that reacts with the ultraviolet light.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 표시장치의 제조방법은 지지 기판과 유연 기판 사이의 그래핀 층을 포함하는 분리 층을 이용하여 잔류물을 최소화 및 제거할 수 있다.As described above, the method of manufacturing a display device according to an embodiment of the present invention can minimize and remove residues using a separation layer including a graphene layer between a supporting substrate and a flexible substrate.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 표시장치의 제조방법을 보여주는 플로우 챠트이다.
도 2는 도 1의 분리 층을 형성하는 단계의 일 예를 보여주는 플로우 챠트이다.
도 3은 도 1의 유연 기판을 형성하는 단계의 일 예를 보여주는 플로우 챠트이다.
도 4 내지 도 10은 도 1의 표시장치의 제조 방법을 보여주는 공정 단면도들이다.
도 11은 도 6의 분리 층의 제 1 접착력과 제 2 접착력을 보여주는 그래프이다.
도 12는 도 1의 분리 층을 형성하는 단계와 분리 층을 제거하는 단계에서의 지지 기판 상의 분리 층의 제 1 라만 피크들과 제 2 라만 피크들을 보여주는 그래프들이다.
도 13은 도 1의 상기 유연 기판을 형성하는 단계의 일 예를 보여주는 플로우 챠트이다.
도 14 및 도 15는 도 13의 유연 기판을 형성하는 단계를 보여주는 공정 단면도들이다.
도 16은 본 발명의 일 예에 따른 표시장치의 제조방법을 보여주는 플로우 챠트이다.
도 17 내지 도 20은 도 16의 표시장치의 제조방법을 보여주는 공정 단면도들이다.1 is a flow chart showing a method of manufacturing a display device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a flow chart showing an example of the step of forming the separation layer of FIG. 1; FIG.
3 is a flow chart showing an example of a step of forming the flexible substrate of FIG.
4 to 10 are process sectional views showing a manufacturing method of the display device of FIG.
FIG. 11 is a graph showing the first adhesive force and the second adhesive force of the separation layer of FIG. 6; FIG.
12 is a graph showing the first Raman peaks and the second Raman peaks of the separation layer on the support substrate in the step of forming the separation layer and removing the separation layer in Fig.
FIG. 13 is a flow chart showing an example of a step of forming the flexible substrate of FIG. 1. FIG.
Figs. 14 and 15 are process sectional views showing steps of forming the flexible substrate of Fig.
16 is a flow chart showing a method of manufacturing a display device according to an example of the present invention.
17 to 20 are process sectional views showing a manufacturing method of the display device of Fig.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면들과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention and the manner of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in different forms. Rather, the embodiments disclosed herein are provided so that the disclosure can be thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprises)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 또한, 바람직한 실시예에 따른 것이기 때문에, 설명의 순서에 따라 제시되는 참조 부호는 그 순서에 반드시 한정되지는 않는다. 이에 더하여, 본 명세서에서, 어떤 막이 다른 막 또는 기판 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 막 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 막이 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. The terminology used herein is for the purpose of illustrating embodiments and is not intended to be limiting of the present invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. As used herein, the terms 'comprises' and / or 'comprising' mean that the stated element, step, operation and / or element does not imply the presence of one or more other elements, steps, operations and / Or additions. In addition, since they are in accordance with the preferred embodiment, the reference numerals presented in the order of description are not necessarily limited to the order. In addition, in this specification, when it is mentioned that a film is on another film or substrate, it means that it may be formed directly on another film or substrate, or a third film may be interposed therebetween.

또한, 본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 예시도인 단면도 및/또는 평면도들을 참고하여 설명될 것이다. 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 예를 들면, 굴곡으로 형성된 유체 및 폴리머 층은 평탄하게 형성될 수 있다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이며 발명의 범주를 제한하기 위한 것이 아니다.In addition, the embodiments described herein will be described with reference to cross-sectional views and / or plan views, which are ideal illustrations of the present invention. In the drawings, the thicknesses of the films and regions are exaggerated for an effective description of the technical content. Thus, the shape of the illustrations may be modified by manufacturing techniques and / or tolerances. Accordingly, the embodiments of the present invention are not limited to the specific forms shown, but also include changes in the shapes that are generated according to the manufacturing process. For example, the fluid and the polymer layer formed by bending can be formed flat. Thus, the regions illustrated in the figures have schematic attributes, and the shapes of the regions illustrated in the figures are intended to illustrate specific types of regions of the elements and are not intended to limit the scope of the invention.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 표시장치의 제조방법을 보여준다. 도 2는 도 1의 분리 층을 형성하는 단계(S10)의 일 예를 보여준다. 도 3은 도 1의 유연 기판을 형성하는 단계(S20)의 일 예를 보여준다. 도 4 내지 도 10은 도 1의 표시장치(100)의 제조 방법을 보여주는 공정 단면도들이다.1 shows a method of manufacturing a display device according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 shows an example of forming the separation layer of FIG. 1 (S10). FIG. 3 shows an example of forming the flexible substrate of FIG. 1 (S20). Figs. 4 to 10 are process sectional views showing a manufacturing method of the display device 100 of Fig.

