KR20180128957A - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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KR20180128957A
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마사유키 하야시
도루 엔도
히로유키 가와하라
게이지 이와타
세이 네고로
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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

기판 처리 장치는, 처리 챔버와, 상기 처리 챔버 내에 배치되어, 기판을 유지하는 기판 유지 유닛과, 상기 기판 유지 유닛에 유지되고 있는 기판의 주면을 향해서 유체를 토출하기 위한 토출구를 갖는 제 1 노즐을 포함한다. 기판 처리 장치에서는, 상기 제 1 노즐로부터 상기 기판의 주면을 향해서 제 1 약제 유체를 토출하여, 상기 제 1 약제 유체를 사용한 처리를 상기 기판에 실시하는 제 1 처리 공정과, 제 2 약제 유체를 상기 기판의 주면에 공급하여, 상기 제 2 약제 유체를 사용한 처리를 상기 기판에 실시하는 제 2 처리 공정과, 상기 제 1 처리 공정의 실행 전 및/혹은 실행 후, 그리고/또는, 상기 제 2 처리 공정의 실행 전 및/혹은 실행 후에 있어서, 상기 제 1 물 공급 유닛으로부터의 물을 상기 약제 유체 배관에 공급하여, 상기 약제 유체 배관의 내부를 물로 치환하는 물 치환 공정이 실행된다.The substrate processing apparatus includes a processing chamber, a substrate holding unit that is disposed in the processing chamber and holds the substrate, and a first nozzle having a discharge port for discharging the fluid toward the main surface of the substrate held by the substrate holding unit . The substrate processing apparatus includes a first processing step of ejecting a first chemical fluid from the first nozzle toward the main surface of the substrate and performing a process using the first chemical fluid on the substrate, A second processing step of supplying the processing liquid to the main surface of the substrate and performing the processing using the second chemical fluid on the substrate; and a second processing step before and / or after the execution of the first processing step and / The water from the first water supply unit is supplied to the medicine fluid pipe, and the water in the medicine fluid pipe is replaced with water, before and / or after the execution of the water replacement process.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법Substrate processing apparatus and substrate processing method

이 발명은, 제 1 약제 유체 및 제 2 약제 유체를 사용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. 상기 기판의 예에는, 반도체 웨이퍼, 액정 표시 장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, FED (Field Emission Display) 용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광 자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 태양 전지용 기판 등이 포함된다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for processing a substrate using a first chemical fluid and a second chemical fluid. Examples of the substrate include semiconductor wafers, substrates for liquid crystal displays, substrates for plasma displays, substrates for FED (Field Emission Display), substrates for optical disks, substrates for magnetic disks, substrates for photomagnetic disks, A ceramic substrate, a solar cell substrate, and the like.

반도체 장치나 액정 표시 장치의 제조 공정에는, 반도체 웨이퍼나 액정 표시 패널용 유리 기판 등의 기판의 표면에 약액에 의한 처리를 실시하기 위해서, 기판을 1 매씩 처리하는 매엽식 (枚葉式) 기판 처리 장치가 사용되는 경우가 있다. 매엽식 기판 처리 장치는, 격벽에 의해 구획된 처처리 챔버의 내부에, 기판을 거의 수평으로 유지하여 회전시키는 스핀 척과, 스핀 척에 유지되고 있는 기판의 상면에 제 1 약액을 공급하기 위한 제 1 약액 노즐과, 스핀 척에 유지되고 있는 기판의 상면에 제 2 약액을 공급하기 위한 제 2 약액 노즐을 구비하고 있다. 제 1 약액 노즐은 토출구를 갖고, 제 1 약액 노즐에는, 약액 공급원으로부터의 약액을 제 1 약액 노즐에 공급하기 위한 약액 배관이 접속되어 있다. BACKGROUND ART [0002] In a manufacturing process of a semiconductor device or a liquid crystal display device, in order to perform processing with a chemical solution on the surface of a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate for a liquid crystal display panel, a single- Devices may be used. The single wafer processing apparatus includes a spin chuck for rotating and rotating the substrate substantially horizontally in a processing chamber partitioned by a partition wall and a first chuck for supplying a first chemical liquid to the upper surface of the substrate held by the spin chuck And a second chemical liquid nozzle for supplying the second chemical liquid to the upper surface of the substrate held by the spin chuck. The first chemical liquid nozzle has a discharge port, and a chemical liquid pipe for supplying the chemical liquid from the chemical liquid supply source to the first chemical liquid nozzle is connected to the first chemical liquid nozzle.

이와 같은 기판 처리 장치에 있어서, 제 1 약액과 제 2 약액이 접촉에 위험을 수반하는 조합 (즉, 접촉에 적합하지 않은 조합) 인 경우가 있다. 이와 같은 접촉에 적합하지 않은 조합의 약액을 사용한 처리를 하나의 처리 챔버에서 실시하는 경우, 처리 챔버의 내부에서 접촉하지 않도록, 일방의 약액의 공급시에 타방의 약액용 밸브의 신규 개성 (開成) 을 금지하거나, 기판의 회전 속도의 검출값이 회전수 범위 외가 되면, 약액용의 밸브의 개성을 금지하거나 하는 인터록 처리의 실행이 제안되어 있다 (예를 들어 특허문헌 1, 2 참조).In such a substrate processing apparatus, there are cases where the first chemical liquid and the second chemical liquid are brought into a dangerous combination (that is, a combination not suitable for contact). When a treatment using a combination of chemical fluids that is not suitable for such contact is carried out in one treatment chamber, a new personality is formed at the time of supplying one of the chemical fluids so as not to come into contact with the inside of the treatment chamber, (See, for example, Patent Literatures 1 and 2), when the detection value of the rotation speed of the substrate is out of the rotation speed range, prohibiting the individuality of the chemical liquid valve.

일본 특허공보 제4917469호Japanese Patent Publication No. 4917469 일본 특허공보 제4917470호Japanese Patent Publication No. 4917470

그러나, 제 2 약제 유체 (제 2 약액) 를 사용한 처리 중에, 스핀 척의 주변에 제 1 노즐이 배치되어 있으면, 제 2 약제 유체를 포함하는 분위기가, 토출구를 통해서 약제 유체 배관 (약액 배관) 에 진입할 우려가 있다. 약제 유체 배관의 내부로의 제 2 약제 유체를 포함하는 분위기의 진입은, 제 1 약제 유체와 제 2 약제 유체의 접촉의 원인이 될 수 있다.However, if the first nozzle is disposed in the vicinity of the spin chuck during the treatment using the second chemical fluid (second chemical fluid), the atmosphere containing the second chemical fluid enters the chemical fluid pipe (chemical fluid pipe) through the discharge port There is a concern. Entry of the atmosphere containing the second medicament fluid into the interior of the medicament fluid line may cause contact of the first medicament fluid and the second medicament fluid.

그래서, 이 발명의 목적은, 기판 처리에 사용되는 복수 종의 약제 유체의 조합이 접촉에 적합하지 않은 조합이더라도, 약제 유체 배관의 내부에 있어서의 그들의 약제 유체의 접촉의 발생을 방지하면서, 당해 복수 종의 약제 유체를 사용한 처리를 하나의 처리 챔버에 있어서 완수할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is therefore an object of the present invention to provide a medical fluid piping system which can prevent the occurrence of contact of the medicinal fluid inside the medicinal fluid piping even when a combination of plural kinds of medicinal fluid used for substrate processing is not suitable for contact, And to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of completing processing using a chemical fluid of a kind in one processing chamber.

이 발명은, 처리 챔버와, 상기 처리 챔버 내에 배치되어, 기판을 유지하는 기판 유지 유닛과, 상기 기판 유지 유닛에 유지되고 있는 기판의 주면 (主面) 을 향해서 유체를 토출하기 위한 토출구를 갖는 제 1 노즐과, 상기 제 1 노즐에 접속되고, 내부가 상기 토출구에 연통하는 약제 유체 배관과, 상기 약제 유체 배관에, 제 1 약제 유체를 공급하기 위한 제 1 약제 유체 공급 유닛과, 상기 약제 유체 배관에 물을 공급하기 위한 제 1 물 공급 유닛과, 상기 기판 유지 유닛에 유지되고 있는 기판의 주면에, 상기 제 1 약제 유체와는 종류가 상이한 유체인 제 2 약제 유체를 공급하기 위한 제 2 약제 유체 공급 유닛과, 상기 제 1 약제 유체 공급 유닛, 상기 제 2 약제 유체 공급 유닛 및 상기 제 1 물 공급 유닛을 제어하는 제어 장치를 포함하고, 상기 제어 장치는, 상기 제 1 약제 유체를 상기 약제 유체 배관에 공급함으로써 상기 제 1 노즐로부터 상기 기판의 주면을 향해서 상기 제 1 약제 유체를 토출하여, 상기 제 1 약제 유체를 사용한 처리를 상기 기판에 실시하는 제 1 처리 공정과, 상기 제 2 약제 유체를 상기 기판의 주면에 공급하여, 상기 제 2 약제 유체를 사용한 처리를 상기 기판에 실시하는 제 2 처리 공정과, 상기 제 1 처리 공정의 실행 전 및/혹은 실행 후, 그리고/또는, 상기 제 2 처리 공정의 실행 전 및/혹은 실행 후에 있어서, 상기 제 1 물 공급 유닛으로부터의 물을 상기 약제 유체 배관에 공급하여, 상기 약제 유체 배관의 내부를 상기 물로 치환하는 물 치환 공정을 실행하는, 기판 처리 장치를 제공한다.The present invention relates to a substrate processing apparatus comprising a processing chamber, a substrate holding unit disposed in the processing chamber, for holding the substrate, and a substrate holding unit for holding the substrate held by the substrate holding unit, A first chemical fluid supply unit connected to the first nozzle and having an inside communicating with the discharge port; a first chemical fluid supply unit for supplying a first chemical fluid to the chemical fluid pipe; For supplying a second chemical fluid, which is a fluid different in kind from the first chemical fluid, to the main surface of the substrate held by the substrate holding unit And a control device for controlling the first medicine fluid supply unit, the second medicine fluid supply unit, and the first water supply unit, A first processing step of discharging the first chemical fluid from the first nozzle toward the main surface of the substrate by supplying the first chemical fluid to the chemical fluid pipe to perform processing using the first chemical fluid on the substrate; A second processing step of supplying the second chemical fluid to the main surface of the substrate to perform processing using the second chemical fluid on the substrate; and a second processing step before and / or after the execution of the first processing step and And / or a water replacement step of supplying water from the first water supply unit to the medicine fluid pipe before and / or after the execution of the second treatment step and replacing the inside of the medicine fluid pipe with the water And a substrate processing apparatus.

이 구성에 의하면, 제 1 약제 유체를 사용하는 제 1 처리 공정, 및 제 2 약제 유체를 사용하는 제 2 약액 공급 공정이, 공통의 처리 챔버 내에 있어서 실행된다. 제 1 처리 공정에서는, 제 1 약제 유체를 약제 유체 배관에 공급함으로써, 제 1 노즐로부터 기판의 주면을 향해서 제 1 약제 유체가 토출된다.According to this configuration, the first processing step using the first chemical fluid and the second chemical liquid supplying step using the second chemical fluid are executed in the common processing chamber. In the first process step, the first chemical fluid is discharged to the main surface of the substrate from the first nozzle by supplying the first chemical fluid to the chemical fluid pipe.

또, 제 1 처리 공정의 실행 전 및/혹은 실행 후, 그리고/또는, 상기 제 2 처리 공정의 실행 전 및/혹은 실행 후에 있어서, 약제 유체 배관의 내부를 물로 치환하는 물 치환 공정이 실행된다.In addition, a water replacement step for replacing the inside of the chemical fluid pipe with water is performed before and / or after the first processing step and / or before and / or after the second processing step.

제 1 처리 공정의 종료 후 및/또는 제 2 처리 공정의 개시 전에, 약제 유체 배관의 내부에 제 1 약제 유체가 잔류하고 있는 경우가 있다. 이 경우, 제 1 처리 공정의 종료 후 및/또는 제 2 처리 공정의 개시 전에 있어서 약제 유체 배관의 내부를 물로 치환함으로써, 약제 유체 배관으로부터, 제 1 약제 유체를 제거할 수 있다. 그 때문에, 제 2 처리 공정의 개시시에는, 약제 유체 배관의 내부에 제 1 약제 유체는 잔류하고 있지 않다. 따라서, 당해 제 2 처리 공정에 있어서 제 2 약제 유체가 약제 유체 배관 내에 진입해도, 당해 제 2 약제 유체는 제 1 약제 유체와 접촉하지 않는다. 이에 따라, 약제 유체 배관의 내부에 있어서의 제 1 약제 유체와 제 2 약제 유체의 접촉을 방지할 수 있다.There is a case where the first chemical fluid remains inside the chemical fluid pipe after the completion of the first treatment process and / or before the start of the second treatment process. In this case, the first chemical fluid can be removed from the chemical fluid pipe by replacing the inside of the chemical fluid pipe with water after the completion of the first treatment process and / or before the start of the second treatment process. Therefore, at the start of the second treatment step, the first medicine fluid does not remain inside the medicine fluid pipe. Therefore, even if the second chemical fluid enters the chemical fluid piping in the second treatment step, the second chemical fluid does not come into contact with the first chemical fluid. This makes it possible to prevent the first chemical fluid and the second chemical fluid from contacting each other inside the chemical fluid pipe.

또, 제 1 처리 공정의 개시 전 및/또는 제 2 처리 공정의 종료 후에, 약제 유체 배관의 내부에 제 2 약제 유체가 부착되어 있는 경우가 있다. 이 경우, 제 1 처리 공정의 개시 전 및/또는 제 2 처리 공정의 종료 후에 있어서 약제 유체 배관의 내부를 물로 치환함으로써, 약제 유체 배관으로부터, 제 2 약제 유체를 제거할 수 있다. 그 때문에, 제 1 처리 공정의 개시시에는, 약제 유체 배관의 내부에 제 2 약제 유체는 잔류하고 있지 않다. 따라서, 당해 제 1 처리 공정에 있어서 제 1 약제 유체가 약제 유체 배관 내에 공급되어도, 당해 제 1 약제 유체는 제 2 약제 유체와 접촉하지 않는다. 이에 따라, 약제 유체 배관의 내부에 있어서의 제 1 약제 유체와 제 2 약제 유체의 접촉을 방지할 수 있다.In addition, there is a case where the second chemical fluid is adhered to the inside of the chemical fluid pipe before the start of the first treatment process and / or after the end of the second treatment process. In this case, the second medicine fluid can be removed from the medicine fluid pipe by replacing the inside of the medicine fluid pipe with water before the start of the first treatment process and / or after the end of the second treatment process. Therefore, at the start of the first treatment step, the second medicine fluid does not remain in the medicine fluid pipe. Therefore, even if the first chemical fluid is supplied into the chemical fluid pipe in the first process step, the first chemical fluid does not come into contact with the second chemical fluid. This makes it possible to prevent the first chemical fluid and the second chemical fluid from contacting each other inside the chemical fluid pipe.

이상에 의해, 기판 처리에 사용되는 복수 종의 약제 유체 (제 1 약제 유체 및 제 2 약제 유체) 의 조합이 접촉에 적합하지 않은 조합이더라도, 약제 유체 배관의 내부에 있어서의 그들의 약제 유체의 접촉의 발생을 방지하면서, 당해 복수 종의 약제 유체를 사용한 처리를 하나의 처리 챔버에 있어서 완수할 수 있는 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.As described above, even when a combination of a plurality of types of pharmaceutical fluids (first and second pharmaceutical fluids) used in substrate processing is a combination that is not suitable for contact, the contact of their pharmaceutical fluids It is possible to provide a substrate processing apparatus capable of completing a process using a plurality of types of chemical fluids in a single processing chamber while preventing the occurrence of the chemical fluids.

또, 이 명세서에 있어서, 「접촉에 적합하지 않은 조합」 이라는 것은, 「접촉에 위험이 수반하는 조합」 뿐만 아니라, 「접촉에 의해 생성물을 생성하는 조합」 도 포함하는 취지이다. 「접촉에 의해 생성물을 생성하는 조합」 에는, 산과 알칼리의 조합도 포함한다.In this specification, the term " combination not suitable for contact " is intended to include not only " a combination accompanied by a risk of contact, but also a combination that produces a product by contact ". The " combination which produces a product by contact " also includes a combination of an acid and an alkali.

이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 기판 유지 유닛에 유지되고 있는 기판의 주면에 대향하는 기판 대향면을 갖는 대향 부재를 추가로 포함하고, 상기 제 1 노즐의 상기 토출구는, 상기 기판 대향면에 개구하고 있다.According to an embodiment of the present invention, there is further provided an ink jet recording head comprising: an opposing member having a substrate facing surface opposed to a main surface of a substrate held by the substrate holding unit; .

이 구성에 의하면, 기판의 주면에 대향하는 대향 부재가 형성되어 있고, 대향 부재의 기판 대향면에, 제 1 노즐의 토출구가 개구하고 있다. 그 때문에, 제 2 처리 공정에 있어서, 기판의 주면으로의 제 2 약제 유체의 공급에 수반하여 제 2 약제 유체가, 토출구로부터 약제 유체 배관의 내부에 진입할 우려가 있다. 약제 유체 배관의 내부로의 제 2 약제 유체를 포함하는 분위기의 진입은, 제 1 약제 유체와 제 2 약제 유체의 접촉의 원인이 될 수 있다.According to this configuration, the opposing member facing the main surface of the substrate is formed, and the ejection port of the first nozzle is opened on the surface of the opposing member facing the substrate. Therefore, in the second process step, the second medicinal fluid may enter the inside of the medicinal fluid piping from the discharge port in accordance with the supply of the second medicinal fluid to the main surface of the substrate. Entry of the atmosphere containing the second medicament fluid into the interior of the medicament fluid line may cause contact of the first medicament fluid and the second medicament fluid.

그러나, 제 1 처리 공정의 실행 전 및/혹은 실행 후, 그리고/또는, 상기 제 2 처리 공정의 실행 전 및/혹은 실행 후에 있어서, 약제 유체 배관의 내부가 물로 치환된다. 그 때문에, 기판의 주면에 대향하는 대향 부재가 형성되고, 이 대향 부재의 기판 대향면에 제 1 노즐의 토출구가 개구하고 있는 경우이더라도, 약제 유체 배관의 내부에 있어서의 제 1 약제 유체와 제 2 약제 유체의 접촉을 방지할 수 있다.However, the inside of the chemical fluid pipe is replaced with water before and / or after the execution of the first process step and / or before and / or after the execution of the second process step. Therefore, even when the opposing member opposing to the main surface of the substrate is formed and the ejection port of the first nozzle is opened on the surface of the opposing member facing the substrate, the first chemical fluid in the chemical fluid pipe and the second chemical fluid The contact of the medicine fluid can be prevented.

또, 상기 기판 처리 장치는, 상기 약제 유체 배관의 내부를 흡인하기 위한 흡인 유닛을 추가로 포함하고 있어도 된다. 상기 제어 장치는 상기 흡인 유닛을 추가로 제어하여, 상기 물 치환 공정의 종료 후, 상기 약제 유체 배관의 내부를 흡인하는 제 1 흡인 공정을 추가로 실행해도 된다.Further, the substrate processing apparatus may further include a suction unit for sucking the inside of the medicine fluid pipe. The control device may further perform a first suction process for further controlling the suction unit to suction the inside of the chemical fluid pipe after the completion of the water replacement process.

이 구성에 의하면, 물 치환 공정의 종료 후, 약제 유체 배관의 내부가 흡인된다. 이 흡인에 의해, 약제 유체 배관의 내부로부터 물이 제거되고, 흡인 후에는 약제 유체 배관의 내부에 물이 잔존하지 않거나, 혹은 약제 유체 배관의 내부에 잔존하는 물의 양은 적다. 이에 따라, 물 치환 공정의 종료 후에 있어서의 제 1 노즐로부터의 물의 액떨어짐을 억제 또는 방지할 수 있고, 따라서, 기판의 주면의 파티클 오염을 억제 또는 방지할 수 있다.According to this configuration, after the completion of the water replacement step, the inside of the chemical fluid pipe is sucked. By this suction, water is removed from the inside of the medicine fluid pipe, and after the suction, water does not remain in the inside of the medicine fluid pipe, or the amount of water remaining in the inside of the medicine fluid pipe is small. This makes it possible to suppress or prevent the water from falling off from the first nozzle after the completion of the water replacement step and thus to suppress or prevent particle contamination on the main surface of the substrate.

상기 제어 장치는, 상기 제 1 처리 공정을, 상기 제 2 처리 공정의 종료 후에 개시해도 된다. 상기 제어 장치는, 상기 제 2 처리 공정에 앞서 실행되는 제 1 물 치환 공정을, 상기 물 치환 공정으로서 실행해도 된다.The control device may start the first processing step after the end of the second processing step. The control device may execute the first water replacement step executed before the second processing step as the water replacement step.

이 구성에 의하면, 제 2 처리 공정에 앞서 제 1 물 치환 공정이 실행된다. 제 2 처리 공정의 개시 전에는, 전회의 처리에서 사용된 제 1 약제 유체가 약제 유체 배관의 내부에 잔존하고 있을 우려가 있다. 그러나, 제 2 처리 공정에 앞서 약제 유체 배관의 내부를 물로 치환함으로써, 제 2 처리 공정의 개시시에는, 약제 유체 배관의 내부에 제 1 약제 유체는 잔류하고 있지 않다. 따라서, 당해 제 2 처리 공정에 있어서 제 2 약제 유체가 약제 유체 배관 내에 진입해도, 약제 유체 배관의 내부에서 제 1 약제 유체와 접촉하지 않는다. 이에 따라, 제 2 처리 공정에 있어서, 약제 유체 배관의 내부에 있어서의 제 1 약제 유체와 제 2 약제 유체의 접촉을 방지할 수 있다.According to this configuration, the first water replacement step is performed before the second processing step. Before the start of the second treatment process, there is a possibility that the first medicinal fluid used in the previous treatment remains in the inside of the medicinal fluid piping. However, by replacing the inside of the medicine fluid pipe with water before the second treatment process, the first medicine fluid does not remain in the inside of the medicine fluid pipe at the start of the second treatment process. Therefore, even if the second chemical fluid enters the chemical fluid pipe in the second process step, it does not come into contact with the first chemical fluid inside the chemical fluid pipe. This makes it possible to prevent the first chemical fluid and the second chemical fluid from contacting each other inside the chemical fluid pipe in the second process step.

또, 상기 제어 장치는, 상기 제 1 처리 공정을, 상기 제 2 처리 공정의 종료 후에 개시해도 된다. 상기 제어 장치는, 상기 제 2 처리 공정 후 또한 상기 제 1 처리 공정에 앞서 실행되는 제 2 물 치환 공정을, 상기 물 치환 공정으로서 실행해도 된다.Further, the control device may start the first processing step after the end of the second processing step. The control device may perform the second water replacement step after the second processing step and before the first processing step as the water replacement step.

이 구성에 의하면, 제 2 처리 공정의 후, 제 1 처리 공정에 앞서 제 2 물 치환 공정이 실행된다. 제 2 처리 공정의 종료 후에 또한 제 1 처리 공정의 개시 전에는, 제 2 처리 공정에 있어서 사용된 제 2 약제 유체가 약제 유체 배관 내에 진입하고, 당해 약제 유체 배관의 내부에 잔존하고 있을 우려가 있다. 그러나, 제 1 처리 공정에 앞서 약제 유체 배관의 내부를 물로 치환함으로써, 제 1 처리 공정의 개시시에는, 약제 유체 배관의 내부에 제 2 약제 유체는 잔류하고 있지 않다. 따라서, 당해 제 1 처리 공정에 있어서 약제 유체 배관에 제 1 약제 유체가 공급되어도, 제 2 약제 유체와 접촉하지 않는다. 이에 따라, 제 1 처리 공정에 있어서, 약제 유체 배관의 내부에 있어서의 제 1 약제 유체와 제 2 약제 유체의 접촉을 방지할 수 있다.According to this configuration, after the second treatment step, the second water replacement step is performed prior to the first treatment step. There is a possibility that the second chemical fluid used in the second treatment step enters the chemical fluid pipe after the completion of the second treatment process and before the start of the first treatment process and remains inside the chemical fluid pipe. However, by replacing the inside of the medicine fluid pipe with water before the first treatment process, the second medicine fluid does not remain in the inside of the medicine fluid pipe at the start of the first treatment process. Therefore, even if the first chemical fluid is supplied to the chemical fluid pipe in the first process step, it does not come into contact with the second chemical fluid. This makes it possible to prevent the first chemical fluid and the second chemical fluid from contacting each other inside the chemical fluid pipe in the first process step.

또, 상기 제어 장치는, 상기 제 2 처리 공정의 후에 있어서 상기 기판의 주면으로부터 상기 제 2 약제 유체를 물로 씻어내기 위해서, 상기 제 1 처리 공정에 앞서, 상기 기판의 주면에 물을 공급하는 제 1 물 공급 공정을 추가로 실행해도 된다. 상기 제어 장치는, 상기 제 1 물 공급 공정에 있어서 상기 제 2 물 치환 공정을 실행해도 된다.In order to wash the second chemical fluid from the main surface of the substrate after the second treatment step, the control device may further include a second treatment step for supplying water to the main surface of the substrate before the first treatment step, A water supply process may be further executed. The control device may perform the second water replacement step in the first water supply step.

이 구성에 의하면, 제 2 처리 공정의 후에 있어서 기판의 주면으로부터 제 2 약제 유체를 물로 씻어내는 제 1 물 공급 공정에 병행하여, 약제 유체 배관의 내부를 물로 치환하는 제 2 물 치환 공정을 실행한다. 이에 따라, 제 1 물 공급 공정을, 제 2 물 치환 공정과 타이밍으로 실시하는 경우와 비교하여, 전체의 처리 시간을 단축할 수 있다.According to this configuration, a second water replacement step for replacing the inside of the chemical fluid pipe with water is performed in parallel with the first water supply step for washing the second chemical fluid from the main surface of the substrate after the second treatment step . As a result, the total processing time can be shortened as compared with the case where the first water supply step is performed at the timing of the second water replacement step.

또, 상기 기판 처리 장치는, 상기 제 1 노즐과는 다른 노즐로서, 상기 기판 유지 유닛에 유지되고 있는 기판의 주면을 향해서 유체를 토출하기 위한 제 2 노즐과, 상기 제 2 노즐에 물을 공급하기 위한 제 2 물 공급 유닛을 추가로 포함하고 있어도 된다. 상기 제어 장치는 상기 제 2 물 공급 유닛을 추가로 제어하는 것이어도 된다. 상기 제어 장치는, 상기 제 1 처리 공정을, 상기 제 2 처리 공정의 종료 후에 개시하고, 또한, 상기 제 2 처리 공정 후 또한 상기 제 1 처리 공정의 개시에 앞서, 상기 제 2 노즐에 물을 공급함으로써 상기 제 2 노즐로부터 상기 기판의 주면을 향해서 물을 토출 개시하는 제 2 물 공급 공정을 실행해도 된다. 상기 제어 장치는, 상기 제 1 처리 공정에 있어서의 상기 약제 유체 배관으로의 상기 제 1 약제 유체의 공급을, 상기 제 2 물 공급 공정의 종료에 앞서 개시해도 된다.The substrate processing apparatus may further include: a second nozzle different from the first nozzle, for discharging the fluid toward the main surface of the substrate held by the substrate holding unit; and a second nozzle for supplying water to the second nozzle And a second water supply unit for the water supply unit. The control device may further control the second water supply unit. Wherein the control device is configured to start the first processing step after the end of the second processing step and to supply water to the second nozzle after the second processing step and before the start of the first processing step A second water supply step of starting water discharge from the second nozzle toward the main surface of the substrate may be performed. The control device may start the supply of the first chemical fluid to the chemical fluid pipe in the first process step prior to the end of the second water supply process.

이 구성에 의하면, 제 2 물 공급의 종료 후 즉시 제 1 약제 유체를 토출구로부터 토출할 수 있다. 즉, 제 2 물 공급 공정의 종료 후 즉시 제 1 처리 공정을 개시할 수 있다. 이에 따라, 전체의 처리 시간을 단축할 수 있다.According to this configuration, the first chemical fluid can be discharged from the discharge port immediately after the end of the second water supply. That is, the first treatment process can be started immediately after the end of the second water supply process. Thus, the entire processing time can be shortened.

또, 상기 제어 장치는, 상기 제 2 물 공급 공정의 종료 전에, 상기 제 1 처리 공정을 개시해도 된다.Further, the control device may start the first process step before the end of the second water supply step.

이 구성에 의하면, 제 2 물 공급 공정의 종료 전부터, 제 1 약제 유체를 토출구로부터 토출할 수 있다. 이에 따라, 전체의 처리 시간을 보다 한층 단축할 수 있다.According to this configuration, the first chemical fluid can be discharged from the discharge port before the end of the second water supply step. Thus, the entire processing time can be further shortened.

또, 상기 제어 장치는, 상기 1 처리 공정에 있어서의 상기 제 1 노즐로부터의 제 1 약제 유체의 토출 종료 후에, 상기 약제 유체 배관의 내부를 흡인하는 제 2 흡인 공정을 추가로 실행해도 된다.The control device may further perform a second suction process for sucking the inside of the medicine fluid pipe after completion of the discharge of the first medicine fluid from the first nozzle in the one treatment process.

또, 상기 세정액은, 탄산수를 포함하고 있어도 된다.The cleaning liquid may contain carbonated water.

또, 상기 제 1 약제 유체는, 황산 함유액을 포함하고, 상기 제 2 약제 유체는, 유기 용제를 포함하고 있어도 된다.In addition, the first chemical fluid may include a sulfuric acid-containing liquid, and the second chemical fluid may include an organic solvent.

