KR20180124738A - Light emitting device and method for manufacturing the same - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 77
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 44
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 57
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 21
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 18
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 18
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 9
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 6
- 239000012463 white pigment Substances 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- CCDWGDHTPAJHOA-UHFFFAOYSA-N benzylsilicon Chemical compound [Si]CC1=CC=CC=C1 CCDWGDHTPAJHOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 2
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 2
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 2
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N phenylbenzene Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001921 poly-methyl-phenyl-siloxane Polymers 0.000 description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 102100032047 Alsin Human genes 0.000 description 1
- 101710187109 Alsin Proteins 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 1
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000378 calcium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ca+2].[O-][Si]([O-])=O OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000391 magnesium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052919 magnesium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019792 magnesium silicate Nutrition 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- -1 polybutylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001748 polybutylene Polymers 0.000 description 1
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/005—Processes
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- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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Abstract
Description
본 개시는, 발광장치 및 발광장치의 제조방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to a light emitting device and a manufacturing method of the light emitting device.
발광장치로서, 예를 들어, 특허문헌 1, 2에는, 발광소자의 주위에 피복 부재를 설치하는 구성이 개시되어 있다.As a light emitting device, for example,
그러나, 상기 특허문헌 1, 2에 개시된 발광장치는, 한층 더 광취출 효율이 높은 것이 요구되고 있다.However, the light emitting devices disclosed in the
이에, 본 개시에 관한 실시형태는, 광취출 효율이 높은 발광장치 및 그 발광장치의 제조방법을 제공하는 것을 과제로 한다.Accordingly, an embodiment of the present disclosure provides a light emitting device having high light extraction efficiency and a method of manufacturing the light emitting device.
본 개시의 실시형태에 관한 발광장치는, 직사각형의 기판과, 상기 기판 상에 실장된 발광소자와, 상기 발광소자의 주위에 간격을 두고서 둘러싸도록 설치한 반사 부재와, 상기 반사 부재 내의 발광소자를 덮도록 상기 반사 부재의 내측에 충전된 도광 부재와, 상기 도광 부재 상에 설치된 투광성 부재를 구비하고, 상기 반사 부재는, 상기 발광소자의 측면에 대향하여 설치된 제1 반사 부재와, 상기 제1 반사 부재의 외측에 위치하고 상기 발광소자를 포위하여 설치된 제2 반사 부재를 갖고, 상기 제1 반사 부재는, 상기 투광성 부재를 향해 대향하는 간격이 넓어지도록 경사지는 경사면 또는 곡면의 내측면을 갖고, 상기 제2 반사 부재는, 상기 투광성 부재의 측면과, 상기 제1 반사 부재의 외측면을 덮고, 상기 제2 반사 부재의 상면은 상기 투광성 부재의 상면과 동일 평면인 구성으로 하였다.A light emitting device according to an embodiment of the present disclosure includes a rectangular substrate, a light emitting element mounted on the substrate, a reflecting member provided so as to surround the light emitting element with a space therebetween, And a light transmitting member provided on the light guiding member, wherein the reflecting member includes: a first reflecting member provided so as to face a side surface of the light emitting device; And a second reflection member which is disposed outside the member and surrounds the light emitting element, wherein the first reflection member has an inclined surface or an inner surface of a curved surface that is inclined so as to widen the interval facing the light transmissive member, 2 reflective member covers the side surface of the light transmissive member and the outer surface of the first reflective member and the upper surface of the second reflective member covers the upper surface of the light transmissive member As shown in Fig.
또한, 본 개시의 다른 실시형태에 관한 발광장치의 제조방법은, 기판 상에 복수의 발광소자를 배열하는 공정과, 상기 발광소자의 사이에, 상기 발광소자로부터 이간하는 제1 반사 부재를 설치하는 공정과, 상기 발광소자를 덮고, 제1 반사 부재와 접하는 도광 부재를 설치하는 공정과, 상기 도광 부재와 상기 제1 반사 부재 위에 투광성 부재를 설치하는 공정과, 상기 투광성 부재와 상기 제1 반사 부재의 일부를 제거하여 제1 홈을 형성하는 공정과, 상기 제1 홈 내에, 상기 투광성 부재와 상기 제1 반사 부재와 접하는 제2 반사 부재를 설치하는 공정과, 상기 제2 반사 부재를 절단하여 개별화하는 공정을 포함하는 것으로 하였다.A manufacturing method of a light emitting device according to another embodiment of the present disclosure includes the steps of arranging a plurality of light emitting elements on a substrate and providing a first reflecting member spaced apart from the light emitting element between the light emitting elements A step of providing a light guiding member covering the light emitting element and contacting the first reflecting member; a step of providing a light transmitting member on the light guiding member and the first reflecting member; A step of forming a first groove in the first groove by removing a part of the first reflecting member and a second reflecting member in contact with the light transmitting member and the first reflecting member in the first groove; .
본 개시의 실시형태에 관한 발광장치에 따르면, 반사 부재, 투광성 부재로 둘러싸인 영역을 도광 부재로 채우고 있기 때문에, 광취출 효율이 높고, 또한, 제1 반사 부재의 간격이 넓어지는 것 같은 경사지는 내측면에 의해, 보다 많은 광을 광범위하게 전파할 수 있다.According to the light emitting device according to the embodiment of the present disclosure, since the area surrounded by the reflective member and the light transmissive member is filled with the light guiding member, the inclined sheet having a high light extraction efficiency, By the side, more light can be widely propagated.
본 개시의 실시형태에 관한 발광장치의 제조방법에 따르면, 제1 반사 부재의 내측면에 경사를 형성하고, 제2 반사 부재로 장치의 외벽을 형성하고, 또한, 도광 부재로 발광소자의 주위를 채우는 발광장치를 용이하게 제조할 수 있다.According to the manufacturing method of the light emitting device according to the embodiment of the present disclosure, the inclination is formed on the inner surface of the first reflecting member, the outer wall of the apparatus is formed by the second reflecting member, and the periphery of the light emitting element The light emitting device for filling can be easily manufactured.
[도 1] 제1 실시형태에 관한 발광장치를, 발광면측에서 본 사시도이다.
[도 2] 제1 실시형태에 관한 발광장치를, 전극측에서 본 사시도이다.
[도 3a] 제1 실시형태에 관한 발광장치를, 그 긴 길이방향에 평행으로, 또한, 발광면에 수직인 면에서 절단하여 단면을 나타내는 사시도이다.
[도 3b] 제1 실시형태에 관한 발광장치를, 그 긴 길이방향에 평행으로, 또한, 발광면에 평행한 면에서 절단하여 나타내는 단면도이다.
[도 3c] 제1 실시형태에 관한 발광장치를, 그 짧은 길이방향에 평행으로, 또한, 발광면에 수직인 면에서 절단하여 나타내는 단면도이다.
[도 4] 본 발명의 제1 실시형태에 관한 발광장치의 제조방법의 일례를 나타내는 흐름도이다.
[도 5a] 도 4의 흐름도에 있어서의 발광소자를 배열하는 공정을 설명하기 위한 일부를 생략한 상태의 기판의 평면도이다.
[도 5b] 도 4의 흐름도에 있어서의, 제1 반사 부재를 설치하는 공정을 설명하기 위한 단면도이다.
[도 5c] 도 4의 흐름도에 있어서의, 도광 부재를 설치하는 공정을 설명하기 위한 단면도이다.
[도 5d] 도 4의 흐름도에 있어서의, 제거하는 공정을 설명하기 위한 단면도이다.
[도 5e] 도 4의 흐름도에 있어서의, 투광성 부재를 설치하는 공정을 설명하기 위한 단면도이다.
[도 5f] 도 4의 흐름도에 있어서의, 제1 홈을 형성하는 공정 및 제2 홈을 형성하는 공정을 설명하기 위한 단면도이다.
[도 5g] 도 4의 흐름도에 있어서의, 제2 반사 부재를 설치하는 공정을 설명하기 위한 단면도이다.
[도 5h] 도 4의 흐름도에 있어서의, 개별화하는 공정을 설명하기 위한 단면도이다.
[도 6a] 도 4의 흐름도에 있어서의, 제1 홈을 형성하는 공정 및 제2 홈을 형성하는 공정을 설명하기 위한 평면도이다.
[도 6b] 도 4의 흐름도에 있어서의, 제2 반사 부재를 설치하는 공정을 설명하기 위한 평면도이다.
[도 6c] 도 4의 흐름도에 있어서의, 개별화하는 공정을 설명하기 위한 평면도이다.
[도 7] 제2 실시형태에 관한 발광장치를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
[도 8] 제2 실시형태에 관한 발광장치의 제조 공정을 설명하기 위한 단면도이다.
[도 9] 제3 실시형태에 관한 발광장치를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
[도 10] 제4 실시형태에 관한 발광장치를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
[도 11] 제5 실시형태에 관한 발광장치를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
[도 12] 제6 실시형태에 관한 발광장치를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
[도 13a] 본 발명에 관한 실시형태의 변형예를 나타내는 발광장치의 제1 반사 부재를 부분적으로 나타내는 단면도이다.
[도 13b] 본 발명에 관한 실시형태의 다른 변형예를 나타내는 발광장치의 제1 반사 부재를 부분적으로 나타내는 단면도이다.1 is a perspective view of a light emitting device according to a first embodiment as viewed from a light emitting surface side;
2 is a perspective view of the light emitting device according to the first embodiment as viewed from the electrode side.
