KR20180132031A - Conductive material and connection structure - Google Patents

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다까시 구보따
게이조 니시오까
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세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 접속되어야 할 전극 사이에 땜납을 효율적으로 배치할 수 있어, 도통 신뢰성 및 절연 신뢰성을 높일 수 있는 도전 재료를 제공한다. 본 발명에 관한 도전 재료는, 도전부의 외표면 부분에 땜납을 갖는 복수의 제1 도전성 입자와, 도전부의 외표면 부분에 은, 루테늄, 이리듐, 금, 팔라듐 또는 백금을 갖는 제2 도전성 입자와, 열경화성 화합물과, 열경화제를 포함한다.The present invention provides a conductive material capable of efficiently disposing solder between electrodes to be connected and capable of improving conduction reliability and insulation reliability. The conductive material according to the present invention includes a plurality of first conductive particles having solder on the outer surface portion of the conductive portion and a second conductive particle having silver, ruthenium, iridium, gold, palladium or platinum on the outer surface portion of the conductive portion, A thermosetting compound, and a thermosetting agent.

Description

도전 재료 및 접속 구조체Conductive material and connection structure

본 발명은 땜납을 갖는 도전성 입자를 포함하는 도전 재료에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 도전 재료를 사용한 접속 구조체에 관한 것이다.The present invention relates to a conductive material comprising conductive particles having solder. The present invention also relates to a connection structure using the conductive material.

이방성 도전 페이스트 및 이방성 도전 필름 등의 이방성 도전 재료가 널리 알려져 있다. 상기 이방성 도전 재료에서는, 결합제 중에 도전성 입자가 분산되어 있다. 상기 이방성 도전 재료에 있어서의 땜납 입자의 함유량은, 예를 들어 80중량% 이하이다.Anisotropic conductive paste such as anisotropic conductive paste and anisotropic conductive film are widely known. In the anisotropic conductive material, the conductive particles are dispersed in the binder. The content of the solder particles in the anisotropic conductive material is, for example, 80% by weight or less.

상기 이방성 도전 재료는 각종 접속 구조체를 얻기 위해, 예를 들어 플렉시블 프린트 기판과 유리 기판의 접속(FOG(Film on Glass)), 반도체 칩과 플렉시블 프린트 기판의 접속(COF(Chip on Film)), 반도체 칩과 유리 기판의 접속(COG(Chip on Glass)), 그리고 플렉시블 프린트 기판과 유리 에폭시 기판의 접속(FOB(Film on Board)) 등에 사용되고 있다.The anisotropic conductive material can be used for various connection structures, for example, a flexible printed circuit board and a glass substrate (FOG (Film on Glass), a semiconductor chip and a flexible printed circuit (COF (Chip on Film) (COG (Chip on Glass)) connection between a chip and a glass substrate, and connection (FOB (Film on Board)) between a flexible printed substrate and a glass epoxy substrate.

상기 이방성 도전 재료에 의해, 예를 들어 플렉시블 프린트 기판의 전극과 유리 에폭시 기판의 전극을 전기적으로 접속할 때에는, 유리 에폭시 기판 위에, 도전성 입자를 포함하는 이방성 도전 재료를 배치한다. 이어서, 플렉시블 프린트 기판을 적층하고, 가열 및 가압한다. 이에 의해, 이방성 도전 재료를 경화시키고, 도전성 입자를 통해 전극 사이를 전기적으로 접속하여, 접속 구조체를 얻는다.For example, when an electrode of a flexible printed circuit board and an electrode of a glass epoxy substrate are electrically connected by the anisotropic conductive material, an anisotropic conductive material containing conductive particles is disposed on a glass epoxy substrate. Subsequently, the flexible printed circuit board is laminated and heated and pressed. Thereby, the anisotropic conductive material is cured, and the electrodes are electrically connected through the conductive particles to obtain a connection structure.

상기 이방성 도전 재료의 일례로서, 하기의 특허문헌 1에는 도전성 입자와, 상기 도전성 입자의 융점에서 경화가 완료되지 않는 수지 성분을 포함하는 이방성 도전 재료가 기재되어 있다. 상기 도전성 입자로서는, 구체적으로는, 주석(Sn), 인듐(In), 비스무트(Bi), 은(Ag), 구리(Cu), 아연(Zn), 납(Pb), 카드뮴(Cd), 갈륨(Ga) 및 탈륨(Tl) 등의 금속이나, 이들의 금속의 합금을 들 수 있다.As an example of the anisotropic conductive material, Patent Document 1 below discloses an anisotropic conductive material containing conductive particles and a resin component that is not completely cured at the melting point of the conductive particles. Specific examples of the conductive particles include tin (Sn), indium (In), bismuth (Bi), silver (Ag), copper (Cu), zinc (Zn), lead (Pb), cadmium (Cd) (Ga) and thallium (Tl), and alloys of these metals.

특허문헌 1에서는, 상기 도전성 입자의 융점보다도 높고, 또한 상기 수지 성분의 경화가 완료되지 않는 온도로, 이방성 도전 재료를 가열하는 수지 가열 스텝과, 상기 수지 성분을 경화시키는 수지 성분 경화 스텝을 거쳐서, 전극 사이를 전기적으로 접속하는 것이 기재되어 있다. 또한, 특허문헌 1에는 특허문헌 1의 도 8에 나타낸 온도 프로파일에서 실장을 행하는 것이 기재되어 있다. 특허문헌 1에서는 이방성 도전 재료가 가열되는 온도에서 경화가 완료되지 않는 수지 성분 내에서, 도전성 입자가 용융된다.Patent Document 1 discloses a resin heating step of heating an anisotropic conductive material at a temperature higher than the melting point of the conductive particles and not curing the resin component and a resin component curing step of curing the resin component, And the electrodes are electrically connected to each other. In addition, Patent Document 1 describes that mounting is performed in accordance with the temperature profile shown in Fig. 8 of Patent Document 1. In Patent Document 1, the conductive particles are melted in the resin component in which curing is not completed at the temperature at which the anisotropic conductive material is heated.

하기의 특허문헌 2에는 땜납 분말과, 플럭스가 혼합된 솔더 페이스트가 개시되어 있다. 상기 플럭스는 폴리알킬메타크릴레이트를 1질량% 이상 2질량% 이하 포함한다. 상기 플럭스는 스테아르산아미드를 5질량% 이상 15질량% 미만 포함한다. 상기 솔더 페이스트의 점도는 50㎩·s 이상 150㎩·s 이하이다.The following Patent Document 2 discloses a solder paste in which solder powder and flux are mixed. The flux contains 1% by mass or more and 2% by mass or less of polyalkyl methacrylate. The flux includes stearic acid amide in an amount of 5 mass% or more and less than 15 mass%. The viscosity of the solder paste is not less than 50Pa s and not more than 150Pa s.

일본 특허 공개 제2004-260131호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-260131 일본 특허 공개 제2013-132654호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2013-132654

종래의 이방성 도전 재료에서는 접속되어야 할 상하의 전극 사이에 효율적으로 배치할 수 없는 경우가 있다. 종래의 이방성 도전 재료에서는, 경화 시에, 땜납의 전극 위으로의 이동 속도가 느리고, 땜납이 전극 위로 충분히 이동하기 전에, 점도가 상승하여, 땜납이 전극이 없는 영역에 잔존하기 쉽다는 문제가 있다.The conventional anisotropic conductive material may not be efficiently arranged between the upper and lower electrodes to be connected. In the conventional anisotropic conductive material, there is a problem that when the curing is carried out, the moving speed of the solder on the electrode is slow and the viscosity is elevated before the solder sufficiently moves on the electrode, so that the solder tends to remain in the region free of electrodes .

본 발명의 목적은, 접속되어야 할 전극 사이에 땜납을 효율적으로 배치할 수 있어, 도통 신뢰성 및 절연 신뢰성을 높일 수 있는 도전 재료를 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 목적은 상기 도전 재료를 사용한 접속 구조체를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a conductive material capable of efficiently disposing solder between electrodes to be connected and capable of improving conduction reliability and insulation reliability. It is also an object of the present invention to provide a connection structure using the conductive material.

본 발명의 넓은 국면에 의하면, 도전부의 외표면 부분에 땜납을 갖는 복수의 제1 도전성 입자와, 도전부의 외표면 부분에 은, 루테늄, 이리듐, 금, 팔라듐 또는 백금을 갖는 제2 도전성 입자와, 열경화성 화합물과, 열경화제를 포함하는, 도전 재료가 제공된다.According to a broad aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device comprising a plurality of first conductive particles each having solder on an outer surface portion of a conductive portion, a second conductive particle having silver, ruthenium, iridium, gold, palladium or platinum on an outer surface portion of the conductive portion, A conductive material comprising a thermosetting compound and a thermosetting agent is provided.

본 발명에 관한 도전 재료의 어느 특정한 국면에서는, 상기 제2 도전성 입자가, 도전부의 외표면 부분에 금, 팔라듐 또는 백금을 갖는다.In a specific aspect of the conductive material according to the present invention, the second conductive particles have gold, palladium or platinum on the outer surface portion of the conductive portion.

본 발명에 관한 도전 재료의 어느 특정한 국면에서는, 상기 제1 도전성 입자에 있어서의 땜납의 융점에서의 도전 재료의 점도가 2㎩·s 이상 10㎩·s 이하이다.In a specific aspect of the conductive material according to the present invention, the viscosity of the conductive material at the melting point of the solder in the first conductive particle is not less than 2Pa s and not more than 10Pa s.

본 발명에 관한 도전 재료의 어느 특정한 국면에서는, 상기 제2 도전성 입자의 평균 입자 직경이, 상기 제1 도전성 입자의 평균 입자 직경보다도 작다.In a specific aspect of the conductive material according to the present invention, the average particle diameter of the second conductive particles is smaller than the average particle diameter of the first conductive particles.

본 발명에 관한 도전 재료의 어느 특정한 국면에서는, 상기 제2 도전성 입자의 함유량이 10중량% 이하이다.In a specific aspect of the conductive material according to the present invention, the content of the second conductive particles is 10% by weight or less.

본 발명에 관한 도전 재료의 어느 특정한 국면에서는, 상기 제1 도전성 입자의 함유량의 상기 제2 도전성 입자의 함유량에 대한 비가, 중량 기준으로 3 이상 80 이하이다.In a specific aspect of the conductive material according to the present invention, the ratio of the content of the first conductive particles to the content of the second conductive particles is 3 or more and 80 or less based on the weight.

본 발명에 관한 도전 재료의 어느 특정한 국면에서는, 상기 열경화성 화합물이, 25℃에서 액상인 열경화성 화합물을 포함한다.In a specific aspect of the conductive material according to the present invention, the thermosetting compound includes a thermosetting compound that is liquid at 25 占 폚.

본 발명에 관한 도전 재료의 어느 특정한 국면에서는, 상기 열경화성 화합물이, 폴리에테르 골격을 갖는 열경화성 화합물을 포함한다.In a specific aspect of the conductive material according to the present invention, the thermosetting compound includes a thermosetting compound having a polyether skeleton.

본 발명에 관한 도전 재료의 어느 특정한 국면에서는, 융점이 50℃ 이상 190도 이하인 플럭스를 포함한다.In a specific aspect of the conductive material according to the present invention, the flux includes a flux having a melting point of 50 DEG C or more and 190 DEG C or less.

본 발명에 관한 도전 재료의 어느 특정한 국면에서는, 상기 제1 도전성 입자의 외표면에 카르복실기 또는 아미노기가 존재한다.In a specific aspect of the conductive material according to the present invention, a carboxyl group or an amino group is present on the outer surface of the first conductive particles.

본 발명에 관한 도전 재료의 어느 특정한 국면에서는, 상기 제1 도전성 입자가, 중심 부분 및 외표면 부분에 땜납을 갖는 땜납 입자이다.In a specific aspect of the conductive material according to the present invention, the first conductive particles are solder particles having a solder in the center portion and the outer surface portion.

본 발명에 관한 도전 재료의 어느 특정한 국면에서는, 상기 제1 도전성 입자의 표면 및 상기 제2 도전성 입자의 표면의 어디에도 부착되어 있지 않은 절연성 입자를 포함한다.In a specific aspect of the conductive material according to the present invention, the surface of the first conductive particles and the insulating particles not attached to the surface of the second conductive particles are included.

본 발명의 넓은 국면에 의하면, 적어도 하나의 제1 전극을 표면에 갖는 제1 접속 대상 부재와, 적어도 하나의 제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재와, 상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 구비하며, 상기 접속부의 재료가, 상술한 도전 재료이고, 상기 접속부가, 경화물부와, 땜납부와, 상기 제2 도전성 입자를 갖고, 상기 땜납부 내에 상기 제2 도전성 입자가 배치되어 있고, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 상기 접속부 중의 땜납부에 의해 전기적으로 접속되어 있는, 접속 구조체가 제공된다.According to a broad aspect of the present invention, there is provided a display device comprising: a first connection object member having at least one first electrode on its surface; a second connection object member having at least one second electrode on a surface; And a connection portion connecting the second connection target member, wherein the material of the connection portion is the above-described conductive material, and the connection portion has a cured product portion, a solder portion, and the second conductive particles, And the first electrode and the second electrode are electrically connected to each other by the solder portion in the connection portion.

본 발명의 넓은 국면에 의하면, 적어도 하나의 제1 전극을 표면에 갖는 제1 접속 대상 부재와, 적어도 하나의 제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재와, 상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 구비하며, 상기 접속부가, 경화물부와, 땜납부와, 도전부의 외표면 부분에 은, 루테늄, 이리듐, 금, 팔라듐 또는 백금을 갖는 제2 도전성 입자를 갖고, 상기 땜납부 내에 상기 제2 도전성 입자가 배치되어 있고, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 상기 접속부 중의 땜납부에 의해 전기적으로 접속되어 있는, 접속 구조체가 제공된다.According to a broad aspect of the present invention, there is provided a display device comprising: a first connection object member having at least one first electrode on its surface; a second connection object member having at least one second electrode on a surface; And a connecting portion connecting the second connection target member, wherein the connecting portion includes a cured product, a solder portion, and a second conductive particle having silver, ruthenium, iridium, gold, palladium or platinum on the outer surface portion of the conductive portion Wherein the second conductive particles are disposed in the solder portion, and the first electrode and the second electrode are electrically connected by the solder portion in the connection portion.

본 발명에 관한 접속 구조체의 어느 특정한 국면에서는, 상기 제2 도전성 입자가, 도전부의 외표면 부분에 금, 팔라듐 또는 백금을 갖는다.In a specific aspect of the connection structure according to the present invention, the second conductive particles have gold, palladium or platinum on the outer surface portion of the conductive portion.

본 발명에 관한 접속 구조체의 어느 특정한 국면에서는, 상기 제1 전극과 상기 접속부와 상기 제2 전극의 적층 방향으로 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 서로 대향하는 부분을 보았을 때에, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 서로 대향하는 부분의 면적 100% 중의 50% 이상에, 상기 접속부 중의 땜납부가 배치되어 있다.In a specific aspect of the connection structure according to the present invention, when the mutually opposing portions of the first electrode and the second electrode in the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode are viewed, And the solder portion in the connection portion is disposed at 50% or more of the area 100% of the portions facing each other of the second electrode.

본 발명에 관한 도전 재료는, 도전부의 외표면 부분에 땜납을 갖는 복수의 제1 도전성 입자와, 도전부의 외표면 부분에 은, 루테늄, 이리듐, 금, 팔라듐 또는 백금을 갖는 제2 도전성 입자와, 열경화성 화합물과, 열경화제를 포함하므로, 접속되어야 할 전극 사이에, 땜납을 효율적으로 배치할 수 있어, 도통 신뢰성 및 절연 신뢰성을 높일 수 있다.The conductive material according to the present invention includes a plurality of first conductive particles having solder on the outer surface portion of the conductive portion and a second conductive particle having silver, ruthenium, iridium, gold, palladium or platinum on the outer surface portion of the conductive portion, Since the thermosetting compound and the thermosetting agent are contained, the solder can be efficiently disposed between the electrodes to be connected, and conduction reliability and insulation reliability can be improved.

본 발명에 관한 접속 구조체는, 적어도 하나의 제1 전극을 표면에 갖는 제1 접속 대상 부재와, 적어도 하나의 제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재와, 상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 구비하며, 상기 접속부가, 경화물부와, 땜납부와, 도전부의 외표면 부분에 은, 루테늄, 이리듐, 금, 팔라듐 또는 백금을 갖는 제2 도전성 입자를 갖고, 상기 땜납부 내에 상기 제2 도전성 입자가 배치되어 있고, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 상기 접속부 중의 땜납부에 의해 전기적으로 접속되어 있으므로, 도통 신뢰성 및 절연 신뢰성을 높일 수 있다.A connection structure according to the present invention includes a first connection target member having at least one first electrode on its surface, a second connection target member having at least one second electrode on its surface, And a connecting portion connecting the second connection target member, wherein the connecting portion includes a cured product, a solder portion, and a second conductive particle having silver, ruthenium, iridium, gold, palladium or platinum on the outer surface portion of the conductive portion The second conductive particles are disposed in the solder portion, and the first electrode and the second electrode are electrically connected to each other by the solder portion in the connection portion, so that conduction reliability and insulation reliability can be improved.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 도전 재료를 사용하여 얻어지는 접속 구조체를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2의 (a) 내지 (c)는 본 발명의 일 실시 형태에 관한 도전 재료를 사용하여, 접속 구조체를 제조하는 방법의 일례의 각 공정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 접속 구조체의 변형예를 나타내는 단면도이다.
도 4는 도전 재료에 사용 가능한 제1 도전성 입자의 제1 예를 나타내는 단면도이다.
도 5는 도전 재료에 사용 가능한 제1 도전성 입자의 제2 예를 나타내는 단면도이다.
도 6은 도전 재료에 사용 가능한 제1 도전성 입자의 제3 예를 나타내는 단면도이다.
1 is a cross-sectional view schematically showing a connection structure obtained by using a conductive material according to an embodiment of the present invention.
2 (a) to 2 (c) are cross-sectional views for explaining respective steps of a method of manufacturing a connection structure using a conductive material according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view showing a modification of the connection structure.
4 is a cross-sectional view showing a first example of the first conductive particles usable for the conductive material.
5 is a cross-sectional view showing a second example of the first conductive particles usable in the conductive material.
6 is a cross-sectional view showing a third example of the first conductive particles usable in the conductive material.

이하, 본 발명의 상세를 설명한다.Hereinafter, the details of the present invention will be described.

(도전 재료)(Conductive material)

본 발명에 관한 도전 재료는 제1 도전성 입자와, 제2 도전성 입자와, 열경화성 화합물과, 열경화제를 포함한다.The conductive material according to the present invention includes a first conductive particle, a second conductive particle, a thermosetting compound, and a thermosetting agent.

상기 제1 도전성 입자는 도전부를 갖는다. 상기 제1 도전성 입자는 도전부의 외표면 부분에 땜납을 갖는다. 땜납은 도전부에 포함되고, 도전부의 일부 또는 전부이다.The first conductive particle has a conductive portion. The first conductive particles have solder on the outer surface portion of the conductive portion. The solder is contained in the conductive portion, and is part or all of the conductive portion.

상기 제2 도전성 입자는 도전부를 갖는다. 상기 제2 도전성 입자는 도전부의 외표면 부분에 은, 루테늄, 이리듐, 금, 팔라듐 또는 백금을 갖는다. 은, 루테늄, 이리듐, 금, 팔라듐 또는 백금은 도전부에 포함되고, 도전부의 일부 또는 전부이다.The second conductive particle has a conductive portion. The second conductive particles have silver, ruthenium, iridium, gold, palladium or platinum on the outer surface portion of the conductive portion. Silver, ruthenium, iridium, gold, palladium or platinum are included in the conductive part and are part or all of the conductive part.

본 발명에서는 상기의 구성이 구비되어 있으므로, 땜납의 전극 위로의 이동 속도가 빨라져, 접속되어야 할 전극 사이에, 땜납을 효율적으로 배치할 수 있어, 도통 신뢰성 및 절연 신뢰성을 높일 수 있다. 전극 폭 또는 전극간 폭이 좁은 경우에, 전극 위에 땜납을 모으기 어려운 경향이 있지만, 본 발명에서는 전극 폭 또는 전극간 폭이 좁아도, 전극 위에 땜납을 충분히 모을 수 있다. 본 발명에서는 상기한 구성이 구비되어 있으므로, 전극 사이를 전기적으로 접속한 경우에, 땜납이, 상하의 대향하는 전극 사이로 모이기 쉽고, 땜납을 전극(라인) 위에 효율적으로 배치할 수 있다. 또한, 본 발명에서는 전극이 있는 전극 폭이 넓으면, 땜납이 전극 위에 한층 더 효율적으로 배치된다.According to the present invention, since the above structure is provided, the moving speed of the solder over the electrodes is increased, and the solder can be efficiently disposed between the electrodes to be connected, and the reliability of conduction and the reliability of insulation can be improved. When the electrode width or the inter-electrode width is narrow, it tends to be difficult to collect the solder on the electrode. However, in the present invention, even if the electrode width or the inter-electrode width is narrow, the solder can be sufficiently collected on the electrode. According to the present invention, when the electrodes are electrically connected to each other, the solder easily collects between the upper and lower opposing electrodes, and the solder can be efficiently disposed on the electrode (line). Further, in the present invention, when the width of the electrode having the electrode is wide, the solder is more efficiently arranged on the electrode.

상기한 효과가 발현되는 것은 도전 접속 시에, 복수의 제1 도전성 입자 사이에 제2 도전성 입자가 존재함으로써, 제1 도전성 입자가 제2 도전성 입자를 통해 다른 제1 도전성 입자에 가까이 끌어당겨지기 때문이다. 제2 도전성 입자는 도전부의 외표면 부분에 은, 루테늄, 이리듐, 금, 팔라듐 또는 백금을 가지므로, 땜납을 가까이 끌어당기는 작용을 갖는다.The above effect is manifested because the second conductive particles are present between the plurality of first conductive particles at the time of conductive connection so that the first conductive particles are pulled close to the other first conductive particles through the second conductive particles to be. The second conductive particles have silver, ruthenium, iridium, gold, palladium or platinum on the outer surface portion of the conductive portion, so that the second conductive particles have a function of pulling the solder close to each other.

또한, 본 발명에서는 땜납의 일부가, 전극이 형성되어 있지 않은 영역(스페이스)에 배치되기 어렵고, 전극이 형성되어 있지 않은 영역에 배치되는 땜납의 양을 상당히 적게 할 수 있다. 본 발명에서는 대향하는 전극 사이에 위치하고 있지 않은 땜납을, 대향하는 전극 사이로 효율적으로 이동시킬 수 있다. 따라서, 전극간의 도통 신뢰성을 높일 수 있다. 또한, 접속되어서는 안되는 횡방향에 인접하는 전극간의 전기적인 접속을 방지할 수 있고, 절연 신뢰성을 높일 수 있다.Further, in the present invention, a part of the solder is hardly arranged in a region where no electrode is formed (space), and the amount of solder disposed in an area where no electrode is formed can be significantly reduced. According to the present invention, solder not located between opposing electrodes can be efficiently moved between opposing electrodes. Therefore, the conduction reliability between the electrodes can be improved. In addition, it is possible to prevent electrical connection between the adjacent electrodes in the transverse direction which should not be connected, and the insulation reliability can be improved.

또한, 본 발명에서는 전극간의 위치 어긋남을 방지할 수 있다. 본 발명에서는 도전 재료를 상면에 배치한 제1 접속 대상 부재에, 제2 접속 대상 부재를 중첩했을 때에, 제1 접속 대상 부재의 전극과 제2 접속 대상 부재의 전극의 얼라인먼트가 어긋난 상태에서, 제1 접속 대상 부재와 제2 접속 대상 부재가 중첩된 경우라도, 그 어긋남을 보정하고, 제1 접속 대상 부재의 전극과 제2 접속 대상 부재의 전극을 접속시킬 수 있다(셀프 얼라인먼트 효과).Further, in the present invention, positional deviation between electrodes can be prevented. In the present invention, in the state where the electrode of the first connection target member and the electrode of the second connection target member are out of alignment when the second connection target member is superimposed on the first connection target member having the conductive material arranged on the upper surface, Even if the one connection target member and the second connection target member overlap each other, the misalignment can be corrected and the electrodes of the first connection target member and the electrodes of the second connection target member can be connected (self-alignment effect).

땜납을 전극 위에 한층 더 효율적으로 배치하기 위해, 상기 도전 재료는 25℃에서 액상인 것이 바람직하고, 도전 페이스트인 것이 바람직하다. 땜납을 전극 위에 한층 더 효율적으로 배치하기 위해, 상기 도전 재료의 25℃에서의 점도(η25)는 바람직하게는 10㎩·s 이상, 보다 바람직하게는 50㎩·s 이상, 더욱 바람직하게는 100㎩·s 이상이고, 바람직하게는 800㎩·s 이하, 보다 바람직하게는 600㎩·s 이하, 더욱 바람직하게는 500㎩·s 이하이다. 상기 점도(η25)는 배합 성분의 종류 및 배합량에 의해 적절히 조정 가능하다.In order to more effectively arrange the solder on the electrode, the conductive material is preferably liquid at 25 DEG C and is preferably a conductive paste. In order to more effectively arrange the solder on the electrode, the viscosity (? 25) of the conductive material at 25 占 폚 is preferably 10 Pa · s or more, more preferably 50 Pa · s or more, further preferably 100 Pa S or more, preferably 800 Pas or less, more preferably 600 Pas or less, and further preferably 500 Pas or less. The viscosity (? 25) can be appropriately adjusted depending on the type and blending amount of the compounding ingredients.

상기 점도(η25)는, 예를 들어 E형 점도계(도키 산교사제 「TVE22L」) 등을 사용하여, 25℃ 및 5rpm의 조건에서 측정 가능하다.The viscosity (? 25) can be measured at 25 ° C and 5 rpm using, for example, an E-type viscometer ("TVE22L" manufactured by Toki San Pharmaceutical Co., Ltd.).

땜납을 전극 위에 한층 더 효율적으로 배치하기 위해, 상기 제1 도전성 입자에 있어서의 땜납의 융점에서의 도전 재료의 점도(ηmp)는 바람직하게는 2㎩·s 이상, 보다 바람직하게는 3㎩·s 이상, 더욱 바람직하게는 4㎩·s 이상이고, 바람직하게는 10㎩·s 이하, 보다 바람직하게는 9㎩·s 이하, 더욱 바람직하게는 8㎩·s 이하이다. 상기 점도(ηmp)는 배합 성분의 종류 및 배합량으로 적절히 조정 가능하다.In order to more effectively arrange the solder on the electrode, the viscosity of the conductive material at the melting point of the solder in the first conductive particle is preferably 2 Pa s or more, more preferably 3 Pa s More preferably 4 Pa s or more, preferably 10 Pa s or less, more preferably 9 Pa s or less, and further preferably 8 Pa s or less. The viscosity [eta] mp can be appropriately adjusted depending on the type and blending amount of the compounding ingredients.

땜납의 융점은 제1 도전성 입자의 전극 위로의 이동에 영향을 미치기 쉬운 온도이다.The melting point of the solder is a temperature that tends to affect the movement of the first conductive particles over the electrode.

상기 점도(ηmp)는, 예를 들어 STRESSTECH(EOLOGICA사제) 등을 사용하여, 변형 제어 1rad, 주파수 1㎐, 승온 속도 20℃/분, 측정 온도 범위 40℃ 내지 땜납의 융점℃의 조건에서 측정 가능하다. 이 측정에 있어서, 땜납의 융점에서의 점도를 판독한다.The viscosity ηmp can be measured under the conditions of a strain control 1 rad, a frequency of 1 Hz, a temperature raising rate of 20 ° C./minute, a measuring temperature range of 40 ° C. to a melting point of solder ° C. using STRESSTECH (manufactured by EOLOGICA) Do. In this measurement, the viscosity at the melting point of the solder is read.

상기 도전 재료는 도전 페이스트 및 도전 필름 등으로서 사용될 수 있다. 상기 도전 필름은 이방성 도전 필름인 것이 바람직하다. 땜납을 전극 위에 한층 더 효율적으로 배치하는 관점에서는, 상기 도전 재료는 도전 페이스트인 것이 바람직하다. 상기 도전 재료는 전극의 전기적인 접속에 적합하게 사용된다. 상기 도전 재료는 회로 접속 재료인 것이 바람직하다.The conductive material may be used as a conductive paste and a conductive film. The conductive film is preferably an anisotropic conductive film. From the standpoint of more efficiently placing the solder on the electrode, the conductive material is preferably a conductive paste. The conductive material is suitably used for electrical connection of the electrode. The conductive material is preferably a circuit connecting material.

이하, 상기 도전 재료에 포함되는 각 성분을 설명한다. 또한, 본 명세서 중에 있어서, 「(메트)아크릴」은 「아크릴」과 「메타크릴」의 한쪽 또는 양쪽을 의미하고, 「(메트)아크릴레이트」는 「아크릴레이트」와 「메타크릴레이트」의 한쪽 또는 양쪽을 의미하고, 「(메트)아크릴로일」은 「아크릴로일」과 「메타크릴로일」의 한쪽 또는 양쪽을 의미한다.Hereinafter, each component contained in the conductive material will be described. In the present specification, "(meth) acryl" means one or both of "acrylic" and "methacryl", and "(meth) acrylate" means one or both of "acrylate" (Meth) acryloyl " means either or both of " acryloyl " and " methacryloyl ".

