KR20180124200A - Apparatus and Method for treating substrate - Google Patents

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Abstract

Provided is an apparatus and a method for liquid-treating a substrate. The apparatus comprises: a substrate support unit supporting and rotating a substrate; a liquid supply unit supplying a liquid onto a substrate supported by the substrate support unit; a heating unit heating the substrate supported by the substrate support unit; and a controller controlling the heating unit. The heating unit includes an irradiation member irradiating a laser beam onto the substrate supported by the substrate support unit, wherein an irradiation area irradiated with the laser beam from the irradiation member is provided in a radial area extending to an edge area from a central area of the substrate. A treatment liquid supplied to each area of the substrate is heated by the laser beam to uniformly treat each area of the substrate.

Description

기판 처리 장치 및 방법{Apparatus and Method for treating substrate}[0001] APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE [0002]

본 발명은 기판을 열 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and a method for heat-treating a substrate.

반도체소자를 제조하기 위해서, 기판에 사진, 식각, 애싱, 이온주입, 그리고 박막 증착. 세정 등의 다양한 공정들을 통해 원하는 패턴을 기판에 형성한다. 이중 사진, 식각, 애싱, 그리고 세정 공정은 기판 상에 처리액을 공급하는 공정으로, 기판을 액 처리한다.To fabricate semiconductor devices, photolithography, etching, ashing, ion implantation, and thin film deposition are performed on the substrate. A desired pattern is formed on the substrate through various processes such as cleaning. The double photolithography, etching, ashing, and cleaning processes are processes for supplying a process liquid onto a substrate, and liquid process the substrate.

일반적으로 액 처리 공정에는 기판의 중심에 처리액을 공급하고, 이를 확산시켜 기판의 전체 영역을 액 처리한다. 처리액은 상온보다 높은 온도를 가지며, 이는 반응성과 직결된다. 따라서 기판의 중심에 공급된 처리액과 가장자리 영역에 확산된 처리액은 동일 온도를 가져야 한다. Generally, in the liquid processing step, the processing liquid is supplied to the center of the substrate and is diffused to perform the liquid processing of the entire area of the substrate. The treatment liquid has a temperature higher than room temperature, which is directly related to the reactivity. Therefore, the treatment liquid supplied to the center of the substrate and the treatment liquid diffused into the edge region must have the same temperature.

그러나 처리액은 기판의 중심에서 확산되는 과정에서 공정 온도보다 낮은 온도를 가진다. 이는 기판이 가지는 온도 및 대기에 의해 시간의 경과할수록 낮은 온도를 가진다. 이로 인해 기판의 중심 영역과 가장자리 영역은 다른 반응성을 가지며, 액 처리 공정은 기판의 영역 별로 불균일하게 처리된다.However, the process liquid has a temperature lower than the process temperature in the process of diffusing from the center of the substrate. It has a lower temperature over time due to the temperature of the substrate and the atmosphere. As a result, the central region and the edge region of the substrate have different reactivities, and the liquid processing process is nonuniformly processed for each region of the substrate.

이에 따라 도 1과 같이, 기판(W)을 지지하는 스핀척(2)에는 히터(4)가 설치되고, 히터(4)는 스핀 척(2)에 지지된 기판을 가열한다. 그러나 기판(W)은 스핀 척(2)에 설치된 핀(6)에 놓여지며, 히터(4)와 이격되게 위치된다. 뿐만 아니라. 회전되는 스핀 척(2)에 복수 개의 히터들(4)을 설치할 경우 그 구조가 매우 복잡하며, 처리액의 일부가 스핀 척(2) 내에 유입될 경우, 이의 메인터넌스가 어렵다.Accordingly, as shown in Fig. 1, the spin chuck 2 supporting the substrate W is provided with a heater 4, and the heater 4 heats the substrate supported by the spin chuck 2. However, the substrate W is placed on the pin 6 provided on the spin chuck 2, and is positioned apart from the heater 4. As well as. When a plurality of heaters 4 are provided on the spin chuck 2 to be rotated, the structure is very complicated, and when a part of the process liquid flows into the spin chuck 2, its maintenance is difficult.

본 발명은 기판의 전체 영역을 균일하게 액 처리할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide an apparatus and a method that can uniformly perform liquid processing of an entire area of a substrate.

또한 본 발명은 처리액이 기판의 중심에서 가장자리 영역으로 확산되는 중에 발생된 열 손실로 인해, 기판의 각 영역이 서로 다른 온도의 액으로 처리되는 것을 방지할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.Another object of the present invention is to provide an apparatus and a method which can prevent each region of the substrate from being treated with liquid at a different temperature due to heat loss generated when the process liquid diffuses from the center of the substrate to the edge region.

본 발명의 실시예는 기판을 열 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판을 액 처리하는 장치는 기판을 지지 및 회전시키는 기판 지지 유닛, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 액을 공급하는 액 공급 유닛, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판을 가열하는 가열 유닛, 그리고 상기 가열 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하되, 상기 가열 유닛은 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 레이저를 조사하는 조사 부재를 포함하되, 상기 조사 부재로부터 레이저가 조사되는 조사 영역은 기판의 중심 영역에서 가장자리 영역으로 연장되는 반경 영역으로 제공된다. Embodiments of the present invention provide an apparatus and method for heat treating a substrate. An apparatus for treating a substrate includes a substrate support unit for supporting and rotating the substrate, a liquid supply unit for supplying the liquid onto the substrate supported by the substrate support unit, a heating unit for heating the substrate supported by the substrate support unit, And a controller controlling the heating unit, wherein the heating unit includes an irradiation member for irradiating a laser onto a substrate supported by the substrate supporting unit, wherein an irradiation area irradiated with a laser from the irradiation member is located at a center And is provided in a radial area extending from the area to the edge area.

