KR20180106718A - Method of flexible substrate and method of organic electroluminescent device using the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 플렉시블 기재 제조방법 및 이를 이용한 유기발광소자 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a flexible substrate manufacturing method and a method of manufacturing an organic light emitting device using the same.
차세대 디스플레이(플렉서블 디스플레이, 투명 디스플레이)로 발전하기 위해 현재 상용화되고 있는 TFT-LCD(Liquid Crystal Display)와 OLED(Organic Light Emitting Diode)가 있다. 차세대 디스플레이로 가기 위해서 TFT-LCD는 빛을 내기 위한 Backlight unit이 필요한 문제점이 있다. OLED는 자체발광으로 Backlight unit이 필요 없지만 소자수명이 짧고 대면적화에 대한 기술 진전이 필요하다. 하지만 여러 기관에서 OLED 개발에 힘써온 결과 대면적의 OLED TV가 출시되고 최근에는 곡면으로 이루어진 TV가 출시되었다. 아직 가격 경쟁면에서는 TFT-LCD 비해 수십 배가 비싸지만 선명한 화질과 시야각이 넓고 응답속도가 빠른 면을 자랑한다. 대면적화 기술을 이끌어 내면서 점차적으로 1세대 TFT-LCD 기술에서 2세대 OLED 기술로 부상하고 있다. 휴대폰 시장에서는 LCD를 대체한 OLED를 적용한 제품의 점유율이 높아지고 있고 향후 TV시장에서도 점유율을 높일 것으로 예상한다. OLED는 디스플레이 분야 밖에서도 많은 관심을 보이고 있다. 최근 OLED를 응용한 조명 분야가 새롭게 부상되고 있다. 기존의 광원보다 2배이상 효율이 높고 친환경적이고 전력 소모가 줄어들 어 차세대 조명으로 각광받고 있다.There are TFT-LCD (Liquid Crystal Display) and OLED (Organic Light Emitting Diode) that are currently being commercialized to develop into next generation displays (flexible display, transparent display). In order to go to the next-generation display, TFT-LCD has a problem that it needs a backlight unit to emit light. OLEDs do not require a backlight unit because of their self-emission, but they require shorter technological advancement and shortened device life. However, as a result of efforts to develop OLEDs by various organizations, large-area OLED TVs have been introduced and recently, curved TVs have been launched. In terms of price competition, it is ten times more expensive than TFT-LCD, but it boasts clear picture quality, wide viewing angle and fast response time. Generation OLED technology in the first-generation TFT-LCD technology. In the handset market, products based on OLEDs, which replace LCDs, are increasing in popularity, and are expected to increase their share in the TV market. OLEDs are also attracting a lot of attention outside the display field. Recently, the field of illumination applying OLED is emerging. It is more than twice as efficient as conventional light sources, is environmentally friendly, and consumes less power.
OLED는 유기물과 전극이 적층되어서 완성된다. 각기 다른 굴절율 값을 가지고 있는 물질로 적층하기 때문에 빛이 외부로 나올 때 상당한 손실이 발생된다. 입사한 빛의 약 20% 정도만 빛이 나오고 나머지는 손실되기 때문에 80%의 빛을 끌어내기 위해 많은 연구를 진행하고 있다. 빛의 효율을 최대한 이끌어 내기위한 기술로 광추출층 기술이 도입되고 있다. 이 기술은 유리 기판방향으로 빛을 방출하는 배면발광과 반대방향으로 빛을 방출하는 전면 발광 모두에 적용이 가능하며 30% 내지 40% 정도 빛의 효율을 향상 시킬 수 있다. 광추출층 기술은 유리 기판 내에 갇힌 빛을 외부로 추출하는 외부 광추출 기술과 유기물층의 갇힌 빛을 외부로 추출하는 내부 광추출 기술로 분류된다.OLEDs are completed by stacking organic materials and electrodes. Because they are stacked with materials that have different refractive index values, significant losses occur when light exits to the outside. Since about 20% of the incident light is only emitted and the rest is lost, a lot of research is being carried out to extract 80% of the light. Optical extraction layer technology is being introduced as a technology to maximize light efficiency. This technology can be applied to both backlighting that emits light in the direction of the glass substrate and front emission that emits light in the opposite direction, and can improve the efficiency of light by 30% to 40%. The optical extraction layer technology is classified into an external light extraction technique for extracting the light confined in the glass substrate to the outside and an internal light extraction technology for extracting the trapped light of the organic material to the outside.
외부 광추출 기술은 유리 기판 전면(공기와 유리기판의 경계면)에 마이크로 렌즈 어레이, 외부광 산란층, silica microsphere 등이 형성되는 것일 수 있고, 내부 광추출 기술은 유리 기판 후면(유기물층과 유리기판의 경계면)에 마이크로 캐비티(cavity), 광결정, 내부광 산란층, 나노 요철 구조 등이 형성되는 것일 수 있다. The external light extraction technique may be to form a microlens array, an external light scattering layer, a silica microsphere, etc. on the entire surface of the glass substrate (the interface between the air and the glass substrate) A microcavity, a photonic crystal, an internal light scattering layer, a nano-irregularity structure, or the like may be formed on the interface.
그러나, 이러한 외부 광추출 기술과 내부 광추출 기술은 공정이 복잡하고 고가의 비용이 요구되는 문제점이 있다. 또한 이러한 외부 광추출 기술과 내부 광추출 기술은 광효율 향상측면에서도 한계가 있다. However, such an external light extraction technology and an internal light extraction technology have a problem in that the process is complicated and an expensive cost is required. In addition, the external light extraction technology and the internal light extraction technology have limitations in terms of light efficiency.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 평탄화 특성이 우수한 플렉시블 기재의 제조방법을 제공함에 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a flexible substrate excellent in planarization characteristics.
또한 본 발명은 광추출 특성이 우수한 플렉시블 기재의 제조방법을 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide a method for producing a flexible substrate excellent in light extraction properties.
그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다.However, these problems are illustrative, and the technical idea of the present invention is not limited thereto.
