KR20180125337A

KR20180125337A - Waterproof type soft X-ray static eliminator

Info

Publication number: KR20180125337A
Application number: KR1020170060140A
Authority: KR
Inventors: 이동훈; 이수영; 박진철; 허시환
Original assignee: (주)선재하이테크
Priority date: 2017-05-15
Filing date: 2017-05-15
Publication date: 2018-11-23

Abstract

The present invention relates to a waterproof soft X-ray static eliminator for preventing degradation of the static elimination performance. The waterproof soft X-ray static eliminator comprises: a soft X-ray pipe having a head discharging a soft X-ray; an inner case having the soft X-ray pipe embedded therein; an outer case receiving the inner case therein, and forming an output window exposing the head of the soft X-ray pipe at a lower end; a blocking film covering the output window, and discharging the soft X-ray generated in the head of the soft X-ray pipe to the outside; a flange coupled to the bottom of the outer case to support the blocking film; and an O-ring installed to seal between the blocking film and the flange.

Description

[0001] The present invention relates to a waterproof type soft X-ray static eliminator,

본 발명은 물체에 축적된 정전기를 제전할 수 있는 연엑스선 제전 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an X-ray photocoagulation apparatus capable of neutralizing electrostatic charge accumulated in an object.

반도체 칩 패키지의 제조공정에 있어서, 전기적 특성 검사(EDS ; Electrical die sorting)가 완료된 웨이퍼를 각각의 개별 반도체 칩으로 분리하기 위한 공정을 웨이퍼 절단 공정이라 하며, 이러한 웨이퍼 절단 공정은 곧바로 리드프레임 위에 개개의 반도체 칩을 부착하는 공정인 다이 본딩 공정과 연결되는 것이 일반적이다.In the process of manufacturing a semiconductor chip package, a process for separating a wafer into which electrical dies (EDS) has been completed into individual semiconductor chips is referred to as a wafer cutting process. The wafer cutting process is directly performed on a lead frame Bonding process, which is a process of attaching the semiconductor chip of the present invention.

좀 더 상세하게, 웨이퍼 절단 공정은 웨이퍼의 표면에 자외선 테이프(UV tape)를 접착하는 제1단계와, 웨이퍼를 블레이드의 회전에 의하여 개개의 반도체 칩으로 절단하는 제2단계와, 웨이퍼에 접착된 자외선 테이프를 제거하는 제3단계로 이루어지며, 제2단계에서는 블레이드의 냉각을 위하여 블레이드로 냉각수를 공급한다.More specifically, the wafer cutting process includes a first step of bonding an ultraviolet (UV) tape to the surface of the wafer, a second step of cutting the wafer into individual semiconductor chips by rotation of the blades, And a third step of removing the ultraviolet tape. In the second step, the cooling water is supplied to the blade for cooling the blade.

이 때, 제2단계에서는 웨이퍼를 블레이드로 절단하는 과정에서 블레이드와 자외선 테이프의 마찰로 인해 정전기가 발생함으로써, 웨이퍼의 절단에 의해 발생하는 슬래그와 불순물이 반도체 칩에 부착되는 문제점이 있었다.At this time, in the second step, static electricity is generated due to the friction between the blade and the ultraviolet ray tape in the process of cutting the wafer into the blades, so that the slag and the impurities generated by cutting the wafer adhere to the semiconductor chip.

이렇게 반도체 칩에 슬래그와 불순물에 부착된 상태에서 반도체 칩 패키지로 조립될 때, 반도체 칩 패키지 표면의 보호층(Passivation layer)을 파괴하여 신뢰성 불량을 초래하고, 반도체 칩 패키지 표면의 금속배선을 연결 또는 단절시켜서 전기적 특성 불량을 초래하여 조립불량 및 특성불량으로 이어져서 공정 수율 저하는 물론 생산성 향상에 막대한 지장이 발생함에 따라, 웨이퍼를 개개의 반도체칩으로 절단할 때 발생하는 정전기를 반드시 제거할 필요성이 있었다.When the semiconductor chip is assembled into the semiconductor chip package in a state where the semiconductor chip is attached to the slag and the impurity, the passivation layer on the surface of the semiconductor chip package is destroyed to cause a reliability failure. It is necessary to remove the static electricity generated when the wafer is cut into individual semiconductor chips because the electrical characteristics are deteriorated to cause defective assembling and defective characteristics, there was.