상기 제어기는 기판 상에 조사되는 상기 레이저의 세기를 상기 중심 영역과 가장자리 영역 별로 조절하도록 상기 조사 부재를 제어할 수 있다. 상기 제어기는 상기 레이저의 세기는 상기 레이저의 조사 영역 별로 상이하도록 상기 조사 부재를 제어하되, 상기 레이저의 세기는 기판의 중심에서 멀어질수록 높아질 수 있다. The controller may control the irradiation member to adjust intensity of the laser beam irradiated onto the substrate by the center region and the edge region. The controller controls the irradiation member such that the intensity of the laser is different for each irradiation region of the laser, and the intensity of the laser can be increased as the distance from the center of the substrate is increased.

상기 조사 부재는 슬릿 형상의 조사구를 가지며, 상기 액 공급 유닛은 처리액을 토출하는 노즐, 상기 노즐에 처리액을 공급하는 액 공급 라인, 그리고 상기 액 공급 라인에 설치되며, 처리액을 기설정 온도로 가열하는 히터를 포함할 수 있다. Wherein the irradiation member has a slit-shaped irradiation port, the liquid supply unit includes a nozzle for discharging the treatment liquid, a liquid supply line for supplying the treatment liquid to the nozzle, and a liquid supply line provided in the liquid supply line, And may include a heater that heats to a temperature.

상기 가열 유닛은 상기 조사구가 상기 반경 영역에 마주하도록 상기 조사 부재의 위치를 고정시키는 고정 부재를 더 포함하고, 상기 액 공급 유닛은 상기 노즐을 공정 위치 및 대기 위치로 이동시키는 이동 부재를 더 포함하되, 상기 공정 위치는 상기 노즐의 토출구가 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판의 중심에 마주하는 위치를 포함할 수 있다. The heating unit further includes a fixing member for fixing the position of the irradiation member such that the irradiation port faces the radial area, and the liquid supply unit further includes a moving member for moving the nozzle to the process position and the standby position The process position may include a position where the discharge port of the nozzle faces the center of the substrate supported by the substrate supporting unit.

기판을 액 처리하는 방법은 회전되는 상기 기판 상에 처리액을 공급하되, 상기 처리액이 공급되는 중에 상기 기판 상에 레이저를 조사하여 상기 기판을 가열하되, 상기 레이저가 조사되는 조사 영역은 기판의 중심 영역에서 가장자리 영역으로 연장되는 반경 영역으로 제공된다. A method for performing a liquid processing on a substrate includes the steps of supplying a processing liquid onto the substrate to be rotated, heating the substrate by irradiating a laser onto the substrate while the processing liquid is being supplied, And is provided in a radial area extending from the central area to the edge area.

상기 레이저는 슬릿의 선 또는 면 형상으로 조사될 수 있다. 상기 레이저의 조사 영역은 상기 기판의 중심 영역 및 가장자리 영역을 포함하되, 상기 중심 영역에는 제1세기의 레이저가 조사되고, 상기 가장자리 영역에는 상기 제1세기보다 높은 제2세기의 레이저가 조사될 수 있다. 상기 레이저의 세기는 상기 조사 영역이 상기 기판의 중심에서 멀어질수록 높아질 수 있다. 상기 중심 영역에 조사되는 레이저와 상기 가장자리 영역에 조사되는 레이저는 서로 다른 파장을 가질 수 있다. The laser may be irradiated in the form of a line or a plane of the slit. Wherein the laser is irradiated with a laser of a first intensity and a laser of a second intensity higher than the first intensity is irradiated to the center region, have. The intensity of the laser can be increased as the irradiation area is further away from the center of the substrate. The laser irradiated on the center region and the laser irradiated on the edge region may have different wavelengths.

상기 레이저는 조사 부재에 의해 조사되고, 상기 조사 부재는 고정 부재에 의해 위치가 고정될 수 있다. 상기 처리액은 상온보다 높은 공정 온도로 가열된 식각액이고, 상기 처리액은 상기 기판의 중심에 공급될 수 있다. The laser is irradiated by an irradiation member, and the irradiation member can be fixed in position by a fixing member. The treatment liquid is an etchant heated to a process temperature higher than normal temperature, and the treatment liquid can be supplied to the center of the substrate.

본 발명의 실시예에 의하면, 기판의 중심 영역에서 가장자리 영역으로 연장된 반경 영역으로 레이저를 조사한다. 이로 인해 기판의 각 영역에 공급된 처리액은 레이저에 의해 가열되며, 기판의 각 영역을 균일하게 액 처리될 수 있다.According to the embodiment of the present invention, a laser is irradiated to a radial region extending from a central region of the substrate to an edge region. As a result, the treatment liquid supplied to each region of the substrate is heated by the laser, and each region of the substrate can be treated uniformly.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 레이저의 세기는 중심에서 가장자리 영역으로 갈수록 높아진다. 이로 인해 중심 영역의 처리액과 가장자리 영역의 처리액을 균일한 온도로 조절할 수 있다.Also, according to the embodiment of the present invention, the laser intensity increases from the center to the edge area. As a result, the treatment liquid in the central region and the treatment liquid in the edge region can be controlled at a uniform temperature.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 조사 부재는 고정 부재에 의해 그 위치가 고정된다. 이로 인해 조사 부재의 이동에 따른 떨림 등의 원인으로, 조사 부재가 정 위치를 벗어나는 것을 방지할 수 있다.Further, according to the embodiment of the present invention, the position of the irradiation member is fixed by the fixing member. As a result, it is possible to prevent the irradiation member from deviating from the correct position due to shaking or the like caused by the movement of the irradiation member.