이와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉시블 기재 제조방법은 a) 일면에 미세구조물이 돌출된 기재를 제공하는 단계; 및 b) 상기 기재의 일면과 대응되는 후면을 가지며, 상기 기재의 일면을 덮는 플렉시블 기재를 제조하는 단계를 포함하며, 상기 플렉시블 기재는 상기 플렉시블 기재의 후면에 입사된 광을 상기 플렉시블 기재의 전면으로 추출하는 것을 특징으로 한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a flexible substrate, comprising the steps of: a) providing a substrate on which a microstructure protrudes; And b) fabricating a flexible substrate having a back surface corresponding to one surface of the substrate and covering one surface of the substrate, wherein the flexible substrate is configured to direct light incident on the back surface of the flexible substrate to the front surface of the flexible substrate .
본 발명의 일 실시예에 따른 플렉시블 기재 제조방법에 있어, 상기 b) 단계 이후에, c) 상기 기재로부터 상기 플렉시블 기재를 분리하는 단계를 포함할 수 있다.In the method of manufacturing a flexible substrate according to an embodiment of the present invention, after the step b), c) separating the flexible substrate from the substrate.
본 발명의 일 실시예에 따른 플렉시블 기재 제조방법에 있어, 상기 미세구조물은 반구형, 반타원형, 종(bell)형, 원반형, 원기둥형, 별기둥형, 삼각기둥형, 사각기둥형, 육면체형, 사면체형, 피라미드형 또는 이들의 혼합형 중에서 선택되는 하나 또는 둘 이상의 3차원 구조일 수 있다. In the method of manufacturing a flexible substrate according to an embodiment of the present invention, the microstructure may be formed into a semi-spherical shape, a semi-elliptical shape, a bell shape, a disc shape, a cylindrical shape, a star column shape, a triangular column shape, a square column shape, And may be one or two or more three-dimensional structures selected from a tetragonal, pyramidal, or mixture thereof.
본 발명의 일 실시예에 따른 플렉시블 기재 제조방법에 있어, 상기 b) 단계는 b1) 하기 화학식 1로 표시되는 화합물로부터 유래된 다이머를 승화시키는 단계; b2) 승화된 다이머를 페럴린 전구체 모노머로 분리시키는 단계; 및 b3) 분리된 페럴린 전구체 모노머를 상기 기재의 일면을 덮도록 증착시키는 단계를 포함할 수 있다:In the method for producing a flexible substrate according to an embodiment of the present invention, the step b) comprises: b1) subliming a dimer derived from a compound represented by the following formula (1); b2) separating the sublimed dimer into feruler precursor monomers; And b3) depositing the separated feruler precursor monomer to cover one side of the substrate:
[화학식 1][Chemical Formula 1]
본 발명의 일 실시예에 따른 플렉시블 기재 제조방법에 있어, 상기 플렉시블 기재는 페럴린일 수 있다. In the method of manufacturing a flexible substrate according to an embodiment of the present invention, the flexible substrate may be ferro-phosphorous.
본 발명의 일 실시예에 따른 플렉시블 기재 제조방법에 있어, 상기 플렉시블 기재의 굴절률은 1.5 내지 1.7일 수 있다.In the method of manufacturing a flexible substrate according to an embodiment of the present invention, the refractive index of the flexible substrate may be 1.5 to 1.7.
본 발명의 일 실시예에 따른 플렉시블 기재 제조방법에 있어, 상기 플렉시블 기재는 1 내지 100 ㎛의 두께를 가질 수 있으나, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. In the method of manufacturing a flexible substrate according to an embodiment of the present invention, the flexible substrate may have a thickness of 1 to 100 탆, but the present invention is not necessarily limited thereto.
또한 본 발명은 상술한 플렉시블 기재 제조방법을 이용한 유기발광소자 제조방법을 포함한다. The present invention also includes a method of manufacturing an organic light emitting device using the above-described method for manufacturing a flexible substrate.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광소자 제조방법에 있어, 상술한 플렉시블 기재에 제1전극, 유기발광층, 제2전극, 및 보호층을 순서대로 적층하는 단계를 포함할 수 있다.In the method for fabricating an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention, the step of laminating the first electrode, the organic light emitting layer, the second electrode, and the protective layer on the flexible substrate may be sequentially performed.
본 발명의 기술적 사상에 따른 플렉시블 기재 제조방법은 광추출 효율이 우수한 OLED용 플렉시블 기재를 제공할 수 있다.The flexible substrate manufacturing method according to the technical idea of the present invention can provide a flexible substrate for OLED excellent in light extraction efficiency.
또한, 본 발명에 따른 플렉시블 기재의 평탄도가 우수하여 발광 균일도가 우수한 효과가 있다. 아울러 기존 제조공정에서 크게 벗어나지 않기 때문에 공정 및 소재 비용이 저렴하고, 대량생산이 용이한 효과가 있다. Further, the flatness of the flexible substrate according to the present invention is excellent, and the uniformity of light emission is excellent. In addition, since it does not deviate largely from the conventional manufacturing process, the process and material costs are low, and mass production is easy.
한편, 여기에서 명시적으로 언급되지 않은 효과라 하더라도, 본 발명의 기술적 특징에 의해 기대되는 이하의 명세서에서 기재된 효과 및 그 잠정적인 효과는 본 발명의 명세서에 기재된 것과 같이 취급됨을 첨언한다.On the other hand, even if the effects are not explicitly mentioned here, the effect described in the following specification, which is expected by the technical features of the present invention, and its potential effects are treated as described in the specification of the present invention.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉시블 기재 제조방법을 도시한 공정 순서도이다.
도 2은 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉시블 기재 제조방법을 도시한 공정 모식도이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a process flow chart showing a method of manufacturing a flexible substrate according to an embodiment of the present invention. Fig.
2 is a schematic process diagram showing a method of manufacturing a flexible substrate according to an embodiment of the present invention.