3A is a perspective view showing a section of a light emitting device according to the first embodiment cut in a plane parallel to a longitudinal direction of the light emitting device and perpendicular to the light emitting surface.
FIG. 3B is a cross-sectional view showing the light emitting device according to the first embodiment cut along a plane parallel to the long-side direction and parallel to the light-emitting surface.
Fig. 3c is a cross-sectional view showing the light emitting device according to the first embodiment cut in a plane parallel to the short longitudinal direction thereof and perpendicular to the light emitting surface. Fig.
4 is a flowchart showing an example of a manufacturing method of a light emitting device according to the first embodiment of the present invention.
5A is a plan view of a substrate in which a part of the steps for arranging the light emitting elements in the flowchart of FIG. 4 is omitted; FIG.
5B is a cross-sectional view for explaining a step of providing a first reflection member in the flowchart of FIG. 4;
FIG. 5C is a cross-sectional view for explaining the step of installing the light guiding member in the flowchart of FIG. 4;
FIG. 5D is a cross-sectional view for explaining a step of removing in the flowchart of FIG. 4;
5E is a cross-sectional view for explaining a step of providing a light transmitting member in the flow chart of FIG. 4;
FIG. 5F is a cross-sectional view for explaining a step of forming the first groove and a step of forming the second groove in the flowchart of FIG. 4;
FIG. 5g is a cross-sectional view for explaining a step of providing a second reflection member in the flowchart of FIG. 4;
5H is a cross-sectional view for explaining the individualizing step in the flowchart of FIG. 4;
6A is a plan view for explaining a step of forming the first groove and a step of forming the second groove in the flowchart of FIG. 4;
FIG. 6B is a plan view for explaining the step of installing the second reflection member in the flowchart of FIG. 4;
6C is a plan view for explaining a step of individualizing in the flowchart of FIG. 4; FIG.
7 is a cross-sectional view schematically showing a light emitting device according to the second embodiment.
8 is a cross-sectional view for explaining the manufacturing process of the light emitting device according to the second embodiment.
9 is a cross-sectional view schematically showing a light emitting device according to the third embodiment.
10 is a cross-sectional view schematically showing a light emitting device according to a fourth embodiment.
11 is a cross-sectional view schematically showing a light emitting device according to a fifth embodiment.
12 is a cross-sectional view schematically showing a light emitting device according to the sixth embodiment.
13A is a cross-sectional view partially showing a first reflecting member of a light emitting device showing a modification of the embodiment of the present invention.
FIG. 13B is a cross-sectional view partially showing a first reflecting member of a light emitting device showing another modification of the embodiment of the present invention. FIG.
이하, 실시형태에 관한 발광장치 및 그 제조방법에 대해 설명한다. 또한, 이하의 설명에 있어서 참조하는 도면은, 본 실시형태를 개략적으로 나타낸 것이기 때문에, 각 부재의 스케일이나 간격, 위치 관계 등이 과장, 또는, 부재의 일부의 도시가 생략되어 있는 경우가 있다. 또한, 이하의 설명에서는, 동일한 명칭 및 부호에 대해서는 원칙적으로 동일 또는 동질의 부재를 나타내고 있어, 상세 설명을 적절히 생략하는 것으로 한다. 또한, 도 5a~도 5h 및 도 6a~도 6c 또는 도 8에서는, 전체의 일부만을 부분적으로 취출하여 나타내고 있다. 각 도면에 있어서, 발광장치(10)로부터 조사되는 중심적인 광의 조사 방향 Br은, 화살표로 나타내어져 있다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 발광장치(10)로부터 방사되는 광의 조사 방향 Br을 위, 그 역방향을 아래로 하여 설명한다.Hereinafter, a light emitting device and a manufacturing method thereof according to the embodiment will be described. In addition, the drawings referred to in the following description schematically show the present embodiment, so that the scale, interval, positional relationship, and the like of each member may be exaggerated or a part of members may be omitted. In the following description, the same names and reference numerals denote the same or similar members in principle, and the detailed description will be appropriately omitted. In Figs. 5A to 5H and Figs. 6A to 6C or 8, only a part of the whole is partially extracted. In each figure, the irradiation direction Br of the central light emitted from the
<발광장치>≪ Light emitting device &
도 1 및 도 3a~도 3c에 나타내는 바와 같이, 발광장치(10)는, 직사각형의 기판(22)과, 기판(22) 상에 실장된 발광소자(16)와, 발광소자(16)를 덮는 도광 부재(24)와, 도광 부재(24) 상에 설치된 투광성 부재(25)와, 투광성 부재(25) 및 도광 부재(24)의 주위에 발광소자(16)를 둘러싸도록 설치한 반사 부재(17)와, 소자 전극(15)과, 배선(14)을 구비하고 있다. 이 발광장치(10)는, 발광면(12)인 투광성 부재(25)를 거쳐서 광을 조사하는 것이다. 도면에 나타낸 예에서는, 이 투광성 부재(25)는, 형광체층(26) 및 그 위에 적층된 투광층(28)을 포함하고 있다. 또한, 본 발명에 있어서 형광체층(26)은 반드시 필수는 아니다. 이하의 설명은 투광성 부재(25)가 형광체층(26)을 포함하는 경우를 예로서 설명한다. 또한, 반사 부재(17)는, 발광소자(16)의 측면에 대향하여 설치된 제1 반사 부재(18)와, 제1 반사 부재(18)의 외측에 위치하여 발광소자(16)를 포위하여 설치된 제2 반사 부재(20)를 갖고 있다.As shown in Figs. 1 and 3A to 3C, the
이하, 각 구성에 대해 차례로 설명한다.Hereinafter, each configuration will be described in turn.