웨이퍼를 개개의 반도체칩으로 절단할 때 발생하는 정전기를 제거하기 위한 방법에는, 접지하는 방법, 가습에 의한 방법, 대전방지제나 대전용품을 사용하는 방법 또는 이오나이저를 사용하는 방법 등이 있다.Methods for removing static electricity generated when a wafer is cut into individual semiconductor chips include a method of grounding, a method of humidifying, a method of using an antistatic agent or a charging device, or a method of using an ionizer.

이 때, 이오나이저는 고전압을 방전시켜 얻어지는 양이온과 음이온을 소재로 보내서 대전된 정전기와 반대극성으로 중화시켜 소멸시키는 장치로서, 반도체 칩 정전기 제거용으로는 연엑스선 제전 장치가 사용될 수 있다.At this time, the ionizer is a device for neutralizing and neutralizing the positive ions and the negative ions obtained by discharging the high voltage to the material to neutralize the charged static electricity. In order to remove the semiconductor chip static electricity, the pumice xerostatic device can be used.

연엑스선 제전장치는 양극투과형 엑스선 튜브에 텅스텐(W)과 같은 금속 물질을 얇은 베릴륨 판위에 코팅하여 사용한다.The X-ray X-ray absorber is used by coating a cathode ray tube with a metal material such as tungsten (W) on a thin beryllium plate.

연엑스선 제전장치와 관련된 기술로서, 한국등록특허 제1361793호는 텅스텐과 상기 텅스텐 위에 위치하고 상기 텅스텐보다 낮은 일함수를 갖는 물질을 구비하며, 전자를 방출하는 필라멘트, 상기 필라멘트에서 방출한 상기 전자가 충돌하여 엑스선을 발생시키는 코팅 물질로 이루어진 코팅부, 상기 코팅부 하부에 상기 코팅부와 접하게 위치하고, 상기 코팅부에서 발생한 엑스선을 외부로 방출시키는 베릴륨판, 상기 필라멘트의 양 단부에 각각 연결되어 있고, 외부로부터 전압을 인가 받는 두 개의 전극, 그리고 상기 필라멘트에서 발생한 전자를 집속시키는 집속 렌즈를 포함하는 광이오나이저를 개시하였다.Korean Patent No. 1361793 discloses a technique related to an X-ray x-ray discharge apparatus, which comprises tungsten and a substance positioned above the tungsten and having a work function lower than that of tungsten, the filament emitting electrons, the electrons emitted from the filament A beryllium plate disposed under the coating section in contact with the coating section and discharging the X-rays generated in the coating section to the outside, and a bipolar plate connected to both ends of the filament, And a focusing lens for focusing the electrons generated in the filament.

이 때, 종래기술은 웨이퍼를 블레이드로 절단하는 과정에서 블레이드의 냉각수에 의해 연엑스선을 방출하는 베릴륨판이 부식 및 산화되어 리크(Leak)가 발생하는 문제점이 있었다.At this time, in the prior art, there is a problem that a beryllium plate that emits a pumped X-ray by the cooling water of the blade is corroded and oxidized during the process of cutting the wafer into a blade, causing leakage.

한국등록특허 제1361793호(2014.02.05)Korean Patent No. 1361793 (Feb.

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 부식 및 산화에 의한 리크가 발생하는 것을 원천적으로 차단할 수 있는 방수형 연엑스선 제전 장치를 제공하기 위한 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a waterproof type soft X-ray discharge apparatus capable of blocking the occurrence of leakage caused by corrosion and oxidation.

또한, 본 발명의 다른 목적은 제전 성능이 저하되는 것을 방지할 수 있는 방수형 연엑스선 제전 장치를 제공하기 위한 것이다.It is another object of the present invention to provide a waterproof type soft X-ray discharge apparatus capable of preventing the static elimination performance from being degraded.