(제1 도전성 입자)(First conductive particle)

상기 제1 도전성 입자는 접속 대상 부재의 전극 사이를 전기적으로 접속한다. 상기 제1 도전성 입자는 도전부의 외표면 부분에 땜납을 갖는다. 상기 제1 도전성 입자는 땜납에 의해 형성된 땜납 입자여도 된다. 상기 땜납 입자는 땜납을 도전부의 외표면 부분에 갖는다. 상기 땜납 입자는 중심 부분 및 도전부의 외표면 부분 모두가 땜납에 의해 형성되어 있다. 상기 땜납 입자는 중심 부분 및 도전부의 외표면 모두가 땜납인 입자이다. 상기 땜납 입자는 코어 입자로서, 기재 입자를 갖지 않는다. 상기 땜납 입자는 기재 입자와, 상기 기재 입자의 표면 위에 배치된 도전부를 구비하는 도전성 입자와는 상이하다. 상기 땜납 입자는, 예를 들어 땜납을 바람직하게는 80중량% 이상, 보다 바람직하게는 90중량% 이상, 더욱 바람직하게는 95중량% 이상 포함한다. 상기 제1 도전성 입자는 기재 입자와, 해당 기재 입자의 표면 위에 배치된 도전부를 갖고 있어도 된다. 이 경우에, 상기 제1 도전성 입자는 도전부의 외표면 부분에 땜납을 갖는다.The first conductive particles electrically connect the electrodes of the member to be connected. The first conductive particles have solder on the outer surface portion of the conductive portion. The first conductive particles may be solder particles formed by solder. The solder particles have solder on the outer surface portion of the conductive portion. The solder particles are formed by solder in both the center portion and the outer surface portion of the conductive portion. The solder particles are particles in which both the central portion and the outer surface of the conductive portion are solder. The solder particles are core particles and do not have base particles. The solder particles are different from the conductive particles having the base particles and the conductive portions disposed on the surface of the base particles. The solder particles preferably contain, for example, at least 80% by weight, more preferably at least 90% by weight, more preferably at least 95% by weight of solder. The first conductive particles may have base particles and a conductive portion disposed on the surface of the base particles. In this case, the first conductive particles have solder on the outer surface portion of the conductive portion.

또한, 상기 땜납 입자를 사용한 경우에 비해, 땜납에 의해 형성되어 있지 않은 기재 입자와 기재 입자의 표면 위에 배치된 땜납부를 구비하는 제1 도전성 입자를 사용한 경우에는, 전극 위에 제1 도전성 입자가 모이기 어려워지고, 제1 도전성 입자끼리의 땜납 접합성이 낮기 때문에, 전극 위로 이동한 제1 도전성 입자가 전극 밖으로 이동하기 쉬워지는 경향이 있고, 전극간의 위치 어긋남의 억제 효과도 낮아지는 경향이 있다. 따라서, 상기 제1 도전성 입자는 땜납에 의해 형성된 땜납 입자인 것이 바람직하다.In addition, in the case of using the first conductive particles having the base particles not formed by solder and the solder portions disposed on the surface of the base particles, as compared with the case of using the solder particles, the first conductive particles are hardly collected on the electrode The first conductive particles moved on the electrode tends to move out of the electrode because the solder jointability between the first conductive particles is low and the effect of suppressing the positional displacement between the electrodes tends to be lowered. Therefore, it is preferable that the first conductive particles are solder particles formed by solder.

접속 구조체에 있어서의 접속 저항을 효과적으로 낮게 하고, 보이드의 발생을 효과적으로 억제하는 관점에서는, 상기 제1 도전성 입자의 외표면(땜납의 외표면)에 카르복실기 또는 아미노기가 존재하는 것이 바람직하고, 카르복실기가 존재하는 것이 바람직하고, 아미노기가 존재하는 것이 바람직하다. 상기 제1 도전성 입자의 외표면(땜납의 외표면)에 Si-O 결합, 에테르 결합, 에스테르 결합 또는 하기 식 (X)로 표현되는 기를 통해, 카르복실기 또는 아미노기를 포함하는 기가 공유 결합하고 있는 것이 바람직하다. 카르복실기 또는 아미노기를 포함하는 기는 카르복실기와 아미노기의 양쪽을 포함하고 있어도 된다. 또한, 하기 식 (X)에 있어서, 우단부 및 좌단부는 결합 부위를 나타낸다.It is preferable that a carboxyl group or an amino group is present on the outer surface (outer surface of the solder) of the first conductive particles from the viewpoint of effectively lowering the connection resistance in the connection structure and effectively suppressing the generation of voids, , And it is preferable that an amino group is present. It is preferable that a carboxyl group or a group containing an amino group is covalently bonded to the outer surface (outer surface of the solder) of the first conductive particle via a Si-O bond, an ether bond, an ester bond or a group represented by the following formula (X) Do. The carboxyl group or the group containing an amino group may include both a carboxyl group and an amino group. In the following formula (X), the right end and the left end represent binding sites.

Figure pct00001
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땜납의 표면에 수산기가 존재한다. 이 수산기와 카르복실기를 포함하는 기를 공유 결합시킴으로써, 다른 배위 결합(킬레이트 배위) 등에서 결합시키는 경우보다도 강한 결합을 형성할 수 있기 때문에, 전극간의 접속 저항을 낮게 하고, 또한 보이드의 발생을 억제하는 것이 가능한 제1 도전성 입자가 얻어진다.There is a hydroxyl group on the surface of the solder. By covalently bonding the hydroxyl group and the group containing a carboxyl group, it is possible to form a stronger bond than in the case of bonding in other coordinate bond (chelate coordination) or the like, so that the connection resistance between the electrodes can be lowered and the generation of voids can be suppressed The first conductive particles are obtained.

상기 제1 도전성 입자에서는, 땜납의 표면과, 카르복실기를 포함하는 기의 결합 형태에, 배위 결합이 포함되어 있지 않아도 되고, 킬레이트 배위에 의한 결합이 포함되어 있지 않아도 된다.In the first conductive particle, the surface of the solder and the bond form of the group containing a carboxyl group may or may not contain a bond due to the chelate coordination.

접속 구조체에 있어서의 접속 저항을 효과적으로 낮게 하고, 보이드의 발생을 효과적으로 억제하는 관점에서는, 상기 제1 도전성 입자는 수산기와 반응 가능한 관능기와 카르복실기 또는 아미노기를 갖는 화합물(이하, 화합물 X라고 기재하는 경우가 있음)을 사용하여, 땜납의 표면의 수산기에, 상기 수산기와 반응 가능한 관능기를 반응시킴으로써 얻어지는 것이 바람직하다. 상기 반응에서는 공유 결합을 형성시킨다. 땜납의 표면의 수산기와 상기 화합물 X에 있어서의 상기 수산기와 반응 가능한 관능기를 반응시킴으로써, 땜납의 표면에 카르복실기 또는 아미노기를 포함하는 기가 공유 결합하고 있는 제1 도전성 입자를 용이하게 얻을 수 있고, 땜납의 표면에 에테르 결합 또는 에스테르 결합을 통해 카르복실기 또는 아미노기를 포함하는 기가 공유 결합하고 있는 제1 도전성 입자를 얻을 수도 있다. 상기 땜납의 표면의 수산기에 상기 수산기와 반응 가능한 관능기를 반응시킴으로써, 땜납의 표면에, 상기 화합물 X를 공유 결합의 형태로 화학 결합시킬 수 있다.From the viewpoint of effectively lowering the connection resistance in the connection structure and effectively suppressing the generation of voids, the first conductive particles are preferably a compound having a functional group capable of reacting with a hydroxyl group and a carboxyl group or an amino group Is preferably obtained by reacting the hydroxyl group of the surface of the solder with the functional group capable of reacting with the hydroxyl group. In this reaction, a covalent bond is formed. The first conductive particles in which a carboxyl group or a group containing an amino group is covalently bonded to the surface of the solder can be easily obtained by reacting the hydroxyl group on the surface of the solder with the functional group capable of reacting with the hydroxyl group in the compound X, A first conductive particle in which a carboxyl group or a group containing an amino group is covalently bonded to the surface through an ether bond or an ester bond can be obtained. The compound X can be chemically bonded to the surface of the solder in the form of a covalent bond by reacting the hydroxyl group of the surface of the solder with the functional group capable of reacting with the hydroxyl group.

상기 수산기와 반응 가능한 관능기로서는, 수산기, 카르복실기, 에스테르기 및 카르보닐기 등을 들 수 있다. 수산기 또는 카르복실기가 바람직하다. 상기 수산기와 반응 가능한 관능기는 수산기여도 되고, 카르복실기여도 된다.Examples of the functional group capable of reacting with the hydroxyl group include a hydroxyl group, a carboxyl group, an ester group, and a carbonyl group. A hydroxyl group or a carboxyl group is preferable. The functional group capable of reacting with the hydroxyl group may be a hydroxyl group or a carboxyl group.

수산기와 반응 가능한 관능기를 갖는 화합물로서는, 레불린산, 글루타르산, 글리콜산, 숙신산, 말산, 옥살산, 말론산, 아디프산, 5-케토헥산산, 3-히드록시프로피온산, 4-아미노부티르산, 3-머캅토프로피온산, 3-머캅토이소부틸산, 3-메틸티오프로피온산, 3-페닐프로피온산, 3-페닐이소부틸산, 4-페닐부티르산, 데칸산, 도데칸산, 테트라데칸산, 펜타데칸산, 헥사데칸산, 9-헥사데센산, 헵타데칸산, 스테아르산, 올레산, 박센산, 리놀레산, (9,12,15)-리놀렌산, 노나데칸산, 아라키드산, 데칸이산 및 도데칸이산 등을 들 수 있다. 글루타르산 또는 글리콜산이 바람직하다. 상기 수산기와 반응 가능한 관능기를 갖는 화합물은 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다. 상기 수산기와 반응 가능한 관능기를 갖는 화합물은 카르복실기를 적어도 하나 갖는 화합물인 것이 바람직하다.Examples of the compound having a functional group capable of reacting with a hydroxyl group include compounds having a functional group reactive with a hydroxyl group such as levulic acid, glutaric acid, glycolic acid, succinic acid, malic acid, oxalic acid, malonic acid, adipic acid, , 3-mercaptopropionic acid, 3-mercaptopropionic acid, 3-phenylpropionic acid, 3-phenylisobutyric acid, 4-phenylbutyric acid, decanoic acid, dodecanoic acid, tetradecanoic acid, pentadecane (9,12,15) -linolenic acid, nonadecanoic acid, arachidic acid, decanedioic acid, and dodecanedioic acid, such as acetic acid, hexadecanoic acid, 9-hexadecanoic acid, heptadecanoic acid, stearic acid, oleic acid, And the like. Glutaric acid or glycolic acid is preferred. The compound having a functional group capable of reacting with the hydroxyl group may be used alone, or two or more compounds may be used in combination. The compound having a functional group capable of reacting with the hydroxyl group is preferably a compound having at least one carboxyl group.

상기 화합물 X는 플럭스 작용을 갖는 것이 바람직하고, 상기 화합물 X는 땜납의 표면에 결합한 상태에서 플럭스 작용을 갖는 것이 바람직하다. 플럭스 작용을 갖는 화합물은 땜납의 표면의 산화막 및 전극의 표면 산화막을 제거 가능하다. 카르복실기는 플럭스 작용을 갖는다.The compound X preferably has a flux action, and the compound X preferably has a flux action in a state bonded to the surface of the solder. The compound having a flux action is capable of removing the oxide film on the surface of the solder and the surface oxide film of the electrode. The carboxyl group has a flux action.

플럭스 작용을 갖는 화합물로서는, 레불린산, 글루타르산, 글리콜산, 숙신산, 5-케토헥산산, 3-히드록시프로피온산, 4-아미노부티르산, 3-머캅토프로피온산, 3-머캅토이소부틸산, 3-메틸티오프로피온산, 3-페닐프로피온산, 3-페닐이소부틸산 및 4-페닐부티르산 등을 들 수 있다. 글루타르산 또는 글리콜산이 바람직하다. 상기 플럭스 작용을 갖는 화합물은 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.Examples of the compound having a flux action include levulic acid, glutaric acid, glycolic acid, succinic acid, 5-ketohexanoic acid, 3-hydroxypropionic acid, 4-aminobutyric acid, 3- mercaptopropionic acid, 3- , 3-methylthiopropionic acid, 3-phenylpropionic acid, 3-phenylisobutyric acid, and 4-phenylbutyric acid. Glutaric acid or glycolic acid is preferred. The above-mentioned compounds having a flux action may be used alone, or two or more thereof may be used in combination.

접속 구조체에 있어서의 접속 저항을 효과적으로 낮게 하고, 보이드의 발생을 효과적으로 억제하는 관점에서는, 상기 화합물 X에 있어서의 상기 수산기와 반응 가능한 관능기가, 수산기 또는 카르복실기인 것이 바람직하다. 상기 화합물 X에 있어서의 상기 수산기와 반응 가능한 관능기는 수산기여도 되고, 카르복실기여도 된다. 상기 수산기와 반응 가능한 관능기가 카르복실기인 경우에는, 상기 화합물 X는 카르복실기를 적어도 2개 갖는 것이 바람직하다. 카르복실기를 적어도 2개 갖는 화합물의 일부의 카르복실기를, 땜납의 표면의 수산기에 반응시킴으로써, 땜납의 표면에 카르복실기를 포함하는 기가 공유 결합하고 있는 제1 도전성 입자가 얻어진다.It is preferable that the functional group capable of reacting with the hydroxyl group in the compound X is a hydroxyl group or a carboxyl group from the viewpoint of effectively lowering the connection resistance in the connection structure and effectively suppressing the generation of voids. The functional group capable of reacting with the hydroxyl group in the compound X may be a hydroxyl group or a carboxyl group. When the functional group capable of reacting with the hydroxyl group is a carboxyl group, the compound X preferably has at least two carboxyl groups. A first conductive particle in which a carboxyl group-containing group is covalently bonded to the surface of the solder is obtained by reacting a part of the carboxyl group of the compound having at least two carboxyl groups with the hydroxyl group on the surface of the solder.

상기 제1 도전성 입자의 제조 방법은, 예를 들어 제1 도전성 입자를 사용하여, 해당 제1 도전성 입자, 수산기와 반응 가능한 관능기와 카르복실기를 갖는 화합물, 촉매 및 용매를 혼합하는 공정을 구비한다. 상기 제1 도전성 입자의 제조 방법에서는 상기 혼합 공정에 의해, 땜납의 표면에, 카르복실기를 포함하는 기가 공유 결합하고 있는 제1 도전성 입자를 용이하게 얻을 수 있다.The method for producing the first conductive particles includes a step of mixing the first conductive particles, a compound having a functional group capable of reacting with a hydroxyl group and a carboxyl group, a catalyst, and a solvent using, for example, first conductive particles. In the method for producing the first conductive particles, the first conductive particles in which a group containing a carboxyl group is covalently bonded to the surface of the solder can be easily obtained by the mixing step.

또한, 상기 제1 도전성 입자의 제조 방법에서는, 제1 도전성 입자를 사용하여, 해당 제1 도전성 입자, 상기 수산기와 반응 가능한 관능기와 카르복실기를 갖는 화합물, 상기 촉매 및 상기 용매를 혼합하고, 가열하는 것이 바람직하다. 혼합 및 가열 공정에 의해, 땜납의 표면에, 카르복실기를 포함하는 기가 공유 결합하고 있는 제1 도전성 입자를 한층 더 용이하게 얻을 수 있다.In the method for producing the first conductive particles, mixing the first conductive particles, a compound having a functional group capable of reacting with the hydroxyl group and a carboxyl group, the catalyst and the solvent, and heating the mixture using the first conductive particles desirable. By the mixing and heating process, the first conductive particles in which a group containing a carboxyl group is covalently bonded to the surface of the solder can be further easily obtained.

상기 용매로서는, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올 등의 알코올 용매나, 아세톤, 메틸에틸케톤, 아세트산에틸, 톨루엔 및 크실렌 등을 들 수 있다. 상기 용매는 유기 용매인 것이 바람직하고, 톨루엔인 것이 보다 바람직하다. 상기 용매는 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.Examples of the solvent include alcohol solvents such as methanol, ethanol, propanol and butanol, acetone, methyl ethyl ketone, ethyl acetate, toluene and xylene. The solvent is preferably an organic solvent, more preferably toluene. The solvent may be used alone, or two or more solvents may be used in combination.

상기 촉매로서는, p-톨루엔술폰산, 벤젠술폰산 및 10-캄포술폰산 등을 들 수 있다. 상기 촉매는 p-톨루엔술폰산인 것이 바람직하다. 상기 촉매는 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.Examples of the catalyst include p-toluenesulfonic acid, benzenesulfonic acid and 10-camphorsulfonic acid. The catalyst is preferably p-toluenesulfonic acid. The catalyst may be used alone or in combination of two or more.

상기 혼합 시에 가열하는 것이 바람직하다. 가열 온도는 바람직하게는 90℃ 이상, 보다 바람직하게는 100℃ 이상이고, 바람직하게는 130℃ 이하, 보다 바람직하게는 110℃ 이하이다.It is preferable to heat at the time of mixing. The heating temperature is preferably 90 占 폚 or higher, more preferably 100 占 폚 or higher, preferably 130 占 폚 or lower, more preferably 110 占 폚 or lower.

접속 구조체에 있어서의 접속 저항을 효과적으로 낮게 하고, 보이드의 발생을 효과적으로 억제하는 관점에서는, 상기 제1 도전성 입자는, 이소시아네이트 화합물을 사용하여, 땜납의 표면의 수산기에, 상기 이소시아네이트 화합물을 반응시키는 공정을 거쳐서 얻어지는 것이 바람직하다. 상기 반응에서는 공유 결합을 형성시킨다. 땜납의 표면의 수산기와 상기 이소시아네이트 화합물을 반응시킴으로써, 땜납의 표면에, 상기 이소시아네이트기에 유래하는 기의 질소 원자가 공유 결합하고 있는 제1 도전성 입자를 용이하게 얻을 수 있다. 상기 땜납의 표면의 수산기에 상기 이소시아네이트 화합물을 반응시킴으로써, 땜납의 표면에, 상기 이소시아네이트기에 유래하는 기를 공유 결합의 형태로 화학 결합시킬 수 있다.From the viewpoint of effectively lowering the connection resistance in the connection structure and effectively suppressing the generation of voids, the first conductive particles can be produced by a step of reacting the isocyanate compound with the hydroxyl group on the surface of the solder using an isocyanate compound . In this reaction, a covalent bond is formed. The first conductive particle in which the nitrogen atom of the group derived from the isocyanate group is covalently bonded to the surface of the solder can be easily obtained by reacting the hydroxyl group on the surface of the solder with the isocyanate compound. By reacting the hydroxyl group of the surface of the solder with the isocyanate compound, the group derived from the isocyanate group can be chemically bonded to the surface of the solder in the form of a covalent bond.

또한, 이소시아네이트기에 유래하는 기에는 실란 커플링제를 용이하게 반응시킬 수 있다. 상기 제1 도전성 입자를 용이하게 얻을 수 있으므로, 상기 카르복실기를 포함하는 기가, 카르복실기를 갖는 실란 커플링제를 사용한 반응에 의해 도입되어 있거나, 또는 실란 커플링제를 사용한 반응 후에, 실란 커플링제에 유래하는 기에 카르복실기를 적어도 하나 갖는 화합물을 반응시킴으로써 도입되어 있는 것이 바람직하다. 상기 제1 도전성 입자는 상기 이소시아네이트 화합물을 사용하여, 땜납의 표면의 수산기에, 상기 이소시아네이트 화합물을 반응시킨 후, 카르복실기를 적어도 하나 갖는 화합물을 반응시킴으로써 얻어지는 것이 바람직하다.A silane coupling agent can be easily reacted with a group derived from an isocyanate group. The first conductive particles can be easily obtained. Therefore, when the group containing the carboxyl group is introduced by a reaction using a silane coupling agent having a carboxyl group, or after a reaction using a silane coupling agent, a group derived from a silane coupling agent It is preferably introduced by reacting a compound having at least one carboxyl group. It is preferable that the first conductive particles are obtained by reacting the isocyanate compound with the hydroxyl group on the surface of the solder by using the isocyanate compound and then reacting the compound having at least one carboxyl group.

접속 구조체에 있어서의 접속 저항을 효과적으로 낮게 하고, 보이드의 발생을 효과적으로 억제하는 관점에서는, 상기 카르복실기를 적어도 하나 갖는 화합물이, 카르복실기를 복수 갖는 것이 바람직하다.From the viewpoint of effectively lowering the connection resistance in the connection structure and effectively suppressing the generation of voids, it is preferable that the compound having at least one carboxyl group has a plurality of carboxyl groups.

상기 이소시아네이트 화합물로서는, 디페닐메탄-4,4'-디이소시아네이트(MDI), 헥사메틸렌디이소시아네이트(HDI), 톨루엔디이소시아네이트(TDI) 및 이소포론디이소시아네이트(IPDI) 등을 들 수 있다. 이것들 이외의 이소시아네이트 화합물을 사용해도 된다. 상기 이소시아네이트 화합물을 땜납의 표면에 반응시킨 후, 잔여 이소시아네이트기와, 그 잔여 이소시아네이트기와 반응성을 갖고, 또한 카르복실기를 갖는 화합물을 반응시킴으로써, 땜납의 표면에 상기 식 (X)로 표현되는 기를 통해, 카르복실기를 도입할 수 있다.Examples of the isocyanate compound include diphenylmethane-4,4'-diisocyanate (MDI), hexamethylene diisocyanate (HDI), toluene diisocyanate (TDI) and isophorone diisocyanate (IPDI). Isocyanate compounds other than these may be used. The surface of the solder is reacted with the isocyanate compound through the group represented by the formula (X) to react with a compound having a residual isocyanate group, a residual isocyanate group, and a carboxyl group and reacting the isocyanate compound with the surface of the solder. Can be introduced.

상기 이소시아네이트 화합물로서는, 불포화 이중 결합을 갖고, 또한 이소시아네이트기를 갖는 화합물을 사용해도 된다. 예를 들어, 2-아크릴로일옥시에틸이소시아네이트 및 2-이소시아나토에틸메타크릴레이트를 들 수 있다. 이 화합물의 이소시아네이트기를 땜납의 표면에 반응시킨 후, 잔존하고 있는 불포화 이중 결합에 대하여 반응성을 갖는 관능기를 갖고, 또한 카르복실기를 갖는 화합물을 반응시킴으로써, 땜납의 표면에 상기 식 (X)로 표현되는 기를 통해, 카르복실기를 도입할 수 있다.As the isocyanate compound, a compound having an unsaturated double bond and having an isocyanate group may be used. For example, 2-acryloyloxyethyl isocyanate and 2-isocyanatoethyl methacrylate. (X) on the surface of the solder by reacting an isocyanate group of the compound with the surface of the solder and then reacting the compound having a functional group having reactivity with the remaining unsaturated double bond and having a carboxyl group , A carboxyl group can be introduced.

상기 실란 커플링제로서는, 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란(신에쓰 실리콘사제 「KBE-9007」) 및 3-이소시아네이트프로필트리메톡시실란(MOMENTIVE사제 「Y-5187」) 등을 들 수 있다. 상기 실란 커플링제는 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.Examples of the silane coupling agent include 3-isocyanate propyltriethoxysilane (KBE-9007 manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.) and 3-isocyanatepropyltrimethoxysilane (Y-5187 manufactured by MOMENTIVE). The silane coupling agent may be used alone or in combination of two or more.

상기 카르복실기를 적어도 하나 갖는 화합물로서는, 레불린산, 글루타르산, 글리콜산, 숙신산, 말산, 옥살산, 말론산, 아디프산, 5-케토헥산산, 3-히드록시프로피온산, 4-아미노부티르산, 3-머캅토프로피온산, 3-머캅토이소부틸산, 3-메틸티오프로피온산, 3-페닐프로피온산, 3-페닐이소부틸산, 4-페닐부티르산, 데칸산, 도데칸산, 테트라데칸산, 펜타데칸산, 헥사데칸산, 9-헥사데센산, 헵타데칸산, 스테아르산, 올레산, 박센산, 리놀레산, (9,12,15)-리놀렌산, 노나데칸산, 아라키드산, 데칸이산 및 도데칸이산 등을 들 수 있다. 글루타르산, 아디프산 또는 글리콜산이 바람직하다. 상기 카르복실기를 적어도 하나 갖는 화합물은 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.Examples of the compound having at least one carboxyl group include at least one compound selected from the group consisting of levulic acid, glutaric acid, glycolic acid, succinic acid, malic acid, oxalic acid, malonic acid, adipic acid, 5-ketohexanoic acid, 3-hydroxypropionic acid, 3-mercaptopropionic acid, 3-phenylisobutyric acid, 4-phenylbutyric acid, decanoic acid, dodecanoic acid, tetradecanoic acid, pentadecanoic acid, 3-mercaptopropionic acid, 3-mercaptopropionic acid, 3- (9,12,15) -linolenic acid, nonadecanoic acid, arachidic acid, decanoic acid, and dodecanedioic acid, and the like can be used in the present invention. . Glutaric acid, adipic acid or glycolic acid are preferable. The compound having at least one carboxyl group may be used alone, or two or more compounds may be used in combination.

상기 이소시아네이트 화합물을 사용하여, 땜납의 표면의 수산기에, 상기 이소시아네이트 화합물을 반응시킨 후, 카르복실기를 복수 갖는 화합물의 일부의 카르복실기를, 땜납의 표면의 수산기와 반응시킴으로써, 카르복실기를 포함하는 기를 잔존시킬 수 있다.The isocyanate compound may be used to react with the isocyanate compound on the hydroxyl group on the surface of the solder and then react a part of the carboxyl group of the compound having a plurality of carboxyl groups with the hydroxyl group on the surface of the solder to leave a group containing a carboxyl group have.

상기 제1 도전성 입자의 제조 방법에서는, 제1 도전성 입자를 사용하고, 또한 이소시아네이트 화합물을 사용하여, 땜납의 표면의 수산기에, 상기 이소시아네이트 화합물을 반응시킨 후, 카르복실기를 적어도 하나 갖는 화합물을 반응시키고, 땜납의 표면에, 상기 식 (X)로 표현되는 기를 통해, 카르복실기를 포함하는 기가 결합하고 있는 제1 도전성 입자를 얻는다. 상기 제1 도전성 입자의 제조 방법에서는 상기의 공정에 의해, 땜납의 표면에, 카르복실기를 포함하는 기가 도입된 제1 도전성 입자를 용이하게 얻을 수 있다.In the method for producing the first conductive particles, the isocyanate compound is reacted with the hydroxyl group on the surface of the solder by using the first conductive particles and the isocyanate compound, and then the compound having at least one carboxyl group is reacted, On the surface of the solder, a first conductive particle to which a group containing a carboxyl group is bonded is obtained through a group represented by the formula (X). In the method for producing the first conductive particles, the first conductive particles into which a group containing a carboxyl group is introduced can be easily obtained on the surface of the solder by the above process.

상기 제1 도전성 입자의 구체적인 제조 방법으로서는, 이하의 방법을 들 수 있다. 유기 용매에 제1 도전성 입자를 분산시키고, 이소시아네이트기를 갖는 실란 커플링제를 첨가한다. 그 후, 제1 도전성 입자의 땜납의 표면의 수산기와 이소시아네이트기의 반응 촉매를 사용하여, 땜납의 표면에 실란 커플링제를 공유 결합시킨다. 이어서, 실란 커플링제의 규소 원자에 결합하고 있는 알콕시기를 가수분해함으로써, 수산기를 생성시킨다. 생성한 수산기에, 카르복실기를 적어도 하나 갖는 화합물의 카르복실기를 반응시킨다.Specific examples of the method for producing the first conductive particles include the following methods. The first conductive particles are dispersed in an organic solvent, and a silane coupling agent having an isocyanate group is added. Thereafter, a silane coupling agent is covalently bonded to the surface of the solder by using a reaction catalyst of a hydroxyl group and an isocyanate group on the surface of the solder of the first conductive particles. Subsequently, the alkoxy group bonded to the silicon atom of the silane coupling agent is hydrolyzed to generate a hydroxyl group. The carboxyl group of the compound having at least one carboxyl group is reacted with the resulting hydroxyl group.

또한, 상기 제1 도전성 입자의 구체적인 제조 방법으로서는, 이하의 방법을 들 수 있다. 유기 용매에 제1 도전성 입자를 분산시키고, 이소시아네이트기와 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 첨가한다. 그 후, 제1 도전성 입자의 땜납의 표면의 수산기와 이소시아네이트기의 반응 촉매를 사용하여, 공유 결합을 형성시킨다. 그 후, 도입된 불포화 이중 결합에 대하여, 불포화 이중 결합 및 카르복실기를 갖는 화합물을 반응시킨다.Specific examples of the method for producing the first conductive particles include the following methods. The first conductive particles are dispersed in an organic solvent, and a compound having an isocyanate group and an unsaturated double bond is added. Thereafter, a covalent bond is formed using a reaction catalyst of a hydroxyl group and an isocyanate group on the surface of the solder of the first conductive particles. Thereafter, a compound having an unsaturated double bond and a carboxyl group is reacted with the introduced unsaturated double bond.