도 3a~도 3c에 나타내는 바와 같이, 발광소자(16)는, 투광성 기판과, 반도체층과, 소자 전극(15)을 구비하고 있다. 이 발광소자(16)는, 그 상방으로부터 보았을 때의 형상이, 직사각형, 특히, 긴 변과 짧은 변을 갖는 장방형상인 것이 바람직하다. 또한, 발광소자(16)는, 그 외의 형상이여도 좋으며, 예를 들어 육각형상이면 발광 효율을 높일 수도 있다. 발광소자(16)는, 동일면 측에 정부(p, n) 전극을 가지는 것이 바람직하다. 또한, 발광소자(16)는 하나의 발광장치(10) 중에 1개이여도 좋으며, 복수개 포함되어도 좋다. 또한, 복수의 발광소자(16)를 포함하는 경우는, 직렬 또는 병렬로 접속할 수 있다.As shown in Figs. 3A to 3C, the
또한, 투광성 기판은, 통상, 반도체 발광소자를 제조할 때에 이용되는 것이면 좋고, 구체적으로는, 사파이어 기판이 사용된다. 또한, 반도체층은, 반도체층의 적층체, 즉 적어도 n형 반도체층과 p형 반도체층을 포함하고, 또한 활성층을 그 사이에 개재시키는 것이 바람직하다. 반도체층은, 그 반도체 재료로서, 파장 변환 물질을 효율 좋게 여기할 수 있는 단파장의 광을 발광 가능한 재료인, 질화물 반도체를 이용하는 것이 바람직하다. 질화물 반도체는, 주로 일반식 InxAlyGa1 -x- yN(0≤x, 0≤y, x+y≤1)로 나타내진다. 또한, 소자 전극(15)은, 동일면 측에 형성되어 있다. 소자 전극(15)은, 실장이 가능한 금속재료일 필요가 있지만, 전기적인 접속을 가능하게 하는 도전 부재이면, 금속의 종류를 특히 한정할 필요는 없다. 이 소자 전극(15)은, 후술하는 기판(22)과 접합 부재를 개재시켜 접합된다.Further, the light-transmissive substrate may be of any type as long as it is usually used for manufacturing a semiconductor light-emitting device, and specifically, a sapphire substrate is used. It is also preferable that the semiconductor layer includes a laminate of semiconductor layers, that is, at least an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer, and the active layer is interposed therebetween. As the semiconductor material, it is preferable to use a nitride semiconductor which is a material capable of emitting light having a short wavelength that can efficiently excite a wavelength conversion material. The nitride semiconductor is mainly represented by the general formula In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X, 0? Y , x + y? 1). The
접합 부재는, 발광소자(16)의 소자 전극(15)과, 기판(22)의 배선(14)과의 사이에 개재하도록 설치하면 좋다. 예를 들어, 기판(22)의 배선(14)에 있어서 발광소자(16)를 재치하는 영역에 설치해도 좋고, 또는, 발광소자(16)의 소자 전극(15) 측에 설치해도 좋고, 또는, 그 양쪽 모두에 설치해도 좋다. 접합 부재는, 도전성의 액상 또는 페이스트상으로, 점도 등에 따라 포팅(potting)법, 인쇄법, 전사법 등의 방법으로부터 적절히 선택할 수 있다.The bonding member may be provided so as to be interposed between the
기판(22)은, 적어도, 배선(14) 및 배선(14)을 보유 지지하는 기체(基體)에 의해 구성된다.The
배선(14)은, 기체의 적어도 상면(전면)에 형성되며, 기체의 내부 및/또는 측면 및/또는 하면(후면)에도 형성되고 있어도 좋다. 배선(14)은, 예를 들어, 구리 또는 구리 합금으로 형성할 수 있다. 또한, 기체는, 리지드 기판이라면, 수지 또는 섬유 강화 수지, 세라믹스, 유리, 금속, 종이 등을 이용하여 구성할 수 있다. 기재는, 특히 발광소자의 선팽창 계수에 가까운 물성을 갖는 기재를 사용하는 것이 바람직하다.The
도광 부재(24)는, 반사 부재(17)로 둘러싸인 영역에 충전하도록 설치되어, 기판(22)에 탑재되는 발광소자(16)를 봉지하는 부재이다. 도광 부재(24)로서는, 발광소자(16)가 발하는 광의 파장에 대해 양호한 투광성을 가지며, 봉지 부재로서 내후성, 내광성 및 내열성이 양호한 재료가 바람직하다. 발광소자(16)의 측면에 도광 부재(24)를 설치함으로써, 발광소자(16)의 측면으로부터의 광을, 보다 효율 좋게 투광성 부재(25)로 인도한다. 이에 의해, 광의 손실을 억제하여, 발광장치(10)의 광취출 효율을 향상시킬 수 있다.The
도광 부재(24)의 재료로서는, 예를 들어, 열가소성 수지나 열경화성 수지를 들 수 있다. 열가소성 수지로서는, 예를 들어, 폴리프탈아미드 수지, 액정 폴리머, 폴리부틸렌테레프탈레이드(PBT), 불포화폴리에스텔 등을 이용할 수 있다. 또한, 열경화성 수지로서는, 예를 들어, 에폭시 수지, 변성 에폭시 수지, 실리콘 수지, 변성 실리콘 수지 등을 이용할 수 있다.Examples of the material of the
반사 부재(17)는, 발광장치의 측벽을 구성하며, 발광소자(16)로부터의 광을 반사하여 발광면(12)으로부터 외부로 광을 취출하는 것이다. 이 반사 부재(17)는, 제1 반사 부재(18)와, 제2 반사 부재(20)를 구비하고 있다. 반사 부재(17)는, 제1 반사 부재(18)와 제2 반사 부재(20)에 의해 광의 취출 효율을 높이는 것이다.The reflecting
반사 부재(17)는, 전방으로의 광취출 효율의 관점으로부터, 발광소자의 발광 피크 파장에 있어서의 광반사율이, 70% 이상인 것이 바람직하고, 80% 이상인 것이 보다 바람직하고, 90% 이상인 것이 보다 더 바람직하다. 나아가, 반사 부재(17)는, 백색인 것이 바람직하다. 따라서, 반사 부재(17)는, 모재 중에 백색 안료를 함유하여 이루어지는 것이 바람직하다.The
반사 부재(17)의 모재는, 수지를 이용할 수가 있고, 예를 들어 실리콘 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 폴리카보네이트 수지, 아크릴 수지, 또는 이들의 변성 수지를 들 수 있다. 그 중에서도, 실리콘 수지 및 변성 실리콘 수지는, 내열성 및 내광성이 뛰어나 바람직하다. 구체적인 실리콘 수지로서는, 디메틸 실리콘 수지, 페닐-메틸 실리콘 수지, 디페닐 실리콘 수지를 들 수 있다. 또한, 반사 부재의 모재는, 상기 수지 중에 각종 필러를 함유해도 좋다. 이 필러로서는, 산화규소, 산화알루미늄, 산화지르코늄, 산화아연 등을 들 수 있다. 필러는, 이들 중 1종, 또는 이들 중 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 특히, 열팽창 계수가 작은 산화규소가 바람직하다. 또한, 필러로서, 나노 입자를 이용함으로써, 발광소자의 청색광의 레일리 산란을 포함한 산란을 증대시켜, 파장 변환 물질의 사용량을 저감할 수도 있다. 또한, 나노 입자란, 입경이 1㎚ 이상 100㎚ 이하의 입자로 한다. 또한, 본 명세서에 있어서의 「입경」은, 예를 들어, D50으로 정의된다.As the base material of the reflecting
백색 안료는, 산화티탄, 산화아연, 산화마그네슘, 탄산마그네슘, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 수산화칼슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 티탄산바륨, 황산바륨, 수산화알루미늄, 산화알루미늄, 산화지르코늄 중 1종, 또는 이들 중 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 백색 안료의 형상은, 특히 한정되지 않고, 부정형 또는 파쇄상이어도 좋으며, 유동성의 관점에서는 구 형상이 바람직하다. 또한, 백색 안료의 입경은, 예를 들어 0.1㎛ 이상 0.5㎛ 이하 정도를 들 수 있으며, 광반사나 피복의 효과를 높이기 위해서는 작을수록 바람직하다. 반사 부재 중의 백색 안료의 함유량은, 적절히 선택할 수 있으며, 광반사성 및 액상 시에 있어서의 점도 등의 관점으로부터, 예를 들어 10wt% 이상 80wt% 이하가 바람직하고, 20wt% 이상 70 wt% 이하가 보다 바람직하고, 30wt% 이상 60wt% 이하가 보다 더 바람직하다. 또한, 「wt%」는, 중량 퍼센트이며, 제1 반사 부재(18) 또는 제2 반사 부재(20)의 전체 중량에 대한 해당 재료의 중량의 비율을 나타낸다.The white pigment is at least one of titanium oxide, zinc oxide, magnesium oxide, magnesium carbonate, magnesium hydroxide, calcium carbonate, calcium hydroxide, calcium silicate, magnesium silicate, barium titanate, barium sulfate, aluminum hydroxide, aluminum oxide and zirconium oxide May be used in combination. The shape of the white pigment is not particularly limited, and may be amorphous or crushed, and spherical in view of fluidity. The particle size of the white pigment may be, for example, about 0.1 탆 or more and about 0.5 탆 or less, and is preferably as small as possible in order to enhance the effect of light reflection or coating. The content of the white pigment in the reflective member can be appropriately selected and is preferably 10 wt% or more and 80 wt% or less, more preferably 20 wt% or more and 70 wt% or less, for example, from the viewpoint of light reflectivity and viscosity in liquid phase , More preferably 30 wt% or more and 60 wt% or less. Represents the ratio of the weight of the material to the total weight of the first