도 1 및 도 4를 참조하면, 지지 기판(10) 상에 분리 층(20)을 형성한다(S10). 상기 지지 기판(10)은 글래스(ex, 실리콘 산화물(SiO2)) 또는 실리콘(Si) 웨이퍼를 포함할 수 있으며, 본 발명은 이에 한정되지 않을 수 있다. 분리 층(20)은 2차원 구조를 갖는 단일 층(monolayer)의 그래핀(graphene) 포함할 수 있다. 더불어, 분리 층(20)은 다층(multilayer)의 그래핀을 포함할 수 있다. Referring to FIGS. 1 and 4, a separation layer 20 is formed on a support substrate 10 (S10). The support substrate 10 may include glass (ex, silicon oxide (SiO 2 )) or silicon (Si) wafers, but the present invention is not limited thereto. The separation layer 20 may comprise a monolayer of graphene having a two-dimensional structure. In addition, the separation layer 20 may comprise multilayer graphene.

도 2를 참조하면, 분리 층(20)을 형성하는 단계(S10)는 분리 층(20)을 제공하는 단계(S12), 제 1 유체(12)를 제공하는 단계(S14), 및 상기 제 1 유체(12)를 건조하는 단계(S16)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 2, step S10 of forming the separation layer 20 includes providing S12 of the separation layer 20, providing S14 of the first fluid 12, And drying the fluid 12 (S16).

도 2 및 도 4를 참조하면, 상기 지지 기판(10) 상에 분리 층(20)을 제공한다(S12). 상기 분리 층(20)은 전이(transferring) 방법을 사용하여 상기 지지 기판(10) 상에 제공될 수 있다. 상기 분리 층(20)은 일반적으로 CVD 방법에 의해 대면적의 금속 기판(ex, Ni, Cu, Pt) 상에 성장될 수 있다. 또한, 상기 분리 층(20)은 PDMA 기판을 통해 상기 금속 기판으로부터 상기 지지 기판(10) 상으로 전이(transferred)될 수 있다. 이와 달리, 지지 기판(10) 상에 금속 촉매 층이 형성된 후, 상기 분리 층(20)은 상기 금속 촉매 층 상에 형성될 수 있다. Referring to FIGS. 2 and 4, a separation layer 20 is provided on the support substrate 10 (S12). The separation layer 20 may be provided on the support substrate 10 using a transferring method. The separation layer 20 may be grown on a large area metal substrate (ex, Ni, Cu, Pt) by a CVD method. In addition, the isolation layer 20 may be transferred from the metal substrate to the support substrate 10 through the PDMA substrate. Alternatively, after the metal catalyst layer is formed on the support substrate 10, the isolation layer 20 may be formed on the metal catalyst layer.

도 2 및 도 5를 참조하면, 상기 전이된 분리 층(20) 상에 상기 제 1 유체(12)를 제공한다(S14). 상기 제 1 유체(12)는 탈 이온수의 물 또는 수증기를 포함할 수 있다. 상기 제 1 유체(12)는 상기 분리 층(20) 상에 도포(dropped)될 수 있다. 또는 상기 분리 층(20)은 상기 제 1 유체(12) 내에 침지될 수 있다. 상기 제 1 유체(12)는 상기 지지 기판(10)과 상기 분리 층(20) 사이에 침투될 수 있다. 상기 제 1 유체(12)는 그의 압력에 따라 상기 분리 층(20)을 통과할 수 있다. 상기 제 1 유체(12)는 지지 기판(10)의 상부 면을 따라 분리 층(20)의 하부에 제공될 수 있다. 그리고, 상기 제 1 유체(12)는 상기 분리 층(20)의 손상된 부분으로 침투될 수 있다. 이와 같은 과정을 통해 상기 제 1 유체(12)는 분리 층(20)과 지지 기판(10) 사이에 수분(droplets, 11)을 형성할 수 있다. 상기 수분(11)은 상압(atmospheric pressure)과 다른 압력에서 상기 분리 층(20)과 지지 기판(10) 사이에 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 수분(11)은 약 1X10-3 내지 약 1X10- 7Torr의 저압에서 상기 분리 층(20)과 지지 기판(10) 사이에 형성될 수 있다. 상기 수분(11)은 약 80 내지 약 100 기압의 고압에서 상기 분리 층(20)과 지지 기판(10) 사이에 형성될 수 있다. 이와 달리, 상기 압력이 상기 저압에서 상기 고압으로 변화될 때, 상기 수분(11)은 상기 분리 층(20)과 지지 기판(10) 사이에 형성될 수 있다. 상기 수분(11)은 상기 지지 기판(10)과 상기 분리 층(20) 사이의 보이드 내에 충진될 수 있다.Referring to FIGS. 2 and 5, the first fluid 12 is provided on the transferred separation layer 20 (S14). The first fluid 12 may comprise water or water vapor of deionized water. The first fluid 12 may be dropped onto the separation layer 20. Or the separating layer 20 may be immersed in the first fluid 12. The first fluid 12 may penetrate between the support substrate 10 and the separation layer 20. The first fluid 12 may pass through the separation layer 20 according to its pressure. The first fluid 12 may be provided at the bottom of the separation layer 20 along the top surface of the support substrate 10. The first fluid 12 may be penetrated into the damaged portion of the separation layer 20. The first fluid 12 may form droplets 11 between the separation layer 20 and the support substrate 10 through the above process. The moisture 11 may be formed between the separation layer 20 and the support substrate 10 at a pressure different from atmospheric pressure. For example, the water 11 is about 1X10 -3 to about 1X10 - may be formed between the low pressure of 7 Torr in the separating layer 20 and the supporting substrate 10. The moisture 11 may be formed between the separation layer 20 and the support substrate 10 at a high pressure of about 80 to about 100 atm. Alternatively, when the pressure is changed from the low pressure to the high pressure, the water 11 may be formed between the separation layer 20 and the support substrate 10. The moisture 11 may be filled in voids between the support substrate 10 and the separation layer 20.