제1 도전성 입자의 땜납의 표면의 수산기와 이소시아네이트기의 반응 촉매로서는, 주석계 촉매(디부틸주석디라우레이트 등), 아민계 촉매(트리에틸렌디아민 등), 카르복실레이트 촉매(나프텐산납, 아세트산칼륨 등) 및 트리알킬포스핀 촉매(트리에틸포스핀 등) 등을 들 수 있다.Examples of the reaction catalyst of the hydroxyl group and the isocyanate group on the surface of the solder of the first conductive particles include tin catalysts such as dibutyltin dilaurate, amine catalysts such as triethylenediamine, carboxylate catalysts such as naphthenene- Potassium acetate and the like) and a trialkylphosphine catalyst (triethylphosphine and the like).

접속 구조체에 있어서의 접속 저항을 효과적으로 낮게 하고, 보이드의 발생을 효과적으로 억제하는 관점에서는, 상기 카르복실기를 적어도 하나 갖는 화합물은 하기 식 (1)로 표현되는 화합물인 것이 바람직하다. 하기 식 (1)로 표현되는 화합물은 플럭스 작용을 갖는다. 또한, 하기 식 (1)로 표현되는 화합물은 땜납의 표면에 도입된 상태에서 플럭스 작용을 갖는다.From the viewpoint of effectively lowering the connection resistance in the connection structure and effectively suppressing the generation of voids, the compound having at least one carboxyl group is preferably a compound represented by the following formula (1). The compound represented by the following formula (1) has a flux action. Further, the compound represented by the following formula (1) has a flux action in a state of being introduced to the surface of the solder.

Figure pct00002
Figure pct00002

상기 식 (1) 중, X는 수산기와 반응 가능한 관능기를 나타내고, R은 탄소수 1 내지 5의 2가의 유기기를 나타낸다. 해당 유기기는 탄소 원자와 수소 원자와 산소 원자를 포함하고 있어도 된다. 해당 유기기는 탄소수 1 내지 5의 2가의 탄화수소기여도 된다. 상기 유기기의 주쇄는 2가의 탄화수소기인 것이 바람직하다. 해당 유기기에서는 2가의 탄화수소기에 카르복실기나 수산기가 결합하고 있어도 된다. 상기 식 (1)로 표현되는 화합물에는, 예를 들어 시트르산이 포함된다.In the formula (1), X represents a functional group capable of reacting with a hydroxyl group, and R represents a divalent organic group having 1 to 5 carbon atoms. The organic group may contain a carbon atom, a hydrogen atom and an oxygen atom. The organic group may be a divalent hydrocarbon having 1 to 5 carbon atoms. The main chain of the organic group is preferably a divalent hydrocarbon group. In the corresponding organic group, a carboxyl group or a hydroxyl group may be bonded to a bivalent hydrocarbon group. The compound represented by the above formula (1) includes, for example, citric acid.

상기 카르복실기를 적어도 하나 갖는 화합물은, 하기 식 (1A) 또는 하기 식 (1B)로 표현되는 화합물인 것이 바람직하다. 상기 카르복실기를 적어도 하나 갖는 화합물은 하기 식 (1A)로 표현되는 화합물인 것이 바람직하고, 하기 식 (1B)로 표현되는 화합물인 것이 보다 바람직하다.The compound having at least one carboxyl group is preferably a compound represented by the following formula (1A) or (1B). The compound having at least one carboxyl group is preferably a compound represented by the following formula (1A), more preferably a compound represented by the following formula (1B).

Figure pct00003
Figure pct00003

상기 식 (1A) 중, R은 탄소수 1 내지 5의 2가의 유기기를 나타낸다. 상기 식 (1A) 중의 R은 상기 식 (1) 중의 R과 마찬가지이다.In the formula (1A), R represents a divalent organic group having 1 to 5 carbon atoms. R in the formula (1A) is the same as R in the formula (1).

Figure pct00004
Figure pct00004

상기 식 (1B) 중, R은 탄소수 1 내지 5의 2가의 유기기를 나타낸다. 상기 식 (1B) 중의 R은 상기 식 (1) 중의 R과 마찬가지이다.In the above formula (1B), R represents a divalent organic group having 1 to 5 carbon atoms. R in the formula (1B) is the same as R in the formula (1).

땜납의 표면에, 하기 식 (2A) 또는 하기 식 (2B)로 표현되는 기가 결합하고 있는 것이 바람직하다. 땜납의 표면에, 하기 식 (2A)로 표현되는 기가 결합하고 있는 것이 바람직하고, 하기 식 (2B)로 표현되는 기가 결합하고 있는 것이 보다 바람직하다. 또한, 하기 식 (2A)에 있어서, 좌단부는 결합 부위를 나타낸다.It is preferable that a group represented by the following formula (2A) or a group represented by the following formula (2B) is bonded to the surface of the solder. It is preferable that the group represented by the formula (2A) is bonded to the surface of the solder, and it is more preferable that the group represented by the formula (2B) is bonded to the surface of the solder. In the following formula (2A), the left end represents a bonding site.

Figure pct00005
Figure pct00005

상기 식 (2A) 중, R은 탄소수 1 내지 5의 2가의 유기기를 나타낸다. 상기 식 (2A) 중의 R은 상기 식 (1) 중의 R과 마찬가지이다. 또한, 하기 식 (2B)에 있어서, 좌단부는 결합 부위를 나타낸다.In the formula (2A), R represents a divalent organic group having 1 to 5 carbon atoms. R in the formula (2A) is the same as R in the formula (1). In the following formula (2B), the left end represents a bonding site.

Figure pct00006
Figure pct00006

상기 식 (2B) 중, R은 탄소수 1 내지 5의 2가의 유기기를 나타낸다. 상기 식 (2B) 중의 R은 상기 식 (1) 중의 R과 마찬가지이다.In the formula (2B), R represents a divalent organic group having 1 to 5 carbon atoms. R in the formula (2B) is the same as R in the formula (1).

땜납의 표면의 습윤성을 높이는 관점에서는, 상기 카르복실기를 적어도 하나 갖는 화합물의 분자량은 바람직하게는 10000 이하, 보다 바람직하게는 1000 이하, 더욱 바람직하게는 500 이하이다.From the viewpoint of enhancing the wettability of the surface of the solder, the molecular weight of the compound having at least one carboxyl group is preferably 10000 or less, more preferably 1000 or less, still more preferably 500 or less.

상기 분자량은 상기 카르복실기를 적어도 하나 갖는 화합물이 중합체가 아닌 경우 및 상기 카르복실기를 적어도 하나 갖는 화합물의 구조식을 특정할 수 있는 경우는, 당해 구조식으로부터 산출할 수 있는 분자량을 의미한다. 또한, 상기 카르복실기를 적어도 하나 갖는 화합물이 중합체인 경우는, 중량 평균 분자량을 의미한다.The molecular weight means a molecular weight that can be calculated from the structural formula when the compound having at least one carboxyl group is not a polymer and when the structural formula of the compound having at least one carboxyl group can be specified. When the compound having at least one carboxyl group is a polymer, it means a weight average molecular weight.

도전 접속 시에 땜납 입자의 응집성을 효과적으로 높일 수 있는 점에서, 상기 제1 도전성 입자는 제1 도전성 입자 본체와, 상기 제1 도전성 입자 본체의 표면 위에 배치된 음이온 중합체를 갖는 것이 바람직하다. 상기 제1 도전성 입자는 제1 도전성 입자 본체를 음이온 중합체 또는 음이온 중합체가 되는 화합물로 표면 처리함으로써 얻어지는 것이 바람직하다. 상기 제1 도전성 입자는 음이온 중합체 또는 음이온 중합체가 되는 화합물에 의한 표면 처리물인 것이 바람직하다. 상기 음이온 중합체 및 상기 음이온 중합체가 되는 화합물은 각각, 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다. 상기 음이온 중합체는 산성기를 갖는 중합체이다.It is preferable that the first conductive particles have a first conductive particle body and an anionic polymer disposed on the surface of the first conductive particle body in that the cohesiveness of the solder particles can be effectively increased at the time of conductive connection. It is preferable that the first conductive particles are obtained by surface-treating the first conductive particle body with an anionic polymer or a compound to be an anionic polymer. It is preferable that the first conductive particles are surface-treated with a compound which is an anionic polymer or an anionic polymer. The anionic polymer and the compound to be the anionic polymer may be used alone or in combination of two or more. The anionic polymer is a polymer having an acidic group.

제1 도전성 입자 본체를 음이온 중합체로 표면 처리하는 방법으로서는, 음이온 중합체로서, 예를 들어 (메트)아크릴산을 공중합한 (메트)아크릴 중합체, 디카르복실산과 디올로 합성되고 또한 양 말단에 카르복실기를 갖는 폴리에스테르 중합체, 디카르복실산의 분자간 탈수 축합 반응에 의해 얻어지고 또한 양 말단에 카르복실기를 갖는 중합체, 디카르복실산과 디아민으로 합성되고 또한 양 말단에 카르복실기를 갖는 폴리에스테르 중합체, 그리고 카르복실기를 갖는 변성 포발(닛폰 고세이 가가쿠사제 「고세이넥스T」) 등을 사용하여, 음이온 중합체의 카르복실기와, 제1 도전성 입자 본체의 표면의 수산기를 반응시키는 방법을 들 수 있다.Examples of the method for surface-treating the first conductive particle body with the anionic polymer include a method in which an anionic polymer such as a (meth) acrylic polymer copolymerized with (meth) acrylic acid, a A polyester polymer obtained by an intermolecular dehydration condensation reaction of a dicarboxylic acid and having a carboxyl group at both terminals, a polyester polymer synthesized from a dicarboxylic acid and a diamine and having a carboxyl group at both terminals, and a modified polymer having a carboxyl group And a method in which the carboxyl group of the anionic polymer and the hydroxyl group on the surface of the first conductive particle body are reacted with each other using POVAL ("Goseinex T" manufactured by Nippon Gosei Chemical Industry Co., Ltd.).

상기 음이온 중합체의 음이온 부분으로서는, 상기 카르복실기를 들 수 있고, 그것 이외에는 토실기(p-H3CC6H4S(=O)2-), 술폰산이온기(-SO3-) 및 인산이온기(-PO4-) 등을 들 수 있다.Examples of the anion moiety of the anionic polymer include the carboxyl groups described above, and other groups include a tosyl group (pH 3 CC 6 H 4 S (═O) 2 -), a sulfonic acid ionic group (-SO 3 -), PO 4 -).

또한, 제1 도전성 입자 본체를 음이온 중합체로 표면 처리하는 다른 방법으로서는, 제1 도전성 입자 본체의 표면의 수산기와 반응하는 관능기를 갖고, 또한 부가, 축합 반응에 의해 중합 가능한 관능기를 갖는 화합물을 사용하여, 이 화합물을 제1 도전성 입자 본체의 표면 위에서 중합체화하는 방법을 들 수 있다. 제1 도전성 입자 본체의 표면의 수산기와 반응하는 관능기로서는, 카르복실기 및 이소시아네이트기 등을 들 수 있고, 부가, 축합 반응에 의해 중합하는 관능기로서는, 수산기, 카르복실기, 아미노기 및 (메트)아크릴로일기를 들 수 있다.Another method of surface-treating the first conductive particle body with an anionic polymer is to use a compound having a functional group reactive with the hydroxyl group on the surface of the first conductive particle body and having a functional group capable of polymerization by addition or condensation reaction , And a method of polymerizing the compound on the surface of the first conductive particle body. Examples of the functional group that reacts with the hydroxyl group on the surface of the first conductive particle body include a carboxyl group and an isocyanate group. Examples of the functional group that is polymerized by addition and condensation include a hydroxyl group, a carboxyl group, an amino group, and a (meth) .

상기 음이온 중합체의 중량 평균 분자량은 바람직하게는 2000 이상, 보다 바람직하게는 3000 이상이고, 바람직하게는 10000 이하, 보다 바람직하게는 8000 이하이다. 상기 중량 평균 분자량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 제1 도전성 입자의 표면에 충분한 양의 전하 및 플럭스성을 도입할 수 있다. 이에 의해, 도전 접속 시에 제1 도전성 입자의 응집성을 효과적으로 높일 수 있고, 또한 접속 대상 부재의 접속 시에, 전극의 표면의 산화막을 효과적으로 제거할 수 있다.The weight average molecular weight of the anionic polymer is preferably 2000 or more, more preferably 3000 or more, preferably 10000 or less, more preferably 8000 or less. If the weight average molecular weight is not less than the lower limit and not more than the upper limit, a sufficient amount of charge and flux can be introduced into the surface of the first conductive particles. Thereby, the cohesiveness of the first conductive particles can be effectively increased at the time of conductive connection, and the oxide film on the surface of the electrode can be effectively removed at the time of connection of the member to be connected.

상기 중량 평균 분자량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 제1 도전성 입자 본체의 표면 위에 음이온 중합체를 배치하는 것이 용이하고, 도전 접속 시에 제1 도전성 입자의 응집성을 효과적으로 높일 수 있고, 전극 위에 제1 도전성 입자를 한층 더 효율적으로 배치할 수 있다.When the weight average molecular weight is not less than the lower limit and not more than the upper limit, it is easy to dispose the anionic polymer on the surface of the first conductive particle body, effectively increase the cohesiveness of the first conductive particles at the time of conductive connection, 1 conductive particles can be arranged more efficiently.

상기 중량 평균 분자량은 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정된 폴리스티렌 환산에서의 중량 평균 분자량을 나타낸다.The weight average molecular weight represents the weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography (GPC).

제1 도전성 입자 본체를 음이온 중합체가 되는 화합물로 표면 처리함으로써 얻어진 중합체의 중량 평균 분자량은 제1 도전성 입자 중의 땜납을 용해하고, 중합체의 분해를 일으키지 않는 희염산 등에 의해, 제1 도전성 입자를 제거한 후, 잔존하고 있는 중합체의 중량 평균 분자량을 측정함으로써 구할 수 있다.The weight average molecular weight of the polymer obtained by subjecting the first conductive particle body to surface treatment with a compound to be an anionic polymer is obtained by dissolving the solder in the first conductive particles and removing the first conductive particles with dilute hydrochloric acid or the like which does not cause decomposition of the polymer, And measuring the weight average molecular weight of the remaining polymer.

이어서, 도면을 참조하면서, 제1 도전성 입자의 구체예를 설명한다.Next, specific examples of the first conductive particles will be described with reference to the drawings.

도 4는 도전 재료에 사용 가능한 제1 도전성 입자의 제1 예를 나타내는 단면도이다.4 is a cross-sectional view showing a first example of the first conductive particles usable for the conductive material.

도 4에 나타내는 제1 도전성 입자(21)는 땜납 입자이다. 제1 도전성 입자(21)는 전체가 땜납에 의해 형성되어 있다. 제1 도전성 입자(21)는 기재 입자를 코어에 갖지 않고, 코어 셸 입자가 아니다. 제1 도전성 입자(21)는 중심 부분 및 도전부의 외표면 부분의 모두가 땜납에 의해 형성되어 있다.The first conductive particles 21 shown in Fig. 4 are solder particles. The first conductive particles 21 are entirely formed of solder. The first conductive particles 21 do not have base particles in the core and are not core shell particles. In the first conductive particles 21, both the center portion and the outer surface portion of the conductive portion are formed by solder.

도 5는 도전 재료에 사용 가능한 제1 도전성 입자의 제2 예를 나타내는 단면도이다.5 is a cross-sectional view showing a second example of the first conductive particles usable in the conductive material.

도 5에 나타내는 제1 도전성 입자(31)는 기재 입자(32)와, 기재 입자(32)의 표면 위에 배치된 도전부(33)를 구비한다. 도전부(33)는 기재 입자(32)의 표면을 피복하고 있다. 제1 도전성 입자(31)는 기재 입자(32)의 표면이 도전부(33)에 의해 피복된 피복 입자이다.The first conductive particles 31 shown in Fig. 5 include base particles 32 and conductive portions 33 disposed on the surface of the base particles 32. The conductive portion 33 covers the surface of the base particle 32. The first conductive particles 31 are coated particles in which the surface of the base particle 32 is covered with the conductive portion 33.

도전부(33)는 제2 도전부(33A)와, 땜납부(33B)(제1 도전부)를 갖는다. 제1 도전성 입자(31)는 기재 입자(32)와, 땜납부(33B) 사이에 제2 도전부(33A)를 구비한다. 따라서, 제1 도전성 입자(31)는 기재 입자(32)와, 기재 입자(32)의 표면 위에 배치된 제2 도전부(33A)와, 제2 도전부(33A)의 외표면 위에 배치된 땜납부(33B)를 구비한다.The conductive portion 33 has a second conductive portion 33A and a solder portion 33B (first conductive portion). The first conductive particles 31 have the second conductive portions 33A between the base particles 32 and the solder portions 33B. Therefore, the first conductive particles 31 include the base particles 32, the second conductive portions 33A disposed on the surface of the base particles 32, and the second conductive portions 33A disposed on the outer surfaces of the second conductive portions 33A. And a lead portion 33B.

도 6은 도전 재료에 사용 가능한 제1 도전성 입자의 제3 예를 나타내는 단면도이다.6 is a cross-sectional view showing a third example of the first conductive particles usable in the conductive material.

상기와 같이 제1 도전성 입자(31)에 있어서의 도전부(33)는 2층 구조를 갖는다. 도 6에 나타내는 제1 도전성 입자(41)는 단층의 도전부로서, 땜납부(42)를 갖는다. 제1 도전성 입자(41)는 기재 입자(32)와, 기재 입자(32)의 표면 위에 배치된 땜납부(42)를 구비한다.As described above, the conductive portions 33 of the first conductive particles 31 have a two-layer structure. The first conductive particles 41 shown in Fig. 6 has a solder portion 42 as a single-layer conductive portion. The first conductive particles 41 include a base particle 32 and a soldering portion 42 disposed on the surface of the base particle 32.

상기 기재 입자로서는, 수지 입자, 금속 입자를 제외한 무기 입자, 유기 무기 하이브리드 입자 및 금속 입자 등을 들 수 있다. 상기 기재 입자는 금속을 제외한 기재 입자인 것이 바람직하고, 수지 입자, 금속 입자를 제외한 무기 입자 또는 유기 무기 하이브리드 입자인 것이 바람직하다. 상기 기재 입자는 구리 입자여도 된다. 상기 기재 입자는 코어와, 해당 코어의 표면 위에 배치된 셸을 구비하는 코어 셸 입자여도 된다. 상기 코어가 유기 코어여도 되고, 상기 셸이 무기 셸이어도 된다.Examples of the base particles include resin particles, inorganic particles other than metal particles, organic-inorganic hybrid particles and metal particles. The base particles are preferably base particles other than metal, and are preferably resin particles, inorganic particles other than metal particles, or organic-inorganic hybrid particles. The base particles may be copper particles. The base particles may be core shell particles comprising a core and a shell disposed on the surface of the core. The core may be an organic core, and the shell may be an inorganic shell.

상기 수지 입자를 형성하기 위한 수지로서, 다양한 유기물이 적합하게 사용된다. 상기 수지 입자를 형성하기 위한 수지로서는, 예를 들어 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리이소부틸렌, 폴리부타디엔 등의 폴리올레핀 수지; 폴리메틸메타크릴레이트 및 폴리메틸아크릴레이트 등의 아크릴 수지; 폴리카르보네이트, 폴리아미드, 페놀포름알데히드 수지, 멜라민포름알데히드 수지, 벤조구아나민포름알데히드 수지, 요소포름알데히드 수지, 페놀 수지, 멜라민 수지, 벤조구아나민 수지, 요소 수지, 에폭시 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 포화 폴리에스테르 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리술폰, 폴리페닐렌옥시드, 폴리아세탈, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에테르술폰, 디비닐벤젠 중합체, 그리고 디비닐벤젠계 공중합체 등을 들 수 있다. 상기 디비닐벤젠계 공중합체 등으로서는, 디비닐벤젠-스티렌 공중합체 및 디비닐벤젠-(메트)아크릴산에스테르 공중합체 등을 들 수 있다. 상기 수지 입자의 경도를 적합한 범위로 용이하게 제어할 수 있으므로, 상기 수지 입자를 형성하기 위한 수지는 에틸렌성 불포화기를 갖는 중합성 단량체를 1종 또는 2종 이상 중합시킨 중합체인 것이 바람직하다.As the resin for forming the resin particles, various organic materials are suitably used. Examples of the resin for forming the resin particles include polyolefin resins such as polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyisobutylene, and polybutadiene; Acrylic resins such as polymethyl methacrylate and polymethyl acrylate; Polyamide, phenol formaldehyde resin, melamine formaldehyde resin, benzoguanamine formaldehyde resin, urea formaldehyde resin, phenol resin, melamine resin, benzoguanamine resin, urea resin, epoxy resin, unsaturated polyester A resin, a saturated polyester resin, polyethylene terephthalate, polysulfone, polyphenylene oxide, polyacetal, polyimide, polyamideimide, polyetheretherketone, polyether sulfone, divinylbenzene polymer, and divinylbenzene copolymer And the like. Examples of the divinylbenzene-based copolymer and the like include a divinylbenzene-styrene copolymer and a divinylbenzene- (meth) acrylate copolymer. It is preferable that the resin for forming the resin particles is a polymer obtained by polymerizing at least one polymerizable monomer having an ethylenic unsaturated group.

상기 수지 입자를, 에틸렌성 불포화기를 갖는 중합성 단량체를 중합시켜 얻는 경우에는, 해당 에틸렌성 불포화기를 갖는 중합성 단량체로서는, 비가교성의 단량체와 가교성의 단량체를 들 수 있다.When the resin particles are obtained by polymerizing a polymerizable monomer having an ethylenic unsaturated group, examples of the polymerizable monomer having the ethylenic unsaturated group include a monomer that is incompatible with the monomer and a monomer that is crosslinkable.

상기 비가교성의 단량체로서는, 예를 들어 스티렌, α-메틸스티렌 등의 스티렌계 단량체; (메트)아크릴산, 말레산, 무수 말레산 등의 카르복실기 함유 단량체; 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 프로필(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 세틸(메트)아크릴레이트, 스테아릴(메트)아크릴레이트, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트 등의 알킬(메트)아크릴레이트 화합물; 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 글리세롤(메트)아크릴레이트, 폴리옥시에틸렌(메트)아크릴레이트, 글리시딜(메트)아크릴레이트 등의 산소 원자 함유 (메트)아크릴레이트 화합물; (메트)아크릴로니트릴 등의 니트릴 함유 단량체; 메틸비닐에테르, 에틸비닐에테르, 프로필비닐에테르 등의 비닐에테르 화합물; 아세트산비닐, 부티르산비닐, 라우르산비닐, 스테아르산비닐 등의 산비닐에스테르 화합물; 에틸렌, 프로필렌, 이소프렌, 부타디엔 등의 불포화 탄화수소; 트리플루오로메틸(메트)아크릴레이트, 펜타플루오로에틸(메트)아크릴레이트, 염화비닐, 불화비닐, 클로로스티렌 등의 할로겐 함유 단량체 등을 들 수 있다.Examples of the non-crosslinkable monomer include styrene-based monomers such as styrene and? -Methylstyrene; Carboxyl group-containing monomers such as (meth) acrylic acid, maleic acid, and maleic anhydride; (Meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl Alkyl (meth) acrylate compounds such as acrylate, stearyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate and isobornyl (meth) acrylate; (Meth) acrylate compounds such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, glycerol (meth) acrylate, polyoxyethylene (meth) acrylate and glycidyl (meth) acrylate; Nitrile-containing monomers such as (meth) acrylonitrile; Vinyl ether compounds such as methyl vinyl ether, ethyl vinyl ether and propyl vinyl ether; Acid vinyl ester compounds such as vinyl acetate, vinyl butyrate, vinyl laurate and vinyl stearate; Unsaturated hydrocarbons such as ethylene, propylene, isoprene and butadiene; Halogen-containing monomers such as trifluoromethyl (meth) acrylate, pentafluoroethyl (meth) acrylate, vinyl chloride, vinyl fluoride and chlorostyrene.

상기 가교성의 단량체로서는, 예를 들어 테트라메틸올메탄테트라(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 글리세롤트리(메트)아크릴레이트, 글리세롤디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)테트라메틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트 등의 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물; 트리알릴(이소)시아누레이트, 트리알릴트리멜리테이트, 디비닐벤젠, 디알릴프탈레이트, 디알릴아크릴아미드, 디알릴에테르, γ-(메트)아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 트리메톡시실릴스티렌, 비닐트리메톡시실란 등의 실란 함유 단량체 등을 들 수 있다.Examples of the crosslinkable monomer include tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, tetramethylol methane tri (meth) acrylate, tetramethylol methane di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) (Meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, glycerol tri (meth) acrylate, glycerol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di Polyfunctional (meth) acrylate compounds such as (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, (poly) tetramethylene glycol di (meth) acrylate and 1,4-butanediol di (meth) acrylate; (Meth) acryloxypropyltrimethoxysilane, trimethoxysilylstyrene, trimethylolpropane trimethoxysilane, triallyl trimellitate, divinyl benzene, diallyl phthalate, diallyl acrylamide, diallyl ether, , Silane-containing monomers such as vinyltrimethoxysilane, and the like.

상기 에틸렌성 불포화기를 갖는 중합성 단량체를, 공지의 방법에 의해 중합시킴으로써, 상기 수지 입자를 얻을 수 있다. 이 방법으로서는, 예를 들어, 라디칼 중합 개시제의 존재 하에서 현탁 중합하는 방법, 그리고 비가교의 종 입자를 사용하여 라디칼 중합 개시제와 함께 단량체를 팽윤시켜 중합하는 방법 등을 들 수 있다.The above-mentioned resin particles can be obtained by polymerizing the above-mentioned polymerizable monomer having an ethylenic unsaturated group by a known method. This method includes, for example, suspension polymerization in the presence of a radical polymerization initiator, and polymerization in which monomer is swollen together with a radical polymerization initiator using non-crosslinked seed particles.

상기 기재 입자가 금속 입자를 제외한 무기 입자 또는 유기 무기 하이브리드 입자인 경우에는, 기재 입자를 형성하기 위한 무기물로서는, 실리카, 알루미나, 티타늄산바륨, 지르코니아 및 카본 블랙 등을 들 수 있다. 상기 무기물은 금속이 아닌 것이 바람직하다. 상기 실리카에 의해 형성된 입자로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 가수분해성의 알콕시실릴기를 2개 이상 갖는 규소 화합물을 가수분해하여 가교 중합체 입자를 형성한 후에, 필요에 따라 소성을 행함으로써 얻어지는 입자를 들 수 있다. 상기 유기 무기 하이브리드 입자로서는, 예를 들어 가교한 알콕시실릴 중합체와 아크릴 수지에 의해 형성된 유기 무기 하이브리드 입자 등을 들 수 있다.When the base particles are inorganic particles other than metal particles or organic-inorganic hybrid particles, silica, alumina, barium titanate, zirconia and carbon black can be given as an inorganic substance for forming base particles. The inorganic material is preferably not a metal. The particles formed by the silica are not particularly limited. For example, particles obtained by hydrolyzing a silicon compound having two or more hydrolyzable alkoxysilyl groups to form crosslinked polymer particles, and then firing if necessary, . Examples of the organic-inorganic hybrid particles include organic-inorganic hybrid particles formed of a crosslinked alkoxysilyl polymer and an acrylic resin.

상기 유기 무기 하이브리드 입자는 코어와, 해당 코어의 표면 위에 배치된 셸을 갖는 코어 셸형의 유기 무기 하이브리드 입자인 것이 바람직하다. 상기 코어가 유기 코어인 것이 바람직하다. 상기 셸이 무기 셸인 것이 바람직하다. 전극간의 접속 저항을 한층 더 효과적으로 낮게 하는 관점에서는, 상기 기재 입자는 유기 코어와 상기 유기 코어의 표면 위에 배치된 무기 셸을 갖는 유기 무기 하이브리드 입자인 것이 바람직하다.The organic-inorganic hybrid particle is preferably a core-shell type organic-inorganic hybrid particle having a core and a shell disposed on the surface of the core. The core is preferably an organic core. Preferably, the shell is an inorganic shell. From the viewpoint of further effectively lowering the connection resistance between the electrodes, the base particles are preferably organic-inorganic hybrid particles having an organic core and an inorganic shell disposed on the surface of the organic core.

상기 유기 코어의 재료로서는, 상술한 수지 입자의 재료 등을 들 수 있다.As the material of the organic core, the above-mentioned materials of the resin particles and the like can be mentioned.