제1 반사 부재(18)는, 상방으로부터 보았을 때 긴 변과 짧은 변을 가지는 발광소자(16)를 이용하는 경우는, 발광소자(16)의 짧은 변에 대향하는 위치에 설치되어 있다. 이 제1 반사 부재(18)는, 투광성 부재(25)를 향해 대향하는 간격이 넓어지도록 경사지는 경사면 또는 곡면의 내측면(19)을 갖고 있다. 바꾸어 말하면, 한쌍의 제1 반사 부재(18)의 각각은, 그들 사이의 거리가 조사 방향 Br을 향해 서서히 넓어지도록 경사하는 경사면 또는 곡면의 내측면(19)을 가지고 있다. 또한, 제1 반사 부재(18)의 외측면은, 제2 반사 부재(20)의 내측면에 접촉한 상태로 설치되어 있다. 그리고, 제1 반사 부재(18)의 상단부는, 형광체층(26)의 하면에 접촉한 상태로 설치되어 있다. 나아가, 제1 반사 부재(18)는, 기판(22)의 짧은 변에 대향하는 기판측면에 접촉하고, 제1 반사 부재(18)의 하면이, 기판(22)의 하면과 동일 평면이 되도록 설치되어 있다. 또한, 제2 반사 부재(20)가 설치되어 있는 위치에서는, 제2 반사 부재(20)의 하단에 제1 반사 부재(18)의 일부가 들어가, 제2 반사 부재(20)의 하단이 제1 반사 부재(18)의 하단보다 높은 위치가 되어 있다. 제1 반사 부재(18)는, 일례로서, 나중에 설명하는 제2 반사 부재(20)와 같은 광반사성 재료를 사용하고 있다.The first reflecting
제2 반사 부재(20)는, 제1 반사 부재(18) 및 발광소자(16)를 둘러싸도록 설치되어 있다. 제2 반사 부재(20)는, 발광장치(10)의 측벽을 형성하고 있다. 제2 반사 부재(20)는, 그 상단부를 투광성 부재(25)의 상면과 동일 평면이 되도록 설치하고, 투광성 부재(25)의 측면을 덮고 있다. 또한, 도 3c에 나타내는 바와 같이, 제2 반사 부재(20)는, 기판(22)의 긴 길이방향에 있어서의 주연 상면에 접촉하도록 설치되어 있다. 제2 반사 부재(20)의 두께는 어떠한 것이라도 좋지만, 도 3a 등에서는, 제2 반사 부재(20)는, 제1 반사 부재(18)에 대해서 두께가 절반 이하가 되도록 설정되어 있다. 제2 반사 부재(20)는, 제1 반사 부재(18)의 두께와 같거나 얇은 편이 보다 바람직하다. 제2 반사 부재(20)를 얇게 함으로써, 발광면(12)을 넓게 취할 수 있어, 취출한 광을 광범위로 전파할 수 있다.The second reflecting
제2 반사 부재(20)는, 나중에 설명하는 제조방법의 순서에 따라 먼저 제1 반사 부재(18)가 설치된 후에, 제1 반사 부재(18)에 설치한 홈에 충전됨으로써 제조된다. 제2 반사 부재(20)는, 제1 반사 부재(18)의 두께보다 얇게 되도록 설정되어 있는 제2 반사 부재(20)의 재료와 제1 반사 부재(18)의 재료는 같아도 좋고 다르게 되어 있어도 좋다. 여기서는, 같은 재료로서 일례를 설명하고 있으므로, 예를 들어, 위에서 설명한 반사 부재를 이용하는 것이 바람직하다.The second reflecting
이와 같은 구성에 의해, 제1 반사 부재(18) 및 제2 반사 부재(20)는, 발광소자(16) 및 형광체로부터의 광의 흡수를 억제할 수 있다. 또한, 제1 반사 부재(18) 및 제2 반사 부재(20)는, 발광소자(16) 및 형광체로부터의 광을 반사하여, 발광면(12)으로 이끄는 역할을 한다. 제2 반사 부재(20)의 두께를 얇게 함으로써, 발광장치(10)의 상면에 발광면(12)을 가능한 한 넓게 취할 수 있어, 광취출 효율이 개선된다.With such a configuration, the first reflecting
형광체층(26)은, 제1 반사 부재(18)와 도광 부재(24)의 상면에 설치되어 있다. 이 형광체층(26)은, 발광소자(16)로부터의 광을 파장 변환하는 것이다. 예를 들어, 발광소자(16)가 청색광을 발하고, 형광체층(26)은, 형광체인 파장 변환 물질이 청색광의 일부를 예를 들어, 황색광으로 변환한다. 이에 의해, 이들 광이 혼색된 광(예를 들어 백색광)을 발광장치(10)로부터 출사시킬 수 있다. 또한, 형광체층(26)에 함유시키는 파장 변환 물질은 복수 종류여도 좋고, 파장 변환 물질에 대신하여, 또는 더하여, 상기 반사 부재의 모재와 마찬가지의 필러를 함유하여도 좋다.The
또한, 형광체층(26)은, 함유하는 파장 변환 물질(형광체)로서, 해당 분야에서 공지된 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, 녹~황색으로 발광하는 세륨으로 활성화된 이트륨·알루미늄·가닛(YAG)계 형광체, 녹색으로 발광하는 세륨으로 활성화된 루테튬·알루미늄·가닛(LAG)계 형광체, 녹~적색으로 발광하는 유로퓸 및/또는 크롬으로 활성화된 질소 함유 알루미노 규산 칼슘(CaO-Al2O3-SiO2)계 형광체, 청~적색으로 발광하는 유로퓸으로 활성화된 실리케이트((Sr, Ba)2SiO4)계 형광체, 녹색으로 발광하는 β사이알론 형광체, 적색으로 발광하는 CaAlSiN3:Eu로 나타내지는 CASN계 또는 (Sr, Ca)AlSiN3:Eu로 나타내지는 SCASN계 형광체 등의 질화물계 형광체, 적색으로 발광하는 K2SiF6:Mn(KSF)계 형광체, 적색으로 발광하는 황화물계 형광체 등을 들 수 있다.As the wavelength conversion material (phosphor) contained in the
투광층(28)은, 형광체층(26)으로부터의 광 및 발광소자(16)로부터의 광 및 반사 부재(17)로부터의 광을 투과시켜 외부로 취출한다. 또한, 투광층(28)의 상면을 발광면(12)으로 한다. 투광층(28)은, 형광체층(26)에 접촉하고, 또한, 그 둘레측면을 제2 반사 부재(20)에 접촉한 상태로 설치되어 있다. 투광층(28)의 상면과 제2 반사 부재(20)의 상면은 동일 평면이 되도록 형성되어 있다. 투광층(28)은, 투광성을 가지며, 봉지 부재로서 내후성, 내광성 및 내열성이 양호한 재료가 바람직하다.The light-transmitting
또한, 여기서 말하는 「투광성」이란, 발광소자의 발광 피크 파장에 있어서의 광투과율이, 바람직하게는 60% 이상인 것, 보다 바람직하게는 70% 이상인 것, 보다 더 바람직하게는 80% 이상인 것을 말한다. 투광층(28)의 모재는, 실리콘 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 폴리카보네이트 수지, 아크릴 수지, 또는 이들의 변성 수지를 이용할 수 있다. 투광층(28)의 모재는, 유리여도 좋다. 그 중에서도, 투광층(28)의 모재는, 실리콘 수지 및 변성 실리콘 수지는, 내열성 및 내광성이 뛰어나 바람직하다. 구체적인 실리콘 수지로서는, 디메틸 실리콘 수지, 페닐-메틸 실리콘 수지, 디페닐 실리콘 수지를 들 수 있다. 투광성 부재(25)는, 이들 모재 중 1종, 또는 이들 모재 중 2종 이상을 적층하여 구성할 수 있다. 또한, 투광층(28)의 모재는, 상기 수지 또는 유리 중에 상기 제1 반사 부재(18) 및 제2 반사 부재(20)의 모재와 마찬가지의 필러를 함유하여도 좋다.The term "translucency" as used herein means that the light transmittance at the luminescence peak wavelength of the light emitting element is preferably at least 60%, more preferably at least 70%, even more preferably at least 80%. As the base material of the light-transmitting
발광장치(10)는, 이상과 같이 구성되어 있으므로, 발광소자(16)로부터 광이 조사되면, 도광 부재(24)를 투과하여 투광성 부재(25)(형광체층(26) 및 투광층(28))를 통과하고 발광면(12)으로부터 외부로 취출된다. 또한, 발광소자(16)로부터의 광의 일부는, 제1 반사 부재(18)의 경사면 또는 만곡의 내측면(19)에 의해 발광면(12) 측으로 취출되기 쉬워진다. 또한, 제2 반사 부재(20)는, 형광체층(26) 및 투광층(28)의 측면을 덮고 있음으로써, 제2 반사 부재(20)에 의해 반사되는 광이, 발광면(12)으로부터 취출되게 된다.The
또한, 제1 반사 부재(18)는, 소요 두께(예를 들어, 기판(22)과 동등하거나 그 이상의 두께)가 있고, 기판(22)과 함께 발광장치(10)의 프레임체를 형성하여 발광장치 전체의 강도를 유지하고 있다. 그리고, 제1 반사 부재(18)의 상단부보다 위에 형광체층(26) 및 투광층(28)을 배치함으로써, 발광장치(10)의 상면에 발광면(12)을 가능한 한 넓게 취할 수 있다. 또한, 제1 반사 부재(18)의 상부에 경사면 또는 만곡의 내측면(19)이 형성되어 있음으로써, 발광소자(16)로부터의 광을 발광면(12)으로부터 취출하기 쉬워진다. 따라서, 발광장치(10)는, 광취출 효율이 개선되고, 색조 얼룩도 완화된다.The first reflecting
<발광장치의 제조방법>≪ Method of manufacturing light emitting device &
다음으로, 제1 실시형태에 관한 발광장치의 제조방법에 대해 이하에 설명한다.Next, a manufacturing method of the light emitting device according to the first embodiment will be described below.