본 발명에 따른 방수형 연엑스선 제전 장치는 연엑스선이 방출되는 헤드를 가진 연엑스선관; 상기 연엑스선관이 내장되는 내부케이스; 상기 내부케이스가 내부에 수납되며, 상기 연엑스선관의 헤드가 노출되는 출력창이 하단에 형성되는 외부케이스; 상기 출력창을 덮으며 상기 연엑스선관의 헤드에서 발생한 연엑스선을 외부로 방출하는 차단막; 상기 차단막을 지지하도록 상기 외부케이스의 하단에 결합되는 플랜지; 및 상기 차단막과 플랜지 사이에 기밀을 위하여 설치되는 오링;을 포함하는 것을 특징으로 한다.The waterproof type soft X-ray cell degeneration apparatus according to the present invention comprises: a soft X-ray tube having a head for discharging soft X-ray; An inner case having the opened x-ray tube therein; An outer case in which the inner case is housed and an output window through which the head of the pneumatic X-ray tube is exposed is formed at a lower end; A shielding film covering the output window and discharging the pumped x-ray generated at the head of the x-ray tube to the outside; A flange coupled to a lower end of the outer case to support the barrier film; And an o-ring installed between the barrier membrane and the flange for air tightness.

또한, 상기 차단막은 운모판인 것을 특징으로 한다.In addition, the barrier film is a mica plate.

또한, 상기 차단막은 0.020mm 내지 0.025mm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the barrier layer is formed to have a thickness of 0.020 mm to 0.025 mm.

또한, 상기 외부케이스는 하단 일측에 다른 부분보다 두께가 얇게 형성되는 오목부가 더 형성되며, 상기 출력창이 상기 오목부 상에 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the outer case may have a concave portion formed at a lower end of the outer case to be thinner than the other portion, and the output window is formed on the concave portion.

이에 따라, 본 발명에 따른 방수형 연엑스선 제전 장치는 연엑스선관이 차단막에 의해 밀폐됨으로써, 연엑스선관의 기밀성과 방수성이 극대화되어 연엑스선관에 부식 및 산화에 의한 리크가 발생하는 것을 원천적으로 차단할 수 있는 장점이 있다.Accordingly, in the waterproof type soft X-ray cell deactivation apparatus according to the present invention, since the soft X-ray tube is sealed by the shielding film, the airtightness and waterproofness of the soft X-ray tube are maximized, and leakage caused by corrosion and oxidation in the soft X- There is an advantage that it can block.

또한, 본 발명에 따른 방수형 연엑스선 제전 장치는 차단막이 운모판으로 구성됨으로써, 기밀성과 방수성을 극대화하여도 제전 성능이 저하되는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다.In addition, the waterproof type soft X-ray cell deactivation device according to the present invention has an advantage that the barrier performance is prevented from being degraded even if the airtightness and the water resistance are maximized because the barrier film is formed of a mica plate.