도 1은 일반적인 액 처리 장치의 기판 지지 부재를 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 4는 도 3의 가열 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 3의 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 보여주는 도면이다.
도 6는 도 4의 가열 유닛의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a substrate supporting member of a general liquid processing apparatus.
2 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG.
4 is a cross-sectional view showing the heating unit of Fig.
5 is a view illustrating a process of processing a substrate using the apparatus of FIG.
6 is a cross-sectional view showing another embodiment of the heating unit of FIG.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.The embodiments of the present invention can be modified into various forms and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. The present embodiments are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention. Accordingly, the shapes of the components and the like in the drawings are exaggerated in order to emphasize a clearer description.

본 발명은 도 2 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 일 예를 상세히 설명한다.The present invention will now be described in detail with reference to FIGS. 2 to 6. FIG.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.2 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(10)과 공정 처리 모듈(20)을 가지고, 인덱스 모듈(10)은 로드 포트(120) 및 이송 프레임(140)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다. 2, the substrate processing apparatus 1 has an index module 10 and a processing module 20, and the index module 10 has a load port 120 and a transfer frame 140. The load port 120, the transfer frame 140, and the process module 20 are sequentially arranged in a line. The direction in which the load port 120, the transfer frame 140 and the processing module 20 are arranged is referred to as a first direction 12 and a direction perpendicular to the first direction 12 Direction is referred to as a second direction 14 and a direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16. [

로드 포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(18)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 네 개의 로드 포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드 포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(18)에는 기판의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)을 복수 개가 제공되고, 기판은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어 내에 위치된다. 캐리어(18)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. In the load port 120, a carrier 18 in which a substrate W is housed is seated. A plurality of load ports 120 are provided, and they are arranged in a line along the second direction 14. In FIG. 1, four load ports 120 are shown. However, the number of load ports 120 may increase or decrease depending on conditions such as process efficiency and footprint of the process module 20. The carrier 18 is formed with a slot (not shown) provided to support the edge of the substrate. The slots are provided in a plurality of third directions 16, and the substrates are positioned in the carrier so as to be stacked apart from each other along the third direction 16. As the carrier 18, a front opening unified pod (FOUP) may be used.

공정 처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(220), 이송 챔버(240), 그리고 공정 챔버(260)를 가진다. 이송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 제2방향(14)를 따라 이송 챔버(240)의 양측에는 공정 챔버들(260)이 배치된다. 공정 챔버들(260)은 이송 챔버(240)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공될 수 있다. 공정 챔버들(260) 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정 챔버들(260) 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송 챔버(240)의 양측에는 공정 챔버들(260)이 A X B(A와 B는 각각 1이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이다. 이송 챔버(240)의 양측 각각에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정 챔버들(260)은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정 챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. The process module 20 has a buffer unit 220, a transfer chamber 240, and a process chamber 260. The transfer chamber 240 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. Process chambers 260 are disposed on either side of the transfer chamber 240 along the second direction 14. The process chambers 260 may be provided to be symmetrical with respect to the transfer chamber 240. Some of the process chambers 260 are disposed along the longitudinal direction of the transfer chamber 240. In addition, some of the process chambers 260 are stacked together. That is, on both sides of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an array of A X B (where A and B are each a natural number of one or more). Where A is the number of process chambers 260 provided in a row along the first direction 12 and B is the number of process chambers 260 provided in a row along the third direction 16. When four or six process chambers 260 are provided on each side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an array of 2 X 2 or 3 X 2. The number of process chambers 260 may increase or decrease.

상술한 바와 달리, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측 및 타측에 단층으로 제공될 수 있다. 또한, 공정 챔버(260)는 상술한 바와 달리 다양한 배치로 제공될 수 있다. Unlike the above, the process chamber 260 may be provided only on one side of the transfer chamber 240. The process chamber 260 may be provided as a single layer on one side and the other side of the transfer chamber 240. In addition, the process chamber 260 may be provided in various arrangements different from those described above.

버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 이송 챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 챔버(240)와 이송 프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(220)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼 유닛(220)에서 이송 프레임(140)과 마주보는 면과 이송 챔버(240)와 마주보는 면 각각이 개방된다.The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space for the substrate W to stay before the transfer of the substrate W between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140. [ The buffer unit 220 is provided with a slot (not shown) in which the substrate W is placed, and a plurality of slots (not shown) are provided to be spaced apart from each other in the third direction 16. The surface of the buffer unit 220 opposed to the transfer frame 140 and the surface of the transfer chamber 240 facing each other are opened.

이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(18)와 버퍼 유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(20)에서 캐리어(18)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(18)에서 공정 처리 모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the carrier 18 that is seated on the load port 120. The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided so that its longitudinal direction is parallel to the second direction 14. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and is linearly moved along the index rail 142 in the second direction 14. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed so as to be movable along the index rail 142. The body 144b is coupled to the base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. Also, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b and is provided to be movable forward and backward relative to the body 144b. A plurality of index arms 144c are provided and each is provided to be individually driven. The index arms 144c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16. Some of the index arms 144c are used to transfer the substrate W from the processing module 20 to the carrier 18 while the other part is used to transfer the substrate W from the carrier 18 to the processing module 20. [ As shown in Fig. This can prevent the particles generated from the substrate W before the process processing from adhering to the substrate W after the process processing in the process of loading and unloading the substrate W by the index robot 144. [

이송 챔버(240)는 버퍼 유닛(220) 및 공정 챔버들(260) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 챔버(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공된다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 가이드 레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. The transfer chamber 240 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the process chambers 260. The transfer chamber 240 is provided with a guide rail 242 and a main robot 244. The guide rails 242 are arranged so that their longitudinal directions are parallel to the first direction 12. The main robot 244 is installed on the guide rails 242 and is linearly moved along the first direction 12 on the guide rails 242.