도 2 및 도 6을 참조하면, 제 1 유체(12)를 건조한다(S16). 상기 제 1 유체(12)를 제공하는 단계(S14) 및 상기 제 1 유체(12)를 건조하는 단계(S16)는 상기 제 1 유체(12)를 이용하여 상기 지지 기판(10)과 상기 분리 층(20)의 대향하는 표면들을 처리 및/또는 접착하는 단계일 수 있다. Referring to FIGS. 2 and 6, the first fluid 12 is dried (S16). The step of providing the first fluid 12 and the step of drying the first fluid 12 may be performed by using the first fluid 12 to separate the support substrate 10, And / or adhering the opposing surfaces of the substrate 20.

상기 분리 층(20) 상의 상기 제 1 유체(12)는 증발할 수 있다. 상기 제 1 유체(12)의 증발 속도는 압력과 온도에 따라 달라질 수 있다. 상기 제 1 유체(12)의 증발 속도는 압력에 반비례하고, 온도에 비례할 수 있다. 또한, 상기 제 1 유체(12)가 증발되면, 상기 수분(11)은 건조될 수 있다. The first fluid 12 on the separation layer 20 can evaporate. The evaporation rate of the first fluid 12 may vary depending on the pressure and the temperature. The evaporation rate of the first fluid 12 is inversely proportional to the pressure and may be proportional to the temperature. Further, when the first fluid 12 is evaporated, the water 11 may be dried.

상기 수분(11)은 상압보다 낮은 진공압에서 건조될 수 있다. 예를 들어, 상기 수분(11)은 약 1Torr 이하의 진공압에서 건조될 수 있다. 또한, 상기 수분(11)은 상기 지지 기판(10)의 가열에 의해 제거될 수 있다. 예를 들어, 상기 지지 기판(10)은 약 200℃이하의 저온으로 가열될 수 있다. 상기 수분(11)은 상기 분리 층(20)과 지지 기판(10) 사이에서 제거될 수 있다. 상기 수분(11)이 제거되면, 상기 보이드는 제거될 수 있다. 상기 분리 층(20)은 상기 지지 기판(10)으로 접합 및/또는 접착될 수 있다. 상기 수분(11)은 보이드를 감소시켜 상기 분리 층(20)과 지지 기판(10) 사이의 접착력을 증가시킬 수 있다.The water (11) can be dried at a vacuum pressure lower than normal pressure. For example, the moisture 11 may be dried at a vacuum pressure of about 1 Torr or less. In addition, the moisture 11 can be removed by heating the support substrate 10. For example, the support substrate 10 may be heated to a low temperature of about 200 캜 or less. The moisture (11) may be removed between the separation layer (20) and the support substrate (10). When the water (11) is removed, the void can be removed. The separation layer 20 may be bonded and / or bonded to the support substrate 10. The moisture (11) can reduce the voids and increase the adhesion between the separation layer (20) and the support substrate (10).

도 11은 도 6의 분리 층(20)의 제 1 접착력(16)과 제 2 접착력(18)을 보여준다.Fig. 11 shows the first adhesive force 16 and the second adhesive force 18 of the separation layer 20 of Fig.