도 1은 본 발명에 따른 방수형 연엑스선 제전 장치를 나타낸 사시도.
도 2는 본 발명에 따른 방수형 연엑스선 제전 장치를 나타낸 분해사시도.
도 3은 본 발명에 따른 방수형 연엑스선 제전 장치의 연엑스선관, 차단막, 플랜지, 오링을 나타낸 부분단면도.
도 4는 본 발명에 따른 방수형 연엑스선 제전 장치의 연엑스선관, 차단막, 플랜지, 오링을 나타낸 확대단면도.
도 5a는 종래의 이오나이저의 베릴륨판의 웨이퍼 절단 공정 사용전 표면 상태를 나타낸 사진, 도 5b는 본 발명의 방수형 연엑스선 제전 장치의 차단막의 웨이퍼 절단 공정 사용전 표면 상태를 나타낸 사진.
도 6a는 종래의 이오나이저의 베릴륨판의 웨이퍼 절단 공정 사용후 표면 상태를 나타낸 사진, 도 6b는 본 발명의 방수형 연엑스선 제전 장치의 차단막의 웨이퍼 절단 공정 사용후 표면 상태를 나타낸 사진.FIG. 1 is a perspective view of a waterproof type soft X-ray photoconductor according to the present invention. FIG.
FIG. 2 is an exploded perspective view showing a waterproof type soft X-ray discharge system according to the present invention. FIG.
FIG. 3 is a partial cross-sectional view showing an externally threaded X-ray tube, a shielding film, a flange, and an O-ring of a waterproof type pseudo-x-ray extinction apparatus according to the present invention.
4 is an enlarged cross-sectional view showing an X-ray tube, a shielding membrane, a flange, and an O-ring of a waterproof type soft X-ray photocoagulation apparatus according to the present invention.
FIG. 5A is a photograph showing the surface state of the conventional ionizer beryllium plate before the wafer cutting process, and FIG. 5B is a photograph showing the surface state of the barrier film of the waterproof type X-ray photoelectron device of the present invention before the wafer cutting process.
FIG. 6A is a photograph showing the surface state of the conventional ionizer beryllium plate after using the wafer cutting process, and FIG. 6B is a photograph showing the surface state of the barrier film of the waterproof type X-ray photoconductor of the present invention after using the wafer cutting process.

이하, 본 발명의 기술적 사상을 첨부된 도면을 사용하여 더욱 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the technical idea of the present invention will be described more specifically with reference to the accompanying drawings.

첨부된 도면은 본 발명의 기술적 사상을 더욱 구체적으로 설명하기 위하여 도시한 일예에 불과하므로 본 발명의 기술적 사상이 첨부된 도면의 형태에 한정되는 것은 아니다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The accompanying drawings, which are included to provide a further understanding of the technical concept of the present invention, are incorporated in and constitute a part of the specification, and are not intended to limit the scope of the present invention.

도 1은 본 발명에 따른 방수형 연엑스선 제전 장치(100)를 나타낸 사시도, 도 2는 본 발명에 따른 방수형 연엑스선 제전 장치(100)를 나타낸 분해사시도, 도 3은 본 발명에 따른 방수형 연엑스선 제전 장치(100)의 연엑스선관(10), 차단막(40), 플랜지(50), 오링(60)을 나타낸 부분단면도, 도 4는 본 발명에 따른 방수형 연엑스선 제전 장치(100)의 연엑스선관(10), 차단막(40), 플랜지(50), 오링(60)을 나타낸 확대단면도이다.FIG. 1 is an exploded perspective view showing a waterproof type soft X-ray cell erase apparatus 100 according to the present invention, FIG. 2 is an exploded perspective view showing a waterproof type soft X-ray cell destruction apparatus 100 according to the present invention, 4 is a partial cross-sectional view showing an open x-ray tube 10, a shielding film 40, a flange 50 and an O-ring 60 of the soft X-ray cell erasing apparatus 100. Fig. The flange 50, and the O-ring 60 of the X-ray tube 10, the shielding film 40,

도 1 내지 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 방수형 연엑스선 제전 장치(100)는 연엑스선관(10), 내부케이스(20), 외부케이스(30), 차단막(40), 플랜지(50), 오링(60)을 포함한다.1 and 2, a waterproof type soft X-ray radiation apparatus 100 according to the present invention includes an X-ray tube 10, an inner case 20, an outer case 30, a shielding film 40, (50), and an O-ring (60).

상기 연엑스선관(10)은 하단에 구성된 헤드(도면부호 미표시)에서 연엑스선이 발생하며, 전원을 공급받을 수 있는 전원공급선과 연결된다.The open x-ray tube 10 is connected to a power supply line capable of receiving a power supply and generating an X-ray from a head (not shown) formed at the lower end thereof.