도 4에 나타내는 바와 같이, 발광장치의 제조방법은, 발광소자(16)를 배열하는 공정 S101과, 제1 반사 부재(18)를 설치하는 공정 S102와, 도광 부재(24)를 설치하는 공정 S103과, 투광성 부재(25)를 설치하는 공정 S105와, 제1 홈(32)을 형성하는 공정 S106과, 제2 반사 부재(20)를 설치하는 공정 S108과, 개별화하는 공정 S109를 포함하는 순서로 행해진다. 또한, 발광장치의 제조방법에서는, 도광 부재(24)를 설치하는 공정 S103 후에 제거하는 공정 S104를 행하는 것으로 해도 좋으며, 또한, 제1 홈(32)을 형성하는 공정 S106 다음에 제2 홈(34)을 형성하는 공정 S107을 행하는 것으로 해도 좋다. 이하 각 공정에 대해 설명한다.4, the manufacturing method of the light emitting device includes a step S101 for arranging the
최초에, 도 4 및 도 5a에 나타내는 바와 같이, 발광소자(16)를 배열하는 공정 S101에서는, 배선(14)이 형성된 기판(22) 위에 복수의 발광소자(16)를 배열한다. 발광소자(16)를 배열하는 경우에는, 접합 부재를 개재시켜 플립 칩 실장으로 행해지는 것이 바람직하다. 발광소자(16)는, 행 방향 및 열 방향으로 복수개가 소정의 간격을 두고서 배열된다. 배열된 발광소자(16)는, 열 측의 간격이 행 측의 간격보다 커지도록 배치되어 있다. 또한, 기판(22)은, 열 측에 관통 구멍(22a)이 형성되어 있다. 관통 구멍(22a)은, 행 방향, 상세하게는, 발광소자(16)의 짧은 변에 대향하는 위치에 연속하여 형성되며, 기판(22)의 주연에는 형성되어 있지 않다. 또한, 기판(22)은, 그 이면에 점착 시트(30)가 붙여진 상태에서 작업이 행해진다.First, as shown in Figs. 4 and 5A, in step S101 of arranging the
제1 반사 부재(18)를 설치하는 공정 S102에서는, 기판(22) 위에 행 방향 및 열 방향으로 배열된 발광소자(16)에 있어서, 열 방향으로 배열되는 발광소자(16)의 열 사이에 제1 반사 부재(18)를 설치한다. 바꾸어 말하면, 도 5a에 있어서, 열 방향으로 형성된 관통 구멍(22a) 내에 제1 반사 부재(18)를 설치한다. 상세하게는, 도 5b에 나타내는 바와 같이, 기판(22) 위에 탑재된 발광소자(16)의 짧은 변에 대향하는 양측에, 제1 반사 부재(18)가 설치된다.In the step S102 of providing the
이 제1 반사 부재(18)는, 미리 점도가 조정되어 있고, 관통 구멍(22a) 내로 들어간 상태에서, 기판(22)의 상면 또는 그 이상의 높이를 유지하도록, 발광소자(16)로부터 이격되어 설치된다. 기판(22)에는, 제1 반사 부재(18)가 설치되는 영역을 따라 관통 구멍(22a)이 미리 설치되고, 기판(22)의 하면 측에, 관통 구멍(22a)의 개구를 폐쇄하도록 점착 시트(30)로 막혀져 있다. 그 때문에, 제1 반사 부재(18)의 하면은, 기판(22)의 하면과 동일 평면이 되도록 형성된다. 또한, 제1 반사 부재(18)의 상부에는, 표면 장력이나 점성에 의해 경사면 또는 곡면이 되는 부분이 형성된다. 제1 반사 부재(18)는, 발광소자(16)의 상단보다 높아지도록 설치된다. 또한, 제1 반사 부재(18)를 설치할 때에 소정의 형상, 높이가 되도록 가이드를 기판 상에 배치한 상태로 하고, 제1 반사 부재(18)가 경화되면 배치한 가이드를 제거하는 것으로 해도 좋다. 제1 반사 부재(18)는, 트랜스퍼 성형, 사출 성형, 압축 성형, 포팅 등에 의해 형성할 수 있다.The first reflecting
다음으로, 도 4 및 도 5c에 나타내는 바와 같이, 도광 부재를 설치하는 공정 S103에서는, 제1 반사 부재(18)와 발광소자(16)의 사이의 공간, 및, 발광소자(16)끼리의 공간이 도광 부재(24)로 채워지도록 충전된다. 여기서는, 도광 부재(24)는, 제1 반사 부재(18) 및 발광소자(16)가 메워지는 높이까지 충전하여 경화시킨다. 또한, 도광 부재(24)는, 경화시킬 때, 열경화성 수지인 경우에는 가열, 자외선 경화성 수지일 때는 자외선의 조사를 적극적으로 행하는 것이 바람직하다. 충전 방법으로서는, 트랜스퍼 성형, 사출 성형, 압축 형성, 포팅 등을 들 수 있다.4 and 5C, in step S103 in which the light guide member is provided, the space between the first reflecting
도 4 및 도 5d에 나타내는 바와 같이, 제거하는 공정 S104에서는, 발광소자(16)의 상방에 도광 부재(24)가 위치하도록 남기고, 제1 반사 부재(18)의 상부의 일부가 제거되는 높이까지 도광 부재(24)와 제1 반사 부재(18)가 평탄하게 되도록 제거된다. 또한, 제거할 때는 숫돌에 의한 연마, 원반 형상의 회전 날, 포 등으로 도광 부재(24) 및 제1 반사 부재(18)가 제거되는 것으로 해도 좋다.4 and 5D, in step S104, the
그 후, 도 4 및 도 5e에 나타내는 바와 같이, 투광성 부재를 설치하는 공정 S105에서는, 미리 형광체를 함유하는 형광체층(26)이 되는 시트 부재와, 투광층(28)이 되는 시트 부재를 중첩한 투광성 부재(25)인 시트 부재를, 투광성의 접합 부재를 개재시켜, 도광 부재(24) 및 제1 반사 부재(18)의 상면에 설치한다. 또한, 도 5e에 있어서, 형광체층(26)의 시트 부재는, 투광층(28)의 시트 부재보다 두껍게 형성되어 있지만 이에 한정되지 않는다. 형광체층(26)과 투광층(28)은, 같은 두께여도 좋고, 투광층(28)이 형광체층(26)보다 두껍게 형성되어도 좋다. 또한, 상기에서는 시트 형상의 투광성 부재(25)를 사용하고 있지만, 이에 한정되지 않는다. 액상의 투광성 부재(25)를 분무하여 형성해도 좋고, 인쇄 등으로 형성하여도 좋다.Thereafter, as shown in Figs. 4 and 5E, in step S105 in which the light-transmissive member is provided, a sheet member to be the
계속해서, 도 4, 도 5f 및 도 6a에 나타내는 바와 같이, 제1 홈(32)을 형성하는 공정 S106에서는, 제1 반사 부재(18)의 중심을 통과하도록, 투광성 부재(25)(형광체층(26) 및 그 위에 적층된 투광층(28))와 제1 반사 부재(18)의 일부를 제거하여 소정 홈 폭의 제1 홈(32)이, 원반 형상의 회전 날 등에 의해 다이싱되어 형성된다. 여기서, 제1 홈(32)의 깊이는, 투광성 부재(25)를 관통하여, 제1 홈(32)의 선단이 제1 반사 부재(18) 내에 있는 것이 좋다. 다음 공정인 제1 홈(32) 내에 제2 반사 부재(20)를 설치하는 공정 S108에 있어서, 투광성 부재(25)의 측면 모두를 제2 반사 부재(20)로 덮을 수 있다. 이에 의해, 개별화하는 공정 S109에서 개별화하였을 때에, 투광성 부재(25) 측면으로부터의 색 누설을 방지할 수 있다.Subsequently, as shown in Figs. 4, 5F and 6A, in the step S106 of forming the
제1 홈(32)은, 제1 반사 부재(18)의 중심을 이동하면서 회전하는 블레이드를 이용한 가공 장치에 의해 형성된다. 또한, 제1 홈(32)을 형성하는 경우에는, 기판(22)을 재치하고 있는 테이블을 X방향 및 X방향에 직교하는 Y방향으로 이동시키고, 가공 장치는, 고정하여 가공 작업을 행하는 것이나, 테이블은 고정하고 가공 장치를 이동시켜 가공 작업을 행하는 것 중 어느 것이어도 좋다. 또한, 여기서는, 제1 홈(32)에 직교하는 방향인 행 방향으로, 제2 홈을 형성하는 공정 S107을 행하고 있다. 제2 홈(34)은, 2차원적으로 배열된 다수의 발광소자(16)의 행간에 대해 형성된다. 또한, 제2 홈(34)은 투광성 부재(25)와 도광 부재(24)를 관통하여 기판(22)까지 도달하도록 형성되는 것이 바람직하다. 이에 의해, 다음 공정인 제2 반사 부재를 설치하는 공정 S108에 있어서, 행간 측의 도광 부재(24) 전체가 제2 반사 부재(20)로 덮여, 도광 부재(24)로부터의 외부로의 색 빠짐을 방지할 수 있다.The
그리고, 도 4, 도 5g 및 도 6b에 나타내는 바와 같이, 제2 반사 부재를 설치하는 공정 S108에서는, 제1 홈(32) 내, 및 제2 홈(34) 내에 제2 반사 부재(20)가 트랜스퍼 성형, 사출 성형, 압축 성형, 포팅 등으로 충전된다. 제2 반사 부재(20)는, 일례로서, 제1 반사 부재(18)와 같은 재료로 형성되어 있다. 또한, 여기서는, 제2 반사 부재(20)가 경화된 후에, 투광층(28)의 시트 부재 및 제2 반사 부재(20)의 두께를 조정하기 위해 제거 가공을 행하고 있다. 여기서는, 투광층(28)이 평탄하게 소정의 두께가 되도록 제거 가공이 행해진다.4, 5G and 6B, in step S108 in which the second reflection member is provided, the
마지막으로, 도 4, 도 5h 및 도 6c에 나타내는 바와 같이, 개별화하는 공정 S109에서는, 제2 반사 부재(20)의 중심을 행렬 방향으로 가공 장치에 의해, 점착 시트(30)에 도달할 때까지 원반 형상의 회전 날, 초음파 커터의 절단 날, 눌러 절단하는 형태의 커터 등으로 다이싱하여, 절결 홈(38)을 형성한다. 개별화하는 공정 S109는, 제1 홈(32) 및 제2 홈(34)을 형성하였을 때보다 폭이 좁은 블레이드가 사용되어 가공 작업이 행해진다. 개별화됨으로써 하나하나의 발광장치(10)가 점착 시트(30)에 접착되어 있는 상태로 되어 있다. 그리고, 점착 시트(30)를 벗김으로써, 개개의 발광장치(10)로 된다.Lastly, as shown in Figs. 4, 5H and 6C, in the step S109 for individualizing, the center of the second reflecting
또한, 발광장치(10)에서는, 제1 반사 부재(18)가, 기판(22)과 동일 위치에 하면이 위치하도록 구성되어 있다. 그 때문에, 이와 같은 발광장치(10)의 구성에서는, 반사 부재(17)의 부분을 원반 형상의 회전 날, 초음파 커터의 절단 날, 눌러 절단하는 형태의 커터 등으로 다이싱함으로써 개별화하게 되어, 기판(22)의 절단을 행하는 일 없이, 개별화를 용이하게 할 수 있다.In the
<제2 실시형태>≪ Second Embodiment >
다음으로, 발광장치의 제2 실시형태에 대해 도 7 및 도 8을 중심으로 설명한다. 또한, 제1 실시형태와 같은 구성에 대해서는 같은 부호를 부여하여 설명을 적절히 생략한다.Next, a second embodiment of the light emitting device will be described with reference to Figs. 7 and 8. Fig. The same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted as appropriate.