이 발명은, 처리 챔버 내에서 기판을 유지하는 기판 유지 공정과, 제 1 약제 유체를, 제 1 노즐에 접속된 약제 유체 배관에 공급함으로써 상기 제 1 노즐로부터 상기 기판의 주면을 향해서 상기 제 1 약제 유체를 토출하여, 상기 제 1 약제 유체를 사용한 처리를 상기 기판에 실시하는 제 1 처리 공정과, 상기 제 1 약제 유체와는 종류가 상이한 유체인 제 2 약제 유체를 상기 기판의 주면에 공급하여, 상기 제 2 약제 유체를 사용한 처리를 상기 기판에 실시하는 제 2 처리 공정과, 상기 제 1 처리 공정의 실행 전 및/혹은 실행 후, 그리고/또는, 상기 제 2 처리 공정의 실행 전 및/혹은 실행 후에 있어서, 상기 제 1 물 공급 유닛으로부터의 물을 상기 약제 유체 배관에 공급하여, 상기 약제 유체 배관의 내부를 상기 물로 치환하는 물 치환 공정을 포함하는, 기판 처리 방법을 제공한다.The present invention relates to a method of manufacturing a substrate processing apparatus, which comprises a substrate holding step of holding a substrate in a processing chamber, and a step of supplying a first chemical fluid from the first nozzle toward a main surface of the substrate by supplying the first chemical fluid to a chemical fluid pipe connected to the first nozzle A first processing step of discharging a fluid and performing a process using the first chemical fluid on the substrate; and a second chemical fluid, which is a fluid different from the first chemical fluid, is supplied to a main surface of the substrate, A second processing step of performing processing using the second chemical fluid on the substrate; and a second processing step before and / or after the first processing step and / or before and / or after the execution of the second processing step And a water replacement step of supplying water from the first water supply unit to the chemical fluid piping and replacing the inside of the chemical fluid piping with the water, It provides the law.

이 방법에 의하면, 제 1 약제 유체를 사용하는 제 1 처리 공정, 및 제 2 약제 유체를 사용하는 제 2 약액 공급 공정이, 공통의 처리 챔버 내에 있어서 실행된다. 제 1 처리 공정에서는, 제 1 약제 유체를 약제 유체 배관에 공급함으로써, 제 1 노즐로부터 기판의 주면을 향해서 제 1 약제 유체가 토출된다.According to this method, the first processing step using the first chemical fluid and the second chemical liquid supplying step using the second chemical fluid are executed in the common processing chamber. In the first process step, the first chemical fluid is discharged to the main surface of the substrate from the first nozzle by supplying the first chemical fluid to the chemical fluid pipe.

또, 제 1 처리 공정의 실행 전 및/혹은 실행 후, 그리고/또는, 상기 제 2 처리 공정의 실행 전 및/혹은 실행 후에 있어서, 약제 유체 배관의 내부를 물로 치환하는 물 치환 공정이 실행된다.In addition, a water replacement step for replacing the inside of the chemical fluid pipe with water is performed before and / or after the first processing step and / or before and / or after the second processing step.

제 1 처리 공정의 종료 후 및/또는 제 2 처리 공정의 개시 전에, 약제 유체 배관의 내부에 제 1 약제 유체가 잔류하고 있는 경우가 있다. 이 경우, 제 1 처리 공정의 종료 후 및/또는 제 2 처리 공정의 개시 전에 있어서 약제 유체 배관의 내부를 물로 치환함으로써, 약제 유체 배관으로부터, 제 1 약제 유체를 제거할 수 있다. 그 때문에, 제 2 처리 공정의 개시시에는, 약제 유체 배관의 내부에 제 1 약제 유체는 잔류하고 있지 않다. 따라서, 당해 제 2 처리 공정에 있어서 제 2 약제 유체가 약제 유체 배관 내에 진입해도, 당해 제 2 약제 유체는 제 1 약제 유체와 접촉하지 않는다. 이에 따라, 약제 유체 배관의 내부에 있어서의 제 1 약제 유체와 제 2 약제 유체의 접촉을 방지할 수 있다.There is a case where the first chemical fluid remains inside the chemical fluid pipe after the completion of the first treatment process and / or before the start of the second treatment process. In this case, the first chemical fluid can be removed from the chemical fluid pipe by replacing the inside of the chemical fluid pipe with water after the completion of the first treatment process and / or before the start of the second treatment process. Therefore, at the start of the second treatment step, the first medicine fluid does not remain inside the medicine fluid pipe. Therefore, even if the second chemical fluid enters the chemical fluid piping in the second treatment step, the second chemical fluid does not come into contact with the first chemical fluid. This makes it possible to prevent the first chemical fluid and the second chemical fluid from contacting each other inside the chemical fluid pipe.

또, 제 1 처리 공정의 개시 전 및/또는 제 2 처리 공정의 종료 후에, 약제 유체 배관의 내부에 제 2 약제 유체가 부착되어 있는 경우가 있다. 이 경우, 제 1 처리 공정의 개시 전 및/또는 제 2 처리 공정의 종료 후에 있어서 약제 유체 배관의 내부를 물로 치환함으로써, 약제 유체 배관으로부터, 제 2 약제 유체를 제거할 수 있다. 그 때문에, 제 1 처리 공정의 개시시에는, 약제 유체 배관의 내부에 제 2 약제 유체는 잔류하고 있지 않다. 따라서, 당해 제 1 처리 공정에 있어서 제 1 약제 유체가 약제 유체 배관 내에 공급되어도, 당해 제 1 약제 유체는 제 2 약제 유체와 접촉하지 않는다. 이에 따라, 약제 유체 배관의 내부에 있어서의 제 1 약제 유체와 제 2 약제 유체의 접촉을 방지할 수 있다.In addition, there is a case where the second chemical fluid is adhered to the inside of the chemical fluid pipe before the start of the first treatment process and / or after the end of the second treatment process. In this case, the second medicine fluid can be removed from the medicine fluid pipe by replacing the inside of the medicine fluid pipe with water before the start of the first treatment process and / or after the end of the second treatment process. Therefore, at the start of the first treatment step, the second medicine fluid does not remain in the medicine fluid pipe. Therefore, even if the first chemical fluid is supplied into the chemical fluid pipe in the first process step, the first chemical fluid does not come into contact with the second chemical fluid. This makes it possible to prevent the first chemical fluid and the second chemical fluid from contacting each other inside the chemical fluid pipe.

이상에 의해, 기판 처리에 사용되는 복수 종의 약제 유체 (제 1 약제 유체 및 제 2 약제 유체) 의 조합이 접촉에 적합하지 않은 조합이더라도, 약제 유체 배관의 내부에 있어서의 그들 약제 유체의 접촉의 발생을 방지하면서, 당해 복수 종의 약제 유체를 사용한 처리를 하나의 처리 챔버에 있어서 완수할 수 있는 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.As described above, even if a combination of a plurality of types of pharmaceutical fluids (first and second pharmaceutical fluids) used in substrate processing is a combination that is not suitable for contact, It is possible to provide a substrate processing apparatus capable of completing a process using a plurality of types of chemical fluids in a single processing chamber while preventing the occurrence of the chemical fluids.

또, 이 명세서에 있어서, 「접촉에 적합하지 않은 조합」 이라는 것은, 「접촉에 위험이 수반하는 조합」 뿐만 아니라, 「접촉에 의해 생성물을 생성하는 조합」 도 포함하는 취지이다. 「접촉에 의해 생성물을 생성하는 조합」 에는, 산과 알칼리의 조합도 포함한다.In this specification, the term " combination not suitable for contact " is intended to include not only " a combination accompanied by a risk of contact, but also a combination that produces a product by contact ". The " combination which produces a product by contact " also includes a combination of an acid and an alkali.

이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 기판 처리 방법은, 상기 물 치환 공정의 종료 후, 상기 약제 유체 배관의 내부를 흡인하는 제 1 흡인 공정을 추가로 포함한다.In one embodiment of the present invention, the substrate processing method further includes a first suction step of sucking the inside of the chemical fluid pipe after the completion of the water replacement step.

이 방법에 의하면, 물 치환 공정의 종료 후, 약제 유체 배관의 내부가 흡인된다. 이 흡인에 의해, 약제 유체 배관의 내부로부터 물이 제거되고, 흡인 후에는 약제 유체 배관의 내부에 물이 잔존하지 않거나, 혹은 약제 유체 배관의 내부에 잔존하는 물의 양은 적다. 이에 따라, 물 치환 공정의 종료 후에 있어서의 제 1 노즐로부터의 물의 액떨어짐을 억제 또는 방지할 수 있으므로, 기판의 주면의 파티클 오염을 억제 또는 방지할 수 있다.According to this method, after the completion of the water replacement step, the inside of the chemical fluid pipe is sucked. By this suction, water is removed from the inside of the medicine fluid pipe, and after the suction, water does not remain in the inside of the medicine fluid pipe, or the amount of water remaining in the inside of the medicine fluid pipe is small. Accordingly, it is possible to suppress or prevent the water from dropping out of the water from the first nozzle after completion of the water replacement step, so that particle contamination on the main surface of the substrate can be suppressed or prevented.

또, 상기 제 1 처리 공정은, 상기 제 2 처리 공정의 종료 후에 개시하는 공정을 포함하고 있어도 된다. 상기 물 치환 공정은, 상기 제 2 처리 공정에 앞서 실행되는 제 1 물 치환 공정을 포함하고 있어도 된다.The first processing step may include a step of starting after the end of the second processing step. The water replacement step may include a first water replacement step performed before the second processing step.

이 방법에 의하면, 제 2 처리 공정에 앞서 제 1 물 치환 공정이 실행된다. 제 2 처리 공정의 개시 전에는, 전회의 처리에서 사용된 제 1 약제 유체가 약제 유체 배관의 내부에 잔존하고 있을 우려가 있다. 그러나, 제 2 처리 공정에 앞서 약제 유체 배관의 내부를 물로 치환함으로써, 제 2 처리 공정의 개시시에는, 약제 유체 배관의 내부에 제 1 약제 유체는 잔류하고 있지 않다. 따라서, 당해 제 2 처리 공정에 있어서 제 2 약제 유체가 약제 유체 배관 내에 진입해도, 약제 유체 배관의 내부에서 제 1 약제 유체와 접촉하지 않는다. 이에 따라, 제 2 처리 공정에 있어서, 약제 유체 배관의 내부에 있어서의 제 1 약제 유체와 제 2 약제 유체의 접촉을 방지할 수 있다.According to this method, the first water replacement step is performed before the second processing step. Before the start of the second treatment process, there is a possibility that the first medicinal fluid used in the previous treatment remains in the inside of the medicinal fluid piping. However, by replacing the inside of the medicine fluid pipe with water before the second treatment process, the first medicine fluid does not remain in the inside of the medicine fluid pipe at the start of the second treatment process. Therefore, even if the second chemical fluid enters the chemical fluid pipe in the second process step, it does not come into contact with the first chemical fluid inside the chemical fluid pipe. This makes it possible to prevent the first chemical fluid and the second chemical fluid from contacting each other inside the chemical fluid pipe in the second process step.

또, 상기 제 1 처리 공정은, 상기 제 2 처리 공정의 종료 후에 개시하는 공정을 포함하고 있어도 된다. 상기 물 치환 공정은, 상기 제 2 처리 공정 후 또한 상기 제 1 처리 공정에 앞서 실행되는 제 2 물 치환 공정을 포함하고 있어도 된다.The first processing step may include a step of starting after the end of the second processing step. The water replacement step may include a second water replacement step performed after the second processing step and before the first processing step.

이 방법에 의하면, 제 2 처리 공정의 후, 제 1 처리 공정에 앞서 제 2 물 치환 공정이 실행된다. 제 2 처리 공정의 종료 후에 또한 제 1 처리 공정의 개시 전에는, 제 2 처리 공정에 있어서 사용된 제 2 약제 유체가 약제 유체 배관 내에 진입하고, 당해 약제 유체 배관의 내부에 잔존하고 있을 우려가 있다. 그러나, 제 1 처리 공정에 앞서 약제 유체 배관의 내부를 물로 치환함으로써, 제 1 처리 공정의 개시시에는, 약제 유체 배관의 내부에 제 2 약제 유체는 잔류하고 있지 않다. 따라서, 당해 제 1 처리 공정에 있어서 약제 유체 배관에 제 1 약제 유체가 공급되어도, 제 2 약제 유체와 접촉하지 않는다. 이에 따라, 제 1 처리 공정에 있어서, 약제 유체 배관의 내부에 있어서의 제 1 약제 유체와 제 2 약제 유체의 접촉을 방지할 수 있다.According to this method, after the second treatment step, the second water replacement step is performed prior to the first treatment step. There is a possibility that the second chemical fluid used in the second treatment step enters the chemical fluid pipe after the completion of the second treatment process and before the start of the first treatment process and remains inside the chemical fluid pipe. However, by replacing the inside of the medicine fluid pipe with water before the first treatment process, the second medicine fluid does not remain in the inside of the medicine fluid pipe at the start of the first treatment process. Therefore, even if the first chemical fluid is supplied to the chemical fluid pipe in the first process step, it does not come into contact with the second chemical fluid. This makes it possible to prevent the first chemical fluid and the second chemical fluid from contacting each other inside the chemical fluid pipe in the first process step.

또, 상기 기판 처리 방법은, 상기 제 2 처리 공정의 후에 있어서 상기 기판의 주면으로부터 상기 제 2 약제 유체를 물로 씻어내기 위해서, 상기 제 1 처리 공정에 앞서, 상기 기판의 주면에 물을 공급하는 제 1 물 공급 공정을 추가로 포함하고 있어도 된다. 상기 제 1 물 공급 공정은, 상기 제 2 물 치환 공정을 포함하고 있어도 된다.In order to wash the second chemical fluid from the main surface of the substrate after the second treatment step, the substrate treatment method may further include a step of supplying water to the main surface of the substrate before the first treatment step, 1 water supply process may be further included. The first water supply step may include the second water replacement step.

이 방법에 의하면, 제 2 처리 공정의 후에 있어서 기판의 주면으로부터 제 2 약제 유체를 물로 씻어내는 제 1 물 공급 공정에 병행하여, 약제 유체 배관의 내부를 물로 치환하는 제 2 물 치환 공정을 실행한다. 이에 따라, 제 1 물 공급 공정을, 제 2 물 치환 공정과 타이밍으로 실시하는 경우와 비교하여, 전체의 처리 시간을 단축할 수 있다.According to this method, after the second treatment step, a second water replacement step for replacing the inside of the chemical fluid pipe with water is performed in parallel with the first water supply step for washing the second chemical fluid from the main surface of the substrate with water . As a result, the total processing time can be shortened as compared with the case where the first water supply step is performed at the timing of the second water replacement step.

또, 상기 제 1 처리 공정은, 상기 제 2 처리 공정의 종료 후에 개시하는 공정을 포함하고 있어도 된다. 상기 기판 처리 방법은, 상기 제 2 처리 공정 후 또한 상기 제 1 처리 공정에 앞서, 상기 제 1 노즐과는 다른 노즐인 제 2 노즐로부터 상기 기판의 주면을 향해서 물을 토출하는 제 2 물 공급 공정을 추가로 포함하고 있어도 된다. 상기 제 1 처리 공정은, 상기 약제 유체 배관으로의 상기 제 1 약제 유체의 공급을, 상기 제 2 물 공급 공정의 종료에 앞서 실행 개시해도 된다.The first processing step may include a step of starting after the end of the second processing step. The substrate processing method may further include a second water supply step of discharging water from the second nozzle, which is a nozzle different from the first nozzle, toward the main surface of the substrate after the second processing step and before the first processing step May be further included. The first treatment step may start the supply of the first chemical fluid to the chemical fluid pipe prior to the end of the second water supply step.

이 방법에 의하면, 제 2 물 공급 공정의 종료 후 즉시 제 1 약제 유체를 토출구로부터 토출할 수 있다. 즉, 제 2 물 공급 공정의 종료 후 즉시 제 1 처리 공정을 개시할 수 있다. 이에 따라, 전체의 처리 시간을 단축할 수 있다.According to this method, the first chemical fluid can be discharged from the discharge port immediately after the end of the second water supply step. That is, the first treatment process can be started immediately after the end of the second water supply process. Thus, the entire processing time can be shortened.

또, 상기 기판 처리 방법은, 상기 제 2 처리 공정의 후, 상기 제 2 노즐로부터 물을 상기 기판의 주면에 공급하는 제 2 물 공급 공정을 추가로 포함하고 있어도 된다. 상기 기판 처리 방법은, 상기 제 2 물 공급 공정에 병행하여, 상기 제 1 처리 공정을 실행해도 된다.The substrate processing method may further include a second water supply step of supplying water from the second nozzle to the main surface of the substrate after the second processing step. The substrate processing method may execute the first processing step in parallel with the second water supply step.

이 방법에 의하면, 제 2 물 공급 공정의 종료 전부터, 제 1 약제 유체를 토출구로부터 토출할 수 있다. 이에 따라, 전체의 처리 시간을 보다 한층 단축할 수 있다.According to this method, the first chemical fluid can be discharged from the discharge port before the end of the second water supply step. Thus, the entire processing time can be further shortened.

또, 상기 기판 처리 방법은, 상기 1 처리 공정에 있어서의 상기 제 1 노즐로부터의 제 1 약제 유체의 토출 종료 후에, 상기 약제 유체 배관의 내부를 흡인하는 제 2 흡인 공정을 추가로 포함하고 있어도 된다. The substrate processing method may further include a second suction step of sucking the inside of the chemical fluid pipe after completion of the discharge of the first chemical fluid from the first nozzle in the one process step .

또, 상기 세정액은, 탄산수를 포함하고 있어도 된다.The cleaning liquid may contain carbonated water.

또, 상기 제 1 약제 유체는, 황산 함유액을 포함하고, 상기 제 2 약제 유체는, 유기 용제를 포함하고 있어도 된다.In addition, the first chemical fluid may include a sulfuric acid-containing liquid, and the second chemical fluid may include an organic solvent.

본 발명에 있어서의 전술한, 또는 또 다른 목적, 특징 및 효과는, 첨부 도면을 참조하여 다음에 서술하는 실시형태의 설명에 의해 분명해진다.The above or other objects, features and advantages of the present invention will become apparent from the following description of the embodiments with reference to the accompanying drawings.

도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 기판 처리 장치의 내부의 레이아웃을 설명하기 위한 도해적인 평면도이다.
도 2a 는, 상기 기판 처리 장치에 구비된 처리 유닛의 구성예를 설명하기 위한 도해적인 단면도이다.
도 2b 는, 상기 처리 유닛에 포함되는 대향 부재의 주변의 구성을 구체적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 2c 는, 상기 처리 유닛의 하부의 구성예를 확대하여 나타내는 도해적인 단면도이다.
도 3 은, 상기 기판 처리 장치의 주요부의 전기적 구성을 설명하기 위한 블록도이다.
도 4 는, 상기 처리 유닛에 의한 제 1 기판 처리예를 설명하기 위한 흐름도이다.
도 5a-5b 는, 상기 제 1 기판 처리예를 설명하기 위한 도해적인 도면이다.
도 5c-5d 는, 도 5b 에 이어지는 공정을 설명하기 위한 도해적인 도면이다.
도 5e-5f 는, 도 5d 에 이어지는 공정을 설명하기 위한 도해적인 도면이다.
도 5g-5h 는, 도 5f 에 이어지는 공정을 설명하기 위한 도해적인 도면이다.
도 6 은, 상기 제 1 기판 처리예의 주요한 공정에 있어서의, 제 1 액체 검지 센서 및 제 2 액체 검지 센서에 의한 감시 상황을 설명하기 위한 도해적인 도면이다.
도 7 은, 상기 제 1 기판 처리예에 있어서의, 하드 인터록을 설명하기 위한 도면이다.
도 8 은, 상기 처리 유닛에 의한 제 2 기판 처리예를 설명하기 위한 도해적인 도면이다.
도 9 는, 상기 처리 유닛에 의한 제 3 기판 처리예를 설명하기 위한 도해적인 도면이다.1 is a schematic plan view for explaining the layout of the inside of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2A is a schematic sectional view for explaining a configuration example of a processing unit provided in the substrate processing apparatus.
FIG. 2B is a view for specifically describing the configuration of the periphery of the opposing member included in the processing unit. FIG.
2C is a diagrammatic sectional view showing an enlarged configuration example of the lower part of the processing unit.
3 is a block diagram for explaining an electrical configuration of a main part of the substrate processing apparatus.
4 is a flowchart for explaining an example of the first substrate processing by the processing unit.
5A and 5B are diagrams for explaining the first substrate processing example.
Figures 5C-5D are schematic illustrations for illustrating the process following Figure 5B.
5E-5F are diagrams for explaining the process subsequent to FIG. 5D.
Figures 5g-5h are schematic illustrations to illustrate the process that follows Figure 5f.
FIG. 6 is a diagram for explaining the monitoring situation by the first liquid detection sensor and the second liquid detection sensor in the main steps of the first substrate processing example. FIG.
7 is a diagram for explaining a hard interlock in the first substrate processing example.
8 is a schematic view for explaining an example of the second substrate processing by the processing unit.
9 is a schematic diagram for explaining an example of the third substrate processing by the processing unit.

도 1 은, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 (1) 의 내부의 레이아웃을 설명하기 위한 도해적인 평면도이다. 기판 처리 장치 (1) 는, 실리콘 웨이퍼 등의 기판 (W) 을 1 매씩 처리하는 매엽식 장치이다. 이 실시형태에서는, 기판 (W) 은, 원판상의 기판이다. 기판 처리 장치 (1) 는, 처리액으로 기판 (W) 을 처리하는 복수의 처리 유닛 (2) 과, 처리 유닛 (2) 으로 처리되는 복수 매의 기판 (W) 을 수용하는 캐리어 (C) 가 재치 (載置) 되는 로드 포트 (LP) 와, 로드 포트 (LP) 와 처리 유닛 (2) 의 사이에서 기판 (W) 을 반송하는 반송 로봇 (IR 및 CR) 과, 기판 처리 장치 (1) 를 제어하는 제어 장치 (3) 를 포함한다. 반송 로봇 (IR) 은, 캐리어 (C) 와 기판 반송 로봇 (CR) 의 사이에서 기판 (W) 을 반송한다. 기판 반송 로봇 (CR) 은, 반송 로봇 (IR) 과 처리 유닛 (2) 의 사이에서 기판 (W) 을 반송한다. 복수의 처리 유닛 (2) 은, 예를 들어, 동일한 구성을 가지고 있다.1 is a schematic plan view for explaining the layout of the inside of the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus 1 is a single wafer type apparatus for processing substrates W such as a silicon wafer one by one. In this embodiment, the substrate W is a disk-shaped substrate. The substrate processing apparatus 1 includes a plurality of processing units 2 for processing a substrate W with a processing liquid and a carrier C for accommodating a plurality of substrates W to be processed by the processing unit 2 A transport robot IR and CR for transporting the substrate W between the load port LP and the processing unit 2 and a substrate processing apparatus 1 for transporting the substrate W between the load port LP and the processing unit 2, And a control device 3 for controlling. The transport robot IR transports the substrate W between the carrier C and the substrate transport robot CR. The substrate transport robot CR transports the substrate W between the transport robot IR and the processing unit 2. [ The plurality of processing units 2 have, for example, the same configuration.

도 2a 는, 처리 유닛 (2) 의 구성예를 설명하기 위한 도해적인 단면도이다.2A is a schematic sectional view for explaining a configuration example of the processing unit 2. Fig.

처리 유닛 (2) 은, 박스형의 처리 챔버 (4) 와, 처리 챔버 (4) 내에서 1 매의 기판 (W) 을 수평인 자세로 유지하여, 기판 (W) 의 중심을 통과하는 연직인 회전축선 (A1) 둘레에 기판 (W) 을 회전시키는 스핀 척 (기판 유지 유닛) (5) 과, 스핀 척 (5) 에 유지되고 있는 기판 (W) 의 상면 (주면) 에 대향하는 기판 대향면 (6) 을 갖는 대향 부재 (7) 를 포함한다. 대향 부재 (7) 는, 스핀 척 (5) 에 유지되고 있는 기판 (W) 의 상면의 중앙부를 향해서 유체를 토출하기 위한 제 1 토출구 (토출구) (8) 를 갖는 제 1 노즐 (9) 과, 스핀 척 (5) 에 유지되고 있는 기판 (W) 의 상면의 중앙부를 향해서 유체를 토출하기 위한 제 2 토출구 (10) 를 갖는 제 2 노즐 (11) 과, 제 1 약제 유체로서의 액체의 유기 용제 (저표면장력을 갖는 유기 용제) 의 일례의 이소프로필알코올 (isopropyl alcohol：IPA) 을 제 1 노즐 (9) 에 공급하기 위한 유기 용제 공급 유닛 (제 1 약제 유체 공급 유닛) (12) 과, 제 2 노즐 (11) 에, 린스액으로서의 물 (예를 들어 탄산수) 을 공급하기 위한 린스용 물 공급 유닛 (제 2 물 공급 유닛) (13) 과, 스핀 척 (5) 에 유지되고 있는 기판 (W) 의 상면에, 제 2 약제 유체로서의 황산 함유액의 일례의 황산 과산화수소수 혼합액 (sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture：SPM) 을 공급하기 위한 황산 함유액 공급 유닛 (제 2 약제 유체 공급 유닛) (14) 과, 스핀 척 (5) 에 유지되고 있는 기판 (W) 의 상면에, 세정 약액의 일례인 SC1 (NH4OH 및 H2O2 를 포함하는 액체) 을 공급하기 위한 세정 약액 공급 유닛 (15) 과, 스핀 척 (5) 을 둘러싸는 통형상의 처리 컵 (16) 을 포함한다.The processing unit 2 includes a box-shaped processing chamber 4 and a single substrate W held in a horizontal posture in the processing chamber 4, A spin chuck (substrate holding unit) 5 for rotating the substrate W around the line A1 and a substrate facing surface (main surface) facing the upper surface (main surface) of the substrate W held by the spin chuck 5 6). ≪ / RTI > The opposing member 7 includes a first nozzle 9 having a first discharge port (discharge port) 8 for discharging a fluid toward the center of the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 5, A second nozzle 11 having a second discharge port 10 for discharging a fluid toward the center of the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 5 and a second nozzle 11 serving as a liquid organic solvent An organic solvent supply unit (first medicinal fluid supply unit) 12 for supplying an isopropyl alcohol (IPA) as an example of the organic solvent having a low surface tension to the first nozzle 9, A rinsing water supply unit (second water supply unit) 13 for supplying water (for example carbonated water) as a rinsing liquid to the nozzle 11 and a rinsing water supply unit An example of a sulfuric acid-containing liquid as the second medicine fluid (sulfuric acid / hydrog containing liquid supply unit (second chemical fluid supply unit) 14 for supplying a peroxide mixture (SPM) to the spin chuck 5 and a substrate W supported on the spin chuck 5, SC1 include (NH 4 liquid containing OH and H 2 O 2) for supplying cleaning liquid supply unit 15 and the processing of the cup is tubular surrounding the spin chuck 5 to 16.

처리 챔버 (4) 는, 스핀 척 (5) 이나 노즐을 수용하는 박스 형상의 격벽 (18) 과, 격벽 (18) 의 상부로부터 격벽 (18) 내에 청정 공기 (필터에 의해 여과된 공기) 를 보내는 송풍 유닛으로서의 FFU (팬·필터·유닛) (19) 를 포함한다.The processing chamber 4 includes a box-shaped partition wall 18 for accommodating the spin chuck 5 and nozzles and clean air (air filtered by the filter) from the upper portion of the partition wall 18 into the partition wall 18 And an FFU (fan filter unit) 19 as an air blowing unit.

FFU (19) 는, 격벽 (18) 의 상방에 배치되어 있고, 격벽 (18) 의 천정에 장착되어 있다. FFU (19) 는, 격벽 (18) 의 천정으로부터 처리 챔버 (4) 내에 하향으로 청정 공기를 보낸다. 또, 처리 컵 (16) 의 저부에는, 배기액 배관 (81) 이 접속되어 있고, 배기액 배관 (81) 은, 기판 처리 장치 (1) 가 설치되는 공장에 형성된 배기 처리 설비를 향해서 처리 챔버 (4) 내의 기체를 도출한다. 따라서, 처리 챔버 (4) 내를 하방으로 흐르는 다운 플로우 (하강류) 가, FFU (19) 및 배기액 배관 (81) 에 의해 형성된다. 기판 (W) 의 처리는, 처리 챔버 (4) 내에 다운 플로우가 형성되어 있는 상태에서 실시된다.The FFU 19 is disposed above the partition 18 and is mounted on the ceiling of the partition 18. [ The FFU 19 sends clean air downward into the processing chamber 4 from the ceiling of the partition 18. An exhaust liquid pipe 81 is connected to the bottom of the processing cup 16 and the exhaust liquid pipe 81 is connected to an exhaust processing facility formed in a factory where the substrate processing apparatus 1 is installed, 4). Therefore, the downflow (downflow) flowing downward in the processing chamber 4 is formed by the FFU 19 and the exhaust liquid pipe 81. The processing of the substrate W is carried out in a state in which a downflow is formed in the processing chamber 4. [

스핀 척 (5) 으로서, 기판 (W) 을 수평 방향으로 사이에 끼워 기판 (W) 을 수평으로 유지하는 협지식 (挾持式) 척이 채용되어 있다. 구체적으로는, 스핀 척 (5) 은, 스핀 모터 (22) 와, 이 스핀 모터 (22) 의 구동축과 일체화된 하측 스핀축 (23) 과, 하측 스핀축 (23) 의 상단에 대략 수평하게 장착된 원판상의 스핀 베이스 (24) 를 포함한다.As the spin chuck 5, a clamping chuck for holding the substrate W horizontally by sandwiching the substrate W in the horizontal direction is employed. Specifically, the spin chuck 5 is equipped with a spin motor 22, a lower spin shaft 23 integrated with the drive shaft of the spin motor 22, and a lower spin shaft 23 mounted substantially horizontally at the upper end of the lower spin shaft 23 And a spin base 24 on the disk.

스핀 베이스 (24) 의 상면에는, 그 둘레가장자리부에 복수 개 (3 개 이상. 예를 들어 6 개) 의 협지 부재 (25) 가 배치되어 있다. 복수 개의 협지 부재 (25) 는, 스핀 베이스 (24) 의 상면 둘레가장자리부에 있어서, 기판 (W) 의 외주 형상에 대응하는 원주 (圓周) 상에서 적당한 간격을 띄우고 배치되어 있다.On the upper surface of the spin base 24, a plurality of (three or more, for example, six) nipping members 25 are disposed in the peripheral portion. The plurality of nipping members 25 are arranged at an appropriate interval on a circumference corresponding to the outer circumferential shape of the substrate W in the peripheral edge portion of the upper surface of the spin base 24. [

또, 스핀 척 (5) 으로는, 협지식의 것에 한정되지 않고, 예를 들어, 기판 (W) 의 이면을 진공 흡착함으로써, 기판 (W) 을 수평인 자세로 유지하고, 또한 그 상태에서 연직인 회전축선 둘레에 회전함으로써, 스핀 척 (5) 에 유지되고 있는 기판 (W) 을 회전시키는 진공 흡착식의 것 (배큠 척) 이 채용되어도 된다. The spin chuck 5 is not limited to the narrow one and may be formed by holding the substrate W in a horizontal posture by, for example, vacuum suctioning the back surface of the substrate W, (Vacuum chuck) which rotates the substrate W held by the spin chuck 5 by rotating the substrate W around the rotation axis line as shown in Fig.