공정 챔버(260)는 하나의 기판(W)에 대해 순차적으로 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 예컨대, 기판(W)은 공정 챔버(260)에서 케미칼 공정, 린스 공정, 그리고 건조 공정이 수행될 수 있다. The process chamber 260 may be provided to perform a process on one substrate W sequentially. For example, the substrate W may be subjected to a chemical process, a rinsing process, and a drying process in the process chamber 260.

아래에서는 공정 챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치(300)에 대해 설명한다. 도 3은 도 2의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 처리 용기(320), 스핀 헤드(340), 승강 유닛(360), 액 공급 유닛(380), 가열 유닛(400), 그리고 제어기를 가진다. 처리 용기(320)는 내부에 기판(W)을 처리하는 공정이 수행되는 처리 공간을 제공한다. 처리 용기(320)는 상부가 개방된 컵 형상으로 제공된다. 처리 용기(320)는 내부 회수통(322) 및 외부 회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,326)은 공정에 사용된 처리액 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부 회수통(322)은 스핀 헤드(340)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부 회수통(326)은 내부 회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부 회수통(322)의 내측공간(322a) 및 외부 회수통(326)과 내부 회수통(322)의 사이 공간(326a)은 각각 내부 회수통(322) 및 외부 회수통(326)으로 처리액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(322,326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b,326b)이 연결된다. 각각의 회수라인(322b,326b)은 각각의 회수통(322,326)을 통해 유입된 처리액을 배출한다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.The substrate processing apparatus 300 provided in the process chamber 260 will be described below. 3 is a cross-sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG. 3, the substrate processing apparatus 300 has a processing container 320, a spin head 340, a lift unit 360, a liquid supply unit 380, a heating unit 400, and a controller. The processing vessel 320 provides a processing space in which a process of processing the substrate W is performed. The processing vessel 320 is provided in the form of a cup having an open top. The processing vessel 320 has an inner recovery cylinder 322 and an outer recovery cylinder 326. [ Each of the recovery cylinders 322 and 326 recovers the different treatment liquids among the treatment liquids used in the process. The inner recovery cylinder 322 is provided in an annular ring shape surrounding the spin head 340 and the outer recovery cylinder 326 is provided in an annular ring shape surrounding the inner recovery cylinder 322. The inner space 322a of the inner recovery cylinder 322 and the space 326a between the outer recovery cylinder 326 and the inner recovery cylinder 322 are connected to each other by the inner recovery cylinder 322 and the outer recovery cylinder 326, And serves as an inflow port. Recovery passages 322b and 326b extending perpendicularly to the bottom of the recovery passages 322 and 326 are connected to the recovery passages 322 and 326, respectively. Each of the recovery lines 322b and 326b discharges the processing liquid introduced through each of the recovery cylinders 322 and 326. [ The discharged treatment liquid can be reused through an external treatment liquid recovery system (not shown).

스핀 헤드(340)는 기판을 지지 및 회전시키는 기판 지지 유닛(340)으로 제공된다. 스핀 헤드(340)는 처리 용기(320)의 처리 공간에 배치된다. 스핀 헤드(340)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 스핀 헤드(340)는 몸체(342), 지지핀(334), 척핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 몸체(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(342)의 저면에는 모터(349)에 의해 회전가능한 지지축(348)이 고정결합된다. 지지핀(334)은 복수 개 제공된다. 지지핀(334)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지핀들(334)은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(334)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판의 후면 가장자리를 지지한다. 척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지핀(334)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 스핀 헤드(340)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기위치와 지지위치 간에 직선 이동 가능하도록 제공된다. 대기위치는 지지위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 로딩 또는 언 로딩시에는 척핀(346)은 대기위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행시에는 척핀(346)은 지지위치에 위치된다. 지지 위치에서 척핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.The spin head 340 is provided in a substrate support unit 340 that supports and rotates the substrate. The spin head 340 is disposed in the processing space of the processing vessel 320. The spin head 340 supports the substrate W and rotates the substrate W during the process. The spin head 340 has a body 342, a support pin 334, a chuck pin 346, and a support shaft 348. The body 342 has a top surface that is generally circular when viewed from the top. A support shaft 348 rotatable by a motor 349 is fixedly coupled to the bottom surface of the body 342. A plurality of support pins 334 are provided. The support pin 334 is spaced apart from the edge of the upper surface of the body 342 by a predetermined distance and protrudes upward from the body 342. The support pins 334 are arranged so as to have a generally annular ring shape in combination with each other. The support pins 334 support the rear edge of the substrate such that the substrate W is spaced apart from the upper surface of the body 342 by a certain distance. A plurality of the chuck pins 346 are provided. The chuck pin 346 is disposed farther away from the center of the body 342 than the support pin 334. The chuck pin 346 is provided to protrude upward from the body 342. The chuck pin 346 supports the side of the substrate W so that the substrate W is not laterally displaced in place when the spin head 340 is rotated. The chuck pin 346 is provided so as to be linearly movable between a standby position and a supporting position along the radial direction of the body 342. The standby position is a distance from the center of the body 342 relative to the support position. When the substrate W is loaded or unloaded onto the spin head 340, the chuck pin 346 is positioned at the standby position and the chuck pin 346 is positioned at the support position when the substrate W is being processed. At the support position, the chuck pin 346 contacts the side of the substrate W.