도 11을 참조하면, 분리 층(20)은 지지 기판(10)에 대해 제 1 접착력(16)을 가질 수 있다. 상기 제 1 접착력(16)은 약 1.7Jm-2일 수 있다. 상기 제 1 접착력(16)은 반데르발스(Van-der Walls)의 결합력일 수 있다. 분리 층(20)은 후속에서 설명될 유연 기판(도 8의 30)에 대해 제 2 접착력(18)을 가질 수 있다. 상기 제 2 접착력(18)은 후속에서 설명될 것이다.Referring to FIG. 11, the separation layer 20 may have a first adhesion 16 to the support substrate 10. The first adhesive force 16 may be about 1.7 Jm -2 . The first adhesive force 16 may be a bonding force of Van der Walls. The separating layer 20 may have a second adhesive strength 18 to the flexible substrate 30 (FIG. 8) to be described subsequently. The second adhesive force 18 will be described later.

상기 지지 기판(10)은 약 1200℃ 내지 약 1400℃의 고온으로 가열될 수 있다. 상기 분리 층(20)은 열적 반응 및/또는 화학적 반응에 의해 상기 지지 기판(10) 상에 접합 및/또는 접착될 수 있다. 상기 지지 기판(10)과 상기 분리 층(20)은 C-O 공유 결합의 결합력의 상기 제 1 접착력(16)을 가질 수 있다. 상기 C-O 공유 결합의 결합력은 반데르발스의 결합력보다 클 수 있다. The support substrate 10 may be heated to a high temperature of about 1200 ° C to about 1400 ° C. The separation layer 20 may be bonded and / or bonded to the support substrate 10 by thermal and / or chemical reaction. The support substrate 10 and the separation layer 20 may have the first adhesive force 16 of bonding force of the C-O covalent bond. The bonding force of the C-O covalent bond may be greater than the bonding force of van der Waals.

다시, 도 1 및 도 8을 참조하면, 상기 분리 층(20) 상에 유연 기판(30)을 형성한다(S20).Referring again to FIGS. 1 and 8, a flexible substrate 30 is formed on the separation layer 20 (S20).

도 3을 참조하면, 유연 기판(30)을 형성하는 단계(S20)는 고분자 층을 코팅하는 단계(S22), 및 상기 고분자 층을 경화하는 단계(S24)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 3, step S20 of forming the flexible substrate 30 may include coating a polymer layer S22 and curing the polymer layer S24.

도 3 및 도 7을 참조하면, 고분자 층(32)을 상기 분리 층(20) 상에 코팅한다(S22). 상기 고분자 층(32)은 폴리이미드(Polyimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(Polyethylene Naphthalate), 폴리카보네이트(Polycarbonate), 폴리에테르설폰(Polyethersulfone), 또는 폴리에틸렌에테르프탈레이트(Polyethyleneterephalate)를 포함할 수 있다. 상기 고분자 층(32)은 융점이상으로 가열된 후, 상기 분리 층(20) 상에 제공될 수 있다. 이와 달리, 상기 고분자 층(32)은 상기 분리 층(20) 상에서 용융될 수 있다.Referring to FIGS. 3 and 7, the polymer layer 32 is coated on the separation layer 20 (S22). The polymer layer 32 may include a polyimide, a polyethylene naphthalate, a polycarbonate, a polyether sulfone, or a polyethyleneterephthalate. The polymer layer 32 may be provided on the separation layer 20 after being heated to a temperature higher than the melting point. Alternatively, the polymer layer 32 may be melted on the separation layer 20.

도 3 및 도 8을 참조하면, 상기 고분자 층(32)을 경화시켜 상기 유연 기판(30)으로 형성한다(S24). 상기 고분자 층(32)은 융점 이하로 냉각되면 경화될 수 있다. 상기 유연 기판(30)은 상기 고분자 층(32)의 경화(hardening) 및/또는 고화(solidification) 중에 상기 분리 층(20)과 접합 및/또는 접착될 수 있다. Referring to FIGS. 3 and 8, the polymer layer 32 is cured to form the flexible substrate 30 (S24). The polymer layer 32 can be cured when it is cooled below the melting point. The flexible substrate 30 may be bonded and / or bonded to the separating layer 20 during hardening and / or solidification of the polymer layer 32.