도 2b 는, 처리 유닛 (2) 에 포함되는 대향 부재 (7) 의 주변의 구성을 구체적으로 설명하기 위한 도면이다.Fig. 2B is a diagram for specifically describing the configuration of the periphery of the opposing member 7 included in the processing unit 2. Fig.

도 2a, 2b 에 나타내는 바와 같이, 대향 부재 (7) 는, 차단판 (26) 과, 차단판 (26) 에 동축에 형성된 상측 스핀축 (27) 을 포함한다. 차단판 (26) 은, 기판 (W) 과 거의 동일한 직경 또는 그 이상의 직경을 갖는 원판상이다. 기판 대향면 (6) 은, 차단판 (26) 의 하면을 형성하고 있고, 기판 (W) 의 상면 전역에 대향하는 원형이다.2A and 2B, the opposing member 7 includes a blocking plate 26 and an upper spin axis 27 formed coaxially with the blocking plate 26. As shown in Fig. The blocking plate 26 is a disk-shaped disk having a diameter substantially equal to or larger than that of the substrate W. The substrate opposing surface 6 forms a lower surface of the shielding plate 26 and is circular opposite to the entire upper surface of the substrate W. [

기판 대향면 (6) 의 중앙부에는, 차단판 (26) 및 상측 스핀축 (27) 을 상하로 관통하는 원통상의 관통공 (28) 이 형성되어 있다. 관통공 (28) 의 내주벽은, 원통면에 의해 구획되어 있다. 관통공 (28) 의 내부에는, 제 1 노즐 (9) 및 제 2 노즐 (11) 이 삽입 통과되어 있다. 제 1 및 제 2 노즐 (9, 11) 은, 각각, 상측 스핀축 (27) 의 회전축선 (A2) (회전축선 A1 과 동축) 을 따라 상하 방향으로 연장되어 있다.At the center of the substrate facing surface 6 is formed a cylindrical through hole 28 penetrating the blocking plate 26 and the upper spin axis 27 up and down. The inner peripheral wall of the through hole 28 is partitioned by a cylindrical surface. A first nozzle (9) and a second nozzle (11) are inserted into the through hole (28). The first and second nozzles 9 and 11 extend upward and downward along the axis of rotation A2 of the upper spin shaft 27 (coaxial with the axis of rotation A1).

구체적으로는, 관통공 (28) 의 내부에는, 차단판 (26) 의 회전축선 (A2) 을 따라 상하로 연장되는 중심축 노즐 (29) 이 삽입 통과하고 있다. 중심축 노즐 (29) 은, 도 2b 에 나타내는 바와 같이, 제 1 및 제 2 노즐 (9, 11) 과, 제 1 및 제 2 노즐 (9, 11) 을 둘러싸는 통형상의 케이싱 (30) 을 포함한다. 이 실시형태에서는, 제 1 및 제 2 노즐 (9, 11) 은, 각각, 이너 튜브이다. 제 1 토출구 (8) 는, 제 1 노즐 (9) 의 하단에 형성되어 있다. 제 2 토출구 (10) 는, 제 2 노즐 (11) 의 하단에 형성되어 있다. 케이싱 (30) 은, 회전축선 (A2) 을 따라 상하 방향으로 연장되어 있다. 케이싱 (30) 은, 관통공 (28) 의 내부에 비접촉 상태로 삽입되어 있다. 따라서, 차단판 (26) 의 내주는, 직경 방향으로 간격을 띄우고 케이싱 (30) 의 외주를 둘러싸고 있다.Concretely, a central axis nozzle 29 extending vertically along the axis of rotation A2 of the blocking plate 26 is inserted into the through-hole 28. 2B, the central shaft nozzle 29 is provided with first and second nozzles 9 and 11 and a cylindrical casing 30 surrounding the first and second nozzles 9 and 11 . In this embodiment, each of the first and second nozzles 9 and 11 is an inner tube. The first discharge port (8) is formed at the lower end of the first nozzle (9). The second discharge port (10) is formed at the lower end of the second nozzle (11). The casing (30) extends in the vertical direction along the axis of rotation (A2). The casing (30) is inserted into the through hole (28) in a noncontact state. Therefore, the inner periphery of the blocking plate 26 is spaced apart in the radial direction and surrounds the outer periphery of the casing 30. [

도 2a 에 나타내는 바와 같이, 상측 스핀축 (27) 에는, 차단판 회전 유닛 (31) 이 결합되어 있다. 차단판 회전 유닛 (31) 은, 차단판 (26) 째 상측 스핀축 (27) 을 회전축선 (A2) 둘레에 회전시킨다. 차단판 (26) 에는, 전동 모터, 볼나사 등을 포함하는 구성의 차단판 승강 유닛 (32) 이 결합되어 있다. 차단판 승강 유닛 (32) 은, 중심축 노즐 (29) 째 차단판 (26) 을 연직 방향으로 승강한다. 차단판 승강 유닛 (32) 은, 차단판 (26) 의 기판 대향면 (6) 이 스핀 척 (5) 에 유지되고 있는 기판 (W) 의 상면에 근접하는 근접 위치 (도 5A 등 참조) 와, 근접 위치의 상방에 형성된 퇴피 위치 (도 2a 나 도 5g 등 참조) 의 사이에서, 차단판 (26) 및 중심축 노즐 (29) 을 승강시킨다. 차단판 승강 유닛 (32) 은, 근접 위치와 퇴피 위치 사이의 각 위치에서 차단판 (26) 을 유지 가능하다.As shown in FIG. 2A, a blocking plate rotating unit 31 is coupled to the upper spin shaft 27. The blocking plate rotating unit 31 rotates the upper spin axis 27 of the blocking plate 26 about the rotation axis A2. The blocking plate 26 is coupled to a blocking plate lifting unit 32 having an electric motor, a ball screw, and the like. The blocking plate lifting unit 32 lifts the blocking plate 26 for the center shaft nozzle 29 in the vertical direction. The blocking plate lifting unit 32 is configured such that the substrate opposing face 6 of the blocking plate 26 is located close to the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 5 The blocking plate 26 and the central axis nozzle 29 are raised and lowered between retracted positions (see Figs. 2A and 5G, etc.) formed above the proximity position. The blocking plate lifting unit 32 is capable of holding the blocking plate 26 at each position between the close position and the retreat position.

또, 차단판 (26) 에 관련하여, 차단판 (26) 의 근접 위치에 대한 배치를 검출하기 위한 차단판 근접 위치 센서 (33) (도 2a ∼ 2C 에서 도시하지 않음) 가 형성되어 있다.In addition, with respect to the shield plate 26, a shield plate proximity position sensor 33 (not shown in Figs. 2A to 2C) for detecting the arrangement of the shield plate 26 at a close position is formed.

도 2b 에 나타내는 바와 같이, 유기 용제 공급 유닛 (12) 은, 제 1 노즐 (9) 에 접속되고, 내부가 제 1 토출구 (8) 에 연통하는 유기 용제 배관 (약제 유체 배관) (34) 과, 유기 용제 배관 (34) 에 개재 장착되고, 유기 용제를 개폐하는 제 1 유기 용제 밸브 (35) 와, 제 1 유기 용제 밸브 (35) 보다 하류측의 유기 용제 배관 (34) 에 개재 장착되고, 유기 용제를 개폐하는 제 2 유기 용제 밸브 (36) 와, 제 1 유기 용제 밸브 (35) 가 닫힌 상태에 있는 것을 검지하는 밸브 닫힘 센서 (37) 를 포함한다.2B, the organic solvent supply unit 12 includes an organic solvent pipe (pharmaceutical fluid pipe) 34 connected to the first nozzle 9 and internally communicating with the first discharge port 8, A first organic solvent valve 35 which is interposed in the organic solvent pipe 34 and opens and closes the organic solvent and an organic solvent pipe 35 which is interposed in the organic solvent pipe 34 on the downstream side of the first organic solvent valve 35, A second organic solvent valve 36 for opening and closing the solvent, and a valve closing sensor 37 for detecting that the first organic solvent valve 35 is in a closed state.

도 2b 에 나타내는 바와 같이, 유기 용제 배관 (34) 에 있어서 제 1 유기 용제 밸브 (35) 와 제 2 유기 용제 밸브 (36) 의 사이에 설정된 제 1 분기 위치 (38) 에는, 제 1 물 배관 (39) 이 분기 접속되어 있다. 이후의 설명에 있어서, 유기 용제 배관 (34) 에 있어서의 제 1 분기 위치 (38) 보다 하류측의 하류측 부분 (40) 을, 「유기 용제 하류측 부분 (40)」 이라고 한다. 유기 용제 배관 (34) 에 있어서의 제 1 분기 위치 (38) 보다 상류측의 상류측 부분 (41) 을, 「유기 용제 상류측 부분 (41)」 이라고 한다. 이 실시형태에서는, 제 1 분기 위치 (38) 는, 유기 용제 배관 (34) 의 상단에 가까운 위치에 설정되어 있다. 그 때문에, 유기 용제 하류측 부분 (40) 에 유기 용제가 존재하지 않는 상태에 있어서, 제 1 유기 용제 밸브 (35) 의 개성 후 제 2 노즐 (11) (제 2 토출구 (10)) 에 유기 용제가 도달할 때까지의 시간은 길어진다 (예를 들어 약 3 초).2B, in the organic solvent pipe 34, at the first branch position 38 set between the first organic solvent valve 35 and the second organic solvent valve 36, the first water pipe 39 are connected in a branch. In the following description, the downstream portion 40 on the downstream side of the first branching position 38 in the organic solvent pipe 34 is referred to as the " organic solvent downstream portion 40 ". The upstream portion 41 on the upstream side of the first branching position 38 in the organic solvent pipe 34 is referred to as the " organic solvent upstream portion 41 ". In this embodiment, the first branch position 38 is set at a position near the top of the organic solvent pipe 34. The second nozzle 11 (the second discharge port 10) of the first organic solvent valve 35 after the formation of the organic solvent valve 35 is filled with the organic solvent (For example, about 3 seconds).

제 1 유기 용제 밸브 (35) 가 열리면, 유기 용제 공급원으로부터의 유기 용제가, 제 2 유기 용제 밸브 (36) 로 공급된다. 이 상태에서 제 2 유기 용제 밸브 (36) 가 열리면, 제 2 유기 용제 밸브 (36) 에 공급된 유기 용제가, 제 1 토출구 (8) 로부터 기판 (W) 의 상면 중앙부를 향해서 토출된다. When the first organic solvent valve 35 is opened, the organic solvent from the organic solvent supply source is supplied to the second organic solvent valve 36. When the second organic solvent valve 36 is opened in this state, the organic solvent supplied to the second organic solvent valve 36 is discharged from the first discharge port 8 toward the center of the upper surface of the substrate W.

도 2b 에 나타내는 바와 같이, 유기 용제 하류측 부분 (40) 에 있어서, 제 2 유기 용제 밸브 (36) 의 개재 장착 위치보다 상류측의 소정의 제 1 검출 위치 (42) 에는, 유기 용제 하류측 부분 (40) 의 내부의 액체의 존부를 검출하기 위한 제 1 액체 검지 센서 (43) 가 배치되어 있다. 제 1 액체 검지 센서 (43) 는, 제 1 검출 위치 (42) 에 있어서의 유기 용제 배관 (34) 의 내부의 액체의 존부를 검출하고, 그 검출 결과에 따른 신호를 제어 장치 (3) 에 송출한다. 유기 용제 배관 (34) 의 내부의 액체의 선단이, 제 1 검출 위치 (42) 보다 전진하고 있을 (제 1 노즐 (9) 측에 위치하고 있을) 때, 제 1 액체 검지 센서 (43) 에 의해 액체가 검출된다. 유기 용제 배관 (34) 의 내부의 액체의 선단이, 제 1 검출 위치 (42) 보다 후퇴하고 있을 (유기 용제 공급원측에 위치하고 있을) 때, 제 1 액체 검지 센서 (43) 에 따라서는, 액체는 검출되지 않는다.2B, at a predetermined first detection position 42 upstream of the intervening position of the second organic solvent valve 36 in the organic solvent downstream portion 40, And a first liquid detection sensor 43 for detecting the presence or absence of liquid in the liquid chamber 40 is disposed. The first liquid detection sensor 43 detects the presence or absence of liquid in the organic solvent pipe 34 at the first detection position 42 and sends a signal according to the detection result to the control device 3 do. When the tip of the liquid inside the organic solvent pipe 34 is advanced (located on the first nozzle 9 side) than the first detection position 42, the first liquid detection sensor 43 detects the liquid Is detected. When the tip of the liquid inside the organic solvent pipe 34 is retreating (located on the organic solvent supply source side) than the first detection position 42, depending on the first liquid detection sensor 43, Is not detected.

도 2b 에 나타내는 바와 같이, 유기 용제 하류측 부분 (40) 에 있어서, 제 2 유기 용제 밸브 (36) 의 개재 장착 위치보다 하류측의 소정의 제 2 검출 위치 (44) 에는, 유기 용제 하류측 부분 (40) 의 내부의 액체의 존부를 검출하기 위한 제 2 액체 검지 센서 (45) 가 배치되어 있다. 제 2 액체 검지 센서 (45) 는, 제 2 검출 위치 (44) 에 있어서의 유기 용제 배관 (34) 의 내부의 액체의 존부를 검출하고, 그 검출 결과에 따른 신호를 제어 장치 (3) 에 송출한다. 유기 용제 배관 (34) 의 내부의 액체의 선단이, 제 2 검출 위치 (44) 보다 전진하고 있을 (제 1 노즐 (9) 측에 위치하고 있을) 때, 제 2 액체 검지 센서 (45) 에 의해 액체가 검출된다. 유기 용제 배관 (34) 의 내부의 액체의 선단이, 제 2 검출 위치 (44) 보다 후퇴하고 있을 (유기 용제 공급원측에 위치하고 있을) 때 제 2 액체 검지 센서 (45) 에 따라서는, 액체는 검출되지 않는다.2B, at a predetermined second detection position 44 on the downstream side of the intervening position of the second organic solvent valve 36 in the organic solvent downstream portion 40, And a second liquid detection sensor 45 for detecting the presence or absence of the liquid inside the liquid detection sensor 40 is disposed. The second liquid detection sensor 45 detects the presence or absence of the liquid inside the organic solvent pipe 34 at the second detection position 44 and sends a signal according to the detection result to the control device 3 do. When the tip of the liquid inside the organic solvent pipe 34 is advanced (positioned on the first nozzle 9 side) than the second detection position 44, the liquid is detected by the second liquid detection sensor 45 Is detected. Depending on the second liquid detection sensor 45 when the tip of the liquid inside the organic solvent pipe 34 is retreating (located on the organic solvent supply source side) than the second detection position 44, It does not.

제 1 액체 검지 센서 (43) 및 제 2 액체 검지 센서 (45) 는, 각각, 예를 들어 액 검지용의 파이버 센서 (예를 들어 (주) 키엔스사 제조 FU95S) 이고, 유기 용제 배관 (34) 의 외주벽에 직접 부착 배치 또는 근접 배치되어 있다. 제 1 액체 검지 센서 (43) 및/또는 제 2 액체 검지 센서 (45) 는, 예를 들어 정전 용량형의 센서에 의해 구성되어 있어도 된다.The first liquid detection sensor 43 and the second liquid detection sensor 45 are respectively a fiber sensor for liquid detection (for example, FU95S manufactured by Keyens Co., Ltd.), an organic solvent pipe 34, Or directly attached to the outer circumferential wall of the frame. The first liquid detection sensor 43 and / or the second liquid detection sensor 45 may be constituted by, for example, a capacitive sensor.

도 2b 에 나타내는 바와 같이, 제 1 물 배관 (39) 에는, 물 공급원으로부터의 물 (예를 들어 탄산수) 이 공급되도록 되어 있다. 제 1 물 배관 (39) 의 도중부에는, 제 1 물 배관 (39) 을 개폐하기 위한 제 1 물 밸브 (46) 가 개재 장착되어 있다. 제 1 물 밸브 (46) 가 열리면, 제 1 물 배관 (39) 으로부터 유기 용제 하류측 부분 (40) 으로 공급된다. 또, 제 1 물 밸브 (46) 가 닫히면, 제 1 물 배관 (39) 으로부터 유기 용제 하류측 부분 (40) 으로의 물의 공급이 정지된다. 제 1 물 배관 (39) 으로부터 유기 용제 배관 (34) 으로 공급되는 물은, 예를 들어 탄산수이다. 제 1 물 배관 (39) 및 제 1 물 밸브 (46) 는, 치환용 물 공급 유닛 (제 1 물 공급 유닛) (47) 에 포함되어 있다.2B, water (for example, carbonated water) is supplied to the first water pipe 39 from a water supply source. A first water valve 46 for opening and closing the first water pipe 39 is interposed in the middle of the first water pipe 39. When the first water valve 46 is opened, it is supplied from the first water pipe 39 to the organic solvent downstream portion 40. When the first water valve 46 is closed, the supply of water from the first water pipe 39 to the organic solvent downstream portion 40 is stopped. The water supplied from the first water pipe 39 to the organic solvent pipe 34 is, for example, carbonated water. The first water pipe 39 and the first water valve 46 are included in the replacement water supply unit (first water supply unit) 47.

도 2b 에 나타내는 바와 같이, 제 1 물 배관 (39) 의 도중부 (즉, 제 1 분기 위치 (38) 와 제 1 물 밸브 (46) 의 사이) 에 설정된 제 2 분기 위치 (48) 에는, 흡인 배관 (49) 이 분기 접속되어 있다. 이후의 설명에 있어서, 제 1 물 배관 (39) 에 있어서의 제 2 분기 위치 (48) 보다 하류측의 하류측 부분 (50) 을, 「물 하류측 부분 (50)」 이라고 한다.2B, the second branching position 48, which is set in the middle of the first water pipe 39 (i.e., between the first branching position 38 and the first water valve 46) And a pipe 49 is branched. In the following description, the downstream portion 50 on the downstream side of the second branching position 48 in the first water pipe 39 is referred to as " water downstream portion 50 ".

도 2b 에 나타내는 바와 같이, 흡인 배관 (49) 의 도중부에는, 흡인 배관 (49) 을 개폐하기 위한 흡인 밸브 (51) 가 개재 장착되어 있다. 흡인 배관 (49) 의 선단에는 흡인 장치 (52) 가 접속되어 있다. 흡인 장치 (52) 는, 예를 들어, 도 2a 에 나타내는 바와 같이, 진공 발생기 (53) 와, 진공 발생기 (53) 를 작동시키기 위한 구동 밸브 (54) 를 포함한다. 흡인 장치 (52) 는, 진공 발생에 의해 흡인력을 발생시키는 것에 한정되지 않고, 예를 들어, 아스피레이터 등이어도 된다.As shown in FIG. 2B, a suction valve 51 for opening and closing the suction pipe 49 is interposed in the middle of the suction pipe 49. A suction device 52 is connected to the tip of the suction pipe 49. The suction device 52 includes, for example, a vacuum generator 53 and a drive valve 54 for operating the vacuum generator 53, as shown in Fig. 2A. The suction device 52 is not limited to generating a suction force by generating vacuum, and may be, for example, an aspirator.

도 2b 에 나타내는 바와 같이, 흡인 장치 (52) (진공 발생기 (53)) 의 작동 상태에 있어서, 제 1 유기 용제 밸브 (35) 및 제 1 물 밸브 (46) 가 닫히고 또한 제 2 유기 용제 밸브 (36) 가 열린 상태에서 흡인 밸브 (51) 가 열리면, 흡인 장치 (52) 의 기능이 유효화 되고, 유기 용제 하류측 부분 (40) 및 물 하류측 부분 (50) 의 내부가 배기되고, 유기 용제 하류측 부분 (40) 및 물 하류측 부분 (50) 에 포함되는 액체 (물 또는 유기 용제) 가, 흡인 배관 (49) 으로 인입된다. 흡인 장치 (52) 및 흡인 밸브 (51) 는, 흡인 유닛 (55) 에 포함되어 있다.The first organic solvent valve 35 and the first water valve 46 are closed and the second organic solvent valve 35 is closed in the operating state of the suction device 52 (vacuum generator 53) The function of the suction device 52 is validated and the interior of the downstream portion 40 of the organic solvent and the downstream portion 50 of the water are exhausted and the organic solvent downstream The liquid (water or organic solvent) contained in the side portion 40 and the water downstream portion 50 is drawn into the suction pipe 49. The suction device 52 and the suction valve 51 are included in the suction unit 55.

도 2b 에 나타내는 바와 같이, 린스용 물 공급 유닛 (13) 은, 제 2 노즐 (11) 에 접속되고, 내부가 제 2 토출구 (10) 에 연통하는 제 2 물 배관 (56) 과, 제 2 물 배관 (56) 을 개폐하여, 제 2 물 배관 (56) 으로부터 제 2 노즐 (11) 로의 물의 공급 및 공급 정지를 전환하는 제 2 물 밸브 (57) 를 포함한다. 제 2 물 밸브 (57) 가 열리면, 물 공급원으로부터의 물이, 제 2 물 배관 (56) 으로 공급되고, 제 2 토출구 (10) 로부터 기판 (W) 의 상면 중앙부를 향해서 토출된다.2B, the rinsing water supply unit 13 includes a second water pipe 56 connected to the second nozzle 11 and internally communicating with the second discharge port 10, And a second water valve 57 for opening and closing the pipe 56 to switch the supply and stop of the supply of water from the second water pipe 56 to the second nozzle 11. The water from the water supply source is supplied to the second water pipe 56 and discharged toward the center of the upper surface of the substrate W from the second discharge port 10 when the second water valve 57 is opened.

도 2a 에 나타내는 바와 같이, 처리 유닛 (2) 은, 또한, 케이싱 (30) 의 외주와 차단판 (26) 의 내주의 사이의 통형상의 공간에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 배관 (58) 과, 불활성 가스 배관 (58) 에 개재 장착된 불활성 가스 밸브 (59) 를 포함한다. 불활성 가스 밸브 (59) 가 열리면, 불활성 가스 공급원으로부터의 불활성 가스가, 케이싱 (30) 의 외주와 차단판 (26) 의 내주의 사이를 통과하여, 차단판 (26) 의 하면 중앙부로부터 하방으로 토출된다. 따라서, 차단판 (26) 이 근접 위치에 배치되어 있는 상태에서, 불활성 가스 밸브 (59) 가 열리면, 차단판 (26) 의 하면 중앙부로부터 토출된 불활성 가스가 기판 (W) 의 상면과 차단판 (26) 의 기판 대향면 (6) 의 사이를 외방으로 (회전축선 (A1) 으로부터 멀어지는 방향으로) 확산되고, 기판 (W) 과 차단판 (26) 의 공기가 불활성 가스로 치환된다. 불활성 가스 배관 (58) 내를 흐르는 불활성 가스는, 예를 들어 질소 가스이다. 불활성 가스는, 질소 가스에 한정되지 않고, 헬륨 가스나 아르곤 가스 등의 다른 불활성 가스여도 된다.2A, the processing unit 2 further includes an inert gas pipe 58 for supplying an inert gas to a cylindrical space between the outer periphery of the casing 30 and the inner periphery of the shield plate 26, , And an inert gas valve (59) interposed in the inert gas pipe (58). When the inert gas valve 59 is opened, the inert gas from the inert gas supply source passes between the outer periphery of the casing 30 and the inner periphery of the shield plate 26 and is discharged downward from the center of the lower surface of the shield plate 26 do. When the inert gas valve 59 is opened in a state where the blocking plate 26 is disposed in the proximity position, the inert gas discharged from the center of the lower surface of the blocking plate 26 contacts the upper surface of the substrate W and the blocking plate (In a direction away from the axis of rotation A1) between the substrate W and the substrate facing surface 6 of the substrate W and the air in the substrate W and the shield plate 26 is replaced with an inert gas. The inert gas flowing through the inert gas pipe 58 is, for example, nitrogen gas. The inert gas is not limited to nitrogen gas but may be another inert gas such as helium gas or argon gas.

도 2a 에 나타내는 바와 같이, 황산 함유액 공급 유닛 (14) 은, 황산 함유액 노즐 (60) 과, 황산 함유액 노즐 (60) 에 접속된 황산 함유액 배관 (61) 과, 황산 함유액 배관 (61) 에 개재 장착된 황산 함유액 밸브 (62) 와, 황산 함유액 노즐 (60) 을 이동시키는 제 1 노즐 이동 유닛 (63) 을 포함한다. 제 1 노즐 이동 유닛 (63) 은, 모터 등을 포함한다. 제 1 노즐 이동 유닛 (63) 에는, 황산 함유액 노즐 (60) 이 퇴피 위치에 있는 것 검출하기 위한 노즐 퇴피 센서 (64) 가 결합되어 있다.2A, the sulfuric acid-containing liquid supply unit 14 includes a sulfuric acid-containing liquid nozzle 60, a sulfuric acid-containing liquid pipe 61 connected to the sulfuric acid-containing liquid nozzle 60, Containing liquid valve (62) interposed in the second nozzle moving unit (61) and a first nozzle moving unit (63) for moving the sulfuric acid containing liquid nozzle (60). The first nozzle moving unit 63 includes a motor and the like. The first nozzle moving unit 63 is coupled with a nozzle retraction sensor 64 for detecting that the sulfuric acid-containing liquid nozzle 60 is in the retreat position.

제 1 노즐 이동 유닛 (63) 이, 예를 들어 스테핑 모터에 의해 구성되어 있는 경우, 당해 스테핑 모터를 제어하기 위한, 모터 제어부로부터 출력되는, 황산 함유액 노즐 (60) 의 이동량 (아암의 요동 각도) 에 따른 인코더 신호를 참조하여, 노즐 퇴피 센서 (64) 는, 황산 함유액 노즐 (60) 이 퇴피 위치에 있는지 여부를 검출할 수 있다.When the first nozzle moving unit 63 is constituted by, for example, a stepping motor, the movement amount of the sulfuric acid-containing liquid nozzle 60 (the rotation angle of the arm , The nozzle retraction sensor 64 can detect whether or not the sulfuric acid-containing liquid nozzle 60 is in the retreat position.

황산 함유액 노즐 (60) 은, 예를 들어, 연속류 상태로 액을 토출하는 스트레이트 노즐이다. 황산 함유액 배관 (61) 에는, 황산 함유액 공급원으로부터의 황산 함유액이 공급되고 있다. 이 실시형태에서는, 황산 함유액 배관 (61) 에는, 황산 함유액으로서, 고온 (예를 들어 약 170 ℃ ∼ 약 200 ℃) 의 황산 과산화수소수 혼합액 (sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture：SPM) 이 공급된다. 황산과 과산화수소수의 반응열에 의해, 상기의 고온까지 승온된 SPM 이 황산 함유액 배관 (61) 에 공급되고 있다.The sulfuric acid-containing liquid nozzle 60 is, for example, a straight nozzle for discharging the liquid in a continuous flow state. The sulfuric acid-containing liquid is supplied to the sulfuric acid-containing liquid pipe 61 from the sulfuric acid-containing liquid supply source. In this embodiment, a sulfuric acid / hydrogen peroxide mixture (SPM) at a high temperature (for example, about 170 ° C to about 200 ° C) is supplied to the sulfuric acid-containing liquid pipe 61 as a sulfuric acid- . By the heat of reaction between the sulfuric acid and the hydrogen peroxide water, the SPM heated to the high temperature is supplied to the sulfuric acid-containing liquid pipe 61.

황산 함유액 밸브 (62) 가 열리면, 황산 함유액 배관 (61) 으로부터 황산 함유액 노즐 (60) 에 공급된 고온의 SPM 이, 황산 함유액 노즐 (60) 로부터 하방으로 토출된다. 황산 함유액 밸브 (62) 가 닫히면, 황산 함유액 노즐 (60) 로부터의, 고온의 SPM 의 토출이 정지된다. 제 1 노즐 이동 유닛 (63) 은, 황산 함유액 노즐 (60) 로부터 토출된 고온의 SPM 이 기판 (W) 의 상면에 공급되는 처리 위치와, 황산 함유액 노즐 (60) 이 평면에서 보았을 때 스핀 척 (5) 의 측방으로 퇴피한 퇴피 위치의 사이에서, 황산 함유액 노즐 (60) 을 이동시킨다.When the sulfuric acid-containing liquid valve 62 is opened, the high-temperature SPM supplied to the sulfuric acid-containing liquid nozzle 60 from the sulfuric acid-containing liquid pipe 61 is discharged downward from the sulfuric acid- When the sulfuric acid-containing liquid valve 62 is closed, the discharge of the high-temperature SPM from the sulfuric acid-containing liquid nozzle 60 is stopped. The first nozzle moving unit 63 is configured to move the processing position where the high temperature SPM discharged from the sulfuric acid containing liquid nozzle 60 is supplied to the upper surface of the substrate W and the processing position where the sulfuric acid containing liquid nozzle 60 is rotated, The sulfuric acid-containing liquid nozzle 60 is moved between the retreat positions retracted to the side of the chuck 5.

도 2a 에 나타내는 바와 같이, 세정 약액 공급 유닛 (15) 은, 세정 약액 노즐 (65) 과, 세정 약액 노즐 (65) 에 접속된 세정 약액 배관 (66) 과, 세정 약액 배관 (66) 에 개재 장착된 세정 약액 밸브 (67) 와, 세정 약액 노즐 (65) 을 이동시키는 제 2 노즐 이동 유닛 (68) 을 포함한다. 세정 약액 노즐 (65) 은, 예를 들어, 연속류 상태로 액을 토출하는 스트레이트 노즐이다. 세정 약액 배관 (66) 에는, 세정 약액 공급원으로부터의 세정 약액 (예를 들어 SC1) 이 공급되고 있다.2A, the cleaning agent supply unit 15 includes a cleaning agent solution nozzle 65, a cleaning agent solution pipe 66 connected to the cleaning agent solution nozzle 65, and a cleaning agent solution pipe 66 connected to the cleaning agent solution pipe 66 And a second nozzle moving unit 68 for moving the cleaning liquid nozzle 65. The second nozzle moving unit 68 moves the cleaning liquid, The cleaning liquid solution nozzle 65 is, for example, a straight nozzle for ejecting liquid in a continuous flow state. (For example, SC1) is supplied to the cleaning solution piping 66 from the cleaning solution supply source.