도 7에 나타내는 바와 같이, 발광장치(10A)는, 기판(22) 위의 제1 반사 부재(18)와 발광소자(16) 사이의 영역에 제3 반사 부재(36)를 발광소자(16)의 긴 변 및/또는 짧은 변에 대향하여 설치하고 있다. 제3 반사 부재(36)는, 제1 반사 부재(18)의 내측면에 접하고 투광성 부재(25)를 향해 대향하는 간격이 넓어지도록 경사지는 경사면 또는 곡면의 내측면을 가지고 있다. 바꾸어 말하면 제3 반사 부재(36)의 각각은, 제1 반사 부재(18)의 내측면에 접하고, 대향하는 사이의 거리가 조사 방향 Br을 향해 서서히 넓어지도록 경사지는 경사면 또는 곡면의 내측면을 가지고 있다.7, the
이 제3 반사 부재(36)는, 발광소자(16)의 높이보다 낮아지도록 설치되어 있다. 그리고, 제3 반사 부재(36)는, 발광소자(16)로부터 이격되도록 설치되어 있다. 제3 반사 부재(36)는, 제1 반사 부재(18) 및 제2 반사 부재(20)와 같은 재료로 형성되는 것으로 해도 좋고, 또는 다른 재료로 형성되는 것으로 해도 좋다. 제3 반사 부재(36)를 설치함으로써, 기판(22)의 상면에서의 광의 흡수가 감소함과 함께 광이 발광면(12)으로 적절히 이끌려져, 광취출 효율을 보다 개선할 수 있다.The third reflecting
발광장치(10A)는, 도 4에서 나타내는 각 공정 중, 제1 반사 부재를 설치하는 공정 S102를 행한 이후이며, 도광 부재를 설치하는 공정 S103을 행하기 전에, 제3 반사 부재를 설치하는 공정을 행함으로써 제조된다. 즉, 도 8에 나타내는 바와 같이, 제3 반사 부재를 설치하는 공정은, 제1 반사 부재(18)의 내측에 열 방향을 따라 제3 반사 부재(36)를 설치하고 있다. 제3 반사 부재(36)는, 미리 설정된 점도로 조정되고, 발광면(12)을 향해 경사면 또는 곡면을 형성하게 된다. 제3 반사 부재를 설치하는 공정을 행한 이후에는, 도광 부재를 설치하는 공정 S103을 행하며, 그 이후의 공정은, 도 4에 나타내는 바와 같이 된다.The
다음으로, 도 9로부터 도 12를 참조하여 제3 실시형태로부터 제5 실시형태에 대해 설명한다. 또한, 이미 설명한 같은 부품에는 같은 부호를 붙이고 설명을 적절히 생략한다.Next, the third to fifth embodiments will be described with reference to FIG. 9 to FIG. In addition, the same components as those already described are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is appropriately omitted.
<제3 실시형태>≪ Third Embodiment >
도 9에 나타내는 바와 같이, 발광장치(10B)에서는, 제1 반사 부재의 하면과 기판(2)의 하면은 동일 평면이 되도록 형성된다. 상세하게는, 기판(22)의 하면이 되는 배선(14)의 하단이 제1 반사 부재(18)와 동일 평면이 되도록 형성된다. 또한, 이미 설명한 다른 실시형태에 있어서도 기판(22)의 하면이 제1 반사 부재(18)와 동일 평면으로 하여 형성하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 발광장치는, 실장 시에 안정되어, 기울어지기 어려워져 실장 정밀도를 높일 수 있다.9, in the
또한, 배선(14)은, 기판(22)의 하면 측에 있어서, 일방과 타방의 길이를 바꾸어 설정되어도 좋다. 배선(14)의 장단(長短)이 극성을 나타냄으로써, 발광장치(10B)를 외부의 장치에 접속할 때에 실수를 방지하기 쉬워진다.The
<제4 실시형태>≪ Fourth Embodiment &
도 10에 나타내는 바와 같이, 발광장치(10C)에서는, 배선(14)에 대해서, 기판(22)에 관통 구멍을 형성하여 작성하는 비어(114)를 거치는 구성으로 하여도 좋다. 비어(114)는, 기판(22)의 두께 방향으로 형성한 관통 구멍의 내주면에 설치한 원통 형상의 내벽면 배선(114a)과, 내벽면 배선(114a) 내에 설치한 충전 부재(114b)를 구비하고 있다. 비어(114)의 내벽면 배선(114a)은, 이미 설명한 배선(14)과 마찬가지의 부재를 사용할 수 있다. 그리고, 내벽면 배선(114a)은, 기판(22)의 상면의 배선(14)을 거쳐 소자 전극(15)에 도통함과 함께, 기판(22)의 하면에 형성된 배선(14)에 접속한다. 또한, 비어(114)의 충전 부재(114b)는, 예를 들어, 에폭시 수지 등의 절연성 부재가 충전됨으로써 형성된다. 또한, 충전 부재(114b)는, 기판(22)의 두께 치수보다 긴 치수로 형성되어 있다. 그리고, 배선(14)은, 미리 기판(22)의 상면 및 하면의 소정 범위에 설치되고 충전 부재(114b)의 상하단에 있어서 주위에 위치하여 내벽면 배선(114a)에 도통하는 베이스 배선(14a)과, 이 베이스 배선(14a)에 대면하여 충전 부재(114b)를 덮음과 함께 소자 전극(15)에 도통하는 접속 배선(14b)에 의해 형성되어 있다. 또한, 배선(14)은, 기판(22)의 상면 측 및 하면 측에 있어서, 소자 전극(15)에 대응하여 각각 독립하도록 설치되고, 내벽면 배선(114a)에 의해 대향하는 상하의 배선(14)이 도통하도록 형성되어 있다.As shown in Fig. 10, the
또한, 발광장치(10C)에서는, 제1 반사 부재(18)의 하면이, 기판(22)의 상면에 접하도록 설치되어 있다. 그리고, 제1 반사 부재(18)의 상면은, 발광소자(16)의 상면보다 높은 위치가 되도록 형성되어 있다. 또한, 발광장치(10C)는, 제2 반사 부재(20)가 기판(22)의 두께 방향의 중앙측으로부터 투광성 부재(25)의 상면까지의 범위에 형성되어 있다.In the
<제5 실시형태>≪ Embodiment 5 >
도 11에 나타내는 바와 같이, 발광장치(10D)는, 제2 반사 부재(20D)가 투광성 부재(25D)를 향해 대향하는 간격이 좁아지도록 경사지는 경사면(20d)을 가지도록 형성되어 있다. 제2 반사 부재(20D)는, 예를 들어, 제1 반사 부재(18D)의 높이 방향의 중단(中段)으로부터 투광성 부재(25D)의 상면까지, 단면 형상이 삼각형으로 형성된다. 제2 반사 부재(20D)가 형성됨으로써, 제1 반사 부재(18D)는, 제2 반사 부재(20D)와 대면하는 부분이 경사면으로 된다. 또한, 형광체층(26D) 및 투광층(28D)은, 제2 반사 부재(20D)가 형성됨으로써, 단면 형상이 사다리꼴이 된다. 또한, 제2 반사 부재(20D)는, 투광성 부재(25D)의 상부측면을 소정의 두께로 형성할 수 있으므로, 발광장치(10D)가 다른 부품에 접촉하는 것 등에 의한 투광성 부재(25D)의 파손의 억제를 보다 향상시킬 수 있다.As shown in Fig. 11, the
또한, 발광장치(10D)를 제조하는 경우에는, 도 5f를 참조하면, 제2 반사 부재(20D)를 설치하기 위한 제1 홈(32)을 단면 형상이 V자 형상으로 함으로써 형성할 수 있다. 또한, 제2 반사 부재(20D)는, 투광성 부재(25D) 측의 두께가 크고, 기판(22) 측을 향함에 따라 두께가 작아지도록 설정되어 있으면, 단면 형상은 사다리꼴이나 삼각형 또는 계단 형상이어도 좋다.When manufacturing the
<제6 실시형태>≪ Sixth Embodiment &
도 12에 나타내는 바와 같이, 발광장치(10E)는, 제4 실시형태에서 나타내는 발광장치(10C)에 있어서, 발광소자(16)를 복수개(도면에서는 2개) 구비하도록 형성되어 있다. 발광장치(10E)에서는, 설치되어 있는 2개의 발광소자(16)를 동시에 점등 및 소등의 동작을 행하게 하기 위해서, 배선(14)의 일방의 베이스 배선(14a)이, 서로 도통하도록 도통 배선(14c)에 의해 접속되도록 형성되어 있다. 또한, 다른 실시형태의 발광장치더라도, 발광장치(10E)와 마찬가지로 복수의 발광소자(16)를 구비하는 구성으로 하여도 좋다.As shown in Fig. 12, the
또한, 이상 설명한 제1 실시형태~제5 실시형태에 있어서, 제2 반사 부재(20, 20D)는, 제1 반사 부재(18, 18D)와 비교하여, 부재의 강도를 크게 하거나, 또는, 부재의 경도를 크게 하는 것이 보다 바람직하다. 즉, 제2 반사 부재(20, 20D)의 부분은, 외부의 다른 부품, 예를 들어, 도광판과 접촉하기 쉽기 때문에, 과도한 부하가 가해져도, 부재 강도나 부재 경도가 크기 때문에, 변형이나 이지러짐의 파손을 억제할 수 있다. 여기서, 부재의 경도를 크게 할 경우는, 제1 반사 부재 및 제2 반사 부재의 베이스의 수지가 같더라도, 예를 들어, 함유하는 산화티탄 등의 함유 재료의 첨가량을 변경함으로써 경도를 크게 할 수 있다. 또한, 같은 실리콘 수지를 사용하는 경우에도, 경도가 다른 것을 선택하고, 경도가 높은 실리콘 수지를 제2 반사 부재(20, 20D)로서 사용한다. 나아가, 제2 반사 부재(20, 20D)와, 제1 반사 부재(18, 18D)를 다른 수지로 함으로써, 경도를 변경할 수 있다. 예를 들어, 실리콘 수지를 제1 반사 부재(18, 18D)에 사용하고, 실리콘 수지보다 일반적으로 경도가 큰 에폭시 수지를 제2 반사 부재(20, 20D)에 사용한다.In the first to fifth embodiments described above, the second reflecting
또한, 부재의 강도가 큰 경우란, 예를 들어, 베이스가 되는 수지가 같은 실리콘 수지인 경우, 인장 강도를 비교하여 인장 강도가 큰 실리콘 수지를 말한다. 또한, 부재의 강도가 큰 경우란, 예를 들어, 베이스가 되는 수지가 같은 에폭시 수지인 경우, 굽힘 강도를 비교하여 굽힘 강도가 큰 에폭시 수지를 말한다. 또한 수지의 종류가 다를 경우는, 예를 들어, 일방이 실리콘 수지이고 타방이 에폭시 수지일 때는, 굽힘 강도와 인장 강도에 있어서 일방의 강도로 환산하여 비교함으로써 강도의 대소를 판정하는 것으로 한다.The case where the strength of the member is large refers to a silicone resin having a large tensile strength in comparison with a tensile strength when the base resin is the same silicone resin. The case where the strength of the member is large refers to, for example, an epoxy resin having a large bending strength in comparison with a bending strength when the base resin is the same epoxy resin. When the types of the resins are different, for example, when one of them is a silicone resin and the other is an epoxy resin, the bending strength and the tensile strength are compared with each other in terms of strength to determine the magnitude of the strength.