도 11을 참조하면, 상기 고분자 층(32)이 폴리이미드일 경우, 상기 유연 기판(30)은 상기 제 1 접착력(16)보다 작은 제 2 접착력(18)을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 접착력(18)은 0.9Jm-2일 수 있다. 상기 제 2 접착력(18)은 상기 분리 층(20)과 상기 유연 기판(30) 사이의 반데르발스 결합력이고, 상기 기계적 박리법으로 측정될 수 있다. 상기 제 2 접착력(18)은 약 0.9Jm-2 내지 약 1.7Jm- 2미만일 수 있다.Referring to FIG. 11, when the polymer layer 32 is polyimide, the flexible substrate 30 may have a second adhesive force 18 that is smaller than the first adhesive force 16. For example, the second adhesive force 18 may be 0.9 Jm -2 . The second adhesive force 18 is a van der Waals bonding force between the separation layer 20 and the flexible substrate 30 and can be measured by the mechanical peeling method. The second adhesive 18 is about -2 to about 0.9Jm 1.7Jm - may be less than 2.

다시, 도 1 및 도 9를 참조하면, 상기 유연 기판(30) 상에 표시소자 층(40)을 형성한다. 상기 표시소자 층(40)은 발광 소자들을 포함할 수 있다. 도시되지는 않았지만, 상기 표시소자 층(40)의 상기 발광 소자는 하부 전극, 상기 하부 전극 상의 전공 주입 층, 상기 전공주입 층 상의 전공수송 층, 상기 전공수송 층 상의 유기발광 층, 상기 유기 발광층 상의 전자수송 층, 상기 전자수송 층 상의 전자주입 층, 및 상기 전자주입 층 상의 상부 전극을 포함할 수 있다. 하부 전극과 상부 전극 사이에 직류 전압이 제공되면, 상기 유기발광 층은 광을 방출할 수 있다. 상기 광의 색상은 상기 유기발광 층의 종류에 따라 결정될 수 있다. Referring again to FIGS. 1 and 9, a display element layer 40 is formed on the flexible substrate 30. The display element layer 40 may include light emitting elements. Although not shown, the light emitting element of the display element layer 40 may include a lower electrode, an electron injection layer on the lower electrode, an electron transport layer on the electron injection layer, an organic light emitting layer on the electron transport layer, An electron transport layer, an electron injection layer on the electron transport layer, and an upper electrode on the electron injection layer. When a DC voltage is provided between the lower electrode and the upper electrode, the organic light emitting layer may emit light. The hue of the light may be determined according to the type of the organic light emitting layer.

도 1 및 도 10을 참조하면, 상기 분리 층(20)을 제거한다(S40). 상기 분리 층(20)은 기계적 박리법에 의해 상기 유연 기판(30)으로부터 분리될 수 있다. 표시장치(100)의 제조 공정은 완료될 수 있다. 상기 분리 층(20)은 상기 제 1 접착력(16)보다 낮고 상기 제 2 접착력(18)보다 높은 외력을 사용하여 상기 유연 기판(30)으로부터 분리될 수 있다. 상기 외력은 약 0.9Jm-2 내지 약 1.6Jm-2일 수 있다. 상기 지지 기판(10)은 상기 분리 층(20)과 함께 제거될 수 있다. 유연 기판(30)이 분리될 경우, 지지 기판(10) 상에 형성된 분리 층(20)은 지지 기판(10) 상에 잔존(being)할 수 있다.Referring to FIGS. 1 and 10, the separation layer 20 is removed (S40). The separation layer 20 may be separated from the flexible substrate 30 by a mechanical peeling method. The manufacturing process of the display apparatus 100 can be completed. The separation layer 20 can be separated from the flexible substrate 30 using an external force lower than the first adhesive force 16 and higher than the second adhesive force 18. [ The external force may be about 0.9 Jm -2 to about 1.6 Jm -2 . The support substrate 10 may be removed together with the separation layer 20. When the flexible substrate 30 is separated, the separation layer 20 formed on the support substrate 10 may remain on the support substrate 10. [

도 12는 도 1의 분리 층(20)을 형성하는 단계(S10)와 분리 층(20)을 제거하는 단계(S40)에서의 지지 기판(10) 상의 분리 층(20)의 제 1 라만 피크들(17)과 제 2 라만 피크들(19)을 보여준다.Figure 12 shows the first Raman peaks of the separation layer 20 on the support substrate 10 in the step of forming the separation layer 20 of Figure 1 and the step of removing the separation layer 20 (17) and second Raman peaks (19).