세정 약액 밸브 (67) 가 열리면, 세정 약액 배관 (66) 으로부터 세정 약액 노즐 (65) 에 공급된 SC1 이, 세정 약액 노즐 (65) 로부터 하방으로 토출된다. 세정 약액 밸브 (67) 가 닫히면, 세정 약액 노즐 (65) 로부터의 세정 약액의 토출이 정지된다. 제 2 노즐 이동 유닛 (68) 은, 세정 약액 노즐 (65) 로부터 토출된 SC1 이 기판 (W) 의 상면에 공급되는 처리 위치와, 세정 약액 노즐 (65) 이 평면에서 보았을 때 스핀 척 (5) 의 측방으로 퇴피한 퇴피 위치의 사이에서, 세정 약액 노즐 (65) 을 이동시킨다. 또한, 제 2 노즐 이동 유닛 (68) 은, 세정 약액 노즐 (65) 로부터 토출된 세정 약액이 기판 (W) 의 상면 중앙부에 착액하는 중앙 위치와, 세정 약액 노즐 (65) 로부터 토출된 세정 약액이 기판 (W) 의 상면 둘레가장자리부에 착액하는 둘레 가장자리 위치의 사이에서, 세정 약액 노즐 (65) 을 수평하게 이동시킨다. 중앙 위치 및 둘레 가장자리 위치는, 모두 처리 위치이다.SC1 supplied to the cleaning solution nozzle 65 from the cleaning solution piping 66 is discharged downward from the cleaning solution nozzle 65 when the cleaning solution valve 67 is opened. When the cleaning liquid valve 67 is closed, the discharge of the cleaning liquid from the cleaning liquid nozzle 65 is stopped. The second nozzle moving unit 68 moves the processing position where the SC1 discharged from the cleaning solution nozzle 65 is supplied to the upper surface of the substrate W and the processing position where the cleaning solution nozzle 65 is rotated in the direction of the spin chuck 5, The cleaning solution nozzle 65 is moved between the retreat positions retracted to the side of the cleaning solution nozzle 65. The second nozzle moving unit 68 is disposed at a central position where the cleaning chemical liquid discharged from the cleaning chemical liquid nozzle 65 adheres to the central portion of the upper surface of the substrate W and a central position where the cleaning chemical liquid discharged from the cleaning chemical liquid nozzle 65 The cleaning liquid nozzle 65 is moved horizontally between the circumferential edge positions where the liquid contacts the periphery of the upper surface of the substrate W. [ The center position and the peripheral edge position are both processing positions.

도 2c 는, 처리 유닛 (2) 의 하부의 구성예를 확대하여 나타내는 도해적인 단면도이다.Fig. 2C is a schematic sectional view showing an enlarged configuration example of the lower part of the processing unit 2. Fig.

도 2a, 2c 에 나타내는 바와 같이, 처리 컵 (16) 은, 스핀 척 (5) 을 둘러싸는, 기판 (W) 의 주위에 비산한 처리액 (세정 약액 및 린스액) 을 받아내기 위한 제 1 및 제 2 가드 (71, 72) 와, 개개의 가드 (71, 72) 를 독립적으로 승강시키는 가드 승강 유닛 (73) 을 포함한다. 가드 승강 유닛 (73) 은, 개개의 가드 (71, 72) 를 독립적으로 승강시킨다. 또한, 가드 승강 유닛 (73) 은, 예를 들어 볼나사 기구를 포함하는 구성이다.2A and 2C, the processing cup 16 is provided with first and second processing chambers for surrounding the spin chuck 5 and for receiving the processing liquid (cleaning liquid and rinsing liquid) scattered around the substrate W, And a guard elevating unit 73 for independently elevating and lowering the individual guards 71 and 72. [ The guard elevating unit 73 independently elevates the individual guards 71 and 72. The guard elevating unit 73 includes, for example, a ball screw mechanism.

처리 컵 (16) 은 상하 방향으로 겹쳐지도록 수용 가능하고, 가드 승강 유닛 (73) 이 2 개의 가드 (71, 72) 중 적어도 하나를 승강시킴으로써, 처리 컵 (16) 의 전개 및 수용이 실시된다.The treatment cup 16 is accommodated so as to overlap in the vertical direction and the guard elevating unit 73 elevates and lifts at least one of the two guards 71 and 72 so that the treatment cup 16 is deployed and accommodated.

내측의 제 1 가드 (71) 는, 스핀 척 (5) 의 주위를 둘러싸고, 스핀 척 (5) 에 의한 기판 (W) 의 회전축선 (A1) 에 대하여 거의 회전 대칭인 형상을 가지고 있다. 도 2c 에 나타내는 바와 같이, 제 1 가드 (71) 는, 평면에서 보았을 때 원환상 (圓環狀) 을 이루는 저부 (74) 와, 이 저부 (74) 의 내주연으로부터 상방으로 일어서는 원통상의 내벽부 (75) 와, 저부 (74) 의 외주 가장자리로부터 상방으로 일어서는 원통상의 외벽부 (76) 와, 내주연과 외주연의 사이에 대응하는 저부 (74) 의 일부로부터 상방으로 일어서는 원통상의 안내부 (77) 를 일체적으로 구비하고 있다.The first guard 71 on the inner side surrounds the spin chuck 5 and has a shape that is substantially rotationally symmetrical with respect to the rotation axis A1 of the substrate W by the spin chuck 5. 2C, the first guard 71 includes a bottom 74 formed in an annular shape when viewed in a plan view, a cylindrical portion 74 extending upward from the inner periphery of the bottom 74, A cylindrical outer wall portion 76 rising upward from the outer peripheral edge of the bottom portion 74 and a cylindrical wall portion 76 rising upward from a part of the bottom portion 74 corresponding to the space between the inner peripheral edge and the outer peripheral edge And a cylindrical guide portion 77 integrally.

안내부 (77) 는, 저부 (74) 로부터 일어서는 원통상의 본체부 (78) 와, 이 본체부 (78) 의 상단으로부터 매끄러운 원호를 그리면서 중심측 (회전축선 (A1) 에 가까워지는 방향) 비스듬한 상방으로 연장되는 통형상의 상단부 (79) 를 포함한다.The guide portion 77 includes a cylindrical main body portion 78 rising from the bottom portion 74 and a guide portion 77 extending in the direction of approaching the rotation axis A1 And a tubular upper end 79 extending obliquely upward.

내벽부 (75) 와 안내부 (77) 의 사이는, 기판 (W) 의 처리에 사용된 처리액 (황산 함유액, 세정 약액 및 물) 을 모아 배액하기 위한 제 1 배액홈 (80) 이 구획되어 있다. 제 1 배액홈 (80) 의 저부의 가장 낮은 지점에는, 도시되지 않은 부압원으로부터 연장되는 배기액 배관 (81) 이 접속되어 있다. 이에 따라, 제 1 배액홈 (80) 의 내부가 강제적으로 배기되고, 제 1 배액홈 (80) 에 모아진 처리액, 및 제 1 배액홈 (80) 내의 분위기가, 배기액 배관 (81) 을 통해서 배출된다. 분위기와 함께 배출되는 처리액은, 배기액 배관 (81) 의 도중부에 개재 장착된 기액 분리기 (97) 에 의해 분위기로부터 분리된다. 배기액 배관 (81) 에는, 기액 분리기 (97) 를 통해서, 복수의 배액 분기 배관 (황산 함유액용 분기 배관 (82), 세정 약액용 분기 배관 (83) 및 물용 분기 배관 (84)) 이, 각각 배액 분기 밸브 (85) 가 개재하여 접속되어 있다. 개개의 배액 분기 밸브 (85) 에는, 당해 배액 분기 밸브 (85) 가 닫힘 상태에 있는 것을 검지하는 제 2 밸브 닫힘 센서 (95) 를 포함한다.A first drainage groove 80 for collecting and dispensing treatment liquids (sulfuric acid-containing liquid, cleaning liquid and water) used in the treatment of the substrate W is provided between the inner wall portion 75 and the guide portion 77, . At the lowest point of the bottom of the first drainage groove 80, an exhaust liquid pipe 81 extending from a negative pressure source (not shown) is connected. The interior of the first drainage groove 80 is forcibly evacuated and the treatment liquid collected in the first drainage groove 80 and the atmosphere in the first drainage groove 80 are discharged through the exhaust liquid pipe 81 . The treatment liquid discharged together with the atmosphere is separated from the atmosphere by the gas-liquid separator 97 interposed in the middle of the exhaust liquid pipe 81. Liquid separation branch piping 82, the cleaning chemical liquid branch piping 83, and the water branch piping 84) are connected to the exhaust liquid pipe 81 via the gas-liquid separator 97, And a liquid drain valve 85 is interposed therebetween. Each of the liquid-dispensing branch valves 85 includes a second valve-closing sensor 95 for detecting that the liquid-dispensing branch valve 85 is in the closed state.

후술하는 황산 함유액 공정 (도 4 의 스텝 S3) 에서는, 배액 분기 밸브 (85) 중, 황산 함유액용 분기 배관 (82) 용의 배액 분기 밸브 (85) 만이 열려 있고, 배기액 배관 (81) 을 유통하는 처리액은, 황산 함유액용 분기 배관 (82) 으로 공급되고, 그 후, 황산 함유액을 배액 처리하기 위한 처리 장치 (도시하지 않음) 에 보내진다.Only the drain valve 85 for the sulfuric acid-containing liquid branch pipe 82 is opened and the exhaust liquid pipe 81 is opened in the drain valve 81 The circulating treatment liquid is supplied to the sulfuric acid-containing liquid branch pipe 82, and then sent to a treatment apparatus (not shown) for draining the sulfuric acid-containing liquid.

또, 후술하는 제 1 및 제 2 린스 공정 (도 4 의 스텝 S4 및 스텝 S6) 에서는, 배액 분기 밸브 (85) 중, 물용 분기 배관 (84) 용의 배액 분기 밸브 (85) 만이 열려 있고, 배기액 배관 (81) 을 유통하는 처리액은, 물용 분기 배관 (84) 으로 공급되고, 그 후, 물을 배액 처리하기 위한 처리 장치 (도시하지 않음) 에 보내진다.In the first and second rinsing steps (step S4 and step S6 in Fig. 4) described later, only the liquid pouring valve 85 for the water branch pipe 84 is opened in the liquid pouring valve 85, The treatment liquid flowing through the liquid pipe 81 is supplied to the water branch pipe 84 and then sent to a treatment device (not shown) for draining the water.

또, 후술하는 세정 약액 공정 (도 4 의 스텝 S5) 에서는, 배액 분기 밸브 (85) 중, 세정 약액용 분기 배관 (83) 용의 배액 분기 밸브 (85) 만이 열려 있고, 배기액 배관 (81) 을 유통하는 처리액은, 세정 약액용 분기 배관 (83) 으로 공급되고, 그 후, 세정 약액을 배액 처리하기 위한 처리 장치 (도시하지 않음) 에 보내진다.4), only the drain valve 85 for the cleaning chemical liquid branch pipe 83 is opened and the exhaust liquid pipe 81 is opened in the drain liquid branch valve 85, Is supplied to the branch pipe 83 for the cleaning chemical solution, and then sent to a treatment device (not shown) for treating the cleaning chemical solution.

또, 안내부 (77) 와 외벽부 (76) 의 사이는, 기판 (W) 의 처리에 사용된 유기 용제를 모아 회수하기 위한 제 2 배액홈 (86) 으로 되어 있다. 제 2 배액홈 (86) 에 있어서, 예를 들어 저부에는, 배기 배관 (87) 의 일단이 접속되어 있다. 이에 따라, 제 2 배액홈 (86) 의 내부가 강제적으로 배기되고, 제 2 배액홈 (86) 내의 분위기가, 배기 배관 (87) 을 통해서 배출된다.Between the guide portion 77 and the outer wall portion 76 is a second drainage groove 86 for collecting and recovering the organic solvent used for the processing of the substrate W. [ In the second drainage groove 86, for example, one end of the exhaust pipe 87 is connected to the bottom. As a result, the interior of the second drainage groove 86 is forcedly exhausted and the atmosphere in the second drainage groove 86 is exhausted through the exhaust pipe 87.

배기 배관 (87) 의 타단은, 도시되지 않은 부압원에 접속되어 있다. 배기 배관 (87) 에는, 배기 배관 (87) 을 개폐하기 위한 배기 밸브 (101) 가 개재 장착되어 있다. 배기 밸브 (101) 에는, 당해 배기 밸브 (101) 가 열림 상태에 있는 것을 검지하는 밸브 열림 센서 (21) 가 형성되어 있다.The other end of the exhaust pipe 87 is connected to a negative pressure source (not shown). The exhaust pipe 87 is provided with an exhaust valve 101 for opening and closing the exhaust pipe 87. The exhaust valve 101 is provided with a valve opening sensor 21 for detecting that the exhaust valve 101 is in an open state.

외측의 제 2 가드 (72) 는, 회전축선 (A1) 에 대하여 거의 회전 대칭인 형상을 가지고 있다. 제 2 가드 (72) 는, 제 1 가드 (71) 의 안내부 (77) 의 외측에 있어서 스핀 척 (5) 의 주위를 둘러싸고 있다. 제 2 가드 (72) 의 상단부 (88) 에는, 스핀 척 (5) 에 의해 유지된 기판 (W) 보다 직경이 큰 개구 (89) 가 형성되어 있고, 제 2 가드 (72) 의 상단 (90) 은, 개구 (89) 를 구획하는 개구단으로 되어 있다.The outer second guard 72 has a shape that is almost rotationally symmetrical with respect to the axis of rotation A1. The second guard 72 surrounds the periphery of the spin chuck 5 on the outside of the guide portion 77 of the first guard 71. An upper end portion 88 of the second guard 72 is formed with an opening 89 having a larger diameter than the substrate W held by the spin chuck 5. The upper end 90 of the second guard 72, The opening 89 defines an opening.

제 2 가드 (72) 는, 안내부 (77) 와 동축 원통상을 이루는 하단부 (91) 와, 하단부 (91) 의 상단으로부터 매끄러운 원호를 그리면서 중심측 (회전축선 (A1) 에 가까워지는 방향) 비스듬한 상방으로 연장되는 통형상의 상단부 (88) 와, 상단부 (88) 의 선단부를 하방으로 되접어 꺾어 형성된 되접어 꺾인 부분 (92) 을 가지고 있다.The second guard 72 includes a lower end portion 91 coaxially cylindrical with the guide portion 77 and a second guard portion 76 extending in the direction of approaching the center side (in the direction approaching the rotation axis A1) while forming a smooth arc from the upper end of the lower end portion 91, A tubular upper end portion 88 extending obliquely upward and a folded back portion 92 formed by folding the distal end of the upper end portion 88 downward.

하단부 (91) 는, 제 2 배액홈 (86) 상에 위치하고, 제 1 가드 (71) 와 제 2 가드 (72) 가 가장 근접한 상태에서, 제 2 배액홈 (86) 에 수용되는 길이로 형성되어 있다. 또, 상단부 (88) 는, 제 1 가드 (71) 의 안내부 (77) 의 상단부 (79) 와 상하 방향으로 겹쳐지도록 형성되고, 제 1 가드 (71) 와 제 2 가드 (72) 가 가장 근접한 상태에서, 안내부 (77) 의 상단부 (79) 에 대하여 매우 미소한 간극을 유지하여 근접하도록 형성되어 있다. 되접어 꺾인 부분 (92) 은, 제 1 가드 (71) 와 제 2 가드 (72) 가 가장 근접한 상태에서, 안내부 (77) 의 상단부 (79) 와 수평 방향으로 겹쳐지도록 형성되어 있다.The lower end portion 91 is formed on the second drainage groove 86 and has a length accommodated in the second drainage groove 86 in a state in which the first guard 71 and the second guard 72 are closest to each other have. The upper end portion 88 is formed so as to overlap with the upper end portion 79 of the guide portion 77 of the first guard 71 in the vertical direction and the first guard 71 and the second guard 72 are located closest to each other And is formed so as to be in close proximity to the upper end 79 of the guide portion 77 while maintaining a very small clearance. The folded back portion 92 is formed so as to overlap with the upper end 79 of the guide portion 77 in the horizontal direction in a state in which the first guard 71 and the second guard 72 are closest to each other.

도 2a 에 나타내는 바와 같이, 가드 승강 유닛 (73) 은, 가드의 상단부가 기판 (W) 보다 상방에 위치하는 상위치와, 가드의 상단부가 기판 (W) 보다 하방에 위치하는 하위치의 사이에서, 각 가드 (71, 72) 를 승강시킨다. 가드 승강 유닛 (73) 은, 상위치와 하위치의 사이의 임의의 위치에서 각 가드 (71, 72) 를 유지 가능하다. 기판 (W) 으로의 처리액의 공급이나 기판 (W) 의 건조는, 어느 것의 가드 (71, 72) 가 기판 (W) 의 둘레 단면 (端面) 에 대향하고 있는 상태에서 실시된다.2A, the guard elevating and lowering unit 73 is provided between the upper position where the upper end of the guard is positioned above the substrate W and the lower position where the upper end of the guard is located below the substrate W , And the guards 71 and 72 are raised and lowered. The guard elevating unit 73 can hold the guards 71 and 72 at an arbitrary position between the upper and lower positions. The supply of the processing liquid to the substrate W and the drying of the substrate W are carried out in a state in which the guards 71 and 72 are opposed to the peripheral surface of the substrate W. [

내측의 제 1 가드 (71) 를 기판 (W) 의 둘레 단면에 대향시키는 경우에는, 도 5a 등에 나타내는 바와 같이, 제 1 및 제 2 가드 (71, 72) 모두가 상위치에 배치된다. 이 상태에서는, 되접어 꺾인 부분 (92) 이 안내부 (77) 의 상단부 (79) 와 수평 방향으로 겹쳐져 있다.When the inner first guard 71 is opposed to the peripheral edge of the substrate W, both the first and second guards 71 and 72 are disposed at the upper position as shown in FIG. 5A and the like. In this state, the folded-back portion 92 is overlapped with the upper end 79 of the guide portion 77 in the horizontal direction.

제 1 가드 (71) 에 관련하여, 제 1 가드 (71) 의 상위치에 대한 배치를 검출하기 위한 가드 상위치 센서 (93) 와, 제 1 가드 (71) 의 상위치에 대한 배치를 검출하기 위한 가드 하위치 센서 (94) 가 형성되어 있다.A guard position sensor 93 for detecting the arrangement of the first guard 71 with respect to the upper position and a second guard 71 for detecting the arrangement of the first guard 71 relative to the upper position, A guard-down position sensor 94 is formed.

한편, 외측의 제 2 가드 (72) 를 기판 (W) 의 둘레 단면에 대향시키는 경우에는, 도 2a 나 도 5g 등에 나타내는 바와 같이, 제 2 가드 (72) 가 상위치에 배치되고, 또한 제 1 가드 (71) 가 하위치에 배치된다.On the other hand, when the outer second guard 72 is opposed to the peripheral edge of the substrate W, as shown in Figs. 2A and 5G, the second guard 72 is disposed at the upper position, The guard 71 is disposed at the lower position.

도 3 은, 기판 처리 장치 (1) 의 주요부의 전기적 구성을 설명하기 위한 블록도이다.3 is a block diagram for explaining an electrical configuration of a main portion of the substrate processing apparatus 1. As shown in Fig.

제어 장치 (3) 는, 예를 들어 마이크로 컴퓨터를 사용하여 구성되어 있다. 제어 장치 (3) 는 CPU 등의 연산 유닛, 고정 메모리 디바이스, 하드 디스크 드라이브 등의 기억 유닛, 및 입출력 유닛을 가지고 있다. 기억 유닛에는, 연산 유닛이 실행하는 프로그램이 기억되어 있다.The control device 3 is configured using, for example, a microcomputer. The control device 3 has a calculation unit such as a CPU, a fixed memory device, a storage unit such as a hard disk drive, and an input / output unit. In the storage unit, a program to be executed by the calculation unit is stored.

제 2 노즐 이동 유닛 (63, 68), 차단판 회전 유닛 (31), 차단판 승강 유닛 (32) 및 가드 승강 유닛 (73) 등의 동작을 제어한다. 또, 제어 장치 (3) 는, 제 1 유기 용제 밸브 (35), 제 2 유기 용제 밸브 (36), 제 1 물 밸브 (46), 흡인 밸브 (51), 구동 밸브 (54), 제 2 물 밸브 (57), 불활성 가스 밸브 (59), 황산 함유액 밸브 (62), 세정 약액 밸브 (67), 배액 분기 밸브 (85) 등을 개폐한다. 또한, 제어 장치 (3) 에는, 제 1 밸브 열림 센서 (21) 의 검출 출력, 차단판 근접 위치 센서 (33) 의 검출 출력, 밸브 닫힘 센서 (37) 의 검출 출력, 제 1 액체 검지 센서 (43) 의 검출 출력, 제 2 액체 검지 센서 (45) 의 검출 출력, 노즐 퇴피 센서 (64) 의 검출 출력, 가드 상위치 센서 (93) 의 검출 출력, 가드 하위치 센서 (94) 의 검출 출력, 제 2 밸브 닫힘 센서 (95) 의 검출 출력 등이 입력되도록 되어 있다.And controls the operations of the second nozzle moving units 63 and 68, the blocking plate rotating unit 31, the blocking plate elevating unit 32, and the guard elevating unit 73 and the like. The control device 3 includes a first organic solvent valve 35, a second organic solvent valve 36, a first water valve 46, a suction valve 51, a drive valve 54, And opens and closes the valve 57, the inert gas valve 59, the sulfuric acid-containing liquid valve 62, the cleaning liquid valve 67, the liquid discharge branch valve 85, and the like. The detection output of the first valve opening sensor 21, the detection output of the closing plate proximity position sensor 33, the detection output of the valve closing sensor 37, the first liquid detection sensor 43 The detection output of the second liquid detection sensor 45, the detection output of the nozzle retraction sensor 64, the detection output of the guard position sensor 93, the detection output of the guard position sensor 94, And the detection output of the two valve closing sensor 95 are input.

도 4 는, 처리 유닛 (2) 에 의한 제 1 기판 처리예를 설명하기 위한 흐름도이다. 도 5a ∼ 5h 는, 제 1 기판 처리예를 설명하기 위한 도해적인 도면이다.Fig. 4 is a flowchart for explaining an example of the first substrate processing by the processing unit 2. Fig. 5A to 5H are schematic diagrams for explaining the first substrate processing example.

이하, 도 2a ∼ 도 4 를 참조하면서, 제 1 기판 처리예에 대해서 설명한다. 도 5a ∼ 5h 에 대해서는 적절히 참조한다. 제 1 기판 처리예는, 기판 (W) 의 상면에 형성된 레지스트를 제거하기 위한 레지스트 제거 처리이다. 이하에서 서술하는 바와 같이, 제 1 기판 처리예는, SPM 등의 황산 함유액을 사용하여 기판 (W) 을 처리하는 황산 함유액 공정 (S3) 과, IPA 등의 액체의 유기 용제를 사용하여 기판 (W) 을 처리하는 유기 용제 공정 (S7) 을 포함한다. 황산 함유액과 유기 용제는, 접촉에 위험 (이 경우, 급격한 반응) 이 수반하는 약제 유체 (약액, 또는 약제 성분을 포함하는 기체) 의 조합이다.Hereinafter, the first substrate processing example will be described with reference to Figs. 2A to 4B. Refer to Figs. 5A to 5H as appropriate. The first substrate processing example is a resist removal processing for removing a resist formed on the upper surface of the substrate W. [ As described below, in the first substrate processing example, the sulfuric acid-containing liquid process S3 for processing the substrate W using a sulfuric acid-containing liquid such as SPM and the liquid organic solvent process such as IPA And an organic solvent step (S7) for treating the wax (W). The sulfuric acid-containing liquid and the organic solvent are combinations of a chemical fluid (a chemical liquid or a gas containing a chemical ingredient) accompanied by a risk of contact (a sudden reaction in this case).

처리 유닛 (2) 에 의해 레지스트 제거 처리가 기판 (W) 에 실시될 때에는, 처리 챔버 (4) 의 내부에, 고 (高) 도스에서의 이온 주입 처리 후의 기판 (W) 이 반입된다 (도 4 의 스텝 S1). 반입되는 기판 (W) 은, 레지스트를 애싱하기 위한 처리를 받고 있지 않은 것으로 한다. 또, 기판 (W) 의 표면에는, 미세하고 고어스펙트비의 미세 패턴이 형성되어 있다.When the resist removal processing is performed on the substrate W by the processing unit 2, the substrate W after high-dose ion implantation processing is carried into the processing chamber 4 (Step S1). It is assumed that the substrate W to be carried is not subjected to the process for ashing the resist. On the surface of the substrate W, a fine pattern with a high aspect ratio is formed.

구체적으로는, 제어 장치 (3) 는, 대향 부재 (7) (즉, 차단판 (26) 및 중심축 노즐 (29)) 가 퇴피 위치로 퇴피하고, 모든 이동 노즐 (즉, 황산 함유액 노즐 (60) 및 세정 약액 노즐 (65)) 이 스핀 척 (5) 의 상방으로부터 퇴피하고, 또한 제 1 및 제 2 가드 (71, 72) 가 하위치로 내려간다. 그 결과, 제 1 및 제 2 가드 (71, 72) 의 상단이 모두 기판 (W) 의 유지 위치보다 하방에 배치된다. 이 상태에서, 기판 (W) 을 유지하고 있는 기판 반송 로봇 (CR) (도 1 참조) 의 핸드 (H) (도 1 참조) 를 처리 챔버 (4) 의 내부에 진입시킴으로써, 기판 (W) 이 그 표면 (레지스트 형성면) 을 상방을 향한 상태에서 스핀 척 (5) 에 수수된다. 그 후, 스핀 척 (5) 에 기판 (W) 이 유지된다 (기판 유지 공정).Specifically, the control device 3 causes the opposing member 7 (that is, the blocking plate 26 and the central axis nozzle 29) to be retracted to the retreat position, and all the moving nozzles (i.e., the sulfuric acid- 60 and the cleaning liquid nozzle 65 are retracted from above the spin chuck 5 and the first and second guards 71, 72 descend to the lower position. As a result, the upper ends of the first and second guards 71 and 72 are all disposed below the holding position of the substrate W. 1) of the substrate transfer robot CR (see Fig. 1) holding the substrate W enters the inside of the processing chamber 4 in this state, the substrate W And is transferred to the spin chuck 5 in a state in which its surface (resist-formed surface) faces upward. Thereafter, the substrate W is held on the spin chuck 5 (substrate holding step).

그 후, 제어 장치 (3) 는, 스핀 모터 (22) 에 의해 기판 (W) 의 회전을 개시시킨다. 기판 (W) 은 미리 정하는 액 처리 속도 (1 ∼ 500 rpm 의 범위 내에서, 예를 들어 약 100 rpm) 까지 상승시켜지고, 그 액 처리 속도로 유지된다. 또, 제어 장치 (3) 는, 가드 승강 유닛 (73) 을 제어하여, 제 1 및 제 2 가드 (71, 72) 를 각각 상위치까지 상승시켜, 제 1 가드 (71) 를 기판 (W) 의 둘레 단면에 대향시킨다.Thereafter, the control device 3 starts the rotation of the substrate W by the spin motor 22. The substrate W is raised to a predetermined liquid processing speed (within a range of 1 to 500 rpm, for example, about 100 rpm) and is maintained at the liquid processing speed. The control device 3 controls the guard elevating and lowering unit 73 to raise the first and second guards 71 and 72 to the upper position and to move the first guard 71 to the position Facing the peripheral edge.

기판 (W) 의 회전 속도가 액 처리 속도에 도달하면, 이어서, 탄산수를 기판 (W) 의 상면에 공급하여 기판 (W) 을 제전하는 제전 공정 (도 4 의 스텝 S2) 이 실시된다. 구체적으로는, 제어 장치 (3) 는, 제 2 물 밸브 (57) 를 연다. 이에 따라, 도 5a 에 나타내는 바와 같이, 제 2 노즐 (11) 의 제 2 토출구 (10) 로부터, 기판 (W) 의 상면 중앙부를 향해서 탄산수가 토출된다. 제 2 노즐 (11) 로부터 토출된 탄산수는, 기판 (W) 의 상면 중앙부에 착액하고, 기판 (W) 의 회전에 의한 원심력을 받아 기판 (W) 의 상면 위를 기판 (W) 의 둘레가장자리부를 향해서 흐른다.When the rotational speed of the substrate W reaches the liquid processing speed, an erasing step (step S2 in Fig. 4) for discharging the substrate W by supplying carbonic acid water to the upper surface of the substrate W is performed. Specifically, the control device 3 opens the second water valve 57. [ 5A, carbonated water is discharged from the second discharge port 10 of the second nozzle 11 toward the center of the upper surface of the substrate W. As a result, The carbonated water discharged from the second nozzle 11 is mixed with the central portion of the upper surface of the substrate W and is subjected to the centrifugal force by the rotation of the substrate W to be placed on the upper surface of the substrate W, It flows toward.