상기 무기 셸의 재료로서는, 상술한 기재 입자의 재료로서 예로 든 무기물을 들 수 있다. 상기 무기 셸의 재료는 실리카인 것이 바람직하다. 상기 무기 셸은 상기 코어의 표면 위에서, 금속 알콕시드를 졸겔법에 의해 셸상물로 한 후, 해당 셸상물을 소성시킴으로써 형성되어 있는 것이 바람직하다. 상기 금속 알콕시드는 실란알콕시드인 것이 바람직하다. 상기 무기 셸은 실란 알콕시드에 의해 형성되어 있는 것이 바람직하다.As the material of the inorganic shell, an inorganic substance exemplified as the material of the above base particles can be mentioned. The material of the inorganic shell is preferably silica. It is preferable that the inorganic shell is formed on the surface of the core by converting the metal alkoxide into a shell by a sol-gel method and then baking the shell shell. The metal alkoxide is preferably a silane alkoxide. The inorganic shell is preferably formed by silane alkoxide.

상기 기재 입자가 금속 입자인 경우에, 해당 금속 입자를 형성하기 위한 금속으로서는, 은, 구리, 니켈, 규소, 금 및 티타늄 등을 들 수 있다. 상기 기재 입자가 금속 입자인 경우에, 해당 금속 입자는 구리 입자인 것이 바람직하다. 단, 상기 기재 입자는 금속 입자가 아닌 것이 바람직하다.In the case where the base particles are metal particles, silver, copper, nickel, silicon, gold, titanium and the like can be given as metals for forming the metal particles. When the base particles are metal particles, the metal particles are preferably copper particles. However, it is preferable that the base particles are not metal particles.

상기 기재 입자의 입자 직경은 바람직하게는 0.5㎛ 이상, 보다 바람직하게는 1㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 3㎛ 이상이고, 바람직하게는 100㎛ 이하, 보다 바람직하게는 60㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 50㎛ 이하이다. 상기 기재 입자의 입자 직경이 상기 하한 이상이면, 도전성 입자와 전극의 접촉 면적이 커지기 때문에, 전극간의 도통 신뢰성이 한층 더 높아지고, 도전성 입자를 통해 접속된 전극간의 접속 저항을 한층 더 효과적으로 낮게 할 수 있다. 또한 기재 입자의 표면에 도전부를 형성할 때에 응집하기 어려워지고, 응집한 도전성 입자가 형성되기 어려워진다. 상기 기재 입자의 입자 직경이, 상기 상한 이하이면, 도전성 입자가 충분히 압축되기 쉽고, 도전성 입자를 통해 접속된 전극간의 접속 저항을 한층 더 효과적으로 낮게 할 수 있다.The particle diameter of the base particles is preferably 0.5 占 퐉 or more, more preferably 1 占 퐉 or more, further preferably 3 占 퐉 or more, preferably 100 占 퐉 or less, more preferably 60 占 퐉 or less, Or less. When the particle diameter of the base particles is at least the lower limit, the contact area between the conductive particles and the electrode is increased, so that the reliability of the connection between the electrodes is further increased, and the connection resistance between the electrodes connected through the conductive particles can be further effectively lowered . Further, when the conductive part is formed on the surface of the base particles, it is difficult to coagulate, and cohesive conductive particles are hardly formed. When the particle diameter of the base particles is less than the upper limit, the conductive particles are easily compressed sufficiently, and the connection resistance between the electrodes connected through the conductive particles can be further effectively lowered.

상기 기재 입자의 입자 직경은 5㎛ 이상 40㎛ 이하인 것이 특히 바람직하다. 상기 기재 입자의 입자 직경이 5㎛ 이상 40㎛ 이하의 범위 내이면, 전극간의 간격을 더 작게 할 수 있고, 또한 도전부의 두께를 두껍게 해도, 작은 도전성 입자를 얻을 수 있다.Particle diameter of the base particles is particularly preferably 5 탆 or more and 40 탆 or less. If the particle diameter of the base particles is in the range of 5 占 퐉 or more and 40 占 퐉 or less, the interval between the electrodes can be further reduced, and even if the thickness of the conductive portion is increased, small conductive particles can be obtained.

상기 기재 입자의 입자 직경은 기재 입자가 진구상인 경우에는 직경을 나타내고, 기재 입자가 진구상이 아닌 경우에는 최대 직경을 나타낸다.The particle diameter of the base particles shows a diameter when base particles are spherical, and shows a maximum diameter when base particles are not spherical.

상기 기재 입자의 입자 직경은 수 평균 입자 직경을 나타낸다. 상기 기재 입자의 입자 직경은 입도 분포 측정 장치 등을 사용하여 구해진다. 기재 입자의 입자 직경은 임의의 기재 입자 50개를 전자 현미경 또는 광학 현미경으로 관찰하고, 평균값을 산출함으로써 구하는 것이 바람직하다. 도전성 입자에 있어서, 상기 기재 입자의 입자 직경을 측정하는 경우에는, 예를 들어 이하와 같이 하여 측정할 수 있다.The particle diameter of the base particles indicates the number average particle diameter. The particle diameter of the base particles is obtained by using a particle size distribution measuring apparatus or the like. The particle diameter of the base particles is preferably determined by observing 50 arbitrary base particles with an electron microscope or an optical microscope and calculating an average value. In the case of measuring the particle diameter of the base particles in the conductive particles, the measurement can be carried out, for example, as follows.

도전성 입자의 함유량이 30중량%가 되도록, Kulzer사제 「테크노비트 4000」에 첨가하고, 분산시켜, 도전성 입자 검사용 매립 수지를 제작한다. 검사용 매립 수지 중에 분산된 도전성 입자의 중심 부근을 지나도록 이온 밀링 장치(히타치 하이테크놀러지즈사제 「IM4000」)를 사용하여, 도전성 입자의 단면을 잘라낸다. 그리고, 전계 방사형 주사형 전자 현미경(FE-SEM)을 사용하여, 화상 배율을 25000배로 설정하고, 50개의 도전성 입자를 무작위로 선택하여, 각 도전성 입자의 기재 입자를 관찰한다. 각 도전성 입자에 있어서의 기재 입자의 입자 직경을 계측하고, 그것들을 산술 평균하여 기재 입자의 입자 직경으로 한다.TechnoBit 4000 " manufactured by Kulzer Co., Ltd., so that the content of the conductive particles is 30% by weight, and dispersed to prepare a buried resin for conductive particle inspection. The cross section of the conductive particles is cut out using an ion milling apparatus ("IM4000" manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation) so as to pass near the center of the conductive particles dispersed in the embedding resin for inspection. Then, using a field emission scanning electron microscope (FE-SEM), image magnification was set at 25000 times, and 50 conductive particles were randomly selected to observe base particles of each conductive particle. The particle diameters of the base particles in each conductive particle are measured and arithmetically averaged to determine the particle diameter of the base particles.

상기 기재 입자의 표면 위에 도전부를 형성하는 방법, 그리고 상기 기재 입자의 표면 위 또는 상기 제2 도전부의 표면 위에 땜납부를 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않는다. 상기 도전부 및 상기 땜납부를 형성하는 방법으로서는, 예를 들어 무전해 도금에 의한 방법, 전기 도금에 의한 방법, 물리적인 충돌에 의한 방법, 메카노케미컬 반응에 의한 방법, 물리적 증착 또는 물리적 흡착에 의한 방법, 그리고 금속 분말 혹은 금속 분말과 결합제를 포함하는 페이스트를 기재 입자의 표면에 코팅하는 방법 등을 들 수 있다. 상기 도전부 및 상기 땜납부를 형성하는 방법은 무전해 도금, 전기 도금 또는 물리적인 충돌에 의한 방법인 것이 바람직하다. 상기 물리적 증착에 의한 방법으로서는, 진공 증착, 이온 플레이팅 및 이온 스퍼터링 등의 방법을 들 수 있다. 또한, 상기 물리적인 충돌에 의한 방법에서는, 예를 들어 시터컴포저(도쿠주 고사쿠쇼사제) 등이 사용된다.A method of forming a conductive portion on the surface of the base particle and a method of forming a solder portion on the surface of the base particle or on the surface of the second conductive portion are not particularly limited. Examples of the method for forming the conductive portion and the solder portion include a method by electroless plating, a method by electroplating, a method by physical impact, a method by mechanochemical reaction, a method by physical vapor deposition or physical adsorption A method of coating a surface of a base particle with a paste containing a metal powder or a metal powder and a binder, and the like. The conductive part and the solder part are preferably formed by electroless plating, electroplating or physical impact. Examples of the physical deposition method include vacuum deposition, ion plating and ion sputtering. Further, in the above-mentioned physical collision method, for example, Seitar Composer (manufactured by Tokushu Kousaku Co., Ltd.) is used.

상기 기재 입자의 융점은 상기 도전부 및 상기 땜납부의 융점보다도 높은 것이 바람직하다. 상기 기재 입자의 융점은 바람직하게는 160℃를 초과하고, 보다 바람직하게는 300℃를 초과하고, 더욱 바람직하게는 400℃를 초과하고, 특히 바람직하게는 450℃를 초과한다. 또한, 상기 기재 입자의 융점은 400℃ 미만이어도 된다. 상기 기재 입자의 융점은 160℃ 이하여도 된다. 상기 기재 입자의 연화점은 260℃ 이상인 것이 바람직하다. 상기 기재 입자의 연화점은 260℃ 미만이어도 된다.The melting point of the base particles is preferably higher than the melting point of the conductive portion and the soldering portion. The melting point of the base particles preferably exceeds 160 캜, more preferably exceeds 300 캜, more preferably exceeds 400 캜, and particularly preferably exceeds 450 캜. The melting point of the base particles may be lower than 400 占 폚. The melting point of the base particles may be 160 캜 or less. The base particles preferably have a softening point of 260 캜 or higher. The softening point of the base particles may be less than 260 캜.

상기 제1 도전성 입자는 단층의 땜납부를 갖고 있어도 된다. 상기 제1 도전성 입자는 복수의 층의 도전부(땜납부, 제2 도전부)를 갖고 있어도 된다. 즉, 상기 제1 도전성 입자에서는 도전부를 2층 이상 적층해도 된다. 상기 도전부가 2층 이상인 경우, 상기 제1 도전성 입자는 도전부의 외표면 부분에 땜납을 갖는 것이 바람직하다.The first conductive particles may have a single-layer solder portion. The first conductive particles may have a plurality of conductive portions (solder portions, second conductive portions). That is, in the first conductive particles, two or more conductive portions may be laminated. When the conductive portion is two or more layers, it is preferable that the first conductive particles have solder on the outer surface portion of the conductive portion.

상기 땜납은 융점이 450℃ 이하인 금속(저융점 금속)인 것이 바람직하다. 상기 땜납부는 융점이 450℃ 이하인 금속층(저융점 금속층)인 것이 바람직하다. 상기 저융점 금속층은 저융점 금속을 포함하는 층이다. 상기 제1 도전성 입자에 있어서의 땜납은 융점이 450℃ 이하인 금속 입자(저융점 금속 입자)인 것이 바람직하다. 상기 저융점 금속 입자는 저융점 금속을 포함하는 입자이다. 해당 저융점 금속이란, 융점이 450℃ 이하인 금속을 나타낸다. 저융점 금속의 융점은 바람직하게는 300℃ 이하, 보다 바람직하게는 160℃ 이하이다. 또한, 상기 제1 도전성 입자에 있어서의 땜납은 주석을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 땜납부에 포함되는 금속 100중량% 중 및 상기 제1 도전성 입자에 있어서의 땜납에 포함되는 금속 100중량% 중, 주석의 함유량은 바람직하게는 30중량% 이상, 보다 바람직하게는 40중량% 이상, 더욱 바람직하게는 70중량% 이상, 특히 바람직하게는 90중량% 이상이다. 상기 제1 도전성 입자에 있어서의 땜납 중의 주석의 함유량이 상기 하한 이상이면, 제1 도전성 입자와 전극의 도통 신뢰성이 한층 더 높아진다.The solder is preferably a metal having a melting point of 450 DEG C or less (low melting point metal). The solder portion is preferably a metal layer (low-melting-point metal layer) having a melting point of 450 캜 or less. The low melting point metal layer is a layer containing a low melting point metal. The solder in the first conductive particle is preferably a metal particle (low-melting-point metal particle) having a melting point of 450 캜 or lower. The low melting point metal particles are particles containing a low melting point metal. The low melting point metal means a metal having a melting point of 450 캜 or lower. The melting point of the low melting point metal is preferably 300 DEG C or lower, more preferably 160 DEG C or lower. It is preferable that the solder in the first conductive particle contains tin. The tin content in the solder is preferably 30 wt% or more, more preferably 40 wt% or more, in 100 wt% of the metal contained in the soldering portion and 100 wt% of the metal contained in the solder in the first conductive particle , More preferably not less than 70 wt%, particularly preferably not less than 90 wt%. When the content of tin in the solder in the first conductive particles is not lower than the lower limit described above, the conductivity reliability of the first conductive particles and the electrode is further enhanced.

또한, 상기 주석의 함유량은 고주파 유도 결합 플라스마 발광 분광 분석 장치(호리바 세이사쿠쇼사제 「ICP-AES」), 또는 형광 X선 분석 장치(시마즈 세이사쿠쇼사제 「EDX-800HS」) 등을 사용하여 측정 가능하다.The content of the tin was determined using a high frequency inductively coupled plasma emission spectrochemical analyzer ("ICP-AES" manufactured by Horiba Seisakusho Co., Ltd.) or a fluorescent X-ray analyzer ("EDX-800HS" available from Shimadzu Corporation) It is measurable.

상기 땜납을 도전부의 외표면 부분에 갖는 제1 도전성 입자를 사용함으로써, 땜납이 용융되어 전극에 접합하고, 땜납이 전극 사이를 도통시킨다. 예를 들어, 땜납과 전극이 점접촉이 아니라 면 접촉하기 쉽기 때문에, 접속 저항이 낮아진다. 또한, 땜납을 도전부의 외표면 부분에 갖는 제1 도전성 입자의 사용에 의해, 땜납과 전극의 접합 강도가 높아지는 결과, 땜납과 전극의 박리가 한층 더 발생하기 어려워져, 도통 신뢰성이 효과적으로 높아진다.By using the first conductive particles having the solder on the outer surface portion of the conductive portion, the solder is melted and bonded to the electrode, and the solder makes the electrodes conductive. For example, if the solder and the electrode are not in point contact, they are likely to come into contact with each other, so that the connection resistance is lowered. Further, by using the first conductive particles having the solder on the outer surface portion of the conductive portion, the bonding strength between the solder and the electrode is increased, and as a result, the solder and the electrode are less likely to be peeled off, and the reliability of conduction is effectively increased.

상기 땜납부 및 상기 땜납 입자를 구성하는 저융점 금속은 특별히 한정되지 않는다. 해당 저융점 금속은 주석, 또는 주석을 포함하는 합금인 것이 바람직하다. 해당 합금은 주석-은 합금, 주석-구리 합금, 주석-은-구리-구리 주석-비스머스 합금, 주석-아연 합금, 주석-인듐 합금 등을 들 수 있다. 전극에 대한 습윤성이 우수한 점에서, 상기 저융점 금속은 주석, 주석-은 합금, 주석-은-구리 합금, 주석-비스머스 합금, 주석-인듐 합금인 것이 바람직하다. 주석-비스머스 합금, 주석-인듐 합금인 것이 보다 바람직하다.The soldering portion and the low melting point metal constituting the solder particle are not particularly limited. The low melting point metal is preferably an alloy containing tin or tin. The alloys include tin-silver alloys, tin-copper alloys, tin-silver-copper-copper tin-bismuth alloys, tin-zinc alloys, and tin-indium alloys. The low melting point metal is preferably tin, a tin-silver alloy, a tin-silver-copper alloy, a tin-bismuth alloy, or a tin-indium alloy in view of excellent wettability to electrodes. Tin-bismuth alloy, and tin-indium alloy.

상기 땜납(땜납부)을 구성하는 재료는 JIS Z3001: 용접 용어에 기초하여, 액상선이 450℃ 이하인 용가재인 것이 바람직하다. 상기 땜납의 조성으로서는, 예를 들어 아연, 금, 은, 납, 구리, 주석, 비스무트, 인듐 등을 포함하는 금속 조성을 들 수 있다. 저융점이고 납 프리인 주석-인듐계(117℃ 공정), 또는 주석-비스무트계(139℃ 공정)가 바람직하다. 즉, 상기 땜납은 납을 포함하지 않는 것이 바람직하고, 주석과 인듐을 포함하는 땜납, 또는 주석과 비스무트를 포함하는 땜납인 것이 바람직하다.The material constituting the solder (soldering portion) is preferably a filler material having a liquidus line of 450 DEG C or less based on JIS Z3001: welding terminology. Examples of the composition of the solder include a metal composition including zinc, gold, silver, lead, copper, tin, bismuth, indium and the like. Tin-indium based (117 占 폚) or tin-bismuth (139 占 폚) low melting point and lead-free are preferable. That is, it is preferable that the solder does not contain lead, and is preferably solder containing tin and indium, or solder containing tin and bismuth.

상기 땜납 전극과의 접합 강도를 한층 더 높이기 위해, 상기 제1 도전성 입자에 있어서의 땜납은 니켈, 구리, 안티몬, 알루미늄, 아연, 철, 금, 티타늄, 인, 게르마늄, 텔루륨, 코발트, 비스무트, 망간, 크롬, 몰리브덴, 팔라듐 등의 금속을 포함하고 있어도 된다. 또한, 땜납과 전극의 접합 강도를 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 제1 도전성 입자에 있어서의 땜납은 니켈, 구리, 안티몬, 알루미늄 또는 아연을 포함하는 것이 바람직하다. 땜납부 또는 제1 도전성 입자에 있어서의 땜납과 전극의 접합 강도를 한층 더 높이는 관점에서는, 접합 강도를 높이기 위한 이것들의 금속의 함유량은 상기 제1 도전성 입자에 있어서의 땜납 100중량% 중, 바람직하게는 0.0001중량% 이상, 바람직하게는 1중량% 이하이다.The solder in the first conductive particles may be at least one selected from the group consisting of nickel, copper, antimony, aluminum, zinc, iron, gold, titanium, phosphorus, germanium, tellurium, cobalt, bismuth, Manganese, chromium, molybdenum, palladium, and the like. From the viewpoint of further increasing the bonding strength between the solder and the electrode, it is preferable that the solder in the first conductive particle includes nickel, copper, antimony, aluminum or zinc. From the viewpoint of further increasing the bonding strength between the solder and the electrode in the solder portion or the first conductive particles, the content of these metals for increasing the bonding strength is preferably 100% by weight or less Is 0.0001% by weight or more, preferably 1% by weight or less.

상기 제2 도전부의 융점은 상기 땜납부의 융점보다도 높은 것이 바람직하다. 상기 제2 도전부의 융점은 바람직하게는 160℃를 초과하고, 보다 바람직하게는 300℃를 초과하고, 더욱 바람직하게는 400℃를 초과하고, 한층 더 바람직하게는 450℃를 초과하고, 특히 바람직하게는 500℃를 초과하고, 가장 바람직하게는 600℃를 초과한다. 상기 땜납부는 융점이 낮기 때문에 도전 접속 시에 용융된다. 상기 제2 도전부는 도전 접속 시에 용융되지 않는 것이 바람직하다. 상기 제1 도전성 입자는 땜납을 용융시켜 사용되는 것이 바람직하고, 상기 땜납부를 용융시켜 사용되는 것이 바람직하고, 상기 땜납부를 용융시키고 또한 상기 제2 도전부를 용융시키지 않고 사용되는 것이 바람직하다. 상기 제2 도전부의 융점이 상기 땜납부의 융점보다도 높은 것에 의해, 도전 접속 시에, 상기 제2 도전부를 용융시키지 않고, 상기 땜납부만을 용융시킬 수 있다.The melting point of the second conductive part is preferably higher than the melting point of the soldering part. The melting point of the second conductive portion is preferably more than 160 ° C, more preferably more than 300 ° C, more preferably more than 400 ° C, even more preferably more than 450 ° C, Gt; 500 C, < / RTI > and most preferably greater than 600 C. < / RTI > Since the solder portion has a low melting point, it is melted at the time of conductive connection. It is preferable that the second conductive portion is not melted at the time of conductive connection. It is preferable that the first conductive particles are used by melting the solder. Preferably, the first conductive particles are used by melting the solder portion, and the solder portion is preferably melted and the second conductive portion is not melted. The melting point of the second conductive portion is higher than the melting point of the soldering portion so that the soldering portion alone can be melted without melting the second conductive portion at the time of conductive connection.

상기 땜납부의 융점과 상기 제2 도전부의 융점의 차의 절댓값은 0℃를 초과하고, 바람직하게는 5℃ 이상, 보다 바람직하게는 10℃ 이상, 더욱 바람직하게는 30℃ 이상, 특히 바람직하게는 50℃ 이상, 가장 바람직하게는 100℃ 이상이다.The maximum value of the difference between the melting point of the soldering portion and the melting point of the second conductive portion is more than 0 ° C, preferably 5 ° C or more, more preferably 10 ° C or more, still more preferably 30 ° C or more, 50 DEG C or higher, and most preferably 100 DEG C or higher.

상기 제2 도전부는 금속을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 제2 도전부를 구성하는 금속은 특별히 한정되지 않는다. 해당 금속으로서는, 예를 들어 금, 은, 구리, 백금, 팔라듐, 아연, 납, 알루미늄, 코발트, 인듐, 니켈, 크롬, 티타늄, 안티몬, 비스무트, 게르마늄 및 카드뮴, 그리고 이것들의 합금 등을 들 수 있다. 또한, 상기 금속으로서, 주석 도프 산화인듐(ITO)을 사용해도 된다. 상기 금속은 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.The second conductive part preferably includes a metal. The metal constituting the second conductive portion is not particularly limited. Examples of the metal include gold, silver, copper, platinum, palladium, zinc, lead, aluminum, cobalt, indium, nickel, chromium, titanium, antimony, bismuth, germanium and cadmium, . As the metal, tin-doped indium oxide (ITO) may be used. The metal may be used alone or in combination of two or more.

상기 제2 도전부는 니켈층, 팔라듐층, 구리층 또는 금층인 것이 바람직하고, 니켈층 또는 금층인 것이 보다 바람직하고, 구리층인 것이 더욱 바람직하다. 제1 도전성 입자는 니켈층, 팔라듐층, 구리층 또는 금층을 갖는 것이 바람직하고, 니켈층 또는 금층을 갖는 것이 보다 바람직하고, 구리층을 갖는 것이 더욱 바람직하다. 이것들의 바람직한 도전부를 갖는 제1 도전성 입자를 전극간의 접속에 사용함으로써, 전극간의 접속 저항이 한층 더 낮아진다. 또한, 이것들의 바람직한 도전부의 표면에는 땜납부를 한층 더 용이하게 형성할 수 있다.The second conductive portion is preferably a nickel layer, a palladium layer, a copper layer or a gold layer, more preferably a nickel layer or a gold layer, and more preferably a copper layer. The first conductive particles preferably have a nickel layer, a palladium layer, a copper layer or a gold layer, more preferably a nickel layer or a gold layer, and more preferably a copper layer. By using the first conductive particles having these preferable conductive portions for connection between the electrodes, the connection resistance between the electrodes is further lowered. Further, a solder portion can be formed more easily on the surface of these preferable conductive portions.

상기 땜납부의 두께는 바람직하게는 0.005㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.01㎛ 이상이고, 바람직하게는 10㎛ 이하, 보다 바람직하게는 1㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 0.3㎛ 이하이다. 땜납부의 두께가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 충분한 도전성이 얻어지고, 또한 제1 도전성 입자가 지나치게 단단해지지 않고, 전극간의 접속 시에 제1 도전성 입자가 충분히 변형된다.The thickness of the soldering portion is preferably 0.005 탆 or more, more preferably 0.01 탆 or more, preferably 10 탆 or less, more preferably 1 탆 or less, further preferably 0.3 탆 or less. When the thickness of the solder portion is not less than the lower limit and not more than the upper limit, sufficient conductivity is obtained and the first conductive particles are not excessively hardened, and the first conductive particles are sufficiently deformed at the time of connection between the electrodes.

상기 제1 도전성 입자의 평균 입자 직경은 바람직하게는 0.5㎛ 이상, 보다 바람직하게는 1㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 3㎛ 이상이고, 바람직하게는 100㎛ 이하, 보다 바람직하게는 50㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 40㎛ 이하, 특히 바람직하게는 30㎛ 이하이다. 상기 제1 도전성 입자의 평균 입자 직경이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 전극 위에 제1 도전성 입자에 있어서의 땜납을 한층 더 효율적으로 배치할 수 있어, 전극 사이에 제1 도전성 입자에 있어서의 땜납을 많이 배치하는 것이 용이하고, 도통 신뢰성이 한층 더 높아진다.The average particle diameter of the first conductive particles is preferably 0.5 占 퐉 or more, more preferably 1 占 퐉 or more, further preferably 3 占 퐉 or more, preferably 100 占 퐉 or less, more preferably 50 占 퐉 or less Preferably 40 mu m or less, particularly preferably 30 mu m or less. When the average particle diameter of the first conductive particles is not less than the lower limit and not more than the upper limit, solder in the first conductive particles can be more efficiently arranged on the electrode, and solder in the first conductive particles It is easy to arrange a large number of electrodes, and the conduction reliability is further increased.

상기 제1 도전성 입자의 「평균 입자 직경」은 수 평균 입자 직경을 나타낸다. 제1 도전성 입자의 평균 입자 직경은, 예를 들어 임의의 제1 도전성 입자 50개를 전자 현미경 또는 광학 현미경으로 관찰하고, 평균값을 산출함으로써 구해진다.The " average particle diameter " of the first conductive particles indicates the number average particle diameter. The average particle diameter of the first conductive particles can be obtained by, for example, observing 50 pieces of the first conductive particles with an electron microscope or an optical microscope and calculating an average value.

상기 제1 도전성 입자의 입자 직경의 CV값은 바람직하게는 5% 이상, 보다 바람직하게는 10% 이상이고, 바람직하게는 40% 이하, 보다 바람직하게는 30% 이하이다. 상기 입자 직경의 CV값이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 전극 위에 땜납을 한층 더 효율적으로 배치할 수 있다. 단, 상기 도전성 입자의 입자 직경의 CV값은 5% 미만이어도 된다.The CV value of the particle diameter of the first conductive particles is preferably 5% or more, more preferably 10% or more, preferably 40% or less, more preferably 30% or less. When the CV value of the particle diameter is not less than the lower limit and not more than the upper limit, solder can be more efficiently arranged on the electrode. However, the CV value of the particle diameter of the conductive particles may be less than 5%.

상기 제1 도전성 입자의 입자 직경의 CV값(변동 계수)은 이하와 같이 하여 측정할 수 있다.The CV value (coefficient of variation) of the particle diameter of the first conductive particles can be measured as follows.

CV값(%)=(ρ/Dn)×100CV value (%) = (rho / Dn) x100

ρ: 제1 도전성 입자의 입자 직경의 표준 편차ρ: standard deviation of the particle diameters of the first conductive particles

Dn: 제1 도전성 입자의 입자 직경의 평균값Dn: Average value of the particle diameters of the first conductive particles

상기 제1 도전성 입자의 형상은 특별히 한정되지 않는다. 상기 제1 도전성 입자의 형상은 구상이어도 되고, 편평상 등의 구형상 이외의 형상이어도 된다.The shape of the first conductive particles is not particularly limited. The shape of the first conductive particles may be a spherical shape or a shape other than a spherical shape such as a flat shape.

상기 제1 도전성 입자의 산가는 바람직하게는 0.1㎎/KOH 이상, 보다 바람직하게는 1㎎/KOH 이상이고, 바람직하게는 10㎎/KOH 이하, 보다 바람직하게는 7㎎/KOH 이하이다. 상기 산가가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 경화물의 내열성이 한층 더 높아지고, 경화물의 변색이 한층 더 억제된다.The acid value of the first conductive particles is preferably 0.1 mg / KOH or more, more preferably 1 mg / KOH or more, preferably 10 mg / KOH or less, more preferably 7 mg / KOH or less. If the acid value is higher than or equal to the lower limit and lower than or equal to the upper limit, the heat resistance of the cured product is further increased, and the discoloration of the cured product is further suppressed.

상기 산가는 이하와 같이 하여 측정할 수 있다. 에탄올에 페놀프탈레인을 넣고, 0.1N-KOH로 중화한 용액 50ml에 대하여, 제1 도전성 입자 1g을 넣고, 초음파 처리에서 분산시킨 후, 0.1N-KOH로 적정한다.The acid value can be measured in the following manner. Phenolphthalein was added to ethanol, and 50 ml of the solution neutralized with 0.1 N-KOH was added with 1 g of the first conductive particles, dispersed by ultrasonic treatment, and titrated with 0.1 N-KOH.