이하 본 발명에 관하여 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예 및 도면들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 또한, 본 발명의 사용되는 기술 용어 및 과학 용어에 있어서 다른 정의가 없다면, 이 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 통상적으로 이해하고 있는 의미를 가지며, 하기의 설명 및 첨부 도면에서 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 설명은 생략한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail. The following embodiments and drawings are provided by way of example so that those skilled in the art can fully understand the spirit of the present invention. In addition, unless otherwise defined in the technical and scientific terms used herein, unless otherwise defined, the meaning of what is commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs is as follows, A description of known functions and configurations that may unnecessarily obscure the gist of the present invention will be omitted.
본 발명을 상술함에 있어, 용어 "플렉시블 기재의 전면"은 공기와 플렉시블 기재가 접촉하는 면(경계면)을 의미할 수 있다. 예컨대, 상기 플렉시블 기재의 상부면에 유기물층, 전극층 등이 순차적으로 적층된 텐덤형 OLED 소자의 경우, 상기 플렉시블 기재의 하부면(바닥면)이 상술한 플렉시블 기재의 전면을 의미할 수 있다. In describing the present invention, the term "front surface of a flexible substrate" may mean a surface (boundary surface) where air and a flexible substrate come into contact with each other. For example, in the case of a tandem OLED device in which an organic layer, an electrode layer, and the like are sequentially stacked on the upper surface of the flexible substrate, the lower surface (bottom surface) of the flexible substrate may mean the front surface of the flexible substrate.
본 발명을 상술함에 있어, 용어 "플렉시블 기재의 후면"은 유기물층과 플렉시블 기재가 접하는 면(경계면)을 의미할 수 있다. 예컨대, 상기 플렉시블 기재의 상부면에 유기물층, 전극층 등이 순차적으로 적층된 텐덤형 OLED 소자의 경우, 상기 플렉시블 기재의 상부면이 상술한 플렉시블 기재의 후면을 의미할 수 있다. In describing the present invention, the term "rear surface of a flexible substrate" may mean a surface (boundary surface) where the organic material layer and the flexible substrate are in contact with each other. For example, in the case of a tandem OLED device in which an organic layer, an electrode layer, and the like are sequentially stacked on the upper surface of the flexible substrate, the upper surface of the flexible substrate may mean the rear surface of the flexible substrate.
이하, 도 1 및 도 2를 참조하여 본 발명에 따른 플렉시블 기재 제조방법을 설명한다.Hereinafter, a method for manufacturing a flexible substrate according to the present invention will be described with reference to Figs. 1 and 2. Fig.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉시블 기재 제조방법의 공정순서도이며, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉시블 기재 제조방법의 공정모식도이다.FIG. 1 is a process flow chart of a method of manufacturing a flexible substrate according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a process schematic diagram of a method of manufacturing a flexible substrate according to an embodiment of the present invention.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉시블 기재 제조방법은 기재 제조단계(S100), 플렉시블 기재 제조단계(S200), 플렉시블 기재 분리단계(S300)을 포함할 수 있다.As shown in FIGS. 1 and 2, a method of manufacturing a flexible substrate according to an embodiment of the present invention may include a substrate manufacturing step (S100), a flexible substrate manufacturing step (S200), and a flexible substrate separating step (S300) have.
상기 기재 제조단계(S100)는 상기 기재(100) 상에 미세구조물(110)이 돌출되어 형성되도록 기재(101)를 제조하는 단계를 의미할 수 있다.The substrate manufacturing step S100 may refer to a step of fabricating the
여기서, 상기 기재(100)는 지지체의 역할을 수행하는 것이면 족하다. 구체적이고 비한정적인 일 예로, 상기 기재(100)는 리지드 기재 또는 플렉시블 기재를 포함할 수 있다. 구체적으로 상기 리지드 기재는 소다라임 유리를 포함하는 유리 기재, 알루미나와 같은 세라믹 기재를 들 수 있고, 상기 플렉시블 기재는 폴리이미드와 같은 고분자 기재를 들 수 있으나 본 발명이 상기 기재의 종류에 의해 한정될 수 없음은 물론이다.Here, the
본 발명의 일 실시예에 따른 플렉시블 기재 제조방법에 있어, 상기 미세구조물(110)은 반구형, 반타원형, 종(bell)형, 원반형, 원기둥형, 별기둥형, 삼각기둥형, 사각기둥형, 육면체형, 사면체형, 피라미드형 또는 이들의 혼합형 중에서 선택되는 하나 또는 둘 이상의 3차원 구조일 수 있다. 이러한 형태를 가지는 미세구조물(110)은 본 발명에 따른 플렉시블 기재의 후면에 나노 요철 구조(nano embossing structure)가 도입되는 효과를 가져오게 되며, 이에 따라 후술할 제1전극층과 상기 플렉시블 기재의 후면 사이에 고립된 광을 상기 플렉시블 기재의 전면 외부로 추출하는 데 유리한 효과를 가진다. In the method of manufacturing a flexible substrate according to an exemplary embodiment of the present invention, the
한편, 구체적이고 비한정적인 일 예로, 상기 기재 제조단계(S100)는 상기 기재(100) 상에 미세구조물(110)이 돌출되어 형성되도록, a1) 상기 기재(100) 상에 전구층을 형성하는 단계, a2) 상기 전구층 상에 금속층을 형성하는 단계, a3) 상기 금속층 상에 유기층을 형성하는 단계, a4) 상기 유기층의 열처리에 의하여 유기층으로부터 유기마스크를 형성하는 단계, a5) 식각에 의해 미세구조물(110)이 돌출되어 형성된 광산란층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. In a specific and non-limiting example, the substrate manufacturing step S100 may include a1) forming a precursor layer on the
상기 a1) 단계시, 상기 전구층은 증착에 의하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 전구층은 스퍼터(Sputter), 화학적 기상증착법(Chemical vapor deposition, CVD), 전자빔 증착법(E-beam evaporation), 열 증착법(Thermal evaporation), 및/또는 원자층 증착법(Atomic layer deposition; ALD)에 의해 형성될 수 있다. In the step a1), the precursor layer may be formed by vapor deposition. For example, the precursor layer may be formed by a sputtering method, a chemical vapor deposition (CVD) method, an E-beam evaporation method, a thermal evaporation method, and / or an atomic layer deposition ; ALD).