또, 이 실시형태에서는, 제전 공정 (S2) 은, 제 2 노즐 (11) 로부터의 탄산수의 토출 뿐만 아니라, 아울러, 제 1 노즐 (9) 의 제 1 토출구 (8) 로부터 탄산수를 토출함으로써 실현된다. 요컨대, 제전 공정 (S2) 은, 유기 용제 배관 (34) 의 내부를 탄산수로 치환하는 제 1 물 치환 공정 (T1) 을 포함한다. 구체적으로는, 제어 장치 (3) 는, 제전 공정 (S2) 의 개시와 동기하여, 제 2 유기 용제 밸브 (36) 를 열고 또한 제 1 유기 용제 밸브 (35) 및 흡인 밸브 (51) 를 닫으면서, 제 1 물 밸브 (46) 를 연다. 이에 따라, 제 1 물 배관 (39) 으로부터의 탄산수가, 유기 용제 하류측 부분 (40) 에 공급된다. 유기 용제 하류측 부분 (40) 의 내벽에, 전회의 레지스트 제거 처리시에 사용한 IPA 의 액적 (液滴) 이 부착되어 있는 경우에는, 이 IPA 의 액적이 탄산수에 의해 치환된다. 유기 용제 하류측 부분 (40) 에 공급된 탄산수는, 제 1 노즐 (9) 로부터 토출되어 기판 (W) 의 상면 중앙부에 착액하고, 기판 (W) 의 회전에 의한 원심력을 받아 기판 (W) 의 상면 위를 기판 (W) 의 둘레가장자리부를 향해서 흐른다. 또, 유기 용제 하류측 부분 (40) 의 관 내에 전회의 레지스트 제거 처리시에 사용한 IPA 분위기가 혼입되어 있는 경우도, 탄산수에 의해 제거된다.In this embodiment, the discharging step S2 is realized not only by discharging carbonated water from the second nozzle 11, but also by discharging carbonated water from the first discharging opening 8 of the first nozzle 9 . That is, the discharge step S2 includes a first water replacement step (T1) for replacing the inside of the organic solvent pipe 34 with carbonated water. Specifically, the control device 3 opens the second organic solvent valve 36 and closes the first organic solvent valve 35 and the suction valve 51 in synchronization with the start of the electricity removing step S2 , And opens the first water valve (46). Thus, carbonated water from the first water pipe 39 is supplied to the organic solvent downstream portion 40. When the droplet of the IPA used in the previous resist stripping treatment adheres to the inner wall of the organic solvent downstream portion 40, the droplet of the IPA is replaced by the carbonated water. The carbonated water supplied to the organic solvent downstream side portion 40 is discharged from the first nozzle 9 and is adhered to the center portion of the upper surface of the substrate W. The carbonated water is supplied to the downstream side And flows on the upper surface toward the periphery of the substrate W. Also, in the case where the IPA atmosphere used in the previous resist stripping treatment is mixed in the pipe of the organic solvent downstream side portion 40, it is also removed by the carbonated water.

기판 (W) 의 상면에 공급된 탄산수는, 기판 (W) 의 둘레가장자리부로부터 기판 (W) 의 측방을 향해서 비산하고, 제 1 가드 (71) 의 내벽에 받아내어진다. 그리고, 제 1 가드 (71) 의 내벽을 타고 흘러내리는 탄산수는, 제 1 배액홈 (80) 에 모아진 후 배기액 배관 (81) 으로 유도된다. 제전 공정 (S2) 에서는, 물용 분기 배관 (84) 용의 배액 분기 밸브 (85) 를 열고, 또한 황산 함유액용 분기 배관 (82) 용의 배액 분기 밸브 (85) 및 세정 약액용 분기 배관 (83) 용의 배액 분기 밸브 (85) 를 닫음으로써, 배기액 배관 (81) 을 통과하는 액체의 유통지가 물용 분기 배관 (84) 에 설정되어 있다. 그 때문에, 제전 공정 (S2) 에서는, 배기액 배관 (81) 으로 유도된 탄산수는, 물용 분기 배관 (84) 을 통과하여, 탄산수를 배액 처리하기 위한 처리 장치 (도시하지 않음) 로 유도된다. 전회의 레지스트 제거 처리시에 사용한 IPA 의 액적이 제 1 가드 (71) 의 내벽이나 제 1 배액홈 (80), 배기액 배관 (81) 의 관벽에 부착되어 있는 경우에는, 이 IPA 의 액적이 탄산수에 의해 씻겨내어진다.The carbonated water supplied to the upper surface of the substrate W is scattered toward the side of the substrate W from the periphery of the substrate W and is received by the inner wall of the first guard 71. [ The carbonated water flowing down the inner wall of the first guard 71 is collected in the first drainage groove 80 and then guided to the exhaust liquid pipe 81. In the elimination step S2, the drain valve 85 for the water branch pipe 84 is opened and the drain valve 85 for the sulfuric acid-containing liquid branch pipe 82 and the branch pipe 83 for the cleaning chemical liquid, The distribution pipe for the liquid passing through the exhaust liquid pipe 81 is set in the branch pipe for water 84 by closing the drain valve 81 for drain. Therefore, in the elimination step S2, the carbonated water led to the exhaust liquid pipe 81 passes through the water branch pipe 84 and is led to a treatment device (not shown) for draining the carbonated water. When the droplet of the IPA used in the previous resist removing process is attached to the inner wall of the first guard 71 and the wall of the first drainage groove 80 and the exhaust liquid pipe 81, . ≪ / RTI >

기판 (W) 의 상면으로의 탄산수의 공급에 의해, 기판 (W) 상의 상면에 탄산수의 액막이 형성된다. 탄산수의 액막이 기판 (W) 의 상면에 접액함으로써, 스핀 척 (5) 에 유지되고 있는 기판 (W) 이 제전된다. 이 실시형태에서는, 제전 공정 (S2) 이 제 1 물 치환 공정 (T1) 을 포함하므로, 제 1 물 치환 공정 (T1) 을, 제전 공정 (S2) 과 다른 타이밍으로 실시하는 경우와 비교하여, 레지스트 제거 처리 전체의 처리 시간을 단축할 수 있다.A carbonic acid water film is formed on the upper surface of the substrate W by the supply of the carbonic acid water to the upper surface of the substrate W. A liquid film of carbonated water contacts the upper surface of the substrate W, whereby the substrate W held by the spin chuck 5 is discharged. In this embodiment, since the discharging step (S2) includes the first water replacing step (T1), as compared with the case where the first water replacing step (T1) is carried out at a timing different from the discharging step (S2) The processing time of the entire removal processing can be shortened.

그리고, 탄산수의 토출 개시부터 소정 시간이 경과하면, 제어 장치 (3) 는, 도 5b 에 나타내는 바와 같이, 제 2 물 밸브 (57) 를 연 상태로 유지하면서 제 1 물 밸브 (46) 를 닫아, 제 2 노즐 (11) 로부터의 탄산수의 토출을 유지하면서 제 1 노즐 (9) 로부터의 탄산수의 토출을 정지시킨다.5B, the control device 3 closes the first water valve 46 while keeping the second water valve 57 in the open state, The discharge of the carbonated water from the first nozzle 9 is stopped while the discharge of the carbonated water from the second nozzle 11 is maintained.

제 1 노즐 (9) 로부터의 탄산수의 토출 정지 후, 유기 용제 배관 (34) 중의 탄산수를 흡인하는 제 1 물 흡인 공정 (T2) (제 1 흡인 공정) 이 실행된다. 이 제 1 물 흡인 공정 (T2) 은, 제 1 물 치환 공정 (T1) 후에 유기 용제 배관 (34) 의 내부에 존재하고 있는 탄산수를, 흡인 유닛 (55) 에 의해 흡인하는 것이다.After the discharge of the carbonic acid water from the first nozzle 9 is stopped, the first water suction step T2 (first suction step) for sucking the carbonic acid water in the organic solvent pipe 34 is executed. The first water sucking step T2 sucks carbonated water existing in the organic solvent pipe 34 after the first water replacement step T1 by the suction unit 55. [

구체적으로는, 제어 장치 (3) 는, 제 1 물 치환 공정 (T1) 의 종료 후, 제 2 유기 용제 밸브 (36) 를 열고 또한 제 1 유기 용제 밸브 (35) 및 제 1 물 밸브 (46) 를 닫으면서, 흡인 밸브 (51) 를 연다. 이에 따라, 유기 용제 하류측 부분 (40) 및 물 하류측 부분 (50) 의 내부가 배기되고, 도 5b 에 나타내는 바와 같이, 유기 용제 하류측 부분 (40) 및 물 하류측 부분 (50) 에 존재하고 있는 탄산수가, 흡인 배관 (49) 으로 인입된다 (흡인). 탄산수의 흡인은, 탄산수의 선단면이 배관 내의 소정의 대기 위치 (예를 들어 흡인 배관 (49) 또는 물 하류측 부분 (50) 에 설정) 로 후퇴할 때까지 실시된다. 탄산수의 선단면이, 대기 위치까지 후퇴하면, 제어 장치 (3) 는 흡인 밸브 (51) 를 닫는다. 이에 따라, 제 1 물 치환 공정 (T1) 이 종료한다.Specifically, the control device 3 opens the second organic solvent valve 36 and the first organic solvent valve 35 and the first water valve 46 after the completion of the first water replacement step (T1) The suction valve 51 is opened. As a result, the interior of the downstream portion 40 of the organic solvent and the downstream portion 50 of the water are exhausted and are present in the organic solvent downstream portion 40 and the water downstream portion 50 as shown in Fig. Is sucked into the suction pipe 49 (suction). The suction of the carbonated water is performed until the front end face of the carbonated water retreats to a predetermined standby position (for example, set in the suction pipe 49 or the water downstream portion 50) in the pipe. When the front end face of the carbonated water retreats to the standby position, the control device 3 closes the suction valve 51. Thereby, the first water replacement step (T1) ends.

제 1 물 치환 공정 (T1) 의 종료 후에 제 1 물 흡인 공정 (T2) 이 실행됨으로써, 제 1 물 흡인 공정 (T2) 의 실행 후에는, 유기 용제 배관 (34) 의 내부에 탄산수가 존재하지 않는다. 이에 따라, 제 1 물 치환 공정 (T1) 의 종료 후에 있어서의 제 1 노즐 (9) 로부터의 탄산수의 액떨어짐을 억제 또는 방지할 수 있다.The first water sucking step T2 is performed after the completion of the first water substitution step T1 so that there is no carbonated water in the organic solvent pipe 34 after the first water sucking step T2 is executed . Thus, the drop of the carbonated water from the first nozzle 9 after the completion of the first water replacement step (T1) can be suppressed or prevented.

탄산수의 토출 개시부터 소정 시간이 경과하면, 제어 장치 (3) 는, 제 1 물 밸브 (46) 를 닫아, 제 2 노즐 (11) 로부터의 탄산수의 토출을 정지시킨다. 이에 따라, 제전 공정 (S2) 이 종료한다.When a predetermined time has elapsed from the start of the discharge of the carbonic acid water, the control device 3 closes the first water valve 46 to stop the discharge of the carbonic acid water from the second nozzle 11. Thereby, the discharging step S2 is completed.

또, 이 실시형태에서는, 제 1 물 흡인 공정 (T2) 과, 제전 공정 (S2) 의 일부 (제 2 노즐 (9) 로부터의 탄산수의 토출) 를 병행하여 실시하므로, 제 1 물 흡인 공정 (T2) 을, 제전 공정 (S2) 의 종료 후에 별도 실시하는 경우와 비교하여, 레지스트 제거 처리 전체의 처리 시간을 단축할 수 있다.In this embodiment, the first water sucking step T2 and the part of the discharging step S2 (discharging the carbonic acid water from the second nozzle 9) are performed in parallel, so that the first water sucking step T2 Can be shortened as compared with the case where the resist removal process is performed separately after the end of the erasing process (S2).

이어서, 제어 장치 (3) 는, 고온의 SPM 을 기판 (W) 의 상면에 공급하는 황산 함유액 공정 (제 2 처리 공정. 도 4 의 스텝 S3) 을 실시한다. 황산 함유액 공정 (S3) 에서는, 기판 (W) 의 표면으로부터 레지스트를 박리하기 위해서, 제어 장치 (3) 는, 황산 함유액 노즐 (60) 로부터의 고온의 SPM 을, 기판 (W) 의 상면 중앙부에 공급한다.Subsequently, the control device 3 performs a sulfuric acid-containing liquid process (a second process step, step S3 in FIG. 4) for supplying the high-temperature SPM to the upper surface of the substrate W. In the sulfuric acid-containing liquid process S3, in order to peel off the resist from the surface of the substrate W, the controller 3 controls the high-temperature SPM from the sulfuric acid-containing liquid nozzle 60, .

구체적으로는, 황산 함유액 공정 (S3) 에 있어서, 제어 장치 (3) 는, 제 1 노즐 이동 유닛 (63) 을 제어함으로써, 황산 함유액 노즐 (60) 을 퇴피 위치에서 중앙 위치로 이동시킨다. 이에 따라, 황산 함유액 노즐 (60) 이 기판 (W) 의 중앙부의 상방에 배치된다. 그 후, 제어 장치 (3) 는, 황산 함유액 밸브 (62) 를 연다. 이에 따라, 고온 (예를 들어 약 170 ℃ ∼ 약 200 ℃) 의 SPM 이 황산 함유액 배관 (61) 으로부터 황산 함유액 노즐 (60) 에 공급되고, 이 황산 함유액 노즐 (60) 의 토출구로부터 고온의 SPM 이 토출된다. 황산 함유액 노즐 (60) 로부터 토출된 고온의 SPM 은, 기판 (W) 의 상면의 중앙부에 착액하고, 기판 (W) 의 회전에 의한 원심력을 받아, 기판 (W) 의 상면을 따라 외방으로 흐른다. 이에 따라, 도 5c 에 나타내는 바와 같이, 기판 (W) 의 상면 전역이 SPM 의 액막에 의해 덮인다. 고온의 SPM 에 의해, 기판 (W) 의 표면으로부터 레지스트가 박리되어, 당해 기판 (W) 의 표면으로부터 제거된다.Specifically, in the sulfuric acid-containing liquid process (S3), the controller 3 controls the first nozzle moving unit 63 to move the sulfuric acid-containing liquid nozzle 60 from the retreat position to the center position. Accordingly, the sulfuric acid-containing liquid nozzle 60 is disposed above the central portion of the substrate W. Thereafter, the control device 3 opens the sulfuric acid-containing liquid valve 62. Accordingly, the SPM at a high temperature (for example, about 170 ° C to about 200 ° C) is supplied from the sulfuric acid-containing liquid pipe 61 to the sulfuric acid-containing liquid nozzle 60, Of SPM is discharged. The high temperature SPM discharged from the sulfuric acid containing liquid nozzle 60 flows into the central portion of the upper surface of the substrate W and flows outward along the upper surface of the substrate W under the centrifugal force due to the rotation of the substrate W . Thus, as shown in Fig. 5C, the entire upper surface of the substrate W is covered with the liquid film of the SPM. The resist is peeled from the surface of the substrate W by the high temperature SPM and is removed from the surface of the substrate W. [

기판 (W) 의 상면에 공급된 SPM 은, 기판 (W) 의 둘레가장자리부로부터 기판 (W) 의 측방을 향해서 비산하고, 제 1 가드 (71) 의 내벽에 받아내어진다. 그리고, 제 1 가드 (71) 의 내벽을 타고 흘러내리는 SPM 은, 제 1 배액홈 (80) 에 모아진 후 배기액 배관 (81) 으로 유도된다. 황산 함유액 공정 (S3) 에서는, 황산 함유액용 분기 배관 (82) 용의 배액 분기 밸브 (85) 를 열고, 또한 세정 약액용 분기 배관 (83) 용의 배액 분기 밸브 (85) 및 물용 분기 배관 (84) 용의 배액 분기 밸브 (85) 를 닫음으로써, 배기액 배관 (81) 을 통과하는 액체의 유통지가 황산 함유액용 분기 배관 (82) 에 설정되어 있다. 그 때문에, 제전 공정 (S2) 에서는, 배기액 배관 (81) 으로 유도된 SPM 은, 황산 함유액용 분기 배관 (82) 을 통과하여, 황산 함유액을 배액 처리하기 위한 처리 장치 (도시하지 않음) 로 유도된다. 그 때문에, 황산 함유액 공정 (S3) 후에는, 제 1 가드 (71) 의 내벽이나 제 1 배액홈 (80), 배기액 배관 (81) 의 관벽에 SPM 의 액적이 부착되어 있다.The SPM supplied to the upper surface of the substrate W is scattered toward the side of the substrate W from the peripheral edge of the substrate W and is received by the inner wall of the first guard 71. [ The SPM flowing down the inner wall of the first guard 71 is collected in the first drainage groove 80 and then guided to the exhaust liquid pipe 81. In the sulfuric acid-containing liquid process (S3), the liquid separation valve 85 for the sulfuric acid-containing liquid branch pipe 82 is opened and the liquid separation valve 85 for the cleaning liquid branch pipe 83 and the branch pipe for water 84 is closed to set the flow path of the liquid passing through the exhaust liquid pipe 81 to the branch pipe 82 for sulfuric acid-containing liquid. Therefore, in the elimination step S2, the SPM induced in the exhaust liquid pipe 81 passes through the sulfuric acid-containing liquid branch pipe 82 and is discharged to a treatment device (not shown) for draining the sulfuric acid- . Therefore, after the sulfuric acid-containing liquid process (S3), SPM droplets are attached to the inner wall of the first guard 71, the first drainage groove 80, and the pipe wall of the exhaust liquid pipe 81.

황산 함유액 공정 (S3) 에서는, 고온의 SPM 의 기판 (W) 으로의 공급에 의해, 기판 (W) 의 상면의 주위에 대량의 SPM 의 미스트가 발생한다. 황산 함유액 공정 (S3) 에서는, 차단판 (26) 및 중심축 노즐 (29) 은 퇴피 위치 (예를 들어, 차단판 (26) 의 기판 대향면 (6) 이 스핀 베이스 (24) 의 상면으로부터 상방으로 충분한 간격 (예를 들어 약 150 ㎜) 을 두고 있는 것이지만, 황산 함유액 공정 (S3) 에 있어서 사용되는 SPM 이 매우 고온 (예를 들어 약 170 ℃ ∼ 약 200 ℃) 이기 때문에, 황산 함유액 공정 (S3) 에서는 대량의 SPM 의 미스트가 발생하고, 그 결과, 이 SPM 의 미스트가 제 1 토출구 (8) 로부터 유기 용제 배관 (34) 의 내부에 들어가고, 유기 용제 배관 (34) 의 내부에 (깊숙하게) 진입한다.In the sulfuric acid-containing liquid process (S3), a large amount of SPM mist is generated around the upper surface of the substrate (W) by supplying the high-temperature SPM to the substrate (W). In the sulfuric acid-containing liquid process S3, the blocking plate 26 and the central axis nozzle 29 are moved from the upper surface of the spin base 24 to the retreating position (for example, the substrate opposing surface 6 of the blocking plate 26) The SPM used in the sulfuric acid-containing liquid process (S3) is at a very high temperature (for example, about 170 DEG C to about 200 DEG C) A large amount of mist of the SPM is generated in the step S3 so that the mist of the SPM enters the interior of the organic solvent pipe 34 from the first discharge port 8 and flows into the organic solvent pipe 34 Deep).

이 경우, 전회의 레지스트 제거 처리에서 사용된 IPA 가 유기 용제 배관 (34) 의 내부에 잔존하고 있으면 (유기 용제 배관 (34) 의 내부에 대한 IPA 의 액적의 부착도 포함한다), 황산 함유액 공정 (S3) 에 있어서, 유기 용제 배관 (34) 내에 진입한 SPM 의 미스트가, 유기 용제 배관 (34) 의 내부에서 IPA 와 접촉할 우려가 있다. 유기 용제 배관 (34) 의 내부에서 SPM 의 미스트가 IPA 와 접촉하면 파티클이 발생하고, 유기 용제 배관 (34) 의 내부가 파티클 발생원이 될 우려가 있다.In this case, if the IPA used in the previous resist removal process remains in the organic solvent pipe 34 (including the attachment of the IPA droplet to the inside of the organic solvent pipe 34), the sulfuric acid- There is a fear that the mist of the SPM which has entered the organic solvent pipe 34 in the step S3 is in contact with the IPA in the organic solvent pipe 34. [ Particles may be generated when the mist of the SPM comes into contact with the IPA in the organic solvent pipe 34, and the inside of the organic solvent pipe 34 may be a particle generation source.

그러나, 이 실시형태에서는, 황산 함유액 공정 (S3) 에 앞서 제 1 물 치환 공정 (T1) 을 실행하고 있기 때문에, 황산 함유액 공정 (S3) 의 개시시에는, 유기 용제 배관 (34) 의 내부에 IPA 는 잔류하고 있지 않다. 따라서, 황산 함유액 공정 (S3) 에 있어서 SPM 의 미스트가 유기 용제 배관 (34) 내에 진입해도, 유기 용제 배관 (34) 의 내부에서 IPA 와 접촉하지 않는다. 그 때문에, 황산 함유액 공정 (S3) 에 있어서 IPA 와 SPM 의 접촉을 방지할 수 있고, 이에 따라, 유기 용제 배관 (34) 의 내부가 파티클 발생원이 되는 것을 억제 또는 방지할 수 있다.However, in this embodiment, since the first water replacement step (T1) is performed before the sulfuric acid containing solution step (S3), at the start of the sulfuric acid containing solution step (S3), the inside of the organic solvent pipe IPA is not remaining. Therefore, even if the mist of the SPM enters the organic solvent pipe 34 in the sulfuric acid-containing solution process (S3), the organic solvent pipe 34 does not contact the IPA inside the organic solvent pipe 34. Therefore, it is possible to prevent contact between the IPA and the SPM in the sulfuric acid-containing liquid process (S3), thereby preventing or preventing the inside of the organic solvent pipe 34 from becoming a particle generation source.

황산 함유액 공정 (S3) 에 있어서, 고온의 SPM 의 토출 개시부터 미리 정하는 기간이 경과하면, 황산 함유액 공정 (S3) 이 종료한다. 구체적으로는, 제어 장치 (3) 는, 황산 함유액 밸브 (62) 를 닫아, 황산 함유액 노즐 (60) 로부터의 고온의 SPM 의 토출을 정지시키고, 그 후, 제 1 노즐 이동 유닛 (63) 을 제어하여, 황산 함유액 노즐 (60) 을 퇴피 위치까지 퇴피시킨다.In the sulfuric acid-containing liquid process (S3), when the predetermined period has elapsed from the start of discharge of the high-temperature SPM, the sulfuric acid-containing liquid process (S3) ends. Specifically, the control device 3 closes the sulfuric acid-containing liquid valve 62, stops the discharge of the high-temperature SPM from the sulfuric acid-containing liquid nozzle 60, To thereby return the sulfuric acid-containing liquid nozzle 60 to the retreat position.

이어서, 린스액으로서의 탄산수를 기판 (W) 의 상면에 공급하는 제 1 린스 공정 (도 4 의 스텝 S4) 이 실시된다. 구체적으로는, 제어 장치 (3) 는, 제 2 물 밸브 (57) 를 연다. 이에 따라, 도 5d 에 나타내는 바와 같이, 제 2 노즐 (11) 의 제 2 토출구 (10) 로부터, 기판 (W) 의 상면 중앙부를 향해서 탄산수가 토출된다. 제 2 노즐 (11) 로부터 토출된 탄산수는, 기판 (W) 의 상면 중앙부에 착액하고, 기판 (W) 의 회전에 의한 원심력을 받아 기판 (W) 의 상면 위를 기판 (W) 의 둘레가장자리부를 향해서 흐른다.Subsequently, a first rinsing step (step S4 in Fig. 4) for supplying carbonic acid water as a rinsing liquid to the upper surface of the substrate W is carried out. Specifically, the control device 3 opens the second water valve 57. [ 5D, carbonated water is discharged from the second discharge port 10 of the second nozzle 11 toward the center of the upper surface of the substrate W. As a result, The carbonated water discharged from the second nozzle 11 is mixed with the central portion of the upper surface of the substrate W and is subjected to the centrifugal force by the rotation of the substrate W to be placed on the upper surface of the substrate W, It flows toward.

또, 이 실시형태에서는, 제 1 린스 공정 (S4) 은, 제 2 노즐 (11) 로부터의 탄산수의 토출 뿐만 아니라, 아울러, 제 1 노즐 (9) 의 제 1 토출구 (8) 로부터 탄산수를 토출함으로써 실현된다. 요컨대, 제 1 린스 공정 (S4) 은, 제 2 노즐 (11) 로부터의 탄산수의 토출에 병행하여, 유기 용제 배관 (34) 의 내부를 탄산수로 치환하는 제 2 물 치환 공정 (T3) 을 포함한다. 구체적으로는, 제어 장치 (3) 는, 제 1 린스 공정 (S4) 의 개시와 동기하여, 제 2 유기 용제 밸브 (36) 를 열고 또한 제 1 유기 용제 밸브 (35) 및 흡인 밸브 (51) 를 닫으면서, 제 1 물 밸브 (46) 를 연다. 이에 따라, 제 1 물 배관 (39) 으로부터의 탄산수가, 유기 용제 하류측 부분 (40) 에 공급되고, 유기 용제 하류측 부분 (40) 의 내벽에 부착되어 있는 SPM 의 액적이 탄산수에 의해 치환된다. 유기 용제 하류측 부분 (40) 에 공급된 탄산수는, 제 1 노즐 (9) 로부터 토출되어 기판 (W) 의 상면 중앙부에 착액하고, 기판 (W) 의 회전에 의한 원심력을 받아 기판 (W) 의 상면 위를 기판 (W) 의 둘레가장자리부를 향해서 흐른다.In this embodiment, the first rinsing step (S4) is not only the discharge of the carbonated water from the second nozzle 11, but also the discharge of the carbonated water from the first discharge port 8 of the first nozzle 9 . In short, the first rinsing step S4 includes a second water replacement step (T3) for replacing the inside of the organic solvent pipe 34 with carbonated water in parallel with the discharge of the carbonated water from the second nozzle 11 . Concretely, the control device 3 opens the second organic solvent valve 36 and the first organic solvent valve 35 and the suction valve 51 in synchronization with the start of the first rinsing step (S4) The first water valve 46 is opened. The carbonic acid water from the first water pipe 39 is supplied to the organic solvent downstream side portion 40 and the droplet of the SPM attached to the inner wall of the organic solvent downstream side portion 40 is replaced by the carbonated water . The carbonated water supplied to the organic solvent downstream side portion 40 is discharged from the first nozzle 9 and is adhered to the center portion of the upper surface of the substrate W. The carbonated water is supplied to the downstream side And flows on the upper surface toward the periphery of the substrate W.

기판 (W) 의 상면에 공급된 탄산수는, 기판 (W) 의 둘레가장자리부로부터 기판 (W) 의 측방을 향해서 비산하고, 제 1 가드 (71) 의 내벽에 받아내어진다. 그리고, 제 1 가드 (71) 의 내벽을 타고 흘러내리는 탄산수는, 제 1 배액홈 (80) 에 모아진 후 배기액 배관 (81) 으로 유도된다. 제 1 린스 공정 (S4) 에서는, 물용 분기 배관 (84) 용의 배액 분기 밸브 (85) 를 열고, 또한 황산 함유액용 분기 배관 (82) 용의 배액 분기 밸브 (85) 및 세정 약액용 분기 배관 (83) 용의 배액 분기 밸브 (85) 를 닫음으로써, 배기액 배관 (81) 을 통과하는 액체의 유통지가 물용 분기 배관 (84) 에 설정되어 있다. 그 때문에, 배기액 배관 (81) 으로 유도된 탄산수는, 물용 분기 배관 (84) 을 통과하여, 물을 배액 처리하기 위한 처리 장치 (도시하지 않음) 로 유도된다. 황산 함유액 공정 (S3) 에 있어서 사용한 SPM 의 액적이 제 1 가드 (71) 의 내벽이나 제 1 배액홈 (80), 배기액 배관 (81) 의 관벽에 부착되어 있는 경우에는, 이 SPM 의 액적이 탄산수에 의해 씻겨내어진다.The carbonated water supplied to the upper surface of the substrate W is scattered toward the side of the substrate W from the periphery of the substrate W and is received by the inner wall of the first guard 71. [ The carbonated water flowing down the inner wall of the first guard 71 is collected in the first drainage groove 80 and then guided to the exhaust liquid pipe 81. In the first rinsing step (S4), the drain branching valve 85 for the water branch pipe 84 is opened and the drainage branch valve 85 for the sulfuric acid-containing liquid branch pipe 82 and the branch pipe for the cleaning chemical liquid 83) is closed so that the flow path of the liquid passing through the exhaust liquid pipe 81 is set in the branch pipe 84 for the water. Therefore, the carbonated water led to the exhaust liquid pipe 81 passes through the water branch pipe 84 and is led to a treatment device (not shown) for draining the water. When the SPM droplets used in the sulfuric acid-containing liquid process (S3) are attached to the inner wall of the first guard 71, the first drainage groove 80, and the pipe wall of the exhaust liquid pipe 81, The enemy is washed away with carbonated water.

기판 (W) 의 상면에 공급되는 탄산수에 의해, 기판 (W) 상의 SPM 이 외방으로 밀려흘러가고, 기판 (W) 의 주위에 배출되고, 기판 (W) 상의 SPM 의 액막이, 기판 (W) 의 상면 전역을 덮는 탄산수의 액막으로 치환된다. 즉, 린스액으로서의 탄산수에 의해, 기판 (W) 의 상면으로부터 SPM 씻겨내어진다. 그리고, 탄산수의 토출 개시부터 소정 시간이 경과하면, 제어 장치 (3) 는, 제 1 물 밸브 (46) 및 제 2 물 밸브 (57) 를 각각 닫아, 제 1 노즐 (9) 및 제 2 노즐 (11) 로부터의 탄산수의 토출을 정지시킨다. 이에 따라, 제 1 린스 공정이 종료된다.The SPM on the substrate W flows out and flows around the substrate W by the carbonated water supplied to the upper surface of the substrate W and the liquid film of the SPM on the substrate W is discharged onto the substrate W, And is replaced with a liquid film of carbonated water covering the entire upper surface. That is, the SPM is washed away from the upper surface of the substrate W by the carbonic acid water as the rinsing liquid. The control device 3 closes the first water valve 46 and the second water valve 57 so that the first nozzle 9 and the second nozzle 11 to stop the discharge of the carbonic acid water. Thereby, the first rinsing step is finished.

또, 이 실시형태에서는, 제 1 린스 공정 (S4) 이 제 2 물 치환 공정 (T3) 을 포함하므로, 제 1 물 치환 공정 (T1) 을, 제 1 린스 공정 (S4) 과 다른 타이밍으로 실시하는 경우와 비교하여, 레지스트 제거 처리 전체의 처리 시간을 단축할 수 있다.In this embodiment, since the first rinsing step (S4) includes the second water replacement step (T3), the first water replacement step (T1) is performed at a timing different from the first rinsing step (S4) The processing time of the entire resist removal process can be shortened.