상기 도전 재료 100중량% 중, 상기 제1 도전성 입자의 함유량은 바람직하게는 1중량% 이상, 보다 바람직하게는 2중량% 이상, 더욱 바람직하게는 10중량% 이상, 특히 바람직하게는 20중량% 이상, 가장 바람직하게는 30중량% 이상이고, 바람직하게는 90중량% 이하, 보다 바람직하게는 80중량% 이하, 더욱 바람직하게는 60중량% 이하, 특히 바람직하게는 50중량% 이하이다. 상기 제1 도전성 입자의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 전극 위에 제1 도전성 입자에 있어서의 땜납을 한층 더 효율적으로 배치할 수 있어, 전극 사이에 제1 도전성 입자에 있어서의 땜납을 많이 배치하는 것이 용이하고, 도통 신뢰성이 한층 더 높아진다. 도통 신뢰성을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 제1 도전성 입자의 함유량은 많은 편이 바람직하다.The content of the first conductive particles in 100 wt% of the conductive material is preferably 1 wt% or more, more preferably 2 wt% or more, further preferably 10 wt% or more, particularly preferably 20 wt% or more , Most preferably not less than 30 wt%, preferably not more than 90 wt%, more preferably not more than 80 wt%, more preferably not more than 60 wt%, particularly preferably not more than 50 wt%. When the content of the first conductive particles is not less than the lower limit and not more than the upper limit, the solder in the first conductive particles can be more efficiently arranged on the electrode, and the solder in the first conductive particles It is easy to arrange them, and the conduction reliability is further enhanced. From the viewpoint of further enhancing conduction reliability, the content of the first conductive particles is preferably large.

(제2 도전성 입자)(Second conductive particle)

상기 제2 도전성 입자는 도전부의 외표면 부분에 은, 루테늄, 이리듐, 금, 팔라듐 또는 백금(은, 루테늄, 이리듐, 금, 팔라듐 또는 백금을 포함하는 도전부)을 갖는다. 상기 제2 도전성 입자는 은, 루테늄, 이리듐, 금, 팔라듐 또는 백금에 의해 형성된 금속 입자여도 된다. 상기 금속 입자는 은, 루테늄, 이리듐, 금, 팔라듐 또는 백금을 도전부의 외표면 부분에 갖는다. 상기 금속 입자는 중심 부분 및 도전부의 외표면 모두가 은, 루테늄, 이리듐, 금, 팔라듐 또는 백금인 입자이다. 상기 금속 입자는 코어 입자로서, 기재 입자를 갖지 않는다. 상기 금속 입자는 기재 입자와, 상기 기재 입자의 표면 위에 배치된 도전부를 구비하는 도전성 입자와는 상이하다. 상기 도전부의 외표면 부분 및 상기 은, 루테늄, 이리듐, 금, 팔라듐 또는 백금을 포함하는 도전부는, 예를 들어 은, 루테늄, 이리듐, 금, 팔라듐 및 백금을 바람직하게는 80중량% 이상, 보다 바람직하게는 90중량% 이상, 더욱 바람직하게는 95중량% 이상 포함한다. 상기 제2 도전성 입자는 기재 입자와, 해당 기재 입자의 표면 위에 배치된 도전부를 갖고 있어도 된다. 이 경우에, 상기 제2 도전성 입자는 도전부의 외표면 부분에 은, 루테늄, 이리듐, 금, 팔라듐 또는 백금을 갖는다.The second conductive particle has silver, ruthenium, iridium, gold, palladium or platinum (conductive portion including silver, ruthenium, iridium, gold, palladium or platinum) on the outer surface portion of the conductive portion. The second conductive particles may be metal particles formed by silver, ruthenium, iridium, gold, palladium or platinum. The metal particles have silver, ruthenium, iridium, gold, palladium or platinum on the outer surface portion of the conductive portion. The metal particles are particles in which both the center portion and the outer surface of the conductive portion are silver, ruthenium, iridium, gold, palladium or platinum. The metal particles are core particles and do not have base particles. The metal particles are different from the conductive particles having the base particles and the conductive portions disposed on the surface of the base particles. The conductive portion including the outer surface portion of the conductive portion and the silver, ruthenium, iridium, gold, palladium or platinum is preferably 80 wt% or more, more preferably 80 wt% or more, for example, silver, ruthenium, By weight or more, 90% by weight or more, and more preferably 95% by weight or more. The second conductive particles may have base particles and a conductive portion disposed on the surface of the base particles. In this case, the second conductive particles have silver, ruthenium, iridium, gold, palladium or platinum on the outer surface portion of the conductive portion.

상기 제2 도전성 입자의 도전부의 외표면 부분은, 상기 제1 도전성 입자의 도전부의 외표면 부분의 융점보다도 높다. 상기 제2 도전성 입자의 도전부의 외표면 부분 및 상기 은, 루테늄, 이리듐, 금, 팔라듐 또는 백금을 포함하는 도전부는, 상기 제1 도전성 입자의 도전부의 외표면 부분의 융점보다도 50℃ 이상 높은 것이 바람직하고, 100℃ 이상 높은 것이 바람직하다. 상기 제2 도전성 입자의 도전부의 외표면 부분 및 상기 은, 루테늄, 이리듐, 금, 팔라듐 또는 백금을 포함하는 도전부의 융점은, 바람직하게는 300℃ 이상, 보다 바람직하게는 400℃ 이상, 더욱 바람직하게는 500℃ 이상이다.The outer surface portion of the conductive portion of the second conductive particle is higher than the melting point of the outer surface portion of the conductive portion of the first conductive particle. It is preferable that the conductive portion including the outer surface portion of the conductive portion of the second conductive particle and the silver, ruthenium, iridium, gold, palladium or platinum is higher than the melting point of the outer surface portion of the conductive portion of the first conductive particle by 50 ° C or more And preferably 100 占 폚 or higher. The melting point of the outer surface portion of the conductive portion of the second conductive particles and the conductive portion containing silver, ruthenium, iridium, gold, palladium or platinum is preferably 300 ° C or higher, more preferably 400 ° C or higher, Lt; / RTI >

상기 제2 도전성 입자에 있어서의 기재 입자로서는, 상기 제1 도전성 입자에 있어서의 기재 입자와 동일한 기재 입자를 들 수 있다.The base particles in the second conductive particles may be the same base particles as the base particles in the first conductive particles.

또한, 제2 도전성 입자는 도 4에 나타내는 도전성 입자(21)에 있어서의 땜납을, 은, 루테늄, 이리듐, 금, 팔라듐 또는 백금 대신에 도전성 입자여도 된다. 제2 도전성 입자는 도 5에 나타내는 도전성 입자(31)에 있어서의 제2 도전부(33B)의 땜납을, 은, 루테늄, 이리듐, 금, 팔라듐 또는 백금 대신에 도전성 입자여도 된다. 제2 도전성 입자는 도 6에 나타내는 도전성 입자(41)에 있어서의 땜납부(42)의 땜납을, 은, 루테늄, 이리듐, 금, 팔라듐 또는 백금 대신에 도전성 입자여도 된다.The second conductive particles may be the conductive particles instead of silver, ruthenium, iridium, gold, palladium or platinum in the solder in the conductive particles 21 shown in Fig. The second conductive particles may be the conductive particles instead of silver, ruthenium, iridium, gold, palladium or platinum in the solder of the second conductive portion 33B in the conductive particles 31 shown in Fig. The second conductive particles may be solder of the solder portion 42 in the conductive particles 41 shown in Fig. 6 instead of silver, ruthenium, iridium, gold, palladium or platinum.

은, 루테늄, 이리듐, 금, 팔라듐 또는 백금을 포함하는 도전부는, 은, 루테늄, 이리듐, 금, 팔라듐 및 백금을 포함하는 군에서 선택되는 적어도 1종의 금속을 포함하고 있으면 된다. 은, 루테늄, 이리듐, 금, 팔라듐 또는 백금을 포함하는 도전부는, 은, 루테늄, 이리듐, 금, 팔라듐 및 백금을 포함하는 군에서 선택되는 금속을 2종 이상 포함하고 있어도 된다. 은, 루테늄, 이리듐, 금, 팔라듐 또는 백금을 포함하는 도전부에서는, 은, 루테늄, 이리듐, 금, 팔라듐 및 백금은 합금화하고 있어도 된다.The conductive portion containing silver, ruthenium, iridium, gold, palladium or platinum may contain at least one metal selected from the group consisting of silver, ruthenium, iridium, gold, palladium and platinum. Silver, ruthenium, iridium, gold, palladium or platinum may contain two or more metals selected from the group consisting of silver, ruthenium, iridium, gold, palladium and platinum. Silver, ruthenium, iridium, gold, palladium and platinum may be alloyed in the conductive portion including silver, ruthenium, iridium, gold, palladium or platinum.

전극 위에 제1 도전성 입자에 있어서의 땜납을 한층 더 효율적으로 배치하는 관점에서는, 상기 제2 도전성 입자는 도전부의 외표면 부분에 은, 금, 팔라듐 또는 백금을 갖는 것이 바람직하고, 도전부의 외표면 부분에 은, 금 또는 팔라듐을 갖는 것이 보다 바람직하고, 도전부의 외표면 부분에 금 또는 팔라듐을 갖는 것이 더욱 바람직하고, 도전부의 외표면 부분에 금을 갖는 것이 특히 바람직하다.From the viewpoint of more efficiently arranging the solder in the first conductive particles on the electrode, it is preferable that the second conductive particles have silver, gold, palladium or platinum on the outer surface portion of the conductive portion, It is more preferable to have silver, gold or palladium, more preferably gold or palladium on the outer surface portion of the conductive portion, and particularly preferably gold on the outer surface portion of the conductive portion.

상기 은, 루테늄, 이리듐, 금, 팔라듐 또는 백금을 포함하는 도전부의 두께는 바람직하게는 0.005㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.01㎛ 이상이고, 바람직하게는 10㎛ 이하, 보다 바람직하게는 1㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 0.3㎛ 이하이다. 은, 루테늄, 이리듐, 금, 팔라듐 또는 백금을 포함하는 도전부의 두께가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 충분한 도전성이 얻어진다.The thickness of the conductive part including silver, ruthenium, iridium, gold, palladium or platinum is preferably 0.005 탆 or more, more preferably 0.01 탆 or more, preferably 10 탆 or less, more preferably 1 탆 or less, More preferably not more than 0.3 mu m. When the thickness of the conductive part including ruthenium, iridium, gold, palladium or platinum is not less than the lower limit and not more than the upper limit, sufficient conductivity is obtained.

상기 제2 도전성 입자의 평균 입자 직경은 바람직하게는 3㎛ 이상이고, 바람직하게는 50㎛ 이하, 보다 바람직하게는 20㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 10㎛ 이하이다. 상기 제2 도전성 입자가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 제2 도전성 입자에 의해, 전극 위에 제1 도전성 입자에 있어서의 땜납을 한층 더 효율적으로 배치할 수 있다.The average particle diameter of the second conductive particles is preferably not less than 3 mu m, preferably not more than 50 mu m, more preferably not more than 20 mu m, further preferably not more than 10 mu m. If the second conductive particles are above the lower limit and above the upper limit, solder in the first conductive particles can be more efficiently arranged on the electrode by the second conductive particles.

상기 제1 도전성 입자의 평균 입자 직경의 상기 제2 도전성 입자의 평균 입자 직경에 대한 비(제1 도전성 입자의 평균 입자 직경/제2 도전성 입자의 평균 입자 직경)는 바람직하게는 1 이상, 보다 바람직하게는 2 이상, 더욱 바람직하게는 3 이상이고, 바람직하게는 4 이하이다. 상기 비(제1 도전성 입자의 평균 입자 직경/제2 도전성 입자의 평균 입자 직경)가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 제2 도전성 입자에 의해, 전극 위에 제1 도전성 입자에 있어서의 땜납을 한층 더 효율적으로 배치할 수 있다.The ratio of the average particle diameter of the first conductive particles to the average particle diameter of the second conductive particles (average particle diameter of the first conductive particles / average particle diameter of the second conductive particles) is preferably 1 or more, more preferably Is preferably 2 or more, more preferably 3 or more, and is preferably 4 or less. When the ratio (the average particle diameter of the first conductive particles / the average particle diameter of the second conductive particles) is not less than the lower limit and not more than the upper limit, solder in the first conductive particles is formed on the electrode by the second conductive particles, It can be placed more efficiently.

땜납을 전극 위에 효율적으로 배치하는 관점에서는, 상기 제2 도전성 입자의 평균 입자 직경이, 상기 제1 도전성 입자의 평균 입자 직경보다도 작은 것이 특히 바람직하다.From the viewpoint of efficiently disposing the solder on the electrode, it is particularly preferable that the average particle diameter of the second conductive particles is smaller than the average particle diameter of the first conductive particles.

상기 제2 도전성 입자의 「평균 입자 직경」은 수 평균 입자 직경을 나타낸다. 제2 도전성 입자의 평균 입자 직경은, 예를 들어 임의의 제2 도전성 입자 50개를 전자 현미경 또는 광학 현미경으로 관찰하고, 평균값을 산출함으로써 구해진다.The " average particle diameter " of the second conductive particles indicates the number average particle diameter. The average particle diameter of the second conductive particles can be obtained, for example, by observing 50 arbitrary second conductive particles with an electron microscope or an optical microscope and calculating an average value.

상기 제2 도전성 입자의 형상은 특별히 한정되지 않는다. 상기 제2 도전성 입자의 형상은 구상이어도 되고, 편평상 등의 구형상 이외의 형상이어도 된다.The shape of the second conductive particles is not particularly limited. The shape of the second conductive particles may be spherical or may be a shape other than a spherical shape such as a flattened shape.

상기 도전 재료 100중량% 중, 상기 제2 도전성 입자의 함유량은 바람직하게는 1중량% 이상, 보다 바람직하게는 3중량% 이상이다. 상기 제2 도전성 입자의 함유량이 상기 하한 이상이면, 제2 도전성 입자에 의해, 전극 위에 제1 도전성 입자에 있어서의 땜납을 한층 더 효율적으로 배치할 수 있다.The content of the second conductive particles in 100 wt% of the conductive material is preferably 1 wt% or more, and more preferably 3 wt% or more. When the content of the second conductive particles is not lower than the lower limit, solder in the first conductive particles can be more efficiently arranged on the electrode by the second conductive particles.

상기 도전 재료 100중량% 중, 상기 제2 도전성 입자의 함유량은 바람직하게는 10중량% 이하, 보다 바람직하게는 5중량% 이하이다. 상기 제2 도전성 입자의 함유량이 상기 하한 이상이면, 제2 도전성 입자에 의해, 전극 위에 제1 도전성 입자에 있어서의 땜납을 한층 더 효율적으로 배치할 수 있고, 또한 접속부에 의한 접합 강도를 한층 더 높일 수 있다.The content of the second conductive particles in 100 wt% of the conductive material is preferably 10 wt% or less, more preferably 5 wt% or less. When the content of the second conductive particles is not lower than the lower limit, solder in the first conductive particles can be more efficiently arranged on the electrode by the second conductive particles, and the bonding strength by the connecting portion can be further increased .

전극 위에 제1 도전성 입자에 있어서의 땜납을 한층 더 효율적으로 배치하는 관점에서는, 상기 제1 도전성 입자의 함유량의 상기 제2 도전성 입자의 함유량에 대한 비는 중량 기준으로, 바람직하게는 3 이상, 보다 바람직하게는 10 이상이고, 바람직하게는 80 이하, 보다 바람직하게는 70 이하이다.The ratio of the content of the first conductive particles to the content of the second conductive particles is preferably 3 or more, more preferably 3 or more, in terms of weight, from the viewpoint of more efficiently arranging the solder in the first conductive particles on the electrode. Preferably 10 or more, preferably 80 or less, and more preferably 70 or less.

(열경화성 화합물)(Thermosetting compound)

상기 열경화성 화합물은 가열에 의해 경화 가능한 화합물이다. 상기 열경화성 화합물로서는, 옥세탄 화합물, 에폭시 화합물, 에피술피드 화합물, (메트)아크릴 화합물, 페놀 화합물, 아미노 화합물, 불포화 폴리에스테르 화합물, 폴리우레탄 화합물, 실리콘 화합물 및 폴리이미드 화합물 등을 들 수 있다. 도전 재료의 경화성 및 점도를 한층 더 양호하게 하고, 접속 신뢰성을 한층 더 높이는 관점에서, 에폭시 화합물 또는 에피술피드 화합물이 바람직하다. 상기 열경화성 화합물은 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.The thermosetting compound is a compound that can be cured by heating. Examples of the thermosetting compound include oxetane compounds, epoxy compounds, episulfide compounds, (meth) acrylic compounds, phenol compounds, amino compounds, unsaturated polyester compounds, polyurethane compounds, silicone compounds and polyimide compounds. An epoxy compound or an episulfide compound is preferable from the viewpoint of further improving the curability and viscosity of the conductive material and further improving the connection reliability. The thermosetting compound may be used alone or in combination of two or more.

땜납을 전극 위에 한층 더 효과적으로 배치하는 관점에서는, 상기 열경화성 화합물은 폴리에테르 골격을 갖는 열경화성 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.From the viewpoint of more effectively placing the solder on the electrode, it is preferable that the thermosetting compound includes a thermosetting compound having a polyether skeleton.

폴리에테르 골격을 갖는 열경화성 화합물로서는, 탄소수 3 내지 12의 알킬쇄의 양 말단에 글리시딜에테르기를 갖는 화합물, 그리고 탄소수 2 내지 4의 폴리에테르 골격을 갖고, 해당 폴리에테르 골격 2 내지 10개가 연속해서 결합한 구조 단위를 갖는 폴리에테르형 에폭시 화합물 등을 들 수 있다.As the thermosetting compound having a polyether skeleton, a compound having a glycidyl ether group at both terminals of an alkyl chain having 3 to 12 carbon atoms and a polyether skeleton having 2 to 4 carbon atoms and having 2 to 10 polyether skeletons continuously And polyether-type epoxy compounds having bonded structural units.

경화물의 내열성을 효과적으로 높이는 관점, 그리고 경화물의 유전율을 효과적으로 낮게 하는 관점에서는, 상기 열경화성 화합물은 트리아진 골격을 갖는 열경화성 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.From the viewpoint of effectively increasing the heat resistance of the cured product and effectively lowering the dielectric constant of the cured product, it is preferable that the thermosetting compound includes a thermosetting compound having a triazine skeleton.

상기 트리아진 골격을 갖는 열경화성 화합물로서는 트리아진트리글리시딜에테르 등을 들 수 있고, 닛산 가가쿠 고교사제 TEPIC 시리즈(TEPIC-G, TEPIC-S, TEPIC-SS, TEPIC-HP, TEPIC-L, TEPIC-PAS, TEPIC-VL, TEPIC-UC) 등을 들 수 있다.Examples of the thermosetting compound having a triazine skeleton include triazine triglycidyl ether and the like, and TEPIC series (TEPIC-G, TEPIC-S, TEPIC-SS, TEPIC-HP, TEPIC- -PAS, TEPIC-VL, TEPIC-UC).

상기 에폭시 화합물로서는, 방향족 에폭시 화합물을 들 수 있다. 레조르시놀형 에폭시 화합물, 나프탈렌형 에폭시 화합물, 비페닐형 에폭시 화합물, 벤조페논형 에폭시 화합물 등의 결정성 에폭시 화합물이 바람직하다. 상온(23℃)에서 고체이고, 또한 용융 온도가 땜납의 융점 이하인 에폭시 화합물이 바람직하다. 용융 온도는 바람직하게는 100℃ 이하, 보다 바람직하게는 80℃ 이하이고, 바람직하게는 40℃ 이상이다. 상기한 바람직한 에폭시 화합물을 사용함으로써, 접속 대상 부재를 접합한 단계에서는, 점도가 높고, 반송 등의 충격에 의해, 가속도가 부여되었을 때에, 제1 접속 대상 부재와, 제2 접속 대상 부재의 위치 어긋남을 억제할 수 있고, 또한 경화 시의 열에 의해, 도전 재료의 점도를 크게 저하시킬 수 있고, 땜납의 응집을 효율적으로 진행시킬 수 있다.Examples of the epoxy compound include aromatic epoxy compounds. A crystalline epoxy compound such as a resorcinol-type epoxy compound, a naphthalene-type epoxy compound, a biphenyl-type epoxy compound, and a benzophenone-type epoxy compound is preferable. An epoxy compound which is solid at normal temperature (23 캜) and whose melting temperature is lower than the melting point of the solder is preferable. The melting temperature is preferably 100 占 폚 or lower, more preferably 80 占 폚 or lower, and preferably 40 占 폚 or higher. By using the above-mentioned preferable epoxy compound, at the step of joining the members to be connected, when the viscosity is high and acceleration is given by impact such as transportation, the positional deviation of the first connection object member and the second connection object member The viscosity of the conductive material can be greatly lowered by the heat at the time of curing, and the agglomeration of the solder can be efficiently promoted.

땜납을 전극 위에 한층 더 효과적으로 배치하는 관점에서는, 상기 열경화성 화합물은 25℃에서 액상인 열경화성 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.From the viewpoint of more effectively placing the solder on the electrode, it is preferable that the thermosetting compound includes a thermosetting compound that is liquid at 25 占 폚.

상기 도전 재료 100중량% 중, 상기 열경화성 화합물의 함유량은 바람직하게는 20중량% 이상, 보다 바람직하게는 40중량% 이상, 더욱 바람직하게는 50중량% 이상이고, 바람직하게는 99중량% 이하, 보다 바람직하게는 98중량% 이하, 더욱 바람직하게는 90중량% 이하, 특히 바람직하게는 80중량% 이하이다. 상기 열경화성 화합물의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극 위에 한층 더 효율적으로 배치하고, 전극간의 위치 어긋남을 한층 더 억제하고, 전극간의 도통 신뢰성을 한층 더 높일 수 있다. 내충격성을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 열경화성 화합물의 함유량은 많은 편이 바람직하다.The content of the thermosetting compound in 100 wt% of the conductive material is preferably 20 wt% or more, more preferably 40 wt% or more, further preferably 50 wt% or more, preferably 99 wt% or less Preferably 98% by weight or less, more preferably 90% by weight or less, particularly preferably 80% by weight or less. If the content of the thermosetting compound is lower than or equal to the lower limit and lower than or equal to the upper limit, solder in the conductive particles can be more efficiently disposed on the electrode, further suppressing positional displacement between the electrodes, have. From the viewpoint of further improving the impact resistance, the content of the above-mentioned thermosetting compound is preferably large.

(열경화제)(Thermosetting agent)

상기 열경화제는 상기 열경화성 화합물을 열경화시킨다. 상기 열경화제로서는, 이미다졸 경화제, 페놀 경화제, 티올 경화제, 아민 경화제, 산 무수물 경화제, 열 양이온 개시제 및 열라디칼 발생제 등이 있다. 상기 열경화제는 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.The thermosetting agent thermally cures the thermosetting compound. Examples of the heat curing agent include an imidazole curing agent, a phenol curing agent, a thiol curing agent, an amine curing agent, an acid anhydride curing agent, a thermal cationic initiator, and a thermal radical generator. The thermosetting agent may be used alone or in combination of two or more.

상기 이미다졸 경화제로서는, 특별히 한정되지 않고, 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진 및 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아누르산 부가물 등을 들 수 있다.The imidazole curing agent is not particularly limited, and examples thereof include 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl- Phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')] - ethyl-s-triazine and 2,4- diamino-6- [2 '-Methylimidazolyl- (1')] - ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct.

상기 티올 경화제로서는, 특별히 한정되지 않고, 트리메틸올프로판트리스-3-머캅토프로피오네이트, 펜타에리트리톨테트라키스-3-머캅토프로피오네이트 및 디펜타에리트리톨헥사-3-머캅토프로피오네이트 등을 들 수 있다.The thiol curing agent is not particularly limited, and trimethylolpropane tris-3-mercaptopropionate, pentaerythritol tetrakis-3-mercaptopropionate and dipentaerythritol hexa-3-mercaptopropionate And the like.

상기 티올 경화제의 용해도 파라미터는, 바람직하게는 9.5 이상, 바람직하게는 12 이하이다. 상기 용해도 파라미터는 Fedors법으로 계산된다. 예를 들어, 트리메틸올프로판트리스-3-머캅토프로피오네이트의 용해도 파라미터는 9.6, 디펜타에리트리톨헥사-3-머캅토프로피오네이트의 용해도 파라미터는 11.4이다.The solubility parameter of the thiol curing agent is preferably 9.5 or more, and preferably 12 or less. The solubility parameter is calculated by the Fedors method. For example, the solubility parameter of trimethylolpropane tris-3-mercaptopropionate is 9.6 and the solubility parameter of dipentaerythritol hexa-3-mercaptopropionate is 11.4.

상기 아민 경화제로서는, 특별히 한정되지 않고, 헥사메틸렌디아민, 옥타메틸렌디아민, 데카메틸렌디아민, 3,9-비스(3-아미노프로필)-2,4,8,10-테트라스피로[5.5]운데칸, 비스(4-아미노시클로헥실)메탄, 메타페닐렌디아민 및 디아미노디페닐술폰 등을 들 수 있다.The amine curing agent is not particularly limited and includes hexamethylenediamine, octamethylenediamine, decamethylenediamine, 3,9-bis (3-aminopropyl) -2,4,8,10-tetraspiro [5.5] undecane, Bis (4-aminocyclohexyl) methane, metaphenylenediamine and diaminodiphenylsulfone.

상기 열 양이온 개시제로서는, 요오도늄계 양이온 경화제, 옥소늄계 양이온 경화제 및 술포늄계 양이온 경화제 등을 들 수 있다. 상기 요오도늄계 양이온 경화제로서는, 비스(4-tert-부틸페닐)요오도늄헥사플루오로포스페이트 등을 들 수 있다. 상기 옥소늄계 양이온 경화제로서는, 트리메틸옥소늄테트라플루오로보레이트 등을 들 수 있다. 상기 술포늄계 양이온 경화제로서는, 트리-p-톨릴술포늄헥사플루오로포스페이트 등을 들 수 있다.Examples of the thermal cationic initiator include an iodonium cation curing agent, an oxonium cation curing agent, and a sulfonium cation curing agent. Examples of the iodonium-based cationic curing agent include bis (4-tert-butylphenyl) iodonium hexafluorophosphate and the like. Examples of the oxonium-based cation curing agent include trimethyloxonium tetrafluoroborate and the like. Examples of the sulfonium cation-based curing agent include tri-p-tolylsulfonium hexafluorophosphate and the like.

상기 열라디칼 발생제로서는, 특별히 한정되지 않고, 아조 화합물 및 유기 과산화물 등을 들 수 있다. 상기 아조 화합물로서는, 아조비스이소부티로니트릴(AIBN) 등을 들 수 있다. 상기 유기 과산화물로서는, 디-tert-부틸퍼옥시드 및 메틸에틸케톤퍼옥시드 등을 들 수 있다.The heat radical generator is not particularly limited, and examples thereof include an azo compound and an organic peroxide. Examples of the azo compound include azobisisobutyronitrile (AIBN) and the like. Examples of the organic peroxide include di-tert-butyl peroxide and methyl ethyl ketone peroxide.

상기 열경화제의 반응 개시 온도는, 바람직하게는 50℃ 이상, 보다 바람직하게는 70℃ 이상, 더욱 바람직하게는 80℃ 이상이고, 바람직하게는 250℃ 이하, 보다 바람직하게는 200℃ 이하, 더욱 바람직하게는 150℃ 이하, 특히 바람직하게는 140℃ 이하이다. 상기 열경화제의 반응 개시 온도가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 제1 도전성 입자가 전극 위에 한층 더 효율적으로 배치된다. 상기 열경화제의 반응 개시 온도는 80℃ 이상, 140℃ 이하인 것이 특히 바람직하다.The reaction initiation temperature of the thermosetting agent is preferably 50 占 폚 or higher, more preferably 70 占 폚 or higher, further preferably 80 占 폚 or higher, preferably 250 占 폚 or lower, more preferably 200 占 폚 or lower 150 DEG C or less, particularly preferably 140 DEG C or less. When the reaction initiation temperature of the thermosetting agent is not lower than the lower limit and not higher than the upper limit, the first conductive particles are more efficiently disposed on the electrode. The reaction initiation temperature of the thermosetting agent is particularly preferably 80 deg. C or more and 140 deg. C or less.

땜납을 전극 위에 한층 더 효율적으로 배치하는 관점에서는, 상기 열경화제의 반응 개시 온도는 상기 제1 도전성 입자에 있어서의 땜납의 융점보다도 높은 것이 바람직하고, 5℃ 이상 높은 것이 보다 바람직하고, 10℃ 이상 높은 것이 더욱 바람직하다.The reaction initiation temperature of the heat curing agent is preferably higher than the melting point of the solder in the first conductive particle, more preferably 5 deg. C or higher, more preferably 10 deg. C or higher Higher is more preferable.

상기 열경화제의 반응 개시 온도는 DSC에서의 발열 피크의 상승 개시의 온도를 의미한다.The reaction initiation temperature of the thermosetting agent means the temperature at which the exothermic peak in DSC starts rising.

상기 열경화제의 함유량은 특별히 한정되지 않는다. 상기 열경화성 화합물의 전체 100중량부에 대하여, 상기 열경화제의 함유량은, 바람직하게는 0.01중량부 이상, 보다 바람직하게는 1중량부 이상이고, 바람직하게는 200중량부 이하, 보다 바람직하게는 100중량부 이하, 더욱 바람직하게는 75중량부 이하이다. 열경화제의 함유량이 상기 하한 이상이면, 도전 재료를 충분히 경화시키는 것이 용이하다. 열경화제의 함유량이 상기 상한 이하이면, 경화 후에 경화에 관여하지 않는 잉여의 열경화제가 잔존하기 어려워지고, 또한 경화물의 내열성이 한층 더 높아진다.The content of the thermosetting agent is not particularly limited. The content of the thermosetting agent is preferably 0.01 parts by weight or more, more preferably 1 part by weight or more, preferably 200 parts by weight or less, more preferably 100 parts by weight or less, based on 100 parts by weight of the total amount of the thermosetting compound Or less, more preferably 75 parts by weight or less. When the content of the heat curing agent is lower than the lower limit, it is easy to sufficiently cure the conductive material. If the content of the thermosetting agent is less than the upper limit, an excess of the thermosetting agent which is not involved in curing after curing is hardly left, and the heat resistance of the cured product is further increased.