상기 내부케이스(20)는 상기 연엑스관의 헤드가 하측으로 노출되도록 상기 연엑스관이 하단에 내장된다. 이 때, 상기 내부케이스(20)는 상기 연엑스선관(10)의 고정을 위하여, 상기 연엑스선관(10)과 나사 체결 될 수 있다.The inner casing (20) is installed at the lower end of the outer jacket tube so that the head of the jacket tube is exposed downward. At this time, the inner case 20 can be screwed with the soft X-ray tube 10 for fixing the soft X-ray tube 10.

상기 외부케이스(30)는 상기 내부케이스(20)가 내부에 수납되며, 상기 연엑스선관(10)의 헤드가 노출되는 출력창(31)이 하단에 형성된다. 이 때, 상기 외부케이스(30)는 상기 출력창(31)의 직경이 상기 헤드의 직경에 대응하게 형성되는 것이 바람직하나, 본 발명은 이에 한정되지 아니한다.The inner case 20 is accommodated in the outer case 30 and an output window 31 is formed at the lower end of the outer case 30 to expose the head of the pneumatic X-ray tube 10. At this time, it is preferable that the diameter of the output window 31 is formed to correspond to the diameter of the head of the outer case 30, but the present invention is not limited thereto.

도 3 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 차단막(40)은 상기 출력창(31)을 덮으며 상기 연엑스선관(10)의 헤드에서 발생한 연엑스선을 외부로 방출한다.As shown in FIGS. 3 to 4, the blocking film 40 covers the output window 31 and discharges the opened X-ray generated in the head of the X-ray tube 10 to the outside.

상기 플랜지(50)는 상기 차단막(40)을 지지하도록 상기 외부케이스(30)의 하단에 결합된다. 이 때, 상기 플랜지(50)는 분리 및 교체가 용이하도록 상기 외부케이스(30)의 하단에 나사 체결될 수 있다.The flange 50 is coupled to the lower end of the outer case 30 to support the shielding film 40. At this time, the flange 50 can be screwed to the lower end of the outer case 30 to facilitate separation and replacement.

상기 오링(60)은 상기 차단막(40)과 플랜지(50) 사이에 기밀을 위하여 설치된다.The O-ring 60 is installed between the blocking membrane 40 and the flange 50 for airtightness.

종래에는 웨이퍼를 블레이드로 절단하는 과정에서 블레이드의 냉각수에 의해 연엑스선관(10)의 헤드가 산화 부식되어 리크(Leak)가 발생하는 문제점이 있었다.Conventionally, there has been a problem in that the head of the pneumatic X-ray tube 10 is oxidized and corroded by the cooling water of the blade in the process of cutting the wafer with the blade, resulting in leakage.

그러나 본 발명에 따른 방수형 연엑스선 제전 장치(100)는 연엑스선관(10)이 차단막(40)에 의해 밀폐됨으로써, 연엑스선관(10)의 기밀성과 방수성이 극대화되어 연엑스선관(10)에 부식 및 산화에 의한 리크가 발생하는 것을 원천적으로 차단할 수 있는 장점이 있다.However, in the waterproof type soft X-ray cell deactivation apparatus 100 according to the present invention, since the soft X-ray tube 10 is sealed by the shielding film 40, the airtightness and waterproofing of the soft X-ray tube 10 are maximized, There is an advantage in that the leakage due to corrosion and oxidation can be prevented from occurring.

또한, 상기 차단막(40)은 운모판으로 구성될 수 있으며, 0.020mm 내지 0.025mm의 두께로 형성될 수 있다. 이에 대하여, 하기 실시예를 들어 좀 더 상세하게 설명하기로 한다.In addition, the blocking layer 40 may be formed of a mica plate and may have a thickness of 0.020 mm to 0.025 mm. Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the following examples.

<실시예><Examples>

종래의 이오나이저와, 본 발명의 방수형 연엑스선 제전 장치(100)를 웨이퍼의 절단 공정에 발생하는 정전기를 제거하는 용도로 200시간 이상 사용한 후, 종래의 이오나이저에 구성된 베릴륨판의 표면 상태와, 본 발명의 방수형 연엑스선 제전 장치(100)에 구성된 차단막(40)(운모판)의 표면 상태를 확인하였다.The conventional ionizer and the waterproof pseudo-x-ray discharge apparatus 100 of the present invention are used for 200 hours or more for removing static electricity generated in the cutting process of the wafer, and then the surface state of the beryllium plate formed in the conventional ionizer , The surface state of the shielding film 40 (mica plate) formed on the waterproof type soft X-ray cell destruction apparatus 100 of the present invention was confirmed.