또, 제 1 린스 공정 (S4) 에 있어서, 제 1 노즐 (9) 로부터의 탄산수의 토출 정지와, 제 2 노즐 (11) 로부터의 탄산수의 토출 정지를 동기시킬 필요는 없고, 제 1 노즐 (9) 로부터의 탄산수의 토출 정지를, 제 2 노즐 (11) 로부터의 탄산수의 토출 정지에 앞서 실시하도록 해도 된다.It is not necessary to synchronize the discharge stop of the carbonated water from the first nozzle 9 and the discharge stop of the carbonated water from the second nozzle 11 in the first rinse process S4, May be performed before the discharge of the carbonic acid water from the second nozzle 11 is stopped.

제 1 노즐 (9) 및 제 2 노즐 (11) 로부터의 탄산수의 토출 정지 후, 제어 장치 (3) 는, SC1 을 기판 (W) 의 상면에 공급하는 세정 약액 공정 (제 1 처리 공정. 도 4 의 스텝 S5) 을 실시한다. 세정 약액 공정 (S5) 에서는, 황산 함유액 공정 (S3) 후에 기판 (W) 의 표면에 존재하는 레지스트 잔류물을 기판 (W) 의 표면으로부터 제거하기 위해서, 제어 장치 (3) 는, 세정 약액 노즐 (65) 로부터의 SC1 을, 기판 (W) 의 상면에 공급한다.After stopping the discharge of the carbonated water from the first nozzle 9 and the second nozzle 11, the control device 3 performs the cleaning chemical solution process (first process step in which SC1 is supplied to the upper surface of the substrate W Step S5 of FIG. In order to remove resist residues present on the surface of the substrate W from the surface of the substrate W after the sulfuric acid-containing solution process (S3) in the cleaning chemical solution process (S5), the control device (3) (SC1) from the substrate (65) to the upper surface of the substrate (W).

구체적으로는, 세정 약액 공정 (S5) 에 있어서, 제어 장치 (3) 는, 제 2 노즐 이동 유닛 (68) 을 제어함으로써, 세정 약액 노즐 (65) 을 퇴피 위치로부터 처리 위치로 이동시킨다. 그 후, 제어 장치 (3) 는, 세정 약액 밸브 (67) 를 연다. 이에 따라, 도 5e 에 나타내는 바와 같이, 세정 약액 배관 (66) 으로부터 세정 약액 노즐 (65) 에 SC1 이 공급되고, 세정 약액 노즐 (65) 의 토출구로부터 SC1 이 토출된다. 또, 제어 장치 (3) 는, 세정 약액 노즐 (65) 로부터의 SC1 의 토출에 병행하여, 제 2 노즐 이동 유닛 (68) 을 제어하여, 세정 약액 노즐 (65) 을 중앙 위치와 둘레 가장자리 위치의 사이에서 왕복 이동시킨다 (하프 스캔). 이에 따라, 세정 약액 노즐 (65) 로부터의 SC1 의 착액 위치를, 기판 (W) 의 상면 중앙부와 기판 (W) 의 상면 둘레가장자리부의 사이에서 왕복 이동시킬 수 있고, 이에 따라, SC1 의 착액 위치를, 기판 (W) 의 상면의 전역을 주사시킬 수 있다. 기판 (W) 의 상면에 SC1 이 공급됨으로써, 레지스트 잔류물을, 기판 (W) 의 표면으로부터 제거할 수 있다.Specifically, in the cleaning chemical liquid process S5, the control device 3 moves the cleaning liquid nozzle 65 from the retreat position to the processing position by controlling the second nozzle moving unit 68. [ Thereafter, the control device 3 opens the cleaning liquid valve 67. 5E, SC1 is supplied to the cleaning solution nozzle 65 from the cleaning solution piping 66, and SC1 is ejected from the ejection port of the cleaning solution nozzle 65. As shown in Fig. The control device 3 controls the second nozzle moving unit 68 in parallel with the discharge of the SC1 from the cleaning solution nozzle 65 so as to move the cleaning solution nozzle 65 in the center position and the peripheral edge position (Half scan). This makes it possible to reciprocate the SC1 molten bonding position from the cleaning solution nozzle 65 between the central portion of the upper surface of the substrate W and the upper surface peripheral portion of the substrate W. As a result, , The whole area of the upper surface of the substrate W can be scanned. SC1 is supplied to the upper surface of the substrate W so that the resist residues can be removed from the surface of the substrate W. [

기판 (W) 의 상면에 공급된 SC1 은, 기판 (W) 의 둘레가장자리부로부터 기판 (W) 의 측방을 향해서 비산하고, 제 1 가드 (71) 의 내벽에 받아내어진다. 그리고, 제 1 가드 (71) 의 내벽을 타고 흘러내리는 SC1 은, 제 1 배액홈 (80) 에 모아진 후 배기액 배관 (81) 으로 유도된다. 세정 약액 공정 (S5) 에서는, 세정 약액용 분기 배관 (83) 용의 배액 분기 밸브 (85) 를 열고, 또한 황산 함유액용 분기 배관 (82) 용의 배액 분기 밸브 (85) 및 물용 분기 배관 (84) 용의 배액 분기 밸브 (85) 를 닫음으로써, 배기액 배관 (81) 을 통과하는 액체의 유통지가 세정 약액용 분기 배관 (83) 에 설정되어 있다. 그 때문에, 배기액 배관 (81) 으로 유도된 SC1 은, 세정 약액용 분기 배관 (83) 을 통하여, 세정 약액을 배액 처리하기 위한 처리 장치 (도시하지 않음) 로 유도된다.The SC1 supplied to the upper surface of the substrate W is scattered toward the side of the substrate W from the peripheral edge of the substrate W and is received by the inner wall of the first guard 71. [ SC1 flowing down on the inner wall of the first guard 71 is collected in the first drainage groove 80 and then guided to the exhaust liquid pipe 81. [ In the cleaning chemical liquid process S5, the liquid separation valve 85 for the cleaning chemical liquid branch pipe 83 is opened and the liquid separation valve 85 for the sulfuric acid-containing liquid branch pipe 82 and the branch pipe 84 for water Is closed in the branch piping 83 for the cleaning chemical liquid through the exhaust liquid piping 81 by closing the drain fluid branching valve 85 for the cleaning liquid. Therefore, SC1 induced in the exhaust liquid pipe 81 is led to a treatment device (not shown) for draining the cleaning solution through the branch pipe 83 for the cleaning chemical solution.

또, 세정 약액 공정 (S5) 에 병행하여, 유기 용제 배관 (34) 중의 탄산수를 흡인하는 제 2 물 흡인 공정 (T4) (제 1 흡인 공정) 이 실행된다. 이 제 2 물 흡인 공정 (T4) 은, 유기 용제 공정 (S7) 후에 유기 용제 배관 (34) 의 내부에 존재하고 있는 탄산수를, 흡인 유닛 (55) 에 의해 흡인하는 것이다.In parallel with the washing chemical solution step S5, a second water suction step T4 (first suction step) for sucking carbonated water in the organic solvent pipe 34 is carried out. The second water sucking step T4 sucks carbonated water existing in the organic solvent pipe 34 after the organic solvent step S7 by the suction unit 55. [

구체적으로는, 제어 장치 (3) 는, 제 2 물 치환 공정 (T3) 의 종료 후, 제 2 유기 용제 밸브 (36) 를 열고 또한 제 1 유기 용제 밸브 (35) 및 제 1 물 밸브 (46) 를 닫으면서, 흡인 밸브 (51) 를 연다. 이에 따라, 유기 용제 하류측 부분 (40) 및 물 하류측 부분 (50) 의 내부가 배기되고, 도 5e 에 나타내는 바와 같이, 유기 용제 하류측 부분 (40) 및 물 하류측 부분 (50) 에 존재하고 있는 탄산수가, 흡인 배관 (49) 으로 인입된다 (흡인). 탄산수의 흡인은, 탄산수의 선단면이 배관 내의 소정의 대기 위치 (예를 들어 흡인 배관 (49) 또는 물 하류측 부분 (50) 에 설정) 로 후퇴할 때까지 실시된다. 탄산수의 선단면이, 대기 위치까지 후퇴하면, 제어 장치 (3) 는 흡인 밸브 (51) 를 닫는다. 이에 따라, 제 2 물 흡인 공정 (T4) 이 종료한다.Specifically, after the completion of the second water replacement step (T3), the controller 3 opens the second organic solvent valve 36 and opens the first organic solvent valve 35 and the first water valve 46, The suction valve 51 is opened. Thus, the interior of the downstream portion 40 of the organic solvent and the downstream portion 50 of the water are exhausted and are present in the organic solvent downstream portion 40 and the water downstream portion 50 as shown in FIG. 5E Is sucked into the suction pipe 49 (suction). The suction of the carbonated water is performed until the front end face of the carbonated water retreats to a predetermined standby position (for example, set in the suction pipe 49 or the water downstream portion 50) in the pipe. When the front end face of the carbonated water retreats to the standby position, the control device 3 closes the suction valve 51. Thus, the second water sucking step (T4) ends.

제 2 물 치환 공정 (T3) 의 종료 후에 제 2 물 흡인 공정 (T4) 이 실행됨으로써, 제 2 물 흡인 공정 (T4) 의 실행 후에는, 유기 용제 배관 (34) 의 내부에 탄산수가 존재하지 않는다. 이에 따라, 제 2 물 치환 공정 (T3) 의 종료 후에 있어서의 제 1 노즐 (9) 로부터의 탄산수의 액떨어짐을 억제 또는 방지할 수 있다.The second water sucking step T4 is performed after the end of the second water replacement step T3 so that there is no carbonated water inside the organic solvent pipe 34 after the second water suction step T4 . Accordingly, the drop of the carbonic acid water from the first nozzle 9 after the completion of the second water replacement step (T3) can be suppressed or prevented.

또, 이 실시형태에서는, 제 2 물 흡인 공정 (T4) 을, 세정 약액 공정 (S5) 에 병행하여 실행하므로, 제 2 물 흡인 공정 (T4) 을, 세정 약액 공정 (S5) 과 다른 타이밍으로 실시하는 경우와 비교하여, 레지스트 제거 처리 전체의 처리 시간을 단축할 수 있다.In this embodiment, the second water suction step (T4) is executed in parallel with the cleaning chemical solution step (S5), so that the second water suction step (T4) is performed at a timing different from the cleaning chemical solution step (S5) It is possible to shorten the processing time of the entire resist removing process.

SC1 의 토출 개시부터 미리 정하는 기간이 경과하면, 세정 약액 공정 (S5) 이 종료한다. 구체적으로는, 제어 장치 (3) 는, 세정 약액 밸브 (67) 를 닫아, 세정 약액 노즐 (65) 로부터의 SC1 의 토출을 정지시키고, 그 후, 제 2 노즐 이동 유닛 (68) 을 제어하여, 세정 약액 노즐 (65) 을 퇴피 위치까지 퇴피시킨다.When the predetermined period has elapsed from the start of the discharge of SC1, the cleaning chemical solution process (S5) ends. Specifically, the control device 3 closes the cleaning liquid valve 67, stops the discharge of the SC1 from the cleaning liquid nozzle 65, and thereafter controls the second nozzle moving unit 68, The cleaning solution nozzle 65 is retracted to the retreat position.

이어서, 린스액으로서의 탄산수를 기판 (W) 의 상면에 공급하는 제 2 린스 공정 (도 4 의 스텝 S6) 이 실시된다. 구체적으로는, 제어 장치 (3) 는, 제 2 물 밸브 (57) 를 연다. 이에 따라, 도 5f 에 나타내는 바와 같이, 제 2 노즐 (11) 의 제 2 토출구 (10) 로부터, 기판 (W) 의 상면 중앙부를 향해서 탄산수가 토출된다. 제 2 노즐 (11) 로부터 토출된 탄산수는, 기판 (W) 의 상면 중앙부에 착액하고, 기판 (W) 의 회전에 의한 원심력을 받아 기판 (W) 의 상면 위를 기판 (W) 의 둘레가장자리부를 향해서 흐른다.Subsequently, a second rinsing step (step S6 in Fig. 4) of supplying carbonic acid water as a rinsing liquid to the upper surface of the substrate W is carried out. Specifically, the control device 3 opens the second water valve 57. [ 5F, carbonated water is discharged from the second discharge port 10 of the second nozzle 11 toward the center of the upper surface of the substrate W. As a result, The carbonated water discharged from the second nozzle 11 is mixed with the central portion of the upper surface of the substrate W and is subjected to the centrifugal force by the rotation of the substrate W to be placed on the upper surface of the substrate W, It flows toward.

기판 (W) 의 상면에 공급된 탄산수는, 기판 (W) 의 둘레가장자리부로부터 기판 (W) 의 측방을 향해서 비산하고, 제 1 가드 (71) 의 내벽에 받아내어진다. 그리고, 제 1 가드 (71) 의 내벽을 타고 흘러내리는 탄산수는, 제 1 배액홈 (80) 에 모아진 후 배기액 배관 (81) 으로 유도된다. 제 2 린스 공정 (S6) 에서는, 물용 분기 배관 (84) 용의 배액 분기 밸브 (85) 를 열고, 또한 황산 함유액용 분기 배관 (82) 용의 배액 분기 밸브 (85) 및 세정 약액용 분기 배관 (83) 용의 배액 분기 밸브 (85) 를 닫음으로써, 배기액 배관 (81) 을 통과하는 액체의 유통지가 물용 분기 배관 (84) 에 설정되어 있다. 그 때문에, 제 2 린스 공정 (S6) 에서는, 배기액 배관 (81) 으로 유도된 탄산수는, 물용 분기 배관 (84) 을 통과하여, 물을 배액 처리하기 위한 처리 장치 (도시하지 않음) 로 유도된다.The carbonated water supplied to the upper surface of the substrate W is scattered toward the side of the substrate W from the periphery of the substrate W and is received by the inner wall of the first guard 71. [ The carbonated water flowing down the inner wall of the first guard 71 is collected in the first drainage groove 80 and then guided to the exhaust liquid pipe 81. In the second rinsing step (S6), the drain branching valve 85 for the water branch pipe 84 is opened and the drainage valve 85 for the sulfuric acid-containing liquid branch pipe 82 and the branch pipe for the cleaning chemical liquid 83) is closed so that the flow path of the liquid passing through the exhaust liquid pipe 81 is set in the branch pipe 84 for the water. Therefore, in the second rinsing step (S6), the carbonated water led to the exhaust liquid pipe 81 passes through the water branch pipe 84 and is led to a treatment device (not shown) for draining the water .

기판 (W) 의 상면에 공급되는 탄산수에 의해, 기판 (W) 상의 SC1 이 외방으로 밀려흘러가고, 기판 (W) 의 주위에 배출되고, 기판 (W) 상의 SC1 의 액막이, 기판 (W) 의 상면 전역을 덮는 탄산수의 액막으로 치환된다. 즉, 린스액으로서의 탄산수에 의해, 기판 (W) 의 상면으로부터 SC1 이 씻겨내어진다. 그리고, 제 2 물 밸브 (57) 가 열리고 나서 소정 시간이 경과하면, 제어 장치 (3) 는, 제 2 물 밸브 (57) 를 닫아, 제 2 노즐 (11) 로부터의 탄산수의 토출을 정지시킨다. 이에 따라, 제 2 린스 공정 (S6) 이 종료한다.SC1 on the substrate W is pushed outward by the carbonic acid water supplied to the upper surface of the substrate W and is discharged to the periphery of the substrate W and the liquid film of SC1 on the substrate W is discharged to the outside of the substrate W And is replaced with a liquid film of carbonated water covering the entire upper surface. That is, SC1 is washed away from the upper surface of the substrate W by the carbonic acid water as the rinsing liquid. When a predetermined time has elapsed after the second water valve 57 is opened, the control device 3 closes the second water valve 57 to stop the discharge of the carbonated water from the second nozzle 11. Thereby, the second rinsing step (S6) ends.

이어서, 유기 용제로서의 IPA 를 기판 (W) 의 상면에 공급하는 유기 용제 공정 (도 4 의 스텝 S7) 이 실시된다. 구체적으로는, 제어 장치 (3) 는, 차단판 승강 유닛 (32) 을 제어하여, 차단판 (26) 을 근접 위치에 배치한다. 차단판 (26) 이 근접 위치에 있을 때에는, 차단판 (26) 이, 기판 (W) 의 상면을 그 주위의 공간으로부터 차단한다.Then, an organic solvent process (step S7 in Fig. 4) for supplying IPA as an organic solvent to the upper surface of the substrate W is performed. Specifically, the control apparatus 3 controls the blocking plate elevating unit 32 to arrange the blocking plate 26 at a close position. When the blocking plate 26 is in the close position, the blocking plate 26 blocks the upper surface of the substrate W from the space around it.

또, 제어 장치 (3) 는, 가드 승강 유닛 (73) 을 제어하여, 제 1 가드 (71) 를 하위치인 상태로, 제 2 가드 (72) 를 상위치에 배치하여, 제 2 가드 (72) 를 기판 (W) 의 둘레 단면에 대향시킨다. 또, 제어 장치 (3) 는, 기판 (W) 의 회전을 소정의 패들 속도로 감속한다. 이 패들 속도란, 기판 (W) 을 패들 속도로 회전시켰을 때에, 기판 (W) 의 상면의 액체에 작용하는 원심력이 린스액과 기판 (W) 의 상면의 사이에서 작용하는 표면 장력보다 작거나, 혹은 상기의 원심력과 상기의 표면 장력이 거의 길항하는 속도를 말한다.The control device 3 controls the guard elevating and lowering unit 73 to arrange the second guard 72 in the upper position in a state in which the first guard 71 is in the lower position and the second guard 72 ) To the peripheral edge of the substrate (W). Further, the control device 3 decelerates the rotation of the substrate W at a predetermined paddle speed. This paddle velocity means that the centrifugal force acting on the liquid on the upper surface of the substrate W is smaller than the surface tension acting between the rinsing liquid and the upper surface of the substrate W when the substrate W is rotated at the paddle speed, Or the speed at which the centrifugal force and the surface tension are almost antagonistic to each other.

그리고, 제어 장치 (3) 는, 제 2 유기 용제 밸브 (36) 를 열고 또한 제 1 물 밸브 (46) 및 흡인 밸브 (51) 를 닫으면서, 제 1 유기 용제 밸브 (35) 를 연다. 이에 따라, 도 5g 에 나타내는 바와 같이, 유기 용제 공급원으로부터의 IPA 가, 제 2 노즐 (11) 에 공급되고, 제 2 노즐 (11) 로부터 IPA 가 토출되어 기판 (W) 의 상면에 착액한다.The control device 3 opens the first organic solvent valve 35 while opening the second organic solvent valve 36 and closing the first water valve 46 and the suction valve 51. [ 5G, IPA from the organic solvent supply source is supplied to the second nozzle 11, and IPA is discharged from the second nozzle 11 to deposit on the upper surface of the substrate W. As shown in Fig.

황산 함유액 공정 (S3) 에 있어서 유기 용제 배관 (34) 내에 진입한 SPM 의 미스트가 응축에 의해 액화하여 SPM 의 액적을 형성한다. 유기 용제 공정 (S7) 의 개시 전에 유기 용제 배관 (34) 의 내부에 SPM 의 액적이 존재하고 있으면, 유기 용제 공정 (S7) 에 있어서 유기 용제 배관 (34) 에 공급된 IPA 가, 유기 용제 배관 (34) 의 내부에서 SPM 과 접촉할 우려가 있다. 유기 용제 배관 (34) 의 내부에서 IPA 가 SPM 의 액적과 접촉하면 파티클이 발생하고, 유기 용제 배관 (34) 의 내부가, 파티클 발생원이 될 우려가 있다.The mist of the SPM that has entered the organic solvent pipe 34 in the sulfuric acid-containing liquid process (S3) is liquefied by condensation to form the SPM droplet. The IPA supplied to the organic solvent pipe 34 in the organic solvent process S7 is supplied to the organic solvent pipe (not shown) in the organic solvent pipe (S7) if the SPM droplet exists in the organic solvent pipe 34 before the organic solvent process 34 may contact the SPM. Particles may be generated when IPA contacts the droplet of the SPM in the organic solvent pipe 34, and the inside of the organic solvent pipe 34 may be a particle generation source.

그러나, 이 실시형태에서는, 유기 용제 공정 (S7) 에 앞서 제 2 물 치환 공정 (T3) 을 실행하고 있기 때문에, 유기 용제 공정 (S7) 의 개시시에는, 유기 용제 배관 (34) 의 내부에 SPM 의 액적은 잔류하고 있지 않다. 따라서, 당해 유기 용제 공정 (S7) 에 있어서 유기 용제 배관 (34) 에 IPA 가 공급되어도, 유기 용제 배관 (34) 의 내부에서 SPM 과 접촉하지 않는다. 그 때문에, IPA 와 SPM 의 접촉에 수반하는 파티클의 발생을 효과적으로 억제 또는 방지할 수 있고, 이에 따라, 유기 용제 배관 (34) 의 내부가 파티클 발생원이 되는 것을 억제 또는 방지할 수 있다.However, in this embodiment, since the second water replacement step (T3) is performed prior to the organic solvent step (S7), at the start of the organic solvent step (S7), the organic solvent piping (34) Of the liquid remains. Therefore, even if IPA is supplied to the organic solvent pipe 34 in the organic solvent process (S7), the organic solvent pipe 34 does not come into contact with the SPM inside the organic solvent pipe 34. [ Therefore, generation of particles accompanied by contact between the IPA and the SPM can be effectively suppressed or prevented, and the inside of the organic solvent pipe 34 can be prevented or prevented from becoming a particle generation source.

유기 용제 공정 (S7) 에서는, 제 1 노즐 (9) 로부터의 IPA 의 토출에 의해, 기판 (W) 의 상면의 액막에 포함되는 탄산수가 IPA 로 순차 치환되어 간다. 이에 따라, 기판 (W) 의 상면에, 기판 (W) 의 상면 전역을 덮는 IPA 의 액막이 패들 형상으로 유지된다. 기판 (W) 의 상면 전역의 액막이 거의 IPA 의 액막으로 치환된 후에도, 기판 (W) 의 상면으로의 IPA 의 공급은 속행된다. 그 때문에, 기판 (W) 의 둘레가장자리부로부터 IPA 가 배출된다.In the organic solvent step (S7), the carbonated water contained in the liquid film on the upper surface of the substrate (W) is successively replaced with IPA by the discharge of IPA from the first nozzle (9). As a result, the liquid film of IPA covering the entire upper surface of the substrate W is held on the upper surface of the substrate W in a paddle shape. The supply of IPA to the upper surface of the substrate W is continued even after the liquid film on the entire upper surface of the substrate W is almost replaced with the liquid film of IPA. Therefore, the IPA is discharged from the peripheral portion of the substrate W.

기판 (W) 의 둘레가장자리부로부터 배출되는 IPA 는, 제 2 가드 (72) 의 내벽에 받아내어진다. 그리고, 제 2 가드 (72) 의 내벽을 타고 흘러내리는 IPA 는, 제 2 배액홈 (86) 에 모아진 후 배기 배관 (87) 으로 유도된다. 그 때문에, 유기 용제 공정 (S7) 의 후에는, 제 2 가드 (72) 의 내벽이나 제 2 배액홈 (86), 배기 배관 (87) 의 관벽에 IPA 의 액적이 부착되어 있다.The IPA discharged from the peripheral portion of the substrate W is received by the inner wall of the second guard 72. [ The IPA flowing down on the inner wall of the second guard 72 is collected in the second drainage groove 86 and then guided to the exhaust pipe 87. Therefore, after the organic solvent step (S7), droplets of IPA are adhered to the inner wall of the second guard 72, the second drainage groove 86, and the pipe wall of the exhaust pipe 87.

IPA 의 토출 개시부터 미리 정하는 기간이 경과하면, 제어 장치 (3) 는, 제 1 유기 용제 밸브 (35) 를 닫아, 제 1 노즐 (9) 로부터의 IPA 의 토출을 정지시킨다. 이에 따라, 유기 용제 공정 (S7) 이 종료한다.When the predetermined period has elapsed from the start of the discharge of the IPA, the controller 3 closes the first organic solvent valve 35 and stops the discharge of the IPA from the first nozzle 9. Thereby, the organic solvent step (S7) is finished.

이어서, 기판 (W) 을 건조시키는 스핀 드라이 공정 (도 4 의 스텝 S8) 이 실시된다. 구체적으로는, 제어 장치 (3) 는, 차단판 승강 유닛 (32) 을 제어하여, 차단판 (26) 을 근접 위치에 배치한다. 또, 이 상태에서, 제어 장치 (3) 는 스핀 모터 (22) 를 제어함으로써, 도 5h 에 나타내는 바와 같이, 황산 함유액 공정 (S3) 부터 유기 용제 공정 (S7) 까지의 각 공정에 있어서의 회전 속도보다 큰 건조 회전 속도 (예를 들어 수 천 rpm) 까지 기판 (W) 을 가속시키고, 그 건조 회전 속도로 기판 (W) 을 회전시킨다. 이에 따라, 큰 원심력이 기판 (W) 상의 액체에 가해지고, 기판 (W) 에 부착되어 있는 액체가 기판 (W) 의 주위에 털어내어진다. 이와 같이 하여, 기판 (W) 으로부터 액체가 제거되고, 기판 (W) 이 건조된다. 또, 제어 장치 (3) 는, 차단판 회전 유닛 (31) 을 제어하여, 차단판 (26) 을 기판 (W) 의 회전 방향으로 고속으로 회전시킨다.Then, a spin drying process (step S8 in Fig. 4) for drying the substrate W is performed. Specifically, the control apparatus 3 controls the blocking plate elevating unit 32 to arrange the blocking plate 26 at a close position. 5 (h), the control device 3 controls the spin motor 22 to rotate in the respective steps from the sulfuric acid-containing solution step (S3) to the organic solvent step (S7) The substrate W is accelerated to a drying rotational speed (for example, several thousand rpm) larger than the speed, and the substrate W is rotated at the drying rotational speed. As a result, a large centrifugal force is applied to the liquid on the substrate W, and the liquid adhering to the substrate W is shaken around the substrate W. [ In this way, liquid is removed from the substrate W, and the substrate W is dried. The control device 3 controls the blocking plate rotating unit 31 to rotate the blocking plate 26 at a high speed in the rotating direction of the substrate W.

또, 스핀 드라이 공정 (S8) 에 병행하여, 유기 용제 배관 (34) 내의 유기 용제를 흡인하는 유기 용제 흡인 공정 (T5) (제 2 흡인 공정) 이 실행된다. 이 유기 용제 흡인 공정 (T5) 은, 유기 용제 공정 (S7) 후에 유기 용제 배관 (34) 의 내부에 존재하고 있는 유기 용제를, 흡인 유닛 (55) 에 의해 흡인하는 것이다.In parallel with the spin-drying step (S8), an organic solvent sucking step T5 (second sucking step) for sucking the organic solvent in the organic solvent pipe 34 is carried out. The organic solvent sucking step T5 sucks the organic solvent existing in the organic solvent pipe 34 after the organic solvent step S7 by the suction unit 55. [

구체적으로는, 제어 장치 (3) 는, 유기 용제 공정 (S7) 의 종료 후, 제 2 유기 용제 밸브 (36) 를 열고 또한 제 1 유기 용제 밸브 (35) 및 제 1 물 밸브 (46) 를 닫으면서, 흡인 밸브 (51) 를 연다. 이에 따라, 유기 용제 하류측 부분 (40) 및 물 하류측 부분 (50) 의 내부가 배기되고, 도 5h 에 나타내는 바와 같이, 유기 용제 하류측 부분 (40) 및 물 하류측 부분 (50) 에 존재하고 있는 IPA 가, 흡인 배관 (49) 으로 인입된다 (흡인). IPA 의 흡인은, IPA 의 선단면이 배관 내의 소정의 대기 위치 (예를 들어 흡인 배관 (49) 또는 물 하류측 부분 (50) 에 설정) 로 후퇴할 때까지 실시된다. IPA 의 선단면이 대기 위치까지 후퇴하면, 제어 장치 (3) 는 흡인 밸브 (51) 를 닫는다.Specifically, after the end of the organic solvent step (S7), the controller 3 opens the second organic solvent valve 36 and closes the first organic solvent valve 35 and the first water valve 46 , The suction valve 51 is opened. Thus, the interior of the downstream portion 40 of the organic solvent and the downstream portion 50 of the water are exhausted and are present in the organic solvent downstream portion 40 and the water downstream portion 50 as shown in Fig. Is drawn into the suction pipe 49 (suction). The suction of the IPA is carried out until the front end face of the IPA retreats to a predetermined standby position in the pipe (for example, set in the suction pipe 49 or the water downstream portion 50). When the front end face of the IPA is retracted to the standby position, the control device 3 closes the suction valve 51.

기판 (W) 의 가속으로부터 소정 시간이 경과하면, 제어 장치 (3) 는, 스핀 모터 (22) 를 제어하여 스핀 척 (5) 에 의한 기판 (W) 의 회전을 정지시키고, 또한 차단판 회전 유닛 (31) 을 제어하여 차단판 (26) 의 회전을 정지시킨다.When a predetermined time has elapsed from the acceleration of the substrate W, the control device 3 controls the spin motor 22 to stop the rotation of the substrate W by the spin chuck 5, (31) to stop the rotation of the blocking plate (26).