또한 상기 전구층은 투명한 물질들 중의 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 전구층은 산화물(예를 들어, SiO2, SnO2, TiO2, TiO2-SiO2, ZrO2, Al2O3, HfO2, In2O3, ITO 등), 질화물(예를 들어, SiNx) 및/또는 수지(예를 들어, 폴리에틸렌계, 폴리아크릴계, 폴리염화비닐(PVC) 수지, 폴리비닐피롤리딘(polyvinylpyrrolidone, PVP) 수지, 폴리이미드계, 폴리스티렌계, 에폭시계 수지) 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. The precursor layer may also comprise at least one of the transparent materials. For example, the precursor layer may include an oxide (e.g., SiO 2 , SnO 2 , TiO 2 , TiO 2 -SiO 2 , ZrO 2 , Al 2 O 3 , HfO 2 , In 2 O 3 , (For example, SiN x ) and / or a resin (for example, a polyethylenic, a polyacrylic, a polyvinyl chloride (PVC) resin, a polyvinylpyrrolidone (PVP) resin, a polyimide, Epoxy-based resin).
또한 상기 a2) 단계시, 상기 금속층은 건식 식각에 저항성을 가지는 물질을 포함할 수 있다, 예를 들어, 금속층은 금속(예를 들어, 백금, 금, 은, 구리, 니켈, 크롬, 텅스텐, 아연, 주석, 티타늄, 지르코늄, 알루미늄, 및/또는 이들의 조합), 포토레지스트(예를 들어, 폴리메틸메타크릴레이트(Poly(methylmethacrylate), PMMA), 폴리디메틸글루타르이미드(poly(dimethylglutarimide), PMGI), SU-8), 세라믹 재료(예를 들어, Al2O3) 및/또는 유기화합물 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 금속층의 두께가 얇으면, 금속층은 층을 형성하지 못하고 섬 형태로 증착될 수 있다. Also, in step a2), the metal layer may include a material that is resistant to dry etching. For example, the metal layer may include a metal (e.g., platinum, gold, silver, copper, nickel, chromium, tungsten, zinc (PMMA), polydimethylglutarimide (PMGI), polymethylglutarimide (PMGI), tin oxide (PMGI), tin ), SU-8), a ceramic material (for example, Al 2 O 3 ), and / or an organic compound. If the thickness of the metal layer is thin, the metal layer can be deposited in island form without forming a layer.
또한 상기 a3) 단계시, 상기 유기층은 증착 및/또는 코팅(예, 스핀코팅)에 의하여 형성될 수 있다. 상기 유기층은 유리 전이 온도(Tg)가 상온 내지 200 ℃의 유리 전이 온도를 가지는 고분자 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 유기층은 폴리스티렌, 폴리에틸렌, 폴리아크릴레이트와 같은 폴리머 및/또는 올리고머을 포함할 수 있다. Also, in step a3), the organic layer may be formed by vapor deposition and / or coating (e.g., spin coating). The organic layer may include a polymer material having a glass transition temperature (Tg) ranging from room temperature to 200 ° C. For example, the organic layer may comprise polymers and / or oligomers such as polystyrene, polyethylene, polyacrylate.
한편 상기 유기층은 상온 내지 300 ℃의 융점을 가지는 저융점 금속물질을 포함할 수 있다. 예를 들어 유기층은 납, 주석 및/또는 이들의 합금을 포함할 수 있다.On the other hand, the organic layer may include a low melting point metal material having a melting point ranging from room temperature to 300 < 0 > C. For example, the organic layer may comprise lead, tin and / or an alloy thereof.
또한, 상기 a4) 단계시, 상술한 미세구조물을 가지는 유기마스크는 평평하게 코팅된 유기층으로부터 비젖음현상에 의해 형성될 수 있다. 비젖음 현상은 비젖음 성질을 가지는 물질이 표면상에 균일하게 도포된 필름 상태에서 부분적으로 움푹 들어가거나 불쑥 튀어 나온 모양으로 불균일한 패턴이 형성되는 것을 말한다. 비젖음 현상에 의해 필름에 구멍이 형성되어, 필름 아래의 기판이 노출될 수도 있다.In addition, in step a4), the organic mask having the above-described microstructure may be formed by a non-wetting phenomenon from a flatly coated organic layer. The non-wetting phenomenon refers to the formation of a non-uniform pattern in which a material having wettability is partially depressed or protruded from a uniformly applied film state on the surface. A hole may be formed in the film due to the non-wetting phenomenon, so that the substrate under the film may be exposed.
또한, 상기 유기층을 열처리 하거나 분위기를 변화시키면, 금속층과 유기층 사이에 비젖음 현상이 일어난다. 이때, 유기마스크는 금속층의 일부를 노출시킬 수 있다. 열처리 공정은 오븐(Oven), 및/또는 핫플래이트(Hot-plate)을 사용하여, 열처리법(Thermal Annealing), 및/또는 급속 열처리법(Rapid Thermal Annealing; RTA)에 의하여 수행될 수 있다. Further, when the organic layer is heat-treated or the atmosphere is changed, a non-wetting phenomenon occurs between the metal layer and the organic layer. At this time, the organic mask can expose a part of the metal layer. The heat treatment process may be performed by using an oven and / or a hot plate, thermal annealing, and / or rapid thermal annealing (RTA).
한편 상기 a4) 단계시, 열처리 공정은 상술한 기재의 연화점 이하의 범위에서 수행될 수 있다. 예를 들어 열처리는 상온 내지 250 ℃의 온도에서 수행될 수 있다. 분위기를 변화시키는 것은 유기용매증기 또는 진공 분위기로 변화시키는 것일 수 있다.On the other hand, in the step a4), the heat treatment process may be performed in a range below the softening point of the substrate. For example, the heat treatment may be carried out at a temperature of from room temperature to 250 ° C. The change of the atmosphere may be an organic solvent vapor or a vacuum atmosphere.