도 12를 참조하면, 분리 층(20)을 형성하는 단계(S10)에서의 지지 기판(10)의 제 1 라만 피크들(17)과 분리 층(20)을 제거하는 단계(S40)에서의 지지 기판(10)의 제 2 라만 피크들(19)은 서로 동일한 세기와 모양을 가질 수 있다. 제 1 라만 피크들(17)은 분리 층(20)을 형성하는 단계(S10)에서의 지지 기판(10) 상의 분리 층(20)으로부터 측정될 수 있다. 제 2 라만 피크들(19)은 분리 층(20)을 제거하는 단계(S40)에서의 지지 기판(10) 상의 분리 층(20)으로부터 측정될 수 있다. 분리 층(20)은 지지 기판(10) 상에 형성될 때부터 유연 기판(30)이 분리될 때까지 상기 지지 기판(10)에 계속 접착될 수 있다. 상기 분리 층(20)은 상기 지지 기판(10)으로부터 분리되지 않을 수 있다. 따라서, 상기 유연 기판(30)은 잔류물 없이 상기 분리 층(20)으로부터 분리될 수 있다. 12, the first Raman peaks 17 of the support substrate 10 in the step of forming the separation layer 20 (step S10) and the step (S40) of removing the separation layer 20 The second Raman peaks 19 of the substrate 10 may have the same intensity and shape. The first Raman peaks 17 can be measured from the isolation layer 20 on the support substrate 10 in step S10 forming the isolation layer 20. The second Raman peaks 19 can be measured from the separation layer 20 on the support substrate 10 in step S40 of removing the separation layer 20. The separation layer 20 can be continuously adhered to the support substrate 10 until it is formed on the support substrate 10 until the flexible substrate 30 is separated. The separation layer 20 may not be separated from the support substrate 10. Thus, the flexible substrate 30 can be separated from the separation layer 20 without residue.

이후, 분리 층(20)이 지지 기판(10)으로부터 분리되지 않기 때문에 유연 기판(30)을 형성하는 단계(S20), 표시 소자 층(40)을 형성하는 단계(S30) 및 분리 층(20)을 제거하는 단계(S40)는 분리 층(20)을 형성하는 단계(S10)없이 반복적으로 수행될 수 있다. Since the separation layer 20 is not separated from the supporting substrate 10, the formation of the flexible substrate 30 (S20), the formation of the display element layer 40 (S30) and the separation layer 20 (S40) may be repeatedly performed without forming the separation layer 20 (S10).

도 13은 도 1의 상기 유연 기판(30)을 형성하는 단계(S20a)의 일 예를 보여준다. 도 14 및 도 15는 도 13의 유연 기판(30)을 형성하는 단계(S20a)를 보여주는 공정 단면도들이다.FIG. 13 shows an example of the step (S20a) of forming the flexible substrate 30 of FIG. Figs. 14 and 15 are process sectional views showing a step S20a of forming the flexible substrate 30 of Fig.

도 13 내지 도 15를 참조하면, 유연 기판(30)을 형성하는 단계(S20a)는 제 2 유체(22)를 제공하는 단계(S26), 상기 유연 기판(30)을 제공하는 단계(S27), 및 상기 제 2 유체(22)를 건조하는 단계(S28)를 포함할 수 있다. 13 to 15, the step S20a of forming the flexible substrate 30 includes the step S26 of providing the second fluid 22, the step S27 of providing the flexible substrate 30, And drying the second fluid 22 (S28).

도 13 및 도 14를 참조하면, 상기 분리 층(20) 상에 상기 제 2 유체(22)를 제공한다(S26). 상기 제 2 유체(22)는 제 1 유체(12)와 동일할 수 있다. 상기 제 2 유체(22)는 탈 이온수의 물 또는 수증기를 포함할 수 있다. Referring to FIGS. 13 and 14, the second fluid 22 is provided on the separation layer 20 (S26). The second fluid 22 may be the same as the first fluid 12. The second fluid 22 may comprise water or water vapor of deionized water.

도 13 및 도 15를 참조하면, 제 2 유체(22) 상에 상기 유연 기판(30)을 제공한다(S27). 상기 유연 기판(30)은 열 가소성의 플라스틱 기판을 포함할 수 있다. Referring to FIGS. 13 and 15, the flexible substrate 30 is provided on the second fluid 22 (S27). The flexible substrate 30 may include a thermoplastic plastic substrate.