그 후, 처리 챔버 (4) 내로부터 기판 (W) 이 반출된다 (도 4 의 스텝 S9). 구체적으로는, 제어 장치 (3) 는, 차단판 (26) 을 퇴피 위치에 배치시키고, 또한 제 2 가드 (72) 를 하위치에 내리고, 제 1 및 제 2 가드 (71, 72) 를, 기판 (W) 의 유지 위치보다 하방에 배치한다. 그 후, 제어 장치 (3) 는, 기판 반송 로봇 (CR) 의 핸드 (H) 를 처리 챔버 (4) 의 내부에 진입시킨다. 그리고, 제어 장치 (3) 는, 기판 반송 로봇 (CR) 의 핸드에 스핀 척 (5) 상의 기판 (W) 을 유지시키고, 기판 반송 로봇 (CR) 의 핸드 (H) 를 처리 챔버 (4) 내로부터 퇴피시킨다. 이에 따라, 표면으로부터 레지스트가 제거된 기판 (W) 이 처리 챔버 (4) 로부터 반출된다.Thereafter, the substrate W is taken out of the processing chamber 4 (step S9 in Fig. 4). Specifically, the control device 3 causes the shield plate 26 to be placed at the retreat position, the second guard 72 to the lower position, and the first and second guards 71, (W). Thereafter, the control device 3 allows the hand H of the substrate carrying robot CR to enter the inside of the processing chamber 4. [ The controller 3 holds the substrate W on the spin chuck 5 on the hand of the substrate carrying robot CR and holds the hand H of the substrate carrying robot CR in the processing chamber 4 . Thereby, the substrate W from which the resist has been removed from the surface is taken out of the processing chamber 4. [

또, 도 4 에 2 점 쇄선으로 나타내는 바와 같이, 유기 용제 흡인 공정 (T5) 의 개시에 앞서, 유기 용제 배관 (34) 을 새로운 IPA 로 치환하는 유기 용제 프리디스펜스 (도 4 의 스텝 S10) 가 실행되는 경우가 있다. 유기 용제 흡인 공정 (T5) 의 개시 전에는, 유기 용제 배관 (34) 의 IPA 의 선단면이 유기 용제 상류측 부분 (41) 내에 위치하고 있다. 이 때, 유기 용제 배관 (34) 내 (유기 용제 상류측 부분 (41) 내) 의 IPA 가 시간 경과적 변화 (온도 변화 또는 성분 변화) 하고 있는 경우가 있다.4, the organic solvent pre-dispensing (step S10 in Fig. 4) for replacing the organic solvent pipe 34 with a new IPA is executed before the organic solvent suction step (T5) is started . Prior to the start of the organic solvent sucking step (T5), the front end surface of the IPA of the organic solvent pipe (34) is located in the organic solvent upstream portion (41). At this time, the IPA in the organic solvent pipe 34 (in the organic solvent upstream portion 41) may change with time (temperature change or component change).

유기 용제 프리디스펜스를 실시하는 경우, 제어 장치 (3) 는, 제 2 유기 용제 밸브 (36) 및 제 1 물 밸브 (46) 를 닫으면서, 제 1 유기 용제 밸브 (35) 및 흡인 밸브 (51) 를 열고, 유기 용제 공급원으로부터의 IPA 가, 유기 용제 상류측 부분 (41) 및 물 하류측 부분 (50) 을 통과하여, 흡인 배관 (49) 으로 인입된다 (흡인). 이에 따라, 유기 용제 상류측 부분 (41) 에 존재하는, 시간 경과적 변화 한 IPA 가, 신선한 IPA 로 치환된다. 제 1 유기 용제 밸브 (35) 의 개성으로부터 미리 정하는 기간이 경과하면, 제어 장치 (3) 는, 제 1 유기 용제 밸브 (35) 및 흡인 밸브 (51) 를 닫는다.The controller 3 controls the first organic solvent valve 35 and the suction valve 51 while closing the second organic solvent valve 36 and the first water valve 46. When the organic solvent pre- IPA from the organic solvent supply source passes through the organic solvent upstream portion 41 and the water downstream portion 50 and is drawn into the suction pipe 49 (suction). As a result, the IPA which is present in the organic solvent upstream portion 41, which has changed over time, is replaced with fresh IPA. The control device 3 closes the first organic solvent valve 35 and the suction valve 51 when a predetermined period has elapsed from the individuality of the first organic solvent valve 35. [

도 6 은, 제 1 기판 처리예의 주요한 공정에 있어서의, 제 1 액체 검지 센서 (43) 및 제 2 액체 검지 센서 (45) 에 의한 감시 상황을 설명하기 위한 도해적인 도면이다.Fig. 6 is a schematic diagram for explaining the monitoring situation by the first liquid detection sensor 43 and the second liquid detection sensor 45 in the main steps of the first substrate processing example.

도 6 에 나타내는 바와 같이, 유기 용제 공정 (S7) (유기 용제 토출 중) 에 있어서, 제어 장치 (3) 는, 제 2 유기 용제 밸브 (36) 보다 상류측에 배치된 제 1 액체 검지 센서 (43) 의 검출 출력, 및 제 2 유기 용제 밸브 (36) 보다 하류측에 배치된 제 2 액체 검지 센서 (45) 의 검출 출력의 쌍방을 참조하고 있지 않다. 바꾸어 말하면, 유기 용제 공정 (S7) 에 있어서, 제어 장치 (3) 는, 제 1 검출 위치 (42) 및 제 2 검출 위치 (44) 의 쌍방에 있어서의 액체의 존부를 무시하고 있다.6, in the organic solvent step (S7) (during organic solvent discharge), the control device 3 is provided with a first liquid detection sensor 43 And the detection output of the second liquid detection sensor 45 disposed on the downstream side of the second organic solvent valve 36 are not referred to. In other words, in the organic solvent step (S7), the control device 3 ignores the presence or absence of the liquid in both the first detection position 42 and the second detection position 44. [

도 6 에 나타내는 바와 같이, 유기 용제 흡인 공정 (T5) 에 있어서, 제어 장치 (3) 는, 제 2 유기 용제 밸브 (36) 보다 상류측에 배치된 제 1 액체 검지 센서 (43) 의 검출 출력, 및 제 2 유기 용제 밸브 (36) 보다 하류측에 배치된 제 2 액체 검지 센서 (45) 의 검출 출력의 쌍방을 참조하고 있다. 바꾸어 말하면, 제어 장치 (3) 는, 제 1 검출 위치 (42) 및 제 2 검출 위치 (44) 의 쌍방에 있어서의 액체의 존부를 감시하고 있다. 유기 용제 흡인 공정 (T5) 에 있어서, 제 1 액체 검지 센서 (43) 및 제 2 액체 검지 센서 (45) 의 쌍방으로부터의 검출 출력에 기초하여, 제 1 검출 위치 (42) 및 제 2 검출 위치 (44) 의 쌍방에 있어서 액체 (즉 IPA) 가 존재하고 있지 않은 것을 검출한 경우에는, 제어 장치 (3) 는, IPA 의 흡인이 완료한 것으로 검지한다.6, in the organic solvent sucking step (T5), the control device 3 detects the detection output of the first liquid detection sensor 43 disposed on the upstream side of the second organic solvent valve 36, And the detection output of the second liquid detection sensor 45 disposed on the downstream side of the second organic solvent valve 36 are referred to. In other words, the control device 3 monitors the presence or absence of the liquid in both of the first detection position 42 and the second detection position 44. Based on the detection outputs from both the first liquid detection sensor 43 and the second liquid detection sensor 45 in the organic solvent sucking step T5, the first detection position 42 and the second detection position The control device 3 detects that the suction of the IPA is completed. In this case, the control device 3 detects that the suction of the IPA is completed.

또, 제어 장치 (3) 는, 제 1 기판 처리예에 있어서, 유기 용제 흡인 공정 (T5) 뿐만 아니라 그 밖의 흡인 공정 (예를 들어 제 1 물 흡인 공정 (T2) 이나 제 2 물 흡인 공정 (T4)) 에 있어서도, 제 1 검출 위치 (42) 및 제 2 검출 위치 (44) 의 쌍방에 있어서의 액체의 존부를 감시하고 있다.In addition, the control device 3 may perform the other suction process (for example, the first water suction process (T2) or the second water suction process (T4) as well as the organic solvent suction process (T5) ), The presence or absence of the liquid in both of the first detection position 42 and the second detection position 44 is monitored.

또, 유기 용제 프리디스펜스 공정 (S10) 에 있어서, 제어 장치 (3) 는, 제 2 유기 용제 밸브 (36) 보다 상류측에 배치된 제 2 액체 검지 센서 (45) 의 검출 출력만을 참조하여, 제 2 유기 용제 밸브 (36) 보다 하류측에 배치된 제 1 액체 검지 센서 (43) 의 검출 출력은 참조하지 않는다. 바꾸어 말하면, 제어 장치 (3) 는, 제 2 검출 위치 (44) 에 있어서의 액체의 존부를 감시하고 있지만, 제 1 검출 위치 (42) 에 있어서의 액체의 존부는 무시하고 있다. 제 2 유기 용제 밸브 (36) 가 닫힘 상태로 제어되고 있음에도 불구하고, 제 2 액체 검지 센서 (45) 에 의해 제 2 검출 위치 (44) 에 있어서의 액체 (즉 IPA) 의 존재가 검출된 경우에는, 제어 장치 (3) 는, 도 6 에 나타내는 바와 같이, 제 2 유기 용제 밸브 (36) 로부터 유기 용제 (즉 IPA) 가 새고 있다고 하여, 유출 에러를 검지할 수 있다.In the organic solvent pre-dispensing step (S10), the controller 3 refers to only the detection output of the second liquid detection sensor 45 disposed on the upstream side of the second organic solvent valve 36, 2 detection output of the first liquid detection sensor 43 disposed on the downstream side of the organic solvent valve 36 is not referred to. In other words, the control device 3 monitors the presence or absence of the liquid at the second detection position 44, but ignores the presence or absence of the liquid at the first detection position 42. [ When the presence of liquid (that is, IPA) at the second detection position 44 is detected by the second liquid detection sensor 45 even though the second organic solvent valve 36 is controlled to be in the closed state , The control device 3 can detect the outflow error because the organic solvent (i.e., IPA) is leaking from the second organic solvent valve 36 as shown in Fig.

또, 제 1 기판 처리예에 있어서, 특별히 언급한 각 공정을 제외하고, 제어 장치 (3) 는, 제 2 유기 용제 밸브 (36) 보다 하류측에 배치된 제 2 액체 검지 센서 (45) 의 검출 출력만을 참조하고, 제 2 유기 용제 밸브 (36) 보다 상류측에 배치된 제 1 액체 검지 센서 (43) 의 검출 출력은 참조하지 않는다. 바꾸어 말하면, 제어 장치 (3) 는, 제 2 검출 위치 (44) 에 있어서의 액체의 존부를 감시하고 있지만, 제 1 검출 위치 (42) 에 있어서의 액체의 존부는 무시하고 있다. 제 2 유기 용제 밸브 (36) 가 닫힘 상태로 제어되고 있음에도 불구하고, 제 2 액체 검지 센서 (45) 에 의해 제 2 검출 위치 (44) 에 있어서의 액체 (즉 IPA) 의 존재가 검출된 경우에는, 제어 장치 (3) 는, 도 6 에 나타내는 바와 같이, 제 2 유기 용제 밸브 (36) 로부터 유기 용제 (즉 IPA) 가 새고 있다고 하여, 유출 에러를 검지할 수 있다.In addition, in the first substrate processing example, except for the respective steps specifically mentioned, the control device 3 detects the detection of the second liquid detection sensor 45 disposed on the downstream side of the second organic solvent valve 36 And the detection output of the first liquid detection sensor 43 disposed on the upstream side of the second organic solvent valve 36 is not referred to. In other words, the control device 3 monitors the presence or absence of the liquid at the second detection position 44, but ignores the presence or absence of the liquid at the first detection position 42. [ When the presence of liquid (that is, IPA) at the second detection position 44 is detected by the second liquid detection sensor 45 even though the second organic solvent valve 36 is controlled to be in the closed state , The control device 3 can detect the outflow error because the organic solvent (i.e., IPA) is leaking from the second organic solvent valve 36 as shown in Fig.

도 7 은, 제 1 기판 처리예에 있어서의, 하드 인터록을 설명하기 위한 도면이다.7 is a diagram for explaining a hard interlock in the first substrate processing example.

이 인터록 처리는, 제어 장치 (3) 의 메모리에 유지된 레시피에 따라서 일련의 기판 처리가 실시되는 과정에 있어서, 각 공정의 개시시에 실행된다.This interlock process is executed at the start of each process in the process of performing a series of substrate processes according to the recipe held in the memory of the control device 3. [

황산 함유액 공정 (S3) 의 개시시에는, (3) 가드 하위치 센서 (94) 의 검출 출력이 온인지, 즉 제 1 가드 (71) 가 하위치에 배치되어 있는지, (5) 제 1 및 제 2 액체 검지 센서 (43, 45) 의 검출 출력이 오프인지, 즉, IPA 의 선단면이 흡인 배관 (49) 또는 물 하류측 부분 (50) 까지 후퇴하고 있는지, 및 (6) 밸브 닫힘 센서 (37) 의 검출 출력이 온인지, 즉, 제 1 유기 용제 밸브 (35) 가 닫힘 상태에 있는지가 각각 조사된다. 이들 (3), (5) 및 (6) 의 조건을 모두 충족하는 경우에는, 제어 장치 (3) 는, 황산 함유액 밸브 (62) 의 열림 동작을 허용한다. 요컨대, (3), (5) 및 (6) 의 조건 중 하나라도 조건을 충족하지 않는 경우에는, 제어 장치 (3) 는, 황산 함유액 밸브 (62) 의 열림 동작을 금지한다. 이와 같은 하드 인터록에 의해, 제 1 노즐 (9) 로부터의 IPA 의 토출 개시시에 처리 챔버 (4) 내에 있어서 IPA 와 SPM 의 접촉이 발생하는 것을 확실하게 방지할 수 있다.At the start of the sulfuric acid-containing liquid process (S3), (3) whether the detection output of the guard-down position sensor 94 is on, that is, whether the first guard 71 is disposed at a lower position, Whether the detection output of the second liquid detection sensor 43 or 45 is off, that is, whether the front end face of the IPA is retracted to the suction pipe 49 or the water downstream portion 50, and (6) 37 are turned on, that is, whether the first organic solvent valve 35 is in the closed state. When all of the conditions (3), (5) and (6) are satisfied, the control device 3 allows the opening operation of the sulfuric acid-containing liquid valve 62. In short, when any one of the conditions (3), (5) and (6) does not satisfy the condition, the control device 3 prohibits the opening operation of the sulfuric acid- Such a hard interlock can reliably prevent the IPA from contacting with the SPM in the processing chamber 4 at the start of the discharge of the IPA from the first nozzle 9. [

또, 유기 용제 공정 (S7) 의 개시시에는, (1) 차단판 근접 위치 센서 (33) 의 검출 출력이 온인지, 즉 차단판 (26) 이 근접 위치에 배치되어 있는지, (2) 노즐 퇴피 센서 (64) 의 검출 출력이 온인지, 즉 황산 함유액 노즐 (60) 이 퇴피 위치에 있는지, (4) 가드 상위치 센서 (93) 의 검출 출력이 온인지, 즉 제 1 가드 (71) 가 상위치에 배치되어 있는지, 및 (8) 제 1 밸브 열림 센서 (21) 의 검출 출력이 온인지, 즉 배기 배관 (100) 을 개폐하는 배기 밸브 (101) 가 열림 상태에 있는지가 각각 조사된다. 이들 (1), (2), (4) 및 (8) 의 조건을 모두 충족하는 경우에는, 제어 장치 (3) 는, 제 1 유기 용제 밸브 (35) 의 열림 동작을 허용한다. 요컨대, (1), (2), (4) 및 (8) 의 조건 중 하나라도 조건을 충족하지 않는 경우에는, 제어 장치 (3) 는, 제 1 유기 용제 밸브 (35) 의 열림 동작을 금지한다. 이와 같은 하드 인터록에 의해, 황산 함유액 노즐 (60) 로부터의 SPM 의 토출 개시시에 처리 챔버 (4) 내에 있어서 SPM 과 IPA 의 접촉이 발생하는 것을 확실하게 방지할 수 있다.At the start of the organic solvent process (S7), (1) whether the detection output of the blocking plate proximity position sensor 33 is on, that is, whether the blocking plate 26 is disposed at a nearby position, (2) Whether or not the detection output of the sensor 64 is on, that is, whether the sulfuric acid-containing liquid nozzle 60 is in the retreat position, (4) whether the detection output of the guard position sensor 93 is on or the first guard 71 And (8) whether the detection output of the first valve opening sensor 21 is on, that is, whether the exhaust valve 101 for opening and closing the exhaust pipe 100 is in the open state, respectively. When all of the conditions (1), (2), (4) and (8) are satisfied, the control device 3 permits the opening operation of the first organic solvent valve 35. In other words, when any one of the conditions (1), (2), (4) and (8) does not satisfy the condition, the control device 3 prohibits the opening operation of the first organic solvent valve 35 do. Such a hard interlock can reliably prevent the SPM from contacting the IPA in the processing chamber 4 at the start of the discharge of the SPM from the sulfuric acid-containing liquid nozzle 60.

또, 제전 공정 (S2) 의 개시시, 황산 함유액 공정 (S3) 의 개시시, 제 1 린스 공정 (S4) 의 개시시, 세정 약액 공정 (S5) 의 개시시, 또는 제 2 린스 공정 (S6) 의 개시시에는, (7) 토출 대상의 처리액 이외의 처리에 대응하는 제 2 밸브 닫힘 센서 (95) 의 검출 출력이 모두 온인지, 즉, 토출 대상의 처리액 이외의 처리에 대응하는 배액 분기 밸브 (85) 가 닫혀져 있는지가 조사된다.At the start of the elimination step (S2), at the start of the sulfuric acid-containing liquid step (S3), at the start of the first rinsing step (S4), at the start of the cleaning solution step (S5) (7) When the detection output of the second valve closing sensor 95 corresponding to the process liquid other than the process liquid to be discharged is all turned on, that is, the drainage corresponding to the process liquid other than the process liquid to be discharged It is checked whether the branch valve 85 is closed.

구체적으로는, 제전 공정 (S2), 제 1 린스 공정 (S4) 및 제 2 린스 공정 (S6) 에서는, 황산 함유액용 분기 배관 (82) 용의 배액 분기 밸브 (85) 에 대응하는 제 2 밸브 닫힘 센서 (95), 및 세정 약액용 분기 배관 (83) 용의 배액 분기 밸브 (85) 에 대응하는 제 2 밸브 닫힘 센서 (95) 의 검출 출력이 각각 조사된다. 황산 함유액 공정 (S3) 에서는, 세정 약액용 분기 배관 (83) 용의 배액 분기 밸브 (85) 에 대응하는 제 2 밸브 닫힘 센서 (95), 및 물용 분기 배관 (84) 용의 배액 분기 밸브 (85) 에 대응하는 제 2 밸브 닫힘 센서 (95) 의 검출 출력이 각각 조사된다. 세정 약액 공정 (S5) 에서는, 황산 함유액용 분기 배관 (82) 용의 배액 분기 밸브 (85) 에 대응하는 제 2 밸브 닫힘 센서 (95), 및 물용 분기 배관 (84) 용의 배액 분기 밸브 (85) 에 대응하는 제 2 밸브 닫힘 센서 (95) 의 검출 출력이 각각 조사된다.Specifically, in the elimination step (S2), the first rinsing step (S4) and the second rinsing step (S6), the second valve closing operation corresponding to the drainage branch valve 85 for the sulfuric acid- The sensor 95 and the detection output of the second valve closing sensor 95 corresponding to the drainage branch valve 85 for the cleaning chemical liquid branch pipe 83 are respectively irradiated. In the sulfuric acid-containing liquid process (S3), the second valve closing sensor 95 corresponding to the liquid purge branch valve 85 for the cleaning liquid branch pipe 83 and the liquid purge branch valve The detection output of the second valve closing sensor 95 corresponding to the second valve closing sensor 85 is respectively irradiated. A second valve closing sensor 95 corresponding to the drainage branch valve 85 for the sulfuric acid-containing liquid branch pipe 82 and a drain valve 85 for the water branch pipe 84 are provided in the cleaning chemical liquid process S5. And the detection output of the second valve closing sensor 95 corresponding to the second valve closing sensor 95 are respectively examined.

이 조건 (7) 을 충족하는 경우에는, 제어 장치 (3) 는, 각 공정 (S2 ∼ S6) 의 개시시에 있어서, 토출 대상의 처리액에 대응하는 토출 개폐용의 밸브 (즉, 제 1 물 밸브 (46), 황산 함유액 밸브 (62) 및 세정 약액 밸브 (67) 중 어느 1 개) 를 연다. 요컨대, (7) 의 조건을 충족하지 않는 경우에는, 제어 장치 (3) 는, 밸브 (46, 62, 67) 의 열림 동작을 금지한다. When the condition (7) is satisfied, the control device 3 determines whether or not the discharge opening and closing valve corresponding to the discharge target liquid (that is, the first water The valve 46, the sulfuric acid-containing liquid valve 62, and the cleaning liquid valve 67). In short, when the condition (7) is not satisfied, the control device 3 prohibits the opening operation of the valves 46, 62 and 67.

이상에 의해, 이 실시형태에 의하면, 황산 함유액 공정 (S3) 에 앞서 제 1 물 치환 공정 (T1) 이 실행된다. 황산 함유액 공정 (S3) 의 개시 전에, 전회의 레지스트 제거 처리에서 사용된 IPA 가 유기 용제 배관 (34) 의 내부에 잔존하고 있으면, 황산 함유액 공정 (S3) 에 있어서, 유기 용제 배관 (34) 내에 진입한 SPM 의 미스트가, 유기 용제 배관 (34) 의 내부에서 IPA 와 접촉할 우려가 있다. 그러나, 황산 함유액 공정 (S3) 에 앞서 유기 용제 배관 (34) 의 내부를 탄산수로 치환함으로써, 황산 함유액 공정 (S3) 의 개시시에는, 유기 용제 배관 (34) 의 내부에 IPA 는 잔류하고 있지 않다. 따라서, 황산 함유액 공정 (S3) 에 있어서 SPM 의 미스트가 유기 용제 배관 (34) 내에 진입해도, 유기 용제 배관 (34) 의 내부에서 IPA 와 접촉하지 않는다. 그 때문에, 황산 함유액 공정 (S3) 에 있어서 IPA 와 SPM 의 접촉을 방지할 수 있고, 이에 따라, 유기 용제 배관 (34) 의 내부가 파티클 발생원이 되는 것을 억제 또는 방지할 수 있다.Thus, according to this embodiment, the first water replacement step (T1) is performed prior to the sulfuric acid-containing solution step (S3). If the IPA used in the previous resist removal treatment remains in the organic solvent pipe 34 before the sulfuric acid containing solution process S3 starts, the organic solvent pipe 34 is removed in the sulfuric acid- There is a possibility that the mist of the SPM entering into the organic solvent pipe 34 comes into contact with the IPA inside the organic solvent pipe 34. [ However, by replacing the inside of the organic solvent pipe 34 with carbonated water prior to the sulfuric acid-containing solution process S3, IPA remains in the organic solvent pipe 34 at the start of the sulfuric acid-containing solution process S3 It is not. Therefore, even if the mist of the SPM enters the organic solvent pipe 34 in the sulfuric acid-containing solution process (S3), the organic solvent pipe 34 does not contact the IPA inside the organic solvent pipe 34. Therefore, it is possible to prevent contact between the IPA and the SPM in the sulfuric acid-containing liquid process (S3), thereby preventing or preventing the inside of the organic solvent pipe 34 from becoming a particle generation source.

또, 황산 함유액 공정 (S3) 후, 유기 용제 공정 (S7) 에 앞서 제 2 물 치환 공정 (T3) 이 실행된다. 황산 함유액 공정 (S3) 에 있어서 유기 용제 배관 (34) 내에 진입하고, 응축에 의해 액화한 SPM 의 액적이, 유기 용제 공정 (S7) 의 개시 전에 유기 용제 배관 (34) 의 내부에 존재하고 있으면, 유기 용제 공정 (S7) 에 있어서, 유기 용제 배관 (34) 에 공급된 IPA 가, 유기 용제 배관 (34) 의 내부에서 SPM 과 접촉할 우려가 있다. 그러나, 유기 용제 공정 (S7) 에 앞서 유기 용제 배관 (34) 의 내부를 탄산수로 치환함으로써, 유기 용제 공정 (S7) 의 개시시에는, 유기 용제 배관 (34) 의 내부에 SPM 의 액적은 잔류하고 있지 않다. 따라서, 당해 유기 용제 공정 (S7) 에 있어서 유기 용제 배관 (34) 에 IPA 가 공급되어도, 유기 용제 배관 (34) 의 내부에서 SPM 과 접촉하지 않는다. 그 때문에, IPA 와 SPM 의 접촉에 수반하는 파티클의 발생을 효과적으로 억제 또는 방지할 수 있고, 이에 따라, 유기 용제 배관 (34) 의 내부가 파티클 발생원이 되는 것을 억제 또는 방지할 수 있다.After the sulfuric acid-containing liquid process (S3), the second water replacement process (T3) is performed before the organic solvent process (S7). When the droplet of the SPM that has entered the organic solvent pipe 34 in the sulfuric acid-containing liquid process (S3) and liquefied by condensation is present in the organic solvent pipe 34 before the start of the organic solvent process (S7) , IPA supplied to the organic solvent pipe (34) may come into contact with the SPM in the organic solvent pipe (34) in the organic solvent process (S7). However, by replacing the inside of the organic solvent pipe 34 with the carbonic acid water prior to the organic solvent step (S7), the amount of the SPM remains in the organic solvent pipe 34 at the start of the organic solvent step (S7) It is not. Therefore, even if IPA is supplied to the organic solvent pipe 34 in the organic solvent process (S7), the organic solvent pipe 34 does not come into contact with the SPM inside the organic solvent pipe 34. [ Therefore, generation of particles accompanied by contact between the IPA and the SPM can be effectively suppressed or prevented, and the inside of the organic solvent pipe 34 can be prevented or prevented from becoming a particle generation source.

도 8 은, 처리 유닛 (2) 에 의한 제 2 기판 처리예를 설명하기 위한 도해적인 도면이다. 도 9 는, 처리 유닛 (2) 에 의한 제 3 기판 처리예를 설명하기 위한 도해적인 도면이다. 제 2 및 제 3 기판 처리예는, 제 2 린스 공정 (S6) 의 종료에 앞서, 제 1 노즐 (9) 에 IPA 를 공급하는 점에서, 도 4 등에 나타내는 제 1 기판 처리예와 상이하다. 그 이외의 점에서는, 제 2 및 제 3 기판 처리예는, 제 1 기판 처리예와 상이한 부분이 없다.Fig. 8 is a schematic diagram for explaining an example of the second substrate processing by the processing unit 2. Fig. Fig. 9 is a schematic diagram for explaining an example of the third substrate processing by the processing unit 2. Fig. The second and third substrate processing examples are different from the first substrate processing example shown in Fig. 4 and the like in that IPA is supplied to the first nozzle 9 prior to the end of the second rinsing step (S6). In other respects, the second and third substrate processing examples are different from the first substrate processing example.

도 8 에 나타내는 제 2 기판 처리예에 있어서, 제어 장치 (3) 는, 제 2 린스 공정 (S6) 의 실행 중에 (제 2 린스 공정 (S6) 에 병행하여), 제 2 유기 용제 밸브 (36) 를 열면서 제 1 유기 용제 밸브 (35) 를 연다. 이에 따라, 유기 용제 공급원으로부터의 IPA 가 제 1 노즐 (9) 을 향해서 공급된다. 단, 제 1 토출구 (8) 로부터 IPA 가 토출되기 직전의 타이밍에, 제어 장치 (3) 는 제 2 물 밸브 (57) 를 닫는다. 이에 따라, 제 1 토출구 (8) 로부터는 IPA 는 토출되지 않는다. 즉, 제 2 린스 공정 (S6) 의 실행 중에 있어서는, 제 1 토출구 (8) 로부터 IPA 가 토출되지 않고, 또한 유기 용제 하류측 부분 (40) 의 내부 및 제 1 노즐 (9) 의 노즐 배관의 내부가 IPA 에 의해 충전되어 있다.In the second substrate processing example shown in Fig. 8, the controller 3 controls the second organic solvent valve 36 during execution of the second rinsing step (S6) (in parallel with the second rinsing step (S6) The first organic solvent valve 35 is opened. As a result, IPA from the organic solvent supply is supplied toward the first nozzle 9. However, at the timing immediately before the IPA is discharged from the first discharge port 8, the control device 3 closes the second water valve 57. [ Thus, the IPA is not discharged from the first discharge port 8. That is, during the execution of the second rinsing step (S6), IPA is not discharged from the first discharge port (8), and the inside of the organic solvent downstream portion (40) and the inside of the nozzle piping of the first nozzle Is charged by IPA.

그 후, 제 2 린스 공정 (S6) 이 종료하고, 유기 용제 공정 (S7) 을 개시하는 타이밍이 되면, 제어 장치 (3) 는, 제 1 유기 용제 밸브 (35) 를 여는, 이에 따라, 유기 용제 공급원으로부터 제 1 노즐 (9) 로의 IPA 의 공급이 재개되고, 제 1 토출구 (8) 로부터 IPA 가 토출된다.Thereafter, when the second rinsing step (S6) is finished and the timing of starting the organic solvent step (S7) is reached, the control device (3) opens the first organic solvent valve (35) The supply of IPA from the supply source to the first nozzle 9 is resumed and the IPA is discharged from the first discharge port 8. [

이 제 2 기판 처리예에 의하면, 제 2 린스 공정 (S6) 의 종료 후 즉시 제 1 토출구 (8) 로부터 IPA 를 토출할 수 있다. 즉, 제 2 린스 공정 (S6) 의 종료 후 즉시 유기 용제 공정 (S7) 을 개시할 수 있다. 이에 따라, 제 1 기판 처리예와 비교하여, 레지스트 제거 처리 전체의 처리 시간을 단축할 수 있다.According to this second substrate processing example, IPA can be discharged from the first discharge port 8 immediately after the end of the second rinsing step (S6). That is, the organic solvent step (S7) can be started immediately after the end of the second rinsing step (S6). Thus, compared with the first substrate processing example, the processing time of the entire resist removal processing can be shortened.

도 9 에 나타내는 제 3 기판 처리예에서는, 도 8 에 나타내는 제 2 기판 처리예와 달리, 제어 장치 (3) 는, 제 2 린스 공정 (S6) 의 실행 중에 (제 2 린스 공정 (S6) 에 병행하여), 제 1 토출구 (8) 로부터 IPA 를 토출한다. In the third substrate processing example shown in Fig. 9, unlike the second substrate processing example shown in Fig. 8, the control device 3 performs the second rinsing step S6 (in parallel with the second rinsing step S6) ), And discharges IPA from the first discharge port (8).