또한 상기 유기마스크는 불규칙한 패턴, 크기 및/또는 배열을 가질 수 있다. 예를 들어, 유기마스크는 주상, 타원형, 캡슐형, 홀(hole)형태의 불규칙한 패턴을 포함할 수 있다. 유기마스크의 불규칙한 패턴은 열처리 온도와 시간, 열처리 공정 분위기, 유기용액의 농도, 유기층의 두께, 유기층에 포함된 고분자의 종류 및/또는 분자량을 제어함으로써도 조절될 수 있다. The organic mask may also have irregular patterns, sizes and / or arrangements. For example, the organic mask may include irregular patterns in the form of columnar, elliptical, capsule, or hole. The irregular pattern of the organic mask can also be controlled by controlling the heat treatment temperature and time, the atmosphere of the heat treatment process, the concentration of the organic solution, the thickness of the organic layer, the kind and / or the molecular weight of the polymer contained in the organic layer.
또한, 상기 a5) 단계시, 상기 식각은 제1식각 및 제2식각을 포함할 수 있다.Also, in step a5), the etching may include a first etching and a second etching.
즉, 상기 a5) 단계시, 상기 제1식각에 의해 금속마스크가 형성될 수 있다. 이때, 제1식각은 습식식각을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1식각은 질산, 불산 또는 버퍼 옥사이드 식각(Buffered Oxide Etchant; BOE)에 의하여 수행될 수 있다. That is, in step a5), a metal mask may be formed by the first etching. At this time, the first etching may include wet etching. For example, the first etching may be performed by nitric acid, hydrofluoric acid, or buffered oxide etch (BOE).
상기 금속마스크는 상술한 유기마스크를 이용하여 형성될 수 있다. 상세하게, 상술한 미세구조물을 가지는 유기마스크에 의해 노출된 금속층이 식각될 수 있다. 따라서 금속마스크는 상술한 미세구조물을 가질 수 있다. 금속마스크는 전구층의 일부를 노출시킬 수 있다. 전구층은 제1식각공정에서 식각되지 않을 수 있다.The metal mask may be formed using the organic mask described above. In detail, the exposed metal layer can be etched by the organic mask having the microstructure described above. Thus, the metal mask may have the above-described microstructure. The metal mask may expose a portion of the precursor layer. The precursor layer may not be etched in the first etching process.
다음으로, 전구층의 제2식각에 의하여, 미세구조물을 가지는 광산란층이 형성될 수 있다. 이때, 제2식각은 건식식각을 포함할 수 있다. 예를 들어 제2식각은 반응성 이온 식각(Reactive Ion Etching; RIE), 및/또는 유도결합 플라즈마(Inductively coupled plasma; ICP)법에 의하여 수행될 수 있다. Next, by the second etching of the precursor layer, a light-scattering layer having a microstructure can be formed. At this time, the second etching may include dry etching. For example, the second etching may be performed by Reactive Ion Etching (RIE) and / or Inductively Coupled Plasma (ICP).
또한 금속마스크가 제2식각에서 사용될 수 있다. 금속마스크는 건식식각에 대해 저항성 있는 물질을 포함하므로, 제2식각공정에서 마스크의 형태를 유지할 수 있다. 식각속도는 공정시간, 식각에 사용되는 기체의 종류 및 비율 등을 조절하여 제어할 수 있다. 노출된 전구층의 제2식각에 의하여, 미세구조물을 가지는 광산란층이 형성될 수 있다. A metal mask may also be used in the second etch. Since the metal mask includes a material resistant to dry etching, the shape of the mask can be maintained in the second etching process. The etching rate can be controlled by adjusting the process time, the type and ratio of gas used for etching, and the like. By the second etching of the exposed precursor layer, a light-scattering layer having a microstructure can be formed.
상기 a5) 단계 이후에, 상술한 유기마스크 및 금속마스크를 제거하는 단계를 수행할 수 있다. 일 예로, 상기 유기마스크는 유기용매(예를 들어, 아세톤, 톨루엔 등)에 의하여 제거될 수 있다. 또한 상기 금속마스크는 부식액(etchant)에 의하여 제거될 수 있다.After the step a5), the steps of removing the organic mask and the metal mask described above may be performed. In one example, the organic mask may be removed by an organic solvent (e.g., acetone, toluene, etc.). The metal mask may be removed by etchant.
다음으로, 플렉시블 기재 제조단계(S200)를 설명한다. Next, the flexible substrate manufacturing step (S200) will be described.
상기 플렉시블 기재 제조단계(S200)는 상술한 기재(101)를 덮는 고분자수지로 된 플렉시블 기재(200)를 제조하는 단계를 의미할 수 있다.The step (S200) of manufacturing the flexible substrate may mean the step of manufacturing the
본 발명의 일 실시예에 따른 플렉시블 기재 제조방법에 있어, 상기 고분자수지는 페럴린(parylene)인 것이 바람직하다.In the method of manufacturing a flexible substrate according to an embodiment of the present invention, the polymer resin is preferably a parylene.
상세하게, 상기 플렉시블 기재 제조단계(S200)는 b1) 하기 화학식 1로 표시되는 화합물로부터 유래된 다이머를 승화시키는 단계; b2) 승화된 다이머를 페럴린 전구체 모노머로 분리시키는 단계; 및 b3) 분리된 페럴린 전구체 모노머를 상기 기재(101)의 일면을 덮도록 증착시키는 단계를 포함할 수 있다: Specifically, the flexible substrate manufacturing step (S200) comprises: b1) subliming a dimer derived from a compound represented by the following formula (1); b2) separating the sublimed dimer into feruler precursor monomers; And b3) depositing the separated ferulic precursor monomer to cover one side of the substrate 101:
[화학식 1][Chemical Formula 1]
상세하게, 상기 b1) 단계시, 상기 다이머(dimer)를 승화시키는 온도는 이 분야에서 통상적으로 사용하는 온도이면 족하다. 구체적이고 비한정적인 일 예를 들자면, 상기 b) 단계시, 상기 다이머를 약 100 ℃ 이상으로 가열하여 수행할 수 있다. In detail, in the step b1), the temperature at which the dimer is sublimated may be a temperature commonly used in the art. As a specific, non-limiting example, in step b), the dimer may be heated to about 100 캜 or higher.