이 때, 종래의 이오나이저에 구성된 베릴륨판의 두께는 0.08mm으로 하였으며, 본 발명의 방수형 연엑스선 제전 장치(100)에 구성된 차단막(40)의 두께는 0.031mm으로 하였다.At this time, the thickness of the beryllium plate formed on the conventional ionizer was 0.08 mm, and the thickness of the shielding film 40 formed on the waterproof pseudo-x-ray cell destruction apparatus 100 of the present invention was 0.031 mm.

도 5a는 종래의 이오나이저의 베릴륨판의 웨이퍼 절단 공정 사용전 표면 상태를 나타낸 사진, 도 5b는 본 발명의 방수형 연엑스선 제전 장치(100)의 차단막(40)의 웨이퍼 절단 공정 사용전 표면 상태를 나타낸 사진, 도 6a는 종래의 이오나이저의 베릴륨판의 웨이퍼 절단 공정 사용후 표면 상태를 나타낸 사진, 도 6b는 본 발명의 방수형 연엑스선 제전 장치(100)의 차단막(40)의 웨이퍼 절단 공정 사용후 표면 상태를 나타낸 사진이다.FIG. 5A is a photograph showing the surface state of the conventional ionizer beryllium plate before the wafer cutting process, FIG. 5B is a photograph of the surface state before the wafer cutting process of the barrier film 40 of the waterproof type purity x- FIG. 6A is a photograph showing the surface state of the conventional ionizer beryllium plate after the wafer cutting process is used. FIG. 6B is a view showing a wafer cutting process of the barrier film 40 of the waterproof type A photograph showing the surface state after use.

도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같이, 종래의 이오나이저의 베릴륨판의 웨이퍼 절단 공정에 정전기 제거용으로 사용전 표면 상태에 변형이 없었으며, 본 발명의 방수형 연엑스선 제전 장치(100)의 차단막(40)의 웨이퍼 절단 공정에 정전기 제거용으로 사용전 표면 상태에도 변형이 없었다.As shown in FIGS. 5A and 5B, in the wafer cutting process of the beryllium plate of the conventional ionizer, there was no deformation of the surface condition before use for static elimination, and the water- There was no deformation of the surface state before use for static elimination in the wafer cutting process of the shielding film 40.

도 6a 및 도 6b에 도시된 바와 같이, 종래의 이오나이저의 베릴륨판의 웨이퍼 절단 공정에 정전기 제거용으로 200시간 이상 사용후 표면 상태에 부식 및 산화에 의한 변형이 있었으나, 본 발명의 방수형 연엑스선 제전 장치(100)의 차단막(40)의 웨이퍼 절단 공정에 정전기 제거용으로 200시간 이상 사용후 표면 상태에 부식 및 산화에 의한 변형이 없었다.As shown in FIGS. 6A and 6B, in the wafer cutting process of the conventional Ionizer beryllium plate, the surface state after deformation for 200 hours or more was deformed by corrosion and oxidation, There was no deformation due to corrosion or oxidation in the surface state after 200 hours of use for static elimination in the wafer cutting process of the shielding film 40 of the X-ray cell destroying apparatus 100.

또한, 종래의 이오나이저의 베릴륨판에서 방출되는 연엑스선의 이온 밸런스가 ??1.9였으며, 본 발명의 방수형 연엑스선 제전 장치(100)의 차단막(40)에서 방출되는 연엑스선의 이온 밸런스는 ??0.64로 종래의 이오나이저의 베릴륨판에서 방출되는 연엑스선의 이온 밸런스보다 우수한 이온 밸런스와 제전 성능이 나타나는 것을 확인할 수 있다. 이 때, 이온 밸런스는 0에 가까운 값일수록 우수한 것을 나타낸다.In addition, the ion balance of the X-ray beam emitted from the beryllium plate of the conventional ionizer was 1.9, and the ion balance of the X-ray beam emitted from the barrier film 40 of the waterproof type X-ray beam dephasing apparatus 100 of the present invention was? ? 0.64 shows that ion balance and electrification performance are superior to those of the conventional x-rays emitted from the beryllium plate of the ionizer. At this time, the closer the ion balance is to 0, the better the ion balance.