또한, 부재의 경도 또는 부재의 강도를 판정할 경우에는, JIS 등, 공지된 측정 방법에 의해 측정함으로써 판정할 수 있다. 또한, 부재의 강도는, 변형이나 파괴에 대한 저항력을 말하는 것이다.When the hardness of the member or the strength of the member is to be determined, it can be determined by measurement by a known measuring method such as JIS. In addition, the strength of a member refers to a resistance against deformation or fracture.
<변형예에 대해><Modification Example>
또한, 각 실시형태에서는, 기판(22)에 관통 구멍(22a)을 형성하고 제1 반사 부재(18)의 하면과 기판(22)의 하면을 동일 평면으로 하는 것으로 하여 설명하였지만, 도 13a에 나타내는 바와 같이, 제1 반사 부재(18)의 일부의 하면이 기판(22)의 하면과 동일 평면이 되도록 형성하여도 좋다. 여기서는, 제1 반사 부재(18)의 좌우의 단부가 기판(22)의 상면에 접촉한 상태에서, 제1 반사 부재(18)의 중앙의 단부가 기판(22)의 하면과 동일 평면이 되게끔 설치하도록 하고 있다. 이와 같이 제1 반사 부재(18)의 하면을 기판(22)의 관통 구멍(22a)의 내외로 함으로써, 기판(22)과 제1 반사 부재(18)의 접합 면적을 크게 하여 밀착력을 향상시킬 수 있다.Although the through
또한, 도 13b에 나타내는 바와 같이, 기판(22)에 관통 구멍(22a)을 형성하는 일 없이, 제1 반사 부재(18)를 기판(22)의 상면에 설치하는 것으로 하여도 좋다. 이와 같이 기판(22)의 상면에 제1 반사 부재(18)를 설치하는 구성으로 함으로써, 제1 반사 부재(18)의 재료의 사용량을 기판(22)에 관통 구멍(22a)을 형성하는 경우보다 감소시킬 수 있다.13B, the first reflecting
또한, 제1 반사 부재(18)와 제2 반사 부재(20)의 재료를 변경하는 구성으로 해도 좋다. 또한, 제1 반사 부재(18)와, 제2 반사 부재(20)와, 제3 반사 부재(36)를 각각 다른 반사 재료로 하여도 좋다. 반사 재료를 변경함으로써, 예를 들어, 광의 취출 효율을 조정하는 것이 쉬워진다.Further, the material of the first reflecting
또한, 투광성 부재(25)는, 형광체층(26)과, 투광층(28)을 구비하는 구성으로하여 설명하였지만, 투광층(28)만으로 사용하는 것이나, 또는, 형광체층(26)으로 사용하는 구성으로 하여도 좋다.The
그리고, 형광체층(26)에 사용되는 파장 변환 물질(형광체)로서는, 상기한 것 이외에도, 해당 분야에서 공지된 것을 사용할 수 있다. 나아가, 형광체층(26)은, 1층만을 설치하는 것뿐만 아니라, 복수의 층으로서 설치하는 것으로 하여도 좋다. 그리고, 형광체층은, 복수의 층으로서 설치하는 경우에는, 형광체층마다 파장 변환 물질을 바꾸어 설치하도록 해도 좋다.As the wavelength conversion material (phosphor) used for the
제1 반사 부재(18)는, 발광소자를 둘러싸도록 설치되어 있어도 좋다. 바꾸어 말하면, 발광소자(16)의 모든 측면에 일정한 거리를 떼어 놓고 설치되어 있어도 좋다. 이 제1 반사 부재(18)는, 투광성 부재(25)를 향해 대향하는 간격이 넓어지도록 경사지는 경사면 또는 곡면의 내측면을 가진다. 이에 의해, 발광소자(16)로부터의 광이 제1 반사 부재(18)에 의해 더욱 발광면으로부터 취출하기 쉬워져, 광취출 효율이 개선된다.The first reflecting
이 경우, 행 방향의 관통 구멍(22a)처럼, 열 방향으로도 관통 구멍이 형성되어 있는 기판을 준비함으로써 실현 가능하게 된다.In this case, it becomes feasible to prepare a substrate in which a through hole is formed also in the column direction like the through
또한, 발광장치의 제조방법에 있어서, 제1 반사 부재(18)의 일부 및 도광 부재(24)의 일부를 제거하도록 제거하는 공정 S104를 행하는 일 없이, 다음의 투광성 부재를 설치하는 공정 S105을 행해도 상관없다. 제거하는 공정 S104를 행하지 않는 경우에는, 도광 부재(24)를 제1 반사 부재(18)의 상단까지의 높이가 되도록 충전하는 것이 바람직하다.In the manufacturing method of the light emitting device, the step S105 of installing the following light transmitting member is performed without performing the step S104 of removing the part of the first reflecting
그리고, 제2 홈을 형성하는 공정 S107은, 행하는 일 없이, 제1 홈(32)만으로 개별화하는 공정 S109까지 작업을 행해도 상관없다. 그 경우에는, 제2 홈(34)이 형성되는 부분에 후에 발광소자(16)로부터의 광을 반사시킬 수 있는 반사판을 표리측면에 설치하는 것으로 해도 상관없다.Then, the step S107 for forming the second groove may be carried out to the step S109 for individualizing only the
10, 10A~10D: 발광장치
12: 발광면
14: 배선
14a: 베이스 배선
14b: 접속 배선
14c: 도통 배선
15: 소자 전극
16: 발광소자
17: 반사 부재
18: 제1 반사 부재
19: 내측면
20: 제2 반사 부재
22: 기판
24: 도광 부재
25: 투광성 부재
26: 형광체층
28: 투광층
30: 점착 시트
32: 제1 홈
34: 제2 홈
36: 제3 반사 부재
38: 절결 홈
S101: 발광소자를 배열하는 공정
S102: 제1 반사 부재를 설치하는 공정
S103: 도광 부재를 설치하는 공정
S104: 제거하는 공정
S105: 투광성 부재를 설치하는 공정
S106: 제1 홈을 형성하는 공정
S107: 제2 홈을 형성하는 공정
S108: 제2 반사 부재를 설치하는 공정
S109: 개별화하는 공정
Br: 조사 방향10, 10A to 10D: Light emitting device
12: light emitting surface
14: Wiring
14a: base wiring
14b: connection wiring
14c: conduction wiring
15: Device electrode
16: Light emitting element
17: reflective member
18: first reflection member
19: My side
20: a second reflection member
22: substrate
24: light guiding member
25: Light-transmissive member
26: Phosphor layer
28:
30: Pressure sensitive adhesive sheet
32: First Home
34: 2nd home
36: Third reflective member
38: notch groove
S101: Step of arranging the light emitting element
S102: Step of installing the first reflecting member
S103: Step of installing light guide member
S104: Step of removing
S105: Step of installing the light transmitting member
S106: Step of forming first groove
S107: Step of forming second groove
S108: Step of installing the second reflecting member
S109: Individualization process
Br: Survey direction
Claims (17)
상기 기판 상에 실장된 발광소자와,
상기 발광소자의 주위에 간격을 두고서 둘러싸도록 설치한 반사 부재와,
상기 반사 부재 내의 발광소자를 덮도록 상기 반사 부재의 내측에 충전된 도광 부재와,
상기 도광 부재 상에 설치된 투광성 부재를 구비하고,
상기 반사 부재는, 상기 발광소자의 측면에 대향하여 설치된 제1 반사 부재와, 상기 제1 반사 부재의 외측에 위치하고 상기 발광소자를 포위하여 설치된 제2 반사 부재를 갖고,
상기 제1 반사 부재는, 상기 투광성 부재를 향해 대향하는 간격이 넓어지도록 경사지는 경사면 또는 곡면의 내측면을 갖고,
상기 제2 반사 부재는, 상기 투광성 부재의 측면과, 상기 제1 반사 부재의 외측면을 덮고, 상기 제2 반사 부재의 상면은 상기 투광성 부재의 상면과 동일 평면인, 발광장치.A rectangular substrate,
A light emitting element mounted on the substrate,
A reflecting member provided so as to surround the light emitting element with a gap therebetween,
A light guiding member filled in the inside of the reflecting member so as to cover the light emitting element in the reflecting member,
And a light transmitting member provided on the light guiding member,
Wherein the reflective member includes a first reflective member disposed to face the side surface of the light emitting element and a second reflective member located outside the first reflective member and surrounding the light emitting element,
Wherein the first reflecting member has an inclined surface or an inner surface of a curved surface that is inclined so that the interval facing the light transmitting member is wider,
The second reflecting member covers the side surface of the light transmitting member and the outer surface of the first reflecting member and the upper surface of the second reflecting member is flush with the upper surface of the light transmitting member.