본 발명의 일 실시예에 따른 플렉시블 기재 제조방법에 있어, 상기 다이머는 디파라크실렌(di-para-xylylene)일 수 있다. In the method of manufacturing a flexible substrate according to an embodiment of the present invention, the dimer may be di-para-xylylene.
이후, 상기 다이머를 모노머(monomer) 형태의 페럴린 전구체로 분리 또는 열분해(pyrolysis)시키기 위해 600 내지 800의 온도를 조성하는 상기 b2) 단계를 수행할 수 있다.Thereafter, the step b2) may be performed to form a temperature of 600 to 800 in order to separate or pyrolysis the dimer into a ferrolein precursor in the form of a monomer.
그런 다음, 분리된 페럴린 전구체 모노머를 고분자 수지 형태로 증착시키기 위해 냉각시키는 상기 b3) 단계를 수행할 수 있다. 상기 b3) 단계 수행시, 냉각 온도는 이 분야에서 통상적으로 수행하는 온도이면 족하다. 구체적이고 비한정적인 일 예로, 상기 냉각 온도는 -50 내지 +50 일 수 있다. 예컨대, 빠른 성막을 위해서는 -20 이하로 낮추는 것이 좋으며, 막질의 향상을 위해서는 상온보다 높게하는 것이 좋으나, 본 발명이 상기 냉각 온도에 한정되지 않는다. 한편, 상온은 25 내지 30를 의미할 수 있다. The b3) step may then be performed to cool the separated feruler precursor monomer to deposit in the form of a polymeric resin. When the step b3) is carried out, the cooling temperature may be a temperature usually performed in this field. In a specific, non-limiting example, the cooling temperature may be from -50 to +50. For example, the temperature is preferably lowered to -20 or lower for fast film formation. In order to improve the film quality, the temperature is preferably higher than room temperature, but the present invention is not limited to the cooling temperature. On the other hand, the room temperature may mean 25 to 30.
상기 b3) 단계를 수행하면, 상기 페럴린 전구체 모노머에서 페럴린 고분자로 제조되며, 이때 상기 페럴린은 상기 기재(101)의 일면을 덮게 된다. When the step b3) is performed, the ferulic acid precursor monomer is prepared as a ferulic polymer, and the ferulic monolith covers one surface of the
상기와 같이, 상술한 기재 상에 공급된 페럴린 전구체에 의해 증착된 페럴린 막은 상기 기재(100) 상에 형성되어 있는 미세구조물(110) 위로 페럴린 분자가 증착되어 상기 미세구조물의 형상을 그대로 모방하면서 페럴린 막이 형성될 수 있다. 즉, 본 발명에 따른 기상 증착을 이용한 패럴린 막의 형성은 기존의 용액 도포시 생성되는 기포에 의한 불균일한 막 형성 등을 방지할 수 있게 되므로, 상기 페럴린 박막의 일면은 상술한 미세구조물(110)과 대응되는 형상을 가질 수 있다.As described above, the ferrule film deposited by the ferrule precursor supplied on the substrate described above is formed by depositing ferrulein molecules on the
마지막으로, 플렉시블 기재 분리단계(S300)를 설명한다.Finally, the flexible substrate separation step (S300) will be described.
상기 플렉시블 기재 분리단계(S300)는 상술한 플렉시블 기재 제조단계(S200)에서 제조된 플렉시블 기재(200)를 상기 기재(101)로부터 분리하는 단계를 의미할 수 있다.The step of separating the flexible substrate (S300) may mean separating the
상세하게, 상기 플렉시블 기재의 분리는 이 분야에서 통상적으로 사용되는 방법이면 족하며, 구체적이고 비한정적인 일 예로, 상기 플렉시블 기재의 후면에 접착테이프를 부착하여 상기 기재로부터 상기 플렉시블 기재를 분리할 수 있다. In detail, the separation of the flexible substrate may be carried out by a method commonly used in this field. For example, a specific and non-limiting example is to attach an adhesive tape to the back surface of the flexible substrate to separate the flexible substrate from the substrate have.
종합하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉시블 기재 제조방법은 상술한 기재 제조단계(S100) 및 플렉시블 기재 제조단계(S200)를 포함함으로써, 플렉시블 기재의 굴절률이 1.5 내지 1.7 일 수 있다. 이러한 굴절률을 가지는 플렉시블 기재는 기존의 유리로 된 기재 보다 높은 굴절률을 가지기 때문에 광추출 효과가 보다 높으며, 더군다나 상기 플레시블 기재는 상술한 미세구조물을 더 포함하므로 광추출 효과는 더욱 향상될 수 있다. Taken together, the method of manufacturing a flexible substrate according to an embodiment of the present invention includes the steps of manufacturing the substrate (S100) and the step of manufacturing a flexible substrate (S200), so that the refractive index of the flexible substrate may be 1.5 to 1.7. Since the flexible substrate having such a refractive index has a higher refractive index than that of the conventional glass substrate, the light extraction effect is higher. Further, the flexible substrate can further improve the light extraction effect because it further includes the microstructure described above.
또한, 상기 플렉시블 기재의 두께는 지지체 역할을 할 수 있는 두께이면 족하다. 구체적인 일 예로, 상기 플렉시블 기재는 1 내지 100 ㎛의 두께를 가질 수 있으나, 본 발명이 상기 플렉시블 기재의 두께에 한정되는 것은 아니다. The thickness of the flexible substrate may be sufficient to serve as a support. As a specific example, the flexible substrate may have a thickness of 1 to 100 μm, but the present invention is not limited to the thickness of the flexible substrate.
또한, 본 발명은 상술한 플렉시블 기재의 제조방법을 이용한 유기발광소자 제조방법을 포함한다.The present invention also includes a method of manufacturing an organic light emitting device using the above-described method for manufacturing a flexible substrate.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광소자 제조방법은 상술한 플렉시블 기재의 후면에 제1전극, 유기발광층, 제2전극, 및 보호층을 순서대로 적층하는 단계를 포함할 수 있다. 이는 상기 유기발광소자의 내부에 갖힌 광을 산란 효과를 통해 외부로 추출하는데 효과적이다. 상기 적층 단계는 이 분야에서 통상적으로 사용하는 방법이면 족하다.The method of fabricating an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention may include sequentially stacking a first electrode, an organic light emitting layer, a second electrode, and a protective layer on the back surface of the flexible substrate. This is effective for extracting the light trapped in the organic light emitting device to the outside through the scattering effect. The laminating step may be a method commonly used in this field.