도 8 및 도 13을 참조하면, 상기 제 2 유체(22)를 건조하여 상기 분리 층(20) 상에 상기 유연 기판(30)을 접착한다(S28). 상기 제 2 유체(22)의 건조 속도는 압력 및 온도에 따라 결정될 수 있다. 압력이 상압보다 낮은 진공 상태의 저압일 경우, 상기 분리 층(20)과 상기 유연 기판(30) 사이의 상기 제 2 유체(22)은 빠르게 제거될 수 있다. 또한, 상기 지지 기판(10)이 고온으로 가열될 경우, 상기 분리 층(20)과 상기 유연 기판(30) 사이의 상기 제 2 유체(22)은 제거될 수 있다. 상기 유연 기판(30)은 융점 이하로 가열될 수 있다. 예를 들어, 상기 유연 기판(30)은 약 165℃이하로 가열될 수 있다. 상기 제 2 유체(22)가 증발되면, 상기 유연 기판(30)은 냉각될 수 있다 이 과정에서 상기 유연 기판(30)은 상기 분리 층(20) 상에 접합 및/또는 접착될 수 있다. 상기 분리 층(20)과 상기 유연 기판(30)은 반데르발스 결합력의 제 2 접착력(18)을 가질 수 있다. 상기 제 2 접착력(18)은 C-O 공유 결합의 결합력의 제 1 접착력(16)보다 작을 수 있다. Referring to FIGS. 8 and 13, the second fluid 22 is dried to adhere the flexible substrate 30 to the separation layer 20 (S28). The drying rate of the second fluid 22 may be determined according to the pressure and the temperature. The second fluid 22 between the separation layer 20 and the flexible substrate 30 can be quickly removed when the pressure is a low pressure state in a vacuum state lower than normal pressure. In addition, when the support substrate 10 is heated to a high temperature, the second fluid 22 between the separation layer 20 and the flexible substrate 30 can be removed. The flexible substrate 30 can be heated to a temperature below the melting point. For example, the flexible substrate 30 may be heated to about 165 캜 or less. When the second fluid 22 is evaporated, the flexible substrate 30 may be cooled. In this process, the flexible substrate 30 may be bonded and / or bonded onto the separation layer 20. The separation layer 20 and the flexible substrate 30 may have a second adhesive force 18 of Van der Waals bonding force. The second adhesive force 18 may be less than the first adhesive force 16 of the bonding force of the C-O covalent bond.

도 16은 본 발명의 일 예에 따른 표시장치의 제조방법을 보여준다. 도 17 내지 도 20은 도 16의 표시장치(100)의 제조방법을 보여주는 공정 단면도들이다.16 shows a manufacturing method of a display device according to an example of the present invention. 17 to 20 are process sectional views showing a manufacturing method of the display device 100 of FIG.

도 16을 참조하면, 표시장치(100)의 제조방법은 접착 층을 형성하는 단계(S18)를 포함할 수 있다. 분리 층(20)을 형성하는 단계(S10)는 도 1 및 도 2와 동일할 수 있다.Referring to Fig. 16, the manufacturing method of the display device 100 may include forming an adhesive layer (S18). The step S10 of forming the separation layer 20 may be the same as in Figs.

도 16 및 도 17을 참조하면, 분리 층(20) 상에 접착 층(15)을 형성한다(S18). 상기 접착 층(15)은 포토레지스트를 포함할 수 있다. 상기 접착 층(15)는 스핀 코팅 방법으로 상기 분리 층(20) 상에 형성될 수 있다.16 and 17, an adhesive layer 15 is formed on the separation layer 20 (S18). The adhesive layer 15 may comprise a photoresist. The adhesive layer 15 may be formed on the separation layer 20 by a spin coating method.

도 16 및 도 18을 참조하면, 상기 접착 층(15) 상에 상기 유연 기판(30)을 형성한다(S21). 상기 유연 기판(30)은 상기 접착 층(15)의 건조 공정 및/또는 베이킹 공정에 의해 상기 접착 층(15)에 접합 및/또는 접착될 수 있다.16 and 18, the flexible substrate 30 is formed on the adhesive layer 15 (S21). The flexible substrate 30 may be bonded and / or bonded to the adhesive layer 15 by a drying process and / or a baking process of the adhesive layer 15.

도 16 및 도 19를 참조하면, 상기 유연 기판(30) 상에 표시소자 층(40)을 형성한다(S31). 16 and 19, a display element layer 40 is formed on the flexible substrate 30 (S31).

도 16 및 도 20을 참조하면, 상기 접착 층(15)을 제거하여 상기 유연 기판(30)으로부터 상기 분리 층(20)을 제거한다(S41). 표시장치(100)의 제조 공정은 완료될 수 있다. 상기 접착 층(15)은 접착 작용기를 갖는 모노머와, UV에 감광되는 광 개시제를 갖는 고분자를 포함할 수 있다. 상기 접착 층(15)은 자외선에 의해 감광될 수 있다. 상기 감광된 접착 층(15)은 현상액에 의해 제거될 수 있다. 상기 분리 층(20)과 지지 기판(10)은 상기 유연 기판(30)으로부터 쉽게 분리될 수 있다. 16 and 20, the separation layer 20 is removed from the flexible substrate 30 by removing the adhesive layer 15 (S41). The manufacturing process of the display apparatus 100 can be completed. The adhesive layer 15 may comprise a monomer having an adhesive functional group and a polymer having a photo initiator which is exposed to UV light. The adhesive layer 15 may be exposed to ultraviolet light. The photosensitive adhesive layer 15 can be removed by a developing solution. The separation layer 20 and the support substrate 10 can be easily separated from the flexible substrate 30.

이상, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood. It is therefore to be understood that the embodiments described above are illustrative in all aspects and not restrictive.