상기 제1 반사 부재의 하면과 상기 기판의 하면은 동일 평면에 있는, 발광장치.The method according to claim 1,
Wherein the lower surface of the first reflecting member and the lower surface of the substrate are flush with each other.
상기 제1 반사 부재의 적어도 일부는 상기 기판의 상면에 배치되는, 발광장치.3. The method according to claim 1 or 2,
And at least a part of the first reflecting member is disposed on an upper surface of the substrate.
상기 투광성 부재는, 상기 제1 반사 부재의 상단부보다 위에 위치하는, 발광장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the light transmitting member is positioned above the upper end of the first reflecting member.
상기 제2 반사 부재는, 상기 투광성 부재를 향해 대향하는 간격이 좁아지도록 경사지는 경사면을 갖는, 발광장치.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
And the second reflecting member has an inclined surface that is inclined so that an interval facing the light transmitting member is narrowed.
상기 제1 반사 부재의 재료와 상기 제2 반사 부재의 재료는 같은, 발광장치.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
Wherein the material of the first reflecting member and the material of the second reflecting member are the same.
상기 제1 반사 부재의 재료와 상기 제2 반사 부재의 재료가 다르게 되어 있는, 발광장치.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
Wherein the material of the first reflecting member and the material of the second reflecting member are different from each other.
상기 제2 반사 부재의 강도는, 상기 제1 반사 부재의 강도보다 큰, 발광장치.8. The method according to any one of claims 1 to 7,
And the intensity of the second reflecting member is larger than the intensity of the first reflecting member.
상기 제2 반사 부재의 경도는 상기 제1 반사 부재의 경도보다 큰, 발광장치.8. The method according to any one of claims 1 to 7,
And the hardness of the second reflective member is larger than the hardness of the first reflective member.
상기 투광성 부재는, 형광체층과 그 위에 적층된 투광층을 포함하는, 발광장치.10. The method according to any one of claims 1 to 9,
Wherein the light transmitting member comprises a phosphor layer and a light transmitting layer laminated thereon.
상기 반사 부재는, 상기 제1 반사 부재의 내측면에 접하고 상기 투광성 부재를 향해 대향하는 간격이 넓어지도록 경사지는 경사면 또는 곡면의 내측면을 가지는 제3 반사 부재를 더 구비하는, 발광장치.11. The method according to any one of claims 1 to 10,
Wherein the reflecting member further comprises a third reflecting member having an inclined surface or a curved inner surface which is tilted so as to be in contact with the inner surface of the first reflecting member and facing the light transmitting member.
상기 발광소자의 사이에, 상기 발광소자로부터 이격되는 제1 반사 부재를 설치하는 공정과,
상기 발광소자를 덮고, 제1 반사 부재와 접하는 도광 부재를 설치하는 공정과,
상기 도광 부재와 상기 제1 반사 부재의 위에 투광성 부재를 설치하는 공정과,
상기 투광성 부재와 상기 제1 반사 부재의 일부를 제거하여 제1 홈을 형성하는 공정과,
상기 제1 홈 내에, 상기 투광성 부재와 상기 제1 반사 부재와 접하는 제2 반사 부재를 설치하는 공정과,
상기 제2 반사 부재를 절단하여 개별화하는 공정을 포함하는, 발광장치의 제조방법.A step of arranging a plurality of light emitting elements on a substrate,
A step of providing a first reflecting member spaced apart from the light emitting element between the light emitting elements,
A step of providing a light guide member covering the light emitting element and contacting the first reflection member;
A step of providing a light transmitting member on the light guiding member and the first reflecting member,
A step of forming a first groove by removing the light transmitting member and a part of the first reflecting member,
Providing a second reflective member in contact with the light transmissive member and the first reflective member in the first groove;
And cutting the second reflecting member to individualize the second reflecting member.
상기 발광소자는 행 방향 및 열 방향으로 배열되어 있고, 상기 제1 반사 부재를 설치하는 공정은 열 방향으로 배열되는 상기 발광소자의 열 사이에만 설치하는 공정인, 발광장치의 제조방법.13. The method of claim 12,
Wherein the light emitting elements are arranged in the row direction and the column direction, and the step of providing the first reflection member is provided only between the rows of the light emitting elements arranged in the column direction.
상기 제2 반사 부재를 설치하는 공정 이전에, 행 방향으로 배열되는 상기 발광소자의 행 사이의 상기 도광 부재와 상기 투광성 부재의 일부를 제거하여 제2 홈을 형성하는 공정을 구비하고,
상기 제2 반사 부재를 설치하는 공정은, 상기 제2 홈 내에 상기 투광성 부재와 상기 도광 부재와 접하는 상기 제2 반사 부재를 설치하는 공정을 포함하는, 발광장치의 제조방법.14. The method of claim 13,
And a step of forming a second groove by removing a part of the light guiding member and the light transmitting member between the rows of the light emitting elements arranged in the row direction before the step of installing the second reflecting member,
The step of providing the second reflecting member includes a step of providing the second reflecting member in contact with the light transmitting member and the light guiding member in the second groove.
상기 투광성 부재를 설치하는 공정은, 상기 도광 부재를 상기 제1 반사 부재의 상면을 덮도록 설치하는 공정으로서, 상기 투광성 부재를 설치하는 공정 이전에, 상기 제1 반사 부재의 일부 및 상기 도광 부재의 일부를 제거하고, 상기 발광소자의 상방에 상기 도광 부재를 남기는 공정을 더 포함하는, 발광장치의 제조방법.15. The method according to any one of claims 12 to 14,
Wherein the step of providing the light transmitting member includes the step of providing the light guiding member so as to cover the upper surface of the first reflecting member, wherein, before the step of providing the light transmitting member, Further comprising the step of removing a part of the light-emitting element and leaving the light-guiding member above the light-emitting element.
상기 기판은 관통 구멍을 갖고, 상기 관통 구멍에 상기 제1 반사 부재의 일부를 형성하는 공정을 포함하는, 발광장치의 제조방법.16. The method according to any one of claims 12 to 15,
Wherein the substrate has a through hole and includes a step of forming a part of the first reflecting member in the through hole.
상기 도광 부재를 설치하는 공정 이전에, 상기 기판 상에 상기 제1 반사 부재의 내측면에 접하고 상기 투광성 부재를 향해 대향하는 간격이 넓어지도록 경사지는 경사면 또는 곡면의 내측면을 가지는 제3 반사 부재를 설치하는 공정을 더 포함하는, 발광장치의 제조방법.17. The method according to any one of claims 12 to 16,
A third reflecting member having an inclined surface or an inner surface of a curved surface that is tilted so as to be opposed to the inner surface of the first reflecting member and faces the light transmitting member before the step of installing the light guiding member, Wherein the light emitting device further comprises a step of installing the light emitting device.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017096014 | 2017-05-12 | ||
JPJP-P-2017-096014 | 2017-05-12 | ||
JP2018033162A JP6696521B2 (en) | 2017-05-12 | 2018-02-27 | Light emitting device and manufacturing method thereof |
JPJP-P-2018-033162 | 2018-02-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20180124738A true KR20180124738A (en) | 2018-11-21 |
KR102512356B1 KR102512356B1 (en) | 2023-03-20 |
Family
ID=64568971
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020180052117A KR102512356B1 (en) | 2017-05-12 | 2018-05-04 | Light emitting device and method for manufacturing the same |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6696521B2 (en) |
KR (1) | KR102512356B1 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7196813B2 (en) * | 2019-10-14 | 2022-12-27 | 豊田合成株式会社 | Light emitting device and manufacturing method thereof |
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JP6589259B2 (en) * | 2014-06-20 | 2019-10-16 | 日亜化学工業株式会社 | Light emitting element and light emitting device using the same |
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-
2018
- 2018-02-27 JP JP2018033162A patent/JP6696521B2/en active Active
- 2018-05-04 KR KR1020180052117A patent/KR102512356B1/en active IP Right Grant
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102512356B1 (en) | 2023-03-20 |
JP6696521B2 (en) | 2020-05-20 |
JP2018195800A (en) | 2018-12-06 |
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Date | Code | Title | Description |
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