승강 유닛(360)은 처리 용기(320)와 기판(W) 간에 상대 높이를 조절한다. 승강 유닛(360)은 처리 용기(320)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(320)가 상하로 이동됨에 따라 스핀 헤드(340)에 대한 처리 용기(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 처리 용기(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 놓이거나, 스핀 헤드(340)로부터 들어올려 질 때 스핀 헤드(340)가 처리 용기(320)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(320)는 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 처리 용기(320)의 높이가 조절한다. The lift unit 360 adjusts the relative height between the processing container 320 and the substrate W. The elevating unit 360 moves the processing vessel 320 linearly in the vertical direction. As the processing vessel 320 is moved up and down, the relative height of the processing vessel 320 to the spin head 340 is changed. The lifting unit 360 has a bracket 362, a moving shaft 364, and a driver 366. The bracket 362 is fixed to the outer wall of the processing container 320 and a moving shaft 364 which is moved upward and downward by a driver 366 is fixedly coupled to the bracket 362. The processing vessel 320 is lowered so that the spin head 340 protrudes to the upper portion of the processing vessel 320 when the substrate W is placed on the spin head 340 or lifted from the spin head 340. When the process is performed, the height of the process container 320 is adjusted so that the process liquid may flow into the predetermined collection container 360 according to the type of the process liquid supplied to the substrate W.

상술한 바와 달리 승강 유닛(360)은 처리 용기(320) 대신 스핀 헤드(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The lift unit 360 can move the spin head 340 in the vertical direction instead of the processing vessel 320. [

액 공급 유닛(380)은 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 일 예에 의하면, 액 공급 유닛(380)은 다양한 종류의 액을 공급하며, 복수 개로 제공될 수 있다. 각각의 액 공급 유닛(380)은 서로 다른 종류의 액을 공급할 수 있다. 액 공급 유닛(380)은 이동 부재(381), 노즐(399), 액 공급 라인, 그리고 히터를 포함한다. 이동 부재(381)는 노즐(399)을 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 여기서 공정 위치는 노즐(399)이 처리 용기(320)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 노즐(399)이 처리 용기(320)의 수직 상부로부터 벗어난 위치로 정의한다. 일 예에 의하면, 공정 위치는 노즐(399)이 기판(W)의 중심으로 처리액을 공급할 수 있는 위치일 수 있다. 이동 부재(381)는 아암(382), 지지축(386), 그리고 구동기(388)를 가진다. 지지축(386)은 처리 용기(320)의 일측에 위치된다. 지지축(386)은 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 제공되고, 지지축(386)의 하단에는 구동기(388)가 결합된다. 구동기(388)는 지지축(386)을 회전 및 승강 운동한다. 아암(382)은 지지축(386)의 상단에 고정 결합된다. 아암(382)은 지지축(386)과 수직한 길이 방향을 가진다. The liquid supply unit 380 supplies the treatment liquid onto the substrate W. According to one example, the liquid supply unit 380 supplies various kinds of liquids, and may be provided in a plurality of liquids. Each of the liquid supply units 380 can supply different kinds of liquids. The liquid supply unit 380 includes a moving member 381, a nozzle 399, a liquid supply line, and a heater. The moving member 381 is moved to the process position and the standby position. Here, the processing position is a position in which the nozzle 399 is disposed at a vertically upper portion of the processing container 320, and the standby position is defined as a position at which the nozzle 399 is deviated from the vertical upper portion of the processing container 320. According to one example, the process position may be a position at which the nozzle 399 can supply the process liquid to the center of the substrate W. [ The shifting member 381 has an arm 382, a support shaft 386, and a driver 388. The support shaft 386 is located on one side of the processing vessel 320. The support shaft 386 is provided along its lengthwise direction along the third direction 16 and a driver 388 is coupled to the lower end of the support shaft 386. The driver 388 rotates and lifts the support shaft 386. The arm 382 is fixedly coupled to the upper end of the support shaft 386. The arm 382 has a longitudinal direction perpendicular to the support shaft 386.

노즐(399)은 액 공급 라인(미도시)으로부터 처리액을 공급받아 처리액을 토출한다. 액 공급 라인(미도시)에는 히터(미도시)가 설치되며, 히터(미도시)는 처리액을 상온보다 높은 기설정 온도로 가열한다. 노즐(399)은 아암(382)의 끝단 저면에 설치된다. 노즐(399)은 지지축(386)의 회전에 의해 아암(382)과 함께 이동된다. 예컨대, 처리액은 케미칼, 린스액, 그리고 건조 유체일 수 있다. 케미칼은 강산 또는 강염기의 성질을 가지는 액일 수 있다. 케미칼은 황산(H2SO4), 인산(H2PO4) 또는 불산(HF)을 포함할 수 있다. 린스액은 순수일 수 있다. 건조 유체는 이소프로필알코올(IPA)일 수 있다. The nozzle 399 receives the treatment liquid from a liquid supply line (not shown) and discharges the treatment liquid. A heater (not shown) is provided in a liquid supply line (not shown), and a heater (not shown) heats the process liquid to a preset temperature higher than normal temperature. The nozzle 399 is provided at the bottom end of the arm 382. The nozzle 399 is moved together with the arm 382 by the rotation of the support shaft 386. For example, the treatment liquid may be a chemical, a rinsing liquid, and a drying fluid. The chemical may be a liquid with strong acid or strong base properties. The chemical may include sulfuric acid (H 2 SO 4 ), phosphoric acid (H 2 PO 4 ), or hydrofluoric acid (HF). The rinse liquid may be pure. The drying fluid may be isopropyl alcohol (IPA).