구체적으로는, 제어 장치 (3) 는, 제 2 린스 공정 (S6) 의 실행 중에, 제 2 유기 용제 밸브 (36) 를 열면서 제 1 유기 용제 밸브 (35) 를 연다. 이에 따라, 유기 용제 공급원으로부터의 IPA 가 제 1 노즐 (9) 을 향해서 공급되고, 제 1 토출구 (8) 로부터 토출된다. 즉, 제어 장치 (3) 는, 제 2 린스 공정 (S6) 의 종료 전에 유기 용제 공정 (S7) 을 개시한다.Specifically, the control device 3 opens the first organic solvent valve 35 while opening the second organic solvent valve 36 during the execution of the second rinsing step S6. Thereby, IPA from the organic solvent supply source is supplied toward the first nozzle 9, and is discharged from the first discharge port 8. That is, the control device 3 starts the organic solvent process (S7) before the end of the second rinsing process (S6).

제 3 기판 처리예에서는, 제 1 토출구 (8) 로부터의 IPA 의 토출 유량은, 제 2 토출구 (10) 로부터의 탄산수의 토출 유량과 비교하여 소유량 (예를 들어 약 1/10) 이다. 그 때문에, 기판 (W) 에 대한 린스 처리에 악영향은 거의 없다. 제 3 기판 처리예에 있어서도, 제 2 기판 처리예와 마찬가지로, 제 2 린스 공정 (S6) 의 종료 후부터 유기 용제 공정 (S7) 의 개시까지 인터벌이 존재하지 않기 때문에, 제 1 기판 처리예와 비교하여, 레지스트 제거 처리 전체의 처리 시간을 단축할 수 있다.In the third substrate processing example, the discharge flow rate of the IPA from the first discharge port 8 is smaller than the discharge flow rate of the carbonic acid water from the second discharge port 10 (for example, about 1/10). Therefore, there is almost no adverse effect on the rinsing process on the substrate W. In the third substrate processing example, as in the second substrate processing example, there is no interval from the end of the second rinsing step (S6) to the start of the organic solvent step (S7). Therefore, , The processing time of the entire resist removal process can be shortened.

이상, 이 발명의 일 실시형태에 대해서 설명했지만, 본 발명은 또 다른 형태로 실시할 수도 있다.Although the embodiment of the present invention has been described above, the present invention may be embodied in another form.

예를 들어, 제 1 ∼ 제 3 기판 처리예의 제 1 및 제 2 물 흡인 공정 (T2, T4) 에 있어서, 탄산수의 선단면이 흡인 배관 (49) 또는 물 하류측 부분 (50) 까지 후퇴할 때까지 탄산수의 흡인을 실시하는 것으로서 설명했지만, 흡인 후의 탄산수의 선단면이, 유기 용제 배관 (34) 의 내부에 위치해도 된다.For example, in the first and second water suction processes (T2, T4) of the first to third substrate processing examples, when the front end face of carbonated water retreats to the suction pipe 49 or the water downstream portion 50 It is also possible that the front end surface of the carbonated water after the aspiration is located inside the organic solvent pipe 34.

제 1 ∼ 제 3 기판 처리예에 있어서, 제 1 물 치환 공정 (T1) 을, 제전 공정 (S2) 과 다른 타이밍에 실시해도 된다. 또, 제 2 물 치환 공정 (T3) 을, 제 1 린스 공정 (S4) 과 다른 타이밍에 실시해도 된다. 제 1 물 흡인 공정 (T2) 을, 제전 공정 (S2) 의 종료 후에 실시해도 된다. 제 2 물 흡인 공정 (T4) 을, 세정 약액 공정 (S5) 과 다른 타이밍에 실시해도 된다.In the first to third substrate processing examples, the first water replacement step (T1) may be performed at a timing different from the discharge step (S2). The second water replacement step (T3) may be performed at a timing different from the first rinsing step (S4). The first water sucking step (T2) may be performed after the elimination step (S2). The second water suction step (T4) may be performed at a timing different from the cleaning chemical solution step (S5).

또, 제 1 ∼ 제 3 기판 처리예에 있어서, 물 치환 공정으로서, 황산 함유액 공정 (S3) 에 앞서 실행되는 제 1 물 치환 공정 (T1) 과, 황산 함유액 공정 (S3) 후, 유기 용제 공정 (S7) 에 앞서 실행되는 제 2 물 치환 공정 (T3) 을 실행하고 있다. 그러나, 물 치환 공정은, 유기 용제 공정 (S7) 의 실행 전 및/혹은 실행 후, 그리고/또는, 황산 함유액 공정 (S3) 의 실행 전 및/혹은 실행 후에 있어서 적어도 1 회 이후 실행되는 것이면 된다.In the first to third substrate processing examples, after the first water replacement step (T1) and the sulfuric acid-containing solution step (S3) executed before the sulfuric acid-containing solution step (S3) The second water replacement step (T3) to be executed before the step (S7) is executed. However, the water replacement step may be performed at least once before and / or after the organic solvent step (S7) and / or before and / or after the sulfuric acid-containing solution step (S3) .

또, 제 1 ∼ 제 3 기판 처리예에 있어서, 세정 약액 공정 (S5) 의 실행에 앞서, 또는 세정 약액 공정 (S5) 의 실행 후에, 과산화수소수 (H2O2) 를 기판 (W) 의 상면 (표면) 에 공급하는 과산화수소수 공급 공정을 실시해도 된다.In the first to third substrate processing examples, the hydrogen peroxide solution (H 2 O 2 ) is supplied to the upper surface of the substrate W before the cleaning chemical solution process (S5) is executed or after the cleaning chemical solution process (S5) (Surface) of the hydrogen peroxide solution may be performed.

또, 전술한 실시형태에서는, 제 1 약제 유체의 일례로서 사용되는 황산 함유액으로서 SPM 을 예시했지만, 황산 함유액으로서 그 외에, 황산이나 SOM (황산 오존) 을 사용할 수 있다.In the embodiment described above, SPM is exemplified as the sulfuric acid-containing liquid used as an example of the first chemical fluid, but sulfuric acid or SOM (sulfuric acid ozone) can be used in addition to the sulfuric acid-containing liquid.

전술한 실시형태에서는, 처리 컵으로서, 내부에서 분위기와 처리액의 기액 분리를 실시하지 않고, 외부의 기액 분리기 (기액 분리기 (97)) 를 사용하여 분위기와 처리액의 기액 분리를 실시하는 타입의 처리 컵 (16) 을 사용한 경우를 설명하였다. 그러나, 처리 컵으로서, 분위기와 처리액의 기액 분리를 내부에서 실시하는 것이 가능한 타입의 처리 컵을 사용해도 된다.In the above-described embodiment, as the processing cup, there is used a type in which the atmosphere and the processing liquid are subjected to gas-liquid separation using an external gas-liquid separator (gas-liquid separator 97) The case of using the processing cup 16 has been described. However, as the treatment cup, a treatment cup of a type capable of performing the gas-liquid separation of the atmosphere and the treatment liquid from the inside can be used.

이 타입의 처리 컵은, 스핀 척 (5) 을 둘러싸도록 배치된 1 또는 복수의 컵과, 각 컵에 접속된 배액 배관을 포함한다. 또, 이 타입의 처리 컵을 갖는 처리 챔버 (4) 에서는, 격벽 (18) 의 측벽 하부 또는 격벽 (18) 의 저부에 배기구가 개구하고 있고, 이 배기구의 내부가, 당해 배기구에 접속된 배기 덕트에 의해 흡인됨으로써, 처리 챔버 (4) 의 하부 공간의 분위기가 배기된다.This type of processing cup includes one or a plurality of cups arranged to surround the spin chuck 5 and a drain pipe connected to each of the cups. In the processing chamber 4 having this type of processing cup, an exhaust port is opened at the bottom of the side wall of the partition 18 or at the bottom of the partition 18, and the inside of the exhaust port is connected to the exhaust duct The atmosphere in the lower space of the processing chamber 4 is exhausted.

또, 전술한 실시형태에서는, 복수 종류의 처리액 (황산 함유액, 세정 약액 및 물) 을 배액하기 위한 공통의 배액홈 (배액홈 (80)) 을 형성하고, 배액홈 (80) 으로부터의 배액 (처리액) 의 유통지를, 당해 배액 (처리액) 의 종류에 따라 복수의 배액 분기 배관 (82 ∼ 84) 의 사이에서 전환하도록 하였다.In the above-described embodiment, a common drainage groove (drainage groove 80) for drainage of a plurality of kinds of treatment liquids (sulfuric acid-containing liquid, cleaning solution and water) is formed and drainage from the drainage groove 80 (Treatment liquid) is switched between a plurality of drainage branch pipes 82 to 84 in accordance with the type of the drainage (treatment liquid).

그러나, 처리 컵 (16) 에 있어서, 각 종류의 처리액에 1 대 1 대응으로 배액홈이 형성되어 있어도 된다. 즉, 황산 함유액의 배액홈, 세정 약액용의 배액홈 및 물용의 배액홈이 개별적으로 형성되어 있어도 된다. 이 경우, 배액 (처리액) 의 유통지를 복수의 배액 분기 배관의 사이에서 전환할 필요가 없다.However, in the treatment cup 16, drainage grooves may be formed in correspondence with each kind of treatment liquid in a one-to-one correspondence. That is, the drain groove for the sulfuric acid-containing liquid, the drain groove for the cleaning chemical solution, and the drain groove for the water may be separately formed. In this case, it is not necessary to switch the distribution paper of the drainage (treatment liquid) between the plurality of drainage branch pipes.

또, 전술한 실시형태에서는, 제 2 약제 유체의 일례로서 사용되는 유기 용제의 일례로서 IPA 를 예시했지만, 유기 용제로서 그 외에, 메탄올, 에탄올, HFE (하이드로플로로에테르), 아세톤 등을 예시할 수 있다. 또, 유기 용제로는, 단체 성분만으로 이루어지는 경우 뿐만 아니라, 다른 성분과 혼합한 액체여도 된다. 예를 들어, IPA 와 아세톤의 혼합액이어도 되고, IPA 와 메탄올의 혼합액이어도 된다.In the above-described embodiment, IPA is exemplified as an example of the organic solvent used as an example of the second chemical fluid. However, examples of the organic solvent include methanol, ethanol, HFE (hydrofluoroether), acetone and the like . The organic solvent may be not only a single component but also a liquid mixed with other components. For example, it may be a mixture of IPA and acetone, or a mixture of IPA and methanol.

전술한 실시형태에 있어서, SPM 등의 황산 함유액 및 IPA 등의 유기 용제의 조합을, 접촉에 위험이 수반하는 약액의 조합으로서 예시했지만, 그 외, 왕수 (王水) 및 황산의 조합 등을, 접촉에 위험이 수반하는 조합으로서 예시할 수 있다.In the embodiments described above, the combination of the sulfuric acid-containing liquid such as SPM and the organic solvent such as IPA is exemplified as a combination of chemical solutions accompanied by a risk of contact. In addition, a combination of aqua regia and sulfuric acid , A combination involving a risk of contact.

또, 본 발명은, 전술한 산과 알칼리의 조합과 같은, 접촉에 의해 생성물 (예를 들어 염) 을 생성하는 조합, 즉, 접촉에 적합하지 않은 약제 유체의 조합에 대해서도 널리 적용된다.The present invention is also widely applied to a combination of producing a product (e.g., a salt) by contact, such as a combination of an acid and an alkali described above, that is, a combination of a medicine fluid not suitable for contact.

전술한 설명에서는, 제 1 약제 유체 (약제 성분을 포함하는 유체) 가 액체 (즉, 약제 성분을 포함하는 액체) 라고 하여 설명했지만, 제 1 약제 유체로서 기체 (즉, 약제 성분을 포함하는 기체) 를 채용해도 된다.Although the above description has been made on the assumption that the first medicinal fluid (the fluid containing the medicinal component) is a liquid (i.e., the liquid containing the medicinal component), the first medicinal fluid is a gas (i.e., .

또, 제 2 약제 유체가 액체라고 하여 설명했지만, 제 2 약제 유체로서 기체를 채용해도 된다.Further, although the second medicine fluid is described as a liquid, a gas may be employed as the second chemical fluid.

또, 약제 유체 배관 (유기 용제 배관 (34)) 의 내부를 치환하는 물로서 탄산수를 예시했지만, 이 물은, 탄산수에 한정되지 않고, 탈이온수 (DIW), 전해 이온수, 수소수, 오존수 및 희석 농도 (예를 들어, 10 ppm ∼ 100 ppm 정도) 의 염산수 중 어느 것이어도 된다.Although carbonic acid water is exemplified as water for replacing the interior of the chemical fluid piping (organic solvent piping 34), the water is not limited to carbonated water but may be deionized water (DIW), electrolytic ionized water, (For example, about 10 ppm to about 100 ppm) hydrochloric acid.

본 발명의 실시형태에 대해서 상세하게 설명해 왔지만, 이들은 본 발명의 기술적 내용을 분명히 하기 위해서 이용된 구체예에 지나지 않고, 본 발명은 이들 구체예에 한정되어 해석되어야 하는 것이 아니라, 본 발명의 범위는 첨부된 청구의 범위에 의해서만 한정된다.It is to be understood that the present invention is not limited to the specific embodiments thereof but is to be construed as limited only by the scope of the present invention, But is only limited by the scope of the appended claims.

이 출원은, 2016년 5월 25일에 일본 특허청에 제출된 일본 특허출원 2016-104600호에 대응하고 있고, 이 출원의 전체 개시는 여기에 인용에 의해 도입되는 것으로 한다.This application corresponds to Japanese Patent Application No. 2016-104600 filed with the Japanese Patent Office on May 25, 2016, the entire disclosure of which is hereby incorporated by reference.

1：기판 처리 장치
4：처리 챔버
5：스핀 척 (기판 유지 유닛)
6：기판 대향면
7：대향 부재
8：제 1 토출구
9：제 1 노즐
11：제 2 노즐
12：유기 용제 공급 유닛 (제 1 약제 유체 공급 유닛)
13：린스용 물 공급 유닛 (제 2 물 공급 유닛)
14：황산 함유액 공급 유닛 (제 2 약제 유체 공급 유닛)
15：세정 약액 공급 유닛
16：처리 컵
34：유기 용제 배관 (약제 유체 배관)
35：제 1 유기 용제 밸브
36：제 2 유기 용제 밸브
37：밸브 닫힘 센서
39：제 1 물 배관
40：유기 용제 하류측 부분
43：제 1 액체 검지 센서
45：제 2 액체 검지 센서
46：제 1 물 밸브
47：치환용 물 공급 유닛 (제 1 물 공급 유닛)
49：흡인 배관
51：흡인 밸브
52：흡인 장치
53：진공 발생기
54：구동 밸브
55：흡인 유닛
56：제 2 물 배관
57：제 2 물 밸브
A1：회전축선
A2：회전축선
W：기판1: substrate processing apparatus
4: Processing chamber
5: spin chuck (substrate holding unit)
6: substrate facing surface
7: Opposite member
8: First outlet
9: First nozzle
11: Second nozzle
12: organic solvent supply unit (first medicine fluid supply unit)
13: rinse water supply unit (second water supply unit)
14: Sulfuric acid-containing liquid supply unit (second medicine fluid supply unit)
15: cleaning liquid supply unit
16: Processing cup
34: Organic solvent piping (chemical fluid piping)
35: First organic solvent valve
36: Second organic solvent valve
37: Valve close sensor
39: First water piping
40: part downstream of the organic solvent
43: first liquid detection sensor
45: second liquid detection sensor
46: First water valve
47: Substitution water supply unit (first water supply unit)
49: Aspiration piping
51: Suction valve
52: suction device
53: Vacuum generator
54: drive valve
55: suction unit
56: Second water piping
57: Second water valve
A1: Axis of rotation
A2: rotation axis line
W: substrate

Claims (21)

처리 챔버와,
상기 처리 챔버 내에 배치되어, 기판을 유지하는 기판 유지 유닛과,
상기 기판 유지 유닛에 유지되고 있는 기판의 주면 (主面) 을 향해서 유체를 토출하기 위한 토출구를 갖는 제 1 노즐과,
상기 제 1 노즐에 접속되고, 내부가 상기 토출구에 연통하는 약제 유체 배관을 갖고, 상기 약제 유체 배관을 통해서 상기 제 1 노즐에 제 1 약제 유체를 공급하기 위한 제 1 약제 유체 공급 유닛과,
상기 약제 유체 배관에 분기 접속된 물 배관을 갖고, 상기 물 배관을 통해서 상기 약제 유체 배관에 물을 공급하기 위한 제 1 물 공급 유닛과,
상기 기판 유지 유닛에 유지되고 있는 기판의 주면에, 상기 제 1 약제 유체와는 종류가 상이한 유체인 제 2 약제 유체를 공급하기 위한 제 2 약제 유체 공급 유닛과,
상기 제 1 약제 유체 공급 유닛, 상기 제 2 약제 유체 공급 유닛 및 상기 제 1 물 공급 유닛을 제어하는 제어 장치를 포함하고,
상기 제어 장치는,
상기 제 1 약제 유체를 상기 약제 유체 배관에 공급함으로써 상기 제 1 노즐로부터 상기 기판의 주면을 향해서 상기 제 1 약제 유체를 토출하여, 상기 제 1 약제 유체를 사용한 처리를 상기 기판에 실시하는 제 1 처리 공정과,
상기 제 2 약제 유체를 상기 기판의 주면에 공급하여, 상기 제 2 약제 유체를 사용한 처리를 상기 기판에 실시하는 제 2 처리 공정과,
상기 제 1 처리 공정의 실행 전 및/혹은 실행 후, 그리고/또는, 상기 제 2 처리 공정의 실행 전 및/혹은 실행 후에 있어서, 상기 제 1 물 공급 유닛으로부터의 물을 상기 약제 유체 배관에 공급하여, 상기 약제 유체 배관의 내부를 물로 치환하는 물 치환 공정을 실행하는, 기판 처리 장치.A processing chamber,
A substrate holding unit disposed in the processing chamber and holding a substrate;
A first nozzle having a discharge port for discharging a fluid toward a main surface of a substrate held by the substrate holding unit;
A first medicinal fluid supply unit connected to the first nozzle and having a medicinal fluid piping whose inside communicates with the discharge port and for supplying a first medicinal fluid to the first nozzle through the medicinal fluid piping,
A first water supply unit having a water pipe branch-connected to the medicine fluid pipe, for supplying water to the medicine fluid pipe through the water pipe,
A second medicinal fluid supply unit for supplying a second medicinal fluid of a kind different from that of the first medicinal fluid to the main surface of the substrate held by the substrate holding unit;
And a control device for controlling the first medicine fluid supply unit, the second medicine fluid supply unit, and the first water supply unit,
The control device includes:
A first process for discharging the first chemical fluid from the first nozzle toward the main surface of the substrate by supplying the first chemical fluid to the chemical fluid pipe and performing a process using the first chemical fluid on the substrate The process,
A second processing step of supplying the second chemical fluid to the main surface of the substrate to perform processing using the second chemical fluid on the substrate,
Water from the first water supply unit is supplied to the medicine fluid pipe before and / or after the execution of the first treatment process and / or before and / or after the execution of the second treatment process And a water replacement step of replacing the inside of the chemical fluid pipe with water. 제 1 항에 있어서,
상기 기판 유지 유닛에 유지되고 있는 기판의 주면에 대향하는 기판 대향면을 갖는 대향 부재를 추가로 포함하고,
상기 제 1 노즐의 상기 토출구는, 상기 기판 대향면에 형성되어 있는, 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Further comprising an opposing member having a substrate facing surface opposite to a main surface of the substrate held by the substrate holding unit,
And the discharge port of the first nozzle is formed on the substrate facing surface. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 약제 유체 배관의 내부를 흡인하기 위한 흡인 유닛을 추가로 포함하고,
상기 제어 장치는 상기 흡인 유닛을 추가로 제어하는 것이고,
상기 제어 장치는, 상기 물 치환 공정의 종료 후, 상기 약제 유체 배관의 내부를 흡인하는 제 1 흡인 공정을 추가로 실행하는, 기판 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Further comprising a suction unit for suctioning the interior of the medicinal fluid piping,
The control device further controls the suction unit,
Wherein the control device further performs a first suction process for sucking the inside of the chemical fluid pipe after the completion of the water replacement process. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제어 장치는, 상기 제 1 처리 공정을, 상기 제 2 처리 공정의 종료 후에 개시하고,
상기 제어 장치는, 상기 제 2 처리 공정에 앞서 실행되는 제 1 물 치환 공정을, 상기 물 치환 공정으로서 실행하는, 기판 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
The control device starts the first processing step after the end of the second processing step,
Wherein the control device executes the first water replacement step executed before the second processing step as the water replacement step. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제어 장치는, 상기 제 1 처리 공정을, 상기 제 2 처리 공정의 종료 후에 개시하고,
상기 제어 장치는, 상기 제 2 처리 공정 후 또한 상기 제 1 처리 공정에 앞서 실행되는 제 2 물 치환 공정을, 상기 물 치환 공정으로서 실행하는, 기판 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
The control device starts the first processing step after the end of the second processing step,
Wherein the control device executes the second water replacement step executed after the second processing step and before the first processing step as the water replacement step. 제 5 항에 있어서,
상기 제어 장치는, 상기 제 2 처리 공정의 후에 있어서 상기 기판의 주면으로부터 상기 제 2 약제 유체를 물로 씻어내기 위해서, 상기 제 1 처리 공정에 앞서, 상기 기판의 주면에 물을 공급하는 제 1 물 공급 공정을 추가로 실행하고,
상기 제어 장치는, 상기 제 1 물 공급 공정으로서 상기 제 2 물 치환 공정을 실행하는, 기판 처리 장치.6. The method of claim 5,
Wherein the controller is configured to perform a first water supply step of supplying water to the main surface of the substrate before the first treatment step in order to wash the second chemical fluid from the main surface of the substrate after the second treatment step with water, Further execution of the process,
Wherein the control device executes the second water replacement step as the first water supply step. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 노즐과는 다른 노즐로서, 상기 기판 유지 유닛에 유지되고 있는 기판의 주면을 향해서 유체를 토출하기 위한 제 2 노즐과,
상기 제 2 노즐에 물을 공급하기 위한 제 2 물 공급 유닛을 추가로 포함하고,
상기 제어 장치는 상기 제 2 물 공급 유닛을 추가로 제어하는 것이고,
상기 제어 장치는, 상기 제 1 처리 공정을, 상기 제 2 처리 공정의 종료 후에 개시하고, 또한, 상기 제 2 처리 공정 후 또한 상기 제 1 처리 공정의 개시에 앞서, 상기 제 2 노즐에 물을 공급함으로써 상기 제 2 노즐로부터 상기 기판의 주면을 향해서 물을 토출 개시하는 제 2 물 공급 공정을 실행하고,
상기 제어 장치는, 상기 제 1 처리 공정에 있어서의 상기 약제 유체 배관으로의 상기 제 1 약제 유체의 공급을, 상기 제 2 물 공급 공정의 종료에 앞서 개시하는, 기판 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
A second nozzle for discharging the fluid toward the main surface of the substrate held by the substrate holding unit, the second nozzle being different from the first nozzle;
Further comprising a second water supply unit for supplying water to the second nozzle,
Wherein the control device further controls the second water supply unit,
Wherein the control device is configured to start the first processing step after the end of the second processing step and to supply water to the second nozzle after the second processing step and before the start of the first processing step A second water supply step of starting water discharge from the second nozzle toward the main surface of the substrate,
Wherein the control device starts the supply of the first chemical fluid to the chemical fluid pipe in the first process step prior to the end of the second water supply process. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제어 장치는, 상기 제 2 물 공급 공정의 종료 전에, 상기 제 1 처리 공정을 개시하는, 기판 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the control device starts the first processing step before the end of the second water supply step. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제어 장치는, 상기 1 처리 공정에 있어서의 상기 제 1 노즐로부터의 제 1 약제 유체의 토출 종료 후에, 상기 약제 유체 배관의 내부를 흡인하는 제 2 흡인 공정을 추가로 실행하는, 기판 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the controller further performs a second suction process for sucking the inside of the chemical fluid pipe after the completion of the discharge of the first chemical fluid from the first nozzle in the one treatment process. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 세정액은, 탄산수를 포함하는, 기판 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the cleaning liquid includes carbonated water. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 약제 유체는, 황산 함유액을 포함하고,
상기 제 2 약제 유체는, 유기 용제를 포함하는, 기판 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the first chemical fluid comprises a sulfuric acid-containing liquid,
Wherein the second chemical fluid comprises an organic solvent. 처리 챔버 내에서 기판을 유지하는 기판 유지 공정과,
제 1 약제 유체를, 제 1 노즐에 접속된 약제 유체 배관을 통해서 상기 제 1 노즐에 공급함으로써 상기 제 1 노즐로부터 상기 기판의 주면을 향해서 상기 제 1 약제 유체를 토출하여, 상기 제 1 약제 유체를 사용한 처리를 상기 기판에 실시하는 제 1 처리 공정과,
상기 제 1 약제 유체와는 종류가 상이한 유체인 제 2 약제 유체를 상기 기판의 주면에 공급하여, 상기 제 2 약제 유체를 사용한 처리를 상기 기판에 실시하는 제 2 처리 공정과,
상기 제 1 처리 공정의 실행 전 및/혹은 실행 후, 그리고/또는, 상기 제 2 처리 공정의 실행 전 및/혹은 실행 후에 있어서 상기 약제 유체 배관에 분기 접속된 물 배관을 통해서, 상기 약제 유체 배관에 물을 공급하여, 상기 약제 유체 배관의 내부를 물로 치환하는 물 치환 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.A substrate holding step of holding the substrate in the processing chamber,
The first chemical fluid is discharged from the first nozzle toward the main surface of the substrate by supplying the first chemical fluid to the first nozzle through a chemical fluid pipe connected to the first nozzle, A first processing step of performing a used process on the substrate,
A second processing step of supplying a second chemical fluid, which is a kind of fluid different from the first chemical fluid, to the main surface of the substrate and performing processing using the second chemical fluid on the substrate;
Through the water piping branch-connected to the chemical fluid pipe before and / or after the execution of the first process, and / or before and / or after the execution of the second process, And a water replacement step of supplying water to replace the inside of the chemical fluid pipe with water. 제 12 항에 있어서,
상기 물 치환 공정의 종료 후, 상기 약제 유체 배관의 내부를 흡인하는 제 1 흡인 공정을 추가로 포함하는, 기판 처리 방법.13. The method of claim 12,
Further comprising a first sucking step of sucking the interior of the medicament fluid piping after the end of the water displacement process. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
상기 제 1 처리 공정은, 상기 제 2 처리 공정의 종료 후에 개시하는 공정을 포함하고,
상기 물 치환 공정은, 상기 제 2 처리 공정에 앞서 실행되는 제 1 물 치환 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.The method according to claim 12 or 13,
Wherein the first processing step includes a step of starting after the end of the second processing step,
Wherein the water replacement step includes a first water replacement step performed prior to the second processing step. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
상기 제 1 처리 공정은, 상기 제 2 처리 공정의 종료 후에 개시하는 공정을 포함하고,
상기 물 치환 공정은, 상기 제 2 처리 공정 후 또한 상기 제 1 처리 공정에 앞서 실행되는 제 2 물 치환 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.The method according to claim 12 or 13,
Wherein the first processing step includes a step of starting after the end of the second processing step,
Wherein the water replacement step includes a second water replacement step performed after the second processing step and before the first processing step. 제 15 항에 있어서,
상기 제 2 처리 공정의 후에 있어서 상기 기판의 주면으로부터 상기 제 2 약제 유체를 물로 씻어내기 위해서, 상기 제 1 처리 공정에 앞서, 상기 기판의 주면에 물을 공급하는 제 1 물 공급 공정을 추가로 포함하고,
상기 제 1 물 공급 공정은, 상기 제 2 물 치환 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.16. The method of claim 15,
Further comprising a first water supply step of supplying water to the main surface of the substrate prior to the first treatment step so as to wash the second chemical fluid from the main surface of the substrate after the second treatment step with water and,
Wherein the first water supply step includes the second water replacement step. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
상기 제 1 처리 공정은, 상기 제 2 처리 공정의 종료 후에 개시하는 공정을 포함하고,
상기 제 2 처리 공정 후 또한 상기 제 1 처리 공정에 앞서, 상기 제 1 노즐과는 다른 노즐인 제 2 노즐에 물을 공급함으로써 상기 제 2 노즐로부터 상기 기판의 주면을 향해서 물을 토출하는 제 2 물 공급 공정을 추가로 포함하고,
상기 제 1 처리 공정은, 상기 약제 유체 배관으로의 상기 제 1 약제 유체의 공급을, 상기 제 2 물 공급 공정의 종료에 앞서 실행 개시하는, 기판 처리 방법.The method according to claim 12 or 13,
Wherein the first processing step includes a step of starting after the end of the second processing step,
A second water discharge nozzle for discharging water from the second nozzle toward the main surface of the substrate by supplying water to the second nozzle which is a nozzle different from the first nozzle after the second processing step and before the first processing step; Further comprising a feed step,
Wherein the first treatment step starts to execute the supply of the first chemical fluid to the chemical fluid piping prior to the end of the second water supply step. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
상기 제 2 처리 공정의 후, 상기 제 2 노즐로부터 물을 상기 기판의 주면에 공급하는 제 2 물 공급 공정을 추가로 포함하고,
상기 제 2 물 공급 공정에 병행하여, 상기 제 1 처리 공정을 실행하는, 기판 처리 방법.The method according to claim 12 or 13,
And a second water supply step of supplying water from the second nozzle to the main surface of the substrate after the second treatment step,
And the first processing step is executed in parallel with the second water supply step. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
상기 1 처리 공정에 있어서의 상기 제 1 노즐로부터의 제 1 약제 유체의 토출 종료 후에, 상기 약제 유체 배관의 내부를 흡인하는 제 2 흡인 공정을 추가로 포함하는, 기판 처리 방법.The method according to claim 12 or 13,
Further comprising a second suction step of sucking the inside of the chemical fluid pipe after completion of discharge of the first chemical fluid from the first nozzle in the one treatment process. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
상기 세정액은, 탄산수를 포함하는, 기판 처리 방법.The method according to claim 12 or 13,
Wherein the cleaning liquid contains carbonated water. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
상기 제 1 약제 유체는, 황산 함유액을 포함하고,
상기 제 2 약제 유체는, 유기 용제를 포함하는, 기판 처리 방법.
The method according to claim 12 or 13,
Wherein the first chemical fluid comprises a sulfuric acid-containing liquid,
Wherein the second chemical fluid comprises an organic solvent.
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