(플럭스)(Flux)

상기 도전 재료는 플럭스를 포함하는 것이 바람직하다. 플럭스의 사용에 의해, 땜납을 전극 위에 한층 더 효과적으로 배치할 수 있다. 해당 플럭스는 특별히 한정되지 않는다. 플럭스로서, 땜납 접합 등에 일반적으로 사용되고 있는 플럭스를 사용할 수 있다.The conductive material preferably includes a flux. By using the flux, the solder can be arranged more effectively on the electrode. The flux is not particularly limited. As the flux, a flux generally used for solder bonding or the like can be used.

상기 플럭스로서는, 예를 들어 염화아연, 염화아연과 무기 할로겐화물의 혼합물, 염화아연과 무기산의 혼합물, 용융염, 인산, 인산의 유도체, 유기 할로겐화물, 히드라진, 유기산 및 송진 등을 들 수 있다. 상기 플럭스는 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.Examples of the flux include zinc chloride, a mixture of zinc chloride and an inorganic halide, a mixture of zinc chloride and an inorganic acid, a molten salt, a phosphoric acid, a derivative of phosphoric acid, an organic halide, a hydrazine, an organic acid and a resin. The flux may be used alone, or two or more fluxes may be used in combination.

상기 용융염으로서는, 염화암모늄 등을 들 수 있다. 상기 유기산으로서는, 락트산, 시트르산, 스테아르산, 글루탐산 및 글루타르산 등을 들 수 있다. 상기 송진으로서는, 활성화 송진 및 비활성화 송진 등을 들 수 있다. 상기 플럭스는 카르복실기를 2개 이상 갖는 유기산, 송진인 것이 바람직하다. 상기 플럭스는 카르복실기를 2개 이상 갖는 유기산이어도 되고, 송진이어도 된다. 카르복실기를 2개 이상 갖는 유기산, 송진의 사용에 의해, 전극간의 도통 신뢰성이 한층 더 높아진다.Examples of the molten salt include ammonium chloride and the like. Examples of the organic acid include lactic acid, citric acid, stearic acid, glutamic acid and glutaric acid. Examples of the above-mentioned rosin include activated rosin and inactivated rosin. It is preferable that the flux is an organic acid having two or more carboxyl groups, and a resin. The flux may be an organic acid having two or more carboxyl groups, or may be a resin. By using an organic acid having two or more carboxyl groups and a resinous ring, the reliability of conduction between the electrodes is further enhanced.

상기 송진은 아비에트산을 주성분으로 하는 로진류이다. 플럭스는 로진류인 것이 바람직하고, 아비에트산인 것이 보다 바람직하다. 이 바람직한 플럭스의 사용에 의해, 전극간의 도통 신뢰성이 한층 더 높아진다.The rosin is rosin mainly containing abietic acid. The flux is preferably rosin, more preferably abietic acid. By using this preferable flux, the reliability of conduction between the electrodes is further enhanced.

상기 플럭스의 활성 온도(융점)는 바람직하게는 50℃ 이상, 보다 바람직하게는 70℃ 이상, 더욱 바람직하게는 80℃ 이상이고, 바람직하게는 200℃ 이하, 보다 바람직하게는 190℃ 이하, 보다 한층 바람직하게는 160℃ 이하, 더욱 바람직하게는 150℃ 이하, 한층 더 바람직하게는 140℃ 이하이다. 상기 플럭스의 활성 온도가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 플럭스 효과가 한층 더 효과적으로 발휘되고, 제1 도전성 입자가 전극 위에 한층 더 효율적으로 배치된다. 상기 플럭스의 활성 온도(융점)는 80℃ 이상 190℃ 이하인 것이 바람직하다. 상기 플럭스의 활성 온도(융점)는 80℃ 이상 140℃ 이하인 것이 특히 바람직하다.The active temperature (melting point) of the flux is preferably 50 ° C or more, more preferably 70 ° C or more, further preferably 80 ° C or more, preferably 200 ° C or less, more preferably 190 ° C or less, Preferably 160 DEG C or lower, more preferably 150 DEG C or lower, even more preferably 140 DEG C or lower. When the active temperature of the flux is higher than or equal to the lower limit and lower than or equal to the upper limit, the flux effect is more effectively exerted, and the first conductive particles are disposed more efficiently on the electrode. The active temperature (melting point) of the flux is preferably 80 ° C or more and 190 ° C or less. It is particularly preferable that the activation temperature (melting point) of the flux is 80 ° C or more and 140 ° C or less.

플럭스의 활성 온도(융점)가 80℃ 이상 190℃ 이하인 상기 플럭스로서는, 숙신산(융점 186℃), 글루타르산(융점 96℃), 아디프산(융점 152℃), 피멜산(융점 104℃), 수베르산(융점 142℃) 등의 디카르복실산, 벤조산(융점 122℃), 말산(융점 130℃) 등을 들 수 있다.(Melting point: 186 占 폚), glutaric acid (melting point: 96 占 폚), adipic acid (melting point: 152 占 폚), pimelic acid (melting point: 104 占 폚), and the like, (Melting point: 122 占 폚), malic acid (melting point: 130 占 폚), and the like.

또한, 상기 플럭스의 비점은 200℃ 이하인 것이 바람직하다.The boiling point of the flux is preferably 200 ° C or lower.

땜납을 전극 위에 한층 더 효율적으로 배치하는 관점에서는, 상기 플럭스의 융점은 상기 제1 도전성 입자에 있어서의 땜납의 융점보다도 높은 것이 바람직하고, 5℃ 이상 높은 것이 보다 바람직하고, 10℃ 이상 높은 것이 더욱 바람직하다.From the viewpoint of more efficiently placing the solder on the electrode, the melting point of the flux is preferably higher than the melting point of the solder in the first conductive particle, more preferably 5 ° C or higher, and more preferably 10 ° C or higher desirable.

땜납을 전극 위에 한층 더 효율적으로 배치하는 관점에서는, 상기 플럭스의 융점은 상기 열경화제의 반응 개시 온도보다도 높은 것이 바람직하고, 5℃ 이상 높은 것이 보다 바람직하고, 10℃ 이상 높은 것이 더욱 바람직하다.From the viewpoint of more efficiently placing the solder on the electrode, the melting point of the flux is preferably higher than the reaction initiation temperature of the thermosetting agent, more preferably 5 ° C or higher, and still more preferably 10 ° C or higher.

상기 플럭스는 도전 재료 중에 분산되어 있어도 되고, 제1 도전성 입자의 표면 위에 부착되어 있어도 된다.The flux may be dispersed in the conductive material or attached on the surface of the first conductive particle.

플럭스의 융점이 땜납의 융점보다 높은 것에 의해, 전극 부분에 제1 도전성 입자를 효율적으로 응집시킬 수 있다. 이것은 접합 시에 가열한 경우, 접속 대상 부재 위에 형성된 전극과, 전극 주변의 접속 대상 부재의 부분을 비교하면, 전극 부분의 열전도율이 전극 주변의 접속 대상 부재 부분의 열전도율보다도 높은 것에 의해, 전극 부분의 승온이 빠른 것에 기인한다. 제1 도전성 입자의 융점을 초과한 단계에서는, 제1 도전성 입자의 내부는 용해되지만, 표면에 형성된 산화 피막은 플럭스의 융점(활성 온도)에 도달하고 있지 않으므로, 제거되지 않는다. 이 상태에서, 전극 부분의 온도가 먼저, 플럭스의 융점(활성 온도)에 도달하기 때문에, 우선적으로 전극 위로 온 제1 도전성 입자의 표면의 산화 피막이 제거되고, 제1 도전성 입자가 전극의 표면 위에 번질 수 있다. 이에 의해, 전극 위에 효율적으로 제1 도전성 입자를 응집시킬 수 있다.When the melting point of the flux is higher than the melting point of the solder, the first conductive particles can be agglomerated efficiently on the electrode portion. This is because, when the electrode is formed on the connection target member and the portion of the connection target member around the electrode is compared, the thermal conductivity of the electrode portion is higher than the thermal conductivity of the connection target member portion around the electrode, It is due to the rapid increase in temperature. In the step where the melting point of the first conductive particles is exceeded, the inside of the first conductive particles dissolves, but the oxide film formed on the surface does not reach the melting point (active temperature) of the flux and is not removed. In this state, since the temperature of the electrode portion first reaches the melting point (active temperature) of the flux, the oxide film on the surface of the first conductive particles on the electrode is preferentially removed, and the first conductive particles spread on the surface of the electrode . Thereby, the first conductive particles can be agglomerated efficiently on the electrode.

상기 플럭스는 가열에 의해 양이온을 방출하는 플럭스인 것이 바람직하다. 가열에 의해 양이온을 방출하는 플럭스의 사용에 의해, 제1 도전성 입자를 전극 위에 한층 더 효율적으로 배치할 수 있다.The flux is preferably a flux that releases cations by heating. By using the flux that releases the positive ions by heating, the first conductive particles can be arranged more efficiently on the electrode.

상기 가열에 의해 양이온을 방출하는 플럭스로서는, 상기 열 양이온 개시제를 들 수 있다.As the flux that releases the cation by the heating, the thermal cationic initiator may be mentioned.

상기 도전 재료 100중량% 중, 상기 플럭스의 함유량은 바람직하게는 0.5중량% 이상이고, 바람직하게는 30중량% 이하, 보다 바람직하게는 25중량% 이하이다. 상기 도전 재료는 플럭스를 포함하고 있지 않아도 된다. 플럭스의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 땜납 및 전극의 표면에 산화 피막이 한층 더 형성되기 어려워지고, 또한 땜납 및 전극의 표면에 형성된 산화 피막을 한층 더 효과적으로 제거할 수 있다.The content of the flux in 100 wt% of the conductive material is preferably 0.5 wt% or more, preferably 30 wt% or less, more preferably 25 wt% or less. The conductive material may not contain a flux. If the content of the flux is above the lower limit and below the upper limit, it is difficult to further form an oxide film on the surface of the solder and the electrode, and furthermore, the oxide film formed on the surface of the solder and the electrode can be removed more effectively.

(절연성 입자)(Insulating particles)

상기 도전 재료는 절연성 입자를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 도전 재료에 있어서, 상기 절연성 입자는 상기 제1 도전성 입자의 표면 및 상기 제2 도전성 입자의 표면의 어느 표면에 부착되어 있지 않아도 된다. 상기 도전 재료 중에서, 상기 절연성 입자는 상기 제1 도전성 입자와 이격되어 존재하는 것이 바람직하고, 상기 절연성 입자는 상기 제2 도전성 입자와 이격되어 존재하는 것이 바람직하다. 상기 절연성 입자를 포함함으로써, 도전 재료의 경화물에 의해 접속되는 접속 대상 부재 사이의 간격, 그리고 제1 도전성 입자에 있어서의 땜납에 의해 접속되는 접속 대상 부재 사이의 간격을 고정밀도로 제어할 수 있다.It is preferable that the conductive material includes insulating particles. In the conductive material, the insulating particles may not be attached to the surface of the first conductive particles and to any surface of the surface of the second conductive particles. In the conductive material, it is preferable that the insulating particles are spaced apart from the first conductive particles, and the insulating particles are preferably spaced apart from the second conductive particles. By including the insulating particles, the interval between the connection target members connected by the cured product of the conductive material and the interval between the connection target members connected by the solder in the first conductive particles can be controlled with high accuracy.

상기 절연성 입자의 평균 입자 직경은 바람직하게는 10㎛ 이상, 보다 바람직하게는 20㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 25㎛ 이상이고, 바람직하게는 100㎛ 이하, 보다 바람직하게는 75㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 50㎛ 이하이다. 상기 절연성 입자의 평균 입자 직경이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 도전 재료의 경화물에 의해 접속되는 접속 대상 부재 사이의 간격, 그리고 제1 도전성 입자에 있어서의 땜납에 의해 접속되는 접속 대상 부재 사이의 간격이 한층 더 적당해진다.The average particle diameter of the insulating particles is preferably 10 占 퐉 or more, more preferably 20 占 퐉 or more, further preferably 25 占 퐉 or more, preferably 100 占 퐉 or less, more preferably 75 占 퐉 or less, Is not more than 50 mu m. The distance between the connection target members connected by the cured product of the conductive material and the distance between the connection target members connected by the solder in the first conductive particle when the average particle diameter of the insulating particles is not less than the lower limit and not more than the upper limit, Is more appropriate.

상기 절연성 입자의 재료로서는, 절연성의 수지 및 절연성의 무기물 등을 들 수 있다.Examples of the material of the insulating particles include an insulating resin and an insulating inorganic material.

상기 절연성 입자의 재료인 절연성 수지의 구체예로서는, 폴리올레핀 화합물, (메트)아크릴레이트 중합체, (메트)아크릴레이트 공중합체, 블록 중합체, 열가소성 수지, 열가소성 수지의 가교물, 열경화성 수지 및 수용성 수지 등을 들 수 있다.Specific examples of the insulating resin that is the material of the insulating particles include polyolefin compounds, (meth) acrylate polymers, (meth) acrylate copolymers, block polymers, thermoplastic resins, .

상기 폴리올레핀 화합물로서는, 폴리에틸렌, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 및 에틸렌-아크릴산에스테르 공중합체 등을 들 수 있다. 상기 (메트)아크릴레이트 중합체로서는, 폴리메틸(메트)아크릴레이트, 폴리에틸(메트)아크릴레이트 및 폴리부틸(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 상기 블록 중합체로서는, 폴리스티렌, 스티렌-아크릴산에스테르 공중합체, SB형 스티렌-부타디엔 블록 공중합체 및 SBS형 스티렌-부타디엔 블록 공중합체, 그리고 이것들의 수소 첨가물 등을 들 수 있다. 상기 열가소성 수지로서는, 비닐 중합체 및 비닐 공중합체 등을 들 수 있다. 상기 열경화성 수지로서는, 에폭시 수지, 페놀 수지 및 멜라민 수지 등을 들 수 있다. 상기 수용성 수지로서는, 폴리비닐알코올, 폴리아크릴산, 폴리아크릴아미드, 폴리비닐피롤리돈, 폴리에틸렌옥시드 및 메틸셀룰로오스 등을 들 수 있다. 수용성 수지가 바람직하고, 폴리비닐알코올이 보다 바람직하다.Examples of the polyolefin compound include polyethylene, ethylene-vinyl acetate copolymer, and ethylene-acrylic acid ester copolymer. Examples of the (meth) acrylate polymer include polymethyl (meth) acrylate, polyethyl (meth) acrylate, and polybutyl (meth) acrylate. Examples of the block polymer include polystyrene, styrene-acrylic acid ester copolymer, SB type styrene-butadiene block copolymer and SBS type styrene-butadiene block copolymer, and hydrogenated products thereof. Examples of the thermoplastic resin include a vinyl polymer and a vinyl copolymer. Examples of the thermosetting resin include an epoxy resin, a phenol resin, and a melamine resin. Examples of the water-soluble resin include polyvinyl alcohol, polyacrylic acid, polyacrylamide, polyvinylpyrrolidone, polyethylene oxide, methylcellulose and the like. Soluble resin is preferable, and polyvinyl alcohol is more preferable.

상기 절연성 입자의 재료인 절연성의 무기물의 구체예로서는, 실리카 및 유기 무기 하이브리드 입자 등을 들 수 있다. 상기 실리카에 의해 형성된 입자로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 가수분해성의 알콕시실릴기를 2개 이상 갖는 규소 화합물을 가수분해하여 가교 중합체 입자를 형성한 후에, 필요에 따라 소성을 행함으로써 얻어지는 입자를 들 수 있다. 상기 유기 무기 하이브리드 입자로서는, 예를 들어 가교한 알콕시실릴 중합체와 아크릴 수지에 의해 형성된 유기 무기 하이브리드 입자 등을 들 수 있다.Specific examples of the insulating inorganic material that is the material of the insulating particles include silica and organic-inorganic hybrid particles. The particles formed by the silica are not particularly limited. For example, particles obtained by hydrolyzing a silicon compound having two or more hydrolyzable alkoxysilyl groups to form crosslinked polymer particles, and then firing if necessary, . Examples of the organic-inorganic hybrid particles include organic-inorganic hybrid particles formed of a crosslinked alkoxysilyl polymer and an acrylic resin.

상기 도전 재료 100중량% 중, 상기 절연성 입자의 함유량은 바람직하게는 0.1중량% 이상, 보다 바람직하게는 0.5중량% 이상이고, 바람직하게는 10중량% 이하, 보다 바람직하게는 5중량% 이하이다. 상기 도전 재료는 절연성 입자를 포함하고 있지 않아도 된다. 절연성 입자의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 도전 재료의 경화물에 의해 접속되는 접속 대상 부재 사이의 간격, 그리고 땜납에 의해 접속되는 접속 대상 부재 사이의 간격이 한층 더 적당해진다.The content of the insulating particles in 100 wt% of the conductive material is preferably 0.1 wt% or more, more preferably 0.5 wt% or more, preferably 10 wt% or less, more preferably 5 wt% or less. The conductive material may not contain insulating particles. When the content of the insulating particles is not less than the lower limit and not more than the upper limit, the interval between the connection target members connected by the cured product of the conductive material and the interval between the connection target members connected by the solder are more appropriate.

(다른 성분)(Other components)

상기 도전 재료는 필요에 따라, 예를 들어 충전제, 증량제, 연화제, 가소제, 중합 촉매, 경화 촉매, 착색제, 산화 방지제, 열안정제, 광안정제, 자외선 흡수제, 활제, 대전 방지제 및 난연제 등의 각종 첨가제를 포함하고 있어도 된다.The conductive material may contain various additives such as fillers, extenders, softeners, plasticizers, polymerization catalysts, curing catalysts, colorants, antioxidants, heat stabilizers, light stabilizers, ultraviolet absorbers, lubricants, antistatic agents, .

(접속 구조체 및 접속 구조체의 제조 방법)(Connection structure and manufacturing method of connection structure)

본 발명에 관한 접속 구조체는 적어도 하나의 제1 전극을 표면에 갖는 제1 접속 대상 부재와, 적어도 하나의 제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재와, 상기 제1 접속 대상 부재와, 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 구비한다. 본 발명에 관한 접속 구조체에서는 상기 접속부의 재료가, 상술한 도전 재료이다. 상기 접속부가, 상술한 도전 재료의 경화물이다. 상기 접속부가, 상술한 도전 재료에 의해 형성되어 있다. 본 발명에 관한 접속 구조체에서는, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극이, 상기 접속부 중의 땜납부에 의해 전기적으로 접속되어 있다.A connection structure according to the present invention includes a first connection target member having at least one first electrode on its surface, a second connection target member having at least one second electrode on its surface, the first connection target member, And a connecting portion connecting the second connection target member. In the connection structure according to the present invention, the material of the connecting portion is the above-described conductive material. The connecting portion is a cured product of the above-described conductive material. The connection portion is formed by the above-described conductive material. In the connection structure according to the present invention, the first electrode and the second electrode are electrically connected by the solder portion in the connection portion.

상기 접속부는 경화물부와, 땜납부와, 도전부의 외표면 부분에 은, 루테늄, 이리듐, 금, 팔라듐 또는 백금을 갖는 제2 도전성 입자를 갖는다. 상기 접속 구조체에서는 상기 땜납부 내에 상기 제2 도전성 입자가 배치되어 있다. 상기 제2 도전성 입자는 바람직하게는 도전부의 외표면 부분에 금, 팔라듐 또는 백금을 갖는다.The connection portion has a cured product, a solder portion, and second conductive particles having silver, ruthenium, iridium, gold, palladium or platinum on the outer surface portion of the conductive portion. In the connection structure, the second conductive particles are disposed in the solder portion. The second conductive particles preferably have gold, palladium or platinum on the outer surface portion of the conductive portion.

상기 접속 구조체의 제조 방법은 상술한 도전 재료를 사용하여, 적어도 하나의 제1 전극을 표면에 갖는 제1 접속 대상 부재의 표면 위에 상기 도전 재료를 배치하는 공정과, 상기 도전 재료의 상기 제1 접속 대상 부재측과는 반대의 표면 위에, 적어도 하나의 제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재를, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 대향하도록 배치하는 공정과, 상기 제1 도전성 입자에 있어서의 땜납의 융점 이상으로 상기 도전 재료를 가열함으로써, 상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를, 상기 도전 재료에 의해 형성하고, 또한 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을, 상기 접속부 중의 땜납부에 의해 전기적으로 접속하는 공정을 구비한다. 바람직하게는, 상기 열경화성 성분, 열경화성 화합물의 경화 온도 이상으로 상기 도전 재료를 가열한다. 얻어지는 접속 구조체에서는 땜납부 내에, 상기 제2 도전성 입자가 배치된다.The method for manufacturing the connection structure includes the steps of disposing the conductive material on the surface of the first connection target member having at least one first electrode on the surface thereof using the conductive material described above, Disposing a second connection target member having at least one second electrode on its surface on a surface opposite to the object member side so that the first electrode and the second electrode face each other; The connecting member connecting the first connection target member and the second connection target member is formed by the conductive material and the first electrode and the second connection target member are connected to each other by heating the conductive material at a temperature equal to or higher than the melting point of the solder, And electrically connecting the two electrodes to each other by a soldering portion in the connecting portion. Preferably, the conductive material is heated above the curing temperature of the thermosetting component, the thermosetting compound. In the resulting connecting structure, the second conductive particles are disposed in the solder portion.

본 발명에 관한 접속 구조체 및 상기 접속 구조체의 제조 방법에서는, 특정한 도전 재료를 사용하고 있으므로, 제2 도전성 입자에 의해, 복수의 제1 도전성 입자에 있어서의 땜납이 제1 전극과 제2 전극 사이에 모이기 쉽고, 땜납을 전극(라인) 위에 효율적으로 배치할 수 있다. 또한, 땜납의 일부가, 전극이 형성되어 있지 않은 영역(스페이스)에 배치되기 어렵고, 전극이 형성되어 있지 않은 영역에 배치되는 땜납의 양을 상당히 적게 할 수 있다. 따라서, 제1 전극과 제2 전극간의 도통 신뢰성을 높일 수 있다. 또한, 접속되어서는 안되는 횡방향에 인접하는 전극간의 전기적인 접속을 방지할 수 있고, 절연 신뢰성을 높일 수 있다.In the connection structure according to the present invention and the method for manufacturing the connection structure, since a specific conductive material is used, the solder in the plurality of first conductive particles is sandwiched between the first electrode and the second electrode So that the solder can be efficiently arranged on the electrode (line). In addition, a part of the solder is hardly arranged in a region where no electrode is formed (space), and the amount of solder disposed in an area where no electrode is formed can be significantly reduced. Therefore, the conduction reliability between the first electrode and the second electrode can be improved. In addition, it is possible to prevent electrical connection between the adjacent electrodes in the transverse direction which should not be connected, and the insulation reliability can be improved.

또한, 복수의 제1 도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극 위에 효율적으로 배치하고, 또한 전극이 형성되어 있지 않은 영역에 배치되는 땜납의 양을 상당히 적게 하기 위해서는, 도전 필름이 아니라, 도전 페이스트를 사용하는 것이 바람직하다.In addition, in order to efficiently dispose the solder in the plurality of first conductive particles on the electrode and considerably reduce the amount of the solder disposed in the region where no electrode is formed, a conductive paste is used instead of the conductive film .

전극 사이에서의 땜납부의 두께는 바람직하게는 10㎛ 이상, 보다 바람직하게는 20㎛ 이상이고, 바람직하게는 100㎛ 이하, 보다 바람직하게는 80㎛ 이하이다. 전극의 표면 위의 땜납 습윤 면적(전극이 노출된 면적 100% 중 땜납이 접하고 있는 면적, 상기 접속부를 형성하기 전의 상기 제1 전극과 상기 제1 전극과 전기적으로 접속되는 상기 제2 전극의 노출된 면적 100%에 대한, 상기 접속부를 형성한 후의 상기 땜납부가 접하고 있는 면적)은 바람직하게는 50% 이상, 보다 바람직하게는 70% 이상이고, 바람직하게는 100% 이하이다.The thickness of the solder portion between the electrodes is preferably 10 占 퐉 or more, more preferably 20 占 퐉 or more, preferably 100 占 퐉 or less, and more preferably 80 占 퐉 or less. The area of the solder wetting area on the surface of the electrode (the area where the solder contacts with the exposed area of 100% of the electrode, the exposed portion of the second electrode, which is electrically connected to the first electrode and the first electrode before forming the connection portion, Is an area in contact with the solder portion after forming the connecting portion with respect to 100% of the area) is preferably 50% or more, more preferably 70% or more, and preferably 100% or less.

상기 제2 도전성 입자의 평균 입자 직경은 전극 사이에서의 땜납부의 두께와 동등 이하여도 되고, 전극 사이에서의 땜납부의 두께 미만이어도 되고, 전극 사이에서의 땜납부의 두께의 1/2 이하여도 되고, 전극 사이에서의 땜납부의 두께의 1/3 이하여도 된다.The average particle diameter of the second conductive particles may be equal to or less than the thickness of the solder portion between the electrodes or may be less than the thickness of the solder portion between the electrodes or less than or equal to 1/2 of the thickness of the solder portion between the electrodes And may be 1/3 or less of the thickness of the soldering portion between the electrodes.

이하, 도면을 참조하면서, 본 발명의 구체적인 실시 형태를 설명한다.Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 도전 재료를 사용하여 얻어지는 접속 구조체를 모식적으로 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a connection structure obtained by using a conductive material according to an embodiment of the present invention.

도 1에 나타내는 접속 구조체(1)는 제1 접속 대상 부재(2)와, 제2 접속 대상 부재(3)와, 제1 접속 대상 부재(2)와 제2 접속 대상 부재(3)를 접속하고 있는 접속부(4)를 구비한다. 접속부(4)는 상술한 도전 재료에 의해 형성되어 있다. 본 실시 형태에서는, 도전 재료는 제1 도전성 입자로서, 땜납 입자를 포함한다.The connection structure 1 shown in Fig. 1 connects the first connection target member 2, the second connection target member 3, the first connection target member 2 and the second connection target member 3 (4). The connecting portion 4 is formed by the above-described conductive material. In the present embodiment, the conductive material is the first conductive particles and includes solder particles.

접속부(4)는 복수의 땜납 입자가 모여 서로 접합한 땜납부(4A)와, 열경화성 성분이 열경화된 경화물부(4B)와, 제2 도전성 입자(11C)를 갖는다.The connecting portion 4 has a soldering portion 4A in which a plurality of solder particles are gathered and joined together, a hardened portion 4B in which a thermosetting component is thermally cured, and second conductive particles 11C.

제1 접속 대상 부재(2)는 표면(상면)에 복수의 제1 전극(2a)을 갖는다. 제2 접속 대상 부재(3)는 표면(하면)에 복수의 제2 전극(3a)을 갖는다. 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a)이 땜납부(4A)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 따라서, 제1 접속 대상 부재(2)와 제2 접속 대상 부재(3)가 땜납부(4A)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 접속 구조체(1)에서는 땜납부(4A) 내에, 제2 도전성 입자(11C)가 배치되어 있다.The first connection target member 2 has a plurality of first electrodes 2a on its surface (upper surface). The second connection target member 3 has a plurality of second electrodes 3a on its surface (lower surface). The first electrode 2a and the second electrode 3a are electrically connected by the soldering portion 4A. Therefore, the first connection target member 2 and the second connection target member 3 are electrically connected by the solder portion 4A. In the connection structure 1, the second conductive particles 11C are disposed in the solder portion 4A.

또한, 접속부(4)에 있어서, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a) 사이에 모인 땜납부(4A)와는 상이한 영역(경화물부(4B) 부분)에서는, 땜납은 존재하지 않는다. 땜납부(4A)와는 상이한 영역(경화물부(4B) 부분)에서는, 땜납부(4A)와 이격된 땜납은 존재하지 않는다. 또한, 소량이라면, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a) 사이에 모인 땜납부(4A)와는 상이한 영역(경화물부(4B) 부분)에 땜납이 존재하고 있어도 된다. 또한, 접속부(4)에 있어서, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a) 사이에 모인 땜납부(4A) 외의 영역(경화물부(4B) 부분)에서는, 제2 도전성 입자(11C)는 존재하지 않는다. 땜납부(4A)의 영역(경화물부(4B) 부분)에서는, 땜납부(4A)와 이격된 제2 도전성 입자(11C)는 존재하지 않는다. 또한, 소량이라면, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a) 사이에 모인 땜납부(4A) 외의 영역(경화물부(4B) 부분)에 제2 도전성 입자(11C)가 존재하고 있어도 된다.In the region (cured portion 4B) different from the soldering portion 4A gathered between the first electrode 2a and the second electrode 3a in the connecting portion 4, there is no solder. There is no solder spaced apart from the soldering portion 4A in the region different from the soldering portion 4A (portion of the cured portion 4B). In the case of a small amount, solder may be present in a region (cured portion 4B) different from the soldering portion 4A gathered between the first electrode 2a and the second electrode 3a. In the connecting portion 4, the second conductive particles 11C are formed in the region (cured portion 4B) other than the soldering portion 4A gathered between the first electrode 2a and the second electrode 3a, Does not exist. In the area of the soldering portion 4A (the portion of the hardened portion 4B), there is no second conductive particles 11C spaced apart from the soldering portion 4A. In the case of a small amount, the second conductive particles 11C may exist in a region (cured portion 4B) other than the soldering portion 4A gathered between the first electrode 2a and the second electrode 3a .