Claims (9)

지지 기판 상에 제 1 접착력을 갖는 분리 층을 형성하는 단계;
상기 분리 층 상에 상기 제 1 접착력보다 낮은 제 2 접착력을 갖는 유연 기판을 형성하는 단계;
상기 유연 기판 상에 표시소자 층을 형성하는 단계; 및
상기 유연 기판으로부터 상기 분리 층을 제거하는 단계를 포함하되,
상기 분리 층은 그래핀 층을 포함하는 표시장치의 제조방법.
Forming a separation layer having a first adhesive force on the support substrate;
Forming a flexible substrate having a second adhesive force lower than the first adhesive force on the separation layer;
Forming a display element layer on the flexible substrate; And
Removing the separation layer from the flexible substrate,
Wherein the separation layer comprises a graphene layer.
제 1 항에 있어서,
상기 분리 층을 형성하는 단계는:
상기 그래핀 층을 상기 지지 기판 상에 제공하는 단계;
상기 그래핀 층 상에 제 1 유체를 제공하여 상기 분리 층과 상기 지지 기판 사이에 상기 제 1 유체를 침투시키는 단계; 및
상기 제 1 유체를 건조하여 상기 지지 기판에 상기 그래핀 층을 접합하는 단계를 포함하는 표시장치의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein forming the isolation layer comprises:
Providing the graphene layer on the support substrate;
Providing a first fluid on the graphene layer to penetrate the first fluid between the separation layer and the support substrate; And
And drying the first fluid to bond the graphene layer to the support substrate.
제 2 항에 있어서,
상기 유연 기판은 플라스틱 기판을 포함하되,
상기 유연 기판을 형성하는 단계는:
상기 그래핀 층 상에 제 2 유체를 제공하는 단계;
상기 제 2 유체 상에 상기 플라스틱 기판을 제공하는 단계; 및
상기 제 2 유체를 건조하여 상기 제 2 접착력으로 상기 그래핀 층 상에 상기 플라스틱 기판을 접합하는 단계를 포함하는 표시장치의 제조방법.
3. The method of claim 2,
Wherein the flexible substrate comprises a plastic substrate,
Wherein forming the flexible substrate comprises:
Providing a second fluid on the graphene layer;
Providing the plastic substrate on the second fluid; And
And drying the second fluid to bond the plastic substrate to the graphene layer with the second adhesive force.
제 3 항에 있어서,
상기 제 1 및 상기 제 2 유체들은 탈이온 수를 포함하는 표시장치의 제조방법.
The method of claim 3,
Wherein the first and second fluids comprise deionized water.
제 3 항에 있어서,
상기 제 2 유체는 상기 제 1 유체의 건조 온도 보다 낮은 온도로 건조되는 표시장치의 제조방법.
The method of claim 3,
Wherein the second fluid is dried at a temperature lower than the drying temperature of the first fluid.
제 3 항에 있어서,
상기 제 1 유체를 건조하는 단계는 상기 지지 기판을 1200℃ 내지 1400℃로 가열하는 단계를 포함하되,
상기 제 2 유체를 건조하는 단계는 상기 지지 기판을 165도이하로 가열하는 단계를 포함하는 표시장치의 제조 방법.
The method of claim 3,
Wherein the drying of the first fluid comprises heating the support substrate to 1200 占 폚 to 1400 占 폚,
Wherein the drying of the second fluid comprises heating the support substrate to below 165 degrees.
제 1 항에 있어서,
상기 유연 기판을 형성하는 단계는:
상기 그래핀 층 상에 고분자 층을 코팅하는 단계; 및
상기 고분자 층을 경화하여 상기 그래핀 층 상에 상기 유연 기판을 접합하는 단계를 포함하는 표시장치의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein forming the flexible substrate comprises:
Coating a polymer layer on the graphene layer; And
And curing the polymer layer to bond the flexible substrate to the graphene layer.
제 7 항에 있어서,
상기 고분자 층은 폴리 이미드, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리에테르설폰, 또는 폴리에틸렌에테르프탈레이트를 포함하는 표시장치의 제조방법.
8. The method of claim 7,
Wherein the polymer layer comprises polyimide, polyethylene naphthalate, polycarbonate, polyethersulfone, or polyethylene ether phthalate.
제 1 항에 있어서,
상기 그래핀 층과 상기 유연 기판 사이에 접착 층을 형성하는 단계; 및
상기 표시 소자 층의 형성 후, 상기 접착 층을 자외선으로 노광하는 단계를 더 포함하되,
상기 접착 층은 상기 자외선과 반응하는 광 개시제를 포함하는 표시장치의 제조방법.
The method according to claim 1,
Forming an adhesive layer between the graphene layer and the flexible substrate; And
Further comprising the step of exposing the adhesive layer to ultraviolet light after formation of the display element layer,
Wherein the adhesive layer comprises a photoinitiator that reacts with the ultraviolet light.
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