가열 유닛(400)은 레이저를 조사하여 기판 지지 유닛(340)에 지지된 기판(W)을 가열한다. 가열 유닛(400)은 기판(W)의 상부에서 기판(W)을 가열한다. 기판(W)은 가열 유닛(400)에 의해 상온보다 높은 공정 온도로 가열된다. 가열 유닛(400)은 조사 영역에 따라 상이하도록 레이저의 세기가 상이하도록 세기가 조절된 레이저를 조사한다. The heating unit 400 irradiates a laser to heat the substrate W supported by the substrate supporting unit 340. [ The heating unit 400 heats the substrate W at the top of the substrate W. [ The substrate W is heated by the heating unit 400 to a process temperature higher than normal temperature. The heating unit 400 irradiates a laser whose intensity is adjusted so that the intensity of the laser differs depending on the irradiation region.

가열 유닛(400)은 조사 부재(420) 및 고정 부재(440)를 포함한다. 조사 부재(420)는 기판(W)의 상면에 레이저를 직접 조사한다. 조사 부재(420)는 하우징(424), 광발생기, 그리고 투명창(426)을 포함한다. 하우징(424)은 내부에 광 발생기(422) 및 투명창(426)이 위치되는 공간을 가진다. 하우징(424)의 하단에는 레이저가 조사되는 조사구를 포함한다. 조사구는 슬릿 형상을 가지도록 제공된다. 상부에서 바라볼 때 조사구는 기판 지지 유닛(340)에 지지된 기판(W)과 중첩되게 위치된다. 조사구는 지지된 기판(W)의 반경 방향과 평행한 길이 방향을 가진다. 예컨대, 상부에서 바라볼 때 조사구는 기판(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역을 잇는 반경 영역에 중첩되게 위치될 수 있다. 기판(W)의 중심 영역은 기판(W)의 중심 또는 이와 이격된 영역일 수 있다.The heating unit 400 includes an irradiation member 420 and a fixing member 440. The irradiation member 420 directly irradiates a laser onto the upper surface of the substrate W. The irradiation member 420 includes a housing 424, a light generator, and a transparent window 426. The housing 424 has a space in which the light generator 422 and the transparent window 426 are located. The lower end of the housing 424 includes an irradiation port to which a laser is irradiated. The irradiation aperture is provided so as to have a slit shape. As viewed from above, the irradiation aperture overlaps with the substrate W supported on the substrate support unit 340. The irradiation aperture has a longitudinal direction parallel to the radial direction of the supported substrate (W). For example, as viewed from the top, the irradiation aperture may be positioned so as to overlap the radial area connecting the edge area to the central area of the substrate W. [ The center region of the substrate W may be the center of the substrate W or a region spaced apart therefrom.

광 발생기(422)는 복수 개가 제공된다. 각각의 광 발생기(422)는 동일한 세기의 레이저를 조사하되, 하우징(424)의 어느 하나의 측단에 가까울수록 다량의 광 발생기(422)가 배치된다. 즉, 하우징(424)의 중심을 기준으로 일측에는 X 개의 광 발생기(422)가 인접하게 위치되고, 타측에는 Y 개(Y>X X,Y는 자연수)의 광 발생기(422)가 인접하게 위치될 수 있다. 광 발생기(422)는 레이저의 조사 영역이 기판(W)의 가장자리 영역에 가까울수록 더 큰 세기의 레이저가 발생되게 위치될 수 있다. 따라서 기판(W)은 중심 영역에 비해 가장 자리 영역에 더 큰 세기의 레이저가 조사될 수 있다. 일 예에 의하면, 중심 영역에는 제1세기의 레이저가 조사되고, 가장자리 영역에는 제2세기의 레이저가 조사될 수 있다. 제2세기는 제1세기보다 높은 세기일 수 있다. 광 발생기(422)는 광 섬유일 수 있다. 레이저는 500nm 이상의 파장을 가질 수 있다. 레이저는 적외선 영역의 파장을 가질 수 있다.A plurality of light generators 422 are provided. Each of the light generators 422 irradiates a laser of the same intensity, and a larger amount of the light generator 422 is disposed closer to one of the side ends of the housing 424. That is, X light generators 422 are positioned adjacent to one side of the center of the housing 424, and Y (Y> XX, Y is a natural number) light generators 422 are positioned adjacent to the other side . The light generator 422 can be positioned such that a laser of a higher intensity is generated as the irradiation area of the laser is closer to the edge area of the substrate W. [ Therefore, the substrate W can be irradiated with laser of a higher intensity in the edge region than in the center region. According to an example, the center region may be irradiated with a first intensity laser, and the edge region may be irradiated with a second intensity laser. The second century may be higher than the first century. The light generator 422 may be an optical fiber. The laser may have a wavelength of at least 500 nm. The laser may have a wavelength in the infrared region.

투명창(426)은 점 형상의 레이저가 선 또는 면의 슬릿 형상으로 조사되도록 레이저를 분산시킨다. 투명창(426)은 광 발생기(422)와 조사구 사이에 위치된다. 투명창(426)은 조사구와 동일한 길이 방향을 가진다. 예컨대, 투명창(426)은 렌즈(426)일 수 있다.The transparent window 426 disperses the laser so that the point-like laser is irradiated in the form of a line or a slit. A transparent window 426 is positioned between the light generator 422 and the illumination aperture. The transparent window 426 has the same longitudinal direction as the irradiation aperture. For example, the transparent window 426 may be a lens 426.