도 1에 도시한 바와 같이, 접속 구조체(1)에서는 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a) 사이에, 복수의 땜납 입자가 모이고, 복수의 땜납 입자가 용융된 후, 땜납 입자의 용융물이 전극의 표면을 번진 후에 고화되고, 땜납부(4A)가 형성되어 있다. 이로 인해, 땜납부(4A)와 제1 전극(2a), 그리고 땜납부(4A)와 제2 전극(3a)의 접속 면적이 커진다. 이로 인해, 접속 구조체(1)에 있어서의 도통 신뢰성 및 접속 신뢰성이 높아진다. 또한, 도전 재료에 포함되는 플럭스는 일반적으로, 가열에 의해 점차 실활한다.As shown in Fig. 1, in the connection structure 1, a plurality of solder particles are collected between the first electrode 2a and the second electrode 3a, and after a plurality of solder particles are melted, After the surface of the electrode is expanded, it solidifies and a soldering portion 4A is formed. This increases the connection area between the solder portion 4A and the first electrode 2a and between the solder portion 4A and the second electrode 3a. As a result, conduction reliability and connection reliability in the connection structure 1 are enhanced. Further, the flux included in the conductive material is generally deactivated by heating.

또한, 도 1에 나타내는 접속 구조체(1)에서는, 땜납부(4A)의 모두가, 제1, 제2 전극(2a, 3a) 사이의 대향하고 있는 영역에 위치하고 있다. 도 3에 나타내는 변형예의 접속 구조체(1X)는 접속부(4X)만이 도 1에 나타내는 접속 구조체(1)와 상이하다. 접속부(4X)는 땜납부(4XA)와 경화물부(4XB)를 갖는다. 접속 구조체(1X)와 같이, 땜납부(4XA)의 대부분이, 제1, 제2 전극(2a, 3a)의 대향하고 있는 영역에 위치하고 있고, 땜납부(4XA)의 일부가 제1, 제2 전극(2a, 3a)의 대향하고 있는 영역으로부터 측방으로 비어져 나오고 있어도 된다. 제1, 제2 전극(2a, 3a)의 대향하고 있는 영역으로부터 측방으로 비어져 나오고 있는 땜납부(4XA)는 땜납부(4XA)의 일부이고, 땜납부(4XA)로부터 이격된 땜납은 아니다. 또한, 본 실시 형태에서는, 땜납부로부터 이격된 땜납의 양을 적게 할 수 있지만, 땜납부로부터 이격된 땜납이 경화물부 중에 존재하고 있어도 된다. 또한, 접속 구조체(1X)라도, 땜납부(4XA) 내에 제2 도전성 입자(11C)가 배치되어 있다.In the connection structure 1 shown in Fig. 1, all of the soldering portions 4A are located in areas facing each other between the first and second electrodes 2a, 3a. The connection structure 1X of the modified example shown in Fig. 3 differs from the connection structure 1 shown in Fig. 1 only in the connection portion 4X. The connecting portion 4X has a soldering portion 4XA and a cured portion 4XB. Most of the soldering portion 4XA is located in the region where the first and second electrodes 2a and 3a are opposed to each other and the soldering portion 4XA is part of the first and second electrodes 2a and 3a, But may be sideways from the opposing area of the electrodes 2a and 3a. The soldering portion 4XA that is laterally released from the region where the first and second electrodes 2a and 3a face each other is a part of the soldering portion 4XA and is not solder spaced apart from the soldering portion 4XA. In the present embodiment, the amount of solder spaced apart from the solder portion can be reduced, but solder spaced from the solder portion may be present in the hardened portion. In addition, even in the connection structure 1X, the second conductive particles 11C are disposed in the solder portion 4XA.

땜납 입자의 사용량을 적게 하면, 접속 구조체(1)를 얻는 것이 용이해진다. 땜납 입자의 사용량을 많게 하면, 접속 구조체(1X)를 얻는 것이 용이해진다.When the usage amount of the solder particles is reduced, it is easy to obtain the connection structure 1. If the amount of solder particles used is increased, it is easy to obtain the connection structure 1X.

도통 신뢰성을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 제1 전극과 상기 접속부와 상기 제2 전극의 적층 방향으로 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 서로 대향하는 부분을 보았을 때에, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 서로 대향하는 부분의 면적 100% 중의 50% 이상(바람직하게는 60% 이상, 보다 바람직하게는 70% 이상)으로, 상기 접속부 중의 땜납부가 배치되어 있는 것이 바람직하다.When viewed from mutually facing portions of the first electrode and the second electrode in the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode, from the viewpoint of further enhancing conduction reliability, (Preferably 60% or more, and more preferably 70% or more) of 100% of the areas of the two electrodes facing each other.

도통 신뢰성을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 제1 전극과 상기 접속부와 상기 제2 전극의 적층 방향과 직교하는 방향으로 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 서로 대향하는 부분을 보았을 때에, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 서로 대향하는 부분에, 상기 접속부 중의 땜납부의 60% 이상(바람직하게는 70% 이상, 보다 바람직하게는 90% 이상, 더욱 바람직하게는 99% 이상)이 배치되어 있는 것이 바람직하다.When viewed from mutually facing portions of the first electrode and the second electrode in a direction orthogonal to the lamination direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode, from the viewpoint of further enhancing conduction reliability, (Preferably 70% or more, more preferably 90% or more, and more preferably 99% or more) of the solder portion in the connection portion is arranged in the mutually opposing portion of the electrode and the second electrode .

도통 신뢰성 및 절연 신뢰성을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 접속부 내의 제2 도전성 입자의 전체 개수 100% 중, 상기 땜납부 내에 배치되어 있는 제2 도전성 입자의 개수의 비율은 바람직하게는 50% 이상, 보다 바람직하게는 80% 이상, 더욱 바람직하게는 90% 이상, 특히 바람직하게는 95% 이상이다.The ratio of the number of the second conductive particles arranged in the solder portion among the total number 100% of the second conductive particles in the connection portion is preferably 50% or more, more preferably 50% or more, , Preferably at least 80%, more preferably at least 90%, particularly preferably at least 95%.

이어서, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 도전 재료를 사용하여, 접속 구조체(1)를 제조하는 방법의 일례를 설명한다.Next, an example of a method of manufacturing the connection structure 1 using the conductive material according to one embodiment of the present invention will be described.

우선, 제1 전극(2a)을 표면(상면)에 갖는 제1 접속 대상 부재(2)를 준비한다. 이어서, 도 2의 (a)에 나타낸 바와 같이, 제1 접속 대상 부재(2)의 표면 위에, 열경화성 성분(11B)과, 복수의 땜납 입자(11A)와, 복수의 제2 도전성 입자(11C)를 포함하는 도전 재료(11)를 배치한다(제1 공정). 사용한 도전 재료는 열경화성 성분(11B)으로서, 열경화성 화합물과 열경화제를 포함한다.First, a first connection target member 2 having a first electrode 2a on its surface (upper surface) is prepared. 2 (a), a thermosetting component 11B, a plurality of solder particles 11A, and a plurality of second conductive particles 11C are formed on the surface of the first connection target member 2, (The first step). The conductive material used is a thermosetting component 11B, which includes a thermosetting compound and a thermosetting agent.

제1 접속 대상 부재(2)의 제1 전극(2a)이 설치된 표면 위에, 도전 재료(11)를 배치한다. 도전 재료(11)의 배치 후에, 땜납 입자(11A)는 제1 전극(2a)(라인) 위와, 제1 전극(2a)이 형성되어 있지 않은 영역(스페이스) 위의 양쪽에 배치되어 있다.The conductive material 11 is disposed on the surface of the first connection target member 2 on which the first electrode 2a is provided. After the conductive material 11 is disposed, the solder particles 11A are arranged on both the first electrode 2a (line) and on the region (space) where the first electrode 2a is not formed.

도전 재료(11)의 배치 방법으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 디스펜서에 의한 도포, 스크린 인쇄 및 잉크젯 장치에 의한 토출 등을 들 수 있다.The method for disposing the conductive material 11 is not particularly limited, and examples thereof include coating with a dispenser, screen printing, and ejection with an inkjet apparatus.

또한, 제2 전극(3a)을 표면(하면)에 갖는 제2 접속 대상 부재(3)를 준비한다. 이어서, 도 2의 (b)에 나타낸 바와 같이, 제1 접속 대상 부재(2)의 표면 위의 도전 재료(11)에 있어서, 도전 재료(11)의 제1 접속 대상 부재(2)측과는 반대측의 표면 위에, 제2 접속 대상 부재(3)를 배치한다(제2 공정). 도전 재료(11)의 표면 위에, 제2 전극(3a)측으로부터, 제2 접속 대상 부재(3)를 배치한다. 이때, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a)을 대향시킨다.Furthermore, a second connection target member 3 having a second electrode 3a on its surface (lower surface) is prepared. 2 (b), in the conductive material 11 on the surface of the first connection target member 2, the conductive material 11 is bonded to the first connection target member 2 side And the second connection target member 3 is arranged on the surface on the opposite side (second step). The second connection target member 3 is disposed on the surface of the conductive material 11 from the second electrode 3a side. At this time, the first electrode 2a and the second electrode 3a are opposed to each other.

이어서, 땜납 입자(11A)의 융점 이상으로 도전 재료(11)를 가열한다(제3 공정). 바람직하게는, 열경화성 성분(11B)(결합제)의 경화 온도 이상으로 도전 재료(11)를 가열한다. 이 가열 시에는, 전극이 형성되어 있지 않은 영역에 존재하고 있던 땜납 입자(11A)는 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a) 사이로 모인다(자기 응집 효과). 이때, 복수의 땜납 입자(11A) 사이에 존재하는 제2 도전성 입자(11C)가, 땜납 입자(11A)를 가까이 끌어당겨, 땜납 입자(11A)의 이동을 촉진시킨다. 도전 필름이 아니라, 도전 페이스트를 사용한 경우에는, 땜납 입자(11A)가, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a) 사이에 효과적으로 모인다. 또한, 땜납 입자(11A)는 용융되고, 서로 접합한다. 또한, 열경화성 성분(11B)은 열경화한다. 이 결과, 도 2의 (c)에 나타낸 바와 같이, 제1 접속 대상 부재(2)와 제2 접속 대상 부재(3)를 접속하고 있는 접속부(4)가, 도전 재료(11)에 의해 형성된다. 도전 재료(11)에 의해 접속부(4)가 형성되고, 복수의 땜납 입자(11A)가 접합함으로써 땜납부(4A)가 형성되고, 열경화성 성분(11B)이 열경화함으로써 경화물부(4B)가 형성된다. 또한, 땜납부(4A) 내에, 제2 도전성 입자(11C)가 배치되고, 도입된다. 땜납 입자(11A)가 충분히 이동하면, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a) 사이에 위치하고 있지 않은 땜납 입자(11A)의 이동이 개시하고 나서, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a) 사이로 땜납 입자(11A)의 이동이 완료될 때까지, 온도를 일정하게 유지하지 않아도 된다.Subsequently, the conductive material 11 is heated to a temperature equal to or higher than the melting point of the solder particles 11A (third step). Preferably, the conductive material 11 is heated above the curing temperature of the thermosetting component 11B (binder). During this heating, the solder particles 11A existing in the region where no electrode is formed are gathered between the first electrode 2a and the second electrode 3a (magnetic cohesion effect). At this time, the second conductive particles 11C existing between the plurality of solder particles 11A pull the solder particles 11A close to each other, thereby promoting the movement of the solder particles 11A. When a conductive paste is used instead of a conductive film, solder particles 11A are effectively gathered between the first electrode 2a and the second electrode 3a. Further, the solder particles 11A are melted and bonded to each other. Further, the thermosetting component 11B thermally cures. As a result, as shown in Fig. 2 (c), the connection portion 4 connecting the first connection target member 2 and the second connection target member 3 is formed by the conductive material 11 . The connecting portion 4 is formed by the conductive material 11 and the plurality of solder particles 11A are joined together to form the solder portion 4A and the thermosetting component 11B is thermally cured to form the cured portion 4B . In addition, the second conductive particles 11C are arranged and introduced into the solder portion 4A. When the solder particles 11A sufficiently move, the movement of the solder particles 11A which are not located between the first electrode 2a and the second electrode 3a starts, and then the first electrode 2a and the second electrode 3a, It is not necessary to keep the temperature constant until the movement of the solder particles 11A is completed between the upper and lower substrates 3a.

본 실시 형태에서는, 상기 제2 공정 및 상기 제3 공정에 있어서, 가압을 행하지 않는 편이 바람직하다. 이 경우에는, 도전 재료(11)에는 제2 접속 대상 부재(3)의 중량이 가해진다. 이로 인해, 접속부(4)의 형성 시에, 땜납 입자(11A)가, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a) 사이에 효과적으로 모인다. 또한, 상기 제2 공정 및 상기 제3 공정 중 적어도 한쪽에 있어서, 가압을 행하면, 땜납 입자(11A)가 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a) 사이에 모이려고 하는 작용이 저해되는 경향이 높아진다.In the present embodiment, it is preferable that no pressure is applied in the second step and the third step. In this case, the weight of the second connection target member 3 is applied to the conductive material 11. This allows the solder particles 11A to effectively gather between the first electrode 2a and the second electrode 3a at the time of forming the connection portion 4. When the pressing is performed in at least one of the second step and the third step, the tendency that the action of the solder particles 11A to gather between the first electrode 2a and the second electrode 3a is inhibited .

또한, 본 실시 형태에서는, 가압을 행하고 있지 않기 때문에, 도전 재료를 도포한 제1 접속 대상 부재에 제2 접속 대상 부재를 중첩했을 때에, 제1 접속 대상 부재의 전극과 제2 접속 대상 부재의 전극의 얼라인먼트가 어긋난 상태에서, 제1 접속 대상 부재와 제2 접속 대상 부재가 중첩된 경우라도, 그 어긋남을 보정하고, 제1 접속 대상 부재의 전극과 제2 접속 대상 부재의 전극을 접속시킬 수 있다(셀프 얼라인먼트 효과). 이것은 제1 접속 대상 부재의 전극과 제2 접속 대상 부재의 전극 사이에 자기 응집한 용융된 땜납이, 제1 접속 대상 부재의 전극과 제2 접속 대상 부재의 전극간의 땜납과 도전 재료의 그 밖의 성분이 접하는 면적이 최소가 되는 쪽이 에너지적으로 안정해지기 때문에, 그 최소의 면적이 되는 접속 구조인 얼라인먼트가 있던 접속 구조로 하는 힘이 작용하기 때문이다. 이때, 도전 재료가 경화되어 있지 않은 것 및 그 온도, 시간에서, 도전 재료의 도전성 입자 이외의 성분의 점도가 충분히 낮은 것이 바람직하다.Further, in this embodiment, since the pressing is not performed, when the second connection target member is overlapped with the first connection target member coated with the conductive material, the electrode of the first connection target member and the electrode Even if the first connection target member and the second connection target member are overlapped with each other in the state where the alignment of the first connection target member and the second connection target member are misaligned, the shift can be corrected and the electrodes of the first connection target member and the electrodes of the second connection target member can be connected (Self-alignment effect). This is because the molten solder magnetically agglomerated between the electrodes of the first connection target member and the electrodes of the second connection target member is soldered between the electrodes of the first connection target member and the electrodes of the second connection target member and the other components This is because the minimum contact area is stabilized energetically, so that a connecting structure having a minimum area becomes a force of a connection structure having alignment. In this case, it is preferable that the conductive material is not cured and that the viscosity of components other than the conductive particles of the conductive material is sufficiently low at the temperature and time.

이와 같이 하여, 도 1에 나타내는 접속 구조체(1)가 얻어진다. 또한, 상기 제2 공정과 상기 제3 공정은 연속해서 행해져도 된다. 또한, 상기 제2 공정을 행한 후에, 얻어지는 제1 접속 대상 부재(2)와 도전 재료(11)와 제2 접속 대상 부재(3)의 적층체를, 가열부로 이동시키고, 상기 제3 공정을 행해도 된다. 상기 가열을 행하기 위해, 가열 부재 위에 상기 적층체를 배치해도 되고, 가열된 공간 내에 상기 적층체를 배치해도 된다.In this manner, the connection structure 1 shown in Fig. 1 is obtained. Further, the second step and the third step may be performed continuously. After the second step is performed, the resulting laminate of the first connection target member 2, the conductive material 11, and the second connection target member 3 is moved to the heating portion, and the third step is performed . In order to perform the heating, the laminate may be disposed on the heating member, or the laminate may be disposed in the heated space.

상기 제3 공정에서의 상기 가열 온도는 바람직하게는 140℃ 이상, 보다 바람직하게는 160℃ 이상이고, 바람직하게는 450℃ 이하, 보다 바람직하게는 250℃ 이하, 더욱 바람직하게는 200℃ 이하이다.The heating temperature in the third step is preferably 140 占 폚 or higher, more preferably 160 占 폚 or higher, preferably 450 占 폚 or lower, more preferably 250 占 폚 or lower, still more preferably 200 占 폚 or lower.

상기 제3 공정에서의 가열 방법으로서는, 땜납의 융점 이상 및 열경화성 화합물의 경화 온도 이상으로, 접속 구조체 전체를, 리플로우로를 사용하거나 또는 오븐을 사용하여 가열하는 방법이나, 접속 구조체의 접속부만을 국소적으로 가열하는 방법을 들 수 있다.As the heating method in the third step, the entire connection structure may be heated by using a reflow furnace or using an oven at a temperature equal to or higher than the melting point of the solder and the curing temperature of the thermosetting compound, And then heating the mixture.

상기 제1, 제2 접속 대상 부재는 특별히 한정되지 않는다. 상기 제1, 제2 접속 대상 부재로서는, 구체적으로는, 반도체 칩, 반도체 패키지, LED 칩, LED 패키지, 콘덴서 및 다이오드 등의 전자 부품, 그리고 수지 필름, 프린트 기판, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블, 리지드 플렉시블 기판, 유리 에폭시 기판 및 유리 기판 등의 회로 기판 등의 전자 부품 등을 들 수 있다. 상기 제1, 제2 접속 대상 부재는 전자 부품인 것이 바람직하다.The first and second connection target members are not particularly limited. Specific examples of the first and second connection target members include semiconductor chips, semiconductor packages, LED chips, LED packages, electronic components such as capacitors and diodes, resin films, printed boards, flexible printed boards, flexible flat cables, An electronic component such as a rigid flexible substrate, a glass epoxy substrate, and a circuit substrate such as a glass substrate. It is preferable that the first and second connection target members are electronic parts.

상기 제1 접속 대상 부재 및 상기 제2 접속 대상 부재 중 적어도 한 쪽이, 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블 또는 리지드 플렉시블 기판인 것이 바람직하다. 상기 제2 접속 대상 부재가, 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블 또는 리지드 플렉시블 기판인 것이 바람직하다. 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블 및 리지드 플렉시블 기판은 유연성이 높고, 비교적 경량이라는 성질을 갖는다. 이와 같은 접속 대상 부재의 접속에 도전 필름을 사용한 경우에는, 땜납이 전극 위에 모이기 어려운 경향이 있다. 이에 비해, 도전 페이스트를 사용함으로써, 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블 또는 리지드 플렉시블 기판을 사용했다고 해도, 땜납을 전극 위에 효율적으로 모으는 것으로, 전극간의 도통 신뢰성을 충분히 높일 수 있다. 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블 또는 리지드 플렉시블 기판을 사용하는 경우에, 반도체 칩 등의 다른 접속 대상 부재를 사용한 경우에 비해, 가압을 행하지 않은 것에 의한 전극간의 도통 신뢰성의 향상 효과가 한층 더 효과적으로 얻어진다.It is preferable that at least one of the first connection target member and the second connection target member is a resin film, a flexible printed circuit board, a flexible flat cable, or a rigid flexible substrate. It is preferable that the second connection target member is a resin film, a flexible printed circuit board, a flexible flat cable, or a rigid flexible substrate. Resin films, flexible printed boards, flexible flat cables and rigid flexible boards have high flexibility and relatively light weight properties. When a conductive film is used for connecting the connection target member, the solder tends to be difficult to collect on the electrode. On the other hand, by using the conductive paste, even when a resin film, a flexible printed circuit board, a flexible flat cable, or a rigid flexible substrate is used, the reliability of conduction between the electrodes can be sufficiently improved by efficiently collecting the solder on the electrode. In the case of using a resin film, a flexible printed circuit board, a flexible flat cable, or a rigid flexible substrate, the effect of improving the conduction reliability between the electrodes due to no pressing is further improved as compared with the case of using other members to be connected such as semiconductor chips .

상기 접속 대상 부재에 설치되어 있는 전극으로서는, 금 전극, 니켈 전극, 주석 전극, 알루미늄 전극, 구리 전극, 몰리브덴 전극, 은 전극, SUS 전극 및 텅스텐 전극 등의 금속 전극을 들 수 있다. 상기 접속 대상 부재가 플렉시블 프린트 기판인 경우에는, 상기 전극은 금 전극, 니켈 전극, 주석 전극, 은 전극 또는 구리 전극인 것이 바람직하다. 상기 접속 대상 부재가 유리 기판인 경우에는, 상기 전극은 알루미늄 전극, 구리 전극, 몰리브덴 전극, 은 전극 또는 텅스텐 전극인 것이 바람직하다. 또한, 상기 전극이 알루미늄 전극인 경우에는, 알루미늄만으로 형성된 전극이어도 되고, 금속 산화물층의 표면에 알루미늄층이 적층된 전극이어도 된다. 상기 금속 산화물층의 재료로서는, 3가의 금속 원소가 도프된 산화인듐 및 3가의 금속 원소가 도프된 산화아연 등을 들 수 있다. 상기 3가의 금속 원소로서는, Sn, Al 및 Ga 등을 들 수 있다.Examples of the electrode provided on the member to be connected include metal electrodes such as gold electrodes, nickel electrodes, tin electrodes, aluminum electrodes, copper electrodes, molybdenum electrodes, silver electrodes, SUS electrodes and tungsten electrodes. When the connection target member is a flexible printed circuit board, the electrode is preferably a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, a silver electrode, or a copper electrode. When the connection target member is a glass substrate, it is preferable that the electrode is an aluminum electrode, a copper electrode, a molybdenum electrode, a silver electrode, or a tungsten electrode. When the electrode is an aluminum electrode, it may be an electrode formed only of aluminum, or an electrode in which an aluminum layer is laminated on the surface of the metal oxide layer. Examples of the material of the metal oxide layer include indium oxide doped with a trivalent metal element and zinc oxide doped with a trivalent metal element. Examples of the trivalent metal element include Sn, Al, and Ga.

이하, 실시예 및 비교예를 들어, 본 발명을 구체적으로 설명한다. 본 발명은 이하의 실시예에만 한정되지 않는다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples and comparative examples. The present invention is not limited to the following examples.

중합체 A:Polymer A:

(1) 비스페놀 F와 1,6-헥산디올디글리시딜에테르 및 비스페놀 F형 에폭시 수지의 제1 반응물의 합성:(1) Synthesis of first reaction product of bisphenol F, 1,6-hexanediol diglycidyl ether and bisphenol F type epoxy resin:

비스페놀 F(4,4'-메틸렌비스페놀과 2,4'-메틸렌비스페놀과 2,2'-메틸렌비스페놀을 중량비로 2:3:1로 포함함) 72중량부와, 1,6-헥산디올디글리시딜에테르 270중량부와, 비스페놀 F형 에폭시 수지(DIC사제 「EPICLON EXA-830CRP」) 30중량부를, 3구 플라스크에 넣고, 질소 플로우 하에서, 100℃에서 용해시켰다. 그 후, 수산기와 에폭시기의 부가 반응 촉매인 테트라-n-부틸술포늄브로마이드 0.1중량부를 첨가하고, 질소 플로우 하에서, 130℃에서 6시간, 부가 중합 반응시킴으로써 제1 반응물을 얻었다.72 parts by weight of bisphenol F (containing 4,4'-methylenebisphenol and 2,4'-methylenebisphenol and 2,2'-methylenebisphenol in a weight ratio of 2: 3: 1), 1,6-hexanediol di 270 parts by weight of glycidyl ether and 30 parts by weight of bisphenol F type epoxy resin ("EPICLON EXA-830CRP" manufactured by DIC Corporation) were placed in a three-necked flask and dissolved at 100 ° C under a nitrogen flow. Thereafter, 0.1 part by weight of tetra-n-butylsulfonium bromide as an addition reaction catalyst between a hydroxyl group and an epoxy group was added and an addition polymerization reaction was conducted at 130 占 폚 for 6 hours under a nitrogen flow to obtain a first reaction product.

NMR에 의해, 부가 중합 반응이 진행된 것을 확인하고, 제1 반응물이, 비스페놀 F에 유래하는 수산기와 1,6-헥산디올디글리시딜에테르 및 비스페놀 F형 에폭시 수지의 에폭시기가 결합한 구조 단위를 주쇄에 갖고, 또한 에폭시기를 양 말단에 갖는 것을 확인했다.NMR confirmed that the addition polymerization reaction had proceeded and that the first reaction product contained a structural unit in which a hydroxyl group derived from bisphenol F and an epoxy group of 1,6-hexanediol diglycidyl ether and bisphenol F type epoxy resin were bonded to each other, And an epoxy group at both ends.

(2) 중합체 A의 합성:(2) Synthesis of polymer A:

상기 제1 반응물 100중량부를, 3구 플라스크에 넣고, 질소 플로우 하에서, 120℃에서 용해시켰다. 그 후, 신에쓰 실리콘사제 「KBE-9007」(3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란) 2중량부를 첨가하고, 제1 반응물의 측쇄 수산기와 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란의 이소시아네이트기와의 반응 촉매인 디라우르산디부틸주석 0.002중량부를 첨가하고, 질소 플로우 하에서, 120℃에서 4시간 반응시켰다. 그 후, 110℃에서 5시간 진공 건조하고, 미반응의 KBE-9007을 제거했다.100 parts by weight of the first reaction product was placed in a three-necked flask and dissolved at 120 캜 under a nitrogen flow. Thereafter, 2 parts by weight of "KBE-9007" (3-isocyanate propyltriethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd. was added, and the reaction product of the side chain hydroxyl group of the first reactant and the isocyanate group of 3-isocyanatepropyltriethoxysilane And 0.002 parts by weight of dibutyl tin dilaurate were added, and the mixture was reacted at 120 占 폚 for 4 hours under a nitrogen flow. Thereafter, it was vacuum-dried at 110 DEG C for 5 hours to remove unreacted KBE-9007.

NMR에 의해, 제1 반응물의 측쇄 수산기와, 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란의 이소시아네이트기와의 반응이 진행된 것을 확인하고, 얻어진 화합물이, 비스페놀 F에 유래하는 수산기와 1,6-헥산디올디글리시딜에테르 및 비스페놀 F형 에폭시 수지의 에폭시기가 결합한 구조 단위를 주쇄에 갖고, 또한 양 말단에 에폭시기를, 측쇄에 프로필트리에톡시실란기를 갖는 것을 확인했다. 이에 의해 페녹시 수지(중합체 A)를 얻었다.NMR confirmed that the reaction of the side chain hydroxyl group of the first reactant and the isocyanate group of the 3-isocyanatepropyltriethoxysilane proceeded, and that the resulting compound had a hydroxyl group derived from bisphenol F and 1,6-hexanediol diglycidyl It was confirmed that the main chain had a structural unit in which an epoxy group of a cystyl ether and a bisphenol F type epoxy resin was bonded, and an epoxy group at both ends and a propyltriethoxysilane group in the side chain. Thus, a phenoxy resin (polymer A) was obtained.