한편, 본 발명의 방수형 연엑스선 제전 장치(100)의 차단막(40)은 두께가 0.01mm 내지 0.025mm에서 이온 밸런스와 제전 성능의 저하가 발생하지 않았으나, 0.025mm 초과에서는 이온 밸런스와 제전 성능이 저하되었다.On the other hand, in the shielding film 40 of the waterproof type soft X-ray cell destruction apparatus 100 of the present invention, the ion balance and the electrification performance were not reduced at a thickness of 0.01 mm to 0.025 mm, .

또한, 본 발명의 방수형 연엑스선 제전 장치(100)의 차단막(40)은 두께가 0.020mm미만에서 주변 진동에 의한 변형이 비교적 쉽게 발생하였으므로, 두께가 0.020mm 내지 0.025mm인 것을 최적화된 수치로 판정하였다.Further, since the shielding film 40 of the waterproof type soft X-ray cell erase apparatus 100 according to the present invention is relatively easily deformed by the peripheral vibration when the thickness is less than 0.020 mm, the thickness of the shielding film 40 is 0.020 mm to 0.025 mm, Respectively.

또한, 상기 외부케이스(30)는 하단 일측에 다른 부분보다 두께가 얇게 형성되는 오목부(32)가 더 형성되며, 상기 출력창(31)이 상기 오목부(32) 상에 형성될 수 있다.The outer case 30 may further include a recess 32 formed at a lower end of the outer case 30 so as to be thinner than other portions of the outer case 30. The output window 31 may be formed on the recess 32.

상기 오목부(32)는 상기 외부케이스(30)의 하단에 설치되는 차단막(40)과 플랜지(50)가 상기 외부케이스(30)의 하측으로 돌출되는 것을 방지함으로써, 상기 방수형 연엑스선 제전 장치(100)의 이동시, 상기 차단막(40)과 플랜지(50)가 주변 구조물의 마찰에 의해 파손되는 것을 방지하는 역할을 한다.The concave portion 32 prevents the shielding film 40 and the flange 50 provided at the lower end of the outer case 30 from protruding to the lower side of the outer case 30, The barrier film 40 and the flange 50 are prevented from being damaged by the friction of the surrounding structure when the fuel cell 100 is moved.

본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 아니하며, 적용범위가 다양함은 물론이고, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이다.It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.

100 : 방수형 연엑스선 제전 장치
10 : 연엑스선관
20 : 내부케이스
30 : 외부케이스
31 : 출력창
32 : 오목부
40 : 차단막
50 : 플랜지
60 : 오링100: waterproof type soft x-ray discharge device
10: X-ray tube
20: inner case
30: outer case
31: Output window
32:
40:
50: Flange
60: O ring

Claims

An x-ray tube with a head emitting x-rays;
An inner case having the opened x-ray tube therein;
An outer case in which the inner case is housed and an output window through which the head of the pneumatic X-ray tube is exposed is formed at a lower end;
A shielding film covering the output window and discharging the pumped x-ray generated at the head of the x-ray tube to the outside;
A flange coupled to a lower end of the outer case to support the barrier film; And
And an O-ring installed for airtightness between the shielding film and the flange.

The plasma display panel according to claim 1,
Wherein the waterproof type soft X-ray discharge system is a mica plate.

The plasma display panel according to claim 2,
0.0 > mm < / RTI > to 0.025 mm.

2. The apparatus according to claim 1, wherein the outer case
A concave portion having a thickness smaller than that of the other portion is further formed on the lower side,
And the output window is formed on the concave portion.