고정 부재(440)는 조사 부재(420)의 위치를 고정시킨다. 고정 부재(440)는 조사 부재(420)의 조사구가 기판(W)의 반경 영역에 마주하도록 조사 부재(420)를 지지한다. 고정 부재(440)는 조사 부재(420)가 노즐(399)보다 높게 위치되도록 조사 부재(420)를 지지한다. 이에 따라 조사 부재(420)의 떨림을 방지할 수 있으며, 레이저의 조사 영역은 정위치를 벗어나는 것을 방지할 수 있다. 또한 노즐(399)의 이동 경로에 조사 부재(420)가 간섭되는 것을 방지할 수 있다.The fixing member 440 fixes the position of the irradiation member 420. The fixing member 440 supports the irradiation member 420 such that the irradiation port of the irradiation member 420 faces the radial area of the substrate W. [ The fixing member 440 supports the irradiation member 420 so that the irradiation member 420 is positioned higher than the nozzle 399. [ Thus, the irradiation member 420 can be prevented from shaking, and the irradiation region of the laser can be prevented from deviating from the fixed position. Further, it is possible to prevent the irradiation member 420 from interfering with the movement path of the nozzle 399.

제어기(460)는 가열 유닛(400)을 제어한다. 제어기(460)는 조사 영역이 기판(W)의 중심으로부터 멀어질수록 레이저의 세기를 높일 수 있다. 제어기(460)는 각각의 광 발생기(422)를 제어할 수 있다. The controller 460 controls the heating unit 400. The controller 460 can increase the intensity of the laser as the irradiation area is away from the center of the substrate W. [ Controller 460 may control each light generator 422. [

다음은 상술한 기판 처리 장치(300)를 이용하여 기판(W)을 액 처리하는 과정을 설명한다. 도 5는 도 3의 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 보여주는 도면이다. 도 5를 참조하면, 스핀 헤드(340)에 기판(W)이 놓여지면, 노즐(399)은 공정 위치로 이동된다. 기판(W)의 중심에는 케미칼이 공급되고, 조사 부재(420)는 기판(W)의 반경 영역으로 레이저를 조사한다. 레이저는 중심 영역보다 가장자리 영역에 더 높은 세기의 레이저를 조사한다. 이로 인해 기판(W)의 중심에 공급된 케미칼이 가장자리 영역으로 확산되는 과정에서 온도가 낮아질지라도, 레이저에 의해 그 온도가 보상되며, 기판(W)의 전체 영역에는 균일한 온도의 케미칼이 공급될 수 있다. 케미칼 처리가 완료되면, 린스 처리 및 건조 처리가 순차적으로 진행되며, 린스액 및 건조 유체가 순차 공급된다.Next, a process of liquid-processing the substrate W using the above-described substrate processing apparatus 300 will be described. 5 is a view illustrating a process of processing a substrate using the apparatus of FIG. Referring to FIG. 5, when the substrate W is placed on the spin head 340, the nozzle 399 is moved to the process position. A chemical is supplied to the center of the substrate W, and the irradiation member 420 irradiates the laser to the radial area of the substrate W. The laser irradiates a higher intensity laser to the edge region than the central region. Therefore, even if the temperature of the chemical supplied to the center of the substrate W diffuses to the edge region, the temperature is compensated by the laser, and uniform temperature chemical is supplied to the entire region of the substrate W . When the chemical treatment is completed, the rinsing treatment and the drying treatment are sequentially performed, and the rinsing liquid and the drying fluid are sequentially supplied.

상술한 실시예에는 조사 부재(420) 내에 위치되는 광 발생기(422)는 조사구의 길이 방향으로 갈수록 상이한 개수가 위치되는 것을 설명하였다. 그러나 도 6과 같이, 하우징(422) 내에는 복수 개의 광 발생기들(424a 내지 424f)이 조사구의 길이 방향을 따라 균등하게 배치될 수 있다. 이때 각 광 발생기(424a 내지 424f)는 서로 다른 파장의 레이저를 조사할 수 있다. 조사 영역이 기판(W)의 가장자리 영역에 가까운 광 발생기(422e,424f)일수록 레이저의 파장은 낮아질 수 있다. 이로 인해 처리액이 기판(W)의 중심에서 가장자리 영역으로 확산되는 중 손실된 온도를 보상할 수 있다.In the above-described embodiment, the light generator 422 located in the irradiation member 420 has a different number of positions in the longitudinal direction of the irradiation aperture. However, as shown in FIG. 6, a plurality of the light generators 424a to 424f may be uniformly arranged along the longitudinal direction of the irradiation aperture in the housing 422. FIG. At this time, each of the light generators 424a through 424f may irradiate laser beams of different wavelengths. The wavelength of the laser can be lower as the irradiation area of the light generator 422e or 424f closer to the edge area of the substrate W is. This makes it possible to compensate for the lost temperature during the process liquid diffusing from the center of the substrate W to the edge region.