열경화성 화합물 1: 레조르시놀형 에폭시 화합물, 교에샤 가가쿠사제 「에폴라이트 TDC-LC」, 에폭시 당량 120g/eqThermosetting compound 1: Resorcinol-type epoxy compound, "Epolite TDC-LC" manufactured by Kyowa Chemical Co., Ltd., epoxy equivalent weight 120 g / eq

열경화성 화합물 2: 에폭시 화합물, ADEKA사제 「EP-3300」, 에폭시 당량 160g/eqThermosetting compound 2: Epoxy compound "EP-3300" manufactured by ADEKA, epoxy equivalent weight 160 g / eq

광중합 개시제: 아실포스핀옥시드계 화합물, 시바 재팬사제 「DAROCUR TPO」Photopolymerization initiator: acylphosphine oxide compound, "DAROCUR TPO" manufactured by Shiba Japan

연쇄 이동제: 펜타에리트리톨테트라키스(3-머캅토부티레이트), 쇼와 덴코사제 「카렌즈MT PE1」Chain transfer agent: pentaerythritol tetrakis (3-mercaptobutyrate), "CALENS MT PE1" manufactured by Showa Denko KK

잠재성 에폭시 열경화제: T&K TOKA사제 「후지 큐어 7000」Latent epoxy thermosetting agent: "Fuji Cure 7000" manufactured by T & K TOKA

플럭스 1:Flux 1:

글루타르산 25중량부 및 글루타르산모노메틸 25중량부를 3구 플라스크에 넣고, 질소 플로우 하에서, 80℃에서 용해시켰다. 그 후, 벤질아민 57중량부를 첨가하고, 80℃에서 감압 하(4Torr 이하) 2시간 반응시킴으로써, 25℃에서 고체인, 플럭스 1을 얻었다.25 parts by weight of glutaric acid and 25 parts by weight of monomethyl glutarate were placed in a three-necked flask and dissolved at 80 占 폚 under a nitrogen flow. Thereafter, 57 parts by weight of benzylamine was added and reacted at 80 DEG C under reduced pressure (4 Torr or less) for 2 hours to obtain Flux 1, which was solid at 25 DEG C.

절연성 입자: 평균 입자 직경 30㎛, CV값 5%, 연화점 330℃, 세키스이 가가쿠 고교사제, 디비닐벤젠 가교 입자Insulating particles: average particle diameter 30 占 퐉, CV value 5%, softening point 330 占 폚, divinylbenzene crosslinked particles manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.

땜납 입자 1:Solder Particle 1:

Sn-3Ag-0.5Cu 땜납 입자(미츠이 긴조쿠사제 「ST-5」, 평균 입자 직경(메디안 직경) 30㎛)와, 시트르산(와코 준야쿠 고교사제 「시트르산」)을, 촉매인 p-톨루엔술폰산을 사용하여, 톨루엔 용매 중 90℃에서 탈수하면서 8시간 교반함으로써, 땜납의 표면에 카르복실기를 포함하는 기가 공유 결합하고 있는 땜납 입자 1(CV값 20%)을 얻었다.(Trade name: ST-5, average particle diameter (median diameter) 30 占 퐉) and citric acid ("citric acid" manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) were mixed with a Sn-3Ag-0.5Cu solder particle Was used and stirred for 8 hours while being dehydrated in a toluene solvent at 90 deg. C to obtain a solder particle 1 (CV value: 20%) in which a group containing a carboxyl group was covalently bonded to the surface of the solder.

땜납 입자 2:Solder Particle 2:

Sn-3Ag-0.5Cu 땜납 입자(미츠이 긴조쿠사제 「ST-5」, 평균 입자 직경(메디안 직경) 30㎛) 200g과, 이소시아네이트기를 갖는 실란 커플링제(신에쓰 실리콘사제 「KBE-9007」) 10g과, 아세톤 70g을 3구 플라스크에 칭량했다. 실온에서 교반하면서, 땜납 입자 표면의 수산기와 이소시아네이트기의 반응 촉매인 디부틸주석디라우레이트 0.25g을 첨가하고, 교반 하, 질소 분위기 하에서 100℃에서 2시간 가열했다. 그 후, 메탄올을 50g 첨가하고, 교반 하, 질소 분위기 하에서, 60℃에서 1시간 가열했다.200 g of Sn-3Ag-0.5Cu solder particles ("ST-5" manufactured by Mitsui Kinzoku Co., average particle diameter (median diameter) 30 μm) and 10 g of a silane coupling agent having an isocyanate group ("KBE- And 70 g of acetone were weighed into a three-necked flask. While stirring at room temperature, 0.25 g of dibutyltin dilaurate, which is a reaction catalyst between the hydroxyl group and isocyanate group on the surface of the solder particles, was added and heated at 100 ° C for 2 hours under nitrogen atmosphere with stirring. Thereafter, 50 g of methanol was added, and the mixture was heated at 60 占 폚 for 1 hour under a nitrogen atmosphere with stirring.

그 후, 실온까지 냉각하고, 여과지로 땜납 입자를 여과하고, 진공 건조로 실온에서 1시간 탈용제를 행하였다.Thereafter, the resultant was cooled to room temperature, the solder particles were filtered with a filter paper, and the solvent was vacuum-dried at room temperature for 1 hour.

상기 땜납 입자를, 3구 플라스크에 넣고, 아세톤 70g과, 시트르산트리메틸 30g과, 에스테르 교환 반응 촉매인 모노부틸주석옥사이드 0.5g을 첨가하고, 교반 하, 질소 분위기 하에서 60℃에서 1시간 반응시켰다.The solder particles were put in a three-necked flask, and 70 g of acetone, 30 g of trimethyl citrate, and 0.5 g of monobutyltin oxide as an ester exchange reaction catalyst were added and reacted at 60 ° C for 1 hour under nitrogen atmosphere with stirring.

이에 의해, 실란 커플링제 유래의 실라놀기에 대하여, 시트르산트리메틸의 에스테르기를 에스테르 교환 반응에 의해 반응시켜, 공유 결합시켰다.As a result, the ester group of trimethyl citrate was covalently bonded to the silanol group derived from the silane coupling agent through transesterification reaction.

그 후, 시트르산을 10g 추가하고, 60℃에서 1시간 반응시킴으로써, 시트르산트리메틸의 실라놀기와 반응하고 있지 않은 잔여 메틸에스테르기에 대하여, 시트르산을 부가시켰다.Thereafter, 10 g of citric acid was added and the mixture was reacted at 60 DEG C for 1 hour to add citric acid to the remaining methyl ester groups which had not reacted with the silanol groups of the trimethyl citrate.

그 후, 실온까지 냉각하고, 여과지로 땜납 입자를 여과하고, 여과지 위에서 헥산으로 땜납 입자를 세정하고, 미반응 및 땜납 입자의 표면에 비공유 결합으로 부착되어 있는, 잔여 시트르산트리메틸, 시트르산을 제거한 후, 진공 건조에서, 실온에서 1시간 탈용제를 행하였다.Thereafter, the resultant was cooled to room temperature, and the solder particles were filtered with a filter paper. The solder particles were washed with hexane on a filter paper to remove residual trimethyl citrate and citric acid remaining on the surfaces of the unreacted and solder particles by non- In vacuum drying, the solvent was removed at room temperature for 1 hour.

얻어진 땜납 입자를 볼 밀로 해쇄한 후, 소정의 CV값이 되도록 체를 선택했다. 이에 의해, 땜납 입자 2(CV값 20%)를 얻었다.After the obtained solder particles were broken with a ball mill, a sieve was selected so as to have a predetermined CV value. Thus, solder particles 2 (CV value: 20%) were obtained.

(땜납 입자 및 도전성 입자의 입자 직경의 CV값)(CV value of the particle diameter of the solder particles and the conductive particles)

CV값을, 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치(호리바 세이사쿠쇼사제 「LA-920」)에서 측정했다.The CV value was measured by a laser diffraction particle size distribution analyzer (" LA-920 " manufactured by Horiba Seisakusho Co., Ltd.).

제2 도전성 입자 1: 디비닐벤젠 수지 입자의 표면 위에 금층(두께 0.02㎛)이 배치되어 있는 도전성 입자(평균 입자 직경 15㎛)Second conductive particle 1: conductive particles (average particle diameter 15 占 퐉) having a gold layer (thickness: 0.02 占 퐉) disposed on the surface of the divinylbenzene resin particle,

제2 도전성 입자 2: 디비닐벤젠 수지 입자의 표면 위에 팔라듐층(두께 0.02㎛)이 배치되어 있는 도전성 입자(평균 입자 직경 15㎛)Second conductive particles 2: conductive particles (average particle diameter 15 占 퐉) in which a palladium layer (thickness: 0.02 占 퐉) was disposed on the surface of the divinylbenzene resin particles;

제2 도전성 입자 3: 디비닐벤젠 수지 입자의 표면 위에 백금층(두께 0.02㎛)이 배치되어 있는 도전성 입자(평균 입자 직경 15㎛)Second conductive particles 3: conductive particles (average particle diameter 15 占 퐉) having a platinum layer (thickness: 0.02 占 퐉) disposed on the surface of the divinylbenzene resin particle,

제2 도전성 입자 6: 디비닐벤젠 수지 입자의 표면 위에 루테늄층(두께 0.02㎛)이 배치되어 있는 도전성 입자(평균 입자 직경 15㎛)Second conductive particles 6: Conductive particles (average particle diameter 15 占 퐉) having a ruthenium layer (thickness: 0.02 占 퐉) disposed on the surface of the divinylbenzene resin particle,

제2 도전성 입자 7: 디비닐벤젠 수지 입자의 표면 위에 이리듐층(두께 0.02㎛)이 배치되어 있는 도전성 입자(평균 입자 직경 15㎛)Second conductive particles 7: conductive particles (average particle diameter 15 占 퐉) in which an iridium layer (thickness: 0.02 占 퐉) was disposed on the surface of the divinylbenzene resin particle,

제2 도전성 입자 4: 디비닐벤젠 수지 입자의 표면 위에 금층(두께 0.02㎛)이 배치되어 있는 도전성 입자(평균 입자 직경 10㎛)Second conductive particles 4: conductive particles (average particle diameter 10 占 퐉) in which a gold layer (thickness: 0.02 占 퐉) was arranged on the surface of the divinylbenzene resin particles;

제2 도전성 입자 5: 디비닐벤젠 수지 입자의 표면 위에 금층(두께 0.02㎛)이 배치되어 있는 도전성 입자(평균 입자 직경 30㎛)Second conductive particles 5: conductive particles (average particle diameter 30 占 퐉) in which a gold layer (thickness: 0.02 占 퐉) was disposed on the surface of the divinylbenzene resin particles;

(실시예 1 내지 13 및 비교예 1 내지 2)(Examples 1 to 13 and Comparative Examples 1 and 2)

(1) 도전 재료의 제작(1) Fabrication of conductive material

하기의 표 1, 2에 나타내는 성분을 하기의 표 1, 2에 나타내는 배합량으로 배합하여, 도전 재료(도전 페이스트)를 얻었다.The components shown in the following Tables 1 and 2 were compounded in amounts shown in Tables 1 and 2 below to obtain a conductive material (conductive paste).

(2) 접속 구조체의 제작(2) Fabrication of connection structure

L/S가 45㎛/45㎛, 전극 길이 3㎜의 구리 전극 패턴(구리 전극의 두께 12㎛)을 상면에 갖고, 또한 그 주변에 복수의 구리박 랜드가 형성된 긴 캐리어 테이프를 준비했다. 또한, 전극의 L/S가 45㎛/45㎛를 하면에 갖는 반도체 소자를 준비했다. 상기 긴 캐리어 테이프의 상면에, 상기 도전 페이스트를 구리 전극 패턴 위에서 두께 100㎛가 되도록, 도공하여, 도전 페이스트층을 형성했다. 이어서, 상기 반도체 소자를 마운터로 실장했다. 또한, 땜납 페이스트(센쥬 긴조쿠 고교사제 「M705-GRN360-K2V」)를 상기 복수의 구리박 랜드에 도포 후, 1005 사이즈의 칩 저항 부품을 상기 구리박 랜드의 도포막 위에 마운터로 실장했다. 그 후, 리플로우로에서 리플로우 처리하고, 반도체 소자 및 칩 저항 부품을 전극에 접속한 접속 구조체를 얻었다.A long carrier tape having a copper electrode pattern (having a copper electrode thickness of 12 mu m) having an L / S of 45 mu m / 45 mu m and an electrode length of 3 mm on its upper surface and a plurality of copper foil lands formed around the copper electrode pattern was prepared. Further, a semiconductor element having an L / S ratio of 45 占 퐉 / 45 占 퐉 was prepared. On the upper surface of the long carrier tape, the conductive paste was coated on the copper electrode pattern to a thickness of 100 mu m to form a conductive paste layer. Then, the semiconductor element was mounted with a mount. Further, a solder paste ("M705-GRN360-K2V" manufactured by Senjing Kogyo Kogyo Co., Ltd.) was applied to the plurality of copper foil lands, and a chip resistance component of 1005 size was mounted on the coating film of the copper foil land with a mount. Thereafter, reflow processing was performed in a reflow furnace to obtain a connection structure in which semiconductor elements and chip resistance parts were connected to electrodes.

(평가)(evaluation)

(1) 점도(η25)(1) Viscosity (? 25)

도전 페이스트의 25℃에서 점도(η25)를, E형 점도계(도키 산교사제 「TVE22L」))를 사용하여, 25℃ 및 5rpm의 조건에서 측정했다.The viscosity (? 25) of the conductive paste at 25 占 폚 was measured under the conditions of 25 占 폚 and 5 rpm using an E-type viscometer ("TVE22L" manufactured by Tokushu Sangyo Co., Ltd.)).

(2) 점도(2) Viscosity

제1 도전성 입자에 있어서의 땜납의 융점에서의 도전 페이스트의 점도(ηmp)를, STRESSTECH(EOLOGICA사제)를 사용하여, 변형 제어 1rad, 주파수 1㎐, 승온 속도 20℃/분, 측정 온도 범위 40℃ 내지 땜납의 융점의 조건에서 측정했다. 이 측정에 있어서, 땜납의 융점에서의 점도를 판독했다.The viscosity (eta mmp) of the conductive paste at the melting point of the solder in the first conductive particle was measured at a strain rate of 1 rad, a frequency of 1 Hz, a temperature raising rate of 20 占 폚 / min, a measuring temperature range of 40 占 폚 using STRESSTECH (manufactured by EOLOGICA) Or the melting point of the solder. In this measurement, the viscosity at the melting point of the solder was read.

(3) 땜납부의 두께(3) Thickness of the soldering portion

얻어진 접속 구조체를 단면 관찰함으로써, 상하의 전극 사이에 위치하고 있는 땜납부의 두께를 평가했다.The thicknesses of the soldering portions positioned between the upper and lower electrodes were evaluated by observing cross sections of the obtained connection structure.

(4) 전극 위의 땜납의 배치 정밀도 1(4) Arrangement accuracy of solder on electrode 1

얻어진 접속 구조체에 있어서, 제1 전극과 땜납부와 제2 전극의 적층 방향으로 제1 전극과 제2 전극의 서로 대향하는 부분을 보았을 때에, 제1 전극과 제2 전극의 서로 대향하는 부분의 면적 100% 중, 땜납부가 배치되어 있는 면적의 비율 X를 평가했다. 전극 위의 땜납의 배치 정밀도 1을 하기의 기준으로 판정했다.In the obtained connecting structure, when the mutually opposing portions of the first electrode and the second electrode are viewed in the stacking direction of the first electrode, the solder portion and the second electrode, the area of the portions facing each other between the first electrode and the second electrode 100%, the ratio X of the area where the solder portions were arranged was evaluated. The placement accuracy 1 of the solder on the electrode was determined based on the following criteria.

[전극 위의 땜납의 배치 정밀도 1의 판정 기준][Criteria for Arrangement Accuracy 1 of Solder on Electrode]

○○: 비율 X가 70% 이상○○: ratio X is 70% or more

○: 비율 X가 60% 이상 70% 미만○: ratio X is 60% or more and less than 70%

△: 비율 X가 50% 이상 60% 미만DELTA: ratio X is 50% or more and less than 60%

×: 비율 X가 50% 미만X: ratio X is less than 50%

(5) 땜납부 내에서의 제2 도전성 입자의 배치 정밀도 2(5) Arrangement Accuracy of Second Conductive Particles in Soldering Portion 2

얻어진 접속 구조체에 있어서, 상기 접속부 내의 제2 도전성 입자의 전체 개수 100% 중, 상기 땜납부 내에 배치되어 있는 제2 도전성 입자의 개수 비율 Y를 평가했다. 땜납부 내에서의 제2 도전성 입자의 배치 정밀도 2를 하기의 기준으로 판정했다.In the resulting connection structure, the number ratio Y of the second conductive particles disposed in the solder portion among the total number 100% of the second conductive particles in the connection portion was evaluated. And the placement accuracy 2 of the second conductive particles in the soldering portion was determined based on the following criteria.

[땜납부 내에서의 제2 도전성 입자의 배치 정밀도 2의 판정 기준][Judgment Criteria of Arrangement Accuracy 2 of Second Conductive Particle in Soldering Portion]

○○○: 개수의 비율 Y가 95% 이상○○○: the ratio Y is 95% or more

○○: 개수의 비율 Y가 90% 이상 95% 미만○○: The ratio of the number Y is more than 90% and less than 95%

○: 개수의 비율 Y가 80% 이상 90% 미만○: the ratio Y of the number is 80% or more and less than 90%

△: 개수의 비율 Y가 50% 이상 80% 미만?: The ratio Y of the number is 50% or more and less than 80%

×: 개수의 비율 Y가 50% 미만X: the ratio Y of the number is less than 50%

(6) 상하의 전극간의 도통 신뢰성(6) Reliability of conduction between the upper and lower electrodes

얻어진 접속 구조체(n=15개)에 있어서, 상하의 전극간의 1접속 개소당의 접속 저항을 각각, 4단자법에 의해 측정했다. 접속 저항의 평균값을 산출했다. 또한, 전압=전류×저항의 관계로부터, 일정한 전류를 흘렸을 때의 전압을 측정함으로써 접속 저항을 구할 수 있다. 도통 신뢰성을 하기의 기준으로 판정했다. 단, n=15개 중 하나라도 상하의 전극 사이가 도통하고 있지 않은 경우에는, 「×」라고 판정했다.In the obtained connection structures (n = 15), the connection resistances per connection portion between the upper and lower electrodes were measured by the four-terminal method. And the average value of the connection resistance was calculated. From the relationship of voltage = current x resistance, the connection resistance can be obtained by measuring the voltage when a constant current is passed. The conduction reliability was judged based on the following criteria. However, when at least one of n = 15 electrodes was not conducting between the upper and lower electrodes, it was judged " x ".

[도통 신뢰성의 판정 기준][Criteria for reliability of conduction]

○○: 접속 저항의 평균값이 50mΩ 이하○○: Average value of connection resistance is less than 50mΩ

○: 접속 저항의 평균값이 50mΩ 초과 70mΩ 이하○: Average value of connection resistance is more than 50 mΩ and less than 70 mΩ

△: 접속 저항의 평균값이 70mΩ 초과 100mΩ 이하?: Average value of connection resistance is more than 70 m? And not more than 100 m?

×: 접속 저항의 평균값이 100mΩ을 초과하거나, 또는 접속 불량이 발생하고 있음×: Average value of connection resistance exceeds 100 mΩ, or connection failure occurs

(7) 횡방향에 인접하는 전극간의 절연 신뢰성(7) Reliability of insulation between electrodes adjacent to each other in the transverse direction

얻어진 접속 구조체(n=15개)에 있어서, 85℃, 습도 85%의 분위기 중에 100시간 방치 후, 횡방향에 인접하는 전극 사이에, 15V를 인가하고, 저항값을 25개소에서 측정했다. 절연 신뢰성을 하기의 기준으로 판정했다. 단, n=15개 중 하나라도 횡방향에 인접하는 전극 사이가 도통하고 있는 경우에는 「×」라고 판정했다.In the obtained connecting structure (n = 15), after being left in an atmosphere at 85 캜 and 85% humidity for 100 hours, 15 V was applied between the electrodes adjacent in the transverse direction, and the resistance value was measured at 25 points. The insulation reliability was judged based on the following criteria. However, when at least one of n = 15 electrodes in the transverse direction was conductive, it was judged " x ".

[절연 신뢰성의 판정 기준][Judgment Criteria of Insulation Reliability]

○○○: 접속 저항의 평균값이 1014Ω 이상○○○: Average value of connection resistance is more than 10 14 Ω

○○: 접속 저항의 평균값이 108Ω 이상 1014Ω 미만○○: average value of connection resistance is more than 10 8 Ω and less than 10 14 Ω

○: 접속 저항의 평균값이 106Ω 이상 108Ω 미만○: The average value of the contact resistance more than 10 6 Ω is less than 10 8 Ω

△: 접속 저항의 평균값이 105Ω 이상 106Ω 미만△: average value of connection resistance is 10 5 Ω or more and less than 10 6 Ω

×: 접속 저항의 평균값이 105Ω 미만X: Average value of connection resistance is less than 10 5 Ω

결과를 하기의 표 1, 2에 나타낸다.The results are shown in Tables 1 and 2 below.

Figure pct00007
Figure pct00007

Figure pct00008
Figure pct00008

1, 1X : 접속 구조체
2 : 제1 접속 대상 부재
2a : 제1 전극
3 : 제2 접속 대상 부재
3a : 제2 전극
4, 4X : 접속부
4A, 4XA : 땜납부
4B, 4XB : 경화물부
11 : 도전 재료
11A : 땜납 입자(제1 도전성 입자)
11B : 열경화성 성분
11C : 제2 도전성 입자
21 : 제1 도전성 입자(땜납 입자)
31 : 제1 도전성 입자
32 : 기재 입자
33 : 도전부(땜납을 갖는 도전부)
33A : 제2 도전부
33B : 땜납부
41 : 제1 도전성 입자
42 : 땜납부
1, 1X: connection structure
2: first connection object member
2a: first electrode
3: second connection object member
3a: second electrode
4, 4X: connection
4A, 4XA: soldering portion
4B and 4XB:
11: Conductive material
11A: solder particles (first conductive particles)
11B: Thermosetting component
11C: Second conductive particle
21: First conductive particles (solder particles)
31: First conductive particle
32: Base particles
33: conductive part (conductive part having solder)
33A: second conductive part
33B: soldering portion
41: First conductive particle
42: soldering portion

Claims (16)

도전부의 외표면 부분에 땜납을 갖는 복수의 제1 도전성 입자와,
도전부의 외표면 부분에 은, 루테늄, 이리듐, 금, 팔라듐 또는 백금을 갖는 제2 도전성 입자와,
열경화성 화합물과,
열경화제를 포함하는, 도전 재료.
A plurality of first conductive particles having a solder on an outer surface portion of the conductive portion,
A second conductive particle having silver, ruthenium, iridium, gold, palladium or platinum on the outer surface portion of the conductive portion,
Thermosetting compounds,
A conductive material comprising a thermosetting agent.
제1항에 있어서, 상기 제2 도전성 입자가, 도전부의 외표면 부분에 금, 팔라듐 또는 백금을 갖는, 도전 재료.The conductive material according to claim 1, wherein the second conductive particles have gold, palladium or platinum on the outer surface portion of the conductive portion. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 도전성 입자에 있어서의 땜납의 융점에서의 도전 재료의 점도가 2㎩·s 이상 10㎩·s 이하인, 도전 재료.The conductive material according to claim 1 or 2, wherein the viscosity of the conductive material at the melting point of the solder in the first conductive particle is not less than 2Pa s and not more than 10Pa s. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 도전성 입자의 평균 입자 직경이, 상기 제1 도전성 입자의 평균 입자 직경보다도 작은, 도전 재료.The conductive material according to any one of claims 1 to 3, wherein the average particle diameter of the second conductive particles is smaller than the average particle diameter of the first conductive particles. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 도전성 입자의 함유량이 10중량% 이하인, 도전 재료.The conductive material according to any one of claims 1 to 4, wherein the content of the second conductive particles is 10% by weight or less. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 도전성 입자의 함유량의 상기 제2 도전성 입자의 함유량에 대한 비가, 중량 기준으로 3 이상 80 이하인, 도전 재료.The conductive material according to any one of claims 1 to 5, wherein the content of the first conductive particles is in the range of 3 to 80 based on the weight of the content of the second conductive particles. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열경화성 화합물이, 25℃에서 액상인 열경화성 화합물을 포함하는, 도전 재료.7. The conductive material according to any one of claims 1 to 6, wherein the thermosetting compound comprises a thermosetting compound that is liquid at 25 占 폚. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열경화성 화합물이, 폴리에테르 골격을 갖는 열경화성 화합물을 포함하는, 도전 재료.8. The conductive material according to any one of claims 1 to 7, wherein the thermosetting compound comprises a thermosetting compound having a polyether skeleton. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 융점이 50℃ 이상 190℃ 이하인 플럭스를 포함하는, 도전 재료.9. The conductive material according to any one of claims 1 to 8, comprising a flux having a melting point of not lower than 50 占 폚 but not higher than 190 占 폚. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 도전성 입자의 외표면에 카르복실기 또는 아미노기가 존재하는, 도전 재료.The conductive material according to any one of claims 1 to 9, wherein a carboxyl group or an amino group is present on the outer surface of the first conductive particles. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 도전성 입자가, 중심 부분 및 외표면 부분에 땜납을 갖는 땜납 입자인, 도전 재료.11. The conductive material according to any one of claims 1 to 10, wherein the first conductive particles are solder particles having a solder in a center portion and an outer surface portion. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 도전성 입자의 표면 및 상기 제2 도전성 입자의 표면의 어디에도 부착되어 있지 않은 절연성 입자를 포함하는, 도전 재료.12. The conductive material according to any one of claims 1 to 11, comprising insulating particles not attached to the surface of the first conductive particles and the surface of the second conductive particles. 적어도 하나의 제1 전극을 표면에 갖는 제1 접속 대상 부재와,
적어도 하나의 제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재와,
상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 구비하며,
상기 접속부의 재료가, 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 기재된 도전 재료이고,
상기 접속부가, 경화물부와, 땜납부와, 상기 제2 도전성 입자를 갖고,
상기 땜납부 내에 상기 제2 도전성 입자가 배치되어 있고,
상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 상기 접속부 중의 땜납부에 의해 전기적으로 접속되어 있는, 접속 구조체.
A first connection target member having at least one first electrode on its surface,
A second connection object member having at least one second electrode on its surface,
And a connection unit connecting the first connection target member and the second connection target member,
Wherein the material of the connecting portion is the conductive material according to any one of claims 1 to 12,
Wherein the connecting portion has a hardened portion, a solder portion, and the second conductive particles,
The second conductive particles are disposed in the solder portion,
And the first electrode and the second electrode are electrically connected to each other by the solder portion in the connection portion.
적어도 하나의 제1 전극을 표면에 갖는 제1 접속 대상 부재와,
적어도 하나의 제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재와,
상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 구비하며,
상기 접속부가, 경화물부와, 땜납부와, 도전부의 외표면 부분에 은, 루테늄, 이리듐, 금, 팔라듐 또는 백금을 갖는 제2 도전성 입자를 갖고,
상기 땜납부 내에 상기 제2 도전성 입자가 배치되어 있고,
상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 상기 접속부 중의 땜납부에 의해 전기적으로 접속되어 있는, 접속 구조체.
A first connection target member having at least one first electrode on its surface,
A second connection object member having at least one second electrode on its surface,
And a connection unit connecting the first connection target member and the second connection target member,
Wherein the connecting portion has a cured product, a solder portion, and second conductive particles having silver, ruthenium, iridium, gold, palladium or platinum on the outer surface portion of the conductive portion,
The second conductive particles are disposed in the solder portion,
And the first electrode and the second electrode are electrically connected to each other by the solder portion in the connection portion.
제14항에 있어서, 상기 제2 도전성 입자가, 도전부의 외표면 부분에 금, 팔라듐 또는 백금을 갖는, 접속 구조체.15. The connection structure according to claim 14, wherein the second conductive particles have gold, palladium or platinum on the outer surface portion of the conductive portion. 제13항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 전극과 상기 접속부와 상기 제2 전극의 적층 방향으로 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 서로 대향하는 부분을 보았을 때에, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 서로 대향하는 부분의 면적 100% 중의 50% 이상에, 상기 접속부 중의 땜납부가 배치되어 있는, 접속 구조체.The method according to any one of claims 13 to 15, wherein when the mutually facing portions of the first electrode and the second electrode facing each other in the lamination direction of the first electrode, the connection portion and the second electrode, Wherein a solder portion in the connection portion is disposed at 50% or more of an area of 100% of mutually facing portions of the first electrode and the second electrode.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7518602B2 (en) * 2017-11-27 2024-07-18 積水化学工業株式会社 Conductive material, connection structure, and method for manufacturing the connection structure
TW202133976A (en) * 2020-03-02 2021-09-16 日商積水化學工業股份有限公司 Solder paste, metal-coated particle for solder paste, and connection structure

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4422555B2 (en) * 2004-06-10 2010-02-24 三菱樹脂株式会社 Conductive paste composition for multilayer wiring board
JP4787195B2 (en) * 2007-03-26 2011-10-05 三菱樹脂株式会社 Conductive paste composition for via hole filling and multilayer wiring board using the same
JP2012250240A (en) * 2011-05-31 2012-12-20 Asahi Kasei E-Materials Corp Metal filler, solder paste, and connected structure
JP2014017248A (en) * 2012-06-14 2014-01-30 Sekisui Chem Co Ltd Conductive material, production method of conductive material, and connection structure
WO2016043265A1 (en) * 2014-09-18 2016-03-24 積水化学工業株式会社 Electrically conductive paste, joined structure, and method for manufacturing joined structure

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102113732B1 (en) 2019-03-21 2020-05-21 주식회사 아이에스시 Conductive powder and test connector comprising the same

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