여기서, 제1전극은 애노드(anode) 전극일 수 있다. 상기 제1전극은 외부에서 전압을 인가받아 상기 유기발광층에 정공을 공급할 수 있다. 상기 제1전극은 빛을 투과시킬 수 있다. 상기 제1전극은 투명 전도성 산화물(transparent conductive oxide, TCO)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1전극은 산화아연(ZnO), 산화주석(SnO2), 산화인듐주석(Indium Tin Oxide, ITO), 갈륨이 도핑된 산화아연(ZnO:Al), 붕소가 도핑된 산화아연(ZnO:B), 및/또는 알루미늄이 도핑된 산화아연(AZO: Aluminum Zinc Oxide)일 수 있다. 상기 제1전극의 굴절률은 상기 플렉시블 기재의 굴절률보다 클 수 있다. 상기 제1전극은 대략 1.8 내지 2.0의 굴절률을 가질 수 있다. 예를 들어, 산화인듐주석을 포함하는 제1전극은 1.9의 굴절률을 가질 수 있다.Here, the first electrode may be an anode electrode. The first electrode may receive a voltage from the outside and supply holes to the organic light emitting layer. The first electrode may transmit light. The first electrode may include a transparent conductive oxide (TCO). For example, the first electrode may be formed of at least one selected from the group consisting of zinc oxide (ZnO), tin oxide (SnO 2 ), indium tin oxide (ITO), gallium-doped zinc oxide (ZnO) Zinc oxide (ZnO: B), and / or aluminum-doped zinc oxide (AZO). The refractive index of the first electrode may be greater than the refractive index of the flexible substrate. The first electrode may have a refractive index of approximately 1.8 to 2.0. For example, the first electrode comprising indium tin oxide may have a refractive index of 1.9.
또한, 상기 유기발광층은 상기 제1전극으로부터 공급되는 정공들과 상기 제2전극으로부터 공급되는 전자들의 재결합을 통하여 광을 생성시킬 수 있다. 상기 유기발광층은 단일막 구조 또는 보조층을 포함하는 다층막 구조일 수 있다. 유기발광층의 발광효율을 높이는 보조층을 더 포함할 수도 있다. 보조층은 정공주입층(hole injecting layer), 정공수송층(hole transfer layer), 전자수송층(electron transfer layer), 및/또는 전자주입층(electron injecting layer) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The organic light emitting layer may generate light through recombination of holes supplied from the first electrode and electrons supplied from the second electrode. The organic light emitting layer may have a single-layer structure or a multi-layer structure including an auxiliary layer. And may further include an auxiliary layer for increasing the luminous efficiency of the organic luminescent layer. The auxiliary layer may include at least one of a hole injecting layer, a hole transfer layer, an electron transfer layer, and / or an electron injecting layer.
또한, 상기 유기발광층은 이 분야에서 통상적으로 사용되는 유기발광 물질을 사용할 수 있다. 구체적이고 비한정적인 일 예로, 상기 유기발광층은 아릴아민계(aryl amine), 카바졸계, 스파이로(spiro)계를 포함할 수 있다. 구체적이고 비한정적인 다른 일 예로, 상기 유기발광층은 4,4-N,N-디카바졸-비페닐(4,4-N,N-dicarbazole-biphenyl, CBP), N,N-디카바조일-3,5-벤젠(N,N-dicarbazoyl-3,5-benzene, mCP), 폴리비닐카바졸(poly(vinylcarbazole), PVK), 폴리플루오렌, 4,4'-비스[9-(3,6-비페닐카바졸일)]-1-1,1'-비페닐4,4'-비스[9-(3,6-비페닐카바졸일)]-1-1,1'-비페닐, 9,10-비스[(2',7'-t-부틸)-9',9''-스파이로비플루오레닐(spirobifluorenyl)안트라센, 테트라플루오렌(tetrafluorene) 등의 물질을 포함할 수 있다. The organic light emitting layer may be an organic light emitting material commonly used in this field. As a specific and non-limiting example, the organic light emitting layer may include an aryl amine, a carbazole series, and a spiro series. In another specific, non-limiting example, the organic light-emitting layer comprises 4,4-N, N-dicarbazole-biphenyl (CBP), N, N-dicarbazolyl- (N, N-dicarbazoyl-3,5-benzene, mCP), poly (vinylcarbazole) PVK, polyfluorene, 4,4'- 6-biphenylcarbazolyl)] - 1-1, 1'-biphenyl 4,4'-bis [9- (3,6-biphenylcarbazolyl)] - , 10-bis [(2 ', 7'-t-butyl) -9', 9 "-spirobifluorenyl anthracene, tetrafluorene and the like.