320: 처리 용기 340: 스핀 헤드
380: 액 공급 유닛 400: 가열 유닛
420: 조사 부재 440: 고정 부재
460; 제어기320: Processing vessel 340: Spin head
380: liquid supply unit 400: heating unit
420: irradiation member 440: fixing member
460; Controller

Claims (12)

기판을 액 처리하는 장치에 있어서,
기판을 지지 및 회전시키는 기판 지지 유닛과;
상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 액을 공급하는 액 공급 유닛과;
상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판을 가열하는 가열 유닛과;
상기 가열 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하되,
상기 가열 유닛은,
상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 레이저를 조사하는 조사 부재를 포함하되,
상기 조사 부재로부터 레이저가 조사되는 조사 영역은 기판의 중심 영역에서 가장자리 영역으로 연장되는 반경 영역으로 제공되는 기판 처리 장치,An apparatus for liquid-processing a substrate,
A substrate support unit for supporting and rotating the substrate;
A liquid supply unit for supplying liquid onto the substrate supported by the substrate supporting unit;
A heating unit for heating a substrate supported by the substrate supporting unit;
Further comprising a controller for controlling the heating unit,
The heating unit includes:
And an irradiation member for irradiating a laser onto a substrate supported by the substrate supporting unit,
Wherein the irradiation region irradiated with the laser from the irradiation member is provided in a radial region extending from the central region of the substrate to the edge region, 제1항에 있어서,
상기 제어기는 기판 상에 조사되는 상기 레이저의 세기를 상기 중심 영역과 가장자리 영역 별로 조절하도록 상기 조사 부재를 제어하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the controller controls the irradiation member to adjust intensity of the laser irradiated on the substrate by the central region and the edge region. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제어기는 상기 레이저의 세기는 상기 레이저의 조사 영역 별로 상이하도록 상기 조사 부재를 제어하되,
상기 레이저의 세기는 기판의 중심에서 멀어질수록 높아지는 기판 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the controller controls the irradiation member such that the intensity of the laser is different for each irradiation region of the laser,
Wherein the intensity of the laser increases as the distance from the center of the substrate increases. 제3항에 있어서,
상기 조사 부재는 슬릿 형상의 조사구를 가지며,
상기 액 공급 유닛은,
처리액을 토출하는 노즐과;
상기 노즐에 처리액을 공급하는 액 공급 라인과;
상기 액 공급 라인에 설치되며, 처리액을 기설정 온도로 가열하는 히터를 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 3,
The irradiation member has a slit-shaped irradiation port,
The liquid supply unit includes:
A nozzle for discharging the treatment liquid;
A liquid supply line for supplying a treatment liquid to the nozzle;
And a heater installed in the liquid supply line for heating the processing solution to a predetermined temperature. 제4항에 있어서,
상기 가열 유닛은
상기 조사구가 상기 반경 영역에 마주하도록 상기 조사 부재의 위치를 고정시키는 고정 부재를 더 포함하고,
상기 액 공급 유닛은,
상기 노즐을 공정 위치 및 대기 위치로 이동시키는 이동 부재를 더 포함하되,
상기 공정 위치는 상기 노즐의 토출구가 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판의 중심에 마주하는 위치를 포함하는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
The heating unit
Further comprising a fixing member for fixing the position of the irradiation member such that the irradiation aperture faces the radial area,
The liquid supply unit includes:
Further comprising a moving member for moving the nozzle to a process position and a standby position,
Wherein the process position includes a position at which the ejection port of the nozzle faces the center of the substrate supported by the substrate supporting unit. 기판을 액 처리하는 방법에 있어서,
회전되는 상기 기판 상에 처리액을 공급하되,
상기 처리액이 공급되는 중에 상기 기판 상에 레이저를 조사하여 상기 기판을 가열하되,
상기 레이저가 조사되는 조사 영역은 기판의 중심 영역에서 가장자리 영역으로 연장되는 반경 영역으로 제공되는 기판 처리 방법.A method for liquid processing a substrate,
Supplying a treatment liquid onto the substrate to be rotated,
The substrate is heated by irradiating a laser beam onto the substrate while the process liquid is being supplied,
Wherein the irradiation region to which the laser is irradiated is provided in a radial region extending from a central region of the substrate to an edge region. 제6항에 있어서,
상기 레이저는 슬릿의 선 또는 면 형상으로 조사되는 기판 처리 방법.The method according to claim 6,
Wherein the laser is irradiated in a line or a plane shape of a slit. 제7항에 있어서,
상기 레이저의 조사 영역은 상기 기판의 중심 영역 및 가장자리 영역을 포함하되,
상기 중심 영역에는 제1세기의 레이저가 조사되고, 상기 가장자리 영역에는 상기 제1세기보다 높은 제2세기의 레이저가 조사되는 기판 처리 방법.8. The method of claim 7,
Wherein the irradiation region of the laser comprises a central region and an edge region of the substrate,
Wherein the center region is irradiated with a laser of a first intensity and the edge region is irradiated with a laser of a second intensity higher than the first intensity. 제8항에 있어서,
상기 레이저의 세기는 상기 조사 영역이 상기 기판의 중심에서 멀어질수록 높아지는 기판 처리 방법.9. The method of claim 8,
Wherein the intensity of the laser increases as the irradiation area is further away from the center of the substrate. 제9항에 있어서,
상기 중심 영역에 조사되는 레이저와 상기 가장자리 영역에 조사되는 레이저는 서로 다른 파장을 가지는 기판 처리 방법.10. The method of claim 9,
Wherein the laser irradiated on the central region and the laser irradiated on the edge region have different wavelengths. 제6항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 레이저는 조사 부재에 의해 조사되고,
상기 조사 부재는 고정 부재에 의해 위치가 고정되는 기판 처리 방법.11. The method according to any one of claims 6 to 10,
The laser is irradiated by the irradiation member,
Wherein the irradiation member is fixed in position by a fixing member. 제11항에 있어서,
상기 처리액은 상온보다 높은 공정 온도로 가열된 식각액이고,
상기 처리액은 상기 기판의 중심에 공급되는 기판 처리 방법.
12. The method of claim 11,
Wherein the treatment liquid is an etchant heated to a process temperature higher than normal temperature,
Wherein the treatment liquid is supplied to the center of the substrate.
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