또한, 상기 유기발광층은 이 분야에서 통상적으로 사용되는 도펀트를 더 포함할 수 있다. 상기 도펀트는 FIrpic(iridium(III) bis(4,6-(di-fluorophenyl)-pyridinato-N,C') picolinate), 트리스(페닐-메틸-벤즈이미다졸일) 이리듐(III)(tris(phenyl-methyl-benzimidazolyl) iridium(III)), Ir(dbfmi)(mertris(Ndibenzofuranyl-N'-methylimidazole)iridium(III)), Ir(dfppz)3 (tris(4,6-difluorophenylpyrazolyl)iridium (III)), Ir(dbi)3 [fac -tris[1-(2,4-dii-sopropyldibenzo[b,d]furan-3-yl)-2-phenyl-1H-imidazole]iridium(III)], fac-Ir(mpim)3 [fac-tris(mesityl-2-phenyl-1H-imidazole)iridium (III)], Ir(dmp)3 (iridium (III) tris[3-(2,6-dimethylphenyl)-7-methylimidazo[1,2-f] phenanthridine]) 등일 수 있다.Further, the organic light emitting layer may further include a dopant conventionally used in this field. The dopant may be selected from the group consisting of iridium (III) bis (4,6- di-fluorophenyl) -pyridinato-N, C ') picolinate, tris (phenylmethyl-benzimidazolyl) iridium (III) iridium III), Ir (dfppz) 3 (tris (4,6-difluorophenylpyrazolyl) iridium (III)), Ir (dbfmi) (mertris (Ndibenzofuranyl-N'-methylimidazole) , Ir (dbi) 3 [fac-tris [1- (2,4-diisopropyldibenzo [b, d] furan-3-yl) -2-phenyl-1H- imidazole] (mpim) 3 [fac-tris (mesityl-2-phenyl-1H-imidazole) iridium (III)], Ir (dmp) 3 (iridium (III) tris [3- (2,6-dimethylphenyl) -7-methylimidazo [1,2-f] phenanthridine]), and the like.
또한, 상기 유기발광층은 대략 1.6 내지 1.9의 굴절률을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 유기발광층은 1.75의 굴절률을 가질 수 있다.Further, the organic light emitting layer may have a refractive index of about 1.6 to 1.9. For example, the organic light emitting layer may have a refractive index of 1.75.
상기 제2전극은 캐소드(cathode)일 수 있다. 제2전극은 외부에서 전압을 인가받아 유기발광층에 전자를 공급할 수 있다. 제2전극은 전도성 물질을 포함할 수 있다. 제2전극은 제1전극보다 일함수가 낮은 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2전극은 알루미늄(Al), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 몰리브덴(Mo) 및/또는 그들의 합금 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제2전극은 유기발광층에서 생성된 광을 제1전극을 향하여 반사시킬 수 있다.The second electrode may be a cathode. The second electrode may receive electrons from the outside and supply electrons to the organic light emitting layer. The second electrode may comprise a conductive material. The second electrode may include a material having a lower work function than the first electrode. For example, the second electrode may include at least one of aluminum (Al), silver (Ag), magnesium (Mg), molybdenum (Mo), and / or their alloys. The second electrode may reflect light generated in the organic light emitting layer toward the first electrode.
상기 보호층은 밀폐보호층 및/또는 패키징된 플렉시블층일 수 있다. 상기 보호층은 공기 불투과성 재료로 이루어질 수 있다. 상기 보호층은 투명한 재료를 포함할 수 있다. 상기 보호층은 유기발광층을 보호할 수 있다.The protective layer may be a sealing protective layer and / or a packaged flexible layer. The protective layer may be made of an air impermeable material. The protective layer may comprise a transparent material. The protective layer may protect the organic light emitting layer.
이상과 같이 본 발명에서는 특정된 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, Those skilled in the art will recognize that many modifications and variations are possible in light of the above teachings.
따라서, 본 발명의 사상은 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.Accordingly, the spirit of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described, and all of the equivalents or equivalents of the claims, as well as the following claims, belong to the scope of the present invention .
Claims (8)
b) 상기 기재의 일면과 대응되는 후면을 가지며, 상기 기재의 일면을 덮는 플렉시블 기재를 제조하는 단계를 포함하며,
상기 플렉시블 기재는 상기 플렉시블 기재의 후면에 입사된 광을 상기 플렉시블 기재의 전면으로 추출하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기재 제조방법.
comprising the steps of: a) providing a substrate having a microstructure projected on one surface thereof; And
b) fabricating a flexible substrate having a back surface corresponding to one side of the substrate and covering one side of the substrate,
Wherein the flexible substrate extracts the light incident on the rear surface of the flexible substrate to the front surface of the flexible substrate.
상기 b) 단계 이후에,
c) 상기 기재로부터 상기 플렉시블 기재를 분리하는 단계를 포함하는 플렉시블 기재 제조방법.
The method according to claim 1,
After the step b)
c) separating the flexible substrate from the substrate.
상기 미세구조물은
반구형, 반타원형, 종(bell)형, 원반형, 원기둥형, 별기둥형, 삼각기둥형, 사각기둥형, 육면체형, 사면체형, 피라미드형 또는 이들의 혼합형 중에서 선택되는 하나 또는 둘 이상의 3차원 구조인 플렉시블 기재 제조방법.
The method according to claim 1,
The microstructure
One or more three-dimensional structures selected from the group consisting of hemispherical, semi-elliptical, bell, disc, cylinder, star, triangular, square, hexahedral, tetrahedral, pyramidal, In flexible substrate.
상기 b) 단계는
b1) 하기 화학식 1로 표시되는 화합물로부터 유래된 다이머를 승화시키는 단계;
b2) 승화된 다이머를 페럴린 전구체 모노머로 분리시키는 단계; 및
b3) 분리된 페럴린 전구체 모노머를 상기 기재의 일면을 덮도록 증착시키는 단계를 포함하는 플렉시블 기재 제조방법:
[화학식 1]
The method according to claim 1,
The step b)
b1) subliming a dimer derived from a compound represented by the following formula (1);
b2) separating the sublimed dimer into feruler precursor monomers; And
b3) depositing the separated ferulic precursor monomer to cover one side of the substrate;
[Chemical Formula 1]
상기 플렉시블 기재는 페럴린인 OLED용 플렉시블 기재 제조방법.
The method of claim 1, wherein
Wherein the flexible substrate is a ferrolein.
상기 플렉시블 기재의 굴절률은 1.5 내지 1.7인 플렉시블 기재 제조방법.
The method of claim 1, wherein
Wherein the refractive index of the flexible substrate is 1.5 to 1.7.
상기 플렉시블 기재는 1 내지 100 ㎛의 두께를 가지는 플렉시블 기재 제조방법.
The method of claim 1, wherein
Wherein the flexible substrate has a thickness of 1 to 100 mu m.
A method for manufacturing an organic light emitting device, comprising: sequentially laminating a first electrode, an organic light emitting layer, a second electrode, and a protective layer on a flexible substrate according to claim 1.
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E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |